JP2012230326A - アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板110側と反対側に反射防止層130が形成された反射防止層130が形成された電極(図14のAに相当するソースドレイン電極層)と、基板110側と反対側に反射防止膜が形成されていない反射防止膜除去電極(図14のBに相当するソースドレイン電極層)と、基板110上に設けられた親液性領域Rと、反射防止膜除去電極とに接するように形成された半導体層150と、を有している。
【選択図】 図14
Description
極と離れた位置に遮光膜が形成されることなく、反射防止膜が直接的に電極に形成された反射防止膜形成電極が用いられているので、電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがない。
ラス基材からポリイミドとその上に形成された素子を剥離し、アクティブマトリックス基板を得るようにする。
のようなフォトレジストであれば、フォトレジストの表面張力を効果的に低減することが可能なため、先の工程で塗布した疎液性材料の疎液性が高くとも、疎液性材料上にフォトレジストを良好に塗布することができるからである。フッ素基を含む界面活性剤としては、フォトレジストに対して可溶であれば特に限定されるものではなく、高分子系および低分子系のいずれも用いることができ、一般的なフッ素系界面活性剤を使用することができ
る。
面を同時に照射する方法、および、光源または疎液性材料が形成された基板110の少なくとも一方を移動させながら、疎液性材料を順次に照射する方法を挙げることができる。中でも、疎液性材料を順次に照射する方法が好ましい。その理由は次の通りである。
工液を塗膜した後には、N2雰囲気下などの不活性ガス雰囲気下で所定温度・所定時間の
乾燥させることで半導体層150を得ることができる。
脂、エポキシ系樹脂、カルド系樹脂、ビニル系樹脂、イミド系樹脂、ノボラック系樹脂等を挙げることができる。
には、反射防止層130が直接的に形成された構造となっている。すなわち、従来技術のように電極と離れた位置に遮光膜が形成された構造ではないので、本発明に係るアクティブマトリクス基板によれば、電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがない。
VD装置を使用して、反応性気体としては炭化水素気体(例えばアセチレン、エチレン、エタン、等の飽和不飽和炭化水素)を使用して、高周波(13.56MHz)の電力を加えて分解活性化して被膜を形成するがその際に被膜形成基板に接地電位に対してマイナスの高いバイアス電位を与えることにより、黒色化した炭素膜を形成することができる。
設け、これらのパターニングを行う。ソースドレイン電極層120及び反射防止層130に用いる材料、形成方法、パターニング方法などはゲート電極層140とその反射防止層130と同様とすることができる。
になるが、上記開口部の壁面近傍においてはこのような半導体層150の厚みのバラツキが大きくなる傾向にある。したがって、本発明における隔壁層155が、チャネル領域の一部が開口部内に収納されるように形成されている場合は、当該厚みのバラツキの影響によりトランジスタ性能が損なわれる可能性がある。しかしながら、チャネル領域の全部が開口部内に収納されるように形成されている場合は、このような問題が少ないからである。
間の乾燥させることで半導体層150を得ることができる。
するソースドレイン電極層)と、前記基板110側と反対側に反射防止層が形成されていない反射防止層非形成電極(図25のBに相当するソースドレイン電極層)と、反射防止層形成電極上に設けられた撥液性領域である隔壁層155と、反射防止層非形成電極とに接するように形成された半導体層150と、を有している。すなわち、半導体層150と導通する必要がないソースドレイン電極層には、反射防止層130が直接的に形成された構造となっている。すなわち、従来技術のように電極と離れた位置に遮光膜が形成された構造ではないので、本発明に係るアクティブマトリクス基板によれば、電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがない。
この遮光層200は、積層方向からみて半導体層150を含むような広さを有している。このため、半導体層150に入射する光を遮光層200により遮ることができ、半導体層150の動作特性が安定する。
うな2態をとることにより、表示装置全体として描画表示を行うものである。なお、コレステリック液晶の透過率は、第2の電圧を変化させることによっても、変化させることができ、この透過率の変化によっても表示装置における表示を変更させることが可能である。
120・・・ソースドレイン電極層
130・・・反射防止層
135・・・レジスト層
140・・・ゲート電極層
150・・・半導体層
155・・・隔壁層
160・・・ゲート絶縁層
170・・・パッシベーション層
180・・・ビアホール導通部
190・・・画素電極
200・・・遮光層
240・・・液晶材料
250・・・透明電極
Claims (12)
- 基板と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成された反射防止層形成電極と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成されていない反射防止層非形成電極と、
前記基板上に設けられた親液性領域と、前記反射防止層非形成電極とに接するように形成された半導体層と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 前記半導体層が有機半導体を含むことを特徴とする請求項1に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記反射防止層が絶縁性を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記反射防止層が導電性を有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のアクティブマトリクス基板。
- 基板と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成された反射防止層形成電極と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成されていない反射防止層非形成電極と、
前記反射防止層形成電極上に設けられた撥液性領域と、前記反射防止層非形成電極とに接するように形成された半導体層と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板。 - 前記半導体層が有機半導体を含むことを特徴とする請求項5に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記反射防止層が絶縁性を有することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載のアクティブマトリクス基板。
- 前記反射防止層が導電性を有することを特徴とする請求項5又は請求項6に記載のアクティブマトリクス基板。
- 基板と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成された反射防止層形成電極と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成されていない反射防止層非形成電極と、
前記基板上に設けられた親液性領域と、前記反射防止層非形成電極とに接するように形成された半導体層と、を有するアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記基板に光を照射して、前記基板上の一部を親液性領域とする工程と、
前記半導体層を形成する成分が溶解された溶液を前記親液性領域に塗布して、前記半導体層を形成する工程と、
を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成された反射防止層形成電極と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成された反射防止層非形成電極と、
前記反射防止層形成電極上に設けられた撥液性領域と、前記反射防止層非形成電極とに接するように形成された半導体層と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記撥液性領域に囲まれた前記反射防止層形成電極から前記反射防止層を除去する工程と、
前記撥液性領域に囲まれた領域に前記半導体層を形成する成分が溶解された溶液を塗布して、前記半導体層を形成する工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成された反射防止層形成電極と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成された反射防止層非形成電極と、
前記基板上に設けられた親液性領域と、前記反射防止層非形成電極とに接するように形成された半導体層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。 - 基板と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成された反射防止層形成電極と、
前記基板上に形成され、前記基板側と反対側に反射防止層が形成された反射防止層非形成電極と、
前記反射防止層形成電極上に設けられた撥液性領域と、前記反射防止層非形成電極とに接するように形成された半導体層と、を有することを特徴とする液晶表示装置。
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