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本発明は、転写によって配線パターンを絶縁樹脂基材に形成するメッキ回路層付きステンレス転写基材を用い、転写によって配線パターンが形成されると共に部品が内蔵された部品内蔵モジュールに関するものである。 The present invention relates to a component built-in module wiring pattern insulating a resin base material to form to Rume Tsu key circuit layer Stainless transfer substrate, parts are built with the wiring pattern is formed by transferring by the transfer is there.

より詳しくは、本発明は、メッキにより形成した回路(配線パターン)を絶縁樹脂基材に転写することにより、非常に微細な回路を形成する技術に関するものであり、また、メッキ回路層は絶縁樹脂基材に埋め込まれることにより、一般的に行われているデスミア等の表面処理を行わなくても、メッキ回路層の絶縁樹脂基材に対する密着性を向上させることを可能とする技術に関するものである。更に本発明は、メッキ回路層付きステンレス転写基材に部品を半田リフロー等により実装することが可能であり、回路と共に部品も転写し、埋め込むことができる技術に関するものである。   More specifically, the present invention relates to a technique for forming a very fine circuit by transferring a circuit (wiring pattern) formed by plating onto an insulating resin substrate, and the plated circuit layer is an insulating resin. The present invention relates to a technique capable of improving the adhesion of a plated circuit layer to an insulating resin substrate without being subjected to a surface treatment such as desmear that is generally performed by being embedded in the substrate. . Furthermore, the present invention relates to a technique that allows a component to be mounted on a stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer by solder reflow or the like, and that the component can be transferred and embedded together with the circuit.

近年、配線基板の配線密度の向上により、基板の小型化、部品間の配線距離の短縮化が進み、電子機器の高機能化、小型薄型化が進展しているが、一般的には、配線基板の製造方法としてはビルドアップ多層化工法等が使用され、この方法により電気的絶縁層(樹脂層)を介して配線層(導体層、金属膜)を積層して多層配線基板を製造している。   In recent years, improvement in wiring density of wiring boards has led to downsizing of boards and shortening of wiring distances between components, and electronic devices have become more functional and smaller and thinner. As a method for manufacturing a substrate, a build-up multilayering method or the like is used. By this method, a multilayer wiring substrate is manufactured by laminating a wiring layer (conductor layer, metal film) via an electrical insulating layer (resin layer). Yes.

そしてこのような配線基板において配線パターンを形成するにあたっては、次のような方法がある。すなわち、銅箔等の金属箔をあらかじめ絶縁基板と積層一体化した銅張積層板を作製し、これにエッチング法を使用して配線パターンを形成する場合と、絶縁樹脂基板表面にメッキ等により配線層を直接形成し、この配線層をエッチングして所定の配線パターンを形成する場合とがある。   In forming a wiring pattern on such a wiring board, there are the following methods. In other words, a copper-clad laminate in which a metal foil such as copper foil is laminated and integrated with an insulating substrate in advance and a wiring pattern is formed using an etching method on this, and wiring on the surface of the insulating resin substrate by plating or the like In some cases, a layer is formed directly, and this wiring layer is etched to form a predetermined wiring pattern.

ところで、メッキにより電気的絶縁層の表面に配線層を形成する場合、メッキによって形成した配線層と電気的絶縁層との密着性を高めるために、電気的絶縁層の表面にあらかじめ粗面化処理(デスミア処理)を行った後、メッキを施すことが従来行われていた。粗面化処理は過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等のエッチング液を用いて電気的絶縁層の表面をエッチングすることによって行われている(例えば、特許文献1参照。)。   By the way, when the wiring layer is formed on the surface of the electrical insulating layer by plating, the surface of the electrical insulating layer is previously roughened in order to improve the adhesion between the wiring layer formed by plating and the electrical insulating layer. Conventionally, after performing (desmear treatment), plating is performed. The roughening treatment is performed by etching the surface of the electrical insulating layer using an etchant such as potassium permanganate or sodium permanganate (see, for example, Patent Document 1).

一般的なメッキ法は、樹脂表面の脱脂等の前処理工程、エッチング処理工程、キャタライジング処理工程、アクセレレイティング処理工程、無電解銅メッキ処理工程、電解銅メッキ処理工程からなる。このように絶縁樹脂基材表面に直接メッキ処理を行うことなく、種々の処理工程を経てからメッキ処理を行うのは、樹脂が水に濡れにくい疎水性を有するためである。絶縁樹脂基材表面にメッキ処理をそのまま行ったのでは、その表面に金属膜を形成できない。メッキのように水溶液中で表面処理を行うような場合には、絶縁樹脂基材表面を水に濡れやすい親水性にしておかなければならない。更に絶縁樹脂基材表面とメッキ金属とが密着するためには、絶縁樹脂基材表面を親水性にした上に、樹脂表面に極性基を作って活性化し、樹脂表面に微細孔等の凹凸を有する粗面化を施す必要がある。粗面化処理では、有機溶剤系等の膨潤液による膨潤工程、過マンガン酸ナトリウム系等のエッチング液によるエッチング工程、硫酸系等の中和液による中和工程の順で処理を行う。この処理がエッチング処理である。更にメッキ核析出のためには、樹脂表面にパラジウム活性化を行う必要があるため、塩化パラジウムと塩化スズを含むキャタライジング処理液に絶縁樹脂基材を浸漬し、樹脂表面に触媒金属を吸着させる。この処理がキャタライジング処理である。キャタライジング処理工程を行うと、絶縁樹脂基材表面にパラジウムとスズの錯塩が吸着しているので、アクセレレイティング処理工程において、塩酸又は硫酸あるいはNHF・HF等を含むアクセレレイティング処理液中で、メッキ核となるパラジウム金属を樹脂表面に析出させる。次いで、無電解メッキ処理工程において、樹脂表面に析出したメッキ核の触媒作用によって、銅金属が樹脂表面に無電解メッキされ、樹脂表面に金属膜を形成する。無電解メッキによる金属膜は、電解メッキを行うための給電層の役割を果たすものであり、通常0.5〜2.0μm程度の厚さとする。この後で、電解銅メッキ処理工程によって、配線パターン等に使用できる所定の厚さになるまで電解銅メッキを行い、金属膜が形成される。 A general plating method includes a pretreatment process such as degreasing of the resin surface, an etching process, a catalyzing process, an accelerating process, an electroless copper plating process, and an electrolytic copper plating process. The reason why the plating process is performed after various processing steps without directly performing the plating process on the surface of the insulating resin base material is that the resin is so hydrophobic that it is difficult to wet with water. If the surface of the insulating resin substrate is plated as it is, a metal film cannot be formed on the surface. When surface treatment is performed in an aqueous solution such as plating, the surface of the insulating resin substrate must be made hydrophilic so that it can easily get wet with water. Furthermore, in order for the insulating resin substrate surface and the plating metal to be in close contact with each other, the insulating resin substrate surface is made hydrophilic and activated by creating a polar group on the resin surface, and irregularities such as micropores are formed on the resin surface. It is necessary to roughen the surface. In the roughening treatment, the treatment is performed in the order of a swelling step with a swelling solution such as an organic solvent, an etching step with an etching solution such as a sodium permanganate, and a neutralization step with a neutralizing solution such as a sulfuric acid. This process is an etching process. Furthermore, for the deposition of plating nuclei, it is necessary to activate palladium on the resin surface, so the insulating resin substrate is immersed in a catalyzing solution containing palladium chloride and tin chloride, and the catalyst metal is adsorbed on the resin surface. . This process is a catalyzing process. When the catalyzing process is performed, the complex salt of palladium and tin is adsorbed on the surface of the insulating resin base material. Therefore, in the accelerating process, an accelerating solution containing hydrochloric acid, sulfuric acid, NH 4 F · HF, or the like is used. In this process, palladium metal serving as a plating nucleus is deposited on the resin surface. Next, in the electroless plating treatment step, the copper metal is electrolessly plated on the resin surface by the catalytic action of the plating nuclei deposited on the resin surface to form a metal film on the resin surface. The metal film formed by electroless plating serves as a power feeding layer for performing electrolytic plating, and is usually about 0.5 to 2.0 μm thick. Thereafter, by the electrolytic copper plating process, electrolytic copper plating is performed until a predetermined thickness that can be used for a wiring pattern or the like is formed, thereby forming a metal film.

その他に、配線層と電気的絶縁層との密着性を高める技術として、絶縁樹脂基材の表面を改質してから、その表面に無電解メッキを行う種々の方法が提案されている。例えば、絶縁樹脂基材をアミン化合物ガス又はアミド化合物ガス雰囲気下に置き、この絶縁樹脂基材表面に対して、紫外線レーザを照射し、その後に無電解メッキを行う方法が提案されている(例えば、特許文献2参照。)。   In addition, as a technique for improving the adhesion between the wiring layer and the electrical insulating layer, various methods have been proposed in which the surface of the insulating resin substrate is modified and then electroless plating is performed on the surface. For example, a method has been proposed in which an insulating resin substrate is placed in an amine compound gas or amide compound gas atmosphere, the surface of the insulating resin substrate is irradiated with an ultraviolet laser, and then electroless plating is performed (for example, , See Patent Document 2).

また、絶縁樹脂基材に無電解メッキを行うための前処理として、絶縁樹脂基材の表面に紫外線を照射し、その後にその絶縁樹脂基材表面に無電解メッキを行う方法も提案されている(例えば、特許文献3参照。)。   In addition, as a pretreatment for performing electroless plating on an insulating resin base material, a method of irradiating the surface of the insulating resin base material with ultraviolet rays and then performing electroless plating on the surface of the insulating resin base material has been proposed. (For example, refer to Patent Document 3).

また、ポリオキシエチレン結合を有する非イオン系界面活性剤を含有するアルカリ溶液と接触させる表面処理工程を行うことによって、密着性を向上させる方法も提案されている(例えば、特許文献4参照。)。   Moreover, the method of improving adhesiveness is also proposed by performing the surface treatment process made to contact the alkaline solution containing the nonionic surfactant which has a polyoxyethylene bond (for example, refer patent document 4). .

また、絶縁樹脂基材の表面に、紫外線照射によって表面改質した後、アミノ系官能基を有するシランカップリング剤を吸着させ、スズ−パラジウム系触媒の付与を促進させることにより、絶縁樹脂基材上に無電解メッキにより形成された金属膜の密着性を向上させる方法も提案されている(例えば、特許文献5参照。)。
特開2002−57456号公報 特開平6−87964号公報 特開平8−253869号公報 特開平10−88361号公報 特開平10−310873号公報
In addition, after the surface modification of the insulating resin substrate by ultraviolet irradiation, the silane coupling agent having an amino-based functional group is adsorbed to promote the application of the tin-palladium catalyst. A method for improving the adhesion of a metal film formed thereon by electroless plating has also been proposed (see, for example, Patent Document 5).
JP 2002-57456 A JP-A-6-87964 JP-A-8-253869 JP-A-10-88361 JP-A-10-310873

粗面化処理によって凹凸面が形成された電気的絶縁層の表面の凹部に導体が充填されることにより、アンカー作用によって配線パターンが電気的絶縁層に密着される。しかし、電気的絶縁層の表面の凹凸が大きくなると配線層をエッチングして配線パターンを形成する際に、表面の凹凸がパターン形成の精度に悪影響を及ぼし、極めて微細な配線パターンを精度良く形成することができないという問題があった。従来の粗面化処理の場合の表面粗度はRmax4〜5μm程度となる。ちなみに特許文献1,3には、この表面粗度を改良し、Rmax1μm以下にする技術が記載されている。 When the conductor is filled in the concave portion on the surface of the electrical insulating layer on which the uneven surface is formed by the roughening treatment, the wiring pattern is brought into close contact with the electrical insulating layer by the anchor action. However, when the unevenness on the surface of the electrical insulating layer becomes large, when forming the wiring pattern by etching the wiring layer, the unevenness on the surface adversely affects the accuracy of pattern formation and forms an extremely fine wiring pattern with high accuracy. There was a problem that I could not. The surface roughness in the case of the conventional roughening treatment is about R max 4 to 5 μm. Incidentally, Patent Documents 1 and 3 describe techniques for improving the surface roughness so that R max is 1 μm or less.

