TWI484073B - Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board, copper laminated board, printed wiring board and electronic equipment - Google Patents

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Description

表面處理銅箔及使用其之積層板、覆銅積層板、印刷配線板以及電子機器
本發明係關於一種表面處理銅箔及使用其之積層板，特別是關於一種適合於要求蝕刻銅箔後之殘部之樹脂之透明性之領域的表面處理銅箔及使用其之積層板、覆銅積層板、印刷配線板以及電子機器。
於智慧型手機或平板PC等小型電子機器中，就配線之容易度或輕量性而言，採用有撓性印刷配線板(以下，FPC)。近年來，隨著該等電子機器之高功能化，訊號傳輸速度向高速化方向發展，對於FPC而言阻抗匹配亦成為重要之要素。作為針對訊號容量增加之阻抗匹配之對策，成為FPC之基底之樹脂絕緣層(例如，聚醯亞胺)向厚層化方向發展。又，根據配線之高密度化要求，FPC之多層化更進一步進展。另一方面，對於FPC會實施向液晶基材之接合或IC晶片之搭載等加工，但此時之位置對準係經由透過於對銅箔與樹脂絕緣層之積層板中銅箔進行蝕刻後殘留之樹脂絕緣層所視認的定位圖案而進行，因此樹脂絕緣層之視認性變得重要。
又，作為銅箔與樹脂絕緣層之積層板之覆銅積層板亦可使用表面實施有粗化鍍敷之壓延銅箔而製造。該壓延銅箔通常係使用精銅(含氧量100~500重量ppm)或無氧銅(含氧量10重量ppm以下)作為素材，對該等之錠進行熱軋後，反覆進行冷軋與退火至特定厚度而製造。
作為上述技術，例如專利文獻1中揭示有一種關於覆銅積層板之發明，其係積層聚醯亞胺膜與低粗糙度銅箔而成，且蝕刻銅箔後之 膜於波長600nm下之透光率為40%以上，霧度(HAZE)為30%以下，接著強度為500N/m以上。
又，專利文獻2中揭示有一種關於COF用撓性印刷配線板之發明，其係具有積層有由電解銅箔形成之導體層的絕緣層，於對該導體層進行蝕刻而形成電路時之蝕刻區域中絕緣層之透光性為50%以上的薄膜覆晶(COF，chip on film)用撓性印刷配線板，其特徵在於：上述電解銅箔於接著於絕緣層之接著面具備由鎳-鋅合金形成之防銹處理層，且該接著面之表面粗糙度(Rz)為0.05~1.5μm，並且入射角60°下之鏡面光澤度為250以上。
又，專利文獻3中揭示有一種關於印刷電路用銅箔之處理方法之發明，其係印刷電路用銅箔之處理方法，其特徵在於：於銅箔之表面進行利用銅-鈷-鎳合金鍍敷之粗化處理後，形成鈷-鎳合金鍍敷層，進而形成鋅-鎳合金鍍敷層。
[專利文獻1]日本特開2004-98659號公報
[專利文獻2]WO2003/096776
[專利文獻3]日本專利第2849059號公報
專利文獻1中，藉由黑化處理或電鍍處理後之有機處理劑對接著性進行改良處理而獲得之低粗糙度銅箔於對覆銅積層板要求可撓性之用途中，有因疲勞而斷線之情況，且有樹脂透視性較差之情形。
又，於專利文獻2中未進行粗化處理，於COF用撓性印刷配線板以外之用途中，銅箔與樹脂之密合強度較低而不足。
進而，於專利文獻3所記載之處理方法中，雖然可對銅箔進行利用Cu-Co-Ni之微細處理，但對於使該銅箔與樹脂接著並利用蝕刻去除該銅箔 後之樹脂而言，無法實現優異之透明性。
本發明提供一種與樹脂良好地接著，且利用蝕刻去除銅箔後之樹脂的透明性優異之表面處理銅箔及使用其之積層板、覆銅積層板、印刷配線板以及電子機器。
本發明者等人反覆進行努力研究，結果著眼於自將附標記之印刷物置於將銅箔貼合後去除之聚醯亞胺基板之下方，利用CCD攝影機(charge-coupled device camera，電荷耦合元件攝影機)隔著聚醯亞胺基板對該印刷物進行拍攝所得之該標記部分的圖像獲得之觀察地點-亮度曲線中所繪製之標記端部附近之亮度曲線，發現對該亮度曲線進行控制並不受基板樹脂膜之種類或基板樹脂膜之厚度之影響，而是對將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性產生影響。
基於上述見解而完成之本發明於一態樣係一種表面處理銅箔，其係藉由粗化處理而於至少一表面形成有粗化粒子，於將上述銅箔貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下方，利用CCD攝影機隔著上述聚醯亞胺基板對上述印刷物進行拍攝時，針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀標記延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，自上述標記之端部至無上述標記之部分產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
於本發明之表面處理銅箔之另一實施形態中，自上述標記之端部至無上述標記之部分產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為50以上。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，自上述標記 之端部至無上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為60以上。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，於上述觀察地點-亮度曲線中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述線狀標記交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內表示最接近上述線狀標記交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式所定義之Sv為3.9以上。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式所定義之Sv為5.0以上。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm，粗化處理表面之MD之60度光澤度為76~350%，上述粗化粒子之表面積A、與自上述銅箔表面側俯視上述粗化粒子時獲得之面積B之比A/B為1.90~2.40。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述MD之60度光澤度為90~250%。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述TD之平均粗糙度Rz為0.30~0.60μm。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述A/B為2.00~2.20。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度之比C(C=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.80~1.40。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度之比C(C=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.90~1.35。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，於上述粗化處理表面具備樹脂層。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述樹脂層含有介電體。
本發明於又一態樣係一種附載體銅箔，其係依序具有載體、中間層、極薄銅層者，且上述極薄銅層為本發明之表面處理銅箔。
本發明於又一態樣係一種積層板，其係積層本發明之表面處理銅箔與樹脂基板而構成。
本發明於又一態樣係一種印刷配線板，其使用有本發明之表面處理銅箔。
本發明於又一態樣係一種積層板，其係積層本發明之附載體銅箔與樹脂基板而構成。
本發明於又一態樣係一種印刷配線板，其使用有本發明之附載體銅箔。
本發明於又一態樣係一種電子機器，其使用有本發明之印刷配線板。
本發明於又一態樣係一種印刷配線板，其係由絕緣樹脂基板、與自經過表面處理之表面側積層於上述絕緣基板且形成有銅電路之表面處理銅箔所構成，利用CCD攝影機隔著自經過表面處理之表面側積層之上述絕緣樹脂基板，對上述銅電路進行拍攝時，針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，自上述銅電路之端部至 無上述銅電路之部分產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
本發明於又一態樣係一種覆銅積層板，其係由絕緣樹脂基板、與自經過表面處理之表面側積層於上述絕緣基板之表面處理銅箔所構成者，藉由蝕刻將上述覆銅積層板之上述表面處理銅箔製成線狀之表面處理銅箔後，利用CCD攝影機隔著自經過表面處理之表面側積層之上述絕緣樹脂基板進行拍攝時，針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀表面處理銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，自上述線狀表面處理銅箔之端部至無上述線狀表面處理銅箔之部分產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
本發明於又一態樣係一種印刷配線板，其使用有本發明之覆銅積層板。
本發明於又一態樣係一種電子機器，其使用有本發明之印刷配線板。
本發明於又一態樣係一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，其係將2個以上本發明之印刷配線板連接而製造。
本發明於又一態樣係一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，其包含將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板加以連接之步驟。
本發明於又一態樣係一種電子機器，其使用1個以上本發明之連接2個以上印刷配線板而成的印刷配線板或本發明之印刷配線板。
本發明於又一態樣係一種印刷配線板之製造方法，其至少 包含將本發明之連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板或本發明之印刷配線板、與零件加以連接之步驟。
本發明於又一態樣係一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，其至少包含：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板加以連接之步驟；及將本發明之連接2個以上印刷配線板而成的印刷配線板或本發明之印刷配線板、與零件加以連接之步驟。
本發明於又一態樣係一種印刷配線板之製造方法，其包含：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；及將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法(semi additive method)、減成法(subtractive method)、部分加成法(partly additive method)或改良半加成法(modified semi additive method)中之任一方法形成電路之步驟。
本發明於又一態樣係一種印刷配線板之製造方法，其包含：於本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟；於上述樹脂層上形成電路之步驟；於上述樹脂層上形成電路後，將上述載體剝離之步驟；及剝離上述載體後，藉由去除上述極薄銅層，而使形成於上述極薄銅層側表面之埋沒於上述樹脂層之電路露出之步驟。
根據本發明，可提供一種與樹脂良好地接著，且利用蝕刻去除銅箔後之樹脂的透明性優異之表面處理銅箔及使用其之積層板、覆銅積層板、印刷配線板以及電子機器。
圖1係定義Bt及Bb之示意圖。
圖2係定義t1及t2及Sv之示意圖。
圖3係表示評價亮度曲線之斜率時攝影裝置之構成及亮度曲線之斜率之測定方法的示意圖。
圖4a係評價Rz時(a)比較例1之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4b係評價Rz時(b)比較例3之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4c係評價Rz時(c)比較例5之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4d係評價Rz時(d)比較例6之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4e係評價Rz時(e)實施例1之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4f係評價Rz時(f)實施例2之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖5A~C係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例，即至電路鍍敷-抗蝕劑去除為止之步驟中的配線板剖面之示意圖。
圖6D~F係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例，即自積層樹脂及第2層附載體銅箔至雷射開孔為止之步驟中的配線板剖面之示意圖。
圖7G~I係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例，即自形成填孔(via fill)至剝離第1層載體為止之步驟中的配線板剖面之示意圖。
圖8J~K係使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法的具體例，即自閃蝕至形成凸塊-銅支柱為止之步驟中的配線板剖面之示意圖。
圖9係實施例所使用之夾雜物之外觀照片。
圖10係實施例所使用之夾雜物之外觀照片。
[表面處理銅箔之形態及製造方法]
於本發明中使用之銅箔適合於用以與樹脂基板接著而製作積層體，並藉由蝕刻而去除之銅箔。
於本發明中使用之銅箔亦可為電解銅箔或壓延銅箔中之任一種。通常以提高積層後之銅箔之剝離強度為目的，亦可對銅箔之與樹脂基板接著之面、即粗化面，實施對脫脂後之銅箔表面進行疙瘩狀之電鍍之粗化處理。電解銅箔於製造時具有凹凸，但藉由粗化處理，可使電解銅箔之凸部增大而使凹凸進一步變大。於本發明中，該粗化處理可藉由鍍銅-鈷-鎳合金或鍍銅-鎳-磷合金鍍鎳-鋅合金等鍍合金而進行。又，較佳為可藉由鍍銅合金而進行。作為鍍銅合金浴，例如較佳為使用含有銅與1種以上之銅以外之元素之鍍浴，更佳為含有銅與選自由鈷、鎳、砷、鎢、鉻、鋅、磷、錳及鉬所組成之群中之任一種以上之鍍浴。又，於本發明中，使該粗化處理之電流密度高於先前粗化處理之電流密度，而縮短粗化處理時間。有時進行通常之鍍銅等作為粗化前之預處理，有時亦為了防止電鍍物之脫落而進行通常之鍍銅等作為粗化後之最終加工處理。於本發明中，亦包含上述預處理及最終加工處理，視需要包含與銅箔粗化與相關之公知處理，而統稱為粗化處理。
