JP6403095B2 - フレキシブル配線用基板およびフレキシブル配線板 - Google Patents
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Description
特に、液晶ディスプレイのICパッケージでは、液晶ディスプレイの表面側(画像が表示される側)の端部から液晶ディスプレイの裏面側に屈曲されて装着されている。
即ち、フレキシブル配線用基板の銅層のうち導体配線として残したい部分の表面にレジストを設け、銅に対応するエッチング液による化学エッチング処理と水洗を経て、銅層の不要部分を選択的に除去して導体配線を形成するものである。
即ち、フレキシブル配線用基板の銅層のうち導体配線を形成したい部分の表面にレジストを形成せず、電気銅めっき法で銅を析出させ、極薄銅層および下地金属層に対応するエッチング液による化学エッチング処理と水洗を経て、極薄銅層および下地金属層の不要部分を選択的に除去して導体配線を形成するものである。
3層FCCLは、電解銅箔や圧延銅箔をベース(絶縁層)の樹脂フィルムに接着した構造(銅箔/接着剤層/樹脂フィルム)となっている。一方、2層FCCLは、銅層若しくは銅箔と樹脂フィルム基材とが積層された構造(銅層若しくは銅箔/樹脂フィルム)となっている。
即ち、樹脂フィルムの表面に下地金属層と銅層を順次めっきして形成したFCCL(通称メタライジング基板)、銅箔に樹脂フィルムのワニスを塗って絶縁層を形成したFCCL(通称キャスト基板)、及び銅箔に樹脂フィルムをラミネートしたFCCL(通称ラミネート基板)である。
例えば、メタライジング基板の銅層は、乾式めっき法及び電気めっき法により層厚を自由に制御できるのに対し、キャスト基板やラミネート基板あるいは3層FCCLは使用する銅箔によって、その厚みなどは制約されてしまう。
しかし、これらの方法は、3層FCCLの圧延銅箔や電解銅箔、2層FCCLのうちのキャスト基板とラミネート基板に用いられる銅箔自体の処理に関するものである。
この試験では、試験片に形成した回路パターンが断線するまでの屈折回数をもって評価し、この屈折回数が大きいほど耐折れ性が良いとされている。
このような状況に鑑み、本発明は、耐折れ性に優れたフレキシブル配線用基板を提供すると共に、そのフレキシブル配線用基板を用いた良好な耐折れ性を有するフレキシブル配線板を提供するものである。
特に、本発明に係るフレキシブル配線板は、耐折れ性に優れているので、従来品に比べ、より小さな曲率半径で屈曲させることができ、且つ、その場合でも屈曲部で断線することが少ない。
ここで、積層膜の破断応力は、フレキシブル配線用基板から取り出される積層膜のみで測定される破断応力で、耐折れ性の視点からすれば、積層膜の欠陥に起因する破断応力の低下の無い健全な積層膜では、積層膜の破断応力が低ければ低い方が望ましく、その破断時の伸び率も大きい方が望ましいが、現実的に得られるフレキシブル配線用基板では破断応力は280MPaを超え、また破断応力が360MPaを超える積層膜では、膜自体が脆くなり耐折れ性が劣る問題が生じる。
そこで、積層膜のより望ましい破断応力は、280MPa〜320MPaの範囲で、さらにフレキシブル配線板の製造工程において、加えられる錫めっき工程等の熱処理を伴う工程が施されない状態にあるフレキシブル配線用基板の積層膜の伸び率は5%以上であることが望ましい。なお、錫めっき工程などの熱処理を受けるフレキシブル配線板の積層膜の場合には、若干の伸び率の低下を生じるが、使用するフレキシブル配線用基板の積層膜の伸び率が5%以上であるのなら耐折れ性を劣化させない。
以下、2層フレキシブル配線用基板の積層膜である銅層の破断応力が280MPa〜360MPaの製造方法の一例で本発明を説明する。
まず、本発明のフレキシブル配線板に用いる2層フレキシブル配線用基板について説明する。
本発明に係る2層フレキシブル配線用基板は、ポリイミドフィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに下地金属層と銅層が逐次的に積層された積層膜を採るメタライジング基板で、その銅層は銅薄膜層と銅電気めっき層により構成されている。
樹脂フィルム基板1にポリイミドフィルムを用い、そのポリイミドフィルムの少なくとも一方の面には、ポリイミドフィルム側から下地金属層2、銅薄膜層3、銅電気めっき層4の順に成膜、積層されている。銅層5が銅薄膜層3と銅電気めっき層4から構成されている。さらに、下地金属層2、銅層5の順の積層構造から、積層膜7は構成されている。
特に、機械的強度や耐熱性や電気絶縁性の観点から、ポリイミドフィルムが特に好ましい。
さらに、フィルムの厚みが12.5〜75μmの上記樹脂フィルム基板が好ましく使用することができる。
このうち20重量%クロムのニッケル・クロム合金は、ニクロム合金として流通し、マグネトロンスパッタリング法のスパッタリングターゲットとして容易に入手可能である。また、ニッケルを含む合金には、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、コバルト等を添加しても良い。
下地金属層の膜厚が3nm未満では、ポリイミドフィルムと銅層の密着性を保てず、耐食性や耐マイグレーション性で劣る。一方、下地金属層の膜厚が50nmを越えると、サブトラクティブ法で配線加工する際に、下地金属層の十分な除去が困難な場合が生じる。その下地金属層の除去が不十分な場合は、配線間のマイグレーション等の不具合が懸念される。
銅薄膜層3は、主に銅で構成され、その膜厚は、10nm〜1μmが望ましい。
銅薄膜層の膜厚が10nm未満では、銅薄膜層上に銅電気めっき層を電気めっき法で成膜する際の導電性が確保できず、電気めっきの際の外観不良に繋がる。銅薄膜層の膜厚が1μmを越えても2層フレキシブル配線用基板の品質上の問題は生じないが、生産性が劣る問題がある。
下地金属層および銅薄膜層は、乾式めっき法で形成することが好ましい。
乾式めっき法には、スパッタリング法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法、真空蒸着法、CVD法等が挙げられるが、下地金属層の組成制御等の観点から、スパッタリング法が望ましい。
樹脂フィルム基板へのスパッタリング成膜には、公知のスパッタリング装置を用いて成膜すれば良く、長尺の樹脂フィルム基板の場合への成膜には、公知のロール・ツー・ロール方式スパッタリング装置で行うことができる。このロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いれば、長尺のポリイミドフィルムの表面に、下地金属層および銅薄膜層を連続して成膜することができる。
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置10は、その構成部品のほとんどを収納した直方体状の筐体12を備えている。
筐体12は円筒状でも良く、その形状は問わないが、10−4Pa〜1Paの範囲に減圧された状態を保持できれば良い。
この筐体12内には、長尺の樹脂フィルム基板であるポリイミドフィルムFを、供給する巻出ロール13、キャンロール14、スパッタリングカソード15a、15b、15c、15d、前フィードロール16a、後フィードロール16b、テンションロール17a、テンションロール17b、巻取ロール18を有する。
テンションロール17a、17bは、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられている。
スパッタリングカソード15a〜15dは、マグネトロンカソード式でキャンロール14に対向して配置される。スパッタリングカソード15a〜15dのポリイミドフィルムFの巾方向の寸法は、ポリイミドフィルムFの巾より広ければよい。
キャンロール14は、その表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体12の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整される。
また、下地金属層をスパッタリングで成膜した後に、銅薄膜層を蒸着法で成膜しても良い。
銅電気めっき層は、電気めっき法により成膜される。その銅電気めっき層の膜厚は、6μm〜12μmが望ましい。
下地金属層と銅薄膜層を成膜して得られた銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2は、巻出ロール22から巻き出され、電気めっき槽21内のめっき液28への浸漬を繰り返しながら連続的に搬送される。なお、28aはめっき液の液面を指している。
銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2は、めっき液28に浸漬されている間に電気めっきにより銅薄膜層の表面に銅電気めっき層が成膜され、所定の膜厚の銅層を形成した後、金属化樹脂フィルム基板である2層フレキシブル配線用基板Sとして、巻取ロール29に巻き取れられる。なお、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2の搬送速度は、数m〜数十m/分の範囲が好ましい。
このように、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2が、めっき液への浸漬を複数回繰り返す間に、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2の金属薄膜上に銅層を形成するものである。
給電ロール26a、アノード24a、めっき液、銅薄膜層付ポリイミドフィルムF2および電源により、電気めっき回路が構成される。
ここで、使用するまた、アノードは不溶性アノードが好ましい。
不溶性アノードは、特別なものを必要とせず、導電性セラミックで表面をコーティングした公知の不溶性アノードでよい。なお、電気めっき槽21の外部に、めっき液28に銅イオンを供給する機構を備える。
このように電流密度を上昇させることで、銅電気めっき層の変色を防ぐことができる。特に銅電気めっき層の膜厚が薄い場合に電流密度が高いと表面に変色が起こりやすいために、めっき中の電流密度は、後述するPeriodic Reverse電流の反転電流を除き0.1A/dm2〜8A/dm2が望ましい。電流密度が高くなると銅電気めっき層の外観不良が発生する。
本発明に係る2層フレキシブル配線用基板を製造するための、銅電気めっき層形成におけるめっき条件として、Periodic Reverse電流(以下PR電流とも称す。)を用いることができる。また、銅電気めっき層のめっき条件としては、PR電流とパルス電流を併用してもよい。
なお、PR電流は、正電流と極性が反転した反転電流の組合せであり、反転電流は正電流の1〜9倍の電流を加えると良い。反転電流時間割合としては1〜10%程度が望ましい。また、PR電流の次の反転電流が流れる周期は、10m秒以上が望ましく、より望ましくは20m秒〜300m秒である。
パルス電流は、正電流に対し一定の周期で電流を流さない無電流または電流値を減じた減電流を行う電流である。減電流は、正電流の0アンペアを越え50%以下の値が望ましい。パルス電流で次の無電流と減電流となる周期は、10m秒以上が望ましく、20m秒〜300m秒である。
なお、めっき電圧は、上述の電流密度が実現できるように適宜調整すればよい。
なお、全アノードにPR電流を流してもよいが、PR電流用の整流器が高価な為、製造コストが増加する。そこで、本発明に係る2層フレキシブル配線用基板では、銅電気めっき層の表面からポリイミド方向に膜厚の10%をPR電流で成膜すれば、積層膜のほとんどを占める銅層の破断強度を制御できるので積層膜の破断応力が280Pa〜360Paを実現することができるので、結果的に耐折れ性試験(MIT試験)の向上が望める。
銅電気めっき層の硫黄濃度が30ppmを超えると、積層膜の破断応力が360Paを越える。そのため、フレキシブル配線用基板やフレキシブル配線板の耐折れ性が劣化することがある。電気めっき浴に加えるレべラーやブライトナーの量は、銅電気めっき層の硫黄含有率から適宜選択すればよい。
本発明に係るフレキシブル配線板の配線幅は、最も細い箇所で50μm以下である。ここで配線幅とは、配線がポプリイミドフィルムに接する底面の幅である。
フレキシブル配線基板のMIT耐折れ性試験の結果は、配線幅が細くなると悪化する。
もちろん、配線幅1mmのフレキシブル配線板で不十分な耐折れ性となるフレキシブル配線用基板では、配線幅50μm以下のフレキシブル配線板に加工されたものでも不十分な耐折れ性の結果となる。
この銅層の膜厚が5μm未満では、配線の導電性が不十分となる。一方、銅層が12μmを超えると導電性は十分でも配線幅50μm以下の配線の形成が困難となる。特にサブトラクティブ法では配線の膜厚が厚くなるほど、精細な配線の加工が難しくなる。
なお、2層フレキシブル配線用基板の銅薄膜層と銅電気めっき層の両者の合計の膜厚(フレキシブル配線板の銅層の膜厚に相当)が12μmを超えることもある。2層フレキシブル配線用基板の銅薄膜層と銅電気めっき層の膜厚の合計が12μmを超える場合は、2層フレキシブル配線用基板の銅電気めっき層等を化学研磨などで所定の膜厚にすればよい。
銅電気めっき層などを配線に加工するエッチング加工に用いるエッチング液は、特別な配合の塩化第二鉄と塩化第二銅と硫酸銅とを含む水溶液や特殊な薬液には限定されず、一般的な比重1.30〜1.45の塩化第二鉄水溶液や比重1.30〜1.45の塩化第二銅水溶液を含む市販のエッチング液を用いることができる。
用いる2層フレキシブル配線用基板の銅層の厚みは、セミアディティブ法の銅めっきの膜厚を考慮して適宜定めればよい。
ところで、錫めっきは、温度50℃〜90℃の公知の無電解錫めっき液に、フレキシブル配線板を1分間〜5分間浸漬して行われる。また、ソルダーレジストの被覆では、ソルダーレジストを硬化させるため温度100℃〜150℃にフレキシブル配線板を曝し、金バンプを介した素子の実装でもフレキシブル配線板には熱が負荷される。これらの化学的な負荷や熱負荷は、フレキシブル配線板の耐折れ性に悪影響を与える恐れがあるが、本発明に係るフレキシブル配線板は、これらの負荷に曝された後に前記配線を構成する積層膜の破断応力が280Pa〜360Paとすることで、これらの負荷に曝された後においても従来品に比べて、錫めっきが施されていても、耐折れ性の向上を示している。
錫めっき無のフレキシブル配線用基板の破断応力は、ポリイミドフィルムをアルカリ溶液で溶解除去し、下地金属層と銅層の積層膜を13mm×100mmに裁断した試料を、オリエンテック社製「RTC−1150A」にて測定した。
また、錫めっき後の破断応力は、錫めっきと所定の熱処理を行った以外は、錫めっき無のフレキシブル配線用基板の破断応力と同様に測定した。
伸び率は、破断応力の測定の際に積層膜が破断するまでの試料の伸び率である。
下地金属層を成膜する為のニッケル−20重量%クロム合金ターゲットをスパッタリングカソード15aに、銅ターゲットをスパッタリングカソード15b〜15dにそれぞれ装着し、厚み38μmのポリイミドフィルム(東レ・デュポン株式会社製「カプトン(登録商標)」)をセットした装置内を真空排気した後、アルゴンガスを導入して装置内を1.3Paに保持して銅薄膜層付ポリイミドフィルムを製造した。
下地金属層(ニッケル−クロム合金)の膜厚は20nm、銅薄膜層の膜厚は200nmであった。
めっき液は硫酸銅浴を用い、アノード24oから24tは特に断らない限り最大の電流密度(PR電流の反転電流を除く)となるようにし、最終的に銅電気めっき層の膜厚が8.5μmとなるように電流密度を調整した。
一方、50μm試験片のMIT耐折れ性試験結果では48回であった。また、50μm試験片に錫めっきと150℃、3時間保持の熱処理を施さなかった試験片のMIT耐折れ性試験結果では95回であった。
測定した各特性を表1に纏めて示す。
その25μm試験片のMIT耐折れ性試験結果では43回で、従来品に対して13%の向上を示す結果を得た。
一方50μm試験片のMIT耐折れ性試験結果では45回であった。
その測定した各特性を表1に纏めて示す。
めっき槽のいずれのアノードでもPR電流を流さずに直流電流で銅電気めっきした以外は、実施例1と同様に、参考例の試験片を作製した。
25μm試験片のMIT耐折れ性試験の結果は、38回で、50μm試験片のMIT耐折れ性試験の結果は、37回であった。
また、50μm試験片に錫めっきと150℃、3時間保持の熱処理を施さなかった試験片その測定した各特性を表1に纏めて示す。
銅電気めっき条件を変動させて抗張力が380Paとした以外は参考例と同様にして、比較例1に係る試験片を作製した。その結果、錫めっきと150℃、3時間保持の熱処理を施さない50μmのMIT耐折れ性試験の結果が40回と大きく劣ったので、以後の試験を中止した。
その測定した各特性を表1に纏めて示す。
2 下地金属層
3 銅薄膜層
4 銅電気めっき層
5 銅層
6 2層フレキシブル配線用基板
7 積層膜
10 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置
12 筐体
13 巻出ロール
14 キャンロール
15a、15b、15c、15d スパッタリングカソード
16a 前フィードロール
16b 後フィードロール
17a、17b テンションロール
18 巻取ロール
20 (ロール・ツー・ロール方式の連続電気)めっき装置
21 電気めっき槽
22 巻出ロール
23 反転ロール
24a〜24t アノード
26a〜26k 給電ロール
28 めっき液
28a めっき液の液面
29 巻取ロール
F 樹脂フィルム基板(ポリイミドフィルム)
F2 銅薄膜層付ポリイミドフィルム(銅薄膜層付樹脂フィルム基板)
S 2層フレキシブル配線用基板
Claims (7)
- 樹脂フィルム基板の表面に接着剤を介することなく下地金属層と前記下地金属層の表面に設ける銅層で構成される積層膜からなるフレキシブル配線用基板において、
前記下地金属層が、ニッケル、クロムまたはこれらの合金で、
前記銅層が、前記下地金属層の表面に乾式めっき法による銅薄膜層と
前記銅薄膜層の表面に湿式めっき法による銅めっき層からなり、
前記銅めっき層が、PR電流による銅電気めっき層、次いでパルス電流による銅電気めっき層が設けられた銅電気めっき層を含む湿式めっきの銅めっき層からなり、
前記積層膜の破断応力が280MPa〜360MPaであることを特徴とするフレキシブル配線用基板。 - 前記積層膜の伸び率が、5%以上であることを特徴とする請求項1に記載のフレキシブル配線用基板。
- 前記銅めっき層の膜厚が、6μm〜12μmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のフレキシブル配線用基板。
- 前記下地金属層の膜厚が、3〜50nmであることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載のフレキシブル配線用基板。
- 樹脂フィルム基板の表面に接着剤を介することなく下地金属層と、前記下地金属層の表面に設けられる銅層で構成される積層膜からなる幅50μm以下の配線が設けられるフレキシブル配線板であって、
前記下地金属層が、ニッケル、クロムまたはこれらの合金で、
前記銅層が、前記下地金属層の表面に乾式めっき法による銅薄膜層と
前記銅薄膜層の表面に湿式めっき法による銅めっき層からなり、
前記銅めっき層が、PR電流による銅電気めっき層、次いでパルス電流による銅電気めっき層が設けられた銅電気めっき層を含む湿式めっきの銅めっき層からなり、
前記積層膜の破断応力が280MPa〜360MPaであることを特徴とするフレキシブル配線板。 - 前記下地金属層の膜厚が、3〜50nmであることを特徴とする請求項5に記載のフレキシブル配線板。
- 前記配線の表面に錫めっきが施されていることを特徴とする請求項5又は6に記載のフレキシブル配線板。
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