JP2011133604A - 電気光学装置、および電子機器 - Google Patents

電気光学装置、および電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP2011133604A
JP2011133604A JP2009291949A JP2009291949A JP2011133604A JP 2011133604 A JP2011133604 A JP 2011133604A JP 2009291949 A JP2009291949 A JP 2009291949A JP 2009291949 A JP2009291949 A JP 2009291949A JP 2011133604 A JP2011133604 A JP 2011133604A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wiring
line
formed
electro
optical device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009291949A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshikazu Eguchi
芳和 江口
Original Assignee
Seiko Epson Corp
セイコーエプソン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp, セイコーエプソン株式会社 filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2009291949A priority Critical patent/JP2011133604A/ja
Publication of JP2011133604A publication Critical patent/JP2011133604A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512Light shielding layers, e.g. black matrix
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FDEVICES OR ARRANGEMENTS, THE OPTICAL OPERATION OF WHICH IS MODIFIED BY CHANGING THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIUM OF THE DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF THE INTENSITY, COLOUR, PHASE, POLARISATION OR DIRECTION OF LIGHT, e.g. SWITCHING, GATING, MODULATING OR DEMODULATING; TECHNIQUES OR PROCEDURES FOR THE OPERATION THEREOF; FREQUENCY-CHANGING; NON-LINEAR OPTICS; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating, or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer

Abstract

【課題】十分なコントラストが得られる表示装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係る表示装置によれば、間隙Dにおいて、容量線77と走査線11とが重ねて構成されているため、2本の配線の重なり分、反射電極9間における配線が占める割合を小さくすることができる。詳しくは、X軸方向における間隙Dに露出する配線を容量線77のみとすることができる。よって、間隙Dにおいて配線によって反射される光量が減るため、表示コントラストを高めることが可能となり、所期の表示コントラストを得ることができる。
【選択図】図3

Description

本発明は、電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関する。

電気光学装置の一例である反射型の液晶装置(表示装置)は、その構成上、透過型の液晶装置よりも、光の有効利用が高く、格子感が少ない画像表示が可能であるため、プロジェクターの光変調手段(ライトバルブ)として多用されている。
一般的な反射型の表示装置は、シリコン基板(素子基板)上に、各画素を走査駆動するためのスイッチングトランジスターなどの回路素子を含む回路層、走査線や、データ線などの配線層、複数の反射電極がマトリックス状に配置された反射電極層が、この順番で積層された積層構成となっていた。また、回路素子の一部は、隣り合う反射電極の間にも形成されていた。
そして、シリコン基板と対向する対向基板を備えており、複数の反射電極と、対向基板に形成された透明な共通電極との間に挟持された液晶層の透過率を調整して、表示を行っていた。詳しくは、対向基板から入射した光のうち、当該透過率に応じて透過した光を反射電極で反射することにより表示を行っていた。

このような表示装置では、対向基板から入射した光のうち、反射電極間に入射する光の処理が問題となっていた。具体的には、反射電極間に入射した光が屈折や反射を繰り返して回路層まで到達すると、当該光(迷光)によるトランジスターの誤動作を誘発するからである。
この問題に対して、シリコン基板上の積層構造において、反射電極間の下層に光吸収作用を有する金属などからなる光吸収層を設けて、反射電極間に入射した光を吸収する技術が知られていた。

しかし、この技術では、積層構造が複雑となってしまうという問題があった。また、反射電極間に入射した光を光吸収層で吸収しきれなかった場合には、迷光がシリコン基板にまで到達してしまうことも想定された。シリコン基板は、可視光領域で高い反射率を有しているため、当該基板によって迷光が反射して、トランジスターの誤動作を誘発することも想定された。

これらの問題を鑑み、発明者等は、特許文献1の構成を提案している。詳しくは、素子基板を透明基板で構成するとともに、反射電極によって回路素子が覆れるように、回路素子を反射電極の下層に配置する構成としている。また、素子基板の背面には、光吸収体を接着している。
この構成によれば、反射電極間に入射した光は、そのまま透明な素子基板を透過して、光吸収体に吸収されるため、迷光の発生が抑制され、誤動作を防止することができる。

特開2008−102392号公報

しかしながら、特許文献1の構成では、迷光による誤動作は抑制できても、十分なコントラストを得ることが困難であるという課題があった。
詳しくは、特許文献1の平面構成を示した図8に示すように、縦方向(Y軸方向)に隣り合う反射電極9間(間隙D)にはデータ線6が1本介在するとともに、横方向(X軸方向)に隣り合う反射電極9間には走査線11と、容量線77との2本の配線が介在していた。つまり、横方向における左右の間隙Dには、それぞれ2本の配線が介在しているため、縦方向の間隙Dよりも、配線が占める割合(面積)が多くなっていた。
そして、これらの配線(ドットハッチング部分)によって反射された光が、反射電極9で反射された表示光の間隙に介在することになるため、表示コントラストが低下してしまうという課題があった。
特に、小型、かつ高精細が求められるライトバルブ用途においては、反射電極9のサイズは小さくなるが、配線抵抗との兼ね合い上、配線の微細化には限界があるため、間隙Dに占める配線の割合が無視できないレベルとなってきており、コントラスト低下の要因となっていた。

また、従来の表示装置では、過熱により表示装置が劣化してしまうという課題もあった。これは、小型化された表示装置に、放電型ランプなどの高輝度の光を照射するため、反射し切れない光が熱に変換されて、表示装置が熱せられるからである。
特に、反射電極間に入射した光のうち、素子基板の背面の光吸収体に到達した光は、その略全てが熱となり、光吸収体、および当該光吸収体と接着されている表示装置全体が熱せられてしまっていた。

本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例又は形態として実現することが可能である。

(適用例)
透明基板と、透明基板上に形成された複数の走査線と、走査線と交差する複数のデータ線と、複数の走査線、または複数のデータ線の延在方向に沿って形成された複数の容量線と、複数の走査線、複数のデータ線、および複数の容量線の上層において、走査線とデータ線とが交差する交差点ごとに配置された反射電極と、を少なくとも備え、隣り合う反射電極間において、走査線と容量線の一部、または、データ線と容量線の一部が重ねて配置されていることを特徴とする電気光学装置。

