TW201706460A - 附載體之銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種極薄銅層的厚度為0.9μm以下的附載體之銅箔，其可良好地抑制剝離載體時所發生之針孔的產生。一種附載體之銅箔依序具有載體、中間層、極薄銅層，極薄銅層的厚度為0.9μm以下，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離前述載體時的剝離強度為10N/m以下。

Description

附載體之銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法
本發明關於一種附載體之銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法，特別是關於一種極薄銅層的厚度為0.9μm以下的附載體超極薄銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
通常，印刷配線板是經過下述步驟製造：使絕緣基板接著於銅箔而製成覆銅積層板後，藉由蝕刻在銅箔面形成導體圖案。隨著近年電子機器的小型化、高性能化需求的增大，搭載零件的高密度構裝化或訊號的高頻化不斷發展，對印刷配線板要求導體圖案的微細化(微間距化)或高頻應對等。
最近業界要求厚度9μm以下、進一步厚度5μm以下的銅箔以因應微間距化，但此種極薄銅箔的機械強度低，在製造印刷配線板時容易破裂或容易產生褶皺，因此出現了一種利用具有厚度的金屬箔作為載體，隔著剝離層使極薄銅層電沉積於其上的附載體之銅箔。將極薄銅層的表面貼合於絕緣基板並熱壓接後，透過剝離層將載體剝離去除。利用阻劑在露出的極薄銅層上形成電路圖案後，藉由利用硫酸-過氧化氫系的蝕刻劑將極薄銅層蝕刻去除之方法(MSAP，Modified-Semi-Additive-Process) 而形成微細電路。
另外，作為抑制附載體之銅箔的極薄銅層產生針孔的技術，可列舉日本特開2004-169181號公報(專利文獻1)、日本特開2005-076091號公報(專利文獻2)。
【專利文獻1】日本特開2004-169181號公報
【專利文獻2】日本特開2005-076091號公報
近年，使極薄銅層的厚度薄至0.9μm以下的所謂附載體超極薄銅箔的研究、開發不斷發展。然而，此種極薄銅層的厚度為0.9μm以下的附載體超極薄銅箔存在下述等問題：因其薄度而導致在剝離載體時極薄銅層的一部分被拉離於載體側，而於殘留的極薄銅層產生針孔。因此，本發明的課題在於提供一種極薄銅層的厚度為0.9μm以下的附載體之銅箔，其能夠良好地抑制在剝離載體時所發生之針孔的產生。
為了達成前述目的，本發明人發現，藉由剝離載體時的剝離強度的最優化，可良好地抑制極薄銅層的厚度為0.9μm以下的附載體之銅箔在剝離載體時所發生之針孔的產生。
本發明是基於前述見解而完成者，於一態樣中，為一種附載體之銅箔，其依序具有載體、中間層、極薄銅層，前述極薄銅層的厚度為0.9μm以下，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離前述載體時的剝離強度為10N/m以下。
本發明的附載體之銅箔在一實施形態中，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離前述載體時的剝離強度為3~10N/m。
本發明的附載體之銅箔在另一實施形態中，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離前述載體時的剝離強度為3~9N/m。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離前述載體時的剝離強度為3~8N/m。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，前述極薄銅層之厚度為0.05~0.9μm。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，前述極薄銅層之厚度為0.1~0.9μm。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，前述極薄銅層之厚度為0.85μm以下。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，前述極薄銅層之每單位面積(m2)的針孔個數(個/m2)在20個/m2以下。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，當本發明的附載體之銅箔於載體的一面具有極薄銅層的情形時，在前述極薄銅層側及前述載體側的至少一個表面或兩個表面，或者當本發明的附載體之銅箔於載體的兩面具有極薄銅層的情形時，在該一個或兩個極薄銅層側的表面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸處理(chromate treatment)層及矽烷偶合處理層組成的群中的一種以上的層。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，前述防銹層 及前述耐熱層的至少一者含有選自鎳、鈷、銅、鋅中的一種以上元素。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，在前述極薄銅層上具備樹脂層。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，在選自由前述粗化處理層、前述耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層組成的群中的一種以上的層上具備樹脂層。
本發明的附載體之銅箔在進而另一實施形態中，前述樹脂層含有介電質。
本發明於另一態樣中，為一種使用本發明的附載體之銅箔所製造的印刷配線板。
本發明於進而另一態樣中，為一種使用本發明的附載體之銅箔所製造的積層體。
本發明於進而另一態樣中，為一種積層體，該積層體含有本發明的附載體之銅箔與樹脂，前述附載體之銅箔的端面的一部分或全部被前述樹脂覆蓋。
本發明於進而另一態樣中，為一種積層體，係將一片本發明的附載體之銅箔從前述載體側或前述極薄銅層側積層於另一片本發明的附載體之銅箔的前述載體側或前述極薄銅層側而成。
本發明於進而另一態樣中，為一種使用本發明之積層體的印刷配線板製造方法。
本發明於進而另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括：在本發明的積層體設置樹脂層與電路這兩 層至少1次的步驟；及在形成前述樹脂層及電路這兩層至少1次後，將前述極薄銅層或前述載體從前述積層體的附載體之銅箔剝離的步驟。
本發明於進而另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括：準備本發明的附載體之銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；以及在將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離前述附載體之銅箔的銅箔載體的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法(semi-additive process)、減成法(subtractive process)、部分加成法(partly additive process)或改良半加成法(modified semi-additive process)中的任一種方法形成電路的步驟。
本發明於進而另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括：在本發明的附載體之銅箔的前述極薄銅層側表面或前述載體側表面形成電路的步驟；以埋沒前述電路的方式在前述附載體之銅箔的前述極薄銅層側表面或前述載體側表面形成樹脂層的步驟；將前述載體或前述極薄銅層剝離的步驟；以及在將前述載體或前述極薄銅層剝離後，去除前述極薄銅層或前述載體，藉此使形成於前述極薄銅層側表面或前述載體側表面且埋沒於前述樹脂層的電路露出的步驟。
本發明於進而另一態樣中，為一種印刷配線板之製造方法，該印刷配線板之製造方法包括：將本發明的附載體之銅箔的前述極薄銅層 側表面或前述載體側表面與樹脂基板積層的步驟；在前述附載體之銅箔的與積層樹脂基板側相反側的極薄銅層側表面或前述載體側表面設置樹脂層與電路這兩層至少1次的步驟；以及在形成前述樹脂層及電路這兩層至少1次後，將前述載體或前述極薄銅層從前述附載體之銅箔剝離的步驟。
本發明於進而另一態樣中，為一種電子機器，該電子機器是使用本發明的印刷配線板或藉由本發明的印刷配線板之製造方法而製造的印刷配線板所製造。
根據本發明，可提供一種極薄銅層的厚度為0.9μm以下的附載體之銅箔，其可良好地抑制剝離載體時所發生之針孔的產生。
圖1A~圖1C是使用本發明的附載體之銅箔的印刷配線板製造方法具體例至鍍敷電路、去除阻劑為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖2D~圖2F是使用本發明的附載體之銅箔的印刷配線板製造方法具體例從積層樹脂及第二層附載體之銅箔至雷射開孔為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖3G~圖3I是使用本發明的附載體之銅箔的印刷配線板製造方法具體例從形成填孔(via fill)至剝離第一層載體為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
