TWI719805B - 具低傳輸損耗之銅箔 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種表面處理銅箔，其係具有小於1.90μm3/μm2之實體體積(Vm)。該表面處理銅箔係於輥筒面上進行處理，且包含包括粗化粒子層之處理層。所述表面處理銅箔可作為具有低傳輸損耗之導電材料，例如用於電路板中。

Description

具低傳輸損耗之銅箔
本發明係關於具有受控的表面特性之電解銅箔。本發明亦關於具有低電子訊號傳輸損耗之電路板等，且該電路板係包括該電解銅箔作為其組件。
對於傳輸大量數據的需求日益增長，需要不斷提高電路板上組件之間的訊號傳輸速度。為達成此等速度，頻率範圍必需從低於1MHz增加至1GHz、10GHz甚或更高。於此等較高範圍內，電流主要係於接近導體表面處流動，此係由於眾所周知之「集膚效應(skin effect)」所導致，亦即高頻電流密度於導體表面處為最高且朝向中心呈指數衰減之趨勢。集膚深度(skin depth)，其承載大約67%的訊號，係與頻率之平方根成反比。因此，於1MHz之集膚深度為65.2μm，於1GHz之集膚深度為2.1μm，而於10GHz之集膚深度僅為0.7μm。在較高頻率下，由於大約或大於集膚深度的粗糙度將對訊號傳輸造成影響，因此導體之表面形貌或粗糙度變得愈發重要。
加劇劣化的一因素為，印刷電路板中的導體表面通常特意地進行粗糙化，以增強導體與電路板之層壓結構中使用之樹脂層的接著特性。 通常而言，粗糙化表面的表面粗糙度Rz約為數微米，且其會影響GHz範圍內之任何傳輸。因此，對於導體設計而言，其一方面需要較高之粗糙度以確保足夠的接著性，另一方面卻又需要較低之粗糙度以儘可能減少傳輸損耗，此兩種相對矛盾之需求使得導體設計深受限制。
一種嘗試並提供表面形貌控制的方法，是將電解銅箔之沉積面或輥筒面粗糙化。沉積面係通常比輥筒面或「光澤(shiny)」面更粗糙。於一般處理箔中，沉積面係經粗糙化，且因其粗糙度通常較高，其與樹脂層之接著性優異。為了維持訊號傳輸之品質，業經研發出反轉處理箔(RTF)。RTF係於其光澤面進行粗糙化處理，故其粗糙度較未進行任何粗糙化之表面的粗糙度高，但可控制為低於在沉積面進行粗糙化之粗糙度。因此，RTF提供良好的接著性，例如，相當於一般處理箔，或者至少對於如用於電路板中的應用是可接受的。相比於一般處理箔，RTF亦可理想地降低訊號的傳輸損耗。
儘管RTF技術可以改善傳輸損耗，然而，仍不清楚銅箔的哪些表面特性提供令人滿意的改善。雖然表面粗糙度Rz可作為一個參數，但在一些情況中，此特性的預測性不足。因此，對於具有用於製造電路板的低傳輸損耗及受控特性的銅箔仍存在需求。
總的來說，本發明係關於一種銅箔，例如可作為電路板中之導體的電解銅箔。所製備的銅箔具有受控的表面特性，該銅箔即使在高頻下也可提供低傳輸損耗。
於第一態樣中，本發明提供一種表面處理銅箔，係包括電解銅箔及處理層，其中，該電解銅箔包括輥筒面及沉積面，且該處理層係設置於該輥筒面上以提供表面處理面，其中，該處理層包括粗化粒子(nodule)層。該表面處理面係具有小於1.90μm3/μm2之實體體積(material volume，Vm)。視需要，該表面處理面係具有介於0.11μm3/μm2至1.86μm3/μm2的範圍內之實體體積，例如介於0.25μm3/μm2至0.85μm3/μm2的範圍內。視需要，該粗化粒子層係包括銅粗化粒子。視需要，以200℃加熱該表面處理銅箔1小時之後，該表面處理銅箔係具有介於21.3kg/mm2至45.1kg/mm2的範圍內之抗拉強度(tensile strength)。
於一些情況中，該表面處理銅箔係具有等於或小於468ppm之氧含量，例如視需要，小於348ppm之氧含量。視需要，該表面處理銅箔係具有介於53ppm至348ppm的範圍內之氧含量。視需要，該表面處理面係具有介於0.25μm3/μm2至1.90μm3/μm2的範圍內之實體體積，且該表面處理銅箔係具有等於或小於468ppm之氧含量。
於一些情況中，該表面處理銅箔係具有等於或小於29ppm之氫含量。視需要，該表面處理銅箔係具有介於5ppm至29ppm的範圍內之氫含量。
視需要，該處理層復包括覆蓋層(cover layer)、阻障層(barrier layer)、防鏽層(anti-tarnish)及耦合層(coupling layer)之至少一者。視需要，該覆蓋層係包括銅。視需要，該阻障層係包括金屬或含有至少一種金屬之合金，且該金屬係選自鎳(Ni)、鋅(Zn)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、錫(Sn)及釩(V)。視需要，該阻障層係包括兩層或更多 層，且各層係獨立包括金屬或含有至少一種金屬之合金，且該金屬係選自鎳、鋅、鉻、鈷、鉬、鐵、錫及釩。視需要，該防鏽層係包括鉻。視需要，該耦合層係包含矽。
