TW202030370A - 具有低稜線之電解銅箔 - Google Patents

具有低稜線之電解銅箔 Download PDF

Info

Publication number
TW202030370A
TW202030370A TW109101360A TW109101360A TW202030370A TW 202030370 A TW202030370 A TW 202030370A TW 109101360 A TW109101360 A TW 109101360A TW 109101360 A TW109101360 A TW 109101360A TW 202030370 A TW202030370 A TW 202030370A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
copper foil
layer
treated copper
treatment
treated
Prior art date
Application number
TW109101360A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI707063B (zh
Inventor
黃建銘
賴耀生
周瑞昌
Original Assignee
長春石油化學股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 長春石油化學股份有限公司 filed Critical 長春石油化學股份有限公司
Publication of TW202030370A publication Critical patent/TW202030370A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI707063B publication Critical patent/TWI707063B/zh

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/04—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/12—Electroplating: Baths therefor from solutions of nickel or cobalt
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/22—Electroplating: Baths therefor from solutions of zinc
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
    • C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
    • C25D5/14—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium two or more layers being of nickel or chromium, e.g. duplex or triplex layers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/16—Electroplating with layers of varying thickness
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D9/00—Electrolytic coating other than with metals
    • C25D9/04—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials
    • C25D9/08—Electrolytic coating other than with metals with inorganic materials by cathodic processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052—Li-accumulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • H01M4/0438—Processes of manufacture in general by electrochemical processing
    • H01M4/0469—Electroforming a self-supporting electrode; Electroforming of powdered electrode material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/0242—Structural details of individual signal conductors, e.g. related to the skin effect
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
    • H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/389—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of a coupling agent, e.g. silane
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/06—Coating on the layer surface on metal layer
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/20—Inorganic coating
    • B32B2255/205—Metallic coating
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2255/00—Coating on the layer surface
    • B32B2255/28—Multiple coating on one surface
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202—Conductive
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00—Electrical equipment
    • B32B2457/08—PCBs, i.e. printed circuit boards
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/04—Electroplating: Baths therefor from solutions of chromium
    • C25D3/08—Deposition of black chromium, e.g. hexavalent chromium, CrVI
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052—Li-accumulators
    • H01M10/0525—Rocking-chair batteries, i.e. batteries with lithium insertion or intercalation in both electrodes; Lithium-ion batteries
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M2004/021—Physical characteristics, e.g. porosity, surface area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M2004/026—Electrodes composed of, or comprising, active material characterised by the polarity
    • H01M2004/027—Negative electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0338—Layered conductor, e.g. layered metal substrate, layered finish layer, layered thin film adhesion layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0364—Conductor shape
    • H05K2201/0373—Conductors having a fine structure, e.g. providing a plurality of contact points with a structured tool
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10431—Details of mounted components
    • H05K2201/10507—Involving several components
    • H05K2201/10522—Adjacent components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
    • H05K2201/2054—Light-reflecting surface, e.g. conductors, substrates, coatings, dielectrics
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/03—Metal processing
    • H05K2203/0307—Providing micro- or nanometer scale roughness on a metal surface, e.g. by plating of nodules or dendrites
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12431—Foil or filament smaller than 6 mils

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Abstract

一種表面處理銅箔，係包括電解銅箔，且該電解銅箔包括輥筒面及沉積面。處理層係設置於輥筒面及沉積面之一者上，並提供表面處理面。處理層係包含粗化粒子層，且該表面處理面係具有0.1至0.9μm3/μm2範圍內之空隙體積(Vv)。此外，表面處理銅箔之氫與氧的總含量為小於或等於300ppm。

