TWI556951B - Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board - Google Patents

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Description

表面處理銅箔及使用其之積層板
本發明係關於一種表面處理銅箔及使用其之積層板，特別是關於一種適合於要求蝕刻銅箔後之殘部之樹脂之透明性之領域的表面處理銅箔及使用其之積層板。
於智慧型手機或平板PC等小型電子機器中，就配線之容易性或輕量性而言，採用有軟性印刷配線板(以下，FPC)。近年來，隨著該等電子機器之高功能化，訊號傳輸速度向高速化方向發展，對於FPC而言阻抗匹配亦成為重要之要素。作為針對訊號容量增加之阻抗匹配之對策，成為FPC之基底之樹脂絕緣層(例如，聚醯亞胺)向厚層化方向發展。又，根據配線之高密度化要求，FPC之多層化更進一步進展。另一方面，對於FPC會實施向液晶基材之接合或IC晶片之搭載等加工，但此時之位置對準係經由透過於對銅箔與樹脂絕緣層之積層板中之銅箔進行蝕刻後殘留之樹脂絕緣層所視認的定位圖案而進行，因此樹脂絕緣層之視認性變得重要。
又，作為銅箔與樹脂絕緣層之積層板之覆銅積層板亦可使用表面實施有粗化鍍敷之壓延銅箔而製造。該壓延銅箔通常係使用精銅(含氧量100~500重量ppm)或無氧銅(含氧量10重量ppm以下)作為素材，對該等之錠進行熱 軋後，反覆進行冷軋與退火至特定厚度而製造。
作為上述技術，例如專利文獻1中揭示有一種關於覆銅積層板之發明，其係積層聚醯亞胺膜與低粗糙度銅箔而成，且蝕刻銅箔後之膜於波長600nm下之透光率為40%以上，霧度(HAZE)為30%以下，接著強度為500N/m以上。
又，專利文獻2中揭示有一種關於COF用軟性印刷配線板之發明，其係具有積層有由電解銅箔形成之導體層之絕緣層，於對該導體層進行蝕刻而形成電路時之蝕刻區域中絕緣層之透光性為50%以上的薄膜覆晶(COF，chip on film)用軟性印刷配線板，其特徵在於：上述電解銅箔於接著於絕緣層之接著面具備由鎳-鋅合金形成之防銹處理層，且該接著面之表面粗糙度(Rz)為0.05~1.5μm，並且入射角60°下之鏡面光澤度為250以上。
又，專利文獻3中揭示有一種關於印刷電路用銅箔之處理方法之發明，其係印刷電路用銅箔之處理方法，其特徵在於：於銅箔之表面進行利用鍍銅-鈷-鎳合金之粗化處理後，形成鍍鈷-鎳合金層，進而形成鍍鋅-鎳合金層。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2004-98659號公報
[專利文獻2]WO2003/096776
[專利文獻3]日本專利第2849059號公報
專利文獻1中，藉由黑化處理或電鍍處理後之 有機處理劑對接著性進行改良處理而獲得之低粗糙度銅箔於對覆銅積層板要求可撓性之用途中，有因疲勞而斷線之情況，且有樹脂透視性較差之情形。
又，於專利文獻2中未進行粗化處理，於COF用軟性印刷配線板以外之用途中，銅箔與樹脂之密接強度較低而不充分。
進而，於專利文獻3所記載之處理方法中，雖然可對銅箔進行利用Cu-Co-Ni之微細處理，但對於使該銅箔與樹脂接著並利用蝕刻去除該銅箔後之樹脂而言，無法實現優異之透明性。
本發明提供一種利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性優異之表面處理銅箔及使用其之積層板。
本發明者等人反覆進行努力研究，結果著眼於觀察地點-亮度曲線中所繪製之標記端部附近之亮度曲線之斜率，發現對該亮度曲線之斜率進行控制並不受基板樹脂膜之種類或基板樹脂膜之厚度之影響，對將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性產生影響，上述觀察地點-亮度曲線係自將附標記之印刷物置於將經特定表面處理之表面處理銅箔自該處理面側貼合併去除之聚醯亞胺基板的下方，利用CCD攝影機(charge-coupled device camera，電荷耦合元件攝影機)，隔著聚醯亞胺基板對該印刷物進行拍攝所得之該標記部分的圖像而獲得。
基於上述見解而完成之本發明於一側面係一種 表面處理銅箔，其係至少一表面經過表面處理者，且將上述銅箔自經過表面處理之表面側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻將上述兩面之銅箔去除，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下方，利用CCD攝影機，隔著上述聚醯亞胺基板對上述印刷物進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀標記延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自上述標記之端部至未繪製上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
於本發明之表面處理銅箔之一實施形態中，自上述標記之端部至無上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
於本發明之表面處理銅箔之另一實施形態中，於自藉由上述拍攝獲得之圖像製作之觀察地點-亮度曲線中，△B為50以上。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式所定義之Sv為3.9以上。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式所定義之Sv為5.0以上。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述表面處理為粗化處理，上述粗化處理表面之TD(Transverse Direction，橫向方向)之平均粗糙度Rz為0.30~0.80μm，粗化處理表面之MD之60度光澤度為80~350%，
上述粗化粒子之表面積A、與自上述銅箔表面側俯視上述粗化粒子時獲得之面積B之比A/B為1.90~2.40。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述MD之60度光澤度為90~250%。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述TD之平均粗糙度Rz為0.35~0.60μm。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述A/B為2.00~2.20。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F(F=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.80~1.40。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F(F=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.90~1.35。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述經過表面處理之面之表面之均方根高度Rq為0.14~0.63μm。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中， 上述表面處理銅箔之上述表面之均方根高度Rq為0.25~0.60μm。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中， 上述經過表面處理之面之表面之基於JIS B0601-2001之偏斜度Rsk為-0.35~0.53。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中， 上述表面之偏斜度Rsk為-0.30~0.39。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中， 俯視上述經過表面處理之表面時獲得之表面積G、與上述經過表面處理之表面之凸部體積E的比E/G為2.11~23.91。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中， 上述比E/G為2.95~21.42。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中， 上述表面之TD之十點平均粗糙度Rz為0.20~0.64μm。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中， 上述表面之TD之十點平均粗糙度Rz為0.40~0.62μm。
於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中， 上述表面之三維表面積D與上述二維表面積(俯視表面時獲得之表面積)C的比D/C為1.0~1.7。
本發明於又一側面係一種積層板，其係積層本 發明之表面處理銅箔與樹脂基板而構成。
本發明於又一側面係一種印刷配線板，其使用 本發明之表面處理銅箔。
本發明於又一側面係一種電子機器，其使用本 發明之印刷配線板。
本發明於又一側面係一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其係將2個以上本發明之印刷配線板連接進行製造。
本發明於又一側面係一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其包括如下步驟：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接。
本發明於又一側面係一種電子機器，其使用1個以上本發明之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板。
本發明於又一側面係一種印刷配線板之製造方法，其至少包括將本發明之印刷配線板、與零件進行連接之步驟。
本發明於又一側面係一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其至少包括：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接之步驟；及將本發明之印刷配線板或本發明之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板、與零件進行連接之步驟。
本發明於又一側面係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板、與設置於上述絕緣基板上之銅電路者，且於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自上述銅電路 之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，將頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
本發明於又一側面係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板、與設置於上述絕緣基板上之銅箔者，且藉由蝕刻將上述覆銅積層板之上述銅箔製成線狀之銅箔後，利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，將頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
根據本發明，可提供一種利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性優異之表面處理銅箔及使用其之積層板。
