JP2002204075A - Method of manufacturing multilayer printed wiring board - Google Patents

Method of manufacturing multilayer printed wiring board

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JP2002204075A
JP2002204075A JP2000400649A JP2000400649A JP2002204075A JP 2002204075 A JP2002204075 A JP 2002204075A JP 2000400649 A JP2000400649 A JP 2000400649A JP 2000400649 A JP2000400649 A JP 2000400649A JP 2002204075 A JP2002204075 A JP 2002204075A
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JP
Japan
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hole
layer
resin
inner layer
outer layer
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Application number
JP2000400649A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Segawa
博史 瀬川
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Ibiden Co Ltd
Original Assignee
Ibiden Co Ltd
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Publication date
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  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a multilayer printed wiring board having coaxial-structured through-holes having a high reliability. SOLUTION: Using a drill, inner layer through-holes 62 and outer layer through-holes 36 are formed. Use of the drill prevents the through-hole from tapering and makes uniform the thickness of an outer layer resin filler 42 forming an insulation layer between the outer and inner layer through-holes 62, 63. Thus, the short circuit between the outer and inner layer through-holes can be prevented to improve the reliability.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、スルーホールを
介して表裏が電気的接続をされた多層プリント配線板に
関し、特に、樹脂絶縁層と導体回路層とを交互にビルド
アップしてなる多層プリント配線板から成り、ICチッ
プなどの電子部品を載置するパッケージ基板に好適に用
い得る多層プリント配線板の製造方法に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer printed wiring board whose front and back surfaces are electrically connected via through holes, and more particularly, to a multilayer printed circuit formed by alternately building up a resin insulating layer and a conductive circuit layer. The present invention relates to a method for manufacturing a multilayer printed wiring board which is composed of a wiring board and can be suitably used for a package substrate on which electronic components such as IC chips are mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】多層配線基板に対する高密度化の要請か
ら、いわゆるビルドアップ多層プリント配線板が注目さ
れている。このビルドアップ多層プリント配線板は、例
えば特公平4−55555号公報に開示されているよう
な方法により製造される。即ち、下層導体回路が形成さ
れたコア基板上に、感光性樹脂からなる無電解めっき用
接着剤を塗布し、これを乾燥した後、露光、現像処理す
ることにより、バイアホール用開口を有する層間樹脂絶
縁層を形成する。次いで、この層間樹脂絶縁層の表面を
酸化剤等による処理にて粗化した後、この層間樹脂絶縁
層に露光、現像処理を施してめっきレジストを設け、そ
の後、めっきレジスト非形成部分に無電解めっき等を施
して、バイアホールを含む導体回路パターンを形成す
る。続いて、この工程を複数回繰り返すことにより、ビ
ルドアップ多層配線板が製造される。
2. Description of the Related Art A demand for higher density of a multilayer wiring board has attracted attention of a so-called build-up multilayer printed wiring board. This build-up multilayer printed wiring board is manufactured by a method disclosed in, for example, Japanese Patent Publication No. 55555/1992. That is, an adhesive for electroless plating made of a photosensitive resin is applied on the core substrate on which the lower conductor circuit is formed, and after drying, the exposed and developed treatment is performed to form an interlayer having an opening for a via hole. A resin insulating layer is formed. Next, after the surface of the interlayer resin insulating layer is roughened by a treatment with an oxidizing agent or the like, the interlayer resin insulating layer is exposed and developed to provide a plating resist, and then an electroless portion is formed on a portion where the plating resist is not formed. A conductive circuit pattern including via holes is formed by plating or the like. Subsequently, by repeating this step a plurality of times, a build-up multilayer wiring board is manufactured.

【0003】一方、スルーホールの性能を高めるため
に、スルーホールを内層スルーホールと外層スルーホー
ルとからなる同軸構造とする技術が、特開2000−6
8648号にて提案されている。
On the other hand, in order to enhance the performance of the through hole, a technique of forming the through hole into a coaxial structure including an inner layer through hole and an outer layer through hole is disclosed in JP-A-2000-6.
No. 8648.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、特開2
000−68648号では、レーザで内層スルーホール
及び外層スルーホールを穿設しているため、レーザの入
射側の開口径が大きく、反対側の開口径が小さくなり、
外層スルーホール及び内層スルーホールがテーパ状にな
っている。このため、外層スルーホールと内層スルーホ
ールとの中心が少しでもずれると、外層のスルーホール
と内層のスルーホールとの間のギャップが不均一に成り
易く、外層スルーホールと内層スルーホールとの間の絶
縁信頼性が懸念される。係る課題に対応するため、双方
からレーザで行うことも検討したが、照射されたレーザ
が下面まで伝わりにくく、貫通孔を穿設する距離(コア
基板の厚み及びこのコア基板の両面に配設された層間樹
脂絶縁層の厚み)が長いため、位置合わせ精度に難があ
った。
SUMMARY OF THE INVENTION However, Japanese Patent Application Laid-Open
In 000-68648, since the inner layer through-hole and the outer layer through-hole are formed by laser, the opening diameter on the laser incident side is large and the opening diameter on the opposite side is small,
The outer through hole and the inner through hole are tapered. For this reason, if the center between the outer layer through-hole and the inner layer through-hole is slightly deviated, the gap between the outer layer through-hole and the inner layer through-hole tends to be uneven, and the gap between the outer layer through-hole and the inner layer through-hole is likely to be uneven. Is concerned about the insulation reliability. In order to cope with such a problem, it was considered that laser irradiation was performed from both sides. However, it was difficult for the irradiated laser to reach the lower surface, and the distance for forming the through hole (the thickness of the core substrate and the distance between the core substrate and both sides thereof). (The thickness of the interlayer resin insulating layer) was long, so that the alignment accuracy was difficult.

【0005】特に、パッケージ基板は、載置されるIC
チップの発熱量が大きいため、樹脂で構成されるコア基
板、層間樹脂絶縁層、スルーホール内の充填剤は、熱膨
張率を可能な限り近似させることで、熱膨張率差によっ
て発生する応力を小さくし、内部でのクラック発生を防
止する必要がある。このため、上述した内層スルーホー
ルと外層スルーホールとの間の絶縁層(樹脂充填剤)に
熱膨張率を高める粒子を含ませる必要がある。一方で、
樹脂中に粒子を含ませると、粒子を伝わってマイクレー
ションが発生し易くなり、上述したように、外層のスル
ーホールと内層のスルーホールとの間のギャップが不均
一になると、ギャップの小さな部位で短絡が発生し易
く、同軸構造のスルーホールの信頼性が低下する。
[0005] In particular, the package substrate is mounted on an IC.
Since the heat generated by the chip is large, the core substrate made of resin, the interlayer resin insulating layer, and the filler in the through hole make the thermal expansion coefficient as close as possible to reduce the stress generated by the difference in thermal expansion coefficient. It is necessary to reduce the size and prevent the occurrence of cracks inside. Therefore, it is necessary that the insulating layer (resin filler) between the above-described inner layer through-hole and the outer layer through-hole contains particles that increase the coefficient of thermal expansion. On the other hand,
When particles are included in the resin, the particles easily propagate through the particles, and as described above, when the gap between the outer-layer through-hole and the inner-layer through-hole becomes non-uniform, a small gap portion is formed. In this case, a short circuit easily occurs, and the reliability of the through hole having the coaxial structure is reduced.

【0006】本発明は、上述した課題を解決するために
なされたものであり、その目的とするところは、高い信
頼性を有する同軸構造のスルーホールを備える多層プリ
ント配線板の製造方法を提案することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to propose a method of manufacturing a multilayer printed wiring board having a highly reliable coaxial through hole. It is in.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、請求項1は、少なくとも(a)〜(g)の工程
を備えることを特徴とする多層プリント配線板の製造方
法: (a)コア基板にドリルを用いて外層スルーホール用貫
通孔を形成する工程; (b)前記外層スルーホール用貫通孔に、金属膜を施し
外層スルーホールを形成する工程; (c)前記外層スルーホール内に樹脂充填剤を充填し
て、外層樹脂絶縁層を形成する工程; (d)前記コア基板の片面もしくは両面に層間樹脂絶縁
層を形成する工程; (e)前記外層スルーホール内にドリルを用いて内層ス
ルーホール用貫通孔を形成する工程; (f)前記内層スルーホール用貫通孔に、金属膜を施し
内層スルーホールを形成する工程; (g)前記内層スルーホール内に樹脂充填剤を充填し
て、内層樹脂絶縁層を形成する工程。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising at least steps (a) to (g). ) A step of forming a through hole for an outer layer through hole using a drill in the core substrate; (b) a step of applying a metal film to the through hole for the outer layer through hole to form an outer layer through hole; (c) a step of forming the outer layer through hole Filling the inside with a resin filler to form an outer resin insulating layer; (d) forming an interlayer resin insulating layer on one or both surfaces of the core substrate; (e) drilling a drill into the outer layer through hole. Forming a through-hole for an inner layer through-hole using the same; (f) applying a metal film to the through-hole for the inner-layer through-hole to form an inner-layer through-hole; and (g) resin filler in the inner-layer through-hole. To form an inner resin insulation layer.

【0008】請求項1の発明では、ドリルを用いてスル
ーホールを形成する。つまり、ドリルを用いることで、
スルーホールがテーパ状になるのを防止し、外層スルー
ホールと内層スルーホールとの間の絶縁層を形成する外
層樹脂充填剤の厚みを均一にできる。このため、外層の
スルーホールと内層のスルーホールとの間のでの短絡を
防止でき、信頼性が向上する。
According to the first aspect of the present invention, a through hole is formed using a drill. In other words, by using a drill,
The through hole is prevented from being tapered, and the thickness of the outer layer resin filler forming the insulating layer between the outer layer through hole and the inner layer through hole can be made uniform. For this reason, a short circuit between the through hole of the outer layer and the through hole of the inner layer can be prevented, and the reliability is improved.

【0009】また、請求項2の多層プリント配線板の製
造方法は、少なくとも(a)〜(h)の工程を備えるこ
とを技術的特徴とする: (a)コア基板にドリルを用いて外層スルーホール用貫
通孔を形成する工程; (b)前記外層スルーホール用貫通孔に、金属膜を施し
外層スルーホールを形成する工程; (c)前記外層スルーホール内に樹脂充填剤を充填し
て、外層樹脂絶縁層を形成する工程; (d)前記コア基板の片面もしくは両面に層間樹脂絶縁
層を形成する工程; (e)前記外層スルーホール内にドリルを用いて内層ス
ルーホール用貫通孔を形成する工程; (f)前記内層スルーホール用貫通孔に、金属膜を施し
内層スルーホールを形成する工程; (g)前記内層スルーホール内に樹脂充填剤を充填し
て、内層樹脂絶縁層を形成する工程; (h)前記内層スルーホール上に導電性の蓋を形成する
工程。
A technical feature of the method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to the second aspect is that the method includes at least steps (a) to (h): (a) outer layer through using a drill on a core substrate; Forming a through hole for a hole; (b) applying a metal film to the through hole for an outer layer through hole to form an outer layer through hole; (c) filling a resin filler in the outer layer through hole; Forming an outer resin insulating layer; (d) forming an interlayer resin insulating layer on one or both surfaces of the core substrate; (e) forming a through hole for the inner layer through hole using a drill in the outer layer through hole. (F) applying a metal film to the through hole for the inner layer through hole to form an inner layer through hole; and (g) filling the inner layer through hole with a resin filler to form an inner resin insulating layer. (H) forming a conductive lid on the inner layer through-hole.

【0010】請求項2の発明では、ドリルを用いてスル
ーホールを形成する。つまり、ドリルを用いることで、
スルーホールがテーパ状になるのを防止し、外層スルー
ホールと内層スルーホールとの間の絶縁層を形成する外
層樹脂充填剤の厚みを均一にできる。このため、外層の
スルーホールと内層のスルーホールとの間のでの短絡を
防止でき、信頼性が向上する。また、導電性の蓋を介し
てスルーホールとバイアホールとを接続するため、スル
ーホールとバイアホールとの接続信頼性を高めることが
できる。
According to the second aspect of the present invention, the through hole is formed using a drill. In other words, by using a drill,
The through hole is prevented from being tapered, and the thickness of the outer layer resin filler forming the insulating layer between the outer layer through hole and the inner layer through hole can be made uniform. For this reason, a short circuit between the through hole of the outer layer and the through hole of the inner layer can be prevented, and the reliability is improved. Further, since the through hole and the via hole are connected via the conductive lid, the connection reliability between the through hole and the via hole can be improved.

【0011】請求項3の発明では、内層スルーホール上
に蓋を形成して、この蓋上にバイアホールを形成する。
つまり、内層スルーホール上に導電性の蓋を施すことに
よって、スルーホールの直上にバイアホールを形成する
ことができるため、配線長を短縮でき、高周波性能を向
上させれる。
According to the third aspect of the present invention, a lid is formed on the inner through hole, and a via hole is formed on the lid.
That is, by providing a conductive lid on the inner layer through-hole, the via hole can be formed immediately above the through-hole, so that the wiring length can be reduced and the high-frequency performance can be improved.

