JP2017034216A - プリント配線板の製造方法、表面処理銅箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ及び電子機器 - Google Patents
プリント配線板の製造方法、表面処理銅箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017034216A JP2017034216A JP2015187489A JP2015187489A JP2017034216A JP 2017034216 A JP2017034216 A JP 2017034216A JP 2015187489 A JP2015187489 A JP 2015187489A JP 2015187489 A JP2015187489 A JP 2015187489A JP 2017034216 A JP2017034216 A JP 2017034216A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper foil
- layer
- group
- resin
- base material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 317
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 285
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 18
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 283
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 283
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 156
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 63
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 54
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 46
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 42
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 41
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 34
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 31
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 30
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 claims description 27
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 claims description 26
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 claims description 26
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 25
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 25
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 25
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 23
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 19
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 18
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 18
- ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N chromate(2-) Chemical compound [O-][Cr]([O-])(=O)=O ZCDOYSPFYFSLEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 14
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 9
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 7
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 5
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 5
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 12
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 46
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 37
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 32
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 28
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 24
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 24
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 23
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 22
- 239000000047 product Substances 0.000 description 22
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 19
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 16
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 15
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 13
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 11
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 11
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 11
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 11
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 11
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 10
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 10
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 9
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical class [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910001297 Zn alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 8
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 7
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 7
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 7
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 7
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 7
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 7
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 6
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 6
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 5
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 5
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 5
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 5
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 125000001972 isopentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 5
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CEBHMVOOKFCKQS-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical group C(CCCCCCCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C CEBHMVOOKFCKQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 4
- WREDNSAXDZCLCP-UHFFFAOYSA-N methanedithioic acid Chemical compound SC=S WREDNSAXDZCLCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZYVYEJXMYBUCMN-UHFFFAOYSA-N 1-methoxy-2-methylpropane Chemical compound COCC(C)C ZYVYEJXMYBUCMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WKCJNWWBNPXUHZ-UHFFFAOYSA-N C(CC)[Zr](OCCCC)(OCCCC)OCCCC Chemical compound C(CC)[Zr](OCCCC)(OCCCC)OCCCC WKCJNWWBNPXUHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 125000005428 anthryl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C(*)=C([H])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 125000001995 cyclobutyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000582 cycloheptyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000000640 cyclooctyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001559 cyclopropyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C1([H])* 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 3
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 3
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 3
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical group [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 150000003566 thiocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 3
- RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N thiophenol Chemical compound SC1=CC=CC=C1 RMVRSNDYEFQCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 description 3
- JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(phenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 JCVQKRGIASEUKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 3
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000005023 xylyl group Chemical group 0.000 description 3
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000022 2-aminoethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])N([H])[H] 0.000 description 2
