JP2018111850A - キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)前記極薄銅層の前記キャリア側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとの平均値が390以下であり、前記MD方向の光沢度GMD及び前記TD方向の光沢度GTDのうち小さい方の数値が40以上であり、且つ、
(2)前記キャリアの前記極薄銅層側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか小さい方の値/MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか大きい方の値が0.4以上1.0以下であるキャリア付銅箔である。
本発明のキャリア付銅箔がキャリアの両方の面に極薄銅層を有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、
粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む。
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させる工程
を含む。
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記積層体を構成しているキャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
本発明のキャリア付銅箔は、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有する。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的にプリント配線板を製造することができる。
本発明のキャリア付銅箔は、極薄銅層側からビスマレイミドトリアジン樹脂基板に圧力20kgf/cm2、220℃で2時間の条件下で加熱プレスすることで貼り合わせた後、極薄銅層からキャリアを剥がしたとき、
(1)前記極薄銅層の前記キャリア側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとの平均値が390以下であり、前記MD方向の光沢度GMD及び前記TD方向の光沢度GTDのうち小さい方の数値が40以上であり、且つ、
(2)前記キャリアの前記極薄銅層側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか小さい方の値/MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか大きい方の値が0.4以上1.0以下である。
当該前記極薄銅層の前記キャリア側表面における、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとの平均値は、350以下であるのが好ましく、300以下であるのがより好ましく、250以下であるのが更により好ましく、200以下であるのが更により好ましく、150以下であるのが更により好ましく、100以下であるのが更により好ましい。
また、当該前記極薄銅層の前記キャリア側表面における、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとの平均値が50以上であると、極薄銅層表面のTD方向およびMD方向の平滑性が向上し、その結果回路形成性が更に良好となる。当該前記極薄銅層の前記キャリア側表面における、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとの平均値は、51以上であるのが好ましく、52以上であるのがより好ましく、53以上であるのが更により好ましく、55以上であるのが更により好ましい。
当該MD方向の光沢度GMD及びTD方向の光沢度GTDのうち小さい方の数値は、42以上であるのが好ましく、44以上であるのがより好ましく、46以上であるのが更により好ましく、48以上であるのが更により好ましい。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCP(液晶ポリマー)フィルム、フッ素樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルムの形態で提供される。
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
なお、キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けてもよい。当該粗化処理層を公知の方法を用いて設けてもよく、後述の粗化処理により設けてもよい。キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離し難くなるという利点を有する。
本発明のキャリアは、以下の作製方法A〜Eのいずれかによって作製することができる。
チタン製の回転ドラム(電解ドラム)を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度:♯1000、砥石回転速度:500rpm(キャリアの作製方法A)、400rpm(キャリアの作製方法B)、または300rpm(キャリアの作製方法C)にて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。なお、本発明に用いられる電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
<電解液組成>
銅:80〜110g/L
硫酸:70〜110g/L
塩素:10〜100質量ppm
<製造条件>
電流密度:50〜200A/dm2
電解液温度:40〜70℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとする。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施する。また、キャリアの作製方法Aにおいては、キャリアの研磨面を下記のエッチング条件で0.5〜1.5μmだけエッチングしてもよい。
(エッチング条件)
・エッチング形式:スプレーエッチング
