JPWO2008126522A1 - 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 - Google Patents

銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008126522A1
JPWO2008126522A1 JP2009508976A JP2009508976A JPWO2008126522A1 JP WO2008126522 A1 JPWO2008126522 A1 JP WO2008126522A1 JP 2009508976 A JP2009508976 A JP 2009508976A JP 2009508976 A JP2009508976 A JP 2009508976A JP WO2008126522 A1 JPWO2008126522 A1 JP WO2008126522A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
layer
flexible substrate
layer flexible
ppm
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009508976A
Other languages
English (en)
Inventor
花房 幹夫
幹夫 花房
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Mining Holdings Inc
Original Assignee
Nippon Mining and Metals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Mining and Metals Co Ltd filed Critical Nippon Mining and Metals Co Ltd
Publication of JPWO2008126522A1 publication Critical patent/JPWO2008126522A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/54Electroplating of non-metallic surfaces
    • C25D5/56Electroplating of non-metallic surfaces of plastics
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/605Surface topography of the layers, e.g. rough, dendritic or nodular layers
    • C25D5/611Smooth layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/60Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
    • C25D5/615Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
    • C25D5/617Crystalline layers
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0393Flexible materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/07Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
    • H05K2203/0703Plating
    • H05K2203/0723Electroplating, e.g. finish plating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24355Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

耐折性、エッチング特性、レジストとの密着性に優れ、表面欠陥がない2層フレキシブル基板を提供する。添加剤として、塩化物イオンと、硫黄系有機化合物と、ポリエチレングリコールとを、好ましくは、塩化物イオンを5〜200ppm、硫黄系有機化合物を2〜1000ppm、ポリエチレングリコールを5〜1500ppm含有することを特徴とする銅電解液。及び該銅電解液を用いて銅層を設けた2層フレキシブル基板であって、MIT特性が100回以上、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmであることを特徴とする2層フレキシブル基板。

Description

本発明は、銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板に関し、より具体的には、絶縁体フィルム上に銅層を形成した2層フレキシブル基板に関する。
フレキシブル配線板を作製するために用いる基板として、2層フレキシブル基板が注目されている。2層フレキシブル基板は絶縁体フィルム上に接着剤を用いることなく直接銅導体層を設けたもので、基板自体の厚さを薄くすることができる上に、被着させる銅導体層の厚さも任意の厚さに調整することができるという利点を有する。このような2層フレキシブル基板を製造する場合は、絶縁体フィルム上に下地金属層を形成して、その上に電気銅めっきを行うのが一般的である。しかし、このようにして得られた下地金属層にはピンホールが多数発生し、絶縁フィルム露出部が生じ、薄膜の銅導体層を設けた場合は、ピンホールによる露出部分を埋めることができず、銅導体層表面にもピンホールが生じ、配線欠陥を生じる原因となっていた。この問題を解決する方法として、たとえば特許文献1に、絶縁体フィルム上に下地金属層を乾式めっき法により作製し、次に下地金属層上に1次電気銅めっき被膜を形成した後、アルカリ溶液処理を施し、しかる後無電解銅めっき被膜層を被着させ、最後に2次電気銅めっき被膜層を形成する2層フレキシブル基板の製造方法が記載されている。しかしこの方法では工程が複雑となる。
また、最近ではプリント配線板の高密度化に伴い、回路幅の狭小化、多層化に伴いファインパターン化が可能である銅層が要求されるようになってきた。2層フレキシブル基板は折り曲げて使用されることが多く、そのため耐折性に優れた銅層が必要である。
また、その上にレジストを塗布し、更にめっきを行って配線する際に、銅表面の光沢性が高かったため、レジスト剥離が生じる場合があり、レジストとの密着性に優れている2層フレキシブル基板が求められている。
特開平10−193505号公報
本発明は、MIT特性(耐折性)、レジストとの密着性に優れ、表面欠陥がない2層フレキシブル基板を提供することを課題とする。
2層フレキシブル基板のMIT特性、及びレジストとの密着性について検討を行った結果、特定の銅電解液を用いることにより、MIT特性、銅層の表面粗さ(Rz)を特定の範囲とすることができ、MIT特性、及びレジストとの密着性に優れ、表面欠陥がない2層基板となることを見出した。
即ち、本発明は、以下の構成よりなる。
(1)添加剤として、塩化物イオンと、硫黄系有機化合物と、ポリエチレングリコールとを含有することを特徴とする銅電解液。
(2)塩化物イオンを5〜200ppm、硫黄系有機化合物を2〜1000ppm、ポリエチレングリコールを5〜1500ppm含有することを特徴とする前記(1)記載の銅電解液。
(3)絶縁体フィルムの片面又は両面上に、接着剤を用いることなく銅層を設けた2層フレキシブル基板であって、前記銅層が、前記(1)又は(2)記載の銅電解液を用いて形成され、MIT特性が100回以上であり、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmであることを特徴とする2層フレキシブル基板。
(4)前記絶縁体フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする前記(3)記載の2層フレキシブル基板。
本発明の銅電解液を用いて作製される2層フレキシブル基板は、MIT特性100回以上、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmとすることができ、レジストとの密着性に優れる2層フレキシブル基板となる。
また、この表面粗さの範囲であれば、ファインライン形成に影響がなく、表面欠陥がなくなり、歩留まりが向上する。
本発明の2層フレキシブル基板は、絶縁体フィルム上に本発明の銅電解液を用いて銅層を形成したものであるが、絶縁体フィルム上に下地金属層を形成した上に、所定の厚さの銅層を電気めっきにより形成させることが好ましい。
本発明に用いる絶縁体フィルムとしては、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂、ポリエチレン樹脂等の熱可塑性樹脂、ポリアミド等の縮合ポリマー、等の樹脂の1種または2種以上の混合物からなるフィルムが挙げられる。ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム等が好ましく、ポリイミドフィルムが特に好ましい。ポリイミドフィルムとしては、各種ポリイミドフィルム、例えば、カプトン(東レデュポン製)、ユーピレックス(宇部興産製)等が挙げられる。
絶縁体フィルムとしては、厚さ10〜50μmのフィルムが好ましい。
絶縁体フィルム上には、Ni、Cr、Co、Ti、Cu、Mo、Si、V等の単独元素または混合系などによる下地金属層を、蒸着、スパッタ、またはめっき法等の公知の方法により形成させることができる。
下地金属層の厚さは10〜500nmが好ましい。
本発明の2層フレキシブル基板は、好ましくはこれまで述べてきた下地金属層を形成した絶縁体フィルム上に、本発明の銅電解液を用いて銅めっき層を形成したものである。
銅電解液に用いる銅イオン源としては、硫酸銅、金属銅を硫酸で溶解した溶液等を用いることができる。銅電解液は、上記銅イオン源となる化合物の水溶液、又は金属銅を硫酸で溶解した溶液に添加剤を添加して用いる。
硫酸銅水溶液等の銅イオン源を含む水溶液に、塩化物イオン、ポリエチレングリコール、硫黄系有機化合物を添加剤として混合した本発明の銅電解液を用いることにより、MIT特性100回以上、銅層の表面粗さ(Rz)を1.4〜3.0μmとすることができ、レジストとの密着性に優れる2層フレキシブル基板となる。
上記硫黄系有機化合物としては、下記一般式(1)又は(2)の構造式を持つ化合物であることが好ましい。
X−R−(S)−R−Y (1)
−S−R−SOZ (2)
(一般式(1)、(2)中、R、R、及びRは炭素数1〜8のアルキレン基であり、Rは、水素、
Figure 2008126522
からなる一群から選ばれるものであり、Xは水素、スルホン酸基、ホスホン酸基、スルホン酸基またはホスホン酸基のアルカリ金属塩またはアンモニウム塩からなる一群から選ばれるものであり、Yはスルホン酸基、ホスホン酸基、スルホン酸基またはホスホン酸基のアルカリ金属塩からなる一群から選ばれるものであり、Zは水素、またはアルカリ金属であり、nは2または3である。)
上記一般式(1)で表される硫黄系有機化合物としては、例えば以下のものが挙げられ、好ましく用いられる。
P−(CH)−S−S−(CH)−PO
HOS−(CH)−S−S−(CH)−SO
HOS−(CH)−S−S−(CH)−SO
NaOS−(CH)−S−S−(CH−SONa
HOS−(CH)−S−S−(CH)−SO
CH−S−S−CH−SO
NaOS−(CH−S−S−S−(CH)−SONa
(CH)CH−S−S−(CH)−SO
また、上記一般式(2)で表される硫黄系有機化合物としては、例えば以下のものが挙げられ、好ましく用いられる。
Figure 2008126522
ポリエチレングリコールとしては、重量平均分子量600〜30000のものが好ましい。
銅電解液中の塩化物イオンは、例えば、NaCl、MgCl、HCl等の塩化物イオンを含有する化合物を電解液中に溶解することにより含有させることができる。
本発明の銅電解液は、塩化物イオンを5〜200ppm、硫黄系有機化合物を、2〜1000ppm、ポリエチレングリコールを5〜1500ppm含有することが好ましい。塩化物イオンは10〜100ppm含有することがより好ましく、30〜80ppm含有することが更に好ましい。硫黄系有機化合物は、5〜500ppm含有することがより好ましく、10〜50ppm含有することが更に好ましい。ポリエチレングリコールは10〜1000ppm含有することがより好ましく、20〜200ppm含有することが更に好ましい。
塩化物イオンが過剰であると、一般の銅箔の性状に近づき表面が荒れる。硫黄系有機化合物が過剰であると、表面状態が悪くなり、特に気泡の付着による円形のピンホール発生が多くなる。ポリエチレングリコールが過剰の場合は、めっき表面には影響はないが、電解液の泡立ちが激しくなるとともに、コスト的な問題がある。
3種の添加剤が揃うことにより所望の性状が得られ、特に表面粗さを所望の範囲とすることができる。また、3種の添加剤が揃うことにより、結晶組織が粒状で大きくなるため、結晶粒界が少なくなり、MIT特性がよくなるものと考えられる。硫黄系有機化合物又はポリエチレングリコールが含まれないと塩化物イオンの影響が大きくなり、表面が荒れる(一般の銅箔に近づく)。また、このときMIT特性が悪くなる。これは、結晶が柱状晶になり、結晶粒界が銅層に対して垂直になるために、折り曲げたときにその粒界に沿ってクラックが生じるものと考えられる。一方、塩化物イオンが含まれない場合は、表面粗さは小さくはなるが、所望する粗さまでは小さくはならない。また、結晶が微細になってMIT特性が悪くなる。
本発明の2層フレキシブル基板は、上記銅電解液を用い、下地金属層を設けた基板上に電気めっきにより銅層を設けたものである。めっきは、浴温30〜55℃で行うことが好ましく、35〜45℃がより好ましい。また、膜厚3〜30μmの銅層を形成することが好ましい。
銅層の表面粗さ(Rz)は、1.4〜3.0μmであり、1.9〜3.0μmであることが好ましい。一般的な2層フレキシブル基板の銅層の表面粗さ(Rz)は0.3〜1.0μm程度である。本発明においては銅電解液に3種の添加剤を用いることにより、上記の範囲とすることができる。
銅層の表面粗さは、非接触式の表面粗さ計(Veeco社製)で測定することができる。表面粗さ(Rz)が小さくなるとエッチングレジストとの密着性が悪くなり、エッチングのときに剥離してしまうことがある。また、表面粗さが粗くなると、エッチングレジストとの密着性は良くなるが、レジストを露光する際に粗くなった面で乱反射が生じ、銅箔とレジストが接している部分のレジストが残り、ファインパターンが正確にエッチングできない。以上から表面粗さ(Rz)は1.4〜3.0μmが好ましく、1.9〜3.0μmがより好ましい。
また、表面粗さ(Ra)は、0.18〜0.28が好ましく、表面粗さ(Rt)は2.3〜3.5が好ましい。
本発明の銅電解液を用いて作製された2層フレキシブル基板は、MIT特性(JIS C 5016に基づいて、加重500g、R=0.38で測定した耐折性試験)が100回以上となり、MIT特性に優れる。MIT特性は120回以上がより好ましい。
次に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
実施例1〜13、比較例1〜3
硫酸銅と硫酸を用い以下の濃度にした水溶液に添加剤を添加し、以下のめっき条件で下地金属層を有するポリイミドフィルムに電気めっきを行い、約8μmの銅被膜を作製した。めっき温度は40℃であり、添加剤及びその添加量は表1記載の通りである。尚、表1中、添加剤の添加量の単位はppmである。塩化物イオン源としては塩酸を用いた。
液容量: 1700ml
アノード:鉛電極
カソード:ポリイミドフィルムを巻きつけた回転電極
下地金属層を有するポリイミドフィルム:
37.5μm厚のカプトンE(デュポン製)上にNi−Crを150Å、更に
銅を2000Åスパッタ成膜したもの
電流時間:2800As
電流密度:5→15→25→40A/dm この順番に35秒ずつ保持
カソード回転速度:90r.p.m.
銅イオン: 70g/L
フリーの硫酸:60g/L
得られた銅被覆ポリイミド2層基板の表面粗さ(Rz)、(Ra)、(Rt)は、JIS B0601に基づいて非接触型の表面粗さ計(Veeco社製)で測定し、耐折性試験はJIS C 5016に基づいて、加重500g、R=0.38にて測定した。エッチングレジストの評価は、ライン/スペース L/S=20/20(20μmピッチ)のラインを露光、現像により形成し、SEM観察によりレジスト残りを観察した。
結果は表1に示す。
Figure 2008126522
以上の結果より、本発明の銅ポリイミド2層基板は、耐折性、レジストとの密着性に優れ、表面欠陥がないことがわかる。
【0002】
特許文献1:特開平10−193505号公報
発明の開示
発明が解決しようとする課題
[0004]
本発明は、MIT特性(耐折性)、レジストとの密着性に優れ、表面欠陥がない2層フレキシブル基板を提供することを課題とする。
課題を解決するための手段
[0005]
2層フレキシブル基板のMIT特性、及びレジストとの密着性について検討を行った結果、特定の銅電解液を用いることにより、MIT特性、銅層の表面粗さ(Rz)を特定の範囲とすることができ、MIT特性、及びレジストとの密着性に優れ、表面欠陥がない2層基板となることを見出した。
[0006]
即ち、本発明は、以下の構成よりなる。
(1)絶縁体フィルムの片面又は両面上に、接着剤を用いることなく銅層を設けた2層フレキシブル基板であって、前記銅層が、添加剤として、塩化物イオンと、硫黄系有機化合物と、ポリエチレングリコールとを含有する銅電解液を用いて形成され、MIT特性が100回以上であり、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmであることを特徴とする2層フレキシブル基板。
(2) 前記銅電解液が添加剤として塩化物イオンを5〜200ppm、硫黄系有機化合物を2〜1000ppm、ポリエチレングリコールを5〜1500ppm含有することを特徴とする前記(1)記載の2層フレキシブル基板。
(3) 前記絶縁体フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする前記(1)又は(2)記載の2層フレキシブル基板。
発明の効果
[0007]
本発明の銅電解液を用いて作製される2層フレキシブル基板は、MIT特性100回以上、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmとすることができ、レジストとの密着性に優れる2層フレキシブル基板となる。
また、この表面粗さの範囲であれば、ファインライン形成に影響がなく、表面欠陥がなくなり、歩留まりが向上する。

Claims (4)

  1. 添加剤として、塩化物イオンと、硫黄系有機化合物と、ポリエチレングリコールとを含有することを特徴とする銅電解液。
  2. 塩化物イオンを5〜200ppm、硫黄系有機化合物を2〜1000ppm、ポリエチレングリコールを5〜1500ppm含有することを特徴とする請求の範囲第1項に記載の銅電解液。
  3. 絶縁体フィルムの片面又は両面上に、接着剤を用いることなく銅層を設けた2層フレキシブル基板であって、前記銅層が、請求の範囲第1項又は第2項に記載の銅電解液を用いて形成され、MIT特性が100回以上であり、銅層の表面粗さ(Rz)が1.4〜3.0μmであることを特徴とする2層フレキシブル基板。
  4. 前記絶縁体フィルムがポリイミドフィルムであることを特徴とする請求の範囲第3項に記載の2層フレキシブル基板。
JP2009508976A 2007-03-15 2008-03-05 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板 Pending JPWO2008126522A1 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007066382 2007-03-15
JP2007066382 2007-03-15
PCT/JP2008/053987 WO2008126522A1 (ja) 2007-03-15 2008-03-05 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2008126522A1 true JPWO2008126522A1 (ja) 2010-07-22

Family

ID=39863680

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009508976A Pending JPWO2008126522A1 (ja) 2007-03-15 2008-03-05 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20100084275A1 (ja)
JP (1) JPWO2008126522A1 (ja)
KR (1) KR101135332B1 (ja)
CN (1) CN101636527B (ja)
TW (1) TW200844256A (ja)
WO (1) WO2008126522A1 (ja)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8781106B2 (en) * 2008-08-29 2014-07-15 Satmap International Holdings Limited Agent satisfaction data for call routing based on pattern matching algorithm
US9677188B2 (en) 2009-06-17 2017-06-13 Novellus Systems, Inc. Electrofill vacuum plating cell
US9455139B2 (en) 2009-06-17 2016-09-27 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
US20100320081A1 (en) 2009-06-17 2010-12-23 Mayer Steven T Apparatus for wetting pretreatment for enhanced damascene metal filling
KR101298999B1 (ko) * 2009-09-01 2013-08-23 일진머티리얼즈 주식회사 미세회로 형성을 위한 임베디드용 동박
US9138784B1 (en) 2009-12-18 2015-09-22 Novellus Systems, Inc. Deionized water conditioning system and methods
JP5481577B1 (ja) * 2012-09-11 2014-04-23 Jx日鉱日石金属株式会社 キャリア付き銅箔
JP5706386B2 (ja) * 2012-10-16 2015-04-22 住友金属鉱山株式会社 2層フレキシブル基板、並びに2層フレキシブル基板を基材としたプリント配線板
US9613833B2 (en) 2013-02-20 2017-04-04 Novellus Systems, Inc. Methods and apparatus for wetting pretreatment for through resist metal plating
US9435049B2 (en) 2013-11-20 2016-09-06 Lam Research Corporation Alkaline pretreatment for electroplating
KR102344716B1 (ko) * 2014-07-31 2021-12-30 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 터치 패널용 도전성 기판 및 터치 패널용 도전성 기판 제조방법
US9481942B2 (en) 2015-02-03 2016-11-01 Lam Research Corporation Geometry and process optimization for ultra-high RPM plating
US9617648B2 (en) 2015-03-04 2017-04-11 Lam Research Corporation Pretreatment of nickel and cobalt liners for electrodeposition of copper into through silicon vias
JP6782561B2 (ja) 2015-07-16 2020-11-11 Jx金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6006445B1 (ja) 2015-07-27 2016-10-12 Jx金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6058182B1 (ja) * 2015-07-27 2017-01-11 Jx金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6339636B2 (ja) 2015-08-06 2018-06-06 Jx金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6190500B2 (ja) 2015-08-06 2017-08-30 Jx金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6200042B2 (ja) 2015-08-06 2017-09-20 Jx金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003328179A (ja) * 2002-05-10 2003-11-19 Ebara Udylite Kk 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法
JP2005256159A (ja) * 2004-02-09 2005-09-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銅めっき皮膜の成膜方法、半導体パッケージ用樹脂フィルム基板の連続銅めっき装置ならびにフレキシブル銅張り積層板
JP2006120858A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法
JP2006224571A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Furukawa Circuit Foil Kk 銅メタライズドフィルムおよびその製造方法
JP2006265632A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Ishihara Chem Co Ltd 電気銅メッキ浴、並びに銅メッキ方法
JP2006316328A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Daiso Co Ltd 2層フレキシブル銅張積層板の製造方法
JP2007009326A (ja) * 2005-06-03 2007-01-18 Fujifilm Corp めっき処理方法、導電性膜、及び透光性電磁波シールド膜
JP2007016264A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Adeka Corp 新規化合物、該化合物からなる電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を含有する電解銅メッキ浴、該メッキ浴を使用する電解銅メッキ方法
WO2007039992A1 (ja) * 2005-10-05 2007-04-12 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 2層フレキシブル基板

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1276161B1 (it) * 1995-11-23 1997-10-27 Zambon Spa Derivati dell'acido fosfonico ad attivita' inibitrice delle metallopeptidasi
JP3541697B2 (ja) * 1998-11-20 2004-07-14 ソニーケミカル株式会社 フレキシブル配線板の製造方法
DE19941605A1 (de) * 1999-09-01 2001-03-15 Merck Patent Gmbh Galvanisierungslösung für die galvanische Abscheidung von Kupfer
US6491806B1 (en) * 2000-04-27 2002-12-10 Intel Corporation Electroplating bath composition
US6736954B2 (en) * 2001-10-02 2004-05-18 Shipley Company, L.L.C. Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate
JP4115240B2 (ja) * 2002-10-21 2008-07-09 日鉱金属株式会社 特定骨格を有する四級アミン化合物及び有機硫黄化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔
KR100389061B1 (ko) * 2002-11-14 2003-06-25 일진소재산업주식회사 전해 동박 제조용 전해액 및 이를 이용한 전해 동박 제조방법
US7147767B2 (en) * 2002-12-16 2006-12-12 3M Innovative Properties Company Plating solutions for electrochemical or chemical deposition of copper interconnects and methods therefor
EP1574599B1 (en) * 2002-12-18 2010-07-07 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Copper electrolytic solution and electrolytic copper foil produced therewith
US20050072683A1 (en) * 2003-04-03 2005-04-07 Ebara Corporation Copper plating bath and plating method
JP2005029818A (ja) * 2003-07-09 2005-02-03 Ebara Corp めっき方法
JP2005041049A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Ube Ind Ltd 広幅銅張り積層基板
US20050284766A1 (en) * 2004-06-25 2005-12-29 Herdman Roderick D Pulse reverse electrolysis of acidic copper electroplating solutions
JP4973829B2 (ja) * 2004-07-23 2012-07-11 上村工業株式会社 電気銅めっき浴及び電気銅めっき方法
WO2006044313A2 (en) * 2004-10-12 2006-04-27 The Trustrees Of The University Of Pennsylvania Preparation of solid oxide fuel cell electrodes by electrodeposition
EP2233613B1 (en) * 2005-01-25 2012-05-30 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method for manufacturing a copper electrolytic copper foil, using a copper solution containing compound having specific skeleton as additive, and electrolytic copper foil produced therefrom
US20070012576A1 (en) * 2005-07-13 2007-01-18 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Plating method

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003328179A (ja) * 2002-05-10 2003-11-19 Ebara Udylite Kk 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法
JP2005256159A (ja) * 2004-02-09 2005-09-22 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 銅めっき皮膜の成膜方法、半導体パッケージ用樹脂フィルム基板の連続銅めっき装置ならびにフレキシブル銅張り積層板
JP2006120858A (ja) * 2004-10-21 2006-05-11 Hitachi Cable Ltd 半導体装置用両面配線テープキャリアおよびその製造方法
JP2006224571A (ja) * 2005-02-21 2006-08-31 Furukawa Circuit Foil Kk 銅メタライズドフィルムおよびその製造方法
JP2006265632A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Ishihara Chem Co Ltd 電気銅メッキ浴、並びに銅メッキ方法
JP2006316328A (ja) * 2005-05-16 2006-11-24 Daiso Co Ltd 2層フレキシブル銅張積層板の製造方法
JP2007009326A (ja) * 2005-06-03 2007-01-18 Fujifilm Corp めっき処理方法、導電性膜、及び透光性電磁波シールド膜
JP2007016264A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Adeka Corp 新規化合物、該化合物からなる電解銅メッキ用添加剤、該添加剤を含有する電解銅メッキ浴、該メッキ浴を使用する電解銅メッキ方法
WO2007039992A1 (ja) * 2005-10-05 2007-04-12 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. 2層フレキシブル基板

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090120515A (ko) 2009-11-24
CN101636527B (zh) 2011-11-09
US20100084275A1 (en) 2010-04-08
KR101135332B1 (ko) 2012-04-17
US20120189811A1 (en) 2012-07-26
WO2008126522A1 (ja) 2008-10-23
TW200844256A (en) 2008-11-16
CN101636527A (zh) 2010-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPWO2008126522A1 (ja) 銅電解液及びそれを用いて得られた2層フレキシブル基板
KR101339598B1 (ko) 2층 플렉시블 기판, 및 그 제조에 이용하는 구리전해액
TWI434965B (zh) A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method
CN103731974B (zh) 2层挠性基板及以2层挠性基板作为基材的印刷布线板
KR101154203B1 (ko) 전해 동박, 그 전해 동박을 이용한 표면 처리 동박 및 그 표면 처리 동박을 이용한 동박 적층판 및 그 전해 동박의 제조 방법
US8153273B2 (en) Surface treated electrodeposited copper foil and circuit board
JP4771552B2 (ja) 2層フレキシブル基板
JP4376903B2 (ja) 特定骨格を有する化合物を添加剤として含む銅電解液並びにそれにより製造される電解銅箔
JP2009299100A (ja) 電解銅箔及びその電解銅箔の製造方法
JP2001181886A (ja) 電解銅箔
JP2003328179A (ja) 酸性銅めっき浴用添加剤及び該添加剤を含有する酸性銅めっき浴並びに該めっき浴を用いるめっき方法
JP3954958B2 (ja) 抵抗層付き銅箔及び抵抗層付き回路基板材料
JP4872257B2 (ja) 2層めっき基板およびその製造方法
JP2011091114A (ja) 配線回路基板およびその製法
JP6954345B2 (ja) 導電性基板、導電性基板の製造方法
JP2005008973A (ja) 銅箔の表面粗化方法
JP2008091596A (ja) 表面平滑性を有する銅被覆ポリイミド基板とその製造方法
JP2008294143A (ja) 部品内蔵多層配線板

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090904

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712

Effective date: 20100823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120717

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120914

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130619

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140311