於第二態樣中，本發明提供一種層壓板，係包括表面處理銅箔及樹脂層，且該樹脂層係接觸該表面處理銅箔之表面處理面。該表面處處理銅箔係包括電解銅箔及處理層，其中，該電解銅箔係包括輥筒面及沉積面，且該處理層係設置於該輥筒面上以提供表面處理面，其中，該處理層包括粗化粒子層。該表面處理面亦具有介於0.11μm3/μm2至1.86μm3/μm2的範圍內之實體體積(Vm)。該表面處理銅箔具有等於或小於468ppm之氧含量，以及等於或小於29ppm之氫含量，且該表面處理銅箔以200℃加熱1小時後，其係具有介於21.3kg/mm2至45.1kg/mm2的範圍內之抗拉強度。
於第三態樣中，本發明提供一種電路板，係包括根據第一態樣之表面處理銅箔及安裝於電路板上之複數組件。該複數組件之至少第一組件及第二組件係藉由該電路板之表面處理銅箔以相互電性連接。
上述總結並非試圖代表本發明之每一具體實施例或每一態樣。反之，前述總結僅提供本文中詳述之新穎態樣及特徵之示例。當結合所附圖式及申請專利範圍時，藉由下述用以實施本發明的代表性具體實施態樣和模式的詳細說明，上述特徵及優點與本發明的其他特徵及優點將是顯而易見的。
100‧‧‧表面處理銅箔
102‧‧‧電解銅箔
104‧‧‧輥筒面
106‧‧‧沉積面
108‧‧‧處理層
110‧‧‧表面處理面
112‧‧‧粗化粒子層
114‧‧‧阻障層
116‧‧‧防鏽層
118‧‧‧耦合層
210‧‧‧峰
212‧‧‧谷
213‧‧‧陰影區域
由以下例示性實施態樣的說明結合參考附圖將更佳地理解本發明。
第1圖係顯示根據一些具體實施態樣的表面處理銅箔。
第2圖係顯示3D表面圖以及面積負載率(areal material ratio)圖。
本發明可接受進行各種修飾及替代形式。藉由圖式中的示例顯示一些代表性具體實施態樣，並將於本文中詳細揭示。惟，應理解的是，本發明並不受所揭露之特定形式所限。反之，本發明涵蓋所有落入本發明之申請專利範圍所界定之精神及範圍內的修飾、等效物及替代物。
本文所述之表面處理銅箔係具有低傳輸損耗。該表面處理銅箔係具有受控的表面特性，例如實體體積。所述表面處理銅箔對於製造需要低電子訊號傳輸損耗的物品是有助益的，例如印刷電路板或任何覆蓋絕緣體之薄銅箔。
第1圖係顯示表面處理銅箔100之具體實施態樣的橫截面示意圖，係包括電解銅箔102及處理層108。該電解銅箔102係具有輥筒面104及沉積面106。該處理層108係設置於該輥筒面104上，並提供表面處理面110。
如本文中所用，電解銅箔之「輥筒面」或「光澤(shiny)面」係為電解銅箔與電沉積過程中使用之陰極輥筒接觸之表面，而「沉積面」係指該輥筒面之相對面，或為形成電解銅箔之電沉積過程中，與電解液接 觸之電解銅箔表面。上述術語係關於製造電解銅箔的製造方法，係包括將轉動之陰極輥筒組件部分地浸入含有銅離子之電解液中。因此，於電流之作用下，銅離子被吸引至陰極輥筒並被還原，導致銅金屬鍍覆於陰極輥筒之表面，並於陰極輥筒之表面上形成電解銅箔。藉由旋轉陰極輥筒，並於所形成之銅箔隨著陰極輥筒一起轉出該電解液時移除該銅箔，從而以連續製程形成電解銅箔並自陰極輥筒移除電解銅箔。舉例而言，該電解銅箔可隨著其形成而被拉離陰極輥筒，並於連續製程中橫越或通過輥。
於電解銅箔102之輥筒面104上進一步進行表面處理，以形成處理層。如第1圖所示，該輥筒面104係以處理層108覆蓋，以提供表面處理面110，且該表面處理面110係為處理層108之外表面。該表面處理可包括一或多種處理，例如，粗糙化處理以提供粗化粒子層112，鈍化處理以提供阻障層114，防鏽處理以提供防鏽層116以及耦合處理以提供耦合層118。因此，如第1圖所示之具體實施態樣中，該粗化粒子層112、阻障層114、防鏽層116及耦合層118係為處理層108之子層。圖中所示之表面處理及處理層108之特定子層為一具體實施態樣，而於一些其他實施態樣中，可使用除其以外或作為其替代之其他表面處理及其他子層。因此，處理層108於不同實施態樣中可存在一層或大於一層之子層。
藉由控制表面處理面110之表面特性，可於高頻下達到低傳輸損耗。舉例而言，可控制實體體積(Vm)之表面特性，使製備之電路板具有良好的傳輸特性。
本文所定義之體積參數係參照第2圖例示說明，該圖係顯示用於獲得體積參數的3D表面及衍生的面積負載率圖。第2圖之左側係表示 一表面(例如電解銅箔的輥筒面或沉積面)的表面幾何構造之三維圖示。第2圖之右側顯示藉由ISO標準方法ISO 25178-2：2012以得到面積負載率圖之推導，其跨越位於最高的峰210之頂部的0%負載率(material ratio，mr)至mr為100%之最低的谷212。
實體體積(Vm)可描述為該表面上存在之峰的體積。實體體積之計算是藉由將表面下方及水平切割平面上方所圍住的實體之體積積分，而水平切割平面係設定在介於0%(峰210之頂部)至100%(谷212之底部)之間的特定負載率(mr)所對應的高度。負載率為100%時，實體體積(Vm)最大，而負載率為0%時，實體體積(Vm)為零。例如，負載率為80%的Vm係如第2圖之右側圖中的陰影區域213所示。除非另有說明，本文所列之Vm為負載率(mr)為80%之Vm。
