JP2002271027A - Multi-layer printed board - Google Patents
Multi-layer printed boardInfo
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Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層プリント配線
板に関する。[0001] The present invention relates to a multilayer printed wiring board.
【0002】[0002]
【従来の技術】いわゆる多層ビルドアップ配線基板と呼
ばれる多層プリント配線板は、セミアディティブ法等に
より製造されており、コアと呼ばれる0.5〜1.5m
m程度のガラスクロス等で補強された樹脂基板の上に、
銅等による導体回路と層間樹脂絶縁層とを交互に積層す
ることにより作製される。この多層プリント配線板の層
間樹脂絶縁層を介した導体回路間の接続は、バイアホー
ルにより行われている。2. Description of the Related Art A multilayer printed wiring board called a so-called multilayer build-up wiring board is manufactured by a semi-additive method or the like.
m on a resin substrate reinforced with glass cloth, etc.
It is manufactured by alternately laminating a conductor circuit made of copper or the like and an interlayer resin insulating layer. The connection between the conductor circuits via the interlayer resin insulation layer of the multilayer printed wiring board is performed by via holes.
【0003】従来、ビルドアップ多層プリント配線板
は、例えば、特開平9−130050号公報等に開示さ
れた方法により製造されている。すなわち、まず、銅箔
が貼り付けられた銅張積層板に貫通孔を形成し、続いて
無電解銅めっき処理を施すことによりスルーホールを形
成する。続いて、基板の表面をフォトリソグラフィーの
手法を用いて導体パターン状にエッチング処理して導体
回路を形成する。次に、形成された導体回路の表面に、
無電解めっきやエッチング等により粗化面を形成し、そ
の粗化面を有する導体回路上に絶縁樹脂層を形成した
後、露光、現像処理を行ってバイアホール用開口を形成
し、その後、UV硬化、本硬化を経て層間樹脂絶縁層を
形成する。Conventionally, build-up multilayer printed wiring boards have been manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-130050. That is, first, a through hole is formed in the copper-clad laminate to which the copper foil is attached, and then a through hole is formed by performing an electroless copper plating process. Subsequently, the surface of the substrate is etched into a conductor pattern using a photolithography technique to form a conductor circuit. Next, on the surface of the formed conductor circuit,
After forming a roughened surface by electroless plating or etching, forming an insulating resin layer on the conductor circuit having the roughened surface, performing exposure and development processing to form a via hole opening, and then UV After curing and main curing, an interlayer resin insulating layer is formed.
【0004】さらに、層間樹脂絶縁層に酸や酸化剤など
により粗化形成処理を施した後、薄い無電解めっき膜を
形成し、この無電解めっき膜上にめっきレジストを形成
した後、電解めっきにより厚付けを行い、めっきレジス
ト剥離後にエッチングを行って、下層の導体回路とバイ
アホールにより接続された導体回路を形成する。これを
繰り返した後、最後に導体回路を保護するためのソルダ
ーレジスト層を形成し、ICチップ等の電子部品やマザ
ーボード等との接続のために開口を露出させた部分にめ
っき等を施して半田バンプ形成用パッドとした後、IC
チップ等の電子部品側に半田ペーストを印刷して半田バ
ンプを形成することにより、ビルドアップ多層プリント
配線板を製造する。また、必要に応じて、マザーボード
側にも半田バンプを形成する。Further, after performing a roughening treatment on the interlayer resin insulating layer with an acid or an oxidizing agent, a thin electroless plating film is formed, a plating resist is formed on the electroless plating film, and then an electrolytic plating is performed. Then, etching is performed after the plating resist is stripped to form a conductive circuit connected to the lower conductive circuit by a via hole. After repeating this, finally form a solder resist layer to protect the conductor circuit, apply plating etc. to the exposed part for connection with electronic components such as IC chip and motherboard etc. and solder After the pad for bump formation, IC
A build-up multilayer printed wiring board is manufactured by printing solder paste on an electronic component side such as a chip to form solder bumps. Further, if necessary, solder bumps are formed on the motherboard.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】また、近年、ICチッ
プの高周波数化に伴い、多層プリント配線板の高速化、
高密度化が要求されており、これに対応した多層プリン
ト配線板として、スタックビア構造(バイアホールの直
上にバイアホールが形成された構造)のバイアホールを
有する多層プリント配線板が提案されている(図19参
照)。しかしながら、このようなスタックビア構造のバ
イアホールを有する多層プリント配線板では、バイアホ
ールの近傍の層間樹脂絶縁層にクラックが発生すること
があった。特に、多層プリント配線板をヒートサイクル
条件下で一定時間放置した際に、クラックが発生するこ
とが多く、さらには、このクラックに起因して、バイア
ホール周辺の導体回路に剥離や断線が発生することがあ
った。In recent years, with the increase in the frequency of IC chips, the speed of multilayer printed wiring boards has been increased.
High density is required, and as a multilayer printed wiring board corresponding to this, a multilayer printed wiring board having a via hole of a stacked via structure (a structure in which a via hole is formed immediately above a via hole) has been proposed. (See FIG. 19). However, in a multilayer printed wiring board having a via hole having such a stacked via structure, cracks may occur in the interlayer resin insulating layer near the via hole. In particular, when a multilayer printed wiring board is left for a certain period of time under heat cycle conditions, cracks often occur, and further, due to the cracks, peeling or disconnection occurs in the conductor circuit around the via hole. There was something.
【0006】これは、スタックビア構造のバイアホール
を有する従来の多層プリント配線板600(図19
(a)および(b)参照)では、通常、バイアホール1
071〜1073のランド径が略同一であり、最外層の
バイアホール1071とこれに隣接する導体回路105
aとの間の導体回路非形成部の下方領域(図19中、A
領域)には、導体回路は存在せず、層間樹脂絶縁層10
2のみで形成されており、加えて、層間樹脂絶縁層に
は、ガラス繊維等の補強材も配合されていないため、こ
のA領域の機械的強度が充分でなく、そのため、クラッ
ク等が発生しやすいものと考えられる。This is a conventional multi-layer printed wiring board 600 having via holes of a stacked via structure (FIG. 19).
In (a) and (b)), the via hole 1 is usually used.
071 to 1073 have substantially the same land diameter, and the outermost via hole 1071 and the adjacent conductor circuit 105
a in the lower region of the conductor circuit non-forming portion (FIG. 19, A
Region), no conductor circuit exists, and the interlayer resin insulation layer 10
In addition, since the interlayer resin insulating layer does not contain a reinforcing material such as glass fiber, the mechanical strength of the region A is not sufficient, and cracks and the like occur. It is considered easy.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】そこで、本発明者らは鋭
意検討し、スタックビア構造を有するバイアホールのう
ちの少なくとも1つのバイアホールのランド径を、他の
ランド径と異なるものとすることにより、バイアホール
近傍の層間樹脂絶縁層にクラック等が発生する問題を解
消することができること見い出し、以下に示す内容を要
旨構成とする本発明に到達した。The inventors of the present invention have made intensive studies to make the land diameter of at least one of the via holes having a stacked via structure different from the other land diameters. As a result, it has been found that the problem of cracks or the like occurring in the interlayer resin insulating layer near the via hole can be solved, and the present invention has the following features.
【0008】即ち、第一の本発明のプリント配線板は、
基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層さ
れ、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホ
ールを介して接続された多層プリント配線板であって、
上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホール同
士は、スタックビア構造となるように形成されるととも
に、上記階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも
1つは、そのランド径が他のバイアホールのランド径と
異なることを特徴とする。That is, the printed wiring board of the first invention is
A multilayer printed wiring board in which a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are connected via via holes,
Among the via holes, via holes having different layers are formed so as to have a stacked via structure, and at least one of the via holes having different layers has a land diameter of a land of another via hole. It is characterized by being different from the diameter.
【0009】また、第二の本発明の多層プリント配線板
は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層
され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホー
ルを介して接続されるとともに、基板を挟んだ導体回路
間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線
板であって、上記スルーホールの直上に、スタックビア
構造を有するバイアホールが形成されるとともに、上記
スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なく
とも1つは、そのランド径が他のバイアホールのランド
径と異なることを特徴とする。In the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are interposed via holes. Connected, a multilayer printed wiring board in which the conductor circuits sandwiching the substrate are connected via through holes, and a via hole having a stack via structure is formed immediately above the through holes, and At least one of the via holes having the stacked via structure has a land diameter different from that of the other via holes.
【0010】また、第三の多層プリント配線板は、基板
上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層され、層
間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホールを介し
て接続されるとともに、基板および層間樹脂絶縁層を挟
んだ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層
プリント配線板であって、上記スルーホールの直上に、
スタックビア構造を有するバイアホールが形成されると
ともに、上記スタックビア構造を有するバイアホールの
うちの少なくとも1つは、そのランド径が他のバイアホ
ールのランド径と異なることを特徴とする。In the third multilayer printed wiring board, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are connected via via holes. Also, a multilayer printed wiring board in which the conductor circuits sandwiching the substrate and the interlayer resin insulating layer are connected via through holes, and directly above the through holes,
A via hole having a stacked via structure is formed, and at least one of the via holes having the stacked via structure has a land diameter different from that of another via hole.
【0011】また、第一〜第三の多層プリント配線板に
おいて、上記バイアホールのうちの少なくとも1つは、
その形状がフィールドビア形状であることが望ましい。[0011] In the first to third multilayer printed wiring boards, at least one of the via holes includes:
It is desirable that the shape be a field via shape.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】第一の本発明のプリント配線板
は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層
され、上記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイア
ホールを介して接続された多層プリント配線板であっ
て、上記バイアホールのうち、階層の異なるバイアホー
ル同士は、スタックビア構造となるように形成されると
ともに、上記階層の異なるバイアホールのうちの少なく
とも1つは、そのランド径が他のバイアホールのランド
径と異なることを特徴とする。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In a printed wiring board according to the first aspect of the present invention, a conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, and a via hole is formed between the conductive circuits sandwiching the interlayer resin insulating layer. A plurality of via holes having different levels among the via holes are formed to have a stacked via structure, and at least one of the via holes having different levels is different from each other. First, the land diameter is different from the land diameters of other via holes.
【0013】第一の本発明の多層プリント配線板では、
階層の異なるバイアホール同士がスタックビア構造とな
るように形成されている。このように、スタックビア構
造となるようにバイアホールが形成されている場合、配
線距離が短くなるため、信号電送時間を短縮することが
できるともに、導体回路の設計の自由度が向上するた
め、高密度配線により対応し易くなる。In the first multilayer printed wiring board of the present invention,
Via holes of different levels are formed so as to form a stacked via structure. As described above, when the via hole is formed so as to have a stacked via structure, the wiring distance is shortened, so that the signal transmission time can be shortened and the degree of freedom in designing the conductor circuit is improved. High density wiring makes it easier to respond.
【0014】また、上記多層プリント配線板において、
階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも一つは、
そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なる。
バイアホールがこのような構成を有する場合、ランド径
の大きなバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材とし
て役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強
度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層
でクラックが発生しにくい。これについて、以下に図面
を参照しながら説明する。図1〜図3は、それぞれ、
(a)が、第一の本発明の多層プリント配線板の一実施
形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、(b)が
(a)に示した多層プリント配線板のバイアホールをの
みを模式的に示した斜視図である。In the above-mentioned multilayer printed wiring board,
At least one of the via holes at different levels
The land diameter is different from the land diameters of other via holes.
When the via hole has such a configuration, the via hole having a large land diameter serves as a reinforcing material for the interlayer resin insulating layer, and the mechanical strength of the interlayer resin insulating layer is improved. Cracks are less likely to occur in the interlayer resin insulation layer. This will be described below with reference to the drawings. 1 to 3 respectively
(A) is a partial sectional view schematically showing a part of an embodiment of the first multilayer printed wiring board of the present invention, and (b) is a via hole of the multilayer printed wiring board shown in (a). FIG. 3 is a perspective view schematically showing only a.
【0015】第一の本発明の多層プリント配線板では、
階層の異なるバイアホールのうちの少なくとも1つは、
そのランド径が他のバイアホールのランド径と異なって
いる。具体的には、例えば、図1(a)および(b)に
示すように、内層のバイアホール1072のランド径が
最外層のバイアホール1071のランド径よりも大きく
なるように構成されている。この場合、各階層のそれぞ
れのバイアホールは、平面視した際の形状が円形状であ
り、かつ、同心円状となるように形成されている。ま
た、例えば、図2(a)および(b)に示すように、最
下層のバイアホール1073のランド径が最外層のバイ
アホール1071のランド径よりも大きくなるように構
成されていてもよい。この場合も、各階層のそれぞれの
バイアホールは、平面視した際の形状が円形状であり、
かつ、同心円状となるように形成されている。In the first multilayer printed wiring board of the present invention,
At least one of the via holes at different levels is
The land diameter is different from the land diameters of other via holes. Specifically, for example, as shown in FIGS. 1A and 1B, the land diameter of the via hole 1072 in the inner layer is configured to be larger than the land diameter of the via hole 1071 in the outermost layer. In this case, each via hole of each layer is formed so that the shape when viewed in plan is circular and concentric. For example, as shown in FIGS. 2A and 2B, the land diameter of the lowermost via hole 1073 may be larger than the land diameter of the outermost via hole 1071. Also in this case, each via hole of each layer has a circular shape when viewed in plan,
And it is formed so that it may become concentric.
【0016】さらには、図3(a)および(b)に示す
ように、内層のバイアホール1072のランド径および
最下層のバイアホール1073のランド径の一部が、そ
れぞれ最外層のバイアホール1071とこれに隣接する
導体回路105aとの間の導体回路非形成部の下方領域
(図中、A領域)の異なる部分で最外層のバイアホール
1071のランド径よりも大きくなるように構成されて
いもよい。この場合、各階層のそれぞれのバイアホール
は、平面視した際の形状が円形状であるが、その中心は
異なる位置、即ち、内層のバイアホールの中心と最下層
のバイアホールの中心とが、最外層のバイアホールの中
心を挟んだ反対側の位置に形成されている。なお、バイ
アホールを平面視した際の内層のバイアホールの中心お
よび最下層のバイアホールの中心は、最外層のバイアホ
ールの中心を挟んだ反対側の位置以外の位置にあっても
よい。Further, as shown in FIGS. 3A and 3B, the land diameter of the via hole 1072 of the inner layer and a part of the land diameter of the via hole 1073 of the lowermost layer are respectively changed to the via holes 1071 of the outermost layer. And a conductor circuit 105a adjacent to the conductor circuit 105a may be configured to have a larger diameter than the land diameter of the outermost via hole 1071 in a different portion (region A in the drawing) below the conductor circuit non-formed portion. Good. In this case, each via hole of each layer has a circular shape when viewed in plan, but the center is at a different position, that is, the center of the inner layer via hole and the center of the lowermost via hole are: It is formed at a position opposite to the center of the outermost via hole. The center of the via hole of the inner layer and the center of the via hole of the lowermost layer when the via hole is viewed in plan may be located at a position other than the position opposite to the center of the via hole of the outermost layer.
【0017】このような構成のスタックビア構造を有す
るバイアホールを形成した場合、最外層のバイアホール
とこれに隣接する導体回路との間の導体回路非形成部の
下方領域(A領域)の一部に、層間樹脂絶縁層102だ
けでなく、バイアホールのランド部分1072a、10
73aが存在することとなる。この場合、ランド部分が
層間樹脂絶縁層の補強材としての役割を果たすため、A
領域の機械的強度が向上し、クラックの発生や、導体回
路やバイアホールと層間樹脂絶縁層との間での剥離の発
生を防止することができる。なお、図1〜3において、
101は基板、114はソルダーレジスト層、117は
半田バンプである。In the case where a via hole having a stacked via structure having such a structure is formed, one of the regions (A region) below the conductor circuit non-formed portion between the outermost via hole and the conductor circuit adjacent thereto is formed. In addition to the interlayer resin insulation layer 102, the land portions 1072a,
73a will be present. In this case, since the land portion serves as a reinforcing material for the interlayer resin insulation layer, A
The mechanical strength of the region is improved, and the occurrence of cracks and the occurrence of peeling between the conductive circuit or via hole and the interlayer resin insulating layer can be prevented. In addition, in FIGS.
101 is a substrate, 114 is a solder resist layer, and 117 is a solder bump.
【0018】また、バイアホールの形状は、図1〜3に
示した形状に限定されるわけではなく、図示していない
が、例えば、内層のバイアホール1072のランド径と
最下層のバイアホール1073のランド径とが、ともに
最外層のバイアホールのランド径よりも大きくなるよう
に構成されていてもよい。また、各階層のバイアホール
のランド径はそれぞれが互いに異なっていてもよい。ま
た、上述した例では、各階層のバイアホールを平面視し
た際の形状は、円形状であったが、バイアホールを平面
視した際の形状は、これに限定されず、例えば、楕円形
状や矩形状等であってもよい。The shape of the via hole is not limited to the shape shown in FIGS. 1 to 3 and is not shown. For example, the land diameter of the inner via hole 1072 and the via hole 1073 of the lowermost layer are not shown. May be configured to be larger than the land diameter of the outermost via hole. Further, the land diameter of the via hole in each layer may be different from each other. In addition, in the above-described example, the shape when the via holes of each layer are viewed in plan is circular, but the shape when the via holes are viewed in plan is not limited to this. It may be rectangular or the like.
【0019】また、第一の本発明の多層プリント配線板
において、スタックビア構造を有するバイアホールの層
数は、2層以上であれば特に限定されず、図示した多層
プリント配線板のように3層であってもよいし、2層や
4層以上であってもよい。なお、本明細書において、バ
イアホールのランド径とは、バイアホール用開口の外縁
からバイアホールの外縁までの距離をいい、例えば、図
1(a)中に示す距離Lをいう。In the multilayer printed wiring board of the first aspect of the present invention, the number of via holes having a stacked via structure is not particularly limited as long as it is two or more. It may be a layer, two or four or more layers. In the present specification, the land diameter of the via hole refers to a distance from the outer edge of the via hole opening to the outer edge of the via hole, for example, the distance L shown in FIG.
【0020】また、上記バイアホールのランド径は、少
なくともA領域のバイアホール側の半分の領域に、少な
くとも一つのランド部分が存在するような長さであるこ
とが望ましく、A領域を貫通するような少なくとも1つ
のランド部分が存在するような長さであることがより望
ましい。The land diameter of the via hole is desirably such that at least one land portion is present in at least a half region of the region A on the via hole side. More preferably, the length is such that at least one land portion is present.
【0021】また、上述したように、上記多層プリント
配線板では、バイアホールのうち、階層の異なるバイア
ホール同士がスタックビア構造を有するように形成され
ている。従って、より信頼性に優れるバイアホールとす
るために、下層バイアホール(その直上に別のバイアホ
ールが形成されているバイアホール)の形状は、フィー
ルドビア形状であることが望ましい。フィールドビア形
状である場合、バイアホールの上面が略平坦であるた
め、直上にバイアホールを積層形成するのに適している
からである。In addition, as described above, in the multilayer printed wiring board, among the via holes, via holes having different levels are formed so as to have a stacked via structure. Therefore, in order to obtain a more reliable via hole, it is desirable that the shape of the lower via hole (the via hole in which another via hole is formed immediately above) be a field via shape. This is because, in the case of a field via shape, the upper surface of the via hole is substantially flat, so that it is suitable for forming a via hole immediately above.
