CN114178710A - 部件承载件及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 48
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims abstract description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 43
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 19
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 claims description 10
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 4
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 4
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 4
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000004643 cyanate ester Substances 0.000 claims description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 2
- 150000001913 cyanates Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000003306 harvesting Methods 0.000 claims description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 claims description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229920001955 polyphenylene ether Chemical class 0.000 claims 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 27
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 12
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 7
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 6
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 5
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K calcium;sodium;phosphate Chemical compound [Na+].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O QXJJQWWVWRCVQT-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- 238000012935 Averaging Methods 0.000 description 1
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005374 Kerr effect Effects 0.000 description 1
- 229920000265 Polyparaphenylene Chemical class 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N gold nickel Chemical compound [Ni].[Au] MSNOMDLPLDYDME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000005001 laminate film Substances 0.000 description 1
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 1
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007726 management method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N nickel palladium Chemical compound [Ni].[Pd] BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009022 nonlinear effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005298 paramagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000003755 preservative agent Substances 0.000 description 1
- 230000002335 preservative effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000000750 progressive effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000012783 reinforcing fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012779 reinforcing material Substances 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 239000011885 synergistic combination Substances 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/38—Removing material by boring or cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/40—Removing material taking account of the properties of the material involved
- B23K26/402—Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/70—Auxiliary operations or equipment
- B23K26/702—Auxiliary equipment
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- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
