JPWO2015030209A1 - 表面処理金属材、キャリア付金属箔、コネクタ、端子、積層体、シールドテープ、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

熱の吸収性及び放熱性が良好な表面処理金属材を提供する。表面処理金属材は、金属材の熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬが、ΔＬ≦−４０を満たす。

Description

本発明は、表面処理金属材、キャリア付金属箔、コネクタ、端子、積層体、シールドテープ、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法に関する。

近年、電子機器の小型化、高精細化に伴い、使用される電子部品の発熱による故障等が問題となっている。特に、成長著しい電気自動車やハイブリッド電気自動車で用いられる電子部品には、バッテリー部のコネクタ等の著しく高い電流が流れる部品があり、通電時の電子部品の発熱が問題となっている。また、スマートフォンタブレットやタブレットＰＣの液晶には液晶フレームと呼ばれる放熱板が用いられている。この放熱板により、周辺に配置された液晶部品、ＩＣチップ等からの熱を外部へ放出し、電子部品の故障等を抑制している。

特開平０７-０９４６４４号公報 特開平０８-０７８４６１号公報

しかしながら、上述したように近年の電子機器の変化により、従来の液晶フレームでは、液晶部品、ＩＣチップ等からの熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等を良好に吸収し、且つ、吸収した熱が籠もらないように外部へ良好に放出する機能について満足できなくなっている。
そこで、本発明は、熱の吸収性及び放熱性が良好な表面処理金属材を提供することを課題とする。

本発明者は鋭意研究を重ねた結果、所定の熱伝導率を有する金属材に表面処理を行って、当該金属材の表面の色差を制御することで、熱の吸収性及び放熱性が良好な表面処理金属材を提供することができることを見出した。

以上の知見を基礎として完成された本発明は一側面において、金属材の熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、
表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬが、ΔＬ≦−４０を満たす表面処理金属材である。

本発明の表面処理金属材は一実施形態において、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δａについて、
Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦−８．５６０３×Δａ−３８．０３１１を満たし、
２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦−６２を満たす。

本発明の表面処理金属材は別の一実施形態において、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δｂについて、
Δｂ≦−０．６８の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
−０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦−２．６４９０×Δｂ−４１．８０１３を満たし、
０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦−４８．６４８６×Δｂ−３．６２１６を満たし、
１．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦−６２を満たす。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δａについて、
Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦−８．５６０３×Δａ−３８．０３１１を満たし、
２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦−６２を満たし、
表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δｂについて、
Δｂ≦−０．６８の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
−０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦−２．６４９０×Δｂ−４１．８０１３を満たし、
０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦−４８．６４８６×Δｂ−３．６２１６を満たし、
１．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦−６２を満たす。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−４５を満たす。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−５５を満たす。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−６０を満たす。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−６５を満たす。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−６８を満たす。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−７０を満たす。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が放熱用金属材である。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、金属を含む表面処理層を有する。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、粗化処理層を含む表面処理層を有する。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、６０度光沢度が１０〜８０％である。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、６０度光沢度が１０％未満である。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、クロム層若しくはクロメート層、及び／又は、シラン処理層を含む表面処理層を有する。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、金、金合金、銀、銀合金、白金族、白金族合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、鉛、鉛合金、タンタル、タンタル合金、錫、錫合金、インジウム、インジウム合金、亜鉛、又は、亜鉛合金で形成されている。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、亜鉛、又は、亜鉛合金で形成されている。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が、リン青銅、コルソン合金、丹銅、黄銅、洋白またはその他銅合金で形成されている。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記金属材が、金属条、金属板、又は、金属箔である。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記表面処理層の表面に樹脂層を備える。

本発明の表面処理金属材は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が誘電体を含む。

本発明は別の一側面において、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄金属層をこの順に有するキャリア付金属箔であって、前記極薄金属層が本発明の表面処理金属材であるキャリア付金属箔である。

本発明のキャリア付金属箔は一実施形態において、前記キャリアの一方の面に前記中間層、前記極薄金属層をこの順に有し、前記キャリアの他方の面に粗化処理層を有する。

本発明のキャリア付金属箔は別の一実施形態において、前記極薄金属層が極薄銅層である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材を用いたコネクタである。

本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材を用いた端子である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材又は本発明のキャリア付金属箔と樹脂基板とを積層して製造した積層体である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を備えたシールドテープ又はシールド材である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を備えたプリント配線板である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材又は本発明のキャリア付金属箔を用いた金属加工部材である。

本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理金属材又は本発明のキャリア付金属箔を用いた電子機器である。

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程を経て金属張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付金属箔の前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付金属箔の前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄金属層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄金属層を剥離させた後に、前記極薄金属層または前記キャリアを除去することで、前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。

本発明によれば、熱の吸収性及び放熱性が良好な表面処理金属材を提供することができる。

（Ａ）は実施例で作製したシールドボックスの上面模式図である。（Ｂ）は実施例で作製したシールドボックスの断面模式図である。 実施例及び比較例に係るΔａ−ΔＬグラフである。 実施例及び比較例に係るΔｂ−ΔＬグラフである。

〔表面処理金属材の形態及び製造方法〕
本発明において使用する金属材としては、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、金、金合金、銀、銀合金、白金族、白金族合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、鉛、鉛合金、タンタル、タンタル合金、錫、錫合金、インジウム、インジウム合金、亜鉛、又は、亜鉛合金等であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材が挙げられ、さらに公知の金属材料であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材料も使用することができる。また、ＪＩＳ規格やＣＤＡ等で規格されている金属材料であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材料も使用することができる。

銅としては、典型的には、ＪＩＳ Ｈ０５００やＪＩＳ Ｈ３１００に規定されるリン脱酸銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１２０１、Ｃ１２２０、Ｃ１２２１）、無酸素銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１０２０）及びタフピッチ銅（ＪＩＳ Ｈ３１００ 合金番号Ｃ１１００）、電解銅箔などの９５質量％以上、より好ましくは９９．９０質量％以上の純度の銅が挙げられる。Ｓｎ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｉｎ、Ｎｉ、Ｐ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｂ、ＭｎおよびＺｒの中の一種以上を合計で０．００１〜４．０質量％含有する銅又は銅合金とすることもできる。

銅合金としては、更に、リン青銅、コルソン合金、丹銅、黄銅、洋白、その他銅合金等が挙げられる。また、銅または銅合金としてはＪＩＳ Ｈ ３１００〜ＪＩＳ Ｈ３５１０、ＪＩＳ Ｈ ５１２０、ＪＩＳ Ｈ ５１２１、ＪＩＳ Ｃ ２５２０〜ＪＩＳ Ｃ ２８０１、ＪＩＳ Ｅ ２１０１〜ＪＩＳ Ｅ ２１０２に規格されている銅または銅合金も、本発明に用いることができる。なお、本明細書においては特に断らない限りは、金属の規格を示すために挙げたＪＩＳ規格は２００１年度版のＪＩＳ規格を意味する。

リン青銅は典型的には、リン青銅とは銅を主成分としてＳｎ及びこれよりも少ない質量のＰを含有する銅合金のことを指す。一例として、りん青銅はＳｎを３．５〜１１質量％、Ｐを０．０３〜０．３５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物からなる組成を有する。リン青銅は、Ｎｉ、Ｚｎ等の元素を合計で１．０質量％以下含有しても良い。

コルソン合金は典型的にはＳｉと化合物を形成する元素（例えば、Ｎｉ、Ｃｏ及びＣｒの何れか一種以上）が添加され、母相中に第二相粒子として析出する銅合金のことをいう。一例として、コルソン合金はＮｉを０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％、Ｃｒを０．０３〜０．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％、Ｃｏを０．５〜２．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％、Ｃｏを０．５〜２．５質量％、Ｃｒを０．０３〜０．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。更に別の一例として、コルソン合金はＳｉを０．２〜１．３質量％、Ｃｏを０．５〜２．５質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。コルソン合金には随意にその他の元素（例えば、Ｍｇ、Ｓｎ、Ｂ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ａｇ、Ｐ、Ｚｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｚｒ、Ａｌ及びＦｅ）が添加されてもよい。これらその他の元素は総計で５．０質量％程度まで添加するのが一般的である。例えば、更に別の一例として、コルソン合金はＮｉを０．５〜４．０質量％、Ｓｉを０．１〜１．３質量％、Ｓｎを０．０１〜２．０質量％、Ｚｎを０．０１〜２．０質量％含有し、残部銅及び不可避的不純物から構成される組成を有する。

本発明において、丹銅とは、銅と亜鉛との合金であり亜鉛を１〜２０質量％、より好ましくは亜鉛を１〜１０質量％含有する銅合金のことをいう。また、丹銅は錫を０．１〜１．０質量％含んでも良い。

本発明において、黄銅とは、銅と亜鉛との合金で、特に亜鉛を２０質量％以上含有する銅合金のことをいう。亜鉛の上限は特には限定されないが６０質量％以下、好ましくは４５質量％以下、あるいは４０質量％以下である。

本発明において、洋白とは銅を主成分として、銅を６０質量％から７５質量％、ニッケルを８．５質量％から１９．５質量％、亜鉛を１０質量％から３０質量％含有する銅合金のことをいう。

本発明において、その他銅合金とはＺｎ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｓｉ、Ｐ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ａｇ、Ｂ、ＣｒおよびＴｉの内一種または二種以上を合計で８．０％以下含み、残部が不可避的不純物と銅からなる銅合金をいう。

