KR102475944B1

KR102475944B1 - 구리 방열재, 캐리어 부착 동박, 커넥터, 단자, 적층체, 실드재, 프린트 배선판, 금속 가공 부재, 전자 기기, 및, 프린트 배선판의 제조 방법

Info

Publication number: KR102475944B1
Application number: KR1020150147236A
Authority: KR
Inventors: 하지메 모모이; 사토루 모리오카; 도시유키 오노; 히데타 아라이; 료 후쿠치; 아츠시 미키
Original assignee: 제이엑스금속주식회사
Priority date: 2014-10-22
Filing date: 2015-10-22
Publication date: 2022-12-08
Also published as: JP6867102B2; US20160120017A1; US9724896B2; MY169155A; TW201631165A; US10464291B2; CN105555012B; JP2016084528A; KR20160047412A; US20170291397A1; TWI670381B; CN105555012A

Abstract

양호한 방열성을 갖는 구리 방열재를 제공한다. 일방 또는 양방의 면에, Cu, Co, Ni, W, P, Zn, Cr, Fe, Sn 및 Mo 에서 선택된 1 종 이상의 금속을 함유하는 합금층이 형성되고, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 5 ㎛ 이상인 구리 방열재.

Description

구리 방열재, 캐리어 부착 동박, 커넥터, 단자, 적층체, 실드재, 프린트 배선판, 금속 가공 부재, 전자 기기, 및, 프린트 배선판의 제조 방법{COPPER HEAT DISSIPATION MATERIAL, CARRIER-ATTACHED COPPER FOIL, CONNECTOR, TERMINAL, LAMINATE, SHIELD MATERIAL, PRINTED-WIRING BOARD, METAL PROCESSED MEMBER, ELECTRONIC DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE PRINTED-WIRING BOARD}

본 발명은, 구리 방열재, 캐리어 부착 동박, 단자, 적층체, 실드재, 프린트 배선판, 금속 가공 부재, 전자 기기, 및, 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.

최근, 전자 기기의 소형화, 고정밀화에 수반하여, 사용되는 전자 부품의 발열에 의한 고장 등이 문제가 되고 있다. 특히, 성장이 현저한 전기 자동차나 하이브리드 전기 자동차에서 사용되는 전자 부품에는, 배터리부의 커넥터 등의 현저하게 높은 전류가 흐르는 부품이 있어, 통전 시의 전자 부품의 발열이 문제가 되고 있다. 또, 스마트 폰 태블릿이나 태블릿 PC 의 액정에는 액정 프레임으로 불리는 방열판이 이용되고 있다. 이 방열판에 의해, 주변에 배치된 액정 부품, IC 칩 등으로부터의 열을 외부로 방출하여, 전자 부품의 고장 등을 억제하고 있다.

일본 공개특허공보 평07-094644호 일본 공개특허공보 평08-078461호

그러나, 상기 서술한 바와 같이 최근의 전자 기기의 변화에 의해, 종래의 액정 프레임에서는, 액정 부품, IC 칩 등으로부터의 열 전도에 의한 열, 복사열, 대류열 등이 가득차지 않도록 외부로 양호하게 방출하는 기능에 대해 만족할 수 없게 되어 있다.

그래서, 본 발명은, 양호한 방열성을 갖는 구리 방열재를 제공하는 것을 과제로 한다.

본 발명자는 예의 연구를 거듭한 결과, 표면에 소정의 금속을 함유하는 합금층을 형성하고, 또한, 표면을 소정의 면 조도 Sz 로 제어함으로써, 양호한 방열성을 갖는 구리 방열재를 제공할 수 있는 것을 알아냈다.

이상의 지견을 기초로 하여 완성된 본 발명은 일 측면에 있어서, 일방 또는 양방의 면에, Cu, Co, Ni, W, P, Zn, Cr, Fe, Sn 및 Mo 에서 선택된 1 종 이상의 금속을 함유하는 합금층이 형성되고, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 5 ㎛ 이상인 구리 방열재이다.

본 발명의 구리 방열재는 일 실시형태에 있어서, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 7 ㎛ 이상이다.

본 발명의 구리 방열재는 다른 일 실시형태에 있어서, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 10 ㎛ 이상이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 14 ㎛ 이상이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 90 ㎛ 이하이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sa 가 0.13 ㎛ 이상이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sku 가 6 이상이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 표면적을 A, 평면에서 보았을 때의 면적을 B 로 한 경우의 표면적비 A/B 가 1.35 이상이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 일방 또는 양방의 표면의 JIS Z 8730 에 기초하는 색차 ΔL 이, ΔL ≤ -35 이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 일방 또는 양방의 표면의 JIS Z 8730 에 기초하는 색차 Δa 가, Δa ≤ 15 이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 일방 또는 양방의 표면의 JIS Z 8730 에 기초하는 색차 Δb 가, Δb ≤ 17 이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 일방 또는 양방의 표면의 복사율이 0.092 이상이다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 일방 또는 양방의 표면에 수지층을 구비한다.

본 발명의 구리 방열재는 또 다른 일 실시형태에 있어서, 상기 수지층이 유전체를 포함한다.

본 발명은 다른 일 측면에 있어서, 캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 동층을 이 순서로 갖는 캐리어 부착 동박으로서, 상기 극박 동층이 본 발명의 구리 방열재인 캐리어 부착 동박이다.

본 발명의 캐리어 부착 동박은 일 실시형태에 있어서, 상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 동층을 이 순서로 가지며, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 구리 방열재를 사용한 커넥터이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 구리 방열재를 사용한 단자이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 구리 방열재 또는 본 발명의 캐리어 부착 동박과, 수의적인 점착제층 혹은 접착제층과, 수지 기판 혹은 기판 혹은 케이싱 혹은 금속 가공 부재 혹은 전자 부품 혹은 전자 기기 혹은 액정 패널 혹은 디스플레이 혹은 세퍼레이터를 이 순서로 적층하여 제조한 적층체이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 적층체를 구비한 실드재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 적층체를 구비한 프린트 배선판이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 구리 방열재 또는 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 금속 가공 부재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 구리 방열재 또는 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 전자 기기이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,

상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 금속 피복 적층판을 형성하고,

그 후, 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명의 캐리어 부착 동박의 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 회로를 형성하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어 부착 동박의 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층을 형성하는 공정,

상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시키는 공정, 및,

상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시킨 후에, 상기 극박 동층 또는 상기 캐리어를 제거함으로써, 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명에 의하면, 양호한 방열성을 갖는 구리 방열재를 제공할 수 있다.

도 1 은, 실시예의 시료의 상면 모식도이다.
도 2 는, 실시예의 시료의 단면 모식도이다.

〔구리 방열재의 형태 및 제조 방법〕

본 발명에 있어서 사용하는 구리 방열재로서는, 구리 또는 구리 합금을 사용할 수 있다.

구리로서는, 전형적으로는, JIS H0500 이나 JIS H3100 에 규정되는 인탈산 동 (JIS H3100 합금 번호 C1201, C1220, C1221), 무산소동 (JIS H3100 합금 번호 C1020) 및 터프 피치동 (JIS H3100 합금 번호 C1100), 전해 동박 등의 95 질량％ 이상, 보다 바람직하게는 99.90 질량％ 이상의 순도의 구리를 들 수 있다. Sn, Ag, Au, Co, Cr, Fe, In, Ni, P, Si, Te, Ti, Zn, B, Mn 및 Zr 중의 1 종 이상을 합계로 0.001 ∼ 4.0 질량％ 함유하는 구리 또는 구리 합금으로 할 수도 있다.

구리 합금으로서는, 추가로, 인청동, 코르손 합금, 단동, 황동, 양백, 그 외 구리 합금 등을 들 수 있다. 또, 구리 또는 구리 합금으로서는 JIS H 3100 ∼ JIS H 3510, JIS H 5120, JIS H 5121, JIS C 2520 ∼ JIS C 2801, JIS E 2101 ∼ JIS E 2102 에 규격되어 있는 구리 또는 구리 합금도, 본 발명에 사용할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서는 특별히 언급하지 않는 한은, 금속의 규격을 나타내기 위해 예시한 JIS 규격은 2001 년도 판의 JIS 규격을 의미한다.

인청동은 전형적으로는, 인청동이란 구리를 주성분으로 하여 Sn 및 이것보다 적은 질량의 P 를 함유하는 구리 합금을 가리킨다. 일례로서, 인청동은 Sn 을 3.5 ∼ 11 질량％, P 를 0.03 ∼ 0.35 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 이루어지는 조성을 갖는다. 인청동은, Ni, Zn 등의 원소를 합계로 1.0 질량％ 이하 함유해도 된다.

코르손 합금은 전형적으로는 Si 와 화합물을 형성하는 원소 (예를 들어, Ni, Co 및 Cr 중 어느 1 종 이상) 가 첨가되어, 모상 중에 제 2 상 입자로서 석출되는 구리 합금을 말한다. 일례로서, 코르손 합금은 Ni, Co 및 Cr 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.5 ∼ 4.0 질량％, Si 를 0.1 ∼ 1.3 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 다른 일례로서, 코르손 합금은 Ni 및 Co 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.5 ∼ 4.0 질량％, Si 를 0.1 ∼ 1.3 질량％, Cr 을 0.03 ∼ 0.5 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 또 다른 일례로서, 코르손 합금은 Ni 를 0.5 ∼ 4.0 질량％, Si 를 0.1 ∼ 1.3 질량％, Co 를 0.5 ∼ 2.5 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 또 다른 일례로서, 코르손 합금은 Ni 를 0.5 ∼ 4.0 질량％, Si 를 0.1 ∼ 1.3 질량％, Co 를 0.5 ∼ 2.5 질량％, Cr 을 0.03 ∼ 0.5 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 또 다른 일례로서, 코르손 합금은 Si 를 0.2 ∼ 1.3 질량％, Co 를 0.5 ∼ 2.5 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 코르손 합금에는 수의 (隨意) 적으로 그 밖의 원소 (예를 들어, Mg, Sn, B, Ti, Mn, Ag, P, Zn, As, Sb, Be, Zr, Al 및 Fe) 가 첨가되어도 된다. 이들 그 밖의 원소는 총계로 5.0 질량％ 정도까지 첨가하는 것이 일반적이다. 예를 들어, 또 다른 일례로서, 코르손 합금은 Ni, Co 및 Cr 중 어느 1 종 이상을 합계로 0.5 ∼ 4.0 질량％, Si 를 0.1 ∼ 1.3 질량％, Sn 을 0.01 ∼ 2.0 질량％, Zn 을 0.01 ∼ 2.0 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다.

본 발명에 있어서, 단동이란, 구리와 아연의 합금이며 아연을 1 ∼ 20 질량％, 보다 바람직하게는 아연을 1 ∼ 10 질량％ 함유하는 구리 합금을 말한다. 또, 단동은 주석을 0.1 ∼ 1.0 질량％ 함유해도 된다.

본 발명에 있어서, 황동이란, 구리와 아연의 합금으로, 특히 아연을 20 질량％ 이상 함유하는 구리 합금을 말한다. 아연의 상한은 특별하게는 한정되지 않지만 60 질량％ 이하, 바람직하게는 45 질량％ 이하, 혹은 40 질량％ 이하이다.

본 발명에 있어서, 양백이란 구리를 주성분으로 하여, 구리를 60 질량％ 내지 75 질량％, 니켈을 8.5 질량％ 내지 19.5 질량％, 아연을 10 질량％ 내지 30 질량％ 함유하는 구리 합금을 말한다.

본 발명에 있어서, 그 외에 구리 합금이란 Zn, Sn, Ni, Mg, Fe, Si, P, Co, Mn, Zr, Ag, B, Cr 및 Ti 중 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 8.0 ％ 이하 함유하고, 잔부가 불가피적 불순물과 구리로 이루어지는 구리 합금을 말한다.

또한, 본 발명에 있어서 구리 방열재에 사용하는 구리 또는 구리 합금 대신에, 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 니켈, 니켈 합금, 마그네슘, 마그네슘 합금, 은, 은 합금, 금, 금 합금, 귀금속, 귀금속을 함유하는 합금 등의 열전도율이 양호한 금속을 사용하여, 방열재를 제작하는 것도 가능하다. 또한, 구리 방열재 및 방열재에 사용하는 금속은, 열전도율이 32 W/(m·K) 이상인 것이 바람직하다.

