CN105555012B - 铜放热材、印刷配线板及其制造方法、以及使用有该铜放热材的产品 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及铜放热材、印刷配线板及其制造方法、以及使用有该铜放热材的产品。本发明提供一种具有良好放热性的铜放热材。本发明的铜放热材是在一个或两个面上形成含有选自Cu、Co、Ni、W、P、Zn、Cr、Fe、Sn及Mo中的一种以上的金属的合金层，且利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的一个或两个表面的面粗糙度Sz为5μm以上。
Description
技术领域
本发明涉及一种铜放热材、附载体铜箔、端子、积层体、屏蔽材、印刷配线板、金属加工构件、电子机器、及印刷配线板的制造方法。
背景技术
近年来，伴随电子机器的小型化、高精细化，所使用的电子零件的发热所导致的故障成为问题。尤其，在显著成长的电动汽车或油电混合汽车中使用的电子零件中，具有电池部的连接器等流动显著高电流的零件，而在通电时的电子零件的发热成为问题。又，智慧手机的输入板或平板电脑的液晶中使用有被称作液晶框的散热板。通过该散热板，将来自配置于周围的液晶零件、IC芯片等的热逸散至外部，抑制电子零件的故障。
专利文献1：日本特开平07－094644号公报
专利文献2：日本特开平08－078461号公报
发明内容
然而如上所述，因近年的电子机器的变化，以往的液晶框变的无法满足以不留住来自液晶零件、IC芯片等的因导热所致的热、辐射热、对流热等而良好地逸散到外部的功能。
因此，本发明的课题在于提供一种具有良好放热性的铜放热材。
本发明人反复潜心研究，结果发现：通过在表面形成含有特定金属的合金层，且将表面控制在特定的面粗糙度Sz，可提供一种具有良好放热性的铜放热材。
以上述见解为基础而完成的本发明于一方面中，是一种铜放热材，在一个或两个面上形成含有选自Cu、Co、Ni、W、P、Zn、Cr、Fe、Sn及Mo中的一种以上的金属的合金层，且利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的面粗糙度Sz为5μm以上。
本发明的铜放热材于一实施方案中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的面粗糙度Sz为7μm以上。
本发明的铜放热材于其他实施方案中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的面粗糙度Sz为10μm以上。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的面粗糙度Sz为14μm以上。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的面粗糙度Sz为90μm以下。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的面粗糙度Sa为0.13μm以上。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的面粗糙度Sku为6以上。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，在将利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的表面积设为A，将俯视时的面积设为B时，表面积比A/B为1.35以上。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，上述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差ΔL满足ΔL≦－35。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，上述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差Δa满足Δa≦15。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，上述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差Δb满足Δb≦17。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，上述一个或两个表面的辐射率为0.092以上。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，于上述一个或两个表面具备树脂层。
本发明的铜放热材进而于其他实施方案中，上述树脂层含有介电体。
本发明于其他方面中，是一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层、极薄铜层，且上述极薄铜层为本发明的铜放热材。
本发明的附载体铜箔于一实施方案中，在载体的一面依序具有上述中间层、上述极薄铜层，并于上述载体的另一面具有粗化处理层。
本发明进而于其他方面中，是一种连接器，其使用有本发明的铜放热材。
本发明进而于其他方面中，是一种端子，其使用有本发明的铜放热材。
本发明进而于其他方面中，是一种积层体，其以如下方式制造：依序积层本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔、任意的黏着剂层或接着剂层、与树脂基板或基板或壳体或金属加工构件或电子零件或电子机器或液晶面板或显示器或分隔件。
本发明进而于其他方面中，是一种屏蔽材，其具备本发明的积层体。
本发明进而于其他方面中，是一种印刷配线板，其具备本发明的积层体。
本发明进而于其他方面中，是一种金属加工构件，其使用有本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔。
本发明进而于其他方面中，是一种电子机器，其使用有本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔。
本发明进而于其他方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其含有如下步骤：
准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；
将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；
在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过剥离上述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆金属积层板，
然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法而形成电路。
本发明进而于其他方面中，是一种印刷配线板的制造方法，其含有如下步骤：
在本发明的附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成电路；
以埋没上述电路的方式在上述附载体铜箔的上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面形成树脂层；
在上述树脂层上形成电路；
在上述树脂层上形成电路后，剥离上述载体或上述极薄铜层；
及通过于剥离上述载体或上述极薄铜层后去除上述极薄铜层或上述载体，而使形成在上述极薄铜层侧表面或上述载体侧表面的埋没于上述树脂层的电路露出。
根据本发明，可提供一种具有良好放热性的铜放热材。
附图说明
图1是实施例的试样的上表面示意图。
图2是实施例的试样的剖面示意图。
具体实施方式
﹝铜放热材的形态及制造方法﹞
作为本发明中使用的铜放热材，可使用铜或铜合金。
作为铜，典型而言可列举：JIS H0500、JIS H3100所规定的磷脱氧铜(JIS H 3100合金编号C1201、C1220、C1221)、无氧铜(JIS H3100合金编号C1020)、及精铜(JIS H3100合金编号C1100)、电解铜箔等的纯度95质量％以上、优选99.90质量％以上的铜。也可设为含有合计为0.001～4.0质量％的Sn、Ag、Au、Co、Cr、Fe、In、Ni、P、Si、Te、Ti、Zn、B、Mn及Zr中一种以上的铜或铜合金。
作为铜合金，可进而列举：磷青铜、卡逊合金、红黄铜、黄铜、白铜、其他铜合金等。又，于本发明中作为铜或铜合金，也可使用JIS H 3100～JIS H3510、JIS H 5120、JIS H5121、JIS C 2520～JIS C 2801、JIS E 2101～JIS E 2102所规定者。再者，本说明书中只要无特别否定，则为了表示金属规格而列举的JIS规格意指2001年版的JIS规格。
关于磷青铜，典型而言，磷青铜是指以铜为主成分并含有Sn及质量少于Sn的P的铜合金。作为一例，磷青铜具有如下组成：含有3.5～11质量％的Sn、0.03～0.35质量％的P，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。磷青铜也可含有合计1.0质量％以下的Ni、Zn等元素。
卡逊合金典型而言是指添加会与Si形成化合物的元素(例如Ni、Co及Cr的任一种以上)，而于母相中作为第二相粒子而析出的铜合金。作为一例，卡逊合金具有如下组成：含有合计0.5～4.0质量％的Ni、Co及Cr的任一种以上、0.1～1.3质量％的Si，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。作为其他例，卡逊合金具有如下组成：含有合计0.5～4.0质量％的Ni及Co的任一种以上、0.1～1.3质量％的Si、0.03～0.5质量％的Cr，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。进而作为其他例，卡逊合金具有如下组成：含有0.5～4.0质量％的Ni、0.1～1.3质量％的Si、0.5～2.5质量％的Co，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。进而作为其他例，卡逊合金具有如下组成：含有0.5～4.0质量％的Ni、0.1～1.3质量％的Si、0.5～2.5质量％的Co、0.03～0.5质量％的Cr，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。进而作为其他例，卡逊合金具有如下组成：含有0.2～1.3质量％的Si、0.5～2.5质量％的Co，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。卡逊合金中也可任意添加其他元素(例如Mg、Sn、B、Ti、Mn、Ag、P、Zn、As、Sb、Be、Zr、Al及Fe)。一般而言，这些其他元素添加至总计5.0质量％左右。例如，进而作为其他例，卡逊合金具有如下组成：含有合计0.5～4.0质量％的Ni、Co及Cr的任一种以上、0.1～1.3质量％的Si、0.01～2.0质量％的Sn、0.01～2.0质量％的Zn，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。
在本发明中，红黄铜是指铜与锌的合金，且含有1～20质量％的锌、优选1～10质量％的锌的铜合金。又，红黄铜也可含有0.1～1.0质量％的锡。