アルミ及びアルミ合金としては、例えばＡｌを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ４０００〜ＪＩＳ Ｈ ４１８０、ＪＩＳ Ｈ ５２０２、ＪＩＳ Ｈ ５３０３あるいはＪＩＳ Ｚ ３２３２〜ＪＩＳ Ｚ ３２６３に規格されているアルミ及びアルミ合金を用いることができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ４０００に規格されているアルミニウムの合金番号１０８５、１０８０、１０７０、１０５０、１１００、１２００、１Ｎ００、１Ｎ３０に代表される、Ａｌ：９９．００質量％以上のアルミニウム又はその合金等を用いることができる。

ニッケル及びニッケル合金としては、例えばＮｉを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ４５４１〜ＪＩＳ Ｈ ４５５４、ＪＩＳ Ｈ ５７０１またはＪＩＳ Ｇ ７６０４〜 ＪＩＳ Ｇ ７６０５、ＪＩＳ Ｃ ２５３１に規格されているニッケルまたはニッケル合金を用いることができる。また、例えば、ＪＩＳ Ｈ４５５１に記載の合金番号ＮＷ２２００、ＮＷ２２０１に代表される、Ｎｉ：９９．０質量％以上のニッケル又はその合金等を用いることができる。

鉄合金としては、例えば軟鋼、炭素鋼、鉄ニッケル合金、鋼等を用いることができる。例えばＪＩＳ Ｇ ３１０１〜ＪＩＳ Ｇ ７６０３、ＪＩＳ Ｃ ２５０２〜ＪＩＳ Ｃ ８３８０、ＪＩＳ Ａ ５５０４〜ＪＩＳ Ａ ６５１４またはＪＩＳ Ｅ １１０１〜ＪＩＳ Ｅ ５４０２−１に記載されている鉄または鉄合金を用いることができる。軟鋼は、炭素が０．１５質量％以下の軟鋼を用いることができ、ＪＩＳ Ｇ３１４１に記載の軟鋼等を用いることができる。鉄ニッケル合金は、Ｎｉを３５〜８５質量％含み、残部がＦｅ及び不可避不純物からなり、具体的には、ＪＩＳ Ｃ２５３１に記載の鉄ニッケル合金等を用いることができる。

亜鉛及び亜鉛合金としては、例えばＺｎを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ２１０７ 〜 ＪＩＳ Ｈ ５３０１に記載されている亜鉛または亜鉛合金を使用することができる。

鉛及び鉛合金としては、例えばＰｂを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ４３０１ 〜 ＪＩＳ Ｈ ４３１２、またはＪＩＳ Ｈ ５６０１に規格されている鉛または鉛合金を用いることができる。

マグネシウム及びマグネシウム合金としては、例えばＭｇを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ４２０１〜ＪＩＳ Ｈ ４２０４、ＪＩＳ Ｈ ５２０３〜ＪＩＳ Ｈ ５３０３、ＪＩＳ Ｈ ６１２５に規格されているマグネシウム及びマグネシウム合金を用いることができる。

タングステン及びタングステン合金としては、例えばＷを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ４４６３に規格されているタングステン及びタングステン合金を用いることができる。

モリブデン及びモリブデン合金としては、例えばＭｏを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。

タンタル及びタンタル合金としては、例えばＴａを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ４７０１に規格されているタンタル及びタンタル合金を用いることができる。

錫及び錫合金としては、例えばＳｎを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。例えば、ＪＩＳ Ｈ ５４０１に規格されている錫及び錫合金を用いることができる。

インジウム及びインジウム合金としては、例えばＩｎを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。

クロム及びクロム合金としては、例えばＣｒを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。

銀及び銀合金としては、例えばＡｇを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。

金及び金合金としては、例えばＡｕを４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。

白金族とはルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金の総称である。白金族及び白金族合金としては、例えばＰｔ、Ｏｓ、Ｒｕ，Ｐｄ，Ｉｒ及びＲｈの元素群から選択される少なくとも１種以上の元素を４０質量％以上含むあるいは、８０質量％以上含む、あるいは９９．０質量％以上含むものを使用することができる。

本発明の金属材の熱伝導率は３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である。金属材の熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等を一部分に集中させることなく金属材全体へ伝え、外部へ放出することが容易となる。本発明の金属材の熱伝導率は５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが好ましく、７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのがより好ましく、９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、１５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、２１０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、２３０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、２５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、２７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、３００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましく、３５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であるのが更により好ましい。なお、熱伝導率について上限を定める必要は特には無いが、例えば６００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、例えば５００Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、例えば４５０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下である。

本発明において使用する金属材の形状としては、特に制限はないが、最終的な電子部品の形状に加工されていてもよいし、部分的にプレス加工がなされた状態にあってもよい。形状加工が行われておらず、板や箔の形態にあってもよい。

金属材の厚さについては特に制限はなく、例えば、用途別に適した厚さに適宜調節して用いることができる。例えば、１〜５０００μｍ程度あるいは２〜１０００μｍ程度とすることができ、特に回路を形成して使用する場合には３５μｍ以下、シールドテープ用としては１８μｍ以下といった薄いものから、電子機器内部のコネクタやシールド材、カバー等として用いる場合には７０〜１０００μｍといった厚い材料にも適用することができ、特に上限の厚みを定めるわけではない。

本発明の表面処理金属材は、金属材の表面にめっき層、粗化処理層、耐熱処理層、防錆処理層、酸化物層（金属材の表面に、加熱等により酸化物層を形成）等の表面処理層が形成されたものであってもよい。なお、めっき層は電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、或いはスパッタリング、ＣＶＤ及びＰＤＶのような乾式めっきにより形成することができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。また、本発明の表面処理金属材は、必ずしも表面処理層が形成されたものでなくてもよく、金属材の表面が研磨（化学研磨、機械研磨を含む）や薬品等で処理された金属材であって、表面処理層を有さないものであってもよい。

本発明の表面処理金属材は、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬが、ΔＬ≦−４０を満たすように制御されている。このように、金属材の表面においてΔＬ≦−４０を満たすように制御されていると、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等を良好に吸収することができる。
上記表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差（ΔＬ、Δａ、Δｂ）は、ＨｕｎｔｅｒＬａｂ社製色差計ＭｉｎｉＳｃａｎ ＸＥ Ｐｌｕｓを使用して測定することができる。

また、本発明の表面処理金属材は、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差Δａ、ΔＬについて、
Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦−８．５６０３×Δａ−３８．０３１１を満たし、
２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦−６２を満たすように制御されているのが好ましい。
このような構成によれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等をより良好に吸収することができる。

さらに、本発明の表面処理金属材は、表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差Δｂ、ΔＬについて、
Δｂ≦−０．６８の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
−０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦−２．６４９０×Δｂ−４１．８０１３を満たし、
０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦−４８．６４８６×Δｂ−３．６２１６を満たし、
１．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦−６２を満たすように制御されているのが好ましい。
このような構成によれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等をより良好に吸収することができる。

本発明の表面処理金属材において、上記色差ΔＬは、好ましくはΔＬ≦−４５、より好ましくはΔＬ≦−５０、更により好ましくはΔＬ≦−５５、更により好ましくはΔＬ≦−５８、更により好ましくはΔＬ≦−６０、更により好ましくはΔＬ≦−６５、更により好ましくはΔＬ≦−６８、更により好ましくはΔＬ≦−７０を満たす。また、当該ΔＬは特に上限を規定する必要はないが、例えば、ΔＬ≧−９０、ΔＬ≧−８８、ΔＬ≧−８５、ΔＬ≧−８３、ΔＬ≧−８０、ΔＬ≧−７８、ΔＬ≧−７５を満たしてもよい。

本発明の表面処理金属材において、上記色差Δａは、Δａ≧−１０、またはΔａ≧−５であってもよい。また、上記色差Δａは、Δａ≦４０、Δａ≦４５、またはΔａ≦５０であってもよい。

本発明の表面処理金属材において、上記色差Δｂは、Δｂ≧−１５、またはΔｂ≧−１０であってもよい。また、上記色差Δｂは、Δｂ≦２５、またはΔｂ≦３０であってもよい。上述の色差は、金属材の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電解液を用いて、従来よりも電流密度を高く（例えば３５〜６０Ａ／ｄｍ²、より好ましくは４０〜６０Ａ／ｄｍ²、より好ましくは）し、処理時間を短く（例えば０．１〜１．５秒、好ましくは０．２〜１．４秒）することで調整することができる。金属材の表面に粗化処理層を設けない場合には、Ｎｉおよび／またはＣｏと、Ｗ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＣｕからなる群から選択される一種以上の元素とを含むめっき浴であって、Ｎｉおよび／またはＣｏの濃度（ＮｉおよびＣｏを含む場合には、ＮｉとＣｏの合計濃度）をその他の元素の濃度を合計した濃度の２倍以上（好ましくは２．５倍以上）としたメッキ浴を用いて、金属材または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にＮｉ合金メッキまたはＣｏ合金メッキ（例えばＮｉ−Ｗ合金メッキ、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ合金メッキ、Ｎｉ−Ｚｎ合金めっき、Ｃｏ−Ｚｎ合金めっき等）を従来よりも低電流密度（０．１〜３Ａ／ｄｍ²、好ましくは０．１〜２．８Ａ／ｄｍ²）で処理時間を長く（５秒以上、より好ましくは１０秒以上、より好ましくは２０秒以上、例えば２０秒〜１９０秒、好ましくは２０秒〜１８０秒）設定して処理すること等により達成できる。

