CN105774118A

CN105774118A - 附镀敷的金属基材

Info

Publication number: CN105774118A
Application number: CN201610012147.1A
Authority: CN
Inventors: 福地亮; 辻江健太
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2015-01-09
Filing date: 2016-01-08
Publication date: 2016-07-20
Anticipated expiration: 2036-01-08
Also published as: KR20160086287A; TW201625414A; TWI593548B; CN105774118B; KR101799177B1

Abstract

本发明涉及附镀敷的金属基材。具体提供一种尽管使用含有常温下与氧的反应性较高的元素的金属基材，焊料密接性及耐候性也优异的金属基材。本发明的附镀敷的金属基材是在金属基材的一部分或全部的表面上形成了选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层的附镀敷的金属基材，且该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为500μg/dm²以上，且金属基材含有选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、Zr、V、W、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种以上的元素。

Description

附镀敷的金属基材

技术领域

本发明涉及一种附镀敷的金属基材。另外，本发明涉及一种包括附镀敷的金属基材或使用其的附载体金属箔、连接器、端子、积层板、屏蔽带、屏蔽材、印刷布线板、金属加工构件、电气电子设备、及印刷布线板的制造方法。

背景技术

广泛应用于电气电子设备的印制电路板通常通过如下方式制造：经由粘接剂、或者不使用粘接剂，在高温高压下将金属箔粘接于合成树脂板或合成树脂膜等绝缘基材而制造覆金属积层板，其后，经过蚀刻步骤而在金属箔侧形成金属布线，由此制成印刷布线板，在印刷布线板的金属布线上通过焊接而搭载各种电子零件。

以往已知有以提高金属箔的蚀刻特性而形成线宽均匀性较高的电路为目的，而在蚀刻面侧形成蚀刻速率慢于铜的金属或合金层的技术(专利文献1)。根据专利文献1，通过在蚀刻面侧形成蚀刻速率慢于铜的金属或合金层，而对铜箔的厚度方向的蚀刻速度进行控制，由此可形成没有塌边的电路宽度均匀的电路。另外，在专利文献1中揭示有如下情况：作为蚀刻速率慢于铜的金属或合金层，例示有钴、镍或这些的合金层，且其厚度可设为100～10000μg/dm²。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本特开2002-176242号公报

发明内容

[发明要解决的问题]

然而，在专利文献1中，虽已经考虑到制作印制电路板时的铜箔的蚀刻性，但未进行任何关于在印制电路板中搭载电子零件时所使用的焊料与金属布线的密接强度的研究。尤其是铜箔因焊料密接性优异故而不会成为问题，但在设为包含常温下与氧的反应性较高的元素的金属基材的情况下，针对无法确保焊料密接性的问题未提出任何解决方案。另外，也考虑在印刷布线板以外的用途中还要求蚀刻性及焊接性两者，但在专利文献1中仅考虑印制电路板。另外，在考虑到金属基材的作为导电材料的实用性的情况下，关于耐候性的研究也重要，但未发现这样的研究。因此，本发明的课题之一在于提供一种尽管使用包含常温下与氧的反应性较高的元素的金属基材，但焊料密接性及耐候性仍优异的金属基材。

[解决问题的技术手段]

本发明者为了解决所述课题而反复进行努力研究，结果发现，通过将选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层以该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量成为500μg/dm²以上的方式形成在金属基材表面，而焊料密接性及耐候性明显提高。本发明是基于该见解而完成者。

本发明在一个侧面是一种附镀敷的金属基材，其是在金属基材的一部分或全部的表面上形成了选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层的附镀敷的金属基材，且该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为500μg/dm²以上，

金属基材含有选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、Zr、V、W、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种或2种以上的元素。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为700μg/dm²以上。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm²以上。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为2000μg/dm²以上。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为3000μg/dm²以上。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为5000μg/dm²以上。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为7000μg/dm²以上。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为180000μg/dm²以下。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为80％以下。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为60％以下。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为50％以下。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为10％以上。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，在所述镀层与所述金属基材之间形成了基础层及/或粗化处理层。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层选自由Co-Ni合金镀层、Co-Mo合金镀层、Ni-Mo合金镀层及Co-Ni-Mo合金镀层所组成的群中。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～1000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～500μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～1000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述镀层含有合计0～500μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述金属基材是由铜合金、铝、铝合金、铁、铁合金、不锈钢、镍合金、钛、钛合金、金合金、银合金、铂族合金、铬、铬合金、镁、镁合金、钨、钨合金、钼合金、铅合金、钽、钽合金、锆、锆合金、锡、锡合金、铟、铟合金、锌、或锌合金所形成。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述金属基材是由铜合金、铝、铝合金、铁、铁合金、不锈钢、镍合金、钛、钛合金、锌、或锌合金所形成。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述金属基材是由钛铜、磷青铜、铜镍硅合金(Corsonalloy)、红黄铜、黄铜、锌白铜或其他铜合金所形成。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述金属基材为金属条、金属板、或金属箔的形态。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述金属基材为压延铜合金箔或电解铜合金箔。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，在所述镀层的表面具有树脂层。

在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，所述金属基材具有两个主表面，在其一面或两面具有所述镀层。

本发明在又一个侧面是一种附载体金属箔，其是在载体的一面或两面依序具有中间层、极薄金属层的附载体金属箔，且所述极薄金属层为本发明的附镀敷的金属基材。

在本发明的附载体金属箔的一个实施方式中，在所述载体的一面依序具有所述中间层、所述极薄金属层，在所述载体的另一面具有粗化处理层。

在本发明的附载体金属箔的一个实施方式中，附镀敷的金属基材的金属基材为铜合金制。

本发明在又一个侧面是一种连接器，其具备本发明的附镀敷的金属基材。

本发明在又一个侧面是一种端子，其具备本发明的附镀敷的金属基材。

本发明在又一个侧面是一种积层板，其是将本发明的附镀敷的金属基材或本发明的附载体金属箔与树脂基板进行积层而制造。

本发明在又一个侧面是一种屏蔽带或屏蔽材，其具备本发明的积层板。

本发明在又一个侧面是一种印刷布线板，其具备本发明的积层板。

本发明在又一个侧面是一种金属加工构件，其具备本发明的附镀敷的金属基材或本发明的附载体金属箔。

本发明在又一个侧面是一种电气电子设备，其具备本发明的附镀敷的金属基材或本发明的附载体金属箔。

本发明在又一个侧面是一种印刷布线板的制造方法，其包括如下步骤：

准备本发明的附载体金属箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤；

在将所述附载体金属箔与绝缘基板积层后，经过将所述附载体金属箔的载体剥离的步骤而形成覆金属积层板，

其后，通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法而形成电路的步骤。

在本发明的附载体金属箔的所述极薄金属层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；

以掩埋所述电路的方式，在所述附载体金属箔的所述极薄金属层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；

在所述树脂层上形成电路的步骤；

在所述树脂层上形成电路后，将所述载体或所述极薄金属层剥离的步骤；及

将所述载体或所述极薄金属层剥离后，将所述极薄金属层或所述载体去除，由此使形成在所述极薄金属层侧表面或所述载体侧表面的掩埋在所述树脂层中的电路露出的步骤。

本发明在又一个侧面是一种接合体，其是本发明的附镀敷的金属基材或附载体金属箔与焊料的接合体。

在本发明的接合体的一个实施方式中，在焊料与金属基材的接合界面存在包含Sn及Co的热扩散层。

本发明在又一个侧面是一种附镀敷的金属基材或附载体金属箔与导电性构件的连接方法，其包括如下步骤：通过蚀刻而对本发明的附镀敷的金属基材或附载体金属箔进行形状加工的步骤；与通过焊接将所获得的附镀敷的金属基材的形状加工品的具有镀层的部位与导电性构件进行接合的步骤。

本发明在又一个侧面是一种电子零件，其包括本发明的附镀敷的金属基材或附载体金属箔。

本发明在又一个侧面是一种自动聚焦模块，其具备本发明的附镀敷的金属基材或附载体金属箔作为弹簧材。

本发明在又一个侧面是一种自动聚焦相机模块，其是包括透镜、将该透镜向光轴方向的初期位置进行弹性施力的本发明的附镀敷的金属基材制的弹簧构件或附载体金属箔制的弹簧构件、及产生对抗该弹簧构件的作用力的电磁力而可使所述透镜向光轴方向驱动的电磁驱动単元的自动聚焦相机模块，且所述电磁驱动単元具备线圈，弹簧构件是在具有所述镀层的部位通过焊接而与线圈接合。

[发明的效果]

本发明的附镀敷的金属基材尽管使用原本焊料密接性不足的金属基材，但焊料密接性仍优异。因此，也适合通过焊接而与各种导电性构件连接。另外，根据本发明的附镀敷的金属基材，可具有已得到改善的耐候性，因此也适合在高温多湿等苛刻环境下的应用。通过使镀层含有Co，而适合包含通过蚀刻进行电路形成的步骤的形状加工，活用这样的特性，本发明的附镀敷的金属基材可优选用于通过蚀刻进行电路形成，其后通过焊接与电子零件进行连接而使用的用途、例如用作印制电路板用的导电材料。另外，可优选用作开关、连接器(尤其是无需苛刻的弯曲加工性的叉型的FPC连接器)、自动聚焦相机模块、插座、端子、继电器等电子零件的材料。

具体实施方式

[金属基材]

作为本发明中所使用的金属基材，含有选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、Zr、V、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种或2种以上的元素。这些元素是常温下与氧的反应性较高的元素，且是抑制金属基材的焊料密接性的元素。具体而言，这些元素的在氧化物的埃林汉姆图(Ellinghamdiagram)(例如，参照“社团法人日本铁钢协会、“第3版铁钢手册第I卷基础”、1983年、丸善股份有限公司”)中的固体的氧化物的标准生成自由能量ΔG°在温度300K下为-500kJ/molO₂以下。