【0022】また、バイアホールは、通常、後述するよ
うにめっき処理を用いて形成するが、このバイアホール
をフィールドビア形状とする場合、めっき処理によりフ
ィールドビア形状に形成してもよいし、一旦、上面に窪
みを有する形状のバイアホールを形成した後、その窪み
を導電性ペースト等で充填してフィールドビア形状とし
てもよい。なお、めっき処理によりフィールドビア形状
のバイアホールを形成する場合に用いるめっき液につい
ては後に詳述する。また、バイアホールをフィールドビ
ア形状とせず、上面に窪みを有するバイアホールを形成
した後、この窪みに樹脂充填材等を充填し、その後、樹
脂充填材を覆う蓋めっき層を形成することにより、バイ
アホールの上面を平坦にしてもよい。上記バイアホール
において、その形状をフィールドビア形状としたり、バ
イアホール上に蓋めっき層を形成した場合、その上面の
平均粗度Raは、5μm以下であることが望ましい。ス
タックビア構造のバイアホールを形成するのに適してお
り、また、形成したスタックビア構造のバイアホールの
接続信頼性に優れるからである。The via hole is usually formed by plating, as described later. When the via hole is formed in a field via shape, the via hole may be formed in a field via shape by plating, or may be formed once. After forming a via hole having a depression on the upper surface, the depression may be filled with a conductive paste or the like to form a field via shape. The plating solution used for forming a via hole having a field via shape by plating will be described later in detail. Also, without forming the via hole into a field via shape, after forming a via hole having a depression on the upper surface, filling the depression with a resin filler or the like, and then forming a lid plating layer covering the resin filler, The upper surface of the via hole may be flat. When the via hole has a field via shape or a lid plating layer is formed on the via hole, the upper surface preferably has an average roughness Ra of 5 μm or less. This is because it is suitable for forming a via hole having a stacked via structure, and has excellent connection reliability of the formed via hole having the stacked via structure.
【0023】次に、第一の本発明の多層プリント配線板
を製造する方法について工程順に説明する。 (1)まず、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、ビ
スマレイミド−トリアジン樹脂(BT樹脂)基板、フッ
素樹脂基板等の樹脂基板、銅張積層板等を出発材料と
し、基板上に導体回路を形成する。具体的には、例え
ば、基板の両面に無電解めっき処理等を施すことにより
ベタの導体層を形成した後、該導体層上に導体回路パタ
ーンに対応したエッチングレジストを形成し、その後、
エッチングを行うことにより形成すればよい。また、銅
張積層板をベタの導体層が形成された基板として用いて
もよい。Next, a method of manufacturing the multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention will be described in the order of steps. (1) First, a conductor circuit is formed on a glass epoxy substrate, a polyimide substrate, a bismaleimide-triazine resin (BT resin) substrate, a resin substrate such as a fluororesin substrate, a copper-clad laminate, or the like as a starting material. Specifically, for example, after forming a solid conductor layer by performing electroless plating or the like on both surfaces of the substrate, an etching resist corresponding to the conductor circuit pattern is formed on the conductor layer,
It may be formed by performing etching. Further, a copper-clad laminate may be used as a substrate on which a solid conductor layer is formed.
【0024】また、上記無電解めっき処理を施す際に
は、予め、この絶縁性基板に貫通孔を形成しておき、該
貫通孔の壁面にも無電解めっき処理を施すことにより、
基板を挟んだ導体回路間を電気的に接続するスルーホー
ルとする。また、スルーホールを形成した後には、該ス
ルーホール内に樹脂充填材を充填することが望ましい。
このとき、導体回路非形成部にも樹脂充填材を充填する
ことが望ましい。上記樹脂充填材としては、例えば、エ
ポキシ樹脂と硬化剤と無機粒子とを含む樹脂組成物等が
挙げられる。When performing the above electroless plating, a through hole is formed in advance on the insulating substrate, and the electroless plating is also performed on the wall surface of the through hole.
A through hole is provided to electrically connect the conductor circuits sandwiching the substrate. After the through holes are formed, it is desirable to fill the through holes with a resin filler.
At this time, it is desirable that the resin-filling material is also filled in the non-conductor-circuit-formed portion. Examples of the resin filler include a resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, and inorganic particles.
【0025】(2)次に、必要に応じて、導体回路の表
面の粗化処理を行う。粗化処理方法としては、例えば、
黒化(酸化)−還元処理、有機酸と第二銅錯体とを含む
混合溶液等を用いたエッチング処理、Cu−Ni−P針
状合金めっきによる処理等を用いることができる。(2) Next, if necessary, the surface of the conductor circuit is subjected to a roughening treatment. As a roughening treatment method, for example,
A blackening (oxidation) -reduction treatment, an etching treatment using a mixed solution containing an organic acid and a cupric complex, a treatment by Cu-Ni-P needle-like alloy plating, and the like can be used.
【0026】(3)次に、導体回路上に熱硬化性樹脂や
樹脂複合体からなる未硬化の樹脂層を形成するか、また
は、熱可塑性樹脂からなる樹脂層を形成する。上記未硬
化の樹脂層は、未硬化の樹脂をロールコーター、カーテ
ンコーター等により塗布して成形してもよく、また、未
硬化(半硬化)の樹脂フィルムを熱圧着して形成しても
よい。さらに、未硬化の樹脂フィルムの片面に銅箔等の
金属層が形成された樹脂フィルムを貼付してもよい。ま
た、熱可塑性樹脂からなる樹脂層は、フィルム状に成形
した樹脂成形体を熱圧着することにより形成することが
望ましい。(3) Next, an uncured resin layer made of a thermosetting resin or a resin composite is formed on the conductor circuit, or a resin layer made of a thermoplastic resin is formed. The uncured resin layer may be formed by applying an uncured resin with a roll coater, a curtain coater, or the like, or may be formed by thermocompression bonding of an uncured (semi-cured) resin film. . Further, a resin film in which a metal layer such as a copper foil is formed on one surface of an uncured resin film may be attached. The resin layer made of a thermoplastic resin is desirably formed by thermocompression bonding a resin molded body formed into a film.
【0027】上記未硬化の樹脂を塗布する場合には、樹
脂を塗布した後、加熱処理を施す。上記加熱処理を施す
ことにより、未硬化の樹脂を熱硬化させることができ
る。なお、上記熱硬化は、後述するバイアホール用開口
を形成した後に行ってもよい。When applying the uncured resin, a heat treatment is applied after the resin is applied. By performing the heat treatment, the uncured resin can be thermally cured. The heat curing may be performed after forming a via hole opening described later.
【0028】このような樹脂層の形成において使用する
熱硬化性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹
脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹
脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリ
フェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。Specific examples of the thermosetting resin used in forming such a resin layer include, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyester resin, bismaleimide resin, polyolefin resin, polyphenylene ether resin and the like. No.
【0029】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるも
のとなる。Examples of the epoxy resin include cresol novolak epoxy resin, bisphenol A epoxy resin, bisphenol F epoxy resin, phenol novolak epoxy resin, alkylphenol novolak epoxy resin, biphenol F epoxy resin, and naphthalene epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.
【0030】上記ポリオレフィン系樹脂としては、例え
ば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリプロピレン、ポ
リイソブチレン、ポリブタジエン、ポリイソプレン、シ
クロオレフィン系樹脂、これらの樹脂の共重合体等が挙
げられる。Examples of the polyolefin resin include polyethylene, polystyrene, polypropylene, polyisobutylene, polybutadiene, polyisoprene, cycloolefin resin, and copolymers of these resins.
【0031】また、上記熱可塑性樹脂としては、例え
ば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリス
ルフォン等が挙げられる。また、熱硬化性樹脂と熱可塑
性樹脂との複合体(樹脂複合体)としては、熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂とを含むものであれば特に限定され
ず、その具体例としては、例えば、粗化面形成用樹脂組
成物等が挙げられる。Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyethersulfone, and polysulfone. Further, the composite of the thermosetting resin and the thermoplastic resin (resin composite) is not particularly limited as long as it contains a thermosetting resin and a thermoplastic resin, and specific examples thereof include, for example, And a resin composition for forming a roughened surface.
【0032】上記粗化面形成用樹脂組成物としては、例
えば、酸、アルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくと
も1種からなる粗化液に対して難溶性の未硬化の耐熱性
樹脂マトリックス中に、酸、アルカリおよび酸化剤から
選ばれる少なくとも1種からなる粗化液に対して可溶性
の物質が分散されたもの等が挙げられる。なお、上記
「難溶性」および「可溶性」という語は、同一の粗化液
に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いも
のを便宜上「可溶性」といい、相対的に溶解速度の遅い
ものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。As the resin composition for forming a roughened surface, for example, an uncured heat-resistant resin matrix which is hardly soluble in a roughening solution comprising at least one selected from an acid, an alkali and an oxidizing agent may be used. Examples thereof include those in which a substance soluble in a roughening liquid comprising at least one selected from an acid, an alkali, and an oxidizing agent is dispersed. Note that the terms "sparingly soluble" and "soluble" are referred to as "soluble" for convenience when a substance having a relatively high dissolution rate is immersed in the same roughening solution for the same time, and the relative dissolution rate is relatively low. The slower one is called "poorly soluble" for convenience.
【0033】上記耐熱性樹脂マトリックスとしては、層
間樹脂絶縁層に上記粗化液を用いて粗化面を形成する際
に、粗化面の形状を保持できるものが好ましく、例え
ば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が
挙げられる。また、感光性樹脂であってもよい。後述す
るバイアホール用開口を形成する工程において、露光現
像処理により開口を形成することができるからである。The heat-resistant resin matrix is preferably a matrix capable of maintaining the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed on the interlayer resin insulating layer using the roughening solution. , Thermoplastic resins, and composites thereof. Further, a photosensitive resin may be used. This is because, in a step of forming a via hole opening described later, the opening can be formed by exposure and development processing.
【0034】上記熱硬化性樹脂としては、例えば、エポ
キシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリオレ
フィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。また、これら
の熱硬化性樹脂に感光性を付与した樹脂、即ち、メタク
リル酸やアクリル酸等を用い、熱硬化基を(メタ)アク
リル化反応させた樹脂を用いてもよい。具体的には、エ
ポキシ樹脂の(メタ)アクリレートが望ましく、さら
に、1分子中に、2個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。The thermosetting resin includes, for example, epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyolefin resin, fluororesin and the like. Alternatively, a resin obtained by imparting photosensitivity to these thermosetting resins, that is, a resin obtained by subjecting a thermosetting group to a (meth) acrylation reaction using methacrylic acid, acrylic acid, or the like may be used. Specifically, a (meth) acrylate of an epoxy resin is desirable, and an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable.
【0035】上記熱可塑性樹脂としては、例えば、フェ
ノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォ
ン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルフ
ァイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド等
が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以
上併用してもよい。Examples of the thermoplastic resin include phenoxy resin, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfone, polyphenylene sulfide, polyphenyl ether, polyether imide and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【0036】上記可溶性の物質としては、例えば、無機
粒子、樹脂粒子、金属粒子、ゴム粒子、液相樹脂および
液相ゴム等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよ
いし、2種以上併用してもよい。Examples of the soluble substance include inorganic particles, resin particles, metal particles, rubber particles, liquid resin, liquid rubber, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
【0037】上記無機粒子としては、例えば、アルミ
ナ、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物;炭酸
カルシウム、水酸化カルシウム等のカルシウム化合物;
炭酸カリウム等のカリウム化合物;マグネシア、ドロマ
イト、塩基性炭酸マグネシウム、タルク等のマグネシウ
ム化合物;シリカ、ゼオライト等のケイ素化合物等が挙
げられる。これらは単独で用いてもよいし、2種以上併
用してもよい。上記アルミナ粒子は、ふっ酸で溶解除去
することができ、炭酸カルシウムは塩酸で溶解除去する
ことができる。また、ナトリウム含有シリカやドロマイ
トはアルカリ水溶液で溶解除去することができる。Examples of the inorganic particles include aluminum compounds such as alumina and aluminum hydroxide; calcium compounds such as calcium carbonate and calcium hydroxide;
Potassium compounds such as potassium carbonate; magnesium compounds such as magnesia, dolomite, basic magnesium carbonate and talc; silicon compounds such as silica and zeolite. These may be used alone or in combination of two or more. The alumina particles can be dissolved and removed with hydrofluoric acid, and the calcium carbonate can be dissolved and removed with hydrochloric acid. Further, sodium-containing silica and dolomite can be dissolved and removed with an alkaline aqueous solution.
【0038】上記樹脂粒子としては、例えば、熱硬化性
樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸、ア
ルカリおよび酸化剤から選ばれる少なくとも1種からな
る粗化液に浸漬した場合に、上記耐熱性樹脂マトリック
スよりも溶解速度の早いものであれば特に限定されず、
具体的には、例えば、アミノ樹脂(メラミン樹脂、尿素
樹脂、グアナミン樹脂等)、エポキシ樹脂、フェノール
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレ
ン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂、ビスマレイ
ミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。これらは、単独
で用いてもよく、2種以上併用してもよい。なお、上記
樹脂粒子は予め硬化処理されていることが必要である。
硬化させておかないと上記樹脂粒子が樹脂マトリックス
を溶解させる溶剤に溶解してしまうため、均一に混合さ
れてしまい、酸や酸化剤で樹脂粒子のみを選択的に溶解
除去することができないからである。Examples of the resin particles include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin and the like. When immersed in a roughening liquid comprising at least one selected from acids, alkalis and oxidizing agents, There is no particular limitation as long as the dissolution rate is faster than the heat-resistant resin matrix,
Specifically, for example, amino resin (melamine resin, urea resin, guanamine resin, etc.), epoxy resin, phenol resin, phenoxy resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, bismaleimide-triazine resin and the like can be mentioned. Can be These may be used alone or in combination of two or more. It is necessary that the resin particles have been previously cured.
If not cured, the resin particles will dissolve in the solvent that dissolves the resin matrix, so they will be uniformly mixed, and it will not be possible to selectively dissolve and remove only the resin particles with an acid or oxidizing agent. is there.
【0039】上記金属粒子としては、例えば、金、銀、
銅、スズ、亜鉛、ステンレス、アルミニウム、ニッケ
ル、鉄、鉛等が挙げられる。これらは、単独で用いても
よく、2種以上併用してもよい。また、上記金属粒子
は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆
されていてもよい。Examples of the metal particles include gold, silver,
Examples include copper, tin, zinc, stainless steel, aluminum, nickel, iron, lead, and the like. These may be used alone or in combination of two or more. The metal particles may have a surface layer coated with a resin or the like in order to ensure insulation.
【0040】(4)次に、その材料として熱硬化性樹脂
や樹脂複合体を用いた層間樹脂絶縁層を形成する場合に
は、未硬化の樹脂層に硬化処理を施すとともに、バイア
ホール用開口を形成し、層間樹脂絶縁層とする。上記バ
イアホール用開口は、レーザ処理により形成することが
望ましい。上記レーザ処理は、上記硬化処理前に行って
もよいし、硬化処理後に行ってもよい。また、感光性樹
脂からなる層間樹脂絶縁層を形成した場合には、露光、
現像処理を行うことにより、バイアホール用開口を設け
てもよい。なお、この場合、露光、現像処理は、上記硬
化処理前に行う。(4) Next, when forming an interlayer resin insulating layer using a thermosetting resin or a resin composite as the material, an uncured resin layer is subjected to a curing treatment and a via hole opening is formed. To form an interlayer resin insulation layer. The via hole opening is desirably formed by laser processing. The laser processing may be performed before the curing processing or may be performed after the curing processing. When an interlayer resin insulating layer made of a photosensitive resin is formed, exposure,
By performing a developing process, an opening for a via hole may be provided. In this case, the exposure and development processes are performed before the above-described curing process.
【0041】また、その材料として熱可塑性樹脂を用い
た層間樹脂絶縁層を形成する場合には、熱可塑性樹脂か
らなる樹脂層にレーザ処理によりバイアホール用開口を
形成し、層間樹脂絶縁層とすることができる。When forming an interlayer resin insulation layer using a thermoplastic resin as the material, an opening for a via hole is formed in the resin layer made of the thermoplastic resin by laser processing to form an interlayer resin insulation layer. be able to.
【0042】このとき、使用するレーザとしては、例え
ば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、UVレーザ、Y
AGレーザ等が挙げられる。これらは、形成するバイア
ホール用開口の形状等を考慮して使い分けてもよい。At this time, as a laser to be used, for example, a carbon dioxide gas laser, an excimer laser, a UV laser,
An AG laser and the like can be mentioned. These may be properly used in consideration of the shape of the via hole opening to be formed.
【0043】上記バイアホール用開口を形成する場合、
マスクを介して、ホログラム方式のエキシマレーザによ
るレーザ光照射することにより、一度に多数のバイアホ
ール用開口を形成することができる。また、短パルスの
炭酸ガスレーザを用いて、バイアホール用開口を形成す
ると、開口内の樹脂残りが少なく、開口周縁の樹脂に対
するダメージが小さい。When the via hole opening is formed,
By irradiating laser light with a hologram excimer laser through a mask, a large number of via hole openings can be formed at once. Further, when the via hole opening is formed using a short-pulse carbon dioxide laser, the amount of resin remaining in the opening is small, and the damage to the resin at the periphery of the opening is small.
【0044】また、光学系レンズとマスクとを介してレ
ーザ光を照射する場合には、一度に多数のバイアホール
用開口を形成することができる。光学系レンズとマスク
とを介することにより、同一強度で、かつ、照射角度が
同一のレーザ光を複数の部分に同時に照射することがで
きるからである。When irradiating a laser beam through an optical lens and a mask, a large number of via hole openings can be formed at one time. This is because a plurality of portions can be simultaneously irradiated with laser light having the same intensity and the same irradiation angle through the optical lens and the mask.
【0045】また、上記層間樹脂絶縁層の厚さは特に限
定されないが、通常、5〜50μmが望ましい。また、
バイアホール用開口の開口径は特に限定されないが、通
常、40〜200μmが望ましい。The thickness of the interlayer resin insulating layer is not particularly limited, but is usually preferably 5 to 50 μm. Also,
The opening diameter of the via hole opening is not particularly limited, but is usually preferably 40 to 200 μm.
【0046】(5)次に、バイアホール用開口の内壁を
含む層間樹脂絶縁層の表面に、必要に応じて、酸または
酸化剤を用いて粗化面を形成する。なお、この粗化面
は、層間樹脂絶縁層とその上に形成する薄膜導体層との
密着性を高めるために形成するものであり、層間樹脂絶
縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性がある場合には
形成しなくてもよい。(5) Next, a roughened surface is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer including the inner wall of the via hole opening, if necessary, using an acid or an oxidizing agent. The roughened surface is formed in order to enhance the adhesion between the interlayer resin insulating layer and the thin film conductor layer formed thereon. In the case where there is a property, it may not be formed.
【0047】上記酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン
酸、蟻酸等が挙げられ、上記酸化剤としては、クロム
酸、クロム硫酸、過マンガン酸ナトリウム等の過マンガ
ン酸塩等が挙げられる。また、粗化面を形成した後に
は、アルカリ等の水溶液や中和液等を用いて、層間樹脂
絶縁層の表面を中和することが望ましい。次工程に、酸
や酸化剤の影響を与えないようにすることができるから
である。また、上記粗化面の形成は、プラズマ処理等を
用いて行ってもよい。Examples of the acid include sulfuric acid, nitric acid, hydrochloric acid, phosphoric acid, and formic acid. Examples of the oxidizing agent include chromic acid, chromic sulfuric acid, and permanganates such as sodium permanganate. After forming the roughened surface, it is desirable to neutralize the surface of the interlayer resin insulating layer using an aqueous solution of an alkali or a neutralizing solution. This is because the next step can be prevented from being affected by an acid or an oxidizing agent. Further, the formation of the roughened surface may be performed by using a plasma treatment or the like.
【0048】(6)次に、バイアホール用開口を設けた
層間樹脂絶縁層の表面に薄膜導体層を形成する。上記薄
膜導体層は、無電解めっき、スパッタリング、蒸着等の
方法を用いて形成することができる。なお、層間樹脂絶
縁層の表面に粗化面を形成しなかった場合には、上記薄
膜導体層は、スパッタリングにより形成することが望ま
しい。なお、無電解めっきにより薄膜導体層を形成する
場合には、被めっき表面に、予め、触媒を付与してお
く。上記触媒としては、例えば、塩化パラジウム等が挙
げられる。(6) Next, a thin film conductor layer is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer provided with the via hole opening. The thin film conductor layer can be formed using a method such as electroless plating, sputtering, or vapor deposition. In addition, when the roughened surface is not formed on the surface of the interlayer resin insulating layer, it is preferable that the thin film conductor layer is formed by sputtering. When the thin film conductor layer is formed by electroless plating, a catalyst is previously applied to the surface to be plated. Examples of the catalyst include palladium chloride.