・スプレーノズル:フルコーン型
・スプレー圧:0.10MPa
・エッチング液温:30℃
・エッチング液組成:
H2O2:18g/L
H2SO4:92g/L
Cu:8g/L
添加剤:株式会社JCU製 FE−830IIW3C 適量
チタン製の回転ドラム(電解ドラム)を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度:♯1000、砥石回転速度:500rpmにて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。
<電解液組成>
銅:80〜110g/L
硫酸:70〜110g/L
塩素:10〜100質量ppm
<製造条件>
電流密度:50〜200A/dm2
電解液温度:40〜70℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、光沢面側に、下記液組成を有するめっき液で3〜5μmめっきアップする。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施する。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レべリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
<製造条件>
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
チタン製の回転ドラム(電解ドラム)を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度:♯1000、砥石回転速度:500rpmにて研削する。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置する。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させる。
<電解液組成>
銅:80〜110g/L
硫酸:70〜110g/L
塩素:10〜100質量ppm
<製造条件>
電流密度:50〜200A/dm2
電解液温度:40〜70℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、光沢面側に、過酸化水素/硫酸系エッチング液で表面処理したものをキャリアとする。当該表面処理としては、例えば、以下の条件によるスプレーエッチング処理を行うことができる。
(スプレーエッチング処理条件)
・エッチング形式:スプレーエッチング
・スプレーノズル:フルコーン型
・スプレー圧:0.10MPa
・エッチング液温:30℃
・エッチング液組成:
添加剤:三菱ガス化学製CPB−38(過酸化水素35.0w/w%(40w/v%)、硫酸3.0w/w%(3.5w/v%)):1/4希釈とした後、硫酸を所定量添加して組成:過酸化水素10w/v%、硫酸2w/v%で使用する。
なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施する。
キャリアの片面又は両面上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間には他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層、或いは、有機物を含有する層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物からなる層、或いは、有機物を含有する層を形成することで構成することができる。前述のいずれの層も有機物を含んでも良い。
中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やめっき処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましい。中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiめっき層などの防錆層を設けることが好ましい。
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下、11μm以下、10μm以下、9μm以下、8μm以下、7μm以下、6μm以下、5μm以下、4μm以下、3μm以下であり、好ましくは3μm未満、より好ましくは2.9μm以下、より好ましくは2.8μm以下、より好ましくは2.5μm以下、より好ましくは2.3μm以下、より好ましくは2.2μm以下、より好ましくは2.1μm以下、より好ましくは2μm以下、より好ましくは2.0μm以下、より好ましくは1.9μm以下、より好ましくは1.8μm以下、より好ましくは1.7μm以下、より好ましくは1.6μm以下、より好ましくは1.5μm以下、より好ましくは1.4μm以下、より好ましくは1.3μm以下、より好ましくは1.2μm以下、より好ましくは1.1μm以下、より好ましくは1μm以下、より好ましくは1.0μm以下、より好ましくは0.9μm以下、より好ましくは0.8μm以下、より好ましくは0.7μm以下、より好ましくは0.6μm以下である。極薄銅層の厚みを3μm未満とすることで、レーザー穴開け性が更に向上するという効果が得られる。また、極薄銅層の厚みは典型的には0.1〜12μmであり、より典型的には0.5〜12μmであり、より典型的には1〜5μm、更に典型的には1.5〜5μm、更に典型的には2〜5μmである。極薄銅層の厚みの下限は特に限定をする必要は無いが、典型的には例えば0.001μm以上、例えば0.01μm以上、例えば0.05μm以上、例えば0.1μm以上、例えば0.2μm以上である。なお、キャリアの両面に極薄銅層を設けてもよい。
極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛、錫、モリブデン、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの単体および/または合金および/または酸化物および/または窒化物および/または珪化物等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛、錫、モリブデン、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの単体および/または合金および/または酸化物および/または窒化物および/または珪化物等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
