JP4508141B2

JP4508141B2 - Stainless steel transfer substrate, stainless steel transfer substrate with plating circuit layer

Info

Publication number: JP4508141B2
Application number: JP2006089626A
Authority: JP
Inventors: 大三馬場; 博光高下
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Works Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Electric Works Co Ltd
Priority date: 2006-03-28
Filing date: 2006-03-28
Publication date: 2010-07-21
Anticipated expiration: 2026-03-28
Also published as: JP2007266324A

Description

本発明は、転写によって配線パターンを絶縁樹脂基材に形成するのに用いられるステンレス転写基材及びメッキ回路層付きステンレス転写基材に関するものである。 The present invention relates to a stainless transfer substrate and the plated circuit layer Stainless transfer substrate used a wiring pattern by transferring to form the insulating resin base material.

より詳しくは、本発明は、メッキにより形成した回路（配線パターン）を絶縁樹脂基材に転写することにより、非常に微細な回路を形成する技術に関するものであり、また、メッキ回路層は絶縁樹脂基材に埋め込まれることにより、一般的に行われているデスミア等の表面処理を行わなくても、メッキ回路層の絶縁樹脂基材に対する密着性を向上させることを可能とする技術に関するものである。更に本発明は、メッキ回路層付きステンレス転写基材に部品を半田リフロー等により実装することが可能であり、回路と共に部品も転写し、埋め込むことができる技術に関するものである。 More specifically, the present invention relates to a technique for forming a very fine circuit by transferring a circuit (wiring pattern) formed by plating onto an insulating resin substrate, and the plated circuit layer is an insulating resin. The present invention relates to a technique capable of improving the adhesion of a plated circuit layer to an insulating resin substrate without being subjected to a surface treatment such as desmear that is generally performed by being embedded in the substrate. . Furthermore, the present invention relates to a technique that allows a component to be mounted on a stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer by solder reflow or the like, and that the component can be transferred and embedded together with the circuit.

近年、配線基板の配線密度の向上により、基板の小型化、部品間の配線距離の短縮化が進み、電子機器の高機能化、小型薄型化が進展しているが、一般的には、配線基板の製造方法としてはビルドアップ多層化工法等が使用され、この方法により電気的絶縁層（樹脂層）を介して配線層（導体層、金属膜）を積層して多層配線基板を製造している。 In recent years, improvement in wiring density of wiring boards has led to downsizing of boards and shortening of wiring distances between components, and electronic devices have become more functional and smaller and thinner. As a method for manufacturing a substrate, a build-up multilayering method or the like is used. By this method, a multilayer wiring substrate is manufactured by laminating a wiring layer (conductor layer, metal film) via an electrical insulating layer (resin layer). Yes.

そしてこのような配線基板において配線パターンを形成するにあたっては、次のような方法がある。すなわち、銅箔等の金属箔をあらかじめ絶縁基板と積層一体化した銅張積層板を作製し、これにエッチング法を使用して配線パターンを形成する場合と、絶縁樹脂基板表面にメッキ等により配線層を直接形成し、この配線層をエッチングして所定の配線パターンを形成する場合とがある。 In forming a wiring pattern on such a wiring board, there are the following methods. In other words, a copper-clad laminate in which a metal foil such as copper foil is laminated and integrated with an insulating substrate in advance and a wiring pattern is formed using an etching method on this, and wiring on the surface of the insulating resin substrate by plating or the like In some cases, a layer is formed directly, and this wiring layer is etched to form a predetermined wiring pattern.

ところで、メッキにより電気的絶縁層の表面に配線層を形成する場合、メッキによって形成した配線層と電気的絶縁層との密着性を高めるために、電気的絶縁層の表面にあらかじめ粗面化処理（デスミア処理）を行った後、メッキを施すことが従来行われていた。粗面化処理は過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等のエッチング液を用いて電気的絶縁層の表面をエッチングすることによって行われている（例えば、特許文献１参照。）。 By the way, when the wiring layer is formed on the surface of the electrical insulating layer by plating, the surface of the electrical insulating layer is previously roughened in order to improve the adhesion between the wiring layer formed by plating and the electrical insulating layer. Conventionally, after performing (desmear treatment), plating is performed. The roughening treatment is performed by etching the surface of the electrical insulating layer using an etchant such as potassium permanganate or sodium permanganate (see, for example, Patent Document 1).

一般的なメッキ法は、樹脂表面の脱脂等の前処理工程、エッチング処理工程、キャタライジング処理工程、アクセレレイティング処理工程、無電解銅メッキ処理工程、電解銅メッキ処理工程からなる。このように絶縁樹脂基材表面に直接メッキ処理を行うことなく、種々の処理工程を経てからメッキ処理を行うのは、樹脂が水に濡れにくい疎水性を有するためである。絶縁樹脂基材表面にメッキ処理をそのまま行ったのでは、その表面に金属膜を形成できない。メッキのように水溶液中で表面処理を行うような場合には、絶縁樹脂基材表面を水に濡れやすい親水性にしておかなければならない。更に絶縁樹脂基材表面とメッキ金属とが密着するためには、絶縁樹脂基材表面を親水性にした上に、樹脂表面に極性基を作って活性化し、樹脂表面に微細孔等の凹凸を有する粗面化を施す必要がある。粗面化処理では、有機溶剤系等の膨潤液による膨潤工程、過マンガン酸ナトリウム系等のエッチング液によるエッチング工程、硫酸系等の中和液による中和工程の順で処理を行う。この処理がエッチング処理である。更にメッキ核析出のためには、樹脂表面にパラジウム活性化を行う必要があるため、塩化パラジウムと塩化スズを含むキャタライジング処理液に絶縁樹脂基材を浸漬し、樹脂表面に触媒金属を吸着させる。この処理がキャタライジング処理である。キャタライジング処理工程を行うと、絶縁樹脂基材表面にパラジウムとスズの錯塩が吸着しているので、アクセレレイティング処理工程において、塩酸又は硫酸あるいはＮＨ_４Ｆ・ＨＦ等を含むアクセレレイティング処理液中で、メッキ核となるパラジウム金属を樹脂表面に析出させる。次いで、無電解メッキ処理工程において、樹脂表面に析出したメッキ核の触媒作用によって、銅金属が樹脂表面に無電解メッキされ、樹脂表面に金属膜を形成する。無電解メッキによる金属膜は、電解メッキを行うための給電層の役割を果たすものであり、通常０．５〜２．０μｍ程度の厚さとする。この後で、電解銅メッキ処理工程によって、配線パターン等に使用できる所定の厚さになるまで電解銅メッキを行い、金属膜が形成される。 A general plating method includes a pretreatment process such as degreasing of the resin surface, an etching process, a catalyzing process, an accelerating process, an electroless copper plating process, and an electrolytic copper plating process. The reason why the plating process is performed after various processing steps without directly performing the plating process on the surface of the insulating resin base material is that the resin is so hydrophobic that it is difficult to wet with water. If the surface of the insulating resin substrate is plated as it is, a metal film cannot be formed on the surface. When surface treatment is performed in an aqueous solution such as plating, the surface of the insulating resin substrate must be made hydrophilic so that it can easily get wet with water. Furthermore, in order for the insulating resin substrate surface and the plating metal to be in close contact with each other, the insulating resin substrate surface is made hydrophilic and activated by creating a polar group on the resin surface, and irregularities such as micropores are formed on the resin surface. It is necessary to roughen the surface. In the roughening treatment, the treatment is performed in the order of a swelling step with a swelling solution such as an organic solvent, an etching step with an etching solution such as a sodium permanganate, and a neutralization step with a neutralizing solution such as a sulfuric acid. This process is an etching process. Furthermore, for the deposition of plating nuclei, it is necessary to activate palladium on the resin surface, so the insulating resin substrate is immersed in a catalyzing solution containing palladium chloride and tin chloride, and the catalyst metal is adsorbed on the resin surface. . This process is a catalyzing process. When the catalyzing process is performed, the complex salt of palladium and tin is adsorbed on the surface of the insulating resin base material. Therefore, in the accelerating process, an accelerating solution containing hydrochloric acid, sulfuric acid, NH ₄ F · HF, or the like is used. In this process, palladium metal serving as a plating nucleus is deposited on the resin surface. Next, in the electroless plating treatment step, the copper metal is electrolessly plated on the resin surface by the catalytic action of the plating nuclei deposited on the resin surface to form a metal film on the resin surface. The metal film formed by electroless plating serves as a power feeding layer for performing electrolytic plating, and is usually about 0.5 to 2.0 μm thick. Thereafter, by the electrolytic copper plating process, electrolytic copper plating is performed until a predetermined thickness that can be used for a wiring pattern or the like is formed, thereby forming a metal film.

その他に、配線層と電気的絶縁層との密着性を高める技術として、絶縁樹脂基材の表面を改質してから、その表面に無電解メッキを行う種々の方法が提案されている。例えば、絶縁樹脂基材をアミン化合物ガス又はアミド化合物ガス雰囲気下に置き、この絶縁樹脂基材表面に対して、紫外線レーザを照射し、その後に無電解メッキを行う方法が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。 In addition, as a technique for improving the adhesion between the wiring layer and the electrical insulating layer, various methods have been proposed in which the surface of the insulating resin substrate is modified and then electroless plating is performed on the surface. For example, a method has been proposed in which an insulating resin substrate is placed in an amine compound gas or amide compound gas atmosphere, the surface of the insulating resin substrate is irradiated with an ultraviolet laser, and then electroless plating is performed (for example, , See Patent Document 2).

また、絶縁樹脂基材に無電解メッキを行うための前処理として、絶縁樹脂基材の表面に紫外線を照射し、その後にその絶縁樹脂基材表面に無電解メッキを行う方法も提案されている（例えば、特許文献３参照。）。 In addition, as a pretreatment for performing electroless plating on an insulating resin base material, a method of irradiating the surface of the insulating resin base material with ultraviolet rays and then performing electroless plating on the surface of the insulating resin base material has been proposed. (For example, refer to Patent Document 3).