Description

具有低稜線之電解銅箔
本發明係關於具有受控之表面特性的電解銅箔。本發明關於電路板及其類似物，係具有低傳輸損耗之電子訊號，且該電路板係包括該電解銅箔作為其組件。
對於傳輸大量數據的需求日益增長，需要不斷提高電路板上組件之間的傳輸速度。為達成此等速度，頻率範圍必需從低於1Mhz增加至1GHz、10GHz甚或更高。於此等較高範圍內，電流主要係於接近導體表面處流動，此係由於眾所周知之「集膚效應(skin effect)」所導致，亦即高頻電流密度於導體表面處為最高之趨勢且朝向中心呈指數衰減之趨勢。集膚深度(skin depth)承載大約67%的訊號，係與頻率之平方根成反比。因此，在1MHz之集膚深度為65.2μm；在1GHz之集膚深度為2.1μm；而在10GHz之集僅為0.7μm。在較高頻率，導體之表面形貌或粗糙度變得愈發重要，因為大約或大於集膚深度的粗糙度將對訊號傳輸造成影響。
極低稜線(Very Low Profile，VLP)之銅箔係具有非常低之粗糙度。即使在高頻下，VLP銅箔提供非常好的訊號傳輸性能。惟，隨著粗糙度降低，銅箔與電路板之層壓結構中使用之樹脂層的接著性亦降低， 往往導致不欲之脫層。為了與不佳的接著性及可能之脫層抗衡，係特意地於該銅箔與樹脂接觸面進行粗糙化。使用標準方法的粗糙化表面可提供約為數微米之表面粗糙度，且其會影響GHz範圍內之任何傳輸。由上可知，對於銅箔設計而言，其一方面需要較高之粗糙度以確保足夠的接著性，另一方面卻又需要較低之粗糙度以儘可能減少傳輸損耗，此兩種相對矛盾之需求使得銅箔設計深受限制。
儘管VLP銅箔於傳輸損耗方面提供改善，VLP銅箔之粗糙化仍需要改善，以保持傳輸損耗之優點，同時改善接著特性。因此，對於具有低傳輸損耗及良好接著強度的用於製造電路板之銅箔仍存在需求。
總的來說，本發明係關於一種銅箔，例如可用作電路板中之導體的電解銅箔。銅箔業經製備為具有受控之表面特性，該銅箔即使在高頻率下亦可提供低傳輸損耗，且對電路板中之樹脂層具有高接著性。
於第一態樣中，本發明係包含一種表面處理銅箔，係包含電解銅箔及處理層。該電解銅箔係包括輥筒面及沉積面。處理層係設置於輥筒面及沉積面之一者上，並提供表面處理面，其中，該處理層係包含粗化粒子層。該表面處理面係具有0.1至0.9μm3/μm2範圍內之空隙體積(void volume，Vv)，且該表面處理銅箔的氫與氧之總含量係小於或等於300ppm。
視需要，該表面處理銅箔的氫與氧之總含量係為至少50ppm。視需要，空隙體積(Vv)係小於或等於0.7μm3/μm2。視需要，該粗化粒子層係包含銅粗化粒子。
視需要，根據本發明之第一態樣，該表面處理面還具有0.08至0.84μm3/μm2範圍內之核心部空隙體積(core void volume，Vvc)。視需要，該表面處理面還具有0.01至0.07μm3/μm2範圍內之波谷部空隙體積(dale void volume，Vvv)。
視需要，根據本發明之第一態樣，該處理層復包含阻障層，係包括鎳，且該處理層之鎳面密度(nickel areal density)為40至200μg/dm2範圍內。視需要，該鎳面密度係小於或等於120μg/dm2。視需要，該處理層復包含阻障層，係包括鎳，且該阻障層之空隙體積(Vv)係小於或等於0.7μm3/μm2。
同樣視需要，根據本發明之第一態樣，該處理層係位於該沉積面上。視需要，該處理層係位於該輥筒面上。視需要，該處理層係第一處理層，且該表面處理銅箔復包含設置於該輥筒面及沉積面之一者上的第二處理層，其中，該第一處理層及第二處理層不設置在電解銅箔的相同面上，亦即第一處理層及第二處理層設置在電解銅箔的不同面上。視需要，該處理層係第一處理層，且該表面處理銅箔復包含設置於該輥筒面及沉積面之另一者上的第二處理層。視需要，該第二處理層不包含粗化粒子層。
視需要，根據本發明之第一態樣的處理層復包含覆蓋層、阻障層(barrier layer)、防鏽層(anti-tarnish layer)及耦合層(coupling layer)之至少一者。視需要，該覆蓋層係包含銅。視需要，該阻障層係包含一個或多個子層，其中，每一子層係獨立包含金屬或含該金屬之合金，且該金屬係選自鎳(Ni)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、錫(Sn) 及釩(V)之至少一者。視需要，該防鏽層係包括鉻。視需要，該耦合層係包含矽。
於第二態樣中，本發明係包含層壓板。該層壓板係包含表面處理銅箔以及與該表面處理銅箔的表面處理面接觸的樹脂層。該表面處理銅箔係包含電解銅箔以及處理層。該電解銅箔係包括輥筒面及沉積面。該處理層設置於該輥筒面或沉積面之一者上，並提供表面處理面，其中，該處理層係包含粗化粒子層，以及其中，該表面處理面係具有0.1至0.9μm3/μm2範圍內之空隙體積(Vv)。該表面處理銅箔的氫與氧之總含量係小於或等於300ppm，且該表面處理銅箔係具有40至200μg/dm2範圍內之鎳面密度。
於第三態樣中，本發明係包含裝置。該裝置係包含電路板，以及複數安裝在該電路板上之組件。該電路板係包含根據本發明之第一態樣的表面處理銅箔。該複數組件的至少一第一組件及第二組件係透過該電路板之表面處理銅箔彼此電性連接。
本文中所描述之表面處理銅箔展現優異的性能，例如當該表面處理銅箔用作電路板之組件時。即使在高頻下，該表面處理銅箔可具有低的電子訊號傳輸損耗，並且對樹脂具有之良好接著特性。
上述之總結並非試圖代表本發明之每一具體實施例或每一態樣。反之，前述總結僅提供本文中詳述之新穎態樣及特徵之示例。當結合所附圖式及申請專利範圍時，由下述用以實施本發明的代表性具體實施例和模式的詳細說明，上述特徵及優點與本發明的其他特徵及優點將是顯而易見的。
100‧‧‧表面處理銅箔
102‧‧‧銅箔
104‧‧‧輥筒面
106‧‧‧沉積面
108、108’‧‧‧處理層
110‧‧‧表面處理面
112‧‧‧粗化粒子層
114‧‧‧阻障層
116‧‧‧防鏽層
118‧‧‧耦合層
210‧‧‧峰
212‧‧‧孔
214、310、312‧‧‧區域
由以下例示性實施態樣的說明結合參考附圖將更佳地理解本發明。
第1A圖係顯示根據第一具體實施態樣的表面處理銅箔。
第1B圖係顯示根據第二具體實施態樣的表面處理銅箔。
第1C圖係顯示根據第三具體實施態樣的表面處理銅箔。
第1D圖係顯示根據第四具體實施態樣的表面處理銅箔。
第2圖係顯示3D表面圖以及負載面積率圖。
第3圖係顯示負載面積率圖之細節。
本發明可接受進行各種修飾及替代形式。藉由圖式中的示例顯示一些代表性具體實施態樣，並將於本文中詳細揭示。惟，應理解的是，本發明並不受所揭露之特定形式所限。反之，本發明涵蓋所有落入本發明之申請專利範圍所界定之精神及範圍內的修飾、等效物及替代物。
應明確理解，圖式中所有圖形及其他表示僅為示意之用。於圖式之各個圖中，相同之數字係用以表示相似元件，以便理解所揭露之具體實施態樣。
本發明係揭示具有低傳輸損耗的表面處理銅箔。該表面處理銅箔係具有受控之表面特性(例如空隙體積)，以及受控之組成(例如氫 與氧之濃度)。所述表面處理銅箔可用於需要低的電子訊號傳輸損耗的物品，例如印刷電路板、二次電池中之集電體或任何覆蓋絕緣體之薄銅箔。
第1A圖係顯示表面處理銅箔100的第一具體實施態樣的橫截面示意圖，第1B圖係顯示第二具體實施態樣。第1A圖係顯示電解銅箔102及處理層108。該電解銅箔102係具有輥筒面104及沉積面106。該處理層108係設置在輥筒面104上並提供表面處理面110。第1B圖係顯示第二具體實施態樣，其中，處理層108係設置在沉積面106上並提供表面處理面110。
第1C圖及第1D圖係顯示表面處理銅箔100的兩個其它具體實施態樣。於第三具體實施態樣中，如第1C圖所示，處理層108係定義為第一處理層，且有一個第二處理層108’設置於沉積面106上。於第四具體實施態樣中，如第1D圖所示，處理層108係定義為第一處理層，且有一個第二處理層108’設置於輥筒面104上。
如本文中所用，銅箔之「輥筒面」係與電沉積過程中使用之輥筒接觸之銅箔表面，而「沉積面」係該輥筒面之相對面或係形成銅箔之電沉積過程中與電解液接觸之電解銅箔表面。此等術語係關於生產電解銅箔之製造方法，係包括將轉動之輥筒組件部分地浸沒於含有銅離子以及視需要之其他添加劑(如稀土金屬及界面活性劑)之電解液中。因此，於電流之作用下，銅離子被吸引至該輥筒並被還原，導致銅金屬鍍覆於該輥筒之表面上，於該輥筒之表面上形成電解銅箔。藉由旋轉該輥筒，並於所形成之銅箔隨著該輥筒一起轉出該電解液時移除該銅箔，從而以連續製程形成並自輥筒移除電解銅箔。舉例而言，該電解銅箔可隨著其形成而被拉離輥筒，並於連續製程中穿行或通過輥。
如第1A至1D圖所示，提供處理層108之表面處理可包括一種或多種處理，例如粗糙化處理以提供粗化粒子層112、鈍化處理以提供阻障 層114、防鏽處理以提供防鏽層116以及耦合處理以提供耦合層118。因此，於第1A至1D圖所示之具體實施態樣中，粗化粒子層112、阻障層114、防鏽層116及耦合層118係處理層108之子層。圖中所示之表面處理及處理層108的特定子層係視需要之具體實施態樣，於一些其他具體實施態樣中，可使用除此之外或作為其替代品之其他表面處理及其他子層。因此，處理層108於不同具體實施態樣中可存在一個或超過一個之子層。
如第1C及1D圖所示，於一些具體實施態樣中可施加第二處理層108’。於一些具體實施態樣中，第二處理層108’可與第一處理層108相同。舉例而言，第二處理層108’可包括粗化粒子層、阻障層、防鏽層及耦合層，上述各層並未示於圖中。於一些具體實施態樣中，第二處理層108’係不包括粗化粒子層。於一些具體實施態樣中，第二處理層108’係包括阻障層及防鏽層。於一些具體實施態樣中，第二處理層108’係防鏽層。
該表面處理銅箔係具有表面紋理及特徵，當該銅箔結合至例如電路板或電池之製品中，該表面紋理及特徵會影響其特性及最終性能。所述特徵之一是空隙體積參數，係參照第2圖描述。第2圖中係顯示例如電解銅箔之表面處理面的3D表面，以及用於獲得空隙體積參數之衍生的負載面積率圖。第2圖之左側係表面之表面幾何構造的三維圖示。第2圖之右側係顯示衍生之負載面積率曲線，可藉由ISO標準方法25178-2：2012獲得，該曲線係跨越位於最高峰210之頂部的0%負載率(material ratio，mr)至mr為100%的最低谷或孔212。空隙體積(Vv)之計算，係藉由將表面上方以及水平切割平面下方所圍住的空隙之體積積分，而該水平切割平面係設定在介於0%(峰210之頂部)與100%(孔212之底部)之間的特定負載率(mr)所對應的高度。例如，負載率為70%的空隙體積係如第2圖右側圖中之陰影 區域214所示。如本文中所用，除非另有說明，否則所列出之Vv係mr為10%之Vv。
第3圖係顯示負載面積率圖與所定義的各種體積參數之關聯的更多細節。核心部空隙體積(Vvc)為兩個負載率之間的空隙體積差，例如區域310所示之mr1及mr2的空隙體積差。如本文中所用，除非另外指明，Vvc係選擇mr1為10%且mr2為80%。波谷部空隙體積，亦稱谷空隙體積(valley void volume，Vvv)，係特定mr值的空隙體積，如區域312所示之mr值為80%的空隙體積。如本文中所用，除非另外指明，Vvv係以80%之負載率計算。mr1處之空隙體積(Vv)係mr1與mr2之間的核心部空隙體積(Vvc)(亦即區域310)與在mr2的波谷部空隙體積(Vvv)(亦即區域312)的總和。
於一些具體實施例中，表面處理面110係具有空隙體積(Vv)，係介於低值與高值之間的受控範圍內，例如介於約0.1μm3/μm2的低值與約0.9μm3/μm2的高值之間。應明確理解，此等範圍是連續的。因此，該值可為：0.10、0.11、0.12、0.13、0.14、0.15、0.16、0.17、0.18、0.19、0.20、0.21、0.22、0.23、0.24、0.25、0.26、0.27、0.28、0.29、0.30、0.31、0.32、0.33、0.34、0.35、0.36、0.37、0.38、0.39、0.40、0.41、0.42、0.43、0.44、0.45、0.46、0.47、0.48、0.49、0.50、0.51、0.52、0.53、0.54、0.55、0.56、0.57、0.58、0.59、0.60、0.61、0.62、0.63、0.64、0.65、0.66、0.67、0.68、0.69、0.70、0.71、0.72、0.73、0.74、0.75、0.76、0.77、0.78、0.79、0.80、0.81、0.82、0.83、0.84、0.85、0.86、0.87、0.88、0.89或0.90μm3/μm2，且此等值係各自表示數值範圍之可能的端點。
不受限於特定機制，其啟示著當Vv過低時，例如小於約0.1μm3/μm2，該銅箔與樹脂之接著性可能很差。換言之，該材料不能很好地 錨固至表面上，使其接著性差。反之，如果Vv過高，例如高於約0.9μm3/μm2，則傳輸損耗的值變得過高。