於一些具體實施態樣中，該表面處理銅箔100之表面處理面110係具有實體體積，該實體體積係介於低值及高值之間的受控範圍內，例如介於約0μm3/μm2之低值及約1.90μm3/μm2之高值之間。應明確理解的是，該範圍係為連續的且可以該範圍內之任意值表示。於一些具體實施態樣中，該實體體積係具有至少0、0.10、0.11、0.15、0.20、0.25、0.27、0.30、0.45、0.47、0.48、0.50、0.60、0.70、0.75、0.78、0.80、0.81、0.82、0.83、0.90、1.00、1.10、1.20、1.30、1.40、1.41、1.50、1.60、1.62、1.65、1.70、1.80、1.85、1.86或1.90μm3/μm2之低值。於一些具體實施態樣中，該實體體積係具有不多於1.90、1.86、1.85、1.80、1.70、1.65、1.62、1.60、1.50、1.41、1.40、1.30、1.20、1.10、1.00、0.90、0.83、0.82、0.81、 0.80、0.78、0.75、0.70、0.60、0.50、0.48、0.47、0.45、0.30、0.27、0.25、0.20、0.15、0.11或0.10μm3/μm2之高值。
未認可任何特定機制或理論，由於集膚效應使得電流集中於材料表面附近，因此低的實體體積可以減少高頻下的訊號損失。
於一些具體實施態樣中，可以根據銅箔的特定應用或用途以控制如銅箔的化學組成及機械特性等之其他因素。藉由控制該表面處理銅箔之化學組成或機械特性，可達到高信賴性，而該信賴性係關於銅箔或使用該銅箔製備之構件如何承受如高溫、高壓及高濕度等環境。舉例而言，可以控制該表面處理銅箔中所含的氫及氧的含量以及該表面處理銅箔的抗拉強度，從而使用所述的表面處理銅箔製備具有高信賴性的電路板。
於一些具體實施態樣中，該表面處理銅箔係具有介於低值及高值之間的受控範圍之氧含量，例如介於等於或大於0ppm之低值及等於或小於468ppm之高值之間。應明確理解的是，該範圍係為連續的且可以該範圍內之任意值表示。於一些具體實施態樣中，該氧含量具有不多於468、450、400、350、348、300、256、250、200、150、149、147、143、140、136、100、90、86、80、70、60、53或50ppm之高值。於一些具體實施態樣中，該氧含量具有至少1、10、20、30、40、50、53、60、70、80、86、90、100、136、140、143、147、149、150、200、250、256、300、348、350、400或450ppm之低值。
於一些具體實施態樣中，該表面處理銅箔係具有介於低值及高值之間的受控範圍之氫含量，例如介於等於或大於0ppm之低值及小於或等於29ppm之高值之間。應明確理解的是，該範圍係為連續的且可以該 範圍內之任意值表示，例如1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、20、21、22、23、24、25、26、27、28或29ppm。
如本文中所用，「抗拉強度」係指材料經歷災難性故障(例如，碎成兩部份)之前所能承受的最大抗拉應力(tensile stress)。舉例而言，可於對該材料進行熱處理(例如，以200℃加熱1小時，並冷卻至環境溫度(ambient temperature))之後測試該抗拉強度。不受限於任何特定理論，所述的熱處理可模擬銅箔於製備電路板之層壓製程期間經受的熱應力。該抗拉強度的測試可提供層壓製程將如何影響銅箔的強度之指標。
如本文中所用，環境溫度應理解為約室溫或介於約10℃至約40℃之溫度，約15℃至35℃，約20℃至30℃或約23℃至約27℃。
於一些具體實施態樣中，該表面處理銅箔以200℃加熱1小時並冷卻至室溫後，係具有介於低值及高值之間的受控範圍內之抗拉強度，例如，介於等於或大於21.3kg/mm2之低值及小於或等於45.1kg/mm2之高值之間。應明確理解的是，該範圍係為連續的且可以該範圍內之任意值表示。於一些具體實施態樣中，該抗拉強度係具有至少21.3、25.0、29.0、29.3、30.0、34.0、34.4、35.0、35.5、36.0、36.7、40.0、40.7或45.0kg/mm2之低值。於一些具體實施態樣中，該抗拉強度係具有不多於45.1、45.0、40.7、40.0、36.7、36.0、35.5、35.0、34.4、34.0、30.0、29.3、29.0、25.0或21.3kg/mm2之高值。
於一些具體實施態樣中，該粗化粒子層，如粗化粒子層112，可包括如銅粗化粒子之金屬粗化粒子。該粗化粒子可藉由例如電鍍金屬至 銅箔上以形成。於一些具體實施態樣中，該銅粗化粒子可由銅或銅合金製成。於一些具體實施態樣中，粗化粒子層係具有大於約1μm之厚度。於一些具體實施態樣中，該阻障層、防鏽層及耦合層之組合厚度係小於約0.1μm。於一些具體實施態樣中，該覆蓋層係設置於該粗化粒子層上，例如位於銅粗化粒子層上之銅沉積。舉例而言，該覆蓋層有助於防止金屬粗化粒子剝落(exfoliation)。
