JP2000244127A - Wiring board and its manufacture - Google Patents

Wiring board and its manufacture

Info

Publication number
JP2000244127A
JP2000244127A JP36347699A JP36347699A JP2000244127A JP 2000244127 A JP2000244127 A JP 2000244127A JP 36347699 A JP36347699 A JP 36347699A JP 36347699 A JP36347699 A JP 36347699A JP 2000244127 A JP2000244127 A JP 2000244127A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductor layer
resin
layer
via hole
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP36347699A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kozo Yamazaki
耕三 山崎
Osamu Hisada
修 久田
Katsuhiko Hasegawa
勝彦 長谷川
Naoki Kito
直樹 鬼頭
Satoshi Hirano
平野  聡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Niterra Co Ltd
Original Assignee
NGK Spark Plug Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NGK Spark Plug Co Ltd filed Critical NGK Spark Plug Co Ltd
Priority to JP36347699A priority Critical patent/JP2000244127A/en
Publication of JP2000244127A publication Critical patent/JP2000244127A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wiring board which makes the conduction between a lower conductor layer and an upper conductor layer reliable with a via hole conductive material by forming the via hole in a resin-insulating layer of a wiring board satisfactorily, and a method of manufacturing the board. SOLUTION: A via hole 5 is formed through exposure and development, then the bottom 5A of the via hole is etched with resin, and then the surface of the exposed lower conductor layer 4 is etched (conductor layer etching process) to remove remaining resin 5B and the metal on the surface of the lower conductor layer 4. Also, if the thickness of the lower conductor layer 4 etched at the conductor layer etching process is set at 5 to 30% of the thickness of the lower conductive layer 4, conduction between the lower conductor layer 4 and the upper conductor layer 8 by a via hole conductive material 7 is made super.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、配線基板および配
線基板の製造方法に関し、例えば、樹脂絶縁層を挟んで
形成される複数の配線用の導体層と、樹脂絶縁層を貫通
し複数の配線用の導体層を互いに導通するビア導体とを
有する配線基板およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wiring board and a method of manufacturing the wiring board, for example, a plurality of wiring conductor layers formed with a resin insulating layer interposed therebetween, and a plurality of wiring layers penetrating the resin insulating layer. The present invention relates to a wiring board having via conductors for conducting conductive layers to each other and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、導体層間に例えば感光性樹脂か
らなる樹脂絶縁層を介在させた多層配線基板11の製造
方法の製造方法を以下に示す。まず、図5(a)に示す
ように、樹脂絶縁層12の上面に形成した導体層14の
上に感光性樹脂からなる樹脂絶縁層13を形成し、次
に、この樹脂絶縁層13を半硬化させる。その後、フォ
トマスクを用いて、樹脂絶縁層13に対して露光し、導
体層14の上面を露出させるビアホール15を現像によ
り形成する。この後、樹脂絶縁層13の上面に無電解銅
メッキ、電解銅メッキ等を施し、不要部分をエッチング
により除去することにより、所望のパターンの導体層1
8、および導体層18と導体層14とを導通するビア導
体17を形成する(図5(b)参照)。
2. Description of the Related Art Generally, a method of manufacturing a multilayer wiring board 11 in which a resin insulating layer made of, for example, a photosensitive resin is interposed between conductor layers will be described below. First, as shown in FIG. 5A, a resin insulating layer 13 made of a photosensitive resin is formed on a conductor layer 14 formed on the upper surface of a resin insulating layer 12, and then this resin insulating layer 13 is cut in half. Let it cure. Thereafter, using a photomask, the resin insulating layer 13 is exposed to light, and a via hole 15 exposing the upper surface of the conductor layer 14 is formed by development. Thereafter, the upper surface of the resin insulating layer 13 is subjected to electroless copper plating, electrolytic copper plating, or the like, and unnecessary portions are removed by etching, so that the conductor layer 1 having a desired pattern is formed.
8, and a via conductor 17 for conducting between the conductor layer 18 and the conductor layer 14 is formed (see FIG. 5B).

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、現像等
のフォトリソグラフィー技術により多数のビアホールを
配線基板の全面にわたり均一に形成することは難しい。
すなわち、配線基板内でも一部ではビアホール15が精
度よく形成されても、他部では、現像速度が遅く、ビア
ホールの底に除去すべき樹脂が残存し、ビアホールが樹
脂絶縁層の途中までしか形成されないことがある。ま
た、ビアホール15を形成するための現像工程において
は、現像液によって一旦溶け出した樹脂が形成途中のビ
アホール15の底に溜まることもある。この溶け出した
樹脂がビアホール15の底部に溜まると、形成途中のビ
アホール15の底に新たな現像液が供給されにくくな
り、深さ方向への現像が阻害される。この結果、形成さ
れたビアホール15の底部に樹脂が残存し、現像不足に
より、底面15Aが形成されてしまうことがある。図5
(c)に示すように、樹脂が残存した配線基板は、その
ままメッキをしても、導体層14と導体層18とはビア
導体17によって接続されない。
However, it is difficult to form a large number of via holes uniformly over the entire surface of the wiring substrate by photolithography such as development.
That is, even if the via hole 15 is formed with high accuracy in a part of the wiring substrate, the developing speed is slow in other parts, the resin to be removed remains at the bottom of the via hole, and the via hole is formed only in the middle of the resin insulating layer. May not be done. Further, in the developing step for forming the via hole 15, the resin once melted by the developing solution may accumulate at the bottom of the via hole 15 during the formation. When the melted resin accumulates at the bottom of the via hole 15, it becomes difficult to supply a new developing solution to the bottom of the via hole 15 being formed, and the development in the depth direction is hindered. As a result, the resin remains at the bottom of the formed via hole 15, and the bottom surface 15A may be formed due to insufficient development. FIG.
As shown in (c), even if the wiring board on which the resin remains is plated as it is, the conductor layer 14 and the conductor layer 18 are not connected by the via conductor 17.

【0004】さらに、この後、ビアホール15の底面1
5Aを構成する残存樹脂を除去すべく、過マンガン酸カ
リウム溶液等の樹脂エッチング液で、この残存樹脂をエ
ッチング(溶解除去)することも可能であるが、それで
もこの残存樹脂が完全には除去できずに、ビアホール1
5の底15Aに樹脂が点在して残ることがあった。ま
た、上記したフォトリソグラフィー技術に限らず、レー
ザを用いてビアホールを穿孔する場合においても、レー
ザ条件等によりビアホールが不完全にしか形成されない
場合の樹脂残存物や、レーザ加工時に発生する炭化物等
のカスがビアホールの底に点在したり、膜状に残ること
があった。
Then, the bottom surface 1 of the via hole 15 is formed.
In order to remove the residual resin constituting 5A, it is possible to etch (dissolve and remove) the residual resin with a resin etching solution such as a potassium permanganate solution, but it is still possible to completely remove the residual resin. Beer hole 1
Resin was sometimes scattered and remained on the bottom 15A of No.5. Further, not only the above-described photolithography technology, but also in the case of drilling a via hole using a laser, a resin residue when a via hole is formed only incompletely due to laser conditions, and a carbide or the like generated during laser processing. Scraps may be scattered at the bottom of the via hole or remain in a film form.

【0005】この残存樹脂(樹脂残渣)を完全に除去す
るために、樹脂エッチングを強化することも考えられる
が、この樹脂エッチング液により、樹脂絶縁層の表面等
も樹脂エッチングされるため、樹脂絶縁層の表面が過度
に荒らされて、上層の導体層18との密着強度が低下し
てしまう等の不具合が生じる。
[0005] In order to completely remove the residual resin (resin residue), it is conceivable to enhance the resin etching. However, the resin etching solution also etches the surface of the resin insulating layer and the like. Problems such as the surface of the layer being excessively roughened and the adhesion strength to the upper conductor layer 18 being reduced are caused.

【0006】本発明はかかる現状に鑑みてなされたもの
であって、フォトリソグラフィー技術またはレーザ技術
により形成されたビアホールの底の樹脂残りを無くし、
ビアホールの底に露出した下層の導体層と、上層の導体
層との導通を確実にした配線基板および配線基板の製造
方法を提供することを第1の目的とし、さらには、半導
体素子等の電子部品との導通を確実にすることができる
配線基板および配線基板の製造方法を提供することを第
2の目的とする。
The present invention has been made in view of the above situation, and eliminates resin residue at the bottom of a via hole formed by photolithography or laser technology.
It is a first object of the present invention to provide a wiring board and a method of manufacturing a wiring board which ensure conduction between a lower conductive layer exposed at the bottom of a via hole and an upper conductive layer. A second object of the present invention is to provide a wiring board and a method of manufacturing the wiring board, which can ensure conduction with components.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
の配線基板は、導体層と、該導体層上に積層された樹脂
絶縁層と、該樹脂絶縁層を貫通するビアホールと、を有
し、前記導体層は、その表面のうち前記ビアホールの底
面にあたる部分に凹部を備えていることを要旨とする。
本発明によれば、導体層の表面のうちのビアホールの底
面にあたる部分に凹部が形成されているため、ビアホー
ルの底面には樹脂絶縁層の残存物やレーザ加工時に発生
するカス等はなく、例えばビアホール内に形成されるビ
ア導体と導体層との電気的接続を良好なものとすること
ができる。
A wiring board for achieving the above object has a conductor layer, a resin insulation layer laminated on the conductor layer, and a via hole penetrating the resin insulation layer. The gist of the present invention is that the conductor layer has a recess at a portion corresponding to the bottom surface of the via hole on the surface thereof.
According to the present invention, since the concave portion is formed in a portion corresponding to the bottom surface of the via hole in the surface of the conductor layer, there is no residue of the resin insulating layer or residue generated during laser processing on the bottom surface of the via hole, for example, Good electrical connection between the via layer and the conductor layer formed in the via hole can be achieved.

【0008】なお、ビアホールの形成方法については、
露光工程および現像工程などからなる公知のフォトリソ
グラフィー技術に限らず、レーザを用いた手法でもよ
い。また、レーザの種類は、加工すべき樹脂絶縁層の材
質に応じて選定すればよく、例えば、COレーザ、エ
キシマレーザ、YAGレーザ等を好適に用いることがで
きる。
The method of forming a via hole is as follows.
The method is not limited to a known photolithography technique including an exposure step and a development step, but may be a technique using a laser. The type of laser may be selected according to the material of the resin insulating layer to be processed. For example, a CO 2 laser, an excimer laser, a YAG laser, or the like can be suitably used.

【0009】さらには、前記凹部は前記導体層の表面を
エッチングにより形成するとよい。このようにすれば、
導体層の表面近傍をエッチングにより除去する際に、そ
の表面に付着した樹脂残存物も一緒に除去されるため、
ビアホールの底には導体層が完全に露出することにな
り、良好な接続が可能となる。また、ビアホール内に形
成されるビア導体と導体層との接続は、凹部において行
われるため、両者間に十分な密着強度が得られる。
Further, it is preferable that the recess is formed by etching the surface of the conductor layer. If you do this,
When removing the vicinity of the surface of the conductor layer by etching, the resin residue adhered to the surface is also removed together,
The conductor layer is completely exposed at the bottom of the via hole, and good connection is possible. In addition, since the connection between the via conductor and the conductor layer formed in the via hole is made in the concave portion, a sufficient adhesion strength between them can be obtained.

【0010】さらに、前記凹部の深さは、前記導体層の
厚みの5〜30%とするとよい。導体層の厚みの5%以
上にすると、ビアホール底の樹脂残存物の下にまで十分
にエッチング液がまわり込み、樹脂残存物が完全に除去
された凹部とすることができるからである。さらには、
十分に深く凹部が形成されるため、ビア導体と導体層と
の接触部分が増大して、密着強度を増すことができる。
この反面、凹部の深さが導体層の厚みの30%を超える
までエッチングすると、樹脂絶縁層の下にまでエッチン
グ液が回り込んで導体層をエッチングするため、ビア導
体の形成が困難となる。前記凹部は前記ビアホールの底
面部とほぼ一致して形成されているのが特に好ましい。
[0010] Further, the depth of the recess is preferably 5 to 30% of the thickness of the conductor layer. When the thickness is 5% or more of the thickness of the conductor layer, the etching solution can sufficiently flow under the resin residue at the bottom of the via hole to form a concave portion from which the resin residue is completely removed. Moreover,
Since the concave portion is formed sufficiently deep, the contact portion between the via conductor and the conductor layer is increased, and the adhesion strength can be increased.
On the other hand, when etching is performed until the depth of the concave portion exceeds 30% of the thickness of the conductor layer, the etchant flows under the resin insulating layer and etches the conductor layer, so that it becomes difficult to form a via conductor. It is particularly preferable that the recess is formed substantially coincident with the bottom surface of the via hole.