본 발명에 있어서 사용하는 구리 방열재의 형상으로서는, 특별히 제한은 없지만, 최종적인 전자 부품의 형상으로 가공되어 있어도 되고, 부분적으로 프레스 가공이 이루어진 상태여도 된다. 형상 가공이 실시되어 있지 않고, 시트, 판, 조(條), 박(箔), 봉, 선, 상(箱), 이나 입체적 형상 (직방체, 입방체, 다면체, 삼각뿔, 원주, 원통, 원뿔, 구(球), 요철을 갖는 입체, 평면 및/또는 곡면을 갖는 입체) 의 형태여도 된다. 또, 구리 방열재는 압연 동박 또는 전해 동박인 것이 바람직하고, 압연 동박인 것이 보다 바람직하다. 또한, 「동박」 에는 구리 합금박이 포함되는 것으로 한다.

구리 방열재의 두께에 대해서는 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 용도별로 적합한 두께로 적절히 조절하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 1 ∼ 5000 ㎛ 정도 혹은 2 ∼ 1000 ㎛ 정도로 할 수 있고, 특히 회로를 형성하여 사용하는 경우에는 35 ㎛ 이하, 실드재로서 실드 테이프를 사용하는 경우에는 18 ㎛ 이하와 같은 얇은 것으로부터, 전자 기기 내부의 커넥터나, 실드 테이프 이외의 실드재, 단자, 커버 등으로서 사용하는 경우에는 70 ∼ 1000 ㎛ 와 같은 두꺼운 재료에도 적용할 수 있고, 특별히 상한의 두께를 정하는 것은 아니다. 또한, 실드재는, 그것 단독으로 실드 용도로 제공되는 것이어도 되고, 다른 부품과 함께 구성됨으로써 실드 용도로 제공되는 실드 부품이어도 된다.

본 발명의 구리 방열재는, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz (표면의 최대 높이) 가 5 ㎛ 이상이다. 구리 방열재의 일방 또는 양방의 표면의 표면 조도 Sz 가 5 ㎛ 미만이면, 발열체로부터의 열의 방열성이 불량이 된다. 구리 방열재의 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 는, 바람직하게는 7 ㎛ 이상이며, 보다 바람직하게는 10 ㎛ 이상이며, 보다 더 바람직하게는 14 ㎛ 이상이며, 보다 더 바람직하게는 15 ㎛ 이상이며, 보다 더 바람직하게는 25 ㎛ 이상이다. 상한은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 90 ㎛ 이하여도 되고, 80 ㎛ 이하여도 되고, 70 ㎛ 이하여도 된다. 면 조도 Sz 가 90 ㎛ 를 초과하는 경우, 생산성이 낮아지는 경우가 있다.

여기서, 구리 방열재의 「표면」 이란, 기본적으로 구리 방열재의 합금층의 표면을 의미하고, 또한, 구리 방열재의 표면에 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층 등의 표면 처리층이 형성되어 있는 경우에는, 당해 표면 처리층이 형성된 후의 최표면을 의미한다.

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 표면의 표면 조도 Sa (표면의 산술 평균 조도) 가 0.13 ㎛ 이상인 것이 바람직하다. 구리 방열재의 일방 또는 양방의 표면의 표면 조도 Sa 가 0.13 ㎛ 미만이면, 발열체로부터의 열의 방열성이 저하될 우려가 있다. 구리 방열재의 일방 또는 양방의 표면의 표면 조도 Sa 는, 보다 바람직하게는 0.20 ㎛ 이상이며, 보다 더 바람직하게는 0.25 ㎛ 이상이며, 보다 더 바람직하게는 0.30 ㎛ 이상이며, 전형적으로는 0.1 ∼ 1.0 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 0.1 ∼ 0.9 ㎛ 이다.

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 표면의 Sku (표면 높이 분포의 첨도, 쿠르토시스 수) 가 6 이상인 것이 바람직하다. 구리 방열재의 일방 또는 양방의 표면의 Sku 가 6 미만이면, 발열체로부터의 열의 방열성이 저하될 우려가 있다. 구리 방열재의 일방 또는 양방의 표면의 Sku 는, 보다 바람직하게는 9 이상이며, 보다 더 바람직하게는 10 이상이며, 보다 더 바람직하게는 40 이상이며, 보다 더 바람직하게는 60 이상이며, 전형적으로는 3 ∼ 200 이며, 보다 전형적으로는 4 ∼ 180 이다.

본 발명의 구리 방열재는, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 표면적을 A, 평면에서 보았을 때의 면적을 B 로 한 경우의 표면적비 A/B 가 1.35 이상인 것이 바람직하다. 일방 또는 양방의 표면의 표면적비 A/B 가 1.35 미만이면, 발열체로부터의 열의 방열성이 저하될 우려가 있다. 표면의 표면적비 A/B 는, 보다 바람직하게는 1.36 이상이며, 보다 더 바람직하게는 1.38 이상이며, 보다 더 바람직하게는 1.40 이상이며, 보다 더 바람직하게는 1.45 이상이며, 전형적으로는 1.00 ∼ 8.00 이며, 보다 전형적으로는 1.10 ∼ 7.50 이다.

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 표면의 복사율이 0.092 이상인 것이 바람직하다. 구리 방열재의 일방 또는 양방의 표면의 복사율이 0.092 이상이면, 발열체로부터의 열을 양호하게 방열할 수 있다. 구리 방열재의 일방 또는 양방의 표면의 복사율은, 보다 바람직하게는 0.10 이상이며, 보다 더 바람직하게는 0.123 이상이며, 보다 더 바람직하게는 0.154 이상이며, 보다 더 바람직하게는 0.185 이상이며, 보다 더 바람직하게는 0.246 이상이다.

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 표면의 복사율은 특별히 상한을 규정할 필요는 없지만, 전형적으로는 1 이하이며, 보다 전형적으로는 0.99 이하이며, 보다 전형적으로는 0.95 이하이며, 보다 전형적으로는 0.90 이하이며, 보다 전형적으로는 0.85 이하이며, 보다 전형적으로는 0.80 이하이다. 또한, 구리 방열재의 일방 또는 양방의 표면의 복사율이 0.90 이하이면, 제조성이 향상된다.

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 표면의 백색판 (광원을 D65 로 하고, 10 도 시야로 했을 때에, 당해 백색판의 X₁₀Y₁₀Z₁₀표색계 (JIS Z8701 1999) 의 3 자극치는 X₁₀= 80.7, Y₁₀= 85.6, Z₁₀= 91.5 이며, L^*a^*b^*표색계에서의, 당해 백색판의 물체색은 L^*= 94.14, a^*= -0.90, b^*= 0.24 이다) 의 물체색을 기준으로 하는 색으로 했을 경우의 색차로서 JIS Z8730 에 기초하는 색차 ΔL (JIS Z8729 (2004) 에 규정하는 L^*a^*b^*표색계에 있어서의 두 개의 물체색의 CIE 명도 L^*의 차) 이, ΔL ≤ -35 인 것이 바람직하다. 이와 같이, 구리 방열재의 표면의 색차 ΔL 이, ΔL ≤ -35 이면, 발열체로부터 흡수한 열 전도에 의한 열, 복사열, 대류열 등을 양호하게 흡수 및 방열할 수 있다. 표면의 색차 ΔL 은, 보다 바람직하게는 ΔL ≤ -40 이며, 보다 더 바람직하게는 ΔL ≤ -45 이며, 보다 더 바람직하게는 ΔL ≤ -50 이며, 보다 더 바람직하게는 ΔL ≤ -60 이며, 보다 더 바람직하게는 ΔL ≤ -70 이며, 전형적으로는 -90 ≤ ΔL ≤ -5, -90 ≤ ΔL ≤ -10 이며, -88 ≤ ΔL ≤ -35, 또는, -85 ≤ ΔL ≤ -35 이다.

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 표면의 백색판 (광원을 D65 로 하고, 10 도 시야로 했을 때에, 당해 백색판의 X₁₀Y₁₀Z₁₀표색계 (JIS Z8701 1999) 의 3 자극치는 X₁₀= 80.7, Y₁₀= 85.6, Z₁₀= 91.5 이며, L^*a^*b^*표색계에서의, 당해 백색판의 물체색은 L^*= 94.14, a^*= -0.90, b^*= 0.24 이다) 의 물체색을 기준으로 하는 색으로 했을 경우의 색차로서 JIS Z8730 에 기초하는 색차 Δa (JIS Z8729 (2004) 에 규정하는 L^*a^*b^*표색계에 있어서의 두 개의 물체색의 색 좌표 a^*의 차) 가, Δa ≤ 15 인 것이 바람직하다. 이와 같이, 구리 방열재의 표면의 색차 Δa 가, Δa ≤ 15 이면, 발열체로부터 흡수한 열 전도에 의한 열, 복사열, 대류열 등을 양호하게 흡수할 수 있다. 표면의 색차 Δa 는, 보다 바람직하게는 Δa ≤ 10 이며, 보다 더 바람직하게는 Δa ≤ 5 이며, 보다 더 바람직하게는 Δa ≤ 4 이며, 전형적으로는 -10 ≤ Δa ≤ 15 이며, 보다 전형적으로는 -8 ≤ Δa ≤ 15 이다.

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 표면의 백색판 (광원을 D65 로 하고, 10 도 시야로 했을 때에, 당해 백색판의 X₁₀Y₁₀Z₁₀표색계 (JIS Z8701 1999) 의 3 자극치는 X₁₀= 80.7, Y₁₀= 85.6, Z₁₀= 91.5 이며, L^*a^*b^*표색계에서의, 당해 백색판의 물체색은 L^*= 94.14, a^*= -0.90, b^*= 0.24 이다) 의 물체색을 기준으로 하는 색으로 했을 경우의 색차로서 JIS Z8730 에 기초하는 색차 Δb (JIS Z8729 (2004) 에 규정하는 L^*a^*b^*표색계에 있어서의 두 개의 물체색의 색 좌표 b^*의 차) 가, Δb ≤ 17 인 것이 바람직하다. 이와 같이, 구리 방열재의 표면의 색차 Δb 가, Δb ≤ 17 이면, 발열체로부터 흡수한 열 전도에 의한 열, 복사열, 대류열 등을 양호하게 흡수할 수 있다. 표면의 색차 Δb 는, 보다 바람직하게는 Δb ≤ 15 이며, 보다 더 바람직하게는 Δb ≤ 5 이며, 보다 더 바람직하게는 Δb ≤ 3 이며, 전형적으로는 -15 ≤ Δb ≤ 17 이며, 보다 전형적으로는 -10 ≤ Δb ≤ 17 이다.

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 표면의 백색판 (광원을 D65 로 하고, 10 도 시야로 했을 때에, 당해 백색판의 X₁₀Y₁₀Z₁₀표색계 (JIS Z8701 1999) 의 3 자극치는 X₁₀= 80.7, Y₁₀= 85.6, Z₁₀= 91.5 이며, L^*a^*b^*표색계에서의, 당해 백색판의 물체색은 L^*= 94.14, a^*= -0.90, b^*= 0.24 이다) 의 물체색을 기준으로 하는 색으로 했을 경우의 색차로서 JIS Z8730 에 기초하는 색차 ΔE^*ab 가, 47 ≤ ΔE^*ab 인 것이 바람직하다. 이와 같이, 구리 방열재의 표면의 색차 ΔE^*ab 가, 47 ≤ ΔE^*ab 이면, 발열체로부터 흡수한 열 전도에 의한 열, 복사열, 대류열 등을 양호하게 흡수할 수 있다. 표면의 색차 ΔE^*ab 는, 보다 바람직하게는 50 ≤ ΔE^*ab 이며, 보다 더 바람직하게는 55 ≤ ΔE^*ab 이며, 보다 더 바람직하게는 60 ≤ ΔE^*ab 이며, 보다 더 바람직하게는 71 ≤ ΔE^*ab 이며, 전형적으로는 47 ≤ ΔE^*ab ≤ 90 이며, 보다 전형적으로는 47 ≤ ΔE^*ab ≤ 88 이며, 보다 전형적으로는 47 ≤ ΔE^*ab ≤ 85 이다.

여기서, 전술한 색차 ΔL, Δa, Δb 는, 각각 색차계로 측정되어, 흑/백/적/녹/황/청을 가미하고, JIS Z8730 (2009) 에 기초하는 L^*a^*b^*표색계를 사용하여 나타내는 종합 지표로, ΔL ： 흑백, Δa ： 적녹, Δb ： 황청으로서 나타낸다. 또, ΔE^*ab 는 이들의 색차를 사용하여 하기 식으로 나타낸다. 당해 색차 (ΔL, Δa, Δb) 는, HunterLab 사 제조 색차계 MiniScan XE Plus 를 사용하여 측정할 수 있다.