於一些具體實施例中，表面處理面110係具有介於低值與高值之間的受控範圍內之核心部空隙體積(Vvc)，例如介於約0.08μm3/μm2的低值與約0.84μm3/μm2的高值之間。應明確理解，此等範圍是連續的且可表示為這一範圍內的任意值。於一些具體實施態樣中，Vvc係具有至少0.08、0.089、0.09、0.097、0.10、0.15、0.197、0.2、0.225、0.25、0.30、0.326、0.35、0.361、0.384、0.40、0.45、0.50、0.503、0.55、0.591、0.60、0.602、0.65、0.671、0.681、0.683、0.70、0.75、0.80、0.831或0.84μm3/μm2的低值。於一些具體實施態樣中，Vvc係具有不超過0.84、0.831、0.80、0.75、0.70、0.683、0.681、0.671、0.65、0.602、0.60、0.591、0.55、0.503、0.50、0.45、0.40、0.384、0.361、0.35、0.326、0.30、0.25、0.225、0.2、0.197、0.15、0.10、0.097、0.09、0.089或0.08μm3/μm2的高值。
於一些具體實施例中，表面處理面110係具有介於低值與高值之間的受控範圍內之波谷部空隙體積(Vvv)，例如介於約0.01μm3/μm2的低值與約0.07μm3/μm2的高值之間。應明確理解，此等範圍是連續的且可表示為這一範圍內的任意值。於一些具體實施態樣中，Vvv係具有至少0.010、0.013、0.015、0.020、0.022、0.025、0.026、0.027、0.030、0.034、0.035、0.036、0.040、0.044、0.045、0.047、0.048、0.050、0.051、0.055、0.057、0.060、0.065、0.068或0.070μm3/μm2的低值。於一些具體實施態樣中，Vvv係具有不超過0.070、0.068、0.065、0.060、0.057、0.055、0.051、0.050、0.048、0.047、0.045、0.044、0.040、0.036、0.035、0.034、0.030、0.027、0.026、0.025、0.022、0.020、0.015、0.013或0.010μm3/μm2的高值。
該表面處理銅箔係具有組成特性或特徵，當該銅箔結合至例如電路板或電池之製品中，該組成特性或特徵會影響其特性及最終性能。舉例而言，藉由元素分析，痕量化合物係鑑定為氧及氫。無限制地，氧及氫可位於整個表面處理銅箔中，例如在銅箔102之整體中，亦在處理層108及第二處理層108’中。
於一些具體實施態樣中，表面處理銅箔係具有介於低值與高值之間的受控範圍內之氫與氧的總含量，例如0ppm的低值與高達300ppm的高值。應明確理解，此等範圍是連續的且可表示為這一範圍內的任意值。於一些具體實施態樣中，氫與氧的總含量係具有至少0、10、20、30、40、43、45、47、50、52、60、70、80、90、100、110、113、116、120、129、130、131、135、140、150、160、170、178、180、189、190、200、207、210、220、230、234、240、250、260、270、280、290或300ppm的低值。於一些具體實施態樣中，氫與氧的總含量係具有不超過300、290、280、270、260、250、240、234、230、220、210、207、200、190、189、180、178、170、160、150、140、135、131、129、120、113、110、100、90、80、70、60、52、50、47、54、43、40、30、20、10或0ppm的高值。
不受限於特定機制，其啟示著當氫與氧的總含量過高時，此等物質可能增加電解銅箔之阻抗，而影響如傳輸之電學性質。通常氫與氧的總含量應最小化，已經發現於一些具體實施態樣中，具有例如50ppm之氫與氧之總含量，可改善性能，例如可形成具有較低的Vv及伴隨之較低傳輸損耗的表面處理銅箔。
於一些具體實施態樣中，粗化粒子層，例如粗化粒子層112，可包括如銅粗化粒子之金屬粗化粒子。舉例而言，可藉由將金屬電鍍於電解銅箔上而形成粗化粒子。於一些具體實施態樣中，銅粗化粒子可由銅或 銅合金製成。於一些具體實施態樣中，該粗化粒子層係包括位於金屬粗化粒子上之金屬覆蓋層，例如位於銅粗化粒子上之銅沉積。舉例而言，該金屬覆蓋層有助於防止該金屬粗化粒子剝離。
如本文中所用，「阻障層」係由金屬或含有至少一該金屬之合金製成的層。於一些具體實施態樣中，該阻障層，例如阻障層114，係由選自鋅(Zn)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉬(Mo)、釩(V)、鐵(Fe)、錫(Sn)及其組合的至少一種金屬製成。於一些具體實施態樣中，該阻障層包含鎳。於一些具體實施態樣中，該阻障層包含鋅。於一些具體實施態樣中，該阻障層包含鎳層及鋅層。
如本文中所用，「防鏽層」，例如防鏽層116，係施加至金屬之塗層，其可保護被塗覆之金屬免於如腐蝕造成之劣化。於一些具體實施態樣中，該防鏽層係包含金屬或有機化合物。舉例而言，鉻或鉻合金可用作電解銅板上之金屬塗層。當該防鏽層由鉻合金製成時，其可進一步包含鋅(Zn)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉬(Mo)及釩(V)中之任一者或多者。於一些防鏽層由有機物製成的具體實施態樣中，該層可包含選自由三唑、噻唑、咪唑或其衍生物所組成群組之至少一個者。三唑基係包括但不限於鄰三唑(1,2,3-三唑)、苯并三唑、甲苯基三唑、羧基苯并三唑、經氯取代之苯并三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、2-胺基-1,3,4-三唑、4-胺基-1,2,4-三唑、1-胺基-1,3,4-三唑及其異構物或衍生物。噻唑基係包括但不限於噻唑、2-巰基苯并噻唑、二苯并噻唑基二硫化物及其異構物或衍生物。咪唑基係包括但不限於咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑及其異構物或衍生物。
如本文中所用，「耦合層」，例如耦合層118，係為改善銅箔與樹脂層之間結合力而添加的子層，例如，該樹脂層係用於製造電路板 的樹脂層。於一些具體實施態樣中，耦合層係藉由提供包括矽及氧之子層的矽烷處理而提供。矽烷可舉例為但不限於胺基矽烷、環氧矽烷及巰基矽烷。該矽烷可選自乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺的部分水解物、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(乙烯基苄基)-2-胺基乙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷鹽酸鹽、三-(三甲氧基矽烷基丙基)異氰脲酸酯、3-脲基丙基三烷氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷以及3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷，但並不限於此。
於一些具體實施態樣中，係提供子層，例如處理層108之子層，使電解銅箔之輥筒面104(第1A圖及第1C圖)或沉積面106(第1B圖及第1D圖)覆蓋有粗化粒子層112，該粗化粒子層112覆蓋有阻障層114，該阻障層114覆蓋有防鏽層116，並且該防鏽層116覆蓋有耦合層118；惟，根據其他具體實施態樣，堆疊順序或子層之數目不限於此。於第1A至1D圖所示之具體實施態樣中，表面處理面110的最終物理表面係因此由耦合層118而提供，該耦合層隨後與層壓結構中之樹脂層結合。於一些具體實施態樣中，由於阻障層114、防鏽層116及耦合層118之任意組合可能較粗化粒子層 112薄得多，因此表面處理面110的表面特性，例如體積參數Vv、Vvv及Vvc，係受控於粗化粒子層112。
於一些具體實施態樣中，第二處理層108’中之子層的組合或堆疊順序係不同於第一處理層108中之子層的組合或堆疊順序。於一些具體實施態樣中，例如參照第1C圖，可沉積鋅層於沉積面106上，之後可沉積鉻層於該鋅層上，該鋅層及鉻層係形成第二處理層108’。於一些其它具體實施態樣中，例如參照第1D圖，可沉積鋅層於輥筒面104上，之後可沉積鉻層於該鋅層上，該鋅層及鉻層係形成第二處理層108’。
應明確理解的是，即便第一處理層108及第二處理層108’中之獨立子層可為相同的層，如鋅阻障層，但這些層之物理特性，例如厚度，可能為不同的。同樣應明確理解的是，即使第一處理層108及第二處理層108’中之獨立子層皆發揮相似作用，第一處理層108及第二處理層108’於組成上可能為不同的。舉例而言，即使第一處理層108及第二處理層108’兩者皆包括抗腐蝕(anti-corrosion)層，如第一處理層之一處理層可視需要包括金屬，而如第二處理層108’之另一處理層可包括有機化合物。
該表面處理電解銅箔係具有組成或特徵，當該銅箔結合至例如電路板或電池之製品中，該組成或特徵會影響其特性及最終性能。舉例而言，於一些具體實施態樣中，所沉積金屬之面密度，例如第一處理層108及第二處理層108’，係控制為介於低值與高值之間。
二維物體之「面密度」或「面積密度(area density)」係每單位面積之質量。如本文中所用，「鎳面密度」係指表面處理銅箔的處理層中，如處理層108，每單位面積之鎳的質量。
於一些具體實施態樣中，表面處理銅箔100係具有介於低值與高值之間的受控範圍內之鎳面密度，係，例如介於約40μg/dm2的低值 與約200μg/dm2的高值之間。應明確理解，此等範圍是連續的。因此，該低值可等於或大於40、42、43、44、45、48、50、53、57、60、61、63、70、80、90、100、103、110、120、130、140、150、155、158、160、170、176、180、190、197或200μg/dm2。該高值可等於或小於200、197、190、180、176、170、160、158、155、150、140、130、120、110、103、100、90、80、70、63、61、60、57、53、50、48、45、44、43、42或40μg/dm2。
於一些具體實施態樣中，表面處理銅箔100及樹脂層係組合以形成層壓結構。該結構可包括兩層或更多層交替的銅箔及樹脂層。舉例而言，可藉由堆疊交替的銅箔(其至少一者係表面處理銅箔100)及樹脂層片材，並於加熱堆疊體的同時，使用壓力機將該堆疊體壓縮在一起而形成。於一些具體實施態樣中，該樹脂層係與表面處理銅箔100的表面處理面110接觸。若將超過三層導電層(例如，其至少一者係表面處理銅箔100)與樹脂層交替堆疊，則層壓體係為例如可用以製作多層PCB(印刷電路板)之多層結構。
如本文中所用，「樹脂」係指一種有機聚合物材料，可於如表面處理銅箔之基材上形成片材或層。樹脂之一些實施例係包括酚醛樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂(例如，聚對苯二甲酸乙二酯)、聚醯亞胺樹脂、丙烯酸樹脂、甲醛樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、氰酸酯樹脂、含氟聚合物、聚醚碸、纖維質熱塑性樹脂、聚碳酸酯、聚烯烴、聚丙烯、聚硫化物及聚胺酯。該樹脂亦可包括填充材料或增強材料，例如芳族醯胺、碳、玻璃、纖維素及無機材料，此等係全部視需要為顆粒、纖維、短纖、梭織物或編織材料之形式。於一些具體實施態樣中，係於複合片材中使用一種或多種樹脂及一種或多種填充材料將該樹脂製成片材。於一些具體實施態樣中， 係將一或多層樹脂層彼此堆疊並直接接觸，以提供多層樹脂層，有時亦稱為多層板。如本文中所用，樹脂層可指代多層樹脂層，例如多層板。
於一些具體實施態樣中，該表面處理銅箔100係用於製造電路板(如，印刷電路板或PCB)。舉例而言，使用該銅箔及樹脂層之層壓體形成電路板。可藉由已知加工方法，例如微影製程(lithography)、銅蝕刻及將銅箔/樹脂層壓體鑽孔，以達成如導電線、線路、接觸墊、屏蔽區及導電通孔的製造之進一步加工。可藉由已知方法將例如電池、電阻器、發光二極體、繼電器、電晶體、電容器、電感器、二極體、開關、微控制器、晶體及振盪器以及積體電路之組件安裝(例如，機械連接及電性連接)到電路板。舉例而言，附接組件之表面安裝方法或通孔方法以及用於組裝之拾取及放置技術。
於一些具體實施態樣中，表面處理銅箔100可用於製作電路板，包括安裝在該電路板上的複數組件，該電路板係用於裝置中。如本文中所用，裝置係包含用於處理電子訊號的任何元件或組件，例如藉由控制訊號之電壓、電流、頻率或功率。舉例而言且不限於，例如膝上型及桌上型之電腦、載運工具、電話、量測及監控裝置(例如，血糖計、酸鹼度測定計、空氣監控裝置)、數據輸出裝置(例如，監控器、列印機)、輸入裝置(觸摸螢幕、鍵盤、滑鼠)以及如Wi-Fi、紫蜂(Zigbee)及藍牙(Bluetooth)與雷達之無線傳輸/接收裝置。
於一些具體實施態樣中，表面處理銅箔100可用作集電體。於一些具體實施態樣中，表面處理銅箔可用作例如，疊片式鋰離子電池或鈕扣式鋰離子電池之鋰離子二次電池中之集電體。應明確理解，對於此等具體實施態樣，可進行一些修飾，例如可使用其中不具有矽烷耦合層或阻 障層之子層。因此，於一些具體實施態樣中，表面處理銅箔100係不包括阻障層114或耦合層118。
應理解，於本發明之範疇內，上述及下述提及的技術特徵(諸如實施例)可自由且相互組合以形成新的或較佳的技術方案，為簡潔起見省略之。
實施例
表面處理銅箔的製備
電解銅箔的製備
