JP2002204076A - Multilayer printed wiring board and method of manufacture the same - Google Patents

Multilayer printed wiring board and method of manufacture the same

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JP2002204076A
JP2002204076A JP2000400650A JP2000400650A JP2002204076A JP 2002204076 A JP2002204076 A JP 2002204076A JP 2000400650 A JP2000400650 A JP 2000400650A JP 2000400650 A JP2000400650 A JP 2000400650A JP 2002204076 A JP2002204076 A JP 2002204076A
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resin
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outer layer
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JP2000400650A
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Inventor
Hiroshi Segawa
博史 瀬川
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Ibiden Co Ltd
イビデン株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer printed wiring board which has through-holes of a coaxial structure to improve an electrical connection property and a reliability. SOLUTION: The inorganic particles are compounded, by 10-80 vol.%, with a resin filler forming inner and outer resin insulating layers 64 and 42. Thus, the thermal conductivities of the outer and inner resin insulating layers 42 and 64, a core substrate 30 and an interlayer insulating layer 44 can be conformed to each other to prevent a stress concentration caused by heat shrinkage. Accordingly, crack generation can be prevented and an electrical connection characteristic and reliability can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、スルーホールを介して表裏が電気的接続をされた多層プリント配線板に関し、特に、樹脂絶縁層と導体回路層とを交互にビルドアップしてなる多層プリント配線板から成り、ICチップなどの電子部品を載置するパッケージ基板に好適に用い得る多層プリント配線板の製造方法に関するものである。 TECHNICAL FIELD The present invention relates to a multilayer printed wiring board sides via through holes are electrically connected, in particular, a multilayer printed formed by build-up and a resin insulating layer and conductor circuit layers are alternately It consists wiring board, a method for manufacturing a multilayer printed wiring board can be suitably used to package substrate for mounting electronic components such as IC chips.

【0002】 [0002]

【従来の技術】多層配線基板に対する高密度化の要請から、いわゆるビルドアップ多層プリント配線板が注目されている。 The demand for higher density relative to the Prior Art Multilayer wiring board, a so-called build-up multilayer printed circuit board has attracted attention. このビルドアップ多層プリント配線板は、例えば特公平4−55555号公報に開示されているような方法により製造される。 This build-up multilayer printed wiring board is manufactured by the method as for example disclosed in KOKOKU 4-55555 JP. 即ち、下層導体回路が形成されたコア基板上に、感光性樹脂からなる無電解めっき用接着剤を塗布し、これを乾燥した後、露光、現像処理することにより、バイアホール用開口を有する層間樹脂絶縁層を形成する。 That is, on the core substrate lower conductor circuit is formed, after the adhesive for electroless plating made of a photosensitive resin is applied and dried, exposed and developed process, an interlayer having openings for via holes forming a resin insulation layer. 次いで、この層間樹脂絶縁層の表面を酸化剤等による処理にて粗化した後、この層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を施してめっきレジストを設け、その後、めっきレジスト非形成部分に無電解めっき等を施して、バイアホールを含む導体回路パターンを形成する。 Then, after roughening the surface of the interlayer resin insulating layer by treatment with an oxidizing agent such as, exposure to the interlayer resin insulating layer, a plating resist is provided by performing a development process, then, an electroless plating resist non-forming portion by plating or the like to form a conductor circuit pattern including via holes. 続いて、この工程を複数回繰り返すことにより、ビルドアップ多層プリント配線板が製造される。 Subsequently, by repeating several times the step, the build-up multilayer printed wiring board is manufactured.

【0003】しかしながら、無電解めっき用接着剤には、混練、塗布を行なうまでに、温度や湿度などの管理する項目が多く、労力を要する。 However, the adhesive for electroless plating, kneading, before performing the coating, many items to be managed such as temperature and humidity, laborious. また、人体に害のある溶剤を含有していることから、健康面への影響が懸念される。 Also, because they contain a solvent that is harmful to the human body, it is feared impact on health. したがって、この無電解めっき用接着剤を用いる代わりに、半硬化の樹脂フィルムを用いて、スルーホールを形成したコア基板に貼り付けることにより、層間樹脂絶縁層を形成する。 Therefore, instead of using the adhesive for electroless plating, using a semi-cured resin film, by adhering to the core substrate formed with through holes, an interlayer resin insulating layer. そして、この層間樹脂絶縁層にレーザでバイアホールを形成させて、ビルドアップ配線板を製造することが提案されている。 Then, by forming a via hole by a laser in the interlayer resin insulating layer, it has been proposed to manufacture a build-up wiring board.

【0004】ここで、上述した技術で形成されたスルーホールには、樹脂充填剤が充填されている。 [0004] Here, the through hole formed in the above techniques, the resin filler is filled. つまり、コア基板を平滑にすることによって、このコア基板上に形成される層間樹脂絶縁層の平坦化を担保させている。 That is, by the core substrate smoothness, to ensure planarization of interlayer resin insulation layer formed on the core substrate.

【0005】ビルドアップ配線板のコア基板に形成されたスルーホールに樹脂充填剤を充填させる従来技術としては、特開平9−181415号、特開平10−750 [0005] As a conventional technique for filling the build-up wiring board resin filler in the through holes formed in the core substrate, JP-A-9-181415, JP-A 10-750
27号、特開平10−200265号、特開平10−2 No. 27, JP-A-10-200265, JP-10-2
09615号、特開平10−224034号、特開平1 No. 09615, JP-A-10-224034, JP-1
1−186728号、特開平11−266078号、特開平11−266082号などがある。 No. 1-186728, JP-A-11-266078, and the like Japanese Patent Laid-Open No. 11-266082.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】一方、スルーホールの性能を高めるために、スルーホールを内層スルーホールと外層スルーホールとからなる同軸構造とする技術が、 [SUMMARY OF THE INVENTION Meanwhile, in order to enhance the performance of the through-hole, a technique for a coaxial structure comprising a through hole from an inner layer through-hole and the outer layer through hole,
特開2000−68648号にて提案されている。 Patent has been proposed in JP 2000-68648. この特開2000−68648号は、内層のスルーホールの形成に、レーザを用いている。 The JP 2000-68648 is formed of an inner layer of the through hole, and using a laser. しかしながら、レーザでスルーホール用の貫通孔を形成すると、レーザの入射側の開口径が大きく、反対側の開口径が小さくなりテーパ状になってしまう。 However, by forming the through holes for the through-hole with a laser, the opening diameter of the laser incident side is large, becomes the opposite side of the opening diameter decreases tapered. このため、レーザの照射する面を所望の開口径にすると、その反対面の開口径が小さくなる。 Therefore, when the laser irradiation to the surface of a desired aperture diameter, the opening diameter of the opposite surface decreases. 逆に、反対面を所望の開口径にするためには、レーザ入射側の開口径が所望よりも大きくなる。 Conversely, in order to the opposite surface to the desired opening diameter, opening diameter of the laser incident side is larger than desired. したがって、外層のスルーホールと内層のスルーホールとの間のギャップが少なくなり、短絡発生が懸念される。 Therefore, the gap between the through-hole and the inner layer of the through hole in the outer layer is reduced, a short circuit occurred is a concern. 係る課題に対応するため、双方からレーザで行うことも検討したが、照射されたレーザが下面まで伝わりにくく、貫通孔を穿設する距離(コア基板の厚み及びこのコア基板の両面に配設された層間樹脂絶縁層の厚み)が長いため、 To meet the challenges of, but was also examined by performing a laser from both, hardly transmitted laser is irradiated to the bottom surface, the thickness of the distance (the core substrate of bored through holes and arranged on both sides of the core substrate because the thickness of the interlayer resin insulating layer) is long and,
位置合わせ精度に難があった。 There is difficulty in positioning accuracy.

【0007】また、同軸構造のスルーホールを形成する際に、このスルーホール内に充填させる樹脂充填剤により幾つかの問題が発生する。 Further, when forming the through hole of the coaxial structure, several problems caused by the resin filler to be filled in the through hole. 第1に、充填剤を充填した多層プリント配線板をヒートサイクル試験にかけると、 First, when placing a multilayer printed wiring board filled with filler to a heat cycle test,
コア基板と層間絶縁層との境目付近でクラックが生じるという問題がある。 There is a problem that cracks occur near the boundary between the core substrate and the interlayer insulating layer. これは、コア基板の充填剤の充填されたスルーホールと、粗化処理によって粗化面を形成させるための可溶性の粒子が含浸された層間絶縁層との熱膨張率の整合が取れないため、コア基板と層間絶縁層の境目付近で導体部分にクラックが生じるのもと考えられる。 This is because the filled through holes of the core substrate fillers, soluble particles are not is consistent in thermal expansion coefficient between the interlayer insulating layer impregnated for forming a roughened surface by a roughening treatment, also considered as a crack occurs in the conductive portion in the vicinity of the boundary between the core substrate and the interlayer insulating layer.

【0008】第2に、上記クラックを防ぐため、膨張係数を調整するために充填剤に無機粒子を加えると、充填剤を充填した後に、表面を平坦化するために行う研磨工程において、層間絶縁層を形成する樹脂層に亀裂を発生させることがある。 [0008] Second, in order to prevent the crack, the addition of inorganic particles to the filler in order to adjust the coefficient of expansion, after filling the filler, in the polishing step conducted to flatten the surface, interlayer insulating it is possible to generate cracks in the resin layer to form a layer. 即ち、層間絶縁層には、ガラスエポキシなどの補強材が含浸されていないので、樹脂基板と比較して強度が低い。 That is, the interlayer insulating layer, the reinforcing material such as glass epoxy is not impregnated, the strength is low as compared with the resin substrate. 相対的に強度が低い層間絶縁層は、研磨紙による機械研磨(ベルトサンダーによる研磨など)に耐えることができず、亀裂、クラックが生じる。 Relatively low strength interlayer insulating layer can not withstand the mechanical polishing with abrasive paper (such as polishing using belt sander), cracks, cracks. 更に、層間樹縁層に形成した上層との密着性を高める粗化面が研磨により失われるという課題がある。 Furthermore, there is a problem that the roughened surface to enhance the adhesion between the upper layer formed on the interlayer tree edge layer is lost by polishing.

【0009】第3に、スルーホールの直上に蓋めっきを適正に形成できないという課題がある。 [0009] Third, there is a problem that can not be properly form a lid plating just above the through-hole. 即ち、蓋めっきを形成させる際には、触媒を用いた後、無電解めっき液に浸漬してめっき膜を形成する。 That is, in forming the lid plating, after using a catalyst, to form a plated film is immersed in an electroless plating solution. 膨張係数を調整するために充填剤に無機粒子を加えると、無機粒子と触媒とは配位結合しないので、充填剤表面への触媒の付与量が低下する。 The addition of inorganic particles to the filler in order to adjust the coefficient of expansion, because the inorganic particles and the catalyst not coordinately bound, application amount of the catalyst to the filler surface is reduced. これにより、めっき膜の反応が停止して、めっき膜の形成精度が悪くなり、蓋めっきの形成後、この蓋めっきの直上にバイアホールを形成させても、電気的接続が取れないことがある。 Thus, to stop the reaction of the plated film, forming precision of the plated film is deteriorated, after the formation of the cover plated, also to form a via hole directly on the cover plated, sometimes it is not possible to electrically connect .

【0010】更に、無機粒子の量が少ないと、スルーホールに樹脂充填剤を充填した際に、スルーホール内に留まらず、反対面から流出してしまったり、スルーホール内の樹脂充填剤に空隙ができ、信頼性が低下することがある。 Furthermore, if the amount of the inorganic particles is small, when filled with the resin filler in the through-holes, not only in the through holes, or flowed out from the opposite surface, voids in the resin filler in the through holes can be, it may adversely affect reliability.

【0011】本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、同軸構造のスルーホールを備え電気的接続性、信頼性を向上させた多層プリント配線板及びその製造方法を提案することにある。 [0011] The present invention has been made to solve the above problems, it is an object of electrical connection with the through hole of the coaxial structure, a multilayer printed wiring board with improved reliability and it is to propose a manufacturing method thereof.

【0012】 [0012]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決するために、請求項1は、スルーホールの形成されたコア基板の両面に層間絶縁層と導体回路とが積層されてなる多層プリント配線板において、前記スルーホールの少なくとも一部は、前記コア基板の通孔の壁面に形成した外層スルーホールと、前記外層スルーホール内に外層樹脂充填剤を施して形成した内層スルーホールと、前記内層スルーホール内に充填した内層樹脂充填剤とからなる同軸構造として形成され、前記外層樹脂充填剤もしくは前記内層樹脂充填剤は、少なくとも熱硬化性樹脂と硬化剤と10〜80vol%の無機粒子とが配合されていることを技術的特徴とする。 Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, according to claim 1, the multilayer printed wiring board on both surfaces of a core substrate formed of through holes and the interlayer insulating layer and the conductor circuit are laminated in, at least a part of the through hole, an outer layer through hole formed in the wall surface of the through hole of the core substrate, and the inner through-hole formed by subjecting the outer layer resin filler into the outer layer through hole, the inner layer through is formed as a coaxial structure composed of an inner layer resin filler filled in the hole, the outer layer resin filler or the inner resin filler is at least a thermosetting resin and a curing agent and 10~80Vol% of the inorganic particles compounded and technical features that it is.

【0013】請求項2は、スルーホールの形成されたコア基板の両面に層間絶縁層と導体回路とが積層されてなる多層プリント配線板において、前記スルーホールの少なくとも一部は、前記コア基板の通孔の壁面に形成した外層スルーホールと、前記外層スルーホール内に外層樹脂充填剤を施して形成した内層スルーホールと、前記内層スルーホールの直上にめっきにより形成された蓋めっき層と、前記内層スルーホール内に充填した内層樹脂充填剤とからなる同軸構造として形成され、前記外層樹脂充填剤もしくは前記内層樹脂充填剤は、少なくとも熱硬化性樹脂と硬化剤と10〜80vol%の無機粒子とが配合されていることを技術的特徴とする。 [0013] Claim 2 is, in the multilayer printed wiring board on both surfaces of a core substrate formed of through holes and the interlayer insulating layer and the conductor circuit are laminated, at least a part of said through holes of said core substrate an outer layer through hole formed in the wall of the hole, and the inner layer a through hole formed by performing an outer layer resin filler into the outer layer through hole, and the cover plated layer formed by plating directly on the inner through hole, wherein It is formed as a coaxial structure composed of an inner layer resin filler filled in the inner through-hole, the outer layer resin filler or the inner resin filler, and at least a thermosetting resin and a curing agent 10~80Vol% of inorganic particles There is technically characterized in that it is formulated.