この電気光学装置によれば、反射電極間において、走査線と容量線の一部、または、データ線と容量線の一部が重ねて配置されているため、2本の配線の重なり分、従来の表示装置よりも、反射電極間における配線が占める割合を小さくすることができる。
よって、配線により反射電極間で反射される光量が減るため、従来の表示装置よりも、表示コントラストを高めることが可能となり、所期の表示コントラストを得ることができる。
従って、十分なコントラストが得られる電気光学装置を提供することができる。

また、走査線と容量線、または、データ線と容量線による2本の配線のうち、いずれか一方の配線は、反射電極側に配置されてなり、いずれか他方の配線は、一方の配線の下層側に配置されるとともに、一方の配線に覆われていることが好ましい。
また、配線は、反射電極と重なる領域における配線幅よりも、反射電極間における配線幅の方が細く形成されていることが好ましい。
また、透明基板は、石英基板、またはサファイア基板であることが好ましい。
また、透明基板における反射電極の反対側に、反射電極間を透過した光を吸収するための光吸収体をさらに備え、光吸収体は、透明基板と離間して配置されていることが好ましい。

また、反射電極間に露出する配線の表面には、反射防止膜が形成されていることが好ましい。
また、反射防止膜は、窒化チタンからなることが好ましい。
また、反射電極の表面には、高屈折材料からなる増反射膜が形成されていることが好ましい。
また、高屈折材料は、窒化シリコン、または二酸化チタンであることが好ましい。

上記記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。

(a)実施形態1に係る表示装置の平面図、(b)(a)のj−j断面における側断面図。 画素回路の一態様を示す画素回路図。 表示パネルにおける画素部の拡大平面図。 図3のk−k断面における側断面図。 (a)実施形態2に係る表示装置の反射電極近傍の拡大側断面図、(b)データ線近傍の拡大側断面図。 電子機器としてのプロジェクターの平面図。 (a)変形例1に係る表示パネルにおける画素部の拡大平面図、(b)(a)におけるm部の拡大図。 従来の表示装置における画素部の拡大平面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。

(実施形態1)
「表示装置の概要」
図1(a)は実施形態1に係る表示装置の平面図であり、(b)は、(a)のj−j断面における側断面である。
まず、本実施形態に係る電気光学装置としての表示装置120の全体構成について説明する。

表示装置120は、対向基板20側から入射する光(照明光)を素子基板10側に配置された複数の反射電極9で反射し、液晶層50でデータ信号に応じて変調された変調光を対向基板20側から出射する反射式の液晶表示装置である。
図1(b)に示すように、表示装置120は、素子基板10と対向基板20との間に液晶層50を挟持した表示パネル100と、当該パネルの背面側(素子基板10側)に、間隙を持って配置された光吸収体110とから構成されている。
透明基板としての素子基板10は、好適例として石英基板を用いている。なお、石英基板に限定するものではなく、可視光領域において透明性を有する基板であれば良い。
対向基板20は、好適例として無アルカリガラスを用いている。なお、この構成に限定するものではなく、素子基板10、および対向基板20ともに、可視光領域において透明性を有する基板であれば良い。

素子基板10と対向基板20との間には、電気光学層としての液晶層50が封入されており、その周縁部が紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂などからなるシール材52により接着されている。なお、シール材52中には、素子基板10と対向基板20との間隔(基板間ギャップ)を所定値とするためのグラスファイバーや、ガラスビーズなどのギャップ材(図示せず)が散布されている。
液晶層50は、好適例として、一種、または数種類のネマティック液晶を混合した誘電率異方性が負の液晶を用いている。当該液晶は、電圧がかかっていない状態で液晶分子が垂直に配列し、電圧が印加されると液晶分子が寝た状態になるネガ液晶であれば、一種類からなるものでも良いし、複数種の液晶を混合したものでも良い。なお、ネガ液晶を用いることに限定するものではなく、ポジ液晶を用いても良い。換言すれば、ノーマリーブラックモードに限定するものではなく、ノーマリーホワイトモードであっても良い。
また、液晶モードも、VA(Vertically Aligned)モードに限定するものではなく、TN(Twisted Nematic)モードや、IPS(in-plane switching)モードなどの各種動作モードを用いても良い。

対向基板20には、シール材52が配置されたシール領域の内側に沿って、表示領域Vの見切りを規定する遮光性の額縁遮光膜53が設けられている。
また、素子基板10の一辺は、対向基板20から張出しており、当該張出した領域(以降、「張出領域」という)には、データ線駆動回路101と、外部回路接続端子102とが形成されている。
また、表示領域Vの外側で、かつシール材52の内側の領域には、サンプリング回路7と、2つの走査線駆動回路104とが形成されている。換言すれば、サンプリング回路7、および2つの走査線駆動回路104は、額縁遮光膜53に重ねて配置されている。
サンプリング回路7は、張出領域側の辺に沿って設けられている。また、2つの走査線駆動回路104は、サンプリング回路7と隣接する2辺に沿って表示領域Vを挟むようにそれぞれ配置されている。なお、2つの走査線駆動回路104は、それぞれシール材52の外側の領域に形成しても良い。

さらに、表示領域Vの両側に設けられた2つの走査線駆動回路104間を電気的に接続するため、素子基板10の残る一辺に沿って、かつ額縁遮光膜53に覆われるようにして複数の配線(図示せず)が設けられている。
また、シール材52の外周における4つのコーナーには、素子基板10と対向基板20との間の上下導通を取るための上下導通部106が配置されている。上下導通部106には、例えば、異方性導電材料が用いられており、当該異方性導電材料を挟むように配置された各基板の配線間の電気的な導通が取られている。
また、素子基板10上には、外部回路接続端子102と、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104、上下導通部106などとを電気的に接続するための引回配線90が形成されている。

ここで、図1(a)にて横長の長方形をなした表示領域Vには、画像を形成する複数の画素がマトリックス状に形成されている。
なお、図1を含む各図においては、横長の長方形をなした表示領域Vにおける横方向をX軸方向とし、当該方向と交差する縦方向をY軸方向と定義している。また、表示装置120の厚さ方向をZ軸方向としている。また、素子基板10から対向基板20に向かうZ軸(+)方向を上層(上側、上方)とし、その反対方向Z軸(−)方向を下層(下側、下方)としている。

