JP2008140902A - 多層配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】配線層と絶縁層との密着性を十分に高めることができる多層配線基板を提供する。
【解決手段】本発明の多層配線基板１０は、交互に積層された第１、第２、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ及び配線層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄと、第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂを接続する第１のビアホール導体１３Ａ、第２、第３の配線層１２Ｂ、１２Ｃを接続する第２のビアホール導体１３Ｂ及び第３、第４の配線層１２Ｃ、１２Ｄを接続する第３のビアホール導体１３Ｃと、を備え、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄは、それぞれ第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃ内の側面から側方に突出する突出部１２Ｅ、１２Ｅを有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、絶縁層及び配線層を有する多層配線基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは、絶縁層と配線層の密着性を向上させることができる多層配線基板及びその製造方法に関するものである。

従来のこの種の多層配線基板としては、例えばプリント配線基板が汎用されている。プリント配線基板の配線パターンは、主としてエッチングを用いるサブトラクティブ法や電解メッキを用いるアディティブ法の二種類の手法によって形成される。プリント配線基板の薄型化、微細配線化が進行する中、絶縁層のみでなく配線層の厚みも薄型化しているため、樹脂層と配線層のピール強度を確保することが重要視されている。基本的な対策としては、サブトラクティブ法では銅箔表面の粗面化によりアンカー効果を得ており、アディティブ法では転写法を用いて樹脂内への電極の埋め込み等の種々の方策が採られている。

特許文献１には回路パターンに銅箔を用いる多層配線板の製造方法が提案されている。特許文献１の技術では、絶縁基板と表面の銅から構成される内層材の銅の表面をプラズマ等の電離気体で処理することによって粗面化する。そして、内層材表面の銅は粗面化の前あるいは後で回路パターンとして形成され、この回路パターンに絶縁層及び配線層を積層形成することにより多層配線板を製造している。回路パターンは粗面化しているため、回路パターンのアンカー効果により内層材と絶縁層とが密着する。

特開平０６−１３２６５４

しかしながら、特許文献１に記載の多層配線板では、内層材と絶縁層は、内層材の回路パターン表面の微細な凹凸構造によるアンカー効果で密着しているに過ぎないため、アンカー効果が十分でなく、密着強度が十分でなく内層材から絶縁層が剥離する虞がある。

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、配線層と絶縁層との密着強度を十分に高めることができる多層配線基板及びそれぞれの製造方法を提供することを目的としている。

本発明の請求項１に記載の多層配線基板は、交互に積層された絶縁層及び配線層と、上下の配線層を接続するビアホール導体と、を備え、少なくとも一つの上記配線層は、上記絶縁層内の側面から側方へ突出する突出部を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項２に記載の多層配線基板は、請求項１に記載の発明において、上記突出部を有する上記配線層は、その断面がＴ字状であることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項３に記載の多層配線基板は、請求項１または請求項２に記載の発明において、上記突出部を有する上記配線層は、第１の主面が上記他の絶縁層と接しない配線層であることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項４に記載の多層配線基板は、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の発明において、上記突出部を有する上記配線層は、上記絶縁層内の第２の主面が粗面を有することを特徴とするものである。

また、本発明の請求項５に記載の多層配線基板の製造方法は、転写板上に第１のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、上記第１のレジスト層上に第２のレジスト層を所定のパターンで形成して、第１、第２のレジスト層がこの順序で少なくとも一層ずつ積層されたレジスト積層体を形成する工程と、上記転写板上の上記レジスト積層体が形成されていない領域に、上記レジスト積層体の最上層の直下のレジスト層までの厚み以上で且つ上記積層体の厚み以下になるように、電解メッキで導電層を形成する工程と、上記転写板から上記第１、第２のレジスト層を除去する工程と、上記導電層を上記転写板から絶縁層に配線層として転写する工程と、を備え、上記第２のレジスト層の面積は、上記第１のレジスト層の面積より小さく、且つ、第１、第２のレジスト層は、それぞれの面積が調整可能であることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項６に記載の多層配線基板の製造方法は、転写板上に第１のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、上記第１のレジスト層上に第２のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、上記転写板上の上記第１、第２のレジスト層が形成されていない領域に、上記第１のレジストの厚み以上で且つ第１、第２のレジスト層からなる積層体の厚み以下になるように、電解メッキで導電層を形成する工程と、上記転写板から上記第１、第２のレジスト層を除去する工程と、上記導電層を上記転写板から絶縁層に配線層として転写する工程と、を備え、上記第２のレジスト層の面積は、上記第１のレジスト層の面積より小さいことを特徴とするものである。

