JP2001318376A - 反射型液晶表示装置 - Google Patents
反射型液晶表示装置Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 スイッチトランジスタに到達するリーク光を
抑制して、光リーク電流の発生を阻止して、映像のちら
つきや液晶の焼き付きを防止できる反射型液晶表示装置
を提供する。 【解決手段】 基板４上にマトリクス状のに複数のスイ
ッチトランジスタ１６と、電気的に接続された金属配線
層３６と、金属配線層を覆う絶縁層３８と、スイッチト
ランジスタを覆うようにして形成された遮光膜４０と、
配列された画素電極１０と、前記画素電極に対して対向
配置された透明な封入基板６と、基板の内側に形成した
透明な共通電極１４と、基板間に封入された液晶層８と
を有する反射型液晶表示装置において、前記遮光膜の表
面または裏面、画素電極の裏面、金属配線層の表面また
は裏面の計５面の内、少なくとも２面の上に、反射防止
膜４４Ａ〜４４Ｅを備え、且つ、各反射防止膜はそれぞ
れ異なる波長領域の光を主に吸収するように構成する。
抑制して、光リーク電流の発生を阻止して、映像のちら
つきや液晶の焼き付きを防止できる反射型液晶表示装置
を提供する。 【解決手段】 基板４上にマトリクス状のに複数のスイ
ッチトランジスタ１６と、電気的に接続された金属配線
層３６と、金属配線層を覆う絶縁層３８と、スイッチト
ランジスタを覆うようにして形成された遮光膜４０と、
配列された画素電極１０と、前記画素電極に対して対向
配置された透明な封入基板６と、基板の内側に形成した
透明な共通電極１４と、基板間に封入された液晶層８と
を有する反射型液晶表示装置において、前記遮光膜の表
面または裏面、画素電極の裏面、金属配線層の表面また
は裏面の計５面の内、少なくとも２面の上に、反射防止
膜４４Ａ〜４４Ｅを備え、且つ、各反射防止膜はそれぞ
れ異なる波長領域の光を主に吸収するように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶表示装
置に関する。
置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、コンピュータやワードプロセッ
サなどの各種のＯＡ機器や携帯電話等の各種の通信機器
を含む電子機器のディスプレイには、陰極線管と比較し
て小型で、且つ消費電力が少ないことから、液晶表示装
置が多用される傾向にある。図４は上記したような液晶
表示装置の内の、従来の反射型液晶表示装置を示す概略
断面構成図、図５は画素電極の配列状態を示す平面図で
ある。図４において、この反射型液晶表示装置２は、半
導体として例えばシリコンウエハよりなる基板４とこれ
に対向する例えばガラス板などよりなる透明な封入基板
６との間に液晶層８を封入して形成されている。具体的
には、基板４の最上層には、図５にも示すように略正方
形状になされた微小な多数の画素電極１０が互いに所定
の間隔１２を隔てて縦横にマトリクス状に配列されてい
る。そして、この画素電極１０は例えばアルミニウム膜
よりなり、これに対向させてこれよりも所定の間隔を隔
てて上記封入基板６を設け、この内側面全体に、透明な
共通電極１４が形成されている。そして、この共通電極
１４と多数の画素電極１０との間に上記液晶層８を封入
している。そして、各画素電極１０に対応させて、基板
４側にスイッチトランジスタ１６と保持コンデンサ１８
を設けている。
サなどの各種のＯＡ機器や携帯電話等の各種の通信機器
を含む電子機器のディスプレイには、陰極線管と比較し
て小型で、且つ消費電力が少ないことから、液晶表示装
置が多用される傾向にある。図４は上記したような液晶
表示装置の内の、従来の反射型液晶表示装置を示す概略
断面構成図、図５は画素電極の配列状態を示す平面図で
ある。図４において、この反射型液晶表示装置２は、半
導体として例えばシリコンウエハよりなる基板４とこれ
に対向する例えばガラス板などよりなる透明な封入基板
６との間に液晶層８を封入して形成されている。具体的
には、基板４の最上層には、図５にも示すように略正方
形状になされた微小な多数の画素電極１０が互いに所定
の間隔１２を隔てて縦横にマトリクス状に配列されてい
る。そして、この画素電極１０は例えばアルミニウム膜
よりなり、これに対向させてこれよりも所定の間隔を隔
てて上記封入基板６を設け、この内側面全体に、透明な
共通電極１４が形成されている。そして、この共通電極
１４と多数の画素電極１０との間に上記液晶層８を封入
している。そして、各画素電極１０に対応させて、基板
４側にスイッチトランジスタ１６と保持コンデンサ１８
を設けている。
【０００３】図４では代表として１つのスイッチトラン
ジスタ１６の保持コンデンサ１８を拡大して示してい
る。このスイッチトランジスタ１６はここではＭＯＳ型
ＦＥＴ等の半導体トランジスタよりなり、ゲート２０、
ソース２２、ドレイン２４を有している。また、保持コ
ンデンサ１８は、下部電極２６と、これにキャパシタ絶
縁膜２８を介在させて設けた上部電極３０とよりなり、
ここに必要な電荷を貯めるようになっている。そして、
互いに隣接された保持コンデンサ１８とスイッチングト
ランジスタ１６との間には分離酸化膜３２を形成して、
各素子毎に電気的に分離させている。そして、このスイ
ッチトランジスタ１６や保持コンデンサ１８の上方に
は、層間絶縁膜３４を介してパターン化された例えばア
ルミニウム膜よりなる金属配線層３６が形成されてい
る。このパターン化された金属配線層３６の一部を介し
