KR20160086287A

KR20160086287A - 도금 부착 금속 기재

Info

Publication number: KR20160086287A
Application number: KR1020160002412A
Authority: KR
Inventors: 료 후쿠치; 겐타 츠지에
Original assignee: 제이엑스금속주식회사
Priority date: 2015-01-09
Filing date: 2016-01-08
Publication date: 2016-07-19
Also published as: CN105774118A; TWI593548B; CN105774118B; TW201625414A; KR101799177B1

Abstract

(과제) 상온에 있어서 산소와의 반응성이 높은 원소를 포함하는 금속 기재를 사용하면서, 땜납 밀착성 및 내후성이 우수한 금속 기재를 제공한다.
(해결 수단) 금속 기재의 일부 또는 전부의 표면 상에 Co 도금층, 그리고 Co, Ni 및 Mo 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종 이상의 원소를 포함하는 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택되는 도금층이 형성된 도금 부착 금속 기재로서, 그 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 500 ㎍/d㎡ 이상인 도금 부착 금속 기재이며,
금속 기재는 Ti, Si, Mg, P, Sn, Zn, Cr, Zr, V, W, Na, Ca, Ba, Cs, Mn, K, Ga, B, Nb, Ce, Be, Nd, Sc, Hf, Ho, Lu, Yb, Dy, Er, Pr, Y, Li, Gd, Pu, In, Fe, La, Th, Ta, U, Sm, Tb, Sr, Tm 및 Al 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 이상의 원소를 포함하는 도금 부착 금속 기재.

Description

도금 부착 금속 기재{METAL SUBSTRATE WITH PLATING}

본 발명은 도금 부착 금속 기재에 관한 것이다. 또, 본 발명은 도금 부착 금속 기재를 구비한 또는 이것을 사용한, 캐리어 부착 금속박, 커넥터, 단자, 적층판, 실드 테이프, 실드재, 프린트 배선판, 금속 가공 부재, 전자·전기 기기, 및, 프린트 배선판의 제조 방법에 관한 것이다.

전자·전기 기기에 폭넓게 이용되고 있는 프린트 회로판은 일반적으로, 합성 수지 보드나 필름 등의 절연 기재에 접착제를 개재하여, 혹은 접착제를 이용하지 않고 고온 고압하에서 금속박을 접착하여 금속 피복 적층판을 제조하고, 그 후, 금속박측에 에칭 공정을 거쳐 금속 배선을 형성함으로써 프린트 배선판으로 하고, 프린트 배선판의 금속 배선 상에 각종 전자 부품이 납땜에 의해 탑재됨으로써, 제조된다.

종래, 금속박의 에칭 특성을 향상시켜 선폭 균일성이 높은 회로를 형성할 목적으로, 에칭면측에 구리보다 에칭 레이트가 느린 금속 또는 합금층을 형성하는 기술이 알려져 있다 (특허문헌 1). 특허문헌 1 에 의하면, 에칭면측에 구리보다 에칭 레이트가 느린 금속 또는 합금층을 형성함으로써, 동박의 두께 방향의 에칭 속도를 제어함으로써, 늘어짐이 없는 회로폭이 균일한 회로를 형성할 수 있는 것으로 알려져 있다. 또, 특허문헌 1 에는, 구리보다 에칭 레이트가 느린 금속 또는 합금층으로서, 코발트, 니켈 또는 이들의 합금층이 예시되어 있고, 두께는 100 ∼ 10000 ㎍/d㎡ 로 하는 것이 양호하다고 개시되어 있다.

일본 공개특허공보 2002-176242호

그러나, 특허문헌 1 에 있어서는, 프린트 회로판을 제조할 때에 있어서의 동박의 에칭성에 대해서는 고려하고 있기는 하지만, 프린트 회로판에 있어서 전자 부품을 탑재할 때에 사용하는 땜납과 금속 배선의 밀착 강도에 관한 고찰은 일절 이루어지지 않았다. 특히, 동박은 땜납 밀착성이 우수하기 때문에 문제가 되는 경우는 없지만, 상온에 있어서 산소와의 반응성이 높은 원소를 포함하는 금속 기재로 한 경우에는 땜납 밀착성을 확보할 수 없다는 문제에 대해서는 아무런 해결책을 보이지 않았다. 또, 프린트 배선판 이외의 용도에 있어서도 에칭성 및 납땜성의 양자가 요구되는 경우도 생각할 수 있지만, 특허문헌 1 에 있어서는 프린트 회로판 밖에 염두에 없다. 또, 금속 기재의 도전 재료로서의 실용성을 생각한 경우에는 내후성에 관한 고찰도 중요하지만, 그러한 고찰도 보이지 않는다. 그래서, 본 발명은, 상온에 있어서 산소와의 반응성이 높은 원소를 포함하는 금속 기재를 사용하면서, 땜납 밀착성 및 내후성이 우수한 금속 기재를 제공하는 것을 과제의 하나로 한다.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 검토를 거듭한 결과, 금속 기재 표면에 Co 도금층, 그리고 Co, Ni 및 Mo 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종 이상의 원소를 포함하는 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택되는 도금층을, 그 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 500 ㎍/d㎡ 이상이 되도록 형성함으로써, 땜납 밀착성 및 내후성이 현저하게 향상되는 것을 알아내었다. 본 발명은 당해 지견에 기초하여 완성한 것이다.

본 발명은 일 측면에 있어서, 금속 기재의 일부 또는 전부의 표면 상에 Co 도금층, 그리고 Co, Ni 및 Mo 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종 이상의 원소를 포함하는 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택되는 도금층이 형성된 도금 부착 금속 기재로서, 그 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 500 ㎍/d㎡ 이상인 도금 부착 금속 기재이며,

금속 기재는 Ti, Si, Mg, P, Sn, Zn, Cr, Zr, V, W, Na, Ca, Ba, Cs, Mn, K, Ga, B, Nb, Ce, Be, Nd, Sc, Hf, Ho, Lu, Yb, Dy, Er, Pr, Y, Li, Gd, Pu, In, Fe, La, Th, Ta, U, Sm, Tb, Sr, Tm 및 Al 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 도금 부착 금속 기재이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 700 ㎍/d㎡ 이상이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 1000 ㎍/d㎡ 이상이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 2000 ㎍/d㎡ 이상이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 3000 ㎍/d㎡ 이상이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 5000 ㎍/d㎡ 이상이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 7000 ㎍/d㎡ 이상이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 180000 ㎍/d㎡ 이하이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 80 ％ 이하이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 60 ％ 이하이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 50 ％ 이하이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 10 ％ 이상이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층과 상기 금속 기재의 사이에 하지층 및/또는 조화 (粗化) 처리층이 형성되어 있다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층이 Co-Ni 합금 도금층, Co-Mo 합금 도금층, Ni-Mo 합금 도금층 및 Co-Ni-Mo 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택된다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함한다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 포함한다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 1000 ㎍/d㎡ 포함한다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 500 ㎍/d㎡ 포함한다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함한다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 포함한다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 1000 ㎍/d㎡ 포함한다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 500 ㎍/d㎡ 포함한다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 금속 기재가, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 철, 철 합금, 스테인리스, 니켈 합금, 티탄, 티탄 합금, 금 합금, 은 합금, 백금족 합금, 크롬, 크롬 합금, 마그네슘, 마그네슘 합금, 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴 합금, 납 합금, 탄탈, 탄탈 합금, 지르코늄, 지르코늄 합금, 주석, 주석 합금, 인듐, 인듐 합금, 아연, 또는, 아연 합금으로 형성되어 있다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 금속 기재가, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 철, 철 합금, 스테인리스, 니켈 합금, 티탄, 티탄 합금, 아연, 또는, 아연 합금으로 형성되어 있다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 금속 기재가, 티탄 구리, 인청동, 코르손 합금, 단동, 황동, 양은 또는 기타 구리 합금으로 형성되어 있다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 금속 기재가 금속조, 금속판, 또는, 금속박의 형태이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 금속 기재가 압연 구리 합금박 또는 전해 구리 합금박이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 도금층의 표면에 수지층을 갖는다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 상기 금속 기재가 2 개의 주표면을 갖고, 그 일방 또는 양방의 면에 상기 도금층을 갖는다.

본 발명은 다른 일 측면에 있어서, 캐리어의 일방의 면 또는 양방의 면에, 중간층, 극박 금속층을 이 순서로 갖는 캐리어 부착 금속박으로서, 상기 극박 금속층이 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재인 캐리어 부착 금속박이다.

본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박의 일 실시형태에 있어서는, 상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 금속층을 이 순서로 갖고, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는다.

본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박의 일 실시형태에 있어서는, 도금 부착 금속 기재의 금속 기재가 구리 합금제이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재를 구비한 커넥터이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재를 구비한 단자이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재 또는 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 수지 기판을 적층하여 제조한 적층판이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 적층판을 구비한 실드 테이프 또는 실드재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 적층판을 구비한 프린트 배선판이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재 또는 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박을 구비한 금속 가공 부재이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재 또는 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박을 구비한 전자·전기 기기이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,

상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 금속 피복 적층판을 형성하고,

그 후, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 방법에 의해 회로를 형성하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박의 상기 극박 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 회로를 형성하는 공정,

상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어 부착 금속박의 상기 극박 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층을 형성하는 공정,

상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,

상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어 또는 상기 극박 금속층을 박리시키는 공정, 및,

상기 캐리어 또는 상기 극박 금속층을 박리시킨 후에, 상기 극박 금속층 또는 상기 캐리어를 제거함으로써, 상기 극박 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정

을 포함하는 프린트 배선판의 제조 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재 또는 캐리어 부착 금속박과 땜납의 접합체이다.

본 발명에 관련된 접합체의 일 실시형태에 있어서는, 땜납과 금속 기재의 접합 계면에 Sn 및 Co 를 포함하는 열 확산층이 존재한다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재 또는 캐리어 부착 금속박을 에칭에 의해 형상 가공하는 공정과, 얻어진 도금 부착 금속 기재의 형상 가공품을 도금층을 갖는 지점에 있어서 납땜에 의해 도전성 부재와 접합하는 공정을 포함하는 도금 부착 금속 기재 또는 캐리어 부착 금속박과 도전성 부재의 접속 방법이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재 또는 캐리어 부착 금속박을 구비한 전자 부품이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재 또는 캐리어 부착 금속박을 스프링재로서 구비한 오토포커스 모듈이다.

본 발명은 또 다른 일 측면에 있어서, 렌즈와, 이 렌즈를 광축 방향의 초기 위치에 탄성 부세 (付勢) 하는 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재제의 스프링 부재 또는 캐리어 부착 금속박제의 스프링 부재와, 이 스프링 부재의 부세력 (付勢力) 에 저항하는 전자력을 발생하여 상기 렌즈를 광축 방향으로 구동 가능한 전자 구동 수단을 구비한 오토포커스 카메라 모듈로서, 상기 전자 구동 수단은 코일을 구비하고 있고, 스프링 부재는 상기 도금층을 갖는 지점에 있어서 납땜에 의해 코일과 접합되어 있는 오토포커스 카메라 모듈이다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재는, 본래적으로 땜납 밀착성이 부족한 금속 기재를 사용하고 있음에도 불구하고, 땜납 밀착성이 우수하다. 이 때문에, 납땜에 의해 각종의 도전성 부재에 접속하는 것에도 적합하다. 또, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재에 의하면, 개선된 내후성을 가질 수 있기 때문에, 고온 다습과 같은 가혹한 환경하에서의 이용에도 적합하다. 도금층에 Co 를 함유시킴으로써 에칭에 의해 회로 형성을 하는 것을 포함하는 형상 가공에 적합하고, 이와 같은 특성을 살려, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재는 에칭에 의해 회로 형성을 실시하고, 후에 납땜에 의해 전자 부품과 접속하여 사용하는 용도, 예를 들어 프린트 회로판용의 도전 재료로서 적합하게 사용할 수 있다. 또, 스위치, 커넥터 (특히, 가혹한 굽힘 가공성을 필요로 하지 않는 포크형의 FPC 커넥터), 오토포커스 카메라 모듈, 잭, 단자, 릴레이 등의 전자 부품의 재료로서 적합하게 사용할 수 있다.

[금속 기재]

본 발명에 있어서 사용하는 금속 기재로는, Ti, Si, Mg, P, Sn, Zn, Cr, Zr, V, Na, Ca, Ba, Cs, Mn, K, Ga, B, Nb, Ce, Be, Nd, Sc, Hf, Ho, Lu, Yb, Dy, Er, Pr, Y, Li, Gd, Pu, In, Fe, La, Th, Ta, U, Sm, Tb, Sr, Tm 및 Al 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함한다. 이들 원소는 상온에 있어서의 산소와의 반응성이 높은 원소이며, 금속 기재의 땜납 밀착성을 저해하는 원소이다. 구체적으로는, 이들 원소는 산화물의 엘링감 다이어그램 (예를 들어, 「사단법인 일본 철강 협회, "제 3 판 철강 편람 제 I 권 기초", 쇼와 58년, 마루젠 주식회사」 를 참조) 에 있어서의, 고체의 산화물의 표준 생성 자유에너지 ΔG° 가 온도 300 K 에 있어서 －500 kJ/㏖ O₂ 이하이다.