また、ポリオキシエチレン結合を有する非イオン系界面活性剤を含有するアルカリ溶液と接触させる表面処理工程を行うことによって、密着性を向上させる方法も提案されている（例えば、特許文献４参照。）。 Moreover, the method of improving adhesiveness is also proposed by performing the surface treatment process made to contact the alkaline solution containing the nonionic surfactant which has a polyoxyethylene bond (for example, refer patent document 4). .

また、絶縁樹脂基材の表面に、紫外線照射によって表面改質した後、アミノ系官能基を有するシランカップリング剤を吸着させ、スズ−パラジウム系触媒の付与を促進させることにより、絶縁樹脂基材上に無電解メッキにより形成された金属膜の密着性を向上させる方法も提案されている（例えば、特許文献５参照。）。
特開２００２−５７４５６号公報特開平６−８７９６４号公報特開平８−２５３８６９号公報特開平１０−８８３６１号公報特開平１０−３１０８７３号公報 In addition, after the surface modification of the insulating resin substrate by ultraviolet irradiation, the silane coupling agent having an amino-based functional group is adsorbed to promote the application of the tin-palladium catalyst. A method for improving the adhesion of a metal film formed thereon by electroless plating has also been proposed (see, for example, Patent Document 5).
JP 2002-57456 A JP-A-6-87964 JP-A-8-253869 JP-A-10-88361 JP-A-10-310873

粗面化処理によって凹凸面が形成された電気的絶縁層の表面の凹部に導体が充填されることにより、アンカー作用によって配線パターンが電気的絶縁層に密着される。しかし、電気的絶縁層の表面の凹凸が大きくなると配線層をエッチングして配線パターンを形成する際に、表面の凹凸がパターン形成の精度に悪影響を及ぼし、極めて微細な配線パターンを精度良く形成することができないという問題があった。従来の粗面化処理の場合の表面粗度はＲ_ｍａｘ４〜５μｍ程度となる。ちなみに特許文献１，３には、この表面粗度を改良し、Ｒ_ｍａｘ１μｍ以下にする技術が記載されている。 When the conductor is filled in the concave portion on the surface of the electrical insulating layer on which the uneven surface is formed by the roughening treatment, the wiring pattern is brought into close contact with the electrical insulating layer by the anchor action. However, when the unevenness on the surface of the electrical insulating layer becomes large, when forming the wiring pattern by etching the wiring layer, the unevenness on the surface adversely affects the accuracy of pattern formation and forms an extremely fine wiring pattern with high accuracy. There was a problem that I could not. The surface roughness in the case of the conventional roughening treatment is about R _{max 4 to 5} μm. Incidentally, Patent Documents 1 and 3 describe techniques for improving the surface roughness so that R _{max is} 1 μm or less.

また、電気的絶縁層の表面粗度が大きくなると、配線基板の電気的特性の１つである高周波信号の伝送損失が大きくなるという問題もあった。更に、電気的絶縁層の表面粗度が大きくなると、耐マイグレーション性が低下するという問題もあった。従って、電気的絶縁層の表面粗度はできるだけ小さくすることが必要で、しかも電気的絶縁層と配線層との密着性を向上させ得る技術が求められており、このような技術としては、先に示したように、絶縁樹脂基材の表面にプラズマ処理、イオンビーム照射、紫外線照射を施す方法が知られている。プラズマ処理や紫外線処理によって、−ＯＨ基と−ＮＨ基が生成されることが無電解メッキの密着性の向上に寄与していると考えられている。これらの官能基を有効に発生させるために、絶縁樹脂基材の組成についても配慮が必要であるが、そうすると樹脂設計が制限されるという問題もある。 In addition, when the surface roughness of the electrical insulating layer increases, there is a problem in that transmission loss of high-frequency signals, which is one of the electrical characteristics of the wiring board, increases. Furthermore, when the surface roughness of the electrically insulating layer is increased, there is a problem that the migration resistance is lowered. Therefore, it is necessary to reduce the surface roughness of the electrical insulation layer as much as possible, and there is a need for a technique that can improve the adhesion between the electrical insulation layer and the wiring layer. As shown in the above, there is known a method of subjecting the surface of an insulating resin substrate to plasma treatment, ion beam irradiation, and ultraviolet irradiation. It is considered that the generation of —OH groups and —NH groups by plasma treatment or ultraviolet treatment contributes to the improvement of the adhesion of electroless plating. In order to generate these functional groups effectively, it is necessary to consider the composition of the insulating resin base material, but there is also a problem that the resin design is limited.

これらの手法は、絶縁樹脂基材表面をエッチングして粗面化処理を施していることが前提となっており、このエッチング処理は、一般にクロム酸・硫酸混合液、重クロム酸・硫酸混合液、塩素酸、硫酸・過塩素酸混合液等の強酸化性のエッチング処理液に絶縁樹脂基材を浸漬して行われる。しかし、このエッチング処理液は危険性、公害性の高い薬液であるため、その取り扱いや、排出処理に対しては十分な注意が必要であり、金属膜形成におけるメッキ処理工程の中では、作業管理面で負担が大きい。更にエッチングによる樹脂表面の粗面化をより行い易くするために、樹脂中にエッチングされやすい成分を一部混合させる等の配慮が必要であり、そのために樹脂硬化物の特性に制限が加えられてしまうという問題もある。この他にも絶縁樹脂基材表面の改質を促進するための処理剤を通常の処理液とは別に用意する必要があり、処理工程数が増加し、処理コストがかかるという問題がある。更に紫外線照射やプラズマ処理装置を設置しなければならず、設備コストを増大させる要因となり、安価な製品を供給するためには大きな障害となっている。 These methods are based on the premise that the surface of the insulating resin base material is etched and roughened, and this etching process is generally performed using a chromic acid / sulfuric acid mixed solution or a dichromic acid / sulfuric acid mixed solution. The insulating resin substrate is immersed in a strong oxidizing etching solution such as chloric acid, sulfuric acid / perchloric acid mixed solution, or the like. However, since this etchant is a chemical solution with high danger and pollution, it is necessary to pay careful attention to its handling and discharge treatment. In the plating process in metal film formation, work management is required. The burden is large. Furthermore, in order to make it easier to roughen the resin surface by etching, it is necessary to consider such as mixing some components that are easily etched into the resin, which limits the properties of the cured resin. There is also a problem of end. In addition to this, it is necessary to prepare a treatment agent for promoting the modification of the surface of the insulating resin base material separately from the normal treatment liquid, and there is a problem that the number of treatment steps is increased and the treatment cost is increased. Furthermore, it is necessary to install an ultraviolet ray irradiation and a plasma processing apparatus, which causes an increase in equipment cost, and is a great obstacle for supplying inexpensive products.

本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、主として、良好な転写性を確保しつつ、メッキ密着性を向上させることができ、微細な配線パターンを絶縁樹脂基材に転写して精度良く形成することができるステンレス転写基材、メッキ回路層付きステンレス転写基材を提供することを目的とするものである。 The present invention has been made in view of the above points, and can mainly improve plating adhesion while ensuring good transferability, and can transfer a fine wiring pattern to an insulating resin base material to achieve accuracy. It is an object of the present invention to provide a stainless steel transfer substrate that can be well formed and a stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer.

より詳しくは、本発明は、パターンメッキによりステンレス基材に微細な回路を形成し、その回路のみを絶縁樹脂基材に転写して、回路基板を形成する技術を提供するものであり、エッチングにより回路を形成する必要がなく、非常にファインな回路形成が可能であると共に、絶縁樹脂基板に埋め込まれる側の回路表面は、非常に粗度が小さく、高周波回路として非常に優れた特性を有する。また、ステンレス基材は、メッキ回路層に部品を実装することができるだけの十分な耐熱性を有しているので、リフロー処理等により変形等が起きず、回路及び部品の位置精度が極めて安定している回路基板を作製でき、しかも回路支持体（ステンレス基材）は転写後に剥離して製品から除去されるので、従来のようなインターポーザが不要となり、非常に薄い多層回路基板を作製することができるものである。 More specifically, the present invention provides a technique for forming a circuit board by forming a fine circuit on a stainless steel substrate by pattern plating, transferring only the circuit to an insulating resin substrate, and performing etching. There is no need to form a circuit, and a very fine circuit can be formed. The circuit surface on the side embedded in the insulating resin substrate has a very small roughness and has very excellent characteristics as a high-frequency circuit. In addition, the stainless steel substrate has sufficient heat resistance to mount components on the plated circuit layer, so that deformation and the like do not occur due to reflow processing, etc., and the positional accuracy of the circuit and components is extremely stable. The circuit substrate (stainless steel base) is peeled off after the transfer and removed from the product, eliminating the need for a conventional interposer and making a very thin multilayer circuit board. It can be done.

本発明の請求項１に係るステンレス転写基材は、ステンレス基材１の両面にメッキの核となる金属粒子２を０．０５〜５ｍｇ／ｍ^２付着して成ることを特徴とするものである。 Stainless transfer substrate according to claim 1 of the present invention, the metal particles 2 serving as plating nucleus on both surfaces of the stainless steel substrate 1 characterized in that formed by adhering 0.05 to 5 mg / m ² is there.

請求項２に係る発明は、請求項１において、金属粒子２の金属のイオン化傾向が、ステンレス基材１を構成する鉄のイオン化傾向より小さいことを特徴とするものである。 The invention according to claim 2 is characterized in that, in claim 1, the metal ionization tendency of the metal particles 2 is smaller than the iron ionization tendency of the stainless steel substrate 1.

請求項３に係る発明は、請求項２において、金属粒子２が、銅とニッケルのうちの少なくともいずれかの粒子であることを特徴とするものである。 The invention according to claim 3 is characterized in that, in claim 2, the metal particles 2 are particles of at least one of copper and nickel.

請求項４に係る発明は、請求項１乃至３のいずれかにおいて、ステンレス基材１の厚みが２０〜２００μｍであることを特徴とするものである。 The invention according to a fourth aspect is characterized in that, in any one of the first to third aspects, the thickness of the stainless steel substrate 1 is 20 to 200 μm.

本発明の請求項５に係るメッキ回路層付きステンレス転写基材は、請求項１乃至４のいずれかに記載のステンレス転写基材３の金属粒子２を核にしてメッキを施すことによってメッキ回路層４を形成して成ることを特徴とするものである。 A stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer according to claim 5 of the present invention is a plated circuit layer formed by plating the metal particles 2 of the stainless steel transfer substrate 3 according to any one of claims 1 to 4 as a nucleus. 4 is formed.