【0011】このように導体層の表面にエッチングによ
り形成された凹部を備えた配線基板は、ビアホールの底
に樹脂残存物がなく、ビアホール内にはビア導体が形成
すると、ビア導体は前記導体層と前記凹部において良好
に接続することができる。また、前記導体層をそのまま
接続端子として用いる場合には、例えば、凹部の表面に
ニッケルメッキ層および金メッキ層等のメッキ層を形成
するとよい。凹部上には樹脂残存物がないので、導体層
に所望のメッキ層を施し、接続信頼性に優れた接続端子
とすることができる。さらに、前記ビアホール内に、ハ
ンダバンプが形成して、それを接続端子として用いても
よい。凹部上には樹脂残存物がないので、導体層とハン
ダバンプとの接続信頼性に優れたハンダバンプ(接続端
子)を得ることができる。
In the wiring board having the concave portion formed by etching on the surface of the conductor layer as described above, there is no resin residue at the bottom of the via hole, and when the via conductor is formed in the via hole, the via conductor becomes the conductor layer. And the recess can be connected well. When the conductor layer is used directly as a connection terminal, for example, a plating layer such as a nickel plating layer and a gold plating layer may be formed on the surface of the concave portion. Since there is no resin residue on the concave portion, a desired plating layer can be applied to the conductor layer to provide a connection terminal having excellent connection reliability. Further, a solder bump may be formed in the via hole and used as a connection terminal. Since there is no resin residue on the recess, a solder bump (connection terminal) having excellent connection reliability between the conductor layer and the solder bump can be obtained.

【0012】また、前記導体層を配線基板内の異なる絶
縁層上にそれぞれ設けた配線基板とすることができる。
凹部を備えた導体層は多層の配線基板のうち、片面また
は両面の任意の部位に配置すればよい。具体的には、以
下の3つのグループのうち、少なくとも2つのグループ
を備えた配線基板を要旨とする。すなわち、第1下層導
体層と、該第1下層導体層に形成された第1凹部と、該
第1凹部に対応した位置に開口する第1ビアホールを有
する第1樹脂絶縁層と、第1樹脂絶縁層上に形成された
第1上層導体層と、前記第1ビアホールの内周面および
前記第1凹部上に形成され、前記第1下層導体層と前記
第1上層導体層とを導通するビア導体と、からなる第1
のグループと、第2導体層と、該第2導体層に形成され
た第2凹部と、該第2凹部に対応した位置に開口する第
2ビアホールを有する第2樹脂絶縁層と、前記第2凹部
上に形成され、前記第2樹脂絶縁層上面から突出するハ
ンダバンプと、からなる第2のグループと、第3導体層
と、該第3導体層に形成された第3凹部と、該第3凹部
に対応した位置に開口する第3ビアホールを有する第3
樹脂絶縁層と、前記第3凹部上に形成された金属層と、
からなる第3のグループである。
In addition, the present invention can provide a wiring board in which the conductor layers are provided on different insulating layers in the wiring board.
The conductor layer provided with the concave portion may be disposed on any one or both sides of the multilayer wiring board. Specifically, the gist is a wiring board including at least two of the following three groups. That is, a first resin layer having a first lower conductor layer, a first recess formed in the first lower conductor layer, a first via hole opened at a position corresponding to the first recess, and a first resin A first upper conductor layer formed on an insulating layer, and a via formed on an inner peripheral surface of the first via hole and on the first recess to conduct between the first lower conductor layer and the first upper conductor layer; A first conductor comprising
A second resin layer having a second conductor layer, a second recess formed in the second conductor layer, a second via hole opening at a position corresponding to the second recess, A second group of solder bumps formed on the recess and protruding from the upper surface of the second resin insulating layer; a third conductor layer; a third recess formed in the third conductor layer; Third having a third via hole opened at a position corresponding to the concave portion
A resin insulating layer, a metal layer formed on the third recess,
A third group consisting of:

【0013】前記第1のグループは、第1下層導体層と
第1上層導体層と両者を相互に接続する第1ビア導体に
より良好に接続できる構造を提供することができる。ま
た、前記第2のグループは、ICチップ等の電子部品と
良好に接続でき、かつICチップ等の電子部品を強固に
固着することができる構造を提供することができる。さ
らに、第3のグループは、第3ビアホールから露出する
第3凹部に例えばニッケルメッキ層や金メッキ層などの
金属層を設けたものであり、接続信頼性に優れた接続端
子として用いることができる構造を提供するものであ
る。これらの構造は1つのみでなく、配線基板内に2つ
のグループ、さらには3つのグループを組み合わせて適
用するとより一層接続信頼性に優れた配線基板を得るこ
とができる。
The first group can provide a structure in which the first lower conductor layer and the first upper conductor layer can be better connected to each other by the first via conductor interconnecting the first and second upper conductor layers. In addition, the second group can provide a structure that can be connected favorably to an electronic component such as an IC chip and can firmly fix an electronic component such as an IC chip. Further, the third group has a structure in which a metal layer such as a nickel plating layer or a gold plating layer is provided in the third concave portion exposed from the third via hole, and can be used as a connection terminal having excellent connection reliability. Is provided. If not only one of these structures but also a combination of two groups, or even three groups, in a wiring board, a wiring board with even more excellent connection reliability can be obtained.

【0014】次いで、ビアホールをフォトリソグラフィ
ー技術により形成する場合の配線基板の製造方法は、導
体層の上に感光性樹脂からなる樹脂絶縁層を形成する工
程と、前記樹脂絶縁層に対し露光と現像を行うことによ
り、該樹脂絶縁層にビアホールを形成するビアホール形
成工程と、前記樹脂絶縁層の表面および前記ビアホール
の内周面および底面の樹脂をエッチングすることによ
り、ビアホールの底面から導体層の表面の一部を露出さ
せる樹脂エッチング工程と、前記ビアホールの底面に露
出した導体層の表面をエッチングすることにより導体層
とともに導体層に付着する樹脂を除去する導体層エッチ
ング工程と、を含むことを要旨とする。
Next, a method of manufacturing a wiring board when a via hole is formed by a photolithography technique includes a step of forming a resin insulating layer made of a photosensitive resin on a conductive layer, and exposing and developing the resin insulating layer. Performing a via hole forming step of forming a via hole in the resin insulating layer; and etching the resin on the surface of the resin insulating layer and the inner peripheral surface and the bottom surface of the via hole to form a surface of the conductor layer from the bottom surface of the via hole. A resin etching step of exposing a portion of the conductive layer, and a conductive layer etching step of removing a resin adhered to the conductive layer together with the conductive layer by etching the surface of the conductive layer exposed on the bottom surface of the via hole. And

【0015】また、ビアホールをレーザにより形成する
場合の配線基板の製造方法は、導体層の上に感光性を有
しない熱硬化性樹脂等からなる樹脂絶縁層を形成する工
程と、前記樹脂絶縁層に対しレーザ光を照射することに
より、該樹脂絶縁層にビアホールを形成するビアホール
形成工程と、前記樹脂絶縁層の表面および前記ビアホー
ルの内周面および底面の樹脂をエッチングする樹脂エッ
チング工程と、前記ビアホールの底面に露出した導体層
の表面をエッチングすることにより導体層とともに導体
層に付着する樹脂または炭化物等のカスを除去する導体
層エッチング工程と、を含むことを要旨とする。
In a method of manufacturing a wiring board when a via hole is formed by a laser, a method of forming a resin insulating layer made of a non-photosensitive thermosetting resin or the like on a conductive layer includes the steps of: Irradiating a laser beam to the via hole forming step of forming a via hole in the resin insulating layer, a resin etching step of etching the resin on the inner peripheral surface and the bottom surface of the surface of the resin insulating layer and the via hole, A conductor layer etching step of removing a residue such as resin or carbide adhered to the conductor layer together with the conductor layer by etching the surface of the conductor layer exposed at the bottom surface of the via hole.

【0016】本発明によれば、フォトリソグラフィー技
術またはレーザ技術により、ビアホール形成工程後、樹
脂エッチング工程を行い、樹脂絶縁層の表面およびビア
ホールの内周面を樹脂エッチングにより粗化処理すると
ともに、ビアホール底面に残った樹脂等をある程度除去
する。この樹脂エッチングにより導体層の表面の少なく
とも一部を露出させる。その後、ビアホールの底面に露
出した導体層の表面をエッチングすることにより、ビア
ホールの底に点在する樹脂を、その樹脂が固着する導体
層ごと除去することができる。したがって、ビアホール
の底の残存樹脂を容易に除去できる。本発明の配線基板
によれば、前記導体層を下層導体層とし、このビアホー
ルおよび樹脂絶縁層にメッキ等を施した場合、上層の導
体層と確実に導通をとることができる。また、前記導体
層を他の電子部品や配線基板等の接続端子と直接接続す
るためのボンディングパッドとした場合には、半導体素
子の接続端子等との導通を確実にできる。
According to the present invention, after the via hole forming step, a resin etching step is performed by photolithography or laser technology to roughen the surface of the resin insulating layer and the inner peripheral surface of the via hole by resin etching. The resin and the like remaining on the bottom surface are removed to some extent. This resin etching exposes at least a part of the surface of the conductor layer. Thereafter, by etching the surface of the conductor layer exposed at the bottom of the via hole, the resin scattered at the bottom of the via hole can be removed together with the conductor layer to which the resin adheres. Therefore, the resin remaining at the bottom of the via hole can be easily removed. According to the wiring board of the present invention, when the conductor layer is a lower conductor layer and the via holes and the resin insulating layer are plated, the conduction with the upper conductor layer can be ensured. Further, when the conductor layer is a bonding pad for directly connecting to a connection terminal of another electronic component, a wiring board, or the like, conduction with the connection terminal of the semiconductor element can be ensured.

【0017】ここで、樹脂エッチング工程を行う理由と
しては、これを行うことにより、ビアホールの底に確実
に導体層の一部を露出させるためである。ビアホールの
底に均一に樹脂膜が残存している場合、後の導体層エッ
チング工程を実施しても、エッチング液が導体層にまで
達しないので、導体層の表面の金属とともに樹脂残渣を
除去することができなくなってしまうからである。
Here, the reason for performing the resin etching step is to ensure that a portion of the conductor layer is exposed at the bottom of the via hole by performing this step. If the resin film remains uniformly at the bottom of the via hole, even if a later conductive layer etching step is performed, the etching solution does not reach the conductive layer, so that the resin residue is removed together with the metal on the surface of the conductive layer. This is because they can no longer do it.

【0018】さらに、上記したフォトリソグラフィー技
術による配線基板の製造方法は、前記ビアホール形成工
程における現像は、配線基板を略水平に保持した状態で
行い、現像の途中で配線基板の上下面を上下反転させ
て、配線基板の両面にビアホール形成することとよい。
Further, in the above-described method for manufacturing a wiring board by photolithography, the development in the via hole forming step is performed while the wiring board is held substantially horizontally, and the upper and lower surfaces of the wiring board are turned upside down during the development. Then, via holes may be formed on both surfaces of the wiring board.

【0019】現像工程の際に配線基板を図2に示すよう
に略水平に保持した状態で配線基板の両面に同時にビア
ホールを形成する場合には、配線基板1の上面と下面と
で現像速度に差が生じる。すなわち、配線基板の上面側
では、現像液Sが溜り易く、また、形成途中のビアホー
ルの底に溶出した樹脂が溜まりやすい。こうした樹脂残
渣があると、形成途中のビアホールの底に新たな現像液
が供給されにくく、ビアホールの深さ方向への現像速度
が比較的遅くなる。これに対して、配線基板の下面側で
は、溶出した樹脂(樹脂残渣)や古い現像液は、新しい
現像液により排除されるので、形成途中のビアホールの
底には常に新しい現像液が供給される。したがって、ビ
アホールの深さ方向への現像速度が比較的速くなる。
In the case where via holes are simultaneously formed on both sides of the wiring substrate while the wiring substrate is held substantially horizontally as shown in FIG. 2 during the development step, the developing speed of the upper and lower surfaces of the wiring substrate 1 is reduced. There is a difference. That is, on the upper surface side of the wiring board, the developing solution S easily accumulates, and the resin eluted at the bottom of the via hole being formed easily accumulates. When such a resin residue is present, it is difficult to supply a new developing solution to the bottom of the via hole being formed, and the developing speed in the depth direction of the via hole becomes relatively slow. On the other hand, on the lower surface side of the wiring board, the eluted resin (resin residue) and the old developing solution are removed by the new developing solution, so that the new developing solution is always supplied to the bottom of the via hole during the formation. . Therefore, the developing speed in the depth direction of the via hole becomes relatively high.