めっき浴組成:Cu10〜20g/L、Co1〜10g/L、Ni1〜10g/L
pH:1〜4
温度:30〜50℃
電流密度Dk:20〜30A/dm2
めっき時間:1〜5秒
前記シランカップリング処理層は、公知のシランカップリング剤を使用して形成してもよく、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シラン、ビニル系シラン、イミダゾール系シラン、トリアジン系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。
また、極薄銅層、粗化処理層、耐熱層、防錆層、シランカップリング処理層またはクロメート処理層の表面に、国際公開番号WO2008/053878、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、特開2013−19056号に記載の表面処理を行うことができる。
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、あるいは前記防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。前記樹脂層は絶縁樹脂層であってもよい。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
まず、図1−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図1−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図1−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図2−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴開けを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1−B及び図1−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
なお、上述のプリント配線板の製造方法で、「極薄銅層」をキャリアに、「キャリア」を極薄銅層に読み替えて、キャリア付銅箔のキャリア側の表面に回路を形成して、樹脂で回路を埋め込み、プリント配線板を製造することも可能である。
なお、本明細書において、「積層体A」または「積層体B」と特に記載していない「積層体」は、少なくとも積層体A及び積層体Bを含む積層体を示す。
(a)冶金的接合方法:融接(アーク溶接、TIG(タングステン・イナート・ガス)溶接、MIG(メタル・イナート・ガス)溶接、抵抗溶接、シーム溶接、スポット溶接)、圧接(超音波溶接、摩擦撹拌溶接)、ろう接;
(b)機械的接合方法:かしめ、リベットによる接合(セルフピアッシングリベットによる接合、リベットによる接合)、ステッチャー;
(c)物理的接合方法:接着剤、(両面)粘着テープ
前述した積層体に用いる樹脂基板、樹脂層、樹脂、プリプレグは、本明細書に記載した樹脂層であってもよく、本明細書に記載した樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。
なお、前述のキャリア付銅箔または積層体は平面視したときに樹脂又はプリプレグ又は樹脂基板又は樹脂層よりも小さくてもよい。
まず、キャリアを以下のようにして作製した。
チタン製の回転ドラム(電解ドラム)を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度:♯1000、砥石回転速度:500rpm(キャリアの作製方法A−1〜A−7)、400rpm(キャリアの作製方法B)、300rpm(キャリアの作製方法C)、700rpm(キャリアの作製方法F)、600rpm(キャリアの作製方法G)にて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
<電解液組成>
銅:80〜110g/L
硫酸:70〜110g/L
塩素:10〜100質量ppm
<製造条件>
電流密度:50〜200A/dm2
電解液温度:40〜70℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、これをキャリアとした。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
(エッチング条件)
・エッチング形式:スプレーエッチング
・スプレーノズル:フルコーン型
・スプレー圧:0.10MPa
・エッチング液温:30℃
・エッチング液組成:
H2O2:18g/L
H2SO4:92g/L
Cu:8g/L
添加剤:株式会社JCU製 FE−830IIW3C 適量
(エッチング処理)
・エッチング形式:スプレーエッチング
・スプレー圧:0.15MPa
・エッチング液:メック株式会社製メックエッチボンドCZ−8101
・エッチング液温:25℃
・エッチング処理時間:90秒
(塩酸洗処理)
・塩酸洗処理形式:スプレー処理
・スプレー圧:0.10MPa
・塩酸洗処理液:塩酸1mol/Lの水溶液
・塩酸洗処理液温:25℃
・塩酸洗処理時間:15秒
チタン製の回転ドラム(電解ドラム)を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度:♯1000、砥石回転速度:500rpmにて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
<電解液組成>
銅:80〜110g/L
硫酸:70〜110g/L
塩素:10〜100質量ppm
<製造条件>
電流密度:50〜200A/dm2
