JP2016084528A - 銅放熱材、キャリア付銅箔、コネクタ、端子、積層体、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 - Google Patents
銅放熱材、キャリア付銅箔、コネクタ、端子、積層体、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
Description
そこで、本発明は、良好な放熱性を有する銅放熱材を提供することを課題とする。
本発明の銅放熱材は更に別の一実施形態において、レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した、前記一方又は両方の表面の面粗さSzが90μm以下である。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て金属張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
本発明において使用する銅放熱材としては、銅又は銅合金を使用することができる。
銅としては、典型的には、JIS H0500やJIS H3100に規定されるリン脱酸銅(JIS H3100 合金番号C1201、C1220、C1221)、無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020)及びタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)、電解銅箔などの95質量%以上、より好ましくは99.90質量%以上の純度の銅が挙げられる。Sn、Ag、Au、Co、Cr、Fe、In、Ni、P、Si、Te、Ti、Zn、B、MnおよびZrの中の一種以上を合計で0.001〜4.0質量%含有する銅又は銅合金とすることもできる。
なお、本発明において銅放熱材に用いる銅または銅合金の代わりに、アルミニウムまたはアルミニウム合金、ニッケル、ニッケル合金、マグネシウム、マグネシウム合金、銀、銀合金、金、金合金、貴金属、貴金属を含む合金等の熱伝導率の良好な金属を用いて、放熱材を作製することも可能である。なお、銅放熱材および放熱材に用いる金属は、熱伝導率が32W/(m・K)以上であることが好ましい。
ここで、銅放熱材の「表面」とは、基本的に銅放熱材の合金層の表面を意味し、さらに、銅放熱材の表面に耐熱層、防錆層、クロメート処理層およびシランカップリング処理層等の表面処理層が設けられている場合には、当該表面処理層が設けられた後の最表面のことを意味する。
・めっき液組成:Cu濃度5〜20g/L
・pH:1.0〜5.0
・温度:25〜55℃
・電流密度:2〜70A/dm2
・めっき時間:0.2〜20秒
・めっき液組成:Cu濃度10〜20g/L、Co濃度5〜10g/L、Ni濃度5〜10g/L
・pH:2.0〜6.0
・温度:25〜55℃
・電流密度:10〜60A/dm2
・めっき時間:0.3〜10秒
・めっき液組成:Cu濃度10〜20g/L、Co濃度5〜10g/L、Ni濃度5〜10g/L、P濃度10〜800mg/L
・pH:2.0〜6.0
・温度:25〜55℃
・電流密度:10〜60A/dm2
・めっき時間:0.3〜10秒
・めっき液組成:Ni濃度10〜60g/L、Zn濃度5〜30g/L
・pH:3.5〜6.0
・温度:25〜55℃
・電流密度:0.2〜3.0A/dm2
・めっき時間:4〜181秒
・めっき液組成:Cu濃度5〜15g/L、Ni濃度10〜30g/L、P濃度10〜800mg/L
・pH:2.0〜5.0
・温度:25〜55℃
・電流密度:10〜60A/dm2
・めっき時間:0.2〜10秒
上記合金層形成めっき条件1〜3、5により、合金層を形成する場合には表面処理を複数回に分けて行うことが必要である。
・めっき液組成:Cr濃度2〜8g/L、Zn濃度0.1〜1.0g/L
・pH:2.0〜4.0
・温度:40〜60℃
・電流密度:0.5〜3.0A/dm2
・めっき時間:0.2〜10秒
・めっき液組成:Cu濃度5〜15g/L、Ni濃度10〜40g/L、W濃度10〜1000mg/L
・pH:2.0〜4.0
・温度:40〜60℃
・電流密度:10〜60A/dm2
・めっき時間:0.2〜10秒
・めっき液組成:Ni濃度10〜50g/L、W濃度300〜3000mg/L、Sn濃度100〜1000mg/L
・pH:3.0〜6.5
・温度:40〜60℃
・電流密度:0.1〜4.0A/dm2
・めっき時間:10〜60秒
・めっき液組成:Cu濃度5〜15g/L、Ni濃度10〜40g/L、Mo濃度50〜5000mg/L、Fe濃度0.5〜5.0g/L
・pH:2.0〜5.0
・温度:40〜60℃
・電流密度:10〜60A/dm2
・めっき時間:5〜30秒
なお、合金層を形成するめっき液には公知の添加剤を用いてもよい。例えば、添加剤として金属イオンの析出を促進する添加剤や、金属イオンをめっき液中で安定して存在させるようにする添加剤、金属イオンの析出を均一にする添加剤、レベラー剤、光沢剤等を用いても良い。
例えば添加剤として、塩素、ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド)、アミン化合物、ニカワ、セルロース、エチレングリコール、チオ尿素、スルフィド類、有機硫黄化合物等を用いても良い。添加剤の濃度は通常用いられる濃度とすると良い。当該添加剤を添加することにより、表面の色調や、凹凸の状態を制御することができる。
また、銅放熱材に回路を形成し、当該回路を用いて高周波信号を伝送すること等に用いられる場合には、上記合金層に含まれるCo、FeおよびMoの付着量の上限はそれぞれ6000μg/dm2以下であることが好ましく、より好ましくは5000μg/dm2以下、より好ましくは3000μg/dm2以下、より好ましくは2400μg/dm2以下、より好ましくは2000μg/dm2以下とすることができる。Co付着量の下限は典型的には50μg/dm2以上、より好ましくは100μg/dm2、より好ましくは300μg/dm2以上とすることができる。すなわち、合金層に含まれるCoの付着量は典型的には50μg/dm2以上6000μg/dm2以下である。また、上記合金層がCu−Co−Ni合金めっき層以外に、Coおよび/またはNiを含む層を有する場合には、合金層全体におけるNiの合計付着量およびCoの合計付着量を前述の範囲とすることができる。
上記合金層にCuが含まれる場合、特にその上限は設ける必要は無いが、典型的には100mg/dm2以下、より典型的には90mg/dm2以下、より典型的には80mg/dm2以下である。また、上記合金層にCuが含まれる場合、特にその下限は設ける必要は無いが、典型的には0.01μg/dm2以上であり、より典型的には0.1μg/dm2以上であり、より典型的には1μg/dm2以上であり、典型的には0.01μg/dm2以上100mg/dm2以下である。
銅放熱材に用いる銅または銅合金の表面または合金層の表面には、例えば接着剤層との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層または合金層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、銅放熱材に用いる銅または銅合金の表面または合金層に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。
銅基材として圧延材を用いる場合には、当該圧延材は以下の式で表される油膜当量を制御して圧延されたものを用いる。
油膜当量={(圧延油粘度[cSt])×(通板速度[mpm]+ロール周速度[mpm])}/{(ロールの噛み込み角[rad])×(材料の降伏応力[kg/mm2])}
圧延油粘度[cSt]は40℃での動粘度である。