【0014】請求項1及び請求項2の発明では、外層スルーホール及び内層スルーホールに充填される樹脂充填剤は、無機粒子を10〜80vlo%配合させている。 [0014] In the invention of claim 1 and claim 2, the resin filler to be filled in the outer through-holes and inner layer through holes are inorganic particles are 10~80Vlo% formulation.
つまり、無機粒子の配合量を10vol%以上にすることによって、樹脂充填剤の熱膨張率と、コア基板を形成している樹脂基板の熱膨張率と、層間樹脂絶縁層である樹脂フィルムの熱膨張率とが整合され、ヒートサイクル条件下においても熱収縮差による応力を発生することがない。 That is, by the amount of the inorganic particles more than 10 vol%, the thermal expansion coefficient of the resin filler, the thermal expansion coefficient of the resin substrate forming the core substrate, the resin film is an interlayer resin insulating layer heat and expansion coefficient is matched, no generation of stress due to thermal shrinkage difference even in a heat cycle conditions. したがって、樹脂基板と樹脂フィルムとの境目付近で、導体部分にクラックが発生するのを防止して、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。 Therefore, in the vicinity of the boundary between the resin substrate and the resin film, to prevent occurrence of cracks in the conductive portions, electrical connectivity, allowing an improvement in reliability. 層間樹脂絶縁層を構成する樹脂フィルムは、粗化処理によって粗化面を形成させる可溶性の粒子が含まれるが、樹脂充填剤の無機粒子の配合量を80vol%以下とすることで、熱膨張率の整合を取ることができる。 Resin film constituting the interlayer resin insulating layer, but are soluble particles to form a roughened surface by a roughening treatment, the amount of the inorganic particles in the resin filler is set to be lower than or equal 80 vol%, the coefficient of thermal expansion it is possible to take the matching.

【0015】一方、無機粒子を80vol%以下にすることで、充填剤を充填した後の研磨工程の際に、バフ等の研磨入りの不織布でコア基板の表層をなぞるだけの容易な研磨によって、樹脂充填剤を除去して平坦化することができる。 Meanwhile, by making the inorganic particles below 80 vol%, during the polishing process after filling the filler, by easy polishing of only trace the surface layer of the core substrate polishing containing the nonwoven buff, it can be flattened by removing the resin filler. ここで、無機粒子が80vol%を越えると、 Here, the inorganic particles exceeds 80 vol%,
研磨紙による機械研磨(例えば、ベルトサンダーによる研磨)によらなければ平坦化することができない。 Mechanical polishing with abrasive paper (e.g., polished by the belt sander) can not be flattened unless they are in. しかしながら、層間絶縁層は、コア基板と異なり、ガラスエポキシなどの補強材(芯材)が含まれていないため、研磨紙による研磨には耐えることができず、この研磨により、亀裂、クラックが発生してしまう。 However, the interlayer insulating layer, unlike the core substrate, because it does not include a reinforcing material such as glass epoxy (core material) is not able to withstand the polishing with abrasive paper, this polishing, cracks, cracks occurred Resulting in. これに対して、 On the contrary,
上述したように無機粒子を80vol%以下にすることで、樹脂充填剤を層間絶縁層上での研磨を可能にする。 By the inorganic particles below 80 vol% as described above, the resin filler allows polishing of an interlayer insulating layer.

【0016】請求項2の発明では、外層スルーホール及び内層スルーホールに少なくとも熱硬化性樹脂もしくは熱硬化性樹脂及び硬化剤に対して無機粒子が10〜80 [0016] In the present invention of claim 2, the inorganic particles to at least a thermosetting resin or a thermosetting resin and a curing agent in the outer layer through hole and the inner layer through holes 10 to 80
vol%配合された樹脂充填剤を充填させる。 To fill the vol% formulated resin filler. そして、この内層スルーホールの直上に蓋めっき層を施している。 And, it is subjected to a lid plating layer directly on the inner layer through-hole.
蓋めっきにより、スルーホールの直上にバイアホールを形成できるため、配線長を短縮でき、高周波性能を向上させれる。 The cover plated, it is possible to form a via hole just above the through-holes, can shorten the wiring length and to improve the high frequency performance. 無機粒子を80vol%以下にすることによって、蓋めっき形成の際の触媒の付与量の低下や、無電解めっき膜の反応停止を防ぐことができ、蓋めっきを適正に形成することで、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。 By the inorganic particles below 80 vol%, decrease in the applied amount of catalyst in the lid plating, it is possible to prevent quenching of the electroless plated film, by properly forming the lid plating, electrical connectivity, allowing an improvement in reliability. 即ち、無電解めっきを施すため触媒を樹脂充填剤の表面に付与する際に、無機粒子が80vol%を越えると、触媒の付与量が低下し、めっき膜が適正に形成できなくなるが、これを防ぐことができる。 That is, a catalyst for electroless plating when applied to the surface of the resin filler, the inorganic particles exceeds 80 vol%, reduces the application amount of the catalyst, but the plated film can not be formed appropriately, it it is possible to prevent. なお、無機粒子の配合範囲は、20〜70vol%であることが望ましい。 The mixing range of the inorganic particles is desirably 20~70vol%. この配合範囲が20〜70vol%の場合、局所的に無機粒子が凝集あるいは分散しても上記した不具合を回避できるからである。 If this blending range of 20~70vol%, even locally inorganic particles are agglomerated or dispersed is because it avoids the problem described above.

【0017】請求項3の発明では、スルーホールに充填する充填剤には、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケイ素化合物のいずれか1種類以上を配合させている。 [0017] In the present invention of claim 3, the filler filled in the through-hole, an aluminum compound, a calcium compound, a potassium compound, a magnesium compound, thereby blending any one or more silicon compounds. つまり、充填剤に上記無機粒子を加えることによって、熱膨張率を整合でき、熱膨張差によるクラックの発生を防止できる。 In other words, by adding the inorganic particles to the filler, can match the coefficient of thermal expansion, it can be prevented the occurrence of cracks due to thermal expansion difference.

【0018】請求項4の発明では、スルーホールに充填する充填剤に配合される無機粒子の形状は、円形、楕円形、破砕形、多角形のいずれかである。 [0018] In a fourth aspect of the present invention, the shape of the inorganic particles to be incorporated in the filler filled in the through holes, circular, oval, crushed form, it is any of a polygon. なお、望ましいのは、円形、楕円形である。 Incidentally, desirable are circular, elliptical. この粒子の形状が円形、楕円形の場合は、粒子の角面が形成されていないため、この粒子を起点とするクラックの発生を防止できる。 Circular shape of the particles, in the case of elliptical, since the angular surface of the particles is not formed, can prevent occurrence of cracks originating the particles.

【0019】請求項5の発明では、スルーホールの導体層の表面に粗化層が施されている。 [0019] In the invention of claim 5, roughened layer is provided on the surface of the conductive layer of the through hole. 粗化層によって、樹脂充填剤の膨張及び収縮を防ぎ、スルーホールの上に形成されている層間絶縁層及び蓋めっきを押し上げることを防止できる。 The roughened layer prevents expansion and contraction of the resin filler can be prevented from pushing up the interlayer insulating layer and cover plated is formed on the through hole. なお、粗化層は、酸化還元処理、黒化処理、めっき、エッチングによって形成できる。 Incidentally, Arakaso the oxidation reduction treatment, blackening treatment, plating, it may be formed by etching.

【0020】請求項6のプリント配線板の製造方法では、少なくとも(a)〜(e)の工程を備えることを技術的特徴とする: (a)コア基板の両面に層間絶縁層を形成する工程; (b)前記コア基板の壁面にドリルを用いて外層スルーホールを形成する工程; (c)前記外層スルーホール内に少なくとも熱硬化性樹脂、硬化剤、無機粒子が10〜80%配合された外層樹脂充填剤を充填して、ドリルを用いて内層スルーホールを形成する工程; (d)前記内層スルーホール内に少なくとも熱硬化性樹脂、硬化剤、無機粒子が10〜80%配合された内層樹脂充填剤を充填する工程; (e)前記層間絶縁層と導体回路とを積層する工程。 [0020] In the manufacturing method of the printed wiring board according to claim 6, and technical features in that it comprises a step of at least (a) ~ (e): (a) forming an interlayer insulating layer on both surfaces of the core substrate ; (b) step of forming the core layer through hole using a drill on the wall surface of the substrate; (c) at least a thermosetting resin in the outer layer through hole, curing agent, inorganic particles are 10% to 80% blended filling the outer layer resin filler, a step of forming the inner layer through holes using a drill; (d) at least a thermosetting resin in the inner layer through hole, curing agent, inorganic particles are 10% to 80% blended inner layer step of filling the resin filler; (e) the interlayer insulating layer and a conductor circuit and a step of laminating.

【0021】請求項7のプリント配線板の製造方法では、少なくとも(a)〜(f)の工程を備えることを技術的特徴とする: (a)コア基板の両面に層間絶縁層を形成する工程; (b)前記コア基板の壁面にドリルを用いて外層スルーホールを形成する工程; (c)前記外層スルーホール内に少なくとも熱硬化性樹脂、硬化剤、無機粒子が10〜80%配合された外層樹脂充填剤を充填して、ドリルを用いて内層スルーホールを形成する工程; (d)前記内層スルーホール内に少なくとも熱硬化性樹脂、硬化剤、無機粒子が10〜80%配合された内層樹脂充填剤を充填する工程; (e)前記外層スルーホール及び前記内層スルーホールの上に蓋めっきを施す工程; (f)前記層間絶縁層と導体回路とを積層する工程。 [0021] In the manufacturing method of the printed wiring board according to claim 7, and technical features in that it comprises a step of at least (a) ~ (f): (a) forming an interlayer insulating layer on both surfaces of the core substrate ; (b) step of forming the core layer through hole using a drill on the wall surface of the substrate; (c) at least a thermosetting resin in the outer layer through hole, curing agent, inorganic particles are 10% to 80% blended filling the outer layer resin filler, a step of forming the inner layer through holes using a drill; (d) at least a thermosetting resin in the inner layer through hole, curing agent, inorganic particles are 10% to 80% blended inner layer step of filling the resin filler; (e) applying a cover plating on the outer layer through hole and the inner through-hole process; (f) the interlayer insulating layer and a conductor circuit and a step of laminating.

【0022】請求項6、請求項7の発明では、ドリルを用いてスルーホールを形成する。 [0022] Claim 6, in the invention of claim 7, a through hole is formed using a drill. つまり、ドリルを用いることで、内層のスルーホールがテーパ状になるのを防止し、外層スルーホールと内層スルーホールとの間の絶縁層を形成する外層樹脂充填剤の厚みを均一にできる。 That is, by using the drill, the inner layer of the through hole is prevented from being tapered, can be made uniform thickness of the outer layer resin filler to form an insulating layer between the outer layer through hole and the inner layer through holes.
このため、外層のスルーホールと内層のスルーホールとの間のでの短絡を防止でき、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。 Therefore, it is possible to prevent a short circuit in the between the through hole and the inner layer of the through hole in the outer layer, electrical connectivity, allowing an improvement in reliability.

【0023】請求項7の発明では、蓋めっきを形成することにより、スルーホールの直上にバイアホールを形成できるため、配線長を短縮でき、高周波性能を向上させることができる。 [0023] In the invention of claim 7, by forming the lid plating, it is possible to form a via hole just above the through-holes, can shorten the wiring length, it is possible to improve the high frequency performance.

【0024】本発明のスルーホール充填用樹脂組成物を構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を用いることができる。 [0024] As the resin constituting the through hole filling resin composition of the present invention can be used a thermosetting resin, a thermoplastic resin. 熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂から選ばれるいずれか少なくとも1種の樹脂がよい。 The thermosetting resin, epoxy resin, polyimide resin, it is either at least one resin selected from phenolic resin. 熱可塑性樹脂としては、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、4フッ化エチレン6フッ化プロピレン共重合体(FEP)、 As the thermoplastic resin, polytetrafluoroethylene (PTFE), 4 tetrafluoroethylene hexafluoropropylene copolymer (FEP),
4フッ化エチレンパーフロロアルコキシ共重合体(PF Tetrafluoroethylene perfluoroalkoxy copolymer (PF
A)等のフッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート(P A) such as a fluorine resin, polyethylene terephthalate (P
ET)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、熱可塑型ポリフェニレンエーテル(PPE)、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリフェニレンスルフォン(PPES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、 ET), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfide (PPS), thermoplastic type polyphenylene ether (PPE), polyether sulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfone (PPES), polyethylene naphthalate (PEN) ,
ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリオレフィン系樹脂から選ばれるいずれか少なくとも1種がよい。 Polyether ether ketone (PEEK), it is at least one selected from polyolefin resins.

【0025】特に、スルーホールの充填に用いられる最適樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂およびノボラック型エポキシ樹脂から選ばれるいずれか少なくとも1種がよい。 [0025] In particular, the optimal resin used for filling the through hole, it is either at least one selected from bisphenol type epoxy resins and novolak epoxy resins. この理由は、ビスフェノール型エポキシ樹脂は、A型、F型などの樹脂を適宜選択することにより、希釈溶媒を使用しなくともその粘度を調整でき、 This is because the bisphenol type epoxy resin, A-type, by properly selecting the resin, such as F-type, can adjust the viscosity without using a diluting solvent,
またノボラック型エポキシ樹脂は、高強度で耐熱性や耐薬品性に優れ、無電解めっき液のような強塩基性溶液中でも分解せず、また熱分解しないからである。 The novolac type epoxy resin is excellent in heat resistance and chemical resistance at high strength, it does not decompose even strongly basic solution such as an electroless plating solution, and because not thermally decomposed. 前記ビスフェノール型エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA As the bisphenol type epoxy resin, bisphenol A
型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂から選ばれるいずれか少なくとも1種を用いることが望ましい。 Type epoxy resin, it is preferable to use at least one selected from bisphenol F type epoxy resin. なかでも、ビスフェノールF型エポキシ樹脂は、低粘度で無溶剤で使用することができるため有利である。 Among them, bisphenol F type epoxy resin is advantageous because it can be used in solvent-free low viscosity.
前記ノボラック型エポキシ樹脂としては、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂から選ばれるいずれか少なくとも1種を用いることが望ましい。 As the novolak type epoxy resins, phenol novolak type epoxy resin, it is preferable to use at least one selected from cresol novolak epoxy resin. このような樹脂の中で、ノボラック型エポキシ樹脂とビスフェノール型エポキシ樹脂を配合して用いる場合、その配合割合は、重量比で1/1〜1/ Among such resins, when used in blending a novolac type epoxy resin and a bisphenol type epoxy resin, its blending ratio is a weight ratio of 1 / 1-1 /
100 が望ましい。 100 is desirable. この理由は、粘度の著しい上昇を抑制できる範囲だからである。 The reason for this is because the range can suppress the remarkable increase in the viscosity. また、含有される無機粒子には、配合量は、10〜80vol%であることがよい。 Further, the inorganic particles contained, the amount is may be a 10~80vol%. さらに望ましいのは、20〜70vol%である。 Even more desirable are 20~70vol%. 粒子が凝集、分散しても前述の不具合が起きにくいからである。 Particle agglomeration, also be dispersed is not easily occur defects described above.
含有される無機粒子には、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケイ素化合物のいずれか1種類以上が配合されていることがよい。 Inorganic particles contained, aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds, may be any one or more silicon compounds are formulated. アルミニウム化合物としては、例えばアルミナ、水酸化アルミニウムなどが挙げられる。 The aluminum compounds such as alumina, and aluminum hydroxide. カルシウム化合物としては、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、 The calcium compounds, calcium carbonate, calcium hydroxide,
等が挙げられる。 Etc. The. カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられる。 The potassium compounds include potassium carbonate, and the like. マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウムなどが挙げられる。 The magnesium compound, magnesia, dolomite, and basic magnesium carbonate. ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライトなどが挙げられる。 As the silicon compound, silica, zeolite and the like.