再者，於本申請案發明之壓延銅箔亦包含含有1種以上之Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B等元素之銅合金箔。若上述元素之濃度變高(例如合計為10質量%以上)，則有導電率降低之情形。壓延銅箔之導電率較佳為50%IACS以上，更佳為60%IACS以上，進而較佳為80%IACS以上。上述銅合金箔亦可含有銅以外之元素合計為0 mass%以上且50 mass%以下，亦可含有0.0001 mass%以上且40 mass%以下，亦可含 有0.0005 mass%以上且30 mass%以下，亦可含有0.001 mass%以上且20 mass%以下。
又，於本發明中使用之銅箔亦可為依序具有載體、中間層、極薄銅層之附載體銅箔。於本發明中使用附載體銅箔之情形時，於極薄銅層表面進行上述粗化處理。再者，對附載體銅箔之另一實施形態，於下文詳細進行說明。
又，將可用於本申請案發明之電解銅箔之製造條件之一例示於以下。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(三磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
就上述之胺化合物而言，可使用以下之化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1 及R2 為選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷 基、不飽和烴基、烷基所組成之群中者)。
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
又，可列舉JX日鑛日石金屬股份有限公司製造之HLP箔作為可用於本申請案發明之電解銅箔。
作為粗化處理之鍍銅-鈷-鎳合金可以藉由電解電鍍，形成如附著量為15~40mg/dm2 之銅-100~3000μg/dm2 之鈷-50~1500μg/dm2 之鎳的三元系合金層之方式進行，較佳為以形成如附著量為15~40mg/dm2 之銅-100~3000μg/dm2 之鈷-100~1500μg/dm2 之鎳之三元系合金層之方式進行。若Co附著量未達100μg/dm2 ，則有耐熱性變差，蝕刻性變差之情況。若Co附著量超過3000μg/dm2 ，則有當必需考慮磁性之影響時欠佳，且蝕刻斑產生，又，耐酸性及耐化學品性變差之情況。若Ni附著量未達50μg/dm2 ，則有耐熱性變差之情況。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm2 ，則有蝕刻殘留物變多之情況。Co附著量較佳為1000~2500μg/dm2 ，鎳附著量較佳為500~1200μg/dm2 。此處，所謂蝕刻斑意指於利用氯化銅進行蝕刻時，Co未溶解而殘留之情況，又，所謂蝕刻殘留物意指於利用氯化銨進行鹼性蝕刻時，Ni未溶解而殘留之情況。
用以形成上述三元系鍍銅-鈷-鎳合金之鍍浴及電鍍條件係如下所述：鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk ：25~50A/dm2
電鍍時間：0.3~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔係於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理。藉由於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理，而於銅箔表面形成比先前細微之粗化粒子。
又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-磷合金之條件示於以下。
鍍浴組成：Cu 10~50g/L、Ni 3~20g/L、P 1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~40℃
電流密度Dk ：30~50A/dm2
電鍍時間：0.3~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔係於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理。藉由於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理，而於銅箔表面形成比先前細微之粗化粒子。
又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-鈷-鎢合金之條件示於以下。
鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Co 5~20g/L、W 1~10g/L
pH值：1~5
溫度：30~50℃
電流密度Dk ：30~50A/dm2
電鍍時間：0.3~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔係於使電鍍時間短於先 前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理。藉由於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理，而於銅箔表面形成比先前細微之粗化粒子。
又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-鉬-磷合金之條件示於以下。
鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Mo 1~10g/L、P 1~10g/L
pH值：1~5
溫度：30~50℃
電流密度Dk ：30~50A/dm2
電鍍時間：0.3~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔係於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理。藉由於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理，而於銅箔表面形成比先前細微之粗化粒子。
粗化處理後，亦可於粗化處理面上設置選自耐熱層、防銹層及耐候性層之群之層中之1種以上。又，各層亦可為2層、3層等複數層，積層各層之順序可為任意順序，亦可交替積層各層。
此處，作為耐熱層，可使用公知之耐熱層。又，例如可使用以下之表面處理。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知之耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層亦可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鉄、鉭之群之1種以上之元素的層，亦可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鉄、鉭之群之1種以上之元素所組成的金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防銹層亦可含有包含選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、 磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鉄、鉭之群之1種以上之元素的氧化物、氮化物、矽化物。又，耐熱層及/或防銹層亦可為含有鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。上述鎳-鋅合金層亦可為除不可避免之雜質外，含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%者。上述鎳-鋅合金層中鋅及鎳之合計附著量亦可為5~1000mg/m2 ，較佳為10~500mg/m2 ，更佳為20~100mg/m2 。又，上述含有鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層的鎳附著量與鋅附著量之比(=鎳附著量/鋅附著量)較佳為1.5~10。又，上述含有鎳-鋅合金之層或上述鎳-鋅合金層之鎳附著量較佳為0.5mg/m2 ~500mg/m2 ，更佳為1mg/m2 ~50mg/m2 。於耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金之層時，當通孔或導孔等內壁部與除膠渣液接觸時銅箔與樹脂基板之界面難以被除膠渣液腐蝕而銅箔與樹脂基板之密合性會提高。防銹層亦可為鉻酸處理層。鉻酸處理層可使用公知之鉻酸處理層。例如，所謂鉻酸處理層係指經含有鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液處理之層。鉻酸處理層亦可含有鈷、鉄、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(亦可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任意形態)。作為鉻酸處理層之具體例，可列舉：純鉻酸處理層或鉻酸鋅處理層等。於本發明中，將經鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液處理之鉻酸處理層稱為純鉻酸處理層。又，於本發明中，將經含有鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅之處理液處理之鉻酸處理層稱為鉻酸鋅處理層。
例如，耐熱層及/或防銹層亦可為依序積層附著量為1mg/m2 ~100mg/m2 、較佳為5mg/m2 ~50mg/m2 之鎳或鎳合金層、與附著量為1mg/m2 ~80mg/m2 ，較佳為5mg/m2 ~40mg/m2 之錫層者，上述鎳合金層亦可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種構成。又，耐熱層及/或防銹層之鎳或鎳合金與錫之合計附著量較佳為2mg/m2 ~150mg/m2 ，更佳為10mg/m2 ~70mg/m2 。又，耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量] =0.25~10，更佳為0.33~3。若使用該耐熱層及/或防銹層，則將附載體銅箔加工為印刷配線板以後之電路之剝離強度、該剝離強度之耐化學品性劣化率等會變得良好。
又，可形成附著量為200~2000μg/dm2 鈷-50~700μg/dm2 鎳之鍍鈷-鎳合金層作為耐熱層及/或防銹層。該處理在廣義上可看作一種防銹處理。該鍍鈷-鎳合金層必需進行至不使銅箔與基板之接著強度實質降低之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2 ，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。又，作為另一原因，若鈷量較少，則處理表面發紅，故而欠佳。
粗化處理後，可於粗化面上形成附著量為200~3000μg/dm2 鈷-100~700μg/dm2 鎳之鍍鈷-鎳合金層。該處理在廣義上可看作一種防銹處理。該鍍鈷-鎳合金層必需進行至不使銅箔與基板之接著強度實質降低之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2 ，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。又，作為另一原因，若鈷量較少，則處理表面發紅，故而欠佳。若鈷附著量超過3000μg/dm2 ，則當必需考慮磁性之影響時欠佳，且有蝕刻斑產生之情形，又，有耐酸性及耐化學品性變差之情況。鈷附著量較佳為500~2500μg/dm2 。另一方面，若鎳附著量未達100μg/dm2 ，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。若鎳超過1300μg/dm2 ，則鹼性蝕刻性變差。鎳附著量較佳為200~1200μg/dm2 。
又，鍍鈷-鎳合金之條件之一例係如下所述：鍍浴組成：Co 1~20g/L、Ni 1~20g/L
pH值：1.5~3.5
溫度：30~80℃
電流密度Dk ：1.0~20.0A/dm2
電鍍時間：0.5~4秒
依據本發明，於鍍鈷-鎳合金上進而形成附著量為30~250μg/dm2 之鍍鋅層。若鋅附著量未達30μg/dm2 ，則耐熱劣化率改善效果會有消失之情況。另一方面，若鋅附著量超過250μg/dm2 ，則有耐鹽酸劣化率極端變差之情況。鋅附著量較佳為30~240μg/dm2 ，更佳為80~220μg/dm2 。
上述鍍鋅之條件之一例係如下所述：鍍浴組成：Zn 100~300g/L
pH值：3~4
溫度：50~60℃
電流密度Dk ：0.1~0.5A/dm2
電鍍時間：1~3秒
再者，亦可形成鍍鋅-鎳合金等鍍鋅合金層代替鍍鋅層，進而亦可於最表面藉由鉻酸處理或矽烷偶合劑之塗佈等形成防銹層或耐候性層。
可使用公知之耐候性層作為耐候性層。又，作為耐候性層，例如可使用公知之矽烷偶合劑處理層，又，可使用使用以下之矽烷形成之矽烷偶合劑處理層。
矽烷偶合劑處理所使用之矽烷偶合劑可使用公知之矽烷偶合劑，例如可使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。又，於矽烷偶合劑中可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、4-縮水甘油基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合劑處理層亦可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等形成。再者，上述矽烷偶合劑亦可混合2種以上使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑形成者。
此處所謂胺基系矽烷偶合劑，亦可為選自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯氧基-2-羥丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β(胺基乙基)γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷所組成之群者。
矽烷偶合劑處理層較理想為利用矽原子換算設為0.05mg/m2 ~20 0mg/m2 、較佳為0.15mg/m2 ~20mg/m2 、更佳為0.3mg/m2 ~2.0mg/m2 之範圍。於上述範圍時，可使基材樹脂與表面處理銅箔之密合性更為提高。
[表面粗糙度Rz]
本發明之表面處理銅箔較佳為藉由粗化處理於銅箔表面形成粗化粒子，且粗化處理表面之TD(Transverse Direction，橫向方向)之平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm。藉由上述構成，剝離強度會變高，與樹脂良好地接著，且經蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性變高。結果經由透過該樹脂所視認之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變得更容易。若TD之平均粗糙度Rz未達0.20μm，則有產生用以製作超平滑表面之製造成本之顧慮之虞。另一方面，若TD之平均粗糙度Rz超過0.80μm，則有利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸變大之虞，其結果有樹脂之透明性變不良之問題產生之虞。粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz更佳為0.30~0.70μm，進而更佳為0.35~0.60μm，進而更佳為0.35~0.55μm，進而更佳為0.35~0.50μm。