본 발명에 있어서 사용하는 금속 기재에는, 본 발명의 효과를 유의하게 발휘하는 관점에서, 상기의 산소와의 반응성이 높은 원소를 합계로 0.0001 질량％ 이상 포함하는 것이 바람직하고, 0.005 질량％ 이상 포함하는 것이 보다 바람직하고, 0.007 질량％ 이상 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하고, 0.01 질량％ 이상 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하며, 0.02 질량％ 이상 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하다. 또, 본 발명에 있어서 사용하는 금속 기재는 구성 재료 전체가 상기 서술한 산소와의 반응성이 높은 원소여도 되지만, 금속 기재의 산소와의 반응성을 저하시켜, 보다 땜납 밀착성을 향상시키기 위해서, 상기의 산소와의 반응성이 높은 원소를 합계로 100 질량％ 이하 포함하는 것이 바람직하고, 100 질량％ 미만 포함하는 것이 바람직하고, 99 질량％ 이하 포함하는 것이 보다 바람직하고, 95 질량％ 이하 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하고, 90 질량％ 이하 포함하는 더욱 보다 바람직하고, 85 질량％ 이하 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하고, 50 질량％ 이하 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하고, 40 질량％ 이하 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하고, 30 질량％ 이하 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하고, 20 질량％ 이하 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하며, 10 질량％ 이하 포함하는 것이 더욱 보다 바람직하다.

본 발명에 있어서 사용 가능한 금속 기재의 예로는, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 철, 철 합금, 스테인리스, 니켈 합금, 티탄, 티탄 합금, 금 합금, 은 합금, 백금족 합금, 크롬, 크롬 합금, 마그네슘, 마그네슘 합금, 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴 합금, 납 합금, 탄탈, 탄탈 합금, 지르코늄, 지르코늄 합금, 주석, 주석 합금, 인듐, 인듐 합금, 아연, 또는, 아연 합금 등을 들 수 있으며, 또한 공지된 금속 재료도 사용할 수 있다. 또, JIS 규격이나 CDA 등으로 규격되어 있는 금속 재료도 사용할 수 있다. 또, 금속 기재가 금속조, 금속판, 또는, 금속박의 형태여도 된다.

금속박으로서 구리 합금박을 사용하는 경우, 전해 구리 합금박 및 압연 구리 합금박 중 어느 것이어도 된다. 또, 당해 구리 합금박은, 수지 기판과 접착시켜 적층체를 제조하고, 에칭에 의해 제거함으로써 회로가 형성된 전자 부품을 제조하는 것에 적합한 구리 합금박이어도 된다. 당해 구리 합금박의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없고, 예를 들어, 용도별로 적합한 두께로 적절히 조절하여 사용할 수 있다. 예를 들어, 1 ∼ 5000 ㎛ 정도 혹은 2 ∼ 1000 ㎛ 정도로 할 수 있으며, 특히 회로를 형성하여 사용하는 경우에는 35 ㎛ 이하, 실드 테이프용으로는 18 ㎛ 이하와 같은 얇은 것부터, 전자·전기 기기 내부의 커넥터나 실드재, 커버, 스프링 등으로서 사용하는 경우에는 70 ∼ 1000 ㎛ 와 같은 두꺼운 재료에도 적용할 수 있으며, 특히 상한의 두께를 정하는 것은 아니다.

구리 합금으로는, Sn, Cr, Fe, In, P, Si, Ti, Zn, B, Mn 및 Zr 중의 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 0.001 ∼ 4.0 질량％ 함유하는 구리 합금으로 할 수도 있다. 또한, Ag, Au, Co, Ni, Te 등의 산소와의 반응성이 낮은 원소를 포함하고, 다른 원소를 포함해도 된다.

구리 합금으로는, 또한, 티탄 구리, 인청동, 코르손 합금, 단동, 황동, 양은, 기타 구리 합금 등을 들 수 있다. 또, 구리 합금으로는 JIS H 3100 ∼ JIS H 3510, JIS H 5120, JIS H 5121, JIS C 2520 ∼ JIS C 2801, JIS E 2101 ∼ JIS E 2102 에 규격되어 있는 구리 또는 구리 합금도, 본 발명에 사용할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서는 특별히 언급하지 않는 한은, 금속의 규격을 나타내기 위해서 예시한 JIS 규격은 2001년도판의 JIS 규격을 의미한다.

티탄 구리는 전형적으로는, Ti：0.5 ∼ 5.0 질량％ 를 함유하고, 잔부가 구리 및 불가피적 불순물로 이루어지는 조성을 갖는다. 티탄 구리는 또한, Fe, Co, V, Nb, Mo, B, Ni, P, Zr, Mn, Zn, Si, Mg 및 Cr 중의 1 종류 또는 2 종류 이상을 합계로 2.0 질량％ 이하 함유해도 된다.

인청동은 전형적으로는, 인청동이란, 구리를 주성분으로 하여 Sn 및 이것보다 적은 질량의 P 를 함유하는 구리 합금을 가리킨다. 일례로서, 인청동은 Sn 을 3.5 ∼ 11 질량％, P 를 0.03 ∼ 0.35 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 이루어지는 조성을 갖는다. 인청동은, Ni, Zn 등의 원소를 합계로 1.0 질량％ 이하 함유해도 된다.

코르손 합금은 전형적으로는 Si 에 더하여 Si 와 화합물을 형성하는 원소 (예를 들어, Ni, Co 및 Cr 중 어느 1 종 이상) 가 첨가되고, 모상 (母相) 중에 제 2 상 입자로서 석출되는 구리 합금을 말한다. 일례로서, 코르손 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 5.0 질량％, Si 를 0.2 ∼ 1.6 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 다른 일례로서, 코르손 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 5.0 질량％, Si 를 0.2 ∼ 1.6 질량％, Cr 을 0.03 ∼ 0.5 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 또 다른 일례로서, 코르손 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 5.0 질량％, Si 를 0.2 ∼ 1.6 질량％, Co 를 0.1 ∼ 3.5 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 또 다른 일례로서, 코르손 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 5.0 질량％, Si 를 0.2 ∼ 1.6 질량％, Co 를 0.1 ∼ 3.5 질량％, Cr 을 0.03 ∼ 0.5 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 또 다른 일례로서, 코르손 합금은 Si 를 0.2 ∼ 1.6 질량％, Co 를 0.1 ∼ 3.5 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다. 코르손 합금에는 수의적으로 기타 원소 (예를 들어, Mg, Sn, B, Ti, Mn, Ag, P, Zn, As, Sb, Be, Zr, Al 및 Fe) 가 첨가되어도 된다. 이들 기타 원소는 총계로 4.0 질량％ 정도까지 첨가하는 것이 일반적이다. 예를 들어, 또 다른 일례로서, 코르손 합금은 Ni 를 1.0 ∼ 5.0 질량％, Si 를 0.2 ∼ 1.6 질량％, Sn 을 0.01 ∼ 2.0 질량％, Zn 을 0.01 ∼ 2.0 질량％ 함유하고, 잔부 구리 및 불가피적 불순물로 구성되는 조성을 갖는다.

본 발명에 있어서, 단동이란, 구리와 아연의 합금이며, 아연을 1 ∼ 20 질량％, 보다 바람직하게는 아연을 1 ∼ 10 질량％ 함유하는 구리 합금을 말한다. 또, 단동은 주석을 0.1 ∼ 1.0 질량％ 포함해도 된다.

본 발명에 있어서, 황동이란, 구리와 아연의 합금이며, 특히 아연을 20 질량％ 이상 함유하는 구리 합금을 말한다. 아연의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 60 질량％ 이하, 바람직하게는 45 질량％ 이하, 혹은 40 질량％ 이하이다.

본 발명에 있어서, 양은이란, 구리를 주성분으로 하여, 구리를 60 질량％ 내지 75 질량％, 니켈을 8.5 질량％ 내지 19.5 질량％, 아연을 10 질량％ 내지 30 질량％ 함유하는 구리 합금을 말한다.

본 발명에 있어서, 기타 구리 합금이란, Zn, Sn, Mg, Fe, Si, P, Mn, Zr, Cr 및 Ti 중 1 종 또는 2 종 이상을 합계로 8.0 질량％ 이하 포함하고, 수의적으로 기타 원소를 20 질량％ 이하 포함하고, 또는 수의적으로 기타 원소를 10 질량％ 이하 포함하고 잔부가 불가피적 불순물과 구리로 이루어지는 구리 합금을 말한다. 또한, 기타 원소는 특별히 제한되는 것이 아니라, Ni, Co 등의 산소와의 반응성이 낮은 원소여도 된다.

알루미늄 및 알루미늄 합금으로는, 예를 들어 Al 을 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 4000 ∼ JIS H 4180, JIS H 5202, JIS H 5303 혹은 JIS Z 3232 ∼ JIS Z 3263 에 규격되어 있는 알루미늄 및 알루미늄 합금을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 4000 에 규격되어 있는 알루미늄의 합금 번호 1085, 1080, 1070, 1050, 1100, 1200, 1N00, 1N30 으로 대표되는, Al：99.00 질량％ 이상의 알루미늄 또는 그 합금 등을 사용할 수 있다.

니켈 합금으로는, 예를 들어 Ni 를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 상기 서술한 산소와의 반응성이 높은 원소를 함유하는 것을 조건으로 하여, JIS H 4541 ∼ JIS H 4554, JIS H 5701 또는 JIS G 7604 ∼ JIS G 7605, JIS C 2531 에 규격되어 있는 니켈 합금을 사용할 수 있다. 또, 예를 들어, JIS H 4551 에 기재된 합금 번호 NW2200, NW2201 로 대표되는, Ni：99.0 질량％ 이상의 니켈 합금을 사용할 수 있다.

철 및 철 합금으로는, 예를 들어 스테인리스, 연강, 탄소강, 철니켈 합금, 강 (鋼) 등을 사용할 수 있다. 예를 들어 JIS G 3101 ∼ JIS G 7603, JIS C 2502 ∼ JIS C 8380, JIS A 5504 ∼ JIS A 6514 또는 JIS E 1101 ∼ JIS E 5402-1 에 기재되어 있는 철 또는 철 합금을 사용할 수 있다. 스테인리스는, SUS 301, SUS 304, SUS 310, SUS 316, SUS 430, SUS 631 (모두 JIS 규격) 등을 사용할 수 있다. 연강은, 탄소가 0.15 질량％ 이하인 연강을 사용할 수 있으며, JIS G 3141 에 기재된 연강 등을 사용할 수 있다. 철니켈 합금은, Ni 를 35 ∼ 85 질량％ 포함하고, 잔부가 Fe 및 불가피 불순물로 이루어지고, 구체적으로는, JIS C 2531 에 기재된 철니켈 합금 등을 사용할 수 있다.

아연 및 아연 합금으로는, 예를 들어 Zn 을 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 2107 ∼ JIS H 5301 에 기재되어 있는 아연 또는 아연 합금을 사용할 수 있다.

납 합금으로는, 상기 서술한 산소와의 반응성이 높은 원소를 함유하는 것을 조건으로 하여, 예를 들어 Pb 를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 4301 ∼ JIS H 4312, 또는 JIS H 5601 에 규격되어 있는 납 또는 납 합금을 사용할 수 있다.

마그네슘 및 마그네슘 합금으로는, 예를 들어 Mg 를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 4201 ∼ JIS H 4204, JIS H 5203 ∼ JIS H 5303, JIS H 6125 에 규격되어 있는 마그네슘 및 마그네슘 합금을 사용할 수 있다.

텅스텐 및 텅스텐 합금으로는, 예를 들어 W 를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 4463 에 규격되어 있는 텅스텐 및 텅스텐 합금을 사용할 수 있다.

몰리브덴 합금으로는, 상기 서술한 산소와의 반응성이 높은 원소를 함유하는 것을 조건으로 하여, 예를 들어 Mo 를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다.

티탄 및 티탄 합금으로는, 예를 들어 Ti 를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 4600 ∼ JIS H 4675, JIS H 5801 에 규격되어 있는 티탄 및 티탄 합금을 사용할 수 있다.

탄탈 및 탄탈 합금으로는, 예를 들어 Ta 를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 4701 에 규격되어 있는 탄탈 및 탄탈 합금을 사용할 수 있다.

지르코늄 및 지르코늄 합금으로는, 예를 들어 Zr 을 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 4751 에 규격되어 있는 지르코늄 및 지르코늄 합금을 사용할 수 있다.

주석 및 주석 합금으로는, 예를 들어 Sn 을 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, JIS H 5401 에 규격되어 있는 주석 및 주석 합금을 사용할 수 있다.

인듐 및 인듐 합금으로는, 예를 들어 In 을 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다.

크롬 및 크롬 합금으로는, 예를 들어 Cr 을 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다.

은 합금으로는, 상기 서술한 산소와의 반응성이 높은 원소를 함유하는 것을 조건으로 하여, 예를 들어 Ag 를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다.

금 합금으로는, 상기 서술한 산소와의 반응성이 높은 원소를 함유하는 것을 조건으로 하여, 예를 들어 Au 를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다.

백금족이란, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 백금의 총칭이다. 백금족 합금으로는, 상기 서술한 산소와의 반응성이 높은 원소를 함유하는 것을 조건으로 하여, 예를 들어 Pt, Os, Ru, Pd, Ir 및 Rh 의 원소군에서 선택되는 적어도 1 종 이상의 원소를 40 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 80 질량％ 이상 포함하거나, 혹은 99.0 질량％ 이상 포함하는 것을 사용할 수 있다.