また、電気的絶縁層の表面粗度が大きくなると、配線基板の電気的特性の1つである高周波信号の伝送損失が大きくなるという問題もあった。更に、電気的絶縁層の表面粗度が大きくなると、耐マイグレーション性が低下するという問題もあった。従って、電気的絶縁層の表面粗度はできるだけ小さくすることが必要で、しかも電気的絶縁層と配線層との密着性を向上させ得る技術が求められており、このような技術としては、先に示したように、絶縁樹脂基材の表面にプラズマ処理、イオンビーム照射、紫外線照射を施す方法が知られている。プラズマ処理や紫外線処理によって、−OH基と−NH基が生成されることが無電解メッキの密着性の向上に寄与していると考えられている。これらの官能基を有効に発生させるために、絶縁樹脂基材の組成についても配慮が必要であるが、そうすると樹脂設計が制限されるという問題もある。   In addition, when the surface roughness of the electrical insulating layer increases, there is a problem in that transmission loss of high-frequency signals, which is one of the electrical characteristics of the wiring board, increases. Furthermore, when the surface roughness of the electrically insulating layer is increased, there is a problem that the migration resistance is lowered. Therefore, it is necessary to reduce the surface roughness of the electrical insulation layer as much as possible, and there is a need for a technique that can improve the adhesion between the electrical insulation layer and the wiring layer. As shown in the above, there is known a method of subjecting the surface of an insulating resin substrate to plasma treatment, ion beam irradiation, and ultraviolet irradiation. It is considered that the generation of —OH groups and —NH groups by plasma treatment or ultraviolet treatment contributes to the improvement of the adhesion of electroless plating. In order to generate these functional groups effectively, it is necessary to consider the composition of the insulating resin base material, but there is also a problem that the resin design is limited.

これらの手法は、絶縁樹脂基材表面をエッチングして粗面化処理を施していることが前提となっており、このエッチング処理は、一般にクロム酸・硫酸混合液、重クロム酸・硫酸混合液、塩素酸、硫酸・過塩素酸混合液等の強酸化性のエッチング処理液に絶縁樹脂基材を浸漬して行われる。しかし、このエッチング処理液は危険性、公害性の高い薬液であるため、その取り扱いや、排出処理に対しては十分な注意が必要であり、金属膜形成におけるメッキ処理工程の中では、作業管理面で負担が大きい。更にエッチングによる樹脂表面の粗面化をより行い易くするために、樹脂中にエッチングされやすい成分を一部混合させる等の配慮が必要であり、そのために樹脂硬化物の特性に制限が加えられてしまうという問題もある。この他にも絶縁樹脂基材表面の改質を促進するための処理剤を通常の処理液とは別に用意する必要があり、処理工程数が増加し、処理コストがかかるという問題がある。更に紫外線照射やプラズマ処理装置を設置しなければならず、設備コストを増大させる要因となり、安価な製品を供給するためには大きな障害となっている。   These methods are based on the premise that the surface of the insulating resin base material is etched and roughened, and this etching process is generally performed using a chromic acid / sulfuric acid mixed solution or a dichromic acid / sulfuric acid mixed solution. The insulating resin substrate is immersed in a strong oxidizing etching solution such as chloric acid, sulfuric acid / perchloric acid mixed solution, or the like. However, since this etchant is a chemical solution with high danger and pollution, it is necessary to pay careful attention to its handling and discharge treatment. In the plating process in metal film formation, work management is required. The burden is large. Furthermore, in order to make it easier to roughen the resin surface by etching, it is necessary to consider such as mixing some components that are easily etched into the resin, which limits the properties of the cured resin. There is also a problem of end. In addition to this, it is necessary to prepare a treatment agent for promoting the modification of the surface of the insulating resin base material separately from the normal treatment liquid, and there is a problem that the number of treatment steps is increased and the treatment cost is increased. Furthermore, it is necessary to install an ultraviolet ray irradiation and a plasma processing apparatus, which causes an increase in equipment cost, and is a great obstacle for supplying inexpensive products.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、主として、メッキ回路層の絶縁樹脂基材に対する密着性を高く得ることができる部品内蔵モジュールを提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above, primarily, it is an object to provide a parts products built-in module that can be obtained high adhesion to the insulating resin base material of the plating circuit layer .

より詳しくは、本発明は、パターンメッキによりステンレス基材に微細な回路を形成し、その回路のみを絶縁樹脂基材に転写して、回路基板を形成する技術を提供するものであり、エッチングにより回路を形成する必要がなく、非常にファインな回路形成が可能であると共に、絶縁樹脂基板に埋め込まれる側の回路表面は、非常に粗度が小さく、高周波回路として非常に優れた特性を有する。また、ステンレス基材は、メッキ回路層に部品を実装することができるだけの十分な耐熱性を有しているので、リフロー処理等により変形等が起きず、回路及び部品の位置精度が極めて安定している回路基板を作製でき、しかも回路支持体(ステンレス基材)は転写後に剥離して製品から除去されるので、従来のようなインターポーザが不要となり、非常に薄い多層回路基板を作製することができるものである。   More specifically, the present invention provides a technique for forming a circuit board by forming a fine circuit on a stainless steel substrate by pattern plating, transferring only the circuit to an insulating resin substrate, and performing etching. There is no need to form a circuit, and a very fine circuit can be formed. The circuit surface on the side embedded in the insulating resin substrate has a very small roughness and has very excellent characteristics as a high-frequency circuit. In addition, the stainless steel substrate has sufficient heat resistance to mount components on the plated circuit layer, so that deformation and the like do not occur due to reflow processing, etc., and the positional accuracy of the circuit and components is extremely stable. The circuit substrate (stainless steel base) is peeled off after the transfer and removed from the product, eliminating the need for a conventional interposer and making a very thin multilayer circuit board. It can be done.

本発明の請求項1に係る部品内蔵モジュールは、ステンレス基材1の表面に付着させた金属粒子2を核にしてメッキを施すことによってメッキ回路層3が形成されたメッキ回路層付きステンレス転写基材4であって、前記金属粒子2は、ステンレス基材1を構成する鉄イオンと金属粒子2の金属イオンとの置換反応によって、ステンレス基材1の表面を粗化した粗化面に析出させて付着されたものであり、前記メッキ回路層3が、配線パターン状に順次に積層され、1種又は複数種のメッキ種からなる複数のメッキ層5で構成されていると共に、隣り合うメッキ層5のうちステンレス基材1に近いメッキ層5の幅よりもステンレス基材1から遠いメッキ層5の幅の方が広くなる構造を前記メッキ回路層3が有しているメッキ回路層付きステンレス転写基材4を用いることを特徴とする。そして、前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3に部品8を実装すると共にメッキ回路層3及び部品8を絶縁樹脂基材6に重ねて熱圧着成形した後に、ステンレス基材1を剥離することによって、絶縁樹脂基材6にメッキ回路層3を転写すると共に部品8を埋入して成ることを特徴とする部品内蔵モジュールであるThe component built-in module according to claim 1 of the present invention is a stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer in which a plated circuit layer 3 is formed by plating using metal particles 2 attached to the surface of a stainless steel substrate 1 as a core. In the material 4, the metal particles 2 are deposited on the roughened surface obtained by roughening the surface of the stainless steel substrate 1 by a substitution reaction between the iron ions constituting the stainless steel substrate 1 and the metal ions of the metal particles 2. The plating circuit layer 3 is sequentially laminated in a wiring pattern, and is composed of a plurality of plating layers 5 made of one or more types of plating, and adjacent plating layers 5 farther plating layer 5 of the plating circuit layer 3 is being plated with a circuit layer stent which has a wide become structure towards the width from stainless steel substrate 1 than the width of the near-plated layer 5 on the stainless steel substrate 1 of Characterized by using the scan transfer substrate 4. The component 8 is mounted on the plated circuit layer 3 of the stainless steel transfer substrate 4 with the plated circuit layer, and the plated circuit layer 3 and the component 8 are stacked on the insulating resin substrate 6 and thermocompression-molded. The component built-in module is formed by transferring the plated circuit layer 3 to the insulating resin substrate 6 and embedding the component 8 by peeling off the substrate .

請求項2に係る発明は、請求項1において、メッキ回路層3を構成する複数のメッキ層5のうちステンレス基材1から最も遠いメッキ層5が半田メッキで形成されていることを特徴とするものである。   The invention according to claim 2 is characterized in that, in claim 1, the plating layer 5 farthest from the stainless steel substrate 1 among the plurality of plating layers 5 constituting the plating circuit layer 3 is formed by solder plating. Is.

請求項3に係る発明は、請求項1又は2において、メッキ回路層3の表面が粗化処理されていることを特徴とするものである。   The invention according to claim 3 is characterized in that, in claim 1 or 2, the surface of the plated circuit layer 3 is roughened.

本発明の請求項1に係る部品内蔵モジュールによれば、メッキ回路層付きステンレス転写基材を絶縁樹脂基材に重ねて熱圧着成形する場合に、メッキ回路層を構成する複数のメッキ層のうち一部のメッキ層の端部が絶縁樹脂基材の中により深く食い込むので、メッキ回路層の絶縁樹脂基材に対する密着性を高く得ることができるものである。特に、メッキ回路層で微細な配線パターンを形成する場合であっても、このような配線パターンの絶縁樹脂基材に対する密着性を高く得ることができるものである。そして、メッキ回路層が絶縁樹脂基材に転写されて埋入されることによって、メッキ回路層の絶縁樹脂基材に対する密着性を高く得ることができるものである。また、部品を実装したメッキ回路層が絶縁樹脂基材に転写されて埋入されることによって、回路基板の表面が平坦となるので、このような回路基板を複数用いて多層化すれば、部品を内蔵した多層回路基板を容易に得ることができると共に、多層回路基板の厚みの安定化を図ることができるものである。 According to the component built-in module according to claim 1 of the present invention, when a stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer is laminated on an insulating resin substrate and thermocompression-molded, among the plurality of plated layers constituting the plated circuit layer Since the end portion of some of the plating layers penetrates deeper into the insulating resin base material, it is possible to obtain high adhesion of the plated circuit layer to the insulating resin base material. In particular, even when a fine wiring pattern is formed with a plated circuit layer, high adhesion of such a wiring pattern to an insulating resin substrate can be obtained. Then, when the plated circuit layer is transferred and embedded in the insulating resin base material, the adhesiveness of the plated circuit layer to the insulating resin base material can be increased. In addition, the surface of the circuit board is flattened by transferring and embedding the plated circuit layer on which the part is mounted on the insulating resin base material. Can be easily obtained, and the thickness of the multilayer circuit board can be stabilized.

請求項2に係る発明によれば、半田リフロー(リフローソルダリング)によって、ステンレス基材から最も遠いメッキ層、つまりメッキ回路層の最外層に容易に部品を実装することができるものである。   According to the second aspect of the present invention, components can be easily mounted on the plating layer farthest from the stainless steel substrate, that is, the outermost layer of the plating circuit layer, by solder reflow (reflow soldering).

請求項3に係る発明によれば、メッキ回路層の絶縁樹脂基材に対する密着性をさらに高く得ることができるものである。   According to the invention which concerns on Claim 3, the adhesiveness with respect to the insulating resin base material of a plating circuit layer can be obtained still higher.

以下、本発明の実施の形態を説明する。   Embodiments of the present invention will be described below.

本発明に用いるメッキ回路層付きステンレス転写基材は、ステンレス基材1に金属粒子2を付着させることによってステンレス転写基材21を製造した後、このステンレス転写基材21を用いて製造することができるので、まずこのステンレス転写基材21について説明する。 The stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer used in the present invention can be manufactured using the stainless steel transfer substrate 21 after the stainless steel transfer substrate 21 is manufactured by attaching the metal particles 2 to the stainless steel substrate 1. First, the stainless steel transfer substrate 21 will be described.

図8はステンレス転写基材21の一例を示すものであり、これは、ステンレス基材1の片面又は両面にメッキの核となる金属粒子2を0.05〜5mg/m付着させることによって製造することができる。 FIG. 8 shows an example of the stainless steel transfer base material 21, which is produced by attaching 0.05 to 5 mg / m 2 of metal particles 2 serving as the core of plating on one or both surfaces of the stainless steel base material 1. can do.

ステンレス基材1としては適宜のものが用いられるが、特に表面粗化処理を施す場合に粗化容易となるようにするためには、好ましくはクロム含有率が10〜20質量%、ニッケル含有率が0〜15質量%のものを用いるものである。このようなステンレス基材1としては、例えば、SUS301、SUS304等が挙げられる。これらの組成のステンレス材は汎用されて入手容易であるため、製造コスト削減が可能である。これら以外の材質でも表面粗化は可能であるが、粗化処理のためのエッチング液の濃度管理等が難しくなる。   An appropriate material is used as the stainless steel substrate 1, but in order to facilitate the roughening particularly when the surface roughening treatment is performed, the chromium content is preferably 10 to 20% by mass and the nickel content. Is 0 to 15% by mass. Examples of such a stainless steel substrate 1 include SUS301 and SUS304. Since stainless materials having these compositions are widely used and easily available, manufacturing costs can be reduced. Surface roughening is possible with materials other than these, but it becomes difficult to control the concentration of the etching solution for the roughening treatment.

ステンレス基材1の厚みは20〜200μmであることが好ましい。このように、ステンレス基材1の厚みが200μm以下と薄いことによって、このステンレス基材1を絶縁樹脂基材6に重ねて熱圧着成形した後に剥離する場合に、絶縁樹脂基材6にクラック等が発生するのを防止することができ、剥離性を向上させることができるものである。また、上記ステンレス基材1にメッキ回路層3を形成し、このメッキ回路層3に部品8を実装する場合には、バンプ実装、ワイヤーボンディング、リフロー半田等のように加熱処理が必要とされるが、上記ステンレス基材1は厚みが200μm以下と薄いものであるので、容易に熱を上昇させることができ、部品8の実装を迅速かつ確実に行うことができるものである。しかし、ステンレス基材1の厚みが200μmより厚いと、上記のような効果を十分に得ることができないおそれがある。なお、絶縁樹脂基材6がフレキシブル性を有している場合、あるいは加工上の制限によりステンレス基材1に十分な剛直性が必要とされる場合などには、厚みが200μmを超えるようなものを用いてもよい。また、厚みが20μmより薄いステンレス基材1を入手するのは困難であると共に、取扱いが難しく、特に部品8を実装する場合のリフロー工程で腰折れ等の問題が生じやすい。   The thickness of the stainless steel substrate 1 is preferably 20 to 200 μm. Thus, when the thickness of the stainless steel substrate 1 is as thin as 200 μm or less, the stainless steel substrate 1 is cracked in the insulating resin substrate 6 when it is peeled off after being thermocompression-molded on the insulating resin substrate 6. Can be prevented and the peelability can be improved. Further, when the plated circuit layer 3 is formed on the stainless steel substrate 1 and the component 8 is mounted on the plated circuit layer 3, heat treatment such as bump mounting, wire bonding, and reflow soldering is required. However, since the stainless steel substrate 1 is as thin as 200 μm or less, heat can be easily raised, and the component 8 can be mounted quickly and reliably. However, if the thickness of the stainless steel substrate 1 is greater than 200 μm, the above effects may not be sufficiently obtained. When the insulating resin substrate 6 has flexibility, or when the stainless steel substrate 1 requires sufficient rigidity due to processing limitations, the thickness exceeds 200 μm. May be used. In addition, it is difficult to obtain the stainless steel substrate 1 having a thickness of less than 20 μm and it is difficult to handle, and problems such as hip breakage tend to occur particularly in the reflow process when the component 8 is mounted.

ステンレス基材1に金属粒子2を付着させるにあたっては、前記金属粒子2の金属イオンを含有するエッチング液を用いて、ステンレス基材1をエッチング処理することによって行うことができる。これにより、ステンレス基材1の表面が図8に示すように非常に微細に粗化されながら、前記金属イオンと、ステンレス基材1を構成する鉄のイオンとが置換すると共に、前記金属イオンの金属がステンレス基材1の粗化面に複雑に析出するものである。   The metal particles 2 can be attached to the stainless steel substrate 1 by etching the stainless steel substrate 1 using an etching solution containing metal ions of the metal particles 2. Thus, while the surface of the stainless steel substrate 1 is very finely roughened as shown in FIG. 8, the metal ions and the iron ions constituting the stainless steel substrate 1 are replaced, and the metal ions Metal is deposited in a complicated manner on the roughened surface of the stainless steel substrate 1.

このように、エッチング液を用いてステンレス基材1の表面を処理することにより、ステンレス基材1の表面に粗化処理を施すと同時に、この表面に金属粒子2を付着させることができるものである。このとき、エッチング液としては、鉄イオンと、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンとを含むエッチング液を用いて、ステンレス基材1の表面を処理することにより、ステンレス基材1の表面に粗化処理を施すと同時に、この表面に鉄よりもイオン化傾向が小さい金属の粒子を付着させて、被処理面を形成することができる。   In this way, by treating the surface of the stainless steel substrate 1 with the etching solution, the surface of the stainless steel substrate 1 can be roughened and the metal particles 2 can be attached to the surface. is there. At this time, as the etching solution, the surface of the stainless steel substrate 1 is treated by using the etching solution containing iron ions and metal ions having a smaller ionization tendency than iron, so that the surface of the stainless steel substrate 1 is treated. Simultaneously with the roughening treatment, metal particles having a smaller ionization tendency than iron can be adhered to the surface to form a surface to be treated.

より具体的には、エッチング液としては、塩化第二鉄を含み、あるいは塩化第二鉄と塩化第一鉄とを含むことにより鉄イオンを含有させた強酸性エッチング液(塩化鉄エッチング液)に、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンを含有させたものを用いることが好ましく、また、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンとしては、銅イオン又はニッケルイオンを含有させることが好ましい。   More specifically, the etching solution contains ferric chloride or a strongly acidic etching solution (iron chloride etching solution) containing iron ions by containing ferric chloride and ferrous chloride. It is preferable to use a metal ion having a smaller ionization tendency than iron, and the metal ion having a smaller ionization tendency than iron preferably includes a copper ion or a nickel ion.

上記のように、金属粒子2の金属のイオン化傾向が、ステンレス基材1を構成する鉄のイオン化傾向より小さいと、ステンレス基材1の表面に金属粒子2を析出させて付着させる処理工程において、イオン化傾向の違いにより析出する金属粒子2を変えることができるものである。このように、一般に使われる塩化鉄エッチング液に鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンを含有させたエッチング液を用いることで、従来あるエッチング技術で粗化処理しただけでは得られない異種金属粒子2が付着した被処理面を得ることが可能となる。なお、鉄のイオン化傾向より小さい金属としては、銅やニッケルのほか、スズ等を挙げることができる。   As described above, when the metal ionization tendency of the metal particles 2 is smaller than the iron ionization tendency of the stainless steel substrate 1, the metal particles 2 are deposited on the surface of the stainless steel substrate 1. The deposited metal particles 2 can be changed depending on the difference in ionization tendency. In this way, dissimilar metal particles that cannot be obtained simply by roughening with conventional etching technology by using an etching solution containing metal ions that are less ionized than iron in a commonly used iron chloride etching solution It is possible to obtain a surface to be processed to which 2 is attached. In addition, as a metal smaller than the ionization tendency of iron, tin etc. can be mentioned besides copper and nickel.

また、上記のように特に、金属粒子2が、銅とニッケルのうちの少なくともいずれかの粒子であると、メッキ密着性に優れたステンレス転写基材21を最も安価に製造することができるものである。   In particular, as described above, when the metal particles 2 are particles of at least one of copper and nickel, it is possible to manufacture the stainless steel transfer substrate 21 having excellent plating adhesion at the lowest cost. is there.

ここで、通常のステンレス基材1等の穴あけ加工にはある程度以上の酸化還元電位を有するエッチング液を用いてサイドエッチングの少ない加工を行うが、ステンレス基材1の表面にメッキの核となる金属粒子2を付着させる場合には、通常のステンレス加工よりも低い酸化還元電位(例えば、475〜550mV)を有するエッチング液で処理を行うことが好ましい。また、一般的にはステンレス基材1のエッチングに使用される処理液には、酸や安定剤といったものが混合されて処理効率の向上が図られているが、これと同様に処理を行うことも可能である。   Here, in the drilling of the normal stainless steel base material 1 or the like, processing with less side etching is performed using an etching solution having a redox potential of a certain level or more. When the particles 2 are attached, it is preferable to perform the treatment with an etching solution having a lower oxidation-reduction potential (for example, 475 to 550 mV) than that of normal stainless steel processing. In general, the processing liquid used for etching the stainless steel substrate 1 is mixed with an acid or a stabilizer to improve the processing efficiency. Is also possible.

そして、本発明においては、メッキの核となる金属粒子2の付着量を0.05〜5mg/mに設定するのが好ましいが、このように設定することによって、良好な転写性を確保しつつ、通常はメッキが付きにくいステンレス基材1へのメッキ密着性を向上させることができるものである。よって、微細な配線パターンを絶縁樹脂基材6に転写して精度良く形成することができるものである。 In the present invention, it is preferable to set the adhesion amount of the metal particles 2 serving as the core of the plating to 0.05 to 5 mg / m 2. By setting in this way, good transferability is ensured. On the other hand, it is possible to improve the plating adhesion to the stainless steel substrate 1 which is usually difficult to be plated. Therefore, a fine wiring pattern can be transferred to the insulating resin substrate 6 and formed with high accuracy.

より詳しくは、図8に示すように粗化されたステンレス基材1の表面に金属粒子2が複雑に絡み合って析出しており、この金属粒子2がメッキの核となって、通常メッキが付きにくいステンレス基材1へのメッキ密着性を向上させることができる。メッキが剥れないようにするためには、この金属粒子2の付着量を増加させればよいが、転写性を得るために、ある範囲の付着量で管理しなければならない。つまり、金属粒子2の付着量が0.05〜5mg/mの範囲である場合に、メッキ回路層3とステンレス基材1とのピール強度が100〜500g/cm(98.1〜490N/m)程度となり、メッキ密着性と転写性とのバランスが最も良く保たれると共に、加熱されても不用意にメッキ回路層3が脱落せず、耐熱性も良好となるものである。なお、図8に示すものではステンレス基材1の片面に粗化面を形成して金属粒子2を付着させているが、ステンレス基材1の両面に粗化面を形成して金属粒子2を付着させてもよい。 More specifically, as shown in FIG. 8, metal particles 2 are complicatedly entangled and deposited on the surface of the roughened stainless steel substrate 1, and the metal particles 2 serve as the core of plating and are usually plated. It is possible to improve the plating adhesion to the difficult stainless steel substrate 1. In order to prevent the plating from being peeled off, the adhesion amount of the metal particles 2 may be increased. However, in order to obtain transferability, the adhesion must be controlled within a certain range. That is, when the adhesion amount of the metal particles 2 is in the range of 0.05 to 5 mg / m 2 , the peel strength between the plated circuit layer 3 and the stainless steel substrate 1 is 100 to 500 g / cm (98.1 to 490 N / m), the best balance between plating adhesion and transferability is maintained, and even if heated, the plated circuit layer 3 does not drop carelessly and heat resistance is improved. In FIG. 8, the roughened surface is formed on one surface of the stainless steel substrate 1 and the metal particles 2 are attached. However, the roughened surface is formed on both surfaces of the stainless steel substrate 1 and the metal particles 2 are attached. It may be attached.