【0049】上記薄膜導体層の厚さは特に限定されない
が、該薄膜導体層を無電解めっきにより形成した場合に
は、0.6〜1.2μmが望ましく、スパッタリングに
より形成した場合には、0.1〜1.0μmが望まし
い。また、上記薄膜導体層の材質としては、例えば、C
u、Ni、P、Pd、Co、W等が挙げられる。これら
のなかでは、CuやNiが望ましい。The thickness of the thin film conductor layer is not particularly limited, but is preferably 0.6 to 1.2 μm when the thin film conductor layer is formed by electroless plating, and is preferably 0 to 1.2 μm when formed by sputtering. 0.1 to 1.0 μm is desirable. The material of the thin film conductor layer is, for example, C
u, Ni, P, Pd, Co, W and the like. Among these, Cu and Ni are desirable.
【0050】(7)次に、上記薄膜導体層上の一部にド
ライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その
後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを
行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形
成する。ここでは、所望のランド径を有するバイアホー
ルを形成することができるようにめっきレジストを形成
する。即ち、この階層において、ランド径の大きなバイ
アホールを形成するのであれば、めっきレジスト非形成
部の幅を大きくしておけばよい。(7) Next, a plating resist is formed on a part of the thin film conductor layer using a dry film, and thereafter, electrolytic plating is performed using the thin film conductor layer as a plating lead, and the plating resist non-formed portion is formed. To form an electrolytic plating layer. Here, a plating resist is formed so that a via hole having a desired land diameter can be formed. That is, if a via hole having a large land diameter is formed in this layer, the width of the plating resist non-formed portion may be increased.
【0051】また、この工程では、バイアホール用開口
を電解めっきで充填してフィールドビア構造としてもよ
く、一旦、その上面に窪みを有するバイアホールを形成
し、その後、この窪みに導電性ペーストを充填してフィ
ールドビア構造としてもよい。また、上面に窪みを有す
るバイアホールを形成した後、その窪みに樹脂充填材等
を充填し、さらに、その上に蓋めっき層を形成して上面
が平坦なバイアホールとしてもよい。In this step, the via hole opening may be filled with electrolytic plating to form a field via structure. A via hole having a recess on the upper surface is formed once, and then a conductive paste is filled in the recess. It may be filled to form a field via structure. Alternatively, after forming a via hole having a depression on the upper surface, the depression may be filled with a resin filler or the like, and a lid plating layer may be formed thereon to form a via hole having a flat upper surface.
【0052】フィルードビア構造のバイアホールを電解
めっき時に形成する場合は、例えば、下記の組成からな
る電解めっき液を用いて、電解めっき処理を行えばよ
い。即ち、50〜300g/lの硫酸銅、30〜200
g/lの硫酸、25〜90mg/lの塩素イオン、およ
び、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなる1〜1
000mg/lの添加剤を含有する電解めっき液を用い
て、電解めっき処理を行えばよい。When a via hole having a filled via structure is formed at the time of electrolytic plating, for example, electrolytic plating may be performed using an electrolytic plating solution having the following composition. That is, 50-300 g / l copper sulfate, 30-200 g / l
g / l sulfuric acid, 25 to 90 mg / l chloride ions, and 1 to 1 comprising at least a leveling agent and a brightening agent.
Electroplating treatment may be performed using an electrolytic plating solution containing 000 mg / l of an additive.
【0053】このような組成の電解めっき液では、バイ
アホールの開口径、樹脂絶縁層の材質や厚さ、層間樹脂
絶縁層の粗化面の有無等に関係なく、フィールドビア構
造のバイアホールを形成することができる。加えて、こ
の電解めっき液は、銅イオンを高濃度で含有しているた
め、バイアホール用開口部に銅イオンを充分に供給し、
バイアホール用開口部をめっき速度40〜100μm/
時間でめっきすることができ、電解めっき工程の高速化
につながる。With the electrolytic plating solution having such a composition, a via hole having a field via structure can be formed regardless of the opening diameter of the via hole, the material and thickness of the resin insulating layer, the presence or absence of a roughened surface of the interlayer resin insulating layer, and the like. Can be formed. In addition, since this electrolytic plating solution contains a high concentration of copper ions, it sufficiently supplies copper ions to the via hole openings,
Plating speed 40 ~ 100μm /
The plating can be performed in a short time, which leads to an increase in the speed of the electrolytic plating process.
【0054】また、上記電解めっき液は、100〜25
0g/lの硫酸銅、50〜150g/lの硫酸、30〜
70mg/lの塩素イオン、および、少なくともレベリ
ング剤と光沢剤とからなる1〜600mg/lの添加剤
を含有する組成であることが望ましい。The electrolytic plating solution is 100 to 25
0 g / l copper sulfate, 50-150 g / l sulfuric acid, 30-
Desirably, the composition contains 70 mg / l of chloride ion and 1 to 600 mg / l of an additive composed of at least a leveling agent and a brightening agent.
【0055】また、上記電解めっき液において、上記添
加剤は、少なくともレベリング剤と光沢剤とからなるも
のであればよく、その他の成分を含有していてもよい。
ここで、上記レベリング剤としては、例えば、ポリエチ
レン、ゼラチン、これらの誘導体等が挙げられる。ま
た、上記光沢剤としては、例えば、酸化物硫黄やその関
連化合物、硫化水素やその関連化合物、その他の硫黄化
合物等が挙げられる。In the electrolytic plating solution, the additive only needs to be at least composed of a leveling agent and a brightener, and may contain other components.
Here, examples of the leveling agent include polyethylene, gelatin, and derivatives thereof. Examples of the brightener include sulfur oxide and its related compounds, hydrogen sulfide and its related compounds, and other sulfur compounds.
【0056】また、上記レベリング剤の配合量は、1〜
1000mg/lが望ましく、上記光沢剤の配合量は、
0.1〜100mg/lが望ましい。また、両者の配合
比率は、2:1〜10:1が望ましい。The amount of the leveling agent is from 1 to
The amount of the brightener is preferably 1000 mg / l.
0.1-100 mg / l is desirable. The mixing ratio of the two is preferably 2: 1 to 10: 1.
【0057】(8)次に、めっきレジストを剥離し、め
っきレジストの下に存在していた薄膜導体層をエッチン
グにより除去し、独立した導体回路とする。エッチング
液としては、例えば、硫酸−過酸化水素水溶液、過硫酸
アンモニウム等の過硫酸塩水溶液、塩化第二鉄、塩化第
二銅、塩酸等が挙げられる。また、エッチング液として
上述した第二銅錯体と有機酸とを含む混合溶液を用いて
もよい。(8) Next, the plating resist is peeled off, and the thin film conductor layer existing under the plating resist is removed by etching to form an independent conductor circuit. Examples of the etchant include a sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution, an aqueous solution of a persulfate such as ammonium persulfate, ferric chloride, cupric chloride, and hydrochloric acid. Further, a mixed solution containing the above-described cupric complex and an organic acid may be used as an etching solution.
【0058】また、上記(7)および(8)に記載した
方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路
を形成してもよい。即ち、上記薄膜導体層上の全面に電
解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にド
ライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、そ
の後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層お
よび薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エ
ッチングレジストを剥離することにより独立した導体回
路を形成してもよい。Further, a conductor circuit may be formed by using the following method instead of the method described in the above (7) and (8). That is, after forming an electrolytic plating layer on the entire surface of the thin film conductor layer, an etching resist is formed using a dry film on a part of the electrolytic plating layer, and thereafter, an electrolytic plating layer under an etching resist non-formed portion and An independent conductor circuit may be formed by removing the thin-film conductor layer by etching and then removing the etching resist.
【0059】(9)この後、上記(3)〜(8)の工程
を1回または2回以上繰り返すことにより、層間樹脂絶
縁層上に最上層の導体回路が形成された基板を作製す
る。なお、上記(3)〜(8)の工程を何回繰り返すか
は、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すれば
よい。ここでは、バイアホールがスタックビア構造とな
るように、バイアホールの直上にバイアホールを形成す
る。また、バイアホールのランド径の調整は、上述した
ように、めっきレジストを形成する際にめっきレジスト
非形成部の大きさを調整することにより行うことができ
る。(9) Thereafter, the above steps (3) to (8) are repeated one or more times to produce a substrate having the uppermost conductive circuit formed on the interlayer resin insulating layer. Note that the number of times the above steps (3) to (8) are repeated may be appropriately selected according to the design of the multilayer printed wiring board. Here, the via hole is formed immediately above the via hole so that the via hole has a stacked via structure. Further, as described above, the land diameter of the via hole can be adjusted by adjusting the size of the plating resist non-formed portion when forming the plating resist.
【0060】(10)次に、最上層の導体回路を含む基
板上に、複数の半田バンプ形成用開口を有するソルダー
レジスト層を形成する。具体的には、未硬化のソルダー
レジスト組成物をロールコータやカーテンコータ等によ
り塗布したり、フィルム状に成形したソルダーレジスト
組成物を圧着したりした後、レーザ処理や露光現像処理
により半田バンプ形成用開口を形成し、さらに、必要に
応じて、硬化処理を施すことによりソルダーレジスト層
を形成する。(10) Next, a solder resist layer having a plurality of openings for forming solder bumps is formed on the substrate including the uppermost conductive circuit. Specifically, after the uncured solder resist composition is applied by a roll coater or a curtain coater, or the solder resist composition formed into a film is pressed, the solder bumps are formed by laser processing or exposure and development processing. Openings are formed and, if necessary, a curing treatment is performed to form a solder resist layer.
【0061】上記ソルダーレジスト層は、例えば、ポリ
フェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素
樹脂、熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、ポリイミ
ド樹脂等を含むソルダーレジスト組成物を用いて形成す
ることができるThe above solder resist layer can be formed using a solder resist composition containing, for example, a polyphenylene ether resin, a polyolefin resin, a fluororesin, a thermoplastic elastomer, an epoxy resin, a polyimide resin and the like.
【0062】また、上記以外のソルダーレジスト組成物
としては、例えば、ノボラック型エポキシ樹脂の(メ
タ)アクリレート、イミダゾール硬化剤、2官能性(メ
タ)アクリル酸エステルモノマー、分子量500〜50
00程度の(メタ)アクリル酸エステルの重合体、ビス
フェノール型エポキシ樹脂等からなる熱硬化性樹脂、多
価アクリル系モノマー等の感光性モノマー、グリコール
エーテル系溶剤などを含むペースト状の流動体が挙げら
れ、その粘度は25℃で1〜10Pa・sに調整されて
いることが望ましい。また、上記ソルダーレジスト組成
物は、エラストマーや無機フィラーが配合されていても
よい。また、ソルダーレジスト組成物として、市販のソ
ルダーレジスト組成物を使用してもよい。Examples of the solder resist composition other than those described above include, for example, a novolak-type epoxy resin (meth) acrylate, an imidazole curing agent, a bifunctional (meth) acrylate monomer, and a molecular weight of 500 to 50.
A paste-like fluid containing a polymer of about 00 (meth) acrylate, a thermosetting resin such as a bisphenol-type epoxy resin, a photosensitive monomer such as a polyvalent acrylic monomer, a glycol ether-based solvent, and the like. It is desirable that the viscosity is adjusted to 1 to 10 Pa · s at 25 ° C. Further, the solder resist composition may contain an elastomer or an inorganic filler. A commercially available solder resist composition may be used as the solder resist composition.
【0063】また、上記半田バンプ形成用開口を形成す
る際に用いるレーザとしては、上述したバイアホール用
開口を形成する際に用いるレーザと同様のもの等が挙げ
られる。The laser used for forming the opening for forming the solder bump may be the same as the laser used for forming the opening for the via hole.
【0064】次に、上記半田バンプ形成用開口の底面に
露出した導体回路の表面に、必要に応じて、半田パッド
を形成する。上記半田パッドは、ニッケル、パラジウ
ム、金、銀、白金等の耐食性金属により上記導体回路表
面を被覆することにより形成することができる。具体的
には、ニッケル−金、ニッケル−銀、ニッケル−パラジ
ウム、ニッケル−パラジウム−金等の金属により形成す
ることが望ましい。また、上記半田パッドは、例えば、
めっき、蒸着、電着等の方法を用いて形成することがで
きるが、これらのなかでは、被覆層の均一性に優れると
いう点からめっきが望ましい。Next, a solder pad is formed on the surface of the conductor circuit exposed at the bottom surface of the opening for forming a solder bump, if necessary. The solder pad can be formed by coating the surface of the conductor circuit with a corrosion-resistant metal such as nickel, palladium, gold, silver, and platinum. Specifically, it is desirable to form with metal, such as nickel-gold, nickel-silver, nickel-palladium, and nickel-palladium-gold. Further, the solder pad is, for example,
It can be formed using a method such as plating, vapor deposition, electrodeposition, etc. Among them, plating is preferable because of excellent uniformity of the coating layer.
【0065】(11)次に、上記半田バンプ形成用開口
に半田ペーストを充填し、リフロー処理を施したり、半
田ペースト充填した後、導電性ピンを取り付け、さらに
リフロー処理を施したりすることにより半田バンプやB
GA(Ball Grid Array) 、PGA(Pin Grid Array) を
形成する。なお、製品認識文字などを形成するための文
字印刷工程やソルダーレジスト層の改質のために、酸素
や四塩化炭素などのプラズマ処理を適時行ってもよい。
このような工程を経ることにより第一の本発明の多層プ
リント配線板を製造することができる。(11) Next, the above-mentioned solder bump forming opening is filled with a solder paste and subjected to a reflow treatment, or after the solder paste is filled, a conductive pin is attached, and further a reflow treatment is carried out. Bump or B
A GA (Ball Grid Array) and a PGA (Pin Grid Array) are formed. In addition, a plasma treatment with oxygen, carbon tetrachloride, or the like may be performed as needed for a character printing process for forming a product recognition character or the like or for modifying a solder resist layer.
Through such steps, the multilayer printed wiring board of the first present invention can be manufactured.
【0066】次に、第二の本発明の多層プリント配線板
について説明する。第二の本発明の多層プリント配線板
は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層
され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホー
ルを介して接続されるとともに、基板を挟んだ導体回路
間がスルーホールを介して接続された多層プリント配線
板であって、上記スルーホールの直上に、スタックビア
構造を有するバイアホールが形成されるとともに、上記
スタックビア構造を有するバイアホールのうちの少なく
とも1つは、そのランド径が他のバイアホールのランド
径と異なることを特徴とする。従って、第二の本発明の
多層プリント配線板は、スルーホールの直上にスタック
ビア構造を有するバイアホールが形成されている点で、
第一の本発明の多層プリント配線板とは、その構成を異
にする。Next, the multilayer printed wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described. The multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, on a substrate, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated, and the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are connected via via holes, A multilayer printed wiring board in which conductive circuits sandwiching a substrate are connected via through holes, wherein via holes having a stacked via structure are formed immediately above the through holes, and the stacked via structures are provided. At least one of the via holes has a land diameter different from that of the other via holes. Therefore, the multilayer printed wiring board of the second present invention is characterized in that a via hole having a stack via structure is formed immediately above a through hole.
The configuration is different from the multilayer printed wiring board of the first invention.
【0067】図4は、第二の本発明の多層プリント配線
板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であ
る。多層プリント配線板400では、基板を挟んだ導体
回路間を接続するためのスルーホール109が形成され
ており、スルーホールの直上にスタックビア構造を有す
るバイアホール1071〜1073が形成されている。
また、スタックビア構造のバイアホールを形成するため
に、スルーホール109上には、蓋めっき層118が形
成されている。また、スルーホール109内には、樹脂
充填材層110が形成されている。FIG. 4 is a partial sectional view schematically showing a part of an embodiment of the second multilayer printed wiring board of the present invention. In the multilayer printed wiring board 400, through holes 109 for connecting conductor circuits sandwiching the substrate are formed, and via holes 1071 to 1073 having a stacked via structure are formed immediately above the through holes.
Further, a lid plating layer 118 is formed on the through hole 109 to form a via hole having a stacked via structure. Further, a resin filler layer 110 is formed in the through hole 109.
【0068】このような構成の多層プリント配線板で
は、スルーホールの直上に、スタックビア構造を有する
バイアホールが形成されているため、基板を挟んだ導体
回路の配線距離が短くなり、信号電送時間を短縮するこ
とができるともに、導体回路の設計の自由度が向上する
ため、高密度配線により対応し易くなる。In the multilayer printed wiring board having such a configuration, since the via hole having the stacked via structure is formed immediately above the through hole, the wiring distance of the conductor circuit sandwiching the substrate is reduced, and the signal transmission time is reduced. Can be shortened, and the degree of freedom in designing the conductor circuit is improved.
【0069】また、第二の本発明の多層プリント配線板
において、スタックビア構造を有するバイアホールのう
ちの少なくとも一つは、そのランド径が他のバイアホー
ルのランド径と異なる。具体的には、例えば、第一の本
発明の多層プリント配線板と同様の構成等であればよ
い。即ち、図4に示す多層プリント配線板400のよう
に、内層のバイアホール1072のランド径が最外層の
バイアホール1071のランド径よりも大きく、A領域
にバイアホール1072のランド部分1072aが存在
する構成や、最下層のバイアホールのランド径が最外層
のバイアホールのランド径よりも大きく、A領域にバイ
アホールのランド部分が存在する構成、内層のバイアホ
ールのランド径および最外層のバイアホールのランド径
の一部が、それぞれA領域の異なる部分で最外層のバイ
アホールのランド径よりも大きい構成等であればよい。
また、内層のバイアホールのランド径と最下層のバイア
ホールのランド径とがともに、最外層のバイアホールの
ランド径より大きい構成であってもよい。なお、上記A
領域とは、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層のみで構
成される領域であるが、第二の本発明では、1)最外層の
バイアホールとこれに隣接する導体回路との間の下方領
域、または、2)最外層のバイアホールに隣接する導体回
路をスルーホールと同一階層まで平行移動したと仮定し
た場合の、該導体回路とスルーホールとの間の上方領
域、のいずれか狭い領域を意味し、図4に例示した多層
プリント配線板では、上記2)の領域がA領域となる。In the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, the land diameter of at least one of the via holes having the stacked via structure is different from the land diameter of the other via holes. Specifically, for example, the same configuration or the like as the multilayer printed wiring board of the first present invention may be used. That is, as in the multilayer printed wiring board 400 shown in FIG. 4, the land diameter of the via hole 1072 in the inner layer is larger than the land diameter of the via hole 1071 in the outermost layer, and the land portion 1072a of the via hole 1072 exists in the A region. The configuration, the land diameter of the via hole of the lowermost layer is larger than the land diameter of the via hole of the outermost layer, and the land portion of the via hole exists in the region A, the land diameter of the via hole of the inner layer, and the via hole of the outermost layer. May have a configuration in which a part of the land diameter is larger than the land diameter of the via hole of the outermost layer in a different portion of the region A.
Further, the land diameter of the via hole in the inner layer and the land diameter of the via hole in the lowermost layer may both be larger than the land diameter of the via hole in the outermost layer. The above A
The region is a region composed only of the interlayer resin insulating layer near the via hole.In the second aspect of the present invention, 1) a lower region between the outermost via hole and a conductor circuit adjacent thereto, Or, 2) means a narrower area of the upper area between the conductor circuit and the through hole, assuming that the conductor circuit adjacent to the outermost via hole is translated to the same level as the through hole. In the multilayer printed wiring board illustrated in FIG. 4, the area 2) is the area A.
【0070】バイアホールがこのような構成を有する場
合には、第一の本発明の多層プリント配線板と同様、ラ
ンド径の大きなバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強
材として役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機
械的強度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂
絶縁層でクラックが発生しにくくなる。これは、最外層
のバイアホールとこれに隣接する導体回路との間の導体
回路非形成部の下方領域(図4中、A領域)の一部にバ
イアホールのランド部分が存在することとなり、この部
分が層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果たすことと
なるからである。また、第二の本発明の多層プリント配
線板においても、スタックビア構造を有するバイアホー
ルの層数は、2層以上であれば特に限定されず、図示し
た多層プリント配線板のように3層であってもよいし、
2層や4層以上であってもよい。また、上記バイアホー
ルのランド径は、第一の本発明の多層プリント配線板と
同様、少なくともA領域のバイアホール側の半分の領域
に、少なくとも一つのランド部分が存在するような長さ
であることが望ましく、A領域を貫通するような少なく
とも1つのランド部分が存在するような長さであること
がより望ましい。In the case where the via hole has such a structure, the via hole having a large land diameter functions as a reinforcing material for the interlayer resin insulating layer, similarly to the multilayer printed wiring board of the first invention. In addition, the mechanical strength of the interlayer resin insulating layer is improved, and cracks are less likely to occur particularly in the interlayer resin insulating layer near the via hole. This means that the land portion of the via hole exists in a part of a region (region A in FIG. 4) below the conductor circuit non-formed portion between the outermost via hole and the conductor circuit adjacent thereto, This is because this portion functions as a reinforcing material for the interlayer resin insulating layer. In the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, the number of via holes having a stacked via structure is not particularly limited as long as it is two or more. There may be
Two or four or more layers may be used. Further, the land diameter of the via hole is such that at least one land portion is present in at least a half region of the region A on the via hole side, as in the multilayer printed wiring board of the first invention. It is more preferable that the length be such that at least one land portion penetrating through the region A exists.