圖1係定義Bt及Bb之模式圖。
圖2係定義t1及t2及Sv之模式圖。
圖3係表示亮度曲線之斜率評價時之攝影裝置之構成及亮度曲線之斜率之測定方法的模式圖。
圖4a係Rz評價時之實驗例B3-1之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4b係Rz評價時之實驗例A3-1之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4c係Rz評價時之實驗例A3-2之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4d係Rz評價時之實驗例A3-3之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4e係Rz評價時之實驗例A3-4之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4f係Rz評價時之實驗例A3-5之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4g係Rz評價時之實驗例A3-6之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4h係Rz評價時之實驗例A3-7之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4i係Rz評價時之實驗例A3-8之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4j係Rz評價時之實驗例A3-9之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖4k係Rz評價時之實驗例B4-2之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖41係Rz評價時之實驗例B4-3之銅箔表面之SEM觀察照片。
圖5係表示銅箔表面之偏斜度Rsk為正負之各情形時銅箔蝕刻後之聚醯亞胺(PI)之表面形態的模式圖。
圖6係實施例所使用之夾雜物之外觀照片。
圖7係實施例所使用之夾雜物之外觀照片。
[表面處理銅箔之形態及製造方法]
於本發明中使用之銅箔適合於用以與樹脂基板接著而製作積層體，並藉由蝕刻而去除之銅箔。
於本發明中使用之銅箔亦可為電解銅箔或壓延銅箔中之任一種。通常以提高積層後之銅箔之剝離強度為目的，亦可對銅箔之與樹脂基板接著之面，即表面處理側之表面，實施對脫脂後之銅箔表面進行疙瘩狀之電鍍之粗化處理。電解銅箔於製造時具有凹凸，但藉由粗化處理，可使電解銅箔之凸部增大而使凹凸進一步變大。於本發明中，該粗化處理可藉由鍍銅-鈷-鎳合金或鍍銅-鎳-磷合金、鍍鎳-鋅合金等鍍合金而進行。又，較佳為可藉由鍍銅合金而進行。作為鍍銅合金浴， 例如較佳為使用含有銅與1種以上之銅以外之元素之鍍浴，更佳為含有銅與選自由鈷、鎳、砷、鎢、鉻、鋅、磷、錳及鉬所組成之群中之任一種以上之鍍浴。又，於本發明中，使該粗化處理之電流密度高於先前粗化處理之電流密度，而縮短粗化處理時間。有時進行通常之鍍銅等作為粗化前之預處理，有時亦為了防止電鍍物之脫落而進行通常之鍍銅等作為粗化後之最終加工處理。
再者，於本申請案發明之壓延銅箔亦包括含有1種以上之Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V等元素之銅合金箔。若上述元素之濃度變高(例如合計為10質量%以上)，則有導電率降低之情形。壓延銅箔之導電率較佳為50%IACS以上，更佳為60%IACS以上，進而較佳為80%IACS以上。上述銅合金箔亦可含有銅以外之元素合計為0mass%以上且50mass%以下，亦可含有0.0001mass%以上且40mass%以下，亦可含有0.0005mass%以上且30mass%以下，亦可含有0.001mass%以上且20mass%以下。
於本發明中使用之銅箔亦可於進行粗化處理後，或省略粗化處理，將耐熱電鍍層(耐熱層)或防銹電鍍層(防銹層)或耐候性層設置於表面。可使用利用下述條件之鍍Ni浴(1)或鍍Ni-Zn浴(2)之電鍍處理作為省略粗化處理，而將耐熱電鍍層或防銹電鍍層設置於表面之處理。
(鍍Ni浴(1))
．液組成：Ni 20~30g/L
．pH值：2~3
．電流密度：6~7A/dm2
．浴溫：35~45℃
．庫倫量：1.2~8.4As/dm2
．電鍍時間：0.2~1.2秒
(鍍Ni-Zn浴(2))
．液組成：鎳20~30g/L、鋅0.5~2.5g/L
．pH值：2~3
．電流密度：6~7A/dm2
．浴溫：35~45℃
．庫倫量：1.2~8.4As/dm2
．電鍍時間：0.2~1.2秒
再者，於省略粗化處理，藉由電鍍(正常電鍍，並非粗化鍍敷之電鍍)將耐熱層或防銹層設置於銅箔之情形時，必需使該電鍍之電流密度高於先前，且使電鍍時間短於先前。
再者，於本發明中使用之銅箔之厚度無需特別限定，例如為1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上，且例如為3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下。
又，將用於本申請案發明之電解銅箔之製造條件示於以下。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(三磺丙基)二硫化物)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
就上述之胺化合物而言，可使用以下之化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2為選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群中者)。
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
作為粗化處理之鍍銅-鈷-鎳合金可以藉由電解電鍍，形成如附著量為15~40mg/dm2之銅-100~3000μg/dm2之鈷-50~1500μg/dm2之鎳的三元合金層之方式實施，較佳為以形成如附著量為15~40mg/dm2之銅-100~3000μg/dm2之鈷-100~1500μg/dm2之鎳之三元合金層之方式實施。若Co附著量未達100μg/dm2，則有耐熱性變差，蝕刻性變差之情況。若Co附著量超過3000μg/dm2，則有於必需考慮磁性之影響之情形時欠佳，且蝕刻斑產生，又，耐酸性及耐化學品 性變差之情況。若Ni附著量未達50μg/dm2，則有耐熱性變差之情況。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm2，則有蝕刻殘留物變多之情況。Co附著量較佳為1000~2500μg/dm2，鎳附著量較佳為500~1200μg/dm2。此處，所謂蝕刻斑意指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留之情況，又，所謂蝕刻殘留物意指於利用氯化銨進行鹼性蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留之情況。
用以形成上述三元系鍍銅-鈷-鎳合金之鍍浴及電鍍條件係如下所述：鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：25~50A/dm2
電鍍時間：0.2~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔係於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理。藉由於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理，而於銅箔表面形成比先前細微之粗化粒子。再者，於上述範圍之較高設定電鍍之電流密度之情形時，必需上述範圍之較低設定電鍍時間。
又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-磷合金之條件示於以下。
鍍浴組成：Cu 10~50g/L、Ni 3~20g/L、P 1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~40℃
電流密度Dk：30~50A/dm2
電鍍時間：0.2~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔係於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理。藉由於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理，而於銅箔表面形成比先前細微之粗化粒子。再者，於上述範圍之較高設定電鍍之電流密度之情形時，必需上述範圍之較低設定電鍍時間。
又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-鈷-鎢合金之條件示於以下。
鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Co 5~20g/L、W 1~10g/L
pH值：1~5
溫度：30~50℃
電流密度Dk：30~50A/dm2
電鍍時間：0.2~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔係於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理。藉由於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理，而於銅箔表面形成比先前細微之粗化粒子。再者，於上述範圍之較高設定電鍍之電流密度之情形時，必需上述範圍之較低設定電鍍時間。
又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-鉬-磷合金之條件示於以下。
鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Mo 1~10g/L、 P 1~10g/L
pH值：1~5
溫度：30~50℃
電流密度Dk：30~50A/dm2
電鍍時間：0.2~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔係於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理。藉由於使電鍍時間短於先前，且使電流密度高於先前之條件下進行粗化處理，而於銅箔表面形成比先前細微之粗化粒子。再者，於上述範圍之較高設定電鍍之電流密度之情形時，必需上述範圍之較低設定電鍍時間。
粗化處理後，可於粗化面上形成附著量為200~3000μg/dm2之鈷-100~700μg/dm2之鎳之鍍鈷-鎳合金層。該處理在廣義上可看作一種防銹處理。該鍍鈷-鎳合金層必需進行至不使銅箔與基板之接著強度實質性下降之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2，則有耐熱剝離強度下降，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。又，作為另一原因，若鈷量較少，則處理表面發紅，故而欠佳。若鈷附著量超過3000μg/dm2，則於必需考慮磁性之影響之情形時欠佳，且有蝕刻斑產生之情形，又，有耐酸性及耐化學品性變差之情況。鈷附著量較佳為500~2500μg/dm2。另一方面，若鎳附著量未達100μg/dm2，則有耐熱剝離強度下降，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。若鎳超過1300μg/dm2，則鹼性蝕刻性變差。鎳附著量較佳為200~1200μg/dm2。
