JP2001217543A - Multilayer circuit board - Google Patents

Multilayer circuit board

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JP2001217543A JP2000245649A JP2000245649A JP2001217543A JP 2001217543 A JP2001217543 A JP 2001217543A JP 2000245649 A JP2000245649 A JP 2000245649A JP 2000245649 A JP2000245649 A JP 2000245649A JP 2001217543 A JP2001217543 A JP 2001217543A
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a multilayer circuit board advantageous for increasing the wiring density and mounting electronic components including semiconductor chips such as LSIs at higher densities. SOLUTION: This multilayer circuit board has layer resin insulation layers and conductor layers alternately laminated on both surfaces of a multilayer core board having conductor circuits in inner layers and buildup wiring layers having conductor layers interconnected through vias. The multilayer core board is formed by laminating through adhesive layers and heating and pressing en bloc a plurality of circuit boards each having conductor circuits on one or both surfaces of an insulative hard base and vias composed of a conductive substance filled in holes piercing the insulative hard base to reach the conductor circuits, solder bumps are provided on the surface of the outermost conductor layer constituting one buildup wiring layer, and conductive pins or conductive balls are disposed on the surface of the outermost conductor layer constituting the other buildup wiring layer.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、コア基板が多層
化された多層回路基板に係り、とくに、コア基板の多層
化が、充填ビアホールを備えた複数の片面または両面回
路基板を積層し、接着剤を介して一括加熱プレスするこ
とにより行なわれ、その多層コア基板内の導体回路と多
層コア基板上に形成したビルドアップ配線層との電気的
接続が、多層コア基板に形成したビアホールと、その直
上に形成したビルドアップ配線層内のビアホールとを介
して確保でき、さらにビルドアップ配線層の最も外側の
導体回路に対して、LSI等の半導体チップを含んだ電
子部品やマザーボードに直接的に接続できる導電性バン
プ、導電性ピンまたは導電性ボールを配設した超高密度
配線化に有利な多層回路基板について提案する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-layer circuit board having a multi-layered core substrate, and more particularly to a multi-layered core substrate in which a plurality of single-sided or double-sided circuit boards having filled via holes are laminated and bonded. The electrical connection between the conductor circuit in the multilayer core substrate and the build-up wiring layer formed on the multilayer core substrate is performed by batch heating and pressing via an agent. It can be secured via via holes in the build-up wiring layer formed directly above, and is directly connected to the outermost conductor circuits of the build-up wiring layer to electronic components including semiconductor chips such as LSI and motherboards. A multi-layer circuit board having conductive bumps, conductive pins, or conductive balls that can be used and that is advantageous for ultrahigh-density wiring is proposed.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、LSI等の半導体チップを含む電
子部品を実装するパッケージ基板は、電子工業の進歩に
伴う電子機器の小型化あるいは高速化に対応し、ファイ
ンパターンによる高密度化および信頼性の高いものが求
められている。このようなパッケージ基板として、19
97年、1月号の「表面実装技術」には、多層コア基板
の両面にビルドアップ多層配線層が形成されたものが開
示されている。
2. Description of the Related Art In recent years, package substrates on which electronic components including semiconductor chips such as LSIs are mounted have been adapted to miniaturization or high-speed of electronic devices accompanying the progress of the electronics industry. Is required. As such a package substrate, 19
“Surface mounting technology” in January 1997 discloses a multilayer core substrate in which build-up multilayer wiring layers are formed on both surfaces.

【0003】ところが、上掲の従来技術に係るパッケー
ジ基板では、多層コア基板内の導体層とビルドアップ配
線層との接続は、多層コア基板の表面にスルーホールか
ら配線した内層パッドを設け、この内層パッドにビアホ
ールを接続させて行っていた。このため、スルーホール
のランド形状がダルマ形状あるいは鉄アレイ形状とな
り、その内層パッドの領域がスルーホールの配置密度の
向上を阻害し、スルーホールの形成数には一定の限界が
あった。それ故に、配線の高密度化を図るためにコア基
板を多層化すると、外層のビルドアップ配線層は、多層
コア基板内の導体層と十分な電気的接続を確保すること
ができないという問題があった。
However, in the above-described conventional package substrate, the connection between the conductor layer in the multilayer core substrate and the build-up wiring layer is performed by providing inner layer pads wired from through holes on the surface of the multilayer core substrate. A via hole is connected to the inner layer pad. For this reason, the land shape of the through-hole becomes a Dharma shape or an iron array shape, and the area of the inner layer pad hinders an improvement in the arrangement density of the through-holes, and there is a certain limit to the number of through-holes formed. Therefore, when the core substrate is multilayered in order to increase the wiring density, there is a problem that the outer build-up wiring layer cannot secure sufficient electrical connection with the conductor layers in the multilayer core substrate. Was.

【0004】なお、このような問題点については、本発
明らは先に、特願平第10−15346号(特開平第1
1−214846号)としてその改善方法を提案した。
このような改善提案による多層回路基板は、内層に導体
層を有する多層コア基板上に、層間樹脂絶縁層と導体層
とが交互に積層されて各導体層間がビアホールにて接続
されたビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基
板において、多層コア基板には、スルーホールが形成さ
れ、そのスルーホールには充填材が充填されるとともに
該充填材のスルーホールからの露出面を覆って導体層が
形成され、その導体層にはビアホールが接続された構成
であり、それによってスルーホールの配置密度が向上
し、高密度化したスルーホールを介して多層化したコア
基板内の導体回路との接続が確保できるようになってい
る。
[0004] Regarding such a problem, the present inventors have previously described Japanese Patent Application No. 10-15346 (Japanese Patent Application Laid-Open No.
No. 1-214846), and proposed an improvement method.
The multilayer circuit board according to such an improvement proposal is a build-up wiring in which an interlayer resin insulating layer and a conductor layer are alternately laminated on a multilayer core substrate having a conductor layer in an inner layer, and each conductor layer is connected by a via hole. In the multilayer circuit board having the layers formed therein, a through hole is formed in the multilayer core substrate, the through hole is filled with a filler, and the conductor layer covers the exposed surface of the filler from the through hole. Is formed, and via holes are connected to the conductor layer, thereby increasing the arrangement density of the through holes, and connecting with the conductor circuit in the multilayered core substrate through the densified through holes. Can be secured.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
構成の多層回路基板におけるスルーホールは、多層化さ
れたコア基板にドリル等で貫通孔を明け、その貫通孔の
壁面および基板表面に無電解めっきを施して形成される
ため、その開口性や経済性を考慮すると、形成され得る
スルーホール開口径の下限は300μm程度であり、現
在の電子産業界の要請を満足するような超高密度配線を
実現するためには、50〜250μm程度のより小さな
開口径と、より狭いスルーホールランドピッチを得るた
めの技術開発が望まれている。
However, a through hole in a multilayer circuit board having such a structure is formed by drilling a through hole in a multilayered core board with a drill or the like, and electroless plating is applied to the wall surface of the through hole and the board surface. In consideration of the opening properties and economical efficiency, the lower limit of the through hole opening diameter that can be formed is about 300 μm, realizing ultra-high-density wiring that satisfies the current requirements of the electronics industry. In order to achieve this, it is desired to develop a technology for obtaining a smaller opening diameter of about 50 to 250 μm and a narrower through-hole land pitch.

【0006】そこで、本発明者らは、硬質材料からなる
コア材の片面または両面に導体回路を有し、その片面か
らコア材を貫通して導体回路に達する充填ビアホールを
形成してなる回路基板の複数枚を互いに積層し、接着剤
を介して一括して加熱プレスすることにより多層コア基
板を形成すれば、多層コア基板にスルーホールを設ける
ことなく、多層コア基板内の導体回路同士、および多層
コア基板内の導体回路と多層コア基板上に形成したビル
ドアップ配線層との電気的接続が、多層コア基板に形成
した充填ビアホールと、その直上に形成したビルドアッ
プ配線層内のビアホールとを介して十分に確保できるこ
とを知見し、さらに、一方のビルドアップ配線層の最も
外側に位置する導体回路の一部をはんだパッドに形成
し、そのはんだパッドに対してLSI等の半導体チップ
を含んだ電子部品を接続するための導電性バンプを配設
するとともに、他方のビルドアップ配線層の最も外側に
位置する導体回路の一部をはんだパッドに形成し、その
はんだパッドに対してマザーボードに直接的に接続でき
る導電性ピンまたは導電性ボールを配設することによっ
て高密度配線および電子部品の高密度実装化が可能とな
ることを知見した。本発明の目的は、このような高密度
配線化および電子部品の高密度実装に有利な多層回路基
板を提供することにある。
Accordingly, the present inventors have developed a circuit board having a conductor circuit on one or both sides of a core material made of a hard material, and forming a filled via hole that penetrates the core material from one surface to reach the conductor circuit. If a multilayer core substrate is formed by laminating a plurality of sheets to each other and hot-pressing collectively via an adhesive, without providing through holes in the multilayer core substrate, conductor circuits in the multilayer core substrate, and The electrical connection between the conductor circuit in the multilayer core substrate and the build-up wiring layer formed on the multilayer core substrate is based on the filling via hole formed on the multilayer core substrate and the via hole in the build-up wiring layer formed immediately above the filled via hole. And that a part of the outermost conductor circuit of one of the build-up wiring layers is formed on the solder pad, and the solder pad is formed. A conductive bump for connecting an electronic component including a semiconductor chip such as an LSI, and a part of the outermost conductive circuit of the other build-up wiring layer is formed on a solder pad. It has been found that by providing conductive pins or conductive balls that can be directly connected to the motherboard with respect to the solder pads, high-density wiring and high-density mounting of electronic components can be realized. An object of the present invention is to provide a multilayer circuit board that is advantageous for such high-density wiring and high-density mounting of electronic components.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】発明者らは、上記目的の
実現に向け鋭意研究した結果、以下に示す内容を要旨構
成とする発明に想到した。すなわち、 (1) 本発明の多層回路基板は、内層に導体回路を有
する多層コア基板上に、層間樹脂絶縁層と導体層とが交
互に積層され、各導体層間がビアホールにて接続された
ビルドアップ配線層が形成されてなる多層回路基板にお
いて、上記多層コア基板は、絶縁性硬質基材の片面また
は両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通し
て前記導体回路に達する孔に、導電性物質が充填されて
なるビアホールを有する回路基板の複数枚が接着剤層を
介して積層され、一括して加熱プレスされることで形成
されることを特徴とする。
Means for Solving the Problems The inventors of the present invention have intensively studied for realizing the above-mentioned object, and as a result, have arrived at an invention having the following content as a gist configuration. That is, (1) the multilayer circuit board of the present invention is a build-up in which interlayer resin insulation layers and conductor layers are alternately laminated on a multilayer core board having a conductor circuit in an inner layer, and each conductor layer is connected by a via hole. In the multilayer circuit board in which the up wiring layer is formed, the multilayer core substrate has a conductor circuit on one or both surfaces of an insulating hard base material, and reaches the conductor circuit through the insulating hard base material. A plurality of circuit boards each having a via hole filled with a conductive substance in the hole are formed by laminating via an adhesive layer, and hot pressing all together.

【0008】(2)また、本発明の多層回路基板は、内
層に導体回路を有する多層コア基板の両面に対して、層
間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導体層間
がビアホールにて接続されたビルドアップ配線層が形成
されてなる多層回路基板において、上記多層コア基板
は、絶縁性硬質基材の片面または両面に導体回路を有
し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記導体回路に達す
る孔内に、導電性物質が充填されてなるビアホールを有
する回路基板の複数枚が接着剤層を介して積層され、一
括して加熱プレスされることで形成され、さらに、上記
ビルドアップ配線層の一方を構成する最も外側の導体層
の表面には、はんだバンプが設けられるとともに、上記
ビルドアップ配線層の他方を構成する最も外側の導体層
の表面には、導電性ピンまたは導電性ボールが配設され
ていることを特徴とする。
(2) In the multilayer circuit board of the present invention, an interlayer resin insulation layer and a conductor layer are alternately laminated on both sides of a multilayer core board having a conductor circuit in an inner layer, and a via hole is provided between each conductor layer. In the multilayer circuit board formed with the build-up wiring layer connected by the above, the multilayer core board has a conductor circuit on one or both sides of the insulating hard base material, penetrates the insulating hard base material In the hole reaching the conductor circuit, a plurality of circuit boards having via holes filled with a conductive substance are laminated via an adhesive layer, and formed by being heated and pressed collectively, A solder bump is provided on the surface of the outermost conductor layer forming one of the build-up wiring layers, and a conductive pin is formed on the surface of the outermost conductor layer forming the other of the build-up wiring layer. Or conductive ball is characterized in that it is arranged.

【0009】上記(1)または(2)の多層コア基板を構成
する各回路基板のビアホールに充填される導電性物質
は、電解めっきにより形成された金属めっきまたは導電
性ペーストから形成されることが望ましく、金属めっき
としては電解銅めっきがより好ましく、導電性ペースト
としては、金属粒子と熱硬化性または熱可塑性の樹脂と
からなるものがより好ましい。
The conductive substance filled in the via hole of each circuit board constituting the multilayer core board of the above (1) or (2) may be formed of metal plating or conductive paste formed by electrolytic plating. Desirably, electrolytic copper plating is more preferable as metal plating, and conductive paste containing metal particles and a thermosetting or thermoplastic resin is more preferable.

【0010】また、上記多層回路基板において、上記多
層コア基板を構成する各回路基板は、そのビアホール位
置に対応して、そのビアホールに電気的接続された突起
状導体が形成されていることが望ましく、その突起状導
体は、導電性ペーストから形成されることが望ましい。
上記ビルドアップ配線層のビアホールの一部は、上記多
層コア基板に形成されたビアホールの直上に位置して、
そのビアホールに直接接続されていることが望ましい。
In the above-mentioned multilayer circuit board, it is preferable that each circuit board constituting the above-mentioned multilayer core board has a projecting conductor electrically connected to the via hole corresponding to the position of the via hole. Preferably, the protruding conductor is formed from a conductive paste.
Part of the via hole of the build-up wiring layer is located immediately above the via hole formed in the multilayer core substrate,
It is desirable to be directly connected to the via hole.

【0011】上記多層回路基板において、多層コア基板
を構成する各回路基板の絶縁性基材は、ガラス布エポキ
シ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン樹脂基
材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、アラミ
ド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−ポリイ
ミド樹脂基材、から選ばれるいずれかの硬質基材から形
成されることが望ましい。
In the above multilayer circuit board, the insulating base of each circuit board constituting the multilayer core board is a glass cloth epoxy resin base, a glass cloth bismaleimide triazine resin base, a glass cloth polyphenylene ether resin base, an aramid It is desirable to be formed from any hard base material selected from nonwoven fabric-epoxy resin base material and aramid nonwoven fabric-polyimide resin base material.

【0012】また、上記多層コア基板を構成する各回路
基板の絶縁性基材は、厚さが20〜600μmのガラス
布エポキシ樹脂基材から形成され、前記充填ビアホール
径は50〜250μmであることが望ましい。
The insulating substrate of each circuit board constituting the multilayer core substrate is formed of a glass cloth epoxy resin substrate having a thickness of 20 to 600 μm, and the filled via hole diameter is 50 to 250 μm. Is desirable.

【0013】さらに、前記充填ビアホールは、パルスエ
ネルギーが0.5〜100mJ、パルス幅が1〜100
μs、パルス間隔が0.5ms以上、ショット数が3〜
50の条件での炭酸ガスレーザ開口に対して形成された
ものであることが望ましい。
Further, the filled via hole has a pulse energy of 0.5 to 100 mJ and a pulse width of 1 to 100 mJ.
μs, pulse interval 0.5 ms or more, shot number 3 ~
It is preferable that the opening is formed for the carbon dioxide laser opening under the condition of 50.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明の多層回路基板は、多層コ
ア基板上にビルドアップ配線層が形成されてなる多層回
路基板において、多層コア基板を、絶縁性硬質基材の片
面または両面に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を
貫通して前記導体回路に達する貫通孔に電解めっきや導
電性ペースト等の導電性物質が充填されてなる回路基板
の複数枚を接着剤層を介して互いに積層し、かつ一括し
て加熱プレスすることで形成した点に特徴がある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A multilayer circuit board according to the present invention comprises a multilayer core board having a build-up wiring layer formed on a multilayer core board. A plurality of circuit boards each having a circuit and being filled with a conductive substance such as electrolytic plating or a conductive paste in a through hole penetrating the insulating hard base material and reaching the conductor circuit via an adhesive layer. It is characterized in that it is formed by laminating each other and hot pressing all together.

【0015】このような構成によれば、コア基板にスル
ーホールを設けることが不要となるので、ランドなどの
パッド配設の自由度が向上する。その結果、充填ビアホ
ールを高密度に設けることができ、こうして高密度化さ
れたビアホールを介して、外層のビルドアップ配線層
は、多層コア基板内の導体回路と十分な接続を確保する
ことが可能になり、高密度配線化が可能となる。また、
多層コア基板内においても配線の更なる高密度化が可能
となる。
According to such a configuration, it is not necessary to provide a through hole in the core substrate, so that the degree of freedom in arranging pads such as lands is improved. As a result, filled via holes can be provided at a high density, and via the densified via holes, the outer build-up wiring layer can ensure a sufficient connection with the conductor circuit in the multilayer core substrate. And high density wiring becomes possible. Also,
Even in the multilayer core substrate, the density of the wiring can be further increased.

【0016】さらに、本発明の多層回路基板は、硬質な
絶縁性基材の片面または両面に導体回路を有する複数の
回路基板を接着剤を介して積層し、一括して加熱プレス
により形成した多層コア基板の表面および裏面に形成さ
れたビルドアップ配線層のうちの一方を構成する最も外
側の導体層の表面には、はんだバンプが設けられるとと
もに、ビルドアップ配線層の他方を構成する最も外側の
導体層の表面には、導電性ピンまたは導電性ボールが配
設されていることを特徴とする。
Further, the multilayer circuit board according to the present invention is a multilayer circuit board formed by laminating a plurality of circuit boards having conductor circuits on one or both sides of a hard insulating base material via an adhesive and collectively forming them by hot pressing. Solder bumps are provided on the surface of the outermost conductor layer that constitutes one of the build-up wiring layers formed on the front and back surfaces of the core substrate, and the outermost conductor that constitutes the other of the build-up wiring layers is provided. A conductive pin or conductive ball is provided on the surface of the conductive layer.