本発明の表面処理金属材は、６０度光沢度が１０〜８０％であってもよい。このような構成によれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等をより良好に吸収すると共に、６０度光沢度が１０％未満である表面処理金属材料に比べて表面に艶が生じることから意匠性（美観）が増すという効果が生じる。当該６０度光沢度は、より好ましくは１０〜７０％、更により好ましくは１５〜６０％、更により好ましくは１５〜５０％である。
なお、金属材に表面処理を行う前に、金属材の表面について化学研磨や機械研磨等の研磨を行うか、高光沢圧延などによりあらかじめ金属材の表面の６０度光沢度を制御することにより、表面処理金属材の表面処理後の６０度光沢度を上記範囲に制御することができる。
化学研磨は硫酸−過酸化水素−水系またはアンモニア−過酸化水素−水系等のエッチング液で、通常よりも濃度を低くして、長時間かけて行う。
機械研磨は３０００番の砥粒かそれよりも目の細かい砥粒と不織布と樹脂とを用いて形成したバフを用いて研磨することにより行う。
高光沢圧延は以下の式で規定される油膜当量が１２０００以上〜２４０００以下となるような条件において金属材を圧延することで行うことが出来る。
油膜当量＝｛（圧延油粘度[ｃＳｔ]）×（通板速度[ｍｐｍ]＋ロール周速度[ｍｐｍ]）｝/｛（ロールの噛み込み角[ｒａｄ]）×（材料の降伏応力[ｋｇ／ｍｍ²]）｝
上記圧延油粘度[ｃＳｔ]は４０℃での動粘度である。上記油膜当量を１２０００〜２４０００とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。

本発明の表面処理金属材は、６０度光沢度が１０％未満であってもよい。このような構成によれば、発熱体から吸収した熱伝導による熱、輻射熱、対流熱等をより良好に吸収するという効果が生じる。当該６０度光沢度は、より好ましくは９％以下、更により好ましくは８％以下、更により好ましくは７％以下、更により好ましくは５％以下である。また、６０度光沢度の下限は特に設ける必要はないが、典型的には例えば０．００１％以上、例えば０．０１％以上、例えば０．０５％以上、例えば０．１％以上である。

本発明の表面処理金属材は、表面処理層が金属を含んでもよい。このような構成によれば、表面処理層を樹脂で形成するものに比べて接触抵抗が低くなる。表面処理層が含む金属としては、例えば、銅、金、銀、白金族、クロム、りん、亜鉛、ヒ素、ニッケル、コバルト、タングステン、錫、モリブデン等が挙げられる。また、本発明の表面処理金属材は、表面処理層が、金属および／または合金の酸化物のΔＬが−３０以下であるような、金属および／または合金を含むことが好ましい。酸化物のΔＬが−３０以下であるような金属および／または合金としては、例えば、ニッケル、コバルト、タングステン、錫等が挙げられ、また、ニッケル、コバルト、亜鉛、錫、タングステン、および錫からなる群から選択される一種以上の元素を含む合金等が挙げられる。また、前述のニッケル、コバルト、タングステン、錫等が挙げられ、また、ニッケル、コバルト、亜鉛、錫、タングステン、および錫からなる群から選択される一種以上の元素を含む合金は銅を含んでもよい。なお、酸化物のΔＬは粉末状の酸化物で層を作り、当該酸化物の層についてΔＬを測定することによっても測定することができる。めっき等により表面処理層を形成する際に、上記金属の一部が酸化物になることによって、金属材の表面の色差を制御することが可能となるためである。

本発明の表面処理層は、金属材の表面にＮｉ−Ｚｎ合金めっき層またはＣｏ−Ｚｎ合金めっき層が形成されることで構成してもよい。Ｎｉ−Ｚｎ合金めっき層またはＣｏ−Ｚｎ合金めっき層は、例えば電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき等により得ることができる。コストの観点から電気めっきが好ましい。また、本発明の表面処理層は、金属材の表面にＮｉめっき層及び、Ｎｉ−Ｚｎ合金めっき層若しくはＣｏ−Ｚｎ合金めっき層をこの順で形成することで構成してもよい。
当該Ｎｉ−Ｚｎ合金めっきまたはＣｏ−Ｚｎ合金めっき条件を以下に示す。
・めっき液組成：Ｎｉ濃度またはＣｏ濃度１５〜６０ｇ／Ｌ、Ｚｎ濃度３〜１５ｇ／Ｌ
・ｐＨ：３．５〜５．０
・温度：２５〜５５℃
・電流密度：０．２〜３．０Ａ／ｄｍ²
・めっき時間：４〜１８１秒、好ましくは９〜１８１秒、より好ましくは１５〜１８１秒、より好ましくは２０〜１８１秒
・Ｎｉ付着量またはＣｏ付着量：７００μｇ／ｄｍ²以上２００００μｇ／ｄｍ²以下、好ましくは１４００μｇ／ｄｍ²以上２００００μｇ／ｄｍ²以下、好ましくは２０００μｇ／ｄｍ²以上２００００μｇ／ｄｍ²以下、好ましくは４０００μｇ／ｄｍ²以上２００００μｇ／ｄｍ²以下
・Ｚｎ付着量：６００μｇ／ｄｍ²以上２５０００μｇ／ｄｍ²以下、好ましくは１１００μｇ／ｄｍ²以上２４０００μｇ／ｄｍ²以下、好ましくは２２００μｇ／ｄｍ²以上２３０００μｇ／ｄｍ²以下、好ましくは４０００μｇ／ｄｍ²以上２２０００μｇ／ｄｍ²以下
・Ｎｉ比率、Ｃｏ比率、又は、Ｎｉ及びＣｏの合計比率：７.５％以上９０％以下が好ましく、１５％以上８５％以下が好ましく、２０％以上８２％以下が好ましく、２３％以上８０.２％以下がより好ましい。
前述のＮｉ−Ｚｎ合金めっき層またはＣｏ−Ｚｎ合金めっき層は、Ｗ、Ｓｎ及びＣｕから成る群から選択される一種以上の元素を含んでもよい。
また、当該Ｎｉめっき条件を以下に示す。
・めっき液組成：Ｎｉ濃度１５〜４０ｇ／Ｌ
・ｐＨ：２〜４
・温度：３０〜５０℃
・電流密度：０．１〜３.０Ａ／ｄｍ²
・めっき時間：０．１〜６０秒
なお、本発明に用いられる、デスミア処理、電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。

また、本発明の表面処理層は、金属材の表面に黒色樹脂を形成することで構成してもよい。黒色樹脂は、例えばエポキシ樹脂に黒色塗料を染み込ませて所定の厚みだけ塗布して乾燥することで形成することができる。

また、本発明の表面処理層は、
金属材上に表面処理として下記のめっき条件により一次粒子層（Ｃｕ）、二次粒子層（銅−コバルト−ニッケル合金めっき等）を設けることで形成することができる。
（Ａ）一次粒子層の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１０〜４０ｇ／Ｌ、硫酸６０〜１００ｇ／Ｌ
液温 ：２５〜３０℃
電流密度 ：１〜７０Ａ／ｄｍ²
クーロン量：２〜９０Ａｓ／ｄｍ²
（Ｂ）二次粒子層の形成（Ｃｕ−Ｃｏ−Ｎｉ合金めっき）
液組成 ：銅１０〜２０ｇ／Ｌ、ニッケル１〜１５ｇ／Ｌ、コバルト１〜１５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２〜４
液温 ：３０〜５０℃
電流密度 ：１０〜６０Ａ／ｄｍ²、あるいは１０〜５０Ａ／ｄｍ²
クーロン量：１０〜８０Ａｓ／ｄｍ²
また、本発明の表面処理層は、金属材上に表面処理として一次粒子層（Ｃｕ）を形成しないで、上記のめっき条件により二次粒子層を設けることでも形成することができる。その場合には電流密度を従来よりも高くし（例えば、３５〜６０Ａ／ｄｍ²）、めっき時間を従来よりも短く（例えば０．１〜１．５秒、好ましくは０．２〜１．４秒）する必要がある。

上記表面処理層を用いる場合、Ｎｉ付着量の上限は典型的には３０００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１４００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１０００μｇ／ｄｍ²以下とすることができる。Ｎｉ付着量の下限は典型的には５０μｇ／ｄｍ²以上、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ２、より好ましくは３００μｇ／ｄｍ²以上とすることができる。
上記表面処理層の場合、Ｃｏ付着量の上限は典型的には５０００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは３０００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは２４００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは２０００μｇ／ｄｍ²以下とすることができる。Ｃｏ付着量の下限は典型的には５０μｇ／ｄｍ²以上、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²、より好ましくは３００μｇ／ｄｍ²以上とすることができる。また、上記表面処理層がＣｕ−Ｃｏ−Ｎｉ合金めっき層以外に、Ｃｏおよび／またはＮｉを含む層を有する場合には、表面処理層全体におけるＮｉの合計付着量およびＣｏの合計付着量を前述の範囲とすることができる。

金属材と表面処理層との間には、表面処理層を構成するめっきを阻害しない限り、下地層を設けてもよい。

前記表面処理層は、粗化処理層を含んでもよく、クロム層若しくはクロメート層、及び／又は、シラン処理層を含んでもよい。粗化処理層、クロム層若しくはクロメート層、シラン処理層の形成順は特に限定されず、各用途に合わせて形成順を決定することができる。一般的には、金属材表面に、粗化処理層、クロム層若しくはクロメート層、シラン処理層の順で形成するのが、粗化処理層の耐熱性及び耐食性が良好となるため好ましい。