【0012】請求項4の発明では、内層スルーホール上
に蓋をめっきにより厚さ5〜20μmで形成する。蓋の
厚さが5μm未満であれば、内層スルーホールとめっき
による蓋との電気的接続を取るのは難しくなる。反対
に、めっきによる蓋の厚さが20μmを越える場合は、
エッチングの際にアンダーカットが発生して実用的でな
くなる。したがって、蓋の厚さを5〜20μmにするこ
とによって、好適に蓋をめっきで形成することができ
る。
According to the fourth aspect of the present invention, the lid is formed by plating on the inner layer through hole to a thickness of 5 to 20 μm. If the thickness of the lid is less than 5 μm, it will be difficult to establish electrical connection between the inner layer through hole and the lid by plating. Conversely, when the thickness of the lid by plating exceeds 20 μm,
Undercutting occurs during etching, making it impractical. Therefore, by setting the thickness of the lid to 5 to 20 μm, the lid can be suitably formed by plating.

【0013】請求項5の発明では、スルーホールの導体
層の表面に粗化層が施されている。粗化層によって、樹
脂充填剤の膨張及び収縮を防ぎ、スルーホールの上に形
成されている層間絶縁層及び蓋めっきを押し上げること
を防止できる。なお、粗化層は、酸化還元処理、黒化処
理、めっき、エッチングによって形成できる。
According to the fifth aspect of the present invention, the surface of the conductor layer of the through hole is provided with a roughened layer. The roughened layer can prevent the resin filler from expanding and contracting, and can prevent the interlayer insulating layer formed on the through hole and the lid plating from being pushed up. Note that the roughened layer can be formed by oxidation-reduction treatment, blackening treatment, plating, and etching.

【0014】本発明のスルーホール充填用樹脂組成物を
構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂を
用いることができる。熱硬化性樹脂としては、エポキシ
樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂から選ばれるい
ずれか少なくとも1種の樹脂がよい。熱可塑性樹脂とし
ては、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、4フ
ッ化エチレン6フッ化プロピレン共重合体(FEP)、
4フッ化エチレンパーフロロアルコキシ共重合体(PF
A)等のフッ素樹脂、ポリエチレンテレフタレート(P
ET)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフェニレンス
ルフィド(PPS)、熱可塑型ポリフェニレンエーテル
(PPE)、ポリエーテルスルフォン(PES)、ポリ
エーテルイミド(PEI)、ポリフェニレンスルフォン
(PPES)、ポリエチレンナフタレート(PEN)、
ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリオレフ
ィン系樹脂から選ばれるいずれか少なくとも1種がよ
い。
As the resin constituting the resin composition for filling through holes of the present invention, a thermosetting resin or a thermoplastic resin can be used. As the thermosetting resin, at least one resin selected from an epoxy resin, a polyimide resin, and a phenol resin is preferable. As the thermoplastic resin, polytetrafluoroethylene (PTFE), tetrafluoroethylene hexafluoropropylene copolymer (FEP),
Polytetrafluoroethylene perfluoroalkoxy copolymer (PF
A) and other fluororesins, polyethylene terephthalate (P
ET), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfide (PPS), thermoplastic polyphenylene ether (PPE), polyether sulfone (PES), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfone (PPES), polyethylene naphthalate (PEN) ,
At least one selected from polyetheretherketone (PEEK) and polyolefin-based resins is preferred.

【0015】特に、スルーホールの充填に用いられる最
適樹脂としては、ビスフェノール型エポキシ樹脂および
ノボラック型エポキシ樹脂から選ばれるいずれか少なく
とも1種がよい。この理由は、ビスフェノール型エポキ
シ樹脂は、A型、F型などの樹脂を適宜選択することに
より、希釈溶媒を使用しなくともその粘度を調整でき、
またノボラック型エポキシ樹脂は、高強度で耐熱性や耐
薬品性に優れ、無電解めっき液のような強塩基性溶液中
でも分解せず、また熱分解しないからである。前記ビス
フェノール型エポキシ樹脂としては、ビスフェノールA
型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂から
選ばれるいずれか少なくとも1種を用いることが望まし
い。なかでも、ビスフェノールF型エポキシ樹脂は、低
粘度で無溶剤で使用することができるため有利である。
前記ノボラック型エポキシ樹脂としては、フェノールノ
ボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂から選ばれるいずれか少なくとも1種を用いる
ことが望ましい。このような樹脂の中で、ノボラック型
エポキシ樹脂とビスフェノール型エポキシ樹脂を配合し
て用いる場合、その配合割合は、重量比で1/1〜1/
100 が望ましい。この理由は、粘度の著しい上昇を抑制
できる範囲だからである。また、含有される無機粒子に
は、配合量は、10〜80vol%であることがよい。さ
らに望ましいのは、20〜70vol%である。粒子が凝
集、分散しても前述の不具合が起きにくいからである。
含有される無機粒子には、アルミニウム化合物、カルシ
ウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物、ケ
イ素化合物のいずれか1種類以上が配合されていること
がよい。アルミニウム化合物としては、例えばアルミ
ナ、水酸化アルミニウムなどが挙げられる。カルシウム
化合物としては、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、
等が挙げられる。カリウム化合物としては、炭酸カリウ
ム等が挙げられる。マグネシウム化合物としては、マグ
ネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウムなどが挙
げられる。ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト
などが挙げられる。
In particular, as the optimum resin used for filling the through holes, at least one selected from bisphenol type epoxy resin and novolak type epoxy resin is preferable. The reason is that the viscosity of the bisphenol type epoxy resin can be adjusted without using a diluting solvent by appropriately selecting a resin such as A type or F type,
Also, the novolak type epoxy resin is high in strength, excellent in heat resistance and chemical resistance, and does not decompose and does not thermally decompose even in a strongly basic solution such as an electroless plating solution. As the bisphenol type epoxy resin, bisphenol A
It is desirable to use at least one selected from a type epoxy resin and a bisphenol F type epoxy resin. Among them, bisphenol F type epoxy resin is advantageous because it can be used with low viscosity and without solvent.
As the novolak type epoxy resin, it is desirable to use at least one selected from a phenol novolak type epoxy resin and a cresol novolak type epoxy resin. When a novolak type epoxy resin and a bisphenol type epoxy resin are blended and used in such a resin, the blending ratio is 1/1 to 1/1 by weight.
100 is preferred. The reason for this is that a remarkable increase in viscosity can be suppressed. The amount of the inorganic particles contained is preferably 10 to 80 vol%. More desirable is 20 to 70 vol%. This is because even if the particles are agglomerated or dispersed, the above-mentioned problems are unlikely to occur.
It is preferable that at least one of an aluminum compound, a calcium compound, a potassium compound, a magnesium compound, and a silicon compound is blended in the contained inorganic particles. Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide. As calcium compounds, calcium carbonate, calcium hydroxide,
And the like. Examples of the potassium compound include potassium carbonate. Examples of the magnesium compound include magnesia, dolomite, and basic magnesium carbonate. Examples of the silicon compound include silica and zeolite.

【0016】このような樹脂組成物に使用される硬化剤
としては、イミダゾール系硬化剤、酸無水物硬化剤、ア
ミン系硬化剤が望ましい。硬化収縮が小さいからであ
る。硬化収縮を抑制することにより、充填材とそれを被
覆する導体層との一体化してその密着性を向上させるこ
とができる。
The curing agent used in such a resin composition is preferably an imidazole curing agent, an acid anhydride curing agent, or an amine curing agent. This is because curing shrinkage is small. By suppressing the curing shrinkage, the filler can be integrated with the conductor layer covering the filler to improve the adhesion.

【0017】また、このような樹脂組成物は、必要に応
じて溶剤で希釈することができる。この溶剤としては、
NMP(ノルマルメチルピロリドン)、DMDG(ジエ
チレングリコールジメチルエーテル)、グリセリン、
水、1−又は2−又は3−のシクロヘキサノール、シク
ロヘキサノン、メチルセルソルブ、メチルセルソルブア
セテート、メタノール、エタノール、ブタノール、プロ
パノール、などがある。より望ましいのは、充填樹脂組
成物中に、溶剤が含有させないのがよい。
Further, such a resin composition can be diluted with a solvent, if necessary. As this solvent,
NMP (normal methylpyrrolidone), DMDG (diethylene glycol dimethyl ether), glycerin,
Water, 1- or 2- or 3-cyclohexanol, cyclohexanone, methylcellosolve, methylcellosolve acetate, methanol, ethanol, butanol, propanol, and the like. More preferably, a solvent is not contained in the filling resin composition.

【0018】本発明では、充填材が充填されるスルーホ
ールの内壁導体表面に粗化層が形成されてなることが望
ましい。この理由は、充填材とスルーホールとが粗化層
を介して密着し隙間が発生しないからである。もし、充
填材とスルーホールとの間に空隙が存在すると、その直
上に電解めっきで形成される導体層は、平坦なものとな
らなかったり、空隙中の空気が熱膨張してクラックや剥
離を引き起こしたりし、また一方で、空隙に水が溜まっ
てマイグレーションやクラックの原因となったりする。
この点、粗化層が形成されているとこのような不良発生
を防止することができる。
In the present invention, it is preferable that a roughened layer is formed on the inner wall conductor surface of the through hole filled with the filler. The reason for this is that the filler and the through hole are in close contact with each other via the roughened layer, and no gap is generated. If there is a gap between the filler and the through-hole, the conductor layer formed by electrolytic plating directly above it will not be flat, or the air in the gap will thermally expand, causing cracks and peeling. Or cause water to accumulate in the voids, causing migration or cracks.
In this regard, the formation of the roughened layer can prevent such defects from occurring.

【0019】また、本発明において、充填材を覆う導体
層の表面には、スルーホール内壁の導体表面に形成した
粗化層と同様の粗化層が形成されていることが有利であ
る。この理由は、粗化層により層間樹脂絶縁層やバイア
ホールとの密着性を改善することができるからである。
特に、導体層の側面に粗化層が形成されていると、導体
層側面と層間樹脂絶縁層との密着不足によってこれらの
界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて発生するクラ
ックを抑制することができる。
In the present invention, it is advantageous that a roughened layer similar to the roughened layer formed on the conductor surface on the inner wall of the through hole is formed on the surface of the conductor layer covering the filler. The reason for this is that the roughened layer can improve the adhesion to the interlayer resin insulating layer and via holes.
In particular, if the roughened layer is formed on the side surface of the conductor layer, cracks generated toward the interlayer resin insulation layer starting from the interface due to insufficient adhesion between the conductor layer side surface and the interlayer resin insulation layer can be suppressed. Can be.

【0020】このようなスルーホール内壁や導体層の表
面に形成される粗化層の厚さは、0.1〜10μmがよい。
この理由は、厚すぎると層間ショートの原因となり、薄
すぎると被着体との密着力が低くなるからである。この
粗化層としては、スルーホール内壁の導体あるいは導体
層の表面を、酸化(黒化)−還元処理して形成したも
の、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して形成し
たもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金のめっき
処理にて形成したものがよい。
The thickness of the roughened layer formed on the inner wall of the through hole and the surface of the conductor layer is preferably 0.1 to 10 μm.
The reason for this is that if it is too thick, it causes interlayer short-circuit, and if it is too thin, the adhesion to the adherend decreases. The roughened layer is formed by subjecting the conductor on the inner wall of the through hole or the surface of the conductor layer to an oxidation (blackening) -reduction treatment, or a treatment formed with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex. Alternatively, a material formed by plating a copper-nickel-phosphorus needle-like alloy is preferable.

【0021】これらの処理のうち、酸化(黒化)−還元
処理による方法では、NaOH(20g/l)、NaClO2(50g
/l)、Na3PO4(15.0g/l)を酸化浴(黒化浴)、Na
OH(2.7g/l)、NaBH4 ( 1.0g/l)を還元浴とす
る。
Among these treatments, in the method by oxidation (blackening) -reduction treatment, NaOH (20 g / l), NaClO 2 (50 g
/ L), Na 3 PO 4 (15.0 g / l) in an oxidation bath (blackening bath), Na
OH (2.7 g / l) and NaBH 4 (1.0 g / l) are used as the reducing bath.

【0022】また、有機酸−第二銅錯体の水溶液を用い
た処理では、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件
下で次のように作用し、導体回路である銅などの金属箔
を溶解させる。 Cu+[Cu(II)A]n →[2Cu(I)A]n/2
n/4O2 +nAH(エアレーション)→[2Cu(I
I)A]n +n/2H2 O Aは錯化剤(キレート剤として作用)、nは配位数であ
る。
In a treatment using an aqueous solution of an organic acid-cupric acid complex, a metal foil such as copper, which is a conductive circuit, is dissolved under the condition of coexistence of oxygen such as spraying or bubbling. Cu + [Cu (II) A] n → [2Cu (I) A] n / 2 +
n / 4O 2 + nAH (aeration) → [2Cu (I
I) A] n + n / 2H 2 O A is a complexing agent (acting as a chelating agent), and n is a coordination number.

【0023】この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾ
ール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯
体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用す
る。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、
テトラゾールがよい。なかでもイミダゾール、2−メチ
ルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル
−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル、2−ウンデシルイミダゾールなどがよい。このアゾ
ール類の第二銅錯体の含有量は、1〜15重量%がよい。
この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れるから
である。
The cupric complex used in this treatment is preferably an azole cupric complex. The cupric complex of azoles acts as an oxidizing agent for oxidizing metallic copper and the like. As the azoles, diazole, triazole,
Tetrazole is preferred. Among them, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole and the like are preferable. The content of the cupric complex of azoles is preferably 1 to 15% by weight.
This is because, when it is in this range, solubility and stability are excellent.