て上記スイッチトランジスタ１６のドレイン２４と上記
保持コンデンサ１８の上部電極３０とが電気的に接続さ
れている。
ジスタ１６の保持コンデンサ１８を拡大して示してい
る。このスイッチトランジスタ１６はここではＭＯＳ型
ＦＥＴ等の半導体トランジスタよりなり、ゲート２０、
ソース２２、ドレイン２４を有している。また、保持コ
ンデンサ１８は、下部電極２６と、これにキャパシタ絶
縁膜２８を介在させて設けた上部電極３０とよりなり、
ここに必要な電荷を貯めるようになっている。そして、
互いに隣接された保持コンデンサ１８とスイッチングト
ランジスタ１６との間には分離酸化膜３２を形成して、
各素子毎に電気的に分離させている。そして、このスイ
ッチトランジスタ１６や保持コンデンサ１８の上方に
は、層間絶縁膜３４を介してパターン化された例えばア
ルミニウム膜よりなる金属配線層３６が形成されてい
る。このパターン化された金属配線層３６の一部を介し
て上記スイッチトランジスタ１６のドレイン２４と上記
保持コンデンサ１８の上部電極３０とが電気的に接続さ
れている。
【０００４】そして、スイッチトランジスタ１６の上
方、より詳しくは、上記金属配線層３６の上方には、こ
れを覆うようにして例えばＳｉＯ2 よりなる絶縁層３８
が形成されており、この絶縁層３８の上面に上記画素電
極１０を設けている。そして、上記絶縁層３８の内部に
は、上記トランジスタ１６を覆うようにして例えばパタ
ーン化されたアルミニウム膜よりなる遮光膜４０が積層
して埋め込まれており、不要な光が上記スイッチトラン
ジスタ１６に差し込まないようにしている。そして、上
記画素電極１０は、上記パターン化された遮光膜４０の
一部、金属配線層３６の一部及びこれらを電気的に接続
する接続線４２を介して上記ドレイン２４に接続されて
いる。そして、上記画素電極１０の裏面、上記遮光膜４
０の表面及び裏面、上記金属配線層３６の表面及び裏面
には、例えば窒化チタンよりなる反射防止膜４４がそれ
ぞれ設けられており、上記隣接する画素電極１０の間隙
１２に侵入してくる光Ｌがスイッチトランジスタ１６ま
で届かないようにしている。尚、封入基板６の上方に
は、光を三原色に分離するカラーフィルタ４６が設けら
れる。
方、より詳しくは、上記金属配線層３６の上方には、こ
れを覆うようにして例えばＳｉＯ2 よりなる絶縁層３８
が形成されており、この絶縁層３８の上面に上記画素電
極１０を設けている。そして、上記絶縁層３８の内部に
は、上記トランジスタ１６を覆うようにして例えばパタ
ーン化されたアルミニウム膜よりなる遮光膜４０が積層
して埋め込まれており、不要な光が上記スイッチトラン
ジスタ１６に差し込まないようにしている。そして、上
記画素電極１０は、上記パターン化された遮光膜４０の
一部、金属配線層３６の一部及びこれらを電気的に接続
する接続線４２を介して上記ドレイン２４に接続されて
いる。そして、上記画素電極１０の裏面、上記遮光膜４
０の表面及び裏面、上記金属配線層３６の表面及び裏面
には、例えば窒化チタンよりなる反射防止膜４４がそれ
ぞれ設けられており、上記隣接する画素電極１０の間隙
１２に侵入してくる光Ｌがスイッチトランジスタ１６ま
で届かないようにしている。尚、封入基板６の上方に
は、光を三原色に分離するカラーフィルタ４６が設けら
れる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように形成された
反射型液晶表示装置２においては、読み出し光Ｌには、
可視光の全領域（４０００Å乃至７０００Åの波長）の
光が用いられるが、上記反射防止膜４４に用いられる窒
化チタンは上記可視光の波長域の特定の狭い１つの波長
に対してだけ反射率が低くなるだけであり、それ以外の
波長の光に対しては反射防止をすることができない。そ
のため、画素電極１０間の間隙１２から入射する読み出
し光Ｌが反射防止膜４４の間等を反射を繰り返したり、
パターン化される遮光膜４０の間隙や同じくパターン化
されている金属配線層の間隙を通過して伝播して図中の
矢印ｐで示されたような経路によりスイッチトランジス
タ１６にリーク光となって到達し、光リーク電流を発生
させる原因となっていた。そのため、この光リーク電流
により、保持コンデンサ１８の電位が変化してしまっ
て、映像のちらつきや液晶の焼き付きを引き起こす、と
いった問題があった。本発明は、以上のような問題点に
着目し、これを有効に解決すべく創案されたものであ
り、その目的はスイッチトランジスタに到達するリーク
光を大幅に抑制して、光リーク電流の発生を阻止し、こ
れにより映像のちらつきや液晶の焼き付きの発生を防止
することができる反射型液晶表示装置を提供することに
ある。
反射型液晶表示装置２においては、読み出し光Ｌには、
可視光の全領域（４０００Å乃至７０００Åの波長）の
光が用いられるが、上記反射防止膜４４に用いられる窒
化チタンは上記可視光の波長域の特定の狭い１つの波長
に対してだけ反射率が低くなるだけであり、それ以外の
波長の光に対しては反射防止をすることができない。そ
のため、画素電極１０間の間隙１２から入射する読み出
し光Ｌが反射防止膜４４の間等を反射を繰り返したり、
パターン化される遮光膜４０の間隙や同じくパターン化
されている金属配線層の間隙を通過して伝播して図中の
矢印ｐで示されたような経路によりスイッチトランジス
タ１６にリーク光となって到達し、光リーク電流を発生
させる原因となっていた。そのため、この光リーク電流
により、保持コンデンサ１８の電位が変化してしまっ