將銅線溶解於硫酸水溶液(50wt%)中以製備電解質，得到含有280g/L之硫酸銅(CuSO4．5H2O)的硫酸銅電解質溶液。該硫酸銅電解質溶液亦含有20至80g/L之硫酸以及5至35mg/L之氯離子(來自鹽酸，RCI Labscan Ltd)，具體含量係表示於表1中。於每公升之硫酸銅電解質中，還加入3.23mg之幾丁聚醣(Chitosan，MW=5000，由Aldrich製造)及1.83mg之3,3'-硫代雙-1-丙磺酸二鈉鹽(TBPS，由Aldrich製造)。
整體銅箔係藉由在轉動之輥筒上電沉積而製備，其中，該輥筒係部分地浸入上述電解質溶液中。該輥筒係作為與陽極相對之陰極，係造成該電解質中之銅離子以連續方式沉積於該輥筒上。選擇的輥筒係為在其發生沉積之表面上具有5至11範圍內之晶粒度數。具體晶粒度數係表示於表1中。使用48A/dm2之電流密度並控制電解質溶液溫度為約43℃，以製備厚度為約18μm之銅箔。
表面處理
於粗糙化處理之第一步中，如上所述製備電解銅箔之後，使用酸性溶液清潔該電解銅箔。過程中使用裝有含130g/L硫酸銅及50g/L硫 酸的電解質之酸洗容器，並將溶液之溫度維持在約27℃。將電解銅箔導入酸洗容器中，並將其於該電解質中浸泡30秒以移除表面上的油、脂肪及氧化物。隨後用水沖洗該電解銅箔。
隨後，藉由電鍍該電解銅箔之輥筒面或沉積面的表面以形成粗化粒子層，如表1中所示。為鍍覆粗化粒子層，係使用硫酸銅溶液作為鍍覆電解質，係含有70g/L之硫酸銅及100g/L之硫酸。該硫酸銅溶液之溫度係維持在約25℃，且該電解銅箔係在選自介於24至48A/dm2範圍內之電流密度下電鍍10秒，具體數值係列述於表1中之粗糙化處理(RT)。這一粗糙化處理係於該輥筒面或該沉積面上提供粗化粒子層。
為了防止粗化粒子層之剝蝕，係藉由電沉積將銅覆蓋層沉積在粗化粒子層上，以形成粗化粒子層覆蓋物。於覆蓋製程中，使用硫酸銅濃度為320g/L且硫酸濃度為100g/L的硫酸銅溶液來製備粗化粒子層覆蓋物。電解質溶液之溫度係維持在約40℃。電沉積步驟期間的電流密度係選擇為6至12A/dm2範圍內，如表1中所列述(覆蓋處理或CT)，持續10秒。
於完成該粗化粒子層覆蓋鍍覆製程之後，施加兩層阻障層。首先，將鎳沉積於粗化粒子層之表面上，係用以鈍化粗化粒子層。於包含濃度為188g/L之硫酸鎳、濃度為32g/L之硼酸、濃度為5g/L之次磷酸且pH為約3.2至約3.8範圍內之電解質溶液中進行電解。於電解期間，溫度係維持在20℃，且電流密度係設定在0.4至0.8A/dm2範圍內並持續3秒，其中，具體電流密度值係列述於表1中。
其次，水洗之後，同時沉積含鋅層在鎳層及該電解銅箔之相對面上。該含鋅層由含有11g/L之硫酸鋅且pH約為13.0的溶液提供。於電沉積期間，該溶液係維持在15℃之溫度。鋅層沉積期間之電流密度係設定為0.6A/dm2並持續3秒。
於形成阻障層之後，使用水進行洗滌，並且藉由在鍍浴中進行電鍍，以在該鋅層上形成鉻防鏽層。於鍍覆期間，維持含有5g/L鉻酸且pH為約12.5的鍍浴在17℃之溫度。使用1.0A/dm2之電流密度進行鍍覆3秒以形成鉻層。
最後，於電解銅箔上具有粗化粒子層之一面的防鏽層上形成耦合層。將矽烷溶液噴灑於該防鏽層(粗化粒子層面)上，噴灑時間為3秒。該矽烷溶液係含有0.25wt%的3-胺基丙基三乙氧基矽烷的水溶液。
於矽烷處理之後，將箔在烘箱中以120℃加熱1分鐘，隨後將其捲繞成卷。
銅箔特徵
表1列出如上所述在特定條件下製成之銅箔，係列述23個實施例。列述之數據係例示性說明該表面處理銅箔的一些具體實施態樣。對於該表面處理銅箔而言，良好之特徵係例如大於或等於0.40N/mm之高剝離強度，以及低的傳輸損耗值(低絕對值)，例如具有測得之傳輸損耗大於約-23dB/m。
實施例1至11全部具有0.1至0.9範圍內之Vv，且具有小於300ppm之氫與氧的總含量。此等實施例亦顯示如上文定義之良好特徵，其中，剝離強度為至少0.40N/mm，且測得之傳輸損耗係大於-23dB/m。還需注意的是，例如於實施例1至7及11中，該粗化粒子層係形成於該沉積面上，而在實施例8至10中，該粗化粒子層係形成於該輥筒面上。因此，形成粗化粒子層於沉積面或輥筒面上可形成具有良好特性之銅箔。
若Vv係高於0.9μm3/μm2之高者，例如在實施例13、19及21至23中，傳輸損耗值同樣是高的，其測量值範圍係從實施例21所示之-27.2dB/m至實施例22所示之-33.3dB/m範圍內。此係顯示，Vv應控制為 小於約0.9μm3/μm2。惟，若Vv過低，如實施例15、16及18所示，根據剝離測試結果，接著性變得過低。關聯性很明顯的是：實施例16之Vv係表1中之最低者，為0.054μm3/μm2，係對應於0.31N/mm之最低的剝離強度；實施例15之Vv係表1中次低者，為0.070μm3/μm2，係對應於0.33N/mm之次低的剝離強度；以及，實施例18之Vv係表1中之第三低者，為0.083μm3/μm2，係對應於0.35N/mm之第三低的剝離強度。
若氫與氧的總含量係高於約300ppm之高者，則發現傳輸損耗值變得過高，甚至當Vv為介於0.1與0.9μm3/μm2之範圍內時。此係藉由實施例12、14、17及20顯示，其中，氫與氧之總含量係為346ppm、363ppm、370ppm及340ppm。同樣需注意的是，於實施例22中，若Vv為高的(0.998μm3/μm2)且氫與氧的總含量亦為高的(335ppm)，則傳輸損耗值係表1中最高者，測得-33.3dB/m。
除了控制Vv及氫與氧的總含量之外，表1中之數據係顯示鎳面密度亦為影響表面處理銅箔的特徵。當鎳面密度為40至200μg/dm2範圍內時，實施例1至10顯示優異的耐熱性。未歸因於特定機制，其可能是具有過低之鎳面密度無法對粗化粒子層提供足夠之氧化保護。需注意的是，於實施例15中，鎳面密度低但其未出現變色，在未受限於特定機制之解釋下，這有可能是由於實施例15中之Vv非常低(0.070μm3/μm2)，使得鎳可能均勻地塗覆全部粗化粒子層，從而對銅提供良好之氧化保護。還應注意的是，實施例19係顯示褪色，但其鎳面密度為155μg/dm2而應被預期為足以鈍化銅粗化粒子層。一個可能的理論為，在實施例19中，由於Vv非常高(1.347μm3/μm2)，儘管具有高的鎳面密度，但由於塗層可能存在不均勻之分佈，從而導致氧氣透過該塗層之較薄部分而進入銅粗化粒子層，因此無法達成鈍化。
如上文所示，應控制鎳面密度在至少約40μm3/μm2，表1中亦顯示具有過高之鎳面密度亦會成為問題，係表現為加劇已描述之其它特徵引起的問題。舉例而言，氫與氧的總含量高且鎳面密度高可能導致更差之傳輸性能，可參照實施例12及20所示。實施例12及實施例20係具有相似之Vv(分別為0.738μm3/μm2及0.726μm3/μm2)及相似之氫與氧的總含量(分別為346ppm及340ppm)，但實施例12係具有可接受之鎳面密度(48μg/dm2)，而實施例20係具有較高之鎳面密度(277μg/dm2)。儘管實施例12及20皆不具良好之傳輸特徵，但實施例12為-25.6dB/m，仍優於實施例20之-31.7dB/m。作為另一實施例，由於具有高Vv和高氫和氧的總含量之表面處理銅箔所顯示之不佳的傳輸性能，也由於具有高的鎳面密度而加劇。此由實施例20和22之比較來顯示。實施例20之數據係如上所討論，用於比較之實施例22係具有0.998μm3/μm2之Vv、335ppm之氫與氧的總含量以及281μg/dm2之鎳面密度，且係具有最高之傳輸損耗值，如前所述為-33.3dB/m。
表1
Figure 109101360-A0101-12-0021-2
測試方法
晶粒度數(Grain Size Number)
用於製備電解銅箔之輥筒可輕易地以特定晶粒度數獲得。晶粒度數亦可使用標準測試方法JIS G0552測定。
體積參數
表1中之體積參數係藉由根據ISO 25178-2(2012)之方法獲得。對雷射顯微鏡之圖像進行表面紋理分析。該雷射顯微鏡係Olympus製造之LEXT OLS5000-SAF，且圖像係於24±3℃之空氣溫度以及63±3%之相對濕度下製成。濾波器設定為無濾波。光源之波長係為405nm。物鏡係100x(MPLAPON-100xLEXT)。光學變焦設定為1.0x。圖像面積設定為129μm x 129μm。解析度設定為1024像素 x 1024像素。條件設定為自動移除傾斜。
使用負載率p及q計算Vvc，其中，p為10%而q為80%。使用80%之負載率計算Vvv，並使用10%之負載率計算Vv。空隙體積之單位為μm3/μm2。
鎳面密度
表面處理銅箔的樣本之尺寸為100 x 100mm(面積=1dm2)。塗佈保護層於該樣本之非粗糙面上以防止其溶解。之後將該樣本溶解於20ml之18%的HCl溶液中10分鐘。上述過程係選擇性地溶解該處理層。將該溶液倒入50ml容量瓶中，並使用感應耦合電漿光發射光譜儀(ICP-OES)測定鎳含量，以氬氣為載氣且霧化器流速為0.5L/min。如表1中所示，樣本中的以μg計之鎳含量係以μg/dm2計的鎳面密度。
耐熱性
表面處理銅箔之樣本的尺寸為200 x 200mm。將該200 x 200mm之樣本置於設定溫度為225℃之烘箱內。15分鐘後，檢查該樣本以確定處理面是否顯示表示氧化之著色。
剝離強度
將表面處理銅箔的樣本放置於樹脂基板(Megtron 6，來自松下公司)上，並使該銅箔之粗化粒子層接觸該樹脂基板。之後，將該樹脂及銅箔置於真空壓製機內，並使用30kg/cm2之壓力在190℃之溫度下層壓在一起，並施用120分鐘，以提供覆銅層壓板(Copper Clad Laminate，CCL)。之後使用IPC-TM-650評估剝離強度。
氫/氧含量
使用具有非分散性紅外線檢測器(Non-Dispersion Infrared，NDIR)的氧/氮/氫分析儀(EMGA-930，由Horiba Ltd.製造)測量表面處理銅箔樣本的氫與氧含量。
傳輸損耗
使用帶狀線(strip-line)評估傳輸特性。將銅箔附接到樹脂上並進一步製成帶狀線，以該帶狀線作為源電極。該樹脂(S7439G，取自SyTech Corporation)的厚度為152.4μm，且以IPC-TM 650 No.2.5.5.5於10GHz訊號測試下，具有介電常數(Dielectric Constant，Dk)=3.74及介電損耗(Dielectric Loss，Df)=0.006。該帶狀線係具有100mm之長度、120μm之寬度以及18μm之厚度。
製成該帶狀線之後，使用另外兩片樹脂(S7439G，取自SyTech Corporation)分別覆蓋兩個表面，並於該樹脂上放置另外兩個銅箔作為接地電極。這一組裝件係不具有覆蓋膜，且係具有約50Ω之特性阻抗。比較該帶狀線及接地電極傳輸之訊號，以提供傳輸損耗。
使用安捷倫科技公司之PNA N5230C網路分析儀測量該帶狀線及接地電極。所使用之頻率範圍係200MHz至15GHz，掃描數為6401點，校正係TRL，且測試方法係Cisco S方法。測量值係對應於10GHz的傳輸損耗(dB/m)。
如本文中所用，術語「包含」係關於所要求保護的發明必要的組成物、方法及其各自組分，但該術語可包括未具化之元件而無論其是否為必要。
如本文中所用，術語「主要由...組成」係指代給定具體實施例所需之彼等元件。該術語係允許不實質上影響本發明所主張之具體實施例的基本及新穎或功能特徵的元件之存在。
術語「由...組成」係指代本文中揭示之組成物、方法及其各自組分，其係不包含任何於該具體實施例之描述中未述及之元件。
如本說明書及所附申請專利範圍中所用，除非上下文中明確指出，否則單數形式「一」及「該」係包括複數形式。因此，舉例而言，關於「該方法」之描述係包括一種或多種方法，及/或本文所述類型的步驟及/或在閱讀本發明等之後，對於所屬領域具有通常知識者而言是顯而易見的。同樣，除非上下文明確指出，否則詞語「或」係旨在包括「及」。
除了操作的實施例或另外說明以外，在所有情況下，本文中用以表示成分數量及反應條件的數字應理解為皆以術語「約」修飾。術語「約」可意指所指代之值的±5%(例如，±4%、±3%、±2%、±1%)。
若提供一數值範圍，則介於該範圍之上限與下限之間的每一數字數值且包括該範圍之上限及下限，係視為於本文中揭露。應理解，本文中引述之任何數字範圍係試圖包括該範圍所涵蓋之所有子範圍。例如，「1至10」之範圍係旨在包括界於所引用之最小值1與最大值10之間的全部 子範圍且包括該最小值及最大值；換言之，具有等於或大於1之最小值以及等於或小於10之最大值。因為所揭露之數字範圍係連續者，故它們係包括界於該最小值與最大值之間的每一個值。除非明確排除，否則本說明書中具化之各種數字範圍係大約者。
除非本文另外定義，否則本申請案中使用之科技及技術術語應具有與發明所屬領域中具通常知識者所一般理解相同之含義。再者，除非語境中需要排除，否則單數之術語應包括複數，且複數之術語應包括單數。
應理解，本發明並不限於本文所述之特定方法、方案及試劑等，且此等可變。本文所用之術語係僅用於揭示特定實施態樣之目的，且不試圖限制本發明之範疇，該範疇僅為申請專利範圍所界定。
本文中揭露之任何包括ASTM、JIS方法的專利、專利申請案及出版物係藉由引用而明確併入本文以作描述及揭露目的之用，例如，此等出版物中描述之方法可與本發明結合使用。此等出版物僅因為其在本申請案之申請日之前公開而提供。這方面之任何內容皆不應理解為承認本發明人無權憑藉先前之發明或出於任何其它原因而先於此等揭露。所有關於日期之報告或對此等文件內容之陳述係基於申請人可獲得之訊息，而不構成對該等日期或此等文件內容之正確性的承認。
100‧‧‧表面處理銅箔
102‧‧‧銅箔
104‧‧‧輥筒面
106‧‧‧沉積面
108‧‧‧處理層
110‧‧‧表面處理面
112‧‧‧粗化粒子層
114‧‧‧阻障層
116‧‧‧防鏽層
118‧‧‧耦合層

