JP2016184673A - 有機トランジスタ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】表面が絶縁体で構成された基板1と、基板1の上に、互いに離間して形成されたソース電極2及びドレイン電極3と、ソース電極2のうちドレイン電極3と対向する側面からソース電極2の上面に至り、かつ、ドレイン電極3のうちソース電極2と対向する側面からドレイン電極3の上面に至る底面を含む開口部を有して、基板1の表面と、ソース電極2の上面および側面と、ドレイン電極3の上面及び側面とに形成された親液層4と、親液層4の上面に形成された撥液層5と、開口部の内部及び上部に、親液層4における開口部の開口端となる側面に接するように形成された有機半導体膜6と、有機半導体膜6の上に形成されたゲート絶縁膜7と、ゲート絶縁膜7の上に形成されたゲート電極8と、を備える。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態について図1〜図5を用いて説明する。本実施形態の有機トランジスタは、TG(トップゲート)構造の有機TFT(薄膜トランジスタ)であり、基板1、ソース電極2、ドレイン電極3、親液層4、撥液層5、有機半導体膜6、ゲート絶縁膜7、ゲート電極8、ビアホール9、配線膜10を備えている。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対して開口部4aの形状を変更したものであり、その他については第1実施形態と同様であるため、第1実施形態と異なる部分についてのみ説明する。
なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 ソース電極
3 ドレイン電極
4 親液層
5 撥液層
6 有機半導体膜
7 ゲート絶縁膜
8 ゲート電極
Claims (8)
- 表面が絶縁体で構成された基板(1)と、
前記基板の上に、互いに離間して形成されたソース電極(2)およびドレイン電極(3)と、
前記ソース電極のうち前記ドレイン電極と対向する側面から前記ソース電極の上面に至り、かつ前記ドレイン電極のうち前記ソース電極と対向する側面から前記ドレイン電極の上面に至る底面を含む開口部(4a)を有して、前記基板の表面と、前記ソース電極の上面および側面と、前記ドレイン電極の上面および側面とに形成された親液層(4)と、
前記親液層の上面に形成された撥液層(5)と、
前記開口部の内部および上部に、前記親液層における前記開口部の開口端となる側面に接するように形成された有機半導体膜(6)と、
前記有機半導体膜の上に形成されたゲート絶縁膜(7)と、
前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極(8)と、を備えることを特徴とする有機トランジスタ。 - 前記ソース電極および前記ドレイン電極の間における前記有機半導体膜の中央部の厚みが、前記親液層の厚みよりも大きいことを特徴とする請求項1に記載の有機トランジスタ。
- 前記有機半導体膜が、前記基板の表面のうち前記ソース電極と前記ドレイン電極に挟まれた部分の全域を覆っていることを特徴とする請求項1または2に記載の有機トランジスタ。
- 前記撥液層における水の転落角が、前記基板の表面、前記ソース電極および前記ドレイン電極の上面における水の転落角よりも1°以上小さいことを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の有機トランジスタ。
- 前記親液層の厚みが0.5nm以上10nm以下であることを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1つに記載の有機トランジスタ。
- 前記親液層と前記ゲート絶縁膜とが同一の元素を含む材料で構成され、
前記親液層を構成する材料が、前記ゲート絶縁膜を構成する材料よりも炭素濃度が高いことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の有機トランジスタ。 - 前記開口部における前記基板、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記撥液層の表面の算術平均粗さをそれぞれRa1、Ra2、Ra3、Ra4としたとき、
Ra4が1nm以下であり、0.9Ra1≦Ra4≦1.1Ra1、0.9Ra2≦Ra4≦1.1Ra2、0.9Ra3≦Ra4≦1.1Ra3、であることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の有機トランジスタ。 - 前記撥液層の前記基板の上部における水の転落角と、前記撥液層の前記ソース電極および前記ドレイン電極の上部における水の転落角との差が1°以内であることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか1つに記載の有機トランジスタ。
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