- PMJIKKNFJBDSHO-UHFFFAOYSA-N 3-[3-aminopropyl(diethoxy)silyl]oxy-3-methylpentane-1,5-diol Chemical compound NCCC[Si](OCC)(OCC)OC(C)(CCO)CCO PMJIKKNFJBDSHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSRINVVFGTVOA-UHFFFAOYSA-N 3-[butoxy(dimethoxy)silyl]propan-1-amine Chemical compound CCCCO[Si](OC)(OC)CCCN KFSRINVVFGTVOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFNLUYRPANEYJZ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Ti](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(C)(C)[Ti](OCC)(OCC)OCC LFNLUYRPANEYJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- REPJEOHVYFVHAQ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(C)(C)[Zr](OCC)(OCC)OCC REPJEOHVYFVHAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LTJTVYQUGMECJC-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C LTJTVYQUGMECJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NWMOELHTLYQZAK-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[Zr](OC)(OC)OC NWMOELHTLYQZAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IDSNHSOYZUDTCG-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[Zr](OCC)(OCC)OCC IDSNHSOYZUDTCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRLROCCHAWUFAK-UHFFFAOYSA-N CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1 Chemical group CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)C1=CC=CC=C1 NRLROCCHAWUFAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQZRIHABPZTYJN-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 Chemical compound CCO[Ti](OCC)(OCC)C1=CC=CC=C1 PQZRIHABPZTYJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBQNJCCMGOPPQJ-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 Chemical compound CO[Ti](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 BBQNJCCMGOPPQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910020630 Co Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002440 Co–Ni Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004803 Na2 WO4.2H2 O Inorganic materials 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N ac1mqpva Chemical compound CC12C(=O)OC(=O)C1(C)C1(C)C2(C)C(=O)OC1=O GTDPSWPPOUPBNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N aluminium triethoxide Chemical compound CCO[Al](OCC)OCC JPUHCPXFQIXLMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N benzothiazole Chemical compound C1=CC=C2SC=NC2=C1 IOJUPLGTWVMSFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 2
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 2
- KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N decyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC KQAHMVLQCSALSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JWTZUGLUHPPGQT-UHFFFAOYSA-N diethoxy(phenyl)alumane Chemical compound CC[O-].CC[O-].[Al+2]C1=CC=CC=C1 JWTZUGLUHPPGQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GFYNCJKZQCYWHC-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(phenyl)alumane Chemical compound CO[Al](OC)C1=CC=CC=C1 GFYNCJKZQCYWHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M dimethylalumanylium;chloride Chemical compound C[Al](C)Cl JGHYBJVUQGTEEB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N ethanol;titanium Chemical compound [Ti].CCO.CCO.CCO.CCO XGZNHFPFJRZBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N ethanol;zirconium Chemical compound [Zr].CCO.CCO.CCO.CCO UARGAUQGVANXCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N methanol;titanium Chemical compound [Ti].OC.OC.OC.OC ZEIWWVGGEOHESL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical group CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GDGOJEMDZGZECC-UHFFFAOYSA-N n'-[(3-ethenylphenyl)methyl]-n-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCNCC1=CC=CC(C=C)=C1 GDGOJEMDZGZECC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N n-methyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CNCCC[Si](OC)(OC)OC DVYVMJLSUSGYMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- FPBPLJLZKUYQIA-UHFFFAOYSA-N phenyl-di(propan-2-yloxy)alumane Chemical compound C1(=CC=CC=C1)[Al](OC(C)C)OC(C)C FPBPLJLZKUYQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- RLJWTAURUFQFJP-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;titanium Chemical compound [Ti].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O RLJWTAURUFQFJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BCWYYHBWCZYDNB-UHFFFAOYSA-N propan-2-ol;zirconium Chemical compound [Zr].CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O.CC(C)O BCWYYHBWCZYDNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(phenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=CC=C1 ZNOCGWVLWPVKAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N trimethoxyalumane Chemical compound [Al+3].[O-]C.[O-]C.[O-]C UAEJRRZPRZCUBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- NDKWCCLKSWNDBG-UHFFFAOYSA-N zinc;dioxido(dioxo)chromium Chemical compound [Zn+2].[O-][Cr]([O-])(=O)=O NDKWCCLKSWNDBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SKUXHKDKPIDWFM-UHFFFAOYSA-N (4-methylphenyl)-di(propan-2-yloxy)alumane Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Al](OC(C)C)OC(C)C SKUXHKDKPIDWFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYMPLPIFKRHAAC-UHFFFAOYSA-N 1,2-ethanedithiol Chemical compound SCCS VYMPLPIFKRHAAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOVWXDUOIJZAGN-UHFFFAOYSA-N 10-aminododecane-1-thiol Chemical compound CCC(N)CCCCCCCCCS DOVWXDUOIJZAGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IDXOZZNUOVLNGO-UHFFFAOYSA-N 12-sulfanyldodecan-3-ol Chemical compound OC(CCCCCCCCCS)CC IDXOZZNUOVLNGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 1H-benzimidazole Chemical compound C1=CC=C2NC=NC2=C1 HYZJCKYKOHLVJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 1h-1,2,4-triazol-1-ium-3-thiolate Chemical compound SC=1N=CNN=1 AFBBKYQYNPNMAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMNLXDDJGGTIPL-UHFFFAOYSA-N 2,4-dimethylbenzenethiol Chemical compound CC1=CC=C(S)C(C)=C1 AMNLXDDJGGTIPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GFCRSKBAFJBQQS-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-11-sulfanylundecanoic acid Chemical compound C(=O)(O)C(CCCCCCCCCS)CC GFCRSKBAFJBQQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940054266 2-mercaptobenzothiazole Drugs 0.000 description 1
- NLSFWPFWEPGCJJ-UHFFFAOYSA-N 2-methylprop-2-enoyloxysilicon Chemical compound CC(=C)C(=O)O[Si] NLSFWPFWEPGCJJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVIHLQXGBMZNN-JXMROGBWSA-N 3-[(e)-2-methyl-4-trimethoxysilylbut-3-en-2-yl]oxypropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)\C=C\C(C)(C)OCCCN BMVIHLQXGBMZNN-JXMROGBWSA-N 0.000 description 1
- DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 3-[3-(3-aminophenoxy)phenoxy]aniline Chemical compound NC1=CC=CC(OC=2C=C(OC=3C=C(N)C=CC=3)C=CC=2)=C1 DKKYOQYISDAQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJURIXUDYDHOMA-UHFFFAOYSA-N 3-[tris[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]silyl]propan-1-amine Chemical compound COCCOCCO[Si](CCCN)(OCCOCCOC)OCCOCCOC PJURIXUDYDHOMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropane-1-thiol Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCS UUEWCQRISZBELL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 4-[4-[2-[4-(4-aminophenoxy)phenyl]propan-2-yl]phenoxy]aniline Chemical compound C=1C=C(OC=2C=CC(N)=CC=2)C=CC=1C(C)(C)C(C=C1)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 KMKWGXGSGPYISJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCDSVWRUXWCYFN-UHFFFAOYSA-N 4-aminobenzenethiol Chemical compound NC1=CC=C(S)C=C1 WCDSVWRUXWCYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLHCBQAPPJAULW-UHFFFAOYSA-N 4-methylbenzenethiol Chemical compound CC1=CC=C(S)C=C1 WLHCBQAPPJAULW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWDDLRSGGCWDPH-UHFFFAOYSA-N 4-triethoxysilylbutan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCCN SWDDLRSGGCWDPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 4-trimethoxysilylaniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(N)C=C1 CNODSORTHKVDEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGCMCIDMMMHREV-UHFFFAOYSA-N 5-[tris(2-ethylhexoxy)silyl]pentane-1,3-diamine Chemical compound CCCCC(CC)CO[Si](CCC(N)CCN)(OCC(CC)CCCC)OCC(CC)CCCC ZGCMCIDMMMHREV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 5-phenylbenzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=C(C(O)=O)C(C(=O)O)=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1C(O)=O JVERADGGGBYHNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGZAJZLUKVKCBM-UHFFFAOYSA-N 6-sulfanylhexan-1-ol Chemical compound OCCCCCCS UGZAJZLUKVKCBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001342 Bakelite® Polymers 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MEGXDQPBFCOWNX-UHFFFAOYSA-L Br[Ti](Br)(c1ccccc1)c1ccccc1 Chemical compound Br[Ti](Br)(c1ccccc1)c1ccccc1 MEGXDQPBFCOWNX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AARWDHZWSBEDCJ-UHFFFAOYSA-L Br[Zr](Br)(c1ccccc1)c1ccccc1 Chemical compound Br[Zr](Br)(c1ccccc1)c1ccccc1 AARWDHZWSBEDCJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- XFTHUZWWGKHRQI-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(C)(C)(C)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C XFTHUZWWGKHRQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZINFLNQEEHZCTB-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound C(C)(C)(C)[Ti](OC)(OC)OC ZINFLNQEEHZCTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMXYZKNCFHIWMJ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)[Ti](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(C)(C)(C)[Ti](OCC)(OCC)OCC UMXYZKNCFHIWMJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CRGRAEKAAYUVLU-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(C)(C)(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C CRGRAEKAAYUVLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UESUBFMKIXUECB-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C(C)(C)(C)[Zr](OC)(OC)OC UESUBFMKIXUECB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVZLFDBGOHYOBU-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)(C)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(C)(C)(C)[Zr](OCC)(OCC)OCC PVZLFDBGOHYOBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNHZFCNKXYRWIK-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound C(C)(C)[Ti](OC)(OC)OC KNHZFCNKXYRWIK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHTDCHMSSLFPLZ-UHFFFAOYSA-N C(C)(C)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C(C)(C)[Zr](OC)(OC)OC QHTDCHMSSLFPLZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTUMRIWHELOPKY-UHFFFAOYSA-N C(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(C)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VTUMRIWHELOPKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQLKIHZAISMEAT-UHFFFAOYSA-N C(C)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C(C)[Zr](OC)(OC)OC DQLKIHZAISMEAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JNFHPNQJIIRBKD-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(CCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C JNFHPNQJIIRBKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GMAZIELCMRTUGE-UHFFFAOYSA-N C(CCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(CCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC GMAZIELCMRTUGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMTQYWCGRROMNB-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(CCCCC)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C AMTQYWCGRROMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PEMNUNHFISSEER-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(CCCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C PEMNUNHFISSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MMRRCDCXJAMKIP-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C(CCCCC)[Zr](OC)(OC)OC MMRRCDCXJAMKIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCVMZEAMGQRWGD-UHFFFAOYSA-N C(CCCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(CCCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC MCVMZEAMGQRWGD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFVDJPBNRSKTJM-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound C(CCCCCCCCC)[Ti](OC)(OC)OC RFVDJPBNRSKTJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BWFDCWHUUXTBAF-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)[Ti](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(CCCCCCCCC)[Ti](OCC)(OCC)OCC BWFDCWHUUXTBAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TTWFAZWBUAVCCY-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound C(CCCCCCCCC)[Zr](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C TTWFAZWBUAVCCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFFLZJWRKHJXCI-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound C(CCCCCCCCC)[Zr](OC)(OC)OC BFFLZJWRKHJXCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DCJKJDVJEDOBLD-UHFFFAOYSA-N C(CCCCCCCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound C(CCCCCCCCC)[Zr](OCC)(OCC)OCC DCJKJDVJEDOBLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVUQPESXTGAQTC-UHFFFAOYSA-N CC(C)O[Ti](C)(C)OC(C)C Chemical compound CC(C)O[Ti](C)(C)OC(C)C XVUQPESXTGAQTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYJFMLFZOHGQOA-UHFFFAOYSA-N CC(C)O[Ti](C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound CC(C)O[Ti](C)(OC(C)C)OC(C)C TYJFMLFZOHGQOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQIOHQXBQGFYQL-UHFFFAOYSA-N CC(C)O[Zr](C)(C)OC(C)C Chemical compound CC(C)O[Zr](C)(C)OC(C)C UQIOHQXBQGFYQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UGZFSPIDJJXYOS-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C=C1)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C UGZFSPIDJJXYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUFGMJFPOONHDD-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C=C1)[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Ti](OC)(OC)OC FUFGMJFPOONHDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JXFHFIUPFZESRF-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C=C1)[Ti](OCC)(OCC)OCC Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Ti](OCC)(OCC)OCC JXFHFIUPFZESRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUTOYRKOTJJZBH-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C=C1)[Zr](OC)(OC)OC Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Zr](OC)(OC)OC XUTOYRKOTJJZBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXQYDYUVFUXTTH-UHFFFAOYSA-N CC1=CC=C(C=C1)[Zr](OCC)(OCC)OCC Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Zr](OCC)(OCC)OCC IXQYDYUVFUXTTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FNSHNSSIEYQVJW-UHFFFAOYSA-N CCCCCC[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound CCCCCC[Ti](OC)(OC)OC FNSHNSSIEYQVJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCKJLCIZGYHWCU-UHFFFAOYSA-N CCCCCC[Ti](OCC)(OCC)OCC Chemical compound CCCCCC[Ti](OCC)(OCC)OCC JCKJLCIZGYHWCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AYAWAUCIDXKRJS-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](C)(C)OCC Chemical compound CCO[Ti](C)(C)OCC AYAWAUCIDXKRJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITJHDXSUEINCDE-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](C)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Ti](C)(OCC)OCC ITJHDXSUEINCDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJDCQWLPDJCAA-UHFFFAOYSA-N CCO[Ti](CC)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Ti](CC)(OCC)OCC ATJDCQWLPDJCAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POFPFCXEHIUVHR-UHFFFAOYSA-N CCO[Zr](C)(C)OCC Chemical compound CCO[Zr](C)(C)OCC POFPFCXEHIUVHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IWESBPXAEDNEJI-UHFFFAOYSA-N CCO[Zr](C)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Zr](C)(OCC)OCC IWESBPXAEDNEJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLEMSPCLROKULC-UHFFFAOYSA-N CCO[Zr](CC)(OCC)OCC Chemical compound CCO[Zr](CC)(OCC)OCC XLEMSPCLROKULC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXTPCABYRDQKAJ-UHFFFAOYSA-N CC[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C Chemical compound CC[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C XXTPCABYRDQKAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEYPUVOBWLBTKR-UHFFFAOYSA-N CC[Ti](OC)(OC)OC Chemical compound CC[Ti](OC)(OC)OC XEYPUVOBWLBTKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GUWTUQVATYZAIT-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](C)(C)OC Chemical compound CO[Ti](C)(C)OC GUWTUQVATYZAIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZSUKUOGKYJEUPO-UHFFFAOYSA-N CO[Ti](C)(OC)OC Chemical compound CO[Ti](C)(OC)OC ZSUKUOGKYJEUPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RNVHPBRQCJGAEL-UHFFFAOYSA-N CO[Zr](C)(C)OC Chemical compound CO[Zr](C)(C)OC RNVHPBRQCJGAEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKZKLABUTFRSJN-UHFFFAOYSA-N CO[Zr](C)(OC)OC Chemical compound CO[Zr](C)(OC)OC WKZKLABUTFRSJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBLJRMOSEXHZJU-UHFFFAOYSA-L C[Ti](C)(Br)Br Chemical compound C[Ti](C)(Br)Br LBLJRMOSEXHZJU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- ZSURQIOGCDFZDR-UHFFFAOYSA-M C[Ti](C)(C)Cl Chemical compound C[Ti](C)(C)Cl ZSURQIOGCDFZDR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OMYCCIOHKJQZRU-UHFFFAOYSA-N C[Zr+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] Chemical compound C[Zr+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] OMYCCIOHKJQZRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YZGWUFQVIHZQRK-UHFFFAOYSA-L C[Zr](C)(Br)Br Chemical compound C[Zr](C)(Br)Br YZGWUFQVIHZQRK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- GYOKZAWZKPAQEX-UHFFFAOYSA-M C[Zr](C)(C)Cl Chemical compound C[Zr](C)(C)Cl GYOKZAWZKPAQEX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BTBWBLQKMKYGIX-UHFFFAOYSA-L C[Zr](F)(F)C Chemical compound C[Zr](F)(F)C BTBWBLQKMKYGIX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- WBDFYFHSUDRILU-UHFFFAOYSA-K Cl[Ti](Cl)(Cl)c1ccccc1 Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)c1ccccc1 WBDFYFHSUDRILU-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- HANBKTXNGOJAII-UHFFFAOYSA-K Cl[Zr](Cl)(Cl)c1ccccc1 Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)c1ccccc1 HANBKTXNGOJAII-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229940126062 Compound A Drugs 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- WIVJURURIOGHJD-UHFFFAOYSA-N FC(CC[Ti](OC)(OC)OC)(F)F Chemical compound FC(CC[Ti](OC)(OC)OC)(F)F WIVJURURIOGHJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WCCMAVWPCRWHTB-UHFFFAOYSA-N FC(CC[Zr](OC)(OC)OC)(F)F Chemical compound FC(CC[Zr](OC)(OC)OC)(F)F WCCMAVWPCRWHTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N Heterophylliin A Natural products O1C2COC(=O)C3=CC(O)=C(O)C(O)=C3C3=C(O)C(O)=C(O)C=C3C(=O)OC2C(OC(=O)C=2C=C(O)C(O)=C(O)C=2)C(O)C1OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 NLDMNSXOCDLTTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVLBXNICXUCXTA-UHFFFAOYSA-N [2-hydroxy-3-(3-triethoxysilylpropylamino)propyl] prop-2-enoate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCC(O)COC(=O)C=C PVLBXNICXUCXTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVRIRQFFAWJTPS-UHFFFAOYSA-L [Cl-].[Cl-].C[Zr+2]C Chemical compound [Cl-].[Cl-].C[Zr+2]C PVRIRQFFAWJTPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DGXOWMLKUUUVMZ-UHFFFAOYSA-K [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ti+3]C Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Ti+3]C DGXOWMLKUUUVMZ-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- HCVWSVWRFCCSNL-UHFFFAOYSA-K [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Zr+3]C Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Zr+3]C HCVWSVWRFCCSNL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QZYDAIMOJUSSFT-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni].[Mo] Chemical compound [Co].[Ni].[Mo] QZYDAIMOJUSSFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LMZWAJYABPXUHR-UHFFFAOYSA-L [F-].[F-].C[Ti+2]C Chemical compound [F-].[F-].C[Ti+2]C LMZWAJYABPXUHR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- DFQYFGLFYJAROV-UHFFFAOYSA-N [O-]CC.[O-]CC.C(C)O[Al](CC)OCC.C[Al+2] Chemical compound [O-]CC.[O-]CC.C(C)O[Al](CC)OCC.C[Al+2] DFQYFGLFYJAROV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N benzenecarbothioic s-acid Chemical compound SC(=O)C1=CC=CC=C1 UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N cobalt nickel Chemical compound [Co][Ni][Co] NVIVJPRCKQTWLY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000002933 cyclohexyloxy group Chemical group C1(CCCCC1)O* 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- WNJVNPGSANNOKM-UHFFFAOYSA-N decyl(diethoxy)alumane Chemical compound C(CCCCCCCCC)[Al](OCC)OCC WNJVNPGSANNOKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGXBZJHPDDGPQB-UHFFFAOYSA-N decyl(dimethoxy)alumane Chemical compound C(CCCCCCCCC)[Al](OC)OC DGXBZJHPDDGPQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N decyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCCCCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC BAAAEEDPKUHLID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPTFWXJGBJVABF-UHFFFAOYSA-N decyl-di(propan-2-yloxy)alumane Chemical compound C(CCCCCCCCC)[Al](OC(C)C)OC(C)C RPTFWXJGBJVABF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- LIQOCGKQCFXKLF-UHFFFAOYSA-N dibromo(dimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(Br)Br LIQOCGKQCFXKLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBUGVTOEUNNUHR-UHFFFAOYSA-N dibromo(diphenyl)silane Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Si](Br)(Br)C1=CC=CC=C1 DBUGVTOEUNNUHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N dichromate(2-) Chemical compound [O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O SOCTUWSJJQCPFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L dichromic acid Chemical compound O[Cr](=O)(=O)O[Cr](O)(=O)=O CMMUKUYEPRGBFB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WJPUZKVKWVCCET-UHFFFAOYSA-N diethoxy(pentyl)alumane Chemical compound C(CCCC)[Al](OCC)OCC WJPUZKVKWVCCET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZVIOPULJMXGOB-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)alumane Chemical compound FC(CC[Al](OC)OC)(F)F BZVIOPULJMXGOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWDCKAZFSZFHOI-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(octyl)alumane Chemical compound C[O-].C(CCCCCCC)[Al+2].C[O-] RWDCKAZFSZFHOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQCQVANPVQMMKW-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-(4-methylphenyl)alumane Chemical compound CC1=CC=C(C=C1)[Al](OC)OC FQCQVANPVQMMKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJYACKPVJCHPFH-UHFFFAOYSA-N dimethyl(propan-2-yloxy)alumane Chemical compound C[Al+]C.CC(C)[O-] HJYACKPVJCHPFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZGMHEOLLTWPGQX-UHFFFAOYSA-M dimethylalumanylium;bromide Chemical compound C[Al](C)Br ZGMHEOLLTWPGQX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MWNKMBHGMZHEMM-UHFFFAOYSA-N dimethylalumanylium;ethanolate Chemical compound CCO[Al](C)C MWNKMBHGMZHEMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N dimethyldichlorosilane Chemical compound C[Si](C)(Cl)Cl LIKFHECYJZWXFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWZNNSIUJBVSTJ-UHFFFAOYSA-M diphenylalumanylium;bromide Chemical compound C=1C=CC=CC=1[Al](Br)C1=CC=CC=C1 AWZNNSIUJBVSTJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N dodecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCS WNAHIZMDSQCWRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- VHTVKYGGDBORAK-UHFFFAOYSA-N ethanolate propan-2-ylaluminum(2+) Chemical compound CC[O-].CC[O-].CC(C)[Al++] VHTVKYGGDBORAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLFCDSUFXJPVAS-UHFFFAOYSA-N ethanolate;(4-methylphenyl)aluminum(2+) Chemical compound CC[O-].CC[O-].CC1=CC=C([Al+2])C=C1 BLFCDSUFXJPVAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KKDMRHPZWJTSLH-UHFFFAOYSA-N ethanolate;hexylaluminum(2+) Chemical compound CC[O-].CC[O-].CCCCCC[Al+2] KKDMRHPZWJTSLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UABOHUHCGKGGOJ-UHFFFAOYSA-N ethyl(dimethoxy)alumane Chemical compound [O-]C.[O-]C.CC[Al+2] UABOHUHCGKGGOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XPURMEXEEOGCNE-UHFFFAOYSA-N ethyl-di(propan-2-yloxy)alumane Chemical compound CC[Al+2].CC(C)[O-].CC(C)[O-] XPURMEXEEOGCNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNTRBBGWVVMYJH-UHFFFAOYSA-M fluoro(dimethyl)alumane Chemical compound [F-].C[Al+]C GNTRBBGWVVMYJH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CTIKAHQFRQTTAY-UHFFFAOYSA-N fluoro(trimethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)F CTIKAHQFRQTTAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- YCSJJCRCOUGEPI-UHFFFAOYSA-N hexyl(dimethoxy)alumane Chemical compound CCCCCC[Al](OC)OC YCSJJCRCOUGEPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQHLDMJXVHJRLB-UHFFFAOYSA-N hexylaluminum(2+);propan-2-olate Chemical compound CC(C)[O-].CC(C)[O-].CCCCCC[Al+2] MQHLDMJXVHJRLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002510 isobutoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000005921 isopentoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003253 isopropoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(O*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- DKUIXLPCCDROFD-UHFFFAOYSA-N methanolate;methylaluminum(2+) Chemical compound [O-]C.[O-]C.[Al+2]C DKUIXLPCCDROFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFSZFUWOFXCOQU-UHFFFAOYSA-N methanolate;propan-2-ylaluminum(2+) Chemical compound [O-]C.[O-]C.CC(C)[Al+2] OFSZFUWOFXCOQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- BQBCXNQILNPAPX-UHFFFAOYSA-N methoxy(dimethyl)alumane Chemical compound [O-]C.C[Al+]C BQBCXNQILNPAPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005055 methyl trichlorosilane Substances 0.000 description 1
- YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L methylaluminum(2+);dichloride Chemical compound C[Al](Cl)Cl YSTQWZZQKCCBAY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- SEEXDZBMBZLIOH-UHFFFAOYSA-N methylaluminum(2+);propan-2-olate Chemical compound [Al+2]C.CC(C)[O-].CC(C)[O-] SEEXDZBMBZLIOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N methyltrichlorosilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)Cl JLUFWMXJHAVVNN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N molybdenum nickel Chemical compound [Ni].[Mo] DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBELKEREKFGFNM-UHFFFAOYSA-N n'-[[4-(2-trimethoxysilylethyl)phenyl]methyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC1=CC=C(CNCCN)C=C1 HBELKEREKFGFNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLDHYRXZZNDOKU-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CCN(CC)CCC[Si](OC)(OC)OC ZLDHYRXZZNDOKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000006606 n-butoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001298 n-hexoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000003935 n-pentoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000003506 n-propoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- 125000005484 neopentoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- QRCZEWPMOPYPKB-UHFFFAOYSA-N pentyl-di(propan-2-yloxy)alumane Chemical compound C(CCCC)[Al](OC(C)C)OC(C)C QRCZEWPMOPYPKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- BPQPJXCUBLCZIB-UHFFFAOYSA-L phenylaluminum(2+);dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Al+2]C1=CC=CC=C1 BPQPJXCUBLCZIB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005054 phenyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000005077 polysulfide Substances 0.000 description 1
- 229920001021 polysulfide Polymers 0.000 description 1
- 150000008117 polysulfides Polymers 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N sodium cyanide Chemical compound [Na+].N#[C-] MNWBNISUBARLIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N sulfanylsilane Chemical compound S[SiH3] TXDNPSYEJHXKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 125000004213 tert-butoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C(O*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- UZLGSAUVSUOWGY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(diethoxy)alumane Chemical compound C(C)(C)(C)[Al](OCC)OCC UZLGSAUVSUOWGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPTQVQYEVLOCAO-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethoxy)alumane Chemical compound C(C)(C)(C)[Al](OC)OC BPTQVQYEVLOCAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASEHKQZNVUOPRW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)(C)C ASEHKQZNVUOPRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXLWJGIPGJFBEZ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)(C)C HXLWJGIPGJFBEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUQKJALIMSEMGG-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-di(propan-2-yloxy)alumane Chemical compound C(C)(C)(C)[Al](OC(C)C)OC(C)C QUQKJALIMSEMGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003536 tetrazoles Chemical class 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- AWIJRPNMLHPLNC-UHFFFAOYSA-N thiocarboxylic acid group Chemical group C(=S)O AWIJRPNMLHPLNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
- ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N trichloro(phenyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C1=CC=CC=C1 ORVMIVQULIKXCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPCXHCSZMTWUBW-UHFFFAOYSA-N triethoxy(1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,8,8,8-tridecafluorooctyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCC(F)(F)F BPCXHCSZMTWUBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC(C)C)(OCC)OCC ALVYUZIFSCKIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N triethoxy(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC WUMSTCDLAYQDNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHVAUDREWWXPRW-UHFFFAOYSA-N triethoxy(pentyl)silane Chemical compound CCCCC[Si](OCC)(OCC)OCC FHVAUDREWWXPRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJDLPDPRMYAOCM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)C BJDLPDPRMYAOCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OCC)(OCC)OCC NBXZNTLFQLUFES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PADYPAQRESYCQZ-UHFFFAOYSA-N triethoxy-(4-methylphenyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C1=CC=C(C)C=C1 PADYPAQRESYCQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYJRNCYWTVGEEG-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(2-methylpropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(C)C XYJRNCYWTVGEEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](OC)(OC)OC NMEPHPOFYLLFTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)C LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQEGZYAXBCFSBS-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-(4-methylphenyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C1=CC=C(C)C=C1 XQEGZYAXBCFSBS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[5-(oxiran-2-yl)pentyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCCCC1CO1 VMYXFDVIMUEKNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【解決手段】表面に離型層が設けられた表面処理銅箔に、離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、樹脂基材から、表面処理銅箔を除去することで、剥離面に銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、表面プロファイルが転写された樹脂基材の剥離面側にメッキパターンを形成する工程とを備えたプリント配線板の製造方法。
【選択図】図1
Description
に示すアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、これらの加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
に示すシラン化合物、その加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
a/b≦1の場合、(b−c)/b≦0.2、且つ、b≧10nm
a/b>1の場合、(b−c)/b≦0.03、且つ、b≧10nm
a/b≦1の場合、(b−c)/b≦0.2、且つ、b≧10nm
a/b>1の場合、(b−c)/b≦0.03、且つ、b≧10nm
に示すアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、これらの加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
に示すシラン化合物、その加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる。
本発明のプリント配線板の製造方法は一側面において、表面に離型層が設けられた表面処理銅箔に、前記離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔を除去することで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側にメッキパターンを形成する工程とを備える。このような構成により、銅箔に離型層を設けて、当該銅箔を樹脂基材に貼り合わせたときの樹脂基材の物理的な剥離が可能となり、銅箔を樹脂基材から除去する工程において、樹脂基材の表面に転写した銅箔表面のプロファイルを損なうこと無く、良好なコストで銅箔を除去することが可能となる。当該製造方法では、メッキパターンを形成した後、当該メッキパターンを利用して所望の回路を形成してプリント配線板を作製することができる。
ビルドアップ層は、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材の剥離面側に導電層、配線パターンまたは回路と樹脂等の絶縁体とを設けることで作製することができる。導電層、配線パターンまたは回路の形成方法としては、セミアディティブ法、フルアディティブ法、サブトラクティブ法、パートリーアディティブ法等公知の方法を用いることができる。
ビルドアップ層は、複数の層を有してもよく、複数の導電層、配線パターンまたは回路と樹脂等の絶縁体(層)を有してもよい。
複数の導電層、配線パターンまたは回路は樹脂等の絶縁体により電気的に絶縁されていてもよい。電気的に絶縁されている複数の導電層、配線パターンまたは回路を、樹脂等の絶縁体にレーザーおよび/またはドリルによりスルーホール及び/またはブラインドビアを形成した後、当該スルーホール及び/またはブラインドビアに銅めっき等の導通めっきを形成することで、電気的に接続してもよい。