【0026】このような樹脂組成物に使用される硬化剤としては、イミダゾール系硬化剤、酸無水物硬化剤、アミン系硬化剤が望ましい。 [0026] As the curing agent such as used in the resin composition, imidazole curing agent, acid anhydride curing agents, amine curing agent is preferable. 硬化収縮が小さいからである。 This is because curing shrinkage is small. 硬化収縮を抑制することにより、充填材とそれを被覆する導体層との一体化してその密着性を向上させることができる。 By suppressing the curing shrinkage, it is possible to improve the integrated its adhesiveness between the conductor layer covering it with filler.

【0027】また、このような樹脂組成物は、必要に応じて溶剤で希釈することができる。 Further, such a resin composition may be diluted with a solvent if necessary. この溶剤としては、 As the solvent,
NMP(ノルマルメチルピロリドン)、DMDG(ジエチレングリコールジメチルエーテル)、グリセリン、 NMP (normal methyl pyrrolidone), DMDG (diethylene glycol dimethyl ether), glycerin,
水、1−又は2−又は3−のシクロヘキサノール、シクロヘキサノン、メチルセルソルブ、メチルセルソルブアセテート、メタノール、エタノール、ブタノール、プロパノール、などがある。 Water, 1- or 2- or 3-cyclohexanol, cyclohexanone, methyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, methanol, ethanol, butanol, propanol, and the like. より望ましいのは、充填樹脂組成物中に、溶剤が含有させないのがよい。 More desirable are in the filled resin composition, it is preferable solvent does not contain.

【0028】本発明では、充填材が充填されるスルーホールの内壁導体表面に粗化層が形成されてなることが望ましい。 [0028] In the present invention, it is desirable that the filler formed by roughened layer is formed on the inner wall surface of the conductor of the through hole to be filled. この理由は、充填材とスルーホールとが粗化層を介して密着し隙間が発生しないからである。 This is because, the filler and the through-hole is because the gap in close contact via the roughened layer is not generated. もし、充填材とスルーホールとの間に空隙が存在すると、その直上に電解めっきで形成される導体層は、平坦なものとならなかったり、空隙中の空気が熱膨張してクラックや剥離を引き起こしたりし、また一方で、空隙に水が溜まってマイグレーションやクラックの原因となったりする。 If the air gap exists between the filler and the through-hole, the conductive layer formed by electroless plating directly on this, or did not become as flat, cracking or peeling air in the gap is thermally expanded or causing, the other hand, or causing migration or cracking accumulated water in the gap.
この点、粗化層が形成されているとこのような不良発生を防止することができる。 In this regard, the roughened layer is formed can be prevented such failure.

【0029】また、本発明において、充填材を覆う導体層の表面には、スルーホール内壁の導体表面に形成した粗化層と同様の粗化層が形成されていることが有利である。 Further, in the present invention, the surface of the conductor layer covering the filler, it is advantageous to roughened layer similar to the roughened layer formed on the conductor surface of the through hole inner wall is formed. この理由は、粗化層により層間樹脂絶縁層やバイアホールとの密着性を改善することができるからである。 This is because it is possible to improve the adhesion between the interlayer resin insulating layer and via holes by a roughening layer.
特に、導体層の側面に粗化層が形成されていると、導体層側面と層間樹脂絶縁層との密着不足によってこれらの界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて発生するクラックを抑制することができる。 In particular, the roughened layer on the side surface of the conductive layer is formed, to suppress cracks generated toward the interlayer resin insulating layer as a starting point of these interfaces by adhesion deficiency between the conductor layer side and the interlayer resin insulating layer can.

【0030】このようなスルーホール内壁や導体層の表面に形成される粗化層の厚さは、0.1〜10μmがよい。 The thickness of the roughened layer formed on the surface of such a through-hole inner walls and the conductive layer may have 0.1 to 10 [mu] m.
この理由は、厚すぎると層間ショートの原因となり、薄すぎると被着体との密着力が低くなるからである。 This is because when too thick may cause interlayer short, because adhesion to the adherend is too thin is lowered. この粗化層としては、スルーホール内壁の導体あるいは導体層の表面を、酸化(黒化)−還元処理して形成したもの、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して形成したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金のめっき処理にて形成したものがよい。 As the roughened layer, the surface of conductors or conductor layers of the through hole inner wall oxide (blackening) - one formed by reduction treatment, those formed by treating a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex , or copper - nickel - good those formed by plating phosphorus needle-shaped alloy.

【0031】これらの処理のうち、酸化(黒化)−還元処理による方法では、NaOH(20g/l)、NaClO 2 (50g [0031] Among these processes, the oxidation (blackening) - In the process according to the reduction treatment, NaOH (20g / l), NaClO 2 (50g
/l)、Na 3 PO 4 (15.0g/l)を酸化浴(黒化浴)、Na / L), Na 3 PO 4 (15.0g / l) oxide bath (blackening bath), Na
OH(2.7g/l)、NaBH 4 ( 1.0g/l)を還元浴とする。 OH (2.7g / l), and NaBH 4 a (1.0g / l) reduction bath.

【0032】また、有機酸−第二銅錯体の水溶液を用いた処理では、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で次のように作用し、導体回路である銅などの金属箔を溶解させる。 Further, organic acid - by treatment with an aqueous solution of cupric complex, act as follows: oxygen coexisting conditions such as spraying or bubbling, dissolving the metal foil such as copper is a conductor circuit. Cu+[Cu(II)A] n →[2Cu(I)A] n/2 Cu + [Cu (II) A ] n → [2Cu (I) A] n / 2 +
n/4O 2 +nAH(エアレーション)→[2Cu(I n / 4O 2 + nAH (aeration) → [2Cu (I
I)A] n +n/2H 2 O Aは錯化剤(キレート剤として作用)、nは配位数である。 I) A] n + n / 2H 2 O A is acting as a complexing agent (chelator), n is the coordination number.

【0033】この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。 The cupric complex used in this process, it is cupric complex of azoles. このアゾール類の第二銅錯体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用する。 Cupric complex of azoles act as an oxidizing agent for oxidizing a metal copper. アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、 The azoles, diazole, triazole,
テトラゾールがよい。 Tetrazole is good. なかでもイミダゾール、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾールなどがよい。 Of these imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, good and 2-undecyl imidazole. このアゾール類の第二銅錯体の含有量は、1〜15重量%がよい。 The content of the cupric complex of azoles, it is 1-15 wt%.
この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れるからである。 If within this range, it is excellent in solubility and stability.

【0034】また、有機酸は、酸化銅を溶解させるために配合させるものである。 Further, the organic acids are those of mixing to dissolve the copper oxide. 具体例としては、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少なくとも1種がよい。 Specific examples include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, maleic acid, benzoic acid, glycolic acid, lactic acid, malic acid, it is at least one selected from sulfamic acid. この有機酸の含有量は、 0.1〜30 The content of the organic acid is 0.1 to 30
重量%がよい。 Good weight%. 酸化された銅の溶解性を維持し、かつ溶解安定性を確保するためである。 Maintaining the solubility of oxidized copper and in order to ensure the dissolution stability. なお、発生した第一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。 Incidentally, cuprous complex generated is dissolved under the action of an acid and a cupric complex combined with oxygen, again contributes to the oxidation of copper. また、有機酸に加えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加してもよい。 In addition to organic acids, fluoroboric acid, hydrochloric acid, may be added an inorganic acid such as sulfuric acid.

【0035】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助するために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。 [0035] The organic acid - The second etching solution of copper complex in order to assist the oxidation of dissolved and azoles copper, halogen ions, for example, fluorine ions, chlorine ions and the like is added bromide it may be. このハロゲンイオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給できる。 The halogen ion may be supplied by adding hydrochloric acid, sodium chloride, and the like. ハロゲンイオン量は、0.01〜20重量%がよい。 Halogen ion amount, it is 0.01 to 20 wt%. この範囲内にあれば、形成された粗化面と層間樹脂絶縁層との密着性に優れるからである。 If within this range, it is excellent in adhesion to the formed roughened surface and the interlayer resin insulating layer.

【0036】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール類の第二銅錯体および有機酸(必要に応じてハロゲンイオン)を、水に溶解して調製する。 [0036] The organic acid - etching solution composed of cupric complex, cupric complex and organic acid azoles (halogen ions if necessary), prepared by dissolving in water.

【0037】また、銅−ニッケル−リンからなる針状合金のめっき処理では、硫酸銅1〜40g/l、硫酸ニッケル 0.1〜6.0 g/l、クエン酸10〜20g/l、次亜リン酸塩10〜100 g/l、ホウ酸10〜40g/l、界面活性剤 Further, copper - nickel - by plating acicular alloy comprising phosphorus, copper sulfate 1 to 40 g / l, nickel sulfate 0.1 to 6.0 g / l, citric acid 10 to 20 g / l, hypophosphite 10 to 100 g / l, boric acid 10 to 40 g / l, surfactant
0.01〜10g/lからなる液組成のめっき浴を用いることが望ましい。 It is desirable to use a plating bath of solution composition consisting of 0.01 to 10 g / l.

【0038】本発明では、層間樹脂絶縁層を熱硬化型樹脂シートを用いて形成することが好適である。 [0038] In the present invention, it is preferable to be formed using a thermosetting resin sheet an interlayer resin insulating layer. 熱硬化型樹脂シートには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。 The thermosetting resin sheet is poorly soluble resin, soluble particles, a curing agent, and other components are contained. それぞれについて以下に説明する。 It will be described below, respectively.

【0039】本発明の製造方法において使用する熱硬化型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子(以下、可溶性粒子という)が酸または酸化剤に難溶性の樹脂(以下、難溶性樹脂という)中に分散したものである。 The thermosetting resin sheet used in the manufacturing method of the present invention, particles soluble in acid or oxidizing agent (hereinafter, referred to as soluble particles) in the acid or oxidizing agent hardly soluble resin (hereinafter, referred to as insoluble resin ) are those dispersed in. なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。 Incidentally, the term "sparingly soluble", "soluble" as used in the present invention, when immersed same time to a solution of the same acid or oxidizing agent, those early relatively dissolution rate convenience called a "soluble" , those slow relatively dissolution rate for convenience referred to as "sparingly soluble".

【0040】上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。 [0040] Examples of the soluble particles, for example, acid or soluble resin particles to the oxidizing agent (hereinafter soluble resin particles), acid or soluble inorganic particles to the oxidizing agent (hereinafter, soluble inorganic particles), the acid or oxidizing agent soluble metal particles (hereinafter, soluble metal particles), and the like. これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよい。 These soluble particles may be used alone or in combination of two or more.

【0041】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、 The shape of the soluble particle is not particularly limited,
球状、破砕状等が挙げられる。 Spherical, pulverized, or the like. また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。 The shape of the soluble particles is desirably uniform shape. 均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。 This is because it is possible to form a roughened surface having irregularities of uniform roughness.

【0042】上記可溶性粒子の平均粒径としては、0. [0042] The average particle size of the soluble particles, 0.
1〜10μmが望ましい。 1~10μm is desirable. この粒径の範囲であれば、2 If the range of the particle size, 2
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。 It may contain one kind or more different particle sizes. すなわち、平均粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均粒径が1〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。 That is, the average particle size of equal to average particle size of the soluble particles 0.1~0.5μm contains soluble particles of 1 to 3 [mu] m.
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、 Thus, it is possible to form more complex roughened surface,
導体回路との密着性にも優れる。 Excellent adhesion to the conductor circuit. なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。 In the present invention, the particle size of the soluble particles is the length of the longest portion of the soluble particles.

【0043】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。 [0043] Examples of the soluble resin particles, thermosetting resins, those can be mentioned which comprises a thermoplastic resin or the like, when immersed in solution composed of acid or an oxidizing agent, those dissolution rate is faster than the flame-soluble resin It not particularly limited as long as it is. 上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。 Specific examples of the soluble resin particles, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyphenylene resin, include those made of polyolefin resin, fluorine resin, etc., it may be made of one kind of these resins and it may be made of a mixture of two or more resins.

【0044】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。 [0044] Further, as the soluble resin particles may be used resin particles made of rubber. 上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メタ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。 As the rubber, such as polybutadiene rubber, epoxy-modified, urethane-modified, (meth) Various modified polybutadiene rubber such as acrylonitrile-modified, containing a carboxyl group (meth) acrylonitrile-butadiene rubber. これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。 By using these rubbers, soluble resin particles are easily dissolved in acid or oxidizing agent. つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。 That is, when dissolving the soluble resin particles using an acid can be dissolved in acid other than a strong acid, when dissolved soluble resin particles with an oxidizing agent, a relatively weak oxidizing power permanganic it can be dissolved in acid salt. また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。 Furthermore, even in the case of using a chromic acid, it can be dissolved at low concentrations. そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸化されたりすることがない。 Therefore, without an acid or oxidizing agent remaining on the resin surface, as described later, after the roughened surface formed, when applying the catalyst palladium chloride, or wanted catalyst Na granted, the catalyst is oxidized It is not able to or.

【0045】上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。 [0045] As the soluble inorganic particles, for example, aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, at least one consisting of particles, and the like are selected from the group consisting of a magnesium compound and a silicon compound.

