JP7068341B2 - 放熱用銅箔及び放熱部材 - Google Patents
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Description
本発明は、放熱用銅箔及び放熱部材に関する。
近年、電子機器の小型化、高精細化に伴い、使用される電子部品の発熱による故障等が問題となっている。従来、このような電子機器における部品の熱を放出するための手段が種々研究・開発されている（特許文献１等）。
電子機器の実装基板は、通常、使用によって発熱する部品を有しているが、当該部品の熱を良好に放出できなければ故障するおそれがある。
そこで、本発明の実施形態は、優れた放熱特性を有する放熱用銅箔及び放熱部材を提供することを課題とする。
すなわち、本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、銅箔基材と、前記銅箔基材の少なくともいずれかの主表面の上にめっき処理層とを有し、前記めっき処理層のめっき処理面を、レーザー顕微鏡を用いて測定した場合に、該めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、１．４２～３．４２である。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、１．６０～３．２５である。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、１．８１～３．１０である。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理面の表面粗さＲａが０．３０～１．５０である。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理面の表面粗さＲａが０．４０～１．３０である。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理面の表面粗さＲａが０．４５～１．２０である。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理面の表面粗さＲｚが２．５０～９．５０である。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理面の表面粗さＲｚが３．００～８．００である。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理面の表面粗さＲｚが３．７２～７．７４である。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理層は、粗化粒子層を有する。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理層は、前記粗化粒子層の上に被覆層を有する。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記被覆層は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ、及びＦｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記被覆層は、Ｃｏ及びＮｉを含む。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記被覆層は、被覆下層と該被覆下層の上に被覆上層とを有し、前記被覆下層が、Ｃｕ、Ｃｏ、及びＮｉを含み、前記被覆上層が、Ｃｏ及びＮｉを含む。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記被覆層の厚さが、０．００１μｍ～１．０μｍである。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記被覆層の厚さが、０．００２μｍ～０．５μｍである。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記被覆層の厚さが、０．００５μｍ～０．３μｍである。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記めっき処理層の上にポリマー膜をさらに有し、前記ポリマー膜は、繰り返し単位中に少なくとも１種のヘテロ原子を有するポリマーを含む。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記ポリマー膜の厚さが、０．１μｍ～１０μｍである。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記ポリマー膜の厚さが、０．５μｍ～８μｍである。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記ポリマー膜の厚さが、１μｍ～５μｍである。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記ポリマーは、カルボニル基、カルボキシル基、エーテル基、エポキシ基、ヒドロキシル基、及びハロゲンからなる群から選択される少なくとも１種を前記繰り返し単位中に含む。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記ポリマーは、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、エポキシ樹脂、ナイロン樹脂、ポリエーテル樹脂、及びフッ素樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含む。
本発明に係る放熱用銅箔の一実施形態において、前記ポリマーは、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、アセチルセルロース、トリアセチルセルロース、セロファン、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ポリカプロアミド、ポリドデカンアミド、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリフッ化ビニリデン、及びポリテトラフルオロエチレンからなる群から選択される少なくとも１種を含む。
また、本発明に係る放熱部材の一実施形態において、上述した放熱用銅箔を備える。
本発明の実施形態によれば、優れた放熱特性を有する放熱用銅箔を提供することができる。
以下、本発明は各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、各実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素からいくつかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態の構成要素を適宜組み合わせてもよい。
近年、スマートフォンやタブレットＰＣ等のモバイル機器が盛んに開発されているが、さらに高集積化し高出力になっている基板を小型化する機器に搭載され、放熱性の問題がクローズアップされている。そこで、本発明者らは、鋭意検討した結果、銅箔に備わるめっき処理層のめっき処理面の投影面積に対するめっき処理面の表面積の比率を所望とする範囲にすることにより、銅箔の放熱特性が向上することを見出した。
以下、本発明の一実施形態に係る放熱用銅箔について説明する。
以下、本発明の一実施形態に係る放熱用銅箔について説明する。
本発明の一実施形態に係る放熱用銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材の少なくともいずれかの主表面の上にめっき処理層とを有する。そして、めっき処理層のめっき処理面を、レーザー顕微鏡を用いて測定した場合に、めっき処理面の投影面積Ａに対するめっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、１．４２～３．４２である。本実施形態によれば、このような表面積比Ｂ／Ａとする範囲とすることで、優れた放熱特性を有する。
（銅箔基材）
本実施形態に用いることのできる銅箔基材の形態に特に制限はない。また、典型的には本実施形態において使用する銅箔基材は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれであっても良い。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。屈曲性が要求される用途には圧延銅箔を適用することが多い。なお、本明細書において用語「銅箔基材」を単独で用いたときには銅合金箔基材も含むものとする。銅箔基材の厚みは、製造時に例えばシワ等が入らないよう１μｍ以上が好ましい。ただし、スマートフォンやタブレットＰＣ等薄型・小型化の仕様を考慮し、２０μｍ以下が好ましい。
本実施形態に用いることのできる銅箔基材の形態に特に制限はない。また、典型的には本実施形態において使用する銅箔基材は、電解銅箔或いは圧延銅箔いずれであっても良い。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。屈曲性が要求される用途には圧延銅箔を適用することが多い。なお、本明細書において用語「銅箔基材」を単独で用いたときには銅合金箔基材も含むものとする。銅箔基材の厚みは、製造時に例えばシワ等が入らないよう１μｍ以上が好ましい。ただし、スマートフォンやタブレットＰＣ等薄型・小型化の仕様を考慮し、２０μｍ以下が好ましい。
（めっき処理層）