본 발명에 있어서 사용하는 금속 기재의 형상으로는, 특별히 제한은 없지만, 최종적인 전자 부품의 형상으로 가공되어 있어도 되고, 부분적으로 프레스 가공이 된 상태에 있어도 된다. 형상 가공이 실시되어 있지 않고, 판이나 박의 형태로 있어도 된다. 형상 가공 전에 도금을 실시하는 「전 도금」 의 경우에는, 프레스 가공 후에 도금 미처리 부분이 잔존하고, 형상 가공 후에 도금을 실시하는 「후 도금」 의 경우에는 표면 전체에 대해 도금 처리할 수 있다는 점에 유의하면서, 어느 형상 가공 단계에서 표면 처리를 실시할지를, 도금해야 할 부분과의 균형을 생각해서 적절히 결정하면 된다.

[도금층]

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재는 일 실시형태에 있어서, Co 도금층, 그리고 Co, Ni 및 Mo 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종 이상의 원소를 포함하는 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택되는 도금층을 금속 기재 표면에 갖는다. Co, Ni 및 Mo 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종 이상의 원소를 포함하는 합금 도금층은, 전형적인 실시형태에 있어서, Co-Ni 합금 도금층, Co-Mo 합금 도금층, Ni-Mo 합금 도금층 및 Co-Ni-Mo 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택된다.

당해 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 500 ㎍/d㎡ 이상임으로써, 금속 기재와 땜납의 밀착 강도 및 내후성이 향상된다. 또, 도금층 중에 Co 를 함유시킴으로써 에칭성의 향상 효과도 얻어진다. 이론에 의해 본 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니지만, Ni, Co 및 Mo 는 산소와의 반응성이 낮아 산화물을 형성하기 어렵고, 또, 납땜시에 땜납을 구성하는 주성분인 Sn 과 상호 열 확산하기 쉽기 때문에, 땜납의 밀착 강도나 내후성의 향상 효과가 현저히 나타나는 것으로 추측된다.

상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량은 700 ㎍/d㎡ 이상인 것이 바람직하고, 1000 ㎍/d㎡ 이상인 것이 바람직하고, 2000 ㎍/d㎡ 이상인 것이 바람직하고, 3000 ㎍/d㎡ 이상인 것이 바람직하고, 5000 ㎍/d㎡ 이상인 것이 바람직하고, 7000 ㎍/d㎡ 이상인 것이 보다 바람직하며, 8000 ㎍/d㎡ 이상인 것이 더욱 보다 바람직하다. 한편, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량을 과도하게 증가시켜도 고비용이 될 뿐만 아니라 효과가 포화하는 경향이 있다. 또, 에칭성에도 악영향이 있다. 이 때문에, 우수한 에칭성을 확보하는 관점에서는, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량은 90000 ㎍/d㎡ 이하인 것이 바람직하고, 55000 ㎍/d㎡ 이하인 것이 보다 바람직하다.

우수한 땜납 밀착성 및 내후성에 더하여, 에칭성도 확보하는 관점에서는, Co 비율이 높은, 즉 Ni 및 Mo 의 합계 비율이 낮은 쪽이 바람직하고, 구체적으로는 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 을 80 질량％ 이하로 하는 것이 바람직하고, 60 질량％ 이하로 하는 것이 보다 바람직하며, 50 질량％ 이하로 하는 것이 더욱 보다 바람직하다. 단, Ni ＋ Mo 비율 (％) 이 지나치게 낮으면, 내후성에 악영향이 있고, 또, Co 는 고가의 금속이기 때문에, Co 의 단독 도금층으로 하면, 비용이 비교적 고가가 되어 버린다. 이 때문에, 땜납 밀착성, 내후성, 에칭성 및 경제성을 종합적으로 고려하면, 도금층 중의 Ni ＋ Mo 비율 (％) 은 0 질량％ 초과로 하는 것이 바람직하고, 1 질량％ 이상으로 하는 것이 보다 바람직하고, 2 질량％ 이상으로 하는 것이 더욱 보다 바람직하고, 10 질량％ 이상으로 하는 것이 더욱 보다 바람직하며, 20 질량％ 이상으로 하는 것이 더욱 보다 바람직하다.

이상의 해설에 기초하여 도금층 중의 각 원소의 부착량에 대해 언급하면, Co 의 부착량은 에칭성을 확보하는 관점에서 180 ㎍/d㎡ 이상이 바람직하고, 250 ㎍/d㎡ 이상이 보다 바람직하고, 360 ㎍/d㎡ 이상이 보다 바람직하고, 720 ㎍/d㎡ 이상이 보다 바람직하고, 1080 ㎍/d㎡ 이상이 보다 바람직하고, 1800 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하고, 3000 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하고, 4200 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하며, 4800 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하다. 또, Co 의 부착량은 내후성 및 경제성의 관점에서 108000 ㎍/d㎡ 이하가 바람직하고, 54000 ㎍/d㎡ 이하가 보다 바람직하며, 33000 ㎍/d㎡ 이하가 더욱 보다 바람직하다.

Ni 및 Mo 의 합계 부착량은 내후성을 확보하는 관점에서, 0 ㎍/d㎡ 초과가 바람직하고, 120 ㎍/d㎡ 이상이 보다 바람직하고, 170 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하고, 240 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하고, 480 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하고, 720 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하고, 1200 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하고, 2000 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하며, 3200 ㎍/d㎡ 이상이 더욱 보다 바람직하다. 또, Ni 및 Mo 의 합계 부착량은 에칭성의 관점에서 72000 ㎍/d㎡ 이하가 바람직하고, 36000 ㎍/d㎡ 이하가 보다 바람직하며, 22000 ㎍/d㎡ 이하가 더욱 보다 바람직하다. Ni 와 Mo 는 유사한 성질을 갖지만, Mo 쪽이 내후성이 우수한 한편으로, Mo 쪽이 에칭성을 악화시키기 쉽기 때문에, 양자는 병존시키는 것이 내후성 및 에칭성의 밸런스의 관점에서는 바람직하다. 예를 들어 도금층에 있어서의 Ni 와 Mo 의 함유 비율은 질량비로 Ni：Mo = 10：0 ∼ 0：10 으로 할 수 있고, Ni：Mo = 9：1 ∼ 1：9 가 바람직하고, Ni：Mo = 8：2 ∼ 2：8 이 보다 바람직하며, Ni：Mo = 6：4 ∼ 4：6 이 더욱 보다 바람직하다.

또한, Co 도금층, Co-Ni 합금 도금층, Co-Mo 합금 도금층, Ni-Mo 합금 도금층 및 Co-Ni-Mo 합금 도금층 및 Co-Ni 합금 도금층에는 각각 불가피적 불순물이 함유될 수 있다. 또, 기타 원소도 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 도금층 중에 함유시키는 것도 가능하다. 그 때문에, 본 발명에 있어서는, Co 도금층이라고 하는 것은 Co 가 50 질량％ 이상을 차지하는 도금층을 가리킨다. 전형적으로는 Co 도금층 중의 Co 농도는 60 질량％ 이상이고, 보다 전형적으로는 80 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 90 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 98 질량％ 이상이며, 100 질량％ 로 할 수도 있다. 본 발명에 있어서는, Co-Ni 합금 도금층이라고 하는 것은 Co 및 Ni 의 합계 농도가 50 질량％ 이상을 차지하는 도금층을 가리킨다. 전형적으로는 Co-Ni 합금 도금층 중의 Co 및 Ni 의 합계 농도는 60 질량％ 이상이고, 보다 전형적으로는 80 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 90 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 98 질량％ 이상이며, 100 질량％ 로 할 수도 있다. 본 발명에 있어서는, Co-Mo 합금 도금층이라고 하는 것은 Co 및 Mo 의 합계 농도가 50 질량％ 이상을 차지하는 도금층을 가리킨다. 전형적으로는 Co-Mo 합금 도금층 중의 Co 및 Mo 의 합계 농도는 60 질량％ 이상이고, 보다 전형적으로는 80 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 90 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 98 질량％ 이상이며, 100 질량％ 로 할 수도 있다. 본 발명에 있어서는, Ni-Mo 합금 도금층이라고 하는 것은 Ni 및 Mo 의 합계 농도가 50 질량％ 이상을 차지하는 도금층을 가리킨다. 전형적으로는 Ni-Mo 합금 도금층 중의 Ni 및 Mo 의 합계 농도는 60 질량％ 이상이고, 보다 전형적으로는 80 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 90 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 98 질량％ 이상이며, 100 질량％ 로 할 수도 있다. 또, 본 발명에 있어서는, Co-Ni-Mo 합금 도금층이라고 하는 것은 Co, Ni 및 Mo 의 합계 농도가 50 질량％ 이상을 차지하는 도금층을 가리킨다. 전형적으로는 Co-Ni-Mo 합금 도금층 중의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 농도는 60 질량％ 이상이고, 보다 전형적으로는 80 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 90 질량％ 이상이고, 더욱 보다 전형적으로는 98 질량％ 이상이며, 100 질량％ 로 할 수도 있다.

도금층 중에 함유시키는 것이 가능한 Co, Ni 및 Mo 이외의 원소로는, 상온에 있어서의 산소와의 반응성이 낮은 원소, 즉, 산화물의 엘링감 다이어그램 (예를 들어, 「사단법인 일본 철강 협회, "제 3 판 철강 편람 제 I 권 기초", 쇼와 58년, 마루젠 주식회사」 를 참조) 에 있어서의, 고체의 산화물의 표준 생성 자유 에너지 ΔG° 가 온도 300 K 에 있어서 －440 kJ/㏖ O₂ 이상인 산화물을 갖는 원소를 들 수 있다. 예시적으로는, 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 함유할 수 있다. 이 경우, 예시적으로는, 이들 원소의 도금층 중의 부착량은 합계로 0 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 로 할 수 있고, 전형적으로는 0 ∼ 1000 ㎍/d㎡ 로 할 수 있으며, 보다 전형적으로는 0 ∼ 500 ㎍/d㎡ 로 할 수 있다.

전형적으로는 상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 함유할 수 있다. 이 경우, 예시적으로는, 이들 원소의 도금층 중의 부착량은 합계로 0 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 로 할 수 있고, 전형적으로는 0 ∼ 1000 ㎍/d㎡ 로 할 수 있으며, 보다 전형적으로는 0 ∼ 500 ㎍/d㎡ 로 할 수 있다.

상기 도금층은 금속 기재의 일부 또는 전부에 형성되어 있어도 된다. 또, 금속 기재의 주표면의 일방 또는 양방의 면에 도금층을 형성해도 된다. 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 일 실시형태에 있어서는, 금속 기재를 박의 형태로서 제공하고, 금속박의 일방 또는 양방의 주표면에 상기 도금층을 형성해도 된다. 도금층은, 예를 들어 전기 도금, 무전해 도금 및 침지 도금과 같은 습식 도금 등에 의해 얻을 수 있다. 코스트의 관점에서 전기 도금이 바람직하다.

금속 기재와 상기 도금층의 사이에는, Co 도금, 또는 Co, Ni 및 Mo 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종 이상의 원소를 포함하는 합금 도금의 기능을 저해하지 않는 한, 하지층을 형성해도 된다. 하지층으로는, 한정적은 아니지만, Cu 도금층, Sn 도금층, Ni 도금층, Cu-Zn 도금층, Zn-Ni 도금층, Cu-Co-Ni 도금층, Cu-Co 도금층, Cu-Ni 도금층, Ni-W 도금층, Ni-W-Sn 도금층, Cu-As 도금층, Cu-W 도금층, Cu-W-As 도금층, 귀금속 (Au, Ag, 백금족 원소) 도금층, 크로메이트 처리층, 실란 커플링 처리층 등으로 구성한 하지층을 들 수 있다.

금속 기재와 상기 도금층의 사이에는, 조화 처리층을 형성해도 되고, 에칭, 연마 등에 의한 무광택화 가공, 평활 도금 등에 의한 광택화 가공을 실시해도 된다. 이들 가공에 의해, 마무리의 광택도를 용이하게 조정하는 것이 가능해진다. 광택도가 낮은 경우에는, 전체적으로 수수한 색미가 되어, 차분한 분위기를 자아낸다는 바람직한 효과가 있다. 또, 광택도가 높은 경우에는, 전체적으로 빛나고, 선명하고, 산뜻한 인상을 관찰자에게 준다는 바람직한 효과가 있다.

상기 도금층 상의 최표층에는, 방청 효과를 높이기 위해서, 땜납 밀착성에 악영향을 주지 않는 범위에서, 또한, 크롬층 혹은 크로메이트 처리층, 및/또는, 실란 커플링 처리층으로 구성된 방청 처리층을 형성해도 된다. 또한, 크로메이트 처리층은 통상적으로 사용되는 크로메이트 처리 조건으로 형성된 경우, 두께가 매우 얇기 때문에, 땜납 밀착성에는 악영향을 주지 않는다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 도금층측 또는 도금층과는 반대측을 수지 기판에 첩합 (貼合) 하여 실드 테이프 또는 실드재 등의 적층체를 제조할 수 있다. 또, 필요하면 또한 당해 도금 부착 금속 기재를 가공하여 회로를 형성함으로써, 프린트 배선판 등을 제조할 수 있다. 수지 기판으로는, 예를 들어, 리지드 PWB 용으로 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유포 기재 에폭시 수지, 유리포·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리포·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리포 기재 에폭시 수지 등을 사용하고, FPC 용이나 테이프용으로서 폴리에스테르 필름이나 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP), PET 필름 등을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 「프린트 배선판」 에는 부품이 장착된 프린트 배선판 및 프린트 회로판 및 프린트 기판도 포함되는 것으로 한다. 또, 본 발명의 프린트 배선판을 2 개 이상 접속하여, 프린트 배선판이 2 개 이상 접속한 프린트 배선판을 제조할 수 있고, 또, 본 발명의 프린트 배선판을 적어도 1 개와, 또 1 개의 본 발명의 프린트 배선판 또는 본 발명의 프린트 배선판에 해당하지 않는 프린트 배선판을 접속할 수 있고, 이와 같은 프린트 배선판을 이용하여 전자·전기 기기를 제조할 수도 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 「구리 회로」 에는 구리 배선도 포함되는 것으로 한다.

