CN117916553A - 铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法 - Google Patents
铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117916553A CN117916553A CN202180101984.0A CN202180101984A CN117916553A CN 117916553 A CN117916553 A CN 117916553A CN 202180101984 A CN202180101984 A CN 202180101984A CN 117916553 A CN117916553 A CN 117916553A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- copper foil
- filter
- sdr
- less
- untreated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 327
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 title claims abstract description 324
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 74
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 25
- 238000012216 screening Methods 0.000 title claims description 12
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims abstract description 45
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 29
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 20
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 14
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 7
- 101100284557 Neosartorya fumigata (strain ATCC MYA-4609 / Af293 / CBS 101355 / FGSC A1100) helC gene Proteins 0.000 claims 1
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 abstract description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 44
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 19
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 10
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 4
- 101100533725 Mus musculus Smr3a gene Proteins 0.000 description 2
- 101100149716 Rattus norvegicus Vcsa1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101150096622 Smr2 gene Proteins 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002500 effect on skin Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 2
- 235000019592 roughness Nutrition 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 101150097252 Nptn gene Proteins 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 1
- 239000007822 coupling agent Substances 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 238000000275 quality assurance Methods 0.000 description 1
- 238000004439 roughness measurement Methods 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B21/00—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant
- G01B21/30—Measuring arrangements or details thereof, where the measuring technique is not covered by the other groups of this subclass, unspecified or not relevant for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Abstract
提供一种表示与高频特性高度相关的铜箔的表面参数的测定方法。该铜箔的表面参数的测定方法包括以下工序：工序(a)，获得未处理铜箔的至少一个表面的表面轮廓的工序；工序(b)，基于表面轮廓设定L滤波器的截止值的工序；工序(c)，获得源自未处理铜箔的表面处理铜箔的至少一个表面的表面轮廓的工序；工序(d)，对表面处理铜箔的表面轮廓进行滤波处理的工序，其中包括使用上述截止值的L滤波器进行处理的步骤；和工序(e)，基于滤波处理后的表面轮廓，计算表面处理铜箔的表面的、ISO25178所规定的表面参数中的至少1种的工序。
Description
技术领域
本发明涉及铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法。
背景技术
在印刷电路板的制造工序中，铜箔以与绝缘树脂基材贴合的覆铜层叠板的形态被广泛使用。在这一点上，为了防止在印刷电路板制造时发生布线的剥离，期望铜箔与绝缘树脂基材具有高密合力。为此，在通常的印刷电路板制造用铜箔中，对铜箔的贴合面实施粗糙化处理等表面处理以形成由微细的铜颗粒构成的凹凸，并且通过冲压加工将该凹凸咬合进绝缘树脂基材的内部以发挥锚定效果，从而提高密合性。