【0046】上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、 [0046] As the aluminum compound, for example, alumina, aluminum hydroxide and the like. Examples of the calcium compound, e.g., calcium carbonate,
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。 Calcium hydroxide and the like. Examples of the potassium compound, potassium carbonate and the like. Examples of the magnesium compound, magnesia, dolomite, basic magnesium carbonate and the like. Examples of the silicon compound, silica, zeolite and the like. これらは単独で用いても良いし、2種以上併用してもよい。 These may be used alone or in combination of two or more.

【0047】上記可溶性金属粒子としては、例えば、 [0047] As the soluble metal particles, for example,
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、 Copper, nickel, iron, zinc, lead, gold, silver, aluminum,
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。 Magnesium, particles and the like consisting of at least one selected from the group consisting of calcium and silicon. また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。 Further, these soluble metal particles, in order to secure insulation surface layer may be coated with a resin or the like.

【0048】上記可溶性粒子を、2種以上混合して用いる場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。 [0048] The above-soluble particles, when used as a mixture of two or more, as a combination of mixing 2 kinds of soluble particles, the combination of the resin particles and inorganic particles is desirable. 両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。 It is possible to both cases conductivity ensuring insulation resin film fried low, easily achieving the adjustment of thermal expansion between the sparingly soluble resins, no cracks occur in the interlayer resin insulating layer made of a resin film, This is because the peeling does not occur between the interlayer resin insulating layer and a conductor circuit.

【0049】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。 [0049] Examples of the hardly soluble resin, when forming the roughened surface with an acid or an oxidizing agent in the interlayer resin insulating layer is not particularly limited as long as it can maintain the shape of the roughened surface, for example, thermosetting resins, thermoplastic resins, these complexes, and the like. また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。 Further, it may be a photosensitive resin obtained by imparting photosensitivity to these resins. 感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用開口を形成することできる。 By using a photosensitive resin, exposure to the interlayer resin insulating layer can be formed with openings for via by using a developing process. これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。 Among these, those containing a thermosetting resin is desirable. それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。 Thereby, since it is possible to maintain the shape of the roughened surface by plating solution or various heating processes.

【0050】上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、 [0050] Specific examples of the hardly soluble resin is, for example, epoxy resin, phenol resin, phenoxy resin,
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。 Polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin and the like. これらの樹脂は単独で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。 It may be used those resins alone or in combination of two or more. さらには、1分子中に、2個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。 Further, in a molecule, an epoxy resin having two or more epoxy groups is more desirable. 前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。 It is possible not only to form a roughened surface mentioned above and excellent in heat resistance and the like, even in a heat cycle conditions, does not occur stress concentration to the metal layer, it does not occur easily peeling of the metal layer it is from.

【0051】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、 [0051] As the epoxy resin, for example, cresol novolak type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resins, phenol novolak type epoxy resin, alkylphenol novolac epoxy resin, biphenol F type epoxy resin, naphthalene type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, epoxidized condensation product of a phenol and an aromatic aldehyde having a phenolic hydroxyl group,
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。 Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resins. これらは、単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。 These may be used alone or in combination of two or more. それにより、耐熱性等に優れるものとなる。 Thereby, it is excellent in heat resistance and the like.

【0052】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。 [0052] In the resin film used in the present invention, the soluble particles is preferably are substantially uniformly dispersed in the hardly soluble resin. 均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。 Can form a roughened surface having irregularities of uniform roughness, even when forming a via or through hole in a resin film, it is possible to ensure the adhesion of the metal layer of the conductor circuit formed thereon it is from. また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。 It is also possible to use a resin film containing soluble particles only in a surface layer portion to form a roughened surface. それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。 Thereby, except the surface layer portion of the resin film since it is not exposed to acid or oxidizing agent, insulation between conductor circuits through the interlayer resin insulating layer is reliably maintained.

【0053】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、3〜40重量%が望ましい。 [0053] In the resin film, the amount of soluble particles dispersed in the hardly soluble resin, the resin film is preferably 3 to 40 wt%. 可溶性粒子の配合量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、40重量%を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。 When the amount of the soluble particles is less than 3 wt%, may not be able to form a roughened surface having a desired uneven, exceeds 40 wt%, when dissolved the soluble particles using an acid or an oxidizing agent to, will be dissolved to a deep portion of the resin film, it can not maintain the insulation between conductor circuits through the interlayer resin insulating layer made of a resin film, which may cause a short circuit.

【0054】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。 [0054] The above resin film, the soluble particles, besides the flame-soluble resin, it is desirable to contain a curing agent, other components or the like. 上記硬化剤としては、例えば、 The curing agent, for example,
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。 Imidazole curing agent, an amine curing agent, a guanidine curing agent, which the epoxy adduct and these curing agents of these curing agents microencapsulated, triphenylphosphine, such as tetraphenyl phosphonium-tetraphenyl borate organic phosphine compounds and the like.

【0055】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して0.05〜10重量%であることが望ましい。 [0055] The content of the curing agent is preferably 0.05 to 10% by weight relative to the resin film. 0. 0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。 Is less than 05% by weight, the curing of the resin film is insufficient, the degree of acid or oxidizing agent from entering the resin film is increased, there is an insulating resin film is impaired. 一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。 On the other hand, when it exceeds 10 wt%, the excess hardener component denatures the composition of the resin, which may result in or cause a decrease in reliability.

【0056】上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。 [0056] As the other components, for example, fillers inorganic compounds or resins that do not affect the formation of the roughened surface. 上記無機化合物としては、例えば、 Examples of the inorganic compounds, for example,
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。 Silica, alumina, dolomite and the like. Examples of the resin include polyimide resin, polyacrylic resin, polyamideimide resin, polyphenylene resin, melanin resin, and olefin resin. これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。 By incorporating these fillers, integrity and heat resistance of the thermal expansion coefficient, it is possible to improve the performance of the printed wiring board achieving such improvement in chemical resistance.

【0057】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。 [0057] Further, the resin film may contain solvent. 上記溶剤としては、例えば、アセトン、 Examples of the solvent include acetone,
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、 Methyl ethyl ketone, ketones such as cyclohexanone,
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。 Ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, toluene, aromatic hydrocarbons such as xylene and the like. これらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよい。 These may be used alone or in combination of two or more.

【0058】 [0058]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について図を参照して説明する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, will be explained with reference to the drawings an embodiment of the present invention. [第1実施形態]先ず、本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板として用いられる多層プリント配線板の構成について、図7及び図8を参照にして説明する。 First Embodiment First, a configuration of a multilayer printed wiring board used as a package substrate according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 図7 Figure 7
は、本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板10の断面図を示している。 Shows a cross-sectional view of a package substrate 10 according to the first embodiment of the present invention. 図8は、図7中の同軸スルーホール66を拡大して示す説明図である。 Figure 8 is an explanatory view showing an enlarged coaxial through hole 66 in FIG.

【0059】パッケージ基板10は、コア基板30の表面及び裏面にビルドアップ配線層80A、ビルドアップ配線層80Bが形成されている。 [0059] package substrate 10 on the front and back surfaces of the core substrate 30 build-up wiring layers 80A, build-up wiring layer 80B is formed. ビルドアップ配線層8 The build-up wiring layer 8
0A、ビルドアップ配線層80Bは、導体回路58及びバイアホール60の形成された層間樹脂絶縁層44と、 0A, build-up wiring layer 80B includes an interlayer resin insulating layer 44 formed of the conductor circuits 58 and via holes 60,
導体回路158及びバイアホール160の形成された層間樹脂絶縁層144とからなる。 Consisting formed conductor circuits 158 and via holes 160 interlayer resin insulating layer 144.. 表面側のビルドアップ配線層80Aと裏面側のビルドアップ配線層80Bとは、コア基板30に形成された信号線として用いられる同軸スルーホール66と、主としてアース線・電源線として用いられる導通用スルーホール34とを介して接続されている。 The surface side of the build-up wiring layers 80A and the back side of the build-up wiring layer 80B, the coaxial through hole 66 which is used as a signal line formed in the core substrate 30 mainly through a conductive to be used as ground wires, power supply lines It is connected via the holes 34. 層間樹脂絶縁層144の上にはソルダーレジスト層70が形成されており、ソルダーレジスト70 Are formed solder resist layer 70 is formed on the interlayer resin insulating layer 144, a solder resist 70
の開口部71を介して、導体回路158及びバイアホール160に半田バンプ76U、半田バンプ76Dが形成されている。 Through the openings 71, the solder bumps 76U on the conductor circuits 158 and via holes 160, the solder bumps 76D are formed. 表面側の半田バンプ76Uは、ICチップ90のパッド92に接続されている。 Solder bumps 76U on the surface side is connected to the pads 92 of the IC chip 90. 一方、裏面側の半田バンプ76D、もしくは外部端子部(BGA/PG On the other hand, the rear surface side of the solder bumps 76D, or the external terminal section (BGA / PG
A)は、ドータボード95のパッド96に接続されている。 A) it is connected to the pad 96 of the daughter board 95.

【0060】図8に示すように、同軸スルーホール66 [0060] As shown in FIG. 8, the coaxial through hole 66
は、外層スルーホール36及び内層スルーホール62から成る。 Consists outer through holes 36 and the inner layer through holes 62. 外層スルーホール36及び内層スルーホール6 The outer layer through-hole 36 and the inner layer through holes 6
2は、上述したように表面側のビルドアップ配線層80 2, the surface side as described above built-up wiring layer 80
Aと裏面側のビルドアップ配線層80Bとを接続している。 And it connects the build-up wiring layer 80B of the A and the back side. 外層スルーホール36は、コア基板30の貫通孔3 The outer layer through hole 36, the through-hole 3 of the core substrate 30
3の壁面に金属膜38が形成されて成る。 Metal film 38 is formed on the third wall surface formed by. そして、外層スルーホール36の内側には、外層樹脂絶縁層(外層樹脂充填剤)42が形成されている。 Then, the inside of the outer layer through hole 36, the outer layer resin insulating layer (the outer layer resin filler) 42 is formed. 外層樹脂絶縁層42 The outer resin insulating layer 42
の内側には、内層スルーホール62が形成されている。 Inside the inner layer through holes 62 are formed.

【0061】内層スルーホール62は、金属層50、無電解めっき膜52、電解めっき膜56の3層からなる。 [0061] inner through hole 62, the metal layer 50, the electroless plating film 52, a three-layer of electrolytic plated film 56.
なお、各2層で形成することも可能である。 It is also possible to form the respective two layers. また、内層スルーホール62の内側には、内層樹脂絶縁層(内層樹脂充填剤)64が形成されている。 Also, inside the inner through-hole 62, the inner resin insulating layer (the inner resin filler) 64 is formed. 信号線として用いられるスルーホール66を外層スルーホール36と内層スルーホール62とを同軸構造とすることにより、スルーホール66内での定在波や反射の発生を防ぐことが可能となる。 By the through holes 66 to be used as a signal line and a coaxial structure and the outer layer through hole 36 and the inner layer through holes 62, it is possible to prevent the generation of standing waves and reflections inside the through hole 66.

【0062】外層スルーホール36の内側にある外層樹脂絶縁層42、及び、内層スルーホール62の内側にある内層樹脂絶縁層64は、熱硬化性樹脂、硬化剤、無機粒子が配合された樹脂充填剤39を充填することにより形成される。 [0062] The outer layer resin insulating layer 42 on the inside of the outer layer through hole 36 and the inner layer resin insulating layer 64 on the inside of the inner through-hole 62, the thermosetting resin, curing agent, resin filling the inorganic particles are incorporated It is formed by filling the material 39. この樹脂充填剤39は、少なくとも無機粒子を10〜80vol%の範囲で配合させているため、外層樹脂絶縁層42と内層樹脂絶縁層64とコア基板30 The resin filler 39, since by blending at least inorganic particles in the range of 10~80Vol%, the outer layer resin insulating layer 42 and the inner resin insulating layer 64 and the core substrate 30
と層間絶縁層44との熱膨張率を整合させ、熱収縮による応力集中を防止できる。 To match the thermal expansion coefficient between the interlayer insulating layer 44 and can prevent the stress concentration due to heat shrinkage. したがって、クラックの発生を防止して、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。 Therefore, to prevent the occurrence of cracks, electrical connectivity, allowing an improvement in reliability.

【0063】なお、後述するように第1実施形態のパッケージ基板10では、ドリルを用いてコア基板20に貫通孔33を形成して外層スルーホール36を形成し、また、更に小径のドリルを用いて内層スルーホール62を形成する。 [0063] In the package substrate 10 of the first embodiment as described below, to form a through hole 33 in the core substrate 20 to form an outer layer through hole 36 using a drill, also further using a small diameter drill Te to form an inner layer through-hole 62. つまり、レーザではなく、ドリルを用いることで、外層スルーホール36及び内層スルーホール62 That is, rather than a laser, the use of the drill, the outer layer through hole 36 and the inner layer through holes 62
がテーパ状になるのを防止し、外層スルーホール36と内層スルーホール62との間の絶縁層を形成する外層樹脂絶縁層(樹脂充填剤)42の厚みを均一にする。 There preventing the tapers, a uniform outer layer resin insulating layer (resin filler) 42 Thickness of forming an insulating layer between the outer layer through hole 36 and the inner layer through holes 62. これにより、外層のスルーホール36と内層のスルーホール62との間のでの短絡を防止し、電気的接続性、信頼性を向上させる。 This prevents a short circuit in the between the through hole 36 and the inner layer of the through hole 62 of the outer layer, electrical connectivity, improving reliability.

【0064】引き続き、第1実施形態に係る上記パッケージ基板10の製造方法について図1〜図8を参照して説明する。 [0064] Subsequently, with reference to FIGS illustrating a method for manufacturing the package substrate 10 according to the first embodiment. ここでは、先ず、該パッケージ基板の製造方法に用いるA. Here, first, used in the production method of the package substrate A. 樹脂充填剤の組成について説明する。 The composition of the resin filler is described.