또, 본 발명의 도금 부착 금속 기재는 방열판, 구조판, 실드재, 실드판, 보강재, 커버, 케이싱, 케이스, 박스 등에 사용하여, 방열판 등의 금속 가공 부재를 제조할 수 있다. 즉, 도금 부착 금속 기재는 방열판, 구조판, 실드재, 실드판, 보강재, 커버, 케이싱, 케이스, 박스를 포함하는 개념이다. 또, 본 발명의 도금 부착 금속 기재를 당해 방열판, 구조판, 실드재, 실드판, 보강재, 커버, 케이싱, 케이스, 상자 등에 사용하여 제조한 금속 가공 부재를 전자·전기 기기에 사용할 수 있다.

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재는 이상과 같은 용도에 있어서, 에칭에 의해 도금 부착 금속 기재에 형상 가공을 실시하고, 형상 가공물을 도금층을 갖는 지점에 있어서 납땜에 의해 도전성 부재와 접합하는 공정을 실시하는 경우에 특히 적합하게 사용할 수 있다. 따라서, 본 발명은 일 측면에 있어서, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재 또는 캐리어 부착 금속박과 땜납의 접합체를 제공한다. 본 발명에 관련된 접합체의 일 실시형태에 있어서는, 땜납과 금속 기재 또는 캐리어 부착 금속박의 접합 계면에는 Sn-Co 를 포함하는 열 확산층이 존재한다. 열 확산층은, 금속 기재 표면의 도금층 중에 포함되는 Co 와 땜납 중에 포함되는 Sn 이 납땜시의 열에 의해 상호 확산함으로써 형성될 수 있다. 이론에 의해 본 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니지만, 이 열 확산층에 의해, 땜납의 밀착성이 향상되는 것으로 생각된다.

[캐리어 부착 금속박]

본 발명의 다른 실시형태인 캐리어 부착 금속박은, 캐리어의 일방의 면 또는 양방의 면에, 중간층, 극박 금속층을 이 순서로 갖는다. 그리고, 상기 극박 금속층으로서 전술한 도금 부착 금속 기재를 사용할 수 있다. 이 경우, 후의 회로 형성으로 에칭되고, 나아가서는 납땜되는 것을 고려하여, 도금층은 금속 기재의 적어도 납땜되는 표면에 형성하는 것이 바람직하다. 납땜되는 표면은 회로 형성 프로세스에 의해 변동될 수 있다. 납땜되는 표면은 극박 금속층의 중간층과 대향하는 표면측이 될 수 있고, 극박 금속층의 중간층과 대향하는 표면과 반대측의 표면으로도 될 수 있으며, 이들 양 표면으로도 될 수 있다.

＜캐리어＞

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어는 전형적으로는 금속박 또는 수지 필름이며, 예를 들어 동박, 구리 합금박, 니켈박, 니켈 합금박, 철박, 철 합금박, 스테인리스박, 알루미늄박, 알루미늄 합금박, 절연 수지 필름 (예를 들어, 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 필름, 폴리아미드 필름, 폴리에스테르 필름, 불소 수지 필름 등) 의 형태로 제공된다.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어로는 동박을 사용하는 것이 바람직하다. 동박은 전기 전도도가 높기 때문에, 그 후의 중간층, 극박 금속층의 형성이 용이해지기 때문이다. 캐리어는 전형적으로는 압연 동박이나 전해 동박의 형태로 제공된다. 일반적으로는, 전해 동박은 황산구리 도금욕으로부터 티탄이나 스테인리스의 드럼 상에 구리를 전해 석출하여 제조되고, 압연 동박은 압연 롤에 의한 소성 가공과 열 처리를 반복해서 제조된다. 동박의 재료로는 터프 피치 구리나 무산소 구리와 같은 고순도의 구리 외에, 예를 들어 Sn 함유 구리, Ag 함유 구리, Cr, Zr 또는 Mg 등을 첨가한 구리 합금, Ni 및 Si 등을 첨가한 코르손계 구리 합금과 같은 구리 합금도 사용 가능하다.

본 발명에 사용할 수 있는 캐리어의 두께에 대해서도 특별히 제한은 없지만, 캐리어로서의 역할을 하는 데에 있어서 적합한 두께로 적절히 조절하면 되며, 예를 들어 5 ㎛ 이상으로 할 수 있다. 단, 지나치게 두꺼우면, 생산 코스트가 높아지기 때문에 일반적으로는 35 ㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 따라서, 캐리어의 두께는 전형적으로는 12 ∼ 70 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 18 ∼ 35 ㎛ 이다.

또, 캐리어는 이하의 방법으로 제조된 전해 동박을 사용할 수 있다.

＜전해액 조성＞

구리：90 ∼ 110 g/ℓ

황산：90 ∼ 110 g/ℓ

염소：50 ∼ 100 ppm

레벨링제 1 (비스(3술포프로필)디술파이드)：10 ∼ 30 ppm

레벨링제 2 (아민 화합물)：10 ∼ 30 ppm

상기 아민 화합물에는 이하의 화학식의 아민 화합물을 사용할 수 있다.

[화학식 1]

(상기 화학식 중, R₁ 및 R₂ 는 하이드록시알킬기, 에테르기, 아릴기, 방향족 치환 알킬기, 불포화 탄화수소기, 알킬기로 이루어지는 1 군에서 선택되는 것이다.)

＜제조 조건＞

전류 밀도：70 ∼ 100 A/d㎡

전해액 온도：50 ∼ 60 ℃

전해액 선속：3 ∼ 5 m/sec

전해 시간：0.5 ∼ 10 분간 (석출시키는 구리 두께, 전류 밀도에 의해 조정)

또한, 캐리어의 극박 금속층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성해도 된다. 당해 조화 처리층을 공지된 방법을 이용하여 형성해도 되고, 상기 서술한 조화 처리에 의해 형성해도 된다. 캐리어의 극박 금속층을 형성하는 측의 표면과는 반대측의 표면에 조화 처리층을 형성하는 것은, 캐리어를 당해 조화 처리층을 갖는 표면측으로부터 수지 기판 등의 지지체에 적층할 때, 캐리어와 수지 기판이 잘 박리되지 않게 된다는 이점을 갖는다.

＜중간층＞

캐리어 상에는 중간층을 형성한다. 캐리어와 중간층의 사이에 다른 층을 형성해도 된다. 본 발명에서 사용하는 중간층은, 캐리어 부착 금속박이 절연 기판으로의 적층 공정 전에는 캐리어로부터 극박 금속층이 잘 박리되지 않는 한편으로, 절연 기판으로의 적층 공정 후에는 캐리어로부터 극박 금속층이 박리 가능해지는 구성이면 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명의 캐리어 부착 금속박의 중간층은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn, 이들의 합금, 이들의 수화물, 이들의 산화물, 유기물로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 포함해도 된다. 또, 중간층은 복수의 층이어도 된다.

또, 예를 들어, 중간층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층을 형성하고, 그 위에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소의 수화물 또는 산화물, 혹은 유기물로 이루어지는 층을 형성함으로써 구성할 수 있다.

또, 예를 들어, 중간층은 캐리어측으로부터 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층을 형성하고, 그 위에 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종의 원소로 이루어지는 단일 금속층, 혹은 Cr, Ni, Co, Fe, Mo, Ti, W, P, Cu, Al, Zn 으로 구성된 원소군에서 선택된 1 종 또는 2 종 이상의 원소로 이루어지는 합금층을 형성함으로써 구성할 수 있다.

또, 중간층은 상기 유기물로서 공지된 유기물을 사용할 수 있으며, 또, 질소 함유 유기 화합물, 황 함유 유기 화합물 및 카르복실산 중 어느 1 종 또는 2 종 이상을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 구체적인 질소 함유 유기 화합물로는, 치환기를 갖는 트리아졸 화합물인 1,2,3-벤조트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, N',N'-비스(벤조트리아졸릴메틸)우레아, 1H-1,2,4-트리아졸 및 3-아미노-1H-1,2,4-트리아졸 등을 사용하는 것이 바람직하다.

황 함유 유기 화합물에는, 메르캅토벤조티아졸, 2-메르캅토벤조티아졸나트륨, 티오시아눌산 및 2-벤즈이미다졸티올 등을 사용하는 것이 바람직하다.

카르복실산으로는, 특히 모노카르복실산을 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 올레산, 리놀산 및 리놀렌산 등을 사용하는 것이 바람직하다.

또, 예를 들어, 중간층은, 캐리어 상에, 니켈층, 니켈-인 합금층 또는 니켈-코발트 합금층과, 크롬 함유층이 이 순서로 적층되어 구성할 수 있다. 니켈과 구리의 접착력은 크롬과 구리의 접착력보다 높기 때문에, 극박 금속층을 박리할 때에, 극박 금속층과 크롬 함유층의 계면에서 박리되게 된다. 또, 중간층의 니켈에는 캐리어로부터 구리 성분이 극박 금속층으로 확산해 가는 것을 방지하는 배리어 효과가 기대된다. 중간층에 있어서의 니켈의 부착량은 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 40000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 4000 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 2500 ㎍/d㎡ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎍/d㎡ 이상 1000 ㎍/d㎡ 미만이고, 중간층에 있어서의 크롬의 부착량은 5 ㎍/d㎡ 이상 100 ㎍/d㎡ 이하인 것이 바람직하다. 중간층을 편면에만 형성하는 경우, 캐리어의 반대면에는 Ni 도금층 등의 방청층을 형성하는 것이 바람직하다. 상기 중간층의 크롬층은 크롬 도금이나 크로메이트 처리에 의해 형성할 수 있다.

중간층의 두께가 지나치게 커지면, 중간층을 형성하기 위한 코스트가 증가하는 경우가 있기 때문에, 중간층의 두께는 1 ∼ 1000 ㎚ 인 것이 바람직하고, 1 ∼ 500 ㎚ 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 200 ㎚ 인 것이 바람직하고, 2 ∼ 100 ㎚ 인 것이 바람직하며, 3 ∼ 60 ㎚ 인 것이 보다 바람직하다. 또한, 중간층은 캐리어의 양면에 형성해도 된다.

＜극박 금속층＞

중간층 상에는 극박 금속층, 즉 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재를 형성할 수 있다. 중간층과 극박 금속층의 사이에는 다른 층을 형성해도 된다. 극박 금속층의 두께는 특별히 제한은 없지만, 일반적으로는 캐리어보다 얇으며, 예를 들어 35 ㎛ 이하이고, 또 예를 들어 12 ㎛ 이하이다. 전형적으로는 0.5 ∼ 12 ㎛ 이며, 보다 전형적으로는 1.5 ∼ 5 ㎛ 이다. 또, 중간층 상에 극박 금속층을 형성하기 전에, 극박 금속층의 핀홀을 저감시키기 위해서 구리-인 합금 등에 의한 스트라이크 도금을 실시해도 된다. 스트라이크 도금에는 피롤린산구리 도금액 등을 들 수 있다. 또한, 극박 금속층은 캐리어의 양면에 형성해도 된다. 극박 금속층은 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 철, 철 합금, 니켈 합금, 금 합금, 은 합금, 백금족 합금, 크롬, 크롬 합금, 마그네슘, 마그네슘 합금, 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴 합금, 납 합금, 탄탈, 탄탈 합금, 주석, 주석 합금, 인듐, 인듐 합금, 아연, 또는, 아연 합금 등의 금속을 포함하거나, 또는, 당해 금속으로 이루어지는 극박 금속층이어도 되고, 또한 공지된 금속 재료도 극박 금속층으로서 사용할 수 있다. 또, JIS 규격이나 CDA 등으로 규격되어 있는 금속 재료도 극박 금속층으로서 사용할 수 있다. 또한, 극박 금속층으로서 극박 구리 합금층을 사용하는 것이 바람직하다. 극박 구리 합금층은 도전율이 높고, 회로 등의 용도에 적합하기 때문이다.

또, 본 발명의 극박 금속층은 하기의 조건으로 전착 금속층을 형성한 후에, 그 위에 상기 서술한 도금층을 형성함으로써 제조해도 되고, 중간층 상에 상기 서술한 도금층을 형성하여 그 위에 하기의 조건으로 전착 금속층을 형성함으로써 제조해도 된다.