Claims (16)

  1. 一種表面處理銅箔，係包含：
    電解銅箔，係包括輥筒面及沉積面；以及
    處理層，係設置於輥筒面及沉積面之一者上，並提供表面處理面；
    其中，該處理層係包含粗化粒子層，以及，其中，該表面處理面係具有0.1至0.9μm3/μm2範圍內之空隙體積(Vv)；以及
    其中，該表面處理銅箔的氫與氧之總含量係為小於或等於300ppm。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該氫與氧之總含量係為至少50ppm。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該空隙體積(Vv)係小於或等於0.7μm3/μm2。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該處理層進一步包含有包括鎳之阻障層，且該處理層之鎳面密度係為40至200μg/dm2範圍內。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之表面處理銅箔，其中，該空隙體積(Vv)係小於或等於0.7μm3/μm2。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之表面處理銅箔，其中，該鎳面密度係小於或等於120μg/dm2。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理面係具有0.08至0.84μm3/μm2範圍內之核心部空隙體積(Vvc)。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理面係具有0.01至0.07μm3/μm2範圍內之波谷部空隙體積(Vvv)。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該處理層係位於沉積面上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該處理層係位於輥筒面上。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該處理層係第一處理層，且該表面處理銅箔復包含第二處理層，係設置於該輥筒面及沉積面之一者上，其中，該第一處理層及第二處理層不設置在電解銅箔的相同面上。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之表面處理銅箔，其中，該第二處理層係不包含粗化粒子層。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該處理層進一步包含覆蓋層、阻障層、防鏽層及耦合層之至少一者。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之表面處理銅箔，其中，該阻障層係包含一個或多個子層，其中，每一子層係獨立包含金屬或含有該金屬之合金，且該金屬係選自鎳、鋅、鉻、鈷、鉬、鐵、錫及釩之至少一者。
  15. 一種層壓板，係包含：
    表面處理銅箔以及樹脂層，且該樹脂層係與該表面處理銅箔的表面處理面接觸；
    該表面處理銅箔係包含，
    電解銅箔，係包括輥筒面及沉積面，
    處理層，係設置於該輥筒面及該沉積面之一者上，並提供該表面處理面，其中，該處理層係包含粗化粒子層，以及，其中，該表面處理面係具有0.1至0.9μm3/μm2範圍內之空隙體積(Vv)；
    其中，該表面處理銅箔的氫與氧之總含量係小於或等於300ppm，以及，其中，該表面處理銅箔係具有40至200μg/dm2範圍內之鎳面密度。
  16. 一種裝置，係包含：
    電路板，係包括如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔；以及
    複數組件，係安裝於該電路板上；
    其中，該複數組件的至少一第一組件及第二組件係藉由該電路板之表面處理銅箔以相互電性連接。
TW109101360A 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及具有該銅箔之層壓板和裝置 TWI707063B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201962800263P 2019-02-01 2019-02-01
US62/800,263 2019-02-01
US16/694,412 2019-11-25
US16/694,412 US10787751B2 (en) 2019-02-01 2019-11-25 Electrolytic copper foil with low profile

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202030370A true TW202030370A (zh) 2020-08-16
TWI707063B TWI707063B (zh) 2020-10-11

Family

ID=69645662

Family Applications (13)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109101297A TWI744773B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及銅箔基板
TW109101362A TWI705607B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 用於鋰離子二次電池之負極集電體的銅箔
TW109101360A TWI707063B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及具有該銅箔之層壓板和裝置
TW109101355A TWI722763B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及銅箔基板
TW109101301A TWI725706B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及銅箔基板
TW109101373A TWI700394B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 電解銅箔、集電體、電極及包含其之鋰離子二次電池
TW109101350A TWI745835B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及銅箔基板
TW109101285A TWI718843B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 附載體銅箔及銅箔基板
TW109101364A TWI698536B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 具有優異接著性之銅箔
TW109101363A TWI720783B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔、層壓體及用於處理電子訊號的裝置
TW109101365A TWI719805B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 具低傳輸損耗之銅箔
TW109101361A TWI715417B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 用於印刷電路板之具有低傳輸損耗的電解銅箔
TW109101372A TWI720784B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 電解銅箔、電極及包含其之鋰離子二次電池

Family Applications Before (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109101297A TWI744773B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及銅箔基板
TW109101362A TWI705607B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 用於鋰離子二次電池之負極集電體的銅箔

Family Applications After (10)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109101355A TWI722763B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及銅箔基板
TW109101301A TWI725706B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及銅箔基板
TW109101373A TWI700394B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 電解銅箔、集電體、電極及包含其之鋰離子二次電池
TW109101350A TWI745835B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔及銅箔基板
TW109101285A TWI718843B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 附載體銅箔及銅箔基板
TW109101364A TWI698536B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 具有優異接著性之銅箔
TW109101363A TWI720783B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 表面處理銅箔、層壓體及用於處理電子訊號的裝置
TW109101365A TWI719805B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 具低傳輸損耗之銅箔
TW109101361A TWI715417B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 用於印刷電路板之具有低傳輸損耗的電解銅箔
TW109101372A TWI720784B (zh) 2019-02-01 2020-01-15 電解銅箔、電極及包含其之鋰離子二次電池

Country Status (12)

Country Link
US (8) US10581081B1 (zh)
EP (4) EP3690082B1 (zh)
JP (12) JP6860706B2 (zh)
KR (13) KR102222382B1 (zh)
CN (14) CN111989989B (zh)
ES (4) ES2899080T3 (zh)
HU (4) HUE056874T2 (zh)
MY (1) MY196202A (zh)
PH (3) PH12020000027A1 (zh)
PL (4) PL3828970T3 (zh)
TW (13) TWI744773B (zh)
WO (6) WO2020156186A1 (zh)