在本发明中所使用的金属基材中，就显著地发挥本发明的效果的观点而言，优选含有合计0.0001质量％以上的所述与氧的反应性较高的元素，更优选含有0.005质量％以上的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有0.007质量％以上的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有0.01质量％以上的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有0.02质量％以上的所述与氧的反应性较高的元素。另外，本发明中所使用的金属基材也可构成材料整体为所述与氧的反应性较高的元素，但为了使金属基材与氧的反应性降低，使焊料密接性更为提高，优选含有合计100质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素，优选含有小于100质量％的所述与氧的反应性较高的元素，更优选含有99质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有95质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有90质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有85质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有50质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有40质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有30质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有20质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素，进而更优选含有10质量％以下的所述与氧的反应性较高的元素。

作为本发明中可使用的金属基材的例，可列举：铜合金、铝、铝合金、铁、铁合金、不锈钢、镍合金、钛、钛合金、金合金、银合金、铂族合金、铬、铬合金、镁、镁合金、钨、钨合金、钼合金、铅合金、钽、钽合金、锆、锆合金、锡、锡合金、铟、铟合金、锌、或锌合金等，进而也可使用公知的金属材料。另外，也可使用JIS标准或CDA等所规范的金属材料。另外，金属基材也可为金属条、金属板、或金属箔的形态。

在使用铜合金箔作为金属箔的情况下，可为电解铜合金箔及压延铜合金箔中的任一种。另外，该铜合金箔也可为适合制作电子零件的铜合金箔，该电子零件是使铜合金箔与树脂基板粘接而制作积层体，通过蚀刻进行去除，由此形成电路而成。关于该铜合金箔的厚度，也没有特别限制，例如可适当调节为适合不同用途的厚度而使用。例如，可设为1～5000μm左右或2～1000μm左右，尤其是在用于形成电路的情况下，厚度为35μm以下，作为屏蔽带用，为18μm以下的较薄铜合金箔，因此在用作电气电子设备内部的连接器或屏蔽材、外罩、弹簧等的情况下，也可应用于70～1000μm的较厚材料，上限的厚度并没有特别规定。

作为铜合金，也可设为含有合计0.001～4.0质量％的Sn、Cr、Fe、In、P、Si、Ti、Zn、B、Mn及Zr中的1种或2种以上的铜合金。此外，也可包含其他元素，所述其他元素包括Ag、Au、Co、Ni、Te等与氧的反应性较低的元素。

作为铜合金，进而可列举：钛铜、磷青铜、铜镍硅合金、红黄铜、黄铜、锌白铜、其他铜合金等。另外，作为铜合金，还可将JISH3100～JISH3510、JISH5120、JISH5121、JISC2520～JISC2801、JISE2101～JISE2102所规范的铜或铜合金用于本发明。此外，只要在本说明书中没有特别说明，那么为了表示金属标准而列举的JIS标准意指2001年度版的JIS标准。

关于钛铜，典型而言，具有如下组成：含有0.5～5.0质量％的Ti，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。钛铜还可进而含有合计2.0质量％以下的Fe、Co、V、Nb、Mo、B、Ni、P、Zr、Mn、Zn、Si、Mg及Cr中的1种或2种以上。

关于磷青铜，典型而言，所谓磷青铜是指以铜为主成分且含有Sn及质量少于Sn的P的铜合金。作为一例，磷青铜具有如下组成：含有3.5～11质量％的Sn、0.03～0.35质量％的P，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。磷青铜还可含有合计1.0质量％以下的Ni、Zn等元素。

关于铜镍硅合金，典型而言，是指除Si以外还添加有与Si形成化合物的元素(例如，Ni、Co及Cr中的任意1种以上)，且在母相中以第二相粒子的形式析出的铜合金。作为一例，铜镍硅合金具有如下组成：含有1.0～5.0质量％的Ni、0.2～1.6质量％的Si，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。作为另一个例，铜镍硅合金具有如下组成：含有1.0～5.0质量％的Ni、0.2～1.6质量％的Si、0.03～0.5质量％的Cr，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。作为又一个例，铜镍硅合金具有如下组成：含有1.0～5.0质量％的Ni、0.2～1.6质量％的Si、0.1～3.5质量％的Co，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。作为又一个例，铜镍硅合金具有如下组成：含有1.0～5.0质量％的Ni、0.2～1.6质量％的Si、0.1～3.5质量％的Co、0.03～0.5质量％的Cr，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。作为又一个例，铜镍硅合金具有如下组成：含有0.2～1.6质量％的Si、0.1～3.5质量％的Co，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。还可向铜镍硅合金随意地添加其他元素(例如，Mg、Sn、B、Ti、Mn、Ag、P、Zn、As、Sb、Be、Zr、Al及Fe)。这些其他元素通常添加至总计4.0质量％左右为止。例如，作为又一个例，铜镍硅合金具有如下组成：含有1.0～5.0质量％的Ni、0.2～1.6质量％的Si、0.01～2.0质量％的Sn、0.01～2.0质量％的Zn，剩余部分由铜及不可避免的杂质构成。

在本发明中，所谓红黄铜，是指铜与锌的合金，且含有1～20质量％的锌、更优选含有1～10质量％的锌的铜合金。另外，红黄铜还可含有0.1～1.0质量％的锡。

在本发明中，所谓黄铜，是指铜与锌的合金，且尤其是含有20质量％以上的锌的铜合金。锌的上限没有特别限定，但为60质量％以下，优选45质量％以下、或40质量％以下。

在本发明中，所谓锌白铜，是指以铜为主成分，含有60质量％至75质量％的铜、8.5质量％至19.5质量％的镍、10质量％至30质量％的锌的铜合金。

在本发明中，所谓其他铜合金，是指含有合计8.0质量％以下的Zn、Sn、Mg、Fe、Si、P、Mn、Zr、Cr及Ti中的1种或2种以上，且随意地含有20质量％以下的其他元素，或随意地含有10质量％以下的其他元素，剩余部分由不可避免的杂质与铜的铜合金构成。此外，其他元素没有特别限制，也可为Ni、Co等与氧的反应性较低的元素。

作为铝及铝合金，例如可使用含有40质量％以上的Al、或含有80质量％以上的Al、或含有99质量％以上的Al的铝及铝合金。例如，可使用JISH4000～JISH4180、JISH5202、JISH5303或JISZ3232～JISZ3263所规范的铝及铝合金。例如可使用JISH4000所规范的铝的合金编号1085、1080、1070、1050、1100、1200、1N00、1N30所代表的Al：99.00质量％以上的铝或铝合金等。

作为镍合金，例如可使用含有40质量％以上的Ni、或含有80质量％以上的Ni、或含有99.0质量％以上的Ni的镍合金。例如，以含有所述的与氧的反应性较高的元素为条件，可使用JISH4541～JISH4554、JISH5701或JISG7604～JISG7605、JISC2531所规范的镍合金。另外，例如可使用JISH4551所记载的合金编号NW2200、NW2201所代表的Ni：99.0质量％以上的镍合金。

作为铁及铁合金，例如可使用不锈钢、软钢、碳钢、铁镍合金、钢等。例如可使用JISG3101～JISG7603、JISC2502～JISC8380、JISA5504～JISA6514或JISE1101～JISE5402-1所记载的铁或铁合金。不锈钢可使用SUS301、SUS304、SUS310、SUS316、SUS430、SUS631(均为JIS标准)等。软钢可使用碳为0.15质量％以下的软钢，可使用JISG3141所记载的软钢等。铁镍合金含有35～85质量％的Ni，剩余部分由Fe及不可避免的杂质构成，具体而言，可使用JISC2531所记载的铁镍合金等。

作为锌及锌合金，例如可使用含有40质量％以上的Zn、或含有80质量％以上的Zn、或含有99.0质量％以上的Zn的锌及锌合金。例如，可使用JISH2107～JISH5301所记载的锌或锌合金。

作为铅合金，以含有所述的与氧的反应性较高的元素为条件，例如可使用含有40质量％以上的Pb、或含有80质量％以上的Pb、或含有99.0质量％以上的Pb的铅合金。例如可使用JISH4301～JISH4312、或JISH5601所规范的铅或铅合金。

作为镁及镁合金，例如可使用含有40质量％以上的Mg、或含有80质量％以上的Mg、或含有99.0质量％以上的Mg的镁及镁合金。例如可使用JISH4201～JISH4204、JISH5203～JISH5303、JISH6125所规范的镁及镁合金。

作为钨及钨合金，例如可使用含有40质量％以上的W、或含有80质量％以上的W、或含有99.0质量％以上的W的钨及钨合金。例如可使用JISH4463所规范的钨及钨合金。

作为钼合金，以含有所述的与氧的反应性较高的元素为条件，例如可使用含有40质量％以上的Mo、或含有80质量％以上的Mo、或含有99.0质量％以上的Mo的钼合金。

作为钛及钛合金，例如可使用含有40质量％以上的Ti、或含有80质量％以上的Ti、或含有99.0质量％以上的Ti的钛及钛合金。例如可使用JISH4600～JISH4675、JISH5801所规范的钛及钛合金。

作为钽及钽合金，例如可使用含有40质量％以上的Ta、或含有80质量％以上的Ta、或含有99.0质量％以上的Ta的钽及钽合金。例如可使用JISH4701所规范的钽及钽合金。

作为锆及锆合金，例如可使用含有40质量％以上的Zr、或含有80质量％以上的Zr、或含有99.0质量％以上的Zr的锆及锆合金。例如可使用JISH4751所规范的锆及锆合金。

作为锡及锡合金，例如可使用含有40质量％以上的Sn、或含有80质量％以上的Sn、或含有99.0质量％以上的Sn的锡及锡合金。例如可使用JISH5401所规范的锡及锡合金。

作为铟及铟合金，例如可使用含有40质量％以上的In、或含有80质量％以上的In、或含有99.0质量％以上的In的铟及铟合金。

作为铬及铬合金，例如可使用含有40质量％以上的Cr、或含有80质量％以上的Cr、或含有99.0质量％以上的Cr的铬及铬合金。

作为银合金，以含有所述的与氧的反应性较高的元素为条件，例如可使用含有40质量％以上的Ag、含有80质量％以上的Ag、或含有99.0质量％以上的Ag的银合金。

作为金合金，以含有所述的与氧的反应性较高的元素为条件，例如可使用含有40质量％以上的Au、含有80质量％以上的Au、或含有99.0质量％以上的Au的金合金。

所谓铂族，是钌、铑、钯、锇、铱、铂的总称。作为铂族合金，以含有所述的与氧的反应性较高的元素为条件，例如可使用将选自Pt、Os、Ru、Pd、Ir及Rh的元素群中的至少1种以上的元素含有40质量％以上、或含有80质量％以上、或含有99.0质量％以上的铂族合金。

