TWI719110B - 銅箔、覆銅積層板、印刷配線板之製造方法、電子機器之製造方法、傳輸線之製造方法及天線之製造方法 - Google Patents

銅箔、覆銅積層板、印刷配線板之製造方法、電子機器之製造方法、傳輸線之製造方法及天線之製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明提供一種即便用於彎折後使用或彎曲後使用之高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗之銅箔及覆銅積層板。本發明之銅箔是在將銅箔與絕緣基材貼合而製成覆銅積層板，並以特定之條件對覆銅積層板進行彎折試驗時，彎折次數成為1次以上。

Description

銅箔、覆銅積層板、印刷配線板之製造方法、電子機器之製造方法、傳輸線之製造方法及天線之製造方法
本發明涉及一種銅箔、覆銅積層板、印刷配線板之製造方法、電子機器之製造方法、傳輸線之製造方法及天線之製造方法。
印刷配線板在這半個世紀中取得了重大進展，如今幾乎用於所有電子機器中。隨著近年來之電子機器之小型化、高性能化需求之增大，搭載零件之高密度安裝化或訊號之高頻化不斷發展，且對印刷配線板要求優異之高頻應對。
為了確保輸出訊號之品質，要求高頻用基板降低傳輸損耗。傳輸損耗主要包括因樹脂(基板側)產生之介質損耗、及因導體(銅箔側)產生之導體損耗。樹脂之介電常數及介電損耗正切越小，則介質損耗越少。在高頻訊號中，導體損耗之主要原因在於：因電流隨頻率之提高而越僅流經導體表面之集膚效應，導致電流流經之截面積減少，從而電阻增高。因此，在形成高頻電路之情況下，必須比通常更加高精度地形成電路，且必需優異之電路加工性。
作為使高頻用銅箔之傳輸損耗降低之技術，例如在專利文獻1中公開了一種高頻電路用金屬箔，其是在金屬箔表面之單面或兩面被覆銀或銀合金屬，且在該銀或銀合金被覆層上施加有較上述銀或銀合金被覆層 之厚度薄之銀或銀合金以外之被覆層。並且，記載了由此能夠提供一種即便於在衛星通信中使用之類之超高頻區域中亦減小因集膚效應導致之損耗之金屬箔。
另外，在專利文獻2中公開了一種高頻電路用粗化處理壓延銅箔，其特徵在於：其為印刷電路基板用素材，並且壓延銅箔之再結晶退火後之壓延面中之藉由X射線繞射求出之(200)面之積分強度(I(200))相對於微粉末銅之藉由X射線繞射求出之(200)面之積分強度(I0(200))為I(200)/I0(200)>40，藉由電鍍對該壓延面進行粗化處理後之粗化處理面之算術平均粗糙度Ra為0.02μm~0.2μm，十點平均粗糙度Rz為0.1μm~1.5μm。並且，記載了由此能夠提供一種可以在超過1GHz之高頻下使用之印刷電路板。
進而，在專利文獻3中公開了如下電解銅箔，其特徵在於：銅箔表面之一部分包含凸狀突起且表面粗糙度為2~4μm之凹凸面。並且，記載了由此能夠提供一種高頻傳輸特性優異之電解銅箔。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利第4161304號公報
[專利文獻2]日本專利第4704025號公報
[專利文獻3]日本特開2004-244656號公報
如上所述，在高頻訊號中，導體損耗之主要原因在於：因電流隨頻率之提高而越僅流經導體表面之集膚效應導致電流流經之截面積減少，從而電阻增高。此處，關於為了提高設計自由度而能夠彎折後使用之高頻基板，電路中容易產生龜裂，且該導體損耗會因該龜裂之影響而增大。本發明者發現，在彎折後使用時或彎曲後使用時，藉由抑制銅箔中產生龜裂，即便用於高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗。
本發明係鑒於上述情況進行創作而成者，其目的在於提供一種即便用於彎折後使用或彎曲後使用之高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗之銅箔及覆銅積層板。
本發明係將上述知識見解作為基礎而完成者，在一方面是一種銅箔，其中在將銅箔與絕緣基材貼合而製成覆銅積層板，並在特定條件下對上述覆銅積層板進行彎折試驗時，彎折次數成為1次以上。
本發明在另一方面是一種銅箔，其中在將銅箔與絕緣基材貼合而製成覆銅積層板，並以特定之條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂為3條以下。
本發明在另一方面是一種銅箔，其中在將銅箔與絕緣基材貼合而製成覆銅積層板，並以特定之條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂為2條 以下。
本發明之銅箔在一實施方式中，上述絕緣基材為以下(A)~(C)中之任一絕緣基材，(A)氟樹脂、(B)介電損耗正切值為0.01以下之聚醯亞胺樹脂、(C)液晶聚合物樹脂，將上述銅箔與上述絕緣基材貼合而製成覆銅積層板之條件為以下(D)~(F)中之任一條件，(D)在上述絕緣基材為上述氟樹脂之情況下，壓力為5MPa，加熱溫度與加熱時間為350℃、30分鐘，(E)在上述絕緣基材是上述介電損耗正切值為0.01以下之聚醯亞胺樹脂之情況下，壓力為4MPa，加熱溫度與加熱時間為以下(E-1)~(E-4)中之任一項，(E-1)370℃、0.8秒、(E-2)370℃、2秒、(E-3)350℃、4秒、(E-4)300℃、10分鐘，(F)在上述絕緣基材為液晶聚合物樹脂之情況下，壓力為3.5MPa，加熱溫度與加熱時間為300℃、10分鐘。
本發明之銅箔在一實施方式中，上述絕緣基材為聚四氟乙烯樹脂、或介電損耗正切值為0.006以下之聚醯亞胺樹脂、或者作為羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)之共聚物之液晶聚合物樹脂。
本發明之銅箔在一實施方式中，上述銅箔在一面或兩面具有表面處理面，且表面處理面之算術平均粗糙度Ra為0.05μm~0.40μm，十點平均粗糙度Rz為0.25μm~2.0μm，在將使用雷射顯微鏡所測得之三維表面積設為A、將俯視測出上述三維表面積A之視野時之二維表面積設為B之情況下，表面積比A/B為1.5~3.0。
本發明之銅箔在一實施方式中，在將上述銅箔與上述絕緣基材貼合而製成上述覆銅積層板之情況下，上述銅箔之與板厚方向平行且與MD平行之截面之平均結晶粒徑成為20μm以上。
本發明之銅箔在一實施方式中，上述銅箔為壓延銅箔。
本發明之銅箔在另一實施方式中，是用於與介電常數為3.5以下之樹脂之接合。
本發明之銅箔在又一實施方式中，是用於與液晶聚合物或氟樹脂或低介電聚醯亞胺之接合。
本發明之銅箔在又一實施方式中，是用於在超過1GHz之高頻下使用之覆銅積層板或印刷配線板。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有選自由粗化處理層、耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有耐熱處理 層或防銹處理層，在上述耐熱處理層或防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有耐熱處理層，在上述耐熱處理層上具有防銹處理層，在上述防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有鉻酸鹽處理層，在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有粗化處理層，在上述粗化處理層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有粗化處理層，在上述粗化處理層上具有選自由防銹處理層及耐熱處理層所組成之群中之1種以上之層，在上述選自由防銹處理層及耐熱處理層所組成之群中之1種以上之層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有粗化處理層，在上述粗化處理層上具有防銹處理層，在上述防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有粗化處理層，在粗化處理層上具有矽烷偶合處理層。
本發明之銅箔在又一實施方式中，在銅箔表面具有矽烷偶合處理層。
本發明在又一方面是一種覆銅積層板，其是將本發明之銅箔與絕緣基材貼合而成。
本發明之覆銅積層板在一實施方式中，是在超過1GHz之高頻下使用。
本發明在又一方面是一種覆銅積層板，其是將銅箔與絕緣基材貼合而成，且在以特定之條件對上述覆銅積層板進行彎折試驗時，彎折次數成為1次以上。
本發明在又一方面是一種覆銅積層板，其是將銅箔與絕緣基材貼合而成，且在以特定之條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂為3條以下。
本發明在又一方面是一種覆銅積層板，其是將銅箔與絕緣基材貼合而成，且在以特定之條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂為2條以下。
本發明之覆銅積層板在一實施方式中，上述絕緣基材為以下(H)~(J)中之任一絕緣基材。
(H)氟樹脂、(I)介電損耗正切值為0.01以下之聚醯亞胺樹脂、(J)液晶聚合物樹脂
本發明在又一方面是一種印刷配線板之製造方法，其使用本 發明之覆銅積層板來製造印刷配線板。
本發明在又一方面中係一種電子機器之製造方法，其使用本發明之印刷配線板製造電子機器。
本發明在又一方面是一種傳輸線之製造方法，其使用本發明之覆銅積層板製造在超過1GHz之高頻下使用之傳輸線。
本發明在又一方面是一種天線之製造方法，其使用本發明之覆銅積層板製造在超過1GHz之高頻下使用之天線。
根據本發明，能夠提供一種即便用於彎折後使用或彎曲後使用之高頻電路基板亦良好地抑制傳輸損耗之銅箔及覆銅積層板。
1:FPC
2:螺絲
3:振動傳輸部件
4:振盪驅動體
10:銅箔
P:液晶聚合物
r:曲率半徑
圖1是用來說明實施例之彎折次數之評價試驗之示意圖。
圖2是用來說明實施例之傳輸損耗之評價試驗之示意圖。
圖3是用來說明實施例之傳輸損耗之評價試驗之示意圖。
圖4是實施例之IPC彎曲試驗裝置之示意圖。
本發明在一方面是一種銅箔，其中在將銅箔與絕緣基材貼合而製成覆銅積層板，並以特定之條件對上述覆銅積層板進行彎折試驗時，彎折次數成為1次以上。
根據這種構成，即便在將覆銅積層板彎折後使用時，亦良好地抑制銅箔之龜裂之產生，因此在用於高頻基板時能夠良好地抑制傳輸損耗。
上述彎折次數優選1.2次以上，優選1.5次以上，優選2次以上，優選2.2次以上，優選2.5次以上，優選3次以上，優選3.2次以上，優選3.5次以上，優選4次以上。