·전해액 조성

구리 농도：80 ∼ 130 g/ℓ

Ti, Si, Mg, P, Sn, Zn, Cr, W, Zr, V, Na, Ca, Ba, Cs, Mn, K, Ga, B, Nb, Ce, Be, Nd, Sc, Hf, Ho, Lu, Yb, Dy, Er, Pr, Y, Li, Gd, Pu, In, Fe, La, Th, Ta, U, Sm, Tb, Sr, Tm 및 Al 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소의 각 원소 농도：0.001 ∼ 30 g/ℓ

황산 농도：80 ∼ 120 g/ℓ

염화물 이온 농도：30 ∼ 100 ppm

또, 필요에 따라 레벨링제나 광택제 등을 사용해도 된다.

·제조 조건

전류 밀도：70 ∼ 100 A/d㎡

전해액 온도：50 ∼ 80 ℃

전해액 선속：1.5 ∼ 5 m/sec

전해 시간：0.5 ∼ 10 분간 (석출시키는 두께, 전류 밀도에 의해 조정)

[도금층 상의 수지층]

본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재의 도금층 표면에 수지층을 구비해도 된다. 상기 수지층은 절연 수지층이어도 된다. 또한 본 발명의 도금 부착 금속 기재에 있어서 「도금층 표면」 이란, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위한 표면 처리를 도금층 상에 실시한 경우에는, 당해 표면 처리를 실시한 후의 도금 부착 금속 기재의 표면을 말한다. 또, 도금 부착 금속 기재가 캐리어 부착 금속박의 극박 금속층인 경우에는, 「도금층 표면」 이란, 조화 처리층, 내열층, 방청층, 내후성층 등을 형성하기 위한 표면 처리를 실시한 경우에는, 당해 표면 처리를 실시한 후의 극박 금속층의 표면을 말한다. 또한, 상기 수지층에는 광 투과성을 갖는 수지를 사용하는 것이 바람직하고, 광 투과성이 높은 수지를 사용하는 것이 보다 바람직하며, 투명한 수지를 사용하는 것이 보다 바람직하다.

상기 수지층은 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 접촉해도 점착감은 없어, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있고, 또한 가열 처리를 받으면, 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.

상기 수지층은 접착용 수지, 즉 접착제여도 되고, 접착용의 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 의 절연 수지층이어도 된다. 반경화 상태 (B 스테이지 상태) 란, 그 표면에 손가락으로 접촉해도 점착감은 없어, 그 절연 수지층을 중첩하여 보관할 수 있고, 또한 가열 처리를 받으면, 경화 반응이 일어나는 상태를 포함한다.

또 상기 수지층은 열경화성 수지를 포함해도 되고, 열가소성 수지여도 된다. 또, 상기 수지층은 열가소성 수지를 포함해도 된다. 상기 수지층은 공지된 수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등을 포함해도 된다. 또, 상기 수지층은 예를 들어 국제 공개번호 WO2008/004399호, 국제 공개번호 WO2008/053878, 국제 공개번호 WO2009/084533, 일본 공개특허공보 평11-5828호, 일본 공개특허공보 평11-140281호, 일본 특허공보 제3184485호, 국제 공개번호 WO97/02728, 일본 특허공보 제3676375호, 일본 공개특허공보 2000-43188호, 일본 특허공보 제3612594호, 일본 공개특허공보 2002-179772호, 일본 공개특허공보 2002-359444호, 일본 공개특허공보 2003-304068호, 일본 특허공보 제3992225, 일본 공개특허공보 2003-249739호, 일본 특허공보 제4136509호, 일본 공개특허공보 2004-82687호, 일본 특허공보 제4025177호, 일본 공개특허공보 2004-349654호, 일본 특허공보 제4286060호, 일본 공개특허공보 2005-262506호, 일본 특허공보 제4570070호, 일본 공개특허공보 2005-53218호, 일본 특허공보 제3949676호, 일본 특허공보 제4178415호, 국제 공개번호 WO2004/005588, 일본 공개특허공보 2006-257153호, 일본 공개특허공보 2007-326923호, 일본 공개특허공보 2008-111169호, 일본 특허공보 제5024930호, 국제 공개번호 WO2006/028207, 일본 특허공보 제4828427호, 일본 공개특허공보 2009-67029호, 국제 공개번호 WO2006/134868, 일본 특허공보 제5046927호, 일본 공개특허공보 2009-173017호, 국제 공개번호 WO2007/105635, 일본 특허공보 제5180815호, 국제 공개번호 WO2008/114858, 국제 공개번호 WO2009/008471, 일본 공개특허공보 2011-14727호, 국제 공개번호 WO2009/001850, 국제 공개번호 WO2009/145179, 국제 공개번호 WO2011/068157, 일본 공개특허공보 2013-19056호에 기재되어 있는 물질 (수지, 수지 경화제, 화합물, 경화 촉진제, 유전체, 반응 촉매, 가교제, 폴리머, 프리프레그, 골격재 등) 및/또는 수지층의 형성 방법, 형성 장치를 이용하여 형성해도 된다.

또, 상기 수지층은, 그 종류는 각별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 다관능성 시안산에스테르 화합물, 말레이미드 화합물, 폴리말레이미드 화합물, 말레이미드계 수지, 방향족 말레이미드 수지, 폴리비닐아세탈 수지, 우레탄 수지, 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르설폰이라고도 한다), 폴리에테르술폰 (폴리에테르설폰, 폴리에테르설폰이라고도 한다) 수지, 방향족 폴리아미드 수지, 방향족 폴리아미드 수지 폴리머, 고무성 수지, 폴리아민, 방향족 폴리아민, 폴리아미드이미드 수지, 고무 변성 에폭시 수지, 페녹시 수지, 카르복실기 변성 아크릴로니트릴-부타디엔 수지, 폴리페닐렌옥사이드, 비스말레이미드트리아진 수지, 열경화성 폴리페닐렌옥사이드 수지, 시아네이트에스테르계 수지, 카르복실산의 무수물, 다가 카르복실산의 무수물, 가교 가능한 관능기를 갖는 선상 폴리머, 폴리페닐렌에테르 수지, 2,2-비스(4-시아나토페닐)프로판, 인 함유 페놀 화합물, 나프텐산망간, 2,2-비스(4-글리시딜페닐)프로판, 폴리페닐렌에테르시아네이트계 수지, 실록산 변성 폴리아미드이미드 수지, 시아노에스테르 수지, 포스파젠계 수지, 고무 변성 폴리아미드이미드 수지, 이소프렌, 수소 첨가형 폴리부타디엔, 폴리비닐부티랄, 페녹시, 고분자 에폭시, 방향족 폴리아미드, 불소 수지, 비스페놀, 블록 공중합 폴리이미드 수지 및 시아노에스테르 수지의 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 포함하는 수지를 적합한 것으로서 들 수 있다.

또 상기 에폭시 수지는, 분자 내에 2 개 이상의 에폭시기를 갖는 것으로서, 전기·전자 재료 용도에 사용할 수 있는 것이면, 특별히 문제없이 사용할 수 있다. 또, 상기 에폭시 수지는 분자 내에 2 개 이상의 글리시딜기를 갖는 화합물을 사용하여 에폭시화한 에폭시 수지가 바람직하다. 또, 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 비스페놀 F 형 에폭시 수지, 비스페놀 S 형 에폭시 수지, 비스페놀 AD 형 에폭시 수지, 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 브롬화 (취소화) 에폭시 수지, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 나프탈렌형 에폭시 수지, 취소화 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 오르토크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 고무 변성 비스페놀 A 형 에폭시 수지, 글리시딜아민형 에폭시 수지, 트리글리시딜이소시아누레이트, N,N-디글리시딜아닐린 등의 글리시딜아민 화합물, 테트라하이드로프탈산디글리시딜에스테르 등의 글리시딜에스테르 화합물, 인 함유 에폭시 수지, 비페닐형 에폭시 수지, 비페닐 노볼락형 에폭시 수지, 트리스하이드록시페닐메탄형 에폭시 수지, 테트라페닐에탄형 에폭시 수지의 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 또는 상기 에폭시 수지의 수소 첨가체나 할로겐화체를 사용할 수 있다.

상기 인 함유 에폭시 수지로서 공지된 인을 함유하는 에폭시 수지를 사용할 수 있다. 또, 상기 인 함유 에폭시 수지는 예를 들어, 분자 내에 2 이상의 에폭시기를 구비하는 9,10-디하이드로-9-옥사-10-포스파페난트렌-10-옥사이드로부터의 유도체로서 얻어지는 에폭시 수지인 것이 바람직하다.

(수지층이 유전체 (유전체 필러) 를 포함하는 경우)

상기 수지층은 유전체 (유전체 필러) 를 포함해도 된다.

상기 어느 수지층 또는 수지 조성물에 유전체 (유전체 필러) 를 포함시키는 경우에는, 캐패시터층을 형성하는 용도에 사용하여, 캐패시터 회로의 전기 용량을 증대시킬 수 있는 것이다. 이 유전체 (유전체 필러) 에는, BaTiO3, SrTiO3, Pb(Zr-Ti)O3 (통칭 PZT), PbLaTiO3·PbLaZrO (통칭 PLZT), SrBi2Ta2O9 (통칭 SBT) 등의 페브로스카이트 구조를 갖는 복합 산화물의 유전체 분말을 사용한다.

유전체 (유전체 필러) 는 분말상이어도 된다. 유전체 (유전체 필러) 가 분말상인 경우, 이 유전체 (유전체 필러) 의 분체 특성은, 입경이 0.01 ㎛ ∼ 3.0 ㎛, 바람직하게는 0.02 ㎛ ∼ 2.0 ㎛ 범위의 것인 것이 바람직하다. 또한, 유전체를 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 사진 촬영하고, 당해 사진 상의 유전체의 입자 상에 직선을 그었을 경우에, 유전체의 입자를 가로지르는 직선의 길이가 가장 긴 부분의 유전체의 입자의 길이를 그 유전체의 입자의 직경으로 한다. 그리고, 측정 시야에 있어서의 유전체의 입자의 직경의 평균값을 유전체의 입경으로 한다.

전술한 수지층에 포함되는 수지 및/또는 수지 조성물 및/또는 화합물을 예를 들어 메틸에틸케톤 (MEK), 시클로펜타논, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 톨루엔, 메탄올, 에탄올, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드, 시클로헥사논, 에틸셀로솔브, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드 등의 용제에 용해하여 수지액 (수지 바니시) 으로 하고, 이것을 상기 도금 부착 금속 기재의 조화 처리 표면 상에, 예를 들어 롤 코터법 등에 의해 도포하고, 이어서 필요에 따라 가열 건조시켜 용제를 제거하여 B 스테이지 상태로 한다. 건조에는 예를 들어 열풍 건조로를 사용하면 되고, 건조 온도는 100 ∼ 250 ℃, 바람직하게는 130 ∼ 200 ℃ 이면 된다. 상기 수지층의 조성물을, 용제를 사용하여 용해하고, 수지 고형분 3 wt％ ∼ 70 wt％, 바람직하게는, 3 wt％ ∼ 60 wt％, 바람직하게는 10 wt％ ∼ 40 wt％, 보다 바람직하게는 25 wt％ ∼ 40 wt％ 의 수지액으로 해도 된다. 또한, 메틸에틸케톤과 시클로펜타논의 혼합 용제를 사용하여 용해하는 것이, 환경적인 견지에서 현단계에서는 가장 바람직하다. 또한, 용제에는 비점이 50 ℃ ∼ 200 ℃ 의 범위인 용제를 사용하는 것이 바람직하다.

또, 상기 수지층은 MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여 측정했을 때의 레진 플로우가 5 ％ ∼ 35 ％ 의 범위에 있는 반경화 수지막인 것이 바람직하다.

본건 명세서에 있어서, 레진 플로우란, MIL 규격에 있어서의 MIL-P-13949G 에 준거하여, 두께 55 ㎛ 의 수지층을 구비한 도금 부착 금속 기재로부터 가로세로 10 ㎝ 시료를 4 매 샘플링하고, 이 4 매의 시료를 겹친 상태 (적층체) 로 프레스 온도 171 ℃, 프레스압 14 kgf/㎠, 프레스 시간 10 분의 조건으로 접합하고, 그 때의 수지 유출 중량을 측정한 결과로부터 수학식 1 에 기초하여 산출한 값이다.

상기 수지층을 구비한 도금 부착 금속 기재는, 그 수지층을 기재에 중첩한 후 전체를 열 압착하여 그 수지층을 열 경화시키고, 이어서 도금 부착 금속 기재가 캐리어 부착 금속박의 극박 금속층인 경우에는 캐리어를 박리하여 극박 금속층을 표출시키고 (당연히 표출하는 것은 그 극박 금속층의 중간층측의 표면이다), 도금 부착 금속 기재의 조화 처리되어 있는 측과는 반대측의 표면으로부터 소정의 배선 패턴을 형성한다는 양태로 사용된다.

이 수지층을 구비한 도금 부착 금속 기재를 사용하면, 다층 프린트 배선 기판의 제조시에 있어서의 프리프레그재의 사용 매수를 줄일 수 있다. 게다가, 수지층의 두께를 층간 절연을 확보할 수 있는 두께로 하거나, 프리프레그재를 전혀 사용하고 있지 않아도 금속 피복 적층판을 제조할 수 있다. 또 이 때, 기재의 표면에 절연 수지를 언더코트하여 표면의 평활성을 더욱 개선할 수도 있다.