ここで、金属粒子2の付着量の調整は、エッチング液において金属粒子2の金属イオンの含有量をあらかじめ調整しておくことによって行うことができる。例えば、0.1〜5.0質量%の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液や、0.1〜5.0質量%のニッケルイオンを含有する塩化第二鉄溶液を用いることによって、金属粒子2の付着量を0.05〜5mg/mの範囲に設定することができるが、特にこれらに限定されるものではない。また、金属粒子2を付着させるためのエッチングの処理時間は15〜90秒間に設定することができる。ただし、処理液の濃度により、処理時間はこれに限定されるものではない。また、図8に示すようなステンレス転写基材21の表面に付着している金属粒子2の付着量は、ESCA等によって測定して確認することができる。 Here, adjustment of the adhesion amount of the metal particles 2 can be performed by adjusting in advance the content of metal ions of the metal particles 2 in the etching solution. For example, by using a ferric chloride solution containing 0.1 to 5.0 mass% copper ions or a ferric chloride solution containing 0.1 to 5.0 mass% nickel ions, Although the adhesion amount of the particle | grains 2 can be set to the range of 0.05-5 mg / m < 2 >, it is not specifically limited to these. Further, the etching processing time for attaching the metal particles 2 can be set to 15 to 90 seconds. However, the treatment time is not limited to this depending on the concentration of the treatment liquid. Moreover, the adhesion amount of the metal particles 2 adhering to the surface of the stainless steel transfer substrate 21 as shown in FIG. 8 can be confirmed by measuring with ESCA or the like.

なお、金属粒子2の付着量が0.05mg/mより少ないと、メッキ回路層3のステンレス基材1に対する密着性が低下し、メッキ回路層3を絶縁樹脂基材6に転写する前にメッキ回路層3がステンレス基材1から剥がれ落ちてしまうものである。また、半田リフロー処理でメッキ回路層3に部品8を実装する場合に剥離や膨れ等の発生につながる。逆に、金属粒子2の付着量が5mg/mより多いと、メッキ回路層3の絶縁樹脂基材6への転写性が低下するものである。すなわち、メッキ回路層3のステンレス基材1に対する密着性が高くなり過ぎて、メッキ回路層3がステンレス基材1から剥離しにくくなり、メッキ回路層3を絶縁樹脂基材6に転写できなくなるものである。 Incidentally, when the amount of deposition of the metal particles 2 is less than 0.05 mg / m 2, before the adhesion to stainless steel substrate 1 of the plating circuit layer 3 decreases, to transfer the plating circuit layer 3 in the insulating resin base material 6 The plated circuit layer 3 is peeled off from the stainless steel substrate 1. Further, when the component 8 is mounted on the plated circuit layer 3 by the solder reflow process, it leads to the occurrence of peeling or swelling. On the contrary, when the adhesion amount of the metal particles 2 is more than 5 mg / m 2 , the transferability of the plated circuit layer 3 to the insulating resin base material 6 is deteriorated. That is, the adhesion of the plated circuit layer 3 to the stainless steel substrate 1 becomes too high, and the plated circuit layer 3 becomes difficult to peel off from the stainless steel substrate 1 and the plated circuit layer 3 cannot be transferred to the insulating resin substrate 6. It is.

また、図8に示すステンレス転写基材21の被処理面は、表面粗度Raを1.0μm以下となるように形成することが好ましい。この表面粗度は、JIS B0601に基づき、カットオフ値λ=0.80mm、測定長さL=λ×5=4.0mmで測定することにより得られる。ここで、この表面粗度は小さければ小さいほど、その後の回路形成時の精度向上が期待できる。この粗度については、金属粒子2の析出速度との関係もあり、金属粒子2の析出量の最適化が必要である。この粗度が小さくなり過ぎた場合には、パターンメッキ等のレジストの密着性が悪化し、メッキ処理液等の強酸、強アルカリ雰囲気で、端部の剥離が発生し易くなり、ファインパターンの形成に問題が発生する可能性が出てくるので、注意が必要である。 Further, the surface to be processed of the stainless steel transfer substrate 21 shown in FIG. 8 is preferably formed so that the surface roughness Ra is 1.0 μm or less. This surface roughness is obtained by measuring with a cut-off value λ c = 0.80 mm and a measurement length L = λ c × 5 = 4.0 mm based on JIS B0601. Here, the smaller the surface roughness is, the higher the accuracy of the subsequent circuit formation can be expected. This roughness also has a relationship with the deposition rate of the metal particles 2, and the amount of deposition of the metal particles 2 needs to be optimized. If this roughness becomes too small, the adhesion of resist such as pattern plating deteriorates, and peeling of edges tends to occur in a strong acid or strong alkali atmosphere such as a plating solution, thereby forming a fine pattern. Because there is a possibility that a problem will occur, care should be taken.

さらに、エッチング液は、塩化第二鉄溶液に限定されるものではなく、塩化銅溶液等のようにステンレス基材1を粗化、エッチング可能な処理液であれば、自由に選択することができる。   Furthermore, the etching solution is not limited to a ferric chloride solution, and any etching solution that can roughen and etch the stainless steel substrate 1 such as a copper chloride solution can be selected freely. .

次に、メッキ回路層付きステンレス転写基材4について説明する。このメッキ回路層付きステンレス転写基材4は、上述したステンレス転写基材21を用いて、図1に示すようにして製造することができる。すなわち、図1(a)に示すステンレス転写基材21の被処理面(金属粒子2を付着させた面)に、メッキレジスト層10を形成した後、配線パターンを形成したフォトマスクフィルム(図示省略)を用いて露光した後、現像すると、図1(b)に示すように、メッキを行う部分のメッキレジスト層10が除去されてステンレス転写基材21の被処理面が露出すると共に、メッキを行わない部分のメッキレジスト層10(第1メッキレジスト層10a)が残る。そして、露出した被処理面の金属粒子2をメッキの核として、図1(c)に示すようにメッキを施すことによって第1メッキ層5aを形成する。引き続き、第1メッキレジスト層10aの表面にメッキレジスト層10を形成した後、配線パターンを形成したフォトマスクフィルム(図示省略)を用いて露光した後、現像すると、図1(d)に示すように、メッキを行う部分のメッキレジスト層10が除去されて第1メッキ層5aの表面が露出すると共に、メッキを行わない部分のメッキレジスト層10(第2メッキレジスト層10b)が残る。ここで、第2メッキレジスト層10bで被覆されていない部分は、第1メッキ層5aの露出面よりも広く形成してある。そして、露出している第1メッキ層5aの表面にメッキを施すことによって、図1(e)に示すように第2メッキ層5bを形成する。このとき、第2メッキ層5bが第2メッキレジスト層10bの表面を超えてキノコ状になってしまうと、パターン精度に悪影響を及ぼしてファイン回路の形成が困難となるおそれがあるので、第2メッキ層5bは第2メッキレジスト層10bの表面を超えないようにしてある。図1(e)に示すものにあっては、第2メッキ層5aの露出面と第2メッキレジスト層10bの表面とは面一となるようにしてある。また、第2メッキ層5bは、第1メッキ層5aと同一のメッキ種で形成してもよいし、第1メッキ層5aと異なるメッキ種で形成してもよい。その後、メッキレジスト層10(第1メッキレジスト層10a及び第2メッキレジスト層10b)を除去すると、図1(f)に示すようなメッキ回路層付きステンレス転写基材4を得ることができる。このメッキ回路層付きステンレス転写基材4においては、第1メッキ層5a及び第2メッキ層5bの2層で断面略T字状のメッキ回路層3が形成されている。なお、メッキとしては、電解銅メッキ等の電解メッキを施すことができる。また、メッキレジスト層10を除去した後に、メッキ回路層3間になお残渣成分が残っているような場合には、ソフトエッチング等により、前記残渣成分を洗浄して除去してもよい。   Next, the stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer will be described. The stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer can be manufactured as shown in FIG. 1 using the stainless steel transfer substrate 21 described above. That is, a photomask film (not shown) in which a wiring resist pattern is formed after the plating resist layer 10 is formed on the surface to be processed (the surface on which the metal particles 2 are attached) of the stainless transfer substrate 21 shown in FIG. ) And then developed, as shown in FIG. 1 (b), the plating resist layer 10 in the portion to be plated is removed, the surface to be processed of the stainless steel transfer substrate 21 is exposed, and plating is performed. A portion of the plating resist layer 10 (first plating resist layer 10a) that is not to be left remains. Then, using the exposed metal particles 2 on the surface to be processed as the core of plating, plating is performed as shown in FIG. Subsequently, after the plating resist layer 10 is formed on the surface of the first plating resist layer 10a, it is exposed using a photomask film (not shown) on which a wiring pattern is formed and then developed, as shown in FIG. 1 (d). In addition, the plating resist layer 10 where plating is performed is removed to expose the surface of the first plating layer 5a, and the plating resist layer 10 (second plating resist layer 10b) where plating is not performed remains. Here, the portion not covered with the second plating resist layer 10b is formed wider than the exposed surface of the first plating layer 5a. Then, by plating the exposed surface of the first plating layer 5a, the second plating layer 5b is formed as shown in FIG. At this time, if the second plating layer 5b becomes mushroom-like beyond the surface of the second plating resist layer 10b, the pattern accuracy may be adversely affected and it may be difficult to form a fine circuit. The plating layer 5b does not exceed the surface of the second plating resist layer 10b. In the case shown in FIG. 1E, the exposed surface of the second plating layer 5a is flush with the surface of the second plating resist layer 10b. The second plating layer 5b may be formed with the same plating type as the first plating layer 5a, or may be formed with a plating type different from that of the first plating layer 5a. Thereafter, when the plating resist layer 10 (the first plating resist layer 10a and the second plating resist layer 10b) is removed, a stainless steel transfer substrate 4 with a plating circuit layer as shown in FIG. 1 (f) can be obtained. In this stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer, a plated circuit layer 3 having a substantially T-shaped cross section is formed of two layers, a first plated layer 5a and a second plated layer 5b. In addition, as plating, electrolytic plating, such as electrolytic copper plating, can be performed. In addition, in the case where a residual component still remains between the plated circuit layers 3 after the plating resist layer 10 is removed, the residual component may be cleaned and removed by soft etching or the like.

本発明においてメッキ回路層3は、上述した図1(f)に示すものに限定されるものではなく、図2に示すようなものでもよい。図2に示すメッキ回路層3も、図1に示すものと同様に、メッキレジスト層10の形成及びメッキ層5の形成を繰り返し行うことによって形成されるものである。図2(a)に示すメッキ回路層3は、図1(f)に示すものと同様に断面略T字状であるが、第1〜第3メッキ層5a,5b,5cの3層で構成されている。また、図2(b)に示すメッキ回路層3も、第1〜第3メッキ層5a,5b,5cの3層で構成されているが、これは断面略横H字状に形成されている。さらに、図2(c)に示すメッキ回路層3も、第1〜第3メッキ層5a,5b,5cの3層で構成されているが、これは断面略十字状に形成されている。そして、各メッキ層5を形成するメッキ種は特に限定されない。例えば、図2に示すものの場合、第1メッキ層5aを銅メッキで、第2メッキ層5bをニッケルメッキで、第3メッキ層5cを金メッキで形成することができる。この場合、最外層である第3メッキ層5cが金メッキで形成されているので、後に金ワイヤー18による接続を容易に行うことができ、また、第1〜第3メッキ層5a,5b,5cのすべてを金メッキで形成する必要はなく、最外層である第3メッキ層5cのみを金メッキで形成すればよいので、コスト削減につながるものである。また、メッキ回路層3を構成するメッキ層5の層数は4層以上であってもよい。   In the present invention, the plated circuit layer 3 is not limited to that shown in FIG. 1 (f) described above, and may be as shown in FIG. The plating circuit layer 3 shown in FIG. 2 is also formed by repeatedly forming the plating resist layer 10 and the plating layer 5 in the same manner as shown in FIG. The plated circuit layer 3 shown in FIG. 2 (a) has a substantially T-shaped cross section similar to that shown in FIG. 1 (f), but is composed of three layers of first to third plated layers 5a, 5b, 5c. Has been. The plated circuit layer 3 shown in FIG. 2 (b) is also composed of three layers of first to third plated layers 5a, 5b, and 5c, which are formed in a substantially horizontal H-shaped cross section. . Further, the plated circuit layer 3 shown in FIG. 2C is also composed of three layers of first to third plated layers 5a, 5b, and 5c, which are formed in a cross-like cross section. And the plating seed | species which forms each plating layer 5 is not specifically limited. For example, in the case shown in FIG. 2, the first plating layer 5a can be formed by copper plating, the second plating layer 5b can be formed by nickel plating, and the third plating layer 5c can be formed by gold plating. In this case, since the third plating layer 5c, which is the outermost layer, is formed by gold plating, it can be easily connected later by the gold wire 18, and the first to third plating layers 5a, 5b, 5c It is not necessary to form all of them with gold plating, and only the third plating layer 5c, which is the outermost layer, needs to be formed with gold plating, leading to cost reduction. Further, the number of plating layers 5 constituting the plating circuit layer 3 may be four or more.