具体的には、最終冷間圧延の際の油膜当量を16000〜30000として圧延した圧延材を本発明の銅基材として使用する。16000未満の場合や、30000超の場合は、前述の合金層を設けた後の表面が所定の範囲とならないためである。16000未満の場合は、Szの値が小さくなりすぎる場合がある。30000超の場合はSzの値が大きくなりすぎる場合がある。
油膜当量を16000〜30000とするためには、低粘度の圧延油を用いたり、通板速度を遅くしたりする等、公知の方法を用いればよい。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レべリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
・処理溶液:Cu:10〜40g/L、H2SO4:50〜150g/L、温度:30〜70℃
・電解研磨電流:5〜40A/dm2
・電解研磨時間:5〜50秒
などが挙げられる。
銅または銅合金の表面に凹凸を形成するための表面処理としては、例えば、銅または銅合金の表面を機械研磨することで凹凸を形成しても良い。機械研磨は公知の技術で行ってもよい。
なお、本発明の銅放熱材に用いる銅または銅合金の表面の表面処理後に、耐熱層や防錆層や耐候性層を設けても良い。耐熱層や防錆層および耐候性層は、上記記載や実験例記載の方法でもよいし、公知の技術の方法でもよい。
また、本発明の銅放熱材は放熱板、構造板、シールド材、シールド板、シールド部品、補強材、カバー、筐体、ケース、箱などに使用して金属加工部材を作製することができる。本発明の銅放熱材は発熱体からの熱の吸収性及び吸収した熱の放熱性が良好であるため、放熱用銅放熱材として非常に優れているため放熱板として用いることが特に好ましい。金属加工部材は放熱板、構造板、シールド材、シールド板、シールド部品、補強材、カバー、筐体、ケースおよび箱を含むものとする。
また、本発明の銅放熱材を当該放熱板、構造板、シールド材、シールド板、シールド部品、補強材、カバー、筐体、ケース、箱などに使用して作製した金属加工部材を電子機器に用いることができる。
本発明の別の実施の形態であるキャリア付銅箔は、キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄銅層をこの順に有する。そして、前記極薄銅層が前述の本発明の一つの実施の形態である銅放熱材である。当該キャリア付銅箔の「銅箔」は、銅合金箔も含む。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム(例えばポリイミドフィルム、液晶ポリマー(LCP)フィルム、ポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム、フッ素樹脂フィルム等)の形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアとしては銅箔を使用することが好ましい。銅箔は電気伝導度が高いため、その後の中間層、極薄銅層の形成が容易となるからである。キャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅や無酸素銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間(析出させる銅厚、電流密度により調整)
なお、キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けてもよい。当該粗化処理層を公知の方法を用いて設けてもよく、上述の粗化処理により設けてもよい。キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離しにくくなるという利点を有する。
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、中間層は前記有機物として公知の有機物を用いることが出来、また、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれか一種以上を用いることが好ましい。例えば、具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N’,N’−ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア、1H−1,2,4−トリアゾール及び3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層の間には他の層を設けてもよい。当該キャリアを有する極薄銅層は、本発明の一つの実施の形態である銅放熱材である。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1.5〜5μmである。また、中間層の上に極薄銅層を設ける前に、極薄銅層のピンホールを低減させるために銅−リン合金等によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。なお、極薄銅層はキャリアの両面に設けてもよい。
・電解液組成
銅:80〜120g/L
硫酸:80〜120g/L
塩素:30〜100ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜65℃
電解液線速:1.5〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間(析出させる銅厚、電流密度により調整)
本発明の銅放熱材は、一方又は両方の表面に樹脂層を備えても良い。当該樹脂層を設ける銅放熱材表面が表面処理表面であってもよい。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。なお本発明の銅放熱材において「表面処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の銅放熱材の表面のことをいう。また、銅放熱材がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合には、「表面処理表面」とは、粗化処理の後、耐熱層、防錆層、耐候性層などを設けるための表面処理を行った場合には、当該表面処理を行った後の極薄銅層の表面のことをいう。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
前記樹脂層は誘電体(誘電体フィラー)を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
また、前記樹脂層はMIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%〜35%の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
本件明細書において、レジンフローとは、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さを55μmとした樹脂付銅放熱材から10cm角試料を4枚サンプリングし、この4枚の試料を重ねた状態(積層体)でプレス温度171℃、プレス圧14kgf/cm2、プレス時間10分の条件で張り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から数2に基づいて算出した値である。
この樹脂層の厚みは0.1〜120μmであることが好ましい。
なお、樹脂層を有する銅放熱材が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μm、より好ましくは0.5μm〜5μm、より好ましくは1μm〜5μmとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て金属張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、前記めっきレジストを除去する工程、前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、を含む。