電解液温度:40〜70℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、光沢面側に、下記液組成を有するめっき液で3μmめっきアップ(実施例13:キャリアの作製方法D−1)、5μmめっきアップ(実施例14:キャリアの作製方法D−2)、1μmめっきアップ(比較例6:キャリアの作製方法D−3)した。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レべリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。
<製造条件>
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
チタン製の回転ドラム(電解ドラム)を準備し、当該電解ドラムの表面を、電解ドラム表面制御条件として、研削砥石研磨材粒度:♯1000、砥石回転速度:500rpmにて研削した。次に、電解槽の中に、上記電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
<電解液組成>
銅:80〜110g/L
硫酸:70〜110g/L
塩素:10〜100質量ppm
<製造条件>
電流密度:50〜200A/dm2
電解液温度:40〜70℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、光沢面側に、過酸化水素/硫酸系エッチング液で表面処理したものをキャリアとした。当該表面処理として以下の条件によるスプレーエッチング処理を行った。
(スプレーエッチング処理条件)
・エッチング形式:スプレーエッチング
・スプレーノズル:フルコーン型
・スプレー圧:0.10MPa
・エッチング液温:30℃
・エッチング液組成:
添加剤:三菱ガス化学製CPB−38(過酸化水素35.0w/w%(40w/v%)、硫酸3.0w/w%(3.5w/v%)):1/4希釈とした後、硫酸を所定量添加して組成:過酸化水素10w/v%、硫酸2w/v%で使用した。
なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
以下の電解液を用いて、電解銅箔を作製する。なお、電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の析出面側(ドラム側とは反対側の面、光沢を有する)に実施した。
<電解液組成>
銅:90〜110g/L
硫酸:90〜110g/L
塩素:50〜100ppm
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10ppm(比較例7)、30ppm(比較例8)
レべリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。
電流密度:70〜100A/dm2
電解液温度:50〜60℃
電解液線速:3〜5m/sec
電解時間:0.5〜10分間
実施例1〜14、比較例1〜8については、以下の条件にて中間層を形成した。
以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより4000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。
硫酸ニッケル:250〜300g/L
塩化ニッケル:35〜45g/L
酢酸ニッケル:10〜20g/L
クエン酸三ナトリウム:15〜30g/L
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:30〜100ppm
pH:4〜6
液温:50〜70℃
電流密度:3〜15A/dm2
・電解クロメート処理
液組成:重クロム酸カリウム1〜10g/L、亜鉛0〜5g/L
pH:3〜4
液温:50〜60℃
電流密度:0.1〜2.6A/dm2
クーロン量:0.5〜30As/dm2
中間層の形成後、中間層の上に表1に記載の厚みの極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成し、キャリア付銅箔とした。
・極薄銅層
銅濃度:30〜120g/L
H2SO4濃度:20〜120g/L
塩素:50〜100ppm
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10〜30ppm
レべリング剤2(アミン化合物):10〜30ppm
アミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。
電解液温度:20〜80℃
電流密度:10〜100A/dm2
次に、極薄銅層の上に更に、以下のいずれかの条件で粗化処理層を設けた。
・粗化条件a(実施例12、13、14)
液組成
Cu:10〜20g/L
Co:1〜10g/L
Ni:1〜10g/L
pH:1〜4
液温:40〜50℃
電流密度Dk:20〜30A/dm2
時間:3.5〜4.5秒
粗化処理層の重量厚みを0.18μm±0.04μmの範囲に調整した。
粗化処理1→粗化処理2の順に行った。
(1)粗化処理1
液組成:Cu:10〜20g/L、H2SO4:50〜100g/L
液温:25〜50℃
電流密度:0.5〜54A/dm2
クーロン量:2〜67As/dm2
(2)粗化処理2
液組成:Cu:10〜20g/L、Ni:5〜15g/L、Co:5〜15g/L
pH:2〜3
液温:30〜50℃
電流密度:20〜46A/dm2
クーロン量:31〜45As/dm2
粗化処理1、粗化処理2の合計の粗化処理層の重量厚みを0.35μm±0.05μmの範囲に調整した。
・耐熱処理
Zn:0〜20g/L
Ni:0〜5g/L
pH:3.5
温度:40℃
電流密度Dk :0〜1.7A/dm2
時間:1秒
Zn付着量:5〜250μg/dm2
Ni付着量:5〜300μg/dm2
・クロメート処理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或いはCrO3):2〜10g/L
NaOH或いはKOH:10〜50g/L
ZnO或いはZnSO47H2O:0.05〜10g/L
pH:7〜13
液温:20〜80℃
電流密度0.05〜5A/dm2
時間:5〜30秒
Cr付着量:10〜150μg/dm2
・シランカップリング処理
ビニルトリエトキシシラン水溶液
(ビニルトリエトキシシラン濃度:0.1〜1.4wt%)
pH:4〜5
時間:5〜30秒
作製したキャリア付銅箔の極薄銅層の厚みは、重量法により測定した。