【0017】このような構成によれば、ビルドアップ配
線層内にビアホールが高密度に設けられ、こうして高密
度化されたビアホールのうち、最も外側に位置する層間
樹脂絶縁層に形成した開口から露出する導体パッド上
に、導電性バンプや、導電性ピンまたは導電性ボールが
配設されるので、多層回路基板内のビルドアップ配線層
は、このような導電性バンプ、導電性ピンまたは導電性
ボールを介して、LSI等の半導体チップを含んだ電子
部品やマザーボードに最短の配線長で接続され、高密度
配線化および電子部品の高密度実装化が可能となる。
According to this structure, via holes are provided in the build-up wiring layer at a high density, and the via holes formed in the outermost interlayer resin insulating layer are exposed from the via holes having the high density. The conductive bumps, the conductive pins or the conductive balls are disposed on the conductive pads, and the build-up wiring layer in the multilayer circuit board includes the conductive bumps, the conductive pins or the conductive balls. Through this, it is connected to an electronic component including a semiconductor chip such as an LSI or a mother board with the shortest wiring length, and high-density wiring and high-density mounting of the electronic component become possible.

【0018】本発明において、多層コア基板を構成する
各回路基板は、従来のような半硬化状態のプリプレグで
はなく、完全に硬化した硬質の樹脂材料から形成された
絶縁性樹脂基材から形成されるのが望ましい。
In the present invention, each of the circuit boards constituting the multilayer core board is not formed of a semi-cured prepreg as in the prior art, but is formed of an insulating resin base material formed of a completely cured hard resin material. Is desirable.

【0019】このような絶縁性基材としては、ガラス布
エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミドトリアジン
樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテル樹脂基材、
アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラミド不織布−
ポリイミド樹脂基材から選ばれるリジッド(硬質)な積
層基材が使用され、ガラス布エポキシ樹脂基材が最も望
ましい。
Such insulating base materials include glass cloth epoxy resin base material, glass cloth bismaleimide triazine resin base material, glass cloth polyphenylene ether resin base material,
Aramid non-woven fabric-epoxy resin substrate, aramid non-woven fabric-
A rigid (hard) laminated substrate selected from polyimide resin substrates is used, and a glass cloth epoxy resin substrate is most desirable.

【0020】上記絶縁性基材上に導体回路を形成する場
合には、絶縁性基材上に銅箔を加熱プレスによって圧着
させる工程において、プレス圧による絶縁性基材の最終
的な厚みの変動がなくなるので、ビアホールの位置ずれ
が最小限度に抑えられ、ビアランド径を小さくでき、そ
の結果、配線ピッチを小さくして配線密度を向上させる
ことができる。
In the case where a conductor circuit is formed on the insulating base material, in the step of pressing a copper foil on the insulating base material by hot pressing, the final thickness variation of the insulating base material due to the pressing pressure Therefore, the positional deviation of the via hole can be suppressed to the minimum, the via land diameter can be reduced, and as a result, the wiring pitch can be reduced and the wiring density can be improved.

【0021】また、硬化された樹脂基材を絶縁性基材と
して用いるので、基材の厚みを実質的に一定に保つこと
ができ、ひいてはビアホール形成用開口を形成する際の
レーザ加工条件の設定が容易となる。
Further, since the cured resin base material is used as the insulating base material, the thickness of the base material can be kept substantially constant, and the setting of the laser processing conditions when forming the opening for forming a via hole can be achieved. Becomes easier.

【0022】上記絶縁性基材の厚さは、20〜600μ
mが望ましい。その理由は、絶縁性を確保するためであ
る。20μm未満の厚さでは強度が低下して取扱が難し
くなるとともに、電気的絶縁性に対する信頼性が低くな
るからであり、600μmを超えると微細なビアホール
形成用開口が難くなると共に、基板そのものが厚くなる
ためである。
The thickness of the insulating substrate is 20 to 600 μm.
m is desirable. The reason is to ensure insulation. If the thickness is less than 20 μm, the strength is reduced and handling becomes difficult, and the reliability with respect to electrical insulation is reduced. If the thickness is more than 600 μm, a fine via hole forming opening becomes difficult, and the substrate itself becomes thick. It is because it becomes.

【0023】また、上記範囲の厚さを有するガラスエポ
キシ基板上に形成されるビアホール形成用開口は、パル
スエネルギーが0.5〜100mJ、パルス幅が1〜1
00μs、パルス間隔が0.5ms以上、ショット数が3
〜50の条件で照射される炭酸ガスレーザによって形成
されることが好ましく、その開口径は、50〜250μ
mの範囲であることが望ましい。その理由は、50μm
未満では開口に導電性物質を充填し難くなると共に、接
続信頼性が低くなるからであり、250μmを超える
と、高密度化が困難になるからである。
The opening for forming a via hole formed on a glass epoxy substrate having a thickness in the above range has a pulse energy of 0.5 to 100 mJ and a pulse width of 1 to 1 m.
00μs, pulse interval 0.5ms or more, shot number 3
It is preferably formed by a carbon dioxide laser irradiated under the conditions of 50 to 50, and the opening diameter is 50 to 250 μm.
m is desirable. The reason is 50 μm
If it is less than 250 μm, it is difficult to fill the opening with a conductive substance, and the connection reliability is low. If it exceeds 250 μm, it is difficult to increase the density.

【0024】このような炭酸ガスレーザによる開口形成
の前に、絶縁性基材の導体回路形成面と反対側の面に樹
脂フィルムを粘着させ、あるいは必要に応じて、半硬化
状態の樹脂接着剤層を介して樹脂フィルムを粘着させ、
その樹脂フィルム上からレーザ照射を行うのが望まし
い。前者の方法は、片面に予め銅箔が貼り付けてある絶
縁性基材に銅箔と反対側からレーザ照射を行なって非貫
通孔を設け、その非貫通孔内に銅箔をめっきリードとし
て電解めっき層を充填した後、エッチング処理すること
によって片面回路基板を製作する場合、あるいは片面銅
張積層板をエッチング処理して導体回路を予め形成した
絶縁性基材にレーザ照射により非貫通孔を設け、その非
貫通孔内に銅箔をめっきリードとして電解めっき層を充
填することによって片面回路基板を製作する場合に採用
され、後者は、絶縁性基材に予めレーザ照射により貫通
孔を設け、その貫通孔を導電性ペーストで充填した後
に、絶縁性基材の両面に銅箔を貼り付け、エッチング処
理することによって両面回路基板を製作する場合に採用
される。この樹脂接着剤は、銅箔を絶縁性基材の表面に
接着するためのものであり、たとえば、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂から形成され、その厚みは10〜50
μmの範囲が好ましい。
Before the opening is formed by the carbon dioxide gas laser, a resin film is adhered to the surface of the insulating substrate opposite to the surface on which the conductive circuit is formed, or if necessary, a resin adhesive layer in a semi-cured state. Stick the resin film through
It is desirable to perform laser irradiation from above the resin film. In the former method, a non-through hole is formed by irradiating a laser from the opposite side to the copper foil on an insulating base material on which copper foil is pasted on one side in advance, and the copper foil is used as a plating lead in the non-through hole. When a single-sided circuit board is manufactured by etching after filling the plating layer, or a single-sided copper-clad laminate is etched to form a non-through hole by laser irradiation on an insulative base material with a conductor circuit formed in advance. It is adopted when a single-sided circuit board is manufactured by filling an electrolytic plating layer with a copper foil as a plating lead in the non-through hole, and the latter is provided with a through hole in advance by laser irradiation on an insulating base material. This method is used when a double-sided circuit board is manufactured by filling a through hole with a conductive paste, attaching copper foil to both surfaces of an insulating base material, and performing an etching process. This resin adhesive is for bonding a copper foil to the surface of an insulating substrate, and is formed of, for example, a bisphenol A type epoxy resin and has a thickness of 10 to 50.
The range of μm is preferred.

【0025】上記絶縁性基材上にあるいはその絶縁性基
材上に形成した樹脂接着剤層の上に貼付けられた樹脂フ
ィルムは、ビアホール形成用の開口内に電解めっきを充
填してビアホールを形成する際の保護フィルムとして、
あるいは開口内に導電性ペーストを充填してビアホール
と突起状導体を形成する際の、あるいは電解めっき層の
上に導電性ペーストを充填して電解めっき層の直上に突
起状導体(バンプ)を形成する際の印刷用マスクとして
機能し、導電性物質の充填後は、絶縁性基材あるいは接
着剤層から剥離されるような粘着剤層を有する。この樹
脂フィルムは、たとえば、粘着剤層の厚みが1〜20μ
mであり、フィルム自体の厚みが10〜50μmである
PETフィルムから形成されるのが好ましい。
The resin film adhered on the insulating base material or on the resin adhesive layer formed on the insulating base material forms a via hole by filling an electrolytic plating in a via hole forming opening. As a protective film when doing
Alternatively, a conductive paste is filled in the opening to form a via hole and a projecting conductor, or a conductive paste is filled on the electrolytic plating layer to form a projecting conductor (bump) immediately above the electrolytic plating layer. It has a pressure-sensitive adhesive layer that functions as a printing mask when performing the process, and that is separated from the insulating base material or the adhesive layer after filling with the conductive substance. This resin film has, for example, a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 1 to 20 μm.
m and the thickness of the film itself is preferably from 10 to 50 μm.

【0026】その理由は、PETフィルムの厚さに依存
して後述する突起状導体の高さが決まるので、10μm
未満の厚さでは突起状導体が低すぎて接続不良になりや
すく、逆に50μmを超えた厚さでは、接続界面で突起
状導体が拡がりすぎるので、ファインパターンの形成が
できないからである。
The reason is that the height of a projecting conductor described later is determined depending on the thickness of the PET film.
If the thickness is less than this, the protruding conductor is too low, and connection failure tends to occur. Conversely, if the thickness exceeds 50 μm, the protruding conductor spreads too much at the connection interface, so that a fine pattern cannot be formed.

【0027】上記絶縁性基材に形成した開口内部に充填
される導電性物質としては、電解めっき処理によって形
成される金属めっきや導電性ペーストが好ましい。上記
導電性ペーストは、工程をシンプルにして、製造コスト
を低減させ、歩留まりを向上させる点では好ましいが、
接続信頼性の点から金属めっきがより好ましい。上記導
電性ペーストとしては、銀、銅、金、ニッケル、半田か
ら選ばれる少なくとも1種以上の金属粒子からなる導電
性ペーストを使用できる。
As the conductive substance to be filled in the opening formed in the insulating substrate, metal plating or conductive paste formed by electrolytic plating is preferable. The conductive paste is preferable in that the process is simplified, the production cost is reduced, and the yield is improved.
Metal plating is more preferable from the viewpoint of connection reliability. As the conductive paste, a conductive paste composed of at least one or more metal particles selected from silver, copper, gold, nickel and solder can be used.

【0028】上記金属粒子としては、金属粒子の表面に
異種金属をコーティングしたものも使用できる。具体的
には銅粒子の表面に金、銀から選ばれる貴金属を被覆し
た金属粒子を使用することができる。このような導電性
ペーストとしては、金属粒子に、エポキシ樹脂、フェノ
ール樹脂などの熱硬化性樹脂と、ポリフェニレンスルフ
イド(PPS)などの熱可塑性樹脂とを加えた有機系導
電性ペーストが望ましい。
As the above-mentioned metal particles, those obtained by coating the surface of metal particles with a dissimilar metal can also be used. Specifically, metal particles in which the surface of copper particles is coated with a noble metal selected from gold and silver can be used. As such a conductive paste, an organic conductive paste obtained by adding a thermosetting resin such as an epoxy resin or a phenol resin to a metal particle and a thermoplastic resin such as polyphenylene sulfide (PPS) is desirable.

【0029】絶縁性基材の片面または両面に形成される
導体回路は、厚さが5〜18μmの銅箔を半硬化状態に
保持された樹脂接着剤層を介して熱プレスした後、適切
なエッチング処理をすることによって形成されるのが好
ましい。このような熱プレスは、適切な温度および加圧
力のもとで行なわれる。より好ましくは、減圧下におい
て行なわれ、半硬化状態の樹脂接着剤層のみを硬化する
ことによって、銅箔を絶縁性基材に対してしっかりと接
着され得るので、従来のプリプレグを用いた回路基板に
比べて製造時間が短縮される。
The conductor circuit formed on one or both sides of the insulating base material is formed by hot pressing a copper foil having a thickness of 5 to 18 μm through a resin adhesive layer held in a semi-cured state, It is preferably formed by performing an etching process. Such hot pressing is performed under appropriate temperature and pressure. More preferably, it is performed under reduced pressure, and by curing only the resin adhesive layer in a semi-cured state, the copper foil can be firmly adhered to the insulating base material. The manufacturing time is shortened as compared with the case of FIG.

【0030】このような導体回路が絶縁性基材の両面に
形成されるような回路基板は、多層コア基板のコアとし
て適切であるが、各ビアホールに対応した基板表面に
は、導体回路の一部としてのビアランド(パッド)が、そ
の口径が50〜250μmの範囲に形成されるのが好ま
しい。
A circuit board in which such a conductive circuit is formed on both sides of an insulating substrate is suitable as a core of a multilayer core board. It is preferable that the via land (pad) as a part is formed in a range of 50 to 250 μm in diameter.

【0031】また、導体回路が絶縁性基材の片面に形成
されるような回路基板は、それらの複数枚を順次重ね合
わせて多層化基板とすることができるだけでなく、両面
回路基板をコアとし、その両側に積層される積層用回路
基板として適切であり、ビアホールに充填された導電性
物質の位置の真上に突起状導体が形成されることが好ま
しい。
A circuit board in which a conductive circuit is formed on one side of an insulating base material can be formed not only as a multilayer board by laminating a plurality of these boards sequentially, but also as a core using a double-sided circuit board as a core. It is suitable as a circuit board for lamination to be laminated on both sides thereof, and it is preferable that a projecting conductor is formed just above the position of the conductive material filled in the via hole.

【0032】上記突起状導体は、導電性ペーストや低融
点金属から形成されることが好ましく、各回路基板を積
層して、一括して加熱プレスする工程において、導電性
ペーストあるいは低融点金属が熱変形するので、前記ビ
アホール内に充填される導電性物質の高さのばらつきを
吸収することができ、それ故に、接続不良を防止して接
続信頼性に優れた多層コア基板を得ることができる。ま
た、このような突起状導体は、ビアホール内に充填され
る導電性ペーストと同一の材料で、しかも同一の充填工
程によって形成されることもできる。
The projecting conductor is preferably formed of a conductive paste or a low-melting metal. In the step of laminating the circuit boards and hot-pressing them collectively, the conductive paste or the low-melting metal is heated. Due to the deformation, the variation in height of the conductive material filled in the via hole can be absorbed, and therefore, a connection failure can be prevented and a multilayer core substrate excellent in connection reliability can be obtained. Further, such a protruding conductor can be formed of the same material as the conductive paste filled in the via hole, and can be formed by the same filling step.

【0033】さらに、多層コア基板上に形成するビルド
アップ配線層を、後述するような樹脂の塗布および硬化
によって形成する場合には、多層コア基板表面に設けた
導体回路の表面には、粗化層が形成されていることが有
利である。その理由は、多層コア基板上に積層されるビ
ルドアップ配線層内の層間樹脂絶縁層やビアホールとの
密着性を改善することができるからである。とくに、導
体回路の側面に粗化層が形成されていると、その導体回
路側面と層間樹脂絶縁層との密着不足によってこれらの
界面を起点として層間樹脂絶縁層に向けて発生するクラ
ックを抑制することができる。
Further, when the build-up wiring layer formed on the multilayer core substrate is formed by applying and curing a resin as described later, the surface of the conductor circuit provided on the surface of the multilayer core substrate is roughened. Advantageously, a layer is formed. The reason is that it is possible to improve the adhesion to the interlayer resin insulating layer and the via hole in the build-up wiring layer laminated on the multilayer core substrate. In particular, when a roughened layer is formed on the side surface of the conductor circuit, cracks generated toward the interlayer resin insulation layer from these interfaces due to insufficient adhesion between the side surface of the conductor circuit and the interlayer resin insulation layer are suppressed. be able to.

【0034】一方、ビルドアップ配線層を、後述するよ
うな樹脂フィルムの積層および加熱加圧による硬化によ
って形成する場合には、粗化層の形成は必ずしも必要で
ない。
On the other hand, when the build-up wiring layer is formed by laminating a resin film and curing by heating and pressing as described later, the formation of a roughened layer is not always necessary.

【0035】このような導体回路の表面に形成される粗
化層の厚さは、 0.1〜10μmがよい。この理由
は、厚すぎると層間ショートの原因となり、薄すぎると
被着体との密着力が低くなるからである。この粗化層と
しては、有機酸と第二銅錯体の混合水溶液で処理して形
成したもの、あるいは銅−ニッケル−リン針状合金のめ
っき処理にて形成したものがよい。
The thickness of the roughened layer formed on the surface of such a conductor circuit is preferably 0.1 to 10 μm. The reason for this is that if it is too thick, it causes interlayer short-circuit, and if it is too thin, the adhesion to the adherend decreases. The roughened layer may be formed by treating with a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex, or may be formed by plating a copper-nickel-phosphorus needle-like alloy.

【0036】これらの粗化処理のうち、有機酸−第二銅
錯体の混合水溶液を用いた処理では、スプレーやバブリ
ングなどの酸素共存条件下で次のように作用し、導体回
路である銅などの金属箔を溶解させる。 Cu+Cu(II)A →2Cu(I)An/2 2Cu(I)An/2 +n/4O +nAH (エ
アレーション)→2Cu(II)A +n/2HO Aは錯化剤(キレート剤として作用)、nは配位数であ
る。
Among these roughening treatments, the treatment using a mixed aqueous solution of an organic acid and a cupric complex works as follows under the coexistence condition of oxygen such as spraying and bubbling, and the conductor circuit such as copper is used. Dissolve the metal foil. Cu + Cu (II) A n → 2Cu (I) A n / 2 2Cu (I) A n / 2 + n / 4O 2 + nAH ( aeration) → 2Cu (II) A n + n / 2H 2 O A complexing agent (chelate N) is the coordination number.