作为本发明中所使用的金属基材的形状，没有特别限制，可加工为最终的电子零件的形状，也可为局部完成了加压加工的状态。也可不进行形状加工而为板或箔的形态。尽管要顾及在形状加工前进行镀敷的“预镀敷”的情况下，在加压加工后残留镀敷未处理部分，及在形状加工后进行镀敷的“后镀敷”的情况下，可对表面整体进行镀敷处理的情况，但只要在与应镀敷的部分保持均衡的情况下适当决定在哪一个形状加工阶段进行表面处理即可。

[镀层]

本发明的附镀敷的金属基材在一个实施方式中，在金属基材表面具有选自由Co镀层、以及包含选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层。包含选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层在典型的实施方式中选自由Co-Ni合金镀层、Co-Mo合金镀层、Ni-Mo合金镀层及Co-Ni-Mo合金镀层所组成的群中。

该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为500μg/dm²以上，由此金属基材与焊料的密接强度及耐候性提高。另外，通过在镀层中含有Co，还可获得蚀刻性的提高效果。虽并非意图通过理论而限定本发明，但推测Ni、Co及Mo由于与氧的反应性较低而难以形成氧化物，另外，在焊接时与作为构成焊料的主成分的Sn容易相互热扩散，故而明显表现出焊料的密接强度或耐候性的提高效果。

所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量优选700μg/dm²以上，优选1000μg/dm²以上，优选2000μg/dm²以上，优选3000μg/dm²以上，优选5000μg/dm²以上，更优选7000μg/dm²以上，进而更优选8000μg/dm²以上。另一方面，即便过度增加Co、Ni及Mo的合计附着量，仍存在成本变高而且效果饱和的倾向。另外，还对蚀刻性有不良影响。因此，就确保优异的蚀刻性的观点而言，Co、Ni及Mo的合计附着量优选90000μg/dm²以下，更优选55000μg/dm²以下。

就除确保优异的焊料密接性及耐候性外，还确保蚀刻性的观点而言，优选Co比率较高，即Ni及Mo的合计比率较低的情况，具体而言，优选将镀层中的相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)设为80质量％以下，更优选设为60质量％以下，进而更优选设为50量％以下。其中，如果Ni+Mo比率(％)过低，那么对耐候性有不良影响，另外，Co是高价的金属，因此如果设为Co的单独镀层，那么成本变高。因此，如果综合考虑焊料密接性、耐候性、蚀刻性及经济性，那么镀层中的Ni+Mo比率(％)优选设为超过0质量％，更优选设为1质量％以上，进而更优选设为2质量％以上，进而更优选设为10质量％以上，进而更优选设为20质量％以上。

根据以上的解说，如果提及镀层中的各元素的附着量，那么Co的附着量就确保蚀刻性的观点而言，优选180μg/dm²以上，更优选250μg/dm²以上，更优选360μg/dm²以上，更优选720μg/dm²以上，更优选1080μg/dm²以上，进而更优选1800μg/dm²以上，进而更优选3000μg/dm²以上，进而更优选4200μg/dm²以上，进而更优选4800μg/dm²以上。另外，Co的附着量就耐候性及经济性的观点而言，优选108000μg/dm²以下，更优选54000μg/dm²以下，进而更优选33000μg/dm²以下。

Ni及Mo的合计附着量就确保耐候性的观点而言，优选超过0μg/dm²，更优选120μg/dm²以上，进而更优选170μg/dm²以上，进而更优选240μg/dm²以上，进而更优选480μg/dm²以上，进而更优选720μg/dm²以上，进而更优选1200μg/dm²以上，进而更优选2000μg/dm²以上，进而更优选3200μg/dm²以上。另外，Ni及Mo的合计附着量就蚀刻性的观点而言，优选72000μg/dm²以下，更优选36000μg/dm²以下，进而更优选22000μg/dm²以下。Ni与Mo具有类似的性质，但Mo的耐候性更优异，另一方面，Mo的蚀刻性容易变差，因此就耐候性及蚀刻性的平衡性的观点而言，优选使Ni与Mo并存。例如镀层中的Ni与Mo的含有比率以质量比计可设为Ni：Mo＝10：0～0：10，优选Ni：Mo＝9：1～1：9，更优选Ni：Mo＝8：2～2：8，进而更优选Ni：Mo＝6：4～4：6。

此外，Co镀层、Co-Ni合金镀层、Co-Mo合金镀层、Ni-Mo合金镀层及Co-Ni-Mo合金镀层及Co-Ni合金镀层可分别含有不可避免的杂质。另外，其他元素也可在不妨碍本发明的目的的范围内含在镀层中。因此，在本发明中，所谓Co镀层是指Co占50质量％以上的镀层。典型而言，Co镀层中的Co浓度为60质量％以上，更典型而言，为80质量％以上，进而更典型而言，为90质量％以上，进而更典型而言，为98质量％以上，也可设为100质量％。在本发明中，所谓Co-Ni合金镀层是指Co及Ni的合计浓度占50质量％以上的镀层。典型而言，Co-Ni合金镀层中的Co及Ni的合计浓度为60质量％以上，更典型而言，为80质量％以上，进而更典型而言，为90质量％以上，进而更典型而言，为98质量％以上，也可设为100质量％。在本发明中，所谓Co-Mo合金镀层是指Co及Mo的合计浓度占50质量％以上的镀层。典型而言，Co-Mo合金镀层中的Co及Mo的合计浓度为60质量％以上，更典型而言，为80质量％以上，进而更典型而言，为90质量％以上，进而更典型而言，为98质量％以上，也可设为100质量％。在本发明中，所谓Ni-Mo合金镀层是指Ni及Mo的合计浓度占50质量％以上的镀层。典型而言，Ni-Mo合金镀层中的Ni及Mo的合计浓度为60质量％以上，更典型而言，为80质量％以上，进而更典型而言，为90质量％以上，进而更典型而言，为98质量％以上，也可设为100质量％。另外，在本发明中，所谓Co-Ni-Mo合金镀层是指Co、Ni及Mo的合计浓度占50质量％以上的镀层。典型而言，Co-Ni-Mo合金镀层中的Co、Ni及Mo的合计浓度为60质量％以上，更典型而言，为80质量％以上，进而更典型而言，为90质量％以上，进而更典型而言，为98质量％以上，也可设为100质量％。

作为可含在镀层中的Co、Ni及Mo以外的元素，可列举：常温下与氧的反应性较低的元素、即具有氧化物的埃林汉姆图(例如，参照“社团法人日本铁钢协会、“第3版铁钢手册第I卷基础”、1983年、丸善股份有限公司”)中的固体的氧化物的标准生成自由能量ΔG°在温度300K下为-440kJ/molO₂以上的氧化物的元素。举例来说，镀层可含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。在该情况下，举例来说，这些元素在镀层中的附着量可设为合计0～2000μg/dm²，典型而言，可设为0～1000μg/dm²，更典型而言，可设为0～500μg/dm²。

典型而言，所述镀层可含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。在该情况下，举例来说，这些元素在镀层中的附着量可设为合计0～2000μg/dm²，典型而言，可设为0～1000μg/dm²，更典型而言，可设为0～500μg/dm²。

所述镀层也可形成在金属基材的一部分或全部上。另外，也可在金属基材的主表面的一面或两面形成镀层。在本发明的附镀敷的金属基材的一个实施方式中，也可将金属基材以箔的形态提供，并在金属箔的一面或两个主表面形成所述镀层。镀层例如可通过电镀、无电镀敷及浸渍镀敷之类的湿式镀敷等而获得。就成本的观点而言，优选电镀。

在金属基材与所述镀层之间，只要不妨碍镀Co、或包含选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀敷的功能，那么还可设置基础层。作为基础层，没有限定，可列举：由Cu镀层、Sn镀层、Ni镀层、Cu-Zn镀层、Zn-Ni镀层、Cu-Co-Ni镀层、Cu-Co镀层、Cu-Ni镀层、Ni-W镀层、Ni-W-Sn镀层、Cu-As镀层、Cu-W镀层、Cu-W-As镀层、贵金属(Au、Ag、铂族元素)镀层、铬酸盐处理层、硅烷偶合剂处理层等所构成的基础层。

在金属基材与所述镀层之间还可设置粗化处理层，还可实施利用蚀刻、研磨等的无光泽化加工、利用平滑镀敷等的光泽化加工。通过这些加工，可容易地调整加工的光泽度。在光泽度较低的情况下，存在如下优选效果：作为整体成为不透明的色调，而表现出沉稳气氛。另外，在光泽度较高的情况下，存在如下优选效果：作为整体光辉、鲜艳且给观察者带来清爽的印象。

在所述镀层上的最表层，为了提高防锈效果，在不会对焊料密接性造成不良影响的范围内，还可进而形成由铬层或铬酸盐处理层、及/或硅烷偶合剂处理层所构成的防锈处理层。此外，在铬酸盐处理层是在通常所使用的铬酸盐处理条件下形成的情况下，由于厚度极薄，故而不会对焊料密接性造成不良影响。

可将本发明的附镀敷的金属基材的镀层侧或与镀层相反侧贴合于树脂基板而制造屏蔽带或屏蔽材等积层体。另外，如果需要，那么可进而对该附镀敷的金属基材进行加工而形成电路，由此制造印刷布线板等。作为树脂基板，例如对于刚性PWB用途，可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，作为FPC用途或胶带用途，可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、PET膜等。此外，在本发明中，“印刷布线板”也包括安装有零件的印刷布线板及印刷电路板及印刷基板。另外，可将2个以上本发明的印刷布线板连接，而制造连接有2个以上印刷布线板的印刷布线板，另外，也可将至少1个本发明的印刷布线板、与另一个本发明的印刷布线板或不属于本发明的印刷布线板的印刷布线板进行连接，可使用这种印刷布线板而制造电气电子设备。此外，在本发明中，“铜电路”也包括铜布线。