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 면에, Cu, Co, Ni, W, P, Zn, Cr, Fe, Sn 및 Mo 에서 선택된 1 종 이상의 금속을 함유하는 합금층이 형성되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 상기 서술한 색차 그리고 표면 조도를 조정할 수 있고, 색차의 조정에 의해 발열체로부터 흡수한 열 전도에 의한 열, 복사열, 대류열 등을 양호하게 흡수할 수 있다. 또한, 당해 합금층은 전기 도금, 무전해 도금 및 침지 도금과 같은 습식 도금, 혹은 스퍼터링, CVD 및 PDV 와 같은 건식 도금에 의해 형성할 수 있다. 비용의 관점에서 전기 도금이 바람직하다.

본 발명의 구리 방열재의 합금층은, 예를 들어, 이하의 도금 조건을 단독으로, 또는, 조합, 또한 그 처리 횟수도 제어함으로써 형성할 수 있다. 또한, 본 발명에 사용되는, 디스미어 처리, 전해, 표면 처리 또는 도금 등에 사용되는 처리액의 잔부는 특별히 명기하지 않는 한 물이다.

(합금층 형성 도금 조건 1 ： Cu 층)

·도금액 조성 ： Cu 농도 5 ∼ 20 g/ℓ

·pH ： 1.0 ∼ 5.0

·온도 ： 25 ∼ 55 ℃

·전류 밀도 ： 2 ∼ 70 A/d㎡

·도금 시간 ： 0.2 ∼ 20 초

(합금층 형성 도금 조건 2 ： Cu-Co-Ni 층)

·도금액 조성 ： Cu 농도 10 ∼ 20 g/ℓ, Co 농도 5 ∼ 10 g/ℓ, Ni 농도 5 ∼ 10 g/ℓ

·pH ： 2.0 ∼ 6.0

·온도 ： 25 ∼ 55 ℃

·전류 밀도 ： 10 ∼ 60 A/d㎡

·도금 시간 ： 0.3 ∼ 10 초

(합금층 형성 도금 조건 3 ： Cu-Co-Ni-P 층)

·도금액 조성 ： Cu 농도 10 ∼ 20 g/ℓ, Co 농도 5 ∼ 10 g/ℓ, Ni 농도 5 ∼ 10 g/ℓ, P 농도 10 ∼ 800 mg/ℓ

·pH ： 2.0 ∼ 6.0

·온도 ： 25 ∼ 55 ℃

·전류 밀도 ： 10 ∼ 60 A/d㎡

·도금 시간 ： 0.3 ∼ 10 초

(합금층 형성 도금 조건 4 ： Ni-Zn 층)

·도금액 조성 ： Ni 농도 10 ∼ 60 g/ℓ, Zn 농도 5 ∼ 30 g/ℓ

·pH ： 3.5 ∼ 6.0

·온도 ： 25 ∼ 55 ℃

·전류 밀도 ： 0.2 ∼ 3.0 A/d㎡

·도금 시간 ： 4 ∼ 181 초

(합금층 형성 도금 조건 5 ： Cu-Ni-P 층)

·도금액 조성 ： Cu 농도 5 ∼ 15 g/ℓ, Ni 농도 10 ∼ 30 g/ℓ, P 농도 10 ∼ 800 mg/ℓ

·pH ： 2.0 ∼ 5.0

·온도 ： 25 ∼ 55 ℃

·전류 밀도 ： 10 ∼ 60 A/d㎡

·도금 시간 ： 0.2 ∼ 10 초

상기 합금층 형성 도금 조건 1 ∼ 3, 5 에 의해, 합금층을 형성하는 경우에는 표면 처리를 복수회로 나누어 실시하는 것이 필요하다.

(합금층 형성 도금 조건 6 ： Cr-Zn 층)

·도금액 조성 ： Cr 농도 2 ∼ 8 g/ℓ, Zn 농도 0.1 ∼ 1.0 g/ℓ

·pH ： 2.0 ∼ 4.0

·온도 ： 40 ∼ 60 ℃

·전류 밀도 ： 0.5 ∼ 3.0 A/d㎡

·도금 시간 ： 0.2 ∼ 10 초

(합금층 형성 도금 조건 7 ： Cu-Ni-W 층)

·도금액 조성 ： Cu 농도 5 ∼ 15 g/ℓ, Ni 농도 10 ∼ 40 g/ℓ, W 농도 10 ∼ 1000 mg/ℓ

·pH ： 2.0 ∼ 4.0

·온도 ： 40 ∼ 60 ℃

·전류 밀도 ： 10 ∼ 60 A/d㎡

·도금 시간 ： 0.2 ∼ 10 초

(합금층 형성 도금 조건 8 ： Ni-W-Sn 층)

·도금액 조성 ： Ni 농도 10 ∼ 50 g/ℓ, W 농도 300 ∼ 3000 mg/ℓ, Sn 농도 100 ∼ 1000 mg/ℓ

·pH ： 3.0 ∼ 6.5

·온도 ： 40 ∼ 60 ℃

·전류 밀도 ： 0.1 ∼ 4.0 A/d㎡

·도금 시간 ： 10 ∼ 60 초

(합금층 형성 도금 조건 7 ： Cu-Ni-Mo-Fe 층)

·도금액 조성 ： Cu 농도 5 ∼ 15 g/ℓ, Ni 농도 10 ∼ 40 g/ℓ, Mo 농도 50 ∼ 5000 mg/ℓ, Fe 농도 0.5 ∼ 5.0 g/ℓ

·pH ： 2.0 ∼ 5.0

·온도 ： 40 ∼ 60 ℃

·전류 밀도 ： 10 ∼ 60 A/d㎡

·도금 시간 ： 5 ∼ 30 초

또한, 합금층을 형성하는 도금액에는 공지된 첨가제를 사용해도 된다. 예를 들어, 첨가제로서 금속 이온의 석출을 촉진하는 첨가제나, 금속 이온을 도금액 중에서 안정적으로 존재시키도록 하는 첨가제, 금속 이온의 석출을 균일하게 하는 첨가제, 레벨러제, 광택제 등을 사용해도 된다.

예를 들어 첨가제로서, 염소, 비스(3술포프로필)디술파이드), 아민 화합물, 아교, 셀룰로오스, 에틸렌글리콜, 티오우레아, 술파이드류, 유기 황 화합물 등을 사용해도 된다. 첨가제의 농도는 통상적으로 사용되는 농도로 하면 된다. 당해 첨가제를 첨가함으로써, 표면의 색조나, 요철 상태를 제어할 수 있다.

상기 합금층을 사용하는 경우, 합금층에 함유되는 Co, Ni, W, P, Zn, Cr, Fe, Sn 및 Mo 에서 선택된 1 종 이상의 금속의 합계 부착량은 0.1 ∼ 100000 ㎍/d㎡ 인 것이 바람직하고, 5 ∼ 80000 ㎍/d㎡ 인 것이 바람직하고, 10 ∼ 85000 ㎍/d㎡ 인 것이 바람직하고, 100 ∼ 80000 ㎍/d㎡ 인 것이 바람직하다. 0.1 ㎍/d㎡ 를 밑도는 경우에는, 합금층을 형성하는 것에 의한 효과가 작아지는 경우가 있다. 또, 100000 ㎍/d㎡ 를 초과하는 경우에는 생산성이 저하되는 경우가 있다. 또, 구리 방열재에 회로를 형성하고, 당해 회로를 사용하여 고주파 신호를 전송하는 것 등에 사용되는 경우에는, 합금층에 함유되는 Ni 의 부착량의 상한은 4000 ㎍/d㎡ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 1400 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 1000 ㎍/d㎡ 이하로 할 수 있다. Ni 부착량의 하한은 전형적으로는 50 ㎍/d㎡ 이상, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡, 보다 바람직하게는 300 ㎍/d㎡ 이상으로 할 수 있다. 즉, 합금층에 함유되는 Ni 의 부착량은 전형적으로는 50 ㎍/d㎡ 이상 4000 ㎍/d㎡ 이하이다.

또, 구리 방열재에 회로를 형성하고, 당해 회로를 사용하여 고주파 신호를 전송하는 것 등에 사용되는 경우에는, 상기 합금층에 함유되는 Co, Fe 및 Mo 의 부착량의 상한은 각각 6000 ㎍/d㎡ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 5000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 3000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 2400 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 2000 ㎍/d㎡ 이하로 할 수 있다. Co 부착량의 하한은 전형적으로는 50 ㎍/d㎡ 이상, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡, 보다 바람직하게는 300 ㎍/d㎡ 이상으로 할 수 있다. 즉, 합금층에 함유되는 Co 의 부착량은 전형적으로는 50 ㎍/d㎡ 이상 6000 ㎍/d㎡ 이하이다. 또, 상기 합금층이 Cu-Co-Ni 합금 도금층 이외에, Co 및/또는 Ni 를 함유하는 층을 갖는 경우에는, 합금층 전체에 있어서의 Ni 의 합계 부착량 및 Co 의 합계 부착량을 전술한 범위로 할 수 있다.

상기 합금층에 Cu 가 함유되는 경우, 특히 그 상한은 설정할 필요는 없지만, 전형적으로는 100 mg/d㎡ 이하, 보다 전형적으로는 90 mg/d㎡ 이하, 보다 전형적으로는 80 mg/d㎡ 이하이다. 또, 상기 합금층에 Cu 가 함유되는 경우, 특히 그 하한은 설정할 필요는 없지만, 전형적으로는 0.01 ㎍/d㎡ 이상이며, 보다 전형적으로는 0.1 ㎍/d㎡ 이상이며, 보다 전형적으로는 1 ㎍/d㎡ 이상이며, 전형적으로는 0.01 ㎍/d㎡ 이상 100 mg/d㎡ 이하이다.

또, 구리 방열재에 사용하는 구리 또는 구리 합금의 표면 또는 합금층의 표면에 표면 처리층을 형성해도 된다. 표면 처리층은 조화 처리층, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층, 도금층이어도 된다. 표면 처리층은, 구리 방열재의 표면에 흑색 수지를 형성함으로써 구성해도 된다. 흑색 수지는, 예를 들어 에폭시 수지에 흑색 도료를 스며들게 하여 소정의 두께만큼 도포하여 건조시킴으로써 형성할 수 있다.

＜표면 처리층＞

구리 방열재에 사용하는 구리 또는 구리 합금의 표면 또는 합금층의 표면에는, 예를 들어 접착제층과의 밀착성을 양호하게 하는 것 등을 위해서 조화 처리를 실시함으로써 조화 처리층을 형성해도 된다. 조화 처리는, 예를 들어, 구리 또는 구리 합금으로 조화 입자를 형성함으로써 실시할 수 있다. 조화 처리는 미세한 것이어도 된다. 조화 처리층은, 구리, 니켈, 코발트, 인, 텅스텐, 비소, 몰리브덴, 크롬 및 아연으로 이루어지는 군에서 선택된 어느 것의 단체 또는 어느 1 종 이상을 함유하는 합금으로 이루어지는 층 등이어도 된다. 또, 구리 또는 구리 합금으로 조화 입자를 형성한 후, 추가로 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 2 차 입자나 3 차 입자를 형성하는 조화 처리를 실시할 수도 있다. 그 후에, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 또는 방청층을 형성해도 되고, 추가로 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 또는 조화 처리를 실시하지 않고, 니켈, 코발트, 구리, 아연의 단체 또는 합금 등으로 내열층 또는 방청층을 형성하고, 추가로 그 표면에 크로메이트 처리, 실란 커플링 처리 등의 처리를 실시해도 된다. 즉, 조화 처리층 또는 합금층의 표면에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 되고, 구리 방열재에 사용하는 구리 또는 구리 합금의 표면 또는 합금층에, 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층 및 실란 커플링 처리층으로 이루어지는 군에서 선택된 1 종 이상의 층을 형성해도 된다. 또한, 상기 서술한 내열층, 방청층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층은 각각 복수의 층으로 형성되어도 된다 (예를 들어 2 층 이상, 3 층 이상 등).

여기서 크로메이트 처리층이란 무수 크롬산, 크롬산, 2 크롬산, 크롬산염 또는 2 크롬산염을 함유하는 액으로 처리된 층을 말한다. 크로메이트 처리층은 코발트, 철, 니켈, 몰리브덴, 아연, 탄탈, 구리, 알루미늄, 인, 텅스텐, 주석, 비소 및 티탄 등의 원소 (금속, 합금, 산화물, 질화물, 황화물 등 어떠한 형태여도 된다) 를 함유해도 된다. 크로메이트 처리층의 구체예로서는, 무수 크롬산 또는 2 크롬산칼륨 수용액으로 처리한 크로메이트 처리층이나, 무수 크롬산 또는 2 크롬산칼륨 및 아연을 함유하는 처리액으로 처리한 크로메이트 처리층 등을 들 수 있다.