本発明の表面処理金属材を樹脂基板に貼り合わせてシールドテープ又はシールド材等の積層体を製造することができる。また、必要であればさらに当該金属材を加工して回路を形成することにより、プリント配線板等を製造することができる。樹脂基板としては、例えば、リジッドＰＷＢ用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、ＦＰＣ用やテープ用としてポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＴフィルム等を使用する事ができる。なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。また、本発明のプリント配線板を２つ以上接続して、プリント配線板が２つ以上接続したプリント配線板を製造することができ、また、本発明のプリント配線板を少なくとも１つと、もう一つの本発明のプリント配線板又は本発明のプリント配線板に該当しないプリント配線板とを接続することができ、このようなプリント配線板を用いて電子機器を製造することもできる。なお、本発明において、「銅回路」には銅配線も含まれることとする。
また、本発明の表面処理金属材は放熱板、構造板、シールド材、シールド板、補強材、カバー、筐体、ケース、箱などに使用して金属加工部材を作製することができる。本発明の表面処理金属材は発熱体からの熱の吸収性及び吸収した熱の放熱性が良好であるため、放熱用金属材として非常に優れているため放熱板として用いることが特に好ましい。
また、本発明の表面処理金属材を当該放熱板、構造板、シールド材、シールド板、補強材、カバー、筐体、ケース、箱などに使用して作製した金属加工部材を電子機器に用いることができる。

〔キャリア付金属箔〕
本発明の別の実施の形態であるキャリア付金属箔は、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄金属層をこの順に有する。そして、前記極薄金属層が前述の本発明の一つの実施の形態である表面処理金属材である。

＜キャリア＞
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム（例えばポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルム、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）フィルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム、フッ素樹脂フィルム等）の形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアとしては銅箔を使用することが好ましい。銅箔は電気伝導度が高いため、その後の中間層、極薄金属層の形成が容易となるからである。キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばＳｎ入り銅、Ａｇ入り銅、Ｃｒ、Ｚｒ又はＭｇ等を添加した銅合金、Ｎｉ及びＳｉ等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。

本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば５μｍ以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には３５μｍ以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には１２〜７０μｍであり、より典型的には１８〜３５μｍである。

また、本発明に用いるキャリアは、中間層が形成される側の表面粗さＲｚならびに光沢度を以下の様に制御することで、表面処理した後の極薄金属層表面の表面粗さＲｚ並びに光沢度を制御することができる。

本発明に用いるキャリアについて、中間層形成前のキャリアの、中間層が形成される側の表面のＴＤの粗さ（Ｒｚ）及び光沢度を制御しておくことも重要である。具体的には、中間層形成前のキャリアのＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）が０．２０〜０．８０μｍ、好ましくは０．２０〜０．５０μｍであり、圧延方向（ＭＤ）の入射角６０度での光沢度が３５０〜８００％、好ましくは５００〜８００％である。このような銅箔としては、圧延油の油膜当量を調整して圧延を行う（高光沢圧延）、或いは、ケミカルエッチングのような化学研磨やリン酸溶液中の電解研磨を行う、また、所定の添加剤を添加して電解銅箔を製造することにより作製することができる。このように、処理前の銅箔のＴＤの表面粗さ（Ｒｚ）と光沢度とを上記範囲にすることで、処理後の銅箔の表面粗さ（Ｒｚ）を制御しやすくすることができる。

また、中間層形成前のキャリアは、ＭＤの６０度光沢度が５００〜８００％であるのが好ましく、５０１〜８００％であるのがより好ましく、５１０〜７５０％であるのが更により好ましい。表面処理前の銅箔のＭＤの６０度光沢度が５００％未満であると５００％以上の場合よりもＲｚが高くなるおそれがあり、８００％を超えると、製造することが難しくなるという問題が生じるおそれがある。
なお、高光沢圧延は以下の式で規定される油膜当量を１３０００〜１８０００以下とすることで行うことができる。
油膜当量＝｛（圧延油粘度[ｃＳｔ]）×（通板速度[ｍｐｍ]＋ロール周速度[ｍｐｍ]）｝/｛（ロールの噛み込み角[ｒａｄ]）×（材料の降伏応力[ｋｇ／ｍｍ²]）｝
圧延油粘度[ｃＳｔ]は４０℃での動粘度である。
油膜当量を１３０００〜１８０００とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。

また、表面粗さＲｚ並びに光沢度が前述の範囲となる電解銅箔は以下の方法で作製することができる。当該電解銅箔をキャリアとして用いることができる。
＜電解液組成＞
銅：９０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸：９０〜１１０ｇ／Ｌ
塩素：５０〜１００ｐｐｍ
レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０〜３０ｐｐｍ
レベリング剤２（アミン化合物）：１０〜３０ｐｐｍ
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。

（上記化学式中、Ｒ₁及びＲ₂はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）

＜製造条件＞
電流密度：７０〜１００Ａ／ｄｍ²
電解液温度：５０〜６０℃
電解液線速：３〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間（析出させる銅厚、電流密度により調整）
なお、キャリアの極薄金属層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けてもよい。当該粗化処理層を公知の方法を用いて設けてもよく、上述の粗化処理により設けてもよい。キャリアの極薄金属層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離しにくくなるという利点を有する。

＜中間層＞
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付金属箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄金属層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄金属層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付金属箔の中間層はＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎ、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物、あるいは有機物からなる層を形成することで構成することができる。
また、例えば、中間層はキャリア側からＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にＣｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｐ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｚｎで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成することで構成することができる。
また、中間層は前記有機物として公知の有機物を用いることが出来、また、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれか一種以上を用いることが好ましい。例えば、具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である１，２，３−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、Ｎ’，Ｎ’−ビス（ベンゾトリアゾリルメチル）ユリア、１Ｈ−１，２，４−トリアゾール及び３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、２−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び２−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル層、ニッケル−リン合金層又はニッケル−コバルト合金層と、クロム含有層とがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄金属層を剥離する際に、極薄金属層とクロム含有層との界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄金属層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４００００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上４０００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上２５００μｇ／ｄｍ²以下、より好ましくは１００μｇ／ｄｍ²以上１０００μｇ／ｄｍ²未満であり、中間層におけるクロムの付着量は５μｇ／ｄｍ²以上１００μｇ／ｄｍ²以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはＮｉめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。上記中間層のクロム層はクロムめっきやクロメート処理により設けることができる。
中間層の厚みが大きくなりすぎると、中間層の厚みが表面処理した後の極薄金属層表面の表面粗さＲｚ並びに光沢度に影響を及ぼす場合があるため、極薄金属層の表面処理層表面の中間層の厚みは１〜１０００ｎｍであることが好ましく、１〜５００ｎｍであることが好ましく、２〜２００ｎｍであることが好ましく、２〜１００ｎｍであることが好ましく、３〜６０ｎｍであることがより好ましい。なお、中間層はキャリアの両面に設けてもよい。

＜極薄金属層＞
中間層の上には極薄金属層を設ける。中間層と極薄金属層の間には他の層を設けてもよい。当該キャリアを有する極薄金属層は、本発明の一つの実施の形態である表面処理金属材である。極薄金属層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば１２μｍ以下である。典型的には０．５〜１２μｍであり、より典型的には１．５〜５μｍである。また、中間層の上に極薄金属層を設ける前に、極薄金属層のピンホールを低減させるために銅−リン合金等によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。なお、極薄金属層はキャリアの両面に設けてもよい。極薄金属層は銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、金、金合金、銀、銀合金、白金族、白金族合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、鉛、鉛合金、タンタル、タンタル合金、錫、錫合金、インジウム、インジウム合金、亜鉛、又は、亜鉛合金等であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属を含む、または、当該金属からなる極薄金属層であってもよく、さらに公知の金属材料であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材料も極薄金属層として使用することができる。また、ＪＩＳ規格やＣＤＡ等で規格されている金属材料であって且つ熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上である金属材料も極薄金属層として使用することができる。なお、極薄金属層として極薄銅層を用いることが好ましい。極薄銅層は導電率が高く、回路等の用途に適しているからである。

また、本発明の極薄金属層は下記の条件で形成する極薄銅層であってもよい。平滑な極薄銅層を形成することにより、極薄銅層表面の表面粗さＲｚ並びに光沢度を制御するためである。
・電解液組成
銅：８０〜１２０ｇ／Ｌ
硫酸：８０〜１２０ｇ／Ｌ
塩素：３０〜１００ｐｐｍ
レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０〜３０ｐｐｍ
レベリング剤２（アミン化合物）：１０〜３０ｐｐｍ
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。

（上記化学式中、Ｒ₁及びＲ₂はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）

・製造条件
電流密度：７０〜１００Ａ／ｄｍ²
電解液温度：５０〜６５℃
電解液線速：１．５〜５ｍ／ｓｅｃ
電解時間：０．５〜１０分間（析出させる銅厚、電流密度により調整）

〔表面処理表面上の樹脂層〕
本発明の表面処理金属材の表面処理表面の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。なお本発明の表面処理金属材において「表面処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の表面処理金属材の表面のことをいう。また、表面処理金属材がキャリア付金属箔の極薄金属層である場合には、「表面処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の極薄金属層の表面のことをいう。