て、映像のちらつきや液晶の焼き付きを引き起こす、と
いった問題があった。本発明は、以上のような問題点に
着目し、これを有効に解決すべく創案されたものであ
り、その目的はスイッチトランジスタに到達するリーク
光を大幅に抑制して、光リーク電流の発生を阻止し、こ
れにより映像のちらつきや液晶の焼き付きの発生を防止
することができる反射型液晶表示装置を提供することに
ある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１に規定する発明
は、基板上にマトリクス状に配列された複数のスイッチ
トランジスタと、前記スイッチトランジスタに電気的に
接続された金属配線層と、前記スイッチトランジスタと
前記金属配線層の上方を覆う絶縁層と、前記絶縁層中に
前記スイッチトランジスタを覆うようにして形成された
遮光膜と、前記絶縁層上に所定のピッチで配列された画
素電極と、前記画素電極に対して所定の間隔を隔てて対
向配置された透明な封入基板と、前記封入基板の内側に
形成した透明な共通電極と、前記所定の間隔内に封入さ
れた液晶層とを少なくとも有する反射型液晶表示装置に
おいて、前記遮光膜の表面または裏面、前記画素電極の
裏面、前記金属配線層の表面または裏面の計５面の内、
少なくとも２面の上に、反射防止膜を備え、且つ、各反
射防止膜はそれぞれ異なる波長領域の光を主に吸収する
ようにしたものである。
は、基板上にマトリクス状に配列された複数のスイッチ
トランジスタと、前記スイッチトランジスタに電気的に
接続された金属配線層と、前記スイッチトランジスタと
前記金属配線層の上方を覆う絶縁層と、前記絶縁層中に
前記スイッチトランジスタを覆うようにして形成された
遮光膜と、前記絶縁層上に所定のピッチで配列された画
素電極と、前記画素電極に対して所定の間隔を隔てて対
向配置された透明な封入基板と、前記封入基板の内側に
形成した透明な共通電極と、前記所定の間隔内に封入さ
れた液晶層とを少なくとも有する反射型液晶表示装置に
おいて、前記遮光膜の表面または裏面、前記画素電極の
裏面、前記金属配線層の表面または裏面の計５面の内、
少なくとも２面の上に、反射防止膜を備え、且つ、各反
射防止膜はそれぞれ異なる波長領域の光を主に吸収する
ようにしたものである。
【０００７】この液晶表示装置は単板式の液晶表示装置
であり、これにより画素電極間の間隙内に侵入して来た
読み出し光は、反射防止膜間を反射する間に少なくとも
２つの異なる波長領域の光が吸収されてしまうので、ス
イッチトランジスタに到達するリーク光を大幅に抑制し
て光リーク電流の発生を大幅に阻止することが可能とな
る。従って、映像のちらつきや液晶の焼き付きの発生を
防止することが可能となる。
であり、これにより画素電極間の間隙内に侵入して来た
読み出し光は、反射防止膜間を反射する間に少なくとも
２つの異なる波長領域の光が吸収されてしまうので、ス
イッチトランジスタに到達するリーク光を大幅に抑制し
て光リーク電流の発生を大幅に阻止することが可能とな
る。従って、映像のちらつきや液晶の焼き付きの発生を
防止することが可能となる。
【０００８】請求項２に規定する発明は、光の三原色の
それぞれの特定の波長領域の光に対応させた３つの基板
を有し、前記各基板はその基板上にマトリクス状に配列
された複数のスイッチトランジスタと、前記スイッチト
ランジスタに電気的に接続された金属配線層と、前記ス
イッチトランジスタと前記金属配線層の上方を覆う絶縁
層と、前記絶縁層中に前記スイッチトランジスタを覆う
ようにして形成された遮光膜と、前記絶縁層上に所定の
ピッチで配列された画素電極と、前記画素電極に対して
所定の間隔を隔てて対向配置された透明な封入基板と、
前記封入基板の内側に形成した透明な共通電極と、前記
所定の間隔内に封入された液晶層とを少なくとも有する
反射型液晶表示装置において、前記各基板は、前記遮光
膜の表面または裏面、前記画素電極の裏面、前記金属配
線層の表面または裏面の計５面の内、少なくとも１面の
上に前記基板に対応した前記特定の波長領域の光を主に
吸収する反射防止膜を備えるようにしたものである。
それぞれの特定の波長領域の光に対応させた３つの基板
を有し、前記各基板はその基板上にマトリクス状に配列
された複数のスイッチトランジスタと、前記スイッチト
ランジスタに電気的に接続された金属配線層と、前記ス
イッチトランジスタと前記金属配線層の上方を覆う絶縁
層と、前記絶縁層中に前記スイッチトランジスタを覆う
ようにして形成された遮光膜と、前記絶縁層上に所定の
ピッチで配列された画素電極と、前記画素電極に対して
所定の間隔を隔てて対向配置された透明な封入基板と、
前記封入基板の内側に形成した透明な共通電極と、前記
所定の間隔内に封入された液晶層とを少なくとも有する
反射型液晶表示装置において、前記各基板は、前記遮光
膜の表面または裏面、前記画素電極の裏面、前記金属配
線層の表面または裏面の計５面の内、少なくとも１面の
上に前記基板に対応した前記特定の波長領域の光を主に
吸収する反射防止膜を備えるようにしたものである。
【０００９】この液晶表示装置は３板式の液晶表示装置
であり、この場合には、画素電極間の間隙内に侵入して
来た予め分光された読み出し光は、反射防止膜間を反射
する間にその分光された読み出し光の波長領域の光が吸
収されてしまうので、スイッチトランジスタに到達する
リーク光を大幅に抑制して光リーク電流の発生を大幅に
阻止することが可能となる。従って、映像のちらつきや
液晶の焼き付きの発生を防止することが可能となる。