本実施形態では、めっき処理層のめっき処理面を、レーザー顕微鏡を用いて測定した場合に、めっき処理面の投影面積Ａに対するめっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが１．４２～３．４２である。また、本実施形態では、めっき処理層の熱放射性をさらに向上させるため、表面積比Ｂ／Ａは、１．６０以上が好ましく、１．８１以上がより好ましく、２．１８以上がさらに好ましく、２．３５以上がさらにより好ましい。ただし、表面積比Ｂ／Ａが高いと、めっき処理層が熱放射性に優れているにもかかわらず、後述する粗化粒子層が外力により脱落し易くなる場合があるので、表面積比Ｂ／Ａは、３．２５以下が好ましく、３．１０以下がより好ましく、２．９８以下がさらに好ましく、２．８８以下がさらにより好ましい。
本実施形態では、めっき処理層のめっき処理面を、レーザー顕微鏡を用いて測定した場合に、めっき処理面の投影面積Ａに対するめっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが１．４２～３．４２である。また、本実施形態では、めっき処理層の熱放射性をさらに向上させるため、表面積比Ｂ／Ａは、１．６０以上が好ましく、１．８１以上がより好ましく、２．１８以上がさらに好ましく、２．３５以上がさらにより好ましい。ただし、表面積比Ｂ／Ａが高いと、めっき処理層が熱放射性に優れているにもかかわらず、後述する粗化粒子層が外力により脱落し易くなる場合があるので、表面積比Ｂ／Ａは、３．２５以下が好ましく、３．１０以下がより好ましく、２．９８以下がさらに好ましく、２．８８以下がさらにより好ましい。
また、本実施形態では、めっき処理面の表面粗さＲａが、発熱体からの熱を良好に放熱するため、０．３０以上が好ましく、０．４０以上がより好ましく、０．４５以上がさらにより好ましい。ただし、外力により粗化粒子が脱落しにくくするためには、１．５０以下が好ましく、１．３０以下がより好ましく、１．２０以下がさらにより好ましい。なお、表面粗さＲａは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２０１３に記載の算術平均粗さを示す。
また、本実施形態では、めっき処理面の表面粗さＲｚが、発熱体からの熱を良好に放熱するため、２．５０以上であることが好ましく、３．００以上がより好ましく、３．７２以上がさらにより好ましい。ただし、外力により粗化粒子が脱落しにくくするためには、９．５０以下であることが好ましく、８．００以下がより好ましく、７．７４以下がさらにより好ましい。なお、表面粗さＲｚは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１：２０１３に記載の最大高さ粗さを示す。
本実施形態では、めっき処理層は、熱放射性を向上させるため、粗化粒子層を有することが好ましく、粗化粒子層とその粗化粒子層の上に被覆層とを有することがより好ましい。
粗化粒子層では、粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。
粗化粒子層とその粗化粒子層の上に被覆層とを有する場合には、この被覆層は、粗化粒子の表面を被覆する。そうすると、粗化粒子の先端部分は被覆層により厚みが増し、粗化粒子の根本は被覆層により太くなることで、めっき処理面の表面積が増える。めっき処理面の表面積が増えるので、さらに熱放射性を向上させることができる。
また、粗化粒子の先端部分が折れる、又は粗化粒子が根本から剥がれ落ちる等して、一般に粉落ち現象と言われる問題が生じる場合がある。この粉落ち現象は、粗化めっき処理された粗化粒子層が熱放射性にも優れているにもかかわらず、外力により粗化粒子が脱落し易く、銅箔の作成時や使用時に「こすれ」による剥離が生じる。そこで、本実施形態では、粉落ちを抑制するために、この粗化粒子の表面を被覆層で被覆する。そうすると、粗化粒子の先端部分は被覆層により厚みが増し、粗化粒子の根本は被覆層により太くなる。このように、粗化粒子層の上に被覆層を形成することにより、外力により粗化粒子が脱落しにくくなるので、粉落ちを抑制することができる。
粗化粒子層は、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、熱放射性、粉落ち、及び密着性等の観点から、更にＣｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ、及びＦｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む被覆層を設ける平滑めっき処理を行うこともできる。例えば、粗化粒子層の上には、被覆下層とこの被覆下層の上に被覆上層とを有し、被覆下層は、Ｃｕ、Ｃｏ、及びＮｉを含み、被覆上層は、Ｃｏ及びＮｉを含むことが好ましい。なお、これらの金属は、被覆層の全部または一部（例えば、上部）に含まれていることが好ましい。
被覆層の厚さは、放熱特性を向上させるため、０．００１μｍ以上が好ましく、０．００２μｍ以上がより好ましく、０．００５μｍ以上がさらに好ましく、０．０１μｍ以上がさらにより好ましい。ただし、スマートフォンやタブレットＰＣ等薄型・小型化の仕様を考慮し、１．０μｍ以下であることが好ましく、０．５μｍ以下がより好ましく、０．３μｍ以下がさらに好ましく、０．１μｍ以下がさらにより好ましい。なお、被覆層の厚さは、被覆層の平均厚さをいう。
被覆層の厚さの計測方法として、重量計測による方法の一例を以下で説明する。
まず、粗化粒子層及び被覆層が形成された放熱用銅箔を用意する。前記放熱用銅箔から２ｃｍ×２ｃｍの試料を採取し、前記試料を２０体積％硝酸水溶液に溶解した溶液を得る。次いで、この溶液について原子吸光分光光度計を用いて原子吸光法で定量分析を行うことによって、前記試料中の被覆層に含まれる各金属の濃度を測定し、この各金属濃度を用いて前記試料中の被覆層における各金属の重量を定量する。得られた各金属の重量と、金属の密度とから被覆層の体積を算出する。そして、得られた被覆層の体積を、試料の面積（４ｃｍ2）に測定した表面積比を乗じた値で除することにより、被覆層の厚さ（平均厚さ）を算出する。
まず、粗化粒子層及び被覆層が形成された放熱用銅箔を用意する。前記放熱用銅箔から２ｃｍ×２ｃｍの試料を採取し、前記試料を２０体積％硝酸水溶液に溶解した溶液を得る。次いで、この溶液について原子吸光分光光度計を用いて原子吸光法で定量分析を行うことによって、前記試料中の被覆層に含まれる各金属の濃度を測定し、この各金属濃度を用いて前記試料中の被覆層における各金属の重量を定量する。得られた各金属の重量と、金属の密度とから被覆層の体積を算出する。そして、得られた被覆層の体積を、試料の面積（４ｃｍ2）に測定した表面積比を乗じた値で除することにより、被覆層の厚さ（平均厚さ）を算出する。
（ポリマー膜）
本実施形態では、熱放射性を向上させるために、めっき処理層の上にポリマー膜をさらに有し、ポリマー膜は、繰り返し単位中に少なくとも１種のヘテロ原子を有するポリマーを含むことが好ましい。これは、熱放射特性と塗膜中の樹脂の化学構造とは密接な関係があり、幅広く強い赤外吸収ピークを多く示すポリマーの放射率が高くなると考えられているからである。
本実施形態では、熱放射性を向上させるために、めっき処理層の上にポリマー膜をさらに有し、ポリマー膜は、繰り返し単位中に少なくとも１種のヘテロ原子を有するポリマーを含むことが好ましい。これは、熱放射特性と塗膜中の樹脂の化学構造とは密接な関係があり、幅広く強い赤外吸収ピークを多く示すポリマーの放射率が高くなると考えられているからである。
本実施形態では、被覆層の上にポリマー膜をさらに有する場合には、被覆層とポリマー膜との相乗効果により、放熱特性がさらに向上し、粉落ちの特性も向上する。また、粗化粒子層の上にポリマー膜をさらに有する場合には、粗化粒子層の粗化粒子をポリマー膜で被覆することにより、粉落ちの特性が向上する。
ポリマーは、幅広く強い赤外吸収ピークを多く示すものとして、カルボニル基、カルボキシル基、エーテル基、エポキシ基、ヒドロキシル基、及びハロゲンからなる群から選択される少なくとも１種を繰り返し単位中に含むことが好ましい。このポリマーとしては、幅広く強い赤外吸収ピークを多く示す化学構造を有するポリマーであれば特に限定されないが、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアルコール樹脂（ＰＶＡ）、セルロース樹脂、エポキシ樹脂、ナイロン樹脂、ポリエーテル樹脂、及びフッ素樹脂が挙げられる。
ポリエステル樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート等が挙げられる。
ポリカーボネート樹脂としては特に限定されないが、例えば、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）から製造されたものが挙げられる。
ポリビニルアルコール樹脂は、ポリ酢酸ビニルのケン化物を指す。
セルロース樹脂としては特に限定されないが、例えば、アセチルセルロース、トリアセチルセルロース、セロファン等が挙げられる。
エポキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が挙げられる。
ナイロン樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリカプロアミド（ナイロン６）、ポリドデカンアミド（ナイロン１２）等が挙げられる。
ポリエーテル樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド等が挙げられる。
フッ素樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。