如本文中所用，「阻障層」係由金屬或含有至少一種金屬之合金製成的層。於一些具體實施態樣中，阻障層，如阻障層114，係由選自鋅(Zn)、鉻(Cr)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉬(Mo)、釩(V)、鐵(Fe)、錫(Sn)、及其組合的至少一種金屬製成。於一些具體實施態樣中，該阻障層包含鎳。於一些具體實施態樣中，該阻障層包含鋅。於一些具體實施態樣中，該阻障層包含鎳層及鋅層。
如本文中所用，「防鏽層」，例如防鏽層116，係施加至金屬之被覆層(coating)，其可保護被被覆之金屬免於如腐蝕造成之劣化。於一些具體實施態樣中，該防鏽層係包含金屬或有機化合物。舉例而言，可使用鉻或鉻合金作為電解銅箔上之金屬被覆層。當該防鏽層由鉻合金製成時，其復包含鋅(Zn)、鎳(Ni)、鈷(Co)、鉬(Mo)及釩(V)中之任一者或多者。於一些防鏽層由有機物製成的具體實施態樣中，防鏽層可包含選自由三唑、噻唑、咪唑或其衍生物所組成群組之至少一者。三唑群組係包括但不限於鄰三唑(1,2,3-三唑)、苯并三唑、甲苯基三唑、羧基苯并三唑、經氯取代之苯并三唑、3-胺基-1,2,4-三唑、2-胺基-1,3,4-三唑、4-胺基-1,2,4-三唑、1-胺基-1,3,4-三唑及其異構物或其衍生物。噻唑群組係包括但不限於噻唑、2-巰基苯并噻唑、二苯并噻唑基二硫化物及其異構物或其衍生物。 咪唑群組係包括但不限於咪唑、2-甲基咪唑、2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基咪唑、1-苄基-2-甲基咪唑及其異構物或其衍生物。
如本文中所用，「耦合層」，例如耦合層118，係為改善銅箔與樹脂層之間結合力而添加的層，舉例而言，該樹脂層係用於製造電路板的樹脂層。於一些具體實施態樣中，耦合層係藉由矽烷處理以提供，且該矽烷處理提供包括矽及氧之層。該矽烷可舉例為但不限於胺基系矽烷、環氧系矽烷及巰基系矽烷。該矽烷係選自乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三甲氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-縮水甘油氧基丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-三乙氧基矽基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙胺之部分水解產物、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、三(三甲氧基矽基丙基)異氰脲酸酯、3-脲基丙基三烷氧基矽烷、3-巰基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-巰基丙基三甲氧基矽烷及3-異氰酸酯基丙基三乙氧基矽烷，但並不限於此。
於一些具體實施態樣中，提供子層，例如處理層108之子層，使設置於電解銅箔之輥筒面104之粗化粒子層112覆蓋有阻障層114，該阻障層114覆蓋有防鏽層116，且該防鏽層116覆蓋有耦合層118；惟，根據其他具體實施態樣，子層之堆疊順序或數目不限於此。於第1圖所示之具體實 施態樣中，表面處理面110的最終物理表面係因此由耦合層118而提供，該耦合層隨後與層壓結構中之樹脂層結合。於一些具體實施態樣中，由於阻障層114、防鏽層116及耦合層118之任意組合可能較粗化粒子層112薄得多，表面處理面110的表面特性，例如Vm，係由粗化粒子層112主導。
於一些具體實施態樣中，覆蓋層係設置於粗化粒子層112及阻障層114之間。於一些具體實施態樣中，該阻障層114係包括子層，其中，該子層係包括鎳層及該鎳層上之鋅層。
於一些具體實施態樣中，該電解銅箔之沉積面106係包括阻障層及防鏽層。舉例而言，鋅層形成於該沉積面106上，之後鉻層沉積於該鋅層上。
於一些具體實施態樣中，組合該表面處理銅箔(如表面處理銅箔100)及樹脂層以形成層壓結構。該結構可包括兩層或更多層交替的銅箔及樹脂層。舉例而言，可藉由堆疊交替的銅箔(其至少一者為表面處理銅箔100)及樹脂層片材，並於加熱堆疊體的同時，使用壓力機將該堆疊體壓在一起而形成。於一些具體實施態樣中，該樹脂層係與表面處理銅箔100的表面處理面110接觸。若將超過三層導電層(例如，至少一者係表面處理銅箔100)與樹脂層交替堆疊，則層壓體係為例如可用以製作多層印刷電路板(PCB)之多層結構。於這些具體實施態樣中，該表面處理銅箔可視需要包括位於沉積面106之阻障層及防鏽層。