【0037】この処理で用いられる第二銅錯体は、アゾ
ール類の第二銅錯体がよい。このアゾール類の第二銅錯
体は、金属銅などを酸化するための酸化剤として作用す
る。アゾール類としては、ジアゾール、トリアゾール、
テトラゾールがよい。なかでもイミダゾール、2−メチ
ルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−エチル
−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾー
ル、2−ウンデシルイミダゾールなどがよい。このアゾ
ール類の第二銅錯体の含有量は、1〜15重量%がよ
い。この範囲内にあれば、溶解性および安定性に優れる
からである。
The cupric complex used in this treatment is preferably an azole cupric complex. The cupric complex of azoles acts as an oxidizing agent for oxidizing metallic copper and the like. As the azoles, diazole, triazole,
Tetrazole is preferred. Among them, imidazole, 2-methylimidazole, 2-ethylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 2-phenylimidazole, 2-undecylimidazole and the like are preferable. The content of the cupric complex of azoles is preferably 1 to 15% by weight. This is because, when it is in this range, solubility and stability are excellent.

【0038】また、有機酸は、酸化銅を溶解させるため
に配合させるものである。具体例としては、ギ酸、酢
酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、アクリ
ル酸、クロトン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グ
ルタル酸、マレイン酸、安息香酸、グリコール酸、乳
酸、リンゴ酸、スルファミン酸から選ばれるいずれか少
なくとも1種がよい。この有機酸の含有量は、0.1〜
30重量%がよい。酸化された銅の溶解性を維持し、か
つ溶解安定性を確保するためである。なお、発生した第
一銅錯体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅
錯体となって、再び銅の酸化に寄与する。また、有機酸
に加えて、ホウフッ酸、塩酸、硫酸などの無機酸を添加
してもよい。
The organic acid is added to dissolve copper oxide. Specific examples include formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, caproic acid, acrylic acid, crotonic acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, maleic acid, benzoic acid, glycolic acid, lactic acid, apple At least one selected from acids and sulfamic acids is preferred. The content of this organic acid is 0.1 to
30% by weight is good. This is for maintaining the solubility of the oxidized copper and ensuring the solubility stability. The generated cuprous complex dissolves under the action of an acid and combines with oxygen to form a cupric complex, which again contributes to copper oxidation. Further, in addition to the organic acid, an inorganic acid such as borofluoric acid, hydrochloric acid, and sulfuric acid may be added.

【0039】この有機酸−第二銅錯体からなるエッチン
グ液には、銅の溶解やアゾール類の酸化作用を補助する
ために、ハロゲンイオン、例えば、フッ素イオン、塩素
イオン、臭素イオンなどを加えてもよい。このハロゲン
イオンは、塩酸、塩化ナトリウムなどを添加して供給で
きる。ハロゲンイオン量は、0.01〜20重量%がよ
い。この範囲内にあれば、形成された粗化層は層間樹脂
絶縁層との密着性に優れるからである。この有機酸−第
二銅錯体からなるエッチング液は、アゾール類の第二銅
錯体および有機酸(必要に応じてハロゲンイオン)を、
水に溶解して調製する。
To the etching solution comprising the organic acid-cupric complex, a halogen ion, for example, a fluorine ion, a chlorine ion, a bromine ion or the like is added to assist in dissolving copper and oxidizing azoles. Is also good. The halogen ions can be supplied by adding hydrochloric acid, sodium chloride, or the like. The amount of halogen ions is preferably 0.01 to 20% by weight. This is because if it is within this range, the formed roughened layer has excellent adhesion to the interlayer resin insulating layer. The etching solution composed of the organic acid-cupric complex contains a copper complex of azoles and an organic acid (halogen ion as required),
Prepare by dissolving in water.

【0040】また、銅−ニッケル−リンからなる針状合
金のめっき処理では、硫酸銅1〜40g/l、硫酸ニッ
ケル 0.1〜6.0 g/l、クエン酸10〜20g/l、
次亜リン酸塩10〜100 g/l、ホウ酸10〜40
g/l、界面活性剤001〜10g/lからなる液組成
のめっき浴を用いることが望ましい。
In the plating of a needle-shaped alloy comprising copper-nickel-phosphorus, copper sulfate 1-40 g / l, nickel sulfate 0.1-6.0 g / l, citric acid 10-20 g / l,
Hypophosphite 10 to 100 g / l, boric acid 10 to 40
It is desirable to use a plating bath having a liquid composition of g / l and a surfactant of 001 to 10 g / l.

【0041】本発明においては、多層コア基板は、上記
片面回路基板の複数枚を積層して、それらを一括して加
熱加圧することによって形成されるが、その多層コア基
板上に形成されるビルドアップ配線層を構成する層間樹
脂絶縁層は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、あるいは熱
硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体を用いることができ
る。
In the present invention, the multi-layer core substrate is formed by laminating a plurality of the single-sided circuit boards and heating and pressing them all at once. As the interlayer resin insulating layer constituting the up wiring layer, a thermosetting resin, a thermoplastic resin, or a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin can be used.

【0042】熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ポ
リイミド樹脂、フェノール樹脂、熱硬化性ポリフェニレ
ンエーテル(PPE)などが使用できる。熱可塑性樹脂
としては、フェノキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレ
ン(PTFE)等のフッ素樹脂、ポリエチレンテレフタ
レート(PET)、ポリスルフォン(PSF)、ポリフ
ェニレンスルフィド(PPS)、熱可塑型ポリフェニレ
ンエーテル(PPE)、ポリエーテルスルフォン(PE
S)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリフェニレン
スルフォン(PPES)、4フッ化エチレン6フッ化プ
ロピレン共重合体(FEP)、4フッ化エチレンパーフ
ロロアルコキシ共重合体(PFA)、ポリエチレンナフ
タレート(PEN)、ポリエーテルエーテルケトン(P
EEK)、ポリオレフィン系樹脂などが使用できる。熱
硬化性樹脂と熱可塑性樹脂の複合体としては、エポキシ
樹脂−PES、エポキシ樹脂−PSF、エポキシ樹脂−
PPS、エポキシ樹脂−PPES、エポキシ樹脂−フェ
ノキシ樹脂、フェノール樹脂−フェノキシ樹脂などが使
用できる。
As the thermosetting resin, epoxy resin, polyimide resin, phenol resin, thermosetting polyphenylene ether (PPE) and the like can be used. Examples of the thermoplastic resin include a phenoxy resin, a fluororesin such as polytetrafluoroethylene (PTFE), polyethylene terephthalate (PET), polysulfone (PSF), polyphenylene sulfide (PPS), thermoplastic polyphenylene ether (PPE), and polyether. Sulfone (PE
S), polyetherimide (PEI), polyphenylene sulfone (PPES), tetrafluoroethylene hexafluoropropylene copolymer (FEP), tetrafluoroethylene perfluoroalkoxy copolymer (PFA), polyethylene naphthalate (PEN) ), Polyetheretherketone (P
EEK), polyolefin-based resins and the like can be used. As a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin, epoxy resin-PES, epoxy resin-PSF, epoxy resin-
PPS, epoxy resin-PPES, epoxy resin-phenoxy resin, phenol resin-phenoxy resin and the like can be used.

【0043】また本発明において、ビルドアップ配線層
を構成する層間樹脂絶縁層は、ポリオレフィン系樹脂等
の所望枚数の樹脂フィルムを積層し、加熱プレスした
後、熱硬化させて一体化させて形成することができる。
ポリオレフィン系樹脂層の厚さは、5〜200μmの範
囲が望ましい。その理由は、5μm未満では層間絶縁の
確保が難しく、200μmを超えるとレーザ加工による
開口を形成し難くなるからである。
In the present invention, the interlayer resin insulating layer constituting the build-up wiring layer is formed by laminating a desired number of resin films such as a polyolefin resin, heating and pressing, and then thermosetting to integrate. be able to.
The thickness of the polyolefin-based resin layer is desirably in the range of 5 to 200 μm. The reason is that if it is less than 5 μm, it is difficult to secure interlayer insulation, and if it exceeds 200 μm, it becomes difficult to form an opening by laser processing.

【0044】また本発明において、ビルドアップ配線層
を構成する層間樹脂絶縁層としては、無電解めっき用接
着剤を用いることができる。この無電解めっき用接着剤
としては、硬化処理された酸あるいは酸化剤に可溶性の
耐熱性樹脂粒子が、硬化処理によって酸あるいは酸化剤
に難溶性となる未硬化の耐熱性樹脂中に分散されてなる
ものが最適である。この理由は、酸や酸化剤で処理する
ことにより、耐熱性樹脂粒子が溶解除去されて、表面に
蛸つぼ状のアンカーからなる粗化面が形成できるからで
ある。粗化面の深さは、0.1〜20μmがよい。密着
性を確保するためである。また、セミアディティブプロ
セスにおいては、 0.1〜5μmがよい。密着性を確
保しつつ、無電解めっき膜を除去できる範囲だからであ
る。
In the present invention, an adhesive for electroless plating can be used as the interlayer resin insulating layer constituting the build-up wiring layer. As the adhesive for electroless plating, heat-resistant resin particles that are soluble in a cured acid or oxidizing agent are dispersed in an uncured heat-resistant resin that becomes hardly soluble in an acid or an oxidizing agent by the curing treatment. Is best. The reason for this is that by treating with an acid or an oxidizing agent, the heat-resistant resin particles are dissolved and removed, and a roughened surface composed of an octopus pot-shaped anchor can be formed on the surface. The depth of the roughened surface is preferably 0.1 to 20 μm. This is to ensure adhesion. In the semi-additive process, the thickness is preferably 0.1 to 5 μm. This is because the electroless plating film can be removed while ensuring adhesion.

【0045】上記無電解めっき用接着剤において、特に
硬化処理された前記耐熱性樹脂粒子としては、平均粒
径が10μm以下の耐熱性樹脂粉末、平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末を凝集させた凝集粒子、平均
粒径が2〜10μmの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が2μ
m以下の耐熱性樹脂粉末との混合物、平均粒径が2〜
10μmの耐熱性樹脂粉末の表面に平均粒径が2μm以
下の耐熱性樹脂粉末または無機粉末のいずれか少なくと
も1種を付着させてなる疑似粒子、平均粒径が0.1
〜0.8μmの耐熱性樹脂粉末と平均粒径が 0.8μ
mを超え2μm未満の耐熱性樹脂粉末との混合物、平
均粒径が0.1〜10 μmの耐熱性樹脂粉末、から選
ばれるいずれか少なくとも1種を用いることが望まし
い。また上記樹脂粒子の代わりに金属粒子や無機粒子を
用いてもよく、さらにそれらの複数種類を適宜混合して
用いてもよい。より複雑なアンカーを形成できるからで
ある。上記無電解めっき用接着剤で使用される耐熱性樹
脂は、前述の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹
脂と熱可塑性樹脂の複合体を使用できる。
In the above-mentioned adhesive for electroless plating, the heat-resistant resin particles particularly subjected to the curing treatment include a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 10 μm or less, and an average particle diameter of 2 μm.
agglomerated particles obtained by aggregating a heat-resistant resin powder having a particle diameter of 2 m or less, and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 2 to 10 μm and an average particle diameter of 2 μm
m and a mixture with a heat-resistant resin powder having a mean particle size of 2 or less.
Pseudo particles obtained by adhering at least one of a heat-resistant resin powder or an inorganic powder having an average particle diameter of 2 μm or less to the surface of a 10 μm heat-resistant resin powder, and an average particle diameter of 0.1 μm.
~ 0.8μm heat resistant resin powder and average particle size 0.8μ
It is desirable to use at least one selected from a mixture with a heat-resistant resin powder having a particle size exceeding m and less than 2 μm and a heat-resistant resin powder having an average particle diameter of 0.1 to 10 μm. Further, metal particles or inorganic particles may be used in place of the above resin particles, and a plurality of types thereof may be appropriately mixed and used. This is because a more complicated anchor can be formed. As the heat-resistant resin used in the adhesive for electroless plating, the aforementioned thermosetting resin, thermoplastic resin, or a composite of the thermosetting resin and the thermoplastic resin can be used.

【0046】本発明において、多層コア基板上に形成さ
れた導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電
気的接続は、層間樹脂絶縁層内に形成したビアホールで
接続することができる。この場合、ビアホールは、めっ
き膜や充填材で充填してもよい。
In the present invention, the electrical connection between the conductor circuit formed on the multilayer core substrate and the conductor circuit in the build-up wiring layer can be made by a via hole formed in the interlayer resin insulation layer. In this case, the via hole may be filled with a plating film or a filler.

【0047】以下、本発明の多層回路基板を製造する一
例について、添付図面を参照にして具体的に説明する。
なお、以下に述べる方法において、多層コア基板上への
ビルドアップ配線層の形成は、セミアディティブ法によ
って行うが、フルアディティブ法やマルチラミネーショ
ン法、ピンラミネーション法を採用することもできる。
Hereinafter, an example of manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention will be specifically described with reference to the accompanying drawings.
In the method described below, the build-up wiring layer is formed on the multilayer core substrate by a semi-additive method, but a full-additive method, a multi-lamination method, or a pin lamination method can also be adopted.

【0048】(A) 多層コア基板の形成 (1)本発明にかかる多層回路基板を製造するに当たっ
て、ベースとなる多層コア基板を構成する回路基板は、
絶縁性基材10の片面に銅箔12が貼付けられたものを
出発材料として用いる。この絶縁性基材10は、たとえ
ば、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビスマレイミ
ドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニレンエーテ
ル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ樹脂基材、アラ
ミド不織布−ポリイミド樹脂基材から選ばれる硬質な積
層基材が使用され得るが、ガラス布エポキシ樹脂基材が
最も好ましい。
(A) Formation of Multilayer Core Board (1) In manufacturing a multilayer circuit board according to the present invention, a circuit board constituting a multilayer core board as a base includes:
A material in which a copper foil 12 is adhered to one surface of an insulating substrate 10 is used as a starting material. The insulating base material 10 is, for example, a glass cloth epoxy resin base material, a glass cloth bismaleimide triazine resin base material, a glass cloth polyphenylene ether resin base material, an aramid nonwoven fabric-epoxy resin base material, an aramid nonwoven fabric-polyimide resin base material. A rigid laminated substrate of choice may be used, but glass cloth epoxy resin substrates are most preferred.

【0049】上記絶縁性基材10の厚さは、20〜60
0μmが望ましい。その理由は、20μm未満の厚さで
は、強度が低下して取扱が難しくなるとともに、電気的
絶縁性に対する信頼性が低くなり、600μmを超える
厚さでは微細なビアホールの形成および導電性ペースト
の充填が難しくなるとともに、基板そのものが厚くなる
ためである。
The thickness of the insulating substrate 10 is 20 to 60.
0 μm is desirable. The reason for this is that if the thickness is less than 20 μm, the strength is reduced and handling becomes difficult, and the reliability with respect to electrical insulation is reduced. If the thickness exceeds 600 μm, fine via holes are formed and the conductive paste is filled. And the thickness of the substrate itself is increased.

【0050】また銅箔12の厚さは、5〜18μmが望
ましい。その理由は、後述するようなレーザ加工を用い
て、絶縁性基材にビアホール形成用の開口(非貫通孔)
を形成する際に、薄すぎると貫通してしまうからであ
り、逆に厚すぎるとエッチングにより、微細な線幅の導
体回路パターンを形成し難いからである。
The thickness of the copper foil 12 is preferably 5 to 18 μm. The reason for this is that the opening (non-through hole) for forming a via hole is formed in the insulating base material by using laser processing as described below.
This is because, when forming, a conductor circuit pattern having a fine line width is difficult to be formed by etching if the thickness is too small.

【0051】上記絶縁性基材10および銅箔12として
は、特に、エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてB
ステージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プ
レスすることにより得られる片面銅張積層板を用いるこ
とが好ましい。その理由は、銅箔12が後述するように
エッチングされた後の取扱中に、配線パターンやビアホ
ールの位置がずれることがなく、位置精度に優れるから
である。
As the insulating base material 10 and the copper foil 12, in particular, epoxy resin is impregnated in
It is preferable to use a single-sided copper-clad laminate obtained by laminating a prepreg as a stage and a copper foil and pressing the laminate under heat. The reason is that the positions of the wiring patterns and the via holes do not shift during handling after the copper foil 12 is etched as described later, and the positional accuracy is excellent.

【0052】(2)まず、両面に導体回路が形成された回
路基板を製造する場合には、このような絶縁性基材10
の銅箔12が貼付けられた表面と反対側の表面に、保護
フィルム14を貼付ける(図1(a)参照)。
(2) First, when manufacturing a circuit board having conductor circuits formed on both surfaces, such an insulating substrate 10
A protective film 14 is attached to the surface opposite to the surface to which the copper foil 12 is attached (see FIG. 1A).

【0053】この保護フィルム14は、後述する突起状
導体を形成する導電性ペーストの印刷用マスクとして使
用され、たとえば、表面に粘着層を設けたポリエチレン
テレフタレート(PET)フィルムが使用され得る。前
記PETフィルム14は、粘着剤層の厚みが1〜20μ
m、フィルム自体の厚みが10〜50μmであるような
ものが使用される。
The protective film 14 is used as a mask for printing a conductive paste for forming a projecting conductor described later. For example, a polyethylene terephthalate (PET) film having an adhesive layer on the surface can be used. The PET film 14 has a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 1 to 20 μm.
m, a film having a thickness of 10 to 50 μm is used.