ポリカーボネート樹脂としては特に限定されないが、例えば、２，２－ビス（４－ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）から製造されたものが挙げられる。
ポリビニルアルコール樹脂は、ポリ酢酸ビニルのケン化物を指す。
セルロース樹脂としては特に限定されないが、例えば、アセチルセルロース、トリアセチルセルロース、セロファン等が挙げられる。
エポキシ樹脂としては特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂等が挙げられる。
ナイロン樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリカプロアミド（ナイロン６）、ポリドデカンアミド（ナイロン１２）等が挙げられる。
ポリエーテル樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド等が挙げられる。
フッ素樹脂としては特に限定されないが、例えば、ポリフッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン等が挙げられる。
ポリマー膜の厚さは、放熱特性を向上させるため、０．１μｍ以上が好ましく、０．５μｍ以上がより好ましく、１μｍ以上がさらに好ましく、２μｍ以上がさらにより好ましい。ただし、スマートフォンやタブレットＰＣ等薄型・小型化の仕様を考慮し、１０μｍ以下が好ましく、８μｍ以下がより好ましく、５μｍ以下がさらに好ましく、３μｍ以下がさらにより好ましい。なお、ポリマー膜の厚さとは、ポリマー膜の平均厚さをいう。
ポリマー膜の厚さの計測方法として、測定器による方法の一例を以下で説明する。
まず、銅箔基材の主表面の上に粗化粒子層、又は粗化粒子層及び被覆層が形成される銅箔の厚みをゲージ厚測定器により３点以上測定し、その３点以上の平均値を算出する。次に、銅箔基材の主表面の上に粗化粒子層及びポリマー膜、又は粗化粒子層、被覆層、及びポリマー膜を有する放熱用銅箔を用意する。そして、放熱用銅箔の厚さをゲージ厚測定器により３点以上測定し、その３点以上の平均値を算出する。放熱用銅箔の厚さの平均値から、前記銅箔の厚さの平均値を差し引き、ポリマー膜の厚さ（平均厚さ）を算出する。
まず、銅箔基材の主表面の上に粗化粒子層、又は粗化粒子層及び被覆層が形成される銅箔の厚みをゲージ厚測定器により３点以上測定し、その３点以上の平均値を算出する。次に、銅箔基材の主表面の上に粗化粒子層及びポリマー膜、又は粗化粒子層、被覆層、及びポリマー膜を有する放熱用銅箔を用意する。そして、放熱用銅箔の厚さをゲージ厚測定器により３点以上測定し、その３点以上の平均値を算出する。放熱用銅箔の厚さの平均値から、前記銅箔の厚さの平均値を差し引き、ポリマー膜の厚さ（平均厚さ）を算出する。
また、本実施形態では、めっき処理層とポリマー膜との密着性を向上させるために、めっき処理層の上に、防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。防錆層、シランカップリング処理としては公知のものを用いることができる。
次に、上述のめっき処理層を形成する際の粗化粒子層、被覆層、防錆層、ポリマー膜の各形成条件（浴組成及びめっき条件、薄膜条件）の一例を以下に示す。
（Ａ）粗化粒子層
粗化粒子層は銅箔基材のいずれか一方の主表面の上に（Ａ－１）粗化粒子層の形成１の条件で粗化粒子を形成する。前記（Ａ－１）粗化粒子層の形成１に加えて、（Ａ－２）粗化粒子層の形成２の条件で粗化粒子をさらに成長させて粗化粒子層を形成すると好ましい。
粗化粒子層は銅箔基材のいずれか一方の主表面の上に（Ａ－１）粗化粒子層の形成１の条件で粗化粒子を形成する。前記（Ａ－１）粗化粒子層の形成１に加えて、（Ａ－２）粗化粒子層の形成２の条件で粗化粒子をさらに成長させて粗化粒子層を形成すると好ましい。
（Ａ－１）粗化粒子層の形成１（Ｃｕめっき）
粗化粒子層の形成１の処理は、粗化めっき（粗めっき）に相当する処理である。粗化めっきは電流密度を限界電流密度以上に設定して行うめっきである。
液組成 ：銅１０～２０ｇ／Ｌ、硫酸５０～１００ｇ／Ｌ
液温 ：２５～５０℃
電流密度 ：２０～５８Ａ／ｄｍ2
時間 ：０．５～５秒
粗化粒子層の形成１の処理は、粗化めっき（粗めっき）に相当する処理である。粗化めっきは電流密度を限界電流密度以上に設定して行うめっきである。
液組成 ：銅１０～２０ｇ／Ｌ、硫酸５０～１００ｇ／Ｌ
液温 ：２５～５０℃
電流密度 ：２０～５８Ａ／ｄｍ2
時間 ：０．５～５秒
（Ａ－２）粗化粒子層の形成２（Ｃｕめっき）
粗化粒子層の形成２の処理は、粗化めっき（粗めっき）に相当する処理である。粗化めっきは電流密度を限界電流密度未満に設定して行うめっきである。
液組成 ：銅１５～５０ｇ／Ｌ、硫酸６０～１００ｇ／Ｌ
液温 ：２５～５０℃
電流密度 ：２０～５８Ａ／ｄｍ2
時間 ：１～１０秒
なお、電流密度が低いほど、および／または、クーロン量が多いほど前述の表面粗さＲａの低減効果が大きくなる場合がある。
また、粗化粒子層は１回または２回以上の処理で形成してもよい。
粗化粒子層の形成２の処理は、粗化めっき（粗めっき）に相当する処理である。粗化めっきは電流密度を限界電流密度未満に設定して行うめっきである。
液組成 ：銅１５～５０ｇ／Ｌ、硫酸６０～１００ｇ／Ｌ
液温 ：２５～５０℃
電流密度 ：２０～５８Ａ／ｄｍ2
時間 ：１～１０秒
なお、電流密度が低いほど、および／または、クーロン量が多いほど前述の表面粗さＲａの低減効果が大きくなる場合がある。
また、粗化粒子層は１回または２回以上の処理で形成してもよい。
（Ｂ）被覆層の形成
被覆層は粗化粒子層の上に（Ｂ－１）被覆下層の形成の条件で被覆下層を形成した後に、（Ｂ－２）被覆上層の形成の条件で被覆上層を形成することが好ましい。被覆下層及び被覆上層の形成の処理は、いずれも平滑めっきに相当する処理である。平滑めっきは電流密度を限界電流密度未満に設定して行うめっきである。被覆下層は以下の条件で形成することができる。なお、被覆下層は形成しなくても良い。
被覆層は粗化粒子層の上に（Ｂ－１）被覆下層の形成の条件で被覆下層を形成した後に、（Ｂ－２）被覆上層の形成の条件で被覆上層を形成することが好ましい。被覆下層及び被覆上層の形成の処理は、いずれも平滑めっきに相当する処理である。平滑めっきは電流密度を限界電流密度未満に設定して行うめっきである。被覆下層は以下の条件で形成することができる。なお、被覆下層は形成しなくても良い。
（Ｂ－１）被覆下層の形成条件
被覆下層の形成条件の一例を挙げると、下記の通りである。
液組成 ：Ｃｕ１０～２０ｇ／Ｌ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ、及びＦｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む元素をそれぞれ０．００１～１５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２～３
液温 ：３０～５０℃
電流密度 ：１０～５０Ａ／ｄｍ2
時間 ：０．１～２秒
被覆下層の形成条件の一例を挙げると、下記の通りである。
液組成 ：Ｃｕ１０～２０ｇ／Ｌ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ、及びＦｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む元素をそれぞれ０．００１～１５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２～３
液温 ：３０～５０℃
電流密度 ：１０～５０Ａ／ｄｍ2
時間 ：０．１～２秒
（Ｂ－２）被覆上層の形成条件
被覆上層の形成条件の一例を挙げると、下記の通りである。
液組成 ：Ｃｕ１０～２０ｇ／Ｌ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ、及びＦｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む元素をそれぞれ０．００１～１５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２～３
液温 ：３０～５０℃
電流密度 ：０．５～２０Ａ／ｄｍ2
時間 ：０．１～３００秒
なお、被覆下層及び被覆上層は１回または２回以上の処理で形成してもよい。
被覆上層の形成条件の一例を挙げると、下記の通りである。
液組成 ：Ｃｕ１０～２０ｇ／Ｌ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ、及びＦｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む元素をそれぞれ０．００１～１５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：２～３
液温 ：３０～５０℃
電流密度 ：０．５～２０Ａ／ｄｍ2
時間 ：０．１～３００秒
なお、被覆下層及び被覆上層は１回または２回以上の処理で形成してもよい。
（Ｃ）防錆層
また、前記被覆層の上に、又は粗化粒子層の上に、防錆層、特にクロメート層の防錆層を形成してもよい。本実施形態において好ましい防錆処理は、クロム酸化物単独の皮膜処理またはクロム酸化物と亜鉛／亜鉛酸化物との混合物皮膜処理である。クロム酸化物と亜鉛／亜鉛酸化物との混合物皮膜処理とは、亜鉛塩または酸化亜鉛とクロム酸塩とを含むめっき浴を用いて電気めっきにより亜鉛または酸化亜鉛とクロム酸化物とよりなる亜鉛－クロム基混合物の防錆層を被覆する処理である。
