JP6204953B2 - 端子付き電線及びそれを用いたワイヤーハーネス - Google Patents

Description

本発明は、端子付き電線及びそれを用いたワイヤーハーネスに関する。さらに詳細には、本発明は、電線の導体と圧着端子との接続部に腐食防止めっき層を設けた端子付き電線及びそれを用いたワイヤーハーネスに関する。

近年、車両の軽量化により燃費を向上させる観点から、ワイヤーハーネスを構成する被覆電線にアルミニウムを用いる例が増加している。一方、このような被覆電線に接続される端子金具としては、一般的に電気特性に優れた銅又は銅合金製の圧着端子が用いられている。

しかし、被覆電線と圧着端子との接触部、すなわち圧着部位には、塩水等の電解液が付着すると、異種金属の接触による腐食、いわゆるガルバニック腐食が発生し、これにより被覆電線のアルミニウムが溶出しやすい。そして、このようにアルミニウムが溶出すると、被覆電線と圧着端子の圧着部位との間で接触抵抗の上昇や圧着強度の低下等が生じやすい。

特開２０１５−１０５４０８号公報

このため、従来は、被覆電線と圧着端子の圧着部位とを樹脂製からなる防食材で完全に被覆して、電解液と圧着部位とが接触しないようにすることで、圧着部位のガルバニック腐食の発生を防止していた。しかし、この防食材で完全に被覆する方法は、被覆電線や圧着端子と別部材である防食材で被覆するため、ワイヤーハーネス等の製造コストが高くなるという問題があった。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものである。本発明の目的は、被覆電線と圧着端子との圧着部位のガルバニック腐食の発生を抑制することができる端子付き電線を提供することにある。また、本発明の目的は、被覆電線と圧着端子との圧着部位のガルバニック腐食の発生を抑制することができるワイヤーハーネスを提供することにある。

本発明の第１の態様に係る端子付き電線は、導体及び導体を覆う電線被覆材を有する電線と、電線の導体と電気的に接続される圧着端子本体と、この圧着端子本体の表面のうち少なくとも電線の導体と接触する部位に設けられた腐食防止めっき層と、を有する圧着端子と、を備え、前記導体は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなり、前記腐食防止めっき層は、Ｚｎ含有量が６９〜７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金からなる。

本発明の第２の態様に係る端子付き電線は、前記圧着端子本体は、銅、銅合金、及びステンレスからなる群より選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする。

本発明の第３の態様に係るワイヤーハーネスは、前記端子付き電線を含むことを特徴とする。

本発明の端子付き電線によれば、被覆電線と圧着端子との圧着部位のガルバニック腐食の発生を抑制することができる。本発明のワイヤーハーネスによれば、端子付き電線における被覆電線と圧着端子との圧着部位のガルバニック腐食の発生を抑制することができるため、耐腐食性が高いワイヤーハーネスが得られる。

図１は、本発明の実施形態に係る端子付き電線の斜視図である。 図２は、図１に示す端子付き電線の、電線と端子の圧着前の状態を示す斜視図である。 図３は、図１のＡ−Ａ線断面図である。 図４は、本発明の実施形態に係るワイヤーハーネスを示す斜視図である。 図５は、圧着端子の腐食防止めっき層の組成と、電線の材料であるＡｌの腐食速度との関係を示すグラフである。 図６は、実施例１の腐食防止めっき層の表面の光学顕微鏡写真の一例である。 図７は、参考例１の腐食防止めっき層の表面の光学顕微鏡写真の他の一例である。

以下、図面を用いて本発明の実施形態に係る端子付き電線及びワイヤーハーネスについて詳細に説明する。なお、図面の寸法比率は説明の都合上誇張されており、実際の比率と異なる場合がある。

［第１の実施形態］
（端子付き電線）
図１〜図３に示すように、本実施形態の端子付き電線１は、導電性の導体１１及び導体１１を覆う電線被覆材１２を有する電線１０と、電線１０の導体１１に接続される圧着端子２０とを備える。

＜電線＞
電線１０は、導電性の導体１１及び導体１１を覆う電線被覆材１２を有する。導体１１の材料としては、導電性が高い金属、例えば、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金等を用いることができる。また、導体１１の材料としては、銅、銅合金、アルミニウム及びアルミニウム合金等の表面に錫をめっきしたものも用いることができる。なお、近年、ワイヤーハーネスの軽量化が求められている。このため、導体１１が軽量なアルミニウム又はアルミニウム合金からなると、ワイヤーハーネスの軽量化を図れるため好ましい。

導体１１を覆う電線被覆材１２の材料としては、電気絶縁性を確保できる樹脂、例えばオレフィン系の樹脂を用いることができる。具体的には、電線被覆材１２の材料として、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、エチレン共重合体及びプロピレン共重合体からなる群より選択される少なくとも１種を主成分とすることができる。また、電線被覆材１２の材料として、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）を主成分とすることができる。この中、ポリプロピレン及びポリ塩化ビニルは、電気絶縁性が高いため好ましい。なお、ここでの主成分とは、電線被覆材全体の５０重量％以上の成分をいう。