回路基板は、請求項５に記載のメッキ回路層付きステンレス転写基材５のメッキ回路層４を絶縁樹脂基材６に重ねて熱圧着成形した後に、ステンレス基材１を剥離することによって、絶縁樹脂基材６にめっき回路層４を転写して成ることを特徴とするものである。 Circuitry substrate, after thermocompression molding overlaid plating circuit layer 4 of the plating circuit layer Stainless transfer substrate 5 according to the insulating resin substrate 6 to claim 5, by peeling off the stainless steel substrate 1, The plated circuit layer 4 is transferred to the insulating resin base material 6 and is characterized by being formed.

部品内蔵モジュールは、請求項５に記載のメッキ回路層付きステンレス転写基材５のメッキ回路層４に部品８を実装すると共にメッキ回路層４及び部品８を絶縁樹脂基材６に重ねて熱圧着成形した後に、ステンレス基材１を剥離することによって、絶縁樹脂基材６にメッキ回路層４を転写すると共に部品８を埋入して成ることを特徴とするものである。 Part products built-in module is overlaid on the insulating resin base material 6 the plating circuit layer 4 and the component 8 with mount components 8 in a plating circuit layer 4 of the plating circuit layer Stainless transfer substrate 5 according to claim 5 heat After the pressure forming, the stainless base material 1 is peeled off, whereby the plated circuit layer 4 is transferred to the insulating resin base material 6 and the component 8 is embedded.

本発明の請求項１に係るステンレス転写基材によれば、金属粒子が所定量付着していることによって、良好な転写性を確保しつつ、通常はメッキが付きにくいステンレス基材へのメッキ密着性を向上させることができるものである。よって、微細な配線パターンを絶縁樹脂基材に転写して精度良く形成することができるものである。 According to the stainless steel transfer substrate according to claim 1 of the present invention, plating adhesion to a stainless steel substrate that is usually difficult to be plated while ensuring good transferability due to a predetermined amount of metal particles adhering thereto. It is possible to improve the property. Therefore, a fine wiring pattern can be transferred to an insulating resin substrate and formed with high accuracy.

請求項２に係る発明によれば、ステンレス基材の表面に金属粒子を析出させて付着させる処理工程において、イオン化傾向の違いにより析出する金属粒子を変えることができるものである。 According to the invention which concerns on Claim 2, in the process process which deposits and adheres a metal particle to the surface of a stainless steel base material, the metal particle to precipitate can be changed by the difference in an ionization tendency.

請求項３に係る発明によれば、メッキ密着性に優れたステンレス転写基材を最も安価に製造することができるものである。 According to the third aspect of the present invention, a stainless steel transfer substrate excellent in plating adhesion can be manufactured at the lowest cost.

請求項４に係る発明によれば、ステンレス基材の厚みが２００μｍ以下と薄いことによって、このステンレス基材を絶縁樹脂基材に重ねて熱圧着成形した後に剥離する場合に、絶縁樹脂基材にクラック等が発生するのを防止することができ、剥離性を向上させることができるものである。また、上記ステンレス基材にメッキ回路層を形成し、このメッキ回路層に部品を実装する場合には、バンプ実装、ワイヤーボンディング、リフロー半田等のように加熱処理が必要とされるが、上記ステンレス基材は厚みが２００μｍ以下と薄いものであるので、容易に熱を上昇させることができ、部品の実装を迅速かつ確実に行うことができるものである。 According to the invention which concerns on Claim 4, when the thickness of a stainless steel base material is as thin as 200 micrometers or less, when this stainless steel base material is piled up on an insulating resin base material and peeled after thermocompression molding, It is possible to prevent the occurrence of cracks and the like and improve the peelability. In addition, when a plated circuit layer is formed on the stainless steel substrate and components are mounted on the plated circuit layer, heat treatment such as bump mounting, wire bonding, and reflow soldering is required. Since the base material is as thin as 200 μm or less, heat can be easily raised, and components can be mounted quickly and reliably.

本発明の請求項５に係るメッキ回路層付きステンレス転写基材によれば、優れた転写性及びメッキ密着性を得ることができるものである。よって、そのまま絶縁樹脂基材に重ねて熱圧着成形した後に剥離すれば、容易に回路基板を得ることができるものであり、また、部品を実装したメッキ回路層付きステンレス転写基材を絶縁樹脂基材に重ねて熱圧着成形した後に剥離すれば、容易に部品内蔵モジュールを得ることができるものである。 According to the stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer according to claim 5 of the present invention, excellent transferability and plating adhesion can be obtained. Therefore, it is possible to easily obtain a circuit board by stacking on an insulating resin base material as it is and then peeling it off after thermocompression molding. In addition, a stainless steel transfer base material with a plated circuit layer on which components are mounted is used as an insulating resin base material. A module with a built-in component can be easily obtained if it is peeled off after being thermocompression-molded over the material.

上記の回路基板によれば、メッキ回路層が絶縁樹脂基材に転写されて埋入されることによって、メッキ回路層の絶縁樹脂基材に対する密着性を高く得ることができるものである。また、メッキ回路層が絶縁樹脂基材に転写されて埋入されることによって、回路基板の表面が平坦となるので、このような回路基板を複数用いて多層化することによって多層回路基板を得る場合に、多層回路基板の厚みの安定化を図ることができるものである。 According to the above circuit board, the plating circuit layer is transferred and embedded in the insulating resin base material, whereby the adhesiveness of the plated circuit layer to the insulating resin base material can be increased. In addition, since the surface of the circuit board is flattened by transferring and embedding the plated circuit layer on the insulating resin base material, a multilayer circuit board is obtained by using a plurality of such circuit boards. In this case, the thickness of the multilayer circuit board can be stabilized.

上記の部品内蔵モジュールによれば、メッキ回路層が絶縁樹脂基材に転写されて埋入されることによって、メッキ回路層の絶縁樹脂基材に対する密着性を高く得ることができるものである。また、部品を実装したメッキ回路層が絶縁樹脂基材に転写されて埋入されることによって、回路基板の表面が平坦となるので、このような回路基板を複数用いて多層化すれば、部品を内蔵した多層回路基板を容易に得ることができると共に、多層回路基板の厚みの安定化を図ることができるものである。 According to the component built-in module described above , the plating circuit layer is transferred and embedded in the insulating resin base material, whereby the adhesion of the plating circuit layer to the insulating resin base material can be increased. In addition, the surface of the circuit board is flattened by transferring and embedding the plated circuit layer on which the part is mounted on the insulating resin base material. Can be easily obtained, and the thickness of the multilayer circuit board can be stabilized.

以下、本発明の実施の形態を説明する。 Embodiments of the present invention will be described below.

図１は本発明の参考形態の一例であるステンレス転写基材３を示すものであり、これは、ステンレス基材１の片面又は両面にメッキの核となる金属粒子２を０．０５〜５ｍｇ／ｍ^２付着させることによって製造することができる。 FIG. 1 shows a stainless steel transfer substrate 3 which is an example of a reference form of the present invention. This is because 0.05 to 5 mg / mg of metal particles 2 serving as the core of plating are formed on one surface or both surfaces of the stainless steel substrate 1. It can be manufactured by depositing m ² .

ステンレス基材１としては適宜のものが用いられるが、特に表面粗化処理を施す場合に粗化容易となるようにするためには、好ましくはクロム含有率が１０〜２０質量％、ニッケル含有率が０〜１５質量％のものを用いるものである。このようなステンレス基材１としては、例えば、ＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４等が挙げられる。これらの組成のステンレス材は汎用されて入手容易であるため、製造コスト削減が可能である。これら以外の材質でも表面粗化は可能であるが、粗化処理のためのエッチング液の濃度管理等が難しくなる。 An appropriate material is used as the stainless steel substrate 1, but in order to facilitate the roughening particularly when the surface roughening treatment is performed, the chromium content is preferably 10 to 20% by mass and the nickel content. Is 0 to 15% by mass. Examples of such a stainless steel substrate 1 include SUS301 and SUS304. Since stainless materials having these compositions are widely used and easily available, manufacturing costs can be reduced. Surface roughening is possible with materials other than these, but it becomes difficult to control the concentration of the etching solution for the roughening treatment.

ステンレス基材１の厚みは２０〜２００μｍであることが好ましい。このように、ステンレス基材１の厚みが２００μｍ以下と薄いことによって、このステンレス基材１を絶縁樹脂基材６に重ねて熱圧着成形した後に剥離する場合に、絶縁樹脂基材６にクラック等が発生するのを防止することができ、剥離性を向上させることができるものである。また、上記ステンレス基材１にメッキ回路層４を形成し、このメッキ回路層４に部品８を実装する場合には、バンプ実装、ワイヤーボンディング、リフロー半田等のように加熱処理が必要とされるが、上記ステンレス基材１は厚みが２００μｍ以下と薄いものであるので、容易に熱を上昇させることができ、部品８の実装を迅速かつ確実に行うことができるものである。しかし、ステンレス基材１の厚みが２００μｍより厚いと、上記のような効果を十分に得ることができないおそれがある。なお、絶縁樹脂基材６がフレキシブル性を有している場合、あるいは加工上の制限によりステンレス基材１に十分な剛直性が必要とされる場合などには、厚みが２００μｍを超えるようなものを用いてもよい。また、厚みが２０μｍより薄いステンレス基材１を入手するのは困難であると共に、取扱いが難しく、特に部品８を実装する場合のリフロー工程で腰折れ等の問題が生じやすい。 The thickness of the stainless steel substrate 1 is preferably 20 to 200 μm. Thus, when the thickness of the stainless steel substrate 1 is as thin as 200 μm or less, the stainless steel substrate 1 is cracked in the insulating resin substrate 6 when it is peeled off after being thermocompression-molded on the insulating resin substrate 6. Can be prevented and the peelability can be improved. Further, when the plated circuit layer 4 is formed on the stainless steel substrate 1 and the component 8 is mounted on the plated circuit layer 4, heat treatment such as bump mounting, wire bonding, and reflow soldering is required. However, since the stainless steel substrate 1 is as thin as 200 μm or less, heat can be easily raised, and the component 8 can be mounted quickly and reliably. However, if the thickness of the stainless steel substrate 1 is greater than 200 μm, the above effects may not be sufficiently obtained. When the insulating resin substrate 6 has flexibility, or when the stainless steel substrate 1 requires sufficient rigidity due to processing limitations, the thickness exceeds 200 μm. May be used. In addition, it is difficult to obtain the stainless steel substrate 1 having a thickness of less than 20 μm and it is difficult to handle, and problems such as hip breakage tend to occur particularly in the reflow process when the component 8 is mounted.

