JP6872947B2 - A method for manufacturing a copper foil with a carrier, a laminate, a method for manufacturing a copper foil with a carrier, a method for manufacturing a laminate, a method for manufacturing a printed wiring board, and a method for manufacturing an electronic device. - Google Patents

A method for manufacturing a copper foil with a carrier, a laminate, a method for manufacturing a copper foil with a carrier, a method for manufacturing a laminate, a method for manufacturing a printed wiring board, and a method for manufacturing an electronic device. Download PDF

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Description

本発明は、キャリア付銅箔、積層体、キャリア付銅箔の製造方法、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a copper foil with a carrier, a laminate, a method for manufacturing a copper foil with a carrier, a method for manufacturing a laminate, a method for manufacturing a printed wiring board, and a method for manufacturing an electronic device.

プリント配線板は銅箔に絶縁基板を接着させて銅張積層板とした後に、エッチングにより銅箔面に導体パターンを形成するという工程を経て製造されるのが一般的である。近年の電子機器の小型化、高性能化ニーズの増大に伴い搭載部品の高密度実装化や信号の高周波化が進展し、プリント配線板に対して導体パターンの微細化(ファインピッチ化)や高周波対応等が求められている。 A printed wiring board is generally manufactured through a process in which an insulating substrate is adhered to a copper foil to form a copper-clad laminate, and then a conductor pattern is formed on the copper foil surface by etching. With the increasing needs for miniaturization and high performance of electronic devices in recent years, high-density mounting of mounted components and high-frequency signals have progressed, and conductor patterns have become finer (fine pitch) and higher frequencies for printed wiring boards. Correspondence is required.

ファインピッチ化に対応して、最近では厚さ9μm以下、更には厚さ5μm以下の銅箔が要求されているが、このような極薄の銅箔は機械的強度が低くプリント配線板の製造時に破れたり、皺が発生したりしやすいので、厚みのある金属箔をキャリアとして利用し、これに剥離層を介して極薄銅層を電着させたキャリア付銅箔が登場している。極薄銅層の表面を絶縁基板に貼り合わせて熱圧着後、キャリアは剥離層を介して剥離除去される(特許文献1)。 Recently, copper foils with a thickness of 9 μm or less and further with a thickness of 5 μm or less are required in response to fine pitching. Such ultra-thin copper foils have low mechanical strength and are used to manufacture printed wiring boards. Since it is easy to tear or wrinkle at times, a copper foil with a carrier that uses a thick metal foil as a carrier and electrodeposits an ultrathin copper layer via a release layer has appeared. After the surface of the ultrathin copper layer is bonded to an insulating substrate and thermocompression bonded, the carrier is peeled off and removed via the peeling layer (Patent Document 1).

特開2004−169181号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2004-169181

キャリアから極薄銅層を剥離させる際、剥離強度が大き過ぎると極薄銅層が破損するおそれがある。また、剥離強度が小さ過ぎると、プリント配線版等の製造工程におけるキャリア付銅箔の取り扱い時にキャリアと極薄銅層とが剥離してしまうという問題が生じるおそれがある。さらに、キャリアから極薄銅層を剥離させる際、剥離方向の剥離強度にバラツキがあると、当該キャリア付銅箔を用いたプリント配線板等の生産性が悪化するという問題が生じるおそれがある。そこで、本発明は、キャリア引き剥がし時の剥離強度が良好で、且つ、剥離強度のバラツキが良好に抑制されたキャリア付銅箔を提供することを課題とする。 When peeling the ultrathin copper layer from the carrier, if the peeling strength is too high, the ultrathin copper layer may be damaged. Further, if the peel strength is too small, there is a possibility that the carrier and the ultrathin copper layer may be peeled off when handling the copper foil with a carrier in the manufacturing process of a printed wiring board or the like. Further, when the ultrathin copper layer is peeled from the carrier, if the peeling strength in the peeling direction varies, there is a possibility that the productivity of the printed wiring board or the like using the copper foil with the carrier deteriorates. Therefore, it is an object of the present invention to provide a copper foil with a carrier, which has good peel strength at the time of carrier peeling and whose peel strength variation is satisfactorily suppressed.

上記目的を達成するため、本発明者は、所定の条件でキャリアを剥がしたときのレーザー顕微鏡にて測定されるキャリアの極薄銅層側の表面粗さSp、及び、キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が所定の条件を満たすように制御することで、キャリア引き剥がし時の剥離強度が良好で、且つ、剥離強度のバラツキが良好に抑制されたキャリア付銅箔を提供することができることを見出した。 In order to achieve the above object, the present inventor has set the surface roughness Sp of the carrier on the ultrathin copper layer side measured by a laser microscope when the carrier is peeled off under predetermined conditions, and 16 points on the surface of the carrier. By controlling the standard deviation of the surface roughness Sp when measured so as to satisfy a predetermined condition, the peeling strength at the time of carrier peeling is good, and the variation in peeling strength is well suppressed. We have found that we can provide foil.

本発明は上記知見を基礎として完成したものであり、一側面において、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、前記キャリア付銅箔を220℃で90分、絶縁基板と熱圧着させた後、JIS C 6471に準拠して、キャリアを剥がしたとき、レーザー顕微鏡にて256μm×256μm角で測定される前記キャリアの前記極薄銅層側の表面の表面粗さSpが0.1μm以上3.5μm以下であり、且つ、前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.8μm以下であるキャリア付銅箔である。 The present invention has been completed based on the above findings, and is a copper foil with a carrier having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order on one side, and the copper foil with a carrier is used at 220 ° C. for 90 minutes. After heat-bonding to the insulating substrate, when the carrier is peeled off in accordance with JIS C 6471, the surface roughness of the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side measured at 256 μm × 256 μm square with a laser microscope. A copper foil with a carrier having a sp of 0.1 μm or more and 3.5 μm or less and a standard deviation of surface roughness Sp of 0.8 μm or less when the surface of the carrier is measured at 16 points.

本発明のキャリア付銅箔は一実施形態において、前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.7μm以下である。 In one embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has a standard deviation of surface roughness Sp of 0.7 μm or less when the surface of the carrier is measured at 16 points.

本発明のキャリア付銅箔は別の一実施形態において、前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.6μm以下である。 In another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has a standard deviation of surface roughness Sp of 0.6 μm or less when the surface of the carrier is measured at 16 points.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記中間層のNi付着量が100μg/dm2以上40000μg/dm2以下である。 In yet another embodiment the copper foil with carrier of the present invention, Ni deposition amount of the intermediate layer is 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記中間層のCr付着量が1μg/dm2以上100μg/dm2以下である。 In still another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has a Cr adhesion amount of 1 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less in the intermediate layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアの極薄銅層側の表面粗さSzが0.3μm以上4.5μm以下であり、且つ、前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSzの標準偏差が1.0μm以下である。 In still another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has a surface roughness Sz of 0.3 μm or more and 4.5 μm or less on the ultrathin copper layer side of the carrier, and 16 points on the surface of the carrier. The standard deviation of the surface roughness Sz when measured is 1.0 μm or less.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記キャリアのMD方向に対して垂直な表面で測定したときの前記キャリアの極薄銅層側の表面粗さRzが0.1μm以上2.2μm以下であり、且つ、前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さRzの標準偏差が0.3μm以下である。 In still another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has a surface roughness Rz of 0.1 μm or more on the ultrathin copper layer side of the carrier when measured on a surface perpendicular to the MD direction of the carrier. It is 2.2 μm or less, and the standard deviation of the surface roughness Rz when the surface of the carrier is measured at 16 points is 0.3 μm or less.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、本発明のキャリア付銅箔がキャリアの一方の面に極薄銅層を有する場合において、前記極薄銅層側及び前記キャリア側の少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に、または、本発明のキャリア付銅箔がキャリアの両方の面に極薄銅層を有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する。 In still another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention has an ultrathin copper layer on one surface of the carrier, and the copper foil with a carrier of the present invention has an ultrathin copper layer side and the carrier side. On at least one surface or both surfaces, or when the carrier-attached copper foil of the present invention has ultrathin copper layers on both sides of the carrier, on the surface on the one or both ultrathin copper layer side. It has one or more layers selected from the group consisting of a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記粗化処理層、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える。 In still another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention is one or more selected from the group consisting of the roughening treatment layer, the heat resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer and the silane coupling treatment layer. A resin layer is provided on the layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される1つ以上の元素を含む。 In yet another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, at least one of the rust preventive layer and the heat resistant layer contains one or more elements selected from nickel, cobalt, copper and zinc.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記極薄銅層上に樹脂層を備える。 In still another embodiment, the copper foil with a carrier of the present invention includes a resin layer on the ultrathin copper layer.

本発明のキャリア付銅箔は更に別の一実施形態において、前記樹脂層が誘電体を含む。 In yet another embodiment of the copper foil with a carrier of the present invention, the resin layer contains a dielectric.

本発明は別の一側面において、キャリア、中間層、及び、極薄銅層をこの順に備えたキャリア付銅箔の製造方法であり、前記キャリアの表面をエッチングする、または、前記キャリアの表面に銅をめっきアップすることで前記キャリアの表面粗さを調整する工程と、前記キャリアの前記エッチングまたは前記めっきアップされた表面側に前記中間層及び前記極薄銅層をこの順で設ける工程とを含むキャリア付銅箔の製造方法である。 In another aspect, the present invention is a method for producing a copper foil with a carrier, which comprises a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order, and the surface of the carrier is etched or the surface of the carrier is subjected to. A step of adjusting the surface roughness of the carrier by plating up copper and a step of providing the intermediate layer and the ultrathin copper layer on the etching or the plated up surface side of the carrier in this order. It is a manufacturing method of a copper foil with a carrier including.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いて積層体を製造する方法である。 In yet another aspect, the present invention is a method for producing a laminate using the carrier-attached copper foil of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法である。 In yet another aspect, the present invention is a method of manufacturing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体である。 In still another aspect, the present invention is a laminate containing the carrier-attached copper foil of the present invention and a resin, and a part or all of the end faces of the carrier-attached copper foil is covered with the resin. Is.

本発明は更に別の一側面において、一つの本発明のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの本発明のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層した積層体である。 In yet another aspect of the present invention, one carrier-attached copper foil of the present invention is attached to the carrier side or the ultra-thin copper layer side, and another carrier-attached copper foil of the present invention is attached to the carrier side or the ultra-thin copper foil. It is a laminated body laminated on the copper layer side.

本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体を用いたプリント配線板の製造方法である。 In yet another aspect, the present invention is a method for manufacturing a printed wiring board using the laminate of the present invention.

本発明は更に別の一側面において、本発明の積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In yet another aspect of the present invention, after a step of providing the laminate of the present invention with two layers of a resin layer and a circuit at least once, and forming the two layers of the resin layer and the circuit at least once. A method for manufacturing a printed wiring board, which comprises a step of peeling the ultrathin copper layer or the carrier from the carrier-attached copper foil of the laminate.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In still another aspect of the present invention, the step of preparing the carrier-attached copper foil and the insulating substrate of the present invention, the step of laminating the carrier-attached copper foil and the insulating substrate, and the carrier-attached copper foil and the insulating substrate are provided. After laminating, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier, and then a circuit is formed by any of a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, or a modified semi-additive method. It is a manufacturing method of a printed wiring board including a step of forming.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In yet another aspect of the present invention, the step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the carrier-attached copper foil of the present invention, the step of forming the circuit on the carrier-side surface, the carrier-attached copper foil so that the circuit is buried. After the step of forming a resin layer on the surface on the ultrathin copper layer side or the surface on the carrier side, the step of peeling off the carrier or the ultrathin copper layer, and peeling off the carrier or the ultrathin copper layer, the said A method for manufacturing a printed wiring board, which comprises a step of exposing a circuit embedded in the resin layer formed on the surface on the ultrathin copper layer side or the surface on the carrier side by removing the ultrathin copper layer or the carrier. Is.

本発明は更に別の一側面において、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法である。 In still another aspect of the present invention, a step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the carrier-attached copper foil of the present invention with a resin substrate, and laminating with the resin substrate of the carrier-attached copper foil. A step of providing the two layers of the resin layer and the circuit at least once on the surface on the ultrathin copper layer side opposite to the side or the surface on the carrier side, and forming the two layers of the resin layer and the circuit at least once. A method for manufacturing a printed wiring board, which comprises a step of peeling the carrier or the ultrathin copper layer from the copper foil with a carrier later.

本発明は更に別の一側面において、本発明のプリント配線板の製造方法によって製造したプリント配線板を用いて電子機器を製造する方法である。 In yet another aspect, the present invention is a method of manufacturing an electronic device using a printed wiring board manufactured by the method of manufacturing a printed wiring board of the present invention.

本発明によれば、キャリア引き剥がし時の剥離強度が良好で、且つ、剥離強度のバラツキが良好に抑制されたキャリア付銅箔を提供することができる。 According to the present invention, it is possible to provide a copper foil with a carrier having good peel strength at the time of peeling the carrier and well suppressing variation in peel strength.

A〜Cは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、回路めっき・レジスト除去までの工程における配線板断面の模式図である。A to C are schematic views of a cross section of a wiring board in a process up to circuit plating and resist removal according to a specific example of a method for manufacturing a printed wiring board using a copper foil with a carrier of the present invention. D〜Fは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、樹脂及び2層目キャリア付銅箔積層からレーザー穴あけまでの工程における配線板断面の模式図である。D to F are schematic views of the cross section of the wiring board in the process from laminating the resin and the copper foil with the second layer carrier to laser drilling, which relates to a specific example of the method for manufacturing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention. Is. G〜Iは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、ビアフィル形成から1層目のキャリア剥離までの工程における配線板断面の模式図である。GI is a schematic view of a cross section of a wiring board in a process from viafill formation to peeling of a carrier of the first layer, which relates to a specific example of a method for manufacturing a printed wiring board using a copper foil with a carrier of the present invention. J〜Kは、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例に係る、フラッシュエッチングからバンプ・銅ピラー形成までの工程における配線板断面の模式図である。J to K are schematic views of the cross section of the wiring board in the process from flash etching to the formation of bumps and copper pillars, which relates to a specific example of the method for manufacturing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention.

<キャリア付銅箔>
本発明のキャリア付銅箔は、キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有する。また、中間層、極薄銅層をキャリアの一方の面または両方の面に設けてもよく、さらに当該一方の面の極薄銅層と他方の面のキャリアまたは当該両方の面の極薄銅層に対して粗化処理等の表面処理を行ってもよい。キャリア付銅箔自体の使用方法は当業者に周知であるが、例えば極薄銅層の表面を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂、ポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム、液晶ポリマー、フッ素樹脂等の絶縁基板またはフィルムに貼り合わせて熱圧着後にキャリアを剥がし、絶縁基板に接着した極薄銅層を目的とする導体パターンにエッチングし、最終的に積層体(銅張積層体等)、又は、プリント配線板等を製造することができる。
<Copper foil with carrier>
The copper foil with a carrier of the present invention has a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order. Further, an intermediate layer and an ultrathin copper layer may be provided on one surface or both surfaces of the carrier, and further, the ultrathin copper layer on one surface and the carrier on the other surface or ultrathin copper on both surfaces may be provided. The layer may be subjected to surface treatment such as roughening treatment. The method of using the carrier-attached copper foil itself is well known to those skilled in the art. Base material Epoxy resin, glass cloth / glass non-woven composite base material Epoxy resin and glass cloth base material Epoxy resin, polyester film, polyimide film, liquid crystal polymer, fluororesin, etc. are attached to an insulating substrate or film, and the carrier is peeled off after thermal pressure bonding. , The ultra-thin copper layer adhered to the insulating substrate can be etched into a target conductor pattern, and finally a laminate (copper-clad laminate or the like) or a printed wiring board or the like can be manufactured.

本発明のキャリア付銅箔は、キャリア付銅箔を220℃で90分、絶縁基板と熱圧着させた後、JIS C 6471に準拠して、キャリアを剥がしたとき、レーザー顕微鏡にて256μm×256μm角で測定されるキャリアの極薄銅層側の表面の表面粗さSp(最大山高さ)が0.1μm以上3.5μm以下である。当該キャリアの極薄銅層側の表面の表面粗さSpが0.1μm以上であるため、プリント配線版等の製造工程におけるキャリア付銅箔の取り扱い時にキャリアと極薄銅層とが剥離してしまう問題を抑制することができる。また、当該キャリアの極薄銅層側の表面の表面粗さSpが3.5μm以下であるため、キャリアの剥離の際に、極薄銅層の破損を防止することができる。当該キャリアの極薄銅層側の表面の表面粗さSpは、0.1μm以上3.0μm以下であるのが好ましく、0.1μm以上2.5μm以下であるのがより好ましく、0.1μm以上2.0μm以下であるのがより好ましく、0.1μm以上1.5μm以下であるのがより好ましい。 The copper foil with a carrier of the present invention has a copper foil with a carrier thermocompression bonded to an insulating substrate at 220 ° C. for 90 minutes, and then when the carrier is peeled off in accordance with JIS C 6471, it is 256 μm × 256 μm with a laser microscope. The surface roughness Sp (maximum mountain height) of the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side measured at the angle is 0.1 μm or more and 3.5 μm or less. Since the surface roughness Sp of the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side is 0.1 μm or more, the carrier and the ultrathin copper layer are peeled off when handling the copper foil with a carrier in the manufacturing process of a printed wiring board or the like. It is possible to suppress the problem of being lost. Further, since the surface roughness Sp of the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side is 3.5 μm or less, it is possible to prevent the ultrathin copper layer from being damaged when the carrier is peeled off. The surface roughness Sp of the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side is preferably 0.1 μm or more and 3.0 μm or less, more preferably 0.1 μm or more and 2.5 μm or less, and 0.1 μm or more. It is more preferably 2.0 μm or less, and more preferably 0.1 μm or more and 1.5 μm or less.