＜圧着端子＞
圧着端子２０はメス型の圧着端子であり、電線１０の導体１１と電気的に接続される圧着端子本体３１と、この圧着端子本体の表面のうち少なくとも前記電線１０の導体と接触する部位に設けられた腐食防止めっき層３２と、を有する。ここで、圧着端子本体３１とは、圧着端子２０のうち、その表面に設けられた腐食防止めっき層３２以外の部分を意味する。圧着端子２０と電線１０の導体１１との電気的な接続は、例えば、圧着端子２０で電線１０を加締めることにより達成される。

［圧着端子本体］
圧着端子２０の圧着端子本体３１は、図示しない相手方端子に対して接続される電気接続部２１を有する。電気接続部２１は、ボックス状の形体をしており、相手方端子に係合するバネ片を内蔵している。さらに、圧着端子２０の圧着端子本体３１のうち、電気接続部２１と反対側には、電線１０の端末部に対して加締めることにより接続される電線接続部２２が設けられる。電気接続部２１と電線接続部２２とは繋ぎ部２３を介して接続される。なお、電気接続部２１、電線接続部２２及び繋ぎ部２３は、同一材料からなり一体となって圧着端子２０を構成しているが、便宜的に部位ごとに名称を付与している。

電線接続部２２は、電線１０の導体１１を加締める導体圧着部２４と、電線１０の電線被覆材１２を加締める被覆材加締部２５とを備える。

導体圧着部２４は、電線１０の端末部の電線被覆材１２を除去して露出させた導体１１と直接接触するものであり、底板部２６と一対の導体加締片２７とを有する。一対の導体加締片２７は、底板部２６の両側縁から上方に延設される。一対の導体加締片２７は、電線１０の導体１１を包み込むように内側に曲げられることで、導体１１を底板部２６の上面に密着した状態となるように加締めることができるようになっている。導体圧着部２４は、この底板部２６と一対の導体加締片２７とにより、断面視略Ｕ字状に形成されている。

被覆材加締部２５は、電線１０の端末部の電線被覆材１２と直接接触するものであり、底板部２８と一対の被覆材加締片２９とを有する。一対の被覆材加締片２９は、底板部２８の両側縁から上方に延設される。一対の被覆材加締片２９は、電線被覆材１２の付いた部分を包み込むように内側に曲げられることで、電線被覆材１２を底板部２８の上面に密着した状態で加締めることができるようになっている。被覆材加締部２５は、この底板部２８と一対の被覆材加締片２９とにより、断面視略Ｕ字状に形成されている。なお、導体圧着部２４の底板部２６から被覆材加締部２５の底板部２８までは、共通の底板部として連続して形成されている。

圧着端子２０の圧着端子本体３１は、上記のように、電気接続部２１、電線接続部２２、繋ぎ部２３、導体圧着部２４、被覆材加締部２５、底板部２６、導体加締片２７、底板部２８、被覆材加締片２９等を備える。なお、圧着端子２０の圧着端子本体３１を構成するこれらの部材は、別部材からなっていてもよいが、通常は、同一材料からなり一体となっている。

圧着端子２０の圧着端子本体３１の材料（端子材）としては、導電性が高い金属、例えば、銅、銅合金、及びステンレスからなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。なお、圧着端子本体３１が同一材料からなる場合は、圧着端子本体３１の材質は、銅、銅合金、又はステンレスからなる。圧着端子本体３１が２種以上の材料からなる場合は、銅、銅合金、及びステンレスからなる群より選ばれる２種以上を用いることができる。

［腐食防止めっき層］
腐食防止めっき層３２は、圧着端子本体３１と電線１０の導体１１との接触部位（圧着部位）の、異種金属の接触による腐食、いわゆるガルバニック腐食、を抑制する層である。ガルバニック腐食は、異種金属が接触した状態で塩水等の電解液が付着することにより、一方の材料、例えば、導体１１を構成する材料が溶出する現象である。例えば、導体１１がアルミニウム又はアルミニウム合金からなり、圧着端子本体３１が銅、銅合金、及びステンレスからなる群より選ばれる少なくとも１種からなる場合、ガルバニック腐食が生じると、導体１１からアルミニウムが溶出する。換言すれば、腐食防止めっき層３２は、ガルバニック腐食による、導体１１からのアルミニウムの溶出等を抑制する層である。

なお、従来、導体１１がアルミニウム又はアルミニウム合金からなり、圧着端子本体３１が銅又は銅合金からなる場合、ガルバニック腐食を抑制するために、圧着端子本体３１を構成する銅や銅合金の表面に錫（Ｓｎ）めっきを施していた。しかし、錫（Ｓｎ）めっきよりも優れたガルバニック腐食抑制効果を有する手段があれば産業上好ましい。本実施形態で用いられる腐食防止めっき層３２はこのような要請に応えるものである。

腐食防止めっき層３２は、圧着端子本体３１と導体１１との異種金属接触による腐食を抑制する層であるため、圧着端子本体３１の表面のうち少なくとも電線１０の導体１１と接触する部位に設けられる。