再者，於必需使Rz變小之用途中使用本發明之表面處理銅箔時，本發明之表面處理銅箔之粗化處理表面之TD的平均粗糙度Rz較佳為0.20~0.70μm，更佳為0.25~0.60μm，進而更佳為0.30~0.60μm，進而更佳為0.30~0.55μm，進而更佳為0.30~0.50μm。
再者，於本發明之表面處理銅箔中，所謂「粗化處理表面」係指粗化處理後，進行用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理時，進行該表面處理後之表面處理銅箔之表面。又，於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層時，所謂「粗化處理表面」係指粗化處理後，進行用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理之情形時，進行該表面處理後之極薄銅層之表面。
[光澤度]
表面處理銅箔之粗化面之壓延方向(MD，Machine direction，縱向方向)之於入射角60度下的光澤度對上述樹脂之透明性造成較大影響。即，越是 粗化面之光澤度大之銅箔，上述樹脂之透明性變得越良好。因此，本發明之表面處理銅箔之粗化面之光澤度較佳為76~350%，更佳為80~350%，更佳為90~300%，進而更佳為90~250%，進而更佳為100~250%。
此處，為了獲得本發明之視認性之效果，亦可控制表面處理前之銅箔之處理側表面(於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層時，為中間層形成前載體的設置中間層側之表面或極薄銅層表面)之TD(垂直於壓延方向之方向(銅箔之寬度方向)，於表面處理銅箔為電解銅箔時，為垂直於電解銅箔製造裝置中銅箔之前進方向)之粗糙度(Rz)及光澤度。具體而言，表面處理前銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)較佳為0.20~0.80μm，更佳為0.30~0.80μm，進而更佳為0.30~0.50μm，且壓延方向(MD)之於入射角60度下之光澤度較佳為350~800%，更佳為500~800%，若進而使電流密度高於先前之粗化處理之電流密度，且使粗化處理時間縮短，則進行表面處理後表面處理銅箔之壓延方向(MD)之於入射角60度下的光澤度成為90~350%。作為此種銅箔，係藉由調整壓延油之油膜當量進行壓延(高光澤壓延)而製作、或者藉由如化學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而製作。如上述般，將處理前銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)與光澤度設為上述範圍，藉此可容易地控制處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)及表面積。
再者，當欲使表面處理後銅箔之表面粗糙度(Rz)變得更小(例如Rz=0.20μm)時，將表面處理前銅箔之處理側表面之TD的粗糙度(Rz)設為0.18~0.80μm，較佳為0.25~0.50μm，且將壓延方向(MD)之於入射角60度下之光澤度設為350~800%，較佳為500~800%，進而使電流密度高於先前之粗化處理，而縮短粗化處理時間。
又，粗化處理前銅箔之MD之60度光澤度較佳為500~800%，更佳為501~800%，進而更佳為510~750%。若粗化處理前之銅箔之MD之60度 光澤度未達500%，則與上述光澤度為500%以上之情形相比，有上述樹脂之透明性會變得不良的疑慮，若超過800%，則有難以進行製造之問題產生的疑慮。
再者，高光澤壓延可藉由將下式所規定之油膜當量設為13000~24000以下而進行。再者，於欲使表面處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)變得更小(例如Rz=0.20μm)之情形時，藉由將下式所規定之油膜當量設為12000以上且24000以下而進行高光澤壓延。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通過速度[mpm]+輥周速度[mpm])}/{(輥之咬角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2 ])}
壓延油黏度[cSt]係於40℃下之動黏度。
為了將油膜當量設為12000~24000，只要使用如下公知之方法即可，即使用低黏度之壓延油，或使通過速度變慢等。
化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等蝕刻液，使濃度低於通常之濃度，並長時間進行。
粗化處理表面之MD60度光澤度與TD60度光澤度的比C(C=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))較佳為0.80~1.40。若粗化處理表面之MD60度光澤度與TD60度光澤度的比C未達0.80，則有與該比C為0.80以上之情形相比，樹脂之透明性降低之虞。又，若該比C超過1.40，則有與該比C為1.40以下之情形相比，樹脂之透明性降低之虞。該比C更佳為0.90~1.35，進而更佳為1.00~1.30。
[亮度曲線]
關於本發明之表面處理銅箔，於貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下方，利用CCD攝影機隔著上述聚醯亞胺基板對印刷物進行拍攝時，針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀標記 延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，自標記之端部至無上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
又，關於本發明之表面處理銅箔，於觀察地點-亮度曲線中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近線狀標記交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內表示最接近上述線狀標記交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv較佳係成為3.5以上。
Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
再者，於上述觀察位置-亮度曲線中，橫軸表示位置資訊(像素×0.1)，縱軸表示亮度(灰階)之值。
此處，針對「亮度曲線之頂部平均值Bt」、「亮度曲線之底部平均值Bb」、及下述之「t1」、「t2」、「Sv」，使用圖進行說明。
於圖1(a)及圖1(b)中表示對將標記之寬度設為約0.3mm情形之Bt及Bb進行定義的示意圖。將標記之寬度設為約0.3mm時，有如圖1(a)所示般成為V型之亮度曲線之情形、與如圖1(b)所示般成為具有底部之亮度曲線之情形。「亮度曲線之頂部平均值Bt」於任一種情形時均表示自距離標記之兩側之端部位置50μm之位置以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值。另一方面，「亮度曲線之底部平均值Bb」於亮度曲線如圖1(a)所示般成為V型時，表示該V字之谷之尖端部中亮度的最低值，於圖1(b)之具有底部之情形時，表示約0.3mm之中心部之值。再者，標記之寬度亦可設為0.2mm、0.16mm、0.1mm左右。進而，「亮度曲線之頂部平均值Bt」亦可設為自距離標記兩側之端部位置100μm之位置、300μm之位置、或500μm之位置，分別以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值。
於圖2中表示定義t1及t2及Sv之示意圖。「t1(像素×0.1)」表示亮度曲線與Bt之交點中最接近上述線狀標記之交點以及表示該交點之位置的值(上述觀察地點-亮度曲線之橫軸之值)。「t2(像素×0.1)」表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點以及表示該交點之位置的值(上述觀察地點-亮度曲線之橫軸之值)。此時，關於將t1及t2連接之線所示之亮度曲線之斜率，以利用y軸方向0.1△B、x軸方向(t1-t2)進行計算之Sv(灰階/像素×0.1)進行定義。再者，橫軸之1像素相當於10μm長度。又，Sv係測定標記之兩側，採用較小值。進而，於亮度曲線之形狀不穩定，且上述「亮度曲線與Bt之交點」存在複數個之情形時，採用最接近標記之交點。
於CCD攝影機所拍攝之上述圖像中，於未附標記之部分中成為較高亮度，但一到達標記端部，亮度就降低。若聚醯亞胺基板之視認性良好，則明確觀察到此種亮度之降低狀態。另一方面，若聚醯亞胺基板之視認性不良，則亮度於標記端部附近並非一下子自「高」向「低」急速降低，而是降低之狀態變為平緩，從而亮度之降低狀態變得不明確。
本發明係基於上述見解，而控制於觀察地點-亮度曲線中所繪製之標記端部附近之亮度曲線，該觀察地點-亮度曲線係自將附標記之印刷物置於將本發明之表面處理銅箔貼合後去除之聚醯亞胺基板的下方，利用CCD攝影機隔著聚醯亞胺基板進行拍攝所得之上述標記部分的圖像而獲得。更詳細而言，自標記之端部至無上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)成為40以上。根據上述構成，利用CCD攝影機之隔著聚醯亞胺之標記之識別力提高，並不受基板樹脂之種類或厚度之影響。因此，可製作視認性優異之聚醯亞胺基板，而於電子基板製造步驟等中對聚醯亞胺基板進行特定處理之情形時利用標記之定位精度提高，藉此，可獲得良率提高等效果。
上述△B(△B=Bt-Bb)較佳設為50以上，更佳設為60以上。Sv更佳為3.9以上，更佳為4.5以上，更佳為5.0以上。關於△B之上限，無需特別限定，例如為100以下、或80以下、或70以下。又，Sv之上限無需特別限定，例如為15以下、10以下。根據上述構成，標記與並非標記之部分的交界變得更為明確，定位精度提高，利用標記圖像辨識之誤差變少，而可更準確地進行位置對準。
[粒子之表面積]
粗化粒子之表面積A、與自銅箔表面側俯視粗化粒子時獲得之面積B之比A/B會對上述樹脂之透明性造成較大影響。即，若表面粗糙度Rz相同，則越是比A/B較小之銅箔，上述樹脂之透明性變得越良好。因此，本發明之表面處理銅箔之該比A/B較佳為1.90~2.40，更佳為2.00~2.20。
藉由控制粒子形成時之電流密度與電鍍時間，從而粒子之形態或形成密度固定，而可控制自上述標記之端部至未繪製上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)、Sv、表面粗糙度Rz、光澤度及粒子之面積比A/B。
如上所述，可將粗化粒子之表面積A、與自銅箔表面側俯視粗化粒子時獲得之面積B之比A/B控制為1.90~2.40，而使表面之凹凸變大，可將粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz控制為0.20~0.80μm，而使表面沒有極端粗糙之部分，另一方面，可使粗化處理表面之光澤度變高為76~350%。藉由進行上述控制，可使本發明之表面處理銅箔中，粗化處理表面中之粗化粒子之粒徑變小。該粗化粒子之粒徑雖對將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性產生影響，但上述控制意味著使粗化粒子之粒徑於適當範圍內變小，因此，將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性變得更為良好，並且剝離強度亦變得更為良好。
[蝕刻因子]
於使用銅箔形成電路時之蝕刻因子之值較大之情形時，於蝕刻時產生之電路之底部之裙狀底部變小，因此可使電路間之空間變窄。因此，蝕刻因子之值較大者適合利用精細圖案之電路形成，故而較佳。關於本發明之表面處理銅箔，例如蝕刻因子之值較佳為1.8以上，較佳為2.0以上，較佳為2.2以上，較佳為2.3以上，更佳為2.4以上。
再者，於印刷配線板或覆銅積層板中，可藉由使樹脂溶解並去除，而針對銅電路或銅箔表面測定上述之粒子之面積比(A/B)、光澤度、表面粗糙度Rz。
[傳輸損耗]
於傳輸損耗較小之情形時，以高頻進行訊號傳輸時之訊號之衰減得到抑制，因此於以高頻進行訊號傳輸之電路中可進行穩定之訊號之傳輸。因此，傳輸損耗之值較小者適合用於以高頻進行訊號傳輸之電路用途，故而較佳。於將表面處理銅箔與市售之液晶聚合物樹脂(Kuraray(股)製造Vecstar CTZ-50μm)貼合後，利用蝕刻以特性阻抗成為50Ω之方式形成微波傳輸帶線路，使用HP公司製造之網路分析儀HP8720C測定透過係數，而求出於頻率20GHz下之傳輸損耗的情形時，頻率20GHz下之傳輸損耗較佳為未達5.0dB/10cm，更佳為未達4.1dB/10cm，進而更佳為未達3.7dB/10cm。
[附載體銅箔]
作為本發明之另一實施形態之附載體銅箔依序具備載體、中間層、極薄銅層。並且，上述極薄銅層為作為上述之本發明之一實施形態之表面處理銅箔。
<載體>
可用於本發明之載體典型而言，為金屬箔或樹脂膜，例如以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鉄箔、鉄合金箔、不鏽鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜(例如聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP，liquid crystal polymer) 膜、聚對苯二甲酸乙二酯(PET，polyethylene terephthalate)膜、聚醯胺膜、聚酯膜、氟樹脂膜等)之形態提供。
作為可用於本發明之載體，較佳為使用銅箔。其原因在於：銅箔之導電率較高，因此其後之中間層、極薄銅層之形成變容易。載體典型而言，係以壓延銅箔或電解銅箔之形態提供。通常而言，電解銅箔係使銅自硫酸銅鍍浴於鈦或不鏽鋼之滾筒上電解析出而製造，壓延銅箔係反覆進行利用壓延輥之塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔之材料，除精銅或無氧銅等高純度之銅以外，例如亦可使用如加入Sn之銅、加入Ag之銅、添加有Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加有Ni及Si等之卡遜系銅合金之銅合金。
關於可用於本發明之載體之厚度，並無特別限制，只要適當調整為於發揮作為載體之作用之方面上合適之厚度即可，例如可設為5μm以上。但是，若過厚，則生產成本變高，因此通常較佳設為35μm以下。因此，載體之厚度典型而言，為12~70μm，更為典型而言，為18~35μm。
又，用於本發明之載體係如上述般，必需控制形成中間層側之表面粗糙度Rz以及光澤度。其目的在於控制表面處理後之極薄銅層之粗化處理表面之光澤度以及粗化粒子之尺寸與個數。
<中間層>
於載體上設置中間層。亦可於載體與中間層之間設置其他層。於本發明中使用之中間層只要為如下述之構成則無特別限定：於附載體銅箔向絕緣基板積層之步驟前極薄銅層難以自載體剝離，另一方面，向絕緣基板積層之步驟後極薄銅層變得可自載體剝離。例如，本發明之附載體銅箔之中間層亦可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、該等之合金、該等之水合物、該等之氧化物、有機物所組成之群中之1種或2種以上。又，中間層亦可為複數層。
