TW201718270A - 附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法 - Google Patents

附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種微細電路形成性良好之附載體銅箔。本發明之附載體銅箔依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三□樹脂基板後，將載體剝離，接著藉由蝕刻將極薄銅層去除，藉此而露出之樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv為0.181~2.922μm。

Description

附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法
本發明關於一種附載體銅箔、積層體、印刷配線板之製造方法及電子機器之製造方法。
通常，印刷配線板是經過使絕緣基板黏接於銅箔而製成覆銅積層板後，藉由蝕刻在銅箔面形成導體圖案之步驟所製造。隨著近年來電子機器之小型化、高性能化需求之增大，向搭載零件之高密度安裝化或信號之高頻化方向發展，對印刷配線板要求導體圖案之微細化(微間距化)或高頻應對等。
最近，應對微間距化而要求厚度9μm以下、進而厚度5μm以下之銅箔，但這種極薄銅箔之機械强度低，在製造印刷配線板時容易破損或產生褶皺，因此出現了將有厚度之金屬箔用作載體，並經由剝離層使極薄銅層電鍍在該載體上之附載體銅箔。在將極薄銅層之表面貼合在絕緣基板上並進行熱壓接後，經由剝離層將載體剝離去除。在利用抗蝕劑在所露出之極薄銅層上形成電路圖案後，藉由利用硫酸-過氧化氫系之蝕刻劑而將極薄銅層蝕刻去除之方法(MSAP：Modified-Semi-Additive-Process)形成微細電路。
在此，對於成為與樹脂之黏接面之附載體銅箔之極薄銅層之表面，主要要求極薄銅層與樹脂基材之剝離强度充分，並且該剝離强度在 高溫加熱、濕式處理、焊接、化學品處理等之後仍充分地保持。作為提高極薄銅層與樹脂基材之間之剝離强度之方法，一般來說，代表方法是使大量粗化粒子附著在增大了表面輪廓(凹凸、粗糙度)之極薄銅層上之方法。
然而，如果將這種輪廓(凹凸、粗糙度)大之極薄銅層用於印刷配線板中尤其需要形成微細電路圖案之半導體封裝基板，則在電路蝕刻時會殘留無用之銅粒子而產生電路圖案間之絕緣不良等問題。
為此，在WO2004/005588號(專利文獻1)中嘗試使用未對極薄銅層之表面實施粗化處理之附載體銅箔作為以半導體封裝基板為首之微細電路用途之附載體銅箔。這種未實施粗化處理之極薄銅層與樹脂之密接性(剝離强度)有因其低輪廓(凹凸、粗度、粗糙度)之影響而與一般印刷配線板用銅箔相比有所降低之傾向。為此，對於附載體銅箔，要求進一步之改善。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]WO2004/005588號
在附載體銅箔之開發中，迄今為止仍重視確保極薄銅層與樹脂基材之剝離强度。因此，關於適合印刷配線板之高密度安裝化且適合微細電路形成用之附載體銅箔尚未得到充分研究，而尚有改善餘地。
因此，本發明之課題在於提供一種微細電路形成性良好之附載體銅箔。
關於適合微細電路形成用之附載體銅箔，考慮到提高附載體銅箔之極薄銅層側表面之平滑性或形成微細粗化粒子，本發明者進一步深入進行了以下研究。即，發現為了進一步提高微細電路形成性，重要的是研究縮短電路形成時之快速蝕刻之時間，為此，有效的是縮小「供形成電路之層之厚度範圍」。該「供形成電路之層之厚度範圍」表示基於載體及極薄銅層(塊體)之起伏之塊體之最大厚度範圍，或在極薄銅層形成了粗化粒子之情况下表示將該塊體之起伏與形成在極薄銅層之粗化瘤之足長相加後之最大厚度範圍。
本發明者為了縮小供形成所述電路之層之厚度範圍而進行了潛心探究，結果發現，將藉由在將附載體銅箔從極薄銅層側貼合在樹脂基板後，將載體剝離，接著藉由蝕刻將極薄銅層去除而露出之樹脂基板之特定之表面性狀控制在特定範圍，藉此可縮小供形成所述電路之層之厚度範圍，藉此微細電路形成性變得良好。
本發明基於上述見解而完成，在一個態樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv為0.181~2.922μm。
本發明在另一個態樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件 下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之核心部之級差Sk為0.095~0.936μm。
本發明在又一個態樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk為0.051~0.478μm。
本發明在又一個態樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。
本發明在又一個態樣中是一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~ 10.777。
本發明之附載體銅箔在另一實施方式中，在本發明之附載體銅箔在載體之一個面具有極薄銅層之情况下，在上述極薄銅層側及上述載體側之至少一個表面或兩個表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層，或者在本發明之附載體銅箔在載體之兩面具有極薄銅層之情況下，在該一個或兩個極薄銅層側之表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明之附載體銅箔在又一個實施方式中，上述粗化處理層是包含選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成之群中之任一單質或含有任1種以上上述單質之合金之層。
本發明之附載體銅箔在又一個實施方式中，在上述極薄銅層上具備樹脂層。
本發明之附載體銅箔在又一個實施方式中，在上述選自由粗化處理層、上述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層之上具備樹脂層。
本發明在又一個態樣中是一種積層體，其是使用本發明之附載體銅箔而製造。
本發明在又一個態樣中是一種積層體，其包含本發明之附載體銅箔與樹脂，並且上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂覆蓋。
本發明在又一個態樣中是一種積層體，其是將一個本發明之 附載體銅箔從上述載體側或上述極薄銅層側積層於另一個本發明之附載體銅箔之上述載體側或上述極薄銅層側而成。
本發明在又一個態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其使用本發明之積層體。
本發明在又一個態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括：在本發明之積層體上至少設置1次樹脂層與電路這兩層之步驟；及在至少形成1次上述樹脂層及電路這兩層後，將上述極薄銅層或上述載體從上述積層體之附載體銅箔剝離之步驟。
本發明在又一個態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其使用本發明之附載體銅箔。
本發明在又一個態樣中是一種電子機器之製造方法，其使用藉由本發明之方法而製造之印刷配線板。
本發明在又一個態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；及在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟，而形成覆銅積層板，其後藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法而形成電路之步驟。
本發明在又一個態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括： 在本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路之步驟；以埋沒上述電路之方式在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層之步驟；將上述載體或上述極薄銅層剝離之步驟；及在將上述載體或上述極薄銅層剝離後，將上述極薄銅層或上述載體去除，藉此使形成在上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且埋沒在上述樹脂層之電路露出之步驟。
本發明在又一個態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括：將本發明之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層之步驟；在上述附載體銅箔之與樹脂基板積層一側之相反側之極薄銅層側表面或上述載體側表面至少設置1次樹脂層與電路這兩層之步驟；及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述載體或上述極薄銅層從上述附載體銅箔剝離之步驟。
本發明在又一個態樣中是一種印刷配線板之製造方法，其包括：在本發明之積層體之任一面或兩面至少設置1次樹脂層與電路這兩層之步驟；及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述載體或上述極薄銅層從構成上述積層體之附載體銅箔剝離之步驟。
根據本發明，可提供微細電路形成性良好之附載體銅箔。
圖1A~C是使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之至鍍敷電路、去除抗蝕劑為止之步驟之配線板剖面之示意圖。
圖2D~F是使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之積層樹脂及第2層附載體銅箔至雷射開孔為止之步驟之配線板剖面之示意圖。
圖3G~I是使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之形成填孔至剝離第1層載體為止之步驟之配線板剖面之示意圖。
圖4J~K是使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例之快速蝕刻至形成凸塊、銅柱為止之步驟之配線板剖面之示意圖。
圖5是表示實施例之裙擺部之電路之剖面示意圖。
<附載體銅箔>
本發明之附載體銅箔依序具備載體、中間層、及極薄銅層。附載體銅箔自身之使用方法可使用公知之使用方法。例如可在將極薄銅層之表面貼合在紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂、聚酯膜、聚醯亞胺膜等絕緣基板並進行熱壓接後將載體剝 離，將黏接於絕緣基板之極薄銅層蝕刻成目標導體圖案，而最終製造出印刷配線板。
另外，附載體銅箔也可在載體之一面依序具備中間層及極薄銅層，並在載體之與極薄銅層側之面為相反側之面設置下述粗化處理層。另外，附載體銅箔也可在載體之兩面依序具備中間層及極薄銅層。
<與附載體銅箔貼合而形成之樹脂基板之表面性狀>
為了使微細電路形成性相對於以往進一步提高，重要的是研究縮短電路形成時之快速蝕刻之時間，為此，有效的是縮小「供形成電路之層之厚度範圍」。該「供形成電路之層之厚度範圍」表示基於載體及極薄銅層(塊體)之起伏之塊體之最大厚度範圍，或在極薄銅層形成了粗化粒子之情况下表示將該塊體之起伏與形成在極薄銅層之粗化瘤之足長相加後之最大厚度範圍。在本發明中，如以下所述，藉由將與附載體銅箔貼合而形成之樹脂基板之特定之表面性狀控制為特定範圍，來控制附載體銅箔之表面性狀，藉此控制該供形成電路之層之厚度範圍。
本發明在一個態樣中是一種附載體銅箔，其在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將所述載體剝離，接著藉由蝕刻將所述極薄銅層去除，藉此而露出之所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv為0.181~2.922μm。藉由這種構成，控制附載體銅箔之表面性狀，藉此能夠縮小供形成所述電路之層之厚度範圍，從而微細電路形成性變得良好。
此外，在本發明中，並非控制極薄銅層表面，而是控制反映出極薄銅層之表面性狀之樹脂基板之表面性狀。如此一來，在將樹脂基板與附載體銅箔貼合後將載體剝離並將極薄銅層去除後控制藉由蝕刻將極薄銅層去除時之樹脂基板表面(銅箔粒子之複製面)可基於極薄銅層之表面性狀被何種程度地反映至樹脂基板表面(尤其是在具有粗化粒子之情况下，粗化粒子(之足前端)被何種程度地埋沒至樹脂基板內)之觀點加以控制，因此能夠控制其深度越深快速蝕刻越耗費時間之部分(例如形成M-SAP電路時容易作為銅殘渣而殘留之部分)。因此，例如在M-SAP電路形成中，殘留在樹脂基板側之銅殘渣之好壞關係到品質良莠，因此如果模擬成為配線形成之最後關鍵之快速蝕刻步驟，則認為控制樹脂基板側優於直接控制銅箔面。
如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv未達0.181μm，則會產生粗糙度減小、樹脂與銅箔之密接力降低而配線容易脫落之問題。另外，如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv超過2.922μm，則粗糙度增大而厚度範圍增大，藉此快速蝕刻所需之時間變長。在此，如果要保持電路之配線寬度，則在形成了粗化粒子之情况下，該粗化粒子之足部長之部分會作為殘渣而殘留，或者電路之裙擺部增大。另外，如果延長蝕刻時間直至銅殘渣完全消失，則會產生配線寬度變細而無法獲得所需之線/間距之配線，從而微細電路形成性變差之問題。所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv也可設為0.2μm以上、0.25μm以上、0.3μm以上、0.35μm以上，優選設為2.9μm 以下、2.5μm以下、2.35μm以下、2μm以下、1.4μm以下、1μm以下、0.67μm以下、0.6μm以下。
本發明在另一個態樣中是一種附載體銅箔，其在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將所述載體剝離，接著藉由蝕刻將所述極薄銅層去除，藉此而露出之所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之核心部之級差Sk為0.095~0.936μm。藉由這種構成，控制附載體銅箔之表面性狀，藉此能夠縮小供形成所述電路之層之厚度範圍，從而微細電路形成性變得良好。如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之核心部之級差Sk未達0.095μm，則會產生粗糙度剖面線之核心部縮小、樹脂與銅箔之密接力降低而配線容易脫落之問題。另外，如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之核心部之級差Sk超過0.936μm，則粗糙度剖面線之核心部增大而厚度範圍增大，藉此快速蝕刻所需之時間變長。這裏，如果要保持電路之配線寬度，則在形成了粗化粒子之情况下，該粗化粒子之足部長之部分會作為殘渣而殘留，或者電路之裙擺增大。另外，如果延長蝕刻時間直至銅殘渣完全消失，則會產生配線寬度變細而無法獲得所需之線/間距之配線，從而微細電路形成性變差之問題。所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之核心部之級差Sk也可設為0.1μm以上、0.15μm以上、0.2μm以上、0.25μm以上，優選設為0.9μm以下、0.85μm以下、0.8μm以下、0.75μm以下、0.48μm以下、0.35μm以下、0.3μm以下。
本發明在又一個態樣中是一種附載體銅箔，其在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將所述載體剝離，接著藉由蝕刻將所述極薄銅層去除，藉此而露出之所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk為0.051~0.478μm。藉由這種構成，控制附載體銅箔之表面性狀，藉此可縮小供形成所述電路之層之厚度範圍，從而微細電路形成性變得良好。如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk未達0.051μm，則會產生粗糙度減小、樹脂與銅箔之密接力降低而配線容易脫落之問題。另外，如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk超過0.478μm，則粗糙度增大而厚度範圍增大，藉此快速蝕刻所需之時間變長。這裏，如果要保持電路之配線寬度，則在形成了粗化粒子之情况下，該粗化粒子之足部長之部分會作為殘渣而殘留，或者電路之裙擺增大。另外，如果延長蝕刻時間直至銅殘渣完全消失，則會產生配線寬度變細而無法獲得所需之線/間距之配線，從而微細電路形成性變差之問題。所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk也可設為0.06μm以上、0.07μm以上、0.08μm以上、0.09μm以上，優選設為0.45μm以下、0.4μm以下、0.35μm以下、0.3μm以下、0.210μm以下、0.164μm以下、0.160μm以下。
本發明在又一個態樣中是一種附載體銅箔，其在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將所述載體剝離，接 著藉由蝕刻將所述極薄銅層去除，藉此而露出之所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。藉由這種構成，控制附載體銅箔之表面性狀，藉此可縮小供形成所述電路之層之厚度範圍，從而微細電路形成性變得良好。如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv未達0.003μm3/μm2，則會產生粗糙度減小、樹脂與銅箔之密接力降低而配線容易脫落之間題。另外，如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv超過0.020μm3/μm2，則粗糙度增大而厚度範圍增大，藉此快速蝕刻所需之時間變長。在此，如果要保持電路之配線寬度，則在形成了粗化粒子之情况下，該粗化粒子之足部長之部分會作為殘渣而殘留，或者電路之裙擺增大。另外，如果延長蝕刻時間直至銅殘渣完全消失，則會產生配線寬度變細而無法獲得所需之線/間距之配線，從而微細電路形成性變差之問題。所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv也可設為0.004μm3/μm2以上、0.005μm3/μm2以上、0.006μm3/μm2以上、0.007μm3/μm3以上，優選設為0.018μm3/μm2以下、0.017μm3/μm2以下、0.016μm3/μm2以下、0.015μm3/μm2以下、0.010μm3/μm2以下、0.009μm3/μm2以下、0.008μm3/μm2以下、0.007μm3/μm2以下。
本發明在又一個態樣中是一種附載體銅箔，其在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將所述載體剝離，接著藉由蝕刻將所述極薄銅層去除，藉此而露出之所述樹脂基板表面之利用 雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。藉由這種構成，控制附載體銅箔之表面性狀，藉此可縮小供形成所述電路之層之厚度範圍，從而微細電路形成性變得良好。如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk未達3.549，則會產生粗糙度減小、樹脂與銅箔之密接力降低而配線容易脫落之問題。另外，如果所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk超過10.777，則局部產生表面之粗糙度(凸部或凹部)大之部位之頻率會逐漸增大，成為在實用上成為問題之水平之產生頻率，結果會導致微細電路形成性變得不良。所述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk也可設為3.6以上、4以上、4.5以上、5以上，優選設為10.5以下、10以下、9.5以下、9以下、8.5以下、8.300以下、7.000以下。
<載體>
可用於本發明之載體典型來說為金屬箔或樹脂膜，例如是以銅箔、銅合金箔、鎳箔、鎳合金箔、鐵箔、鐵合金箔、不銹鋼箔、鋁箔、鋁合金箔、絕緣樹脂膜、聚醯亞胺膜、LCP(液晶聚合物)膜、氟樹脂膜、聚醯胺膜、PET膜之形態而提供。
可用於本發明之載體典型來說是以壓延銅箔或電解銅箔之形態而提供。一般來說，電解銅箔是使銅從硫酸銅電鍍浴中電解析出至鈦或不銹鋼 之滾筒上而製造，壓延銅箔是反復進行利用壓延輥所進行之塑性加工與熱處理而製造。作為銅箔之材料，除精銅(JIS H3100合金編號C1100)或無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011)等高純度之銅以外，例如也可使用加入了Sn之銅、加入了Ag之銅、添加了Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加了Ni及Si等之卡遜系銅合金之類之銅合金。此外，在本說明書中，在單獨使用術語「銅箔」時也包括銅合金箔。
可用於本發明之載體之厚度並無特別限制，只要適當調節為在發揮作為載體之作用之方面合適之厚度即可，例如可設為5μm以上。但是，如果過厚，則生產成本會增高，因此通常優選設為35μm以下。因此，載體之厚度典型來說為8~70μm，更典型來說為12~70μm，更典型來說為18~35μm。另外，就降低原料成本之觀點來說，載體之厚度優選小。因此，載體之厚度典型來說為5μm以上且35μm以下，優選5μm以上且18μm以下，優選5μm以上且12μm以下，優選5μm以上且11μm以下，優選5μm以上且10μm以下。此外，在載體之厚度小之情况下，在載體之通箔時容易產生褶皺。為了防止產生褶皺，例如有效的是使附載體銅箔製造裝置之搬送輥平滑或縮短搬送輥與下一個搬送輥之距離。此外，在將附載體銅箔用於作為印刷配線板之製造方法之一之嵌入方法(嵌入法(Enbedded Process))之情况下，載體之剛性必須高。因此，在用於嵌入方法之情况下，載體之厚度優選18μm以上且300μm以下，優選25μm以上且150μm以下，優選35μm以上且100μm以下，進而更優選35μm以上且70μm以下。
此外，也可在載體之與設置極薄銅層一側之表面為相反側之表面設置 粗化處理層。可使用公知之方法設置該粗化處理層，也可藉由下述粗化處理進行設置。在載體之與設置極薄銅層一側之表面為相反側之表面設置粗化處理層具有在將載體從具有該粗化處理層之表面側積層於樹脂基板等支撐體時，載體與樹脂基板不易剝離之優點。
與本發明之上述附載體銅箔貼合而形成之樹脂基板之表面性狀可藉由調整載體之極薄銅層側表面形態來進行控制。
本發明之載體可藉由以下製作方法A~K中之任一種方法製作。
．載體之製作方法A
準備平滑聚醯亞胺膜。作為該平滑聚醯亞胺膜，例如可使用宇部興產製造之Upilex、DuPont/東麗杜邦製造之Kapton、鐘淵(Kaneka)製造之Apical等。另外，作為平滑聚醯亞胺膜，優選使用BPDA系或BPDA-PPD系聚醯亞胺膜、PMDA系或PMDA-ODA系聚醯亞胺膜。在此，BPDA意指聯苯四羧酸二酐，PPD意指對苯二胺，PMDA意指均苯四甲酸酐，ODA意指4、4'-二胺基二苯基醚。並且，為了進行表面污染物質之去除與表面之改質，而對平滑聚醯亞胺膜進行等離子體處理。藉由預先取得等離子體處理條件與表面形狀之關係，可在特定條件下進行等離子體處理，而獲得具有所需表面形狀之聚醯亞胺膜。
這裏，將等離子體處理前之平滑聚醯亞胺膜之預定設置極薄銅層一側之表面之十點平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)設為0.5~18nm，將等離子體處理後之十點平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)設為2.5~20nm。
例如，在等離子體處理之情況下，等離子體功率越高，表面粗糙度Rz越大。此外，等離子體處理是以如下方式進行。即，將聚醯亞胺膜設置在 真空裝置內並進行真空排氣後，將氧氣導入至腔室內，並將腔室壓力調整為5~12Pa。其後，將等離子體處理之功率設為100~200W並進行20~40秒等離子體處理。
等離子體處理前後之表面粗糙度之測定可使用以下裝置並在以下測定條件下進行。
裝置：島津製作所製造之掃描型探針顯微鏡SPM-9600
條件：動態模式
掃描範圍：1μm×1μm
像素數：512×512
．載體之製作方法B
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材細微性：# 3000、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之滾筒面側(與析出面側為相反側之面、光澤面側)實施。
．載體之製作方法C
使用以下電解液製作電解銅箔。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之析出面側(與滾筒側為相反側之面且具有光澤)實施。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫醚)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
所述胺化合物可使用以下化學式之胺化合物。
此外，只要未特別寫明，則本發明所使用之用於電解、表面處理或鍍敷等之處理液之剩餘部分為水。
(所述化學式中，R1及R2選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之一個群中)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
．載體之製作方法D
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材粒度：# 1000、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並利用具有所述載體之製作方法C所記載之液體組成之鍍敷液對光澤面側進行鍍敷。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法E
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材粒度：# 1000、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並利用過氧化氫/硫酸系蝕刻液對光澤面側進行表面處理，將所獲得者作為載體。作為該表面處理，例如可進行基於以下條件之噴霧蝕刻處理。
(噴霧蝕刻處理條件)
．蝕刻形式：噴霧蝕刻
．噴霧噴嘴：實心錐型
．噴霧壓力：0.10MPa
．蝕刻液溫：30℃
．蝕刻液組成：添加劑：將三菱氣體化學製造之CPB-38(過氧化氫35.0w/w%(40w/v%)、硫酸3.0w/w%(3.5w/v%))稀釋成1/4後，添加特定量之硫酸而以組成：過氧化氫10w/v%、硫酸2w/v%使用。
此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法F