또한, 프리프레그재를 사용하지 않는 경우에는, 프리프레그재의 재료 코스트가 절약되고, 또 적층 공정도 간략해지므로 경제적으로 유리해지고, 게다가, 프리프레그재의 두께분만큼 제조되는 다층 프린트 배선 기판의 두께는 얇아져, 1 층의 두께가 100 ㎛ 이하인 극박의 다층 프린트 배선 기판을 제조할 수 있다는 이점이 있다.

이 수지층의 두께는 0.1 ∼ 120 ㎛ 인 것이 바람직하다.

수지층의 두께가 0.1 ㎛ 보다 얇아지면, 접착력이 저하되고, 프리프레그재를 개재시키지 않고 이 수지층을 구비한 도금 부착 금속 기재를 내층재를 구비한 기재에 적층했을 때에, 내층재의 회로와의 사이의 층간 절연을 확보하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 한편, 수지층의 두께를 120 ㎛ 보다 두껍게 하면, 1 회의 도포 공정으로 목적 두께의 수지층을 형성하는 것이 곤란해지고, 여분의 재료비와 공수가 들기 때문에 경제적으로 불리해지는 경우가 있다.

또한, 수지층을 구비한 도금 부착 금속 기재가 극박의 다층 프린트 배선판을 제조하는 것에 사용되는 경우에는, 상기 수지층의 두께를 0.1 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 ㎛ ∼ 5 ㎛, 보다 바람직하게는 1 ㎛ ∼ 5 ㎛ 로 하는 것이, 다층 프린트 배선판의 두께를 작게 하기 위해서 바람직하다.

이하에, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박을 사용한 프린트 배선판의 제조 공정의 예를 몇 가지 나타낸다.

본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 극박 금속층측이 절연 기판과 대향하도록 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 금속 피복 적층판을 형성하고, 그 후, 세미 애디티브법, 모디파이드 세미애디티브법, 파틀리 애디티브법 및 서브트랙티브법 중 어느 방법에 의해 회로를 형성하는 공정을 포함한다. 절연 기판은 내층 회로가 삽입된 것으로 하는 것도 가능하다.

본 발명에 있어서, 세미 애디티브법이란, 절연 기판 또는 금속박 시드층 상에 얇은 무전해 도금을 실시하고, 패턴을 형성 후, 전기 도금 및 에칭을 이용하여 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.

따라서, 세미 애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정, 상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 금속층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정,

상기 극박 금속층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 수지 및 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전기 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

세미 애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정, 상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 금속층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 모두 제거하는 공정, 상기 극박 금속층을 에칭에 의해 제거함으로써 노출된 상기 수지의 표면에 대해서 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전기 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 금속층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

본 발명에 있어서, 모디파이드 세미애디티브법이란, 절연층 상에 금속박을 적층하고, 도금 레지스트에 의해 비회로 형성부를 보호하고, 전기 도금에 의해 회로 형성부의 구리 두께 형성을 실시한 후, 레지스트를 제거하고, 상기 회로 형성부 이외의 금속박을 (플래시) 에칭으로 제거함으로써, 절연층 상에 회로를 형성하는 방법을 가리킨다.

따라서, 모디파이드 세미애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정, 상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 금속층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전 도금층을 형성하는 공정, 상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 금속층 표면에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 형성한 후에, 전기 도금에 의해 회로를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거함으로써 노출된 극박 금속층을 플래시 에칭에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

또, 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 상기 수지층 상에 다른 캐리어 부착 금속박을 극박 금속층측으로부터 첩합하고, 상기 수지층에 첩합한 캐리어 부착 금속박을 사용하여 상기 회로를 형성하는 공정이어도 된다. 또, 상기 수지층 상에 첩합하는 다른 캐리어 부착 금속박이, 본 발명의 캐리어 부착 금속박이어도 된다. 또, 상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정이, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시되어도 된다. 또, 상기 표면에 회로를 형성하는 캐리어 부착 금속박이, 당해 캐리어 부착 금속박의 캐리어의 표면에 기판 또는 수지층을 가져도 된다.

모디파이드 세미애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정, 상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 금속층 상에 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트에 대해 노광하고, 그 후, 회로가 형성되는 영역의 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 도금 레지스트가 제거된 상기 회로가 형성되는 영역에, 전기 도금층을 형성하는 공정, 상기 도금 레지스트를 제거하는 공정, 상기 회로가 형성되는 영역 이외의 영역에 있는 무전해 도금층 및 극박 금속층을 플래시 에칭 등에 의해 제거하는 공정을 포함한다.

본 발명에 있어서, 파틀리 애디티브법이란, 도체층을 형성하여 이루어지는 기판, 필요에 따라 스루홀이나 비아홀용의 구멍을 뚫어 이루어지는 기판 상에 촉매 핵을 부여하고, 에칭하여 도체 회로를 형성하고, 필요에 따라 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성한 후에, 상기 도체 회로 상, 스루홀이나 비아홀 등에 무전해 도금 처리에 의해 두께 형성을 실시함으로써, 프린트 배선판을 제조하는 방법을 가리킨다.

따라서, 파틀리 애디티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정, 상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 금속층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 촉매 핵을 부여하는 공정, 상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 금속층 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 금속층 및 상기 촉매 핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정, 상기 극박 금속층 및 상기 촉매 핵을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여 노출된 상기 절연 기판 표면에, 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트를 형성하는 공정, 상기 솔더 레지스트 또는 도금 레지스트가 형성되어 있지 않은 영역에 무전해 도금층을 형성하는 공정을 포함한다.

본 발명에 있어서, 서브트랙티브법이란, 구리 피복 적층판 상의 동박의 불필요 부분을 에칭 등에 의해 선택적으로 제거하여, 도체 패턴을 형성하는 방법을 가리킨다.

따라서, 서브트랙티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정, 상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 금속층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층의 표면에, 전기 도금층을 형성하는 공정, 상기 전기 도금층 또는/및 상기 극박 금속층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 금속층 및 상기 무전해 도금층 및 상기 전기 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.

서브트랙티브법을 이용한 본 발명에 관련된 프린트 배선판의 제조 방법의 다른 일 실시형태에 있어서는, 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정, 상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정, 상기 캐리어를 박리하여 노출된 극박 금속층과 절연 기판에 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 디스미어 처리를 실시하는 공정, 상기 스루홀 또는/및 블라인드 비아를 포함하는 영역에 대해 무전해 도금층을 형성하는 공정, 상기 무전해 도금층의 표면에 마스크를 형성하는 공정, 마스크가 형성되지 않는 상기 무전해 도금층의 표면에 전기 도금층을 형성하는 공정, 상기 전기 도금층 또는/및 상기 극박 금속층의 표면에 에칭 레지스트를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트에 대해 노광하고, 회로 패턴을 형성하는 공정, 상기 극박 금속층 및 상기 무전해 도금층을 산 등의 부식 용액을 사용한 에칭이나 플라즈마 등의 방법에 의해 제거하여, 회로를 형성하는 공정, 상기 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 포함한다.

스루홀 또는/및 블라인드 비아를 형성하는 공정, 및 그 후의 디스미어 공정은 실시하지 않아도 된다.

여기서, 본 발명의 캐리어 부착 금속박을 사용한 프린트 배선판의 제조 방법의 구체예를 상세하게 설명한다. 또한, 여기서는 조화 처리층이 형성된 극박 금속층을 갖는 캐리어 부착 금속박을 예로 설명하지만, 이것에 한정되지 않고, 조화 처리층이 형성되어 있지 않은 극박 금속층을 갖는 캐리어 부착 금속박을 사용해도 마찬가지로 하기의 프린트 배선판의 제조 방법을 실시할 수 있다.

먼저, 표면에 조화 처리층이 형성된 극박 금속층을 갖는 캐리어 부착 금속박 (1 층째) 을 준비한다.

다음으로, 극박 금속층의 조화 처리층 상에 레지스트를 도포하고, 노광·현상을 실시하여, 레지스트를 소정의 형상으로 에칭한다.

다음으로, 회로용의 도금을 형성한 후, 레지스트를 제거함으로써, 소정 형상의 회로 도금을 형성한다.

다음으로, 회로 도금을 덮도록 (회로 도금이 매몰되도록) 극박 금속층 상에 매립 수지를 형성하여 수지층을 적층하고, 계속해서 다른 캐리어 부착 금속박 (2 층째) 을 극박 금속층측으로부터 접착시킨다.

다음으로, 2 층째의 캐리어 부착 금속박으로부터 캐리어를 박리한다.

다음으로, 수지층의 소정 위치에 레이저 구멍 형성을 실시하고, 회로 도금을 노출시켜 블라인드 비아를 형성한다.

다음으로, 블라인드 비아에 구리를 매립하여 비아 필을 형성한다.

다음으로, 비아 필 상에, 상기와 같이 하여 회로 도금을 형성한다.

다음으로, 1 층째의 캐리어 부착 금속박으로부터 캐리어를 박리한다.

다음으로, 플래시 에칭에 의해 양 표면의 극박 금속층을 제거하고, 수지층 내의 회로 도금의 표면을 노출시킨다.

다음으로, 수지층 내의 회로 도금 상에 범프를 형성하고, 당해 땜납 상에 구리 필러를 형성한다. 이와 같이 하여 본 발명의 캐리어 부착 금속박을 사용한 프린트 배선판을 제조한다.

상기 다른 캐리어 부착 금속박 (2 층째) 은, 본 발명의 캐리어 부착 금속박을 사용해도 되고, 종래의 캐리어 부착 금속박을 사용해도 되며, 또한 통상적인 동박을 사용해도 된다. 또, 상기 2 층째의 회로 상에, 추가로 회로를 1 층 혹은 복수 층 형성해도 되고, 그들 회로 형성을 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 방법에 의해 실시해도 된다.

또한, 매립 수지 (레진) 에는 공지된 수지, 프리프레그를 사용할 수 있다. 예를 들어, BT (비스말레이미드트리아진) 레진이나 BT 레진을 함침시킨 유리포인 프리프레그, 아지노모토 파인 테크노 주식회사 제조 ABF 필름이나 ABF 를 사용할 수 있다. 또, 상기 매립 수지 (레진) 에는 본 명세서에 기재된 수지층 및/또는 수지 및/또는 프리프레그를 사용할 수 있다.

또, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 금속박은, 당해 캐리어 부착 금속박의 표면에 기판 또는 수지층을 가져도 된다. 당해 기판 또는 수지층을 가짐으로써 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 금속박은 지지되어, 주름이 생기기 어려워지기 때문에, 생산성이 향상된다는 이점이 있다. 또한, 상기 기판 또는 수지층에는, 상기 1 층째에 사용되는 캐리어 부착 금속박을 지지하는 효과가 있는 것이면, 모든 기판 또는 수지층을 사용할 수 있다. 예를 들어 상기 기판 또는 수지층으로서 본원 명세서에 기재된 캐리어, 프리프레그, 수지층이나 공지된 캐리어, 프리프레그, 수지층, 금속판, 금속박, 무기 화합물의 판, 무기 화합물의 박, 유기 화합물의 판, 유기 화합물의 박을 사용할 수 있다.

본 발명의 도금 부착 금속 기재를 도금층측으로부터 수지 기판에 첩합하여 적층체를 제조할 수 있다. 수지 기판은 프린트 배선판 등에 적용 가능한 특성을 갖는 것이면 특별히 제한을 받지 않지만, 예를 들어, 리지드 PWB 용으로 종이 기재 페놀 수지, 종이 기재 에폭시 수지, 합성 섬유포 기재 에폭시 수지, 불소 수지 함침 크로스, 유리포·종이 복합 기재 에폭시 수지, 유리포·유리 부직포 복합 기재 에폭시 수지 및 유리포 기재 에폭시 수지 등을 사용하고, 플렉시블 프린트 기판 (FPC) 용으로 폴리에스테르 필름이나 폴리이미드 필름, 액정 폴리머 (LCP) 필름, 불소 수지 및 불소 수지·폴리이미드 복합재 등을 사용할 수 있다. 또한, 액정 폴리머 (LCP) 는 유전 손실이 작기 때문에, 고주파 회로 용도의 프린트 배선판에는 액정 폴리머 (LCP) 필름을 사용하는 것이 바람직하다.

첩합 방법은, 리지드 PWB 용의 경우, 유리포 등의 기재에 수지를 함침시키고, 수지를 반경화 상태까지 경화시킨 프리프레그를 준비한다. 동박을 프리프레그에 겹쳐 가열 가압시킴으로써 실시할 수 있다. FPC 의 경우, 액정 폴리머나 폴리이미드 필름 등의 기재에 접착제를 개재하여, 또는, 접착제를 사용하지 않고 고온 고압하에서 동박에 적층 접착하여, 또는, 폴리이미드 전구체를 도포·건조·경화 등을 실시함으로써 적층체를 제조할 수 있다.

본 발명의 적층체는 각종 프린트 배선판 (PWB) 에 사용 가능하고, 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들어, 도체 패턴의 층 수의 관점에서는 편면 PWB, 양면 PWB, 다층 PWB (3 층 이상) 에 적용 가능하고, 절연 기판 재료의 종류의 관점에서는 리지드 PWB, 플렉시블 PWB (FPC), 리지드·플렉스 PWB 에 적용 가능하다.