であり、この場合には、画素電極間の間隙内に侵入して
来た予め分光された読み出し光は、反射防止膜間を反射
する間にその分光された読み出し光の波長領域の光が吸
収されてしまうので、スイッチトランジスタに到達する
リーク光を大幅に抑制して光リーク電流の発生を大幅に
阻止することが可能となる。従って、映像のちらつきや
液晶の焼き付きの発生を防止することが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係る反射型液晶
表示装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図
１は本発明に係る反射型液晶表示装置を示す概略断面構
成図、図２は各反射防止膜の波長に対する反射率の変化
を示すグラフである。尚、図４及び図５に示した従来装
置と同一構成部分については同一参照符号を付して説明
する。この反射型液晶表示装置５０は、いわゆる単板型
の表示装置を示しており、反射防止膜の種類を除いて、
先に図４を参照して説明した従来の反射型液晶表示装置
２と全く同様に形成されている。
表示装置の一実施例を添付図面に基づいて詳述する。図
１は本発明に係る反射型液晶表示装置を示す概略断面構
成図、図２は各反射防止膜の波長に対する反射率の変化
を示すグラフである。尚、図４及び図５に示した従来装
置と同一構成部分については同一参照符号を付して説明
する。この反射型液晶表示装置５０は、いわゆる単板型
の表示装置を示しており、反射防止膜の種類を除いて、
先に図４を参照して説明した従来の反射型液晶表示装置
２と全く同様に形成されている。
【００１１】すなわち、この反射型液晶表示装置５０
は、半導体として例えばシリコンウエハよりなる基板４
とこれに対向する例えばガラス板などよりなる透明な封
入基板６との間に液晶層８を封入して形成されている。
具体的には、基板４の最上層には、図５にも示すように
略正方形状になされた微小な多数の画素電極１０が互い
に所定の間隔１２を隔てて縦横にマトリクス状に配列さ
れている。そして、この画素電極１０は例えばアルミニ
ウム膜よりなり、これに対向させてこれよりも所定の間
隔を隔てて上記封入基板６を設け、この内側面全体に、
透明な共通電極１４が形成されている。そして、この共
通電極１４と多数の画素電極１０との間に上記液晶層８
を封入している。そして、各画素電極１０に対応させ
て、基板４側にスイッチトランジスタ１６と保持コンデ
ンサ１８を設けている。
は、半導体として例えばシリコンウエハよりなる基板４
とこれに対向する例えばガラス板などよりなる透明な封
入基板６との間に液晶層８を封入して形成されている。
具体的には、基板４の最上層には、図５にも示すように
略正方形状になされた微小な多数の画素電極１０が互い
に所定の間隔１２を隔てて縦横にマトリクス状に配列さ
れている。そして、この画素電極１０は例えばアルミニ
ウム膜よりなり、これに対向させてこれよりも所定の間
隔を隔てて上記封入基板６を設け、この内側面全体に、
透明な共通電極１４が形成されている。そして、この共
通電極１４と多数の画素電極１０との間に上記液晶層８
を封入している。そして、各画素電極１０に対応させ
て、基板４側にスイッチトランジスタ１６と保持コンデ
ンサ１８を設けている。
【００１２】図１では代表として１つのスイッチトラン
ジスタ１６の保持コンデンサ１８を拡大して示してい
る。このスイッチトランジスタ１６はここではＭＯＳ型
ＦＥＴ等の半導体トランジスタよりなり、ゲート２０、
ソース２２、ドレイン２４を有している。また、保持コ
ンデンサ１８は、下部電極２６と、これにキャパシタ絶
縁膜２８を介在させて設けた上部電極３０とよりなり、
ここに必要な電荷を貯めるようになっている。そして、
互いに隣接された保持コンデンサ１８とスイッチングト
ランジスタ１６との間には分離酸化膜３２を形成して、
各素子毎に電気的に分離させている。そして、このスイ
ッチトランジスタ１６や保持コンデンサ１８の上方に
は、層間絶縁膜３４を介してパターン化された例えばア
ルミニウム膜よりなる金属配線層３６が形成されてい
る。このパターン化された金属配線層３６の一部を介し
て上記スイッチトランジスタ１６のドレイン２４と上記
保持コンデンサ１８の上部電極３０とが電気的に接続さ
れている。
ジスタ１６の保持コンデンサ１８を拡大して示してい
る。このスイッチトランジスタ１６はここではＭＯＳ型
ＦＥＴ等の半導体トランジスタよりなり、ゲート２０、
ソース２２、ドレイン２４を有している。また、保持コ
ンデンサ１８は、下部電極２６と、これにキャパシタ絶
縁膜２８を介在させて設けた上部電極３０とよりなり、
ここに必要な電荷を貯めるようになっている。そして、
互いに隣接された保持コンデンサ１８とスイッチングト
ランジスタ１６との間には分離酸化膜３２を形成して、
各素子毎に電気的に分離させている。そして、このスイ
ッチトランジスタ１６や保持コンデンサ１８の上方に
は、層間絶縁膜３４を介してパターン化された例えばア
ルミニウム膜よりなる金属配線層３６が形成されてい
る。このパターン化された金属配線層３６の一部を介し
て上記スイッチトランジスタ１６のドレイン２４と上記
保持コンデンサ１８の上部電極３０とが電気的に接続さ
れている。
【００１３】そして、スイッチトランジスタ１６の上
方、より詳しくは、上記金属配線層３６の上方には、こ
れを覆うようにして例えばＳｉＯ2 よりなる絶縁層３８
が形成されており、この絶縁層３８の上面に上記画素電
極１０を設けている。そして、上記絶縁層３８の内部に