在本发明中，黄铜是指铜与锌的合金，且尤其含有20质量％以上的锌的铜合金。锌的上限并无特别限定，为60质量％以下，优选45质量％以下，或40质量％以下。
在本发明中，白铜是指以铜为主成分，含有60质量％至75质量％的铜、8.5质量％至19.5质量％的镍、10质量％至30质量％的锌的铜合金。
在本发明中，其他铜合金是指含有合计为8.0质量％以下的Zn、Sn、Ni、Mg、Fe、Si、P、Co、Mn、Zr、Ag、B、Cr及Ti中一种或两种以上、剩余部分由不可避免的杂质与铜构成的铜合金。
再者，也可使用铝或铝合金、镍、镍合金、镁、镁合金、银、银合金、金、金合金、贵金属、含有贵金属的合金等的导热率良好的金属来代替本发明中用于铜放热材的铜或铜合金而制作放热材。再者，用于铜放热材及放热材的金属的导热率优选32W/(m·K)以上。
作为本发明中使用的铜放热材的形状，并无特别限制，可加工成最终的电子零件的形状，也可为经部分地压制加工的状态。也可不进行形状加工，而为片、板、条、箔、棒、线、箱、或立体形状(长方体、立方体、多面体、三角锥、圆柱、圆筒、圆锥、球、具有凹凸的立体、具有平面及/或曲面的立体)的形态。又，铜放热材较佳为压延铜箔或电解铜箔，更佳为压延铜箔。再者，“铜箔”包含铜合金箔。
铜放热材的厚度并无特别限制，例如可根据用途适当调整成适宜厚度而使用。例如可设为1～5000μm左右或2～1000μm左右，就尤其是在形成电路而使用的情况时设为35μm以下，使用屏蔽带当作屏蔽材的情况设为薄至18μm以下的观点出发，在用作电子机器内部的连接器、屏蔽带以外的屏蔽材、端子、外壳等的情况也可应用在厚至70～1000μm的材料，而上限厚度并无特别规定。再者，屏蔽材可将其单独地供至屏蔽用途，也可为以与其他零件一并构成而供至屏蔽用途的屏蔽零件。
本发明的铜放热材的利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的面粗糙度Sz(表面的最大高度)为5μm以上。若铜放热材的一个或两个表面的表面粗糙度Sz未达5μm，则来自发热体的热的放热性变得不良。铜放热材的一个或两个表面的面粗糙度Sz较佳为7μm以上，更佳为10μm以上，进而更佳为14μm以上，进而更佳为15μm以上，进而更佳为25μm以上。上限并无特别限定，例如可为90μm以下，可为80μm以下，也可为70μm以下。在面粗糙度Sz超过90μm的情况时，会有生产性会变低的情形。
此处，所谓铜放热材的“表面”，基本上意指铜放热材的合金层的表面，于进一步在铜放热材的表面设置有耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层等表面处理层的情况，意指设置该表面处理层后的最表面。
本发明的铜放热材的一个或两个表面的表面粗糙度Sa(表面的算术平均粗糙度)较佳为0.13μm以上。若铜放热材的一个或两个表面的表面粗糙度Sa未达0.13μm，则有来自发热体的热的放热性降低的疑虑。铜放热材的一个或两个表面的表面粗糙度Sa更佳为0.20μm以上，进而更佳为0.25μm以上，进而更佳为0.30μm以上，典型而言为0.1～1.0μm，更典型而言为0.1～0.9μm。
本发明铜放热材的一个或两个表面的Sku(表面高度分布的尖度、峰度(Kurtosis))较佳为6以上。若铜放热材的一个或两个表面的Sku未达6，则有来自发热体的热的放热性降低的疑虑。铜放热材的一个或两个表面的Sku更佳为9以上，进而更佳为10以上，进而更佳为40以上，进而更佳为60以上，典型而言为3～200，更典型而言为4～180。
关于本发明的铜放热材，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的上述一个或两个表面的表面积设为A，俯视时的面积设为B时的表面积比A/B较佳为1.35以上。若一个或两个表面的表面积比A/B未达1.35，则有来自发热体的热的放热性降低的疑虑。表面的表面积比A/B更佳为1.36以上，进而更佳为1.38以上，进而更佳为1.40以上，进而更佳为1.45以上，典型而言为1.00～8.00，更典型而言为1.10～7.50。
本发明的铜放热材的一个或两个表面的辐射率较佳为0.092以上。若铜放热材的一个或两个表面的辐射率为0.092以上，则可良好地对来自发热体的热进行放热。铜放热材的一个或两个表面的辐射率更佳为0.10以上，进而更佳为0.123以上，进而更佳为0.154以上，进而更佳为0.185以上，进而更佳为0.246以上。
本发明的铜放热材的一个或两个表面的辐射率并不需要特别规定上限，典型而言为1以下，更典型而言为0.99以下，更典型而言为0.95以下，更典型而言为0.90以下，更典型而言为0.85以下，更典型而言为0.80以下。再者，若铜放热材的一个或两个表面的辐射率为0.90以下，则制造性提高。
关于本发明的铜放热材，优选为将一个或两个表面的白色板(光源设为D65、设为10度视野时，该白色板的X10Y10Z10表色系统(JIS Z87011999)的三刺激值为X10＝80.7、Y10＝85.6、Z10＝91.5，且于L＊a＊b＊表色系统的该白色板的物体色为L＊＝94.14、a＊＝－0.90、b＊＝0.24)的物体色设为基准色时的色差且基于JISZ8730的色差ΔL(JIS Z8729(2004)规定的L＊a＊b＊表色系统中的两个物体色的CIE亮度L＊的差)满足ΔL≦－35。如此，若铜放热材表面的色差ΔL满足ΔL≦－35，则可良好地对自发热体吸收的导热所致的热、辐射热、对流热等进行吸收以及放热。表面的色差ΔL更佳为ΔL≦－40，进而更佳为ΔL≦－45，进而更佳为ΔL≦－50，进而更佳为ΔL≦－60，进而更佳为ΔL≦－70，典型而言为－90≦ΔL≦－5、－90≦ΔL≦－10、－88≦ΔL≦－35，或－85≦ΔL≦－35。
关于本发明的铜放热材，较佳为将一个或两个表面的白色板(光源设为D65、设为10度视野时，该白色板的X10Y10Z10表色系统(JIS Z87011999)的三刺激值为X10＝80.7、Y10＝85.6、Z10＝91.5，且于L＊a＊b＊表色系统的该白色板的物体色为L＊＝94.14、a＊＝－0.90、b＊＝0.24)的物体色设为基准色时的色差且基于JISZ8730的色差Δa(JIS Z8729(2004)规定的L＊a＊b＊表色系统中的两个物体色的色坐标a＊的差)满足Δa≦15。如此，若铜放热材表面的色差Δa满足Δa≦15，则可良好地对自发热体吸收的导热所致的热、辐射热、对流热等进行吸收。表面的色差Δa更佳为Δa≦10，进而更佳为Δa≦5，进而更佳为Δa≦4，典型而言为－10≦Δa≦15，更典型而言为－8≦Δa≦15。
关于本发明的铜放热材，较佳为将一个或两个表面的白色板(光源设为D65、设为10度视野时，该白色板的X10Y10Z10表色系统(JIS Z87011999)的三刺激值为X10＝80.7、Y10＝85.6、Z10＝91.5，且于L＊a＊b＊表色系统的该白色板的物体色为L＊＝94.14、a＊＝－0.90、b＊＝0.24)的物体色设为基准色时的色差且基于JISZ8730的色差Δb(JIS Z8729(2004)规定的L＊a＊b＊表色系统中的两个物体色的色坐标b＊的差)满足Δb≦17。如此，若铜放热材表面的色差Δb满足Δb≦17，则可良好地对自发热体吸收的导热所致的热、辐射热、对流热等进行吸收。表面的色差Δb更优选为Δb≦15，进一步更优选为Δb≦5，进一步更优选为Δb≦3，典型而言为－15≦Δb≦17，更典型而言为－10≦Δb≦17。
关于本发明的铜放热材，较佳为将一个或两个表面的白色板(光源设为D65、设为10度视野时，该白色板的X10Y10Z10表色系统(JIS Z87011999)的三刺激值为X10＝80.7、Y10＝85.6、Z10＝91.5，且于L＊a＊b＊表色系统的该白色板的物体色为L＊＝94.14、a＊＝－0.90、b＊＝0.24)的物体色设为基准色时的色差且基于JISZ8730的色差ΔE＊ab满足47≦ΔE＊ab。如此，若铜放热材表面的色差ΔE＊ab满足47≦ΔE＊ab，则可良好地对自发热体吸收的导热所致的热、辐射热、对流热等进行吸收。表面的色差ΔE＊ab更优选为50≦ΔE＊ab，进一步更优选为55≦ΔE＊ab，进一步更优选为60≦ΔE＊ab，进一步更优选为71≦ΔE＊ab，典型而言为47≦ΔE＊ab≦90，更典型而言为47≦ΔE＊ab≦88，更典型而言为47≦ΔE＊ab≦85。
此处，上述色差ΔL、Δa、Δb是分别利用色差计进行测定，采取黑/白/红/绿/黄/蓝，使用基于JIS Z8730(2009)的L＊a＊b＊表色系统而表示的综合指标，且表示为ΔL：白黑、Δa：红绿、Δb：黄蓝。又，ΔE＊ab是使用所述的色差而以下述数学式表示。该色差(ΔL、Δa、Δb)可使用HunterLab公司制造的色差计MiniScan XE Plus而进行测定。
[数学式1]
本发明的铜放热材在一个或两个面形成含有选自Cu、Co、Ni、W、P、Zn、Cr、Fe、Sn及Mo中的一种以上的金属的合金层。通过此种构成，可调整上述色差以及表面粗糙度，并可通过色差的调整而良好地对自发热体吸收的导热所致的热、辐射热、对流热等进行吸收。再者，该合金层可通过如电镀、无电解镀敷及浸镀般的湿式镀敷、或如溅镀、CVD、PDV般的干式镀敷而形成。从成本的观点而言，优选电镀。
本发明的铜放热材的合金层例如可借助单独使用或组合以下的镀敷条件，并进一步控制其处理次数而形成。再者，本发明所使用的除胶渣处理、电解、表面处理或镀敷等使用的处理液的剩余部分只要未特别明确记载，则为水。
(合金层形成镀敷条件1：Cu层)
·镀敷液组成：Cu浓度5～20g/L
·pH值：1.0～5.0
·温度：25～55℃
·电流密度：2～70A/dm2
·镀敷时间：0.2～20秒
(合金层形成镀敷条件2：Cu－Co－Ni层)
·镀敷液组成：Cu浓度10～20g/L、Co浓度5～10g/L、Ni浓度5～10g/L
·pH值：2.0～6.0
·温度：25～55℃
·电流密度：10～60A/dm2
·镀敷时间：0.3～10秒
(合金层形成镀敷条件3：Cu－Co－Ni－P层)
·镀敷液组成：Cu浓度10～20g/L、Co浓度5～10g/L、Ni浓度5～10g/L、P浓度10～800mg/L
·pH值：2.0～6.0
·温度：25～55℃
·电流密度：10～60A/dm2
·镀敷时间：0.3～10秒
(合金层形成镀敷条件4：Ni－Zn层)
·镀敷液组成：Ni浓度10～60g/L、Zn浓度5～30g/L
·pH值：3.5～6.0
·温度：25～55℃
·电流密度：0.2～3.0A/dm2
·镀敷时间：4～181秒
(合金层形成镀敷条件5：Cu－Ni－P层)
·镀敷液组成：Cu浓度5～15g/L、Ni浓度10～30g/L、P浓度10～800mg/L
·pH值：2.0～5.0
·温度：25～55℃
·电流密度：10～60A/dm2
·镀敷时间：0.2～10秒
于通过上述合金层形成镀敷条件1～3、5而形成合金层的情况，需要将表面处理分成多次进行。
(合金层形成镀敷条件6：Cr－Zn层)
·镀敷液组成：Cr浓度2～8g/L、Zn浓度0.1～1.0g/L
·pH值：2.0～4.0
·温度：40～60℃
·电流密度：0.5～3.0A/dm2
·镀敷时间：0.2～10秒
(合金层形成镀敷条件7：Cu－Ni－W层)
·镀敷液组成：Cu浓度5～15g/L、Ni浓度10～40g/L、W浓度10～1000mg/L
·pH值：2.0～4.0
·温度：40～60℃
·电流密度：10～60A/dm2
·镀敷时间：0.2～10秒
(合金层形成镀敷条件8：Ni－W－Sn层)