また、前記被覆層の上に、又は粗化粒子層の上に、防錆層、特にクロメート層の防錆層を形成してもよい。本実施形態において好ましい防錆処理は、クロム酸化物単独の皮膜処理またはクロム酸化物と亜鉛／亜鉛酸化物との混合物皮膜処理である。クロム酸化物と亜鉛／亜鉛酸化物との混合物皮膜処理とは、亜鉛塩または酸化亜鉛とクロム酸塩とを含むめっき浴を用いて電気めっきにより亜鉛または酸化亜鉛とクロム酸化物とよりなる亜鉛－クロム基混合物の防錆層を被覆する処理である。
めっき浴としては、代表的には、Ｋ2Ｃｒ2Ｏ7、Ｎａ2Ｃｒ2Ｏ7等の重クロム酸塩やＣｒＯ3等の少なくとも一種と、水溶性亜鉛塩、例えばＺｎＯ、ＺｎＳＯ4・７Ｈ2Ｏ等少なくとも一種と、水酸化アルカリとの混合水溶液が用いられる。代表的なめっき浴組成と電解条件例は次の通りである。下記においては、電解クロメート処理の条件を示したが、浸漬クロメート処理でも良い。
防錆層を形成するめっき条件
液組成 ：重クロム酸カリウム１～１０ｇ／Ｌ、亜鉛０～５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：３～４
液温 ：５０～６０℃
電流密度 ：０～２Ａ／ｄｍ2（電解クロメート処理のため）
時間 ：１～１０秒
液組成 ：重クロム酸カリウム１～１０ｇ／Ｌ、亜鉛０～５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：３～４
液温 ：５０～６０℃
電流密度 ：０～２Ａ／ｄｍ2（電解クロメート処理のため）
時間 ：１～１０秒
（Ｄ）ポリマー膜の形成
さらに、めっき処理層の上にポリマー膜を形成し、または防錆層の上にポリマー膜を形成することが好ましい。
さらに、めっき処理層の上にポリマー膜を形成し、または防錆層の上にポリマー膜を形成することが好ましい。
塗布方法は、ポリマーを含有するコーティング液のスプレーによる吹付け、コーターでの塗布、浸漬、流しかけ等いずれでもよい。ポリマー膜の厚みが、固形分濃度や塗布量を調整して、０．１～１０μｍとなるようにする。この後、必要なら、銅箔の延性を改善する目的で焼鈍処理を施すこともある。
本実施形態に係る放熱用銅箔を備える放熱部材は、例えば、スマートフォンやタブレットＰＣ等のモバイル機器に内蔵される発熱部材に対して、放熱するために用いることができる。
以下、実施例、参考例及び比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例のみに制限されるものではない。すなわち、本発明に含まれる他の態様または変形を包含するものである。
＜参考例１＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：２４．３Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：２８．６Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：１秒
回数 ：１回
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：２４．３Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：２８．６Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：１秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。なお、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちの評価方法についてそれぞれ説明する。
（表面粗さＲａ、Ｒｚ）
各実施例、参考例および比較例のサンプルの粗化粒子層側表面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）及び表面粗さＲｚ（最大高さ粗さ）を非接触式粗さ測定機（レーザー顕微鏡、オリンパス製 ＬＥＸＴ ＯＬＳ ４０００）を用いて測定した。同測定機のレーザー波長は４０５ｎｍ、内蔵レンズの倍率は２０倍である。Ｒａ及びＲｚを任意に５箇所測定し、そのＲａ及びＲｚの５箇所の平均値をＲａ及びＲｚの値とした。また、各実施例、参考例および比較例において使用した粗化処理前の銅箔基材の粗化処理される予定の側の表面についても前述と同様にＲａとＲｚを測定した。なお、ＲａとＲｚの測定はＴＤ方向（幅方向、すなわち銅箔基材の圧延方向と垂直な方向）について行った。測定条件及び解析条件のうち主な項目の設定は以下のとおりである。
＜測定条件＞
対物レンズ：ＭＰＬＡＰＯＮＬＥＸＴ １００(倍率：１００倍、開口数：０．９５)
走査モード：ＸＹＺ高精度（高さ分解能：１０ｎｍ、取り込みデータの画素数：１０２４×１０２４）
測定範囲：横１３０μｍ×縦１３０μｍ
測定環境温度：２３～２５℃
＜解析条件＞
解析領域設定：無（測定範囲全視野で解析）
カットオフ：無（λｃ、λｓ、λｆ全て無し）
ノイズ除去および傾き補正：無
各実施例、参考例および比較例のサンプルの粗化粒子層側表面の表面粗さＲａ（算術平均粗さ）及び表面粗さＲｚ（最大高さ粗さ）を非接触式粗さ測定機（レーザー顕微鏡、オリンパス製 ＬＥＸＴ ＯＬＳ ４０００）を用いて測定した。同測定機のレーザー波長は４０５ｎｍ、内蔵レンズの倍率は２０倍である。Ｒａ及びＲｚを任意に５箇所測定し、そのＲａ及びＲｚの５箇所の平均値をＲａ及びＲｚの値とした。また、各実施例、参考例および比較例において使用した粗化処理前の銅箔基材の粗化処理される予定の側の表面についても前述と同様にＲａとＲｚを測定した。なお、ＲａとＲｚの測定はＴＤ方向（幅方向、すなわち銅箔基材の圧延方向と垂直な方向）について行った。測定条件及び解析条件のうち主な項目の設定は以下のとおりである。
＜測定条件＞
対物レンズ：ＭＰＬＡＰＯＮＬＥＸＴ １００(倍率：１００倍、開口数：０．９５)
走査モード：ＸＹＺ高精度（高さ分解能：１０ｎｍ、取り込みデータの画素数：１０２４×１０２４）
測定範囲：横１３０μｍ×縦１３０μｍ
測定環境温度：２３～２５℃
＜解析条件＞
解析領域設定：無（測定範囲全視野で解析）
カットオフ：無（λｃ、λｓ、λｆ全て無し）
ノイズ除去および傾き補正：無
（表面積比）
非接触式粗さ測定機（レーザー顕微鏡、オリンパス製 ＬＥＸＴ ＯＬＳ ４０００）を用いて、めっき処理面の表面積を測定した。めっき処理面の投影面積Ａに対するめっき処理面の表面積Ｂを用い、表面積比Ｂ／Ａとした。なお、めっき処理層上にポリマー膜を有するものについては、前記ポリマー膜を塗布する前にめっき処理層の表面積を測定した。測定条件及び解析条件のうち主な項目の設定は以下のとおりである。
＜測定条件＞
上述の表面粗さＲａ及びＲｚを測定した条件と同様。
なお、測定範囲を横１３０μｍ×縦１３０μｍとすることで、めっき処理面の投影面積Ａ：１６９２３μｍ2となる。
測定環境温度：２３～２５℃
＜解析条件＞
上述の表面粗さＲａ及びＲｚを解析した条件と同様。
ただし、閾値設定については、ヒストグラム、閾値１：０％、閾値２：１００％とした。
非接触式粗さ測定機（レーザー顕微鏡、オリンパス製 ＬＥＸＴ ＯＬＳ ４０００）を用いて、めっき処理面の表面積を測定した。めっき処理面の投影面積Ａに対するめっき処理面の表面積Ｂを用い、表面積比Ｂ／Ａとした。なお、めっき処理層上にポリマー膜を有するものについては、前記ポリマー膜を塗布する前にめっき処理層の表面積を測定した。測定条件及び解析条件のうち主な項目の設定は以下のとおりである。
＜測定条件＞
上述の表面粗さＲａ及びＲｚを測定した条件と同様。
なお、測定範囲を横１３０μｍ×縦１３０μｍとすることで、めっき処理面の投影面積Ａ：１６９２３μｍ2となる。
測定環境温度：２３～２５℃
＜解析条件＞
上述の表面粗さＲａ及びＲｚを解析した条件と同様。
ただし、閾値設定については、ヒストグラム、閾値１：０％、閾値２：１００％とした。
（サーモグラフィ表示温度）
赤外線サーモグラフィ（株式会社チノー ＣＰＡ－０１５０Ｊ）を用いて、以下の測定
条件で測定した。図１に示すように、下から、断熱材１０、ヒーター２０、接着剤（東亞
合成株式会社、アロンアルファ（登録商標））３０、ＳＵＳ板４０、放熱用グリス５０、
放熱用銅箔６０からなる積層体１を作成し、この積層体１を断熱部材からなる囲い（不図示）に配置した。さらに、当該積層体の放熱用銅箔６０上に、放熱用銅箔６０の略半分の面積を覆うように放射率０．９の黒体テープ７０を配置した。ヒーター２０を直流電流印加（電流：０．３Ａ、電圧４．０Ｖ）で加熱し、赤外線サーモグラフィ１００で積層体１の黒体テープ７０で覆われた領域の表示温度が８８．０℃を示す温度になるよう加熱した。赤外線サーモグラフィ１００を用い、黒体テープ７０で覆われた領域を基準（８８．０℃）とし、積層体１の放熱用銅箔６０の部分の表示温度を測定した。一般に、赤外線サーモグラフィ１００は試料表面から放出された赤外線エネルギーを検出し、それを表示温度とする。放射率が低い最表面を有する試料について測定すると、前記試料から放出される赤外線エネルギーが非常に小さいため、実際の試料温度とサーモグラフィの表示温度では乖離が生じる。そこで、上記のように放射率が判明している黒体テープのサーモグラフィの表示温度を基準として、参考例１で得られた放熱用銅箔のサーモグラフィの表示温度を比較することで、放熱用銅箔の熱放射性を評価した。なお、表１において、サーモグラフィ表示温度が基準となる８８．０℃に近いということは、放射率が高いことを示す。すなわち、赤外線を放出する能力が優れており、放熱特性が良好であることを示している。
赤外線サーモグラフィ（株式会社チノー ＣＰＡ－０１５０Ｊ）を用いて、以下の測定