また、本発明の請求項７に記載の多層配線基板の製造方法は、請求項５または請求項６に記載の発明において、上記転写板の上面が粗面化されていることを特徴とするものである。

また、本発明の請求項８に記載の多層配線基板の製造方法は、請求項５〜請求項７のいずれか１項に記載の発明において、上記転写板は導電性金属からなり、上記転写板に通電して上記導電層を形成することを特徴とするものである。

本発明によれば、配線層と絶縁層との密着性を十分に高めることができる多層配線基板及びそれぞれの製造方法を提供することができる。

以下、図１〜図８に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
第１の実施形態
本実施形態の多層配線基板１０は、例えば図１の（ａ）に示すように、交互に積層された複数の絶縁層１１及び複数の配線層１２と、上下の配線層１２を所定のパターンで電気的に接続するビアホール導体１３と、を備えて構成されている。複数の絶縁層１１は、最下層の第１の絶縁層１１Ａと、中間の第２の絶縁層１１Ｂと、最上層の第３の絶縁層１１Ｃとの三層からなり、いずれも樹脂によって形成されている。

複数の配線層１２は、第１の絶縁層１１Ａの下面に所定のパターンで形成された第１の配線層１２Ａと、第１の絶縁層１１Ａと第２の絶縁層１１Ｂの界面に所定のパターンで形成された第２の配線層１２Ｂと、第２の絶縁層１１Ｂと第３の絶縁層１１Ｃの界面に所定のパターンで形成された第３の配線層１２Ｃと、第３の絶縁層１１Ｃの上面に所定のパターンで形成された第４の配線層１２Ｄと、を有している。

また、ビアホール導体１３は、第１の配線層１２Ａと第２の配線層１２Ｂを電気的に接続する第１のビアホール導体１３Ａと、第２の配線層１２Ｂと第３の配線層１２Ｃを電気的に接続する第２のビアホール導体１３Ｂと、第３の配線層１２Ｃと第４の配線層１２Ｄを電気的に接続する第３のビアホール導体１３Ｃと、を有し、ビアホール導体１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃがそれぞれ所定のパターンで配置されている。

而して、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄは、図１の（ａ）に示すように、第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃ内でそれぞれの両側面から側方（水平方向）へ突出する突出部１２Ｅ、１２Ｅを有し、それぞれの断面がＴ字状に形成されている。突出部１２Ｅは、片方の側面のみから突出するＬ字状に形成されていても良い。断面がＴ字状を呈する第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄは、それぞれの突出部１２Ｅ、１２Ｅが第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃの内部に食い込んで埋設されているため、それぞれの突出部１２Ｅ、１２Ｅによって十分なアンカー効果を得ることができ、第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃとの密着強度、即ちピール強度を格段に向上させることができる。本実施形態では突出部１２Ｅの断面が矩形状（板状）になっているが、突出部１２Ｅの断面形状は第１、第３の配線層１１Ａ、１１Ｃの側面から側方へ突出するものであれば、矩形状に制限されるものではなく、三角形状、半円状等の他の形状であっても良い。

第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄは、図１の（ａ）に示すように、それぞれの第１の主面が第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃから外部に所定のパターンで露出している。第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄの第１の主面には粗面１２Ｆ、１２Ｆが形成され、それぞれの粗面１２Ｆ、１２Ｆによって他の絶縁層との密着性を向上させるようにしてある。また、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄの一部には例えば種々の表面実装部品を実装する複数の電極部が形成されている。これらの電極部に表面実装部品が実装されている場合には、表面実装部品に外力が作用しても第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄは、それぞれの突出部１２Ｅのアンカー効果で第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃと強固に密着しているため、それぞれの絶縁層１１Ａ、１１Ｃから剥離することがない。