【0020】本発明の配線基板の製造方法によれば、現
像工程の途中で配線基板の上下面を上下反転させるの
で、配線基板の上下両面に同時にビアホールを形成する
場合であっても、配線基板の上下面での現像速度のバラ
ツキを防止できる。したがって、ビアホール底に残る樹
脂の量、厚さ等も、配線基板の上下面でほぼ同程度とな
る。したがって、後の樹脂エッチング工程や、導体層エ
ッチング工程においても、配線基板の上下面で樹脂エッ
チング量や導体層エッチング量ののバラツキが生じな
い。
According to the method of manufacturing a wiring board of the present invention, the upper and lower surfaces of the wiring board are turned upside down during the developing process. Of the developing speed on the upper and lower surfaces can be prevented. Therefore, the amount, thickness, and the like of the resin remaining at the bottom of the via hole are substantially the same on the upper and lower surfaces of the wiring board. Therefore, the resin etching amount and the conductor layer etching amount do not vary between the upper and lower surfaces of the wiring substrate even in the subsequent resin etching step and the conductor layer etching step.

【0021】ここで、配線基板としては、樹脂絶縁層と
導体層とを有するものであればよく、例えば、金属基板
または絶縁基板からなるコア基板の片面あるいは両面に
樹脂絶縁層と導体層とを交互に複数層積層した多層配線
基板等が挙げられる。
Here, the wiring board may be any as long as it has a resin insulating layer and a conductor layer. For example, a resin insulating layer and a conductor layer may be provided on one or both sides of a core substrate made of a metal substrate or an insulating substrate. A multilayer wiring board in which a plurality of layers are alternately stacked is exemplified.

【0022】なお、導体層エッチング工程の後には、導
体層の表面のうち、ビアホールに対応する部分に凹部が
形成されるまでエッチングするとビアホールの底の残存
樹脂の除去がより確実になる。凹部の表面は微細な凹凸
のある面にするのが好ましいが、本発明によれば、最初
に導体層が露出していた部分はエッチングが進むにつれ
て微細凹部となり、他方、最初に残存樹脂が付着してい
た部分はエッチングが遅く微細凸部となり、凹部表面に
微細な凹凸を容易に形成できる。このような微細凹部が
あると、その上に形成されるビア導体、ハンダバンプ、
メッキ層等との密着強度を向上することができる。
After the conductor layer etching step, if the etching is performed until a concave portion is formed in a portion of the surface of the conductor layer corresponding to the via hole, the removal of the resin remaining at the bottom of the via hole becomes more reliable. The surface of the concave portion is preferably a surface with fine irregularities, but according to the present invention, the portion where the conductor layer was first exposed becomes a fine concave portion as the etching proceeds, while the residual resin adheres first. The portion which has been etched is slowly etched to become a fine convex portion, and fine concave and convex portions can be easily formed on the concave portion surface. If there are such fine concave portions, via conductors, solder bumps,
The adhesion strength with a plating layer or the like can be improved.

【0023】さらに、本発明の配線基板の製造方法は、
前記導体層エッチング工程では、ビアホールの底面に露
出した導体層の表面に対し、導体層の厚みの5〜30%
をエッチングにより除去するとよい。導体層のエッチン
グ量が、導体層の厚みの5%未満であると、樹脂5Bが
付着した導体層4をエッチングするのに不十分である場
合がある(図4(b)参照)。つまり、付着した樹脂5
Bから露出した導体層4の表面4A近傍は、エッチング
により溶出するが、樹脂5Bの下に隠れた導体層4を溶
出するには不十分となる場合がある。
Further, the method for manufacturing a wiring board according to the present invention comprises:
In the conductor layer etching step, 5-30% of the thickness of the conductor layer with respect to the surface of the conductor layer exposed at the bottom of the via hole.
May be removed by etching. If the etching amount of the conductor layer is less than 5% of the thickness of the conductor layer, it may be insufficient to etch the conductor layer 4 to which the resin 5B has adhered (see FIG. 4B). That is, the adhered resin 5
The vicinity of the surface 4A of the conductor layer 4 exposed from B is eluted by etching, but may be insufficient to elute the conductor layer 4 hidden under the resin 5B.

【0024】また、導体層の厚みの30%より多くエッ
チングすると、ビアの底の樹脂は完全に除去できるが、
エッチング液が樹脂絶縁層の下までまわり込んでしまう
(図4(c)参照)。この際に形成される庇部分5cに
は、後工程においてこのビアホール5にビア導体をメッ
キにより形成しようとした場合、メッキ液がまわり込み
難く、良好なビア導体が形成されず、ビア導体と導体層
との接続が不良となってしまう恐れがある。
When the conductor layer is etched more than 30% of the thickness, the resin at the bottom of the via can be completely removed.
The etchant runs under the resin insulating layer (see FIG. 4C). When a via conductor is to be formed in the via hole 5 by plating in a later step, the plating solution does not easily flow around the eaves portion 5c formed at this time, and a good via conductor is not formed. There is a possibility that the connection with the layer becomes defective.

【0025】なお、感光性樹脂を基板表面に配置する方
法としては、感光性樹脂をスクリーン印刷やスピンコー
ト等により塗布する方法や、感光性樹脂からなる感光性
フィルムを貼り付ける方法が採用できる。また、前記導
体層の種類としては、銅、ニッケル、金、銀等の導電性
を有する金属からなる導体層が挙げられるので、無電解
メッキ層や電解メッキ層は、これらの配線に用いられる
金属から構成されている。また、導体層の形成方法とし
ては、公知のサブトラクティブ法やアディティブ法を採
用できる。
As a method of disposing the photosensitive resin on the substrate surface, a method of applying the photosensitive resin by screen printing or spin coating, or a method of attaching a photosensitive film made of the photosensitive resin can be adopted. Further, as the type of the conductive layer, a conductive layer made of a conductive metal such as copper, nickel, gold, and silver can be used, and therefore, the electroless plating layer or the electrolytic plating layer is formed of a metal used for these wirings. It is composed of In addition, as a method for forming the conductor layer, a known subtractive method or an additive method can be adopted.

【0026】また、本発明の配線基板の製造方法は、前
記樹脂絶縁層を形成する工程の前に、第二銅錯体と有機
酸とを含有する粗化液により、前記導体層の表面をエッ
チングして表面粗化する工程を含むものとするとよい。
導体層の表面粗化の方法としては、針状メッキまたは黒
化処理等を施す方法が知られているが、これらの方法に
よれば、針状メッキ層または黒化処理層といった異種材
料(合金等)が形成される。しかし、本発明によれば、
導体層の表面を金属の粒界を溶解することにより表面粗
化しているため、異種材料の層を生成することがなく、
後の導体層エッチング工程を良好に行うことができる。
In the method for manufacturing a wiring board according to the present invention, the surface of the conductive layer is etched with a roughening solution containing a cupric complex and an organic acid before the step of forming the resin insulating layer. And roughening the surface.
As a method of roughening the surface of the conductor layer, a method of performing acicular plating or blackening treatment is known. However, according to these methods, a different material (alloy) such as an acicular plating layer or a blackening treatment layer is used. Etc.) are formed. However, according to the present invention,
Since the surface of the conductor layer is roughened by dissolving the grain boundaries of the metal, it does not generate a layer of dissimilar material,
The subsequent conductor layer etching step can be favorably performed.

【0027】また、前記無電解メッキを行う場合には、
その前処理として、無電解メッキ層を形成する場所に対
して、無電解メッキの成長核(Pd、Au等)を付着さ
せておく方法が採用できる。
When performing the electroless plating,
As the pretreatment, a method of attaching growth nuclei (Pd, Au, etc.) of electroless plating to a place where an electroless plating layer is to be formed can be adopted.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】 まず、本発明の配線基板の製造
方法の第1の実施形態の例(実施例)について、図1〜
図3を参照して、順次説明する。まず、樹脂絶縁層2の
上面に公知のセミアディティブ法にて銅メッキにより形
成し、さらにその表面を第二銅錯体と有機酸とを含有す
る粗化エッチング液を用いることにより0.1〜10μ
mの最大粗度(Rmax)となるように表面処理(粗
化)した厚さ17μmの導体層4の上に、予めフィルム
状に形成したエポキシ樹脂を主成分とし、シリカフィラ
ーを含有する感光性樹脂シートを貼付け、樹脂絶縁層3
を形成する(図1(a)参照)。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, an example (example) of a first embodiment of a method of manufacturing a wiring board according to the present invention will be described with reference to FIGS.
This will be described sequentially with reference to FIG. First, a copper plating is formed on the upper surface of the resin insulating layer 2 by a known semi-additive method, and the surface thereof is further reduced to 0.1 to 10 μm by using a roughening etching solution containing a cupric complex and an organic acid.
A photosensitive layer containing an epoxy resin previously formed in a film shape as a main component and a silica filler on a 17 μm-thick conductor layer 4 which has been surface-treated (roughened) so as to have a maximum roughness (Rmax) of m. Paste resin sheet, resin insulation layer 3
Is formed (see FIG. 1A).

【0029】なお、導体層4の表面処理としては、針メ
ッキ処理や黒化処理といった公知の手法を代わりに用い
ることも可能であるが、これらの手法は異種材料(合
金)層を界面に介在させることになってしまい、後の導
体層エッチング工程の障害になることがある。これに対
し、本実施形態の粗化エッチングの場合には、異種材料
(合金)層が介在することがなく、単に導体層の金属の
粒界を溶解させて粗化するだけであるので、後の導体層
エッチング工程が容易となる。
As the surface treatment of the conductor layer 4, known techniques such as needle plating and blackening can be used instead. However, these techniques involve dissimilar material (alloy) layers interposed at the interface. This may be an obstacle to the subsequent conductor layer etching step. On the other hand, in the case of the roughening etching according to the present embodiment, since the dissimilar material (alloy) layer does not intervene and merely dissolves the grain boundary of the metal of the conductor layer and roughens the conductor layer, The conductor layer etching step becomes easy.

【0030】次に、この樹脂絶縁層3を80℃で15分
加熱処理して半硬化させた後、図示しないフォトマスク
を用いて、樹脂絶縁層3に対して露光し、樹脂絶縁層3
の表面の所定部位に光硬化層を形成する。この後、さら
に80℃で45分の加熱処理をし、後の現像工程に耐え
うる硬度まで樹脂絶縁層3を半硬化させる。その後、ビ
アホール5を現像により形成する。この際、ビアホール
5の底部5Aには、樹脂絶縁層3の一部が膜状に残存し
ており、いわゆるインコンプリートビアホールとなって
いる(図1(b)参照)。
Next, the resin insulating layer 3 is semi-cured by heating at 80 ° C. for 15 minutes, and then exposed using a photomask (not shown).
A photocurable layer is formed on a predetermined portion of the surface of the substrate. Thereafter, a heat treatment is further performed at 80 ° C. for 45 minutes, and the resin insulating layer 3 is semi-cured to a hardness that can withstand the subsequent development step. Thereafter, a via hole 5 is formed by development. At this time, a part of the resin insulating layer 3 remains in the form of a film at the bottom 5A of the via hole 5 to form a so-called incomplete via hole (see FIG. 1B).

【0031】なお、この現像工程は、図2に示すよう
に、配線基板1を水平に保持した状態で行う。水平に保
持することにより、ビアホールが配線基板表面に対して
垂直方向(深さ方向)に形成されるためである。ただ
し、このように水平方向に保持した場合、配線基板1の
上面と下面とでは現像速度にバラツキが生じるため、現
像工程の途中で配線基板1の上下面を反転させる。上下
面を反転させることにより、配線基板1の上下面での現
像速度のバラツキをなくすことができる。したがって、
ビアホール5の底部5Aに残存する樹脂の厚さも上下面
でほぼ同等とすることができる。
This developing step is performed in a state where the wiring board 1 is held horizontally as shown in FIG. This is because the via holes are formed in the vertical direction (depth direction) with respect to the surface of the wiring board by holding the substrate horizontally. However, when held in such a horizontal direction, the developing speed varies between the upper surface and the lower surface of the wiring substrate 1, and thus the upper and lower surfaces of the wiring substrate 1 are reversed during the developing process. By inverting the upper and lower surfaces, it is possible to eliminate the variation in the developing speed between the upper and lower surfaces of the wiring board 1. Therefore,
The thickness of the resin remaining at the bottom 5A of the via hole 5 can be made substantially equal between the upper and lower surfaces.

【0032】また、現像した後では、図1(b)に示す
ように、ビアホール5の上端には、アンダーカット部3
Aが形成されるため、このアンダーカット部3Aをウォ
ータジェット(高圧水洗)により切除する(図1(c)
参照)。なお、このウォータージェット処理は、ビアホ
ール底に溜まった溶解物等の樹脂残渣を一部除去する効
果もある。
After development, as shown in FIG. 1B, an undercut portion 3 is formed at the upper end of the via hole 5.
Since A is formed, the undercut portion 3A is cut off by water jet (high-pressure water washing) (FIG. 1 (c)).
reference). Note that this water jet treatment also has an effect of partially removing resin residues such as dissolved matter accumulated at the bottom of the via hole.

【0033】次いで、樹脂絶縁層3の表面および前記ビ
アホール5の内周面の樹脂を過マンガン酸カリウム溶液
を用いてエッチングする。この樹脂エッチング工程によ
り、ビアホール5の底部5Aに残存した樹脂がエッチン
グされ、導体層4の上面4Aの一部が露出する。しか
し、樹脂エッチング工程を経ても、なお、導体層4の上
面4Aには残存樹脂5Bが点在している(図3(a)参
照)。
Next, the resin on the surface of the resin insulating layer 3 and the inner peripheral surface of the via hole 5 is etched using a potassium permanganate solution. By this resin etching step, the resin remaining at the bottom 5A of the via hole 5 is etched, and a part of the upper surface 4A of the conductor layer 4 is exposed. However, even after the resin etching step, the residual resin 5B is still scattered on the upper surface 4A of the conductor layer 4 (see FIG. 3A).

【0034】次に、硫酸ナトリウム溶液を用いて、導体
層4の表面を約1.5μmエッチングし、導体層4表面
の金属(銅)とともに残存樹脂5Bを除去する(導体層
エッチング工程)。こうしてビアホール5の底には導体
層4が完全に露出したビア底5Cが形成される。ビア底
5Cには、導体層4の厚みに比べて、厚みの小さい凹部
6Aが導体層4に形成される(図3(b))。
Next, the surface of the conductor layer 4 is etched by about 1.5 μm using a sodium sulfate solution to remove the residual resin 5B together with the metal (copper) on the surface of the conductor layer 4 (conductor layer etching step). In this manner, a via bottom 5C in which the conductor layer 4 is completely exposed is formed at the bottom of the via hole 5. In the via bottom 5C, a recess 6A having a thickness smaller than the thickness of the conductor layer 4 is formed in the conductor layer 4 (FIG. 3B).

【0035】この後、樹脂絶縁層3の上面に無電解銅メ
ッキ、電解銅メッキ等を施し、導体層8を形成する。同
時に、図3(c)に示すように、導体層4(凹部6A)
の上面、及びビアホール5の内壁に導体層8と導体層4
とを導通するビア導体7が形成される(第1のグルー
プ)。
After that, the upper surface of the resin insulating layer 3 is subjected to electroless copper plating, electrolytic copper plating or the like to form the conductor layer 8. At the same time, as shown in FIG. 3C, the conductor layer 4 (recess 6A)
Conductor layer 8 and conductor layer 4 on the upper surface of
Is formed (first group).

【0036】ここで、前記導体層エッチング工程につい
て、図4を参照しつつ、説明する。前記実施例の導体層
エッチング工程では、導体層4の厚さ17μm対し、露
出した表面を導体層4厚の約9%である約1.5μmエ
ッチングした。この場合は、図4(a)に示すように、
露出した導体層4の表面4Aがエッチングされるととも
に、残存樹脂5B(ここでは破線で示す)の下側の導体
層4の表面もエッチングされるので、残存樹脂5Bが除
去される。
Here, the conductor layer etching step will be described with reference to FIG. In the conductor layer etching step of the above embodiment, the exposed surface was etched by about 1.5 μm which is about 9% of the thickness of the conductor layer 4 with respect to the thickness of the conductor layer 4 of 17 μm. In this case, as shown in FIG.
The exposed surface 4A of the conductor layer 4 is etched, and the surface of the conductor layer 4 below the residual resin 5B (shown by a broken line) is also etched, so that the residual resin 5B is removed.

【0037】なお、図3(b)では簡略化して示した
が、より詳細には、以下のように、導体層エッチング工
程で凹部6A表面に微細な凹凸が形成されるのが望まし
い。すなわち、残存樹脂5Bが付着していた部分ではエ
ッチングが遅くなるため、微細凸部が形成される。他
方、残存樹脂5Bがなく導体層4が露出していた部分で
はエッチングが速く進行するため微細凹部が形成され
る。この結果、凹部6Aの表面には微細な凹凸が形成さ
れる。このような微細な凹凸によりこの上に形成される
ビア導体、ハンダバンプ、メッキ層等との良好な密着強
度が得られる。
Although FIG. 3B shows a simplified diagram, it is more preferable that fine concaves and convexes are formed on the surface of the concave portion 6A in the conductor layer etching step as described below. That is, since etching is delayed in a portion where the residual resin 5B is adhered, a fine convex portion is formed. On the other hand, in a portion where the conductor layer 4 is exposed without the residual resin 5B, the etching proceeds rapidly, so that a fine concave portion is formed. As a result, fine irregularities are formed on the surface of the recess 6A. Due to such fine unevenness, good adhesion strength to a via conductor, a solder bump, a plating layer, and the like formed thereon can be obtained.

【0038】これに対し、導体層4厚の5%未満(例え
ば、0.5μm:約2.9%)の厚さ分エッチングした
場合は、露出した導体層4の表面4Aがエッチングされ
るものの、残存樹脂5Bの下側の導体層4の表面をエッ
チングするには至らず、その結果、残存樹脂5Bは除去
できなかった(図4(b)参照)。
On the other hand, when etching is performed for a thickness of less than 5% (for example, 0.5 μm: about 2.9%) of the thickness of the conductor layer 4, the exposed surface 4A of the conductor layer 4 is etched. However, the surface of the conductor layer 4 below the residual resin 5B could not be etched, and as a result, the residual resin 5B could not be removed (see FIG. 4B).

【0039】また、導体層4の30%を超える厚さ(例
えば、7μm:約41%)エッチングした場合は、残存
樹脂5Bを完全に除去できるものの、導体層4の表面が
ビアホールの外側の樹脂絶縁層3の下側までエッチング
され、大きな庇部分(オーバーハング部)5cが形成さ
れる(図4(c)参照)。この庇部分5cが大きくなる
と、後工程においてこのビアホール5にビア導体7をメ
ッキにより形成しようとした場合、メッキ液がまわり込
み難く、ビア導体7と導体層4との間が導通不良となっ
てしまう。このような導通不良を防止するためには、庇
部分5cの最大長さを5μm以下、より好ましくは3μ
m以下、さらに好ましくは2μm以下にするとよい。す
なわち、ビアホール5の径と凹部6Aの径とをほぼ一致
させるのが好ましい。
When the conductive layer 4 is etched to a thickness exceeding 30% (for example, 7 μm: about 41%), the residual resin 5B can be completely removed, but the surface of the conductive layer 4 is not covered with the resin outside the via hole. Etching is performed to the lower side of the insulating layer 3 to form a large eaves portion (overhang portion) 5c (see FIG. 4C). When the eaves portion 5c is large, when the via conductor 7 is formed in the via hole 5 by plating in a later step, the plating solution is difficult to flow around, and the conduction between the via conductor 7 and the conductor layer 4 becomes poor. I will. In order to prevent such poor conduction, the maximum length of the eaves portion 5c should be 5 μm or less, more preferably 3 μm.
m or less, more preferably 2 μm or less. That is, it is preferable that the diameter of the via hole 5 and the diameter of the recess 6 </ b> A substantially match each other.

【0040】これに対し、導体層4の30%以下、より
好ましくは25%以下の厚さ分のエッチングを行った場
合には、庇部分が若干形成されることがあっても、導通
不良には至らないので問題がない。すなわち、導体層エ
ッチング工程により形成される凹部の深さは(下層)導
体層の厚さの5〜30%、より好ましくは5〜25%が
好ましい。
On the other hand, when the conductor layer 4 is etched by a thickness of 30% or less, more preferably 25% or less, conduction failure may occur even if an eaves portion is slightly formed. No problem. That is, the depth of the recess formed by the conductor layer etching step is preferably 5 to 30%, more preferably 5 to 25% of the thickness of the (lower) conductor layer.

【0041】次に、上記した第1の実施の形態の配線基
板の製造方法とは一部異なる実施形態(第2の実施形
態)について、図6〜11を参照しつつ説明する。な
お、第1の実施形態と共通する部分については、省略す
るか簡略化して記載するものとする。まず、図6は平面
視略矩形状で略板形状をなす配線基板20の部分拡大断
面図である。配線基板20はコア基板21の図中上面に
樹脂絶縁層26a、36a、40a、下面に樹脂絶縁層
26b、36b、40bを備え、最外層である樹脂絶縁
層40a、40bはソルダーレジスト層としての機能も
有している。また、各絶縁層の層間には、導体層24
a、34a、44a、24b、34b、44bが形成さ
れている。
Next, an embodiment (a second embodiment) that is partially different from the above-described method for manufacturing a wiring board according to the first embodiment will be described with reference to FIGS. Note that parts common to the first embodiment will be omitted or simplified. First, FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view of a wiring board 20 having a substantially rectangular shape in a plan view and a substantially plate shape. The wiring board 20 includes resin insulating layers 26a, 36a, 40a on the upper surface of the core substrate 21 in the figure and resin insulating layers 26b, 36b, 40b on the lower surface, and the resin insulating layers 40a, 40b, which are the outermost layers, are It also has functions. In addition, a conductor layer 24 is provided between the insulating layers.
a, 34a, 44a, 24b, 34b, 44b are formed.

【0042】また、各導体層は、樹脂絶縁層26a、3
6a、40a、26b、36b、40bを貫通するビア
導体29、39、および、コア基板21を貫通するスル
ーホール導体23、30を介して接続されている。な
お、スルーホール導体30は、スルーホール導体23と
は絶縁された状態で、その内側に同軸状に配置されてい
る。
Each conductor layer is made of a resin insulating layer 26a, 3
6a, 40a, 26b, 36b, and 40b, and are connected via via conductors 29 and 39 that penetrate through core substrate 21 and through-hole conductors 23 and 30 that penetrate core substrate 21. The through-hole conductor 30 is coaxially arranged inside the through-hole conductor 23 while being insulated from the through-hole conductor 23.

【0043】なお、各ビア導体はそれぞれ樹脂絶縁層を
貫通するビアホール内をメッキ金属を充填して形成さ
れ、それぞれの下層の導体層に設けられた凹部で接続さ
れている。ビア導体と下層の導体層との間には樹脂残渣
がないため、両者の接続信頼性は極めて高くなってい
る。この点につき、図6に示した配線基板20のうち、
破線20p、20qで囲んだ部分を拡大してそれぞれ図
7(a)および(b)に示す。まず、図7(a)に示し
た通り、導体層24a、34aにはそれぞれの表面に凹
部24e、34eが形成されており、さらに凹部24
e、34eに対応した位置に開口するビアホールを備え
た樹脂絶縁層が積層されている。ビア導体29、39
は、ビアホール内に形成されて導体層24e、24eと
凹部24a、34aにて接続している(第1のグルー
プ)。なお、ビア導体29、39はそれぞれメッキ金属
により充填され、ビア導体39はビア導体29の真上に
形成され、さらには、ハンダバンプ41はビア導体39
の真上に形成されている。
Each via conductor is formed by filling a plating metal in a via hole penetrating the resin insulating layer, and is connected by a concave portion provided in each lower conductive layer. Since there is no resin residue between the via conductor and the lower conductor layer, the connection reliability between them is extremely high. In this regard, of the wiring board 20 shown in FIG.
7A and 7B show enlarged portions surrounded by broken lines 20p and 20q, respectively. First, as shown in FIG. 7A, concave portions 24e and 34e are formed on the respective surfaces of the conductor layers 24a and 34a.
Resin insulating layers having via holes opening at positions corresponding to e and 34e are laminated. Via conductors 29, 39
Are formed in the via holes and are connected to the conductor layers 24e, 24e by the concave portions 24a, 34a (first group). The via conductors 29 and 39 are each filled with a plating metal, the via conductor 39 is formed right above the via conductor 29, and the solder bump 41 is further connected to the via conductor 39.
It is formed right above.

【0044】同様に、図7(a)に示した通り、配線基
板20の上面側に形成されたハンダバンプ41は、その
下層の導体層44a(厚さ17μm)に形成された凹部
44e(深さ1.7μm)に対応した位置に開口するビ
アホール内に形成され、凹部44eと固着している(第
2のグループ)。ハンダバンプ41と導体層44aとの
間には樹脂残渣はなく、両者は良好に接続している。
Similarly, as shown in FIG. 7A, the solder bump 41 formed on the upper surface side of the wiring board 20 has a concave portion 44e (depth depth) formed in the conductor layer 44a (thickness 17 μm) thereunder. (1.7 μm), and is formed in a via hole opened at a position corresponding to (1.7 μm), and is fixed to the concave portion 44e (second group). There is no resin residue between the solder bump 41 and the conductor layer 44a, and both are well connected.