近年来，随着便携式电子设备等的高功能化，为了进行大量信息的高速处理，信号的高频化正在发展，要求适于高频用途的印刷电路板。对于这种高频用印刷电路板，为了能够在不使高频信号质量下降的情况下进行传输，期望降低传输损耗。印刷电路板具有加工成布线图案的铜箔和绝缘基材，作为传输损耗中的主要损耗，可列举出由铜箔引起的导体损耗和由绝缘基材引起的介电损耗。
作为高频用印刷电路板中使用的铜箔，例如专利文献1(日本特开2020-50954号公报)中公开了具有包含多个峰、多个凹槽和多个微晶簇的微小粗糙化表面的微小粗糙化电解铜箔，根据该铜箔，可以有效地抑制信号传输中的损耗。另外，专利文献1中还记载了使用激光显微镜在λs＝2.5μm和λc＝0.003mm的条件下测量铜箔的Rlr值。
然而，已知印刷电路板的高频特性(传输损耗的频率依赖性)与铜箔的表面粗糙度相关，通常越使用低粗度的铜箔，高频特性越有变好的倾向。作为铜箔的表面粗糙度测定方法，例如非专利文献1(柔性印刷电路板的高速传输线路试验法指南第1版)中公开了基于高频传输线路用的铜箔表面轮廓的三维方式的试验方法。非专利文献1中记载了在该试验方法中，通过使用基于ISO25178的测定装置(共聚焦显微镜)并且使用规定的S滤波器(0.5μm或0.8μm)和L滤波器(25μm、50μm或80μm)进行处理，从而计算出算术平均高度Sa。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2020-50954号公报
专利文献2:日本特开平9-241882号公报
专利文献3:WO2008/041706A1
非专利文献
非专利文献1:柔性印刷电路板的高速传输线路试验法指南第1版、一般社团法人日本电子电路协会、2019年6月5日发行
发明内容
但是，通过以往的铜箔的表面粗糙度测定方法计算出的表面参数与高频特性的相关未必充分。
本发明人等此番得到了如下见解：基于未处理铜箔的表面轮廓设定L滤波器的截止值，然后使用预先设定了截止值的L滤波器处理源自未处理铜箔的表面处理铜箔的表面轮廓，计算出ISO25178所规定的表面参数，由此得到的表面参数表示与高频特性高度相关。
因此，本发明的目的在于，提供表示与高频特性高度相关的铜箔的表面参数的测定方法。
根据本发明的一方式，提供一种铜箔的表面参数的测定方法，其包括以下工序：
工序(a)，获得未处理铜箔的至少一个表面的表面轮廓的工序；
工序(b)，基于所述表面轮廓设定L滤波器的截止值的工序；
工序(c)，获得源自所述未处理铜箔的表面处理铜箔的至少一个表面的表面轮廓的工序；
工序(d)，对所述表面处理铜箔的表面轮廓进行滤波处理的工序，其中包括使用所述截止值的L滤波器进行处理的步骤；和
工序(e)，基于所述滤波处理后的表面轮廓，计算所述表面处理铜箔的所述表面的、ISO25178所规定的表面参数中的至少1种的工序。
根据本发明的一其它方式，提供一种铜箔的筛选方法，其包括以下工序：
使用所述方法测定铜箔的表面参数的工序，所述表面参数为选自由ISO25178所规定的算术平均高度Sa、根均方高度Sq、最大高度Sz、界面扩展面积比Sdr、中心部的实体体积Vmc和中心部的水平差Sk组成的组中的至少1种；和
筛选出具有所述Sa为1.2μm以下、所述Sq为2.5μm以下、所述Sz为14μm以下、所述Sdr为60％以下、所述Vmc为1.5μm3以下和/或所述Sk为4μm以下的表面的铜箔作为适于面向高频用途的印刷电路板的铜箔的工序。
根据本发明的又一另外方式，提供一种表面处理铜箔的制造方法，其包括以下工序：
准备未处理铜箔的工序；
对所述未处理铜箔的至少一个表面实施表面处理来制造表面处理铜箔的工序；
使用所述方法测定所述表面处理铜箔的表面参数的工序；和
仅在所述表面参数满足规定条件的情况下，将所述表面处理铜箔供于出厂或认定为供于出厂的产品的工序，
基于所述工序(a)的表面轮廓的获得是针对所述未处理铜箔的至少一个表面进行的，且基于所述工序(c)的表面轮廓的获得是针对所述表面处理铜箔的实施了所述表面处理的表面进行的。
根据本发明的又一另外方式，提供一种面向高频用途的印刷电路板的制造方法，其包括使用通过所述方法得到的铜箔来制造面向高频用途的印刷电路板的工序。
附图说明
图1是用于说明根据ISO25178确定的负载曲线和负载面积率的图。
图2是用于说明根据ISO25178确定的分离突出峰部与中心部的负载面积率Smr1、分离突出谷部与中心部的负载面积率Smr2以及中心部的水平差Sk的图。
图3是用于说明根据ISO25178确定的中心部的实体体积Vmc的图。
图4是具有多个凸块的铜箔表面的示意图，用于对α值进行说明的图。
图5是用于说明本发明的铜箔的表面参数测定方法的工艺流程图。
图6A是表示在例A1中基于各截止值进行了L滤波处理的未处理铜箔I的析出面的Sdr的图。
图6B是表示在例A1中基于各截止值进行了L滤波处理的未处理铜箔I的析出面的α值的图。
图7是表示在未处理铜箔I的析出面中L滤波处理前后的Sdr的二阶微分的图。
图8A是表示在例A1中基于各截止值进行了L滤波处理的未处理铜箔I的电极面的Sdr的图。
图8B是表示在例A1中基于各截止值进行了L滤波处理的未处理铜箔I的电极面的α值的图。
图9是表示在未处理铜箔I的电极面中L滤波处理前后的Sdr的二阶微分的图。
图10A是表示在例A1中基于各截止值进行了L滤波处理的未处理铜箔II的析出面的Sdr的图。
图10B是表示在例A1中基于各截止值进行了L滤波处理的未处理铜箔II的析出面的α值的图。
图11是表示在未处理铜箔II的析出面中L滤波处理前后的Sdr的二阶微分的图。
图12是对例A1～A3中的铜箔的表面参数与传输损耗的回归方程的决定系数R2进行比较的图。
图13是表示例B1中的铜箔a～d的算术平均高度Sa与高频特性的相关关系的图。
图14是表示例B2～B5中的未处理铜箔I和II的Sdr的变化率与铜箔a～d的高频特性的相关关系(决定系数R2)的图。
图15是表示例B2～B5中的未处理铜箔I和II的α值的变化率与铜箔a～d的高频特性的相关关系(决定系数R2)的图。
图16是表示例B3中的铜箔a～d的算术平均高度Sa与高频特性的相关关系的图。
具体实施方式
定义
用于确定本发明的用语以及参数的定义以下所示。
在本说明书中，“算术平均高度Sa”或“Sa”是ISO25178所规定的、表示各点相对于表面的平均面的高度差的绝对值的平均的参数。即，Sa对应于将轮廓曲线的算术平均高度Ra扩展至面而得到的参数。
在本说明书中，“根均方高度Sq”或“Sq”是ISO25178所规定的、对应于与平均面的距离的标准偏差的参数，并且对应于高度的标准偏差。
在本说明书中，“最大高度Sz”或“Sz”表示ISO25178所规定的从表面的最高点到最低点的距离。
本说明书中，“界面扩展面积比Sdr”或“Sdr”是指：依据ISO25178所规定的、表示定义区域的扩展面积(表面积)相对于定义区域的面积增大多少的参数。需要说明的是，本说明书中，将界面扩展面积比Sdr表示为表面积的增加部分(％)。该值越小，表示越为接近平坦的表面形状，完全平坦的表面的Sdr为0％。另一方面，该值越大，表示越为凹凸多的表面形状。例如，表面的Sdr为40％时，表示该表面从完全平坦的表面增大40％的表面积。
本说明书中“面的负载曲线”(以下简称为“负载曲线”)是指：依据ISO25178所规定的、表示负载面积率从0％到100％高度的曲线。负载面积率如图1所示为表示某一高度c以上的区域的面积的参数。高度c下的负载面积率相当于图1中的Smr(c)。如图2所示，沿着负载曲线从负载面积率为0％起，取将负载面积率的差设为40％而画出负载曲线的割线，使该负载曲线的割线从负载面积率为0％起移动，将割线的斜率的最平缓的位置称作负载曲线的中央部分。相对于该中央部分，将与纵轴方向的偏差的平方和最小的直线称作等价直线。将等价直线的负载面积率0％到100％的高度的范围中所包含的部分称为中心部。将比中心部高的部分称为突出峰部，将比中心部低的部分称为突出谷部。
本说明书中，“中心部的水平差Sk”为依据ISO25178所规定的、由中心部的最大高度减去最小高度所得的值，如图2所示，为通过等价直线的负载面积率0％与100％的高度差算出的参数。
在本说明书中，“中心部的实体体积Vmc”或“Vmc”如图3所示是根据ISO25178所规定的表示中心部的体积的参数。在本说明书中，将分离中心部与突出峰部的负载面积率Smr1指定为10％并且将分离中心部与突出谷部的负载面积率Smr2指定为80％，从而计算出Vmc。
在本说明书中，“α值”是指通过将中心部的实体体积Vmc除以中心部的水平差Sk并乘以界面扩展面积比Sdr而得到的、即通过(Vmc/Sk)×Sdr的式子得到的参数。在此，将用于对α值进行说明的铜箔表面的示意图示于图4。在如图4的(i)所示的具有多个凸块N的铜箔表面中，Vmc对应于从凸块N去除突出部的中心部的体积，Sk对应于中心部的高度(参见图4的(ii))。因此，可以认为Vmc除以Sk即Vmc/Sk对应于中心部的面积(参见图4的(iii))，Vmc/Sk乘以Sdr而得到的α值是反映中心部的Sdr的参数(参见图4的(iv))。
在本说明书中，“未处理铜箔”是指未进行粗糙化处理、防锈处理等表面处理的阶段的铜箔。这里所说的铜箔可以是具有支撑层、剥离层和极薄铜层的铜箔(所谓的带载体铜箔)。
在本说明书中，“源自未处理铜箔的表面处理铜箔”是指对未处理铜箔实施粗糙化处理、防锈处理等表面处理而得到的铜箔。
在本说明书中，电解铜箔的“电极面”是指制作时与阴极接触的一侧的面。
在本说明书中，电解铜箔的“析出面”是指制作时电解铜析出的一侧的面、即不与阴极接触的一侧的面。
在本说明书中，“L滤波器”是去除较大波长成分的滤波器，在轮廓曲线方式的测定(线粗糙度测定)中也称为“λc”。即，L滤波器是去除铜箔的波纹等大尺度的波长成分的滤波器。
在本说明书中，“S滤波器”是指去除较小波长成分的滤波器，在轮廓曲线方式的测定(线粗糙度)中也称为“λs”。即，S滤波器是去除铜箔的粗糙化处理等中的小尺度的波长成分的滤波器。
铜箔的表面参数的测定方法
本发明的方法是铜箔的表面参数的测定方法。该方法包括(1)未处理铜箔的表面轮廓的获得、(2)L滤波器的截止值的设定、(3)表面处理铜箔的表面轮廓的获得、(4)表面处理铜箔的表面轮廓的滤波处理、和(5)表面处理铜箔的表面参数的计算的各个工序。
以下，参照附图分别对工序(1)～(5)进行说明。
(1)未处理铜箔的表面轮廓的获得
将根据本发明的铜箔的表面参数的测定方法的一例示于图5。首先，如图5的(i)所示，获得未处理铜箔10的至少一个表面的表面轮廓。表面轮廓的获得可以针对未处理铜箔10的一个表面进行，也可以针对未处理铜箔10的两个表面进行。
未处理铜箔10的表面轮廓的获得可以优选通过使用非接触式表面粗糙度测定器、例如市售的激光显微镜测定未处理铜箔10的表面来进行。在使用激光显微镜进行测定的情况下，测定面积优选设为90μm2以上且103000μm2以下，更优选设为1000μm2以上且26000μm2以下，进一步优选设为1000μm2以上且17000μm2以下。另外，激光显微镜的测定倍率优选为50倍以上且500倍以下，更优选为100倍以上且400倍以下。
未处理铜箔10可以是根据公知的方法和条件制造的，也可以是市售品。另外，未处理铜箔10可以是电解铜箔和轧制铜箔中的任一者，优选为电解铜箔。在未处理铜箔10为电解铜箔的情况下，表面轮廓的获得可以针对电解铜箔的电极面和析出面中的任一者的表面进行，优选针对进行了表面处理的一侧的表面进行。
(2)L滤波器的截止值的设定
基于获得的未处理铜箔10的表面轮廓设定L滤波器的截止值。由此，在后述的工序中能够计算出表示与高频特性高度相关的表面参数。
如上所述，在通常的印刷电路板制造用铜箔中，对铜箔的贴合面实施粗糙化处理等表面处理，从而提高与绝缘树脂基材的密合性。对此，在现有的测定方法中，为了对铜箔产品的性能进行评价，对进行了表面处理的铜箔(表面处理铜箔)进行表面轮廓的测定等。但是，通过该方法计算出的表面参数与高频特性的相关未必充分。
其原因尚不明确，但如下认为。即，表面处理铜箔的处理表面的凹凸由起因于凸块(粗糙化颗粒等)的粗糙成分和起因于铜箔的波纹的波纹成分构成。在这一点上，印刷电路板的传输损耗因铜箔的集肤效应而增加，并且该铜箔的集肤效应越是高频越明显，但是波纹成分难以影响传输损耗，主要是粗糙成分影响传输损耗。因此，如果可以通过对表面处理铜箔的表面轮廓进行滤波处理从而选择性地去除波纹成分，则可以认为能够计算出源自与高频特性高度相关的粗糙成分的表面参数。但是，如图5的(ii)所示，表面处理铜箔14通过表面处理而在未处理铜箔10的波纹上形成凸块12(例如粗糙化颗粒)等。因此，当基于表面处理铜箔的表面轮廓确定过滤条件时，会受到表面处理产生的粗糙成分(由凸块12等产生的粗糙成分等)的影响，难以确定选择性地去除波纹成分的条件。因此，通过以往的方法计算出的表面处理铜箔的表面参数与高频特性的相关未必充分。
与此相对，在本发明的方法中，在测定表面处理铜箔的表面轮廓之前，测定表面处理之前的未处理铜箔的表面轮廓并设定L滤波器的截止值。由此，能够在不受表面处理产生的粗糙成分的影响的情况下设定能够选择性地去除波纹成分的L滤波器的条件。因此，通过采用该L滤波器的条件作为表面处理铜箔的滤波处理条件，能够计算出表示与高频特性高度相关的表面处理铜箔的表面参数。
根据本发明的优选方式，L滤波器的截止值以如下方式设定：(i)作为使用L滤波器处理后的Sa的Sa1满足0.5μm以下，并且(ii)使用L滤波器处理前后的Sdr的变化率：(|Sdr0-Sdr1|/Sdr0)×100满足80％以下(式中，Sdr0是使用L滤波器处理前的Sdr，Sdr1是使用L滤波器处理后的Sdr)。L滤波器的截止值更优选以Sa1为0.3μm以下且Sdr的变化率为70％以下，进一步优选以Sa1为0.001μm以上且0.3μm以下并且Sdr的变化率为0.1％以上且60％以下，特别优选以Sa1为0.005μm以上且0.2μm以下并且Sdr的变化率为1％以上且40％以下的方式设定。即，Sa1优选为0.5μm以下，更优选为0.3μm以下，进一步优选为0.001μm以上且0.3μm以下，特别优选为0.005μm以上且0.2μm以下。当Sa1在上述范围内时，能够更有效地去除难以影响高频特性的波纹成分。另外，Sdr的变化率优选为80％以下，更优选为70％以下，进一步优选为0.1％以上且60％以下，特别优选为1％以上且40％以下。当Sdr的变化率在上述范围内时，能够更可靠地保留对高频特性影响大的粗糙成分(凸块成分)。即，在使用去除粗糙成分的截止值基于L滤波器进行处理的情况下，Sdr的变化率会变大。因此，通过将Sdr的变化率控制在上述范围内，能够有效地抑制评价高频特性所需的粗糙成分的去除。因此，通过将L滤波器的截止值设定为满足上述条件，能够在后述的工序中计算出表示与高频特性更加高度相关的表面处理铜箔的表面参数。