本発明のキャリア付銅箔は、キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.8μm以下である。キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.8μm以下であることで、剥離強度のバラツキを抑制したキャリア付銅箔となる。キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.7μm以下であることが好ましく、0.6μm以下であることがより好ましく、0.5μm以下であることがより好ましい。 In the copper foil with a carrier of the present invention, the standard deviation of the surface roughness Sp when the surface of the carrier is measured at 16 points is 0.8 μm or less. When the standard deviation of the surface roughness Sp when the surface of the carrier is measured at 16 points is 0.8 μm or less, the copper foil with a carrier can be obtained in which the variation in peel strength is suppressed. The standard deviation of the surface roughness Sp when the surface of the carrier is measured at 16 points is preferably 0.7 μm or less, more preferably 0.6 μm or less, and more preferably 0.5 μm or less.

キャリア付銅箔の作製時において、キャリアに中間層を設ける前に、キャリアの表面をエッチングする、または銅をめっきアップすることによりキャリアの中間層を設ける側の表面の粗さ(Sp、Sz、Rz)の平均及び標準偏差を制御することで、剥離強度のバラツキを抑制したキャリア付銅箔を作製することができる。キャリア付銅箔は、キャリアを剥離させた後、極薄銅層表面に炭酸ガスレーザーで穴を開けるが、極薄銅層のレーザー吸収性が悪いとレーザー穴開け性に悪影響を及ぼす。本発明では、レーザー穴開け性改善のため、キャリアの中間層を設ける側の表面をエッチングして粗く制御することで、極薄銅層表面の粗化を行うことができる。一方で、炭酸ガスレーザーで穴を開けない使用方法もあり、その場合は極薄銅層のファインエッチング性向上のため、極薄銅層を平滑し、箔厚精度を従来のものより向上させる要望もある。そのため、本発明ではキャリアの中間層を設ける側の表面を平滑銅めっき液でめっきアップすることによるキャリア表面の平滑化も行うことができる。 When producing a copper foil with a carrier, the surface roughness of the side where the intermediate layer of the carrier is provided is roughened (Sp, Sz,) by etching the surface of the carrier or plating up the copper before providing the intermediate layer on the carrier. By controlling the average and standard deviation of Rz), it is possible to produce a copper foil with a carrier in which variations in peel strength are suppressed. In the copper foil with a carrier, after the carrier is peeled off, a hole is made in the surface of the ultrathin copper layer with a carbon dioxide gas laser, but if the laser absorption of the ultrathin copper layer is poor, the laser drilling property is adversely affected. In the present invention, in order to improve the laser drilling property, the surface of the ultrathin copper layer can be roughened by etching the surface on the side where the intermediate layer of the carrier is provided to control the roughness. On the other hand, there is also a usage method in which a carbon dioxide laser is not used to make holes. In that case, in order to improve the fine etching property of the ultrathin copper layer, there is a request to smooth the ultrathin copper layer and improve the foil thickness accuracy compared to the conventional one. There is also. Therefore, in the present invention, it is possible to smooth the carrier surface by plating up the surface on the side where the intermediate layer of the carrier is provided with a blunt copper plating solution.

キャリアの極薄銅層側のキャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSp(最大山高さ)の平均値が0.1μm以上3.5μm以下であり、且つ、キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.8μm以下であるのが好ましい。このような構成によれば、剥離強度のバラツキを良好に抑制することができる。
当該キャリアの極薄銅層側のキャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの平均値は、0.1μm以上3.0μm以下であるのがより好ましく、0.1μm以上2.5μm以下であるのがより好ましく、0.1μm以上2.0μm以下であるのがより好ましい。また、当該キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差は0.8μm以下であるのがより好ましく、0.7μm以下であるのがより好ましく、0.6μm以下であるのがより好ましい。
The average value of the surface roughness Sp (maximum mountain height) when the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side of the carrier is measured at 16 points is 0.1 μm or more and 3.5 μm or less, and the surface of the carrier is 16 points. The standard deviation of the surface roughness Sp when measured is preferably 0.8 μm or less. According to such a configuration, the variation in peel strength can be satisfactorily suppressed.
The average value of the surface roughness Sp when the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side of the carrier is measured at 16 points is more preferably 0.1 μm or more and 3.0 μm or less, and 0.1 μm or more and 2.5 μm or more. It is more preferably 0.1 μm or more, and more preferably 2.0 μm or less. Further, the standard deviation of the surface roughness Sp when the surface of the carrier is measured at 16 points is more preferably 0.8 μm or less, more preferably 0.7 μm or less, and more preferably 0.6 μm or less. Is more preferable.

キャリアの極薄銅層側のキャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSz(最大高さ)の平均値が0.3μm以上4.5μm以下であり、且つ、キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSzの標準偏差が1.0μm以下であるのが好ましい。このような構成によれば、剥離強度のバラツキを良好に抑制することができる。
当該キャリアの極薄銅層側のキャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSzの平均値は、0.3μm以上4.0μm以下であるのがより好ましく、0.3μm以上3.5μm以下であるのがより好ましく、0.3μm以上3.0μm以下であるのがより好ましい。また、当該キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSzの標準偏差は0.8μm以下であるのがより好ましく、0.7μm以下であるのがより好ましく、0.6μm以下であるのがより好ましい。
The average value of the surface roughness Sz (maximum height) when the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side of the carrier is measured at 16 points is 0.3 μm or more and 4.5 μm or less, and the surface of the carrier is 16 points. The standard deviation of the surface roughness Sz when measured is preferably 1.0 μm or less. According to such a configuration, the variation in peel strength can be satisfactorily suppressed.
The average value of the surface roughness Sz when the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side of the carrier is measured at 16 points is more preferably 0.3 μm or more and 4.0 μm or less, and more preferably 0.3 μm or more and 3.5 μm or more. It is more preferably 0.3 μm or more, and more preferably 3.0 μm or less. Further, the standard deviation of the surface roughness Sz when the surface of the carrier is measured at 16 points is more preferably 0.8 μm or less, more preferably 0.7 μm or less, and more preferably 0.6 μm or less. Is more preferable.

キャリアのMD方向(極薄銅層を形成する装置においてキャリアを搬送する方向)に対して垂直な方向(TD方向)についての表面について測定したときのキャリアの表面を16点測定したときの表面粗さRz(十点平均粗さ)の平均値が0.1μm以上2.2μm以下であり、且つ、キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さRzの標準偏差が0.3μm以下であるのが好ましい。このような構成によれば、剥離強度のバラツキを良好に抑制することができる。
当該キャリアのMD方向に対して垂直な方向(TD方向)についての表面について測定したときのキャリアの表面を16点測定したときの表面粗さRzの平均値は、0.1μm以上1.8μm以下であるのがより好ましく、0.1μm以上2.0μm以下であるのがより好ましく、0.1μm以上1.6μm以下であるのがより好ましい。また、当該キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さRzの標準偏差は0.25μm以下であるのがより好ましく、0.20μm以下であるのがより好ましく、0.15μm以下であるのがより好ましい。
Surface roughness when measuring the surface of the carrier in the direction (TD direction) perpendicular to the MD direction of the carrier (the direction in which the carrier is conveyed in the device for forming the ultrathin copper layer) when the surface of the carrier is measured at 16 points. The average value of Rz (10-point average roughness) is 0.1 μm or more and 2.2 μm or less, and the standard deviation of surface roughness Rz when the surface of the carrier is measured at 16 points is 0.3 μm or less. Is preferable. According to such a configuration, the variation in peel strength can be satisfactorily suppressed.
The average value of the surface roughness Rz when measuring 16 points on the surface of the carrier when measuring the surface in the direction perpendicular to the MD direction (TD direction) of the carrier is 0.1 μm or more and 1.8 μm or less. It is more preferably 0.1 μm or more and 2.0 μm or less, and more preferably 0.1 μm or more and 1.6 μm or less. Further, the standard deviation of the surface roughness Rz when the surface of the carrier is measured at 16 points is more preferably 0.25 μm or less, more preferably 0.20 μm or less, and 0.15 μm or less. Is more preferable.

<キャリア>
本発明に用いることのできるキャリアは典型的には金属箔または樹脂フィルムであり、例えば銅箔、銅合金箔、ニッケル箔、ニッケル合金箔、鉄箔、鉄合金箔、ステンレス箔、アルミニウム箔、アルミニウム合金箔、絶縁樹脂フィルム、ポリイミドフィルム、LCP(液晶ポリマー)フィルム、フッ素樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタラート(PET)フィルム、ポリプロピレン(PP)フィルム、ポリアミドフィルム、ポリアミドイミドフィルムの形態で提供される。本発明に用いることのできるキャリアは典型的には圧延銅箔や電解銅箔の形態で提供される。一般的には、電解銅箔は硫酸銅めっき浴からチタンやステンレスのドラム上に銅を電解析出して製造され、圧延銅箔は圧延ロールによる塑性加工と熱処理を繰り返して製造される。銅箔の材料としてはタフピッチ銅(JIS H3100 合金番号C1100)や無酸素銅(JIS H3100 合金番号C1020またはJIS H3510 合金番号C1011)やりん脱酸銅や電気銅といった高純度の銅の他、例えばSn入り銅、Ag入り銅、Cr、Zr又はMg等を添加した銅合金、Ni及びSi等を添加したコルソン系銅合金のような銅合金も使用可能である。また、公知の銅合金も使用可能である。なお、本明細書において用語「銅箔」を単独で用いたときには銅合金箔も含むものとする。
<Career>
Carriers that can be used in the present invention are typically metal foils or resin films, such as copper foils, copper alloy foils, nickel foils, nickel alloy foils, iron foils, iron alloy foils, stainless steel foils, aluminum foils, aluminum. It is provided in the form of an alloy foil, an insulating resin film, a polyimide film, an LCP (liquid crystal polymer) film, a fluororesin film, a polyethylene terephthalate (PET) film, a polypropylene (PP) film, a polyamide film, and a polyamideimide film. Carriers that can be used in the present invention are typically provided in the form of rolled copper foil or electrolytic copper foil. Generally, an electrolytic copper foil is produced by electrolytically depositing copper on a titanium or stainless steel drum from a copper sulfate plating bath, and a rolled copper foil is produced by repeating plastic working and heat treatment with a rolling roll. Copper foil materials include tough pitch copper (JIS H3100 alloy number C1100), oxygen-free copper (JIS H3100 alloy number C1020 or JIS H3510 alloy number C1011), high-purity copper such as phosphorylated copper and electrolytic copper, as well as Sn, for example. Copper alloys such as copper containing copper, copper containing Ag, copper alloys to which Cr, Zr, Mg and the like are added, and Corson-based copper alloys to which Ni and Si and the like are added can also be used. Also, known copper alloys can be used. When the term "copper foil" is used alone in the present specification, it also includes a copper alloy foil.

本発明に用いることのできるキャリアの厚さについても特に制限はないが、キャリアとしての役目を果たす上で適した厚さに適宜調節すればよく、例えば5μm以上とすることができる。但し、厚すぎると生産コストが高くなるので一般には35μm以下とするのが好ましい。従って、キャリアの厚みは典型的には8μm以上70μm以下であり、より典型的には12μm以上70μm以下であり、より典型的には18μm以上35μm以下である。また、原料コストを低減する観点からはキャリアの厚みは小さいことが好ましい。そのため、キャリアの厚みは、典型的には5μm以上35μm以下であり、好ましくは5μm以上18μm以下であり、好ましくは5μm以上12μm以下であり、好ましくは5μm以上11μm以下であり、好ましくは5μm以上10μm以下である。なお、キャリアの厚みが小さい場合には、キャリアの通箔の際に折れシワが発生しやすい。折れシワの発生を防止するため、例えばキャリア付銅箔製造装置の搬送ロールを平滑にすることや、搬送ロールと、その次の搬送ロールとの距離を短くすることが有効である。なお、プリント配線板の製造方法の一つである埋め込み工法(エンベッティド法(Enbedded Process))にキャリア付銅箔が用いられる場合には、キャリアの剛性が高いことが必要である。そのため、埋め込み工法に用いる場合には、キャリアの厚みは18μm以上300μm以下であることが好ましく、25μm以上150μm以下であることが好ましく、35μm以上100μm以下であることが好ましく、35μm以上70μm以下であることが更により好ましい。 The thickness of the carrier that can be used in the present invention is also not particularly limited, but may be appropriately adjusted to a thickness suitable for fulfilling the role as a carrier, and may be, for example, 5 μm or more. However, if it is too thick, the production cost will increase, so it is generally preferable to set it to 35 μm or less. Therefore, the thickness of the carrier is typically 8 μm or more and 70 μm or less, more typically 12 μm or more and 70 μm or less, and more typically 18 μm or more and 35 μm or less. Further, from the viewpoint of reducing the raw material cost, it is preferable that the thickness of the carrier is small. Therefore, the thickness of the carrier is typically 5 μm or more and 35 μm or less, preferably 5 μm or more and 18 μm or less, preferably 5 μm or more and 12 μm or less, preferably 5 μm or more and 11 μm or less, and preferably 5 μm or more and 10 μm or less. It is as follows. If the thickness of the carrier is small, creases are likely to occur when the carrier is passed through the foil. In order to prevent the occurrence of creases, it is effective, for example, to smooth the transport roll of the copper foil manufacturing apparatus with a carrier and to shorten the distance between the transport roll and the next transport roll. When a copper foil with a carrier is used in an embedding method (embedded process), which is one of the methods for manufacturing a printed wiring board, it is necessary that the carrier has high rigidity. Therefore, when used in the embedding method, the thickness of the carrier is preferably 18 μm or more and 300 μm or less, preferably 25 μm or more and 150 μm or less, preferably 35 μm or more and 100 μm or less, and 35 μm or more and 70 μm or less. Is even more preferable.

以下に、キャリアとして電解銅箔を使用する場合の製造条件の一例を示す。
<電解液組成>
銅:90g/L以上110g/L以下
硫酸:90g/L以上110g/L以下
塩素:50ppm以上100ppm以下
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10ppm以上30ppm以下
レべリング剤2(アミン化合物):10ppm以上30ppm以下
上記のアミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いることができる。
The following is an example of manufacturing conditions when an electrolytic copper foil is used as a carrier.
<Electrolytic solution composition>
Copper: 90 g / L or more and 110 g / L or less Sulfuric acid: 90 g / L or more and 110 g / L or less Chlorine: 50 ppm or more and 100 ppm or less Leveling agent 1 (bis (3 sulfopropyl) disulfide): 10 ppm or more and 30 ppm or less Leveling agent 2 (Amine compound): 10 ppm or more and 30 ppm or less An amine compound having the following chemical formula can be used as the above amine compound.

なお、本発明に用いられる電解、表面処理又はめっき等に用いられる処理液の残部は特に明記しない限り水である。 Unless otherwise specified, the balance of the treatment liquid used for electrolysis, surface treatment, plating, etc. used in the present invention is water.

Figure 0006872947
(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
Figure 0006872947
(In the above chemical formula, R 1 and R 2 are selected from a group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group and an alkyl group.)

<製造条件>
電流密度:70A/dm2以上100A/dm2以下
電解液温度:50℃以上60℃以下
電解液線速:3m/sec以上5m/sec以下
電解時間:0.5分間以上10分間以下
<Manufacturing conditions>
Current density: 70 A / dm 2 or more and 100 A / dm 2 or less Electrolyte temperature: 50 ° C or more and 60 ° C or less Electrolyte fluid linear velocity: 3 m / sec or more and 5 m / sec or less Electrolysis time: 0.5 minutes or more and 10 minutes or less

<中間層>
キャリア上には中間層を設ける。キャリアと中間層との間に他の層を設けてもよい。本発明で用いる中間層は、キャリア付銅箔が絶縁基板への積層工程前にはキャリアから極薄銅層が剥離し難い一方で、絶縁基板への積層工程後にはキャリアから極薄銅層が剥離可能となるような構成であれば特に限定されない。例えば、本発明のキャリア付銅箔の中間層はCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、これらの合金、これらの水和物、これらの酸化物、有機物からなる群から選択される一種又は二種以上を含んでも良い。また、中間層は複数の層であっても良い。
また、例えば、中間層はキャリア側からCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成し、その上にCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素の水和物または酸化物、あるいは有機物からなる層、あるいはCr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種の元素からなる単一金属層、或いは、Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Znで構成された元素群から選択された一種又は二種以上の元素からなる合金層を形成することで構成することができる。
<Middle layer>
An intermediate layer is provided on the carrier. Another layer may be provided between the carrier and the intermediate layer. In the intermediate layer used in the present invention, the ultra-thin copper layer is difficult to peel off from the carrier before the carrier-attached copper foil is laminated on the insulating substrate, while the ultra-thin copper layer is formed from the carrier after the carrier-attached bonding process. The structure is not particularly limited as long as it can be peeled off. For example, the intermediate layer of the carrier-attached copper foil of the present invention includes Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, alloys thereof, hydrates thereof, oxides thereof, and the like. It may contain one or more selected from the group consisting of organic substances. Further, the intermediate layer may be a plurality of layers.
Further, for example, the intermediate layer is a single metal layer composed of a kind of element selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn from the carrier side. Alternatively, an alloy layer composed of one or more elements selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn is formed. A hydrate or oxide of one or more elements selected from the element group composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, and Zn, or an organic substance. A layer composed of Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, a single metal layer composed of a kind of element selected from the element group, or Cr, It can be configured by forming an alloy layer composed of one or more elements selected from the element group composed of Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al and Zn. ..