ステンレス基材１に金属粒子２を付着させるにあたっては、前記金属粒子２の金属イオンを含有するエッチング液を用いて、ステンレス基材１をエッチング処理することによって行うことができる。これにより、ステンレス基材１の表面が図１に示すように非常に微細に粗化されながら、前記金属イオンと、ステンレス基材１を構成する鉄のイオンとが置換すると共に、前記金属イオンの金属がステンレス基材１の粗化面に複雑に析出するものである。 The metal particles 2 can be attached to the stainless steel substrate 1 by etching the stainless steel substrate 1 using an etching solution containing metal ions of the metal particles 2. Thereby, while the surface of the stainless steel substrate 1 is very finely roughened as shown in FIG. 1, the metal ions and the iron ions constituting the stainless steel substrate 1 are replaced, and the metal ions Metal is deposited in a complicated manner on the roughened surface of the stainless steel substrate 1.

このように、エッチング液を用いてステンレス基材１の表面を処理することにより、ステンレス基材１の表面に粗化処理を施すと同時に、この表面に金属粒子２を付着させることができるものである。このとき、エッチング液としては、鉄イオンと、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンとを含むエッチング液を用いて、ステンレス基材１の表面を処理することにより、ステンレス基材１の表面に粗化処理を施すと同時に、この表面に鉄よりもイオン化傾向が小さい金属の粒子を付着させて、被処理面を形成することができる。 In this way, by treating the surface of the stainless steel substrate 1 with the etching solution, the surface of the stainless steel substrate 1 can be roughened and the metal particles 2 can be attached to the surface. is there. At this time, as the etching solution, the surface of the stainless steel substrate 1 is treated by using the etching solution containing iron ions and metal ions having a smaller ionization tendency than iron, so that the surface of the stainless steel substrate 1 is treated. Simultaneously with the roughening treatment, metal particles having a smaller ionization tendency than iron can be adhered to the surface to form a surface to be treated.

より具体的には、エッチング液としては、塩化第二鉄を含み、あるいは塩化第二鉄と塩化第一鉄とを含むことにより鉄イオンを含有させた強酸性エッチング液（塩化鉄エッチング液）に、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンを含有させたものを用いることが好ましく、また、鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンとしては、銅イオン又はニッケルイオンを含有させることが好ましい。 More specifically, the etching solution contains ferric chloride or a strongly acidic etching solution (iron chloride etching solution) containing iron ions by containing ferric chloride and ferrous chloride. It is preferable to use a metal ion having a smaller ionization tendency than iron, and the metal ion having a smaller ionization tendency than iron preferably includes a copper ion or a nickel ion.

上記のように、金属粒子２の金属のイオン化傾向が、ステンレス基材１を構成する鉄のイオン化傾向より小さいと、ステンレス基材１の表面に金属粒子２を析出させて付着させる処理工程において、イオン化傾向の違いにより析出する金属粒子２を変えることができるものである。このように、一般に使われる塩化鉄エッチング液に鉄よりもイオン化傾向が小さい金属のイオンを含有させたエッチング液を用いることで、従来あるエッチング技術で粗化処理しただけでは得られない異種金属粒子２が付着した被処理面を得ることが可能となる。なお、鉄のイオン化傾向より小さい金属としては、銅やニッケルのほか、スズ等を挙げることができる。 As described above, when the metal ionization tendency of the metal particles 2 is smaller than the iron ionization tendency of the stainless steel substrate 1, the metal particles 2 are deposited on the surface of the stainless steel substrate 1. The deposited metal particles 2 can be changed depending on the difference in ionization tendency. In this way, dissimilar metal particles that cannot be obtained simply by roughening with conventional etching technology by using an etching solution containing metal ions that are less ionized than iron in a commonly used iron chloride etching solution It is possible to obtain a surface to be processed to which 2 is attached. In addition, as a metal smaller than the ionization tendency of iron, tin etc. can be mentioned besides copper and nickel.

また、上記のように特に、金属粒子２が、銅とニッケルのうちの少なくともいずれかの粒子であると、メッキ密着性に優れたステンレス転写基材３を最も安価に製造することができるものである。 In particular, as described above, when the metal particles 2 are particles of at least one of copper and nickel, the stainless steel transfer substrate 3 excellent in plating adhesion can be produced at the lowest cost. is there.

ここで、通常のステンレス基材１等の穴あけ加工にはある程度以上の酸化還元電位を有するエッチング液を用いてサイドエッチングの少ない加工を行うが、本発明においてはステンレス基材１の表面にメッキの核となる金属粒子２を付着させることが目的であるので、通常のステンレス加工よりも低い酸化還元電位（例えば、４７５〜５５０ｍＶ）を有するエッチング液で処理を行うことが好ましい。また、一般的にはステンレス基材１のエッチングに使用される処理液には、酸や安定剤といったものが混合されて処理効率の向上が図られているが、これと同様に処理を行うことも可能である。 Here, in the drilling of the normal stainless steel base material 1 or the like, processing with less side etching is performed using an etching solution having a redox potential of a certain level or more. In the present invention, the surface of the stainless steel base material 1 is plated. Since the purpose is to attach the core metal particles 2, it is preferable to perform the treatment with an etching solution having a lower oxidation-reduction potential (for example, 475 to 550 mV) than normal stainless steel processing. In general, the processing liquid used for etching the stainless steel substrate 1 is mixed with an acid or a stabilizer to improve the processing efficiency. Is also possible.

そして、本発明においては、メッキの核となる金属粒子２の付着量を０．０５〜５ｍｇ／ｍ^２に設定するものであるが、このように設定することによって、良好な転写性を確保しつつ、通常はメッキが付きにくいステンレス基材１へのメッキ密着性を向上させることができるものである。よって、微細な配線パターンを絶縁樹脂基材６に転写して精度良く形成することができるものである。 And in this invention, although the adhesion amount of the metal particle 2 used as the nucleus of plating is set to 0.05-5 mg / m < ² >, favorable transferability is ensured by setting in this way. On the other hand, it is possible to improve the plating adhesion to the stainless steel substrate 1 which is usually difficult to be plated. Therefore, a fine wiring pattern can be transferred to the insulating resin substrate 6 and formed with high accuracy.

より詳しくは、図１に示すように粗化されたステンレス基材１の表面に金属粒子２が複雑に絡み合って析出しており、この金属粒子２がメッキの核となって、通常メッキが付きにくいステンレス基材１へのメッキ密着性を向上させることができる。メッキが剥れないようにするためには、この金属粒子２の付着量を増加させればよいが、転写性を得るために、ある範囲の付着量で管理しなければならない。つまり、金属粒子２の付着量が０．０５〜５ｍｇ／ｍ^２の範囲である場合に、メッキ密着性と転写性とのバランスが最も良くとれているものである。なお、図１に示すものではステンレス基材１の片面に粗化面を形成して金属粒子２を付着させているが、ステンレス基材１の両面に粗化面を形成して金属粒子２を付着させてもよい。 More specifically, as shown in FIG. 1, metal particles 2 are complicatedly entangled and deposited on the surface of the roughened stainless steel base 1, and the metal particles 2 serve as the core of plating and are usually plated. It is possible to improve the plating adhesion to the difficult stainless steel substrate 1. In order to prevent the plating from being peeled off, the adhesion amount of the metal particles 2 may be increased. However, in order to obtain transferability, the adhesion must be controlled within a certain range. That is, when the adhesion amount of the metal particles 2 is in the range of 0.05 to 5 mg / m ² , the balance between plating adhesion and transferability is best. 1, the roughened surface is formed on one surface of the stainless steel substrate 1 and the metal particles 2 are attached. However, the roughened surface is formed on both surfaces of the stainless steel substrate 1 and the metal particles 2 are attached. It may be attached.

ここで、金属粒子２の付着量の調整は、エッチング液において金属粒子２の金属イオンの含有量をあらかじめ調整しておくことによって行うことができる。例えば、０．１〜５．０質量％の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液や、０．１〜５．０質量％のニッケルイオンを含有する塩化第二鉄溶液を用いることによって、金属粒子２の付着量を０．０５〜５ｍｇ／ｍ^２の範囲に設定することができるが、特にこれらに限定されるものではない。また、金属粒子２を付着させるためのエッチングの処理時間は１５〜９０秒間に設定することができる。ただし、処理液の濃度により、処理時間はこれに限定されるものではない。また、図１に示すようなステンレス転写基材３の表面に付着している金属粒子２の付着量は、ＥＳＣＡ等によって測定して確認することができる。 Here, adjustment of the adhesion amount of the metal particles 2 can be performed by adjusting in advance the content of metal ions of the metal particles 2 in the etching solution. For example, by using a ferric chloride solution containing 0.1 to 5.0 mass% copper ions or a ferric chloride solution containing 0.1 to 5.0 mass% nickel ions, Although the adhesion amount of the particle | grains 2 can be set to the range of 0.05-5 mg / m < ² >, it is not specifically limited to these. Further, the etching processing time for attaching the metal particles 2 can be set to 15 to 90 seconds. However, the treatment time is not limited to this depending on the concentration of the treatment liquid. Moreover, the adhesion amount of the metal particles 2 adhering to the surface of the stainless steel transfer substrate 3 as shown in FIG. 1 can be confirmed by measuring with ESCA or the like.