製造向JIS-H3100所規定之無氧銅中添加了1200wtppm之Sn之組成之銅鑄錠，並在800~900℃下進行熱軋後，在300~700℃之連續退火線上 反復進行1次退火與冷軋而獲得厚度1~2mm之壓延板。在600~800℃之連續退火線上對該壓延板進行退火而使其再結晶，將壓下率設為95~99.7%進行最終冷軋直至達到7~50μm之厚度為止而製作壓延銅箔，並將其作為載體。
這裏，將最終冷軋之最終工序與最終冷軋之最終工序之前一道工序雙方之油膜當量均調整為23000。油膜當量是由下述式表示。
(油膜當量)={(壓延油黏度、40℃之動態黏度；cSt)×(壓延速度；m/min)}/{(材料之屈服應力；kg/mm2)×(輥卡入角；rad)}
．載體之製作方法G
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材粒度：# 1500、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法H
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材粒度：# 1000、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法I
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材粒度：F500、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法J
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材粒度：F320、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面 進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法K
使用以下電解液製作電解銅箔。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之無光澤面側(析出面側、與滾筒側為相反側之面)實施。
<電解液組成>
銅：70~130g/L
硫酸：70~130g/L
氯：30~100ppm
膠：0.05~3ppm
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
<中間層>
在載體之單面或兩面上設置中間層。也可在載體與中間層之間設置其他層。本發明所使用之中間層只要為在附載體銅箔積層於絕緣基板之步驟前不易使極薄銅層從載體剝離，另一方面，在積層於絕緣基板之步驟後能夠使極薄銅層從載體剝離之構成，則無特別限定。例如，本發明之附載體銅箔之中間層可含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、這些之合金、這些之水合物、這些之氧化物、有機物所組成之群中之一種或兩種以上。另外，中間層也可為多層。
另外，例如中間層可藉由從載體側形成含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種元素之單一金屬層、或者含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構之元素群中之一種或兩種以上之元素之合金層、或者有機物層，並在其上形成含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種或兩種以上之元素之水合物或氧化物之層、或者含有選自由 Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種元素之單一金屬層、或者含有選自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所構成之元素群中之一種或兩種以上之元素之合金層、或者有機物而構成。
在將中間層僅設置於單面之情況下，優選在載體之相反面設置鍍Ni層等防銹層。此外，在藉由鉻酸鹽處理或鉻酸鋅處理或鍍敷處理設置中間層之情況下，認為存在鉻或鋅等已附著之金屬之一部分變成水合物或氧化物之情況。
另外，例如中間層能夠在載體上依序積層鎳、鎳-磷合金或鎳-鈷合金與鉻而構成。鎳與銅之黏接力高於鉻與銅之黏接力，因此在將極薄銅層剝離時，是在極薄銅層與鉻之介面剝離。另外，對中間層之鎳期待防止銅成分從載體向極薄銅層擴散之阻斷效果。中間層中之鎳之附著量優選100μg/dm2以上且40000μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且4000μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且2500μg/dm2以下，更優選100μg/dm2以上且未達1000μg/dm2，中間層中之鉻之附著量優選5μg/dm2以上且100μg/dm2以下。在將中間層僅設置於單面之情況下，優選在載體之相反面設置鍍Ni層等防銹層。
另外，中間層所含有之有機物優選選自由含氮有機化合物、含硫有機化合物及羧酸所組成之群中之一種以上之有機物。作為具體之含氮有機化合物，優選使用作為具有取代基之三唑化合物之1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-雙(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-胺基-1H-1,2,4-三唑等。
含硫有機化合物優選使用巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑鈉、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。
作為羧酸，尤其優選使用單羧酸，其中優選使用油酸、亞麻油酸及次亞麻油酸等。
<極薄銅層>
在中間層之上設置極薄銅層。也可在中間層與極薄銅層之間設置其他層。極薄銅層可藉由利用硫酸銅、焦磷酸銅、胺基磺酸銅、氰化銅等之電解浴之電鍍而形成，就在一般之電解銅箔中使用且能夠在高電流密度下形成銅箔之方面來說，優選硫酸銅浴。另外，用來形成極薄銅層之電解浴優選使用具有增加極薄銅層表面之平滑性或增加光澤之效果之添加劑及/或光澤劑。作為具有增加該極薄銅層表面之平滑性或增加光澤之效果之添加劑及/或光澤劑，可使用公知者。極薄銅層之厚度並無特別限制，通常薄於載體，例如為12μm以下。典型來說為0.01~12μm，更典型來說為0.1~10μm，更典型來說為0.2~9μm，更典型來說為0.3~8μm，更典型來說為0.5~7μm，更典型來說為1~5μm，進而典型來說為1.5~5μm，進而典型來說為2~5μm。此外，也可在載體之兩面設置極薄銅層。
可使用本發明之附載體銅箔而製作積層體(覆銅積層板等)。作為該積層體，例如可為按照「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸料」之順序積層而成之構成，也可為按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸料」之順序積層而成之構成，也可為按照「極薄銅層/中間層/載體/樹脂或預浸料/載體/中間層/極薄銅層」之順序積層而成之構 成，也可為按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂或預浸料/極薄銅層/中間層/載體」之順序積層而成之構成。所述樹脂或預浸料可為下述樹脂層，也可包含下述樹脂層所使用之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等。此外，附載體銅箔在俯視時可小於樹脂或預浸料。
<粗化處理及其他表面處理>
例如為了使與絕緣基板之密接性良好等，可藉由對極薄銅層之表面或載體之表面之其中一個表面或兩個表面實施粗化處理來設置粗化處理層。粗化處理例如能夠藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理可為微細之處理。粗化處理層可為含有選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成之群中之任一種單質或含有任1種以上所述單質之合金之層等。另外，也可進行在利用銅或銅合金形成粗化粒子後，進而利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等設置二次粒子或三次粒子之粗化處理。其後，也可利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱層或防銹層，也可進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者，也可不進行粗化處理，並利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱層或防銹層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。即，可在粗化處理層之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層，也可在極薄銅層之表面或載體之表面形成選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。此外，所述耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理 層分別可由多層形成(例如2層以上、3層以上等)。
本發明之粗化處理可在以下a~g中之任一條件下進行。
．粗化條件a
液體組成
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
液溫：50~60℃
電流密度Dk：30~40A/dm2
時間：0.2~1秒
將粗化處理層之重量厚度調整為0.05μm±0.02μm之範圍。
此外，粗化處理之重量厚度是以如下方式算出。
粗化處理之重量厚度(μm)=((粗化處理後之樣本重量(g))-(粗 化處理前之樣本重量(g)))/(銅之密度8.94(g/cm3)×(樣本之具有粗化處理之平面之面積)(cm2))×10000(μm/cm)
．粗化條件b
液體組成
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
液溫：50~60℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
時間：1~3秒
將粗化處理層之重量厚度調整為0.15μm±0.04μm之範圍。
．粗化條件c
液體組成
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
液溫：40~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
時間：5~8秒
將粗化處理層之重量厚度調整為0.25μm±0.05μm之範圍。
．粗化條件d
依序進行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
液體組成：Cu：10~20g/L、H2SO4：50~100g/L
液溫：25~50℃
電流密度：0.5~54A/dm2
庫侖量：2~67As/dm2
(2)粗化處理2
液組成：Cu：10~20g/L、Ni：5~15g/L、Co：5~15g/L
pH值：2~3
液溫：30~50℃
電流密度：20~46A/dm2
庫侖量：31~45As/dm2
將粗化處理1、粗化處理2之合計粗化處理層之重量厚度調整為0.35μm±0.05μm之範圍。
．粗化條件e
依序進行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：15~35g/L
H2SO4：10~150g/L
W：10~50mg/L
十二烷基硫酸鈉：10~50mg/L
As：50~200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
電流密度：30~115A/dm2
粗化庫侖量：20~450As/dm2
鍍敷時間：0.5~15秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：20~80g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
電流密度：3~48A/dm2
粗化庫侖量：20~250As/dm2
鍍敷時間：1~50秒
將粗化處理1、粗化處理2之合計粗化處理層之重量厚度調整為0.40μm±0.05μm之範圍。
．粗化條件f
依序進行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：15~35g/L
H2SO4：10~150g/L
W：1~50mg/L
十二烷基硫酸鈉：1~50mg/L
As：1~200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
電流密度：20~105A/dm2
粗化庫侖量：50~500As/dm2
鍍敷時間：0.5~20秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：20~80g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
電流密度：3~48A/dm2
粗化庫侖量：50~300As/dm2
鍍敷時間：1~60秒
將粗化處理1、粗化處理2之合計粗化處理層之重量厚度調整為0.50μm±0.05μm之範圍。
．粗化條件g
依序進行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：10~40g/L
H2SO4：10~150g/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
電流密度：24~112A/dm2
粗化庫侖量：70~600As/dm2
鍍敷時間：5~30秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：30~90g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
電流密度：4~49A/dm2
粗化庫侖量：70~400As/dm2
鍍敷時間：5~65秒
將粗化處理1、粗化處理2之合計粗化處理層之重量厚度調整為0.60μm±0.05μm之範圍。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知之耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、鉑族元素、鐵、鉭之群中之1種以上之元素之 層，也可為含有所述元素之金屬層或合金層。另外，耐熱層及/或防銹層也可含有包括所述元素之氧化物、氮化物、矽化物。另外，耐熱層及/或防銹層也可為含有鎳-鋅合金之層。另外，耐熱層及/或防銹層也可為鎳-鋅合金層。所述鎳-鋅合金層除不可避免之雜質以外，也可含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%。所述鎳-鋅合金層之鋅及鎳之合計附著量可為5~1000mg/m2，優選10~500mg/m2，優選20~100mg/m2。另外，含有所述鎳-鋅合金之層或所述鎳-鋅合金層之鎳之附著量與鋅之附著量之比(=鎳之附著量/鋅之附著量)優選1.5~10。另外，含有所述鎳-鋅合金之層或所述鎳-鋅合金層之鎳之附著量優選0.5mg/m2~500mg/m2，更優選1mg/m2~50mg/m2。在耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金之層之情况下，銅箔與樹脂基板之密接性提高。
例如耐熱層及/或防銹層可為將附著量為1mg/m2~100mg/m2、優選5mg/m2~50mg/m2之鎳或鎳合金層與附著量為1mg/m2~80mg/m2、優選5mg/m2~40mg/m2之錫層依序積層而成之層，所述鎳合金層可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷、鎳-錫合金之其中任一種構成。另外，所述耐熱層及/或防銹層優選[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更優選0.33~3。如果使用該耐熱層及/或防銹層，則將附載體銅箔加工至印刷配線板之後之電路之剝離强度、該剝離强度之耐化學品性劣化率等變得良好。
所謂鉻酸鹽處理層，是指藉由利用鉻酸酐、鉻酸、二鉻酸、含有鉻酸鹽或二鉻酸鹽之液體進行處理而形成之層。鉻酸鹽處理層也可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(可為 金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉利用鉻酸酐或二鉻酸鉀水溶液進行處理後之鉻酸鹽處理層或利用鉻酸酐或含有二鉻酸鉀及鋅之處理液進行處理後之鉻酸鹽處理層等。
所述矽烷偶合處理層可使用公知之矽烷偶合劑而形成，也可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷、乙烯基系矽烷、咪唑系矽烷、三系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。此外，這種矽烷偶合劑也可將2種以上混合使用。其中，優選使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑所形成者。
矽烷偶合處理層理想的是在以矽原子換算計為0.05mg/m2~200mg/m2、優選0.15mg/m2~20mg/m2、優選0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍內設置。在所述範圍之情况下，能夠進一步提高基材與表面處理銅箔之密接性。
另外，可對極薄銅層、粗化處理層、耐熱層、防銹層、矽烷偶合處理層或鉻酸鹽處理層之表面進行國際公開編號WO2008/053878、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、日本特開2013-19056號所記載之表面處理。
另外，具備載體、積層於載體上之中間層、及積層於中間層之上之極薄銅層之附載體銅箔可在所述極薄銅層上具備粗化處理層，且可在所述粗化處理層上具備選自由耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶 合處理層所組成之群中之一層以上之層。
另外，可在所述極薄銅層上具備粗化處理層，且可在所述粗化處理層上具備耐熱層、防銹層，且可在所述耐熱層、防銹層上具備鉻酸鹽處理層，且可在所述鉻酸鹽處理層上具備矽烷偶合處理層。
另外，所述附載體銅箔可在所述極薄銅層上、或者所述粗化處理層上、或者所述耐熱層、防銹層、或者鉻酸鹽處理層、或者矽烷偶合處理層之上具備樹脂層。所述樹脂層可為絕緣樹脂層。
所述樹脂層可為黏接劑，也可為黏接用之半硬化狀態(B階段)之絕緣樹脂層。所謂半硬化狀態(B階段狀態)，包括即便手指觸碰到其表面也無膠黏感，可將該絕緣樹脂層重疊後加以保管，此外如果受到加熱處理，則會產生硬化反應之狀態。
另外，所述樹脂層可含有熱硬化性樹脂，也可為熱塑性樹脂。另外，所述樹脂層也可含有熱塑性樹脂。其種類並無特別限定，例如作為適宜者，可列舉含有選自環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、多官能性氰酸酯化合物、馬來亞醯胺化合物、聚乙烯醇縮乙醛樹脂、胺基甲酸酯樹脂、聚醚碸、聚醚碸樹脂、芳香族聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、橡膠改質環氧樹脂、苯氧基樹脂、羧基改質丙烯腈-丁二烯樹脂、聚苯醚、雙馬來亞醯胺三樹脂、熱硬化性聚苯醚樹脂、氰酸酯系樹脂、多元羧酸之酸酐、具有能夠進行交聯之官能基之線狀聚合物、聚苯醚樹脂、2,2-雙(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、環烷酸錳、2,2-雙(4-縮水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系樹脂、矽氧烷改質聚醯胺醯亞胺樹脂、氰基酯樹脂、膦腈系樹脂、橡膠改質聚醯胺醯亞胺樹脂、異戊二烯、氫化型聚丁二 烯、聚乙烯醇縮丁醛、苯氧基、高分子環氧化合物、芳香族聚醯胺、氟樹脂、雙酚、嵌段共聚合聚醯亞胺樹脂及氰基酯樹脂之群中之一種以上等之樹脂。
另外，所述環氧樹脂只要分子內具有2個以上之環氧基並且可用於電氣、電子材料用途，則可無特別問題地使用。另外，所述環氧樹脂優選使用分子內具有2個以上縮水甘油基之化合物進行環氧化而成之環氧樹脂。另外，所述環氧樹脂可將選自雙酚A型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚S型環氧樹脂、雙酚AD型環氧樹脂、酚醛清漆型環氧樹脂、甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、脂環式環氧樹脂、溴化(brominated)環氧樹脂、苯酚酚醛清漆型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、溴化雙酚A型環氧樹脂、鄰甲酚酚醛清漆型環氧樹脂、橡膠改質雙酚A型環氧樹脂、縮水甘油基胺型環氧樹脂、異氰尿酸三縮水甘油酯、N,N-二縮水甘油基苯胺等縮水甘油基胺化合物、四氫鄰苯二甲酸二縮水甘油酯等縮水甘油酯化合物、含磷之環氧樹脂、聯苯型環氧樹脂、聯苯酚醛清漆型環氧樹脂、三羥基苯基甲烷型環氧樹脂、四苯基乙烷型環氧樹脂之群中之1種或2種以上混合而使用，或可使用所述環氧樹脂之氫化物或鹵化物。
可使用公知之含磷之環氧樹脂作為所述含磷之環氧樹脂。另外，所述含磷之環氧樹脂例如優選作為來自分子內具備2個以上之環氧基之9,10-二氫-9-氧雜-10-磷雜菲-10-氧化物之衍生物而獲得之環氧樹脂。
所述樹脂層可含有公知之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質(也可使用含有無機化合物及/或有機化合物之介電質、含有金屬氧化物之介電質等任何介電質)、反應催化劑、交聯劑、聚合物、 預浸料、骨架材料、所述樹脂、所述化合物等。另外，所述樹脂層也可使用例如國際公開編號WO2008/004399號、國際公開編號WO2008/053878、國際公開編號WO2009/084533、日本特開平11-5828號、日本特開平11-140281號、日本專利第3184485號、國際公開編號WO97/02728、日本專利第3676375號、日本特開2000-43188號、日本專利第3612594號、日本特開2002-179772號、日本特開2002-359444號、日本特開2003-304068號、日本專利第3992225、日本特開2003-249739號、日本專利第4136509號、日本特開2004-82687號、日本專利第4025177號、日本特開2004-349654號、日本專利第4286060號、日本特開2005-262506號、日本專利第4570070號、日本特開2005-53218號、日本專利第3949676號、日本專利第4178415號、國際公開編號WO2004/005588、日本特開2006-257153號、日本特開2007-326923號、日本特開2008-111169號、日本專利第5024930號、國際公開編號WO2006/028207、日本專利第4828427號、日本特開2009-67029號、國際公開編號WO2006/134868、日本專利第5046927號、日本特開2009-173017號、國際公開編號WO2007/105635、日本專利第5180815號、國際公開編號WO2008/114858、國際公開編號WO2009/008471、日本特開2011-14727號、國際公開編號WO2009/001850、國際公開編號WO2009/145179、國際公開編號WO2011/068157、日本特開2013-19056號所記載之物質(樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等)及/或樹脂層之形成方法、形成裝置而形成。
(樹脂層包含介電質(介電質填料)之情況)
所述樹脂層也可含有介電質(介電質填料)。
在所述任一樹脂層或樹脂組成物含有介電質(介電質填料)之情況下，可用於形成電容器層之用途，且可增大電容器電路之電容。該介電質(介電質填料)使用BaTiO3、SrTiO3、Pb(Zr-Ti)O3(通稱PZT)、PbLaTiO3．PbLaZrO(通稱PLZT)、SrBi2Ta2O9(通稱SBT)等具有鈣鈦礦構造之複合氧化物之介電質粉末。
將所述樹脂層所含有之樹脂及/或樹脂組成物及/或化合物溶解於例如甲基乙基酮(MEK)、甲苯等溶劑中製成樹脂液，並利用例如輥式塗布法將其塗布於所述極薄銅層上、或者所述耐熱層、防銹層、或者所述鉻酸鹽皮膜層、或者所述矽烷偶合劑層之上，接著根據需要進行加熱乾燥將溶劑去除而製成B階段狀態。乾燥使用例如熱風乾燥爐即可，乾燥溫度為100~250℃、優選130~200℃即可。
具備所述樹脂層之附載體銅箔(附樹脂之附載體銅箔)是以如下形態而使用，即，在將該樹脂層重叠於基材後對整體進行熱壓接而使該樹脂層熱硬化，接著將載體剝離而使極薄銅層露出(露出之理應是該極薄銅層之中間層側之表面)，並於其上形成特定之配線圖案之形態。
如果使用該附樹脂之附載體銅箔，則能夠減少製造多層印刷配線基板時之預浸料材料之使用片數。並且，能夠將樹脂層之厚度設為能夠確保層間絕緣那樣之厚度，或者即便完全不使用預浸料材料也可製造出覆銅積層板。另外，此時，也可將絕緣樹脂底漆塗布於基材之表面，而進一步改善表面之平滑性。
此外，在不使用預浸料之材料之情况下，節約了預浸料材料之材料成本，且積層步驟也變得簡單，因此在經濟上有利，並且具有如下優點，即，僅製造出預浸料材料之厚度量之多層印刷配線基板之厚度變薄，從而能夠製造出1層之厚度為100μm以下之極薄之多層印刷配線基板。
該樹脂層之厚度優選0.1~80μm。如果樹脂層之厚度薄於0.1μm，則存在黏接力降低，在不經由預浸料材料而將該附樹脂之附載體銅箔積層於具備內層材料之基材時，難以確保與內層材料之電路之間之層間絕緣之情况。
另一方面，如果樹脂層之厚度厚於80μm，則難以藉由1次塗布步驟而形成目標厚度之樹脂層，從而會耗費多餘之材料費與工時，因此在經濟上不利。此外，所形成之樹脂層因其可撓性差，所以存在操作時容易產生龜裂等，且與內層材料進行熱壓接時會產生多餘之樹脂流動而難以實現順利之積層之情况。
此外，作為該附樹脂之附載體銅箔之另一產品形態，也可在利用樹脂層被覆所述極薄銅層上、或者所述耐熱層、防銹層、或者所述鉻酸鹽處理層、或者所述矽烷偶合處理層之上並製成半硬化狀態後，接著將載體剝離而以不存在載體之附樹脂之銅箔之形態製造。
此外，藉由將電子零件類搭載於印刷配線板，而完成印刷電路板。在本發明中，「印刷配線板」也包含以所述方式搭載了電子零件類之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。
另外，既可使用該印刷配線板製作電子機器，也可使用搭載了該電子零件類之印刷電路板製作電子機器，也可使用搭載了該電子零件類之印刷 基板製作電子機器。以下，表示幾個使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造步驟之例子。
在本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；以及經過在將所述附載體銅箔與絕緣基板以極薄銅層側與絕緣基板對向之方式進行積層後將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟，而形成覆銅積層板，其後藉由半加成法、改良半加成法、部分加成法及減成法中之任一種方法形成電路之步驟。絕緣基板也可製成具有內層電路之絕緣基板。