図１〜図３に示すように、第１の実施形態では、腐食防止めっき層３２は、電線接続部２２、繋ぎ部２３、導体圧着部２４、被覆材加締部２５、底板部２６、導体加締片２７、底板部２８、及び被覆材加締片２９のうち、電線１０の導体１１に相対する側の表面の全面に設けられる。しかし、腐食防止めっき層３２は、圧着端子本体３１と導体１１との接触によるガルバニック腐食を抑制できればよいため、圧着端子本体３１の表面のうち少なくとも電線１０の導体１１と接触する部位に設けられればよい。例えば、腐食防止めっき層３２は、導体圧着部２４及び底板部２６のうちの電線１０の導体１１に接触する部分のみに設けられていてもよい。この場合は、腐食防止めっき層３２の面積を小さくすることができるため、製造コストを低減することができる。なお、腐食防止めっき層３２は、圧着端子本体３１の表面全体に形成されていてもよい。この場合は、圧着端子本体３１を単に浸漬めっきするだけで圧着端子本体３１の表面に腐食防止めっき層３２が形成されるため、腐食防止めっき層３２が形成された圧着端子本体３１、すなわち、圧着端子２０の製造が容易である。

腐食防止めっき層３２は、Ｎｉ−Ｚｎ合金からなる。Ｎｉ−Ｚｎ合金は、Ｚｎ含有量が６９〜７８質量％である。これによりガルバニック腐食の抑制効果が従来の銅や銅合金の表面に錫（Ｓｎ）めっきをした場合よりも高いため好ましい。これは、Ｚｎ含有量が上記範囲内にあるＮｉ−Ｚｎ合金は、結晶粒が微細化するために腐食が抑制されるためであると推測される。具体的には、結晶粒が微細化して粒界の面積が増えることにより粒界散乱が生じて電気抵抗が上昇するため、ガルバニック腐食電流が小さくなって腐食が抑制されるためであると推測される。

一方、Ｚｎ含有量が６９質量％未満であると、ガルバニック腐食の抑制効果が従来の銅や銅合金の表面に錫（Ｓｎ）めっきをした場合よりも低くなるおそれがある。また、Ｚｎ含有量が７８質量％を超えると、Ｎｉ−Ｚｎ合金めっき自体の腐食が促進されるおそれがある。腐食防止めっき層３２を構成するＮｉ−Ｚｎ合金の組成は、例えば、ＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）−ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）を用いて腐食防止めっき層３２を分析することにより、特定することができる。

腐食防止めっき層３２は、Ｎｉ−Ｚｎ合金の結晶粒が多数存在する多結晶体になっている。腐食防止めっき層３２を構成する結晶粒は。平均結晶粒が、通常０，１〜０．７μｍ、好ましくは０，２〜０．５μｍである。ここで平均結晶粒とは、腐食防止めっき層３２の表面をＳＩＭ（走査イオン顕微鏡法）で撮影し、得られた結晶粒の面積から算出した直径の、結晶粒１０個の平均値である。平均結晶粒が、０，１〜０．７μｍにあると、ガルバニック腐食の抑制効果が高いため好ましい。

＜腐食防止めっき層の製造方法＞
腐食防止めっき層３２は、圧着端子本体３１の表面のうち少なくとも電線１０の導体１１と接触する部位にＮｉ−Ｚｎ合金めっきをすることにより、製造することができる。

腐食防止めっき層３２は、例えば、Ｎｉめっき浴として公知のワット浴に亜鉛を混合してＮｉ−Ｚｎ合金めっき浴を調製し、このＮｉ−Ｚｎ合金めっき浴に圧着端子本体３１を浸漬してめっきすることで形成することができる。めっきは、定電流電解であると膜厚の制御が容易であるため好ましい

＜端子付き電線の製造方法＞
圧着端子２０は、例えば、以下のようにして製造することができる。はじめに、図２に示すように、電線１０の端末部を圧着端子２０の電線接続部２２に挿入する。これにより、導体圧着部２４の底板部２６上に形成された腐食防止めっき層３２の上面に電線１０の導体１１を載置すると共に、被覆材加締部２５の底板部２８に形成された腐食防止めっき層３２の上面に電線１０の電線被覆材１２の付いた部分を載置する。次に、電線接続部２２と電線１０の端末部を押圧することにより、導体圧着部２４及び被覆材加締部２５を変形させる。具体的には、導体圧着部２４の一対の導体加締片２７を、導体１１を包み込むように内側に曲げることで、導体１１を腐食防止めっき層３２を介して底板部２６の上面に密着した状態となるように加締める。さらに、被覆材加締部２５の一対の被覆材加締片２９を、電線被覆材１２の付いた部分を包み込むように内側に曲げることで、電線被覆材１２を底板部２８の上面に密着した状態となるように加締める。こうすることにより、圧着端子２０と電線１０とを圧着して接続することができる。

＜端子付き電線の効果＞
本実施形態の端子付き電線によれば、被覆電線と圧着端子との圧着部位のガルバニック腐食の発生を抑制することができる。また、腐食防止めっき層３２の形成を圧着端子本体３１の表面のうち電線１０の導体１１と接触する部位のみにすることができるため、端子付き電線の製造コストを低減することができる。