내열층, 방청층으로서는 공지된 내열층, 방청층을 사용할 수 있다. 예를 들어, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 층이어도 되고, 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소로 이루어지는 금속층 또는 합금층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈, 아연, 주석, 코발트, 몰리브덴, 구리, 텅스텐, 인, 비소, 크롬, 바나듐, 티탄, 알루미늄, 금, 은, 백금족 원소, 철, 탄탈의 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 함유하는 산화물, 질화물, 규화물을 함유해도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금을 함유하는 층이어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은 니켈-아연 합금층이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층은, 불가피 불순물을 제외하고, 니켈을 50 wt％ ∼ 99 wt％, 아연을 50 wt％ ∼ 1 wt％ 함유하는 것이어도 된다. 상기 니켈-아연 합금층의 아연 및 니켈의 합계 부착량이 5 ∼ 1000 mg/㎡, 바람직하게는 10 ∼ 500 mg/㎡, 바람직하게는 20 ∼ 100 mg/㎡ 여도 된다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량과 아연의 부착량의 비 (= 니켈의 부착량/아연의 부착량) 가 1.5 ∼ 10 인 것이 바람직하다. 또, 상기 니켈-아연 합금을 함유하는 층 또는 상기 니켈-아연 합금층의 니켈의 부착량은 0.5 mg/㎡ ∼ 500 mg/㎡ 인 것이 바람직하고, 1 mg/㎡ ∼ 50 mg/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 내열층 및/또는 방청층이 니켈-아연 합금을 함유하는 층인 경우, 스루홀이나 비아홀 등의 내벽부가 디스미어액과 접촉했을 때에 구리 또는 구리 합금 또는 합금층과 수지 기판의 계면이 디스미어액에 잘 침식되지 않아, 구리 또는 구리 합금 또는 합금층과 수지 기판의 밀착성이 향상된다.

예를 들어 내열층 및/또는 방청층은, 부착량이 1 mg/㎡ ∼ 100 mg/㎡, 바람직하게는 5 mg/㎡ ∼ 50 mg/㎡ 의 니켈 또는 니켈 합금층과, 부착량이 1 mg/㎡ ∼ 80 mg/㎡, 바람직하게는 5 mg/㎡ ∼ 40 mg/㎡ 의 주석층을 순차 적층한 것이어도 되고, 상기 니켈 합금층은 니켈-몰리브덴, 니켈-아연, 니켈-몰리브덴-코발트 중 어느 1 종에 의해 구성되어도 된다. 또, 내열층 및/또는 방청층은, 니켈 또는 니켈 합금과 주석의 합계 부착량이 2 mg/㎡ ∼ 150 mg/㎡ 인 것이 바람직하고, 10 mg/㎡ ∼ 70 mg/㎡ 인 것이 보다 바람직하다. 또, 내열층 및/또는 방청층은,［니켈 또는 니켈 합금 중의 니켈 부착량］/［주석 부착량］= 0.25 ∼ 10 인 것이 바람직하고, 0.33 ∼ 3 인 것이 보다 바람직하다. 당해 내열층 및/또는 방청층을 사용하면 캐리어 부착 동박을 프린트 배선판에 가공하여 이후의 회로의 박리 강도, 당해 박리 강도의 내약품성 열화율 등이 양호하게 된다.

또한, 실란 커플링 처리에 사용되는 실란 커플링제에는 공지된 실란 커플링제를 사용해도 되고, 예를 들어 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제, 메르캅토계 실란 커플링제를 사용해도 된다. 또, 실란 커플링제에는 비닐트리메톡시실란, 비닐페닐트리메톡시실란, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, 4-글리시딜부틸트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)부톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란, 이미다졸실란, 트리아진실란, γ-메르캅토프로필트리메톡시실란 등을 사용해도 된다.

상기 실란 커플링 처리층은, 에폭시계 실란, 아미노계 실란, 메타크릴옥시계 실란, 메르캅토계 실란 등의 실란 커플링제 등을 사용하여 형성해도 된다. 또한, 이와 같은 실란 커플링제는, 2 종 이상 혼합하여 사용해도 된다. 그 중에서도, 아미노계 실란 커플링제 또는 에폭시계 실란 커플링제를 사용하여 형성한 것인 것이 바람직하다.

여기서 말하는 아미노계 실란 커플링제란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 아미노프로필트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, N-(3-아크릴옥시-2-하이드록시프로필)-3-아미노프로필트리에톡시실란, 4-아미노부틸트리에톡시실란, (아미노에틸아미노메틸)페네틸트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸-3-아미노프로필)트리스(2-에틸헥속시)실란, 6-(아미노헥실아미노프로필)트리메톡시실란, 아미노페닐트리메톡시실란, 3-(1-아미노프로폭시)-3,3-디메틸-1-프로페닐트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리스(메톡시에톡시에톡시)실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, ω-아미노운데실트리메톡시실란, 3-(2-N-벤질아미노에틸아미노프로필)트리메톡시실란, 비스(2-하이드록시에틸)-3-아미노프로필트리에톡시실란, (N,N-디에틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, (N,N-디메틸-3-아미노프로필)트리메톡시실란, N-메틸아미노프로필트리메톡시실란, N-페닐아미노프로필트리메톡시실란, 3-(N-스티릴메틸-2-아미노에틸아미노)프로필트리메톡시실란, γ-아미노프로필트리에톡시실란, N-β(아미노에틸)γ-아미노프로필트리메톡시실란, N-3-(4-(3-아미노프로폭시)부톡시)프로필-3-아미노프로필트리메톡시실란으로 이루어지는 군에서 선택되는 것이어도 된다.

실란 커플링 처리층은, 규소 원자 환산으로, 0.05 mg/㎡ ∼ 200 mg/㎡, 바람직하게는 0.15 mg/㎡ ∼ 20 mg/㎡, 바람직하게는 0.3 mg/㎡ ∼ 2.0 mg/㎡ 의 범위로 형성되어 있는 것이 바람직하다. 전술한 범위의 경우, 구리 방열재에 사용되는 구리 또는 구리 합금 또는 합금층과 접착제층의 밀착성을 보다 향상시킬 수 있다.

또, 구리 방열재에 사용되는 구리 또는 구리 합금, 합금층, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 실란 커플링 처리층 또는 크로메이트 처리층의 표면에, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 특허 제4828427호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 특허 제5046927호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 특허 제5180815호, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재된 표면 처리를 실시할 수 있다.

본 발명의 구리 방열재는, 전술한 합금층을 형성하기 전의 구리 기재의 표면을 이하와 같이 조정한다. 구리 방열재의 표면을 소정의 Sz, Sa, Sku, ΔE^*ab, ΔL, Δa, Δb, 표면적비의 상태로 제어하기 위함이다.

구리 기재로서 압연재를 사용하는 경우에는, 당해 압연재는 이하의 식으로 나타내는 유막 당량을 제어하여 압연된 것을 사용한다.

유막 당량 =｛(압연유 점도 [cSt]) × (통판 속도 [mpm] ＋ 롤 주속도 [mpm])｝/｛(롤의 물림각 [rad]) × (재료의 항복 응력 [kg/㎟])｝

압연유 점도 [cSt] 는 40 ℃ 에서의 동점도이다.

구체적으로는, 최종 냉간 압연 시의 유막 당량을 16000 ∼ 30000 으로 하여 압연한 압연재를 본 발명의 구리 기재로서 사용한다. 16000 미만의 경우나, 30000 초과의 경우에는, 전술한 합금층을 형성한 후의 표면이 소정의 범위가 되지 않기 때문이다. 16000 미만의 경우에는, Sz 의 값이 너무 작아지는 경우가 있다. 30000 초과의 경우에는 Sz 의 값이 너무 커지는 경우가 있다.

유막 당량을 16000 ∼ 30000 으로 하기 위해서는, 저점도의 압연유를 사용하거나, 통판 속도를 느리게 하거나 하는 등, 공지된 방법을 이용하면 된다.

또, 본원 발명에 사용할 수 있는 전해 동박의 제조 조건을 이하에 나타낸다.

＜전해액 조성＞

구리 ： 90 ∼ 110 g/ℓ

황산 ： 90 ∼ 110 g/ℓ

염소 ： 50 ∼ 100 ppm

레벨링제 1 (비스(3술포프로필)디술파이드) ： 10 ∼ 30 ppm

레벨링제 2 (아민 화합물) ： 10 ∼ 30 ppm

상기의 아민 화합물에는 이하의 화학식의 아민 화합물을 사용할 수 있다.

(상기 화학식 중, R₁ 및 R₂는 하이드록시알킬기, 에테르기, 아릴기, 방향족 치환 알킬기, 불포화 탄화수소기, 알킬기로 이루어지는 1 군에서 선택되는 것이다.)

＜제조 조건＞

전류 밀도 ： 70 ∼ 100 A/d㎡

전해액 온도 ： 50 ∼ 60 ℃

전해액 선속 ： 3 ∼ 5 m/sec

전해 시간 ： 0.5 ∼ 10 분간

또한, 구리 방열재에 사용하는 구리 또는 구리 합금의 표면은 이하의 처리에 의해 표면 상태를 제어해도 된다. 표면 처리로서, 구리 또는 구리 합금의 표면에 요철을 형성하기 위한 표면 처리를 실시해도 된다. 구리 또는 구리 합금의 표면에 요철을 형성하기 위한 표면 처리로서는, 화학 연마나, 전해 연마에 의한 표면 처리를 실시해도 된다. 화학 연마에 사용하는 처리액으로서는, 황산, 과산화수소를 함유하는 에칭액이나, 불화암모늄을 함유하는 에칭액, 과황산나트륨을 함유하는 에칭액, 염화 제 2 철이나 염화 제 2 구리를 함유하는 에칭액 등, 통상적으로 에칭에 사용하는 액을 사용해도 되고, 공지된 에칭액을 사용해도 된다. 또, 예를 들어, 황산 구리와 황산 수용액으로 이루어지는 용액 중에서, 구리 또는 구리 합금의 표면을 전해 연마함으로써, 표면에 요철을 형성시킬 수 있다. 일반적으로 전해 연마는 평활화를 목적으로 하지만, 본 발명의 구리 방열재에 사용하는 구리 또는 구리 합금의 표면의 표면 처리에서는 전해 연마에 의해 요철을 형성하므로, 통상과는 반대의 사고 방식이다. 전해 연마에 의해 요철을 형성하는 방법은 공지된 기술로 실시해도 된다. 상기 요철을 형성하기 위한 전해 연마의 공지된 기술의 예로서는 일본 공개특허공보 2005-240132, 일본 공개특허공보 2010-059547, 일본 공개특허공보 2010-047842 에 기재된 방법을 들 수 있다. 전해 연마로 요철을 형성시키는 처리의 구체적인 조건으로서는, 예를 들어,

·처리 용액 ： Cu ： 10 ∼ 40 g/ℓ, H₂SO₄ ： 50 ∼ 150 g/ℓ, 온도 ： 30 ∼ 70 ℃

·전해 연마 전류 ： 5 ∼ 40 A/d㎡

·전해 연마 시간 ： 5 ∼ 50 초

등을 들 수 있다.

구리 또는 구리 합금의 표면에 요철을 형성하기 위한 표면 처리로서는, 예를 들어, 구리 또는 구리 합금의 표면을 기계 연마함으로써 요철을 형성해도 된다. 기계 연마는 공지된 기술로 실시해도 된다.

또한, 본 발명의 구리 방열재에 사용하는 구리 또는 구리 합금의 표면의 표면 처리 후에, 내열층이나 방청층이나 내후성층을 형성해도 된다. 내열층이나 방청층 및 내후성층은, 상기 기재나 실험예 기재의 방법이어도 되고, 공지된 기술의 방법이어도 된다.

본 발명의 구리 방열재는, 구리 방열재의 합금층의 표면에, 추가로, 조화 처리층, 내열 처리층, 방청 처리층, 산화물층 (구리 방열재의 표면에, 가열 등에 의해 산화물층을 형성) 등의 표면 처리층이 형성된 것이어도 된다. 또, 구리 방열재와 합금층의 사이에는, 합금층을 구성하는 도금을 저해하지 않는 한, 하지층을 형성해도 된다.