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11251430B2 (en) 2018-03-05 2022-02-15 The Research Foundation For The State University Of New York ϵ-VOPO4 cathode for lithium ion batteries
US10581081B1 (en) 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery
US20220282388A1 (en) * 2019-07-26 2022-09-08 Toyo Kohan Co., Ltd. Roughened nickel-plated material and method for manufacturing same
TWI740515B (zh) 2019-12-23 2021-09-21 長春人造樹脂廠股份有限公司 液晶高分子膜及包含其之積層板
WO2022085371A1 (ja) * 2020-10-22 2022-04-28 古河電気工業株式会社 電解銅箔、リチウムイオン二次電池用負極、及びリチウムイオン二次電池
CN113066767B (zh) * 2021-03-05 2022-01-25 南通越亚半导体有限公司 临时承载板及其制作方法和封装基板的制造方法
CN117321253A (zh) * 2021-05-20 2023-12-29 三井金属矿业株式会社 粗糙化处理铜箔、带载体的铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
JPWO2022244827A1 (zh) * 2021-05-20 2022-11-24
JP7366436B2 (ja) 2021-05-31 2023-10-23 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板
KR20240017840A (ko) * 2021-06-03 2024-02-08 미쓰이금속광업주식회사 조화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
TWI760249B (zh) 2021-06-16 2022-04-01 長春石油化學股份有限公司 電解銅箔及銅箔基板
US11540389B1 (en) 2021-07-06 2022-12-27 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
CN115413119B (zh) * 2021-07-06 2023-03-24 长春石油化学股份有限公司 表面处理铜箔及铜箔基板
CN115589667B (zh) * 2021-07-06 2023-09-08 长春石油化学股份有限公司 表面处理铜箔及铜箔基板
TWI809441B (zh) * 2021-07-06 2023-07-21 長春石油化學股份有限公司 表面處理銅箔及銅箔基板
US20230019067A1 (en) 2021-07-06 2023-01-19 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated copper foil and copper clad laminate
WO2023281775A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
JPWO2023281778A1 (zh) * 2021-07-09 2023-01-12
CN116867930A (zh) * 2021-07-09 2023-10-10 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板
TWI802226B (zh) * 2021-07-09 2023-05-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 表面處理銅箔、覆銅積層板及印刷配線板
KR102517417B1 (ko) 2021-07-09 2023-04-03 주식회사 다이브 반도체용 동박의 제조방법 및 이를 이용한 반도체용 동박
CN116745468A (zh) * 2021-07-09 2023-09-12 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、覆铜积层板及印刷配线板
CA3172526A1 (en) * 2021-10-07 2023-04-07 Circuit Foil Luxembourg Copper foil with high energy at break and secondary battery comprising the same
TWI778833B (zh) * 2021-10-18 2022-09-21 長春石油化學股份有限公司 聚合物膜及其應用
TWI781818B (zh) * 2021-11-05 2022-10-21 長春石油化學股份有限公司 表面處理銅箔及銅箔基板
CN117916553A (zh) 2021-12-22 2024-04-19 三井金属矿业株式会社 铜箔的表面参数的测定方法、铜箔的筛选方法以及表面处理铜箔的制造方法
LU501394B1 (en) 2022-02-07 2023-08-07 Circuit Foil Luxembourg Surface-treated copper foil for high-frequency circuit and method for producing the same
CN114657610A (zh) * 2022-03-28 2022-06-24 电子科技大学 一种可剥离超薄载体铜箔的制备方法
GB2618129A (en) * 2022-04-28 2023-11-01 Airbus Operations Ltd Multi-material joint
CN114990654B (zh) * 2022-06-02 2024-04-26 山东金宝电子有限公司 一种电解铜箔表面处理工艺与hvlp铜箔产品及其应用
WO2024070245A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2024070248A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2024070247A1 (ja) * 2022-09-28 2024-04-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板

Family Cites Families (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3927208A (en) * 1973-05-14 1975-12-16 Rit Rech Ind Therapeut Live bovine adenovirus vaccines, preparation thereof and method of vaccination using them
US4876899A (en) 1988-10-31 1989-10-31 Texas Instruments Incorporated Torque sensing device
JPH0787270B2 (ja) 1992-02-19 1995-09-20 日鉱グールド・フォイル株式会社 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JP3500072B2 (ja) 1998-07-27 2004-02-23 新日本製鐵株式会社 電解金属箔製造ドラム用チタン材およびその製造方法
JP2000119892A (ja) 1998-10-12 2000-04-25 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気銅の製造方法およびこの方法により得られた電気銅
JP3850155B2 (ja) 1998-12-11 2006-11-29 日本電解株式会社 電解銅箔、二次電池の集電体用銅箔及び二次電池
JP2001192879A (ja) 2000-01-13 2001-07-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 電気銅製造用の種板成形ロールおよびそれを用いて成形された電気銅製造用の種板、ならびに該種板を用いて電気銅を製造する方法および該方法により得られた電気銅
JP4441642B2 (ja) 2000-12-27 2010-03-31 三井金属鉱業株式会社 電解銅箔製造用のチタン製カソード電極、そのチタン製カソード電極を用いた回転陰極ドラム、チタン製カソード電極に用いるチタン材の製造方法及びチタン製カソード電極用チタン材の矯正加工方法
JP3850321B2 (ja) 2002-03-19 2006-11-29 日本電解株式会社 二次電池
JP4094395B2 (ja) 2002-04-10 2008-06-04 新日本製鐵株式会社 電解Ｃｕ箔製造ドラム用チタン板およびその製造方法
TW200403358A (en) * 2002-08-01 2004-03-01 Furukawa Circuit Foil Electrodeposited copper foil and electrodeposited copper foil for secondary battery collector
TW200424359A (en) 2003-02-04 2004-11-16 Furukawa Circuit Foil Copper foil for high frequency circuit, method of production and apparatus for production of same, and high frequency circuit using copper foil
JP4061211B2 (ja) 2003-02-20 2008-03-12 新日本製鐵株式会社 電解銅箔製造用カソード電極に用いるチタン合金及びその製造方法
JP4273309B2 (ja) 2003-05-14 2009-06-03 福田金属箔粉工業株式会社 低粗面電解銅箔及びその製造方法
CN100375908C (zh) * 2003-06-18 2008-03-19 旭化成株式会社 抗反射膜
JP4567360B2 (ja) 2004-04-02 2010-10-20 三井金属鉱業株式会社 銅箔の製造方法及びその製造方法で得られる銅箔
JP2006103189A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Furukawa Circuit Foil Kk 表面処理銅箔並びに回路基板
CN2752274Y (zh) 2004-12-29 2006-01-18 北京远创铜箔设备有限公司 制备铜箔的电解装置
JP2006253345A (ja) 2005-03-10 2006-09-21 Furukawa Circuit Foil Kk 高純度電解銅箔及びその製造方法
TW200738913A (en) 2006-03-10 2007-10-16 Mitsui Mining & Smelting Co Surface treated elctrolytic copper foil and process for producing the same
CN101466875B (zh) 2006-06-12 2011-01-05 日矿金属株式会社 具有粗化处理面的轧制铜或铜合金箔以及该轧制铜或铜合金箔的粗化方法
JP4743020B2 (ja) 2006-06-26 2011-08-10 ソニー株式会社 電極集電体及びその製造方法、電池用電極及びその製造方法、並びに二次電池
CN1995469B (zh) 2006-11-28 2011-06-15 山东金宝电子股份有限公司 高温高延展电解铜箔制造工艺
JP4460642B2 (ja) 2007-03-13 2010-05-12 パナソニック株式会社 リチウム二次電池用負極およびその製造方法、ならびにリチウム二次電池用負極を備えたリチウム二次電池
US20100136434A1 (en) 2007-04-20 2010-06-03 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Electrolytic Copper Foil for Lithium Rechargeable Battery and Process for Producing the Copper Foil
CN101302635B (zh) * 2008-01-18 2010-12-08 梁国柱 钢铁件酸性预镀铜电镀添加剂及预镀工艺
TWI434965B (zh) 2008-05-28 2014-04-21 Mitsui Mining & Smelting Co A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method
JP5235542B2 (ja) 2008-07-15 2013-07-10 キヤノン株式会社 像振れ補正装置またはそれを備えたレンズ装置、撮像装置並びに像振れ補正装置の制御方法
TWI513388B (zh) 2008-09-05 2015-12-11 Furukawa Electric Co Ltd A very thin copper foil with a carrier, and a laminated plate or printed circuit board with copper foil
FR2938522B1 (fr) 2008-11-20 2010-12-17 Inst Francais Du Petrole Procede de production d'hydrogene avec captation totale du co2 et recyclage du methane non converti
JP5437155B2 (ja) 2009-05-08 2014-03-12 古河電気工業株式会社 ２次電池用負極、電極用銅箔、２次電池および２次電池用負極の製造方法
US20120189859A1 (en) * 2009-07-24 2012-07-26 Pi R&D Co., Ltd. Resin composite electrolytic copper foil, copper clad laminate and printed wiring board
JP4927963B2 (ja) * 2010-01-22 2012-05-09 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、その製造方法及び銅張積層基板
JP5103496B2 (ja) 2010-03-09 2012-12-19 日立ビークルエナジー株式会社 リチウムイオン二次電池
JP2011192879A (ja) 2010-03-16 2011-09-29 Toshiba Corp 不揮発性記憶装置および不揮発性記憶装置の製造方法
CN102234823B (zh) 2010-04-28 2013-11-06 长春石油化学股份有限公司 用于制造电解铜箔的铜料以及电解铜箔的制造方法
CN102884228B (zh) 2010-05-07 2015-11-25 吉坤日矿日石金属株式会社 印刷电路用铜箔
TWI417424B (zh) 2010-11-08 2013-12-01 Chang Chun Petrochemical Co 多孔性銅箔之製造方法
EP2654111B1 (en) 2010-12-27 2018-04-18 Furukawa Electric Co., Ltd. Lithium-ion secondary battery, electrode for secondary battery, and electrolytic copper foil for secondary battery electrode
JP5617611B2 (ja) 2010-12-27 2014-11-05 日立金属株式会社 引張強度に優れる複合金属箔
JP2012172198A (ja) 2011-02-22 2012-09-10 Jx Nippon Mining & Metals Corp 電解銅箔及びその製造方法
JP5834322B2 (ja) 2011-07-20 2015-12-16 エルジー・ケム・リミテッド セパレータ、その製造方法及びこれを備えた電気化学素子
JP5373995B2 (ja) 2011-08-31 2013-12-18 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔
CN102418129A (zh) 2011-11-18 2012-04-18 山东金宝电子股份有限公司 一种高Tg、无卤素板用铜箔的表面处理工艺
JP2013133514A (ja) 2011-12-27 2013-07-08 Furukawa Electric Co Ltd:The 銅箔、二次電池の電極、二次電池、並びにプリント回路基板
WO2013147115A1 (ja) 2012-03-29 2013-10-03 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔
KR20130127031A (ko) 2012-05-10 2013-11-22 현대자동차주식회사 금속 합금 전극 리튬이온 이차전지 음극소재 및 이의 제조 방법
JP2014015674A (ja) 2012-06-11 2014-01-30 Sh Copper Products Corp 圧延銅箔、および銅張積層板
TWI482882B (zh) 2012-09-10 2015-05-01 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board
JP6415033B2 (ja) 2012-09-11 2018-10-31 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、銅張積層板の製造方法、及び、プリント配線板の製造方法
JP5481577B1 (ja) 2012-09-11 2014-04-23 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付き銅箔
KR20140034698A (ko) * 2012-09-12 2014-03-20 주식회사 두산 동박의 표면처리 방법 및 그 방법으로 표면처리된 동박
JP5358739B1 (ja) 2012-10-26 2013-12-04 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 キャリア付銅箔、それを用いた銅張積層板、プリント配線板、プリント回路板、及び、プリント配線板の製造方法
TWI509111B (zh) 2012-11-26 2015-11-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface treatment of electrolytic copper foil, laminated board, and printed wiring board, electronic equipment
CN102965698B (zh) 2012-11-28 2015-09-09 山东金宝电子股份有限公司 低翘曲电解铜箔生产工艺
JP5578383B2 (ja) 2012-12-28 2014-08-27 Ｔｏｔｏ株式会社 耐プラズマ性部材
TWI539033B (zh) 2013-01-07 2016-06-21 Chang Chun Petrochemical Co Electrolytic copper foil and its preparation method
CN104781973A (zh) 2013-01-15 2015-07-15 松下知识产权经营株式会社 锂二次电池
TWI518210B (zh) 2013-01-31 2016-01-21 三井金屬鑛業股份有限公司 電解銅箔、該電解銅箔之製造方法及使用該電解銅箔而得之表面處理銅箔
JP6116949B2 (ja) 2013-03-14 2017-04-19 新光電気工業株式会社 発光素子搭載用の配線基板、発光装置、発光素子搭載用の配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法
JP6403969B2 (ja) 2013-03-29 2018-10-10 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、プリント配線板、銅張積層板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
CN104125711B (zh) 2013-04-26 2017-10-24 Jx日矿日石金属株式会社 高频电路用铜箔、覆铜板、印刷布线板、带载体的铜箔、电子设备及印刷布线板的制造方法
US9955583B2 (en) 2013-07-23 2018-04-24 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Surface-treated copper foil, copper foil with carrier, substrate, resin substrate, printed wiring board, copper clad laminate and method for producing printed wiring board
JP6166614B2 (ja) 2013-07-23 2017-07-19 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、基材、プリント配線板、プリント回路板、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
KR101497824B1 (ko) 2013-08-20 2015-03-04 고려대학교 산학협력단 리튬 이차 전지용 애노드, 이의 형성 방법 및 리튬 이차 전지
WO2015040998A1 (ja) 2013-09-20 2015-03-26 三井金属鉱業株式会社 銅箔、キャリア箔付銅箔及び銅張積層板
KR101502373B1 (ko) 2013-10-14 2015-03-16 일진머티리얼즈 주식회사 전해동박, 이를 포함하는 전기부품 및 전지
KR101571060B1 (ko) 2013-11-28 2015-11-24 일진머티리얼즈 주식회사 전해동박, 이를 포함하는 전기부품 및 전지, 및 전해동박 제조방법
JP5710737B1 (ja) 2013-11-29 2015-04-30 Jx日鉱日石金属株式会社 表面処理銅箔、積層板、プリント配線板、プリント回路板及び電子機器
KR101887791B1 (ko) 2013-12-10 2018-08-10 제이엑스금속주식회사 표면 처리 동박, 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 전자 기기 및 프린트 배선판의 제조 방법
JP5810249B1 (ja) 2014-01-07 2015-11-11 古河電気工業株式会社 電解銅箔、リチウムイオン二次電池用負極電極及びリチウムイオン二次電池、プリント配線板並びに電磁波シールド材
KR101734795B1 (ko) 2014-01-27 2017-05-11 미쓰이금속광업주식회사 조화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판
TWI542739B (zh) 2014-03-21 2016-07-21 長春石油化學股份有限公司 電解銅箔
JP5925961B2 (ja) 2014-03-31 2016-05-25 三井金属鉱業株式会社 キャリア箔付銅箔、銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
TWI616122B (zh) 2014-05-28 2018-02-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的製造方法及印刷配線板的製造方法
JP5788062B1 (ja) 2014-06-20 2015-09-30 古河電気工業株式会社 全固体電池用負極集電体及び全固体電池
WO2016038923A1 (ja) * 2014-09-09 2016-03-17 古河電気工業株式会社 プリント配線板用銅箔及び銅張積層板
JP6867102B2 (ja) * 2014-10-22 2021-04-28 Ｊｘ金属株式会社 銅放熱材、キャリア付銅箔、コネクタ、端子、積層体、シールド材、プリント配線板、金属加工部材、電子機器、及び、プリント配線板の製造方法
JP5871443B1 (ja) 2015-01-08 2016-03-01 古河電気工業株式会社 銅合金板材およびその製造方法
KR101852671B1 (ko) 2015-01-21 2018-06-04 제이엑스금속주식회사 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판, 및, 프린트 배선판의 제조 방법
JPWO2016117711A1 (ja) 2015-01-23 2017-11-02 古河電気工業株式会社 金属部材と樹脂モールドとの複合体および樹脂モールドとの複合体形成用金属部材
CN105986288A (zh) 2015-02-28 2016-10-05 日进材料股份有限公司 电解铜箔、包含该电解铜箔的电气部件及电池
JP6014186B2 (ja) 2015-03-03 2016-10-25 イルジン マテリアルズ カンパニー リミテッドＩｌｊｉｎ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 電解銅箔、これを含む電気部品および電池
US9899683B2 (en) * 2015-03-06 2018-02-20 Iljin Materials Co., Ltd. Electrolytic copper foil, electric component and battery including the same
EP3067442A1 (en) 2015-03-09 2016-09-14 Iljin Materials Co., Ltd. Electrolytic copper foil, electric component and battery including the same
KR102122425B1 (ko) 2015-06-18 2020-06-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 리튬 이차전지용 전해동박 및 이를 포함하는 리튬 이차전지
JP6236120B2 (ja) 2015-06-24 2017-11-22 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
CN104992998B (zh) 2015-06-30 2017-01-18 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 一种晶硅组件用导热背板及其制备方法
WO2017006739A1 (ja) 2015-07-03 2017-01-12 三井金属鉱業株式会社 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
JP6782561B2 (ja) 2015-07-16 2020-11-11 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、積層体の製造方法、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
CN107923047B (zh) * 2015-07-29 2020-05-01 纳美仕有限公司 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
JP6190500B2 (ja) 2015-08-06 2017-08-30 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6339636B2 (ja) * 2015-08-06 2018-06-06 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6200042B2 (ja) 2015-08-06 2017-09-20 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6543141B2 (ja) * 2015-09-01 2019-07-10 Ｄｏｗａメタルテック株式会社 Ｓｎめっき材およびその製造方法
KR102473557B1 (ko) 2015-09-24 2022-12-01 에스케이넥실리스 주식회사 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
JP6190980B2 (ja) 2015-09-25 2017-08-30 古河電気工業株式会社 電解銅箔、その電解銅箔を用いた各種製品
JP6498091B2 (ja) 2015-09-25 2019-04-10 Ｊｘ金属株式会社 表面処理金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器
US9397343B1 (en) 2015-10-15 2016-07-19 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil exhibiting anti-swelling properties
US9709348B2 (en) 2015-10-27 2017-07-18 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Heat-dissipating copper foil and graphene composite
EP3372382B1 (en) * 2015-11-05 2021-06-16 Toray Industries, Inc. Biaxially oriented polypropylene film, multilayered film including metal film, and film capacitor
JP6854114B2 (ja) * 2016-01-04 2021-04-07 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔
US9707738B1 (en) 2016-01-14 2017-07-18 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil and methods of use
MY190857A (en) 2016-01-15 2022-05-12 Jx Nippon Mining & Metals Corp Copper foil, copper-clad laminate board,method for producing printed wiring board,method for producing electronic apparatus,method for producing transmission channel, and method for producing antenna
JP6945523B2 (ja) 2016-04-14 2021-10-06 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、並びにそれらを用いた銅張積層板及びプリント配線板の製造方法
JP2017193778A (ja) * 2016-04-15 2017-10-26 Ｊｘ金属株式会社 銅箔、高周波回路用銅箔、キャリア付銅箔、高周波回路用キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
US9673646B1 (en) 2016-08-19 2017-06-06 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface-treated electrolytic copper foil and method for wireless charging of flexible printed circuit board
CN106350862B (zh) 2016-08-30 2018-08-24 灵宝金源朝辉铜业有限公司 一种压延铜箔粗化处理方法
JP6783205B2 (ja) 2016-09-06 2020-11-11 タツタ電線株式会社 電磁波シールドフィルム
CN109642338B (zh) 2016-09-12 2021-02-09 古河电气工业株式会社 铜箔以及具有该铜箔的覆铜板
US10263257B2 (en) 2016-09-22 2019-04-16 Grst International Limited Electrode assemblies
KR20180040754A (ko) 2016-10-12 2018-04-23 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 핸들링이 용이한 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR101755203B1 (ko) * 2016-11-11 2017-07-10 일진머티리얼즈 주식회사 이차전지용 전해동박 및 그의 제조방법
US9955588B1 (en) 2016-11-28 2018-04-24 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Multilayer carrier foil
KR102268478B1 (ko) 2016-12-14 2021-06-22 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 표면 처리 동박 및 동 클래드 적층판
KR20180080514A (ko) 2017-01-04 2018-07-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 높은 내부식성을 갖고 활물질과의 접착력이 우수한 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR20180080512A (ko) 2017-01-04 2018-07-12 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 최적화된 피크 조도를 갖는 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR20180083515A (ko) 2017-01-13 2018-07-23 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 울음 불량이 실질적으로 없는 전해동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
CN108345195B (zh) * 2017-01-23 2021-11-26 住友橡胶工业株式会社 充电辊及其制造方法
US10057984B1 (en) 2017-02-02 2018-08-21 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Composite thin copper foil and carrier
JP7193915B2 (ja) * 2017-02-03 2022-12-21 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔並びにこれを用いた集電体、電極及び電池
TWI619850B (zh) 2017-02-24 2018-04-01 南亞塑膠工業股份有限公司 電解液、電解銅箔及其製造方法
TWI619851B (zh) 2017-02-24 2018-04-01 南亞塑膠工業股份有限公司 具近似絨毛狀銅瘤的電解銅箔與線路板組件的製造方法
JP2018138687A (ja) * 2017-02-24 2018-09-06 日立化成株式会社 接続構造、接続構造の製造方法、接続構造体及び半導体装置
KR102136794B1 (ko) 2017-03-09 2020-07-22 케이씨에프테크놀로지스 주식회사 우수한 밀착력을 갖는 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
KR101809985B1 (ko) 2017-03-30 2017-12-18 와이엠티 주식회사 다공성 구리박의 제조방법 및 이를 이용한 다공성 구리박
CN108697006B (zh) 2017-03-31 2021-07-16 Ｊｘ金属株式会社 表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
JP7356209B2 (ja) * 2017-03-31 2023-10-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
US10190225B2 (en) 2017-04-18 2019-01-29 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Electrodeposited copper foil with low repulsive force
TW201900939A (zh) 2017-05-09 2019-01-01 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 電解銅箔、覆銅積層板、印刷配線板及其製造方法、以及電子機器及其製造方法
KR102433032B1 (ko) 2017-07-31 2022-08-16 에스케이넥실리스 주식회사 주름 발생이 방지된 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조방법
US10424793B2 (en) * 2017-11-14 2019-09-24 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Electrodeposited copper foil and method for producing the same, and current collector for lithium secondary battery and secondary battery comprising the electrodeposited copper foil
TWI652163B (zh) 2017-11-15 2019-03-01 財團法人工業技術研究院 高頻電路用銅箔及其製造方法
US10205170B1 (en) 2017-12-04 2019-02-12 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for current collector of lithium secondary battery
US10337115B1 (en) 2018-01-05 2019-07-02 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Surface treated copper foil for high speed printed circuit board products including the copper foil and methods of making
KR102500676B1 (ko) 2018-02-02 2023-02-16 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
JP2020052212A (ja) * 2018-09-26 2020-04-02 富士ゼロックス株式会社 電子写真感光体、プロセスカートリッジ及び画像形成装置
US10581081B1 (en) 2019-02-01 2020-03-03 Chang Chun Petrochemical Co., Ltd. Copper foil for negative electrode current collector of lithium ion secondary battery