【0054】(3)ついで、絶縁性基材10上に貼付けら
れたPETフィルム14上から炭酸ガスレーザ照射を行
って、PETフィルム14を貫通して、絶縁性基材10
の表面から銅箔12に達する開口16を形成する(図1
(b)参照)。このレーザ加工は、パルス発振型炭酸ガス
レーザ加工装置によって行われ、その加工条件は、、パ
ルスエネルギーが0.5〜100mJ、パルス幅が1〜
100μs、パルス間隔が0.5ms以上、ショット数
が3〜50の範囲内であることが望ましい。このような
加工条件のもとで形成され得るビア口径は、50〜25
0μmであることが望ましい。
(3) Then, a carbon dioxide laser is irradiated from above the PET film 14 attached to the insulating base material 10 to penetrate the PET film 14 and
An opening 16 reaching the copper foil 12 from the surface of FIG.
(b)). This laser processing is performed by a pulse oscillation type carbon dioxide laser processing apparatus, and the processing conditions are as follows: pulse energy is 0.5 to 100 mJ, and pulse width is 1 to 1.
It is desirable that the pulse width is 100 μs, the pulse interval is 0.5 ms or more, and the number of shots is in the range of 3 to 50. The via diameter that can be formed under such processing conditions is 50 to 25.
Desirably, it is 0 μm.

【0055】(4)前記(3)の工程で形成された開口16の
側面および底面に残留する樹脂残滓を除去するために、
デスミア処理を行う。このデスミア処理は、酸素プラズ
マ放電処理、コロナ放電処理、紫外線レーザ処理または
エキシマレーザ処理等によって行われる。特に、開口内
に紫外線レーザまたはエキシマレーザを照射することに
よってデスミア処理するのが、接続信頼性の確保の観点
から望ましい。
(4) In order to remove resin residues remaining on the side and bottom surfaces of the opening 16 formed in the step (3),
Perform desmear processing. This desmear treatment is performed by oxygen plasma discharge treatment, corona discharge treatment, ultraviolet laser treatment, excimer laser treatment, or the like. In particular, desmearing by irradiating the opening with an ultraviolet laser or an excimer laser is desirable from the viewpoint of ensuring connection reliability.

【0056】このデスミア処理を、たとえば、YAG第
3高調波を用いた紫外線レーザ照射によって行う場合の
レーザ照射条件は、発信周波数が3〜15KHz、パル
スエネルギーが0.1〜5mJ、ショット数が10〜3
0の範囲が望ましい。
When the desmear treatment is performed by, for example, ultraviolet laser irradiation using the third harmonic of YAG, the laser irradiation conditions are: a transmission frequency of 3 to 15 KHz, a pulse energy of 0.1 to 5 mJ, and a shot number of 10 ~ 3
A range of 0 is desirable.

【0057】(5)次に、デスミア処理された基板に対し
て、以下のような条件で銅箔12をめっきリードとする
電解銅めっき処理を施して、開口16内に電解銅めっき
18を充填して、充填ビアホール20を形成する(図1
(c)参照)。このめっき処理により、開口16の上部
には後述するような導電性ペースト22を充填できる程
度のわずかの隙間を残して電解銅めっき18が充填され
る。 〔電解銅めっき水溶液〕 硫酸銅・5水和物 : 65g/l レベリング剤(アトテック製、HL): 20ml/l 硫酸 : 220g/l 光沢剤(アトテック製、UV) : 0.5ml/l 塩素イオン : 40ppm 〔電解めっき条件〕 バブリング : 3.0リットル/分 電流密度 : 0.5A/dm 設定電流値 : 0.18 A めっき時間 : 130分
(5) Next, for the desmeared substrate
The copper foil 12 is used as a plating lead under the following conditions.
Applying electrolytic copper plating, electrolytic copper plating in the opening 16
18 to form a filled via hole 20 (FIG. 1).
(C)). By this plating process, the upper part of the opening 16 is formed.
Is filled with a conductive paste 22 as described below.
Is filled with electrolytic copper plating 18 leaving a slight gap
You. [Aqueous electrolytic copper plating solution] Copper sulfate pentahydrate: 65 g / l Leveling agent (manufactured by Atotech, HL): 20 ml / l Sulfuric acid: 220 g / l Brightener (manufactured by Atotech, UV): 0.5 ml / l chloride ion : 40 ppm [Electroplating conditions] Bubbling: 3.0 L / min Current density: 0.5 A / dm2  Set current value: 0.18 A Plating time: 130 minutes

【0058】(6)上記(5)にて電解銅めっき20が充填さ
れなかった開口18上部のわずかな隙間あるいは凹みに
対して、保護フィルム14を印刷用マスクとして導電性
ペースト22を充填した後、絶縁性基材10の表面から
保護フィルム14の厚みに相当する分だけ突出した導体
部分24(以下、「突起状導体」という)を形成する
(図1(d)参照)。
(6) After filling the conductive paste 22 with the protective film 14 as a printing mask, fill a slight gap or dent above the opening 18 where the electrolytic copper plating 20 was not filled in the above (5). Then, a conductor portion 24 (hereinafter, referred to as a “projecting conductor”) protruding from the surface of the insulating substrate 10 by an amount corresponding to the thickness of the protective film 14 is formed (see FIG. 1D).

【0059】(7)次いで、保護フィルム14を剥離させ
た後、突起状導体24を含んだ絶縁性基材10の表面に
接着剤層26を形成する(図1(e)参照)。この接着
剤26は半硬化状態、すなわちBステージ接着剤であ
り、導体回路パターンが形成されるべき銅箔を接着する
ためのものであり、たとえば、エポキシ樹脂ワニスが使
用され、その層厚は10〜50μmの範囲が好ましい。
(7) Next, after the protective film 14 is peeled off, an adhesive layer 26 is formed on the surface of the insulating substrate 10 including the protruding conductor 24 (see FIG. 1E). The adhesive 26 is in a semi-cured state, that is, a B-stage adhesive, for bonding a copper foil on which a conductive circuit pattern is to be formed. For example, an epoxy resin varnish is used. It is preferably in the range of 50 μm.

【0060】(8)上記(7)の工程で接着剤層26を設けた
絶縁性基材10の表面に、銅箔28を加熱プレスによっ
て圧着して、接着剤層26を硬化させる(図1(f)参
照)。その際、銅箔28は硬化した接着剤層26を介し
て絶縁性基材10に接着され、突起状導体24と銅箔2
8とが電気的に接続される。この銅箔28の厚さは、5
〜18μmが望ましい。
(8) A copper foil 28 is pressed on the surface of the insulating base material 10 provided with the adhesive layer 26 in the step (7) by a hot press to cure the adhesive layer 26 (FIG. 1). (f)). At this time, the copper foil 28 is bonded to the insulating base material 10 via the cured adhesive layer 26, and the projecting conductor 24 and the copper foil 2
8 are electrically connected. The thickness of the copper foil 28 is 5
1818 μm is desirable.

【0061】(9)次いで、絶縁性基材10の両面に貼付
けられた銅箔12および28上に、それぞれエッチング
保護フィルムを貼付けて、所定の回路パターンのマスク
で披覆した後、エッチング処理を行って、導体回路30
および32(ビアランドを含む)を形成する(図1(g)
参照)。
(9) Next, an etching protection film is stuck on each of the copper foils 12 and 28 stuck on both sides of the insulating base material 10, and after being covered with a mask having a predetermined circuit pattern, the etching process is performed. Go to the conductor circuit 30
And 32 (including via lands) (FIG. 1 (g)
reference).

【0062】この処理工程においては、先ず、銅箔12
および28の表面に感光性ドライフィルムレジストを貼
付した後、所定の回路パターンに沿って露光、現像処理
してエッチングレジストを形成し、エッチングレジスト
非形成部分の金属層をエッチングして、ビアランドを含
んだ導体回路パターン30および32を形成する。エッ
チング液としては、硫酸一過酸化水素、過硫酸塩、塩化
第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選ばれる少なくとも1
種の水溶液が望ましい。
In this processing step, first, the copper foil 12
And after applying a photosensitive dry film resist on the surface of 28 and exposing and developing along a predetermined circuit pattern to form an etching resist, etching the metal layer of the etching resist non-formed portion, including via lands The conductor circuit patterns 30 and 32 are formed. As the etchant, at least one selected from aqueous solutions of sulfuric acid and hydrogen peroxide, persulfate, cupric chloride, and ferric chloride.
An aqueous solution of the seed is desirable.

【0063】上記銅箔12および28をエッチングして
導体回路30および32を形成する前処理として、ファ
インパターンを形成しやすくするため、あらかじめ、銅
箔の表面全面をエッチングして厚さを1〜10μm、よ
り好ましくは2〜8μm程度まで薄くすることができ
る。導体回路の一部としてのビアランドは、その内径が
ビアホール口径とほぼ同様であるが、その外径は、50
〜250μmの範囲に形成されることが好ましい。
As a pretreatment for forming the conductor circuits 30 and 32 by etching the copper foils 12 and 28, in order to easily form a fine pattern, the entire surface of the copper foil is previously etched to a thickness of 1 to The thickness can be reduced to 10 μm, more preferably to about 2 to 8 μm. The via land as a part of the conductor circuit has an inner diameter substantially similar to the via hole diameter, but has an outer diameter of 50.
It is preferable that the film is formed in a range of about 250 μm.

【0064】(10)次に、前記(8)の工程で形成した導体
回路30および32の表面を、必要に応じて粗化処理し
て(粗化層の表示は省略する)、両面回路基板34を形
成する。この粗化処理は、多層化する際に、接着剤層と
の密着性を改善し、剥離(デラミネーション)を防止す
るためである。粗化処理方法としては、例えば、ソフト
エッチング処理や、黒化(酸化)一還元処理、銅−ニッ
ケルーリンからなる針状合金めっき(荏原ユージライト
製:商品名インタープレート)の形成、メック社製の商
品名「メックエッチボンド」なるエッチング液による表
面粗化がある。
(10) Next, the surfaces of the conductor circuits 30 and 32 formed in the step (8) are subjected to a roughening treatment as necessary (the indication of the roughened layer is omitted), and the double-sided circuit board is omitted. 34 are formed. This roughening treatment is for improving adhesion to the adhesive layer and preventing peeling (delamination) when forming a multilayer. Roughening methods include, for example, soft etching, blackening (oxidation) and one-reduction treatment, formation of a copper-nickel-phosphorus needle-like alloy plating (manufactured by Ebara Uzilite; trade name: Interplate), manufactured by MEC Corporation. Surface roughening by an etching solution called "Mech etch bond".

【0065】この実施形態においては、上記粗化層の形
成は、エッチング液を用いて形成されるのが好ましく、
たとえば、導体回路の表面を第二銅錯体と有機酸の混合
水溶液からエッチング液を用いてエッチング処理するこ
とによって形成することができる。かかるエッチング液
は、スプレーやバブリングなどの酸素共存条件下で、銅
導体回路パターンを溶解させることができ、反応は、次
のように進行するものと推定される。 Cu+Cu(II)A →2Cu(I)An/2 2Cu(I)An/2 +n/4O +nAH (エ
アレーション)→2Cu(II)A +n/2HO 式中、Aは錯化剤(キレート剤として作用)、nは配位
数を示す。
In this embodiment, the roughened layer is preferably formed by using an etching solution.
For example, it can be formed by etching the surface of a conductor circuit from a mixed aqueous solution of a cupric complex and an organic acid using an etchant. Such an etchant can dissolve the copper conductor circuit pattern under oxygen-existing conditions such as spraying and bubbling, and the reaction is presumed to proceed as follows. Cu + Cu (II) A n → 2Cu (I) An / 2 2Cu (I) An / 2 + n / 4O 2 + nAH (aeration) → 2Cu (II) A n + n / 2H 2 O In the formula, A is a complex. Agent (acting as a chelating agent), n represents the coordination number.

【0066】上式に示されるように、発生した第一銅錯
体は、酸の作用で溶解し、酸素と結合して第二銅錯体と
なって、再び銅の酸化に寄与する。本発明において使用
される第二銅錯体は、アゾール類の第二銅錯体がよい。
この有機酸−第二銅錯体からなるエッチング液は、アゾ
ール類の第二銅錯体および有機酸(必要に応じてハロゲ
ンイオン)を、水に溶解して調製することができる。こ
のようなエッチング液は、たとえば、イミダゾール銅
(II)錯体 10重量部、グリコール酸 7重量部、塩
化カリウム 5重量部を混合した水溶液から形成され
る。本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多層化
基板を構成する両面回路基板は、上記(1)〜(10)の工程
にしたがって製造される。
As shown in the above formula, the generated cuprous complex dissolves under the action of an acid and combines with oxygen to form a cupric complex, which again contributes to copper oxidation. The cupric complex used in the present invention is preferably a cupric complex of azoles.
The etching solution comprising the organic acid-cupric complex can be prepared by dissolving a cupric complex of an azole and an organic acid (halogen ion as required) in water. Such an etchant is, for example, imidazole copper
(II) It is formed from an aqueous solution in which 10 parts by weight of a complex, 7 parts by weight of glycolic acid, and 5 parts by weight of potassium chloride are mixed. The double-sided circuit board constituting the multilayered board which is the base of the multilayer circuit board according to the present invention is manufactured according to the above-mentioned steps (1) to (10).

【0067】(11)次に、このような両面回路基板の表面
および裏面に対してそれぞれ積層される片面回路基板を
製造する。まず、上記両面回路基板34を製造する工程
(1)〜(6)にしたがった処理を行い、絶縁性基材10の片
面に貼り付けられた銅箔12と反対側の面から、レーザ
照射によって非貫通孔を設け、その非貫通孔に電解銅め
っき層18を充填してビアホール20を形成した後、ビ
アホール上部のわずかな隙間に導電性ペースト22を充
填して突起状導体44を形成する(図2(a)〜図2
(d)参照)。
(11) Next, a single-sided circuit board to be laminated on the front and back surfaces of such a double-sided circuit board is manufactured. First, a process of manufacturing the double-sided circuit board 34
(1) to (6), a non-through hole is provided by laser irradiation from the surface opposite to the copper foil 12 attached to one surface of the insulating base material 10, and the non-through hole is formed in the non-through hole. After the via hole 20 is formed by filling the electrolytic copper plating layer 18, the conductive paste 22 is filled in a slight gap above the via hole to form the projecting conductor 44 (FIGS. 2A to 2).
(D)).

【0068】このような突起状導体44の絶縁性基材1
0の表面からの突出高さは、保護フィルム14の厚みに
ほぼ等しく、5〜30μmの範囲が望ましい。その理由
は、5μm未満では、接続不良を招きやすく、30μm
を越えると抵抗値が高くなると共に、加熱プレス工程に
おいて突起状導体44が熱変形した際に、絶縁性基板の
表面に沿って拡がりすぎるので、ファインパターンが形
成できなくなるからである。また、上記突起状導体44
は、プレキュアされることが望ましい。その理由は、突
起状導体44は半硬化状態でも硬く、積層プレスの段階
で接着剤層が軟化する前に、積層される他の回路基板の
導体回路(導体パッド)と電気的接触が可能となるから
である。このような突起状導体44は、加熱プレス時に
変形して接触面積が増大するので、導通抵抗を低くする
ことができ、さらに突起状導体44の高さのばらつきが
是正される。
The insulating substrate 1 of such a projecting conductor 44
The protruding height from the surface 0 is almost equal to the thickness of the protective film 14, and is preferably in the range of 5 to 30 μm. The reason for this is that if it is less than 5 μm, poor connection is likely to occur, and 30 μm
If the ratio exceeds, the resistance value increases, and when the protruding conductor 44 is thermally deformed in the hot pressing step, it spreads too much along the surface of the insulating substrate, so that a fine pattern cannot be formed. Further, the protrusion-like conductor 44
Is preferably pre-cured. The reason is that the protruding conductor 44 is hard even in a semi-cured state, and is capable of making electrical contact with a conductor circuit (conductor pad) of another circuit board to be laminated before the adhesive layer is softened at the stage of lamination pressing. Because it becomes. Such a projecting conductor 44 is deformed at the time of hot pressing to increase the contact area, so that the conduction resistance can be reduced and the variation in the height of the projecting conductor 44 is corrected.

【0069】(12)次いで、レーザ照射によって開口した
保護フィルム14を覆って、エッチング保護フィルム2
5を貼付けた後、所定の回路パターンのマスクで披覆し
た後、エッチング処理を行って、導体回路40(ビアラ
ンドを含む)を形成する(図2(e)参照)。この処理工
程においては、先ず、銅箔12の表面に感光性ドライフ
ィルムレジストを貼付した後、所定の回路パターンに沿
って露光、現像処理してエッチングレジストを形成し、
エッチングレジスト非形成部分の金属層をエッチングし
て、ビアランドを含んだ導体回路パターン40を形成す
る。
(12) Next, the protection film 14 opened by the laser irradiation is covered with the etching protection film 2.
After sticking No. 5, after covering with a mask of a predetermined circuit pattern, an etching process is performed to form a conductor circuit 40 (including a via land) (see FIG. 2E). In this processing step, first, a photosensitive dry film resist is attached to the surface of the copper foil 12, and then exposed and developed according to a predetermined circuit pattern to form an etching resist.
The metal layer in the portion where the etching resist is not formed is etched to form the conductor circuit pattern 40 including the via land.

【0070】エッチング液としては、硫酸一過酸化水
素、過硫酸塩、塩化第二銅、塩化第二鉄の水溶液から選
ばれる少なくとも1種の水溶液が望ましい。上記銅箔1
2をエッチングして導体回路40を形成する前処理とし
て、ファインパターンを形成しやすくするため、あらか
じめ、銅箔の表面全面をエッチングして厚さを1〜10
μm、より好ましくは2〜8μm程度まで薄くすること
ができる。
As the etchant, at least one aqueous solution selected from aqueous solutions of sulfuric acid and hydrogen peroxide, persulfate, cupric chloride and ferric chloride is desirable. The above copper foil 1
As a pretreatment for forming the conductor circuit 40 by etching the copper foil 2, in order to easily form a fine pattern, the entire surface of the copper foil is etched in advance to reduce the thickness to 1 to 10 mm.
μm, more preferably about 2 to 8 μm.