なお、金属粒子２の付着量が０．０５ｍｇ／ｍ^２より少ないと、メッキ回路層４のステンレス基材１に対する密着性が低下し、メッキ回路層４を絶縁樹脂基材６に転写する前にメッキ回路層４がステンレス基材１から剥がれ落ちてしまうものである。また、半田リフロー処理でメッキ回路層４に部品８を実装する場合に剥離や膨れ等の発生につながる。逆に、金属粒子２の付着量が５ｍｇ／ｍ^２より多いと、メッキ回路層４の絶縁樹脂基材６への転写性が低下するものである。すなわち、メッキ回路層４のステンレス基材１に対する密着性が高くなり過ぎて、メッキ回路層４がステンレス基材１から剥離しにくくなり、メッキ回路層４を絶縁樹脂基材６に転写できなくなるものである。 Incidentally, when the amount of deposition of the metal particles 2 is less than 0.05 mg / m ^2, before the adhesion to stainless steel substrate 1 of the plated circuit layer 4 decreases to transfer the plating circuit layer 4 to the insulating resin base material 6 The plated circuit layer 4 is peeled off from the stainless steel substrate 1. In addition, when the component 8 is mounted on the plated circuit layer 4 by the solder reflow process, it may cause peeling or swelling. On the contrary, when the adhesion amount of the metal particles 2 is more than 5 mg / m ² , the transferability of the plated circuit layer 4 to the insulating resin substrate 6 is deteriorated. That is, the adhesiveness of the plated circuit layer 4 to the stainless steel substrate 1 becomes too high, and the plated circuit layer 4 becomes difficult to peel from the stainless steel substrate 1 and the plated circuit layer 4 cannot be transferred to the insulating resin substrate 6. It is.

また、図１に示すステンレス転写基材３の被処理面は、表面粗度Ｒａを１．０μｍ以下となるように形成することが好ましい。この表面粗度は、ＪＩＳＢ０６０１に基づき、カットオフ値λ_ｃ＝０．８０ｍｍ、測定長さＬ＝λ_ｃ×５＝４．０ｍｍで測定することにより得られる。ここで、この表面粗度は小さければ小さいほど、その後の回路形成時の精度向上が期待できる。この粗度については、金属粒子２の析出速度との関係もあり、金属粒子２の析出量の最適化が必要である。この粗度が小さくなり過ぎた場合には、パターンメッキ等のレジストの密着性が悪化し、メッキ処理液等の強酸、強アルカリ雰囲気で、端部の剥離が発生し易くなり、ファインパターンの形成に問題が発生する可能性が出てくるので、注意が必要である。 Moreover, it is preferable to form the to-be-processed surface of the stainless steel transfer substrate 3 shown in FIG. 1 so that the surface roughness Ra is 1.0 μm or less. This surface roughness is obtained by measuring with a cut-off value λ _c = 0.80 mm and a measurement length L = λ _c × 5 = 4.0 mm based on JIS B0601. Here, the smaller the surface roughness is, the higher the accuracy of the subsequent circuit formation can be expected. This roughness also has a relationship with the deposition rate of the metal particles 2, and the amount of deposition of the metal particles 2 needs to be optimized. If this roughness becomes too small, the adhesion of resist such as pattern plating deteriorates, and peeling of edges tends to occur in a strong acid or strong alkali atmosphere such as a plating solution, thereby forming a fine pattern. Because there is a possibility that a problem will occur, care should be taken.

ところで、上述した方法とは別の方法で、ステンレス基材１の表面に金属粒子２を付着させることも可能である。例えば、蒸着工法により金属粒子２を付着させる方法であるが、この方法では、ソフトエッチングにより微細な粗化表面を形成した後に、その微細な凹凸表面に金属粒子２を付着させるものであり、このような方法でもメッキ密着性を向上させることが可能である。 Incidentally, the metal particles 2 can be attached to the surface of the stainless steel substrate 1 by a method different from the method described above. For example, it is a method of attaching the metal particles 2 by a vapor deposition method. In this method, after forming a fine rough surface by soft etching, the metal particles 2 are attached to the fine uneven surface. Such a method can also improve the plating adhesion.

さらに、エッチング液は、塩化第二鉄溶液に限定されるものではなく、塩化銅溶液等のようにステンレス基材１を粗化、エッチング可能な処理液であれば、自由に選択することができる。 Furthermore, the etching solution is not limited to a ferric chloride solution, and any etching solution that can roughen and etch the stainless steel substrate 1 such as a copper chloride solution can be selected freely. .

次に、メッキ回路層付きステンレス転写基材５について説明する。このメッキ回路層付きステンレス転写基材５は、上述したステンレス転写基材３を用いて、図２に示すようにして製造することができる。すなわち、図２（ａ）に示すステンレス転写基材３の被処理面（金属粒子２を付着させた面）に、図２（ｂ）に示すようにメッキレジスト層１０を形成した後、配線パターンを形成したフォトマスクフィルム１１を通して光を照射する。露光後、現像液を用いて現像すると、図２（ｃ）に示すように、メッキを行う部分のメッキレジスト層１０が除去されてステンレス転写基材３の被処理面が露出すると共に、メッキを行わない部分のメッキレジスト層１０が残る。そして、露出した被処理面の金属粒子２をメッキの核として、図２（ｄ）に示すようにメッキを施すことによってメッキ回路層４を形成した後に、メッキレジスト層１０を除去すると、図２（ｅ）に示すようなメッキ回路層付きステンレス転写基材５を得ることができる。ここで、メッキとしては、電解銅メッキ等の電解メッキを施すことができる。また、メッキ回路層４は、単一のメッキ種で形成するほか、色々なメッキ種を層状に積層して形成することができる。例えば、銅メッキを形成した後、金メッキを最上層に形成して、後に金ワイヤー１８による接続を行うことができるようにしてもよいし、また、銅・ニッケルの２層構造でもよい。このような多層メッキの技術としては一般的に公知なものを使用すればよい。 Next, the stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer will be described. The stainless steel transfer substrate 5 with the plated circuit layer can be manufactured as shown in FIG. 2 using the stainless steel transfer substrate 3 described above. That is, after the plating resist layer 10 is formed as shown in FIG. 2B on the surface to be treated (surface to which the metal particles 2 are attached) of the stainless transfer substrate 3 shown in FIG. Light is irradiated through the photomask film 11 on which is formed. After the exposure, when developing with a developer, as shown in FIG. 2 (c), the plating resist layer 10 in the portion to be plated is removed, the surface to be processed of the stainless steel transfer substrate 3 is exposed, and the plating is performed. A portion of the plating resist layer 10 that is not performed remains. Then, the plating circuit layer 4 is formed by plating as shown in FIG. 2D using the exposed metal particles 2 on the surface to be processed as the core of the plating, and then the plating resist layer 10 is removed. A stainless transfer substrate 5 with a plated circuit layer as shown in (e) can be obtained. Here, as the plating, electrolytic plating such as electrolytic copper plating can be performed. Further, the plated circuit layer 4 can be formed by laminating various plating types in layers, in addition to being formed by a single plating type. For example, after forming the copper plating, the gold plating may be formed on the uppermost layer so that the connection by the gold wire 18 can be performed later, or a two-layer structure of copper and nickel may be used. A generally known technique may be used as such a multilayer plating technique.

そして、図２（ｅ）に示すようなメッキ回路層付きステンレス転写基材５によれば、優れた転写性及びメッキ密着性を得ることができるものである。よって、そのまま絶縁樹脂基材６に重ねて熱圧着成形した後に剥離すれば、容易に回路基板７（後述）を得ることができるものであり、また、部品８を実装したメッキ回路層付きステンレス転写基材５を絶縁樹脂基材６に重ねて熱圧着成形した後に剥離すれば、容易に部品内蔵モジュール９（後述）を得ることができるものである。また、図２（ａ）〜（ｅ）に示す回路形成の過程においては、エッチングを行っていないので、メッキ回路層４によって微細な配線パターンを精度良く形成することができるものである。 And according to the stainless steel transfer base material 5 with a plating circuit layer as shown in FIG.2 (e), the outstanding transcription | transfer property and plating adhesiveness can be obtained. Therefore, if it overlaps with the insulating resin base material 6 as it is, and it peels after thermocompression molding, the circuit board 7 (after-mentioned) can be obtained easily, and the stainless steel transcription | transfer with the plating circuit layer which mounted the components 8 is mounted. If the base material 5 is superposed on the insulating resin base material 6 and thermocompression-molded, and then peeled off, the component built-in module 9 (described later) can be easily obtained. Further, in the process of forming the circuit shown in FIGS. 2A to 2E, since the etching is not performed, a fine wiring pattern can be accurately formed by the plated circuit layer 4.

次に、回路基板７について説明する。この回路基板７は、上述したメッキ回路層付きステンレス転写基材５を用いて、図３に示すようにして製造することができる。すなわち、図３（ａ）（ｂ）に示すように、メッキ回路層付きステンレス転写基材５のメッキ回路層４を半硬化状態（Ｂステージ状態）の絶縁樹脂基材６に重ねて熱圧着成形（加熱加圧成形）した後に、ステンレス基材１を剥離することによって、絶縁樹脂基材６にメッキ回路層４を転写すると、図３（ｃ）に示すような回路基板７を得ることができる。熱圧着成形は、成形後の絶縁樹脂基材６で形成される絶縁樹脂層がＢステージ状態を維持する条件で行ったり、絶縁樹脂層がＣステージ状態となる条件で行ったりすることができる。 Next, the circuit board 7 will be described. This circuit board 7 can be manufactured as shown in FIG. 3 using the above-described stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer. That is, as shown in FIGS. 3A and 3B, the plated circuit layer 4 of the stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer is laminated on the insulating resin substrate 6 in a semi-cured state (B stage state) and thermocompression-molded. When the plated circuit layer 4 is transferred to the insulating resin base material 6 by peeling the stainless steel base material 1 after (heat-press molding), a circuit board 7 as shown in FIG. 3C can be obtained. . The thermocompression molding can be performed under the condition that the insulating resin layer formed of the molded insulating resin substrate 6 maintains the B stage state, or under the condition that the insulating resin layer is in the C stage state.