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021524661A (ja) 2021-09-13
EP3690082B1 (en) 2021-10-13
KR20210024179A (ko) 2021-03-04
ES2945215T3 (es) 2023-06-29
KR102222382B1 (ko) 2021-03-04
CN111989989A (zh) 2020-11-24
KR20200096419A (ko) 2020-08-12
WO2020156186A1 (zh) 2020-08-06
US20210305580A1 (en) 2021-09-30
KR102486639B1 (ko) 2023-01-09
TWI720784B (zh) 2021-03-01
TW202030380A (zh) 2020-08-16
EP3808876A4 (en) 2022-05-04
ES2932464T3 (es) 2023-01-19
WO2020156181A1 (zh) 2020-08-06
PH12021551552A1 (en) 2022-02-28
KR20210016440A (ko) 2021-02-15
CN111525138B (zh) 2022-04-15
KR20210018478A (ko) 2021-02-17
TWI698536B (zh) 2020-07-11
KR20210025554A (ko) 2021-03-09
TWI720783B (zh) 2021-03-01
JP7116848B2 (ja) 2022-08-10
CN111526661B (zh) 2022-03-25
JP7030239B2 (ja) 2022-03-04
WO2020156159A1 (zh) 2020-08-06
TW202039939A (zh) 2020-11-01
US11362337B2 (en) 2022-06-14
JP2021529261A (ja) 2021-10-28
KR20210022074A (ko) 2021-03-02
TWI745835B (zh) 2021-11-11
TWI715417B (zh) 2021-01-01
TW202030371A (zh) 2020-08-16
CN111937197A (zh) 2020-11-13
KR20200096421A (ko) 2020-08-12
US10787751B2 (en) 2020-09-29
CN111519216B (zh) 2021-05-18
ES2899082T3 (es) 2022-03-10
JP6913187B2 (ja) 2021-08-04
JP7065250B2 (ja) 2022-05-11
TWI718843B (zh) 2021-02-11
US11283080B2 (en) 2022-03-22
EP3828970B1 (en) 2023-04-19
JP2020158878A (ja) 2020-10-01
KR20200096416A (ko) 2020-08-12
KR20200096418A (ko) 2020-08-12
TW202031907A (zh) 2020-09-01
WO2020156158A1 (zh) 2020-08-06
KR102245180B1 (ko) 2021-04-28
CN111801444A (zh) 2020-10-20
JP2020128589A (ja) 2020-08-27
JP6983356B2 (ja) 2021-12-17
TW202030377A (zh) 2020-08-16
KR102365656B1 (ko) 2022-02-23
JP2020143362A (ja) 2020-09-10
JP6942826B2 (ja) 2021-09-29
EP3828970A4 (en) 2022-05-18
HUE062335T2 (hu) 2023-10-28
HUE056874T2 (hu) 2022-03-28
PH12021551706A1 (en) 2022-02-28
JP2021531399A (ja) 2021-11-18
CN111519215B (zh) 2021-02-26
ES2899080T3 (es) 2022-03-10
US11145867B2 (en) 2021-10-12
CN111989989B (zh) 2024-03-01
EP3690083B1 (en) 2021-10-13
TW202030372A (zh) 2020-08-16
TW202030375A (zh) 2020-08-16
TW202030376A (zh) 2020-08-16
US10765010B2 (en) 2020-09-01
JP2021530615A (ja) 2021-11-11
TWI722763B (zh) 2021-03-21
MY196202A (en) 2023-03-22
JP6913189B2 (ja) 2021-08-04
US20200253061A1 (en) 2020-08-06
TWI705607B (zh) 2020-09-21
CN111525138A (zh) 2020-08-11
CN111526659A (zh) 2020-08-11
JP6759476B2 (ja) 2020-09-23
HUE060039T2 (hu) 2023-01-28
TW202030340A (zh) 2020-08-16
KR102228476B1 (ko) 2021-03-17
WO2020156183A1 (zh) 2020-08-06
JP2020125540A (ja) 2020-08-20
KR20210049154A (ko) 2021-05-04
TWI725706B (zh) 2021-04-21
US10772199B2 (en) 2020-09-08
JP6913188B2 (ja) 2021-08-04
US10581081B1 (en) 2020-03-03
TW202030378A (zh) 2020-08-16
US10622637B1 (en) 2020-04-14
TW202030920A (zh) 2020-08-16
CN111519216A (zh) 2020-08-11
KR102567838B1 (ko) 2023-08-16
EP3808876A1 (en) 2021-04-21
KR102567837B1 (ko) 2023-08-16
EP3690082A1 (en) 2020-08-05
CN111526660B (zh) 2022-07-22
CN111525176A (zh) 2020-08-11
CN111526661A (zh) 2020-08-11
PL3808876T3 (pl) 2023-02-06
JP7144593B2 (ja) 2022-09-29
PH12020000027A1 (en) 2021-03-01
KR20200096420A (ko) 2020-08-12
PL3828970T3 (pl) 2023-08-14
JP2020143363A (ja) 2020-09-10
TWI700394B (zh) 2020-08-01
CN111936670A (zh) 2020-11-13
JP2021527760A (ja) 2021-10-14
JP2022501521A (ja) 2022-01-06
CN116706083A (zh) 2023-09-05
EP3828970A1 (en) 2021-06-02
JP7082240B2 (ja) 2022-06-07
US20200253047A1 (en) 2020-08-06
US20210242467A1 (en) 2021-08-05
KR102250785B1 (ko) 2021-05-12
US20200248328A1 (en) 2020-08-06
PL3690082T3 (pl) 2022-01-24
US20200248330A1 (en) 2020-08-06
CN111519215A (zh) 2020-08-11
CN111801444B (zh) 2022-08-26
EP3690083A1 (en) 2020-08-05
CN111936670B (zh) 2023-07-14
CN111788727A (zh) 2020-10-16
JP6860706B2 (ja) 2021-04-21
KR102289847B1 (ko) 2021-08-17
WO2020156179A1 (zh) 2020-08-06
PL3690083T3 (pl) 2022-01-24
TWI719805B (zh) 2021-02-21
KR20200096417A (ko) 2020-08-12
KR20210016455A (ko) 2021-02-15
KR102519446B1 (ko) 2023-04-06
KR102253481B1 (ko) 2021-05-20
KR102319043B1 (ko) 2021-10-29
TWI707063B (zh) 2020-10-11
KR102269105B1 (ko) 2021-06-24
TWI744773B (zh) 2021-11-01
CN111937197B (zh) 2023-07-21
CN111788727B (zh) 2022-02-08
EP3808876B1 (en) 2022-10-05
CN111526659B (zh) 2022-05-24
CN111526660A (zh) 2020-08-11
TW202030914A (zh) 2020-08-16
HUE057222T2 (hu) 2022-04-28
CN112997590A (zh) 2021-06-18
JP2020143364A (ja) 2020-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI707063B (zh) 表面處理銅箔及具有該銅箔之層壓板和裝置
CN115413301A (zh) 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
KR20140034695A (ko) 방열용 금속박, 이의 제조방법, 상기 방열용 금속박을 포함하는 방열용 금속박 적층판 및 다층 인쇄회로기판
WO2022209990A1 (ja) 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2023054398A1 (ja) 粗化処理銅箔及び銅張積層板、並びにプリント配線板の製造方法
TW202305186A (zh) 表面處理銅箔及銅箔基板
CN115589667A (zh) 表面处理铜箔及铜箔基板
KR20240067875A (ko) 조화 처리 구리박 및 동장 적층판, 그리고 프린트 배선판의 제조 방법
CN117441039A (zh) 粗糙化处理铜箔、覆铜层叠板和印刷电路板