圖4J~圖4K是使用本發明的附載體之銅箔的印刷配線板製造方法具體 例從快速蝕刻(flash etching)至形成凸塊、銅柱為止的步驟中的配線板剖面的示意圖。
<附載體之銅箔>
本發明的附載體之銅箔依序具有載體、中間層、極薄銅層。另外，可將中間層、極薄銅層設置於載體的一面或兩面，還可以對該一面的極薄銅層與另一面的載體或該兩面的極薄銅層進行粗化處理等表面處理。附載體之銅箔本身的使用方法為業者所周知，例如將極薄銅層的表面貼合於紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜、液晶聚合物、氟樹脂等絕緣基板或膜，進行熱壓接後將載體剝離，將與絕緣基板接著的極薄銅層蝕刻為目標導體圖案，最終可製造積層體(覆銅積層體等)或印刷配線板等。
本發明的附載體之銅箔是將藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離載體時的剝離強度控制為10N/m以下。如上前述，將藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離載體時的剝離強度控制為10N/m以下，藉此可良好地抑制極薄銅層厚度為0.9μm以下的所謂附載體超極薄銅箔中剝離載體時所發生之針孔的產生。如果藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離載體時的剝離強度超過10N/m，則在剝離載體時，極薄銅層的一部分被載體拉離，該部位會在極薄銅層中成為針孔。另一方面，如果載體與極薄銅層的剝離強度過小，則有兩者的接著性變得不良之虞。從這些方面來說，本發明的附載體之銅箔較佳將藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離 載體時的剝離強度控制為3~10N/m，更佳控制為3~9N/m，更佳控制為3~8N/m，進而更佳控制為3~5N/m。
<載體>
可用於本發明的載體為金屬箔或樹脂膜，例如以下述形態提供：銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹脂膜、聚醯胺膜、PET膜。典型而言，可用於本發明的載體是以壓延銅箔或電解銅箔的形態提供。一般而言，電解銅箔是使銅從硫酸銅鍍浴電解析出至鈦或不銹鋼的滾筒上而製造，壓延銅箔則是反覆進行利用壓延輥進行的塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔的材料，除了精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度銅以外，例如也可使用摻Sn銅、摻Ag銅、添加有Cr、Zr或Mg等的銅合金、添加有Ni及Si等的卡遜系銅合金此類的銅合金。此外，在本說明書中單獨使用用語「銅箔」時也包括銅合金箔。
可用於本發明的載體的厚度也沒有特別限制，適當調節為在發揮作為載體的作用方面合適的厚度即可，例如可設為5μm以上。但如果過厚，則生產成本會變高，因此通常較佳設為35μm以下。因此，典型而言，載體的厚度為8~70μm，更典型而言為12~70μm，更典型而言為18~35μm。另外，就降低原料成本的觀點而言，較佳為載體的厚度小。因此，典型而言，載體的厚度為5μm以上且35μm以下，較佳為5μm以上且18μm以下，較佳為5μm以上且12μm以下，較佳為5μm以上且11μm以下，較佳為5μm以上且10μm以下。此外，當載體的厚度小時， 載體在通箔時容易產生彎折褶皺。為了防止產生彎折褶皺，例如使附載體之銅箔製造裝置的搬送輥變得平滑或縮短搬送輥與下個搬送輥的距離是有效的。
以下揭示使用電解銅箔作為載體之情形時的製造條件的一例。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑(leveling agent)1(雙(3-磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
前述胺化合物可使用以下化學式的胺化合物。
此外，只要沒有特別記載，則本發明所記載的電解液、鍍敷液等的剩餘部分為水。
(前述化學式中，R1及R2是選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取 代烷基、不飽和烴基、烷基組成的一群中者)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速度：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
<中間層>
在載體的單面或兩面上設置中間層。可在銅箔載體與中間層之間設置其他層。於本發明使用的中間層只要為如下構成，則並無特別限定：在附載體之銅箔積層於絕緣基板的步驟前，極薄銅層不易從載體剝離，另一方面，在積層於絕緣基板的步驟後，極薄銅層可從載體剝離。例如，本發明的附載體之銅箔的中間層可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、此等的合金、此等的水合物、此等的氧化物、有機物組成的群中的一種或兩種以上。另外，中間層也可為多層。
另外，中間層例如可藉由下述方式構成：從載體側起，形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種元素構成的單一金屬層，或由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種或兩種以上的元素構成的合金層，或有機物層，並且在其上形成由選自以Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn構成的元素群中的一種或兩種以上的元素的水合物或氧化物或有機物構成的層。
另外，中間層例如可由如下的層構成：從載體側起由Cr、 Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群內任一種元素構成的單一金屬層，或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一種以上的元素構成的合金層或由有機物構成的層，其次為由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群內任一種元素構成的單一金屬層，或由選自Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn的元素群中的一種以上的元素構成的合金層。另外，其他層也可使用可作為中間層使用的層構成。
當僅在單面設置中間層時，較佳在載體的相反面設置粗化處理層或鍍Ni層等防銹層。此外，當藉由鉻酸處理、鉻酸鋅處理或鍍敷處理設置中間層時，有時鉻或鋅等附著的金屬的一部分有時會成為水合物或氧化物。
另外，中間層例如可在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金與含鉻層而構成。由於鎳與銅的接著力高於鉻與銅的接著力，因此在剝離極薄銅層時，會於極薄銅層與鉻的界面剝離。另外，對於中間層的鎳，期待具有防止銅成分從載體向極薄銅層擴散的阻擋效果。含鉻層較佳為鉻酸處理層、鉻層或鉻合金層。這裡所謂的鉻酸處理層是指經含有鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的溶液處理過的層。鉻酸處理層亦可含有Co、Fe、Ni、Mo、Zn、Ta、Cu、Al、P、W、Mn、Sn、As及Ti等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸處理層的具體例，可列舉純鉻酸處理層或鉻酸鋅處理層等。在本發明中，將經鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理過的鉻酸處理層稱為純鉻酸處理層。另外，在本發明中，將經含有鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅的處理液處理過的鉻酸 處理層稱為鉻酸鋅處理層。中間層中的鎳附著量較佳為100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更佳為200μg/dm2以上且30000μg/dm2以下，更佳為300μg/dm2以上且20000μg/dm2以下，更佳為400μg/dm2以上且未達15000μg/dm2，中間層中的鉻附著量較佳為5μg/dm2以上且150μg/dm2以下，較佳為5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。
另外，中間層所含的有機物較佳為選自由含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸組成的群中的一種以上有機物。作為具體的含氮有機化合物，較佳使用為具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有機化合物較佳使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作為羧酸，尤佳使用單羧酸，其中較佳使用油酸、亞麻油酸(linolic aci)及亞油酸(linoleic acid)等。
前述的有機物以厚度計較佳含有5nm以上且80nm以下，更佳含有10nm以上且70nm以下。中間層亦可含有多種(一種以上)前述的有機物。
有機物的厚度可以如下方式進行測量。
<中間層的有機物厚度>
在將附載體之銅箔的極薄銅層從載體剝離後，對露出的極薄銅層的中間層側的表面與露出的載體的中間層側的表面進行XPS測量，製作深度分佈圖(depth profile)。然後，可將從極薄銅層的中間層側表面起最初碳濃度成為3at%以下的深度設為A(nm)，將從載體的中間層側表面起最初碳濃度 成為3at%以下的深度設為B(nm)，而以A與B的合計作為中間層的有機物的厚度(nm)。
將前述XPS的運轉條件示於以下。
‧裝置：XPS測量裝置(ULVAC-PHI公司，型式5600MC)
‧極限真空：3.8×10-7Pa
‧X射線：單色AlK α或非單色MgK α，X射線功率300W，檢測面積800μm，試樣與檢測器所夾的角度45°
‧離子束：離子種類Ar+，加速電壓3kV，掃描面積3mm×3mm，濺鍍速率2.8nm/min(SiO2換算)
<極薄銅層>
在中間層上設置極薄銅層。可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可設置在載體的兩面。極薄銅層可為電解銅層。這裡所謂的該電解銅層是指藉由電鍍(電解鍍敷)形成的銅層。極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺磺酸銅、氰化銅等電解浴的電鍍而形成，就可在通常的電解銅層使用、可在高電流密度下形成銅箔的方面而言，較佳為硫酸銅浴。此外，可在用來形成極薄銅層的鍍敷液添加光澤劑。將極薄銅層的厚度控制為0.9μm以下。藉由此種構成，可使用該極薄銅層形成極微細的電路。由於極薄銅層的厚度越薄越容易提高電路形成性，因此較佳為0.85μm以下，更佳為0.80μm以下，進而更佳為0.75μm以下，進而更佳為0.70μm以下，進而更佳為0.65μm以下，進而更佳為0.60μm以下，進而更佳為0.50μm以下，進而更佳為0.45μm以下，進而更佳為0.40μm以下，進而更佳為0.35μm以下，進而更佳為0.32μm以下，進而更佳為0.30μm 以下，進而更佳為0.25μm以下。由於如果極薄銅層的厚度過小，則有發生處理變得困難的問題之虞，因此較佳為0.01μm以上，較佳為0.05μm以上，較佳為0.10μm以上，更佳為0.15μm以上。極薄銅層的厚度典型而言為0.01~0.9μm，典型而言為0.05~0.9μm，更典型而言為0.1~0.9μm，進而更典型而言為0.15~0.9μm。
極薄銅層產生針孔有引起電路斷線之虞。因此，理想的是減少極薄銅層的針孔個數。
極薄銅層每單位面積(m2)的針孔個數(個/m2)較佳為20個/m2以下，較佳為15個/m2以下，較佳為11個/m2以下，較佳為10個/m2以下，較佳為8個/m2以下，較佳為6個/m2以下，較佳為5個/m2以下，較佳為3個/m2以下，較佳為1個/m2以下，較佳為0個/m2。
<粗化處理及其他表面處理>
例如為了使與絕緣基板的密接性變得良好等，可藉由對極薄銅層的表面或載體的表面的任一者或兩者實施粗化處理而設置粗化處理層。粗化處理例如可藉由以銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理可為微細者。粗化處理層可為由選自由銅、鎳、鈷、磷、鎢、砷、鉬、鉻及鋅組成的群中的任一種單質或含有此等單質任一種以上的合金構成的層。另外，也可在以銅或銅合金形成粗化粒子後，進一步進行以鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等設置二次粒子或三次粒子的粗化處理。然後，可以鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等形成耐熱層及/或防銹層，也可進一步對其表面實施鉻酸處理、矽烷偶合處理等處理。或可不進行粗化處理，而以鎳、鈷、銅、鋅的單質或合金等形成耐熱層及/或防銹層，進一步對其表面實施鉻酸處 理、矽烷偶合處理等處理。即，可在粗化處理層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層組成的群中的一種以上的層，也可在極薄銅層的表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層組成的群中的一種以上的層。此外，前述的耐熱層、防銹層、鉻酸處理層、矽烷偶合處理層可分別以多層形成(例如2層以上、3層以上等)。
這裡所謂的鉻酸處理層是指經含有鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、鉻酸鹽或二鉻酸鹽的溶液處理過的層。鉻酸處理層可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸處理層的具體例，可列舉經鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液處理過的鉻酸處理層，或者經含有鉻酸酐或二鉻酸鉀及鋅的處理液處理過的鉻酸處理層等。
此外，在載體設置極薄銅層側之表面的相反側的表面設置粗化處理層具有如下優點：在將載體從具有該粗化處理層的表面側積層於樹脂基板等支持體時，載體與樹脂基板變得不易剝離。藉由以上述方式進一步在極薄銅層或載體的表面的粗化處理層上形成耐熱層等表面處理層，可良好地抑制來自極薄銅層或載體的銅等元素向所積層的樹脂基材擴散，提高與樹脂基材積層時由熱壓接而獲得的密接性。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知的耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的一種以上元素的層，也可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭的群中的一種以上元素構成的金屬層或合金層。 另外，耐熱層及/或防銹層可含有含前述元素的氧化物、氮化物、矽化物。另外，耐熱層及/或防銹層可為含有鎳-鋅合金的層。另外，耐熱層及/或防銹層可為鎳-鋅合金層。前述鎳-鋅合金層可為除了不可避免的雜質以外，含有50wt%~99wt%的鎳、50wt%~1wt%的鋅的合金層。前述鎳-鋅合金層的鋅及鎳的合計附著量可為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，較佳為20~100mg/m2。另外，含有前述鎳-鋅合金的層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量與鋅附著量的比(=鎳附著量/鋅附著量)較佳為1.5~10。另外，含有前述鎳-鋅合金的層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。當耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金的層時，會提高銅箔與樹脂基板的密接性。
例如耐熱層及/或防銹層可為依序積層有附著量為1mg/m2~100mg/m2，較佳為5mg/m2~50mg/m2的鎳或鎳合金層與附著量為1mg/m2~80mg/m2，較佳為5mg/m2~40mg/m2的錫層者，前述鎳合金層可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷、鎳-錫合金的任一種構成。另外，前述的耐熱層及/或防銹層較佳為[鎳或鎳合金中的鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。如果使用該耐熱層及/或防銹層，則將附載體之銅箔加工成印刷配線板後的電路的剝離強度、該剝離強度的耐化學品性劣化率等變得良好。
前述矽烷偶合處理層可使用公知的矽烷偶合劑而形成，可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷、乙烯系矽烷、咪唑系矽烷、三系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。此外，此種矽烷偶合劑可混合兩種以上使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環 氧系矽烷偶合劑形成者。
矽烷偶合處理層以矽原子換算計，較理想於0.05mg/m2~200mg/m2，較佳為0.15mg/m2~20mg/m2，較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2的範圍設置。當為前述的範圍時，可進一步提高基材與表面處理銅箔的密接性。
另外，可對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或鉻酸處理層的表面，進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號記載的表面處理。
另外，本發明的附載體之銅箔可在前述極薄銅層上，或前述粗化處理層上，或前述耐熱層、防銹層，或鉻酸處理層，或矽烷偶合處理層上具備樹脂層。前述樹脂層可為絕緣樹脂層。
前述樹脂層可為接著劑，也可為接著用的半硬化狀態(B階段狀態)的絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)包括如下狀態：即便用手指接觸其表面，也沒有黏附感，可將該絕緣樹脂層重疊保管，進而如果受到加熱處理，則會引起硬化反應。