まず、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、ビアフィル上に、上記のようにして回路めっきを形成する。
次に、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
当該積層体は、本発明の銅放熱材若しくは本発明のキャリア付銅箔と前述の樹脂基板若しくは前述の基板との間に粘着剤層または接着剤層を有してもよい。粘着剤層は導電性粘着剤を用いた層であってもよく、導電性アクリル系粘着剤を用いた層であってもよい。樹脂基板若しくは基板はセパレータであってもよい。セパレータは、前述の積層体から粘着剤層若しくは接着剤層と本発明の銅放熱材若しくは本発明のキャリア付銅箔とを剥離可能とする樹脂基板若しくは基板のことを意味する。本発明の銅放熱材若しくは本発明のキャリア付銅箔と前述の樹脂基板若しくは前述の基板とは剥離可能であってもよい。
当該積層体が、本発明の銅放熱材若しくは本発明のキャリア付銅箔と前述の樹脂基板若しくは前述の基板との間に粘着剤層または接着剤層を有する積層体である場合に、本発明の銅放熱材若しくは本発明のキャリア付銅箔と前述の樹脂基板若しくは前述の基板とは剥離可能であってもよい。
前記の場合、本発明の銅放熱材若しくは本発明のキャリア付銅箔と前述の樹脂基板若しくは前述の基板とを剥離すると、本発明の銅放熱材若しくは本発明のキャリア付銅箔の表面に前述の粘着剤層または接着剤層が露出するため、前述の樹脂基板若しくは前述の基板とを剥離後の本発明の銅放熱材または本発明のキャリア付銅箔は、他の物への積層が可能であってもよい。当該当該積層体は、前述の樹脂基板若しくは前述の基板の両側に本発明の銅放熱材または本発明のキャリア付銅箔を有してもよい。
なお、前述の粘着剤層および接着剤層には公知の粘着剤、接着剤、本明細書に記載の樹脂層および本明細書に記載の樹脂層に用いることが可能な樹脂等を用いることができる。
さらに、本発明の銅放熱材を用いてプリント配線板、銅張積層板を製造することができる。また、本発明の銅材を用いて製造したプリント配線板は電子機器に用いることができる。また、本発明の銅材は二次電池用負極集電体、二次電池、コアレス多層プリント配線板の製造時に使用される支持基材等にも用いることができる。
実施例1〜11、13〜18、比較例1〜8として、表1〜4に記載の厚みを有する各種銅基材を準備した。次に、当該銅基材上に合金層を形成した。このとき、表1〜4に示すように合金層形成(1)〜(3)の順に形成した。
実施例12の基材として以下に記載するキャリア付銅箔を用意した。まず、厚さ18μmのJX日鉱日石金属株式会社製JTC箔である電解銅箔をキャリアとして準備した。そして下記条件で、キャリアの光沢面側の表面に中間層を形成し、中間層の表面に極薄銅層を形成した。
(1)Ni層(Niめっき)
キャリアに対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続メッキラインで電気メッキすることにより1000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。具体的なメッキ条件を以下に記す。
硫酸ニッケル:270〜280g/L
塩化ニッケル:35〜45g/L
酢酸ニッケル:10〜20g/L
ホウ酸:30〜40g/L
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:55〜75ppm
pH:4〜6
浴温:55〜65℃
電流密度:10A/dm2
(2)Cr層(電解クロメート処理)
次に、(1)にて形成したNi層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上でNi層の上に11μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
重クロム酸カリウム:1〜10g/L
pH:7〜10
液温:40〜60℃
電流密度:2A/dm2
<極薄銅層>
次に、(2)にて形成したCr層表面を水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続メッキライン上で、Cr層の上に厚み5μmの極薄銅層を以下の条件で電気メッキすることにより形成し、キャリア付極薄銅箔を作製した。
銅濃度:90〜110g/L
硫酸濃度:90〜110g/L
塩化物イオン濃度:50〜90ppm
レベリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レベリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
なお、レべリング剤2として下記のアミン化合物を用いた。
(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
電解液温度:50〜80℃
電流密度:100A/dm2
電解液線速:1.5〜5m/sec
ISO25178に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡OLS4000(LEXT OLS 4000)にて、銅放熱材表面のSz、Sa、Skuを測定した。レーザー顕微鏡における対物レンズ50倍を使用して約200μm×200μm面積(具体的には40106μm2)の測定を行い、Sz、Sa、Skuを算出した。なおレーザー顕微鏡測定において、測定結果の測定面が平面でない、曲面になった場合は、平面補正を行った後に、Sz、Sa、Skuを算出した。なお、レーザー顕微鏡によるSz、Sa、Skuの測定環境温度は23〜25℃とした。
ISO25178に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡OLS4000(LEXT OLS 4000)にて、銅放熱材表面の表面積を測定し、それを用いて表面積比A/Bを算出した。レーザー顕微鏡における対物レンズ50倍を使用して約200μm×200μm面積(具体的には40106um2)の測定を行った。なお、レーザー顕微鏡による三次元表面積Aの測定環境温度は23〜25℃とした。
HunterLab社製色差計MiniScan XE Plusを使用して、JISZ8730に準拠して、銅放熱材表面の白色板(光源をD65とし、10度視野としたときに、当該白色板のX10Y10Z10表色系(JIS Z8701 1999)の三刺激値はX10=80.7、Y10=85.6、Z10=91.5であり、L*a*b*表色系での、当該白色板の物体色はL*=94.14、a*=-0.90、b*=0.24である)の物体色を基準とする色とした場合の色差を測定した。なお、前述の色差計では、白色板の色差の測定値をΔE*ab=0、黒い袋(ライトトラップ(light trap))で測定孔を覆って測定したときの色差の測定値をΔE*ab=94.14として、色差を校正する。ここで色差ΔE*abは前述の白色板をゼロ、黒色を94.14で定義される。なお、銅回路表面など微小領域のJIS Z8730に基づく色差ΔE*abは、例えば日本電色工業株式会社製の微小面分光色差計(型式:VSS400など)やスガ試験機株式会社製の微小面分光測色計(型式:SC−50μなど)など公知の測定装置を用いて測定をすることができる。
粉落ちは、表面上に透明なメンディングテープを貼りつけ、このテープを剥がした際にテープ粘着面に付着する脱落粒子により、テープが変色する様子から粉落ちを評価した。テープの変色が無い場合は◎、灰色になる場合は○、テープが黒く変色する場合は×とした。
以下の条件で、フーリエ変換赤外分光法(FT-IR:Fourier Transform Infrared Spectroscopy)により、銅放熱材表面の反射率スペクトルを測定し、輻射率を算出した。