- H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
- H05K3/0032—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of organic insulating material
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- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4602—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated
- H05K3/4608—Manufacturing multilayer circuits characterized by a special circuit board as base or central core whereon additional circuit layers are built or additional circuit boards are laminated comprising an electrically conductive base or core
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2101/00—Articles made by soldering, welding or cutting
- B23K2101/36—Electric or electronic devices
- B23K2101/42—Printed circuits
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- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/16—Composite materials, e.g. fibre reinforced
- B23K2103/166—Multilayered materials
- B23K2103/172—Multilayered materials wherein at least one of the layers is non-metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0044—Mechanical working of the substrate, e.g. drilling or punching
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Abstract
本申请提供了一种部件承载件(100)以及制造部件承载件的方法,该方法包括:形成包括至少一个电传导层结构(104)和/或至少一个电绝缘层结构(106)的叠置件(102),以及通过具有小于1ns脉冲长度(t0)的脉冲激光束(108)从叠置件(102)沿着闭合的周向激光切割轨迹切割出部件承载件(100)。
Description
技术领域
本发明涉及制造部件承载件的方法,并且涉及部件承载件。
背景技术
在配备有一个或更多个电子部件的部件承载件的产品功能不断增加并且这些部件的逐步小型化以及要连接至诸如印刷电路板之类的部件承载件的部件数量不断增多的情况下,采用了具有多个部件的越来越强大的阵列状部件或封装件,这些阵列状部件或封装件具有多个接触部或连接部,其中这些接触部之间的间隔越来越小。特别地,部件承载件应当是机械上稳定且电气上可靠的,以便即使在恶劣条件下也能够操作。
在许多情况下,部件承载件比如印刷电路板是在面板水平上制造的,其中,最终制造的部件承载件可以在制造过程结束时从面板切割出而分离。常规地,这可以例如通过机械锯割或通过激光切割来实现。
然而,结构产物可能发生在部件承载件的切割边缘。
发明内容
可能需要一种能够以可靠且精确的方式制造的部件承载件且在部件承载件的侧壁边缘处没有结构产物。
根据本发明的示例性实施方式,提供了一种制造部件承载件的方法,其中,该方法包括:形成包括至少一个电传导层结构和/或至少一个电绝缘层结构的叠置件,以及通过具有小于1ns脉冲长度的脉冲激光束从叠置件沿着闭合的周向激光切割轨迹(或路径)切割出部件承载件。
根据本发明的另一示例性实施方式,提供了一种制造部件承载件的方法,其中,该方法包括:形成包括至少一个电传导层结构和/或至少一个电绝缘层结构的叠置件,以及通过绿色激光束从叠置件沿着闭合的周向激光切割轨迹(或路径)切割出部件承载件。
根据本发明的另一示例性实施方式,提供了一种部件承载件,其中,部件承载件包括:具有至少一个电传导层结构和/或至少一个电绝缘层结构的叠置件,其中,叠置件的整个轮廓侧壁的粗糙度Rz(或替代性地为粗糙度 Ra)不超过20μm。
在本申请的上下文中,术语“部件承载件”可以特别地表示任何支撑结构,该支撑结构能够在该支撑结构上和/或支撑结构中容纳一个或更多个部件从而用于提供机械支撑和/或电连接。换言之,部件承载件可以构造为用于部件的机械和/或电子承载件。特别地,部件承载件可以是印刷电路板、有机插置件和IC(集成电路)基板中的一者。部件承载件也可以是将上述类型的部件承载件中的不同的部件承载件组合的混合板。
在本申请的上下文中,术语“叠置件”可以特别地表示彼此平行地上下安装的多个平面层结构的布置结构。叠置件的层结构可以通过层压、即施加热和/或压力来连接。
在本申请的上下文中,术语“层结构”可以特别地表示在同一平面内的连续层、图案化层或多个非连续的岛状件(island)。
在本申请的上下文中,术语“脉冲激光束”可以特别地表示由配置成成用于能够在脉冲模式下操作的激光源产生的基本单色电磁辐射的束。激光源的脉冲操作可以是指不以连续波的形式工作的任何激光源,但与此相比,光功率作为预限定的持续时间的脉冲序列以预定的重复率发射。例如,脉冲激光束可以由在时间上分开的具有大能量的激光脉冲构成,其非常适于切割待制造的部件承载件的层叠置件。
在本申请的上下文中,术语“脉冲长度”或脉冲持续时间可以特别地表示激光脉冲的幅度(例如强度)达到其最大幅度的指定部分或水平的时间点与脉冲幅度下降到同一水平的较晚时间点之间的时间间隔。特别地,最大幅度的50%的点之间的时间间隔可以用于确定或定义脉冲长度或脉冲持续时间。
在本申请的上下文中,术语“绿色激光束”可以特别地表示包括绿色可见光线的激光束。这可以对应于波长在介于492nm至577nm的范围、特别地在介于520nm至560nm的范围内的激光束。该绿色激光束可以是或可以不是脉冲的。
在本申请的上下文中,术语“轮廓侧壁”可以特别地表示平的或大致平的部件承载件的倾斜的或甚至竖向的周向表面区域。轮廓侧壁可以限定部件承载件的外部横向轮廓、周缘或圆周。
在本申请的上下文中,术语“粗糙度Rz”或表面粗糙度Rz可以特别地表示表面的被定义且被测量为平均粗糙深度Rz的粗糙度。Rz可以在从粗糙度曲线沿平均线方向采样参考长度时被确定,并且可以表示在沿粗糙度曲线的纵向方向测量的该采样部分上的顶部轮廓峰线与底部轮廓谷线之间的距离(例如,Rz可以通过对五个或十个单独的测量路径进行平均来确定)。替代性地,表面的粗糙度可以被定义且被测量为中心线平均高度Ra。Ra是轮廓距中心线所有距离的算术平均值。例如,粗糙度Rz或Ra的测量或确定可以根据DIN EN ISO4287:1984来实施。