図1(b)の素子基板10上において、各画素は、マトリックス状に配置された反射電極9を最上層として、画素スイッチング用のトランジスター(Thin Film Transistor)や、走査線、データ線、層間絶縁膜などを積層した積層構造となっている。
また、反射電極9上には、各反射電極上を覆って配向膜が形成されている。他方、対向基板20の下側面には、ITO(Indium Tin Oxide)などの透明導電性材料からなる対向電極21が複数の反射電極9と対向して略全面(共通)に形成されている。また、対向電極21上にも配向膜が形成されている。
そして、液晶層50は、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態を取ることになる。
なお、図示は省略するが、素子基板10上には、データ線駆動回路101、走査線駆動回路104の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターンなどがさらに形成されていても良い。

図1(b)において、光吸収体110は、表示パネル100の下方において、当該パネルと離間した状態で独立して描かれているが、この構成に限定するものではなく、表示パネル100と光吸収体110との間に間隙、換言すれば、空気層が介在する構成であれば良い。例えば、額縁状をなした樹脂製の支持枠(図示せず)によって、表示パネル100と光吸収体110とが離間した状態で一体となっていても良い。
光吸収体110は、平面サイズが表示パネル100と略同じサイズに形成されたシート部材であり、好適例としては、アルマイト処理を施した黒色のアルミニウム板を用いている。なお、この材料に限定するものではなく、可視光の吸収性に優れ、熱伝導率が高い材料であれば良い。例えば、光吸収性の高い黒色塗装を施したガラス基板を用いても良い。
また、平面サイズについても、表示領域V以上の大きさがあれば良く、さらに言えば、隣り合う反射電極9の間と重なる部分を覆う網状(格子状)の構成であっても良い。

「画素回路」
図2は、本実施形態に係る画素回路の一態様を示す画素回路図である。
次に、表示パネル100の画素回路について説明する。

図2に示すように、表示パネル100の表示領域Vには、複数の走査線11がX軸方向に沿って延在している。複数の走査線11と交差して、複数のデータ線6がY軸方向に沿って延在している。
また、複数の走査線11の延在方向(X軸方向)に沿って複数の容量線77が配線されている。なお、容量線77は、データ線6の延在方向(Y軸方向)に沿って配線されていても良い。
表示領域Vを形成する複数の画素の各々は、走査線11とデータ線6とが交差する交差点ごとに形成されている。

各画素は、前述した反射電極9に加えて、トランジスター30、および蓄積容量70を備えている。なお、好適例として、トランジスター30は、電界効果型のN型トランジスターを用いている。
各トランジスター30において、ゲート端子は対応する走査線11に接続され、ソース端子は対応するデータ線6に接続され、ドレイン端子は反射電極9、および蓄積容量70の一端に接続されている。また、蓄積容量70の他端は、対応する容量線77に接続されている。

トランジスター30は、走査線11に供給される走査信号G1、G2、…、Gmによって選択されたタイミングで、データ線6のデータ信号S1、S2、…、Snを対応する反射電極9に書き込む。つまり、走査線駆動回路104から各走査線11に供給される走査信号G1、G2、…、Gmのタイミングに従って、各画素が線順次に選択される。
また、データ線駆動回路101およびサンプリング回路7からは、走査信号による各画素の選択と同期して、データ信号S1、S2、…、Snが各データ線6に供給される。詳しくは、サンプリング回路7は、連続する6本のデータ線に対して、データ線駆動回路101から供給されるサンプリング信号のタイミングに従って、6つに相展開された画像信号を同時にサンプリングし、各データ線に供給する。なお、ここでは、好適例として6相の相展開駆動を行う場合について説明したが、これに限定するものではなく、定められたフレームレートで違和感なく、画像を表示可能な駆動方法であれば良い。

このようにして、反射電極9を介して液晶層50に書き込まれた所定レベルのデータ信号S1、S2、…、Snは、対向基板20に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
また、書き込まれたデータ信号の電位を保持するために、反射電極9と対向電極21との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量70が形成されている。蓄積容量70の他端は、所定の電位に設定された容量線77に接続されている。
また、対向基板20の対向電極21(図1(b))は、対向電極生成回路(図示せず)に接続されており、周期的に極性が反転する対向電圧が供給され、反転駆動が行われる。反転駆動としては、ライン反転駆動や、フレーム反転駆動、ドット反転駆動などを用いることができる。

「表示パネルの詳細な構成」
図3は、表示パネルにおける画素部の拡大平面図であり、図8に対応している。図4は、図3のk−k断面における側断面図である。
ここでは、表示パネル100の構成について詳細に説明する。

図3は、表示領域Vにおける任意の4画素近傍を拡大した透過平面図であり、各画素の反射電極9は、走査線11とデータ線6とが交差する交差点ごとに形成されている。詳しくは、略正方形をなした反射電極9が、当該交差点を覆って形成されている。また、容量線77は、走査線11と同様にX軸方向に延在している。
ここで、実線で示された容量線77と点線で示された走査線11とが、重ねて形成されている。詳しくは、容量線77の下層に走査線11が形成されており、平面視において、容量線77のみが観察される構成となっている。換言すれば、容量線77のみが表示領域V側に露出する構成となっている。
これが、本実施形態における最大の特徴点であり、特に、Y軸方向に沿った反射電極間においては、容量線77のみが露出する構成となっている。
なお、図3は、透過平面図であるため、反射電極9を点線で示しているが、断面的には、図4に示すように、素子基板10上に形成された積層構造の最上層(第4層)に反射電極9が位置している。

また、画素を構成するトランジスター30や、蓄積容量70は、反射電極9の下層に形成されている。換言すれば、トランジスター30や、蓄積容量70は、反射電極9に覆われている。
なお、図3を正対した場合において、1つの反射電極9の各辺を上辺9a、右辺9b、下辺9c、左辺9dとしたときに、走査線11(容量線77)は、上辺9aに沿って、その近傍に配置されている。また、データ線6は、左辺9dに沿って、その近傍に配置されている。
蓄積容量70は、横長の略長方形をなしており、その一部が走査線11と重なるとともに、データ線6の右側(X軸(+)側)に配置されている。換言すれば、反射電極9の中央から少し上寄り(Y軸(+)寄り)に配置されている。
トランジスター30は、データ線6の右側に配置されており、データ線6からX軸(+)側に分岐する分岐配線6aの末端と、蓄積容量70との間に配置されている。換言すれば、反射電極9の中央から左下側に配置されている。