図3はメッキ回路層3の他の一例を示すものであり、これは次のようにして形成されている。まず、メッキレジスト層10の形成及びメッキ層5の形成を行うことによって、図3(a)に示すように、第1〜第3メッキ層5a,5b,5cを同一幅で積層する。そして、第2メッキ層5bのみが選択的にエッチングされるような処理液を用いてエッチングをすると、図3(b)に示すような断面略横H字状のメッキ回路層3を得ることができる。具体的には、例えば、第1,第3メッキ層5a,5cをニッケルメッキで形成し、第2メッキ層5bを銅メッキで形成する場合には、銅メッキのみを選択的にエッチングすることができる処理液を用いてエッチングを行うようにすればよい。   FIG. 3 shows another example of the plated circuit layer 3, which is formed as follows. First, by forming the plating resist layer 10 and the plating layer 5, the first to third plating layers 5a, 5b, and 5c are stacked with the same width as shown in FIG. Then, when etching is performed using a processing solution that selectively etches only the second plating layer 5b, a plating circuit layer 3 having a substantially horizontal H-shaped cross section as shown in FIG. 3B can be obtained. it can. Specifically, for example, when the first and third plating layers 5a and 5c are formed by nickel plating and the second plating layer 5b is formed by copper plating, only the copper plating can be selectively etched. Etching may be performed using a processing solution that can be used.

以上のように、本発明においては、メッキ回路層3は、1種又は複数種のメッキ種からなる複数のメッキ層5で構成されている。さらに、隣り合うメッキ層5のうちステンレス基材1に近いメッキ層5の幅よりもステンレス基材1から遠いメッキ層5の幅の方が広くなる構造を前記メッキ回路層3は有している。この点を図2を参照しながら詳細に説明する。図2(a)に示すものでは、第1,第2メッキ層5a,5bが隣り合っており、また、第2,第3メッキ層5b,5cが隣り合っているが、このうち第1,第2メッキ層5a,5bに着目すると、ステンレス基材1に近いメッキ層5(第1メッキ層5a)の幅よりもステンレス基材1から遠いメッキ層5(第2メッキ層5b)の幅の方が広くなっている。また、図2(b)に示すものでは、第2,第3メッキ層5b,5cに着目すると、ステンレス基材1に近いメッキ層5(第2メッキ層5b)の幅よりもステンレス基材1から遠いメッキ層5(第3メッキ層5c)の幅の方が広くなっている。また、図2(c)に示すものでは、第1,第2メッキ層5a,5bに着目すると、ステンレス基材1に近いメッキ層5(第1メッキ層5a)の幅よりもステンレス基材1から遠いメッキ層5(第2メッキ層5b)の幅の方が広くなっている。なお、図3(b)に示すものは、図2(b)に示すものと同様である。   As described above, in the present invention, the plating circuit layer 3 is composed of a plurality of plating layers 5 made of one type or a plurality of types of plating. Furthermore, the plating circuit layer 3 has a structure in which the width of the plating layer 5 far from the stainless steel substrate 1 is wider than the width of the plating layer 5 near the stainless steel substrate 1 among the adjacent plating layers 5. . This point will be described in detail with reference to FIG. In the structure shown in FIG. 2A, the first and second plating layers 5a and 5b are adjacent to each other, and the second and third plating layers 5b and 5c are adjacent to each other. Focusing on the second plating layers 5a and 5b, the width of the plating layer 5 (second plating layer 5b) farther from the stainless steel substrate 1 than the width of the plating layer 5 (first plating layer 5a) close to the stainless steel substrate 1 is used. Is wider. Further, in the case shown in FIG. 2B, focusing on the second and third plating layers 5b and 5c, the stainless steel substrate 1 is larger than the width of the plating layer 5 (second plating layer 5b) close to the stainless steel substrate 1. The width of the plating layer 5 (third plating layer 5c) far from the center is wider. Further, in the case shown in FIG. 2C, when focusing on the first and second plating layers 5 a and 5 b, the stainless steel substrate 1 is larger than the width of the plating layer 5 (first plating layer 5 a) close to the stainless steel substrate 1. The width of the plating layer 5 (second plating layer 5b) far from the center is wider. Note that what is shown in FIG. 3B is the same as that shown in FIG.

そして、上記のような構造を有するメッキ回路層3が形成されたメッキ回路層付きステンレス転写基材4によれば、回路基板7や部品内蔵モジュール9(いずれも後述)を製造するにあたって絶縁樹脂基材6に重ねて熱圧着成形する場合に、メッキ回路層3を構成する複数のメッキ層5のうち一部のメッキ層5の端部が絶縁樹脂基材6の中により深く食い込むので、メッキ回路層3の絶縁樹脂基材6に対する密着性を高く得ることができるものである。図2に示すものを例に挙げると、図2(a)では第2,第3メッキ層5b,5cの端部が絶縁樹脂基材6の中により深く食い込み、また、図2(b)では第3メッキ層5cの端部が絶縁樹脂基材6の中により深く食い込み、また、図2(c)では第2メッキ層5bの端部が絶縁樹脂基材6の中により深く食い込むので、いずれのメッキ回路層3についても引き抜き強度を向上させることができるものである。そして特に、このようなメッキ回路層3で微細な配線パターンを形成する場合であっても、配線パターンの絶縁樹脂基材6に対する密着性を高く得ることができるものである。また、メッキ回路層3を形成するにあたってステンレス基材1の表面にはあらかじめ所定量の金属粒子2が付着されていることによって、優れた転写性及びメッキ密着性を得ることができるものである。よって、メッキ回路層付きステンレス基材4をそのまま絶縁樹脂基材6に重ねて熱圧着成形した後にステンレス基材1を剥離すれば、容易に回路基板7を得ることができるものであり、また、部品8を実装したメッキ回路層付きステンレス転写基材4を絶縁樹脂基材6に重ねて熱圧着成形した後にステンレス基材1を剥離すれば、容易に部品内蔵モジュール9を得ることができるものである。また、図1(a)〜(f)に示す回路形成の過程においては、エッチングを行っていないので、メッキ回路層3によって微細な配線パターンを精度良く形成することができるものである。   And according to the stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer on which the plated circuit layer 3 having the above structure is formed, an insulating resin base is used in manufacturing the circuit board 7 and the component built-in module 9 (both described later). When thermocompression molding is performed over the material 6, the end of some of the plating layers 5 of the plurality of plating layers 5 constituting the plating circuit layer 3 penetrates deeper into the insulating resin substrate 6. High adhesion of the layer 3 to the insulating resin substrate 6 can be obtained. Taking the example shown in FIG. 2 as an example, in FIG. 2A, the end portions of the second and third plating layers 5b, 5c bite deeper into the insulating resin substrate 6, and in FIG. 2B, The end portion of the third plating layer 5c bites deeper into the insulating resin base material 6, and in FIG. 2C, the end portion of the second plating layer 5b bites deeper into the insulating resin base material 6, With respect to the plated circuit layer 3, the pulling strength can be improved. In particular, even when a fine wiring pattern is formed with such a plated circuit layer 3, it is possible to obtain high adhesion of the wiring pattern to the insulating resin substrate 6. In addition, when the plated circuit layer 3 is formed, a predetermined amount of the metal particles 2 is attached to the surface of the stainless steel substrate 1 in advance, so that excellent transferability and plating adhesion can be obtained. Therefore, if the stainless steel substrate 1 is peeled off after the stainless steel substrate 4 with the plated circuit layer is directly laminated on the insulating resin substrate 6 and thermocompression-molded, the circuit board 7 can be easily obtained. If the stainless steel substrate 1 with a plated circuit layer on which the component 8 is mounted is superimposed on the insulating resin substrate 6 and thermocompression-molded, and then the stainless steel substrate 1 is peeled off, the component built-in module 9 can be easily obtained. is there. Further, since the etching is not performed in the circuit formation process shown in FIGS. 1A to 1F, a fine wiring pattern can be accurately formed by the plated circuit layer 3. FIG.

次に、回路基板7について説明する。この回路基板7は、上述したメッキ回路層付きステンレス転写基材4を用いて、図4に示すようにして製造することができる。すなわち、図4(a)(b)に示すように、メッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3を半硬化状態(Bステージ状態)の絶縁樹脂基材6に重ねて熱圧着成形(加熱加圧成形)した後に、ステンレス基材1を剥離することによって、絶縁樹脂基材6にメッキ回路層3を転写すると、図4(c)に示すような回路基板7を得ることができる。この後、回路基板7の表面をソフトエッチング等により洗浄すれば、さらに信頼性の高い回路基板7を得ることができる。なお、熱圧着成形は、成形後の絶縁樹脂基材6で形成される絶縁樹脂層がBステージ状態を維持する条件で行ったり、絶縁樹脂層がCステージ状態となる条件で行ったりすることができる。   Next, the circuit board 7 will be described. This circuit board 7 can be manufactured as shown in FIG. 4 using the above-described stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer. That is, as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), the plated circuit layer 3 of the stainless steel transfer substrate 4 with the plated circuit layer is laminated on the insulating resin substrate 6 in a semi-cured state (B stage state) and thermocompression-molded. When the plated circuit layer 3 is transferred to the insulating resin base material 6 by peeling the stainless steel base material 1 after (heat-press molding), a circuit board 7 as shown in FIG. 4C can be obtained. . Thereafter, if the surface of the circuit board 7 is washed by soft etching or the like, the circuit board 7 with higher reliability can be obtained. The thermocompression molding may be performed under the condition that the insulating resin layer formed of the molded insulating resin base material 6 maintains the B stage state, or under the condition that the insulating resin layer is in the C stage state. it can.

ここで、絶縁樹脂基材6としては、例えば、エポキシ樹脂組成物等のような適宜の電気絶縁性の熱硬化性樹脂組成物や、熱可塑性樹脂組成物を用いて形成したものを用いることができる。具体的には、樹脂組成物をシート状に成形し、加熱乾燥して半硬化状態としたポリイミドフィルム等の樹脂シートや、また、ガラス織布や有機繊維シート等に樹脂組成物を含浸させ、加熱乾燥して半硬化状態としたプリプレグなどといった、Bステージ状態の電気絶縁性の樹脂組成物から構成されるシート材を用いることができる。絶縁樹脂基材6は、一枚のシート材にて形成したり、複数枚のシート材を積層一体化して形成したりすることができる。   Here, as the insulating resin base material 6, for example, an appropriate electrically insulating thermosetting resin composition such as an epoxy resin composition or a material formed using a thermoplastic resin composition may be used. it can. Specifically, the resin composition is molded into a sheet shape, heat-dried and resin sheet such as a polyimide film in a semi-cured state, or a glass woven fabric or an organic fiber sheet is impregnated with the resin composition, A sheet material composed of an electrically insulating resin composition in a B-stage state, such as a prepreg that has been heated and dried to be in a semi-cured state, can be used. The insulating resin substrate 6 can be formed of a single sheet material, or can be formed by laminating and integrating a plurality of sheet materials.

また、図4(a)に示すようにメッキ回路層付きステンレス転写基材4を絶縁樹脂基材6に重ねる前に、メッキ回路層3の表面を粗化処理しておいてもよい。これにより、メッキ回路層3の絶縁樹脂基材6に対する密着性をさらに高く得ることができるものである。なお、メッキ回路層3の表面の粗化処理は、例えば、黒化処理によって行うことができ、これによって粗化されたメッキ回路層3の粗度はRaで0.2〜0.3μm程度である。このように粗度が低いため、伝送ロスには悪影響を及ぼすものではない。   Further, as shown in FIG. 4A, the surface of the plated circuit layer 3 may be roughened before the stainless transfer substrate 4 with the plated circuit layer is overlaid on the insulating resin substrate 6. Thereby, the adhesiveness with respect to the insulating resin base material 6 of the plated circuit layer 3 can be obtained still higher. In addition, the roughening process of the surface of the plating circuit layer 3 can be performed by a blackening process, for example, and the roughness of the plating circuit layer 3 roughened by this is about 0.2-0.3 micrometer in Ra. is there. Since the roughness is low, transmission loss is not adversely affected.