図1に示すような、縦d2×横w2×厚みh2=50mm×100mm×0.2mmの基板(Mg合金ダイカスト)表面の中央に、縦d1×横w1×厚みh1=5mm×5mm×1mmの発熱体(電熱線を樹脂で固めた発熱体、ICチップに相当)を設けた。次に、基板の発熱体と反対側の表面に、接着剤層(縦d3×横w3×厚みh3=50mm×100mm×0.03mm)を設け、更に本実施例、比較例における銅放熱材(縦d4×横w4×厚みh4=50mm×100mm×表に記載の銅基材の厚み)を合金層が形成されている面とは反対側の面側から前記接着剤層に積層した。そして、発熱体の中央部と、銅放熱材の接着剤層と積層されている面とは反対側も面の、発熱体の中央部に対応する箇所とに熱電対を設置した。図1(A)に、当該試料の上面模式図を示す。図1(B)に、当該試料の断面模式図を示す。
次に、発熱体に発熱量が0.5Wとなるように電流を流した。そして、発熱体の上面の中央部の温度が一定の値となるまで電流を流した。ここで、発熱体の上面の中央部の温度が10分間変化しなかった時点で、上面の中央部の温度が一定の値となったと判断した。なお、外部環境温度は20℃とした。そして、発熱体の上面の中央部の温度が一定の値となってから30分間保持後、上記銅放熱材に設置した熱電対の表示温度を測定した。そして、熱電対の表示温度が低い方が良好であると判定した。なお、前記銅放熱材の接着剤層と積層されている面とは反対側も面の、発熱体の中央部に対応する箇所が、銅放熱板において最も温度が高い箇所であった。
上記試料の光の波長ごとの反射率を以下の条件により測定した。測定は試料の測定面内で、測定する向きを90度変えて2回行った。
測定装置:IFS-66v(Bruker社製FT-IR、真空光学系)
光源:グローバー(SiC)
検知器:MCT(HgCdTe)
ビームスプリッター:Ge/KBr
測定条件:分解能=4cm-1
積算回数=512回
ゼロフィリング=2倍
アポダイゼーション=三角形
測定領域=5000〜715cm-1(光の波長:2〜14μm)
測定温度=25℃
付属装置:透過率・反射率測定用積分球
ポート径=φ10mm
繰り返し精度=約±1%
反射率測定
入射角:10度
参照試料:diffuse gold(Infragold-LF Assembly)
スペキュラーカップ(正反射成分除去装置)取り付けなし
試料面に入射してきた光は、反射、透過するほか内部で吸収される。吸収率(α)(=輻射率(ε))、反射率(r)、透過率(t)には次の式が成り立つ。
ε+r+t=1(A)
輻射率(ε)は次式のように反射率、透過率から求めることができる。
ε=1−r−t(B)
試料が不透明である、厚くて透過が無視できるといった場合、t=0となり輻射率は反射率のみで求まる。
ε=1−r(C)
本試料では赤外光が透過しなかったため、(C)式を適応し、光の波長ごとの輻射率が算出される。
2回測定を行った結果の平均値を、反射率スペクトルとした。なお、反射率スペクトルはdiffuse goldの反射率にて補正した(表示波長領域:2〜14μm)。
ここで、プランクの式より求めたある温度での黒体の放射エネルギー分布から、各波長λにおけるエネルギー強度をEbλ、各波長λでの試料の輻射率をελとすると、試料の放射エネルギー強度Esλは、Esλ=ελ・Ebλで表される。本実施例では、当該式:Esλ=ελ・Ebλで得られた25℃における各試料の放射エネルギー強度Esλを求めた。
また、ある波長領域における黒体および試料の全エネルギーは、その波長範囲におけるEsλ,Ebλの積分値で求められ、全輻射率εはその比で表される(下記式A)。本実施例では当該式を用いて25℃における波長領域2〜14μmでの各試料の全輻射率εを算出した。そして得られた全輻射率εを各試料の輻射率とした。
実施例1〜18は、いずれも放熱性が良好であった。
比較例1〜3、5〜8は、いずれも合金層が形成されておらず、表面の面粗さSzが5μm以上の範囲外であり、実施例に比べて放熱性が不良であった。
比較例4は、ステンレス基材を用いており、実施例に比べて放熱性が不良であった。
また、上記実施例について、銅基材の両面に同様の合金層形成処理を行ったところ、それぞれ同様の特性が得られた。
Claims (25)
- 一方又は両方の面に、Cu、Cо、Ni、W、P、Zn、Cr、Fe、Sn及びMoから選択された1種以上の金属を含む合金層が形成され、レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した、前記一方又は両方の表面の面粗さSzが5μm以上である銅放熱材。
- レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した、前記一方又は両方の表面の面粗さSzが7μm以上である請求項1に記載の銅放熱材。
- レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した、前記一方又は両方の表面の面粗さSzが10μm以上である請求項2に記載の銅放熱材。
- レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した、前記一方又は両方の表面の面粗さSzが14μm以上である請求項3に記載の銅放熱材。
- レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した、前記一方又は両方の表面の面粗さSzが90μm以下である請求項1〜4のいずれか一項に記載の銅放熱材。
- レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した、前記一方又は両方の表面の面粗さSaが0.13μm以上である請求項1〜5のいずれか一項に記載の銅放熱材。
- レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した、前記一方又は両方の表面の面粗さSkuが6以上である請求項1〜6のいずれか一項に記載の銅放熱材。
- レーザー光の波長が405nmであるレーザー顕微鏡で測定した、前記一方又は両方の表面の表面積をA、平面視した際の面積をBとした場合の表面積比A/Bが1.35以上である請求項1〜7のいずれか一項に記載の銅放熱材。
- 前記一方又は両方の表面のJISZ8730に基づく色差ΔLが、ΔL≦−35である請求項1〜8のいずれか一項に記載の銅放熱材。
- 前記一方又は両方の表面のJISZ8730に基づく色差Δaが、Δa≦15である請求項1〜9のいずれか一項に記載の銅放熱材。
- 前記一方又は両方の表面のJISZ8730に基づく色差Δbが、Δb≦17である請求項1〜10のいずれか一項に記載の銅放熱材。
- 前記一方又は両方の表面の輻射率が0.092以上である請求項1〜11のいずれか一項に記載の銅放熱材。
- 前記一方又は両方の表面に樹脂層を備える請求項1〜12のいずれか一項に記載の銅放熱材。
- 前記樹脂層が誘電体を含む請求項13に記載の銅放熱材。
- キャリアの一方の面、又は、両方の面に、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記極薄銅層が請求項1〜14のいずれか一項に記載の銅放熱材であるキャリア付銅箔。
- 前記キャリアの一方の面に前記中間層、前記極薄銅層をこの順に有し、前記キャリアの他方の面に粗化処理層を有する請求項15に記載のキャリア付銅箔。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の銅放熱材を用いたコネクタ。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の銅放熱材を用いた端子。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の銅放熱材または請求項15又は16に記載のキャリア付銅箔と、随意的な粘着剤層若しくは接着剤層と、樹脂基板若しくは基板若しくは筐体若しくは金属加工部材若しくは電子部品若しくは電子機器若しくは液晶パネル若しくはディスプレイ若しくはセパレータとをこの順に積層して製造した積層体。