본 발명의 구리 방열재를 수지 기판에 첩합(貼合)하여 실드 테이프를 비롯한 실드재, 실드 부품 등의 적층체를 제조할 수 있다. 또, 필요하면 추가로 당해 구리 방열재를 가공하여 회로를 형성함으로써, 프린트 배선판 등을 제조할 수 있다. 수지 기판으로서는, 예를 들어, 리지드 PWB 용으로 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유 천 기재 에폭시 수지, 유리 천·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리 천·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리 천 기재 에폭시 수지 등을 사용하고, FPC 용이나 테이프용으로서 폴리에스테르 필름이나 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP), PET 필름 등을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 「프린트 배선판」 에는 부품이 장착된 프린트 배선판 및 프린트 회로판 및 프린트 기판도 포함되는 것으로 한다. 또, 본 발명의 프린트 배선판을 2 개 이상 접속하여, 프린트 배선판이 2 개 이상 접속한 프린트 배선판을 제조할 수 있고, 또, 본 발명의 프린트 배선판을 적어도 1 개와, 또 하나의 본 발명의 프린트 배선판 또는 본 발명의 프린트 배선판에 해당하지 않는 프린트 배선판을 접속할 수 있고, 이와 같은 프린트 배선판을 사용하여 전자 기기를 제조할 수도 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 「구리 회로」 에는 구리 배선도 포함되는 것으로 한다.

또, 본 발명의 구리 방열재는 방열판, 구조판, 실드재, 실드판, 실드 부품, 보강재, 커버, 케이싱, 케이스, 상자 등에 사용하여 금속 가공 부재를 제작할 수 있다. 본 발명의 구리 방열재는 발열체로부터의 열의 흡수성 및 흡수한 열의 방열성이 양호하기 때문에, 방열용 구리 방열재로서 매우 우수하므로 방열판으로서 사용하는 것이 특히 바람직하다. 금속 가공 부재는 방열판, 구조판, 실드재, 실드판, 실드 부품, 보강재, 커버, 케이싱, 케이스 및 상자를 포함하는 것으로 한다.

또, 본 발명의 구리 방열재를 당해 방열판, 구조판, 실드재, 실드판, 실드 부품, 보강재, 커버, 케이싱, 케이스, 상자 등에 사용하여 제작한 금속 가공 부재를 전자 기기에 사용할 수 있다.

〔캐리어 부착 동박〕

본 발명의 다른 실시형태인 캐리어 부착 동박은, 캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 동층을 이 순서로 갖는다. 그리고, 상기 극박 동층이 전술한 본 발명의 하나의 실시형태인 구리 방열재이다. 당해 캐리어 부착 동박의 「동박」 은, 구리 합금박도 포함한다.

＜캐리어＞

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어는 전형적으로는 금속박 또는 수지 필름이며, 예를 들어 동박, 구리 합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 철박, 철 합금박, 스테인리스박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 절연 수지 필름 (예를 들어 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리아미드 필름, 폴리에스테르 필름, 불소 수지 필름 등) 의 형태로 제공된다.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어로서는 동박을 사용하는 것이 바람직하다. 동박은 전기 전도도가 높기 때문에, 그 후의 중간층, 극박 동층의 형성이 용이해지기 때문이다. 캐리어는 전형적으로는 압연 동박이나 전해 동박의 형태로 제공된다. 일반적으로는, 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스의 드럼 상에 구리를 전해 석출하여 제조되고, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성 가공과 열 처리를 반복하여 제조된다. 동박의 재료로서는 터프 피치동이나 무산소동과 같은 고순도의 구리 외에, 예를 들어 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리 합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 코르손계 구리 합금과 같은 구리 합금도 사용 가능하다.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 캐리어로서의 역할을 다하는데 있어서 적합한 두께로 적절히 조절하면 되고, 예를 들어 5 ㎛ 이상으로 할 수 있다. 단, 너무 두꺼우면 생산 코스트가 높아지므로 일반적으로는 35 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 캐리어의 두께는 전형적으로는 12 ∼ 70 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 18 ∼ 35 ㎛ 이다.

표면 처리한 후의 극박 동층 표면의 Sz, Sa, Sku, 표면적비 A/B 의 제어는, 상기 서술한 구리 방열재와 동일한 표면 처리에 의해 실시할 수 있다.

또, 이하의 방법으로 제작할 수 있는 전해 동박을 캐리어로서 사용할 수 있다.

＜전해액 조성＞

구리 ： 90 ∼ 110 g/ℓ

황산 ： 90 ∼ 110 g/ℓ

염소 ： 50 ∼ 100 ppm

레벨링제 1 (비스(3술포프로필)디술파이드) ： 10 ∼ 30 ppm

레벨링제 2 (아민 화합물) ： 10 ∼ 30 ppm

＜제조 조건＞

전류 밀도 ： 70 ∼ 100 A/d㎡

전해액 온도 ： 50 ∼ 60 ℃

전해액 선속 ： 3 ∼ 5 m/sec

전해 시간 ： 0.5 ∼ 10 분간 (석출시키는 구리 두께, 전류 밀도에 따라 조정)

또한, 캐리어의 극박 동층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성해도 된다. 당해 조화 처리층을 공지된 방법을 사용하여 형성해도 되고, 상기 서술한 조화 처리에 의해 형성해도 된다. 캐리어의 극박 동층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성하는 것은, 캐리어를 당해 조화 처리층을 갖는 표면측으로부터 수지 기판 등의 지지체에 적층할 때, 캐리어와 수지 기판이 박리되기 어려워진다는 이점을 갖는다.

＜중간층＞

캐리어 위에는 중간층을 형성한다. 캐리어와 중간층의 사이에 다른 층을 형성해도 된다. 본 발명에서 사용하는 중간층은, 캐리어 부착 동박이 절연 기판에 대한 적층 공정 전에는 캐리어로부터 극박 동층이 박리되기 어려운 한편, 절연 기판에 대한 적층 공정 후에는 캐리어로부터 극박 동층이 박리 가능해지는 구성이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 캐리어 부착 동박의 중간층은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, 이들의 합금, 이들의 수화물, 이들의 산화물, 유기물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 함유해도 된다. 또, 중간층은 복수의 층이어도 된다.

또, 예를 들어, 중간층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은, Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층을 형성하고, 그 위에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소의 수화물 또는 산화물, 혹은 유기물로 이루어지는 층을 형성함으로써 구성할 수 있다.

또, 예를 들어, 중간층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은, Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층을 형성하고, 그 위에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은, Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층을 형성함으로써 구성할 수 있다.

또, 중간층은 상기 유기물로서 공지된 유기물을 사용할 수 있고, 또, 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산 중 어느 1 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 구체적인 질소 함유 유기 화합물로서는, 치환기를 갖는 트리아졸 화합물인 1,2,3-벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, N',N'-비스(벤조트리아졸일메틸)우레아, 1H-1,2,4-트리아졸 및 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸 등을 사용하는 것이 바람직하다.

황 함유 유기 화합물에는, 메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조티아졸나트륨, 티오시아누르산 및 2-벤즈이미다졸티올 등을 사용하는 것이 바람직하다.

카르복실산으로서는, 특히 모노카르복실산을 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 올레산, 리놀레산 및 리놀렌산 등을 사용하는 것이 바람직하다.

또, 예를 들어, 중간층은, 캐리어 위에, 니켈층, 니켈-인 합금층 또는 니켈-코발트 합금층과, 크롬 함유층이 이 순서로 적층되어 구성할 수 있다. 니켈과 구리의 접착력은 크롬과 구리의 접착력보다 높기 때문에, 극박 동층을 박리할 때에, 극박 동층과 크롬 함유층의 계면에서 박리하게 된다. 또, 중간층의 니켈에는 캐리어로부터 구리 성분이 극박 동층으로 확산되어 가는 것을 방지하는 배리어 효과가 기대된다. 중간층에 있어서의 니켈의 부착량은 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 40000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 4000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 2500 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 1000 ㎍/d㎡ 미만이며, 중간층에 있어서의 크롬의 부착량은 5 ㎍/d㎡ 이상 100 ㎍/d㎡ 이하인 것이 바람직하다. 중간층을 편면에만 형성하는 경우, 캐리어의 반대면에는 Ni 도금층 등의 방청층을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 중간층의 크롬층은 크롬 도금이나 크로메이트 처리에 의해 형성할 수 있다.

중간층의 두께가 너무 커지면, 중간층의 두께가 표면 처리한 후의 극박 동층 표면의 Sz, Sa, Sku, 표면적비 A/B 에 영향을 미치는 경우가 있기 때문에, 극박 동층의 표면 처리층 표면의 중간층의 두께는 1 ∼ 1000 nm 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 500 nm 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 200 nm 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 100 nm 인 것이 바람직하고, 3 ∼ 60 nm 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 중간층은 캐리어의 양면에 형성해도 된다.

＜극박 동층＞

중간층 위에는 극박 동층을 형성한다. 중간층과 극박 동층의 사이에는 다른 층을 형성해도 된다. 당해 캐리어를 갖는 극박 동층은, 본 발명의 하나의 실시형태인 구리 방열재이다. 극박 동층의 두께는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 캐리어보다 얇고, 예를 들어 12 ㎛ 이하이다. 전형적으로는 0.5 ∼ 12 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 1.5 ∼ 5 ㎛ 이다. 또, 중간층 위에 극박 동층을 형성하기 전에, 극박 동층의 핀홀을 저감시키기 위해서 구리-인 합금 등에 의한 스트라이크 도금을 실시해도 된다. 스트라이크 도금에는 피롤린산 구리 도금액 등을 들 수 있다. 또한, 극박 동층은 캐리어의 양면에 형성해도 된다.

또, 본 발명의 극박 동층은 하기의 조건으로 형성하는 극박 동층이어도 된다. 극박 동층의 중간층과 접하고 있는 측과는 반대측의 면에 상기 합금층을 형성한 경우의, 당해 합금층 표면의 Sz, Sa, Sku, 표면적비 A/B 를 본 발명의 범위로 하기 위해, 극박 동층 표면의 Sz, Sa, Sku, 표면적비 A/B 를 제어하기 위함이다.

·전해액 조성

구리 ： 80 ∼ 120 g/ℓ

황산 ： 80 ∼ 120 g/ℓ

염소 ： 30 ∼ 100 ppm

레벨링제 1 (비스(3술포프로필)디술파이드) ： 10 ∼ 30 ppm

레벨링제 2 (아민 화합물) ： 10 ∼ 30 ppm

·제조 조건

전류 밀도 ： 70 ∼ 100 A/d㎡

전해액 온도 ： 50 ∼ 65 ℃

전해액 선속 ： 1.5 ∼ 5 m/sec

〔수지층〕

본 발명의 구리 방열재는, 일방 또는 양방의 표면에 수지층을 구비해도 된다. 당해 수지층을 형성하는 구리 방열재 표면이 표면 처리 표면이어도 된다. 상기 수지층은 절연 수지층이어도 된다. 또한 본 발명의 구리 방열재에 있어서 「표면 처리 표면」 이란, 조화 처리 후, 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위한 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 표면 처리를 실시한 후의 구리 방열재의 표면을 말한다. 또, 구리 방열재가 캐리어 부착 동박의 극박 동층인 경우에는, 「표면 처리 표면」 이란, 조화 처리 후, 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위한 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 표면 처리를 실시한 후의 극박 동층의 표면을 말한다.

상기 수지층은 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 접촉해도 점착감은 없어, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있고, 또한 가열 처리를 받으면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.

상기 수지층은 접착용 수지, 즉 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 접촉해도 점착감은 없어, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있고, 또한 가열 처리를 받으면 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.

또 상기 수지층은 열경화성 수지를 함유해도 되고, 열가소성 수지여도 된다. 또, 상기 수지층은 열가소성 수지를 함유해도 된다. 상기 수지층은 공지된 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 함유해도 된다. 또, 상기 수지층은 예를 들어 국제 공개 번호 WO2008/004399호, 국제 공개 번호 WO2008/053878, 국제 공개 번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 특허 제3184485호, 국제 공개 번호 WO97/02728, 특허 제3676375호, 일본 공개특허공보 2000-43188호, 특허 제3612594호, 일본 공개특허공보 2002-179772호, 일본 공개특허공보 2002-359444호, 일본 공개특허공보 2003-304068호, 특허 제3992225, 일본 공개특허공보 2003-249739호, 특허 제4136509호, 일본 공개특허공보 2004-82687호, 특허 제4025177호, 일본 공개특허공보 2004-349654호, 특허 제4286060호, 일본 공개특허공보 2005-262506호, 특허 제4570070호, 일본 공개특허공보 2005-53218호, 특허 제3949676호, 특허 제4178415호, 국제 공개 번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 2006-257153호, 일본 공개특허공보 2007-326923호, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 특허 제5024930호, 국제 공개 번호 WO2006/028207, 특허 제4828427호, 일본 공개특허공보 2009-67029호, 국제 공개 번호 WO2006/134868, 특허 제5046927호, 일본 공개특허공보 2009-173017호, 국제 공개 번호 WO2007/105635, 특허 제5180815호, 국제 공개 번호 WO2008/114858, 국제 공개 번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 2011-14727호, 국제 공개 번호 WO2009/001850, 국제 공개 번호 WO2009/145179, 국제 공개 번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재되어 있는 물질 (수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 사용하여 형성해도 된다.