又，例如，中間層可藉由如下方式構成：自載體側形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群之1種元素組成的單一金屬層、或由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群之1種或2種以上之元素組成的合金層，於其上形成由選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成之元素群之1種或2種以上之元素的水合物或氧化物組成之層。
又，中間層可使用公知之有機物作為上述有機物，又，較佳為使用含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸中之任一種以上。例如，作為具體之含氮有機化合物，較佳為使用作為具有取代基之三唑化合物之1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。
就含硫有機化合物而言，較佳為使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作為羧酸，特別是使用單羧酸較佳，其中，較佳為使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。
又，例如中間層可於載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金、與鉻而構成。鎳與銅之接著力高於鉻與銅之接著力，因此於剝離極薄銅層時，變得於極薄銅層與鉻之界面進行剝離。又，對中間層之鎳期待防止銅成分自載體向極薄銅層擴散之阻隔效果。中間層中鎳之附著量較佳為100μg/dm2 以上且40000μg/dm2 以下，更佳為100μg/dm2 以上且4000μg/dm2 以下，更佳為100μg/dm2 以上且2500μg/dm2 以下，更佳為100μg/dm2 以上且未達1000μg/dm2 ，中間層中鉻之附著量較佳為5μg/dm2 以上且100μg/dm2 以下。於僅於單面設置中間層之情形時，較佳為於載體之相反面設置鍍Ni層等防銹層。
若中間層之厚度變得過大，則有中間層之厚度對表面處理後極薄銅層 之粗化處理表面的光澤度以及粗化粒子之尺寸與個數產生影響之情形，因此極薄銅層之粗化處理表面之中間層之厚度較佳為1~1000nm，較佳為1~500nm，較佳為2~200nm，較佳為2~100nm，更佳為3~60nm。
<極薄銅層>
於中間層上設置極薄銅層。亦可於中間層與極薄銅層之間設置其他層。該具有載體之極薄銅層係作為本發明之一實施形態之表面處理銅箔。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常而言，與載體薄，例如為12μm以下。典型而言為0.5~12μm，更典型而言為1.5~5μm。又，亦可於中間層上設置極薄銅層前，為減少極薄銅層之針孔，而進行利用銅-磷合金之打底鍍敷(strike plating)。於打底鍍敷中，可列舉焦磷酸銅電鍍液等。
又，本申請案之極薄銅層係於下述條件下形成。其目的在於：藉由形成平滑之極薄銅層，而控制粗化處理之粒子之尺寸以及個數，以及粗化處理後之光澤度。
‧電解液組成
銅：80~120g/L
硫酸：80~120g/L
氯：30~100ppm
調平劑1(雙(三磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
就上述胺化合物而言，可使用以下之化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1 及R2 為選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群中者)。
‧製造條件
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~65℃
電解液線速：1.5~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘(根據析出之銅厚、電流密度進行調整)
[粗化處理表面上之樹脂層]
亦可於本發明之表面處理銅箔之粗化處理表面上具備樹脂層。上述樹脂層亦可為絕緣樹脂層。上述樹脂層亦可設置於本發明之表面處理銅箔之粗化處理表面之一部分或全部上。再者，於本發明之表面處理銅箔中所謂「粗化處理表面」係指於粗化處理後，進行用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理之情形時，進行該表面處理後之表面處理銅箔之表面。又，於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，所謂「粗化處理表面」係指於粗化處理後，進行用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理之情形時，進行該表面處理後之極薄銅層之表面。
上述樹脂層可為接著劑，亦可為接著用之半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)係包含如下狀態： 即便用手指接觸其表面亦無黏著感，而可重疊該絕緣樹脂層進行保管，進而若受到加熱處理，則產生硬化反應。
上述樹脂層可為接著用樹脂，即接著劑，亦可為接著用之半硬化狀態(B階段狀態)之絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)係包含如下狀態：即便用手指接觸其表面亦無黏著感，而可重疊該絕緣樹脂層進行保管，進而若受到加熱處理，則產生硬化反應。
又，上述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，亦可為熱塑性樹脂。又，上述樹脂層亦可含有熱塑性樹脂。上述樹脂層亦可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等。又，上述樹脂層例如亦可使用國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、 國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電體、反應觸媒、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
又，上述樹脂層之種類並無特別限定，例如可列舉含有選自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來醯亞胺化合物、聚馬來醯亞胺化合物、馬來醯亞胺系樹脂、芳香族馬來醯亞胺樹脂、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺甲酸乙酯樹脂、丙烯酸系樹脂、聚醚碸(polyethersulphone)、聚醚碸(polyethersulphone)樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、芳香族聚醯胺樹脂聚合物、橡膠性樹脂、聚胺、芳香族聚胺、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙馬來醯亞胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交聯之官能基之線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子環氧基、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂之群之1種以上的樹脂作為較佳者。
又，上述環氧樹脂係於分子內具有2個以上環氧基者，只要為可用於電氣電子材料用途者，則可使用並無特別問題。又，上述環氧樹脂較佳為使用於分子內具有2個以上縮水甘油基之化合物並環氧化而成之環氧樹脂。又，可使用選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、酚系酚醛 清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、三縮水甘油基異氰尿酸酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂之群之1種或混合2種以上使用，或者可使用上述環氧樹脂之氫化物或鹵化物。
可使用公知之含有磷之環氧樹脂作為上述含磷環氧樹脂。又，上述含磷環氧樹脂例如較佳為以自分子內具備2個以上環氧基之9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物(9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide)之衍生物的方式獲得之環氧樹脂。
(樹脂層含有介電體(介電體填料)之情形)
上述樹脂層亦可含有介電體(介電體填料)。
於上述任一種之樹脂層或樹脂組成物中含有介電體(介電體填料)之情形時，可用於形成電容層之用途，而使電容電路之電容增大。就該介電體(介電體填料)而言，使用BaTiO3 、SrTiO3 、Pb(Zr-Ti)O3 (通稱PZT)、PbLaTiO3 -PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2 Ta2 O9 (通稱SBT)等具有鈣鈦礦構造之複合氧化物之介電體粉。
介電體(介電體填料)亦可為粉狀。於介電體(介電體填料)為粉狀之情形時，該介電體(介電體填料)之粉體特性較佳為粒徑為0.01μm~3.0μm，較佳為0.02μm~2.0μm之範圍者。再者，利用掃描式電子顯微鏡(SEM)，對介電體進行照片拍攝，於該照片上之介電體之粒子上劃直線之情形時，將橫穿介電體粒子之直線長度最長之部分的介電體粒子之長度設為該介電體之粒子的直徑。並且，將測定視域中介電體粒子之直徑的平均值設為介電體之粒徑。
使上述樹脂層所含有之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、環戊酮、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇單甲醚、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、環己酮、乙基賽路蘇、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺等溶劑中而製成樹脂液(樹脂清漆)，例如藉由輥式塗佈法等，將上述樹脂液塗佈於上述表面處理銅箔之粗化處理表面上，繼而視需要進行加熱乾燥，去除溶劑而製成B階段狀態。於乾燥中，例如只要使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度只要為100~250℃，較佳為130~200℃即可。亦可使用溶劑，使上述樹脂層之組成物溶解，而製成樹脂固形物成分為3wt%~70wt%、較佳為3wt%~60wt%、更佳為10wt%~40wt%、更佳為25wt%~40wt%之樹脂液。再者，就環境之觀點而言，於現階段最佳為使用甲基乙基酮與環戊酮之混合溶劑進行溶解。再者，就溶劑而言，較佳為使用沸點為50℃~200℃之範圍之溶劑。
又，上述樹脂層較佳為依據MIL標準中MIL-P-13949G進行測定時樹脂溢流量(resin flow)處於5%~35%之範圍的半硬化樹脂膜。
於本案說明書中，所謂樹脂溢流量係基於數1，根據依據MIL標準中之MIL-P-13949G，自附有樹脂厚度為55μm之樹脂的表面處理銅箔取4片10cm見方試樣，於重疊該4片試樣之狀態(積層體)下，於壓製溫度171℃、壓製壓力14kgf/cm2 、壓製時間10分鐘之條件進行貼合，測定此時之樹脂流出重量所得之結果算出之值。
上述具有樹脂層之表面處理銅箔(附樹脂之表面處理銅箔)係以如下態樣使用：將該樹脂層重疊於基材後，對整體進行熱壓接，而使 該樹脂層熱硬化，繼而於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，將載體剝離而使極薄銅層露出(當然露出的是該極薄銅層之中間層側之表面)，而自表面處理銅箔之與經粗化處理之側相反側之表面形成特定之配線圖案。
若使用該附樹脂之表面處理銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時預浸體材之使用片數。而且，可使樹脂層之厚度為如可確保層間絕緣之厚度，或者即便完全不使用預浸體材亦可製造覆銅積層板。又，此時，亦可於基材之表面底塗絕緣樹脂而進一步改善表面之平滑性。
再者，於未使用預浸體材之情形時，具有如下優點：節省預浸體材之材料成本，又，積層步驟亦變得簡單，因此於經濟上變得有利，而且，以僅預浸體材之厚度製造之多層印刷配線基板之厚度變薄，而可製造1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度較佳為0.1~120μm。
若樹脂層之厚度變得薄於0.1μm，則有如下情形：接著力下降，於不經由預浸體材而將該附樹脂之表面處理銅箔積層於具備內層材之基材時，變得難以確保內層材之與電路之間之層間絕緣。另一方面，若使樹脂層之厚度厚於120μm，則有如下情形：以1次之塗佈步驟難以形成目標厚度之樹脂層，而耗費多餘之材料費與步驟數，因此於經濟上變得不利。
再者，將具有樹脂層之表面處理銅箔用於製造極薄之多層印刷配線板之情形時，為了使多層印刷配線板之厚度變小，較佳為使上述樹脂層之厚度為0.1μm~5μm、更佳為0.5μm~5μm、更佳為1μm~5μm。
於以下，表示幾個使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造步驟之例。
於本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟、將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟、及將上述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向之方式進行積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中之任一方法而形成電路之步驟。絕緣基板亦可設為加入內層電路者。
於本發明中，所謂半加成法係指於絕緣基板或銅箔晶種層(seed layer)上進行較薄之無電電鍍，形成圖案後，使用電鍍及蝕刻形成導體圖案之方法。
因此，於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除之步驟；於藉由利用蝕刻將上述極薄銅層去除而露出之上述樹脂設置通孔或/及盲孔之步驟；針對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；針對含有上述樹脂及上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層之步驟；於上述無電電鍍層上設置電鍍阻劑之步驟；對上述電鍍阻劑進行曝光，其後將形成電路之區域之電鍍阻劑去除之步驟；於形成經去除上述電鍍阻劑之上述電路之區域設置電解電鍍層之步驟；將上述電鍍阻劑去除之步驟；及藉由閃蝕等，將存在於形成上述電路之區域以外之區域之無電電鍍層去除之步驟。
於使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包含：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板 後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將剝離上述載體而露出之極薄銅層全部去除之步驟；針對藉由利用蝕刻將上述極薄銅層去除而露出之上述樹脂之表面，設置無電電鍍層之步驟；於上述無電電鍍層上設置電鍍阻劑之步驟；對上述電鍍阻劑進行曝光，其後將形成電路之區域之電鍍阻劑去除之步驟；於形成經去除上述電鍍阻劑之上述電路之區域設置電解電鍍層之步驟；將上述電鍍阻劑去除之步驟；及藉由閃蝕等，將存在於形成上述電路之區域以外之區域之無電電鍍層及極薄銅層去除之步驟。