又，鍍鈷-鎳合金之條件係如下所述： 鍍浴組成：Co 1~20g/L、Ni 1~20g/L
pH值：1.5~3.5
溫度：30~80℃
電流密度Dk：1.0~20.0A/dm2
電鍍時間：0.5~4秒
依據本發明，於鍍鈷-鎳合金後進而形成附著量為30~250μg/dm2之鍍鋅層。若鋅附著量未達30μg/dm2，則有耐熱劣化率改善效果消失之情況。另一方面，若鋅附著量超過250μg/dm2，則有耐鹽酸劣化率極端變差之情況。鋅附著量較佳為30~240μg/dm2，更佳為80~220μg/dm2。
上述鍍鋅之條件係如下所述：鍍浴組成：Zn 100~300g/L
pH值：3~4
溫度：50~60℃
電流密度Dk：0.1~0.5A/dm2
電鍍時間：1~3秒
再者，亦可形成鍍鋅-鎳合金等鍍鋅合金層代替鍍鋅層，進而亦可於最表面藉由鉻酸鹽處理或矽烷偶合劑之塗佈等形成防銹層。
本發明之表面處理銅箔亦可設為如下構成：表面處理為粗化處理，粗化處理表面之TD(Transverse Direction，橫向方向)之平均粗糙度Rz為0.30~0.80μm，粗化處理表面之MD(Machine direction，縱向方向)之60度光澤度為80~350%，且粗化粒子之表面積A、與自銅箔表面側俯視粗化粒子時獲得之面積B的比A/B為1.90~2.40。 於以下，對上述構成之銅箔中之上述表面粗糙度Rz(1)、光澤度(2)、粒子之表面積比(3)進行說明。
(1)表面粗糙度Rz
上述構成中之表面處理銅箔較佳為藉由粗化處理而於銅箔表面形成粗化粒子，且粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm。藉由上述構成，剝離強度變高，與樹脂良好地接著，且利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性變高。其結果，經由透過該樹脂所視認之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變得更容易。若TD之平均粗糙度Rz未達0.20μm，則有產生用以製作超平滑表面之製造成本之顧慮之虞。另一方面，若TD之平均粗糙度Rz超過0.80μm，則有利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸變大之虞，其結果有樹脂之透明性變不良之問題產生之虞。粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz更佳為0.30~0.70μm，進而更佳為0.35~0.60μm，進而更佳為0.35~0.55μm，進而更佳為0.35~0.50μm。再者，於必需使Rz變小之用途中使用本發明之表面處理銅箔之情形時，本發明之表面處理銅箔之粗化處理表面之TD的平均粗糙度Rz較佳為0.20~0.70μm，更佳為0.25~0.60μm，進而更佳為0.30~0.60μm，進而更佳為0.30~0.55μm，進而更佳為0.30~0.50μm。
再者，於本發明之表面處理銅箔中，所謂「粗化處理表面」係指粗化處理後，進行用以設置耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理之情形時，進行該表面處理後之表面處理銅箔之表面。
(2)光澤度
表面處理銅箔之經表面處理側之表面(例如粗化面)之壓延方向(MD)之於入射角60度下的光澤度對上述樹脂之透明性造成較大影響。即，越是經表面處理側之表面(例如粗化面)之光澤度較大之銅箔，上述樹脂之透明性變得越良好。因此，上述構成中之表面處理銅箔之經表面處理側之表面的光澤度較佳為76~350%，較佳為80~350%，更佳為90~300%，進而更佳為90~250%，進而更佳為100~250%。
再者，藉由控制表面處理前之銅箔之MD之光澤度與TD之表面粗糙度Rz，可控制本發明之Sv、△B。又，藉由控制表面處理前之銅箔之TD之光澤度與TD之表面粗糙度Rz，可分別控制本發明之Sv、Rsk、Rq及比E/G。
具體而言，表面處理前之銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)為0.30~0.80μm，較佳為0.30~0.50μm，壓延方向(MD)之於入射角60度下之光澤度為350~800%，較佳為500~800%，若進而使電流密度高於先前之粗化處理，且使粗化處理時間縮短，則進行表面處理後之表面處理銅箔之壓延方向(MD)之於入射角60度下的光澤度成為90~350%。又，可將Sv與△B控制為特定之值。作為此種銅箔，係藉由調整輥軋油之油膜當量進行壓延(高光澤壓延)而製作、或者藉由如化學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而製作。如上述般，將處理前之銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)與MD之光澤度設為上述範圍，藉此可容易地控制處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)及表面積、Sv、△B。再者，於欲使表面處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)變得更小(例如Rz=0.20μm)之情形時，將表面處理前之銅箔之處理側表面 之TD的粗糙度(Rz)設為0.18~0.80μm，較佳為0.25~0.50μm，且將壓延方向(MD)之於入射角60度下之光澤度設為350~800%，較佳為500~800%，進而使電流密度高於先前之粗化處理，而縮短粗化處理時間。
又，粗化處理前之銅箔之MD之60度光澤度較佳為500~800%，更佳為501~800%，進而更佳為510~750%。若粗化處理前之銅箔之MD之60度光澤度未達500%，則有與上述光澤度為500%以上之情形相比，上述樹脂之透明性變不良之虞，若超過800%，則有難以進行製造之問題產生之虞。
再者，高光澤壓延可藉由將下式所規定之油膜當量設為13000~24000以下而進行。再者，於欲使表面處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)變得更小(例如Rz=0.20μm)之情形時，藉由將下式所規定之油膜當量設為12000以上且24000以下而進行高光澤壓延。
油膜當量={(輥軋油黏度[cSt])×(穿過速度[mpm]+輥周邊速度[mpm])}/{(輥之咬角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
輥軋油黏度[cSt]係於40℃下之動黏度。
為了將油膜當量設為12000~24000，只要使用如下公知之方法即可，即使用低黏度之輥軋油，或使穿過速度變慢等。
化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等蝕刻液，使濃度低於通常之濃度，耗費長時間進行。
再者，上述控制方法於省略粗化處理，藉由電鍍(正常電鍍，並非粗化鍍敷之電鍍)將耐熱層或防銹層設置於銅箔之情形時亦相同。
處理表面、例如粗化處理表面之MD之60度光 澤度與TD之60度光澤度的比F(F=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))較佳為0.80~1.40。若粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F未達0.80，則有與該比F為0.80以上之情形相比，樹脂之透明性降低之虞。又，若該比F超過1.40，則有與該比F為1.40以下之情形相比，樹脂之透明性降低之虞。該比F更佳為0.90~1.35，進而更佳為1.00~1.30。
(3)粒子之表面積比
粗化粒子之表面積A、與自銅箔表面側俯視粗化粒子時獲得之面積B之比A/B對上述樹脂之透明性造成較大影響。即，若表面粗糙度Rz相同，則越是比A/B較小之銅箔，上述樹脂之透明性變得越良好。因此，上述構成中之表面處理銅箔之該比A/B較佳為1.90~2.40，更佳為2.00~2.20。
藉由控制粒子形成時之電流密度與電鍍時間， 從而粒子之形態或形成密度固定，而可控制上述表面粗糙度Rz、光澤度及粒子之面積比A/B。
如上所述，可將粗化粒子之表面積A、與自銅 箔表面側俯視粗化粒子時獲得之面積B之比A/B控制為1.90~2.40，而使表面之凹凸變大，可將粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz控制為0.30~0.80μm，而使表面沒有極端粗糙之部分，另一方面，可使粗化處理表面之光澤度變高為80~350%。藉由進行上述控制，可使本發明之表面處理銅箔中，粗化處理表面中之粗化粒子之粒徑變小。該粗化粒子之粒徑雖對將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性產生影響，但上述控制 意味著使粗化粒子之粒徑於適當範圍內變小，因此，將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性變得更為良好，並且剝離強度亦變得更為良好。
如上所述，可將粗化粒子之表面積A、與自銅 箔表面側俯視粗化粒子時獲得之面積B之比A/B控制為1.90~2.40，而使表面之凹凸變大，可將粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz控制為0.30~0.80μm，而使表面沒有極端粗糙之部分，另一方面，可使粗化處理表面之光澤度變高為80~350%。藉由進行上述控制，可使本發明之表面處理銅箔中，粗化處理表面中之粗化粒子之粒徑變小。該粗化粒子之粒徑雖對將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性產生影響，但上述控制意味著使粗化粒子之粒徑於適當範圍內變小，因此，將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性變得更為良好，並且剝離強度亦變得更為良好。
[銅箔表面之均方根高度Rq]
本發明之表面處理銅箔較佳為將至少一表面之均方根高度Rq控制為0.14~0.63μm。藉由上述構成，剝離強度變高，與樹脂良好地接著，且利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性變高。其結果，經由透過該樹脂所視認之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變容易。若均方根高度Rq未達0.14μm，則產生如下問題：銅箔表面之粗化處理變得不充分，而無法與樹脂充分地接著。另一方面，若均方根高度Rq超過0.63μm，則利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸變大，其結果樹脂之透明性變不良之問題產生。粗化處理表面之均方根高度Rq更佳為0.25~0.60μm，進而更佳為0.32~0.56μm。
此處，表面之均方根高度Rq係表示依據JIS B 0601(2001)之利用非接觸式粗糙度計之表面粗糙度測定中之凹凸程度的指標，且以下述式表示，係基準長度lr中之山之高度Z(x)的均方根，即表面粗糙度之Z軸方向之凹凸(山)高度。
基準長度lr中之山之高度之均方根高度Rq：√{(1/lr)×ʃZ2(x)dx(其中，積分為自0至lr之累計值)}
再者，於表面處理為無粗化之情形時，如上述般，以電鍍皮膜上無法形成凹凸之方式以低電流密度進行處理，又，於進行粗化處理之情形時，藉由設為高電流密度而使粗化粒子小型化，且以短時間進行電鍍，藉此，可進行粗糙度較小之表面處理，藉此控制表面之均方根高度Rq。