（ワイヤーハーネス）
本実施形態のワイヤーハーネスは、上述の端子付き電線を備える。具体的には、本実施形態のワイヤーハーネス２は、図４に示すように、コネクタ４０と、上述の端子付き電線１とを備えるものである。

図４においてコネクタ４０の背面側には、図示しない相手方端子が装着される複数個の図示しない相手側端子装着部が設けられる。図４においてコネクタ４０の正面側には、端子付き電線１の圧着端子２０が装着される複数個のキャビティ４１が設けられる。各キャビティ４１には、端子付き電線１の圧着端子２０が装着されるように、略矩形状の開口部が設けられる。さらに、各キャビティ４１の開口部は、端子付き電線１の圧着端子２０の断面よりも若干大きく形成される。コネクタ４０のキャビティ４１に端子付き電線１の圧着端子２０が装着されると、電線１の図示しない電線は図４におけるコネクタ４０の正面側より引き出される。

＜ワイヤーハーネスの効果＞
本実施形態のワイヤーハーネスによれば、端子付き電線における被覆電線と圧着端子との圧着部位のガルバニック腐食の発生を抑制することができるため、耐腐食性が高いワイヤーハーネスが得られる。また、端子付き電線における腐食防止めっき層３２の形成を圧着端子本体３１の表面のうち電線１０の導体１１と接触する部位のみにすることができるため、ワイヤーハーネスの製造コストを低減することができる。

以下、本発明を実施例、比較例及び参考例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。

［実施例１］
（圧着端子本体の用意）
図２に示す形状の純銅（Ｃ１０２０−Ｈ）製の圧着端子本体３１を用意した。
（めっき浴の調製）
ワット浴に金属亜鉛を添加してめっき浴を調製した。具体的には、はじめに、硫酸ニッケル２４０ｇ／ｌ、塩化ニッケル４５ｇ／ｌ、及びホウ酸３０ｇ／ｌのワット浴を調製した。次に、表１に示す量の金属亜鉛を１０質量％ＨＣｌに溶解した。さらに、ワット浴５００ｍｌに、得られた塩化亜鉛水溶液５２ｍｌを添加して亜鉛含有ワット浴を調製した。亜鉛含有ワット浴の亜鉛及びニッケルの含有量は、表１に示す電解条件で純銅製の圧着端子本体にめっきして腐食防止めっき層を形成したときに、得られる腐食防止めっき層を構成するＺｎ−Ｎｉの質量比が表１の実施例１の欄に示す値（Ｎｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％）になるように決定したものである。表１にめっき浴の組成を示す。

（腐食防止めっき層の形成）
次に、上記めっき浴中に圧着端子本体３１を浸漬し、表１に示す条件で定電流電解することにより、圧着端子本体３１に腐食防止めっき層を形成した。具体的なめっき手順は、以下のとおりである。

はじめに、圧着端子本体３１を浸漬可能な電解槽と、直流電源と、ポテンショ／ガルバノスタット（株式会社東陽テクニカ製Ｓｏｌａｒｔｒｏｎ１２８７）とを用意した。電解槽には、表１に示すめっき浴を満たした。

次に、被めっき材である圧着端子本体３１を、アルカリ脱脂で洗浄し、１０％硫酸中に２分間浸漬する酸洗いを行い、水洗した。この圧着端子本体３１を、導線を介して直流電源のマイナス極に接続した。一方、直流電源のプラス極には導線を介して２枚のニッケル板を接続した。ニッケル板は、めっき浴中のニッケル濃度を一定に保つために用いた。

上記の圧着端子本体３１及びニッケル板を電解槽中のめっき浴に浸漬した。めっき浴中において、圧着端子本体３１は２枚のニッケル板の間に位置するように配置した。そして、ポテンショ／ガルバノスタットを用い、表１に示す条件で定電流電解した。電解終了後、めっき浴から圧着端子本体３１を取り出し、水洗した。この結果、圧着端子本体３１の表面全体に腐食防止めっき層３２が形成された圧着端子２０が得られた。腐食防止めっき層３２の厚さは２μｍであった。

（腐食防止めっき層の評価）
＜腐食防止めっき層の組成＞
得られた腐食防止めっき層３２についてＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）−ＥＤＸ（エネルギー分散型Ｘ線分光法）で元素の組成を分析した。この結果、腐食防止めっき層の材質は、Ｎｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金であった。測定結果を表１に示す。

（端子付き電線の形成）
上記腐食防止めっき層３２が形成された圧着端子２０と、導体がアルミニウム導線である電線１０とを用い、端子付き電線１を作製した。具体的には、図２に示すように、上記圧着端子２０の腐食防止めっき層３２と電線１０とが相対するように配置し、圧着端子２０の一対の導体加締片２７で電線１０の導体１１を加締めるとともに、圧着端子２０の一対の被覆材加締片２９で電線１０の電線被覆材１２を加締めて、図１に示す端子付き電線１を作製した。