另外，本发明的附镀敷的金属基材可用于散热板、构造板、屏蔽材、屏蔽板、补强材料、外罩、外壳、壳体、箱体等而制作散热板等金属加工构件。即，附镀敷的金属基材是包含散热板、构造板、屏蔽材、屏蔽板、补强材料、外罩、外壳、壳体、箱体的概念。另外，将本发明的附镀敷的金属基材用于该散热板、构造板、屏蔽材、屏蔽板、补强材料、外罩、外壳、壳体、箱体等而制作金属加工构件，可将该金属加工构件用于电气电子设备。

本发明的附镀敷的金属基材在如以上的用途中，可尤其优选用于实施如下步骤的情况：通过蚀刻而对附镀敷的金属基材实施形状加工，在具有镀层的部位通过焊接而将形状加工品与导电性构件进行接合。因此，本发明在一个侧面提供一种本发明的附镀敷的金属基材或附载体金属箔与焊料的接合体。在本发明的接合体的一个实施方式中，在焊料与金属基材或附载体金属箔的接合界面存在含有Sn-Co的热扩散层。热扩散层可通过如下方式形成：金属基材表面的镀层中所含有的Co与焊料中所含有的Sn通过焊接时的热而相互扩散。虽并非意图通过理论而限定本发明，但可认为通过该热扩散层，与焊料的密接性提高。

[附载体金属箔]

作为本发明的另一个实施方式的附载体金属箔是在载体的一面、或两面依序具有中间层、极薄金属层。并且，可使用所述的附镀敷的金属基材作为所述极薄金属层。在该情况下，考虑在之后的电路形成中进行蚀刻，进而进行焊接的情况，镀层优选在金属基材的至少供焊接的表面形成。供焊接的表面可根据电路形成制程而变动。供焊接的表面可成为极薄金属层的与中间层对向的表面侧，也可成为极薄金属层的与中间层对向的表面相反侧的表面，也可成为所述两个表面。

＜载体＞

关于可用于本发明的载体，典型而言，为金属箔或树脂膜，例如以铜箔、铜合金箔、镍箔、镍合金箔、铁箔、铁合金箔、不锈钢箔、铝箔、铝合金箔、绝缘树脂膜(例如聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜、聚酰胺膜、聚酯膜、氟树脂膜等)的形态提供。

作为可用于本发明的载体，优选使用铜箔。其原因在于：铜箔的导电率较高，因此变得容易形成其后的中间层、极薄金属层。载体典型而言，以压延铜箔或电解铜箔的形态提供。通常而言，电解铜箔是使铜自硫酸铜镀浴在钛或不锈钢的转筒上电解析出而制造，压延铜箔是反复进行利用压延辊的塑性加工与热处理而制造。作为铜箔的材料，除韧铜或无氧铜等高纯度的铜以外，例如也可使用加入了Sn的铜、加入了Ag的铜、添加有Cr、Zr或Mg等的铜合金、添加有Ni及Si等的铜镍硅系铜合金之类的铜合金。

关于可用于本发明的载体的厚度，也没有特别限制，只要适当调整为在发挥作为载体的作用的方面上合适的厚度即可，例如可设为5μm以上。但是，如果过厚，那么生产成本变高，因此通常优选设为35μm以下。因此，关于载体的厚度，典型而言，为12～70μm，更典型而言，为18～35μm。

另外，载体可使用通过以下方法所制作的电解铜箔。

＜电解液组成＞

铜：90～110g/L

硫酸：90～110g/L

氯：50～100ppm

均化剂1(双(三磺丙基)二硫化物)：10～30ppm

均化剂2(胺化合物)：10～30ppm

所述的胺化合物可使用以下化学式的胺化合物。

[化1]

(所述化学式中，R₁及R₂为选自由羟烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不饱和烃基、烷基所组成的群中的基团)。

＜制造条件＞

电流密度：70～100A/dm²

电解液温度：50～60℃

电解液線速：3～5m/sec

电解時間：0.5～10分钟(根据析出的铜厚、电流密度而进行调整)

此外，也可在载体的与设置极薄金属层的侧的表面相反侧的表面设置粗化处理层。可使用公知的方法设置该粗化处理层，也可通过所述的粗化处理设置该粗化处理层。在载体的与设置极薄金属层的侧的表面相反侧的表面设置粗化处理层的情况具有如下优点：将载体自具有该粗化处理层的表面侧积层于树脂基板等支撑体上时，载体与树脂基板变得难以剥离。

＜中间层＞

在载体上设置中间层。也可于载体与中间层之间设置其他层。在本发明中使用的中间层只要为如下构成，那么没有特别限定，即在附载体金属箔向绝缘基板积层的步骤前极薄金属层难以自载体剥离，另一方面，在向绝缘基板积层的步骤后极薄金属层变得可自载体剥离。例如，本发明的附载体金属箔的中间层也可含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn、这些的合金、这些的水合物、这些的氧化物、有机物所组成的群中的1种或2种以上。另外，中间层也可为多层。

另外，例如，中间层可通过如下方式构成：自载体侧形成包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的1种元素的单一金属层、或包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的1种或2种以上的元素的合金层，在其上形成包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的1种或2种以上的元素的水合物或氧化物、或者有机物的层。

另外，例如，中间层可通过如下方式构成：自载体侧形成包含选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的1种元素的单一金属层、或含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的1种或2种以上的元素的合金层，在其上形成含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的1种元素的单一金属层、或含有选自由Cr、Ni、Co、Fe、Mo、Ti、W、P、Cu、Al、Zn所构成的元素群中的1种或2种以上的元素的合金层。

另外，中间层可使用公知的有机物作为所述有机物，另外，优选使用含氮有机化合物、含硫有机化合物及羧酸中的任意1种或2种以上。例如，作为具体的含氮有机化合物，优选使用作为具有取代基的三唑化合物的1,2,3-苯并三唑、羧基苯并三唑、N',N'-双(苯并三唑基甲基)脲、1H-1,2,4-三唑及3-氨基-1H-1,2,4-三唑等。

含硫有机化合物优选使用巯基苯并噻唑、2-巯基苯并噻唑钠、三聚硫氰酸及2-苯并咪唑硫醇等。

作为羧酸，特别优选使用单羧酸，其中，优选使用油酸、亚麻油酸及次亚麻油酸等。

另外，例如中间层可在载体上依序积层镍层、镍-磷合金层或镍-钴合金层、及含铬层而构成。镍与铜的粘接力高于铬与铜的粘接力，因此在剥离极薄金属层时，变得在极薄金属层与含铬层的界面上进行剥离。另外，对于中间层的镍而言，期待其有防止铜成分自载体向极薄金属层扩散的阻隔效果。中间层中的镍的附着量优选100μg/dm²以上且40000μg/dm²以下，更优选100μg/dm²以上且4000μg/dm²以下，更优选100μg/dm²以上且2500μg/dm²以下，更优选100μg/dm²以上且小于1000μg/dm²，中间层中的铬的附着量优选5μg/dm²以上且100μg/dm²以下。在仅在单面设置中间层的情况下，优选在载体的相反面设置Ni镀层等防锈层。所述中间层的铬层可通过镀铬或铬酸盐处理而设置。

如果中间层的厚度变得过大，那么有用以形成中间层的成本增加的情况，因此中间层的厚度优选1～1000nm，优选1～500nm，优选2～200nm，优选2～100nm，更优选3～60nm。此外，中间层也可设置在载体的两面上。

＜极薄金属层＞

在中间层上可设置极薄金属层、即本发明的附镀敷的金属基材。也可在中间层与极薄金属层之间设置其他层。极薄金属层的厚度没有特别限制，但通常比载体薄，例如为35μm以下，另外例如为12μm以下。典型而言，为0.5～12μm，更典型而言，为1.5～5μm。另外，也可在中间层上设置极薄金属层前，为减少极薄金属层的针孔而进行利用铜-磷合金等的预镀敷。在预镀敷中，可列举焦磷酸铜镀敷液等。此外，极薄金属层也可设置在载体的两面上。极薄金属层可为包含铜合金、铝、铝合金、铁、铁合金、镍合金、金合金、银合金、铂族合金、铬、铬合金、镁、镁合金、钨、钨合金、钼合金、铅合金、钽、钽合金、锡、锡合金、铟、铟合金、锌、或锌合金等金属的极薄金属层，或者也可为由所述金属所构成的极薄金属层，进而也可使用公知的金属材料作为极薄金属层。另外，也可使用JIS标准或CDA等所规范的金属材料作为极薄金属层。此外，优选使用极薄铜合金层作为极薄金属层。其原因在于：极薄铜合金层的导电率较高，而适合电路等用途。

另外，本发明的极薄金属层可通过在下述条件下形成电镀金属层后，在其上设置所述的镀层而制造，也可通过在中间层上设置所述的镀层，在其上在下述条件下形成电镀金属层而制造。

·电解液组成

铜浓度：80～130g/L

选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、W、Zr、V、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种或2种以上的元素的各元素浓度：0.001～30g/L

硫酸浓度：80～120g/L

氯化物离子浓度：30～100ppm

另外，也可视需要使用均化剂或光泽剂等。

·制造条件

电流密度：70～100A/dm²

电解液温度：50～80℃

电解液线速：1.5～5m/sec

电解时间：0.5～10分钟(根据析出的厚度、电流密度进行调整)

[镀层上的树脂层]

在本发明的附镀敷的金属基材的镀层表面也可包括树脂层。所述树脂层也可为绝缘树脂层。此外，在本发明的附镀敷的金属基材中，所谓“镀层表面”是指在镀层上进行过用以设置粗化处理层、耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的附镀敷的金属基材的表面。另外，在附镀敷的金属基材为附载体金属箔的极薄金属层的情况下，所谓“镀层表面”是指在进行过用以设置粗化处理层、耐热层、防锈层、耐候性层等的表面处理的情况下，进行该表面处理后的极薄金属层的表面。此外，所述树脂层优选使用具有透光性的树脂，更优选使用透光性较高的树脂，更优选使用透明的树脂。