根据本发明的另外的优选方式，L滤波器的截止值以如下方式设定：(i)作为使用L滤波器处理后的Sa的Sa1满足0.5μm以下，并且(ii’)使用L滤波器处理前后的α值的变化率：(|α0-α1|/α0)×100满足80％以下(式中，α0为使用L滤波器处理前的α值，α1为使用L滤波器处理后的α值)。L滤波器的截止值更优选以Sa1为0.3μm以下并且α值的变化率为70％以下，进一步优选以Sa1为0.001μm以上且0.3μm以下并且α值的变化率为0.1％以上且60％以下，特别优选以Sa1为0.005μm以上且0.2μm以下并且α值的变化率为1％以上且40％以下的方式设定。即，Sa1优选为0.5μm以下，更优选为0.3μm以下，进一步优选为0.001μm以上且0.3μm以下，特别优选为0.005μm以上且0.2μm以下。当Sa1在上述范围内时，能够更有效地去除难以影响高频特性的波纹成分。另外，α值的变化率优选为80％以下，更优选为70％以下，进一步优选为0.1％以上且60％以下，特别优选为1％以上且40％以下。当α值的变化率在上述范围内时，能够更可靠地保留对高频特性影响大的粗糙成分(凸块成分)。即，在以去除粗糙成分的截止值进行滤波处理的情况下，α值的变化率会变大。因此，通过将α值的变化率控制在上述范围内，能够更有效地抑制评价高频特性所需的粗糙成分的去除。因此，通过将L滤波器的截止值设定为满足上述条件，能够在后述的工序中计算出表示与高频特性更加高度相关的表面处理铜箔的表面参数。
L滤波器的截止值的设定可以如下进行。首先，初步使用多个L滤波器的截止值分析未处理铜箔10的表面轮廓，计算出每个截止值的表面参数。然后，基于计算出的表面参数，从上述多个截止值中确定优选的截止值。例如，优选可以通过根据本说明书的实施例所述的各条件求出变化点来确定这样的截止值。
(3)表面处理铜箔的表面轮廓的获得
如图5的(ii)所示，获得源自未处理铜箔10的表面处理铜箔14的至少一个表面的表面轮廓。表面处理铜箔14是针对未处理铜箔10实施了任一种表面处理而得到的即可。作为这种表面处理的例子，可列举出粗糙化处理、防锈处理、偶联剂处理及其任意组合。例如，表面处理铜箔14优选通过对未处理铜箔10至少进行粗糙化处理而具备粗糙化颗粒(凸块)，也可以是仅进行防锈处理而不进行粗糙化处理。
表面处理铜箔14的获得表面轮廓的表面优选为对未处理铜箔10实施了表面处理的表面。另外，典型的是，表面处理铜箔14的获得表面轮廓的表面与未处理铜箔10的获得表面轮廓的表面为相同侧。然而，在未处理铜箔10的两面具有类似的表面轮廓的情况下(例如，在轧制铜箔的情况)，未处理铜箔10的获得表面轮廓的面与表面处理铜箔14的获得表面轮廓的面可以彼此处于相反侧。
表面处理铜箔14的表面轮廓的获得可以使用AFM(原子力显微镜)、接触式表面粗糙度测定器、非接触式表面粗糙度测定器等各种公知的设备。例如，优选使用作为非接触式表面粗糙度测定器的市售的激光显微镜测定表面处理铜箔14的表面来进行。使用激光显微镜的测定条件例如可以直接采用获得未处理铜箔10的表面轮廓的上述条件。
(4)表面处理铜箔的表面轮廓的滤波处理
对获得的表面处理铜箔14的表面轮廓进行滤波处理。该滤波处理包括使用具有基于未处理铜箔10的表面轮廓设定的截止值的L滤波器进行处理。由此，能够如上所述选择性地去除难以影响高频特性的铜箔的波纹成分，并且能够计算出反映对高频特性影响大的粗糙成分的表面参数。
滤波处理优选在不使用S滤波器的情况下进行。在使用S滤波器进行处理的情况下，比S滤波器的截止值小的凹凸会被平均化(去除)。因此，通过在不使用S滤波器的情况下进行滤波处理，能够可靠地检测出表面处理铜箔14中存在的小的凸块(粗糙化颗粒等)，其结果，能够计算出与高频特性更加高度相关的表面参数。
(5)表面处理铜箔的表面参数的计算
基于滤波处理后的表面轮廓，计算表面处理铜箔14的表面的、ISO25178所规定的表面参数中的至少1种。经过上述工序计算出的表面参数是充分排除波纹成分的影响并准确反映表面处理铜箔14的粗糙成分的参数，因此，与高频特性高度相关。
作为计算出的表面参数的优选例，可列举出Sa、Sq、Sz、Sdr、Vmc、Sk及其组合(例如α值)，更优选为Sa、Sq、Sdr、Vmc、Sk及其组合，进一步优选为Sa、Sdr、Vmc、Sk及其组合，特别优选为Sa、Sdr及其组合。如果是这些表面参数，则与高频特性更加高度相关。
铜箔的筛选方法
根据本发明的优选方式，提供一种铜箔的筛选方法。该铜箔的筛选方法包括基于上述方法测定铜箔的表面参数的工序、以及筛选出具有规定的表面参数的铜箔作为适于面向高频用途的印刷电路板的铜箔的工序。
本方式中测定的铜箔的表面参数为选自由Sa、Sq、Sz、Sdr、Vmc和Sk组成的组中的至少1种。并且，筛选出具有Sa、Sdr、Vmc和/或Sk在表1所示范围内的表面的铜箔作为适于面向高频用途的印刷电路板的铜箔。
[表1]
如上所述，通过本发明的方法测定的铜箔的表面参数与高频特性高度相关，因此能够作为代替高频特性的指标使用。在这一点上，具有满足上述范围内的表面参数的表面的铜箔能够判定为高频特性特别优异，因此可以说是适于面向高频用途的印刷电路板的铜箔。
表面处理铜箔的制造方法
根据本发明的铜箔的表面参数的测定方法能够优选地用于产品管理、质量保证等。根据本发明的优选方式，提高表面处理铜箔的制造方法。该表面处理铜箔的制造方法包括以下工序：准备未处理铜箔的工序；对未处理铜箔的至少一个表面实施表面处理来制造表面处理铜箔的工序；使用上述方法测定表面处理铜箔的表面参数的工序；仅在表面参数满足规定条件的情况下，将表面处理铜箔供于出厂或认定为供于出厂的产品的工序。
即，在该表面处理铜箔的制造方法中，针对准备的未处理铜箔的至少一个表面，(1)获得表面轮廓，(2)设定L滤波器的截止值后对未处理铜箔实施表面处理来制造表面处理铜箔。然后，针对表面处理铜箔的实施了表面处理的表面，(3)获得表面轮廓，(4)对表面处理铜箔的表面轮廓进行滤波处理，(5)计算出表面参数。通过利用经过这样的工序计算出的表面参数，能够简便且可靠地筛选并出厂高质量的产品。表面处理铜箔的表面轮廓的测定和表面参数的计算可以在表面处理铜箔的制造后立即进行，也可以在出厂前检查时进行。
表面处理铜箔的表面参数应满足的条件可以直接采用关于铜箔的筛选方法的上述条件。另外，未处理铜箔和表面处理铜箔的优选方式如上所述。表面处理铜箔的厚度(带载体铜箔的情况下指极薄铜层的厚度)优选为0.5μm以上且210μm以下，更优选为0.5μm以上且70μm以下。
表面处理铜箔优选用于面向1GHz以上的高频用途的印刷电路板，更优选为3GHz以上，进一步优选为20GHz以上且300GHz以下。