【0071】(13)絶縁性基材10の片面に導体回路40
を形成した後、保護フィルム14およびエッチング保護
フィルム25を剥離させて、突起状導体44を露出させ
ると、片面回路基板50を得ることができ、さらに絶縁
性基材10の表面から露出する突起状導体44を覆って
接着剤層46を形成する(図2(f)参照)。このよう
な樹脂接着剤は、絶縁性基材10の突起状導体44を含
んだ表面全体だけではなく、突起状導体24を含まない
ような表面に塗布することもでき、乾燥化された状態の
未硬化樹脂からなる接着剤層46として形成される。前
記接着剤層46は、取扱が容易になるため、プレキュア
しておくことが好ましく、その厚さは、5〜50μmの
範囲が望ましい。
(13) Conductor circuit 40 is provided on one side of insulating base material 10.
Is formed, the protective film 14 and the etching protective film 25 are peeled off to expose the protruding conductors 44, whereby the single-sided circuit board 50 can be obtained, and the protruding portions exposed from the surface of the insulating base material 10 can be obtained. An adhesive layer 46 is formed to cover the conductor 44 (see FIG. 2F). Such a resin adhesive can be applied not only to the entire surface of the insulating base material 10 including the protruding conductors 44 but also to a surface not including the protruding conductors 24, and the resin adhesive in a dried state can be used. It is formed as an adhesive layer 46 made of an uncured resin. The adhesive layer 46 is preferably precured for easy handling, and its thickness is preferably in the range of 5 to 50 μm.

【0072】また前記接着剤層46は、有機系接着剤か
らなることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキ
シ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリフェノレンエー
テル(PPE)、エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂との複合
樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン掛脂との複合樹脂、B
Tレジンから選ばれる少なくとも1種の樹脂であること
が望ましい。有機系接着剤である未硬化樹脂の塗布方法
は、カーテンコータ、スピンコータ、ロールコータ、ス
プレーコート、スクリーン印刷などを使用できる。ま
た、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミネートする
ことによってもできる。
The adhesive layer 46 is preferably made of an organic adhesive. Examples of the organic adhesive include an epoxy resin, a polyimide resin, a thermosetting polyphenolene ether (PPE), and an epoxy resin and a thermoplastic resin. Composite resin with epoxy resin and silicone resin, B
Desirably, the resin is at least one resin selected from T resins. As a method of applying the uncured resin which is an organic adhesive, a curtain coater, a spin coater, a roll coater, a spray coat, a screen printing, or the like can be used. Further, the formation of the adhesive layer can also be performed by laminating an adhesive sheet.

【0073】上記工程(11)〜(13)にしたがって形成され
た片面回路基板50は、絶縁性基材10の一方の表面に
導体回路40を有し、他方の表面には充填ビアホール2
0の直上において導電性ペーストの一部が露出して形成
される突起状導体44を有し、さらに突起状導体44を
含んだ絶縁性基材10の表面に接着剤層46を有して形
成され、それらの複数枚が相互に積層接着されたり、予
め製造された両面回路基板34に積層接着されて、多層
化基板が形成されるが、樹脂接着剤46はこのような積
層段階で使用されることが好ましい。
The single-sided circuit board 50 formed according to the above steps (11) to (13) has the conductor circuit 40 on one surface of the insulating base material 10 and the filled via hole 2 on the other surface.
0 has a protruding conductor 44 formed by exposing a part of the conductive paste, and further has an adhesive layer 46 on the surface of the insulating substrate 10 including the protruding conductor 44. The multi-layer substrate is formed by laminating and adhering a plurality of these to each other or by laminating to a double-sided circuit board 34 manufactured in advance, and the resin adhesive 46 is used in such a laminating step. Preferably.

【0074】(B)積層用回路基板の多層化 上記(1)の処理工程にしたがって製造された両面回路
基板34の両面に、図3に示すように、3枚の片面回路
基板50、52および54が積層されてなる4層基板
が、加熱温度150〜200℃、加圧力1M〜4MPa
の条件のもとで、1度のプレス成形により一体化され多
層化基板60が形成される(図4参照)。上記のような
条件のもとで、加圧と同時に加熱することで、各片面回
路基板の接着剤層46が硬化し、隣接する片面回路基板
との間で強固な接着が行われる。なお、加熱プレスとし
ては、真空熱プレスを用いることが好適である。上述し
た実施の形態では、1層の両面回路基板と3層の片面回
路基板とを用いて4層に多層化したが、5層あるいは6
層を超える多層化にも適用できる。
(B) Multilayering of Laminating Circuit Boards As shown in FIG. 3, three single-sided circuit boards 50 and 52 are provided on both sides of the double-sided circuit board 34 manufactured according to the processing step (1). The four-layer substrate formed by laminating 54 has a heating temperature of 150 to 200 ° C. and a pressure of 1 M to 4 MPa
Under the conditions (1) and (2), the multi-layer substrate 60 is integrated by a single press molding (see FIG. 4). Under the above-described conditions, the adhesive layer 46 of each single-sided circuit board is cured by heating at the same time as pressurizing, and strong bonding is performed between adjacent single-sided circuit boards. It is preferable to use a vacuum heat press as the heating press. In the above-described embodiment, a single-layer double-sided circuit board and a three-layer single-sided circuit board are used to form a multilayer of four layers.
It can also be applied to multi-layering exceeding layers.

【0075】(C)ビルドアップ配線層の形成 上記(1)および(2)の工程によって形成された多層コア
基板60の両面にビルドアップ配線層を形成する。図5
においては、多層コア基板60を構成する両面および片
面回路基板の図示は、簡単化の目的ですべて省略する
(図5(a)参照)。
(C) Formation of Build-up Wiring Layer Build-up wiring layers are formed on both surfaces of the multilayer core substrate 60 formed by the steps (1) and (2). FIG.
In FIG. 5, all of the double-sided and single-sided circuit boards constituting the multilayer core board 60 are omitted for the purpose of simplification (see FIG. 5A).

【0076】(1) まず、多層コア基板60表面の導体
回路52の表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層6
2を形成する(図5(b)参照)。この粗化層62は、
無電解めっきにより形成される。この無電解めっき水溶
液の液組成は、銅イオン濃度、ニッケルイオン濃度、次
亜リン酸イオン濃度が、それぞれ2.2×10−2
4.1×10−2 mol/l、 2.2×10−3
4.1×10−3 mol/l、0.20〜0.25m
ol/lであることが望ましい。この範囲で析出する被
膜の結晶構造は針状構造になるため、アンカー効果に優
れるからである。この無電解めっき水溶液には上記化合
物に加えて錯化剤や添加剤を加えてもよい。粗化層の形
成方法としては、前述したように、銅−ニッケル−リン
針状合金めっきによる処理、酸化−還元処理、銅表面を
粒界に沿ってエッチングする処理にて粗化面を形成する
方法などがある。
(1) First, a roughened layer 6 made of copper-nickel-phosphorus is formed on the surface of the conductor circuit 52 on the surface of the multilayer core substrate 60.
2 is formed (see FIG. 5B). This roughened layer 62
It is formed by electroless plating. The liquid composition of the electroless plating aqueous solution has a copper ion concentration, a nickel ion concentration and a hypophosphite ion concentration of 2.2 × 10 −2 to 2.2 × 10 −2 , respectively.
4.1 × 10 −2 mol / l, 2.2 × 10 −3 to
4.1 × 10 −3 mol / l, 0.20 to 0.25 m
ol / l is desirable. This is because the crystalline structure of the film deposited in this range has a needle-like structure, and thus has an excellent anchor effect. A complexing agent or an additive may be added to the electroless plating aqueous solution in addition to the above compounds. As a method of forming the roughened layer, as described above, a roughened surface is formed by a treatment using copper-nickel-phosphorus needle-like alloy plating, an oxidation-reduction treatment, and a treatment for etching the copper surface along grain boundaries. There are methods.

【0077】(2) 次に、前記(1)で作製した粗化層を有
する多層コア基板60の上に、層間樹脂絶縁層64を形
成する(図5(c))。特に本発明では、後述するビア
ホール70を形成する層間樹脂絶縁材として、熱硬化性
樹脂と熱可塑性樹脂の複合体を樹脂マトリックスとした
無電解めっき用接着剤を用いることが望ましい。
(2) Next, an interlayer resin insulating layer 64 is formed on the multilayer core substrate 60 having the roughened layer prepared in the above (1) (FIG. 5C). In particular, in the present invention, it is desirable to use an adhesive for electroless plating using a composite of a thermosetting resin and a thermoplastic resin as a resin matrix as an interlayer resin insulating material for forming a via hole 70 described later.

【0078】(3) 前記(2)で形成した無電解めっき用接
着剤層を乾燥した後、ビアホール形成用の開口部65を
設ける(図5(d))。感光性樹脂の場合は、露光,現
像してから熱硬化することにより、また、熱硬化性樹脂
の場合は、熱硬化したのちレーザー加工することによ
り、前記接着剤層64にビアホール形成用の開口部65
を設ける。
(3) After the adhesive layer for electroless plating formed in the above (2) is dried, an opening 65 for forming a via hole is provided (FIG. 5D). In the case of a photosensitive resin, exposure and development are performed followed by thermosetting, and in the case of a thermosetting resin, thermosetting and then laser processing are performed to form an opening for forming a via hole in the adhesive layer 64. Part 65
Is provided.

【0079】(4) 次に、硬化した前記接着剤層64の表
面に存在するエポキシ樹脂粒子を酸あるいは酸化剤によ
って分解または溶解して除去し、接着剤層表面に粗化処
理を施して粗化面66とする(第5図(e))。ここ
で、上記酸としては、リン酸、塩酸、硫酸、あるいは蟻
酸や酢酸などの有機酸があるが、特に有機酸を用いるこ
とが望ましい。粗化処理した場合に、ビアホールから露
出する金属導体層を腐食させ難いからである。一方、上
記酸化剤としては、クロム酸、過マンガン酸塩(過マン
ガン酸カリウムなど)を用いることが望ましい。
(4) Next, the epoxy resin particles present on the surface of the cured adhesive layer 64 are removed by decomposition or dissolution with an acid or an oxidizing agent, and the surface of the adhesive layer is subjected to a roughening treatment so as to be roughened. The surface 66 is shown in FIG. 5 (e). Here, examples of the acid include phosphoric acid, hydrochloric acid, sulfuric acid, and organic acids such as formic acid and acetic acid, and it is particularly preferable to use an organic acid. This is because it is difficult to corrode the metal conductor layer exposed from the via hole when the roughening treatment is performed. On the other hand, it is desirable to use chromic acid and permanganate (such as potassium permanganate) as the oxidizing agent.

【0080】(5) 次に、接着剤層64表面の粗化面66
に触媒核を付与する。触媒核の付与には、貴金属イオン
や貴金属コロイドなどを用いることが望ましく、一般的
には、塩化パラジウムやパラジウムコロイドを使用す
る。なお、触媒核を固定するために加熱処理を行うこと
が望ましい。このような触媒核としてはパラジウムがよ
い。
(5) Next, the roughened surface 66 of the surface of the adhesive layer 64
To a catalyst core. It is desirable to use a noble metal ion or a noble metal colloid for providing the catalyst nucleus, and generally, palladium chloride or a palladium colloid is used. Note that it is desirable to perform a heat treatment to fix the catalyst core. Palladium is preferred as such a catalyst core.

【0081】(6) さらに、(無電解めっき用)接着剤層
64の表面に無電解めっきを施し、粗化面全域に追従す
るように、無電解めっき膜67を形成する(図5
(f))。このとき、無電解めっき膜67の厚みは、
0.1〜5μmの範囲が好ましく、より望ましくは
0.5〜3μmとする。次に、無電解めっき膜67上に
めっきレジスト68を形成する(図6(a))。めっきレ
ジスト組成物としては、特にクレゾールノボラック型エ
ポキシ樹脂やフェノールノボラック型エポキシ樹脂のア
クリレートとイミダゾール硬化剤からなる組成物を用い
ることが望ましいが、他に市販品のドライフィルムを使
用することもできる。
(6) Further, the surface of the adhesive layer 64 (for electroless plating) is subjected to electroless plating, and an electroless plating film 67 is formed so as to follow the entire roughened surface (FIG. 5).
(F)). At this time, the thickness of the electroless plating film 67 is
The range is preferably from 0.1 to 5 μm, more preferably
0.5 to 3 μm. Next, a plating resist 68 is formed on the electroless plating film 67 (FIG. 6A). As the plating resist composition, it is particularly desirable to use a composition comprising an acrylate of a cresol novolak type epoxy resin or an acrylate of a phenol novolak type epoxy resin and an imidazole curing agent. Alternatively, a commercially available dry film may be used.

【0082】(7)さらに、無電解めっき膜67上のめっ
きレジスト非形成部に電解めっきを施して、上層導体回
路72を形成すべき導体層を設けると共に開口65内部
に電解めっき膜69を充填してビアホール70を形成す
る(図6(b))。この時、開口5の外側に露出する電
解めっき膜9の厚みは、5〜30μmが望ましい。ここ
で、上記電解めっきとしては、銅めっきを用いることが
望ましい。
(7) Further, a portion where the plating resist is not formed on the electroless plating film 67 is subjected to electrolytic plating to provide a conductor layer on which the upper conductor circuit 72 is to be formed, and to fill the inside of the opening 65 with the electrolytic plating film 69. Then, a via hole 70 is formed (FIG. 6B). At this time, the thickness of the electrolytic plating film 9 exposed outside the opening 5 is preferably 5 to 30 μm. Here, it is desirable to use copper plating as the electrolytic plating.

【0083】(8)さらに、めっきレジスト68を除去し
た後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、
過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレジス
ト下の無電解めっき膜を溶解除去して、独立した上層導
体回路72と充填ビアホール70とする。
(8) Further, after removing the plating resist 68, a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide, sodium persulfate,
The electroless plating film under the plating resist is dissolved and removed with an etching solution such as ammonium persulfate to form an independent upper conductor circuit 72 and a filled via hole 70.

【0084】(9) 次に、上層導体回路72の表面に粗化
層74を形成する。粗化層74の形成方法としては、エ
ッチング処理、研磨処理、酸化還元処理、めっき処理が
ある。これらの処理のうち、酸化還元処理は、NaOH
(20g/l)、NaClO 2(50g/l)、NaP
(15.0g/l)を酸化浴(黒化浴)とし、Na
OH(2.7g/l)、NaBH(1.0g/l)を
還元浴とする。また、銅−ニッケル−リン合金層からな
る粗化層は、無電解めっき処理による析出により形成さ
れる。
(9) Next, the surface of the upper conductor circuit 72 is roughened.
A layer 74 is formed. As a method for forming the roughened layer 74,
Etching, polishing, oxidation-reduction and plating
is there. Of these treatments, the oxidation-reduction treatment is NaOH
(20 g / l), NaClO Two(50 g / l), NaP
O4(15.0 g / l) as an oxidation bath (blackening bath)
OH (2.7 g / l), NaBH4(1.0 g / l)
Use as a reducing bath. In addition, the copper-nickel-phosphorus alloy layer
Roughened layer is formed by deposition by electroless plating.
It is.

【0085】この合金の無電解めっき液としては、硫酸
銅1〜40g/l、硫酸ニッケル0.1 〜6.0g/
l、クエン酸10〜20g/l、次亜リン酸塩10〜1
00g/l、ホウ酸10〜40g/l、界面活性剤0.
01〜10g/lからなる液組成のめっき浴を用いるこ
とが望ましい。さらに、この粗化層74の表面をイオン
化傾向が銅より大きくチタン以下である金属もしくは貴
金属の層にて被覆する。スズの場合は、ホウフッ化スズ
−チオ尿素、塩化スズ−チオ尿素液を使用する。このと
き、Cu−Snの置換反応により0.1〜2μm程度の
Sn層が形成される。貴金属の場合は、スパッタや蒸着
などの方法が採用できる。
The electroless plating solution for this alloy was prepared as follows: copper sulfate 1 to 40 g / l, nickel sulfate 0.1 to 6.0 g / l
l, citric acid 10-20 g / l, hypophosphite 10-1
00g / l, boric acid 10-40g / l, surfactant 0.
It is desirable to use a plating bath having a liquid composition of from 01 to 10 g / l. Further, the surface of the roughened layer 74 is covered with a layer of a metal or a noble metal whose ionization tendency is greater than copper and equal to or less than titanium. In the case of tin, tin borofluoride-thiourea or tin chloride-thiourea liquid is used. At this time, an Sn layer having a thickness of about 0.1 to 2 μm is formed by the substitution reaction of Cu—Sn. In the case of a noble metal, a method such as sputtering or vapor deposition can be adopted.

【0086】(10) 次に、この基板上に層間樹脂絶縁層
として、無電解めっき用接着剤層76を形成する。 (11) さらに、前記工程(3)〜(9)を繰り返して、ビアホ
ール70の真上に他のビアホール80を設けると共に上
記上層導体回路72よりもさらに外側に上層導体回路8
2および粗化層84を設ける(図6(c)参照)。この
ビアホール80の表面は、はんだパッドとして機能する
導体パッドに形成される。
(10) Next, an adhesive layer 76 for electroless plating is formed on the substrate as an interlayer resin insulating layer. (11) Further, by repeating the above steps (3) to (9), another via hole 80 is provided directly above the via hole 70 and the upper conductor circuit 8 is further disposed outside the upper conductor circuit 72.
2 and a roughened layer 84 are provided (see FIG. 6C). The surface of the via hole 80 is formed as a conductor pad functioning as a solder pad.

【0087】(12) 次いで、こうして得られた配線基板
の外表面に、ソルダーレジスト組成物90を塗布し、そ
の塗膜を乾燥した後、この塗膜に、開口部を描画したフ
ォトマスクフィルムを載置して露光、現像処理すること
により、導体層のうちはんだパッド(導体パッド、ビア
ホールを含む)部分を露出させた開口91を形成する
(図7(a)参照)。ここで、露出する開口の口径は、
はんだパッドの径よりも大きくすることができ、はんだ
パッドを完全に露出させてもよい。また、逆に前記開口
の開口径は、はんだパッドの径よりも小さくすることが
でき、はんだパッドの縁周をソルダーレジスト層90で
被覆することができる。この場合、はんだパッドをソル
ダーレジスト層90で抑えることができ、はんだパッド
の剥離を防止できる。
(12) Next, a solder resist composition 90 is applied to the outer surface of the wiring substrate thus obtained, and the coating film is dried. Then, a photomask film having an opening drawn thereon is applied to the coating film. An opening 91 exposing a solder pad (including a conductor pad and a via hole) in the conductor layer is formed by mounting, exposing, and developing (see FIG. 7A). Here, the diameter of the exposed opening is
The diameter may be larger than the diameter of the solder pad, and the solder pad may be completely exposed. Conversely, the opening diameter of the opening can be smaller than the diameter of the solder pad, and the periphery of the solder pad can be covered with the solder resist layer 90. In this case, the solder pads can be suppressed by the solder resist layer 90, and peeling of the solder pads can be prevented.