根据本发明的示例性实施方式,将一个或更多个部件承载件从叠置件或部件承载件结构(比如面板或阵列件)分离可以通过借助于具有非常有利的脉冲长度和/或具有非常有利的波长的激光束从叠置件切割出相应的部件承载件来实施。当通过使激光沿着闭合的激光切割环进行切割从而通过所述激光处理来限定切割出的部件承载件的整个轮廓时可以获得具有均匀且平滑的表面特性的精确且无产物的轮廓。
根据一方面,比如激光束可以以低于纳秒水平、即在亚纳秒范围内并且优选在皮秒范围内的脉冲持续时间来脉冲。事实证明,这种短而高能量的激光脉冲特别适于获得在切割边缘处具有低粗糙度、低的碳化水平的平滑切割边缘、以及玻璃纤维等类似物质横向延伸超出切割轮廓区域的低趋势。同时,使用脉冲长度小于1ns的激光脉冲允许进行快速切割,从而获得高产量,并有效利用可用的叠置件区域。
根据可以或不可以与先前描述的方面组合的另一方面,激光发射(基本上是单色)绿色光线可以用于从叠置件切割出相应的部件承载件。事实证明,这种绿色光线激光特别适合于获得在部件承载件的所切割的侧壁处具有低的粗糙度并且具有非常低的碳化程度的平滑的切割边缘。同时,可以在工业规模上实现快速且高效的切割并具有较高的产率。
示例性实施方式的详细描述
在下文,将对这些方法和部件承载件的另外的示例性实施方式进行说明。
在实施方式中,所述叠置件可以是部件承载件结构。在本申请的上下文中,术语“部件承载件结构”可以特别地表示目前正在制造的部件承载件的预成形件。特别地,部件承载件结构可以包括多个仍一体地连接的部件承载件或其预成形件,其可以在被分离之前以批处理的方式制造。特别地,部件承载件结构可以是面板(例如,具有18英寸x24英寸或更大的尺寸) 或阵列件(例如,具有目前正在制造的六个部件承载件)。例如,所制造的部件承载件可以是印刷电路板或集成电路(IC)基板。通过在激光切割期间使用以上条款,可以以高精度和高产量实现将部件承载件从部件承载件结构比如面板分离。
在实施方式中,脉冲激光束的脉冲长度在介于1ps至100ps的时间范围内。特别地,脉冲激光束可以具有不大于10ps的脉冲长度。从描述上讲,这种短激光脉冲被认为通过烧掉有机叠置件材料而对待切割的叠置件材料提供足够的能量冲击,同时使叠置件周围的材料在随后的皮秒激光脉冲之间有机会冷却或保持在足够低的温度处,从而防止或至少强烈抑制有机叠置件材料比如树脂的碳化。
在实施方式中,该方法可以包括由皮秒激光源产生激光束。皮秒激光可以是产生皮秒范围内的超短光线脉冲的激光(特别地脉冲持续时间在1ns 与1ps之间的范围内)。皮秒激光的短脉冲持续时间在移除叠置件材料以使部件承载件分离期间可能会导致叠置件材料比用纳秒激光更强烈地燃烧,因此更快且更完全地进行切割。另外,这种皮秒激光可以在处理期间向叠置件引入较少的热,从而降低部件承载件的外部侧壁处形成产物的风险或甚至使在部件承载件的外部侧壁处形成产物的风险最小化。
在另一实施方式中,该方法包括由飞秒激光产生激光束、即对具有脉冲持续时间是10-15s量级的脉冲进行发射的飞秒激光产生激光束。因此,飞秒激光可以是对脉冲长度或持续时间在飞秒范围内的光线脉冲进行发射的激光。飞秒激光可以经由模式耦接而将能量压缩到极短的时间范围内,因此可以具有显著更高的峰输出。这些短的脉冲持续时间可以特别地经由非线性效应、例如经由克尔效应来实现。
在又一个实施方式中,该方法包括由阿秒激光源产生激光束,阿秒激光源可以发射10-18秒量级的更短的脉冲持续时间。对碳化的抑制以及使激光切割的部件承载件的轮廓侧壁平滑、同时实现了高精度和高速度的激光分开使得飞秒激光和阿秒激光也非常适于部件承载件的分离。
在实施方式中,该方法包括由二氧化碳(CO2)激光或紫外线(UV)激光产生脉冲长度小于1ns的脉冲激光束。尽管如本文所述,绿色激光可能是优选的,但是由CO2或UV激光产生的皮秒激光脉冲也能够产生分离的PCB 式部件承载件的平滑的轮廓侧壁。更一般地,激光束的波长可以例如在介于50nm至650nm的范围内、特别地在介于450nm至600nm的范围内、特别地是脉冲长度低于1ns的情况。
在实施方式中,该方法包括通过使激光束沿着部件承载件的轮廓多次移动、特别地在多个闭合环中多次移动而从叠置件切割出部件承载件。已经发现,为了获得在低粗糙度和低碳化方面具有所需性能的轮廓侧壁,保持激光暴露于每个单独的PCB区域足够短以使得相应的区域没有过度加热可能是有利的。为了实现这一目标,事实证明,不由单个周向激光切割(但在其他实施方式中可以进行)来切割出部件承载件是非常有利的,但与此相比,通过使激光束沿着相同的轨迹移动多次而持续加深在叠置件中由激光烧蚀形成的槽来进行切割,使得最终将部件承载件与叠置件、比如面板式部件承载件结构分开。这可能导致冷烧蚀,从而避免切割边缘处的不期望的碳化。
优选地,该方法包括通过使激光束沿着轮廓移动10次至100次、特别地50次至70次而从叠置件切割出部件承载件。因此,围绕轮廓进行优选地50至70次或50至70圈切割确保了叠置件被可靠地防止过度加热,使得可以强烈地抑制特别不期望的碳化。在其他实施方式中,圈的数量也可以小于所提及的值。
在实施方式中,激光束的波长在介于492nm至577nm的范围内、特别地在介于520nm至560nm的范围内。出乎意料的是,绿色的激光光线的波长范围被证明特别适合于避免激光切割的部件承载件的轮廓侧壁处的不期望的碳化。特别地,当与脉冲长度低于纳秒范围的激光脉冲组合时,可以获得轮廓侧壁处在精度、平滑度和低碳化方面优异的结果。
在优选实施方式中,通过冷烧蚀来执行从叠置件切割出部件承载件。在脉冲长度低于1ns的超短激光脉冲与有机叠置件材料相互作用时,有机叠置件材料可能会经受冷烧蚀,其中,有机叠置件材料可以直接汽化,而对剩余的叠置件材料几乎没有热冲击。特别地,冷烧蚀的概念可以表示在皮秒激光或飞秒激光的动力学期间在有机叠置件材料中发生烧蚀处理,以精确地移除树脂材料而不会在剩余的叠置件材料上产生产物或对剩余的叠置件材料产生过度的热冲击。
在实施方式中,执行从叠置件切割出部件承载件以将部件承载件从面板分离。例如,这种面板可以包括以行和列布置的部件承载件(比如印刷电路板或集成电路基板)的矩阵状阵列件。在面板水平上以批量方式制造部件承载件可以简化制造过程。然而,在完成制造过程或其至少一部分之后,各个部件承载件可以从面板分离,优选地通过使用脉冲绿色激光光线的皮秒激光切割来进行。
在实施方式中,叠置件的厚度在介于200μm至2mm的范围内、特别地在介于500μm至1mm的范围内。特别地,在所提及的厚度范围内,事实证明,可以在轮廓侧壁平滑度和有效抑制碳化方面获得优异的结果,同时在工业规模上以高产量实现各个部件承载件的快速分开。
在实施方式中,叠置件的至少一个电绝缘层结构的增强结构、特别是增强玻璃纤维与轮廓侧壁齐平。换句话说,所述增强结构可以沿着叠置件的周缘在横向上没有延伸超出轮廓侧壁。叠置件的电绝缘层结构可以具有非均匀的材料特性。例如,电绝缘层结构可以包括树脂基质(例如,由环氧树脂制成),其中可以嵌入增强颗粒(比如玻璃纤维),该树脂基质可以构成例如FR4材料。当对这种叠置件材料进行激光切割时,树脂材料的燃烧速率可以与玻璃材料的燃烧速率显著不同。因此,将印刷电路板分离的常规的激光切割过程可能会存在纤维端部在轮廓侧壁处突出超出树脂材料的问题。常规地,这会导致不准确、未限定和非常粗糙的轮廓侧壁。此外,这种轮廓侧壁处的被不完全激光处理的材料可能更易于出现极不期望的碳化现象。