如本文中所用，「樹脂」係指一種有機聚合材料，可於如表面處理銅箔之基板上形成片材或層。樹脂之一些實施例係包括酚醛樹脂、環氧樹脂、聚酯樹脂(例如，聚對苯二甲酸乙二酯)、聚醯亞胺樹脂、丙 烯酸樹脂、甲醛樹脂、雙馬來醯亞胺三嗪樹脂、氰酸酯樹脂、含氟聚合物、聚醚碸、纖維質熱塑性樹脂、聚碳酸酯、聚烯烴、聚丙烯、聚硫化物及聚胺酯。該樹脂亦可包括填充材料或增強材料，例如芳族醯胺、碳、玻璃、纖維素及無機材料，上述材料係全部視需要為顆粒、纖維、短纖(chopped fibers)、梭織物(woven materials)或編織材料(webbing)之形式。於一些具體實施態樣中，係於複合片材中使用一種或多種樹脂及一種或多種填充材料將該樹脂製成片材。於一些具體實施態樣中，係將一或多層樹脂層彼此堆疊並直接接觸，以提供多層樹脂層，有時亦稱為多層板。如本文中所用，樹脂層可代表多層樹脂層，例如多層板。
於一些具體實施態樣中，視需要包括位於沉積面106之阻障層及防鏽層的表面處理銅箔100係用於製造電路板(例如，印刷電路板或PCB)。舉例而言，使用該銅箔及樹脂層之層壓體形成電路板。可藉由已知加工方法，例如微影製程(lithography)、銅蝕刻及將銅箔/樹脂層壓體鑽孔，以達成如導電線、線路、接觸墊、屏蔽區及導電通孔的製造之進一步加工。可藉由已知方法將例如電池、電阻器、發光二極體、繼電器、電晶體、電容器、電感器、二極體、開關、微控制器、晶體及振盪器以及積體電路之組件安裝(例如，機械連接及電性連接)到電路板。舉例而言，表面安裝方法或通孔方法可用於連接組件，以及拾取及放置技術可用於組裝。
於一些具體實施態樣中，視需要包括位於沉積面106之阻障層及防鏽層的表面處理銅箔100可用於製作電路板，包括安裝於該電路板上的複數組件，且該電路板係用於裝置中。如本文中所用，裝置係包含用於處理電子訊號的任何元件或組件，例如藉由控制訊號之電壓、電流、頻率 或功率。例如但不限於，例如膝上型及桌上型之電腦、載運工具、電話、量測及監控裝置(例如，血糖計、酸鹼度測定計、空氣監控裝置)、數據輸出裝置(例如，監控器、列印機)、輸入裝置(觸控螢幕、鍵盤、滑鼠)以及如Wi-Fi、紫蜂(Zigbee)及藍牙之無線傳輸/接收裝置。
於一些具體實施態樣中，視需要包括位於沉積面106之阻障層及防鏽層的表面處理銅箔100可作為集電體。於一些具體實施態樣中，該表面處理銅箔可用作鋰離子二次電池中的集電體。例如，可用於疊片式鋰離子電池或鈕扣式鋰離子電池。
應理解，於本發明之範疇內，上述及下述提及的技術特徵(例如實施例)可自由且相互組合以形成新的或較佳的技術方案，為簡潔起見省略之。
實施例
一般的銅箔製備
用於製備電解銅箔之系統係包括金屬陰極輥筒及不溶性金屬陽極。該金屬陰極輥筒是可轉動的。於此系統中，該不溶性金屬陽極設置於該金屬陰極輥筒之大約下半部並環繞該金屬陰極輥筒。使用連續電沉積以製造電解銅箔，藉由令硫酸銅電解液於該金屬陰極輥筒與該不溶性金屬陽極之間流動，於二者之間施加電流以令銅離子被吸引到該金屬陰極輥筒上並被還原，使銅電沉積到該金屬陰極輥筒上以形成電解銅箔，當獲得預定厚度時，將電解銅箔從金屬陰極輥筒上分離。
流動的硫酸銅電解液係藉由管道供應。該管道係安置於不溶性金屬陽極的縫隙之間，且該管道的長度方向係平行於該陰極輥筒之軸向。 沿該管道之長度，該管道係包括多個開口，使硫酸銅電解液可沿著陰極輥筒的長度大致均勻地分散。該管道至不溶性陽極的距離為可控制的。如表1中所列，從管道中心至不溶性陽極的距離於15mm至25mm之間變化。
於電沉積期間，陰極輥筒表面及不溶性陽極表面之間的距離為可控制的。如表1中所示，上述表面之間的最短距離可於6mm至12mm之間變化。表1中所列之陽極和陰極之間的距離係為該陰極輥筒和不溶性陽極之間的距離。
電解銅箔的製備
將銅線溶解於硫酸水溶液(50重量%)中以製備含有320g/L之硫酸銅(CuSO4．5H2O)及100g/L之硫酸的硫酸銅電解液。加入鹽酸(取自RCI Labscan Ltd)以於該硫酸銅電解液中提供20mg/L之氯離子濃度。此外，加入0.35mg/L之明膠(DV，Nippi公司)至該硫酸銅電解液中。
製備該硫酸銅電解液之後，藉由電沉積以製備電解銅箔。電沉積期間，硫酸銅電解液之液體溫度維持在約50℃，且電流密度維持在約70A/dm2。所製備的電解銅箔具有約35μm之厚度。
表面處理
於粗糙化處理之第一步中，如上所述製備電解銅箔之後，使用酸性溶液清潔該電解銅箔。清潔過程中使用裝有含130g/L硫酸銅及50g/L硫酸的溶液之酸洗容器，並將溶液之溫度維持在約27℃。將電解銅箔導入酸洗容器中，並將其浸泡於該溶液中30秒以移除表面上的油、脂肪及氧化物。隨後用水沖洗該電解銅箔。
之後，藉由電鍍在該電解銅箔之輥筒面表面上以形成粗化粒子層。為電鍍粗化粒子層，係使用硫酸銅溶液作為電解液，該電解液係含有70g/L之硫酸銅及100g/L之硫酸。該電解液亦含有於50mg/L至400mg/L之間的範圍內變化之鉬酸鈉(Na2MoO4)、於1000mg/L至5000mg/L之間的範圍內變化之硫酸亞錫(SnSO4)以及10mg/L的糖精(1,1-二氧代-1,2-苯并噻唑-3-酮，由Sigma-Aldrich公司製造)，具體數值係如表1所示。該電解液之溫度係維持在約25℃，且該電解銅箔係在10A/dm2之電流密度下電鍍10秒。所述粗糙化處理提供位於輥筒面上的粗化粒子層。