- 請求項19に記載の積層体を備えたシールド材。
- 請求項19に記載の積層体を備えたプリント配線板。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の銅放熱材または請求項15又は16に記載のキャリア付銅箔を用いた金属加工部材。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の銅放熱材または請求項15又は16に記載のキャリア付銅箔を用いた電子機器。
- 請求項15又は16に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て金属張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項15又は16に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
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Cited By (13)
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JP2016029215A (ja) * | 2013-08-29 | 2016-03-03 | Jx金属株式会社 | 表面処理金属材、キャリア付金属箔、コネクタ、端子、積層体、シールドテープ、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 |
JP2018014485A (ja) * | 2016-05-31 | 2018-01-25 | Jx金属株式会社 | 放熱用金属材付構造物、プリント回路板、電子機器及び放熱用金属材 |
JP2018026538A (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-15 | Jx金属株式会社 | 放熱用金属材付構造物、プリント回路板、電子機器及び放熱用金属材 |
JP2018090906A (ja) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP2018172782A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP2018172785A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
US10177528B1 (en) | 2017-07-10 | 2019-01-08 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Package for mounting light-emitting device |
US10297724B2 (en) | 2017-07-10 | 2019-05-21 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Package for mounting light-emitting device |
US10312660B2 (en) | 2017-07-18 | 2019-06-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Light-emitting-element mounting package |
US10333037B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-06-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Light-emitting-element mounting package and method for manufacturing the same |
WO2019131092A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | Jx金属株式会社 | 放熱用銅箔及び放熱部材 |
WO2020250946A1 (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | 東洋鋼鈑株式会社 | 粗化めっき板 |
US11840602B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-12-12 | Chang Chun Plastics Co., Ltd. | Laminate, circuit board, and liquid crystal polymer film applied to the same |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9955583B2 (en) * | 2013-07-23 | 2018-04-24 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board |
JP6379416B2 (ja) * | 2014-10-31 | 2018-08-29 | 北川工業株式会社 | 接触部材 |
WO2016194964A1 (ja) * | 2015-06-04 | 2016-12-08 | 住友電気工業株式会社 | プリント配線板用原板及びプリント配線板 |
JP6782561B2 (ja) * | 2015-07-16 | 2020-11-11 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP6200042B2 (ja) | 2015-08-06 | 2017-09-20 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP6904094B2 (ja) * | 2016-06-23 | 2021-07-14 | 三菱マテリアル株式会社 | 絶縁回路基板の製造方法 |
WO2018012616A1 (ja) | 2016-07-14 | 2018-01-18 | 株式会社 東芝 | セラミックス回路基板および半導体モジュール |
US10707531B1 (en) | 2016-09-27 | 2020-07-07 | New Dominion Enterprises Inc. | All-inorganic solvents for electrolytes |
CN106626583B (zh) * | 2016-11-16 | 2021-11-12 | 广州宏庆电子有限公司 | 一种极薄散热膜及其制作方法 |
CN106584981A (zh) * | 2016-12-08 | 2017-04-26 | 常熟市隆通金属制品有限公司 | 一种高弹性材料用复合金属制品 |
US10383255B2 (en) * | 2017-04-05 | 2019-08-13 | Getac Technology Corporation | Edge sealing heat-dissipating film |
US11459664B2 (en) * | 2017-07-21 | 2022-10-04 | Temple University—Of the Commonwealth System of Higher Education | Multi-metal catalysts and devices and methods of use thereof |
US11136672B2 (en) | 2018-08-30 | 2021-10-05 | Apple Inc. | Electronic devices having corrosion-resistant coatings |