条件で測定した。図１に示すように、下から、断熱材１０、ヒーター２０、接着剤（東亞
合成株式会社、アロンアルファ（登録商標））３０、ＳＵＳ板４０、放熱用グリス５０、
放熱用銅箔６０からなる積層体１を作成し、この積層体１を断熱部材からなる囲い（不図示）に配置した。さらに、当該積層体の放熱用銅箔６０上に、放熱用銅箔６０の略半分の面積を覆うように放射率０．９の黒体テープ７０を配置した。ヒーター２０を直流電流印加（電流：０．３Ａ、電圧４．０Ｖ）で加熱し、赤外線サーモグラフィ１００で積層体１の黒体テープ７０で覆われた領域の表示温度が８８．０℃を示す温度になるよう加熱した。赤外線サーモグラフィ１００を用い、黒体テープ７０で覆われた領域を基準（８８．０℃）とし、積層体１の放熱用銅箔６０の部分の表示温度を測定した。一般に、赤外線サーモグラフィ１００は試料表面から放出された赤外線エネルギーを検出し、それを表示温度とする。放射率が低い最表面を有する試料について測定すると、前記試料から放出される赤外線エネルギーが非常に小さいため、実際の試料温度とサーモグラフィの表示温度では乖離が生じる。そこで、上記のように放射率が判明している黒体テープのサーモグラフィの表示温度を基準として、参考例１で得られた放熱用銅箔のサーモグラフィの表示温度を比較することで、放熱用銅箔の熱放射性を評価した。なお、表１において、サーモグラフィ表示温度が基準となる８８．０℃に近いということは、放射率が高いことを示す。すなわち、赤外線を放出する能力が優れており、放熱特性が良好であることを示している。
（粉落ち評価）
粉落ち評価は、銅箔の処理面上に透明なメンディングテープ（株式会社モノタロウ、品番１２５０７６）を貼り付け、テープ転写法により行った。
＜評価基準＞
◎：テープに粗化粒子の転写が全くない場合。
○：局部的に軽微な粗化粒子転写が存在する場合。
×：全体に粗化粒子の転写が観察される場合（軽微であっても全面の場合）。
粉落ち評価は、銅箔の処理面上に透明なメンディングテープ（株式会社モノタロウ、品番１２５０７６）を貼り付け、テープ転写法により行った。
＜評価基準＞
◎：テープに粗化粒子の転写が全くない場合。
○：局部的に軽微な粗化粒子転写が存在する場合。
×：全体に粗化粒子の転写が観察される場合（軽微であっても全面の場合）。
＜実施例２＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件のめっき時間を３秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件のめっき時間を３秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：２８．６Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：３秒
回数 ：１回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：２８．６Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：３秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜実施例３＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件のめっき時間を４秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件のめっき時間を４秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：２８．６Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：４秒
回数 ：１回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：２８．６Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：４秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜実施例４＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件のめっき時間を５秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件のめっき時間を５秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：２８．６Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：５秒
回数 ：１回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：２８．６Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：５秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜実施例５＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件の電流密度を３８．１Ａ／ｄｍ2とし、めっき時間を２．２５秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件の電流密度を３８．１Ａ／ｄｍ2とし、めっき時間を２．２５秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：２．２５秒
回数 ：１回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：２．２５秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜参考例６＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件のめっき時間を３．７５秒に変更したこと以外、実施例５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件のめっき時間を３．７５秒に変更したこと以外、実施例５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：３．７５秒
回数 ：１回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：３．７５秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜実施例７＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：２４．３Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：２秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：５秒
回数 ：１回
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：２４．３Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：２秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：５秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、被覆層の厚さ、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
なお、被覆層の厚さの評価方法を以下で説明する。
（被覆層の厚さ）
まず、得られた放熱用銅箔から２ｃｍ×２ｃｍの試料を採取し、前記試料を２０体積％硝酸水溶液に溶解した溶液を得た。次いで、この溶液について原子吸光分光光度計（ＶＡＲＩＡＮ社製、型式：ＡＡ２４０ＦＳ）を用いて原子吸光法で定量分析を行うことによって、前記試料中のＮｉ及びＣｏの濃度を測定し、Ｎｉ及びＣｏの濃度を用いて前記試料中の被覆層におけるＮｉ及びＣｏの重量を定量した。得られたＮｉ及びＣｏの重量と、Ｎｉの密度（８．９０８ｇ／ｃｍ3）及びＣｏの密度（８．９ｇ／ｃｍ3）とから被覆層の体積を算出した。そして、得られた被覆層の体積を、試料の面積（４ｃｍ2）に測定した表面積比を乗じた値で除することにより、被覆層の厚さ（平均厚さ）を算出した。
（被覆層の厚さ）
まず、得られた放熱用銅箔から２ｃｍ×２ｃｍの試料を採取し、前記試料を２０体積％硝酸水溶液に溶解した溶液を得た。次いで、この溶液について原子吸光分光光度計（ＶＡＲＩＡＮ社製、型式：ＡＡ２４０ＦＳ）を用いて原子吸光法で定量分析を行うことによって、前記試料中のＮｉ及びＣｏの濃度を測定し、Ｎｉ及びＣｏの濃度を用いて前記試料中の被覆層におけるＮｉ及びＣｏの重量を定量した。得られたＮｉ及びＣｏの重量と、Ｎｉの密度（８．９０８ｇ／ｃｍ3）及びＣｏの密度（８．９ｇ／ｃｍ3）とから被覆層の体積を算出した。そして、得られた被覆層の体積を、試料の面積（４ｃｍ2）に測定した表面積比を乗じた値で除することにより、被覆層の厚さ（平均厚さ）を算出した。