なお、樹脂基材の両面に、表面に離型層が設けられた表面処理銅箔を、前記離型層側から貼り合わせ、その後、表面処理銅箔を除去して、樹脂基材の両面に表面処理銅箔の表面プロファイルを転写し、当該樹脂基材の両面に回路、配線パターンまたはビルドアップ層を設けることで、プリント配線板を製造しても良い。
上述の本願のプリント配線板の製造方法において用いられる表面処理銅箔としては、以下の表面処理銅箔を用いるのが好ましい。すなわち、当該表面処理銅箔は、銅箔と、前記銅箔の表面に設けられた離型層とを有する表面処理銅箔であって、前記銅箔は、前記離型層側表面に凸部を有する。ここで、図1に、「a」、「b」及び「c」を明示した凸部を有する銅箔の断面模式図を示す。前記凸部は、電子顕微鏡を用いて、図9に示すように、前記銅箔を載せるステージを水平面から45°傾けた状態で前記銅箔の離型層側表面の写真撮影を行い、得られた写真(以下、例えば、後述の図8)に基づいて測定された凸部のくびれ部分から凸部の先端までの高さをa、凸部の最広部における最大幅をb、凸部のくびれ部の最小幅をcとしたとき、下記式をいずれも満たすのが好ましい。
a/b≦1の場合、(b−c)/b≦0.2、且つ、b≧10nm
a/b>1の場合、(b−c)/b≦0.03、且つ、b≧10nm
また、「くびれ部」は、銅箔表面の凸部について、銅箔に近づく方向に観察した場合に、凸部先端から、幅が一度広くなった後に、幅が狭くなる部分とする。
「凸部の幅」は、走査型電子顕微鏡で得られた写真上に写真の横枠と平行に凸部を横切る線を引いた場合に、凸部の輪郭または稜線によって区切られる当該写真の横枠と平行に引いた凸部を横切る直線の長さのことを言う。ここで、稜線が凸部に3本以上存在する場合には、最も手前の2つの稜線を選択する。
「くびれ部の最小幅c」は、くびれ部における凸部の幅の最小値とする。例えば、図8では、凸部の稜線の平らな部分(線分)を示す。くびれ部がない場合には、c=bとする。
「凸部のくびれ部分から凸部の先端までの高さa」は、くびれ部の最小幅cを測定する際に引いた写真の横枠と平行に凸部を横切る線へ凸部の先端から垂線を引いた場合の、くびれ部の最小幅cを測定する際に引いた写真の横枠と平行な凸部を横切る線と当該凸部先端から引いた垂線との交点までの距離(a’)と、2の平方根との積の値とする。
「凸部の先端」は、写真を観察した際に、撮影された凹凸の陰影等に基づいて判断される凸部の最も高いと推定される部分を意味する(図7参照)。
「最広部における最大幅b」は、凸部にくびれ部が存在する場合には、凸部先端からくびれ部までの間における、写真の横枠と平行な凸部を横切る直線の、凸部の輪郭で区切られる最も長い長さとする。
銅箔(生箔ともいう)は、電解銅箔で形成されており、銅箔の厚みは特に限定されず、例えば、5〜105μmとすることができる。また、樹脂基材からの引き剥がしが容易となることから、表面処理銅箔の厚みは9〜70μmであるのが好ましく、12〜35μmであるのがより好ましく、18〜35μmであるのが更により好ましい。
電解生箔の電解条件:
Cu:30〜190g/L
H2SO4:100〜400g/L
塩化物イオン(Cl-):10〜200質量ppm
電解液温度:25〜80℃
電解時間:10〜300秒(析出させる銅厚、電流密度により調整)
電流密度:50〜150A/dm2
電解液線速:1.5〜5m/sec
なお、電解液の銅濃度を高くすることで、前述のa、bの値を大きくすることができる。また、電解液の銅濃度を低くすることで、前述のa、bの値を小さくすることができる。また、電解液の温度を高くすることで、前述のa、bの値を大きくすることができる。また、電解液の温度を低くすることで、前述のa、b、cの値を小さくすることができる。また、塩化物イオン濃度を高くすることで、前述のa、bの値を大きくすることができる。なお、塩化物イオン濃度を高くすることで、bの値が大きくなる程度よりもaの値が大きくなる程度の方が大きいという傾向がある。また、塩化物イオン濃度を低くすることで、前述のa、bの値を小さくすることができる。なお、塩化物イオン濃度を低くすることで、bの値が小さくなる程度よりもaの値が小さくなる程度の方が大きいという傾向がある。メッキ時間を長くすることで、前述のa、b、cの値を大きくすることができる。メッキ時間を短くすることで、前述のa、b、cの値を小さくすることができる。
(1)シラン化合物
次式に示す構造を有するシラン化合物、またはその加水分解生成物、または該加水分解生成物の縮合体(以下、単にシラン化合物と記述する)を単独でまたは複数混合して使用して離型層を形成することで、表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせた際に、適度に密着性が低下し、剥離強度を上述の範囲に調節できる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子が挙げられる。
離型層は、分子内に2つ以上のメルカプト基を有する化合物を用いて構成し、当該離型層を介して樹脂基材と銅箔とを貼り合わせることによっても、適度に密着性が低下し、剥離強度を調節できる。
但し、分子内に3つ以上のメルカプト基を有する化合物またはその塩を樹脂基材と銅箔との間に介在させて貼り合わせた場合、剥離強度低減の目的には適さない。これは、分子内にメルカプト基が過剰に存在するとメルカプト基同士、またはメルカプト基と板状キャリア、またはメルカプト基と金属箔との化学反応によってスルフィド結合、ジスルフィド結合またはポリスルフィド結合が過剰に生成し、樹脂基材と銅箔の間に強固な3次元架橋構造が形成されることで剥離強度が上昇することがあると考えられるからである。このような事例は特開2000−196207号公報に開示されている。
離型層を、次式に示す構造を有するアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、またはその加水分解生成物、または該加水分解生成物の縮合体(以下、単に金属アルコキシドと記述する)を単独でまたは複数混合して構成してもよい。当該離型層を介して樹脂基材と銅箔を貼り合わせることで、適度に密着性が低下し、剥離強度を調節できる。
(4)その他
シリコン系の離型剤、離型性を有する樹脂被膜等、公知の離型性を有する物質を離型層に用いることができる。
〔球状粗化〕
Cu、H2SO4、Asから成る、以下に記す銅粗化めっき浴を用いて球状粗化粒子を形成する。
・液組成1
CuSO4・5H2O 78〜196g/L
Cu 20〜50g/L
H2SO4 50〜200g/L
砒素 0.7〜3.0g/L
(電気メッキ温度1) 30〜76℃
(電流条件1) 電流密度 35〜105A/dm2 (浴の限界電流密度以上)
(メッキ時間1)1〜240秒
続いて、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行う。被せメッキ条件を以下に記す。
・液組成2
CuSO4・5H2O 88〜352g/L
Cu 22〜90g/L
H2SO4 50〜200g/L
(電気メッキ温度2) 25〜80℃
(電流条件2) 電流密度:15〜32A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
(メッキ時間1)1〜240秒
まず、以下の条件にて粗化処理を行う。粗化(処理)粒子形成時の電流密度と限界電流密度との比である対限界電流密度比(=粗化(処理)粒子形成時の電流密度/限界電流密度)は2.10〜2.90とした。
・液組成1
CuSO4・5H2O 29.5〜118g/L
Cu 7.5〜30g/L
H2SO4 50〜200g/L
Na2WO4・2H2O 2.7〜10.8mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量 5〜20ppm
(電気メッキ温度1) 20〜70℃
(電流条件1) 電流密度 34〜74A/dm2
(メッキ時間1)1〜180秒
続いて、下記に示す条件で正常めっきを行う。
・液組成2
CuSO4・5H2O 88〜352g/L
Cu 40〜90g/L
H2SO4 50〜200g/L
(電気メッキ温度2) 30〜65℃
(電流条件2) 電流密度 21〜45A/dm2
(メッキ時間2)1〜180秒
まず、Cu−Co−Ni三元系合金層を以下の液組成1及び電気めっき条件1で形成し、その後、当該三元系合金層上にコバルト−ニッケル合金めっきを以下の液組成2及び電気めっき条件2で形成する。
・液組成1
Cu 10〜20g/L
Co 1〜10g/L
Ni 1〜10g/L
pH 1〜4
(電気メッキ温度1) 30〜50℃
(電流条件1) 電流密度 25〜45A/dm2
(メッキ時間1)1〜60秒
・液組成2
Co 1〜30g/L
Ni 1〜30g/L
pH 1.0〜3.5
(電気メッキ温度2)30〜80℃
(電流条件2) 電流密度 3〜10A/dm2
(メッキ時間2)1〜60秒
本発明に係る表面処理銅箔の離型層側に樹脂基材を設けて積層体を作製することができる。当該積層体は、樹脂基材を紙基材フェノール樹脂、紙基材エポキシ樹脂、合成繊維布基材エポキシ樹脂、ガラス布・紙複合基材エポキシ樹脂、ガラス布・ガラス不織布複合基材エポキシ樹脂及びガラス布基材エポキシ樹脂等で形成してもよい。樹脂基材は、プリプレグであってもよく、熱硬化性樹脂を含んでもよい。また、当該積層体の表面処理銅箔に回路を形成することでプリント配線板を作製することができる。更に、プリント配線板に電子部品類を搭載することで、プリント回路板を作製することができる。本発明において、「プリント配線板」にはこのように電子部品類が搭載されたプリント配線板及びプリント回路板及びプリント基板も含まれることとする。また、当該プリント配線板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント回路板を用いて電子機器を作製してもよく、当該電子部品類が搭載されたプリント基板を用いて電子機器を作製してもよい。また、上記「プリント回路板」には、半導体パッケージ用回路形成基板も含まれることとする。さらに半導体パッケージ用回路形成基板に電子部品類を搭載して半導体パッケージを作製することができる。さらに当該半導体パッケージを用いて電子機器を作製してもよい。
また、セミアディティブ法の別の一実施形態は以下の通りである。
前記表面処理銅箔に、離型層側から樹脂基材を積層する工程、
前記表面処理銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記表面処理銅箔をエッチングで除去、または、引き剥がす工程、
前記表面処理銅箔を引き剥がして生じた樹脂基材の剥離面にスルーホールまたは/およびブラインドビアを設ける工程、
前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域についてデスミア処理を行う工程、
前記樹脂基材および前記スルーホールまたは/およびブラインドビアを含む領域について希硫酸等で樹脂基材表面を洗浄し、無電解メッキ層(例えば無電解銅メッキ層)を設ける工程、
前記無電解メッキ層の上にメッキレジストを設ける工程、
前記メッキレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のメッキレジストを除去する工程、
前記メッキレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解メッキ層(例えば電解銅メッキ層)を設ける工程、
前記メッキレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解メッキ層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記表面処理銅箔に、離型層側から樹脂基材を積層する工程、
前記表面処理銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記表面処理銅箔をエッチングで除去、または、引き剥がす工程、
前記表面処理銅箔を引き剥がして生じた樹脂基材の剥離面について、希硫酸等で樹脂基材表面を洗浄し、無電解メッキ層(例えば無電解銅メッキ層)を設ける工程、
前記無電解メッキ層の上にメッキレジストを設ける工程、
前記メッキレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のメッキレジストを除去する工程、
前記メッキレジストが除去された前記回路が形成される領域に、電解メッキ層(例えば電解銅メッキ層)を設ける工程、
前記メッキレジストを除去する工程、
前記回路が形成される領域以外の領域にある無電解メッキ層をフラッシュエッチングなどにより除去する工程、
を含む。
前記表面処理銅箔に、離型層側から樹脂基材を積層する工程、
前記表面処理銅箔と樹脂基材とを積層した後に、前記表面処理銅箔をエッチングで除去、または、引き剥がす工程、
前記表面処理銅箔を引き剥がして生じた樹脂基材の剥離面について、希硫酸等で樹脂基材表面を洗浄する工程、
前記洗浄した樹脂基材表面にメッキレジストを設ける工程、
前記メッキレジストに対して露光し、その後、回路が形成される領域のメッキレジストを除去する工程、
前記メッキレジストが除去された前記回路が形成される領域に、無電解メッキ層(例えば無電解銅メッキ層、厚付けの無電解メッキ層でもよい)を設ける工程、
前記メッキレジストを除去する工程、
を含む。
なお、セミアディティブ法およびフルアディティブ法において、前記樹脂基材表面を洗浄することにより、無電解メッキ層を設けやすくなるという効果がある場合がある。特に、離型層が樹脂基材表面に残存している場合には、当該洗浄により離型層が樹脂基材表面から一部または全部が除去されるため、前記樹脂基材表面の洗浄により、より無電解メッキ層を設けやすくなるという効果がある場合がある。当該洗浄には公知の洗浄方法(使用する液の種類、温度、液の塗布方法等)による洗浄を用いることができる。また、本発明の離型層の一部または全部を除去することができる洗浄方法を用いることが好ましい。
以下の電解条件にて、表1に記載の厚みの電解生箔を作製した。
(電解液組成)
Cu 120g/L
H2SO4 100g/L
塩化物イオン(Cl-) 70ppm
電解液温度 60℃
電流密度 70A/dm2
電解液線速 2m/sec
次に、表面処理として、生箔のM面(マット面)に、以下に示す各条件にて、粗化処理、バリヤー処理(耐熱処理)、防錆処理、シランカップリング処理、樹脂層形成処理のいずれかを、或いは、各処理を組み合わせて行った。続いて、以下に示す条件にて銅箔の当該処理側表面に離型層を形成した。なお、特に言及が無い場合は、各処理はこの記載順にて行った。また、表1において、各処理の欄に「無し」と記載されているものは、これらの処理を実施しなかったことを示す。
〔球状粗化〕
Cu、H2SO4、Asから成る、以下に記す銅粗化めっき浴を用いて球状粗化粒子を形成した。
・液組成1
CuSO4・5H2O 78〜118g/L
Cu 20〜30g/L
H2SO4 12g/L
砒素 1.0〜3.0g/L
(電気メッキ温度1) 25〜33℃
(電流条件1) 電流密度 78A/dm2 (浴の限界電流密度以上)
(メッキ時間1)1〜45秒
続いて、粗化粒子の脱落防止とピール強度向上のため、硫酸・硫酸銅からなる銅電解浴で被せメッキを行った。被せメッキ条件を以下に記す。
・液組成2
CuSO4・5H2O 156g/L
Cu 40g/L
H2SO4 120g/L
(電気メッキ温度2) 40℃
(電流条件2) 電流密度:20A/dm2 (浴の限界電流密度未満)
(メッキ時間2)1〜60秒
まず、以下の条件にて粗化処理を行った。粗化粒子形成時の対限界電流密度比は2.70とした。
・液組成1
CuSO4・5H2O 19.6〜58.9g/L
Cu 5〜15g/L
H2SO4 120g/L
Na2WO4・2H2O 6.0〜10.4mg/L
ドデシル硫酸ナトリウム添加量 10ppm
(電気メッキ温度1) 20〜35℃
(電流条件1) 電流密度 57A/dm2
(メッキ時間1)1〜25秒
続いて、下記に示す条件で正常めっきを行った。
・液組成2
CuSO4・5H2O 156g/L
Cu 40g/L
H2SO4 120g/L
(電気メッキ温度2) 30〜40℃
(電流条件2) 電流密度 38A/dm2
(メッキ時間2)1〜45秒
まず、Cu−Co−Ni三元系合金層を以下の液組成1及び電気めっき条件1で形成した後、当該三元系合金層上にコバルトめっきを以下の液組成2及び電気めっき条件2で形成した。
・液組成1
Cu 8〜18g/L
Co 1〜10g/L
Ni 1〜10g/L
pH 1〜4
(電気メッキ温度1) 30〜40℃
(電流条件1) 電流密度 30A/dm2
(メッキ時間1)1〜30秒
・液組成2
Co 1〜30g/L
Ni 1〜30g/L
pH 1.0〜3.5
(電気メッキ温度2)20〜70℃
(電流条件2) 電流密度 1〜4A/dm2
(メッキ時間2)1〜25秒
サンプルNo.9、11、12、27、29、30、45、47、48について、バリヤー(耐熱)処理を下記の条件で行い、真鍮メッキ層を形成した。
(液組成)
Cu 70g/L
Zn 5g/L
NaOH 70g/L
NaCN 20g/L
(電気メッキ条件)
温度 70℃
電流密度 8A/dm2(多段処理)
サンプルNo.10〜12、28〜30、46〜48について、防錆処理(亜鉛クロメート処理)を下記の条件で行い、防錆処理層を形成した。
(液組成)
CrO3 2.5g/L
Zn 0.7g/L
Na2SO4 10g/L
pH 4.8
(亜鉛クロメート条件)
温度 54℃
電流密度 0.7As/dm2
サンプルNo.11〜12について、シランカップリング材塗布処理を下記の条件で行い、シランカップリング層を形成した。
(液組成)