為了防止粗化粒子層剝落，藉由電沉積將銅覆蓋層沉積於該粗化粒子層上。電鍍條件係如下所示。
硫酸銅：320g/L
硫酸：100g/L
液體溫度：40℃
電流密度：15A/dm2
電鍍時間：10秒
於完成覆蓋電鍍製程後，施加兩層阻障層。首先，將鎳沉積於覆蓋有銅覆蓋層的粗化粒子層之表面上，以鈍化該粗化粒子層。電鍍條件係如下所示。
硫酸鎳：188g/L
硼酸：32g/L
次磷酸：0至5g/L
液體溫度：20℃
pH值：3.5
電流密度：0.5A/dm2至0.9A/dm2
電鍍時間：3秒
其次，水洗之後，同時沉積鋅層於鎳層及該電解銅箔之沉積面上。該鋅層係提供耐熱性。電鍍條件係如下所示。
硫酸鋅：11g/L
釩酸銨：0.25g/L
液體溫度：15℃
pH值：13
電流密度：0.3A/dm2至0.7A/dm2
電鍍時間：2秒
於形成阻障層之後，使用水進行洗滌，並且藉由在電鍍浴中進行電鍍，以於該電解銅箔之沉積面及輥筒面的鋅層上形成鉻層。電鍍條件係如下所示。
鉻酸：5g/L
液體溫度：35℃
pH值：12.5
電流密度：10A/dm2
電鍍時間：5秒
最後，於該電解銅箔之輥筒面的鉻層上形成耦合層。噴灑矽烷溶液於該鉻層上10秒。該矽烷溶液係含有0.25重量%的3-胺基丙基三乙氧基矽烷的水溶液。
於矽烷處理之後，在烘箱中以120℃加熱該銅箔並停留1分鐘，之後將其捲繞成卷。
測試方法
體積參數
銅箔的實體體積(Vm)係根據ISO 25178-2：2012並使用雷射顯微鏡之表面紋理分析進行測量。該雷射顯微鏡係Olympus製造之LEXT OLS5000-SAF，且圖像係於24±3℃之空氣溫度以及63±3%之相對濕度下製成。
用於測量之設定係如下所述：光源係405nm-波長之光源。 使用之物鏡為100x(MPLAPON-100xLEXT)。光學變焦為1.0x。圖像面積為129μm x 129μm。解析度為1024像素x 1024像素。條件設定為自動傾斜移除。濾波器設定為無濾波。
表1中所列之參數Vm係以0%至80%之負載率或負載率=80%計算而得。實體體積之單位為μm3/μm2。
氧含量及氫含量
利用氧/氫/氮分析儀(EMGA-930,Horiba Ltd.)搭配非分散式紅外線(non-dispersive infrared,NDIR)檢測器，以檢測表面處理銅箔的含氧量及含氫量。
熱處理後的抗拉強度
抗拉強度係根據IPC-TM-650進行測量。將表面處理銅箔置於200℃的烘箱中1小時。冷卻至環境溫度後，切割該表面處理銅箔以得到尺寸為100mm×12.7mm(長×寬)的試樣。使用島津製作所股份有限公 司的AG-I型試驗機，以夾頭距離50mm及十字頭速度50mm/min的條件，並於環境溫度(約25℃)下測量該試樣的抗拉強度。
傳輸損耗
使用帶狀線(strip-line)結構評估傳輸特徵。將銅箔連接到樹脂上，並進一步製成帶狀線，以該帶狀線作為源電極。該樹脂(S7439G，由SyTech Corporation製造)的厚度為152.4μm，且於10GHz訊號下，藉由IPC-TM 650 No.2.5.5.5的測試，其具有3.74之介電常數(Dielectric Constant，Dk)及0.006之介電損耗(Dielectric Loss，Df)。該帶狀線係具有100mm之長度。
製成該帶狀線後，使用另外兩片樹脂(S7439G，由SyTech Corporation製造)分別覆蓋兩個表面，並於該樹脂上設置另外兩個銅箔作為接地電極。這一組裝件不具有覆蓋膜且係具有約50Ω之特性阻抗。比較該帶狀線及接地電極傳輸之訊號以提供傳輸損耗。
帶狀線及接地電極的測量係使用Agilent PNA N5230C網路分析儀。使用之頻率範圍為200MHz至15GHz，掃描數為6401點，校準為TRL，且測試方法為Cisco S3方法。
於8GHz之傳輸損耗的評估標準係如下所述。
A：良好，當傳輸損耗的值大於-0.75dB/in，例如介於-0.75dB/in及0dB/in之間。
B：中等，當傳輸損耗的值介於-0.75dB/in至-0.8dB/in之範圍內。
C：差，當傳輸損耗的值小於-0.8dB/in。
信賴性
壓力鍋測試(Pressure cooker test，PCT)為信賴性測試，係用於評估產品承受高溫、高壓及高濕度條件之能力。該測試對於評估如電路板之樹脂密封裝置於回流焊接期間的耐熱性很有幫助。此外，可藉由於嚴峻的環境下進行測試以評估耐濕性。電路板製程的回流步驟期間進行加熱所引起的樹脂裂紋之形成可藉由加速測試來預測。還提供對製造的零件(例如，電路板或用於製造電路板之預製板)於儲存和運輸中的預期表現的預測。