於本發明中，所謂改良半加成法係指於絕緣層上積層金屬箔，藉由電鍍阻劑保護非電路形成部，藉由電解電鍍進行電路形成部之鍍銅增厚後，去除抗蝕劑，利用(快速)蝕刻去除上述電路形成部以外之金屬箔，藉此於絕緣層上形成電路之方法。
因此，於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔之步驟；針對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；針對含有上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層之步驟；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層表面設置電鍍阻劑之步驟；設置上述電鍍阻劑後，藉由電解電鍍形成電路之步驟；將上述電鍍阻劑去除之步驟；及藉由閃蝕，將藉由去除上述電鍍阻劑而露出之極薄銅層去除之步驟。
又，於上述樹脂層上形成電路之步驟亦可為如下步驟，即將另一片附載體銅箔自極薄銅層側貼合於上述樹脂層上，使用貼合於上述樹脂層之附載體銅箔而形成上述電路。又，貼合於上述樹脂層上之另一片 附載體銅箔亦可為本發明之附載體銅箔。又，於上述樹脂層上形成電路之步驟亦可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法進行。又，上述於表面形成電路之附載體銅箔亦可於該附載體銅箔之載體之表面具有基板或樹脂層。
於使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包含：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於將上述載體剝離而露出之極薄銅層上設置電鍍阻劑之步驟；對上述電鍍阻劑進行曝光，其後將形成電路之區域之電鍍阻劑去除之步驟；於形成經去除上述電鍍阻劑之上述電路之區域設置電解電鍍層之步驟；將上述電鍍阻劑去除之步驟；及藉由閃蝕等，將存在於形成上述電路之區域以外之區域之無電電鍍層及極薄銅層去除之步驟。
於本發明中，所謂部分加成法係指於設有導體層之基板、視需要穿鑿有通孔或導通孔用之孔之基板上賦予觸媒核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要設置阻焊劑或電鍍阻劑後，藉由無電電鍍處理，而於上述導體電路上，對通孔或導通孔等進行增厚，藉此製造印刷配線板之方法。
因此，於使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔之步驟；針對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；向含有上述通孔或/及盲孔之區域賦予觸媒核之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層表面設置蝕刻阻劑之步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光，而形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐 蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述觸媒核去除而形成電路之步驟；將上述蝕刻阻劑去除之步驟；於藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述觸媒核去除而露出之上述絕緣基板表面設置阻焊劑或電鍍阻劑之步驟；及於上述未設置阻焊劑或電鍍阻劑之區域設置無電電鍍層之步驟。
於本發明中，所謂減成法係指藉由蝕刻等，將覆銅積層板上之銅箔之不要部分有選擇地去除，而形成導體圖案之方法。
因此，於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施形態中，包含：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔之步驟；針對含有上述通孔及/或盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；針對含有上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層之步驟；於上述無電電鍍層之表面設置電解電鍍層之步驟；於上述電解電鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑之步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光，而形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述無電電鍍層及上述電解電鍍層去除，而形成電路之步驟；及將上述蝕刻阻劑去除之步驟。
於使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施形態中，包含：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；積層上述附載體銅箔與絕緣基板後，將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟；於剝離上述載體而露出之極薄銅層與絕緣基板設置通孔或/及盲孔之步驟；針對含有上述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；針對含有上述通孔或/及盲孔之區域設置無電電鍍層之步驟；於上述無電電鍍層之表面形成遮罩之步驟；於未形成遮罩 之上述無電電鍍層之表面設置電解電鍍層之步驟；於上述電解電鍍層或/及上述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑之步驟；對上述蝕刻阻劑進行曝光，而形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或電漿等方法，將上述極薄銅層及上述無電電鍍層去除，而形成電路之步驟；及將上述蝕刻阻劑去除之步驟。
設置通孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟亦可不進行。
此處，使用圖式，對使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例詳細進行說明。再者，於此處，以具有形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔為例進行說明，但並不限於其，使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔，亦可同樣地進行下述之印刷配線板之製造方法。
首先，如圖5-A所示，準備具有於表面形成有粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔(第1層)。
繼而，如圖5-B所示，於極薄銅層之粗化處理層上塗佈抗蝕劑，進行曝光、顯影，而將抗蝕劑蝕刻為特定形狀。
繼而，如圖5-C所示，形成電路用之電鍍後，將抗蝕劑去除，藉此形成特定形狀之電鍍電路。
繼而，如圖6-D所示，以覆蓋電鍍電路之方式(埋沒電鍍電路之方式)於極薄銅層上設置埋入樹脂而積層樹脂層，繼而，將另一片附載體銅箔(第2層)自極薄銅層側接著。
繼而，如圖6-E所示，自第2層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖6-F所示，於樹脂層之所定位置進行雷射開孔，使電鍍電路露出而形成盲孔。
繼而，如圖7-G所示，向盲孔埋入銅而形成填孔。
繼而，如圖7-H所示，於填孔上，如上述圖5-B及圖5-C般形成電鍍電路。
進而，如圖7-I所示，自第1層之附載體銅箔剝離載體。
繼而，如圖8-J所示，藉由閃蝕將兩表面之極薄銅層去除，而使樹脂層內之電鍍電路之表面露出。
繼而，如圖8-K所示，於樹脂層內之電鍍電路上形成凸塊，於該焊料上形成銅支柱。以上述方式製作使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
上述另一片附載體銅箔(第2層)可使用本發明之附載體銅箔，亦可使用先前之附載體銅箔，進而亦可使用通常之銅箔。又，亦可於圖7-H所示之第2層之電路上進而形成1層或複數層之電路，亦可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法進行該等之電路形成。
本發明之附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)之方式控制極薄銅層表面之色差。於本發明中所謂「極薄銅層表面之色差」係表示極薄銅層之表面之色差、或於實施有粗化處理等各種表面處理之情形時，其表面處理層表面之色差。即，本發明之附載體銅箔較佳為以滿足以下(1)之方式控制極薄銅層之粗化處理表面之色差。再者，於本發明之表面處理銅箔中所謂「粗化處理表面」係指於粗化處理後，進行用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理之情形時，進行該表面處理後之表面處理銅箔(極薄銅層)之表面。又，於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，所謂「粗化處理表面」係指於粗化處理後，進行用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理之情形時，進行該表面處理後之極薄銅層之表面。
(1)極薄銅層表面之色差係基於JIS Z8730之色差△E＊ab為45以上。
此處，色差△L、△a、△b係分別利用色差計進行測定， 且係加上黑/白/紅/綠/黃/藍，並使用基於JIS Z8730之L＊a＊b表色系統進行表示之綜合指標，以△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍之方式進行表示。又，△E＊ab係使用該等之色差，以下述式表示。
上述之色差可藉由使極薄銅層形成時之電流密度變高，使電鍍液中之銅濃度變低，使電鍍液之線流速變高而調整。
又，上述之色差亦可藉由對極薄銅層之表面實施粗化處理而設置粗化處理層而進行調整。於設置粗化處理層之情形時，可藉由使用含有銅及選自由鎳、鈷、鎢、鉬所組成之群中之1種以上之元素的電解液，並使電流密度高於先前(例如40~60A/dm2 )，使處理時間短於先前(例如0.1~1.3秒)而進行調整。於極薄銅層之表面未設置粗化處理層之情形時，可藉由下述方式實現上述之色差之調整，即使用將Ni濃度設為其他元素之2倍以上之鍍浴，以低於先前之電流密度(0.1~1.3A/dm2 )，並較長設定處理時間(20秒~40秒)，而於極薄銅層或耐熱層或防銹層或鉻酸處理層或矽烷偶合劑處理層之表面進行鍍Ni合金(例如鍍Ni-W合金、鍍Ni-Co-P合金、鍍Ni-Zn合金)處理。
關於極薄銅層表面之色差，若基於JIS Z8730之色差△E＊ab為45以上，則例如於附載體銅箔之極薄銅層表面形成電路時，極薄銅層與電路之對比度變鮮明，其結果，視認性變良好，而可精度良好地進行電路之位置對準。極薄銅層表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab較佳為50以上，更佳為55以上，進而更佳為60以上。
如上述般控制極薄銅層表面之色差之情形時，與電鍍電路之對比度變鮮明，視認性變良好。因此，於如上述之印刷配線板之例如如圖5-C所示之製造步驟中，可精度良好地於特定位置形成電鍍電路。又， 根據如上述之印刷配線板之製造方法，成為電鍍電路被埋入樹脂層之構成，因此，例如於如圖8-J所示之利用閃蝕去除極薄銅層時，電鍍電路受到樹脂層保護，且其形狀得到保持，藉此細微電路之形成變容易。又，電鍍電路受到樹脂層保護，因此耐遷移性提高，而良好地抑制電路之配線之導通。因此，細微電路之形成變容易。又，於如圖8-J及圖8-K所示般藉由閃蝕去除極薄銅層時，電鍍電路之露出面成為自樹脂層凹陷之形狀，因此於該電鍍電路上凸塊，進而於其上銅支柱分別容易形成，而製造效率提高。
再者，就埋入樹脂(RESIN)而言，可使用公知之樹脂、預浸體。例如可使用BT(雙馬來醯亞胺三)樹脂或作為含浸有BT樹脂之玻璃布之預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造之ABF膜或ABF。又，就上述埋入樹脂(RESIN)而言，可使用本說明書所記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸體。
又，上述第一層所使用之附載體銅箔亦可於該附載體銅箔之表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，而支持第一層所使用之附載體銅箔，從而褶皺變得難以產生，因此有生產性提高之優點。再者，於上述基板或樹脂層中，只要為發揮支持上述第一層所使用之附載體銅箔之效果者，則可使用全部之基板或樹脂層。例如可使用本申請案說明書所記載之載體、預浸體、樹脂層或公知之載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔作為上述基板或樹脂層。
可將本發明之表面處理銅箔自粗化處理面側貼合於樹脂基板而製造積層體。樹脂基板只要為具有可應用於印刷配線板等之特性者，則不受特別限制，例如於剛性PWB用中可使用紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，於FPC用中可使 用聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP，liquid crystal polymer)膜、鐵氟龍(註冊商標)膜、氟樹脂膜等。再者，於使用液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜之情形時，有與使用聚醯亞胺膜之情形相比，該膜與表面處理銅箔之剝離強度變小之傾向。因此，於使用液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜之情形時，蝕刻該表面處理銅箔而形成銅電路後，利用覆蓋層覆蓋該銅電路，藉此使該膜與該銅電路變得難以剝離，而可防止由於剝離強度之降低而引起之該膜與該銅電路的剝離。
再者，介電特性良好之樹脂(介電損耗正切較小(例如介電損耗正切為0.008以下)及/或相對介電常數較小(例如於訊號頻率為25GHz之情形時為3以下)之樹脂)或低介電樹脂(相對介電常數較小(例如於訊號頻率為25GHz之情形時為3以下)之樹脂)之介電損失較小。因此，使用該介電特性良好之樹脂或低介電樹脂或低介電損失樹脂與本申請案發明之表面處理銅箔的覆銅積層板、印刷配線板、印刷電路板適合高頻電路(以高頻進行訊號傳輸之電路)。此處，所謂低介電損失樹脂係指介電損失小於先前通常用於覆銅積層板之聚醯亞胺之樹脂。又，本申請案發明之表面處理銅箔之表面粗糙度Rz較小，光澤度較高，因此表面平滑，而適合高頻電路用途。作為介電特性良好之樹脂或低介電樹脂或低介電損失樹脂，例如可列舉：液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜。
再者，本發明之表面處理銅箔可適合於全部之用途。例如可用於印刷配線板或印刷電路板、高頻電路用之印刷配線板或印刷電路板、半導體封裝基板、2次電池或電容之電極等。