＜実施例８＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｃ）被覆層の形成条件のめっき時間を８０秒に変更したこと以外、実施例７と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｃ）被覆層の形成条件のめっき時間を８０秒に変更したこと以外、実施例７と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：８０秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：８０秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、被覆層の厚さ、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜実施例９＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｃ）被覆層の形成条件のめっき時間を２４０秒に変更したこと以外、実施例７と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｃ）被覆層の形成条件のめっき時間を２４０秒に変更したこと以外、実施例７と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：２４０秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：２４０秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、被覆層の厚さ、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜実施例１０＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：２４．３Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：３秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：８０秒
回数 ：１回
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：２４．３Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：３秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：８０秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、被覆層の厚さ、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜実施例１１＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｃ）被覆層の形成条件のめっき時間を２４０秒に変更したこと以外、実施例１０と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｃ）被覆層の形成条件のめっき時間を２４０秒に変更したこと以外、実施例１０と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：２４０秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：２４０秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、被覆層の厚さ、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜参考例１２＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：４０Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：１９Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：４．５秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆下層の形成（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：銅１５.５ｇ／Ｌ、ニッケル９.５ｇ／Ｌ、コバルト７.５ｇ／Ｌ
電流密度 ：１５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：３６℃
時間 ：０．７９秒
回数 ：２回
（Ｄ）被覆上層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：１１．９Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：４０Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：１９Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：４．５秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆下層の形成（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：銅１５.５ｇ／Ｌ、ニッケル９.５ｇ／Ｌ、コバルト７.５ｇ／Ｌ
電流密度 ：１５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：３６℃
時間 ：０．７９秒
回数 ：２回
（Ｄ）被覆上層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：１１．９Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：１秒
回数 ：２回
得られた放熱用銅箔について、表面積比、サーモグラフィ表示温度、及び粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜参考例１３＞
参考例１２で得られた放熱用銅箔のめっき処理層上にポリマー膜（ＰＶＡ）を形成した。ポリマー膜の形成条件は、次の通りである。なお、参考例１２で得られた放熱用銅箔（粗化粒子層及び被覆層）と参考例１３で得られた放熱用銅箔との厚さをゲージ厚測定器（株式会社小野測器、デジタルゲージカウンタＤＧ－１２７０）により３点をそれぞれ測定し、その３点の平均値をそれぞれ算出した。次いで、前記放熱用銅箔（参考例１３）の厚さの平均値から、前記放熱用銅箔（参考例１２）の厚さの平均値を差し引き、ポリマー膜の厚さ（平均厚さ）を算出した。
参考例１２で得られた放熱用銅箔のめっき処理層上にポリマー膜（ＰＶＡ）を形成した。ポリマー膜の形成条件は、次の通りである。なお、参考例１２で得られた放熱用銅箔（粗化粒子層及び被覆層）と参考例１３で得られた放熱用銅箔との厚さをゲージ厚測定器（株式会社小野測器、デジタルゲージカウンタＤＧ－１２７０）により３点をそれぞれ測定し、その３点の平均値をそれぞれ算出した。次いで、前記放熱用銅箔（参考例１３）の厚さの平均値から、前記放熱用銅箔（参考例１２）の厚さの平均値を差し引き、ポリマー膜の厚さ（平均厚さ）を算出した。
（Ｅ）ポリマー膜の形成（ＰＶＡ）
溶剤 ：ＰＶＡ６質量％水溶液
コート方法：金属製アプリケータ
膜の厚さ ：１．０μｍ
溶剤 ：ＰＶＡ６質量％水溶液
コート方法：金属製アプリケータ
膜の厚さ ：１．０μｍ
得られた放熱用銅箔について、ポリマー膜の厚さ、サーモグラフィ表示温度、及び粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。なお、めっき処理面の表面積比は参考例１２の放熱用銅箔の値である。
＜参考例１４＞
参考例１２の放熱用銅箔のめっき処理層上にポリマー膜（ＰＶＡ）を形成した。ポリマー膜形成の条件は、次の通りである。
参考例１２の放熱用銅箔のめっき処理層上にポリマー膜（ＰＶＡ）を形成した。ポリマー膜形成の条件は、次の通りである。
（Ｅ）ポリマー膜の形成（ＰＶＡ）
溶剤 ：ＰＶＡ１０質量％水溶液
コート方法：金属製アプリケータ
膜の厚さ ：５．０μｍ
溶剤 ：ＰＶＡ１０質量％水溶液
コート方法：金属製アプリケータ
膜の厚さ ：５．０μｍ
得られた放熱用銅箔について、ポリマー膜の厚さ、サーモグラフィ表示温度、及び粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。なお、めっき処理面の表面積比は参考例１２の放熱用銅箔の値である。
＜参考例１５＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。なお、ポリマー膜を形成する前の銅箔（粗化粒子層、被覆層、及び防錆層）と参考例１５で得られた放熱用銅箔との厚さをゲージ厚測定器により３点をそ
れぞれ測定し、その３点の平均値をそれぞれ算出した。次いで、前記放熱用銅箔（参考例１５）の厚さの平均値から、前記銅箔の厚さの平均値を差し引き、ポリマー膜の厚さ（平均厚さ）を算出した。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。なお、ポリマー膜を形成する前の銅箔（粗化粒子層、被覆層、及び防錆層）と参考例１５で得られた放熱用銅箔との厚さをゲージ厚測定器により３点をそ
れぞれ測定し、その３点の平均値をそれぞれ算出した。次いで、前記放熱用銅箔（参考例１５）の厚さの平均値から、前記銅箔の厚さの平均値を差し引き、ポリマー膜の厚さ（平均厚さ）を算出した。
［浴組成及びめっき条件］
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：４５Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：０．６８秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：４．１１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：１．４４秒
回数 ：２回
（Ｃ）被覆下層の形成（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：銅１５．５ｇ／Ｌ、ニッケル９．５ｇ／Ｌ、コバルト７．５ｇ／Ｌ
電流密度 ：３０．３Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：３６℃
時間 ：０．５秒
回数 ：２回
（Ｄ）被覆上層１の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：１３．７Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：０．３４秒
回数 ：１回
（Ｅ）被覆上層２の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：１４．９Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：０．３４秒
回数 ：１回
（Ｆ）防錆層の形成
液組成 ：重クロム酸カリウム１～１０ｇ／Ｌ、亜鉛０～５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：３～４
液温 ：５０～６０℃
電流密度 ：０～２Ａ／ｄｍ2（電解クロメート処理のため）
クーロン量：０～２Ａｓ／ｄｍ2（電解クロメート処理のため）
（Ｇ）ポリマー膜の形成（ＰＶＡ）
溶剤 ：ＰＶＡ４質量％水溶液
コート方法：金属製アプリケータ
膜の厚さ ：１．０μｍ
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：４５Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：０．６８秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：４．１１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：１．４４秒
回数 ：２回
（Ｃ）被覆下層の形成（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：銅１５．５ｇ／Ｌ、ニッケル９．５ｇ／Ｌ、コバルト７．５ｇ／Ｌ
電流密度 ：３０．３Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：３６℃
時間 ：０．５秒
回数 ：２回
（Ｄ）被覆上層１の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：１３．７Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：０．３４秒
回数 ：１回
（Ｅ）被覆上層２の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：１４．９Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：０．３４秒
回数 ：１回
（Ｆ）防錆層の形成
液組成 ：重クロム酸カリウム１～１０ｇ／Ｌ、亜鉛０～５ｇ／Ｌ
ｐＨ ：３～４
液温 ：５０～６０℃
電流密度 ：０～２Ａ／ｄｍ2（電解クロメート処理のため）
クーロン量：０～２Ａｓ／ｄｍ2（電解クロメート処理のため）
（Ｇ）ポリマー膜の形成（ＰＶＡ）
溶剤 ：ＰＶＡ４質量％水溶液
コート方法：金属製アプリケータ
膜の厚さ ：１．０μｍ
まず、防錆層を形成する前に、被覆層のめっき処理面について表面粗さＲａ及びＲｚと表面積比との評価を行った。また、得られた放熱用銅箔について、ポリマー膜の厚さ、サーモグラフィ表示温度、及び粉落ちの評価を行った。その結果は、表１に示す。
＜参考例１６＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｇ）ポリマー膜の形成に使用される溶剤をＰＶＡ６質量％水溶液に調製し、ポリマー膜の厚さを１．５μｍに変更したこと以外、参考例１５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｇ）ポリマー膜の形成に使用される溶剤をＰＶＡ６質量％水溶液に調製し、ポリマー膜の厚さを１．５μｍに変更したこと以外、参考例１５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。
得られた放熱用銅箔について、ポリマー膜の厚さ、サーモグラフィ表示温度、及び粉落ちの評価を行った。その結果は、表１に示す。なお、めっき処理面の表面粗さＲａ及びＲｚと表面積比とは参考例１５の放熱用銅箔の値である。
＜参考例１７＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｇ）ポリマー膜の形成に使用される溶剤をＰＶＡ８質量％水溶液に調製し、ポリマー膜の厚さを２．０μｍに変更したこと以外、参考例１５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｇ）ポリマー膜の形成に使用される溶剤をＰＶＡ８質量％水溶液に調製し、ポリマー膜の厚さを２．０μｍに変更したこと以外、参考例１５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。
得られた放熱用銅箔について、ポリマー膜の厚さ、サーモグラフィ表示温度、及び粉落ちの評価を行った。その結果は、表１に示す。なお、めっき処理面の表面粗さＲａ及びＲｚと表面積比とは参考例１５の放熱用銅箔の値である。
＜参考例１８＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｇ）ポリマー膜の形成に使用される溶剤をＰＶＡ８質量％水溶液に調製し、ポリマー膜の厚さを２．５μｍに変更したこと以外、参考例１５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｇ）ポリマー膜の形成に使用される溶剤をＰＶＡ８質量％水溶液に調製し、ポリマー膜の厚さを２．５μｍに変更したこと以外、参考例１５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。
得られた放熱用銅箔について、ポリマー膜の厚さ、サーモグラフィ表示温度、及び粉落ちの評価を行った。その結果は、表１に示す。なお、めっき処理面の表面粗さＲａ及びＲｚと表面積比とは参考例１５の放熱用銅箔の値である。
＜参考例１９＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｇ）ポリマー膜の形成に使用される溶剤をＰＶＡ１０質量％水溶液に調製し、ポリマー膜の厚さを３．０μｍに変更したこと以外、参考例１５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＨＡ－Ｖ２箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｇ）ポリマー膜の形成に使用される溶剤をＰＶＡ１０質量％水溶液に調製し、ポリマー膜の厚さを３．０μｍに変更したこと以外、参考例１５と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｃｏ、Ｎｉ－Ｃｏ）、防錆層、及びポリマー膜（ＰＶＡ）の順に形成した。
得られた放熱用銅箔について、ポリマー膜の厚さ、サーモグラフィ表示温度、及び粉落ちの評価を行った。その結果は、表１に示す。なお、めっき処理面の表面粗さＲａ及びＲｚと表面積比とは参考例１５の放熱用銅箔の値である。
＜比較例１＞
参考例１で使用した圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちの評価を行った。その結果は、表１に示す。
参考例１で使用した圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちの評価を行った。その結果は、表１に示す。
＜比較例２＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件の電流密度を５７．１Ａ／ｄｍ2とし、めっき時間を２５秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、（Ｂ）粗化粒子層２の形成条件の電流密度を５７．１Ａ／ｄｍ2とし、めっき時間を２５秒に変更したこと以外、参考例１と同様に、粗化粒子層（Ｃｕ）を形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：５７．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：２５秒
回数 ：１回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：５７．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：２５秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
＜比較例３＞
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