마지막으로, 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재를 오토포커스 모듈용의 스프링재에 적용하는 경우의 설명을 실시한다. 전형적인 오토포커스 모듈에 있어서는, 렌즈와, 이 렌즈를 광축 방향의 초기 위치에 탄성 부세하는 본 발명에 관련된 도금 부착 금속 기재제 또는 본 발명에 관련된 캐리어 부착 금속박제의 스프링 부재와, 이 스프링 부재의 부세력에 저항하는 전자력을 발생하여 상기 렌즈를 광축 방향으로 구동 가능한 전자 구동 수단을 구비한다. 상기 전자 구동 수단은 예시적으로는, コ 자형 원통 형상의 요크와, 요크의 내주벽의 내측에 수용되는 코일과, 코일을 둘러쌈과 함께 요크의 외주벽의 내측에 수용되는 마그넷을 구비할 수 있다. 스프링 부재는 상기 도금층을 갖는 지점에 있어서 납땜에 의해 코일 (전형적으로는 코일의 리드선) 과 접합할 수 있다. 오토포커스 모듈의 구조 자체는 일본 공개특허공보 2014-102294호나 일본 공개특허공보 2014-084514호 등에서 공지이므로 상세한 설명은 생략한다.

실시예

이하, 본 발명의 실시예를 나타내는데, 이들 실시예는 본 발명 및 그 이점을 보다 잘 이해하기 위해서 제시하는 것이며, 본 발명이 한정되는 것을 의도하는 것은 아니다.

표 2 에 기재된 각 재료 조성 및 두께를 갖는 금속박으로 이루어지는 금속 기재를 준비하였다. 금속박의 표면을 탈지 및 산 세정하여 청정화한 후, 표 2 에 기재된 Ni, Co 및 Mo 의 각 부착 조건에 따라 당해 금속박의 전체면에 Co 도금, Co-Ni 합금 도금, Co-Mo 합금 도금, Ni-Mo 합금 도금 또는 Co-Ni-Mo 합금 도금을 황산 산성 도금욕 (pH：2 ∼ 3.5, 액온：40 ∼ 60 ℃, 전류 밀도：2 ∼ 10 A/d㎡) 을 사용한 전기 도금에 의해 실시하여 발명예, 참고예 및 비교예의 도금 부착 금속박을 제조하였다. 도금액 중의 Ni, Mo 및 Co 의 이온 농도는, Ni ＋ Mo 비율 (％) 에 따라, 표 1 에 기재된 조건으로 하였다. 기타 원소의 이온 농도는 부착량에 따라 표 1 에 기재된 조건으로 하였다. 부착량은 쿨롬량에 의해 제어할 수 있다. 부착량을 적게 하는 경우에는, 쿨롬량을 작게 하면 된다. 부착량을 많게 하는 경우에는, 쿨롬량을 크게 하면 된다. 예를 들어 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량을 3000 ㎍/d㎡ 로 하는 경우에는 쿨롬량을 5 ∼ 20 As/d㎡ 정도로 하고, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량을 14000 ㎍/d㎡ 로 하려면 쿨롬량을 45 ∼ 80 As/d㎡ 정도로 하고, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량을 180000 ㎍/d㎡ 로 하려면 쿨롬량을 700 ∼ 900 As/d㎡ 정도로 하면 된다. Mo 부착량을 많이 하고자 하는 경우에는, 도금액 중의 Mo 농도를 높게 하면 된다. Co 부착량을 많이 하고자 하는 경우에는, 도금액 중의 Co 농도를 높게 하면 된다. Ni 부착량을 많이 하고자 하는 경우에는, 도금액 중의 Ni 농도를 높게 하면 된다.

[표 1]

또, 시험 번호 90 ∼ 93 에 대해서는 극박 금속층에 금속 기재를 사용한 캐리어 부착 금속박을 사용하였다. 캐리어 부착 금속박은 이하와 같이 제조하였다. 시험 번호 90, 91 의 캐리어에는 JX 닛코 닛세키 금속 (주) 제조의 전해 동박 JTC 박 (두께 18 ㎛) 을 사용하고, 시험 번호 92, 93 의 캐리어에는 JX 닛코 닛세키 금속 (주) 제조의 압연 동박 터프 피치 구리 (두께 18 ㎛, JIS H3100 합금 번호 C1100) 를 사용하였다. 그리고, 표 2 에 기재된 순서로, 상기 전해 동박의 S 면 (광택면) 측, 또는, 압연 동박의 표면에 각 층을 형성하였다.

시험 번호 90 ∼ 93 의 중간층은 이하와 같이 형성하였다.

·시험 번호 90

＜중간층＞

(1) Ni 층 (Ni 도금)

캐리어에 대해서, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 4000 ㎍/d㎡ 부착량의 Ni 층을 형성하였다. 구체적인 도금 조건을 이하에 기재한다.

황산니켈：270 ∼ 280 g/ℓ

염화니켈：35 ∼ 45 g/ℓ

아세트산니켈：10 ∼ 20 g/ℓ

붕산：30 ∼ 40 g/ℓ

광택제：사카린, 부틴디올 등

도데실황산나트륨：55 ∼ 75 ppm

pH：4 ∼ 6

욕온 (浴溫)：55 ∼ 65 ℃

전류 밀도：10 A/d㎡

(2) Cr 층 (전해 크로메이트 처리)

다음으로, (1) 에서 형성한 Ni 층 표면을 물 세정 및 산 세정 후, 계속해서, 롤·투·롤형의 연속 도금 라인 상에서 Ni 층 상에 11 ㎍/d㎡ 부착량의 Cr 층을 이하의 조건으로 전해 크로메이트 처리함으로써 부착시켰다.

중크롬산칼륨 1 ∼ 10 g/ℓ

pH：7 ∼ 10

액온：40 ∼ 60 ℃

전류 밀도：2 A/d㎡

·시험 번호 91

＜중간층＞

(1) Ni-Mo 층 (니켈몰리브덴 합금 도금)

캐리어에 대해서, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 3000 ㎍/d㎡ 부착량의 Ni-Mo 층을 형성하였다. 구체적인 도금 조건을 이하에 기재한다.

(액 조성) 황산 Ni 6수화물：50 g/d㎥, 몰리브덴산나트륨 2수화물：60 g/d㎥, 시트르산나트륨：90 g/d㎥

(액온) 30 ℃

(전류 밀도) 1 ∼ 4 A/d㎡

(통전 시간) 3 ∼ 25 초

·시험 번호 92

＜중간층＞

(1) Ni 층 (Ni 도금)

시험 번호 90 과 동일한 조건으로 Ni 층을 형성하였다.

(2) 유기물층 (유기물층 형성 처리)

다음으로, (1) 에서 형성한 Ni 층 표면을 물 세정 및 산 세정 후, 계속해서, 하기의 조건으로 Ni 층 표면에 대해서 농도 1 ∼ 30 g/ℓ의 카르복시벤조트리아졸 (CBTA) 을 포함하는, 액온 40 ℃, pH 5 의 수용액을, 20 ∼ 120 초간 샤워링하여 분무함으로써 유기물층을 형성하였다.

·시험 번호 93

＜중간층＞

(1) Co-Mo 층 (코발트몰리브덴 합금 도금)

캐리어에 대해서, 이하의 조건으로 롤·투·롤형의 연속 도금 라인으로 전기 도금함으로써 4000 ㎍/d㎡ 의 부착량의 Co-Mo 층을 형성하였다. 구체적인 도금 조건을 이하에 기재한다.

(액 조성) 황산 Co：50 g/d㎥, 몰리브덴산나트륨 2수화물：60 g/d㎥, 시트르산나트륨：90 g/d㎥

(액온) 30 ℃

(전류 밀도) 1 ∼ 4 A/d㎡

(통전 시간) 3 ∼ 25 초

(2) 유기물층 (유기물층 형성 처리)

다음으로, (1) 에서 형성한 Co-Mo 층 표면을 물 세정 및 산 세정 후, 계속해서, 하기의 조건으로 Ni 층 표면에 대해서 농도 1 ∼ 30 g/ℓ의 카르복시벤조트리아졸 (CBTA) 을 포함하는, 액온 40 ℃, pH 5 의 수용액을, 20 ∼ 120 초간 샤워링하여 분무함으로써 유기물층을 형성하였다.

또, 극박 금속층으로서의 금속박은 이하의 조건으로, 중간층 상 또는 도금층 상에, 표 2 에 기재된 기재 두께가 되도록 형성하였다.

＜금속박＞

구리 농도：90 ∼ 110 g/ℓ

주석 농도：1 ∼ 30 g/ℓ

황산 농도：90 ∼ 110 g/ℓ

염화물 이온 농도：50 ∼ 90 ppm

전해액 온도：50 ∼ 80 ℃

전류 밀도：100 A/d㎡

전해액 선속：1.5 ∼ 5 m/sec

(1) Ni, Co, Mo 및 기타 원소의 부착량 (㎍/d㎡)

얻어진 도금 부착 금속박 (시험 샘플) 의 도금층에 있어서의 Ni, Co, Mo 및 기타 원소의 각각의 부착량 (㎍/d㎡) 은, 시험 샘플을 농도 20 질량％ 의 질산으로 용해하여 SII 사 제조의 ICP 발광 분광 분석 장치 (형식：SPS3100) 를 사용하여 ICP 발광 분석법에 의해 측정하였다. 또한, 시험 샘플이 농도 20 질량％ 의 질산에 잘 용해되지 않는 경우에는, 질산과 염산의 혼합액 (질산 농도：20 질량％, 염산 농도：12 질량％) 또는 시험 샘플을 용해할 수 있는 다른 산 수용액 등의 액에 의해 시험 샘플을 용해하면 된다. 또, 측정한 Ni, Co 및 Mo 의 부착량으로부터, 도금층 중의 Ni ＋ Mo 비율 (％) 을 산출하였다. 여기서, Ni ＋ Mo 비율 (％) 의 정의는 다음 식과 같다. Ni ＋ Mo 비율 (％) = {Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (㎍/d㎡) / (Ni, Co 및 Mo 의 합계 부착량 (㎍/d㎡))} × 100

(2) 에칭 직선성

37 질량％, 보메도 40° 의 염화 제2철 수용액을 사용하여, 각 시험 샘플에 대해 에칭을 실시하고, 라인 앤드 스페이스 (L/S) 가 100 ㎛ /200 ㎛ 인 길이 150 ㎜ 의 직선 회로와, 라인 앤드 스페이스 (L/S) 가 75 ㎛ /75 ㎛ 인 길이 150 ㎜ 의 직선 회로를 각각 형성하였다. 주사형 전자 현미경 (히타치 제조, S-4700) 을 사용하여 회로를 관찰하고, 이하의 기준으로 평가하였다.

×：굴곡 범위가 회로 길이의 50 ％ 보다 길다

△：굴곡 범위가 회로 길이의 25 ％ 초과 ∼ 50 ％

○：굴곡 범위가 회로 길이의 15 ％ 초과 ∼ 25 ％

○○：굴곡 범위가 회로 길이의 5 ％ 초과 ∼ 15 ％

◎：굴곡 범위가 회로 길이의 0 ％ 보다 길고 5 ％ 이하

◎◎：굴곡 범위 0 ％. 굴곡 없음 (직선상)

여기서, 굴곡이란, 회로를 상면으로부터 SEM 으로 500 배로 사진 촬영하고, 당해 사진 중의 길이 186 ㎛ 회로의 모서리끼리를 잇는 길이 방향을 따른 2 개의 직선 (굵기 1.9 ㎛) 를 그었을 경우에, 회로의 능선이 각 직선의 중심선으로부터 5 ㎛ 이상 떨어지는 지점을 말한다. 측정 결과는 4 개 지점 사진 촬영했을 때의 평균값으로 나타내었다.

(3) 땜납 밀착 강도 시험

먼저, 각 시험 샘플의 일방의 표면측으로부터 웨트 에칭에 의해 박 두께가 0.03 ㎜ 로까지 얇게 하였다. 이 때, 반대면은 도금이 박리되지 않도록 테이프로 마스킹하였다. 그리고, 얻어진 박육화 (薄肉化) 후의 시험 샘플의 도금층측 (도금 형성되어 있지 않은 시험 샘플은 임의의 표면) 과 순(純) 동박 (JX 닛코 닛세키 금속사 제조 C1100, 박 두께 0.035 ㎜) 을 센쥬 금속 공업 (주) 제조 Pb 프리 땜납 (ESC M705, 진 (플럭스) 함유 땜납, Sn (잔부)-3.0 질량％ Ag-0.5 질량％ Cu) 을 개재하여 접합하고, 아이코 엔지니어링 (주) 제조의 정밀 하중 측정기 (MODEL-1605NL) 를 사용하여 180° 박리 시험을 100 ㎜/min 의 속도로 실시함으로써, 그 밀착 강도를 측정하였다. 샘플 박은 폭 15 ㎜, 길이 200 ㎜ 의 단책상 (短冊狀) 으로 하고, 순 동박은 폭 20 ㎜, 길이 200 ㎜ 의 단책상으로 하고, 길이 방향에 대해 중앙부 30 ㎜ ×15 ㎜ 의 면적을 접합 온도를 245 ℃ ± 5 ℃ 로 하여 접합하였다. 또한, 순 동박의 두께는, 평가하는 샘플박의 두께에 가까우면 문제없지만, 0.02 mm ∼ 0.05 ㎜ 가 바람직하고, 본 실시예에 있어서는 0.035 ㎜ 의 순 동박을 사용하였다. 또한, 캐리어 부착 금속박의 실험예에 있어서는, 캐리어 부착 금속박으로부터 캐리어를 박리한 후에 상기 서술한 땜납 밀착 강도 시험을 실시하였다. 또, 캐리어 부착 금속박의 금속박의 두께가 0.03 ㎜ 보다 작은 시험 번호 92 및 93 의 경우에는, 금속박 상에 Cu 도금을 하여 두께를 늘리고, 금속박의 두께와 Cu 도금의 두께의 합계 두께를 0.03 ㎜ 로 한 후에, 캐리어 부착 금속박으로부터 캐리어를 박리하고, 그 후 상기의 시험을 실시하였다.