另外，前述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，前述樹脂層可含有熱塑性樹脂。其種類並沒有特別限定，例如可列舉含有選自如下物質的群中的一種以上的樹脂作為較佳者：環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來亞醯胺化合物、聚乙烯 縮醛樹脂、胺酯樹脂(urethane resin)、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚伸苯醚(polyphenylene oxide)、雙馬來亞醯胺三樹脂、熱硬化性聚伸苯醚(polyphenylene oxide)樹脂、氰酸酯系樹脂、多元羧酸酐、具有可交聯之官能基的線性聚合物、聚苯醚(polyphenylene ether)樹脂、2,2-雙(4-氰氧基苯基(cyanatophenyl))丙烷、含磷之酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-環氧丙基苯基)丙烷、聚苯醚(polyphenylene ether)-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、磷腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化聚丁二烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基樹脂、高分子環氧(polymer epoxy)、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂。
另外，只要前述環氧樹脂為分子內具有2個以上環氧基且可用於電氣、電子材料用途的樹脂，則可無特別問題地使用。另外，前述環氧樹脂較佳為經使用分子內具有2個以上環氧丙基的化合物進行環氧化的環氧樹脂。另外，前述環氧樹脂可將選自如下物質的群中的一種或兩種以上加以混合而使用：雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、環氧丙胺型環氧樹脂、三聚異氰酸三環氧丙酯、N,N-二環氧丙基苯胺等環氧丙胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二環氧丙酯等環氧丙酯化合物、含磷環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清 漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂，或者可使用前述環氧樹脂的氫化物或鹵化物。
作為前述含磷環氧樹脂，可使用公知的含有磷的環氧樹脂。另外，前述含磷環氧樹脂例如較佳為分子內具有2個以上環氧基的以源自9,10-二氫-9-氧雜-10-磷菲(phosphaphenanthrene)-10-氧化物的衍生物的形式獲得的環氧樹脂。
前述樹脂層可含有公知的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質(可使用含有無機化合物及/或有機化合物的介電質、含有金屬氧化物的介電質等任意介電質)、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料、前述的樹脂、前述的化合物等。另外，前述樹脂層例如可使用如下文獻中所記載的物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等)及/或樹脂層的形成方法、形成裝置而形成：國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225號、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/ 005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號。
(當樹脂層含有介電質(介電質填料)之情形時)
前述樹脂層可含有介電質(介電質填料)。
當前述任一種樹脂層或樹脂組合物含有介電質(介電質填料)之情形時，可用於形成電容器層的用途而增大電容器電路的電容。該介電質(介電質填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3‧PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦結構的複合氧化物的介電質粉。
將前述樹脂層所含的樹脂及/或樹脂組合物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑而製成樹脂液，藉由例如輥塗法等將其塗布於前述極薄銅層上，或前述耐熱層、防銹層，或前述鉻酸鹽皮膜層，或前述矽烷偶合劑層上，然後視需要進行加熱乾燥而將溶劑去除，使其成為B階段狀態。乾燥例如使用熱風乾燥爐即可，乾燥溫度可為100~250℃，較佳為130~200℃。
具備前述樹脂層的附載體之銅箔(附樹脂的附載體之銅箔) 是以下述態樣使用：將該樹脂層重疊於基材後，對整體進行熱壓接而將該樹脂層熱硬化，其次將載體剝離而露出極薄銅層(當然露出的是該極薄銅層的中間層側的表面)，在其上形成特定的配線圖案。
如果使用該附樹脂的附載體之銅箔，則可減少製造多層印刷配線基板時的預浸材料的使用片數。並且可將樹脂層的厚度設為可確保層間絕緣的厚度，或即便完全不使用預浸材料也可製造覆銅積層板。另外，此時也可對基材的表面底塗(undercoat)絕緣樹脂而進一步改善表面的平滑性。
此外，當不使用預浸材料時，預浸材料的材料成本得以節約，另外積層步驟也變得簡單，因此在經濟方面有利，而且具有如下優點：按預浸材料的厚度而製造的多層印刷配線基板的厚度變薄，可製造1層的厚度為100μm以下的極薄多層印刷配線基板。
該樹脂層的厚度較佳為0.1~80μm。如果樹脂層的厚度薄於0.1μm，則接著力降低，當不隔著預浸材料而將該附樹脂的附載體之銅箔積層於具備內層材的基材時，有時難以確保內層材與電路之間的層間絕緣。
另一方面，如果樹脂層的厚度厚於80μm，則藉由1次塗布步驟難以形成目標厚度的樹脂層，由於花費了多餘的材料費及工時，因此在經濟方面不利。進而，所形成的樹脂層由於其可撓性差，因此存在如下情形：在操作時變得容易產生龜裂等，另外，在與內層材熱壓接時會引起過量的樹脂流動，而變得難以順利進行積層。
進而，作為該附樹脂的附載體之銅箔的另一產品形態，也可 用樹脂層覆蓋在前述極薄銅層上，或前述耐熱層、防銹層，或前述鉻酸處理層，或前述矽烷偶合處理層上，使其成為半硬化狀態後，其次將載體剝離，以不存在載體的附樹脂之銅箔的形式進行製造。
以下揭示使用本發明的附載體之銅箔的印刷配線板製造步驟的若干例。
於本發明的印刷配線板製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體之銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；以極薄銅層側與絕緣基板相對向的方式積層前述附載體之銅箔與絕緣基板後，經過剝離前述附載體之銅箔的載體的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法的任一種方法形成電路的步驟。絕緣基板也可設為加入內層電路的基板。
在本發明中，所謂半加成法是指在絕緣基板或銅箔籽晶層上進行薄的無電鍍敷而形成圖案後，利用電鍍及蝕刻形成導體圖案的方法。
因此，於使用半加成法的本發明的印刷配線板製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體之銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將前述附載體之銅箔的載體剝離的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將經剝離前述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；在藉由利用蝕刻去除前述極薄銅層而露出的前述樹脂設置穿孔(through hole)或/及盲孔(blind via)的步驟； 對含有前述穿孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理(desmear treatment)的步驟；對前述樹脂及含有前述穿孔或/及盲孔的區域設置無電鍍敷層的步驟；在前述無電鍍敷層上設置鍍敷阻劑的步驟；對前述鍍敷阻劑進行，然後去除形成電路的區域的鍍敷阻劑的步驟；在經去除前述鍍敷阻劑的前述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；將前述鍍敷阻劑去除的步驟；藉由快速蝕刻等將處於前述形成電路的區域以外的區域的無電鍍敷層去除的步驟。
在使用半加成法的本發明的印刷配線板製造方法的另一實施形態中包括：準備本發明的附載體之銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；在積層前述附載體之銅箔與絕緣基板後，將前述附載體之銅箔的載體剝離的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，將經剝離前述載體而露出的極薄銅層全部去除的步驟；在藉由利用蝕刻將前述極薄銅層去除而露出的前述樹脂的表面設置無電鍍敷層的步驟；在前述無電鍍敷層上設置鍍敷阻劑的步驟；對前述鍍敷阻劑進行曝光，然後去除形成電路的區域的鍍敷阻劑的步 驟；在經去除前述鍍敷阻劑的前述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；將前述鍍敷阻劑去除的步驟；藉由快速蝕刻等將處於形成形成電路的區域以外的區域的無電鍍敷層及極薄銅層去除的步驟。
在本發明中，所謂改良半加成法是指如下方法：在絕緣層上積層金屬箔，利用鍍敷阻劑保護非電路形成部，並且利用電解鍍敷加厚電路形成部的銅厚後，將阻劑去除，藉由(快速)蝕刻去除前述電路形成部以外的金屬箔，藉此在絕緣層上形成電路。
因此，在使用改良半加成法的本發明的印刷配線板製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體之銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；在積層前述附載體之銅箔與絕緣基板後，將前述附載體之銅箔的載體剝離的步驟；在經剝離前述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板設置穿孔或/及盲孔的步驟；對含有前述穿孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理的步驟；對含有前述穿孔或/及盲孔的區域設置無電鍍敷層的步驟；在經剝離前述載體而露出的極薄銅層表面設置鍍敷阻劑的步驟；設置前述鍍敷阻劑後，藉由電解鍍敷形成電路的步驟；將前述鍍敷阻劑去除的步驟； 藉由快速蝕刻去除經藉由將前述鍍敷阻劑去除而露出的極薄銅層的步驟。
在使用改良半加成法的本發明的印刷配線板製造方法的另一實施形態中包括：準備本發明的附載體之銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；在積層前述附載體之銅箔與絕緣基板後，將前述附載體之銅箔的載體剝離的步驟；在經剝離前述載體而露出的極薄銅層上設置鍍敷阻劑的步驟；對前述鍍敷阻劑進行曝光，然後去除形成電路的區域的鍍敷阻劑的步驟；在經去除前述鍍敷阻劑的前述形成電路的區域設置電解鍍敷層的步驟；將前述鍍敷阻劑去除的步驟；藉由快速蝕刻等將處於前述形成電路的區域以外的區域的無電鍍敷層及極薄銅層去除的步驟。
在本發明中，所謂部分加成法是指如下方法：對設置導體層而成的基板、視需要穿設穿孔或通孔(via hole)用的孔而成的基板上賦予催化劑核，進行蝕刻而形成導體電路，視需要而設置阻焊劑或鍍敷阻劑後，在前述導體電路上，利用無電鍍敷處理對穿孔或通孔等賦予厚度，藉此製造印刷配線板。
因此，在使用部分加成法的本發明的印刷配線板製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體之銅箔與絕緣基板的步驟； 將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；在積層前述附載體之銅箔與絕緣基板後，將前述附載體之銅箔的載體剝離的步驟；在經剝離前述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設置穿孔或/及盲孔的步驟；對含有前述穿孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理的步驟；對含有前述穿孔或/及盲孔的區域賦予催化劑核的步驟；在經剝離前述載體而露出的極薄銅層表面設置蝕刻阻劑的步驟；對前述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，去除前述極薄銅層及前述催化劑核而形成電路的步驟；將前述蝕刻阻劑去除的步驟；在經藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法去除前述極薄銅層及前述催化劑核而露出的前述絕緣基板表面，設置阻焊劑或鍍敷阻劑的步驟；在未設置前述阻焊劑或鍍敷阻劑的區域設置無電鍍敷層的步驟。
在本發明中，所謂減成法是指如下方法：利用蝕刻等選擇性去除覆銅積層板上銅箔的無用部分，從而形成導體圖案。
因此，在使用減成法的本發明的印刷配線板製造方法的一實施形態中包括：準備本發明的附載體之銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；在積層前述附載體之銅箔與絕緣基板後，將前述附載體之銅箔的載體剝離的步驟； 在經剝離前述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設置穿孔或/及盲孔的步驟；對含有前述穿孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理的步驟；對含有前述穿孔或/及盲孔的區域設置無電鍍敷層的步驟；在前述無電鍍敷層的表面設置電解鍍敷層的步驟；在前述電解鍍敷層或/及前述極薄銅層的表面設置蝕刻阻劑的步驟；對前述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，去除前述極薄銅層、前述無電鍍敷層及前述電解鍍敷層而形成電路的步驟；將前述蝕刻阻劑去除的步驟。
在使用減成法的本發明的印刷配線板製造方法的另一實施形態中包括：準備本發明的附載體之銅箔與絕緣基板的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；將前述附載體之銅箔與絕緣基板積層後，將前述附載體之銅箔的載體剝離的步驟；在經剝離前述載體而露出的極薄銅層與絕緣基板上設置穿孔或/及盲孔的步驟；對含有前述穿孔或/及盲孔的區域進行去膠渣處理的步驟；對含有前述穿孔或/及盲孔的區域設置無電鍍敷層的步驟；在前述無電鍍敷層的表面形成遮罩的步驟；在未形成遮罩的前述無電鍍敷層的表面設置電解鍍敷層的步驟；在前述電解鍍敷層或/及前述極薄銅層的表面設置蝕刻阻劑的步驟； 對前述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案的步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液的蝕刻或電漿等方法，去除前述極薄銅層及前述無電鍍敷層而形成電路的步驟；將前述蝕刻阻劑去除的步驟。
也可不進行設置穿孔或/及盲孔的步驟及之後的去膠渣步驟。
這裡使用圖式對使用本發明的附載體之銅箔的印刷配線板製造方法的具體例進行詳細說明。此外，這裡是以在極薄銅層表面形成有粗化處理層的附載體之銅箔為例進行說明，但也可未形成粗化處理層。
首先，如圖1-A所示，準備具有在表面形成有粗化處理層的極薄銅層的附載體之銅箔(第一層)。
其次，如圖1-B所示，在極薄銅層的粗化處理層上塗布阻劑，進行曝光、顯影，將阻劑蝕刻成特定形狀。
接著，如圖1-C所示，形成電路用鍍敷層後，將阻劑去除，藉此形成特定形狀的電路鍍敷層。
然後，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍敷層的方式(埋沒電路鍍敷層的方式)在極薄銅層上設置嵌入樹脂而積層樹脂層，然後將另一個附載體之銅箔(第二層)從極薄銅層側進行接著。
接著，如圖2-E所示，將載體從第二層附載體之銅箔剝離。
接著，如圖2-F所示，在樹脂層的特定位置進行雷射開孔，使電路鍍敷層露出而形成盲孔。
接著，如圖3-G所示，在盲孔中嵌入銅而形成填孔。
接著，如圖3-H所示，以如前述圖1-B及圖1-C的方式在填孔上形成電路鍍敷層。
接著，如圖3-I所示，將載體從第一層附載體之銅箔剝離。
接著，如圖4-J所示，藉由快速蝕刻去除兩表面的極薄銅層，使樹脂層內的電路鍍敷層的表面露出。
接著，如圖4-K所示，在樹脂層內的電路鍍敷層上形成凸塊，並在該焊料上形成銅柱。以此方式製作使用本發明的附載體之銅箔的印刷配線板。
此外，在前述印刷配線板之製造方法中，也可將「極薄銅層」換稱為載體，將「載體」換稱為極薄銅層，而在附載體之銅箔的載體側的表面形成電路，並且以樹脂埋沒電路，從而製造印刷配線板。
如果使用本發明的附載體之銅箔進行如上述的嵌入法，則由於極薄銅層薄，因此在短時間內完成用來使嵌入電路露出的蝕刻，生產性大幅提高。
前述另一個附載體之銅箔(第二層)可使用本發明的附載體之銅箔，也可使用以往的附載體之銅箔，還可以使用通常的銅箔。另外，還可以在如圖3-H所示的第二層電路上形成一層或多層電路，可利用半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中的任一種方法形成此等電路。
如果使用本發明的附載體之銅箔進行半加成法或改良半加成法，則由於極薄銅層薄，因此在短時間內完成快速蝕刻，生產性大幅提高。
另外，使用於前述第一層的附載體之銅箔可在該附載體之銅箔的載體側表面具有基板。藉由具有該基板，使用於第一層的附載體之銅 箔受到支持，變得不易起皺，因此具有生產性提高的優點。此外，前述基板只要具有支持使用於前述第一層的附載體之銅箔的效果，則可使用全部基板。例如作為前述基板，可使用本案說明書所記載的載體、預浸體、樹脂層或公知的載體、預浸體、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物板、無機化合物箔、有機化合物板、有機化合物箔。
在載體側表面形成基板的時機沒有特別限制，但必須在剝離載體前形成。尤佳於在前述附載體之銅箔的前述極薄銅層側表面形成樹脂層的步驟前形成，更佳於在附載體之銅箔的前述極薄銅層側表面形成電路的步驟前形成。
此外，嵌入樹脂(resin)可使用公知的樹脂、預浸體。例如，可使用BT(雙馬來亞醯胺三)樹脂或為含浸BT樹脂而成的玻璃布的預浸體、Ajinomoto Fine-Techno股份有限公司製造的ABF膜或ABF。另外，前述嵌入樹脂可含有熱硬化性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，前述嵌入樹脂(resin)可使用本說明書所記載的樹脂層及/或樹脂及/或預浸體及/或膜。
進而，藉由在本發明的印刷配線板搭載電子零件類來完成印刷電路板。在本發明中，「印刷配線板」也包括以此方式搭載有電子零件類的印刷配線板、印刷電路板及印刷基板。
另外，可使用該印刷配線板製作電子機器，也可使用該搭載有電子零件類的印刷電路板製作電子機器，也可使用該搭載有電子零件類的印刷基板製作電子機器。