【0045】さらに、図7(b)に示した通り、配線基
板20は、その下面側に、導体層44bに設けられた凹
部44eの表面にメッキ層45形成してなるLGAパッ
ド42を有している。樹脂絶縁層40bには凹部44e
に対応する位置に開口するビアホール43bが形成され
ており、ビアホール43bからLGAパッド42が露出
している(第3のグループ)。このLGAパッド42は
主として配線基板20を他の配線基板と接続するための
外部接続端子として用いられる。なお、メッキ層45
は、ニッケルメッキ、金メッキの2層からなる。以上の
ように、配線基板20は、配線基板内部のビア導体の
他、表面のハンダバンプ、LGAパッドもそれぞれ下層
の導体層の凹部と接続しているため、配線基板全体にわ
たり良好な接続信頼性が得られる。
Further, as shown in FIG. 7 (b), the wiring board 20 has an LGA pad 42 formed on the lower surface thereof by forming a plating layer 45 on the surface of a concave portion 44e provided in the conductor layer 44b. ing. A concave portion 44e is formed in the resin insulating layer 40b.
A via hole 43b is formed at a position corresponding to the LGA pad 42, and the LGA pad 42 is exposed from the via hole 43b (third group). The LGA pad 42 is mainly used as an external connection terminal for connecting the wiring board 20 to another wiring board. The plating layer 45
Consists of two layers, nickel plating and gold plating. As described above, in the wiring board 20, in addition to the via conductors inside the wiring board, the solder bumps and the LGA pads on the surface are respectively connected to the recesses of the lower conductive layer, so that good connection reliability over the entire wiring board is obtained. can get.

【0046】次に、この配線基板20の製造方法につい
て、図8〜図11を参照しつつ、説明する。まず、厚み
800μmのビスマレイミド−トリアジン樹脂製のコア
基板21の両面に銅箔が貼付けられた両面銅張り基板を
用意し、ドリルによりスルーホール22を穿孔した後、
スルーホール22の内周面および両面の銅箔上に無電解
および電解銅メッキを施し、外側スルーホール導体23
を含むメッキ層24を形成する(図8(a)参照)。な
お、メッキ層24の表面は、第二銅錯体と有機酸とを含
有する粗化エッチング液を用い、市販のエッチング処理
装置(メック社製 CZ処理装置)により0.1〜10
μmの最大粗度(Rmax)となるように表面処理して
おく。
Next, a method of manufacturing the wiring board 20 will be described with reference to FIGS. First, a double-sided copper-clad board in which copper foils are stuck on both sides of a core board 21 made of a bismaleimide-triazine resin having a thickness of 800 μm is prepared, and a through hole 22 is formed by drilling.
Electroless and electrolytic copper plating is performed on the copper foil on the inner peripheral surface and both surfaces of the through hole 22, and the outer through hole conductor 23 is formed.
Is formed (see FIG. 8A). The surface of the plating layer 24 was coated with a roughened etching solution containing a cupric complex and an organic acid by a commercially available etching apparatus (CZ processing apparatus manufactured by MEC Corporation) to form a surface of 0.1 to 10 μm.
Surface treatment is performed so as to have a maximum roughness (Rmax) of μm.

【0047】次に、スルーホール導体23が形成された
スルーホール22内に樹脂ペーストを印刷・充填した
後、これを硬化し、さらにその上下面を研磨により平坦
化し、外側樹脂充填体25を形成する。その後、所定パ
ターンのエッチングレジストを形成し、メッキ層24の
うち、不要部分をエッチング除去して、表面側および裏
面側にそれぞれ導体層24a、24bを形成する(図8
(b)参照)。導体層24a、24bの表面は、第二銅
錯体と有機酸とを含有する粗化エッチング液を用いるこ
とにより0.1〜10μmの最大粗度(Rmax)とな
るように表面処理しておく。
Next, a resin paste is printed and filled in the through-hole 22 in which the through-hole conductor 23 is formed, the resin paste is cured, and the upper and lower surfaces thereof are flattened by polishing to form an outer resin-filled body 25. I do. Thereafter, an etching resist having a predetermined pattern is formed, unnecessary portions of the plating layer 24 are removed by etching, and conductor layers 24a and 24b are formed on the front side and the back side, respectively (FIG. 8).
(B)). The surfaces of the conductor layers 24a and 24b are subjected to a surface treatment so as to have a maximum roughness (Rmax) of 0.1 to 10 μm by using a roughening etching solution containing a cupric complex and an organic acid.

【0048】次に、コア基板21の表面側および裏面側
にそれぞれ予めフィルム状とした感光性樹脂を貼付け
て、樹脂絶縁層26a、26bを80℃で15分間加熱
処理して半硬化させた後、図示しないフォトマスクを用
いて、半硬化した樹脂絶縁層26a、26bを露光す
る。露光後、さらに80℃で45分間の加熱処理を施
し、後の現像工程に耐えうる硬度にまで樹脂絶縁層26
a、26bを半硬化させる。次に、配線基板を水平に保
持した状態で上下から同時に現像液を吹き付けることに
より、ビアホール28を形成する(現像工程)。なお、
上下での現像速度のバラツキを防止するために、現像工
程の途中で配線基板は上下反転される。ビアホール28
の底部には樹脂絶縁層26a,26bの一部が膜状に残
っており、いわゆるインコンプリートビアホールとなっ
ている。
Next, a photosensitive resin in the form of a film is pasted on each of the front side and the back side of the core substrate 21, and the resin insulating layers 26a and 26b are heat-treated at 80 ° C. for 15 minutes to be semi-cured. The semi-cured resin insulating layers 26a and 26b are exposed using a photomask (not shown). After the exposure, a heat treatment is further performed at 80 ° C. for 45 minutes, so that the resin insulating layer 26 has a hardness enough to withstand the subsequent development process.
a, 26b are semi-cured. Next, a via hole 28 is formed by simultaneously spraying a developing solution from above and below while the wiring board is held horizontally (developing step). In addition,
The wiring board is turned upside down during the developing process in order to prevent the development speed from being varied vertically. Via hole 28
A portion of the resin insulating layers 26a and 26b remains in the form of a film at the bottom of the substrate, which is a so-called incomplete via hole.

【0049】ビアホール28を現像により形成した後、
レーザを照射してスルーホール27を形成する。スルー
ホール7はスルーホール2のほぼ中心軸に沿って穿孔さ
れており、外側樹脂充填体5はスルーホール導体3の内
周面にほぼ均一の厚みで残存している。次いで、ウォー
タージェット(高圧水洗)により、配線基板の上下面を
洗浄した後、樹脂絶縁層26a、26bの表面およびビ
アホールの内周面を過マンガン酸カリウム溶液を用いて
樹脂エッチングする。この樹脂エッチング工程により、
ビアホール28の底に残った樹脂がエッチングされ、下
層の導体層24a、24bの上面の一部が露出する。な
お、もともと下層の導体層24a、24bが露出してい
た場合には、樹脂エッチング工程により、下層の導体層
24a、24bの露出面積を増すことができる。しか
し、樹脂エッチング工程を経ても、なお、導体層24
a、24bの上面には残存樹脂が点在している。
After forming the via hole 28 by development,
A through hole 27 is formed by irradiating a laser. The through hole 7 is bored substantially along the central axis of the through hole 2, and the outer resin filler 5 remains on the inner peripheral surface of the through hole conductor 3 with a substantially uniform thickness. Next, after the upper and lower surfaces of the wiring board are washed by water jet (high-pressure washing), the surfaces of the resin insulating layers 26a and 26b and the inner peripheral surfaces of the via holes are resin-etched using a potassium permanganate solution. By this resin etching process,
The resin remaining at the bottom of the via hole 28 is etched, and a part of the upper surface of the lower conductor layers 24a and 24b is exposed. If the lower conductive layers 24a and 24b were originally exposed, the exposed area of the lower conductive layers 24a and 24b can be increased by a resin etching process. However, even after the resin etching step, the conductor layer 24
Residual resin is scattered on the upper surfaces of a and 24b.

【0050】次に、硫酸ナトリウム溶液を用いて、ビア
ホール28の底面に露出した導体層24a、24bの表
面をエッチングし、導体層24a、24bの表面の金属
(銅)とともに残存樹脂を除去する(導体層エッチング
工程)。こうして、導体層24a、24bがビアホール
28の底において完全に露出するとともに、凹部24e
が形成される(図8(c)参照)。なお、凹部24eの
深さは約1.7μmであり、導体層の24a、24bの
厚さ17μmの約10%である。
Next, the surfaces of the conductor layers 24a and 24b exposed at the bottom of the via hole 28 are etched using a sodium sulfate solution to remove the residual resin together with the metal (copper) on the surfaces of the conductor layers 24a and 24b ( Conductor layer etching step). Thus, the conductor layers 24a and 24b are completely exposed at the bottom of the via hole 28, and the recess 24e is formed.
Is formed (see FIG. 8C). The depth of the recess 24e is about 1.7 μm, which is about 10% of the thickness 17 μm of the conductor layers 24a and 24b.

【0051】さらに、導体層エッチング工程の後に、ウ
ォータージェット装置を用い、高圧の純水を用いて、ビ
アホールを洗浄すると、導体層24a、24bをビアホ
ール28の底面からより完全に露出させることができ
る。また、樹脂絶縁層下へのエッチング液のまわり込み
により、図4(c)に示すような庇部分(オーバーハン
グ部)が生じている場合には、高圧の純水を吹き付ける
ことにより、これを折り取ると、導通不良の発生を低減
することができる。
Further, after the conductor layer etching step, if the via holes are washed with high-pressure pure water using a water jet device, the conductor layers 24a and 24b can be more completely exposed from the bottom surface of the via holes 28. . Further, when an eaves portion (overhang portion) as shown in FIG. 4 (c) is caused by the etching liquid flowing under the resin insulating layer, high-pressure pure water is sprayed on the eaves portion. When it is cut off, occurrence of conduction failure can be reduced.

【0052】次に、スルーホール27の内周面、樹脂絶
縁層26a、26bの上面、およびビアホール28の内
部に無電解および電解銅メッキを施し、スルーホール導
体30およびビア導体29を含むメッキ層31を形成す
る。なお、ビア導体29は、ビアホール28の内部にメ
ッキ金属が充填されて形成されている(図9(a)参
照)。このメッキ層形成工程で用いるメッキ液の条件と
しては、Cu濃度18g/l、HSO180g/
l、Clイオン48mg/l、レベラー(抑制剤)
0.3mg/l、電流密度1A/dmとする。なお、
本実施形態においては、スルーホール27は一つのみ図
示しているがスルーホール27およびビアホール28は
多数形成されているものとする。
Next, the inner peripheral surface of the through hole 27, the upper surfaces of the resin insulating layers 26a and 26b, and the inside of the via hole 28 are subjected to electroless and electrolytic copper plating to form a plating layer including the through hole conductor 30 and the via conductor 29. 31 are formed. The via conductor 29 is formed by filling the via hole 28 with a plating metal (see FIG. 9A). The conditions of the plating solution used in the plating layer forming step are as follows: a Cu concentration of 18 g / l, and H 2 SO 4 180 g /
l, Cl - ion 48 mg / l, leveler (inhibitor)
0.3 mg / l and a current density of 1 A / dm 2 . In addition,
In this embodiment, only one through hole 27 is shown, but a large number of through holes 27 and via holes 28 are formed.

【0053】各スルーホール7に対応した孔埋め用の開
口32hが複数形成されたステンレス製の印刷マスク3
2(厚さ100μm)を用意する。そして、図9(b)
に示すように、樹脂充填工程において、配線基板の上に
印刷マスク32を載置し、その上から樹脂ペースト33
pを印刷し、スルーホール27を孔埋め充填する。な
お、樹脂ペースト33pとしては、ビスフェノール型エ
ポキシ樹脂に無機フィラー(銅またはシリカ)とイミダ
ゾール系硬化剤を添加して混練し、22〜23℃におけ
る粘度が500Pa・S以上となるように調製されたも
のを用いる。
A printing mask 3 made of stainless steel having a plurality of openings 32 h for filling holes corresponding to the through holes 7.
2 (thickness: 100 μm) is prepared. Then, FIG. 9 (b)
As shown in the figure, in the resin filling step, a print mask 32 is placed on a wiring board, and a resin paste 33
p is printed, and the through holes 27 are filled and filled. The resin paste 33p was prepared by adding an inorganic filler (copper or silica) and an imidazole-based curing agent to a bisphenol-type epoxy resin, kneading the mixture, and adjusting the viscosity at 22 to 23 ° C. to be 500 Pa · S or more. Use something.

【0054】樹脂充填工程の後、メタルマスク32を剥
がすと、スルーホール27に樹脂ペースト33pが、そ
の一部がメッキ層31の表面から突出するように充填さ
れている。次に、樹脂硬化工程において、配線基板を1
20℃にて20分間加熱して、樹脂ペースト33pを半
硬化させる。樹脂ペースト33pは、この加熱時に、一
旦流動化して配線基板の表面に沿って濡れ拡がろうとす
る。しかし、本実施形態では、ビアホール28が予めビ
ア導体29により充填されているため、ビアホール8内
に樹脂ペースト33pが流れ込んで、スルーホール内で
の樹脂ペースト33pの不足を引き起こすことがない。
また、ビアホール28に流れ込んだ樹脂ペースト33p
に含まれるボイドがクラック等の不具合を引き起こすこ
とがない。
After the resin filling step, when the metal mask 32 is peeled off, the resin paste 33p is filled in the through holes 27 so that a part thereof protrudes from the surface of the plating layer 31. Next, in the resin curing step, the wiring board is
The resin paste 33p is semi-cured by heating at 20 ° C. for 20 minutes. At the time of this heating, the resin paste 33p temporarily fluidizes and tends to spread and spread along the surface of the wiring board. However, in the present embodiment, since the via hole 28 is previously filled with the via conductor 29, the resin paste 33p does not flow into the via hole 8 and does not cause the shortage of the resin paste 33p in the through hole.
Also, the resin paste 33p flowing into the via hole 28
Does not cause defects such as cracks.

【0055】樹脂ペースト33pを半硬化させた後、配
線基板の表面および裏面をベルトサンダー(粗研磨)を
用いて研磨した後、バフ研磨(仕上げ研磨)して平坦化
する。次いで、半硬化された樹脂ペースト33pを、1
50℃にて20分間加熱して硬化させ、樹脂充填体33
を形成し、樹脂ペーストの硬化工程を完了する(図10
(a)参照)。
After the resin paste 33p has been semi-cured, the front and back surfaces of the wiring board are polished using a belt sander (rough polishing), and then buff-polished (finished polishing) to be flattened. Next, the semi-cured resin paste 33p is
It is cured by heating at 50 ° C. for 20 minutes.
Is formed, and the curing process of the resin paste is completed (FIG. 10).
(See (a)).

【0056】次に、配線基板の表面および裏面に無電解
および電解銅メッキを施し、メッキ層34を形成する
(図10(b)参照)。その後、メッキ層31およびメ
ッキ層34のうち、不要部分をエッチングにより除去す
る。この際、樹脂充填体33の上には蓋導体層35が形
成され、また、ビア導体29の上方にもメッキ層31お
よびメッキ層34の一部が残され、導体層34a、34
bが形成される(図11(a)参照)。蓋導体層35を
形成することで、後工程において樹脂充填体33の軸線
上にビア導体39pが形成可能となる。なお蓋導体層3
5および導体層34a、34bの表面は、その表面を第
二銅錯体と有機酸とを含有する粗化エッチング液を用い
ることにより0.1〜10μmの最大粗度(Rmax)
となるように表面処理しておくとよい。
Next, electroless and electrolytic copper plating is performed on the front and back surfaces of the wiring board to form a plating layer 34 (see FIG. 10B). After that, unnecessary portions of the plating layers 31 and 34 are removed by etching. At this time, a lid conductor layer 35 is formed on the resin filler 33, and a part of the plating layers 31 and 34 is also left above the via conductors 29, so that the conductor layers 34a and 34
b is formed (see FIG. 11A). By forming the lid conductor layer 35, the via conductor 39p can be formed on the axis of the resin filler 33 in a later step. Note that the lid conductor layer 3
5 and the surfaces of the conductor layers 34a and 34b are made to have a maximum roughness (Rmax) of 0.1 to 10 [mu] m by using a roughening etching solution containing a cupric complex and an organic acid.
It is preferable to perform a surface treatment so that

【0057】その後、表面および裏面にさらに樹脂絶縁
層36a、36bを形成する。ビアホール28はビア導
体29により充填され、また、スルーホール27は樹脂
充填体33により充填され、且つ蓋導体層35で被覆さ
れているので、樹脂絶縁層36a、36bはその表面に
うねりがほとんどなく平坦に形成できる。したがって、
後工程でのビアホール形成工程を位置精度よく行うこと
ができる。
Thereafter, resin insulating layers 36a and 36b are further formed on the front and back surfaces. Since the via hole 28 is filled with a via conductor 29 and the through hole 27 is filled with a resin filler 33 and covered with a cover conductor layer 35, the resin insulating layers 36a and 36b have almost no undulation on the surface. It can be formed flat. Therefore,
The via hole forming step in the subsequent step can be performed with high positional accuracy.

【0058】次に、ビアホール28と同様の方法により
露光・現像によりビアホール38を形成する。次に、上
記した樹脂エッチング工程および導体層エッチング工程
を経た後、無電解および電解銅メッキにより、ビア導体
39を含むメッキ層を形成する。次いで、メッキ層の不
要部分をエッチング除去し、ビア導体39v、39pを
含むビア導体39、およびを導体層44を形成する。な
お、導体層エッチング工程において、導体層34a、3
4bおよび蓋導体層35の表面がエッチングされてビア
ホールに対応する凹部34e、35eが形成される(図
11(b)参照)。
Next, a via hole 38 is formed by exposure and development in the same manner as the via hole 28. Next, after the above-described resin etching step and conductor layer etching step, a plating layer including the via conductor 39 is formed by electroless and electrolytic copper plating. Next, an unnecessary portion of the plating layer is removed by etching to form the via conductor 39 including the via conductors 39v and 39p, and the conductor layer 44. In the conductor layer etching step, the conductor layers 34a, 3a
4b and the surface of the lid conductor layer 35 are etched to form concave portions 34e and 35e corresponding to the via holes (see FIG. 11B).

【0059】ここで、ビア導体39vは、下層のビア導
体29の直上に形成され、導体層34a、34bとその
表面の凹部34eで接続している。また、ビア導体39
pは、スルーホール導体30の軸線上に形成され、蓋導
体層35とその表面の凹部35eで接続している。この
ようにビア導体39pとスルーホール導体30とを配線
基板の厚さ方向の一直線上に配した構造とすることによ
り、配線のさらなる高密度化が可能となる。
Here, the via conductor 39v is formed immediately above the via conductor 29 in the lower layer, and is connected to the conductor layers 34a and 34b by a concave portion 34e on the surface thereof. Also, via conductor 39
p is formed on the axis of the through-hole conductor 30 and is connected to the lid conductor layer 35 by a concave portion 35e on the surface thereof. With the structure in which the via conductors 39p and the through-hole conductors 30 are arranged on a straight line in the thickness direction of the wiring board, it is possible to further increase the wiring density.

【0060】次いで、ソルダーレジスト層40aおよび
40bを表面および裏面にそれぞれ形成した後、露光・
現像によりビアホール43a、43bを形成する。その
後、上記した樹脂エッチング工程および導体層エッチン
グ工程を行い、ビアホール43a、43bの底の樹脂残
渣を除去する。この導体層エッチング工程において、ビ
アホール43a、43bに対応した導体層44の表面に
凹部44eが形成される。
Next, after forming solder resist layers 40a and 40b on the front and back surfaces, respectively,
Via holes 43a and 43b are formed by development. Thereafter, the above-described resin etching step and conductor layer etching step are performed to remove resin residues at the bottoms of the via holes 43a and 43b. In this conductive layer etching step, a concave portion 44e is formed on the surface of the conductive layer 44 corresponding to the via holes 43a and 43b.

【0061】次に、ビアホール43a、43bから露出
した導体層44にニッケルメッキおよび金メッキを施
す。その後、表面側のソルダーレジスト40aのビアホ
ール43a内にハンダペーストを印刷・リフローを行
い、ハンダバンプ41を形成して、配線基板20の製造
を完了する(図6、図7参照)。
Next, the conductor layer 44 exposed from the via holes 43a and 43b is plated with nickel and gold. Thereafter, solder paste is printed and reflowed in the via holes 43a of the solder resist 40a on the front surface to form the solder bumps 41, thereby completing the manufacture of the wiring board 20 (see FIGS. 6 and 7).

【0062】このハンダバンプ41は、例えば、配線基
板20に搭載されるICチップ(図示しない)とフリッ
プチップ接続するために用いられる。また、裏面側のソ
ルダーレジスト層40bのビアホール43bから露出し
た導体層は、そのままLGAパッド42として、他のプ
リント配線板(図示しない)との接続用端子として用い
られる。なお、このLGAパッド42には、たとえば、
ハンダボールやピン等を固着すれば、配線基板20をB
GA(ボール・グリッド・アレイ)やPGA(ピン・グ
リッド・アレイ)とすることができる。LGAパッド4
2は、予め樹脂エッチング工程、導体層エッチング工程
を施し、樹脂残渣のない凹部44eとした後、メッキ層
45を形成した(図7(b)参照)ので、極めて良好な
接続信頼性を得ることができる。
The solder bumps 41 are used, for example, for flip-chip connection with an IC chip (not shown) mounted on the wiring board 20. The conductor layer exposed from the via hole 43b of the solder resist layer 40b on the back side is used as an LGA pad 42 as it is as a terminal for connection to another printed wiring board (not shown). The LGA pad 42 has, for example,
If the solder balls and pins are fixed, the wiring board
GA (ball grid array) or PGA (pin grid array) can be used. LGA pad 4
No. 2 obtains a very good connection reliability because the resin etching step and the conductor layer etching step are performed in advance to form a concave portion 44e having no resin residue, and then the plating layer 45 is formed (see FIG. 7B). Can be.

【0063】また、配線基板20において、同軸構造を
なす(内側)スルーホール導体30と外側スルーホール
導体23とは、例えば、いずれか一方を電源電位とし、
他方をグランド電位とすると、インダクタンスを低減で
き、電気特性を向上することができる。また、(内側)
スルーホール導体30を信号配線とし、外側スルーホー
ル導体23をグランド電位とすると、信号配線間のノイ
ズを低減できる。
Further, in the wiring board 20, one of the (inner) through-hole conductor 30 and the outer through-hole conductor 23 having the coaxial structure is set to a power supply potential, for example.
When the other is set to the ground potential, the inductance can be reduced and the electrical characteristics can be improved. Also (inside)
When the through-hole conductor 30 is used as a signal wiring and the outer through-hole conductor 23 is used as a ground potential, noise between the signal wirings can be reduced.

【0064】上記第1および第2実施形態においては、
フォトリソグラフィー技術により、ビアホールを形成し
た例を示したが、レーザ技術によりビアホールを形成し
てもよい。レーザ技術を用いた本発明の実施形態(第3
の実施形態)について、図12〜13を参照しつつ、説
明する。まず、樹脂絶縁層52の上面に導体層54を公
知のセミアディティブ法にて銅メッキにより形成する。
なお、導体層54は、その表面を第二銅錯体と有機酸と
を含有する粗化エッチング液を用い、0.1〜10μm
の最大粗度(Rmax)となるように表面処理(粗化)
しておく。導体層54の上に予めフィルム状に形成した
エポキシ樹脂を主成分とする熱硬化性樹脂シートを貼付
け、樹脂絶縁層53を形成する(図12(a)参照)。
In the first and second embodiments,
Although the example in which the via hole is formed by the photolithography technique has been described, the via hole may be formed by the laser technique. Embodiment of the present invention using laser technology (third embodiment)
Will be described with reference to FIGS. First, a conductor layer 54 is formed on the upper surface of the resin insulating layer 52 by a known semi-additive method by copper plating.
The surface of the conductor layer 54 is 0.1 to 10 μm using a roughened etching solution containing a cupric complex and an organic acid.
Surface treatment (roughening) so that the maximum roughness (Rmax) is obtained
Keep it. A thermosetting resin sheet mainly composed of an epoxy resin previously formed in a film shape is pasted on the conductor layer 54 to form a resin insulating layer 53 (see FIG. 12A).

【0065】次に、この樹脂絶縁層53を所定条件によ
り加熱処理して硬化させた後、樹脂絶縁層53に所定パ
ターンのマスクを介してCOレーザを照射し、ビアホ
ール55を穿孔する。ビアホール55の開口部周辺、内
周面および底面には、レーザによる樹脂の融解物や炭化
物などのカス等の樹脂残渣55vが付着または残存して
いる(図12(b)参照)。続いて、樹脂絶縁層53の
表面およびビアホール55の内周面、および底面の樹脂
残渣を過マンガン酸カリウム溶液を用いてエッチングす
る。この樹脂エッチング工程により、樹脂絶縁層53の
表面が化学的にエッチングされるので、樹脂絶縁層53
に付着する樹脂残渣55vも樹脂絶縁層53とともに除
去される。しかし、樹脂エッチング工程を経ても、な
お、図12(c)に示すように、導体層54に樹脂残渣
55vが残存している場合がある。
Next, after heating and curing the resin insulating layer 53 under a predetermined condition, the resin insulating layer 53 is irradiated with a CO 2 laser through a mask having a predetermined pattern to form a via hole 55. A resin residue 55v such as a scum such as a resin melt or a carbide by a laser adheres or remains around the opening, the inner peripheral surface, and the bottom surface of the via hole 55 (see FIG. 12B). Subsequently, the resin residue on the surface of the resin insulating layer 53 and the inner peripheral surface and the bottom surface of the via hole 55 is etched using a potassium permanganate solution. By this resin etching step, the surface of the resin insulating layer 53 is chemically etched.
Is removed together with the resin insulation layer 53. However, even after the resin etching step, the resin residue 55v may remain on the conductor layer 54 in some cases, as shown in FIG.

【0066】次に、硫酸ナトリウム溶液を用いて、露出
した導体層54の表面を約1.7μmエッチングし、導
体層54表面の金属(銅)とともに樹脂残渣55vを除
去する(導体層エッチング工程)。こうしてビアホール
55の底には導体層54が完全に露出するとともに、凹
部56が形成される(図13(a))。
Next, the exposed surface of the conductor layer 54 is etched by about 1.7 μm using a sodium sulfate solution to remove the resin residue 55v together with the metal (copper) on the surface of the conductor layer 54 (conductor layer etching step). . Thus, at the bottom of the via hole 55, the conductor layer 54 is completely exposed, and a concave portion 56 is formed (FIG. 13A).

【0067】この後、樹脂絶縁層53の上面およびビア
ホール55内に無電解銅メッキ、電解銅メッキ等を施し
た後、不要部分をエッチング除去し、図13(b)に示
すように導体層58および導体層58と導体層54とを
導通するビア導体57が形成される。次に、樹脂絶縁層
59を形成し、さらに、ビアホール55と同様にビアホ
ール60をCOレーザにより穿孔する。この後、上記
した樹脂エッチング工程および導体層エッチング工程を
施し、ビアホール61に対応した位置に凹部61を形成
する。さらに、導体層62、および導体層62と導体層
58とを接続するビア導体63を公知の方法により形成
する(図13(c)参照)。
Thereafter, the upper surface of the resin insulating layer 53 and the inside of the via hole 55 are subjected to electroless copper plating, electrolytic copper plating and the like, and then unnecessary portions are removed by etching, and as shown in FIG. In addition, a via conductor 57 that conducts between the conductor layer 58 and the conductor layer 54 is formed. Next, a resin insulating layer 59 is formed, and a via hole 60 is formed by a CO 2 laser similarly to the via hole 55. Thereafter, the above-described resin etching step and conductor layer etching step are performed to form a recess 61 at a position corresponding to the via hole 61. Further, the conductor layer 62 and the via conductor 63 connecting the conductor layer 62 and the conductor layer 58 are formed by a known method (see FIG. 13C).

【0068】本実施形態によれば、レーザによりビアホ
ール55、60を形成した後、樹脂エッチング工程によ
り樹脂絶縁層とともにその表面に付着した樹脂残渣を除
去し、さらに、導体層エッチング工程により導体層とと
もにその表面に付着した樹脂残渣を除去する。したがっ
て、レーザ加工時に発生するカス等の樹脂残渣を完全に
除去でき、さらには、ビア導体57と導体層54、およ
びビア導体63と導体層58との接続を良好に行うこと
ができる。
According to the present embodiment, after the via holes 55 and 60 are formed by the laser, the resin residue adhered to the surface thereof is removed together with the resin insulating layer by the resin etching step, and further, together with the conductor layer by the conductor layer etching step. The resin residue attached to the surface is removed. Therefore, resin residues such as scum generated during laser processing can be completely removed, and furthermore, the connection between the via conductor 57 and the conductor layer 54 and the connection between the via conductor 63 and the conductor layer 58 can be favorably performed.

【0069】なお、上記した第1〜第3の実施形態は本
発明の実施形態の一例を示したに過ぎず、本発明の主旨
を逸脱しない範囲で適宜変更して適用することができ
る。また、従来公知の配線基板の製造技術等も適宜適用
することが可能である。例えば、上記実施形態では、説
明を省略したが、導体層(配線層、スルーホール導体な
ど)および樹脂絶縁層(樹脂充填体などを含む)等の表
面は所望の化学処理等により適度に粗化し、隣接す導体
層る他の導体層または樹脂絶縁層との密着強度を高める
ことができる。
The above-described first to third embodiments are merely examples of the embodiments of the present invention, and can be appropriately modified and applied without departing from the gist of the present invention. In addition, conventionally known wiring board manufacturing techniques and the like can be appropriately applied. For example, although the description is omitted in the above embodiment, the surfaces of the conductor layer (such as a wiring layer and a through-hole conductor) and the resin insulating layer (including a resin filler) are appropriately roughened by a desired chemical treatment or the like. Further, the adhesion strength between the adjacent conductor layer and another conductor layer or the resin insulating layer can be increased.

【0070】[0070]

【発明の効果】以上、詳述したように、本発明において
は、現像またはレーザ光によりビアホールを形成した
後、樹脂エッチング工程と導体層エッチング工程を行う
ので、ビアホールの底に樹脂が残らず、導体層とビア導
体との導通を確実に行うことができる。
As described above in detail, in the present invention, after forming a via hole by development or laser light, a resin etching step and a conductor layer etching step are performed, so that no resin remains at the bottom of the via hole. Conduction between the conductor layer and the via conductor can be reliably performed.

【0071】また、導体層エッチング工程のエッチング
量(厚さ)を(下層)導体層の厚さの5〜30%とした
ので、残存樹脂を確実に除去でき、さらに導体層とビア
ホールとの導通を損なうこともない。
Further, since the etching amount (thickness) in the conductor layer etching step is set to 5 to 30% of the thickness of the (lower) conductor layer, the remaining resin can be surely removed, and the conduction between the conductor layer and the via hole can be further improved. Does not impair.

【0072】さらに、現像工程を、配線基板を水平に保
持した状態で行い、且つ、現像工程の途中で配線基板の
上下面を反転させるので、配線基板の上下面での現像バ
ラツキをなくすことができる。したがって、後工程の樹
脂エッチング工程や導体層エッチング工程の際に、配線
基板の上下面で効果にバラツキがなく、配線基板の上面
および下面の両方で、導体層とビア導体との良好な導通
を得ることができる。
Further, since the developing step is performed while the wiring board is held horizontally, and the upper and lower surfaces of the wiring board are inverted during the developing step, it is possible to eliminate development variations on the upper and lower surfaces of the wiring board. it can. Therefore, in the subsequent resin etching step or conductor layer etching step, there is no variation in the effect on the upper and lower surfaces of the wiring board, and good conduction between the conductor layer and the via conductor is provided on both the upper and lower surfaces of the wiring board. Obtainable.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例の配線基板の製造方法を示す説明図であ
る。
FIG. 1 is an explanatory diagram illustrating a method for manufacturing a wiring board according to an embodiment.

【図2】配線基板を水平に保持した状態での現像工程を
示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view showing a developing step in a state where the wiring board is held horizontally.

【図3】実施例の配線基板の製造方法を示す説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory view illustrating a method of manufacturing a wiring board according to an example.

【図4】導体層エッチング工程後の状態を示す説明図で
ある。
FIG. 4 is an explanatory view showing a state after a conductor layer etching step.

【図5】従来の配線基板の製造方法を示す説明図であ
る。
FIG. 5 is an explanatory view showing a conventional method for manufacturing a wiring board.

【図6】本発明の第2の実施形態に係り、配線基板の部
分拡大断面図。
FIG. 6 is a partially enlarged cross-sectional view of a wiring board according to a second embodiment of the present invention.

【図7】図6に示した配線基板のさらに一部を拡大した
部分拡大断面図。
FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view showing a further enlarged part of the wiring board shown in FIG. 6;

【図8】本発明の第2の実施形態に係り、配線基板の製
造工程のうちビアホール形成工程までを工程順に説明す
る部分拡大断面図。
FIG. 8 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a wiring board up to a via hole forming process according to a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第2の実施形態に係り、配線基板の製
造工程のうち図7の続きの工程を示しスルーホール充填
工程までを工程順に説明する部分拡大断面図。。
FIG. 9 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a step subsequent to FIG. 7 and explaining a through-hole filling step in the order of steps, according to the second embodiment of the present invention. .

【図10】本発明の第2の実施形態に係り、配線基板の
製造工程のうち図8の続きの工程を示し蓋導体層形成工
程までを工程順に説明する部分拡大断面図。
FIG. 10 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a step subsequent to FIG. 8 in the manufacturing steps of the wiring board and illustrating a step up to a step of forming a cover conductor layer according to the second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第2の実施形態に係り、配線基板の
製造工程のうち図9の続きの工程を示し積層工程を工程
順に説明する部分拡大断面図。
FIG. 11 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a step subsequent to FIG. 9 and illustrating a stacking step in the order of steps, according to the second embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第3の実施形態に係り、レーザを用
いた配線基板の製造工程を工程順に説明する部分拡大断
面図。
FIG. 12 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating a process of manufacturing a wiring substrate using a laser in the order of steps according to the third embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第3の実施形態に係り、レーザを用
いた配線基板の製造工程のうち、図12に示した工程の
後の工程を、工程順に説明する部分拡大断面図。
FIG. 13 is a partially enlarged cross-sectional view illustrating, in the order of steps, steps subsequent to the step illustrated in FIG. 12 among the steps of manufacturing a wiring board using a laser according to the third embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、20:配線基板 2、3、26a、36a、40a:樹脂絶縁層 4、8、24a、34a、44a:導体層 5、28、:ビアホール 5B:残存樹脂 7、29、39:ビア導体 23:外側スルーホール導体 27:スルーホール 30:(内側)スルーホール導体 33:樹脂充填体 33p:樹脂ペースト 35:蓋導体層 1, 20: Wiring board 2, 3, 26a, 36a, 40a: Resin insulating layer 4, 8, 24a, 34a, 44a: Conductive layer 5, 28: Via hole 5B: Resin resin 7, 29, 39: Via conductor 23 : Outer through-hole conductor 27: Through-hole 30: (Inner) through-hole conductor 33: Resin filler 33p: Resin paste 35: Lid conductor layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 鬼頭 直樹 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 (72)発明者 平野 聡 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号 日 本特殊陶業株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Naoki Kito 14-18 Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Nagoya-shi, Aichi Japan Inside Nihon Special Ceramics Co., Ltd. (72) Inventor Satoshi Hirano 14th Takatsuji-cho, Mizuho-ku, Aichi Prefecture No. 18 Japan Special Ceramics Co., Ltd.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体層と、 該導体層上に積層された樹脂絶縁層と、 該樹脂絶縁層を貫通するビアホールと、を有し、 前記導体層は、その表面のうち前記ビアホールの底面に
あたる部分に凹部を備えていることを特徴とする配線基
板。
1. A conductive layer, comprising: a resin insulating layer laminated on the conductive layer; and a via hole penetrating the resin insulating layer, wherein the conductive layer corresponds to a bottom surface of the via hole on a surface thereof. A wiring board comprising a concave portion in a portion.
【請求項2】 前記凹部は前記導体層の表面をエッチン
グして形成したことを特徴とする請求項1に記載の配線
基板。
2. The wiring board according to claim 1, wherein the recess is formed by etching a surface of the conductor layer.
【請求項3】 前記凹部の深さは、前記導体層の厚みの
5〜30%であることを特徴とする請求項1または2に
記載の配線基板。
3. The wiring board according to claim 1, wherein the depth of the recess is 5 to 30% of the thickness of the conductor layer.
【請求項4】 前記ビアホール内にはビア導体が形成さ
れ、該ビア導体は前記導体層と前記凹部において接続さ
れていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに
記載の配線基板。
4. The wiring board according to claim 1, wherein a via conductor is formed in the via hole, and the via conductor is connected to the conductor layer at the concave portion.
【請求項5】 前記凹部の表面にはメッキ層が形成され
ていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記
載の配線基板。
5. The wiring board according to claim 1, wherein a plating layer is formed on a surface of the concave portion.
【請求項6】 前記ビアホール内にはハンダバンプが形
成されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれ
かに記載の配線基板。
6. The wiring board according to claim 1, wherein a solder bump is formed in the via hole.
【請求項7】以下の3つのグループのうち、少なくとも
2つのグループを備えた配線基板;第1下層導体層と、
該第1下層導体層に形成された第1凹部と、該第1凹部
に対応した位置に開口する第1ビアホールを有する第1
樹脂絶縁層と、第1樹脂絶縁層上に形成された第1上層
導体層と、前記第1ビアホールの内周面および前記第1
凹部上に形成され、前記第1下層導体層と前記第1上層
導体層とを導通するビア導体と、からなる第1のグルー
プと、 第2導体層と、該第2導体層に形成された第2凹部と、
該第2凹部に対応した位置に開口する第2ビアホールを
有する第2樹脂絶縁層と、前記第2凹部上に形成され、
前記第2樹脂絶縁層上面から突出するハンダバンプと、
からなる第2のグループと、 第3導体層と、該第3導体層に形成された第3凹部と、
該第3凹部に対応した位置に開口する第3ビアホールを
有する第3樹脂絶縁層と、前記第3凹部上に形成された
金属層と、からなる第3のグループ。
7. A wiring board comprising at least two of the following three groups: a first lower conductive layer;
A first recess having a first recess formed in the first lower conductor layer and a first via hole opening at a position corresponding to the first recess;
A resin insulating layer; a first upper conductor layer formed on the first resin insulating layer; an inner peripheral surface of the first via hole;
A first group consisting of a via conductor formed on the concave portion and electrically connecting the first lower conductor layer and the first upper conductor layer; a second conductor layer; and a second conductor layer formed on the second conductor layer. A second recess,
A second resin insulating layer having a second via hole opening at a position corresponding to the second recess, formed on the second recess,
Solder bumps projecting from the upper surface of the second resin insulating layer;
A second group consisting of: a third conductor layer; a third recess formed in the third conductor layer;
A third group including a third resin insulating layer having a third via hole opened at a position corresponding to the third recess, and a metal layer formed on the third recess.
【請求項8】 導体層の上に感光性樹脂からなる樹脂絶
縁層を形成する工程と、 前記樹脂絶縁層に対し露光と現像を行うことにより、該
樹脂絶縁層にビアホールを形成するビアホール形成工程
と、 前記樹脂絶縁層の表面および前記ビアホールの内周面お
よび底面の樹脂をエッチングする樹脂エッチング工程
と、 前記ビアホールの底面に露出した導体層の表面をエッチ
ングする導体層エッチング工程と、 を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
8. A step of forming a resin insulating layer made of a photosensitive resin on the conductive layer, and a step of forming a via hole in the resin insulating layer by exposing and developing the resin insulating layer. And a resin etching step of etching the resin on the surface of the resin insulating layer and the inner peripheral surface and the bottom surface of the via hole; and a conductor layer etching step of etching the surface of the conductor layer exposed on the bottom surface of the via hole. A method for manufacturing a wiring board, comprising:
【請求項9】 前記ビアホール形成工程における現像
は、配線基板を略水平に保持した状態で行い、現像の途
中で配線基板の上下面を上下反転させることにより、配
線基板の両面にビアホール形成することを特徴とする請
求項8に記載の配線基板の製造方法。
9. The development in the via-hole forming step is performed with the wiring substrate held substantially horizontally, and the upper and lower surfaces of the wiring substrate are turned upside down during the development to form via holes on both surfaces of the wiring substrate. The method for manufacturing a wiring board according to claim 8, wherein:
【請求項10】 導体層の上に樹脂絶縁層を形成する工
程と、 前記樹脂絶縁層に対しレーザ光を照射することにより、
該樹脂絶縁層にビアホールを形成するビアホール形成工
程と、 前記樹脂絶縁層の表面および前記ビアホールの内周面お
よび底面の樹脂をエッチングする樹脂エッチング工程
と、 前記ビアホールの底面に露出した導体層の表面をエッチ
ングする導体層エッチング工程と、 を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
10. A step of forming a resin insulating layer on a conductor layer, and irradiating the resin insulating layer with laser light.
A via hole forming step of forming a via hole in the resin insulating layer; a resin etching step of etching a resin on a surface of the resin insulating layer and an inner peripheral surface and a bottom surface of the via hole; a surface of the conductor layer exposed on a bottom surface of the via hole And a conductor layer etching step of etching a wiring board.
【請求項11】 前記導体層エッチング工程では、ビア
ホールの底面に露出した導体層の表面に対し、導体層の
厚みの5〜30%をエッチングにより除去することを特
徴とする請求項8乃至10のいずれかに記載の配線基板
の製造方法。
11. The conductive layer etching step according to claim 8, wherein 5 to 30% of the thickness of the conductive layer is removed by etching from the surface of the conductive layer exposed at the bottom of the via hole. A method for manufacturing the wiring board according to any one of the above.
【請求項12】 前記樹脂絶縁層を形成する工程の前
に、第二銅錯体と有機酸とを含有する粗化液により、前
記導体層の表面をエッチングして表面粗化する工程を含
むことを特徴とする請求項8乃至11のいずれかに記載
の配線基板の製造方法。
12. The method according to claim 1, further comprising, before the step of forming the resin insulating layer, a step of etching the surface of the conductor layer with a roughening liquid containing a cupric complex and an organic acid to roughen the surface. The method for manufacturing a wiring board according to claim 8, wherein:
JP36347699A 1998-12-24 1999-12-21 Wiring board and its manufacture Pending JP2000244127A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP36347699A JP2000244127A (en) 1998-12-24 1999-12-21 Wiring board and its manufacture

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-365957 1998-12-24
JP36595798 1998-12-24
JP36347699A JP2000244127A (en) 1998-12-24 1999-12-21 Wiring board and its manufacture

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004316806A Division JP4464790B2 (en) 1998-12-24 2004-10-29 Wiring board manufacturing method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000244127A true JP2000244127A (en) 2000-09-08

Family

ID=26581482

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP36347699A Pending JP2000244127A (en) 1998-12-24 1999-12-21 Wiring board and its manufacture

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000244127A (en)

Cited By (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204075A (en) * 2000-12-28 2002-07-19 Ibiden Co Ltd Method of manufacturing multilayer printed wiring board
JP2002204074A (en) * 2000-12-28 2002-07-19 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2002204076A (en) * 2000-12-28 2002-07-19 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board and method of manufacture the same
JP2002208778A (en) * 2001-01-10 2002-07-26 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2002217542A (en) * 2001-01-22 2002-08-02 Ibiden Co Ltd Multilayer printed-wiring board
JP2002217541A (en) * 2001-01-22 2002-08-02 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2002252465A (en) * 2001-02-26 2002-09-06 Kyocera Corp Multilayer wiring board and its manufacturing method
JP2002280740A (en) * 2001-03-16 2002-09-27 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2002305269A (en) * 2001-04-09 2002-10-18 Toppan Printing Co Ltd Multilayer interconnection board and its manufacturing method
JP2002305377A (en) * 2001-04-09 2002-10-18 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2003008222A (en) * 2001-06-25 2003-01-10 Toppan Printing Co Ltd High-density multilayer build-up wiring board and method of manufacturing the same
JP2003069233A (en) * 2001-08-30 2003-03-07 Kyocera Corp Multilayer interconnection board
WO2004043121A1 (en) * 2002-11-07 2004-05-21 International Business Machines Corporation Printed wiring board and process for producing the same
JP2007027451A (en) * 2005-07-19 2007-02-01 Shinko Electric Ind Co Ltd Circuit board and its manufacturing method
JP2007150348A (en) * 2007-02-05 2007-06-14 Kyocera Corp Wiring substrate and electronic component mounting structure
JP2010199536A (en) * 2009-02-20 2010-09-09 Ibiden Co Ltd Wiring board and method for manufacturing the same
JP2010199535A (en) * 2009-02-20 2010-09-09 Ibiden Co Ltd Wiring board and method for manufacturing the same
KR100999515B1 (en) 2008-11-14 2010-12-09 삼성전기주식회사 Manufacturing method of printed circuit board
JP2011181629A (en) * 2010-02-26 2011-09-15 Kyocer Slc Technologies Corp Wiring board and method of manufacturing the same
JP2012004440A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board
JP2012009606A (en) * 2010-06-24 2012-01-12 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board
US8609995B2 (en) 2010-07-22 2013-12-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
US8946906B2 (en) 2010-12-16 2015-02-03 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Multilayer wiring substrate and method of manufacturing the same
JP2016103502A (en) * 2014-11-27 2016-06-02 新光電気工業株式会社 Wiring board, method of manufacturing the same, and electronic component device
US10297540B2 (en) 2017-05-17 2019-05-21 Shinko Electric Industries, Co., Ltd. Wiring substrate
CN111430128A (en) * 2015-06-24 2020-07-17 株式会社村田制作所 Coil component
WO2023018234A1 (en) * 2021-08-10 2023-02-16 엘지이노텍 주식회사 Circuit board

Cited By (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204075A (en) * 2000-12-28 2002-07-19 Ibiden Co Ltd Method of manufacturing multilayer printed wiring board
JP2002204074A (en) * 2000-12-28 2002-07-19 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2002204076A (en) * 2000-12-28 2002-07-19 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board and method of manufacture the same
JP2002208778A (en) * 2001-01-10 2002-07-26 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2002217542A (en) * 2001-01-22 2002-08-02 Ibiden Co Ltd Multilayer printed-wiring board
JP2002217541A (en) * 2001-01-22 2002-08-02 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2002252465A (en) * 2001-02-26 2002-09-06 Kyocera Corp Multilayer wiring board and its manufacturing method
JP4693258B2 (en) * 2001-02-26 2011-06-01 京セラ株式会社 Manufacturing method of multilayer wiring board
JP2002280740A (en) * 2001-03-16 2002-09-27 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP4698046B2 (en) * 2001-03-16 2011-06-08 イビデン株式会社 Multilayer printed circuit board
JP2002305269A (en) * 2001-04-09 2002-10-18 Toppan Printing Co Ltd Multilayer interconnection board and its manufacturing method
JP4715014B2 (en) * 2001-04-09 2011-07-06 凸版印刷株式会社 Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
JP2002305377A (en) * 2001-04-09 2002-10-18 Ibiden Co Ltd Multilayer printed wiring board
JP2003008222A (en) * 2001-06-25 2003-01-10 Toppan Printing Co Ltd High-density multilayer build-up wiring board and method of manufacturing the same
JP2003069233A (en) * 2001-08-30 2003-03-07 Kyocera Corp Multilayer interconnection board
WO2004043121A1 (en) * 2002-11-07 2004-05-21 International Business Machines Corporation Printed wiring board and process for producing the same
JP2007027451A (en) * 2005-07-19 2007-02-01 Shinko Electric Ind Co Ltd Circuit board and its manufacturing method
JP2007150348A (en) * 2007-02-05 2007-06-14 Kyocera Corp Wiring substrate and electronic component mounting structure
KR100999515B1 (en) 2008-11-14 2010-12-09 삼성전기주식회사 Manufacturing method of printed circuit board
JP2010199535A (en) * 2009-02-20 2010-09-09 Ibiden Co Ltd Wiring board and method for manufacturing the same
JP2010199536A (en) * 2009-02-20 2010-09-09 Ibiden Co Ltd Wiring board and method for manufacturing the same
US8525041B2 (en) 2009-02-20 2013-09-03 Ibiden Co., Ltd. Multilayer wiring board and method for manufacturing the same
JP2011181629A (en) * 2010-02-26 2011-09-15 Kyocer Slc Technologies Corp Wiring board and method of manufacturing the same
JP2012004440A (en) * 2010-06-18 2012-01-05 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board
JP2012009606A (en) * 2010-06-24 2012-01-12 Shinko Electric Ind Co Ltd Wiring board
US8609995B2 (en) 2010-07-22 2013-12-17 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Multilayer wiring board and manufacturing method thereof
US8946906B2 (en) 2010-12-16 2015-02-03 Ngk Spark Plug Co., Ltd. Multilayer wiring substrate and method of manufacturing the same
JP2016103502A (en) * 2014-11-27 2016-06-02 新光電気工業株式会社 Wiring board, method of manufacturing the same, and electronic component device
CN111430128A (en) * 2015-06-24 2020-07-17 株式会社村田制作所 Coil component
CN111430128B (en) * 2015-06-24 2023-06-30 株式会社村田制作所 Coil component
US10297540B2 (en) 2017-05-17 2019-05-21 Shinko Electric Industries, Co., Ltd. Wiring substrate
WO2023018234A1 (en) * 2021-08-10 2023-02-16 엘지이노텍 주식회사 Circuit board

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000244127A (en) Wiring board and its manufacture
TWI447874B (en) Wiring board, semiconductor apparatus and method of manufacturing them
JP4133560B2 (en) Printed wiring board manufacturing method and printed wiring board
US8973259B2 (en) Method for manufacturing a multilayered circuit board
US5108553A (en) G-tab manufacturing process and the product produced thereby
JP4997105B2 (en) Printed wiring board and manufacturing method thereof
TWI383719B (en) Printed wiring board and manufacturing method thereof
US7169313B2 (en) Plating method for circuitized substrates
JP4673207B2 (en) Multilayer printed wiring board and manufacturing method thereof
WO2010038559A1 (en) Method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board
JPH07283538A (en) Manufacture of multilayered printed wiring board
JP4022405B2 (en) Circuit board for mounting semiconductor chips
US7910156B2 (en) Method of making circuitized substrate with selected conductors having solder thereon
JPH1174636A (en) Manufacture of wiring board
JP4043146B2 (en) Package substrate
JP4464790B2 (en) Wiring board manufacturing method
JP2003209359A (en) Core board and its manufacturing method
JP2001308484A (en) Circuit board and manufacturing method therefor
JP2003115662A (en) Method of manufacturing semiconductor device substrate
JP4090151B2 (en) Package substrate
JP3599957B2 (en) Method for manufacturing multilayer wiring board
JP4514308B2 (en) Manufacturing method of multilayer printed wiring board
KR19990005679A (en) Manufacturing method of package for flip chip mounting
JP2004095582A (en) Method for manufacturing core substrate
JP4180192B2 (en) Manufacturing method of multilayer printed wiring board

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Effective date: 20031211

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

A131 Notification of reasons for refusal

Effective date: 20040113

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040315

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Effective date: 20040315

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20040830

A521 Written amendment

Effective date: 20041029

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A911 Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20041104

A912 Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20041210