·镀敷液组成：Ni浓度10～50g/L、W浓度300～3000mg/L、Sn浓度100～1000mg/L
·pH值：3.0～6.5
·温度：40～60℃
·电流密度：0.1～4.0A/dm2
·镀敷时间：10～60秒
(合金层形成镀敷条件7：Cu－Ni－Mo－Fe层)
·镀敷液组成：Cu浓度5～15g/L、Ni浓度10～40g/L、Mo浓度50～5000mg/L、Fe浓度0.5～5.0g/L
·pH值：2.0～5.0
·温度：40～60℃
·电流密度：10～60A/dm2
·镀敷时间：5～30秒
再者，形成合金层的镀敷液中也可使用公知的添加剂。作为添加剂，例如也可使用促进金属离子析出的添加剂、使金属离子在镀敷剂中稳定存在的添加剂、使金属离子均匀析出的添加剂、调平剂、光泽剂。
例如也可使用氯、双(3-磺丙基)二硫化物、胺化合物、明胶、纤维素、乙二醇、硫脲、硫化物类、有机硫化合物类等作为添加剂。添加剂的浓度设为通常使用的浓度即可。通过添加该添加剂，可控制表面的色调、凹凸的状态。
于使用上述合金层的情况，合金层所含的选自Co、Ni、W、P、Zn、Cr、Fe、Sn及Mo中的一种以上的金属的合计附着量较佳为0.1～100000μg/dm2，较佳为5～80000μg/dm2，较佳为10～85000μg/dm2，较佳为100～80000μg/dm2。在低于0.1μg/dm2的情况，有时会有设置合金层所致的效果变小的情形。又，在超过100000μg/dm2的情况，有时会有生产性降低的情形。又，于用在将电路形成于铜放热材，并使用该电路传输高频信号等的情况时，合金层所含的Ni的附着量的上限较佳为4000μg/dm2以下，更佳为3000μg/dm2以下，更佳为1400μg/dm2以下，可更佳地设为1000μg/dm2以下。Ni的附着量的下限典型而言为50μg/dm2以上，更佳为100μg/dm2，可更佳地设为300μg/dm2以上。即，合金层所含的Ni的附着量典型而言为50μg/dm2以上且4000μg/dm2以下。
又，于用在将电路形成于铜放热材，并使用该电路传输高频信号等的情况时，上述合金层所含的Co、Fe及Mo的附着量的上限分别优选为6000μg/dm2以下，更优选为5000μg/dm2以下，更优选为3000μg/dm2以下，更优选为2400μg/dm2以下，可更优选地设为2000μg/dm2以下。Co的附着量的下限典型而言为50μg/dm2以上，更优选为100μg/dm2，可更优选地设为300μg/dm2以上。即，合金层所含的Co的附着量典型而言为50μg/dm2以上且6000μg/dm2以下。又，上述合金层除了具有Cu－Co－Ni合金镀层以外，而具有含有Co及/或Ni的层的情况时，可将合金层整体中的Ni的合计附着量及Co的附着量设为上述范围。
于上述合金层含有Cu的情况，并不需要特地设置其上限，典型而言为100mg/dm2以下，更典型而言为90mg/dm2以下，更典型而言为80mg/dm2以下。又，于上述合金层含有Cu的情况，并不需要特地设置其下限，典型而言为0.01μg/dm2以上，更典型而言为0.1μg/dm2以上，更典型而言为1μg/dm2以上，典型而言0.01μg/dm2以上且100mg/dm2以下。
又，也可在铜放热材所使用的铜或铜合金的表面或合金层的表面设置表面处理层。表面处理层可为粗化处理层、耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层、镀层。表面处理层可通过在铜放热材的表面形成黑色树脂而构成。黑色树脂例如可借助使黑色涂料渗入环氧树脂而仅涂布特定厚度并进行干燥而形成。
＜表面处理层＞
在铜放热材中所使用的铜或铜合金的表面或者合金层的表面，例如为了使与接着剂层的密合性变得良好等，也可通过实施粗化处理而设置粗化处理层。粗化处理例如可通过以铜或铜合金形成粗化粒子而进行。粗化处理也可为微细者。粗化处理层也可为选自由铜、镍、钴、磷、钨、砷、钼、铬及锌所组成的群中的任一单质或含有任1种以上单质的合金所构成的层等。又，在以铜或铜合金形成粗化粒子后，进而也可进行以镍、钴、铜、锌的单质或合金等设置二次粒子或三次粒子的粗化处理。其后，也可以镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进而也可对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。或者也可不进行粗化处理，而以镍、钴、铜、锌的单质或合金等形成耐热层或防锈层，进而对其表面实施铬酸盐处理、硅烷偶合处理等处理。即，也可在粗化处理层或合金层的表面形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层，也可在铜放热材中所使用的铜或铜合金的表面或者合金层形成选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶合处理层所组成的群中的1种以上的层。再者，上述耐热层、防锈层、铬酸盐处理层、硅烷偶合处理层也可分别形成为多层(例如2层以上、3层以上等)。
此处所谓铬酸盐处理层，意指经利用含有铬酸酐、铬酸、重铬酸、铬酸盐或重铬酸盐的液体处理的层。铬酸盐处理层也可含有钴、铁、镍、钼、锌、钽、铜、铝、磷、钨、锡、砷及钛等元素(可为金属、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形态)。作为铬酸盐处理层的具体例，可列举经铬酸酐或重铬酸钾水溶液处理的铬酸盐处理层，或是经含有铬酸酐或重铬酸钾及锌的处理液处理的铬酸盐处理层等。
作为耐热层、防锈层，可使用周知的耐热层、防锈层。例如，耐热层及/或防锈层也可为含有选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素的层，也可为由选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素构成的金属层或合金层。又，耐热层及/或防锈层也可含有包含选自镍、锌、锡、钴、钼、铜、钨、磷、砷、铬、钒、钛、铝、金、银、铂族元素、铁、钽的群中的一种以上的元素的氧化物、氮化物、硅化物。又，耐热层及/或防锈层也可为含有镍－锌合金的层。又，耐热层及/或防锈层也可为镍－锌合金层。上述镍－锌合金层可为除不可避免的杂质以外，含有镍50wt％～99wt％、锌50wt％～1wt％者。上述镍－锌合金层的锌及镍的合计附着量为5～1000mg/m2，优选为10～500mg/m2，优选也可为20～100mg/m2。又，上述含有镍－锌合金的层或上述镍－锌合金层的镍附着量与锌附着量之比(＝镍的附着量/锌的附着量)较佳为1.5～10。又，上述含有镍－锌合金的层或上述镍－锌合金层的镍附着量较佳为0.5mg/m2～500mg/m2，更佳为1mg/m2～50mg/m2。在耐热层及/或防锈层为含有镍－锌合金的层的情形时，通孔(through hole)或通路孔(via hole)等的内壁部与除胶渣(desmear)液接触时，铜或铜合金或合金层与树脂基板的界面难以被除胶渣液腐蚀，铜或铜合金或合金层与树脂基板的密合性会提升。
例如耐热层及/或防锈层可为将附着量为1mg/m2～100mg/m2、优选为5mg/m2～50mg/m2的镍或镍合金层、与附着量为1mg/m2～80mg/m2、优选为5mg/m2～40mg/m2的锡层依序积层而成者，上述镍合金层也可由镍－钼、镍－锌、镍－钼－钴中的任一种构成。又，耐热层及/或防锈层的镍或镍合金与锡的合计附着量较佳为2mg/m2～150mg/m2，更佳为10mg/m2～70mg/m2。又，耐热层及/或防锈层较佳为[镍或镍合金中的镍附着量]/[锡附着量]＝0.25～10，更优选为0.33～3。若使用该耐热层及/或防锈层，则将附载体铜箔加工成印刷配线板以后的电路的剥离强度、该剥离强度的耐化学品性劣化率等会变得良好。
再者，硅烷偶合处理所使用的硅烷偶合剂可使用周知的硅烷偶合剂，例如可使用胺系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂、巯基系硅烷偶合剂。又，硅烷偶合剂也可使用乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基苯基三甲氧基硅烷、γ－甲基丙烯氧基丙基三甲氧基硅烷(γ－methacryloxypropyltrimethoxysilane)、γ－环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷(γ－glycidoxypropyltrimethoxysilane)、4－环氧丙基丁基三甲氧基硅烷、γ－胺基丙基三乙氧基硅烷、N－β(胺基乙基)γ－胺基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－胺基丙氧基)丁氧基)丙基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、咪唑硅烷、三嗪硅烷、γ－巯基丙基三甲氧基硅烷等。
上述硅烷偶合处理层也可使用环氧系硅烷、胺系硅烷、甲基丙烯氧基系硅烷、巯基系硅烷等硅烷偶合剂等而形成。再者，此种硅烷偶合剂也可将两种以上混合使用。其中，优选使用胺系硅烷偶合剂或环氧系硅烷偶合剂所形成者。
此处所谓的胺系硅烷偶合剂也可为选自由如下物质所组成的群者：N－(2－胺基乙基)－3－胺基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、胺基丙基三甲氧基硅烷、N－甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－(3－丙烯氧基－2－羟基丙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、4－胺基丁基三乙氧基硅烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基硅烷、N－(2－胺基乙基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、N－(2－胺基乙基－3－胺基丙基)三(2－乙基己氧基)硅烷、6－(胺基己基胺基丙基)三甲氧基硅烷、胺基苯基三甲氧基硅烷、3－(1－胺基丙氧基)－3,3－二甲基－1－丙烯基三甲氧基硅烷、3－胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)硅烷、3－胺基丙基三乙氧基硅烷、3－胺基丙基三甲氧基硅烷、ω－胺基十一烷基三甲氧基硅烷、3－(2－N－苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基硅烷、双(2－羟基乙基)－3－胺基丙基三乙氧基硅烷、(N,N－二乙基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、(N,N－二甲基－3－胺基丙基)三甲氧基硅烷、N－甲基胺基丙基三甲氧基硅烷、N－苯基胺基丙基三甲氧基硅烷、3－(N－苯乙烯基甲基－2－胺基乙基胺基)丙基三甲氧基硅烷、γ－胺基丙基三乙氧基硅烷、N－β(胺基乙基)γ－胺基丙基三甲氧基硅烷、N－3－(4－(3－胺基丙氧基)丁氧基)丙基－3－胺基丙基三甲氧基硅烷。
硅烷偶合处理层较理想为以硅原子换算设为0.05mg/m2～200mg/m2、优选为0.15mg/m2～20mg/m2、优选为0.3mg/m2～2.0mg/m2的范围。在上述范围的情形时，可使铜放热材中所使用的铜或铜合金或合金层与接着剂层的密合性更加提升。