【0071】また、第二の本発明の多層プリント配線板
においても、バイアホールはスタックビア構造を有する
ように形成されているため、下層バイアホールの形状
は、フィールドビア形状であることが望ましい。In the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, since the via holes are formed so as to have a stacked via structure, the shape of the lower via holes is preferably a field via shape.
【0072】また、第二の本発明の多層プリント配線板
では、スルーホールの直上にスタックビア構造のバイア
ホールが形成されており、より接続信頼性に優れる多層
プリント配線板とするために、スルーホールには蓋めっ
き層が形成されていることが望ましい。蓋めっき層は、
その表面が平坦であるため、バイアホールを形成するの
に適しているからである。また、上記蓋めっき層は、1
層からなるものであってもよいし、2層以上からなるも
のであってもよい。また、スルーホール内には、樹脂充
填材層が形成されていることが望ましい。樹脂充填材で
スルーホール内を充填することが上記蓋めっき層を形成
するのに適しているからである。In the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention, a via hole having a stacked via structure is formed immediately above the through hole, so that a multilayer printed wiring board having more excellent connection reliability is formed. It is desirable that a lid plating layer is formed in the hole. The lid plating layer is
This is because the surface is flat and suitable for forming a via hole. Further, the lid plating layer has
It may be composed of layers, or may be composed of two or more layers. It is desirable that a resin filler layer is formed in the through hole. This is because filling the through holes with a resin filler is suitable for forming the cover plating layer.
【0073】次に、第二の本発明の多層プリント配線板
を製造する方法について説明する。第二の本発明の多層
プリント配線板は、上述したように、スルーホールの直
上にスタックビア構造を有するバイアホールが形成され
ている点で、第一の本発明の多層プリント配線板とは、
その構成を異にする。従って、第二の本発明の多層プリ
ント配線板は、スルーホールの直上にバイアホールを形
成する以外は、第一の本発明の多層プリント配線板を製
造する方法と同様の方法で製造することができる。Next, a method of manufacturing the multilayer printed wiring board according to the second embodiment of the present invention will be described. The multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention is different from the multilayer printed wiring board according to the first aspect in that, as described above, a via hole having a stacked via structure is formed immediately above the through hole.
The configuration is different. Therefore, the multilayer printed wiring board of the second present invention can be manufactured by the same method as the method of manufacturing the multilayer printed wiring board of the first present invention, except that a via hole is formed immediately above a through hole. it can.
【0074】具体的には、例えば、第一の本発明の多層
プリント配線板を製造方法の(1)および(2)の工程
において、基板を挟んだ導体回路間を接続するスルーホ
ールを形成し、さらに、必要に応じて、樹脂充填材層の
形成と、導体回路表面の粗化処理とを行った後、スルー
ホール上に蓋めっき層を形成し、第一の本発明の多層プ
リント配線板を製造方法の(4)の工程において、バイ
アホール用開口を形成する際に、該バイアホール用開口
を上記蓋めっき層上に形成する以外は、第一の本発明の
多層プリント配線板を製造する方法と同様の方法で製造
することができる。More specifically, for example, in the steps (1) and (2) of the method for manufacturing the multilayer printed wiring board of the first invention, through holes are formed to connect conductor circuits sandwiching the substrate. Further, if necessary, after forming a resin filler layer and performing a roughening treatment on the surface of the conductor circuit, a lid plating layer is formed on the through-hole, and the multilayer printed wiring board of the first present invention is formed. In the step (4) of the manufacturing method, the multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention is manufactured except that the opening for the via hole is formed on the cover plating layer when the opening for the via hole is formed. It can be manufactured by the same method as the above method.
【0075】なお、上記蓋めっき層は、例えば、下記
(a)〜(c)の工程を経ることにより形成することが
できる。即ち、(a)基板にスルーホールを形成し、該
スルーホール内に樹脂充填材層を形成した後、樹脂充填
材層の露出面を含む基板の表面に、無電解めっき処理や
スパッタリング等を用いて薄膜導体層を形成する。な
お、無電解めっき処理を用いる場合には、被めっき表面
に予め触媒を付与しておく。 (b)次に、スルーホール(樹脂充填材層を含む)上以
外の部分に、めっきレジストを形成し、さらに、上記薄
膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行う。 (c)ついで、電解めっき終了後、めっきレジストの剥
離と該めっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行うこ
とにより薄膜導体層と電解めっき層との2層からなる蓋
めっき層を形成することができる。なお、触媒の付与か
ら薄膜導体層の除去に至る、この(a)〜(c)の工程
は、第一の本発明の多層プリント配線板の(6)〜
(8)と同様の方法等を用いて行うことができる。The cover plating layer can be formed, for example, through the following steps (a) to (c). (A) After forming a through hole in a substrate and forming a resin filler layer in the through hole, the surface of the substrate including the exposed surface of the resin filler layer is subjected to electroless plating, sputtering, or the like. To form a thin film conductor layer. When using electroless plating, a catalyst is previously applied to the surface to be plated. (B) Next, a plating resist is formed on portions other than the through holes (including the resin filler layer), and electrolytic plating is performed using the thin film conductor layer as a plating lead. (C) Next, after the completion of the electrolytic plating, the lid plating layer composed of the thin film conductor layer and the electrolytic plating layer is formed by removing the plating resist and removing the thin film conductor layer under the plating resist. Can be. The steps (a) to (c), from the application of the catalyst to the removal of the thin film conductor layer, are performed in the steps (6) to (6) of the multilayer printed wiring board of the first invention.
It can be performed using the same method as (8).
【0076】また、1層からなる蓋めっき層を形成する
場合には、例えば、樹脂充填材層の露出面を含む基板の
表面に触媒を付与した後、スルーホール上以外の部分に
めっきレジストを形成し、その後、無電解めっき処理
と、めっきレジストの除去を行えばよい。In the case of forming a lid plating layer consisting of one layer, for example, after applying a catalyst to the surface of the substrate including the exposed surface of the resin filler layer, a plating resist is applied to portions other than on the through holes. After that, an electroless plating process and a removal of the plating resist may be performed.
【0077】次に、第三の本発明の多層プリント配線板
について説明する。第三の本発明の多層プリント配線板
は、基板上に、導体回路と層間樹脂絶縁層とが順次積層
され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がバイアホー
ルを介して接続されるとともに、基板および層間樹脂絶
縁層を挟んだ導体回路間がスルーホールを介して接続さ
れた多層プリント配線板であって、上記スルーホールの
直上に、スタックビア構造を有するバイアホールが形成
されるとともに、上記スタックビア構造を有するバイア
ホールのうちの少なくとも1つは、そのランド径が他の
バイアホールのランド径と異なることを特徴とする。従
って、第三の本発明の多層プリント配線板は、基板およ
び層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するスルー
ホールの直上にスタックビア構造を有するバイアホール
が形成されている点で、第一の本発明の多層プリント配
線板とは、その構成を異にする。Next, the multilayer printed wiring board according to the third embodiment of the present invention will be described. The multilayer printed wiring board according to the third aspect of the present invention, on a substrate, a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated, and the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are connected via via holes, A multilayer printed wiring board in which a conductive circuit sandwiching a substrate and an interlayer resin insulating layer is connected via a through hole, and a via hole having a stack via structure is formed immediately above the through hole. At least one of the via holes having the stacked via structure has a land diameter different from that of the other via holes. Therefore, the multilayer printed wiring board according to the third aspect of the present invention is different from the multilayer printed wiring board in that a via hole having a stack via structure is formed immediately above a through hole connecting between a substrate and a conductor circuit sandwiching an interlayer resin insulating layer. The structure is different from that of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【0078】図5は、第三の本発明の多層プリント配線
板の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であ
る。多層プリント配線板500では、基板および層間樹
脂絶縁層を挟んだ導体回路間を接続するためのスルーホ
ール109が形成されており、スルーホールの直上にス
タックビア構造を有するバイアホール1071〜107
2が形成されている。また、スタックビア構造のバイア
ホールを形成するために、スルーホール109上には、
蓋めっき層118が形成されている。また、スルーホー
ル109内には、樹脂充填材層110が形成されてい
る。FIG. 5 is a partial sectional view schematically showing a part of an embodiment of the third multilayer printed wiring board of the present invention. In the multilayer printed wiring board 500, a through hole 109 for connecting between a substrate and a conductor circuit sandwiching an interlayer resin insulating layer is formed, and via holes 1071 to 107 having a stacked via structure are provided immediately above the through holes.
2 are formed. Further, in order to form a via hole having a stacked via structure,
A cover plating layer 118 is formed. Further, a resin filler layer 110 is formed in the through hole 109.
【0079】このような構成の多層プリント配線板で
は、スルーホールの直上に、スタックビア構造を有する
バイアホールが形成されているため、基板および層間樹
脂絶縁層を挟んだ導体回路の配線距離が短くなり、信号
電送時間を短縮することができるともに、導体回路の設
計の自由度が向上するため、高密度配線により対応し易
くなる。In the multilayer printed wiring board having such a structure, since the via hole having the stacked via structure is formed immediately above the through hole, the wiring distance of the conductor circuit sandwiching the substrate and the interlayer resin insulating layer is short. In addition, the signal transmission time can be shortened, and the degree of freedom in designing the conductor circuit is improved.
【0080】また、第三の本発明の多層プリント配線板
において、スタックビア構造を有するバイアホールのう
ちの少なくとも一つは、そのランド径が他のバイアホー
ルのランド径と異なる。具体的には、例えば、図5に示
す多層プリント配線板500のように、内層のバイアホ
ール1072のランド径が最外層のバイアホール107
1のランド径よりも大きく、A領域にバイアホール10
72のランド部分1072aが存在する構成等が挙げら
れる。In the multilayer printed wiring board according to the third aspect of the present invention, at least one of the via holes having the stacked via structure has a land diameter different from that of the other via holes. Specifically, for example, as in a multilayer printed wiring board 500 shown in FIG. 5, the land diameter of the inner-layer via hole 1072 is smaller than the outer-layer via hole 107.
1 is larger than the land diameter, and the via hole 10
For example, a configuration in which 72 land portions 1072a are present is exemplified.
【0081】また、図5に示す多層プリント配線板50
0では、2層のバイアホールが形成されているが、第三
の本発明の多層プリント配線板は、3層以上のバイアホ
ールがスタックビア構造に形成されていてもよく、3層
のバイアホールがスタックビア構造に形成されている場
合の構成は、例えば、第一の本発明の多層プリント配線
板と同様の構成等であればよい。即ち、内層のバイアホ
ールのランド径が最外層のバイアホールのランド径より
も大きく、A領域にバイアホールのランド部分が存在す
る構成や、最下層のバイアホールのランド径が最外層の
バイアホールのランド径よりも大きい構成、内層のバイ
アホールのランド径および最外層のバイアホールのラン
ド径の一部が、それぞれA領域の異なる部分で最外層の
バイアホールのランド径よりも大きい構成等であればよ
い。また、内層のバイアホールのランド径と最下層のバ
イアホールのランド径とがともに、最外層のバイアホー
ルのランド径より大きい構成であってもよい。なお、上
記A領域は、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層のみで
構成される領域であり、その意味は、第二の本発明の多
層プリント配線板におけるA領域と同様である。The multilayer printed wiring board 50 shown in FIG.
In the multilayer printed wiring board according to the third aspect of the present invention, three or more via holes may be formed in a stacked via structure, or a three-layer via hole may be formed. Is formed in a stacked via structure, for example, may have a configuration similar to that of the multilayer printed wiring board of the first present invention. That is, the land diameter of the via hole of the inner layer is larger than the land diameter of the via hole of the outermost layer, and the land portion of the via hole exists in the region A, or the land diameter of the via hole of the lowermost layer is the via hole of the outermost layer. The land diameter of the inner-layer via hole and the land diameter of the outer-layer via hole are partly larger than the land diameter of the outer-layer via hole at different portions of the region A. I just need. Further, the land diameter of the via hole in the inner layer and the land diameter of the via hole in the lowermost layer may both be larger than the land diameter of the via hole in the outermost layer. The region A is a region composed only of the interlayer resin insulating layer near the via hole, and has the same meaning as the region A in the multilayer printed wiring board according to the second aspect of the present invention.
【0082】バイアホールがこのような構成を有する場
合には、第一の本発明の多層プリント配線板と同様、ラ
ンド径の大きなバイアホールが、層間樹脂絶縁層の補強
材として役割を果たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機
械的強度が向上し、特に、バイアホール近傍の層間樹脂
絶縁層でクラックが発生しにくくなる。これは、最外層
のバイアホールとこれに隣接する導体回路との間の導体
回路非形成部の下方領域(図5中、A領域)の一部にバ
イアホールのランド部分が存在することとなり、この部
分が層間樹脂絶縁層の補強材としての役割を果たすこと
となるからである。また、第三の本発明の多層プリント
配線板においても、スタックビア構造を有するバイアホ
ールの層数は、2層以上であれば特に限定されず、図示
した多層プリント配線板のように2層であってもよい
し、3層以上であってもよい。また、上記バイアホール
のランド径は、第一の本発明の多層プリント配線板と同
様、少なくともA領域のバイアホール側の半分の領域
に、少なくとも一つのランド部分が存在するような長さ
であることが望ましく、A領域を貫通するような少なく
とも1つのランド部分が存在するような長さであること
がより望ましい。In the case where the via hole has such a structure, the via hole having a large land diameter functions as a reinforcing material for the interlayer resin insulating layer, similarly to the multilayer printed wiring board of the first invention. In addition, the mechanical strength of the interlayer resin insulating layer is improved, and cracks are less likely to occur particularly in the interlayer resin insulating layer near the via hole. This means that the land portion of the via hole exists in a part of a region (A region in FIG. 5) below the portion where the conductor circuit is not formed between the outermost via hole and the conductor circuit adjacent thereto. This is because this portion functions as a reinforcing material for the interlayer resin insulating layer. In the multilayer printed wiring board of the third aspect of the present invention, the number of via holes having a stacked via structure is not particularly limited as long as it is two or more. Or three or more layers. Further, the land diameter of the via hole is such that at least one land portion is present in at least a half region of the region A on the via hole side, as in the multilayer printed wiring board of the first invention. It is more preferable that the length be such that at least one land portion penetrating through the region A exists.
【0083】また、第三の本発明の多層プリント配線板
においても、バイアホールはスタックビア構造を有する
ように形成されているため、下層バイアホールの形状
は、フィールドビア形状であることが望ましい。In the multilayer printed wiring board according to the third aspect of the present invention, since the via holes are formed so as to have a stacked via structure, the shape of the lower via holes is preferably a field via shape.
【0084】また、第三の本発明の多層プリント配線板
では、スルーホールの直上にスタックビア構造のバイア
ホールが形成されており、より接続信頼性に優れる多層
プリント配線板とするために、スルーホールには蓋めっ
き層が形成されていることが望ましい。蓋めっき層は、
その表面が平坦であるため、バイアホールを形成するの
に適しているからである。また、スルーホール内には、
樹脂充填材層が形成されていることが望ましい。樹脂充
填材でスルーホール内を充填することが上記蓋めっき層
を形成するのに適しているからである。In the multilayer printed wiring board according to the third aspect of the present invention, a via hole having a stacked via structure is formed immediately above the through hole, so that a multilayer printed wiring board having more excellent connection reliability is formed. It is desirable that a lid plating layer is formed in the hole. The lid plating layer is
This is because the surface is flat and suitable for forming a via hole. Also, in the through hole,
It is desirable that a resin filler layer be formed. This is because filling the through holes with a resin filler is suitable for forming the cover plating layer.
【0085】次に、第三の本発明の多層プリント配線板
を製造する方法について工程順に説明する。 (1)まず、第一の本発明の多層プリント配線板の製造
方法の(1)の工程と同様にして、基板上に導体回路を
形成する。また、第三の本発明の多層プリント配線板
は、基板および層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間を接
続するためのスルーホールが形成されているため、第一
の本発明の多層プリント配線板を製造する方法とは異な
り、この工程では、スルーホールを形成する必要はな
い。しかしながら、第三の本発明の多層プリント配線板
は、基板のみを挟んだ導体回路間をスルーホールで接続
することを排除するものではないから、この工程で、必
要に応じて基板を挟んだ導体回路間を電気的に接続する
スルーホールを形成してもよい。また、導体回路を形成
した後、必要に応じて、第一の本発明の多層プリント配
線板の製造方法の(2)の工程と同様の方法を用いて導
体回路の表面に粗化面を形成してもよい。Next, a method for manufacturing the multilayer printed wiring board according to the third aspect of the present invention will be described in the order of steps. (1) First, a conductor circuit is formed on a substrate in the same manner as in the step (1) of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the first invention. Further, the multilayer printed wiring board according to the third aspect of the present invention has a through hole for connecting between the substrate and the conductor circuit sandwiching the interlayer resin insulating layer. In this step, it is not necessary to form a through-hole, unlike the method of manufacturing a semiconductor device. However, the multilayer printed wiring board according to the third aspect of the present invention does not exclude connecting conductor circuits sandwiching only the substrate with through holes. A through-hole for electrically connecting the circuits may be formed. After forming the conductor circuit, if necessary, a roughened surface is formed on the surface of the conductor circuit by using the same method as the step (2) of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention. May be.
【0086】(2)次に、第一の本発明の多層プリント
配線板の製造方法の(3)および(4)の工程と同様の
方法を用いて、導体回路上に熱硬化性樹脂や樹脂複合体
からなる未硬化の樹脂層や、熱可塑性樹脂からなる樹脂
層を形成し、さらに、バイアホール用開口を形成し、層
間樹脂絶縁層とする。さらに、層間樹脂絶縁層を形成し
た後、該層間樹脂絶縁層と基板とを貫通する貫通孔を形
成する。該貫通孔は、ドリル加工やレーザ処理等を用い
て形成することができる。(2) Next, using a method similar to the steps (3) and (4) of the first method for producing a multilayer printed wiring board of the present invention, a thermosetting resin or resin An uncured resin layer made of a composite or a resin layer made of a thermoplastic resin is formed, and an opening for a via hole is formed to form an interlayer resin insulating layer. Further, after forming the interlayer resin insulating layer, a through hole penetrating the interlayer resin insulating layer and the substrate is formed. The through holes can be formed by using drilling, laser processing, or the like.
【0087】(3)次に、バイアホール用開口の内壁を
含む層間樹脂絶縁層の表面と貫通孔の内壁とに、必要に
応じて、酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する。な
お、この粗化面は、層間樹脂絶縁層と後工程で形成する
薄膜導体層との密着性を高めるために形成するものであ
り、層間樹脂絶縁層と薄膜導体層との間に充分な密着性
がある場合には形成しなくてもよい。なお、上記酸や酸
化剤としては、第一の本発明の多層プリント配線板の製
造方法の(5)の工程で用いたものと同様のものを用い
ることができる。(3) Next, a roughened surface is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer including the inner wall of the via hole opening and the inner wall of the through hole by using an acid or an oxidizing agent as necessary. The roughened surface is formed in order to enhance the adhesion between the interlayer resin insulating layer and the thin film conductor layer formed in a later step, and a sufficient adhesion is provided between the interlayer resin insulating layer and the thin film conductor layer. In the case where there is a property, it may not be formed. The acid and the oxidizing agent may be the same as those used in the step (5) of the first method for producing a multilayer printed wiring board of the present invention.