突出部１２ＥがＴ字状の配線層１２の場合には、例えば図１の（ｂ）に示すように、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄの厚みｔは例えば３０〜７０μｍの範囲が好ましく、突出部１２Ｅの厚みｔ１が例えば１５〜３０μｍの範囲が好ましく、突出部１２Ｅからの下の部分の厚みｔ２が例えば１５〜４０μｍの範囲が好ましい。また、左右の突出部１２Ｅを合わせたＴ字状の部分の線幅ｗは例えば１００〜３００μｍの範囲が好ましく、Ｔ字状の下側の側面間の幅ｗ１は例えば５０〜１５０μｍの範囲が好ましい。具体的には、ｔ＝５０μｍ、ｔ１＝２０μｍ、ｔ２＝３５μｍであり、ｗ＝１００μｍ、ｗ１＝５０μｍである。ｗとｗ１の差が２５μｍ以上あれば、十分なアンカー効果を得ることができる。この時の第１の絶縁層１１Ａの厚みＴは２００μｍである。

第１の絶縁層１１Ａ及び第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂは、後述するように上面が粗面化された転写板上に順次積層してビアホール導体１３Ａと一体になるように形成され、転写板を剥離することで第１の絶縁層１１Ａ及び第１の配線層１２Ａの露出面が粗面１１Ｄ、１２Ｆとして粗面化された状態になる。後述する製造工程では便宜上、これを第１の要素基板と称する。第３の絶縁層１１Ｃ及び第４、第３の配線層１２Ｄ、１２Ｃも第１の絶縁層１１Ａ及び第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂと同一要領で粗面化された転写板上に順次積層してビアホール導体１３Ｃと一体に第３の要素基板として形成される。このように第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄの第１の主面を粗面化することで、これらの粗面１２Ｆが後で他の絶縁層を積層する場合にアンカー効果を発揮する。第２、第３の配線層１２Ｂ、１２Ｃは、それぞれの片面が粗面化され、粗面のアンカー効果で第２の絶縁層１１Ｂとの密着強度を高めている。尚、第２、第３の配線層１２Ｂ、１２Ｃは、例えばサンドブラスト処理等によって両面を粗面化することでそれぞれの上下の絶縁層との密着強度を更に高めることができる。また、第２の絶縁層１１Ｂは、第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃとは別の手法でビアホール導体１３Ｂと一体に第２の要素基板として形成され、第１の絶縁層１１Ａと第３の絶縁層１１Ｃとを接着する機能を有している。

絶縁層１１の材料は、絶縁性材料であれば特に制限されないが、例えば樹脂単独または樹脂と無機フィラーとの混合樹脂組成物が好ましい。本実施形態の絶縁層１１に用いられる樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましい。また、混合樹脂組成物に含まれる無機フィラーとしては、例えばガラスクロスやアルミナ、シリカ等が好ましい。本実施形態では樹脂層１１として混合樹脂組成物（プリプレグ）を用いている。

配線層１２の材料は、導電性金属であれば特に制限されないが、例えばＣｕ、Ｎｉ、Ｓｎ等の金属が好ましい。本実施形態では、配線層１２は銅によって形成されている。配線層１２のうち、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄはそれぞれ例えば電解メッキ銅によって形成され、第２、第３の配線層１２Ｂ、１２Ｃは例えば銅箔によってそれぞれ形成されている。また、第１、第２、第３のビアホール導体１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃは、いずれも導電性ペーストを硬化させた導電性樹脂によって形成されている。導電性ペーストは、例えば金属粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性樹脂組成物である。金属粒子としては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉ等の金属を用いることができ、熱硬化性樹脂としては、絶縁層と同様に、例えばエポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。

次いで、図１の（ａ）に示す多層配線基板１０の製造方法について、図２〜図４を参照しながら説明する。本実施形態では上述のように第１、第２、第３の要素基板がそれぞれ個別に形成される。例えばまず、図２の（ａ）に示すように上面が粗面化された導電性の転写板２０を用意する。本実施形態ではステンレス製の転写板２０を用意した。この転写板２０の粗面２０Ａ上にレジスト層３０を形成した後、フォトリソグラフィー技術を用い、同図の（ｂ）に示すように所定のパターンからなる孔４０Ａを有するフォトマスク４０を介してレジスト層３０の上面に紫外線光Ｌを照射し、同図の（ｃ）に示すように所定のパターンを有する第１のレジスト層３０Ａを形成する。次いで、転写板２０の上面に別のレジスト層を形成した後、同図の（ｄ）に示すように第１のレジスト層３０Ａと同一要領で第１のレジスト層３０Ａの上面に第２のレジスト層３１Ａを第１のレジスト層３０Ａに従って縮小形成する。第２のレジスト層３１Ａは、第１のレジスト層３０Ａを縮小して形成されているため、同図の（ｄ）に示すように第１のレジスト層３０Ａよりも面積が小さく、第１のレジスト層３０Ａの上面の内に納まる大きさ（線幅）に形成されている。