又，可对铜放热材中所使用的铜或铜合金、合金层、粗化处理层、耐热层、防锈层、硅烷偶合处理层或铬酸盐处理层的表面进行下述文献所记载的表面处理：国际公开编号WO2008/053878、日本特开2008－111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、日本特开2013－19056号。
本发明的铜放热材，可以下述方式来调整设置上述合金层前的铜基材的表面。其是为了将铜放热材的表面控制在特定的Sz、Sa、Sku、ΔE＊ab、ΔL、Δa、Δb、表面积比的状态。
在使用压延材来作为铜基材的情形时，该压延材是使用控制以下数学式所表示的油膜当量并进行压延而得者。
油膜当量＝{(压延油黏度[cSt])×(通板速度[mpm]+辊周边速度[mpm])}/{(辊的咬入角[rad])×(材料的降伏应力[kg/mm2])}
压延油黏度[cSt]是在40℃的动黏度。
具体而言，将下述压延材使用作为本发明的铜基材，该压延材是将最终冷压延时的油膜当量设为16000～30000进行压延而得者。其原因在于，在未达16000的情形或超过30000的情形时，设置了上述合金层后的表面不会成为特定范围。在未达16000的情形时，有Sz值变得过小的情形。在超过30000的情形时，有Sz值变得过大的情形。
为了将油膜当量设为16000～30000，只要使用低黏度的压延油、或使用减缓通板速度等周知的方法即可。
又，以下表示可用于本案发明的电解铜箔的制造条件。
＜电解液组成＞
铜：90～110g/L
硫酸：90～110g/L
氯：50～100mg/L
调平剂1(双(3－磺丙基)二硫醚)：10～30ppm
调平剂2(胺化合物)：10～30ppm
上述胺化合物可使用以下化学式的胺化合物。
(上述化学式中，R1及R2为选自由羟烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基组成的群中者。)
＜制造条件＞
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～60℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟
再者，铜放热材中所使用的铜或铜合金的表面也可通过以下的处理来控制表面状态。作为表面处理，也可施加为了在铜或铜合金表面形成凹凸的表面处理。作为为了在铜或铜合金表面形成凹凸的表面处理，也可进行利用化学研磨或电解研磨的表面处理。作为化学研磨中所使用的处理液，也可使用含有硫酸、过氧化氢的蚀刻液、或含有氟化铵的蚀刻液、含有过硫酸钠的蚀刻液、含有三氯化铁或三氯化铜的蚀刻液等用于一般蚀刻的液体，也可使用周知的蚀刻液。又，例如可通过在由硫酸铜与硫酸水溶液所构成的溶液中对铜或铜合金的表面进行电解研磨，而在表面形成凹凸。虽然通常而言，电解研磨是以平滑化为目的，但本发明的铜放热材中所使用的铜或铜合金的表面的表面处理，是利用电解研磨来形成凹凸，因此是与一般想法相反的想法。利用电解研磨来形成凹凸的方法也可利用周知的技术来进行。作为为了形成上述凹凸的电解研磨的周知的技术的例子，可列举日本特开2005－240132号、日本特开2010－059547号、日本特开2010－047842中所记载的方法。利用电解研磨来形成凹凸的处理的具体条件，例如可列举
·处理溶液：Cu：10～40g/L、H2SO4：50～150g/L、温度：30～70℃
·电解研磨电流：5～40A/dm2
·电解研磨时间：5～50秒
等。
作为为了在铜或铜合金表面形成凹凸的表面处理，例如也可通过对铜或铜合金表面进行机械研磨来形成凹凸。机械研磨也可以周知的技术来进行。
再者，在本发明的铜放热材中所使用的铜或铜合金的表面的表面处理后，也可设置耐热层或防锈层或耐候性层。耐热层或防锈层及耐候性层可为上述记载或实验例记载的方法，也可为周知的技术方法。
本发明的铜放热材也可是于铜放热材的合金层表面进一步形成有粗化处理层、耐热处理层、防锈处理层、氧化物层(在铜放热材的表面通过加热等而形成氧化物层)等表面处理层者。又，在不阻碍构成合金层的镀敷的限度下，也可在铜放热材与合金层之间设置基底层。
可将本发明的铜放热材贴合于树脂基板，而制造以屏蔽带为首的屏蔽材、屏蔽构件等积层体。又，若有需要，则可通过进一步对该铜放热材进行加工而形成电路，来制造印刷配线板等。作为树脂基板，例如作为刚性PWB用，可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布/纸复合基材环氧树脂、玻璃布/玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，作为FPC用或胶带用，则可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)、PET膜等等。再者，在本发明中，“印刷配线板”设为也包含安装有构件的印刷配线板及印刷电路板及印刷基板。又，可将两个以上的本发明的印刷配线板连接而制造连接有两个以上印刷配线板的印刷配线板，又，可将至少一个本发明的印刷配线板与另一个本发明的印刷配线板或并不相当于本发明的印刷配线板的印刷配线板连接，也可使用此种印刷配线板而制造电子机器。再者，于本发明中，“铜电路”设为也包含铜配线。
又，也可将本发明的铜放热材使用于放热板、构造板、屏蔽材、屏蔽板、屏蔽构件、补强材、遮罩、壳体、壳(case)、箱等而制作金属加工构件。本发明的铜放热材由于自发热体发出的热的吸收性及所吸收的热的放热性良好，因此作为放热用铜放热材非常优异，故用作为放热板为特佳。金属加工部材设为包含放热板、构造板、屏蔽材、屏蔽板、屏蔽构件、补强材、遮罩、壳体、壳及箱者。
又，可将把本发明的铜放热材使用于该放热板、构造板、屏蔽材、屏蔽板、屏蔽构件、补强材、遮罩、壳体、壳、箱等而制得的金属加工构件使用于电子机器。
〔附载体铜箔〕
本发明的另一实施方案的附载体铜箔，在载体的一面或两面依序具有中间层、极薄铜层。而且，上述极薄铜层为上述本发明的一个实施方案的铜放热材。该附载体铜箔的“铜箔”也包含铜合金箔。
＜载体＞
可使用于本发明的载体，典型为金属箔或树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜(例如聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚酰胺膜、聚酯膜、氟树脂膜等)的形态提供。
作为可使用于本发明的载体，优选使用铜箔。其是因为铜箔的导电度较高，因此之后的中间层、极薄铜层的形成变得容易。载体典型上是以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。一般而言，电解铜箔是利用硫酸铜镀浴将铜电解析出在钛或不锈钢的滚筒上来加以制造，压延铜箔则是重复进行利用压延辊的塑性加工与热处理来制造。铜箔的材料，除了精铜或无氧铜等的高纯度铜外，例如也可使用掺Sn铜、掺Ag铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的卡逊(corson)系铜合金此类的铜合金。
可使用于本发明的载体的厚度，并无特别限制，只要适当调节成可发挥作为载体的作用的适合厚度即可，例如可设为5μm以上。但是，若过厚则由于生产成本会提高，故通常优选设为35μm以下。因此，载体的厚度典型上为12～70μm，更典型地为18～35μm。
经表面处理后的极薄铜层表面的Sz、Sa、Sku、表面积比A/B的控制，可通过与上述铜放热材相同的表面处理来进行。
又，可将可利用以下方法制作的电解铜箔用作为载体。
＜电解液组成＞
铜：90～110g/L
硫酸：90～110g/L
氯：50～100mg/L
调平剂1(双(3－磺丙基)二硫醚)：10～30ppm
调平剂2(胺化合物)：10～30ppm
上述胺化合物可使用以下化学式的胺化合物。
(上述化学式中，R1及R2为选自由羟烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基组成的群中者。)
＜制造条件＞
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～60℃
电解液线速：3～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟(视析出的铜厚、电流密度来调整)
再者，也可在载体的与设置极薄铜层侧的表面相反侧的表面设置粗化处理层。可使用周知的方法来设置该粗化处理层，也可通过上述粗化处理来设置该粗化处理层。在载体的与设置极薄铜层侧的表面相反侧的表面设置粗化处理层，具有下述优点：于将载体自具有该粗化处理层的表面侧积层于树脂基板等支持体时，载体与树脂基板变得不易剥离。
＜中间层＞
在载体上设置中间层。也可在载体与中间层之间设置其他层。本发明中使用的中间层只要为如下构成则并无特别限定：在附载体铜箔向绝缘基板积层的步骤前极薄铜层不易自载体剥离，另一方面，在向绝缘基板积层的步骤后极薄铜层可自载体剥离。例如，本发明的附载体铜箔的中间层也可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、所述的合金、所述的水合物、所述的氧化物、有机物所组成的群中的一种或两种以上。又，中间层也可为多层。
又，例如，中间层可通过如下方式构成：自载体侧形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种元素构成的单一金属层，或者由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种或两种以上的元素构成的合金层，在其上形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种或两种以上的元素的水合物或氧化物或有机物构成的层。
又，例如，中间层可通过如下方式构成：自载体侧形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种元素构成的单一金属层，或者由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种或两种以上的元素构成的合金层，在其上形成由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种元素构成的单一金属层，或者由选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所组成的元素群中的一种或两种以上的元素构成的合金层。
又，作为中间层的上述有机物，可使用周知的有机物，又，较佳为使用含氮的有机化合物、含硫的有机化合物及羧酸中的任一种以上。例如，作为具体的含氮的有机化合物，优选使用具有取代基的三唑化合物即1,2,3－苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'－双(苯并三唑基甲基)脲、1H－1,2,4－三唑及3－胺基－1H－1,2,4－三唑等。
含硫的有机化合物优选使用巯基苯并噻唑、2－巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2－苯并咪唑硫醇等。
作为羧酸，尤其优选使用单羧酸，其中优选使用油酸、亚麻油酸及次亚麻油酸等。