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。

前記樹脂層は接着用樹脂、すなわち接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態（Ｂステージ状態）とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号ＷＯ２００８／００４３９９号、国際公開番号ＷＯ２００８／０５３８７８、国際公開番号ＷＯ２００９／０８４５３３、特開平１１−５８２８号、特開平１１−１４０２８１号、特許第３１８４４８５号、国際公開番号ＷＯ９７／０２７２８、特許第３６７６３７５号、特開２０００−４３１８８号、特許第３６１２５９４号、特開２００２−１７９７７２号、特開２００２−３５９４４４号、特開２００３−３０４０６８号、特許第３９９２２２５、特開２００３−２４９７３９号、特許第４１３６５０９号、特開２００４−８２６８７号、特許第４０２５１７７号、特開２００４−３４９６５４号、特許第４２８６０６０号、特開２００５−２６２５０６号、特許第４５７００７０号、特開２００５−５３２１８号、特許第３９４９６７６号、特許第４１７８４１５号、国際公開番号ＷＯ２００４／００５５８８、特開２００６−２５７１５３号、特開２００７−３２６９２３号、特開２００８−１１１１６９号、特許第５０２４９３０号、国際公開番号ＷＯ２００６／０２８２０７、特許第４８２８４２７号、特開２００９−６７０２９号、国際公開番号ＷＯ２００６／１３４８６８、特許第５０４６９２７号、特開２００９−１７３０１７号、国際公開番号ＷＯ２００７／１０５６３５、特許第５１８０８１５号、国際公開番号ＷＯ２００８／１１４８５８、国際公開番号ＷＯ２００９／００８４７１、特開２０１１−１４７２７号、国際公開番号ＷＯ２００９／００１８５０、国際公開番号ＷＯ２００９／１４５１７９、国際公開番号ＷＯ２０１１／０６８１５７、特開２０１３−１９０５６号に記載されている物質（樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等）および／または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。

また、前記樹脂層は、その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリマレイミド化合物、マレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルスルホン（ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう）、ポリエーテルスルホン（ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう）樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、ゴム性樹脂、ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボン酸の無水物、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、２，２−ビス（４−シアナトフェニル）プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、２，２−ビス（４−グリシジルフェニル）プロパン、ポリフェニレンエーテル−シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上を含む樹脂を好適なものとして挙げることができる。

また前記エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に２個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＤ型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化（臭素化）エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる１種又は２種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に２以上のエポキシ基を備える９，１０−ジヒドロ−９−オキサ−１０−ホスファフェナントレン−１０−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。

（樹脂層が誘電体（誘電体フィラー）を含む場合）
前記樹脂層は誘電体（誘電体フィラー）を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体（誘電体フィラー）を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体（誘電体フィラー）には、ＢａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、Ｐｂ（Ｚｒ−Ｔｉ）Ｏ３（通称ＰＺＴ）、ＰｂＬａＴｉＯ３・ＰｂＬａＺｒＯ（通称ＰＬＺＴ）、ＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９（通称ＳＢＴ）等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。

誘電体（誘電体フィラー）は粉状であってもよい。誘電体（誘電体フィラー）が粉状である場合、この誘電体（誘電体フィラー）の粉体特性は、粒径が０．０１μｍ〜３．０μｍ、好ましくは０．０２μｍ〜２．０μｍの範囲のものであることが好ましい。なお、誘電体を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で写真撮影し、当該写真上の誘電体の粒子の上に直線を引いた場合に、誘電体の粒子を横切る直線の長さが最も長い部分の誘電体の粒子の長さをその誘電体の粒子の径とする。そして、測定視野における誘電体の粒子の径の平均値を、誘電体の粒径とする。

前述の樹脂層に含まれる樹脂および／または樹脂組成物および／または化合物を例えばメチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液（樹脂ワニス）とし、これを前記表面処理金属材の粗化処理表面の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しＢステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は１００〜２５０℃、好ましくは１３０〜２００℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分３ｗｔ％〜７０ｗｔ％、好ましくは、３ｗｔ％〜６０ｗｔ％、好ましくは１０ｗｔ％〜４０ｗｔ％、より好ましくは２５ｗｔ％〜４０ｗｔ％の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。なお、溶剤には沸点が５０℃〜２００℃の範囲である溶剤を用いることが好ましい。
また、前記樹脂層はＭＩＬ規格におけるＭＩＬ−Ｐ−１３９４９Ｇに準拠して測定したときのレジンフローが５％〜３５％の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
本件明細書において、レジンフローとは、ＭＩＬ規格におけるＭＩＬ−Ｐ−１３９４９Ｇに準拠して、樹脂厚さを５５μｍとした樹脂付表面処理金属材から１０ｃｍ角試料を４枚サンプリングし、この４枚の試料を重ねた状態（積層体）でプレス温度１７１℃、プレス圧１４ｋｇｆ／ｃｍ²、プレス時間１０分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数１に基づいて算出した値である。

前記樹脂層を備えた表面処理金属材（樹脂付き表面処理金属材）は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで表面処理金属材がキャリア付金属箔の極薄金属層である場合にはキャリアを剥離して極薄金属層を表出せしめ（当然に表出するのは該極薄金属層の中間層側の表面である）、表面処理金属材の粗化処理されている側とは反対側の表面から所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。

この樹脂付き表面処理金属材を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても金属張積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、１層の厚みが１００μｍ以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
この樹脂層の厚みは０．１〜１２０μｍであることが好ましい。

樹脂層の厚みが０．１μｍより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付き表面処理金属材を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。一方、樹脂層の厚みを１２０μｍより厚くすると、１回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる場合がある。
なお、樹脂層を有する表面処理金属材が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを０．１μｍ〜５μｍ、より好ましくは０．５μｍ〜５μｍ、より好ましくは１μｍ〜５μｍとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。

以下に、本発明に係るキャリア付金属箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を極薄金属層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。

本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は金属箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。

従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄金属層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記樹脂および前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、を含む。

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、前記極薄金属層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄金属層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、を含む。

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を（フラッシュ）エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。

従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層表面にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄金属層をフラッシュエッチングにより除去する工程、を含む。

また、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、前記樹脂層上に別のキャリア付金属箔を極薄金属層側から貼り合わせ、前記樹脂層に貼り合わせたキャリア付金属箔を用いて前記回路を形成する工程であってもよい。また、前記樹脂層上に貼り合わせる別のキャリア付金属箔が、本発明のキャリア付金属箔であってもよい。また、前記樹脂層上に回路を形成する工程が、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行われてもよい。また、前記表面に回路を形成するキャリア付金属箔が、当該キャリア付金属箔のキャリアの表面に基板または樹脂層を有してもよい。

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄金属層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、を含む。

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。

従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄金属層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程、前記極薄金属層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、を含む。

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。

従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または／および前記極薄金属層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄金属層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程、を含む。

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付金属箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程、前記キャリアを剥がして露出した極薄金属層と絶縁基板にスルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記スルーホールまたは／およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、前記電解めっき層または／および前記極薄金属層の表面にエッチングレジストを設ける工程、前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、前記極薄金属層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、前記エッチングレジストを除去する工程、を含む。

スルーホールまたは／およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。

ここで、本発明のキャリア付金属箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を詳細に説明する。なお、ここでは粗化処理層が形成された極薄金属層を有するキャリア付金属箔を例に説明するが、これに限られず、粗化処理層が形成されていない極薄金属層を有するキャリア付金属箔を用いても同様に下記のプリント配線板の製造方法を行うことができる。
まず、表面に粗化処理層が形成された極薄金属層を有するキャリア付金属箔（１層目）を準備する。
次に、極薄金属層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、回路めっきを覆うように（回路めっきが埋没するように）極薄金属層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付金属箔（２層目）を極薄金属層側から接着させる。
次に、２層目のキャリア付金属箔からキャリアを剥がす。
次に、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、ビアフィル上に、上記のようにして回路めっきを形成する。
次に、１層目のキャリア付金属箔からキャリアを剥がす。
次に、フラッシュエッチングにより両表面の極薄金属層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付金属箔を用いたプリント配線板を作製する。

上記別のキャリア付金属箔（２層目）は、本発明のキャリア付金属箔を用いてもよく、従来のキャリア付金属箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、上記２層目の回路上に、さらに回路を１層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。

本発明に係るキャリア付金属箔は、極薄金属層表面の色差が以下（１）を満たすように制御されていることが好ましい。本発明において「極薄金属層表面の色差」とは、極薄金属層の表面の色差、又は、粗化処理等の各種表面処理が施されている場合はその表面処理層表面の色差を示す。すなわち、本発明に係るキャリア付金属箔は、極薄金属層の粗化処理表面の色差が以下（１）を満たすように制御されていることが好ましい。なお本発明の表面処理金属材において「粗化処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の表面処理金属材（極薄金属層）の表面のことをいう。また、表面処理金属材がキャリア付金属箔の極薄金属層である場合には、「粗化処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の極薄金属層の表面のことをいう。
（１）極薄金属層表面の色差はＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが４５以上である。

ここで、色差ΔＬ、Δａ、Δｂは、それぞれ色差計で測定され、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、ＪＩＳ Ｚ８７３０に基づくＬ*ａ*ｂ表色系を用いて示される総合指標であり、ΔＬ：白黒、Δａ：赤緑、Δｂ：黄青として表される。また、ΔＥ＊ａｂはこれらの色差を用いて下記式で表される。

上述の色差は、極薄金属層形成時の電流密度を高くし、メッキ液中の銅濃度を低くし、メッキ液の線流速を高くすることで調整することができる。
また上述の色差は、極薄金属層の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電解液を用いて、従来よりも電流密度を高く（例えば４０〜６０Ａ／ｄｍ２）し、処理時間を短く（例えば０．１〜１．３秒）することで調整することができる。極薄金属層の表面に粗化処理層を設けない場合には、Ｎｉの濃度をその他の元素の２倍以上としたメッキ浴を用いて、極薄金属層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にＮｉ合金メッキ（例えばＮｉ−Ｗ合金メッキ、Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ合金メッキ、Ｎｉ−Ｚｎ合金めっき）を従来よりも低電流密度（０．１〜１．３Ａ／ｄｍ²）で処理時間を長く（２０秒〜４０秒）設定して処理することで達成できる。