印刷电路板的制造方法
根据本发明的优选方式，提供一种面向高频用途的印刷电路板的制造方法。该印刷电路板的制造方法包括使用通过上述方法得到的铜箔制造面向高频用途的印刷电路板的工序。印刷电路板可以采用公知的层结构。即，印刷电路板的制造除了使用通过本发明的方法筛选或制造的铜箔或表面处理铜箔以外，还可以采用公知的方法和条件，并不特别限定。
实施例
通过以下的例子对本发明进一步具体说明。
[例A1～A3]
根据本发明的方法，基于未处理铜箔的表面轮廓设定L滤波器的截止值，并确认了铜箔的表面参数与高频特性的相关关系。具体如下。
例A1
根据本发明的方法设定L滤波器的截止值，然后确认了铜箔的表面参数与高频特性的相关关系。
(1)未处理铜箔的准备
作为未处理铜箔，如下准备2种保持了电解制箔原样的铜箔(析离箔)。
-未处理铜箔I：厚度18μm或35μm、通过专利文献2(日本特开平9-241882号公报)公开的方法制造
-未处理铜箔II：厚度18μm、通过专利文献3(WO2008/041706A1)公开的方法制造
(2)未处理铜箔的表面轮廓的获得
使用激光显微镜(奥林巴斯公司制OLS-5000)，在测定面积4096μm2和倍率200倍的条件下对未处理铜箔I和II的表面进行测定，获得表面轮廓。对未处理铜箔I的电极面和析出面二者都进行该测定，针对未处理铜箔II仅对于析出面进行该测定。
(3)L滤波器的截止值的设定
通过分析得到的未处理铜箔的表面轮廓来计算出Sdr、Vmc和Sk。具体而言，将L滤波器的截止值变更为0.3μm、0.5μm、1.0μm、1.5μm、2.0μm、2.5μm、3.0μm、3.5μm、4.0μm、4.5μm、5.0μm、6.0μm、7.0μm、8.0μm、9.0μm、10μm和64μm进行分析，计算出使用各截止值进行L滤波处理后的Sdr、Vmc和Sk。另外，不进行基于L滤波器的截止的条件下的Sdr、Vmc和Sk同样进行计算。根据计算出的Sdr、Vmc和Sk计算α值(＝(Vmc/Sk)×Sdr)，并且计算出L滤波处理前后的Sdr的二阶微分和α值的二阶微分。将未处理铜箔I的析出面的、基于各截止值进行L滤波处理后的Sdr和α值分别示于图6A和6B，并且将L滤波处理前后的Sdr的二阶微分示于图7。另外，将未处理铜箔I的电极面的、基于各截止值进行L滤波处理后的Sdr和α值分别示于图8A和8B，并且将L滤波处理前后的Sdr的二阶微分示于图9。此外，将未处理铜箔II的析出面的、基于各截止值进行L滤波处理后的Sdr和α值分别示于图10A和10B，并且将L滤波处理前后的Sdr的二阶微分示于图11。
关于未处理铜箔I的析出面，确认了基于L滤波器的截止值为5.0μm时，Sdr和α值达到变化点(参见图6A、6B和7)。另一方面，关于未处理铜箔I的电极面，确认了基于L滤波器的截止值为3.5μm时，Sdr和α值达到变化点(参见图8A、8B和9)。另外，关于未处理铜箔II的析出面，确认了基于L滤波器的截止值为3.0μm时，Sdr的值和α的值达到变化点(参见图10A、10B和11)。根据以上结果，分别地，对于未处理铜箔I的析出面，将L滤波器的截止值设为5.0μm；对于未处理铜箔I的电极面，将L滤波器的截止值设为3.5μm；对于未处理铜箔II的析出面，将L滤波器的截止值设为3.0μm。需要说明的是，此处所说的“变化点”是指表示截止值和表面参数(此处为Sdr和α值)的关系的图中图的斜率变化大的点。将截止值设定为小于变化点的值时，表示实际上落入表面上存在的小凹凸被平均化的(去除的)区域。不过，由于很难严格且明确地定义“变化点”，因此它是一个允许一定程度的宽度的概念。当使用截止值和表面参数的关系中的二阶微分时，确定“变化点”的精度变高，有助于设定更优选的截止值。在本实施例中，使用分别将未处理铜箔I的析出面和电极面以及未处理铜箔II的析出面的Sdr和α值二阶微分而得到的值求出“变化点”。在计算二阶微分时，为了减小误差使用3区域移动平均。
(4)未处理铜箔的表面处理
如表2所示，通过在公知的条件下对未处理铜箔I或II的电极面或析出面进行表面处理(粗糙化处理)，由此制作表面粗糙度不同的4种表面处理铜箔(铜箔a～d)。需要说明的是，所制作的铜箔a～d均具有与市售品同等的性质(表面粗糙度和高频特性等)。另外，将对未处理铜箔II没有进行表面处理的铜箔直接作为铜箔e使用。
(5)铜箔的表面轮廓的获得
使用激光显微镜(奥林巴斯公司制OLS-5000)，在测定面积4096μm2和倍率200倍的条件下对铜箔a～d的表面处理面和铜箔e的析出面进行测定，获得表面轮廓。
(6)滤波处理和表面参数的计算
对各铜箔的表面轮廓进行滤波处理。此时，如表2所示，将L滤波器的截止值设为上述(3)中设定的数值，即铜箔a和铜箔b为5.0μm，铜箔c为3.5μm，铜箔d和铜箔e为3.0μm。关于该滤波处理，仅进行基于L滤波器的处理，不进行基于S滤波器的处理。基于滤波处理后的表面轮廓，计算Sa、Sdr、Vmc和Sk，并且计算α值。结果如表2所示。
(7)高频特性的评价
准备高频用基材(松下制MEGTRON6N)作为绝缘树脂基材。以其表面处理面与绝缘树脂基材接触的方式将表面处理铜箔层叠在该绝缘树脂基材的两面，并使用真空压力机在温度190℃、加压时间120分钟的条件下进行层叠，得到绝缘厚度136μm的覆铜层叠板。然后，对该覆铜层叠板实施蚀刻加工，得到以特性阻抗为50Ω的方式形成有微带线的传输损耗测定用基板。使用网络分析仪(是德科技公司制N5225B)测定得到的传输损耗测定用基板的50GHz的传输损耗(dB/cm)。结果如表2所示。
(8)表面参数和高频特性的相关关系
以传输损耗为横轴，以表面参数(Sdr或α值)为纵轴，对各铜箔的评价结果进行了标记。基于该标记数据，通过线形近似(最小二乘法)确定回归方程，并计算出决定系数R2。其结果，以Sdr为纵轴时的回归方程中的决定系数R2为0.9202，以α值为纵轴时的回归方程中的决定系数R2为0.9363。
[表2]
例A2
将未处理铜箔I的析出面和电极面以及未处理铜箔II的析出面的基于L滤波器的截止值设为5.0μm，即，将L滤波器的截止值设为5.0μm来进行铜箔a～e的表面轮廓的滤波处理，除此以外，与例A1同样地确认了表面参数和高频特性的相关关系。其结果，以Sdr为纵轴时的回归方程中的决定系数R2为0.9092，以α值为纵轴时的回归方程中的决定系数R2为0.9327。需要说明的是，在例A1中，虽然将未处理铜箔I的电极面和未处理铜箔II的析出面的Sdr和α值的变化点分别视为3.5μm和3.0μm，但是这与例A2中的截止值的设定值(5.0μm)不同。在这一点上，如图8A、8B、10A和10B所示，在截止值为3.0μm以上且5.0μm以下的范围内，Sdr和α值的变化小，因此上述截止设定值可以作为变化点。
例A3