又，例如，中间层可由下述方式构成：在载体上依序积层镍层、镍－磷合金层或镍－钴合金层、与含铬的层。由于镍与铜的接着力比铬与铜的接着力高，因此于剥离极薄铜层时，成为在极薄铜层与含铬的层的界面剥离。又，期待中间层的镍具有防止铜成分自载体扩散至极薄铜层的障蔽效果。中间层中的镍的附着量优选为100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更优选为100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更优选为100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更优选为100μg/dm2以上且未达1000μg/dm2，中间层中的铬的附着量较佳为5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。于仅在单面设置中间层的情形时，优选在载体的相反面设置镀镍层等防锈层。上述中间层的铬层可通过镀铬或铬酸盐处理来设置。
若中间层的厚度变得过大，则会有中间层的厚度去影响到表面处理后的极薄铜层表面的Sz、Sa、Sku、表面积比A/B的情形，因此极薄铜层的表面处理层表面的中间层的厚度优选为1～1000nm，优选为1～500nm，优选为2～200nm，优选为2～100nm，更优选为3～60nm。再者，中间层也可设置在载体的两面。
＜极薄铜层＞
在中间层上设置极薄铜层。也可在中间层与极薄铜层之间设置其他层。具有该载体的极薄铜层为本发明的一个实施方案的铜放热材。极薄铜层的厚度并无特别限制，通常比载体薄，例如为12μm以下。典型为0.5～12μm，更典型为1.5～5μm。又，可在于中间层上设置极薄铜层前，为了减少极薄铜层的针孔而进行铜－磷合金等的打底镀敷。打底镀敷可列举焦磷酸铜镀敷液等。再者，极薄铜层也可设置在载体的两面。
又，本发明的极薄铜层也可为利用下述条件形成的极薄铜层。于在极薄铜层的与和中间层接触侧为相反侧的面设置上述合金层的情形时，为了使该合金层表面的Sz、Sa、Sku、表面积比A/B成为本发明的范围，控制极薄铜层表面的Sz、Sa、Sku、表面积比A/B。
·电解液组成
铜：80～120g/L
硫酸：80～120g/L
氯：30～100mg/L
调平剂1(双(3－磺丙基)二硫醚)：10～30ppm
调平剂2(胺化合物)：10～30ppm
上述胺化合物可使用以下化学式的胺化合物。
(上述化学式中，R1及R2为选自由羟烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基组成的群中者。)
·制造条件
电流密度：70～100A/dm2
电解液温度：50～65℃
电解液线速：1.5～5m/sec
电解时间：0.5～10分钟(视析出的铜厚、电流密度来调整)
〔树脂层〕
本发明的铜放热材也可在一个表面或两表面具备树脂层。设置该树脂层的铜放热材表面也可为表面处理表面。上述树脂层也可为绝缘树脂层。再者，在本发明的铜放热材中，“表面处理表面”是指：在粗化处理后进行了为了设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情形时，进行了该表面处理后的铜放热材的表面。又，在铜放热材为附载体铜箔的极薄铜层的情形时，“表面处理表面”是指：在粗化处理后进行了为了设置耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情形时，进行了该表面处理后的极薄铜层的表面。
上述树脂层可为接着剂，也可为接着用半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。半硬化状态(B阶段状态)包括如下状态：即便用手指触摸其表面亦无黏着感，可将该绝缘树脂层重叠而保管，若进一步进行加热处理，则会引起硬化反应。
上述树脂层可为接着用树脂即接着剂，也可为接着用半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。半硬化状态(B阶段状态)包括如下状态：即便用手指触摸其表面亦无黏着感，可将该绝缘树脂层重叠而保管，若进一步进行加热处理，则会引起硬化反应。
又，上述树脂层可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。又，上述树脂层也可含有热塑性树脂。上述树脂层也可含有周知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等。又，上述树脂层例如可使用如下文献中所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电体、反应催化剂、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材料等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成，该文献是国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11－5828号、日本特开平11－140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000－43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002－179772号、日本特开2002－359444号、日本特开2003－304068号、日本专利第3992225号、日本特开2003－249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004－82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004－349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005－262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005－53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006－257153号、日本特开2007－326923号、日本特开2008－111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009－67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009－173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011－14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本专利特开2013－19056号。
又，上述树脂层的种类并无特别限定，作为优选，例如可列举含有选自如下成分的群中的一种以上的树脂：环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、顺丁烯二酰亚胺化合物、聚顺丁烯二酰亚胺化合物、顺丁烯二酰亚胺系树脂、芳香族顺丁烯二酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、胺酯(urethane)树脂、聚醚砜(亦称为polyethersulphone、polyethersulfone)、聚醚砜(亦称为polyethersulphone、polyethersulfone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶变性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改质丙烯腈－丁二烯树脂、聚苯醚、双顺丁烯二酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯酯系树脂、羧酸的酸酐、多元羧酸的酸酐、具有可交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2－双(4－氰酸酯基苯基)丙烷、含磷的酚化合物、环烷酸锰、2,2－双(4－环氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚－氰酸酯系树脂、硅氧烷改质聚酰胺酰亚胺树脂、氰酯树脂、膦腈系树脂、橡胶变性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子环氧树脂、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚聚酰亚胺树脂及氰酯树脂。
又，上述环氧树脂是分子内具有2个以上环氧基者，并且只要为可用于电性、电子材料用途者，则可尤其无问题地使用。又，上述环氧树脂优选使用分子内具有2个以上环氧丙基的化合物进行环氧化而成的环氧树脂。又，可将选自由如下成分所组成的群中的1种或2种以上混合而使用：双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改质双酚A型环氧树脂、环氧丙胺型环氧树脂、异氰尿酸三环氧丙酯、N,N－二环氧丙基苯胺等环氧丙胺化合物、四氢邻苯二甲酸二环氧丙酯等环氧丙酯化合物、含磷的环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂，或者可使用上述环氧树脂的氢化体或卤化体。
可使用周知的含有磷的环氧树脂作为上述含磷的环氧树脂。又，上述含磷的环氧树脂优选例如分子内具备2个以上环氧基的以自9,10－二氢－9－氧杂－10－磷杂菲－10－氧化物的衍生物的形式获得的环氧树脂。
(树脂层含有介电体(介电体填料)的情况)
上述树脂层也可含有介电体(介电体填料)。
于在上述任一种树脂层或树脂组成物中含有介电体(介电体填料)的情形时，可用于形成电容器层的用途，而增大电容器电路的电容。该介电体(介电体填料)是使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr－Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3·PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等具有钙钛矿(Perovskite)结构的复合氧化物的介电体粉。
介电体(介电体填料)也可为粉状。在介电体(介电体填料)为粉状的情形时，该介电体(介电体填料)的粉体特性优选为粒径为0.01μm～3.0μm、优选为0.02μm～2.0μm的范围。再者，利用扫描型电子显微镜(SEM)对介电体拍摄照片，于在该照片上的介电体的粒子上引直线的情形时，将横切介电体的粒子的直线长度为最长的部分的介电体的粒子长度设为该介电体的粒子直径。并且，将测定视野内的介电体的粒子直径的平均值设为介电体的粒径。
使上述树脂层中所含的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解在例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N－甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基溶纤素、N－甲基－2－吡咯啶酮、N,N－二甲基乙酰胺、N,N－二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，通过例如辊式涂布法等将其涂布在上述铜放热材的粗化处理表面上，继而视需要进行加热干燥，去除溶剂而成为B阶段状态。干燥例如只要使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃、优选130～200℃即可。可使用溶剂溶解上述树脂层的组成物，而制成树脂固形物成分3wt％～70wt％、优选为3wt％～60wt％、优选为10wt％～40wt％、更优选为25wt％～40wt％的树脂液。再者，就环境的观点而言，现阶段最佳为使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂进行溶解。再者，溶剂优选为使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。