極薄金属層表面の色差がＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂが４５以上であると、例えば、キャリア付金属箔の極薄金属層表面に回路を形成する際に、極薄金属層と回路とのコントラストが鮮明となり、その結果、視認性が良好となり回路の位置合わせを精度良く行うことができる。極薄金属層表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＥ＊ａｂは、好ましくは５０以上であり、より好ましくは５５以上であり、更により好ましくは６０以上である。

極薄金属層表面の色差が上記のようの制御されている場合には、回路めっきとのコントラストが鮮明となり、視認性が良好となる。従って、上述のようなプリント配線板の製造工程において、回路めっきを精度良く所定の位置に形成することが可能となる。また、上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば上記フラッシュエッチングによる極薄金属層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、フラッシュエッチングによって極薄金属層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。

なお、埋め込み樹脂（レジン）には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、ＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）レジンやＢＴレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ＡＢＦフィルムやＡＢＦを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂（レジン）には本明細書に記載の樹脂層および／または樹脂および／またはプリプレグを使用することができる。

また、前記一層目に用いられるキャリア付金属箔は、当該キャリア付金属箔の表面に基板または樹脂層を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで一層目に用いられるキャリア付金属箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板または樹脂層には、前記一層目に用いられるキャリア付金属箔を支持する効果するものであれば、全ての基板または樹脂層を用いることが出来る。例えば前記基板または樹脂層として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。

本発明の表面処理金属材を、表面処理層側から樹脂基板に貼り合わせて積層体を製造することができる。樹脂基板はプリント配線板等に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドＰＷＢ用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、フッ素樹脂含浸クロス、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルム、フッ素樹脂およびフッ素樹脂・ポリイミド複合材等を使用する事ができる。なお、液晶ポリマー（ＬＣＰ）は誘電損失が小さいため、高周波回路用途のプリント配線板には液晶ポリマー（ＬＣＰ）フィルムを用いることが好ましい。

貼り合わせの方法は、リジッドＰＷＢ用の場合、ガラス布などの基材に樹脂を含浸させ、樹脂を半硬化状態まで硬化させたプリプレグを用意する。銅箔をプリプレグに重ねて加熱加圧させることにより行うことができる。ＦＰＣの場合、液晶ポリマーやポリイミドフィルム等の基材に接着剤を介して、又は、接着剤を使用せずに高温高圧下で銅箔に積層接着して、又は、ポリイミド前駆体を塗布・乾燥・硬化等を行うことで積層体を製造することができる。

本発明の積層体は各種のプリント配線板（ＰＷＢ）に使用可能であり、特に制限されるものではないが、例えば、導体パターンの層数の観点からは片面ＰＷＢ、両面ＰＷＢ、多層ＰＷＢ（３層以上）に適用可能であり、絶縁基板材料の種類の観点からはリジッドＰＷＢ、フレキシブルＰＷＢ（ＦＰＣ）、リジッド・フレックスＰＷＢに適用可能である。

（実施例１〜２１、比較例１〜１５）
実施例１〜２１、及び、比較例１〜１５として、表１〜３に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表面処理を行い表面処理層を形成した。なお、表面処理後の表面の光沢度が２０となるように、表面処理前の金属材の光沢度を調整した。

表面処理層の形成条件として、表１〜３の「Ｎｉ−Ｚｎめっき」は、以下のめっき条件で形成した。
・めっき液組成：Ｎｉ濃度２１．５ｇ／Ｌ、Ｚｎ濃度９ｇ／Ｌ
・ｐＨ：３．５
・温度：３５℃
・電流密度：３Ａ／ｄｍ²
・めっき時間：１４秒

表面処理層の形成条件として、表１〜３の「Ｎｉめっき」は、以下のめっき条件で形成した。なお、表１〜３において、例えば「Ｎｉめっき１μｍ」と記載されている場合は、Ｎｉめっきを厚さ１μｍだけ形成したことを示す。
・めっき液組成：Ｎｉ濃度４０ｇ／Ｌ
・ｐＨ：３．８
・温度：４０℃
・電流密度：０．３Ａ／ｄｍ²
・めっき時間：２５〜３００秒

なお、表面処理層の形成条件として、表１〜３の「Ｎｉめっき１μｍ/Ｎｉ−Ｚｎめっき」はＮｉめっきを厚さ１μｍだけ形成した後に、Ｎｉ−Ｚｎめっきを行ったことを示す。

表面処理層の形成条件として、表１〜３の「黒色樹脂」は、エポキシ樹脂に黒色塗料を混ぜて所定の厚みだけ塗布して乾燥することで形成した。なお、表１〜３において、例えば「黒色樹脂３０μｍ」と記載されている場合は、黒色樹脂を厚さ３０μｍだけ形成したことを示す。

（実施例２２〜１２８、比較例１６〜４３）
実施例２２〜１２８、比較例１６〜４３として、表４〜１１に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表面処理として表４〜１１に記載のめっき条件によりめっき形成を行い、表面処理層を形成した。なお、表面処理後の表面の光沢度が２０となるように、表面処理前の金属材の光沢度を調整した。

（実施例１２９〜１３７、比較例４４〜４７）
実施例１２９〜１３７、比較例４４〜４７として、表１２に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表面処理として表１２に記載のめっき条件により一次粒子層（Ｃｕ）、二次粒子層（銅−コバルト−ニッケル合金めっき等）形成し、表面処理層を形成した。
使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
（Ａ）一次粒子層の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１５ｇ／Ｌ、硫酸７５ｇ／Ｌ
液温 ：２５〜３０℃
（Ｂ）二次粒子層の形成（Ｃｕ−Ｃｏ−Ｎｉ合金めっき）
液組成 ：銅１５ｇ／Ｌ、ニッケル８ｇ／Ｌ、コバルト８ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２
液温 ：４０℃
表１２の一次粒子電流条件欄に電流条件、クーロン量が２つ記載されている例は、左に記載されている条件でめっきを行った後に、右に記載されている条件で更にめっきを行ったことを意味する。例えば、実施例１０４の一次粒子電流条件欄には「（６３Ａ／ｄｍ²、８０Ａｓ／ｄｍ²）＋（１Ａ／ｄｍ²、２Ａｓ／ｄｍ²）」と記載されているが、これは一次粒子を形成する電流密度を６３Ａ／ｄｍ²、クーロン量を８０Ａｓ／ｄｍ²でめっきを行った後に、更に一次粒子を形成する電流密度を１Ａ／ｄｍ²、クーロン量を２Ａｓ／ｄｍ²としてめっきを行ったことを示す。

（実施例１３８〜１４０）
実施例１３８〜１４０として、表１３に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表面処理として表１３に記載のめっき条件により表面処理層を形成した。
使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。

・Ｎｉ−Ｗめっき
めっき液組成：ニッケル２５ｇ／Ｌ、タングステン２０ｍｇ／Ｌ
（ニッケルの供給源は硫酸ニッケル六水和物、タングステンの供給源はタングステン酸ナトリウムとした。）
ｐＨ：３．６（ｐＨ調整のために添加した酸：硫酸）
液温：４０℃
電流密度１Ａ／ｄｍ²、めっき時間１００秒
Ｎｉ２１０００μｇ／ｄｍ²、Ｗ２１μｇ／ｄｍ²

・Ｃｏ−Ｚｎめっき
めっき液組成：コバルト４０ｇ／Ｌ、亜鉛１５ｇ／Ｌ
ｐＨ：３．８（ｐＨ調整のために添加した酸：硫酸）
液温：４０℃
電流密度０．３Ａ／ｄｍ²、めっき時間７５秒
Ｃｏ２８１２μｇ／ｄｍ²、Ｚｎ４６４５μｇ／ｄｍ²

・Ｎｉ−Ｚｎ−Ｗめっき
めっき液組成：ニッケル４０ｇ／Ｌ、亜鉛１５ｇ／Ｌ、タングステン２０ｍｇ／Ｌ
ｐＨ：３．８（ｐＨ調整のために添加した酸：硫酸）
液温：４０℃
電流密度０．３Ａ／ｄｍ²、めっき時間７５秒
Ｎｉ２７１２μｇ／ｄｍ²、Ｚｎ４５４５μｇ／ｄｍ²、Ｗ２．７μｇ／ｄｍ²