【0024】また、有機酸は、酸化銅を溶解させるため
に配合させるものである。具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリ
ル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳
酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少
なくとも1種がよい。この有機酸の含有量は、 0.1〜30
重量%がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、かつ溶
解安定性を確保するためである。なお、発生した第一銅
錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体
となって、再び銅の酸化に寄与する。また、有機酸に加
えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加して
もよい。
The organic acid is added to dissolve copper oxide. Specific examples include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, maleic acid, benzoic acid, glycolic acid, lactic acid, apple At least one selected from acids and sulfamic acids is preferred. The content of this organic acid is 0.1-30
% By weight is good. This is for maintaining the solubility of the oxidized copper and ensuring the solubility stability. The generated cuprous complex dissolves under the action of an acid and combines with oxygen to form a cupric complex, which again contributes to copper oxidation. Further, in addition to the organic acid, an inorganic acid such as borofluoric acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid may be added.

【0025】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助する
ために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素
イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。このハロゲン
イオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給で
きる。ハロゲンイオン量は、0.01〜20重量%がよい。こ
の範囲内にあれば、形成された粗化面と層間樹脂絶縁層
との密着性に優れるからである。
In order to assist the dissolution of copper and the oxidizing action of azoles, a halogen ion, for example, a fluorine ion, a chlorine ion, a bromine ion or the like is added to the etching solution comprising the organic acid-cupric complex. Is also good. The halogen ions can be supplied by adding hydrochloric acid, sodium chloride, or the like. The amount of halogen ions is preferably 0.01 to 20% by weight. This is because if it is within this range, the adhesion between the formed roughened surface and the interlayer resin insulating layer will be excellent.

【0026】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液は、アゾール類の第二銅錯体および有機酸(必要に
応じてハロゲンイオン)を、水に溶解して調製する。
The etching solution comprising the organic acid-cupric complex is prepared by dissolving a cupric complex of an azole and an organic acid (halogen ion if necessary) in water.

【0027】また、銅−ニッケル−リンからなる針状合
金のめっき処理では、硫酸銅1〜40g/l、硫酸ニッケ
ル 0.1〜6.0 g/l、クエン酸10〜20g/l、次亜リン
酸塩10〜100 g/l、ホウ酸10〜40g/l、界面活性剤
0.01〜10g/lからなる液組成のめっき浴を用いること
が望ましい。
In the plating of a needle-shaped alloy comprising copper-nickel-phosphorus, copper sulfate 1-40 g / l, nickel sulfate 0.1-6.0 g / l, citric acid 10-20 g / l, hypophosphite 10-100 g / l, boric acid 10-40 g / l, surfactant
It is desirable to use a plating bath having a liquid composition of 0.01 to 10 g / l.

【0028】本発明では、層間樹脂絶縁層を熱硬化型樹
脂シートを用いて形成することが好適である。熱硬化型
樹脂シートには、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、そ
の他の成分が含有されている。それぞれについて以下に
説明する。
In the present invention, it is preferable that the interlayer resin insulating layer is formed using a thermosetting resin sheet. The thermosetting resin sheet contains a sparingly soluble resin, soluble particles, a curing agent, and other components. Each is described below.

【0029】本発明の製造方法において使用する熱硬化
型樹脂シートは、酸または酸化剤に可溶性の粒子(以
下、可溶性粒子という)が酸または酸化剤に難溶性の樹
脂(以下、難溶性樹脂という)中に分散したものであ
る。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」とい
う語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間
浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上
「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜
上「難溶性」と呼ぶ。
In the thermosetting resin sheet used in the production method of the present invention, particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble particles”) are resins that are hardly soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as a hardly soluble resin). ). The terms "sparingly soluble" and "soluble" used in the present invention are referred to as "soluble" for convenience when those immersed in a solution comprising the same acid or oxidizing agent for the same time have a relatively high dissolution rate. Those having a relatively low dissolution rate are referred to as "poorly soluble" for convenience.

【0030】上記可溶性粒子としては、例えば、酸また
は酸化剤に可溶性の樹脂粒子(以下、可溶性樹脂粒
子)、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子(以下、可溶
性無機粒子)、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子(以
下、可溶性金属粒子)等が挙げられる。これらの可溶性
粒子は、単独で用いても良いし、2種以上併用してもよ
い。
Examples of the soluble particles include resin particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble resin particles”), inorganic particles soluble in an acid or an oxidizing agent (hereinafter referred to as “soluble inorganic particles”), and an acid or an oxidizing agent. Soluble metal particles (hereinafter referred to as “soluble metal particles”) and the like. These soluble particles may be used alone or in combination of two or more.

【0031】上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、
球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の
形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さ
の凹凸を有する粗化面を形成することができるからであ
る。
The shape of the soluble particles is not particularly limited.
Spherical, crushed and the like. The shape of the soluble particles is desirably a uniform shape. This is because a roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed.

【0032】上記可溶性粒子の平均粒径としては、0.
1〜10μmが望ましい。この粒径の範囲であれば、2
種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわ
ち、平均粒径が0.1〜0.5μmの可溶性粒子と平均
粒径が1〜3μmの可溶性粒子とを含有する等である。
これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、
導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明におい
て、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分
の長さである。
The average particle size of the above-mentioned soluble particles is 0.1.
1 to 10 μm is desirable. Within this particle size range, 2
More than one kind of particles having different particle sizes may be contained. That is, it contains soluble particles having an average particle size of 0.1 to 0.5 μm and soluble particles having an average particle size of 1 to 3 μm.
Thereby, a more complicated roughened surface can be formed,
Excellent adhesion to conductor circuits. In the present invention, the particle size of the soluble particles is the length of the longest portion of the soluble particles.

【0033】上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹
脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるい
は酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹
脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されな
い。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エ
ポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフ
ェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等から
なるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるもの
であってもよいし、2種以上の樹脂の混合物からなるも
のであってもよい。
Examples of the soluble resin particles include those made of a thermosetting resin, a thermoplastic resin, and the like. When immersed in a solution containing an acid or an oxidizing agent, the soluble resin particles have a higher dissolution rate than the hardly soluble resin. If it is, there is no particular limitation. Specific examples of the soluble resin particles include, for example, those made of epoxy resin, phenol resin, polyimide resin, polyphenylene resin, polyolefin resin, fluororesin, and the like, and may be made of one of these resins. Alternatively, it may be composed of a mixture of two or more resins.

【0034】また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴム
からなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとし
ては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウ
レタン変性、(メタ)アクリロニトリル変性等の各種変
性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した(メ
タ)アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられ
る。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒
子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸
を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の
酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂
粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン
酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用い
た場合でも、低濃度で溶解することができる。そのた
め、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述
するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を
付与する際に、触媒が付与されなたかったり、触媒が酸
化されたりすることがない。
As the soluble resin particles, resin particles made of rubber can also be used. Examples of the rubber include polybutadiene rubber, various modified polybutadiene rubbers such as epoxy-modified, urethane-modified, (meth) acrylonitrile-modified, and (meth) acrylonitrile-butadiene rubber containing a carboxyl group. By using these rubbers, the soluble resin particles are easily dissolved in an acid or an oxidizing agent. In other words, when dissolving the soluble resin particles using an acid, an acid other than a strong acid can be dissolved, and when dissolving the soluble resin particles using an oxidizing agent, permanganese having a relatively weak oxidizing power is used. Acid salts can also be dissolved. Even when chromic acid is used, it can be dissolved at a low concentration. Therefore, the acid or the oxidizing agent does not remain on the resin surface, and as described later, when a catalyst such as palladium chloride is applied after forming the roughened surface, the catalyst is not applied or the catalyst is oxidized. Or not.

【0035】上記可溶性無機粒子としては、例えば、ア
ルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合
物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群
より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げら
れる。
Examples of the above-mentioned soluble inorganic particles include particles made of at least one selected from the group consisting of aluminum compounds, calcium compounds, potassium compounds, magnesium compounds and silicon compounds.

【0036】上記アルミニウム化合物としては、例え
ば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記
カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、
水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物と
しては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム
化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸
マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物として
は、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独
で用いても良いし、2種以上併用してもよい。
Examples of the aluminum compound include alumina and aluminum hydroxide. Examples of the calcium compound include calcium carbonate and
Examples of the potassium compound include potassium carbonate.Examples of the magnesium compound include magnesia, dolomite, and basic magnesium carbonate.Examples of the silicon compound include silica and zeolite. Is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

【0037】上記可溶性金属粒子としては、例えば、
銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、
マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より
選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられ
る。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保す
るために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。
The soluble metal particles include, for example,
Copper, nickel, iron, zinc, lead, gold, silver, aluminum,
Examples include particles made of at least one selected from the group consisting of magnesium, calcium, and silicon. These soluble metal particles may have a surface layer coated with a resin or the like in order to ensure insulation.

【0038】上記可溶性粒子を、2種以上混合して用い
る場合、混合する2種の可溶性粒子の組み合わせとして
は、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両
者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保
することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張
の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶
縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路
との間で剥離が発生しないからである。
When two or more of the above-mentioned soluble particles are used in combination, the combination of the two types of soluble particles to be mixed is preferably a combination of resin particles and inorganic particles. Both have low conductivity, so that the insulation of the resin film can be ensured, and thermal expansion can be easily adjusted with the poorly soluble resin, and no crack occurs in the interlayer resin insulation layer made of the resin film. This is because peeling does not occur between the interlayer resin insulating layer and the conductor circuit.

【0039】上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層
に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化
面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例
えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等
が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した
感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることに
より、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてビア用
開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化
性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、め
っき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状
を保持することができるからである。
The hardly soluble resin is not particularly limited as long as it can maintain the shape of the roughened surface when the roughened surface is formed on the interlayer resin insulating layer using an acid or an oxidizing agent. Examples thereof include thermosetting resins, thermoplastic resins, and composites thereof. Further, a photosensitive resin obtained by imparting photosensitivity to these resins may be used. By using a photosensitive resin, a via opening can be formed in the interlayer resin insulating layer by using exposure and development processes. Among these, those containing a thermosetting resin are desirable. Thereby, the shape of the roughened surface can be maintained even by the plating solution or various heat treatments.

【0040】上記難溶性樹脂の具体例としては、例え
ば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、フェノキシ樹脂、
ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン
樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独
で用いてもよいし、2種以上を併用してもよい。さらに
は、1分子中に、2個以上のエポキシ基を有するエポキ
シ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することが
できるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒー
トサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発
生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。
Specific examples of the hardly soluble resin include, for example, epoxy resin, phenol resin, phenoxy resin,
Examples thereof include a polyimide resin, a polyphenylene resin, a polyolefin resin, and a fluorine resin. These resins may be used alone or in combination of two or more. Further, an epoxy resin having two or more epoxy groups in one molecule is more desirable. Not only can the above-described roughened surface be formed, but also excellent in heat resistance, etc., even under heat cycle conditions, stress concentration does not occur in the metal layer, and peeling of the metal layer does not easily occur. Because.

【0041】上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレ
ゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールA型
エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、フェ
ノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールF型エポキシ
樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエ
ン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基
を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、
トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂
等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、2種
以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れる
ものとなる。
Examples of the epoxy resin include a cresol novolak epoxy resin, a bisphenol A epoxy resin, a bisphenol F epoxy resin, a phenol novolak epoxy resin, an alkylphenol novolak epoxy resin, a biphenol F epoxy resin, and a naphthalene epoxy resin. Resin, dicyclopentadiene type epoxy resin, epoxidized product of condensate of phenols and aromatic aldehyde having phenolic hydroxyl group,
Triglycidyl isocyanurate, alicyclic epoxy resin and the like. These may be used alone or in combination of two or more. Thereby, it becomes excellent in heat resistance and the like.

【0042】本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上
記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散さ
れていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗
化面を形成することができ、樹脂フィルムにビアやスル
ーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金
属層の密着性を確保することができるからである。ま
た、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有す
る樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フ
ィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされること
がないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性が確実に保たれる。
In the resin film used in the present invention, the soluble particles are desirably substantially uniformly dispersed in the hardly-soluble resin. A roughened surface having unevenness with a uniform roughness can be formed, and even when a via or a through hole is formed in a resin film, the adhesion of a metal layer of a conductive circuit formed thereon can be secured. Because. Alternatively, a resin film containing soluble particles only in the surface layer forming the roughened surface may be used. Thereby, since the portions other than the surface layer of the resin film are not exposed to the acid or the oxidizing agent, the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer is reliably maintained.

【0043】上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中
に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに
対して、3〜40重量%が望ましい。可溶性粒子の配合
量が3重量%未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形
成することができない場合があり、40重量%を超える
と、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際
に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィ
ルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁
性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。
In the above resin film, the amount of the soluble particles dispersed in the poorly soluble resin is desirably 3 to 40% by weight based on the resin film. If the amount of the soluble particles is less than 3% by weight, it may not be possible to form a roughened surface having desired irregularities. If the amount exceeds 40% by weight, the soluble particles may be dissolved using an acid or an oxidizing agent. In addition, there is a case where the resin film is melted to a deep portion of the resin film and the insulation between the conductor circuits via the interlayer resin insulating layer made of the resin film cannot be maintained, which may cause a short circuit.

【0044】上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上
記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有し
ていることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、
イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系
硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの
硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホ
スフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェ
ニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられ
る。
The resin film desirably contains a curing agent and other components in addition to the soluble particles and the hardly soluble resin. As the curing agent, for example,
Imidazole-based curing agents, amine-based curing agents, guanidine-based curing agents, epoxy adducts of these curing agents and microcapsules of these curing agents, and organic materials such as triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium, and tetraphenylborate. Phosphine compounds and the like can be mentioned.

【0045】上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対
して0.05〜10重量%であることが望ましい。0.
05重量%未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であ
るため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが
大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることが
ある。一方、10重量%を超えると、過剰な硬化剤成分
が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を
招いたりしてしまうことがある。
The content of the above curing agent is preferably 0.05 to 10% by weight based on the resin film. 0.
If the amount is less than 05% by weight, the resin film is insufficiently cured, so that the degree of penetration of the acid or the oxidizing agent into the resin film is increased, and the insulating property of the resin film may be impaired. On the other hand, when the content exceeds 10% by weight, an excessive curing agent component may modify the composition of the resin, which may cause a decrease in reliability.

【0046】上記その他の成分としては、例えば、粗化
面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィ
ラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、
シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂
としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹
脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラ
ニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらの
フィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合
や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の
性能を向上させることができる。
The other components include, for example, fillers such as inorganic compounds or resins which do not affect the formation of the roughened surface. As the inorganic compound, for example,
Examples of the resin include silica, alumina, and dolomite. Examples of the resin include a polyimide resin, a polyacryl resin, a polyamideimide resin, a polyphenylene resin, a melanin resin, and an olefin resin. By incorporating these fillers, the performance of the printed wiring board can be improved by matching the thermal expansion coefficient, improving heat resistance and chemical resistance, and the like.

【0047】また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有し
ていてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、
メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、
酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトル
エン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。こ
れらは単独で用いてもよいし、2種類以上併用してもよ
い。
Further, the resin film may contain a solvent. As the solvent, for example, acetone,
Ketones such as methyl ethyl ketone and cyclohexanone,
Ethyl acetate, butyl acetate, cellosolve acetate, and aromatic hydrocarbons such as toluene and xylene. These may be used alone or in combination of two or more.

【0048】[0048]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図を参照して説明する。 [第1実施形態]先ず、本発明の第1実施形態に係るパッ
ケージ基板として用いられる多層プリント配線板の構成
について、図7及び図8を参照にして説明する。図7
は、本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板10の
断面図を示している。図8は、図7中の同軸スルーホー
ル66を拡大して示す説明図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. First Embodiment First, the configuration of a multilayer printed wiring board used as a package substrate according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. FIG.
1 shows a sectional view of the package substrate 10 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 8 is an explanatory diagram showing the coaxial through hole 66 in FIG. 7 in an enlarged manner.

【0049】パッケージ基板10は、コア基板30の表
面及び裏面にビルドアップ配線層80A、ビルドアップ
配線層80Bが形成されている。ビルドアップ配線層8
0A、ビルドアップ配線層80Bは、導体回路58及び
バイアホール60の形成された層間樹脂絶縁層44と、
導体回路158及びバイアホール160の形成された層
間樹脂絶縁層144とからなる。表面側のビルドアップ
配線層80Aと裏面側のビルドアップ配線層80Bと
は、コア基板30に形成された信号線として用いられる
同軸スルーホール66と、主としてアース線・電源線と
して用いられる導通用スルーホール34とを介して接続
されている。層間樹脂絶縁層144の上にはソルダーレ
ジスト層70が形成されており、ソルダーレジスト70
の開口部71を介して、導体回路158及びバイアホー
ル160に半田バンプ76U、半田バンプ76Dが形成
されている。表面側の半田バンプ76Uは、ICチップ
90のパッド92に接続されている。一方、裏面側の半
田バンプ76Dもしくは外部端子部品(BGA/PG
A)は、ドータボード95のパッド96に接続されてい
る。
The package substrate 10 has a build-up wiring layer 80A and a build-up wiring layer 80B formed on the front and back surfaces of the core substrate 30. Build-up wiring layer 8
0A, the build-up wiring layer 80B includes the interlayer resin insulation layer 44 in which the conductor circuit 58 and the via hole 60 are formed;
It comprises a conductor circuit 158 and an interlayer resin insulation layer 144 in which a via hole 160 is formed. The build-up wiring layer 80A on the front side and the build-up wiring layer 80B on the back side include a coaxial through-hole 66 used as a signal line formed on the core substrate 30 and a conductive through-hole mainly used as a ground line / power supply line. It is connected via a hole 34. A solder resist layer 70 is formed on the interlayer resin insulation layer 144, and the solder resist 70
The solder bumps 76U and 76D are formed in the conductor circuit 158 and the via hole 160 via the opening 71 of FIG. The solder bumps 76U on the front side are connected to the pads 92 of the IC chip 90. On the other hand, the solder bumps 76D on the back side or external terminal components (BGA / PG
A) is connected to the pad 96 of the daughter board 95.

【0050】図8に示すように、同軸スルーホール66
は、外層スルーホール36及び内層スルーホール62か
ら成る。外層スルーホール36及び内層スルーホール6
2は、上述したように表面側のビルドアップ配線層80
Aと裏面側のビルドアップ配線層80Bとを接続してい
る。外層スルーホール36は、コア基板30の貫通孔3
3の壁面に金属膜38が形成されて成る。そして、外層
スルーホール36の内側には、外層樹脂絶縁層(外層樹
脂充填剤)42が形成されている。外層樹脂絶縁層42
の内側には、内層スルーホール62が形成されている。
As shown in FIG. 8, the coaxial through hole 66
Comprises an outer layer through hole 36 and an inner layer through hole 62. Outer layer through hole 36 and inner layer through hole 6
2 is the build-up wiring layer 80 on the front side as described above.
A is connected to the build-up wiring layer 80B on the back side. The outer layer through hole 36 is formed in the through hole 3 of the core substrate 30.
3 has a metal film 38 formed on the wall surface. An outer resin insulating layer (outer resin filler) 42 is formed inside the outer through hole 36. Outer resin insulation layer 42
, An inner layer through hole 62 is formed.

【0051】内層スルーホール62は、金属層50、無
電解めっき膜52、電解めっき膜56の3層からなる。
なお、各2層で形成することも可能である。また、内層
スルーホール62の内側には、内層樹脂絶縁層(内層樹
脂充填剤)64が形成されている。信号線として用いら
れるスルーホール66を外層スルーホール36と内層ス
ルーホール62とを同軸構造とすることにより、スルー
ホール66内での定在波や反射の発生を防ぐことが可能
となる。
The inner layer through hole 62 is composed of three layers: a metal layer 50, an electroless plating film 52, and an electrolytic plating film 56.
In addition, it is also possible to form with each two layers. An inner resin insulating layer (inner resin filler) 64 is formed inside the inner through hole 62. By forming the through hole 66 used as a signal line to have the outer layer through hole 36 and the inner layer through hole 62 in a coaxial structure, it is possible to prevent standing waves and reflections from occurring in the through hole 66.

【0052】外層スルーホール36の内側にある外層樹
脂絶縁層42、及び、内層スルーホール62の内側にあ
る内層樹脂絶縁層64は、熱硬化性樹脂、硬化剤、無機
粒子が配合された樹脂充填剤39を充填することにより
形成される。この樹脂充填剤39は、少なくとも無機粒
子を10〜80vol%の範囲で配合させているため、外
層樹脂絶縁層42と内層樹脂絶縁層64とコア基板30
と層間絶縁層44との熱膨張率を整合させ、熱収縮によ
る応力集中を防止できる。したがって、クラックの発生
を防止して、電気的接続性、信頼性の向上を可能にす
る。
The outer resin insulating layer 42 inside the outer through hole 36 and the inner resin insulating layer 64 inside the inner through hole 62 are filled with a resin containing a thermosetting resin, a curing agent, and inorganic particles. It is formed by filling the agent 39. Since the resin filler 39 contains at least inorganic particles in the range of 10 to 80 vol%, the outer resin insulating layer 42, the inner resin insulating layer 64, and the core substrate 30
And the interlayer insulating layer 44 can be matched in thermal expansion coefficient to prevent stress concentration due to thermal contraction. Therefore, generation of cracks is prevented, and electrical connectivity and reliability can be improved.

【0053】なお、後述するように第1実施形態のパッ
ケージ基板10では、ドリルを用いてコア基板20に垂
直壁を有するスルーホール用貫通孔33を形成して外層
スルーホール36を形成し、また、更に小径のドリルを
用いて内層スルーホール62を形成する。つまり、レー
ザではなく、ドリルを用いることで、外層スルーホール
36及び内層スルーホール62がテーパ状になるのを防
止し、外層スルーホール36と内層スルーホール62と
の間の絶縁層を形成する外層樹脂絶縁層(樹脂充填剤)
42の厚みを均一にする。これにより、外層のスルーホ
ール36と内層のスルーホール62との間のでの短絡を
防止し、電気的接続性、信頼性を向上させる。
As will be described later, in the package substrate 10 of the first embodiment, a through hole 33 having a vertical wall is formed in the core substrate 20 using a drill to form an outer layer through hole 36. Then, the inner layer through-hole 62 is formed by using a smaller diameter drill. That is, by using a drill instead of a laser, the outer layer through-hole 36 and the inner layer through-hole 62 are prevented from being tapered, and an outer layer that forms an insulating layer between the outer layer through-hole 36 and the inner layer through-hole 62 is formed. Resin insulation layer (resin filler)
The thickness of 42 is made uniform. This prevents a short circuit between the outer layer through-hole 36 and the inner layer through-hole 62, thereby improving electrical connectivity and reliability.

【0054】特に、第1実施形態では、熱膨張率差によ
って内部でクラックが発生するのを防ぐため、外層スル
ーホール36と内層スルーホール62との間の外層樹脂
絶縁層(樹脂充填剤)42に、無機粒子を10%以上含
ませてある。このため、無機粒子を伝わってマイグレー
ションが起きやすく、短絡が発生し易いが、外層樹脂絶
縁層(樹脂充填剤)42の厚みを均一にすることで、外
層のスルーホール36と内層のスルーホール62との間
のでの短絡を防止する。
In particular, in the first embodiment, the outer resin insulating layer (resin filler) 42 between the outer layer through-hole 36 and the inner layer through-hole 62 in order to prevent the occurrence of cracks inside due to the difference in thermal expansion coefficient. Contains 10% or more of inorganic particles. For this reason, migration is likely to occur due to transmission of the inorganic particles, and a short circuit is likely to occur. However, by making the thickness of the outer resin insulation layer (resin filler) 42 uniform, the outer layer through-hole 36 and the inner layer through-hole 62 are formed. To prevent short circuit between them.

【0055】引き続き、第1実施形態に係る上記パッケ
ージ基板10の製造方法について図1〜図8を参照して
説明する。ここでは、先ず、該パッケージ基板の製造方
法に用いるA.樹脂充填剤の組成について説明する。
Next, a method of manufacturing the package substrate 10 according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. Here, first, A.I used in the method of manufacturing the package substrate is described. The composition of the resin filler will be described.

【0056】A.樹脂充填剤の調製 〔熱硬化性樹脂〕 ビスフェノールF型エポキシモノマー(油化シェル製、
分子量310 、YL983U)100重量部。 〔硬化剤〕 イミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)6.5 重量
部。 〔無機粒子〕シリカ(アドマテック製、CRS 1101−C
E、ここで、使用するシリカは表面にシランカップリン
グ剤がコーティングされた平均粒径 1.6μmのSiO2
球状粒子、最大粒子の大きさは後述する内層銅パターン
の厚み(15μm)以下とする) 170重量部。第1実施形
態では、樹脂充填剤に添加する無機粒子は、上述したよ
うに10〜80vol%、ここでは、50vol%にする。上
記ビスフェノールF型エポキシモノマー、イミダゾール
硬化剤、シリカにレベリング剤(サンノプコ製、ペレノ
ールS4)1.5 重量部を攪拌混合することにより、その
混合物の粘度を23±1℃で5〜30Pa.Sに調整す
る。第1実施形態では、粘度5Pa.Sに調整して得た
ものを用いる。
A. Preparation of resin filler [Thermosetting resin] Bisphenol F type epoxy monomer (manufactured by Yuka Shell,
Molecular weight 310, YL983U) 100 parts by weight. [Curing agent] 6.5 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals). [Inorganic particles] silica (Admatech, CRS 1101-C
E, where the silica used is SiO 2 with an average particle size of 1.6 μm, the surface of which is coated with a silane coupling agent.
The size of the spherical particles and the maximum particles is not more than the thickness (15 μm) of the inner layer copper pattern described later) 170 parts by weight. In the first embodiment, the amount of the inorganic particles added to the resin filler is set to 10 to 80 vol%, here, 50 vol%, as described above. By mixing 1.5 parts by weight of a leveling agent (manufactured by San Nopco, Perenol S4) with the bisphenol F type epoxy monomer, imidazole curing agent, and silica, the viscosity of the mixture is 5 to 30 Pa.s at 23 ± 1 ° C. Adjust to S. In the first embodiment, the viscosity is 5 Pa. S obtained by adjusting to S is used.

【0057】パッケージ基板の製造 (1)厚さ0.8mmのガラスエポキシ樹脂またはBT
(ビスマレイミド−トリアジン)樹脂からなる基板30
の両面に12μmの銅箔31がラミネートされている銅
張積層板30Aを出発材料とする(図1(A))。な
お、FR4、FR5、ガラスエポキシ樹脂などの補強材
が含浸された基材などを用いることができる。予め多層
にしたコア基板を用いてもよい。
Manufacturing of package substrate (1) Glass epoxy resin or BT having a thickness of 0.8 mm
Substrate 30 made of (bismaleimide-triazine) resin
The starting material is a copper-clad laminate 30A in which copper foils 31 of 12 μm are laminated on both sides of the substrate (FIG. 1 (A)). Note that a base material impregnated with a reinforcing material such as FR4, FR5, or a glass epoxy resin can be used. A core substrate that has been multilayered in advance may be used.

【0058】(2)この銅張積層板30Aをドリルで削
孔し、直径300μmの導通用スルーホール貫通孔32
と直径350μmの外層スルーホール用貫通孔33を形
成する(図1(B))。レーザを用いて削孔してもよい
が、テーパとなるのを防ぐためドリルを用いるのが好適
である。本実施形態では、同軸スルーホールと通常のス
ルーホールとを混在させているため、それぞれを別々の
ドリルを用いて形成する。外層スルーホール用貫通孔3
3の開口径は、200〜400μmで形成するのがよ
い。特に望ましいのは、250〜350μmである。ま
た、導通用スルーホール用貫通孔32の開口径は、50
〜400μmで形成するのがよい。
(2) The copper-clad laminate 30A is drilled with a drill to form a through-hole 32 with a diameter of 300 μm for conduction.
Then, a through hole 33 for an outer layer through hole having a diameter of 350 μm is formed (FIG. 1B). Holes may be drilled using a laser, but it is preferable to use a drill to prevent tapering. In the present embodiment, since the coaxial through-hole and the normal through-hole are mixed, each is formed using a separate drill. Through hole 3 for outer layer through hole
The opening diameter of 3 is preferably 200 to 400 μm. Particularly desirable is 250 to 350 μm. Further, the opening diameter of the through hole 32 for the through hole for conduction is 50
It is preferable that the thickness be formed to 400 μm.

【0059】(3)続いて、基板30に無電解銅めっき
処理を施し、導通用スルーホール34及び外層スルーホ
ール36を形成する(図1(C))。さらに、銅箔31
にテンティング法やセミアディティブ法を用いて、基板
30の両面に内層銅パターン(金属膜)38を形成する
(図1(D))。
(3) Subsequently, the substrate 30 is subjected to an electroless copper plating process to form a through hole 34 for conduction and an outer layer through hole 36 (FIG. 1C). Furthermore, copper foil 31
Next, an inner layer copper pattern (metal film) 38 is formed on both surfaces of the substrate 30 by using a tenting method or a semi-additive method (FIG. 1D).

【0060】(4)内層銅パターン(金属膜)38およ
び導通用スルーホール34、外層スルーホール36を形
成した基板30を水洗いし、乾燥させる。その後、酸化
浴(黒化浴)として、NaOH(20g/l),NaClO
2 (50g/l),Na3PO4(15g/l)、還元浴と
して、NaOH(2.7g/l),NaBH4 (1.0g/
l)を用いた酸化−還元処理により、内層銅パターン
(金属膜)38および導通用スルーホール34、外層ス
ルーホール36の表面に粗化層34α、粗化層36α、
粗化層38αを設ける。(図1(E))めっき、エッチ
ング処理などによって、粗化層を形成してもよい。
(4) The substrate 30 on which the inner layer copper pattern (metal film) 38, the conduction through hole 34, and the outer layer through hole 36 are formed is washed with water and dried. Then, NaOH (20 g / l), NaClO was used as an oxidation bath (blackening bath).
Two (50 g / l), Na 3 PO 4 (15 g / l), NaOH (2.7 g / l), NaBH 4 (1.0 g /
By the oxidation-reduction treatment using 1), the surfaces of the inner layer copper pattern (metal film) 38, the conduction through hole 34, and the outer layer through hole 36 are roughened layers 34α, 36α,
The roughened layer 38α is provided. (FIG. 1E) The roughened layer may be formed by plating, etching, or the like.

【0061】(5)導通用スルーホール34及び外層ス
ルーホール36に、上記Aで調整した樹脂充填剤39を
印刷で充填させる(図2(A))。導通用スルーホール
34及び外層スルーホール36に上記Aで調整した樹脂
充填剤39を充填することで、クラックの発生を防止し
て、電気的接続性、信頼性を向上させる。ここで、従来
の充填剤(熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、もしくはその
樹脂複合体)をベースにして、有機樹脂フィラー、無機
フィラー、金属フィラーなどを配合してコア基板と内層
充填剤との熱膨張の整合を行ってもよい。この際、フィ
ラーの配合量は、10〜80vol%であることが望ま
しい。80℃で30分、充填剤を半硬化させた。半硬化
させたのは研磨し易くするためである。
(5) The through hole 34 for conduction and the through hole 36 in the outer layer are filled with the resin filler 39 adjusted in the above A by printing (FIG. 2A). By filling the through hole 34 for conduction and the outer layer through hole 36 with the resin filler 39 adjusted in the above A, cracks are prevented from occurring, and electrical connectivity and reliability are improved. Here, based on a conventional filler (thermosetting resin, thermoplastic resin, or a resin composite thereof), an organic resin filler, an inorganic filler, a metal filler, etc. are blended to form a core substrate and an inner layer filler. Thermal expansion matching may be performed. At this time, the amount of the filler is preferably 10 to 80 vol%. The filler was semi-cured at 80 ° C. for 30 minutes. The semi-curing is performed to facilitate polishing.

【0062】(6)上記(5)の処理を終えた基板30
の片面をベルト研磨紙(三共理化学社製)を用いたベル
トサンダー研磨により、下層導体回路(内層銅パター
ン)38の表面や導通用スルーホール34、外層スルー
ホール36のランド34a、ランド36a表面に樹脂充
填剤39が残らないように研磨を行う。ついで、上記ベ
ルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を
行う。この工程を基板の他方の面についても同様に行
う。そして、充填した樹脂充填剤39を加熱硬化させ
て、導通用スルーホール34内に樹脂絶縁層40を、外
層スルーホール36内に外層樹脂絶縁層42を形成する
(図2(B))。バフ研磨のみで行ってもよい。
(6) The substrate 30 after the processing of the above (5)
The surface of the lower conductor circuit (inner copper pattern) 38, the through hole 34 for conduction, the land 34a of the outer layer through hole 36, and the surface of the land 36a by belt sanding using a belt polishing paper (manufactured by Sankyo Rikagaku Co., Ltd.) Polishing is performed so that the resin filler 39 does not remain. Next, buffing is performed to remove scratches caused by the belt sander polishing. This step is similarly performed on the other surface of the substrate. Then, the filled resin filler 39 is cured by heating to form the resin insulating layer 40 in the through hole 34 for conduction and the outer resin insulating layer 42 in the outer layer through hole 36 (FIG. 2B). The buffing may be performed only.

【0063】(7)次に、上記(6)の処理を終えた基
板30の両面に、上記(4)と同様に一旦平坦化された
下層導体回路38の表面と導通用スルーホール34及び
外層スルーホール36のランド34a、ランド36a表
面とをエッチングを施すことにより、下層導体回路38
の表面及びランド34a、ランド36a表面に粗化面3
4β、粗化面36β、粗化面38βを形成する(図2
(C))。エッチング液としては、第二銅錯体と有機酸
塩からなるものである。無電解めっきや酸化還元処理を
用いて粗化面を形成することもできる。
(7) Next, the surface of the lower conductive circuit 38 once flattened in the same manner as in (4), the through hole 34 for conduction and the outer layer The lower conductor circuit 38 is formed by etching the land 34a of the through hole 36 and the surface of the land 36a.
Rough surface 3 on the surface of the land 34a and the land 36a.
4β, a roughened surface 36β, and a roughened surface 38β are formed (FIG. 2).
(C)). The etching solution is composed of a cupric complex and an organic acid salt. The roughened surface can be formed by using electroless plating or oxidation-reduction treatment.

【0064】(8)上記(7)工程を終えた基板30の
両面に、厚さ50μmの可溶性フィラーを含む熱硬化型
樹脂シートを温度50〜150℃まで昇温しながら圧力
5kg/cm2で真空圧着ラミネートし、層間樹脂絶縁
層44を設ける(図2(D))。層間樹脂絶縁層として
は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂からなる樹脂あるい
は、それらに感光性を有する基を置換した樹脂でもよ
い。具体例として、エポキシ樹脂、ポリフェノール樹
脂、ポリイミド樹脂等のプリント配線板に使用されてい
る樹脂がある。また、高周波領域において低誘電率であ
る樹脂を用いてもよい。樹脂の真空圧着時の真空度は、
10mmHgである。なお、ここでは樹脂フィルムを貼
り付けて層間絶縁層を形成したが、印刷機を用いて、樹
脂を塗布することにより層間絶縁層を形成してもよい。
(8) A thermosetting resin sheet containing a soluble filler having a thickness of 50 μm is formed on both surfaces of the substrate 30 after the step (7) at a pressure of 5 kg / cm 2 while the temperature is raised to a temperature of 50 to 150 ° C. Vacuum compression bonding is performed to provide an interlayer resin insulation layer 44 (FIG. 2D). The interlayer resin insulating layer may be a resin made of a thermosetting resin or a thermoplastic resin, or a resin obtained by substituting a photosensitive group for them. Specific examples include resins used for printed wiring boards, such as epoxy resins, polyphenol resins, and polyimide resins. Further, a resin having a low dielectric constant in a high frequency region may be used. The degree of vacuum during vacuum compression of resin is
10 mmHg. Although the interlayer insulating layer is formed by attaching a resin film here, the interlayer insulating layer may be formed by applying a resin using a printing machine.

【0065】(9)次に、層間樹脂絶縁層44にバイア
ホールとなる開口46を形成する(図2(E))。ここ
では、炭酸(CO2)ガスレーザにて、ビーム径5m
m、パルス幅15μ秒、マスクの穴径0.8mm、1シ
ョットの条件で層間樹脂絶縁層44に直径80μmのバ
イアホール用開口46を設ける。
(9) Next, an opening 46 to be a via hole is formed in the interlayer resin insulating layer 44 (FIG. 2E). Here, a carbon dioxide (CO 2 ) gas laser is used, and the beam diameter is 5 m.
A via hole opening 46 having a diameter of 80 μm is provided in the interlayer resin insulating layer 44 under the conditions of m, pulse width 15 μs, mask hole diameter 0.8 mm, and one shot.

【0066】(10)径60〜200μmのドリルを用
いて、コア基板30に形成された外層スルーホール36
の外層樹脂絶縁層42及び層間樹脂絶縁層44を貫通す
る内層スルーホール用貫通孔48を形成する(図3
(A))。第1実施形態では、先端にダイヤモンドチッ
プを取り付けた145μm径のドリルを毎分16回転さ
せ、内径150μm径の内層スルーホール用貫通孔48
を穿設した。必要に応じて、内層スルーホール用貫通孔
48内のスミアを過マンガン酸などのウェットプロセス
あるいはプラズマ、コロナ処理などのドライエッチング
処理で除去する。内層スルーホール用貫通孔48の径
は、75〜200μmで形成されるのがよい。特に望ま
しいのは、100〜150μmである。第1実施形態で
は、ドリルを用いて垂直壁を有するスルーホール用貫通
孔48を形成するため、レーザと異なり内層スルーホー
ルの形状がテーパ状になるのを防止できる。したがっ
て、後述する工程で形成される内層スルーホールと外層
スルーホールとの間で短絡の発生を防ぐことができる。
(10) Using a drill having a diameter of 60 to 200 μm, an outer layer through hole 36 formed in the core substrate 30 is formed.
A through hole 48 for an inner layer through hole is formed through the outer resin insulating layer 42 and the interlayer resin insulating layer 44 of FIG.
(A)). In the first embodiment, a 145 μm diameter drill with a diamond tip attached to the tip is rotated 16 times per minute, and the inner layer through-hole 48 having an inner diameter of 150 μm is formed.
Was drilled. If necessary, the smear in the through hole 48 for the inner layer through hole is removed by a wet process such as permanganic acid or a dry etching process such as a plasma or corona treatment. It is preferable that the diameter of the through hole 48 for the inner layer through hole is 75 to 200 μm. Particularly desirable is 100 to 150 μm. In the first embodiment, since the through hole 48 for a through hole having a vertical wall is formed using a drill, it is possible to prevent the shape of the inner layer through hole from being tapered unlike a laser. Therefore, it is possible to prevent a short circuit from occurring between the inner layer through-hole and the outer layer through-hole formed in a step described later.

【0067】(11)次に、クロム酸、過マンガン酸塩
などの酸化剤等に浸漬させることによって、層間樹脂絶
縁層44の粗化面44αを設ける(図3(B)参照)。
該粗化面44αは、0.1〜5μmの範囲で形成される
ことがよい。その一例として、過マンガン酸ナトリウム
溶液50g/l、温度60℃中に5〜25分間浸漬させ
ることによって、2〜3μmの粗化面44αを設ける。
上記以外には、層間樹脂絶縁層44にプラズマ処理を行
い、層間樹脂絶縁層44の表層を粗化し、粗化層44α
を形成する。この際には、不活性ガスとしてアルゴンガ
スを使用し、電力200W、ガス圧0.6Pa、温度7
0℃の条件で(プラズマ装置日本真空技術株式会社製
SV−4540)、2分間プラズマ処理を実施する。
(11) Next, a roughened surface 44α of the interlayer resin insulating layer 44 is provided by dipping in an oxidizing agent such as chromic acid or permanganate (see FIG. 3B).
The roughened surface 44α is preferably formed in a range of 0.1 to 5 μm. As an example, a roughened surface 44α of 2-3 μm is provided by immersing in a sodium permanganate solution 50 g / l at a temperature of 60 ° C. for 5 to 25 minutes.
In addition to the above, a plasma treatment is performed on the interlayer resin insulating layer 44 to roughen the surface layer of the interlayer resin insulating layer 44 so that the roughened layer 44α
To form At this time, argon gas was used as an inert gas, power was 200 W, gas pressure was 0.6 Pa, and temperature was 7
Under the condition of 0 ° C.
SV-4540) Perform plasma treatment for 2 minutes.

【0068】(12)層間樹脂絶縁層44の表層および
内層スルーホール用貫通孔48にスパッタリングでCu
(又はNi、P、Pd、Co、W)の合金をターゲット
した金属層50を形成する(図3(C))。形成条件と
して、気圧0.6Pa、温度80℃、電力200W、時
間5分(プラズマ装置日本真空技術株式会社製 SV−
4540)で実施する。これにより、層間樹脂絶縁層4
4の表層と内層スルーホール用貫通孔48に合金層を形
成させることができる。このときの金属層50の厚み
は、0.2μmである。金属層50の厚みとしては、
0.1〜2μmがよい。スパッタ以外には、蒸着、スパ
ッタなどを行わないで、めっき層を形成させてもよい。
あるいは、これらの複合体でもよい。
(12) Cu is sputtered into the surface layer of the interlayer resin insulation layer 44 and the through hole 48 for the inner layer through hole.
(Or Ni, P, Pd, Co, W) to form a metal layer 50 which targets an alloy (FIG. 3C). As the forming conditions, the pressure is 0.6 Pa, the temperature is 80 ° C., the electric power is 200 W, and the time is 5 minutes (the plasma apparatus SV-
4540). Thereby, the interlayer resin insulation layer 4
An alloy layer can be formed on the surface layer of No. 4 and the through-hole 48 for the inner layer through-hole. At this time, the thickness of the metal layer 50 is 0.2 μm. As the thickness of the metal layer 50,
0.1 to 2 μm is preferred. A plating layer may be formed without performing evaporation, sputtering, etc. other than sputtering.
Alternatively, these complexes may be used.

【0069】めっきの一例を説明する。基板30をコン
ディショニングし、アルカリ触媒液中で触媒付与を5分
間行う。基板30を活性化処理し、ロッシェル塩タイプ
の化学銅めっき浴で厚さ0.6μmの無電解めっき膜5
2を付ける(図3(D))。 化学銅メッキのメッキ条件: CuSO4 ・5H2O 10g/l HCHO 8g/l NaOH 5g/l ロッシェル塩 45g/l 添加剤 30ml/l 温度 30℃メッキ 時間 18分
An example of plating will be described. The substrate 30 is conditioned, and the catalyst is applied in an alkaline catalyst solution for 5 minutes. The substrate 30 is activated, and the electroless plating film 5 having a thickness of 0.6 μm is formed in a Rochelle salt type chemical copper plating bath.
2 (FIG. 3D). Plating conditions for chemical copper plating: CuSO 4 .5H 2 O 10 g / l HCHO 8 g / l NaOH 5 g / l Rochelle salt 45 g / l Additive 30 ml / l Temperature 30 ° C. Plating time 18 minutes

【0070】(13)金属膜52上に、厚さ25μmの
感光性フィルム(ドライフィルム)を貼り付けて、マス
クを載置して、100 mJ/cmで露光、0.8 %炭酸ナト
リウムで現像処理し、めっきレジスト54を設ける(図
4(A))。
(13) A photosensitive film (dry film) having a thickness of 25 μm is stuck on the metal film 52, a mask is placed thereon, exposed at 100 mJ / cm 2 , and developed with 0.8% sodium carbonate. Then, a plating resist 54 is provided (FIG. 4A).

【0071】(14)無電解めっき膜52上のめっきレ
ジスト54の非形成部に下記条件で電解めっきを施し、
電解めっき膜56を形成する(図4(B))。電解めっ
き膜56の厚みとしては、5〜20μmがよい。 電解めっきのめっき条件 CuSO4 ・5H2O 140g/l H2SO4 120g/l Cl- 50mg/l 添加剤 300mg/l スルホン酸アミン 100mg/l 温度 25℃ 電流密度 0,8A/dm2 メッキ時間 30分 膜厚 18μm
(14) Electroless plating is performed on the non-formed portion of the plating resist 54 on the electroless plated film 52 under the following conditions.
An electrolytic plating film 56 is formed (FIG. 4B). The thickness of the electrolytic plating film 56 is preferably 5 to 20 μm. Plating conditions of the electrolytic plating CuSO 4 · 5H 2 O 140g / l H 2 SO 4 120g / l Cl - 50mg / l additive 300 mg / l acid amine 100 mg / l Temperature 25 ° C. Current density 0,8A / dm 2 plating time 30 minutes thickness 18μm

【0072】(15)次いで、50℃、40g/lのN
aOH水溶液中でめっきレジスト54を剥離除去する。
その後、硫酸―過酸化水素水溶液を用い、エッチングに
より、めっきレジスト54下の金属層50及び無電解め
っき膜52を除去して、層間樹脂絶縁層44上に導体回
路58(バイアホール60を含む)を形成し、外層スル
ーホール36内に内層スルーホール62を形成する。そ
の後、導体回路58、バイアホール60及び内層スルー
ホール62の表面に粗化処理を施す(図4(C))。
(15) Then, 50 ° C., 40 g / l of N
The plating resist 54 is peeled off in an aOH aqueous solution.
Thereafter, the metal layer 50 and the electroless plating film 52 under the plating resist 54 are removed by etching using a sulfuric acid-hydrogen peroxide aqueous solution, and the conductor circuit 58 (including the via hole 60) is formed on the interlayer resin insulating layer 44. Is formed, and an inner layer through hole 62 is formed in the outer layer through hole 36. Thereafter, the surfaces of the conductor circuit 58, the via hole 60, and the inner layer through hole 62 are subjected to a roughening treatment (FIG. 4C).

【0073】(16)次に、前述(4)〜(6)の工程
と同様に、内層スルーホール62内にも上記Aで調整し
た樹脂充填剤39を充填する(図4(D))。その後、
樹脂充填剤39を研磨する。研磨は、片面をバフ等の研
磨材入りの不織布を用いて、内層層スルーホール62の
ランド62a表面に樹脂充填剤39が残らないように研
磨を行う。この工程を基板の他方の面についても同様に
行う。そして、充填した樹脂充填剤39を加熱硬化させ
て、内層スルーホール62内に内層樹脂絶縁層64を形
成する(図5(A))。これにより、外層スルーホール
36及び内層スルーホール62から成る同軸スルーホー
ル66を形成する。第1実施形態では、樹脂充填剤39
への無機粒子の配合量を80vol%以下にしてあるた
め、ベルトサンダー研磨などの機械研磨を行わずに容易
に研磨を行うことができ、層間絶縁層44を傷つけるこ
となく、また、層間絶縁層44の粗化面を失うことなく
研磨することが可能になる。
(16) Next, similarly to the steps (4) to (6), the resin filler 39 adjusted in the above A is filled also in the inner through hole 62 (FIG. 4D). afterwards,
The resin filler 39 is polished. The polishing is performed using a nonwoven fabric containing an abrasive such as a buff on one side so that the resin filler 39 does not remain on the surface of the land 62a of the inner layer through hole 62. This step is similarly performed on the other surface of the substrate. Then, the filled resin filler 39 is cured by heating to form an inner resin insulating layer 64 in the inner through hole 62 (FIG. 5A). Thus, a coaxial through hole 66 including the outer layer through hole 36 and the inner layer through hole 62 is formed. In the first embodiment, the resin filler 39
Since the blending amount of the inorganic particles is 80 vol% or less, the polishing can be easily performed without performing mechanical polishing such as belt sander polishing, and without damaging the interlayer insulating layer 44, and Polishing can be performed without losing the roughened surface 44.

【0074】ここでは、樹脂充填剤39を充填すること
によって内層スルーホール62を形成したが、印刷によ
って形成することもできる。なお、従来の充填剤(熱硬
化性樹脂、熱可塑性樹脂、もしくはその樹脂複合体)を
ベースにして、有機樹脂フィラー、無機フィラーなどを
配合して層間絶縁層と外層充填剤との熱膨張の整合を行
ってもよい。この際、配合量は、10〜80vol%、粘
度は、5〜50Pa.Sであることが望ましい。また、
上記Aで整合した樹脂充填剤39によって、外層樹脂絶
縁層42と内層樹脂絶縁層64とコア基板30と層間絶
縁層44との熱膨張率を整合して、熱収縮による応力集
中を防止できる。したがって、クラックの発生を防止し
て、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。
Here, the inner layer through-hole 62 is formed by filling the resin filler 39, but may be formed by printing. In addition, based on a conventional filler (thermosetting resin, thermoplastic resin, or a resin composite thereof), an organic resin filler, an inorganic filler, and the like are blended to form a thermal expansion between the interlayer insulating layer and the outer layer filler. Matching may be performed. At this time, the compounding amount was 10 to 80 vol%, and the viscosity was 5 to 50 Pa. S is desirable. Also,
By the resin filler 39 matched in the above A, the thermal expansion coefficients of the outer resin insulating layer 42, the inner resin insulating layer 64, the core substrate 30, and the interlayer insulating layer 44 are matched, so that stress concentration due to thermal contraction can be prevented. Therefore, generation of cracks is prevented, and electrical connectivity and reliability can be improved.

【0075】(17)その後、上層に層間樹脂絶縁層1
44を形成し、前述(9)〜(16)の工程を経て、導
体回路158(スルーホール160を含む)を形成し、
6層からなるパッケージ基板を得る(図5(B))。
(17) Thereafter, the interlayer resin insulating layer 1
44, and through the steps (9) to (16), a conductor circuit 158 (including the through hole 160) is formed.
A package substrate consisting of six layers is obtained (FIG. 5B).

【0076】(18)一方、DMDGに溶解させた60重
量%のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬
製)のエポキシ基50%をアクリル化した感光性付与のオ
リゴマー(分子量4000)を 46.67g、メチルエチルケト
ンに溶解させた80重量%のビスフェノールA型エポキシ
樹脂(油化シェル製、エピコート1001)15.0g、イミダ
ゾール硬化剤(四国化成製、商品名:2E4MZ−C
N)16g、感光性モノマーである多価アクリルモノマー
(日本化薬製、R604 )3g、同じく多価アクリルモノ
マー(共栄社化学製、DPE6A ) 1.5g、に分散系消泡剤
(サンノプコ社製、S−65)0.71gを混合し、さらにこ
の混合物に対して光開始剤としてのベンゾフェノン(関
東化学製)を2g、光増感剤としてのミヒラーケトン
(関東化学製)を 0.2g加えて、粘度を25℃で 2.0Pa・
sに調整したソルダーレジスト組成物を得る。なお、粘
度測定は、B型粘度計(東京計器、 DVL-B型)で 60rpm
の場合はローターNo.4、6rpm の場合はローターNo.3に
よる。
(18) On the other hand, 46.67 g of a photosensitizing oligomer (molecular weight 4000) obtained by acrylizing 50% of epoxy groups of a cresol novolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku) of 60% by weight dissolved in DMDG, 15.0 g of 80% by weight bisphenol A type epoxy resin (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1001) dissolved in methyl ethyl ketone, imidazole curing agent (manufactured by Shikoku Chemicals, trade name: 2E4MZ-C)
N) 16 g, 3 g of a polyacrylic monomer (R604, manufactured by Nippon Kayaku), which is a photosensitive monomer, and 1.5 g of a polyvalent acrylic monomer (DPE6A, manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.). -65) was mixed with 0.71 g, and 2 g of benzophenone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photoinitiator and 0.2 g of Michler's ketone (manufactured by Kanto Kagaku) as a photosensitizer were added to the mixture to give a viscosity of 25. 2.0Pa at ℃
s is obtained. The viscosity was measured at 60 rpm using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type).
For rotor No.4, for 6 rpm, rotor No.3.

【0077】(19)前述(18)で得られたパッケー
ジ基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を20μm
の厚さで塗布する。次いで、70℃で20分間、70℃で30分
間の乾燥処理を行った後、円パターン(マスクパター
ン)が描画された厚さ5mmのフォトマスクフィルムを密
着させて載置し、1000mJ/cmの紫外線で露光し、DM
TG現像処理する。そしてさらに、80℃で1時間、 100℃
で1時間、 120℃で1時間、 150℃で3時間の条件で加
熱処理し、半田パッド部分(バイアホールとそのランド
部分を含む)に開口部71を有するソルダーレジスト層
70(厚み20μm)を形成する(図5(C))。ICチ
ップ接続の半田バンプを形成させる半田パッドは、開口
径100〜170μmで開口させるのがよい。また外部
端子接続のためBGA/PGAを配設させる半田パッド
は開口径300〜650μmで開口させるのがよい。
(19) The solder resist composition is applied to both sides of the package substrate obtained in the above (18) by 20 μm.
Apply with a thickness of Next, after performing a drying process at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm-thick photomask film on which a circular pattern (mask pattern) is drawn is placed in close contact with the substrate, and 1000 mJ / cm 2. Exposure with UV light, DM
Perform TG development. And then at 80 ° C for 1 hour at 100 ° C
For 1 hour, 120 ° C. for 1 hour, and 150 ° C. for 3 hours to form a solder resist layer 70 (20 μm thick) having an opening 71 in a solder pad portion (including a via hole and its land portion). It is formed (FIG. 5C). The solder pads for forming the solder bumps for connecting the IC chip are preferably opened with an opening diameter of 100 to 170 μm. Further, it is preferable that the solder pads for disposing BGA / PGA for connecting external terminals are opened with an opening diameter of 300 to 650 μm.

【0078】(20)その後、塩化ニッケル2.3 ×10
−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム2.8 ×10−1
ol/l、クエン酸ナトリウム1.6 ×10−1mol/
l、からなるpH=4.5の無電解ニッケルめっき液
に、20分間浸漬して、開口部71に厚さ5μmのニッケ
ルめっき層72を形成する。その後、表層には、シアン
化金カリウム7.6 ×10−3mol/l、塩化アンモニウ
ム1.9 ×10−1mol/l、クエン酸ナトリウム1.2 ×
10−1mol/l、次亜リン酸ナトリウム1.7 ×10−1
mol/lからなる無電解金めっき液に80℃の条件で
7.5分間浸漬して、ニッケルめっき層72上に厚さ0.
03μmの金めっき層74を形成する(図5(D))。
(20) Then, nickel chloride 2.3 × 10
-1 mol / l, sodium hypophosphite 2.8 × 10 -1 m
ol / l, sodium citrate 1.6 × 10 −1 mol /
1 is immersed for 20 minutes in an electroless nickel plating solution having a pH of 4.5 to form a nickel plating layer 72 having a thickness of 5 μm in the opening 71. Then, on the surface layer, potassium cyanide 7.6 × 10 −3 mol / l, ammonium chloride 1.9 × 10 −1 mol / l, sodium citrate 1.2 ×
10 -1 mol / l, sodium hypophosphite 1.7 × 10 -1
The nickel plating layer 72 was immersed in an electroless gold plating solution of 80 mol / l at 80 ° C. for 7.5 minutes to a thickness of 0.5
A gold plating layer 74 of 03 μm is formed (FIG. 5D).

【0079】(21)そして、ソルダーレジスト層70
の開口部71に、ICチップ側には低融点金属として半
田ペーストを印刷して230℃でリフローすることによ
り、半田バンプ(半田体)76U、半田バンプ(半田
体)76Dを形成し、パッケージ基板10を完成する
(図6参照)。
(21) The solder resist layer 70
The solder bump (solder) 76U and the solder bump (solder) 76D are formed by printing a solder paste as a low melting point metal on the IC chip side in the opening 71 and reflowing at 230 ° C. 10 is completed (see FIG. 6).

【0080】完成したパッケージ基板10の半田バンプ
76Uに、ICチップ90のパッド92が対応するよう
に載置し、リフローを行いICチップ90を搭載する。
このICチップ90を搭載したパッケージ基板10を、
ドータボード95側のパッド96に対応するように載置
してリフローを行い、ドータボード95へ取り付ける
(図7参照)。これにより、BGAが配設され、外層ス
ルーホールと内層スルーホールとを同軸構造としたスル
ーホール66を有するパッケージ基板10を得ることが
できる。
The IC chip 90 is mounted on the solder bumps 76U of the completed package substrate 10 so that the pads 92 of the IC chip 90 correspond to the solder bumps 76U, and reflow is performed.
The package substrate 10 on which the IC chip 90 is mounted is
It is placed so as to correspond to the pad 96 on the daughter board 95 side, reflowed, and attached to the daughter board 95 (see FIG. 7). As a result, the package substrate 10 having the through holes 66 in which the BGA is provided and the outer layer through holes and the inner layer through holes have a coaxial structure can be obtained.

【0081】パッケージ基板10のスルーホール66を
充填している樹脂充填剤39に無機粒子を10〜80%
配合することによって、熱収縮による応力の発生を防止
できる。したがって、導体部分にクラックが発生するの
を防止できるため、電気的接続性、信頼性の向上を可能
にする。
The resin filler 39 filling the through holes 66 of the package substrate 10 contains 10 to 80% of inorganic particles.
By blending, generation of stress due to heat shrinkage can be prevented. Therefore, the occurrence of cracks in the conductor portion can be prevented, so that electrical connectivity and reliability can be improved.

【0082】本発明の第1実施形態に係るパッケージ基
板10の製造方法について、BGAを配設した場合を例
示したが、図9に示すようにPGAを配設してもよい。
PGAを配設した場合も(1)〜(21)までの工程は
同様である。それ以降の工程について説明する。まず、
基板の下面側(ドータボード、マザーボードとの接続
面)となる開口部71内に導電性接着剤78として半田
ペーストを印刷する。次に、導電性接続ピン97を適当
なピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン9
7の固定部97Aを開口部71内の導電性接着剤78に
当接させる。そしてリフローを行い、導電性接続ピン9
7を導電性接着剤78に固定する。また、導電性接続ピ
ン97の取り付け方法としては、導電性接着剤78をボ
ール状等に形成したものを開口部71内に入れる、ある
いは、固定部97Aに導電性接着剤78を接合させて導
電性接続ピン97を取り付け、その後にリフローさせて
もよい。なお、上面の開口部71には、半田バンプ76
を設ける。これにより、PGAが配設され、外層スルー
ホールと内層スルーホールとを同軸構造としたスルーホ
ール66を有するパッケージ基板10を得ることができ
る。
In the method of manufacturing the package substrate 10 according to the first embodiment of the present invention, the case where the BGA is provided is illustrated. However, the PGA may be provided as shown in FIG.
The steps (1) to (21) are the same when the PGA is provided. The subsequent steps will be described. First,
A solder paste is printed as a conductive adhesive 78 in the opening 71 on the lower surface side of the substrate (connection surface with the daughter board and the motherboard). Next, the conductive connection pin 97 is attached to and supported by an appropriate pin holding device, and the conductive connection pin 9
7 is brought into contact with the conductive adhesive 78 in the opening 71. Then, reflow is performed, and the conductive connection pins 9
7 is fixed to the conductive adhesive 78. In addition, as a method of attaching the conductive connecting pin 97, a conductive adhesive 78 formed in a ball shape or the like is put into the opening 71, or the conductive adhesive 78 is bonded to the fixing portion 97A to be conductive. The sexual connection pins 97 may be attached and then reflowed. In addition, the solder bumps 76 are provided in the openings 71 on the upper surface.
Is provided. As a result, the package substrate 10 having the through holes 66 in which the PGA is provided and the outer layer through holes and the inner layer through holes have a coaxial structure can be obtained.

【0083】[第2実施形態]第2実施形態のパッケージ
基板は、第1実施形態とほぼ同様である。但し、第2実
施形態では、外層スルーホールに充填する樹脂充填剤に
は、無機粒子を40%配合させて、内層スルーホールに
充填する樹脂充填剤には、無機粒子を65%配合させた
ものを用いて、同軸スルーホール66を形成している。
第2実施形態では、樹脂充填剤に無機粒子を配合するこ
とで、クラックの発生を防止する。
[Second Embodiment] The package substrate of the second embodiment is almost the same as the first embodiment. However, in the second embodiment, the resin filler to be filled in the outer layer through-hole contains 40% of inorganic particles, and the resin filler to be filled in the inner layer through-hole contains 65% of inorganic particles. Is used to form the coaxial through hole 66.
In the second embodiment, the occurrence of cracks is prevented by blending inorganic particles with the resin filler.

【0084】[第3実施形態]第3実施形態に係るパッケ
ージ基板の構成を図11に示し、図12中に図11中の
同軸スルーホール66を拡大して示す。第3実施形態の
パッケージ基板10は、第1実施形態とほぼ同様であ
る。但し、第3実施形態では、内層スルーホール62の
真上に蓋めっき部94を形成し、蓋めっき部94を介し
て内層スルーホール62と上層のバイアホール160と
を接続をしている。蓋めっき部94を介在させること
で、内層スルーホール62と上層のバイアホール160
との接続性が向上する。そして、蓋めっき部94によっ
て、内層スルーホール62の直上にバイアホール160
を配設できるため、配線長を短縮できる。なお、第3実
施形態の外層樹脂絶縁層42及び内層樹脂絶縁層64に
は、第1実施形態と同様に無機粒子が10〜80vol%
含有させてある。
[Third Embodiment] FIG. 11 shows a configuration of a package substrate according to a third embodiment, and FIG. 12 shows an enlarged view of the coaxial through hole 66 in FIG. The package substrate 10 of the third embodiment is almost the same as the first embodiment. However, in the third embodiment, the lid plated portion 94 is formed directly above the inner layer through hole 62, and the inner layer through hole 62 and the upper via hole 160 are connected via the lid plated portion 94. By interposing the cover plating portion 94, the inner through hole 62 and the upper via hole 160 are formed.
The connectivity with is improved. Then, via-holes 160 are formed immediately above the inner-layer through holes 62 by the lid plating portion 94.
Can be disposed, so that the wiring length can be reduced. The outer resin insulating layer 42 and the inner resin insulating layer 64 of the third embodiment contain 10 to 80 vol% of inorganic particles as in the first embodiment.
It is contained.

【0085】ここで、第3実施形態のパッケージ基板の
製造工程について説明する。なお、蓋めっき部94を配
設した場合も(1)〜(16)までの製造工程は第1実
施形態と同様である。それ以降の製造工程を図10を参
照して説明する。
Here, the manufacturing process of the package substrate of the third embodiment will be described. Note that the manufacturing steps (1) to (16) are the same as those in the first embodiment when the cover plating section 94 is provided. The subsequent manufacturing steps will be described with reference to FIG.

【0086】(17)基板に無電解めっき用触媒を付与
した後、無電解めっきを施し、無電解めっき膜68を形
成する(図10(A))。第3実施形態では、内層スル
ーホール62内に充填される樹脂充填剤39の無機粒子
を80vol%以下にしてあるため、触媒の付与量の低下
や無電解めっき膜の反応停止を防止して、無電解めっき
膜68を適正に析出させることができる。
(17) After a catalyst for electroless plating is applied to the substrate, electroless plating is performed to form an electroless plating film 68 (FIG. 10A). In the third embodiment, the inorganic particles of the resin filler 39 filled in the inner layer through-hole 62 are set to 80 vol% or less, so that a decrease in the amount of the applied catalyst and a stop of the reaction of the electroless plating film are prevented. The electroless plating film 68 can be appropriately deposited.

【0087】(18)次いで、基板に所定パターンのめ
っきレジスト67を形成した後、電解めっきを施して、
電解めっき膜69を形成する(図10(B))。その
後、めっきレジスト67を剥離後、めっきレジスト67
下の無電解めっき膜68をライトエッチングで除くこと
により、内層スルーホール62上に無電解めっき膜68
及び電解めっき膜69からなる蓋めっき部94を形成す
る(図10(C))。
(18) Next, after a plating resist 67 having a predetermined pattern is formed on the substrate, electrolytic plating is performed.
An electrolytic plating film 69 is formed (FIG. 10B). Then, after the plating resist 67 is removed, the plating resist 67 is removed.
By removing the lower electroless plating film 68 by light etching, the electroless plating film 68
Then, a lid plating portion 94 made of the electrolytic plating film 69 is formed (FIG. 10C).

【0088】(19)その後、上層に層間樹脂絶縁層1
44を形成し、第1実施形態で前述した(9)〜(1
6)の工程を経て、導体回路158(スルーホール16
0を含む)を形成し、6層からなるパッケージ基板を得
る(図10(D))。なお、以後の製造工程は、第1実
施形態の(18)〜(21)と同様であるため、説明を
省略する。第3実施形態では、内層樹脂充填剤64の無
機粒子を80vol%以下にすることによって、蓋めっき
形成の際の触媒の付与量の低下や、無電解めっき膜の反
応停止を防ぐことができ、蓋めっきを適正に形成するこ
とで、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。
(19) Thereafter, the interlayer resin insulation layer 1
44, and (9) to (1) described in the first embodiment.
6), the conductor circuit 158 (through hole 16
0 is formed, and a package substrate composed of six layers is obtained (FIG. 10D). Note that the subsequent manufacturing steps are the same as (18) to (21) of the first embodiment, and a description thereof will be omitted. In the third embodiment, by reducing the amount of the inorganic particles of the inner resin filler 64 to 80 vol% or less, it is possible to prevent a decrease in the amount of the catalyst applied when forming the cover plating and stop the reaction of the electroless plating film. By properly forming the cover plating, it is possible to improve electrical connectivity and reliability.

【0089】[第4実施形態]第4実施形態のパッケージ
基板は、第3実施形態とほぼ同様である。但し、第4実
施形態では、外層スルーホールに充填する樹脂充填剤に
は、無機粒子を40%配合させて、内層スルーホールに
充填する樹脂充填剤には、無機粒子を65%配合させた
ものを用いて、同軸スルーホール66を形成している。
[Fourth Embodiment] The package substrate of the fourth embodiment is almost the same as the third embodiment. However, in the fourth embodiment, the resin filler to be filled in the outer layer through-hole contains 40% of inorganic particles, and the resin filler to be filled in the inner layer through-hole contains 65% of inorganic particles. Is used to form the coaxial through hole 66.

【0090】第4実施形態では、内層樹脂充填剤64の
無機粒子を65vol%にすることによって、蓋めっき形
成の際の触媒の付与量の低下や、無電解めっき膜の反応
停止を防ぐことができ、蓋めっき94を適正に形成する
ことで、電気的接続性、信頼性の向上を可能にする。
In the fourth embodiment, by reducing the inorganic particles of the inner resin filler 64 to 65 vol%, it is possible to prevent a decrease in the amount of the catalyst applied during the formation of the cover plating and a stop of the reaction of the electroless plating film. By properly forming the cover plating 94, it is possible to improve electrical connectivity and reliability.

【0091】[第1比較例]第1比較例は、第1実施形態
のパッケージ基板と同様である。但し、外層スルーホー
ル及び内層スルーホールをレーザにより貫通孔を穿設し
て形成した。
[First Comparative Example] The first comparative example is the same as the package substrate of the first embodiment. However, the outer layer through-holes and the inner layer through-holes were formed by piercing through holes with a laser.

【0092】[第2比較例]第2比較例は、第3実施形態
のパッケージ基板と同様である。但し、外層スルーホー
ル及び内層スルーホールをレーザにより貫通孔を穿設し
て形成した。
[Second Comparative Example] The second comparative example is the same as the package substrate of the third embodiment. However, the outer layer through-holes and the inner layer through-holes were formed by piercing through holes with a laser.

【0093】第1〜第4実施形態のパッケージ基板と、
第1、第2比較例のパッケージ基板との同軸スルーホー
ルの絶縁試験の結果を図13の図表に示す。第1〜第4
実施形態のパッケージ基板では、1000回のヒートサ
イクルを加えた後も同軸スルーホールに短絡は発生しな
かった。これに対して、第1、第2比較例のパッケージ
基板では同軸スルーホール内で短絡が発生した。
The package substrates of the first to fourth embodiments,
The chart of FIG. 13 shows the results of the insulation test of the coaxial through-holes with the package substrates of the first and second comparative examples. First to fourth
In the package substrate of the embodiment, no short circuit occurred in the coaxial through-hole even after 1000 heat cycles. In contrast, in the package substrates of the first and second comparative examples, a short circuit occurred in the coaxial through hole.

【0094】なお、上述した第1〜第4実施形態では、
スルーホール66を同軸としたが、スルーホール66の
外層スルーホール36と内層スルーホール66とを別々
の信号線として用いることも可能である。この場合に
は、コア基板の配線密度を高めることができる。また、
上述した第1〜第4実施形態では、外層スルーホール3
6と内層スルーホール66により同軸構造としたが、外
層スルーホール36と内層スルーホール66との間の外
層樹脂充填剤として、高誘電率の樹脂を配設することで
コンデンサとして用いることも可能である。
In the first to fourth embodiments described above,
Although the through hole 66 is coaxial, the outer through hole 36 and the inner through hole 66 of the through hole 66 may be used as separate signal lines. In this case, the wiring density of the core substrate can be increased. Also,
In the first to fourth embodiments described above, the outer layer through-hole 3
Although a coaxial structure is formed by the inner layer 6 and the inner layer through hole 66, it is also possible to use as a capacitor by disposing a resin having a high dielectric constant as an outer layer resin filler between the outer layer through hole 36 and the inner layer through hole 66. is there.

【0095】[0095]

【発明の効果】以上記述したように本発明では、ドリル
を用いて垂直壁を有するスルーホール用貫通孔を形成す
ることで、スルーホールがテーパ状になるのを防止し、
外層スルーホールと内層スルーホールとの間の絶縁層を
形成する外層樹脂充填剤の厚みを均一にできる。このた
め、外層のスルーホールと内層のスルーホールとの間の
での短絡を防止でき、信頼性が向上する。
As described above, in the present invention, a through hole for a through hole having a vertical wall is formed by using a drill to prevent the through hole from being tapered.
The thickness of the outer resin filler forming the insulating layer between the outer through hole and the inner through hole can be made uniform. For this reason, a short circuit between the through hole of the outer layer and the through hole of the inner layer can be prevented, and the reliability is improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)は、
本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程
図である。
FIG. 1 (A), (B), (C), (D), (E)
It is a manufacturing process figure of the package board concerning a 1st embodiment of the present invention.

【図2】(A)、(B)、(C)、(D)、(E)は、
本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程
図である。
FIG. 2 (A), (B), (C), (D), (E)
It is a manufacturing process figure of the package board concerning a 1st embodiment of the present invention.

【図3】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。
FIGS. 3A, 3B, 3C, and 3D are manufacturing process diagrams of the package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図4】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。
FIGS. 4A, 4B, 4C, and 4D are manufacturing process diagrams of the package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図5】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明の
第1実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。
FIGS. 5A, 5B, 5C, and 5D are manufacturing process diagrams of the package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板の
断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of the package substrate according to the first embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第1実施形態に係るパッケージ基板に
ICチップを搭載し、ドータボードに取り付けた状態を
示す断面図である。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a state in which an IC chip is mounted on a package substrate according to the first embodiment of the present invention and attached to a daughter board.

【図8】図7中の同軸スルーホールの構成を拡大して示
す説明図である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing an enlarged configuration of a coaxial through hole in FIG. 7;

【図9】本発明の第1実施形態の改変例に係るパッケー
ジ基板の断面図である。
FIG. 9 is a sectional view of a package substrate according to a modification of the first embodiment of the present invention.

【図10】(A)、(B)、(C)、(D)は、本発明
の第3実施形態に係るパッケージ基板の製造工程図であ
る。
FIGS. 10A, 10B, 10C, and 10D are manufacturing process diagrams of a package substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第3実施形態に係るパッケージ基板
の断面図である。
FIG. 11 is a sectional view of a package substrate according to a third embodiment of the present invention.

【図12】図11中の同軸スルーホールの構成を拡大し
て示す説明図である。
FIG. 12 is an explanatory view showing an enlarged configuration of a coaxial through hole in FIG. 11;

【図13】第1〜第4実施形態のパッケージ基板と、第
1、第2比較例のパッケージ基板とを比較試験した結果
を示す図表である。
FIG. 13 is a table showing the results of a comparative test of the package substrates of the first to fourth embodiments and the package substrates of the first and second comparative examples.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

30 コア基板 34 導通用スルーホール 36 外層スルーホール 38 内層銅パターン 39 樹脂充填剤 40 樹脂絶縁層 42 外層樹脂絶縁層 44 層間樹脂絶縁層 48 内層スルーホール用貫通孔 50 金属層 52 無電解めっき膜 56 電解めっき膜 58 導体回路 60 バイアホール 62 内層スルーホール 64 内層樹脂絶縁層 66 同軸スルーホール 70 ソルダーレジスト層 71 開口部 72 ニッケルめっき層 74 金めっき層 76U、76D 半田バンプ 78 導電性接着剤 80A、80B ビルドアップ配線層 90 ICチップ 92 固定部 94 蓋めっき部(蓋) 97 導電性接続ピン 144 層間樹脂絶縁層 158 導体回路 160 バイアホール Reference Signs List 30 core substrate 34 conduction through hole 36 outer layer through hole 38 inner layer copper pattern 39 resin filler 40 resin insulation layer 42 outer layer resin insulation layer 44 interlayer resin insulation layer 48 inner layer through hole for through hole 50 metal layer 52 electroless plating film 56 Electrolytic plating film 58 Conductor circuit 60 Via hole 62 Inner layer through hole 64 Inner layer resin insulation layer 66 Coaxial through hole 70 Solder resist layer 71 Opening 72 Nickel plating layer 74 Gold plating layer 76U, 76D Solder bump 78 Conductive adhesive 80A, 80B Build-up wiring layer 90 IC chip 92 Fixing part 94 Lid plating part (lid) 97 Conductive connection pin 144 Interlayer resin insulation layer 158 Conductor circuit 160 Via hole

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも(a)〜(g)の工程を備え
ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法: (a)コア基板にドリルを用いて外層スルーホール用貫
通孔を形成する工程; (b)前記外層スルーホール用貫通孔に、金属膜を施し
外層スルーホールを形成する工程; (c)前記外層スルーホール内に樹脂充填剤を充填し
て、外層樹脂絶縁層を形成する工程; (d)前記コア基板の片面もしくは両面に層間樹脂絶縁
層を形成する工程; (e)前記外層スルーホール内にドリルを用いて内層ス
ルーホール用貫通孔を形成する工程; (f)前記内層スルーホール用貫通孔に、金属膜を施し
内層スルーホールを形成する工程; (g)前記内層スルーホール内に樹脂充填剤を充填し
て、内層樹脂絶縁層を形成する工程。
1. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising at least steps (a) to (g): (a) forming a through hole for an outer layer through hole using a drill in a core substrate; (B) applying a metal film to the through hole for the outer layer through hole to form an outer layer through hole; and (c) filling a resin filler in the outer layer through hole to form an outer resin insulating layer. (D) a step of forming an interlayer resin insulating layer on one or both surfaces of the core substrate; (e) a step of forming a through hole for an inner layer through hole using a drill in the outer layer through hole; (f) the inner layer A step of applying a metal film to the through hole for the through hole to form an inner layer through hole; and (g) a step of filling the inner layer through hole with a resin filler to form an inner resin insulating layer.
【請求項2】 少なくとも(a)〜(h)の工程を備え
ることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法: (a)コア基板にドリルを用いて外層スルーホール用貫
通孔を形成する工程; (b)前記外層スルーホール用貫通孔に、金属膜を施し
外層スルーホールを形成する工程; (c)前記外層スルーホール内に樹脂充填剤を充填し
て、外層樹脂絶縁層を形成する工程; (d)前記コア基板の片面もしくは両面に層間樹脂絶縁
層を形成する工程; (e)前記外層スルーホール内にドリルを用いて内層ス
ルーホール用貫通孔を形成する工程; (f)前記内層スルーホール用貫通孔に、金属膜を施し
内層スルーホールを形成する工程; (g)前記内層スルーホール内に樹脂充填剤を充填し
て、内層樹脂絶縁層を形成する工程; (h)前記内層スルーホール上に導電性の蓋を施す工
程。
2. A method for manufacturing a multilayer printed wiring board, comprising at least steps (a) to (h): (a) forming a through hole for an outer layer through hole using a drill in a core substrate; (B) applying a metal film to the through hole for the outer layer through hole to form an outer layer through hole; and (c) filling a resin filler in the outer layer through hole to form an outer resin insulating layer. (D) a step of forming an interlayer resin insulating layer on one or both surfaces of the core substrate; (e) a step of forming a through hole for an inner layer through hole using a drill in the outer layer through hole; (f) the inner layer A step of forming an inner layer through hole by applying a metal film to the through hole for a through hole; (g) a step of filling the inner layer through hole with a resin filler to form an inner resin insulating layer; (h) the inner layer Step of applying a conductive cover on Ruhoru.
【請求項3】 前記内層スルーホール上に前記蓋を施し
た後、層間樹脂絶縁層を形成して、前記蓋の直上にバイ
アホールを形成することを特徴とする請求項2に記載の
多層プリント配線板の製造方法。
3. The multi-layer print according to claim 2, wherein after the lid is provided on the inner layer through hole, an interlayer resin insulating layer is formed, and a via hole is formed immediately above the lid. Manufacturing method of wiring board.
【請求項4】 前記蓋は、厚み5〜20μmのめっき層
であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載
の多層プリント配線板の製造方法。
4. The method according to claim 2, wherein the lid is a plating layer having a thickness of 5 to 20 μm.
【請求項5】 前記内層スルーホールの表面に粗化層を
形成することを特徴とする請求項1〜請求項4のいずれ
か1の多層プリント配線板の製造方法。
5. The method for manufacturing a multilayer printed wiring board according to claim 1, wherein a roughened layer is formed on a surface of said inner layer through hole.
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