ここで、絶縁樹脂基材６としては、例えば、エポキシ樹脂組成物等のような適宜の電気絶縁性の熱硬化性樹脂組成物や、熱可塑性樹脂組成物を用いて形成したものを用いることができる。具体的には、樹脂組成物をシート状に成形し、加熱乾燥して半硬化状態としたポリイミドフィルム等の樹脂シートや、また、ガラス織布や有機繊維シート等に樹脂組成物を含浸させ、加熱乾燥して半硬化状態としたプリプレグなどといった、Ｂステージ状態の電気絶縁性の樹脂組成物から構成されるシート材を用いることができる。絶縁樹脂基材６は、一枚のシート材にて形成したり、複数枚のシート材を積層一体化して形成したりすることができる。 Here, as the insulating resin base material 6, for example, an appropriate electrically insulating thermosetting resin composition such as an epoxy resin composition or a material formed using a thermoplastic resin composition may be used. it can. Specifically, the resin composition is molded into a sheet shape, heat-dried and resin sheet such as a polyimide film in a semi-cured state, or a glass woven fabric or an organic fiber sheet is impregnated with the resin composition, A sheet material composed of an electrically insulating resin composition in a B-stage state, such as a prepreg that has been heated and dried to be in a semi-cured state, can be used. The insulating resin substrate 6 can be formed of a single sheet material, or can be formed by laminating and integrating a plurality of sheet materials.

ところで、通常使用されているステンレスプレートでは、非常に剛直な回路基板７であれば、剥離できるが、薄い回路基板７の場合は、回路基板７の方をめくりあげて剥離しなければならず、機械的応力により回路基板７に微細クラック等が発生する可能性があり、信頼性に問題が生じ易かったが、上述したようにステンレス基材１を厚み２００μｍ以下の箔状にすることにより、ステンレス基材１をめくりあげることにより、非常にデリケートな回路基板７も微細クラック等を発生させずに簡単に剥離することが可能となる。このように剥離性の向上のためには、上述したようにステンレス基材１の厚みが２０〜２００μｍの範囲であることが好ましく、この場合、ステンレス基材１を絶縁樹脂基材６から剥離する際に、ステンレス基材１を絶縁樹脂基材６からめくりあげて撓ませながら容易に剥離することができ、かつ、このとき絶縁樹脂基材６に対して過大な応力がかかることを抑制して、回路基板７の破損等を防止することができる。 By the way, with a stainless steel plate that is usually used, if it is a very rigid circuit board 7, it can be peeled off, but in the case of a thin circuit board 7, the circuit board 7 must be turned up and peeled off, There is a possibility that fine cracks or the like may occur in the circuit board 7 due to mechanical stress, and it is easy to cause a problem in reliability. However, as described above, by making the stainless steel substrate 1 into a foil shape having a thickness of 200 μm or less, stainless steel is formed. By turning up the base material 1, it is possible to easily peel off a very delicate circuit board 7 without generating fine cracks or the like. Thus, in order to improve peelability, it is preferable that the thickness of the stainless steel substrate 1 is in the range of 20 to 200 μm as described above. In this case, the stainless steel substrate 1 is peeled from the insulating resin substrate 6. In this case, the stainless steel base material 1 can be easily peeled off while being turned up from the insulating resin base material 6, and excessive stress is applied to the insulating resin base material 6 at this time. Further, it is possible to prevent the circuit board 7 from being damaged.

そして、図３（ｃ）に示すような回路基板７によれば、メッキ回路層４が絶縁樹脂基材６に転写されて埋入されることによって、メッキ回路層４の絶縁樹脂基材６に対する密着性を高く得ることができるものである。そのため、図３（ａ）に示す段階において絶縁樹脂基材６の表面にあらかじめ粗面化処理（デスミア処理）を行っておく必要がなくなり、これにより、粗面化処理を行わないようにすれば、高周波信号の伝送損失が大きくなるのを防止することができると共に、耐マイグレーションの低下も防止することができるものである。また、メッキ回路層４が絶縁樹脂基材６の表面において露出するように転写されて埋入されることによって、メッキ回路層４の露出面と絶縁樹脂基材６の外面とが面一となって凹凸が無くなり、回路基板７の表面が平坦となるので、このような回路基板７をコア材として複数用いて、ビルドアップ工法等により多層化することによって多層回路基板１４を得る場合に、多層回路基板１４の厚みの安定化を図ることができるものである。 And according to the circuit board 7 as shown in FIG.3 (c), the plating circuit layer 4 is transcribe | transferred by the insulating resin base material 6, and it embeds, and with respect to the insulating resin base material 6 of the plating circuit layer 4 High adhesion can be obtained. Therefore, it is not necessary to perform a roughening process (desmearing process) on the surface of the insulating resin substrate 6 in advance at the stage shown in FIG. 3A, so that the roughening process is not performed. Thus, it is possible to prevent an increase in transmission loss of the high-frequency signal and to prevent a decrease in migration resistance. In addition, the exposed surface of the plated circuit layer 4 and the outer surface of the insulating resin substrate 6 are flush with each other by being transferred and embedded so that the plated circuit layer 4 is exposed on the surface of the insulating resin substrate 6. When the multi-layer circuit board 14 is obtained by using a plurality of such circuit boards 7 as a core material and multi-layering by a build-up method or the like, the multi-layer circuit board 14 is obtained. The thickness of the circuit board 14 can be stabilized.

また、回路基板７は、両面にメッキ回路層４が形成されたメッキ回路層付きステンレス転写基材５を用いて、図４に示すようにして、一度に２枚製造することもできる。すなわち、図４（ａ）（ｂ）に示すように、両面にメッキ回路層４が形成されたメッキ回路層付きステンレス転写基材５を２枚の半硬化状態の絶縁樹脂基材６で挟み込んで熱圧着成形した後に、２枚の絶縁樹脂基材６を剥離することによって、図４（ｃ）に示すように、２枚の回路基板７を得ることができる。 In addition, two circuit boards 7 can be manufactured at a time as shown in FIG. 4 using a stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer in which plated circuit layers 4 are formed on both sides. That is, as shown in FIGS. 4A and 4B, a stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer having a plated circuit layer 4 formed on both sides is sandwiched between two semi-cured insulating resin substrates 6. After the thermocompression molding, the two insulating resin base materials 6 are peeled off to obtain two circuit boards 7 as shown in FIG. 4 (c).

また、図５に回路基板７の他の一例を示す。この回路基板７は、導電性ペースト１２を充填したスルーホール１３を設けて形成される絶縁樹脂基材６と、メッキ回路層付きステンレス転写基材５とを用いて製造することができる。すなわち、図５（ａ）（ｂ）に示すように、前記絶縁樹脂基材６を２枚のメッキ回路層付きステンレス転写基材５で挟み込んで熱圧着成形した後に、２枚のステンレス基材１を剥離することによって、図５（ｃ）に示すような回路基板７を得ることができる。この回路基板７においては、スルーホール１３によって両面の配線パターン間の導通が取られている。 FIG. 5 shows another example of the circuit board 7. The circuit board 7 can be manufactured using an insulating resin base material 6 formed by providing a through hole 13 filled with a conductive paste 12 and a stainless steel transfer base material 5 with a plated circuit layer. That is, as shown in FIGS. 5 (a) and 5 (b), the insulating resin base material 6 is sandwiched between two stainless steel transfer base materials 5 with a plated circuit layer and thermocompression-molded. By peeling off, a circuit board 7 as shown in FIG. 5C can be obtained. In the circuit board 7, conduction between the wiring patterns on both sides is established by the through holes 13.

次に、図６に多層回路基板１４の一例を示す。この多層回路基板１４は、導電性ペースト１２を充填したスルーホール１３を設けて形成される絶縁樹脂基材６と、メッキ回路層付きステンレス転写基材５と、ＦＲ−４等の両面にメッキ回路層４等で配線パターンを設けると共にスルーホール１３を設けて形成されるプリント配線板１５とを用いて製造することができる。すなわち、図６（ａ）（ｂ）に示すように、メッキ回路層付きステンレス転写基材５とプリント配線板１５とで前記絶縁樹脂基材６を挟み込んで熱圧着成形した後に、ステンレス基材１を剥離することによって、図６（ｃ）に示すような３層の多層回路基板１４を得ることができる。この多層回路基板１４においては、スルーホール１３によって各層の配線パターン間の導通が取られている。なお、本発明によれば、４層以上の多層回路基板１４を得ることもできることはいうまでもない。 Next, FIG. 6 shows an example of the multilayer circuit board 14. This multilayer circuit board 14 has an insulating resin base material 6 formed by providing a through hole 13 filled with a conductive paste 12, a stainless steel transfer base material 5 with a plating circuit layer, FR-4, etc. It can be manufactured by using a printed wiring board 15 formed by providing a wiring pattern in the layer 4 or the like and providing a through hole 13. That is, as shown in FIGS. 6 (a) and 6 (b), after the insulating resin substrate 6 is sandwiched between the stainless transfer substrate 5 with a plated circuit layer and the printed wiring board 15, the stainless substrate 1 Is peeled off, a three-layered multilayer circuit board 14 as shown in FIG. 6C can be obtained. In the multilayer circuit board 14, electrical connection between the wiring patterns of the respective layers is taken by the through holes 13. Needless to say, according to the present invention, the multilayer circuit board 14 having four or more layers can be obtained.

次に、部品内蔵モジュール９について説明する。この部品内蔵モジュール９も、上述したメッキ回路層付きステンレス転写基材５を用いて、図７に示すようにして製造することができる。すなわち、まず図７（ａ）に示すように、メッキ回路層付きステンレス転写基材５のメッキ回路層４に部品８を実装する。 Next, the component built-in module 9 will be described. This component built-in module 9 can also be manufactured as shown in FIG. 7 using the above-described stainless transfer substrate 5 with a plated circuit layer. That is, as shown in FIG. 7A, the component 8 is first mounted on the plated circuit layer 4 of the stainless transfer substrate 5 with the plated circuit layer.

ここで、部品８としては、チップ状抵抗体、チップ状コンデンサ、チップ状インダクタ等の受動部品を用いることができ、このような部品８を半田１６にてメッキ回路層４に接続して実装することができる。また、部品８としては、半導体ベアチップ等の能動部品を用いることもでき、このような部品８を図８（ａ）に示すように半田ボール等のバンプ１７によりメッキ回路層４に接続して実装してもよい。さらに、図８（ｂ）に示すように部品８を接着剤にてメッキ回路層４に接続すると共に、他のメッキ回路層４と部品８とを金ワイヤー１８等でワイヤーボンディングして実装してもよい。ところで、部品８の実装時に加熱を行う場合には、従来のものでは、部品８やメッキ回路層４がステンレス基材１から剥がれ落ちるおそれがあるが、本発明では、所定量の金属粒子２がステンレス基材１とメッキ回路層４との密着性を高めていることによって、加熱による部品８の実装時に部品８やメッキ回路層４の脱落を防止することができるものであり、しかも部品８やメッキ回路層４を絶縁樹脂基材６に転写して埋入した後には、ステンレス基材１のみを簡単に剥離することができるものである。また、部品８の実装時に加熱を行う場合に、ステンレス基材１が厚いと、熱が上昇しにくく、バンプ実装、ワイヤーボンディング、リフロー半田等に問題が生じ易いが、厚みが２００μｍ以下のステンレス基材１を用いることにより、簡単に加熱することができ、全体的に均一な加熱処理が容易となる。 Here, passive components such as a chip resistor, a chip capacitor, and a chip inductor can be used as the component 8. Such a component 8 is connected to the plated circuit layer 4 by solder 16 and mounted. be able to. Further, as the component 8, an active component such as a semiconductor bare chip can be used, and the component 8 is connected to the plated circuit layer 4 by a bump 17 such as a solder ball as shown in FIG. May be. Further, as shown in FIG. 8B, the component 8 is connected to the plated circuit layer 4 with an adhesive, and the other plated circuit layer 4 and the component 8 are mounted by wire bonding with a gold wire 18 or the like. Also good. By the way, when heating is performed when the component 8 is mounted, the component 8 and the plated circuit layer 4 may be peeled off from the stainless steel substrate 1 in the conventional device, but in the present invention, a predetermined amount of the metal particles 2 is formed. By increasing the adhesion between the stainless steel substrate 1 and the plated circuit layer 4, the component 8 and the plated circuit layer 4 can be prevented from falling off when the component 8 is mounted by heating. After the plated circuit layer 4 is transferred and embedded in the insulating resin substrate 6, only the stainless steel substrate 1 can be easily peeled off. In addition, when heating is performed when the component 8 is mounted, if the stainless steel substrate 1 is thick, the heat does not easily rise, and problems such as bump mounting, wire bonding, reflow soldering, etc. are likely to occur, but a stainless steel substrate having a thickness of 200 μm or less. By using the material 1, it can be easily heated, and uniform heat treatment is facilitated as a whole.

そして、図７（ａ）（ｂ）に示すように、部品８を実装したメッキ回路層付きステンレス転写基材５のメッキ回路層４及び部品８を絶縁樹脂基材６に重ねて熱圧着成形した後に、ステンレス基材１を剥離することによって、絶縁樹脂基材６にメッキ回路層４を転写すると共に部品８を埋入すると、図７（ｃ）に示すような部品内蔵モジュール９を得ることができる。 Then, as shown in FIGS. 7A and 7B, the plated circuit layer 4 and the component 8 of the stainless transfer substrate 5 with the plated circuit layer on which the component 8 is mounted are stacked on the insulating resin substrate 6 and thermocompression-molded. Later, by peeling the stainless steel substrate 1, the plated circuit layer 4 is transferred to the insulating resin substrate 6 and the component 8 is embedded, whereby a component built-in module 9 as shown in FIG. 7C can be obtained. it can.

このようにして製造される部品内蔵モジュール９にあっては、メッキ回路層４が絶縁樹脂基材６に転写されて埋入されることによって、メッキ回路層４の絶縁樹脂基材６に対する密着性を高く得ることができるものである。また、部品８を実装したメッキ回路層４が絶縁樹脂基材６において露出するように転写されて埋入されることによって、メッキ回路層４の露出面と絶縁樹脂基材６の外面とが面一となって凹凸が無くなり、回路基板７の表面が平坦となるので、このような回路基板７を複数用いて多層化すれば、部品８を内蔵した多層回路基板１４を容易に得ることができると共に、多層回路基板１４の厚みの安定化を図ることができるものである。また、部品８を内蔵しているので、従来のものに比べて、小型薄型化を図ることができるものである。なお、図７（ｃ）に示す部品内蔵モジュール９の表面に露出するメッキ回路層４に半田ボール等のバンプ１９を設けて、この部品内蔵モジュール９を他の基板（図示省略）に２次実装することができるようにしてもよい。 In the component built-in module 9 manufactured as described above, the plating circuit layer 4 is transferred to the insulating resin base material 6 and embedded therein, whereby the adhesion of the plating circuit layer 4 to the insulating resin base material 6 is achieved. Can be obtained high. Further, the plated circuit layer 4 on which the component 8 is mounted is transferred and embedded so as to be exposed in the insulating resin base material 6, so that the exposed surface of the plated circuit layer 4 and the outer surface of the insulating resin base material 6 face each other. Since the unevenness is eliminated and the surface of the circuit board 7 is flattened, a multilayer circuit board 14 incorporating the component 8 can be easily obtained by using a plurality of such circuit boards 7 to form a multilayer. At the same time, the thickness of the multilayer circuit board 14 can be stabilized. Further, since the component 8 is built in, it can be made smaller and thinner than the conventional one. A bump 19 such as a solder ball is provided on the plated circuit layer 4 exposed on the surface of the component built-in module 9 shown in FIG. 7C, and the component built-in module 9 is secondarily mounted on another substrate (not shown). You may be able to do that.

上述した回路基板７や部品内蔵モジュール９にあっては、レーザ加工やドリル加工等による穴あけ加工を施した後に、この穴内にホールメッキを施したり導電性ペースト１２を充填したりするなどしてスルーホール１３を形成することができる。 In the circuit board 7 and the component built-in module 9 described above, after drilling is performed by laser processing, drilling, or the like, through-hole plating or filling of the conductive paste 12 is performed in the hole. Holes 13 can be formed.

以下、本発明を実施例によって具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be specifically described by way of examples.

（参考例１）
ステンレス基材１として、ＳＵＳ３０１（７６％Ｆｅ，１７％Ｃｒ，７％Ｎｉ）、調質３／４Ｈ、厚み１００μｍのものを用い、１．０質量％の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液（酸化還元電位５００ｍＶ、比重１．４６）にて前記ステンレス基材１の片面にエッチング処理を６０秒間施すことにより、図１に示すようなステンレス転写基材３を得た。この金属粒子２（銅粒子）の付着量は０．５ｍｇ／ｍ^２であった。 ( Reference Example 1)
As the stainless steel substrate 1, SUS301 (76% Fe, 17% Cr, 7% Ni), tempered 3 / 4H, 100 μm thick, ferric chloride solution containing 1.0% by mass of copper ions A stainless steel transfer substrate 3 as shown in FIG. 1 was obtained by applying an etching process to one surface of the stainless steel substrate 1 for 60 seconds at an oxidation-reduction potential of 500 mV and a specific gravity of 1.46. The adhesion amount of the metal particles 2 (copper particles) was 0.5 mg / m ² .

次に、前記ステンレス転写基材３を用いて、メッキレジスト層１０の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図２に示すようなメッキ回路層付きステンレス転写基材５を得た。ただし、メッキ回路層４は、銅メッキ（厚み２０μｍ）によって形成した。 Next, by using the stainless steel transfer substrate 3, the plating resist layer 10 was formed, exposed, developed, and electroplated in this order to obtain a stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer as shown in FIG. . However, the plated circuit layer 4 was formed by copper plating (thickness 20 μm).

次に、絶縁樹脂基材６としてエポキシ樹脂シート（厚み１００μｍ）を用い、図３（ａ）（ｂ）に示すように、前記メッキ回路層付きステンレス転写基材５をエポキシ樹脂シートに重ねて、１００℃、５ｋｇ／ｃｍ^２（０．４９ＭＰａ）の条件で熱圧着成形した。そしてこれを冷却した後にステンレス基材１を剥離することによって、図３（ｃ）に示すような回路基板７を得た。 Next, an epoxy resin sheet (thickness: 100 μm) is used as the insulating resin substrate 6, and as shown in FIGS. 3A and 3B, the stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer is overlaid on the epoxy resin sheet, Thermocompression molding was performed at 100 ° C. and 5 kg / cm ² (0.49 MPa). And after cooling this, the stainless steel substrate 1 was peeled off to obtain a circuit board 7 as shown in FIG.

前記メッキ回路層付きステンレス転写基材５のメッキ回路層４は、転写前においては不用意に剥離することがなく、また、回路基板７を製造する際には、前記メッキ回路層４はすべてエポキシ樹脂シートに転写されたことを確認した。 The plated circuit layer 4 of the stainless transfer substrate 5 with the plated circuit layer is not inadvertently peeled off before the transfer, and when the circuit board 7 is manufactured, the plated circuit layer 4 is all epoxy. It was confirmed that it was transferred to the resin sheet.

（参考例２）
３．０質量％の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液（酸化還元電位５００ｍＶ、比重１．４６）にてエッチング処理を３０秒間施すようにした以外は、参考例１と同様にして図１に示すようなステンレス転写基材３を得た。この金属粒子２（銅粒子）の付着量は２．０ｍｇ／ｍ^２であった。 ( Reference Example 2)
3.0 mass% of copper ions containing ferric chloride solution (oxidation-reduction potential 500 mV, specific gravity 1.46) except for the so etched for 30 seconds at, in the same manner as in Reference Example 1 Fig 1 A stainless transfer substrate 3 as shown in FIG. The adhesion amount of the metal particles 2 (copper particles) was 2.0 mg / m ² .

次に、前記ステンレス転写基材３を用いて、メッキレジスト層１０の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図２に示すようなメッキ回路層付きステンレス転写基材５を得た。ただし、メッキ回路層４は、銅メッキ（厚み１８μｍ）、ニッケルメッキ（厚み１０μｍ）、金メッキ（厚み１μｍ）を被処理面から順に積層することによって、３層構造に形成した。 Next, by using the stainless steel transfer substrate 3, the plating resist layer 10 was formed, exposed, developed, and electroplated in this order to obtain a stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer as shown in FIG. . However, the plated circuit layer 4 was formed in a three-layer structure by sequentially laminating copper plating (thickness 18 μm), nickel plating (thickness 10 μm), and gold plating (thickness 1 μm) from the surface to be processed.

次に、前記メッキ回路層付きステンレス転写基材５を用いて、参考例１と同様に回路基板７を製造した。 Next, a circuit board 7 was manufactured in the same manner as in Reference Example 1 using the stainless steel transfer substrate 5 with the plated circuit layer.

（参考例３）
２．０質量％のニッケルイオンを含有する塩化第二鉄溶液（酸化還元電位５００ｍＶ、比重１．４５）にてエッチング処理を４５秒間施すようにした以外は、参考例１と同様にして図１に示すようなステンレス転写基材３を得た。この金属粒子２（ニッケル粒子）の付着量は１．０ｍｇ／ｍ^２であった。 ( Reference Example 3)
2.0 wt% of nickel ions containing ferric chloride solution (oxidation-reduction potential 500 mV, specific gravity 1.45) is at except that as etched for 45 seconds, in the same manner as in Reference Example 1 Fig 1 A stainless transfer substrate 3 as shown in FIG. The adhesion amount of the metal particles 2 (nickel particles) was 1.0 mg / m ² .

次に、前記ステンレス転写基材３を用いて、メッキレジスト層１０の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図２に示すようなメッキ回路層付きステンレス転写基材５を得た。ただし、メッキ回路層４は、ニッケルメッキ（厚み２０μｍ）によって形成した。 Next, by using the stainless steel transfer substrate 3, the plating resist layer 10 was formed, exposed, developed, and electroplated in this order to obtain a stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer as shown in FIG. . However, the plated circuit layer 4 was formed by nickel plating (thickness 20 μm).

（実施例４）
ステンレス基材１として、ＳＵＳ３０１（７６％Ｆｅ，１７％Ｃｒ，７％Ｎｉ）、調質３／４Ｈ、厚み１００μｍのものを用い、１．０質量％の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液（酸化還元電位５００ｍＶ、比重１．４６）にて前記ステンレス基材１の両面にエッチング処理を６０秒間施すことにより、ステンレス転写基材３を得た。この金属粒子２（銅粒子）の付着量は片面当たり０．５ｍｇ／ｍ^２であった。 Example 4
As the stainless steel substrate 1, SUS301 (76% Fe, 17% Cr, 7% Ni), tempered 3 / 4H, 100 μm thick, ferric chloride solution containing 1.0% by mass of copper ions The stainless steel transfer base material 3 was obtained by performing an etching process for 60 seconds on both surfaces of the stainless steel base material 1 at (redox potential of 500 mV, specific gravity of 1.46). The adhesion amount of the metal particles 2 (copper particles) was 0.5 mg / m ² per side.

次に、前記ステンレス転写基材３を用いて、メッキレジスト層１０の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図４（ａ）に示すようなメッキ回路層付きステンレス転写基材５を得た。ただし、メッキ回路層４は、銅メッキ（厚み１０μｍ）によって形成した。 Next, formation of the plating resist layer 10, exposure, development, and electrolytic plating are sequentially performed using the stainless transfer substrate 3, so that the stainless transfer substrate 5 with a plated circuit layer as shown in FIG. Got. However, the plated circuit layer 4 was formed by copper plating (thickness 10 μm).

次に、絶縁樹脂基材６としてポリイミドフィルム（厚み５０μｍ）を２枚用い、図４（ａ）（ｂ）に示すように、前記メッキ回路層付きステンレス転写基材５を前記２枚のポリイミドフィルムで挟み込んで、２００℃、５ｋｇ／ｃｍ^２（０．４９ＭＰａ）の条件で熱圧着成形した。そしてこれを冷却した後に２枚のポリイミドフィルムを剥離することによって、図４（ｃ）に示すように、２枚の回路基板７を得た。 Next, two polyimide films (thickness 50 μm) are used as the insulating resin base material 6, and as shown in FIGS. 4A and 4B, the stainless transfer base material 5 with the plated circuit layer is the two polyimide films. And thermocompression-bonded under the conditions of 200 ° C. and 5 kg / cm ² (0.49 MPa). And after cooling this, as shown in FIG.4 (c), two circuit boards 7 were obtained by peeling two polyimide films.

前記メッキ回路層付きステンレス転写基材５のメッキ回路層４は、転写前においては不用意に剥離することがなく、また、回路基板７を製造する際には、前記メッキ回路層４はすべてポリイミドフィルムに転写されたことを確認した。 The plated circuit layer 4 of the stainless steel transfer substrate 5 with the plated circuit layer is not inadvertently peeled off before the transfer, and when the circuit board 7 is manufactured, the plated circuit layer 4 is all made of polyimide. It was confirmed that it was transferred to the film.

（比較例１）
ステンレス基材１として、ＳＵＳ３０１（７６％Ｆｅ，１７％Ｃｒ，７％Ｎｉ）、調質３／４Ｈ、厚み１００μｍのものを用い、０．０２質量％の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液（酸化還元電位６００ｍＶ、比重１．４６）にて前記ステンレス基材１の片面にエッチング処理を３０秒間施すことにより、図１に示すようなステンレス転写基材３を得た。この金属粒子２（銅粒子）の付着量は０．０３ｍｇ／ｍ^２であった。 (Comparative Example 1)
As the stainless steel substrate 1, SUS301 (76% Fe, 17% Cr, 7% Ni), tempered 3 / 4H, 100 μm thick, ferric chloride solution containing 0.02% by mass of copper ions A stainless steel transfer substrate 3 as shown in FIG. 1 was obtained by applying an etching process to one surface of the stainless steel substrate 1 for 30 seconds at an oxidation-reduction potential of 600 mV and a specific gravity of 1.46. The adhesion amount of the metal particles 2 (copper particles) was 0.03 mg / m ² .

しかし、このメッキ回路層４は触れただけで剥がれ落ちてしまった。 However, the plated circuit layer 4 was peeled off just by touching.

（比較例２）
８．０質量％の銅イオンを含有する塩化第二鉄溶液（酸化還元電位４７０ｍＶ、比重１．４６）にてエッチング処理を６０秒間施すようにした以外は、比較例１と同様にして図１に示すようなステンレス転写基材３を得た。この金属粒子２（銅粒子）の付着量は６ｍｇ／ｍ^２であった。 (Comparative Example 2)
1 except that the etching treatment was performed for 60 seconds with a ferric chloride solution (redox potential 470 mV, specific gravity 1.46) containing 8.0% by mass of copper ions. A stainless transfer substrate 3 as shown in FIG. The adhesion amount of the metal particles 2 (copper particles) was 6 mg / m ² .

次に、前記ステンレス転写基材３を用いて、メッキレジスト層１０の形成、露光、現像、電解メッキを順に行うことによって、図２に示すようなメッキ回路層付きステンレス転写基材５を得た。ただし、メッキ回路層４は、銅メッキ（厚み３５μｍ）によって形成した。 Next, by using the stainless steel transfer substrate 3, the plating resist layer 10 was formed, exposed, developed, and electroplated in this order to obtain a stainless steel transfer substrate 5 with a plated circuit layer as shown in FIG. . However, the plated circuit layer 4 was formed by copper plating (thickness: 35 μm).

しかし、このメッキ回路層４は、転写前においては不用意に剥離することはなかったが、回路基板７を製造する際には、前記メッキ回路層４はすべてエポキシ樹脂シートに転写されることはなかった。 However, the plated circuit layer 4 was not inadvertently peeled off before transfer, but when the circuit board 7 is manufactured, the plated circuit layer 4 is not transferred to the epoxy resin sheet. There wasn't.

ステンレス転写基材の一例を示すものであり、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）の表面部分の拡大断面図である。An example of a stainless steel transcription | transfer base material is shown, (a) is sectional drawing, (b) is an expanded sectional view of the surface part of (a). メッキ回路層付きステンレス転写基材の製造方法の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｅ）は断面図である。An example of the manufacturing method of the stainless steel transfer base material with a plating circuit layer is shown, (a)-(e) is sectional drawing. 回路基板の製造方法の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。An example of the manufacturing method of a circuit board is shown, (a)-(c) is sectional drawing. 回路基板の製造方法の他の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。The other example of the manufacturing method of a circuit board is shown, (a)-(c) is sectional drawing. 回路基板の製造方法の他の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。The other example of the manufacturing method of a circuit board is shown, (a)-(c) is sectional drawing. 回路基板（多層回路基板）の製造方法の他の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｃ）は断面図である。The other example of the manufacturing method of a circuit board (multilayer circuit board) is shown, (a)-(c) is sectional drawing. 部品内蔵モジュールの製造方法の一例を示すものであり、（ａ）〜（ｄ）は断面図である。An example of the manufacturing method of a component built-in module is shown, (a)-(d) is sectional drawing. 部品を実装したメッキ回路層付きステンレス転写基材の一例を示すものであり、（ａ）（ｂ）は断面図である。An example of the stainless steel transfer base material with a plating circuit layer which mounted components is shown, (a) (b) is sectional drawing.

Explanation of symbols

１ステンレス基材
２金属粒子
３ステンレス転写基材
４メッキ回路層
５メッキ回路層付きステンレス転写基材
６絶縁樹脂基材
７回路基板
８部品
９部品内蔵モジュール DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Stainless steel base material 2 Metal particle 3 Stainless steel transfer base material 4 Plating circuit layer 5 Stainless steel transfer base material with a plating circuit layer 6 Insulation resin base material 7 Circuit board 8 Parts 9 Parts built-in module

Claims

Stainless transfer substrate, characterized by comprising adhering 0.05 to 5 mg / m ² of metal particles as the plating nuclei on both surfaces of the stainless steel substrate.

The stainless steel transfer substrate according to claim 1, wherein the metal ionization tendency of the metal particles is smaller than the ionization tendency of iron constituting the stainless steel substrate.

The stainless steel transfer substrate according to claim 2, wherein the metal particles are particles of at least one of copper and nickel.

The stainless steel transfer substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the stainless steel substrate has a thickness of 20 to 200 µm.

5. A stainless steel transfer substrate with a plated circuit layer, wherein a plated circuit layer is formed by plating the metal particles of the stainless steel transfer substrate according to claim 1 as a core.