（実施例１４１〜１４９）
実施例１４１〜１４９として、表１４に記載の厚み０．２ｍｍ及び熱伝導率を有する各種金属材を準備した。次に、当該金属材上に表１４に記載の下地処理を行い或いは下地処理を行わず、次いで表面処理として表１４に記載のめっき条件により表面処理層を形成した。
表１４の各下地処理条件は、次の通りである。
・「銅粗化」の処理としては、以下の（１）及び（２）を順に行うことで粗化粒子を形成した：
（１）Ｃｕ：１０ｇ／Ｌ、Ｈ₂ＳＯ₄：６０ｇ／Ｌ、温度：３５℃、電流密度：５０Ａ／ｄｍ²、めっき時間：１．５秒
（２）Ｃｕ：２３ｇ／Ｌ、Ｈ₂ＳＯ₄：８０ｇ／Ｌ、温度：４０℃、電流密度：８Ａ／ｄｍ²、めっき時間：２．５秒
・「ダル加工」の処理としては、被めっき材の最終冷間圧延の圧延ロールに算術平均粗さＲａの大きい圧延ロール（Ｒａが０．２０μｍ以上である圧延ロール）を用いて圧延を行うことを意味する。圧延ロールの研削時に当該粗さになるように調整すればよい。粗さの調整には公知の方法を用いることができる。当該圧延ロールを使用して圧延することで、被圧延材の表面粗さを調整し、光沢の少ない表面に仕上げることができる。
・「高光沢めっき」の処理としては、Ｃｕ：９０ｇ／Ｌ、Ｈ₂ＳＯ₄：８０ｇ／Ｌ、ポリエチレングリコール：２０ｍｇ／Ｌ、ビス（３−スルフォプロピル）ジスルファイド２ナトリウム：５０ｍｇ／Ｌ、ジアルキルアミノ基含有重合体混合物：１００ｍｇ／Ｌ、温度：５５℃、電流密度：２Ａ／ｄｍ²、めっき時間：２００秒のめっき処理を行った。
・「ソフトエッチング」の処理としては、Ｈ₂ＳＯ₂：２０ｇ／Ｌ、Ｈ₂ＳＯ₄：１６０ｇ／Ｌ、温度：４０℃、浸漬時間：５分のエッチング処理を行った。
なお、下地処理が「なし」の金属材については前述の圧延時の油膜当量を制御して、表面処理前（下地処理後）の光沢度を調整した。光沢度が高い金属材は、油膜当量を前述の範囲の低い値とし、光沢度が低い金属材は油膜当量を前述の範囲の高い値とした。
また、実施例１５０〜１５４の基材として以下に記載するキャリア付銅箔を用意した。
実施例１５０〜１５２、１５４については、厚さ１８μｍの電解銅箔をキャリアとして準備し、実施例１５３については厚さ１８μｍの圧延銅箔（ＪＸ日鉱日石金属製Ｃ１１００）をキャリアとして準備した。そして下記条件で、キャリアの表面に中間層を形成し、中間層の表面に極薄銅層を形成した。なお、キャリアは必要な場合には上述の方法により、中間層を形成する側の、表面中間層形成前の表面の表面粗さＲｚと光沢度が制御されている。

・実施例１５０
＜中間層＞
（１）Ｎｉ層（Ｎｉめっき）
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより１０００μｇ／ｄｍ²の付着量のＮｉ層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
硫酸ニッケル：２７０〜２８０ｇ／Ｌ
塩化ニッケル：３５〜４５ｇ／Ｌ
酢酸ニッケル：１０〜２０ｇ／Ｌ
ホウ酸：３０〜４０ｇ／Ｌ
光沢剤：サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム：５５〜７５ｐｐｍ
ｐＨ：４〜６
浴温：５５〜６５℃
電流密度：１０Ａ／ｄｍ²
（２）Ｃｒ層（電解クロメート処理）
次に、（１）にて形成したＮｉ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上でＮｉ層の上に１１μｇ／ｄｍ2の付着量のＣｒ層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
重クロム酸カリウム１〜１０ｇ／Ｌ、亜鉛０ｇ／Ｌ
ｐＨ：７〜１０
液温：４０〜６０℃
電流密度：２Ａ／ｄｍ²
＜極薄銅層＞
次に、（２）にて形成したＣｒ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上で、Ｃｒ層の上に厚み１．５μｍの極薄銅層を以下の条件で電気メッキすることにより形成し、キャリア付極薄銅箔を作製した。
銅濃度：９０〜１１０ｇ／Ｌ
硫酸濃度：９０〜１１０ｇ／Ｌ
塩化物イオン濃度：５０〜９０ｐｐｍ
レベリング剤１（ビス（３スルホプロピル）ジスルフィド）：１０〜３０ｐｐｍ
レベリング剤２（アミン化合物）：１０〜３０ｐｐｍ
なお、レベリング剤２として下記のアミン化合物を用いた。

（上記化学式中、Ｒ₁及びＲ₂はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。）
電解液温度：５０〜８０℃
電流密度：１００Ａ／ｄｍ²
電解液線速：１．５〜５ｍ／ｓｅｃ

・実施例１５１
＜中間層＞
（１）Ｎｉ−Ｍｏ層（ニッケルモリブデン合金めっき）
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより３０００μｇ／ｄｍ²の付着量のＮｉ-Ｍｏ層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
（液組成）硫酸Ｎｉ六水和物：５０ｇ／ｄｍ³、モリブデン酸ナトリウム二水和物：６０ｇ／ｄｍ³、クエン酸ナトリウム：９０ｇ／ｄｍ³
（液温）３０℃
（電流密度）１〜４Ａ／ｄｍ²
（通電時間）３〜２５秒
＜極薄銅層＞
（１）で形成したＮｉ-Ｍｏ層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを２μｍとした以外は実施例１５０と同様の条件で極薄銅層を形成した。

・実施例１５２
＜中間層＞
（１）Ｎｉ層（Ｎｉめっき）
実施例１５０と同じ条件でＮｉ層を形成した。
（２）有機物層（有機物層形成処理）
次に、（１）にて形成したＮｉ層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、下記の条件でＮｉ層表面に対して濃度１〜３０ｇ／Ｌのカルボキシベンゾトリアゾール（ＣＢＴＡ）を含む、液温４０℃、ｐＨ５の水溶液を、２０〜１２０秒間シャワーリングして噴霧することにより有機物層を形成した。
＜極薄銅層＞
（２）で形成した有機物層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを３μｍとした以外は実施例１５０と同様の条件で極薄銅層を形成した。

・実施例１５３、１５４
＜中間層＞
（１）Ｃｏ-Ｍｏ層（コバルトモリブデン合金めっき）
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより４０００μｇ／ｄｍ²の付着量のＣｏ-Ｍｏ層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
（液組成）硫酸Ｃｏ：５０ｇ／ｄｍ³、モリブデン酸ナトリウム二水和物：６０ｇ／ｄｍ³、クエン酸ナトリウム：９０ｇ／ｄｍ³
（液温）３０℃
（電流密度）１〜４Ａ／ｄｍ²
（通電時間）３〜２５秒
＜極薄銅層＞
（１）で形成したＣｏ-Ｍｏ層の上に極薄銅層を形成した。極薄銅層の厚みを実施例１５３は５μｍ、実施例１５４は３μｍとした以外は実施例１５０と同様の条件で極薄銅層を形成した。

上述のようにして作製した各サンプルについて、各種評価を下記の通り行った。
・ＪＩＳ Ｚ８７３０に基づく色差（ΔＬ、Δａ、Δｂ、ΔＥ）の測定；
ＨｕｎｔｅｒＬａｂ社製色差計ＭｉｎｉＳｃａｎ ＸＥ Ｐｌｕｓを使用して、表面処理金属材の表面の色差（ΔＬ、Δａ、Δｂ、ΔＥ）を測定した。ここで、色差（ΔＥ）は、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、Ｌ*ａ*ｂ表色系を用いて示される総合指標であり、ΔＬ：白黒、Δａ：赤緑、Δｂ：黄青として、下記式で表される。白色板の測定値をΔＥ＝０、黒い袋で覆って暗闇で測定したときの測定値をΔＥ＝９０として、色差を校正する。

・光沢度；
ＪＩＳ Ｚ８７４１に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターＰＧ−１を使用し、入射角６０度で測定した。

・接触抵抗；
接触抵抗は、山崎精機社製の電気接点シミュレータＣＲＳ−１を使い、以下の条件にて四端子法で測定した。
プローブ：金プローブ、接触荷重：１００ｇ、摺動速度：１ｍｍ／ｍｉｎ、摺動距離：１ｍｍ

・Ｎｉ、Ｚｎ、ＣｏおよびＷの付着量（μｇ／ｄｍ²）及びＮｉ比率（％）；
金属箔表面のＮｉ−Ｚｎ合金めっき層等の表面処理層における、Ｎｉ、Ｚｎ、ＣｏおよびＷの付着量（μｇ／ｄｍ²）、及び、Ｎｉ付着量及びＺｎ付着量を合計した付着量（μｇ／ｄｍ²）におけるＮｉの付着量（μｇ／ｄｍ²）の割合を示すＮｉ比率（％）（＝Ｎｉ付着量（μｇ／ｄｍ²）／（Ｎｉ付着量（μｇ／ｄｍ²）＋Ｚｎ付着量（μｇ／ｄｍ²））×１００）をそれぞれ求めた。ここで、Ｎｉ付着量、Ｚｎ付着量、Ｃｏ付着量およびＷ付着量はサンプルを濃度２０質量％の硝酸で溶解して、ＶＡＲＩＡＮ社製の原子吸光分光光度計（型式：ＡＡ２４０ＦＳ）を用いて原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。なお、前記ニッケル（Ｎｉ）、亜鉛（Ｚｎ）、コバルト（Ｃｏ）、タングステン（Ｗ）の付着量の測定は以下のようにして行った。表面処理金属材の表面処理されていない側の表面にプリプレグ（ＦＲ４）を加熱圧着して積層した後に、表面処理金属材の表面処理がされている側の表面を厚み２μｍ溶解して、表面処理金属材の表面処理がされている側の表面に付着しているニッケル、亜鉛コバルトおよびタングステンの付着量を測定した。そして得られたニッケルおよび亜鉛の付着量をそれぞれ粗化処理表面（表面処理表面）のニッケル、亜鉛、コバルトおよびタングステンの付着量とした。なお、表面処理金属材の当該表面処理がされている側の溶解する厚みは正確に２μｍである必要はなく、表面処理されている表面部分が全て溶解していることが明らかな厚み分（例えば、１．５〜２．５μｍ）溶解して測定してもよい。
また、金属材がキャリア付金属箔である場合には、キャリア側の表面にプリプレグ（ＦＲ４）を加熱圧着して積層した後に、キャリア付金属箔の端部を耐酸テープ等によりマスキングして、中間層が溶出するのを防いだ後に、表面処理金属材（極薄金属層）の表面処理がされている側の表面を、極薄金属層の厚みが１．５μｍ以上の場合には、厚み０．５μｍ溶解して、極薄金属層の厚みが１．５μｍ未満の場合には、極薄金属層の厚みの３０％の厚みを溶解して、ＶＡＲＩＡＮ社製の原子吸光分光光度計（型式：ＡＡ２４０ＦＳ）を用いて原子吸光法により定量分析を行うことで測定した。
なお、サンプルが上記濃度２０質量％の硝酸に溶解しにくい場合には、硝酸と塩酸の混合液（硝酸濃度：２０質量％、塩酸濃度：１２質量％）等、サンプルを溶解可能な液にてサンプルを溶解した後、上述の測定を行うことができる。