在实施方式中,叠置件的轮廓侧壁具有不大于15μm、优选地不大于 10μm的粗糙度Rz(或替代性地,粗糙度Ra)。特别地,当将绿色激光光线 (更特别地在介于520nm至560nm的波长范围内的绿色激光光线)与脉冲长度低于1ns(特别地低于100ps)的激光脉冲组合时,可以获得在整个周向上进行激光切割的部件承载件的整个轮廓上的这种超平滑的侧表面。
在实施方式中,轮廓侧壁处碳化部的空间范围(特别地是侧壁涂层的厚度)小于100μm、特别地小于50μm。换句话说,由于有机介电叠置件材料的不完全燃烧而导致的炭黑层的厚度可以低于100μm或者甚至更低。特别地,这种炭黑或其他类型的碳化污染将不会在水平面和/或面板顶部上进一步扩散超过100μm。碳化可以特别地表示在包含有机介电材料的部件承载件的表面上的黑色的燃烧产物,所述黑色的燃烧产物包括固体碳材料和/或碳化合物。从描述上讲,这种碳化可能是有机介电部件承载件材料没有完全氧化成二氧化碳而仅部分地氧化成在许多情况下呈黑色的固体碳化合物的结果。剩余的炭黑或类似物随后可以覆盖部件承载件的表面、特别是侧壁,并且可能在此处引起不期望的现象。此外,由碳化产生的气体可能具有大量的一氧化碳内容物,这在被操作员吸入时是有毒的。
优选地,叠置件的轮廓侧壁可以完全没有碳化部。特别地,当将绿色激光光线(特别地在介于520nm至560nm的波长范围内的绿色激光光线)与脉冲长度低于1ns(特别地低于100ps)的激光脉冲组合时,可以获得这种无碳化部的侧表面。
在实施方式中,轮廓侧壁的水平渐缩小于25μm、特别地小于20μm、特别地小于15μm。当使用激光光线和/或绿色激光光线的超短脉冲来将部件承载件从叠置件分离时,轮廓侧壁的侧壁与竖向延伸部的偏差可能非常小。这会对部件承载件的精确限定以及部件承载件在水平面的空间消耗具有积极影响。
在实施方式中,外侧边缘处的空间公差小于15μm。特别地,当与将多个部件承载件从同一面板分离进行比较时,各个部件承载件在其轮廓侧壁处之间的变化可以小于15μm。因此,部件承载件可以按照甚至严格的规范来制造。
在实施方式中,部件承载件构造为下述各者中的一者:刚性部件承载件、刚性-挠性部件承载件、半挠性部件承载件和挠性部件承载件。例如,刚性- 挠性部件承载件可以包括例如由聚酰亚胺制成(例如具有约70%的极限应变)的完全挠性部分。在该实施方式中,挠性部分的材料可以不同于一个或更多个相邻的刚性部分的材料,并且挠性部分的材料可以具体地选择成具有高弹性或挠性的。在另一示例中,部件承载件可以是具有例如由FR4材料制成的半挠性部分的半挠性部件承载件。在该构型中,半挠性部分可以由与一个或两个相邻的刚性部分相同的材料制成,但是例如仅可以具有比所连接的刚性部分(多个刚性部分)小的局部厚度。在该构型中,挠性部分的可弯曲性仅由减小的厚度导致,而不是由挠性部分中的更挠性的材料导致的。特别对于这种部分刚性和部分挠性的部件承载件而言,轮廓的精确限定可能是非常有利的,因为这种部分刚性和部分挠性的部件承载件可能弯曲成配装到精确限定的安装空间中的构型。因此,示例性实施方式可以特别有利地应用于部分刚性和部分挠性的部件承载件,即,应用于刚性-挠性部件承载件或半挠性部件承载件。然而,在其他实施方式中,部件承载件也可以是完全挠性或完全刚性的。
在实施方式中,部件承载件包括至少一个电绝缘层结构与至少一个电传导层结构的叠置件。例如,部件承载件可以是所提及的电绝缘层结构(多个电绝缘层结构)和电传导层结构(多个电传导层结构)特别地通过施加机械压力和/或热能而形成的层压件。所提及叠置件可以提供板状的部件承载件,该部件承载件能够为另外的部件提供大的安装表面,并且仍然非常薄且紧凑。术语“层结构”可以特别地表示在同一平面内的连续层、图案化层或多个非连续的岛状件。
在实施方式中,部件承载件被成形为板。这有助于紧凑的设计,其中尽管如此,部件承载件仍为在部件承载件上的安装部件提供了较大的基底。此外,特别地,作为嵌入的电子部件的示例的裸晶片由于其较小的厚度可以方便地嵌入到比如印刷电路板的薄板中。
在实施方式中,部件承载件被构造为印刷电路板和基板(特别是IC基板)和插置件中的一者。
在本申请的上下文中,术语“印刷电路板”(PCB)可以特别地表示通过将多个电传导层结构与多个电绝缘层结构层压而形成的板状部件承载件,该层压例如通过施加压力和/或通过供给热能来进行。作为用于PCB技术的优选材料,电传导层结构由铜制成,而电绝缘层结构可以包括树脂和/或玻璃纤维、所谓的预浸料或FR4材料。通过例如以激光钻孔或机械钻孔的方式形成穿过层压件的通孔,并且通过用电传导材料(特别是铜)填充该通孔从而形成作为通孔连接部的穿孔,可以以期望的方式将各电传导层结构连接至彼此。除了可以嵌入在印刷电路板中的一个或更多个部件以外,印刷电路板通常被构造为在板状印刷电路板的一个表面或两个相反表面上容纳一个或更多个部件。所述一个或多个部件可以通过焊接连接至相应的主表面。PCB的介电部分可以包括具有增强纤维(比如玻璃纤维)的树脂。
在本申请的上下文中,术语“基板”可以特别地表示小的部件承载件。相对于PCB而言,基板可以是一个或更多个部件可以被安装的相对较小的部件承载件,并且可以用作一个或更多个芯片与另外的PCB之间的连接介质。例如,基板可以具有与待安装在基板上的部件(特别是电子部件)大致相同的尺寸(例如在芯片级封装(CSP)的情况下)。更具体地,基板可以被理解为用于电连接件或电网络的承载件以及与印刷电路板(PCB)相当但具有相当高密度的横向和/或竖向布置的连接件的部件承载件。横向连接件例如是传导路径,而竖向连接件可以是例如钻孔。这些横向和/或竖向连接件布置在基板内,并且可以用于提供容置部件或未容置部件(诸如裸晶片)——特别是IC芯片——与印刷电路板或中间印刷电路板的电连接、热连接和/或机械连接。因此,术语“基板”还包括“IC基板”。基板的介电部分可以包括具有增强球体(比如增强球体,特别地为玻璃球体)的树脂。
基板或插置件可以包括下述各者或由下述各者构成:至少一层玻璃、硅、可光成像或可干蚀刻的有机材料如环氧基积层材料(例如环氧基积层膜)、或聚合物复合物如聚酰亚胺、聚苯并恶唑或苯并环丁烯。
在实施方式中,所述至少一个电绝缘层结构包括下述各者中的至少一者:树脂(比如增强树脂或非增强树脂,例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂)、氰酸酯、聚亚苯基衍生物、玻璃(特别是玻璃纤维、多层玻璃、玻璃状材料)、预浸材料(比如FR-4或FR-5)、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物 (LCP)、环氧基积层膜、聚四氟乙烯(PTFE、特氟隆)、陶瓷以及金属氧化物。也可以使用例如由玻璃(多层玻璃)制成的增强材料,比如网状物、纤维或球体。尽管预浸料、特别是FR4对于刚性PCB而言通常是优选的,但是也可以使用其他材料,特别是环氧基积层膜或可光成像介电材料。对于高频的应用,例如聚四氟乙烯、液晶聚合物和/或氰酸酯树脂的高频材料、低温共烧陶瓷(LTCC)或其他低、极低或超低的DK材料可以在部件承载件中被实现为电绝缘层结构。
在实施方式中,所述至少一个电传导层结构包括下述各者中的至少一者:铜、铝、镍、银、金、钯和钨。尽管铜通常是优选的,但是其他的材料或其涂覆的其他类型也是可以的,特别地电传导层结构被涂覆有诸如石墨烯的超导材料。