中間層を片面にのみ設ける場合、キャリアの反対面にはNiメッキ層などの防錆層を設けることが好ましい。なお、中間層をクロメート処理や亜鉛クロメート処理やメッキ処理で設けた場合には、クロムや亜鉛など、付着した金属の一部は水和物や酸化物となっている場合があると考えられる。
また、例えば、中間層は、キャリア上に、ニッケル、ニッケル−リン合金又はニッケル−コバルト合金と、クロムとがこの順で積層されて構成することができる。ニッケルと銅との接着力はクロムと銅の接着力よりも高いので、極薄銅層を剥離する際に、極薄銅層とクロムとの界面で剥離するようになる。また、中間層のニッケルにはキャリアから銅成分が極薄銅層へと拡散していくのを防ぐバリア効果が期待される。中間層におけるニッケルの付着量は好ましくは100μg/dm2以上40000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上4000μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上2500μg/dm2以下、より好ましくは100μg/dm2以上1000μg/dm2未満であり、中間層におけるクロムの付着量は1μg/dm2以上100μg/dm2以下であることが好ましく、5μg/dm2以上100μg/dm2以下であることがより好ましい。
When the intermediate layer is provided on only one side, it is preferable to provide a rust preventive layer such as a Ni plating layer on the opposite side of the carrier. When the intermediate layer is provided by chromate treatment, zinc chromate treatment, or plating treatment, it is considered that some of the adhered metals such as chromium and zinc may be hydrates or oxides.
Further, for example, the intermediate layer can be formed by laminating nickel, a nickel-phosphorus alloy or a nickel-cobalt alloy and chromium in this order on a carrier. Since the adhesive strength between nickel and copper is higher than the adhesive strength between chromium and copper, when the ultrathin copper layer is peeled off, it will be peeled off at the interface between the ultrathin copper layer and chromium. Further, nickel in the intermediate layer is expected to have a barrier effect of preventing the copper component from diffusing from the carrier into the ultrathin copper layer. Adhesion amount of nickel in the intermediate layer is preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 4000μg / dm 2 or less, more preferably 100 [mu] g / dm 2 or more 2500 g / dm 2 or less, more It is preferably 100 μg / dm 2 or more and less than 1000 μg / dm 2 , and the amount of chromium adhered to the intermediate layer is preferably 1 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less, and 5 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less. More preferably.

<極薄銅層>
中間層の上には極薄銅層を設ける。中間層と極薄銅層との間には他の層を設けてもよい。極薄銅層は、硫酸銅、ピロリン酸銅、スルファミン酸銅、シアン化銅等の電解浴を利用した電気メッキにより形成することができ、一般的な電解銅箔で使用され、高電流密度での銅箔形成が可能であることから硫酸銅浴が好ましい。極薄銅層の厚みは特に制限はないが、一般的にはキャリアよりも薄く、例えば12μm以下である。典型的には0.5μm以上12μm以下であり、より典型的には1μm以上5μm以下、更に典型的には1.5μm以上4μm以下、更に典型的には2μm以上3.5μm以下である。なお、キャリアの両面に極薄銅層を設けてもよい。
<Ultra-thin copper layer>
An ultrathin copper layer is provided on the intermediate layer. Another layer may be provided between the intermediate layer and the ultrathin copper layer. The ultrathin copper layer can be formed by electroplating using an electrolytic bath such as copper sulfate, copper pyrophosphate, copper sulfamate, copper cyanide, etc., and is used in general electrolytic copper foil at high current density. A copper sulfate bath is preferable because it is possible to form a copper foil. The thickness of the ultrathin copper layer is not particularly limited, but is generally thinner than the carrier, for example, 12 μm or less. It is typically 0.5 μm or more and 12 μm or less, more typically 1 μm or more and 5 μm or less, more typically 1.5 μm or more and 4 μm or less, and more typically 2 μm or more and 3.5 μm or less. In addition, ultra-thin copper layers may be provided on both sides of the carrier.

<粗化処理及びその他の表面処理>
極薄銅層の表面またはキャリアの表面のいずれか一方または両方には、例えば絶縁基板との密着性を良好にすること等のために粗化処理を施すことで粗化処理層を設けてもよい。粗化処理は、例えば、銅又は銅合金で粗化粒子を形成することにより行うことができる。粗化処理は微細なものであっても良い。粗化処理層は、銅、ニッケル、コバルト、リン、タングステン、ヒ素、モリブデン、クロム及び亜鉛からなる群から選択されたいずれかの単体又はいずれか1種以上を含む合金からなる層などであってもよい。また、銅又は銅合金で粗化粒子を形成した後、更にニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で二次粒子や三次粒子を設ける粗化処理を行うこともできる。その後に、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層および/または防錆層を形成しても良く、更にその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。または粗化処理を行わずに、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛の単体または合金等で耐熱層および/又は防錆層を形成し、さらにその表面にクロメート処理、シランカップリング処理などの処理を施してもよい。すなわち、粗化処理層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよく、極薄銅層の表面に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を形成してもよい。なお、上述の耐熱層、防錆層、クロメート処理層、シランカップリング処理層はそれぞれ複数の層で形成されてもよい(例えば2層以上、3層以上など)。
ここでクロメート処理層とは無水クロム酸、クロム酸、二クロム酸、クロム酸塩または二クロム酸塩を含む液で処理された層のことをいう。クロメート処理層はコバルト、鉄、ニッケル、モリブデン、亜鉛、タンタル、銅、アルミニウム、リン、タングステン、錫、砒素およびチタン等の元素(金属、合金、酸化物、窒化物、硫化物等どのような形態でもよい)を含んでもよい。クロメート処理層の具体例としては、無水クロム酸または二クロム酸カリウム水溶液で処理したクロメート処理層や、無水クロム酸または二クロム酸カリウムおよび亜鉛を含む処理液で処理したクロメート処理層等が挙げられる。
<Roughening treatment and other surface treatments>
A roughening treatment layer may be provided on either one or both of the surface of the ultrathin copper layer and the surface of the carrier by, for example, roughening treatment for improving the adhesion to the insulating substrate. Good. The roughening treatment can be performed, for example, by forming roughened particles with copper or a copper alloy. The roughening treatment may be fine. The roughened layer is a layer made of any simple substance selected from the group consisting of copper, nickel, cobalt, phosphorus, tungsten, arsenic, molybdenum, chromium and zinc, or an alloy containing any one or more of them. May be good. Further, after forming the roughened particles with copper or a copper alloy, it is also possible to carry out a roughening treatment in which secondary particles or tertiary particles are further provided with a simple substance or an alloy of nickel, cobalt, copper or zinc. After that, a heat-resistant layer and / or a rust-preventive layer may be formed from a simple substance or alloy of nickel, cobalt, copper, zinc, etc., and the surface thereof may be further subjected to a treatment such as chromate treatment or silane coupling treatment. .. Alternatively, a heat-resistant layer and / or a rust-preventive layer is formed from a simple substance or alloy of nickel, cobalt, copper, zinc, etc. without roughening treatment, and the surface thereof is further subjected to treatments such as chromate treatment and silane coupling treatment. You may. That is, one or more layers selected from the group consisting of a heat resistant layer, a rust preventive layer, a chromate treatment layer and a silane coupling treatment layer may be formed on the surface of the roughening treatment layer, and the ultrathin copper layer may be formed. One or more layers selected from the group consisting of a heat-resistant layer, a rust-preventive layer, a chromate-treated layer, and a silane coupling-treated layer may be formed on the surface. The heat-resistant layer, the rust preventive layer, the chromate-treated layer, and the silane coupling-treated layer may each be formed of a plurality of layers (for example, two or more layers, three or more layers, etc.).
Here, the chromate-treated layer refers to a layer treated with a liquid containing chromic anhydride, chromic acid, chromic acid, chromate or dichromate. The chromate-treated layer has any form of elements such as cobalt, iron, nickel, molybdenum, zinc, tantalum, copper, aluminum, phosphorus, tungsten, tin, arsenic and titanium (metals, alloys, oxides, nitrides, sulfides, etc.). May be included). Specific examples of the chromate-treated layer include a chromate-treated layer treated with an aqueous solution of chromic anhydride or potassium dichromate, a chromate-treated layer treated with a treatment solution containing chromic anhydride or potassium dichromate and zinc, and the like. ..

なお、キャリアの極薄銅層を設ける側の表面とは反対側の表面に粗化処理層を設けることは、キャリアを当該粗化処理層を有する表面側から樹脂基板などの支持体に積層する際、キャリアと樹脂基板が剥離しにくくなるという利点を有する。上述のように極薄銅層又はキャリアの表面の粗化処理層上にさらに耐熱層等の表面処理層を形成することで、積層させる樹脂基材に極薄銅層またはキャリアからの銅等の元素が拡散することを良好に抑制することができ、樹脂基材との積層の際の熱圧着による密着性が向上する。 By providing the roughening treatment layer on the surface opposite to the surface on the side where the ultrathin copper layer of the carrier is provided, the carrier is laminated on a support such as a resin substrate from the surface side having the roughening treatment layer. At that time, it has an advantage that the carrier and the resin substrate are hard to be peeled off. By further forming a surface-treated layer such as a heat-resistant layer on the ultra-thin copper layer or the surface-roughened layer of the carrier as described above, the ultra-thin copper layer or copper from the carrier can be formed on the resin substrate to be laminated. Diffusion of elements can be satisfactorily suppressed, and adhesion by thermocompression bonding at the time of laminating with a resin base material is improved.

耐熱層、防錆層としては公知の耐熱層、防錆層を用いることが出来る。例えば、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む層であってもよく、ニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素からなる金属層または合金層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル、亜鉛、錫、コバルト、モリブデン、銅、タングステン、リン、ヒ素、クロム、バナジウム、チタン、アルミニウム、金、銀、白金族元素、鉄、タンタルの群から選ばれる1種以上の元素を含む酸化物、窒化物、珪化物を含んでもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金を含む層であってもよい。また、耐熱層および/または防錆層はニッケル−亜鉛合金層であってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層は、不可避不純物を除き、ニッケルを50wt%以上99wt%以下、亜鉛を50wt%以上1wt%以下含有するものであってもよい。前記ニッケル−亜鉛合金層の亜鉛及びニッケルの合計付着量が5mg/m2以上1000mg/m2以下、好ましくは10mg/m2以上500mg/m2以下、好ましくは20mg/m2以上100mg/m2以下であってもよい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量と亜鉛の付着量との比(=ニッケルの付着量/亜鉛の付着量)が1.5以上10以下であることが好ましい。また、前記ニッケル−亜鉛合金を含む層または前記ニッケル−亜鉛合金層のニッケルの付着量は0.5mg/m2以上500mg/m2以下であることが好ましく、1mg/m2以上50mg/m2以下であることがより好ましい。耐熱層および/または防錆層がニッケル−亜鉛合金を含む層である場合、銅箔と樹脂基板との密着性が向上する。 As the heat-resistant layer and rust-preventive layer, known heat-resistant layers and rust-preventive layers can be used. For example, the heat-resistant layer and / or rust-preventive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum. It may be a layer containing one or more elements selected from, and may be nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements. It may be a metal layer or an alloy layer composed of one or more elements selected from the group of iron and tantalum. The heat-resistant layer and / or rust-preventive layer is a group of nickel, zinc, tin, cobalt, molybdenum, copper, tungsten, phosphorus, arsenic, chromium, vanadium, titanium, aluminum, gold, silver, platinum group elements, iron, and tantalum. It may contain an oxide, a nitride, or a silicate containing one or more elements selected from the above. Further, the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer may be a layer containing a nickel-zinc alloy. Further, the heat resistant layer and / or the rust preventive layer may be a nickel-zinc alloy layer. The nickel-zinc alloy layer may contain 50 wt% or more and 99 wt% or less of nickel and 50 wt% or more and 1 wt% or less of zinc, excluding unavoidable impurities. Said nickel - total adhesion amount of the zinc and nickel-zinc alloy layer is 5 mg / m 2 or more 1000 mg / m 2 or less, preferably 10 mg / m 2 or more 500 mg / m 2 or less, preferably 20 mg / m 2 or more 100 mg / m 2 It may be as follows. Further, when the ratio of the amount of nickel adhered to the amount of zinc adhered to the layer containing the nickel-zinc alloy or the nickel-zinc alloy layer (= amount of nickel adhered / amount of zinc adhered) is 1.5 or more and 10 or less. It is preferable to have. Further, the nickel - layer or the nickel containing zinc alloy - zinc deposition amount of nickel alloy layer is preferably 0.5 mg / m 2 or more 500 mg / m 2 or less, 1 mg / m 2 or more 50 mg / m 2 The following is more preferable. When the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer is a layer containing a nickel-zinc alloy, the adhesion between the copper foil and the resin substrate is improved.

例えば耐熱層および/または防錆層は、付着量が1mg/m2以上100mg/m2以下、好ましくは5mg/m2以上50mg/m2以下のニッケルまたはニッケル合金層と、付着量が1mg/m2以上80mg/m2以下、好ましくは5mg/m2以上40mg/m2以下のスズ層とを順次積層したものであってもよく、前記ニッケル合金層はニッケル−モリブデン、ニッケル−亜鉛、ニッケル−モリブデン−コバルト、ニッケル−スズ合金のいずれか一種により構成されてもよい。また、耐熱層および/または防錆層は、ニッケルまたはニッケル合金とスズとの合計付着量が2mg/m2以上150mg/m2以下であることが好ましく、10mg/m2以上70mg/m2以下であることがより好ましい。また、前述の耐熱層および/または防錆層は、[ニッケルまたはニッケル合金中のニッケル付着量]/[スズ付着量]=0.25以上10以下であることが好ましく、0.33以上3以下であることがより好ましい。当該耐熱層および/または防錆層を用いるとキャリア付銅箔をプリント配線板に加工して以降の回路の引き剥がし強さ、当該引き剥がし強さの耐薬品性劣化率等が良好になる。 For example, the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer is a nickel or nickel alloy layer having an adhesion amount of 1 mg / m 2 or more and 100 mg / m 2 or less, preferably 5 mg / m 2 or more and 50 mg / m 2 or less, and an adhesion amount of 1 mg / m / m. A tin layer of m 2 or more and 80 mg / m 2 or less, preferably 5 mg / m 2 or more and 40 mg / m 2 or less may be sequentially laminated, and the nickel alloy layer may be nickel-molybdenum, nickel-zinc, or nickel. It may be composed of any one of a molybdenum-cobalt and a nickel-tin alloy. The heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer preferably has a total adhesion amount of nickel or nickel alloy and tin of 2 mg / m 2 or more and 150 mg / m 2 or less, and 10 mg / m 2 or more and 70 mg / m 2 or less. Is more preferable. Further, the heat-resistant layer and / or the rust preventive layer described above preferably have [nickel adhesion amount in nickel or nickel alloy] / [tin adhesion amount] = 0.25 or more and 10 or less, and 0.33 or more and 3 or less. Is more preferable. When the heat-resistant layer and / or the rust-preventive layer is used, the peeling strength of the circuit after processing the copper foil with a carrier into a printed wiring board, the chemical resistance deterioration rate of the peeling strength, and the like are improved.

なお、シランカップリング処理層を設けるために用いられるシランカップリング剤には公知のシランカップリング剤を用いてよく、例えばアミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤、メルカプト系シランカップリング剤を用いてよい。また、シランカップリング剤にはビニルトリメトキシシラン、ビニルフェニルトリメトキシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、4−グリシジルブチルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、イミダゾールシラン、トリアジンシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等を用いてもよい。 A known silane coupling agent may be used as the silane coupling agent used to provide the silane coupling treatment layer, for example, an amino-based silane coupling agent, an epoxy-based silane coupling agent, or a mercapto-based silane coupling agent. Agents may be used. The silane coupling agent includes vinyltrimethoxysilane, vinylphenyltrimethoxylan, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 4-glycidylbutyltrimethoxysilane, and γ-aminopropyl. Triethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, imidazole silane, triazinesilane, You may use γ-mercaptopropyltrimethoxysilane or the like.

前記シランカップリング処理層は、公知のシランカップリング剤を使用して形成してもよく、エポキシ系シラン、アミノ系シラン、メタクリロキシ系シラン、メルカプト系シラン、ビニル系シラン、イミダゾール系シラン、トリアジン系シランなどのシランカップリング剤などを使用して形成してもよい。なお、このようなシランカップリング剤は、2種以上混合して使用してもよい。中でも、アミノ系シランカップリング剤又はエポキシ系シランカップリング剤を用いて形成したものであることが好ましい。 The silane coupling treatment layer may be formed using a known silane coupling agent, and may be formed using an epoxy-based silane, an amino-based silane, a methacryloxy-based silane, a mercapto-based silane, a vinyl-based silane, an imidazole-based silane, or a triazine-based silane. It may be formed by using a silane coupling agent such as silane. Two or more kinds of such silane coupling agents may be mixed and used. Of these, those formed by using an amino-based silane coupling agent or an epoxy-based silane coupling agent are preferable.

ここで言うアミノ系シランカップリング剤とは、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N−スチリルメチル−2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、アミノプロピルトリメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−(3−アクリルオキシ−2−ヒドロキシプロピル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、4−アミノブチルトリエトキシシラン、(アミノエチルアミノメチル)フェネチルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル−3−アミノプロピル)トリス(2−エチルヘキソキシ)シラン、6−(アミノヘキシルアミノプロピル)トリメトキシシラン、アミノフェニルトリメトキシシラン、3−(1−アミノプロポキシ)−3,3−ジメチル−1−プロペニルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリス(メトキシエトキシエトキシ)シラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、ω−アミノウンデシルトリメトキシシラン、3−(2−N−ベンジルアミノエチルアミノプロピル)トリメトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、(N,N−ジエチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、(N,N−ジメチル−3−アミノプロピル)トリメトキシシラン、N−メチルアミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−(N−スチリルメチル−2−アミノエチルアミノ)プロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−β(アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−3−(4−(3−アミノプロポキシ)プトキシ)プロピル−3−アミノプロピルトリメトキシシランからなる群から選択されるものであってもよい。 The amino-based silane coupling agent referred to here is N- (2-aminoethyl) -3-aminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyltrimethoxysilane, 3-. Aminopropyltriethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, aminopropyltrimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, N- (3) −Acrylicoxy-2-hydroxypropyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, 4-aminobutyltriethoxysilane, (aminoethylaminomethyl) phenetiltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) Trimethoxysilane, N- (2-aminoethyl-3-aminopropyl) tris (2-ethylhexoxy) silane, 6- (aminohexylaminopropyl) trimethoxysilane, aminophenyltrimethoxysilane, 3- (1-aminopropoxy) ) -3,3-Dimethyl-1-propenyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltris (methoxyethoxyethoxy) silane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, ω-aminoundecyltrimethoxy) Silane, 3- (2-N-benzylaminoethylaminopropyl) trimethoxysilane, bis (2-hydroxyethyl) -3-aminopropyltriethoxysilane, (N, N-diethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane , (N, N-dimethyl-3-aminopropyl) trimethoxysilane, N-methylaminopropyltrimethoxysilane, N-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3- (N-styrylmethyl-2-aminoethylamino) propyl Trimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, N-β (aminoethyl) γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-3- (4- (3-aminopropoxy) ptoxy) propyl-3-aminopropyltrimethoxy It may be selected from the group consisting of silane.

シランカップリング処理層は、ケイ素原子換算で、0.05mg/m2以上200mg/m2以下、好ましくは0.15mg/m2以上20mg/m2以下、好ましくは0.3mg/m2以上2.0mg/m2以下の範囲で設けられていることが望ましい。前述の範囲の場合、基材とキャリア付銅箔との密着性をより向上させることが出来る。 The silane coupling-treated layer has a silicon atom equivalent of 0.05 mg / m 2 or more and 200 mg / m 2 or less, preferably 0.15 mg / m 2 or more and 20 mg / m 2 or less, preferably 0.3 mg / m 2 or more 2 It is desirable that it is provided in the range of 0.0 mg / m 2 or less. In the case of the above range, the adhesion between the base material and the copper foil with a carrier can be further improved.

また、極薄銅層、粗化処理層、耐熱層、防錆層、シランカップリング処理層またはクロメート処理層の表面に、国際公開番号WO2008/053878、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、特開2013−19056号に記載の表面処理を行うことができる。 Further, on the surface of an ultrathin copper layer, a roughened treatment layer, a heat resistant layer, a rust preventive layer, a silane coupling treatment layer or a chromate treatment layer, International Publication No. WO2008 / 053878, JP-A-2008-11169, Patent No. 5024930. , International Publication No. WO2006 / 028207, Patent No. 4828427, International Publication No. WO2006 / 134868, Patent No. 5046927, International Publication No. WO2007 / 105635, Patent No. 5180815, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-19506. be able to.

また、本発明のキャリア付銅箔は前記極薄銅層上、あるいは前記粗化処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいはクロメート処理層、あるいはシランカップリング処理層の上に樹脂層を備えても良い。 Further, the copper foil with a carrier of the present invention has a resin layer on the ultrathin copper layer, the roughening treatment layer, the heat resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer, or the silane coupling treatment layer. May be provided.

前記樹脂層は接着剤であってもよく、接着用の半硬化状態(Bステージ)の絶縁樹脂層であってもよい。半硬化状態(Bステージ)とは、その表面に指で触れても粘着感はなく、該絶縁樹脂層を重ね合わせて保管することができ、更に加熱処理を受けると硬化反応が起こる状態のことを含む。 The resin layer may be an adhesive or an insulating resin layer in a semi-cured state (B stage) for adhesion. The semi-cured state (B stage) is a state in which the surface is not sticky even when touched with a finger, the insulating resin layers can be stacked and stored, and a curing reaction occurs when the surface is further heat-treated. including.

また前記樹脂層は熱硬化性樹脂を含んでもよく、熱可塑性樹脂であってもよい。また、前記樹脂層は熱可塑性樹脂を含んでもよい。その種類は格別限定されるものではないが、例えば、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、多官能性シアン酸エステル化合物、マレイミド化合物、ポリマレイミド化合物、マレイミド系樹脂、芳香族マレイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂、ポリエーテルスルホン(ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう)、ポリエーテルスルホン(ポリエーテルサルホン、ポリエーテルサルフォンともいう)樹脂、芳香族ポリアミド樹脂、芳香族ポリアミド樹脂ポリマー、ゴム性樹脂、ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミドイミド樹脂、ゴム変成エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、カルボキシル基変性アクリロニトリル−ブタジエン樹脂、ポリフェニレンオキサイド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化性ポリフェニレンオキサイド樹脂、シアネートエステル系樹脂、カルボン酸の無水物、多価カルボン酸の無水物、架橋可能な官能基を有する線状ポリマー、ポリフェニレンエーテル樹脂、2,2−ビス(4−シアナトフェニル)プロパン、リン含有フェノール化合物、ナフテン酸マンガン、2,2−ビス(4−グリシジルフェニル)プロパン、ポリフェニレンエーテル−シアネート系樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シアノエステル樹脂、フォスファゼン系樹脂、ゴム変成ポリアミドイミド樹脂、イソプレン、水素添加型ポリブタジエン、ポリビニルブチラール、フェノキシ、高分子エポキシ、芳香族ポリアミド、フッ素樹脂、ビスフェノール、ブロック共重合ポリイミド樹脂およびシアノエステル樹脂の群から選択される一種以上を含む樹脂を好適なものとして挙げることができる。 Further, the resin layer may contain a thermosetting resin or may be a thermoplastic resin. Further, the resin layer may contain a thermoplastic resin. The type is not particularly limited, but for example, epoxy resin, polyimide resin, polyfunctional cyanate ester compound, maleimide compound, polymerimide compound, maleimide resin, aromatic maleimide resin, polyvinyl acetal resin, urethane resin. , Polyether sulfone (also called polyether sulfone, polyether sulfone), polyether sulfone (also called polyether sulfone, polyether sulfone) resin, aromatic polyamide resin, aromatic polyamide resin polymer, rubber resin , Polyamine, aromatic polyamine, polyamideimide resin, rubber modified epoxy resin, phenoxy resin, carboxyl group modified acrylonitrile-butadiene resin, polyphenylene oxide, bismaleimide triazine resin, thermosetting polyphenylene oxide resin, cyanate ester resin, carboxylic acid Anhydrous, polyvalent carboxylic acid anhydride, linear polymer with crosslinkable functional group, polyphenylene ether resin, 2,2-bis (4-cyanatophenyl) propane, phosphorus-containing phenolic compound, manganese naphthenate, 2 , 2-Bis (4-glycidylphenyl) propane, polyphenylene ether-cyanate resin, siloxane-modified polyamideimide resin, cyanoester resin, phosphazene resin, rubber-modified polyamideimide resin, isoprene, hydrogenated polybutadiene, polyvinylbutyral, phenoxy , High molecular weight epoxy, aromatic polyamide, fluororesin, bisphenol, block copolymerized polyimide resin, and resin containing at least one selected from the group of cyanoester resins can be mentioned as suitable ones.

また前記エポキシ樹脂は、分子内に2個以上のエポキシ基を有するものであって、電気・電子材料用途に用いることのできるものであれば、特に問題なく使用できる。また、前記エポキシ樹脂は分子内に2個以上のグリシジル基を有する化合物を用いてエポキシ化したエポキシ樹脂が好ましい。また、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ビスフェノールAD型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、ブロム化(臭素化)エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂、オルトクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールA型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、N,N−ジグリシジルアニリン等のグリシジルアミン化合物、テトラヒドロフタル酸ジグリシジルエステル等のグリシジルエステル化合物、リン含有エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビフェニルノボラック型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニルエタン型エポキシ樹脂、の群から選ばれる1種又は2種以上を混合して用いることができ、又は前記エポキシ樹脂の水素添加体やハロゲン化体を用いることができる。
前記リン含有エポキシ樹脂として公知のリンを含有するエポキシ樹脂を用いることができる。また、前記リン含有エポキシ樹脂は例えば、分子内に2以上のエポキシ基を備える9,10−ジヒドロ−9−オキサ−10−ホスファフェナントレン−10−オキサイドからの誘導体として得られるエポキシ樹脂であることが好ましい。
Further, the epoxy resin can be used without any problem as long as it has two or more epoxy groups in the molecule and can be used for electrical / electronic material applications. Further, the epoxy resin is preferably an epoxy resin epoxidized using a compound having two or more glycidyl groups in the molecule. In addition, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, bisphenol AD type epoxy resin, novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, alicyclic epoxy resin, brominated (brominated) epoxy Resin, phenol novolac type epoxy resin, naphthalene type epoxy resin, brominated bisphenol A type epoxy resin, orthocresol novolac type epoxy resin, rubber-modified bisphenol A type epoxy resin, glycidylamine type epoxy resin, triglycidyl isocyanurate, N, N -Glysidylamine compounds such as diglycidylaniline, glycidyl ester compounds such as tetrahydrophthalic acid diglycidyl ester, phosphorus-containing epoxy resin, biphenyl type epoxy resin, biphenylnovolac type epoxy resin, trishydroxyphenylmethane type epoxy resin, tetraphenylethane type One or a mixture of two or more selected from the group of epoxy resins can be used, or a hydrogenated or halogenated product of the epoxy resin can be used.
As the phosphorus-containing epoxy resin, a known phosphorus-containing epoxy resin can be used. The phosphorus-containing epoxy resin is, for example, an epoxy resin obtained as a derivative from 9,10-dihydro-9-oxa-10-phosphaphenanthrene-10-oxide having two or more epoxy groups in the molecule. Is preferable.

前記樹脂層は公知の樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体(無機化合物及び/または有機化合物を含む誘電体、金属酸化物を含む誘電体等どのような誘電体を用いてもよい)、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでよい。また、前記樹脂層は例えば国際公開番号WO2008/004399、国際公開番号WO2008/053878、国際公開番号WO2009/084533、特開平11−5828号、特開平11−140281号、特許第3184485号、国際公開番号WO97/02728、特許第3676375号、特開2000−43188号、特許第3612594号、特開2002−179772号、特開2002−359444号、特開2003−304068号、特許第3992225号、特開2003−249739号、特許第4136509号、特開2004−82687号、特許第4025177号、特開2004−349654号、特許第4286060号、特開2005−262506号、特許第4570070号、特開2005−53218号、特許第3949676号、特許第4178415号、国際公開番号WO2004/005588、特開2006−257153号、特開2007−326923号、特開2008−111169号、特許第5024930号、国際公開番号WO2006/028207、特許第4828427号、特開2009−67029号、国際公開番号WO2006/134868、特許第5046927号、特開2009−173017号、国際公開番号WO2007/105635、特許第5180815号、国際公開番号WO2008/114858、国際公開番号WO2009/008471、特開2011−14727号、国際公開番号WO2009/001850、国際公開番号WO2009/145179、国際公開番号WO2011/068157、特開2013−19056号に記載されている物質(樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等)および/または樹脂層の形成方法、形成装置を用いて形成してもよい。 Any dielectric such as a known resin, resin curing agent, compound, curing accelerator, or dielectric (dielectric containing an inorganic compound and / or an organic compound, or a dielectric containing a metal oxide) may be used for the resin layer. Good), reaction catalysts, cross-linking agents, polymers, prepregs, skeleton materials, etc. may be included. Further, the resin layer is, for example, International Publication No. WO2008 / 004399, International Publication No. WO2008 / 053878, International Publication No. WO2009 / 084533, JP-A-11-5828, JP-A-11-14281, Patent No. 3184485, International Publication No. WO97 / 02728, Japanese Patent No. 3676375, Japanese Patent No. 2000-43188, Japanese Patent No. 3612594, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-179772, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-359444, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-3004068, Japanese Patent No. 3992225, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003 -249739, Japanese Patent No. 4136509, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-82887, Japanese Patent No. 4025177, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-349654, Japanese Patent No. 4286060, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-262506, Japanese Patent No. 4570070, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-53218 No., Japanese Patent No. 3949676, Japanese Patent No. 4178415, International Publication No. WO2004 / 005588, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-257153, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2007-326923, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-11169, Japanese Patent No. 5024930, International Publication No. WO2006 / 028207, Japanese Patent No. 4828427, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-67029, International Publication No. WO2006 / 134868, Japanese Patent No. 5046927, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2009-173017, International Publication No. WO2007 / 105635, Patent No. 5180815, International Publication No. WO2008 / 114858, International Publication No. WO2009 / 008471, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-14727, International Publication No. WO2009 / 00150, International Publication No. WO2009 / 145179, International Publication No. WO2011 / 068157, Japanese Patent Application Laid-Open No. 2013-19506 ( It may be formed using a resin, a resin curing agent, a compound, a curing accelerator, a dielectric, a reaction catalyst, a cross-linking agent, a polymer, a prepreg, a skeleton material, etc.) and / or a method for forming a resin layer and a forming apparatus.

上述したこれらの樹脂を例えばメチルエチルケトン(MEK)、トルエンなどの溶剤に溶解して樹脂液とし、これを前記極薄銅層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート皮膜層、あるいは前記シランカップリング剤層等を含む表面処理層の上に、例えばロールコータ法などによって塗布し、ついで必要に応じて加熱乾燥して溶剤を除去しBステージ状態にする。乾燥には例えば熱風乾燥炉を用いればよく、乾燥温度は100℃以上250℃以下、好ましくは130℃以上200℃以下であればよい。 These resins described above are dissolved in a solvent such as methyl ethyl ketone (MEK) or toluene to obtain a resin liquid, which is then used on the ultrathin copper layer, the heat resistant layer, the rust preventive layer, the chromate film layer, or the chromate film layer. It is applied on a surface treatment layer containing a silane coupling agent layer or the like by, for example, a roll coater method, and then, if necessary, heat-dried to remove the solvent to bring it into a B stage state. For drying, for example, a hot air drying furnace may be used, and the drying temperature may be 100 ° C. or higher and 250 ° C. or lower, preferably 130 ° C. or higher and 200 ° C. or lower.

前記樹脂層を備えたキャリア付銅箔(樹脂付きキャリア付銅箔)は、その樹脂層を基材に重ね合わせたのち全体を熱圧着して該樹脂層を熱硬化せしめ、ついでキャリア付銅箔である場合にはキャリアを剥離して極薄銅層を表出せしめ(当然に表出するのは該極薄銅層の中間層側の表面である)、極薄銅層に所定の配線パターンを形成するという態様で使用される。 The copper foil with a carrier provided with the resin layer (copper foil with a carrier with a resin) is obtained by superimposing the resin layer on a base material and then heat-pressing the entire resin layer to heat-cure the resin layer, and then the copper foil with a carrier. If this is the case, the carrier is peeled off to expose the ultrathin copper layer (naturally, the surface on the intermediate layer side of the ultrathin copper layer is exposed), and a predetermined wiring pattern is formed on the ultrathin copper layer. Is used in the form of forming.

この樹脂付きキャリア付銅箔を使用すると、多層プリント配線基板の製造時におけるプリプレグ材の使用枚数を減らすことができる。しかも、樹脂層の厚みを層間絶縁が確保できるような厚みにしたり、プリプレグ材を全く使用していなくても銅張積層板を製造することができる。またこのとき、基材の表面に絶縁樹脂をアンダーコートして表面の平滑性を更に改善することもできる。 When this copper foil with a carrier with resin is used, the number of prepreg materials used in the manufacture of the multilayer printed wiring board can be reduced. Moreover, the thickness of the resin layer can be made thick enough to ensure interlayer insulation, and the copper-clad laminate can be manufactured without using any prepreg material. At this time, the surface of the base material can be undercoated with an insulating resin to further improve the smoothness of the surface.

なお、プリプレグ材を使用しない場合には、プリプレグ材の材料コストが節約され、また積層工程も簡略になるので経済的に有利となり、しかも、プリプレグ材の厚み分だけ製造される多層プリント配線基板の厚みは薄くなり、1層の厚みが100μm以下である極薄の多層プリント配線基板を製造することができるという利点がある。 When the prepreg material is not used, the material cost of the prepreg material is saved and the laminating process is simplified, which is economically advantageous. Moreover, the multilayer printed wiring board manufactured by the thickness of the prepreg material is manufactured. The thickness is reduced, and there is an advantage that an ultra-thin multilayer printed wiring board having a layer thickness of 100 μm or less can be manufactured.

この樹脂層の厚みは0.1μm以上80μm以下であることが好ましい。樹脂層の厚みが0.1μmより薄くなると、接着力が低下し、プリプレグ材を介在させることなくこの樹脂付きキャリア付銅箔を内層材を備えた基材に積層したときに、内層材の回路との間の層間絶縁を確保することが困難になる場合がある。 The thickness of this resin layer is preferably 0.1 μm or more and 80 μm or less. When the thickness of the resin layer is thinner than 0.1 μm, the adhesive strength is reduced, and when the copper foil with a carrier with resin is laminated on the base material provided with the inner layer material without interposing the prepreg material, the circuit of the inner layer material is formed. It may be difficult to secure interlayer insulation between the two.

一方、樹脂層の厚みを80μmより厚くすると、1回の塗布工程で目的厚みの樹脂層を形成することが困難となり、余分な材料費と工数がかかるため経済的に不利となる。更には、形成された樹脂層はその可撓性が劣るので、ハンドリング時にクラックなどが発生しやすくなり、また内層材との熱圧着時に過剰な樹脂流れが起こって円滑な積層が困難になる場合がある。 On the other hand, if the thickness of the resin layer is made thicker than 80 μm, it becomes difficult to form a resin layer having a target thickness in one coating step, which is economically disadvantageous because extra material costs and man-hours are required. Furthermore, since the formed resin layer is inferior in flexibility, cracks and the like are likely to occur during handling, and excessive resin flow occurs during thermocompression bonding with the inner layer material, making smooth lamination difficult. There is.

更に、樹脂付きキャリア付銅箔のもう一つの製品形態としては、前記極薄銅層が有する表面処理層上、あるいは前記耐熱層、防錆層、あるいは前記クロメート処理層、あるいは前記シランカップリング処理層の上に樹脂層で被覆し、半硬化状態とした後、ついでキャリアを剥離して、キャリアが存在しない樹脂付き銅箔の形で製造することも可能である。 Further, as another product form of the copper foil with a carrier with resin, it is on the surface treatment layer of the ultrathin copper layer, or the heat resistant layer, the rust preventive layer, the chromate treatment layer, or the silane coupling treatment. It is also possible to coat the layer with a resin layer to make it semi-cured, and then peel off the carrier to produce a copper foil with a resin in which no carrier exists.

プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板が完成する。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板およびプリント回路板およびプリント基板も含まれることとする。
また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。以下に、本発明に係るキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造工程の例を幾つか示す。
A printed circuit board is completed by mounting electronic components on the printed wiring board. In the present invention, the "printed wiring board" also includes a printed wiring board, a printed circuit board, and a printed circuit board on which electronic components are mounted.
Further, the electronic device may be manufactured using the printed wiring board, the electronic device may be manufactured using the printed circuit board on which the electronic component is mounted, and the printed circuit board on which the electronic component is mounted may be manufactured. An electronic device may be manufactured using a substrate. The following are some examples of the manufacturing process of the printed wiring board using the copper foil with a carrier according to the present invention.

本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、前記キャリア付銅箔と絶縁基板を極薄銅層側が絶縁基板と対向するように積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、その後、セミアディティブ法、モディファイドセミアディティブ法、パートリーアディティブ法及びサブトラクティブ法の何れかの方法によって、回路を形成する工程を含む。絶縁基板は内層回路入りのものとすることも可能である。 In one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention, there is a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention, a step of laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate, and the step of laminating the copper foil with a carrier and the insulating substrate. After laminating the copper foil and the insulating substrate so that the ultrathin copper layer side faces the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier. The step of forming a circuit by any method of an additive method, a partly additive method and a subtractive method is included. The insulating substrate may have an inner layer circuit.

本発明において、セミアディティブ法とは、絶縁基板又は銅箔シード層上に薄い無電解めっきを行い、パターンを形成後、電気めっき及びエッチングを用いて導体パターンを形成する方法を指す。 In the present invention, the semi-additive method refers to a method in which a thin electroless plating is performed on an insulating substrate or a copper foil seed layer to form a pattern, and then a conductor pattern is formed by electroplating and etching.

従って、セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
A step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier after laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate.
A step of removing all the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier by a method such as etching with a corrosive solution such as acid or plasma.
A step of providing through holes or / and blind vias in the exposed resin by removing the ultrathin copper layer by etching.
The step of performing desmear treatment on the region including the through hole and / and the blind via,
A step of providing an electroless plating layer on a region containing the resin and the through holes and / and blind vias.
A step of providing a plating resist on the electroless plating layer,
A step of exposing the plating resist and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed.
A step of providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed.
The step of removing the plating resist,
A step of removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
A step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier after laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate.
A step of providing through holes or / and blind vias in the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier and the insulating resin substrate.
The step of performing desmear treatment on the region including the through hole and / and the blind via,
A step of removing all the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier by a method such as etching with a corrosive solution such as acid or plasma.
A step of providing an electroless plating layer on a region containing the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching or the like and the through holes and / and blind vias.
A step of providing a plating resist on the electroless plating layer,
A step of exposing the plating resist and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed.
A step of providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed.
The step of removing the plating resist,
A step of removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と、前記絶縁樹脂基板とにスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記極薄銅層をエッチング等により除去することにより露出した前記樹脂および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
A step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier after laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate.
A step of providing through holes or / and blind vias in the ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier and the insulating resin substrate.
A step of removing all the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier by a method such as etching with a corrosive solution such as acid or plasma.
The step of performing desmear treatment on the region including the through hole and / and the blind via,
A step of providing an electroless plating layer on a region containing the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching or the like and the through holes and / and blind vias.
A step of providing a plating resist on the electroless plating layer,
A step of exposing the plating resist and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed.
A step of providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed.
The step of removing the plating resist,
A step of removing the electroless plating layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.
including.

セミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法によりすべて除去する工程、
前記極薄銅層をエッチングにより除去することにより露出した前記樹脂の表面について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
A step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier after laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate.
A step of removing all the exposed ultrathin copper layer by peeling off the carrier by a method such as etching with a corrosive solution such as acid or plasma.
A step of providing an electroless plating layer on the surface of the resin exposed by removing the ultrathin copper layer by etching.
A step of providing a plating resist on the electroless plating layer,
A step of exposing the plating resist and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed.
A step of providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed.
The step of removing the plating resist,
A step of removing an electroless plating layer and an ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.
including.

本発明において、モディファイドセミアディティブ法とは、絶縁層上に金属箔を積層し、めっきレジストにより非回路形成部を保護し、電解めっきにより回路形成部の銅厚付けを行った後、レジストを除去し、前記回路形成部以外の金属箔を(フラッシュ)エッチングで除去することにより、絶縁層上に回路を形成する方法を指す。 In the present invention, in the modified semi-additive method, a metal foil is laminated on an insulating layer, a non-circuit forming portion is protected by a plating resist, copper is thickened in the circuit forming portion by electrolytic plating, and then the resist is removed. Then, it refers to a method of forming a circuit on an insulating layer by removing a metal foil other than the circuit forming portion by (flash) etching.

従って、モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストを設けた後に、電解めっきにより回路を形成する工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストを除去することにより露出した極薄銅層をフラッシュエッチングにより除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
A step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier after laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate.
A step of providing through holes or / and blind vias in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier.
The step of performing desmear treatment on the region including the through hole and / and the blind via,
A step of providing an electroless plating layer on a region including the through holes and / and blind vias.
A step of providing a plating resist on the surface of an ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier,
A step of forming a circuit by electrolytic plating after providing the plating resist,
The step of removing the plating resist,
A step of removing the exposed ultrathin copper layer by removing the plating resist by flash etching.
including.

モディファイドセミアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層の上にめっきレジストを設ける工程、
前記めっきレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のめっきレジストを除去する工程、
前記めっきレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解めっき層を設ける工程、
前記めっきレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解めっき層及び極薄銅層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the modified semi-additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
A step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier after laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate.
A step of providing a plating resist on an ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier,
A step of exposing the plating resist and then removing the plating resist in the region where the circuit is formed.
A step of providing an electrolytic plating layer in a region where the circuit from which the plating resist has been removed is formed.
The step of removing the plating resist,
A step of removing an electroless plating layer and an ultrathin copper layer in a region other than the region where the circuit is formed by flash etching or the like.
including.

本発明において、パートリーアディティブ法とは、導体層を設けてなる基板、必要に応じてスルーホールやバイアホール用の孔を穿けてなる基板上に触媒核を付与し、エッチングして導体回路を形成し、必要に応じてソルダレジストまたはメッキレジストを設けた後に、前記導体回路上、スルーホールやバイアホールなどに無電解めっき処理によって厚付けを行うことにより、プリント配線板を製造する方法を指す。 In the present invention, the partial additive method is a substrate in which a conductor layer is provided, and if necessary, a catalyst nucleus is provided on a substrate in which holes for through holes and via holes are formed, and a conductor circuit is formed by etching. The present invention refers to a method of manufacturing a printed wiring board by providing a solder resist or a plating resist as necessary and then thickening the through holes, via holes, etc. on the conductor circuit by electroless plating treatment.

従って、パートリーアディティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について触媒核を付与する工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
前記極薄銅層および前記触媒核を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して露出した前記絶縁基板表面に、ソルダレジストまたはメッキレジストを設ける工程、
前記ソルダレジストまたはメッキレジストが設けられていない領域に無電解めっき層を設ける工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the partial additive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
A step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier after laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate.
A step of providing through holes or / and blind vias in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier.
The step of performing desmear treatment on the region including the through hole and / and the blind via,
The step of imparting a catalyst nucleus to the region containing the through hole and / and the blind via,
A step of providing an etching resist on the surface of an ultrathin copper layer exposed by peeling off the carrier,
The step of exposing the etching resist to form a circuit pattern,
A step of forming a circuit by removing the ultrathin copper layer and the catalyst nucleus by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid.
The step of removing the etching resist,
A step of providing a solder resist or a plating resist on the surface of the insulating substrate exposed by removing the ultrathin copper layer and the catalyst nucleus by a method such as etching or plasma using a corrosive solution such as acid.
A step of providing an electroless plating layer in a region where the solder resist or plating resist is not provided.
including.

本発明において、サブトラクティブ法とは、銅張積層板上の銅箔の不要部分を、エッチングなどによって、選択的に除去して、導体パターンを形成する方法を指す。 In the present invention, the subtractive method refers to a method of forming a conductor pattern by selectively removing an unnecessary portion of a copper foil on a copper-clad laminate by etching or the like.

従って、サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面に、電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層および前記電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
Therefore, in one embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the subtractive method, the step of preparing the copper foil with a carrier and the insulating substrate according to the present invention.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
A step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier after laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate.
A step of providing through holes or / and blind vias in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier.
The step of performing desmear treatment on the region including the through hole and / and the blind via,
A step of providing an electroless plating layer on a region including the through holes and / and blind vias.
A step of providing an electrolytic plating layer on the surface of the electroless plating layer,
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer and / and the ultrathin copper layer,
The step of exposing the etching resist to form a circuit pattern,
A step of forming a circuit by removing the ultrathin copper layer, the electroless plating layer, and the electroplating layer by a method such as etching using a corrosive solution such as acid or plasma.
The step of removing the etching resist,
including.

サブトラクティブ法を用いた本発明に係るプリント配線板の製造方法の別の一実施形態においては、本発明に係るキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板を積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程、
前記キャリアを剥がして露出した極薄銅層と絶縁基板にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について無電解めっき層を設ける工程、
前記無電解めっき層の表面にマスクを形成する工程、
マスクが形成されいない前記無電解めっき層の表面に電解めっき層を設ける工程、
前記電解めっき層または/および前記極薄銅層の表面にエッチングレジストを設ける工程、
前記エッチングレジストに対して露光し、回路パターンを形成する工程、
前記極薄銅層および前記無電解めっき層を酸などの腐食溶液を用いたエッチングやプラズマなどの方法により除去して、回路を形成する工程、
前記エッチングレジストを除去する工程、
を含む。
In another embodiment of the method for manufacturing a printed wiring board according to the present invention using the subtractive method, a step of preparing a copper foil with a carrier and an insulating substrate according to the present invention.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
A step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier after laminating the copper foil with a carrier and an insulating substrate.
A step of providing through holes or / and blind vias in the exposed ultrathin copper layer and the insulating substrate by peeling off the carrier.
The step of performing desmear treatment on the region including the through hole and / and the blind via,
A step of providing an electroless plating layer on a region including the through holes and / and blind vias.
The step of forming a mask on the surface of the electroless plating layer,
A step of providing an electrolytic plating layer on the surface of the electroless plating layer on which a mask is not formed,
A step of providing an etching resist on the surface of the electrolytic plating layer and / and the ultrathin copper layer,
The step of exposing the etching resist to form a circuit pattern,
A step of forming a circuit by removing the ultrathin copper layer and the electroless plating layer by a method such as etching with a corrosive solution such as acid or plasma.
The step of removing the etching resist,
including.

スルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、及びその後のデスミア工程は行わなくてもよい。 The step of providing through holes and / and blind vias, and the subsequent desmear step may not be performed.

ここで、本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板の製造方法の具体例を図面を用いて詳細に説明する。なお、ここでは極薄銅層の表面に粗化処理層が形成されたキャリア付銅箔を用いて説明するが、粗化処理層等の表面処理層を設けないキャリア付銅箔を用いても良い。
まず、図1−Aに示すように、表面に粗化処理層が形成された極薄銅層を有するキャリア付銅箔(1層目)を準備する。
次に、図1−Bに示すように、極薄銅層の粗化処理層上にレジストを塗布し、露光・現像を行い、レジストを所定の形状にエッチングする。
次に、図1−Cに示すように、回路用のめっきを形成した後、レジストを除去することで、所定の形状の回路めっきを形成する。
次に、図2−Dに示すように、回路めっきを覆うように(回路めっきが埋没するように)極薄銅層上に埋め込み樹脂を設けて樹脂層を積層し、続いて別のキャリア付銅箔(2層目)を極薄銅層側から接着させる。
次に、図2−Eに示すように、2層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図2−Fに示すように、樹脂層の所定位置にレーザー穴あけを行い、回路めっきを露出させてブラインドビアを形成する。
次に、図3−Gに示すように、ブラインドビアに銅を埋め込みビアフィルを形成する。
次に、図3−Hに示すように、ビアフィル上に、上記図1−B及び図1−Cのようにして回路めっきを形成する。
次に、図3−Iに示すように、1層目のキャリア付銅箔からキャリアを剥がす。
次に、図4−Jに示すように、フラッシュエッチングにより両表面の極薄銅層を除去し、樹脂層内の回路めっきの表面を露出させる。
次に、図4−Kに示すように、樹脂層内の回路めっき上にバンプを形成し、当該はんだ上に銅ピラーを形成する。このようにして本発明のキャリア付銅箔を用いたプリント配線板を作製する。
なお、上述のプリント配線板の製造方法で、「極薄銅層」をキャリアに、「キャリア」を極薄銅層に読み替えて、キャリア付銅箔のキャリア側の表面に回路を形成して、樹脂で回路を埋め込み、プリント配線板を製造することも可能である。
Here, a specific example of a method for manufacturing a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. Although the description will be made here using a copper foil with a carrier in which a roughening treatment layer is formed on the surface of the ultrathin copper layer, a copper foil with a carrier in which a surface treatment layer such as a roughening treatment layer is not provided may also be used. good.
First, as shown in FIG. 1-A, a copper foil with a carrier (first layer) having an ultrathin copper layer having a roughened treatment layer formed on the surface is prepared.
Next, as shown in FIG. 1-B, a resist is applied onto the roughened layer of the ultrathin copper layer, exposed and developed, and the resist is etched into a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 1-C, after forming the plating for the circuit, the resist is removed to form the circuit plating having a predetermined shape.
Next, as shown in FIG. 2-D, an embedded resin is provided on the ultrathin copper layer so as to cover the circuit plating (so that the circuit plating is buried), the resin layer is laminated, and then another carrier is attached. The copper foil (second layer) is adhered from the ultrathin copper layer side.
Next, as shown in FIG. 2-E, the carrier is peeled off from the second layer of copper foil with a carrier.
Next, as shown in FIG. 2-F, laser drilling is performed at a predetermined position of the resin layer to expose the circuit plating to form a blind via.
Next, as shown in FIG. 3-G, copper is embedded in the blind via to form a via fill.
Next, as shown in FIG. 3-H, circuit plating is formed on the via fill as shown in FIGS. 1-B and 1-C.
Next, as shown in FIG. 3-I, the carrier is peeled off from the first layer of copper foil with a carrier.
Next, as shown in FIG. 4-J, the ultrathin copper layers on both surfaces are removed by flash etching to expose the surface of the circuit plating in the resin layer.
Next, as shown in FIG. 4-K, bumps are formed on the circuit plating in the resin layer, and copper pillars are formed on the solder. In this way, a printed wiring board using the copper foil with a carrier of the present invention is produced.
In the above-mentioned method for manufacturing a printed wiring board, the "ultra-thin copper layer" is read as a carrier and the "carrier" is read as an ultra-thin copper layer to form a circuit on the surface of the copper foil with a carrier on the carrier side. It is also possible to embed a circuit with resin and manufacture a printed wiring board.

上記別のキャリア付銅箔(2層目)は、本発明のキャリア付銅箔を用いてもよく、従来のキャリア付銅箔を用いてもよく、さらに通常の銅箔を用いてもよい。また、図3−Hに示される2層目の回路上に、さらに回路を1層或いは複数層形成してもよく、それらの回路形成をセミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって行ってもよい。 As the other copper foil with a carrier (second layer), the copper foil with a carrier of the present invention may be used, the conventional copper foil with a carrier may be used, or a normal copper foil may be used. Further, one layer or a plurality of layers may be further formed on the second layer circuit shown in FIG. 3-H, and these circuits may be formed by a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method or a modified semi. It may be carried out by any method of the additive method.

上述のようなプリント配線板の製造方法によれば、回路めっきが樹脂層に埋め込まれた構成となっているため、例えば図4−Jに示すようなフラッシュエッチングによる極薄銅層の除去の際に、回路めっきが樹脂層によって保護され、その形状が保たれ、これにより微細回路の形成が容易となる。また、回路めっきが樹脂層によって保護されるため、耐マイグレーション性が向上し、回路の配線の導通が良好に抑制される。このため、微細回路の形成が容易となる。また、図4−J及び図4−Kに示すようにフラッシュエッチングによって極薄銅層を除去したとき、回路めっきの露出面が樹脂層から凹んだ形状となるため、当該回路めっき上にバンプが、さらにその上に銅ピラーがそれぞれ形成しやすくなり、製造効率が向上する。 According to the method for manufacturing a printed wiring board as described above, since the circuit plating is embedded in the resin layer, for example, when removing the ultrathin copper layer by flash etching as shown in FIG. 4-J. In addition, the circuit plating is protected by the resin layer and its shape is maintained, which facilitates the formation of fine circuits. Further, since the circuit plating is protected by the resin layer, the migration resistance is improved and the continuity of the circuit wiring is satisfactorily suppressed. Therefore, the formation of a fine circuit becomes easy. Further, as shown in FIGS. 4-J and 4-K, when the ultrathin copper layer is removed by flash etching, the exposed surface of the circuit plating has a concave shape from the resin layer, so that bumps are formed on the circuit plating. Furthermore, copper pillars are easily formed on the copper pillars, and the manufacturing efficiency is improved.

なお、埋め込み樹脂(レジン)には公知の樹脂、プリプレグを用いることができる。例えば、BT(ビスマレイミドトリアジン)レジンやBTレジンを含浸させたガラス布であるプリプレグ、味の素ファインテクノ株式会社製ABFフィルムやABFを用いることができる。また、前記埋め込み樹脂(レジン)には本明細書に記載の樹脂層および/または樹脂および/またはプリプレグを使用することができる。 A known resin or prepreg can be used as the embedded resin (resin). For example, a prepreg which is a glass cloth impregnated with a BT (bismaleimide triazine) resin or a BT resin, an ABF film manufactured by Ajinomoto Fine-Techno Co., Ltd., or an ABF can be used. Further, the resin layer and / or resin and / or prepreg described in the present specification can be used as the embedded resin (resin).

また、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔は、当該キャリア付銅箔の表面に基板または樹脂層を有してもよい。当該基板または樹脂層を有することで一層目に用いられるキャリア付銅箔は支持され、しわが入りにくくなるため、生産性が向上するという利点がある。なお、前記基板または樹脂層には、前記一層目に用いられるキャリア付銅箔を支持する効果するものであれば、全ての基板または樹脂層を用いることが出来る。例えば前記基板または樹脂層として本願明細書に記載のキャリア、プリプレグ、樹脂層や公知のキャリア、プリプレグ、樹脂層、金属板、金属箔、無機化合物の板、無機化合物の箔、有機化合物の板、有機化合物の箔を用いることができる。 Further, the copper foil with a carrier used in the first layer may have a substrate or a resin layer on the surface of the copper foil with a carrier. By having the substrate or the resin layer, the copper foil with a carrier used in the first layer is supported and wrinkles are less likely to occur, so that there is an advantage that productivity is improved. As the substrate or resin layer, any substrate or resin layer can be used as long as it has the effect of supporting the copper foil with a carrier used in the first layer. For example, as the substrate or resin layer, the carrier, prepreg, resin layer or known carrier, prepreg, resin layer, metal plate, metal foil, inorganic compound plate, inorganic compound foil, organic compound plate, which are described in the present specification, Foil of organic compound can be used.

また、本発明のプリント配線板の製造方法は、本発明のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、前記樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に、樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程を含むプリント配線板の製造方法(コアレス工法)であってもよい。当該コアレス工法について、具体的な例としては、まず、本発明のキャリア付銅箔の極薄銅層側表面またはキャリア側表面と樹脂基板とを積層して積層体(銅張積層板、銅張積層体ともいう)を製造する。その後、樹脂基板と積層した極薄銅層側表面または前記キャリア側表面とは反対側のキャリア付銅箔の表面に樹脂層を形成する。キャリア側表面又は極薄銅層側表面に形成した樹脂層には、さらに別のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から積層してもよい。また、樹脂基板又は樹脂又はプリプレグを中心として、当該樹脂基板又は樹脂又はプリプレグの両方の表面側に、キャリア/中間層/極薄銅層の順あるいは極薄銅層/中間層/キャリアの順でキャリア付銅箔が積層された構成を有する積層体あるいは「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂基板又は樹脂又はプリプレグ/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成を有する積層体あるいは「キャリア/中間層/極薄銅層/樹脂基板/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成を有する積層体あるいは「極薄銅層/中間層/キャリア/樹脂基板/キャリア/中間層/極薄銅層」の順に積層された構成を有する積層体を上述のプリント配線板の製造方法(コアレス工法)に用いてもよい。そして、当該積層体の両端の極薄銅層あるいはキャリアの露出した表面には、別の樹脂層を設け、さらに銅層又は金属層を設けた後、当該銅層又は金属層を加工することで回路を形成してもよい。さらに、別の樹脂層を当該回路上に、当該回路を埋め込むように設けても良い。また、このような回路及び樹脂層の形成を1回以上行ってもよい(ビルドアップ工法)。そして、このようにして形成した積層体(以下、積層体Bとも言う)について、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。なお、前述のコアレス基板の作製には、2つのキャリア付銅箔を用いて、後述する極薄銅層/中間層/キャリア/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有する積層体や、キャリア/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/キャリアの構成を有する積層体や、キャリア/中間層/極薄銅層/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有する積層体を作製し、当該積層体を中心に用いることもできる。これら積層体(以下、積層体Aとも言う)の両側の極薄銅層またはキャリアの表面に樹脂層及び回路の2層を1回以上設け、樹脂層及び回路の2層を1回以上設けた後に、それぞれのキャリア付銅箔の極薄銅層またはキャリアをキャリアまたは極薄銅層から剥離させてコアレス基板を作製することができる。前述の積層体は、極薄銅層の表面、キャリアの表面、キャリアとキャリアとの間、極薄銅層と極薄銅層との間、極薄銅層とキャリアとの間には他の層を有してもよい。他の層は樹脂基板または樹脂層であってもよい。なお、本明細書において「極薄銅層の表面」、「極薄銅層側表面」、「極薄銅層表面」、「キャリアの表面」、「キャリア側表面」、「キャリア表面」、「積層体の表面」、「積層体表面」は、極薄銅層、キャリア、積層体が、極薄銅層表面、キャリア表面、積層体表面に他の層を有する場合には、当該他の層の表面(最表面)を含む概念とする。また、積層体は極薄銅層/中間層/キャリア/キャリア/中間層/極薄銅層の構成を有することが好ましい。当該積層体を用いてコアレス基板を作製した際、コアレス基板側に極薄銅層が配置されるため、モディファイドセミアディティブ法を用いてコアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。また、極薄銅層の厚みは薄いため、当該極薄銅層の除去がしやすく、極薄銅層の除去後にセミアディティブ法を用いて、コアレス基板上に回路を形成しやすくなるためである。
なお、本明細書において、「積層体A」または「積層体B」と特に記載していない「積層体」は、少なくとも積層体A及び積層体Bを含む積層体を示す。
Further, the method for manufacturing a printed wiring board of the present invention is a step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier of the present invention and a resin substrate, and an ultrathin layer laminated with the resin substrate. A step of providing two layers of a resin layer and a circuit at least once on the surface of the copper layer side or the surface of the copper foil with a carrier on the side opposite to the surface of the carrier side, and forming the two layers of the resin layer and the circuit. After that, a method for manufacturing a printed wiring board (coreless method) including a step of peeling the carrier or the ultrathin copper layer from the copper foil with a carrier may be used. As a specific example of the coreless method, first, a laminated body (copper-clad laminate, copper-clad) is obtained by laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier of the present invention and a resin substrate. (Also called a laminate) is manufactured. Then, a resin layer is formed on the surface of the ultrathin copper layer laminated with the resin substrate or the surface of the copper foil with a carrier on the side opposite to the surface on the carrier side. Another copper foil with a carrier may be laminated from the carrier side or the ultrathin copper layer side on the resin layer formed on the carrier side surface or the ultrathin copper layer side surface. Further, centering on the resin substrate or the resin or the prepreg, the carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer or the ultrathin copper layer / intermediate layer / carrier is placed on the surface side of both the resin substrate or the resin or the prepreg in this order. It has a structure in which copper foils with carriers are laminated, or a structure in which "carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer / resin substrate or resin or prepreg / carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer" is laminated in this order. A laminate or a laminate having a structure in which "carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer / resin substrate / carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer" is laminated in this order or "ultrathin copper layer / intermediate layer / carrier / resin" A laminate having a structure in which the substrate / carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer is laminated in this order may be used in the above-mentioned method for manufacturing a printed wiring board (coreless method). Then, another resin layer is provided on the exposed surfaces of the ultrathin copper layers or carriers at both ends of the laminate, and after further providing the copper layer or metal layer, the copper layer or metal layer is processed. A circuit may be formed. Further, another resin layer may be provided on the circuit so as to embed the circuit. Further, such a circuit and a resin layer may be formed once or more (build-up method). Then, with respect to the laminate formed in this manner (hereinafter, also referred to as laminate B), the ultrathin copper layer or carrier of the copper foil with a carrier is peeled from the carrier or the ultrathin copper layer to prepare a coreless substrate. be able to. In the production of the coreless substrate described above, two copper foils with carriers are used to form a laminate having an ultrathin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer structure described later. It has a structure of a carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer / ultra-thin copper layer / intermediate layer / carrier, and a structure of carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer / carrier / intermediate layer / ultra-thin copper layer. It is also possible to prepare a laminated body and use the laminated body as a center. Two layers of a resin layer and a circuit are provided at least once on the surface of the ultrathin copper layers or carriers on both sides of these laminates (hereinafter, also referred to as laminate A), and two layers of the resin layer and the circuit are provided at least once. Later, the ultrathin copper layer or carrier of each carrier-attached copper foil can be peeled off from the carrier or ultrathin copper layer to produce a coreless substrate. The above-mentioned laminates include the surface of the ultrathin copper layer, the surface of the carrier, between the carrier and the carrier, between the ultrathin copper layer and the ultrathin copper layer, and between the ultrathin copper layer and the carrier. It may have a layer. The other layer may be a resin substrate or a resin layer. In the present specification, "the surface of the ultrathin copper layer", "the surface of the ultrathin copper layer", "the surface of the ultrathin copper layer", "the surface of the carrier", "the surface of the carrier side", "the surface of the carrier", " The "surface of the laminate" and "surface of the laminate" refer to the ultrathin copper layer, the carrier, and the other layer when the laminate has other layers on the surface of the ultrathin copper layer, the carrier surface, and the surface of the laminate. The concept includes the surface (outermost surface) of. Further, the laminate preferably has a structure of an ultrathin copper layer / intermediate layer / carrier / carrier / intermediate layer / ultrathin copper layer. This is because when a coreless substrate is produced using the laminate, an ultrathin copper layer is arranged on the coreless substrate side, so that it becomes easy to form a circuit on the coreless substrate by using the modified semi-additive method. Further, since the thickness of the ultrathin copper layer is thin, it is easy to remove the ultrathin copper layer, and it is easy to form a circuit on the coreless substrate by using the semi-additive method after removing the ultrathin copper layer. ..
In addition, in this specification, a "laminate body" which is not particularly described as "laminate body A" or "laminate body B" indicates a laminated body including at least a laminated body A and a laminated body B.

なお、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または上述の積層体(積層体Aを含む)の端面の一部または全部を樹脂で覆うことにより、ビルドアップ工法でプリント配線板を製造する際に、中間層または積層体を構成する1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔の間のへの薬液の染み込みを防止することができ、薬液の染み込みによる極薄銅層とキャリアの分離やキャリア付銅箔の腐食を防止することができ、歩留りを向上させることができる。ここで用いる「キャリア付銅箔の端面の一部または全部を覆う樹脂」または「積層体の端面の一部または全部を覆う樹脂」としては、樹脂層に用いることができる樹脂または公知の樹脂を使用することができる。また、上述のコアレス基板の製造方法において、キャリア付銅箔または積層体において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)の外周の少なくとも一部が樹脂又はプリプレグで覆ってもよい。また、上述のコアレス基板の製造方法で形成する積層体(積層体A)は、一対のキャリア付銅箔を互いに分離可能に接触させて構成されていてもよい。また、当該キャリア付銅箔において平面視したときにキャリア付銅箔または積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)の外周の全体又は積層部分の全面にわたって樹脂又はプリプレグで覆われてなるものであってもよい。また、平面視した場合に樹脂又はプリプレグはキャリア付銅箔または積層体または積層体の積層部分よりも大きい方が好ましく、当該樹脂又はプリプレグをキャリア付銅箔または積層体の両面に積層し、キャリア付銅箔または積層体が樹脂又はプリプレグにより袋とじ(包まれている)されている構成を有する積層体とすることが好ましい。このような構成とすることにより、キャリア付銅箔または積層体を平面視したときに、キャリア付銅箔または積層体の積層部分が樹脂又はプリプレグにより覆われ、他の部材がこの部分の側方向、すなわち積層方向に対して横からの方向から当たることを防ぐことができるようになり、結果としてハンドリング中のキャリアと極薄銅層またはキャリア付銅箔同士の剥がれを少なくすることができる。また、キャリア付銅箔または積層体の積層部分の外周を露出しないように樹脂又はプリプレグで覆うことにより、前述したような薬液処理工程におけるこの積層部分の界面への薬液の浸入を防ぐことができ、キャリア付銅箔の腐食や侵食を防ぐことができる。なお、積層体の一対のキャリア付銅箔から一つのキャリア付銅箔を分離する際、またはキャリア付銅箔のキャリアと銅箔(極薄銅層)を分離する際には、樹脂又はプリプレグで覆われているキャリア付銅箔又は積層体の積層部分(キャリアと極薄銅層との積層部分、または、1つのキャリア付銅箔ともう1つのキャリア付銅箔との積層部分)が樹脂又はプリプレグ等により強固に密着している場合には、当該積層部分等を切断等により除去する必要が生じる場合がある。 In the above-mentioned method for manufacturing a coreless substrate, a printed wiring board is manufactured by a build-up method by covering a part or all of the end faces of the copper foil with a carrier or the above-mentioned laminate (including the laminate A) with a resin. In this case, it is possible to prevent the chemical solution from seeping between one carrier-attached copper foil and another carrier-attached copper foil constituting the intermediate layer or the laminate, and the ultra-thin copper layer due to the infiltration of the chemical solution. Separation of carriers and corrosion of copper foil with carriers can be prevented, and yield can be improved. As the "resin that covers a part or all of the end face of the copper foil with a carrier" or "the resin that covers a part or all of the end face of the laminate" used here, a resin that can be used for the resin layer or a known resin is used. Can be used. Further, in the above-mentioned method for manufacturing a coreless substrate, when the copper foil or laminate with a carrier is viewed in a plan view, the laminated portion of the copper foil or laminate with a carrier (the laminated portion of the carrier and the ultrathin copper layer, or one At least a part of the outer periphery (a laminated portion of the copper foil with a carrier and another copper foil with a carrier) may be covered with a resin or a prepreg. Further, the laminated body (laminated body A) formed by the above-mentioned method for manufacturing a coreless substrate may be formed by contacting a pair of copper foils with carriers so as to be separable from each other. Further, when viewed in a plan view of the copper foil with a carrier, a laminated portion of the copper foil with a carrier or a laminated body (a laminated portion of a carrier and an ultrathin copper layer, or a copper foil with a carrier and another copper with a carrier). It may be covered with a resin or a prepreg over the entire outer periphery of the laminated portion (the laminated portion with the foil) or the entire surface of the laminated portion. Further, when viewed in a plan view, the resin or prepreg is preferably larger than the laminated portion of the copper foil or laminate or laminate with a carrier, and the resin or prepreg is laminated on both sides of the copper foil or laminate with a carrier and the carrier. It is preferable to use a laminated body having a structure in which the attached copper foil or the laminated body is bound (wrapped) with a resin or a prepreg. With such a configuration, when the copper foil or laminate with a carrier is viewed in a plan view, the laminated portion of the copper foil or laminate with a carrier is covered with resin or prepreg, and other members are in the lateral direction of this portion. That is, it becomes possible to prevent the carrier from hitting from the lateral direction with respect to the laminating direction, and as a result, it is possible to reduce the peeling of the carrier and the ultrathin copper layer or the copper foil with the carrier during handling. Further, by covering the outer periphery of the laminated portion of the copper foil with a carrier or the laminated body with a resin or a prepreg so as not to be exposed, it is possible to prevent the chemical solution from entering the interface of the laminated portion in the chemical solution treatment step as described above. , Corrosion and erosion of copper foil with carrier can be prevented. When separating one copper foil with a carrier from a pair of copper foils with a carrier of a laminated body, or when separating a carrier of a copper foil with a carrier and a copper foil (ultra-thin copper layer), use a resin or a prepreg. The covered copper foil with carrier or the laminated part of the laminate (the laminated part of the carrier and the ultrathin copper layer, or the laminated part of one copper foil with carrier and another copper foil with carrier) is made of resin or If it is firmly adhered by a prepreg or the like, it may be necessary to remove the laminated portion or the like by cutting or the like.

本発明のキャリア付銅箔をキャリア側又は極薄銅層側から、もう一つの本発明のキャリア付銅箔のキャリア側または極薄銅層側に積層して積層体を構成してもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面と前記もう一つのキャリア付銅箔の前記キャリア側表面又は前記極薄銅層側表面とが、必要に応じて接着剤を介して、直接積層させて得られた積層体であってもよい。また、前記一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層と、前記もう一つのキャリア付銅箔のキャリア又は極薄銅層とが接合されていてもよい。ここで、当該「接合」は、キャリア又は極薄銅層が表面処理層を有する場合は、当該表面処理層を介して互いに接合されている態様も含む。また、当該積層体の端面の一部または全部が樹脂により覆われていてもよい。 The copper foil with a carrier of the present invention may be laminated from the carrier side or the ultrathin copper layer side to the carrier side or the ultrathin copper layer side of another copper foil with a carrier of the present invention to form a laminate. Further, the carrier-side surface or the ultra-thin copper layer-side surface of the one carrier-attached copper foil and the carrier-side surface or the ultra-thin copper layer-side surface of the other carrier-attached copper foil are, if necessary. It may be a laminated body obtained by directly laminating through an adhesive. Further, the carrier or ultra-thin copper layer of the one carrier-attached copper foil may be bonded to the carrier or ultra-thin copper layer of the other carrier-attached copper foil. Here, the "bonding" also includes an embodiment in which the carrier or the ultrathin copper layer is bonded to each other via the surface-treated layer when the carrier or the ultrathin copper layer has the surface-treated layer. Further, a part or all of the end face of the laminated body may be covered with the resin.

キャリア同士、極薄銅層同士、キャリアと極薄銅層、キャリア付銅箔同士の積層は、単に重ね合わせる他、例えば以下の方法で行うことができる。
(a)冶金的接合方法:融接(アーク溶接、TIG(タングステン・イナート・ガス)溶接、MIG(メタル・イナート・ガス)溶接、抵抗溶接、シーム溶接、スポット溶接)、圧接(超音波溶接、摩擦撹拌溶接)、ろう接;
(b)機械的接合方法:かしめ、リベットによる接合(セルフピアッシングリベットによる接合、リベットによる接合)、ステッチャー;
(c)物理的接合方法:接着剤、(両面)粘着テープ
Lamination of carriers, ultra-thin copper layers, carriers and ultra-thin copper layers, and carrier-attached copper foils can be performed by, for example, the following method, in addition to simply laminating.
(A) Metallic joining method: fusion welding (arc welding, TIG (tungsten inert gas) welding, MIG (metal inert gas) welding, resistance welding, seam welding, spot welding), pressure welding (ultrasonic welding, Friction stirring welding), brazing;
(B) Mechanical joining method: caulking, joining by rivets (joining by self-piercing rivets, joining by rivets), stitcher;
(C) Physical bonding method: Adhesive, (double-sided) adhesive tape

一方のキャリアの一部若しくは全部と他方のキャリアの一部若しくは全部若しくは極薄銅層の一部若しくは全部とを、上記接合方法を用いて接合することにより、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層を積層し、キャリア同士またはキャリアと極薄銅層を分離可能に接触させて構成される積層体を製造することができる。一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが弱く接合されて、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが積層されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層との接合部を除去しないでも、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とは分離可能である。また、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが強く接合されている場合には、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層とが接合されている箇所を切断や化学研磨(エッチング等)、機械研磨等により除去することにより、一方のキャリアと他方のキャリアまたは極薄銅層を分離することができる。 By joining a part or all of one carrier and a part or all of the other carrier or a part or all of the ultrathin copper layer by using the above-mentioned joining method, one carrier and the other carrier or pole It is possible to produce a laminated body formed by laminating thin copper layers and contacting the carriers with each other or the carriers and the ultrathin copper layer in a separable manner. When one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer are weakly bonded and one carrier and the other carrier or ultrathin copper layer are laminated, one carrier and the other carrier or electrode are laminated. One carrier and the other carrier or ultrathin copper layer can be separated without removing the junction with the thin copper layer. When one carrier and the other carrier or ultra-thin copper layer are strongly bonded, the portion where one carrier and the other carrier or ultra-thin copper layer are bonded is cut or chemically polished (). One carrier can be separated from the other carrier or an ultrathin copper layer by removing the carrier by etching or the like or by mechanical polishing or the like.

また、このように構成した積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又はキャリアを剥離させる工程を実施することでコアを有さないプリント配線板を作製することができる。なお、当該積層体の一方または両方の表面に、樹脂層と回路との2層を設けてもよい。
前述した積層体に用いる樹脂基板、樹脂層、樹脂、プリプレグは、本明細書に記載した樹脂層であってもよく、本明細書に記載した樹脂層に用いる樹脂、樹脂硬化剤、化合物、硬化促進剤、誘電体、反応触媒、架橋剤、ポリマー、プリプレグ、骨格材等を含んでもよい。なお、前述のキャリア付銅箔または積層体は平面視したときに樹脂又はプリプレグ又は樹脂基板又は樹脂層よりも小さくてもよい。
Further, after forming the two layers of the resin layer and the circuit at least once in the laminated body configured as described above and forming the two layers of the resin layer and the circuit at least once, the laminated body is attached with a carrier. A printed wiring board having no core can be produced by carrying out a step of peeling the ultrathin copper layer or carrier from the copper foil. Two layers, a resin layer and a circuit, may be provided on one or both surfaces of the laminated body.
The resin substrate, resin layer, resin, and prepreg used in the above-mentioned laminate may be the resin layer described in the present specification, and the resin, resin curing agent, compound, and curing used in the resin layer described in the present specification. Accelerators, dielectrics, reaction catalysts, cross-linking agents, polymers, prepregs, skeleton materials and the like may be included. The above-mentioned copper foil or laminate with a carrier may be smaller than the resin or prepreg or the resin substrate or the resin layer when viewed in a plan view.

また、樹脂基板はプリント配線板等に適用可能な特性を有するものであれば特に制限を受けないが、例えば、リジッドPWB用に紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等を使用し、FPC用にポリエステルフィルムやポリイミドフィルム、液晶ポリマー(LCP)フィルム、フッ素樹脂等を使用する事ができる。なお、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルムを用いた場合、ポリイミドフィルムを用いた場合よりも、当該フィルムとキャリア付銅箔との剥離強度が小さくなる傾向にある。よって、液晶ポリマー(LCP)フィルムやフッ素樹脂フィルムを用いた場合には、銅回路を形成後、銅回路をカバーレイで覆うことによって、当該フィルムと銅回路とが剥がれにくくし、剥離強度の低下による当該フィルムと銅回路との剥離を防止することができる。 The resin substrate is not particularly limited as long as it has characteristics applicable to a printed wiring board or the like. For example, a paper base material phenol resin, a paper base material epoxy resin, or a synthetic fiber cloth base material for rigid PWB is used. Epoxy resin, glass cloth / paper composite base material epoxy resin, glass cloth / glass non-woven composite base material epoxy resin, glass cloth base material epoxy resin, etc. are used, and polyester film, polyimide film, liquid crystal polymer (LCP) film for FPC. , Fluororesin, etc. can be used. When a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluororesin film is used, the peel strength between the film and the copper foil with a carrier tends to be smaller than when a polyimide film is used. Therefore, when a liquid crystal polymer (LCP) film or a fluororesin film is used, by covering the copper circuit with a coverlay after forming the copper circuit, the film and the copper circuit are less likely to be peeled off, and the peeling strength is lowered. It is possible to prevent the film from peeling off from the copper circuit.

以下に、本発明の実施例によって本発明をさらに詳しく説明するが、本発明は、これらの実施例によってなんら限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples of the present invention, but the present invention is not limited to these examples.

・キャリアの作製方法(実施例1、2、4、比較例1〜3)
チタン製の回転ドラム(電解ドラム)を準備した。次に、電解槽の中に、当該電解ドラムと、ドラムの周囲に所定の極間距離を置いて電極を配置した。次に、電解槽において下記条件で電解を行い、電解ドラムを回転させながら当該電解ドラムの表面に銅を析出させた。
<電解液組成>
銅:80g/L以上110g/L以下
硫酸:70g/L以上110g/L以下
塩素:10質量ppm以上100質量ppm以下
<製造条件>
電流密度:50A/dm2以上200A/dm2以下
電解液温度:40℃以上70℃以下
電解液線速:3m/sec以上5m/sec以下
電解時間:0.5分間以上10分間以下
次に、回転している電解ドラムの表面に析出した銅を剥ぎ取り、キャリアとした。
なお、後述の電解銅箔への中間層の形成は、電解銅箔の光沢面側に実施した。
-Method for producing carriers (Examples 1, 2, 4 and Comparative Examples 1 to 3)
A titanium rotary drum (electrolytic drum) was prepared. Next, the electrolytic drum and the electrodes were placed in the electrolytic cell at a predetermined distance between the poles around the drum. Next, electrolysis was performed in the electrolytic cell under the following conditions, and copper was deposited on the surface of the electrolytic drum while rotating the electrolytic drum.
<Electrolytic solution composition>
Copper: 80 g / L or more and 110 g / L or less Sulfuric acid: 70 g / L or more and 110 g / L or less Chlorine: 10 mass ppm or more and 100 mass ppm or less <Production conditions>
Current density: 50 A / dm 2 or more and 200 A / dm 2 or less Electrolyte temperature: 40 ° C or more and 70 ° C or less Electrolyte fluid linear velocity: 3 m / sec or more and 5 m / sec or less Electrolysis time: 0.5 minutes or more and 10 minutes or less Next, The copper deposited on the surface of the rotating electrolytic drum was stripped off to form a carrier.
The formation of the intermediate layer on the electrolytic copper foil, which will be described later, was carried out on the glossy surface side of the electrolytic copper foil.

・キャリアの作製方法(実施例3)
JIS H3100に規格する無酸素銅にSnを1200wtppm添加した組成の銅インゴットを製造し、800℃以上900℃以下で熱間圧延を行った後、300℃以上700℃以下の連続焼鈍ラインで焼鈍と冷間圧延を1回繰り返して1mm以上2mm以下厚の圧延板を得た。この圧延板を600℃以上800℃以下の連続焼鈍ラインで焼鈍して再結晶させ、7μm以上50μm以下の厚みまで圧下率を95%以上99.7%以下として最終冷間圧延して、圧延銅箔を作製し、これをキャリアとした。
-Making method of carrier (Example 3)
A copper ingot having a composition of 1200 wtppm of Sn added to oxygen-free copper specified in JIS H3100 is manufactured, hot-rolled at 800 ° C. or higher and 900 ° C. or lower, and then annealed on a continuous annealing line at 300 ° C. or higher and 700 ° C. or lower. Cold rolling was repeated once to obtain a rolled plate having a thickness of 1 mm or more and 2 mm or less. This rolled plate is annealed and recrystallized on a continuous annealing line at 600 ° C. or higher and 800 ° C. or lower, and finally cold-rolled to a thickness of 7 μm or higher and 50 μm or lower with a reduction ratio of 95% or higher and 99.7% or lower, and rolled copper. A foil was produced and used as a carrier.

・キャリアの中間層側表面の制御
実施例2、比較例1については、キャリアに中間層を設ける前に、キャリアの表面を以下の条件によってエッチングすることによりキャリア表面の一部を、キャリアに用いる原箔の表面より粗くした。
(エッチング条件)
液組成:過硫酸ナトリウム50g/L以上150g/L以下、硫酸水素ナトリウム5g/L以上20g/L以下、硫酸60g/L以上180g/L以下
液温:25℃以上40℃以下
浸漬時間:10s以上120s以下
また、実施例4、比較例1については、キャリアに中間層を設ける前に、キャリアの表面を以下の条件によって1μm以上3μm以下厚だけめっきアップすることによりキャリア表面の粗さをキャリアに用いる原箔の表面より平滑に制御した。
(めっきアップ条件)
銅濃度:30g/L以上120g/L以下
2SO4濃度:20g/L以上120g/L以下
塩素:50ppm以上100ppm以下
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10ppm以上30ppm以下
レべリング剤2(アミン化合物):10ppm以上30ppm以下
アミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。
-Controlling the surface of the carrier on the intermediate layer side In Example 2 and Comparative Example 1, a part of the carrier surface is used for the carrier by etching the surface of the carrier under the following conditions before providing the intermediate layer on the carrier. Rougher than the surface of the raw foil.
(Etching conditions)
Liquid composition: Sodium persulfate 50 g / L or more and 150 g / L or less, Sodium hydrogen sulfate 5 g / L or more and 20 g / L or less, Sulfuric acid 60 g / L or more and 180 g / L or less Liquid temperature: 25 ° C or more and 40 ° C or less Immersion time: 10 s or more 120 s or less In addition, in Example 4 and Comparative Example 1, the roughness of the carrier surface was made into a carrier by plating up the surface of the carrier by a thickness of 1 μm or more and 3 μm or less under the following conditions before providing an intermediate layer on the carrier. It was controlled to be smoother than the surface of the raw foil used.
(Plating up condition)
Copper concentration: 30 g / L or more and 120 g / L or less H 2 SO 4 concentration: 20 g / L or more and 120 g / L or less Chlorine: 50 ppm or more and 100 ppm or less Leveling agent 1 (bis (3 sulfopropyl) disulfide): 10 ppm or more and 30 ppm or less Leveling agent 2 (amine compound): 10 ppm or more and 30 ppm or less An amine compound having the following chemical formula was used as the amine compound.

Figure 0006872947
(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
電解液温度:20℃以上80℃以下
電流密度:10A/dm2以上100A/dm2以下
Figure 0006872947
(In the above chemical formula, R1 and R2 are selected from a group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group and an alkyl group.)
Electrolyte temperature: 20 ° C or higher and 80 ° C or lower Current density: 10 A / dm 2 or higher 100 A / dm 2 or lower

・中間層の形成
続いて、実施例2、比較例1については、厚さ50nmのニッケルスパッタ膜を形成した後、ロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより、ニッケルスパッタ膜の上に11μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
・電解クロメート処理
液組成:重クロム酸カリウム1g/L以上10g/L以下、亜鉛0g/L以上5g/L以下
pH:3以上4以下
液温:50℃以上60℃以下
電流密度:0.1A/dm2以上2.6A/dm2以下
クーロン量:0.5As/dm2以上30As/dm2以下
-Formation of intermediate layer Next, in Example 2 and Comparative Example 1, a nickel sputtered film having a thickness of 50 nm was formed and then electroplated with a roll-to-roll type continuous plating line to obtain a nickel sputtered film. A Cr layer having an adhesion amount of 11 μg / dm 2 was adhered onto the surface by electrolytic chromate treatment under the following conditions.
-Electrolytic chromate treatment Liquid composition: Potassium dichromate 1 g / L or more and 10 g / L or less, Zinc 0 g / L or more and 5 g / L or less pH: 3 or more and 4 or less Liquid temperature: 50 ° C or more and 60 ° C or less Current density: 0.1A / dm 2 or more 2.6A / dm 2 or less coulombs: 0.5As / dm 2 or more 30AS / dm 2 or less

実施例1、3、4、比較例2、3については、中間層として、以下の条件でロール・トウ・ロール型の連続めっきラインで電気めっきすることにより4000μg/dm2の付着量のNi層を形成した。 In Examples 1, 3 and 4, and Comparative Examples 2 and 3, a Ni layer having an adhesion amount of 4000 μg / dm 2 was electroplated on a roll-toe-roll type continuous plating line under the following conditions as an intermediate layer. Was formed.

・Ni層
硫酸ニッケル:250g/L以上300g/L以下
塩化ニッケル:35g/L以上45g/L以下
酢酸ニッケル:10g/L以上20g/L以下
クエン酸三ナトリウム:15g/L以上30g/L以下
光沢剤:サッカリン、ブチンジオール等
ドデシル硫酸ナトリウム:30ppm以上100ppm以下
pH:4以上6以下
液温:50℃以上70℃以下
電流密度:3A/dm2以上15A/dm2以下
-Ni layer Nickel sulfate: 250 g / L or more and 300 g / L or less Nickel chloride: 35 g / L or more and 45 g / L or less Nickel acetate: 10 g / L or more and 20 g / L or less Trisodium citrate: 15 g / L or more and 30 g / L or less Glossy Agents: Saccharin, butinediol, etc. Sodium dodecyl sulfate: 30 ppm or more and 100 ppm or less pH: 4 or more and 6 or less Liquid temperature: 50 ° C or more and 70 ° C or less Current density: 3 A / dm 2 or more and 15 A / dm 2 or less

水洗及び酸洗後、引き続き、ロール・トウ・ロール型の連続めっきライン上で、Ni層の上に11μg/dm2の付着量のCr層を以下の条件で電解クロメート処理することにより付着させた。
・電解クロメート処理
液組成:重クロム酸カリウム1g/L以上10g/L以下、亜鉛0g/L以上5g/L以下
pH:3以上4以下
液温:50℃以上60℃以下
電流密度:0.1A/dm2以上2.6A/dm2以下
クーロン量:0.5As/dm2以上30As/dm2以下
After washing with water and pickling, a Cr layer having an adhesion amount of 11 μg / dm 2 was continuously attached onto the Ni layer on a roll-to-roll type continuous plating line by electrolytic chromate treatment under the following conditions. ..
-Electrolytic chromate treatment Liquid composition: Potassium dichromate 1 g / L or more and 10 g / L or less, Zinc 0 g / L or more and 5 g / L or less pH: 3 or more and 4 or less Liquid temperature: 50 ° C or more and 60 ° C or less Current density: 0.1A / dm 2 or more 2.6A / dm 2 or less coulombs: 0.5As / dm 2 or more 30AS / dm 2 or less

・極薄銅層の形成
中間層の形成後、中間層の上に厚み0.8μm以上5μm以下の極薄銅層を以下の条件で電気めっきすることにより形成し、キャリア付銅箔とした。
・極薄銅層
銅濃度:30g/L以上120g/L以下
2SO4濃度:20g/L以上120g/L以下
塩素:50ppm以上100ppm以下
レべリング剤1(ビス(3スルホプロピル)ジスルフィド):10ppm以上30ppm以下
レべリング剤2(アミン化合物):10ppm以上30ppm以下
アミン化合物には以下の化学式のアミン化合物を用いた。
-Formation of ultra-thin copper layer After the intermediate layer was formed, an ultra-thin copper layer having a thickness of 0.8 μm or more and 5 μm or less was electroplated on the intermediate layer under the following conditions to obtain a copper foil with a carrier.
-Ultra-thin copper layer Copper concentration: 30 g / L or more and 120 g / L or less H 2 SO 4 concentration: 20 g / L or more and 120 g / L or less Chlorine: 50 ppm or more and 100 ppm or less Leveling agent 1 (bis (3 sulfopropyl) disulfide) : 10 ppm or more and 30 ppm or less Leveling agent 2 (amine compound): 10 ppm or more and 30 ppm or less An amine compound having the following chemical formula was used as the amine compound.

Figure 0006872947
(上記化学式中、R1及びR2はヒドロキシアルキル基、エーテル基、アリール基、芳香族置換アルキル基、不飽和炭化水素基、アルキル基からなる一群から選ばれるものである。)
電解液温度:20℃以上80℃以下
電流密度:10A/dm2以上100A/dm2以下
Figure 0006872947
(In the above chemical formula, R1 and R2 are selected from a group consisting of a hydroxyalkyl group, an ether group, an aryl group, an aromatic substituted alkyl group, an unsaturated hydrocarbon group and an alkyl group.)
Electrolyte temperature: 20 ° C or higher and 80 ° C or lower Current density: 10 A / dm 2 or higher 100 A / dm 2 or lower

電解液温度:20℃以上80℃以下
電流密度:10A/dm2以上100A/dm2以下
Electrolyte temperature: 20 ° C or higher and 80 ° C or lower Current density: 10 A / dm 2 or higher 100 A / dm 2 or lower

・表面処理層の形成
次に、実施例1、2、比較例1〜3については、極薄銅層の上に更に、表1〜3に示すように、以下のいずれかの条件で粗化処理層を設けた。
・粗化条件
液組成
Cu:10g/L以上20g/L以下
Co:1g/L以上10g/L以下
Ni:1g/L以上10g/L以下
pH:1以上4以下
液温:50℃以上60℃以下
電流密度Dk:30A/dm2以上40A/dm2以下
時間:0.2秒以上1秒以下
-Formation of surface-treated layer Next, in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3, the ultrathin copper layer was further roughened under any of the following conditions as shown in Tables 1 to 3. A treatment layer was provided.
Roughing conditions Liquid composition Cu: 10 g / L or more and 20 g / L or less Co: 1 g / L or more and 10 g / L or less Ni: 1 g / L or more and 10 g / L or less pH: 1 or more and 4 or less Liquid temperature: 50 ° C or more and 60 ° C Current density Dk: 30A / dm 2 or more and 40A / dm 2 or less Time: 0.2 seconds or more and 1 second or less

実施例3、4については、粗化処理層上に耐熱処理層、クロメート層、シランカップリング処理層を以下の条件で設けた。
・耐熱処理
Zn:0g/L以上20g/L以下
Ni:0g/L以上5g/L以下
pH:3.5
温度:40℃
電流密度Dk :0A/dm2以上1.7A/dm2以下
時間:1秒
Zn付着量:5μg/dm2以上250μg/dm2以下
Ni付着量:5μg/dm2以上300μg/dm2以下
・クロメート処理
2Cr27
(Na2Cr27或いはCrO3):2g/L以上10g/L以下
NaOH或いはKOH:10g/L以上50g/L以下
ZnO或いはZnSO47H2O:0.05g/L以上10g/L以下
pH:7以上13以下
液温:20℃以上80℃以下
電流密度0.05A/dm2以上5A/dm2以下
時間:5秒以上30秒以下
Cr付着量:10μg/dm2以上150μg/dm2以下
・シランカップリング処理
ビニルトリエトキシシラン水溶液
(ビニルトリエトキシシラン濃度:0.1wt%以上1.4wt%以下)
pH:4以上5以下
時間:5秒以上30秒以下
In Examples 3 and 4, a heat-resistant treatment layer, a chromate layer, and a silane coupling treatment layer were provided on the roughening treatment layer under the following conditions.
・ Heat-resistant treatment Zn: 0 g / L or more and 20 g / L or less Ni: 0 g / L or more and 5 g / L or less pH: 3.5
Temperature: 40 ° C
Current density Dk: 0A / dm 2 or more and 1.7A / dm 2 or less Time: 1 second Zn adhesion amount: 5μg / dm 2 or more 250μg / dm 2 or less Ni adhesion amount: 5μg / dm 2 or more and 300μg / dm 2 or less ・ Chromate Processing K 2 Cr 2 O 7
(Na 2 Cr 2 O 7 or CrO 3): 2g / L or more 10 g / L or less NaOH or KOH: 10 g / L or more 50 g / L or less ZnO or ZnSO 4 7H 2 O: 0.05g / L or more 10 g / L or less pH: 7 or more and 13 or less Liquid temperature: 20 ° C or more and 80 ° C or less Current density 0.05A / dm 2 or more and 5A / dm 2 or less Time: 5 seconds or more and 30 seconds or less Cr adhesion amount: 10 μg / dm 2 or more and 150 μg / dm 2 Below ・ Silane coupling treatment Vinyl triethoxysilane aqueous solution (vinyl triethoxysilane concentration: 0.1 wt% or more and 1.4 wt% or less)
pH: 4 or more and 5 or less Time: 5 seconds or more and 30 seconds or less

上記のようにして得られたキャリア付銅箔の各サンプルについて、以下の方法で各評価を実施した。
・表面粗さSp、Sz、Rz
サンプルを220℃で90分、絶縁基板と熱圧着させた後、JIS C 6471に準拠して、キャリアを剥がし、キャリアの極薄銅層側の表面の256μm×256μm角について、レーザー顕微鏡にて表面粗さSp、Sz、Rzをそれぞれ測定した。
当該キャリアの表面粗さ(Sp、Sz、Rz)は、TD方向に15mm間隔で8点(表1〜3にN1〜N8と記載した)、及び、MD方向に15mm間隔で8点(表1〜3にN1〜N8と記載した)、合計16点測定した。実施例1、3、比較例3はキャリアをそのまま測定した。実施例2及び比較例1はキャリアをエッチングした後、測定した。実施例4及び比較例2はキャリアを平滑銅めっき液でめっきアップした後、測定した。
Each evaluation of each sample of the copper foil with a carrier obtained as described above was carried out by the following method.
-Surface roughness Sp, Sz, Rz
After the sample was thermocompression bonded to the insulating substrate at 220 ° C. for 90 minutes, the carrier was peeled off in accordance with JIS C 6471, and the surface of the carrier on the ultrathin copper layer side was surfaced with a laser microscope at 256 μm × 256 μm square. Roughness Sp, Sz, and Rz were measured, respectively.
The surface roughness (Sp, Sz, Rz) of the carrier was 8 points at 15 mm intervals in the TD direction (described as N1 to N8 in Tables 1 to 3) and 8 points at 15 mm intervals in the MD direction (Table 1). ~ 3 described as N1 to N8), a total of 16 points were measured. In Examples 1, 3 and Comparative Example 3, the carriers were measured as they were. In Example 2 and Comparative Example 1, the carriers were etched and then measured. In Example 4 and Comparative Example 2, the carriers were plated up with a blunt copper plating solution and then measured.

・剥離強度
絶縁基板に極薄銅層側を220℃で90分、1.5MPaの条件で熱圧着し、サンプルを長さ方向に約250mm、幅方向に50mm切り出し、長手方向(MD方向)に以下の条件で引っ張ることで剥離強度を測定した。剥離強度の測定間隔は幅方向に150mm間隔であり、各サンプル5回ずつ(表1〜3にN1〜N5と記載した)測定した。
・測定法:JIS C 6471に示す方法
・引張角度:90度
・速度:50mm/min
・引張り試験装置:島津製作所製 オートグラフ
製造条件及び評価結果を表1〜3に示す。
-Peeling strength The ultra-thin copper layer side is thermocompression bonded to the insulating substrate at 220 ° C. for 90 minutes at 1.5 MPa, and the sample is cut out by about 250 mm in the length direction and 50 mm in the width direction, and in the longitudinal direction (MD direction). The peel strength was measured by pulling under the following conditions. The peel strength was measured at intervals of 150 mm in the width direction, and each sample was measured 5 times (described as N1 to N5 in Tables 1 to 3).
-Measurement method: Method shown in JIS C 6471-Tension angle: 90 degrees-Speed: 50 mm / min
-Tension test equipment: Shimadzu Autograph Manufacturing conditions and evaluation results are shown in Tables 1 to 3.

Figure 0006872947
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Figure 0006872947
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Figure 0006872947
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(評価結果)
実施例1〜4は、キャリア付銅箔を220℃で90分、絶縁基板と熱圧着させた後、JIS C 6471に準拠して、キャリアを剥がしたとき、レーザー顕微鏡にて256μm×256μm角で測定されるキャリアの極薄銅層側の表面粗さSpが0.1μm以上3.5μm以下であり、且つ、キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.8μm以下であったため、キャリアの剥離強度のバラツキが良好に抑制されたキャリア付銅箔が得られた。
比較例1、2、3は、キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.8μmを超えたため、キャリアの剥離強度のバラツキが不良であった。
(Evaluation results)
In Examples 1 to 4, the copper foil with a carrier was thermocompression-bonded to the insulating substrate at 220 ° C. for 90 minutes, and then the carrier was peeled off in accordance with JIS C 6471 with a laser microscope at 256 μm × 256 μm square. The surface roughness Sp of the measured carrier on the ultrathin copper layer side is 0.1 μm or more and 3.5 μm or less, and the standard deviation of the surface roughness Sp when the surface of the carrier is measured at 16 points is 0.8 μm. Therefore, a copper foil with a carrier was obtained in which the variation in the peeling strength of the carrier was satisfactorily suppressed.
In Comparative Examples 1, 2 and 3, since the standard deviation of the surface roughness Sp when the surface of the carrier was measured at 16 points exceeded 0.8 μm, the variation in the peel strength of the carrier was poor.

Claims (23)

キャリア、中間層、極薄銅層をこの順に有するキャリア付銅箔であって、
前記キャリア付銅箔を220℃で90分、絶縁基板と熱圧着させた後、JIS C 6471に準拠して、キャリアを剥がしたとき、レーザー顕微鏡にて256μm×256μm角で測定される前記キャリアの前記極薄銅層側の表面粗さSpが0.1μm以上3.5μm以下であり、且つ、前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.8μm以下であるキャリア付銅箔。
A copper foil with a carrier having a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer in this order.
The copper foil with a carrier is thermocompression-bonded to an insulating substrate at 220 ° C. for 90 minutes, and when the carrier is peeled off in accordance with JIS C 6471, the carrier is measured with a laser microscope at a size of 256 μm × 256 μm square. The surface roughness Sp on the ultrathin copper layer side is 0.1 μm or more and 3.5 μm or less, and the standard deviation of the surface roughness Sp when the surface of the carrier is measured at 16 points is 0.8 μm or less. Copper foil with carrier.
前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.7μm以下である請求項1に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier according to claim 1, wherein the standard deviation of the surface roughness Sp when the surface of the carrier is measured at 16 points is 0.7 μm or less. 前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSpの標準偏差が0.6μm以下である請求項2に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier according to claim 2, wherein the standard deviation of the surface roughness Sp when the surface of the carrier is measured at 16 points is 0.6 μm or less. 前記中間層は、Niを含み、
前記中間層のNi付着量が100μg/dm2以上40000μg/dm2以下である請求項1〜3のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
The intermediate layer contains Ni
The intermediate layer copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 3 Ni deposition amount is 100 [mu] g / dm 2 or more 40000μg / dm 2 following.
前記中間層は、Crを含み、
前記中間層のCr付着量が1μg/dm2以上100μg/dm2以下である請求項1〜4のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
The intermediate layer contains Cr and contains Cr.
The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 4, wherein the amount of Cr adhered to the intermediate layer is 1 μg / dm 2 or more and 100 μg / dm 2 or less.
前記キャリアの極薄銅層側の表面粗さSzが0.3μm以上4.5μm以下であり、且つ、前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さSzの標準偏差が1.0μm以下である請求項1〜5のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 The surface roughness Sz on the ultrathin copper layer side of the carrier is 0.3 μm or more and 4.5 μm or less, and the standard deviation of the surface roughness Sz when the surface of the carrier is measured at 16 points is 1.0 μm or less. The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 5. 前記キャリアのMD方向に対して垂直な表面で測定したときの前記キャリアの極薄銅層側の表面粗さRzが0.1μm以上2.2μm以下であり、且つ、前記キャリアの表面を16点測定したときの表面粗さRzの標準偏差が0.3μm以下である請求項1〜6のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 The surface roughness Rz on the ultrathin copper layer side of the carrier when measured on the surface perpendicular to the MD direction of the carrier is 0.1 μm or more and 2.2 μm or less, and the surface of the carrier is 16 points. The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 6, wherein the standard deviation of the surface roughness Rz when measured is 0.3 μm or less. 請求項1〜7のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔がキャリアの一方の面に極薄銅層を有する場合において、前記極薄銅層側及び前記キャリア側の少なくとも一方の表面、又は、両方の表面に、または、
請求項1〜7のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔がキャリアの両方の面に極薄銅層を有する場合において、当該一方または両方の極薄銅層側の表面に、
粗化処理層、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層を有する請求項1〜7のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。
When the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 7 has an ultrathin copper layer on one surface of the carrier, at least one surface of the ultrathin copper layer side and the carrier side, or , On both surfaces, or
When the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 7 has an ultrathin copper layer on both surfaces of the carrier, the surface on the one or both ultrathin copper layer side surfaces.
The carrier according to any one of claims 1 to 7, which has one or more layers selected from the group consisting of a roughening treatment layer, a heat resistant layer, a rust prevention layer, a chromate treatment layer, and a silane coupling treatment layer. Copper foil.
前記粗化処理層、前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された1種以上の層の上に樹脂層を備える請求項8に記載のキャリア付銅箔。 The carrier according to claim 8, wherein a resin layer is provided on one or more layers selected from the group consisting of the roughening treatment layer, the heat resistant layer, the rust prevention layer, the chromate treatment layer, and the silane coupling treatment layer. Copper foil. 前記防錆層及び前記耐熱層の少なくとも一方が、ニッケル、コバルト、銅、亜鉛から選択される1つ以上の元素を含む請求項8または9に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier according to claim 8 or 9, wherein at least one of the rust preventive layer and the heat resistant layer contains one or more elements selected from nickel, cobalt, copper, and zinc. 前記極薄銅層上に樹脂層を備える請求項1〜7のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 7, wherein a resin layer is provided on the ultrathin copper layer. 前記樹脂層が誘電体を含む請求項9または11に記載のキャリア付銅箔。 The copper foil with a carrier according to claim 9 or 11, wherein the resin layer contains a dielectric. キャリア、中間層、及び、極薄銅層をこの順に備えた、請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の製造方法であり、
前記キャリアの表面をエッチングする、または、前記キャリアの表面に銅をめっきアップすることで前記キャリアの表面粗さを調整する工程と、
前記キャリアの前記エッチングまたは前記めっきアップされた表面側に前記中間層及び前記極薄銅層をこの順で設ける工程と、
を含むキャリア付銅箔の製造方法。
The method for producing a copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 12 , wherein a carrier, an intermediate layer, and an ultrathin copper layer are provided in this order.
A step of adjusting the surface roughness of the carrier by etching the surface of the carrier or plating up copper on the surface of the carrier.
A step of providing the intermediate layer and the ultrathin copper layer on the etched or plated surface side of the carrier in this order.
A method for manufacturing a copper foil with a carrier including.
請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いて積層体を製造する方法。 A method for producing a laminate using the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 12. 請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を用いてプリント配線板を製造する方法。 A method for manufacturing a printed wiring board using the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 12. 請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と樹脂とを含む積層体であって、前記キャリア付銅箔の端面の一部または全部が前記樹脂により覆われている積層体。 A laminate containing the carrier-attached copper foil and the resin according to any one of claims 1 to 12, wherein a part or all of the end faces of the carrier-attached copper foil is covered with the resin. .. 一つの請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔を前記キャリア側又は前記極薄銅層側から、もう一つの請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記キャリア側又は前記極薄銅層側に積層した積層体。 The copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 12 is attached to the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 12 from the carrier side or the ultrathin copper layer side. A laminate laminated on the carrier side or the ultrathin copper layer side of a copper foil. 請求項16または17に記載の積層体を用いたプリント配線板の製造方法。 A method for manufacturing a printed wiring board using the laminate according to claim 16 or 17. 請求項16または17に記載の積層体に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記積層体のキャリア付銅箔から前記極薄銅層又は前記キャリアを剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of providing the laminate according to claim 16 or 17 with two layers of a resin layer and a circuit at least once, and
A method for producing a printed wiring board, which comprises a step of forming the resin layer and the two layers of a circuit at least once, and then peeling the ultrathin copper layer or the carrier from the carrier-attached copper foil of the laminate.
請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔と絶縁基板とを準備する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔と絶縁基板とを積層した後に、前記キャリア付銅箔のキャリアを剥がす工程を経て銅張積層板を形成し、
その後、セミアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法又はモディファイドセミアディティブ法のいずれかの方法によって、回路を形成する工程を含むプリント配線板の製造方法。
The step of preparing the copper foil with a carrier and the insulating substrate according to any one of claims 1 to 12.
The process of laminating the copper foil with carrier and the insulating substrate,
After laminating the copper foil with a carrier and the insulating substrate, a copper-clad laminate is formed through a step of peeling off the carrier of the copper foil with a carrier.
Then, a method for manufacturing a printed wiring board, which comprises a step of forming a circuit by any one of a semi-additive method, a subtractive method, a partial additive method, and a modified semi-additive method.
請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に回路を形成する工程、
前記回路が埋没するように前記キャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層を形成する工程、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程、及び、
前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させた後に、前記極薄銅層又は前記キャリアを除去することで、前記極薄銅層側表面又は前記キャリア側表面に形成した、前記樹脂層に埋没している回路を露出させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
A step of forming a circuit on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 12.
A step of forming a resin layer on the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier so that the circuit is buried.
The step of peeling off the carrier or the ultrathin copper layer, and
After the carrier or the ultrathin copper layer is peeled off, the ultrathin copper layer or the carrier is removed, so that the carrier or the ultrathin copper layer is buried in the resin layer formed on the surface on the ultrathin copper layer side or the surface on the carrier side. A method of manufacturing a printed wiring board including a process of exposing a circuit.
請求項1〜12のいずれか一項に記載のキャリア付銅箔の前記極薄銅層側表面または前記キャリア側表面と樹脂基板とを積層する工程、
前記キャリア付銅箔の樹脂基板と積層した側とは反対側の極薄銅層側表面または前記キャリア側表面に樹脂層と回路との2層を、少なくとも1回設ける工程、及び、
前記樹脂層及び回路の2層を少なくとも1回形成した後に、前記キャリア付銅箔から前記キャリアまたは前記極薄銅層を剥離させる工程
を含むプリント配線板の製造方法。
The step of laminating the ultrathin copper layer side surface or the carrier side surface of the copper foil with a carrier according to any one of claims 1 to 12 with a resin substrate.
A step of providing at least once two layers of a resin layer and a circuit on the surface on the ultrathin copper layer side opposite to the side laminated with the resin substrate of the copper foil with a carrier or on the surface on the carrier side, and
A method for manufacturing a printed wiring board, which comprises a step of peeling the carrier or the ultrathin copper layer from the copper foil with a carrier after forming the resin layer and the two layers of the circuit at least once.
請求項15、18〜22のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法によって製造したプリント配線板を用いて電子機器を製造する方法。 A method for manufacturing an electronic device using a printed wiring board manufactured by the method for manufacturing a printed wiring board according to any one of claims 15 and 18 to 22.
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