以下、この構成を実現するための具体的な構成について詳しく説明する。
図4に示すように、当該積層構造は、素子基板10上に、走査線11を含む第1層、トランジスター30や、容量線77を含む第2層、蓄積容量70を含む第3層、反射電極9を含む第4層からなる4層構造となっている。
なお、以下説明する配線、回路素子、および絶縁膜などは、蒸着法、スパッタリング法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、フォトリソ法、エッチング法などを単独、または組み合せることによって、形成することができる。

まず、第1層は、走査線11、下地絶縁膜12などから構成されている。
走査線11は、素子基板10上に形成された電気配線であり、好適例としてアルミニウム、またはアルミニウムを主体とした合金(アルミ合金)により形成されている。なお、この構成に限定するものではなく、所期の導電性が確保できる電気配線であれば良い。
例えば、アルミニウムと窒化チタンとをこの順番で積層した2層構造の配線であっても良い。窒化チタンは、遮光膜としても機能するため、走査線11が平面的に容量線77からはみ出した場合であっても、反射を抑制することができる。
そして、素子基板10、および走査線11上には、好適例としてシリコン酸化膜や、窒化シリコン膜などの透明な無機膜からなる下地絶縁膜12が形成されている。この下地絶縁膜12には、走査線11とトランジスター30のゲート電極3とを接続するコンタクトホール85が形成されている。

図3に示すように、平面的には、反射電極9と重なる領域において、X軸方向に延在する走査線11からY軸方向に分岐する分岐配線11aが形成されており、当該分岐配線の末端にコンタクトホール85が形成されている。そして、コンタクトホール85により、分岐配線11aと、上層のゲート電極3から延在する分岐配線11bとが電気的に接続されている。

図4に戻る。
第2層は、容量線77、トランジスター30、層間絶縁膜41などから構成されている。下地絶縁膜12上には、好適例として高温ポリシリコン膜からなる半導体層1aが形成されている。また、下地絶縁膜12、および半導体層1a上には、シリコン酸化膜などの無機絶縁材料からなるゲート絶縁膜2が形成されている。
そして、ゲート絶縁膜2上には、ポリシリコン膜からなるゲート電極3、および容量線77が形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、導電性のポリシリコン膜の他に、チタン(Ti)、クロム(Cr)、タングステン(W)、タンタル(Ta)、モリブデン(Mo)などの高融点金属、金属シリサイド、ポリシリサイド、または、これらの合金、若しくは、これらの積層体を用いても良い。

ここで、半導体層1aからゲート電極3までの積層構造により、トランジスター30が形成される。トランジスター30は、好適例としてLDD(Lightly Doped Drain)構造を採用している。
詳しくは、トランジスター30は、ゲート電極3、ゲート電極3からの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、半導体層1aにおける低濃度ソース領域1b、および低濃度ドレイン領域1c、並びに高濃度ソース領域1d、および高濃度ドレイン領域1eを備えている。なお、この構成に限定するものではなく、半導体層1aとして低温ポリシリコンや、アモルファスシリコンを用いた構成であっても良い。
なお、本実施形態に係るトランジスター30は、トップゲート型であるが、ボトムゲート型であっても良い。

また、ゲート絶縁膜2、ゲート電極3、および容量線77を覆って、シリコン酸化膜や、窒化シリコン膜などからなる層間絶縁膜41が形成されている。なお、これらの材料に限定するものではなく、NSG(ノンシリケートガラス)、PSG(リンシリケートガラス)、BSG(ボロンシリケートガラス)、BPSG(ボロンリンシリケートガラス)などのシリケートガラスを用いても良い。この層間絶縁膜41には、コンタクトホール81,82,84が形成されている。
コンタクトホール81は、トランジスター30の高濃度ソース領域1d(ソース電極)と、第3層のデータ線6との間を電気的に接続している。
コンタクトホール82は、トランジスター30の高濃度ドレイン領域1e(ドレイン電極)と、第3層における蓄積容量70の下部電極72との間を電気的に接続している。
コンタクトホール84は、容量線77と、第3層における蓄積容量70の上部電極71との間を電気的に接続している。

図3に示すように、平面的には、半導体層1aは、データ線6に沿って、そのX軸(+)側に形成されており、長手方向の略中央部にハッチングで示したゲート電極3が形成されている。また、長手方向の両端には、コンタクトホール81とコンタクトホール82とがそれぞれ形成されている。
また、チャネル領域上に形成されたゲート電極3から、X軸(+)方向に沿って分岐配線11bが延在し、その末端にはコンタクトホール85が形成されている。
また、コンタクトホール81は、データ線6の分岐配線6aの末端に形成されている。
コンタクトホール82は、蓄積容量70の下部電極72の角部に形成されている。

図4に戻る。
第3層は、データ線6、蓄積容量70、層間絶縁膜42などから構成されている。
データ線6は、層間絶縁膜41上に形成された電気配線であり、好適例としてアルミニウム、またはアルミ合金により形成されている。なお、この構成に限定するものではなく、所期の導電性が確保できる電気配線であれば良い。例えば、走査線11と同様に、複数層からなる積層構成としても良い。
蓄積容量70は、下部電極72、誘電体膜75、上部電極71などから構成されている。換言すれば、誘電体膜75を下部電極72と上部電極71とで、挟持した構成となっている。
下部電極72は、好適例としてデータ線6と同一層、つまり、アルミニウムなどの金属層から形成されている。下部電極72は、層間絶縁膜41に開孔されたコンタクトホール82を介して、トランジスター30のドレイン電極1eと電気的に接続されている。
また、下部電極72は、層間絶縁膜42に開孔されたコンタクトホール83を介して、反射電極9と電気的に接続されている。つまり、反射電極9とトランジスター30のドレイン電極1eとは、下部電極72を中継して中継接続されている。

誘電体膜75は、層間絶縁膜41、データ線6、および下部電極72を覆って形成されており、好適例として誘電率が高いシリコン窒化膜から形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、酸化ハフニュウム(HfO2)、アルミナ(Al23)、酸化タンタル(Ta25)からなる膜や、これらの積層体から形成しても良い。
上部電極71は、好適例としてアルミニウム、またはアルミ合金により形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、例えば、導電性ポリシリコンから形成しても良い。上部電極71は、誘電体膜75、および層間絶縁膜41を貫通して開孔されたコンタクトホール84を介して、容量線77と電気的に接続されている。
そして、誘電体膜75、および上部電極71を覆って、層間絶縁膜42が形成されている。なお、層間絶縁膜42は、層間絶縁膜41と同様な材料から構成されている。

図3に示すように、平面的には、それぞれが横長の略長方形をなした下部電極72と上部電極71とが、略重なった状態に配置されている。
また、コンタクトホール83は、反射電極9の略中央に形成されている。より詳細には、データ線6と上部電極71との間に配置されている。

図4に戻る。
第4層は、反射電極9、配向膜61などから構成されている。
反射電極9は、好適例として反射性に優れたアルミニウム、またはアルミ合金により形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、所期の導電性が確保できるとともに、反射性に優れた材料であれば良い。または、画素電極上に、反射性を有する反射膜を形成したものであっても良い。
配向膜61は、層間絶縁膜42、および反射電極9を覆って形成されており、ラビング処理などの所定の配向処理が施されている。
なお、層間絶縁膜42、および反射電極9上に、シリコン酸化膜や、窒化シリコン膜などの平坦化層を形成した後に、配向膜61を形成することであっても良い。

図3に示すように、平面的には、複数の反射電極9は、隣り合う反射電極9間におけるショートを防止するために、間隙Dを隔てて配置されている。換言すれば、格子状に間隙Dを設けることにより、複数の反射電極9を区画している。
以上が、素子基板10側の積層構造の詳細である。

図4に戻る。
他方、対向基板20上には、対向電極21と、配向膜22とが、この順番で積層されている。対向電極21は、好適例としてITO膜から構成されている。
配向膜22は、配向膜61と同様な配向膜である。

「好適例における寸法事例」
ここでは、図3を用いて、表示パネル100の積層構造を上述した好適例で構成した場合における平面寸法事例を紹介する。なお、この寸法事例は、発明者等が実際に試作評価したものである。
まず、反射電極9の寸法は「8.0μm×8.0μm」の正方形とした。また、反射電極9間における間隙Dは、X軸方向、Y軸方向ともに、0.5μmとした。
つまり、□8.0μmの反射電極9を縦および横ピッチともに、8.5μmでマトリックス状に形成した。
また、走査線11の幅は1.25μmとし、容量線77の幅は2.25μmとした。よって、反射電極9の右辺9bの長さに占める容量線77の幅の割合は、「2.25/8.0」であった。また、反射電極9の左辺9dにおいても同様である。
また、データ線6の幅は1.25μmとした。よって、反射電極9の上辺9aの長さに占めるデータ線6の幅の割合は、「1.25/8.0」であった。また、反射電極9の下辺9cにおいても同様である。
なお、容量線77の幅が走査線11や、データ線6に比べて幅広なのは、配線材料の違いによるものである。詳しくは、走査線11や、データ線6に用いられるアルミニウムに較べて、容量線77のポリシリコン膜は導電率が低いため、電気配線として必要な導電率を確保するのに幅広とする必要があるからである。このため、走査線の分岐配線11aの幅は1.25μmであるが、分岐配線11bの幅は2.25μmとしている。

なお、ここまで、容量線77によって走査線11が覆われる(隠れる)構成、換言すれば、容量線77のみが間隙Dに露出する構成について説明したが、この構成に限定するものではなく、間隙Dにおいて、走査線11と容量線77の一部が重なる構成であれば良い。例えば、間隙Dにおいて、平面的に容量線77から走査線11がはみだしていても良い。この構成であっても、容量線77と走査線11の一部が重なっていれば、その重なり分だけ間隙Dに露出する配線部分を減らすことができる。
また、容量線77が走査線11の上層にある構成に限定するものではなく、両者の一部が重なっていれば、走査線11が容量線77の上層にある構成であっても良い。この構成であっても、両者の重なり分だけ間隙Dに露出する配線部分を減らすことができる。

また、ここまで、容量線77の延在方向が走査線11の延在方向と同じ場合について説明したが、この構成に限定するものではなく、容量線77の延在方向がデータ線6の延在方向と同じであっても良い。
詳しくは、間隙Dにおいて、データ線6と容量線77の一部が重なる構成であれば良く、その重なり分だけ間隙Dに露出する配線部分を減らすことができる。また、積層構造において、両者の上下関係が問われないことは、前述した通りである。なお、この場合、図2の回路配線を遵守した上で、容量線77の延在方向をデータ線6に沿った配線、および積層構造とする必要がある。
つまり、間隙Dにおいて、走査線11と容量線77の一部、または、データ線6と容量線77の一部が重なる構成であれば良く、それを実現するための積層構造、および配線態様は如何なる構成であっても良い。

上述した通り、本実施形態に係る表示装置120によれば、以下の効果を得ることができる。
表示装置120によれば、間隙Dにおいて、容量線77と走査線11とが重ねて構成されているため、2本の配線の重なり分、従来の表示装置よりも、反射電極9間における配線が占める割合を小さくすることができる。詳しくは、X軸方向における間隙Dに露出する配線を容量線77のみとすることができる。
よって、間隙Dにおいて配線によって反射される光量が減るため、従来の表示装置よりも、表示コントラストを高めることが可能となり、所期の表示コントラストを得ることができる。
従って、十分なコントラストが得られる表示装置120を提供することができる。

また、走査線11よりも幅広となる容量線77を走査線11の上層に形成することにより、走査線11を効率良く覆うことができる。換言すれば、配線材料の特性に応じて配線の上下関係を設定したことにより、間隙Dに占める配線量(面積)を減らすことができる。詳しくは、容量線77は、ゲート電極3と同一層であり、同一工程で形成されるため、走査線11や、データ線6に用いられるアルミニウムよりも、導電率が低いポリシリコン膜によって形成される。
よって、電気配線として必要な導電率を確保するために、走査線11よりも幅広となるが、この特性を利用して、走査線11の上層に形成することにより、走査線11を効率良く覆って、隠すことができる。これにより、間隙Dに走査線11が露出することを防止することができる。
従って、十分な表示コントラストを得ることができる。

また、素子基板10を透明基板で構成するとともに、反射電極9によってトランジスター30などの回路素子が覆れるように、回路素子を反射電極9の下層に配置する構成としている。そして、素子基板10の背面側には、光吸収体110を配置している。
この構成によれば、間隙Dに入射した光は、そのまま透明な素子基板10を透過して、光吸収体110に吸収されるため、迷光の発生が抑制され、回路素子の誤動作を防止することができる。
従って、安定した画像が得られる表示装置120を提供することができる。

また、光吸収体110は、表示パネル100の下方(背面)において、当該パネルと離間した状態で配置されている。つまり、表示パネル100と光吸収体110との間に間隙(空気層)が介在する構成となっている。
これにより、間隙Dを透過した光によって光吸収体110が熱せられた場合であっても、光吸収体110の熱が表示パネル100に直接伝わることを防止することができる。つまり、表示パネル100と光吸収体110とを熱的に略独立した構成とすることにより、光吸収体と表示パネルとが接着されていた従来の表示装置よりも、表示パネルの発熱を低減することができる。
従って、過熱による劣化を抑制した表示装置120を提供することができる。換言すれば、信頼性に優れた表示装置120を提供することができる。

(実施形態2)
図5(a)は実施形態2に係る表示装置の反射電極近傍の拡大側断面図であり、(b)はデータ線近傍の拡大側断面図であり、それぞれ図4に対応している。
以下、本発明の実施形態2に係る表示装置について説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
まず、本実施形態に係る表示装置の基本構成は、実施形態1の表示装置120の構成と略同一である。本実施形態では、間隙Dに露出する配線の構成、および反射電極の構成が実施形態1と異なる。それ以外は、実施形態1での説明と同様である。

図5(a)は図4における第4層の反射電極9近傍の拡大図であり、隣り合う2つの反射電極9と、当該電極間の間隙D周辺の構成が示されている。ここで、本実施形態の表示装置では、反射電極9の表面に増反射膜92が形成されている。
また、図5(b)は図4における第3層のデータ線近傍の拡大図であり、データ線6の構成が示されている。ここで、本実施形態の表示装置では、データ線6の表面に反射防止膜62が形成されている。
本実施形態の表示装置は、反射電極9の表面に増反射膜92を形成することと、間隙Dに露出する配線の表面に反射防止膜を設けることを特徴としている。それ以外は、実施形態1の表示装置120の構成と同様である。

図5(a)の層間絶縁膜42上において、間隙Dには、シリコン酸化膜からなる絶縁層91が形成されている。
また、反射電極9表面の増反射膜92は、窒化シリコン(SiN)膜から形成されている。なお、この材料に限定するものではなく、可視光領域において透明で、屈折率が高い材料であれば良く、例えば、二酸化チタン(TiO2)を用いても良い。
これらの形成方法としては、反射電極9を形成した後、CVD法により層間絶縁膜42、および反射電極9上にシリコン酸化膜を堆積させる。続いて、シリコン酸化膜をドライエッチング(エッチバック)することにより、反射電極9の表面を露出させる。この際、間隙Dのシリコン酸化膜は若干オーバーエッチングされるため、図5(a)では、凹形状に描かれている。
そして、露出した反射電極9の表面に、CVD法、およびフォトリソ法を用いて、増反射膜92を形成する。

図5(b)において、データ線6はアルミ合金の配線であり、その上に積層された反射防止膜62は、窒化チタン(TiN)膜から構成されている。なお、反射防止膜62は、データ線6の全面に形成することが好ましいが、間隙Dに露出する配線部分のみに選択的に形成することであっても良い。
これらの形成方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、フォトリソ法などを用いる。詳しくは、データ線6を形成した後に、データ線6上に窒化チタン膜を選択的に形成する。
また、ここでは、データ線6の表面に反射防止膜62を形成する場合について説明したが、同様に間隙Dに露出する容量線77についても、その表面に反射防止膜を形成する。詳しくは、図4における容量線77上に、真空蒸着法、スパッタリング法、フォトリソ法などを用いて、窒化チタン膜からなる反射防止膜を形成する。
なお、上述したように、反射電極9の表面に増反射膜92を形成すること、および間隙Dに露出する配線の表面に反射防止膜を設けることの2つの構成を2つとも盛り込むことが好ましいが、いずれか一方だけ実施することであっても良い。いずれか一方の実施であっても、コントラストを高めることができる。

上述した通り、本実施形態に係る表示装置によれば、実施形態1における効果に加えて、以下の効果を得ることができる。
実施形態2の表示装置によれば、各反射電極9の表面には増反射膜92が形成されるとともに、間隙Dに露出するデータ線6の表面、および容量線77の表面には反射防止膜が形成される。
よって、各反射電極9による表示光の反射率が高まり表示光の輝度が向上するのに加えて、間隙Dの配線によって反射される光量が減少するため、表示コントラストが高くなる。従って、十分なコントラストが得られる表示装置を提供することができる。

(電子機器)
図6は、上述した表示装置をライトバルブとして用いた3板式プロジェクターの構成を示す平面図である。
次に、上述した実施形態に係る表示装置を用いた電子機器の例について説明する。
プロジェクター500は、RGB各色用のライトバルブ120R,120G,120Bの3枚のライトバルブを用いた3板式の液晶プロジェクターである。
ライトバルブ120R,120G,120Bには、それぞれ上述した表示装置を用いており、外部上位装置(図示省略)から供給されるR、G、Bの各色に対応する画像信号によりそれぞれ駆動される。

プロジェクター500では、メタルハライドランプなどの略白色光を放つランプユニット502から投射光が発せられると、2枚のミラー506、および2枚のダイクロイックミラー508の光学作用によって、略白色光がRGBの3原色に分離される。
そして、分離されたRGBの各色光は、各々が対応する偏光ビームスプリッター(PBS)513R,513G,513Bに入射し、ライトバルブ120R,120G,120Bに導かれる。なお、この際、各光路における光損失を防ぐために、光路の途中にレンズを適宜設けてもよい。
ライトバルブ120R,120G,120Bで反射、および画像信号に応じて光変調された各色変調光は、ダイクロイックプリズム512に3方向から入射する。なお、このダイクロイックプリズム512において、R光およびB光は、内部のダイクロイック膜の光学作用により90度に屈折する一方、G光は直進することになる。
ダイクロイックプリズム512において合成されたカラー画像を表す光は、レンズユニット514によって拡大投射され、スクリーンSc上にフルカラー画像が表示される。
このように、上記実施形態の表示装置をライトバルブとして用いたプロジェクター500によれば、十分なコントラストの投射画像を映し出すことができる。

なお、各ライトバルブ120R,120G,120Bには、2枚のミラー506、および2枚のダイクロイックミラー508の光学作用によって、それぞれRGBの各色光が入射することになるため、カラーフィルターを設ける必要はない。
また、ライトバルブ120R,120Bの投射像がダイクロイックプリズム512により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ120Gの投射像はそのまま投射されるため、ライトバルブ120R,120Bにより形成される画像と、ライトバルブ120Gにより形成される画像とは、左右反転の関係になるように設定されている。

ここで、各ライトバルブ120R,120G,120Bにおける表示パネル100と、光吸収体110とは、プロジェクター固体内の支持枠(図示せず)によって、それぞれ間隙を持って配置されている。また、各ライトバルブ120R,120G,120Bごとに、排気ファンF1,F2,F3が設置されている。
例えば、ライトバルブ120Rにおいては、表示パネル100Rと、光吸収体110Rとの間隙領域の空気を含むプロジェクター固体内の空気を外部に排気するための排気ファンF1が設置されている。これにより、表示パネル100R、および光吸収体110Rを効率的に冷却することができる。
同様に、ライトバルブ120Gには排気ファンF3が、ライトバルブ120Bには排気ファンF2が、それぞれ配置されている。なお、排気ファンを3つ設けることに限定するものではなく、各間隙部分の空気(熱気)を排気可能な構成であれば、排気ファンは1つであっても良い。
この構成によれば、表示パネル100が光吸収体110の熱によって直接熱せられることを防止できるばかりでなく、間隙部分の空気を介して間接的に熱せられることも防止することができる。
従って、過熱による劣化を抑制したプロジェクター500を提供することができる。換言すれば、信頼性に優れたプロジェクター500を提供することができる。

また、電子機器としては、図6を参照して説明した他にも、リアプロジェクション型のテレビジョンや、直視型、例えば携帯電話や、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、ディジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの電子機器に対しても、上記実施形態に係る表示装置を適用させることができる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。

(変形例1)
図7(a)は、変形例1に係る表示パネルにおける画素部の拡大平面図であり、図3に対応している。(b)は、(a)におけるm部の拡大図である。
以下、変形例1に係る表示装置について説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
上記実施形態では、各配線の幅は、積層構造において同一層であれば略同一であるものとして説明したが、この構成に限定するものではなく、反射電極9に覆われる部分と、間隙Dに露出する部分とで、配線幅を変えても良い。

変形例1に係る表示パネルでは、間隙Dに露出する部分の配線幅を、反射電極9に覆われる部分よりも細く(狭く)している。
具体的には、図7に示すように、容量線77、走査線11、およびデータ線6の太さを間隙Dにおいて、反射電極9の下層部分よりも細くしている。
例えば、容量線77の場合、図7(b)に示すように、反射電極9と重なる部分における配線幅W1から、間隙Dにおける配線幅W2に除々に細くなっている。好適例としては、配線幅の比率「W2/W1=0.6〜0.8」の範囲内となるように設定する。
また、同様に、走査線11についても、配線幅の比率「W6/W5=0.6〜0.8」の範囲内となるように設定するが、間隙Dにおける配線幅W6が容量線77の最も細い部分の配線幅W2以下となるように設定する。
また、データ線6についても容量線77の場合と同様に設定する。これらの構成以外は、上記各実施形態の表示装置の構成と同様である。

変形例1に係る表示装置によれば、間隙Dに露出する部分の配線幅が細くなっているため、その分、間隙Dに占める配線部分の割合(面積)を減らすことができる。
よって、間隙Dにおいて配線によって反射される光量が減少するため、表示コントラストをより高めることができる。
従って、十分なコントラストが得られる表示装置を提供することができる。
なお、間隙Dにおいて配線幅を細くしても、前述したように間隙Dの長さ(幅)は、約0.5μmと短いため、好適例の範囲内の比率であれば実用上の問題は生じないが、幅広部との配線抵抗を揃えるために、間隙Dにおける配線の厚さを厚くして、配線抵抗の均一化を図っても良い。

(変形例2)
図4を用いて説明する。
以下、変形例2に係る表示装置について説明する。なお、実施形態1と同一の構成部位については、同一の番号を附し、重複する説明は省略する。
上記実施形態では、素子基板10は、石英基板であるものとして説明したが、この構成に限定するものではなく、可視光領域において透明性を有するサファイア基板を用いても良い。
素子基板10としてサファイア基板を用いた場合、石英基板と同様に、間隙Dから入射した光を透過できることに加えて、トランジスター30の動作スピードを含む性能を向上させることができる。詳しくは、サファイア基板を用いた場合、素子基板10上に単結晶シリコン膜からなる半導体層1aを形成することが可能となる。
よって、半導体層1aをポリシリコン膜から形成した場合よりも、トランジスター30の性能を向上させることができる。
従って、表示レスポンスに優れた表示装置を提供することができる。

6…データ線、9…反射電極、10…透明基板としての素子基板、11…走査線、20…対向基板、30…トランジスター、50…液晶層、62…反射防止膜、77…容量線、92…増反射膜、100…表示パネル、110…光吸収体、120…表示装置、500…電子機器としてのプロジェクター、D…反射電極間の間隙、V…表示領域。

Claims (10)

  1. 透明基板と、
    前記透明基板上に形成された複数の走査線と、
    前記走査線と交差する複数のデータ線と、
    前記複数の走査線、または前記複数のデータ線の延在方向に沿って形成された複数の容量線と、
    前記複数の走査線、前記複数のデータ線、および前記複数の容量線の上層において、前記走査線と前記データ線とが交差する交差点ごとに配置された反射電極と、を少なくとも備え、
    隣り合う前記反射電極間において、前記走査線と前記容量線の一部、または、前記データ線と前記容量線の一部が重ねて配置されていることを特徴とする電気光学装置。
  2. 前記走査線と前記容量線、または、前記データ線と前記容量線による2本の配線のうち、いずれか一方の前記配線は、前記反射電極側に配置されてなり、
    いずれか他方の前記配線は、前記一方の配線の下層側に配置されるとともに、前記一方の配線に覆われていることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置。
  3. 前記配線は、前記反射電極と重なる領域における配線幅よりも、前記反射電極間における前記配線幅の方が細く形成されていることを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置。
  4. 前記透明基板は、石英基板、またはサファイア基板であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の電気光学装置。
  5. 前記透明基板における前記反射電極の反対側に、前記反射電極間を透過した光を吸収するための光吸収体をさらに備え、
    前記光吸収体は、前記透明基板と離間して配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電気光学装置。
  6. 前記反射電極間に露出する前記配線の表面には、反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の電気光学装置。
  7. 前記反射防止膜は、窒化チタンからなることを特徴とする請求項6に記載の電気光学装置。
  8. 前記反射電極の表面には、高屈折材料からなる増反射膜が形成されていることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の電気光学装置。
  9. 前記高屈折材料は、窒化シリコン、または二酸化チタンであることを特徴とする請求項8に記載の電気光学装置。
  10. 請求項1〜9のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
JP2009291949A 2009-12-24 2009-12-24 電気光学装置、および電子機器 Pending JP2011133604A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009291949A JP2011133604A (ja) 2009-12-24 2009-12-24 電気光学装置、および電子機器

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009291949A JP2011133604A (ja) 2009-12-24 2009-12-24 電気光学装置、および電子機器
US12/969,805 US20110157506A1 (en) 2009-12-24 2010-12-16 Electro-optical device and electronic apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011133604A true JP2011133604A (ja) 2011-07-07

Family

ID=44187126

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009291949A Pending JP2011133604A (ja) 2009-12-24 2009-12-24 電気光学装置、および電子機器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20110157506A1 (ja)
JP (1) JP2011133604A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010079154A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI557715B (zh) * 2015-05-14 2016-11-11 友達光電股份有限公司 顯示面板

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09211493A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Mitsubishi Electric Corp 反射型液晶表示装置
JP2003057676A (ja) * 2001-08-09 2003-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP2003121943A (ja) * 2001-10-17 2003-04-23 Victor Co Of Japan Ltd 反射率変化スクリーン、投射システム及び投射方法
JP2003140159A (ja) * 2001-11-02 2003-05-14 Sony Corp 液晶表示素子およびその製造方法
JP2003262888A (ja) * 2002-01-07 2003-09-19 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2004012670A (ja) * 2002-06-05 2004-01-15 Victor Co Of Japan Ltd プロジェクタ装置
WO2006009034A1 (ja) * 2004-07-20 2006-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
JP2008102392A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器
JP2009003481A (ja) * 2002-07-08 2009-01-08 Sharp Corp 液晶表示装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6583935B1 (en) * 1998-05-28 2003-06-24 Cpfilms Inc. Low reflection, high transmission, touch-panel membrane
JP2005156717A (ja) * 2003-11-21 2005-06-16 Sony Corp 液晶表示素子及び液晶表示装置
JP2005222019A (ja) * 2004-01-07 2005-08-18 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器、並びに電気光学装置の製造方法
JP5040222B2 (ja) * 2005-12-13 2012-10-03 ソニー株式会社 表示装置
JP4396744B2 (ja) * 2006-09-15 2010-01-13 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP2008216435A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Seiko Epson Corp 液晶装置、及び電子機器
JP5154261B2 (ja) * 2008-02-26 2013-02-27 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
JP5309843B2 (ja) * 2008-09-29 2013-10-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09211493A (ja) * 1996-02-05 1997-08-15 Mitsubishi Electric Corp 反射型液晶表示装置
JP2003057676A (ja) * 2001-08-09 2003-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 反射型液晶表示装置
JP2003121943A (ja) * 2001-10-17 2003-04-23 Victor Co Of Japan Ltd 反射率変化スクリーン、投射システム及び投射方法
JP2003140159A (ja) * 2001-11-02 2003-05-14 Sony Corp 液晶表示素子およびその製造方法
JP2003262888A (ja) * 2002-01-07 2003-09-19 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
JP2004012670A (ja) * 2002-06-05 2004-01-15 Victor Co Of Japan Ltd プロジェクタ装置
JP2009003481A (ja) * 2002-07-08 2009-01-08 Sharp Corp 液晶表示装置
WO2006009034A1 (ja) * 2004-07-20 2006-01-26 Sharp Kabushiki Kaisha 液晶表示装置
JP2008102392A (ja) * 2006-10-20 2008-05-01 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及びこれを備えた電子機器

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010079154A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20110157506A1 (en) 2011-06-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3867597B2 (ja) 電気光学装置並びに電子機器及び投射型表示装置
US6952246B2 (en) Reflective type liquid crystal display device
JP3772888B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
KR100662966B1 (ko) 전기광학 장치 및 전자기기
US7639331B2 (en) Liquid crystal display device
JP2013073038A (ja) 電気光学装置、及び電子機器
KR100516250B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
US7196353B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US6838697B2 (en) Electro-optical device and electronic equipment
US7679698B2 (en) Liquid crystal display device
JP5834705B2 (ja) 電気光学装置、及び電子機器
TWI291588B (en) Electro-optical device, substrate for electro-optical device, and projecting type display device
JP5079462B2 (ja) 液晶装置および電子機器
US7898632B2 (en) Electro-optical device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus
JP6152880B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
US6835955B2 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
JP3661669B2 (ja) アクティブマトリクス基板、電気光学装置、電子機器
US8059220B2 (en) Electro-optical device, method for production of electro-optical device, and electronic apparatus
TWI245950B (en) Liquid crystal display apparatus
KR100504578B1 (ko) 전기 광학 장치 및 전자 기기
US20040075793A1 (en) Liquid crystal display device and electronic apparatus
JP5217752B2 (ja) 電気光学装置及び電子機器
KR100760883B1 (ko) 전기광학장치 및 그 제조방법, 그리고 전자기기
TWI459076B (zh) 顯示裝置
JP4654675B2 (ja) 液晶パネル

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20121204

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130730

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140114

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20140415

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140613

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140812