JP2008140902A - Multilayer printed circuit board and manufacturing method thereof - Google Patents

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JP2008140902A JP2006324360A JP2006324360A JP2008140902A JP 2008140902 A JP2008140902 A JP 2008140902A JP 2006324360 A JP2006324360 A JP 2006324360A JP 2006324360 A JP2006324360 A JP 2006324360A JP 2008140902 A JP2008140902 A JP 2008140902A
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Makoto Kawagishi
誠 河岸
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer printed circuit board of which adhesion between a circuit layer and an insulating layer is sufficiently improved. <P>SOLUTION: The multilayer wiring circuit board 10 includes first, second, and third insulating layers 11A, 11B, and 11C and circuit layers 12A, 12B, 12C, and 12D stacked alternately, and first via hole conductor 13A for connecting the first and second circuit layers 12A and 12B, second via hole conductor 13B for connecting the second and third circuit layers 12B and 12C, and a third via hole conductor 13C for connecting the third and fourth circuit layers 12C and 12D. The first and fourth circuit layers 12A and 12D has protrusions 12E and 12E protruding sideways from the side surfaces in the first and third insulating layers 11A and 11C. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、絶縁層及び配線層を有する多層配線基板及びその製造方法に関し、更に詳しくは、絶縁層と配線層の密着性を向上させることができる多層配線基板及びその製造方法に関するものである。   The present invention relates to a multilayer wiring board having an insulating layer and a wiring layer and a method for manufacturing the same, and more particularly to a multilayer wiring board capable of improving the adhesion between the insulating layer and the wiring layer and a method for manufacturing the same.

従来のこの種の多層配線基板としては、例えばプリント配線基板が汎用されている。プリント配線基板の配線パターンは、主としてエッチングを用いるサブトラクティブ法や電解メッキを用いるアディティブ法の二種類の手法によって形成される。プリント配線基板の薄型化、微細配線化が進行する中、絶縁層のみでなく配線層の厚みも薄型化しているため、樹脂層と配線層のピール強度を確保することが重要視されている。基本的な対策としては、サブトラクティブ法では銅箔表面の粗面化によりアンカー効果を得ており、アディティブ法では転写法を用いて樹脂内への電極の埋め込み等の種々の方策が採られている。   As this type of conventional multilayer wiring board, for example, a printed wiring board is widely used. The wiring pattern of the printed wiring board is formed mainly by two kinds of methods, a subtractive method using etching and an additive method using electrolytic plating. As the printed wiring board becomes thinner and finer, not only the insulating layer but also the wiring layer is made thinner, and therefore, it is important to ensure the peel strength between the resin layer and the wiring layer. As a basic measure, the subtractive method obtains an anchor effect by roughening the copper foil surface, and the additive method uses various methods such as embedding electrodes in the resin using the transfer method. Yes.

特許文献1には回路パターンに銅箔を用いる多層配線板の製造方法が提案されている。特許文献1の技術では、絶縁基板と表面の銅から構成される内層材の銅の表面をプラズマ等の電離気体で処理することによって粗面化する。そして、内層材表面の銅は粗面化の前あるいは後で回路パターンとして形成され、この回路パターンに絶縁層及び配線層を積層形成することにより多層配線板を製造している。回路パターンは粗面化しているため、回路パターンのアンカー効果により内層材と絶縁層とが密着する。   Patent Document 1 proposes a method for manufacturing a multilayer wiring board using a copper foil as a circuit pattern. In the technique of Patent Document 1, the surface of copper, which is an inner layer material composed of an insulating substrate and copper on the surface, is roughened by treating it with an ionized gas such as plasma. Then, copper on the surface of the inner layer material is formed as a circuit pattern before or after roughening, and a multilayer wiring board is manufactured by laminating an insulating layer and a wiring layer on this circuit pattern. Since the circuit pattern is roughened, the inner layer material and the insulating layer are in close contact due to the anchor effect of the circuit pattern.

特開平06−132654JP 06-132654 A

しかしながら、特許文献1に記載の多層配線板では、内層材と絶縁層は、内層材の回路パターン表面の微細な凹凸構造によるアンカー効果で密着しているに過ぎないため、アンカー効果が十分でなく、密着強度が十分でなく内層材から絶縁層が剥離する虞がある。   However, in the multilayer wiring board described in Patent Document 1, since the inner layer material and the insulating layer are only in close contact with each other by the anchor effect due to the fine uneven structure on the surface of the circuit pattern of the inner layer material, the anchor effect is not sufficient. The adhesion strength is not sufficient, and the insulating layer may peel off from the inner layer material.

本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、配線層と絶縁層との密着強度を十分に高めることができる多層配線基板及びそれぞれの製造方法を提供することを目的としている。   The present invention has been made in order to solve the above-described problems, and an object of the present invention is to provide a multilayer wiring board capable of sufficiently increasing the adhesion strength between the wiring layer and the insulating layer, and a method for manufacturing the same.

本発明の請求項1に記載の多層配線基板は、交互に積層された絶縁層及び配線層と、上下の配線層を接続するビアホール導体と、を備え、少なくとも一つの上記配線層は、上記絶縁層内の側面から側方へ突出する突出部を有することを特徴とするものである。   A multilayer wiring board according to claim 1 of the present invention includes insulating layers and wiring layers that are alternately stacked, and via-hole conductors that connect upper and lower wiring layers, and at least one of the wiring layers includes the insulating layer. It has the protrusion part which protrudes from the side surface in a layer to the side.

また、本発明の請求項2に記載の多層配線基板は、請求項1に記載の発明において、上記突出部を有する上記配線層は、その断面がT字状であることを特徴とするものである。   A multilayer wiring board according to a second aspect of the present invention is the multilayer wiring board according to the first aspect, wherein the wiring layer having the protruding portion has a T-shaped cross section. is there.

また、本発明の請求項3に記載の多層配線基板は、請求項1または請求項2に記載の発明において、上記突出部を有する上記配線層は、第1の主面が上記他の絶縁層と接しない配線層であることを特徴とするものである。   According to a third aspect of the present invention, in the multilayer wiring board according to the first or second aspect, the wiring layer having the projecting portion has a first main surface as the other insulating layer. The wiring layer is not in contact with the wiring layer.

また、本発明の請求項4に記載の多層配線基板は、請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の発明において、上記突出部を有する上記配線層は、上記絶縁層内の第2の主面が粗面を有することを特徴とするものである。   According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the multilayer wiring board according to any one of the first to third aspects, wherein the wiring layer having the projecting portion is the first in the insulating layer. The main surface of 2 has a rough surface.

また、本発明の請求項5に記載の多層配線基板の製造方法は、転写板上に第1のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、上記第1のレジスト層上に第2のレジスト層を所定のパターンで形成して、第1、第2のレジスト層がこの順序で少なくとも一層ずつ積層されたレジスト積層体を形成する工程と、上記転写板上の上記レジスト積層体が形成されていない領域に、上記レジスト積層体の最上層の直下のレジスト層までの厚み以上で且つ上記積層体の厚み以下になるように、電解メッキで導電層を形成する工程と、上記転写板から上記第1、第2のレジスト層を除去する工程と、上記導電層を上記転写板から絶縁層に配線層として転写する工程と、を備え、上記第2のレジスト層の面積は、上記第1のレジスト層の面積より小さく、且つ、第1、第2のレジスト層は、それぞれの面積が調整可能であることを特徴とするものである。   According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a multilayer wiring board comprising: forming a first resist layer in a predetermined pattern on a transfer plate; and a second resist on the first resist layer. Forming a layer having a predetermined pattern, forming a resist laminate in which at least one first and second resist layers are laminated in this order, and forming the resist laminate on the transfer plate. Forming a conductive layer by electroplating in a region where there is not more than the thickness of the resist layer directly below the uppermost layer of the resist laminate and not more than the thickness of the laminate; And a step of removing the second resist layer and a step of transferring the conductive layer from the transfer plate to the insulating layer as a wiring layer. The area of the second resist layer is the first resist layer. Smaller than the area of the layer, One, the first, second resist layer is one in which each of the areas is equal to or is adjustable.

また、本発明の請求項6に記載の多層配線基板の製造方法は、転写板上に第1のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、上記第1のレジスト層上に第2のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、上記転写板上の上記第1、第2のレジスト層が形成されていない領域に、上記第1のレジストの厚み以上で且つ第1、第2のレジスト層からなる積層体の厚み以下になるように、電解メッキで導電層を形成する工程と、上記転写板から上記第1、第2のレジスト層を除去する工程と、上記導電層を上記転写板から絶縁層に配線層として転写する工程と、を備え、上記第2のレジスト層の面積は、上記第1のレジスト層の面積より小さいことを特徴とするものである。   According to a sixth aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a multilayer wiring board comprising: forming a first resist layer in a predetermined pattern on a transfer plate; and a second resist on the first resist layer. Forming a layer in a predetermined pattern, and in the region where the first and second resist layers are not formed on the transfer plate, the first and second resists have a thickness equal to or greater than the thickness of the first resist. A step of forming a conductive layer by electroplating so as to be equal to or less than the thickness of the laminate composed of layers, a step of removing the first and second resist layers from the transfer plate, and a step of removing the conductive layer from the transfer plate. And transferring to the insulating layer as a wiring layer, wherein the area of the second resist layer is smaller than the area of the first resist layer.

また、本発明の請求項7に記載の多層配線基板の製造方法は、請求項5または請求項6に記載の発明において、上記転写板の上面が粗面化されていることを特徴とするものである。   According to a seventh aspect of the present invention, there is provided the multilayer wiring board manufacturing method according to the fifth or sixth aspect, wherein the upper surface of the transfer plate is roughened. It is.

また、本発明の請求項8に記載の多層配線基板の製造方法は、請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の発明において、上記転写板は導電性金属からなり、上記転写板に通電して上記導電層を形成することを特徴とするものである。   Further, in the method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 8 of the present invention, in the invention according to any one of claims 5 to 7, the transfer plate is made of a conductive metal, and the transfer plate The conductive layer is formed by energizing the substrate.

本発明によれば、配線層と絶縁層との密着性を十分に高めることができる多層配線基板及びそれぞれの製造方法を提供することができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the multilayer wiring board which can fully improve the adhesiveness of a wiring layer and an insulating layer, and each manufacturing method can be provided.

以下、図1〜図8に示す実施形態に基づいて本発明を説明する。
第1の実施形態
本実施形態の多層配線基板10は、例えば図1の(a)に示すように、交互に積層された複数の絶縁層11及び複数の配線層12と、上下の配線層12を所定のパターンで電気的に接続するビアホール導体13と、を備えて構成されている。複数の絶縁層11は、最下層の第1の絶縁層11Aと、中間の第2の絶縁層11Bと、最上層の第3の絶縁層11Cとの三層からなり、いずれも樹脂によって形成されている。
Hereinafter, the present invention will be described based on the embodiment shown in FIGS.
First Embodiment A multilayer wiring board 10 of this embodiment includes, for example, a plurality of insulating layers 11 and a plurality of wiring layers 12 that are alternately stacked, and upper and lower wiring layers 12 as shown in FIG. And via-hole conductors 13 that are electrically connected in a predetermined pattern. The plurality of insulating layers 11 are composed of three layers of a lowermost first insulating layer 11A, an intermediate second insulating layer 11B, and an uppermost third insulating layer 11C, all of which are made of resin. ing.

複数の配線層12は、第1の絶縁層11Aの下面に所定のパターンで形成された第1の配線層12Aと、第1の絶縁層11Aと第2の絶縁層11Bの界面に所定のパターンで形成された第2の配線層12Bと、第2の絶縁層11Bと第3の絶縁層11Cの界面に所定のパターンで形成された第3の配線層12Cと、第3の絶縁層11Cの上面に所定のパターンで形成された第4の配線層12Dと、を有している。   The plurality of wiring layers 12 include a first wiring layer 12A formed in a predetermined pattern on the lower surface of the first insulating layer 11A, and a predetermined pattern on the interface between the first insulating layer 11A and the second insulating layer 11B. Of the second wiring layer 12B formed in the above, the third wiring layer 12C formed in a predetermined pattern at the interface between the second insulating layer 11B and the third insulating layer 11C, and the third insulating layer 11C. And a fourth wiring layer 12D formed in a predetermined pattern on the upper surface.

また、ビアホール導体13は、第1の配線層12Aと第2の配線層12Bを電気的に接続する第1のビアホール導体13Aと、第2の配線層12Bと第3の配線層12Cを電気的に接続する第2のビアホール導体13Bと、第3の配線層12Cと第4の配線層12Dを電気的に接続する第3のビアホール導体13Cと、を有し、ビアホール導体13A、13B、13Cがそれぞれ所定のパターンで配置されている。   The via-hole conductor 13 electrically connects the first via-hole conductor 13A that electrically connects the first wiring layer 12A and the second wiring layer 12B, and the second wiring layer 12B and the third wiring layer 12C. A second via-hole conductor 13B connected to the third wiring layer 12C and a third via-hole conductor 13C electrically connecting the third wiring layer 12C and the fourth wiring layer 12D. The via-hole conductors 13A, 13B, 13C Each is arranged in a predetermined pattern.

而して、第1、第4の配線層12A、12Dは、図1の(a)に示すように、第1、第3の絶縁層11A、11C内でそれぞれの両側面から側方(水平方向)へ突出する突出部12E、12Eを有し、それぞれの断面がT字状に形成されている。突出部12Eは、片方の側面のみから突出するL字状に形成されていても良い。断面がT字状を呈する第1、第4の配線層12A、12Dは、それぞれの突出部12E、12Eが第1、第3の絶縁層11A、11Cの内部に食い込んで埋設されているため、それぞれの突出部12E、12Eによって十分なアンカー効果を得ることができ、第1、第3の絶縁層11A、11Cとの密着強度、即ちピール強度を格段に向上させることができる。本実施形態では突出部12Eの断面が矩形状(板状)になっているが、突出部12Eの断面形状は第1、第3の配線層11A、11Cの側面から側方へ突出するものであれば、矩形状に制限されるものではなく、三角形状、半円状等の他の形状であっても良い。   Thus, as shown in FIG. 1A, the first and fourth wiring layers 12A and 12D are laterally (horizontal) from both side surfaces in the first and third insulating layers 11A and 11C. Projecting portions 12E and 12E projecting in the direction), and each cross section is formed in a T-shape. The protruding portion 12E may be formed in an L shape protruding from only one side surface. Since the first and fourth wiring layers 12A and 12D having a T-shaped cross section are embedded in the protruding portions 12E and 12E in the first and third insulating layers 11A and 11C, A sufficient anchor effect can be obtained by the respective projecting portions 12E and 12E, and the adhesion strength with the first and third insulating layers 11A and 11C, that is, the peel strength can be significantly improved. In the present embodiment, the cross section of the protrusion 12E is rectangular (plate-like), but the cross section of the protrusion 12E protrudes from the side surfaces of the first and third wiring layers 11A and 11C to the side. As long as it is present, the shape is not limited to a rectangular shape, and may be another shape such as a triangular shape or a semicircular shape.

第1、第4の配線層12A、12Dは、図1の(a)に示すように、それぞれの第1の主面が第1、第3の絶縁層11A、11Cから外部に所定のパターンで露出している。第1、第4の配線層12A、12Dの第1の主面には粗面12F、12Fが形成され、それぞれの粗面12F、12Fによって他の絶縁層との密着性を向上させるようにしてある。また、第1、第4の配線層12A、12Dの一部には例えば種々の表面実装部品を実装する複数の電極部が形成されている。これらの電極部に表面実装部品が実装されている場合には、表面実装部品に外力が作用しても第1、第4の配線層12A、12Dは、それぞれの突出部12Eのアンカー効果で第1、第3の絶縁層11A、11Cと強固に密着しているため、それぞれの絶縁層11A、11Cから剥離することがない。   As shown in FIG. 1A, each of the first and fourth wiring layers 12A and 12D has a first main surface in a predetermined pattern from the first and third insulating layers 11A and 11C to the outside. Exposed. Rough surfaces 12F and 12F are formed on the first main surfaces of the first and fourth wiring layers 12A and 12D, and the respective rough surfaces 12F and 12F improve the adhesion to other insulating layers. is there. A plurality of electrode portions for mounting various surface mount components, for example, are formed on part of the first and fourth wiring layers 12A and 12D. When surface-mounted components are mounted on these electrode portions, the first and fourth wiring layers 12A and 12D are affected by the anchor effect of the protruding portions 12E even if an external force is applied to the surface-mounted components. Since the first and third insulating layers 11A and 11C are firmly adhered to each other, they are not peeled off from the respective insulating layers 11A and 11C.

突出部12EがT字状の配線層12の場合には、例えば図1の(b)に示すように、第1、第4の配線層12A、12Dの厚みtは例えば30〜70μmの範囲が好ましく、突出部12Eの厚みt1が例えば15〜30μmの範囲が好ましく、突出部12Eからの下の部分の厚みt2が例えば15〜40μmの範囲が好ましい。また、左右の突出部12Eを合わせたT字状の部分の線幅wは例えば100〜300μmの範囲が好ましく、T字状の下側の側面間の幅w1は例えば50〜150μmの範囲が好ましい。具体的には、t=50μm、t1=20μm、t2=35μmであり、w=100μm、w1=50μmである。wとw1の差が25μm以上あれば、十分なアンカー効果を得ることができる。この時の第1の絶縁層11Aの厚みTは200μmである。   When the protruding portion 12E is a T-shaped wiring layer 12, for example, as shown in FIG. 1B, the thickness t of the first and fourth wiring layers 12A and 12D is in the range of 30 to 70 μm, for example. Preferably, the thickness t1 of the protrusion 12E is preferably in the range of 15 to 30 μm, for example, and the thickness t2 of the lower part from the protrusion 12E is preferably in the range of 15 to 40 μm, for example. Further, the line width w of the T-shaped portion including the left and right protruding portions 12E is preferably in the range of 100 to 300 μm, for example, and the width w1 between the lower side surfaces of the T-shape is preferably in the range of 50 to 150 μm, for example. . Specifically, t = 50 μm, t1 = 20 μm, t2 = 35 μm, w = 100 μm, and w1 = 50 μm. If the difference between w and w1 is 25 μm or more, a sufficient anchor effect can be obtained. At this time, the thickness T of the first insulating layer 11A is 200 μm.

第1の絶縁層11A及び第1、第2の配線層12A、12Bは、後述するように上面が粗面化された転写板上に順次積層してビアホール導体13Aと一体になるように形成され、転写板を剥離することで第1の絶縁層11A及び第1の配線層12Aの露出面が粗面11D、12Fとして粗面化された状態になる。後述する製造工程では便宜上、これを第1の要素基板と称する。第3の絶縁層11C及び第4、第3の配線層12D、12Cも第1の絶縁層11A及び第1、第2の配線層12A、12Bと同一要領で粗面化された転写板上に順次積層してビアホール導体13Cと一体に第3の要素基板として形成される。このように第1、第4の配線層12A、12Dの第1の主面を粗面化することで、これらの粗面12Fが後で他の絶縁層を積層する場合にアンカー効果を発揮する。第2、第3の配線層12B、12Cは、それぞれの片面が粗面化され、粗面のアンカー効果で第2の絶縁層11Bとの密着強度を高めている。尚、第2、第3の配線層12B、12Cは、例えばサンドブラスト処理等によって両面を粗面化することでそれぞれの上下の絶縁層との密着強度を更に高めることができる。また、第2の絶縁層11Bは、第1、第3の絶縁層11A、11Cとは別の手法でビアホール導体13Bと一体に第2の要素基板として形成され、第1の絶縁層11Aと第3の絶縁層11Cとを接着する機能を有している。   The first insulating layer 11A and the first and second wiring layers 12A, 12B are formed so as to be integrated with the via-hole conductor 13A by sequentially laminating on a transfer plate whose upper surface is roughened as will be described later. The exposed surfaces of the first insulating layer 11A and the first wiring layer 12A are roughened as rough surfaces 11D and 12F by peeling the transfer plate. In the manufacturing process described later, for convenience, this is referred to as a first element substrate. The third insulating layer 11C and the fourth and third wiring layers 12D and 12C are also formed on the transfer plate roughened in the same manner as the first insulating layer 11A and the first and second wiring layers 12A and 12B. The third element substrate is formed by laminating sequentially and integrally with the via-hole conductor 13C. By roughening the first main surfaces of the first and fourth wiring layers 12A and 12D in this way, the rough surface 12F exhibits an anchor effect when another insulating layer is laminated later. . Each of the second and third wiring layers 12B and 12C is roughened, and the adhesion strength with the second insulating layer 11B is increased by the anchor effect of the rough surface. The second and third wiring layers 12B and 12C can further increase the adhesion strength between the upper and lower insulating layers by roughening both surfaces by, for example, sandblasting. The second insulating layer 11B is formed as a second element substrate integrally with the via-hole conductor 13B by a method different from the first and third insulating layers 11A and 11C. 3 of the insulating layer 11C.

絶縁層11の材料は、絶縁性材料であれば特に制限されないが、例えば樹脂単独または樹脂と無機フィラーとの混合樹脂組成物が好ましい。本実施形態の絶縁層11に用いられる樹脂としては、例えばエポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂が好ましい。また、混合樹脂組成物に含まれる無機フィラーとしては、例えばガラスクロスやアルミナ、シリカ等が好ましい。本実施形態では樹脂層11として混合樹脂組成物(プリプレグ)を用いている。   The material of the insulating layer 11 is not particularly limited as long as it is an insulating material. For example, a resin alone or a mixed resin composition of a resin and an inorganic filler is preferable. As resin used for the insulating layer 11 of this embodiment, thermosetting resins, such as an epoxy resin, a modified polyimide resin, a polyimide resin, a phenol resin, a bismaleimide triazine resin, are preferable, for example. Moreover, as an inorganic filler contained in a mixed resin composition, glass cloth, an alumina, a silica etc. are preferable, for example. In the present embodiment, a mixed resin composition (prepreg) is used as the resin layer 11.

配線層12の材料は、導電性金属であれば特に制限されないが、例えばCu、Ni、Sn等の金属が好ましい。本実施形態では、配線層12は銅によって形成されている。配線層12のうち、第1、第4の配線層12A、12Dはそれぞれ例えば電解メッキ銅によって形成され、第2、第3の配線層12B、12Cは例えば銅箔によってそれぞれ形成されている。また、第1、第2、第3のビアホール導体13A、13B、13Cは、いずれも導電性ペーストを硬化させた導電性樹脂によって形成されている。導電性ペーストは、例えば金属粒子と熱硬化性樹脂とを含む導電性樹脂組成物である。金属粒子としては、例えばAu、Ag、Cu、Ni等の金属を用いることができ、熱硬化性樹脂としては、絶縁層と同様に、例えばエポキシ樹脂、変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。   The material of the wiring layer 12 is not particularly limited as long as it is a conductive metal, but for example, a metal such as Cu, Ni, or Sn is preferable. In the present embodiment, the wiring layer 12 is made of copper. Of the wiring layer 12, the first and fourth wiring layers 12A and 12D are each formed of, for example, electrolytically plated copper, and the second and third wiring layers 12B and 12C are respectively formed of, for example, copper foil. The first, second, and third via hole conductors 13A, 13B, and 13C are all formed of a conductive resin obtained by curing a conductive paste. The conductive paste is a conductive resin composition containing, for example, metal particles and a thermosetting resin. As the metal particles, for example, metals such as Au, Ag, Cu, and Ni can be used, and as the thermosetting resin, for example, an epoxy resin, a modified polyimide resin, a polyimide resin, a phenol resin, a screw, and the like, as in the insulating layer. A thermosetting resin such as maleimide triazine resin can be used.

次いで、図1の(a)に示す多層配線基板10の製造方法について、図2〜図4を参照しながら説明する。本実施形態では上述のように第1、第2、第3の要素基板がそれぞれ個別に形成される。例えばまず、図2の(a)に示すように上面が粗面化された導電性の転写板20を用意する。本実施形態ではステンレス製の転写板20を用意した。この転写板20の粗面20A上にレジスト層30を形成した後、フォトリソグラフィー技術を用い、同図の(b)に示すように所定のパターンからなる孔40Aを有するフォトマスク40を介してレジスト層30の上面に紫外線光Lを照射し、同図の(c)に示すように所定のパターンを有する第1のレジスト層30Aを形成する。次いで、転写板20の上面に別のレジスト層を形成した後、同図の(d)に示すように第1のレジスト層30Aと同一要領で第1のレジスト層30Aの上面に第2のレジスト層31Aを第1のレジスト層30Aに従って縮小形成する。第2のレジスト層31Aは、第1のレジスト層30Aを縮小して形成されているため、同図の(d)に示すように第1のレジスト層30Aよりも面積が小さく、第1のレジスト層30Aの上面の内に納まる大きさ(線幅)に形成されている。   Next, a method for manufacturing the multilayer wiring board 10 shown in FIG. 1A will be described with reference to FIGS. In the present embodiment, the first, second, and third element substrates are individually formed as described above. For example, first, a conductive transfer plate 20 having a roughened upper surface as shown in FIG. In this embodiment, a stainless steel transfer plate 20 is prepared. After a resist layer 30 is formed on the rough surface 20A of the transfer plate 20, a resist is used through a photomask 40 having a hole 40A having a predetermined pattern as shown in FIG. The upper surface of the layer 30 is irradiated with ultraviolet light L to form a first resist layer 30A having a predetermined pattern as shown in FIG. Next, after another resist layer is formed on the upper surface of the transfer plate 20, a second resist is formed on the upper surface of the first resist layer 30A in the same manner as the first resist layer 30A as shown in FIG. The layer 31A is reduced and formed according to the first resist layer 30A. Since the second resist layer 31A is formed by reducing the first resist layer 30A, the area of the second resist layer 31A is smaller than that of the first resist layer 30A as shown in FIG. It is formed in a size (line width) that fits within the upper surface of the layer 30A.

然る後、第1、第2のレジスト層30A、31Aの隙間(第1、第2のレジスト層が形成されていない領域)に第1の配線層12Aとなる導電層を形成する。即ち、図2の(e)に示すようにステンレス製の転写板20に通電しながら転写板20の上面に電解メッキ銅を施し、第1、第2のレジスト層30A、31Aの隙間を電解メッキ銅で埋めて導電層112Aを形成する。この導電層112Aは第1のレジスト層30Aの厚みと第2のレジスト層31Aの厚みを加算した厚み以下の高さで、その上面が第2のレジスト層31Aの上面を超えないように形成されている。これにより第2のレジスト層112Aが隣接する導電層(電極)112A間の短絡を防止する機能を発揮する。その後、同図の(f)に示すように第1、第2のレジスト層30A、31Aを除去して断面がT字状の導電層112Aを形成した後、同図の(g)に示すように上面に銅箔112Bが施された半硬化状態のプリプレグ層111Aを転写板20上に押圧する。粗面化された転写板20上に配線層12Aとなる導電層112Aが形成されているため、転写板20と導電層112Aとの密着性が良く、導電層112Aをプリプレグ層111Aに埋設する際に位置ズレを抑制できる。そして、プリプレグ層111Aから転写板20を剥離した後、図3に示すようにプリプレグ層111Aを硬化させて第1の絶縁層11Aを形成する。これにより、第1の絶縁層11A及び配線層12Aの第1の主面に転写板20の粗面20Aが転写されて、粗面11D、12Fが形成される。同図の(g)では銅箔112Bの上面は、粗面化処理により微小な凹凸構造を有している。   Thereafter, a conductive layer to be the first wiring layer 12A is formed in the gap (region where the first and second resist layers are not formed) between the first and second resist layers 30A and 31A. That is, as shown in FIG. 2 (e), electrolytic plating copper is applied to the upper surface of the transfer plate 20 while energizing the stainless transfer plate 20, and the gap between the first and second resist layers 30A and 31A is electroplated. A conductive layer 112A is formed by filling with copper. The conductive layer 112A has a height equal to or less than the sum of the thickness of the first resist layer 30A and the thickness of the second resist layer 31A, and the upper surface thereof is formed so as not to exceed the upper surface of the second resist layer 31A. ing. Accordingly, the second resist layer 112A exhibits a function of preventing a short circuit between the adjacent conductive layers (electrodes) 112A. Thereafter, as shown in FIG. 5F, the first and second resist layers 30A and 31A are removed to form a conductive layer 112A having a T-shaped cross section, and as shown in FIG. A semi-cured prepreg layer 111 </ b> A having a copper foil 112 </ b> B on its upper surface is pressed onto the transfer plate 20. Since the conductive layer 112A to be the wiring layer 12A is formed on the roughened transfer plate 20, the adhesion between the transfer plate 20 and the conductive layer 112A is good, and the conductive layer 112A is embedded in the prepreg layer 111A. The positional deviation can be suppressed. Then, after peeling off the transfer plate 20 from the prepreg layer 111A, the prepreg layer 111A is cured as shown in FIG. 3 to form the first insulating layer 11A. As a result, the rough surface 20A of the transfer plate 20 is transferred to the first main surfaces of the first insulating layer 11A and the wiring layer 12A, and the rough surfaces 11D and 12F are formed. In (g) of the figure, the upper surface of the copper foil 112B has a fine concavo-convex structure by roughening treatment.

次に、第1の絶縁層11A内にビアホール導体113Aを形成する。即ち、図3の(a)に示すように絶縁層11A、配線層12A及び銅箔112Bからなる基板を用意する。そして、リソグラフィー技術を用いて銅箔112Bを所定のパターンでエッチングしてビアホール用の孔Hを形成した後、例えばCOレーザーを照射して、同図の(b)に示すように銅箔112Aの孔Hに該当する部分にビアホール113’Aを形成する。引き続き、同図の(c)に示すようにビアホール113’Aに導電性ペーストを充填し硬化させてビアホール導体13Aを形成した後、同図の(d)に示すように銅箔112B及びビアホール導体13Aの上面に銅メッキ膜112’Bを形成する。更に、同図の(e)に示すように銅メッキ膜112’B及び銅箔112Bを所定のパターンでエッチングして配線層12Bを形成する。この際、図示してないが、銅メッキ膜112’Bの上面に粗面化処理を施している。図2、図3に示す工程により第1の要素基板が形成される。本実施形態ではレーザーとしてCOレーザーを用いているが、それ以外にもYAGレーザー、エキシマレーザー、紫外線レーザーを用いることができる。 Next, a via-hole conductor 113A is formed in the first insulating layer 11A. That is, as shown in FIG. 3A, a substrate made of an insulating layer 11A, a wiring layer 12A, and a copper foil 112B is prepared. Then, after the copper foil 112B is etched with a predetermined pattern using a lithography technique to form a hole H for a via hole, the copper foil 112A is irradiated with, for example, a CO 2 laser, as shown in FIG. A via hole 113′A is formed in a portion corresponding to the hole H. Subsequently, as shown in (c) of the figure, the via hole 113'A is filled with a conductive paste and cured to form a via hole conductor 13A. Then, as shown in (d) of the figure, the copper foil 112B and the via hole conductor are formed. A copper plating film 112′B is formed on the upper surface of 13A. Further, as shown in FIG. 5E, the copper plating film 112′B and the copper foil 112B are etched in a predetermined pattern to form the wiring layer 12B. At this time, although not shown, the surface of the copper plating film 112′B is roughened. A first element substrate is formed by the steps shown in FIGS. In this embodiment, a CO 2 laser is used as the laser, but a YAG laser, an excimer laser, and an ultraviolet laser can be used in addition to that.

その後、第1の要素基板と同一要領で第3の要素基板を作製すると共に、第2の要素基板を作製する。第2の要素基板を作製する場合には、例えばPETフィルム等の支持体上にプリプレグを塗布し、半硬化状態のプリプレグシートを作製する。そして、プリプレグシートに所定のパターンでビアホールを形成した後、ビアホール内に導電性ペーストを充填して図4の(a)に示すように所定のパターンで配置されたビアホール導体13Bを有するプリプレグシート111Bを作製する。そして、例えば図4の(a)に矢印で示すように第3の要素基板にプリプレグシート111Bを貼り付けた後、第1の要素基板をプリプレグシート111Bに貼り付ける。そして、第1の要素基板と第3の要素基板を、プリプレグシート111Bを介して接着した後、プリプレグシート111Bを本硬化すると、プリプレグシート111Bが第2の絶縁層11Bとなって、同図の(b)に示すように第1の要素基板と第3の要素基板が第2の要素基板を介して一体化した多層配線基板10を得ることができる。第1の要素基板と第2の要素基板は、第2の配線層112Bの粗面を介して接合されているため、密着性が良く剥離し難くなっている。第3の要素基板と第2の要素基板は、第3の配線層112Cの粗面を介して剥離し難くなっている。   Thereafter, a third element substrate is manufactured in the same manner as the first element substrate, and a second element substrate is manufactured. In producing the second element substrate, for example, a prepreg is applied on a support such as a PET film to produce a semi-cured prepreg sheet. Then, after forming via holes in a predetermined pattern in the prepreg sheet, a prepreg sheet 111B having via hole conductors 13B arranged in a predetermined pattern as shown in FIG. Is made. Then, for example, after the prepreg sheet 111B is attached to the third element substrate as indicated by an arrow in FIG. 4A, the first element substrate is attached to the prepreg sheet 111B. Then, after bonding the first element substrate and the third element substrate via the prepreg sheet 111B, when the prepreg sheet 111B is fully cured, the prepreg sheet 111B becomes the second insulating layer 11B, As shown in (b), the multilayer wiring board 10 in which the first element substrate and the third element substrate are integrated via the second element substrate can be obtained. Since the first element substrate and the second element substrate are bonded via the rough surface of the second wiring layer 112B, the first element substrate and the second element substrate have good adhesion and are difficult to peel off. The third element substrate and the second element substrate are difficult to peel off via the rough surface of the third wiring layer 112C.

本実施形態では、断面がT字状に形成された第1、第4の配線層12A、12Dについて説明したが、図5の(a)に示すように突出部12Eが第1、第2の配線層12、12Dの側面の上下両端の間に形成されたものであっても良く、また、同図の(b)に示すように突出部12Eが上下二段あるいはそれ以上の段数に渡って形成されたものであっても良い。本実施形態では第1のレジスト層30A及び第2のレジスト層31Aのみを形成し、T字状の配線層12A、12Dを形成したが、その他の形状の配線層を形成する際には、例えば第1のレジスト30Aと第2のレジスト層31Aとの間や第2のレジスト層31A上に、第3のレジスト層を形成しても良い。そして、電解メッキにより配線層を形成する場合には、複数のレジスト層の厚みを加算した厚み以下の高さで形成すると、短絡を防止することができる。また、図5の(a)、(b)に示すように配線層の側面に複数段に渡って突出部を有する多層配線基板を作製する場合には、第2のレジスト層が第1のレジスト層の面積より小さい関係を維持しつつ、第1、第2のレジスト層をこの順序で順次積層形成することによって配線層の側面に一つあるいは二つ以上の突出部を間欠的に有する多層配線基板を作製することができる。   In the present embodiment, the first and fourth wiring layers 12A and 12D having a T-shaped cross section have been described. However, as shown in FIG. 5A, the protruding portion 12E has the first and second protrusions 12E. It may be formed between the upper and lower ends of the side surfaces of the wiring layers 12 and 12D. Also, as shown in FIG. It may be formed. In the present embodiment, only the first resist layer 30A and the second resist layer 31A are formed and the T-shaped wiring layers 12A and 12D are formed. However, when forming wiring layers of other shapes, for example, A third resist layer may be formed between the first resist 30A and the second resist layer 31A or on the second resist layer 31A. And when forming a wiring layer by electrolytic plating, if it forms with the height below the thickness which added the thickness of several resist layers, a short circuit can be prevented. Further, when a multilayer wiring board having a plurality of protruding portions on the side surface of the wiring layer as shown in FIGS. 5A and 5B is manufactured, the second resist layer is the first resist. Multilayer wiring having one or more protrusions intermittently on the side surface of the wiring layer by sequentially laminating the first and second resist layers in this order while maintaining a relationship smaller than the area of the layer A substrate can be produced.

また、本実施形態では、第1、第2、第3のビアホール導体13A、13B、13Cは、いずれも導電性樹脂によって形成されたものついて説明したが、図6に示すように第1、第3のビアホール導体13A、13Cをメッキ銅によって形成し、第2のビアホール導体13Bを導電性樹脂によって形成しても良い。例えば第1のビアホール導体13Aは、ビアホールの側壁に無電解メッキ層13A’を形成した後、その表面に電解メッキ層13A”を形成することによって形成することができる。第3のビアホール導体13Cも第1のビアホール導体13Aと同一要領で形成することができる。   In the present embodiment, the first, second, and third via-hole conductors 13A, 13B, and 13C have been described as being formed of conductive resin. However, as shown in FIG. Alternatively, the third via-hole conductors 13A and 13C may be formed of plated copper, and the second via-hole conductor 13B may be formed of a conductive resin. For example, the first via-hole conductor 13A can be formed by forming the electroless plating layer 13A ′ on the side wall of the via hole and then forming the electrolytic plating layer 13A ″ on the surface thereof. The third via-hole conductor 13C is also formed. It can be formed in the same manner as the first via-hole conductor 13A.

以上説明したように本実施形態によれば、交互に積層された絶縁層11A、11B、11C及び配線層12A、12B、12C、12Dと、第1、第2の配線層12A、12Bを接続する第1のビアホール導体13A、第2、第3の配線層12B、12Cを接続する第2のビアホール導体13B及び第3、第4の配線層12C、12Dを接続する第3のビアホール導体13Cと、を備え、第1、第4の配線層12A、12Dは、それぞれ第1、第3の絶縁層11A、11C内の側面から側方に突出する突出部12E、12Eを有するため、第1、第4の配線層12A、12Dが第1、第3の絶縁層11A、11Cと突出部12E、12Eを介して強固に密着し、第1、第4の配線層12A、12Dに上下方向の引っ張り力が作用してもそれぞれの突出部12E、12Eのアンカー効果により第1、第4の配線層12A、12Dがそれぞれの絶縁層11A、11Cから剥離することがない。   As described above, according to this embodiment, the insulating layers 11A, 11B, and 11C and the wiring layers 12A, 12B, 12C, and 12D that are alternately stacked are connected to the first and second wiring layers 12A and 12B. A first via-hole conductor 13B connecting the first via-hole conductor 13A, the second and third wiring layers 12B and 12C, and a third via-hole conductor 13C connecting the third and fourth wiring layers 12C and 12D; The first and fourth wiring layers 12A and 12D have projecting portions 12E and 12E projecting sideways from the side surfaces in the first and third insulating layers 11A and 11C, respectively. The four wiring layers 12A and 12D are in close contact with the first and third insulating layers 11A and 11C through the protrusions 12E and 12E, and the first and fourth wiring layers 12A and 12D are pulled in the vertical direction. Even if it works Protrusions 12E, first by the anchor effect of 12E of, never fourth wiring layers 12A, 12D is peeled off from the respective insulating layers 11A, 11C.

また、本実施形態によれば、突出部12Eを有する第1、第4の配線層12A、12Dは、それぞれ断面がT字状であるため、第1、第3の絶縁層11、11Cに対するアンカー効果が大きくなり、第1、第4の配線層12A、12Dの絶縁層11A、11Cからの剥離をより確実に防止することができる。また、突出部12Eを有する第1、第4の配線層12A、12Dは、それぞれの第1の主面が他の絶縁層と接していない配線層で第1、第3の絶縁層11A、11Cの表面から外部に露呈しているため、例えば表面実装部品等を介して第1、第4の配線層12A、12Dが剥離する外力を受けることがあっても、第1、第4の配線層12A、12Dは、いずれも突出部12E、12Eによって第1、第3の絶縁層11A、11C内に係止されて第1、第3の絶縁層11A、11Cとの密着強度が高く、第1、第3の絶縁層11A、11Cから剥離することがない。   In addition, according to the present embodiment, the first and fourth wiring layers 12A and 12D having the projecting portions 12E have a T-shaped cross section, respectively. Therefore, the anchors for the first and third insulating layers 11 and 11C are used. The effect is increased, and the first and fourth wiring layers 12A and 12D can be more reliably prevented from being separated from the insulating layers 11A and 11C. The first and fourth wiring layers 12A and 12D having the protruding portion 12E are wiring layers whose first main surfaces are not in contact with other insulating layers, and the first and third insulating layers 11A and 11C. Even if an external force that peels off the first and fourth wiring layers 12A and 12D through, for example, a surface-mounted component, the first and fourth wiring layers are exposed. 12A and 12D are both locked in the first and third insulating layers 11A and 11C by the protrusions 12E and 12E, and have high adhesion strength with the first and third insulating layers 11A and 11C. The third insulating layers 11A and 11C are not peeled off.

また、本実施形態の多層配線基板の製造方法によれば、例えば、転写板20上に第1のレジスト層30Aを所定のパターンで形成する工程と、第1のレジスト層30A上に第2のレジスト層31Aを所定のパターンで積層する工程と、転写板20上の第1、第2のレジスト層30A、31Aの隙間に導電層112Aを形成する工程と、転写板20から第1、第2のレジスト層30A、31Aを除去する工程と、導電層112Aを転写板20から第1の絶縁層11Aに第1の配線層12Aとして転写する工程と、を備え、第2のレジスト層31Aの面積は、第1のレジスト層31Aの面積より小さいため、第1の絶縁層11A内で側面から側方へ突出する突出部12Eを有する、断面がT字状の第1の配線層12Aを形成することができる。   Further, according to the method for manufacturing a multilayer wiring board of the present embodiment, for example, a step of forming the first resist layer 30A in a predetermined pattern on the transfer plate 20, and a second step on the first resist layer 30A. The step of laminating the resist layer 31A in a predetermined pattern, the step of forming the conductive layer 112A in the gap between the first and second resist layers 30A and 31A on the transfer plate 20, and the first and second from the transfer plate 20 And removing the resist layers 30A and 31A, and transferring the conductive layer 112A from the transfer plate 20 to the first insulating layer 11A as the first wiring layer 12A. The area of the second resist layer 31A Is smaller than the area of the first resist layer 31A, and therefore, a first wiring layer 12A having a T-shaped cross section having a protruding portion 12E protruding from the side surface to the side in the first insulating layer 11A is formed. be able to.

第2の実施形態
本実施形態では、図7及び図8に基づいて第1の実施形態と同一または相当部分には同一部号を付して、本実施形態の特徴を中心に説明する。本実施形態の多層配線基板10Aは、例えば図7に示すように断面T字状の配線層を備え、配線層の第1の主面とその反対側の第2の主面の双方に粗面化処理が施されている点に特徴がある。
Second Embodiment In the present embodiment, the same or equivalent parts as those in the first embodiment will be denoted by the same reference numerals based on FIGS. 7 and 8, and the description will focus on the features of the present embodiment. The multilayer wiring board 10A of the present embodiment includes a wiring layer having a T-shaped cross section as shown in FIG. 7, for example, and has a rough surface on both the first main surface of the wiring layer and the second main surface on the opposite side. It is characterized in that it is processed.

即ち、本実施形態の多層配線基板10Aは、図7に示すように、絶縁層11と、絶縁層11の上下両面に形成された第1、第2の配線層12A、12Bと、を備え、第1、第2の配線層12A、12Bは図示しないビアホール導体によって電気的に接続されている。この多層配線基板10Aの上下両面に更に他の絶縁層及び配線層を交互に積層できるように構成されている。第1、第2の配線層12A、12Bは、それぞれ第1の実施形態と同様に断面がT字状に形成されている。第1の実施形態と同様に第1、第2の配線層12A、12Bの絶縁層11から外部に露呈する第1の主面には粗面12F、12Fがそれぞれ形成され、それぞれ粗面12F、12Fが絶縁層11の上下両面の粗面11D、11Dと一体に形成されている。また、第1、第2の配線層12A、12Bの絶縁層11内にある第2の主面には粗面12G、12Gがそれぞれ形成され、これらの粗面12G、12Gはそれぞれの突出部12E、12Eと相俟って絶縁層11との密着強度を第1の実施形態の場合よりも更に高めている。   That is, as shown in FIG. 7, the multilayer wiring board 10A of the present embodiment includes an insulating layer 11, and first and second wiring layers 12A and 12B formed on both upper and lower surfaces of the insulating layer 11, The first and second wiring layers 12A and 12B are electrically connected by a via hole conductor (not shown). Further, other insulating layers and wiring layers can be alternately stacked on the upper and lower surfaces of the multilayer wiring board 10A. Each of the first and second wiring layers 12A and 12B has a T-shaped cross section as in the first embodiment. As in the first embodiment, rough surfaces 12F and 12F are formed on the first main surface exposed to the outside from the insulating layer 11 of the first and second wiring layers 12A and 12B, respectively. 12F is formed integrally with the rough surfaces 11D and 11D on the upper and lower surfaces of the insulating layer 11. In addition, rough surfaces 12G and 12G are formed on the second main surface in the insulating layer 11 of the first and second wiring layers 12A and 12B, respectively, and these rough surfaces 12G and 12G are respectively projected portions 12E. 12E, the adhesion strength with the insulating layer 11 is further increased as compared with the case of the first embodiment.

次に、図8を参照しながら多層配線基板10Aの製造方法について説明する。まず、図8の(a)に示すように、図2の(a)〜(e)に示す工程を経て形成されたステンレス製の転写板20上に第1、第2のレジスト層30A、31A及び導電層112Aが形成された基板を用意する。そして、同図の(b)に示すように第2のレジスト層31A及び導電層112Aの上面をサンドブラスト処理等の公知の手法で粗面化して粗面31B及び112Gを形成する。次いで、同図の(c)に示すように第1、第2のレジスト層30A、31Aを除去し、転写板20上に第1の配線層12Aを形成する。同様の手法によって転写板20上に第2の配線層12Bを形成する。引き続き、同図の(d)に示すように半硬化状態のシート状のプリプレグ11の両面から転写板20の第1、第2の配線層12A、12Bをプリプレグ11へ転写した後、上下の転写板20をプリプレグ11から剥離し、硬化させると、図7に示す断面がT字状を呈する第1、第2の配線層12A、12Bを有する多層配線基板10Aが得られる。また、第1、第2の配線層12A、12Bの第1の主面には粗面12F、12Fがそれぞれ形成され、第2の主面には粗面12G、12Gが形成されている。   Next, a method for manufacturing the multilayer wiring board 10A will be described with reference to FIG. First, as shown in FIG. 8A, first and second resist layers 30A and 31A are formed on a stainless steel transfer plate 20 formed through the steps shown in FIGS. A substrate on which the conductive layer 112A is formed is prepared. Then, as shown in FIG. 5B, the upper surfaces of the second resist layer 31A and the conductive layer 112A are roughened by a known method such as sandblasting to form rough surfaces 31B and 112G. Next, as shown in FIG. 5C, the first and second resist layers 30A and 31A are removed, and the first wiring layer 12A is formed on the transfer plate 20. A second wiring layer 12B is formed on the transfer plate 20 by the same method. Subsequently, as shown in FIG. 4D, after the first and second wiring layers 12A and 12B of the transfer plate 20 are transferred from both surfaces of the semi-cured sheet-like prepreg 11 to the prepreg 11, the upper and lower transfer When the plate 20 is peeled off from the prepreg 11 and cured, a multilayer wiring board 10A having first and second wiring layers 12A and 12B having a T-shaped cross section shown in FIG. 7 is obtained. Further, rough surfaces 12F and 12F are formed on the first main surfaces of the first and second wiring layers 12A and 12B, respectively, and rough surfaces 12G and 12G are formed on the second main surface.

以上説明したように本実施形態によれば、第1、第2の配線層12A、12Bは、絶縁層11の内部にT字状を形成する突出部12E、12Eを有し、しかも絶縁層11の内部の第2の主面が粗面12G、12Gとして形成されているため、第1の実施形態の場合よりも第1、第2の配線層12A、12Bが絶縁層11と強固に密着し、ピール強度を更に高めることができる。   As described above, according to the present embodiment, the first and second wiring layers 12A and 12B have the protruding portions 12E and 12E that form a T shape inside the insulating layer 11, and the insulating layer 11 Since the second main surface inside is formed as rough surfaces 12G and 12G, the first and second wiring layers 12A and 12B are more closely attached to the insulating layer 11 than in the case of the first embodiment. The peel strength can be further increased.

尚、本発明は上記各実施形態に何等制限されるものではない。本発明の多層配線基板は、基本的には、交互に積層された絶縁層及び配線層と、上下の配線層を接続するビア導体と、を備え、少なくとも一つの配線層は、側面から積層方向と交差する方向に突出する突出部を絶縁層の内部に有するものであれば良い。突出部の形状や数は必要に応じて適宜設定することができる。突出部を有する配線層は、多層配線基板の内側の絶縁層及び最外層の絶縁層のいずれにも設けることができ、多層配線基板の上下両面から露出する面に配置することが好ましい。また、絶縁層は、樹脂層に制限されるものではなく、その他のセラミック層等の絶縁層であっても良い。   The present invention is not limited to the above embodiments. The multilayer wiring board of the present invention basically includes insulating layers and wiring layers that are alternately stacked, and via conductors that connect the upper and lower wiring layers, and at least one wiring layer is stacked from the side. What is necessary is just to have the protrusion part which protrudes in the direction which cross | intersects in the inside of an insulating layer. The shape and number of the protrusions can be appropriately set as necessary. The wiring layer having the protruding portion can be provided on either the inner insulating layer or the outermost insulating layer of the multilayer wiring board, and is preferably disposed on the surface exposed from the upper and lower surfaces of the multilayer wiring board. The insulating layer is not limited to the resin layer, and may be an insulating layer such as another ceramic layer.

また、上記各実施形態では配線層12の側面に一つあるいは二つの突出部12Eを設け、突出部12Eの突出量が同一である場合を例に挙げて説明したが(図5の(b)参照)、突出部の突出量は必ずしも同一である必要はなく、突出量を必要に応じて規則的あるいはランダムに変えることができる。複数の突出部の突出量を変える場合には、第2のレジスト層の面積が第1のレジスト層の面積より小さい関係を維持し、且つ、第1、第2のレジスト層の面積を適宜変更しながら第1、第2のレジスト層をこの順序で順次積層することにより、突出量が規則的にあるいはランダムに変わる突出部を形成することができる。第1、第2のレジスト層を積層したレジスト積層体は、第1、第2のレジスト層がこの順序で積層されている限り、第1、第2のレジスト層のいずれが最上層であっても良い。   In each of the above embodiments, one or two protruding portions 12E are provided on the side surface of the wiring layer 12, and the protruding amount of the protruding portions 12E is the same as an example (FIG. 5B). The protrusion amount of the protrusion is not necessarily the same, and the protrusion amount can be changed regularly or randomly as necessary. When changing the protrusion amounts of the plurality of protrusions, the relationship of the area of the second resist layer is smaller than the area of the first resist layer, and the areas of the first and second resist layers are appropriately changed. On the other hand, by sequentially laminating the first and second resist layers in this order, it is possible to form a protrusion whose protrusion amount changes regularly or randomly. In the resist laminated body in which the first and second resist layers are laminated, as long as the first and second resist layers are laminated in this order, either the first or second resist layer is the uppermost layer. Also good.

本発明は、例えば携帯電話等の移動体通信装置や電子機器に用いられる多層配線基板及びその製造方法に好適に用いることができる。   The present invention can be suitably used for, for example, a multilayer wiring board used in a mobile communication device such as a mobile phone or an electronic device and a manufacturing method thereof.

(a)、(b)はそれぞれ本発明の多層配線基板の一実施形態を示す図で、(a)はその全体を示す断面図、(b)は配線層及び絶縁層の寸法の説明図である。(A), (b) is a figure which shows one Embodiment of the multilayer wiring board of this invention, respectively, (a) is sectional drawing which shows the whole, (b) is explanatory drawing of the dimension of a wiring layer and an insulating layer. is there. (a)〜(g)はそれぞれ図1に示す多層配線基板の製造方法の一実施形態の工程を示す断面図である。(A)-(g) is sectional drawing which shows the process of one Embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board shown in FIG. 1, respectively. (a)〜(e)はそれぞれ図2に続く工程を示す断面図である。(A)-(e) is sectional drawing which shows the process of following FIG. 2, respectively. (a)、(b)はそれぞれ図3に続く工程を示す断面図である。(A), (b) is sectional drawing which shows the process of following FIG. 3, respectively. (a)、(b)はそれぞれ本発明の多層配線基板の他の実施形態の配線層を示す断面図である。(A), (b) is sectional drawing which shows the wiring layer of other embodiment of the multilayer wiring board of this invention, respectively. 本発明の多層配線基板の更に他の実施形態のビアホール導体を形成する工程を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the process of forming the via-hole conductor of further another embodiment of the multilayer wiring board of this invention. 本発明の多層配線基板の更に他の実施形態を示す断面図である。It is sectional drawing which shows other embodiment of the multilayer wiring board of this invention. (a)〜(d)はそれぞれ図7に示す多層配線基板の製造方法の一実施形態に固有の工程を示す断面図である。(A)-(d) is sectional drawing which shows the process intrinsic | native to one Embodiment of the manufacturing method of the multilayer wiring board shown in FIG. 7, respectively.

符号の説明Explanation of symbols

10、10A 多層配線基板
11、11A、11B、11C 絶縁層
12、12A、12B、12C、12D 配線層
12E 突出部
12F 粗面
13、13A,13B,13C ビアホール導体
111A、111B、111C プリプレグ
112A、112B、112C、112D 導電層
10, 10A Multilayer wiring board 11, 11A, 11B, 11C Insulating layer 12, 12A, 12B, 12C, 12D Wiring layer 12E Protruding part 12F Rough surface 13, 13A, 13B, 13C Via-hole conductor 111A, 111B, 111C Prepreg 112A, 112B 112C, 112D Conductive layer

Claims (8)

交互に積層された絶縁層及び配線層と、上下の配線層を接続するビアホール導体と、を備え、少なくとも一つの上記配線層は、上記絶縁層内の側面から側方へ突出する突出部を有することを特徴とする多層配線基板。   Insulating layers and wiring layers stacked alternately, and via-hole conductors connecting the upper and lower wiring layers, and at least one of the wiring layers has a protruding portion protruding laterally from a side surface in the insulating layer. A multilayer wiring board characterized by that. 上記突出部を有する上記配線層は、断面がT字状であることを特徴とする請求項1に記載の多層配線基板。   The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the wiring layer having the protruding portion has a T-shaped cross section. 上記突出部を有する上記配線層は、第1の主面が他の絶縁層と接しない配線層であることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の多層配線基板。   3. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the wiring layer having the protruding portion is a wiring layer in which the first main surface is not in contact with another insulating layer. 上記突出部を有する上記配線層は、上記絶縁層内の第2の主面が粗面を有することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の多層配線基板。   4. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the wiring layer having the protruding portion has a second main surface in the insulating layer having a rough surface. 5. 転写板上に第1のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、
上記第1のレジスト層上に第2のレジスト層を所定のパターンで形成して、第1、第2のレジスト層がこの順序で少なくとも一層ずつ積層されたレジスト積層体を形成する工程と、
上記転写板上の上記レジスト積層体が形成されていない領域に、上記レジスト積層体の最上層の直下のレジスト層までの厚み以上で且つ上記積層体の厚み以下になるように、電解メッキで導電層を形成する工程と、
上記転写板から上記第1、第2のレジスト層を除去する工程と、
上記導電層を上記転写板から絶縁層に配線層として転写する工程と、を備え、
上記第2のレジスト層の面積は、上記第1のレジスト層の面積より小さく、且つ、第1、第2のレジスト層は、それぞれの面積が調整可能である
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
Forming a first resist layer on the transfer plate in a predetermined pattern;
Forming a second resist layer in a predetermined pattern on the first resist layer to form a resist laminate in which the first and second resist layers are laminated at least one layer in this order;
Conduction is performed by electrolytic plating in a region where the resist laminate is not formed on the transfer plate so that the thickness is equal to or greater than the thickness of the resist layer directly below the uppermost layer of the resist laminate and less than the thickness of the laminate. Forming a layer;
Removing the first and second resist layers from the transfer plate;
Transferring the conductive layer from the transfer plate to the insulating layer as a wiring layer,
The area of the second resist layer is smaller than the area of the first resist layer, and each area of the first and second resist layers can be adjusted. Production method.
転写板上に第1のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、
上記第1のレジスト層上に第2のレジスト層を所定のパターンで形成する工程と、
上記転写板上の上記第1、第2のレジスト層が形成されていない領域に、上記第1のレジストの厚み以上で且つ第1、第2のレジスト層からなる積層体の厚み以下になるように、電解メッキで導電層を形成する工程と、
上記転写板から上記第1、第2のレジスト層を除去する工程と、
上記導電層を上記転写板から絶縁層に配線層として転写する工程と、を備え、
上記第2のレジスト層の面積は、上記第1のレジスト層の面積より小さい
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
Forming a first resist layer on the transfer plate in a predetermined pattern;
Forming a second resist layer in a predetermined pattern on the first resist layer;
In a region where the first and second resist layers are not formed on the transfer plate, the thickness is not less than the thickness of the first resist and not more than the thickness of the laminate composed of the first and second resist layers. And a step of forming a conductive layer by electrolytic plating,
Removing the first and second resist layers from the transfer plate;
Transferring the conductive layer from the transfer plate to the insulating layer as a wiring layer,
The method of manufacturing a multilayer wiring board, wherein an area of the second resist layer is smaller than an area of the first resist layer.
上記転写板の上面が粗面化されていることを特徴とする請求項5または請求項6に記載の多層配線基板の製造方法。   7. The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5, wherein the upper surface of the transfer plate is roughened. 上記転写板は導電性金属からなり、上記転写板に通電して上記導電層を形成することを特徴とする請求項5〜請求項7のいずれか1項に記載の多層配線基板の製造方法。   The method for manufacturing a multilayer wiring board according to claim 5, wherein the transfer plate is made of a conductive metal, and the conductive layer is formed by energizing the transfer plate.
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