所述树脂层可为粘接剂，也可为粘接用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)包含如下状态：即便用手指接触其表面也无粘着感，而可重叠该绝缘树脂层进行保管，且如果进而受到加热处理，那么产生硬化反应。

所述树脂层可为粘接用树脂，即粘接剂，也可为粘接用的半硬化状态(B阶段状态)的绝缘树脂层。所谓半硬化状态(B阶段状态)包含如下状态：即便用手指接触其表面也无粘着感，而可重叠该绝缘树脂层进行保管，且如果进而受到加热处理，那么产生硬化反应。

另外，所述树脂层可含有热硬化性树脂，也可为热塑性树脂。另外，所述树脂层也可含有热塑性树脂。所述树脂层可含有公知的树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材等。另外，所述树脂层例如也可使用国际公开编号WO2008/004399号、国际公开编号WO2008/053878、国际公开编号WO2009/084533、日本特开平11-5828号、日本特开平11-140281号、日本专利第3184485号、国际公开编号WO97/02728、日本专利第3676375号、日本特开2000-43188号、日本专利第3612594号、日本特开2002-179772号、日本特开2002-359444号、日本特开2003-304068号、日本专利第3992225、日本特开2003-249739号、日本专利第4136509号、日本特开2004-82687号、日本专利第4025177号、日本特开2004-349654号、日本专利第4286060号、日本特开2005-262506号、日本专利第4570070号、日本特开2005-53218号、日本专利第3949676号、日本专利第4178415号、国际公开编号WO2004/005588、日本特开2006-257153号、日本特开2007-326923号、日本特开2008-111169号、日本专利第5024930号、国际公开编号WO2006/028207、日本专利第4828427号、日本特开2009-67029号、国际公开编号WO2006/134868、日本专利第5046927号、日本特开2009-173017号、国际公开编号WO2007/105635、日本专利第5180815号、国际公开编号WO2008/114858、国际公开编号WO2009/008471、日本特开2011-14727号、国际公开编号WO2009/001850、国际公开编号WO2009/145179、国际公开编号WO2011/068157、日本特开2013-19056号所记载的物质(树脂、树脂硬化剂、化合物、硬化促进剂、介电质、反应触媒、交联剂、聚合物、预浸体、骨架材等)及/或树脂层的形成方法、形成装置而形成。

另外，所述树脂层的种类没有特别限定，例如可列举含有选自环氧树脂、聚酰亚胺树脂、多官能性氰酸酯化合物、马来酰亚胺化合物、聚马来酰亚胺化合物、马来酰亚胺系树脂、芳香族马来酰亚胺树脂、聚乙烯醇缩乙醛树脂、氨基甲酸酯树脂、聚醚砜(也称为polyethersulphone、polyethersulphone)、聚醚砜(也称为polyethersulphone、polyethersulphone)树脂、芳香族聚酰胺树脂、芳香族聚酰胺树脂聚合物、橡胶性树脂、聚胺、芳香族聚胺、聚酰胺酰亚胺树脂、橡胶改性环氧树脂、苯氧基树脂、羧基改性丙烯腈-丁二烯树脂、聚苯醚、双马来酰亚胺三嗪树脂、热硬化性聚苯醚树脂、氰酸酯系树脂、羧酸酐、多元羧酸酐、具有可交联的官能基的线状聚合物、聚苯醚树脂、2,2-双(4-氰酸酯基苯基)丙烷、含磷酚化合物、环烷酸锰、2,2-双(4-缩水甘油基苯基)丙烷、聚苯醚-氰酸酯系树脂、硅氧烷改性聚酰胺酰亚胺树脂、氰基酯树脂、膦腈系树脂、橡胶改性聚酰胺酰亚胺树脂、异戊二烯、氢化型聚丁二烯、聚乙烯丁醛、苯氧基、高分子环氧基、芳香族聚酰胺、氟树脂、双酚、嵌段共聚合聚酰亚胺树脂及氰基酯树脂的群中的1种或2种以上的树脂作为优选的所述树脂层的种类。

另外，所述环氧树脂是分子内具有2个以上环氧基的树脂，只要为可用于电气电子材料用途的环氧树脂，则可使用，没有特别问题。另外，所述环氧树脂优选使用分子内具有2个以上缩水甘油基的化合物而环氧化而成的环氧树脂。另外，可使用选自双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、酚醛清漆型环氧树脂、甲酚酚醛清漆型环氧树脂、脂环式环氧树脂、溴化(brominated)环氧树脂、酚系酚醛清漆型环氧树脂、萘型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、橡胶改性双酚A型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、三缩水甘油基异氰尿酸酯、N,N-二缩水甘油基苯胺等缩水甘油胺化合物、四氢邻苯二甲酸二缩水甘油酯等缩水甘油酯化合物、含磷环氧树脂、联苯型环氧树脂、联苯酚醛清漆型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四苯基乙烷型环氧树脂的群中的1种或混合2种以上而使用，或者可使用所述环氧树脂的氢化物或卤化物。

可使用公知的含有磷的环氧树脂作为所述含磷环氧树脂。另外，所述含磷环氧树脂例如优选为如下环氧树脂，该环氧树脂是以源自分子内具有2个以上环氧基的9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲-10-氧化物的衍生物的形态获得。

(树脂层含有介电质(介电质填料)的情况)

所述树脂层还可包含介电质(介电质填料)。

在所述任一种树脂层或树脂组成物中含有介电质(介电质填料)的情况下，可用于形成电容层的用途，而使电容器电路的电容增大。对于该介电质(介电质填料)而言，使用BaTiO₃、SrTiO₃、Pb(Zr-Ti)O₃(通称PZT)、PbLaTiO₃·PbLaZrO(通称PLZT)、SrBi₂Ta₂O₉(通称SBT)等具有钙钛矿结构的复合氧化物的介电质粉。

介电质(介电质填料)也可为粉状。在介电质(介电质填料)为粉状的情况下，关于该介电质(介电质填料)的粉体特性，优选粒径为0.01μm～3.0μm、优选0.02μm～2.0μm的范围。此外，通过扫描式电子显微镜(SEM)对介电质拍摄照片，在该照片上的介电质的粒子上画直线的情况下，以将介电质的粒子横切的直线的长度最长的部分的介电质的粒子的长度设为该介电质的粒径。并且，将测定视野中的介电质的粒子的直径的平均值设为介电质的粒径。

使所述树脂层所含有的树脂及/或树脂组成物及/或化合物溶解于例如甲基乙基酮(MEK)、环戊酮、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯啶酮、甲苯、甲醇、乙醇、丙二醇单甲醚、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、环己酮、乙基赛路苏、N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙酰胺、N,N-二甲基甲酰胺等溶剂中而制成树脂液(树脂清漆)，例如通过辊式涂布法等，将该树脂液涂布在所述附镀敷的金属基材的粗化处理表面上，其次视需要进行加热干燥，去除溶剂而制成B阶段状态。在干燥中，例如只要使用热风干燥炉即可，干燥温度只要为100～250℃，优选130～200℃即可。也可使用溶剂，使所述树脂层的组成物溶解，而制成树脂固形物成分为3wt％～70wt％、优选3wt％～60wt％、优选10wt％～40wt％、更优选25wt％～40wt％的树脂液。另外，就环境的观点而言，在现阶段最优选使用甲基乙基酮与环戊酮的混合溶剂而进行溶解。此外，溶剂优选使用沸点为50℃～200℃的范围的溶剂。

另外，所述树脂层优选为依据MIL标准中的MIL-P-13949G进行测定时的树脂溢流量处于5％～35％的范围内的半硬化树脂膜。

在本案说明书中，所谓树脂溢流量，是依据MIL标准中的MIL-P-13949G，自包括厚度55μm树脂层的附镀敷的金属基材取4片10cm见方试样，将该4片试样以重叠的状态(积层体)在加压温度171℃、加压压力14kgf/cm²、加压时间10分钟的条件进行贴合，对此时的树脂流出重量进行测定，并基于数1，根据所获得的结果而算出的值。

[数1]

所述包括树脂层的附镀敷的金属基材是以如下态样使用：将该树脂层重叠于基材后，对整体进行热压接而使该树脂层热硬化，其次在附镀敷的金属基材为附载体金属箔的极薄金属层的情况下，将载体剥离而使极薄金属层露出(当然露出的是该极薄金属层的中间层侧的表面)，而自附镀敷的金属基材的与经粗化处理的侧相反侧的表面形成特定的布线图案。

如果使用该包括树脂层的附镀敷的金属基材，那么可以减少制造多层印刷布线基板时预浸体材的使用片数。而且，可以使树脂层的厚度为如可确保层间绝缘的厚度，或者即便完全不使用预浸体材也可以制造覆金属积层板。另外，此时，也可以在基材的表面底涂绝缘树脂而进一步改善表面的平滑性。

此外，在不使用预浸体材的情况下，具有如下优点：节省预浸体材的材料成本，另外，积层步骤也变得简单，因此在经济上变得有利，而且，以仅预浸体材的厚度制造的多层印刷布线基板的厚度变薄，而可以制造1层的厚度为100μm以下的极薄的多层印刷布线基板。

该树脂层的厚度优选0.1～120μm。

如果树脂层的厚度变得薄于0.1μm，那么有如下情况：粘接力下降，在不经由预浸体材而将包括该树脂层的附镀敷的金属基材积层于包括内层材的基材时，变得难以确保与内层材的电路之间的层间绝缘。另一方面，如果使树脂层的厚度厚于120μm，那么有如下情况：变得难以用1次涂布步骤形成目标厚度的树脂层，而耗费多余的材料费与步骤数，因此在经济上变得不利。

此外，将包括树脂层的附镀敷的金属基材用于制造极薄的多层印刷布线板的情况下，为了使多层印刷布线板的厚度变小，优选将所述树脂层的厚度设为0.1μm～5μm、更优选0.5μm～5μm、更优选1μm～5μm。