[銅箔表面之偏斜度Rsk]
偏斜度Rsk係表示藉由均方根高度Rq之立方而無量綱化之基準長度中之Z(x)立方平均者。
均方根高度Rq係表示依據JIS B 0601(2001)之利用非接觸式粗糙度計之表面粗糙度測定中之凹凸程度的指標，且以下述(A)式表示，係基準長度lr中之山之高度Z(x)的均方根，即表面粗糙度之Z軸方向之凹凸(山)高度。
基準長度lr中之山之高度之均方根高度Rq：
偏斜度Rsk係使用均方根高度Rq，且以下述(B)式表示。
[數2]
銅箔表面之偏斜度Rsk係表示以銅箔表面之凹凸面之平均面為中心時之銅箔表面之凹凸的對象性之指標。如圖5所示，若Rsk<0，則可謂高度分佈相對於平均面偏向上側，若Rsk>0，則可謂高度分佈相對於平均面偏向下側。於向上側之偏向較大時，將銅箔貼附於聚醯亞胺(PI)後進行蝕刻去除之情形時，PI表面成為凹形態，若自光源照射光，則於PI內部之漫反射變大。於向下側之偏向較大時，將銅箔貼附於聚醯亞胺(PI)後進行蝕刻去除之情形時，PI表面成為凸形態，若自光源照射光，則於PI表面之漫反射變大。
本發明之表面處理銅箔較佳為將至少一表面之偏斜度Rsk控制為-0.35~0.53。藉由上述構成，剝離強度變高，與樹脂良好地接著，且利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性變高。其結果，經由透過該樹脂所視認之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變容易。若偏斜度Rsk未達-0.35，則產生如下問題：銅箔表面之粗化處理等表面處理變得不充分，而無法與樹脂充分地接著。另一方面，若偏斜度Rsk超過0.53，則利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸變大，其結果樹脂之透明性變不良之問題產生。經表面處理之銅箔表面之偏斜度Rsk較佳為-0.30以上，較佳為-0.20以上，且較佳為-0.10以下。又，經表面處理之銅箔表面之偏斜度Rsk較佳為0.15以上，較佳為0.20以上，且較佳為0.50以下，較佳為0.45以下，較佳為0.40以下，進而更佳為0.39以下。又，經表面處理之銅箔表面之偏斜度Rsk較佳為-0.30以上，且較佳為 0.50以下，更佳為0.39以下。
再者，於表面處理為無粗化之情形時，如上述般，以電鍍皮膜上無法形成凹凸之方式以低電流密度進行處理，又，於進行粗化處理之情形時，藉由設為高電流密度而使粗化粒子小型化，且以短時間進行電鍍，藉此，可進行粗糙度較小之表面處理，藉此控制表面之偏斜度Rsk。
[銅箔表面之表面積G與凸部體積E之比E/G) 本發明之表面處理銅箔較佳為將至少一表面中，俯視上述表面時獲得之表面積G、與上述表面之凸部體積E之比E/G控制為2.11~23.91。藉由上述構成，剝離強度變高，與樹脂良好地接著，且利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性變高。 其結果，經由透過該樹脂所視認之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變容易。若比E/G未達2.11μm，則產生如下問題：銅箔表面之粗化處理變得不充分，而無法與樹脂充分地接著。另一方面，若比E/G超過23.91μm，則利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸變大，其結果樹脂之透明性變不良之問題產生。比E/G更佳為2.95~21.42μm，進而更佳為10.54~13.30μm。
此處，所謂「俯視表面時獲得之表面積G」係以一定高度(閥值)為基準，成為山之部分、或成為谷之部分之表面積的合計。
又，所謂「表面之凸部體積E」係以一定高度(閥值)為基準，成為山之部分、或成為谷之部分之體積的合計。
再者，表面之表面積G與凸部體積E之比E/G之控制係藉由如上述般調整粗化粒子之電流密度與電鍍時間而進行。 若以高電流密度進行電鍍處理，則可獲得較小之粗化粒子，若以低電流密度進行電鍍處理，則可獲得較大之粗化粒子。 於該等條件下形成之粒子之個數係根據電鍍處理時間而定，因此凸部體積E係由電流密度與電鍍時間之組合而決定。
[銅箔表面之平均粗糙度Rz]
本發明之表面處理銅箔可為未經粗化處理銅箔，亦可為形成有粗化粒子之粗化處理銅箔，粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz較佳為0.20~0.64μm。藉由上述構成，剝離強度變得更高，與樹脂良好地接著，且利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性變得更高。其結果，經由透過該樹脂所視認之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變得更容易。若TD之平均粗糙度Rz未達0.20μm，則有銅箔表面之粗化處理不充分之虞，而有產生無法與樹脂充分接著之問題之虞。另一方面，若TD之平均粗糙度Rz超過0.64μm，則有利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸變大之虞，其結果有樹脂之透明性變不良之問題產生之虞。處理表面之TD之平均粗糙度Rz更佳為0.40~0.62μm，進而更佳為0.46~0.55μm。
為了達成本發明之視認性之效果，而控制表面處理前之銅箔之處理側表面之TD的粗糙度(Rz)及光澤度。具體而言，將表面處理前之銅箔之TD(垂直於壓延方向之方向(銅箔之寬度方向)，於電解銅箔時，為垂直於電解銅箔製造裝置中之銅箔之前進方向之方向)之表面粗糙度(Rz)設為0.20~0.55μm，較佳為設為0.20~0.42μm。作為此種銅箔，係藉由調整輥軋油之油膜當量進行壓延(高光澤壓延)或調整壓延輥之表面粗糙度進行壓延而製作，或者藉由如化 學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而製作。如上述般，將處理前之銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)設為上述範圍，將處理前之銅箔之TD之光澤度設為下述範圍，藉此可控制處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)、表面積、Sv、Rq、Rsk、銅箔表面之表面積G與凸部體積E的比E/G。
又，表面處理前之銅箔之TD之60度光澤度為400~710%，較佳為500~710%。若表面處理前之銅箔之MD之60度光澤度未達400%，則有與上述光澤度為400%以上之情形相比，上述樹脂之透明性變不良之虞，若超過710%，則有難以進行製造之問題產生之虞。
再者，高光澤壓延可藉由將下式所規定之油膜當量設為13000~24000以下而進行。
油膜當量={(輥軋油黏度[cSt])×(穿過速度[mpm]+輥周邊速度[mpm])}/{(輥之咬角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
輥軋油黏度[cSt]係於40℃下之動黏度。
為了將油膜當量設為13000~24000，只要使用如下公知之方法即可，即使用低黏度之輥軋油，或使穿過速度變慢等。
壓延輥之表面粗糙度例如以算術平均粗糙度Ra(JIS B0601)計可設為0.01~0.25μm。於壓延輥之算術平均粗糙度Ra之值較大之情形時，有表面處理前之銅箔之表面之TD的粗糙度(Rz)變大，表面處理前之銅箔之表面之TD的60度光澤度變低之傾向。又，於壓延輥之算術平均粗糙度Ra之值較小之情形時，有表面處理前之銅箔之表面之TD的粗糙度(Rz)變小，表面處理前之銅箔之表面之TD的60度光澤度變 高之傾向。
化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等蝕刻液，使濃度低於通常之濃度，耗費長時間進行。
[亮度曲線之斜率]
關於本發明之表面處理銅箔，於貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下方，利用CCD攝影機，隔著上述聚醯亞胺基板對印刷物進行拍攝時，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之線狀標記延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自標記之端部至未繪製標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點設為t2時，(1)式所定義之Sv為3.5以上。
Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
再者，於上述觀察地點-亮度曲線中，橫軸表示位置資訊(像素×0.1)，縱軸表示亮度(灰階)之值。
此處，針對「亮度曲線之頂部平均值Bt」、「亮度曲線之底部平均值Bb」、及下述之「t1」、「t2」、「Sv」，使用圖進行說明。
於圖1(a)及圖1(b)中表示對將標記之寬度設為約0.3mm之情形之Bt及Bb進行定義的模式圖。將標記之寬度設為 約0.3mm之情形時，有如圖1(a)所示般成為V型之亮度曲線之情形、與如圖1(b)所示般成為具有底部之亮度曲線之情形。「亮度曲線之頂部平均值Bt」於任一種情形時均表示自距離標記之兩側之端部位置50μm之位置以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值。另一方面，「亮度曲線之底部平均值Bb」於亮度曲線如圖1(a)所示般成為V型之情形時，表示該V字之谷之尖端部中之亮度的最低值，於圖1(b)之具有底部之情形時，表示約0.3mm之中心部之值。再者，標記之寬度亦可設為0.2mm、0.16mm、0.1mm左右。進而，「亮度曲線之頂部平均值Bt」亦可設為自距離標記之兩側之端部位置100μm之位置、300μm之位置、或500μm之位置，分別以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值。
於圖2中表示定義t1及t2及Sv之模式圖。「t1(像素×0.1)」表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點以及表示該交點之位置的值(上述觀察地點-亮度曲線之橫軸之值)。「t2(像素×0.1)」表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點以及表示該交點之位置的值(上述觀察地點-亮度曲線之橫軸之值)。此時，關於將t1及t2連接之線所示之亮度曲線之斜率，以利用y軸方向0.1△B、x軸方向(t1-t2)進行計算之Sv(灰階/像素×0.1)進行定義。 再者，橫軸之1像素相當於10μm長度。又，Sv係測定標記之兩側，採用較小值。進而，於亮度曲線之形狀不穩定，且上述「亮度曲線與Bt之交點」存在複數個之情形時，採用最 接近標記之交點。
於CCD攝影機所拍攝之上述圖像中，於未附標記之部分中成為較高亮度，但一到達標記端部，亮度就降低。若聚醯亞胺基板之視認性良好，則明確觀察到此種亮度之降低狀態。另一方面，若聚醯亞胺基板之視認性不良，則亮度於標記端部附近並非一下子自「高」向「低」急速降低，而是降低之狀態變平緩，從而亮度之降低狀態變得不明確。