又，上述树脂层较佳为依据MIL标准中的MIL－P－13949G进行测定时的树脂流动量为5％～35％的范围的半硬化树脂膜。
在本发明说明书中，所谓树脂流动量，是指依据MIL标准中的MIL－P－13949G，自使树脂厚度为55μm的附树脂的铜放热材采取4片10cm见方试样，在使该4片试样重叠的状态(积层体)下，压制温度171℃、压制压力14kgf/cm2、压制时间10分钟的条件下进行贴合，根据测定此时的树脂流出重量所得的结果，基于数学式2算出的值。
[数学式2]
具备上述树脂层的铜放热材(附树脂的铜放热材)是以如下方面来使用：将该树脂层与基材重叠后将整体热压接而使该树脂层热硬化，继而于铜放热材为附载体铜箔的极薄铜层的情形时，剥离载体而露出极薄铜层(当然露出的是该极薄铜层的中间层侧表面)，自铜放热材的与经粗化处理侧相反的侧的表面形成特定配线图案。
若使用该附树脂的铜放热材，则可减少制造多层印刷配线基板时的预浸体材的使用片数。而且，即便将树脂层的厚度设为可确保层间绝缘的厚度，或完全不使用预浸体材料，也可制造覆金属积层板。又，此时，也可将绝缘树脂底漆涂布在基材的表面而进一步改善表面的平滑性。
再者，在不使用预浸体材料的情形时，可节约预浸体材料的材料成本，又，积层步骤亦变得简略，因此经济上较为有利，而且有如下优点：仅制造预浸体材料的厚度程度的多层印刷配线基板的厚度变薄，而可制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷配线基板。
该树脂层的厚度优选0.1～120μm。
若树脂层的厚度薄于0.1μm，则有如下情况：接着力降低，在不介存预浸体材而将该附树脂的铜放热材积层于具备内层材料的基材时，难以确保内层材料与电路之间的层间绝缘。另一方面，若树脂层的厚度厚于120μm，则有如下情况：难以于1次涂布步骤中形成目标厚度的树脂层，而需要多余的材料费及步骤数，故而在经济上变得不利。
再者，在将具有树脂层的铜放热材用于制造极薄的多层印刷配线板的情形时，将上述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更佳为0.5μm～5μm、更佳为1μm～5μm时，可缩小多层印刷配线板的厚度，故而较佳。
以下，表示若干使用本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造步骤的例子。
本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；及以使极薄铜层侧与绝缘基板对向的方式将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过将上述附载体铜箔的载体剥离的步骤而形成覆金属积层板，其后，通过半加成法、改进半加成法、部分加成法及减成法中的任一种方法形成电路。绝缘基板也可设为内层电路入口。
在本发明中，所谓半加成法，是指于绝缘基板或金属箔晶种层上进行较薄的无电解镀敷，形成图案后，利用电镀及蚀刻形成导体图案的方法。
因此，使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；于将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将剥离上述载体而露出的极薄铜层完全去除；于通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的上述树脂上设置通孔或/及盲孔；对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；在含有上述树脂及上述通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；在上述无电解镀敷层上设置镀敷阻剂；对上述镀敷阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的镀敷阻剂；于去除了上述镀敷阻剂的上述形成有电路的区域设置电解镀敷层；去除上述镀敷阻剂；及通过快速蚀刻等去除位于除了上述形成有电路的区域以外的区域的无电解镀敷层。
使用半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；于将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法将剥离上述载体而露出的极薄铜层完全去除；在通过利用蚀刻去除上述极薄铜层而露出的上述树脂的表面设置无电解镀敷层；在上述无电解镀敷层上设置镀敷阻剂；对上述镀敷阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的镀敷阻剂；在去除了上述镀敷阻剂的上述形成有电路的区域设置电解镀敷层；去除上述镀敷阻剂；及通过快速蚀刻等去除位于除了上述形成有电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层。
在本发明中，所谓改进半加成法，是指于绝缘层上积层金属箔，通过镀敷阻剂保护非电路形成部，通过电解镀敷增厚电路形成部的铜厚后，去除抗蚀剂，利用(快速)蚀刻去除上述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路的方法。
因此，使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；于将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；在上述含有通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置镀敷阻剂；在设置上述镀敷阻剂后，通过电解镀敷形成电路；去除上述镀敷阻剂；及利用快速蚀刻去除通过去除上述镀敷阻剂而露出的极薄铜层。
又，上述在树脂层上形成电路的步骤，也可为下述步骤：将另一附载体铜箔自极薄铜层侧贴合在上述树脂层上，使用贴合于上述树脂层的附载体铜箔形成上述电路。又，贴合在上述树脂层上的另一附载体铜箔也可为本发明的附载体铜箔。又，在上述树脂层上形成电路的步骤，也可利用半加成法、改进半加成法、部分加成法或减成法中的任一种方法来进行。又，在上述表面形成电路的附载体铜箔，也可在该附载体铜箔的载体表面具有基板或树脂层。
使用改进半加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；在剥离上述载体而露出的极薄铜层上设置镀敷阻剂；对上述镀敷阻剂进行曝光，其后，去除形成有电路的区域的镀敷阻剂；在去除了上述镀敷阻剂的上述形成有电路的区域设置电解镀敷层；去除上述镀敷阻剂；及通过快速蚀刻等去除位于除了上述形成有电路的区域以外的区域的无电解镀敷层及极薄铜层。
在本发明中，所谓部分加成法，是指在设置导体层而成的基板、视需要穿过通孔或辅助孔用孔而成的基板上赋予催化剂核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要设置阻焊剂或镀敷阻剂后，在上述导体电路上通过无电解镀敷处理对通孔或辅助孔等进行增厚，由此制造印刷配线板的方法。
因此，使用部分加成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；在上述含有通孔或/及盲孔的区域赋予催化剂核；在剥离上述载体而露出的极薄铜层表面设置蚀刻阻剂；对上述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案；利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述催化剂核，而形成电路；去除上述蚀刻阻剂；在利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述催化剂核而露出的上述绝缘基板表面，设置阻焊剂或镀敷阻剂；及在未设置上述阻焊剂或镀敷阻剂的区域设置无电解镀敷层。
在本发明中，所谓减成法，是指通过蚀刻等将覆金属积层板上的铜箔的不需要的部分选择性地去除，而形成导体图案的方法。
因此，使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的一实施方案含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；在上述含有通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；在上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂；对上述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案；利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述无电解镀敷层及上述电解镀敷层，而形成电路；及去除上述蚀刻阻剂。
使用减成法的本发明的印刷配线板的制造方法的另一实施方案含有如下步骤：准备本发明的附载体铜箔与绝缘基板；将上述附载体铜箔与绝缘基板积层；在将上述附载体铜箔与绝缘基板积层后，将上述附载体铜箔的载体剥离；在剥离上述载体而露出的极薄铜层与绝缘基板上设置通孔或/及盲孔；对含有上述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理；在上述含有通孔或/及盲孔的区域设置无电解镀敷层；在上述无电解镀敷层的表面形成遮罩；在未形成遮罩的上述无电解镀敷层的表面设置电解镀敷层；在上述电解镀敷层或/及上述极薄铜层的表面设置蚀刻阻剂；对上述蚀刻阻剂进行曝光而形成电路图案；利用使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法去除上述极薄铜层及上述无电解镀敷层，而形成电路；及去除上述蚀刻阻剂。
也可不进行设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤。
此处，详细地说明使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板的制造方法的具体例。再者，此处，以具有形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔为例进行说明，但并不限于此，使用具有未形成粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔，也可同样地进行下述印刷配线板的制造方法。
首先，准备具有表面形成有粗化处理层的极薄铜层的附载体铜箔(第1层)。
其次，在极薄铜层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影而将抗蚀剂蚀刻为特定形状。
