JPWO2008126522A1 - 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 - Google Patents
銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2008126522A1 JPWO2008126522A1 JP2009508976A JP2009508976A JPWO2008126522A1 JP WO2008126522 A1 JPWO2008126522 A1 JP WO2008126522A1 JP 2009508976 A JP2009508976 A JP 2009508976A JP 2009508976 A JP2009508976 A JP 2009508976A JP WO2008126522 A1 JPWO2008126522 A1 JP WO2008126522A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper
- layer
- flexible substrate
- layer flexible
- ppm
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/54—Electroplating of non-metallic surfaces
- C25D5/56—Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/605—Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
- C25D5/611—Smooth layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
- C25D5/617—Crystalline layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0703—Plating
- H05K2203/0723—Electroplating, e.g. finish plating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
また、その上にレジストを塗布し、更にめっきを行って配線する際に、銅表面の光沢性が高かったため、レジスト剥離が生じる場合があり、レジストとの密着性に優れている2層フレキシブル基板が求められている。
(1)添加剤として、塩化物イオンと、硫黄系有機化合物と、ポリエチレングリコールとを含有することを特徴とする銅電解液。
(2)塩化物イオンを5〜200ppm、硫黄系有機化合物を2〜1000ppm、ポリエチレングリコールを5〜1500ppm含有することを特徴とする前記(1)記載の銅電解液。
(3)絶縁体フィルムの片面又は両面上に、接着剤を用いることなく銅層を設けた2層フレキシブル基板であって、前記銅層が、前記(1)又は(2)記載の銅電解液を用いて形成され、MIT特性が100回以上であり、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmであることを特徴とする2層フレキシブル基板。
(4)前記絶縁体フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする前記(3)記載の2層フレキシブル基板。
また、この表面粗さの範囲であれば、ファインライン形成に影響がなく、表面欠陥がなくなり、歩留まりが向上する。
絶縁体フィルムとしては、厚さ10〜50μmのフィルムが好ましい。
下地金属層の厚さは10〜500nmが好ましい。
銅電解液に用いる銅イオン源としては、硫酸銅、金属銅を硫酸で溶解した溶液等を用いることができる。銅電解液は、上記銅イオン源となる化合物の水溶液、又は金属銅を硫酸で溶解した溶液に添加剤を添加して用いる。
硫酸銅水溶液等の銅イオン源を含む水溶液に、塩化物イオン、ポリエチレングリコール、硫黄系有機化合物を添加剤として混合した本発明の銅電解液を用いることにより、MIT特性100回以上、銅層の表面粗さ(Rz)を1.4〜3.0μmとすることができ、レジストとの密着性に優れる2層フレキシブル基板となる。
X−R1−(S)n−R2−Y (1)
R4−S−R3−SO3Z (2)
(一般式(1)、(2)中、R1、R2、及びR3は炭素数1〜8のアルキレン基であり、R4は、水素、
H2O3P−(CH2)3−S−S−(CH2)3−PO3H2
HO3S−(CH2)4−S−S−(CH2)4−SO3H
HO3S−(CH2)3−S−S−(CH2)3−SO3H
NaO3S−(CH2)3−S−S−(CH2)3−SO3Na
HO3S−(CH2)2−S−S−(CH2)2−SO3H
CH3−S−S−CH2−SO3H
NaO3S−(CH2)3−S−S−S−(CH2)3−SO3Na
(CH3)2CH−S−S−(CH2)2−SO3H
銅電解液中の塩化物イオンは、例えば、NaCl、MgCl2、HCl等の塩化物イオンを含有する化合物を電解液中に溶解することにより含有させることができる。
3種の添加剤が揃うことにより所望の性状が得られ、特に表面粗さを所望の範囲とすることができる。また、3種の添加剤が揃うことにより、結晶組織が粒状で大きくなるため、結晶粒界が少なくなり、MIT特性がよくなるものと考えられる。硫黄系有機化合物又はポリエチレングリコールが含まれないと塩化物イオンの影響が大きくなり、表面が荒れる(一般の銅箔に近づく)。また、このときMIT特性が悪くなる。これは、結晶が柱状晶になり、結晶粒界が銅層に対して垂直になるために、折り曲げたときにその粒界に沿ってクラックが生じるものと考えられる。一方、塩化物イオンが含まれない場合は、表面粗さは小さくはなるが、所望する粗さまでは小さくはならない。また、結晶が微細になってMIT特性が悪くなる。
また、表面粗さ(Ra)は、0.18〜0.28が好ましく、表面粗さ(Rt)は2.3〜3.5が好ましい。
硫酸銅と硫酸を用い以下の濃度にした水溶液に添加剤を添加し、以下のめっき条件で下地金属層を有するポリイミドフィルムに電気めっきを行い、約8μmの銅被膜を作製した。めっき温度は40℃であり、添加剤及びその添加量は表1記載の通りである。尚、表1中、添加剤の添加量の単位はppmである。塩化物イオン源としては塩酸を用いた。
液容量: 1700ml
アノード:鉛電極
カソード:ポリイミドフィルムを巻きつけた回転電極
下地金属層を有するポリイミドフィルム:
37.5μm厚のカプトンE(デュポン製)上にNi−Crを150Å、更に
銅を2000Åスパッタ成膜したもの
電流時間:2800As
電流密度:5→15→25→40A/dm2 この順番に35秒ずつ保持
カソード回転速度:90r.p.m.
銅イオン: 70g/L
フリーの硫酸:60g/L
結果は表1に示す。
特許文献1:特開平10−193505号公報
発明の開示
発明が解決しようとする課題
[0004]
本発明は、MIT特性(耐折性)、レジストとの密着性に優れ、表面欠陥がない2層フレキシブル基板を提供することを課題とする。
課題を解決するための手段
[0005]
2層フレキシブル基板のMIT特性、及びレジストとの密着性について検討を行った結果、特定の銅電解液を用いることにより、MIT特性、銅層の表面粗さ(Rz)を特定の範囲とすることができ、MIT特性、及びレジストとの密着性に優れ、表面欠陥がない2層基板となることを見出した。
[0006]
即ち、本発明は、以下の構成よりなる。
(1)絶縁体フィルムの片面又は両面上に、接着剤を用いることなく銅層を設けた2層フレキシブル基板であって、前記銅層が、添加剤として、塩化物イオンと、硫黄系有機化合物と、ポリエチレングリコールとを含有する銅電解液を用いて形成され、MIT特性が100回以上であり、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmであることを特徴とする2層フレキシブル基板。
(2) 前記銅電解液が添加剤として塩化物イオンを5〜200ppm、硫黄系有機化合物を2〜1000ppm、ポリエチレングリコールを5〜1500ppm含有することを特徴とする前記(1)記載の2層フレキシブル基板。
(3) 前記絶縁体フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする前記(1)又は(2)記載の2層フレキシブル基板。
発明の効果
[0007]
本発明の銅電解液を用いて作製される2層フレキシブル基板は、MIT特性100回以上、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmとすることができ、レジストとの密着性に優れる2層フレキシブル基板となる。
また、この表面粗さの範囲であれば、ファインライン形成に影響がなく、表面欠陥がなくなり、歩留まりが向上する。
Claims (4)
- 添加剤として、塩化物イオンと、硫黄系有機化合物と、ポリエチレングリコールとを含有することを特徴とする銅電解液。
- 塩化物イオンを5〜200ppm、硫黄系有機化合物を2〜1000ppm、ポリエチレングリコールを5〜1500ppm含有することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の銅電解液。
- 絶縁体フィルムの片面又は両面上に、接着剤を用いることなく銅層を設けた2層フレキシブル基板であって、前記銅層が、請求の範囲第1項又は第2項に記載の銅電解液を用いて形成され、MIT特性が100回以上であり、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmであることを特徴とする2層フレキシブル基板。
- 前記絶縁体フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の2層フレキシブル基板。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007066382 | 2007-03-15 | ||
JP2007066382 | 2007-03-15 | ||
PCT/JP2008/053987 WO2008126522A1 (ja) | 2007-03-15 | 2008-03-05 | 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2008126522A1 true JPWO2008126522A1 (ja) | 2010-07-22 |
Family
ID=39863680
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009508976A Pending JPWO2008126522A1 (ja) | 2007-03-15 | 2008-03-05 | 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20100084275A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2008126522A1 (ja) |
KR (1) | KR101135332B1 (ja) |
CN (1) | CN101636527B (ja) |
TW (1) | TW200844256A (ja) |
WO (1) | WO2008126522A1 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8781106B2 (en) * | 2008-08-29 | 2014-07-15 | Satmap International Holdings Limited | Agent satisfaction data for call routing based on pattern matching algorithm |
US9677188B2 (en) | 2009-06-17 | 2017-06-13 | Novellus Systems, Inc. | Electrofill vacuum plating cell |
US9455139B2 (en) | 2009-06-17 | 2016-09-27 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
US20100320081A1 (en) | 2009-06-17 | 2010-12-23 | Mayer Steven T | Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling |
KR101298999B1 (ko) * | 2009-09-01 | 2013-08-23 | 일진머티리얼즈 주식회사 | 미세회로 형성을 위한 임베디드용 동박 |
US9138784B1 (en) | 2009-12-18 | 2015-09-22 | Novellus Systems, Inc. | Deionized water conditioning system and methods |
JP5481577B1 (ja) * | 2012-09-11 | 2014-04-23 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付き銅箔 |
JP5706386B2 (ja) * | 2012-10-16 | 2015-04-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 2層フレキシブル基板、並びに2層フレキシブル基板を基材としたプリント配線板 |
US9613833B2 (en) | 2013-02-20 | 2017-04-04 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating |
US9435049B2 (en) | 2013-11-20 | 2016-09-06 | Lam Research Corporation | Alkaline pretreatment for electroplating |
KR102344716B1 (ko) * | 2014-07-31 | 2021-12-30 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 터치 패널용 도전성 기판 및 터치 패널용 도전성 기판 제조방법 |
US9481942B2 (en) | 2015-02-03 | 2016-11-01 | Lam Research Corporation | Geometry and process optimization for ultra-high RPM plating |
US9617648B2 (en) | 2015-03-04 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias |
JP6782561B2 (ja) | 2015-07-16 | 2020-11-11 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP6006445B1 (ja) | 2015-07-27 | 2016-10-12 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP6058182B1 (ja) * | 2015-07-27 | 2017-01-11 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP6339636B2 (ja) | 2015-08-06 | 2018-06-06 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP6190500B2 (ja) | 2015-08-06 | 2017-08-30 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
JP6200042B2 (ja) | 2015-08-06 | 2017-09-20 | Jx金属株式会社 | キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003328179A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Ebara Udylite Kk | 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法 |
JP2005256159A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-09-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銅めっき皮膜の成膜方法、半導体パッケージ用樹脂フィルム基板の連続銅めっき装置ならびにフレキシブル銅張り積層板 |
JP2006120858A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法 |
JP2006224571A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Furukawa Circuit Foil Kk | 銅メタライズドフィルムおよびその製造方法 |
JP2006265632A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Ishihara Chem Co Ltd | 電気銅メッキ浴、並びに銅メッキ方法 |
JP2006316328A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Daiso Co Ltd | 2層フレキシブル銅張積層板の製造方法 |
JP2007009326A (ja) * | 2005-06-03 | 2007-01-18 | Fujifilm Corp | めっき処理方法、導電性膜、及び透光性電磁波シールド膜 |
JP2007016264A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Adeka Corp | 新規化合物、該化合物からなる電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を含有する電解銅メッキ浴、該メッキ浴を使用する電解銅メッキ方法 |
WO2007039992A1 (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 2層フレキシブル基板 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IT1276161B1 (it) * | 1995-11-23 | 1997-10-27 | Zambon Spa | Derivati dell'acido fosfonico ad attivita' inibitrice delle metallopeptidasi |
JP3541697B2 (ja) * | 1998-11-20 | 2004-07-14 | ソニーケミカル株式会社 | フレキシブル配線板の製造方法 |
DE19941605A1 (de) * | 1999-09-01 | 2001-03-15 | Merck Patent Gmbh | Galvanisierungslösung für die galvanische Abscheidung von Kupfer |
US6491806B1 (en) * | 2000-04-27 | 2002-12-10 | Intel Corporation | Electroplating bath composition |
US6736954B2 (en) * | 2001-10-02 | 2004-05-18 | Shipley Company, L.L.C. | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate |
JP4115240B2 (ja) * | 2002-10-21 | 2008-07-09 | 日鉱金属株式会社 | 特定骨格を有する四級アミン化合物及び有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔 |
KR100389061B1 (ko) * | 2002-11-14 | 2003-06-25 | 일진소재산업주식회사 | 전해 동박 제조용 전해액 및 이를 이용한 전해 동박 제조방법 |
US7147767B2 (en) * | 2002-12-16 | 2006-12-12 | 3M Innovative Properties Company | Plating solutions for electrochemical or chemical deposition of copper interconnects and methods therefor |
EP1574599B1 (en) * | 2002-12-18 | 2010-07-07 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Copper electrolytic solution and electrolytic copper foil produced therewith |
US20050072683A1 (en) * | 2003-04-03 | 2005-04-07 | Ebara Corporation | Copper plating bath and plating method |
JP2005029818A (ja) * | 2003-07-09 | 2005-02-03 | Ebara Corp | めっき方法 |
JP2005041049A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-02-17 | Ube Ind Ltd | 広幅銅張り積層基板 |
US20050284766A1 (en) * | 2004-06-25 | 2005-12-29 | Herdman Roderick D | Pulse reverse electrolysis of acidic copper electroplating solutions |
JP4973829B2 (ja) * | 2004-07-23 | 2012-07-11 | 上村工業株式会社 | 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法 |
WO2006044313A2 (en) * | 2004-10-12 | 2006-04-27 | The Trustrees Of The University Of Pennsylvania | Preparation of solid oxide fuel cell electrodes by electrodeposition |
EP2233613B1 (en) * | 2005-01-25 | 2012-05-30 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method for manufacturing a copper electrolytic copper foil, using a copper solution containing compound having specific skeleton as additive, and electrolytic copper foil produced therefrom |
US20070012576A1 (en) * | 2005-07-13 | 2007-01-18 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Plating method |
-
2008
- 2008-03-05 KR KR1020097021455A patent/KR101135332B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2008-03-05 WO PCT/JP2008/053987 patent/WO2008126522A1/ja active Application Filing
- 2008-03-05 CN CN2008800080564A patent/CN101636527B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2008-03-05 JP JP2009508976A patent/JPWO2008126522A1/ja active Pending
- 2008-03-05 US US12/450,054 patent/US20100084275A1/en not_active Abandoned
- 2008-03-11 TW TW097108458A patent/TW200844256A/zh unknown
-
2012
- 2012-04-02 US US13/437,372 patent/US20120189811A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003328179A (ja) * | 2002-05-10 | 2003-11-19 | Ebara Udylite Kk | 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法 |
JP2005256159A (ja) * | 2004-02-09 | 2005-09-22 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銅めっき皮膜の成膜方法、半導体パッケージ用樹脂フィルム基板の連続銅めっき装置ならびにフレキシブル銅張り積層板 |
JP2006120858A (ja) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Hitachi Cable Ltd | 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法 |
JP2006224571A (ja) * | 2005-02-21 | 2006-08-31 | Furukawa Circuit Foil Kk | 銅メタライズドフィルムおよびその製造方法 |
JP2006265632A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Ishihara Chem Co Ltd | 電気銅メッキ浴、並びに銅メッキ方法 |
JP2006316328A (ja) * | 2005-05-16 | 2006-11-24 | Daiso Co Ltd | 2層フレキシブル銅張積層板の製造方法 |
JP2007009326A (ja) * | 2005-06-03 | 2007-01-18 | Fujifilm Corp | めっき処理方法、導電性膜、及び透光性電磁波シールド膜 |
JP2007016264A (ja) * | 2005-07-06 | 2007-01-25 | Adeka Corp | 新規化合物、該化合物からなる電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を含有する電解銅メッキ浴、該メッキ浴を使用する電解銅メッキ方法 |
WO2007039992A1 (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-12 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 2層フレキシブル基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20090120515A (ko) | 2009-11-24 |
CN101636527B (zh) | 2011-11-09 |
US20100084275A1 (en) | 2010-04-08 |
KR101135332B1 (ko) | 2012-04-17 |
US20120189811A1 (en) | 2012-07-26 |
WO2008126522A1 (ja) | 2008-10-23 |
TW200844256A (en) | 2008-11-16 |
CN101636527A (zh) | 2010-01-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2008126522A1 (ja) | 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 | |
KR101339598B1 (ko) | 2층 플렉시블 기판, 및 그 제조에 이용하는 구리전해액 | |
TWI434965B (zh) | A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method | |
CN103731974B (zh) | 2层挠性基板及以2层挠性基板作为基材的印刷布线板 | |
KR101154203B1 (ko) | 전해 동박, 그 전해 동박을 이용한 표면 처리 동박 및 그 표면 처리 동박을 이용한 동박 적층판 및 그 전해 동박의 제조 방법 | |
US8153273B2 (en) | Surface treated electrodeposited copper foil and circuit board | |
JP4771552B2 (ja) | 2層フレキシブル基板 | |
JP4376903B2 (ja) | 特定骨格を有する化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔 | |
JP2009299100A (ja) | 電解銅箔及びその電解銅箔の製造方法 | |
JP2001181886A (ja) | 電解銅箔 | |
JP2003328179A (ja) | 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法 | |
JP3954958B2 (ja) | 抵抗層付き銅箔及び抵抗層付き回路基板材料 | |
JP4872257B2 (ja) | 2層めっき基板およびその製造方法 | |
JP2011091114A (ja) | 配線回路基板およびその製法 | |
JP6954345B2 (ja) | 導電性基板、導電性基板の製造方法 | |
JP2005008973A (ja) | 銅箔の表面粗化方法 | |
JP2008091596A (ja) | 表面平滑性を有する銅被覆ポリイミド基板とその製造方法 | |
JP2008294143A (ja) | 部品内蔵多層配線板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090904 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120717 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120914 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130619 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140311 |