在以下表示几个使用本发明的附载体铜箔的印刷布线板的制造步骤的例子。

在本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体金属箔与绝缘基板的步骤、将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤、及将所述附载体金属箔与绝缘基板以极薄金属层侧与绝缘基板对向的方式进行积层后，经过剥离所述附载体金属箔的载体的步骤形成覆金属积层板，其后，通过半加成法、改进半加成法、部分加成法及减成法中的任一种方法而形成电路的步骤。绝缘基板也可以设为加入了内层电路的绝缘基板。

在本发明中，所谓半加成法是指在绝缘基板或金属箔籽晶层上进行较薄的无电镀敷，形成图案后，使用电镀及蚀刻而形成导体图案的方法。

因此，在使用半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包括如下步骤：准备本发明的附载体金属箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤；积层所述附载体金属箔与绝缘基板后，将所述附载体金属箔的载体剥离的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥离所述载体而露出的极薄金属层全部去除的步骤；

在由于通过蚀刻将所述极薄金属层去除而露出的所述树脂设置通孔或/及盲孔的步骤；针对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；针对含有所述树脂及所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；在所述无电镀层上设置镀敷阻剂的步骤；对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；在去除了所述镀敷阻剂的所述形成电路的区域设置电镀层的步骤；将所述镀敷阻剂去除的步骤；及通过快速蚀刻等，将存在于所述形成电路的区域以外的区域的无电镀层去除的步骤。

在使用半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包含如下步骤：准备本发明的附载体金属箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤；积层所述附载体金属箔与绝缘基板后，将所述附载体金属箔的载体剥离的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将剥离所述载体而露出的极薄金属层全部去除的步骤；针对由于通过蚀刻将所述极薄金属层去除而露出的所述树脂的表面，设置无电镀层的步骤；在所述无电镀层上设置镀敷阻剂的步骤；对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；在去除了所述镀敷阻剂的所述形成电路的区域设置电镀层的步骤；将所述镀敷阻剂去除的步骤；及通过快速蚀刻等，将存在于所述形成电路的区域以外的区域的无电镀层及极薄金属层去除的步骤。

在本发明中，所谓改进半加成法是指在绝缘层上积层金属箔，通过镀敷阻剂保护非电路形成部，通过电镀进行电路形成部的镀铜增厚后，去除抗蚀剂，通过(快速)蚀刻去除所述电路形成部以外的金属箔，由此在绝缘层上形成电路的方法。

因此，在使用改进半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包含如下步骤：准备本发明的附载体金属箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤；积层所述附载体金属箔与绝缘基板后，将所述附载体金属箔的载体剥离的步骤；在将所述载体剥离而露出的极薄金属层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；针对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；针对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；在将所述载体剥离而露出的极薄金属层表面设置镀敷阻剂的步骤；设置所述镀敷阻剂后，通过电镀形成电路的步骤；将所述镀敷阻剂去除的步骤；及通过快速蚀刻，将由于去除所述镀敷阻剂而露出的极薄金属层去除的步骤。

另外，在所述树脂层上形成电路的步骤也可为如下步骤：在所述树脂层上自极薄金属层侧贴合另一片附载体金属箔，使用贴合在所述树脂层上的附载体金属箔而形成所述电路。另外，贴合在所述树脂层上的另一片附载体金属箔也可为本发明的附载体金属箔。另外，在所述树脂层上形成电路的步骤也可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法而进行。另外，在所述表面形成电路的附载体金属箔也可在该附载体金属箔的载体的表面具有基板或树脂层。

在使用改进半加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包含如下步骤：准备本发明的附载体金属箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤；积层所述附载体金属箔与绝缘基板后，将所述附载体金属箔的载体剥离的步骤；在将所述载体剥离而露出的极薄金属层上设置镀敷阻剂的步骤；对所述镀敷阻剂进行曝光，其后将形成电路的区域的镀敷阻剂去除的步骤；在去除了所述镀敷阻剂的所述形成电路的区域设置电镀层的步骤；将所述镀敷阻剂去除的步骤；通过快速蚀刻等，将存在于所述形成电路的区域以外的区域的无电镀层及极薄金属层去除的步骤。

在本发明中，所谓部分加成法是指向设有导体层的基板、视需要穿凿有通孔或导通孔用的孔的基板上赋予触媒核，进行蚀刻而形成导体电路，视需要设置阻焊剂或镀敷阻剂后，通过无电镀敷处理，而在所述导体电路上，对通孔或导通孔等进行增厚，由此制造印刷布线板的方法。

因此，在使用部分加成法的本发明的印刷布线板的制造方法的一个实施方式中，包含如下步骤：准备本发明的附载体金属箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤；积层所述附载体金属箔与绝缘基板后，将所述附载体金属箔的载体剥离的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄金属层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；针对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；向含有所述通孔或/及盲孔的区域赋予触媒核的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄金属层表面设置蚀刻阻剂的步骤；对所述蚀刻阻剂进行曝光，而形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述极薄金属层及所述触媒核去除而形成电路的步骤；将所述蚀刻阻剂去除的步骤；在通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述极薄金属层及所述触媒核去除而露出的所述绝缘基板表面设置阻焊剂或镀敷阻剂的步骤；及在未设置有所述阻焊剂或镀敷阻剂的区域设置无电镀层的步骤。

在本发明中，所谓减成法是指通过蚀刻等，将覆铜积层板上的铜箔的不要部分有选择地去除而形成导体图案的方法。

因此，在使用减成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包含如下步骤：准备本发明的附载体金属箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤；积层所述附载体金属箔与绝缘基板后，将所述附载体金属箔的载体剥离的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄金属层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；针对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；针对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；在所述无电镀层的表面设置电镀层的步骤；在所述电镀层或/及所述极薄金属层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；对所述蚀刻阻剂进行曝光，而形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述极薄金属层及所述无电镀层及所述电镀层去除，而形成电路的步骤；及将所述蚀刻阻剂去除的步骤。

在使用减成法的本发明的印刷布线板的制造方法的另一个实施方式中，包含如下步骤：准备本发明的附载体金属箔与绝缘基板的步骤；将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤；积层所述附载体金属箔与绝缘基板后，将所述附载体金属箔的载体剥离的步骤；在剥离所述载体而露出的极薄金属层与绝缘基板设置通孔或/及盲孔的步骤；针对含有所述通孔或/及盲孔的区域进行除胶渣处理的步骤；针对含有所述通孔或/及盲孔的区域设置无电镀层的步骤；在所述无电电镀镀层的表面形成掩模的步骤；在未形成掩模的所述无电镀层的表面设置电镀层的步骤；在所述电镀层或/及所述极薄金属层的表面设置蚀刻阻剂的步骤；对所述蚀刻阻剂进行曝光，而形成电路图案的步骤；通过使用酸等腐蚀溶液的蚀刻或电浆等方法，将所述极薄金属层及所述无电镀层去除，而形成电路的步骤；及将所述蚀刻阻剂去除的步骤。

设置通孔或/及盲孔的步骤、及其后的除胶渣步骤也可不进行。

此处，对使用本发明的附载体金属箔的印刷布线板的制造方法的具体例详细地进行说明。此外，在此处，以具有形成了粗化处理层的极薄金属层的附载体金属箔为例进行说明，但并不限于其，使用具有未形成粗化处理层的极薄金属层的附载体金属箔，也可同样地进行下述的印刷布线板的制造方法。

首先，准备具有在表面形成了粗化处理层的极薄金属层的附载体金属箔(第1层)。

其次，在极薄金属层的粗化处理层上涂布抗蚀剂，进行曝光、显影，而将抗蚀剂蚀刻为特定形状。

其次，形成电路用的镀层后，将抗蚀剂去除，由此形成特定形状的电路镀层。

其次，以覆盖电路镀层的方式(掩埋电路镀层的方式)在极薄金属层上设置掩埋树脂而积层树脂层，其次，使另一片附载体金属箔(第2层)自极薄金属层侧粘接。

其次，自第2层的附载体金属箔剥离载体。

其次，在树脂层的特定位置进行激光开孔，使电路镀层露出而形成盲孔。

其次，向盲孔埋入铜而形成导孔填充物。

其次，在导孔填充物上如所述般形成电路镀层。

其次，自第1层的附载体金属箔剥离载体。

其次，通过快速蚀刻将两个表面的极薄金属层去除，而使树脂层内的电路镀层的表面露出。

其次，在树脂层内的电路镀层上形成凸块，在该焊料上形成铜支柱。以所述方式制作使用本发明的附载体金属箔的印刷布线板。

所述另一片附载体金属箔(第2层)可使用本发明的附载体金属箔，也可使用以往的附载体金属箔，进而也可使用通常的金属箔。另外，可在所述第2层的电路上进而形成1层或多层的电路，也可通过半加成法、减成法、部分加成法或改进半加成法中的任一种方法进行这些的电路形成。

此外，埋入树脂(RESIN)可使用公知的树脂、预浸体。例如可使用BT(双马来酰亚胺三嗪)树脂或作为含浸有BT树脂的玻璃布的预浸体、味之素精细化学股份有限公司制造的ABF膜或ABF。另外，所述埋入树脂(RESIN)可使用本说明书所记载的树脂层及/或树脂及/或预浸体。

另外，所述第一层所使用的附载体金属箔也可在该附载体金属箔的表面具有基板或树脂层。通过具有该基板或树脂层，而支撑第一层所使用的附载体金属箔，从而褶皱变得难以产生，因此有生产性提高的优点。此外，对所述基板或树脂层而言，只要为发挥支撑所述第一层所使用的附载体金属箔的效果的基板或树脂层，那么可使用全部的基板或树脂层。例如可使用本申请案说明书所记载的载体、预浸体、树脂层或公知的载体、预浸体、树脂层、金属板、金属箔、无机化合物的板、无机化合物的箔、有机化合物的板、有机化合物的箔作为所述基板或树脂层。

可将本发明的附镀敷的金属基材自镀层侧贴合在树脂基板而制造积层体。树脂基板只要为具有可应用于印刷布线板等的特性的树脂基板，那么不受特别限制，例如对于刚性PWB用途，可使用纸基材酚树脂、纸基材环氧树脂、合成纤维布基材环氧树脂、氟树脂含浸布、玻璃布-纸复合基材环氧树脂、玻璃布-玻璃无纺布复合基材环氧树脂及玻璃布基材环氧树脂等，对于柔性印刷基板(FPC)用途，可使用聚酯膜或聚酰亚胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、氟树脂及氟树脂-聚酰亚胺复合材等。此外，液晶聚合物(LCP)由于介电损失较小，故而高频电路用途的印刷布线板优选使用液晶聚合物(LCP)膜。

关于贴合的方法，在刚性PWB用途的情况下，准备使树脂含浸于玻璃布等基材中，使树脂硬化至半硬化状态而成的预浸体。可通过将铜箔重叠于预浸体并进行加热加压而进行。在FPC的情况下，经由粘接剂、或不使用粘接剂在高温高压下将液晶聚合物或聚酰亚胺膜等基材积层粘接于铜箔、或者将聚酰亚胺前驱物进行涂布、干燥、硬化等，由此可制造积层板。

本发明的积层体可用于各种印刷布线板(PWB)，没有特别限制，例如就导体图案的层数的观点而言，可应用于单面PWB、两面PWB、多层PWB(3层以上)，就绝缘基板材料的种类的观点而言，可应用于刚性PWB、柔性PWB(FPC)、刚性-弹性PWB。

最后，对将本发明的附镀敷的金属基材应用于自动聚焦模块用的弹簧材的情况进行说明。在典型的自动聚焦模块中，包括：透镜、将该透镜向光轴方向的初期位置进行弹性施力的本发明的附镀敷的金属基材制或本发明的附载体金属箔制的弹簧构件、及产生对抗该弹簧构件的作用力的电磁力而可所述透镜向光轴方向驱动的电磁驱动単元。关于所述电磁驱动単元，可例示性地包括：U字形圆筒形状的磁轭、被收容在磁轭的内周壁的内侧的线圈、一面围绕线圈一面被收容在磁轭的外周壁的内侧的磁铁。弹簧构件可在具有所述镀层的部位通过焊接而与线圈(典型而言，线圈的导线)进行接合。自动聚焦模块的构造本身在日本特开2014-102294号公报或日本特开2014-084514号公报等中为公知，因此详细的说明省略。

[实施例]

以下，表示本发明的实施例，但这些实施例是为了更良好地理解本发明及其优点而呈现的实施例，而并非意图限定本发明。

准备由具有表2所记载的各材料组成及厚度的金属箔构成的金属基材。对金属箔的表面进行脱脂及酸洗而净化后，根据表2所记载的Ni、Co及Mo的各附着条件，通过使用硫酸酸性镀浴(pH值：2～3.5、液温：40～60℃、电流密度：2～10A/dm²)的电镀，对该金属箔的整面进行镀Co、Co-Ni合金镀敷、Co-Mo合金镀敷、Ni-Mo合金镀敷或Co-Ni-Mo合金镀敷，而制造发明例、参考例及比较例的附镀敷的金属箔。镀敷液中的Ni、Mo及Co的离子浓度视Ni+Mo比率(％)设为表1所记载的条件。其他元素的离子浓度视附着量设为表1所记载的条件。附着量可通过库仑量进行控制。在减少附着量的情况下，只要使库仑量变小即可。在增加附着量的情况下，只要使库仑量变大即可。例如在将Co、Ni及Mo的合计附着量设为3000μg/dm²的情况下，可将库仑量设为5～20As/dm²左右，在将Co、Ni及Mo的合计附着量设为14000μg/dm²时，可将库仑量设为45～80As/dm²左右，在将Co、Ni及Mo的合计附着量设为180000μg/dm²时，可将库仑量设为700～900As/dm²左右。在欲增加Mo附着量的情况下，只要使镀敷液中的Mo浓度变高即可。在欲增加Co附着量的情况下，只要使镀敷液中的Co浓度变高即可。在欲增加Ni附着量的情况下，只要使镀敷液中的Ni浓度变高即可。

[表1]

另外，关于试验编号90～93，使用极薄金属层使用有金属基材的附载体金属箔。附载体金属箔是以下述方式进行制造。试验编号90、91的载体是使用JX日矿日石金属股份有限公司制造的电解铜箔JTC箔(厚度18μm)，试验编号92、93的载体是使用JX日矿日石金属股份有限公司制造的压延铜箔韧铜(厚度18μm、JISH3100合金编号C1100)。然后，以表2所记载的顺序，在所述电解铜箔的S面(光泽面)侧、或压延铜箔的表面形成各层。

试验编号90～93的中间层是以下述方式形成。

·试验编号90

＜中间层＞

(1)Ni层(镀Ni)

针对载体，在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行电镀，由此形成4000μg/dm²的附着量的Ni层。将具体的镀敷条件记载于以下。

硫酸镍：270～280g/L

氯化镍：35～45g/L

乙酸镍：10～20g/L

硼酸：30～40g/L

光泽剂：糖精、丁炔二醇等

十二烷基硫酸钠：55～75ppm

pH值：4～6

浴温：55～65℃

电流密度：10A/dm²

(2)Cr层(电解铬酸盐处理)

其次，对(1)中所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，继而通过在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行电解铬酸盐处理，而使11μg/dm²的附着量的Cr层附着在Ni层上。

重铬酸钾1～10g/L

pH值：7～10

液温：40～60℃

电流密度：2A/dm²

·试验编号91

＜中间层＞

(1)Ni-Mo层(镍钼合金镀敷)

针对载体，在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行电镀，由此形成3000μg/dm²的附着量的Ni-Mo层。将具体的镀敷条件记载于以下。

(液组成)硫酸Ni六水合物：50g/dm³、钼酸钠二水合物：60g/dm³、柠檬酸钠：90g/dm³

(液温)30℃

(电流密度)1～4A/dm²

(通电时间)3～25秒

·试验编号92

＜中间层＞

(1)Ni层(镀Ni)

在与试验编号90相同的条件下形成Ni层。

(2)有机物层(有机物层形成处理)

其次，对(1)中所形成的Ni层表面进行水洗及酸洗后，继而在下述条件下，将含有浓度1～30g/L的羧基苯并三唑(CBTA)的液温40℃且pH值5的水溶液向Ni层表面进行20～120秒喷雾洗涤，由此形成有机物层。

·试验编号93

＜中间层＞

(1)Co-Mo层(钴钼合金镀敷)

针对载体，在以下条件下在辊对辊型的连续镀敷线上进行电镀，由此形成4000μg/dm²的附着量的Co-Mo层。将具体的镀敷条件记载于以下。

(液组成)硫酸Co：50g/dm³、钼酸钠二水合物：60g/dm³、柠檬酸钠：90g/dm³

(液温)30℃

(电流密度)1～4A/dm²

(通电時间)3～25秒

(2)有机物层(有机物层形成处理)

其次，对(1)中所形成的Co-Mo层表面进行水洗及酸洗后，继而在以下条件下，将含有浓度1～30g/L的羟基苯并三唑(CBTA)的液温40℃且pH值5的水溶液向Ni层表面进行20～120秒喷雾洗涤，由此形成有机物层。

另外，作为极薄金属层的金属箔是在以下条件下以成为表2所记载的基材厚度的方式形成在中间层上或镀层上。

＜金属箔＞

铜浓度：90～110g/L

锡浓度：1～30g/L

硫酸浓度：90～110g/L

氯化物离子浓度：50～90ppm

电解液温度：50～80℃

电流密度：100A/dm²

电解液线速：1.5～5m/sec

(1)Ni、Co、Mo及其他元素的附着量(μg/dm²)

关于所获得的附镀敷的金属箔(试验样品)的镀层中的Ni、Co、Mo及其他元素各自的附着量(μg/dm²)，是利用浓度20质量％的硝酸使试验样品溶解，使用SII公司制造的ICP发射光谱分析装置(型号：SPS3100)，通过ICP发射光谱分析法而进行测定。此外，在试验样品难以溶解于浓度20质量％的硝酸的情况下，只要可通过硝酸与盐酸的混合液(硝酸浓度：20质量％；盐酸浓度：12质量％)或可使试验样品溶解的其他酸水溶液等液体使试验样品溶解即可。另外，根据所测得的Ni、Co及Mo的附着量算出镀层中的Ni+Mo比率(％)。此处，Ni+Mo比率(％)的定义如下式所述。Ni+Mo比率(％)＝{Ni及Mo的合计附着量(μg/dm²)/(Ni、Co及Mo的合计附着量(μg/dm²))}×100

(2)蚀刻直线性

使用37质量％、波美度40°的氯化铁水溶液，对各试验样品进行蚀刻，分别形成线与间隙(L/S)为100μm/200μm的长度150mm的直线电路、及线与间隙(L/S)为75μm/75μm的长度150mm的直线电路。使用扫描式电子显微镜(日立制造，S-4700)对电路进行观察，并以下述基准进行评价。

×：弯曲范围比电路长度的50％长

△：弯曲范围为电路长度的超过25％～50％

○：弯曲范围为电路长度的超过15％～25％

○○：弯曲范围为电路长度的超过5％～15％

◎：弯曲范围比电路长度的0％长且为5％以下

◎◎：弯曲范围0％。没有弯曲(直线状)

此处，所谓弯曲，是指通过SEM以500倍自上表面对电路拍摄照片，在沿着将该照片中的长度186μm的电路的隅部彼此连结的长度方向画二条直线(粗细度1.9μm)的情况下，电路的脊线距各直线的中心线5μm以上的部位。测定结果是由对4处拍摄照片时的平均值表示。

(3)焊料密接强度试验

首先，自各试验样品的一表面侧通过湿式蚀刻而使箔厚变薄至0.03mm。此时，相反面以镀层不会剥离的方式以胶带进行遮蔽。然后，将所获得的厚度变薄后的试验样品的镀层侧(未形成镀层的试验样品为任意表面)与纯铜箔(JX日矿日石金属公司制造的C1100、箔厚0.035mm)经由千住金属工业股份有限公司制造的无铅焊料(ESCM705、添加有树脂附着物(助焊剂)的焊料、Sn(剩余部分)-3.0质量％Ag-0.5质量％Cu)进行接合，使用日本爱光股份有限公司制造的精密负荷测定器(MODEL-1605NL)，以100mm/min的速度进行180°剥离试验，由此测定各试验样品的密接强度。样品箔设为宽度15mm、长度200mm的短条状，纯铜箔设为宽度20mm、长度200mm的短条状，将接合温度设为245℃±5℃，将中央部30mm×15mm的面积接合在长度方向上。此外，关于纯铜箔的厚度，如果接近供评价的样品箔的厚度，那么没有问题，但优选0.02mm～0.05mm，在本实施例中使用0.035mm的纯铜箔。此外，在附载体金属箔的实验例中，将载体自附载体金属箔剥离后进行所述的焊料密接强度试验。另外，在附载体金属箔的金属箔的厚度小于0.03mm的试验编号92及93的情况下，在金属箔上进行镀Cu而使厚度增加，将金属箔的厚度与镀Cu的厚度的合计厚度设为0.03mm后，自附载体金属箔剥离载体，其后进行所述的试验。

(4)耐候性试验

对将各试验样品在温度85℃、相对湿度85％的恒温恒湿器(爱斯佩克股份有限公司(型号：PL-2E))内保持100小时或200小时时的变色程度进行调查。关于变色程度，是在拍摄照片后，重叠透明的树脂膜，以黑色的标记涂抹变色的部分后，通过图像处理软件进行白黑二值化，并通过图像处理软件求出变色部分的面积。将使所获得的面积除以观察视野整体的面积而获得的值为100倍所得的值设为变色部分的面积率(％)。

将镀层附着量的试验结果示于表2，将蚀刻性、焊料密接性及耐候性的试验结果示于表3。根据表3可知，在实施例中原本焊料密接性或耐候性较差的金属基材通过形成本发明的镀层而获得得到改善的焊料密接性及耐候性。进而可知，在适当控制了Ni+Co+Mo的合计附着量及Ni+Mo比率(％)的实施例(No.1、2、2-2～2-6、3～12、15、18～20、22～27、30、32～36、38～44、46、48、49、78～81、86、88～97)中，也获得较高的蚀刻性。另一方面，在比较例中，虽存在表现出优异的蚀刻性的金属基材，但没有兼顾有焊料密接性及耐候性的金属基材。

[表3-1]

[表3-2]

[表3-3]

[表3-4]

Claims

1.一种附镀敷的金属基材，其是在金属基材的一部分或全部的表面上形成了选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层的附镀敷的金属基材，且该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为500μg/dm²以上，

2.根据权利要求1所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为700μg/dm²以上。

3.根据权利要求1所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm²以上。

4.根据权利要求1所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为2000μg/dm²以上。

5.根据权利要求1所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为3000μg/dm²以上。

6.根据权利要求1所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为5000μg/dm²以上。

7.根据权利要求1所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为7000μg/dm²以上。

8.根据权利要求1所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为180000μg/dm²以下。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为80％以下。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为60％以下。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为50％以下。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为10％以上。

13.根据权利要求9所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为10％以上。

14.根据权利要求1至8中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层与所述金属基材之间形成了基础层及/或粗化处理层。

15.根据权利要求13所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层与所述金属基材之间形成了基础层及/或粗化处理层。

16.根据权利要求1至8中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层选自由Co-Ni合金镀层、Co-Mo合金镀层、Ni-Mo合金镀层及Co-Ni-Mo合金镀层所组成的群中。

17.根据权利要求15所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层选自由Co-Ni合金镀层、Co-Mo合金镀层、Ni-Mo合金镀层及Co-Ni-Mo合金镀层所组成的群中。

18.根据权利要求1至8中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

19.根据权利要求17所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

20.根据权利要求18所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

21.根据权利要求19所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

22.根据权利要求18所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～1000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

23.根据权利要求18所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～500μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素。

24.根据权利要求1至8中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。

25.根据权利要求24所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～2000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。

26.根据权利要求24所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～1000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。

27.根据权利要求24所述的附镀敷的金属基材，其中，所述镀层含有合计0～500μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。

28.一种附镀敷的金属基材，其是在金属基材的一部分或全部的表面上形成了选自由Co镀层、以及含有选自由Co、Ni及Mo所组成的群中的2种以上的元素的合金镀层所组成的群中的镀层的附镀敷的金属基材，且该镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为500μg/dm²以上，

金属基材是含有选自由Ti、Si、Mg、P、Sn、Zn、Cr、Zr、V、W、Na、Ca、Ba、Cs、Mn、K、Ga、B、Nb、Ce、Be、Nd、Sc、Hf、Ho、Lu、Yb、Dy、Er、Pr、Y、Li、Gd、Pu、In、Fe、La、Th、Ta、U、Sm、Tb、Sr、Tm及Al所组成的群中的1种或2种以上的元素的附镀敷的金属基材，且满足以下(1)～(21)中的一个或两个以上的项目：

1)：所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为700μg/dm²以上

2)：所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为1000μg/dm²以上

3)：所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为2000μg/dm²以上

4)：所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为3000μg/dm²以上

5)：所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为5000μg/dm²以上

6)：所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为7000μg/dm²以上

7)：所述镀层中的Co、Ni及Mo的合计附着量为180000μg/dm²以下

8)：所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为80％以下

9)：所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为60％以下

10)：所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为50％以下

11)：所述镀层中，相对于Co、Ni及Mo的合计附着量的Ni及Mo的合计附着量(以下也称为“Ni+Mo比率(％)”)以质量比计为10％以上

12)：在所述镀层与所述金属基材之间形成了基础层及/或粗化处理层

13)：所述镀层为选自由Co-Ni合金镀层、Co-Mo合金镀层、Ni-Mo合金镀层及Co-Ni-Mo合金镀层所组成的群中的镀层

14)：所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素

15)：所述镀层含有合计0～2000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素

16)：所述镀层含有合计0～1000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素

17)：所述镀层含有合计0～500μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd、Pt、Bi、Os、Rh、Tl、Sb、Pb、Hg、Ir、Cd、Ru、Re、Tc及Gd所组成的群中的1种或2种以上的元素

18)：所述镀层含有选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素

19)：所述镀层含有合计0～2000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素

20)：所述镀层含有合计0～1000μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素

21)：所述镀层含有合计0～500μg/dm²的选自由Cu、As、Ag、Au、Pd及Pt所组成的群中的1种或2种以上的元素。

29.根据权利要求1至8、28中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述金属基材是由铜合金、铝、铝合金、铁、铁合金、不锈钢、镍合金、钛、钛合金、金合金、银合金、铂族合金、铬、铬合金、镁、镁合金、钨、钨合金、钼合金、铅合金、钽、钽合金、锆、锆合金、锡、锡合金、铟、铟合金、锌、或锌合金所形成。

30.根据权利要求29所述的附镀敷的金属基材，其中，所述金属基材是由铜合金、铝、铝合金、铁、铁合金、不锈钢、镍合金、钛、钛合金、锌、或锌合金所形成。

31.根据权利要求29所述的附镀敷的金属基材，其中，所述金属基材是由钛铜、磷青铜、铜镍硅合金、红黄铜、黄铜、锌白铜或其他铜合金所形成。

32.根据权利要求1至8、28中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述金属基材为金属条、金属板、或金属箔的形态。

33.根据权利要求1至8、28中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述金属基材为压延铜合金箔或电解铜合金箔。

34.根据权利要求1至8、28中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，在所述镀层的表面具有树脂层。

35.根据权利要求1至8、28中任一项所述的附镀敷的金属基材，其中，所述金属基材具有两个主表面，在其一面或两面具有所述镀层。

36.一种附载体金属箔，其是在载体的一面或两面依序具有中间层、极薄金属层的附载体金属箔，且所述极薄金属层为根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材。

37.根据权利要求36所述的附载体金属箔，其中，在所述载体的一面依序具有所述中间层、所述极薄金属层，在所述载体的另一面具有粗化处理层。

38.根据权利要求36或37所述的附载体金属箔，其中，附镀敷的金属基材的金属基材为铜合金制。

39.一种连接器，其具备根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔。

40.一种端子，其具备根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔。

41.一种积层板，其是将根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔与树脂基板进行积层而制造。

42.一种屏蔽带或屏蔽材，其具备根据权利要求41所述的积层板。

43.一种印刷布线板，其具备根据权利要求41所述的积层板。

44.一种金属加工构件，其具备根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔。

45.一种电气电子设备，其具备根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔。

46.一种印刷布线板的制造方法，其包括如下步骤：

准备根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔与绝缘基板的步骤；

将所述附载体金属箔与绝缘基板进行积层的步骤；及

47.一种印刷布线板的制造方法，其包括如下步骤：

在根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔的所述极薄金属层侧表面或所述载体侧表面形成电路的步骤；

以掩埋所述电路的方式在所述附载体金属箔的所述极薄金属层侧表面或所述载体侧表面形成树脂层的步骤；

在所述树脂层上形成电路的步骤；

48.一种接合体，其是根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔与焊料的接合体。

49.根据权利要求48所述的接合体，其中，在焊料与金属基材或附载体金属箔的接合界面存在含有Sn及Co的热扩散层。

50.一种附镀敷的金属基材或附载体金属箔与导电性构件的连接方法，其包括如下步骤：通过蚀刻而对根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔进行形状加工的步骤；与通过焊接将所获得的附镀敷的金属基材的形状加工品的具有镀层的部位与导电性构件进行接合的步骤。

51.一种电子零件，其具备根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔。

52.一种自动聚焦模块，其具备根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔作为弹簧材。

53.一种自动聚焦相机模块，其是具备透镜、将该透镜向光轴方向的初期位置进行弹性施力的根据权利要求1至35中任一项所述的附镀敷的金属基材制的弹簧构件或根据权利要求36至38中任一项所述的附载体金属箔制的弹簧构件、及产生对抗该弹簧构件的作用力的电磁力而可使所述透镜向光轴方向驱动的电磁驱动単元的自动聚焦相机模块，且所述电磁驱动単元具备线圈，弹簧构件是在具有所述镀层的部位通过焊接而与线圈接合。