其次，通过于形成电路用镀层后去除抗蚀剂，而形成特定形状的电路镀层。
其次，以被覆电路镀层的方式(以埋没电路镀层的方式)在极薄铜层上设置埋入树脂而积层树脂层，继而自极薄铜层侧接着另一附载体铜箔(第2层)。
其次，自第2层的附载体铜箔剥离载体。
其次，在树脂层的特定位置进行雷射开孔，使电路镀层露出而形成盲孔。
其次，在盲孔中埋入铜，形成通孔填充物。
其次，在通孔填充物上，以上述方式形成电路镀层。
其次，自第1层的附载体铜箔剥离载体。
其次，通过快速蚀刻去除两表面的极薄铜层，使树脂层内的电路镀层的表面露出。
其次，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，在该焊料上形成铜柱。如此制作使用有本发明的附载体铜箔的印刷配线板。
上述另一附载体铜箔(第2层)可使用本发明的附载体铜箔，也可使用先前的附载体铜箔，进而也可使用通常的铜箔。又，可在上述第2层电路上进一步形成1层或多层电路，可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法来形成这些电路。
再者，埋入树脂(resin)可使用周知的树脂、预浸体。可使用例如BT(双顺丁烯二酰亚胺三嗪)树脂或含浸BT树脂的玻璃布即预浸体、Ajinomoto Fine－Techno股份有限公司制造的ABF膜或ABF。又，上述埋入树脂(resin)也可使用本说明书中所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。
又，上述第一层中使用的附载体铜箔也可在该附载体铜箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，第一层中使用的附载体铜箔受到支持，变得不易产生皱褶，因此有生产性提高的优点。再者，只要上述基板或树脂层为发挥支持上述第一层中使用的附载体铜箔的效果者，则可使用全部基板或树脂层。例如，可使用本案说明书中记载的载体、预浸体、树脂层或周知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔作为上述基板或树脂层。
可将本发明的铜放热材自表面处理层侧或与表面处理层侧相反的侧贴合在树脂基板而制造积层体。树脂基板只要具有可应用在印刷配线板等的特性，则不受特别限制，例如，在刚性PWB用可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、氟树脂含浸编织物、玻璃布－纸复合基材环氧树脂、玻璃布－玻璃不织布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，在可挠性印刷基板(FPC)用可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、氟树脂及氟树脂－聚酰亚胺复合材料等。再者，因为液晶聚合物(LCP)其介电损失小，故而可将液晶聚合物(LCP)膜较佳地用于高频电路用途的印刷配线板。
关于贴合的方法，在刚性PWB用的情形时，准备将树脂含浸在玻璃布等基材中，而使树脂硬化至半硬化状态的预浸体。可通过将铜箔与预浸体重迭并使其加热加压而进行。在FPC的情形时，可通过经由接着剂、或不使用接着剂，而在高温高压下将液晶聚合物或聚酰亚胺膜等基材积层接着于铜箔，或者对聚酰亚胺前驱物进行涂布、干燥、硬化等而制造积层体。
本发明的积层体可用在各种印刷配线板(PWB)，并无特别限制，例如，就导体图案的层数的观点而言，可应用在单面PWB、双面PWB、多层PWB(3层以上)，就绝缘基板材料的种类的观点而言，可应用于刚性PWB、可挠性PWB(FPC)、软硬复合PWB。
又，可将本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔，自表面处理层侧或与表面处理层侧相反的侧积层树脂基板或基板(也可为金属材料、无机材料、有机材料、陶瓷)或壳体或金属加工构件或电子零件或电子机器或液晶面板或显示器，从而制造积层体。
于该积层体也可在本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔与上述树脂基板或上述基板之间具有黏着剂层或接着剂层。黏着剂层可为使用有导电性黏着剂的层，也可为使用导电性丙烯酸类黏着剂的层。树脂基板或基板可为分隔件。分隔件是指可使黏着剂层或接着剂层与本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔自上述积层体剥离的树脂基板或基板。本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔与上述树脂基板或上述基板也可为可剥离。
该积层体是在本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔与上述树脂基板或上述基板之间具有黏着剂层或接着剂层的积层体的情形时，本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔与上述树脂基板或上述基板也可为可剥离。
上述情形时，若将本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔与上述树脂基板或上述基板剥离，则黏着剂层或接着剂层在本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔的表面露出，故而剥离上述树脂基板或上述基板后的本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔也可与其他物体积层。该积层体也可在上述树脂基板或上述基板的两侧具有本发明的铜放热材或本发明的附载体铜箔。
再者，在上述黏着剂层及接着剂层，可使用公知的黏着剂、接着剂、本说明书所记载的树脂层、以及可用在本说明书所记载的树脂层的树脂等。
进而，可使用本发明的铜放热材制造印刷配线板、覆铜积层板。又，使用本发明的铜材而制造的印刷配线板可用在电子机器。又，本发明的铜材也可用于制造二次电池用负极集电体、二次电池、无芯多层印刷配线板时所使用的支持基材等。
·实施例1～11、13～18、比较例1～8。
作为实施例1～11、13～18、比较例1～8，准备具有表1～4所记载的厚度的各种铜基材。接着，在该铜基材上形成合金层。此时，按照表1～4所示，以合金层形成(1)～(3)的顺序形成。
·实施例12
准备如下记载的附载体铜箔作为实施例12的基材。首先，准备厚度18μm的JX日矿日石金属股份有限公司制造的JTC箔的电解铜箔作为载体。接着以下述条件，在载体的光泽面侧的表面形成中间层、在中间层的表面形成极薄铜层。
<中间层>
(1)Ni层(Ni镀敷)
通过辊对辊型的连续镀敷线，利用以下条件对载体进行电镀而形成附着量1000μg/dm2的Ni层。具体的镀敷条件如下所记：
硫酸镍：270～280g/L
氯化镍：35～45g/L
乙酸镍：10～20g/L
硼酸：30～40g/L
光泽剂：糖精、丁炔二醇
十二烷硫酸钠：55～75ppm
pH：4～6
浴温：55～65℃
电流密度：10A/dm2
(2)Cr层(电解铬酸盐处理)
接着，对在(1)形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，接着在辊对辊型的连续镀敷线上，利用以下条件进行电解铬酸盐处理，由此使附着量为11μg/dm2的Cr层附着于Ni层上。
重铬酸钾：1～10g/L
pH值：7～10
液温：40～60℃
电流密度：2A/dm2
<极薄铜层>
接着，对在(2)形成的Cr层表面进行水洗及酸洗后，接着于辊对辊型的连续镀敷线上，利用以下条件进行电镀处理，由此在Cr层上形成厚度为5μm的极薄铜层制作附载体极薄铜箔。
铜浓度：90～110g/L
硫酸浓度：90～110g/L
氯化物离子浓度：50～90ppm
调平剂1(双(3－磺丙基)二硫化物)：10～30ppm
调平剂2(胺化合物)：10～30ppm
再者，使用下述胺化合物作为调平剂2。
(上述化学式中，R1及R2为选自由羟烷基、醚基、芳基、经芳香族取代的烷基、不饱和烃基、烷基组成的群中者。)
电解液温度：50～80℃
电流密度：100A/dm2
电解液线速度：1.5～5m/sec
·表面的Sz、Sa、Sku；
利用Olympus公司制作的雷射显微镜OLS4000(LEXT OLS 4000)，依据ISO25178测得铜放热材表面的Sz、Sa、Sku。使用雷射显微镜的50倍物镜来进行面积约200μm×200μm(具体而言为40106μm2)的测定，而算出Sz、Sa、Sku。再者，在雷射显微镜测定中，测定结果的测定面并非平面、而是为曲面的情形时，在进行平面校正后算出Sz、Sa、Sku。再者，利用雷射显微镜测得Sz、Sa、Sku的测定环境温度为23～25℃。
·表面积比A/B；
利用Olympus公司制作的雷射显微镜OLS4000(LEXT OLS 4000)，依据ISO25178测得铜放热材表面的表面积，用其算出表面积比A/B。使用雷射显微镜的50倍物镜来进行面积约200μm×200μm(具体而言为40106μm2)的测定。再者，利用雷射显微镜测得三维表面积A的测定环境温度为23～25℃。
·色差；
使用HunterLab公司制造的色差计MiniScan XE Plus，依据JISZ8730测得下述情形的色差：将铜放热材表面的白色板(将光源设为D65，在设为10度视野时，该白色板的X10Y10Z10表色系统(JIS Z8701 1999)的三刺激值为X10＝80.7、Y10＝85.6、Z10＝91.5，且于L＊a＊b＊表色系统中的该白色板的物体色为L＊＝94.14、a＊＝－0.90、b＊＝0.24)的物体色设为基准色的情形。再者，在上述色差计中，将白色板的色差的测定值设为ΔE＊ab＝0、将以黑色袋(light trap)覆盖测定孔而进行测定时的色差的测定值设为ΔE＊ab＝94.14，来校正色差。此处色差ΔE＊ab定义为上述白色板为零、黑色为94.14。再者，铜电路表面等微小区域的基于JIS Z8730测得的色差ΔE＊ab，可使用例如日本电色工业股份有限公司制造的微小面分光色差计(型号：VSS400等)或Suga Test Instruments股份有限公司制造的微小面分光测色计(型号：SC－50μ等)等公知的测定装置来进行测定。
·落粉；
关于落粉，是在表面上贴附透明的修补胶带(mending tape)，将该胶带剥离时，因附着在胶带黏着面的脱落粒子而胶带变色，由此从变色的情形评价落粉。
胶带没有变色的情形为◎、胶带变为灰色的情形为○、胶带变为黑色的情形为×。
·辐射率；
利用傅立叶转换红外线分光法(FT-IR：Fourier Transform InfraredSpectroscopy)，以下述条件测得铜放热材表面的反射率光谱，算出辐射率。
(1)放热性的评价
如图1所示，在长d2×宽w2×厚h2＝50mm×100mm×0.2mm的基板(Mg合金压铸)表面的中央设置长d1×宽w1×厚h1＝5mm×5mm×1mm的发热体(以树脂固定有电热线的发热体，相当于IC芯片)。继而，在与基板的发热体相反之侧的表面设置接着剂层(长d3×宽w3×厚h3＝50mm×100mm×0.03mm)，进而从与形成有合金层的面相反之侧的面，积层本实施例、比较例的铜放热材(长d4×宽w4×厚h4＝50mm×100mm×表中所记载的铜基材的厚度)。然后，在“发热体的中央部”和“铜放热材的与接着剂层积层的面的相反侧的面的与发热体的中央部相对应的位置”，设置热电偶。图1表示该试样的上表面示意图。图2表示该试样的剖面示意图。