在使用未处理铜箔的L滤波器的截止值的设定工序中，将未处理铜箔I的析出面和电极面以及未处理铜箔II的析出面的L滤波器的截止值设定为2.0μm，即，将L滤波器的截止值设为2.0μm来进行铜箔a～e的表面轮廓的滤波处理，除此以外，与例A1同样地确认了表面参数与高频特性的相关关系。其结果，以Sdr为纵轴时的回归方程中的决定系数R2为0.8548，以α值为纵轴时的回归方程中的决定系数R2为0.8721。需要说明的是，在例A1中，虽然将未处理铜箔I的析出面和电极面以及未处理铜箔II的析出面的Sdr和α值的变化点分别视为5.0μm、3.5μm和3.0μm，但是这与例A3中的截止值的设定值(2.0μm)不同。在这一点上，如图6A、6B、8A、8B、10A和10B所示，在截止值为2.0μm以上且5.0μm以下的范围内，Sdr和α值的变化小，因此上述截止设定值可以作为变化点。
将例A1～A3中的、对铜箔的表面参数(Sdr或α值)与传输损耗的回归方程的决定系数R2进行比较的图示于图12。如图12所示，例A1～A3的表面参数和高频特性的相关均良好。即，确认了通过使用未处理铜箔预先设定L滤波器的截止值，从而铜箔的表面参数准确地反映高频特性。另外，根据未处理铜箔的表面参数单独设定截止值计算出的表面参数(例A1中计算出的表面参数)与固定L滤波器的截止值计算出的表面参数(例A2和A3中计算出的表面参数)相比，其结果与高频特性的相关更良好。
[例B1～B5]
在根据未处理铜箔的表面轮廓设定L滤波器的截止值的工序中，确认了通过设定满足规定条件的截止值，从而铜箔的表面参数更准确地反映高频特性。具体如下。
例B1
(1)未处理铜箔的准备
准备与例A1同样的未处理铜箔I和II。
(2)未处理铜箔的表面轮廓的获得
与例A1同样地获得未处理铜箔I的电极面和析出面以及未处理铜箔II的析出面的表面轮廓。
(3)L滤波器的截止值的设定
对于得到的未处理铜箔的各表面轮廓，通过将L滤波器的截止值设为32μm进行分析，计算出Sa、Sdr、Vmc和Sk。其结果，确认了未处理铜箔I的析出面的L滤波处理后的Sa(即Sa1)为超过0.5μm的值(＝1.16μm)。另外，计算出不进行基于L滤波器的截止的条件下的Sdr、Vmc和Sk。根据计算出的Sdr、Vmc和Sk，计算α值(＝(Vmc/Sk)×Sdr)，并且计算L滤波处理前后的Sdr的变化率和α值的变化率。其结果，未处理铜箔I和I的Sdr的变化率和α值的变化率均为80％以下。
(4)未处理铜箔的表面处理
与例A1同样地制作表面粗糙度不同的4种表面处理铜箔(铜箔a～d)。
(5)铜箔的表面轮廓的获得
与例A1同样地使用激光显微镜对铜箔a～d的表面处理面进行测定，获得表面轮廓。
(6)滤波处理和表面参数的计算
对各铜箔的表面轮廓进行滤波处理。此时，L滤波器的截止值设为32μm。关于该滤波处理，仅进行基于L滤波器的处理，不进行基于S滤波器的处理。基于滤波处理后的表面轮廓，计算出Sa、Sq、Sz、Sdr、Vmc和Sk，并且计算α值。
(7)高频特性的评价
与例A1同样地使用铜箔a～d分别制作传输损耗测定用基板，测定50GHz的传输损耗。
(8)表面参数和高频特性的相关关系
以传输损耗为横轴，以表面参数(Sa、Sq、Sz、Sdr、Vmc、Sk或α值)为纵轴，标记各铜箔的评价结果。基于该数据图，通过线形近似(最小二乘法)确定回归方程，并计算出决定系数R2。结果如表3所示。需要说明的是，将表示铜箔a～d中的Sa与高频特性的相关关系的图示于图13。
例B2
在使用未处理铜箔的L滤波器的截止值的设定以及铜箔a～d中的表面轮廓的L滤波处理中将截止值设为10μm，除此以外，与例B1同样地确认了表面参数与高频特性的相关关系。结果如表3所示。
将表示未处理铜箔I和II中的Sdr的变化率与高频特性的相关关系(决定系数R2)的图示于图14，并且将表示未处理铜箔I和II中的α值的变化率与高频特性的相关关系(决定系数R2)的图示于图15。如图14和15所示，将L滤波器的截止值设为10μm时的未处理铜箔I的电极面和析出面以及未处理铜箔II的析出面的Sdr的变化率和α值的变化率均为80％以下。另外，将L滤波器的截止值设为10μm时的未处理铜箔I的电极面和析出面以及未处理铜箔II的析出面的Sa的值均为0.5μm以下。
例B3
在使用未处理铜箔的L滤波器的截止值的设定以及铜箔a～d的表面轮廓的L滤波处理中将截止值设为5.0μm，除此以外，与例B1同样地确认了表面参数与高频特性的相关关系。结果如表3所示。需要说明的是，将表示铜箔a～d的Sa与高频特性的相关关系的图示于图16。
如图14和15所示，将L滤波器的截止值设为5.0μm时的未处理铜箔I的电极面和析出面以及未处理铜箔II的析出面的Sdr的变化率和α值的变化率均为80％以下。另外，将L滤波器的截止值设为5μm时的未处理铜箔I的电极面和析出面以及未处理铜箔II的析出面的Sa的值均为0.5μm以下。
例B4
在使用未处理铜箔的L滤波器的截止值的设定以及铜箔a～d的表面轮廓的L滤波处理中，将截止值设为2.0μm，除此以外，与例B1同样地确认了表面参数与高频特性的相关关系。结果如表3所示。
如图14和15所示，将L滤波器的截止值设为2.0μm时的未处理铜箔I的电极面和析出面以及未处理铜箔II的析出面的Sdr的变化率和α值的变化率均为80％以下。另外，将L滤波器的截止值设为10μm时的未处理铜箔I的电极面和析出面以及未处理铜箔II的析出面的Sa的值均为0.5μm以下。
例B5
在使用未处理铜箔的L滤波器的截止值的设定以及铜箔a～d的表面轮廓的L滤波处理中，将截止值设为0.5μm，除此以外，与例B1同样地确认了表面参数与高频特性的相关关系。结果如表3所示。
如图14和15所示，将L滤波器的截止值设为0.5μm时的未处理铜箔I的电极面和析出面以及未处理铜箔II的析出面的Sdr的变化率和α值的变化率均为超过80％的值。另外，将L滤波器的截止值设为0.5μm时的未处理铜箔I的电极面和析出面以及未处理铜箔II的析出面的Sa的值均为0.5μm以下。
[表3]
表3
/>
Claims (10)
1.一种铜箔的表面参数的测定方法，其包括以下工序：
工序(a)，获得未处理铜箔的至少一个表面的表面轮廓的工序；
工序(b)，基于所述表面轮廓设定L滤波器的截止值的工序；
工序(c)，获得源自所述未处理铜箔的表面处理铜箔的至少一个表面的表面轮廓的工序；
工序(d)，对所述表面处理铜箔的表面轮廓进行滤波处理的工序，其中包括使用所述截止值的L滤波器进行处理的步骤；和
工序(e)，基于所述滤波处理后的表面轮廓，计算所述表面处理铜箔的所述表面的、ISO25178所规定的表面参数中的至少1种的工序。
2.根据权利要求1所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，在所述工序(d)中，所述滤波处理在不使用S滤波器的情况下进行。
3.根据权利要求1或2所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，在所述工序(b)中，所述L滤波器的截止值以如下方式设定：
(i)作为使用L滤波器处理后的算术平均高度Sa的Sa1满足0.5μm以下，并且
(ii)使用L滤波器处理前后的界面扩展面积比Sdr的变化率：(|Sdr0-Sdr1|/Sdr0)×100满足80％以下，式中，Sdr0是使用L滤波器处理前的Sdr，Sdr1是使用L滤波器处理后的Sdr，
Sa和Sdr是ISO25178所规定的表面参数。
4.根据权利要求3所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，所述Sa1为0.3μm以下且所述Sdr的变化率为70％以下。