於剛性PWB用之情形時，貼合之方法可藉由準備預浸體，將銅箔自被覆層之相反側之面重疊於預浸體並進行加熱加壓而進行，上述預浸體係使樹脂含浸於玻璃布等基材，使樹脂硬化至半硬化狀態而成者。於FPC之情形時，經由接著劑、或不使用接著劑於高溫高壓下將聚醯亞胺 膜等基材積層接著於銅箔、或者將聚醯亞胺前驅物進行塗佈、乾燥、硬化等，藉此可製造積層板。
聚醯亞胺基材樹脂之厚度並不受特別限制，通常可列舉：25μm或50μm。
本發明之積層體可用於各種印刷配線板(PWB)，並無特別限制，例如就導體圖案之層數之觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料之種類之觀點而言，可應用於剛性PWB、撓性PWB(FPC)、剛性-撓性PWB。本發明之電子機器可使用上述印刷配線板進行製作。
又，本發明之印刷配線板係由絕緣樹脂基板、與自經過表面處理之表面側積層於絕緣基板且形成有銅電路之表面處理銅箔所構成者，且利用CCD攝影機隔著自經過表面處理之表面側積層之絕緣樹脂基板對銅電路進行拍攝時，針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，自銅電路之端部至沒有銅電路之部分產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。若使用此種印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。因此，可認為於將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接時，連接不良減少，良率提高。再者，作為將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接之方法，可使用經由焊接或異向性導電膜(Anisotropic Conductive Film、ACF)之連接、經由異向性導電漿料(Anisotropic Conductive Paste，ACP)之連接、或經由具有導電性之接著劑之連接等公知之連接方法。
又，本發明之覆銅積層板係由絕緣樹脂基板、與自經過表面處理之表面側積層於絕緣基板之表面處理銅箔所構成者，且於藉由蝕刻將覆銅積層板之表面處理銅箔製成線狀之表面處理銅箔後，利用CCD攝影機隔著自經 過表面處理之表面側積層之絕緣樹脂基板進行拍攝時，針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀表面處理銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，自線狀表面處理銅箔之端部至無上述線狀表面處理銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。若使用此種覆銅積層板製造印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。因此，可認為於將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接時，連接不良減少，良率提高。再者，作為將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接之方法，可使用經由焊接或異向性導電膜(Anisotropic Conductive Film、ACF)之連接、經由異向性導電漿料(Anisotropic Conductive Paste，ACP)之連接、或經由具有導電性之接著劑之連接等公知之連接方法。
再者，於本發明中，「印刷配線板」亦包含安裝有零件之印刷配線板及印刷基板。
[積層板及使用其之印刷配線板之定位方法]
對本發明之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之定位方法進行說明。首先，準備表面處理銅箔與樹脂基板之積層板。作為本發明之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之具體例，可列舉：於由本體基板與附屬之電路基板、與用以將該等電性連接之於聚醯亞胺等樹脂之至少一表面形成有銅配線之撓性印刷基板構成之電子機器中，準確地將撓性印刷基板進行定位，並壓接於該本體基板及附屬之電路基板之配線端部而製作之積層體。即，若為該情形，則積層板成為藉由壓接而將撓性印刷基板及本體基板之配線端部貼合之積層體、或藉由壓接而將撓性印刷基板及電路基板之配線端部貼合之積層板。積層板具有由該銅配線之一部分或其他材料形成之標記。關於標記之位置，只要為利用CCD攝影機等拍攝手段隔著構成該積層板之樹脂可進行拍攝之位置，則無特別限定。此處，所謂標記係指為了檢測積 層板或印刷配線板等之位置，或進行定位，或進行位置對準而使用之記號(標記)。
於以上述方式準備之積層板中，若利用拍攝手段隔著樹脂對上述標記進行拍攝，則可良好地檢測出上述標記之位置。然後，以上述方式檢測出上述標記之位置，而可基於上述被檢測出之標記之位置，良好地進行表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之定位。又，於使用印刷配線板作為積層板時，亦同樣地，藉由上述定位方法，拍攝手段可良好地檢測出標記之位置，而可更為準確地進行印刷配線板之定位。
因此，可認為於將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接時，連接不良減少，良率提高。再者，作為將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接之方法，可使用經由焊接或異向性導電膜(Anisotropic Conductive Film、ACF)之連接、經由異向性導電漿料(Anisotropic Conductive Paste，ACP)之連接、或經由具有導電性之接著劑之連接等公知之連接方法。再者，於本發明中，「印刷配線板」亦包含安裝有零件之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。又，可將2個以上本發明之印刷配線板連接，而製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板，又，可將本發明之印刷配線板至少1個、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接，亦可使用上述印刷配線板製造電子機器。再者，於本發明中，「銅電路」亦包含銅配線。進而，亦可將本發明之印刷配線板與零件連接而製造印刷配線板。又，將本發明之印刷配線板至少1個、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接，進而，將本發明之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板與零件進行連接，藉此亦可製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板。此處，作為「零件」，可列舉：連接器或LCD(Liquid Cristal Display，液晶顯示器)、用於LCD之玻璃基板等電子零件、含有IC(Integration Circuit，積體電路)、LSI(Large scale integration circuit，大規模積體電路)、VLSI(VeryLarge scale integration circuit，超大型積體電路)、ULSI(Ultra-Large Scale Integration circuit，特大規模積體電路)等半導體積體電路之電子零件(例如IC晶片、LSI晶片、VLSI晶片、ULSI晶片)、用以遮避電子電路之零件及為了將外罩等固定於印刷配線板所必需之零件等。
再者，本發明之實施形態之定位方法亦可包含使積層板(包含銅箔與樹脂基板之積層板或印刷配線板)移動之步驟。於移動步驟中，例如可藉由帶式輸送機或鏈式輸送機等輸送機使積層板移動，亦可藉由具備臂機構之移動裝置使積層板移動，亦可利用藉由使用氣體使積層板懸浮而使之移動之移動裝置或移動手段使積層板移動、亦可藉由使大致圓筒形等者旋轉而使積層板移動之移動裝置或移動手段(包含輥或軸承等)、以油壓為動力源之移動裝置或移動手段、以空氣壓為動力源之移動裝置或移動手段、以馬達為動力源之移動裝置或移動手段、支架移動型線性導軌台、支架移動型空氣導軌台、堆疊型線性導軌台、線性馬達駆動台等具有台之移動裝置或移動手段等使積層板移動。又，亦可進行利用公知之移動手段之移動步驟。於上述使積層板移動之步驟中，可使積層板移動而進行位置對準。並且，可認為於藉由進行位置對準，而將一個印刷配線板與另一個印刷配線板或零件進行連接時，連接不良減少，良率提高。
再者，本發明之實施形態之定位方法亦可用於表面安裝機或晶片貼片機。
又，於本發明中，所定位之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板亦可為具有樹脂板及設置於上述樹脂板上之電路的印刷配線板。又，於該情形時，上述標記亦可為上述電路。
於本發明中，所謂「定位」包含「檢測標記或物之位置」。又，於本發明中，所謂「位置對準」包含「於檢測標記或物之位置後，基 於上述檢測出之位置，使該標記或物向特定位置移動」。
[實施例]
作為實施例1~35及比較例1~14，準備表2所記載之各種銅箔，並利用表1所記載之條件，對一表面進行電鍍處理作為粗化處理。
又，關於實施例31~35，準備表2所記載之各種載體，於下述條件下，於載體之表面形成中間層，並於中間層之表面形成極薄銅層。然後，於表1所記載之條件下，對極薄銅層之表面進行作為粗化處理之電鍍。
實施例31
<中間層>
(1)Ni層(鍍Ni)
針對載體，於以下條件下，利用輥對輥型之連續電鍍產線進行電鍍，藉此形成1000μg/dm2 之附著量之Ni層。將具體之電鍍條件記載於以下。
硫酸鎳：270~280g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
硼酸：30~40g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
pH值：4~6
浴溫：55~65℃
電流密度：10A/dm2
(2)Cr層(電解鉻酸處理)
繼而，對於(1)中形成之Ni層表面進行水洗及酸洗後，接著於輥對輥型之連續電鍍線上，於以下之條件下於Ni層上進行電解鉻酸處理，藉此使11μg/dm2 附著量之Cr層附著於Ni層上。
重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0g/L
pH值：7~10
液溫：40~60℃
電流密度：2A/dm2
<極薄銅層>
繼而，對於(2)中形成之Cr層表面進行水洗及酸洗後，接著於輥對輥型之連續電鍍線上，於以下之條件下於Cr層上進行電鍍，藉此形成厚度1.5μm之極薄銅層，而製作附載體極薄銅箔。
銅濃度：90~110g/L
硫酸濃度：90~110g/L
氯化物離子濃度：50~90ppm
調平劑1(雙(三磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
再者，使用下述胺化合物作為調平劑2。
(上述化學式中，R1 及R2 為選自由羥烷基、醯基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群者)。
電解液溫度：50~80℃
電流密度：100A/dm2
電解液線速：1.5~5m/sec
極薄銅層表面之TD之表面粗糙度為0.55μm，MD之60度光澤度為519%。
實施例32
<中間層>
(1)Ni-Mo層(鍍鎳鉬合金)
針對載體，於以下條件下利用輥對輥型之連續電鍍線進行電鍍，藉此形成3000μg/dm2 附著量之Ni-Mo層。將具體之電鍍條件記載於以下。
(液組成)硫酸Ni六水合物：50g/dm3 、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3 、檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
<極薄銅層>
於(1)中形成之Ni-Mo層上形成極薄銅層。將極薄銅層之厚度設為3μm，除此以外，於與實施例31相同之條件下形成極薄銅層。極薄銅層表面之TD之表面粗糙度為0.26μm，MD之60度光澤度為770%。
實施例33、34
<中間層>
(1)Ni層(鍍Ni)
於與實施例31相同之條件下形成Ni層。
(2)有機物層(有機物層形成處理)
繼而，對於(1)中形成之Ni層表面進行水洗及酸洗後，接著於下述條件下，針對Ni層表面，將含有濃度1~30g/L之羧基苯并三唑(CBTA)之液溫40℃且pH值5之水溶液進行20~120秒噴霧洗滌，藉此形成有機物 層。
<極薄銅層>
於(2)中形成之有機物層上形成極薄銅層。將極薄銅層之厚度設為2μm，除此以外，於與實施例31相同之條件下形成極薄銅層。極薄銅層表面之TD之表面粗糙度為0.40μm，MD之60度光澤度為528%。
實施例35
<中間層>
(1)Co-Mo層(鍍鈷鉬合金)
針對載體，於以下條件下利用輥對輥型之連續電鍍線進行電鍍，藉此形成4000μg/dm2 之附著量之Co-Mo層。將具體之電鍍條件記載於以下。
(液組成)硫酸Co：50g/dm3 、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3 、檸檬酸鈉：90g/dm3
(液溫)30℃
(電流密度)1~4A/dm2
(通電時間)3~25秒
<極薄銅層>
於(1)中形成之Co-Mo層上形成極薄銅層。將極薄銅層之厚度設為8μm，除此以外，於與實施例31相同之條件形成極薄銅層。極薄銅層表面之TD之表面粗糙度為0.75μm，MD之60度光澤度為453%。
進行上述之粗化鍍敷處理後，針對實施例1~10、12~27、32~35、比較例3、4、6、9~14，進行用以接下來之耐熱層及防銹層形成之電鍍處理。
將耐熱層1之形成條件示於以下。
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫倫量：10~20As/dm2
於設置有上述耐熱層1之銅箔上形成耐熱層2。關於比較例5、7、8，於未進行粗化鍍敷處理而準備之銅箔上直接形成該耐熱層2。將耐熱層2之形成條件示於以下。
液組成：鎳2~30g/L、鋅2~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫倫量：1~2As/dm2
於設置有上述耐熱層1及2之銅箔上，進而形成防銹層。將防銹層之形成條件示於以下。
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0~2A/dm2 (用以浸漬鉻酸處理)
庫倫量：0~2As/dm2 (用以浸漬鉻酸處理)
於設置有上述耐熱層1、2及防銹層之銅箔上，進而形成耐候性層。將形成條件示於以下。
以作為具有胺基之矽烷偶合劑之N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實施例17、24~27)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷(實施例1~16、32~35)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷(實施例18、28、29、30)、3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實施例19)、3-胺基丙基三乙氧基矽烷(實施例20、21)、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙 基胺(實施例22)、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實施例23)進行塗佈、乾燥，而形成耐候性層。亦可將該等矽烷偶合劑以2種以上之組合之方式使用。同樣地於比較例1~14中，以N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷進行塗佈、乾燥，而形成耐候性層。