テトラエトキシシラン含有量 0.4%
pH 7.5
塗布方法 溶液の噴霧
サンプルNo.1〜16、19〜34、37〜52、55〜60について、表1に示すように下記の離型層A〜Eのいずれかを形成した。
〔離型層A〕
銅箔の処理表面に、シラン化合物(n−プロピルトリメトキシシラン:4wt%)の水溶液を、スプレーコーターを用いて塗布してから、100℃の空気中で5分間銅箔表面を乾燥させて離型層Aを形成した。シラン化合物を水中に溶解させてから塗布する前までの撹拌時間は30時間、水溶液中のアルコール濃度は0vol%、水溶液のpHは3.8〜4.2とした。
分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物として1−ドデカンチオールスルホン酸ナトリウムを用い、1−ドデカンチオールスルホン酸ナトリウムの水溶液(1−ドデカンチオールスルホン酸ナトリウム濃度:3wt%)を、スプレーコーターを用いて銅箔の処理面に塗布してから、100℃の空気中で5分間乾燥させて離型層Bを作製した。水溶液のpHは5〜9とした。
金属アルコキシドとしてアルミネート化合物であるトリイソプロポキシアルミニウムを用い、トリイソプロポキシアルミニウムの水溶液(トリイソプロポキシアルミニウム濃度:0.04mol/L)を、スプレーコーターを用いて銅箔の処理面に塗布してから、100℃の空気中で5分間乾燥させて離型層Cを作製した。アルミネート化合物を水中に溶解させてから塗布する前までの撹拌時間は2時間、水溶液中のアルコール濃度は0vol%、水溶液のpHは5〜9とした。
金属アルコキシドとしてチタネート化合物であるn−デシル-トリイソプロポキシチタンを用い、n−デシル-トリイソプロポキシチタンの水溶液(n−デシル−トリイソプロポキシチタン濃度:0.01mol/L)を、スプレーコーターを用いて銅箔の処理面に塗布してから、100℃の空気中で5分間乾燥させて離型層Dを作製した。チタネート化合物を水中に溶解させてから塗布する前までの撹拌時間は24時間、水溶液中のアルコール濃度はメタノールを20vol%とし、水溶液のpHは5〜9とした。
金属アルコキシドとしてジルコネート化合物であるn−プロピル−トリn−ブトキシジルコニウムを用い、n−プロピル−トリn−ブトキシジルコニウムの水溶液(n−プロピル−トリn−ブトキシジルコニウム濃度:0.04mol/L)を、スプレーコーターを用いて銅箔の処理面に塗布してから、100℃の空気中で5分間乾燥させて離型層Eを作製した。チタネート化合物を水中に溶解させてから塗布する前までの撹拌時間は12時間、水溶液中のアルコール濃度は0vol%とし、水溶液のpHは5〜9とした。
サンプルNo.12、30、48については、バリヤー処理、防錆処理、シランカップリング材塗布、離型層形成の後、更に下記の条件で樹脂層の形成を行った。
(樹脂合成例)
ステンレス製の碇型攪拌棒、窒素導入管とストップコックのついたトラップ上に、玉付冷却管を取り付けた還流冷却器を取り付けた2リットルの三つ口フラスコに、3,4、3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物117.68g(400mmol)、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン87.7g(300mmol)、γ−バレロラクトン4.0g(40mmol)、ピリジン4.8g(60mmol)、N−メチル−2−ピロリドン(以下NMPと記す)300g、トルエン20gを加え、180℃で1時間加熱した後室温付近まで冷却した後、3,4、3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物29.42g(100mmol)、2,2−ビス{4−(4−アミノフェノキシ)フェニル}プロパン82.12g(200mmol)、NMP200g、トルエン40gを加え、室温で1時間混合後、180℃で3時間加熱して、固形分38%のブロック共重合ポリイミドを得た。このブロック共重合ポリイミドは、下記に示す一般式(1):一般式(2)=3:2であり、数平均分子量:70000、重量平均分子量:150000であった。
・表面処理銅箔の離型層側表面の凸部の評価
日本電子社製走査型電子顕微鏡を用いて、図9に示すように、表面処理銅箔のサンプルを載せるステージを水平面から45°傾けた状態で表面処理銅箔の離型層側表面の写真撮影を行い、得られた写真(以下、例えば、後述の図8)に基づいて表面処理銅箔の離型層側表面の凸部について図1に示す「凸部のくびれ部分から凸部の先端までの高さa」、「最広部における最大幅b」、「くびれ部の最小幅c」をそれぞれ評価した。なお、走査型電子顕微鏡の観察倍率は3万倍〜100万倍とした。また、サンプルを載せるステージの傾けは写真の縦枠の方向と直角の方向で、かつ、写真の横枠の方向と平行方向の回転軸に沿って行った。
評価は、図1に示すように、各凸部について「a」、「b」、「c」の値を測定し、100個以上の凸部の「a」、「b」、「c」の算術平均値の値を、それぞれ「a」、「b」、「c」の値とした。なお、粗化処理粒子を銅箔の表面に形成した場合には、凸部の「a」、「b」、「c」は測定可能な凸部を選択して測定した。ここで、前述の測定可能な凸部とは、くびれ部が観察可能な凸部のことを意味する。くびれ部が観察可能な凸部とは凸部の稜線(図8に例示)を観察することができる凸部のことである。
ここで、「くびれ部」は、銅箔表面の凸部について、銅箔に近づく方向に観察した場合に、凸部先端から、幅が一度広くなった後に、幅が狭くなる部分とする。
「凸部の幅」は、走査型電子顕微鏡で得られた写真上に写真の横枠と平行に凸部を横切る線を引いた場合に、凸部の輪郭または稜線によって区切られる当該写真の横枠と平行に引いた凸部を横切る直線の長さのことを言う。ここで、稜線が凸部に3本以上存在する場合には、最も手前の2つの稜線を選択する。
「くびれ部の最小幅c」は、くびれ部における凸部の幅の最小値とする。くびれ部がない場合には、c=bとした。
「凸部のくびれ部分から凸部の先端までの高さa」は、くびれ部の最小幅cを測定する際に引いた写真の横枠と平行に凸部を横切る線へ凸部の先端から垂線を引いた場合の、くびれ部の最小幅cを測定する際に引いた写真の横枠と平行な凸部を横切る線と当該凸部先端から引いた垂線との交点までの距離(a’)と、2の平方根との積の値とした。
「凸部の先端」は、写真を観察した際に、撮影された凹凸の陰影等に基づいて判断される凸部の最も高いと推定される部分を意味する(図7参照)。
「最広部における最大幅b」は、凸部にくびれ部が存在する場合には、凸部先端からくびれ部までの間における、写真の横枠と平行な凸部を横切る直線の、凸部の輪郭で区切られる最も長い長さとした。
各表面処理銅箔の処理側表面に以下の樹脂基材1〜3のいずれかを貼り合わせた。
基材1:三菱ガス化学(株)製 GHPL-830 MBT
基材2:日立化成工業(株)製 679-FG
基材3:住友ベークライト(株)製 EI-6785TS-F
積層プレスの温度、圧力、時間は、各基材メーカーの推奨条件を用いた。
積層体に対し、IPC−TM−650に準拠し、引張り試験機オートグラフ100で銅箔から樹脂基材を剥離する際の常態ピール強度を測定し、以下の基準で表面処理銅箔の剥離性を評価した。
○:2〜200gf/cmの範囲であった。
×:2gf/cm未満または200gf/cm超であった。
上記剥離後の樹脂基材の剥離面を電子顕微鏡で観察し、樹脂の破壊モード(凝集、界面、凝集と界面との混在)について観察した。樹脂の破壊モードについて、「界面」は、樹銅箔と樹脂との界面で剥離したことを示し、「凝集」は、剥離強度が強すぎて樹脂が破壊していることを示し、「混在」は、上記「界面」と「凝集」とが混在していることを示す。
上記剥離後の樹脂基材1〜3の剥離面に、メッキ液[液組成、Cu:50g/L、H2SO4:50g/L、Cl:60ppm)を用いて銅メッキパターン(ライン/スペース=50μm/50μm)を形成した(例1)。また、上記剥離後の樹脂基材の剥離面に、導電ペーストを含有するインクを用いてインクジェットにより印刷パターン(ライン/スペース=50μm/50μm)を形成した(例2)。また、上記剥離後の樹脂基材の剥離面に、液晶ポリマーで構成された樹脂層(ビルドアップ層を構成する樹脂を想定した)をラミネートした(例3)。
次に、それぞれ信頼性試験(250℃±10℃×1時間の加熱試験)によって、回路剥離または基板フクレが発生するか否かを確認した。なお、評価サンプルの大きさは250mm×250mmとし、サンプル番号ごとに3サンプルについて測定した。
回路剥離および基板フクレが発生しなかったものを「◎」と評価した。回路剥離または基板フクレがわずかに発生したが(1サンプル中3か所以下)、使用する箇所を選別すれば製品として使用することができるものを「〇」と評価した。また、回路剥離または基板フクレが多数発生(1サンプル中3か所超)し、製品として使用することができないものを「×」と評価した。
各試験条件及び評価結果を表1〜4に示す。
樹脂基材1〜3の未処理表面に対し、ビルドアップ層を構成する樹脂として想定している液晶ポリマー(株式会社クラレ製 Vecstar 品番:CT−F 厚み50μm)を、大きさ1cm角とし、積層温度295±5℃、積層圧力:1MPa、積層時間:30分で積層した。そして、積層した液晶ポリマーに対し、ワイヤー付き1cm角金属板を、接着剤を用いて接合した。なお、ワイヤーは金属製であり1cm角金属板の中央部に対して溶接またははんだ付けにより接合されている。そして引張り試験機オートグラフ100を用いて、ワイヤーを引っ張ることで、樹脂基材1〜3からビルドアップ層を構成する樹脂(液晶ポリマー)を引っ張って剥離する際の最大荷重を測定した。任意の3か所について、当該測定を行い、3か所の算術平均値を最大荷重A(g)とした。なお、ワイヤーの引張速度は50mm/minとした。また、ワイヤーを引っ張る方向は、金属板の表面に垂直な方向とした。そして、A(g/cm2)をビルドアップ層を構成する樹脂及び樹脂基材1〜3の未処理表面同士を貼り合わせて、引っ張って剥離させたときの強度とした。測定した結果、樹脂基材1〜3のいずれにおいてもビルドアップ層を構成する樹脂(液晶ポリマー)及び樹脂基材1〜3の未処理表面同士を貼り合わせて、引っ張って剥離させたときの強度は500g/cm2以下となった。また、表1に記載の各銅箔サンプルを、表1に記載の樹脂基材1〜3に積層した後に、樹脂基材から当該銅箔サンプル剥離して、銅箔表面の凹凸プロフィールが転写した樹脂基材を得た。そして、当該銅箔表面の凹凸プロフィールが転写した樹脂基材の表面に対して、上述と同様にビルドアップ層を構成する樹脂(液晶ポリマー)を積層し、その後、樹脂基材とビルドアップ層を構成する樹脂とを引っ張って剥離させた際の強度を測定した。その結果、前述の「・回路剥離、基板フクレの評価」において、評価が「◎」の実験例は、樹脂基材とビルドアップ層を構成する樹脂とを引っ張って剥離させた際の強度が1000g/cm2以上となり、評価が「○」の実験例は、樹脂基材とビルドアップ層を構成する樹脂とを引っ張って剥離させた際の強度が800g/cm2以上となり、評価が「×」の実験例は、樹脂基材とビルドアップ層を構成する樹脂とを引っ張って剥離させた際の強度が600g/cm2以下となった。
一方、離型層を設けておらず、或いは、離型層を形成しようとして用いた化合物が不適切であった例No.17〜18、No.35〜36、No.53〜54は、離型層が形成できず、ピール強度が大きく、樹脂の破壊モードが凝集と、凝集と界面との混在のいずれかであった。このように、樹脂基材と貼り合わせた後に、銅箔を除去したとき、樹脂基材の表面に転写した銅箔表面のプロファイルが損なわれ、良好に銅箔を除去することができなかった。
図7に、サンプルのNo.58に係る表面処理銅箔の離型層側表面の顕微鏡観察写真を示す。
図8に、サンプルのNo.55に係る表面処理銅箔の離型層側表面の顕微鏡観察写真を示す。
Claims (29)
- 表面に離型層が設けられた表面処理銅箔に、前記離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、
前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔を除去することで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、
前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側にメッキパターンを形成する工程と、
を備えたプリント配線板の製造方法。 - 表面に離型層が設けられた表面処理銅箔に、前記離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、
前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔を除去することで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、
前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側に印刷パターンを形成する工程と、
を備えたプリント配線板の製造方法。 - 表面に離型層が設けられた表面処理銅箔に、前記離型層側から樹脂基材を貼り合わせる工程と、
前記樹脂基材から、前記表面処理銅箔を除去することで、剥離面に前記銅箔の表面プロファイルが転写された樹脂基材を得る工程と、
前記表面プロファイルが転写された樹脂基材の前記剥離面側にビルドアップ層を設ける工程と、
を備えたプリント配線板の製造方法。 - 前記ビルドアップ層を構成する樹脂及び前記樹脂基材の未処理表面同士を貼り合わせて、引っ張って剥離させたときの強度が500g/cm2以下である請求項3に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記ビルドアップ層を構成する樹脂が、液晶ポリマーまたはポリテトラフルオロエチレンを含む請求項3又は4に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記離型層が、次式:
に示すアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、これらの加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる請求項1〜5のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。 - 前記離型層が、次式:
に示すシラン化合物、その加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる請求項1〜5のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。 - 前記離型層が、分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物を用いてなる請求項1〜5のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記銅箔は、前記離型層側表面に凸部を有し、前記凸部は、電子顕微鏡を用いて、前記銅箔を載せるステージを水平面から45°傾けた状態で前記銅箔の離型層側表面の写真撮影を行い、得られた写真に基づいて測定された凸部のくびれ部分から凸部の先端までの高さをa、凸部の最広部における最大幅をb、凸部のくびれ部の最小幅をcとしたとき、下記式をいずれも満たす請求項1〜8のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
a/b≦1の場合、(b−c)/b≦0.2、且つ、b≧10nm
a/b>1の場合、(b−c)/b≦0.03、且つ、b≧10nm - 前記銅箔と前記離型層との間に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層を設けた請求項1〜9のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層の表面に、樹脂層を設けた請求項10に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記表面処理銅箔の離型層側表面に、樹脂層を設けた請求項1〜11のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記樹脂層が、接着用樹脂、プライマー又は半硬化状態の樹脂である請求項11又は12に記載のプリント配線板の製造方法。
- 前記表面処理銅箔の厚みが9〜70μmである請求項1〜13のいずれか一項に記載のプリント配線板の製造方法。
- 銅箔と、前記銅箔の表面に設けられた離型層とを有する表面処理銅箔であって、
前記銅箔は、前記離型層側表面に凸部を有し、前記凸部は、電子顕微鏡を用いて、前記銅箔を載せるステージを水平面から45°傾けた状態で前記銅箔の離型層側表面の写真撮影を行い、得られた写真に基づいて測定された凸部のくびれ部分から凸部の先端までの高さをa、凸部の最広部における最大幅をb、凸部のくびれ部の最小幅をcとしたとき、下記式をいずれも満たす表面処理銅箔。
a/b≦1の場合、(b−c)/b≦0.2、且つ、b≧10nm
a/b>1の場合、(b−c)/b≦0.03、且つ、b≧10nm - 前記銅箔は、前記離型層側表面に、粗化粒子を有さない請求項15に記載の表面処理銅箔。
- 前記離型層が、次式:
に示すアルミネート化合物、チタネート化合物、ジルコネート化合物、これらの加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる請求項15または16に記載の表面処理銅箔。 - 前記離型層が、次式:
に示すシラン化合物、その加水分解生成物、該加水分解生成物の縮合体を単独で又は複数組み合わせて用いてなる請求項15または16に記載の表面処理銅箔。 - 前記離型層が、分子内に2つ以下のメルカプト基を有する化合物を用いてなる請求項15または16に記載の表面処理銅箔。
- 前記銅箔と前記離型層との間に、耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層を設けた請求項15〜19のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記耐熱層、防錆層、クロメート処理層及びシランカップリング処理層からなる群から選択された一種以上の層の表面に、樹脂層を設けた請求項20に記載の表面処理銅箔。
- 前記離型層側表面に、樹脂層を設けた請求項15〜21のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 前記樹脂層が、接着用樹脂、プライマー又は半硬化状態の樹脂である請求項21又は22に記載の表面処理銅箔。
- 厚みが9〜70μmである請求項15〜23のいずれか一項に記載の表面処理銅箔。
- 請求項15〜24のいずれか一項に記載の表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔の離型層側に設けられた樹脂基材とを備えた積層体。
- 前記樹脂基材が、プリプレグである、又は、熱硬化性樹脂を含む請求項25に記載の積層体。
- 請求項15〜24のいずれか一項に記載の表面処理銅箔を用いたプリント配線板。
- 請求項27に記載のプリント配線板を備えた半導体パッケージ。
- 請求項27に記載のプリント配線板又は請求項28に記載の半導体パッケージを用いた電子機器。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020187006355A KR102066362B1 (ko) | 2015-08-03 | 2016-08-03 | 프린트 배선판의 제조 방법, 표면 처리 동박, 적층체, 프린트 배선판, 반도체 패키지 및 전자기기 |
CN201680038794.8A CN107710890A (zh) | 2015-08-03 | 2016-08-03 | 印刷配线板的制造方法、表面处理铜箔、积层体、印刷配线板、半导体封装及电子机器 |
PCT/JP2016/072848 WO2017022807A1 (ja) | 2015-08-03 | 2016-08-03 | プリント配線板の製造方法、表面処理銅箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ及び電子機器 |
TW105124600A TWI619413B (zh) | 2015-08-03 | 2016-08-03 | 印刷配線板之製造方法、表面處理銅箔、積層體、印刷配線板、半導體封裝及電子機器 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015153753 | 2015-08-03 | ||
JP2015153753 | 2015-08-03 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017034216A true JP2017034216A (ja) | 2017-02-09 |
JP2017034216A5 JP2017034216A5 (ja) | 2018-04-26 |
JP6438370B2 JP6438370B2 (ja) | 2018-12-12 |
Family
ID=57988941
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015187489A Active JP6438370B2 (ja) | 2015-08-03 | 2015-09-24 | プリント配線板の製造方法、表面処理銅箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ及び電子機器 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6438370B2 (ja) |
KR (1) | KR102066362B1 (ja) |
CN (1) | CN107710890A (ja) |
TW (1) | TWI619413B (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6334034B1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-05-30 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔及びその製造方法、並びに銅張積層板 |
CN110691501A (zh) * | 2018-07-06 | 2020-01-14 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
WO2021079952A1 (ja) | 2019-10-25 | 2021-04-29 | ナミックス株式会社 | 複合銅部材 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019230569A1 (ja) * | 2018-05-30 | 2019-12-05 | Agc株式会社 | 樹脂付金属箔の製造方法、樹脂付金属箔、積層体及びプリント基板 |
CN115413118A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-11-29 | 深圳市米韵科技有限公司 | 一种hdi线路板基板材料及其制备方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012039111A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-23 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | メッキ層の形成方法及びこれを用いた回路基板の製造方法 |
WO2013183607A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付金属箔 |
WO2014051122A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付金属箔 |
WO2014054811A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 多層プリント配線基板の製造方法及びベース基材 |
WO2015012327A1 (ja) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、プリント配線板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2015203038A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 金属箔付き接着シート、金属箔付き積層板、金属箔付き多層基板、回路基板の製造方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0647755A (ja) * | 1992-07-28 | 1994-02-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 銅張り積層板の製造方法 |
JP4740692B2 (ja) | 2004-12-14 | 2011-08-03 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板の製造法 |
JP4829647B2 (ja) | 2006-03-10 | 2011-12-07 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
US8658473B2 (en) * | 2012-03-27 | 2014-02-25 | General Electric Company | Ultrathin buried die module and method of manufacturing thereof |
WO2013183606A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付金属箔 |
TWI627876B (zh) * | 2012-08-06 | 2018-06-21 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Metal foil with carrier |
SG11201500934RA (en) * | 2012-08-08 | 2015-03-30 | 3M Innovative Properties Co | Barrier film constructions and methods of making same |
-
2015
- 2015-09-24 JP JP2015187489A patent/JP6438370B2/ja active Active
-
2016
- 2016-08-03 KR KR1020187006355A patent/KR102066362B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-03 TW TW105124600A patent/TWI619413B/zh active
- 2016-08-03 CN CN201680038794.8A patent/CN107710890A/zh active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012039111A (ja) * | 2010-08-03 | 2012-02-23 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | メッキ層の形成方法及びこれを用いた回路基板の製造方法 |
WO2013183607A1 (ja) * | 2012-06-04 | 2013-12-12 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付金属箔 |
WO2014051122A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | Jx日鉱日石金属株式会社 | キャリア付金属箔 |
WO2014054811A1 (ja) * | 2012-10-04 | 2014-04-10 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 多層プリント配線基板の製造方法及びベース基材 |
WO2015012327A1 (ja) * | 2013-07-23 | 2015-01-29 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、樹脂基材、プリント配線板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法 |
JP2015203038A (ja) * | 2014-04-11 | 2015-11-16 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 金属箔付き接着シート、金属箔付き積層板、金属箔付き多層基板、回路基板の製造方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6334034B1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-05-30 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔及びその製造方法、並びに銅張積層板 |
WO2018225409A1 (ja) * | 2017-06-09 | 2018-12-13 | Jx金属株式会社 | 表面処理銅箔及びその製造方法、並びに銅張積層板 |
CN110691501A (zh) * | 2018-07-06 | 2020-01-14 | 广州方邦电子股份有限公司 | 电磁屏蔽膜、线路板及电磁屏蔽膜的制备方法 |
WO2021079952A1 (ja) | 2019-10-25 | 2021-04-29 | ナミックス株式会社 | 複合銅部材 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102066362B1 (ko) | 2020-01-14 |
TW201709782A (zh) | 2017-03-01 |
JP6438370B2 (ja) | 2018-12-12 |
TWI619413B (zh) | 2018-03-21 |
KR20180037252A (ko) | 2018-04-11 |
CN107710890A (zh) | 2018-02-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5826322B2 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、半導体パッケージ用回路形成基板、半導体パッケージ及びプリント配線板の製造方法 | |
JP6204430B2 (ja) | 金属箔、離型層付き金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器及びプリント配線板の製造方法 | |
JP6438370B2 (ja) | プリント配線板の製造方法、表面処理銅箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ及び電子機器 | |
JP6605271B2 (ja) | 離型層付き電解銅箔、積層体、半導体パッケージの製造方法、電子機器の製造方法及びプリント配線板の製造方法 | |
TW201811557A (zh) | 附脫模層的銅箔、積層體、印刷配線板的製造方法及電子機器的製造方法 | |
TWI660658B (zh) | 附脫模層金屬箔、金屬箔、積層體、印刷配線板、半導體封裝、電子機器及印刷配線板的製造方法 | |
JP2018121085A (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP6498091B2 (ja) | 表面処理金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器 | |
WO2017051897A1 (ja) | 金属箔、離型層付き金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器及びプリント配線板の製造方法 | |
JP6588290B2 (ja) | 離型層付き金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器、積層体の製造方法及びプリント配線板の製造方法 | |
WO2017022807A1 (ja) | プリント配線板の製造方法、表面処理銅箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ及び電子機器 | |
JP6031624B2 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板の製造方法、半導体パッケージの製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP5897755B2 (ja) | 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器、半導体パッケージ、プリント配線板の製造方法、電子機器の製造方法、半導体パッケージの製造方法、樹脂基材の製造方法、銅箔の表面プロファイルを樹脂基材に転写する方法 | |
JP2018171899A (ja) | 離型層付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 | |
JP2018171902A (ja) | 離型層付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180314 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180314 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180314 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180604 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180612 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20180904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180925 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20181030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6438370 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |