TWI574589B - Manufacturing method of surface-treated copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board - Google Patents

Manufacturing method of surface-treated copper foil, copper-clad laminate, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board Download PDF

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TWI574589B
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Atsushi Miki
Kohsuke Arai
Kaichiro Nakamuro
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Jx Nippon Mining & Metals Corp
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Description

表面處理銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法
本發明係關於一種表面處理銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法，尤其關於一種適合於要求對銅箔進行蝕刻後之剩餘部分之樹脂之透明性的領域之表面處理銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
就配線之容易性或輕量性而言，智慧型手機或平板PC等小型電子機器採用可撓性印刷配線板(以下記為FPC)。近年來，隨著該等電子機器之高功能化，訊號傳輸速度之高速化不斷發展，於FPC中阻抗匹配亦成為重要因素。作為對應於訊號容量增加之阻抗匹配之對策，作為FPC基底之樹脂絕緣層(例如聚醯亞胺)之厚層化不斷發展。又，隨著配線之高密度化要求，FPC之多層化更進一步發展。另一方面，FPC會被實施對液晶基材之接合或IC晶片之搭載等加工，此時之位置對準係經由透過在將銅箔與樹脂絕緣層之積層板中之銅箔蝕刻後殘留之樹脂絕緣層所識別到的定位圖案進行，因此，樹脂絕緣層之識別性變得重要。
又，銅箔與樹脂絕緣層之積層板即覆銅積層板亦可使用表面實施有粗化鍍敷之壓延銅箔進行製造。該壓延銅箔通常係使用精銅(含氧量100~500重量ppm)或無氧銅(含氧量10重量ppm以下)作為原材料， 對該等鑄錠進行熱軋後，反覆進行冷軋與退火直至既定之厚度而製造。
作為此種技術，例如，專利文獻1中揭示有如下發明：一種覆銅積層板，其係積層聚醯亞胺膜與低粗糙度銅箔而成，銅箔蝕刻後之膜於波長600nm之透光率為40%以上，霧度(HAZE)為30%以下，接著強度為500N/m以上。
又，專利文獻2中揭示有如下發明：一種COF用可撓性印刷配線板，其具有積層有由電解銅箔形成之導體層之絕緣層，對該導體層進行蝕刻而形成電路時蝕刻區域中之絕緣層之透光性為50%以上，其特徵在於：上述電解銅箔於與絕緣層接著之接著面具備利用鎳-鋅合金之防銹處理層，該接著面之表面粗糙度(Rz)為0.05~1.5μm，並且於入射角60°之鏡面光澤度為250以上。
又，專利文獻3中揭示有如下發明：一種印刷電路用銅箔之處理方法，其係處理印刷電路用銅箔之方法，其特徵在於：對銅箔之表面進行利用銅-鈷-鎳合金鍍敷之粗化處理後，形成鈷-鎳合金鍍層，進而形成鋅-鎳合金鍍層。
[專利文獻1]日本特開2004-98659號公報
[專利文獻2]WO2003/096776
[專利文獻3]日本專利第2849059號公報
於專利文獻1中，黑化處理或鍍敷處理後之藉由有機處理劑將接著性改良處理而獲得的低粗糙度銅箔，於對覆銅積層板要求彎曲性之 用途方面，有時會因疲勞而斷線，且存在樹脂透視性差之情況。
又，於專利文獻2中未進行粗化處理，於COF用可撓性印刷配線板以外之用途方面，銅箔與樹脂之密合強度低，而不充足。
進而，專利文獻3中記載之處理方法可對銅箔進行利用Cu-Co-Ni之微細處理，但將該銅箔與樹脂接著並利用蝕刻去除該銅箔後之樹脂無法實現優異之透明性。
本發明提供一種利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性優異的表面處理銅箔。
本發明人等反覆進行潛心研究，結果發現如下情況不受基板樹脂膜之種類或基板樹脂膜之厚度的影響，而會對將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性造成影響：對於將完成既定之表面處理之表面處理銅箔自該處理面側貼合並將其去除的聚醯亞胺基板，將附有標記之印刷物置於其下，隔著聚醯亞胺基板利用CCD攝影機對該印刷物進行攝影，於藉由該標記部分之圖像獲得的觀察地點-亮度圖表中，著眼於描繪之標記端部附近之亮度曲線之斜率，控制該亮度曲線之斜率。
將以上見解作為基礎而完成之本發明於一態樣中，係一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，將上述銅箔自一個表面側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下，隔著上述聚醯亞胺基板利用CCD攝影機對上述印刷物進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀標記延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自 上述標記之端部至未描繪上述標記之部分產生的亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明之表面處理銅箔於一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明於另一態樣中，係一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，將上述銅箔自一個表面側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下，隔著上述聚醯亞胺基板利用CCD攝影機對上述印刷物進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀標記延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述標記之端部至未描繪上述標記之部分產生的亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt 之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明之表面處理銅箔於另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種表面處理銅箔，其係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，將上述銅箔自一個表面側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下，隔著上述聚醯亞胺基板利用CCD攝影機對上述印刷物進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀標記延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述標記之端部至未描繪上述標記之部分產生的亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上， Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，自上述標記之端部至無上述標記之部分產生的亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
本發明之表面處理銅箔於另一實施形態中，於根據由上述攝影獲得之圖像製成的觀察地點-亮度圖表中，△B為50以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為3.9以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為5.0以上。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之表面處理為粗化處理，上述粗化處理表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm，粗化處理表面之MD的60度光澤度為76~350%，上述粗化粒子之表面積A與自上述銅箔之一個表面側俯視上述粗化粒子時所得之面積B的比A/B為1.90~2.40。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述MD之60度光澤度為90~250%。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面 之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.30~0.60μm。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述A/B為2.00~2.20。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F(F=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.80~1.40。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F(F=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.90~1.35。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之均方根高度Rq為0.14~0.63μm。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之均方根高度Rq為0.25~0.60μm。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之基於JIS B0601-2001之偏斜度Rsk為-0.35~0.53。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之偏斜度Rsk為-0.30~0.39。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，俯視上述一個表面時所得之表面積G與上述經表面處理之表面之凸部體積E的比E/G為2.11~23.91。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述比E/G為2.95~21.42。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.20~0.64μm。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.40~0.62μm。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述一個表面之三維表面積D與上述二維表面積(俯視表面時所得之表面積)C的比D/C為1.0~1.7。
本發明之表面處理銅箔於再另一實施形態中，上述D/C為1.0~1.6。
本發明於再另一態樣中，係一種覆銅積層板，其係將本發明之表面處理銅箔與樹脂基板積層而製得。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其使用有本發明之表面處理銅箔。
本發明於再另一態樣中，係一種電子機器，其使用有本發明之印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種製造印刷配線板之方法，其係將2個以上本發明之印刷配線板連接，製造連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種製造連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板之方法，其包含下述步驟：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接。
本發明於再另一態樣中，係一種電子機器，其使用有1個以上連接有至少1個本發明之印刷配線板的印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種製造印刷配線板之方法，其至少包含將本發明之印刷配線板與零件連接的步驟。
本發明於再另一態樣中，係一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的方法，其至少包含下述步驟：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接；及將本發明之印刷配線板或本發明之連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板與零件連接。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明之印刷配線板於一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明之印刷配線板於再另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均 方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明之印刷配線板於再另一實施形態中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
本發明於再另一態樣中，係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝 影機進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明之覆銅積層板於一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分產生的亮 度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明之覆銅積層板於再另一實施形態中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於再另一態樣中，係一種覆銅積層板，其係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的 值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明之覆銅積層板於再另一實施形態中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，係使用本發明之覆銅積層板而製得。
根據本發明，可提供一種利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性優異的表面處理銅箔。
圖1係定義Bt及Bb之模式圖。
圖2係定義t1、t2及Sv之模式圖。
圖3係表示亮度曲線之斜率評價時之攝影裝置之構成及亮度曲線之斜率測定方法的模式圖。
圖4a係Rz評價時之實驗例B3-1之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4b係Rz評價時之實驗例A3-1之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4c係Rz評價時之實驗例A3-2之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4d係Rz評價時之實驗例A3-3之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4e係Rz評價時之實驗例A3-4之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4f係Rz評價時之實驗例A3-5之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4g係Rz評價時之實驗例A3-6之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4h係Rz評價時之實驗例A3-7之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4i係Rz評價時之實驗例A3-8之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4j係Rz評價時之實驗例A3-9之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4k係Rz評價時之實驗例B4-2之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4l係Rz評價時之實驗例B4-3之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖5係表示於銅箔表面之偏斜度Rsk為正負之各情形時之銅箔蝕刻後之聚醯亞胺(PI)之表面形態的模式圖。
圖6係實施例中所使用之夾雜物之外觀照片。
圖7係實施例中所使用之夾雜物之外觀照片。
[表面處理銅箔之形態及製造方法]
本發明中使用之銅箔可用作藉由與樹脂基板接著而製作積層體並利用蝕刻去除而使用之銅箔。
本發明中使用之銅箔可為電解銅箔或壓延銅箔中之任一者。通常，為了提高銅箔之與樹脂基板接著之面(於本發明中，亦將該面稱作「一個表面」)於積層後之銅箔之剝離強度，亦可對脫脂後之銅箔之表面實施進行瘤狀電沉積之粗化處理。電解銅箔於製造時即具有凹凸，可藉由粗化處理使電解銅箔之凸部增強而進一步增大凹凸。於本發明中，該粗化處理係藉由銅-鈷-鎳合金鍍敷或銅-鎳-磷合金鍍敷、鎳-鋅合金鍍敷等合金鍍敷 而進行。又，較佳為可藉由銅合金鍍敷而進行。作為銅合金鍍浴，例如較佳為使用含有銅與一種以上銅以外之元素之鍍浴，更佳為使用含有銅與選自由鈷、鎳、砷、鎢、鉻、鋅、磷、錳及鉬組成之群中之任一種以上的鍍浴。並且，於本發明中，使該粗化處理與先前之粗化處理相比提高電流密度且縮短粗化處理時間。有進行通常之鍍銅等作為粗化前之前處理的情況，亦有為了防止電沉積物脫落而進行通常之鍍銅等作為粗化後之精加工處理的情況。
再者，本案發明之銅箔亦包含含有Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V等元素中之一種以上的銅合金箔。若上述元素之濃度提高(例如合計為10質量%以上)，則有導電率降低之情況。壓延銅箔之導電率較佳為50%IACS以上，更佳為60%IACS以上，進而較佳為80%IACS以上。上述銅合金箔亦可含有合計為0mass%以上且50mass%以下之上述銅以外之元素，亦可含有0.0001mass%以上且40mass%以下，亦可含有0.0005mass%以上且30mass%以下，亦可含有0.001mass%以上且20mass%以下。
本發明中使用之銅箔於一個表面中，亦可於進行過粗化處理後或省略粗化處理而於表面施加有耐熱鍍層(耐熱層)或防銹鍍層(防銹層)或耐候性層。作為省略粗化處理而對表面施加耐熱鍍層或防銹鍍層之處理，可使用利用下述條件之Ni鍍浴(1)或Ni-Zn鍍浴(2)之鍍敷處理。再者，用於本發明中所使用之電解、表面處理或鍍敷等的處理液的剩餘部分，只要未特別明記則為水。
(Ni鍍浴(1))
●液組成：Ni 20~30g/L
●pH：2~3
●電流密度：6~7A/dm2
●浴溫：35~45℃
●庫侖量：1.2~8.4As/dm2
●鍍敷時間：0.2~1.2秒
(Ni-Zn鍍浴(2))
●液組成：鎳20~30g/L、鋅0.5~2.5g/L
●pH：2~3
●電流密度：6~7A/dm2
●浴溫：35~45℃
●庫侖量：1.2~8.4As/dm2
●鍍敷時間：0.2~1.2秒
再者，於省略粗化處理而藉由鍍敷(正常鍍敷而並非粗化鍍敷之鍍敷)將耐熱層或防銹層設置於銅箔之一個表面之情形時，與先前相比必須提高該鍍敷之電流密度並縮短鍍敷時間。
再者，本發明中使用之銅箔之厚度無需特別限定，例如為1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上，且例如為3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下。
又，將本案發明中使用之電解銅箔之製造條件表示如下。
<電解液組成>
銅：90~110g/L
硫酸：90~110g/L
氯：50~100ppm
調平劑1(雙(3-磺丙基)二硫醚)：10~30ppm
調平劑2(胺化合物)：10~30ppm
上述胺化合物可使用以下化學式之胺化合物。
(上述化學式中，R1及R2為選自由羥烷基、醚基、芳基、經芳香族取代之烷基、不飽和烴基、烷基組成之群中者)
<製造條件>
電流密度：70~100A/dm2
電解液溫度：50~60℃
電解液線速：3~5m/sec
電解時間：0.5~10分鐘
作為粗化處理之銅-鈷-鎳合金鍍敷可藉由電鍍以形成如附著量為15~40mg/dm2之銅-100~3000μg/dm2之鈷-50~1500μg/ dm2之鎳的三元系合金層的方式實施，較佳為以形成如附著量為15~40mg/dm2之銅-100~3000μg/dm2之鈷-100~1500μg/dm2之鎳的三元系合金層的方式實施。若Co附著量未達100μg/dm2，則有耐熱性惡化、蝕刻性變差之情況。若Co附著量超過3000μg/dm2，則於必須考慮磁性之影響之情形時欠佳，有產生蝕刻斑且耐酸性及耐化學品性惡化之情況。若Ni附著量未達50μg/dm2，則有耐熱性變差之情況。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm2，則有蝕刻殘留增加之情況。較佳之Co附著量為1000~2500μg/dm2，較佳之鎳附著量為500~1200μg/dm2。此處，蝕刻斑係指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時Co未溶解而殘留之情況，並且，蝕刻殘留係指於利用氯化銨進行鹼蝕刻之情形時Ni未溶解而殘留之情況。
用以形成此種三元系銅-鈷-鎳合金鍍層之鍍浴及鍍敷條件如下所述：
鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk：25~50A/dm2
鍍敷時間：0.2~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔可於較先前縮短鍍敷時間、提高電流密度之條件下於一個表面進行粗化處理。藉由於較先前縮短鍍敷時間、提高電流密度之條件下進行粗化處理，而使較先前更微細之粗化粒子形成於銅箔表面。再者，於將鍍敷之電流密度設為高於上述範圍之情形時，必須將鍍敷時間設為低於上述範圍。
又，將作為本發明之粗化處理之銅-鎳-磷合金鍍敷之條件表示如下。
鍍浴組成：Cu 10~50g/L、Ni 3~20g/L、P 1~10g/L
pH：1~4
溫度：30~40℃
電流密度Dk：30~50A/dm2
鍍敷時間：0.2~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔可於較先前縮短鍍敷時間、提高電流密度之條件下對一個表面進行粗化處理。藉由於較先前縮短鍍敷時間、提高電流密度之條件下進行粗化處理，而使較先前更微細之粗化粒子形成於銅箔表面。再者，於將鍍敷之電流密度設為高於上述範圍之情形時，必須將鍍敷時間設為低於上述範圍。
又，將作為本發明之粗化處理之銅-鎳-鈷-鎢合金鍍敷之條件表示如下。
鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Co 5~20g/L、W 1~10g/L
pH：1~5
溫度：30~50℃
電流密度Dk：30~50A/dm2
鍍敷時間：0.2~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔可於較先前縮短鍍敷時間、提高電流密度之條件下對一個表面進行粗化處理。藉由於較先前縮短 鍍敷時間、提高電流密度之條件下進行粗化處理，而使較先前更微細之粗化粒子形成於銅箔表面。再者，於將鍍敷之電流密度設為高於上述範圍之情形時，必須將鍍敷時間設為低於上述範圍。
又，將作為本發明之粗化處理之銅-鎳-鉬-磷鍍敷合金條件表示如下。
鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Mo 1~10g/L、P 1~10g/L
pH：1~5
溫度：30~50℃
電流密度Dk：30~50A/dm2
鍍敷時間：0.2~3秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔可於較先前縮短鍍敷時間、提高電流密度之條件下對一個表面進行粗化處理。藉由於較先前縮短鍍敷時間、提高電流密度之條件下進行粗化處理，而使較先前更微細之粗化粒子形成於銅箔表面。再者，於將鍍敷之電流密度設為高於上述範圍之情形時，必須將鍍敷時間設為低於上述範圍。
於粗化處理後，在粗化處理面上亦可設置選自耐熱層、防銹層及耐候性層之群中的1種以上之層。又，各層亦可為2層、3層等複數層，積層各層的順序為何種順序皆可，亦可為將各層交互積層。
此處，做為耐熱層，可使用公知之耐熱層。又，例如可使用以下之表面處理。
作為耐熱層、防銹層，可使用公知的耐熱層、防銹層。例如，耐熱層及/或防銹層可為含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、 釩、鈦、鋁、金、銀、白金族元素、鐵、鉭之群中1種以上元素之層，或亦可為由選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、白金族元素、鐵、鉭之群中1種以上元素構成之金屬層或合金層。又，耐熱層及/或防銹層亦可含有氧化物、氮化物、矽化物，該氧化物、氮化物、矽化物含有選自鎳、鋅、錫、鈷、鉬、銅、鎢、磷、砷、鉻、釩、鈦、鋁、金、銀、白金族元素、鐵、鉭之群中1種以上元素。又，耐熱層及/或防銹層亦可為含有鎳-鋅合金之層。又，耐熱層及/或防銹層亦可為鎳-鋅合金層。前述鎳-鋅合金層，不包括不可避免之雜質，亦可為含有鎳50wt%~99wt%、鋅50wt%~1wt%者。前述鎳-鋅合金層之鋅及鎳的合計附著量亦可為5~1000mg/m2，較佳為10~500mg/m2，更佳為20~100mg/m2。又，前述含有鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量與鋅附著量之比(=鎳附著量/鋅附著量)較佳為1.5~10。又，前述含有鎳-鋅合金之層或前述鎳-鋅合金層的鎳附著量較佳為0.5mg/m2~500mg/m2，更佳為1mg/m2~50mg/m2。於耐熱層及/或防銹層為含有鎳-鋅合金之層的情形時，當通孔或導孔等之內壁部與去膠渣液接觸時，銅箔與樹脂基板之界面不易被去膠渣液侵蝕，而提升銅箔與樹脂基板之密合性。防銹層亦可為鉻酸鹽處理層。防銹層亦可使用鉻酸鹽處理層。鉻酸鹽處理層可使用公知之鉻酸鹽處理層。例如，所謂鉻酸鹽處理層係指利用含有鉻酸酐、鉻酸、重鉻酸、鉻酸鹽或重鉻酸鹽之液體進行處理之層。鉻酸鹽處理層亦可含有鈷、鐵、鎳、鉬、鋅、鉭、銅、鋁、磷、鎢、錫、砷及鈦等元素(亦可為金屬、合金、氧化物、氮化物、硫化物等任何形態)。作為鉻酸鹽處理層之具體例，可列舉：純鉻酸鹽處理層或鉻酸鋅處理層等。於本 發明中，將利用鉻酸酐或重鉻酸鉀水溶液進行處理之鉻酸鹽處理層稱為純鉻酸鹽處理層。另外，於本發明中，將利用含有鉻酸酐或重鉻酸鉀及鋅之處理液進行處理之鉻酸鹽處理層稱為鉻酸鋅處理層。
例如耐熱層及/或防銹層亦可為依序積層附著量為1mg/m2~100mg/m2(較佳為5mg/m2~50mg/m2)之鎳或鎳合金層與附著量為1mg/m2~80mg/m2(較佳為5mg/m2~40mg/m2)錫層者，前述鎳合金層亦可由鎳-鉬、鎳-鋅、鎳-鉬-鈷中之任一種構成。又，耐熱層及/或防銹層的鎳或鎳合金與錫之合計附著量，較佳為2mg/m2~150mg/m2，更佳為10mg/m2~70mg/m2。又，耐熱層及/或防銹層，較佳為[鎳或鎳合金中之鎳附著量]/[錫附著量]=0.25~10，更佳為0.33~3。
另外，可形成附著量為200~2000μg/dm2之鈷-50~700μg/dm2之鎳之鈷-鎳合金鍍層作為耐熱層及/或防銹層。該處理在廣義上可看作一種防銹處理。該鈷-鎳合金鍍層必需進行至不使銅箔與基板之接著強度實質降低之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。又，作為另一原因，若鈷量較少，則處理表面發紅，故而欠佳。
粗化處理後，可於粗化面上形成附著量為200~3000μg/dm2鈷-100~700μg/dm2鎳之鈷-鎳合金鍍層。該處理在廣義上可看作一種防銹處理。該鈷-鎳合金鍍層必需進行至不使銅箔與基板之接著強度實質降低之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。又，作為另一原因，若鈷量較少，則處理表面發紅，故而欠佳。若鈷附著量超過3000μg/dm2，則當必需考慮磁 性之影響時欠佳，且有蝕刻斑產生之情形，又，有耐酸性及耐化學品性變差之情況。鈷附著量較佳為500~2500μg/dm2。另一方面，若鎳附著量未達100μg/dm2，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。若鎳超過1300μg/dm2，則鹼性蝕刻性變差。鎳附著量較佳為200~1200μg/dm2。
又，鈷-鎳合金鍍敷之條件如下所述：
鍍浴組成：Co 1~20g/L、Ni 1~20g/L
pH值：1.5~3.5
溫度：30~80℃
電流密度Dk：1.0~20.0A/dm2
鍍敷時間：0.5~4秒
若根據本發明，亦可於鈷-鎳合金鍍敷上進而形成附著量為30~250μg/dm2之鋅鍍層。若鋅附著量未達30μg/dm2，則有耐熱劣化率改善效果消失之情形。另一方面，若鋅附著量超過250μg/dm2，則有耐鹽酸劣化率極度變差之情形。鋅附著量較佳為30~240μg/dm2，更佳為80~220μg/dm2。
上述鍍鋅之條件如下所述：
鍍浴組成：Zn 100~300g/L
pH值：3~4
溫度：50~60℃
電流密度Dk：0.1~0.5A/dm2
鍍敷時間：1~3秒
另外，亦可形成鋅-鎳合金鍍敷等鋅合金鍍層而代替鋅鍍層，進而可於最表面藉由鉻酸鹽處理或矽烷偶合劑之塗佈等而形成防銹層。
作為耐候性層，可使用公知之耐候性層。另外，作為耐候性層，例如可使用公知之矽烷偶合處理層，另外，可使用利用以下之矽烷所形成之矽烷偶合處理層。
矽烷偶合處理所使用之矽烷偶合劑可使用公知之矽烷偶合劑，例如可使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑、巰基系矽烷偶合劑。另外，矽烷偶合劑亦可使用乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基苯基三甲氧基矽烷、γ-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、γ-環氧丙氧基丙基三甲氧基矽烷、4-環氧丙基丁基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、咪唑矽烷、三矽烷、γ-巰基丙基三甲氧基矽烷等。
上述矽烷偶合處理層亦可使用環氧系矽烷、胺基系矽烷、甲基丙烯醯氧基系矽烷、巰基系矽烷等矽烷偶合劑等而形成。另外，此種矽烷偶合劑亦可混合2種以上而使用。其中，較佳為使用胺基系矽烷偶合劑或環氧系矽烷偶合劑所形成之矽烷偶合處理層。
此處所謂胺基系矽烷偶合劑，亦可為選自由N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、胺基丙基三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-(3-丙烯醯氧基 -2-羥基丙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、4-胺基丁基三乙氧基矽烷、(胺基乙基胺基甲基)苯乙基三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-(2-胺基乙基-3-胺基丙基)三(2-乙基己氧基)矽烷、6-(胺基己基胺基丙基)三甲氧基矽烷、胺基苯基三甲氧基矽烷、3-(1-胺基丙氧基)-3,3-二甲基-1-丙烯基三甲氧基矽烷、3-胺基丙基三(甲氧基乙氧基乙氧基)矽烷、3-胺基丙基三乙氧基矽烷、3-胺基丙基三甲氧基矽烷、ω-胺基十一烷基三甲氧基矽烷、3-(2-N-苄基胺基乙基胺基丙基)三甲氧基矽烷、雙(2-羥基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷、(N,N-二乙基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、(N,N-二甲基-3-胺基丙基)三甲氧基矽烷、N-甲基胺基丙基三甲氧基矽烷、N-苯基胺基丙基三甲氧基矽烷、3-(N-苯乙烯基甲基-2-胺基乙基胺基)丙基三甲氧基矽烷、γ-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-β-(胺基乙基)-γ-胺基丙基三甲氧基矽烷、N-3-(4-(3-胺基丙氧基)丁氧基)丙基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷所組成之群中之胺基系矽烷偶合劑。
矽烷偶合處理層較理想為以矽原子換算計，於0.05mg/m2~200mg/m2、較佳為0.15mg/m2~20mg/m2、較佳為0.3mg/m2~2.0mg/m2之範圍內進行設置。於為上述範圍之情形時，可使基材樹脂與表面處理銅箔之密合性更為提高。
本發明之表面處理銅箔亦可設為如下構成：於一個表面中，表面處理為粗化處理，粗化處理表面之TD的平均粗糙度Rz為0.30~0.80μm，粗化處理表面之MD的60度光澤度為80~350%，粗化粒子之表面積A與自銅箔表面側俯視粗化粒子時所得之面積B的比A/B為1.90~2.40。 以下對此種構成之銅箔之上述表面粗糙度Rz(1)、光澤度(2)、粒子之表面積比(3)進行說明。
(1)表面粗糙度Rz
上述構成之表面處理銅箔較佳為於銅箔之一個表面藉由粗化處理形成粗化粒子，且，粗化處理表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm。藉由此種構成，剝離強度提高而與樹脂良好地接著，且，利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性提高。其結果，經由透過該樹脂識別到之定位圖案而進行IC晶片搭載時之位置對準等變得更容易。若以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz未達0.20μm，則擔心用以製作超平滑表面之製造成本。另一方面，若以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz超過0.80μm，則有利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸增大之虞，結果有產生樹脂之透明性變得不良之問題之虞。粗化處理表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz更佳為0.30~0.70μm，進而更佳為0.35~0.60μm，進而更佳為0.35~0.55μm，進而更佳為0.35~0.50μm。再者，於必須縮小Rz之用途中使用本發明之表面處理銅箔之情形時，本發明之表面處理銅箔之粗化處理表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz較佳為0.20~0.70μm，更佳為0.25~0.60μm，進而更佳為0.30~0.60μm，進而更佳為0.30~0.55μm，進而更佳為0.30~0.50μm。
再者，於本發明之表面處理銅箔中，所謂「粗化處理表面」，係指於粗化處理後為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理的情形時，進行過該表面處理後之表面處理銅箔之表面。
(2)光澤度
表面處理銅箔之經表面處理側之表面(例如粗化面)之壓延方向(MD)之入射角60度之光澤度對上述樹脂之透明性造成大幅影響。即，越是經表面處理側之表面(例如粗化面)之光澤度愈大之銅箔，上述樹脂之透明性愈良好。因此，上述構成之表面處理銅箔較佳為一個表面之光澤度為76~350%，較佳為80~350%，更佳為90~300%，進而更佳為90~250%，進而更佳為100~250%。
再者，藉由控制表面處理前之銅箔的一個表面之MD之光澤度與TD之表面粗糙度Rz，可控制本發明之Sv、△B。又，藉由控制表面處理前之銅箔的一個表面之TD之光澤度與TD之表面粗糙度Rz，可分別控制本發明之Sv、Rsk、Rq及比E/G。
具體而言，表面處理前之銅箔的一個表面之TD之表面粗糙度(Rz)為0.30~0.80μm，較佳為0.30~0.50μm，於壓延方向(MD)之入射角60度之光澤度為350~800%，較佳為500~800%，進而，若較先前之粗化處理提高電流密度、縮短粗化處理時間，則進行表面處理後之表面處理銅箔之壓延方向(MD)之入射角60度之光澤度成為90~350%。又，可將Sv與△B控制為既定之值。作為此種銅箔，可藉由調整壓延油之油膜當量進行壓延(高光澤壓延)或者藉由如化學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而製作。如此，藉由使處理前之銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)與MD之光澤度為上述範圍，可容易地控制處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)及表面積、Sv、△B。再者，於欲進一步縮小表面處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)(例如Rz=0.20μm)之情形時，將表面處理前之銅箔之處理側表 面之TD之粗糙度(Rz)設為0.18~0.80μm，較佳設為0.25~0.50μm，於壓延方向(MD)之入射角60度之光澤度為350~800%，較佳為500~800%，進而較先前之粗化處理提高電流密度，縮短粗化處理時間。
又，粗化處理前之銅箔較佳為一個表面之MD之60度光澤度為500~800%，更佳為501~800%，進而更佳為510~750%。若粗化處理前之銅箔之MD之60度光澤度未達500%，則與500%以上之情形相比，有上述樹脂之透明性變得不良之虞，若超過800%，則有產生難以進行製造之問題之虞。
再者，高光澤壓延可藉由將下式規定之油膜當量設為13000~24000以下而進行。再者，於欲進一步縮小表面處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)(例如Rz=0.20μm)之情形時，藉由將下式規定之油膜當量設為12000以上且24000以下而進行高光澤壓延。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt]×(通板速度[mpm]+輥周邊速度[mpm])}/{(輥之嚙合角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]為40℃之動黏度。
將油膜當量設為13000~24000，因此只要利用使用低黏度之壓延油或減緩通板速度等公知之方法即可。
化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等蝕刻液，較通常降低濃度，長時間地進行。
再者，上述控制方法亦與省略粗化處理，而藉由鍍敷(正常鍍敷而並非粗化鍍敷之鍍敷)將耐熱層或防銹層設置於銅箔之情況相同。
於表面處理銅箔之一個表面中，處理表面例如粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F(F=(MD之60度光澤 度)/(TD之60度光澤度))較佳為0.80~1.40。若粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F未達0.80，則與0.80以上之情形相比，有樹脂之透明性降低之虞。又，若該比F超過1.40，則與1.40以下之情形相比，有樹脂之透明性降低之虞。該比F更佳為0.90~1.35，進而更佳為1.00~1.30。
(3)粒子之表面積比
於表面處理銅箔之一個表面中，粗化粒子之表面積A與自銅箔表面側俯視粗化粒子時所得之面積B的比A/B對上述樹脂之透明性造成大幅影響。即，若表面粗糙度Rz相同，則比A/B愈小之銅箔，上述樹脂之透明性愈良好。因此，上述構成之表面處理銅箔較佳為，於一個表面中，該比A/B為1.90~2.40，更佳為2.00~2.20。
藉由控制粒子形成時之電流密度與鍍敷時間，可決定粒子之形態或形成密度，控制上述一個表面中之表面粗糙度Rz、光澤度及粒子之面積比A/B。
如上所述，將於表面處理銅箔之一個表面中，粗化粒子之表面積A與自銅箔表面側俯視粗化粒子時所得之面積B的比A/B控制為1.90~2.40而增大表面之凹凸，將粗化處理表面之TD的十點平均粗糙度Rz控制為0.30~0.80μm而去掉表面極粗之部分，另一方面，可將粗化處理表面之光澤度提高為80~350%。藉由進行此種控制，可縮小本發明之表面處理銅箔的一個表面中之粗化處理表面之粗化粒子的粒徑。該粗化粒子之粒徑對蝕刻去除銅箔後之樹脂透明性造成影響，但此種控制係表示於適當範圍內縮小粗化粒子之粒徑，因此，蝕刻去除銅箔後之樹脂透明性變得更良好， 並且剝離強度亦變得更良好。
如上所述，將於表面處理銅箔之一個表面中，粗化粒子之表面積A與自銅箔表面側俯視粗化粒子時所得之面積B的比A/B控制為1.90~2.40而增大表面之凹凸，將粗化處理表面之TD的十點平均粗糙度Rz控制為0.30~0.80μm而去掉表面極粗之部分，另一方面，可將粗化處理表面之光澤度提高為80~350%。藉由進行此種控制，可縮小本發明之表面處理銅箔的一個表面中之粗化處理表面之粗化粒子的粒徑。該粗化粒子之粒徑對蝕刻去除銅箔後之樹脂透明性造成影響，但此種控制係表示於適當範圍內縮小粗化粒子之粒徑，因此，蝕刻去除銅箔後之樹脂透明性變得更良好，並且剝離強度亦變得更良好。
[銅箔表面均方根高度Rq]
本發明之表面處理銅箔較佳為將一個表面之均方根高度Rq控制為0.14~0.63μm。藉由此種構成，剝離強度提高而與樹脂良好地接著，且，利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性提高。其結果，經由透過該樹脂識別到之定位圖案而進行IC晶片搭載時之位置對準等變得容易。若均方根高度Rq未達0.14μm，則會產生銅箔表面之粗化處理變得不足，無法與樹脂充分地接著之問題。另一方面，若一個表面之均方根高度Rq超過0.63μm，則利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸增大，結果產生樹脂之透明性變得不良之問題。粗化處理表面均方根高度Rq更佳為0.25~0.60μm，進而更佳為0.32~0.56μm。
此處，表面均方根高度Rq係依據JIS B 0601(2001)利用非接觸式粗糙度計進行之表面粗糙度測定中顯示凹凸之程度的指標，以下述式表示， 係表面粗糙度之Z軸方向之凹凸(凸部)高度，且為基準長度lr中凸部之高度Z(x)之均方根。
基準長度lr中凸部之高度之均方根高度Rq： √{(1/lr)×∫ Z2(x)dx(其中積分(integral)為0至lr之累積值)}
再者，於表面處理未進行粗化之情形時，如上所述般以使鍍敷皮膜無法形成凹凸之方式於低電流密度下進行處理，又，於進行粗化處理之情形時，藉由形成高電流密度而使粗化粒子小型化，並於短時間內進行鍍敷，藉此可進行粗糙度較小之表面處理，從而控制表面均方根高度Rq。
[銅箔表面之偏斜度Rsk]
偏斜度Rsk表示由均方根高度Rq之立方進行無因次化而得之基準長度的Z(x)立方平均。
均方根高度Rq係依據JIS B 0601(2001)利用非接觸式粗糙度計進行之表面粗糙度測定中顯示凹凸之程度的指標，以下述(A)式表示，係表面粗糙度之Z軸方向之凹凸(凸部)高度，且為基準長度lr中凸部之高度Z(x)之均方根。
基準長度lr中凸部之高度之均方根高度Rq：
偏斜度Rsk係使用均方根高度Rq利用以下(B)式表示。
銅箔表面之偏斜度Rsk係於以銅箔表面之凹凸面之平均面為中心時顯示銅箔表面之凹凸之對象性的指標。如圖5所示，可謂若Rsk<0，則高度分佈相對於平均面偏上側，若Rsk>0，則高度分佈相對於平均面偏下側。於對上側之偏差較大時，將銅箔貼附於聚醯亞胺(PI)後進行蝕刻去除之情形時，PI表面呈現凹形態，若自光源照射光，PI內部之漫反射會變大。於對下側之偏差較大時，將銅箔貼附聚醯亞胺(PI)後進行蝕刻去除之情形時，PI表面呈現凸形態，若自光源照射光，PI表面之漫反射會變大。
本發明之表面處理銅箔較佳為將一個表面之偏斜度Rsk控制為-0.35~0.53。藉由此種構成，剝離強度提高而與樹脂良好地接著，且，利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性提高。其結果，經由透過該樹脂識別到之定位圖案而進行IC晶片搭載時之位置對準等變得容易。若偏斜度Rsk未達-0.35，則產生銅箔表面之粗化處理等表面處理變得不充分，無法與樹脂充分地接著之問題。另一方面，若偏斜度Rsk超過0.53，則利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸增大，結果產生樹脂之透明性變得不良之問題。經表面處理之一個銅箔表面之偏斜度Rsk較佳為-0.30以上，較佳為-0.20以上，較佳為-0.10以下。又，經表面處理之銅箔表面之偏斜度Rsk較佳為0.15以上，較佳為0.20以上，較佳為0.50以下，較佳為0.45以下，較佳為0.40以下，進而更佳為0.39以下。又，經表面處理之銅箔表面之偏斜度Rsk較佳為-0.30以上，較佳為0.50以下，更佳為0.39以下。
再者，於表面處理未進行粗化之情形時，如上所述般以使鍍敷皮膜無法存在凹凸之方式於低電流密度下進行處理，又，於進行粗化處理之情形 時，藉由形成高電流密度而使粗化粒子小型化，於短時間內進行鍍敷，藉此可進行粗糙度較小之表面處理，從而控制表面之偏斜度Rsk。
[銅箔表面之表面積G與凸部體積E的比E/G]
本發明之表面處理銅箔較佳為於一個表面上將俯視上述表面時所得之表面積G與上述表面之凸部體積E的比E/G控制為2.11~23.91。藉由此種構成，剝離強度提高而與樹脂良好地接著，且，利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性提高。其結果，經由透過該樹脂識別到之定位圖案而進行之IC晶片搭載時之位置對準等變得容易。若比E/G未達2.11μm，則產生銅箔表面之粗化處理變得不充分，無法充分地與樹脂接著之問題。另一方面，若比E/G超過23.91μm，則利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸增大，結果產生樹脂之透明性變得不良之問題。比E/G更佳為2.95~21.42μm，進而更佳為10.54~13.30μm。
此處，所謂「俯視表面時所得之表面積G」，係指以某高度(閾值)為基準成為凸部之部分或成為凹部之部分的表面積之合計。
又，所謂「表面之凸部體積E」，係指以某高度(閾值)為基準成為凸部之部分或成為凹部之部分的體積之合計。
再者，表面之表面積G與凸部體積E的比E/G之控制係如上所述般藉由調整粗化粒子之電流密度與鍍敷時間而進行。若以高電流密度進行鍍敷處理，則獲得較小之粗化粒子，若以低電流密度進行鍍敷處理，則獲得較大之粗化粒子。於該等條件下形成之粒子之個數係根據鍍敷處理時間而決定，因此凸部體積E係根據電流密度與鍍敷時間之組合而決定。
[銅箔表面之十點平均粗糙度Rz]
本發明之表面處理銅箔可為無粗化處理銅箔，亦可為形成有粗化粒子之粗化處理銅箔，較佳為於一個表面中，粗化處理表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.20~0.64μm。藉由此種構成，剝離強度進一步提高而與樹脂良好地接著，且，利用蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性進一步提高。其結果，經由透過該樹脂識別到之定位圖案而進行之IC晶片搭載時之位置對準等變得更容易。若以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz未達0.20μm，則有銅箔表面之粗化處理不充分之虞，有產生無法與樹脂充分地接著之問題之虞。另一方面，若以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz超過0.64μm，則有利用蝕刻去除銅箔後之樹脂表面之凹凸增大之虞，結果有產生樹脂之透明性變得不良之問題之虞。處理表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz更佳為0.40~0.62μm，進而更佳為0.46~0.55μm。
為了進一步提高本發明之識別性之效果，對表面處理前之銅箔的一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的粗糙度(Rz)及光澤度進行控制。具體而言，表面處理前之銅箔的一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD(與壓延方向垂直之方向(銅箔之寬度方向)，對電解銅箔而言為電解銅箔製造裝置中與銅箔之通箔方向垂直之方向)之表面粗糙度(Rz)為0.20~0.55μm，較佳為020~0.42μm。作為此種銅箔，藉由調整壓延油之油膜當量進行壓延(高光澤壓延)或調整壓延輥之表面粗糙度進行壓延，或者藉由如化學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而製作。如此，可藉由使處理前之銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)為上述範圍，使處理前之銅箔之TD之光澤度為下述範圍，而控制處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)、 表面積、Sv、Rq、Rsk、銅箔表面之表面積G與凸部體積E的比E/G。
又，表面處理前之銅箔中，於一個表面中，TD之60度光澤度為400~710%，較佳為500~710%。若表面處理前之銅箔之一個表面的MD之60度光澤度未達400%，則與400%以上之情形相比，有上述樹脂之透明性變得不良之虞，若超過710%，則有產生難以製造之問題之虞。
再者，高光澤壓延可藉由將以下之式規定之油膜當量設為13000~24000以下而進行。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通板速度[mpm]+輥周邊速度[mpm])}/{(輥之嚙合角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]為40℃之動黏度。
為了將油膜當量設為13000~24000，可利用使用低黏度之壓延油或減緩通板速度等公知之方法即可。
壓延輥之表面粗糙度例如以算術平均粗糙度Ra(JIS B0601)計可設為0.01~0.25μm。於壓延輥之算術平均粗糙度Ra之值較大之情形時，有表面處理前之銅箔之表面之TD之粗糙度(Rz)增大，表面處理前之一個表面的銅箔之表面之TD之60度光澤度降低之傾向。又，於壓延輥之算術平均粗糙度Ra之值較小之情形時，有表面處理前之銅箔之一個表面的TD之粗糙度(Rz)減小，表面處理前之銅箔之一個表面之TD之60度光澤度提高之傾向。
化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等蝕刻液，較通常降低濃度，長時間地進行。
[亮度曲線之斜率]
本發明之表面處理銅箔係自一個表面側貼合於聚醯亞胺基材樹脂之兩面後，利用蝕刻去除兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下，隔著上述聚醯亞胺基板利用CCD攝影機對印刷物進行攝影時，對由攝影獲得之圖像，沿與觀察到之線狀標記延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自標記之端部至未描繪標記之部分產生的亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點設為t2，此時，(1)式定義之Sv為3.5以上。
Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)
再者，於上述觀察位置-亮度圖表中，橫軸表示位置資訊(像素×0.1)，縱軸表示亮度(灰階)之值。
此處，利用圖對「亮度曲線之頂部平均值Bt」、「亮度曲線之底部平均值Bb」、及下述「t1」、「t2」、「Sv」進行說明。
圖1(a)及圖1(b)係表示對將標記之寬度設為約0.3mm之情形時之Bt及Bb進行定義的模式圖。於將標記之寬度設為約0.3mm之情形時，有如圖1(a)所示般成為V型之亮度曲線，及如圖1(b)所示般成為具有底部之亮度曲線之情況。於任一情況下，「亮度曲線之頂部平均值Bt」均表示自距離標記兩側之端部位置50μm之位置起以30μm間隔測定5個部位(兩側合計為10個部位)時之亮度的平均值。另一方面，「亮度曲線之底部平 均值Bb」於亮度曲線如圖1(a)所示般成為V型之情形時，表示該V字之凹部之前段部的亮度之最低值，於圖1(b)之具有底部之情形時，表示約0.3mm之中心部之值。
再者，標記之寬度亦可設為0.2mm、0.16mm、0.1mm左右。進一步，「亮度曲線之頂部平均值Bt」亦可設為自距離標記兩側之端部位置100μm之位置、300μm之位置或500μm之位置起分別以30μm間隔測定5個部位(兩側合計為10個部位)時之亮度的平均值。
圖2係表示定義t1及t2及Sv之模式圖。「t1(像素×0.1)」表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點以及該交點之位置的值(上述觀察地點-亮度圖表之橫軸之值)。「t2(像素×0.1)」為於自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點及該交點之位置的值(上述觀察地點-亮度圖表之橫軸之值)。此時，以連結t1及t2之線來表示之亮度曲線之斜率係利用y軸方向為0.1△B、x軸方向為(t1-t2)來進行計算的Sv(灰階/像素×0.1)來定義。再者，橫軸之1像素相當於10μm長度。又，關於Sv，測定標記之兩側並採用較小值。再來，於亮度曲線之形狀不穩定且存在複數個上述「亮度曲線與Bt之交點」之情形時，採用最接近標記之交點。
於利用CCD攝影機拍攝到之上述圖像中，未附有標記之部分亮度較高，但於剛到達標記端部時亮度降低。若聚醯亞胺基板之識別性良好，則明確地觀察到此種亮度之降低狀態。另一方面，若聚醯亞胺基板之識別性不良，則亮度於標記端部附近不會瞬間自「高」突然降至「低」，而為降低之狀態平緩，亮度之降低狀態變得不明確。
本發明係基於此種見解，對於貼合並去除本發明之表面處理銅箔之聚醯亞胺基板，將附有標記之印刷物至於其下，根據隔著聚醯亞胺基板利用CCD攝影機所攝之上述標記部分之圖像獲得觀察地點-亮度圖表，對該圖表中描繪之標記端部附近之亮度曲線的斜率進行控制。更詳細而言，將亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值(上述觀察地點-亮度圖表之橫軸之值)設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值(上述觀察地點-亮度圖表之橫軸之值)設為t2，此時，上述(1)式定義之Sv為3.5以上。根據此種構成，不受基板樹脂之種類或厚度之影響，而使利用CCD攝影機獲得之隔著聚醯亞胺之標記之識別力提高。因此，可製作識別性優異之聚醯亞胺基板，於利用電子基板製造步驟等對聚醯亞胺基板進行既定之處理之情形時，利用標記獲得之定位精度提高，藉此獲得良率提高等效果。Sv較佳為3.9以上，更佳為4.5以上，進而更佳為5.0以上，進而更佳為5.5以上。Sv之上限無需特別限定，例如為70以下、30以下、15以下、10以下。根據此種構成，標記與未標記之部分之邊界更明確，定位精度提高，由標記圖像辨識導致之誤差減少，可更準確地進行位置對準。
[銅箔表面之面積比]
銅箔之一個表面的三維表面積D與二維表面積C的比D/C對上述樹脂之透明性造成大幅影響。即，若表面粗糙度Rz相同，則比D/C越小之銅箔，上述樹脂之透明性變得越良好。因此，本發明之表面處理銅箔較佳 為該比D/C為1.0~1.7，更佳為1.0~1.6。此處，表面處理側之表面之三維表面積D與二維表面積C的比D/C於例如對該表面進行粗化處理之情形時，亦可稱為粗化粒子之表面積D與自銅箔表面側俯視銅箔時所得之面積C的比D/C。
藉由於形成粗化粒子時等表面處理時控制表面處理之電流密度與鍍敷時間，來決定表面處理後之銅箔之表面狀態或粗化粒子之形態或形成密度，而可控制上述表面粗糙度Rz、光澤度及銅箔表面之面積比D/C、Sv、△B、Rq、Rsk、銅箔表面之表面積G與凸部體積E的比E/G。
[蝕刻因數]
於使用銅箔形成電路時之蝕刻因數之值大的情形時，蝕刻時產生之電路的底部之拖尾減少，因此可縮窄電路間之空間。因此，蝕刻因數之值大者適合利用精細圖案形成電路，故而較佳。本發明之表面處理銅箔中，例如，蝕刻因數之值較佳為1.8以上，較佳為2.0以上，較佳為2.2以上，較佳為2.3以上，更佳為2.4以上。
再者，印刷配線板或覆銅積層板可藉由將樹脂熔融並去除，而針對銅電路或銅箔表面測定上述粒子之面積比(A/B)、光澤度、表面粗糙度Rz、Sv、△B、Rq、Rsk、銅箔表面之表面積G與凸部體積E的比E/G。
[傳輸損耗]
於傳輸損耗小之情形時，可抑制以高頻進行訊號傳輸時之訊號之衰減，因此以高頻進行訊號傳輸之電路可進行穩定之訊號的傳輸。因此，傳輸損耗之值小者適合用於以高頻進行訊號之傳輸之電路用途，故而較佳。將表面處理銅箔與市售之液晶聚合物樹脂(可樂麗股份有限公司製造之 Vecstar CTZ-50μm)貼合後，以利用蝕刻使特性阻抗成為50Ω之方式形成微帶線路，使用HP公司製造之網路分析儀HP8720C測定透射係數，求出於頻率20GHz之傳輸損耗，於此情形時，頻率20GHz之傳輸損耗較佳為未達5.0dB/10cm，更佳為未達4.1dB/10cm，進而更佳為未達3.7dB/10cm。
本發明之表面處理銅箔於銅箔的與樹脂基板接著之面的相反側表面(於本發明中，亦稱該面為「另一個表面」)亦可進行表面處理。於從一表面側將表面處理銅箔貼合於樹脂基板時，一般而言，以樹脂基板/表面處理銅箔/保護膜之順序進行積層，自該保護膜側利用層疊輥一邊施加熱與壓力一邊使其貼合。此時，有產生於與表面處理銅箔之樹脂基板側相反側的表面(另一個表面)貼附有保護膜(於表面處理銅箔與保護膜之間變得不滑)之問題之虞。若產生此種問題，則於銅箔的另一個表面產生皺褶或條紋。相對於此，本發明之表面處理銅箔藉由另一個表面經表面處理，增加銅箔與保護膜間之接觸面積，而可良好地抑制於與樹脂基板之積層步驟時保護膜貼附於銅箔之問題。
本發明之表面處理銅箔於另一態樣中，另一經表面處理之銅箔表面的利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。藉由此種構成，由於使銅箔與保護膜之間之接觸面積更加增大，故而可更良好地抑制於與樹脂基板之積層步驟時保護膜貼附於銅箔之問題。本發明之表面處理銅箔於另一經表面處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz更佳為0.40μm以上，進而更佳為0.50μm以上，進而更佳為0.60μm以上，進而更佳為0.80μm以上；典型而言為0.40~4.0μm，更典型而言為0.50~ 3.0μm。再者，本發明之表面處理銅箔之另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz之上限無需特別限定，典型而言為4.0μm以下，更典型而言為3.0μm以下，更典型而言為2.5μm以下，更典型而言為2.0μm以下。
本發明之表面處理銅箔於另一態樣中，另一經表面處理之銅箔表面的利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。藉由此種構成，由於使銅箔與保護膜之間之接觸面積更加增大，故而可更良好地抑制於與樹脂基板之積層步驟時保護膜貼附於銅箔之問題。本發明之表面處理銅箔於另一經表面處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra更佳為0.08μm以上，進而更佳為0.10μm以上，進而更佳為0.20μm以上，進而更佳為0.30μm以上。再者，本發明之表面處理銅箔之另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra之上限無需特別限定，典型而言為0.80μm以下，更典型而言為0.65μm以下，更典型而言為0.50μm以下，更典型而言為0.40μm以下。
本發明之表面處理銅箔於再另一態樣中，另一經表面處理之銅箔表面的利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq為0.08μm以上。藉由此種構成，由於使銅箔與保護膜之間之接觸面積更加增大，故而可更良好地抑制於與樹脂基板之積層步驟時保護膜貼附於銅箔之問題。本發明之表面處理銅箔於另一經表面處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq更佳為0.10μm以上，進而更佳為0.15μm以上，進而更佳為0.20μm以上，進而 更佳為0.30μm以上；典型而言為0.08~0.60μm，更典型而言為0.10~0.50μm。再者，本發明之表面處理銅箔之另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq之上限無需特別限定，典型而言為0.80μm以下，更典型而言為0.60μm以下，更典型而言為0.50μm以下，更典型而言為0.40μm以下。