【0065】A. [0065] A. 樹脂充填剤の調製 〔熱硬化性樹脂〕 ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル製、 Preparation of resin filler [thermosetting resin] bisphenol F-type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell,
分子量310 、YL983U)100重量部。 Molecular weight 310, YL983U) 100 parts by weight. 〔硬化剤〕 イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)6.5 重量部。 Curing Agent] imidazole curing agent (made by Shikoku Kasei Co., 2E4MZ-CN) 6.5 parts by weight. 〔無機粒子〕シリカ(アドマテック製、CRS 1101−C [Inorganic Particles] silica (Admatechs Ltd., CRS 1101-C
E、ここで、使用するシリカは表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径 1.6μmのSiO 2 E, where the average particle diameter 1.6μm silica silane coupling agent to the surface-coated for use SiO 2
球状粒子、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターンの厚み(15μm)以下とする) 170重量部。 Spherical particles, the size of the maximum particle is not more than the thickness of the inner layer copper pattern to be described later (15 [mu] m)) 170 parts by weight. 第1実施形態では、樹脂充填剤に添加する無機粒子は、上述したように10〜80vol%、ここでは、50vol%にする。 In the first embodiment, the inorganic particles added to the resin filler is 10~80Vol% as described above, here, to 50 vol%. 上記ビスフェノールF型エポキシモノマー、イミダゾール硬化剤、シリカにレベリング剤(サンノプコ製、ペレノールS4)1.5 重量部を攪拌混合することにより、その混合物の粘度を23±1℃で5〜30Pa. The bisphenol F-type epoxy monomer, an imidazole curing agent, silica leveling agent by mixing and stirring the (San Nopco Ltd., Perenol S4) 1.5 parts by weight, 5~30Pa the viscosity of the mixture at 23 ± 1 ° C.. Sに調整する。 Adjusted to S. 第1実施形態では、粘度5Pa. In the first embodiment, the viscosity 5 Pa. Sに調整して得たものを用いる。 Use those obtained by adjusting the S.

【0066】パッケージ基板の製造 (1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT [0066] Production of the package substrate (1) having a thickness of 0.8mm glass epoxy resin or BT
(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる基板30 Substrate 30 made of - (triazine bismaleimide) resin
の両面に12μmの銅箔31がラミネートされている銅張積層板30Aを出発材料とする(図1(A))。 Copper foil 31 of 12μm on both surfaces as a starting material a copper-clad laminate 30A being laminated (FIG. 1 (A)). なお、FR4、FR5、ガラスエポキシ樹脂などの補強材が含浸された基材などを用いることができる。 Incidentally, FR4, FR5, reinforcements such as glass epoxy resin or the like can be used impregnated substrate. 予め多層にしたコア基板を用いてもよい。 It may be used a core substrate in advance a multilayer.

【0067】(2)この銅張積層板30Aをドリルで削孔し、直径300μmの導通用スルーホール貫通孔32 [0067] (2) The copper-clad laminate 30A was drilled with a drill, conductive through holes through-hole having a diameter of 300 [mu] m 32
と直径350μmの外層スルーホール用貫通孔33を形成する(図1(B))。 And forming the outer layer through hole through hole 33 of diameter 350 .mu.m (FIG. 1 (B)). レーザを用いて削孔してもよいが、テーパとなるのを防ぐためドリルを用いるのが好適である。 It may be drilled using a laser, but it is preferred to use a drill to prevent the a tapered. 本実施形態では、同軸スルーホールと通常のスルーホールとを混在させているため、それぞれを別々のドリルを用いて形成する。 In the present embodiment, since the mix coaxial through hole and the normal through holes, formed respectively by using a separate drill. 外層スルーホール用貫通孔3 For the outer layer through-hole through-hole 3
3の開口径は、200〜400μmで形成するのがよい。 Opening diameter of 3 is preferably formed at 200 to 400. 特に望ましいのは、250〜350μmである。 Especially desirable are 250~350Myuemu. また、導通用スルーホール用貫通孔32の開口径は、50 Further, the opening diameter of the conducting through holes for the through holes 32, 50
〜400μmで形成するのがよい。 Preferably formed in ~400μm.

【0068】(3)続いて、基板30に無電解銅めっき処理を施し、導通用スルーホール34及び外層スルーホール36を形成する(図1(C))。 [0068] (3) Next, electroless copper plating treatment to the substrate 30 to form a conductive through-hole 34 and the outer layer through hole 36 (FIG. 1 (C)). さらに、銅箔31 In addition, the copper foil 31
にテンティング法やセミアディティブ法を用いて、基板30の両面に内層銅パターン(金属膜)38を形成する(図1(D))。 In using a tenting method or semi-additive method to form an inner layer copper pattern (metal film) 38 on both sides of the substrate 30 (FIG. 1 (D)).

【0069】(4)内層銅パターン(金属膜)38および導通用スルーホール34、外層スルーホール36を形成した基板30を水洗いし、乾燥させる。 [0069] (4) an inner layer copper pattern (metal film) 38 and the conductive through holes 34, wash the substrate 30 to form the outside layer through holes 36 and dried. その後、酸化浴(黒化浴)として、NaOH(20g/l),NaClO Then, as an oxidation bath (blackening bath), NaOH (20g / l), NaClO
2 2 (50g/l),Na 3 PO 4 (15g/l)、還元浴として、NaOH(2.7g/l),NaBH 4 (50g / l), Na 3 PO 4 (15g / l), as a reducing bath, NaOH (2.7g / l), NaBH 4 (1.0g/ (1.0g /
l)を用いた酸化−還元処理により、内層銅パターン(金属膜)38および導通用スルーホール34、外層スルーホール36の表面に粗化層34α、粗化層36α、 Oxidation using l) - by reduction treatment, roughened layer 34α the inner layer copper pattern (metal film) 38 and the conductive through holes 34, the surface of the outer layer through hole 36, Arakaso 36Arufa,
粗化層38αを設ける。 Providing a Arakaso 38α. (図1(E))めっき、エッチング処理などによって、粗化層を形成してもよい。 (FIG. 1 (E)) plating, by etching process, it may be formed roughened layer.

【0070】(5)導通用スルーホール34及び外層スルーホール36に、上記Aで調整した樹脂充填剤39を印刷で充填させる(図2(A))。 [0070] (5) in a conductive through-hole 34 and the outer layer through hole 36, is filled with the printed resin filler 39 prepared in the above A (Fig. 2 (A)). 導通用スルーホール34及び外層スルーホール36に上記Aで調整した樹脂充填剤39を充填することで、クラックの発生を防止して、電気的接続性、信頼性を向上させる。 A conductive through-hole 34 and the outer layer through hole 36 by filling the resin filler 39 prepared in the above A, to prevent the occurrence of cracks, electrical connectivity, improving reliability. ここで、従来の充填剤(熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、もしくはその樹脂複合体)をベースにして、有機樹脂フィラー、無機フィラー、金属フィラーなどを配合してコア基板と内層充填剤との熱膨張の整合を行ってもよい。 Here, conventional fillers (thermosetting resin, thermoplastic resin, or a resin complex) was based, organic resin filler, an inorganic filler, such as metal filler by blending the core substrate and the inner filler it may be subjected to a matching of the thermal expansion. この際、フィラーの配合量は、10〜80vol%であることが望ましい。 At this time, the amount of the filler is desirably 10~80vol%. 80℃で30分、充填剤を半硬化した。 30 minutes at 80 ° C., to semi-cure the filler. 半硬化したのは、研磨し易くするためである。 It was semi-cured is to facilitate polishing.

【0071】(6)上記(5)の処理を終えた基板30 [0071] (6) substrate 30 having been subjected to the treatment of the above-mentioned (5)
の片面をベルト研磨紙(三共理化学社製)を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路(内層銅パターン)38の表面や導通用スルーホール34、外層スルーホール36のランド34a、ランド36a表面に樹脂充填剤39が残らないように研磨を行う。 One side of the belt sander polishing using belt abrasive paper (Sankyo Rikagaku Co., Ltd.), the lower conductor circuits (inner layer copper pattern) 38 of the surface and conductive through holes 34, a land 34a of the outer layer through hole 36, the land 36a surface polishing performed so that the resin filler 39 is not left. ついで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。 Subsequently, a buffing for removing scratches caused by the belt sander polishing. この工程を基板の他方の面についても同様に行う。 Similarly performed for the other side of the step board. そして、充填した樹脂充填剤39を加熱硬化させて、導通用スルーホール34内に樹脂絶縁層40を、外層スルーホール36内に外層樹脂絶縁層42を形成する(図2(B))。 Then, by heating and curing the resin filler 39 filled, the resin insulating layer 40 in a conductive through-hole 34, to form the outer layer resin insulating layer 42 in the outer layer through hole 36 (FIG. 2 (B)). バフ研磨のみで行ってもよい。 It may be carried out only by buffing.

【0072】(7)次に、上記(6)の処理を終えた基板30の両面に、上記(4)と同様に一旦平坦化された下層導体回路38の表面と導通用スルーホール34及び外層スルーホール36のランド34a、ランド36a表面とをエッチングを施すことにより、下層導体回路38 [0072] (7) Next, the both surfaces processing of the substrate 30 after completion of the (6), (4) as well as once flattened underlying conductor circuit 38 surface and the conductive through-hole 34 and the outer layer of land 34a of the through hole 36, the land 36a surface by etching, the lower layer conductor circuits 38
の表面及びランド34a、ランド36a表面に粗化面3 Surface and lands 34a of the roughened surface 3 to the land 36a surface
4β、粗化面36β、粗化面38βを形成する(図2 4.beta., Roughened surface 36Beta, to form a roughened surface 38Beta (Figure 2
(C))。 (C)). エッチング液としては、第二銅錯体と有機酸塩からなるものである。 The etchant is made of cupric complex and organic acid salts. 無電解めっきや酸化還元処理を用いて粗化面を形成することもできる。 It is also possible to form the roughened surface by using an electroless plating or oxidation reduction treatment.

【0073】(8)上記(7)工程を終えた基板30の両面に、厚さ50μmの可溶性フィラーを含む熱硬化型樹脂シートを温度50〜150℃まで昇温しながら圧力5kg/cm 2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁層44を設ける(図2(D))。 [0073] (8) on both sides of a substrate 30 having been subjected to the above (7) step, the thermosetting resin sheet comprising a soluble filler thickness 50μm at a pressure 5 kg / cm 2 while raising the temperature to a temperature 50 to 150 ° C. vacuum crimp lamination, providing the interlayer resin insulating layer 44 (FIG. 2 (D)). 層間樹脂絶縁層としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂からなる樹脂あるいは、それらに感光性を有する基を置換した樹脂でもよい。 As the interlayer resin insulating layer, a thermosetting resin, or a resin composed of a thermoplastic resin, it may be those in a resin obtained by substituting a group having photosensitivity. 具体例として、エポキシ樹脂、ポリフェノール樹脂、ポリイミド樹脂等のプリント配線板に使用されている樹脂がある。 As a specific example, there is a resin epoxy resin, polyphenol resin, are used in the printed wiring board such as a polyimide resin. また、高周波領域において低誘電率である樹脂を用いてもよい。 It is also possible to use a resin which is a low dielectric constant in a high frequency region. 樹脂の真空圧着時の真空度は、 The degree of vacuum during vacuum pressure bonding resins,
10mmHgである。 Is 10mmHg. なお、ここでは樹脂フィルムを貼り付けて層間絶縁層を形成したが、印刷機を用いて、樹脂を塗布することにより層間絶縁層を形成してもよい。 Here, although an interlayer insulating layer adhered to the resin film, using a printing press, may be an interlayer insulating layer by applying a resin.

【0074】(9)次に、層間樹脂絶縁層44にバイアホールとなる開口46を形成する(図2(E))。 [0074] (9) Next, to form an opening 46 as a via hole in the interlayer resin insulating layer 44 (FIG. 2 (E)). ここでは、炭酸(CO 2 )ガスレーザにて、ビーム径5m Here, at carbonate (CO 2) gas laser, the beam diameter 5m
m、パルス幅15μ秒、マスクの穴径0.8mm、1ショットの条件で層間樹脂絶縁層44に直径80μmのバイアホール用開口46を設ける。 m, the pulse width 15μ seconds, the hole diameter of the mask 0.8 mm, providing the openings for via holes 46 with a diameter of 80μm in the interlayer resin insulating layer 44 in one shot condition.

【0075】(10)径60〜200μmのドリルを用いて、コア基板30に形成された外層スルーホール36 [0075] (10) using a drill of diameter 60~200Myuemu, the outer layer through hole 36 formed in the core substrate 30
の外層樹脂絶縁層42及び層間樹脂絶縁層44を貫通する内層スルーホール用貫通孔48を形成する(図3 Through holes 48 to form a for inner through-holes penetrating the outer layer resin insulating layer 42 and interlayer resin insulating layer 44 (FIG. 3
(A))。 (A)). 内径150μmの内層スルーホール用貫通孔48を形成した。 It was formed for the inner layer through holes through-hole 48 having an inner diameter of 150 [mu] m. 必要に応じて、内層スルーホール用貫通孔48内のスミアを過マンガン酸などのウェットプロセスあるいはプラズマ、コロナ処理などのドライエッチング処理で除去する。 If necessary, remove the smear of the through hole 48 for the inner through-hole wet process or a plasma, such as permanganic acid, a dry etching process such as corona treatment. 内層スルーホール用貫通孔48の径は、75〜200μmで形成されるのがよい。 Diameter of the inner layer through hole through hole 48 may be formed of a 75~200Myuemu. 特に望ましいのは、100〜150μmである。 Especially desirable are 100-150 .mu.m. 第1実施形態では、ドリルを用いて垂直壁を有するスルーホール用貫通孔48を形成するため、レーザと異なり内層スルーホールの形状がテーパ状になるのを防止できる。 In the first embodiment, for forming the through-hole 48 for a through-hole having a vertical wall using a drill, the shape of the inner through-hole different from the laser can be prevented tapers. したがって、後述する工程で形成される内層スルーホールと外層スルーホールとの間で短絡の発生を防ぐことができる。 Therefore, it is possible to prevent the occurrence of a short circuit between the inner through hole and an outer through-hole formed in a step described later.

【0076】(11)次に、クロム酸、過マンガン酸塩などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶縁層44の粗化面44αを設ける(図3(B)参照)。 [0076] (11) Next, chromic acid, by immersion in the oxidant like such as permanganate, providing roughened surfaces 44α interlayer resin insulating layer 44 (see FIG. 3 (B)).
該粗化面44αは、0.1〜5μmの範囲で形成されることがよい。 Roughened surfaces 44α is good to be formed in the range of 0.1 to 5 [mu] m. その一例として、過マンガン酸ナトリウム溶液50g/l、温度60℃中に5〜25分間浸漬させることによって、2〜3μmの粗化面44αを設ける。 As an example, sodium permanganate solution 50 g / l, by dipping 5-25 minutes in a temperature 60 ° C., providing a roughened surface 44α of 2 to 3 [mu] m.
上記以外には、層間樹脂絶縁層44にプラズマ処理を行い、層間樹脂絶縁層44の表層を粗化し、粗化層44α In addition to the above, the plasma treatment is performed to the interlayer resin insulating layer 44, to roughen the surface layer of the interlayer resin insulating layer 44, Arakaso 44α
を形成する。 To form. この際には、不活性ガスとしてアルゴンガスを使用し、電力200W、ガス圧0.6Pa、温度7 At this time, by using the argon gas as an inert gas, power 200 W, gas pressure 0.6 Pa, temperature 7
0℃の条件で(プラズマ装置日本真空技術株式会社製 Under the conditions of 0 ℃ (plasma device ULVAC Co., Ltd.
SV−4540)、2分間プラズマ処理を実施する。 SV-4540), to implement the 2 minutes plasma treatment.

【0077】(12)層間樹脂絶縁層44の表層および内層スルーホール用貫通孔48にスパッタリングでCu [0077] (12) Cu at the surface and sputtering inner through hole through hole 48 of the interlayer resin insulating layer 44
(又はNi、P、Pd、Co、W)の合金をターゲットした金属層50を形成する(図3(C))。 (Or Ni, P, Pd, Co, W) to form a metal layer 50 which alloy was target (FIG. 3 (C)). 形成条件として、気圧0.6Pa、温度80℃、電力200W、時間5分(プラズマ装置日本真空技術株式会社製 SV− As forming conditions, pressure 0.6 Pa, temperature 80 ° C., power 200 W, for 5 minutes (plasma apparatus ULVAC Co. SV-
4540)で実施する。 Carried out in 4540). これにより、層間樹脂絶縁層4 Thus, interlayer resin insulating layer 4
4の表層と内層スルーホール用貫通孔48に合金層を形成させることができる。 4 the surface layer and the inner layer a through hole through hole 48 can be formed an alloy layer. このときの金属層50の厚みは、0.2μmである。 The thickness of the metal layer 50 at this time is 0.2 [mu] m. 金属層50の厚みとしては、 The thickness of the metal layer 50,
0.1〜2μmがよい。 0.1~2μm is good. スパッタ以外には、蒸着、スパッタなどを行わないで、めっき層を形成させてもよい。 Besides sputtering, vapor deposition, without performing the sputtering, it may be formed a plating layer.
あるいは、これらの複合体でもよい。 Alternatively, or in these complexes.

【0078】めっきの一例を説明する。 [0078] illustrating an example of the plating. 基板30をコンディショニングし、アルカリ触媒液中で触媒付与を5分間行う。 To condition the substrate 30, it performs catalyst application 5 minutes in an alkali catalyst liquid. 基板30を活性化処理し、ロッシェル塩タイプの化学銅めっき浴で厚さ0.6μmの無電解めっき膜5 The substrate 30 activation treatment, electroless plating film having a thickness of 0.6μm by chemical copper plating bath of Rochelle salt type 5
2を付ける(図3(D))。 Attach 2 (FIG. 3 (D)). 化学銅メッキのメッキ条件: CuSO 4・5H 2 O 10g/l HCHO 8g/l NaOH 5g/l ロッシェル塩 45g/l 添加剤 30ml/l 温度 30℃ メッキ時間 18分 Chemical copper plating plating conditions: CuSO 4 · 5H 2 O 10g / l HCHO 8g / l NaOH 5g / l Rochelle salt 45 g / l additive 30 ml / l Temperature 30 ° C. Plating time 18 min

【0079】(13)金属膜52上に、厚さ25μmの感光性フィルム(ドライフィルム)を貼り付けて、マスクを載置して、100 mJ/cm で露光、0.8 %炭酸ナトリウムで現像処理し、めっきレジスト54を設ける(図4(A))。 [0079] (13) on the metal film 52, paste photosensitive film having a thickness of 25μm (the dry film), by placing a mask, exposed with 100 mJ / cm 2, developed with 0.8% sodium carbonate and, providing the plating resist 54 (FIG. 4 (a)).

【0080】(14)無電解めっき膜52上のめっきレジスト54の非形成部に下記条件で電解めっきを施し、 [0080] (14) subjected to electrolytic plating under the following conditions to the non-formation portion of the plating resist 54 on the electroless plated film 52,
電解めっき膜56を形成する(図4(B))。 Forming an electrolytic plating film 56 (FIG. 4 (B)). 電解めっき膜56の厚みとしては、5〜20μmがよい。 The thickness of the electroless plated film 56, it is 5 to 20 [mu] m. 電解めっきのめっき条件 CuSO 4・5H 2 O 140g/l H 2 SO 4 120g/l Cl - 50mg/l 添加剤 300mg/l スルホン酸アミン 100mg/l 温度 25℃ 電流密度 0,8A/dm 2メッキ時間 30分 膜厚 18μm Plating conditions of the electrolytic plating CuSO 4 · 5H 2 O 140g / l H 2 SO 4 120g / l Cl - 50mg / l additive 300 mg / l acid amine 100 mg / l Temperature 25 ° C. Current density 0,8A / dm 2 plating time 30 minutes film thickness of 18μm

【0081】(15)次いで、50℃、40g/lのN [0081] (15) Then, 50 ℃, 40g / l of N
aOH水溶液中でめっきレジスト54を剥離除去する。 The plating resist 54 is separated and removed in aOH solution.
その後、硫酸―過酸化水素水溶液を用い、エッチングにより、めっきレジスト54下の金属層50及び無電解めっき膜52を除去して、層間樹脂絶縁層44上に導体回路58(バイアホール60を含む)を形成し、外層スルーホール36内に内層スルーホール62を形成する。 Thereafter, sulfuric acid - with hydrogen peroxide aqueous solution, by etching, (including via holes 60) by removing the metal layer 50 and electroless plated film 52 under the plating resist 54, the conductor circuit 58 on interlayer resin insulation layer 44 It is formed and to form the inner through hole 62 in the outer layer through hole 36. その後、導体回路58、バイアホール60及び内層スルーホール62の表面に粗化処理を施す(図4(C))。 Then, the conductor circuit 58, subjected to a roughening treatment on the surface of the via hole 60 and the inner layer through holes 62 (FIG. 4 (C)).

【0082】(16)次に、前述(4)〜(6)の工程と同様に、内層スルーホール62内にも上記Aで調整した樹脂充填剤39を充填する(図4(D))。 [0082] (16) Next, similar to the process described above (4) to (6), also filled with the resin filler 39 prepared in the above A in the inner layer through holes 62 (FIG. 4 (D)). その後、 after that,
樹脂充填剤39を研磨する。 Polishing the resin filler 39. 研磨は、片面をバフ等の研磨材入りの不織布を用いて、内層層スルーホール62のランド62a表面に樹脂充填剤39が残らないように研磨を行う。 Polishing one side with a polishing material containing nonwoven buffing or the like, and polished so that the resin filler 39 on the lands 62a surface of the inner layer through hole 62 does not remain. この工程を基板の他方の面についても同様に行う。 Similarly performed for the other side of the step board. そして、充填した樹脂充填剤39を加熱硬化させて、内層スルーホール62内に内層樹脂絶縁層64を形成する(図5(A))。 Then, by heating and curing the resin filler 39 filled to form the inner resin insulating layer 64 in the inner layer through holes 62 (FIG. 5 (A)). これにより、外層スルーホール36及び内層スルーホール62から成る同軸スルーホール66を形成する。 This forms a coaxial through-hole 66 consisting of the outer layer through hole 36 and the inner layer through holes 62. 第1実施形態では、樹脂充填剤39 In the first embodiment, the resin filler 39
への無機粒子の配合量を80vol%以下にしてあるため、ベルトサンダー研磨などの機械研磨を行わずに容易に研磨を行うことができ、層間絶縁層44を傷つけることなく、また、層間絶縁層44の粗化面を失うことなく研磨することが可能になる。 Because you have the following 80 vol% the amount of the inorganic particles into, it can be performed easily polished without mechanical polishing such as belt sander polishing, without damaging the interlayer insulating layer 44, also the interlayer insulating layer it is possible to polish without losing roughened surface 44.

【0083】ここでは、樹脂充填剤39を充填することによって内層スルーホール62を形成したが、印刷によって形成することもできる。 [0083] Here, to form the inside layer through hole 62 by filling the resin filler 39, it may be formed by printing. なお、従来の充填剤(熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、もしくはその樹脂複合体)をベースにして、有機樹脂フィラー、無機フィラーなどを配合して層間絶縁層と外層充填剤との熱膨張の整合を行ってもよい。 Incidentally, conventional fillers (thermosetting resin, thermoplastic resin, or a resin complex) and in the base, an organic resin filler, such as by blending the inorganic filler in thermal expansion between the interlayer insulating layer and the outer layer filler matching may be performed. この際、配合量は、10〜80vol%、粘度は、5〜50Pa. In this case, the amount is, 10~80Vol%, the viscosity, 5 to 50 Pa. Sであることが望ましい。 It is desirable that the S. また、 Also,
上記Aで整合した樹脂充填剤39によって、外層樹脂絶縁層42と内層樹脂絶縁層64とコア基板30と層間絶縁層44との熱膨張率を整合して、熱収縮による応力集中を防止できる。 The resin filler 39 that is aligned with the A, by matching the thermal expansion coefficient of the outer layer resin insulating layer 42 and the inner resin insulating layer 64 and the core substrate 30 and the interlayer insulating layer 44, thereby preventing stress concentration due to heat shrinkage. したがって、クラックの発生を防止して、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。 Therefore, to prevent the occurrence of cracks, electrical connectivity, allowing an improvement in reliability.

【0084】(17)その後、上層に層間樹脂絶縁層1 [0084] (17) Then, the interlayer upper insulating resin layer 1
44を形成し、前述(9)〜(16)の工程を経て、導体回路158(スルーホール160を含む)を形成し、 44 is formed, through the steps described above (9) to (16), to form a conductor circuit 158 ​​(including the through hole 160),
6層からなるパッケージ基板を得る(図5(B))。 Obtaining a package substrate made of six layers (FIG. 5 (B)).

【0085】(18)一方、DMDGに溶解させた60重量%のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオリゴマー(分子量4000)を 46.67g、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコート1001)15.0g、イミダゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ−C [0085] (18) On the other hand, 46.67G photosensitive imparting oligomer 50% epoxy group was acrylated of 60 wt% cresol novolac type epoxy resin dissolved in DMDG (manufactured by Nippon Kayaku) (molecular weight 4000), 80 wt% of bisphenol a type, dissolved in methyl ethyl ketone epoxy resin (manufactured by Yuka shell, Epikote 1001) 15.0 g, imidazole curing agent (made by Shikoku Kasei Co., Ltd. trade name: 2E4MZ-C
N)16g、感光性モノマーである多価アクリルモノマー(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アクリルモノマー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、に分散系消泡剤(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さらにこの混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン(関東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケトン(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・ N) 16g, photosensitive monomer and a polyvalent acrylic monomer (manufactured by Nippon Kayaku Co., R604) 3 g, similarly polyvalent acrylic monomer (Kyoeisha Chemical Co., DPE6A) 1.5g, the dispersion type defoaming agent (San Nopco Co., S -65) 0.71 g were mixed, further 2g of benzophenone (made by Kanto Kagaku Co., Ltd.) as a photoinitiator for this mixture, Michler's ketone (made by Kanto Kagaku Co., Ltd.) as a photosensitizer was added 0.2 g, viscosity 25 ℃ 2.0Pa · in
sに調整したソルダーレジスト組成物を得る。 Obtaining a solder resist composition adjusted to s. なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で 60rpm The viscosity measurements, 60 rpm by a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type)
の場合はローターNo.4、6rpm の場合はローターNo.3による。 In the case of the case of the rotor No.4,6rpm According to the rotor No.3.

【0086】(19)前述(18)で得られたパッケージ基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を20μm [0086] (19) on both sides of the package substrate obtained in the above (18), 20 [mu] m and the solder resist composition
の厚さで塗布する。 It is applied at a thickness of. 次いで、70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行った後、円パターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのフォトマスクフィルムを密着させて載置し、1000mJ/cm の紫外線で露光し、DM Then 20 minutes at 70 ° C., after drying for 30 minutes was carried out at 70 ° C., a circle pattern (mask pattern) is brought into close contact with a photomask film having a thickness of 5mm drawn placed, 1000 mJ / cm 2 exposed with ultraviolet light, DM
TG現像処理する。 TG to a developing treatment. そしてさらに、80℃で1時間、 100℃ And further, 1 hour, 100 ° C. at 80 ° C.
で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加熱処理し、半田パッド部分(バイアホールとそのランド部分を含む)に開口部71を有するソルダーレジスト層70(厚み20μm)を形成する(図5(C))。 In 1 hour, 1 hour at 120 ° C., and heat treatment under the conditions of 3 hours at 0.99 ° C., the solder resist layer 70 having openings 71 in the solder pad portion (including the via-hole and land portion thereof) (thickness 20 [mu] m) formation to (FIG. 5 (C)). ICチップ接続の半田バンプを形成させる半田パッドは、開口径100〜170μmで開口させるのがよい。 Solder pads to form solder bumps of the IC chip connection, it is preferable to open at an opening diameter 100~170Myuemu. また外部端子接続のためBGA/PGAを配設させる半田パッドは開口径300〜650μmで開口させるのがよい。 The solder pads for providing the BGA / PGA for external terminal connection is better to be opened at an opening diameter 300~650Myuemu.

【0087】(20)その後、塩化ニッケル2.3 ×10 [0087] (20) Then, the nickel chloride 2.3 × 10
−1 mol/l、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10 −1 -1 mol / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10 -1 m
ol/l、クエン酸ナトリウム1.6 ×10 −1 mol/ ol / l, sodium citrate 1.6 × 10 -1 mol /
l、からなるpH=4.5の無電解ニッケルめっき液に、20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッケルめっき層72を形成する。 l, in an electroless nickel plating solution of pH = 4.5 consisting of, by immersion for 20 minutes to form a nickel plating layer 72 having a thickness of 5μm on the opening portion 71. その後、表層には、シアン化金カリウム7.6 ×10 −3 mol/l、塩化アンモニウム1.9 ×10 −1 mol/l、クエン酸ナトリウム1.2 × Thereafter, the surface layer, potassium gold cyanide 7.6 × 10 -3 mol / l, ammonium chloride 1.9 × 10 -1 mol / l, sodium citrate 1.2 ×
10 −1 mol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10 −1 10 -1 mol / l, sodium hypophosphite 1.7 × 10 -1
mol/lからなる無電解金めっき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ0. Was immersed for 7.5 minutes under conditions of 80 ° C. in an electroless gold plating solution consisting mol / l, the thickness on the nickel plated layer 72 0.
03μmの金めっき層74を形成する(図5(D))。 Forming a gold plated layer 74 of 03Myuemu (Fig 5 (D)).

【0088】(21)そして、ソルダーレジスト層70 [0088] (21) and, the solder resist layer 70
の開口部71に、ICチップ側には、低融点金属として半田ペーストを印刷して230℃でリフローすることにより、半田バンプ(半田体)76U、半田バンプ(半田体)76Dを形成し、パッケージ基板10を完成する(図6参照)。 The opening 71 of the IC chip side, by reflowing in print and 230 ° C. The solder paste as the low-melting-point metal, solder bumps (solder bodies) 76U, to form a solder bump (solder body) 76D, the package thereby completing the substrate 10 (see FIG. 6).

【0089】完成したパッケージ基板10の半田バンプ76Uに、ICチップ90のパッド92が対応するように載置し、リフローを行いICチップ90を搭載する。 [0089] the solder bumps 76U of the completed package substrate 10, pad 92 of the IC chip 90 is placed so as to correspond, for mounting the IC chip 90 performs a reflow.
このICチップ90を搭載したパッケージ基板10を、 The package substrate 10 mounted with the IC chip 90,
ドータボード95側のパッド96に対応するように載置してリフローを行い、ドータボード95へ取り付ける(図7参照)。 Perform reflow placed so as to correspond to the daughter board 95 side pad 96, attached to the daughter board 95 (see FIG. 7). これにより、BGAが配設され、外層スルーホールと内層スルーホールとを同軸構造としたスルーホール66を有するパッケージ基板10を得ることができる。 Thus, BGA is provided, it is possible to obtain a package substrate 10 having through holes 66 in which the outer layer through hole and the inner layer through hole coaxial structure.

【0090】パッケージ基板10のスルーホール66を充填している樹脂充填剤39に無機粒子を10〜80% [0090] The through hole 66 of the package substrate 10 to be that the resin filler 39 filled with inorganic particles 10% to 80%
配合することによって、熱収縮による応力の発生を防止できる。 By blending, it is possible to prevent occurrence of stress due to heat shrinkage. したがって、導体部分にクラックが発生するのを防止できるため、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。 Therefore, it is possible to prevent occurrence of cracks in the conductive portions, electrical connectivity, allowing an improvement in reliability.

【0091】本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板10の製造方法について、BGAを配設した場合を例示したが、図9に示すようにPGAを配設してもよい。 [0091] A method for manufacturing a package substrate 10 according to the first embodiment of the present invention, a case has been exemplified which is disposed a BGA, PGA may be disposed as shown in FIG.
PGAを配設した場合も(1)〜(21)までの工程は同様である。 May have disposed PGA up (1) to (21) steps are the same. それ以降の工程について説明する。 For the subsequent process will be described. まず、 First of all,
基板の下面側(ドータボード、マザーボードとの接続面)となる開口部71内に導電性接着剤78として半田ペーストを印刷する。 The lower surface side of the substrate to print a solder paste as the conductive adhesive 78 to become the opening 71 (the daughter board, the connection surface with the motherboard). 次に、導電性接続ピン97を適当なピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン9 Next, a conductive connection pin 97 is supported by attaching the appropriate pin holding device, conductive connection pins 9
7の固定部97Aを開口部71内の導電性接着剤78に当接させる。 7 of the fixed portion 97A is brought into contact with the conductive adhesive 78 in the opening 71. そしてリフローを行い、導電性接続ピン9 Secondly, the reflow, the conductive connecting pin 9
7を導電性接着剤78に固定する。 7 fixed to the conductive adhesive 78. また、導電性接続ピン97の取り付け方法としては、導電性接着剤78をボール状等に形成したものを開口部71内に入れる、あるいは、固定部97Aに導電性接着剤78を接合させて導電性接続ピン97を取り付け、その後にリフローさせてもよい。 As the method of attaching the conductive connection pins 97, the conductive adhesive 78 add those formed into a ball shape or the like in the opening 71, or by bonding the conductive adhesive 78 to the fixing portion 97A conductive mounting sexual connection pins 97, it may be subsequently reflowed. なお、上面の開口部71には、半田バンプ76 Incidentally, the opening 71 of the upper surface, solder bumps 76
を設ける。 The provision. これにより、PGAが配設され、外層スルーホールと内層スルーホールとを同軸構造としたスルーホール66を有するパッケージ基板10を得ることができる。 Thus, PGA is disposed, it is possible to obtain a package substrate 10 having through holes 66 in which the outer layer through hole and the inner layer through hole coaxial structure.

【0092】[第2実施形態]第2実施形態のパッケージ基板は、第1実施形態とほぼ同様である。 [0092] [Second Embodiment] package substrate of the second embodiment is substantially the same as the first embodiment. 但し、第2実施形態では、外層スルーホールに充填する樹脂充填剤には、無機粒子を40%配合させて、内層スルーホールに充填する樹脂充填剤には、無機粒子を65%配合させたものを用いて、同軸スルーホール66を形成している。 However things, in the second embodiment, the resin filler to be filled in the outer layer through hole, the inorganic particles are 40% formulation, the resin filler to be filled in the inner through-hole, in which the inorganic particles are 65% compounded using, to form a coaxial through-hole 66.
第2実施形態では、樹脂充填剤に無機粒子を配合することで、クラックの発生を防止する。 In the second embodiment, by blending the inorganic particles to resin filler, to prevent the occurrence of cracks.

【0093】[第3実施形態]第3実施形態に係るパッケージ基板の構成を図11に示し、図12中に図11中の同軸スルーホール66を拡大して示す。 [0093] [Third Embodiment shows the configuration of a package substrate according to a third embodiment in FIG. 11, showing an enlarged coaxial through hole 66 in FIG. 11 in FIG. 第3実施形態のパッケージ基板10は、第1実施形態とほぼ同様である。 The package substrate 10 of the third embodiment is substantially the same as the first embodiment. 但し、第3実施形態では、内層スルーホール62の真上に蓋めっき部94を形成し、蓋めっき部94を介して内層スルーホール62と上層のバイアホール160とを接続をしている。 However, in the third embodiment, to form a plated cover portion 94 directly above the inner through-hole 62, and the connection between the inner through-hole 62 and the upper via hole 160 through the cap plating unit 94. 蓋めっき部94を介在させることで、内層スルーホール62と上層のバイアホール160 By interposing the lid plating unit 94, the inner layer through hole 62 and the upper via hole 160
との接続性が向上する。 Connectivity with can be improved. そして、蓋めっき部94によって、内層スルーホール62の直上にバイアホール160 Then, the cover plating unit 94, the via holes 160 immediately above the inner through hole 62
を配設できるため、配線長を短縮できる。 Because it provided a can shorten the wiring length. なお、第3実施形態の外層樹脂絶縁層42及び内層樹脂絶縁層64には、第1実施形態と同様に無機粒子が10〜80vol% Note that the outer resin insulating layer 42 and the inner layer resin insulating layer 64 of the third embodiment, the inorganic particles as in the first embodiment 10~80Vol%
含有させてある。 It is allowed to contain.

【0094】ここで、第3実施形態のパッケージ基板の製造工程について説明する。 [0094] Here, a description will be given of a manufacturing process of the package substrate according to the third embodiment. なお、蓋めっき部94を配設した場合も(1)〜(16)までの製造工程は第1実施形態と同様である。 The manufacturing steps up to be (1) to (16) when disposed a lid plating unit 94 are the same as the first embodiment. それ以降の製造工程を図10を参照して説明する。 The subsequent manufacturing steps will be described with reference to FIG. 10.

【0095】(17)基板に無電解めっき用触媒を付与した後、無電解めっきを施し、無電解めっき膜68を形成する(図10(A))。 [0095] (17) After the electroless plating catalyst was applied to the substrate, electroless plating to form an electroless plated film 68 (FIG. 10 (A)). 第3実施形態では、内層スルーホール62内に充填される樹脂充填剤39の無機粒子を80vol%以下にしてあるため、触媒の付与量の低下や無電解めっき膜の反応停止を防止して、無電解めっき膜68を適正に析出させることができる。 In the third embodiment, since you have the inorganic particles of the resin filler 39 filled in the inner through hole 62 below 80 vol%, to prevent quenching of the reduction and the electroless plating film of the applied amount of the catalyst, an electroless plated film 68 can be properly deposited.

【0096】(18)次いで、基板に所定パターンのめっきレジスト67を形成した後、電解めっきを施して、 [0096] (18) Next, after forming a plating resist 67 having a predetermined pattern on a substrate, by electrolytic plating,
電解めっき膜69を形成する(図10(B))。 Forming an electrolytic plating film 69 (FIG. 10 (B)). その後、めっきレジスト67を剥離後、めっきレジスト67 Then, after peeling off the plating resist 67, the plating resist 67
下の無電解めっき膜68をライトエッチングで除くことにより、内層スルーホール62上に無電解めっき膜68 By removing the electroless plating film 68 below in light etching, electroless plating on the inner through hole 62 film 68
及び電解めっき膜69からなる蓋めっき部94を形成する(図10(C))。 And forming a plated cover portion 94 made of the electroless plated film 69 (FIG. 10 (C)).

【0097】(19)その後、上層に層間樹脂絶縁層1 [0097] (19) Then, the interlayer upper insulating resin layer 1
44を形成し、第1実施形態で前述した(9)〜(1 44 was formed, previously described in the first embodiment (9) - (1
6)の工程を経て、導体回路158(スルーホール16 Through the steps 6), conductor circuits 158 (through holes 16
0を含む)を形成し、6層からなるパッケージ基板を得る(図10(D))。 Forming a including 0), to obtain a package substrate made of six layers (FIG. 10 (D)). なお、以後の製造工程は、第1実施形態の(18)〜(21)と同様であるため、説明を省略する。 Incidentally, the subsequent manufacturing process is similar to that of the first embodiment (18) to (21), the description thereof is omitted. 第3実施形態では、内層樹脂充填剤64の無機粒子を80vol%以下にすることによって、蓋めっき形成の際の触媒の付与量の低下や、無電解めっき膜の反応停止を防ぐことができ、蓋めっきを適正に形成することで、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。 In the third embodiment, by making the inorganic particles of the inner layer resin filler 64 below 80 vol%, it is possible to prevent decrease in the applied amount of catalyst in the lid plating, a quenching of the electroless plating film, by appropriately forming the lid plating, electrical connectivity, allowing an improvement in reliability.

【0098】[第4実施形態]第4実施形態のパッケージ基板は、第3実施形態とほぼ同様である。 [0098] [Fourth Embodiment] package substrate of the fourth embodiment is substantially the same as the third embodiment. 但し、第4実施形態では、外層スルーホールに充填する樹脂充填剤には、無機粒子を40%配合させて、内層スルーホールに充填する樹脂充填剤には、無機粒子を65%配合させたものを用いて、同軸スルーホール66を形成している。 However things, in the fourth embodiment, the resin filler to be filled in the outer layer through hole, the inorganic particles are 40% formulation, the resin filler to be filled in the inner through-hole, in which the inorganic particles are 65% compounded using, to form a coaxial through-hole 66.

【0099】第4実施形態では、内層樹脂充填剤64の無機粒子を65vol%にすることによって、蓋めっき形成の際の触媒の付与量の低下や、無電解めっき膜の反応停止を防ぐことができ、蓋めっきを適正に形成することで、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。 [0099] In the fourth embodiment, by making the inorganic particles of the inner layer resin filler 64 to 65 vol%, decrease in the applied amount of catalyst in the lid plating, prevents the quenching of the electroless plated film can, by properly forming the lid plating, electrical connectivity, allowing an improvement in reliability.

【0100】[第1比較例]第1比較例は、第1実施形態のパッケージ基板と同様である。 [0100] First Comparative Example] The first comparative example is similar to the package substrate of the first embodiment. 但し、外層樹脂絶縁層及び内層樹脂絶縁層に無機粒子を5vol%配合した。 However, and 5 vol% blend of inorganic particles in the outer layer resin insulating layer and the inner layer resin insulating layer.

【0101】[第2比較例]第2比較例は、第1実施形態のパッケージ基板と同様である。 [0102] [Second Comparative Example] The second comparative example is the same as the package substrate of the first embodiment. 但し、外層樹脂絶縁層及び内層樹脂絶縁層に無機粒子を85vol%配合した。 However, the 85 vol% blend of inorganic particles in the outer layer resin insulating layer and the inner layer resin insulating layer.

【0102】[第3比較例]第3比較例は、第3実施形態のパッケージ基板と同様である。 [0102] [Third Comparative Example A third comparative example is similar to the package substrate according to the third embodiment. 但し、外層樹脂絶縁層及び内層樹脂絶縁層に無機粒子を5vol%配合した。 However, and 5 vol% blend of inorganic particles in the outer layer resin insulating layer and the inner layer resin insulating layer.

【0103】[第4比較例]第4比較例は、第3実施形態のパッケージ基板と同様である。 [0103] [Fourth Comparative Example A fourth comparative example is similar to the package substrate according to the third embodiment. 但し、外層樹脂絶縁層及び内層樹脂絶縁層に無機粒子を85vol%配合した。 However, the 85 vol% blend of inorganic particles in the outer layer resin insulating layer and the inner layer resin insulating layer.

【0104】第1〜第4実施形態のパッケージ基板と、 [0104] and the package substrate of the first to fourth embodiments,
第1〜第4比較例のパッケージ基板とを比較試験した結果を図13の図表に示す。 The results of the comparative test and a package substrate of the first to fourth comparative examples are shown in the table of FIG. 13. 第1〜第4実施形態のパッケージ基板では、ヒートサイクルをかけてもクラックが発生しなかったが、第1〜第4比較例のパッケージ基板ではクラックが発生した。 The package substrate of the first to fourth embodiments, cracking did not occur even over a heat cycle, cracks occurred in the package substrate of the first to fourth comparative examples. また、内層樹脂充填剤を充填した後に、研磨を行ったところ、第1〜第4実施形態及び第1、第3比較例のパッケージ基板では、層間樹脂絶縁層の状態は良好であったが、第2、第4比較例のパッケージ基板では、層間樹脂絶縁層に傷が付いた。 Further, after filling the inner resin filler was subjected to polishing, the first to fourth embodiments and the first, in the package substrate of the third comparative example, although the state of the interlayer resin insulating layer was good, second, the package substrate of the fourth comparative example, was scratched in the interlayer resin insulating layer. また、蓋めっきを形成する際に、第3、第4実施形態及び第3比較例では、良好に形成できたが、第4比較例では、適正に形成することができなかった。 Further, when forming the lid plating, third and fourth embodiment and the third comparative example, it was possible satisfactorily formed, in the fourth comparative example, could not be properly formed.