(4) 내후성 시험

각 시험 샘플을 온도 85 ℃, 상대 습도 85 ％ 의 항온 항습기 (에스펙 주식회사 (형번：PL-2E)) 내에서 100 시간 또는 200 시간 유지했을 때의 변색 정도를 조사하였다. 변색 정도는 사진 촬영을 한 후에, 투명한 수지 필름을 겹치고, 변색된 부분을 흑색 마커로 전부 칠한 후에, 화상 처리 소프트웨어로 흑백 2 치화하고, 변색 부분의 면적을 화상 처리 소프트웨어에 의해 구하였다. 얻어진 면적을 관찰 시야 전체의 면적으로 나눈 값을 100 배한 값을, 변색된 곳의 면적률 (％) 로 하였다.

도금 부착량의 시험 결과를 표 2 에, 에칭성, 땜납 밀착성 및 내후성의 시험 결과를 표 3 에 나타낸다. 표 3 으로부터, 실시예에 있어서는 본래적으로 땜납 밀착성 또는 내후성이 떨어지는 금속 기재가, 본 발명에 관련된 도금층을 형성한 것으로 개선된 땜납 밀착성 및 내후성을 얻고 있는 것을 알 수 있다. 또한 Ni ＋ Co ＋ Mo 의 합계 부착량 및 Ni ＋ Mo 비율 (％) 을 적절히 제어한 실시예 (No. 1, 2, 2-2 ∼ 2-6, 3 ∼ 12, 15, 18 ∼ 20, 22 ∼ 27, 30, 32 ∼ 36, 38 ∼ 44, 46, 48, 49, 78 ∼ 81, 86, 88 ∼ 97 에 있어서는 높은 에칭성도 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. 한편, 비교예에 있어서는 우수한 에칭성을 나타내는 것도 있지만, 땜납 밀착성 및 내후성을 양립한 것은 없었다.

[표 2-1]

[표 2-2]

[표 2-3]

[표 2-4]

[표 3-1]

[표 3-2]

[표 3-3]

[표 3-4]

Claims

금속 기재의 일부 또는 전부의 표면 상에 Co 도금층, 그리고 Co, Ni 및 Mo 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종 이상의 원소를 포함하는 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택되는 도금층이 형성된 도금 부착 금속 기재로서, 그 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 500 ㎍/d㎡ 이상인 도금 부착 금속 기재이며,
금속 기재는 Ti, Si, Mg, P, Sn, Zn, Cr, Zr, V, W, Na, Ca, Ba, Cs, Mn, K, Ga, B, Nb, Ce, Be, Nd, Sc, Hf, Ho, Lu, Yb, Dy, Er, Pr, Y, Li, Gd, Pu, In, Fe, La, Th, Ta, U, Sm, Tb, Sr, Tm 및 Al 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 700 ㎍/d㎡ 이상인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 1000 ㎍/d㎡ 이상인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 2000 ㎍/d㎡ 이상인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 3000 ㎍/d㎡ 이상인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 180000 ㎍/d㎡ 이하인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 80 ％ 이하인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 60 ％ 이하인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 50 ％ 이하인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 10 ％ 이상인, 도금 부착 금속 기재.
제 7 항에 있어서,
상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 10 ％ 이상인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금층과 상기 금속 기재의 사이에 하지층 및/또는 조화 (粗化) 처리층이 형성된, 도금 부착 금속 기재.
제 11 항에 있어서,
상기 도금층과 상기 금속 기재의 사이에 하지층 및/또는 조화 처리층이 형성된, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금층이 Co-Ni 합금 도금층, Co-Mo 합금 도금층, Ni-Mo 합금 도금층 및 Co-Ni-Mo 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택되는, 도금 부착 금속 기재.
제 13 항에 있어서,
상기 도금층이 Co-Ni 합금 도금층, Co-Mo 합금 도금층, Ni-Mo 합금 도금층 및 Co-Ni-Mo 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택되는, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는, 도금 부착 금속 기재.
제 15 항에 있어서,
상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는, 도금 부착 금속 기재.
제 16 항에 있어서,
상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 포함하는, 도금 부착 금속 기재.
제 17 항에 있어서,
상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 포함하는, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는, 도금 부착 금속 기재.
제 20 항에 있어서,
상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 포함하는, 도금 부착 금속 기재.
금속 기재의 일부 또는 전부의 표면 상에 Co 도금층, 그리고 Co, Ni 및 Mo 로 이루어지는 군에서 선택되는 2 종 이상의 원소를 포함하는 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택되는 도금층이 형성된 도금 부착 금속 기재로서, 그 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 500 ㎍/d㎡ 이상인 도금 부착 금속 기재이며,
금속 기재는 Ti, Si, Mg, P, Sn, Zn, Cr, Zr, V, W, Na, Ca, Ba, Cs, Mn, K, Ga, B, Nb, Ce, Be, Nd, Sc, Hf, Ho, Lu, Yb, Dy, Er, Pr, Y, Li, Gd, Pu, In, Fe, La, Th, Ta, U, Sm, Tb, Sr, Tm 및 Al 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함하는 도금 부착 금속 기재이며, 이하의 (1) ∼ (21) 중 하나 또는 둘 이상의 항목을 만족하는, 도금 부착 금속 기재.
(1)：상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 700 ㎍/d㎡ 이상이다
(2)：상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 1000 ㎍/d㎡ 이상이다
(3)：상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 2000 ㎍/d㎡ 이상이다
(4)：상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 3000 ㎍/d㎡ 이상이다
(5)：상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 5000 ㎍/d㎡ 이상이다
(6)：상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 7000 ㎍/d㎡ 이상이다
(7)：상기 도금층에 있어서의 Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량이 180000 ㎍/d㎡ 이하이다
(8)：상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 80 ％ 이하이다
(9)：상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 60 ％ 이하이다
(10)：상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 50 ％ 이하이다
(11)：상기 도금층에 있어서, Co, Ni 및 Mo 의 합계 부착량에 대한 Ni 및 Mo 의 합계 부착량 (이하, 「Ni ＋ Mo 비율 (％)」 이라고도 한다.) 이 질량비로 10 ％ 이상이다
(12)：상기 도금층과 상기 금속 기재의 사이에 하지층 및/또는 조화 처리층이 형성되어 있다
(13)：상기 도금층이 Co-Ni 합금 도금층, Co-Mo 합금 도금층, Ni-Mo 합금 도금층 및 Co-Ni-Mo 합금 도금층으로 이루어지는 군에서 선택되는 도금층이다
(14)：상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함한다
(15)：상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 포함한다
(16)：상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 1000 ㎍/d㎡ 포함한다
(17)：상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd, Pt, Bi, Os, Rh, Tl, Sb, Pb, Hg, Ir, Cd, Ru, Re, Tc 및 Gd 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 500 ㎍/d㎡ 포함한다
(18)：상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 포함한다
(19)：상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 2000 ㎍/d㎡ 포함한다
(20)：상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 1000 ㎍/d㎡ 포함한다
(21)：상기 도금층은 Cu, As, Ag, Au, Pd 및 Pt 로 이루어지는 군에서 선택되는 1 종 또는 2 종 이상의 원소를 합계로 0 ∼ 500 ㎍/d㎡ 포함한다
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 기재가, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 철, 철 합금, 스테인리스, 니켈 합금, 티탄, 티탄 합금, 금 합금, 은 합금, 백금족 합금, 크롬, 크롬 합금, 마그네슘, 마그네슘 합금, 텅스텐, 텅스텐 합금, 몰리브덴 합금, 납 합금, 탄탈, 탄탈 합금, 지르코늄, 지르코늄 합금, 주석, 주석 합금, 인듐, 인듐 합금, 아연, 또는, 아연 합금으로 형성되어 있는, 도금 부착 금속 기재.
제 23 항에 있어서,
상기 금속 기재가, 구리 합금, 알루미늄, 알루미늄 합금, 철, 철 합금, 스테인리스, 니켈 합금, 티탄, 티탄 합금, 아연, 또는, 아연 합금으로 형성되어 있는, 도금 부착 금속 기재.
제 23 항에 있어서,
상기 금속 기재가, 티탄 구리, 인청동, 코르손 합금, 단동, 황동, 양은 또는 기타 구리 합금으로 형성되어 있는, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 기재가 금속조, 금속판, 또는, 금속박의 형태인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 기재가 압연 구리 합금박 또는 전해 구리 합금박인, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 도금층의 표면에 수지층을 갖는, 도금 부착 금속 기재.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 금속 기재가 2 개의 주표면을 갖고, 그 일방 또는 양방의 면에 상기 도금층을 갖는, 도금 부착 금속 기재.
캐리어의 일방의 면 또는 양방의 면에, 중간층, 극박 금속층을 이 순서로 갖는 캐리어 부착 금속박으로서, 상기 극박 금속층이 제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재인, 캐리어 부착 금속박.
캐리어의 일방의 면 또는 양방의 면에, 중간층, 극박 금속층을 이 순서로 갖는 캐리어 부착 금속박으로서, 상기 극박 금속층이 제 1 항에 기재된 도금 부착 금속 기재인, 캐리어 부착 금속박.
캐리어의 일방의 면 또는 양방의 면에, 중간층, 극박 금속층을 이 순서로 갖는 캐리어 부착 금속박으로서, 상기 극박 금속층이 제 22 항에 기재된 도금 부착 금속 기재인, 캐리어 부착 금속박.
제 32 항에 있어서,
상기 캐리어의 일방의 면에 상기 중간층, 상기 극박 금속층을 이 순서로 갖고, 상기 캐리어의 타방의 면에 조화 처리층을 갖는, 캐리어 부착 금속박.
제 30 항에 있어서,
도금 부착 금속 기재의 금속 기재가 구리 합금제인, 캐리어 부착 금속박.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재를 구비한 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 구비한, 커넥터.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재를 구비한 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 구비한, 단자.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박과 수지 기판을 적층하여 제조한, 적층판.
제 37 항에 기재된 적층판을 구비한, 실드 테이프 또는 실드재.
제 37 항에 기재된 적층판을 구비한, 프린트 배선판.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 구비한, 금속 가공 부재.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 구비한, 전자·전기 기기.
제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 준비하는 공정,
상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층하는 공정,
상기 캐리어 부착 금속박과 절연 기판을 적층한 후에, 상기 캐리어 부착 금속박의 캐리어를 박리하는 공정을 거쳐 금속 피복 적층판을 형성하고,
그 후, 세미 애디티브법, 서브트랙티브법, 파틀리 애디티브법 또는 모디파이드 세미애디티브법 중 어느 방법에 의해 회로를 형성하는 공정을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박의 상기 극박 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 회로를 형성하는 공정,
상기 회로가 매몰되도록 상기 캐리어 부착 금속박의 상기 극박 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 수지층을 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성하는 공정,
상기 수지층 상에 회로를 형성한 후에, 상기 캐리어 또는 상기 극박 금속층을 박리시키는 공정, 및,
상기 캐리어 또는 상기 극박 금속층을 박리시킨 후에, 상기 극박 금속층 또는 상기 캐리어를 제거함으로써, 상기 극박 금속층측 표면 또는 상기 캐리어측 표면에 형성한, 상기 수지층에 매몰되어 있는 회로를 노출시키는 공정
을 포함하는, 프린트 배선판의 제조 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박과 땜납의 접합체.
제 44 항에 있어서,
땜납과 금속 기재 또는 캐리어 부착 금속박의 접합 계면에 Sn 및 Co 를 포함하는 열 확산층이 존재하는, 접합체.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 에칭에 의해 형상 가공하는 공정과, 얻어진 도금 부착 금속 기재의 형상 가공품을 도금층을 갖는 지점에 있어서 납땜에 의해 도전성 부재와 접합하는 공정을 포함하는, 도금 부착 금속 기재 또는 캐리어 부착 금속박과 도전성 부재의 접속 방법.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 구비한, 전자 부품.
제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박을 스프링재로서 구비한, 오토포커스 모듈.
렌즈와, 이 렌즈를 광축 방향의 초기 위치에 탄성 부세 (付勢) 하는 제 1 항 내지 제 6 항 및 제 22 항 중 어느 한 항에 기재된 도금 부착 금속 기재제의 스프링 부재 또는 제 31 항 내지 제 33 항 중 어느 한 항에 기재된 캐리어 부착 금속박제의 스프링 부재와, 이 스프링 부재의 부세력 (付勢力) 에 저항하는 전자력을 발생하여 상기 렌즈를 광축 방향으로 구동 가능한 전자 구동 수단을 구비한 오토포커스 카메라 모듈로서, 상기 전자 구동 수단은 코일을 구비하고 있고, 스프링 부재는 상기 도금층을 갖는 지점에 있어서 납땜에 의해 코일과 접합되어 있는, 오토포커스 카메라 모듈.