該彎折次數之控制能夠藉由銅箔之TD之表面粗糙度算術平均粗糙度Ra、十點平均粗糙度Rz及銅箔表面之表面積比進行控制。具體來說，將Ra控制為0.05~0.4μm，將Rz控制為0.25~2.0μm，將表面積比控制為1.5~3.0。在Ra小於0.05μm之情況下、或Rz小於0.25μm、或表面積比小於1.5之情況下，樹脂與銅箔之密接性低，因此存在彎折加工時銅箔與樹脂剝離，彎曲應力集中在銅箔而使銅箔容易產生龜裂之顧慮。在Ra超過0.4μm之情況下、或Rz超過2.0μm之情況下、或表面積比超過3.0之情況下，可能會存在深凹部，因此存在產生應力之集中而容易產生龜裂之情況。
關於上述銅箔之TD之表面粗糙度算術平均粗糙度Ra及十點平均粗糙度Rz之控制，例如在對銅箔之TD之表面進行粗化處理之情況下，藉由提高粗化處理之電流密度並延長粗化處理時間，能夠使Ra及Rz增大。另外，藉由降低粗化處理之電流密度並縮短粗化處理時間，能夠使Ra及Rz減小。上述Ra之下限優選0.05μm以上，優選0.06μm以上，優選0.07μm以上，優選0.08μm以上。Ra之上限優選0.35μm以下，優選0.32μm以下，優選0.30μm以下，優選0.28μm以下，優選0.25μm以下，優選0.20μm以下。上述Rz之下限優選0.25μm以上，優選0.30μm以上，優選0.30μm以上，優選0.35μm以上，優選0.40μm以上，優選0.45μm以上，優選0.50μm以上。上述Rz之上限優選1.8μm以下，優 選1.7μm以下，優選1.6μm以下，優選1.5μm以下，優選1.3μm以下，優選1.2μm以下，優選1.1μm以下，優選1.0μm以下。
關於上述銅箔之TD之表面粗糙度算術平均粗糙度Ra及十點平均粗糙度Rz之控制，在壓延銅箔之情況下，如果增大最終冷軋時所使用之壓延輥其表面之Ra，則能夠使銅箔之TD之Ra增大。另外，如果減小壓延輥之表面之Ra，則能夠使銅箔之TD之Ra減小。如果增大最終冷軋時所使用之壓延輥之Rz，則能夠使銅箔之TD之Rz增大。另外，如果減小壓延輥之表面之Rz，則能夠使銅箔之TD之Rz減小。壓延輥之表面之Ra及/或Rz之控制能夠藉由變更對壓延輥表面進行研磨時之研磨材料之研磨粒大小或進行噴砂處理等來控制。另外，如果提高最終冷軋之加工度，則能夠使銅箔之TD之Ra及/或銅箔之TD之Rz之值減小。另外，如果降低最終冷軋之加工度，則能夠使銅箔之TD之Ra及/或銅箔之TD之Rz之值增大。亦可以將壓延輥之Ra設為0.05~0.5μm及/或將Rz設為0.20~2.0μm。
關於上述銅箔之表面積比之控制，例如在對銅箔之TD之表面進行粗化處理之情況下，藉由減小粗化粒子之大小，能夠使表面積比增大。其原因在於粗化處理後之銅箔表面之凹凸頻率增加。另外，藉由增大粗化粒子之大小，能夠使表面積比增大。其原因在於粗化處理後之銅箔表面之凹凸頻率降低。粗化粒子大小之控制能夠使用周知之方法。另外，藉由提高粗化處理之電流密度來縮短粗化處理時間，能夠使粗化粒子之大小減小。另外，藉由降低粗化處理之電流密度來延長粗化處理時間，能夠使粗化粒子之大小增大。表面積比之下限優選1.6以上，優選1.7以上，優選1.8以上，優選1.9以上，優選2.0以上。表面積比之上限優選2.9以下，優 選2.8以下，優選2.7以下，優選2.6以下，優選2.5以下，優選2.45以下，優選2.4以下，優選2.4以下。
關於上述銅箔之表面積比之控制，在壓延銅箔之情況下，如果增大最終冷軋時之油膜當量之值，則能夠使最終冷軋後之銅箔之表面積比增大。另外，如果減小最終冷軋時之油膜當量之值，則能夠使最終冷軋後之銅箔之表面積比減小。此外，油膜當量是由下式表示。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通板速度[mpm]+輥周速度[mpm])}/{(輥之咬入角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]為在40℃之動態黏度。油膜當量之值亦可以設為10000~50000。另外，如果提高最終冷軋之加工度，則能夠使銅箔之表面積比之值減小。另外，如果降低最終冷軋之加工度，則能夠使銅箔之表面積比之值增大。
本發明在另一方面是一種銅箔，其中在將銅箔與絕緣基材貼合而製成覆銅積層板，並以特定之條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂為3條以下。優選龜裂為2.8條以下，優選龜裂為2.5條以下，優選龜裂為2條以下，優選龜裂為1.8條以下，優選龜裂為1.5條以下，優選1條以下，優選0.8條以下，優選0.5條以下，優選0.1條以下，優選0條。
根據這種構成，即便在使覆銅積層板彎曲後使用時亦良好地抑制銅箔龜裂之產生，因此在用於高頻基板時能夠良好地抑制傳輸損耗。
本發明在另一方面是一種銅箔，其中在將銅箔與絕緣基材貼 合而製成覆銅積層板，並以特定之條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂為2條以下。優選龜裂為1.8條以下，優選1.5條以下，優選1條以下，優選0.8條以下，優選0.5條以下，優選0.1條以下，優選0條。
根據這種構成，即便在使覆銅積層板彎曲後使用時亦良好地抑制銅箔龜裂之產生，因此在用於高頻基板時能夠良好地抑制傳輸損耗。
該龜裂能夠藉由將銅箔之與MD(Machine Direction，銅箔製造裝置中之銅箔之前進方向，在壓延銅箔之情況下為壓延平行方向)平行且與板厚方向平行之截面中之平均結晶粒徑設為20μm以上而減少。在平均結晶粒徑小於20μm之情況下，存在因結晶粒界之數量多，而以結晶粒界為起點產生龜裂之可能性變大之情況。銅箔之與MD平行且與板厚方向平行之截面中之平均結晶粒徑優選25μm以上，優選30μm以上，優選35μm以上，優選40μm以上，優選45μm以上，優選50μm以上，優選55μm以上，優選60μm以上，優選65μm以上，優選70μm以上，優選75μm以上，優選80μm以上，優選85μm以上，優選90μm以上，優選95μm以上，優選100μm以上，優選105μm以上，優選110μm以上，優選115μm以上，優選120μm以上，優選125μm以上，優選130μm以上，優選135μm以上，優選140μm以上，優選145μm以上，優選150μm以上，優選155μm以上，優選160μm以上。銅箔之與MD平行且與板厚方向平行之截面中之平均結晶粒徑之上限無需特別設置，典型來說為例如1000μm以下、例如900μm以下、例如800μm以下、例 如700μm以下、例如600μm以下、例如500μm以下、例如450μm以下、例如400μm以下。
如上所述，為了將平均結晶粒徑控制在20μm以上，能夠藉由添加晶粒容易增大之添加元素來進行。作為該添加元素，例如可以列舉Ag、Sn等，該添加元素之濃度可以設為10~500質量ppm。另外，能夠藉由提高銅箔製造時之最終冷軋之加工度(例如95%以上)進行控制。另外，能夠藉由減小銅箔製造時之最終冷軋前之平均結晶粒徑之大小(例如10μm以下)來進行控制。此外，壓延加工度是由下式提供。
壓延加工度(%)=(t0-t)/t0×100(%)
(t0：壓延前之厚度，t：壓延後之厚度)
能夠用於本發明之銅箔(原箔)之種類沒有特別限制，可以使用精銅(JIS H3100合金編號C1100，以下亦表示為“TPC”)、無氧銅(JIS H3100合金編號C1020或JIS H3510合金編號C1011，以下亦表示為“OFC”)、磷去氧銅(JIS H3100合金編號C1201、C1220或C1221)、或電解銅等高純度之銅，此外亦可以使用例如摻Sn銅、摻Ag銅、添加了Cr、Zr或Mg等之銅合金、添加了Ni及Si等之卡遜系銅合金之類之銅合金。此外，在本說明書中，在單獨使用用語“銅箔”時，可以列舉銅合金箔。另外，能夠用於本發明之銅箔可以使用如下銅箔，其合計含有30~500質量ppm之選自Sn、Mn、Cr、Zn、Zr、Mg、Ni、Si、P、B、Co、Fe、Ti、V、Al、Mo、Pd、Au、Ru、Rh、Os、Ir、Pt、In及Ag之群中之至少1種以上或2種以上，且剩餘部分包含Cu及不可避免之雜質。能夠更優選地使用如下銅箔，其合計含有30~500質量ppm之選自Sn、Mn、Cr、Zn、Zr、Mg、 Ni、Si、P、B、Co及Ag之群中之至少1種以上或2種以上，且剩餘部分包含Cu及不可避免之雜質。另外，能夠優選使用壓延銅箔及電解銅箔。銅箔中包含純銅箔及銅合金箔，作為電路形成用途，可以設為周知之任意組成。
本發明之銅箔在一實施方式中，在銅箔表面可以具有選自由粗化處理層、耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。另外，本發明之銅箔在一實施方式中，在銅箔表面可以具有選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
上述粗化處理層沒有特別限定，能夠應用所有粗化處理層或周知之粗化處理層。上述耐熱處理層沒有特別限定，能夠應用所有耐熱處理層或周知之耐熱處理層。上述防銹處理層沒有特別限定，能夠應用所有防銹處理層或周知之防銹處理層。上述鉻酸鹽處理層沒有特別限定，能夠應用所有鉻酸鹽處理層或周知之鉻酸鹽處理層。上述矽烷偶合處理層沒有特別限定，能夠應用所有矽烷偶合處理層或周知之矽烷偶合處理層。
在本發明之銅箔之一實施方式中，可以藉由對銅箔表面實施例如用來使與絕緣基板之密接性良好等之粗化處理來設置粗化處理層。粗化處理例如能夠藉由利用銅或銅合金形成粗化粒子而進行。粗化處理亦可以為微細之處理。粗化處理層可以為由包含選自由銅、鎳、磷、鎢、砷、鉬、鉻、鈷及鋅所組成之群中之任一單質或含有任1種以上之合金所構成之層等。另外，在利用銅或銅合金形成粗化粒子後，亦可以進一步進行利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等設置二次粒子或三次粒子之粗化處理。尤其優選如下粗化處理層，其形成有銅之一次粒子層、及在該一次粒子層 上由以銅、鈷及鎳組成之三元系合金構成之二次粒子層。
在本發明之銅箔之一實施方式中，可以在粗化處理後利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱處理層或防銹處理層，亦可以進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。或者亦可以不進行粗化處理，而利用鎳、鈷、銅、鋅之單質或合金等形成耐熱處理層或防銹處理層，進而對其表面實施鉻酸鹽處理、矽烷偶合處理等處理。
即，可以在粗化處理層之表面形成選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層，亦可以在銅箔表面形成選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。此外，上述耐熱層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層、矽烷偶合處理層分別可以由多個層形成(例如2層以上、3層以上等)。此外，在本發明中，“防銹處理層”包含“鉻酸鹽處理層”。如果考慮到與樹脂之密接性，則優選在銅箔之最外層設置矽烷偶合處理層。此外，上述粗化處理層、耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層可以使用周知之粗化處理層、耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層。