在本發明中，所謂半加成法，是指在絕緣基板或銅箔薄片層上進行薄之無電解鍍敷而形成圖案，然後使用電鍍及蝕刻而形成導體圖案之方法。
因此，在使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將使所述載體剝離後露出之極薄銅層全部去除之步驟；在藉由利用蝕刻將所述極薄銅層去除而露出之所述樹脂設置通孔或/及盲孔之步驟；對包含所述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟； 在包含所述樹脂及所述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟；在所述無電解鍍層之上設置抗鍍覆層之步驟；對所述抗鍍覆層進行曝光，其後將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除之步驟；在所述抗鍍覆層被去除後之供形成所述電路之區域設置電鍍層之步驟；將所述抗鍍覆層去除之步驟；以及藉由快速蝕刻將位於供形成所述電路之區域以外之區域之無電解鍍層去除之步驟。
在使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟；在將所述載體剝離後露出之極薄銅層與所述絕緣樹脂基板上設置通孔或/及盲孔之步驟；對包含所述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將使所述載體剝離後露出之極薄銅層全部去除之步驟；在包含藉由利用蝕刻等將所述極薄銅層去除而露出之所述樹脂及所述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟； 在所述無電解鍍層之上設置抗鍍覆層之步驟；對所述抗鍍覆層進行曝光，其後將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除之步驟；在所述抗鍍覆層被去除後之供形成所述電路之區域設置電鍍層之步驟；將所述抗鍍覆層去除之步驟；以及藉由快速蝕刻等將位於供形成所述電路之區域以外之區域之無電解鍍層去除之步驟。
在使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟；在將所述載體剝離後露出之極薄銅層與所述絕緣樹脂基板上設置通孔或/及盲孔之步驟；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將使所述載體剝離後露出之極薄銅層全部去除之步驟；對包含所述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；在包含藉由利用蝕刻等將所述極薄銅層去除而露出之所述樹脂及所述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟；在所述無電解鍍層之上設置抗鍍覆層之步驟；對所述抗鍍覆層進行曝光，其後將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除 之步驟；在所述抗鍍覆層被去除後之供形成所述電路之區域設置電鍍層之步驟；將所述抗鍍覆層去除之步驟；以及藉由快速蝕刻等將位於供形成所述電路之區域以外之區域之無電解鍍層去除之步驟。
在使用半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟；利用使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將使所述載體剝離後露出之極薄銅層全部去除之步驟；在藉由利用蝕刻將所述極薄銅層去除而露出之所述樹脂之表面設置無電解鍍層之步驟；在所述無電解鍍層之上設置抗鍍覆層之步驟；對所述抗鍍覆層進行曝光，其後將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除之步驟；在所述抗鍍覆層被去除後之供形成所述電路之區域設置電鍍層之步驟；將所述抗鍍覆層去除之步驟；以及藉由快速蝕刻等將位於供形成所述電路之區域以外之區域之無電解鍍 層及極薄銅層去除之步驟。
在本發明中，所謂改良半加成法，是指將金屬箔積層於絕緣層上，利用抗鍍覆層保護非電路形成部，並藉由電解鍍敷對電路形成部賦予銅厚，然後將抗蝕劑去除，並藉由(快速)蝕刻將所述電路形成部以外之金屬箔去除，藉此在絕緣層上形成電路之方法。
因此，在使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟；在將所述載體剝離後露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟；對包含所述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；在包含所述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟；在將所述載體剝離後露出之極薄銅層表面設置抗鍍覆層之步驟；在設置所述抗鍍覆層後，藉由電解鍍敷而形成電路之步驟；將所述抗鍍覆層去除之步驟；以及藉由快速蝕刻將藉由將所述抗鍍覆層去除而露出之極薄銅層去除之步驟。
在使用改良半加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟； 在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟；在將所述載體剝離後露出之極薄銅層之上設置抗鍍覆層之步驟；對所述抗鍍覆層進行曝光，其後將供形成電路之區域之抗鍍覆層去除之步驟；在所述抗鍍覆層被去除後之供形成所述電路之區域設置電鍍層之步驟；將所述抗鍍覆層去除之步驟；以及藉由快速蝕刻等將位於供形成所述電路之區域以外之區域之無電解鍍層及極薄銅層去除之步驟。
在本發明中，所謂部分加成法，是指將催化劑核賦予至設置導體層而成之基板、根據需要設置通孔或導通孔用之孔而成之基板上並進行蝕刻，而形成導體電路，根據需要在設置阻焊劑或抗鍍覆層後，在所述導體電路上藉由對通孔或導通孔等進行無電解鍍敷處理而賦予厚度，藉此製造印刷配線板之方法。
因此，在使用部分加成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟；在將所述載體剝離後露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟； 對包含所述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；對包含所述通孔或/及盲孔之區域賦予催化劑核之步驟；在將所述載體剝離後露出之極薄銅層表面設置蝕刻阻劑之步驟；對所述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述催化劑核去除而形成電路之步驟；將所述蝕刻阻劑去除之步驟；在藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述催化劑核去除後露出之所述絕緣基板表面設置阻焊劑或抗鍍覆層之步驟；以及在未設置所述阻焊劑或抗鍍覆層之區域設置無電解鍍層之步驟。
在本發明中，所謂減成法，是指藉由蝕刻等將覆銅積層板上之銅箔之無用部分選擇性地去除而形成導體圖案之方法。
因此，在使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟；在將所述載體剝離後露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟；對包含所述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；在包含所述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟； 在所述無電解鍍層之表面設置電鍍層之步驟；在所述電鍍層或/及所述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑之步驟；對所述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述無電解鍍層及所述電鍍層去除而形成電路之步驟；以及將所述蝕刻阻劑去除之步驟。
在使用減成法之本發明之印刷配線板之製造方法之另一實施方式中，包括：準備本發明之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將所述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；在將所述附載體銅箔與絕緣基板積層後，將所述附載體銅箔之載體剝離之步驟；在將所述載體剝離後露出之極薄銅層與絕緣基板上設置通孔或/及盲孔之步驟；對包含所述通孔或/及盲孔之區域進行除膠渣處理之步驟；在包含所述通孔或/及盲孔之區域設置無電解鍍層之步驟；在所述無電解鍍層之表面形成掩模之步驟；在未形成掩模之所述無電解鍍層之表面設置電鍍層之步驟；在所述電鍍層或/及所述極薄銅層之表面設置蝕刻阻劑之步驟；對所述蝕刻阻劑進行曝光而形成電路圖案之步驟；藉由使用酸等腐蝕溶液之蝕刻或等離子體等方法將所述極薄銅層及所述無電解鍍層去除而形成電路之步驟；以及將所述蝕刻阻劑去除之步驟。
也可以不進行設置通孔或/及盲孔之步驟、及其後之除膠渣步驟。
這裏，使用附圖對使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板之製造方法之具體例詳細地進行說明。此外，這裏以具有形成了粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔為例進行了說明，但並不限定於此，即便使用具有未形成粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔，同樣地也可進行下述印刷配線板之製造方法。
首先，如圖1-A所示，準備具有表面形成了粗化處理層之極薄銅層之附載體銅箔(第1層)。
其次，如圖1-B所示，在極薄銅層之粗化處理層上塗布抗蝕劑並進行曝光、顯影，而將抗蝕劑蝕刻成特定之形狀。
其次，如圖1-C所示，在形成電路用之鍍層後，將抗蝕劑去除，藉此形成特定形狀之電路鍍層。
其次，如圖2-D所示，以覆蓋電路鍍層之方式(以埋沒電路鍍層之方式)在極薄銅層上設置嵌入樹脂而積層樹脂層，接著將另一附載體銅箔(第2層)從極薄銅層側進行黏接。
其次，如圖2-E所示，從第2層附載體銅箔將載體剝離。
其次，如圖2-F所示，在樹脂層之特定位置進行雷射開孔，使電路鍍層露出而形成盲孔。
其次，如圖3-G所示，將銅埋入至盲孔中而形成填孔。
其次，如圖3-H所示，像所述圖1-B及圖1-C那樣在填孔上形成電路鍍層。
其次，如圖3-I所示，從第1層附載體銅箔將載體剝離。
其次，如圖4-J所示，藉由快速蝕刻將兩個表面之極薄銅層去除，而使樹脂層內之電路鍍層之表面露出。
其次，如圖4-K所示，在樹脂層內之電路鍍層上形成凸塊，並在該凸塊上形成銅柱。如上所述製作使用本發明之附載體銅箔之印刷配線板。
此外，在所述印刷配線板之製造方法中，也可將「極薄銅層」換稱為載體，將「載體」換稱為極薄銅層，在附載體銅箔之載體側之表面形成電路，利用樹脂填埋電路而製造印刷配線板。
所述另一附載體銅箔(第2層)既可使用本發明之附載體銅箔，也可使用以往之附載體銅箔，進而也可使用通常之銅箔。另外，可在圖3-H所示之第2層電路上進而形成1層或者多層電路，可藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法而形成這些電路。
根據所述之印刷配線板之製造方法，因成為電路鍍層嵌入至樹脂層之構成，所以例如在像圖4-J所示那樣藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層被樹脂層保護，其形狀被保持，藉此容易形成微細電路。另外，因電路鍍層被樹脂層保護，所以耐遷移性提高，從而良好地抑制電路之配線之導通。因此，容易形成微細電路。另外，在像圖4-J及圖4-K所示那樣藉由快速蝕刻去除極薄銅層時，電路鍍層之露出面成為從樹脂層凹陷之形狀，因此容易分別在該電路鍍層上形成凸塊並進而在其上形成銅柱，從而製造效率提高。
此外，嵌入樹脂(resin)可使用公知之樹脂、預浸料。例如可使用BT(雙馬來亞醯胺三)樹脂或作為含浸了BT樹脂之玻璃布之預 浸料、味之素精密技術(Ajinomoto Fine-Techno)股份有限公司製造之ABF膜或ABF。另外，所述嵌入樹脂(resin)可使用本說明書所記載之樹脂層及/或樹脂及/或預浸料及/或膜。
另外，所述第一層所使用之附載體銅箔也可在該附載體銅箔之表面具有基板或樹脂層。藉由具有該基板或樹脂層，第一層所使用之附載體銅箔被支撑而不易產生褶皺，因此具有生產性提高之優點。此外，所述基板或樹脂層只要為發揮出支撑所述第一層所使用之附載體銅箔之效果者，則可使用任何之基板或樹脂層。例如可使用本案說明書所記載之載體、預浸料、樹脂層或公知之載體、預浸料、樹脂層、金屬板、金屬箔、無機化合物之板、無機化合物之箔、有機化合物之板、有機化合物之箔、樹脂基板作為所述基板或樹脂層。