另外，本發明的印刷配線板之製造方法可為包括如下步驟的 印刷配線板之製造方法(空心(coreless)法)：將本發明的附載體之銅箔的前述極薄銅層側表面或前述載體側表面與樹脂基板積層的步驟；在與前述樹脂基板積層的極薄銅層側表面或前述載體側表面的相反側的附載體之銅箔的表面，設置樹脂層與電路這兩層至少1次的步驟；以及在形成前述樹脂層及電路這兩層後，將前述載體或前述極薄銅層從前述附載體之銅箔剝離的步驟。關於該空心法，作為具體例，首先，將本發明的附載體之銅箔的極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板積層而製造積層體(也稱為覆銅積層板、覆銅積層體)。然後，在與樹脂基板積層的極薄銅層側表面或前述載體側表面的相反側的附載體之銅箔的表面形成樹脂層。可進一步從載體側或極薄銅層側將另一片附載體之銅箔積層在形成於載體側表面或極薄銅層側表面的樹脂層。
另外，可將具有如下述構成的積層體用於前述印刷配線板之製造方法(空心法)：以樹脂基板為中心，在該樹脂基板的兩表面側，按照載體/中間層/極薄銅層的順序或極薄銅層/中間層/載體的順序積層有附載體之銅箔的構成，或按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/極薄銅層/中間層/載體」的順序積層的構成，或按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層」的順序積層的構成，或按照「極薄銅層/中間層/載體/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層」的順序積層的構成。
此外，可在兩端的極薄銅層或載體露出的表面設置另一層樹脂層，並且進一步設置銅層或金屬層後，藉由對該銅層或金屬層進行加工而形成電路。還可以在該電路上，以埋沒該電路的方式設置另一層樹脂層。 另外，可將此種電路及樹脂層的形成進行1次以上(增層法)。然後，關於以此方式形成的積層體(以下也稱為積層體B)，從載體或極薄銅層將各附載體之銅箔的極薄銅層或載體剝離而可製作空心基板。此外，前述的空心基板的製作也可使用兩片附載體之銅箔，製作下述的具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體的構成的積層體，或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層的構成的積層體，並將該積層體用於中心。在此等積層體(以下也稱為積層體A)兩側的極薄銅層或載體的表面設置樹脂層及電路這兩層1次以上，在設置樹脂層及電路這兩層1次以上後，從載體或極薄銅層將各附載體之銅箔的極薄銅層或載體剝離而可製作空心基板。前述的積層體可在極薄銅層的表面、載體的表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。其他層可為樹脂層或樹脂基板。此外，在本說明書中，當極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層時，「極薄銅層的表面」、「極薄銅層側表面」、「載體的表面」、「載體側表面」、「積層體的表面」、「積層體表面」是設為包括該其他層的表面(最表面)的概念。另外，積層體較佳具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層的構成。其原因在於，當使用該積層體制作空心基板時，由於在空心基板側配置極薄銅層，因此使用改良半加成法容易在空心基板上形成電路。另外，其原因在於，由於極薄銅層的厚度薄，因此容易去除該極薄銅層，在去除極薄銅層後，使用半加成法，容易在空心基板上形成電路。
此外，在本說明書中，未特別記載為「積層體A」或「積層 體B」的「積層體」表示至少包括積層體A及積層體B的積層體。
此外，在前述空心基板的製造方法中，藉由以樹脂覆蓋附載體之銅箔或積層體(積層體A)的端面的一部分或全部，當利用增層法製造印刷配線板時，可防止化學液滲入構成中間層或積層體的一片附載體之銅箔與另一片附載體之銅箔之間，而可防止因化學液滲入所引起的極薄銅層與載體的分離或附載體之銅箔的腐蝕，從而可提高產率。作為這裡使用的「覆蓋附載體之銅箔的端面的一部分或全部的樹脂」或「覆蓋積層體的端面的一部分或全部的樹脂」，可使用可用於樹脂層的樹脂。另外，在前述空心基板的製造方法中，於俯視附載體之銅箔或積層體時附載體之銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分，或一片附載體之銅箔與另一片附載體之銅箔的積層部分)的外周的至少一部分可被樹脂或預浸體覆蓋。另外，利用前述空心基板的製造方法所形成的積層體(積層體A)可使一對附載體之銅箔以互相可分離的方式接觸而構成。另外，亦可為於俯視該附載體之銅箔時附載體之銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分，或一片附載體之銅箔與另一片附載體之銅箔的積層部分)的外周整體被樹脂或預浸體覆蓋而成者。另外，於俯視時樹脂或預浸體較佳大於附載體之銅箔、積層體或積層體的積層部分，且較佳製成具有下述構成的積層體：將該樹脂或預浸體積層於附載體之銅箔或積層體的兩面，利用樹脂或預浸體將附載體之銅箔或積層體封邊(包裹)。藉由製成此種構成，當俯視附載體之銅箔或積層體時，附載體之銅箔或積層體的積層部分被樹脂或預浸體所覆蓋，可防止其他構件從該部分的側方向，即相對於積層方向為橫向的方向撞擊，結果可減少操作中載體與極薄銅層或附載體之 銅箔彼此的剝離。另外，藉由以不露出附載體之銅箔或積層體的積層部分的外周的方式以樹脂或預浸體覆蓋，可防止如前述的化學液處理步驟中化學液向該積層部分的界面滲入，從而可防止附載體之銅箔的腐蝕或侵蝕。此外，當從積層體的一對附載體之銅箔分離其中一片附載體之銅箔時，或將附載體之銅箔的載體與銅箔(極薄銅層)分離時，在以樹脂或預浸體覆蓋的附載體之銅箔或積層體的積層部分(載體與極薄銅層的積層部分，或一片附載體之銅箔與另一片附載體之銅箔的積層部分)藉由樹脂或預浸體等而牢固密接時，有時需要藉由切割等去除該積層部分等。
可將本發明的附載體之銅箔從載體側或極薄銅層側積層於另一片本發明的附載體之銅箔的載體側或極薄銅層側而構成積層體。另外，也可為下述之積層體：視需要而經由接著劑，將前述一片附載體之銅箔的前述載體側表面或前述極薄銅層側表面與前述另一片附載體之銅箔的前述載體側表面或前述極薄銅層側表面直接積層而獲得的積層體。另外，可將前述一片附載體之銅箔的載體或極薄銅層與前述另一片附載體之銅箔的載體或極薄銅層接合。這裡，當載體或極薄銅層具有表面處理層之情形時，該「接合」也包括隔著該表面處理層而互相接合的態樣。另外，該積層體的端面的一部分或全部可被樹脂覆蓋。
載體彼此、極薄銅層彼此、載體與極薄銅層、附載體之銅箔彼此的積層除了單純地重疊以外，例如可藉由以下方法進行。
(a)冶金接合方法：熔焊(弧焊、TIG(tungsten inert gas，鎢惰性氣體)焊接、MIG(metal inert gas，金屬惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊)、加壓焊接(超聲波焊接、摩擦攪拌焊接)、軟焊； (b)機械接合方法：斂縫、利用鉚釘的接合(利用自沖鉚釘(self-piercing rivet)的接合、利用鉚釘的接合)、縫合機；(c)物理接合方法：接著劑、(雙面)黏著帶。
可藉由使用前述接合方法將一個載體的一部分或全部與另一個載體的一部分或全部或者極薄銅層的一部分或全部進行接合，而將一個載體與另一個載體或極薄銅層積層，製造使載體彼此或載體與極薄銅層以可分離的方式接觸而構成的積層體。當一個載體與另一個載體或極薄銅層較弱地接合而積層有一個載體與另一個載體或極薄銅層的情形時，即便不去除一個載體與另一個載體或極薄銅層的接合部，一個載體與另一個載體或極薄銅層也可分離。另外，當一個載體與另一個載體或極薄銅層較強地接合時，藉由利用切割或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等去除一個載體與另一個載體接合的部位，可將一個載體與另一個載體或極薄銅層分離。
另外，藉由實施如下步驟，可製作印刷配線板：在以上述方式構成的積層體，設置樹脂層與電路這兩層至少1次的步驟；以及在形成前述樹脂層及電路這兩層至少1次後，從前述積層體的附載體之銅箔將前述極薄銅層或載體剝離的步驟。此外，可在該積層體的其中一個表面或兩個表面設置樹脂層與電路這兩層。
使用於前述積層體的樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸體可為本說明書所記載的樹脂層，也可含有本說明書所記載之使用於樹脂層的樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸體、骨架材料等。此外，附載體之銅箔在俯視時可小於樹脂或預浸體。
<附載體之銅箔的製造方法>
其次，對本發明的附載體之銅箔的製造方法進行說明。為了製造本發明的附載體之銅箔，必須滿足以下的製造條件。
(1)利用滾筒支持載體，同時一面藉由輥對輥(roll to roll)搬送方式進行搬送，一面藉由電解鍍敷形成中間層(也稱為剝離層)、極薄銅層，或者在形成極薄銅層時的製造裝置中，將搬送輥與搬送輥之間縮短，並且將搬送張力設為通常的3~5倍左右而形成極薄銅層。
此外，為了將本發明的超極薄銅箔的厚度設為0.9μm以下，可舉如下特徵：以提高鍍敷時的電流密度為目的，而將鍍敷時的電流密度設為10A/dm2以上。如果電流密度為10A/dm2以下，則成為粉狀鍍敷，無法獲得良好的鍍敷表面。電流密度較佳為10A/dm2以上，更佳為12A/dm2以上，進而更佳為15A/dm2以上。
另外，為了將本發明的超極薄銅箔的剝離強度設為10N/m以下，可舉如下特徵：將形成中間層時的處理液的溫度(例如Cr、Ni、Co-Mo鍍敷等鍍敷液溫度或鉻酸處理液，或者用來形成有機物層的處理液的溫度)的範圍設為45~70℃。如果形成中間層時的鍍敷液溫度或處理液溫度低於45℃，則反應速度降低，剝離強度容易增大，而難以控制為10N/m以下。另一方面，如果形成中間層時的鍍敷液溫度或處理液溫度超過70℃，則鍍敷層或處理層變得不均，外觀上成為問題。形成中間層時的鍍敷液溫度或處理液溫度較佳為45~70℃，更佳為50~65℃，進而較佳為55~60℃。
關於(1)：
本發明的實施形態的附載體之銅箔的製造方法，是藉由利用輥對輥搬送方式對沿長度方向搬送的長條狀載體的表面進行處理，而製造具備有載 體、積層於載體上之中間層及積層於中間層上之極薄銅層的附載體之銅箔。本發明的實施形態的附載體之銅箔的製造方法包括：一面利用滾筒支持由搬送輥搬送的載體，一面藉由鍍敷(例如電解鍍敷、無電鍍敷等濕式鍍敷或藉由濺鍍、CVD、PVD等進行的乾式鍍敷)在載體表面形成中間層的步驟；一面利用滾筒支持形成有中間層的載體，一面藉由鍍敷(例如電解鍍敷、無電鍍敷等濕式鍍敷或藉由濺鍍、CVD、PVD等進行的乾式鍍敷)在中間層表面形成極薄銅層的步驟；及一面利用滾筒支持載體，一面藉由鍍敷(例如電解鍍敷、無電鍍敷等濕式鍍敷或藉由濺鍍、CVD、PVD等進行的乾式鍍敷)在極薄銅層表面形成粗化處理層的步驟。例如在各步驟中由滾筒支持的載體的處理面兼作陰極，在該滾筒和以與滾筒相對向的方式設置的陽極之間的鍍敷液中進行各電解鍍敷。以此方式利用滾筒支持載體，同時一面藉由輥對輥搬送方式進行搬送，一面藉由鍍敷(例如電解鍍敷、無電鍍敷等濕式鍍敷或藉由濺鍍、CVD、PVD等進行的乾式鍍敷)形成中間層、極薄銅層，藉此鍍敷中的陽極-陰極間的極間距離會穩定。因此，可良好地抑制所形成的層的厚度不均，而可精度良好地製作如本發明的超極薄銅層。另外，如果因鍍敷中的陽極-陰極間的極間距離穩定而良好地抑制形成於載體表面的中間層的厚度不均，則Cu從載體向極薄銅層擴散亦同樣可獲得抑制。因此，可良好地抑制極薄銅層中針孔的產生。
另外，作為除了由滾筒支持以外的方法，也有如下方法：在形成極薄銅層時的製造裝置中，將搬送輥與搬送輥之間縮短，並且將搬送張力設為通常的3~5倍左右而形成極薄銅層。其原因在於，藉由導入支撐輥等將搬送輥與搬送輥之間縮短(例如800~1000mm左右)，並且，將搬送張力設 為通常的3~5倍左右，藉此會使得載體的位置穩定，陽極-陰極間的極間距離穩定。藉由極間距離穩定，可使陽極與陰極的距離小於通常的距離。
此外，如果並非以滾筒方式而是藉由濺鍍或無電鍍敷形成，則由於用來維持裝置的運轉成本或濺鍍靶、鍍敷液的化學液等的成本高，因此有存在製造成本高之情形的問題。
【實施例】
以下藉由本發明的實施例進一步對本發明進行詳細說明，但本發明並不受此等實施例任何限定。
1.附載體之銅箔的製造
準備表1所記載的厚度的銅箔作為載體。表中的「電解銅箔」使用JX日鑛日石金屬公司製造的電解銅箔，「壓延銅箔」則使用JX日鑛日石金屬公司製造的精銅箔(JIS-H3100-C1100)。
對於該銅箔的光澤面，以下述條件，於輥對輥型連續生產線進行表中記載的中間層、極薄銅層及粗化處理層的各形成處理。
(形成中間層)
中間層形成條件如表1所記載。
-形成中間層時的電流密度-
將表1的形成中間層時的電流密度的條件示於以下。
◎：15A/dm2以上
○：10A/dm2以上且未達15A/dm2
×：未達10A/dm2
-形成中間層時的溫度-
將表1的形成中間層時的處理液溫度的條件示於以下。
◎：50℃以上且65℃以下
○：40℃以上且未達50℃或超過65℃且為70℃以下
×：未達40℃或超過70℃
-中間層形成方法-
將表1的中間層形成方法的條件示於以下。
(A)利用滾筒的運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：由直徑100cm滾筒支持的載體表面
‧極間距離：10mm
‧載體搬送張力：0.05kg/mm
(B)經改良的蜿蜒運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：載體處理面
‧極間距離：10mm
‧載體搬送張力：0.20kg/mm
‧將支撐輥設置於搬送輥間，將形成極薄銅層時的輥間距離設為通常的1/2(800~1000mm左右)。
此外，表中的「中間層」一欄的記載表示進行以下處理。另外，例如「Ni/有機物」是指進行鍍鎳處理後進行有機物處理。
‧「Ni」：鍍鎳
(液體組成)硫酸鎳：270~280g/L、氯化鎳：35~45g/L、乙酸鎳：10~20g/L、檸檬酸三鈉：15~25g/L、光澤劑：糖精、丁炔二醇等、十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
(pH值)4~6
(通電時間)1~20秒
‧「鉻酸鹽」：電解純鉻酸處理
(液體組成)重鉻酸鉀：1~10g/L
(pH值)7~10
(庫侖量)0.5~90As/dm2
(通電時間)1~30秒
‧「有機物」：有機物層形成處理
藉由使含有濃度1~30g/L之羧基苯并三唑(CBTA)且液溫為40℃、pH值為5的水溶液形成淋浴環(shower ring)噴霧20~120秒而進行。
‧「Ni-Mo」：鍍鎳鉬合金
(液體組成)硫酸Ni六水合物：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
(通電時間)3~25秒
‧「Cr」：鍍鉻
(液體組成)CrO3：200~400g/L、H2SO4：1.5~4g/L
(pH值)1~4
(通電時間)1~20秒
‧「Co-Mo」：鍍鈷鉬合金
(液體組成)硫酸Co：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
(通電時間)3~25秒
‧「Ni-P」：鍍鎳磷合金
(液體組成)Ni：30~70g/L、P：0.2~1.2g/L
(pH值)1.5~2.5
(通電時間)0.5~30秒
(形成極薄銅層)
將表1的極薄銅層形成方法的條件示於以下。
(A)利用滾筒的運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：由直徑100cm滾筒支持的載體表面
‧極間距離：10mm
‧電解液組成：銅濃度80~120g/L、硫酸濃度80~120g/L
‧電解鍍敷的浴溫：50~80℃
‧電解鍍敷的電流密度：90A/dm2
‧載體搬送張力：0.05kg/mm
(B)經改良的蜿蜒運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：載體處理面
‧極間距離：10mm
‧電解液組成：銅濃度80~120g/L、硫酸濃度80~120g/L
‧電解鍍敷的浴溫：50~80℃
‧電解鍍敷的電流密度：90A/dm2
‧載體搬送張力：0.20kg/mm
‧將支撐輥設置於搬送輥間，將形成極薄銅層時的輥間距離設為通常的1/2(800~1000mm左右)。
(粗化處理層形成)
將表1的粗化處理層形成方法的條件示於以下。
(A)利用滾筒的運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：由直徑100cm滾筒支持的載體表面
‧極間距離：10mm
‧載體搬送張力：0.05kg/mm
(B)經改良的蜿蜒運箔方式
‧陽極：不溶解性電極
‧陰極：載體處理面
‧極間距離：10mm
‧載體搬送張力：0.20kg/mm
‧將支撐輥設置於搬送輥間，將形成極薄銅層時的輥間距離設為通常的1/2(800~1000mm左右)。
表的「粗化處理形成條件」的「1」及「2」表示以下的處理條件。
(1)粗化處理條件「1」
(液體組成)
Cu：10~20g/L
Ni：5~15g/L
Co：5~15g/L
(電鍍條件)
溫度：25~60℃
電流密度：35~55A/dm2
粗化庫侖量：5~50As/dm2
鍍敷時間：0.1~1.4秒
(2)粗化處理條件「2」
‧電解鍍敷液組成(Cu：10g/L、H2SO4：50g/L)
‧電解鍍敷的浴溫：40℃
‧電解鍍敷的電流密度：20~40A/dm2
‧粗化庫侖量：2~56As/dm2
‧鍍敷時間：0.1~1.4秒
(形成耐熱層)
「Cu-Zn」：鍍銅-鋅合金
(液體組成)
NaOH：40~200g/L
NaCN：70~250g/L
CuCN：50~200g/L
Zn(CN)2：2~100g/L
As2O3：0.01~1g/L
(液溫)
40~90℃
(電流條件)
電流密度：1~50A/dm2
鍍敷時間：1~20秒
「Ni-Zn」：鍍鎳-鋅合金
液體組成：鎳2~30g/L、鋅2~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：1~2As/dm2
「Zn」：鍍鋅
液體組成：鋅15~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：1~2As/dm2
(形成防銹層)
「鉻酸鹽」：鉻酸處理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或CrO3)：2~10g/L
NaOH或KOH：10~50g/L
ZnOH或ZnSO4‧7H2O：0.05~10g/L
pH值：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度：0.05~5A/dm2
時間：5~30秒
(形成矽烷偶合處理層)