作為防銹處理或鉻酸鹽處理，可以使用以下處理。
<鍍Ni>
(液體組成)Ni離子：10~40g/L
(pH值)1.0~5.0
(液溫)30~70℃
(電流密度)1~9A/dm2
(通電時間)0.1~3秒
<Ni-Co鍍敷>：Ni-Co合金鍍敷
(液體組成)Co：1~20g/L，Ni：1~20g/L
(pH值)1.5~3.5
(液溫)30~80℃
(電流密度)1~20A/dm2
(通電時間)0.5~4秒
<Zn-Ni鍍敷>：Zn-Ni合金鍍敷
(液體組成)Zn：10~30g/L，Ni：1~10g/L
(pH值)3~4
(液溫)40~50℃
(電流密度)0.5~5A/dm2
(通電時間)1~3秒
<Ni-Mo鍍敷>：Ni-Mo合金鍍敷
(液體組成)硫酸鎳：270~280g/L，氯化鎳：35~45g/L，乙酸鎳：10~20g/L，鉬(以鉬酸鈉之形式添加)：0.1~10g/L，檸檬酸三鈉：15~25g/L，光澤劑：糖精、丁炔二醇等，十二烷基硫酸鈉：55~75ppm
(pH值)4~6
(液溫)55~65℃
(電流密度)1~11A/dm2
(通電時間)1~20秒
<Cu-Zn鍍敷>：Cu-Zn合金鍍敷
(液體組成)NaCN：10~30g/L，NaOH：40~100g/L，Cu：60~120g/L，Zn：1~10g/L
(液溫)60~80℃
(電流密度)1~10A/dm2
(通電時間)1~10秒
<電解鉻酸鹽>
(液體組成)鉻酸酐、鉻酸、或重鉻酸鉀：1~10g/L，鋅(在添加之情況下以硫酸鋅之形式添加)：0~5g/L
(pH值)0.5~10
(液溫)40~60℃
(電流密度)0.1~2.6A/dm2
(庫侖量)0.5~90As/dm2
(通電時間)1~30秒
<浸漬鉻酸鹽>
(液體組成)鉻酸酐、鉻酸、或重鉻酸鉀：1~10g/L，鋅(在添加之情況下以硫酸鋅之形式添加)：0~5g/L
(pH值)2~10
(液溫)20~60℃
(處理時間)1~30秒
用來形成矽烷偶合處理層之矽烷偶合處理所使用之矽烷偶合劑可以使用周知之矽烷偶合劑，例如可以使用氨基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。另外，矽烷偶合劑亦可以使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-氨基丙基三乙氧基矽烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三
Figure 106101000-A0202-12-0018-8
矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合處理層亦可以使用環氧系矽烷、氨基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等形成。此外，這種矽烷偶合劑亦可以將2種以上混合使用。其中，優選使用氨基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑所形成之矽烷偶合處理層。
此處所述之氨基系矽烷偶合劑亦可以選自由N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、氨基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基-2-羥基丙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、4-氨基丁基三乙氧基矽烷、(氨基乙基氨基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-氨基乙基-3-氨基丙基) 三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(氨基己基氨基丙基)三甲氧基矽烷、氨基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-氨基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-氨基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-氨基丙基三乙氧基矽烷、3-氨基丙基三甲氧基矽烷、ω-氨基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基氨基乙基氨基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-氨基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-氨基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-氨基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基氨基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基矽烷、γ-氨基丙基三乙氧基矽烷、N-β(氨基乙基)γ-氨基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-氨基丙氧基)丁氧基)丙基-3-氨基丙基三甲氧基矽烷所組成之群中。
矽烷偶合處理層理想為在以矽原子換算計為0.05mg/m2~200mg/m2、優選0.15mg/m2~20mg/m2、優選0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍內設置。在上述範圍之情況下，能夠提高絕緣基材與銅箔之密接性。
藉由將本發明之銅箔與絕緣基材貼合，能夠形成覆銅積層板。可以製成絕緣基材為單層之單層覆銅積層板，亦可以製成絕緣基材為兩層以上之多層覆銅積層板。覆銅積層板亦可以製成軟性及剛性之任一種。作為絕緣基材沒有特別限制，可以列舉：環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚醯亞胺樹脂、氟樹脂、液晶聚合物(LCP)、及使這些混合而成之樹脂。此外，可以列舉使環氧樹脂、雙馬來醯亞胺三
Figure 106101000-A0202-12-0019-10
樹脂、或聚醯亞胺樹脂等含浸於玻璃布中而成之絕緣基材。另外，作為絕緣基材，可以使用周知之絕緣基材。特別是液晶聚合物、氟樹脂或低介電聚醯亞胺樹脂具有低介電常數、低介電損 耗正切、低吸水性、電特性之變化少、進而尺寸變化少之巨大優勢而適合高頻用途。另外，本發明之銅箔有效用作在液晶聚合物積層銅箔而成之軟性印刷基板(FPC)用銅箔。本發明之覆銅積層板具有電路加工性良好且即便用於高頻電路基板亦良好抑制傳輸損耗之銅箔，作為超過1GHz之高頻下之用途尤其有效。此外，在本說明書中，將介電損耗正切值為0.01以下之聚醯亞胺樹脂設為低介電聚醯亞胺樹脂。聚醯亞胺樹脂之介電損耗正切優選0.008以下，優選0.006以下，優選0.005以下，優選0.004以下，優選0.003以下。介電損耗正切之下限無需特別限定，典型來說為例如0以上、例如0.000001以上、例如0.000005以上、例如0.00001以上、例如0.00005以上、例如0.0001以上。介電損耗正切能夠藉由一般社團法人日本電子電路工業協會之“印刷配線板用覆銅積層板試驗方法相對介電常數及介電損耗正切”JPCA-TM001-2007所記載之三板式諧振器法進行測定。另外，亦可以經由接著劑將銅箔與絕緣基材貼合來形成覆銅積層板。上述接著劑可以使用周知之接著劑。另外，上述接著劑優選使用低介電常數接著劑。在本說明書中，將介電常數為3.5以下之接著劑設為低介電常數接著劑。接著劑之介電常數優選3.4以下，優選3.3以下，優選3.2以下，優選3.1以下，優選3.0以下，優選2.9以下，優選2.5以下。此外，在本說明書中，介電常數(基材介電常數、基板介電常數、樹脂之介電常數)及介電損耗正切(基材介電損耗正切、基板介電損耗正切、樹脂之介電損耗正切)之值是指訊號頻率為1GHz之情況下之介電常數及介電損耗正切值。
本發明在又一方面是一種覆銅積層板，其是將銅箔與絕緣基材貼合而成，且在以特定之條件對上述覆銅積層板進行彎折試驗時，彎折 次數成為1次以上。
根據這種構成，即便在使覆銅積層板彎曲後使用時亦良好地抑制銅箔龜裂之產生，因此在用於高頻基板時能夠良好地抑制傳輸損耗。
本發明在又一方面是一種覆銅積層板，其是將銅箔與絕緣基材貼合而成，且在以特定之條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂為3條以下。
根據這種構成，即便在使覆銅積層板彎曲後使用時亦良好地抑制銅箔龜裂之產生，因此在用於高頻基板時能夠良好地抑制傳輸損耗。
可以使用覆銅積層板製作印刷配線板。由覆銅積層板加工成印刷配線板之加工方法沒有特別限定，只要使用周知之蝕刻加工製程即可。亦可以藉由在印刷配線板安裝各種電子零件而製作印刷電路板。在本說明書中，該印刷電路板亦包含在印刷配線板中。印刷配線板能夠搭載於各種電子機器。
另外，本發明之覆銅積層板尤其適合用於在超過1GHz之高頻下使用之傳輸線或天線等。
[實施例]
以下，藉由實施例對本發明進行說明。此外，本實施例表示適當之一例，因此本發明並不限定於這些實施例。因此，本發明之技術思想所包含之變化、其他實施例或方式全部包含在本發明中。此外，為了與本發明進行對比，一併記載比較例。另外，本申請之實驗例所記載之粗化處理、鍍敷、矽烷偶合處理、耐熱處理、防銹處理等所使用之液體之剩餘 部分亦是只要沒有特別記載便設為水。
關於實施例1~14及比較例1~13之壓延銅箔，將具有表1之“銅箔之組成”欄所記載之組成之鑄錠進行熔化，將該鑄錠從900℃開始進行熱軋後，反復進行冷軋與退火，最終對銅箔進行最終冷軋，獲得表1所記載之厚度之壓延銅箔。將此時之最終冷軋之加工度示於表1。此外，最終冷軋時之油膜當量之值設為12000~36000。另外，壓延輥之表面之算術平均粗糙度Ra設為0.1~0.2μm。此外，表1、表2之“銅箔成分”欄之TPC是指精銅，OFC指無氧銅。即，實施例10之“100ppmAg-OFC”是指向無氧銅中添加了100質量ppm之Ag。另外，實施例7之“200ppmAg-TPC”是指向精銅中添加了200質量ppm之Ag。另外，比較例之電解銅箔是以如下方式製作。
另外，作為比較例之銅箔，根據以下之條件製作表1所記載之厚度之電解銅箔。