再者，壓延銅箔係以下述方式進行製造。製作表2所示之組成之銅錠，進行熱冷軋後，反覆進行300~800℃之連續退火線之退火與冷軋，而獲得1~2mm厚之壓延板。將該壓延板於300~800℃之連續退火線中進行退火，使其再結晶，進行最終冷軋直至表2之厚度，而獲得銅箔。表2之「種類」欄之「精銅」係表示以JIS H3100 C1100為標準之精銅，「無氧銅」係表示以JIS H3100 C1020為標準之無氧銅。又，「精銅+Ag：100ppm」意指於精銅中添加有100質量ppm之Ag。
電解銅箔除實施例35外，使用JX日鑛日石金屬公司製造之電解銅箔HLP箔。關於實施例35，使用JX日鑛日石金屬公司製造之電解銅箔JTC箔作為電解銅箔。於進行電解研磨或化學研磨之情形時，記載電解研磨或化學研磨後之板厚。
再者，於表2記載有表面處理前之銅箔或載體之製作步驟之要點。「高光澤壓延」意指以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。「通常壓延」意指以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。「化學研磨」、「電解研磨」意指於以下條件下進行。
「化學研磨」係使用H2 SO4 為1~3質量%、H2 O2 為0.05~0.15質量%、殘部為水之蝕刻液，且將研磨時間設為1小時。
「電解研磨」係於磷酸67%+硫酸10%+水23%之條件下，以電壓10V/cm2 、表2所記載之時間(若進行10秒鐘之電解研磨，則研磨量為1~2μm)進行。
針對以上述方式製作之實施例及比較例之各樣品，如下述般進行各種評價。
(1)表面粗糙度(Rz)之測定；
使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計Surfcorder SE-3C，依據JIS B0601-1994，針對粗化面，對十點平均粗糙度進行測定。於測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、截止值0.25mm、輸送速度0.1mm/sec之條件下，以垂直於壓延方向(即TD，於電解銅箔之情形時，垂直於銅箔之前進方向)之方式改變測定位置，進行10次測定，而求出10次之測定下之值。
再者，針對表面處理前之銅箔，亦預先以相同之方式求出表面粗糙度(Rz)。
又，針對載體之設置中間層之側之表面及極薄銅層之表面，亦預先以相同之方式求出表面粗糙度(Rz)。
再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，針對極薄銅層之粗化處理表面進行上述之測定。
(2)粒子之面積比(A/B)；
粗化粒子之表面積係使用利用雷射顯微鏡之測定法。使用KEYENCE股份有限公司製造之雷射顯微鏡VK8500，測定粗化處理面之相當於倍率2000倍下100×100μm之面積B(於實際資料中為9982.52μm2 )中的三維表面積A，並藉由設為三維表面積A÷二維表面積B=面積比(A/B)之方法進行設定。
再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下 為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，針對極薄銅層之粗化處理表面進行上述之測定。
(3)光澤度；
使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter-PG-1，以壓延方向(即MD，於電解銅箔之情形時，為銅箔之前進方向)及垂直於壓延方向之方向(即TD，於電解銅箔之情形時，為垂直於銅箔之前進方向之方向)之各自之入射角60度對粗化面進行測定。
再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，針對極薄銅層之粗化處理表面進行上述之測定。
再者，針對表面處理前之銅箔，亦預先以相同之方式求出光澤度。
又，針對表面處理前之銅箔之進行有表面處理側之表面及載體之設置中間層之側的表面及極薄銅層之表面，亦預先以相同之方式求出光澤度。
(4)亮度曲線之斜率
將表面處理銅箔自該表面處理銅箔之粗化處理表面側貼合於聚醯亞胺膜(Kaneka製造 厚度25μm或50μm、或者東麗杜邦製造 厚度50μm)之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除銅箔而製作樣品膜。再者，針對經粗化處理之銅箔，將銅箔之經粗化處理面貼合於上述之聚醯亞胺膜以製成上述之樣品膜。又，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，將該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔自該 經過表面處理之面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除表面處理銅箔而作成樣品膜。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，將附載體銅箔自極薄銅層之粗化處理表面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，其後，於將載體剝離後，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除極薄銅層而製作樣品膜。繼而，將印刷有線狀之黑色標記之印刷物敷在樣品膜之下方，利用CCD攝影機(8192像素之線陣CCD攝影機)，隔著樣品膜對印刷物進行拍攝，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之線狀標記延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，根據亮度曲線測定△B及t1、t2、Sv。將表示此時使用之攝影裝置之構成及亮度曲線之測定方法的示意圖示於圖3。
又，△B及t1、t2、Sv係如圖2所示般利用下述攝影裝置進行測定。
上述「印刷有線狀之黑色標記之印刷物」係使用於光澤度43.0±2之白色光澤紙上載有JIS P8208(1998)(圖1包含物計測圖表之複製)及JIS P8145(2011)(附件JA(規定)目視法異物比較圖 圖JA.1-目視法異物比較圖之複製)均採用即圖9所示之透明膜印刷有各種線等之包含物(夾雜物)(朝陽會股份有限公司製造品名：「包含物測定圖表-全片幅紙」編號：JQA160-20151-1(獨立行政法人國立印刷局所製造))者。
上述光澤紙之光澤度係使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter-PG-1，以入射角60度進行測定。
攝影裝置具備：CCD攝影機、隔著於下方設置有附標記之紙之聚醯亞胺基板之台(白色)、對聚醯亞胺基板之拍攝部照射光之照明用電源、將附拍攝對象之標記之紙置於下方的評價用聚醯亞胺基板於台上進行搬送之搬送機(未圖示)。將該攝影裝置之主要規格示於以下：
‧攝影裝置：Nireco股份有限公司製造之片材檢測裝置Mujiken
‧線陣CCD攝影機：8192像素(160MHz)、1024灰階數位(10bit)
‧照明用電源：高頻照明電源(電源組件×2)
‧照明：螢光燈(30W，型號：FPL27EX-D，雙螢光燈)
Sv測定用之線係使用0.7mm2 之圖9之夾雜物所繪製之箭頭所示之線。該線之寬度為0.3mm。又，線陣CCD攝影機視域係設為圖9之虛線之配置。
於利用線陣CCD攝影機之拍攝中，利用滿刻度256灰階確認訊號，於測定對象未隔著聚醯亞胺膜(聚醯亞胺基板)之狀態下，以印刷物之黑色標記不存在之部位(將上述透明膜置於上述白色之光澤紙上，利用CCD攝影機，自透明膜側對印刷於夾雜物之標記外之部位進行測定之情形)的波峰灰階訊號收於230±5之方式調整透鏡鎖光圈。攝影機掃描時間(攝影機之快門打開之時間，攝入光之時間)係固定為250μ秒，且以收於上述灰階以內之方式調整透鏡鎖光圈。
再者，針對印刷配線板及覆銅積層板，於以線狀之銅箔為標記對△B以及Sv進行測定之情形時，於設為線狀之銅箔之背面敷上光澤度43.0±2之白色光澤紙，利用CCD攝影機(8192像素之線陣CCD攝影機)，隔著該聚醯亞胺膜進行拍攝，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，根據自標記之端部至無標記之部分產生之亮度曲線，對△B及t1、t2、Sv進行測定，除此以外，設為與使用上述「印刷有線狀黑色標記之印刷物」對△B以及Sv進行測定之條件相同。
再者，關於圖3所示之亮度，0意指「黑」，亮度255意指「白」，將自「黑」至「白」之灰色程度(白黑之濃淡、灰度)分割成256灰階進行表示。
(5)視認性(樹脂透明性)；
將表面處理銅箔之經表面處理側之表面貼合於聚醯亞胺膜(Kaneka製造25μm或50μm，或者東麗杜邦製造 厚度50μm)之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除銅箔而製成樣品膜。再者，關於進行有粗化處理之銅 箔，將銅箔之經粗化處理面貼合於上述之聚醯亞胺膜而製成上述之樣品膜。又，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，將該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔自該經表面處理之面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除表面處理銅箔而製作樣品膜。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，將附載體銅箔自極薄銅層之粗化處理表面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，其後於將載體剝離後，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除極薄銅層而製成樣品膜。於獲得之樹脂層之一面貼附印刷物(直徑6cm之黑色之圓)，自相反面隔著樹脂層判定印刷物之視認性。將印刷物之黑色之圓之輪廓於圓周的90%以上之長度中清楚者評價為「◎」，將黑色之圓之輪廓於圓周之80%以上且未達90%之長度中清楚者評價為「○」(以上合格)，將黑色之圓之輪廓於圓周之未達0~80%之長度中清楚者及輪廓崩潰者評價為「×」(不合格)。
(6)剝離強度(接著強度)；
將表面處理銅箔之經表面處理側之表面積層於聚醯亞胺膜(Kaneka製造25μm或50μm，或者東麗杜邦製造 厚度50μm)後，依據IPC-TM-650，利用拉伸試驗機Autograph 100對常態剝離強度進行測定，將上述常態剝離強度為0.7N/mm以上者設為可用於積層基板用途者。再者，關於實施例31~35，將表面處理銅箔之經表面處理側之表面積層於聚醯亞胺膜(Kaneka製造25μm或50μm，或者東麗杜邦製造 厚度50μm)後，將載體剝離，以與上述聚醯亞胺膜積層之極薄銅層之厚度成為12μm厚之方式進行鍍銅，之後測定剝離強度。再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面進行上述之測定。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極 薄銅層之情形時，對極薄銅層之粗化處理表面進行上述之測定。
(7)焊料耐熱評價；
將表面處理銅箔之經表面處理側之表面貼合於聚醯亞胺膜(Kaneka製造25μm或50μm，或者東麗杜邦製造 厚度50μm)之兩面。再者，針對進行有粗化處理之銅箔，將銅箔之經粗化處理面貼合於上述之聚醯亞胺膜。針對獲得之兩面積層板，製作依據JIS C6471之附體試片。將製作之附體試片於85℃、85%RH之高溫高濕下暴露48小時後，使其於300℃之焊料槽中漂浮，而評價焊料耐熱特性。焊料耐熱試驗後，於銅箔粗化處理面與聚醯亞胺樹脂接著面之界面中，將於附體試片中之銅箔面積之5%以上之面積中，由於膨脹而界面變色者評價為×(不合格)，將面積未達5%之膨脹變色之情形評價為○，將全部未產生膨脹變色者評價為◎。
再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面進行上述之測定。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，對極薄銅層之粗化處理表面進行上述之測定。
(8)良率
將表面處理銅箔之經表面處理側之表面貼合於聚醯亞胺膜(Kaneka製造25μm或50μm，或者東麗杜邦製造 厚度50μm)之兩面，對銅箔進行蝕刻(氯化鐵水溶液)，而作成L/S為30μm/30μm之電路寬度之FPC。再者，針對進行有粗化處理之銅箔，將銅箔之進行有粗化處理之面貼合於上述之聚醯亞胺膜。其後，嘗試利用CCD攝影機，隔著聚醯亞胺檢測20μm×20μm見方之標記。將10次中9次以上可檢測出之情形設為「◎」，將7~8次可檢測出之情形設為「○」，將6次可檢測出之情形設為「△」，將5次以下可檢測出之情形設為「×」。
再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面進行上述之測定。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，對極薄銅層之粗化處理表面進行上述之測定。
(9)利用蝕刻之電路形狀(精細圖案特性)
將表面處理銅箔之經表面處理側之表面貼合於附層壓用熱硬化性接著劑之聚醯亞胺膜(Kaneka製造25μm或50μm，或者東麗杜邦製造 厚度50μm)之兩面。為了對精細圖案電路形成性進行評價，必需使銅箔厚度相同，此處，以12μm銅箔厚度為基準。即，於厚度厚於12μm之情形時，藉由電解研磨進行減厚直至12μm厚。另一方面，於厚度薄於12μm之情形時，藉由鍍銅處理進行增厚直至12μm厚。針對獲得之兩面積層板之單面側，藉由感光性抗蝕劑塗佈及曝光步驟，而於積層板之銅箔光澤面側印刷精細圖案電路，於下述條件下對銅箔之不要部分進行蝕刻處理，而形成如成為L/S=20/20μm之精細圖案電路。此處，電路寬度係以電路剖面之最低寬度成為20μm之方式設置。
(蝕刻條件)
裝置：噴射式小型蝕刻裝置
噴射壓：0.2MPa
蝕刻液：氯化鐵水溶液(比重40波美)
液溫度：50℃
於精細圖案電路形成後，浸漬於45℃之NaOH水溶液中1分鐘，剝離感光性抗蝕劑膜。
(10)蝕刻因子(Ef)之算出
針對於上述中獲得之精細圖案電路樣品，使用日立高新技術公司製造 之掃描式電子顯微鏡照片S4700，以2000倍之倍率自電路上部進行觀察，測定電路上部之最高寬度(Wa)與電路底部之最低寬度(Wb)。銅箔厚度(T)係設為12μm。蝕刻因子(Ef)係藉由下述式算出。
蝕刻因子(Ef)=(2×T)/(Wb-Wa)
再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面進行上述之測定。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，對極薄銅層之粗化處理表面進行上述之測定。
(11)傳輸損耗之測定