本發明係基於上述見解，而控制於觀察地點-亮度曲線中所繪製之標記端部附近之亮度曲線之斜率，該觀察地點-亮度曲線中所繪製之標記端部附近之亮度曲線之斜率係自將附標記之印刷物置於將本發明之表面處理銅箔貼合併去除之聚醯亞胺基板的下方，利用CCD攝影機，隔著聚醯亞胺基板進行拍攝所得之上述標記部分的圖像而獲得。更詳細而言，將亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，且於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值(上述觀察地點-亮度曲線之橫軸之值)設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值(上述觀察地點-亮度曲線之橫軸之值)設為t2時，上述(1)式所定義之Sv為3.5以上。根據上述構成，利用CCD攝影機之隔著聚醯亞胺之標記之識別力提高，並不受基板樹脂之種類或厚度之影響。因此，可製作視認性優異之聚醯亞胺基板，而於電子基板製造步驟等中對聚醯亞胺基板進行特定處理之情形時利用標記之定位精度提高，藉此，可獲得良率提高等 效果。Sv較佳為3.9以上，更佳為4.5以上，進而更佳為5.0以、上，進而更佳為5.5以上。Sv之上限無需特別限定，例如為70以下、30以下、15以下、10以下。根據上述構成，標記與並非標記之部分之交界變得更為明確，定位精度提高，利用標記圖像辨識之誤差變少，而可更準確地進行位置對準。
[銅箔表面之面積比]
銅箔之表面處理側之表面之三維表面積D與二維表面積C之比D/C對上述樹脂之透明性造成較大影響。即，若表面粗糙度Rz相同，則越是比D/C較小之銅箔，上述樹脂之透明性變得越良好。因此，本發明之表面處理銅箔之該比D/C較佳為1.0~1.7，更佳為1.0~1.6。此處，表面處理側之表面之三維表面積D與二維表面積C之比D/C例如於對該表面進行有粗化處理之情形時，亦可稱為粗化粒子之表面積D、與自銅箔表面側俯視銅箔時獲得之面積C的比D/C。
藉由於粗化粒子形成時等表面處理時控制表面 處理之電流密度與電鍍時間，從而表面處理後之銅箔之表面狀態或粗化粒子之形態或形成密度固定，而可控制上述表面粗糙度Rz、光澤度及銅箔表面之面積比D/C、Sv、△B、Rq、Rsk、銅箔表面之表面積G與凸部體積E之比E/G。
[蝕刻因子]
於使用銅箔形成電路時之蝕刻因子之值較大之情形時，於蝕刻時產生之電路之底部之裙狀底部變小，因此可使電路間之空間變窄。因此，蝕刻因子之值較大者適合利用精細圖案之電路形成，故而較佳。關於本發明之表面處理銅箔，例如蝕刻因子之值較佳為1.8以上，較佳為2.0以上，較佳為2.2 以上，較佳為2.3以上，更佳為2.4以上。
再者，於印刷配線板或覆銅積層板中，可藉由使樹脂溶解並去除，而針對銅電路或銅箔表面測定上述之粒子之面積比(A/B)、光澤度、表面粗糙度Rz、Sv、△B、Rq、Rsk、銅箔表面之表面積G與凸部體積E之比E/G。
[傳輸損耗]
於傳輸損耗較小之情形時，以高頻進行訊號傳輸時之訊號之衰減得到抑制，因此於以高頻進行訊號傳輸之電路中可進行穩定之訊號之傳輸。因此，傳輸損耗之值較小者適合用於以高頻進行訊號傳輸之電路用途，故而較佳。於將表面處理銅箔與市售之液晶聚合物樹脂(Kuraray(股)製造之Vecstar CTZ-50μm)貼合後，利用蝕刻以特性阻抗成為50Ω之方式形成微波傳輸帶線路，使用HP公司製造之網路分析儀HP8720C測定透過係數，而求出於頻率20GHz下之傳輸損耗的情形時，頻率20GHz下之傳輸損耗較佳為未達5.0dB/10cm，更佳為未達4.1dB/10cm，進而更佳為未達3.7dB/10cm。
可將本發明之表面處理銅箔自表面處理面側貼 合於樹脂基板而製造積層體。樹脂基板只要為具有可應用於印刷配線板等之特性者，則不受特別限制，例如於剛性PWB用中可使用紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，於FPC用中可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP，liquid crystal polymer)膜、鐵氟龍(註冊商標)膜等。
於剛性PWB用之情形時，貼合之方法可藉由準 備預浸體，將銅箔自被覆層之相反側之面重疊於預浸體並進行加熱加壓而進行，上述預浸體係使樹脂含浸於玻璃布等基材中，使樹脂硬化至半硬化狀態而成者。於FPC之情形時，經由接著劑、或不使用接著劑於高溫高壓下將聚醯亞胺膜等基材積層接著於銅箔、或者將聚醯亞胺前驅物進行塗佈、乾燥、硬化等，藉此可製造積層板。
聚醯亞胺基材樹脂之厚度並不受特別限制，通常可列舉：25μm或50μm。
本發明之積層體可用於各種印刷配線板 (PWB)，並無特別限制，例如就導體圖案之層數之觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料之種類之觀點而言，可應用於剛性PWB、軟性PWB(FPC)、剛性-彈性PWB。
(積層板及使用其之印刷配線板之定位方法)
對本發明之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之定位方法進行說明。首先，準備表面處理銅箔與樹脂基板之積層板。 作為本發明之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之具體例，可列舉：於由本體基板與附屬之電路基板、與用以將該等電性連接之於聚醯亞胺等樹脂基板之至少一表面形成有銅配線之軟性印刷基板構成之電子機器中，準確地將軟性印刷基板進行定位，並壓接於該本體基板及附屬之電路基板之配線端部而製作之積層板。即，若為該情形，則積層板成為藉由壓接而將軟性印刷基板及本體基板之配線端部貼合之積層體、或藉由壓接而將軟性印刷基板及電路基板之配線端部貼合之積層板。積層板具有由該銅配線之一部分或其他材料形成之 標記。關於標記之位置，只要為利用CCD攝影機等拍攝手段隔著構成該積層板之樹脂可進行拍攝之位置，則無特別限定。
於以上述方式準備之積層板中，若利用拍攝手 段，隔著樹脂對上述標記進行拍攝，則可良好地檢測出上述標記之位置。然後，以上述方式檢測出上述標記之位置，而可基於上述被檢測出之標記之位置，良好地進行表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之定位。又，於使用印刷配線板作為積層板之情形時，亦同樣地，藉由上述定位方法，拍攝手段可良好地檢測出標記之位置，而可更為準確地進行印刷配線板之定位。
因此，可認為於將一個印刷配線板與另一個印 刷配線板進行連接時，連接不良減少，良率提高。再者，作為將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接之方法，可使用經由焊接或異向性導電膜(Anisotropic Conductive Film、ACF)之連接、經由異向性導電漿料(Anisotropic Conductive Paste，ACP)之連接、或經由具有導電性之接著劑之連接等公知之連接方法。再者，於本發明中，「印刷配線板」亦包括安裝有零件之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。又，可將本發明之印刷配線板2個以上進行連接，而製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板，又，可將本發明之印刷配線板至少1個、與另一個本發明之印刷配線板或不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接，亦可使用上述印刷配線板製造電子機器。再者，於本發明中，「銅電路」亦包括銅配線。進而，亦可將本發明之印刷配線板與零件連接而製造印刷配線板。又，將本發明之印刷配線板至 少1個、與另一個本發明之印刷配線板或不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接，進而，將本發明之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板與零件進行連接，藉此亦可製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板。此處，作為「零件」，可列舉：連接器或LCD(Liquid Cristal Display，液晶顯示器)、用於LCD之玻璃基板等電子零件、含有IC(Integrated Circuit，積體電路)、LSI(Large scale integrated circuit，大規模積體電路)、VLSI(Very Large scale integrated circuit，超大型積體電路)、ULSI(Ultra-Large Scale Integrated circuit，特大規模積體電路)等半導體積體電路之電子零件(例如IC晶片、LSI晶片、VLSI晶片、ULSI晶片)、用以遮避電子電路之零件及為了將外罩等固定於印刷配線板所必需之零件等。
再者，本發明之實施形態之定位方法亦可包含 使積層板(包括銅箔與樹脂基板之積層板或印刷配線板)移動之步驟。於移動步驟中，例如可藉由帶式輸送機或鏈式輸送機等輸送機使積層板移動，亦可藉由具備臂機構之移動裝置使積層板移動，亦可利用藉由使用氣體使積層板懸浮而使之移動之移動裝置或移動手段使積層板移動、亦可藉由使大致圓筒形等者旋轉而使積層板移動之移動裝置或移動手段(包括輥或軸承等)、以油壓為動力源之移動裝置或移動手段、以空氣壓為動力源之移動裝置或移動手段、以馬達為動力源之移動裝置或移動手段、支架移動型線性導軌台、支架移動型空氣導軌台、堆疊型線性導軌台、線性馬達駆動台等具有台之移動裝置或移動手段等使積層板移動。又，亦可進 行利用公知之移動手段之移動步驟。
再者，本發明之實施形態之定位方法亦可用於表面安裝機或晶片貼片機。
又，於本發明中，所定位之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板亦可為具有樹脂板及設置於上述樹脂板上之電路的印刷配線板。又，於該情形時，上述標記亦可為上述電路。
於本發明中，所謂「定位」包括「檢測標記或 物之位置」。又，於本發明中，所謂「位置對準」包括「於檢測標記或物之位置後，基於上述檢測出之位置，使該標記或物向特定位置移動」。
再者，於印刷配線板中，可代替印刷物之標記，將印刷配線板上之電路設為標記，利用CCD攝影機，隔著樹脂對該電路進行拍攝，而測定Sv之值。又，關於覆銅積層板，可於藉由蝕刻將銅製成線狀後，代替印刷物之標記，將該製成線狀之銅設為標記，利用CCD攝影機，隔著樹脂對該製成線狀之銅進行拍攝，而測定Sv之值。
又，於一實施形態中，本發明之覆銅積層板係 具有絕緣樹脂基板與銅箔者，且於藉由蝕刻，將上述覆銅積層板之上述銅箔製成線狀之銅箔後，利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且將頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B =Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2時，(1)式所定義之Sv為3.5以上。
進而，於一實施形態中，本發明之覆銅積層板係由絕緣樹脂基板、與自經過表面處理之表面側積層於上述絕緣基板之表面處理銅箔所構成者，且於藉由蝕刻將上述覆銅積層板之上述表面處理銅箔製成線狀之表面處理銅箔後，利用CCD攝影機，隔著自經過表面處理之表面側積層之上述絕緣樹脂基板進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀表面處理銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自上述線狀表面處理銅箔之端部至無上述線狀表面處理銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且將頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，且於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀之表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀之表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2時，(1)式所定義之Sv為3.5以上。
若使用上述覆銅積層板製造印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。因此，可認為於將一個印刷配線板與 另一個印刷配線板進行連接時，連接不良減少，良率提高。
[實施例]
<關於實驗例A1-1~A1-30、實驗例B1-1~B1-14>
作為實驗例A1-1~A1-30及實驗例B1-1~B1-14，準備表2及表3所記載之各種銅箔，並利用表1所記載之條件，對一表面進行電鍍處理作為粗化處理。
進行上述之粗化鍍敷處理後，針對實驗例A1-1~A1-10、A1-12~A1-27、實驗例B1-3、B1-4、B1-6、B1-9~B1-14，進行用以接下來之耐熱層及防銹層形成之電鍍處理。將耐熱層1之形成條件示於以下。
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫倫量：10~20As/dm2
再者，電鍍時間設為0.5~2.0秒。
於設置有上述耐熱層1之銅箔上形成耐熱層2。將耐熱層2之形成條件示於以下。
液組成：鎳2~30g/L、鋅2~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫倫量：1~2As/dm2
再者，關於實驗例B1-5、B1-7、B1-8，於未進行粗化鍍 敷處理而準備之銅箔直接形成耐熱層3。將耐熱層3之形成條件示於以下。
液組成：鎳25g/L、鋅2g/L
pH值：2.5
液溫：40℃
電流密度：6A/dm2
庫倫量：4.8As/dm2
電鍍時間：0.8秒
又，關於實驗例B1-15，於未進行粗化鍍敷處理而準備之銅箔直接形成耐熱層4。將耐熱層4之形成條件示於以下。
液組成：鎳0.3g/L、鋅2.5g/L、焦磷酸浴
液溫：40℃
電流密度：5A/dm2
庫倫量：22.5As/dm2
電鍍時間：4.5秒
於設置有上述耐熱層1及2或耐熱層3或耐熱層4之銅箔上，進而形成防銹層。將防銹層之形成條件示於以下。
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0~2A/dm2(用以浸漬鉻酸鹽處理)
庫倫量：0~2As/dm2(用以浸漬鉻酸鹽處理)
於設置有上述耐熱層1、2及防銹層之銅箔上，進而形成耐候性層。將形成條件示於以下。
以作為具有胺基之矽烷偶合劑之N-2-(胺基乙基)-3-胺基 丙基三甲氧基矽烷(實驗例A1-17、A1-24~A1-27)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷(實驗例A1-1~A1-16)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷(實驗例A1-18、A1-28、A1-29、A1-30)、3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實驗例A1-19)、3-胺基丙基三乙氧基矽烷(實驗例A1-20、A1-21)、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺(實驗例22)、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實驗例A1-23)進行塗佈、乾燥，而形成耐候性層。亦可將該等矽烷偶合劑以2種以上之組合之方式使用。同樣地於實驗例B1-1~B1-14中，以N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷進行塗佈、乾燥，而形成耐候性層。
再者，壓延銅箔係以下述方式進行製造。製造 表2及表3所示之組成之銅錠，進行熱軋後，反覆進行300~800℃之連續退火線之退火與冷軋，而獲得1~2mm厚之壓延板。將該壓延板於300~800℃之連續退火線中進行退火，使其再結晶，進行最終冷軋直至表2之厚度，而獲得銅箔。 表2及表3之「種類」欄之「精銅」係表示以JIS H3100 C1100為標準之精銅，「無氧銅」係表示以JIS H3100 C1020為標準之無氧銅。又，「精銅+Ag：100ppm」係表示於精銅中添加有100質量ppm之Ag。
電解銅箔係使用JX日礦日石金屬公司製造之電解銅箔HLP箔。於進行電解研磨或化學研磨之情形時，記載電解研磨或化學研磨後之板厚。
再者，於表2及表3中記載有表面處理前之銅箔製作步驟之要點。「高光澤壓延」意指以記載之油膜當量之值進行最終 之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。「通常壓延」意指以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。「化學研磨」、「電解研磨」意指於以下條件下進行。
「化學研磨」係使用H2SO4為1~3質量%、H2O2為0.05~0.15質量%、殘部為水之蝕刻液，且將研磨時間設為1小時。
「電解研磨」係於磷酸67%+硫酸10%+水23%之條件下，以、電壓10V/cm2、表2所記載之時間(若進行10秒鐘之電解研磨，則研磨量為1~2μm)進行。
<關於實驗例A2-1~A2-7、B2-1~B2-2、A3-1 ~A3-9、B3-1~B3-5、A4-1~A4-8、B4-1~B4-5>
作為實驗例，準備表6、8、10所記載之各銅箔，利用表7、9、11所記載之條件，對一表面進行電鍍處理作為表示處理。又，亦準備未進行粗化處理者。表之「表面處理」之「粗化處理」欄之「無」表示表面處理並非粗化處理，「有」表示表面處理為粗化處理。
再者，壓延銅箔(表之「種類」欄之「精銅」 表示壓延銅箔)係以下述方式製造。製造特定之銅錠，進行熱軋後，反覆進行300~800℃之連續退火線之退火與冷軋，而獲得1~2mm厚之壓延板。將該壓延板於300~800℃之連續退火線中進行退火，使其再結晶，進行最終冷軋直至表1之厚度，而獲得銅箔。表之「精銅」係表示以JIS H3100 C1100為標準之精銅。
再者，於表中記載有表面處理前之銅箔製作步驟之要點。 「高光澤壓延」意指以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。再者，關於實驗例A3-1、 A3-2、A4-1、A4-2，亦製造銅箔之厚度為6μm、12μm、35μm之銅箔，並進行評價。其結果，成為與銅箔之厚度為18μm之情形相同之結果。
針對以上述方式製作之實施例及比較例之各樣品，如下述般進行各種評價。
．表面粗糙度(Rz)之測定；針對各實施例、比較例之表面處理後之銅箔，使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計Surfcorder SE-3C，依據JIS B0601-1994，對經表面處理之面測定十點平均粗糙度。於測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、截止值0.25mm、輸送速度0.1mm/sec之條件下，將測定位置變更為垂直於壓延方向或電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向的方向(TD)，進行10次評價，而求出10次之測定下之值。
再者，針對表面處理前之銅箔，亦預先以相同之方式求出表面粗糙度(Rz)。
再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。於表面處理銅箔為附載體銅箔之極薄銅層之情形時，針對極薄銅層之粗化處理表面進行上述之測定。
表面之均方根高度Rq之測定；針對各實施例、比較例之表面處理後之銅箔之表面處理面，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，測定銅箔表面之均方根高度Rq。於銅箔表面之倍率1000倍觀察中， 於評價長度647μm、截止值0之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)的測定，而求出各自之值。再者，利用雷射顯微鏡之表面之均方根高度Rq之測定環境溫度係設為23~25℃。
表面之偏斜度Rsk之測定； 針對各實施例、比較例之表面處理後之銅箔之表面處理面，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，測定銅箔之表面處理面之偏斜度Rsk。於銅箔表面之倍率1000倍觀察中，於評價長度647μm、截止值0之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)的測定，而求出各自之值。再者，利用雷射顯微鏡之表面之偏斜度Rsk之測定環境溫度係設為23~25℃。
銅箔表面之表面積G與凸部體積E之比E/G之測定；針對各實施例、比較例之表面處理後之銅箔之表面處理面，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，測定俯視時獲得之表面積G與凸部體積E，算出比E/G。根據評價面積647μm×646μm、截止值0之條件求出值。再者，利用雷射顯微鏡之俯視時獲得之表面積G與凸部體積E的測定環境溫度係設為23~25℃。
面積比(D/C)；關於各實施例、比較例之表面處理後之銅箔之表面處理 面，銅箔表面之表面積係使用利用雷射顯微鏡之測定法。針對各實施例、比較例之表面處理後之銅箔，使用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，測定處理表面之相當於倍率20倍下之647μm×646μm之面積(俯視時獲得之表面積)C(於實際資料中為417,953μm2)中之三維表面積D，並藉由設為三維表面積D÷二維表面積C=面積比(D/C)之方法算出。再者，利用雷射顯微鏡之三維表面積B之測定環境溫度係設為23~25℃。
粒子之面積比(A/B)； 粗化粒子之表面積係使用利用雷射顯微鏡之測定法。使用KEYENCE股份有限公司製造之雷射顯微鏡VK8500，測定粗化處理面之相當於倍率2000倍下之100×100μm之面積B(於實際資料中為9982.52μm2)中的三維表面積A，並藉由設為三維表面積A÷二維表面積B=面積比(A/B)之方法進行設定。再者，關於未進行粗化處理之銅箔表面，亦藉由該測定算出三維表面積A÷二維表面積B=面積比(A/B)。
又，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。
光澤度； 使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter-PG-1，以壓延方向(即MD，於電解銅箔之情形時為銅箔之前進方向)及垂直於壓延方向之方向(即TD，於電解銅箔之情形時，為垂直於銅箔之前進方 向之方向)之各自之入射角60度對表面處理面(於表面處理為粗化處理之情形時，為粗化面)進行測定。再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。再者，針對表面處理前之銅箔，亦預先以相同之方式求出光澤度。
亮度曲線之斜率
將表面處理銅箔自該表面處理銅箔之粗化處理表面側貼合於聚醯亞胺膜(關於實驗例A1-1~A1-30、實驗例B1-1~B1-14，使用Kaneka製造之厚度25μm或50μm、或東麗杜邦製造之厚度50μm中之任一種聚醯亞胺膜，關於實驗例A2-1~A2-7、B2-1~B2-2、A3-1~A3-9、B3-1~B3-5、A4-1~A4-8、B4-1~B4-5，使用Kaneka製造之厚度50μm、二層覆銅積層板用PIXEO之聚醯亞胺膜)之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除銅箔而製作樣品膜。再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，將該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔自該經表面處理之面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除表面處理銅箔而製作樣品膜。繼而，將印刷有線狀黑色標記之印刷物鋪設於樣品膜之下方，利用CCD攝影機(8192像素之線陣CCD攝影機)，隔著樣品膜對印刷物進行拍攝，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之線狀標記延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮 度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，測定自標記之端部至未繪製標記之部分所產生之亮度曲線之斜率(角度)。將表示此時所使用之攝影裝置之構成及亮度曲線之斜率之測定方法的模式圖示於圖3。
又，△B及t1、t2、Sv係以圖2所示之方式利用下述攝影裝置進行測定。再者，橫軸之1像素相當於10μm長度。
上述「印刷有線狀之黑色標記之印刷物」係使用於光澤度43.0±2之白色光澤紙上載有JIS P8208(1998)(圖1包含物計測圖表之複製)及JIS P8145(2011)(附件JA(規定)目視法異物比較圖 圖JA.1-目視法異物比較圖之複製)均採用之於圖6所示之透明膜印刷有各種線等之包含物(夾雜物)(朝陽會股份有限公司製造 品名：「包含物測定圖表-全片幅紙」編號：JQA160-20151-1(獨立行政法人國立印刷局所製造))者。
上述光澤紙之光澤度係使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter-PG-1，以入射角60度進行測定。
攝影裝置具備：CCD攝影機、隔著於下方設置有附標記之紙之聚醯亞胺基板之台(白色)、對聚醯亞胺基板之拍攝部照射光之照明用電源、將於下方設置有附拍攝對象之標記之紙之評價用聚醯亞胺基板於台上進行搬送之搬送機(未圖示)。將該攝影裝置之主要規格示於以下：
．攝影裝置：Nireco股份有限公司製造之片材檢測裝置Mujiken
．線陣CCD攝影機：8192像素(160MHz)、1024灰階數 位(10bit)
．照明用電源：高頻照明電源(電源組件×2)
．照明：螢光燈(30W，型號：FPL27EX-D，雙螢光燈)
Sv測定用之線係使用0.7mm2之圖6之夾雜物所繪製之箭頭所示之線。該線之寬度為0.3mm。又，線陣CCD攝影機視野係設為圖6之虛線之配置。
於利用線陣CCD攝影機之拍攝中，利用滿刻度256灰階確認訊號，於測定對象未隔著聚醯亞胺膜(聚醯亞胺基板)之狀態下，以印刷物之黑色標記不存在之部位(將上述透明膜置於上述白色之光澤紙上，利用CCD攝影機，自透明膜側對印刷於夾雜物之標記外之部位進行測定之情形)的波峰灰階訊號收於230±5之方式調整透鏡鎖光圈。攝影機掃描時間(攝影機之快門打開之時間，攝入光之時間)係固定為250μ秒，且以收於上述灰階以內之方式調整透鏡鎖光圈。
再者，針對印刷配線板及覆銅積層板，於以線狀之銅箔為標記對△B以及Sv進行測定之情形時，於製成線狀之銅箔之背面敷上光澤度43.0±2之白色光澤紙，利用CCD攝影機(8192像素之線陣CCD攝影機)，隔著該聚醯亞胺膜進行拍攝，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，根據自標記之端部至無標記之部分產生之亮度曲線，對△B及t1、t2、Sv進行測定，除此以外，設為與使用上述「印刷有線狀黑色標記之印刷物」對△B以及Sv進行測定之條件相同。
再者，關於圖3所示之亮度，0意指「黑」，亮度255意 指「白」，將自「黑」至「白」之灰色之程度(白黑之濃淡、灰度)分割成256灰階進行表示。
視認性(樹脂透明性)；將表面處理銅箔之經表面處理側之表面貼合於聚醯亞胺膜(關於實驗例A1-1~A1-30、實驗例B1-1~B1-14，使用Kaneka製造之厚度25μm或50μm、或者東麗杜邦製造之厚度50μm中之任一種聚醯亞胺膜，關於實驗例A2-1~A2-7、B2-1~B2-2、A3-1~A3-9、B3-1~B3-5、A4-1~A4-8、B4-1~B4-5，使用Kaneka製造之厚度50μm、二層覆銅積層板用PIXEO之聚醯亞胺膜)之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除銅箔而製作樣品膜。再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，將該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔自該經表面處理之面側貼合於聚醯亞胺膜的兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除表面處理銅箔而製作樣品膜。於獲得之樹脂層之一面貼附印刷物(直徑6cm之黑色之圓)，自相反面隔著樹脂層判定印刷物之視認性。將印刷物之黑色之圓之輪廓於圓周的90%以上之長度中清楚者評價為「◎」，將黑色之圓之輪廓於圓周之80%以上且未達90%之長度中清楚者評價為「○」(以上合格)，將黑色之圓之輪廓於圓周之未達0~80%之長度中清楚者及輪廓崩潰者評價為「×」(不合格)。
剝離強度(接著強度)；依據IPC-TM-650，利用拉伸試驗機Autograph 100對常態剝離強度進行測定，將上述常態剝離強度為0.7N/mm以上者 設為可用於積層基板用途者。再者，於本剝離強度之測定中，關於實驗例A1-1~A1-30、實驗例B1-1~B1-14，使用Kaneka製造之厚度25μm或50μm、或者東麗杜邦製造之厚度50μm中之任一種聚醯亞胺膜，關於實驗例A2-1~A2-7、B2-1~B2-2、A3-1~A3-9、B3-1~B3-5、A4-1~A4-8、B4-1~B4-5，使用Kaneka製造之厚度50μm、二層覆銅積層板用PIXEO之聚醯亞胺膜，使用將該聚醯亞胺膜與本發明之實施例及比較例之表面處理銅箔之表面處理面貼合而成之樣品。又，於測定時，利用雙面膠帶將聚醯亞胺膜貼附於硬質基材(不鏽鋼板或合成樹脂板(只要於剝離強度測定中不變形即可))，或者利用瞬間接著劑將聚醯亞胺膜貼附於硬質基材，藉此進行固定。又，表中之剝離強度之值之單位係N/mm。
焊料耐熱評價； 將表面處理銅箔之經表面處理側之表面貼合於聚醯亞胺膜(關於實驗例A1-1~A1-30、實驗例B1-1~B1-14，使用Kaneka製造之厚度25μm或50μm、或者東麗杜邦製造之厚度50μm中之任一種聚醯亞胺膜，關於實驗例A2-1~A2-7、B2-1~B2-2、A3-1~A3-9、B3-1~B3-5、A4-1~A4-8、B4-1~B4-5，使用Kaneka製造之厚度50μm、二層覆銅積層板用PIXEO之聚醯亞胺膜)之兩面。針對獲得之兩面積層板，製作依據JIS C6471之附體試片。將製作之附體試片於85℃、85%RH之高溫高濕下暴露48小時後，使其於300℃之焊料槽中漂浮，而評價焊料耐熱特性。焊料耐熱試驗後，於銅箔粗化處理面與聚醯亞胺樹脂接著面之界面中，將於附體試片中之銅箔面積之5%以上之面積中，由於膨脹而界面變色者評價 為×(不合格)，將面積未達5%之膨脹變色之情形評價為○，將全部未產生膨脹變色者評價為◎。再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。
良率
將表面處理銅箔之經表面處理側之表面貼合於聚醯亞胺膜(關於實驗例A1-1~A1-30、實驗例B1-1~B1-14，使用Kaneka製造之厚度25μm或50μm、或者東麗杜邦製造之厚度50μm中之任一種聚醯亞胺膜，關於實驗例A2-1~A2-7、B2-1~B2-2、A3-1~A3-9、B3-1~B3-5、A4-1~A4-8、B4-1~B4-5，使用Kaneka製造之厚度50μm、二層覆銅積層板用PIXEO之聚醯亞胺膜)之兩面，對銅箔進行蝕刻(氯化鐵水溶液)，而製作L/S為30μm/30μm之電路寬度之FPC。其後，嘗試利用CCD攝影機，隔著聚醯亞胺檢測20μm×20μm見方之標記。將10次中9次以上可檢測出之情形設為「◎」，將7~8次可檢測出之情形設為「○」，將6次可檢測出之情形設為「△」，將5次以下可檢測出之情形設為「×」。再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。
利用蝕刻之電路形狀(精細圖案特性)
將銅箔貼合於附層壓用熱硬化性接著劑之聚醯亞胺膜(厚 度50μm，宇部應產製造之Upilex)之兩面。為了對精細圖案電路形成性進行評價，必需使銅箔厚度相同，此處，以12μm銅箔厚度為基準。即，於厚度厚於12μm之情形時，藉由電解研磨進行減厚直至12μm厚。另一方面，於厚度薄於12μm之情形時，藉由鍍銅處理進行增厚直至12μm厚。針對獲得之兩面積層板之單面側，藉由感光性抗蝕劑塗佈及曝光步驟，而於積層板之銅箔光澤面側印刷精細圖案電路，於下述條件下對銅箔之不要部分進行蝕刻處理，而形成如成為L/S=20/20μm之精細圖案電路。此處，電路寬度係以電路剖面之最低寬度成為20μm之方式進行設置。
(蝕刻條件)
裝置：噴射式小型蝕刻裝置
噴射壓：0.2MPa
蝕刻液：氯化鐵水溶液(比重40波美)
液溫度：50℃
於精細圖案電路形成後，浸漬於45℃之NaOH水溶液中1分鐘，剝離感光性抗蝕劑膜。
蝕刻因素(Ef)之算出
針對於上述中獲得之精細圖案電路樣品，使用日立高新技術公司製造之掃描式電子顯微鏡照片S4700，以2000倍之倍率自電路上部進行觀察，測定電路上部之最高寬度(Wa)與電路底部之最低寬度(Wb)。銅箔厚度(T)係設為12μm。蝕刻因子(Ef)係藉由下述式算出。
蝕刻因子(Ef)=(2×T)/(Wb-Wa)
再者，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處 理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。
傳輸損耗之測定
針對各樣品，將表面處理銅箔之經表面處理側之面貼合於市售之液晶聚合物樹脂(Kuraray(股)製造之Vecstar CTZ-50μm)後，利用蝕刻，以特性阻抗成為50Ω之方式形成微波傳輸帶線路，使用HP公司製造之網路分析儀-HP8720C，測定透過係數，而求出於頻率20GHz及頻率40GHz下之傳輸損耗。再者，為了使評價條件儘可能一致，將表面處理銅箔與液晶聚合物樹脂貼合後，將銅箔厚度設為18μm。即，於銅箔之厚度厚於18μm之情形時，藉由電解研磨進行減厚直至18μm厚。另一方面，於厚度薄於18μm之情形時，藉由鍍銅處理進行增厚直至18μm厚。作為於頻率20GHz下之傳輸損耗之評價，將未達3.7dB/10cm設為◎，將為3.7dB/10cm以上且未達4.1dB/10cm設為○，將為4.1dB/10cm以上且未達5.0dB/10cm設為△，將為5.0dB/10cm以上設為×。
再者，於印刷配線板或覆銅積層板中，可藉由使樹脂溶解並去除，而針對銅電路或銅箔表面進行上述之各測定。
又，於對銅箔表面進行粗化處理後，或於不進行粗化處理之情況下為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理之情形時，針對該經耐熱層、防銹層、耐候性層等表面處理後之表面處理銅箔之表面，進行上述之測定。
將上述各試驗之條件及評價示於表1~11。
[表1]
Sv滿足本申請案發明之範圍之實驗例之視認性變良好，且良率亦良好。