【0088】(4)次に、バイアホール用開口を設けた
層間樹脂絶縁層の表面と貫通孔の内壁面とに薄膜導体層
を形成する。上記薄膜導体層の形成は、第一の本発明の
多層プリント配線板の製造方法の(6)の工程で用いた
方法と同様の方法、即ち、無電解めっき、スパッタリン
グ、蒸着等の方法を用いて形成することができる。ま
た、貫通孔内にも薄膜導体層を形成し、スルーホールと
した後、スルーホール内を樹脂充填材で充填することが
望ましく、さらに、この後、スルーホール上に樹脂充填
材を覆う蓋めっき層を形成することが望ましい。蓋めっ
き層を形成することが、その直上に、スタックビア構造
を有するバイアホールを形成するのに適しているからで
ある。(4) Next, a thin film conductor layer is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer provided with the opening for the via hole and on the inner wall surface of the through hole. The thin film conductor layer is formed by the same method as the method used in the step (6) of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the first invention, that is, by a method such as electroless plating, sputtering, or vapor deposition. Can be formed. Also, it is desirable to form a thin film conductor layer also in the through hole and make it a through hole, and then fill the inside of the through hole with a resin filler, and then cover the resin filler on the through hole. It is desirable to form a layer. This is because forming a cover plating layer is suitable for forming a via hole having a stacked via structure immediately above.
【0089】また、この工程を経て形成するスルーホー
ルは、基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間を接
続するのは勿論のこと、この2層の導体回路と基板の両
面に形成された2層の導体回路との計4層の導体回路間
を接続するものであってもよい。The through-holes formed through this process are formed on both surfaces of the two-layer conductor circuit and the substrate, as well as connecting the conductor circuit sandwiching the substrate and the interlayer resin insulation layer. It may be a circuit connecting between a total of four layers of conductor circuits including two layers of conductor circuits.
【0090】(5)次に、上記薄膜導体層上の一部にド
ライフィルムを用いてめっきレジストを形成し、その
後、上記薄膜導体層をめっきリードとして電解めっきを
行い、上記めっきレジスト非形成部に電解めっき層を形
成する。ここでは、貫通孔壁面に形成した薄膜導体層上
にも電解めっき層を形成し、スルーホールの厚さを厚く
してもよい。(5) Next, a plating resist is formed on a part of the thin film conductor layer by using a dry film, and thereafter, electroplating is performed using the thin film conductor layer as a plating lead, and the plating resist non-formed portion is formed. To form an electrolytic plating layer. Here, an electrolytic plating layer may be formed also on the thin film conductor layer formed on the wall surface of the through hole, and the thickness of the through hole may be increased.
【0091】(6)電解めっき層を形成した後、めっき
レジストを剥離し、めっきレジストの下に存在していた
金属からなる薄膜導体層をエッチングにより除去し、独
立した導体回路とする。エッチング液としては、第一の
本発明の多層プリント配線板の製造方法の(8)の工程
で用いたエッチング液と同様のエッチング液を用いるこ
とができる。また、ここで形成した導体回路において、
基板と層間樹脂絶縁層とを挟んだ導体回路間はスルーホ
ールにより接続されている。(6) After the formation of the electrolytic plating layer, the plating resist is peeled off, and the thin film conductor layer made of a metal existing under the plating resist is removed by etching to form an independent conductor circuit. As the etchant, an etchant similar to the etchant used in the step (8) of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention can be used. In the conductor circuit formed here,
Conductive circuits sandwiching the substrate and the interlayer resin insulating layer are connected by through holes.
【0092】また、上記(5)および(6)に記載した
方法に代えて、以下の方法を用いることにより導体回路
を形成してもよい。即ち、上記薄膜導体層上の全面に電
解めっき層を形成した後、該電解めっき層上の一部にド
ライフィルムを用いてエッチングレジストを形成し、そ
の後、エッチングレジスト非形成部下の電解めっき層お
よび薄膜導体層をエッチングにより除去し、さらに、エ
ッチングレジストを剥離することにより独立した導体回
路を形成してもよい。Further, a conductor circuit may be formed by using the following method instead of the methods described in the above (5) and (6). That is, after forming an electrolytic plating layer on the entire surface of the thin film conductor layer, an etching resist is formed using a dry film on a part of the electrolytic plating layer, and thereafter, an electrolytic plating layer under an etching resist non-formed portion and An independent conductor circuit may be formed by removing the thin-film conductor layer by etching and then removing the etching resist.
【0093】また、上述したように、導体回路を形成し
た後には、スルーホール内に樹脂充填材を充填し、その
後、スルーホール(樹脂充填材層を含む)上に蓋めっき
層を形成することが望ましい。なお、上記蓋めっき層
は、例えば、下記(a)〜(c)の工程を経ることによ
り形成することができる。即ち、(a)基板と層間樹脂
絶縁層とを貫通するスルーホールを形成し、該スルーホ
ール内に樹脂充填材層を形成した後、樹脂充填材層の露
出面を含む配線板の表面に、無電解めっき処理やスパッ
タリング等を用いて薄膜導体層を形成する。なお、無電
解めっき処理を用いる場合は、被めっき表面に予め触媒
を付与しておく。 (b)次に、スルーホール(樹脂充填材層を含む)上以
外の部分に、めっきレジストを形成し、さらに、上記薄
膜導体層をめっきリードとして電解めっきを行う。 (c)ついで、電解めっき終了後、めっきレジストの剥
離と該めっきレジスト下の薄膜導体層の除去とを行うこ
とにより薄膜導体層と電解めっき層との2層からなる蓋
めっき層を形成することができる。なお、触媒の付与か
ら薄膜導体層の除去に至る、この(a)〜(c)の工程
は、第一の本発明の多層プリント配線板の(6)〜
(8)と同様の方法を用いて行うことができる。また、
上記蓋めっき層は、第二の本発明の多層プリント配線板
と同様、1層からなるものであってもよい。As described above, after the conductor circuit is formed, the through hole is filled with a resin filler, and thereafter, a lid plating layer is formed on the through hole (including the resin filler layer). Is desirable. The lid plating layer can be formed, for example, through the following steps (a) to (c). That is, (a) forming a through hole penetrating the substrate and the interlayer resin insulating layer, forming a resin filler layer in the through hole, and forming a through hole on the surface of the wiring board including the exposed surface of the resin filler layer; A thin-film conductor layer is formed by using an electroless plating process, sputtering, or the like. When using electroless plating, a catalyst is applied in advance to the surface to be plated. (B) Next, a plating resist is formed on portions other than the through holes (including the resin filler layer), and electrolytic plating is performed using the thin film conductor layer as a plating lead. (C) Then, after the completion of the electrolytic plating, the plating resist is peeled off and the thin film conductor layer under the plating resist is removed to form a lid plating layer composed of a thin film conductor layer and an electrolytic plating layer. Can be. The steps (a) to (c), from the application of the catalyst to the removal of the thin film conductor layer, are performed in the steps (6) to (6) of the multilayer printed wiring board of the first invention.
It can be performed using the same method as (8). Also,
The cover plating layer may be formed of a single layer as in the multilayer printed wiring board of the second aspect of the present invention.
【0094】(7)この後、上記(2)〜(6)の工程
を1回または2回以上繰り返すことにより、層間樹脂絶
縁層上に最上層の導体回路が形成された基板を作製す
る。また、上記(2)〜(6)の工程を何回繰り返すか
は、多層プリント配線板の設計に応じて適宜選択すれば
よい。ここで、めっきレジストを形成する際には、スル
ーホールの直上にバイアホールを形成することができる
ように、めっきレジストを形成する。また、所望のラン
ド径を有するバイアホールを形成することができるよう
にめっきレジストを形成する。即ち、この階層におい
て、ランド径の大きなバイアホールを形成するのであれ
ば、めっきレジスト非形成部の幅を大きくしておけばよ
い。(7) Thereafter, the steps (2) to (6) are repeated once or twice or more to produce a substrate having the uppermost conductive circuit formed on the interlayer resin insulating layer. How many times the above steps (2) to (6) are repeated may be appropriately selected according to the design of the multilayer printed wiring board. Here, when forming the plating resist, the plating resist is formed so that the via hole can be formed immediately above the through hole. Further, a plating resist is formed so that a via hole having a desired land diameter can be formed. That is, if a via hole having a large land diameter is formed in this layer, the width of the plating resist non-formed portion may be increased.
【0095】また、バイアホールを形成する際に、その
バイアホールをフィールドビア構造とすることが望まし
い。具体的には、バイアホール用開口を電解めっきで充
填してフィールドビア構造としてもよく、一旦、その上
面に窪みを有するバイアホールを形成し、その後、この
窪みに導電性ペーストを充填してフィールドビア構造と
してもよい。また、上面に窪みを有するバイアホールを
形成した後、その窪みに樹脂充填材等を充填し、さら
に、その上に蓋めっき層を形成して上面が平坦なバイア
ホールとしてもよい。In forming a via hole, it is desirable that the via hole has a field via structure. Specifically, the via hole opening may be filled with electrolytic plating to form a field via structure, and a via hole having a recess is formed on the upper surface thereof, and then the recess is filled with a conductive paste to form a field via structure. A via structure may be used. Alternatively, after forming a via hole having a depression on the upper surface, the depression may be filled with a resin filler or the like, and a lid plating layer may be formed thereon to form a via hole having a flat upper surface.
【0096】フィルードビア構造のバイアホールを電解
めっき時に形成する場合は、第一の本発明の多層プリン
ト配線板の製造方法の(7)の工程で用いる電解めっき
液と同様の電解めっきを用いることが望ましい。When a via hole having a filled via structure is formed at the time of electrolytic plating, the same electrolytic plating as the electrolytic plating solution used in the step (7) of the first method for producing a multilayer printed wiring board of the present invention should be used. Is desirable.
【0097】(8)次に、第一の本発明の多層プリント
配線板の製造方法の(10)および(11)の工程と同
様の方法を用いて、ソルダーレジスト層を形成し、さら
に、半田バンプやBGA、PGA等を形成して多層プリ
ント配線板とする。(8) Next, a solder resist layer is formed by the same method as the steps (10) and (11) of the first method for manufacturing a multilayer printed wiring board of the present invention, A multilayer printed wiring board is formed by forming bumps, BGA, PGA, and the like.
【0098】[0098]
【実施例】以下、本発明をさらに詳細に説明する。 (実施例1) A.層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製 ビスフェノールA型エポキシ樹脂(エポキシ当量46
9、油化シェルエポキシ社製エピコート1001)30
重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(エポキ
シ当量215、大日本インキ化学工業社製 エピクロン
N−673)40重量部、トリアジン構造含有フェノー
ルノボラック樹脂(フェノール性水酸基当量120、大
日本インキ化学工業社製 フェノライトKA−705
2)30重量部をエチルジグリコールアセテート20重
量部、ソルベントナフサ20重量部に攪拌しながら加熱
溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム
(ナガセ化成工業社製 デナレックスR−45EPT)
15重量部と2−フェニル−4、5−ビス(ヒドロキシ
メチル)イミダゾール粉砕品1.5重量部、微粉砕シリ
カ2重量部、シリコン系消泡剤0.5重量部を添加しエ
ポキシ樹脂組成物を調製した。得られたエポキシ樹脂組
成物を厚さ38μmのPETフィルム上に乾燥後の厚さ
が50μmとなるようにロールコーターを用いて塗布し
た後、80〜120℃で10分間乾燥させることによ
り、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製した。The present invention will be described in more detail below. Example 1 A. Preparation of Resin Film for Interlayer Resin Insulation Layer Bisphenol A type epoxy resin (Epoxy equivalent 46
9. Yuka Shell Epoxy Epicoat 1001) 30
Parts by weight, 40 parts by weight of a cresol novolak type epoxy resin (epoxy equivalent: 215, Epicron N-673 manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) Light KA-705
2) 30 parts by weight were dissolved by heating in 20 parts by weight of ethyl diglycol acetate and 20 parts by weight of solvent naphtha while stirring, and epoxidized polybutadiene rubber (Denalex R-45EPT manufactured by Nagase Kasei Kogyo Co., Ltd.) was added thereto.
15 parts by weight, 1.5 parts by weight of a crushed product of 2-phenyl-4,5-bis (hydroxymethyl) imidazole, 2 parts by weight of finely divided silica, and 0.5 part by weight of a silicon-based antifoaming agent are added, and an epoxy resin composition is added. Was prepared. The resulting epoxy resin composition is applied on a 38 μm-thick PET film using a roll coater so that the thickness after drying becomes 50 μm, and then dried at 80 to 120 ° C. for 10 minutes to form an interlayer resin. A resin film for an insulating layer was produced.
【0099】B.樹脂充填材の調製 ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル社
製、分子量:310、YL983U)100重量部、表
面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒
径が1.6μmで、最大粒子の直径が15μm以下のS
iO2 球状粒子(アドテック社製、CRS 1101−
CE)72重量部およびレベリング剤(サンノプコ社製
ペレノールS4)1.5重量部を容器にとり、攪拌混
合することにより、その粘度が25±1℃で30〜80
Pa・sの樹脂充填材を調製した。なお、硬化剤とし
て、イミダゾール硬化剤(四国化成社製、2E4MZ−
CN)6.5重量部を用いた。B. Preparation of resin filler 100 parts by weight of bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell Co., molecular weight: 310, YL983U), the average particle diameter of which is coated with a silane coupling agent on the surface is 1.6 μm, and the diameter of the largest particle Is less than 15 μm
iO 2 spherical particles (CRS 1101- manufactured by Adtech Co., Ltd.)
CE) 72 parts by weight and 1.5 parts by weight of a leveling agent (Perenol S4 manufactured by San Nopco Co.) are placed in a container, and the mixture is stirred and mixed to have a viscosity of 30 to 80 at 25 ± 1 ° C.
A Pa · s resin filler was prepared. In addition, as a curing agent, an imidazole curing agent (2E4MZ- manufactured by Shikoku Chemicals Co., Ltd.)
6.5 parts by weight (CN).
【0100】C.プリント配線板の製造方法 (1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミドトリアジン)樹脂からなる基板1の両
面に18μmの銅箔8がラミネートされている銅張積層
板を出発材料とした(図6(a)参照)。まず、この銅
張積層板をドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パ
ターン状にエッチングすることにより、基板1の両面に
下層導体回路4とスルーホール9とを形成した(図6
(b)参照)。C. Method for manufacturing printed wiring board (1) 0.8 mm thick glass epoxy resin or BT
A starting material was a copper-clad laminate in which 18 μm copper foils 8 were laminated on both sides of a substrate 1 made of (bismaleimide triazine) resin (see FIG. 6A). First, the copper-clad laminate was drilled, subjected to an electroless plating treatment, and etched in a pattern to form a lower conductor circuit 4 and a through hole 9 on both surfaces of the substrate 1 (FIG. 6).
(B)).
【0101】(2)スルーホール9および下層導体回路
4を形成した基板を水洗いし、乾燥した後、NaOH
(10g/l)、NaClO2 (40g/l)、Na3
PO4 (6g/l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)と
する黒化処理、および、NaOH(10g/l)、Na
BH4 (6g/l)を含む水溶液を還元浴とする還元処
理を行い、そのスルーホール9を含む下層導体回路4の
全表面に粗化面(図示せず)を形成した。(2) The substrate on which the through hole 9 and the lower conductor circuit 4 are formed is washed with water and dried,
(10 g / l), NaClO 2 (40 g / l), Na 3
A blackening treatment using an aqueous solution containing PO 4 (6 g / l) as a blackening bath (oxidizing bath), NaOH (10 g / l), Na
A reduction treatment was performed using an aqueous solution containing BH 4 (6 g / l) as a reduction bath, and a roughened surface (not shown) was formed on the entire surface of the lower conductor circuit 4 including the through holes 9.
【0102】(3)次に、上記Bに記載した樹脂充填材
を調製した後、下記の方法により調整後24時間以内
に、スルーホール9内、および、基板1の導体回路非形
成部と下層導体回路4の外縁部とに樹脂充填材の層1
0′を形成した。即ち、まず、スキージを用いてスルー
ホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、100℃、20
分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成部に相当
する部分が開口したマスクを基板上に載置し、スキージ
を用いて凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填
材の層10′形成し、100℃、20分の条件で乾燥さ
せた(図6(c)参照)。(3) Next, after preparing the resin filler described in the above B, within 24 hours after adjustment by the following method, the inside of the through hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed on the substrate 1 and the lower layer Layer 1 of resin filler on outer edge of conductive circuit 4
0 'was formed. That is, first, the resin filler is pushed into the through hole using a squeegee,
Dried under the conditions of minutes. Next, a mask having an opening corresponding to the portion where the conductor circuit is not formed is placed on the substrate, and a resin filler layer 10 'is formed on the recessed portion where the conductor circuit is not formed using a squeegee. It was dried at 20 ° C. for 20 minutes (see FIG. 6C).
【0103】(4)上記(3)の処理を終えた基板の片
面を、#600のベルト研磨紙(三共理化学製)を用い
たベルトサンダー研磨により、下層導体回路4の表面や
スルーホール9のランド表面に樹脂充填材が残らないよ
うに研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷
を取り除くためのバフ研磨を行った。このような一連の
研磨を基板の他方の面についても同様に行った。次い
で、100℃で1時間、150℃で1時間の加熱処理を
行って樹脂充填材層10を形成した。(4) One surface of the substrate after the treatment of the above (3) is subjected to belt sander polishing using # 600 belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) to form the surface of the lower conductor circuit 4 and the through holes 9. Polishing was performed so that the resin filler did not remain on the land surface, and then buffing was performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. Such a series of polishing was similarly performed on the other surface of the substrate. Next, heat treatment was performed at 100 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 1 hour to form the resin filler layer 10.
【0104】このようにして、スルーホール9や導体回
路非形成部に形成された樹脂充填材層10の表層部およ
び下層導体回路4の表面を平坦化し、樹脂充填材層10
と下層導体回路4の側面4aとが粗化面を介して強固に
密着し、またスルーホール9の内壁面9aと樹脂充填材
層10とが粗化面を介して強固に密着した絶縁性基板を
得た(図6(d)参照)。即ち、この工程により、樹脂
充填材層10の表面と下層導体回路4の表面が同一平面
となる。In this manner, the surface layer of the resin filler layer 10 formed in the through-hole 9 and the portion where the conductor circuit is not formed and the surface of the lower conductor circuit 4 are flattened.
And an insulating substrate in which the side surface 4a of the lower conductor circuit 4 is firmly adhered through the roughened surface, and the inner wall surface 9a of the through hole 9 and the resin filler layer 10 are firmly adhered through the roughened surface. Was obtained (see FIG. 6D). That is, by this step, the surface of the resin filler layer 10 and the surface of the lower conductive circuit 4 become flush with each other.
【0105】(5)上記基板を水洗、酸性脱脂した後、
ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板の両
面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路4の表面とス
ルーホール9のランド表面とをエッチングすることによ
り、下層導体回路4の全表面に粗化面(図示せず)を形
成した。なお、エッチング液としては、イミダゾール銅
(II)錯体10重量部、グリコール酸7重量部、塩化
カリウム5重量部からなるエッチング液(メック社製、
メックエッチボンド)を使用した。(5) After the above substrate was washed with water and acid degreased,
The surface of the lower conductor circuit 4 and the land surface of the through hole 9 are etched by spraying an etching solution onto both surfaces of the substrate by spraying, so that the entire surface of the lower conductor circuit 4 is roughened. (Not shown). In addition, as an etching solution, an etching solution (10 parts by weight of imidazole copper (II) complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride (manufactured by MEC Corporation)
Mech etch bond) was used.
【0106】(6)次に、基板の両面に、上記Aで作製
した基板より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィル
ムを基板上に載置し、圧力0.4MPa、温度80℃、
圧着時間10秒の条件で仮圧着して裁断した後、さら
に、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて張
り付け、その後、熱硬化させることにより層間樹脂絶縁
層2を形成した(図6(e)参照)。すなわち、層間樹
脂絶縁層用樹脂フィルムを基板上に、真空度67Pa、
圧力0.4MPa、温度80℃、圧着時間60秒の条件
で本圧着して張り付け、その後、170℃で30分間熱
硬化させた。(6) Next, on both sides of the substrate, a resin film for an interlayer resin insulating layer slightly larger than the substrate prepared in the above A was placed on the substrate, and the pressure was 0.4 MPa, the temperature was 80 ° C.,
After temporary cutting under the condition of a pressing time of 10 seconds and cutting, the film was further pasted by using a vacuum laminator device by the following method, and then thermally cured to form an interlayer resin insulating layer 2 (FIG. 6 (e)). reference). That is, a resin film for an interlayer resin insulation layer was placed on a substrate, and the degree of vacuum was 67 Pa,
The film was completely pressure-bonded and adhered under the conditions of a pressure of 0.4 MPa, a temperature of 80 ° C, and a pressure-bonding time of 60 seconds.
【0107】(7)次に、層間樹脂絶縁層2上に、厚さ
1.2mmの貫通孔が形成されたマスクを介して、波長
10.4μmのCO2 ガスレーザにて、ビーム径4.0
mm、トップハットモード、パルス幅8.0μ秒、マス
クの貫通孔の径1.0mm、1ショットの条件で層間樹
脂絶縁層2に、直径80μmのバイアホール用開口6を
形成した(図7(a)参照)。(7) Next, through a mask having a through hole having a thickness of 1.2 mm formed on the interlayer resin insulating layer 2, a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm is used.
7 mm, a top hat mode, a pulse width of 8.0 μs, a diameter of a through hole of the mask of 1.0 mm, and a one-shot condition. a)).
【0108】(8)さらに、バイアホール用開口6を形
成した基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃
の溶液に10分間浸漬し、層間樹脂絶縁層2の表面に存
在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バ
イアホール用開口6の内壁を含む層間樹脂絶縁層2の表
面を粗面(図示せず)とした。(8) Further, the substrate in which the via hole opening 6 was formed was heated at 80 ° C. containing 60 g / l of permanganic acid.
Of the interlayer resin insulating layer 2 including the inner wall of the via hole opening 6 by dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 for 10 minutes. Z).
【0109】(9)次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した基板の表面
に、パラジウム触媒(アトテック社製)を付与すること
により、層間樹脂絶縁層2の表面およびバイアホール用
開口6の内壁面に触媒核を付着させた。(9) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water. Further, by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 3 μm), the catalyst is formed on the surface of the interlayer resin insulating layer 2 and the inner wall surface of the via hole opening 6. Nuclei were attached.
【0110】(10)次に、以下の組成の無電解銅めっ
き水溶液中に基板を浸漬して、粗面全体に厚さ0.6〜
3.0μmの薄膜導体層12を形成した(図7(b)参
照)。 〔無電解めっき水溶液〕 NiSO4 0.003 mol/l 酒石酸 0.200 mol/l 硫酸銅 0.030 mol/l HCHO 0.050 mol/l NaOH 0.100 mol/l α、α′−ビピリジル 40 mg/l ポリエチレングリコール(PEG) 0.10 g/l 〔無電解めっき条件〕 35℃の液温度で40分(10) Next, the substrate was immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the following composition, and the thickness of the substrate was reduced to 0.6 to
A 3.0 μm thin film conductor layer 12 was formed (see FIG. 7B). [Electroless plating aqueous solution] NiSO 4 0.003 mol / l tartaric acid 0.200 mol / l copper sulfate 0.030 mol / l HCHO 0.050 mol / l NaOH 0.100 mol / l α, α'-bipyridyl 40 mg / l Polyethylene glycol (PEG) 0.10 g / l [Electroless plating conditions] 40 minutes at a liquid temperature of 35 ° C
【0111】(11)次に、市販の感光性ドライフィル
ムを薄膜導体層12に貼り付け、マスクを載置して、1
00mJ/cm2 で露光し、0.8%炭酸ナトリウム水
溶液で現像処理することにより、めっきレジスト3を設
けた。なお、バイアホールを形成するためのめっきレジ
スト非形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直
径L1 が150μmである(図7(c)参照)。(11) Next, a commercially available photosensitive dry film is affixed to the thin film conductor layer 12, and a mask is placed thereon.
The plating resist 3 was provided by exposing at 00 mJ / cm 2 and developing with an aqueous 0.8% sodium carbonate solution. The shape of the plating resist non-forming portion for forming a via hole, is circular plan view shape, a diameter L 1 is 150 [mu] m (see FIG. 7 (c)).
【0112】(12)ついで、基板を50℃の水で洗浄
して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄し
てから、以下の条件で電解銅めっきを施し、電解銅めっ
き層13を形成した(図7(d)参照)。 〔電解めっき水溶液〕 CuSO4 ・5H2 O 210g/l 硫酸 150g/l Cl- 40mg/l ポリエチレングリコール 300mg/l ビスジスルフィド 100mg/l 〔電解めっき条件〕 電流密度 1.0A/dm2 時間 60 分 温度 25 ℃(12) Next, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic copper plating under the following conditions. The layer 13 was formed (see FIG. 7D). [Electrolytic plating solution] CuSO 4 · 5H 2 O 210g / l sulfuric acid 150g / l Cl - 40mg / l polyethylene glycol 300 mg / l bis disulphide 100 mg / l [electrolytic plating conditions] current density 1.0A / dm 2 hours 60 minutes Temperature 25 ° C
【0113】(13)続いて、50℃の40g/lNa
OH水溶液中でめっきレジスト3を剥離除去した。その
後、基板に150℃で1時間の加熱処理を施し、硫酸−
過酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっき
レジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、独立した導
体回路とフィルードビア形状のバイアホールとを形成し
た(図8(a)参照)。なお、ここで、形成したバイア
ホールのランド径は35μmである。(13) Subsequently, 40 g / l Na at 50 ° C.
The plating resist 3 was peeled off in an OH aqueous solution. Thereafter, the substrate is subjected to a heat treatment at 150 ° C. for one hour,
Using an etching solution containing an aqueous solution of hydrogen peroxide, the thin film conductor layer existing under the plating resist was removed to form an independent conductor circuit and a via hole in the shape of a filled via (see FIG. 8A). Here, the land diameter of the formed via hole is 35 μm.
【0114】(14)上記(5)〜(11)の工程を繰
り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層2と薄
膜導体層12とを形成し、その後、薄膜導体層12上に
めっきレジスト3を設けた。なお、バイアホールを形成
するためのめっきレジスト非形成部分の形状は、平面視
形状が円形で、その直径L2 が250μmである(図8
(b)参照)。(14) By repeating the above steps (5) to (11), an upper interlayer resin insulation layer 2 and a thin film conductor layer 12 are further formed, and thereafter, a plating resist 3 is formed on the thin film conductor layer 12. Was provided. The shape of the portion where the plating resist is not formed for forming the via hole has a circular shape in plan view and a diameter L 2 of 250 μm (FIG. 8).
(B)).
【0115】(15)次に、上記(12)および(1
3)の工程と同様にして、電解銅めっき処理、ならび
に、めっきレジストの剥離除去、および、薄膜導体層の
エッチングを行い、独立した導体回路とフィルードビア
形状のバイアホールとを形成した(図8(c)〜(図9
(a)参照)。なお、ここで形成したバイアホールのラ
ンド径は85μmである。(15) Next, (12) and (1)
In the same manner as in step 3), electrolytic copper plating treatment, peeling and removal of the plating resist, and etching of the thin film conductor layer were performed to form an independent conductor circuit and a via hole having a filled via shape (FIG. 8). (C)-(FIG. 9
(A)). The land diameter of the via hole formed here is 85 μm.
【0116】(16)さらに、上記(5)〜(11)の
工程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁
層2と薄膜導体層12とを形成し、その後、薄膜導体層
12上にめっきレジスト3を設けた。なお、バイアホー
ルを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状
は、平面視形状が円形で、その直径が150μmであ
る。続いて、基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、25
℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条
件で電解めっきを施し、めっきレジスト3非形成部に、
電解銅めっき膜13を形成した(図9(b)〜(c)参
照)。 〔電解めっき液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドGL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃(16) By repeating the above steps (5) to (11), an upper interlayer resin insulating layer 2 and a thin film conductor layer 12 are further formed. A resist 3 was provided. The shape of the portion where the plating resist is not formed for forming the via hole has a circular shape in plan view and a diameter of 150 μm. Subsequently, the substrate was washed with water at 50 ° C. and degreased.
After washing with water at ℃, and further washing with sulfuric acid, electrolytic plating is performed under the following conditions, and the plating resist 3 non-formed portion is
An electrolytic copper plating film 13 was formed (see FIGS. 9B to 9C). [Electroplating solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive 19.5 ml / l (Atotech Japan, Capparaside GL) [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃
【0117】(17)次に、上記(13)の工程と同様
にして、めっきレジスト3を剥離除去、および、薄膜導
体層のエッチングを行い、独立した導体回路とバイアホ
ールとを形成した。なお、この工程で形成したバイアホ
ールは、ランド径が35μmで、その上面が窪んだ形状
を有している。また、この工程で形成したバイアホール
と隣接する導体回路との距離は50μmである(図10
(a)参照)。(17) Next, in the same manner as in the step (13), the plating resist 3 was peeled off and the thin film conductor layer was etched to form independent conductor circuits and via holes. The via hole formed in this step has a land diameter of 35 μm and a concave upper surface. The distance between the via hole formed in this step and the adjacent conductor circuit is 50 μm (FIG. 10).
(A)).
【0118】(18)次に、ジエチレングリコールジメ
チルエーテル(DMDG)に60重量%の濃度になるよ
うに溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂
(日本化薬社製)のエポキシ基50%をアクリル化した
感光性付与のオリゴマー(分子量:4000)46.6
7重量部、メチルエチルケトンに溶解させた80重量%
のビスフェノールA型エポキシ樹脂(油化シェル社製、
商品名:エピコート1001)15.0重量部、イミダ
ゾール硬化剤(四国化成社製、商品名:2E4MZ−C
N)1.6重量部、感光性モノマーである多価アクリル
モノマー(日本化薬社製、商品名:R604)3.0重
量部、同じく多価アクリルモノマー(共栄化学社製、商
品名:DPE6A)1.5重量部、分散系消泡剤(サン
ノプコ社製、S−65)0.71重量部を容器にとり、
攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に
対して光重合開始剤としてベンゾフェノン(関東化学社
製)2.0重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン
(関東化学社製)0.2重量部を加え、粘度を25℃で
2.0Pa・sに調整したソルダーレジスト組成物を得
た。なお、粘度測定は、B型粘度計(東京計器社製、D
VL−B型)で60min-1(rpm)の場合はロータ
ーNo.4、6min-1(rpm)の場合はローターN
o.3によった。(18) Next, a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) to a concentration of 60% by weight was used. Oligomer for imparting properties (molecular weight: 4000) 46.6
7 parts by weight, 80% by weight dissolved in methyl ethyl ketone
Of bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell Co., Ltd.
Trade name: Epicoat 1001) 15.0 parts by weight, imidazole hardener (manufactured by Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-C)
N) 1.6 parts by weight, 3.0 parts by weight of a polyacrylic monomer (trade name: R604, manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), which is a photosensitive monomer, and polyvalent acrylic monomer (trade name: DPE6A, manufactured by Kyoei Chemical Co., Ltd.) ) 1.5 parts by weight, 0.71 part by weight of a dispersion defoaming agent (manufactured by San Nopco, S-65) in a container,
A mixed composition was prepared by stirring and mixing, and 2.0 parts by weight of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photopolymerization initiator and Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to the mixed composition. By adding 0.2 parts by weight, a solder resist composition having a viscosity adjusted to 2.0 Pa · s at 25 ° C. was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd., D
VL-B type, 60 min -1 (rpm), the rotor No. Rotor N for 4, 6 min -1 (rpm)
o. According to 3.
【0119】(19)次に、多層配線基板の両面に、上
記ソルダーレジスト組成物を20μmの厚さで塗布し、
70℃で20分間、70℃で30分間の条件で乾燥処理
を行った後、半田パッドのパターンが描画された厚さ5
mmのフォトマスクをソルダーレジスト層に密着させて
1000mJ/cm2 の紫外線で露光し、DMTG溶液
で現像処理し、直径80μmの開口を形成した。そし
て、さらに、80℃で1時間、100℃で1時間、12
0℃で1時間、150℃で3時間の条件でそれぞれ加熱
処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、半田バン
プ形成用開口を有し、その厚さが20μmのソルダーレ
ジスト層14を形成した。(19) Next, the above-mentioned solder resist composition is applied to both sides of the multilayer wiring board in a thickness of 20 μm.
After performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, the thickness 5 on which the pattern of the solder pad is drawn is 5
The mm photomask is brought into close contact to the solder resist layer was exposed to ultraviolet rays of 1000 mJ / cm 2, and developed with DMTG solution to form openings with a diameter of 80 [mu] m. Then, at 80 ° C. for 1 hour, at 100 ° C. for 1 hour, 12
Heat treatment was performed at 0 ° C. for 1 hour and at 150 ° C. for 3 hours to cure the solder resist layer, thereby forming a solder resist layer 14 having an opening for forming a solder bump and having a thickness of 20 μm.
【0120】(20)次に、過硫酸ナトリウムを主成分
とするエッチング液中にソルダーレジスト層14が形成
された基板を1分間浸漬し、導体回路表面に平均粗度
(Ra)が1μm以下の粗化面(図示せず)を形成し
た。さらに、この基板を、塩化ニッケル(2.3×10
-1mol/l)、次亜リン酸ナトリウム(2.8×10
-1mol/l)、クエン酸ナトリウム(1.6×10 -1
mol/l)を含むpH=4.5の無電解ニッケルめっ
き液に20分間浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケ
ルめっき層15を形成した。さらに、その基板をシアン
化金カリウム(7.6×10-3mol/l)、塩化アン
モニウム(1.9×10-1mol/l)、クエン酸ナト
リウム(1.2×10-1mol/l)、次亜リン酸ナト
リウム(1.7×10-1mol/l)を含む無電解金め
っき液に80℃の条件で7.5分間浸漬して、ニッケル
めっき層15上に、厚さ0.03μmの金めっき層16
を形成し、半田パッドとした。(20) Next, sodium persulfate is used as a main component.
Resist layer 14 is formed in the etching solution
Immersed substrate for 1 minute, and average roughness on conductor circuit surface
(Ra) forms a roughened surface (not shown) of 1 μm or less
Was. Further, this substrate was coated with nickel chloride (2.3 × 10
-1mol / l), sodium hypophosphite (2.8 × 10
-1mol / l), sodium citrate (1.6 × 10 -1
mol / l) and pH = 4.5
Immersion for 20 minutes in the cleaning solution, and a 5 μm thick nickel
A plating layer 15 was formed. In addition, the substrate is
Potassium gold iodide (7.6 × 10-3mol / l), ammonium chloride
Monium (1.9 × 10-1mol / l), sodium citrate
Li (1.2 × 10-1mol / l), sodium hypophosphite
Li (1.7 × 10-1mol / l)
Immerse in a plating solution at 80 ° C for 7.5 minutes,
A gold plating layer 16 having a thickness of 0.03 μm is formed on the plating layer 15.
Was formed to form a solder pad.
【0121】(21)この後、ソルダーレジスト層14
上に、マスクを載置し、ピストン式圧入型印刷機を用い
て、半田バンプ形成用開口に半田ペーストを印刷した。
その後、半田ペーストを250℃でリフローし、さら
に、フラックス洗浄を行うことにより、半田バンプを備
えた多層プリント配線板を得た(図10(b)参照)。(21) Thereafter, the solder resist layer 14
A mask was placed on the top, and solder paste was printed on the openings for forming the solder bumps using a piston press-fit printing machine.
Thereafter, the solder paste was reflowed at 250 ° C., and further, flux cleaning was performed to obtain a multilayer printed wiring board provided with solder bumps (see FIG. 10B).
【0122】(実施例2)実施例(1)〜(4)の工程
を経た後、スルーホール(樹脂充填材層を含む)上に以
下の方法を用いて蓋めっき層を形成し、(7)の工程に
おいて蓋めっき層上にバイアホール用開口を形成した以
外は、実施例1と同様にして多層プリント配線板を製造
した。(Example 2) After the steps of Examples (1) to (4), a cover plating layer was formed on the through-holes (including the resin filler layer) by the following method. )), A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that an opening for a via hole was formed on the cover plating layer.
【0123】〔蓋めっき層の形成〕スルーホール内およ
び導体回路非形成部に樹脂充填材層を形成し、導体回路
(スルーホールのランド部分を含む)表面と樹脂充填材
層の表面とを同一平面にした後、まず、基板の表面にパ
ラジウム触媒(アトテック社製)を付与することによ
り、導体回路表面および樹脂充填材層の表面に触媒核を
付着させた。[Formation of Cover Plating Layer] A resin filler layer is formed in the through hole and in the portion where the conductor circuit is not formed, and the surface of the conductor circuit (including the land portion of the through hole) and the surface of the resin filler layer are the same. After flattening, first, a catalyst nucleus was attached to the surface of the conductor circuit and the surface of the resin filler layer by applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the surface of the substrate.
【0124】次に、実施例1の(10)の工程で用いた
無電解めっき液と同様の組成の無電解銅めっき水溶液中
に基板を浸漬して、表面全体に厚さ0.6〜3.0μm
の薄膜導体層を形成した。Next, the substrate was immersed in an electroless copper plating aqueous solution having the same composition as the electroless plating solution used in the step (10) of Example 1, and a thickness of 0.6 to 3 was applied to the entire surface. 0.0 μm
Was formed.
【0125】次に、市販の感光性ドライフィルムを用い
て、スルーホール上以外の部分にめっきレジストを形成
した。さらに,基板を50℃の水で洗浄して脱脂し、2
5℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の
条件で電解銅めっきを施し、スルーホール上に電解銅め
っき層を形成した。 〔電解めっき液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドGL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22+2 ℃Next, using a commercially available photosensitive dry film, a plating resist was formed on portions other than those on the through holes. Further, the substrate is washed with water at 50 ° C. and degreased.
After washing with water at 5 ° C. and further washing with sulfuric acid, electrolytic copper plating was performed under the following conditions to form an electrolytic copper plating layer on the through holes. [Electroplating solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside GL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 + 2 ° C
【0126】さらに、50℃の40g/lNaOH水溶
液中でめっきレジストを剥離除去し、その後、硫酸−過
酸化水素水溶液を含むエッチング液を用いて、めっきレ
ジスト下に存在した薄膜導体層を除去し、蓋めっき層と
した。Further, the plating resist was peeled off in a 40 g / l NaOH aqueous solution at 50 ° C., and then the thin film conductor layer existing under the plating resist was removed using an etching solution containing a sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution. A cover plating layer was formed.
【0127】(実施例3)実施例1の(6)および
(7)の工程において、以下の方法を用いて、バイアホ
ール用開口を有する層間樹脂絶縁層を形成した以外は、
実施例1と同様にして多層プリント配線板を製造した。
即ち、実施例1の(1)〜(5)の工程を経た後、感光
性樹脂組成物B(粘度:1.5Pa・s)を調製後24
時間以内にロールコータを用いて塗布し、水平状態で2
0分間放置してから、60℃で30分間の乾燥(プリベ
ーク)を行った。次いで、感光性樹脂組成物A(粘度:
7Pa・s)を調製後24時間以内にロールコータを用
いて塗布し、同様に水平状態で20分間放置してから、
60℃で30分間の乾燥(プリベーク)を行い、2層か
らなる半硬化状態の樹脂層を形成した。(Example 3) In steps (6) and (7) of Example 1, except that an interlayer resin insulating layer having a via hole opening was formed using the following method.
A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 1.
That is, after passing through the steps (1) to (5) of Example 1, the photosensitive resin composition B (viscosity: 1.5 Pa · s) was prepared, and then 24
Apply using a roll coater within 2 hours
After leaving for 0 minutes, drying (prebaking) was performed at 60 ° C. for 30 minutes. Next, the photosensitive resin composition A (viscosity:
7Pa · s) is applied using a roll coater within 24 hours after preparation, and left in a horizontal state for 20 minutes in the same manner.
Drying (prebaking) was performed at 60 ° C. for 30 minutes to form a two-layer semi-cured resin layer.
【0128】次に、半硬化状態の樹脂層を形成した基板
の両面に、直径80μmの黒円が印刷されたフォトマス
クフィルムを密着させ、超高圧水銀灯により500mJ
/cm 2 の強度で露光した後、DMDG溶液でスプレー
現像した。この後、さらに、この基板を超高圧水銀灯に
より3000mJ/cm2 の強度で露光し、100℃で
1時間、120℃で1時間、150で3時間の加熱処理
を施し、フォトマスクフィルムに相当する寸法精度に優
れた直径80μmのバイアホール用開口を有する層間樹
脂絶縁層を形成した。Next, a substrate having a resin layer in a semi-cured state is formed.