ところで、通常使用されているステンレスプレートでは、非常に剛直な回路基板7であれば、剥離できるが、薄い回路基板7の場合は、回路基板7の方をめくりあげて剥離しなければならず、機械的応力により回路基板7に微細クラック等が発生する可能性があり、信頼性に問題が生じ易かったが、上述したようにステンレス基材1を厚み200μm以下の箔状にすることにより、ステンレス基材1をめくりあげることにより、非常にデリケートな回路基板7も微細クラック等を発生させずに簡単に剥離することが可能となる。このように剥離性の向上のためには、上述したようにステンレス基材1の厚みが20〜200μmの範囲であることが好ましく、この場合、ステンレス基材1を絶縁樹脂基材6から剥離する際に、ステンレス基材1を絶縁樹脂基材6からめくりあげて撓ませながら容易に剥離することができ、かつ、このとき絶縁樹脂基材6に対して過大な応力がかかることを抑制して、回路基板7の破損等を防止することができる。   By the way, with a stainless steel plate that is usually used, if it is a very rigid circuit board 7, it can be peeled off, but in the case of a thin circuit board 7, the circuit board 7 must be turned up and peeled off, There is a possibility that fine cracks or the like may occur in the circuit board 7 due to mechanical stress, and it is easy to cause a problem in reliability. However, as described above, by making the stainless steel substrate 1 into a foil shape having a thickness of 200 μm or less, stainless steel is formed. By turning up the base material 1, it is possible to easily peel off a very delicate circuit board 7 without generating fine cracks or the like. Thus, in order to improve peelability, it is preferable that the thickness of the stainless steel substrate 1 is in the range of 20 to 200 μm as described above. In this case, the stainless steel substrate 1 is peeled from the insulating resin substrate 6. In this case, the stainless steel base material 1 can be easily peeled off while being turned up from the insulating resin base material 6, and excessive stress is applied to the insulating resin base material 6 at this time. Further, it is possible to prevent the circuit board 7 from being damaged.

そして、図4(c)に示すような回路基板7によれば、メッキ回路層3が絶縁樹脂基材6に転写されて埋入されることによって、メッキ回路層3の絶縁樹脂基材6に対する密着性を高く得ることができるものである。そのため、図4(a)に示す段階において絶縁樹脂基材6の表面にあらかじめ粗面化処理(デスミア処理)を行っておく必要がなくなり、これにより、粗面化処理を行わないようにすれば、高周波信号の伝送損失が大きくなるのを防止することができると共に、耐マイグレーションの低下も防止することができるものである。また、メッキ回路層3が絶縁樹脂基材6の表面において露出するように転写されて埋入されることによって、メッキ回路層3の露出面と絶縁樹脂基材6の外面とが面一となって凹凸が無くなり、回路基板7の表面が平坦となるので、このような回路基板7をコア材として複数用いて、ビルドアップ工法等により多層化することによって多層回路基板を得る場合に、多層回路基板の厚みの安定化を図ることができるものである。   And according to the circuit board 7 as shown in FIG.4 (c), when the plating circuit layer 3 is transcribe | transferred and embedded at the insulating resin base material 6, with respect to the insulating resin base material 6 of the plating circuit layer 3 High adhesion can be obtained. Therefore, it is not necessary to perform a roughening process (desmearing process) on the surface of the insulating resin base 6 in advance at the stage shown in FIG. 4A, so that the roughening process is not performed. Thus, it is possible to prevent an increase in transmission loss of the high-frequency signal and to prevent a decrease in migration resistance. Further, the exposed surface of the plated circuit layer 3 and the outer surface of the insulating resin substrate 6 are flush with each other by being transferred and embedded so that the plated circuit layer 3 is exposed on the surface of the insulating resin substrate 6. When the multi-layer circuit board is obtained by using a plurality of such circuit boards 7 as a core material and multi-layering by a build-up method or the like, the surface of the circuit board 7 becomes flat. It is possible to stabilize the thickness of the substrate.

また、回路基板7は、両面にメッキ回路層3が形成されたメッキ回路層付きステンレス転写基材4を用いて、図5に示すようにして、一度に2枚製造することもできる。すなわち、図5(a)(b)に示すように、両面にメッキ回路層3が形成されたメッキ回路層付きステンレス転写基材4を2枚の半硬化状態の絶縁樹脂基材6で挟み込んで熱圧着成形した後に、2枚の絶縁樹脂基材6を剥離することによって、図5(c)に示すように、2枚の回路基板7を得ることができる。   In addition, two circuit boards 7 can be manufactured at a time as shown in FIG. 5 by using a stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer in which plated circuit layers 3 are formed on both sides. That is, as shown in FIGS. 5A and 5B, a stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer having a plated circuit layer 3 formed on both sides is sandwiched between two semi-cured insulating resin substrates 6. After the thermocompression molding, the two insulating resin base materials 6 are peeled off, whereby two circuit boards 7 can be obtained as shown in FIG.

次に、部品内蔵モジュール9について説明する。この部品内蔵モジュール9も、上述したメッキ回路層付きステンレス転写基材4を用いて、図6に示すようにして製造することができる。すなわち、まず図6(a)に示すように、メッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3に部品8を実装する。   Next, the component built-in module 9 will be described. This component built-in module 9 can also be manufactured as shown in FIG. 6 using the above-described stainless transfer substrate 4 with a plated circuit layer. That is, as shown in FIG. 6A, the component 8 is first mounted on the plated circuit layer 3 of the stainless transfer substrate 4 with the plated circuit layer.

部品8としては、チップ状抵抗体、チップ状コンデンサ、チップ状インダクタ等の受動部品を用いることができ、このような部品8を半田16にてメッキ回路層3に接続して実装することができる。ここで、メッキ回路層3を構成する複数のメッキ層5のうちステンレス基材1から最も遠いメッキ層5が半田メッキで形成されているのが好ましい。具体的には、例えば、図2(a)に示すメッキ回路層3にあっては、第3メッキ層5cを半田メッキで形成しておくのが好ましい。これにより、半田リフロー(リフローソルダリング)によって、ステンレス基材1から最も遠いメッキ層5、つまりメッキ回路層3の最外層に容易に部品8を実装することができるものである。
また、部品8としては、半導体ベアチップ等の能動部品を用いることもでき、このような部品8を図7(a)に示すように半田ボール等のバンプ17によりメッキ回路層3に接続して実装してもよい。さらに、図7(b)に示すように部品8を接着剤にてメッキ回路層3に接続すると共に、他のメッキ回路層3と部品8とを金ワイヤー18等でワイヤーボンディングして実装してもよい。
ところで、部品8の実装時に加熱を行う場合には、従来のものでは、部品8やメッキ回路層3がステンレス基材1から剥がれ落ちるおそれがあるが、本発明では、所定量の金属粒子2がステンレス基材1とメッキ回路層3との密着性を高めていることによって、加熱による部品8の実装時に部品8やメッキ回路層3の脱落を防止することができるものであり、しかも部品8やメッキ回路層3を絶縁樹脂基材6に転写して埋入した後には、ステンレス基材1のみを簡単に剥離することができるものである。また、部品8の実装時に加熱を行う場合に、ステンレス基材1が厚いと、熱が上昇しにくく、バンプ実装、ワイヤーボンディング、リフロー半田等に問題が生じ易いが、厚みが200μm以下のステンレス基材1を用いることにより、簡単に加熱することができ、全体的に均一な加熱処理が容易となる。
As the component 8, a passive component such as a chip-shaped resistor, a chip-shaped capacitor, or a chip-shaped inductor can be used, and such a component 8 can be connected to the plated circuit layer 3 with solder 16 and mounted. . Here, it is preferable that the plating layer 5 farthest from the stainless steel substrate 1 among the plurality of plating layers 5 constituting the plating circuit layer 3 is formed by solder plating. Specifically, for example, in the plated circuit layer 3 shown in FIG. 2A, the third plated layer 5c is preferably formed by solder plating. Thus, the component 8 can be easily mounted on the plating layer 5 farthest from the stainless steel substrate 1, that is, the outermost layer of the plating circuit layer 3 by solder reflow (reflow soldering).
Further, as the component 8, an active component such as a semiconductor bare chip can be used, and the component 8 is connected to the plated circuit layer 3 by a bump 17 such as a solder ball as shown in FIG. May be. Further, as shown in FIG. 7B, the component 8 is connected to the plated circuit layer 3 with an adhesive, and the other plated circuit layer 3 and the component 8 are mounted by wire bonding with a gold wire 18 or the like. Also good.
By the way, when heating is performed when the component 8 is mounted, the component 8 and the plated circuit layer 3 may be peeled off from the stainless steel substrate 1 in the conventional device. By improving the adhesion between the stainless steel substrate 1 and the plated circuit layer 3, the component 8 and the plated circuit layer 3 can be prevented from falling off when the component 8 is mounted by heating. After the plated circuit layer 3 is transferred and embedded in the insulating resin base material 6, only the stainless steel base material 1 can be easily peeled off. In addition, when heating is performed when the component 8 is mounted, if the stainless steel substrate 1 is thick, the heat does not easily rise, and problems such as bump mounting, wire bonding, reflow soldering, etc. are likely to occur. By using the material 1, it can be easily heated, and uniform heat treatment is facilitated as a whole.

そして、図6(a)(b)に示すように、部品8を実装したメッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3及び部品8を絶縁樹脂基材6に重ねて熱圧着成形した後に、ステンレス基材1を剥離することによって、絶縁樹脂基材6にメッキ回路層3を転写すると共に部品8を埋入すると、図6(c)に示すような部品内蔵モジュール9を得ることができる。   6 (a) and 6 (b), the plated circuit layer 3 and the component 8 of the stainless transfer substrate 4 with the plated circuit layer on which the component 8 is mounted are stacked on the insulating resin substrate 6 and thermocompression-molded. Later, by peeling the stainless steel substrate 1, the plated circuit layer 3 is transferred to the insulating resin substrate 6 and the component 8 is embedded, whereby a component built-in module 9 as shown in FIG. 6C can be obtained. it can.

このようにして製造される部品内蔵モジュール9にあっては、メッキ回路層3が絶縁樹脂基材6に転写されて埋入されることによって、メッキ回路層3の絶縁樹脂基材6に対する密着性を高く得ることができるものである。また、部品8を実装したメッキ回路層3が絶縁樹脂基材6において露出するように転写されて埋入されることによって、メッキ回路層3の露出面と絶縁樹脂基材6の外面とが面一となって凹凸が無くなり、部品内蔵モジュール9の表面が平坦となるので、このような部品内蔵モジュール9を複数用いて多層化すれば、部品8を内蔵した多層回路基板を容易に得ることができると共に、多層回路基板の厚みの安定化を図ることができるものである。また、部品8を内蔵しているので、従来のものに比べて、小型薄型化を図ることができるものである。   In the component built-in module 9 manufactured as described above, the plated circuit layer 3 is transferred to the insulating resin base material 6 and embedded, whereby the adhesion of the plated circuit layer 3 to the insulating resin base material 6 is achieved. Can be obtained high. Further, the plated circuit layer 3 on which the component 8 is mounted is transferred and embedded so as to be exposed in the insulating resin base material 6, so that the exposed surface of the plated circuit layer 3 and the outer surface of the insulating resin base material 6 face each other. Since the unevenness is eliminated and the surface of the component built-in module 9 becomes flat, a multilayer circuit board incorporating the component 8 can be easily obtained by using a plurality of such component built-in modules 9 to form a multilayer. In addition, the thickness of the multilayer circuit board can be stabilized. Further, since the component 8 is built in, it can be made smaller and thinner than the conventional one.