・シールドボックスにおける熱吸収性及び放熱性；
図１に示すような、縦ｄ２×横ｗ２×高さｈ３＝２５ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍの基板（ＦＲ−４）を準備し、当該基板表面の中央に縦ｄ１×横ｗ１×高さｈ１＝５ｍｍ×５ｍｍ×０．５ｍｍの発熱体（電熱線を樹脂で固めた発熱体、ＩＣチップに相当）を載せ、ＳＵＳで構成した厚み０．２ｍｍのフレーム材で周囲を覆い、天板として各サンプルの金属板（表面処理金属材）を表面処理層が発熱体側を向くように設けることで、シールドボックスを作製した。また、発熱体の上面の中央部及び四隅の１箇所に、それぞれ熱電対を設置した。また、天板の発熱体側表面の中央部及び四隅の１箇所に、それぞれ熱電対を設置した。さらに、天板の外面の中央部及び四隅の１箇所に、それぞれ熱電対を設置した。図１（Ａ）に、実施例で作製したシールドボックスの上面模式図を示す。図１（Ｂ）に、実施例で作製したシールドボックスの断面模式図を示す。
次に、発熱体に発熱量が０．５Ｗとなるように電流を流した。そして、発熱体の上面の中央部の温度が一定の値となるまで電流を流した。ここで、発熱体の上面の中央部の温度が１０分間変化しなかった時点で、上面の中央部の温度が一定の値となったと判断した。なお、シールドボックスの外部環境温度は２０℃であった。
そして、発熱体の上面の中央部の温度が一定の値となってから３０分間保持後、上記熱電対の表示温度を測定した。また、外面の熱電対については、最高温度−最低温度を算出し、温度差とした。なお、発熱体、シールド内面（天板の発熱体側表面）、シールド外面（天板の外面）の最高温度は、発熱体の中心に最も近いため、各中央部に設置した熱電対が示す温度である。一方、発熱体、シールド内面（天板の発熱体側表面）、シールド外面（天板の外面）の最低温度は、発熱体の中心に最も遠いため、各四隅に設置した熱電対が示す温度である。
なお、発熱体の最高温度が１５０℃以下の場合を、シールドボックスの熱吸収性及び放熱性が良好であると判断した。１５０℃とはＩＣチップを使用することができる温度範囲の上限として定められることがある温度である。また、シールド外面の最高温度と最低温度の差が１３℃以下である場合、熱吸収性及び放熱性が良好であるとした。シールド外面の最高温度と最低温度の差が小さい場合、金属材中に熱が十分に拡散し、熱が金属材から放散されやすいと考えられるからである。

・熱伝導率
金属材の表面処理層を除去した後に、非定常法であるフラッシュ法により熱拡散率α（ｍ²／ｓ）を測定した。なお、熱拡散率αの測定はハーフタイム法で行った。
そして以下の式により、熱伝導率λ（Ｗ／（Ｋ・ｍ））を算出した。
λ＝α×Ｃｐ×ρ （ここで、Ｃｐは比熱容量（Ｊ／（ｋｇ・Ｋ））、ρは密度（ｋｇ／ｍ³）である。）
なお、熱伝導率は上記方法以外の方法であっても、公知の方法で測定してもよい。

・光沢（意匠性）
サンプルの表面を目視で観察することにより、主観的に意匠性を感じた程度で、「あり」、「少々あり」、「なし」に分類した。
上記各試験の条件及び試験結果を表１〜１４に示す。

（評価結果）
実施例１〜１５４は、いずれもチップ温度、シールド内面、シールド外面の温度が低く、且つ、シールド外面における温度差が低く、熱の吸収性及び放熱性が良好であった。
比較例１〜４７は、いずれも実施例に比べてチップ温度、シールド内面、シールド外面の温度が高く、且つ、シールド外面における温度差が高く、熱の吸収性及び放熱性が不良であった。
図２に実施例８１〜１３７及び比較例１６〜４７に係るΔａ−ΔＬグラフを示す。図３に実施例８１〜１３７及び比較例１６〜４７に係るΔｂ−ΔＬグラフを示す。

Claims (34)

1. 金属材の熱伝導率が３２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上であり、
   表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬが、ΔＬ≦−４０を満たす表面処理金属材。
2. 表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δａについて、
   Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
   ０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦−８．５６０３×Δａ−３８．０３１１を満たし、
   ２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦−６２を満たす請求項１に記載の表面処理金属材。
3. 表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δｂについて、
   Δｂ≦−０．６８の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
   −０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦−２．６４９０×Δｂ−４１．８０１３を満たし、
   ０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦−４８．６４８６×Δｂ−３．６２１６を満たし、
   １．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦−６２を満たす請求項１に記載の表面処理金属材。
4. 表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δａについて、
   Δａ≦０．２３の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
   ０．２３＜Δａ≦２．８の場合にはΔＬ≦−８．５６０３×Δａ−３８．０３１１を満たし、
   ２．８＜Δａの場合にはΔＬ≦−６２を満たし、
   表面のＪＩＳＺ８７３０に基づく色差ΔＬ、Δｂについて、
   Δｂ≦−０．６８の場合にはΔＬ≦−４０を満たし、
   −０．６８＜Δｂ≦０．８３の場合にはΔＬ≦−２．６４９０×Δｂ−４１．８０１３を満たし、
   ０．８３＜Δｂ≦１．２の場合にはΔＬ≦−４８．６４８６×Δｂ−３．６２１６を満たし、
   １．２＜Δｂの場合にはΔＬ≦−６２を満たす請求項１に記載の表面処理金属材。
5. 前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−４５を満たす請求項１〜４のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
6. 前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−５５を満たす請求項５に記載の表面処理金属材。
7. 前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−６０を満たす請求項６に記載の表面処理金属材。
8. 前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−６５を満たす請求項７に記載の表面処理金属材。
9. 前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−６８を満たす請求項８に記載の表面処理金属材。
10. 前記色差ΔＬが、ΔＬ≦−７０を満たす請求項９に記載の表面処理金属材。
11. 前記金属材が放熱用金属材である請求項１〜１０のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
12. 金属を含む表面処理層を有する請求項１〜１１のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
13. 粗化処理層を含む表面処理層を有する請求項１〜１２のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
14. ６０度光沢度が１０〜８０％である請求項１〜１３のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
15. ６０度光沢度が１０％未満である請求項１〜１３のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
16. クロム層若しくはクロメート層、及び／又は、シラン処理層を含む表面処理層を有する請求項１〜１５のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
17. 前記金属材が、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、金、金合金、銀、銀合金、白金族、白金族合金、クロム、クロム合金、マグネシウム、マグネシウム合金、タングステン、タングステン合金、モリブデン、モリブデン合金、鉛、鉛合金、タンタル、タンタル合金、錫、錫合金、インジウム、インジウム合金、亜鉛、又は、亜鉛合金で形成されている請求項１〜１６のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
18. 前記金属材が、銅、銅合金、アルミ、アルミ合金、鉄、鉄合金、ニッケル、ニッケル合金、亜鉛、又は、亜鉛合金で形成されている請求項１７に記載の表面処理金属材。
19. 前記金属材が、リン青銅、コルソン合金、丹銅、黄銅、洋白またはその他銅合金で形成されている請求項１８に記載の表面処理金属材。
20. 前記金属材が、金属条、金属板、又は、金属箔である請求項１〜１９のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
21. 前記表面処理層の表面に樹脂層を備える請求項１〜２０のいずれか一項に記載の表面処理金属材。
22. 前記樹脂層が誘電体を含む請求項２１に記載の表面処理金属材。
23. キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄金属層をこの順に有するキャリア付金属箔であって、前記極薄金属層が請求項１〜２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材であるキャリア付金属箔。
24. 前記キャリアの一方の面に前記中間層、前記極薄金属層をこの順に有し、前記キャリアの他方の面に粗化処理層を有する請求項２３に記載のキャリア付金属箔。
25. 前記極薄金属層が極薄銅層である請求項２３又は２４に記載のキャリア付金属箔。
26. 請求項１〜２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材を用いたコネクタ。
27. 請求項１〜２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材を用いた端子。
28. 請求項１〜２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材または請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔と樹脂基板とを積層して製造した積層体。
29. 請求項２８に記載の積層体を備えたシールドテープ又はシールド材。
30. 請求項２８に記載の積層体を備えたプリント配線板。
31. 請求項１〜２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材または請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を用いた金属加工部材。
32. 請求項１〜２２のいずれか一項に記載の表面処理金属材または請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔を用いた電子機器。
33. 請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔と絶縁基板とを準備する工程、
    前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層する工程、
    前記キャリア付金属箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付金属箔のキャリアを剥がす工程を経て金属張積層板を形成し、
    その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
34. 請求項２３〜２５のいずれか一項に記載のキャリア付金属箔の前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
    前記回路が埋没するように前記キャリア付金属箔の前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
    前記樹脂層上に回路を形成する工程、
    前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄金属層を剥離させる工程、及び、
    前記キャリアまたは前記極薄金属層を剥離させた後に、前記極薄金属層または前記キャリアを除去することで、前記極薄金属層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
    を含むプリント配線板の製造方法。

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