JP6099778B1 - A copper foil with a carrier, a laminate, a printed wiring board, a printed wiring board manufacturing method, and an electronic device manufacturing method. - Google Patents
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Landscapes
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Abstract
【課題】キャリア付銅箔を樹脂基板に積層することで作製した積層体において、極薄銅層をキャリアから良好に剥離することが可能なキャリア付銅箔を提供する。【解決手段】キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、キャリアの極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、表面の十点平均粗さRzが6.0μm以下であるキャリア付銅箔。【選択図】図1Provided is a copper foil with a carrier capable of satisfactorily peeling an ultrathin copper layer from a carrier in a laminate produced by laminating a copper foil with a carrier on a resin substrate. A copper foil with a carrier having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, and the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-1994. A copper foil with a carrier having a surface ten-point average roughness Rz of 6.0 μm or less. [Selection] Figure 1
Description
本発明は、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法に関する。 The present invention relates to a carrier-attached copper foil, a laminate, a printed wiring board, a printed wiring board manufacturing method, and an electronic device manufacturing method.
プリント配線板はここ半世紀に亘って大きな進展を遂げ、今日ではほぼすべての電子機器に使用されるまでに至っている。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化(ファインピッチ化)や高周波対応等が求められており、特にプリント配線板上にICチップを載せる場合、L(ライン)/S(スペース)=20μm/20μm以下のファインピッチ化が求められている。 Printed wiring boards have made great progress over the last half century and are now used in almost all electronic devices. In recent years, with the increasing needs for miniaturization and higher performance of electronic devices, higher density mounting of components and higher frequency of signals have progressed, and conductor patterns have become finer (fine pitch) and higher frequency than printed circuit boards. In particular, when an IC chip is mounted on a printed wiring board, a fine pitch of L (line) / S (space) = 20 μm / 20 μm or less is required.
プリント配線板はまず、銅箔とガラスエポキシ基板、BT樹脂、ポリイミドフィルムなどを主とする絶縁基板を貼り合わせた銅張積層体として製造される。貼り合わせは、絶縁基板と銅箔を重ね合わせて加熱加圧させて形成する方法(ラミネート法)、または、絶縁基板材料の前駆体であるワニスを銅箔の被覆層を有する面に塗布し、加熱・硬化する方法(キャスティング法)が用いられる。 A printed wiring board is first manufactured as a copper clad laminate in which an insulating substrate mainly composed of a copper foil and a glass epoxy substrate, BT resin, polyimide film or the like is bonded. Bonding is performed by laminating an insulating substrate and a copper foil and applying heat and pressure (laminating method), or by applying a varnish, which is a precursor of the insulating substrate material, to the surface having the copper foil coating layer, A heating / curing method (casting method) is used.
ファインピッチ化に伴って銅張積層体に使用される銅箔の厚みも9μm、さらには5μm以下になるなど、箔厚が薄くなりつつある。ところが、箔厚が9μm以下になると前述のラミネート法やキャスティング法で銅張積層体を形成するときのハンドリング性が極めて悪化する。そこで、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を形成したキャリア付銅箔が登場している。キャリア付銅箔の一般的な使用方法としては、特許文献1等に開示されているように、極薄銅層の表面を樹脂基板に貼り合わせて熱圧着後に、キャリアを、剥離層を介して剥離する。 Along with the fine pitch, the thickness of the copper foil used for the copper clad laminate is also 9 μm, and further, 5 μm or less. However, when the foil thickness is 9 μm or less, the handleability when forming a copper clad laminate by the above-described lamination method or casting method is extremely deteriorated. Therefore, a copper foil with a carrier has appeared, in which a thick metal foil is used as a carrier, and an ultrathin copper layer is formed on the metal foil via a release layer. As a general method of using the copper foil with a carrier, as disclosed in Patent Document 1 and the like, after bonding the surface of an ultrathin copper layer to a resin substrate and thermocompression bonding, the carrier is passed through a release layer. Peel off.
キャリア付銅箔を用いたプリント配線板の作製において、キャリア付銅箔の典型的な使用方法は、まず、キャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基板へ積層した後に極薄銅層からキャリアを剥離する。次に、キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上に光硬化性樹脂で形成されためっきレジストを設ける。次に、めっきレジストの所定領域に対して露光することで当該領域を硬化させる。続いて、非露光領域の硬化されていないめっきレジストを除去した後、当該レジスト除去領域に電解めっき層を設ける。次に、硬化しためっきレジストを除去することで、回路が形成された樹脂基板が得られ、これを用いてプリント配線板を作製する。 In the production of a printed wiring board using a copper foil with a carrier, a typical method for using the copper foil with a carrier is to first laminate the copper foil with a carrier from the ultra thin copper layer side to the resin substrate and then from the ultra thin copper layer. Remove the carrier. Next, a plating resist formed of a photocurable resin is provided on the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier. Next, the said area | region is hardened by exposing with respect to the predetermined area | region of a plating resist. Subsequently, after removing the uncured plating resist in the non-exposed area, an electrolytic plating layer is provided in the resist removed area. Next, by removing the cured plating resist, a resin substrate on which a circuit is formed is obtained, and a printed wiring board is produced using the resin substrate.
キャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法として、上述のようにキャリア付銅箔を極薄銅層側から樹脂基板へ積層した後に極薄銅層からキャリアを剥離することが一般的であるが、キャリア付銅箔の極薄銅層側ではなく、キャリア側表面に樹脂基板を設けておき、極薄銅層側表面に回路めっきを形成し、当該形成した回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、当該樹脂層上に更に銅層を設けて積層体を作製する工法(埋め込み・ビルドアップ法)がある(図1)。また、キャリア付銅箔の極薄銅層側ではなく、キャリア側表面に樹脂基板を設けておき、極薄銅層側表面に樹脂層と回路とを少なくとも一回以上設けて積層体を作製する工法がある(ビルドアップ工法)。 As a method for producing a printed wiring board using a copper foil with a carrier, it is common to peel the carrier from the ultrathin copper layer after laminating the copper foil with a carrier from the ultrathin copper layer side to the resin substrate as described above. However, a resin substrate is provided on the surface of the carrier, not the ultrathin copper layer side of the copper foil with carrier, and circuit plating is formed on the surface of the ultrathin copper layer so as to cover the formed circuit plating ( There is a method (embedding / build-up method) in which an embedded resin is provided on an ultrathin copper layer and a resin layer is laminated on the ultrathin copper layer, and a copper layer is further provided on the resin layer to produce a laminate. Yes (Figure 1). Also, a resin substrate is provided on the surface of the carrier side, not the ultrathin copper layer side of the copper foil with carrier, and the laminate is prepared by providing the resin layer and the circuit at least once on the surface of the ultrathin copper layer. There is a construction method (build-up construction method).
積層体の極薄銅層がキャリアから良好に剥離される必要があるが、このような工法で形成した積層体において、極薄銅層とキャリアとの間の剥離強度が著しく大きくなってしまい、極薄銅層をキャリアから良好に剥離することが困難となるという問題がある。 The ultra-thin copper layer of the laminate needs to be peeled off well from the carrier, but in the laminate formed by such a method, the peel strength between the ultra-thin copper layer and the carrier becomes significantly large, There is a problem that it becomes difficult to peel the ultrathin copper layer from the carrier satisfactorily.
そこで、本発明は、キャリア付銅箔を樹脂基板に積層することで作製した積層体において、極薄銅層をキャリアから良好に剥離することが可能なキャリア付銅箔を提供することを課題とする。 Therefore, the present invention has an object to provide a copper foil with a carrier that can peel an ultrathin copper layer from a carrier satisfactorily in a laminate produced by laminating a copper foil with a carrier on a resin substrate. To do.
上記目的を達成するため、本発明者らは鋭意研究を重ねたところ、キャリア側に樹脂基板が設けられた構成を有する積層体は、当該キャリア表面に、樹脂基板と良好に貼り合わせるために粗化処理が行われていることに着目した。そして、当該キャリアの樹脂基板との貼り合わせ面側の粗化処理の程度によって、当該表面の粗さが大きくなってしまい、積層体における極薄銅層のキャリアからの剥離強度が著しく大きくなることを見出した。そして、キャリアの樹脂基板との貼り合わせ面側、すなわち、キャリアの極薄銅層が形成された表面とは反対側の表面粗さを制御することで、極薄銅層をキャリアから良好に剥離することが可能となることを見出した。 In order to achieve the above object, the present inventors have conducted intensive research and found that a laminated body having a structure in which a resin substrate is provided on the carrier side is roughened in order to bond the resin substrate to the resin surface satisfactorily. We paid attention to the fact that the processing is being performed. And depending on the degree of the roughening treatment on the bonding surface side of the carrier with the resin substrate, the roughness of the surface becomes large, and the peel strength from the carrier of the ultra-thin copper layer in the laminate is significantly increased. I found. And by controlling the surface roughness on the side of the carrier that is bonded to the resin substrate, that is, on the side opposite to the surface on which the ultrathin copper layer of the carrier is formed, the ultrathin copper layer is peeled off from the carrier well. I found out that it would be possible.
本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の十点平均粗さRzが6.0μm以下であるキャリア付銅箔である。 The present invention has been completed based on the above knowledge, and in one aspect, a carrier-attached copper foil having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, on the opposite side of the ultrathin copper layer of the carrier When the surface is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-1994, the 10-point average roughness Rz of the surface is a copper foil with a carrier of 6.0 μm or less.
本発明は別の一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の算術平均粗さRaが1.0μm以下であるキャリア付銅箔である。 Another aspect of the present invention is a copper foil with a carrier having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, and the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is JIS B0601-1994. When measured with a laser microscope in conformity, the arithmetic average roughness Ra of the surface is a copper foil with a carrier of 1.0 μm or less.
本発明は更に別の一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−2001に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の粗さ曲線の最大断面高さRtが7.0μm以下であるキャリア付銅箔である。 In still another aspect of the present invention, a carrier-attached copper foil having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is JIS B0601-2001. The maximum cross-sectional height Rt of the surface roughness curve is 7.0 μm or less when measured with a laser microscope in accordance with the above.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の十点平均粗さRzが0.9μm以上である。 In yet another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, when the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-1994, the surface of the carrier has a sufficient thickness. The point average roughness Rz is 0.9 μm or more.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の算術平均粗さRaが0.12μm以上である。 In another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, when the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-1994, the arithmetic of the surface is performed. Average roughness Ra is 0.12 μm or more.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−2001に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の粗さ曲線の最大断面高さRtが1.1μm以上である。 In yet another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, when the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-2001, the surface roughness is increased. The maximum cross-sectional height Rt of the curvature curve is 1.1 μm or more.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面に粗化処理層が形成されている。 In another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, a roughening treatment layer is formed on the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面に形成された粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。 In yet another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention has a heat-resistant layer, a rust-proof layer, and a chromate-treated layer on the roughened layer formed on the surface opposite to the ultra-thin copper layer of the carrier. And one or more layers selected from the group consisting of silane coupling treatment layers.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面に形成された粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層である。 In yet another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, the roughening layer formed on the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is made of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic. , Molybdenum, chromium, and zinc, any one simple substance selected from the group consisting of, or an alloy containing one or more of them.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面に形成された粗化処理層が、硫酸アルキルエステル塩、タングステン及び砒素からなる群から選択された1種以上を含む硫酸・硫酸銅電解浴を用いて形成されている。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the roughening layer formed on the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is a group consisting of an alkyl sulfate salt, tungsten and arsenic. It is formed using a sulfuric acid / copper sulfate electrolytic bath containing at least one selected from
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面に粗化処理層が形成されていない。 In another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, a roughening treatment layer is not formed on the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。 In yet another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention is a group consisting of a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer on the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer. One or more layers selected from:
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に粗化処理層が形成されている。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, a roughened layer is formed on the surface of the ultrathin copper layer.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層が、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層である。 In still another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, the roughened layer formed on the surface of the ultrathin copper layer is made of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium, and zinc. It is a layer made of any simple substance selected from the group consisting of or an alloy containing any one or more of them.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層の表面に、樹脂層を備える。 In yet another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention includes a resin layer on the surface of the roughening treatment layer formed on the surface of the ultrathin copper layer.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。 In yet another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer are formed on the surface of the roughening treatment layer formed on the surface of the ultrathin copper layer. One or more layers selected from the group consisting of:
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に形成された粗化処理層の表面に設けられた、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える。 In another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention is provided with the heat-resistant layer, the rust-preventing layer, the chromate-treated layer, and the silane provided on the surface of the roughened layer formed on the surface of the ultrathin copper layer. A resin layer is provided on one or more layers selected from the group consisting of coupling treatment layers.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層表面に樹脂層を備える。 In still another embodiment, the carrier-attached copper foil of the present invention comprises a resin layer on the surface of the ultrathin copper layer.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が接着用樹脂である。 In another embodiment of the carrier-attached copper foil of the present invention, the resin layer is an adhesive resin.
本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が半硬化状態の樹脂である。 In yet another embodiment of the copper foil with a carrier according to the present invention, the resin layer is a resin in a semi-cured state.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を備えた積層体である。 In still another aspect, the present invention is a laminate including the carrier-attached copper foil of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体である。 According to still another aspect of the present invention, there is provided a laminate including the carrier-attached copper foil of the present invention and a resin, wherein the end face of the carrier-attached copper foil is partially or entirely covered with the resin. It is.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を有するプリント配線板である。 In still another aspect, the present invention is a printed wiring board having the carrier-attached copper foil of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造するプリント配線板の製造方法である。 In yet another aspect, the present invention provides a printed wiring board manufacturing method for manufacturing a printed wiring board using the carrier-attached copper foil of the present invention.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層体を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。
In another aspect of the present invention, a step of preparing the carrier-attached copper foil of the present invention and an insulating substrate,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, a copper clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Thereafter, the printed wiring board manufacturing method includes a step of forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modified semi-additive method.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In yet another aspect of the present invention, a step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier of the present invention,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
A step of peeling the carrier after forming the resin layer; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Is the method.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In yet another aspect of the present invention, a step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier of the present invention,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
Forming the circuit on the resin layer, and then peeling the carrier; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Is the method.
本発明は更に別の一側面において、
本発明のキャリア付銅箔を前記キャリア側から樹脂基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In another aspect of the present invention,
Laminating the copper foil with a carrier of the present invention on the resin substrate from the carrier side,
Forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
Forming the circuit on the resin layer, and then peeling the carrier; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Is the method.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を前記キャリア側から樹脂基板に積層する工程、
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In another aspect of the present invention, the step of laminating the carrier-attached copper foil of the present invention on the resin substrate from the carrier side,
Forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
A step of peeling the carrier after forming the resin layer; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Is the method.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In another aspect of the present invention, the step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with carrier of the present invention and a resin substrate,
A step of providing at least once two layers of a resin layer and a circuit on the surface of the ultrathin copper layer opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with carrier or on the surface of the carrier; and
It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of exfoliating the carrier or the ultra-thin copper layer from the copper foil with a carrier after forming the resin layer and the two layers of the circuit.
本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In yet another aspect of the present invention, the step of laminating the carrier-side surface of the copper foil with a carrier of the present invention and a resin substrate,
A step of providing two layers of a resin layer and a circuit at least once on the surface of the ultrathin copper layer side opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with carrier, and
After forming the said resin layer and two layers of a circuit, it is a manufacturing method of the printed wiring board including the process of peeling the said carrier from the said copper foil with a carrier.
本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体のいずれか一方または両方の面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記積層体を構成しているキャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法である。
In yet another aspect of the present invention, the step of providing at least one of two layers of a resin layer and a circuit on one or both surfaces of the laminate of the present invention, and
It is a manufacturing method of a printed wiring board including the process of exfoliating the career or the ultra-thin copper layer from the copper foil with a carrier which constitutes the layered product after forming the resin layer and two layers of circuits.
本発明は更に別の一側面において、本発明の方法で製造されたプリント配線板を用いて電子機器を製造する電子機器の製造方法である。 In still another aspect of the present invention, there is provided an electronic device manufacturing method for manufacturing an electronic device using the printed wiring board manufactured by the method of the present invention.
本発明によれば、キャリア付銅箔を樹脂基板に積層することで作製した積層体において、極薄銅層をキャリアから良好に剥離することが可能なキャリア付銅箔を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the copper foil with a carrier which can peel an ultra-thin copper layer favorably from a carrier in the laminated body produced by laminating | stacking copper foil with a carrier on a resin substrate can be provided.
<キャリア付銅箔>
本発明のキャリア付銅箔は、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有する。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム等の絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的に積層体(銅張積層体等)、又は、プリント配線板等を製造することができる。
<Copper foil with carrier>
The copper foil with a carrier of this invention has a carrier, an intermediate | middle layer, and an ultra-thin copper layer in this order. The method of using the copper foil with carrier itself is well known to those skilled in the art. For example, the surface of the ultra-thin copper layer is made of paper base phenol resin, paper base epoxy resin, synthetic fiber cloth base epoxy resin, glass cloth / paper composite. Ultra-thin bonded to an insulating substrate, bonded to an insulating substrate such as a base epoxy resin, glass cloth / glass nonwoven fabric composite epoxy resin and glass cloth base epoxy resin, polyester film, polyimide film, etc. A copper layer is etched into the intended conductor pattern, and finally a laminate (such as a copper clad laminate) or a printed wiring board can be produced.
<キャリア>
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムである。金属箔としては、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、圧延金属箔、電解金属箔、圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。圧延銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。キャリアは電気伝導率が高いことから電解銅箔または圧延銅箔であることが好ましく、更に製造コストが低いこと及びキャリア側表面の粗さをより制御しやすいことから電解銅箔であることがより好ましい。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。また、樹脂フィルムとしては絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCP(液晶ポリマー)フィルム、フッ素樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルム等を用いることができる。
<Career>
The carrier that can be used in the present invention is typically a metal foil or a resin film. Examples of metal foil include copper foil, copper alloy foil, nickel foil, nickel alloy foil, iron foil, iron alloy foil, stainless steel foil, aluminum foil, aluminum alloy foil, rolled metal foil, electrolytic metal foil, rolled copper foil and electrolytic Provided in the form of copper foil. In general, the electrolytic copper foil is produced by electrolytic deposition of copper from a copper sulfate plating bath onto a drum of titanium or stainless steel, and the rolled copper foil is produced by repeating plastic working and heat treatment with a rolling roll. As a material of the rolled copper foil, in addition to high-purity copper such as tough pitch copper (JIS H3100 alloy number C1100) and oxygen-free copper (JIS H3100 alloy number C1020 or JIS H3510 alloy number C1011), for example, Sn-containing copper, Ag-containing copper, Copper alloys such as a copper alloy added with Cr, Zr, Mg, or the like, or a Corson-based copper alloy added with Ni, Si, or the like can also be used. The carrier is preferably an electrolytic copper foil or a rolled copper foil because of its high electrical conductivity, and is more preferably an electrolytic copper foil because its manufacturing cost is low and the roughness of the carrier side surface is easier to control. preferable. In addition, when the term “copper foil” is used alone in this specification, a copper alloy foil is also included. As the resin film, an insulating resin film, a polyimide film, an LCP (liquid crystal polymer) film, a fluororesin film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polypropylene (PP) film, a polyamide film, a polyamideimide film, or the like can be used. .
本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば12μm以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には35μm以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には12〜300μmであり、より典型的には12〜150μmであり、より典型的には12〜70μmであり、より典型的には18〜35μmである。 The thickness of the carrier that can be used in the present invention is not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for serving as a carrier, for example, 12 μm or more. However, if it is too thick, the production cost becomes high, so generally it is preferably 35 μm or less. Accordingly, the thickness of the carrier is typically 12-300 μm, more typically 12-150 μm, more typically 12-70 μm, and more typically 18-35 μm.
<キャリア表面の粗さ>
キャリア付銅箔のキャリア側表面に樹脂基板を設けて支持しながら、極薄銅層側に回路と回路埋め込み用等の樹脂層とを1回以上設けて積層体を形成していくビルドアップ工法等では、キャリアの極薄銅層と反対側の表面の粗さが、当該積層体における極薄銅層とキャリアとの剥離強度に影響を与える。これは、例えば、キャリアの極薄銅層と反対側の表面の粗さが所定値より大きいと、当該キャリアに中間層を介して極薄銅層を形成するときに何らかの影響を中間層に与えて剥離強度を大きくしてしまうためと考えられる。この理由は明らかではないが、キャリアの極薄銅層と反対側の表面の粗さが所定値より大きいことにより、キャリアの極薄銅層と反対側の表面の電流が流れる経路が長くなるため、当該表面に電流が流れにくくなり、それによって、キャリアの極薄銅層側表面、すなわち中間層、極薄銅層に従来よりも電流が多く流れやすくなることが影響している可能性が有る。また、キャリア付銅箔の作製中はキャリアの極薄銅層と反対側の表面の粗さが小さくても、キャリア付銅箔を形成した後に、例えば樹脂基板と良好に接着させるためにキャリアの極薄銅層と反対側の表面に粗さが所定値より大きくなるまで粗化処理をしたときも同様に剥離強度が大きくなる。これは、当該粗化処理工程で中間層に極薄銅層形成時の電流の向きとは反対向きの電流(逆電流)が流れることが原因であると考えられる。
<Roughness of carrier surface>
Build-up method of forming a laminate by providing a circuit board and a resin layer for circuit embedding one or more times on the ultrathin copper layer side while providing and supporting a resin substrate on the carrier side surface of the copper foil with carrier Etc., the roughness of the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer affects the peel strength between the ultrathin copper layer and the carrier in the laminate. This is because, for example, if the roughness of the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier is greater than a predetermined value, the intermediate layer is affected in some way when the ultrathin copper layer is formed on the carrier via the intermediate layer. This is thought to increase the peel strength. The reason for this is not clear, but because the roughness of the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier is larger than the predetermined value, the path through which the current on the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier flows becomes longer. The current may not easily flow to the surface, which may affect the surface of the carrier on the side of the ultra-thin copper layer, that is, the intermediate layer and the ultra-thin copper layer. . In addition, even when the surface of the carrier opposite to the ultra-thin copper layer is small during the preparation of the copper foil with carrier, after forming the copper foil with carrier, When the surface of the surface opposite to the ultrathin copper layer is roughened until the roughness becomes larger than a predetermined value, the peel strength is also increased. This is considered to be caused by a current (reverse current) flowing in the opposite direction to the direction of current when the ultrathin copper layer is formed in the intermediate layer in the roughening process.
このような観点から、本発明のキャリア付銅箔において、キャリアの極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の十点平均粗さRzが6.0μm以下に制御されている。キャリアの極薄銅層と反対側の表面の十点平均粗さRzが6.0μm以下であると、極薄銅層のキャリアからの剥離強度が抑制され、極薄銅層をキャリアから良好に剥離させることが可能となる。Rzは好ましくは5.0μm以下であり、より好ましくは4.0μm以下であり、より好ましくは3.5μm以下である。但し、Rzは、小さくなりすぎると樹脂基板との密着力が低下することから、0.9μm以上であることが好ましく、1.0μm以上であることが好ましく、1.1μm以上であることが好ましく、1.5μm以上であることがより好ましく、2.0μm以上が更により好ましい。 From such a viewpoint, in the copper foil with a carrier of the present invention, when the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-1994, the ten-point average roughness of the surface is measured. The thickness Rz is controlled to 6.0 μm or less. When the 10-point average roughness Rz of the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier is 6.0 μm or less, the peel strength of the ultrathin copper layer from the carrier is suppressed, and the ultrathin copper layer is improved from the carrier. It can be peeled off. Rz is preferably 5.0 μm or less, more preferably 4.0 μm or less, and more preferably 3.5 μm or less. However, Rz is preferably 0.9 μm or more, more preferably 1.0 μm or more, and preferably 1.1 μm or more, because if Rz is too small, the adhesion to the resin substrate is reduced. More preferably, it is 1.5 μm or more, and even more preferably 2.0 μm or more.
また、本発明のキャリア付銅箔は別の一側面において、キャリアの極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の算術平均粗さRaが1.0μm以下に制御されている。キャリアの極薄銅層と反対側の表面の算術平均粗さRaが1.0μm以下であると、極薄銅層のキャリアからの剥離強度が抑制され、極薄銅層をキャリアから良好に剥離させることが可能となる。Raは好ましくは0.8μm以下であり、より好ましくは0.7μm以下であり、より好ましくは0.6μm以下である。但し、Raは、小さくなりすぎると樹脂基板との密着力が低下することから、0.12μm以上であることが好ましく、0.15μm以上であることが好ましく、0.2μm以上であることがより好ましく、0.22μm以上であることがより好ましく、0.3μm以上が更により好ましい。 In another aspect of the copper foil with a carrier of the present invention, when the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-1994, the arithmetic average roughness of the surface is measured. Ra is controlled to 1.0 μm or less. When the arithmetic average roughness Ra of the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier is 1.0 μm or less, the peeling strength of the ultrathin copper layer from the carrier is suppressed, and the ultrathin copper layer is peeled off from the carrier well. It becomes possible to make it. Ra is preferably 0.8 μm or less, more preferably 0.7 μm or less, and more preferably 0.6 μm or less. However, Ra is preferably 0.12 μm or more, more preferably 0.15 μm or more, and more preferably 0.2 μm or more, since the adhesive strength with the resin substrate is reduced when the Ra is too small. Preferably, it is 0.22 μm or more, more preferably 0.3 μm or more.
また、本発明のキャリア付銅箔は更に別の一側面において、キャリアの極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−2001に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の粗さ曲線の最大断面高さRtが7.0μm以下に制御されている。キャリアの極薄銅層と反対側の表面の最大断面高さRtが7.0μm以下であると、極薄銅層のキャリアからの剥離強度が抑制され、極薄銅層をキャリアから良好に剥離させることが可能となる。Rtは好ましくは6.0μm以下であり、より好ましくは5.0μm以下であり、より好ましくは4.0μm以下である。但し、Rtは、小さくなりすぎると樹脂基板との密着力が低下することから、1.1μm以上であることが好ましく、1.2μm以上であることが好ましく、1.3μm以上であることが好ましく、1.5μm以上であることがより好ましく、2.0μm以上が更により好ましい。
なお、本発明において、上述のキャリアの極薄銅層と反対側の表面の粗さ(Rz、Ra、Rt)は、後述の粗化処理層が形成されているときは、当該粗化処理層表面の粗さを示し、当該粗化処理層表面にさらに後述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層及び/又はシランカップリング処理層が形成されたときは、それらの中の最表層の表面の粗さを示す。また、キャリアに粗化処理層が形成されず、直接、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及び/又はシランカップリング処理層が形成されたときも、それらの中の最表層の表面の粗さを示す。
Moreover, when the copper foil with a carrier of the present invention is measured on a surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier with a laser microscope in accordance with JIS B0601-2001, the surface roughness of the carrier is further determined. The maximum section height Rt of the curve is controlled to 7.0 μm or less. When the maximum cross-sectional height Rt on the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier is 7.0 μm or less, the peel strength of the ultrathin copper layer from the carrier is suppressed, and the ultrathin copper layer is peeled off from the carrier well. It becomes possible to make it. Rt is preferably 6.0 μm or less, more preferably 5.0 μm or less, and more preferably 4.0 μm or less. However, Rt is preferably 1.1 μm or more, preferably 1.2 μm or more, and preferably 1.3 μm or more, because if the Rt is too small, the adhesion with the resin substrate is reduced. More preferably, it is 1.5 μm or more, and even more preferably 2.0 μm or more.
In the present invention, the roughness (Rz, Ra, Rt) of the surface opposite to the ultrathin copper layer of the above-mentioned carrier is the roughened layer when a roughened layer described later is formed. Indicates the roughness of the surface, and when the heat treatment layer, rust prevention layer, chromate treatment layer and / or silane coupling treatment layer described later is further formed on the surface of the roughening treatment layer, the surface of the outermost layer among them The roughness of is shown. In addition, when the heat treatment layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer and / or the silane coupling treatment layer are formed directly on the carrier without the roughening treatment layer being formed, the surface roughness of the outermost layer among them is also formed. It shows.
<中間層>
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物または有機物からなる層を形成することで構成することができる。
また、例えば中間層は、キャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群の内何れか一種の元素からなる単一金属層、あるいはCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層、あるいは有機物層を形成し、その次にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群の内何れか一種の元素からなる単一金属層、あるいはCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znの元素群から選択された一種以上の元素からなる合金層で構成することができる。また、他の層には中間層として用いることができる層構成を用いてもよい。
<Intermediate layer>
An intermediate layer is provided on the carrier. Another layer may be provided between the carrier and the intermediate layer. In the intermediate layer used in the present invention, the ultrathin copper layer is hardly peeled off from the carrier before the copper foil with the carrier is laminated on the insulating substrate, while the ultrathin copper layer is separated from the carrier after the lamination step on the insulating substrate. There is no particular limitation as long as it can be peeled off. For example, the intermediate layer of the copper foil with a carrier of the present invention is Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, oxides thereof, One or two or more selected from the group consisting of organic substances may be included. The intermediate layer may be a plurality of layers.
Further, for example, the intermediate layer is a single metal layer composed of one kind of element selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side. Or forming an alloy layer composed of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, From hydrates or oxides or organic substances of one or more elements selected from the group consisting of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn It can comprise by forming the layer which becomes.
Further, for example, the intermediate layer is a single metal layer made of any one element of the element group of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn from the carrier side, or Cr , Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, an alloy layer made of one or more elements selected from the element group, or an organic layer, and then Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, a single metal layer made of any one element, or Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P , Cu, Al, and Zn, and an alloy layer made of one or more elements selected from the element group. Moreover, you may use the layer structure which can be used as an intermediate | middle layer for another layer.
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル層、ニッケル−リン合金層又はニッケル−コバルト合金層と、クロム含有層とがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は5μg/dm2以上500μg/dm2以下であることが好ましく、5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることがより好ましい。 Further, for example, the intermediate layer can be configured by laminating a nickel layer, a nickel-phosphorus alloy layer or a nickel-cobalt alloy layer, and a chromium-containing layer in this order on a carrier. Since the adhesive strength between nickel and copper is higher than the adhesive strength between chromium and copper, when the ultrathin copper layer is peeled off, it peels at the interface between the ultrathin copper layer and chromium. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer. Adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 4000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 2500 g / dm 2 or less, more preferably less than 100 [mu] g / dm 2 or more 1000μg / dm 2, the adhesion amount of chromium is preferably 5 [mu] g / dm 2 or more 500 [mu] g / dm 2 or less in the intermediate layer, 5 [mu] g / dm 2 or more 100 [mu] g / dm 2 or less More preferably.
クロム含有層はクロムめっき層であってもよく、クロム合金めっき層であってもよく、クロメート処理層であってもよい。ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。 The chromium-containing layer may be a chromium plating layer, a chromium alloy plating layer, or a chromate treatment layer. Here, the chromate-treated layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is any element such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) May be included). Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with chromic anhydride or a potassium dichromate aqueous solution, a chromate treatment layer treated with a treatment solution containing anhydrous chromic acid or potassium dichromate and zinc, and the like. .
本発明のキャリア付銅箔の中間層は、キャリア上にニッケル層またはニッケルを含む合金層、及び、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のいずれかを含む有機物層の順で積層されて構成されており、中間層におけるニッケルの付着量が100〜40000μg/dm2であってもよい。 The intermediate layer of the carrier-attached copper foil of the present invention is laminated in the order of a nickel layer or an alloy layer containing nickel, and an organic material layer containing any of a nitrogen-containing organic compound, a sulfur-containing organic compound and a carboxylic acid on the carrier. The adhesion amount of nickel in the intermediate layer may be 100 to 40,000 μg / dm 2 .
また、例えば、中間層が含有する有機物としては、窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸の中から選択される1種又は2種以上からなるものを用いることが好ましい。窒素含有有機化合物、硫黄含有有機化合物及びカルボン酸のうち、窒素含有有機化合物は、置換基を有する窒素含有有機化合物を含んでいる。具体的な窒素含有有機化合物としては、置換基を有するトリアゾール化合物である1,2,3−ベンゾトリアゾール、カルボキシベンゾトリアゾール、N’,N’−ビス(ベンゾトリアゾリルメチル)ユリア、1H−1,2,4−トリアゾール及び3−アミノ−1H−1,2,4−トリアゾール等を用いることが好ましい。
硫黄含有有機化合物には、メルカプトベンゾチアゾール、チオシアヌル酸及び2−ベンズイミダゾールチオール等を用いることが好ましい。
カルボン酸としては、特にモノカルボン酸を用いることが好ましく、中でもオレイン酸、リノール酸及びリノレイン酸等を用いることが好ましい。
前述の有機物は厚みで8nm以上80nm以下含有するのが好ましく、30nm以上70nm以下含有するのがより好ましい。中間層は前述の有機物を複数種類(一種以上)含んでもよい。
なお、有機物の厚みは以下のようにして測定することができる。
Moreover, for example, as the organic substance contained in the intermediate layer, it is preferable to use one or two or more selected from nitrogen-containing organic compounds, sulfur-containing organic compounds and carboxylic acids. Among the nitrogen-containing organic compound, the sulfur-containing organic compound, and the carboxylic acid, the nitrogen-containing organic compound includes a nitrogen-containing organic compound having a substituent. Specific nitrogen-containing organic compounds include 1,2,3-benzotriazole, carboxybenzotriazole, N ′, N′-bis (benzotriazolylmethyl) urea, 1H-1 which are triazole compounds having a substituent. 2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole and the like are preferably used.
As the sulfur-containing organic compound, it is preferable to use mercaptobenzothiazole, thiocyanuric acid, 2-benzimidazolethiol, and the like.
As the carboxylic acid, it is particularly preferable to use a monocarboxylic acid, and it is particularly preferable to use oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, or the like.
The aforementioned organic substance is preferably contained in a thickness of 8 nm to 80 nm, more preferably 30 nm to 70 nm. The intermediate layer may contain a plurality of types (one or more) of the aforementioned organic substances.
In addition, the thickness of organic substance can be measured as follows.
<中間層の有機物厚み>
キャリア付銅箔の極薄銅層をキャリアから剥離した後に、露出した極薄銅層の中間層側の表面と、露出したキャリアの中間層側の表面をXPS測定し、デプスプロファイルを作成する。そして、極薄銅層の中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをA(nm)とし、キャリアの中間層側の表面から最初に炭素濃度が3at%以下となった深さをB(nm)とし、AとBとの合計を中間層の有機物の厚み(nm)とすることができる。
XPSの稼働条件を以下に示す。
・装置:XPS測定装置(アルバックファイ社、型式5600MC)
・到達真空度:3.8×10-7Pa
・X線:単色AlKαまたは非単色MgKα、エックス線出力300W、検出面積800μmφ、試料と検出器のなす角度45°
・イオン線:イオン種Ar+、加速電圧3kV、掃引面積3mm×3mm、スパッタリングレート2.8nm/min(SiO2換算)
<Thickness of organic material in the intermediate layer>
After peeling off the ultrathin copper layer of the carrier-attached copper foil from the carrier, the surface of the exposed ultrathin copper layer on the intermediate layer side and the exposed surface of the intermediate layer side of the carrier are subjected to XPS measurement to create a depth profile. The depth at which the carbon concentration first becomes 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer is defined as A (nm), and the carbon concentration is initially 3 at% or less from the surface on the intermediate layer side of the carrier. The resulting depth can be defined as B (nm), and the sum of A and B can be defined as the thickness (nm) of the organic substance in the intermediate layer.
XPS operating conditions are shown below.
・ Device: XPS measuring device (ULVAC-PHI, Model 5600MC)
・ Achieving vacuum: 3.8 × 10 −7 Pa
X-ray: Monochromatic AlKα or non-monochromatic MgKα, X-ray output 300 W, detection area 800 μmφ, angle between sample and detector 45 °
Ion beam: ion species Ar + , acceleration voltage 3 kV, sweep area 3 mm × 3 mm, sputtering rate 2.8 nm / min (SiO 2 conversion)
中間層が含有する有機物の使用方法について、以下に、キャリア箔上への中間層の形成方法についても述べつつ説明する。キャリア上への中間層の形成は、上述した有機物を溶媒に溶解させ、その溶媒中にキャリアを浸漬させるか、中間層を形成しようとする面に対するシャワーリング、噴霧法、滴下法及び電着法等を用いて行うことができ、特に限定した手法を採用する必要性はない。このときの溶媒中の有機系剤の濃度は、上述した有機物の全てにおいて、濃度0.01g/L〜30g/L、液温20〜60℃の範囲が好ましい。有機物の濃度は、特に限定されるものではなく、本来濃度が高くとも低くとも問題のないものである。なお、有機物の濃度が高いほど、また、上述した有機物を溶解させた溶媒へのキャリアの接触時間が長いほど、中間層の有機物厚みは大きくなる傾向にある。 The method for using the organic substance contained in the intermediate layer will be described below with reference to the method for forming the intermediate layer on the carrier foil. The intermediate layer is formed on the carrier by dissolving the above-mentioned organic substance in a solvent and immersing the carrier in the solvent, or showering, spraying method, dropping method and electrodeposition method on the surface on which the intermediate layer is to be formed. Etc., and there is no need to adopt a particularly limited method. At this time, the concentration of the organic agent in the solvent is preferably in the range of a concentration of 0.01 g / L to 30 g / L and a liquid temperature of 20 to 60 ° C. in all the organic substances described above. The concentration of the organic substance is not particularly limited, and there is no problem even if the concentration is originally high or low. In addition, the organic substance thickness of an intermediate | middle layer tends to become large, so that the density | concentration of organic substance is high, and the contact time of the carrier to the solvent which dissolved the organic substance mentioned above is long.
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケルと、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金とがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力は、モリブデンまたはコバルトと銅との接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金との界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。
中間層において、ニッケルの付着量は100〜40000μg/dm2であり、モリブデンの付着量は10〜1000μg/dm2であり、コバルトの付着量は10〜1000μg/dm2である。上述のように、本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔から極薄銅層を剥離した後の極薄銅層の表面のNi量が制御されているが、このように剥離後の極薄銅層表面のNi量を制御するためには、中間層のNi付着量を少なくするとともに、Niが極薄銅層側へ拡散するのを抑制する金属種(Co、Mo)を中間層が含んでいることが好ましい。このような観点から、ニッケル付着量は100〜40000μg/dm2とすることが好ましく、200〜20000μg/dm2とすることが好ましく、300〜15000μg/dm2とすることがより好ましく、300〜10000μg/dm2とすることがより好ましい。中間層にモリブデンが含まれる場合には、モリブデン付着量は10〜1000μg/dm2とすることが好ましく、モリブデン付着量は20〜600μg/dm2とすることが好ましく、30〜400μg/dm2とすることがより好ましい。中間層にコバルトが含まれる場合には、コバルト付着量は10〜1000μg/dm2とすることが好ましく、コバルト付着量は20〜600μg/dm2とすることが好ましく、30〜400μg/dm2とすることがより好ましい。
なお、上述のように中間層は、キャリア上に、ニッケルと、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金とがこの順で積層した場合には、モリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層を設けるためのめっき処理での電流密度を低くし、キャリアの搬送速度を遅くするとモリブデンまたはコバルトまたはモリブデン−コバルト合金層の密度が高くなる傾向にある。モリブデン及び/またはコバルトを含む層の密度が高くなると、ニッケル層のニッケルが拡散し難くなり、剥離後の極薄銅層表面のNi量を制御することができる。
なお、中間層はキャリアに対して電気めっき、無電解めっき及び浸漬めっきのような湿式めっき、または、スパッタリング、CVD、PVDのような乾式めっきをすることにより設けることができる。なお、キャリアに樹脂フィルムを用いて、湿式めっきで中間層を設ける場合には、中間層形成前に活性化処理等のキャリアに対して湿式めっきを行うための前処理を行う必要が有る。前述の前処理は、樹脂フィルムに湿式めっきを行うことが可能となる処理であればどのような処理を用いてもよく、公知の処理を用いることができる。
Further, for example, the intermediate layer can be configured by stacking nickel and molybdenum, cobalt, or a molybdenum-cobalt alloy in this order on a carrier. Since the adhesion force between nickel and copper is higher than the adhesion force between molybdenum or cobalt and copper, when peeling the ultrathin copper layer, the interface between the ultrathin copper layer and molybdenum or cobalt or molybdenum-cobalt alloy It will come off. Further, the nickel of the intermediate layer is expected to have a barrier effect that prevents the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer.
In the intermediate layer, the adhesion amount of nickel is 100 to 40000 μg / dm 2 , the adhesion amount of molybdenum is 10 to 1000 μg / dm 2 , and the adhesion amount of cobalt is 10 to 1000 μg / dm 2 . As described above, in the copper foil with carrier of the present invention, the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after the ultrathin copper layer is peeled from the copper foil with carrier is controlled. In order to control the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer, the intermediate layer is made of a metal species (Co, Mo) that suppresses the diffusion of Ni to the ultrathin copper layer side while reducing the amount of Ni deposited on the intermediate layer. Is preferably included. From this viewpoint, the amount of nickel deposited is preferably to 100~40000μg / dm 2, preferably to 200~20000μg / dm 2, more preferably to 300~15000μg / dm 2, 300~10000μg / Dm 2 is more preferable. If included molybdenum in the intermediate layer, a molybdenum deposition amount is preferably set to 10~1000μg / dm 2, the molybdenum deposition amount is preferably set to 20~600μg / dm 2, and 30~400μg / dm 2 More preferably. If included cobalt in the intermediate layer, the cobalt coating weight is preferably set to 10~1000μg / dm 2, cobalt deposition amount is preferably set to 20~600μg / dm 2, and 30~400μg / dm 2 More preferably.
As described above, the intermediate layer is plated for providing a molybdenum, cobalt, or molybdenum-cobalt alloy layer when nickel and molybdenum, cobalt, or a molybdenum-cobalt alloy are stacked in this order on a carrier. When the current density in the treatment is lowered and the carrier transport speed is lowered, the density of the molybdenum, cobalt, or molybdenum-cobalt alloy layer tends to increase. When the density of the layer containing molybdenum and / or cobalt increases, nickel in the nickel layer becomes difficult to diffuse, and the amount of Ni on the surface of the ultrathin copper layer after peeling can be controlled.
The intermediate layer can be provided on the carrier by wet plating such as electroplating, electroless plating and immersion plating, or dry plating such as sputtering, CVD, and PVD. In addition, when providing an intermediate | middle layer by wet plating using a resin film for a carrier, it is necessary to perform the pretreatment for performing wet plating with respect to carriers, such as an activation process, before intermediate | middle layer formation. As the above-mentioned pretreatment, any treatment can be used as long as wet plating can be performed on the resin film, and a known treatment can be used.
<ストライクめっき>
中間層の上には極薄銅層を設ける。その前に極薄銅層のピンホールを低減させるために銅−リン合金によるストライクめっきを行ってもよい。ストライクめっきにはピロリン酸銅めっき液などが挙げられる。
<Strike plating>
An ultrathin copper layer is provided on the intermediate layer. Before that, strike plating with a copper-phosphorus alloy may be performed in order to reduce pinholes in the ultrathin copper layer. Examples of the strike plating include a copper pyrophosphate plating solution.
<極薄銅層>
中間層の上には極薄銅層を設ける。なお、中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気めっきにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.05〜12μmであり、より典型的には0.1〜12μmであり、0.5〜12μmであり、より典型的には1.5〜5μmであり、より典型的には2〜5μmである。また、他の層には中間層として用いることができる構成の層を用いてもよい。
<Ultrathin copper layer>
An ultrathin copper layer is provided on the intermediate layer. Other layers may be provided between the intermediate layer and the ultrathin copper layer. The ultra-thin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamate, copper cyanide, etc., and is used in general electrolytic copper foil with high current density. Since a copper foil can be formed, a copper sulfate bath is preferable. The thickness of the ultrathin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 μm or less. Typically 0.05-12 μm, more typically 0.1-12 μm, 0.5-12 μm, more typically 1.5-5 μm, more typically Is 2-5 μm. Moreover, you may use the layer of the structure which can be used as an intermediate | middle layer for another layer.
<キャリア表面、極薄銅層表面の粗化処理>
キャリアの極薄銅層側とは反対側の表面には、例えば樹脂基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。このような構成によれば、本発明のキャリア付銅箔をキャリア側から樹脂基板に積層する処理を行うとき、キャリアと樹脂基板との密着性が向上し、プリント配線板の製造工程においてキャリアと樹脂基板とが剥離し難くなる。
また、キャリアの極薄銅層側と反対側の表面には、粗化処理層を形成しなくてもよい。キャリアの極薄銅層側と反対側の表面には、粗化処理層を形成しない場合、キャリアと極薄銅層との剥離強度を制御しやすくなるという利点がある。
また、極薄銅層の表面には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。
<Roughening treatment of carrier surface and ultrathin copper layer surface>
A roughening treatment layer may be provided on the surface opposite to the ultrathin copper layer side of the carrier by performing a roughening treatment, for example, in order to improve adhesion to the resin substrate. According to such a configuration, when performing the process of laminating the copper foil with a carrier of the present invention on the resin substrate from the carrier side, the adhesion between the carrier and the resin substrate is improved, and in the manufacturing process of the printed wiring board, the carrier and It becomes difficult to peel off from the resin substrate.
Further, it is not necessary to form a roughening treatment layer on the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer side. If the roughening layer is not formed on the surface opposite to the ultrathin copper layer side of the carrier, there is an advantage that the peel strength between the carrier and the ultrathin copper layer can be easily controlled.
Further, a roughened layer may be provided on the surface of the ultrathin copper layer by performing a roughening process, for example, in order to improve the adhesion to the insulating substrate.
なお、本発明において、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層等の表面処理層を形成する、或いは、粗化処理層が形成されていない「キャリアの極薄銅層と反対側の表面」は、キャリアに関して極薄銅層と反対側に位置している表面であれば、特に限定するものではなく、例えば、当該キャリアそのものの表面であってもよく、キャリアの極薄銅層と反対側に表面処理層が形成されている場合は、当該表面処理層におけるいずれかの層の表面(最表層の表面も含む)であってもよい。 In the present invention, a surface treatment layer such as a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, a silane coupling treatment layer or the like is formed, or a roughening treatment layer is not formed. The “surface opposite to the ultrathin copper layer” is not particularly limited as long as it is a surface located on the side opposite to the ultrathin copper layer with respect to the carrier. For example, the surface of the carrier itself may be used. When the surface treatment layer is formed on the opposite side of the carrier from the ultrathin copper layer, the surface of any one of the surface treatment layers (including the surface of the outermost layer) may be used.
上記キャリアまたは極薄銅層に施す粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。また、粗化処理層は、硫酸アルキルエステル塩、タングステン及び砒素からなる群から選択された1種以上を含む硫酸・硫酸銅電解浴を用いて形成してもよい。当該粗化処理は以下の電解浴および条件で行うことができる。また粗化処理の後に、粗化処理粒子の脱落を防止するため、かぶせめっきを行ってもよい。
・粗化処理
(液組成)
Cu:10〜30g/L
H2SO4:10〜150g/L
W:0〜50mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム:0〜50mg/L
As:0〜200mg/L
(電気めっき条件)
温度:30〜70℃
電流密度:25〜110A/dm2
粗化クーロン量:50〜500As/dm2
めっき時間:0.5〜20秒
・かぶせめっき
(液組成)
Cu:20〜80g/L
H2SO4:50〜200g/L
(電気めっき条件)
温度:30〜70℃
電流密度:5〜50A/dm2
粗化クーロン量:50〜300As/dm2
めっき時間:1〜60秒
その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、キャリアまたは極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。なお、これらの表面処理はキャリア及び極薄銅層の表面粗さにほとんど影響を与えない。
The roughening treatment applied to the carrier or the ultrathin copper layer can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughening process may be fine. The roughening treatment layer is a layer made of any single element selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc, or an alloy containing one or more of them. Also good. Moreover, after forming the roughened particles with copper or a copper alloy, a roughening treatment can be performed in which secondary particles or tertiary particles are further formed of nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy. The roughening treatment layer may be formed by using a sulfuric acid / copper sulfate electrolytic bath containing one or more selected from the group consisting of alkyl sulfate salts, tungsten and arsenic. The roughening treatment can be performed with the following electrolytic bath and conditions. In addition, after the roughening treatment, covering plating may be performed in order to prevent the roughening treatment particles from falling off.
・ Roughening treatment (liquid composition)
Cu: 10-30 g / L
H 2 SO 4: 10~150g / L
W: 0 to 50 mg / L
Sodium dodecyl sulfate: 0 to 50 mg / L
As: 0 to 200 mg / L
(Electroplating conditions)
Temperature: 30-70 ° C
Current density: 25 to 110 A / dm 2
Roughening coulomb amount: 50 to 500 As / dm 2
Plating time: 0.5 to 20 seconds, cover plating (liquid composition)
Cu: 20-80 g / L
H 2 SO 4 : 50 to 200 g / L
(Electroplating conditions)
Temperature: 30-70 ° C
Current density: 5 to 50 A / dm 2
Roughening coulomb amount: 50 to 300 As / dm 2
Plating time: 1 to 60 seconds Thereafter, a heat-resistant layer or a rust-preventing layer may be formed of nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy, and the surface is further treated with chromate treatment, silane coupling treatment, etc. May be applied. Alternatively, a heat-resistant layer or a rust-preventing layer may be formed from nickel, cobalt, copper, zinc alone or an alloy without roughening, and the surface may be subjected to a treatment such as chromate treatment or silane coupling treatment. Good. That is, one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust-preventing layer, a chromate-treated layer, and a silane coupling-treated layer may be formed on the surface of the roughened layer. One or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the layer. In addition, the above-mentioned heat-resistant layer, rust prevention layer, chromate treatment layer, and silane coupling treatment layer may each be formed of a plurality of layers (for example, 2 layers or more, 3 layers or more, etc.). These surface treatments hardly affect the surface roughness of the carrier and the ultrathin copper layer.
粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理層は、ファインピッチ形成の観点から微細な粒子で構成されるのが好ましい。粗化粒子を形成する際の電気めっき条件について、電流密度を高く、めっき液中の銅濃度を低く、又は、クーロン量を大きくすると粒子が微細化する傾向にある。 The roughening treatment can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughening treatment layer is preferably composed of fine particles from the viewpoint of fine pitch formation. Regarding the electroplating conditions for forming the roughened particles, if the current density is increased, the copper concentration in the plating solution is decreased, or the amount of coulomb is increased, the particles tend to become finer.
耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることができる。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%〜99wt%、亜鉛を50wt%〜1wt%含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5〜1000mg/m2、好ましくは10〜500mg/m2、好ましくは20〜100mg/m2であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5〜10であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2〜500mg/m2であることが好ましく、1mg/m2〜50mg/m2であることがより好ましい。耐熱層および/または防錆層がニッケル−亜鉛合金を含む層である場合、スルーホールやビアホール等の内壁部がデスミア液と接触したときに銅箔と樹脂基板との界面がデスミア液に浸食されにくく、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。 As the heat-resistant layer and the rust-proof layer, known heat-resistant layers and rust-proof layers can be used. For example, the heat-resistant layer and / or the anticorrosive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, tantalum A layer containing one or more elements selected from nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements Further, it may be a metal layer or an alloy layer made of one or more elements selected from the group consisting of iron, tantalum and the like. The heat-resistant layer and / or rust preventive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum. An oxide, nitride, or silicide containing one or more elements selected from the above may be included. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% to 99 wt% nickel and 50 wt% to 1 wt% zinc, excluding inevitable impurities. The total adhesion amount of zinc and nickel in the nickel-zinc alloy layer may be 5 to 1000 mg / m 2 , preferably 10 to 500 mg / m 2 , preferably 20 to 100 mg / m 2 . Further, the ratio of the nickel adhesion amount and the zinc adhesion amount of the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer (= nickel adhesion amount / zinc adhesion amount) is 1.5 to 10. It is preferable. Further, the nickel - in adhesion amount of nickel in the zinc alloy layer is preferably from 0.5mg / m 2 ~500mg / m 2 , 1mg / m 2 ~50mg / m 2 - zinc alloy layer or the nickel containing More preferably. When the heat-resistant layer and / or rust prevention layer is a layer containing a nickel-zinc alloy, the interface between the copper foil and the resin substrate is eroded by the desmear liquid when the inner wall such as a through hole or via hole comes into contact with the desmear liquid. It is difficult to improve the adhesion between the copper foil and the resin substrate.
例えば耐熱層および/または防錆層は、付着量が1mg/m2〜100mg/m2、好ましくは5mg/m2〜50mg/m2のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が1mg/m2〜80mg/m2、好ましくは5mg/m2〜40mg/m2のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン合金、ニッケル−亜鉛合金、ニッケル−モリブデン−コバルト合金、ニッケル−スズ合金のいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および/または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が2mg/m2〜150mg/m2であることが好ましく、10mg/m2〜70mg/m2であることがより好ましい。また、耐熱層および/または防錆層は、[ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量]/[スズ付着量]=0.25〜10であることが好ましく、0.33〜3であることがより好ましい。当該耐熱層および/または防錆層を用いるとキャリア付銅箔をプリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等が良好になる。 For example heat-resistant layer and / or anticorrosive layer has coating weight of 1 mg / m 2 -100 mg / m 2, preferably from 5 mg / m 2 and to 50 mg / m 2 of nickel or nickel alloy layer, the adhesion amount is 1 mg / m 2 to 80 mg / m 2, preferably it may be obtained by sequentially laminating a tin layer of 5mg / m 2 ~40mg / m 2 , wherein the nickel alloy layer is a nickel - molybdenum alloy, nickel - zinc alloys, nickel - molybdenum -You may be comprised by either 1 type of a cobalt alloy and a nickel- tin alloy. The heat-resistant layer and / or anticorrosive layer, it is preferably, 10mg / m 2 ~70mg / m 2 total deposition amount of nickel or nickel alloy and tin is 2mg / m 2 ~150mg / m 2 It is more preferable. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer is preferably [nickel or nickel adhesion amount in nickel or nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25 to 10, preferably 0.33 to 3. More preferred. When the heat-resistant layer and / or rust-preventing layer is used, the carrier-clad copper foil is processed into a printed wiring board, and the subsequent circuit peeling strength, the chemical resistance deterioration rate of the peeling strength, and the like are improved.
前記クロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。 The chromate-treated layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, dichromic acid, chromate or dichromate. Chromate treatment layer is any element such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium (metal, alloy, oxide, nitride, sulfide, etc.) May be included). Specific examples of the chromate treatment layer include a chromate treatment layer treated with chromic anhydride or a potassium dichromate aqueous solution, a chromate treatment layer treated with a treatment solution containing anhydrous chromic acid or potassium dichromate and zinc, and the like. .
前記シランカップリング処理層は、公知のシランカップリング剤を使用して形成してもよく、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シラン、ビニル系シラン、イミダゾール系シラン、トリアジン系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。
また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ‐メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ‐グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、4‐グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐3‐(4‐(3‐アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ‐メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。
The silane coupling treatment layer may be formed using a known silane coupling agent, such as epoxy silane, amino silane, methacryloxy silane, mercapto silane, vinyl silane, imidazole silane, triazine. You may form using silane coupling agents, such as silane. In addition, you may use 2 or more types of such silane coupling agents in mixture. Especially, it is preferable to form using an amino-type silane coupling agent or an epoxy-type silane coupling agent.
Silane coupling agents include vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxylane, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane, and γ-aminopropyl. Triethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, imidazolesilane, triazinesilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane or the like may be used.
前述のアミノ系シランカップリング剤とは、N‐(2‐アミノエチル)‐3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐(3‐アクリルオキシ‐2‐ヒドロキシプロピル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、4‐アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐(2‐アミノエチル‐3‐アミノプロピル)トリス(2‐エチルヘキソキシ)シラン、6‐(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3‐(1‐アミノプロポキシ)‐3,3‐ジメチル‐1‐プロペニルトリメトキシシラン、3‐アミノプロピルトリス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、3‐アミノプロピルトリメトキシシラン、ω‐アミノウンデシルトリメトキシシラン、3‐(2‐N‐ベンジルアミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、ビス(2‐ヒドロキシエチル)‐3‐アミノプロピルトリエトキシシラン、(N,N‐ジエチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、(N,N‐ジメチル‐3‐アミノプロピル)トリメトキシシラン、N‐メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N‐フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3‐(N‐スチリルメチル‐2‐アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、γ‐アミノプロピルトリエトキシシラン、N‐β(アミノエチル)γ‐アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。 The above-mentioned amino-based silane coupling agents are N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3-amino Propyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N- (3- Acrylicoxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenethyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) tri Methoxysilane, N- ( -Aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) -3,3-dimethyl- 1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltris (methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxysilane, 3- (2-N -Benzylaminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, (N, N-dimethyl- 3-aminopropyl) trime Toxisilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β It may be selected from the group consisting of (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane and N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane.
シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、0.05mg/m2〜200mg/m2、好ましくは0.15mg/m2〜20mg/m2、好ましくは0.3mg/m2〜2.0mg/m2の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材樹脂と表面処理銅箔との密着性をより向上させることができる。 The silane coupling treatment layer is 0.05 mg / m 2 to 200 mg / m 2 , preferably 0.15 mg / m 2 to 20 mg / m 2 , preferably 0.3 mg / m 2 to 2.0 mg in terms of silicon atoms. / M 2 is desirable. In the case of the above-mentioned range, the adhesiveness between the base resin and the surface-treated copper foil can be further improved.
また、極薄銅層、粗化処理層、耐熱層、防錆層、シランカップリング処理層またはクロメート処理層の表面に、国際公開番号WO2008/053878、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、特開2013−19056号に記載の表面処理を行うことができる。 In addition, on the surface of an ultrathin copper layer, a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a silane coupling treatment layer, or a chromate treatment layer, International Publication No. Surface treatment described in International Publication No. WO2006 / 028207, Patent No. 4828427, International Publication No. WO2006 / 134868, Patent No. 5046927, International Publication No. WO2007 / 105635, Patent No. 5180815, JP2013-19056A be able to.
<プリント配線板及び積層体>
キャリア付銅箔を、例えば、極薄銅層側から絶縁樹脂板に貼り付けて熱圧着させ、キャリアを剥がすことで積層体(銅張積層体等)を作製することができる。また、その後、極薄銅層部分をエッチングすることにより、プリント配線板の銅回路を形成することができる。ここで用いる絶縁樹脂板はプリント配線板に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドPWB用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、FPC用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム等を使用する事ができる。このようにして作製したプリント配線板、積層体は、搭載部品の高密度実装が要求される各種電子部品に搭載することができる。
なお、本発明において、「プリント配線板」には部品が装着されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。このようなプリント配線板を用いて電子機器を製造することもできる。なお、本発明において、「銅回路」には銅配線も含まれることとする。
<Printed wiring boards and laminates>
A laminated body (copper-clad laminated body etc.) can be produced by attaching a copper foil with a carrier to an insulating resin plate from the ultra-thin copper layer side, thermocompression bonding, and peeling the carrier. Thereafter, the copper circuit of the printed wiring board can be formed by etching the ultrathin copper layer portion. The insulating resin board used here is not particularly limited as long as it has characteristics applicable to a printed wiring board. For example, a paper base phenolic resin, a paper base epoxy resin, a synthetic fiber cloth base for rigid PWB are used. Material epoxy resin, glass cloth / paper composite base material epoxy resin, glass cloth / glass nonwoven fabric composite base material epoxy resin, glass cloth base material epoxy resin, etc. can be used, polyester film or polyimide film etc. can be used for FPC it can. The printed wiring board and the laminate produced in this way can be mounted on various electronic components that require high-density mounting of the mounted components.
In the present invention, the “printed wiring board” includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed board on which components are mounted. An electronic device can also be manufactured using such a printed wiring board. In the present invention, “copper circuit” includes copper wiring.
また、キャリア付銅箔は、極薄銅層上に粗化処理層を備えても良く、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層、およびシランカップリング処理層からなる群のから選択された層を一つ以上備えても良い。
また、前記極薄銅層上に粗化処理層を備え、前記粗化処理層上に、耐熱層、防錆層を備えてもよく、前記耐熱層、防錆層上にクロメート処理層を備えてもよく、前記クロメート処理層上にシランカップリング処理層を備えても良い。
また、前記キャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。
Moreover, the copper foil with a carrier may be provided with a roughening treatment layer on the ultrathin copper layer, and the heat treatment layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer, and the silane coupling treatment layer on the roughening treatment layer. One or more layers selected from the group may be provided.
Further, a roughening treatment layer may be provided on the ultrathin copper layer, a heat resistant layer and a rust prevention layer may be provided on the roughening treatment layer, and a chromate treatment layer may be provided on the heat resistance layer and the rust prevention layer. Alternatively, a silane coupling treatment layer may be provided on the chromate treatment layer.
The carrier-attached copper foil includes a resin layer on the ultrathin copper layer, the roughened layer, the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate-treated layer, or the silane coupling-treated layer. May be.
前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ状態)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。 The resin layer may be an adhesive, or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage state) for bonding. The semi-cured state (B stage state) is a state in which there is no sticky feeling even if the surface is touched with a finger, the insulating resin layer can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when subjected to heat treatment. Including that.
また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399号、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。 The resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. The resin layer may include a thermoplastic resin. The resin layer may contain a known resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, dielectric, reaction catalyst, crosslinking agent, polymer, prepreg, skeleton material, and the like. The resin layer may be, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP-A-11-140281, Patent 3184485, International Publication. No. WO 97/02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent Laid-Open No. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-179722, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-359444, Japanese Patent Laid-Open No. 2003-302068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Patent Laid-Open No. 2003 No. 249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-82687, Japanese Patent No. 4025177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent Application Laid-Open No. No. 5-53218, Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-257153, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-326923, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-11169, and Japanese Patent No. 5024930. No. WO2006 / 028207, Japanese Patent No. 4828427, JP 2009-67029, International Publication No. WO 2006/134868, Japanese Patent No. 5046927, JP 2009-173017, International Publication No. WO 2007/105635, Patent No. 5180815, International Publication Number WO2008 / 114858, International Publication Number WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication Number WO2009 / 001850, International Publication Number WO2009 / 145179, International Publication Number Nos. WO2011 / 068157, JP-A-2013-19056 (resins, resin curing agents, compounds, curing accelerators, dielectrics, reaction catalysts, crosslinking agents, polymers, prepregs, skeletal materials, etc.) and / or You may form using the formation method and formation apparatus of a resin layer.
また、前記樹脂層は、その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリマレイミド化合物、マレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルスルホン(ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう)、ポリエーテルスルホン(ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう)樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、ゴム性樹脂、ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル-ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボン酸の無水物、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、2,2−ビス(4−グリシジルフェニル)プロパン、ポリフェニレンエーテル−シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上を含む樹脂を好適なものとして挙げることができる。 The type of the resin layer is not particularly limited. For example, epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, polymaleimide compound, maleimide resin, aromatic maleimide resin , Polyvinyl acetal resin, urethane resin, polyethersulfone (also referred to as polyethersulfone or polyethersulfone), polyethersulfone (also referred to as polyethersulfone or polyethersulfone) resin, aromatic polyamide resin, aromatic Polyamide resin polymer, rubber resin, polyamine, aromatic polyamine, polyamideimide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group-modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine tree Fat, thermosetting polyphenylene oxide resin, cyanate ester resin, carboxylic acid anhydride, polyvalent carboxylic acid anhydride, linear polymer having crosslinkable functional group, polyphenylene ether resin, 2,2-bis (4 -Cyanatophenyl) propane, phosphorus-containing phenol compound, manganese naphthenate, 2,2-bis (4-glycidylphenyl) propane, polyphenylene ether-cyanate resin, siloxane-modified polyamideimide resin, cyanoester resin, phosphazene resin, Select from the group of rubber-modified polyamide-imide resin, isoprene, hydrogenated polybutadiene, polyvinyl butyral, phenoxy, polymer epoxy, aromatic polyamide, fluororesin, bisphenol, block copolymerized polyimide resin, and cyanoester resin It can be mentioned resins containing one or more kinds as suitable to be.
また前記エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に2個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化(臭素化)エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N-ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる1種又は2種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
The epoxy resin has two or more epoxy groups in the molecule and can be used without any problem as long as it can be used for electric / electronic materials. The epoxy resin is preferably an epoxy resin epoxidized using a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. Also, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, brominated (brominated) epoxy Resin, phenol novolac type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, orthocresol novolac type epoxy resin, rubber modified bisphenol A type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, N, N -Glycidyl amine compounds such as diglycidyl aniline, glycidyl ester compounds such as diglycidyl tetrahydrophthalate, phosphorus-containing epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, One or two or more types selected from the group of phenyl novolac type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylethane type epoxy resin can be used, or a hydrogenated product of the epoxy resin or Halogenated substances can be used.
As the phosphorus-containing epoxy resin, a known epoxy resin containing phosphorus can be used. The phosphorus-containing epoxy resin is, for example, an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in the molecule. Is preferred.
(樹脂層が誘電体(誘電体フィラー)を含む場合)
前記樹脂層は誘電体(誘電体フィラー)を含んでもよい。
上記いずれかの樹脂層または樹脂組成物に誘電体(誘電体フィラー)を含ませる場合には、キャパシタ層を形成する用途に用い、キャパシタ回路の電気容量を増大させることができるのである。この誘電体(誘電体フィラー)には、BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr−Ti)O3(通称PZT)、PbLaTiO3・PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi2Ta2O9(通称SBT)等のペブロスカイト構造を持つ複合酸化物の誘電体粉を用いる。
(When the resin layer contains a dielectric (dielectric filler))
The resin layer may include a dielectric (dielectric filler).
In the case where a dielectric (dielectric filler) is included in any of the above resin layers or resin compositions, it can be used for the purpose of forming the capacitor layer and increase the capacitance of the capacitor circuit. Examples of the dielectric (dielectric filler) include BaTiO 3 , SrTiO 3 , Pb (Zr—Ti) O 3 (common name PZT), PbLaTiO 3 · PbLaZrO (common name PLZT), SrBi 2 Ta 2 O 9 (common name SBT), and the like. A composite oxide dielectric powder having a perovskite structure is used.
前述の樹脂層に含まれる樹脂および/または樹脂組成物および/または化合物を例えばメチルエチルケトン(MEK)、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、トルエン、メタノール、エタノール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、シクロヘキサノン、エチルセロソルブ、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドなどの溶剤に溶解して樹脂液(樹脂ワニス)とし、これを前記キャリア付銅箔の極薄銅層側の表面に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100〜250℃、好ましくは130〜200℃であればよい。前記樹脂層の組成物を、溶剤を用いて溶解し、樹脂固形分3wt%〜70wt%、好ましくは、3wt%〜60wt%、好ましくは10wt%〜40wt%、より好ましくは25wt%〜40wt%の樹脂液としてもよい。なお、メチルエチルケトンとシクロペンタノンとの混合溶剤を用いて溶解することが、環境的な見地より現段階では最も好ましい。なお、溶剤には沸点が50℃〜200℃の範囲である溶剤を用いることが好ましい。
また、前記樹脂層はMIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して測定したときのレジンフローが5%〜35%の範囲にある半硬化樹脂膜であることが好ましい。
本件明細書において、レジンフローとは、MIL規格におけるMIL−P−13949Gに準拠して、樹脂厚さを55μmとした樹脂付表面処理銅箔から10cm角試料を4枚サンプリングし、この4枚の試料を重ねた状態(積層体)でプレス温度171℃、プレス圧14kgf/cm2、プレス時間10分の条件で貼り合わせ、そのときの樹脂流出重量を測定した結果から下記式に基づいて算出した値である。
Examples of the resin and / or resin composition and / or compound contained in the resin layer include methyl ethyl ketone (MEK), cyclopentanone, dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, toluene, methanol, ethanol, propylene glycol monomethyl ether , Dimethylformamide, dimethylacetamide, cyclohexanone, ethyl cellosolve, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide and the like to obtain a resin liquid (resin varnish). The surface of the copper foil with a carrier is coated on the surface of the ultrathin copper layer by, for example, a roll coater method, and then heated and dried as necessary to remove the solvent to obtain a B stage state. For example, a hot air drying furnace may be used for drying, and the drying temperature may be 100 to 250 ° C, preferably 130 to 200 ° C. The composition of the resin layer is dissolved using a solvent, and the resin solid content is 3 wt% to 70 wt%, preferably 3 wt% to 60 wt%, preferably 10 wt% to 40 wt%, more preferably 25 wt% to 40 wt%. It is good also as a resin liquid. In addition, it is most preferable at this stage from an environmental standpoint to dissolve using a mixed solvent of methyl ethyl ketone and cyclopentanone. In addition, it is preferable to use the solvent whose boiling point is the range of 50 to 200 degreeC as a solvent.
The resin layer is preferably a semi-cured resin film having a resin flow in the range of 5% to 35% when measured according to MIL-P-13949G in the MIL standard.
In this specification, the resin flow is based on MIL-P-13949G in the MIL standard. Four 10 cm square samples are sampled from a resin-treated surface-treated copper foil with a resin thickness of 55 μm. In a state where the samples were stacked (laminate), the samples were bonded together under the conditions of a press temperature of 171 ° C., a press pressure of 14 kgf / cm 2 , and a press time of 10 minutes, and the resin outflow weight at that time was measured. Value.
前記樹脂層を備えた表面処理銅箔(樹脂付き表面処理銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついで表面処理銅箔がキャリア付銅箔の極薄銅層である場合にはキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ(当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である)、表面処理銅箔の粗化処理されている側とは反対側の表面から所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。 The surface-treated copper foil (resin-treated surface-treated copper foil) provided with the resin layer is obtained by superposing the resin layer on a substrate and then thermocompressing the whole to thermally cure the resin layer, and then the surface-treated copper foil. When is an ultra-thin copper layer of a copper foil with a carrier, the carrier is peeled off to expose the ultra-thin copper layer (of course, the surface on the intermediate layer side of the ultra-thin copper layer is exposed) The surface-treated copper foil is used in a form in which a predetermined wiring pattern is formed from the surface opposite to the surface subjected to the roughening treatment.
この樹脂付き表面処理銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層体を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。 When this surface-treated copper foil with resin is used, the number of prepreg materials used in the production of the multilayer printed wiring board can be reduced. In addition, the copper-clad laminate can be manufactured even if the thickness of the resin layer is such that interlayer insulation can be ensured or no prepreg material is used. At this time, the surface smoothness can be further improved by undercoating the surface of the substrate with an insulating resin.
なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。
この樹脂層の厚みは0.1〜500μmであることが好ましく、0.1〜300μmであることがより好ましく、0.1〜200μmであることがより好ましく、0.1〜120μmであることがより好ましい。
In addition, when the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous. Moreover, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is used. The thickness is reduced, and there is an advantage that an extremely thin multilayer printed wiring board in which the thickness of one layer is 100 μm or less can be manufactured.
The thickness of the resin layer is preferably 0.1 to 500 μm, more preferably 0.1 to 300 μm, more preferably 0.1 to 200 μm, and preferably 0.1 to 120 μm. More preferred.
樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。一方、樹脂層の厚みを120μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる場合がある。
なお、樹脂層を有するキャリア付銅箔が極薄の多層プリント配線板を製造することに用いられる場合には、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μm、より好ましくは0.5μm〜5μm、より好ましくは1μm〜5μmとすることが、多層プリント配線板の厚みを小さくするために好ましい。
When the thickness of the resin layer is less than 0.1 μm, the adhesive strength is reduced, and when the copper foil with a carrier with the resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material, the circuit of the inner layer material It may be difficult to ensure interlayer insulation between the two. On the other hand, if the thickness of the resin layer is greater than 120 μm, it is difficult to form a resin layer having a target thickness in a single coating process, which may be economically disadvantageous because of extra material costs and man-hours.
In addition, when the copper foil with a carrier having a resin layer is used for manufacturing an extremely thin multilayer printed wiring board, the thickness of the resin layer is 0.1 μm to 5 μm, more preferably 0.5 μm to 5 μm, More preferably, the thickness is 1 μm to 5 μm in order to reduce the thickness of the multilayer printed wiring board.
なお、前記樹脂層の厚みを0.1μm〜5μmとする場合には、樹脂層とキャリア付銅箔との密着性を向上させるため、極薄銅層の上に耐熱層および/または防錆層および/またはクロメート処理層および/またはシランカップリング処理層を設けた後に、当該耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の上に樹脂層を形成することが好ましい。
なお、前述の樹脂層の厚みは、任意の10点において断面観察により測定した厚みの平均値をいう。
When the thickness of the resin layer is 0.1 μm to 5 μm, a heat resistant layer and / or a rust preventive layer is formed on the ultrathin copper layer in order to improve the adhesion between the resin layer and the carrier-attached copper foil. After providing the chromate treatment layer and / or the silane coupling treatment layer, it is preferable to form a resin layer on the heat-resistant layer, rust prevention layer, chromate treatment layer or silane coupling treatment layer.
In addition, the thickness of the above-mentioned resin layer says the average value of the thickness measured by cross-sectional observation in arbitrary 10 points | pieces.
更に、この樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層、前記耐熱層、前記防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。 Furthermore, as another product form of the copper foil with a carrier with a resin, the ultra-thin copper layer, or the roughened layer, the heat-resistant layer, the rust-proof layer, the chromate-treated layer, or the silane After coating with a resin layer on the coupling treatment layer and making it into a semi-cured state, it is also possible to peel off the carrier and manufacture in the form of a resin-coated copper foil without the carrier.
<プリント配線板の製造方法>
本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層体を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。
<Method for manufacturing printed wiring board>
In one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, a step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate, the carrier After laminating the attached copper foil and the insulating substrate so that the ultrathin copper layer side faces the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier, and then a semi-additive method, The method includes a step of forming a circuit by any one of the modified semi-additive method, the partly additive method, and the subtractive method. It is also possible for the insulating substrate to contain an inner layer circuit.
本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。 In the present invention, the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer, a pattern is formed, and then a conductive pattern is formed using electroplating and etching.
従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of a method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Removing all of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Providing a through hole or / and a blind via in the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the resin and the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Removing all of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid,
Providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching;
Providing a plating resist on the electroless plating layer;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。 In the present invention, the modified semi-additive method is a method in which a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, and the copper is thickened in the circuit forming portion by electrolytic plating, and then the resist is removed. Then, a method of forming a circuit on the insulating layer by removing the metal foil other than the circuit forming portion by (flash) etching is indicated.
従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing a plating resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier,
Forming a circuit by electrolytic plating after providing the plating resist;
Removing the plating resist;
Removing the ultra-thin copper layer exposed by removing the plating resist by flash etching;
including.
モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, the step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a plating resist on the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier;
Exposing the plating resist, and then removing the plating resist in a region where a circuit is formed;
Providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed;
Removing the plating resist;
Removing the electroless plating layer and the ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like;
including.
本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。 In the present invention, the partial additive method means that a catalyst circuit is formed on a substrate provided with a conductor layer, and if necessary, a substrate provided with holes for through holes or via holes, and etched to form a conductor circuit. Then, after providing a solder resist or a plating resist as necessary, it refers to a method of manufacturing a printed wiring board by thickening through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating.
従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a partly additive method, a step of preparing the copper foil with carrier and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Applying catalyst nuclei to the region containing the through-holes and / or blind vias;
Providing an etching resist on the surface of the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier,
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultrathin copper layer and the catalyst nucleus by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
A step of providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the ultrathin copper layer and the catalyst core by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid;
Providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or plating resist is not provided,
including.
本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層体上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。 In the present invention, the subtractive method refers to a method of selectively removing unnecessary portions of the copper foil on the copper clad laminate by etching or the like to form a conductor pattern.
従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer;
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultrathin copper layer and the electroless plating layer and the electrolytic plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.
サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されていない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for producing a printed wiring board according to the present invention using a subtractive method, a step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate according to the present invention,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, the step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Providing a through hole or / and a blind via on the insulating substrate and the ultrathin copper layer exposed by peeling the carrier;
Performing a desmear process on the region including the through hole or / and the blind via,
Providing an electroless plating layer for the region including the through hole or / and the blind via;
Forming a mask on the surface of the electroless plating layer;
Providing an electroplating layer on the surface of the electroless plating layer on which no mask is formed;
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer or / and the ultrathin copper layer;
Exposing the etching resist to form a circuit pattern;
Removing the ultra-thin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as an acid to form a circuit;
Removing the etching resist;
including.
スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。 The process of providing a through hole or / and a blind via and the subsequent desmear process may not be performed.
ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。
まず、図2−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図2−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図2−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図3−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図3−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図3−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図4−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図4−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図2−B及び図2−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図4−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図5−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図5−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
なお、上述のプリント配線板の製造方法で、「極薄銅層」をキャリアに、「キャリア」を極薄銅層に読み替えて、キャリア付銅箔のキャリア側の表面に回路を形成して、樹脂で回路を埋め込み、プリント配線板を製造することも可能である。
Here, the specific example of the manufacturing method of the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is demonstrated in detail using drawing.
First, as shown to FIG. 2-A, the copper foil with a carrier (1st layer) which has the ultra-thin copper layer in which the roughening process layer was formed on the surface is prepared.
Next, as shown in FIG. 2B, a resist is applied on the roughened layer of the ultrathin copper layer, exposed and developed, and the resist is etched into a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 2C, after forming a plating for a circuit, the resist is removed to form a circuit plating having a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 3D, an embedded resin is provided on the ultrathin copper layer so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), and then the resin layer is laminated, followed by another carrier. A copper foil (second layer) is bonded from the ultrathin copper layer side.
Next, as shown to FIG. 3-E, a carrier is peeled from the copper foil with a carrier of the 2nd layer.
Next, as shown in FIG. 3F, laser drilling is performed at a predetermined position of the resin layer to expose circuit plating and form a blind via.
Next, as shown in FIG. 4-G, copper is embedded in the blind via to form a via fill.
Next, as shown in FIG. 4-H, circuit plating is formed on the via fill as shown in FIGS. 2-B and 2-C.
Next, as shown to FIG. 4-I, a carrier is peeled from the copper foil with a carrier of the 1st layer.
Next, as shown in FIG. 5J, the ultrathin copper layers on both surfaces are removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.
Next, as shown in FIG. 5K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and copper pillars are formed on the solder. Thus, the printed wiring board using the copper foil with a carrier of this invention is produced.
In the above-described printed wiring board manufacturing method, “ultra-thin copper layer” is used as a carrier, “carrier” is read as an ultra-thin copper layer, and a circuit is formed on the carrier-side surface of the copper foil with carrier. It is also possible to manufacture a printed wiring board by embedding a circuit with resin.
上記別のキャリア付銅箔(2層目)は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図4−Hに示される2層目の回路上に、さらに回路を1層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。 As the another copper foil with a carrier (second layer), the copper foil with a carrier of the present invention may be used, a conventional copper foil with a carrier may be used, and a normal copper foil may be further used. Further, one or more circuits may be formed on the second layer circuit shown in FIG. 4-H, and these circuits may be formed using a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-conductor method. You may carry out by any method of an additive method.
また、前記1層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔のキャリア側表面に基板を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで1層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板には、前記1層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板を用いることが出来る。例えば前記基板として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。 Moreover, the copper foil with a carrier used for the said 1st layer may have a board | substrate on the carrier side surface of the said copper foil with a carrier. By having the said board | substrate or resin layer, since the copper foil with a carrier used for the 1st layer is supported and it becomes difficult to wrinkle, there exists an advantage that productivity improves. As the substrate, any substrate can be used as long as it has an effect of supporting the carrier-attached copper foil used in the first layer. For example, the carrier, prepreg, resin layer or known carrier, prepreg, resin layer, metal plate, metal foil, inorganic compound plate, inorganic compound foil, organic compound plate, organic compound A foil can be used.
キャリア側表面に基板を形成するタイミングについては特に制限はないが、キャリアを剥離する前に形成することが必要である。特に、前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程の前に形成することが好ましく、キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程の前に形成することがより好ましい。 Although there is no restriction | limiting in particular about the timing which forms a board | substrate in the carrier side surface, It is necessary to form before peeling a carrier. In particular, it is preferably formed before the step of forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier, and the step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier More preferably, it is formed before.
なお、埋め込み樹脂(レジン)には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、BT(ビスマレイミドトリアジン)レジンやBTレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ABFフィルムやABFを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂(レジン)には本明細書に記載の樹脂層および/または樹脂および/またはプリプレグを使用することができる。 A known resin or prepreg can be used as the embedding resin (resin). For example, a prepreg that is a glass cloth impregnated with BT (bismaleimide triazine) resin or BT resin, an ABF film or ABF manufactured by Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd. can be used. Moreover, the resin layer and / or resin and / or prepreg as described in this specification can be used for the embedding resin (resin).
上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば図5−Jに示すようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、図5−J及び図5−Kに示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。 According to the printed wiring board manufacturing method as described above, since the circuit plating is embedded in the resin layer, for example, when removing the ultrathin copper layer by flash etching as shown in FIG. In addition, the circuit plating is protected by the resin layer, and the shape thereof is maintained, thereby facilitating the formation of a fine circuit. Further, since the circuit plating is protected by the resin layer, the migration resistance is improved, and the continuity of the circuit wiring is satisfactorily suppressed. For this reason, formation of a fine circuit becomes easy. Also, as shown in FIGS. 5-J and 5-K, when the ultrathin copper layer is removed by flash etching, the exposed surface of the circuit plating has a shape recessed from the resin layer, so that bumps are formed on the circuit plating. In addition, copper pillars can be easily formed thereon, and the production efficiency is improved.
本発明に係るキャリア付銅箔は、極薄銅層表面の白色板(光源をD65とし、10度視野としたときに、当該白色板のX10Y10Z10表色系(JIS Z8701 1999)の三刺激値はX10=80.7、Y10=85.6、Z10=91.5であり、L*a*b*表色系での、当該白色板の物体色はL*=94.14、a*=-0.90、b*=0.24である)の物体色を基準とする色とした場合の色差であってJISZ8730に基づく色差ΔE*abが45以上を満たすように制御されていることが好ましい。前述の色差ΔE*abは好ましくは50以上であり、より好ましくは55以上であり、更により好ましくは60以上である。前述の極薄銅層表面のJIS Z8730に基づく色差ΔE*abが45以上であると、例えば、キャリア付銅箔の極薄銅層表面に回路を形成する際に、極薄銅層と回路とのコントラストが鮮明となり、その結果、視認性が良好となり回路の位置合わせを精度良く行うことができる。本発明において「極薄銅層表面の色差」とは、極薄銅層の表面の色差、又は、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層またはシランカップリング処理層等の各種表面処理層が設けられている場合はその表面処理層表面(最表面)の色差を示す。 The copper foil with a carrier according to the present invention is a white plate on the surface of an ultrathin copper layer (when the light source is D65 and a 10-degree field of view, the white plate X 10 Y 10 Z 10 color system (JIS Z8701 1999) The tristimulus values of X 10 = 80.7, Y 10 = 85.6, Z 10 = 91.5, and the object color of the white plate in the L * a * b * color system is L * = 94.14, a * = − 0.90, b * = 0.24), and the color difference ΔE * ab based on JISZ8730 satisfies 45 or more. It is preferable to be controlled. The aforementioned color difference ΔE * ab is preferably 50 or more, more preferably 55 or more, and even more preferably 60 or more. When the color difference ΔE * ab based on JIS Z8730 on the surface of the ultrathin copper layer is 45 or more, for example, when forming a circuit on the surface of the ultrathin copper layer of the copper foil with carrier, the ultrathin copper layer and the circuit As a result, the visibility is improved and the circuit alignment can be performed with high accuracy. In the present invention, the "color difference on the surface of the ultrathin copper layer" refers to the color difference on the surface of the ultrathin copper layer, or various types such as a roughening treatment layer, a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, or a silane coupling treatment layer. When the surface treatment layer is provided, the color difference of the surface treatment layer surface (outermost surface) is shown.
ここで、前述の色差ΔE*abは下記式で表される。ここで、下記式中の色差ΔL、Δa、Δbは、それぞれ色差計で測定され、黒/白/赤/緑/黄/青を加味し、JIS Z8730(2009)に基づくL*a*b*表色系を用いて示される総合指標であり、ΔL:白黒、Δa:赤緑、Δb:黄青として表される。当該色差(ΔL、Δa、Δb)は、例えばHunterLab社製色差計MiniScan XE Plusを使用して測定することができる。なお、色差ΔL、Δa、Δbはそれぞれ、前述の白色板の物体色を基準とする色とした場合の極薄銅層表面のJISZ8730(2009)に基づく色差であって、ΔLはJIS Z8729(2004)に規定するL*a*b*表色系における二つの物体色のCIE明度L*の差であり、Δa、ΔbはJIS Z8729(2004)に規定するL*a*b*表色系における二つの物体色の色座標a*あるいはb*の差である。 Here, the aforementioned color difference ΔE * ab is expressed by the following equation. Here, the color differences ΔL, Δa, Δb in the following formulas are respectively measured by a color difference meter, and L * a * b * based on JIS Z8730 (2009) taking black / white / red / green / yellow / blue into account . It is a comprehensive index shown using a color system, and is expressed as ΔL: black and white, Δa: red-green, Δb: yellow-blue. The color differences (ΔL, Δa, Δb) can be measured using, for example, a color difference meter MiniScan XE Plus manufactured by HunterLab. The color differences ΔL, Δa, and Δb are color differences based on JIS Z8730 (2009) on the surface of the ultrathin copper layer when the above-described white plate object color is used as a reference, and ΔL is JIS Z8729 (2004). ) defined in L * a * b * is the difference in CIE lightness L * of the two object colors in a color system, .DELTA.a, [Delta] b is in the L * a * b * color system defined in JIS Z8729 (2004) It is the difference between the color coordinates a * or b * of the two object colors.
上述の色差は、極薄銅層形成時の電流密度を高くし、メッキ液中の銅濃度を低くし、メッキ液の線流速を高くすることで調整することができる。
また上述の色差は、極薄銅層の表面に粗化処理を施して粗化処理層を設けることで調整することもできる。粗化処理層を設ける場合には銅およびニッケル、コバルト、タングステン、モリブデンからなる群から選択される一種以上の元素とを含む電解液を用いて、従来よりも電流密度を高く(例えば40〜60A/dm2)し、処理時間を短く(例えば0.1〜1.3秒)することで調整することができる。極薄銅層の表面に粗化処理層を設けない場合には、Niの濃度をその他の元素の2倍以上としたメッキ浴を用いて、極薄銅層または耐熱層または防錆層またはクロメート処理層またはシランカップリング処理層の表面にNi合金メッキ(例えばNi−W合金メッキ、Ni−Co−P合金メッキ、Ni−Zn合金めっき)を従来よりも低電流密度(0.1〜1.3A/dm2)で処理時間を長く(20秒〜40秒)設定して処理することで達成できる。
The above-described color difference can be adjusted by increasing the current density when forming the ultrathin copper layer, decreasing the copper concentration in the plating solution, and increasing the linear flow rate of the plating solution.
Moreover, the above-mentioned color difference can also be adjusted by performing a roughening process on the surface of an ultra-thin copper layer and providing a roughening process layer. In the case of providing the roughening treatment layer, the current density is made higher than conventional (for example, 40 to 60 A) using an electrolytic solution containing copper and one or more elements selected from the group consisting of nickel, cobalt, tungsten, and molybdenum. / Dm 2 ), and the processing time can be shortened (for example, 0.1 to 1.3 seconds). When a roughening layer is not provided on the surface of the ultrathin copper layer, use a plating bath in which the concentration of Ni is twice or more that of other elements, and use an ultrathin copper layer, heat resistant layer, rust preventive layer or chromate. Ni alloy plating (for example, Ni-W alloy plating, Ni-Co-P alloy plating, Ni-Zn alloy plating) is applied to the surface of the treatment layer or the silane coupling treatment layer at a lower current density (0.1 to 1.. 3A / dm 2 ), and the processing time can be set long (20 to 40 seconds).
また、本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に、樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法(コアレス工法)であってもよい。当該コアレス工法について、具体的な例としては、まず、本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面またはキャリア側表面と樹脂基板とを積層して積層体(銅張積層板、銅張積層体ともいう)を製造する。その後、樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に樹脂層を形成する。キャリア側表面又は極薄銅層側表面に形成した樹脂層には、さらに別のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から積層してもよい。また、樹脂基板を中心として当該樹脂基板の両表面側に、キャリア/中間層/極薄銅層の順あるいは極薄銅層/中間層/キャリアの順でキャリア付銅箔が積層された構成を有する積層体あるいは「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂基板/極薄銅層/中間層/キャリア」の順に積層された構成を有する積層体あるいは「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂基板/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成を有する積層体あるいは「極薄銅層/中間層/キャリア/樹脂基板/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成を有する積層体を上述のプリント配線板の製造方法(コアレス工法)に用いてもよい。そして、当該積層体の両端の極薄銅層あるいはキャリアの露出した表面には、別の樹脂層を設け、さらに銅層又は金属層を設けた後、当該銅層又は金属層を加工することで回路を形成してもよい。さらに、別の樹脂層を当該回路上に、当該回路を埋め込むように設けても良い。また、このような回路及び樹脂層の形成を1回以上行ってもよい(ビルドアップ工法)。そして、このようにして形成した積層体(以下、積層体Bとも言う)について、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。なお、前述のコアレス基板の作製には、2つのキャリア付銅箔を用いて、後述する極薄銅層/中間層/キャリア/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有する積層体や、キャリア/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/キャリアの構成を有する積層体や、キャリア/中間層/極薄銅層/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有する積層体を作製し、当該積層体を中心に用いることもできる。これら積層体(以下、積層体Aとも言う)の両側の極薄銅層またはキャリアの表面に樹脂層及び回路の2層を1回以上設け、樹脂層及び回路の2層を1回以上設けた後に、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。前述の積層体は、極薄銅層の表面、キャリアの表面、キャリアとキャリアとの間、極薄銅層と極薄銅層との間、極薄銅層とキャリアとの間には他の層を有してもよい。他の層は樹脂層や樹脂基板であってもよい。なお、本明細書において「極薄銅層の表面」、「極薄銅層側表面」、「極薄銅層表面」、「キャリアの表面」、「キャリア側表面」、「キャリア表面」、「積層体の表面」、「積層体表面」は、極薄銅層、キャリア、積層体が、極薄銅層表面、キャリア表面、積層体表面に他の層を有する場合には、当該他の層の表面(最表面)を含む概念とする。また、積層体は極薄銅層/中間層/キャリア/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有することが好ましい。当該積層体を用いてコアレス基板を作製した際、コアレス基板側に極薄銅層が配置されるため、モディファイドセミアディティブ法を用いてコアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。また、極薄銅層の厚みは薄いため、当該極薄銅層の除去がしやすく、極薄銅層の除去後にセミアディティブ法を用いて、コアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。
なお、本明細書において、「積層体A」または「積層体B」と特に記載していない「積層体」は、少なくとも積層体A及び積層体Bを含む積層体を示す。
Further, the method for producing a printed wiring board of the present invention includes a step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier of the present invention and a resin substrate, and an ultrathin layer laminated with the resin substrate. A step of providing at least once a resin layer and a circuit on the surface of the copper layer with carrier on the opposite side of the copper layer side surface or the carrier side surface, and forming two layers of the resin layer and the circuit Then, a printed wiring board manufacturing method (coreless method) including a step of peeling the carrier or the ultrathin copper layer from the carrier-attached copper foil may be used. As a specific example of the coreless construction method, first, an ultrathin copper layer side surface or carrier side surface of the copper foil with carrier of the present invention and a resin substrate are laminated to form a laminate (copper-clad laminate, copper-clad laminate). (Also referred to as a laminate). Thereafter, a resin layer is formed on the surface of the ultrathin copper layer side surface laminated with the resin substrate or the surface of the carrier-attached copper foil opposite to the carrier side surface. You may laminate | stack another copper foil with a carrier from the carrier side or the ultra-thin copper layer side to the resin layer formed in the carrier side surface or the ultra-thin copper layer side surface. Also, a structure in which a copper foil with a carrier is laminated in the order of carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer or ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier on both surfaces of the resin substrate with the resin substrate as the center. Or a laminate having a structure in which the layers are laminated in the order of “carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / resin substrate / ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier” or “carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / Laminated body having a structure in which the order of “resin substrate / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer” is laminated or “ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier / resin substrate / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer”. You may use the laminated body which has the laminated structure for the manufacturing method (coreless construction method) of the above-mentioned printed wiring board. And, on the exposed surface of the ultra-thin copper layer or carrier at both ends of the laminate, another resin layer is provided, and after further providing a copper layer or a metal layer, the copper layer or the metal layer is processed. A circuit may be formed. Further, another resin layer may be provided on the circuit so as to embed the circuit. Further, such a circuit and a resin layer may be formed one or more times (build-up method). And about the laminated body formed in this way (henceforth the laminated body B), a coreless board | substrate is produced by peeling the ultra-thin copper layer or carrier of each copper foil with a carrier from a carrier or an ultra-thin copper layer. be able to. In addition, for the production of the coreless substrate described above, a laminate having a configuration of an ultrathin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer described later using two copper foils with a carrier, Laminate having a structure of carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / ultra thin copper layer / intermediate layer / carrier, or a structure of carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer / carrier / intermediate layer / ultra thin copper layer It is also possible to produce a laminated body and use the laminated body as a center. Two layers of the resin layer and the circuit are provided at least once on the surface of the ultra-thin copper layer or carrier on both sides of these laminates (hereinafter also referred to as the laminate A), and the two layers of the resin layer and the circuit are provided at least once. Later, the coreless substrate can be manufactured by peeling off the ultrathin copper layer or carrier of each copper foil with carrier from the carrier or the ultrathin copper layer. The above-mentioned laminated body has other surfaces between the surface of the ultrathin copper layer, the surface of the carrier, between the carrier, between the ultrathin copper layer and the ultrathin copper layer, and between the ultrathin copper layer and the carrier. You may have a layer. The other layer may be a resin layer or a resin substrate. In this specification, “surface of ultrathin copper layer”, “surface of ultrathin copper layer side”, “surface of ultrathin copper layer”, “surface of carrier”, “surface of carrier side”, “carrier surface”, “ "Surface of laminated body" and "laminated body surface" means an ultrathin copper layer, a carrier, and a laminated body, if the ultrathin copper layer surface, carrier surface, and laminated body surface have other layers, the other layer The concept includes the surface (outermost surface). Moreover, it is preferable that a laminated body has the structure of an ultra-thin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer. This is because, when a coreless substrate is manufactured using the laminate, an ultrathin copper layer is disposed on the coreless substrate side, so that a circuit can be easily formed on the coreless substrate using the modified semi-additive method. In addition, since the thickness of the ultrathin copper layer is thin, it is easy to remove the ultrathin copper layer, and it becomes easier to form a circuit on the coreless substrate using the semi-additive method after the ultrathin copper layer is removed. .
In this specification, “laminate” not specifically described as “laminate A” or “laminate B” indicates a laminate including at least laminate A and laminate B.
なお、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または積層体(積層体A)の端面の一部または全部を樹脂で覆うことにより、ビルドアップ工法でプリント配線板を製造する際に、中間層または積層体を構成する1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔の間のへの薬液の染み込みを防止することができ、薬液の染み込みによる極薄銅層とキャリアの分離やキャリア付銅箔の腐食を防止することができ、歩留りを向上させることができる。ここで用いる「キャリア付銅箔の端面の一部または全部を覆う樹脂」または「積層体の端面の一部または全部を覆う樹脂」としては、樹脂層に用いることができる樹脂を使用することができる。また、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または積層体において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆ってもよい。また、上述のコアレス基板の製造方法で形成する積層体(積層体A)は、一対のキャリア付銅箔を互いに分離可能に接触させて構成されていてもよい。また、当該キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)の外周の全体にわたって樹脂又はプリプレグで覆われてなるものであってもよい。また、平面視した場合に樹脂又はプリプレグはキャリア付銅箔または積層体または積層体の積層部分よりも大きい方が好ましく、当該樹脂又はプリプレグをキャリア付銅箔または積層体の両面に積層し、キャリア付銅箔または積層体が樹脂又はプリプレグにより袋とじ(包まれている)されている構成を有する積層体とすることが好ましい。このような構成とすることにより、キャリア付銅箔または積層体を平面視したときに、キャリア付銅箔または積層体の積層部分が樹脂又はプリプレグにより覆われ、他の部材がこの部分の側方向、すなわち積層方向に対して横からの方向から当たることを防ぐことができるようになり、結果としてハンドリング中のキャリアと極薄銅層またはキャリア付銅箔同士の剥がれを少なくすることができる。また、キャリア付銅箔または積層体の積層部分の外周を露出しないように樹脂又はプリプレグで覆うことにより、前述したような薬液処理工程におけるこの積層部分の界面への薬液の浸入を防ぐことができ、キャリア付銅箔の腐食や侵食を防ぐことができる。なお、積層体の一対のキャリア付銅箔から一つのキャリア付銅箔を分離する際、またはキャリア付銅箔のキャリアと銅箔(極薄銅層)を分離する際には、樹脂又はプリプレグで覆われているキャリア付銅箔又は積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)が樹脂又はプリプレグ等により強固に密着している場合には、当該積層部分等を切断等により除去する必要が生じる場合がある。 In the above-described coreless substrate manufacturing method, by covering part or all of the end face of the copper foil with carrier or the laminate (laminate A) with a resin, when producing a printed wiring board by the build-up method, It is possible to prevent the infiltration of the chemical solution between one copper foil with a carrier and another copper foil with a carrier constituting the intermediate layer or laminate, and separation of the ultrathin copper layer and the carrier due to the infiltration of the chemical solution Corrosion of the copper foil with carrier can be prevented, and the yield can be improved. As the “resin that covers part or all of the end face of the copper foil with carrier” or “resin that covers part or all of the end face of the laminate” used herein, a resin that can be used for the resin layer may be used. it can. Further, in the above-described coreless substrate manufacturing method, the carrier-attached copper foil or laminate when viewed in plan, the carrier-attached copper foil or laminate portion (a laminate portion of the carrier and the ultrathin copper layer, or one At least a part of the outer periphery of the laminated copper foil with carrier and another copper foil with carrier may be covered with resin or prepreg. Moreover, the laminated body (laminated body A) formed with the manufacturing method of the above-mentioned coreless board | substrate may be comprised by making a pair of copper foil with a carrier contact each other so that isolation | separation is possible. Further, when viewed in plan in the copper foil with carrier, the copper foil with carrier or the laminated portion of the laminated body (the laminated portion of the carrier and the ultrathin copper layer, or one copper foil with carrier and another copper with carrier) It may be formed by being covered with a resin or a prepreg over the entire outer periphery of the laminated portion with the foil. In addition, when viewed in plan, the resin or prepreg is preferably larger than the copper foil with carrier or the laminate or the laminated portion of the laminate, and the resin or prepreg is laminated on both sides of the carrier-attached copper foil or laminate, It is preferable to use a laminated body having a configuration in which the attached copper foil or the laminated body is bound (wrapped) with a resin or a prepreg. By adopting such a configuration, when the copper foil with a carrier or a laminate is viewed in plan, the laminated portion of the copper foil with a carrier or the laminate is covered with a resin or prepreg, and other members are in the lateral direction of this portion. That is, it becomes possible to prevent the stacking direction from being hit from the side, and as a result, peeling of the carrier during handling and the ultrathin copper layer or the copper foil with carrier can be reduced. Moreover, by covering the outer periphery of the copper foil with a carrier or the laminated part with a resin or prepreg so as not to be exposed, it is possible to prevent the chemical solution from entering the interface of the laminated part in the chemical treatment process as described above. , Corrosion and erosion of the copper foil with carrier can be prevented. When separating a single copper foil with a carrier from a pair of copper foils with a carrier, or when separating a carrier of a copper foil with a carrier and a copper foil (ultra-thin copper layer), a resin or prepreg is used. Covered copper foil with carrier or laminated part of laminated body (laminated part of carrier and ultrathin copper layer, or laminated part of one copper foil with carrier and another copper foil with carrier) is resin or When the prepreg or the like is firmly attached, it may be necessary to remove the laminated portion by cutting or the like.
本発明のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から、もう一つの本発明のキャリア付銅箔のキャリア側または極薄銅層側に積層して積層体を構成してもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面と前記もう一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面とが、必要に応じて接着剤を介して、直接積層させて得られた積層体であってもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層と、前記もう一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層とが接合されていてもよい。ここで、当該「接合」は、キャリア又は極薄銅層が表面処理層を有する場合は、当該表面処理層を介して互いに接合されている態様も含む。また、当該積層体の端面の一部または全部が樹脂により覆われていてもよい。 The copper foil with a carrier of the present invention may be laminated from the carrier side or the ultrathin copper layer side to the carrier side or the ultrathin copper layer side of another copper foil with a carrier of the present invention. Moreover, the said carrier side surface or said ultra-thin copper layer side surface of said one copper foil with a carrier and the said carrier side surface or said ultra-thin copper layer side surface of said another copper foil with a carrier are as needed. Alternatively, a laminate obtained by directly laminating through an adhesive may be used. Further, the carrier or ultrathin copper layer of the one copper foil with carrier and the carrier or ultrathin copper layer of the other copper foil with carrier may be joined. Here, in the case where the carrier or the ultrathin copper layer has a surface treatment layer, the “joining” includes a mode in which the carriers or the ultrathin copper layer are joined to each other via the surface treatment layer. Further, part or all of the end face of the laminate may be covered with resin.
キャリア同士、極薄銅層同士、キャリアと極薄銅層、キャリア付銅箔同士の積層は、単に重ね合わせる他、例えば以下の方法で行うことができる。
(a)冶金的接合方法:融接(アーク溶接、TIG(タングステン・イナート・ガス)溶接、MIG(メタル・イナート・ガス)溶接、抵抗溶接、シーム溶接、スポット溶接)、圧接(超音波溶接、摩擦撹拌溶接)、ろう接;
(b)機械的接合方法:かしめ、リベットによる接合(セルフピアッシングリベットによる接合、リベットによる接合)、ステッチャー;
(c)物理的接合方法:接着剤、(両面)粘着テープ
Lamination of carriers, ultrathin copper layers, carriers and ultrathin copper layers, and copper foils with a carrier can be performed by the following method, for example, in addition to superimposing.
(A) Metallurgical joining method: fusion welding (arc welding, TIG (tungsten inert gas) welding, MIG (metal inert gas) welding, resistance welding, seam welding, spot welding), pressure welding (ultrasonic welding, Friction stir welding), brazing;
(B) Mechanical joining method: caulking, joining with rivets (joining with self-piercing rivets, joining with rivets), stitcher;
(C) Physical joining method: adhesive, (double-sided) adhesive tape
一方のキャリアの一部若しくは全部と他方のキャリアの一部若しくは全部若しくは極薄銅層の一部若しくは全部とを、上記接合方法を用いて接合することにより、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層を積層し、キャリア同士またはキャリアと極薄銅層を分離可能に接触させて構成される積層体を製造することができる。一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが弱く接合されて、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが積層されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層との接合部を除去しないでも、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とは分離可能である。また、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが強く接合されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが接合されている箇所を切断や化学研磨(エッチング等)、機械研磨等により除去することにより、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層を分離することができる。 By joining part or all of one carrier and part or all of the other carrier or part or all of the ultrathin copper layer using the joining method, one carrier and the other carrier or pole A laminated body constituted by laminating thin copper layers and contacting the carriers or the carrier and the ultrathin copper layer in a separable manner can be produced. When one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer are weakly bonded and one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer are laminated, one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer Even without removing the junction with the thin copper layer, one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer can be separated. In addition, when one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer are strongly bonded, the portion where one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer are bonded is cut or chemically polished ( One carrier and the other carrier or the ultrathin copper layer can be separated by removing them by etching or the like.
また、このように構成した積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又はキャリアを剥離させる工程を実施することでプリント配線板を作製することができる。なお、当該積層体の一方または両方の表面に、樹脂層と回路との2層を設けてもよい。 Also, a step of providing at least one layer of the resin layer and the circuit on the laminate thus configured, and after forming the two layers of the resin layer and the circuit at least once, the carrier of the laminate is provided with a carrier. A printed wiring board can be produced by carrying out a process of peeling the ultrathin copper layer or carrier from the copper foil. Note that two layers of a resin layer and a circuit may be provided on one or both surfaces of the laminate.
前述した積層体に用いる樹脂基板、樹脂層、樹脂、プリプレグは、本明細書に記載した樹脂層であってもよく、本明細書に記載した樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、キャリア付銅箔は平面視したときに樹脂基板、樹脂層、樹脂又はプリプレグより小さくてもよい。 The resin substrate, resin layer, resin, and prepreg used in the laminate described above may be the resin layer described in this specification, and the resin, resin curing agent, compound, and curing used in the resin layer described in this specification. An accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a crosslinking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton material, and the like may be included. The copper foil with carrier may be smaller than the resin substrate, resin layer, resin or prepreg when viewed in plan.
以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。 The present invention will be described in more detail with reference to the following examples. However, the present invention is not limited to these examples.
1.キャリア付銅箔の製造
実施例1〜23及び比較例1として、以下の方法により、厚み12〜70μmの電解銅箔または圧延銅箔(タフピッチ銅箔 JIS H3100 合金番号:C1100)をキャリアとし、当該キャリア上に中間層及び極薄銅層をこの順で形成し、厚み1〜5μmのキャリア付銅箔を得た。
なお、圧延時に使用する圧延ロールの表面粗さを制御することで、圧延銅箔の表面粗さを制御することができる。圧延時に使用する圧延ロールの表面粗さを大きくすることで、圧延銅箔の表面粗さを大きくすることができる。また、圧延時に使用する圧延ロールの表面粗さを小さくすることで、圧延銅箔の表面粗さを小さくすることができる。圧延ロールの表面粗さは例えばRa=0.1μm以上2.0μm以下とするとよい。
また、電解銅箔製造時に使用する電解ドラムの表面粗さを制御することで、電解銅箔のシャイニー面(光沢面)の表面粗さを制御することができる。電解ドラムの表面粗さを大きくすることで、電解銅箔のシャイニー面(光沢面)の表面粗さを大きくすることができる。また、電解ドラムの表面粗さを小さくすることで、電解銅箔のシャイニー面(光沢面)の表面粗さを小さくすることができる。電解ドラムの粗さは例えば、Rz=1.0μm以上6.0μm以下とするとよい。
また、電解銅箔製造時の電解液の銅濃度、電流密度、電解液温度を制御することで、電解銅箔のマット面(析出面)の表面粗さを制御することができる。電解銅箔製造時の電解液の銅濃度を低くし、電流密度を高くし、電解液温度を低くすることで、電解銅箔のマット面(析出面)の表面粗さを大きくすることができる。また、電解銅箔製造時の電解液の銅濃度を高くし、電流密度を低くし、電解液温度を高くすることで、電解銅箔のマット面(析出面)の表面粗さを小さくすることができる。例えば、電解銅箔製造時の電解液の銅濃度を50〜130g/L、電流密度を50〜120A/dm2、電解液温度を40〜90℃とするとよい。なお、電解銅箔製造時の電解液として、硫酸と硫酸銅との水溶液を用いた。また、電解銅箔のマット面(析出面)の表面粗さをより小さくしたい場合には(例えばRzが1.5μm以下またはRz=1.0〜1.5μm)、電解液に光沢剤を添加するとよい。光沢剤には公知の光沢剤を用いることができる。なお、実施例6については光沢剤としてCl-:20〜50質量ppm、ポリエチレングリコール:10〜100質量ppm、ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド:10〜30質量ppm、チオ尿素:10〜50質量ppmを添加した。また、実施例23については光沢剤としてCl-:30〜80質量ppm、ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド:10〜50質量ppm、チオ尿素:10〜50質量ppmを添加した。下記構造式で示されるアミン化合物:10〜50ppmを添加した。(R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、芳香族基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
1. Production of Copper Foil with Carrier As Examples 1 to 23 and Comparative Example 1, an electrolytic copper foil or a rolled copper foil (tough pitch copper foil JIS H3100 alloy number: C1100) having a thickness of 12 to 70 μm is used as a carrier by the following method. An intermediate layer and an ultrathin copper layer were formed on the carrier in this order to obtain a copper foil with a carrier having a thickness of 1 to 5 μm.
In addition, the surface roughness of rolled copper foil can be controlled by controlling the surface roughness of the rolling roll used at the time of rolling. By increasing the surface roughness of the rolling roll used at the time of rolling, the surface roughness of the rolled copper foil can be increased. Moreover, the surface roughness of rolled copper foil can be made small by reducing the surface roughness of the rolling roll used at the time of rolling. The surface roughness of the rolling roll is preferably Ra = 0.1 μm or more and 2.0 μm or less, for example.
Moreover, the surface roughness of the shiny surface (glossy surface) of the electrolytic copper foil can be controlled by controlling the surface roughness of the electrolytic drum used during the production of the electrolytic copper foil. By increasing the surface roughness of the electrolytic drum, the surface roughness of the shiny surface (glossy surface) of the electrolytic copper foil can be increased. Moreover, the surface roughness of the shiny surface (glossy surface) of the electrolytic copper foil can be reduced by reducing the surface roughness of the electrolytic drum. The roughness of the electrolytic drum may be, for example, Rz = 1.0 μm or more and 6.0 μm or less.
Moreover, the surface roughness of the mat | matte surface (deposition surface) of electrolytic copper foil can be controlled by controlling the copper concentration of the electrolytic solution at the time of electrolytic copper foil manufacture, current density, and electrolytic solution temperature. The surface roughness of the matte surface (deposition surface) of the electrolytic copper foil can be increased by lowering the copper concentration of the electrolytic solution during the production of the electrolytic copper foil, increasing the current density, and lowering the temperature of the electrolytic solution. . Moreover, the surface roughness of the matte surface (deposition surface) of the electrolytic copper foil is reduced by increasing the copper concentration of the electrolytic solution during the production of the electrolytic copper foil, decreasing the current density, and increasing the temperature of the electrolytic solution. Can do. For example, the copper concentration of the electrolytic solution during production of the electrolytic copper foil may be 50 to 130 g / L, the current density may be 50 to 120 A / dm 2 , and the electrolytic solution temperature may be 40 to 90 ° C. In addition, the aqueous solution of a sulfuric acid and copper sulfate was used as electrolyte solution at the time of electrolytic copper foil manufacture. Further, when it is desired to reduce the surface roughness of the matte surface (deposition surface) of the electrolytic copper foil (for example, Rz is 1.5 μm or less or Rz = 1.0 to 1.5 μm), a brightener is added to the electrolytic solution. Good. A known brightener can be used as the brightener. In addition, about Example 6, as a brightener, Cl < - >: 20-50 mass ppm, polyethyleneglycol: 10-100 mass ppm, bis (3 sulfopropyl) disulfide: 10-30 mass ppm, thiourea: 10-50 mass ppm Was added. Moreover, about Example 23, Cl < - >: 30-80 mass ppm, bis (3 sulfopropyl) disulfide: 10-50 mass ppm, and thiourea: 10-50 mass ppm were added as a brightener. An amine compound represented by the following structural formula: 10 to 50 ppm was added. (R 1 and R 2 are selected from the group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aromatic group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group, and an alkyl group.)
・中間層形成
表の「中間層」欄に記載のように、キャリアに中間層を形成した。当該処理条件を以下に示す。なお、例えば「Ni/有機物」は、ニッケルめっき処理を行った後に、有機物処理を行ったことを意味する。
上記電解銅箔の光沢面(シャイニー面)または圧延銅箔に対して、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインにおいて中間層を設けた。
(1)「Ni」:Ni処理(Niめっき)
液組成:硫酸ニッケル濃度200〜300g/L、クエン酸三ナトリウム濃度2〜10g/L
pH:2〜4
液温:40〜70℃
電流密度:1〜15A/dm2
Ni付着量:8000μg/dm2
なお、本発明に用いられる電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。
Intermediate layer formation As described in the “intermediate layer” column of the table, an intermediate layer was formed on the carrier. The processing conditions are shown below. For example, “Ni / organic matter” means that the organic matter treatment was performed after the nickel plating treatment.
On the glossy surface (shiny surface) or rolled copper foil of the electrolytic copper foil, an intermediate layer was provided in a roll-to-roll-type continuous plating line under the following conditions.
(1) “Ni”: Ni treatment (Ni plating)
Liquid composition: nickel sulfate concentration 200-300 g / L, trisodium citrate concentration 2-10 g / L
pH: 2-4
Liquid temperature: 40-70 degreeC
Current density: 1-15 A / dm 2
Ni adhesion amount: 8000 μg / dm 2
The balance of the treatment liquid used for electrolysis, surface treatment or plating used in the present invention is water unless otherwise specified.
(2)「クロメート」:電解クロメート処理
10μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
液組成:重クロム酸カリウム濃度1〜10g/L、亜鉛濃度0〜5g/L
pH:3〜4
液温:50〜60℃
電流密度:0.1〜3.0A/dm2
(2) “Chromate”: Electrolytic Chromate Treatment A Cr layer having an adhesion amount of 10 μg / dm 2 was attached by subjecting it to electrolytic chromate treatment under the following conditions.
Liquid composition: potassium dichromate concentration 1-10 g / L, zinc concentration 0-5 g / L
pH: 3-4
Liquid temperature: 50-60 degreeC
Current density: 0.1-3.0 A / dm 2
・「有機物」:有機物層形成処理
濃度1〜30g/Lのカルボキシベンゾトリアゾール(CBTA)を含む、液温40℃、pH5の水溶液を、20〜120秒間シャワーリングして噴霧することにより行った。
上述の方法で有機物層の厚みを測定した結果、有機物層の厚みは13nmであった。
-"Organic substance": Organic substance layer formation process It carried out by showering for 20 to 120 seconds and spraying the aqueous solution of liquid temperature 40 degreeC and pH5 containing the carboxybenzotriazole (CBTA) with a density | concentration of 1-30 g / L.
As a result of measuring the thickness of the organic layer by the method described above, the thickness of the organic layer was 13 nm.
・「Ni−Mo」:ニッケルモリブデン合金めっき
(液組成)硫酸Ni六水和物:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(液温)30℃
(電流密度)1〜4A/dm2
(通電時間)3〜25秒
Ni付着量:3250μg/dm2
Mo付着量:420μg/dm2
"Ni-Mo": nickel molybdenum alloy plating (Liquid composition) Ni sulfate hexahydrate: 50 g / dm 3 , sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , sodium citrate: 90 g / dm 3
(Liquid temperature) 30 ° C
(Current density) 1 to 4 A / dm 2
(Energization time) 3 to 25 seconds Ni adhesion amount: 3250 μg / dm 2
Mo adhesion amount: 420 μg / dm 2
・「Cr」:クロムめっき
(液組成)CrO3:200〜400g/L、H2SO4:1.5〜4g/L
(pH)1〜4
(液温)45〜60℃
(電流密度)10〜40A/dm2
(通電時間)1〜20秒
Cr付着量:350μg/dm2
- "Cr": chromium plating (liquid composition) CrO 3: 200~400g / L, H 2 SO 4: 1.5~4g / L
(PH) 1-4
(Liquid temperature) 45-60 ° C
(Current density) 10-40 A / dm 2
(Energization time) 1 to 20 seconds Cr adhesion amount: 350 μg / dm 2
・「Co−Mo」:コバルトモリブデン合金めっき
(液組成)硫酸Co:50g/dm3、モリブデン酸ナトリウム二水和物:60g/dm3、クエン酸ナトリウム:90g/dm3
(液温)30〜80℃
(電流密度)1〜4A/dm2
(通電時間)3〜25秒
Co付着量:420μg/dm2
Mo付着量:560μg/dm2
"Co-Mo": Cobalt molybdenum alloy plating (Liquid composition) Co sulfate 50 g / dm 3 , Sodium molybdate dihydrate: 60 g / dm 3 , Sodium citrate 90 g / dm 3
(Liquid temperature) 30-80 ° C
(Current density) 1 to 4 A / dm 2
(Energization time) 3 to 25 seconds Co adhesion amount: 420 μg / dm 2
Mo adhesion amount: 560 μg / dm 2
・「Ni−P」:ニッケルリン合金めっき
(液組成)Ni:30〜70g/L、P:0.2〜1.2g/L
(pH)1.5〜2.5
(液温)30〜40℃
(電流密度)1.0〜10.0A/dm2
(通電時間)0.5〜30秒
Ni付着量:5320μg/dm2
P付着量:390μg/dm2
"Ni-P": Nickel phosphorus alloy plating (Liquid composition) Ni: 30 to 70 g / L, P: 0.2 to 1.2 g / L
(PH) 1.5-2.5
(Liquid temperature) 30-40 ° C
(Current density) 1.0-10.0 A / dm < 2 >
(Energization time) 0.5 to 30 seconds Ni adhesion amount: 5320 μg / dm 2
P adhesion amount: 390 μg / dm 2
・極薄銅層形成
引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、中間層の上に厚み1〜5μmの極薄銅層を、以下に示す条件で電気めっきすることにより形成して、キャリア付銅箔を製造した。
液組成:銅濃度30〜120g/L、硫酸濃度20〜120g/L、Cl-:20〜50質量ppm、ポリエチレングリコール:10〜100質量ppm、ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド:10〜30質量ppm、チオ尿素:10〜50質量ppm
液温:20〜80℃
電流密度:10〜100A/dm2
-Ultra-thin copper layer formation Subsequently, an ultra-thin copper layer having a thickness of 1-5 μm is formed on the intermediate layer by electroplating under the conditions shown below on a roll-to-roll-type continuous plating line. A copper foil with a carrier was produced.
Solution composition: copper concentration 30 to 120 g / L, sulfuric acid concentration 20~120g / L, Cl -: 20~50 mass ppm, polyethylene glycol: 10 to 100 ppm by weight, bis (3-sulfopropyl) disulfide: 10 to 30 mass ppm , Thiourea: 10-50 ppm by mass
Liquid temperature: 20-80 degreeC
Current density: 10 to 100 A / dm 2
次に、キャリア付銅箔のキャリア側表面、及び/又は、極薄銅層側表面に粗化処理(1)〜(3)のいずれか、耐熱処理、防錆処理、シランカップリング剤塗布の各表面処理を施した。なお、実施例1、8〜14、23は、キャリア側粗化処理及び極薄銅層側粗化処理をいずれも行わなかった。各処理条件を以下に示す。 Next, the surface of the carrier side of the copper foil with carrier and / or the surface of the ultrathin copper layer is subjected to any of roughening treatments (1) to (3), heat treatment, rust prevention treatment, and silane coupling agent application. Each surface treatment was applied. In Examples 1, 8 to 14, and 23, neither the carrier-side roughening treatment nor the ultrathin copper layer-side roughening treatment was performed. Each processing condition is shown below.
〔粗化処理〕
・粗化処理(1)(粗大粗化):
電解液組成:Cu10〜30g/L(硫酸銅5水和物で添加、以下同様)、硫酸80〜120g/L
液温:20〜40℃
電流密度:120〜140A/dm2
上記粗化処理(1)を施したキャリア付銅箔のキャリア側表面又は極薄銅層側表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
液組成:銅濃度20〜40g/L、硫酸濃度80〜120g/L
液温:40〜50℃
電流密度:10〜50A/dm2
[Roughening treatment]
・ Roughening treatment (1) (coarse roughening):
Electrolytic solution composition: Cu 10-30 g / L (added with copper sulfate pentahydrate, the same applies hereinafter), sulfuric acid 80-120 g / L
Liquid temperature: 20-40 degreeC
Current density: 120 to 140 A / dm 2
In the copper electrolytic bath made of sulfuric acid / copper sulfate on the carrier side surface or ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier subjected to the above roughening treatment (1) in order to prevent the roughened particles from dropping and to improve the peel strength. Cover plating was performed. The covering plating conditions are described below.
Liquid composition: copper concentration 20-40 g / L, sulfuric acid concentration 80-120 g / L
Liquid temperature: 40-50 degreeC
Current density: 10 to 50 A / dm 2
・粗化処理(2)(中程度の粗化):
液組成:銅濃度10〜30g/L(硫酸銅5水和物で添加、以下同様)、硫酸濃度80〜120g/L
液温:20〜40℃
電流密度:80〜100A/dm2
・ Roughening treatment (2) (medium roughening):
Liquid composition: copper concentration 10-30 g / L (added with copper sulfate pentahydrate, the same applies hereinafter), sulfuric acid concentration 80-120 g / L
Liquid temperature: 20-40 degreeC
Current density: 80-100 A / dm 2
上記粗化処理(2)を施したキャリア付銅箔のキャリア側表面又は極薄銅層側表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
液組成:銅濃度20〜40g/L、硫酸濃度80〜120g/L
液温:40〜50℃
電流密度:10〜50A/dm2
A copper electrolytic bath made of sulfuric acid / copper sulfate is used on the carrier-side surface or ultrathin copper layer-side surface of the copper foil with carrier that has been subjected to the above-mentioned roughening treatment (2) in order to prevent falling off of the roughened particles and to improve the peel strength. Cover plating was performed. The covering plating conditions are described below.
Liquid composition: copper concentration 20-40 g / L, sulfuric acid concentration 80-120 g / L
Liquid temperature: 40-50 degreeC
Current density: 10 to 50 A / dm 2
・粗化処理(2)−2(中程度の粗化):
液組成:銅濃度10〜30g/L(硫酸銅5水和物で添加、以下同様)、硫酸濃度80〜120g/L
液温:20〜40℃
電流密度:105〜115A/dm2
-Roughening treatment (2) -2 (medium roughening):
Liquid composition: copper concentration 10-30 g / L (added with copper sulfate pentahydrate, the same applies hereinafter), sulfuric acid concentration 80-120 g / L
Liquid temperature: 20-40 degreeC
Current density: 105 to 115 A / dm 2
上記粗化処理(2)を施したキャリア付銅箔のキャリア側表面又は極薄銅層側表面に、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
液組成:銅濃度20〜40g/L、硫酸濃度80〜120g/L
液温:40〜50℃
電流密度:10〜50A/dm2
A copper electrolytic bath made of sulfuric acid / copper sulfate is used on the carrier-side surface or ultrathin copper layer-side surface of the copper foil with carrier that has been subjected to the above-mentioned roughening treatment (2) in order to prevent falling off of the roughened particles and to improve the peel strength. Cover plating was performed. The covering plating conditions are described below.
Liquid composition: copper concentration 20-40 g / L, sulfuric acid concentration 80-120 g / L
Liquid temperature: 40-50 degreeC
Current density: 10 to 50 A / dm 2
・粗化処理(3)(微細粗化):
液組成:銅濃度10〜20g/L、コバルト濃度1〜10g/L、ニッケル濃度1〜10g/L
pH:1〜4
液温:30〜50℃
電流密度:20〜30A/dm2
・ Roughening treatment (3) (fine roughening):
Liquid composition: copper concentration 10-20 g / L, cobalt concentration 1-10 g / L, nickel concentration 1-10 g / L
pH: 1-4
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density: 20-30 A / dm 2
上記条件で粗化処理(3)を施したキャリア付銅箔の極薄銅層側表面に、Co−Niのメッキを行い耐熱層を形成した。メッキ条件を以下に記す。
液組成:コバルト濃度1〜30g/L、ニッケル濃度1〜30g/L
pH:1.0〜3.5
液温:30〜80℃
電流密度1〜10A/dm2
On the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier subjected to the roughening treatment (3) under the above conditions, Co—Ni was plated to form a heat-resistant layer. The plating conditions are described below.
Liquid composition: cobalt concentration 1-30 g / L, nickel concentration 1-30 g / L
pH: 1.0-3.5
Liquid temperature: 30-80 degreeC
Current density 1-10 A / dm 2
〔耐熱処理〕
・耐熱層(亜鉛・ニッケルメッキ)形成処理:
液組成:ニッケル濃度10〜30g/L、亜鉛濃度1〜15g/L
液温:30〜50℃
電流密度1〜10A/dm2
[Heat-resistant treatment]
・ Heat-resistant layer (zinc / nickel plating) formation treatment:
Liquid composition: nickel concentration 10-30 g / L, zinc concentration 1-15 g / L
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density 1-10 A / dm 2
〔防錆処理〕
・クロメート処理:
液組成:重クロム酸カリウム濃度3〜5g/L、亜鉛濃度0.1〜1g/L
液温:30〜50℃
電流密度0.1〜3.0A/dm2
[Rust prevention treatment]
・ Chromate treatment:
Liquid composition: potassium dichromate concentration 3-5 g / L, zinc concentration 0.1-1 g / L
Liquid temperature: 30-50 degreeC
Current density 0.1-3.0 A / dm 2
〔シランカップリング処理〕
0.2〜2重量%のアルコキシシランを含有するpH7〜8の溶液を噴霧することで、シランカップリング剤を塗布し処理を実施した。
[Silane coupling treatment]
By spraying a solution having a pH of 7 to 8 containing 0.2 to 2% by weight of alkoxysilane, a silane coupling agent was applied to carry out the treatment.
(実施例1、8〜14、23)
上述の方法で表に記載の厚みのキャリア付銅箔を作製し、そのキャリア側表面および極薄銅層側表面に粗化処理を施さず、キャリア側表面および極薄銅層側表面に耐熱処理、防錆処理、シランカップリング処理のみを施した銅箔を作製した。
(Example 1, 8-14, 23)
Prepare a copper foil with a carrier with the thickness shown in the table by the above method and heat-treat the carrier side surface and the ultrathin copper layer side surface without subjecting the carrier side surface and the ultrathin copper layer side surface to roughening treatment. The copper foil which gave only the rust prevention process and the silane coupling process was produced.
(実施例2、15、22)
上述の方法で表に記載の厚みのキャリア付銅箔を作製し、その極薄銅層側表面に粗化処理(2)(中程度の粗化)を施し、更に耐熱処理、防錆処理、シランカップリング処理を施した銅箔を作製した。
(Examples 2, 15, and 22)
The copper foil with a carrier having the thickness shown in the table is prepared by the above-mentioned method, and the surface of the ultrathin copper layer is subjected to roughening treatment (2) (medium roughening), and further heat-resistant treatment, antirust treatment, The copper foil which performed the silane coupling process was produced.
(実施例3、4、6、7、16〜19)
上述の方法で表に記載の厚みのキャリア付銅箔を作製し、そのキャリア側表面に粗化処理(2)(中程度の粗化)を施し、更に耐熱処理、防錆処理、シランカップリング処理を施した銅箔を作製した。
(Examples 3, 4, 6, 7, 16-19)
A copper foil with a carrier having the thickness shown in the table is prepared by the above-described method, and the carrier side surface is subjected to a roughening treatment (2) (medium roughening), followed by heat treatment, rust prevention treatment, and silane coupling. A treated copper foil was produced.
(実施例5)
上述の方法で表に記載の厚みのキャリア付銅箔を作製し、そのキャリア側表面に粗化処理(3)(微細粗化)を施し、更に耐熱処理、防錆処理、シランカップリング処理を施した銅箔を作製した。
(Example 5)
The copper foil with a carrier having the thickness shown in the table is prepared by the above-described method, and the carrier side surface is subjected to a roughening treatment (3) (fine roughening), and further subjected to heat treatment, rust prevention treatment, and silane coupling treatment. The applied copper foil was produced.
(実施例20)
上述の方法で表に記載の厚みのキャリア付銅箔を作製し、そのキャリア側表面に粗化処理(2)−2(中程度の粗化)を施し、更に耐熱処理、防錆処理、シランカップリング処理を施した銅箔を作製した。
(Example 20)
A copper foil with a carrier having the thickness shown in the table is prepared by the above-mentioned method, and the surface on the carrier side is subjected to a roughening treatment (2) -2 (medium roughening), followed by a heat treatment, an antirust treatment, and a silane. The copper foil which performed the coupling process was produced.
(実施例21)
上述の方法で表に記載の厚みのキャリア付銅箔を作製し、そのキャリア側表面および極薄銅層側表面に粗化処理(2)−2(中程度の粗化)を施し、更に耐熱処理、防錆処理、シランカップリング処理を施した銅箔を作製した。
(Example 21)
The copper foil with a carrier having the thickness described in the table is prepared by the above-described method, and the carrier side surface and the ultrathin copper layer side surface are subjected to a roughening treatment (2) -2 (medium roughening), and further heat resistant. The copper foil which performed the process, the antirust process, and the silane coupling process was produced.
(比較例1)
上述の方法で表に記載の厚みのキャリア付銅箔を作製し、そのキャリア側表面に粗化処理(1)(粗大粗化)を施し、更に耐熱処理、防錆処理、シランカップリング処理を施した銅箔を作製した。
(Comparative Example 1)
The copper foil with a carrier having the thickness shown in the table is prepared by the above-mentioned method, and the carrier side surface is subjected to roughening treatment (1) (coarse roughening), and further subjected to heat treatment, rust prevention treatment, and silane coupling treatment. The applied copper foil was produced.
2.キャリア付銅箔の評価
上記のようにして得られたキャリア付銅箔について、以下の方法で各評価を実施した。
<表面粗さ>
キャリア付銅箔のキャリアの極薄銅層側とは反対側の表面の十点平均表面粗さRzを、JIS B0601−1994に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡LEXT OLS4000にて測定した。Rzを任意に10箇所測定し、そのRzの10箇所の平均値をRzの値とした。また、キャリアの極薄銅層側表面の十点平均表面粗さRzも同様に測定した。さらに、極薄銅層の中間層とは反対側の表面の十点平均表面粗さRzも同様に測定した。
2. Evaluation of copper foil with carrier The copper foil with carrier obtained as described above was evaluated by the following methods.
<Surface roughness>
The ten-point average surface roughness Rz of the surface of the copper foil with carrier opposite to the ultrathin copper layer side was measured with a laser microscope LEXT OLS4000 manufactured by Olympus in accordance with JIS B0601-1994. Rz was arbitrarily measured at 10 locations, and the average value at 10 locations of Rz was defined as the value of Rz. Further, the ten-point average surface roughness Rz of the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side was also measured in the same manner. Further, the ten-point average surface roughness Rz of the surface of the ultrathin copper layer opposite to the intermediate layer was also measured in the same manner.
また、キャリア付銅箔のキャリアの極薄銅層側とは反対側の表面の粗さ曲線の最大断面高さRtを、JIS B0601−2001に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡LEXT OLS4000にて測定した。Rtを任意に10箇所測定し、そのRtの10箇所の平均値をRtの値とした。 In addition, the maximum cross-sectional height Rt of the roughness curve of the surface of the copper foil with carrier opposite to the ultrathin copper layer side is measured with an Olympus laser microscope LEXT OLS4000 according to JIS B0601-2001. It was measured. Rt was arbitrarily measured at 10 locations, and the average value at 10 locations of the Rt was defined as the Rt value.
また、キャリア付銅箔のキャリアの極薄銅層と反対側表面の算術平均粗さRaを、JIS B0601−1994に準拠して、オリンパス社製レーザー顕微鏡LEXT OLS4000にて測定した。Raを任意に10箇所測定し、そのRaの10箇所の平均値をRaの値とした。
なお、上記Rz、Ra及びRtについて、極薄銅層及びキャリア表面の倍率50倍の対物レンズを使用して、評価長さ258μm、カットオフ値ゼロの条件で、キャリアとして用いた電解銅箔の製造装置における電解銅箔の進行方向と垂直な方向または圧延銅箔の製造装置における圧延銅箔の進行方向と垂直な方向(TD)の測定で、それぞれ値を求めた。レーザー顕微鏡による表面のRz、Ra及びRtの測定環境温度は23〜25℃とした。
In addition, the arithmetic average roughness Ra of the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier of the copper foil with carrier was measured with a laser microscope LEXT OLS4000 manufactured by Olympus in accordance with JIS B0601-1994. Ra was measured arbitrarily at 10 locations, and the average value of 10 locations of Ra was taken as the value of Ra.
For the above Rz, Ra, and Rt, an electrolytic copper foil used as a carrier under the conditions of an evaluation length of 258 μm and a cutoff value of zero using an objective lens with a magnification of 50 times the ultrathin copper layer and the carrier surface. Values were determined by measuring the direction perpendicular to the traveling direction of the electrolytic copper foil in the production apparatus or the direction perpendicular to the traveling direction of the rolled copper foil (TD) in the rolled copper foil production apparatus. The measurement environment temperature of Rz, Ra, and Rt on the surface with a laser microscope was 23 to 25 ° C.
<常態剥離強度>
作製したキャリア付銅箔について、ロードセルにてキャリア側を引っ張り、キャリアと極薄銅層間の剥離強度を90°剥離法(JIS C 6471 8.1)に準拠して測定した。
<Normal peel strength>
About the produced copper foil with a carrier, the carrier side was pulled with the load cell and the peeling strength between a carrier and an ultra-thin copper layer was measured based on the 90 degree peeling method (JIS C6471 8.1).
<通常プレス後剥離強度>
作製したキャリア付銅箔の極薄銅層側を樹脂基板上に貼り合わせて、大気中、15kgf/cm2、220℃で90分間の条件下で加熱プレスした後、ロードセルにてキャリア側を引っ張り、キャリアと極薄銅層間の剥離強度を90°剥離法(JIS C 6471 8.1)に準拠して測定した。
<Normal peel strength after pressing>
The ultra-thin copper layer side of the prepared copper foil with carrier is bonded to a resin substrate and heated and pressed in air at 15 kgf / cm 2 at 220 ° C. for 90 minutes, and then the carrier side is pulled with a load cell. The peel strength between the carrier and the ultrathin copper layer was measured according to the 90 ° peel method (JIS C 6471 8.1).
<リバースプレス後剥離強度>
作製したキャリア付銅箔について、さらに極薄銅層側表面を銅めっきでめっきアップすることで銅めっき層を形成した。このとき、極薄銅層及び銅めっき層の合計厚みが18μmとなるように銅めっき層を形成した。次に、キャリア付銅箔のキャリア側を樹脂基板上に貼り合わせて、大気中、15kgf/cm2、220℃で90分間の条件下で加熱プレスした後、ロードセルにて極薄銅層側を引っ張り、キャリアと極薄銅層間の剥離強度を90°剥離法(JIS C 6471 8.1)に準拠して測定した。なお、比較例1ではキャリアから極薄銅層を剥離することができなかった。また、比較例2は、キャリアと樹脂基板とを積層することができず、測定ができなかった。
<Peel strength after reverse press>
About the produced copper foil with a carrier, the copper plating layer was formed by further plating up the ultra-thin copper layer side surface by copper plating. At this time, the copper plating layer was formed so that the total thickness of the ultrathin copper layer and the copper plating layer was 18 μm. Next, the carrier side of the copper foil with a carrier is bonded on a resin substrate and heated and pressed in the atmosphere at 15 kgf / cm 2 and 220 ° C. for 90 minutes, and then the ultrathin copper layer side is attached with a load cell. The peel strength between the carrier and the ultrathin copper layer was measured according to the 90 ° peel method (JIS C 6471 8.1). In Comparative Example 1, the ultrathin copper layer could not be peeled from the carrier. In Comparative Example 2, the carrier and the resin substrate could not be laminated, and measurement could not be performed.
<剥がれ性及び生産性>
・コアレス基板の製造
実施例、比較例に係るキャリア付銅箔をそれぞれ、キャリア側から、当該キャリア付銅箔よりも大きなFR−4プリプレグの両面に大気中、15kgf/cm2、220℃で90分間の条件下で加熱プレスすることにより積層し、積層体を得た。なお、キャリア付銅箔よりも大きなプリプレグを用いて積層体を製造したため、得られた積層体においてキャリア付銅箔の端面は樹脂(プリプレグ)により覆われている。
<Peelability and productivity>
-Manufacture of Coreless Substrate The copper foils with carriers according to Examples and Comparative Examples are each 90 ° C. at 15 kgf / cm 2 and 220 ° C. in the atmosphere on both sides of the FR-4 prepreg larger than the copper foil with carriers from the carrier side. Lamination was performed by heating and pressing under the condition of minutes to obtain a laminate. In addition, since the laminated body was manufactured using the larger prepreg than copper foil with a carrier, the end surface of copper foil with a carrier is covered with resin (prepreg) in the obtained laminated body.
このようにして作製した積層体の、板状キャリアが露出している部分4か所に、直径1mmの孔を空け、後に続くビルドアップ工程時の位置決め用のガイドホールとした。当該積層体の両側に、FR−4プリプレグ、銅箔(JX日鉱日石金属株式会社製、JTC12μm(製品名))を順に重ね、3MPaの圧力で170℃・100分間ホットプレスを行い、4層銅張積層板を作製した。 A hole having a diameter of 1 mm was formed in four portions of the laminate thus manufactured where the plate-like carrier was exposed, and used as a guide hole for positioning in the subsequent build-up process. FR-4 prepreg and copper foil (manufactured by JX Nippon Mining & Metals Co., Ltd., JTC 12 μm (product name)) are sequentially stacked on both sides of the laminate, and hot pressing is performed at 170 ° C. for 100 minutes at a pressure of 3 MPa. A copper clad laminate was prepared.
次に、前記4層銅張積層板表面の銅箔とその下の絶縁層(硬化したプリプレグ)を貫通する直径100μmの孔を、レーザー加工機を用いて空けた。続いて、前記孔の底部に露出した積層体上の銅箔表面と、前記孔の側面、前記4層銅張積層板表面の銅箔上に無電解銅めっき、電気銅めっきにより銅めっきを行い、積層体上の銅箔と、4層銅張積層板表面の銅箔との間に電気的接続を形成した。次に、4層銅張積層板表面の銅箔の一部を塩化第二鉄系のエッチング液を用いてエッチングし、回路を形成した。このようにして、4層ビルドアップ基板を作製した。 Next, a 100 μm diameter hole penetrating the copper foil on the surface of the four-layered copper clad laminate and the insulating layer (cured prepreg) thereunder was drilled using a laser processing machine. Subsequently, copper plating is performed by electroless copper plating and electrolytic copper plating on the copper foil surface on the laminate exposed at the bottom of the hole, the side surface of the hole, and the copper foil on the surface of the four-layer copper-clad laminate. An electrical connection was formed between the copper foil on the laminate and the copper foil on the surface of the four-layer copper clad laminate. Next, a part of the copper foil on the surface of the four-layer copper-clad laminate was etched using a ferric chloride-based etchant to form a circuit. In this way, a four-layer build-up substrate was produced.
続いて、前記4層ビルドアップ基板を、前記積層体を平面視したときにキャリア付銅箔の端面がプリプレグにより接着されている部分よりも内側で切断した後、前記積層体のキャリア付銅箔のキャリアと極薄銅層を機械的に剥離して分離することにより、2組の2層ビルドアップ配線板を得た。 Subsequently, the four-layer build-up substrate is cut inside the portion where the end surface of the carrier-attached copper foil is bonded by the prepreg when the laminate is viewed in plan, and then the laminate-provided copper foil with the carrier Two sets of two-layer buildup wiring boards were obtained by mechanically peeling and separating the carrier and the ultrathin copper layer.
続いて、前記の2組の2層ビルドアップ配線板上の、板状キャリアと密着していた方の銅箔をエッチングし配線を形成して、2組の2層ビルドアップ配線板を得た。 Subsequently, the copper foil that was in close contact with the plate-like carrier on the two sets of two-layer build-up wiring boards was etched to form a wiring to obtain two sets of two-layer build-up wiring boards. .
上記2組の2層ビルドアップ配線板を作製した際の、樹脂基板(FR−4プリプレグ)とキャリアとの剥がれの有無(剥がれ性)を評価した。当該剥がれ性の評価基準を以下に示す。
◎:「10回中、剥がれ無し」、〇〇:「10回中、1回剥がれた」、〇:「10回中、2〜3回剥がれた」、△:「10回中、4回剥がれた」、×:「10回中、5回以上剥がれた」
The presence or absence (peelability) of peeling between the resin substrate (FR-4 prepreg) and the carrier when the two sets of two-layer build-up wiring boards were produced was evaluated. The evaluation criteria for the peelability are shown below.
◎: “No peeling during 10 times”, ○ ○: “Peeling once during 10 times”, ○: “Peeling 2-3 times during 10 times”, Δ: “Peeling four times during 10 times” ”×”: “Peeled 5 times or more out of 10 times”
また、上記2組の2層ビルドアップ配線板を作製した際の、極薄銅層とキャリアとの剥離強度は、プリント配線板の生産性に影響を与える。具体的には、極薄銅層とキャリアとの剥離強度が50N/m以上の場合、剥離にかなり時間がかかり、生産性が悪い(剥離に10分/枚以上かかる)。また、20N/m以上の場合、剥離に時間がかかり生産性が悪い(剥離に2分/枚以上かかる)。このような観点から、生産性の評価基準を以下とした。
◎:「10回中、全て剥離強度20N/m以下」、「〇〇:10回中、1回以上5回未満が剥離強度20N/m以上」、〇:「10回中、5回以上が剥離強度20N/m以上」、△:「10回中、1回以上が剥離強度50N/m以上」、×:「10回中、1回以上が剥離不可有」
試験条件及び結果を表1に示す。
The peel strength between the ultrathin copper layer and the carrier when the two sets of two-layer build-up wiring boards are produced affects the productivity of the printed wiring board. Specifically, when the peel strength between the ultrathin copper layer and the carrier is 50 N / m or more, it takes a considerable time for peeling, and the productivity is poor (10 minutes / sheet or more for peeling). Moreover, in the case of 20 N / m or more, it takes time for peeling and productivity is poor (it takes 2 minutes / sheet or more for peeling). From such a viewpoint, the evaluation criteria for productivity were as follows.
A: “All 10 times, peel strength 20 N / m or less”, “O: 10 times, 1 to less than 5 times peel strength 20 N / m or more”, ○: “10 times, 5 times or more Peel strength 20 N / m or more ”, Δ:“ 1 time or more during 10 times, peel strength 50 N / m or more ”, ×:“ 1 time or more during 10 times, peeling is not possible ”
Test conditions and results are shown in Table 1.
(評価結果)
実施例1〜23は、キャリア付銅箔を樹脂基板に積層することで作製した積層体において、極薄銅層をキャリアから良好に剥離することが可能であり、キャリア付銅箔を用いてビルドアップ配線板を作製したときの剥がれ性及び生産性が良好であった。
一方、比較例1は、キャリア付銅箔を樹脂基板に積層することで作製した積層体において、極薄銅層をキャリアから良好に剥離することができなかった。また、キャリア付銅箔を用いてビルドアップ配線板を作製したときの生産性が不良であった。
(Evaluation results)
In Examples 1 to 23, in a laminate produced by laminating a copper foil with a carrier on a resin substrate, the ultrathin copper layer can be favorably peeled off from the carrier, and build using the copper foil with a carrier. The peelability and productivity when an up-wiring board was produced were good.
On the other hand, in Comparative Example 1, in the laminate produced by laminating the carrier-attached copper foil on the resin substrate, the ultrathin copper layer could not be satisfactorily peeled from the carrier. Moreover, productivity was poor when a build-up wiring board was produced using a copper foil with a carrier.
Claims (29)
前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の算術平均粗さRaが1.0μm以下であるキャリア付銅箔。 A carrier-attached copper foil having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order,
The copper foil with a carrier whose arithmetic mean roughness Ra of the said surface is 1.0 micrometer or less when the surface on the opposite side to the said ultra-thin copper layer of the said carrier is measured with a laser microscope based on JISB0601-1994.
前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の十点平均粗さRzが6.0μm以下であり、
前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の算術平均粗さRaが1.0μm以下であるキャリア付銅箔。 A carrier-attached copper foil having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order,
When the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-1994, the ten-point average roughness Rz of the surface is 6.0 μm or less,
The pole surface opposite the thin copper layer of the carrier, when measured with a laser microscope in compliance with JIS B0601-1994, the arithmetic average roughness Ra of 1.0μm or less der Ruki Yaria coated copper of the surface Foil.
前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−2001に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の粗さ曲線の最大断面高さRtが7.0μm以下であるキャリア付銅箔。 A carrier-attached copper foil having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order,
Carrier whose maximum cross-sectional height Rt of the surface roughness curve is 7.0 μm or less when the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-2001. Copper foil.
前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−2001に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の粗さ曲線の最大断面高さRtが7.0μm以下であり、
以下の(a)または(b)のいずれか1つまたは2つを満たすキャリア付銅箔。
(a)前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の十点平均粗さRzが6.0μm以下である、
(b)前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面を、JIS B0601−1994に準拠してレーザー顕微鏡で測定したとき、前記表面の算術平均粗さRaが1.0μm以下である。 A carrier-attached copper foil having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order,
The pole surface opposite the thin copper layer of the carrier, when measured with a laser microscope in compliance with JIS B0601-2001, the maximum section height Rt of the roughness curve of the surface Ri der less 7.0μm ,
The copper foil with a carrier satisfy | filling any one or two of the following (a) or (b).
(A) When the surface opposite to the ultrathin copper layer of the carrier is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-1994, the ten-point average roughness Rz of the surface is 6.0 μm or less.
(B) When the surface of the carrier opposite to the ultrathin copper layer is measured with a laser microscope in accordance with JIS B0601-1994, the arithmetic average roughness Ra of the surface is 1.0 μm or less.
硫酸アルキルエステル塩、タングステン及び砒素からなる群から選択された1種以上を含む硫酸・硫酸銅電解浴を用いて形成されている層を有する、
請求項8に記載のキャリア付銅箔。 The roughening treatment layer has a layer made of any single element selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc, or an alloy containing one or more of them. And / or
Having a layer formed using a sulfuric acid-copper sulfate electrolytic bath containing one or more selected from the group consisting of alkyl sulfate salts, tungsten and arsenic,
The copper foil with a carrier according to claim 8 .
前記キャリアの前記極薄銅層と反対側の表面に粗化処理層を有さず、且つ、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する、
請求項1〜8のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 There is no roughening treatment layer on the surface opposite to the ultra-thin copper layer of the carrier, or
One type selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust-proof layer, a chromate-treated layer, and a silane coupling-treated layer without having a roughening-treated layer on the surface opposite to the ultra-thin copper layer of the carrier Having more layers,
The copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-8 .
前記極薄銅層の表面に粗化処理層を有さず、且つ、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する、
請求項1〜11のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 There is no roughening treatment layer on the surface of the ultra-thin copper layer, or
The surface of the ultra-thin copper layer does not have a roughening treatment layer, and has one or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer.
Copper foil with carrier according to any one of claims 1 to 11.
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層体を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。 The process of preparing the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-15 , and an insulated substrate,
Laminating the copper foil with carrier and an insulating substrate;
After laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate, a copper clad laminate is formed through a step of peeling the carrier of the copper foil with carrier,
Then, the manufacturing method of a printed wiring board including the process of forming a circuit by any method of a semi-additive method, a subtractive method, a partly additive method, or a modified semi-additive method.
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 The process is also ultra-thin copper layer-side surface forming the circuits of the copper foil with carrier according to any one of claims 1 to 15
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
A step of peeling the carrier after forming the resin layer; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Method.
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 A step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 15 ,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
Forming the circuit on the resin layer, and then peeling the carrier; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Method.
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成する工程、
前記樹脂層上に回路を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 The process of laminating | stacking the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-15 on the resin substrate from the said carrier side,
Forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
Forming a circuit on the resin layer;
Forming the circuit on the resin layer, and then peeling the carrier; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Method.
前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面に樹脂層を形成する工程、
前記樹脂層を形成した後に、前記キャリアを剥離させる工程、及び、
前記キャリアを剥離させた後に、前記極薄銅層を除去することで、前記極薄銅層側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 The process of laminating | stacking the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-15 on the resin substrate from the said carrier side,
Forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface of the copper foil with carrier,
Forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface of the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried;
A step of peeling the carrier after forming the resin layer; and
After the carrier is peeled off, the printed wiring board includes a step of exposing the circuit embedded in the resin layer formed on the surface of the ultrathin copper layer by removing the ultrathin copper layer Method.
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 The process of laminating | stacking the said ultra-thin copper layer side surface or the said carrier side surface of the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-15 , and a resin substrate,
A step of providing at least once two layers of a resin layer and a circuit on the surface of the ultrathin copper layer opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with carrier or on the surface of the carrier; and
A method for producing a printed wiring board, comprising: a step of peeling the carrier or the ultrathin copper layer from the copper foil with a carrier after forming the resin layer and the two layers of the circuit.
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 The process of laminating | stacking the said carrier side surface of the copper foil with a carrier as described in any one of Claims 1-15 , and a resin substrate,
A step of providing two layers of a resin layer and a circuit at least once on the surface of the ultrathin copper layer side opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with carrier, and
A method for producing a printed wiring board, comprising the step of peeling the carrier from the copper foil with a carrier after forming the resin layer and the two layers of the circuit.
前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記積層体を構成しているキャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。 A step of providing two layers of a resin layer and a circuit at least once on one or both sides of the laminate according to any one of claims 16 to 18 , and
A method for producing a printed wiring board, comprising the step of peeling the carrier or the ultrathin copper layer from a copper foil with a carrier constituting the laminate after forming the resin layer and the two layers of the circuit.
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