또, 상기 수지층은, 그 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리말레이미드 화합물, 말레이미드계 수지, 방향족 말레이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 우레탄 수지, 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르설폰이라고도 한다), 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르설폰이라고도 한다) 수지, 방향족 폴리아미드 수지, 방향족 폴리아미드 수지 폴리머, 고무성 수지, 폴리아민, 방향족 폴리아민, 폴리아미드이미드 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 페녹시 수지, 카르복실기 변성 아크릴로니트릴-부타디엔 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 비스말레이미드트리아진 수지, 열경화성 폴리페닐렌옥사이드 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카르복실산의 무수물, 다가 카르복실산의 무수물, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머, 폴리페닐렌에테르 수지, 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판, 인 함유 페놀 화합물, 나프텐산망간, 2,2-비스(4-글리시딜페닐)프로판, 폴리페닐렌에테르-시아네이트계 수지, 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지, 시아노에스테르 수지, 포스파젠계 수지, 고무 변성 폴리아미드이미드 수지, 이소프렌, 수소 첨가형 폴리부타디엔, 폴리비닐부티랄, 페녹시, 고분자 에폭시, 방향족 폴리아미드, 불소 수지, 비스페놀, 블록 공중합 폴리이미드 수지 및 시아노에스테르 수지의 군에서 선택되는 1 종 이상을 함유하는 수지를 바람직한 것으로서 들 수 있다.

또 상기 에폭시 수지는, 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 것으로서, 전기·전자 재료 용도로 사용할 수 있는 것이면, 특별히 문제 없이 사용할 수 있다. 또, 상기 에폭시 수지는 분자 내에 2 개 이상의 글리시딜기를 갖는 화합물을 사용하여 에폭시화한 에폭시 수지가 바람직하다. 또, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 비스페놀 AD 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 브롬화 (브롬화) 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 브롬화 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 오르토 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 고무 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, N,N-디글리시딜아닐린 등의 글리시딜아민 화합물, 테트라하이드로프탈산디글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 화합물, 인 함유 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지, 의 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있고, 또는 상기 에폭시 수지의 수소 첨가체나 할로겐화체를 사용할 수 있다.

상기 인 함유 에폭시 수지로서 공지된 인을 함유하는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 인 함유 에폭시 수지는 예를 들어, 분자 내에 2 이상의 에폭시기를 구비하는 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드로부터의 유도체로서 얻어지는 에폭시 수지인 것이 바람직하다.

(수지층이 유전체 (유전체 필러) 를 함유하는 경우)

상기 수지층은 유전체 (유전체 필러) 를 함유해도 된다.

상기 어느 수지층 또는 수지 조성물에 유전체 (유전체 필러) 를 함유시키는 경우에는, 캐패시터층을 형성하는 용도로 사용하여, 캐패시터 회로의 전기 용량을 증대시킬 수 있는 것이다. 이 유전체 (유전체 필러) 에는, BaTiO3, SrTiO3, Pb(Zr-Ti)O3 (통칭 PZT), PbLaTiO3·PbLaZrO (통칭 PLZT), SrBi2Ta2O9 (통칭 SBT) 등의 페브로스카이트 구조를 가지는 복합 산화물의 유전체 분말을 사용한다.

유전체 (유전체 필러) 는 분말상이어도 된다. 유전체 (유전체 필러) 가 분말상인 경우, 이 유전체 (유전체 필러) 의 분체 특성은, 입경이 0.01 ㎛ ∼ 3.0 ㎛, 바람직하게는 0.02 ㎛ ∼ 2.0 ㎛ 의 범위의 것이 바람직하다. 또한, 유전체를 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 사진 촬영하고, 당해 사진 상의 유전체의 입자 위에 직선을 그은 경우에, 유전체의 입자를 횡단하는 직선의 길이가 가장 긴 부분의 유전체의 입자의 길이를 그 유전체의 입자의 직경으로 한다. 그리고, 측정 시야에 있어서의 유전체의 입자의 직경의 평균치를, 유전체의 입경으로 한다.

전술한 수지층에 함유되는 수지 및/또는 수지 조성물 및/또는 화합물을 예를 들어 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로펜타논, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 톨루엔, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 시클로헥사논, 에틸셀로솔브, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 용제에 용해하여 수지액 (수지 바니시) 으로 하고, 이것을 상기 구리 방열재의 조화 처리 표면 위에, 예를 들어 롤 코터법 등에 의해 도포하고, 이어서 필요에 따라 가열 건조시켜 용제를 제거하여 B 스테이지 상태로 한다. 건조에는 예를 들어 열풍 건조로를 이용하면 되고, 건조 온도는 100 ∼ 250 ℃, 바람직하게는 130 ∼ 200 ℃ 이면 된다. 상기 수지층의 조성물을, 용제를 사용하여 용해하고, 수지 고형분 3 wt％ ∼ 70 wt％, 바람직하게는, 3 wt％ ∼ 60 wt％, 바람직하게는 10 wt％ ∼ 40 wt％, 보다 바람직하게는 25 wt％ ∼ 40 wt％ 의 수지액으로 해도 된다. 또한, 메틸에틸케톤과 시클로펜타논의 혼합 용제를 사용하여 용해하는 것이, 환경적인 견지에서 현단계에서는 가장 바람직하다. 또한, 용제에는 비점이 50 ℃ ∼ 200 ℃ 의 범위인 용제를 사용하는 것이 바람직하다.

또, 상기 수지층은 MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여 측정했을 때의 레진 플로우가 5 ％ ∼ 35 ％ 의 범위에 있는 반경화 수지막인 것이 바람직하다.

본건 명세서에 있어서, 레진 플로우란, MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여, 수지 두께를 55 ㎛ 로 한 수지 부착 구리 방열재로부터 가로 세로 10 cm 시료를 4 매 샘플링하고, 이 4 매의 시료를 겹친 상태 (적층체) 로 프레스 온도 171 ℃, 프레스압 14 kgf/c㎡, 프레스 시간 10 분의 조건으로 접착하고, 그 때의 수지 유출 중량을 측정한 결과로부터 수학식 1 에 기초하여 산출한 값이다.

상기 수지층을 구비한 구리 방열재 (수지 부착 구리 방열재) 는, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열 압착하여 그 수지층을 열 경화시키고, 이어서 구리 방열재가 캐리어 부착 동박의 극박 동층인 경우에는 캐리어를 박리하여 극박 동층을 표출시키고 (당연히 표출되는 것은 그 극박 동층의 중간층측의 표면이다), 구리 방열재의 조화 처리되어 있는 측과는 반대측의 표면으로부터 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다.

이 수지 부착 구리 방열재를 사용하면, 다층 프린트 배선 기판의 제조 시에 있어서의 프리프레그재의 사용 매수를 줄일 수 있다. 게다가, 수지층의 두께를 층간 절연을 확보할 수 있는 두께로 하거나, 프리프레그재를 전혀 사용하고 있지 않아도 금속 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또 이 때, 기재의 표면에 절연 수지를 언더코트하여 표면의 평활성을 더욱 개선할 수도 있다.

또한, 프리프레그재를 사용하지 않는 경우에는, 프리프레그재의 재료 비용이 절약되고, 또 적층 공정도 간략해지므로 경제적으로 유리해지고, 게다가, 프리프레그재의 두께분만큼 제조되는 다층 프린트 배선 기판의 두께는 얇아져, 1 층의 두께가 100 ㎛ 이하인 극박의 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다는 이점이 있다.

이 수지층의 두께는 0.1 ∼ 120 ㎛ 인 것이 바람직하다.

수지층의 두께가 0.1 ㎛ 보다 얇아지면, 접착력이 저하되고, 프리프레그재를 개재시키지 않고 이 수지 부착 구리 방열재를 내층재를 구비한 기재에 적층했을 때에, 내층재의 회로와의 사이의 층간 절연을 확보하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 수지층의 두께를 120 ㎛ 보다 두껍게 하면, 1 회의 도포 공정으로 목적 두께의 수지층을 형성하는 것이 곤란해져, 여분의 재료비와 공정수가 들기 때문에 경제적으로 불리해지는 경우가 있다.

또한, 수지층을 갖는 구리 방열재가 극박의 다층 프린트 배선판을 제조하는 것에 사용되는 경우에는, 상기 수지층의 두께를 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 로 하는 것이, 다층 프린트 배선판의 두께를 작게 하기 위해서 바람직하다.

이하에, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 공정의 예를 몇가지 나타낸다.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 극박 동층측이 절연 기판과 대향하도록 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 금속 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 세미 애디티브법, 모디파이드 세미 애디티브법, 파트리 애디티브법 및 서브 트랙티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함한다. 절연 기판은 내층 회로를 포함하는 것으로 하는 것도 가능하다.

본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 금속박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하고, 패턴을 형성 후, 전기 도금 및 에칭을 사용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.

따라서, 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 수지 및 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층 위에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정, 을 포함한다.

세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정, 상기 극박 동층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지의 표면에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층 위에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 동층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정, 을 포함한다.

본 발명에 있어서, 모디파이드 세미 애디티브법이란, 절연층 위에 금속박을 적층하고, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전해 도금에 의해 회로 형성부의 구리 두께 형성을 실시한 후, 레지스트를 제거하고, 상기 회로 형성부 이외의 금속박을 (플래시) 에칭으로 제거함으로써, 절연층 위에 회로를 형성하는 방법을 가리킨다.

따라서, 모디파이드 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층 표면에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 형성한 후에, 전해 도금에 의해 회로를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거함으로써 노출된 극박 동층을 플래시 에칭에 의해 제거하는 공정, 을 포함한다.

또, 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 상기 수지층 상에 다른 캐리어 부착 동박을 극박 동층측으로부터 첩합(貼合)하고, 상기 수지층에 첩합된 캐리어 부착 동박을 사용하여 상기 회로를 형성하는 공정이어도 된다. 또, 상기 수지층 상에 첩합하는 다른 캐리어 부착 동박이, 본 발명의 캐리어 부착 동박이어도 된다. 또, 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시되어도 된다. 또, 상기 표면에 회로를 형성하는 캐리어 부착 동박이, 당해 캐리어 부착 동박의 캐리어의 표면에 기판 또는 수지층을 가져도 된다.

모디파이드 세미 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층 위에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 동층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정, 을 포함한다.

본 발명에 있어서, 파트리 애디티브법이란, 도체층을 형성하여 이루어지는 기판, 필요에 따라 스루홀이나 비아홀용의 구멍을 뚫어 이루어지는 기판 상에 촉매핵을 부여하고, 에칭하여 도체 회로를 형성하고, 필요에 따라 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성한 후에, 상기 도체 회로 상, 스루홀이나 비아홀 등에 무전해 도금 처리에 의해 두께 형성을 실시함으로써, 프린트 배선판을 제조하는 방법을 가리킨다.

따라서, 파트리 애디티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 촉매핵을 부여하는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하여, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 촉매핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여 노출된 상기 절연 기판 표면에, 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 영역에 무전해 도금층을 형성하는 공정, 을 포함한다.

본 발명에 있어서, 서브 트랙티브법이란, 금속 피복 적층판 상의 동박의 불필요 부분을, 에칭 등에 의해, 선택적으로 제거하여, 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.

따라서, 서브 트랙티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층의 표면에, 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 전해 도금층 또는/및 상기 극박 동층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 무전해 도금층 및 상기 전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정, 을 포함한다.

서브 트랙티브법을 사용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정, 상기 캐리어를 벗겨 노출된 극박 동층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층의 표면에 마스크를 형성하는 공정, 마스크가 형성되지 않는 상기 무전해 도금층의 표면에 전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 전해 도금층 또는/및 상기 극박 동층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하여, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 동층 및 상기 무전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정, 을 포함한다.

스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 및 그 후의 디스미어 공정은 실시하지 않아도 된다.

여기서, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예를 상세하게 설명한다. 또한, 여기서는 조화 처리층이 형성된 극박 동층을 갖는 캐리어 부착 동박을 예로 설명하지만, 이것에 한정되지 않고, 조화 처리층이 형성되어 있지 않은 극박 동층을 갖는 캐리어 부착 동박을 사용해도 동일하게 하기의 프린트 배선판의 제조 방법을 실시할 수 있다.

먼저, 표면에 조화 처리층이 형성된 극박 동층을 갖는 캐리어 부착 동박 (1 층째) 을 준비한다.

다음으로, 극박 동층의 조화 처리층 상에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하여, 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.

다음으로, 회로용의 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 소정의 형상의 회로 도금을 형성한다.

다음으로, 회로 도금을 덮도록 (회로 도금이 매몰되도록) 극박 동층 상에 매립 수지를 형성하여 수지층을 적층하고, 계속해서 다른 캐리어 부착 동박 (2 층째) 을 극박 동층측으로부터 접착시킨다.

다음으로, 2 층째의 캐리어 부착 동박으로부터 캐리어를 벗긴다.

다음으로, 수지층의 소정 위치에 레이저 구멍내기를 실시하고, 회로 도금을 노출시켜 블라인드 비아를 형성한다.

다음으로, 블라인드 비아에 구리를 매립하여 비아 필을 형성한다.

다음으로, 비아 필 상에, 상기와 같이 하여 회로 도금을 형성한다.

다음으로, 1 층째의 캐리어 부착 동박으로부터 캐리어를 벗긴다.

다음으로, 플래시 에칭에 의해 양 표면의 극박 동층을 제거하여, 수지층 내의 회로 도금의 표면을 노출시킨다.

다음으로, 수지층 내의 회로 도금 위에 범프를 형성하고, 당해 땜납 상에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용한 프린트 배선판을 제작한다.

상기 다른 캐리어 부착 동박 (2 층째) 은, 본 발명의 캐리어 부착 동박을 사용해도 되고, 종래의 캐리어 부착 동박을 사용해도 되고, 또한 통상적인 동박을 사용해도 된다. 또, 상기 2 층째의 회로 상에, 추가로 회로를 1 층 혹은 복수층 형성해도 되고, 그들의 회로 형성을 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시해도 된다.

또한, 매립 수지 (레진) 에는 공지된 수지, 프리프레그를 사용할 수 있다. 예를 들어, BT (비스말레이미드트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리 천인 프리프레그, 아지노모토 파인 테크노 주식회사 제조 ABF 필름이나 ABF 를 사용할 수 있다. 또, 상기 매립 수지 (레진) 에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수 있다.

또, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 동박은, 당해 캐리어 부착 동박의 표면에 기판 또는 수지층을 가져도 된다. 당해 기판 또는 수지층을 가짐으로써 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 동박은 지지되어, 주름이 잘 생기지 않기 때문에, 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또한, 상기 기판 또는 수지층에는, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 동박을 지지하는 효과가 있는 것이면, 모든 기판 또는 수지층을 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 기판 또는 수지층으로서 본원 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.

본 발명의 구리 방열재를, 표면 처리층측 또는 표면 처리층측과는 반대측으로부터 수지 기판에 첩합하여 적층체를 제조할 수 있다. 수지 기판은 프린트 배선판 등에 적용 가능한 특성을 갖는 것이면 특별히 제한을 받지 않지만, 예를 들어, 리지드 PWB 용으로 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유 천 기재 에폭시 수지, 불소 수지 함침 크로스, 유리 천·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리 천·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리 천 기재 에폭시 수지 등을 사용하고, 플렉시블 프린트 기판 (FPC) 용으로 폴리에스테르 필름이나 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 불소 수지 및 불소 수지·폴리이미드 복합재 등을 사용할 수 있다. 또한, 액정 폴리머 (LCP) 는 유전 손실이 작기 때문에, 고주파 회로 용도의 프린트 배선판에는 액정 폴리머 (LCP) 필름을 사용하는 것이 바람직하다.

첩합 방법은, 리지드 PWB 용의 경우, 유리 천 등의 기재에 수지를 함침시켜, 수지를 반경화 상태까지 경화시킨 프리프레그를 준비한다. 동박을 프리프레그에 겹쳐 가열 가압시킴으로써 실시할 수 있다. FPC 의 경우, 액정 폴리머나 폴리이미드 필름 등의 기재에 접착제를 개재하거나, 또는, 접착제를 사용하지 않고 고온 고압하에서 동박에 적층 접착하거나, 또는, 폴리이미드 전구체를 도포·건조·경화 등을 실시함으로써 적층체를 제조할 수 있다.

본 발명의 적층체는 각종의 프린트 배선판 (PWB) 에 사용 가능하고, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 도체 패턴의 층 수의 관점에서는 편면 PWB, 양면 PWB, 다층 PWB (3 층 이상) 에 적용 가능하고, 절연 기판 재료의 종류의 관점에서는 리지드 PWB, 플렉시블 PWB (FPC), 리지드·플렉스 PWB 에 적용 가능하다.

또, 본 발명의 구리 방열재 혹은 본 발명의 캐리어 부착 동박을 표면 처리층측 또는 표면 처리층측과는 반대측으로부터, 수지 기판 혹은 기판 (금속 재료, 무기 재료, 유기 재료, 세라믹스여도 된다) 혹은 케이싱 혹은 금속 가공 부재 혹은 전자 부품 혹은 전자 기기 혹은 액정 패널 혹은 디스플레이와 적층하여 적층체를 제조해도 된다.

당해 적층체는, 본 발명의 구리 방열재 혹은 본 발명의 캐리어 부착 동박과 전술한 수지 기판 혹은 전술한 기판의 사이에 점착제층 또는 접착제층을 가져도 된다. 점착제층은 도전성 점착제를 사용한 층이어도 되고, 도전성 아크릴계 점착제를 사용한 층이어도 된다. 수지 기판 혹은 기판은 세퍼레이터여도 된다. 세퍼레이터는, 전술한 적층체로부터 점착제층 혹은 접착제층과 본 발명의 구리 방열재 혹은 본 발명의 캐리어 부착 동박을 박리 가능하게 하는 수지 기판 혹은 기판을 의미한다. 본 발명의 구리 방열재 혹은 본 발명의 캐리어 부착 동박과 전술한 수지 기판 혹은 전술한 기판과는 박리 가능해도 된다.

당해 적층체가, 본 발명의 구리 방열재 혹은 본 발명의 캐리어 부착 동박과 전술한 수지 기판 혹은 전술한 기판의 사이에 점착제층 또는 접착제층을 갖는 적층체인 경우에, 본 발명의 구리 방열재 혹은 본 발명의 캐리어 부착 동박과 전술한 수지 기판 혹은 전술한 기판과는 박리 가능해도 된다.

상기의 경우, 본 발명의 구리 방열재 혹은 본 발명의 캐리어 부착 동박과 전술한 수지 기판 혹은 전술한 기판을 박리하면, 본 발명의 구리 방열재 혹은 본 발명의 캐리어 부착 동박의 표면에 전술한 점착제층 또는 접착제층이 노출되기 때문에, 전술한 수지 기판 혹은 전술한 기판을 박리 후의 본 발명의 구리 방열재 또는 본 발명의 캐리어 부착 동박은, 다른 것에의 적층이 가능해도 된다. 당해 적층체는, 전술한 수지 기판 혹은 전술한 기판의 양측에 본 발명의 구리 방열재 또는 본 발명의 캐리어 부착 동박을 가져도 된다.

또한, 전술한 점착제층 및 접착제층에는 공지된 점착제, 접착제, 본 명세서에 기재된 수지층 및 본 명세서에 기재된 수지층에 사용하는 것이 가능한 수지 등을 사용할 수 있다.

또한, 본 발명의 구리 방열재를 사용하여 프린트 배선판, 구리 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또, 본 발명의 구리재를 사용하여 제조한 프린트 배선판은 전자 기기에 사용할 수 있다. 또, 본 발명의 구리재는 2 차 전지용 부극 집전체, 2 차 전지, 코어레스 다층 프린트 배선판의 제조 시에 사용되는 지지 기재 등에도 사용할 수 있다.

실시예

·실시예 1 ∼ 11, 13 ∼ 18, 비교예 1 ∼ 8

실시예 1 ∼ 11, 13 ∼ 18, 비교예 1 ∼ 8 로서, 표 1 ∼ 4 에 기재된 두께를 갖는 각종 구리 기재를 준비했다. 다음으로, 당해 구리 기재 위에 합금층을 형성했다. 이 때, 표 1 ∼ 4 에 나타내는 바와 같이 합금층 형성 (1) ∼ (3) 의 순서로 형성했다.

·실시예 12

실시예 12 의 기재로서 이하에 기재하는 캐리어 부착 동박을 준비했다. 먼저, 두께 18 ㎛ 의 JX 닛코우 닛세키 금속 주식회사 제조 JTC 박인 전해 동박을 캐리어로서 준비했다. 그리고 하기 조건으로, 캐리어의 광택면측의 표면에 중간층을 형성하고, 중간층의 표면에 극박 동층을 형성했다.

＜중간층＞

(1) Ni 층 (Ni 도금)

캐리어에 대해, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 1000 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Ni 층을 형성했다. 구체적인 도금 조건을 이하에 기재한다.

황산니켈 ： 270 ∼ 280 g/ℓ

염화니켈 ： 35 ∼ 45 g/ℓ

아세트산니켈 ： 10 ∼ 20 g/ℓ

붕산 ： 30 ∼ 40 g/ℓ

광택제 ： 사카린, 부틴디올 등

도데실황산나트륨 ： 55 ∼ 75 ppm

pH ： 4 ∼ 6

욕 온도 ： 55 ∼ 65 ℃

전류 밀도 ： 10 A/d㎡

(2) Cr 층 (전해 크로메이트 처리)

다음으로, (1) 에서 형성한 Ni 층 표면을 수세 및 산세 후, 계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상에서 Ni 층 위에 11 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Cr 층을 이하의 조건으로 전해 크로메이트 처리함으로써 부착시켰다.

중크롬산칼륨 ： 1 ∼ 10 g/ℓ

pH ： 7 ∼ 10

액 온도 ： 40 ∼ 60 ℃

전류 밀도 ： 2 A/d㎡

＜극박 동층＞

다음으로, (2) 에서 형성한 Cr 층 표면을 수세 및 산세 후, 계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상에서, Cr 층 위에 두께 5 ㎛ 의 극박 동층을 이하의 조건으로 전기 도금함으로써 형성하여, 캐리어 부착 극박 동박을 제작했다.

구리 농도 ： 90 ∼ 110 g/ℓ

황산 농도 ： 90 ∼ 110 g/ℓ

염화물 이온 농도 ： 50 ∼ 90 ppm

레벨링제 1 (비스(3술포프로필)디술파이드) ： 10 ∼ 30 ppm

레벨링제 2 (아민 화합물) ： 10 ∼ 30 ppm

또한, 레벨링제 2 로서 하기의 아민 화합물을 사용했다.

전해액 온도 ： 50 ∼ 80 ℃

전류 밀도 ： 100 A/d㎡

전해액 선속 ： 1.5 ∼ 5 m/sec

·표면의 Sz, Sa, Sku ；

ISO25178 에 준거하여, 올림푸스사 제조 레이저 현미경 OLS4000 (LEXT OLS 4000) 으로, 구리 방열재 표면의 Sz, Sa, Sku 를 측정했다. 레이저 현미경에 있어서의 대물 렌즈 50 배를 사용하여 약 200 ㎛ × 200 ㎛ 면적 (구체적으로는 40106 ㎛²) 의 측정을 실시하여, Sz, Sa, Sku 를 산출했다. 또한 레이저 현미경 측정에 있어서, 측정 결과의 측정면이 평면이 아닌, 곡면이 된 경우에는, 평면 보정을 실시한 후에, Sz, Sa, Sku 를 산출했다. 또한, 레이저 현미경에 의한 Sz, Sa, Sku 의 측정 환경 온도는 23 ∼ 25 ℃ 로 했다.

·표면적비 A/B ；

ISO25178 에 준거하여, 올림푸스사 제조 레이저 현미경 OLS4000 (LEXT OLS 4000) 으로, 구리 방열재 표면의 표면적을 측정하고, 그것을 사용하여 표면적비 A/B 를 산출했다. 레이저 현미경에 있어서의 대물 렌즈 50 배를 사용하여 약 200 ㎛ × 200 ㎛ 면적 (구체적으로는 40106 u㎡) 의 측정을 실시했다. 또한, 레이저 현미경에 의한 삼차원 표면적 A 의 측정 환경 온도는 23 ∼ 25 ℃ 로 했다.

·색차 ；

HunterLab 사 제조 색차계 MiniScan XE Plus 를 사용하여, JIS Z8730 에 준거하여, 구리 방열재 표면의 백색판 (광원을 D65 로 하고, 10 도 시야로 했을 때에, 당해 백색판의 X₁₀Y₁₀Z₁₀표색계 (JIS Z8701 1999) 의 3 자극치는 X₁₀= 80.7, Y₁₀= 85.6, Z₁₀= 91.5 이며, L^*a^*b^*표색계에서의, 당해 백색판의 물체색은 L^*= 94.14, a^*= -0.90, b^*= 0.24 이다) 의 물체색을 기준으로 하는 색으로 했을 경우의 색차를 측정했다. 또한, 전술한 색차계에서는, 백색판의 색차의 측정치를 ΔE^*ab = 0, 검은 봉투 (라이트 트랩 (light trap)) 로 측정 구멍을 덮어 측정했을 때의 색차의 측정치를 ΔE^*ab = 94.14 로 하여, 색차를 교정한다. 여기서 색차 ΔE^*ab 는 전술한 백색판을 제로, 흑색을 94.14 로 정의된다. 또한, 구리 회로 표면 등 미소 영역의 JIS Z8730 에 기초하는 색차 ΔE^*ab 는, 예를 들어 닛폰 덴쇼쿠 공업 주식회사 제조의 미소면 분광 색차계 (형식 ： VSS400 등) 나 스가 시험기 주식회사 제조의 미소면 분광 측색계 (형식 ： SC-50 μ 등) 등 공지된 측정 장치를 사용하여 측정을 할 수 있다.

·가루 떨어짐 ；

가루 떨어짐은, 표면 상에 투명한 멘딩 테이프를 첩부하고, 이 테이프를 벗겼을 때에 테이프 점착면에 부착되는 탈락 입자에 의해, 테이프가 변색되는 상태로부터 가루 떨어짐을 평가했다. 테이프의 변색이 없는 경우에는 ◎, 회색이 되는 경우에는 ○, 테이프가 검게 변색되는 경우에는 × 로 했다.

·복사율；

이하의 조건으로, 푸리에 변환 적외 분광법 (FT-IR ： Fourier Transform Infrared Spectroscopy) 에 의해, 구리 방열재 표면의 반사율 스펙트럼을 측정하여, 복사율을 산출했다.

(1) 방열성의 평가

도 1 에 나타내는 바와 같은, 세로 d2 × 가로 w2 × 두께 h2 = 50 mm × 100 mm × 0.2 mm 의 기판 (Mg 합금 다이캐스트) 표면의 중앙에, 세로 d1 × 가로 w1 × 두께 h1 = 5 mm × 5 mm × 1 mm 의 발열체 (전열선을 수지로 굳힌 발열체, IC 칩에 상당) 를 형성했다. 다음으로, 기판의 발열체와 반대측의 표면에, 접착제층 (세로 d3 × 가로 w3 × 두께 h3 = 50 mm × 100 mm × 0.03 mm) 을 형성하고, 또한 본 실시예, 비교예에 있어서의 구리 방열재 (세로 d4 × 가로 w4 × 두께 h4 = 50 mm × 100 mm × 표에 기재된 구리 기재의 두께) 를 합금층이 형성되어 있는 면과는 반대측의 면측으로부터 상기 접착제층에 적층했다. 그리고, 발열체의 중앙부와, 구리 방열재의 접착제층과 적층되어 있는 면과는 반대측도 면의, 발열체의 중앙부에 대응하는 지점에 열전쌍을 설치했다. 도 1 에, 당해 시료의 상면 모식도를 나타낸다. 도 2 에, 당해 시료의 단면 모식도를 나타낸다.

다음으로, 발열체에 발열량이 0.5 W 가 되도록 전류를 흘렸다. 그리고, 발열체의 상면의 중앙부의 온도가 일정한 값이 될 때까지 전류를 흘렸다. 여기서, 발열체의 상면의 중앙부의 온도가 10 분간 변화하지 않은 시점에서, 상면의 중앙부의 온도가 일정한 값이 되었다고 판단했다. 또한, 외부 환경 온도는 20 ℃ 로 했다. 그리고, 발열체의 상면의 중앙부의 온도가 일정한 값이 되고 나서 30 분간 유지 후, 상기 구리 방열재에 설치한 열전쌍의 표시 온도를 측정했다. 그리고, 열전쌍의 표시 온도가 낮은 것이 양호하다고 판정했다. 또한, 상기 구리 방열재의 접착제층과 적층되어 있는 면과는 반대측도 면의, 발열체의 중앙부에 대응하는 지점이, 구리 방열판에 있어서 가장 온도가 높은 지점이었다.

(2) 반사율 측정

상기 시료의 광의 파장마다의 반사율을 이하의 조건에 의해 측정했다. 측정은 시료의 측정면 내에서, 측정하는 방향을 90 도 변경하여 2 회 실시했다.

측정 장치 ： IFS-66v (Bruker 사 제조 FT-IR, 진공 광학계)

광원 ： 글로바 (SiC)

검지기 ： MCT (HgCdTe)

빔 스플리터 ： Ge/KBr

측정 조건 ： 분해능 = 4 cm^-1

적산 횟수 = 512 회

제로 필링 = 2 배

아포다이제이션 = 삼각형

측정 영역 = 5000 ∼ 715 cm^-1(광의 파장 ： 2 ∼ 14 ㎛)

측정 온도 = 25 ℃

부속 장치 ： 투과율·반사율 측정용 적분구

포트 직경 = φ 10 mm

반복 정밀도 = 약 ±1 ％

반사율 측정

입사각 ： 10 도

참조 시료 ： diffuse gold (Infragold-LF Assembly)

스페큘러컵 (정반사 성분 제거 장치) 장착 없음

(3) 복사율에 대해

시료면에 입사해 온 광은, 반사, 투과하는 것 외에 내부에서 흡수된다. 흡수율 (α) (= 복사율 (ε)), 반사율 (r), 투과율 (t) 에는 다음의 식이 성립된다.

ε ＋ r ＋ t = 1 (A)

복사율 (ε) 은 다음 식과 같이 반사율, 투과율로부터 구할 수 있다.

ε = 1 - r - t (B)

시료가 불투명하고, 두꺼워서 투과를 무시할 수 있는 것과 같은 경우, t = 0 이 되어 복사율은 반사율만으로 구해진다.

ε= 1 - r (C)

본 시료에서는 적외광이 투과하지 않았기 때문에, (C) 식을 적응하여, 광의 파장마다의 복사율이 산출된다.

(4) FT-IR 스펙트럼

2 회 측정을 실시한 결과의 평균치를, 반사율 스펙트럼으로 했다. 또한, 반사율 스펙트럼은 diffuse gold 의 반사율로 보정했다 (표시 파장 영역 ： 2 ∼ 14 ㎛).

여기서, 플랑크의 식에서 구한 어느 온도에서의 흑체의 방사 에너지 분포로부터, 각 파장 λ 에 있어서의 에너지 강도를 E_bλ, 각 파장 λ 에서의 시료의 복사율을 ελ 로 하면, 시료의 방사 에너지 강도 E_sλ는, E_sλ= ελ·E_bλ로 나타낸다. 본 실시예에서는, 당해 식 ： E_sλ= ελ·E_bλ에서 얻어진 25 ℃ 에 있어서의 각 시료의 방사 에너지 강도 E_sλ를 구했다.

또, 어느 파장 영역에 있어서의 흑체 및 시료의 전체 에너지는, 그 파장 범위에 있어서의 E_sλ, E_bλ의 적분치로 구해지고, 전체 복사율 ε 은 그 비로 나타낸다 (하기 식 A). 본 실시예에서는 당해 식을 사용하여 25 ℃ 에 있어서의 파장 영역 2 ∼ 14 ㎛ 에서의 각 시료의 전체 복사율 ε 을 산출했다. 그리고 얻어진 전체 복사율 ε 을 각 시료의 복사율로 했다.

상기 각 시험의 조건 및 시험 결과를 표 1 ∼ 4 에 나타낸다.

(평가 결과)

실시예 1 ∼ 18 은, 모두 방열성이 양호했다.

비교예 1 ∼ 3, 5 ∼ 8 은, 모두 합금층이 형성되어 있지 않고, 표면의 면 조도 Sz 가 5 ㎛ 이상의 범위 외이며, 실시예에 비해 방열성이 불량했다.

비교예 4 는, 스테인리스 기재를 사용하고 있어, 실시예에 비해 방열성이 불량했다.

또, 상기 실시예에 대해, 구리 기재의 양면에 동일한 합금층 형성 처리를 실시한 결과, 각각 동일한 특성을 얻을 수 있었다.

Claims

일방 또는 양방의 면에, Cu, Co, Ni, W, P, Zn, Cr, Fe, Sn 및 Mo 에서 선택된 2 종 이상의 금속을 함유하는 합금층이 형성되고, 레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 5 ㎛ 이상이고, 상기 일방 또는 양방의 표면의 JISZ8730 에 기초하는 색차 Δa 가, Δa ≤ 15 인 구리 방열재.
제 1 항에 있어서,
레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 7 ㎛ 이상인 구리 방열재.
제 2 항에 있어서,
레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 10 ㎛ 이상인 구리 방열재.
제 3 항에 있어서,
레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 14 ㎛ 이상인 구리 방열재.
제 1 항에 있어서,
레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sz 가 90 ㎛ 이하인 구리 방열재.
제 1 항에 있어서,
레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sa 가 0.13 ㎛ 이상인 구리 방열재.
제 1 항에 있어서,
레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 면 조도 Sku 가 6 이상인 구리 방열재.
제 1 항에 있어서,
레이저 광의 파장이 405 nm 인 레이저 현미경으로 측정한, 상기 일방 또는 양방의 표면의 표면적을 A, 평면에서 보았을 때의 면적을 B 로 한 경우의 표면적비 A/B 가 1.35 이상인 구리 방열재.
제 1 항에 있어서,
상기 일방 또는 양방의 표면의 JISZ8730 에 기초하는 색차 ΔL 이, ΔL ≤ -35 인 구리 방열재.
삭제
제 1 항에 있어서,
상기 일방 또는 양방의 표면의 JISZ8730 에 기초하는 색차 Δb 가, Δb ≤ 17 인 구리 방열재.
제 1 항에 있어서,
상기 일방 또는 양방의 표면의 복사율이 0.092 이상인 구리 방열재.
제 1 항에 있어서,
상기 일방 또는 양방의 표면에 수지층을 구비하는 구리 방열재.
제 13 항에 있어서,
상기 수지층이 유전체를 함유하는 구리 방열재.
캐리어의 일방의 면, 또는, 양방의 면에, 중간층, 극박 동층을 이 순서로 갖는 캐리어 부착 동박으로서, 상기 극박 동층이 제 1 항 내지 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 14 중 어느 한 항에 기재된 구리 방열재인 캐리어 부착 동박.
제 15 항에 있어서,
상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 동층을 이 순서로 가지며, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는 캐리어 부착 동박.
제 1 항 내지 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 구리 방열재를 사용한 커넥터.
제 1 항 내지 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 구리 방열재를 사용한 단자.
제 1 항 내지 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 구리 방열재와, 수지 기판 혹은 기판 혹은 케이싱 혹은 금속 가공 부재 혹은 전자 부품 혹은 전자 기기 혹은 액정 패널 혹은 디스플레이 혹은 세퍼레이터를 이 순서로 적층하여 제조한 적층체.
제 19 항에 기재된 적층체를 구비한 실드재.
제 19 항에 기재된 적층체를 구비한 프린트 배선판.
제 1 항 내지 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 구리 방열재를 사용한 금속 가공 부재.
제 1 항 내지 제 9 항 및 제 11 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 기재된 구리 방열재를 사용한 전자 기기.
제 15 항에 기재된 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 준비하는 공정,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층하는 공정,
상기 캐리어 부착 동박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 동박의 캐리어를 벗기는 공정을 거쳐 금속 피복 적층판을 형성하고,
그 후, 세미 애디티브법, 서브 트랙티브법, 파트리 애디티브법 또는 모디파이드 세미 애디티브법 중 어느 방법에 의해, 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.
제 15 항에 기재된 캐리어 부착 동박의 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 회로를 형성하는 공정,
상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어 부착 동박의 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층을 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시키는 공정, 및,
상기 캐리어 또는 상기 극박 동층을 박리시킨 후에, 상기 극박 동층 또는 상기 캐리어를 제거함으로써, 상기 극박 동층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법.