US10581081B1 (en) * | 2019-02-01 | 2020-03-03 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery |
TWI697574B (zh) * | 2019-11-27 | 2020-07-01 | 長春石油化學股份有限公司 | 電解銅箔、電極及包含其之鋰離子電池 |
US20220146216A1 (en) * | 2019-12-12 | 2022-05-12 | Amulaire Thermal Technology, Inc. | Copper-alloy heat-dissipation structure with milled surface |
DE102020213729A1 (de) | 2020-11-02 | 2022-05-05 | Aurubis Stolberg Gmbh & Co. Kg | Kupfer-Keramik-Substrat |
CN112853408B (zh) * | 2020-12-31 | 2021-11-16 | 江西理工大学 | 一种易剥离、界面纯净的极薄附载体铜箔的制备方法 |
CN113445088B (zh) * | 2021-06-28 | 2021-12-14 | 沈伟 | 一种具有高吸热性的均热板及其制备方法 |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005072184A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Osamu Nagai | メタルコアと多層基板の複合基板 |
JP2006086513A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気電子部品ケースまたはシールドケースの材料及びその製造方法 |
WO2008108341A1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-12 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 表面粗化銅板の製造方法及び装置、並びに表面粗化銅板 |
JP2011038168A (ja) * | 2009-08-14 | 2011-02-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔及びその製造方法、回路基板、銅張積層基板及びその製造方法 |
WO2013065727A1 (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 印刷回路用銅箔 |
JP2013095991A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | 高放射率金属箔 |
JP2013247812A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Nippon Thompson Co Ltd | スライド装置 |
JP5470493B1 (ja) * | 2013-07-23 | 2014-04-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 樹脂基材、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2014141738A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-08-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板 |
US20160183380A1 (en) * | 2013-07-23 | 2016-06-23 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board |
WO2017051898A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | Jx金属株式会社 | 金属箔、離型層付き金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器及びプリント配線板の製造方法 |
JP2017172049A (ja) * | 2013-07-23 | 2017-09-28 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材の製造方法、プリント配線板の製造方法、プリント回路板の製造方法、銅張積層板 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3328275A (en) * | 1963-12-18 | 1967-06-27 | Revere Copper & Brass Inc | Treatment of copper to form a dendritic surface |
US4546065A (en) * | 1983-08-08 | 1985-10-08 | International Business Machines Corporation | Process for forming a pattern of metallurgy on the top of a ceramic substrate |
JPH0639155B2 (ja) * | 1986-02-21 | 1994-05-25 | 名幸電子工業株式会社 | 銅張積層板の製造方法 |
JPH0653253B2 (ja) * | 1986-11-08 | 1994-07-20 | 松下電工株式会社 | セラミツク基板の粗化法 |
JPH01203270A (ja) * | 1988-02-08 | 1989-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性窒化アルミニウム焼結体及びその製造法 |
JP3028660B2 (ja) * | 1991-10-21 | 2000-04-04 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンドヒートシンクの製造方法 |
EP1132961B1 (en) * | 1991-07-24 | 2011-01-05 | Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Method for producing a circuit substrate having a mounted semiconductor element |
JPH0794644A (ja) | 1993-06-29 | 1995-04-07 | Nisshin Seiki Kk | ヒートシンク |
JP2564771B2 (ja) | 1994-09-05 | 1996-12-18 | 株式会社後藤製作所 | 放熱板付き半導体装置及びその製造方法 |
US5686172A (en) * | 1994-11-30 | 1997-11-11 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Metal-foil-clad composite ceramic board and process for the production thereof |
JP3336864B2 (ja) * | 1996-01-18 | 2002-10-21 | 松下電工株式会社 | 積層体の製造方法およびその製造装置 |
JP4095205B2 (ja) * | 1998-06-18 | 2008-06-04 | キヤノン株式会社 | 堆積膜形成方法 |