は、上記トランジスタ１６を覆うようにして例えばパタ
ーン化されたアルミニウム膜よりなる遮光膜４０が積層
して埋め込まれており、不要な光が上記スイッチトラン
ジスタ１６に差し込まないようにしている。そして、上
記画素電極１０は、上記パターン化された遮光膜４０の
一部、金属配線層３６の一部及びこれらを電気的に接続
する接続線４２を介して上記ドレイン２４に接続されて
いる。また、封入基板６の上方には、光を三原色に分離
するカラーフィルタ４６が設けられる。
方、より詳しくは、上記金属配線層３６の上方には、こ
れを覆うようにして例えばＳｉＯ2 よりなる絶縁層３８
が形成されており、この絶縁層３８の上面に上記画素電
極１０を設けている。そして、上記絶縁層３８の内部に
は、上記トランジスタ１６を覆うようにして例えばパタ
ーン化されたアルミニウム膜よりなる遮光膜４０が積層
して埋め込まれており、不要な光が上記スイッチトラン
ジスタ１６に差し込まないようにしている。そして、上
記画素電極１０は、上記パターン化された遮光膜４０の
一部、金属配線層３６の一部及びこれらを電気的に接続
する接続線４２を介して上記ドレイン２４に接続されて
いる。また、封入基板６の上方には、光を三原色に分離
するカラーフィルタ４６が設けられる。
【００１４】そして、上記画素電極１０の裏面、上記遮
光膜４０の表面及び裏面、上記金属配線層３６の表面及
び裏面には、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）よりなる本発
明の特徴とする反射防止膜４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４
４Ｄ，４４Ｅがそれぞれ設けられており、上記隣接する
画素電極１０の間隙１２に侵入してくる光Ｌがスイッチ
トランジスタ１６まで届かないようにしている。具体的
には、上記各反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅとしては、可視
光の三原色の内の青の波長領域を主に吸収する青反射防
止膜と、緑の波長領域を主に吸収する緑反射防止膜と、
赤の波長領域を主に吸収する赤反射防止膜とを混在させ
て用いる。
光膜４０の表面及び裏面、上記金属配線層３６の表面及
び裏面には、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）よりなる本発
明の特徴とする反射防止膜４４Ａ，４４Ｂ，４４Ｃ，４
４Ｄ，４４Ｅがそれぞれ設けられており、上記隣接する
画素電極１０の間隙１２に侵入してくる光Ｌがスイッチ
トランジスタ１６まで届かないようにしている。具体的
には、上記各反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅとしては、可視
光の三原色の内の青の波長領域を主に吸収する青反射防
止膜と、緑の波長領域を主に吸収する緑反射防止膜と、
赤の波長領域を主に吸収する赤反射防止膜とを混在させ
て用いる。
【００１５】図２は反射防止膜としてＴｉＮ膜を用いた
時の波長に対する反射率Ｒ（＝反射光強度／入射光強
度）を示すグラフである。このグラフから明らかなよう
に、ＴｉＮ膜の膜厚を変えることにより、波長に対する
反射率が大きく変わっている。例えば膜厚が３００Åの
場合には青色の波長に対する反射率が小さくなり（吸収
率は大きい）、膜厚が５００Åの場合には緑色の波長に
対する反射率が小さくなり（吸収率は大きい）、そし
て、膜厚が７００Åの場合には赤色の波長に対する反射
率が小さくなる（吸収率は大きい）。尚、図中、ＴｉＮ
膜の厚さゼロÅの時の反射率は下地のアルミニウム膜の
反射率を示している。従って、ＴｉＮ膜よりなる上記各
反射防止膜４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ、４４Ｄ、４４Ｅの
各厚さを、例えばそれぞれ５００Å（緑対策）、３００
Å（青対策）、７００Å（赤対策）、５００Å（緑対
策）、３００Å（青対策）に設定すればよい。
時の波長に対する反射率Ｒ（＝反射光強度／入射光強
度）を示すグラフである。このグラフから明らかなよう
に、ＴｉＮ膜の膜厚を変えることにより、波長に対する
反射率が大きく変わっている。例えば膜厚が３００Åの
場合には青色の波長に対する反射率が小さくなり（吸収
率は大きい）、膜厚が５００Åの場合には緑色の波長に
対する反射率が小さくなり（吸収率は大きい）、そし
て、膜厚が７００Åの場合には赤色の波長に対する反射
率が小さくなる（吸収率は大きい）。尚、図中、ＴｉＮ
膜の厚さゼロÅの時の反射率は下地のアルミニウム膜の
反射率を示している。従って、ＴｉＮ膜よりなる上記各
反射防止膜４４Ａ、４４Ｂ、４４Ｃ、４４Ｄ、４４Ｅの
各厚さを、例えばそれぞれ５００Å（緑対策）、３００
Å（青対策）、７００Å（赤対策）、５００Å（緑対
策）、３００Å（青対策）に設定すればよい。
【００１６】このように構成することにより、読み出し
光Ｌが画素電極１０間の間隙１２を矢印ｐで示すように
侵入してきても、各反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅで繰り返
し反射する間にそれぞれの反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅに
おいてそれぞれ対応する波長領域の光が吸収されてしま
い、スイッチトランジスタ１６まで届くリーク光は非常
に抑制されてほとんどなくなってしまうことになる。従