可以嵌入叠置件中的至少一个部件可以选自下述各者:非导电嵌体、导电嵌体(例如金属嵌体,优选地包括铜或铝)、热传递单元(例如热管)、光引导元件(例如光波导或光导连接件)、光学元件(例如透镜)、电子部件或其组合。例如,该部件可以是有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储设备(例如DRAM或其他数据存储器)、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件,发光二极管、光电耦合器、电压转换器(例如DC/DC转换器或AC/DC转换器)、密码部件、发射器和 /或接收器、机电换能器、传感器、致动器、微机电系统(MEMS)、微处理器、电容器、电阻器、电感、电池、开关、相机、天线、逻辑芯片以及能量收集单元。然而,其他部件可以嵌入部件承载件中。例如,磁性元件可以用作部件。这种磁性元件可以是永磁性元件(比如铁磁性元件、反铁磁性元件、多铁性元件或亚铁磁性元件,例如铁氧体芯)或者可以是顺磁性元件。然而,该部件还可以是例如呈板中板构型的基板、插置件或另外的部件。该部件可以表面安装在部件承载件上和/或可以嵌入在部件承载件的内部。此外,也可以将其他部件来用作部件。
在实施方式中,部件承载件是层压式部件承载件。在该实施方式中,部件承载件是通过施加压力和/或热而叠置并连接在一起的多层结构的组合件。
在对部件承载件的内部层结构进行处理之后,可以用一个或更多个另外的电绝缘层结构和/或电传导层结构对称地或不对称地覆盖(特别是通过层压)经处理的层结构的一个或两个相反的主表面。换言之,可以持续积层直到获得期望的层数为止。
在完成电绝缘层结构和电传导层结构的叠置件的形成之后,可以对所获得的层结构或部件承载件进行表面处置。
特别地,就表面处理而言,电绝缘阻焊剂可以施加至层叠置件或部件承载件的一个或两个相反的主表面上。例如,可以在整个主表面上形成例如阻焊剂,并随后使阻焊剂的层图案化,以暴露一个或更多个电传导表面部分,该部分用于将部件承载件电耦接至电子外围设备。可以有效地保护部件承载件的仍然被阻焊剂覆盖的表面部分、特别是包括铜的表面部分免受氧化或腐蚀。
就表面处理而言,还可以选择性地将表面工艺施加至部件承载件的暴露的电传导表面部分。该表面工艺可以是在部件承载件的表面上的暴露的电传导层结构(比如垫、电传导迹线等,特别地包括铜或由铜构成)上的电传导覆盖材料。如果该暴露的电传导层结构未被保护,则暴露的电传导部件承载件材料(特别是铜)可能被氧化,从而降低部件承载件的可靠性。表面工艺则可以形成为例如表面安装式部件与部件承载件之间的界面。表面工艺具有保护暴露的电传导层结构(特别是铜电路)并实现例如通过焊接与一个或更多个部件接合过程的功能。用于表面工艺的合适材料的示例是有机可焊性防腐剂(OSP)、化学镍浸金(ENIG)、金(尤其是硬金)、化学锡、镍金、镍钯、化学镀镍浸钯浸金等。
以上定义的方面和本发明的其他方面根据下文将要描述的实施方式的示例而明显,并且参考这些实施方式的示例来进行说明。
附图说明
图1图示了根据本发明的示例性实施方式的用于限定部件承载件的轮廓的皮秒激光切割过程的横截面视图。
图2图示了根据本发明的示例性实施方式的由用于限定部件承载件的轮廓的皮秒激光切割的部件承载件的侧壁的横截面视图。
图3图示了用于限定部件承载件的轮廓的常规的纳秒激光切割过程的横截面视图。
图4图示了用于限定部件承载件的轮廓的常规的二氧化碳激光切割过程的横截面视图。
图5图示了根据本发明的示例性实施方式的由用于限定部件承载件的轮廓的绿色激光切割的部件承载件的横截面视图。
图6图示了根据本发明的示例性实施方式的由用于限定部件承载件的轮廓的绿色皮秒激光切割的刚性-挠性部件承载件的边缘部分的平面图。
图7图示了通过用于限定部件承载件的轮廓的纳秒激光常规地切割的部件承载件的边缘部分的平面图。
图8图示了根据本发明的示例性实施方式的通过用于限定部件承载件的轮廓的皮秒激光切割的部件承载件的边缘部分的平面图。
图9图示了根据本发明的示例性实施方式的通过用于限定部件承载件的轮廓的绿色皮秒激光切割的部件承载件的部分的平面图。
图10图示了通过用于限定部件承载件的轮廓的UV纳秒激光常规地切割的部件承载件的边缘部分的平面图。
图11图示了通过用于通过进行多个连续周向切割阶段来限定部件承载件的轮廓的绿色皮秒脉冲激光切割出部件承载件的部件承载件结构的平面图。
图12示出了具有明显碳化部的经常规处理的部件承载件的部分的平面图。
图13示出了根据本发明的示例性实施方式制造的部件承载件的部分的平面图,其中没有可见的碳化部。
附图中的图示是示意性的。在不同的附图中,相似或相同的元件具有相同的附图标记。
具体实施方式
在参考附图进一步详细地描述示例性实施方式之前,将先概述研发本发明的示例性实施方式所基于的一些大致考虑。
常规地,部件承载件比如印刷电路板(PCB)的轮廓形成可以通过成型 (routing)或使用划切(dicing)过程来实施。一些系统也使用激光切割。然而,这种常规方法不能提供足够的精度、可能导致粗糙且未限定的轮廓侧壁、并且还可能导致非常不期望的碳化部聚积在切割侧壁处。此外,这种常规过程可能在工业规模上与就高产率分离产量方面的严格要求不兼容。
根据本发明的优选实施方式,将部件承载件(例如印刷电路板)从叠置件(例如面板)分离是可以使用脉冲长度小于1ns并且特别是在皮秒范围内的脉冲激光束和/或通过使用绿色激光光线来实施的。事实证明,这样的架构可以导致具有平滑且良好限定的轮廓侧壁的高精度的部件承载件。有利地,轮廓侧壁处的任何碳化趋势都可以被强烈地抑制。所提及的激光切割的概念与甚至关于高产量和高产率的需求一致。
根据本发明的第一方面的示例性实施方式,用皮秒控制的激光系统实现印刷电路板(PCB)的轮廓切割。更特别地,提供了下述架构:该架构利用皮秒脉冲激光来切割PCB轮廓的轮廓。当PCB行业朝着更高级、更严格的设计和公差方向发展时,常规的成型或划切已不再适用于高性能轮廓的处理。为了克服这些缺点,示例性实施方式提供了利用非常先进的皮秒控制的激光切割架构来形成具有高精度的PCB轮廓并相应地形成极低粗糙度的轮廓的方法。因此,提供了实现极短激光脉冲的激光系统,以达到PCB和其他部件承载件(例如IC基板)的超高切割质量的轮廓性能。有利地,向 PCB设计者提供了在合理的努力下具有适当的产量和高精度的改进的轮廓处理能力。该实施方式非常适合于提供先进水平的封装基板和嵌入式封装。
根据本发明的第二方面的示例性实施方式,提供了一种印刷电路板 (PCB)轮廓切割,其允许获得基本上无碳化部的PCB轮廓。这可以通过使用绿色光线激光进行激光切割来获得。这种激光切割架构提供了具有绿色激光切割的PCB制造系统,该系统允许获得下述部件承载件:该部件承载件可靠地被防止遭受叠置件或面板的一个或更多个介电层结构的树脂和玻璃布的损坏或碳化。如上所提及的,当所制造的部件承载件的公差方面需要符合规格时,常规的成型可能不足以精确到支持轮廓处理。通过使用绿色激光光线进行激光切割,可以提供部件承载件的高端处理。与常规的激光切割方法在PCB边缘和切割区域内引起大量的碳化相比,基于绿色激光的激光沿着部件承载件的轮廓切割部件承载件可以以较快的速度实现高质量的切割。这可以允许获得增大的精度和面板的更有效的利用。因此,本发明的示例性实施方式允许通过实施绿色激光切割来提供无损伤和无碳化的高质量的部件承载件。因此,可以提供用于部件承载件的轮廓处理技术,其可以在非常不同的PCB应用中交叉使用。因此,通过本发明的示例性实施方式,可以显著改善从面板分离PCB。特别地,本发明的示例性实施方式可以允许通过使用绿色激光(特别是具有波长在介于520nm至 560nm范围内的激光)来形成无碳化部的激光切割。
另外,可以可选地实施以下进一步改进中的一者或更多者,通过这些改进可以进一步抑制叠置件中的热聚积。可以考虑:与绿色波长和/或小于1ns 的激光脉冲的组合、激光辐射停顿时间、脉冲速率、脉冲能量和/或惰性气体的供给。