(電解液組成)Cu(以Cu2+之形式)：100g/L，H2SO4：100g/L，Cl-：100mg/L，硫脲：10mg/L，SPS(3,3'-二硫代雙(1-丙烷磺酸)二鈉)：50~100mg/L
(電解液溫度)50℃
(電流密度)30A/dm2
之後，在表1及2所示之條件下進行銅箔之表面處理，並從該銅箔之表面處理面(“表面處理面”是指經表面處理之面，在對銅箔實施過多次表面處理之情況下，“表面處理面”是指經過最後之表面處理後之面(最表層之面))側與表1所記載之樹脂貼合而積層，由此製成覆銅積層板。將與該樹脂積層之溫度及條件示於表1。
此處，表1之“樹脂之種類”欄所記載之樹脂如下所述。
PTFE：氟樹脂、聚四氟乙烯樹脂
低介電PI：介電損耗正切值為0.002之聚醯亞胺樹脂，經由低介電常數接著劑與銅箔積層。
LCP：作為羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)之共聚物之液晶聚合物樹脂，Kuraray公司製造之vecstor CT-Z
COP：環烯烴聚合物樹脂，經由低介電常數接著劑與銅箔積層。
PET：聚對苯二甲酸乙二醇酯樹脂，經由低介電常數接著劑與銅箔積層。
此外，關於表2所記載之表面處理條件1~6，首先在形成一次粒子後，使用二次粒子鍍敷液(A)形成二次粒子。該一次粒子之形成是在利用表2所記載之一次粒子鍍敷液(I)進行鍍敷處理後，接下來利用一次粒子鍍敷液(II)進行鍍敷處理。表面處理條件1~6之表面處理相當於粗化處理。
另外，關於表2所記載之表面處理條件7，在表2所記載之條件下利用Ni-Co鍍敷液進行覆蓋鍍敷處理，關於表面處理條件8，在表2所記載之條件下利用Ni鍍敷液進行覆蓋鍍敷處理。
於在表1之“表面處理條件No.”之欄中記載為“5+8”之情況下，是指進行表面處理條件5之處理，之後進行了表面處理條件8之處理。
此外，關於實施例2、3，在進行“表面處理條件No.”之欄所記載之表面處理後，依序進行以下之鉻酸鹽處理與矽烷偶合處理。
．鉻酸鹽處理
(液體組成)重鉻酸鉀：1~10g/L，鋅(以硫酸鋅之形式添加)：0.01~5g/L
(pH值)0.5~10
(液溫)40~60℃
(電流密度)0.1~2.6A/dm2
(庫侖量)0.5~90As/dm2
(通電時間)1~30秒
．矽烷偶合處理
藉由將含有0.2~2重量%之烷氧基矽烷且pH值7~8之溶液霧狀噴出而塗布矽烷偶合劑以實施處理。
<算術平均粗糙度Ra及十點平均粗糙度Rz之測定>
分別依據JIS B0601-1982並使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度儀Surfcorder SE-3C觸針式粗糙度儀，測定銅箔之與樹脂積層一側之TD(Traverse Direction，寬度方向，與製造銅箔之裝置中之銅箔之前進方向(Machine Direction，MD)呈直角之方向)之經表面處理後之表面(表面處理面)之算術平均粗糙度(Ra)及十點平均粗糙度(Rz)。上述算術平均粗糙度Ra及十點平均粗糙度Rz之測定是針對任意10個部位進行，將所獲得之藉由10個部位所測得之Ra、Rz之平均值分別設為Ra及Rz之值。
<表面積比之測定>
針對實施例及比較例之銅箔之與樹脂積層一側且經表面處理後之表面(表面處理面)，使用雷射顯微鏡(基恩士股份有限公司製造之雷射顯微鏡VK8500)以倍率2000倍對測定視野相當於100μm×100μm之面積(實際資料為9982.52μm2)中之三維表面積A進行了測定。並且，根據三維表面積A÷二維表面積B(=9924.4μm2)=表面積比(A/B)之計算式算出表面 積比。此處，二維表面積B是指從將銅箔與樹脂積層之表面側俯視測定視野時之面積。上述表面積比之測定是針對任意10個部位進行，將所獲得之藉由10個部位所測得之表面積比之平均值設為表面積比。
<樹脂之介電常數及介電損耗正切之測定>
製成上述覆銅積層板後，依據一般社團法人日本電子電路工業協會之“印刷配線板用覆銅積層板試驗方法相對介電常數及介電損耗正切”JPCA-TM001-2007，並藉由三板式諧振器法測定了訊號頻率為1GHz之情況下之樹脂之介電常數及介電損耗正切。此外，覆銅積層板之製作所使用之樹脂之厚度設為50μm。
對以特定之條件對上述覆銅積層板進行彎折試驗時之彎折次數進行了測定。
<彎折次數之評價>
將實施例及比較例之銅箔在表1之“將銅箔與樹脂積層時之溫度×時間”欄所記載之溫度及時間之條件下從表面處理面側積層於厚度50μm之表1之“樹脂種類”欄所記載之樹脂，從而製作了覆銅積層板。此外，關於藉由壓製將銅箔與樹脂積層時之壓力，在樹脂為LCP之情況下設為3.5MPa，在低介電PI之情況下設為4MPa，在PTFE之情況下設為5MPa，在PET之情況下設為1MPa，在COP之情況下設為1.5MPa。在銅箔之厚度較12μm薄之情況下，將上述銅箔與樹脂積層後進行鍍銅並將銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm。此外，鍍銅之條件如下所述。
．鍍銅條件
鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L
鍍敷液溫度：50℃
電流密度：0.8A/dm2
另外，在銅箔之厚度比12μm厚之情況下，將上述銅箔與樹脂積層後對銅箔進行蝕刻並將銅箔之厚度設成12μm。
此外，銅箔之厚度是基於以下式算出。銅箔樣品之大小設為5cm×5cm。在所製作之銅箔較小之情況下，亦可以利用比上述樣品小之樣品算出。
銅箔厚度(μm)={銅箔樣品之重量(g)}÷{銅箔樣品之面積25(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)
另外，將銅箔與樹脂積層後之銅箔厚度是基於以下式而算出。銅箔與樹脂之積層體之樣品之大小設為5cm×5cm。在所製作之上述積層體小之情況下，亦可以利用比上述樣品小之樣品算出銅箔之厚度。另外，在算出銅箔與鍍銅層之合計厚度之情況下，將以下式之“銅箔厚度(μm)”替換成“銅箔與鍍銅層之合計厚度(μm)”，將“銅箔”替換成“銅箔與鍍銅層”，並藉由以下式算出。
銅箔厚度(μm)={蝕刻前之銅箔與樹脂之積層體之樣品之重量(g)-進行蝕刻而將所有銅箔去除後之樹脂之重量(g)}÷{銅箔與樹脂之積層體之樣品之面積25(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)
另外，在所製作之上述積層體較小之情況下，亦可以利用FIB(聚焦離子束加工觀察裝置)等，針對銅箔之與板厚方向平行之截面，在樹脂與銅箔相接之銅箔之表面到與樹脂為相反側之銅箔之表面之範圍內，在任意10個部位劃出與銅箔之厚度方向平行之直線，測定該直線之從樹脂與銅箔相接之表面到與樹脂為相反側之銅箔之表面為止之長度，將該10個部位之直 線之長度之平均值設為該視野內之銅箔厚度。並且，亦可以在3個視野中進行上述測定，並將3個視野之銅箔厚度之平均值設為銅箔厚度。
之後，以寬度方向與TD平行並且長度方向與MD平行之方式切出多片寬度為12.7mm、長度為100mm之試片。之後，使銅箔成為外側，並將彎曲軸之方向設為與試片之寬度方向平行、且與長度方向呈直角之方向，以1000N之負載施壓，由此將覆銅積層板彎折(180度密接彎曲)，然後，確認是否隔著樹脂而於銅箔存在龜裂。在存在龜裂之情況下，對與彎曲軸垂直且與銅箔之厚度平行之方向之截面進行觀察，測定該龜裂之長度。在龜裂長度為3μm以上之情況下，判定為觀察到龜裂(有害龜裂)。在龜裂長度小於3μm之情況下，判定為未觀察到龜裂。並且，將在銅箔中觀察到龜裂之次數設為該銅箔或覆銅積層板之彎折次數。在未觀察到龜裂之情況下，如圖1所示，將藉由以1000N之負載進行壓製而彎折之覆銅積層板再次展平。並且，之後，藉由與上述方法相同之方法將覆銅積層板彎折。此外，對上述截面進行觀察，在因龜裂之長度小於3μm而判定為未觀察到龜裂之情況下，使用其他試片以比判定為未觀察到龜裂之彎折次數多一次之彎折次數進行相同之評價。將上述評價進行3次，將3次之彎折次數之平均值設為彎折次數。此外，關於龜裂之長度，將從銅箔表面對所拍攝之截面照片之龜裂描繪出之線之長度設為龜裂長度。描繪出之線之長度可以使用市售之圖像分析軟體等進行測定。
<與樹脂積層後之銅箔之平均結晶粒徑>
將實施例、比較例之銅箔在表1之“將銅箔與樹脂積層時之溫度×時間”欄所記載之溫度及時間之條件下從表面處理面側積層於表1之“樹脂 種類”欄所記載之樹脂而製作覆銅積層板。此外，關於藉由壓製將銅箔與樹脂積層時之壓力，在樹脂為LCP之情況下設為3.5MPa，在低介電PI之情況下設為4MPa，在PTFE之情況下設為5MPa，在PET之情況下設為1MPa，在COP之情況下設為1.5MPa。之後，針對所獲得之覆銅積層板，藉由切斷法(JIS H0501)測定出實施例、比較例之銅箔之與MD(銅箔製造設備中之銅箔之前進方向)平行且與板厚方向平行之截面之平均結晶粒徑。此外，利用切斷法進行測定時，將測定平均結晶粒徑之線段設為與MD方向平行之方向。在3個視野中進行測定，將3個視野之平均值設為與樹脂積層後之銅箔之平均結晶粒徑。
<龜裂數之評價>
另外，將上述實施例1~14及比較例1~13之銅箔在表1之“將銅箔與樹脂積層時之溫度×時間”欄所記載之溫度及時間之條件下從表面處理面側積層於厚度25μm之表1之“樹脂種類”欄所記載之樹脂之樹脂之單面而製作覆銅積層板。此外，關於藉由壓製將銅箔與樹脂積層時之壓力，在樹脂為LCP之情況下設為3.5MPa，在低介電PI之情況下設為4MPa，在PTFE之情況下設為5MPa，在PET之情況下設為1MPa，在COP之情況下設為1.5MPa。在銅箔之厚度比12μm薄之情況下，將上述銅箔與樹脂積層後進行鍍銅並將銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm。此外，鍍銅之條件如下所述。
．鍍銅條件
鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L
鍍敷液溫度：50℃
電流密度：0.2A/dm2