信賴性係如下所示進行測定。堆疊6片具有0.076mm之厚度的樹脂片(S7439G，由SyTech Corporation製造)，並放置表面處理銅箔於其上，之後置於兩片不鏽鋼平板之間。將該樹脂片及表面處理銅箔以200℃之溫度及400psi之壓力熱壓120分鐘以提供層壓體。
藉由放置層壓體於溫度為121℃、壓力為2atm及濕度為100%相對濕度(RH)之烘箱中30分鐘以進行壓力鍋測試(PCT)。PCT完成後，藉由以288℃之溫度浸漬該層壓體10秒鐘以進行焊錫浴(solder bath)測試。如果層壓體於焊錫浴測試後出現起泡、斷裂或分層，該特定層壓體為失效。
信賴性的評估標準係如下所示。
A：良好，對同一層壓體施以大於50次之焊錫浴測試後，該層壓板不會失效。
B：中等，對同一層壓體施以10至50次之間的焊錫浴測試後，該層壓板失效。
C：差，對同一層壓體施以小於10次之焊錫浴測試後，該層壓板失效。
銅箔的特徵
表1列出以特定Vm製備的銅箔。所列的數據例示性說明Vm對表面處理銅箔之傳輸損耗的影響。指標係為上述及表中所示之A、B及C。研究這些數據顯示出Vm提供對傳輸損耗的控制。例如，於實施例1至14中，Vm係小於1.90μm3/μm2。對於這些實施例，傳輸損耗的等級為A或B。為進行比較，實施例15至17的Vm很高，為2.03μm3/μm2至2.55μm3/μm2，傳輸損耗差(傳輸損耗的等級為C)。
表1-實體體積對傳輸損耗的影響
Figure 109101365-A0101-12-0022-1
表2顯示實施例1至17之銅箔的信賴性。如前述之定義，實施例1至10、15及16的信賴性為良好(A)或中等(B)。於這些實施例中，氫含量通常為低的(等於或小於約29ppm)，氧含量通常為低的(等於或小於468ppm)，且抗拉強度通常為高的(大於21.3kg/mm2)。相較之下，實施例11的信賴性差(C)，氫含量高(40ppm)，氧含量高(469ppm)，且抗拉強度低(14.2kg/mm2)。同樣地，實施例17的信賴性差(C)，氫含量高(55 ppm)，氧含量高(580ppm)，且抗拉強度低(18.6kg/mm2)。於實施例12中，氫含量(16ppm)及抗拉強度(32.4kg/mm2)可能被視為在導致良好信賴性之範圍內，但氧含量非常高，為524ppm，而信賴性差(C)。
實施例13及14可能看起來為異常的，氫含量及氧含量為低的，且抗拉強度為高的，但信賴性差。對實施例13及14，可考慮Vm的特性，其中，這兩個實施例的Vm為數據中的最低值。在非常低的Vm與良好的傳輸損耗性能相關的情況下，在Vm非常低時，其他特性(例如，信賴性)可能變得很重要，並且可以依據應用考慮Vm的下限。
表2-氫含量、氧含量及抗拉強度對信賴性的影響
Figure 109101365-A0101-12-0024-2
如本文中所用，術語「包括」係關於所要求保護的發明必要的組成物、方法及其各自組成，但該術語可包括未具化之元件而無論其是否為必要。
如本說明書及所附申請專利範圍中所用，除非上下文中明確指出，否則單數形式「一」及「該」係包括複數形式。因此，舉例而言，關於「該方法」之描述係包括一種或多種方法，及/或本文所述類型的步驟及/或在閱讀本揭露等之後，對於所屬領域具有通常知識者而言是顯而易見的。同樣，除非上下文明確指出，否則詞語「或」係旨在包括「及」。
除了操作的實施例或另外說明以外，在所有情況下，本文中用以表示成分數量及反應條件的數字應理解為皆以術語「約」修飾。術語「約」可意指所指代之值的±5%(例如，±4%、±3%、±2%、±1%)。
若提供一數值範圍，則介於該範圍之上限與下限之間的每一數字數值且包括該範圍之上限及下限，係視為於本文中揭露。應理解，本文中引述之任何數字範圍係試圖包括該範圍所涵蓋之所有子範圍。例如，「1至10」之範圍係旨在包括界於所引用之最小值1與最大值10之間的全部子範圍且包括該最小值及最大值；換言之，具有等於或大於1之最小值以及等於或小於10之最大值。因為所揭露之數字範圍係連續者，故它們係包括界於該最小值與最大值之間的每一個值。除非另外明確指出，否則本說明書中具化之各種數字範圍係大約者。
除非本文另外定義，否則本申請案中使用之科技和技術術語應具有與發明所屬領域中具通常知識者所一般理解相同的含義。再者，除非語境中需要排除，否則單數之術語應包括複數，且複數之術語應包括單數。
應理解，本發明並不限於本文所述之特定方法、方案及試劑等，且此等可變。本文所用之術語係僅用於揭示特定實施態樣之目的，且不試圖限制本發明之範疇，該範疇僅為申請專利範圍所界定。
本文中揭露之任何包括ASTM、JIS方法的專利、專利申請案及出版物係藉由引用而明確併入本文以作描述及揭露目的之用，例如，此等出版物中描述之方法可與本發明結合使用。此等出版物僅因為其在本申請案之申請日之前公開而提供。這方面之任何內容皆不應理解為承認本發明人無權憑藉先前之發明或出於任何其它原因而先於此等揭露。所有關於日期之報告或對此等文件內容之陳述係基於申請人可獲得之訊息，而不構成對該等日期或此等文件內容之正確性的承認。