＜端子付き電線のガルバニック腐食におけるアルミニウムの腐食速度＞
端子付き電線１では、圧着端子２０の表面のＮｉ−Ｚｎ合金からなる腐食防止めっき層３２と、電線１０のアルミニウム製の導体１１とが、接触しており、両者の間にガルバニック腐食が生じうる。そこで、腐食防止めっき層３２の材質であるＮｉ−Ｚｎ合金試片と、導体１１の材質であるアルミニウムからなる純Ａｌ試片とを用いて、ガルバニック腐食におけるアルミニウムの腐食速度を算出した。

［自然電位の測定］
具体的には、はじめに、電解液中で、純Ａｌ試片と、実施例１の腐食防止めっき層３２の材質であるＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片との自然電位ＳＰを測定した。具体的には、２５℃の３質量％ＮａＣｌ水溶液中で、銀−塩化銀電極を参照電極として自然電位を測定したところ、純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌは−０．７９４［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］、Ｎｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}は−０．６７２［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］であった。

［分極曲線の作成］
次に、電解液中で、純Ａｌ試片と、実施例１の腐食防止めっき層３２の材質であるＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片との分極曲線ＰＣを測定した。具体的には、２５℃の３質量％ＮａＣ水溶液中で、純Ａｌ試片と、Ｎｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片とについて、それぞれ、アノード分極曲線ＡＰＣ及びカソード分極曲線ＣＰＣを実験で求めた。

アノード分極曲線ＡＰＣ及びカソード分極曲線ＣＰＣについて説明する。分極曲線には、測定試料を自然電位ＳＰから高電位側に分極させたときに得られるアノード分極曲線ＡＰＣと、測定試料をＳＰから低電位側に分極させたときに得られるカソード分極曲線ＣＰＣとがある。これらのアノード分極曲線及びカソード分極曲線は、共に、横軸を電位（Ｖ）、縦軸を電流密度（Ａ／ｃｍ^２）としたグラフ（以下、「Ｐ−ｄグラフ」という。）に描くことができる。具体的には、物質Ｘのアノード分極曲線は、Ｐ−ｄグラフにおいて、電流密度がゼロであるＰ−ｄグラフの横軸上における物質Ｘの自然電位値ＳＰ_Ｘを起点とし、このＳＰ_Ｘから高電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる物質Ｘのアノード分極曲線ＡＰＣ_Ｘとして描かれる。また、物質Ｘのカソード分極曲線は、ＳＰ_Ｘより低電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる物質Ｘのカソード分極曲線ＣＰＣ_Ｘとして描かれる。

具体的に測定したところ、純Ａｌ試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_Ａｌは、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_Ａｌ値である−０．７９４［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより高電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。また、純Ａｌ試片のカソード分極曲線ＣＰＣ_Ａｌは、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_Ａｌ値である−０．７９４［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより低電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。

同様に、Ｎｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}は、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}値である−０．６７２［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより高電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。また、カソード分極曲線ＣＰＣ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}は、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}値である−０．６７２［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより低電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。

［腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度の算出］
上記のように、純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌである−０．７９４［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］は、Ｎｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}である−０．６７２［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］よりも、卑である。このため、Ｐ−ｄグラフ上において、横軸上の純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌを起点として高電位方向に延びる純Ａｌ試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_Ａｌと、横軸上のＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}を起点として低電位方向に延びるＮｉ−Ｚｎ合金試片のカソード分極曲線ＣＰＣ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}とは、交わり、交点ＩＰを有する。このＡＰＣ_ＡｌとＣＰＣ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}との交点ＩＰにおける電流密度Ｄ_ＩＰ［Ａ／ｃｍ^２］は、純Ａｌ試片とＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度となる。そして、この腐食電流密度から、アルミニウムの腐食に要する単位時間当たりの電荷量を算出し、この単位時間当たりの電荷量と、アルミニウムのアノード反応の半反応式Ａｌ→Ａｌ^３＋＋３ｅ⁻と、ファラデー定数と、アルミニウムの密度とを用いると、アルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出することができる。

このようにして、純Ａｌ試片と実施例１のＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出した。この結果、腐食電流密度は１．７０×１０^−６［Ａ／ｃｍ^２］、アルミニウムの腐食速度は３．１２×１０^４［μｇ／年］と算出された。アルミニウムの腐食速度を、図５に「実施例１」として示す。なお、図５の横軸のタイトルである「Ｚｎ含有量」は、Ｎｉ−Ｚｎ合金中のＺｎ含有量を示す。例えば、図５でＺｎ含有量が７８質量％とは、Ｎｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金を示す。

実施例１の腐食防止めっき層３２の表面をＳＩＭ（走査イオン顕微鏡法）で観察した。結果を図６に示す。図６より、腐食防止めっき層３２を構成するＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金は、結晶粒が小さいことが分かった。図６より、実施例１の腐食防止めっき層３２では、結晶粒が微細化して粒界の面積が増えることにより粒界散乱が生じて電気抵抗が上昇するため、ガルバニック腐食電流が小さくなって腐食が抑制されるものと推測される。