噴塗0.1vol%~0.3vol%的3-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷水溶液後，在100~200℃的空氣中乾燥、加熱0.1~10秒。
2.附載體之銅箔的評價
對於以前述方式獲得的附載體之銅箔，藉由以下方法實施各評價。
<極薄銅層厚度的測量>
測量附載體之銅箔的重量後，將載體剝離，測量載體的重量，將前者與後者的差定義為極薄銅層的重量。
‧試樣的大小：10cm見方片(利用加壓機沖裁而獲得的10cm見方片)
‧試樣的選取：任意的3處
‧根據以下的式子算出各試樣由重量法獲得的極薄銅層的厚度。
由重量法獲得的極薄銅層厚度(μm)={(10cm見方片的附載體之銅 箔的重量(g/100cm2))-(從前述10cm見方片的附載體之銅箔剝離極薄銅層後的載體的重量(g/100cm2))}/銅的密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
此外，試樣的重量測量使用可測量到小數點後4位的精密天平。然後，將獲得的重量的測量值直接用於前述計算。
‧將3處由重量法獲得的極薄銅層的厚度的算術平均值作為由重量法獲得的極薄銅層的厚度。
另外，精密天平使用AS ONE股份有限公司的IBA-200，加壓機使用Noguchi Press股份有限公司製造的HAP-12。
此外，當在極薄銅層上形成粗化處理層等表面處理層之情形時，在形成該表面處理層後進行前述測量。
<剝離強度(常態剝離強度)的測量>
將附載體之銅箔的極薄銅層側的表面貼附在BT樹脂(三-雙馬來亞醯胺系樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)，在220℃以20kg/cm2加熱壓接2小時。其次，利用拉伸試驗機拉伸載體側，根據JIS C 6471 8.1測量剝離載體時的剝離強度。
<針孔>
將附載體之銅箔的極薄銅層側的表面貼附在BT樹脂(三-雙馬來亞醯胺系樹脂，三菱瓦斯化學股份有限公司製造)上，在220℃以20kg/cm2加熱壓接2小時。其次，使載體側朝上，一面用手按住附載體之銅箔的樣品，一面注意不要強行剝離以免極薄銅層途中斷裂，用手將載體從極薄銅層剝離。接著，對於BT樹脂(三-雙馬來亞醯胺系樹脂，三菱瓦斯 化學股份有限公司製造)上的極薄銅層表面，以民用的照片用背光裝置作為光源，藉由目視測量大小250mm×250mm的5片樣品的孔徑為50μm以下的針孔個數。然後，根據以下的式子算出每單位面積(m2)的針孔個數。
每單位面積(m2)的針孔個數(個/m2)=對大小250mm×250mm的5片樣品測得的針孔個數的合計(個)/所觀察的表面區域的合計面積(5片×0.0625m2/片)
然後，根據以下基準對針孔進行評價。
◎：0個/m2
○：1~10個/m2
△：11~20個/m2
×：超過20個/m2
<形成極薄銅層後的後續步驟中的剝落>
對形成極薄銅層後的後續步驟(粗化處理步驟)中的載體有無剝落(有(10次中5次以上)：×，偶爾有(10次中1次至4次)：△，無：○)進行評價。
將實施例及比較例的製作條件及評價結果示於表1。
(評價結果)
實施例1~18中關於極薄銅層的厚度為0.9μm以下的附載體之銅箔，均能夠良好地抑制剝離載體時所發生之針孔的產生。
比較例1~6中關於極薄銅層的厚度為0.9μm以下的附載體之銅箔，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離前述載體時的剝離強度均超過10N/m，不能抑制剝離載體時所發生之針孔的產生。

Claims (24)

  1. 一種附載體之銅箔，其依序具有載體、中間層、極薄銅層，該極薄銅層的厚度為0.9μm以下，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離該載體時的剝離強度為10N/m以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離該載體時的剝離強度為3~10N/m。
  3. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離該載體時的剝離強度為3~9N/m。
  4. 如申請專利範圍第1項之附載體之銅箔，其中，藉由按照JIS C 6471 8.1的90°剝離法剝離該載體時的剝離強度為3~8N/m。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層之厚度為0.05~0.9μm。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層之厚度為0.1~0.9μm。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層之厚度為0.85μm以下。
  8. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附載體之銅箔，其中，該極薄銅層之每單位面積(m2)的針孔個數(個/m2)在20個/m2以下。
  9. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附載體之銅箔，其中，當申請專利範圍第1至4項中任一項之附載體之銅箔於載體的一面具有極薄銅層的情形時，在該極薄銅層側及該載體側的至少一個表面或兩個表面，或 者當申請專利範圍第1至4項中任一項之附載體之銅箔於載體的兩面具有極薄銅層的情形時，在該一個或兩個極薄銅層側的表面，具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸處理(chromate treatment)層及矽烷偶合處理層組成的群中的一種以上的層。
  10. 如申請專利範圍第9項之附載體之銅箔，其中，該防銹層及該耐熱層的至少一者含有選自鎳、鈷、銅、鋅中的一種以上元素。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之附載體之銅箔，其在該極薄銅層上具備樹脂層。
  12. 如申請專利範圍第9項之附載體之銅箔，其在選自由該粗化處理層、該耐熱層、防銹層、鉻酸處理層及矽烷偶合處理層組成的群中的一種以上的層上具備樹脂層。
  13. 如申請專利範圍第11項之附載體之銅箔，其中，該樹脂層含有介電質。
  14. 如申請專利範圍第12項之附載體之銅箔，其中，該樹脂層含有介電質。
  15. 一種印刷配線板，其是使用申請專利範圍第1至14項中任一項之附載體之銅箔所製造。
  16. 一種積層體，其是使用申請專利範圍第1至14項中任一項之附載體之銅箔所製造。
  17. 一種積層體，其含有申請專利範圍第1至14項中任一項之附載體之銅箔與樹脂，該附載體之銅箔的端面的一部分或全部被該樹脂覆蓋。
  18. 一種積層體，係將一片申請專利範圍第1至14項中任一項之附載體之銅箔從該載體側或該極薄銅層側積層於另一片申請專利範圍第1至14項中任一項之附載體之銅箔的該載體側或該極薄銅層側而成。
  19. 一種印刷配線板之製造方法，其使用申請專利範圍第16至18項中任一項之積層體。
  20. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：在申請專利範圍第16至18項中任一項之積層體設置樹脂層與電路這兩層至少1次的步驟；及在形成該樹脂層及電路這兩層至少1次後，將該極薄銅層或該載體從該積層體的附載體之銅箔剝離的步驟。
  21. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：準備申請專利範圍第1至14項中任一項之附載體之銅箔與絕緣基板的步驟；將該附載體之銅箔與絕緣基板積層的步驟；以及在將該附載體之銅箔與絕緣基板積層後，經過剝離該附載體之銅箔的銅箔載體的步驟而形成覆銅積層板，然後，藉由半加成法(semi-additive process)、減成法(subtractive process)、部分加成法(partly additive process)或改良半加成法(modified semi-additive process)中的任一種方法形成電路的步驟。
  22. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：在申請專利範圍第1至14項中任一項之附載體之銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成電路的步驟；以埋沒該電路的方式在該附載體之銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面形成樹脂層的步驟；將該載體或該極薄銅層剝離的步驟；以及 在將該載體或該極薄銅層剝離後，去除該極薄銅層或該載體，藉此使形成於該極薄銅層側表面或該載體側表面且埋沒於該樹脂層的電路露出的步驟。
  23. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：將申請專利範圍第1至14項中任一項之附載體之銅箔的該極薄銅層側表面或該載體側表面與樹脂基板積層的步驟；在該附載體之銅箔的與積層樹脂基板側相反側的極薄銅層側表面或該載體側表面設置樹脂層與電路這兩層至少1次的步驟；以及在形成該樹脂層及電路這兩層至少1次後，將該載體或該極薄銅層從該附載體之銅箔剝離的步驟。
  24. 一種電子機器，其是使用申請專利範圍第15項之印刷配線板或藉由申請專利範圍第19至23項中任一項之印刷配線板之製造方法而製造的印刷配線板所製造。
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