【0105】なお、上述した第1〜第4実施形態では、 [0105] In the first to fourth embodiments described above,
スルーホール66を同軸としたが、スルーホール66の外層スルーホール36と内層スルーホール66とを別々の信号線として用いることも可能である。 The through hole 66 has a coaxial, but it is also possible to use an outer layer through hole 36 and the inner layer through holes 66 of the through-hole 66 as a separate signal line. この場合には、コア基板の配線密度を高めることができる。 In this case, it is possible to increase the wiring density of the core substrate. また、 Also,
上述した第1〜第4実施形態では、外層スルーホール3 In the first to fourth embodiments described above, the outer layer through hole 3
6と内層スルーホール66により同軸構造としたが、外層スルーホール36と内層スルーホール66との間の外層樹脂充填剤として、高誘電率の樹脂を配設することでコンデンサとして用いることも可能である。 And a coaxial structure through 6 and the inner layer through holes 66, but as the outer layer resin filler between the outer layer through hole 36 and the inner layer through holes 66, it is also possible to use as a capacitor by locating the high dielectric constant of the resin is there.

【0106】第1〜第4実施形態のパッケージ基板と比較例のパッケージ基板を高温高湿(85℃、湿度85 [0106] The first to fourth package substrate of Comparative Example and the package substrate of Embodiment high temperature and high humidity (85 ° C., humidity of 85
%)条件下で、200時間おいて短絡試験を行った。 %) Under the conditions, it was short-circuit test at 200 hours. この試験結果を図13中の短絡として示す。 It shows the test results as a short-circuit in FIG. 実施形態では、内層の導体層と外層の導体層とで短絡などの発生は確認されなかった。 In the embodiment, occurrence of a short circuit between the inner conductor layer and the outer conducting layer was not confirmed. 比較例で粒子が多いものは、粒子を介して金属が移動するといる現象が発生したために、短絡が確認された。 There are many particles in comparative example, in a phenomenon am with via particle metal moves the short circuit was confirmed. 逆に粒子量の少ないものは、充填剤の空隙に起因して短絡が確認された。 What little amount of particles Conversely, short circuit was confirmed due to the gap filler.

【0107】 [0107]

【発明の効果】以上記述したように本発明では、外層スルーホール及び内層スルーホールに充填される樹脂充填剤には、無機粒子を10〜80vlo%配合させている。 In the present invention as described above, according to the present invention, the resin filler to be filled in the outer through-holes and inner layer through holes are inorganic particles are 10~80Vlo% formulation. つまり、無機粒子の配合量を10vol%以上にすることによって、樹脂充填剤の熱膨張率と、コア基板を形成している樹脂基板の熱膨張率と、層間樹脂絶縁層である樹脂フィルムの熱膨張率とが整合され、ヒートサイクル条件下においても熱収縮差による応力を発生することがない。 That is, by the amount of the inorganic particles more than 10 vol%, the thermal expansion coefficient of the resin filler, the thermal expansion coefficient of the resin substrate forming the core substrate, the resin film is an interlayer resin insulating layer heat and expansion coefficient is matched, no generation of stress due to thermal shrinkage difference even in a heat cycle conditions. したがって、樹脂基板と樹脂フィルムとの境目付近で、導体部分にクラックが発生するのを防止して、 Therefore, in the vicinity of the boundary between the resin substrate and the resin film, to prevent occurrence of cracks in the conductive portion,
電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。 Electrical connectivity, allowing an improvement in reliability. 層間樹脂絶縁層を構成する樹脂フィルムは、粗化処理によって粗化面を形成させる可溶性の粒子が含まれるが、樹脂充填剤の無機粒子の配合量を80vol%以下とすることで、熱膨張率の整合を取ることができる。 Resin film constituting the interlayer resin insulating layer, but are soluble particles to form a roughened surface by a roughening treatment, the amount of the inorganic particles in the resin filler is set to be lower than or equal 80 vol%, the coefficient of thermal expansion it is possible to take the matching. また、同軸スルーホール内での短絡を防止することができる。 Further, it is possible to prevent a short circuit in the coaxial through hole.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)は、 [1] (A), (B), (C), (D), (E) is
本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。 It is a manufacturing process view of a package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図2】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)は、 Figure 2 (A), (B), (C), (D), (E) is
本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。 It is a manufacturing process view of a package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図3】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。 [3] (A), (B), (C), (D) illustrate a manufacturing process of a package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図4】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。 [4] (A), (B), (C), (D) illustrate a manufacturing process of a package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図5】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。 [5] (A), (B), (C), (D) illustrate a manufacturing process of a package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板の断面図である。 6 is a cross-sectional view of a package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板にICチップを搭載し、ドータボードに取り付けた状態を示す断面図である。 [7] an IC chip to a package substrate according to the first embodiment of the present invention, is a cross-sectional view showing a state attached to the daughter board.

【図8】図7中の同軸スルーホールの構成を拡大して示す説明図である。 8 is an explanatory view showing an enlarged configuration of the coaxial through-hole in FIG.

【図9】本発明の第1実施形態の改変例に係るパッケージ基板の断面図である。 9 is a cross-sectional view of a package substrate according to a modified example of the first embodiment of the present invention.

【図10】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の第3実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図である。 [10] (A), (B), (C), (D) illustrate a manufacturing process of a package substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第3実施形態に係るパッケージ基板の断面図である。 11 is a cross-sectional view showing a package substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図12】図11中の同軸スルーホールの構成を拡大して示す説明図である。 12 is an explanatory view showing an enlarged configuration of the coaxial through-hole in FIG.

【図13】第1〜第4実施形態のパッケージ基板と、第1〜第4比較例のパッケージ基板とを比較試験した結果を示す図表である。 13 is a table showing the package substrate according to the first to fourth embodiments, the results of the comparative test and a package substrate of the first to fourth comparative examples.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

30 コア基板 34 導通用スルーホール 36 外層スルーホール 38 内層銅パターン 39 樹脂充填剤 40 樹脂絶縁層 42 外層樹脂絶縁層(外層樹脂充填剤) 44 層間樹脂絶縁層 48 内層スルーホール用貫通孔 50 金属層 52 無電解めっき膜 56 電解めっき膜 58 導体回路 60 バイアホール 62 内層スルーホール 64 内層樹脂絶縁層(内層樹脂充填剤) 66 同軸スルーホール 70 ソルダーレジスト層 71 開口部 72 ニッケルめっき層 74 金めっき層 76U、76D 半田バンプ 78 導電性接着剤 80A、80B ビルドアップ配線層 90 ICチップ 92 固定部 94 蓋めっき部 97 導電性接続ピン 144 層間樹脂絶縁層 158 導体回路 160 バイアホール 30 core substrate 34 conductive through holes 36 outer through-hole 38 inner layer copper pattern 39 resin filler 40 resin insulating layer 42 the outer resin insulating layer (the outer layer resin filler) 44 interlayer resin insulation layer 48 inner through hole through hole 50 a metal layer 52 electroless plated film 56 electrolytic plated film 58 the conductor circuit 60 the via hole 62 inner through-hole 64 inner resin insulating layer (the inner resin filler) 66 coaxial through hole 70 solder resist layer 71 opening 72 a nickel plating layer 74 gold plating layer 76U , 76D solder bumps 78 electrically conductive adhesive 80A, 80B buildup wiring layer 90 IC chip 92 fixed part 94 cover plated portion 97 conductive connection pins 144 interlayer resin insulating layer 158 conductor circuit 160 via holes

フロントページの続き Fターム(参考) 5E314 AA25 AA42 DD10 FF05 FF08 FF17 GG11 5E317 AA24 BB02 BB12 CC32 CC53 CD01 CD17 CD27 CD32 GG05 5E346 AA41 CC04 CC09 CC10 CC13 DD02 DD03 DD22 DD46 EE31 FF07 FF15 GG15 HH11 Front page of the continued F-term (reference) 5E314 AA25 AA42 DD10 FF05 FF08 FF17 GG11 5E317 AA24 BB02 BB12 CC32 CC53 CD01 CD17 CD27 CD32 GG05 5E346 AA41 CC04 CC09 CC10 CC13 DD02 DD03 DD22 DD46 EE31 FF07 FF15 GG15 HH11

Claims (8)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 スルーホールの形成されたコア基板の両面に層間絶縁層と導体回路とが積層されてなる多層プリント配線板において、 前記スルーホールの少なくとも一部は、前記コア基板の通孔の壁面に形成した外層スルーホールと、前記外層スルーホール内に外層樹脂充填剤を施して形成した内層スルーホールと、前記内層スルーホール内に充填した内層樹脂充填剤とからなる同軸構造として形成され、前記外層樹脂充填剤もしくは前記内層樹脂充填剤には、少なくとも熱硬化性樹脂と硬化剤と10〜80vol%の無機粒子とが配合されていることを特徴とする多層プリント配線板。 1. A multilayer printed wiring board sided interlayer insulating layer of the core substrate formed of the through-hole and a conductor circuit are laminated, at least a portion of the through hole, the through hole of the core substrate is formed and the outer layer through hole formed in the wall surface, the inner through-hole formed by subjecting the outer layer resin filler into the outer layer through hole, a coaxial structure composed of an inner layer resin filler filled in said inner through-holes, wherein the outer layer resin filler or the inner resin filler, a multilayer printed wiring board, characterized in that at least a thermosetting resin and a curing agent and 10~80Vol% of the inorganic particles are blended.
  2. 【請求項2】 スルーホールの形成されたコア基板の両面に層間絶縁層と導体回路とが積層されてなる多層プリント配線板において、 前記スルーホールの少なくとも一部は、前記コア基板の通孔の壁面に形成した外層スルーホールと、前記外層スルーホール内に外層樹脂充填剤を施して形成した内層スルーホールと、前記内層スルーホールの直上にめっきにより形成された蓋めっき層と、前記内層スルーホール内に充填した内層樹脂充填剤とからなる同軸構造として形成され、前記外層樹脂充填剤もしくは前記内層樹脂充填剤には、少なくとも熱硬化性樹脂と硬化剤と10〜80 2. A multilayer printed wiring board sided interlayer insulating layer of the core substrate formed of the through-hole and a conductor circuit are laminated, at least a portion of the through hole, the through hole of the core substrate an outer layer through hole formed in the wall surface, the inner through-hole formed by subjecting the outer layer resin filler into the outer layer through hole, and the cover plated layer formed by plating directly on the inner through-hole, said inner through-holes is formed as a coaxial structure composed of the inner layer resin filler filled within, above the outer layer resin filler or the inner resin filler, and at least a thermosetting resin and a curing agent 10 to 80
    vol%の無機粒子とが配合されていることを特徴とする多層プリント配線板。 Multilayer printed wiring board and vol% of the inorganic particles is characterized in that it is formulated.
  3. 【請求項3】 前記無機粒子は、アルミニウム化合物、 Wherein the inorganic particles, an aluminum compound,
    カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケイ素化合物のいずれか1種類以上を配合したことを特徴とする請求項1または2に記載の多層プリント配線板。 Calcium compound, a potassium compound, a magnesium compound, a multilayer printed wiring board according to claim 1 or 2, characterized in that blended with any one or more kinds of silicon compounds.
  4. 【請求項4】 前記無機粒子は、円形、楕円形、破砕形、多角形のいずれかであることを特徴とする請求項1 Wherein said inorganic particles, claim characterized circular, oval, crushing type, that is either polygonal 1
    または2に記載の多層プリント配線板。 Or a multilayer printed wiring board according to 2.
  5. 【請求項5】 前記外層スルーホール及び前記内層スルーホールの表面に粗化層を施したことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1に記載の多層プリント配線板。 5. A multilayer printed wiring board according to any one of claims 1 to 4, characterized in that roughening layer on the outer layer through holes and surfaces of the inner through hole.
  6. 【請求項6】 少なくとも(a)〜(f)の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法: (a)コア基板にドリルを用いて外層スルーホールを形成する工程; (b)前記外層スルーホール内に少なくとも熱硬化性樹脂と硬化剤と10〜80vol%の無機粒子とが配合された外層樹脂充填剤を充填する工程; (c)コア基板の両面に層間絶縁層を形成する工程; (d)ドリルを用いて前記外層スルーホールの内側に内層スルーホールを形成する工程; (e)前記内層スルーホール内に少なくとも熱硬化性樹脂と硬化剤と10〜80vol%の無機粒子とが配合された内層樹脂充填剤を充填する工程; (f)層間絶縁層と導体回路とを積層する工程。 6. At least (a) ~ a multilayer printed wiring board manufacturing method characterized by comprising the steps of (f): the step of forming the outer layer through hole using a drill (a) a core substrate; (b forming an interlayer insulating layer on both sides of (c) a core substrate;) filling at least a thermosetting resin and a curing agent and 10~80Vol% of the outer layer resin filler and is blended inorganic particles in the outer layer through hole to process; (d) step of forming the inner layer through holes on the inside of the outer layer through hole using a drill; (e) at least a thermosetting resin and a curing agent and 10~80Vol% of inorganic particles in the inner layer through holes step of filling the inner resin filler bets is blended; (f) an interlayer insulating layer and a conductor circuit and a step of laminating.
  7. 【請求項7】 少なくとも(a)〜(f)の工程を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法: (a)コア基板にドリルを用いて外層スルーホールを形成する工程; (b)前記外層スルーホール内に少なくとも熱硬化性樹脂と硬化剤と10〜80vol%の無機粒子とが配合された外層樹脂充填剤を充填する工程; (c)コア基板の両面に層間絶縁層を形成する工程; (d)ドリルを用いて前記外層スルーホールの内側に内層スルーホールを形成する工程; (e)前記内層スルーホール内に少なくとも熱硬化性樹脂と硬化剤と10〜80vol%の無機粒子とが配合された内層樹脂充填剤を充填する工程; (e)前記内層スルーホールの上にめっきにより蓋めっき層を施す工程; (f)層間絶縁層と導体回路とを積層する工程。 7. At least (a) ~ a multilayer printed wiring board manufacturing method characterized by comprising the steps of (f): the step of forming the outer layer through hole using a drill (a) a core substrate; (b forming an interlayer insulating layer on both sides of (c) a core substrate;) filling at least a thermosetting resin and a curing agent and 10~80Vol% of the outer layer resin filler and is blended inorganic particles in the outer layer through hole to process; (d) step of forming the inner layer through holes on the inside of the outer layer through hole using a drill; (e) at least a thermosetting resin and a curing agent and 10~80Vol% of inorganic particles in the inner layer through holes step of filling the door inner resin filler formulated is; (e) applying a cover plated layer by plating on the inner through-hole process; (f) an interlayer insulating layer and a conductor circuit and a step of laminating.
  8. 【請求項8】 前記内層スルーホール内に内層樹脂充填剤を充填した後、層間絶縁層の表面を研磨することを特徴とする請求項6又は請求項7の多層プリント配線板の製造方法。 8. After filling the inner resin filler in the inner layer through hole, a method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 6 or claim 7, characterized in that polishing the surface of the interlayer insulating layer.
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