［比較例１］
（圧着端子本体の用意）
実施例１と同じ純銅製の圧着端子本体３１を用意した。
（めっき浴の調製）
めっき浴の組成を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、めっき浴として亜鉛含有ワット浴を調製した。比較例１の亜鉛含有ワット浴は、表１に示す電解条件で純銅製の圧着端子本体にめっきして腐食防止めっき層を形成したときに、得られる腐食防止めっき層を構成するＺｎ−Ｎｉの質量比が表１の比較例１の欄に示す値（Ｎｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％）になるように決定したものである。

（腐食防止めっき層の形成）
電解条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして圧着端子本体３１に腐食防止めっき層を形成し、圧着端子を得た。腐食防止めっき層の厚さは２μｍであった。

（腐食防止めっき層の評価）
＜腐食防止めっき層の組成＞
得られた腐食防止めっき層について実施例１と同様にして元素の組成を分析した。この結果、腐食防止めっき層の材質は、Ｎｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金であった。測定結果を表１に示す。

（端子付き電線の形成）
実施例１と同様にして図１に示す端子付き電線１を作製した。

＜端子付き電線のガルバニック腐食におけるアルミニウムの腐食速度＞
実施例１のＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片に代えて、Ｎｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片を用いた以外は、実施例１と同様にして、Ｎｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}を測定し、同試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}及びカソード分極曲線ＣＰＣ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}を得た。

［自然電位の測定］
Ｎｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}は、−０．２１７［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］であった。

［分極曲線の作成］
Ｎｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}は、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}値である−０．２１７［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより高電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。また、カソード分極曲線ＣＰＣ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}は、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_{Ｎｉ２２％−Ｚｎ７８％}値である−０．２１７［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより低電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。

［腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度の算出］
上記のように、純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌである−０．７９４［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］は、Ｎｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}である−０．２１７［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］よりも、卑である。このため、Ｐ−ｄグラフ上において、横軸上の純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌを起点として高電位方向に延びる純Ａｌ試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_Ａｌと、横軸上のＮｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}を起点として低電位方向に延びるＮｉ−Ｚｎ合金試片のカソード分極曲線ＣＰＣ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}とは、交わり、交点ＩＰを有する。このＡＰＣ_ＡｌとＣＰＣ_{Ｎｉ８２％−Ｚｎ１８％}との交点ＩＰにおける電流密度Ｄ_ＩＰ［Ａ／ｃｍ^２］は、純Ａｌ試片とＮｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度となる。そして、この腐食電流密度から、実施例１と同様にして、アルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出することができる。

このようにして、純Ａｌ試片と比較例１のＮｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出した。この結果、腐食電流密度は２．０１×１０^−５［Ａ／ｃｍ^２］、アルミニウムの腐食速度は３．７０×１０^５［μｇ／年］と算出された。アルミニウムの腐食速度を、図５に「比較例１」として示す。

［比較例２］
（圧着端子本体の用意）
実施例１と同じ純銅製の圧着端子本体３１を用意した。
（めっき浴の調製）
めっき浴の組成を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、めっき浴として亜鉛含有ワット浴を調製した。比較例２の亜鉛含有ワット浴は、表１に示す電解条件で純銅製の圧着端子本体にめっきして腐食防止めっき層を形成したときに、得られる腐食防止めっき層を構成するＺｎ−Ｎｉの質量比が表１の比較例２の欄に示す値（Ｎｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％）になるように決定したものである。

（腐食防止めっき層の形成）
電解条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして圧着端子本体３１に腐食防止めっき層を形成し、圧着端子を得た。腐食防止めっき層の厚さは２μｍであった。

（腐食防止めっき層の評価）
＜腐食防止めっき層の組成＞
得られた腐食防止めっき層について実施例１と同様にして元素の組成を分析した。この結果、腐食防止めっき層の材質は、Ｎｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％のＮｉ−Ｚｎ合金であった。測定結果を表１に示す。

（端子付き電線の形成）
実施例１と同様にして図１に示す端子付き電線１を作製した。

＜端子付き電線のガルバニック腐食におけるアルミニウムの腐食速度＞
実施例１のＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片に代えて、Ｎｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片を用いた以外は、実施例１と同様にして、Ｎｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}を測定し、同試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}及びカソード分極曲線ＣＰＣ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}を得た。

［自然電位の測定］
Ｎｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}は、−０．１８８［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］であった。

［分極曲線の作成］
Ｎｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}は、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}値である−０．１８８［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより高電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。また、カソード分極曲線ＣＰＣ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}は、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}値である−０．１８８［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより低電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。

［腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度の算出］
上記のように、純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌである−０．７９４［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］は、Ｎｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}である−０．１８８［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］よりも、卑である。このため、Ｐ−ｄグラフ上において、横軸上の純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌを起点として高電位方向に延びる純Ａｌ試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_Ａｌと、横軸上のＮｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片の自然電位ＳＰ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}を起点として低電位方向に延びるＮｉ−Ｚｎ合金試片のカソード分極曲線ＣＰＣ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}とは、交わり、交点ＩＰを有する。このＡＰＣ_ＡｌとＣＰＣ_{Ｎｉ９３％−Ｚｎ７％}との交点ＩＰにおける電流密度Ｄ_ＩＰ［Ａ／ｃｍ^２］は、純Ａｌ試片とＮｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度となる。そして、この腐食電流密度から、実施例１と同様にして、アルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出することができる。

このようにして、純Ａｌ試片と比較例２のＮｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出した。この結果、腐食電流密度は２．１１×１０^−５［Ａ／ｃｍ^２］、アルミニウムの腐食速度は３．８８×１０^５［μｇ／年］と算出された。アルミニウムの腐食速度を、図５に「比較例２」として示す。

［比較例３］
（圧着端子本体の用意）
実施例１と同じ純銅製の圧着端子本体３１を用意した。
（めっき浴の調製）
めっき浴の組成を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして、金属亜鉛を添加しないワット浴を調製した。表１にめっき浴の組成を示す。

（腐食防止めっき層の形成）
電解条件を表１に示すように変えた以外は、実施例１と同様にして圧着端子本体３１に腐食防止めっき層を形成し、圧着端子を得た。腐食防止めっき層の厚さは２μｍであった。

（腐食防止めっき層の評価）
＜腐食防止めっき層の組成＞
得られた腐食防止めっき層について実施例１と同様にして元素の組成を分析した。この結果、腐食防止めっき層の材質は、Ｎｉ１００質量％のＮｉであった。測定結果を表１に示す。

（端子付き電線の形成）
実施例１と同様にして図１に示す端子付き電線１を作製した。

＜端子付き電線のガルバニック腐食におけるアルミニウムの腐食速度＞
実施例１のＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片に代えて、Ｎｉ１００質量％の純Ｎｉ試片を用いた以外は、実施例１と同様にして、Ｎｉ１００質量％の純Ｎｉ試片の自然電位ＳＰ_Ｎｉを測定し、同試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_Ｎｉ及びカソード分極曲線ＣＰＣ_Ｎｉを得た。

［自然電位の測定］
純Ｎｉ試片の自然電位ＳＰ_Ｎｉは、−０．１０５［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］であった。

［分極曲線の作成］
Ｎｉ１００質量％の純Ｎｉ試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_Ｎｉは、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_Ｎｉ値である−０．１０５［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより高電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。また、カソード分極曲線ＣＰＣ_Ｎｉは、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_Ｎｉ値である−０．１０５［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより低電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。

［腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度の算出］
上記のように、純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌである−０．７９４［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］は、Ｎｉ１００質量％の純Ｎｉ試片の自然電位ＳＰ_Ｎｉである−０．１０５［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］よりも、卑である。このため、Ｐ−ｄグラフ上において、横軸上の純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌを起点として高電位方向に延びる純Ａｌ試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_Ａｌと、横軸上のＮｉ１００質量％の純Ｎｉ試片の自然電位ＳＰ_Ｎｉを起点として低電位方向に延びる純Ｎｉ試片のカソード分極曲線ＣＰＣ_Ｎｉとは、交わり、交点ＩＰを有する。このＡＰＣ_ＡｌとＣＰＣ_Ｎｉとの交点ＩＰにおける電流密度Ｄ_ＩＰ［Ａ／ｃｍ^２］は、純Ａｌ試片と純Ｎｉ試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度となる。そして、この腐食電流密度から、実施例１と同様にして、アルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出することができる。

このようにして、純Ａｌ試片と比較例３のＮｉ１００質量％の純Ｎｉ試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出した。この結果、腐食電流密度は１．０７×１０^−５［Ａ／ｃｍ^２］、アルミニウムの腐食速度は１．９７×１０^５［μｇ／年］と算出された。

比較例３の腐食防止めっき層３２の表面をＳＩＭ（走査イオン顕微鏡法）で観察した。結果を図７に示す。図７より、腐食防止めっき層３２を構成するＮｉ１００質量％の純Ｎｉは、結晶粒が大きいことが分かった。

［参考例１］
＜スズめっき銅のガルバニック腐食におけるアルミニウムの腐食速度＞
従来の、純銅製の圧着端子本体３１の表面にスズめっきした圧着端子のガルバニック腐食を模して、純Ｓｎ試片を用いて自然電位を測定し、分極曲線を作成した。そして、純Ｓｎ試片の分極曲線と、実施例１の純Ａｌ試片の分極曲線と、を用いてガルバニック腐食におけるアルミニウムの腐食速度を算出した。具体的には、実施例１のＮｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金試片に代えて、Ｓｎ１００質量％の純Ｓｎ試片を用いた以外は、実施例１と同様にして、Ｓｎ１００質量％の純Ｓｎ試片の自然電位ＳＰ_Ｓｎを測定し、アノード分極曲線ＡＰＣ_Ｓｎ、及びカソード分極曲線ＣＰＣ_Ｓｎを得た。

［自然電位の測定］
純Ｓｎ試片の自然電位ＳＰ_Ｓｎは、−０．３５［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］であった。