另外，本發明之印刷配線板之製造方法也可為包括如下步驟之印刷配線板之製造方法(無芯方法)：將本發明之附載體銅箔之所述極薄銅層側表面或所述載體側表面與樹脂基板進行積層之步驟；在與和所述樹脂基板積層之極薄銅層側表面或所述載體側表面為相反側之附載體銅箔之表面至少設置1次樹脂層與電路這兩層之步驟；及在形成所述樹脂層及電路這兩層後，將所述載體或所述極薄銅層從所述附載體銅箔剝離之步驟。此外，樹脂層及電路這兩層可按照樹脂層、電路之順序設置，也可按照電路、樹脂層之順序設置。關於該無芯方法，作為具體之例，首先，將本發明之附載體銅箔之極薄銅層側表面或載體側表面與樹脂基板積層而製造積層體(也稱為覆銅積層板、覆銅積層體)。其後，在與和樹脂基板積層之極薄銅層側表面或所述載體側表面為相反側之附載體銅箔之表面形成樹脂 層。也可以進而將另一附載體銅箔從載體側或極薄銅層側積層於形成在載體側表面或極薄銅層側表面之樹脂層。在此情况下，可將具有以樹脂基板為中心而在該樹脂基板之兩個表面側按照載體/中間層/極薄銅層之順序或者極薄銅層/中間層/載體之順序將附載體銅箔積層而成之構成之積層體或者具有按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/極薄銅層/中間層/載體」之順序積層而成之構成之積層體或者具有按照「載體/中間層/極薄銅層/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層」之順序積層而成之構成之積層體或者按照「極薄銅層/中間層/載體/樹脂基板/載體/中間層/極薄銅層」之順序積層而成之構成之積層體用於所述印刷配線板之製造方法(無芯方法)。也可在兩端之極薄銅層或者載體所露出之表面設置另一樹脂層，進而設置銅層或金屬層，然後對該銅層或金屬層進行加工，藉此形成電路。此外，也可以填埋該電路之方式將另一樹脂層設置於該電路上。另外，可將這種電路及樹脂層之形成進行1次以上(增層方法)。並且，關於藉由所述方式形成之積層體(以下，也稱為積層體B)，也可使各個附載體銅箔之極薄銅層或載體從載體或極薄銅層剝離，而製作無芯基板。此外，所述無芯基板之製作也可使用2個附載體銅箔而製作下述具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層之構成之積層體或具有載體/中間層/極薄銅層/極薄銅層/中間層/載體之構成之積層體或具有載體/中間層/極薄銅層/載體/中間層/極薄銅層之構成之積層體，並將該積層體用於中心。可在這些積層體(以下，也稱為積層體A)之兩側之極薄銅層或載體之表面將樹脂層及電路這兩層設置1次以上，並在將樹脂層及電路這兩層設置1次以上之後，使各個附載體銅箔之極薄銅層或載體 從載體或極薄銅層剝離，而製作無芯基板。所述積層體也可在極薄銅層之表面、載體之表面、載體與載體之間、極薄銅層與極薄銅層之間、極薄銅層與載體之間具有其他層。其他層也可為樹脂層或樹脂基板。此外，在本說明書中，關於「極薄銅層之表面」、「極薄銅層側表面」、「極薄銅層表面」、「載體之表面」、「載體側表面」、「載體表面」、「積層體之表面」、「積層體表面」，在極薄銅層、載體、積層體在極薄銅層表面、載體表面、積層體表面具有其他層之情况下，設為包括該其他層之表面(最表面)在內之概念。另外，積層體優選具有極薄銅層/中間層/載體/載體/中間層/極薄銅層之構成。其原因在於，在使用該積層體而製作無芯基板時，由於在無芯基板側配置了極薄銅層，所以容易使用改良半加成法在無芯基板上形成電路。另外，原因在於由於極薄銅層之厚度薄，所以容易去除該極薄銅層，且在去除極薄銅層後容易使用半加成法在無芯基板上形成電路。
此外，在本說明書中，並未特別記載為「積層體A」或「積層體B」之「積層體」表示至少包含積層體A及積層體B之積層體。
此外，在所述無芯基板之製造方法中，藉由利用樹脂覆蓋附載體銅箔或積層體(積層體A)之端面之一部分或全部，當利用增層方法製造印刷配線板時，可防止藥液滲入到構成中間層或積層體之一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之間，從而可防止因藥液滲入引起之極薄銅層與載體之分離或附載體銅箔之腐蝕，從而可提高良率。作為這裡使用之「覆蓋附載體銅箔之端面之一部分或全部之樹脂」或「覆蓋積層體之端面之一部分或全部之樹脂」，可使用可用於樹脂層之樹脂。另外，在所述無芯基板之製造方法中，附載體銅箔或積層體可為俯視時附載體銅箔或積層體之積 層部分(載體與極薄銅層之積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之積層部分)之外周之至少一部分由樹脂或預浸料所覆蓋。另外，利用所述無芯基板之製造方法所形成之積層體(積層體A)可使一對附載體銅箔以相互分離之方式進行接觸而構成。另外，該附載體銅箔也可為俯視時附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之積層部分)之外周整體由樹脂或預浸料覆蓋而成之附載體銅箔。另外，優選俯視時樹脂或預浸料大於附載體銅箔或積層體或積層體之積層部分，且優選製成具有將該樹脂或預浸料積層於附載體銅箔或積層體之兩面而利用樹脂或預浸料將附載體銅箔或積層體封邊(包裹)之構成之積層體。藉由採用這種構成，當俯視觀察附載體銅箔或積層體時，附載體銅箔或積層體之積層部分被樹脂或預浸料所覆蓋，可防止其他部件從該部分之側方向、即相對於積層方向為橫向之方向進行撞擊，結果可減少操作中載體與極薄銅層或附載體銅箔彼此之剝離。另外，藉由以不露出附載體銅箔或積層體之積層部分之外周之方式以樹脂或預浸料進行覆蓋，可防止如上文所述之藥液處理步驟中之藥液向該積層部分之介面之滲入，從而可防止附載體銅箔之腐蝕或侵蝕。此外，當從積層體之一對附載體銅箔分離其中一個附載體銅箔時，或將附載體銅箔之載體與銅箔(極薄銅層)分離時，在由樹脂或預浸料覆蓋之附載體銅箔或積層體之積層部分(載體與極薄銅層之積層部分、或一個附載體銅箔與另一個附載體銅箔之積層部分)藉由樹脂或預浸料等而牢固地密接之情況下，有時需要藉由切割等而去除該積層部分等。
也可以將本發明之附載體銅箔從載體側或極薄銅層側積層 於另一本發明之附載體銅箔之載體側或極薄銅層側而構成積層體。另外，也可為根據需要經由黏接劑，將所述一個附載體銅箔之所述載體側表面或所述極薄銅層側表面與所述另一個附載體銅箔之所述載體側表面或所述極薄銅層側表面直接積層而獲得之積層體。另外，可將所述一個附載體銅箔之載體或極薄銅層與所述另一個附載體銅箔之載體或極薄銅層接合。這裡，該「接合」在載體或極薄銅層具有表面處理層之情況下，也包括經由該表面處理層而相互接合之實施方式。另外，該積層體之端面之一部分或全部也可被樹脂所覆蓋。
載體彼此、極薄銅層彼此、載體與極薄銅層、附載體銅箔彼此之積層除了單純地重叠以外，也可藉由例如以下方法進行。
(a)冶金接合方法：熔接(電弧焊接、TIG(鎢-惰性氣體)焊接、MIG(金屬-惰性氣體)焊接、電阻焊接、縫焊接、點焊接)、壓接(超聲波焊接、摩擦攪拌焊接)、釺焊；(b)機械接合方法：斂縫、利用鉚釘之接合(利用自沖鉚釘(Self-Piercing Rivet)之接合、利用鉚釘之接合)、縫合；(c)物理接合方法；黏接劑、(雙面)膠帶
藉由使用所述接合方法將一個載體之一部分或者全部與另一個載體之一部分或者全部或者極薄銅層之一部分或者全部接合，可將一個載體與另一個載體或極薄銅層積層，而製造使載體彼此或載體與極薄銅層以可分離之方式接觸而構成之積層體。在將一個載體與另一個載體或極薄銅層較弱地接合而將一個載體與另一個載體或極薄銅層進行積層之情况下，即便不去除一個載體與另一個載體或極薄銅層之接合部，一個載體與 另一個載體或極薄銅層也可分離。另外，在將一個載體與另一個載體或極薄銅層較强地接合之情况下，藉由利用切割或化學研磨(蝕刻等)、機械研磨等去除將一個載體與另一個載體經接合之部位，可將一個載體與另一個載體或極薄銅層分離。
另外，藉由實施如下步驟，可製作印刷配線板：在以所述方式構成之積層體上至少設置1次樹脂層與電路這兩層之步驟、及在至少形成1次所述樹脂層及電路這兩層後將所述極薄銅層或載體從所述積層體之附載體銅箔剝離之步驟。此外，也可在該積層體之一個表面或兩個表面設置樹脂層與電路這兩層。
所述積層體所使用之樹脂基板、樹脂層、樹脂、預浸料既可為本說明書所記載之樹脂層，也可包含本說明書所記載之樹脂層所使用之樹脂、樹脂硬化劑、化合物、硬化促進劑、介電質、反應催化劑、交聯劑、聚合物、預浸料、骨架材料等。此外，附載體銅箔在俯視時也可小於樹脂或預浸料。
[實施例]
以下，藉由本發明之實施例對本發明更詳細地進行說明，但本發明並不受這些實施例之任何限定。
(1)載體之製作
首先，藉由如下方式製作載體。
．載體之製作方法A(實施例1~3、比較例1、5)
使用厚度25μm之宇部興產製造之Upilex SGA(BPDA-PPD系聚醯亞胺膜)作為平滑聚醯亞胺膜，並將其作為載體。然後，藉由如下方式對預 定設置平滑聚醯亞胺膜之極薄銅層一側之表面進行等離子體處理。將平滑聚醯亞胺膜設置在真空裝置內並進行真空排氣後，將氧氣導入至腔室內，並將腔室壓力調整為5~12Pa。其後，將等離子體處理之功率設為100~200W並進行20~40秒等離子體處理。
此外，等離子體處理前之平滑聚醯亞胺膜之預定設置極薄銅層一側之表面之十點平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)為0.5~18nm，等離子體處理後之十點平均粗糙度Rz(JIS B0601 1994)為2.5~20nm。
所述等離子體處理前後之平滑聚醯亞胺膜之預定設置極薄銅層一側之表面之十點平均粗糙度Rz之測定是使用以下裝置並在以下測定條件下進行。
裝置：島津製作所製造之掃描型探針顯微鏡SPM-9600
條件：動態模式
掃描範圍：1μm×1μm
像素數：512×512
．載體之製作方法B(實施例4、實施例11)
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材細微性：# 3000、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法C(實施例5~7)
使用以下電解液製作厚度18μm之電解銅箔。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫醚)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
所述胺化合物使用以下化學式之胺化合物。
(所述化學式中，R1及R2選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之一個群中)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
．載體之製作方法D(實施例8)
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材細微性：# 1000、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並利用具有所述載體之製作方法C所記載之液體組成之鍍敷液對光澤面側進行3μm鍍敷。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法E(實施例9)
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材細微性：# 1000、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並利用過氧化氫/硫酸系蝕刻液對光澤面側進行表面處理，將所獲得者作為載體。作為該表面處理，進行基於以下條件之噴霧蝕刻處理。
(噴霧蝕刻處理條件)
．蝕刻形式：噴霧蝕刻
．噴霧噴嘴：實心錐型
．噴霧壓力：0.10MPa
．蝕刻液溫：30℃
．蝕刻液組成： 添加劑：將三菱氣體化學製造之CPB-38(過氧化氫35.0w/w%(40w/v%)、硫酸3.0w/w%(3.5w/v%))稀釋成1/4後，添加特定量之硫酸，而以組成：過氧化氫10w/v%、硫酸2w/v%使用。
此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法F(實施例10)
製造向JIS-H3100所規定之無氧銅中添加了1200wtppm之Sn之組成之銅鑄錠，並在800~900℃下進行熱軋後，在300~700℃之連續退火線上反復進行1次退火與冷軋而獲得厚度1~2mm之壓延板。將該壓延板在600~800℃之連續退火線上進行退火而使其再結晶，並將壓下率設為95~ 99.7%進行最終冷軋直至達到7~50μm之厚度而製作壓延銅箔，並將其作為載體。
在此，將最終冷軋之最終工序與最終冷軋之最終工序之前一道工序雙方之油膜當量均調整為23000。油膜當量是由下述式所表示。
(油膜當量)={(壓延油黏度、40℃之動態黏度：cSt)×(壓延速度；m/min)}/{(材料之屈服應力：kg/mm2)×(輥卡入角：rad)}
．載體之製作方法G(實施例12)
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材細微性：# 1500、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法H(實施例13~24)
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研 削磨石研磨材細微性：# 1000、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之 表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔 開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解， 一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法I(比較例2)
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材細微性：F500、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法J(比較例3)
準備鈦製之旋轉滾筒(電解滾筒)，在作為電解滾筒表面控制條件之研削磨石研磨材細微性：F320、磨石旋轉速度：500rpm下對該電解滾筒之表面進行研削。其次，在電解槽中配置所述電解滾筒，並在滾筒之周圍隔開特定之極間距離而配置電極。其次，在電解槽中以下述條件進行電解，一 邊使電解滾筒旋轉，一邊使銅在該電解滾筒之表面析出。
<電解液組成>
銅：80~110g/L
硫酸：70~110g/L
氯：10~100質量ppm
<製造條件>
電流密度：50~200A/dm2
電解液溫度：40~70℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