另外，在銅箔之厚度比12μm厚之情況下，將上述銅箔與樹脂積層後對銅箔進行蝕刻而將銅箔之厚度設成12μm。在銅箔之厚度為12μm之情況下不對上述銅箔之厚度進行調整。此外，銅箔之厚度或銅箔與鍍銅層之合計厚度之測定方法設為與上述方法相同。並且，使試片之寬度方向與銅箔之TD平行、使試片之長度方向與MD平行，而從所獲得之覆銅積層板切出製作寬度12.7mm且長度200mm之試片。之後，藉由蝕刻，在所獲得之試片之銅箔形成將電路寬度設為300μm、將電路間之間隙寬度設為300μm(線與間隙L/S=300μm/300μm)之電路，而製作軟性印刷配線板(FPC)。之後，在以特定之條件對所製作之軟性印刷配線板進行了特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，測定距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數。滑動方向設為與試片之長度方向(銅箔之MD)平行之方向。對大小為板厚×100μm長度之3個視野進行測定，將3個視野之平均龜裂條數設為距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數。另外，測定出距銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂之條數。對大小為板厚×100μm長度之3個視野進行測定，將3個視野之平均龜裂條數設為距銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂之條數。此外，關於龜裂之長度，將從銅箔表面對所拍攝之截面照片之龜裂描繪出之線之長度設為龜裂長度。描繪出之線之長度可以使用市售之圖像分析軟體等進行測定。滑動彎曲試驗之條件如下所述。
滑動彎曲試驗條件
彎曲半徑：1.5mm
衝程：25mm
彎曲速度：1500次/分鐘
滑動彎曲次數：10000次
L/S=300μm/300μm
此外，滑動彎曲試驗是利用圖4所示之IPC(美國印刷電路工業協會)彎曲試驗裝置進行。該裝置成為將振動傳輸部件3結合於振盪驅動體4而成之構造，FPC1是以箭頭所示之螺絲2之部分與振動傳輸部件3之前端部之共計4點固定在裝置。當振動傳輸部件3上下驅動時，FPC1之中間部以特定之曲率半徑r被彎曲成髮夾狀。滑動彎曲試驗是將FPC之存在電路之一側之面作為圖4之曲率半徑r之彎曲內表面來進行。
<製作電路後彎折時之傳輸損耗>
另外，於在使用實施例1~14及比較例1~13之銅箔製作之覆銅積層板之銅箔製作電路後，將其彎折並測定傳輸損耗。測定所使用之具有銅箔之電路之覆銅積層板是以如下方式製作之。
如圖2之樣品之寬度方向剖視圖所示，將各實施例或各比較例之銅箔10在表1之“將銅箔與樹脂積層時之溫度×時間”欄所記載之溫度及時間之條件下進行加熱壓接而從表面處理面側積層於厚度25μm之表1之“樹脂種類”欄所記載之樹脂(此處，以樹脂為液晶聚合物P之情況為例進行記載)之兩側，從而製造出覆銅積層板。此外，關於藉由壓製將銅箔10與樹脂積層時之壓力，在樹脂為LCP之情況下設為3.5MPa，在低介電PI之情況下設為4MPa，在PTFE之情況下設為5MPa，在PET之情況下設為1MPa，在COP之情況下設為1.5MPa。之後，在一銅箔10或兩銅箔10之厚度較18 μm薄之情況下，對上述覆銅積層板之一銅箔10或兩銅箔10之表面進行鍍銅，並將一銅箔10或兩銅箔10與一鍍銅層或兩鍍銅層之合計厚度設成18μm。此外，鍍銅之條件如下所述。
.鍍銅條件
鍍敷液體組成：銅濃度100g/L、硫酸濃度100g/L
鍍敷液溫度：50℃
電流密度：0.2A/dm2
另外，在一銅箔10或兩銅箔10之厚度比18μm厚之情況下，對上述覆銅積層板之一銅箔10或兩銅箔10之表面進行蝕刻，而將銅箔10之厚度設成18μm。在銅箔10之厚度為18μm之情況下不對上述銅箔10之厚度進行調整。銅箔10之厚度或銅箔10與鍍銅層之合計厚度之測定方法設為與上述方法相同。此外，在測定上述覆銅積層板之一銅箔10之厚度之情況下，利用對蝕刻液具有耐受性之遮蔽膠帶(耐酸保護膠帶等)遮蔽另一銅箔10後測定一銅箔10之厚度。之後，在上述覆銅積層板之一側之銅箔10(在銅箔10表面設置了鍍銅層之情況下為銅箔10與鍍銅層)形成以阻抗成為50Ω之方式設計之微帶線。電路長度設為5cm。另外，上述覆銅積層板之寬度設為1cm(樣品之寬度方向設為與TD平行)，長度設為13cm(樣品之長度方向設為與銅箔製造裝置中之銅箔10之前進方向(MD)平行)。並且，進而依序將厚度25μm之上述表1之“樹脂種類”欄所記載之樹脂(例如液晶聚合物P)與各實施例或各比較例之銅箔10在表1之“將銅箔與樹脂積層時之溫度×時間”欄所記載之溫度及時間之條件下進行加熱壓接而積層於上述覆銅積層板之形成有該微帶線之側。此外，關於藉由壓製將銅箔 10與樹脂積層時之壓力，在樹脂為LCP之情況下設為3.5MPa，在低介電PI之情況下設為4MPa，在PTFE之情況下設為5MPa，在PET之情況下設為1MPa，在COP之情況下設為1.5MPa。之後，在新積層之銅箔10之厚度不為18μm之情況下，藉由上述方法將銅箔10之厚度設成18μm。此外，銅箔10之厚度或銅箔10與鍍銅層之合計厚度之測定方法設為與上述方法相同。不進行厚度測定之銅箔10(及鍍銅層)由遮蔽膠帶保護。
接下來，如圖3所示般以負載1000N對所獲得之樣品施壓，由此，在彎曲軸之方向與樣品之寬度方向平行之方向且與長度方向呈直角之方向上彎折(180度密接彎曲)1次。之後，將訊號頻率設為20GHz，測定訊號之傳輸損耗。
將試驗條件及試驗結果示於表1、2。
Figure 106101000-A0202-12-0033-1
Figure 106101000-A0202-12-0034-3
關於實施例1~14，在以特定之條件對覆銅積層板進行彎折試驗時，彎折次數成為1次以上，另外，在以特定之條件對覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察時，距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂為3條以下，從而良好地抑制了傳輸損耗。
關於比較例1~13，在以特定之條件對覆銅積層板進行彎折試驗時，彎折次數均成為0次，另外，在以特定之條件對覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察時，距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂超過3條，從而傳輸損耗不良。

Claims (38)

  1. 一種銅箔，其在將銅箔與以下(A)或(C)之厚度50μm之絕緣基材於分別對應上述(A)或(C)之以下(E)或(G)之條件進行貼合而製成覆銅積層板，並在以下條件對上述覆銅積層板進行彎折試驗時，彎折次數成為1次以上；且在將銅箔與以下(A)或(C)之厚度25μm之絕緣基材於分別對應上述(A)或(C)之以下(E)或(G)之條件進行貼合而製成覆銅積層板，並在以下條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂為3條以下，(A)氟樹脂，(C)液晶聚合物樹脂，(E)在上述絕緣基材為上述氟樹脂之情況下，壓力為5MPa，加熱溫度與加熱時間為350℃、30分鐘，(G)在上述絕緣基材為液晶聚合物樹脂之情況下，壓力為3.5MPa，加熱溫度與加熱時間為300℃、10分鐘；‧彎折試驗：在上述銅箔之厚度較12μm薄之情況下，將上述銅箔與上述絕緣基材貼合後進行鍍銅並將上述銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm，鍍銅之條件如下所述：‧鍍銅條件：鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L， 鍍敷液溫度：50℃，電流密度：0.8A/dm2，在上述銅箔之厚度比12μm厚之情況下，將上述銅箔與上述絕緣基材貼合後對上述銅箔進行蝕刻並將銅箔之厚度設成12μm，在上述銅箔之厚度為12μm之情況，不調整銅箔厚度，上述銅箔之厚度是基於以下式算出，銅箔厚度(μm)={銅箔樣品之重量(g)}÷{銅箔樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；上述銅箔與上述絕緣基材貼合後之上述銅箔之厚度是基於以下式而算出，在算出上述銅箔與鍍銅層之合計厚度之情況下，將以下式之“銅箔厚度(μm)”替換成“銅箔與鍍銅層之合計厚度(μm)”，將“銅箔”替換成“銅箔與鍍銅層”，並藉由以下式算出，銅箔厚度(μm)={蝕刻前之銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之重量(g)-進行蝕刻而將所有銅箔去除後之絕緣基材之重量(g)}÷{銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；以上述覆銅積層板之寬度方向與銅箔之寬度方向(TD)平行，且，上述覆銅積層板之長度方向與銅箔製造裝置中之銅箔前進方向(MD)平行之方式，切出複數個寬度12.7mm且長度100mm之試片，之後，使上述銅箔成為外側，並將彎曲軸之方向設為與上述試片之寬度方向平行、且與上述試片之長度方向呈直角之方向，以1000N之負載施壓，由此將上述覆銅積層板彎折(180度密接彎曲)，然後，確認是否於上述銅箔存在龜裂；在存在龜裂之情況下，對上述覆銅積層板之與彎曲軸垂直且與上述銅箔之厚度 平行之方向之截面進行觀察，測定該龜裂之長度；在該龜裂之長度為3μm以上之情況下，判定為觀察到龜裂；在該龜裂之長度小於3μm之情況下，判定為未觀察到龜裂；並且，將在上述銅箔中觀察到龜裂之彎折次數設為上述銅箔之彎折次數；在未觀察到龜裂之情況下，將藉由以1000N之負載進行壓製而彎折之上述覆銅積層板再次展平，並且，之後藉由與上述方法相同之方法將上述覆銅積層板彎折；此外，對上述截面進行觀察，在因龜裂之長度小於3μm而判定為未觀察到龜裂之情況下，使用其他上述試片以比判定為未觀察到龜裂之彎折次數多一次之彎折次數進行相同之評價，將上述評價進行3次，將3次之彎折次數之平均值設為上述銅箔之彎折次數；‧滑動彎曲試驗：在上述銅箔之厚度較12μm薄之情況下，將上述銅箔與上述絕緣基材貼合後進行鍍銅並將上述銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm，鍍銅之條件如下所述：‧鍍銅條件：鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L，鍍敷液溫度：50℃，電流密度：0.2A/dm2，在上述銅箔之厚度比12μm厚之情況下，將上述銅箔與上述絕緣基材貼合後對上述銅箔進行蝕刻並將銅箔之厚度設成12μm，在上述銅箔之厚度為12μm之情況，不調整銅箔厚度，上述銅箔之厚度或上述銅箔與鍍銅層之合計厚度的測定方法如下， 