【0088】(13) さらに、前記ソルダーレジスト層9
0の開口部91から露出した前記はんだパッド部上に
「ニッケル−金」からなる金属層を形成する。ニッケル
層92は1〜7μmが望ましく、金層は0.01〜0.
06μmがよい。この理由は、ニッケル層92は、厚す
ぎると抵抗値の増大を招き、薄すぎると剥離しやすいか
らである。一方金層94は、厚すぎるとコスト増にな
り、薄すぎるとはんだ体との密着効果が低下するからで
ある。
(13) Further, the solder resist layer 9
A metal layer made of “nickel-gold” is formed on the solder pad exposed from the opening 91 of the “0”. The thickness of the nickel layer 92 is preferably 1 to 7 μm, and the thickness of the gold layer is 0.01 to 0.1 μm.
06 μm is preferred. The reason for this is that if the nickel layer 92 is too thick, it causes an increase in the resistance value, and if it is too thin, it is easy to peel off. On the other hand, if the gold layer 94 is too thick, the cost increases, and if it is too thin, the effect of adhering to the solder body is reduced.

【0089】(14) さらに、多層コア基板の両面に形成
したビルドアップ配線層の最も外側に位置するソルダー
レジスト層の一方に形成した開口部91(上方に位置す
る開口部)から露出する前記はんだパッド部の金層94
上には、はんだ体を供給してはんだバンプ96を形成す
るとともに、ビルドアップ配線層の最も外側に位置する
ソルダーレジスト層の他方に形成した開口部91(下方
に位置する開口部)から露出するはんだパッド部の金層
94上にも、はんだ体を供給して、Tピン96又ははん
だボール100を形成することによって、多層回路基板
が製造される(図7(b)参照)。
(14) Further, the solder exposed from the opening 91 (opening located above) in one of the solder resist layers located on the outermost side of the build-up wiring layer formed on both sides of the multilayer core substrate. Gold layer 94 of pad part
On the upper side, a solder body is supplied to form a solder bump 96 and is exposed from an opening 91 (an opening located below) formed in the other of the solder resist layer located on the outermost side of the build-up wiring layer. A multi-layer circuit board is manufactured by supplying a solder body also on the gold layer 94 of the solder pad portion to form the T pin 96 or the solder ball 100 (see FIG. 7B).

【0090】はんだ体の供給方法としては、はんだ転写
法や印刷法を用いることができる。ここで、はんだ転写
法は、プリプレグにはんだ箔を貼合し、このはんだ箔を
開口部分に相当する箇所のみを残してエッチングするこ
とにより、はんだパターンを形成してはんだキャリアフ
ィルムとし、このはんだキャリアフィルムを、基板のソ
ルダーレジスト開口部分にフラックスを塗布した後、は
んだパターンがパッドに接触するように積層し、これを
加熱して転写する方法である。一方、印刷法は、パッド
に相当する箇所に貫通孔を設けた印刷マスク(メタルマ
スク) を基板に載置し、はんだペーストを印刷して加熱
処理する方法である。はんだとしては、スズ−銀、スズ
−インジウム、スズ−亜鉛、スズ−ビスマスなどが使用
できる。
As a method for supplying the solder body, a solder transfer method or a printing method can be used. Here, in the solder transfer method, a solder foil is bonded to a prepreg, and the solder foil is etched leaving only a portion corresponding to an opening, thereby forming a solder pattern to form a solder carrier film. This is a method of applying a flux to a solder resist opening portion of a substrate, laminating a film so that a solder pattern is in contact with a pad, and heating and transferring the film. On the other hand, the printing method is a method in which a printing mask (metal mask) having a through-hole provided in a portion corresponding to a pad is placed on a substrate, and a solder paste is printed and heat-treated. As the solder, tin-silver, tin-indium, tin-zinc, tin-bismuth and the like can be used.

【0091】なお、導電性バンプ62を形成するはんだ
体としては、融点が比較的に低いスズ/鉛はんだ(融点
183℃)やスズ/銀はんだ(融点220℃)を用い、
導電性ピン64や導電性ボール66を接続するはんだ体
としては、融点が230℃〜270℃と比較的融点の高
いスズ/アンチモンはんだ、スズ/銀はんだ、スズ/銀
/銅はんだを用いることが好ましい。
As a solder body for forming the conductive bumps 62, tin / lead solder (melting point: 183 ° C.) or tin / silver solder (melting point: 220 ° C.) having a relatively low melting point is used.
As a solder body for connecting the conductive pins 64 and the conductive balls 66, tin / antimony solder, tin / silver solder, tin / silver / copper solder having a relatively high melting point of 230 ° C. to 270 ° C. may be used. preferable.

【0092】[0092]

【実施例】(実施例1) (1)エポキシ樹脂をガラスクロスに含潰させてBステ
ージとしたプリプレグと、銅箔とを積層して加熱プレス
することにより得られる片面銅張積層板を基板として用
いて、両面回路基板を製作する。この絶縁性基材10の
厚さは75μm、銅箔12の厚さは、12μmであっ
た。この積層板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが
10μmの粘着剤層を有し、フィルム自体の厚みが12
μmのPETフィルム14をラミネートする。
EXAMPLES (Example 1) (1) A single-sided copper-clad laminate obtained by laminating a prepreg in which epoxy resin is impregnated in a glass cloth into a B stage and a copper foil and pressing the laminate with heat is used as a substrate. To manufacture a double-sided circuit board. The thickness of the insulating base material 10 was 75 μm, and the thickness of the copper foil 12 was 12 μm. On the surface of the laminate opposite to the surface on which the copper foil is formed, a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 μm is provided.
A μm PET film 14 is laminated.

【0093】(2)次いで、PETフィルム14上から
パルス発振型炭酸ガスレーザを照射して銅箔12に達す
るビアホール形成用の非貫通孔16を形成し、さらに銅
箔12をめっきリードとして電解銅めっき処理を施し
て、非貫通孔16上部にわずかの隙間を残してその非貫
通孔内部に電解銅めっき18を充填して、充填ビアホー
ル20を形成する。この実施例においては、ビアホール
形成用の非貫通孔の形成には、三菱電機製の高ピーク短
パルス発振型炭酸ガスレーザ加工機を使用し、全体とし
て厚さ22μmのPETフィルムを樹脂面にラミネート
した、基材厚75μmのガラス布エポキシ樹脂基材に、
マスクイメージ法でPETフィルム側からレーザビーム
照射して100穴/秒のスピードで、150μmφのビ
アホール形成用の開口を形成した。
(2) Next, a non-through hole 16 for forming a via hole reaching the copper foil 12 is formed by irradiating a pulse oscillation type carbon dioxide laser from above the PET film 14, and further, the copper foil 12 is used as a plating lead for electrolytic copper plating. By performing the treatment, the interior of the non-through hole is filled with electrolytic copper plating 18 leaving a slight gap above the non-through hole 16 to form a filled via hole 20. In this example, a non-through hole for forming a via hole was formed using a high peak short pulse oscillation type carbon dioxide laser processing machine manufactured by Mitsubishi Electric, and a 22 μm thick PET film was laminated on the resin surface as a whole. , A glass cloth epoxy resin base material with a base material thickness of 75 μm,
The mask film method was used to irradiate a laser beam from the PET film side to form an opening for forming a 150 μmφ via hole at a speed of 100 holes / second.

【0094】(3)PETフィルム14を印刷用マスク
として、レーザ照射により形成された開口から、充填ビ
アホール20の上部に残った隙間に導電性ペースト22
を充填した。
(3) Using the PET film 14 as a printing mask, the conductive paste 22 is passed from the opening formed by laser irradiation to the gap remaining above the filled via hole 20.
Was charged.

【0095】(4)PETフィルム14を絶縁性基材1
0の表面から剥離すると、絶縁性基材10のビアホール
20側の表面に、ビアホール20の真上に突起状導体2
4が形成される。さらに、エポキシ樹脂接着剤を突起状
導体側の全面に塗布し、100℃で30分間の乾燥を行
って厚さ20μmの接着剤層26を形成した後、厚さ1
2μmの銅箔28を、加熱温度180℃、加熱時間70
分、圧力2MPa、真空度2.5×10Paの条件の
もとで、接着剤層26上に加熱プレスする。
(4) Insulating PET film 14 with insulating substrate 1
0, on the surface of the insulating substrate 10 on the side of the via hole 20, the projecting conductor 2 just above the via hole 20.
4 are formed. Further, an epoxy resin adhesive is applied to the entire surface on the protruding conductor side, and dried at 100 ° C. for 30 minutes to form an adhesive layer 26 having a thickness of 20 μm.
A 2 μm copper foil 28 is heated at 180 ° C. for a heating time of 70
Then, under the conditions of a pressure of 2 MPa and a degree of vacuum of 2.5 × 10 3 Pa, hot pressing is performed on the adhesive layer 26.

【0096】(5)その後、基板両面の銅箔12および
28に適切なエッチング処理を施して、導体回路30お
よび32(ビアランドを含む)を形成して、コア用両面
回路基板34を作製した。
(5) Thereafter, the copper foils 12 and 28 on both sides of the substrate were subjected to an appropriate etching treatment to form conductor circuits 30 and 32 (including via lands), thereby producing a core double-sided circuit board 34.

【0097】(6)次に、積層用の片面回路基板を作製
する。この回路基板は両面回路基板と同様に、片面銅張
積層板を基板として用いる。絶縁性基材10の厚さは7
5μm、銅箔12の厚さは、12μmである。この積層
板の銅箔形成面と反対側の表面に、厚みが10μmの粘
着剤層を有し、フィルム自体の厚みが12μmのPET
フィルム14をラミネートする。
(6) Next, a single-sided circuit board for lamination is manufactured. This circuit board uses a single-sided copper-clad laminate as a substrate, like the double-sided circuit board. The thickness of the insulating substrate 10 is 7
5 μm, and the thickness of the copper foil 12 is 12 μm. On the surface of the laminate opposite to the surface on which the copper foil is formed, a PET film having a 10 μm-thick pressure-sensitive adhesive layer and a 12 μm-thick film itself is used.
The film 14 is laminated.

【0098】(7)ついで、上記(2)および(3)の
工程にしたがった処理を行って、充填ビアホール20の
わずかな隙間に導電性ペースト22を充填して、突起状
導体44を形成する。
(7) Next, the conductive paste 22 is filled in the small gaps between the filled via holes 20 by performing the processing according to the steps (2) and (3) to form the projecting conductors 44. .

【0099】(8)上記PETフィルム14を覆って、
エッチング保護フィルムとしての厚さ22μmのPET
フィルム25を貼付けた後、絶縁性基材10の充填ビア
ホール20と反対側の表面に貼付けた銅箔12に適切な
エッチング処理を施して、導体回路40を形成する。
(8) Covering the PET film 14,
22μm thick PET as etching protection film
After attaching the film 25, the copper foil 12 attached to the surface of the insulating substrate 10 opposite to the filling via hole 20 is subjected to an appropriate etching treatment to form the conductor circuit 40.

【0100】(9)その後、PETフィルム14および
25をすべて絶縁性基材10から剥離すると、絶縁性基
材10のビアホール20側の表面に、ビアホール20の
真上に突起状導体44が形成される。さらに、エポキシ
樹脂接着剤を突起状導体側の全面に塗布してプレキュア
して、多層化のための接着剤層46を形成する。このよ
うな積層用片面回路基板を3枚作製する。
(9) Thereafter, when the PET films 14 and 25 are all peeled off from the insulating base material 10, the projecting conductors 44 are formed on the surface of the insulating base material 10 on the via hole 20 side directly above the via holes 20. You. Further, an epoxy resin adhesive is applied to the entire surface of the projecting conductor side and precured to form an adhesive layer 46 for multilayering. Three such single-sided circuit boards for lamination are manufactured.

【0101】(10)上記(1)〜(9)の処理によっ
て形成された、1層の両面回路基板34をコアとして、
その両面に対して3層の片面回路基板50、52および
54を所定の位置にスタックし(図3参照)、真空熱プ
レスを用いて180℃の温度で積層プレスして全層がI
VH構造を有する多層コア基板60を作成した(図4参
照)。このように製造された多層コア基板60において
は、L/S=75μm/75μm、ランド径が250μ
m、ビアホール口径が150μm、導体層の厚みが12
μm、そして絶縁層の厚みが75μmであった。
(10) The single-layer double-sided circuit board 34 formed by the processes (1) to (9) is used as a core.
Three-layered single-sided circuit boards 50, 52 and 54 are stacked on predetermined positions on both sides thereof (see FIG. 3), and laminated and pressed at a temperature of 180 ° C. using a vacuum hot press so that all the layers are I-shaped.
A multilayer core substrate 60 having a VH structure was created (see FIG. 4). In the multilayer core substrate 60 manufactured as described above, L / S = 75 μm / 75 μm, and the land diameter is 250 μm.
m, via hole diameter is 150 μm, and conductor layer thickness is 12
μm, and the thickness of the insulating layer was 75 μm.

【0102】(11)次に、両面に導体回路40を形成
した多層コア基板60(図5(a) 参照)を、硫酸銅8g
/l、硫酸ニッケル0.6g、クエン酸15g/l、次
亜リン酸ナトリウム29g/l、ホウ酸31g/l、界
面活性剤 0.1g/lからなるpH=9の無電解めっ
き液に浸漬し、該導体回路40の表面に厚さ3μmの銅
−ニッケル−リンからなる粗化層62を形成した。次い
で、その基板を水洗いし、0.1mol/lホウふっ化
スズ−1.0mol/lチオ尿素液からなる無電解スズ
置換めっき浴に50℃で1時間浸漬し、前記粗化層63
の表面に 0.3μmのスズ層を設けた(図5(b) 参
照、但し、スズ層については図示しない)。
(11) Next, the multilayer core substrate 60 (see FIG. 5 (a)) having the conductor circuits 40 formed on both surfaces is replaced with 8 g of copper sulfate.
/ L, nickel sulfate 0.6g, citric acid 15g / l, sodium hypophosphite 29g / l, boric acid 31g / l, surfactant 0.1g / l, immersed in electroless plating solution of pH = 9 Then, a roughened layer 62 made of copper-nickel-phosphorus having a thickness of 3 μm was formed on the surface of the conductor circuit 40. Next, the substrate was washed with water and immersed in an electroless tin displacement plating bath composed of a 0.1 mol / l tin borofluoride-1.0 mol / l thiourea solution at 50 ° C. for 1 hour to prepare the roughened layer 63.
(See FIG. 5 (b), but the tin layer is not shown).

【0103】(12) 下記〜で得た組成物を混合撹
拌して、無電解めっき用接着剤を調製した。 クレゾールノボラック型エポキシ樹脂(日本化薬製、
分子量2500)の25%アクリル化物を35重量部(固形
分80%)、感光性モノマー(東亜合成製、アロニック
スM315 )4重量部、消泡剤(サンノプコ製、S−65)
0.5 重量部、NMP 3.6重量部を撹拌混合した。 ポリエーテルスルフォン(PES)8重量部、エポキ
シ樹脂粒子(三洋化成製、ポリマーポール)の平均粒径
0.5μmのものを 7.245重量部、を混合した
後、さらにNMP20重量部を添加し撹拌混合した。イ
ミダゾール硬化剤(四国化成製、2E4MZ-CN)2重量部、
光開始剤(チバガイギー製、イルガキュア I−907 )
2重量部、光増感剤(日本化薬製、DETX-S)0.2重量
部、NMP1.5重量部を撹拌混合した。
(12) The compositions obtained in (1) and (2) were mixed and stirred to prepare an adhesive for electroless plating. Cresol novolak epoxy resin (Nippon Kayaku,
35 parts by weight (solid content: 80%) of a 25% acrylate having a molecular weight of 2500), 4 parts by weight of a photosensitive monomer (Aronix M315, manufactured by Toa Gosei), an antifoaming agent (S-65, manufactured by San Nopco)
0.5 parts by weight and 3.6 parts by weight of NMP were mixed with stirring. After mixing 8 parts by weight of polyether sulfone (PES) and 7.245 parts by weight of an epoxy resin particle (manufactured by Sanyo Kasei Co., Ltd., polymer pole) having an average particle size of 0.5 μm, 20 parts by weight of NMP were further added and stirred. Mixed. 2 parts by weight of imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals)
Photoinitiator (Ciba Geigy, Irgacure I-907)
2 parts by weight, 0.2 parts by weight of a photosensitizer (DETX-S, manufactured by Nippon Kayaku) and 1.5 parts by weight of NMP were mixed with stirring.

【0104】(13) 前記(12)で調製した無電解め
っき用接着剤を上記(11)の処理を施した基板60に
塗布し(図5(c) 参照)、乾燥させて接着剤層を形成し
たその基板60の両面に、85μmφの黒円が印刷され
たフォトマスクフィルムを密着させ、超高圧水銀灯によ
り 500mJ/cmで露光した。これをDMDG
(ジエチレングリコールジメチルエーテル)溶液でスプ
レー現像することにより、接着剤層に85μmφのビア
ホールとなる開口65を形成した。さらに、当該基板を
超高圧水銀灯により3000mJ/cmで露光し、1
00 ℃で1時間、その後 150℃で5時間の加熱処理
をすることにより、フォトマスクフィルムに相当する寸
法精度に優れた開口を有する厚さ35μmの層間絶縁材
層64(接着剤層)を形成した(図5(d) 参照)。な
お、ビアホールとなる開口65には、スズめっき層を部
分的に露出させた。
(13) The adhesive for electroless plating prepared in the above (12) is applied to the substrate 60 treated in the above (11) (see FIG. 5 (c)), and dried to form an adhesive layer. A photomask film on which a black circle of 85 μmφ was printed was brought into close contact with both surfaces of the formed substrate 60, and was exposed at 500 mJ / cm 2 by an ultra-high pressure mercury lamp. This is DMDG
By performing spray development with a (diethylene glycol dimethyl ether) solution, an opening 65 serving as a 85 μmφ via hole was formed in the adhesive layer. Further, the substrate was exposed to 3000 mJ / cm 2 by an ultra-high pressure mercury lamp,
By performing a heat treatment at 00 ° C. for 1 hour and then at 150 ° C. for 5 hours, a 35 μm-thick interlayer insulating material layer 64 (adhesive layer) having openings with excellent dimensional accuracy corresponding to a photomask film is formed. (See FIG. 5D). The tin plating layer was partially exposed in the opening 65 serving as a via hole.

【0105】(14)ビアホール形成用開口65を形成し
た基板を、クロム酸に20分間浸漬し、接着剤層表面に
存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去して、当該接着剤
層64の表面をRmax=1〜5μm程度の深さで粗化して
粗化面66を形成し、その後、中和溶液(シプレイ社
製)に浸漬してから水洗した。
(14) The substrate on which the via hole forming openings 65 are formed is immersed in chromic acid for 20 minutes to dissolve and remove the epoxy resin particles present on the surface of the adhesive layer. The surface was roughened to a depth of about 1 to 5 μm to form a roughened surface 66, which was then immersed in a neutralizing solution (manufactured by Shipley), and then washed with water.

【0106】(15)接着剤層表面の粗化層66(粗化深
さ 3.5μm)に対し、パラジウム触媒(アトテック
製)を付与することにより、接着剤層64およびビアホ
ール形成用開口65の表面に触媒核を付与した。
(15) By applying a palladium catalyst (manufactured by Atotech) to the roughened layer 66 (roughened depth 3.5 μm) on the surface of the adhesive layer, the adhesive layer 64 and the opening 65 for forming a via hole are formed. Catalyst nuclei were provided on the surface.

【0107】(16)以下の組成の無電解銅めっき浴中に
基板を浸漬して、粗化面全体に厚さ0.6 μmの無電解銅
めっき膜67を形成した(図5(f)参照)。このと
き、その無電解めっき膜67は、薄いために、その膜表
面には、接着剤層64の粗化面66に追従した凹凸が観
察された。 〔無電解めっき水溶液〕 NiSO :0.003mol/l 酒石酸 :0.20mol/l 硫酸銅 :0.03mol/l HCHO :0.05mol/l NaOH :0.10mol/l α、α’−ビピリジル :40mg/l ポリエチレングリコール(PEG):0.1g/l 〔無電解めっき条件〕 33℃の液温度
(16) The substrate was immersed in an electroless copper plating bath having the following composition to form an electroless copper plating film 67 having a thickness of 0.6 μm on the entire roughened surface (see FIG. 5F). . At this time, since the electroless plating film 67 was thin, irregularities following the roughened surface 66 of the adhesive layer 64 were observed on the film surface. [Electroless plating solution] NiSO 4: 0.003 mol / l tartaric acid: 0.20 mol / l copper sulfate: 0.03mol / l HCHO: 0.05mol / l NaOH: 0.10mol / l α, α'- bipyridyl: 40 mg / l polyethylene glycol (PEG): 0.1 g / l [Electroless plating conditions] Liquid temperature of 33 ° C

【0108】(17) 前記(16)で形成した無電解銅
めっき膜67上に市販の感光性ドライフィルムを張り付
け、マスクを載置して、100mJ/cmで露光、
0.8%炭酸ナトリウムで現像処理し、厚さ15μmの
めっきレジスト68を設けた(図6(a)参照)。
(17) A commercially available photosensitive dry film is stuck on the electroless copper plating film 67 formed in the above (16), a mask is placed, and exposure is performed at 100 mJ / cm 2 .
It was developed with 0.8% sodium carbonate to provide a plating resist 68 having a thickness of 15 μm (see FIG. 6A).

【0109】(18) 次に、以下の条件にて、めっき
レジスト非形成部分に電解めっきを施し、厚さ20μm
の電解めっき膜69を設けて上層導体回路72を形成す
べき導体層を設けると同時に、開口部内をめっき膜69
で充填してビアホール70を形成した(図6(b) 参
照)。 〔電解めっき水溶液〕 硫酸銅・5水和物 :60g/l レベリング剤(アトテック製、HL) :40ml/l 硫酸 :190g/l 光沢剤(アトテック製、UV) :0.5 ml/l 塩素イオン :40ppm 〔電解めっき条件〕 バブリング :3.0リットル/分 電流密度 :0.5A/dm 設定電流値 : 0.18 A めっき時間 : 130分
(18) Next, plating is performed under the following conditions.
Electroless plating is applied to the non-resist area, and the thickness is 20μm
To form an upper conductor circuit 72
At the same time that the conductor layer to be provided is provided, the plating film 69 is formed in the opening.
To form a via hole 70 (see FIG. 6B).
See). [Aqueous electrolytic plating solution] Copper sulfate pentahydrate: 60 g / l Leveling agent (manufactured by Atotech, HL): 40 ml / l Sulfuric acid: 190 g / l Brightening agent (manufactured by Atotech, UV): 0.5 ml / l chloride ion : 40 ppm [Electroplating conditions] Bubbling: 3.0 l / min Current density: 0.5 A / dm2  Set current value: 0.18 A Plating time: 130 minutes

【0110】(19) めっきレジスト68を剥離、除
去した後、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウ
ム、過硫酸アンモニウムなどのエッチング液でめっきレ
ジスト下の無電解めっき膜67を溶解、除去して、無電
解めっき膜67と電解銅めっき膜69からなる厚さ約2
0μm、L/S=25μm/25μmの上層導体回路7
2を形成した。このとき、ビアホール70の表面は平坦
であり、導体回路表面とビアホール表面のレベルは同一
であった。
(19) After the plating resist 68 is peeled off and removed, the electroless plating film 67 under the plating resist is dissolved and removed with a mixed solution of sulfuric acid and hydrogen peroxide or an etching solution such as sodium persulfate and ammonium persulfate. And a thickness of about 2 composed of the electroless plating film 67 and the electrolytic copper plating film 69.
0 μm, L / S = 25 μm / 25 μm Upper layer conductor circuit 7
2 was formed. At this time, the surface of the via hole 70 was flat, and the level of the conductor circuit surface was the same as that of the via hole surface.

【0111】(20)この基板に上記(11)と同様に
して粗化層84を形成し、さらに上記(12)〜(1
9)の手順を繰り返して、さらに上層の層間樹脂絶縁層
76と導体回路82(ビアホール80を含む)を1層積
層し、片面3層、両面6層のビルドアップ配線層を得た
(図7(a)参照)。なお、ここでは、導体回路82の
表面に銅−ニッケル−リンからなる粗化層84を設ける
が、この粗化層84表面にはスズ置換めっき層を形成し
ない。
(20) A roughened layer 84 is formed on the substrate in the same manner as in the above (11).
By repeating the procedure of 9), the upper interlayer resin insulation layer 76 and the conductor circuit 82 (including the via hole 80) are further laminated by one layer to obtain a build-up wiring layer having three layers on one side and six layers on both sides (FIG. 7). (A)). Here, a roughened layer 84 made of copper-nickel-phosphorus is provided on the surface of the conductor circuit 82, but no tin-substituted plating layer is formed on the surface of the roughened layer 84.

【0112】(21)一方、DMDGに溶解させた60
重量%のクレゾールノポラック型エポヰシ樹脂(日本化
薬製)のエポヰシ基50%をアクリル化した感光性付与
のオリゴマー(分子量4000)を46.67重量部、
メチルエチルケトンに溶解させた80重量%のビスフェ
ノールA型エポキシ樹脂(油化シェル製、エピコート1
001)14.121重量部、イミダゾール硬化剤(四
国化成製、2E4MZ−CN)1.6重量部、感光性モ
ノマーである多価アクリルモノマー(日本化薬製、R6
04)1.5重量部、同じく多価アクリルモノマー(共
栄社化学製、DPE6A)30重量部、アクリル酸エス
テル重合物からなるレベリング剤(共栄社製、ポリフロ
ーNo.75)0.36重量部を混合し、この混合物に
対して光開始剤としてのペンゾフェノン(関東化学製)
20重量部、光増感割としてのEAB(保土ヶ谷化学
製)0.2重量部を加え、さらにDMDG(ジエチレング
リコールジメチルエーテル)10重量部を加えて、粘度
を25℃で1.4±0.3pa・sに調整したソルダー
レジスト組成物を得た。なお、粘度測定は、B型粘度計
(東京計器、DVL‐B型)を用いて行い、60rpm
の場合はローターNo.4、6rpmの場合はローター
No.3によった。
(21) On the other hand, 60 dissolved in DMDG
Of cresol nopolak type epoxy resin (manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.) of 50% by weight, and sensitized oligomer (molecular weight 4000) obtained by acrylated 50% of the epoxy group.
80% by weight bisphenol A type epoxy resin dissolved in methyl ethyl ketone (manufactured by Yuka Shell, Epicoat 1)
001) 14.121 parts by weight, imidazole curing agent (2E4MZ-CN, manufactured by Shikoku Chemicals) 1.6 parts by weight, polyvalent acrylic monomer which is a photosensitive monomer (Nippon Kayaku, R6
04) 1.5 parts by weight, 30 parts by weight of a polyvalent acrylic monomer (manufactured by Kyoeisha Chemical, DPE6A) and 0.36 parts by weight of a leveling agent made of an acrylate ester polymer (manufactured by Kyoeisha, Polyflow No. 75) were also mixed. Penzophenone (Kanto Chemical) as a photoinitiator for this mixture
20 parts by weight, 0.2 parts by weight of EAB (manufactured by Hodogaya Chemical) as a photosensitizer, 10 parts by weight of DMDG (diethylene glycol dimethyl ether) were added, and the viscosity was 1.4 ± 0.3 pa · s was obtained. The viscosity was measured using a B-type viscometer (Tokyo Keiki, DVL-B type) at 60 rpm.
In the case of No. 4, rotor No. 4 was used, and in the case of 6 rpm, rotor No. 3 was used.

【0113】(22)上記(20)で得られたビルドア
ップ配線層の両面に、前記(21)で得られたソルダー
レジスト組成物を20μmの厚さで塗布した。次いで、
70℃で20分間、70℃で30分間の乾燥処理を行っ
た後、クロム層によってソルダーレジスト開口部の円パ
ターン(マスクパターン)が描画された厚さ5mmのソ
ーダライムガラス基坂を、クロム層が形成された側をソ
ルダーレジスト層に密着させて1000mJ/cm
紫外線で露光し、DMTG現像処理した。さらに、80
℃で1時間、100℃で1時間、120℃で1時間、1
50℃で3時間の条件で加熱処理し、パッド部分が開口
した(開口径200μm)ソルダーレジスト層90(厚
み20μm)を形成した。
(22) The solder resist composition obtained in (21) was applied to both sides of the build-up wiring layer obtained in (20) in a thickness of 20 μm. Then
After drying at 70 ° C. for 20 minutes and at 70 ° C. for 30 minutes, a 5 mm thick soda lime glass substrate on which a circular pattern (mask pattern) of a solder resist opening is drawn by a chromium layer is placed on a chrome layer. The side on which was formed was brought into close contact with the solder resist layer, exposed to ultraviolet light of 1000 mJ / cm 2 , and subjected to DMTG development treatment. In addition, 80
1 hour at 100 ° C, 1 hour at 100 ° C, 1 hour at 120 ° C,
Heat treatment was performed at 50 ° C. for 3 hours to form a solder resist layer 90 (thickness: 20 μm) with an opening in the pad portion (opening diameter: 200 μm).

【0114】(23)次に、ソルダーレジスト層90を
形成した基板を、塩化ニッケル30g/1、次亜リン酸
ナトリウム10g/1、クエン酸ナトリウム10g/1
からなるpH=5の無電解ニッケルめっき液に20分間
浸漬して、開口部に厚さ5μmのニッケルめっき層92
を形成した。さらに、その基板を、シアン化金力リウム
2g/1、塩化アンモニウム75g/1、クエン酸ナト
リウム50g/1、次亜リン酸ナトリウム10g/1か
らなる無電解金めっき液に93℃の条件で23秒間浸漬
して、ニッケルめっき層92上に厚さ0.03μmの金
めっき層94を形成した。
(23) Next, the substrate on which the solder resist layer 90 was formed was replaced with nickel chloride 30 g / 1, sodium hypophosphite 10 g / 1, sodium citrate 10 g / 1.
Immersed in an electroless nickel plating solution having a pH of 5 for 20 minutes to form a nickel plating layer 92 having a thickness of 5 μm on the opening.
Was formed. Further, the substrate was placed on an electroless gold plating solution composed of gold cyanide 2 g / 1, ammonium chloride 75 g / 1, sodium citrate 50 g / 1, and sodium hypophosphite 10 g / 1 at 93 ° C. for 23 hours. By immersion for 2 seconds, a gold plating layer 94 having a thickness of 0.03 μm was formed on the nickel plating layer 92.

【0115】(24)そして、ビルドアップ配線層の下
方のソルダーレジスト層90の開口内に露出する金めっ
き層94上に、融点が230℃のスズ/アンチモンはん
だからなるはんだペーストを印刷し、融点近傍の雰囲気
温度でリフローさせることで、はんだパッド上にTピン
98又ははんだボール100を固着させ、ビルドアップ
配線層の上方のソルダーレジスト層90の開口から露出
する金めっき層94(はんだパッド)上には、融点が1
83℃のスズ/鉛はんだからなるはんだペーストを印刷
し、融点近傍の雰囲気温度でリフローさせることで、は
んだパッド上にはんだバンプ96を形成して多層回路基
板を製作した(図7(b)参照)。
(24) Then, a solder paste made of tin / antimony solder having a melting point of 230 ° C. is printed on the gold plating layer 94 exposed in the opening of the solder resist layer 90 below the build-up wiring layer. The T pin 98 or the solder ball 100 is fixed on the solder pad by reflowing at a nearby ambient temperature, and on the gold plating layer 94 (solder pad) exposed from the opening of the solder resist layer 90 above the build-up wiring layer. Has a melting point of 1
A solder paste made of tin / lead solder at 83 ° C. was printed and reflowed at an ambient temperature near the melting point, thereby forming solder bumps 96 on the solder pads to produce a multilayer circuit board (see FIG. 7B). ).

【0116】このようにして製造した多層回路基板で
は、多層コア基板のビアホールのランド形状を真円とす
ることができ、ランドピッチを600μm程度にできる
ため、ビアホールを密集して形成でき、ビアホールの高
密度化が容易に達成できる。しかも、コア基板中のビア
ホール数を増やすことができるので、多層コア基板内の
導体回路とビルドアップ配線層内の導体回路との電気的
接続を十分に確保することができる。また、ビルドアッ
プ配線層の上方に設けたソルダーレジスト層90の開口
から露出した金めっき層94(はんだパッド)に形成し
たはんだバンプ96を介してLSI等の半導体チップを
含む電子部品に接続され、ビルドアップ亜非戦層の下方
に設けたソルダーレジスト層90の開口から露出した金
めっき層94(はんだパッド)に設けた導電性ピン98
または導電性ボール100を介してマザーボード上の接
続端子等に接続されるので、電子部品の高密度実装が可
能となる。
In the multilayer circuit board manufactured in this manner, the land shape of the via hole of the multilayer core substrate can be made a perfect circle, and the land pitch can be set to about 600 μm. Densification can be easily achieved. Moreover, since the number of via holes in the core substrate can be increased, it is possible to sufficiently secure electrical connection between the conductor circuits in the multilayer core substrate and the conductor circuits in the build-up wiring layer. Also, it is connected to an electronic component including a semiconductor chip such as an LSI via a solder bump 96 formed on a gold plating layer 94 (solder pad) exposed from an opening of the solder resist layer 90 provided above the build-up wiring layer, Conductive pins 98 provided on the gold plating layer 94 (solder pad) exposed from the opening of the solder resist layer 90 provided below the build-up sub-layer.
Alternatively, since it is connected to a connection terminal or the like on the motherboard via the conductive ball 100, high-density mounting of electronic components becomes possible.

【0117】(実施例2)多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例1と同様にして多層回路基
板を製造した。
(Example 2) A non-through hole for forming a via hole of a double-sided circuit board and a single-sided circuit board constituting a multilayer core substrate is filled with a conductive paste to form a via hole, and the same process as that for forming the via hole is performed. A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1, except that a conductive paste was filled on the via hole to form a projecting conductor.

【0118】(実施例3)層間樹脂絶縁層を、厚さ20
μmのエポキシ樹脂フィルムを熱圧着させることにより
形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径60μmのビア
ホール形成用の開口を設け、その開口内壁面を含んだ層
間樹脂絶縁層の表面を過マンガン酸溶液によって粗化処
理を行ったこと以外は、実施例1と同様にして多層回路
基板を製造した。上記エポキシ樹脂フィルムは、フェノ
キシ樹脂との樹脂複合体であることが望ましく、粗化層
形成用の粒子を含有させている。
Example 3 An interlayer resin insulating layer having a thickness of 20
An epoxy resin film having a diameter of 60 μm is formed by thermocompression bonding of an epoxy resin film having a diameter of 60 μm, and an opening for forming a via hole having a diameter of 60 μm is provided. A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the roughening treatment was performed. The epoxy resin film is preferably a resin composite with a phenoxy resin, and contains particles for forming a roughened layer.

【0119】(実施例4)多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例3と同様にして多層回路基
板を製作した。
Example 4 A non-through hole for forming a via hole of a double-sided circuit board and a single-sided circuit board constituting a multilayer core board is filled with a conductive paste to form a via hole, and the same process as that for forming the via hole is performed. A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 3, except that a conductive paste was filled on the via hole to form a projecting conductor.