１２μｍ厚さの圧延銅箔（ＪＸ金属株式会社、ＴＰＣ箔）のいずれか一方の主表面に、下記に示す条件範囲で、粗化粒子層（Ｃｕ）、被覆層（Ｎｉ－Ｃｏ）の順に形成した。使用した浴組成及びめっき条件は、次の通りである。
［浴組成及びめっき条件］
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：２４．３Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：３．７５秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：５秒
回数 ：１回
（Ａ）粗化粒子層１の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅１１ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ
電流密度 ：２４．３Ａ／ｄｍ2
液温 ：常温
時間 ：１秒
回数 ：２回
（Ｂ）粗化粒子層２の形成（Ｃｕめっき）
液組成 ：銅２０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ
電流密度 ：３８．１Ａ／ｄｍ2
液温 ：５０℃
時間 ：３．７５秒
回数 ：１回
（Ｃ）被覆層の形成（Ｎｉ－Ｃｏめっき）
液組成 ：ニッケル１３ｇ／Ｌ、コバルト３ｇ／Ｌ
電流密度 ：０．９５Ａ／ｄｍ2
ｐＨ ：２．５
液温 ：４０℃
時間 ：５秒
回数 ：１回
得られた放熱用銅箔のめっき処理面について、表面粗さＲａ及びＲｚ、表面積比、被覆層の厚さ、サーモグラフィ表示温度、粉落ちを評価した。その結果は、表１に示す。
実施例２～５、７～１１及び参考例１、６、１２～１９では、めっき処理層の表面積比が所望とする表面積比を有することで、発熱体からの熱を良好に放熱することを確認した。中でも、実施例７～１１では、めっき処理層の粗化粒子の上にＮｉ－Ｃｏからなる被覆層を形成することで、発熱体からの熱をより良好に放熱することを確認した。また、参考例１３～１９では、Ｎｉ－Ｃｏからなる被覆層の上にポリマー膜を有することで、発熱体からの熱をさらに良好に放熱し、粉落ちの評価も良好であることを確認した。中でも、参考例１４、１７～１９では、ポリマー膜の厚さが２．０μｍ以上であることで、発熱体からの熱をより良好に放熱することを確認した。
本発明の一実施形態に係る放熱用銅箔を使用した放熱部材において、放熱特性に優れている。これによって、電子機器の発展が進む中で、小型化や高機能化等といった要求に応じ、使用される電子部品の発熱による不具合等が生じることのない有用な技術を提供する。
１ 積層体
１０ 断熱材
２０ ヒーター
３０ 接着剤
４０ ＳＵＳ板
５０ 放熱用グリス
６０ 放熱用銅箔
７０ 黒体テープ
１００ 赤外線サーモグラフィ
１０ 断熱材
２０ ヒーター
３０ 接着剤
４０ ＳＵＳ板
５０ 放熱用グリス
６０ 放熱用銅箔
７０ 黒体テープ
１００ 赤外線サーモグラフィ
Claims (24)
- 銅箔基材と、
前記銅箔基材の少なくともいずれかの主表面の上にめっき処理層とを有し、
前記めっき処理層のめっき処理面を、レーザー顕微鏡を用いて測定した場合に、該めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、１．４２～３．４２であり、
前記めっき処理面の表面粗さＲａが０．６５５～１．５０μｍであり、
前記めっき処理面の表面粗さＲｚが３．００～６．２９８μｍである、放熱用銅箔。 - 銅箔基材と、
前記銅箔基材の少なくともいずれかの主表面の上にめっき処理層とを有し、
前記めっき処理層のめっき処理面を、レーザー顕微鏡を用いて測定した場合に、該めっ
き処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、１．４
２～３．４２であり、
前記めっき処理面の表面粗さＲａが０．８７７～１．０５３μｍであり、
前記めっき処理面の表面粗さＲｚが７．０２７～９．５０μｍである、放熱用銅箔。 - 銅箔基材と、
前記銅箔基材の少なくともいずれかの主表面の上にめっき処理層とを有し、
前記めっき処理層のめっき処理面を、レーザー顕微鏡を用いて測定した場合に、該めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、１．４２～３．４２であり、
前記めっき処理面の表面粗さＲａが１．０７９～１．１８２μｍであり、
前記めっき処理面の表面粗さＲｚが７．６３６～９．５０μｍである、放熱用銅箔。 - 前記めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、１．６０～３．２５である、請求項１～３のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。
- 前記めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、１．８１～３．１０である、請求項１～３のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。
- 前記めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、２．１８７～２．９６５である、請求項１に記載の放熱用銅箔。
- 前記めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、２．５７９～２．６３７である、請求項２に記載の放熱用銅箔。
- 前記めっき処理面の投影面積Ａに対する前記めっき処理面の表面積Ｂの表面積比Ｂ／Ａが、２．８５９～３．０７７である、請求項３に記載の放熱用銅箔。
- 前記めっき処理層は、粗化粒子層を有する、請求項１～８のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。
- 前記めっき処理層は、前記粗化粒子層の上に被覆層を有する、請求項９に記載の放熱用銅箔。
- 前記被覆層は、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｗ、及びＦｅからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１０に記載の放熱用銅箔。
- 前記被覆層は、Ｃｏ及びＮｉを含む、請求項１１に記載の放熱用銅箔。
- 前記被覆層は、被覆下層と該被覆下層の上に被覆上層とを有し、
前記被覆下層が、Ｃｕ、Ｃｏ、及びＮｉを含み、
前記被覆上層が、Ｃｏ及びＮｉを含む、請求項１１に記載の放熱用銅箔。 - 前記被覆層の厚さが、０．００１μｍ～１．０μｍである、請求項１０～１３のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。
- 前記被覆層の厚さが、０．００２μｍ～０．５μｍである、請求項１０～１３のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。
- 前記被覆層の厚さが、０．００５μｍ～０．３μｍである、請求項１０～１３のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。
- 前記めっき処理層の上にポリマー膜をさらに有し、
前記ポリマー膜は、繰り返し単位中に少なくとも１種のヘテロ原子を有するポリマーを含む、請求項１０～１６のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。 - 前記ポリマー膜の厚さが、０．１μｍ～１０μｍである、請求項１７に記載の放熱用銅箔。
- 前記ポリマー膜の厚さが、０．５μｍ～８μｍである、請求項１７に記載の放熱用銅箔。
- 前記ポリマー膜の厚さが、１μｍ～５μｍである、請求項１７に記載の放熱用銅箔。
- 前記ポリマーは、カルボニル基、カルボキシル基、エーテル基、エポキシ基、ヒドロキシル基、及びハロゲンからなる群から選択される少なくとも１種を前記繰り返し単位中に含む、請求項１７～２０のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。
- 前記ポリマーは、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、セルロース樹脂、エポキシ樹脂、ナイロン樹脂、ポリエーテル樹脂、及びフッ素樹脂からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１７～２０のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。
- 前記ポリマーは、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリトリメチレンテレフタレート、アセチルセルロース、トリアセチルセルロース、セロファン、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ポリカプロアミド、ポリドデカンアミド、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリフッ化ビニリデン、及びポリテトラフルオロエチレンからなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１７～２０のいずれか１項に記載の放熱用銅箔。
- 請求項１～２３のいずれか１項に記載の放熱用銅箔を備える放熱部材。
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