继而，将电流以发热量成为0.5W的方式流入发热体。然后，以发热体的上表面的中央部的温度成为一定值的方式流入电流。此处，发热体的上表面的中央部的温度在10分钟内没有变化时，判断为上表面的中央部的温度为一定值。再者，将外部环境温度设为20℃。然后，自发热体的上表面的中央部的温度成为一定值而维持30分钟后，测得设置在上述铜放热材的热电偶的显示温度。接下来，热电偶的显示温度较低者判定为良好。再者，铜放热材与接着剂层积层的面的相反侧的面的与发热体的中央部相对应的位置，是铜放热板中温度最高的位置。
(2)反射率测定
以下述条件测定各个上述试样的光的波长。测定是在试样的测定面内，将测定方向转90度而进行2次。
测定装置：IFS－66v(Bruker公司制造的FT－IR、真空光学系统)
光源：炽棒(SiC)
检测器：MCT(HgCdTe)
分光镜(beamsplitter)：Ge/KBr
测定条件：解像力＝4cm-1
累积次数：512次
零填充(zero filling)＝2倍
变迹法＝三角形
测定区域＝5000～715cm-1(光的波长：2～14μm)
测定温度＝25℃
附加装置：穿透率、反射率测定用积分球
口(port)直径＝φ10mm
重复精度＝约±1％
反射率测定
入射角：10度
参考试样：diffuse gold(Infragold－LF Assembly)
不安装镜像杯(Specular cup)(去除正反射成分装置)
(3)关于辐射率
入射至试样面的光除了反射、穿过的光以外，于内部被吸收。吸收率(α)(＝辐射率(ε))、反射率(r)、穿透率(t)下述式成立。
ε+r+t＝1(A)
辐射率(ε)可如下式一般，由反射率、穿透率来求得。
ε＝1－r－t(B)
试样为不透明、且较厚可无视穿透等情形时，t＝0而辐射率仅由反射率求出。
ε＝1－r(C)
本试样中由于红外线未穿透，因此适用(C)式，算出各个光的波长的辐射率。
(4)FT－IR光谱
将进行2次测定的结果的平均值设为反射率光谱。再者，反射率光谱是利用diffuse gold的反射率进行补正。(显示波长区域：2～14μm)
此处，若根据利用卜朗克的式求得的温度中黑色物体的放射能量分布，将各波长λ中能量强度设为Ebλ、于各波长λ的试样的辐射率设为ελ，则试样放射能量强度Esλ表示为Esλ＝ελ·Ebλ。本实施例中，利用该式：Esλ＝ελ·Ebλ求出所得到的25℃中的各试样的放射能量强度Esλ。
又，某些波长区域中黑色物体及试样的总能量，是利用该波长范围中的Esλ,Ebλ的积分值来求出，且总辐射率ε是以该比来表示(下述数学式A)。本实施例中使用该式算出25℃中的波长区域2～14μm下的各试样的总辐射率ε。然后将所得到的总辐射率ε设为各试样的辐射率。
上述各试验的条件及试验结果显示在表1～4。
(评价结果)
实施例1～18放热性均良好。
比较例1～3、5～8均未形成合金层，而表面的面粗糙度Sz落在5μm以上的范围外，与实施例相比放热性不良。
比较例4使用不锈钢基材，且与实施例相比放热性不良。
又，对上述实施例，在铜基材的两面进行相同的合金层形成处理，则分别可以得到相同的特性。
Claims (44)
1.一种铜放热材，在一个或两个表面上形成含有选自Cu、Co、Ni、W、P、Zn、Cr、Fe、Sn及Mo中的一种以上的金属的合金层，且利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的面粗糙度Sz为5μm以上。
2.根据权利要求1所述的铜放热材，其中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的面粗糙度Sz为7μm以上。
3.根据权利要求2所述的铜放热材，其中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的面粗糙度Sz为10μm以上。
4.根据权利要求3所述的铜放热材，其中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的面粗糙度Sz为14μm以上。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的铜放热材，其中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的面粗糙度Sz为90μm以下。
6.根据权利要求1所述的铜放热材，其中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的面粗糙度Sa为0.13μm以上。
7.根据权利要求1所述的铜放热材，其中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的面粗糙度Sku为6以上。
8.根据权利要求6所述的铜放热材，其中，利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的面粗糙度Sku为6以上。
9.根据权利要求1所述的铜放热材，其中，在将利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的表面积设为A，将俯视时的面积设为B时，表面积比A/B为1.35以上。
10.根据权利要求6所述的铜放热材，其中，在将利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的表面积设为A，将俯视时的面积设为B时，表面积比A/B为1.35以上。
11.根据权利要求7所述的铜放热材，其中，在将利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的表面积设为A，将俯视时的面积设为B时，表面积比A/B为1.35以上。
12.根据权利要求8所述的铜放热材，其中，在将利用雷射光波长为405nm的雷射显微镜测得的所述一个或两个表面的表面积设为A，将俯视时的面积设为B时，表面积比A/B为1.35以上。
13.根据权利要求1、6至12中任一项所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差ΔL满足ΔL≦－35。
14.根据权利要求1、6至12中任一项所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差Δa满足Δa≦15。
15.根据权利要求13所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差Δa满足Δa≦15。
16.根据权利要求1、6至12中任一项所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差Δb满足Δb≦17。
17.根据权利要求13所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差Δb满足Δb≦17。
18.根据权利要求14所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差Δb满足Δb≦17。
19.根据权利要求15所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的基于JISZ8730的色差Δb满足Δb≦17。
20.根据权利要求1、6至12中任一项所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的辐射率为0.092以上。
21.根据权利要求13所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的辐射率为0.092以上。
22.根据权利要求14所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的辐射率为0.092以上。
23.根据权利要求15所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的辐射率为0.092以上。
24.根据权利要求16所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的辐射率为0.092以上。
25.根据权利要求17所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的辐射率为0.092以上。
26.根据权利要求18所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的辐射率为0.092以上。
27.根据权利要求19所述的铜放热材，其中，所述一个或两个表面的辐射率为0.092以上。
28.根据权利要求1、6至12中任一项所述的铜放热材，其中，于所述一个或两个表面具备树脂层。
29.根据权利要求28所述的铜放热材，其中，所述树脂层含有介电体。
30.一种附载体铜箔，其在载体的一面或两面依序具有中间层、极薄铜层，且所述极薄铜层为权利要求1至29中任一项所述的铜放热材。
31.根据权利要求30所述的附载体铜箔，其中，在所述载体的一面依序具有所述中间层、所述极薄铜层，并于所述载体的另一面具有粗化处理层。
32.一种连接器，其使用权利要求1至29中任一项所述的铜放热材。
33.一种端子，其使用权利要求1至29中任一项所述的铜放热材。
34.一种积层体，其以如下方式制造：依序积层权利要求1至29中任一项所述的铜放热材或权利要求30或31所述的附载体铜箔、任意的接着剂层、与基板或壳体或金属加工构件或电子零件或电子机器或分隔件。
35.根据权利要求34所述的积层体，其中，所述接着剂层为黏着剂层。
36.根据权利要求34或35所述的积层体，其中，所述基板为树脂基板。
37.根据权利要求34或35所述的积层体，其中，所述电子零件为液晶面板。
38.根据权利要求34或35所述的积层体，其中，所述电子机器为显示器。
39.一种屏蔽材，其具备权利要求34至38中任一项所述的积层体。
40.一种印刷配线板，其具备权利要求34至38中任一项所述的积层体。
41.一种金属加工构件，其使用权利要求1至29中任一项所述的铜放热材或权利要求30或31所述的附载体铜箔。
42.一种电子机器，其使用权利要求1至29中任一项所述的铜放热材或权利要求30或31所述的附载体铜箔。
43.一种印刷配线板的制造方法，其含有如下步骤：
准备权利要求30或31所述的附载体铜箔与绝缘基板；
将所述附载体铜箔与绝缘基板积层；及
在将所述附载体铜箔与绝缘基板积层后，经过剥离所述附载体铜箔的载体的步骤而形成覆金属积层板，
然后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一方法而形成电路。
44.一种印刷配线板的制造方法，其含有如下步骤：
在权利要求30或31所述的附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成电路；
以埋没所述电路的方式在所述附载体铜箔的所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层；
在所述树脂层上形成电路；
在所述树脂层上形成电路后，剥离所述载体或所述极薄铜层；
及通过在剥离所述载体或所述极薄铜层后去除所述极薄铜层或所述载体，而使形成在所述极薄铜层侧表面或所述载体侧表面的埋没在所述树脂层的电路露出。
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