【0120】(実施例5)層間樹脂絶縁層を、厚さ20μ
mのポリオレフィン樹脂フィルムを熱圧着させることに
より形成し、炭酸ガスレーザを照射して直径60μmの
ビアホール形成用の開口を設け、その後、無電解めっき
膜を形成する代わりに、粗化処理を施さないで、スパッ
タリングによって開口内壁面を含んだ層間樹脂絶縁層の
表面に厚さ0.1μmのCuスパッタ膜またはCu−N
iスパッタ膜を形成したこと以外は実施例1と同様にし
て多層回路基板を製造した。
Example 5 The interlayer resin insulating layer was formed to a thickness of 20 μm.
m is formed by thermocompression bonding of a polyolefin resin film, and an opening for forming a via hole having a diameter of 60 μm is provided by irradiating a carbon dioxide laser, and then, instead of forming an electroless plating film, without performing a roughening treatment. A 0.1 μm thick Cu sputtered film or Cu—N film on the surface of the interlayer resin insulating layer including the inner wall surface of the opening by sputtering.
A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 1 except that an i-sputtered film was formed.

【0121】(実施例6)多層コア基板を構成する両面
回路基板および片面回路基板のビアホール形成用の非貫
通孔に、導電性ペーストを充填してビアホールを形成す
るとともに、そのビアホール形成と同一工程によってビ
アホール上に導電性ペーストを充填して、突起状導体を
形成したこと以外は、実施例5と同様にして多層回路基
板を製作した。
(Example 6) A non-through hole for forming a via hole of a double-sided circuit board and a single-sided circuit board constituting a multilayer core board is filled with a conductive paste to form a via hole, and the same process as that for forming the via hole is performed. A multilayer circuit board was manufactured in the same manner as in Example 5, except that a conductive paste was filled in the via hole to form a projecting conductor.

【0122】(比較例) (1) 厚さ0.8μmの両面銅張積層板からなる絶縁
基板をコア基板とし、そのコア基板に直径300μmの
貫通孔をドリルで削孔し、その後、無電解めっき、電解
めっき処理を施してスルーホールを含む導体層を形成
し、さらに、スルーホールを含む導体層の全表面に粗化
層を設け、スルーホール内に非導電性の穴埋め用充填材
を充填し、乾燥、硬化させた。 (2) 次いで、スルーホールからはみ出した充填材を
取り除いて平坦化し、その表面に無電解めっき、電解め
っき処理を施して厚付けして導体回路、およびスルーホ
ールに充填された充填材を覆う導体層となる部分を形成
した。 (3) 導体回路およびスルーホールに充填された充填
材を覆う導体層となる部分を形成した基板の表面に、エ
ッチングレジストを形成し、そのエッチングレジスト非
形成部分のめっき膜をエッチング除去し、さらにエッチ
ングレジストを剥離除去して、独立した導体回路および
充填材を覆う導体層を形成した。さらに、実施例1の
(11)〜(23)と同様の工程に従って多層回路基板
を製造した。
(Comparative Example) (1) An insulating substrate made of a double-sided copper-clad laminate having a thickness of 0.8 μm was used as a core substrate, and a through-hole having a diameter of 300 μm was drilled in the core substrate. Conducting plating and electrolytic plating to form a conductor layer including through-holes, further providing a roughened layer on the entire surface of the conductor layer including through-holes, and filling the through-holes with a non-conductive filling material for filling holes. And dried and cured. (2) Next, the filler protruding from the through-hole is removed and flattened, and the surface thereof is subjected to electroless plating and electrolytic plating to be thickened to cover the conductor circuit and the conductor covering the filler filled in the through-hole. A layer portion was formed. (3) An etching resist is formed on the surface of the substrate on which a portion serving as a conductive layer covering the conductive circuit and the filler filled in the through holes is formed, and the plating film in a portion where the etching resist is not formed is removed by etching. The etching resist was peeled off to form a conductor layer covering the independent conductor circuit and the filler. Further, a multilayer circuit board was manufactured according to the same steps as (11) to (23) of Example 1.

【0123】上記実施例1〜6および比較例について、
ICチップからはんだバンプ、BGA(ボールグリッド
アレイ)またはPGA(ピングリッドアレイ)までの配線
長およびコアのランド形成数を調べた結果、配線長を1
0〜25%短縮させ、単位面積(cm)当りのコアラ
ンド数を10〜30%増加させることができ、電気特性
や信頼性に悪影響をもたらすものは確認されなかった。
For the above Examples 1 to 6 and Comparative Example,
The wiring length from the IC chip to the solder bumps, BGA (ball grid array) or PGA (pin grid array) and the number of core lands formed were checked.
It was possible to reduce the number of core lands per unit area (cm 2 ) by 10 to 30% by reducing the number of core lands by 0 to 25%.

【0124】[0124]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の多層回路
基板によれば、多層コア基板を、レーザ加工により形成
した微細な充填ビアホールおよび導体回路を有する多数
の回路基板を積層して一括熱プレスすることによって形
成したので、多層コア基板内の配線を高密度化できると
ともに、従来のようなスルーホールを設けることなく、
ビルドアップ配線層との電気的接続が充填ビアホールを
介して十分に確保することができる。
As described above, according to the multilayer circuit board of the present invention, a multilayer core board is formed by laminating a large number of circuit boards having fine filled via holes and conductive circuits formed by laser processing, and performing batch heat treatment. Since it was formed by pressing, it is possible to increase the density of wiring in the multilayer core substrate, and without providing through holes unlike the conventional one,
Electrical connection with the build-up wiring layer can be sufficiently ensured via the filled via hole.

【0125】さらに、ビルドアップ配線層の最も外側に
位置するソルダーレジスト層に設けた開口内に露出する
導体パッド、すなわちビアホール直上のはんだパッド上
に、導電性バンプや、導電性ピンまたは導電性ボールが
配設されるので、ビルドアップ配線層内の配線層は、こ
のような導電性バンプ、導電性ピンまたは導電性ボール
を介して、LSI等の半導体チップを含んだ電子部品や
マザーボードに最短の配線長で接続され、高密度配線化
および電子部品の高密度実装化が可能となる。
Further, a conductive bump, a conductive pin or a conductive ball is formed on a conductive pad exposed in an opening provided in a solder resist layer located on the outermost side of the build-up wiring layer, ie, a solder pad immediately above a via hole. Is provided, the wiring layer in the build-up wiring layer can be connected to electronic components including a semiconductor chip such as an LSI or a motherboard via such conductive bumps, conductive pins or conductive balls. The connection is made with the wiring length, which enables high-density wiring and high-density mounting of electronic components.

【0126】更に、片面あるいは両面回路基板を同一材
料で形成し、それらを積層した構造なので、熱膨張に起
因する界面を起点とするクラックや剥離が起きにくく、
したがって、温度サイクル試験に対する信頼性も向上す
る。また、片面回路基板だけを用いて多層回路基板を構
成した場合には、配線形成の有無に関わらず反りが発生
し難くなるという効果も得られる。
Further, since a single-sided or double-sided circuit board is formed of the same material and is laminated, cracks and peeling at the interface originating from thermal expansion hardly occur.
Therefore, the reliability for the temperature cycle test is also improved. In addition, when a multilayer circuit board is configured using only a single-sided circuit board, the effect that warpage hardly occurs regardless of the presence or absence of wiring formation is also obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)〜(f) は、本発明にかかる多層回路基板の
ベースとなる多層コア基板を構成する両面回路基板の製
造工程の一部を示す図である。
FIGS. 1A to 1F are views showing a part of a manufacturing process of a double-sided circuit board constituting a multilayer core board serving as a base of a multilayer circuit board according to the present invention.

【図2】(a)〜(e) は、本発明にかかる多層回路基板の
ベースとなる多層コア基板を構成する片面回路基板の製
造工程の一部を示す図である。
FIGS. 2A to 2E are diagrams illustrating a part of a manufacturing process of a single-sided circuit board constituting a multilayer core board serving as a base of the multilayer circuit board according to the present invention.

【図3】本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多
層コア基板の製造工程の一部を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a part of a manufacturing process of a multilayer core substrate as a base of the multilayer circuit board according to the present invention.

【図4】本発明にかかる多層回路基板のベースとなる多
層コア基板を示す図である。
FIG. 4 is a view showing a multilayer core substrate as a base of the multilayer circuit board according to the present invention.

【図5】(a)〜(f)は、本発明にかかる多層回路基
板の製造工程の一部を示す図である。
FIGS. 5A to 5F are views showing a part of the manufacturing process of the multilayer circuit board according to the present invention.

【図6】(a)〜(c)は、本発明にかかる多層回路基
板の製造工程の一部を示す図である。
6 (a) to 6 (c) are views showing a part of a manufacturing process of the multilayer circuit board according to the present invention.

【図7】(a)〜(b)は、本発明にかかる多層回路基
板の製造工程の一部を示す図である。
FIGS. 7A and 7B are diagrams illustrating a part of the manufacturing process of the multilayer circuit board according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 絶縁性基材 12 接着剤 14 保護フィルム 16 ビアホール形成用開口 18 導電性ペースト 20 ビアホール 22 銅箔 24 導体回路 30 両面回路基板 32、34,36 片面回路基板 40 絶縁性基材 42 銅箔 44 PETフィルム 46 ビアホール形成用開口 48 導電性ペースト 49 ビアホール 50 エッチング保護フィルム 52 導体回路 53 突起状導体 54 接着剤層 60 多層コア基板 62 粗化層 64 無電解めっき用接着剤層 65 ビアホール形成用開口 66 粗化層 67 無電解めっき膜 68 めっきレジスト 69 電解めっき膜 70 ビアホール 72 導体回路 74 粗化層 76 無電解めっき用接着剤層 80 ビアホール 82 導体回路 84 粗化層 90 ソルダーレジスト層 92 ニッケルめっき層 94 金めっき層 96 はんだバンプ 98 Tピン 100 はんだボール DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Insulating base material 12 Adhesive 14 Protective film 16 Via hole forming opening 18 Conductive paste 20 Via hole 22 Copper foil 24 Conductive circuit 30 Double-sided circuit board 32, 34, 36 Single-sided circuit board 40 Insulating base material 42 Copper foil 44 PET Film 46 via hole forming opening 48 conductive paste 49 via hole 50 etching protection film 52 conductive circuit 53 projecting conductor 54 adhesive layer 60 multilayer core substrate 62 roughening layer 64 electroless plating adhesive layer 65 via hole forming opening 66 rough Layer 67 Electroless plating film 68 Plating resist 69 Electroplating film 70 Via hole 72 Conductor circuit 74 Roughening layer 76 Adhesive layer for electroless plating 80 Via hole 82 Conductor circuit 84 Roughening layer 90 Solder resist layer 92 Nickel plating layer 94 Gold Plating layer 96 Solder bump 98 T pin 100 Solder ball

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H05K 3/46 H05K 3/46 X H01L 23/12 1/03 610L H05K 1/03 610 610N 1/11 N 1/11 3/00 N 3/00 H01L 23/12 N Fターム(参考) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB11 CC25 CC33 CC53 CD32 GG14 5E346 AA04 AA05 AA06 AA12 AA22 AA32 AA43 AA51 BB15 BB16 CC02 CC04 CC09 CC32 DD02 DD12 DD25 DD32 DD33 DD44 EE06 EE09 EE13 EE15 EE19 EE33 EE38 FF06 FF07 FF09 FF10 FF12 FF18 FF24 FF35 FF45 GG15 GG17 GG18 GG19 GG22 GG25 GG27 GG28 HH11 HH22 HH25 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H05K 3/46 H05K 3/46 X H01L 23/12 1/03 610L H05K 1/03 610 610N 1/11 N 1/11 3/00 N 3/00 H01L 23/12 NF term (reference) 5E317 AA24 BB01 BB02 BB03 BB11 CC25 CC33 CC53 CD32 GG14 5E346 AA04 AA05 AA06 AA12 AA22 AA32 AA43 AA51 BB15 BB16 CC02 CC04 CC09 CC32 DD02 DD25 DD33 DD44 EE06 EE09 EE13 EE15 EE19 EE33 EE38 FF06 FF07 FF09 FF10 FF12 FF18 FF24 FF35 FF45 GG15 GG17 GG18 GG19 GG22 GG25 GG27 GG28 HH11 HH22 HH25

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内層に導体回路を有する多層コア基板上
に、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層され、各導
体層間がビアホールにて接続されたビルドアップ配線層
が形成されてなる多層回路基板において、 上記多層コア基板は、絶縁性硬質基材の片面または両面
に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記
導体回路に達する孔に、導電性物質が充填されてなるビ
アホールを有する回路基板の複数枚が接着剤層を介して
積層され、一括して加熱プレスされることで形成されて
いることを特徴とする多層回路基板。
1. A build-up wiring layer in which interlayer resin insulating layers and conductive layers are alternately laminated on a multilayer core substrate having a conductive circuit in an inner layer, and each conductive layer is connected by a via hole. In the multilayer circuit board, the multilayer core substrate has a conductive circuit on one or both sides of an insulating hard base material, and a hole penetrating the insulating hard base material and reaching the conductive circuit is filled with a conductive substance. A multilayer circuit board, comprising: a plurality of circuit boards each having a via hole formed by laminating the circuit boards via an adhesive layer;
【請求項2】 内層に導体回路を有する多層コア基板の
両面上に、層間樹脂絶縁層と導体層とが交互に積層さ
れ、各導体層間がビアホールにて接続されたビルドアッ
プ配線層が形成されてなる多層回路基板において、 上記多層コア基板は、絶縁性硬質基材の片面または両面
に導体回路を有し、この絶縁性硬質基材を貫通して前記
導体回路に達する孔内に、導電性物質が充填されてなる
ビアホールを有する回路基板の複数枚が接着剤層を介し
て積層され、一括して加熱プレスされることで形成さ
れ、さらに、 上記ビルドアップ配線層の一方を構成する最も外側の導
体層の表面には、はんだバンプが設けられるとともに、
上記ビルドアップ配線層の他方を構成する最も外側の導
体層の表面には、導電性ピンまたは導電性ボールが配設
されていることを特徴とする多層回路基板。
2. A build-up wiring layer in which interlayer resin insulating layers and conductive layers are alternately laminated on both surfaces of a multilayer core substrate having a conductive circuit in an inner layer, and each conductive layer is connected by a via hole. In the multilayer circuit board, the multilayer core substrate has a conductive circuit on one or both sides of an insulating hard base material, and a conductive circuit is formed in a hole penetrating through the insulating hard base material and reaching the conductive circuit. A plurality of circuit boards each having a via hole filled with a substance are formed by laminating via an adhesive layer and hot-pressing collectively, and further, an outermost layer constituting one of the build-up wiring layers A solder bump is provided on the surface of the conductor layer of
A multilayer circuit board, wherein a conductive pin or a conductive ball is disposed on a surface of an outermost conductor layer forming the other of the build-up wiring layers.
【請求項3】 上記導電性物質は、電解めっき処理によ
って形成された金属めっきであることを特徴とする請求
項1または2に記載の多層回路基板。
3. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the conductive material is metal plating formed by an electrolytic plating process.
【請求項4】 上記導電性物質は、金属粒子と、熱硬化
性樹脂または熱可塑性樹脂とからなる導電性ペーストで
あることを特徴とする請求項1または2に記載の多層回
路基板。
4. The multilayer circuit board according to claim 1, wherein the conductive substance is a conductive paste composed of metal particles and a thermosetting resin or a thermoplastic resin.
【請求項5】 上記多層コア基板を構成する各回路基板
は、そのビアホール位置に対応して、そのビアホールに
電気的接続された突起状導体が形成されていることを特
徴とする請求項1ないし4のいずれかに記載の多層回路
基板。
5. Each of the circuit boards constituting the multilayer core substrate has a projecting conductor electrically connected to the via hole corresponding to the position of the via hole. 5. The multilayer circuit board according to any one of 4.
【請求項6】 上記突起状導体は、導電性ペーストから
形成されることを特徴とする請求項5に記載の多層回路
基板。
6. The multilayer circuit board according to claim 5, wherein the projecting conductor is formed from a conductive paste.
【請求項7】 上記ビルドアップ配線層のビアホールの
一部は、上記多層コア基板に形成されたビアホールの直
上に位置して、そのビアホールに直接接続されているこ
とを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の多層回
路基板。
7. A method according to claim 1, wherein a portion of the via hole of the build-up wiring layer is located immediately above the via hole formed in the multilayer core substrate and is directly connected to the via hole. 7. The multilayer circuit board according to any one of 6.
【請求項8】上記多層コア基板を構成する各回路基板の
絶縁性基材は、ガラス布エポキシ樹脂基材、ガラス布ビ
スマレイミドトリアジン樹脂基材、ガラス布ポリフェニ
レンエーテル樹脂基材、アラミド不織布−エポキシ樹脂
基材、アラミド不織布−ポリイミド樹脂基材、から選ば
れるいずれかの硬質基材から形成されることを特徴とす
る請求項1〜7のいずれかに記載の多層回路基板。
8. The insulating substrate of each circuit board constituting said multilayer core substrate is a glass cloth epoxy resin base material, a glass cloth bismaleimide triazine resin base material, a glass cloth polyphenylene ether resin base material, an aramid non-woven epoxy resin. The multilayer circuit board according to any one of claims 1 to 7, wherein the multilayer circuit board is formed from any one of a hard base material selected from a resin base material and an aramid nonwoven fabric-polyimide resin base material.
【請求項9】 上記多層コア基板を構成する各回路基板
の絶縁性基材は、厚さが20〜100μmのガラス布エ
ポキシ樹脂基材から形成され、前記充填ビアホール径は
50〜250μmであることを特徴とする請求項8に記
載の多層回路基板。
9. The insulating substrate of each circuit board constituting the multilayer core substrate is formed of a glass cloth epoxy resin substrate having a thickness of 20 to 100 μm, and the filled via hole diameter is 50 to 250 μm. The multilayer circuit board according to claim 8, wherein:
【請求項10】 上記多層コア基板を構成する各回路基
板のビアホールは、パルスエネルギーが0.5〜100
mJ、パルス幅が1〜100μs、パルス間隔が0.5
ms以上、ショット数が3〜50の条件で、ガラス布エポ
キシ樹脂基材の表面に照射される炭酸ガスレーザによっ
て形成された開口に対して形成されていることを特徴と
する請求項9に記載の多層回路基板。
10. A via hole of each circuit board constituting said multilayer core board has a pulse energy of 0.5 to 100.
mJ, pulse width 1 to 100 μs, pulse interval 0.5
10. The method according to claim 9, wherein the number of shots is not less than ms, and the number of shots is 3 to 50. Multilayer circuit board.
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