US20010051682A1 (en) * | 1999-02-22 | 2001-12-13 | Idemitsu Petrochemical Co., Ltd. | Method of producing the plated molded articles by non-electrode plating, and the resin compositions for that use |
JP2000239422A (ja) * | 1999-02-22 | 2000-09-05 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 無電解メッキ品の製造方法およびそれに用いる樹脂組成物 |
JP4301623B2 (ja) * | 1999-03-26 | 2009-07-22 | 株式会社東芝 | 耐摩耗部材 |
DE10165107B3 (de) * | 2000-09-20 | 2015-06-18 | Hitachi Metals, Ltd. | Substrat mit Siliciumnitrid-Sinterkörper und Leiterplatte |
JP4030285B2 (ja) * | 2001-10-10 | 2008-01-09 | 株式会社トクヤマ | 基板及びその製造方法 |
KR100602896B1 (ko) * | 2002-06-04 | 2006-07-19 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 저유전성 기재용 표면처리 동박과 그것을 사용한 동클래드적층판 및 프린트 배선판 |
US20120288698A1 (en) * | 2011-03-23 | 2012-11-15 | Advanced Diamond Technology, Inc | Method of fabrication, device structure and submount comprising diamond on metal substrate for thermal dissipation |
KR20140138577A (ko) * | 2011-08-03 | 2014-12-04 | 앵커 사이언스 엘엘씨 | 동적 열 계면 재료 |
KR101623713B1 (ko) * | 2011-11-02 | 2016-05-25 | 제이엑스 킨조쿠 가부시키가이샤 | 인쇄 회로용 동박 |
JP6226724B2 (ja) * | 2012-12-21 | 2017-11-08 | ポリプラスチックス株式会社 | 複合成形体の製造方法及び放熱性を向上させる方法 |
CN105142897B (zh) * | 2013-03-29 | 2018-09-28 | Jx日矿日石金属株式会社 | 附载体铜箔、印刷配线板、覆铜积层板、电子机器及印刷配线板的制造方法 |
-
2015
- 2015-09-29 JP JP2015192208A patent/JP6867102B2/ja active Active
- 2015-10-21 MY MYPI2015703781A patent/MY169155A/en unknown
- 2015-10-21 US US14/919,357 patent/US9724896B2/en active Active
- 2015-10-22 TW TW104134612A patent/TWI670381B/zh active
- 2015-10-22 KR KR1020150147236A patent/KR102475944B1/ko active IP Right Grant
- 2015-10-22 CN CN201510691464.6A patent/CN105555012B/zh active Active
-
2017
- 2017-06-27 US US15/634,853 patent/US10464291B2/en active Active
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005072184A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-03-17 | Osamu Nagai | メタルコアと多層基板の複合基板 |
JP2006086513A (ja) * | 2004-08-16 | 2006-03-30 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 電気電子部品ケースまたはシールドケースの材料及びその製造方法 |
WO2008108341A1 (ja) * | 2007-03-02 | 2008-09-12 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | 表面粗化銅板の製造方法及び装置、並びに表面粗化銅板 |
JP2011038168A (ja) * | 2009-08-14 | 2011-02-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 高周波伝送特性に優れる耐熱性銅箔及びその製造方法、回路基板、銅張積層基板及びその製造方法 |
WO2013065727A1 (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 印刷回路用銅箔 |
JP2013095991A (ja) * | 2011-11-04 | 2013-05-20 | Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd | 高放射率金属箔 |
JP2013247812A (ja) * | 2012-05-28 | 2013-12-09 | Nippon Thompson Co Ltd | スライド装置 |
JP2014141738A (ja) * | 2012-11-09 | 2014-08-07 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板 |
JP5470493B1 (ja) * | 2013-07-23 | 2014-04-16 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 樹脂基材、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 |
US20160183380A1 (en) * | 2013-07-23 | 2016-06-23 | Jx Nippon Mining & Metals Corporation | Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board |
JP2017172049A (ja) * | 2013-07-23 | 2017-09-28 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材の製造方法、プリント配線板の製造方法、プリント回路板の製造方法、銅張積層板 |
WO2017051898A1 (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | Jx金属株式会社 | 金属箔、離型層付き金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器及びプリント配線板の製造方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
児野武郎: "「三次元表面性状規格ISO25178について」", 長野県工技センター研報, JPN7019001106, 2013, pages 29 - 30, ISSN: 0004159977 * |
Cited By (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016029215A (ja) * | 2013-08-29 | 2016-03-03 | Jx金属株式会社 | 表面処理金属材、キャリア付金属箔、コネクタ、端子、積層体、シールドテープ、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法 |
JP2018014485A (ja) * | 2016-05-31 | 2018-01-25 | Jx金属株式会社 | 放熱用金属材付構造物、プリント回路板、電子機器及び放熱用金属材 |
JP2018026538A (ja) * | 2016-07-27 | 2018-02-15 | Jx金属株式会社 | 放熱用金属材付構造物、プリント回路板、電子機器及び放熱用金属材 |
JP2018090906A (ja) * | 2016-12-06 | 2018-06-14 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP2022169670A (ja) * | 2017-03-31 | 2022-11-09 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP2018172782A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP2018172785A (ja) * | 2017-03-31 | 2018-11-08 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
US10177528B1 (en) | 2017-07-10 | 2019-01-08 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Package for mounting light-emitting device |
US10297724B2 (en) | 2017-07-10 | 2019-05-21 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Package for mounting light-emitting device |
US10333037B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-06-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Light-emitting-element mounting package and method for manufacturing the same |
US10312660B2 (en) | 2017-07-18 | 2019-06-04 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Light-emitting-element mounting package |
JPWO2019131092A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2020-12-03 | Jx金属株式会社 | 放熱用銅箔及び放熱部材 |
JP7068341B2 (ja) | 2017-12-26 | 2022-05-16 | Jx金属株式会社 | 放熱用銅箔及び放熱部材 |
WO2019131092A1 (ja) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | Jx金属株式会社 | 放熱用銅箔及び放熱部材 |
WO2020250946A1 (ja) * | 2019-06-12 | 2020-12-17 | 東洋鋼鈑株式会社 | 粗化めっき板 |
US11732376B2 (en) | 2019-06-12 | 2023-08-22 | Toyo Kohan Co., Ltd. | Roughened plated sheet |
US11840602B2 (en) | 2019-12-23 | 2023-12-12 | Chang Chun Plastics Co., Ltd. | Laminate, circuit board, and liquid crystal polymer film applied to the same |
US11926698B2 (en) | 2019-12-23 | 2024-03-12 | Chang Chun Plastics Co., Ltd. | Liquid crystal polymer film and laminate comprising the same |
US11945907B2 (en) | 2019-12-23 | 2024-04-02 | Chang Chun Plastics Co., Ltd. | Liquid crystal polymer film and laminate comprising the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105555012A (zh) | 2016-05-04 |
US10464291B2 (en) | 2019-11-05 |
CN105555012B (zh) | 2020-03-03 |
US20170291397A1 (en) | 2017-10-12 |
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TW201631165A (zh) | 2016-09-01 |
KR102475944B1 (ko) | 2022-12-08 |
US9724896B2 (en) | 2017-08-08 |
JP6867102B2 (ja) | 2021-04-28 |
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A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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C211 | Notice of termination of reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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C22 | Notice of designation (change) of administrative judge |
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C13 | Notice of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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C23 | Notice of termination of proceedings |
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C03 | Trial/appeal decision taken |
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C30A | Notification sent |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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R250 | Receipt of annual fees |
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