［分極曲線の作成］
Ｓｎ１００質量％の純Ｓｎ試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_Ｓｎは、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_Ｓｎ値である−０．３５［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより高電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。また、カソード分極曲線ＣＰＣ_Ｓｎは、Ｐ−ｄグラフの横軸上における自然電位ＳＰ_Ｓｎ値である−０．３５［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］を起点としてこれより低電位方向かつ電流密度が上昇する方向に延びる曲線であった。

［腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度の算出］
上記のように、純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌである−０．７９４［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］は、Ｓｎ１００質量％の純Ｓｎ試片の自然電位ＳＰ_Ｓｎ値である−０．３５［Ｖ ｖｓ．Ａｇ−ＡｇＣｌ］よりも、卑である。このため、Ｐ−ｄグラフ上において、横軸上の純Ａｌ試片の自然電位ＳＰ_Ａｌを起点として高電位方向に延びる純Ａｌ試片のアノード分極曲線ＡＰＣ_Ａｌと、横軸上のＳｎ１００質量％の純Ｓｎ試片の自然電位ＳＰ_Ｓｎを起点として低電位方向に延びる純Ｓｎ試片のカソード分極曲線ＣＰＣ_Ｓｎとは、交わり、交点ＩＰを有する。このＡＰＣ_ＡｌとＣＰＣ_Ｓｎとの交点ＩＰにおける電流密度Ｄ_ＩＰ［Ａ／ｃｍ^２］は、純Ａｌ試片と純Ｓｎ試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度となる。そして、この腐食電流密度から、実施例１と同様にして、アルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出することができる。

このようにして、純Ａｌ試片と参考例１のＮｉ１００質量％の純Ｓｎ試片とがガルバニック腐食した場合の腐食電流密度及びアルミニウムの腐食速度［μｇ／年］を算出した。この結果、腐食電流密度は４．５３×１０^−６［Ａ／ｃｍ^２］、アルミニウムの腐食速度は８．３２×１０^４［μｇ／年］と算出された。アルミニウムの腐食速度を、図５に「参考例１」として示す。

上記のように、図５には、Ｎｉ−Ｚｎ合金の元素比率の異なる実施例１（Ｎｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％）、比較例１（Ｎｉ８２質量％−Ｚｎ１８質量％）、及び比較例２（Ｎｉ９３質量％−Ｚｎ７質量％）におけるアルミニウムの腐食速度を１点ずつ、合計３点プロットしている。そこで、これらの３点を結ぶ近似曲線Ｃを作成した。この近似曲線Ｃは、図５の横軸のＺｎ含有量をｘ［質量％］、縦軸のＡｌの腐食速度［μｇ／年］をｙとしたときに、ｙ＝−５２３０．５ｘ＋４４２５１２と表された。近似曲線Ｃを図５に示す。
次に、近似曲線Ｃと、参考例１のアルミニウムの腐食速度８．３２×１０^４［μｇ／年］とを比較し、近似曲線Ｃのうちで、参考例１のアルミニウムの腐食速度よりも腐食速度が小さくなる範囲を算出した。この結果、近似曲線Ｃのうちｘが６９質量％〜７８質量％となる範囲（図５中のＡ質量％−Ｂ質量％間の範囲Ｒ）のＮｉ−Ｚｎ合金のアルミニウムの腐食速度が、参考例１のアルミニウムの腐食速度よりも小さくなることが分かった。これは、圧着端子本体の表面に、Ｎｉ３１質量％−Ｚｎ６９質量％〜Ｎｉ２２質量％−Ｚｎ７８質量％の組成範囲内のＮｉ−Ｚｎ合金で腐食防止めっき層を形成した圧着端子は、従来の表面がスズめっきされた圧着端子に比較して、アルミニウムの腐食速度が小さいことを示す。

以上、本発明を実施形態によって説明したが、本発明はこれらに限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形が可能である。

１ 端子付き電線
２ ワイヤーハーネス
１０ 電線
１１ 導体
１２ 電線被覆材
２０ 圧着端子
２１ 電気接続部
２２ 電線接続部
２３ 繋ぎ部
２４ 導体圧着部
２５ 被覆材加締部
２６ 底板部
２７ 導体加締片
２８ 底板部
２９ 被覆材加締片
３１ 圧着端子本体
３２ 腐食防止めっき層
４０ コネクタ
４１ キャビティ

Claims (3)

1. 導体及び前記導体を覆う電線被覆材を有する電線と、
   前記電線の導体と電気的に接続される圧着端子本体と、この圧着端子本体の表面のうち少なくとも前記電線の導体と接触する部位に設けられた腐食防止めっき層と、を有する圧着端子と、
   を備え、
   前記導体は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなり、
   前記腐食防止めっき層は、Ｚｎ含有量が６９〜７８質量％のＮｉ−Ｚｎ合金からなることを特徴とする端子付き電線。
2. 前記圧着端子本体は、銅、銅合金、及びステンレスからなる群より選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１に記載の端子付き電線。
3. 請求項１又は２に記載の端子付き電線を含むことを特徴とするワイヤーハーネス。