Photomask with black circle of 80μm diameter printed on both sides of
500mJ with an ultra-high pressure mercury lamp
/ Cm Two And then spray with DMDG solution
Developed. After that, the substrate was further converted to an ultra-high pressure mercury lamp.
3000mJ / cmTwo Exposure at 100 ° C
Heat treatment for 1 hour, 120 ° C for 1 hour, 150 for 3 hours
With excellent dimensional accuracy equivalent to a photomask film
Interlaminar tree having a via hole opening with a diameter of 80 μm
A fat insulating layer was formed.
【0129】なお、感光性樹脂組成物AおよびBは下記
の方法により調製した。 〔感光性樹脂組成物Aの調製〕 (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社
製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重
量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モ
ノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)3.1
5重量部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5
重量部およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重
量部を容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物
を調製した。The photosensitive resin compositions A and B were prepared by the following method. [Preparation of Photosensitive Resin Composition A] (i) A 25% acrylate of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) was dissolved in diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) at a concentration of 80% by weight. 35 parts by weight of resin liquid, photosensitive monomer (Aronix M315, manufactured by Toagosei Co., Ltd.) 3.1
5 parts by weight, antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco) 0.5
Parts by weight and 3.6 parts by weight of N-methylpyrrolidone (NMP) were placed in a container and mixed by stirring to prepare a mixed composition.
【0130】(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)1
2重量部、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、ポリマー
ポール)の平均粒径1.0μmのもの7.2重量部およ
び平均粒径0.5μmのもの3.09重量部を別の容器
にとり、攪拌混合した後、さらにNMP30重量部を添
加し、ビーズミルで攪拌混合し、別の混合組成物を調製
した。(Ii) Polyether sulfone (PES) 1
2 parts by weight, 7.2 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Kasei Co., polymer pole) having an average particle diameter of 1.0 μm and 3.09 parts by weight of an epoxy resin particle having an average particle diameter of 0.5 μm were placed in another container, After stirring and mixing, 30 parts by weight of NMP was further added and stirred and mixed with a bead mill to prepare another mixed composition.
【0131】(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社
製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバ
・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー
I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、DE
TX−S)0.2重量部およびNMP1.5重量部をさ
らに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成
物を調製した。そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製
した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物
を得た。(Iii) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals), a photopolymerization initiator (Irgacure, manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
I-907) 2 parts by weight, photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., DE
TX-S) 0.2 part by weight and 1.5 parts by weight of NMP were further placed in another container, and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, a photosensitive resin composition was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (i), (ii) and (iii).
【0132】〔感光性樹脂組成物Bの調製〕 (i) クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬社
製、分子量:2500)の25%アクリル化物を80重
量%の濃度でジエチレングリコールジメチルエーテル
(DMDG)に溶解させた樹脂液35重量部、感光性モ
ノマー(東亜合成社製、アロニックスM315)4重量
部、消泡剤(サンノプコ社製 S−65)0.5重量部
およびN−メチルピロリドン(NMP)3.6重量部を
容器にとり、攪拌混合することにより混合組成物を調製
した。[Preparation of Photosensitive Resin Composition B] (i) A 25% acrylate of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., molecular weight: 2500) was added to diethylene glycol dimethyl ether (DMDG) at a concentration of 80% by weight. 35 parts by weight of the dissolved resin solution, 4 parts by weight of a photosensitive monomer (manufactured by Toagosei Co., Aronix M315), 0.5 parts by weight of an antifoaming agent (S-65 manufactured by Sannopco) and N-methylpyrrolidone (NMP) 3 A mixed composition was prepared by placing 0.6 parts by weight in a container and mixing with stirring.
【0133】(ii)ポリエーテルスルフォン(PES)1
2重量部、および、エポキシ樹脂粒子(三洋化成社製、
ポリマーポール)の平均粒径0.5μmのもの14.4
9重量部を別の容器にとり、攪拌混合した後、さらにN
MP30重量部を添加し、ビーズミルで攪拌混合し、別
の混合組成物を調製した。(Ii) Polyether sulfone (PES) 1
2 parts by weight and epoxy resin particles (manufactured by Sanyo Chemical Industries,
14.4 having an average particle size of 0.5 μm
9 parts by weight were placed in another container and mixed with stirring.
30 parts by weight of MP was added and mixed by stirring with a bead mill to prepare another mixed composition.
【0134】(iii) イミダゾール硬化剤(四国化成社
製、2E4MZ−CN)2重量部、光重合開始剤(チバ
・スペシャリティ・ケミカルズ社製、イルガキュアー
I−907)2重量部、光増感剤(日本化薬社製、DE
TX−S)0.2重量部およびNMP1.5重量部をさ
らに別の容器にとり、攪拌混合することにより混合組成
物を調製した。そして、(i) 、(ii)および(iii) で調製
した混合組成物を混合することにより感光性樹脂組成物
を得た。(Iii) 2 parts by weight of an imidazole curing agent (2E4MZ-CN manufactured by Shikoku Chemicals), a photopolymerization initiator (Irgacure manufactured by Ciba Specialty Chemicals)
I-907) 2 parts by weight, photosensitizer (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd., DE
TX-S) 0.2 part by weight and 1.5 parts by weight of NMP were further placed in another container, and mixed by stirring to prepare a mixed composition. Then, a photosensitive resin composition was obtained by mixing the mixed compositions prepared in (i), (ii) and (iii).
【0135】(実施例4) A.実施例1と同様にして、層間樹脂絶縁層用樹脂フィ
ルムの作製、および、樹脂充填材の調製を行った。(Example 4) In the same manner as in Example 1, production of a resin film for an interlayer resin insulating layer and preparation of a resin filler were performed.
【0136】B.多層プリント配線板の製造 (1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
樹脂からなる絶縁性基板21の両面に18μmの銅箔2
8がラミネートされている銅張積層板を出発材料とした
(図11(a)参照)。まず、この銅張積層板を下層導
体回路パターン状にエッチングすることにより、基板の
両面に下層導体回路24を形成した(図11(b)参
照)。B. Production of multilayer printed wiring board (1) Glass epoxy resin or BT with a thickness of 0.8 mm
18 μm copper foil 2 on both sides of insulating substrate 21 made of resin
A copper-clad laminate on which No. 8 was laminated was used as a starting material (see FIG. 11A). First, the copper-clad laminate was etched into a lower-layer conductor circuit pattern to form lower-layer conductor circuits 24 on both surfaces of the substrate (see FIG. 11B).
【0137】(2)下層導体回路24を形成した基板2
1を水洗いし、乾燥した後、NaOH(10g/l)、
NaClO2 (40g/l)、Na3 PO4 (6g/
l)を含む水溶液を黒化浴(酸化浴)とする黒化処理、
および、NaOH(10g/l)、NaBH4 (6g/
l)を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、下層
導体回路24の表面に粗化面(図示せず)を形成した。(2) The substrate 2 on which the lower conductor circuit 24 is formed
1 was washed with water and dried, then NaOH (10 g / l),
NaClO 2 (40 g / l), Na 3 PO 4 (6 g / l)
a blackening treatment using an aqueous solution containing l) as a blackening bath (oxidizing bath);
And NaOH (10 g / l), NaBH 4 (6 g / l
A reduction treatment using an aqueous solution containing 1) as a reduction bath was performed to form a roughened surface (not shown) on the surface of the lower conductor circuit 24.
【0138】(3)次に、上記Aで作製した層間樹脂絶
縁層用樹脂フィルムを、温度50〜150℃まで昇温し
ながら、0.5MPaで真空圧着ラミネートして貼り付
け、層間樹脂絶縁層22を形成した(図11(c)参
照)。さらに、層間樹脂絶縁層22を形成した基板21
に、ドリル加工により直径300μmの貫通孔39を形
成した。(3) Next, the resin film for an interlayer resin insulating layer prepared in the above A was laminated by vacuum compression bonding at 0.5 MPa while heating to a temperature of 50 to 150 ° C. 22 was formed (see FIG. 11C). Further, the substrate 21 on which the interlayer resin insulation layer 22 is formed
Then, a through hole 39 having a diameter of 300 μm was formed by drilling.
【0139】(4)次に、層間樹脂絶縁層22に、厚さ
1.2mmの貫通孔が形成されたマスクを載置し、波長
10.4μmのCO2 ガスレーザにて、ビーム径4.0
mm、トップハットモード、パルス幅8.0μ秒、マス
クの貫通孔の径1.0mm、1ショットの条件で層間樹
脂絶縁層22に、直径80μmのバイアホール用開口2
6を形成した(図11(d)参照)。(4) Next, a mask having a through hole having a thickness of 1.2 mm is placed on the interlayer resin insulating layer 22, and the beam diameter is adjusted to 4.0 using a CO 2 gas laser having a wavelength of 10.4 μm.
mm, top hat mode, pulse width 8.0 μs, mask through-hole diameter 1.0 mm, via hole opening 2 with 80 μm diameter in interlayer resin insulation layer 22 under the condition of one shot.
No. 6 was formed (see FIG. 11D).
【0140】(5)次に、バイアホール用開口26を形
成した基板を、60g/lの過マンガン酸を含む80℃
の溶液に10分間浸漬し、貫通孔39の壁面にデスミア
処理を施すとともに、層間樹脂絶縁層22の表面に存在
するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイ
アホール用開口26の内壁面を含むその表面に粗化面
(図示せず)を形成した。(5) Next, the substrate in which the via hole opening 26 was formed was heated at 80 ° C. containing 60 g / l of permanganate.
Of the via hole opening 26 by subjecting the wall surface of the through hole 39 to desmear treatment and dissolving and removing the epoxy resin particles present on the surface of the interlayer resin insulating layer 22 for 10 minutes. A roughened surface (not shown) was formed on the surface.
【0141】(6)次に、上記処理を終えた基板を、中
和溶液(シプレイ社製)に浸漬してから水洗いした。さ
らに、粗面化処理(粗化深さ3μm)した該基板の表面
に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶
縁層22の表面(バイアホール用開口26の内壁面を含
む)、および、貫通孔39の壁面に触媒核を付着させた
(図示せず)。即ち、上記基板を塩化パラジウム(Pb
Cl2 )と塩化第一スズ(SnCl2 )とを含む触媒液
中に浸漬し、パラジウム金属を析出させることにより触
媒を付与した。(6) Next, the substrate after the above treatment was immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley) and washed with water. Further, by applying a palladium catalyst to the surface of the substrate that has been subjected to the surface roughening treatment (roughening depth: 3 μm), the surface of the interlayer resin insulating layer 22 (including the inner wall surface of the via hole opening 26), and A catalyst nucleus was attached to the wall surface of the through hole 39 (not shown). That is, palladium chloride (Pb)
The catalyst was applied by immersion in a catalyst solution containing Cl 2 ) and stannous chloride (SnCl 2 ) to precipitate palladium metal.
【0142】(7)次に、34℃の無電解銅めっき水溶
液中に基板を40分間浸漬し、層間樹脂絶縁層22の表
面(バイアホール用開口26の内壁面を含む)、およ
び、貫通孔39の壁面に厚さ0.6〜3.0μmの薄膜
導体層32を形成した(図11(e)参照)。なお、無
電解銅めっき水溶液としては、実施例1の(10)の工
程で用いた無電解銅めっき水溶液と同様の水溶液を用い
た。(7) Next, the substrate is immersed in an electroless copper plating aqueous solution at 34 ° C. for 40 minutes, and the surface of the interlayer resin insulating layer 22 (including the inner wall surface of the via hole opening 26) and the through hole A thin film conductor layer 32 having a thickness of 0.6 to 3.0 μm was formed on the wall surface of the substrate 39 (see FIG. 11E). In addition, as the electroless copper plating aqueous solution, the same aqueous solution as the electroless copper plating aqueous solution used in the step (10) of Example 1 was used.
【0143】(8)次に、薄膜導体層32が形成された
基板に市販の感光性ドライフィルムを張り付け、マスク
を載置して、100mJ/cm2 で露光し、0.8%炭
酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、めっき
レジスト23を設けた(図12(a)参照)。(8) Next, a commercially available photosensitive dry film is adhered to the substrate on which the thin film conductor layer 32 is formed, a mask is placed, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 , and a 0.8% aqueous solution of sodium carbonate is applied. Then, a plating resist 23 was provided (see FIG. 12A).
【0144】(9)次いで、基板を50℃の水で洗浄し
て脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄して
から、実施例1の(12)の工程と同様の条件で電解め
っきを施し、めっきレジスト23非形成部に、電解銅め
っき膜33を形成した(図12(b)参照)。(9) Next, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to the same conditions as in the step (12) of Example 1. Then, an electrolytic copper plating film 33 was formed in a portion where the plating resist 23 was not formed (see FIG. 12B).
【0145】(10)さらに、めっきレジスト23を5
%KOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト23下
の無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素とを含むエッチン
グ液を用いてエッチングし、スルーホール29、およ
び、導体回路25(バイアホール27を含む)とした。(10) Further, the plating resist 23 is
After stripping and removal with% KOH, the electroless plating film under the plating resist 23 is etched using an etching solution containing sulfuric acid and hydrogen peroxide to form a through hole 29 and a conductor circuit 25 (including a via hole 27). ).
【0146】(11)次に、スルーホール29等を形成
した基板30をエッチング液に浸漬し、スルーホール2
9、および、導体回路25(バイアホール27を含む)
の表面に粗化面(図示せず)を形成した。なお、エッチ
ング液としては、メック社製、メックエッチボンドを使
用した。(11) Next, the substrate 30 on which the through holes 29 and the like are formed is immersed in an etching solution,
9 and conductor circuit 25 (including via hole 27)
A roughened surface (not shown) was formed on the surface of. As an etching solution, Mech etch bond manufactured by Mec Co. was used.
【0147】(12)次に、上記Aに記載した樹脂充填
材を調製した後、下記の方法により調製後24時間以内
に、スルーホール29内、および、層間樹脂絶縁層22
上の導体回路非形成部と導体回路25の外縁部とに樹脂
充填材の層を形成した。即ち、まず、スキージを用いて
スルーホール内に樹脂充填材を押し込んだ後、100
℃、20分の条件で乾燥させた。次に、導体回路非形成
部に相当する部分が開口したマスクとスキージとを用
い、凹部となっている導体回路非形成部に樹脂充填材の
層を形成し、100℃、20分の条件で乾燥させた。(12) Next, after preparing the resin filler described in the above A, within 24 hours after the preparation by the following method, the inside of the through hole 29 and the interlayer resin insulation layer 22 are prepared.
A resin filler layer was formed on the upper part of the conductor circuit non-formed portion and the outer edge of the conductor circuit 25. That is, first, the resin filler is pushed into the through hole using a squeegee,
It was dried at 20 ° C. for 20 minutes. Next, using a mask and a squeegee having an opening in a portion corresponding to the conductor circuit non-forming portion, a resin filler layer is formed in the conductor circuit non-forming portion having a concave portion, and the conditions are set at 100 ° C. for 20 minutes. Let dry.
【0148】続いて、実施例1の(4)の工程と同様に
して、スルーホール29や導体回路非形成部に形成され
た樹脂充填材層30の表層部および導体回路25の表面
を平坦化し、樹脂充填材層30の表面と導体回路25の
表面とを同一平面とした(図12(c)参照)。Subsequently, in the same manner as in the step (4) of the first embodiment, the surface of the through-hole 29 and the resin filler layer 30 formed in the non-conductor-circuit-forming portion and the surface of the conductor circuit 25 are flattened. The surface of the resin filler layer 30 and the surface of the conductive circuit 25 were made the same plane (see FIG. 12C).
【0149】(13)次に、層間樹脂絶縁層22の表
面、および、樹脂充填材層30の露出面に、上記(6)
と同様の処理を行いてパラジウム触媒(図示せず)を付
与した。次に、上記(7)と同様の条件で無電解めっき
処理を施し、樹脂充填材層30の露出面および導体回路
25の上面に薄膜導体層32を形成した。(13) Next, on the surface of the interlayer resin insulating layer 22 and the exposed surface of the resin filler layer 30,
A palladium catalyst (not shown) was applied by performing the same treatment as described above. Next, electroless plating was performed under the same conditions as in (7) above to form a thin film conductor layer 32 on the exposed surface of the resin filler layer 30 and on the upper surface of the conductor circuit 25.
【0150】(14)次に、上記(8)と同様の方法を
用いて、薄膜導体層32上に、めっきレジスト23を設
けた(図12(d)参照)。続いて、基板を50℃の水
で洗浄して脱脂し、25℃の水で水洗後、さらに硫酸で
洗浄してから、以下の条件で電解めっきを施し、めっき
レジスト23非形成部に、電解銅めっき膜33を形成し
た(図13(a)参照)。 〔電解めっき液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドGL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22+2 ℃(14) Next, a plating resist 23 was provided on the thin-film conductor layer 32 by using the same method as in (8) (see FIG. 12D). Subsequently, the substrate was washed with water at 50 ° C., degreased, washed with water at 25 ° C., further washed with sulfuric acid, and then subjected to electrolytic plating under the following conditions. A copper plating film 33 was formed (see FIG. 13A). [Electroplating solution] sulfuric acid 2.24 mol / l copper sulfate 0.26 mol / l additive 19.5 ml / l (manufactured by Atotech Japan, Capparaside GL) [electroplating conditions] current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 + 2 ° C
【0151】(15)次に、めっきレジスト33を5%
KOHで剥離除去した後、そのめっきレジスト33下の
無電解めっき膜を硫酸と過酸化水素との混合液でエッチ
ング処理して溶解除去し、蓋めっき層31とした(図1
3(b)参照)。 (16)次に、蓋めっき層31の表面にエッチング液
(メックエッチボンド)を用いて粗化面(図示せず)を
形成した。(15) Next, 5% of plating resist 33
After stripping off with KOH, the electroless plating film under the plating resist 33 was dissolved and removed by etching with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide to form a cover plating layer 31 (FIG. 1).
3 (b)). (16) Next, a roughened surface (not shown) was formed on the surface of the lid plating layer 31 using an etching solution (MEC etch bond).
【0152】(17)次に、上記(3)〜(11)の工
程を2回繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶
縁層22と導体回路25(バイアホール27を含む)と
を形成した(図13(c)〜図16(a)参照)。な
お、この工程では、スルーホールを形成しなかった。な
お、ここで形成しためっきレジストにおいて、バイアホ
ールを形成するためのめっきレジスト非形成部分の形状
は、平面視形状が円形で、その直径が250μmであ
る。また、形成したバイアホールは、そのランド径が8
5μmであり、その形状がフィールドビア形状である。(17) Next, the above steps (3) to (11) are repeated twice to further form the upper interlayer resin insulation layer 22 and the conductor circuit 25 (including the via hole 27) ( 13 (c) to 16 (a)). In this step, no through hole was formed. In the plating resist formed here, the portion of the plating resist non-formed portion for forming the via hole has a circular shape in plan view and a diameter of 250 μm. The formed via hole has a land diameter of 8
5 μm, which is a field via shape.
【0153】(18)さらに、電解めっきを下記の条件
でおこなった以外は、再度、上記(3)〜(11)の工
程を繰り返すことにより、さらに上層の層間樹脂絶縁層
22、導体回路25(バイアホール27を含む)とを形
成し、多層配線板を得た(図16(b)参照)。なお、
この工程では、スルーホールを形成しなかった。(18) The steps (3) to (11) are repeated again, except that the electrolytic plating is performed under the following conditions, whereby the upper interlayer resin insulation layer 22 and the conductor circuit 25 ( (Including via holes 27) to obtain a multilayer wiring board (see FIG. 16B). In addition,
In this step, no through hole was formed.
【0154】〔電解めっき液〕 硫酸 2.24 mol/l 硫酸銅 0.26 mol/l 添加剤 19.5 ml/l (アトテックジャパン社製、カパラシドGL) 〔電解めっき条件〕 電流密度 1 A/dm2 時間 65 分 温度 22±2 ℃[Electrolytic plating solution] Sulfuric acid 2.24 mol / l Copper sulfate 0.26 mol / l Additive 19.5 ml / l (Capparaside GL, manufactured by Atotech Japan) [Electroplating conditions] Current density 1 A / dm 2 hours 65 minutes Temperature 22 ± 2 ℃
【0155】なお、ここで形成しためっきレジストにお
いて、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非
形成部分の形状は、平面視形状が円形で、その直径が1
50μmである。また、形成したバイアホールは、その
ランド径が35μmであり、その形状は上面に窪みを有
する形状である。また、ここで形成したバイアホールと
隣接する導体回路との距離は50μmである。In the plating resist formed here, the portion of the plating resist non-formed portion for forming a via hole has a circular shape in plan view and a diameter of 1 mm.
50 μm. The formed via hole has a land diameter of 35 μm and has a shape having a depression on the upper surface. The distance between the via hole formed here and the adjacent conductor circuit is 50 μm.
【0156】(19)次に、実施例1の(18)〜(2
1)の工程と同様にして、半田バンプを備えた多層プリ
ント配線板を得た(図17参照)。(19) Next, (18) to (2) of the first embodiment
A multilayer printed wiring board provided with solder bumps was obtained in the same manner as in the step 1) (see FIG. 17).
【0157】(実施例5)実施例4の(17)の工程に
おいて、(3)〜(11)の工程を2回繰り返す際の2
回目の繰り返し工程において、バイアホールを形成する
ためのめっきレジスト非形成部分の形状を、平面視形状
が円形で、その直径が150μmである形状とした以外
は、実施例4と同様にして多層プリント配線板を製造し
た。その結果、スタックビア構造に形成されたバイアホ
ールのうちの最下層のバイアホールのランド径が85μ
mで、内層と最外層とのバイアホールのランド径が35
μmの多層プリント配線板(図18(a)参照)を得
た。(Embodiment 5) In the step (17) of the embodiment 4, the steps (3) to (11) are repeated twice.
In the fourth repetition step, multilayer printing was performed in the same manner as in Example 4 except that the shape of the portion where the plating resist was not formed for forming the via hole was circular in plan view and the diameter was 150 μm. A wiring board was manufactured. As a result, the land diameter of the lowermost via hole of the via holes formed in the stacked via structure is 85 μm.
m, the land diameter of the via hole between the inner layer and the outermost layer is 35
A μm multilayer printed wiring board (see FIG. 18A) was obtained.
【0158】(実施例6)実施例4の(17)の工程の
(3)〜(11)の工程を2回繰り返す際の1回目の繰
り返し工程において、バイアホールを形成するためのめ
っきレジスト非形成部分を、平面視形状が直径200μ
mの円形で、バイアホールの最大ランド径が85μmと
なるような形状に形成し、2回目の繰り返し工程におい
て、バイアホールを形成するためのめっきレジスト非形
成部分を、平面視形状が直径200μmの円形で、バイ
アホールの最大ランド径が85μmで、かつ、最大ラン
ド径を有する方向が、1回目の繰り返し工程で形成した
最大ランド径を有する方向と反対方向ととなるような形
状に形成した以外は、実施例4と同様にして多層プリン
ト配線板を製造した。(Embodiment 6) In the first repetition step when the steps (3) to (11) of the step (17) of the embodiment 4 are repeated twice, a plating resist for forming a via hole is not used. The formed part has a 200 μm diameter in plan view.
m, the via hole has a maximum land diameter of 85 μm, and in the second repetition step, the plating resist non-formed portion for forming the via hole has a planar shape of 200 μm in diameter. Except that it is circular and the via hole has a maximum land diameter of 85 μm, and the direction having the maximum land diameter is opposite to the direction having the maximum land diameter formed in the first repetition step. Manufactured a multilayer printed wiring board in the same manner as in Example 4.
【0159】その結果、スタックビア構造に形成された
バイアホールのうちの最下層と内層とのバイアホールラ
ンド径が、最大ランド径85μmで、最小ランド径35
μmで、かつ、最大ランド径を有する方向が、最下層の
バイアホールと内層のバイアホールとで互いに反対方向
である多層プリント配線板(図18(b)参照)を得
た。As a result, the via hole land diameter between the lowermost layer and the inner layer of the via holes formed in the stacked via structure has a maximum land diameter of 85 μm and a minimum land diameter of 35 μm.
A multilayer printed wiring board (see FIG. 18 (b)) in which the direction having the maximum land diameter of μm is opposite to the direction of the via hole of the lowermost layer and that of the inner layer is opposite to each other.
【0160】(比較例1)スタックビア構造を有するバ
イアホールにおいて、そのランド径が全て35μmとな
るようにした以外は、実施例2と同様にして多層プリン
ト配線板を製造した。(Comparative Example 1) A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 2 except that all land diameters of via holes having a stacked via structure were 35 μm.
【0161】(比較例2)スタックビア構造を有するバ
イアホールにおいて、そのランド径が全て35μmとな
るようにした以外は、実施例4と同様にして多層プリン
ト配線板を製造した。(Comparative Example 2) A multilayer printed wiring board was manufactured in the same manner as in Example 4 except that all land diameters of via holes having a stacked via structure were 35 μm.
【0162】実施例1〜6および比較例1、2で得られ
た多層プリント配線板について、ヒートサイクル試験前
後のスタックビア構造を有するバイアホールの断面の形
状観察、および、導通試験を行った。With respect to the multilayer printed wiring boards obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 and 2, the cross-sectional shape of a via hole having a stack via structure before and after the heat cycle test was observed, and a conduction test was performed.
【0163】評価方法 (1)ヒートサイクル試験 −65℃で3分間および130℃で3分間放置するサイ
クルを1000サイクル繰り返した。 (2)導通試験 多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル
試験前後にチェッカを用いて導通試験を行い、モニター
に表示された結果から導通状態を評価した。[0163]Evaluation method (1) Heat cycle test A cycle of leaving at -65 ° C for 3 minutes and 130 ° C for 3 minutes
The cycle was repeated 1000 cycles. (2) Continuity test After manufacturing a multilayer printed wiring board, the heat cycle
Conduct a continuity test using a checker before and after the test and monitor
The conduction state was evaluated from the results indicated in the above.
【0164】(3)形状観察 多層プリント配線板を製造した後、上記ヒートサイクル
試験前後に、スタックビア構造を有するバイアホールを
通るように多層プリント配線板を切断し、その断面を倍
率100〜400倍の光学顕微鏡を用いて観察した。(3) Observation of Shape After the multilayer printed wiring board was manufactured, before and after the heat cycle test, the multilayer printed wiring board was cut through a via hole having a stack via structure, and the cross section was magnified by 100 to 400. Observed using an optical microscope at a magnification of x.
【0165】その結果、実施例1〜6の多層プリント配
線板では、ヒートサイクル試験前後で、短絡や断線は発
生しておらず、導通状態は良好であった。また、断面の
形状観察においては、層間樹脂絶縁層でのクラックの発
生や、層間樹脂絶縁層とバイアホールとの間での剥離の
発生は観察されなかった。As a result, in the multilayer printed wiring boards of Examples 1 to 6, no short circuit or disconnection occurred before and after the heat cycle test, and the conduction state was good. In the observation of the cross-sectional shape, no crack was generated in the interlayer resin insulating layer, and no peeling was generated between the interlayer resin insulating layer and the via hole.
【0166】一方、比較例1および2の多層プリント配
線板では、ヒートサイクル試験後に、短絡や断線に起因
する導通不良が発生していた。断面の形状観察において
は、ヒートサイクル試験後に、最外層のバイアホールと
これに隣接する導体回路との間の導体回路非形成領域の
下方領域にクラックが発生しており、また、層間樹脂絶
縁層とバイアホールとの間で剥離が発生していた。On the other hand, in the multilayer printed wiring boards of Comparative Examples 1 and 2, after the heat cycle test, a conduction failure due to a short circuit or disconnection occurred. In the cross-sectional shape observation, after the heat cycle test, cracks occurred in the region below the conductor circuit non-forming region between the outermost via hole and the conductor circuit adjacent thereto, and the interlayer resin insulating layer And the via hole was peeled off.
【0167】[0167]
【発明の効果】以上説明したように、第一〜第三の本発
明の多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホー
ル同士がスタックビア構造となるように形成されている
ため、導体回路の配線距離が短くなり、信号電送時間を
短縮することができるともに、導体回路の設計の自由度
が向上するため、高密度配線により対応し易い。また、
上記多層プリント配線板では、階層の異なるバイアホー
ルのうちの少なくとも一つは、そのランド径が他のバイ
アホールのランド径と異なるため、ランド径の大きなバ
イアホールが、層間樹脂絶縁層の補強材として役割を果
たすこととなり、層間樹脂絶縁層の機械的強度が向上
し、バイアホール近傍の層間樹脂絶縁層でのクラックの
発生を回避することができる。また、第二および第三の
多層プリント配線板では、スルーホール上にスタックビ
ア構造を有するバイアホールが形成されているため、よ
り一層、信号電送時間を短縮することができるともに、
高密度配線により対応し易い。As described above, in the first to third multilayer printed wiring boards of the present invention, the via holes of different levels are formed so as to have a stacked via structure, so that the wiring of the conductor circuit is formed. The distance can be shortened, the signal transmission time can be shortened, and the degree of freedom in designing the conductor circuit is improved. Also,
In the multilayer printed wiring board, at least one of the via holes having different levels has a land diameter different from the land diameters of the other via holes, so that the via hole having a large land diameter is a reinforcing material for the interlayer resin insulating layer. As a result, the mechanical strength of the interlayer resin insulating layer is improved, and the occurrence of cracks in the interlayer resin insulating layer near the via hole can be avoided. Also, in the second and third multilayer printed wiring boards, via holes having a stacked via structure are formed on the through holes, so that the signal transmission time can be further reduced, and
It is easy to cope with high-density wiring.
【図1】(a)は、第一の本発明の多層プリント配線板
の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、
(b)は、(a)に示した多層プリント配線板のバイア
ホールを模式的に示す斜視図である。FIG. 1A is a partial cross-sectional view schematically illustrating a part of an embodiment of a multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention;
(B) is a perspective view schematically showing via holes of the multilayer printed wiring board shown in (a).
【図2】(a)は、第一の本発明の多層プリント配線板
の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、
(b)は、(a)に示した多層プリント配線板のバイア
ホールを模式的に示す斜視図である。FIG. 2A is a partial cross-sectional view schematically showing a part of an embodiment of the first multilayer printed wiring board of the present invention;
(B) is a perspective view schematically showing via holes of the multilayer printed wiring board shown in (a).
【図3】(a)は、第一の本発明の多層プリント配線板
の一実施形態の一部を模式的に示す部分断面図であり、
(b)は、(a)に示した多層プリント配線板のバイア
ホールを模式的に示す斜視図である。FIG. 3A is a partial cross-sectional view schematically illustrating a part of an embodiment of the multilayer printed wiring board according to the first aspect of the present invention;
(B) is a perspective view schematically showing via holes of the multilayer printed wiring board shown in (a).
【図4】第二の本発明の多層プリント配線板の一実施形
態の一部を模式的に示す部分断面図である。FIG. 4 is a partial sectional view schematically showing a part of an embodiment of the multilayer printed wiring board of the second invention.
【図5】第三の本発明の多層プリント配線板の一実施形
態の一部を模式的に示す部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view schematically showing a part of an embodiment of the third multilayer printed wiring board of the present invention.
【図6】(a)〜(e)は、本発明の多層プリント配線
板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。FIGS. 6A to 6E are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図7】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配線
板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。FIGS. 7A to 7D are cross-sectional views schematically showing a part of a process of manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図8】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線
板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。FIGS. 8A to 8C are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図9】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配線
板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図である。FIGS. 9A to 9C are cross-sectional views schematically showing a part of a process of manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図10】(a)、(b)は、本発明の多層プリント配
線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。FIGS. 10A and 10B are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図11】(a)〜(e)は、本発明の多層プリント配
線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。FIGS. 11A to 11E are cross-sectional views schematically showing a part of a process of manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図12】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配
線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。FIGS. 12A to 12D are cross-sectional views schematically showing a part of a process of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図13】(a)〜(d)は、本発明の多層プリント配
線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。FIGS. 13A to 13D are cross-sectional views schematically showing a part of a process of manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図14】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配
線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。FIGS. 14A to 14C are cross-sectional views schematically showing a part of a process for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図15】(a)〜(c)は、本発明の多層プリント配
線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。FIGS. 15A to 15C are cross-sectional views schematically showing a part of a process of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図16】(a)〜(b)は、本発明の多層プリント配
線板を製造する工程の一部を模式的に示す断面図であ
る。FIGS. 16A and 16B are cross-sectional views schematically showing a part of a process of manufacturing a multilayer printed wiring board according to the present invention.
【図17】(a)は、本発明の多層プリント配線板を製
造する工程の一部を模式的に示す断面図である。FIG. 17 (a) is a cross-sectional view schematically showing a part of a step of manufacturing the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図18】(a)、(b)は、それぞれ本発明の多層プ
リント配線板の一例を模式的に示す断面図である。FIGS. 18 (a) and (b) are cross-sectional views schematically showing one example of the multilayer printed wiring board of the present invention.
【図19】(a)は、従来の多層プリント配線板の一例
を模式的に示す断面図であり、(b)は、(a)に示し
た多層プリント配線板のバイアホールを模式的に示す斜
視図である。19A is a cross-sectional view schematically illustrating an example of a conventional multilayer printed wiring board, and FIG. 19B is a schematic view illustrating a via hole of the multilayer printed wiring board illustrated in FIG. It is a perspective view.
1、21 基板 8、28 銅箔 4、24 下層導体回路 9、29 スルーホール 6、26 バイアホール用開口 12、32 薄膜導体層 3、23 めっきレジスト 13、33 電解めっき膜 2、22 層間樹脂絶縁層 10、30 樹脂充填材 31 蓋めっき層 14、30 ソルダーレジスト層 17、37 半田バンプ 1, 21 Substrate 8, 28 Copper foil 4, 24 Lower conductor circuit 9, 29 Through hole 6, 26 Via hole opening 12, 32 Thin film conductor layer 3, 23 Plating resist 13, 33 Electroplating film 2, 22 Interlayer resin insulation Layer 10, 30 Resin filler 31 Lid plating layer 14, 30 Solder resist layer 17, 37 Solder bump
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 池田 大介 岐阜県揖斐郡揖斐川町北方1−1 イビデ ン株式会社大垣北工場内 Fターム(参考) 5E346 AA02 AA06 AA12 AA15 AA43 CC02 CC08 CC09 CC10 CC12 CC13 CC14 CC32 CC37 CC52 CC57 DD02 DD03 DD16 DD17 DD25 DD32 DD44 EE33 EE35 EE38 FF03 FF04 FF07 FF10 FF15 GG15 GG17 GG18 GG22 GG23 GG27 HH05 HH11 HH25 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Daisuke Ikeda 1-1, Ibikawa-cho, Ibi-gun, Gifu Prefecture F-term in Ogaki-Kita Plant (reference) 5E346 AA02 AA06 AA12 AA15 AA43 CC02 CC08 CC09 CC10 CC12 CC13 CC14 CC32 CC37 CC52 CC57 DD02 DD03 DD16 DD17 DD25 DD32 DD44 EE33 EE35 EE38 FF03 FF04 FF07 FF10 FF15 GG15 GG17 GG18 GG22 GG23 GG27 HH05 HH11 HH25
Claims (4)
が順次積層され、前記層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路
間がバイアホールを介して接続された多層プリント配線
板であって、前記バイアホールのうち、階層の異なるバ
イアホール同士は、スタックビア構造となるように形成
されるとともに、前記階層の異なるバイアホールのうち
の少なくとも1つは、そのランド径が他のバイアホール
のランド径と異なることを特徴とする多層プリント配線
板。1. A multilayer printed wiring board in which a conductor circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are connected via via holes. Among the via holes, via holes of different levels are formed so as to have a stacked via structure, and at least one of the via holes of different levels has a land diameter of a land of another via hole. A multilayer printed wiring board characterized by having a different diameter.
が順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間が
バイアホールを介して接続されるとともに、基板を挟ん
だ導体回路間がスルーホールを介して接続された多層プ
リント配線板であって、前記スルーホールの直上に、ス
タックビア構造を有するバイアホールが形成されるとと
もに、前記スタックビア構造を有するバイアホールのう
ちの少なくとも1つは、そのランド径が他のバイアホー
ルのランド径と異なることを特徴とする多層プリント配
線板。2. A conductive circuit and an interlayer resin insulating layer are sequentially laminated on a substrate, the conductive circuits sandwiching the interlayer resin insulating layer are connected via via holes, and the conductive circuits sandwiching the substrate are sandwiched. Is a multilayer printed wiring board connected via a through hole, wherein a via hole having a stacked via structure is formed immediately above the through hole, and at least one of the via holes having the stacked via structure is formed. One is a multilayer printed wiring board characterized in that the land diameter is different from the land diameters of other via holes.
が順次積層され、層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間が
バイアホールを介して接続されるとともに、基板および
層間樹脂絶縁層を挟んだ導体回路間がスルーホールを介
して接続された多層プリント配線板であって、前記スル
ーホールの直上に、スタックビア構造を有するバイアホ
ールが形成されるとともに、前記スタックビア構造を有
するバイアホールのうちの少なくとも1つは、そのラン
ド径が他のバイアホールのランド径と異なることを特徴
とする多層プリント配線板。3. A conductive circuit and an interlayer resin insulation layer are sequentially laminated on a substrate, and the conductor circuits sandwiching the interlayer resin insulation layer are connected via via holes. A multilayer printed wiring board in which conductor circuits sandwiched therebetween are connected via through holes, wherein via holes having a stacked via structure are formed immediately above the through holes, and via holes having the stacked via structure are provided. At least one of the multi-layer printed wiring boards has a land diameter different from that of another via hole.
つは、その形状がフィールドビア形状である請求項1〜
3のいずれか1に記載の多層プリント配線板。4. At least one of said via holes
First, the shape is a field via shape.
3. The multilayer printed wiring board according to any one of 3.
Priority Applications (24)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001073066A JP4817516B2 (en) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Multilayer printed wiring board |
KR1020077024252A KR100868611B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed wiring board |
DE60232383T DE60232383D1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed circuit board |
CN2010101674569A CN101848602B (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multi-layer printed board |
CN201110366014.1A CN102523677B (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed wiring board |
EP07001746A EP1809083B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed circuit board |
KR1020087028948A KR100917081B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed wiring board |
KR1020077024251A KR100882663B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed wiring board |
DE60228030T DE60228030D1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | MULTILAYER CONDUCTOR PLATE |
DE60234281T DE60234281D1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed circuit board |
KR1020077024250A KR100882664B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed wiring board |
DE60232473T DE60232473D1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed circuit board |
CNB028014944A CN1330225C (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed circuit board |
KR1020027015299A KR100822542B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed wiring board |
EP02705111A EP1286579B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed wiring board |
CN 200910159472 CN101631423A (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multi-layer printed board |
US10/257,370 US7371974B2 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed wiring board |
EP07001757A EP1773105B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed circuit board |
CN 200710127915 CN101203089B (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed circuit board |
EP07001747A EP1791410B1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed circuit board |
PCT/JP2002/002336 WO2002074029A1 (en) | 2001-03-14 | 2002-03-13 | Multilayer printed wiring board |
US12/099,957 US8030579B2 (en) | 2001-03-14 | 2008-04-09 | Multilayer printed wiring board |
US13/004,325 US8324512B2 (en) | 2001-03-14 | 2011-01-11 | Multilayer printed wiring board |
US13/617,012 US9040843B2 (en) | 2001-03-14 | 2012-09-14 | Multilayer printed wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001073066A JP4817516B2 (en) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Multilayer printed wiring board |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002271027A true JP2002271027A (en) | 2002-09-20 |
JP4817516B2 JP4817516B2 (en) | 2011-11-16 |
Family
ID=18930543
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001073066A Expired - Lifetime JP4817516B2 (en) | 2001-03-14 | 2001-03-14 | Multilayer printed wiring board |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4817516B2 (en) |
CN (2) | CN101631423A (en) |
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JP4817516B2 (en) | 2011-11-16 |
CN101203089B (en) | 2010-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040324 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080220 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100817 |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101014 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110426 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110726 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110812 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110830 |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110830 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4817516 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term |