於圖4中，分別表示上述Rz評價時之(a)實驗例B3-1、(b)實驗例A3-1、(c)實驗例A3-2、(d)實驗例A3-3、(e)實驗例A3-4、(f)實驗例A3-5、(g)實驗例A3-6、(h)實驗例A3-7、(i)實驗例A3-8、(j)實驗例A3-9、(k)實驗例B3-2、(l)實驗例B3-3之銅箔表面的SEM觀察照片。
又，於上述實施例中，將標記之寬度自0.3mm變更為0.16mm(自接近夾雜物之片之面積0.5mm2之0.5之記載開始第3個標記(圖7之箭頭所指之標記))，進行相同之Sv值及△B值之測定，但均Sv值及△B值為與將標記之寬度設為0.3mm之情形相同之值。
進而，於上述實施例中，關於「亮度曲線之頂部平均值Bt」，係變更為將距離標記之兩側之端部位置50μm之位置設為距離100μm之位置、距離300μm之位置、距離500μm之位置，自上述位置分別以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值，進行相同之Sv值及△B值之測定，但均Sv值及△B值成為與將自距離標記之兩側之端部位置50μm的位置以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值設為「亮度曲線之頂部平均值Bt」的情形之Sv值及△B值相同之值。

Claims (36)

  1. 一種表面處理銅箔，其係至少一表面經過表面處理者，經過上述表面處理之表面的TD之十點平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm，將上述銅箔自經過表面處理之表面側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻將上述兩面之銅箔去除，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下方，利用CCD攝影機，隔著上述聚醯亞胺基板對上述印刷物進行拍攝時，對由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀標記延伸方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自上述標記之端部至未繪製上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，自上述標記之端部至無上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
  3. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，於根據由上述拍攝獲得之圖像製作之觀察地點-亮度曲線中，△B為50以上。
  4. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中上述亮度曲線中之(1)式所定義之Sv為3.9以上。
  5. 如申請專利範圍第4項之表面處理銅箔，其中上述亮度曲線中之(1)式所定義之Sv為5.0以上。
  6. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中上述表面處理為粗化處理，上述粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm，粗化處理表面之MD之60度光澤度為76~350%，上述粗化粒子之表面積A、與自上述銅箔表面側俯視上述粗化粒子時獲得之面積B之比A/B為1.90~2.40。
  7. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中上述MD之60度光澤度為90~250%。
  8. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中上述TD之平均粗糙度Rz為0.30~0.60μm。
  9. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中上述A/B為2.00~2.20。
  10. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F(F=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.80~1.40。
  11. 如申請專利範圍第10項之表面處理銅箔，其中粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F(F =(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.90~1.35。
  12. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中上述經過表面處理之面之表面之均方根高度Rq為0.14~0.63μm。
  13. 如申請專利範圍第12項之表面處理銅箔，其中上述表面處理銅箔之上述表面之均方根高度Rq為0.25~0.60μm。
  14. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中上述經過表面處理之面之表面之基於JIS B0601-2001的偏斜度Rsk為-0.35~0.53。
  15. 如申請專利範圍第14項之表面處理銅箔，其中上述表面之偏斜度Rsk為-0.30~0.39。
  16. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中俯視上述經過表面處理之表面而獲得之表面積G、與上述經過表面處理之表面之凸部體積E的比E/G為2.11~23.91。
  17. 如申請專利範圍第16項之表面處理銅箔，其中上述比E/G為2.95~21.42。
  18. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中上述表面之TD之十點平均粗糙度Rz為0.20~0.64μm。
  19. 如申請專利範圍第18項之表面處理銅箔，其中上述表面之TD之十點平均粗糙度Rz為0.40~0.62μm。
  20. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中上述表面之三維表面積D與上述二維表面積(俯視表面時獲得之表面積)C的比D/C為1.0~1.7。
  21. 如申請專利範圍第20項之表面處理銅箔，其中上述D/C為1.0~1.6。
  22. 一種積層板，其係積層申請專利範圍第1至21項中之任一項之表面處理銅箔與樹脂基板而構成。
  23. 一種印刷配線板，其使用有申請專利範圍第1至21項中之任一項之表面處理銅箔。
  24. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第23項之印刷配線板。
  25. 一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣基板上之銅電路者，且於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行拍攝時，對由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅電路延伸方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，將頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
  26. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其係將2個以上申請專利範圍第23項之印刷配線板. 連接進行製造。
  27. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其至少包括如下步驟：將至少1個申請專利範圍第23項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第23項之印刷配線板或不相當於申請專利範圍第23項之印刷配線板之印刷配線板加以連接。
  28. 一種電子機器，其使用1個以上申請專利範圍第27項之製造方法所製得之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板。
  29. 一種印刷配線板之製造方法，其至少包括將申請專利範圍第23項之印刷配線板或申請專利範圍第27項之製造方法所製得之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板、與零件進行連接之步驟。
  30. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其至少包括：將至少1個申請專利範圍第23項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第23項之印刷配線板或不相當於申請專利範圍第23項之印刷配線板之印刷配線板進行連接之步驟；及將申請專利範圍第23項之印刷配線板或申請專利範圍第27項之製造方法所製得之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板、與零件進行連接之步驟。
  31. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其係將2個以上如申請專利範圍第25項之印刷配線板連接進行製造。
  32. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其至少包括將至少1個如申請專利範圍第25項之印刷配線板、與另一個如申請專利範圍第25項之印刷配線板或不相當於申請專利範圍第25項之印刷配線板之印刷配線板進行連接之步驟。
  33. 一種電子機器，其使用1個以上申請專利範圍第25項之印刷配線板、或是申請專利範圍第31或32項之製造方法所製得之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板。
  34. 一種印刷配線板之製造方法，其至少包括將如申請專利範圍第25項之印刷配線板或如申請專利範圍第31或32項之製造方法所製得之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板、與零件進行連接之步驟。
  35. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其至少包括：將至少1個如申請專利範圍第25項之印刷配線板、與另一個如申請專利範圍第25項之印刷配線板或不相當於如申請專利範圍第25項之印刷配線板之印刷配線板進行連接之步驟；及將申請專利範圍第25項之印刷配線板或申請專利範圍第31或32項之製造方法所製得之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板、與零件進行連接之步驟。
  36. 一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板、與設置於上述絕緣基板上之銅箔者，且藉由蝕刻將上述覆銅積層板之上述銅箔製成線狀之銅箔後，利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行拍 攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，將頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
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