針對各樣品，將表面處理銅箔之經表面處理側之面貼合於市售之液晶聚合物樹脂(Kuraray(股)製造之Vecstar CTZ-50μm)後，利用蝕刻，以特性阻抗成為50Ω之方式形成微波傳輸帶線路，使用HP公司製造之網路分析儀-HP8720C，測定透過係數，而求出於頻率20GHz及頻率40GHz下之傳輸損耗。再者，為了使評價條件儘可能一致，將表面處理銅箔與液晶聚合物樹脂貼合後，將銅箔厚度設為18μm。即，於銅箔之厚度厚於18μm之情形時，藉由電解研磨進行減厚直至18μm厚。另一方面，於厚度薄於18μm之情形時，藉由鍍銅處理進行增厚直至18μm厚。作為於頻率20GHz下之傳輸損耗之評價，將未達3.7dB/10cm設為◎，將為3.7dB/10cm以上且未達4.1dB/10cm設為○，將為4.1dB/10cm以上且未達5.0dB/10cm設為△，將為5.0dB/10cm以上設為×。
再者，於印刷配線板或覆銅積層板或具有樹脂層之表面處理銅箔中，可藉由使樹脂溶解並去除，而針對銅電路或銅箔表面測定上述之(1)表面粗糙度(Rz)、(2)粒子之面積比(A/B)、(3)光澤度、(4)亮度曲線之斜率(△B及t1、t2、Sv)。
再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面進行上述之測定。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，對極薄銅層之粗化處理表面進行上述之測定。
將上述各試驗之條件及評價示於表1~5。
(評價結果)
實施例1~35均視認性、剝離強度、焊料耐熱評價及良率良好。又，實施例1~35均蝕刻因子較大，以及傳輸損耗較小，為良好。
比較例1~4、6、9~14之△B值未達40，因此視認性不良。
比較例5、7、8之視認性優異，但基板密合性不良。又，比較例1~14之焊料耐熱評價不良。
再者，針對實施例10~12、14、32、35之表面處理銅箔，於粗化處理表面塗佈厚度1μm之丙烯酸系樹脂，而進行上述評價。結果成為與實施例10~12、14、32、35之表面處理銅箔相同之評價結果。
於圖4中分別表示上述Rz評價時之(a)比較例1、(b)比較例3、(c)比較例5、(d)比較例6、(e)實施例1、(f)實施例2之銅箔表面之SEM觀察照片。
又，於上述實施例1~35中，將標記之寬度自0.3mm變更為0.16mm(自接近夾雜物之片面積0.5mm2 之0.5之記載開始第3個標記(圖10之箭頭所指之標記))，進行相同之△B值及Sv值之測定，但均△B值及Sv值成為與將標記之寬度設為0.3mm之情形相同之值。
進而，於上述實施例1~35中，關於「亮度曲線之頂部平均值Bt」，係將距離標記之兩側之端部位置50μm之位置變更為設為距離100μm之位置、距離300μm之位置、距離500μm之位置，自上述位置分別以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值，進行相同之△B值及Sv值之測定，但均△B值及Sv值成為與將自距離標記之兩側之端部位置50μm的位置以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值設為「亮度曲線之頂部平均值Bt」的情形之△B值及Sv值相同之值。

Claims (42)

  1. 一種表面處理銅箔，係藉由粗化處理而於至少一表面形成有粗化粒子者，該粗化處理表面之TD之十點平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm，且於將上述銅箔貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下方，利用CCD攝影機隔著上述聚醯亞胺基板對上述印刷物進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀標記延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，自上述標記之端部至無上述標記之部分產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中自上述標記之端部至無上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為50以上。
  3. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中自上述標記之端部至無上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為60以上。
  4. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中於上述觀察地點-亮度曲線中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述線狀標記交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內表示最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
  5. 如申請專利範圍第2或3項之表面處理銅箔，其中於上述觀察地點-亮度曲線中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述線狀標記交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內表示最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
  6. 如申請專利範圍第4項之表面處理銅箔，其中上述亮度曲線中(1)式所定義之Sv為3.9以上。
  7. 如申請專利範圍第5項之表面處理銅箔，其中上述亮度曲線中(1)式所定義之Sv為3.9以上。
  8. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中上述亮度曲線中(1)式所定義之Sv為5.0以上。
  9. 如申請專利範圍第7項之表面處理銅箔，其中上述亮度曲線中(1)式所定義之Sv為5.0以上。
  10. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中上述粗化處理表面之MD之60度光澤度為76~350%，上述粗化粒子之表面積A、與自上述銅箔表面側俯視上述粗化粒子時獲得之面積B之比A/B為1.90~2.40。
  11. 如申請專利範圍第2~4、6、8項中任一項之表面處理銅箔，其中上述粗化處理表面之MD之60度光澤度為76~350%，上述粗化粒子之表面積A、與自上述銅箔表面側俯視上述粗化粒子時獲得之面積B之比A/B為1.90~2.40。
  12. 如申請專利範圍第10項之表面處理銅箔，其中上述MD之60度光澤度為90~250%。
  13. 如申請專利範圍第10項之表面處理銅箔，其中上述TD之平均粗糙度 Rz為0.30~0.60μm。
  14. 如申請專利範圍第10項之表面處理銅箔，其中上述A/B為2.00~2.20。
  15. 如申請專利範圍第10項之表面處理銅箔，其中粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比C(C=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.80~1.40。
  16. 如申請專利範圍第11項之表面處理銅箔，其中粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比C(C=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.80~1.40。
  17. 如申請專利範圍第15項之表面處理銅箔，其中粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比C(C=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.90~1.35。
  18. 如申請專利範圍第1~4、6、8、10、12~15、17項中任一項之表面處理銅箔，其中於上述粗化處理表面具備樹脂層。
  19. 如申請專利範圍第18項之表面處理銅箔，其中上述樹脂層含有介電體。
  20. 一種附載體銅箔，係依序具有載體、中間層、極薄銅層者，且上述極薄銅層為申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔。
  21. 一種積層板，係積層申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔與樹脂基板而構成。
  22. 一種印刷配線板，其使用有申請專利範圍第1至19項中任一項之表面處理銅箔。
  23. 一種積層板，係積層申請專利範圍第20項之附載體銅箔與樹脂基板而構成。
  24. 一種印刷配線板，其使用有申請專利範圍第20項之附載體銅箔。
  25. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第22項之印刷配線板。
  26. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第24項之附載體銅箔。
  27. 一種印刷配線板，係由絕緣樹脂基板、與表面處理銅箔所構成者，該表面處理銅箔係自經表面處理之表面側積層於上述絕緣基板且形成有銅電路，且利用CCD攝影機隔著自經過表面處理之表面側積層之上述絕緣樹脂基板，對上述銅電路進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
  28. 一種覆銅積層板，係由絕緣樹脂基板、與自經表面處理之表面側積層於上述絕緣基板之表面處理銅箔所構成，且於藉由蝕刻，將上述覆銅積層板之上述表面處理銅箔製成線狀之表面處理銅箔後，利用CCD攝影機隔著自經過表面處理之表面側積層之上述絕緣樹脂基板進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀表面處理銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，自上述線狀表面處理銅箔之端部至無上述線狀表面處理銅箔的部分產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt一Bb)為40以上。
  29. 一種印刷配線板，其使用有申請專利範圍第28項之覆銅積層板。
  30. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第27項之印刷配線板。
  31. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，係將2個以上申請專利範圍第22項之印刷配線板連接而製造。
  32. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，其包含將至少1個申請專利範圍第22項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第22項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第22項之印刷配線板之印刷配線板加以連接之步驟。
  33. 一種電子機器，其使用1個以上藉由申請專利範圍第32項之製造方法所製成的連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板或申請專利範圍第22項之印刷配線板。
  34. 一種印刷配線板之製造方法，其至少包含將藉由申請專利範圍第32項之製造方法所製成的連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板或如申請專利範圍第22項之印刷配線板、與零件加以連接之步驟。
  35. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，其至少包含：將至少1個申請專利範圍第22項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第22項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第22項之印刷配線板之印刷配線板加以連接之步驟；及將藉由申請專利範圍第32項之製造方法所製成的連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板或申請專利範圍第22項之印刷配線板、與零件加以連接之步驟。
  36. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，係將2個以上申請專利範圍第27項之印刷配線板加以連接而製造。
  37. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，其包含將至少1個申請專利範圍第27項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第27項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第27項之印刷配線板之印刷配線板加以連接之步驟。
  38. 一種電子機器，其使用1個以上藉由申請專利範圍第37項之製造方法 所製成的連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板或申請專利範圍第27項之印刷配線板。
  39. 一種印刷配線板之製造方法，其至少包含將藉由申請專利範圍第37項之製造方法所製成的連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板或申請專利範圍第27項之印刷配線板、與零件加以連接之步驟。
  40. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，其至少包含：將至少1個申請專利範圍第27項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第27項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第27項之印刷配線板之印刷配線板加以連接之步驟；及將藉由申請專利範圍第37項之製造方法所製成的連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板或申請專利範圍第27項之印刷配線板、與零件加以連接之步驟。
  41. 一種印刷配線板之製造方法，其包含：準備申請專利範圍第20項之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；及將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離上述附載體銅箔之載體之步驟而形成覆銅積層板，其後，藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一方法而形成電路之步驟。
  42. 一種印刷配線板之製造方法，其包含：於申請專利範圍第20項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成電路之步驟；以埋沒上述電路之方式於上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面形成樹脂層之步驟； 於上述樹脂層上形成電路之步驟；於上述樹脂層上形成電路後，將上述載體剝離之步驟；及剝離上述載體後，藉由將上述極薄銅層去除，而使形成於上述極薄銅層側表面之埋沒於上述樹脂層之電路露出之步驟。
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