JP6264530B2 - 電気抵抗薄膜層の成膜方法および銅張積層板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、熱可塑性樹脂フィルム表面への電気抵抗材料の薄膜の成膜方法および電気抵抗材料の薄膜の表面に銅などの導電層を設けた銅張積層板に関する。

液晶パネル、ノートパソコン、デジタルカメラ、携帯電話等には、樹脂フィルムの上に金属膜を被覆して得られる多種類のフレキシブル配線基板が用いられている。このフレキシブル配線基板の材料には、樹脂フィルムの片面若しくは両面に金属膜を成膜した銅張積層板が用いられており、この銅張積層板にフォトリソグラフィーや化学エッチング等の薄膜技術を適用することにより所定の配線パターンを有するフレキシブル配線基板を得ることができる。フレキシブル配線基板の配線パターンは近年ますます微細化、高密度化しており、従って銅張積層板基板から形成された配線は、剥離しにくいことがより一層重要になってきている。

この種の銅張積層板の製造方法としては、従来から金属箔を接着剤により樹脂フィルムに貼り付けて製造する方法（３層基板の製造方法）、金属箔に樹脂溶液をコーティングした後、乾燥させて製造する方法（キャスティング法）、あるいは樹脂フィルムに乾式成膜法により、もしくは乾式成膜法と湿式めっき法との組み合わせにより金属膜を成膜して製造する方法（メタライジング法）等が知られている。また、メタライジング法における乾式成膜法には、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビームスパッタリング法等がある。

また成膜方法として、メタライジング法については、熱可塑性樹脂フィルムの表面に接着剤を介さずにニッケル合金などの電気抵抗の高い材料からなる電気抵抗薄膜層に銅からなる導電層を形成して銅張積層板を製造する。
特許文献１に、ポリイミド絶縁層上にクロムをスパッタリングした後、銅をスパッタリングしてポリイミド絶縁層上に導体層を形成する方法が開示されている。

また、特許文献２に、銅ニッケル合金をターゲットとするスパッタリングにより形成された第一の金属薄膜と、銅をターゲットとするスパッタリングにより形成された第二の金属薄膜とを、この順でポリイミドフィルム上に積層することによって得られるフレキシブル回路基板用材料が開示されている。なお、基板にポリイミドフィルムの様な耐熱性樹脂フィルムを用い、これに乾式成膜を行う場合はスパッタリングウェブコータを用いることが一般的である。
この電気抵抗薄膜層の上に銅などの導電層を掲載した基板は、電気抵抗薄膜層を銅拡散のバリア膜として利用し、耐熱性や信頼性の高いプリント配線板などの用途に利用されている。さらに、熱可塑性樹脂フィルムの表面に接着剤を介さずに電気抵抗薄膜層が形成された基板は、電気抵抗器等として使用されている。

ところで、上記乾式成膜法において、一般に熱可塑性樹脂、特に高度に延伸技術を駆使したフィルムにおいては、樹脂分子の配向が制御されることにより光学特性や寸法変化の少ないフィルムを得ることが可能になるが、金属皮膜を形成した場合、樹脂と金属皮膜の密着強度が著しく低下する欠点がある。
そこで、樹脂全体を加熱する熱処理が行われている。しかしながら、樹脂全体を加熱すると樹脂自体が柔らかくなり、例えばロールツーロールで搬送した場合、フィルムが切れるといった不具合が発生する。

特開平２−９８９９４号公報 特許第３４４７０７０号公報

本発明は、熱可塑性樹脂フィルムの少なくとも片面に抵抗層を有する薄膜において、金属−樹脂界面の剥離強度を向上させる成膜方法の提供を目的とする。

このような状況に鑑み本発明の第１の発明は、熱可塑性樹脂フィルムの表面の少なくとも片面に接着剤を介することなく乾式めっき法により電気抵抗薄膜層を成膜した後、前記電気抵抗薄膜層に電流を流し通電加熱を行い、前記通電加熱による電気抵抗薄膜層の温度が、前記熱可塑性樹脂フィルムのガラス転移点で定める加熱下限温度と、前記熱可塑性樹脂フィルムの融点から前記ガラス転移点を差し引いた差の１／３の温度を前記ガラス転移点に加えて定めた加熱上限温度との間となるように加熱することを特徴とする熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法である。

本発明の第２の発明は、熱可塑性樹脂フィルムの表面の少なくとも片面に接着剤を介することなく乾式めっき法により電気抵抗薄膜層を成膜した後、前記電気抵抗薄膜層に電流を流し通電加熱を行い、前記通電加熱による電気抵抗薄膜層の温度が、前記熱可塑性樹脂フィルムのα緩和温度で定める加熱下限温度と、前記熱可塑性樹脂フィルムの融点から前記α緩和温度を差し引いた差の１／３の温度を前記α緩和温度に加えて定めた加熱上限温度との間となるように加熱することを特徴とする熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法である。

本発明の第３の発明は、第１又は第２の発明における電気抵抗薄膜層に対する通電加熱が、減圧雰囲気下または非酸化性雰囲気下で行われることを特徴とする熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法である。

本発明の第４の発明は、第１から第３の発明における電気抵抗薄膜層が、ニッケル合金であることを特徴とする熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法である。

本発明の第５の発明は、熱可塑性樹脂フィルムの表面の少なくとも片面に接着剤を介することなく電気抵抗薄膜層と銅からなる乾式めっき法で形成された導電層を積層した銅張積層板の製造方法において、電気抵抗薄膜層が、第１から第４の発明のいずれかに記載の熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法を用いて形成され、且つ、電気抵抗薄膜層への通電加熱後に、その電気抵抗薄膜層上に導電層を形成することを特徴とする銅張積層板の製造方法である。

本発明の第６の発明は、第５の発明における導電層が、乾式めっき法による成膜層と、前記成膜層上に湿式めっき法による成膜層を備えることを特徴とする銅張積層板の製造方法である。

本発明によれば、基板に用いる熱可塑性樹脂フィルムの電気抵抗薄膜層近傍のみアモルファス化することが可能になり、フィルムが切れることなく、フィルム−電気抵抗薄膜層界面の強度を向上させることを可能とし、フレキシブル配線基板に好適な銅張積層板を提供するもので、工業上顕著な効果を奏するものである。

本発明の基板処理装置おける乾式めっき法による電気抵抗薄膜層形成の説明図である。 本発明で用いたロール・ツー・ロールスパッタリング装置の一例を示す概略図である。

以下、本発明の基板処理装置の一具体例について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の基板処理装置おける乾式めっき法による電気抵抗薄膜層形成の説明図で、１はキャンロール、２はロール（キャンロール入側）、３はロール（キャンロール出側）、４はロールで、ロール３、４間は通電されている。Ｆは熱可塑性樹脂フィルム、Ｆ_Ｃは電気抵抗薄膜層を表面に設けた熱可塑性樹脂フィルム、Ｍは金属ターゲット（蒸着源）、Ｔはファイバ温度計である。

図１には、減圧容器内（図示せず）にて熱可塑性樹脂フィルムがロールツーロールで搬送されており、電気抵抗薄膜層がキャンロール１上で、乾式めっき法（スパッタリング法、または蒸着法）で形成される様子が示されている。
この熱可塑性樹脂フィルムＦは、減圧容器内に配される巻取軸（図示せず）に巻回されており、その巻取軸に巻回された巻出ロール（図示せず）から巻き出され、ロール２、キャンロール１、導電層の成膜を経て、ロール３、ロール４間で通電加熱されて、巻取軸（図示せず）に巻き取られ巻取ロールに形成される。

キャンロール１の内部には、減圧容器外部から供給される冷媒が循環して電気抵抗薄膜層が形成中の熱可塑性樹脂フィルムＦを冷却する。
また乾式めっき法で成膜された電気抵抗薄膜層が接する表面が金属であるロール３と、さらに搬送方向に隣接するもう一本の表面が金属のロール４の間には電圧が印加され、電気抵抗薄膜層の表面に電流が流れ、ジュール熱によって加温される。
このロール４より下流（搬送方向側）は、アース（接地）しているので、電流はロール３、４間に流れる。

ファイバ温度計Ｔは、電気抵抗薄膜層の温度を測定し、その測定結果により電気抵抗薄膜層への印可電力のフィードバック制御を行う。印可電力の制御は公知のＰＩＤ制御を用いることができる。なお、ロール４は冷媒または温媒によって温度がコントロールされていることが望ましい。また、ファイバ温度計は非接触式でも接触式であってもよく、基板表面処理装置により適宜選択できる。

用いる樹脂フィルムは、熱可塑性樹脂フィルムを用いる。この熱可塑性樹脂フィルムであれば加熱されることで、軟化し電気抵抗薄膜層との密着性が向上する。なお、熱硬化性樹脂フィルムでは本発明の目的は達成されない。
具体的な熱可塑性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリブチレンテレフタレート、ポリフェニレンスルファイド、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリスルホン、フッ素樹脂、ポリアミドイミド、不飽和ポリエステル、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、酢酸セルロース、ポリイミド樹脂、液晶ポリマーなどいずれでもよい。

上記例示した液晶ポリマーを除く熱可塑性樹脂フィルムは、ガラス転移点が測定可能である。一方、液晶ポリマーはガラス転移点を測定することができない代わりにα緩和温度が測定可能である。融点は、上記例示したすべての熱可塑性樹脂フィルムで測定可能である。

ここで液晶ポリマーは、２３０℃以上の融点を持ち、全芳香族型ポリエステルであり、下記化１、化２に例示する「共重合体化合物（Ｉ）」、「共重合体化合物（ＩＩ）」から選ばれるポリエステルを使用することができる。

次に電気抵抗薄膜層の形成は、酸化防止の観点からは、減圧雰囲気下での成膜するのが好ましい。
形成する電気抵抗薄膜層は、ニッケル−クロム合金、モネル合金、コンスタンタン合金、マンガニン合金等のニッケル合金や、窒化タンタル等の窒化物や各種金属酸化物を用いることができる。このうち、銅張積層板の場合には、ニッケル−クロム合金が望ましい。

ニッケル−クロム合金の組成は、クロム含有率を５重量％〜３０重量％とすることが望ましく、より望ましいクロム含有率は５重量％〜２５重量％である。クロム含有率が５重量％未満では、電気抵抗が低いことと、導電層の銅の拡散を防ぐことが難しくなる。一方、クロム含有率が３０重量％を越えるとニッケル−クロム合金の電気抵抗が低下すること、および、後述するようにフレキシブル配線基板の配線パターンを形成する際の化学エッチングが困難になることがある。

電気抵抗薄膜層は、スパッタリング法や蒸着法などの公知の乾式めっき法で形成できる。このうち、スパッタリング法が望ましい。
電気抵抗薄膜層の成膜時の温度は樹脂フィルムがガラス転移点以上またはα緩和温度以上にならないようにするため、内部に冷媒が循環するキャンロール１で樹脂フィルムを保持して冷却しつつ成膜することが望ましい。

電気抵抗薄膜層の膜厚は２ｎｍ〜５０００ｎｍが望ましい。
電気抵抗薄膜の膜厚が２ｎｍ未満では、膜成長の初期段階は島状であるため、均質な被膜を得られない場合がある。このように電気抵抗薄膜層が２ｎｍ未満では、電気抵抗薄膜層は島状であるため、電気抵抗薄膜層による加熱も島状となり、密着性向上は望めない。
電気抵抗薄膜層を抵抗器として用いる場合は、抵抗器の電気特性等や加工性も考慮して２ｎｍ〜５０００ｎｍの範囲で膜厚を検討すればよい。また、銅張積層板のバリア層として電気抵抗薄膜層を設ける場合は、銅張積層板の配線加工性の問題から電気抵抗薄膜層の膜厚は２ｎｍ〜５０ｎｍが望ましく、更には２ｎｍ〜３０ｎｍが望ましい。

乾式めっき法で形成された電気抵抗薄膜層に電源から電力を供給して電圧を印可すると、電気抵抗薄膜層の表面に電流が通電されジュール熱で発熱する。この電気抵抗薄膜層の発熱により、熱可塑性樹脂フィルムの電気抵抗薄膜層に接する面が加熱される。
電気抵抗薄膜層へ加える電力は、所望の温度に加熱できれば良い。また、電源は直流でも交流でもよい。

ここで、熱可塑性樹脂フィルムの延伸工程と加熱処理について説明する。
延伸により樹脂分子の配向が制御されることになるが、樹脂と金属などの被膜との密着性からすると、樹脂フィルムの表面はアモルファスであることが望ましい傾向にあり、延伸による樹脂分子の配向制御は望ましくない。
そこで、熱可塑性樹脂フィルムの表面のみに熱を加えることができれば、熱可塑性樹脂フィルム全体を加熱しないので、延伸による熱可塑性樹脂フィルムの寸法安定性と被膜との密着性を両立することができる。さらに、本発明に係る温度範囲に熱可塑性樹脂フィルムを加熱しても、熱可塑性樹脂フィルムの表面のみが加熱されるので、熱可塑性樹脂フィルムにシワや破断などの不具合が生じない。

従って、本発明に係る成膜方法では、熱可塑性樹脂フィルムの表面に成膜された電気抵抗薄膜層を通電加熱し、電気抵抗薄膜層のジュール熱で熱可塑性樹脂フィルムの表面だけを直接的に加熱処理する。
また、通電加熱の雰囲気は非酸化性または不活性雰囲気下で行うので、電気抵抗薄膜層が酸化することもない。ここで、非酸化性雰囲気とは、実質的に酸素等の酸化剤となる気体を含まない雰囲気である。また、不活性雰囲気とは、アルゴンなどの不活性気体の雰囲気である。

通電加熱における電気抵抗薄膜層の温度は、ファイバ温度計で測定し、印可する電力を調整すればよい。
電気抵抗薄膜層の発熱による加熱温度は、熱可塑性樹脂フィルムのガラス転移点又はα緩和温度と、フィルムの融点との間であり、より望ましくは、下記式（１）（熱可塑性樹脂フィルムが液晶ポリマーの場合には式（２））に示されるように、ガラス転移点又はα緩和温度以上、フィルムの融点からフィルムのガラス転移点又はα緩和温度を差し引いた差の１／３の温度を、ガラス転移点又はα緩和温度に加えた温度以下の温度範囲である。

加熱温度が熱可塑性樹脂フィルムのガラス転移点又はα緩和温度未満では、熱可塑性樹脂フィルムの結晶配向は改善されない。一方、加熱温度が熱可塑性樹脂フィルムの融点を越えると、熱可塑性樹脂フィルムが軟化しすぎて変形したり、切断することがある。
従って、熱可塑性樹脂フィルムの変形を考慮すると、加熱温度の上限は、融点からガラス転移点又はα緩和温度を差し引いた差の１／３の温度をガラス転移点又はα緩和温度に加えた温度である。
なお、導体層形成後に通電しても意味がない。殆どの電流は導体層を流れ電気抵抗薄膜層は発熱しないからである。

ここで、ガラス転移点は、ＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｎａｌｙｓｉｓ）により測定し、ガラス転移点は、試料温度を上昇させていくと試料の比容積が膨張し、資料温度に対する比容積の変化の屈曲点のことである。
α緩和温度は、液晶ポリマーフィルムに用いられる温度指標であり、液晶ポリマーフィルムの主鎖セグメントのミクロブラウン運動に由来する温度であり、動的粘弾性装置（ＤＭＡ：Ｄｙｎａｍｉｃ Ｔｈｅｒｍｏｍｅｃｈａｎｏｍｅｔｒｙ）にて測定した値を用いる。
また、融点はＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ ｓｃａｎｎｉｎｇ ｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）により測定されＪＩＳ−Ｋ−７１２１に定められる融解ピーク温度のことである。

メタライジング法で得られる銅張積層板の金属膜と樹脂フィルムの密着性を向上させるために、加熱処理をすることは従来から知られているが、このような加熱処理は、樹脂フィルムの表面に金属膜を形成した後に行なわれる。
従って、ニッケル合金からなる電気抵抗薄膜層とその表面の銅からなる導電層の両者に熱がかかることとなる。この両者に熱がかかると電気抵抗薄膜層は樹脂フィルムとの密着性は向上するが、導電層は銅の結晶粒子が成長する。そのため、加熱処理を行ったために所望する導電層の結晶粒子が得られないことがあり、結果的に、導電層の結晶粒子が期待した状態ではないことから、銅張積層板の耐折り曲げ性や配線加工性等の特性が発揮されないことがある。

そこで、発明に係る電気抵抗薄膜層の成膜方法を銅張積層板の製造方法に利用すると、電気抵抗薄膜層や導電層の形成雰囲気を維持したままニッケル合金の電気抵抗薄膜層のみに熱処理ができる利点がある。電気抵抗薄膜層のみ加熱できることから、導電層の設計の自由度が向上するので、銅張積層板の設計の自由度も向上する効果が得られる。

次に、電気抵抗薄膜層に通電した後に、導体層を形成する。
導体層は、銅または銅合金で構成することが望ましい。導体層を銅で構成すると銅張積層板の電気抵抗を低く抑えることができるのでフレキシブル配線基板の電気抵抗による信号のロスを防げるばかりか、経済的にも有利である。

導体層は、スパッタリング法や蒸着法などの乾式めっき法で、電気抵抗薄膜層の表面に１０ｎｍ〜１μｍの導体の薄膜層を形成する。
導体層の成膜時の温度は、樹脂フィルムがガラス転移点以上またはα緩和温度以上にならないようにするため、内部に冷媒が循環するキャンロールで樹脂フィルムを保持して冷却しつつ成膜することが望ましい。

導体層の成膜手順を具体的に説明する。図２はロール・ツー・ロールスパッタリング装置の一例である。
図２において、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置１０は、その構成部品のほとんどを収納した直方体状の筐体１２を備えている。
この筐体１２は円筒状でも良く、その形状は問わないが、１０^−４Ｐａ〜１Ｐａの範囲に減圧された状態を保持できれば良い。

この筐体１２内には、長尺の樹脂フィルム基板である抵抗薄膜層が成膜された熱可塑性樹脂フィルムＦを、供給する巻き出す巻出ロール１３、キャンロール１４、スパッタリングカソード１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、前フィードロール１６ａ、後フィードロール１６ｂ、テンションロール１７ａ、テンションロール１７ｂ、巻取ロール１８を有する。

巻出ロール１３、キャンロール１４、前フィードロール１６ａ、巻取ロール１８にはサーボモータによる動力を備える。巻出ロール１３、巻取ロール１８は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって抵抗薄膜層が成膜された熱可塑性樹脂フィルムＦの張力バランスが保たれるようになっている。
テンションロール１７ａ、１７ｂは、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられている。
スパッタリングカソード１５ａ〜１５ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール１４に対向して配置される。このスパッタリングカソード１５ａ〜１５ｄの抵抗薄膜層が成膜された熱可塑性樹脂フィルムＦの巾方向の寸法は、長尺樹脂フィルム抵抗薄膜層が成膜された熱可塑性樹脂フィルムＦの巾より広ければよい。

抵抗薄膜層が成膜された熱可塑性樹脂フィルムＦは、ロールツーロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置１０内を搬送されて、キャンロール１４に対向するスパッタリングカソード１５ａ〜１５ｄで成膜され、導体薄膜層付熱可塑性樹脂フィルムＦ２に加工される。
キャンロール１４は、その表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体１２の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整される。

ロール・ツー・ロールスパッタリング装置１０では、銅ターゲットをスパッタリングカソード１５ａ〜１５ｄにそれぞれ装着し、熱可塑性樹脂フィルムを巻出ロール１３にセットした装置内を真空排気した後、アルゴン等のスパッタリングガスを導入して装置内を０．３Ｐａ程度に保持する。
次に導体薄膜層の表面に電気めっき法等の湿式めっき法で必要な膜厚となるまで電気めっき導体層を形成して導体層の厚付けをおこなう。なお湿式めっき法で導体層を厚付けするのは乾式めっき法より経済的だからである。電気めっき法を用いる場合、硫酸銅水溶液等のめっき浴で電気めっきを行えばよい。また、めっき浴には、レベラーやブライトナーなどの公知の添加剤を添加しても良い。

形成する導体層の厚みは、０．１μｍ〜２０μｍが望ましい。
厚みが０．１μｍよりも薄い場合、セミアディティブ法で配線加工する際に湿式めっき工程で給電がし辛くなるため好ましくない。２０μｍよりも厚くなると、エッチングによる配線加工の生産性が低下するばかりでなく、基板としての総厚も厚くなってしまうので、好ましくない。

プリント配線基板の配線は、サブトラクティブ法又はセミアディティブ法で形成することができる。
サブトラクティブ法とは、銅張積層板の導電層を化学エッチング処理して不要部分を除去する方法である。即ち、銅張積層板の導電層のうち導体配線として残したい部分の表面にレジストを設け、銅に対応するエッチング液による化学エッチング処理と水洗を経て、導電層の不要部分を選択的に除去して導体配線を形成するものである。

また、セミアディティブ法とは、銅張積層板の下地金属層および導電層の上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーにより、レジスト層をパターニングし、配線を形成したい箇所のレジスト層を除去して得られる導電層が露出した開口部に銅めっきを施し、配線を形成する。配線を形成後、レジスト除去を行い、不要な導電層および下地金属層を化学エッチング処理して極薄導電層および下地金属層部分を除去する方法である。
以下、実施例を用いて、本発明をさらに説明する。

熱可塑性樹脂フィルムには２５μｍ厚みのポリエーテルエーテルケトンフィルム（ＰＥＥＫ）「クラボウ社製 エクスピーク ガラス転移温度３２０℃、融点３４２℃」を用いた。
電気抵抗薄膜層としてはＮｉ（８０ｗｔ％）−Ｃｒ（２０ｗｔ％）合金２０ｎｍとなるように、図１の成膜装置でスパッタリング成膜した。その成膜雰囲気は０．３Ｐａのアルゴンガスであった。ロール２と３の間に直流電源から電力を印可し、ファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルムの温度は３２０℃となった。
その後、図２の成膜装置を用い０．３Ｐａアルゴンガス雰囲気下で抵抗薄膜層の表面にＣｕからなる導体薄膜層を２００ｎｍスパッタリング成膜した後に、硫酸銅水溶液で導体層の膜厚が８μｍになるように電気めっきを行い実施例１に係る銅張積層板を得た。
得られた銅張積層板の導体層を幅１ｍｍの直線の帯状となるように塩化第二鉄溶液でエッチング加工しピール強度試験片を作製した。
ピール強度は、９０°引きはがし試験であり、その結果は、４５０Ｎ／ｍであった。

（比較例１）
熱可塑性樹脂フィルムには２５μｍ厚みのポリエーテルエーテルケトンフィルム「クラボウ社製 エクスピーク ガラス転移温度３２０℃、融点３４２℃」を用いた。
電気抵抗薄膜層としてはＮｉ（８０ｗｔ％）−Ｃｒ（２０ｗ％）合金２０ｎｍとした。
ロール２と３の間に直流電源から電力を印可し、ファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルム温度は３００℃となった以外は実施例１と同様に試験を行った。
ピール強度は２５０Ｎ／ｍであった。

（比較例２）
熱可塑性樹脂フィルムには２５μｍ厚みのポリエーテルエーテルケトンフィルム「クラボウ社製 エクスピーク ガラス転移温度３２０℃、融点３４２℃」を用いた。
電気抵抗薄膜層としてはＮｉ（８０ｗｔ％）−Ｃｒ（２０ｗ％）合金２０ｎｍとした。
ロール２と３の間に直流電源から電力を印可し、ファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルム温度は３５０℃となり、熱可塑性樹脂フィルムは切れてしまった。

熱可塑性樹脂フィルムには２５μｍ厚みの液晶ポリマーフィルム「クラレ社製 ベクスターＣＴ-Ｚ（登録商標） α緩和温度３００℃ 融点３２５℃」を用いた。
電気抵抗薄膜層としてはＮｉ（８０ｗｔ％）−Ｃｒ（２０ｗ％）合金２０ｎｍとした。
ロール２と３の間に直流電源から電力を印可し、ファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルム温度は３０３℃となった以外は実施例１と同様に試験を行った。
ピール強度は４５０Ｎ／ｍであった。

熱可塑性樹脂フィルムには２５μｍ厚みの液晶ポリマーフィルム「クラレ社製 ベクスターＣＴ-Ｚ（登録商標） α緩和温度３００℃ 融点３２５℃」を用いた。
電気抵抗薄膜層としてはＮｉ（８０ｗｔ％）−Ｃｒ（２０ｗ％）合金２０ｎｍとした。
ロール２と３の間に直流電源から電力を印可し、ファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルム温度は３００℃となった以外は実施例１と同様に試験を行った。
ピール強度は４４０Ｎ／ｍであった。

（比較例３）
熱可塑性樹脂フィルムには２５μｍ厚みの液晶ポリマーフィルム「クラレ社製 ベクスターＣＴ-Ｚ（登録商標） α緩和温度３００℃ 融点３２５℃」を用いた。
電気抵抗薄膜層としてはＮｉ（８０ｗｔ％）−Ｃｒ（２０ｗ％）合金２０ｎｍとした。
ロール２と３の間に直流電源から電力を印可し、ファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルム温度は２８０℃となった以外は実施例１と同様に試験を行った。
ピール強度は２５０Ｎ／ｍであった。

（比較例４）
熱可塑性樹脂フィルムには２５μｍ厚みの液晶ポリマーフィルム「クラレ社製 ベクスターＣＴ-Ｚ（登録商標） α緩和温度３００℃ 融点３２５℃」を用いた。
電気抵抗薄膜層としてはＮｉ（８０ｗｔ％）−Ｃｒ（２０ｗ％）合金２０ｎｍとした。
ロール２と３の間に直流電源から電力を印可し、ファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルム温度は３３０℃となり、フィルムは切れてしまった。

熱可塑性樹脂フィルムに６μｍ厚みの熱可塑性ポリイミドフィルム「クラボウ製 ミドフィル（登録商標） ガラス転移点 ３２０℃、融点３８８℃」を用いた。
ロール２と３の間に直流電源から電力を印可し、ファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルム温度は３４０℃となった以外は実施例１と同様に試験を行った。
ピール強度は４８０Ｎ／ｍであった。

（比較例５）
熱可塑性樹脂フィルムに６μｍ厚みの熱可塑性ポリイミドフィルム「クラボウ製 ミドフィル（登録商標） ガラス転移点 ３２０℃、融点３８８℃」を用いた。
ロール２と３の間に直流電源から電力を印可し、ファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルム温度は３００℃となった以外は実施例１と同様に試験を行った。
ピール強度は３００Ｎ／ｍであった。

（比較例６）
熱可塑性樹脂フィルムには２５μｍ厚みのポリエーテルエーテルケトンフィルム（ＰＥＥＫ）「クラボウ社製 エクスピーク ガラス転移温度３２０℃、融点３４２℃」を用いた。熱可塑性樹脂フィルムに抵抗薄膜層を製膜することなく、０．３Ｐａのアルゴンガス中で赤外線ヒーターによりファイバ温度計が測定した熱可塑性樹脂フィルムの温度が３２０℃となるまで加熱したところ、シワが発生し試験を中止した。

（比較例７）
熱可塑性樹脂フィルムには２５μｍ厚みの液晶ポリマーフィルム「クラレ社製 ベクスターＣＴ-Ｚ（登録商標） α緩和温度３００℃ 融点３２５℃」を用いたことと、熱可塑性樹脂フィルム温度が３０５℃となった以外は比較例６と同様に試験を行ったところ、シワが発生し試験を中止した。
実施例及び比較例における試験結果を表１に纏めて示す。

１ キャンロール
２ ロール（キャンロール入側）
３ ロール（キャンロール出側）
４ ロール
Ｆ 熱可塑性樹脂フィルム
Ｆ_Ｃ 電気抵抗薄膜層を表面に設けた熱可塑性樹脂フィルム
Ｆ２ 導体薄膜層付熱可塑性樹脂フィルム
Ｍ 金属ターゲット（蒸着源）
Ｔ ファイバ温度計
１０ ロール・ツー・ロールスパッタリング装置
１２ 筐体
１３ 巻出ロール
１４ キャンロール
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ スパッタリングカソード
１６ａ 前フィードロール
１６ｂ 後フィードロール
１７ａ、１７ｂ テンションロール
１８ 巻取ロール

Claims (6)

1. 熱可塑性樹脂フィルムの表面の少なくとも片面に接着剤を介することなく電気抵抗薄膜層を乾式めっき法により成膜した後、前記電気抵抗薄膜層に電流を流し通電加熱を行い、前記通電加熱による電気抵抗薄膜層の温度が、前記熱可塑性樹脂フィルムのガラス転移点で定める加熱下限温度と、前記熱可塑性樹脂フィルムの融点から前記ガラス転移点を差し引いた差の１／３の温度を前記ガラス転移点に加えて定めた加熱上限温度との間となるように加熱することを特徴とする熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法。
2. 熱可塑性樹脂フィルムの表面の少なくとも片面に接着剤を介することなく電気抵抗薄膜層を乾式めっき法により成膜した後、前記電気抵抗薄膜層に電流を流し通電加熱を行い、前記通電加熱による電気抵抗薄膜層の温度が、前記熱可塑性樹脂フィルムのα緩和温度で定める加熱下限温度と、前記熱可塑性樹脂フィルムの融点から前記α緩和温度を差し引いた差の１／３の温度を前記α緩和温度に加えて定めた加熱上限温度との間となるように加熱することを特徴とする熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法。
3. 前記電気抵抗薄膜層に対する通電加熱が、減圧雰囲気下または非酸化性雰囲気下で行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法。
4. 前記電気抵抗薄膜層が、ニッケル合金であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法。
5. 熱可塑性樹脂フィルムの表面の少なくとも片面に接着剤を介することなく電気抵抗薄膜層と銅からなる乾式めっき法で形成された導電層を積層した銅張積層板の製造方法において、
   前記電気抵抗薄膜層が、請求項１から４のいずれかに記載の熱可塑性樹脂フィルムの表面への電気抵抗薄膜層の成膜方法を用いて形成され、
   且つ、電気抵抗薄膜層への通電加熱後に前記電気抵抗薄膜層上に導電層を形成することを特徴とする銅張積層板の製造方法。
6. 前記導電層が、乾式めっき法による成膜層と、前記成膜層上に湿式めっき法による成膜層を備えることを特徴とする請求項５に記載の銅張積層板の製造方法。

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