上述銅箔之厚度是基於以下式算出，銅箔厚度(μm)={銅箔樣品之重量(g)}÷{銅箔樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；上述銅箔與上述絕緣基材貼合後之上述銅箔之厚度是基於以下式而算出，在算出上述銅箔與鍍銅層之合計厚度之情況下，將以下式之“銅箔厚度(μm)”替換成“銅箔與鍍銅層之合計厚度(μm)”，將“銅箔”替換成“銅箔與鍍銅層”，並藉由以下式算出，銅箔厚度(μm)={蝕刻前之銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之重量(g)-進行蝕刻而將所有銅箔去除後之絕緣基材之重量(g)}÷{銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；並且，以試片之寬度方向與銅箔之寬度方向(TD)平行，且，試片之長度方向與MD平行之方式，自所獲得之覆銅積層板切出並製作寬度12.7mm且長度200mm之試片；之後，藉由蝕刻，在所獲得之試片之銅箔形成將電路寬度設為300μm、將電路間之間隙寬度設為300μm(線與間隙L/S=300μm/300μm)之電路，而製作軟性印刷配線板(FPC)，之後，在以下之特定條件對所製作之軟性印刷配線板進行了特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之銅箔截面，對銅箔之板厚×100μm長度之範圍進行觀察，測定距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數；滑動方向設為與試片之長度方向(銅箔之MD)平行之方向；對大小為銅箔之板厚×100μm長度之3個視野進行測定，將3個視野之平均龜裂條數設為距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數；關於龜裂之長度，將從銅箔表面對所拍攝之截面照片之龜裂描繪出之線之長度設為龜裂長度；滑動彎曲試驗 之條件如下所述：‧滑動彎曲試驗條件：彎曲半徑：1.5mm，衝程：25mm，彎曲速度：1500次/分鐘，滑動彎曲次數：10000次，L/S=300μm/300μm，滑動彎曲試驗是利用IPC(美國印刷電路工業協會)彎曲試驗裝置進行；該IPC彎曲試驗裝置成為將振動傳輸部件結合於振盪驅動體而成之構造，FPC是以螺絲之部分與振動傳輸部件之前端部之共計4點固定在裝置；當振動傳輸部件上下驅動時，FPC之中間部以特定之曲率半徑r被彎曲成髮夾狀；滑動彎曲試驗是將FPC之存在電路之一側之面作為曲率半徑r之彎曲內表面來進行。
  2. 如申請專利範圍第1項之銅箔，其中，對上述覆銅積層板進行上述滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂為2條以下。
  3. 一種銅箔，其在將銅箔與以下(A)或(C)之厚度25μm之絕緣基材於分別對應上述(A)或(C)之以下(E)或(G)之條件進行貼合而製成覆銅積層板，並在以下條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂為3條以下； (A)氟樹脂，(C)液晶聚合物樹脂，(E)在上述絕緣基材為上述氟樹脂之情況下，壓力為5MPa，加熱溫度與加熱時間為350℃、30分鐘，(G)在上述絕緣基材為液晶聚合物樹脂之情況下，壓力為3.5MPa，加熱溫度與加熱時間為300℃、10分鐘；‧滑動彎曲試驗：在上述銅箔之厚度較12μm薄之情況下，將上述銅箔與上述絕緣基材貼合後進行鍍銅並將上述銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm，鍍銅之條件如下所述：‧鍍銅條件：鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L，鍍敷液溫度：50℃，電流密度：0.2A/dm2，在上述銅箔之厚度比12μm厚之情況下，將上述銅箔與上述絕緣基材貼合後對上述銅箔進行蝕刻並將銅箔之厚度設成12μm，在上述銅箔之厚度為12μm之情況，不調整銅箔厚度，上述銅箔之厚度或上述銅箔與鍍銅層之合計厚度的測定方法如下，上述銅箔之厚度是基於以下式算出，銅箔厚度(μm)={銅箔樣品之重量(g)}÷{銅箔樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；上述銅箔與上述絕緣基材貼合後之上述銅箔之厚度是基於以下式而算 出，在算出上述銅箔與鍍銅層之合計厚度之情況下，將以下式之“銅箔厚度(μm)”替換成“銅箔與鍍銅層之合計厚度(μm)”，將“銅箔”替換成“銅箔與鍍銅層”，並藉由以下式算出，銅箔厚度(μm)={蝕刻前之銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之重量(g)-進行蝕刻而將所有銅箔去除後之絕緣基材之重量(g)}÷{銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；並且，以試片之寬度方向與銅箔之寬度方向(TD)平行，且，試片之長度方向與MD平行之方式，自所獲得之覆銅積層板切出並製作寬度12.7mm且長度200mm之試片；之後，藉由蝕刻，在所獲得之試片之銅箔形成將電路寬度設為300μm、將電路間之間隙寬度設為300μm(線與間隙L/S=300μm/300μm)之電路，而製作軟性印刷配線板(FPC)，之後，在以下之特定條件對所製作之軟性印刷配線板進行了特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之銅箔截面，對銅箔之板厚×100μm長度之範圍進行觀察，測定距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數；滑動方向設為與試片之長度方向(銅箔之MD)平行之方向；對大小為銅箔之板厚×100μm長度之3個視野進行測定，將3個視野之平均龜裂條數設為距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數；關於龜裂之長度，將從銅箔表面對所拍攝之截面照片之龜裂描繪出之線之長度設為龜裂長度；滑動彎曲試驗之條件如下所述：‧滑動彎曲試驗條件彎曲半徑：1.5mm，衝程：25mm， 彎曲速度：1500次/分鐘，滑動彎曲次數：10000次，L/S=300μm/300μm，滑動彎曲試驗是利用IPC(美國印刷電路工業協會)彎曲試驗裝置進行；該IPC彎曲試驗裝置成為將振動傳輸部件結合於振盪驅動體而成之構造，FPC是以螺絲之部分與振動傳輸部件之前端部之共計4點固定在裝置；當振動傳輸部件上下驅動時，FPC之中間部以特定之曲率半徑r被彎曲成髮夾狀；滑動彎曲試驗是將FPC之存在電路之一側之面作為曲率半徑r之彎曲內表面來進行。
  4. 如申請專利範圍第3項之銅箔，其中，以上述條件對上述覆銅積層板進行特定次數之上述滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂為2條以下。
  5. 一種銅箔，其在將銅箔與以下(A)或(C)之厚度25μm之絕緣基材於分別對應上述(A)或(C)之以下(E)或(G)之條件進行貼合而製成覆銅積層板，並在以下條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂為2條以下；(A)氟樹脂，(C)液晶聚合物樹脂，(E)在上述絕緣基材為上述氟樹脂之情況下，壓力為5MPa，加熱溫度與加熱時間為350℃、30分鐘， (G)在上述絕緣基材為液晶聚合物樹脂之情況下，壓力為3.5MPa，加熱溫度與加熱時間為300℃、10分鐘；‧滑動彎曲試驗：在上述銅箔之厚度較12μm薄之情況下，將上述銅箔與上述絕緣基材貼合後進行鍍銅並將上述銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm，鍍銅之條件如下所述：‧鍍銅條件：鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L，鍍敷液溫度：50℃，電流密度：0.2A/dm2，在上述銅箔之厚度比12μm厚之情況下，將上述銅箔與上述絕緣基材貼合後對上述銅箔進行蝕刻並將銅箔之厚度設成12μm，在上述銅箔之厚度為12μm之情況，不調整銅箔厚度，上述銅箔之厚度或上述銅箔與鍍銅層之合計厚度的測定方法如下，上述銅箔之厚度是基於以下式算出，銅箔厚度(μm)={銅箔樣品之重量(g)}÷{銅箔樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；上述銅箔與上述絕緣基材貼合後之上述銅箔之厚度是基於以下式而算出，在算出上述銅箔與鍍銅層之合計厚度之情況下，將以下式之“銅箔厚度(μm)”替換成“銅箔與鍍銅層之合計厚度(μm)”，將“銅箔”替換成“銅箔與鍍銅層”，並藉由以下式算出，銅箔厚度(μm)={蝕刻前之銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之重量 (g)-進行蝕刻而將所有銅箔去除後之絕緣基材之重量(g)}÷{銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；並且，以試片之寬度方向與銅箔之寬度方向(TD)平行，且，試片之長度方向與MD平行之方式，自所獲得之覆銅積層板切出並製作寬度12.7mm且長度200mm之試片；之後，藉由蝕刻，在所獲得之試片之銅箔形成將電路寬度設為300μm、將電路間之間隙寬度設為300μm(線與間隙L/S=300μm/300μm)之電路，而製作軟性印刷配線板(FPC)，之後，在以下之特定條件對所製作之軟性印刷配線板進行了特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之銅箔截面，對銅箔之板厚×100μm長度之範圍進行觀察，測定距銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂之條數；滑動方向設為與試片之長度方向(銅箔之MD)平行之方向；對大小為銅箔之板厚×100μm長度之3個視野進行測定，將3個視野之平均龜裂條數設為距銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂之條數；關於龜裂之長度，將從銅箔表面對所拍攝之截面照片之龜裂描繪出之線之長度設為龜裂長度；滑動彎曲試驗之條件如下所述：‧滑動彎曲試驗條件：彎曲半徑：1.5mm，衝程：25mm，彎曲速度：1500次/分鐘，滑動彎曲次數：10000次，L/S=300μm/300μm，滑動彎曲試驗是利用IPC(美國印刷電路工業協會)彎曲試驗裝置進 行；該IPC彎曲試驗裝置成為將振動傳輸部件結合於振盪驅動體而成之構造，FPC是以螺絲之部分與振動傳輸部件之前端部之共計4點固定在裝置；當振動傳輸部件上下驅動時，FPC之中間部以特定之曲率半徑r被彎曲成髮夾狀；滑動彎曲試驗是將FPC之存在電路之一側之面作為曲率半徑r之彎曲內表面來進行。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之銅箔，其中，上述絕緣基材為聚四氟乙烯樹脂、或者作為羥基苯甲酸(酯)與羥基萘甲酸(酯)之共聚物的液晶聚合物樹脂。