って、映像のちらつきや液晶の焼き付きの発生を防止す
ることが可能となる。
光Ｌが画素電極１０間の間隙１２を矢印ｐで示すように
侵入してきても、各反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅで繰り返
し反射する間にそれぞれの反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅに
おいてそれぞれ対応する波長領域の光が吸収されてしま
い、スイッチトランジスタ１６まで届くリーク光は非常
に抑制されてほとんどなくなってしまうことになる。従
って、映像のちらつきや液晶の焼き付きの発生を防止す
ることが可能となる。
【００１７】ここで、各光吸収帯域に対するＴｉＮ反射
防止膜の厚さにはある程度幅があり、この膜厚は、例え
ば青色対策用には２００〜４００Åの範囲内が好まし
く、緑色対策用には４００〜６００Åの範囲内が好まし
く、赤色対策用には６００〜８００Åの範囲内が好まし
い。また、ここでは前述した５つの面に全て反射防止膜
４４Ａ〜４４Ｅを形成したが、少なくとも２つの面にそ
れぞれ異なる波長領域の反射防止膜を形成すれば、従来
装置よりもリーク光の侵入阻止効率を高めることができ
る。２つの反射防止膜を形成する場合には、画素電極１
０の裏面と、反射防止膜４４の表面にそれぞれ反射防止
膜４４Ａ、４４Ｂを設けるのがよい。また、少なくとも
３つの異なる波長領域の反射防止膜４４Ａ、４４Ｂ、４
４Ｃを設けることにより、理論的には可視光の領域の全
てのリーク光を吸収できることになり、この場合には高
いリーク光侵入防止効果を発揮することができる。
防止膜の厚さにはある程度幅があり、この膜厚は、例え
ば青色対策用には２００〜４００Åの範囲内が好まし
く、緑色対策用には４００〜６００Åの範囲内が好まし
く、赤色対策用には６００〜８００Åの範囲内が好まし
い。また、ここでは前述した５つの面に全て反射防止膜
４４Ａ〜４４Ｅを形成したが、少なくとも２つの面にそ
れぞれ異なる波長領域の反射防止膜を形成すれば、従来
装置よりもリーク光の侵入阻止効率を高めることができ
る。２つの反射防止膜を形成する場合には、画素電極１
０の裏面と、反射防止膜４４の表面にそれぞれ反射防止
膜４４Ａ、４４Ｂを設けるのがよい。また、少なくとも
３つの異なる波長領域の反射防止膜４４Ａ、４４Ｂ、４
４Ｃを設けることにより、理論的には可視光の領域の全
てのリーク光を吸収できることになり、この場合には高
いリーク光侵入防止効果を発揮することができる。
【００１８】尚、上記実施例では基板を１つ設けた単板
式の液晶表示装置５０を例にとって説明したが、図３に
示すように読み出し光Ｌを分光器６０で赤、緑、青の光
の三原色に分光し、それぞれの光に対して１つの基板４
Ａ、４Ｂ、４Ｃを用いた、いわゆる３板式の反射型液晶
表示装置７０にも本発明を適用し得る。この場合、各基
板４Ａ、４Ｂ、４Ｃの上方は、用いる反射防止膜の種類
が異なる他は、図１に示した構成と全く同様に形成され
ているので、図３においては詳細な記載は省略してい
る。尚、この３板式の液晶表示装置では、図１中のカラ
ーフィルタ４６を設ける必要がないのは勿論である。そ
して、ここでは分光された特定の波長領域に対応させて
この特定の波長領域の光を吸収する反射防止膜が各基板
４Ａ〜４Ｃに適用される。具体的には、分光により緑色
光が入射する基板４Ａには、全ての反射防止膜４４Ａ〜
４４Ｅの膜厚を例えば５００Åに設定して緑色光のリー
ク光を吸収するようにする。同様にして、青色光が入射
する基板４Ｂには、全ての反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅの
膜厚を例えば３００Åに設定して青色光のリーク光を吸
収するようにする。同様にして、赤色光が入射する基板
４Ｃには、全ての反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅの膜厚を例
えば７００Åに設定して赤色光のリーク光を吸収するよ
うにする。
式の液晶表示装置５０を例にとって説明したが、図３に
示すように読み出し光Ｌを分光器６０で赤、緑、青の光
の三原色に分光し、それぞれの光に対して１つの基板４
Ａ、４Ｂ、４Ｃを用いた、いわゆる３板式の反射型液晶
表示装置７０にも本発明を適用し得る。この場合、各基
板４Ａ、４Ｂ、４Ｃの上方は、用いる反射防止膜の種類
が異なる他は、図１に示した構成と全く同様に形成され
ているので、図３においては詳細な記載は省略してい
る。尚、この３板式の液晶表示装置では、図１中のカラ
ーフィルタ４６を設ける必要がないのは勿論である。そ
して、ここでは分光された特定の波長領域に対応させて
この特定の波長領域の光を吸収する反射防止膜が各基板
４Ａ〜４Ｃに適用される。具体的には、分光により緑色
光が入射する基板４Ａには、全ての反射防止膜４４Ａ〜
４４Ｅの膜厚を例えば５００Åに設定して緑色光のリー
ク光を吸収するようにする。同様にして、青色光が入射
する基板４Ｂには、全ての反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅの
膜厚を例えば３００Åに設定して青色光のリーク光を吸
収するようにする。同様にして、赤色光が入射する基板
４Ｃには、全ての反射防止膜４４Ａ〜４４Ｅの膜厚を例
えば７００Åに設定して赤色光のリーク光を吸収するよ
うにする。
【００１９】この場合にも、各色に分光された読み出し
光が途中で反射防止膜により吸収されるので、それぞれ
のスイッチトランジスタまで届くことを大幅に抑制する
ことが可能となる。また、この３板式の反射型液晶表示
装置の場合には、予め分光された読み出し光が入射する
ことになるので、５面の内の少なくとも１つの面にだけ
反射防止膜を設ければよく、特に、この反射防止膜を画
素電極１０の裏面、或いは反射防止膜４４の表面に設け
るのが、リーク光侵入阻止の上から最も好ましい。尚、
以上の表示装置の構成は単に一例を示したに過ぎず、こ
の構造に限定されない。また、本発明はカラーの反射型
液晶表示装置のみならず、白黒の反射型液晶表示装置に
も適用し得るのは勿論である。
光が途中で反射防止膜により吸収されるので、それぞれ
のスイッチトランジスタまで届くことを大幅に抑制する
ことが可能となる。また、この３板式の反射型液晶表示
装置の場合には、予め分光された読み出し光が入射する
ことになるので、５面の内の少なくとも１つの面にだけ
反射防止膜を設ければよく、特に、この反射防止膜を画
素電極１０の裏面、或いは反射防止膜４４の表面に設け
るのが、リーク光侵入阻止の上から最も好ましい。尚、
以上の表示装置の構成は単に一例を示したに過ぎず、こ
の構造に限定されない。また、本発明はカラーの反射型
液晶表示装置のみならず、白黒の反射型液晶表示装置に
も適用し得るのは勿論である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の反射型液
晶表示装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮
することができる。請求項１の発明によれば、画素電極
間の間隙内に侵入して来た読み出し光は、反射防止膜間
を反射する間に少なくとも２つの異なる波長領域の光が
吸収されてしまうので、スイッチトランジスタに到達す
るリーク光を大幅に抑制して光リーク電流の発生を大幅
に阻止することができる。従って、映像のちらつきや液
晶の焼き付きの発生を防止することができる。請求項２
の発明によれば、画素電極間の間隙内に侵入して来た予
め分光された読み出し光は、反射防止膜間を反射する間
にその分光された読み出し光の波長領域の光が吸収され
てしまうので、スイッチトランジスタに到達するリーク
光を大幅に抑制して光リーク電流の発生を大幅に阻止す
ることがきる。従って、映像のちらつきや液晶の焼き付
きの発生を防止することができる。
晶表示装置によれば、次のように優れた作用効果を発揮
することができる。請求項１の発明によれば、画素電極
間の間隙内に侵入して来た読み出し光は、反射防止膜間
を反射する間に少なくとも２つの異なる波長領域の光が
吸収されてしまうので、スイッチトランジスタに到達す
るリーク光を大幅に抑制して光リーク電流の発生を大幅
に阻止することができる。従って、映像のちらつきや液
晶の焼き付きの発生を防止することができる。請求項２
の発明によれば、画素電極間の間隙内に侵入して来た予
め分光された読み出し光は、反射防止膜間を反射する間
にその分光された読み出し光の波長領域の光が吸収され
てしまうので、スイッチトランジスタに到達するリーク
光を大幅に抑制して光リーク電流の発生を大幅に阻止す
ることがきる。従って、映像のちらつきや液晶の焼き付
きの発生を防止することができる。
【図１】本発明に係る反射型液晶表示装置を示す概略断
面構成図である。
面構成図である。
【図２】各反射防止膜の波長に対する反射率の変化を示
すグラフである。
すグラフである。
【図３】本発明装置の変形例を示す概略構成図である。
【図４】従来の反射型液晶表示装置を示す概略断面構成
図である。
図である。
【図５】画素電極の配列状態を示す平面図である。
４…基板、６…封入基板、８…液晶層、１０…画素電
極、１２…間隙、１４…共通電極、１６…スイッチトラ
ンジスタ、１８…保持コンデンサ、３６…金属配線層、
３８…絶縁層、４０…遮光膜、４４Ａ〜４４Ｅ…反射防
止膜、５０…反射型液晶表示装置、Ｌ…読み出し光。
極、１２…間隙、１４…共通電極、１６…スイッチトラ
ンジスタ、１８…保持コンデンサ、３６…金属配線層、
３８…絶縁層、４０…遮光膜、４４Ａ〜４４Ｅ…反射防
止膜、５０…反射型液晶表示装置、Ｌ…読み出し光。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H091 FA14Z FA37Z GA13 LA15 LA30 2H092 GA35 JA24 JB51 JB69 NA26 PA08 PA12
Claims (2)
- 【請求項１】 基板上にマトリクス状に配列された複数
のスイッチトランジスタと、前記スイッチトランジスタ
に電気的に接続された金属配線層と、前記スイッチトラ
ンジスタと前記金属配線層の上方を覆う絶縁層と、前記
絶縁層中に前記スイッチトランジスタを覆うようにして
形成された遮光膜と、前記絶縁層上に所定のピッチで配
列された画素電極と、前記画素電極に対して所定の間隔
を隔てて対向配置された透明な封入基板と、前記封入基
板の内側に形成した透明な共通電極と、前記所定の間隔
内に封入された液晶層とを少なくとも有する反射型液晶
表示装置において、 前記遮光膜の表面または裏面、前記画素電極の裏面、前
記金属配線層の表面または裏面の計５面の内、少なくと
も２面の上に、反射防止膜を備え、且つ、各反射防止膜
はそれぞれ異なる波長領域の光を主に吸収することを特
徴とする反射型液晶表示装置。 - 【請求項２】 光の三原色のそれぞれの特定の波長領域
の光に対応させた３つの基板を有し、前記各基板はその
基板上にマトリクス状に配列された複数のスイッチトラ
ンジスタと、前記スイッチトランジスタに電気的に接続
された金属配線層と、前記スイッチトランジスタと前記
金属配線層の上方を覆う絶縁層と、前記絶縁層中に前記
スイッチトランジスタを覆うようにして形成された遮光
膜と、前記絶縁層上に所定のピッチで配列された画素電
極と、前記画素電極に対して所定の間隔を隔てて対向配
置された透明な封入基板と、前記封入基板の内側に形成
した透明な共通電極と、前記所定の間隔内に封入された
液晶層とを少なくとも有する反射型液晶表示装置におい
て、 前記各基板は、前記遮光膜の表面または裏面、前記画素
電極の裏面、前記金属配線層の表面または裏面の計５面
の内、少なくとも１面の上に前記基板に対応した前記特
定の波長領域の光を主に吸収する反射防止膜を備えるよ
うにしたことを特徴とする反射型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000134422A JP2001318376A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | 反射型液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000134422A JP2001318376A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | 反射型液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001318376A true JP2001318376A (ja) | 2001-11-16 |
Family
ID=18642706
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000134422A Pending JP2001318376A (ja) | 2000-05-08 | 2000-05-08 | 反射型液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001318376A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004206108A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-22 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置の製造方法 |
| JP2006154563A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型の液晶表示装置 |
| US7388633B2 (en) | 2002-12-13 | 2008-06-17 | Victor Company Of Japan, Limited | Reflective liquid crystal display |
| JP2012230326A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Dainippon Printing Co Ltd | アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置 |
| CN103163681A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 上海中航光电子有限公司 | 液晶面板及其制造方法 |
| CN103185978A (zh) * | 2011-12-28 | 2013-07-03 | 上海中航光电子有限公司 | 液晶面板及其制造方法 |
-
2000
- 2000-05-08 JP JP2000134422A patent/JP2001318376A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004206108A (ja) * | 2002-12-13 | 2004-07-22 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型液晶表示装置及び反射型液晶表示装置の製造方法 |
| US7388633B2 (en) | 2002-12-13 | 2008-06-17 | Victor Company Of Japan, Limited | Reflective liquid crystal display |
| JP2006154563A (ja) * | 2004-11-30 | 2006-06-15 | Victor Co Of Japan Ltd | 反射型の液晶表示装置 |
| JP2012230326A (ja) * | 2011-04-27 | 2012-11-22 | Dainippon Printing Co Ltd | アクティブマトリックス基板及びアクティブマトリックス基板の製造方法、液晶表示装置 |
| CN103163681A (zh) * | 2011-12-16 | 2013-06-19 | 上海中航光电子有限公司 | 液晶面板及其制造方法 |
| CN103185978A (zh) * | 2011-12-28 | 2013-07-03 | 上海中航光电子有限公司 | 液晶面板及其制造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040309 |