5.根据权利要求1或2所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，在所述工序(b)中，所述L滤波器的截止值以如下方式设定：
(i)作为使用L滤波器处理后的算术平均高度Sa的Sa1满足0.5μm以下，并且
(ii’)使用L滤波器处理前后的、将中心部的实体体积Vmc除以中心部的水平差Sk并乘以界面扩展面积比Sdr而得到的、即通过(Vmc/Sk)×Sdr的式子得到的α值的变化率：(|α0-α1|/α0)×100满足80％以下，式中，α0为使用L滤波器处理前的α值，α1为使用L滤波器处理后的α值，
Sa、Sdr、Vmc和Sk为ISO25178所规定的表面参数。
6.根据权利要求5所述的铜箔的表面参数的测定方法，其中，所述Sa1为0.3μm以下且所述α值的变化率为70％以下。
7.一种铜箔的筛选方法，其包括以下工序：
使用权利要求1～6中任一项所述的方法测定铜箔的表面参数的工序，所述表面参数为选自由ISO25178所规定的算术平均高度Sa、根均方高度Sq、最大高度Sz、界面扩展面积比Sdr、中心部的实体体积Vmc和中心部的水平差Sk组成的组中的至少1种；和
筛选出具有所述Sa为1.2μm以下、所述Sq为2.5μm以下、所述Sz为14μm以下、所述Sdr为60％以下、所述Vmc为1.5μm3以下和/或所述Sk为4μm以下的表面的铜箔作为适于面向高频用途的印刷电路板的铜箔的工序。
8.一种表面处理铜箔的制造方法，其包括以下工序：
准备未处理铜箔的工序；
对所述未处理铜箔的至少一个表面实施表面处理来制造表面处理铜箔的工序；
使用权利要求1～6中任一项所述的方法测定所述表面处理铜箔的表面参数的工序；和
仅在所述表面参数满足规定条件的情况下，将所述表面处理铜箔供于出厂或认定为供于出厂的产品的工序；
基于所述工序(a)的表面轮廓的获得是针对所述未处理铜箔的至少一个表面进行的，且基于所述工序(c)的表面轮廓的获得是针对所述表面处理铜箔的实施了所述表面处理的表面进行的。
9.根据权利要求8所述的表面处理铜箔的制造方法，其中，所述表面处理铜箔用于面向1GHz以上的高频用途的印刷电路板。
10.一种面向高频用途的印刷电路板的制造方法，其包括使用通过权利要求7～9中任一项所述的方法得到的铜箔来制造面向高频用途的印刷电路板的工序。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| PCT/JP2021/047646 WO2023119513A1 (ja) | 2021-12-22 | 2021-12-22 | 銅箔の表面パラメータの測定方法、銅箔の選別方法、及び表面処理銅箔の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117916553A true CN117916553A (zh) | 2024-04-19 |
Family
ID=86901618
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202180101984.0A Pending CN117916553A (zh) | 2021-12-22 | 2021-12-22 | 铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法 |
| CN202280059044.4A Pending CN117881942A (zh) | 2021-12-22 | 2022-12-14 | 铜箔的表面参数的测定方法以及铜箔的筛选方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202280059044.4A Pending CN117881942A (zh) | 2021-12-22 | 2022-12-14 | 铜箔的表面参数的测定方法以及铜箔的筛选方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (2) | JP7387084B2 (zh) |
| KR (2) | KR20240033095A (zh) |
| CN (2) | CN117916553A (zh) |
| TW (1) | TW202340675A (zh) |
| WO (2) | WO2023119513A1 (zh) |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06337214A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Sumitomo Light Metal Ind Ltd | 溶射膜厚の測定方法 |
| JP3340307B2 (ja) | 1996-03-11 | 2002-11-05 | 三井金属鉱業株式会社 | プリント配線板用銅箔の製造方法 |
| KR101086931B1 (ko) | 2006-10-03 | 2011-11-29 | 미쓰이 긴조꾸 고교 가부시키가이샤 | 황산 산성 동전해액의 제조 방법 및 그 제조 방법을 이용하여 제조한 황산 산성 동전해액, 그리고 전해석출 동피막 |
| JP2013221856A (ja) * | 2012-04-17 | 2013-10-28 | Sumitomo Rubber Ind Ltd | 路面粗さの分析方法 |
| CN107209236B (zh) | 2015-02-02 | 2020-08-04 | 皇家飞利浦有限公司 | 用于确定mr系统的性能退化的mr指纹识别 |
| WO2017006739A1 (ja) | 2015-07-03 | 2017-01-12 | 三井金属鉱業株式会社 | 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板 |
| KR102340473B1 (ko) | 2017-04-25 | 2021-12-16 | 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 | 표면 처리 동박 |
| JP2019178416A (ja) | 2018-03-30 | 2019-10-17 | Ｊｘ金属株式会社 | 金属材、プリント配線板、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法 |
| TWI669032B (zh) | 2018-09-26 | 2019-08-11 | 金居開發股份有限公司 | 微粗糙電解銅箔及銅箔基板 |
| US10581081B1 (en) | 2019-02-01 | 2020-03-03 | Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. | Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery |
| JP2021026839A (ja) * | 2019-08-01 | 2021-02-22 | トヨタ自動車株式会社 | 燃料電池用セパレータの製造方法 |
-
2021
- 2021-12-22 CN CN202180101984.0A patent/CN117916553A/zh active Pending
- 2021-12-22 JP JP2023562765A patent/JP7387084B2/ja active Active
- 2021-12-22 WO PCT/JP2021/047646 patent/WO2023119513A1/ja active Application Filing
- 2021-12-22 KR KR1020247006284A patent/KR20240033095A/ko active Search and Examination
-
2022
- 2022-12-14 WO PCT/JP2022/046102 patent/WO2023120337A1/ja active Application Filing
- 2022-12-14 CN CN202280059044.4A patent/CN117881942A/zh active Pending
- 2022-12-14 JP JP2023562766A patent/JP7387085B2/ja active Active
- 2022-12-14 KR KR1020247006285A patent/KR20240033096A/ko active Search and Examination
- 2022-12-20 TW TW111148950A patent/TW202340675A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20240033096A (ko) | 2024-03-12 |
| WO2023119513A1 (ja) | 2023-06-29 |
| JPWO2023120337A1 (zh) | 2023-06-29 |
| JP7387085B2 (ja) | 2023-11-27 |
| JPWO2023119513A1 (zh) | 2023-06-29 |
| CN117881942A (zh) | 2024-04-12 |
| WO2023120337A1 (ja) | 2023-06-29 |
| TW202340675A (zh) | 2023-10-16 |
| KR20240033095A (ko) | 2024-03-12 |
| JP7387084B2 (ja) | 2023-11-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN110088361B (zh) | 表面处理铜箔以及覆铜层叠板 | |
| JP5129642B2 (ja) | 表面処理銅箔及びその表面処理銅箔を用いて得られる銅張積層板並びにその銅張積層板を用いて得られるプリント配線板 | |
| TWI818566B (zh) | 粗化處理銅箔、銅箔積層板及印刷佈線板 | |
| JP6089160B1 (ja) | 高周波回路用銅箔、銅張積層板、プリント配線基板 | |
| KR20180037133A (ko) | 프린트 배선판용 표면 처리 동박, 프린트 배선판용 구리 피복 적층판 및 프린트 배선판 | |
| Marshall | Measuring copper surface roughness for high speed applications | |
| WO2020196265A1 (ja) | 表面処理銅箔、並びにこれを用いた銅張積層板及びプリント配線板 | |
| KR20150090265A (ko) | 흑색화 표면 처리 구리박, 흑색화 표면 처리 구리박의 제조 방법, 구리 클래드 적층판 및 플렉시블 프린트 배선판 | |
| KR101387301B1 (ko) | 압연 동박 | |
| CN117916553A (zh) | 铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法 | |
| KR20170113104A (ko) | 플렉시블 프린트 기판용 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층체, 플렉시블 프린트 기판, 및 전자 기기 | |
| KR20120083725A (ko) | 세라믹 전자부품 및 그의 제조방법 | |
| KR102227339B1 (ko) | 경질 압연 동박 및 그 경질 압연 동박의 제조 방법 | |
| US20120152594A1 (en) | Reduced circuit trace roughness for improved signal performance | |
| JPH0555746A (ja) | 高周波用銅張り積層板及びプリント配線板 | |
| CN114919255A (zh) | 一种挠性覆铜板及印刷线路板 | |
| EP4307846A1 (en) | Low-roughness surface-treated copper foil with low bending deformation, copper clad laminate comprising same, and printed wiring board | |
| US8879274B2 (en) | Method of manufacturing an electrical component | |
| KR20120035611A (ko) | 미세 회로 패턴의 리드 크랙발생을 개선한 인쇄회로기판의 적층 구조체의 제조방법 및 이 방법에 의해 제조된 적층 구조체 | |
| TWI804323B (zh) | 粗化處理銅箔、附載體銅箔、銅箔積層板及印刷配線板 | |
| Lin et al. | Copper Treatment Investigation on High Frequency PCB Electrical Characteristics | |
| US20210175160A1 (en) | Wiring board and manufacture method thereof | |
| AU2004310724B2 (en) | Method of manufacturing an electrical component | |
| TW202304268A (zh) | 表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板 | |
| JP2024051691A (ja) | ガラス基板、多層配線基板、およびガラス基板の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |