JP2001217544A - Multilayer circuit board - Google Patents

Multilayer circuit board

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JP2001217544A JP2000245650A JP2000245650A JP2001217544A JP 2001217544 A JP2001217544 A JP 2001217544A JP 2000245650 A JP2000245650 A JP 2000245650A JP 2000245650 A JP2000245650 A JP 2000245650A JP 2001217544 A JP2001217544 A JP 2001217544A
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer circuit board advantageous for increasing the wiring density and mounting semiconductor chips such as LSIs at higher densities. SOLUTION: The multilayer circuit board has layer resin insulation layers and conductor layers alternately laminated on one surface of a multilayer- structured board having conductor circuits in inner layers, and buildup wiring layers having conductor layers interconnected through vias. The multilayer- structured board is formed by laminating through adhesive layers and heating and pressing en bloc a plurality of circuit boards each having vias having conductor circuits, on one or both surfaces of an insulative hard base and a conductive paste layer or plating layer provided in holes piercing the insulative hard base to reach the conductor circuits. Solder bumps are formed on the surfaces of the outermost conductor layers of the buildup wiring layers, and conductive pins or conductive balls are formed on the surface of the multilayer-structured board where no buildup wiring layer is formed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、ベースとなる多
層化基板の片面にビルドアップ配線層が形成された多層
回路基板に係り、とくに、ベースとなる基板の多層化
が、充填ビアホールを備えた複数の片面または両面回路
基板を積層し、接着剤を介して一括加熱プレスすること
により行なわれ、その多層化基板内の導体回路と多層化
基板の片面に形成したビルドアップ配線層との電気的接
続が、多層化基板に形成した充填ビアホールと、その直
上に形成したビルドアップ配線層内のビアホールとを介
して確保できる高密度配線化に有利な多層回路基板につ
いて提案する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-layer circuit board having a build-up wiring layer formed on one side of a multi-layer board as a base. This is performed by laminating a plurality of single-sided or double-sided circuit boards, and performing batch heating and pressing via an adhesive, and electrically connecting a conductive circuit in the multilayered board to a build-up wiring layer formed on one side of the multilayered board. The present invention proposes a multilayer circuit board which is advantageous for high-density wiring, in which connection can be ensured via a filled via hole formed in a multilayered board and a via hole in a build-up wiring layer formed immediately above the filled via hole.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSI等の半導体チップを含む電
子部品を実装するパッケージ基板は、電子工業の進歩に
伴う電子機器の小型化あるいは高速化に対応し、ファイ
ンパターンによる高密度化および信頼性の高いものが求
められている。このようなパッケージ基板として、19
97年、1月号の「表面実装技術」には、多層化基板の
両面にビルドアップ多層配線層が形成されたものが開示
されている。
2. Description of the Related Art In recent years, package substrates on which electronic components including semiconductor chips such as LSIs are mounted have been adapted to miniaturization or high-speed of electronic devices accompanying the progress of the electronics industry. Is required. As such a package substrate, 19
In the January 1997 issue of "Surface Mount Technology", there is disclosed a technology in which build-up multilayer wiring layers are formed on both surfaces of a multilayer substrate.

【0003】ところが、上掲の従来技術に係るパッケー
ジ基板では、多層化基板内の導体層とビルドアップ配線
層との接続は、多層化基板の表面にスルーホールから配
線した内層パッドを設け、この内層パッドにビアホール
を接続させて行っていた。このため、スルーホールのラ
ンド形状がダルマ形状あるいは鉄アレイ形状となり、そ
の内層パッドの領域がスルーホールの配置密度の向上を
阻害し、スルーホールの形成数には一定の限界があっ
た。それ故に、配線の高密度化を図るためにコア基板を
多層化すると、外層のビルドアップ配線層は、多層化基
板内の導体層と十分な電気的接続を確保することができ
ないという問題があった。
However, in the above-mentioned conventional package substrate, the connection between the conductor layer in the multilayer substrate and the build-up wiring layer is performed by providing inner layer pads wired from through holes on the surface of the multilayer substrate. A via hole is connected to the inner layer pad. For this reason, the land shape of the through-hole becomes a Dharma shape or an iron array shape, and the area of the inner layer pad hinders an improvement in the arrangement density of the through-holes, and there is a certain limit to the number of through-holes formed. Therefore, when the core substrate is multilayered in order to increase the wiring density, there is a problem that the outer build-up wiring layer cannot secure sufficient electrical connection with the conductor layers in the multilayered substrate. Was.

【0004】なお、このような問題点については、本発
明らは先に、特願平第10−15346号(特開平第1
1−214846号)としてその改善方法を提案した。
このような改善提案による多層回路基板は、内層に導体
層を有する多層化基板上に、層間樹脂絶縁層と導体層と
が交互に積層されて各導体層間がビアホールにて接続さ
れたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基板
において、多層化基板には、スルーホールが形成され、
そのスルーホールには充填材が充填されるとともに該充
填材のスルーホールからの露出面を覆って導体層が形成
され、その導体層にはビアホールが接続された構成であ
り、それによってスルーホールの配置密度が向上し、高
密度化したスルーホールを介して多層化したコア基板内
の導体回路との接続が確保できるようになっている。
[0004] Regarding such a problem, the present inventors have previously described Japanese Patent Application No. 10-15346 (Japanese Patent Application Laid-Open No.
No. 1-214846), and proposed an improvement method.
The multilayer circuit board according to such an improvement proposal has a build-up wiring in which an interlayer resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated on a multilayer substrate having a conductor layer in an inner layer, and each conductor layer is connected by a via hole. In a multilayer circuit board having layers formed therein, a through hole is formed in the multilayered board,
The through hole is filled with a filler and a conductor layer is formed so as to cover an exposed surface of the filler from the through hole, and a via hole is connected to the conductor layer. The arrangement density is improved, and the connection with the conductor circuit in the multi-layered core substrate can be secured through the through hole having the increased density.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
構成の多層回路基板におけるスルーホールは、多層化さ
れたコア基板にドリル等で貫通孔を明け、その貫通孔の
壁面および基板表面に無電解めっきを施して形成される
ため、その開口性や経済性を考慮すると、形成され得る
スルーホール開口径の下限は300μm程度であり、現
在の電子産業界の要請を満足するような超高密度配線を
実現するためには、50〜250μm程度のより小さな
開口径と、より狭いスルーホールランドピッチを得るた
めの技術開発が望まれている。
However, a through hole in a multilayer circuit board having such a structure is formed by drilling a through hole in a multilayered core board with a drill or the like, and electroless plating is applied to the wall surface of the through hole and the board surface. In consideration of the opening properties and economical efficiency, the lower limit of the through hole opening diameter that can be formed is about 300 μm, realizing ultra-high-density wiring that satisfies the current requirements of the electronics industry. In order to achieve this, it is desired to develop a technology for obtaining a smaller opening diameter of about 50 to 250 μm and a narrower through-hole land pitch.

【0006】そこで、本発明者らは、硬質材料からなる
コア材の片面または両面に導体回路を有し、その片面か
らコア材を貫通して導体回路に達する開口内に導電性物
質を充填したビアホールを形成してなる回路基板の複数
枚を互いに積層し、接着剤を介して一括して加熱プレス
することにより多層化基板を形成すれば、多層化基板に
スルーホールを設けることなく、多層化基板内の導体回
路同士、および多層化基板内の導体回路と多層化基板上
に形成したビルドアップ配線層との電気的接続が、多層
化基板に形成した充填ビアホールと、その直上に形成し
たビルドアップ配線層内のビアホールとを介して十分に
確保できることを知見し、さらに、ビルドアップ配線層
の最も外側に位置する導体回路の一部をはんだパッドに
形成し、そのはんだパッドに対してLSI等の半導体チ
ップを含んだ電子部品に接続できる導電性バンプを配設
し、さらに、多層化基板の外側に露出するビアホール直
上の導体回路に対して、あるいはビアホールから露出す
る導電性物質の一部をはんだパッドに形成しそのはんだ
パッドに対して、マザーボードに直接的に接続できる導
電性ピンまたは導電性ボールを配設することによって高
密度配線および電子部品の高密度実装化が可能となるこ
とを知見した。本発明の目的は、このような高密度配線
および高密度実装化に有利な多層回路基板を提供するこ
とにある。
Therefore, the present inventors have provided a conductor circuit on one or both sides of a core material made of a hard material, and filled a conductive material into an opening penetrating the core material from one surface and reaching the conductor circuit. By forming a multi-layer board by laminating a plurality of circuit boards each having a via hole and heating and pressing them together via an adhesive, a multilayer board can be formed without providing through holes in the multi-layer board. The electrical connection between the conductor circuits in the substrate and between the conductor circuit in the multilayer substrate and the build-up wiring layer formed on the multilayer substrate is based on the filled via hole formed on the multilayer substrate and the build formed directly above the via hole. That it can be sufficiently secured via the via holes in the up-wiring layer, and furthermore, a part of the outermost conductive circuit of the build-up wiring layer is formed on the solder pad, and the soldering is performed. A conductive bump that can be connected to an electronic component including a semiconductor chip such as an LSI is provided for the pad, and a conductive circuit that is directly above a via hole that is exposed outside the multilayer substrate or that is exposed from the via hole. High-density wiring and high-density mounting of electronic components can be achieved by forming a part of conductive material on solder pads and arranging conductive pins or conductive balls that can be directly connected to the motherboard for the solder pads. I learned that it would be possible. An object of the present invention is to provide a multilayer circuit board which is advantageous for such high-density wiring and high-density mounting.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構
成とする発明に想到した。すなわち、 (1) 本発明の多層回路基板は、内層に導体回路を有
する多層化基板の片面上に、層間樹脂絶縁層と導体層と
が交互に積層され、各導体層間がビアホールにて接続さ
れたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基板
において、上記多層化基板は、絶縁性硬質基材の片面ま
たは両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通
して前記導体回路に達する孔内に、導電性物質が充填さ
れてなるビアホールを有する回路基板の複数枚が、接着
剤層を介して積層され、一括して加熱プレスされること
で形成され、さらに、上記ビルドアップ配線層の最も外
側の導体層表面には、ビアホール直上に位置して、LS
I等の半導体チップを含む電子部品に接続されるはんだ
バンプが配設され、前記多層化基板の他方の表面に露出
する導体回路の表面には、前記充填ビアホールの直上に
位置して、マザーボードに接続される導電性ピンまたは
導電性ボールが配設されていることを特徴とする。上記
多層化基板を構成する各回路基板のビアホール形成用開
口内に充填される導電性物質は、金属粒子と、熱硬化性
樹脂または熱可塑性樹脂とからなる導電性ペースト、も
しくは電解めっき処理によって形成された電解銅めっき
であることが望ましい。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have intensively studied for realizing the above-mentioned object, and as a result, have arrived at an invention having the following content as a gist configuration. That is, (1) In the multilayer circuit board of the present invention, an interlayer resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated on one surface of a multilayer substrate having a conductor circuit in an inner layer, and each conductor layer is connected by a via hole. A multilayer circuit board having a build-up wiring layer formed thereon, wherein the multilayered board has a conductor circuit on one or both sides of an insulating hard base material, and penetrates the insulating hard base material to form the conductive circuit. A plurality of circuit boards each having a via hole filled with a conductive substance in a hole reaching the substrate are formed by laminating via an adhesive layer, and hot-pressing collectively, and On the outermost conductor layer surface of the wiring layer, the LS
A solder bump connected to an electronic component including a semiconductor chip such as I is provided, and on the surface of the conductor circuit exposed on the other surface of the multilayer substrate, located just above the filling via hole, the mother board is disposed. A conductive pin or a conductive ball to be connected is provided. The conductive substance to be filled in the via hole forming opening of each circuit board constituting the multilayer substrate is formed by a conductive paste composed of metal particles and a thermosetting resin or a thermoplastic resin, or formed by electrolytic plating. It is desirable that the electrolytic copper plating be performed.

【0008】また、上記多層化基板を構成する各回路基
板は、そのビアホール位置に対応して、そのビアホール
に電気的接続された突起状導体が形成されていることが
望ましく、その突起状導体は、導電性ペーストから形成
されることが望ましい。
It is preferable that each circuit board constituting the multilayer substrate has a projecting conductor electrically connected to the via hole corresponding to the position of the via hole. It is desirable to be formed from a conductive paste.

【0009】さらに、上記ビルドアップ配線層のビアホ
ールの一部は、上記多層化基板に形成されたビアホール
の直上に位置して、そのビアホールに直接接続されてい
ることが望ましい。
Further, it is preferable that a part of the via hole of the build-up wiring layer is located immediately above the via hole formed in the multilayer substrate and is directly connected to the via hole.

【0010】また、上記多層化基板を構成する各回路基
板の絶縁性基材は、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス
布ビスマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフ
ェニレンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ
樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材、から
選ばれるいずれかの硬質基材から形成されることが望ま
しく、厚さが20〜100μmのガラス布エポキシ樹脂
基材から形成されることがさらに望ましい。
The insulating substrate of each of the circuit boards constituting the multilayer substrate is a glass cloth epoxy resin base material, a glass cloth bismaleimide triazine resin base material, a glass cloth polyphenylene ether resin base material, an aramid nonwoven-epoxy resin base material. It is desirable to be formed from any hard substrate selected from a resin substrate and an aramid nonwoven fabric-polyimide resin substrate, and more desirably formed from a glass cloth epoxy resin substrate having a thickness of 20 to 100 μm. .

【0011】このようなガラス布エポキシ樹脂基材から
形成された絶縁性基材に形成される充填ビアホール径
は、50〜250μmであることが望ましい。
The diameter of the filled via hole formed in the insulating substrate formed of such a glass cloth epoxy resin substrate is desirably 50 to 250 μm.

【0012】上記ビアホールは、パルスエネルギーが
0.5〜100mJ、パルス幅が1〜100μs、パル
ス間隔が0.5ms以上、ショット数が3〜50の条件
で、ガラス布エポキシ樹脂基材の表面に照射される炭酸
ガスレーザによって形成された開口に対して形成される
ことが望ましい。
The via hole is formed on the surface of the glass cloth epoxy resin base material under the conditions that the pulse energy is 0.5 to 100 mJ, the pulse width is 1 to 100 μs, the pulse interval is 0.5 ms or more, and the number of shots is 3 to 50. It is desirable to form the opening formed by the carbon dioxide laser to be irradiated.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】本発明は、絶縁性硬質基材の片面
または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫
通して前記導体回路に達する貫通孔に導電性物質が充填
されてなる回路基板の複数枚を接着剤層を介して互いに
積層し、かつ一括して加熱プレスすることにより形成し
た多層化基板の一方の表面に、絶縁層層と導体層とが交
互に積層され、導体層間の電気的接続がビアホールを介
して行われるようなビルドアップ配線層が形成されてな
る多層回路基板において、ビルドアップ配線層の最も外
側の導体層表面には、ビアホール直上に位置してLSI
等の半導体チップを含む電子部品に接続されるはんだバ
ンプが配設され、またビルドアップ配線層が形成されな
い多層化基板の他方の表面に露出する導体回路上には、
充填ビアホールの直上に位置して、マザーボードに接続
される導電性ピンまたは導電性ボールが配設されている
点に特徴がある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The present invention has a conductor circuit on one or both sides of an insulative hard base material, and fills a through hole reaching the conductor circuit through the insulative hard base material with a conductive substance. An insulating layer and a conductor layer are alternately laminated on one surface of a multilayer substrate formed by laminating a plurality of circuit boards formed on each other via an adhesive layer and heat-pressing them collectively. In a multilayer circuit board on which a build-up wiring layer is formed such that electrical connection between the conductive layers is performed via the via hole, the outermost conductive layer surface of the build-up wiring layer is located immediately above the via hole. LSI
Solder bumps connected to electronic components including semiconductor chips such as are provided, and on the conductor circuit exposed on the other surface of the multilayered substrate on which the build-up wiring layer is not formed,
It is characterized in that a conductive pin or a conductive ball connected to the motherboard is disposed immediately above the filled via hole.

【0014】このような本発明の構成によれば、コア基
板にスルーホールを設けることが不要となるので、従来
技術に比べてランドなどのパッド配設の自由度が向上す
る。その結果、充填ビアホールを高密度に設けることが
できるので、多層化基板内における配線の高密度化が可
能となり、こうして高密度化されたビアホールを介し
て、外層のビルドアップ配線層は、多層化基板内の導体
回路と十分な接続を確保することが可能になり、高密度
配線化が可能となる。
According to the configuration of the present invention, it is not necessary to provide a through hole in the core substrate, so that the degree of freedom in arranging pads such as lands is improved as compared with the prior art. As a result, the filled via holes can be provided at a high density, so that the wiring density in the multi-layer substrate can be increased, and the outer build-up wiring layer can be multilayered through the via holes thus densified. Sufficient connection with the conductor circuit in the substrate can be ensured, and high-density wiring can be realized.

【0015】また、ビルドアップ配線層内に高密度に形
成されたビアホールのうち、最も外側に位置するソルダ
ーレジスト層に形成された開口内に露出する導体回路
(導体パッド)に対して導電性バンプを配設し、多層化
基板のビルドアップ配線層が形成されない側の表面に露
出するビアホール直上の導体パッドに対して導電性ピン
または導電性ボールを配設するので、ビルドアップ配線
層は、このような導電性バンプ、導電性ピンまたは導電
性ボールを介して、LSI等の半導体チップを含んだ電
子部品やマザーボードに最短の配線長で接続され、高密
度配線化および電子部品の高密度実装化が可能となる。
Further, of the via holes formed at high density in the build-up wiring layer, conductive bumps are formed on conductive circuits (conductive pads) exposed in openings formed in the outermost solder resist layer. And a conductive pin or a conductive ball is disposed on the conductive pad immediately above the via hole exposed on the surface of the multilayer substrate on which the build-up wiring layer is not formed. Through the use of such conductive bumps, conductive pins or conductive balls, it is connected to electronic components including semiconductor chips such as LSIs and motherboards with the shortest wiring length, thereby achieving high-density wiring and high-density mounting of electronic components. Becomes possible.

【0016】本発明において、多層化基板を構成する各
回路基板は、従来のような半硬化状態のプリプレグでは
なく、完全に硬化した硬質の樹脂材料から形成された絶
縁性樹脂基材から形成されるのが望ましい。
In the present invention, each circuit board constituting the multilayer board is not formed of a semi-cured prepreg as in the prior art, but is formed of an insulating resin base material formed of a completely cured hard resin material. Is desirable.

【0017】このような絶縁性基材としては、ガラス布
エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン
樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、
アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−
ポリイミド樹脂基材から選ばれるリジッド(硬質)な積
層基材が使用され、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も望
ましい。
Such insulating base materials include glass cloth epoxy resin base material, glass cloth bismaleimide triazine resin base material, glass cloth polyphenylene ether resin base material,
Aramid non-woven fabric-epoxy resin substrate, aramid non-woven fabric-
A rigid (hard) laminated substrate selected from polyimide resin substrates is used, and a glass cloth epoxy resin substrate is most desirable.

【0018】上記絶縁性基材上に導体回路を形成する場
合に、絶縁性基材上に銅箔を加熱プレスによって圧着さ
せる工程において、プレス圧による絶縁性基材の最終的
な厚みの変動がなくなるので、ビアホールの位置ずれが
最小限度に抑えられ、ビアランド径を小さくでき、その
結果、配線ピッチを小さくして配線密度を向上させるこ
とができる。
In the case where a conductor circuit is formed on the insulating base material, in the step of pressing the copper foil on the insulating base material by a hot press, the final thickness variation of the insulating base material due to the pressing pressure may vary. Therefore, the displacement of the via hole is suppressed to the minimum, the diameter of the via land can be reduced, and as a result, the wiring pitch can be reduced and the wiring density can be improved.

【0019】また、硬化された樹脂基材を絶縁性基材と
して用いるので、基材の厚みを実質的に一定に保つこと
ができ、ひいてはビアホール形成用開口を形成する際の
レーザ加工条件の設定が容易となる。
Further, since the cured resin substrate is used as an insulating substrate, the thickness of the substrate can be kept substantially constant, and the setting of laser processing conditions when forming an opening for forming a via hole can be achieved. Becomes easier.

【0020】上記絶縁性基材の厚さは、20〜600μ
mが望ましい。その理由は、絶縁性を確保するためであ
る。20μm未満の厚さでは強度が低下して取扱が難し
くなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼性が低くな
るからであり、600μmを超えると微細なビアホール
形成用開口が難くなると共に、基板そのものが厚くなる
ためである。
The thickness of the insulating substrate is 20 to 600 μm.
m is desirable. The reason is to ensure insulation. If the thickness is less than 20 μm, the strength is reduced and handling becomes difficult, and the reliability with respect to electrical insulation is reduced. If the thickness is more than 600 μm, a fine via hole forming opening becomes difficult, and the substrate itself becomes thick. It is because it becomes.

【0021】また、上記範囲の厚さを有するガラスエポ
キシ基板上に形成されるビアホール形成用開口は、パル
スエネルギーが0.5〜100mJ、パルス幅が1〜1
00μs、パルス間隔が0.5ms以上、ショット数が3
〜50の条件で照射される炭酸ガスレーザによって形成
されることが好ましく、その開口径は、50〜250μ
mの範囲であることが望ましい。その理由は、50μm
未満では開口に導電性物質を充填し難くなると共に、接
続信頼性が低くなるからであり、250μmを超える
と、高密度化が困難になるからである。
The via hole forming opening formed on the glass epoxy substrate having a thickness in the above range has a pulse energy of 0.5 to 100 mJ and a pulse width of 1 to 1 m.
00μs, pulse interval 0.5ms or more, shot number 3
It is preferably formed by a carbon dioxide laser irradiated under the conditions of 50 to 50, and the opening diameter is 50 to 250 μm.
m is desirable. The reason is 50 μm
If it is less than 250 μm, it is difficult to fill the opening with a conductive substance, and the connection reliability is low. If it exceeds 250 μm, it is difficult to increase the density.

【0022】このような炭酸ガスレーザによる開口形成
の前に、絶縁性基材の導体回路形成面と反対側の面に樹
脂フィルムを粘着させ、あるいは必要に応じて、半硬化
状態の樹脂接着剤層を介して樹脂フィルムを粘着させ、
その樹脂フィルム上からレーザ照射を行うのが望まし
い。前者の方法は、片面に予め銅箔を貼り付けた絶縁性
基材に銅箔の反対側からレーザ照射を行なうことによっ
て、非貫通孔を設け、その非貫通孔内に銅箔をめっきリ
ードとして電解めっき層を充填した後、エッチング処理
することによって片面回路基板を製作する場合、あるい
は片面銅張積層板をエッチング処理して導体回路を予め
形成した絶縁性基材にレーザ照射により非貫通孔を設
け、その非貫通孔内に銅箔をめっきリードとして電解め
っき層を充填することによって片面回路基板を製作する
場合に採用され、後者は、絶縁性基材に予めレーザ照射
により貫通孔を設け、その貫通孔を導電性ペーストで充
填した後に、絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付け、エッ
チング処理することによって両面回路基板を製作する場
合に採用される。この樹脂接着剤は、銅箔を絶縁性基材
の表面に接着するためのものであり、たとえば、ビスフ
ェノールA型エポキシ樹脂から形成され、その厚みは1
0〜50μmの範囲が好ましい。
Before the opening is formed by the carbon dioxide laser, a resin film is adhered to the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the conductive circuit is formed, or if necessary, a resin adhesive layer in a semi-cured state. Stick the resin film through
It is desirable to perform laser irradiation from above the resin film. In the former method, a non-through hole is provided by irradiating a laser from the opposite side of the copper foil to an insulative base material on which copper foil is pasted on one side in advance, and the copper foil is used as a plating lead in the non-through hole. When manufacturing a single-sided circuit board by etching after filling the electrolytic plating layer, or by etching a single-sided copper clad laminate to form a non-through hole by laser irradiation on an insulative base material with a conductor circuit formed in advance It is adopted when manufacturing a single-sided circuit board by filling an electrolytic plating layer with a copper foil as a plating lead in the non-through hole, the latter providing a through hole by laser irradiation in advance on an insulating base material, After the through-holes are filled with a conductive paste, copper foil is attached to both surfaces of the insulating base material and etched to produce a double-sided circuit board. This resin adhesive is for bonding a copper foil to the surface of an insulating substrate, and is formed of, for example, a bisphenol A type epoxy resin and has a thickness of 1%.
The range of 0 to 50 μm is preferred.

【0023】上記絶縁性基材上にあるいはその絶縁性基
材上に形成した樹脂接着剤層の上に貼付けられた樹脂フ
ィルムは、ビアホール形成用の開口内に電解めっきを充
填してビアホールを形成する際の保護フィルムとして、
あるいは開口内に導電性ペーストを充填してビアホール
と突起状導体を形成する際の、あるいは電解めっき層の
上に導電性ペーストを充填して電解めっき層の直上に突
起状導体(バンプ)を形成する際の印刷用マスクとして
機能し、導電性物質の充填後は、絶縁性基材あるいは接
着剤層から剥離されるような粘着剤層を有する。この樹
脂フィルムは、たとえば、粘着剤層の厚みが1〜20μ
mであり、フィルム自体の厚みが10〜50μmである
PETフィルムから形成されるのが好ましい。
The resin film stuck on the insulating base material or on the resin adhesive layer formed on the insulating base material forms a via hole by filling electrolytic plating in a via hole forming opening. As a protective film when doing
Alternatively, a conductive paste is filled in the opening to form a via hole and a projecting conductor, or a conductive paste is filled on the electrolytic plating layer to form a projecting conductor (bump) immediately above the electrolytic plating layer. It has a pressure-sensitive adhesive layer that functions as a printing mask when performing the process, and that is separated from the insulating base material or the adhesive layer after filling with the conductive substance. This resin film has, for example, a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 1 to 20 μm.
m and the thickness of the film itself is preferably from 10 to 50 μm.

【0024】その理由は、PETフィルムの厚さに依存
して後述する突起状導体の高さが決まるので、10μm
未満の厚さでは突起状導体が低すぎて接続不良になりや
すく、逆に50μmを超えた厚さでは、接続界面で突起
状導体が拡がりすぎるので、ファインパターンの形成が
できないからである。
The reason is that the height of the projecting conductor described later depends on the thickness of the PET film.
If the thickness is less than this, the protruding conductor is too low, and connection failure tends to occur. Conversely, if the thickness exceeds 50 μm, the protruding conductor spreads too much at the connection interface, so that a fine pattern cannot be formed.

【0025】上記絶縁性基材に形成した開口内部に充填
される導電性物質としては、電解めっき処理によって形
成される金属めっきや導電性ペーストが好ましい。導電
性ペーストは、工程をシンプルにして、製造コストを低
減させ、歩留まりを向上させる点では好ましいが、接続
信頼性の点から金属めっきがより好ましい。
As the conductive substance filled in the opening formed in the insulating base material, metal plating or conductive paste formed by electrolytic plating is preferable. The conductive paste is preferable in terms of simplifying the process, reducing the manufacturing cost, and improving the yield, but metal plating is more preferable in terms of connection reliability.

【0026】上記導電性ペーストとしては、銀、銅、
金、ニッケル、半田から選ばれる少なくとも1種以上の
金属粒子からなる導電性ペーストを使用できる。上記金
属粒子としては、金属粒子の表面に異種金属をコーティ
ングしたものも使用できる。具体的には銅粒子の表面に
金、銀から選ばれる貴金属を被覆した金属粒子を使用す
ることができる。このような導電性ペーストとしては、
金属粒子に、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬
化性樹脂と、ポリフェニレンスルフイド(PPS)など
の熱可塑性樹脂とを加えた有機系導電性ペーストが望ま
しい。
As the conductive paste, silver, copper,
A conductive paste composed of at least one or more metal particles selected from gold, nickel and solder can be used. As the above-mentioned metal particles, those obtained by coating the surface of a metal particle with a dissimilar metal can also be used. Specifically, metal particles in which the surface of copper particles is coated with a noble metal selected from gold and silver can be used. As such a conductive paste,
An organic conductive paste in which a thermosetting resin such as an epoxy resin or a phenol resin and a thermoplastic resin such as polyphenylene sulfide (PPS) are added to metal particles is desirable.

【0027】上記絶縁性基材の片面または両面に形成さ
れる導体回路は、厚さが5〜18μmの銅箔を半硬化状
態に保持された樹脂接着剤層を介して熱プレスした後、
適切なエッチング処理をすることによって形成されるの
が好ましい。このような熱プレスは、適切な温度および
加圧力のもとで行なわれる。より好ましくは、減圧下に
おいて行なわれ、半硬化状態の樹脂接着剤層のみを硬化
することによって、銅箔を絶縁性基材に対してしっかり
と接着され得るので、従来のプリプレグを用いた回路基
板に比べて製造時間が短縮される。
The conductor circuit formed on one or both surfaces of the insulating base material is obtained by hot pressing a copper foil having a thickness of 5 to 18 μm via a resin adhesive layer held in a semi-cured state,
It is preferably formed by performing an appropriate etching process. Such hot pressing is performed under appropriate temperature and pressure. More preferably, it is performed under reduced pressure, and by curing only the resin adhesive layer in a semi-cured state, the copper foil can be firmly adhered to the insulating base material. The manufacturing time is shortened as compared with the case of FIG.

【0028】このような導体回路が絶縁性基材の両面に
形成されるような回路基板は、多層コア基板のコアとし
て適切であるが、各ビアホールに対応した基板表面に
は、導体回路の一部としてのビアランド(パッド)が、そ
の口径が50〜250μmの範囲に形成されるのが好ま
しい。
A circuit board in which such a conductor circuit is formed on both sides of an insulating substrate is suitable as a core of a multilayer core board. It is preferable that the via land (pad) as a part is formed in a range of 50 to 250 μm in diameter.

【0029】また、導体回路が絶縁性基材の片面に形成
されるような回路基板は、それらの複数枚を順次重ね合
わせて多層化基板とすることができるだけでなく、両面
回路基板をコアとし、その両側に積層される積層用回路
基板として適切であり、ビアホールに充填された導電性
物質の位置の真上に突起状導体が形成されることが好ま
しい。
In a circuit board in which a conductor circuit is formed on one side of an insulating base material, not only can a plurality of these boards be sequentially laminated to form a multilayer board, but also a double-sided circuit board is used as a core. It is suitable as a circuit board for lamination to be laminated on both sides thereof, and it is preferable that a projecting conductor is formed just above the position of the conductive material filled in the via hole.

【0030】上記突起状導体は、導電性ペーストや低融
点金属から形成されることが好ましく、各回路基板を積
層して、一括して加熱プレスする工程において、導電性
ペーストあるいは低融点金属が熱変形するので、前記ビ
アホール内に充填される導電性物質の高さのばらつきを
吸収することができ、それ故に、接続不良を防止して接
続信頼性に優れた多層コア基板を得ることができる。こ
のような突起状導体は、ビアホール内に充填される導電
性ペーストと同一の材料で、しかも同一の充填工程によ
って形成することもできる。
The projecting conductor is preferably formed of a conductive paste or a low-melting-point metal. In the step of laminating circuit boards and heat-pressing them collectively, the conductive paste or the low-melting-point metal is heated. Due to the deformation, the variation in height of the conductive material filled in the via hole can be absorbed, and therefore, a connection failure can be prevented and a multilayer core substrate excellent in connection reliability can be obtained. Such a projecting conductor can be formed of the same material as the conductive paste filled in the via hole, and can also be formed by the same filling step.

【0031】さらに、多層コア基板上に形成するビルド
アップ配線層を、後述するような樹脂の塗布および硬化
によって形成する場合には、多層コア基板表面に設けた
導体回路の表面には、粗化層が形成されていることが有
利である。その理由は、多層コア基板上に積層されるビ
ルドアップ配線層内の層間樹脂絶縁層やビアホールとの
密着性を改善することができるからである。とくに、導
体回路の側面に粗化層が形成されていると、その導体回
路側面と層間樹脂絶縁層との密着不足によってこれらの
界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて発生するクラ
ックを抑制することができる。
Further, when the build-up wiring layer formed on the multilayer core substrate is formed by applying and curing a resin as described later, the surface of the conductor circuit provided on the surface of the multilayer core substrate is roughened. Advantageously, a layer is formed. The reason is that it is possible to improve the adhesion to the interlayer resin insulating layer and the via hole in the build-up wiring layer laminated on the multilayer core substrate. In particular, when a roughened layer is formed on the side surface of the conductor circuit, cracks generated toward the interlayer resin insulation layer from these interfaces due to insufficient adhesion between the side surface of the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer are suppressed. be able to.

【0032】一方、ビルドアップ配線層を、後述するよ
うな樹脂フィルムの積層および加熱加圧による硬化によ
って形成する場合には、粗化層の形成は必ずしも必要で
ない。
On the other hand, when the build-up wiring layer is formed by laminating a resin film as described later and curing by heating and pressing, formation of a roughened layer is not always necessary.

【0033】このような導体回路の表面に形成される粗
化層の厚さは、 0.1〜10μmがよい。この理由
は、厚すぎると層間ショートの原因となり、薄すぎると
被着体との密着力が低くなるからである。この粗化層と
しては、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して形
成したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金のめ
っき処理にて形成したものがよい。
The thickness of the roughened layer formed on the surface of such a conductor circuit is preferably 0.1 to 10 μm. The reason for this is that if it is too thick, it causes interlayer short-circuit, and if it is too thin, the adhesion to the adherend decreases. The roughened layer may be formed by treating with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, or may be formed by plating a copper-nickel-phosphorus needle-like alloy.

【0034】これらの粗化処理のうち、有機酸−第二銅
錯体の混合水溶液を用いた処理では、スプレーやバブリ
ングなどの酸素共存条件下で次のように作用し、導体回
路である銅などの金属箔を溶解させる。 Cu+Cu(II)A →2Cu(I)An/2 2Cu(I)An/2 +n/4O +nAH (エ
アレーション)→2Cu(II)A +n/2HO Aは錯化剤(キレート剤として作用)、nは配位数であ
る。
Among these roughening treatments, the treatment using a mixed aqueous solution of an organic acid-cupric complex works as follows under the condition of coexistence of oxygen such as spraying and bubbling, and the conductor circuit such as copper Dissolve the metal foil. Cu + Cu (II) A n → 2Cu (I) A n / 2 2Cu (I) A n / 2 + n / 4O 2 + nAH ( aeration) → 2Cu (II) A n + n / 2H 2 O A complexing agent (chelate N) is the coordination number.

【0035】この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾ
ール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯
体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用す
る。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、
テトラゾールがよい。なかでもイミダゾール、2−メチ
ルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル
−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル、2−ウンデシルイミダゾールなどがよい。このアゾ
ール類の第二銅錯体の含有量は、1〜15重量%がよ
い。この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れる
からである。
The cupric complex used in this treatment is preferably an azole cupric complex. The cupric complex of azoles acts as an oxidizing agent for oxidizing metallic copper and the like. As the azoles, diazole, triazole,
Tetrazole is preferred. Among them, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole and the like are preferable. The content of the cupric complex of azoles is preferably 1 to 15% by weight. This is because, when it is in this range, solubility and stability are excellent.

【0036】また、有機酸は、酸化銅を溶解させるため
に配合させるものである。具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリ
ル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳
酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少
なくとも1種がよい。この有機酸の含有量は、0.1〜
30重量%がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、か
つ溶解安定性を確保するためである。なお、発生した第
一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅
錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。また、有機酸
に加えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加
してもよい。
The organic acid is added to dissolve copper oxide. Specific examples include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, maleic acid, benzoic acid, glycolic acid, lactic acid, apple At least one selected from acids and sulfamic acids is preferred. The content of this organic acid is 0.1 to
30% by weight is good. This is for maintaining the solubility of the oxidized copper and ensuring the solubility stability. The generated cuprous complex dissolves under the action of an acid and combines with oxygen to form a cupric complex, which again contributes to copper oxidation. Further, in addition to the organic acid, an inorganic acid such as borofluoric acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid may be added.

【0037】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助する
ために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素
イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。このハロゲン
イオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給で
きる。
In order to assist the dissolution of copper and the oxidizing action of azoles, a halogen ion, for example, a fluorine ion, a chlorine ion, a bromine ion or the like is added to the etching solution comprising the organic acid-cupric complex. Is also good. The halogen ions can be supplied by adding hydrochloric acid, sodium chloride, or the like.

【0038】ハロゲンイオン量は、0.01〜20重量
%がよい。この範囲内にあれば、形成された粗化層は層
間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。この有機
酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール類の
第二銅錯体および有機酸(必要に応じてハロゲンイオ
ン)を、水に溶解して調製する。
The amount of halogen ions is preferably 0.01 to 20% by weight. This is because if it is within this range, the formed roughened layer has excellent adhesion to the interlayer resin insulating layer. The etching solution comprising the organic acid-cupric complex is prepared by dissolving a cupric complex of azoles and an organic acid (halogen ion as required) in water.

【0039】また、銅−ニッケル−リンからなる針状合
金のめっき処理では、硫酸銅1〜40g/l、硫酸ニッ
ケル 0.1〜6.0 g/l、クエン酸10〜20g/l、
次亜リン酸塩10〜100 g/l、ホウ酸10〜40
g/l、界面活性剤001〜10g/lからなる液組成
のめっき浴を用いることが望ましい。
In the plating of a needle-shaped alloy composed of copper-nickel-phosphorus, copper sulfate 1-40 g / l, nickel sulfate 0.1-6.0 g / l, citric acid 10-20 g / l,
Hypophosphite 10 to 100 g / l, boric acid 10 to 40
It is desirable to use a plating bath having a liquid composition of g / l and a surfactant of 001 to 10 g / l.

【0040】本発明においては、多層コア基板は、上記
片面回路基板の複数枚を積層して、それらを一括して加
熱加圧することによって形成されるが、その多層コア基
板上に形成されるビルドアップ配線層を構成する層間樹
脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱
硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体を用いることができ
る。
In the present invention, the multilayer core substrate is formed by laminating a plurality of the single-sided circuit boards and heating and pressurizing them all together. As the interlayer resin insulating layer constituting the up wiring layer, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used.

【0041】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性ポリフェニレ
ンエーテル(PPE)などが使用できる。熱可塑性樹脂
としては、フェノキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレ
ン(PTFE)等のフッ素樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート(PET)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフィド(PPS)、熱可塑型ポリフェニレ
ンエーテル(PPE)、ポリエーテルスルフォン(PE
S)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリフェニレン
スルフォン(PPES)、4フッ化エチレン6フッ化プ
ロピレン共重合体(FEP)、4フッ化エチレンパーフ
ロロアルコキシ共重合体(PFA)、ポリエチレンナフ
タレート(PEN)、ポリエーテルエーテルケトン(P
EEK)、ポリオレフィン系樹脂などが使用できる。熱
硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体としては、エポキシ
樹脂−PES、エポキシ樹脂−PSF、エポキシ樹脂−
PPS、エポキシ樹脂−PPES、エポキシ樹脂−フェ
ノキシ樹脂、フェノール樹脂−フェノキシ樹脂などが使
用できる。
As the thermosetting resin, epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, thermosetting polyphenylene ether (PPE) and the like can be used. Examples of the thermoplastic resin include a phenoxy resin, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene (PTFE), polyethylene terephthalate (PET), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfide (PPS), thermoplastic polyphenylene ether (PPE), and polyether. Sulfone (PE
S), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfone (PPES), tetrafluoroethylene hexafluoropropylene copolymer (FEP), tetrafluoroethylene perfluoroalkoxy copolymer (PFA), polyethylene naphthalate (PEN) ), Polyetheretherketone (P
EEK), polyolefin-based resins and the like can be used. As a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, epoxy resin-PES, epoxy resin-PSF, epoxy resin-
PPS, epoxy resin-PPES, epoxy resin-phenoxy resin, phenol resin-phenoxy resin and the like can be used.

【0042】また本発明において、ビルドアップ配線層
を構成する層間樹脂絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂等
の所望枚数の樹脂フィルムを積層し、加熱プレスした
後、熱硬化させて一体化させて形成することができる。
ポリオレフィン系樹脂層の厚さは、5〜200μmの範
囲が望ましい。その理由は、5μm未満では層間絶縁の
確保が難しく、200μmを超えるとレーザ加工による
開口を形成し難くなるからである。
In the present invention, the interlayer resin insulation layer constituting the build-up wiring layer is formed by laminating a desired number of resin films such as polyolefin resin, heating and pressing, and then thermosetting to integrate. be able to.
The thickness of the polyolefin-based resin layer is desirably in the range of 5 to 200 μm. The reason is that if it is less than 5 μm, it is difficult to secure interlayer insulation, and if it exceeds 200 μm, it becomes difficult to form an opening by laser processing.

【0043】また本発明において、ビルドアップ配線層
を構成する層間樹脂絶縁層としては、無電解めっき用接
着剤を用いることができる。この無電解めっき用接着剤
としては、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の
耐熱性樹脂粒子が、硬化処理によって酸あるいは酸化剤
に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなる
ものが最適である。この理由は、酸や酸化剤で処理する
ことにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に
蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面が形成できるからで
ある。粗化面の深さは、0.1〜20μmがよい。密着
性を確保するためである。また、セミアディティブプロ
セスにおいては、 0.1〜5μmがよい。密着性を確
保しつつ、無電解めっき膜を除去できる範囲だからであ
る。
In the present invention, an adhesive for electroless plating can be used as the interlayer resin insulating layer constituting the build-up wiring layer. As the adhesive for electroless plating, heat-resistant resin particles that are soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin that becomes hardly soluble in an acid or an oxidizing agent by the curing treatment. Is best. The reason for this is that by treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus pot-shaped anchor can be formed on the surface. The depth of the roughened surface is preferably 0.1 to 20 μm. This is to ensure adhesion. In the semi-additive process, the thickness is preferably 0.1 to 5 μm. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion.

【0044】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均
粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以
下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくと
も1種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1
〜0.8μmの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が 0.8μ
mを超え2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平
均粒径が0.1〜10 μmの耐熱性樹脂粉末、から選
ばれるいずれか少なくとも1種を用いることが望まし
い。また上記樹脂粒子の代わりに金属粒子や無機粒子を
用いてもよく、さらにそれらの複数種類を適宜混合して
用いてもよい。より複雑なアンカーを形成できるからで
ある。上記無電解めっき用接着剤で使用される耐熱性樹
脂は、前述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂の複合体を使用できる。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles which have been particularly hardened include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
agglomerated particles obtained by aggregating a heat-resistant resin powder having a particle diameter of 2 m or less, and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm and an average particle diameter of 2 μm
m and a mixture with a heat-resistant resin powder having a mean particle size of 2 or less.
Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of a 10 μm heat-resistant resin powder, and an average particle diameter of 0.1 μm.
~ 0.8μm heat resistant resin powder and average particle size 0.8μ
It is desirable to use at least one selected from a mixture with a heat-resistant resin powder having a particle size exceeding m and less than 2 μm and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 0.1 to 10 μm. Further, metal particles or inorganic particles may be used in place of the above resin particles, and a plurality of types thereof may be appropriately mixed and used. This is because a more complicated anchor can be formed. As the heat-resistant resin used in the adhesive for electroless plating, the aforementioned thermosetting resin, thermoplastic resin, or a composite of the thermosetting resin and the thermoplastic resin can be used.

【0045】本発明において、多層コア基板上に形成さ
れた導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電
気的接続は、層間樹脂絶縁層内に形成したビアホールで
接続することができる。この場合、ビアホールは、めっ
き膜や充填材で充填してもよい。
In the present invention, the electrical connection between the conductor circuit formed on the multilayer core substrate and the conductor circuit in the build-up wiring layer can be made by a via hole formed in the interlayer resin insulation layer. In this case, the via hole may be filled with a plating film or a filler.

【0046】以下、本発明の多層回路基板を製造する一
例について、添付図面を参照にして具体的に説明する。
なお、以下に述べる方法において、多層化基板上へのビ
ルドアップ配線層の形成は、セミアディティブ法によっ
て行うが、フルアディティブ法やマルチラミネーション
法、ピンラミネーション法を採用することもできる。
Hereinafter, an example of manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings.
In the method described below, the build-up wiring layer is formed on the multilayer substrate by a semi-additive method, but a full-additive method, a multi-lamination method, or a pin lamination method can also be employed.

【0047】(A) 多層化基板の形成 (1)まず多層化基板を構成する両面回路基板を形成す
る。そのコア材としては、完全に硬化した絶縁性基材が
使用される。この絶縁性基材は、たとえば、ガラス布エ
ポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹
脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、ア
ラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポ
リイミド樹脂基材から選ばれるリジッド(硬質)な積層
基材が使用され、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も好ま
しい。上記絶縁性基材10の厚さは、20〜600μm
が望ましい。その理由は、絶縁性を確保するためであ
る。20μm未満の厚さでは強度が低下して取扱いが難
しくなり、600μmを超えると微細なビアホールの形
成および導電性物質の充填が難しくなるからである。
(A) Formation of Multilayer Board (1) First, a double-sided circuit board constituting a multilayer board is formed. As the core material, a completely cured insulating substrate is used. The insulating base material is selected from, for example, a glass cloth epoxy resin base material, a glass cloth bismaleimide triazine resin base material, a glass cloth polyphenylene ether resin base material, an aramid nonwoven fabric-epoxy resin base material, and an aramid nonwoven fabric-polyimide resin base material. A rigid (hard) laminated substrate is used, and a glass cloth epoxy resin substrate is most preferred. The thickness of the insulating substrate 10 is 20 to 600 μm
Is desirable. The reason is to ensure insulation. If the thickness is less than 20 μm, the strength is reduced and handling becomes difficult. If the thickness is more than 600 μm, formation of fine via holes and filling of a conductive material becomes difficult.

【0048】このような絶縁性基材10の両面に半硬化
状態の接着剤、すなわちBステージの接着剤層12を設
け(図1(a)参照)、さらに、その接着剤層12の上に保
護フィルム14を貼付ける(図1(b)参照)。上記接着
剤12は導体回路を形成する銅箔を接着するためのもの
であり、たとえば、エポキシ樹脂ワニスが使用され、そ
の層厚は10〜50μmの範囲が好ましい。また上記保
護フィルム14は、後述する導電性ペーストの印刷用マ
スクとして使用され、たとえば、表面に粘着層を設けた
ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムが使用
され得る。前記PETフィルム14は、粘着剤層の厚み
が1〜20μm、フィルム自体の厚みが10〜50μm
であるようなものが使用される。
An adhesive in a semi-cured state, that is, a B-stage adhesive layer 12 is provided on both surfaces of the insulating base material 10 (see FIG. 1A). A protective film 14 is attached (see FIG. 1 (b)). The adhesive 12 is for adhering a copper foil forming a conductive circuit, for example, an epoxy resin varnish is used, and its layer thickness is preferably in a range of 10 to 50 μm. The protective film 14 is used as a mask for printing a conductive paste described later, and for example, a polyethylene terephthalate (PET) film having a surface provided with an adhesive layer may be used. The PET film 14 has a thickness of the adhesive layer of 1 to 20 μm and a thickness of the film itself of 10 to 50 μm.
Is used.

【0049】(2) ついで、絶縁性基材10上に貼付け
られたPETフィルム14上からレーザ照射を行って、
絶縁性基材を貫通するビアホール形成用開口16を形成
する(図1(c)参照)。このレーザ加工は、パルス発振
型炭酸ガスレーザ加工装置によって行われる。加工条件
は、、パルスエネルギーが0.5〜100mJ、パルス
幅が1〜100μs、パルス間隔が0.5ms以上、シ
ョット数が3〜50の範囲内であることが望ましい。こ
のような加工条件のもとで形成され得る開口16の開口
径は、50〜250μmであることが望ましい。その
後、開口16の内壁面に残留する樹脂を取り除くため
に、酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理等のデスミ
ア処理を行うことが、接続信頼性確保の点で望ましい。
(2) Next, laser irradiation is performed from above the PET film 14 stuck on the insulating base material 10,
An opening 16 for forming a via hole penetrating the insulating base material is formed (see FIG. 1C). This laser processing is performed by a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus. The processing conditions are preferably such that the pulse energy is 0.5 to 100 mJ, the pulse width is 1 to 100 μs, the pulse interval is 0.5 ms or more, and the number of shots is 3 to 50. The diameter of the opening 16 that can be formed under such processing conditions is desirably 50 to 250 μm. Thereafter, desmear treatment such as oxygen plasma discharge treatment or corona discharge treatment is desirably performed to remove the resin remaining on the inner wall surface of the opening 16 from the viewpoint of ensuring connection reliability.

【0050】(3)次に、前記(2)の工程においてPETフ
ィルム14に形成された開口からビアホール形成用開口
16内に、導電性ペースト18を印刷によって充填し、
あるいは基板上の金属箔をめっきリードとして電解めっ
き処理を施して、開口16内に電解めっき層を充填して
ビアホール20を形成する(図1(d)参照)。この際、
PETフィルム14は、印刷用マスクあるいはめっき保
護フィルムとして機能する。
(3) Next, the conductive paste 18 is filled into the via hole forming opening 16 by printing from the opening formed in the PET film 14 in the step (2),
Alternatively, an electrolytic plating process is performed using the metal foil on the substrate as a plating lead, and the opening 16 is filled with an electrolytic plating layer to form a via hole 20 (see FIG. 1D). On this occasion,
The PET film 14 functions as a printing mask or a plating protection film.

【0051】上記導電性物質の充填方法には、絶縁性
基材を貫通して形成された開口16の上部をわずかに残
して開口内の隙間のほとんど全てに、めっき処理による
金属めっきを充填した後、PETフィルム14を貫通し
て形成された開口および接着剤層12を貫通して形成さ
れた開口内の隙間の全てに導電性ペーストを充填するや
り方と、絶縁性基材を貫通して形成された開口16
と、PETフィルム14を貫通して形成された開口と、
接着剤層12を貫通して形成された開口内の隙間の全て
に導電性ペーストを充填するやり方があるが、この実施
形態においては、の方法を採用する。上記めっき処理
としては電解めっき処理が好ましく、とくに、電解銅め
っき処理によって形成された電解銅めっきが好ましい。
また上記導電性ペーストは、銀、銅、金、ニッケル、半
田から選ばれる少なくとも1種以上の金属粒子からなる
導電性ペーストを使用できる。上記金属粒子としては、
金属粒子の表面に異種金属をコーティングしたものも使
用できる。具体的には銅粒子の表面に金、銀から選ばれ
る貴金属を被覆した金属粒子を使用することができる。
このような導電性ペーストとしては、金属粒子に、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリフ
ェニレンスルフイド(PPS)などの熱可塑性樹脂を加
えた有機系導電性ペーストが望ましい。
In the method of filling the conductive substance, almost all of the gaps in the opening except for a small portion of the opening 16 formed through the insulating base material are filled with metal plating by plating. After that, a method of filling the opening formed through the PET film 14 and all the gaps in the opening formed through the adhesive layer 12 with the conductive paste, and a method of forming the opening through the insulating base material Opening 16
And an opening formed through the PET film 14,
There is a method of filling all the gaps in the openings formed through the adhesive layer 12 with the conductive paste. In this embodiment, the method described in the following is adopted. As the plating treatment, electrolytic plating treatment is preferable, and particularly, electrolytic copper plating formed by electrolytic copper plating treatment is preferable.
Further, as the conductive paste, a conductive paste composed of at least one kind of metal particles selected from silver, copper, gold, nickel and solder can be used. As the above metal particles,
What coated the different metal on the surface of the metal particle can also be used. Specifically, metal particles in which the surface of copper particles is coated with a noble metal selected from gold and silver can be used.
As such a conductive paste, an organic conductive paste obtained by adding a thermosetting resin such as an epoxy resin or a phenol resin or a thermoplastic resin such as polyphenylene sulfide (PPS) to metal particles is desirable.

【0052】また、上記導電性ペーストに代えて、低融
点金属である半田ペーストを用いて印刷する方法、半田
めっきを行う方法、あるいは半田溶融液に浸漬する方法
により、導電性物質を開口内に形成することもでき、低
融点金属としては、Pb−Sn系はんだ、Ag−Sn系
はんだ、インジウムはんだ等を使用することができる。
In place of the above-mentioned conductive paste, a method of printing using a solder paste that is a low melting point metal, a method of performing a solder plating, or a method of immersing the conductive material in a solder melt is used to fill the opening with the conductive material. The low melting point metal may be a Pb-Sn solder, an Ag-Sn solder, an indium solder, or the like.

【0053】(4)その後、PETフィルム14を接着剤
層12の表面から剥離させたのち(図1(e)参照)、銅
箔22を樹脂接着剤層12を介して絶縁性基材10の両
面に熱プレスによって圧着して、樹脂接着剤12を硬化
させる(図1(f)参照)。その際、銅箔22は硬化した
樹脂接着剤12を介して絶縁性基材10に接着され、導
電性ペースト18と銅箔22とが電気的に接続される。
銅箔22の厚さは、5〜18μmが望ましい。その理由
は、レーザ加工で絶縁性基材にビアホール形成用開口を
形成する際に、薄すぎると貫通してしまうからであり、
逆に厚すぎるとエッチングにより、回路パターンにアン
ダーカットが形成されるためファインパターンを形成し
難いからである。
(4) After the PET film 14 is peeled off from the surface of the adhesive layer 12 (see FIG. 1E), the copper foil 22 is separated from the insulating base material 10 via the resin adhesive layer 12. The resin adhesive 12 is cured by press-bonding both sides by a hot press (see FIG. 1 (f)). At this time, the copper foil 22 is adhered to the insulating base material 10 via the cured resin adhesive 12, and the conductive paste 18 and the copper foil 22 are electrically connected.
The thickness of the copper foil 22 is preferably 5 to 18 μm. The reason is that when forming an opening for forming a via hole in an insulating base material by laser processing, if the opening is too thin, it will penetrate,
On the other hand, if the thickness is too large, an undercut is formed in the circuit pattern by etching, so that it is difficult to form a fine pattern.

【0054】(5)ついで、銅箔22上にエッチング保護
フィルムを貼付して、所定パターンのマスクを披覆した
後、エッチング処理を行って導体回路24(ビアランド
を含む)を形成する(図1(g)参照)。この処理工程に
おいては、先ず、銅箔22の表面に感光性ドライフィル
ムレジストを貼付するか、液状感光性レジストを塗布し
た後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理して
エッチングレジストを形成した後、エッチングレジスト
非形成部分の金属層をエッチングして、ビアランドを含
んだ導体パターン24を形成する。エッチング液として
は、硫酸一過酸化水素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第
二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも1種の水溶液が望
ましい。上記銅箔22をエッチングして導体回路24を
形成する前処理として、ファインパターンを形成しやす
くするため、あらかじめ、銅箔22の表面全面をエッチ
ングして厚さを1〜10μm、より好ましくは2〜8μ
m程度まで薄くすることができる。導体回路の一部とし
てのビアランドは、その内径がビアホール径とほぼ同様
であるが、その外径は、50〜250μmの範囲に形成
されることが好ましい。
(5) Next, an etching protection film is stuck on the copper foil 22 and a mask having a predetermined pattern is covered, and then an etching process is performed to form a conductor circuit 24 (including a via land) (FIG. 1). (g)). In this processing step, first, a photosensitive dry film resist is attached to the surface of the copper foil 22, or a liquid photosensitive resist is applied, and then exposed and developed along a predetermined circuit pattern to form an etching resist. After that, the metal layer in the portion where the etching resist is not formed is etched to form the conductor pattern 24 including the via land. As the etching solution, at least one aqueous solution selected from aqueous solutions of sulfuric acid hydrogen peroxide, persulfate, cupric chloride, and ferric chloride is desirable. As a pretreatment for etching the copper foil 22 to form the conductor circuit 24, in order to easily form a fine pattern, the entire surface of the copper foil 22 is previously etched to a thickness of 1 to 10 μm, more preferably 2 to 10 μm. ~ 8μ
m. The inner diameter of the via land as a part of the conductor circuit is substantially the same as the diameter of the via hole, but the outer diameter is preferably formed in the range of 50 to 250 μm.

【0055】(6)エッチング処理の後、(5)の工程におい
て形成した導体回路24の表面を粗化処理して(粗化層
の表示は省略する)、コア用回路基板30を形成する。
この粗化処理は、多層化する際に、接着剤層との密着性
を改善し、剥離(デラミネーション)を防止するためで
ある。粗化処理方法としては、例えば、ソフトエッチン
グ処理や、黒化(酸化)一還元処理、銅−ニッケルーリ
ンからなる針状合金めっき(荏原ユージライト製:商品
名インタープレート)の形成、メック社製の商品名「メ
ックエッチボンド」なるエッチング液による表面粗化が
ある。
(6) After the etching process, the surface of the conductor circuit 24 formed in the process (5) is roughened (roughened layer is not shown) to form the core circuit board 30.
This roughening treatment is for improving adhesion to the adhesive layer and preventing peeling (delamination) when forming a multilayer. Roughening methods include, for example, soft etching, blackening (oxidation) and one-reduction treatment, formation of a copper-nickel-phosphorus needle-like alloy plating (manufactured by Ebara Uzilite; trade name: Interplate), manufactured by MEC Corporation. Surface roughening by an etching solution called "Mech etch bond".

【0056】この実施形態においては、上記粗化層の形
成は、エッチング液を用いて形成されるのが好ましく、
たとえば、導体回路の表面を第二銅錯体と有機酸の混合
水溶液からエッチング液を用いてエッチング処理するこ
とによって形成することができる。かかるエッチング液
は、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で、銅
導体回路を溶解させることができ、反応は、次のように
進行するものと推定される。 Cu+Cu(II)A →2Cu(I)An/2 2Cu(I)An/2 +n/4O +nAH (エ
アレーション)→2Cu(II)A +n/2HO 式中、Aは錯化剤(キレート剤として作用)、nは配位
数を示す。
In this embodiment, the roughened layer is preferably formed by using an etching solution.
For example, it can be formed by etching the surface of a conductor circuit from a mixed aqueous solution of a cupric complex and an organic acid using an etchant. Such an etchant can dissolve the copper conductor circuit under the condition of coexistence of oxygen such as spraying or bubbling, and the reaction is presumed to proceed as follows. Cu + Cu (II) A n → 2Cu (I) An / 2 2Cu (I) An / 2 + n / 4O 2 + nAH (aeration) → 2Cu (II) A n + n / 2H 2 O In the formula, A is a complex. Agent (acting as a chelating agent), n represents the coordination number.

【0057】この式に示されるように、発生した第一銅
錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体
となって、再び銅の酸化に寄与する。本発明で用いられ
る第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。この
有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール
類の第二銅錯体および有機酸(必要に応じてハロゲンイ
オン)を、水に溶解して調製することができる。またエ
ッチング液は、たとえば、イミダゾール銅(II)錯体
10重量部、グリコール酸 7重量部、塩化カリウム
5重量部を混合した水溶液から形成される。
As shown in this formula, the generated cuprous complex dissolves under the action of an acid and combines with oxygen to form a cupric complex, which again contributes to copper oxidation. The cupric complex used in the present invention is preferably a cupric complex of azoles. The etching solution comprising the organic acid-cupric complex can be prepared by dissolving a cupric complex of an azole and an organic acid (halogen ion as required) in water. The etching solution is, for example, an imidazole copper (II) complex
10 parts by weight, 7 parts by weight of glycolic acid, potassium chloride
It is formed from an aqueous solution mixed with 5 parts by weight.

【0058】(7)次に、前記(6)の工程にて形成したコア
用回路基板に積層される片面回路基板を製造する。この
積層用片面回路基板の製造に当たって、片面に金属層4
2の形成された絶縁性基材40を出発材料として用い
る。使用する絶縁性基材40としては、コア用回路基板
と同様に、完全に硬化した樹脂材料から形成され、たと
えば、ガラス布エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−エ
ポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイミド基材、ビ
スマレイミド−トリアジン樹脂基材から選ばれるリジッ
ド(硬質)な積層基材が使用される。特に、ガラス布エ
ポキシ樹脂基材が好ましい。また、絶縁性基材40の一
方の表面に形成された金属層42は、銅箔を使用でき
る。銅箔は密着性改善のため、マット処理されていても
よく、また絶縁性基材40の表面に、金属を蒸着した
後、電解めっき処理を施して形成した銅めっきを、金属
層42とすることもできる。
(7) Next, a single-sided circuit board to be laminated on the core circuit board formed in the step (6) is manufactured. In manufacturing this single-sided circuit board for lamination, a metal layer 4
The insulating base material 40 formed with No. 2 is used as a starting material. The insulating base material 40 to be used is formed of a completely cured resin material similarly to the circuit board for the core, for example, a glass cloth epoxy resin base material, an aramid nonwoven fabric-epoxy resin base material, an aramid nonwoven fabric-polyimide base material. A rigid (hard) laminated base material selected from a material and a bismaleimide-triazine resin base material is used. Particularly, a glass cloth epoxy resin base material is preferable. The metal layer 42 formed on one surface of the insulating substrate 40 can use a copper foil. The copper foil may be matted to improve adhesion, and a copper layer formed by subjecting a surface of the insulating substrate 40 to a metal deposition and then performing an electrolytic plating process is used as the metal layer 42. You can also.

【0059】上記絶縁性基材40の厚さは、20〜60
0μmが望ましい。その理由は、絶縁性を確保するため
である。20μm未満の厚さでは、強度が低下して取扱
が難しくなるとともに電気的絶縁性に対する信頼性が低
くなり、600μmを超えると、微細なビアホールの形
成および導電性物質の充填が難しくなるからである。一
方、金属層42の厚さは、5〜18μmが望ましい。そ
の理由は、レーザ加工で絶縁性基材にビアホール形成用
開口を形成する際に、薄すぎると貫通してしまうからで
あり、逆に厚すぎるとエッチングにより、ファインパタ
ーンを形成し難いからである。上記絶縁性基材40およ
び金属層42としては、特に、エポキシ樹脂をガラスク
ロスに含潰させてBステージとしたプリプレグと、銅箔
とを積層して加熱プレスすることにより得られる片面銅
張積層板を用いることが好ましい。その理由は、金属層
42がエッチングされた後の取扱中に、配線パターンや
ビアホールの位置がずれることがなく、位置精度に優れ
るからである。
The thickness of the insulating substrate 40 is 20 to 60.
0 μm is desirable. The reason is to ensure insulation. If the thickness is less than 20 μm, the strength is reduced and handling becomes difficult, and the reliability for electrical insulation is reduced. If the thickness is more than 600 μm, it becomes difficult to form fine via holes and fill with a conductive material. . On the other hand, the thickness of the metal layer 42 is preferably 5 to 18 μm. The reason is that when forming an opening for forming a via hole in an insulating base material by laser processing, if it is too thin, it penetrates, and if it is too thick, it is difficult to form a fine pattern by etching. . As the insulating base material 40 and the metal layer 42, in particular, a single-sided copper-clad laminate obtained by laminating a prepreg obtained by impregnating an epoxy resin into a glass cloth into a B stage, and laminating a copper foil and pressing the laminate with heat. It is preferable to use a plate. The reason is that the positions of the wiring patterns and the via holes do not shift during handling after the metal layer 42 is etched, and the position accuracy is excellent.

【0060】(8)次に、絶縁性基材40の金属層42形
成面と反対側の表面に保護フィルム44を貼付する(図
2(a)参照)。この保護フィルム44は、表面に粘着層
を設けたポリエチレンテレフタレート(PET)フィル
ムが使用され得る。
(8) Next, a protective film 44 is attached to the surface of the insulating base material 40 opposite to the surface on which the metal layer 42 is formed (see FIG. 2A). As the protective film 44, a polyethylene terephthalate (PET) film having a surface provided with an adhesive layer may be used.

【0061】(9)ついで、絶縁性基材40の保護フィル
ム44上からレーザ照射を行って、保護フィルム44お
よび絶縁性基材40を貫通して金属層42に至るビアホ
ール形成用開口46を形成する(図2(b)参照)。この
開口46の形成は、パルス発振型炭酸ガスレーザ加工装
置によって行われる。このようなビアホール形成用開口
46の加工条件は、、パルスエネルギーが0.5〜10
0mJ、パルス幅が1〜100μs、パルス間隔が0.
5ms以上、ショット数が3〜50の範囲であることが
望ましく、このような加工条件のもとで形成される開口
46の開口径は、50〜250μmであることが望まし
い。その後、開口46の内壁面に残留する樹脂を取り除
くために、酸素プラズマ放電処理、コロナ放電処理等の
デスミア処理を行うことが、接続信頼性確保の点で望ま
しい。
(9) Then, laser irradiation is performed from above the protective film 44 of the insulating base material 40 to form a via hole forming opening 46 that reaches the metal layer 42 through the protective film 44 and the insulating base material 40. (See FIG. 2B). The opening 46 is formed by a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus. The processing conditions for such a via hole forming opening 46 are such that the pulse energy is 0.5 to 10
0 mJ, a pulse width of 1 to 100 μs, and a pulse interval of 0.
It is desirable that the number of shots be 5 ms or more and the number of shots be in the range of 3 to 50, and the opening diameter of the opening 46 formed under such processing conditions be 50 to 250 μm. Thereafter, desmear treatment such as oxygen plasma discharge treatment or corona discharge treatment is desirably performed to remove the resin remaining on the inner wall surface of the opening 46 from the viewpoint of ensuring connection reliability.

【0062】(10)次に、レーザ加工で形成したビアホー
ル形成用開口46内に、導電性物質48を充填してビア
ホール49を形成する。このような導電性物質48は、
上記(3)の工程と同様に、導電性ペーストの充填あるい
は電解めっき処理による金属めっきの充填により形成さ
れるのが好ましい。
(10) Next, a conductive material 48 is filled in the via hole forming opening 46 formed by laser processing to form a via hole 49. Such a conductive substance 48 is
Similar to the above step (3), it is preferable to form by filling with conductive paste or filling with metal plating by electrolytic plating.

【0063】(11)その後、絶縁性基材40に貼付した保
護フィルム44の上に、さらにエッチング保護フィルム
50を貼付し(図2(c)参照)、一方、金属層42には
所定パターンのマスクで披覆した後、上記(5)の工程に
したがうエッチングを行って、導体回路52を形成する
(図2(d)参照)。この処理工程においては、先ず、金
属層42の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼付
するか、液状感光性レジストを塗布した後、所定の回路
パターンに沿って露光、現像処理してエッチングレジス
トを形成した後、エッチングレジスト非形成部分の金属
層42をエッチングして導体パターン52を形成する。
(11) After that, an etching protection film 50 is further applied on the protection film 44 applied on the insulating base material 40 (see FIG. 2C), while the metal layer 42 has a predetermined pattern. After being covered with the mask, etching is performed in accordance with the step (5) to form the conductor circuit 52 (see FIG. 2D). In this processing step, first, a photosensitive dry film resist is attached to the surface of the metal layer 42 or a liquid photosensitive resist is applied, and then exposed and developed along a predetermined circuit pattern to form an etching resist. After that, the metal layer 42 in the portion where the etching resist is not formed is etched to form the conductor pattern 52.

【0064】(12)エッチング処理の後、保護フィルム4
4および50を剥離し(図2(e)参照)、必要に応じ
て、導体回路52の表面を粗化処理する。この粗化処理
は、多層化する際に、接着剤層との密着性を改善し、剥
離(デラミネーション)を防止するためであり、その粗
化処理方法は、上記(6)の工程にしたがって行う。
(12) After the etching treatment, the protective film 4
4 and 50 are peeled off (see FIG. 2E), and the surface of the conductor circuit 52 is subjected to a roughening treatment as necessary. This roughening treatment is for improving the adhesion to the adhesive layer and preventing peeling (delamination) when forming a multilayer, and the roughening treatment method is performed according to the above-mentioned step (6). Do.

【0065】絶縁性基板40から保護フィルム50を剥
離した状態においては、開口46内に充填した導電性物
質48は、絶縁性基板40の表面から保護フィルム44
の厚さ分だけ突出しており、この突出部分53(以下、
「突起状導体」という)の高さは、10〜40μmの範
囲が望ましい。その理由は、10μm未満では、接続不
良を招きやすく、40μmを越えると抵抗値が高くなる
と共に、加熱プレス工程において突起状導体が熱変形し
た際に、絶縁性基板の表面に沿って拡がりすぎるので、
ファインパターンが形成できなくなるからである。ま
た、上記導電ペーストから形成される突起状導体は、プ
レキュアされた状態であることが望ましい。その理由
は、突起状導体は半硬化状態でも硬いので、後述するよ
うな積層プレスの段階で軟化した有機系接着剤層を貫通
し、積層される他の回路基板のビアホールと電気的接触
が可能となるからである。また、加熱プレス時に変形し
て接触面積が増大し、導通抵抗を低くすることができる
だけでなく、突起状導体の高さのばらつきを是正するこ
とができる。
When the protective film 50 is peeled off from the insulating substrate 40, the conductive material 48 filled in the opening 46 removes the protective film 44 from the surface of the insulating substrate 40.
Projecting portion 53 (hereinafter referred to as a protruding portion 53).
The height of the “projecting conductor” is preferably in the range of 10 to 40 μm. The reason is that if it is less than 10 μm, poor connection is likely to occur, and if it exceeds 40 μm, the resistance value increases, and when the protruding conductor is thermally deformed in the heating press step, it spreads too much along the surface of the insulating substrate. ,
This is because a fine pattern cannot be formed. Further, the protruding conductor formed from the conductive paste is preferably in a pre-cured state. The reason is that the protruding conductor is hard even in a semi-cured state, so it can penetrate the organic adhesive layer softened in the laminating press step described later and make electrical contact with the via holes of other circuit boards to be laminated This is because In addition, the contact area increases due to deformation at the time of hot pressing, so that not only the conduction resistance can be reduced, but also the variation in the height of the projecting conductor can be corrected.

【0066】(13)次いで、絶縁性基材40の突起状導体
53側の表面に樹脂接着剤54を塗布する(図2(f)参
照)。上記積層用回路基板は、それらの複数枚が相互に
積層接着されたり、予め製造されたコア用回路基板に積
層接着されて多層化されるが、接着剤はこのような積層
段階で使用される。例えば、絶縁性基材40の突起状導
体53側の表面全体および/または導体回路52側の表
面全体に塗布され、乾燥化された状態の未硬化樹脂から
なる接着剤層54として形成される。この接着剤層は、
取扱が容易になるため、プレキュアしておくことが好ま
しく、その厚さは、5〜50μmの範囲が望ましい。
(13) Next, a resin adhesive 54 is applied to the surface of the insulating base material 40 on the side of the protruding conductor 53 (see FIG. 2F). The circuit board for lamination is formed by laminating and bonding a plurality of the circuit boards to each other, or by laminating and bonding to a pre-manufactured circuit board for a core, and the adhesive is used in such a lamination step. . For example, the adhesive layer 54 is formed on the entire surface of the insulating substrate 40 on the side of the protruding conductor 53 and / or the entire surface of the insulating substrate 40 on the side of the conductor circuit 52 and is formed of an uncured resin in a dried state. This adhesive layer
Precuring is preferred for ease of handling, and its thickness is preferably in the range of 5 to 50 μm.

【0067】前記接着剤層54は、有機系接着剤からな
ることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、熱硬化型ポリフ
ェノレンエーテル(PPE)、エポキシ樹脂と熱可塑性
樹脂との複合樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン掛脂との
複合樹脂、BTレジンから選ばれる少なくとも1種の樹
脂であることが望ましい。有機系接着剤である未硬化樹
脂の塗布方法は、カーテンコータ、スピンコータ、ロー
ルコータ、スプレーコート、スクリーン印刷などを使用
できる。また、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミ
ネートすることによってもできる。
The adhesive layer 54 is preferably made of an organic adhesive. Examples of the organic adhesive include an epoxy resin, a polyimide resin, a phenol resin, a thermosetting polyphenolene ether (PPE), and an epoxy resin. It is desirable that the resin be at least one resin selected from a composite resin with a plastic resin, a composite resin with an epoxy resin and a silicone oil, and BT resin. As a method of applying the uncured resin which is an organic adhesive, a curtain coater, a spin coater, a roll coater, a spray coat, a screen printing, or the like can be used. Further, the formation of the adhesive layer can also be performed by laminating an adhesive sheet.

【0068】上記導体回路の形成直後に、その導体回路
52やビアホール49の検査が可能であり、積層する前
に不良個所の有無を検査することかできる。上記コア用
片面回路基板に対する積層段階では、不良のない片面回
路基板のみを用いることができるので、多層化基板、ひ
いては多層回路基板を高い歩留まりで製造することがで
きる。
Immediately after the formation of the conductor circuit, the conductor circuit 52 and the via hole 49 can be inspected, and the presence or absence of a defective portion can be inspected before lamination. In the step of laminating the single-sided circuit board for the core, only a single-sided circuit board having no defect can be used, so that a multi-layered board and a multi-layered circuit board can be manufactured with a high yield.

【0069】(B)上記(1)〜(13)の工程によって製造
された複数の両面および片面回路基板、たとえば4枚の
回路基板を相互に積層して多層化基板を製造する。 (1)まず、コア用両面回路基板30と積層用片面回路基
板32、34および36を互いに対向するように積層す
る(図3参照)。この重ね合わせは、隣接する片面回路基
板の突起状導体53と導体回路52とが、対向するよう
な位置に配置することにより行なわれる、すなわち、各
回路基板の周囲に設けられたガイドホールにガイドピン
(図示せず)を挿通することにより、位置合わせしなが
ら行なわれる。また、位置合わせは、画像処理にて行っ
てもよい。
(B) A plurality of double-sided and single-sided circuit boards, for example, four circuit boards, manufactured by the above-mentioned steps (1) to (13) are stacked on each other to manufacture a multilayer board. (1) First, the core double-sided circuit board 30 and the single-sided circuit boards for lamination 32, 34 and 36 are laminated so as to face each other (see FIG. 3). This superposition is performed by arranging the protruding conductors 53 and the conductor circuits 52 of the adjacent single-sided circuit boards at positions facing each other, that is, the guide holes are formed in guide holes provided around each circuit board. It is performed while positioning by inserting a pin (not shown). The alignment may be performed by image processing.

【0070】(2)上記積層された4層基板を、熱プレス
を用いて150〜200℃で加熱し、0.5〜10MP
a、望ましくは2〜5MPaで加熱プレスすることによ
り、回路基板30〜36を、1度のプレス成形により一
体化し、多層化基板60を得る(図4参照)。ここで
は、先ず、加圧されることで、積層用片面回路基板32
の突起状導体53が、未硬化の接着剤54を周囲に押し
出し、その突起状導体53がコア用両面回路基板30の
導体回路52に当接して両者の電気的接続がなされる。
同様に、積層用片面回路基板34の突起状導体53が積
層用片面回路基板36の導体回路52と当接して両者の
電気的接続がなされ、積層用片面回路基板36の突起状
導体53は、コア用両面回路基板30の導体回路52に
当接して両者の電気的接続がなされる。
(2) The laminated four-layer substrate is heated at 150 to 200 ° C. by using a hot press,
a, desirably by hot pressing at 2 to 5 MPa, the circuit boards 30 to 36 are integrated by a single press molding to obtain a multilayer board 60 (see FIG. 4). Here, first, the single-sided circuit board 32 for lamination is pressed by being pressed.
The protrusion-shaped conductor 53 pushes out the uncured adhesive 54 to the surroundings, and the protrusion-shaped conductor 53 comes into contact with the conductor circuit 52 of the double-sided circuit board 30 for a core, thereby making an electrical connection therebetween.
Similarly, the protruding conductor 53 of the single-sided circuit board for lamination abuts on the conductor circuit 52 of the single-sided circuit board for lamination to make an electrical connection therebetween. The two-sided circuit board 30 is electrically connected to the conductor circuit 52 of the core double-sided circuit board 30.

【0071】更に、加圧と同時に加熱することで、各回
路基板30〜36の接着剤層54が硬化し、隣接する片
面回路基板との間で強固な接着が行われる。なお、熱プ
レスとしては、真空熱プレスを用いることが好適であ
る。このように、積層された4層の回路基板を一括して
加熱加圧しながら、各回路基板の突起状導体を接着剤層
に嵌入・貫通せしめて、その突起状導体と対向する前記
導体回路に接続させて一体化することにより、多層化基
板60が製造される。上述した実施形態では、4層の回
路基板を用いて多層化したが、3層、5層あるいは6層
を超える多層化基板の製造にも適用できる。
Further, by heating simultaneously with pressing, the adhesive layer 54 of each of the circuit boards 30 to 36 is hardened, and strong bonding is performed between the adjacent single-sided circuit boards. It is preferable to use a vacuum hot press as the hot press. In this way, the projecting conductors of each circuit board are fitted and penetrated into the adhesive layer while heating and pressurizing the laminated four-layer circuit boards at a time, and the conductor circuits facing the projecting conductors are inserted into the adhesive circuit. By connecting and integrating, the multilayer substrate 60 is manufactured. In the above-described embodiment, the multi-layer board is formed by using the four-layer circuit board.

【0072】(C)ビルドアップ配線層の形成 上記(A)および(B)の工程によって形成された多層化基
板60の片面に、ビルドアップ配線層を形成する。図5
においては、多層化基板60を構成する両面および片面
回路基板の図示は、簡単化の目的ですべて省略する(図
5(a)参照)。 (1)多層化基板60の片面にある導体回路52の表面に
銅−ニッケル−リンからなる粗化層62を形成する(図
5(b)参照)。この粗化層62は、無電解めっきによ
り形成される。この無電解めっき水溶液の液組成は、銅
イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次亜リン酸イオン濃
度が、それぞれ2.2×10−2〜4.1×10−2
mol/l、 2.2×10−3〜4.1×10−3
ol/l、0.20〜0.25mol/lであることが
望ましい。この範囲で析出する被膜の結晶構造は針状構
造になるため、アンカー効果に優れるからである。この
無電解めっき水溶液には上記化合物に加えて錯化剤や添
加剤を加えてもよい。粗化層の形成方法としては、前述
したように、銅−ニッケル−リン針状合金めっきによる
処理、酸化−還元処理、銅表面を粒界に沿ってエッチン
グする処理にて粗化面を形成する方法などがある。
(C) Formation of Build-up Wiring Layer A build-up wiring layer is formed on one surface of the multilayered substrate 60 formed by the steps (A) and (B). FIG.
In FIG. 5, all of the double-sided and single-sided circuit boards constituting the multilayered board 60 are omitted for the purpose of simplification (see FIG. 5A). (1) A roughened layer 62 made of copper-nickel-phosphorus is formed on the surface of the conductor circuit 52 on one side of the multilayer substrate 60 (see FIG. 5B). This roughened layer 62 is formed by electroless plating. The solution composition of the electroless plating aqueous solution has a copper ion concentration, a nickel ion concentration, and a hypophosphite ion concentration of 2.2 × 10 −2 to 4.1 × 10 −2 , respectively.
mol / l, 2.2 × 10 −3 to 4.1 × 10 −3 m
ol / l, preferably 0.20 to 0.25 mol / l. This is because the crystalline structure of the film deposited in this range has a needle-like structure, and thus has an excellent anchor effect. A complexing agent or an additive may be added to the electroless plating aqueous solution in addition to the above compounds. As a method of forming the roughened layer, as described above, a roughened surface is formed by a treatment using copper-nickel-phosphorus needle-like alloy plating, an oxidation-reduction treatment, and a treatment for etching the copper surface along grain boundaries. There are methods.

【0073】(2) 次に、前記(1)で作製した粗化層を有
する多層化基板60の上に、層間樹脂絶縁層64を形成
する(図5(c))。特に本発明では、後述するビアホ
ール70を形成する層間樹脂絶縁材として、熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂の複合体を樹脂マトリックスとした無
電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。また、半
硬化状態の樹脂フィルムを積層して用いてもよい。
(2) Next, an interlayer resin insulating layer 64 is formed on the multilayered substrate 60 having the roughened layer prepared in the above (1) (FIG. 5C). In particular, in the present invention, it is desirable to use an adhesive for electroless plating using a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin as a resin matrix as an interlayer resin insulating material for forming a via hole 70 described later. Further, a resin film in a semi-cured state may be laminated and used.

【0074】(3) 前記(2)で形成した無電解めっき用接
着剤層を乾燥した後、ビアホール形成用の開口部65を
設ける(図5(d))。感光性樹脂の場合は、露光,現
像してから熱硬化することにより、また、熱硬化性樹脂
の場合は、熱硬化したのちレーザー加工することによ
り、前記接着剤層64にビアホール形成用の開口部65
を設ける。
(3) After the adhesive layer for electroless plating formed in (2) is dried, an opening 65 for forming a via hole is provided (FIG. 5D). In the case of a photosensitive resin, exposure and development are performed followed by thermosetting, and in the case of a thermosetting resin, thermosetting and then laser processing are performed to form an opening for forming a via hole in the adhesive layer 64. Part 65
Is provided.

【0075】(4) 次に、硬化した前記接着剤層64の表
面に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によ
って分解または溶解して除去し、接着剤層表面に粗化処
理を施して粗化面66とする(第1図(e))。ここ
で、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻
酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用いるこ
とが望ましい。粗化処理した場合に、ビアホールから露
出する金属導体層を腐食させ難いからである。一方、上
記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩(過マン
ガン酸カリウムなど)を用いることが望ましい。
(4) Next, the cured epoxy resin particles present on the surface of the adhesive layer 64 are decomposed or dissolved by an acid or an oxidizing agent to remove them, and the surface of the adhesive layer is subjected to a roughening treatment to obtain a rough surface. The surface 66 is shown in FIG. 1 (e). Here, examples of the acid include phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, and organic acids such as formic acid and acetic acid, and it is particularly preferable to use an organic acid. This is because it is difficult to corrode the metal conductor layer exposed from the via hole when the roughening treatment is performed. On the other hand, it is desirable to use chromic acid and permanganate (such as potassium permanganate) as the oxidizing agent.

【0076】(5) 次に、接着剤層64表面の粗化面66
に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオン
や貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的
には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用す
る。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこと
が望ましい。このような触媒核としてはパラジウムがよ
い。
(5) Next, the roughened surface 66 on the surface of the adhesive layer 64
To a catalyst core. It is desirable to use a noble metal ion or a noble metal colloid for providing the catalyst nucleus, and generally, palladium chloride or a palladium colloid is used. Note that it is desirable to perform a heat treatment to fix the catalyst core. Palladium is preferred as such a catalyst core.

【0077】(6) さらに、(無電解めっき用)接着剤層
64の表面に無電解めっきを施し、粗化面全域に追従す
るように、無電解めっき膜67を形成する(図5
(f))。このとき、無電解めっき膜67の厚みは、
0.1〜5μmの範囲が好ましく、より望ましくは
0.5〜3μmとする。次に、無電解めっき膜67上に
めっきレジスト68を形成する(図6(a))。めっきレ
ジスト組成物としては、特にクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂やフェノールノボラック型エポキシ樹脂のア
クリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用い
ることが望ましいが、他に市販品のドライフィルムを使
用することもできる。
(6) Further, the surface of the adhesive layer 64 (for electroless plating) is subjected to electroless plating, and an electroless plating film 67 is formed so as to follow the entire roughened surface (FIG. 5).
(F)). At this time, the thickness of the electroless plating film 67 is
The range is preferably from 0.1 to 5 μm, more preferably
0.5 to 3 μm. Next, a plating resist 68 is formed on the electroless plating film 67 (FIG. 6A). As the plating resist composition, it is particularly desirable to use a composition comprising an acrylate of a cresol novolak type epoxy resin or an acrylate of a phenol novolak type epoxy resin and an imidazole curing agent. Alternatively, a commercially available dry film may be used.

【0078】(7) さらに、無電解めっき膜67上のめっ
きレジスト非形成部に電解めっきを施して、上層導体回
路72を形成すべき導体層を設けると共に開口65内部
に電解めっき膜69を充填してビアホール70を形成す
る(図6(b))。この時、開口5の外側に露出する電
解めっき膜9の厚みは、5〜30μmが望ましい。ここ
で、上記電解めっきとしては、銅めっきを用いることが
望ましい。
(7) Further, a portion where the plating resist is not formed on the electroless plating film 67 is subjected to electrolytic plating to provide a conductor layer on which the upper conductor circuit 72 is to be formed, and to fill the inside of the opening 65 with the electrolytic plating film 69. Then, a via hole 70 is formed (FIG. 6B). At this time, the thickness of the electrolytic plating film 9 exposed outside the opening 5 is preferably 5 to 30 μm. Here, it is desirable to use copper plating as the electrolytic plating.

【0079】(8) さらに、めっきレジスト68を除去し
た後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、
過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジス
ト下の無電解めっき膜を溶解除去して、独立した上層導
体回路72と充填ビアホール70とする。
(8) Further, after removing the plating resist 68, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, sodium persulfate,
The electroless plating film under the plating resist is dissolved and removed with an etching solution such as ammonium persulfate to form an independent upper conductor circuit 72 and a filled via hole 70.

【0080】(9) 次に、上層導体回路72の表面に粗化
層74を形成する。粗化層74の形成方法としては、エ
ッチング処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理が
ある。これらの処理のうち、酸化還元処理は、NaOH
(20g/l)、NaClO 2(50g/l)、NaP
(15.0g/l)を酸化浴(黒化浴)とし、Na
OH(2.7g/l)、NaBH(1.0g/l)を
還元浴とする。また、銅−ニッケル−リン合金層からな
る粗化層は、無電解めっき処理による析出により形成さ
れる。
(9) Next, the surface of the upper conductor circuit 72 is roughened.
A layer 74 is formed. As a method for forming the roughened layer 74,
Etching, polishing, oxidation-reduction and plating
is there. Of these treatments, the oxidation-reduction treatment is NaOH
(20 g / l), NaClO Two(50 g / l), NaP
O4(15.0 g / l) as an oxidation bath (blackening bath)
OH (2.7 g / l), NaBH4(1.0 g / l)
Use as a reducing bath. In addition, the copper-nickel-phosphorus alloy layer
Roughened layer is formed by deposition by electroless plating.
It is.

【0081】この合金の無電解めっき液としては、硫酸
銅1〜40g/l、硫酸ニッケル0.1 〜6.0g/
l、クエン酸10〜20g/l、次亜リン酸塩10〜1
00g/l、ホウ酸10〜40g/l、界面活性剤0.
01〜10g/lからなる液組成のめっき浴を用いるこ
とが望ましい。さらに、この粗化層74の表面をイオン
化傾向が銅より大きくチタン以下である金属もしくは貴
金属の層にて被覆する。スズの場合は、ホウフッ化スズ
−チオ尿素、塩化スズ−チオ尿素液を使用する。このと
き、Cu−Snの置換反応により0.1〜2μm程度の
Sn層が形成される。貴金属の場合は、スパッタや蒸着
などの方法が採用できる。
The electroless plating solution for this alloy is as follows: copper sulfate 1 to 40 g / l, nickel sulfate 0.1 to 6.0 g / l
l, citric acid 10-20 g / l, hypophosphite 10-1
00g / l, boric acid 10-40g / l, surfactant 0.
It is desirable to use a plating bath having a liquid composition of from 01 to 10 g / l. Further, the surface of the roughened layer 74 is covered with a layer of a metal or a noble metal whose ionization tendency is greater than copper and equal to or less than titanium. In the case of tin, tin borofluoride-thiourea or tin chloride-thiourea liquid is used. At this time, an Sn layer having a thickness of about 0.1 to 2 μm is formed by the substitution reaction of Cu—Sn. In the case of a noble metal, a method such as sputtering or vapor deposition can be adopted.

【0082】(10) 次に、この基板上に層間樹脂絶縁層
として、無電解めっき用接着剤層76を形成する。 (11) さらに、前記工程(3)〜(9)を繰り返して、ビアホ
ール70の真上に他のビアホール80を設けると共に上
記上層導体回路72よりもさらに外側に上層導体回路8
2および粗化層84を設ける(図6(c)参照)。この
ビアホール80の表面は、はんだパッドとして機能する
導体パッドに形成される。
(10) Next, an adhesive layer 76 for electroless plating is formed as an interlayer resin insulating layer on the substrate. (11) Further, by repeating the above steps (3) to (9), another via hole 80 is provided directly above the via hole 70 and the upper conductor circuit 8 is further disposed outside the upper conductor circuit 72.
2 and a roughened layer 84 are provided (see FIG. 6C). The surface of the via hole 80 is formed as a conductor pad functioning as a solder pad.

【0083】(12) 次いで、こうして得られた配線基板
の外表面に、ソルダーレジスト組成物90を塗布し、そ
の塗膜を乾燥した後、この塗膜に、開口部を描画したフ
ォトマスクフィルムを載置して露光、現像処理すること
により、導体層のうちはんだパッド(導体パッド、ビア
ホールを含む)部分を露出させた開口91を形成する
(図7(a)参照)。ここで、露出する開口の開口径
は、はんだパッドの径よりも大きくすることができ、は
んだパッドを完全に露出させてもよい。また、逆に前記
開口の開口径は、はんだパッドの径よりも小さくするこ
とができ、はんだパッドの縁周をソルダーレジスト層9
0で被覆することができる。この場合、はんだパッドを
ソルダーレジスト層90で抑えることができ、はんだパ
ッドの剥離を防止できる。
(12) Next, a solder resist composition 90 is applied to the outer surface of the wiring substrate thus obtained, and the coating film is dried. Then, a photomask film in which an opening is drawn is applied to the coating film. An opening 91 exposing a solder pad (including a conductor pad and a via hole) in the conductor layer is formed by mounting, exposing, and developing (see FIG. 7A). Here, the opening diameter of the exposed opening can be larger than the diameter of the solder pad, and the solder pad may be completely exposed. Conversely, the opening diameter of the opening can be made smaller than the diameter of the solder pad.
0 can be coated. In this case, the solder pads can be suppressed by the solder resist layer 90, and peeling of the solder pads can be prevented.

【0084】(13) さらに、前記ソルダーレジスト層9
0の開口部91から露出した前記はんだパッド部上に
「ニッケル−金」からなる金属層を形成する。ニッケル
層92は1〜7μmが望ましく、金層は0.01〜0.
06μmがよい。この理由は、ニッケル層92は、厚す
ぎると抵抗値の増大を招き、薄すぎると剥離しやすいか
らである。一方金層94は、厚すぎるとコスト増にな
り、薄すぎるとはんだ体との密着効果が低下するからで
ある。
(13) Further, the solder resist layer 9
A metal layer made of “nickel-gold” is formed on the solder pad exposed from the opening 91 of the “0”. The thickness of the nickel layer 92 is preferably 1 to 7 μm, and the thickness of the gold layer is 0.01 to 0.1 μm.
06 μm is preferred. The reason for this is that if the nickel layer 92 is too thick, it causes an increase in the resistance value, and if it is too thin, it is easy to peel off. On the other hand, if the gold layer 94 is too thick, the cost increases, and if it is too thin, the effect of adhering to the solder body is reduced.

【0085】(14)さらに、多層化基板の片面に形成した
ビルドアップ配線層の最も外側に位置するソルダーレジ
スト層の一方に形成した開口部91(上方に位置する開
口部)から露出する導体回路(はんだパッド)上には、
はんだ体を供給してはんだバンプ96を形成するととも
に、多層化基板のビルドアップ配線層が形成されない側
の表面に露出した導体回路52(はんだパッド)上に
は、はんだ体を供給してTピン96又ははんだボール1
00を形成することによって、多層回路基板が製造され
る(図7(b)参照)。
(14) Further, the conductor circuit exposed from the opening 91 (opening located above) in one of the solder resist layers located on the outermost side of the build-up wiring layer formed on one side of the multilayer substrate. (Solder pad)
The solder body is supplied to form the solder bumps 96, and the solder body is supplied to the conductor circuit 52 (solder pad) exposed on the surface of the multi-layer substrate on the side where the build-up wiring layer is not formed. 96 or solder ball 1
By forming 00, a multilayer circuit board is manufactured (see FIG. 7B).

【0086】はんだ体の供給方法としては、はんだ転写
法や印刷法を用いることができる。ここで、はんだ転写
法は、プリプレグにはんだ箔を貼合し、このはんだ箔を
開口部分に相当する箇所のみを残してエッチングするこ
とにより、はんだパターンを形成してはんだキャリアフ
ィルムとし、このはんだキャリアフィルムを、基板のソ
ルダーレジスト開口部分にフラックスを塗布した後、は
んだパターンがパッドに接触するように積層し、これを
加熱して転写する方法である。一方、印刷法は、パッド
に相当する箇所に貫通孔を設けた印刷マスク(メタルマ
スク) を基板に載置し、はんだペーストを印刷して加熱
処理する方法である。はんだとしては、スズ−銀、スズ
−インジウム、スズ−亜鉛、スズ−ビスマスなどが使用
できる。
As a method for supplying the solder body, a solder transfer method or a printing method can be used. Here, in the solder transfer method, a solder foil is bonded to a prepreg, and the solder foil is etched leaving only a portion corresponding to an opening, thereby forming a solder pattern to form a solder carrier film. This is a method of applying a flux to a solder resist opening portion of a substrate, laminating a film so that a solder pattern is in contact with a pad, and heating and transferring the film. On the other hand, the printing method is a method in which a printing mask (metal mask) having a through-hole provided in a portion corresponding to a pad is placed on a substrate, and a solder paste is printed and heat-treated. As the solder, tin-silver, tin-indium, tin-zinc, tin-bismuth and the like can be used.

【0087】なお、導電性バンプ96を形成するはんだ
体としては、融点が比較的に低いスズ/鉛はんだ(融点
183℃)やスズ/銀はんだ(融点220℃)を用い、
導電性ピン98や導電性ボール100を接続するはんだ
体としては、融点が230℃〜270℃と比較的融点の
高いスズ/アンチモンはんだ、スズ/銀はんだ、スズ/
銀/銅はんだを用いることが好ましい。
As the solder body for forming the conductive bumps 96, tin / lead solder (melting point: 183 ° C.) or tin / silver solder (melting point: 220 ° C.) having a relatively low melting point is used.
As a solder body for connecting the conductive pins 98 and the conductive balls 100, tin / antimony solder, tin / silver solder, tin / silver solder having a relatively high melting point of 230 ° C. to 270 ° C.
Preferably, a silver / copper solder is used.

【0088】[0088]

【実施例】(実施例1) (1)エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてBステ
ージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレス
することにより得られる片面銅張積層板を基板として用
いて、両面回路基板を製作する。この絶縁性基材10の
厚さは75μm、銅箔12の厚さは、12μmであっ
た。この積層板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが
10μmの粘着剤層を有し、フィルム自体の厚みが12
μmのPETフィルム14をラミネートする。
EXAMPLES (Example 1) (1) A single-sided copper-clad laminate obtained by laminating a prepreg in which epoxy resin is impregnated in a glass cloth into a B stage and a copper foil and pressing the laminate with heat is used as a substrate. To manufacture a double-sided circuit board. The thickness of the insulating base material 10 was 75 μm, and the thickness of the copper foil 12 was 12 μm. On the surface of the laminate opposite to the surface on which the copper foil is formed, a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm is provided.
A μm PET film 14 is laminated.

【0089】(2)次いで、PETフィルム14上から
パルス発振型炭酸ガスレーザを照射して銅箔12に達す
るビアホール形成用の非貫通孔16を形成し、さらに銅
箔12をめっきリードとして電解銅めっき処理を施し
て、非貫通孔16上部にわずかの隙間を残してその非貫
通孔内部に電解銅めっき18を充填して、充填ビアホー
ル20を形成する。
(2) Then, a non-through hole 16 for forming a via hole reaching the copper foil 12 is formed by irradiating a pulse oscillation type carbon dioxide laser from above the PET film 14, and further, electrolytic copper plating is performed using the copper foil 12 as a plating lead. By performing the treatment, the interior of the non-through hole is filled with electrolytic copper plating 18 leaving a slight gap above the non-through hole 16 to form a filled via hole 20.

【0090】この実施例においては、ビアホール形成用
の非貫通孔の形成には、三菱電機製の高ピーク短パルス
発振型炭酸ガスレーザ加工機を使用し、全体として厚さ
22μmのPETフィルムを樹脂面にラミネートした、
基材厚75μmのガラス布エポキシ樹脂基材に、マスク
イメージ法でPETフィルム側からレーザビーム照射し
て100穴/秒のスピードで、150μmφのビアホー
ル形成用の開口を形成した。
In this embodiment, a non-through hole for forming a via hole is formed by using a high peak short pulse oscillation type carbon dioxide laser processing machine made by Mitsubishi Electric Co., Ltd. Laminated to
A glass film epoxy resin substrate having a thickness of 75 μm was irradiated with a laser beam from the PET film side by a mask image method, and an opening for forming a 150 μmφ via hole was formed at a speed of 100 holes / sec.

【0091】(3)PETフィルム14を印刷用マスク
として、レーザ照射により形成された開口から、充填ビ
アホール20の上部に残った隙間に導電性ペースト22
を充填した。
(3) Using the PET film 14 as a printing mask, the conductive paste 22 is inserted from the opening formed by the laser irradiation into the gap remaining above the filled via hole 20.
Was charged.

【0092】(4)PETフィルム14を絶縁性基材1
0の表面から剥離すると、絶縁性基材10のビアホール
20側の表面に、ビアホール20の真上に突起状導体2
4が形成される。さらに、エポキシ樹脂接着剤を突起状
導体側の全面に塗布し、100℃で30分間の乾燥を行
って厚さ20μmの接着剤層26を形成した後、厚さ1
2μmの銅箔28を、加熱温度180℃、加熱時間70
分、圧力2MPa、真空度2.5×10Paの条件の
もとで、接着剤層26上に加熱プレスする。
(4) Insulating the PET film 14 with the insulating substrate 1
0, on the surface of the insulating substrate 10 on the side of the via hole 20, the projecting conductor 2 just above the via hole 20.
4 are formed. Further, an epoxy resin adhesive is applied to the entire surface on the protruding conductor side, and dried at 100 ° C. for 30 minutes to form an adhesive layer 26 having a thickness of 20 μm.
A 2 μm copper foil 28 is heated at 180 ° C. for a heating time of 70
Then, under the conditions of a pressure of 2 MPa and a degree of vacuum of 2.5 × 10 3 Pa, hot pressing is performed on the adhesive layer 26.

【0093】(5)その後、基板両面の銅箔12および
28に適切なエッチング処理を施して、導体回路30お
よび32(ビアランドを含む)を形成して、コア用両面
回路基板34を作製した。
(5) Thereafter, the copper foils 12 and 28 on both sides of the substrate were subjected to an appropriate etching treatment to form conductor circuits 30 and 32 (including via lands), thereby producing a double-sided circuit board 34 for a core.

【0094】(6)次に、積層用の片面回路基板を作製
する。この回路基板は両面回路基板と同様に、片面銅張
積層板を基板として用いる。絶縁性基材10の厚さは7
5μm、銅箔12の厚さは、12μmである。この積層
板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが10μmの粘
着剤層を有し、フィルム自体の厚みが12μmのPET
フィルム14をラミネートする。
(6) Next, a single-sided circuit board for lamination is manufactured. This circuit board uses a single-sided copper-clad laminate as a substrate, like the double-sided circuit board. The thickness of the insulating substrate 10 is 7
5 μm, and the thickness of the copper foil 12 is 12 μm. On the surface of the laminate opposite to the surface on which the copper foil is formed, a PET film having a 10 μm-thick pressure-sensitive adhesive layer and a 12 μm-thick film itself is used.
The film 14 is laminated.

【0095】(7)ついで、上記(2)および(3)の
工程にしたがった処理を行って、充填ビアホール20の
わずかな隙間に導電性ペースト22を充填して、突起状
導体44を形成する。
(7) Next, the conductive paste 22 is filled in the small gaps between the filled via holes 20 by performing the processing according to the steps (2) and (3) to form the projecting conductors 44. .

【0096】(8)上記PETフィルム14を覆って、
エッチング保護フィルムとしての厚さ22μmのPET
フィルム25を貼付けた後、絶縁性基材10の充填ビア
ホール20と反対側の表面に貼付けた銅箔12に適切な
エッチング処理を施して、導体回路40を形成する。
(8) Covering the PET film 14,
22μm thick PET as etching protection film
After attaching the film 25, the copper foil 12 attached to the surface of the insulating substrate 10 opposite to the filling via hole 20 is subjected to an appropriate etching treatment to form the conductor circuit 40.

【0097】(9)その後、PETフィルム14および
25をすべて絶縁性基材10から剥離すると、絶縁性基
材10のビアホール20側の表面に、ビアホール20の
真上に突起状導体44が形成される。さらに、エポキシ
樹脂接着剤を突起状導体側の全面に塗布してプレキュア
して、多層化のための接着剤層46を形成する。このよ
うな積層用片面回路基板を3枚作製する。
(9) Thereafter, when the PET films 14 and 25 are all peeled off from the insulating base material 10, a projecting conductor 44 is formed on the surface of the insulating base material 10 on the via hole 20 side directly above the via hole 20. You. Further, an epoxy resin adhesive is applied to the entire surface of the projecting conductor side and precured to form an adhesive layer 46 for multilayering. Three such single-sided circuit boards for lamination are manufactured.

【0098】(10)上記(1)〜(9)の処理によっ
て形成された、1層の両面回路基板34をコアとして、
その両面に対して3層の片面回路基板50、52および
54を所定の位置にスタックし(図3参照)、真空熱プ
レスを用いて180℃の温度で積層プレスして全層がI
VH構造を有する多層コア基板60を作成した(図4参
照)。このように製造された多層コア基板60において
は、L/S=75μm/75μm、ランド径が250μ
m、ビアホール口径が150μm、導体層の厚みが12
μm、そして絶縁層の厚みが75μmであった。本発明
の多層回路基板は、上記多層コア基板60の片面にビル
ドアップ配線層を形成することによって製作されるの
で、ビルドアップ配線層の形成前に、多層コア基板60
の片面に保護フィルム(図示を省略)を貼り付けてお
く。
(10) Using the single-layer double-sided circuit board 34 formed by the processes (1) to (9) as a core,
Three-layered single-sided circuit boards 50, 52 and 54 are stacked on predetermined positions on both sides thereof (see FIG. 3), and laminated and pressed at a temperature of 180 ° C. using a vacuum hot press so that all the layers are I-shaped.
A multilayer core substrate 60 having a VH structure was created (see FIG. 4). In the multilayer core substrate 60 manufactured as described above, L / S = 75 μm / 75 μm, and the land diameter is 250 μm.
m, via hole diameter is 150 μm, and conductor layer thickness is 12
μm, and the thickness of the insulating layer was 75 μm. Since the multilayer circuit board of the present invention is manufactured by forming a build-up wiring layer on one surface of the multilayer core board 60, the multilayer core board 60 is formed before the build-up wiring layer is formed.
A protective film (not shown) is stuck on one side of.

【0099】(11)次に、片面に保護フィルムを貼り
付けた多層コア基板60を、硫酸銅8g/l、硫酸ニッ
ケル0.6g、クエン酸15g/l、次亜リン酸ナトリ
ウム29g/l、ホウ酸31g/l、界面活性剤 0.
1g/lからなるpH=9の無電解めっき液に浸漬し
て、多層コア基板60の片側の導体回路40の表面に厚
さ3μmの銅−ニッケル−リンからなる粗化層62を形
成した。次いで、その基板を水洗いし、0.1mol/
lホウふっ化スズ−1.0mol/lチオ尿素液からな
る無電解スズ置換めっき浴に50℃で1時間浸漬し、前
記粗化層63の表面に 0.3μmのスズ層を設けた
(図5(b) 参照、但し、スズ層については図示しな
い)。
(11) Next, a multilayer core substrate 60 having a protective film adhered to one side thereof was coated with copper sulfate 8 g / l, nickel sulfate 0.6 g, citric acid 15 g / l, sodium hypophosphite 29 g / l, Boric acid 31 g / l, surfactant 0.
It was immersed in a 1 g / l electroless plating solution having a pH of 9 to form a 3 μm-thick roughened layer 62 made of copper-nickel-phosphorus on the surface of the conductor circuit 40 on one side of the multilayer core substrate 60. Next, the substrate was washed with water, and 0.1 mol /
A tin layer of 0.3 μm was provided on the surface of the roughened layer 63 by immersing it in an electroless tin displacement plating bath composed of l-boron fluoride-1.0 mol / l thiourea solution at 50 ° C. for 1 hour (FIG. 5 (b), but the tin layer is not shown).

【0100】(12) 下記〜で得た組成物を混合撹
拌して、無電解めっき用接着剤を調製した。 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製、
分子量2500)の25%アクリル化物を35重量部(固形
分80%)、感光性モノマー(東亜合成製、アロニック
スM315 )4重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)
0.5 重量部、NMP 3.6重量部を撹拌混合した。 ポリエーテルスルフォン(PES)8重量部、エポキ
シ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒径
0.5μmのものを 7.245重量部、を混合した
後、さらにNMP20重量部を添加し撹拌混合した。 イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量
部、光開始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−90
7 )2重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX-S)0.2
重量部、NMP1.5重量部を撹拌混合した。
(12) The composition obtained below was mixed and stirred to prepare an adhesive for electroless plating. Cresol novolak epoxy resin (Nippon Kayaku,
35 parts by weight (solid content: 80%) of a 25% acrylate having a molecular weight of 2500), 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Aronix M315, manufactured by Toa Gosei), an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco)
0.5 parts by weight and 3.6 parts by weight of NMP were mixed with stirring. After mixing 8 parts by weight of polyether sulfone (PES) and 7.245 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd., polymer pole) having an average particle size of 0.5 μm, 20 parts by weight of NMP were further added and stirred. Mixed. 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), a photoinitiator (Irgacure I-90, manufactured by Ciba-Geigy)
7) 2 parts by weight, photosensitizer (Nippon Kayaku, DETX-S) 0.2
Parts by weight and 1.5 parts by weight of NMP were mixed with stirring.

【0101】(13) 前記(12)で調製した無電解め
っき用接着剤を上記(11)の処理を施した基板60に
塗布し(図5(c) 参照)、乾燥させて接着剤層を形成し
たその基板60の両面に、85μmφの黒円が印刷され
たフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯によ
り 500mJ/cmで露光した。これをDMDG
(ジエチレングリコールジメチルエーテル)溶液でスプ
レー現像することにより、接着剤層に85μmφのビア
ホールとなる開口65を形成した。さらに、当該基板を
超高圧水銀灯により3000mJ/cmで露光し、1
00 ℃で1時間、その後 150℃で5時間の加熱処理
をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸
法精度に優れた開口を有する厚さ35μmの層間絶縁材
層64(接着剤層)を形成した(図5(d) 参照)。な
お、ビアホールとなる開口65には、スズめっき層を部
分的に露出させた。
(13) The adhesive for electroless plating prepared in the above (12) is applied to the substrate 60 which has been treated in the above (11) (see FIG. 5 (c)), and dried to form an adhesive layer. A photomask film on which a black circle of 85 μmφ was printed was brought into close contact with both surfaces of the formed substrate 60, and was exposed at 500 mJ / cm 2 by an ultra-high pressure mercury lamp. This is DMDG
By performing spray development with a (diethylene glycol dimethyl ether) solution, an opening 65 serving as a 85 μmφ via hole was formed in the adhesive layer. Further, the substrate was exposed to 3000 mJ / cm 2 by an ultra-high pressure mercury lamp,
By performing a heat treatment at 00 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 5 hours, a 35 μm-thick interlayer insulating material layer 64 (adhesive layer) having openings with excellent dimensional accuracy corresponding to a photomask film is formed. (See FIG. 5D). The tin plating layer was partially exposed in the opening 65 serving as a via hole.

【0102】(14)ビアホール形成用開口65を形成し
た基板を、クロム酸に20分間浸漬し、接着剤層表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤
層64の表面をRmax=1〜5μm程度の深さで粗化して
粗化面66を形成し、その後、中和溶液(シプレイ社
製)に浸漬してから水洗した。
(14) The substrate on which the via-hole forming openings 65 are formed is immersed in chromic acid for 20 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the adhesive layer, and the surface of the adhesive layer 64 is subjected to Rmax. The surface was roughened to a depth of about 1 to 5 μm to form a roughened surface 66, which was then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and then washed with water.

【0103】(15)接着剤層表面の粗化層66(粗化深
さ 3.5μm)に対し、パラジウム触媒(アトテック
製)を付与することにより、接着剤層64およびビアホ
ール形成用開口65の表面に触媒核を付与した。
(15) By applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the roughened layer 66 (roughened depth 3.5 μm) on the surface of the adhesive layer, the adhesive layer 64 and the opening 65 for forming a via hole are formed. Catalyst nuclei were provided on the surface.

【0104】(16)以下の組成の無電解銅めっき浴中に
基板を浸漬して、粗化面全体に厚さ0.6 μmの無電
解銅めっき膜67を形成した(図5(f)参照)。この
とき、その無電解めっき膜67は、薄いために、その膜
表面には、接着剤層64の粗化面66に追従した凹凸が
観察された。 〔無電解めっき水溶液〕 NiSO :0.003mol/l 酒石酸 :0.20mol/l 硫酸銅 :0.03mol/l HCHO :0.05mol/l NaOH :0.10mol/l α、α’−ビピリジル :40mg/l ポリエチレングリコール(PEG):0.1g/l 〔無電解めっき条件〕 33℃の液温度
(16) The substrate was immersed in an electroless copper plating bath having the following composition to form an electroless copper plating film 67 having a thickness of 0.6 μm on the entire roughened surface (FIG. 5F). reference). At this time, since the electroless plating film 67 was thin, irregularities following the roughened surface 66 of the adhesive layer 64 were observed on the film surface. [Electroless plating solution] NiSO 4: 0.003 mol / l tartaric acid: 0.20 mol / l copper sulfate: 0.03mol / l HCHO: 0.05mol / l NaOH: 0.10mol / l α, α'- bipyridyl: 40 mg / l polyethylene glycol (PEG): 0.1 g / l [Electroless plating conditions] Liquid temperature of 33 ° C

【0105】(17) 前記(16)で形成した無電解銅
めっき膜67上に市販の感光性ドライフィルムを張り付
け、マスクを載置して、100mJ/cmで露光、
0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmの
めっきレジスト68を設けた(図6(a)参照)。
(17) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating film 67 formed in the above (16), a mask is placed, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 .
It was developed with 0.8% sodium carbonate to provide a plating resist 68 having a thickness of 15 μm (see FIG. 6A).

【0106】(18) 次に、以下の条件にて、めっき
レジスト非形成部分に電解めっきを施し、厚さ20μm
の電解めっき膜69を設けて上層導体回路72を形成す
べき導体層を設けると同時に、開口部内をめっき膜69
で充填してビアホール70を形成した(図6(b) 参
照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸銅・5水和物 :60g/l レベリング剤(アトテック製、HL) :40ml/l 硫酸 :190g/l 光沢剤(アトテック製、UV) :0.5 ml/l 塩素イオン :40ppm 〔電解めっき条件〕 バブリング :3.0リットル/分 電流密度 :0.5A/dm 設定電流値 : 0.18 A めっき時間 : 130分
(18) Next, plating is performed under the following conditions.
Electroless plating is applied to the non-resist area, and the thickness is 20μm
To form an upper conductor circuit 72
At the same time that the conductor layer to be provided is provided, the plating film 69 is formed in the opening.
To form a via hole 70 (see FIG. 6B).
See). [Aqueous electrolytic plating solution] Copper sulfate pentahydrate: 60 g / l Leveling agent (manufactured by Atotech, HL): 40 ml / l Sulfuric acid: 190 g / l Brightening agent (manufactured by Atotech, UV): 0.5 ml / l chloride ion : 40 ppm [Electroplating conditions] Bubbling: 3.0 l / min Current density: 0.5 A / dm2  Set current value: 0.18 A Plating time: 130 minutes

【0107】(19) めっきレジスト68を剥離、除
去した後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウ
ム、過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレ
ジスト下の無電解めっき膜67を溶解、除去して、無電
解めっき膜67と電解銅めっき膜69からなる厚さ約2
0μm、L/S=25μm/25μmの上層導体回路7
2を形成した。このとき、ビアホール70の表面は平坦
であり、導体回路表面とビアホール表面のレベルは同一
であった。
(19) After the plating resist 68 is peeled off and removed, the electroless plating film 67 under the plating resist is dissolved and removed with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide or an etching solution such as sodium persulfate and ammonium persulfate. And a thickness of about 2 composed of the electroless plating film 67 and the electrolytic copper plating film 69.
0 μm, L / S = 25 μm / 25 μm Upper layer conductor circuit 7
2 was formed. At this time, the surface of the via hole 70 was flat, and the level of the conductor circuit surface was the same as that of the via hole surface.

【0108】(20)この基板に上記(11)と同様の
処理を行って粗化層84を形成し、さらに上記(12)
〜(19)の手順を繰り返して、さらに上層の層間樹脂
絶縁層76と導体回路82(ビアホール80を含む)を
1層積層し、片面3層のビルドアップ配線層を得た(図
7(a)参照)。なお、ここでは、導体回路82の表面
に銅−ニッケル−リンからなる粗化層84を設けるが、
この粗化層84表面にはスズ置換めっき層を形成しな
い。
(20) The substrate is subjected to the same treatment as in (11) to form a roughened layer 84.
(19) are repeated to further laminate the upper interlayer resin insulating layer 76 and the conductor circuit 82 (including the via hole 80) to obtain a three-layered build-up wiring layer on one side (FIG. 7A )reference). Here, a roughened layer 84 made of copper-nickel-phosphorus is provided on the surface of the conductor circuit 82,
No tin substitution plating layer is formed on the surface of the roughened layer 84.

【0109】(21)一方、DMDGに溶解させた60
重量%のクレゾールノポラック型エポキシ樹脂(日本化
薬製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与
のオリゴマー(分子量4000)を46.67重量部、
メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコート1
001)14.121重量部、イミダゾール硬化剤(四
国化成製、2E4MZ−CN)1.6重量部、感光性モ
ノマーである多価アクリルモノマー(日本化薬製、R6
04)1.5重量部、同じく多価アクリルモノマー(共
栄社化学製、DPE6A)30重量部、アクリル酸エス
テル重合物からなるレベリング剤(共栄社製、ポリフロ
ーNo.75)0.36重量部を混合し、この混合物に
対して光開始剤としてのペンゾフェノン(関東化学製)
20重量部、光増感割としてのEAB(保土ヶ谷化学
製)0.2重量部を加え、さらにDMDG(ジエチレング
リコールジメチルエーテル)10重量部を加えて、粘度
を25℃で1.4±0.3pa・sに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計
(東京計器、DVL‐B型)を用いて行い、60rpm
の場合はローターNo.4、6rpmの場合はローター
No.3によった。
(21) On the other hand, 60 dissolved in DMDG
46.67 parts by weight of a sensitizing oligomer (molecular weight 4000) obtained by acrylated 50% of an epoxy group of a cresol nopolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co.)
80% by weight bisphenol A type epoxy resin dissolved in methyl ethyl ketone (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1)
001) 14.121 parts by weight, imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals) 1.6 parts by weight, polyvalent acrylic monomer which is a photosensitive monomer (Nippon Kayaku, R6
04) 1.5 parts by weight, 30 parts by weight of a polyvalent acrylic monomer (manufactured by Kyoeisha Chemical, DPE6A) and 0.36 parts by weight of a leveling agent made of an acrylate ester polymer (manufactured by Kyoeisha, Polyflow No. 75) were also mixed. Penzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator for this mixture
20 parts by weight, 0.2 parts by weight of EAB (manufactured by Hodogaya Chemical) as a photosensitizer, 10 parts by weight of DMDG (diethylene glycol dimethyl ether) were added, and the viscosity was 1.4 ± 0.3 pa · s was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type) at 60 rpm.
In the case of No. 4, rotor No. 4 was used, and in the case of 6 rpm, rotor No. 3 was used.

【0110】(22)上記(20)で得られたビルドア
ップ配線層の表面に、前記(21)で得られたソルダー
レジスト組成物を20μmの厚さで塗布した。次いで、
70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行っ
た後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パ
ターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのソ
ーダライムガラス基坂を、クロム層が形成された側をソ
ルダーレジスト層に密着させて1000mJ/cm
紫外線で露光し、DMTG現像処理した。さらに、80
℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間、1
50℃で3時間の条件で加熱処理し、パッド部分が開口
した(開口径200μm)ソルダーレジスト層90(厚
み20μm)を形成した。
(22) The solder resist composition obtained in the above (21) was applied to a thickness of 20 μm on the surface of the build-up wiring layer obtained in the above (20). Then
After drying at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm thick soda lime glass substrate on which a circular pattern (mask pattern) of a solder resist opening is drawn by a chromium layer is placed on a chrome layer. The side on which was formed was brought into close contact with the solder resist layer, exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 , and subjected to DMTG development treatment. In addition, 80
1 hour at 100 ° C, 1 hour at 100 ° C, 1 hour at 120 ° C,
Heat treatment was performed at 50 ° C. for 3 hours to form a solder resist layer 90 (thickness: 20 μm) with an opening in the pad portion (opening diameter: 200 μm).

【0111】(23)次に、ソルダーレジスト層90を
形成した基板を、塩化ニッケル30g/1、次亜リン酸
ナトリウム10g/1、クエン酸ナトリウム10g/1
からなるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分間
浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層92
を形成した。さらに、その基板を、シアン化金力リウム
2g/1、塩化アンモニウム75g/1、クエン酸ナト
リウム50g/1、次亜リン酸ナトリウム10g/1か
らなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬
して、ニッケルめっき層92上に厚さ0.03μmの金
めっき層94を形成した。
(23) Next, the substrate on which the solder resist layer 90 was formed was replaced with nickel chloride 30 g / 1, sodium hypophosphite 10 g / 1, sodium citrate 10 g / 1.
Immersed in an electroless nickel plating solution having a pH of 5 for 20 minutes to form a nickel plating layer 92 having a thickness of 5 μm on the opening.
Was formed. Further, the substrate was placed on an electroless gold plating solution composed of gold cyanide 2 g / 1, ammonium chloride 75 g / 1, sodium citrate 50 g / 1, and sodium hypophosphite 10 g / 1 at 93 ° C. for 23 hours. By immersion for 2 seconds, a gold plating layer 94 having a thickness of 0.03 μm was formed on the nickel plating layer 92.

【0112】(24)ついで、上記(11)の工程にお
いて多層化基板60の片面に貼りつけた保護フィルムを
剥離させた後、その多層化基板60の片面に形成された
導体回路40(はんだパッド)上に、融点が230℃の
スズ/アンチモンはんだからなるはんだペーストを印刷
し、融点近傍の雰囲気温度でリフローさせることで、は
んだパッド上にTピン96又ははんだボール100を固
着させ、ビルドアップ配線層のソルダーレジスト層90
の開口から露出する金めっき層94(はんだパッド)上
には、融点が183℃のスズ/鉛はんだからなるはんだ
ペーストを印刷し、融点近傍の雰囲気温度でリフローさ
せることで、はんだパッド上にはんだバンプ96を形成
して多層回路基板を製作した(図7(b)参照)。
(24) Then, after the protective film adhered to one surface of the multilayer substrate 60 is peeled off in the step (11), the conductor circuit 40 (solder pad) formed on one surface of the multilayer substrate 60 is removed. ), A solder paste made of tin / antimony solder having a melting point of 230 ° C. is printed, and reflow is performed at an ambient temperature near the melting point, so that the T pin 96 or the solder ball 100 is fixed on the solder pad, and build-up wiring Layer of solder resist layer 90
A solder paste made of tin / lead solder having a melting point of 183 ° C. is printed on the gold plating layer 94 (solder pad) exposed from the opening of the solder pad, and the solder paste is reflowed at an ambient temperature near the melting point. The multilayer circuit board was manufactured by forming the bumps 96 (see FIG. 7B).

【0113】このようにして製造した多層回路基板で
は、多層コア基板のビアホールのランド形状を真円とす
ることができ、ランドピッチを600μm程度にできる
ため、ビアホールを密集して形成でき、ビアホールの高
密度化が容易に達成できる。しかも、多層コア基板中の
ビアホール数を増やすことができるので、多層コア基板
内の導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電
気的接続を十分に確保することができる。また、ビルド
アップ配線層の外側に設けたソルダーレジスト層90の
開口から露出した金めっき層94(はんだパッド)に形
成したはんだバンプ96を介してLSI等の半導体チッ
プを含む電子部品に接続され、多層コア基板の片面の導
体回路40(はんだパッド)に形成した導電性ピン98
または導電性ボール100を介してマザーボード上の接
続端子等に接続されるので、電子部品の高密度実装が可
能となる。
In the multilayer circuit board manufactured in this manner, the land shape of the via hole of the multilayer core substrate can be made a perfect circle, and the land pitch can be set to about 600 μm. Densification can be easily achieved. In addition, since the number of via holes in the multilayer core substrate can be increased, electrical connection between the conductor circuits in the multilayer core substrate and the conductor circuits in the build-up wiring layer can be sufficiently ensured. Also, it is connected to an electronic component including a semiconductor chip such as an LSI via a solder bump 96 formed on a gold plating layer 94 (solder pad) exposed from an opening of a solder resist layer 90 provided outside the build-up wiring layer, Conductive pins 98 formed on conductor circuits 40 (solder pads) on one side of a multilayer core substrate
Alternatively, since it is connected to a connection terminal or the like on the motherboard via the conductive ball 100, high-density mounting of electronic components becomes possible.

【0114】(実施例2)多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例1と同様にして多層回路基
板を製作した。
(Example 2) A non-through hole for forming a via hole of a double-sided circuit board and a single-sided circuit board constituting a multilayer core board is filled with a conductive paste to form a via hole, and the same process as that for forming the via hole is performed. A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that a conductive paste was filled on the via hole to form a projecting conductor.

【0115】(実施例3)層間樹脂絶縁層を、厚さ20
μmのエポキシ樹脂フィルムを熱圧着させることにより
形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径60μmのビア
ホール形成用の開口を設け、その開口内壁面を含んだ層
間樹脂絶縁層の表面を過マンガン酸溶液によって粗化処
理を行ったこと以外は、実施例1と同様にして多層回路
基板を製造した。上記エポキシ樹脂フィルムは、フェノ
キシ樹脂との樹脂複合体であることが望ましく、粗化層
形成用の粒子を含有させている。
Example 3 An interlayer resin insulating layer having a thickness of 20
An epoxy resin film having a diameter of 60 μm is formed by thermocompression bonding of an epoxy resin film having a diameter of 60 μm, and an opening for forming a via hole having a diameter of 60 μm is provided. A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the roughening treatment was performed. The epoxy resin film is preferably a resin composite with a phenoxy resin, and contains particles for forming a roughened layer.

【0116】(実施例4)多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例3と同様にして多層回路基
板を製作した。
Example 4 A non-through hole for forming a via hole of a double-sided circuit board and a single-sided circuit board constituting a multilayer core board is filled with a conductive paste to form a via hole, and the same process as that for forming the via hole is performed. A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 3, except that a conductive paste was filled on the via hole to form a projecting conductor.

【0117】(実施例5)層間樹脂絶縁層を、厚さ20μ
mのポリオレフィン樹脂フィルムを熱圧着させることに
より形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径60μmの
ビアホール形成用の開口を設け、その後、無電解めっき
膜を形成する代わりに、粗化処理を施さないで、スパッ
タリングによって開口内壁面を含んだ層間樹脂絶縁層の
表面に厚さ0.1μmのCuスパッタ膜またはCu−N
iスパッタ膜を形成したこと以外は実施例1と同様にし
て多層回路基板を製造した。
Example 5 An interlayer resin insulating layer was formed to a thickness of 20 μm.
m is formed by thermocompression bonding of a polyolefin resin film, and an opening for forming a via hole having a diameter of 60 μm is provided by irradiating a carbon dioxide laser, and then, instead of forming an electroless plating film, without performing a roughening treatment. A 0.1 μm thick Cu sputtered film or Cu—N film on the surface of the interlayer resin insulating layer including the inner wall surface of the opening by sputtering.
A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that an i-sputtered film was formed.

【0118】(実施例6)多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例5と同様にして多層回路基
板を製作した。
(Example 6) A non-through hole for forming a via hole of a double-sided circuit board and a single-sided circuit board constituting a multilayer core board is filled with a conductive paste to form a via hole, and the same process as that for forming the via hole is performed. A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 5, except that a conductive paste was filled in the via hole to form a projecting conductor.

【0119】(比較例) (1) 厚さ0.8μmの両面銅張積層板からなる絶縁
基板をコア基板とし、そのコア基板に直径300μmの
貫通孔をドリルで削孔し、その後、無電解めっき、電解
めっき処理を施してスルーホールを含む導体層を形成
し、さらに、スルーホールを含む導体層の全表面に粗化
層を設け、スルーホール内に非導電性の穴埋め用充填材
を充填し、乾燥、硬化させた。 (2) 次いで、スルーホールからはみ出した充填材を
取り除いて平坦化し、その表面に無電解めっき、電解め
っき処理を施して厚付けして導体回路、およびスルーホ
ールに充填された充填材を覆う導体層となる部分を形成
した。 (3) 導体回路およびスルーホールに充填された充填
材を覆う導体層となる部分を形成した基板の表面に、エ
ッチングレジストを形成し、そのエッチングレジスト非
形成部分のめっき膜をエッチング除去し、さらにエッチ
ングレジストを剥離除去して、独立した導体回路および
充填材を覆う導体層を形成した。さらに、実施例1の
(11)〜(23)と同様の工程に従って多層回路基板
を製造した。
Comparative Example (1) An insulating substrate formed of a 0.8 μm-thick double-sided copper-clad laminate was used as a core substrate, and a through hole having a diameter of 300 μm was drilled in the core substrate using a drill. Conducting plating and electrolytic plating to form a conductor layer including through-holes, further providing a roughened layer on the entire surface of the conductor layer including through-holes, and filling the through-holes with a non-conductive filling material for filling holes. And dried and cured. (2) Next, the filler protruding from the through-hole is removed and flattened, and the surface thereof is subjected to electroless plating and electrolytic plating to be thickened to cover the conductor circuit and the conductor covering the filler filled in the through-hole. A layer portion was formed. (3) An etching resist is formed on the surface of the substrate on which a portion serving as a conductive layer covering the conductive circuit and the filler filled in the through holes is formed, and the plating film in a portion where the etching resist is not formed is removed by etching. The etching resist was peeled off to form a conductor layer covering the independent conductor circuit and the filler. Further, a multilayer circuit board was manufactured according to the same steps as (11) to (23) of Example 1.

【0120】上記実施例1〜6および比較例について、
ICチップからはんだバンプ、BGA(ボールグリッド
アレイ)またはPGA(ピングリッドアレイ)までの配線
長およびコアのランド形成数を調べた結果、配線長を1
0〜25%短縮させ、単位面積(cm)当りのコアラ
ンド数を10〜30%増加させることができ、電気特性
や信頼性に悪影響をもたらすものは確認されなかった。
For the above Examples 1 to 6 and Comparative Example,
The wiring length from the IC chip to the solder bumps, BGA (ball grid array) or PGA (pin grid array) and the number of core lands formed were checked.
It was possible to reduce the number of core lands per unit area (cm 2 ) by 10 to 30% by reducing the number of core lands by 0 to 25%.

【0121】[0121]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層回路
基板によれば、レーザ加工により形成した微細な充填ビ
アホールおよび導体回路を有する多数の回路基板を積層
して一括熱プレスすることによって形成した多層化基板
の片面にビルドアップ配線層を形成したので、多層化基
板内の配線を高密度化できるとともに、従来のようなス
ルーホールを設けることなく、ビルドアップ配線層との
電気的接続が充填ビアホールを介して十分に確保するこ
とができる。
As described above, according to the multilayer circuit board of the present invention, a large number of circuit boards having fine filled via holes and conductive circuits formed by laser processing are laminated and hot-pressed at once. Since the build-up wiring layer is formed on one side of the multi-layer board, the wiring in the multi-layer board can be made denser, and the electrical connection with the build-up wiring layer can be made without providing through holes as in the past. It can be sufficiently ensured through the filled via hole.

【0122】さらに、ビルドアップ配線層の層数を少な
くできるので、配線板上に載置されるLSI等の半導体
チップを含む電子部品を含めた配線板全体としての厚み
を薄くすることができるという効果を得ることができ
る。
Further, since the number of build-up wiring layers can be reduced, the thickness of the entire wiring board including electronic components including semiconductor chips such as LSIs mounted on the wiring board can be reduced. The effect can be obtained.

【0123】さらにまた、ビルドアップ配線層のソルダ
ーレジスト層に設けた開口内に露出する導体パッド、す
なわちビアホール直上のはんだパッド上に、導電性バン
プを配設し、多層化基板のビルドアップ配線層が形成さ
れない側の表面に露出する導体回路(はんだパッド)上
には、導電性ピンまたは導電性ボールが配設されるの
で、ビルドアップ配線層内の配線層は、ビアホール直上
にある導電性バンプを介して、LSI等の半導体チップ
を含んだ電子部品に接続され、多層化基板内の配線層
は、充填ビアホール直上の導電性ピンまたは導電性ボー
ルを介してマザーボードに最短の配線長で接続され、高
密度配線化および電子部品の高密度実装化が可能とな
る。
Further, conductive bumps are provided on the conductor pads exposed in the openings provided in the solder resist layer of the build-up wiring layer, ie, on the solder pads immediately above the via holes, so that the build-up wiring layer of the multi-layer substrate is formed. A conductive pin or a conductive ball is disposed on a conductive circuit (solder pad) exposed on the surface on which the is not formed, so that the wiring layer in the build-up wiring layer is formed by a conductive bump directly above the via hole. And the wiring layer in the multi-layer substrate is connected to the motherboard with the shortest wiring length via conductive pins or conductive balls directly above the filled via holes. Thus, high-density wiring and high-density mounting of electronic components can be realized.

【0124】更に、多層化基板は、片面あるいは両面回
路基板を同一材料で形成し、それらを積層した構造なの
で、熱膨張に起因する界面を起点とするクラックや剥離
が起きにくく、したがって、温度サイクル試験に対する
信頼性も向上する。また、片面回路基板だけを用いて多
層化基板を構成した場合には、配線形成の有無に関わら
ず反りが発生し難くなるという効果も得られる。
Further, since the multilayered substrate has a structure in which a single-sided or double-sided circuit board is formed of the same material and is laminated, cracks and peeling at the interface originating from thermal expansion hardly occur. Test reliability is also improved. In addition, when a multi-layer substrate is formed using only a single-sided circuit board, an effect that warpage hardly occurs irrespective of whether or not wiring is formed is also obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a) 〜(f) は、本発明にかかる多層回路基板の
ベースとなる多層化基板の製造工程の一部を示す図であ
る。
FIGS. 1 (a) to 1 (f) are views showing a part of a manufacturing process of a multilayer substrate as a base of a multilayer circuit board according to the present invention.

【図2】(a) 〜(e) は、本発明にかかる多層回路基板の
ベースとなる多層化基板の製造工程の一部を示す図であ
る。
2 (a) to 2 (e) are views showing a part of a manufacturing process of a multilayer substrate as a base of the multilayer circuit board according to the present invention.

【図3】本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多
層化基板の製造工程の一部を示す図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating a part of a manufacturing process of a multilayered substrate serving as a base of the multilayered circuit board according to the present invention.

【図4】本発明にかかる多層回路基板における積層され
た多層化基板を示す図である。
FIG. 4 is a view showing a multilayered board in a multilayer circuit board according to the present invention.

【図5】(a)〜(f) は、本発明にかかる多層回路
基板の製造工程の一部を示す図である。
FIGS. 5A to 5F are views showing a part of a manufacturing process of a multilayer circuit board according to the present invention.

【図6】(a)〜(c) は、本発明にかかる多層回路
基板の製造工程の一部を示す図である。
FIGS. 6A to 6C are diagrams illustrating a part of a manufacturing process of the multilayer circuit board according to the present invention.

【図7】(a)〜(b) は、本発明にかかる多層回路
基板の製造工程の一部を示す図である。
FIGS. 7A and 7B are diagrams illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer circuit board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 絶縁性基材 12 接着剤 14 保護フィルム 16 ビアホール形成用開口 18 導電性ペースト 20 ビアホール 22 銅箔 24 導体回路 30 両面回路基板 32、34,36 片面回路基板 40 絶縁性基材 42 銅箔 44 PETフィルム 46 ビアホール形成用開口 48 導電性ペースト 49 ビアホール 50 エッチング保護フィルム 52 導体回路 53 突起状導体 54 接着剤層 60 多層化基板 62 粗化層 64 無電解めっき用接着剤層 65 ビアホール形成用開口 66 粗化層 67 無電解めっき膜 68 めっきレジスト 69 電解めっき膜 70 ビアホール 72 導体回路 74 粗化層 76 無電解めっき用接着剤層 80 ビアホール 82 導体回路 84 粗化層 90 ソルダーレジスト層 92 ニッケルめっき層 94 金めっき層 96 はんだバンプ 98 Tピン 100 はんだボール DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Insulating base material 12 Adhesive 14 Protective film 16 Via hole forming opening 18 Conductive paste 20 Via hole 22 Copper foil 24 Conductive circuit 30 Double-sided circuit board 32, 34, 36 Single-sided circuit board 40 Insulating base material 42 Copper foil 44 PET Film 46 Via hole forming opening 48 Conductive paste 49 Via hole 50 Etching protection film 52 Conductive circuit 53 Projecting conductor 54 Adhesive layer 60 Multi-layer substrate 62 Roughening layer 64 Electroless plating adhesive layer 65 Via hole forming opening 66 Rough Layer 67 Electroless plating film 68 Plating resist 69 Electroplating film 70 Via hole 72 Conductor circuit 74 Roughening layer 76 Adhesive layer for electroless plating 80 Via hole 82 Conductor circuit 84 Roughening layer 90 Solder resist layer 92 Nickel plating layer 94 Gold Plating layer 96 It bumps 98 T pin 100 solder ball

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H05K 3/46 X H01L 23/12 1/03 610L H05K 1/03 610 610N 1/11 N 1/11 3/00 N 3/00 H01L 23/12 N Fターム(参考) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB12 CC25 CC33 CC53 CD32 GG14 5E346 AA04 AA05 AA06 AA12 AA22 AA32 AA43 AA51 BB15 BB16 CC02 CC04 CC09 CC32 DD02 DD12 DD25 DD32 DD33 DD44 EE06 EE09 EE13 EE15 EE19 EE33 EE38 FF06 FF07 FF09 FF10 FF12 FF18 FF24 FF35 FF45 GG15 GG17 GG18 GG19 GG22 GG25 GG27 GG28 HH11 HH22 HH25 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat II (Reference) H05K 3/46 H05K 3/46 X H01L 23/12 1/03 610L H05K 1/03 610 610N 1/11 N 1/11 3/00 N 3/00 H01L 23/12 NF term (reference) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB12 CC25 CC33 CC53 CD32 GG14 5E346 AA04 AA05 AA06 AA12 AA22 AA32 AA43 AA51 BB15 BB16 CC02 CC04 CC09 CC32 DD02 DD12 DD25 DD25 DD25 EE09 EE13 EE15 EE19 EE33 EE38 FF06 FF07 FF09 FF10 FF12 FF18 FF24 FF35 FF45 GG15 GG17 GG18 GG19 GG22 GG25 GG27 GG28 HH11 HH22 HH25

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内層に導体回路を有する多層化基板の一
方の表面上には、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積
層され、各導体層間がビアホールにて接続されたビルド
アップ配線層が形成されてなる多層回路基板において、 上記多層化基板は、絶縁性硬質基材の片面または両面に
導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導
体回路に達する孔内に、導電性物質が充填されてなるビ
アホールを有する回路基板の複数枚が、接着剤層を介し
て積層され、一括して加熱プレスされることで形成さ
れ、さらに、 上記ビルドアップ配線層の最も外側の導体層表面には、
ビアホール直上に位置して、LSI等の半導体チップを
含む電子部品に接続されるはんだバンプが配設され、ま
た前記多層化基板の他方の表面に露出する導体回路上に
は、前記充填ビアホールの直上に位置して、マザーボー
ドに接続される導電性ピンまたは導電性ボールが配設さ
れていることを特徴とする多層回路基板。
1. A build-up wiring layer in which interlayer resin insulation layers and conductor layers are alternately laminated on one surface of a multilayer substrate having a conductor circuit in an inner layer, and each conductor layer is connected by a via hole. In the multilayer circuit board formed by the above, the multilayered substrate has a conductor circuit on one or both surfaces of an insulating hard base material, and in a hole that penetrates the insulating hard base material and reaches the conductor circuit A plurality of circuit boards having via holes filled with a conductive substance are formed by laminating via an adhesive layer and hot-pressing collectively, and further, the outermost of the build-up wiring layer The surface of the conductor layer of
A solder bump connected to an electronic component including a semiconductor chip such as an LSI is provided immediately above the via hole, and a conductive circuit exposed on the other surface of the multilayer substrate is provided immediately above the filled via hole. Wherein a conductive pin or a conductive ball connected to the motherboard is provided.
【請求項2】 上記導電性物質は、金属粒子と、熱硬化
性樹脂または熱可塑性樹脂とからなる導電性ペーストで
あることを特徴とする請求項1に記載の多層回路基板。
2. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the conductive material is a conductive paste made of metal particles and a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
【請求項3】 上記導電性物質層は、電解めっき処理に
よって形成された電解銅めっきであることを特徴とする
請求項1に記載の多層回路基板。
3. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the conductive material layer is electrolytic copper plating formed by an electrolytic plating process.
【請求項4】 上記多層化基板を構成する各回路基板
は、そのビアホール位置に対応して、そのビアホールに
電気的接続された突起状導体が形成されていることを特
徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の多層回路
基板。
4. A circuit board according to claim 1, wherein each of the circuit boards constituting the multilayer board has a projecting conductor electrically connected to the via hole corresponding to the via hole position. 4. The multilayer circuit board according to any one of 3.
【請求項5】 上記突起状導体は、導電性ペーストから
形成されることを特徴とする請求項4に記載の多層回路
基板。
5. The multilayer circuit board according to claim 4, wherein the projecting conductor is formed from a conductive paste.
【請求項6】 上記ビルドアップ配線層のビアホールの
一部は、上記多層化基板に形成されたビアホールの直上
に位置して、そのビアホールに直接接続されていること
を特徴とする請求項1〜5のいずれかに記載の多層回路
基板。
6. The via hole of the build-up wiring layer, wherein a part of the via hole is located immediately above the via hole formed in the multilayer substrate and is directly connected to the via hole. 6. The multilayer circuit board according to any one of 5.
【請求項7】上記多層化基板を構成する各回路基板の絶
縁性基材は、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビス
マレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレ
ンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基
材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材、から選ばれ
るいずれかの硬質基材から形成されることを特徴とする
請求項1〜6のいずれかに記載の多層回路基板。
7. The insulating substrate of each of the circuit boards constituting the multi-layer substrate is a glass cloth epoxy resin base material, a glass cloth bismaleimide triazine resin base material, a glass cloth polyphenylene ether resin base material, an aramid non-woven epoxy resin. The multilayer circuit board according to any one of claims 1 to 6, wherein the multilayer circuit board is formed from any one of a hard base material selected from a resin base material and an aramid nonwoven fabric-polyimide resin base material.
【請求項8】 上記多層化基板を構成する各回路基板の
絶縁性基材は、厚さが20〜100μmのガラス布エポ
キシ樹脂基材から形成され、前記充填ビアホール径は5
0〜250μmであることを特徴とする請求項7に記載
の多層回路基板。
8. The insulating substrate of each circuit board constituting the multilayer substrate is formed of a glass cloth epoxy resin substrate having a thickness of 20 to 100 μm, and the filled via hole diameter is 5 μm.
The multilayer circuit board according to claim 7, wherein the thickness is from 0 to 250 m.
【請求項9】 上記多層化基板を構成する各回路基板の
ビアホールは、パルスエネルギーが0.5〜100m
J、パルス幅が1〜100μs、パルス間隔が0.5ms
以上、ショット数が3〜50の条件で、ガラス布エポキ
シ樹脂基材の表面に照射される炭酸ガスレーザによって
形成された開口に対して形成されたことを特徴とする請
求項8に記載の多層回路基板。
9. The via hole of each circuit board constituting the multilayer substrate has a pulse energy of 0.5 to 100 m.
J, pulse width 1 ~ 100μs, pulse interval 0.5ms
9. The multilayer circuit according to claim 8, wherein the number of shots is 3 to 50, and the opening is formed with respect to the opening formed by the carbon dioxide laser irradiated onto the surface of the glass cloth epoxy resin base material. substrate.
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