其次，將在旋轉之電解滾筒之表面析出之銅剝離，並將其作為載體。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之光澤面側實施。
．載體之製作方法K(比較例4)
使用以下電解液製作電解銅箔。此外，在電解銅箔形成中間層是在電解銅箔之無光澤面側(析出面側、與滾筒側為相反側之面)實施。
<電解液組成>
銅：70~130g/L
硫酸：70~130g/L
氯：30~100ppm
膠：0.05~3ppm
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
(2)中間層之形成
接著，關於實施例1~3、比較例1與5，在形成厚度50nm之鎳濺鍍膜後，在輥對輥型之連續鍍敷線上進行電鍍，藉此，藉由在以下條件下進行電解鉻酸鹽處理而使11μg/dm2之附著量之Cr層附著於鎳濺鍍膜之上。
．電解鉻酸鹽處理
液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫侖量：0.5~30As/dm2
關於實施例4，在形成厚度3μm之超光澤鎳鍍敷(奧野製藥股份有限公司製造，添加劑：super neolight)後，在輥對輥型之連續鍍敷線上進行電鍍，藉此，藉由在以下條件下進行電解鉻酸鹽處理而使11μg/dm2之附著量之Cr層附著於鎳濺鍍膜之上。
．電解鉻酸鹽處理
液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫侖量：0.5~30As/dm2
關於實施例5~14、17~24、比較例2~4，在以下條件下形成中間層。
藉由在以下條件下在輥對輥型之連續鍍敷線上進行電鍍而形成4000μg/dm2之附著量之Ni層。
．Ni層
硫酸鎳：250~300g/L
氯化鎳：35~45g/L
乙酸鎳：10~20g/L
檸檬酸三鈉：15~30g/L
光澤劑：糖精、丁炔二醇等
十二烷基硫酸鈉：30~100ppm
pH值：4~6
浴溫：50~70℃
電流密度：3~15A/dm2
在水洗及酸洗後，接著在輥對輥型之連續鍍敷線上在以下條件下進行電解鉻酸鹽處理，藉此使11μg/dm2之附著量之Cr層附著於Ni層之上。
．電解鉻酸鹽處理
液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0.1~2.6A/dm2
庫侖量：0.5~30As/dm2
另外，關於實施例15，在以下條件下形成中間層。
藉由在以下條件下在輥對輥型之連續鍍敷線上進行電鍍而形成3000μg/dm2之附著量之Ni-Mo層。
．Ni-Mo層(鎳鉬合金鍍敷)
液體組成：硫酸鎳六水合物：50g/dm3、鉬酸鈉二水合物：60g/dm3、檸檬酸鈉：90g/dm3
液溫：30℃
電流密度：1~4A/dm2
通電時間：3~25秒
另外，關於實施例16，在以下條件下形成中間層。
．Ni層
在與實施例1相同之條件下形成Ni層。
．有機物層(有機物層形成處理)
其次，在對所形成之Ni層表面進行水洗及酸洗後，接著在下述條件下對Ni層表面噴灑並噴霧20~120秒含有濃度1~30g/L之羧基苯并三唑(CBTA)之液溫為40℃、pH值為5之水溶液，藉此形成有機物層。
(3)極薄銅層之形成
在形成中間層後，藉由在以下條件下進行電鍍而在中間層之上形成厚度1、2、3、5μm之極薄銅層，從而製成附載體銅箔。
．極薄銅層
銅濃度：30~120g/L
H2SO4濃度：20~120g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺基丙基)二硫醚)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
胺化合物使用以下化學式之胺化合物。
(所述化學式中，R1及R2選自由羥基烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之一個群中)
電解液溫度：20~80℃
電流密度：10~100A/dm2
(4)表面處理層之形成
其次，如表1所示，在以下任一條件下在極薄銅層之上進而設置粗化處理層。
．粗化條件a
液體組成
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
液溫：50~60℃
電流密度Dk：30~40A/dm2
時間：0.2~1秒
將粗化處理層之重量厚度調整為0.05μm±0.02μm之範圍。
此外，粗化處理之重量厚度是以如下方式算出。
粗化處理之重量厚度(μm)=((粗化處理後之樣本重量(g))-(粗化處理前之樣本重量(g)))/(銅之密度8.94(g/cm3)×(樣本之具有粗化處理之平面之面積)(cm2))×10000(μm/cm)
．粗化條件b
液體組成
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
液溫：50~60℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
時間：1~3秒
將粗化處理層之重量厚度調整為0.15μm±0.04μm之範圍。
．粗化條件c
液體組成
Cu：10~20g/L
Co：1~10g/L
Ni：1~10g/L
pH值：1~4
液溫：40~50℃
電流密度Dk：20~30A/dm2
時間：5~8秒
將粗化處理層之重量厚度調整為0.25μm±0.05μm之範圍。
．粗化條件d
依序進行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
液體組成：Cu：10~20g/L、H2SO4：50~100g/L
液溫：25~50℃
電流密度：0.5~54A/dm2
庫侖量：2~67As/dm2
(2)粗化處理2
液體組成：Cu：10~20g/L、Ni：5~15g/L、Co：5~15g/L
pH值：2~3
液溫：30~50℃
電流密度：20~46A/dm2
庫侖量：31~45As/dm2
將粗化處理1、粗化處理2之合計粗化處理層之重量厚度調整為0.35μm±0.05μm之範圍。
．粗化條件e
依序進行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：15~35g/L
H2SO4：10~150g/L
W：10~50mg/L
十二烷基硫酸鈉：10~50mg/L
As：50~200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
電流密度：30~115A/dm2
粗化庫侖量：20~450As/dm2
鍍敷時間：0.5~15秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：20~80g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
電流密度：3~48A/dm2
粗化庫侖量：20~250As/dm2
鍍敷時間：1~50秒
將粗化處理1、粗化處理2之合計粗化處理層之重量厚度調整為0.40μm±0.05μm之範圍。
．粗化條件f
依序進行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：15~35g/L
H2SO4：10~150g/L
W：1~50mg/L
十二烷基硫酸鈉：1~50mg/L
As：1~200mg/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
電流密度：20~105A/dm2
粗化庫侖量：50~500As/dm2
鍍敷時間：0.5~20秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：20~80g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
電流密度：3~48A/dm2
粗化庫侖量：50~300As/dm2
鍍敷時間：1~60秒
將粗化處理1、粗化處理2之合計粗化處理層之重量厚度調整為0.50μm±0.05μm之範圍。
．粗化條件g
依序進行粗化處理1→粗化處理2。
(1)粗化處理1
(液體組成1)
Cu：10~40g/L
H2SO4：10~150g/L
(電鍍條件1)
溫度：30~70℃
電流密度：24~112A/dm2
粗化庫侖量：70~600As/dm2
鍍敷時間：5~30秒
(2)粗化處理2
(液體組成2)
Cu：30~90g/L
H2SO4：50~200g/L
(電鍍條件2)
溫度：30~70℃
電流密度：4~49A/dm2
粗化庫侖量：70~400As/dm2
鍍敷時間：5~65秒
將粗化處理1、粗化處理2之合計粗化處理層之重量厚度調整為0.60μm±0.05μm之範圍。
．粗化條件h
液體組成
Cu：10~20g/L
Co：5~20g/L
Ni：5~20g/L
pH值：1~4
液溫：50~60℃
電流密度Dk：30~40A/dm2
時間：0.05~0.2秒
將粗化處理層之重量厚度調整為0.02μm±0.02μm之範圍。
此外，粗化處理之重量厚度是以如下方式而算出。
粗化處理之重量厚度(μm)=((粗化處理後之樣本重量(g))-(粗化處理前之樣本重量(g)))/(銅之密度8.94(g/cm3)×(樣本之具有粗化處理之平面之面積)(cm2))×10000(μm/cm)
關於實施例2、4、6、10、13、20，在以下條件下在粗化處理層上設置耐熱處理層、鉻酸鹽層、矽烷偶合處理層。
．耐熱處理
Zn：0~20g/L
Ni：0~5g/L
pH值：3.5
溫度：40℃
電流密度Dk：0~1.7A/dm2
時間：1秒
Zn附著量：5~250μg/dm2
Ni附著量：5~300μg/dm2
．鉻酸鹽處理
K2Cr2O7
(Na2Cr2O7或者CrO3)：2~10g/L
NaOH或者KOH：10~50g/L
ZnO或者ZnSO47H2O：0.05~10g/L
pH值：7~13
浴溫：20~80℃
電流密度0.05~5A/dm2
時間：5~30秒
Cr附著量：10~150μg/dm2
．矽烷偶合處理
乙烯基三乙氧基矽烷水溶液
(乙烯基三乙氧基矽烷濃度：0.1~1.4wt%)
pH值：4~5
時間：5~30秒
關於以如上方式而獲得之實施例1~24、比較例1~5之附載體銅箔，藉由以下方法實施各評價。
<極薄銅層之厚度>
極薄銅層之厚度是藉由以下重量法進行測定。
在測定附載體銅箔之重量後，將極薄銅層剝離，測定載體之重量，將前者與後者之差定義為極薄銅層之重量。
．試樣之大小：10cm見方薄片(利用壓製機沖裁而成之10cm見方薄片)
．試樣之取樣：任意3個部位
．根據以下式算出各試樣之藉由重量法所獲得之極薄銅層之厚度。
藉由重量法所獲得之極薄銅層之厚度(μm)={(10cm見方薄片之附載體銅箔之重量(g/100cm2))-(將極薄銅層從所述10cm見方薄片之附載體銅箔剝離後之載體之重量(g/100cm2))}/銅之密度(8.96g/cm3)×0.01(100cm2/cm2)×10000μm/cm
此外，試樣之重量測定使用能夠測定至小數點後第4位之精密天平。並且，將所獲得之重量之測定值直接使用於所述計算。
．將3個部位之藉由重量法所獲得之極薄銅層之厚度之算術平均值作為藉由重量法所獲得之極薄銅層之厚度。
另外，精密天平是使用亞速旺(ASONE)股份有限公司製造之IBA-200，壓製機是使用NOGUCHI PRESS股份有限公司製造之HAP-12。
該結果為，關於全部實施例1~24、比較例1~5，均確認到極薄銅層之厚度為1~5μm。
<與附載體銅箔貼合而形成之樹脂基板之表面性狀>
關於藉由在壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對各實施例、比較例之附載體銅箔(對極薄銅層進行表面處理後之附載體銅箔稱為該表面處理後 之附載體銅箔)進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側積層於預浸料(雙馬來亞醯胺三樹脂基板)後，從附載體銅箔將載體剝離，接著藉由蝕刻將所述極薄銅層去除而露出之樹脂基板表面，依據ISO 25178，並使用奧林巴斯(Olympus)公司製造之雷射顯微鏡OLS4000(LEXT OLS 4000)分別測定核心部之級差Sk、最大凹部深度Sv、突出凹部深度Svk、凹部之空隙容積Vvv及最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk。使用雷射顯微鏡中之物鏡50倍對三個部位進行約200μm×200μm面積(具體來說為40106μm2)之測定，將該三個部位之Sk、Sv、Svk、Vvv之值之算術平均值作為Sk、Sv、Svk、Vvv之值。另外，使用所獲得之Sv與Svk之平均值，算出最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk。此外，在雷射顯微鏡測定中，在測定結果之測定面並非為平面而成為曲面之情况下，在進行平面修正後算出所述各表面性狀。此外，雷射顯微鏡之測定環境溫度設為23~25℃。
<電路形成性：形成M-SAP電路後之電路之裙擺部之評價>
在將附載體銅箔(對極薄銅層實施表面處理後之附載體銅箔稱為該表面處理後之附載體銅箔)從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將載體剝離。接著，在極薄銅層之厚度為5μm、3μm及2μm之情况下，對所露出之極薄銅層表面進行半蝕刻直至厚度成為1μm為止，另外，極薄銅層之厚度為1μm者不進行該半蝕刻，直接以成為L/S=12μm/12μm之方式分別形成寬度15μm之圖案銅鍍敷層，其後進行蝕刻而形成M-SAP電路。
將此時之蝕刻條件示於以下。接著，針對該電路，對100個1mm之線長度之部位(即100條1mm之線長度之電路)進行俯視觀察，並測定裙擺部之長度。關於藉由該測定而獲得之電路之裙擺部之最大長度，根據以下基準對電路形成性進行評價。在圖5中表示顯示該裙擺部之電路之俯視觀察照片。如圖5所示，裙擺部是薄薄地產生在電路底部之蝕刻殘渣。
(蝕刻條件)
．蝕刻形式：噴霧蝕刻
．噴霧噴嘴：實心錐型
．噴霧壓力：0.10MPa
．蝕刻液溫：30℃
．蝕刻液組成：
H2O2：18g/L
H2SO4：92g/L
Cu：8g/L
添加劑：JCU股份有限公司製造之FE-830IIW3C適量
(電路形成性之評價基準)
配線間頻繁發生短路或頻繁發生斷路等電路形成不良狀態：××
裙擺部之最大長度為5μm以上，但未達到配線間短路之程度：×
裙擺部之最大長度為2μm以上且未達5μm：○
裙擺部之最大長度為0.5μm以上且未達2μm：○○
裙擺部之最大長度未達0.5μm：○○○
<銅箔樹脂之密接性之評價>
在所述「電路形成性：形成M-SAP電路後之電路之裙擺部之評價」中，針對所形成之M-SAP電路對100條所述「1mm之線長度之電路」進行觀察時，只要觀察到1條該電路之剝離或隆起之情况便評價為×，將完全未觀察到該電路之剝離或隆起之情况評價為○。
將實驗條件及實驗結果示於表1。

Claims (40)

  1. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv為0.181~2.922μm。
  2. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之核心部之級差Sk為0.095~0.936μm。
  3. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk為0.051~0.478μm。
  4. 如申請專利範圍第2項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk為0.051~0.478μm。
  5. 如申請專利範圍第1項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。
  6. 如申請專利範圍第2項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。
  7. 如申請專利範圍第3項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。
  8. 如申請專利範圍第4項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯 微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。
  9. 如申請專利範圍第1至8項中任一項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力；20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。
  10. 如申請專利範圍第9項之附載體銅箔，其中，在上述樹脂基板表面滿足以下10-1~10-5之項目中之任一個或兩個或三個或四個或五個：．10-1：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv滿足以下10-1a~10-1c中之任一個：10-1a：2.35μm以下、10-1b：1.4μm以下、10-1c：0.67μm以下；．10-2：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之核心部之級差Sk滿足以下10-2a~10-2c中之任一個：10-2a：0.8μm以下、10-2b：0.48μm以下、10-2c：0.35μm以下；．10-3：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk滿足以下10-3a~10-3c中之任一個： 10-3a：0.210μm以下、10-3b：0.164μm以下、10-3c：0.160μm以下；．10-4：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv滿足以下10-4a~10-4e中之任一個：10-4a：0.018μm3/μm2以下、10-4b：0.010μm3/μm2以下、10-4c：0.009μm3/μm2以下、10-4d：0.008μm3/μm2以下、10-4e：0.007μm3/μm2以下；．10-5：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk滿足以下10-5a~10-5c中之任一個：10-5a：10.5以下、10-5b：8.300以下、10-5c：7.000以下。
  11. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之核心部之級差Sk為0.095~0.936μm。
  12. 如申請專利範圍第11項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf /cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk為0.051~0.478μm。
  13. 如申請專利範圍第11項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。
  14. 如申請專利範圍第12項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。
  15. 如申請專利範圍第11項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。
  16. 如申請專利範圍第12項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。
  17. 如申請專利範圍第13項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。
  18. 如申請專利範圍第14項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。
  19. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述 樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk為0.051~0.478μm。
  20. 如申請專利範圍第19項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。
  21. 如申請專利範圍第19項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。
  22. 如申請專利範圍第20項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。
  23. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2 小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv為0.003~0.020μm3/μm2。
  24. 如申請專利範圍第23項之附載體銅箔，其中，在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。
  25. 一種附載體銅箔，其依序具備載體、中間層、及極薄銅層，並且在藉由於壓力：20kgf/cm2、220℃之條件下對上述附載體銅箔進行2小時加熱壓製而將其從極薄銅層側貼合在雙馬來亞醯胺三樹脂基板後，將上述載體剝離，接著藉由蝕刻將上述極薄銅層去除，藉此而露出之上述樹脂基板表面之利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk為3.549~10.777。
  26. 如申請專利範圍第1~8、11~25項中任一項之附載體銅箔，其中，在上述樹脂基板表面滿足以下26-1~26-5之項目中之任一個或兩個或三個或四個或五個：．26-1：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv滿足以下26-1a~26-1c中之任一個：26-1a：2.35μm以下、 26-1b：1.4μm以下、26-1c：0.67μm以下；．26-2：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之核心部之級差Sk滿足以下26-2a~26-2c中之任一個：26-2a：0.8μm以下、26-2b：0.48μm以下、26-2c：0.35μm以下；．26-3：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之突出凹部深度Svk滿足以下26-3a~26-3c中之任一個：26-3a：0.210μm以下、26-3b：0.164μm以下、26-3c：0.160μm以下；．26-4：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之凹部之空隙容積Vvv滿足以下26-4a~26-4e中之任一個：26-4a：0.018μm3/μm2以下、26-4b：0.010μm3/μm2以下、26-4c：0.009μm3/μm2以下、26-4d：0.008μm3/μm2以下、26-4e：0.007μm3/μm2以下；．26-5：利用雷射顯微鏡所測得之依據ISO 25178之最大凹部深度Sv與突出凹部深度Svk之比Sv/Svk滿足以下26-5a~26-5c中之任一個：26-5a：10.5以下、 26-5b：8.300以下、26-5c：7.000以下。
  27. 如申請專利範圍第1至8、11至25項中任一項之附載體銅箔，其中，在申請專利範圍第1至8、11至25項中任一項之附載體銅箔於從載體觀察時在載體之一個面側依序具有中間層、及極薄銅層之情况下，在上述極薄銅層側及上述載體側之至少一個表面或兩個表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層，或者在申請專利範圍第1至8、11至25項中任一項之附載體銅箔於從載體觀察時在載體之兩面側依序具有中間層、及極薄銅層之情况下，在該一個或兩個極薄銅層側之表面具有選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  28. 如申請專利範圍第27項之附載體銅箔，其中，上述粗化處理層是含有選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鐵、釩、鈷及鋅所組成之群中之任一單質或含有任1種以上上述單質之合金之層。
  29. 如申請專利範圍第1至8、11至25項中任一項之附載體銅箔，其中，在上述極薄銅層上具備樹脂層。
  30. 如申請專利範圍第27項上述之附載體銅箔，其中，在上述選自由粗化處理層、耐熱層、防銹層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層之上具備樹脂層。
  31. 一種積層體，其是使用申請專利範圍第1至30項中任一項之附載體銅箔而製造。
  32. 一種積層體，其包含申請專利範圍第1至30項中任一項之附載體銅箔與樹脂，並且上述附載體銅箔之端面之一部分或全部被上述樹脂所覆蓋。
  33. 一種積層體，其是將一個申請專利範圍第1至30項中任一項之附載體銅箔從上述載體側或上述極薄銅層側積層於另一個申請專利範圍第1至30項中任一項之附載體銅箔之上述載體側或上述極薄銅層側而成。
  34. 一種印刷配線板之製造方法，其使用申請專利範圍第31至33項中任一項之積層體。
  35. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：在申請專利範圍第31至33項中任一項之積層體上至少設置1次樹脂層與電路這兩層之步驟；及在至少形成1次上述樹脂層及電路這兩層後，將上述極薄銅層或上述載體從上述積層體之附載體銅箔剝離之步驟。
  36. 一種印刷配線板之製造方法，其使用申請專利範圍第1至30項中任一項之附載體銅箔。
  37. 一種電子機器之製造方法，其使用藉由申請專利範圍第36項之方法所製造之印刷配線板。
  38. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：準備申請專利範圍第1至30項中任一項之附載體銅箔與絕緣基板之步驟；將上述附載體銅箔與絕緣基板進行積層之步驟；及在將上述附載體銅箔與絕緣基板積層後，經過將上述附載體銅箔之載體剝離之步驟，而形成覆銅積層板， 其後藉由半加成法、減成法、部分加成法或改良半加成法中之任一種方法而形成電路之步驟。
  39. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：在申請專利範圍第1至30項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成電路之步驟；以埋沒上述電路之方式在上述附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面形成樹脂層之步驟；將上述載體或上述極薄銅層剝離之步驟；及在將上述載體或上述極薄銅層剝離後，去除上述極薄銅層或上述載體，藉此使形成在上述極薄銅層側表面或上述載體側表面且埋沒在上述樹脂層中之電路露出之步驟。
  40. 一種印刷配線板之製造方法，其包括：將申請專利範圍第1至30項中任一項之附載體銅箔之上述極薄銅層側表面或上述載體側表面與樹脂基板進行積層之步驟；在上述附載體銅箔之與樹脂基板積層一側之相反側之極薄銅層側表面或上述載體側表面至少設置1次樹脂層與電路這兩層之步驟；及在形成上述樹脂層及電路這兩層後，將上述載體或上述極薄銅層從上述附載體銅箔剝離之步驟。
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