100‧‧‧表面處理銅箔
102‧‧‧電解銅箔
104‧‧‧輥筒面
106‧‧‧沉積面
108‧‧‧處理層
110‧‧‧表面處理面
112‧‧‧粗化粒子層
114‧‧‧阻障層
116‧‧‧防鏽層
118‧‧‧耦合層

Claims (20)

  1. 一種表面處理銅箔，係包括：電解銅箔，係包括輥筒面及沉積面；以及處理層，係設置於該輥筒面上，以提供表面處理面，其中，該處理層係包括粗化粒子層，以及，其中，該表面處理面係具有小於1.90μm3/μm2之實體體積(Vm)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理面係具有介於0.11至1.86μm3/μm2的範圍內之實體體積(Vm)。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理面係具有介於0.25至0.85μm3/μm2的範圍內之實體體積(Vm)。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理銅箔係具有等於或小於468ppm之氧含量。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理銅箔係具有等於或小於348ppm之氧含量。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理銅箔係具有介於53至348ppm的範圍內之氧含量。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理面係具有介於0.25至1.90μm3/μm2的範圍內之實體體積(Vm)，且該表面處理銅箔係具有等於或小於468ppm之氧含量。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理銅箔係具有等於或小於29ppm之氫含量。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之表面處理銅箔，其係具有介於5至29ppm的範圍內之氫含量。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理銅箔以200℃加熱1小時之後，該表面處理銅箔係具有介於21.3至45.1kg/mm2的範圍內之抗拉強度。
  11. 如申請專利範圍第4項所述之表面處理銅箔，其中，該表面處理銅箔以200℃加熱1小時之後，該表面處理銅箔係具有介於21.3至45.1kg/mm2的範圍內之抗拉強度。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該處理層復包括覆蓋層、阻障層、防鏽層及耦合層之至少一者。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之表面處理銅箔，其中，該覆蓋層係包括銅。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之表面處理銅箔，其中，該阻障層係包括金屬或含有至少一種金屬之合金，且該金屬係選自鎳、鋅、鉻、鈷、鉬、鐵、錫及釩。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之表面處理銅箔，其中，該阻障層係包括兩層或更多層，且各層係獨立包括金屬或含有至少一種金屬之合金，且該金屬係選自鎳、鋅、鉻、鈷、鉬、鐵、錫及釩。
  16. 如申請專利範圍第12項所述之表面處理銅箔，其中，該防鏽層係包括鉻。
  17. 如申請專利範圍第12項所述之表面處理銅箔，其中，該耦合層係包括矽。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之表面處理銅箔，其中，該粗化粒子層係包括銅粗化粒子。
  19. 一種層壓體，係包括：表面處理銅箔，以及接觸該表面處理銅箔之表面處理面的樹脂層，該表面處理銅箔係包括：電解銅箔，係包括輥筒面及沉積面；及處理層，係設置於該輥筒面上，以提供表面處理面，其中，該處理層係包括粗化粒子層，其中，該表面處理面係具有介於0.11至1.86μm3/μm2的範圍內之實體體積(Vm)，其中，該表面處理銅箔係具有等於或低於468ppm之氧含量和等於或小於29ppm之氫含量，以及其中，該表面處理銅箔以200℃加熱1小時之後，該表面處理銅箔係具有介於21.3至45.1kg/mm2的範圍內之抗拉強度。
  20. 一種用於處理電子訊號的裝置，係包括：電路板，係包括如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，以及複數組件，其係安裝於該電路板上，其中，該複數組件的至少第一組件及第二組件係藉由該電路板之表面處理銅箔以相互電性連接。
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