例如,在本发明的示例性实施方式中,脉冲速率可以在介于200kHz至 2000kHz的范围内、特别地在介于400kHz至1000kHz的范围内。根据实施方式,面板上的冲击能量可以在介于3μJ/脉冲至150μJ/脉冲的范围内(特别地在每个激光头的20μJ/脉冲至50μJ/脉冲的范围内)。在实施方式中,激光功率(即激光束的功率)可以在介于1W至120W的范围内。例如,该功率可以在每个激光头的10W至30W的范围内,即在实施两个激光头时在 20W至60W的范围内。
图1图示了根据本发明的示例性实施方式的用于限定部件承载件100轮廓114的皮秒激光切割过程的横截面视图。
图1的横截面视图包括由电传导层结构104和电绝缘层结构106构成的层压式层叠置件102。例如,电传导层结构104可以包括图案化的铜箔和竖向贯通连接部、例如填充有铜的激光穿孔。电绝缘层结构106可以包括其中具有增强颗粒(例如玻璃纤维或玻璃球体)的树脂(例如环氧树脂)。例如,电绝缘层结构106可以由预浸料或FR4或比如ABF的积层膜制成。层结构104、106可以通过层压、即施加压力和/或热来连接。
图1所示的叠置件102可以在面板水平上制造及处理,即在用于待共同制造的多个卡状件或部件承载件100的面板水平上制造及处理。在这种有效的批量制造之后,面板水平的叠置件102可以被分开或分离成单独的部件承载件100,这是由本发明的示例性实施方式通过使用极短的激光脉冲的脉冲激光切割来实现的。换句话说,执行从叠置件102切割出部件承载件 100以将部件承载件100从面板116分离。因此,可以获得板状的层压式部件承载件100,该层压式部件承载件100此处被实施为印刷电路板(PCB)。替代性地,部件承载件100可以是集成电路(IC)基板。
在所示的方式中,部件126(例如是比如硅晶片的半导体芯片)被嵌入叠置件102中、更精确地被嵌入叠置件102的芯部154中。芯部154可以由完全固化的介电材料比如FR4制成,介电材料可以在两个相反的主表面上被图案化的铜箔部分地覆盖。由于部件(或多个部件)126(主要是半导体材料)一方面和叠置件102(例如铜、树脂和玻璃)的根本不同的材料性能——包括热膨胀系数(CTE)方面的显著不同的性能——最重要的是,部件承载件100的分开是通过对叠置件102及其嵌入的部件126进行有限的能量冲击来完成的,以保持小的热应力、翘曲和其他不期望的现象。
现在更详细地参照图1,所图示的部件承载件100可以通过由所示出的电传导层结构104和所描绘的电绝缘层结构106构成的层压式叠置件102 来制造。一个或更多个部件126可以可选地使用由PCB技术领域的技术人员已知的方法嵌入到叠置件102中。
在以所描述的方式在面板水平上处理叠置件102之后,可以通过使由激光源112产生的脉冲激光束108沿着叠置件102的内部轨迹移动来使每个单独的部件承载件100从叠置件102离开,使得相应的部件承载件100沿着与激光束108的轨迹相对应的部件承载件的外部轮廓114与叠置件102 的其余部分分开。高度有利地,部件承载件100可以通过沿着闭合的周向激光切割轨迹或路径的连续激光切割过程从先前的连续的叠置件102切割出(例如可以从图11获取的)。这避免了产物并且导致具有均匀性能的连续的平滑轮廓114。如本领域技术人员将理解的,使脉冲激光束108沿着部件承载件100的外部轮廓114移动可以通过使对应的激光源112相对于叠置件102移动、或者通过保持激光源112静止并且仅使激光束108(例如,使用一个或更多个适合的激光光学元件,未示出)移动来实现。
高度优选地,一系列激光脉冲140中的每个单独的激光脉冲的脉冲长度 t0可以显著地小于1ns、例如可以为10ps。这可以从图1所示的插入图142 获得。插入图142具有横坐标144,沿着该横坐标标出了时间。沿着插入图 142的纵坐标146,标出了激光束108的幅度(例如能量、强度或功率)。脉冲长度t0可以是激光脉冲140的半最大值全宽(FWHM)的时间期间。
最优选地,激光束108可以由皮秒激光源112产生、即由配置成用于对具有皮秒范围内的脉冲长度t0的脉冲140进行发射的激光源112产生。如可以从轮廓侧壁122、即部件承载件100的叠置件102通过激光束108被分开所处的侧壁的细节148获得的,整个轮廓侧壁122可以是大致竖向的、可以仅被非常薄的碳化部124的层覆盖(如果有的话),并且示出了20μm 以下的低粗糙度Rz。例如,轮廓侧壁122处的碳化部124——例如炭黑——的空间范围(即厚度d)小于50μm。在期望不受到特定理论的约束的情况下,目前认为皮秒激光束108的极小的脉冲长度t0在非常短的激光脉冲 140上有效地聚焦能量冲击,这通过冷烧蚀将叠置件102精确地切割成单独的部件承载件100,并且除了切割线之外,不会对叠置件102进行过多的能量冲击。此外,切割线具有非常有限的横向延伸部,使得叠置件102的大部分区域可以用于分离部件承载件100且具有较低的材料损失。此外,可以有效地抑制部件承载件100上的热产物。除此之外,部件承载件100的限定精度非常高。非常有利的是,轮廓侧壁122被良好地限定并且可以被精确地设定。
尽管通常可以通过实施为UV激光或二氧化碳激光的激光源112来产生激光束108,但如下面参照图5所述的,使用绿色激光束108是非常优选的。特别地,皮秒脉冲140与波长优选地在介于520nm至560nm范围内的绿色激光束108的协同组合允许在轮廓侧壁122的质量和避免部件承载件100 因过度热冲击而产生产物方面获得优异的结果。
有利地,通过使脉冲激光束108沿着一个部件承载件100的轮廓114移动多次(优选地50次至70次)来将叠置件102中的激光形成的槽连续加深从而在将部件承载件100从叠置件102切割出时获得优异的结果,这在槽变成通孔时最终导致部件承载件100的分开。据认为,这种方法进一步抑制了不期望的局部热点,并另外有助于轮廓侧壁122的质量以及保护叠置件102免受热产物的影响。
叠置件102的厚度D可以特别地在介于500μm至1mm的范围内,例如为650μm。该厚度D还允许进一步提高激光分开的质量。
为了比较的目的还参照图3,叠置件102的电绝缘层结构106的诸如由玻璃纤维222构成的玻璃布之类的增强结构与根据图1的轮廓侧壁122齐平。换言之,所述纤维型增强结构沿着叠置件102的周缘在横向上没有延伸超出轮廓侧壁122,这进一步增大了侧壁的平滑度。
由于根据图1精确地形成轮廓侧壁122,轮廓侧壁122的水平渐缩可以优选地小于15μm。从描述上讲,这意味着相应的部件承载件100的上拐角部150与下拐角部152之间的横向(即,根据图1的水平)偏移小于15μm。有利地,由于皮秒脉冲激光束108对切割过程的精确限定,轮廓侧壁122 处的空间公差可以小于25μm、小于20μm或甚至小于15μm。
图2图示了根据本发明的示例性实施方式的由用于限定部件承载件100 的轮廓侧壁122的皮秒激光束108切割的部件承载件100的侧壁的横截面视图。图2的图像示出了所制造的部件承载件100的图像的横截面,并且特别地图示了具有附图标记154的激光进入侧。
图3图示了用于限定部件承载件200的轮廓侧壁202的常规的纳秒激光切割过程的横截面视图。
图3的部件承载件200中的每个部件承载件包括由电传导层结构208和电绝缘层结构210制成的叠置件206。图3的部件承载件200使用微秒或纳秒脉冲激光束204与面板分开。
如所示的,部件承载件200的轮廓侧壁202非常粗糙,轮廓侧壁202的 Rz值远大于20μm。此外,如细节220所示的,由微秒或纳秒脉冲激光束 204不恰当地切割的玻璃纤维222在叠置件206的轮廓侧壁202处以明显的方式突出。此外,由于微秒或纳秒脉冲激光束204对电绝缘层结构210的有机材料的不完全燃烧,大量的炭黑可能以不受控的方式聚积在轮廓侧壁 202处,从而形成不受控且具有较大厚度的明显的碳化部224。
如上所述,图1的实施方式可以克服上述缺点。
图4图示了用于限定部件承载件200的轮廓侧壁202的常规的二氧化碳激光切割过程的横截面视图。
图4示出了由以微秒或纳秒脉冲操作的二氧化碳激光将部件承载件200 分离的情景。如所示的,在所获得的轮廓侧壁202处出现明显程度的碳化部124。轮廓侧壁202处的不完全燃烧和对叠置件206的不利的激光能量冲击全部可导致具有有限的可靠性的部件承载件200。所提及的二氧化碳激光可以对在红外区间内、例如在900nm至1200nm的范围内的激光光线进行发射。
图5图示了根据本发明的示例性实施方式的具有由绿色激光源112切割的轮廓侧壁122的部件承载件100的横截面视图,绿色激光源112发射绿色激光束108以精确地限定部件承载件100的轮廓114。
有利地,图5所示的部件承载件100通过绿色激光束108与叠置件102 分开。所述绿色激光束108可以以在介于492nm至577nm的范围、并且优选地以在介于520nm至560nm的范围内的波长进行操作。据信,特别与图4相比,能量更大的绿色激光束108确保有机叠置件材料在轮廓侧壁122处基本上完全燃烧,因此可以没有碳化部或基本上没有碳化部(如附图标记 170示意性地示出的)。
尽管脉冲绿色激光束108也可以在脉冲长度t0的微秒或纳秒范围内操作,但绿色光线激光束108可以优选地为对脉冲长度t0小于1nm的激光脉冲140进行发射的脉冲激光束108,脉冲长度t0最优选地在皮秒范围内。结果,在轮廓侧壁122处可以获得在抑制碳化、侧壁平滑、侧壁竖向延伸和低公差方面的优良性能。
图6图示了根据本发明的示例性实施方式的由用于限定部件承载件100 的轮廓侧壁114的绿色皮秒激光束108切割的部件承载件100的边缘部分的平面图。所示的实施方式涉及刚性-挠性部件承载件100。在期望不受特定理论的约束的情况下,目前认为,用于对部件承载件100进行轮廓切割的绿色皮秒激光束108的实施导致以冷烧蚀为主的切割过程。因此,可以安全地防止轮廓114处的产物。
图7图示了由用于限定部件承载件200的轮廓的UV纳秒激光常规地切割的部件承载件200的边缘部分的平面图。如所示的,与图6的部件承载件100的轮廓114相比,轮廓侧壁202明显被更少地限定。在期望不受特定理论的约束的情况下,目前认为,对部件承载件200的过度热冲击导致特别地轮廓侧壁202处的热影响产物。
图8图示了根据本发明的示例性实施方式的由用于限定部件承载件 100的轮廓侧壁122的皮秒激光束108切割的部件承载件100的边缘部分的平面图。图8的图示示出了当使用皮秒激光将部件承载件100从面板式叠置件102分离时,轮廓114可以被精确地限定。特别地,可以获得直且低粗糙度的侧壁。
图9图示了根据本发明的示例性实施方式的由用于限定部件承载件100的轮廓114的绿色皮秒激光切割的部件承载件100的部分的平面图。由于在使用绿色皮秒激光108切割挠性部件承载件100时发生冷烧蚀,因此可以获得无产物的部件承载件100。这可以特别地在将根据图9的部件承载件100的部分180与图10所示的部分230进行比较时看出。
图10图示了由用于限定部件承载件200的轮廓的UV纳秒激光常规地切割的部件承载件200的部分的平面图。不期望的热影响可以特别地在图 10的附图标记230周围看到。
图11图示了呈层压式层叠置件102的形式的面板式部件承载件结构的平面图,其中部件承载件100由绿色皮秒脉冲激光束108切割以用于通过进行多个连续的周向切割阶段来限定部件承载件100的轮廓114。
更具体地,根据图11的方法包括:通过使激光束108沿着待分离的部件承载件100的轮廓114在闭合环中移动多次而从叠置件102切割出部件承载件100。优选地,可以通过使激光束108沿着轮廓114在闭合环中移动约50次至约70次来实现从叠置件102切割出部件承载件100。从描述上说,可以在叠置件102中形成周向上闭合的槽,该槽在激光束108的每个循环或环绕时持续加深,直到该槽变成或转换成通孔为止,此时部件承载件100 与叠置件102分开。通过这种架构,在分离期间对叠置件102的能量冲击可以被合理地保持处于低水平,这导致被分开的部件承载件100的轮廓侧壁122的优异的表面性能。
据信,这种切割方案可靠地防止了叠置件102过热以及形成可能导致不期望的产物的局部热点。通过使用短于1nm的激光脉冲、用绿色光线对叠置件102进行辐射、以及在多个闭合环中进行切割,可以获得最佳的结果。在这些情况下,可以确保进行冷烧蚀。
图12示出了具有明显碳化部的经常规处理的部件承载件的部分的平面图。图12示出了用纳秒激光处理的性能,从而导致严重的加热和碳化效应。碳化部可以在距切割线例如约200μm或更大的区域上延伸。
图13示出了根据本发明的示例性实施方式制造的部件承载件的各部分的平面图,其中没有可见的碳化部。图13示出了与图12的部件承载件相对应但实施了皮秒激光切割过程的部件承载件。没有可见的碳化部。
应当注意,术语“包括”不排除其他元件或步骤,并且“一”或“一种”不排除多个。同样,可以对与不同实施方式相关联地描述的元件进行组合。
还应注意,权利要书中的附图标记不应被解释为限制权利要求的范围。
本发明的实施不限于附图中所示和上面描述的优选实施方式。相反,使用所示出的解决方案和根据本发明的原理的多种变型也是可行的,即使在根本不同的实施方式的情况下也是如此。
Claims (24)
1.一种制造部件承载件(100)的方法,其中,所述方法包括:
形成包括至少一个电传导层结构(104)和/或至少一个电绝缘层结构(106)的叠置件(102);以及
通过具有小于1ns的脉冲长度(t0)的脉冲激光束(108)从所述叠置件(102)沿着闭合的周向激光切割轨迹切割出所述部件承载件(100)。
2.根据权利要求1所述的方法,其中,所述激光束(108)是绿色激光束或紫外线激光束。
3.一种制造部件承载件(100)的方法,其中,所述方法包括:
形成包括至少一个电传导层结构(104)和/或至少一个电绝缘层结构(106)的叠置件(102);以及
通过绿色激光束(108)从所述叠置件(102)沿着闭合的周向激光切割轨迹切割出所述部件承载件(100)。
4.根据权利要求3所述的方法,其中,所述激光束(108)是脉冲激光束(108),特别地,所述脉冲激光束(108)的脉冲长度(t0)小于1ns。
5.根据权利要求1、2或4中的任一项所述的方法,其中,所述脉冲激光束(108)的脉冲长度(t0)在介于1ps至100ps的时间范围内。
6.根据权利要求1、2、4或5中的任一项所述的方法,其中,所述脉冲激光束(108)的脉冲长度(t0)不大于10ps。
7.根据权利要求1至6中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括由皮秒激光源(112)产生所述激光束(108)。
8.根据权利要求1至7中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:通过使所述激光束(108)沿着所述部件承载件(100)的轮廓(114)移动多次而从所述叠置件(102)切割出所述部件承载件(100),特别地,通过使所述激光束(108)沿着所述部件承载件(100)的所述轮廓(114)在闭合环中移动多次而从所述叠置件(102)切割出所述部件承载件(100)。
9.根据权利要求1至8中的任一项所述的方法,其中,所述方法包括:通过使所述激光束(108)沿着所述部件承载件(100)的轮廓(114)移动10次至100次、特别地移动50次至70次而从所述叠置件(102)切割出所述部件承载件(100),特别地,通过使所述激光束(108)沿着所述部件承载件(100)的所述轮廓(114)在闭合环中移动10次至100次、特别地移动50次至70次而从所述叠置件(102)切割出所述部件承载件(100)。
10.根据权利要求1至9中的任一项所述的方法,其中,所述激光束(108)的波长在介于492nm至577nm的范围内,特别地,所述激光束(108)的波长在介于520nm至560nm的范围内。
11.根据权利要求1、2或者4至9中的任一项所述的方法,其中,所述激光束(108)的波长在介于50nm至650nm的范围内,特别地,所述激光束(108)的波长在介于450nm至600nm的范围内。
12.根据权利要求1至11中的任一项所述的方法,其中,执行从所述叠置件(102)切割出所述部件承载件(100)以将所述部件承载件(100)从面板(116)分离。
13.根据权利要求1至12中的任一项所述的方法,其中,通过冷烧蚀来执行从所述叠置件(102)切割出所述部件承载件(100)。
14.一种部件承载件(100),其中,所述部件承载件(100)包括:
具有至少一个电传导层结构(104)和/或至少一个电绝缘层结构(106)的叠置件(102);
其中,所述叠置件(102)的整个轮廓侧壁(122)的粗糙度Rz不大于20μm。
15.根据权利要求14所述的部件承载件(100),其中,所述叠置件(102)的厚度(D)在介于200μm至2mm的范围内,特别地,所述叠置件(102)的厚度(D)在介于500μm至1mm的范围内。
16.根据权利要求14或15所述的部件承载件(100),其中,所述叠置件(102)的所述至少一个电绝缘层结构(106)的增强结构沿着所述叠置件(102)的所述轮廓(114)在横向上没有延伸超出所述轮廓侧壁(122),特别地,所述增强结构是增强玻璃纤维。
17.根据权利要求14至16中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述叠置件(102)的所述轮廓侧壁(122)的粗糙度Rz不大于15μm,特别地,所述叠置件(102)的所述轮廓侧壁(122)的粗糙度Rz不大于10μm。
18.根据权利要求14至17中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述轮廓侧壁(122)处的碳化部(124)的空间范围小于100μm,特别地,所述轮廓侧壁(122)处的所述碳化部(124)的空间范围小于50μm,特别地,所述空间范围为厚度。
19.根据权利要求14至17中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述叠置件(102)的所述轮廓侧壁(122)没有碳化部(124)。
20.根据权利要求14至19中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述轮廓侧壁(122)在水平方向上的渐缩小于25μm,特别地,所述轮廓侧壁(122)在水平方向上的渐缩小于20μm,更特别地,所述轮廓侧壁(122)在水平方向上的渐缩小于15μm。
21.根据权利要求14至20中的任一项所述的部件承载件(100),其中,所述部件承载件(100)包括嵌入所述叠置件(102)中的部件(126)。
22.根据权利要求21所述的部件承载件(100),其中,所述部件(126)选自:电子部件、非导电嵌体和/或导电嵌体、热传递单元、光引导元件、光学元件、桥接件、能量收集单元、有源电子部件、无源电子部件、电子芯片、存储设备、滤波器、集成电路、信号处理部件、功率管理部件、光电接口元件、电压转换器、密码部件、发射器和/或接收器、机电换能器、致动器、微机电系统、微处理器、电容器、电阻器、电感、蓄电池、开关、相机、天线、磁性元件、另外的部件承载件(100)和逻辑芯片。
23.根据权利要求14至22中的任一项所述的部件承载件(100),所述部件承载件(100)被构造为下述各者中的一者:刚性部件承载件、刚性-挠性部件承载件、半挠性部件承载件和挠性部件承载件。
24.根据权利要求14至23中的任一项所述的部件承载件(100),包括以下特征中的至少一者:
其中,所述至少一个电传导层结构(104)包括下述各者中的至少一者:铜、铝、镍、银、金、钯和钨,所述铜、铝、镍、银、金、钯和钨中的任一者可选地被涂覆有超导材料,所述超导材料比如为石墨烯;
其中,所述至少一个电绝缘层结构(106)包括下述各者中的至少一者:树脂,特别是增强树脂或非增强树脂、例如环氧树脂或双马来酰亚胺-三嗪树脂、FR-4、FR-5,氰酸酯、聚苯醚衍生物、玻璃、预浸料材料、聚酰亚胺、聚酰胺、液晶聚合物、环氧基积层材料、聚四氟乙烯、陶瓷和金属氧化物;
其中,所述部件承载件(100)被成形为板;
其中,所述部件承载件(100)被构造为印刷电路板和基板中的一者;
其中,所述部件承载件(100)被构造为层压式部件承载件(100)。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010859502.5A CN114178710A (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 部件承载件及其制造方法 |
US17/445,331 US20220061162A1 (en) | 2020-08-24 | 2021-08-18 | Component Carrier With Well-Defined Outline Sidewall Cut by Short Laser Pulse and/or Green Laser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202010859502.5A CN114178710A (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 部件承载件及其制造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114178710A true CN114178710A (zh) | 2022-03-15 |
Family
ID=80269054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202010859502.5A Pending CN114178710A (zh) | 2020-08-24 | 2020-08-24 | 部件承载件及其制造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220061162A1 (zh) |
CN (1) | CN114178710A (zh) |
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PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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