  7. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之銅箔，其中，上述銅箔在一面或兩面具有表面處理面，且表面處理面之算術平均粗糙度Ra為0.05μm~0.40μm，十點平均粗糙度Rz為0.25μm~2.0μm，在將使用雷射顯微鏡所測得之三維表面積設為A、將俯視測出上述三維表面積A之視野時之二維表面積設為B之情況下，表面積比A/B為1.5~3.0。
  8. 如申請專利範圍第6項之銅箔，其中，上述銅箔在一面或兩面具有表面處理面，且表面處理面之算術平均粗糙度Ra為0.05μm~0.40μm，十點平均粗糙度Rz為0.25μm~2.0μm，在將使用雷射顯微鏡所測得之三維表面積設為A、將俯視測出上述三維表面積A之視野時之二維表面積設為B之情況下，表面積比A/B為1.5~3.0。
  9. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之銅箔，其中，在將上述銅箔與上述絕緣基材貼合而製成上述覆銅積層板之情況下，上述銅箔之與板厚方向平行且與銅箔製造裝置中之銅箔前進方向(MD)平行之截面之平均結晶粒徑成為20μm以上。
  10. 如申請專利範圍第6項之銅箔，其中，在將上述銅箔與上述絕緣基材貼合而製成上述覆銅積層板之情況下，上述銅箔之與板厚方向平行且與銅箔製造裝置中之銅箔前進方向(MD)平行之截面之平均結晶粒徑成為20μm以上。
  11. 如申請專利範圍第7項之銅箔，其中，在將上述銅箔與上述絕緣基材貼合而製成上述覆銅積層板之情況下，上述銅箔之與板厚方向平行且與銅箔製造裝置中之銅箔前進方向(MD)平行之截面之平均結晶粒徑成為20μm以上。
  12. 如申請專利範圍第8項之銅箔，其中，在將上述銅箔與上述絕緣基材貼合而製成上述覆銅積層板之情況下，上述銅箔之與板厚方向平行且與銅箔製造裝置中之銅箔前進方向(MD)平行之截面之平均結晶粒徑成為20μm以上。
  13. 如申請專利範圍第1至5項中任一項之銅箔，其用於與液晶聚合物或氟樹脂或低介電聚醯亞胺之接合。
  14. 一種銅箔，其中，上述銅箔在一面或兩面具有表面處理面，且表面處理面之算術平均粗糙度Ra為0.05μm~0.40μm，十點平均粗糙度Rz為0.25μm~2.0μm，在將使用雷射顯微鏡所測得之三維表面積設為A、將俯視測出上述三維表面積A之視野時之二維表面積設為B之情況下，表面積比A/B為2.0~3.0，並且在將上述銅箔與絕緣基材貼合而製成覆銅積層板之情況下，上述銅箔之與板厚方向平行且與銅箔製造裝置中之銅箔前進方向(MD)平行之截面之平均結晶粒徑成為20μm以上。
  15. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，上述銅箔為壓延銅箔。
  16. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其用於與介電常數為3.5以下之樹脂之接合。
  17. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其用於在超過1GHz之高頻下使用之覆銅積層板或印刷配線板。
  18. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有選自由粗化處理層、耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  19. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有選自由耐熱處理層、防銹處理層、鉻酸鹽處理層及矽烷偶合處理層所組成之群中之1種以上之層。
  20. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有耐熱處理層或防銹處理層，在上述耐熱處理層或防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
  21. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有耐熱處理層，在上述耐熱處理層上具有防銹處理層，在上述防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
  22. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有鉻酸鹽處理層，在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
  23. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有粗化處理層，在上述粗化處理層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻 酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
  24. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有粗化處理層，在上述粗化處理層上具有選自由防銹處理層及耐熱處理層所組成之群中之1種以上之層，在上述選自由防銹處理層及耐熱處理層所組成之群中之1種以上之層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
  25. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有粗化處理層，在上述粗化處理層上具有防銹處理層，在上述防銹處理層上具有鉻酸鹽處理層，且在上述鉻酸鹽處理層上具有矽烷偶合處理層。
  26. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有粗化處理層，在粗化處理層上具有矽烷偶合處理層。
  27. 如申請專利範圍第1至5、14項中任一項之銅箔，其中，在銅箔表面具有矽烷偶合處理層。
  28. 一種覆銅積層板，其是將申請專利範圍第1至27項中任一項之銅箔與絕緣基材貼合而成。
  29. 如申請專利範圍第28項之覆銅積層板，其在超過1GHz之高頻下使用。
  30. 一種覆銅積層板，其是將銅箔與以下(A)或(C)之絕緣基材於分別對應上述(A)或(C)之以下(E)或(G)之條件進行貼合而成，且在以下條件對上述覆銅積層板進行彎折試驗時，彎折次數成為1次以上，在以下條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對 與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂為3條以下，(A)氟樹脂，(C)液晶聚合物樹脂，(E)在上述絕緣基材為上述氟樹脂之情況下，壓力為5MPa，加熱溫度與加熱時間為350℃、30分鐘，(G)在上述絕緣基材為液晶聚合物樹脂之情況下，壓力為3.5MPa，加熱溫度與加熱時間為300℃、10分鐘；‧彎折試驗：在上述銅箔之厚度較12μm薄之情況下，對上述覆銅積層板之上述銅箔進行鍍銅並將上述銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm，鍍銅之條件如下所述：‧鍍銅條件：鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L，鍍敷液溫度：50℃，電流密度：0.8A/dm2，在上述銅箔之厚度比12μm厚之情況下，對上述覆銅積層板之上述銅箔進行蝕刻並將銅箔之厚度設成12μm，在上述銅箔之厚度為12μm之情況，不調整銅箔厚度，上述銅箔之厚度是基於以下式算出，銅箔厚度(μm)={銅箔樣品之重量(g)}÷{銅箔樣品之面積(cm2)×銅之密度894(g/cm3)}×104(μm/cm)； 上述銅箔與上述絕緣基材貼合後之上述銅箔之厚度是基於以下式而算出，在算出上述銅箔與鍍銅層之合計厚度之情況下，將以下式之“銅箔厚度(μm)”替換成“銅箔與鍍銅層之合計厚度(μm)”，將“銅箔”替換成“銅箔與鍍銅層”，並藉由以下式算出，銅箔厚度(μm)={蝕刻前之銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之重量(g)-進行蝕刻而將所有銅箔去除後之絕緣基材之重量(g)}÷{銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；以上述覆銅積層板之寬度方向與銅箔之寬度方向(TD)平行，且，上述覆銅積層板之長度方向與銅箔製造裝置中之銅箔前進方向(MD)平行之方式，切出複數個寬度12.7mm且長度100mm之試片，之後，使上述銅箔成為外側，並將彎曲軸之方向設為與上述試片之寬度方向平行、且與上述試片之長度方向呈直角之方向，以1000N之負載施壓，由此將上述覆銅積層板彎折(180度密接彎曲)，然後，確認是否於上述銅箔存在龜裂；在存在龜裂之情況下，對上述覆銅積層板之與彎曲軸垂直且與上述銅箔之厚度平行之方向之截面進行觀察，測定該龜裂之長度；在該龜裂之長度為3μm以上之情況下，判定為觀察到龜裂；在該龜裂之長度小於3μm之情況下，判定為未觀察到龜裂；並且，將在上述銅箔中觀察到龜裂之彎折次數設為上述銅箔之彎折次數；在未觀察到龜裂之情況下，將藉由以1000N之負載進行壓製而彎折之上述覆銅積層板再次展平，並且，之後藉由與上述方法相同之方法將上述覆銅積層板彎折；此外，對上述截面進行觀察，在因龜裂之長度小於3μm而判定為未觀察到龜裂之情況下，使用其他上述試片以比判定為未觀察到龜裂之彎折次數多一次之彎折次數進行相同之評價， 將上述評價進行3次，將3次之彎折次數之平均值設為上述覆銅積層板之彎折次數；‧滑動彎曲試驗：在上述銅箔之厚度較12μm薄之情況下，對上述覆銅積層板之上述銅箔進行鍍銅並將上述銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm，鍍銅之條件如下所述：‧鍍銅條件：鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L，鍍敷液溫度：50℃，電流密度：0.2A/dm2，在上述銅箔之厚度比12μm厚之情況下，對上述覆銅積層板之上述銅箔進行蝕刻並將銅箔之厚度設成12μm，在上述銅箔之厚度為12μm之情況，不調整銅箔厚度，上述銅箔之厚度或上述銅箔與鍍銅層之合計厚度的測定方法如下，上述銅箔之厚度是基於以下式算出，銅箔厚度(μm)={銅箔樣品之重量(g)}÷{銅箔樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；上述銅箔與上述絕緣基材貼合後之上述銅箔之厚度是基於以下式而算出，在算出上述銅箔與鍍銅層之合計厚度之情況下，將以下式之“銅箔厚度(μm)”替換成“銅箔與鍍銅層之合計厚度(μm)”，將“銅箔”替換成“銅箔與鍍銅層”，並藉由以下式算出，銅箔厚度(μm)={蝕刻前之銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之重量 (g)-進行蝕刻而將所有銅箔去除後之絕緣基材之重量(g)}÷{銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；並且，以試片之寬度方向與銅箔之寬度方向(TD)平行，且，試片之長度方向與MD平行之方式，自所獲得之覆銅積層板切出並製作寬度12.7mm且長度200mm之試片；之後，藉由蝕刻，在所獲得之試片之銅箔形成將電路寬度設為300μm、將電路間之間隙寬度設為300μm(線與間隙L/S=300μm/300μm)之電路，而製作軟性印刷配線板(FPC)，之後，在以下之特定條件對所製作之軟性印刷配線板進行了特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之銅箔截面，對銅箔之板厚×100μm長度之範圍進行觀察，測定距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數；滑動方向設為與試片之長度方向(銅箔之MD)平行之方向；對大小為銅箔之板厚×100μm長度之3個視野進行測定，將3個視野之平均龜裂條數設為距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數；關於龜裂之長度，將從銅箔表面對所拍攝之截面照片之龜裂描繪出之線之長度設為龜裂長度；滑動彎曲試驗之條件如下所述：‧滑動彎曲試驗條件彎曲半徑：1.5mm，衝程：25mm，彎曲速度：1500次/分鐘，滑動彎曲次數：10000次，L/S=300μm/300μm，滑動彎曲試驗是利用IPC(美國印刷電路工業協會)彎曲試驗裝置進 行；該IPC彎曲試驗裝置成為將振動傳輸部件結合於振盪驅動體而成之構造，FPC是以螺絲之部分與振動傳輸部件之前端部之共計4點固定在裝置；當振動傳輸部件上下驅動時，FPC之中間部以特定之曲率半徑r被彎曲成髮夾狀；滑動彎曲試驗是將FPC之存在電路之一側之面作為曲率半徑r之彎曲內表面來進行。
  31. 如申請專利範圍第30項之覆銅積層板，其中，對上述覆銅積層板進行上述滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂為2條以下。
  32. 一種覆銅積層板，其是將銅箔與以下(A)或(C)之絕緣基材於分別對應上述(A)或(C)之以下(E)或(G)之條件進行貼合而成，且在以下條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂為3條以下，(A)氟樹脂，(C)液晶聚合物樹脂，(E)在上述絕緣基材為上述氟樹脂之情況下，壓力為5MPa，加熱溫度與加熱時間為350℃、30分鐘，(G)在上述絕緣基材為液晶聚合物樹脂之情況下，壓力為3.5MPa，加熱溫度與加熱時間為300℃、10分鐘；‧滑動彎曲試驗：在上述銅箔之厚度較12μm薄之情況下，對上述覆銅積層板之上述銅 箔進行鍍銅並將上述銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm，鍍銅之條件如下所述：‧鍍銅條件：鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L，鍍敷液溫度：50℃，電流密度：0.2A/dm2，在上述銅箔之厚度比12μm厚之情況下，對上述覆銅積層板之上述銅箔進行蝕刻並將銅箔之厚度設成12μm，在上述銅箔之厚度為12μm之情況，不調整銅箔厚度，上述銅箔之厚度或上述銅箔與鍍銅層之合計厚度的測定方法如下，上述銅箔之厚度是基於以下式算出，銅箔厚度(μm)={銅箔樣品之重量(g)}÷{銅箔樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；上述銅箔與上述絕緣基材貼合後之上述銅箔之厚度是基於以下式而算出，在算出上述銅箔與鍍銅層之合計厚度之情況下，將以下式之“銅箔厚度(μm)”替換成“銅箔與鍍銅層之合計厚度(μm)”，將“銅箔”替換成“銅箔與鍍銅層”，並藉由以下式算出，銅箔厚度(μm)={蝕刻前之銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之重量(g)-進行蝕刻而將所有銅箔去除後之絕緣基材之重量(g)}÷{銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；並且，以試片之寬度方向與銅箔之寬度方向(TD)平行，且，試片之長度方向與MD平行之方式，自所獲得之覆銅積層板切出並製作寬度12.7 mm且長度200mm之試片；之後，藉由蝕刻，在所獲得之試片之銅箔形成將電路寬度設為300μm、將電路間之間隙寬度設為300μm(線與間隙L/S=300μm/300μm)之電路，而製作軟性印刷配線板(FPC)，之後，在以下之特定條件對所製作之軟性印刷配線板進行了特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之銅箔截面，對銅箔之板厚×100μm長度之範圍進行觀察，測定距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數；滑動方向設為與試片之長度方向(銅箔之MD)平行之方向；對大小為銅箔之板厚×100μm長度之3個視野進行測定，將3個視野之平均龜裂條數設為距銅箔表面之深度為1μm以上之龜裂之條數；關於龜裂之長度，將從銅箔表面對所拍攝之截面照片之龜裂描繪出之線之長度設為龜裂長度；滑動彎曲試驗之條件如下所述：‧滑動彎曲試驗條件：彎曲半徑：1.5mm，衝程：25mm，彎曲速度：1500次/分鐘，滑動彎曲次數：10000次，L/S=300μm/300μm，滑動彎曲試驗是利用IPC(美國印刷電路工業協會)彎曲試驗裝置進行；該IPC彎曲試驗裝置成為將振動傳輸部件結合於振盪驅動體而成之構造，FPC是以螺絲之部分與振動傳輸部件之前端部之共計4點固定在裝置；當振動傳輸部件上下驅動時，FPC之中間部以特定之曲率半徑r被彎曲成髮夾狀；滑動彎曲試驗是將FPC之存在電路之一側之面作為曲率半徑r之彎 曲內表面來進行。
  33. 如申請專利範圍第32項之覆銅積層板，其中，對上述覆銅積層板進行上述滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂為2條以下。
  34. 一種覆銅積層板，其是將銅箔與以下(A)或(C)之絕緣基材於分別對應上述(A)或(C)之以下(E)或(G)之條件進行貼合而成，且在以下條件對上述覆銅積層板進行特定次數之滑動彎曲試驗後，針對與滑動方向平行之上述銅箔截面，對板厚×100μm長度之範圍進行觀察，距上述銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂為2條以下，(A)氟樹脂，(C)液晶聚合物樹脂，(E)在上述絕緣基材為上述氟樹脂之情況下，壓力為5MPa，加熱溫度與加熱時間為350℃、30分鐘，(G)在上述絕緣基材為液晶聚合物樹脂之情況下，壓力為3.5MPa，加熱溫度與加熱時間為300℃、10分鐘；‧滑動彎曲試驗：在上述銅箔之厚度較12μm薄之情況下，對上述覆銅積層板之上述銅箔進行鍍銅並將上述銅箔與鍍銅層之合計厚度設成12μm，鍍銅之條件如下所述：‧鍍銅條件：鍍敷液組成：銅濃度100g/L，硫酸濃度100g/L， 鍍敷液溫度：50℃，電流密度：0.2A/dm2，在上述銅箔之厚度比12μm厚之情況下，對上述覆銅積層板之上述銅箔進行蝕刻並將銅箔之厚度設成12μm，在上述銅箔之厚度為12μm之情況，不調整銅箔厚度，上述銅箔之厚度或上述銅箔與鍍銅層之合計厚度的測定方法如下，上述銅箔之厚度是基於以下式算出，銅箔厚度(μm)={銅箔樣品之重量(g)}÷{銅箔樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；上述銅箔與上述絕緣基材貼合後之上述銅箔之厚度是基於以下式而算出，在算出上述銅箔與鍍銅層之合計厚度之情況下，將以下式之“銅箔厚度(μm)”替換成“銅箔與鍍銅層之合計厚度(μm)”，將“銅箔”替換成“銅箔與鍍銅層”，並藉由以下式算出，銅箔厚度(μm)={蝕刻前之銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之重量(g)-進行蝕刻而將所有銅箔去除後之絕緣基材之重量(g)}÷{銅箔與絕緣基材之積層體之樣品之面積(cm2)×銅之密度8.94(g/cm3)}×104(μm/cm)；並且，以試片之寬度方向與銅箔之寬度方向(TD)平行，且，試片之長度方向與MD平行之方式，自所獲得之覆銅積層板切出並製作寬度12.7mm且長度200mm之試片；之後，藉由蝕刻，在所獲得之試片之銅箔形成將電路寬度設為300μm、將電路間之間隙寬度設為300μm(線與間隙L/S=300μm/300μm)之電路，而製作軟性印刷配線板(FPC)，之後，在以下之特定條件對所製作之軟性印刷配線板進行了特定次數之滑動彎曲試驗 後，針對與滑動方向平行之銅箔截面，對銅箔之板厚×100μm長度之範圍進行觀察，測定距銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂之條數；滑動方向設為與試片之長度方向(銅箔之MD)平行之方向；對大小為銅箔之板厚×100μm長度之3個視野進行測定，將3個視野之平均龜裂條數設為距銅箔表面之深度為2μm以上之龜裂之條數；關於龜裂之長度，將從銅箔表面對所拍攝之截面照片之龜裂描繪出之線之長度設為龜裂長度；滑動彎曲試驗之條件如下所述：‧滑動彎曲試驗條件：彎曲半徑：1.5mm，衝程：25mm，彎曲速度：1500次/分鐘，滑動彎曲次數：10000次，L/S=300μm/300μm，滑動彎曲試驗是利用IPC(美國印刷電路工業協會)彎曲試驗裝置進行；該IPC彎曲試驗裝置成為將振動傳輸部件結合於振盪驅動體而成之構造，FPC是以螺絲之部分與振動傳輸部件之前端部之共計4點固定在裝置；當振動傳輸部件上下驅動時，FPC之中間部以特定之曲率半徑r被彎曲成髮夾狀；滑動彎曲試驗是將FPC之存在電路之一側之面作為曲率半徑r之彎曲內表面來進行。
  35. 一種印刷配線板之製造方法，其使用申請專利範圍第28至34項中任一項之覆銅積層板來製造印刷配線板。
  36. 一種電子機器之製造方法，其使用申請專利範圍第35項之印刷配線 板製造電子機器。
  37. 一種傳輸線之製造方法，其使用申請專利範圍第28至34項中任一項之覆銅積層板製造在超過1GHz之高頻下使用之傳輸線。
  38. 一種天線之製造方法，其使用申請專利範圍第28至34項中任一項之覆銅積層板製造在超過1GHz之高頻下使用之天線。
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