上述した回路基板7や部品内蔵モジュール9にあっては、レーザ加工やドリル加工等による穴あけ加工を施した後に、この穴内にホールメッキを施したり導電性ペーストを充填したりするなどしてスルーホールを形成することができる。   In the circuit board 7 and the component built-in module 9 described above, a hole is formed by laser processing, drilling, or the like, and then the hole is plated or filled with a conductive paste. Can be formed.

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。   Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.

参考例1)
ステンレス基材1として、SUS301(76%Fe,17%Cr,7%Ni)、調質3/4H、厚み100μmのものを用い、1.0質量%の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位500mV、比重1.46)にて前記ステンレス基材1の片面にエッチング処理を60秒間施すことにより、図8に示すようなステンレス転写基材21を得た。この金属粒子2(銅粒子)の付着量は0.5mg/mであった。
( Reference Example 1)
As the stainless steel substrate 1, SUS301 (76% Fe, 17% Cr, 7% Ni), tempered 3 / 4H, 100 μm thick, ferric chloride solution containing 1.0% by mass of copper ions A stainless steel transfer substrate 21 as shown in FIG. 8 was obtained by performing an etching process on one surface of the stainless steel substrate 1 for 60 seconds at an oxidation-reduction potential of 500 mV and a specific gravity of 1.46. The adhesion amount of the metal particles 2 (copper particles) was 0.5 mg / m 2 .

次に、前記ステンレス転写基材21を用いて、メッキレジスト層10の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図2(a)に示すようなメッキ回路層3を形成したメッキ回路層付きステンレス転写基材4を得た。ただし、メッキ回路層3は、銅メッキ(厚み10μm、回路幅300μm)、ニッケルメッキ(厚み20μm、回路幅350μm)、金メッキ(厚み2μm、回路幅350μm)を被処理面から順に積層することによって、3層構造に形成した。   Next, using the stainless steel transfer substrate 21, a plating circuit layer 3 as shown in FIG. 2A is formed by sequentially performing formation of the plating resist layer 10, exposure, development, and electrolytic plating. A layered stainless steel transfer substrate 4 was obtained. However, the plating circuit layer 3 is formed by laminating copper plating (thickness 10 μm, circuit width 300 μm), nickel plating (thickness 20 μm, circuit width 350 μm), and gold plating (thickness 2 μm, circuit width 350 μm) sequentially from the surface to be processed. A three-layer structure was formed.

次に、絶縁樹脂基材6としてエポキシ樹脂シート(厚み100μm)を用い、図4(a)(b)に示すように、前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4をエポキシ樹脂シートに重ねて、100℃、5kg/cm(0.49MPa)の条件で熱圧着成形した。そしてこれを冷却した後にステンレス基材1を剥離することによって、図4(c)に示すような回路基板7を得た。 Next, an epoxy resin sheet (thickness: 100 μm) is used as the insulating resin substrate 6, and as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), the stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer is overlaid on the epoxy resin sheet, Thermocompression molding was performed at 100 ° C. and 5 kg / cm 2 (0.49 MPa). And after cooling this, the stainless steel substrate 1 was peeled off to obtain a circuit board 7 as shown in FIG.

前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3は、転写前においては不用意に剥離することがなく、また、回路基板7を製造する際には、前記メッキ回路層3はすべてエポキシ樹脂シートに転写されたことを確認した。   The plated circuit layer 3 of the stainless steel transfer substrate 4 with the plated circuit layer is not inadvertently peeled off before the transfer, and when the circuit board 7 is manufactured, the plated circuit layer 3 is entirely epoxy. It was confirmed that it was transferred to the resin sheet.

参考例2)
3.0質量%の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位500mV、比重1.46)にてエッチング処理を30秒間施すようにした以外は、参考例1と同様にして図8に示すようなステンレス転写基材21を得た。この金属粒子2(銅粒子)の付着量は2.0mg/mであった。
( Reference Example 2)
FIG. 8 is the same as Reference Example 1 except that the etching process is performed for 30 seconds with a ferric chloride solution containing 3.0 mass% copper ions (redox potential 500 mV, specific gravity 1.46). A stainless transfer substrate 21 as shown in FIG. The adhesion amount of the metal particles 2 (copper particles) was 2.0 mg / m 2 .

次に、前記ステンレス転写基材21を用いて、メッキレジスト層10の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図2(a)に示すようなメッキ回路層3を形成したメッキ回路層付きステンレス転写基材4を得た。ただし、メッキ回路層3は、銅メッキ(厚み10μm、回路幅1mm)、ニッケルメッキ(厚み20μm、回路幅1.5mm)、金メッキ(厚み2μm、回路幅1.5mm)を被処理面から順に積層することによって、3層構造に形成した。   Next, using the stainless steel transfer substrate 21, a plating circuit layer 3 as shown in FIG. 2A is formed by sequentially performing formation of the plating resist layer 10, exposure, development, and electrolytic plating. A layered stainless steel transfer substrate 4 was obtained. However, the plating circuit layer 3 is formed by laminating copper plating (thickness 10 μm, circuit width 1 mm), nickel plating (thickness 20 μm, circuit width 1.5 mm), and gold plating (thickness 2 μm, circuit width 1.5 mm) in order from the surface to be processed. As a result, a three-layer structure was formed.

次に、絶縁樹脂基材6としてエポキシプリプレグ(厚み200μm)を用い、図4(a)(b)に示すように、前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4をエポキシプリプレグに重ねて、80℃、3kg/cm(0.29MPa)の条件で熱圧着成形した。そしてこれを冷却した後にステンレス基材1を剥離することによって、図4(c)に示すような回路基板7を得た。 Next, an epoxy prepreg (thickness: 200 μm) is used as the insulating resin substrate 6, and as shown in FIGS. 4 (a) and 4 (b), the stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer is overlaid on the epoxy prepreg, and 80 ° C. Thermocompression bonding was performed under conditions of 3 kg / cm 2 (0.29 MPa). And after cooling this, the stainless steel substrate 1 was peeled off to obtain a circuit board 7 as shown in FIG.

前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3は、転写前においては不用意に剥離することがなく、また、回路基板7を製造する際には、前記メッキ回路層3はすべてエポキシプリプレグに転写されたことを確認した。   The plated circuit layer 3 of the stainless steel transfer substrate 4 with the plated circuit layer is not inadvertently peeled off before the transfer, and when the circuit board 7 is manufactured, the plated circuit layer 3 is entirely epoxy. It was confirmed that it was transferred to the prepreg.

(実施例
2.0質量%のニッケルイオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位520mV、比重1.45)にてエッチング処理を45秒間施すようにした以外は、参考例1と同様にして図8に示すようなステンレス転写基材21を得た。この金属粒子2(ニッケル粒子)の付着量は1.0mg/mであった。
(Example 1 )
FIG. 8 is similar to Reference Example 1 except that the etching treatment is performed for 45 seconds with a ferric chloride solution (oxidation-reduction potential 520 mV, specific gravity 1.45) containing 2.0 mass% nickel ions. A stainless transfer substrate 21 as shown in FIG. The adhesion amount of the metal particles 2 (nickel particles) was 1.0 mg / m 2 .

次に、前記ステンレス転写基材21を用いて、メッキレジスト層10の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図1(f)に示すようなメッキ回路層付きステンレス転写基材4を得た。ただし、メッキ回路層3は、ニッケルメッキ(厚み20μm、回路幅200μm)、半田メッキ(厚み50μm、回路幅250μm)を被処理面から順に積層することによって、2層構造に形成した。   Next, by using the stainless steel transfer substrate 21, the plating resist layer 10 is formed, exposed, developed, and electroplated in this order, so that the stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer as shown in FIG. Got. However, the plated circuit layer 3 was formed in a two-layer structure by sequentially stacking nickel plating (thickness 20 μm, circuit width 200 μm) and solder plating (thickness 50 μm, circuit width 250 μm) from the surface to be processed.

次に、半田リフローによって前記メッキ回路層3に部品8(チップ抵抗)を実装した。この半田リフローによる実装時において、メッキ回路層3はステンレス基材1から剥離しなかった。   Next, a component 8 (chip resistance) was mounted on the plated circuit layer 3 by solder reflow. At the time of mounting by this solder reflow, the plated circuit layer 3 did not peel from the stainless steel substrate 1.

次に、絶縁樹脂基材6としてエポキシ樹脂シート(厚み200μm)を3枚重ねたものを用い、図6(a)(b)に示すように、部品8を実装したメッキ回路層付きステンレス転写基材4をエポキシ樹脂シートに重ねて、100℃、5kg/cm(0.49MPa)の条件で熱圧着成形した。そしてこれを冷却した後にステンレス基材1を剥離することによって、図6(c)に示すような部品内蔵モジュール9を得た。 Next, as the insulating resin substrate 6, three epoxy resin sheets (thickness: 200 μm) are used, and as shown in FIGS. The material 4 was stacked on the epoxy resin sheet, and thermocompression-bonded under conditions of 100 ° C. and 5 kg / cm 2 (0.49 MPa). And after cooling this, the stainless steel base material 1 was peeled off to obtain a component built-in module 9 as shown in FIG.

前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3は、転写前においては不用意に剥離することがなく、また、部品内蔵モジュール9を製造する際には、前記メッキ回路層3はすべてエポキシ樹脂シートに転写されたことを確認した。   The plated circuit layer 3 of the stainless steel transfer substrate 4 with the plated circuit layer is not inadvertently peeled off before the transfer, and when the component built-in module 9 is manufactured, the plated circuit layer 3 is all It was confirmed that it was transferred to the epoxy resin sheet.

参考例3
1.0質量%のニッケルイオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位520mV、比重1.45)にてエッチング処理を45秒間施すようにした以外は、参考例1と同様にして図8に示すようなステンレス転写基材21を得た。この金属粒子2(ニッケル粒子)の付着量は0.8mg/mであった。
( Reference Example 3 )
FIG. 8 is similar to Reference Example 1 except that the etching process is performed for 45 seconds with a ferric chloride solution (oxidation-reduction potential 520 mV, specific gravity 1.45) containing 1.0 mass% nickel ions. A stainless transfer substrate 21 as shown in FIG. The adhesion amount of the metal particles 2 (nickel particles) was 0.8 mg / m 2 .

次に、前記ステンレス転写基材21を用いて、メッキレジスト層10の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図3(a)に示すように、前記ステンレス転写基材21の表面にニッケルメッキ(厚み5μm)、銅メッキ(厚み10μm)、ニッケルメッキ(厚み20μm)を同一径(ランド径2mm)で順に積層した。そして、銅メッキのみを選択的にエッチングすることができる一般的な処理液を用いて、側面から50μm程度エッチングすることによって、図3(b)に示すようなメッキ回路層3(ランド)を形成した。   Next, the surface of the stainless steel transfer substrate 21 is formed as shown in FIG. 3A by sequentially performing formation of the plating resist layer 10, exposure, development, and electrolytic plating using the stainless steel transfer substrate 21. Nickel plating (thickness 5 μm), copper plating (thickness 10 μm), and nickel plating (thickness 20 μm) were sequentially laminated with the same diameter (land diameter 2 mm). Then, using a general processing solution capable of selectively etching only copper plating, etching is performed about 50 μm from the side surface, thereby forming a plated circuit layer 3 (land) as shown in FIG. did.

次に、絶縁樹脂基材6としてエポキシプリプレグ(厚み150μm)を用い、図4(a)(b)に示すように、前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4をエポキシプリプレグに重ねて、80℃、5kg/cm(0.49MPa)の条件で熱圧着成形した。そしてこれを冷却した後にステンレス基材1を剥離することによって、図4(c)に示すような回路基板7を得た。 Next, an epoxy prepreg (thickness: 150 μm) is used as the insulating resin substrate 6, and the stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer is overlaid on the epoxy prepreg as shown in FIGS. Thermocompression bonding was performed under conditions of 5 kg / cm 2 (0.49 MPa). And after cooling this, the stainless steel substrate 1 was peeled off to obtain a circuit board 7 as shown in FIG.

前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3は、転写前においては不用意に剥離することがなく、また、回路基板7を製造する際には、前記メッキ回路層3はすべてエポキシプリプレグに転写されたことを確認した。   The plated circuit layer 3 of the stainless steel transfer substrate 4 with the plated circuit layer is not inadvertently peeled off before the transfer, and when the circuit board 7 is manufactured, the plated circuit layer 3 is entirely epoxy. It was confirmed that it was transferred to the prepreg.

参考例4
ステンレス基材1として、SUS301(76%Fe,17%Cr,7%Ni)、調質3/4H、厚み100μmのものを用い、1.0質量%の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位500mV、比重1.46)にて前記ステンレス基材1の両面にエッチング処理を30秒間施すことにより、ステンレス転写基材21を得た。この金属粒子2(銅粒子)の付着量は片面当たり0.2mg/mであった。
( Reference Example 4 )
As the stainless steel substrate 1, SUS301 (76% Fe, 17% Cr, 7% Ni), tempered 3 / 4H, 100 μm thick, ferric chloride solution containing 1.0% by mass of copper ions The stainless steel transfer base material 21 was obtained by performing an etching process for 30 seconds on both surfaces of the stainless steel base material 1 at an oxidation-reduction potential of 500 mV and a specific gravity of 1.46. The adhesion amount of the metal particles 2 (copper particles) was 0.2 mg / m 2 per side.

次に、前記ステンレス転写基材21を用いて、メッキレジスト層10の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図2(a)に示すようなメッキ回路層3を形成したメッキ回路層付きステンレス転写基材4を得た。ただし、メッキ回路層3は、銅メッキ(厚み10μm、回路幅1mm)、ニッケルメッキ(厚み20μm、回路幅1.5mm)、金メッキ(厚み2μm、回路幅1.5mm)を被処理面から順に積層することによって、3層構造に形成した。   Next, using the stainless steel transfer substrate 21, a plating circuit layer 3 as shown in FIG. 2A is formed by sequentially performing formation of the plating resist layer 10, exposure, development, and electrolytic plating. A layered stainless steel transfer substrate 4 was obtained. However, the plating circuit layer 3 is formed by laminating copper plating (thickness 10 μm, circuit width 1 mm), nickel plating (thickness 20 μm, circuit width 1.5 mm), and gold plating (thickness 2 μm, circuit width 1.5 mm) in order from the surface to be processed. As a result, a three-layer structure was formed.

次に、絶縁樹脂基材6としてポリイミドフィルム(厚み50μm)を2枚用い、図5(a)(b)に示すように、前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4を前記2枚のポリイミドフィルムで挟み込んで、200℃、5kg/cm(0.49MPa)の条件で熱圧着成形した。そしてこれを冷却した後に2枚のポリイミドフィルムを剥離することによって、図5(c)に示すように、2枚の回路基板7を得た。 Next, two polyimide films (thickness 50 μm) are used as the insulating resin substrate 6, and as shown in FIGS. 5A and 5B, the stainless transfer substrate 4 with a plated circuit layer is replaced with the two polyimide films. And thermocompression-bonded under the conditions of 200 ° C. and 5 kg / cm 2 (0.49 MPa). And after cooling this, as shown in FIG.5 (c), two circuit boards 7 were obtained by peeling two polyimide films.

前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3は、転写前においては不用意に剥離することがなく、また、回路基板7を製造する際には、前記メッキ回路層3はすべてポリイミドフィルムに転写されたことを確認した。   The plated circuit layer 3 of the stainless steel transfer substrate 4 with the plated circuit layer is not inadvertently peeled off before the transfer, and when the circuit board 7 is manufactured, all of the plated circuit layer 3 is polyimide. It was confirmed that it was transferred to the film.

参考例5
ステンレス基材1として、SUS301(76%Fe,17%Cr,7%Ni)、調質3/4H、厚み100μmのものを用い、1.0質量%の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液(酸化還元電位500mV、比重1.46)にて前記ステンレス基材1の片面にエッチング処理を60秒間施すことにより、図8に示すようなステンレス転写基材21を得た。この金属粒子2(銅粒子)の付着量は0.5mg/mであった。
( Reference Example 5 )
As the stainless steel substrate 1, SUS301 (76% Fe, 17% Cr, 7% Ni), tempered 3 / 4H, 100 μm thick, ferric chloride solution containing 1.0% by mass of copper ions A stainless steel transfer substrate 21 as shown in FIG. 8 was obtained by performing an etching process on one surface of the stainless steel substrate 1 for 60 seconds at an oxidation-reduction potential of 500 mV and a specific gravity of 1.46. The adhesion amount of the metal particles 2 (copper particles) was 0.5 mg / m 2 .

次に、前記ステンレス転写基材21を用いて、メッキレジスト層10の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図2(a)に示すようなメッキ回路層3を形成したメッキ回路層付きステンレス転写基材4を得た。ただし、メッキ回路層3は、銅メッキ(厚み35μm、回路幅300μm)、ニッケルメッキ(厚み25μm、回路幅350μm)、金メッキ(厚み2μm、回路幅350μm)を被処理面から順に積層することによって、3層構造に形成した。そして、このようにして形成したメッキ回路層3の表面を黒化処理により粗化処理した。粗化処理後のメッキ回路層3の粗度はRaで0.2〜0.3μmであった。   Next, using the stainless steel transfer substrate 21, a plating circuit layer 3 as shown in FIG. 2A is formed by sequentially performing formation of the plating resist layer 10, exposure, development, and electrolytic plating. A layered stainless steel transfer substrate 4 was obtained. However, the plating circuit layer 3 is formed by laminating copper plating (thickness 35 μm, circuit width 300 μm), nickel plating (thickness 25 μm, circuit width 350 μm), and gold plating (thickness 2 μm, circuit width 350 μm) in this order from the surface to be processed. A three-layer structure was formed. The surface of the plated circuit layer 3 formed in this way was roughened by blackening. The roughness of the plated circuit layer 3 after the roughening treatment was 0.2 to 0.3 μm in Ra.

次に、絶縁樹脂基材6としてエポキシ樹脂シート(厚み150μm)を用い、図4(a)(b)に示すように、前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4をエポキシ樹脂シートに重ねて、100℃、5kg/cm(0.49MPa)の条件で熱圧着成形した。そしてこれを冷却した後にステンレス基材1を剥離することによって、図4(c)に示すような回路基板7を得た。 Next, an epoxy resin sheet (thickness 150 μm) is used as the insulating resin substrate 6, and as shown in FIGS. 4A and 4B, the stainless steel transfer substrate 4 with a plated circuit layer is overlaid on the epoxy resin sheet, Thermocompression molding was performed at 100 ° C. and 5 kg / cm 2 (0.49 MPa). And after cooling this, the stainless steel substrate 1 was peeled off to obtain a circuit board 7 as shown in FIG.

前記メッキ回路層付きステンレス転写基材4のメッキ回路層3は、転写前においては不用意に剥離することがなく、また、回路基板7を製造する際には、前記メッキ回路層3はすべてエポキシ樹脂シートに転写されたことを確認した。   The plated circuit layer 3 of the stainless steel transfer substrate 4 with the plated circuit layer is not inadvertently peeled off before the transfer, and when the circuit board 7 is manufactured, the plated circuit layer 3 is entirely epoxy. It was confirmed that it was transferred to the resin sheet.

しかも、メッキ回路層3の粗化処理をしていないもののメッキピール強度が600g/cm(588N/m)程度であるのに対し、メッキ回路層3の粗化処理をした本参考例のもののメッキピール強度は900g/cm〜1kg/cm(883〜981N/m)程度であった。 Moreover, while the plating circuit layer 3 is not subjected to roughening treatment, the plating peel strength is about 600 g / cm (588 N / m), whereas the plating circuit layer 3 is subjected to roughening treatment in this reference example. The peel strength was about 900 g / cm to 1 kg / cm (883 to 981 N / m).

メッキ回路層付きステンレス転写基材の製造方法の一例を示すものであり、(a)〜(f)は断面図である。An example of the manufacturing method of the stainless steel transcription | transfer base material with a plating circuit layer is shown, (a)-(f) is sectional drawing. メッキ回路層の他の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。The other example of a plated circuit layer is shown, (a)-(c) is sectional drawing. メッキ回路層の形成方法の他の一例を示すものであり、(a)(b)は断面図である。The other example of the formation method of a plating circuit layer is shown, (a) (b) is sectional drawing. 回路基板の製造方法の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。An example of the manufacturing method of a circuit board is shown, (a)-(c) is sectional drawing. 回路基板の製造方法の他の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。The other example of the manufacturing method of a circuit board is shown, (a)-(c) is sectional drawing. 部品内蔵モジュールの製造方法の一例を示すものであり、(a)〜(c)は断面図である。An example of the manufacturing method of a component built-in module is shown, (a)-(c) is sectional drawing. 部品を実装したメッキ回路層付きステンレス転写基材の一例を示すものであり、(a)(b)は断面図である。An example of the stainless steel transfer base material with a plating circuit layer which mounted components is shown, (a) (b) is sectional drawing. ステンレス転写基材の一例を示すものであり、(a)は断面図、(b)は(a)の表面部分の拡大断面図である。An example of a stainless steel transcription | transfer base material is shown, (a) is sectional drawing, (b) is an expanded sectional view of the surface part of (a).

符号の説明Explanation of symbols

1 ステンレス基材
2 金属粒子
3 メッキ回路層
4 メッキ回路層付きステンレス転写基材
5 メッキ層
6 絶縁樹脂基材
7 回路基板
8 部品
9 部品内蔵モジュール
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Stainless steel base material 2 Metal particle 3 Plating circuit layer 4 Stainless steel transfer base material with plating circuit layer 5 Plating layer 6 Insulation resin base material 7 Circuit board 8 Parts 9 Parts built-in module

Claims (3)

ステンレス基材の表面に付着させた金属粒子を核にしてメッキを施すことによってメッキ回路層が形成されたメッキ回路層付きステンレス転写基材であって、前記金属粒子は、ステンレス基材を構成する鉄イオンと金属粒子の金属イオンとの置換反応によって、ステンレス基材の表面を粗化した粗化面に析出させて付着されたものであり、前記メッキ回路層が、配線パターン状に順次に積層され、1種又は複数種のメッキ種からなる複数のメッキ層で構成されていると共に、隣り合うメッキ層のうちステンレス基材に近いメッキ層の幅よりもステンレス基材から遠いメッキ層の幅の方が広くなる構造を前記メッキ回路層が有しているメッキ回路層付きステンレス転写基材を用い、
前記メッキ回路層付きステンレス転写基材のメッキ回路層に部品を実装すると共にメッキ回路層及び部品を絶縁樹脂基材に重ねて熱圧着成形した後に、ステンレス基材を剥離することによって、絶縁樹脂基材にメッキ回路層を転写すると共に部品を埋入して成ることを特徴とする部品内蔵モジュール
A stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer in which a plated circuit layer is formed by plating using metal particles attached to the surface of the stainless steel substrate as a core, and the metal particles constitute the stainless steel substrate The surface of the stainless steel substrate is deposited and adhered to the roughened surface by a substitution reaction between iron ions and metal ions of the metal particles, and the plated circuit layer is sequentially laminated in a wiring pattern. And a plurality of plating layers made of one or more kinds of plating species, and the width of the plating layer farther from the stainless steel substrate than the width of the plating layer close to the stainless steel substrate among the adjacent plating layers. Write with Rume Tsu key circuit layer stainless transfer substrate a wide made structures have said plating circuit layer,
After mounting the component on the plated circuit layer of the stainless steel transfer substrate with the plated circuit layer and superposing the plated circuit layer and the component on the insulating resin substrate and performing thermocompression molding, the stainless steel substrate is peeled off to remove the insulating resin substrate. A component built-in module, wherein a plated circuit layer is transferred to a material and the component is embedded .
メッキ回路層を構成する複数のメッキ層のうちステンレス基材から最も遠いメッキ層が半田メッキで形成されていることを特徴とする請求項1に記載の部品内蔵モジュール2. The component built-in module according to claim 1, wherein a plating layer farthest from the stainless steel substrate among the plurality of plating layers constituting the plating circuit layer is formed by solder plating. メッキ回路層の表面が粗化処理されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の部品内蔵モジュールThe component built-in module according to claim 1, wherein the surface of the plated circuit layer is roughened.
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