まず、キャリア付銅箔の重量を測定した。その後、極薄銅層を引き剥がし、得られたキャリアの重量を測定した。そして、前述のキャリア付銅箔の重量と、前述の極薄銅層を引き剥がし、得られたキャリアの重量との差を極薄銅層の重量と定義した。測定対象となる極薄銅層片はプレス機で打ち抜いた10cm角シートとした。そして以下の式により極薄銅層の厚みを算出した。
極薄銅層の厚み(μm)=極薄銅層の重量(g)/{銅の密度(8.94g/cm3)×極薄銅層の面積(100cm2)}×104(μm/cm)
また、重量計は、株式会社エー・アンド・デイ製HF−400を用い、プレス機は、野口プレス株式会社製HAP−12を用いた。
各実施例、比較例のキャリア付銅箔(極薄銅層に表面処理を行ったキャリア付銅箔は、当該表面処理後のキャリア付銅箔)を、極薄銅層側からプリプレグ(ビスマレイミドトリアジン樹脂基板)に圧力:20kgf/cm2、220℃で2時間の条件下で加熱プレスして積層した後に、キャリア付銅箔からキャリアを剥離した。
次に、JIS Z8741に準拠した日本電色工業株式会社製光沢度計ハンディーグロスメーターPG−1を使用し、入射角60度で、極薄銅層のキャリア側表面のMD方向(キャリア付銅箔製造装置におけるキャリアの進行方向に平行な方向、縦方向)の60度光沢度、TD方向(キャリア付銅箔の幅方向、MD方向に直角で厚み方向に直角な方向、横方向)の60度光沢度をそれぞれ測定した。測定は、MD方向(縦方向)の60度光沢度、TD方向(横方向)の60度光沢度についてそれぞれ極薄銅層のキャリア側表面の略同一の点について、任意の10箇所ずつ実施し、それらの(MD方向の光沢度及びTD方向の光沢度の)平均値を算出し、MD方向の光沢度の平均値をMD方向の光沢度GMDの値とし、TD方向の光沢度の平均値をTD方向の光沢度GTDの値とした。また、キャリアの極薄銅層側表面において、「MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか小さい方の値」/「MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか大きい方の値」を算出した。
各実施例、比較例のキャリア付銅箔(極薄銅層に表面処理を行ったキャリア付銅箔は、当該表面処理後のキャリア付銅箔)に対し、プリプレグにプレスして貼り合わせた後、キャリアを剥がし、極薄銅層についてレーザー照射を行い、150個の穴開けを行った。以下にレーザー照射条件及び評価基準を示す。
・パルスエネルギー3mJで開口率100%:◎、パルスエネルギー4mJで開口率100%:○、パルスエネルギー5mJで開口率100%:△、パルスエネルギー5mJ以上で未開口あり:×
・レーザー条件
レーザー機:三菱電機製 ML605GTW4
波長:9.4μm
平均出力:360W
パルスエネルギー:3mJ、4mJ、5mJ、6mJ
パルス幅:10μsec
加工方式:バーストモード
ショット数:1ショット
キャリア付銅箔(極薄銅層への表面処理を施されたキャリア付銅箔は、当該表面処理後のキャリア付銅箔)を極薄銅層側からビスマレイミドトリアジン樹脂基板に貼り合わせた後、キャリアを剥がした。続いて、露出した極薄銅層表面に、極薄銅層の厚みが3μm、2.8μm、2μm及び1.5μmの場合は、厚みが1μmとなるまでエッチングを行い、また、極薄銅層の厚みが1μm及び0.6μmであるものはこのままエッチングしないで、それぞれ15μm厚の銅めっきを行い、その後フラッシュエッチングを行って最終的にL/S=12μm/12μmのM−SAP回路を形成した。
このときのエッチング条件を以下に示す。そして、当該回路について1mmの線長さの箇所を100個(すなわち、1mmの線長さの回路を100本)平面観察して、裾引き部の長さを測定した。当該測定によって得られた回路の裾引き部の最大長さに関して、以下の基準により回路形成性を評価した。図5に、当該裾引き部を示した回路の平面観察写真を示す。裾引き部は、図5に示すように、回路のボトムに薄く生じるエッチング残りである。
(エッチング条件)
・エッチング形式:スプレーエッチング
・スプレーノズル:フルコーン型
・スプレー圧:0.10MPa
・エッチング液温:30℃
・エッチング液組成:
H2O2:18g/L
H2SO4:92g/L
Cu:8g/L
添加剤:株式会社JCU製 FE−830IIW3C 適量
(回路形成性の評価基準)
配線間ショート多発または断線多発などの回路形成不良状態:××
裾引き部の最大長さが5μm以上、もしくは配線間ショート発生:×
裾引き部の最大長さが2μm以上5μm未満:○
裾引き部の最大長さが2μm未満:◎
試験条件及び試験結果を表1に示す。
実施例1〜14は、上記キャリアの剥離後の極薄銅層について、
(1)極薄銅層のキャリア側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとの平均値が390以下であり、MD方向の光沢度GMD及びTD方向の光沢度GTDのうち小さい方の数値が40以上、及び、
(2)キャリアの極薄銅層側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか小さい方の値/MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか大きい方の値が0.4以上1.0以下
をいずれも満たしたため、レーザー穴開け性及び回路形成性が共に良好であった。
比較例1〜3は、上記キャリアの剥離後の極薄銅層について、上記(1)を満たさず、回路形成性が不良であった。
比較例4〜6は、上記キャリアの剥離後の極薄銅層について、上記(2)を満たさず、回路形成性が不良であった。
比較例7〜8は、上記キャリアの剥離後の極薄銅層について、上記(1)を満たさず、レーザー穴開け性が不良であった。
Claims (25)
- キャリアと、中間層と、極薄銅層とをこの順に有するキャリア付銅箔であって、
前記キャリア付銅箔を前記極薄銅層側からビスマレイミドトリアジン樹脂基板に圧力20kgf/cm2、220℃で2時間の条件下で加熱プレスすることで貼り合わせた後、前記極薄銅層から前記キャリアを剥がしたとき、
(1)前記極薄銅層の前記キャリア側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとの平均値が390以下であり、前記MD方向の光沢度GMD及び前記TD方向の光沢度GTDのうち小さい方の数値が40以上であり、且つ、