然る後、第１、第２のレジスト層３０Ａ、３１Ａの隙間（第１、第２のレジスト層が形成されていない領域）に第１の配線層１２Ａとなる導電層を形成する。即ち、図２の（ｅ）に示すようにステンレス製の転写板２０に通電しながら転写板２０の上面に電解メッキ銅を施し、第１、第２のレジスト層３０Ａ、３１Ａの隙間を電解メッキ銅で埋めて導電層１１２Ａを形成する。この導電層１１２Ａは第１のレジスト層３０Ａの厚みと第２のレジスト層３１Ａの厚みを加算した厚み以下の高さで、その上面が第２のレジスト層３１Ａの上面を超えないように形成されている。これにより第２のレジスト層１１２Ａが隣接する導電層（電極）１１２Ａ間の短絡を防止する機能を発揮する。その後、同図の（ｆ）に示すように第１、第２のレジスト層３０Ａ、３１Ａを除去して断面がＴ字状の導電層１１２Ａを形成した後、同図の（ｇ）に示すように上面に銅箔１１２Ｂが施された半硬化状態のプリプレグ層１１１Ａを転写板２０上に押圧する。粗面化された転写板２０上に配線層１２Ａとなる導電層１１２Ａが形成されているため、転写板２０と導電層１１２Ａとの密着性が良く、導電層１１２Ａをプリプレグ層１１１Ａに埋設する際に位置ズレを抑制できる。そして、プリプレグ層１１１Ａから転写板２０を剥離した後、図３に示すようにプリプレグ層１１１Ａを硬化させて第１の絶縁層１１Ａを形成する。これにより、第１の絶縁層１１Ａ及び配線層１２Ａの第１の主面に転写板２０の粗面２０Ａが転写されて、粗面１１Ｄ、１２Ｆが形成される。同図の（ｇ）では銅箔１１２Ｂの上面は、粗面化処理により微小な凹凸構造を有している。

次に、第１の絶縁層１１Ａ内にビアホール導体１１３Ａを形成する。即ち、図３の（ａ）に示すように絶縁層１１Ａ、配線層１２Ａ及び銅箔１１２Ｂからなる基板を用意する。そして、リソグラフィー技術を用いて銅箔１１２Ｂを所定のパターンでエッチングしてビアホール用の孔Ｈを形成した後、例えばＣＯ_２レーザーを照射して、同図の（ｂ）に示すように銅箔１１２Ａの孔Ｈに該当する部分にビアホール１１３’Ａを形成する。引き続き、同図の（ｃ）に示すようにビアホール１１３’Ａに導電性ペーストを充填し硬化させてビアホール導体１３Ａを形成した後、同図の（ｄ）に示すように銅箔１１２Ｂ及びビアホール導体１３Ａの上面に銅メッキ膜１１２’Ｂを形成する。更に、同図の（ｅ）に示すように銅メッキ膜１１２’Ｂ及び銅箔１１２Ｂを所定のパターンでエッチングして配線層１２Ｂを形成する。この際、図示してないが、銅メッキ膜１１２’Ｂの上面に粗面化処理を施している。図２、図３に示す工程により第１の要素基板が形成される。本実施形態ではレーザーとしてＣＯ_２レーザーを用いているが、それ以外にもＹＡＧレーザー、エキシマレーザー、紫外線レーザーを用いることができる。

その後、第１の要素基板と同一要領で第３の要素基板を作製すると共に、第２の要素基板を作製する。第２の要素基板を作製する場合には、例えばＰＥＴフィルム等の支持体上にプリプレグを塗布し、半硬化状態のプリプレグシートを作製する。そして、プリプレグシートに所定のパターンでビアホールを形成した後、ビアホール内に導電性ペーストを充填して図４の（ａ）に示すように所定のパターンで配置されたビアホール導体１３Ｂを有するプリプレグシート１１１Ｂを作製する。そして、例えば図４の（ａ）に矢印で示すように第３の要素基板にプリプレグシート１１１Ｂを貼り付けた後、第１の要素基板をプリプレグシート１１１Ｂに貼り付ける。そして、第１の要素基板と第３の要素基板を、プリプレグシート１１１Ｂを介して接着した後、プリプレグシート１１１Ｂを本硬化すると、プリプレグシート１１１Ｂが第２の絶縁層１１Ｂとなって、同図の（ｂ）に示すように第１の要素基板と第３の要素基板が第２の要素基板を介して一体化した多層配線基板１０を得ることができる。第１の要素基板と第２の要素基板は、第２の配線層１１２Ｂの粗面を介して接合されているため、密着性が良く剥離し難くなっている。第３の要素基板と第２の要素基板は、第３の配線層１１２Ｃの粗面を介して剥離し難くなっている。

本実施形態では、断面がＴ字状に形成された第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄについて説明したが、図５の（ａ）に示すように突出部１２Ｅが第１、第２の配線層１２、１２Ｄの側面の上下両端の間に形成されたものであっても良く、また、同図の（ｂ）に示すように突出部１２Ｅが上下二段あるいはそれ以上の段数に渡って形成されたものであっても良い。本実施形態では第１のレジスト層３０Ａ及び第２のレジスト層３１Ａのみを形成し、Ｔ字状の配線層１２Ａ、１２Ｄを形成したが、その他の形状の配線層を形成する際には、例えば第１のレジスト３０Ａと第２のレジスト層３１Ａとの間や第２のレジスト層３１Ａ上に、第３のレジスト層を形成しても良い。そして、電解メッキにより配線層を形成する場合には、複数のレジスト層の厚みを加算した厚み以下の高さで形成すると、短絡を防止することができる。また、図５の（ａ）、（ｂ）に示すように配線層の側面に複数段に渡って突出部を有する多層配線基板を作製する場合には、第２のレジスト層が第１のレジスト層の面積より小さい関係を維持しつつ、第１、第２のレジスト層をこの順序で順次積層形成することによって配線層の側面に一つあるいは二つ以上の突出部を間欠的に有する多層配線基板を作製することができる。

また、本実施形態では、第１、第２、第３のビアホール導体１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃは、いずれも導電性樹脂によって形成されたものついて説明したが、図６に示すように第１、第３のビアホール導体１３Ａ、１３Ｃをメッキ銅によって形成し、第２のビアホール導体１３Ｂを導電性樹脂によって形成しても良い。例えば第１のビアホール導体１３Ａは、ビアホールの側壁に無電解メッキ層１３Ａ’を形成した後、その表面に電解メッキ層１３Ａ”を形成することによって形成することができる。第３のビアホール導体１３Ｃも第１のビアホール導体１３Ａと同一要領で形成することができる。

以上説明したように本実施形態によれば、交互に積層された絶縁層１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ及び配線層１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄと、第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂを接続する第１のビアホール導体１３Ａ、第２、第３の配線層１２Ｂ、１２Ｃを接続する第２のビアホール導体１３Ｂ及び第３、第４の配線層１２Ｃ、１２Ｄを接続する第３のビアホール導体１３Ｃと、を備え、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄは、それぞれ第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃ内の側面から側方に突出する突出部１２Ｅ、１２Ｅを有するため、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄが第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃと突出部１２Ｅ、１２Ｅを介して強固に密着し、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄに上下方向の引っ張り力が作用してもそれぞれの突出部１２Ｅ、１２Ｅのアンカー効果により第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄがそれぞれの絶縁層１１Ａ、１１Ｃから剥離することがない。

また、本実施形態によれば、突出部１２Ｅを有する第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄは、それぞれ断面がＴ字状であるため、第１、第３の絶縁層１１、１１Ｃに対するアンカー効果が大きくなり、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄの絶縁層１１Ａ、１１Ｃからの剥離をより確実に防止することができる。また、突出部１２Ｅを有する第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄは、それぞれの第１の主面が他の絶縁層と接していない配線層で第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃの表面から外部に露呈しているため、例えば表面実装部品等を介して第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄが剥離する外力を受けることがあっても、第１、第４の配線層１２Ａ、１２Ｄは、いずれも突出部１２Ｅ、１２Ｅによって第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃ内に係止されて第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃとの密着強度が高く、第１、第３の絶縁層１１Ａ、１１Ｃから剥離することがない。

また、本実施形態の多層配線基板の製造方法によれば、例えば、転写板２０上に第１のレジスト層３０Ａを所定のパターンで形成する工程と、第１のレジスト層３０Ａ上に第２のレジスト層３１Ａを所定のパターンで積層する工程と、転写板２０上の第１、第２のレジスト層３０Ａ、３１Ａの隙間に導電層１１２Ａを形成する工程と、転写板２０から第１、第２のレジスト層３０Ａ、３１Ａを除去する工程と、導電層１１２Ａを転写板２０から第１の絶縁層１１Ａに第１の配線層１２Ａとして転写する工程と、を備え、第２のレジスト層３１Ａの面積は、第１のレジスト層３１Ａの面積より小さいため、第１の絶縁層１１Ａ内で側面から側方へ突出する突出部１２Ｅを有する、断面がＴ字状の第１の配線層１２Ａを形成することができる。

第２の実施形態
本実施形態では、図７及び図８に基づいて第１の実施形態と同一または相当部分には同一部号を付して、本実施形態の特徴を中心に説明する。本実施形態の多層配線基板１０Ａは、例えば図７に示すように断面Ｔ字状の配線層を備え、配線層の第１の主面とその反対側の第２の主面の双方に粗面化処理が施されている点に特徴がある。

即ち、本実施形態の多層配線基板１０Ａは、図７に示すように、絶縁層１１と、絶縁層１１の上下両面に形成された第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂと、を備え、第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂは図示しないビアホール導体によって電気的に接続されている。この多層配線基板１０Ａの上下両面に更に他の絶縁層及び配線層を交互に積層できるように構成されている。第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂは、それぞれ第１の実施形態と同様に断面がＴ字状に形成されている。第１の実施形態と同様に第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂの絶縁層１１から外部に露呈する第１の主面には粗面１２Ｆ、１２Ｆがそれぞれ形成され、それぞれ粗面１２Ｆ、１２Ｆが絶縁層１１の上下両面の粗面１１Ｄ、１１Ｄと一体に形成されている。また、第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂの絶縁層１１内にある第２の主面には粗面１２Ｇ、１２Ｇがそれぞれ形成され、これらの粗面１２Ｇ、１２Ｇはそれぞれの突出部１２Ｅ、１２Ｅと相俟って絶縁層１１との密着強度を第１の実施形態の場合よりも更に高めている。

次に、図８を参照しながら多層配線基板１０Ａの製造方法について説明する。まず、図８の（ａ）に示すように、図２の（ａ）〜（ｅ）に示す工程を経て形成されたステンレス製の転写板２０上に第１、第２のレジスト層３０Ａ、３１Ａ及び導電層１１２Ａが形成された基板を用意する。そして、同図の（ｂ）に示すように第２のレジスト層３１Ａ及び導電層１１２Ａの上面をサンドブラスト処理等の公知の手法で粗面化して粗面３１Ｂ及び１１２Ｇを形成する。次いで、同図の（ｃ）に示すように第１、第２のレジスト層３０Ａ、３１Ａを除去し、転写板２０上に第１の配線層１２Ａを形成する。同様の手法によって転写板２０上に第２の配線層１２Ｂを形成する。引き続き、同図の（ｄ）に示すように半硬化状態のシート状のプリプレグ１１の両面から転写板２０の第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂをプリプレグ１１へ転写した後、上下の転写板２０をプリプレグ１１から剥離し、硬化させると、図７に示す断面がＴ字状を呈する第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂを有する多層配線基板１０Ａが得られる。また、第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂの第１の主面には粗面１２Ｆ、１２Ｆがそれぞれ形成され、第２の主面には粗面１２Ｇ、１２Ｇが形成されている。

以上説明したように本実施形態によれば、第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂは、絶縁層１１の内部にＴ字状を形成する突出部１２Ｅ、１２Ｅを有し、しかも絶縁層１１の内部の第２の主面が粗面１２Ｇ、１２Ｇとして形成されているため、第１の実施形態の場合よりも第１、第２の配線層１２Ａ、１２Ｂが絶縁層１１と強固に密着し、ピール強度を更に高めることができる。

尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。本発明の多層配線基板は、基本的には、交互に積層された絶縁層及び配線層と、上下の配線層を接続するビア導体と、を備え、少なくとも一つの配線層は、側面から積層方向と交差する方向に突出する突出部を絶縁層の内部に有するものであれば良い。突出部の形状や数は必要に応じて適宜設定することができる。突出部を有する配線層は、多層配線基板の内側の絶縁層及び最外層の絶縁層のいずれにも設けることができ、多層配線基板の上下両面から露出する面に配置することが好ましい。また、絶縁層は、樹脂層に制限されるものではなく、その他のセラミック層等の絶縁層であっても良い。

また、上記各実施形態では配線層１２の側面に一つあるいは二つの突出部１２Ｅを設け、突出部１２Ｅの突出量が同一である場合を例に挙げて説明したが（図５の（ｂ）参照）、突出部の突出量は必ずしも同一である必要はなく、突出量を必要に応じて規則的あるいはランダムに変えることができる。複数の突出部の突出量を変える場合には、第２のレジスト層の面積が第１のレジスト層の面積より小さい関係を維持し、且つ、第１、第２のレジスト層の面積を適宜変更しながら第１、第２のレジスト層をこの順序で順次積層することにより、突出量が規則的にあるいはランダムに変わる突出部を形成することができる。第１、第２のレジスト層を積層したレジスト積層体は、第１、第２のレジスト層がこの順序で積層されている限り、第１、第２のレジスト層のいずれが最上層であっても良い。

本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信装置や電子機器に用いられる多層配線基板及びその製造方法に好適に用いることができる。

（ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の多層配線基板の一実施形態を示す図で、（ａ）はその全体を示す断面図、（ｂ）は配線層及び絶縁層の寸法の説明図である。 （ａ）〜（ｇ）はそれぞれ図１に示す多層配線基板の製造方法の一実施形態の工程を示す断面図である。 （ａ）〜（ｅ）はそれぞれ図２に続く工程を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ図３に続く工程を示す断面図である。 （ａ）、（ｂ）はそれぞれ本発明の多層配線基板の他の実施形態の配線層を示す断面図である。 本発明の多層配線基板の更に他の実施形態のビアホール導体を形成する工程を示す断面図である。 本発明の多層配線基板の更に他の実施形態を示す断面図である。 （ａ）〜（ｄ）はそれぞれ図７に示す多層配線基板の製造方法の一実施形態に固有の工程を示す断面図である。

符号の説明

１０、１０Ａ 多層配線基板
１１、１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ 絶縁層
１２、１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、１２Ｄ 配線層
１２Ｅ 突出部
１２Ｆ 粗面
１３、１３Ａ，１３Ｂ，１３Ｃ ビアホール導体
１１１Ａ、１１１Ｂ、１１１Ｃ プリプレグ
１１２Ａ、１１２Ｂ、１１２Ｃ、１１２Ｄ 導電層

Claims (8)

1. 交互に積層された絶縁層及び配線層と、上下の配線層を接続するビアホール導体と、を備え、少なくとも一つの上記配線層は、上記絶縁層内の側面から側方へ突出する突出部を有することを特徴とする多層配線基板。
2. 上記突出部を有する上記配線層は、断面がＴ字状であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
3. 上記突出部を有する上記配線層は、第１の主面が他の絶縁層と接しない配線層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層配線基板。
4. 上記突出部を有する上記配線層は、上記絶縁層内の第２の主面が粗面を有することを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の多層配線基板。
5. 転写板上に第１のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、
   上記第１のレジスト層上に第２のレジスト層を所定のパターンで形成して、第１、第２のレジスト層がこの順序で少なくとも一層ずつ積層されたレジスト積層体を形成する工程と、
   上記転写板上の上記レジスト積層体が形成されていない領域に、上記レジスト積層体の最上層の直下のレジスト層までの厚み以上で且つ上記積層体の厚み以下になるように、電解メッキで導電層を形成する工程と、
   上記転写板から上記第１、第２のレジスト層を除去する工程と、
   上記導電層を上記転写板から絶縁層に配線層として転写する工程と、を備え、
   上記第２のレジスト層の面積は、上記第１のレジスト層の面積より小さく、且つ、第１、第２のレジスト層は、それぞれの面積が調整可能である
   ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
6. 転写板上に第１のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、
   上記第１のレジスト層上に第２のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、
   上記転写板上の上記第１、第２のレジスト層が形成されていない領域に、上記第１のレジストの厚み以上で且つ第１、第２のレジスト層からなる積層体の厚み以下になるように、電解メッキで導電層を形成する工程と、
   上記転写板から上記第１、第２のレジスト層を除去する工程と、
   上記導電層を上記転写板から絶縁層に配線層として転写する工程と、を備え、
   上記第２のレジスト層の面積は、上記第１のレジスト層の面積より小さい
   ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
7. 上記転写板の上面が粗面化されていることを特徴とする請求項５または請求項６に記載の多層配線基板の製造方法。
8. 上記転写板は導電性金属からなり、上記転写板に通電して上記導電層を形成することを特徴とする請求項５〜請求項７のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。

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