(2)前記キャリアの前記極薄銅層側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか小さい方の値/MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか大きい方の値が0.4以上1.0以下であるキャリア付銅箔。 - 前記極薄銅層の前記キャリア側表面において、前記MD方向の光沢度GMDと前記TD方向の光沢度GTDとの平均値が50以上である請求項1に記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層の前記キャリア側表面において、前記MD方向の光沢度GMDと前記TD方向の光沢度GTDとの平均値が100以下である請求項1または2に記載のキャリア付銅箔。
- 前記キャリアの前記極薄銅層側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか小さい方の値/MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか大きい方の値が0.70以上である請求項1〜3のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記キャリアの前記極薄銅層側表面において、MD方向の光沢度GMDとTD方向の光沢度GTDとのいずれか小さい方の値が60以下である請求項1〜4のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層の厚みが3μm未満である請求項1〜5のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 請求項1〜6のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔がキャリアの一方の面に極薄銅層を有する場合において、前記極薄銅層側及び前記キャリア側の少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に、または、
請求項1〜6のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔がキャリアの両方の面に極薄銅層を有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、
粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜6のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 - 前記粗化処理層が、銅、ニッケル、りん、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム、鉄、バナジウム、コバルト及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層である請求項7に記載のキャリア付銅箔。
- 前記粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に、樹脂層を備える請求項7又は8に記載のキャリア付銅箔。
- 前記極薄銅層上に樹脂層を備える請求項1〜6のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
- 前記樹脂層が接着用樹脂である、及び/又は、半硬化状態の樹脂である請求項9又は10に記載のキャリア付銅箔。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて積層体を製造する積層体の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を二つと樹脂とを有し、前記二つのキャリア付銅箔のうちの一方のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面と、他方のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面とがそれぞれ露出するように樹脂に設けられた積層体。
- 一つの請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層された積層体。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法。
- 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、及び、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層または前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む請求項18に記載のプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側から樹脂基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む請求項18に記載のプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側から樹脂基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含む請求項18に記載のプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させる工程
を含む請求項22に記載のプリント配線板の製造方法。 - 請求項12に記載の方法で製造された積層体、又は、請求項13〜15のいずれか一項に記載の積層体のいずれか一方または両方の面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記積層体を構成しているキャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 - 請求項16〜24のいずれか一項に記載の方法で製造されたプリント配線板を用いて電子機器を製造する電子機器の製造方法。
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