作為本發明之表面處理銅箔中另一個表面處理，並未特別限定，亦為可粗化處理，亦可為省略粗化處理，藉由鍍敷(正常鍍敷，並非粗化鍍敷之鍍敷)而設置耐熱層或防銹層之處理。
例如可使用含有硫酸銅與硫酸水溶液之鍍敷液而進行粗化處理，另外，亦可使用由硫酸銅與硫酸水溶液所組成之鍍敷液而進行粗化處理。亦可為銅-鈷-鎳合金鍍敷或銅-鎳-磷合金鍍敷、鎳-鋅合金鍍敷等合金鍍敷。另外，較佳為可藉由鍍銅合金而進行。作為銅合金鍍浴，例如較佳為使用含有銅與1種以上之銅以外之元素之鍍浴，更佳為含有銅與選自由鈷、鎳、砷、鎢、鉻、鋅、磷、錳及鉬所組成之群中之任一種以上之鍍浴。
另外，作為本發明之表面處理銅箔中另一個表面處理，亦可為上述粗化處理或鍍敷處理以外之表面處理。
作為用以於另一個表面形成凹凸之表面處理，亦可進行利用電解研磨之表面處理。例如於由硫酸銅與硫酸水溶液所組成之溶液中，對銅箔之另一個表面進行電解研磨，藉此可於銅箔之另一個表面形成凹凸。通常電解研磨係以平滑化為目的，但對於本發明之另一個表面處理而言，藉由電解研磨而形成凹凸，因此與通常想法相反。藉由電解研磨而形成凹凸之方法亦可利用公知之技術進行。作為用以形成上述凹凸之電解研磨之公知技術 之例，可列舉：日本特開2005-240132、日本特開2010-059547、日本特開2010-047842所記載之方法。作為利用電解研磨形成凹凸之處理之具體條件，例如可列舉：
●處理溶液：Cu：20g/L、H2SO4：100g/L、溫度：50℃
●電解研磨電流：15A/dm2
●電解研磨時間：15秒
等。
作為用以於另一個表面形成凹凸之表面處理，例如亦可藉由對另一個表面進行機械研磨而形成凹凸。機械研磨亦可利用公知之技術進行。
再者，亦可於本發明之表面處理銅箔之另一個表面處理後，設置耐熱層或防銹層或耐候性層。耐熱層或防銹層及耐候性層可利用上述記載或實驗例記載之方法形成，亦可利用公知之技術方法形成。
可將本發明之表面處理銅箔自一個表面側貼合於樹脂基板而製造積層體。樹脂基板只要具有可應用於印刷配線板等之特性，則不受特別限制，例如，於剛性PWB用可使用紙基材酚系樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，於FPC用可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、Teflon(註冊商標)膜等。
貼合之方法於剛性PWB用之情形時，係準備將樹脂含浸於玻璃布等基材中，而使樹脂硬化至呈半硬化狀態的預浸體。可藉由自與被覆層相反側之面將銅箔與預浸體重疊並進行加熱加壓而進行。於FPC之情形時，可藉由經由接著劑或不使用接著劑而於高溫高壓下將聚醯亞胺膜等 基材積層接著於銅箔上，或者對聚醯亞胺前驅物進行塗佈、乾燥、硬化等而製造積層板。
聚醯亞胺基材樹脂之厚度不受特別限制，通常可列舉25μm或50μm。
本發明之積層體可用於各種印刷配線板(PWB)，並無特別限制，例如，就導體圖案之層數之觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料之種類之觀點而言，可應用於剛性PWB、可撓性PWB(FPC)、軟硬複合PWB。
(積層板及使用其之印刷配線板之定位方法)
對本發明之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之定位方法進行說明。首先，準備表面處理銅箔與樹脂基板之積層板。作為本發明之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之具體例，可列舉：於由本體基板、附屬之電路基板及用以將該等電性連接之聚醯亞胺等樹脂基板之至少一個表面形成有銅配線之可撓性印刷基板構成的電子機器中，準確地定位可撓性印刷基板並壓接於該本體基板及附屬之電路基板之配線端部而製作的積層板。即，只要為此情形，則積層板會成為藉由將可撓性印刷基板與本體基板之配線端部壓接而使之貼合的積層體、或藉由將可撓性印刷基板與電路基板之配線端部壓接而使之貼合的積層板。積層板具有由該銅配線之一部分或其他材料形成之標記。標記之位置只要為可隔著構成該積層板之樹脂利用CCD攝影機等攝影手段進行攝影的位置，則並無特別限定。
於如此準備之積層板中，若隔著樹脂利用攝影手段對上述標記進行攝影，則可良好地檢測到上述標記之位置。並且，如此檢測到上述標記之位置，基於上述檢測到之標記之位置，可良好地進行表面處理銅箔 與樹脂基板之積層板之定位。又，於使用印刷配線板作為積層板之情形時，亦可同樣地藉由此種定位方法，使攝影手段良好地檢測到標記之位置，而更準確地進行印刷配線板之定位。
因此，可認為於將一印刷配線板與另一印刷配線板連接時，連接不良減少，良率提高。再者，作為將一印刷配線板與另一印刷配線板連接之方法，可使用焊接或經由異向性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)之連接、經由異向性導電膏(Anisotropic Conductive Paste，ACP)之連接或經由具有導電性之接著劑之連接等公知之連接方法。再者，於本發明中，「印刷配線板」亦包括安裝有零件之印刷配線板、印刷電路板、及印刷基板。又，可將2個以上本發明之印刷配線板連接，製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板，又，可將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接，亦可使用此種印刷配線板製造電子機器。再者，於本發明中，「銅電路」亦包含銅配線。進而，亦可將本發明之印刷配線板與零件連接而製造印刷配線板。又，亦可藉由將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接，進而，將本發明之連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板與零件連接，製造連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板。此處，作為「零件」，可列舉：連接器或LCD(Liquid Cristal Display，液晶顯示裝置)、LCD中使用之玻璃基板等電子零件，包括IC(Integrated Circuit，積體電路)、LSI(Large scale integrated circuit，大型積體電路)、VLSI(Very Large scale integrated circuit，超大型積體電路)、ULSI(Ultra-Large Scale Integrated circuit，極大 型積體電路)等半導體積體電路之電子零件(例如IC晶片、LSI晶片、VLSI晶片、ULSI晶片)，用以屏蔽電子電路之零件及將外罩等固定於印刷配線板上必需之零件等。
再者，本發明之實施之形態之定位方法亦可包括使積層板(包含銅箔與樹脂基板之積層板或印刷配線板)移動之步驟。移動步驟例如可藉由帶式輸送機或鏈條輸送機等輸送機而使之移動，可藉由具備支臂機構之移動裝置而使之移動，可藉由利用使用氣體使積層板浮動而移動的移動裝置或移動手段而使之移動，亦可藉由使大致圓筒形等之物旋轉使積層板移動之移動裝置或移動手段(包含輥或軸承等)、以油壓為動力源之移動裝置或移動手段、以氣壓為動力源之移動裝置或移動手段、以馬達為動力源之移動裝置或移動手段、具有支架移動型線性導軌平台(Linear guide stage)、支架移動型空氣導向器平台(air guide stage)、堆疊型線性導軌平台、線性馬達驅動平台等平台的移動裝置或移動手段等而使之移動。又，亦可藉由公知之移動手段進行移動步驟。
再者，本發明之實施形態之定位方法亦可用於表面安裝機或貼片機中。
又，本發明定位之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板亦可為具有樹脂板及設置於上述樹脂板之上之電路的印刷配線板。又，於此情形時，上述標記亦可為上述電路。
於本發明中，「定位」包括「檢測標記或物之位置」。又，於本發明中，「位置對準」包括「於檢測到標記或物之位置後，基於上述檢測到之位置，使該標記或物移動至既定之位置」。
再者，於印刷配線板中，代替印刷物之標記，可以印刷配線板上之電 路為標記，隔著樹脂利用CCD攝影機對該電路進行攝影，而測定Sv之值。又，關於覆銅積層板，可於藉由蝕刻使銅成為線狀後，代替印刷物之標記，以該成為線狀之銅為標記，隔著樹脂利用CCD攝影機對該成為線狀之銅進行攝影，而測定Sv之值。
本發明之覆銅積層板於一實施形態中，係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，以(1)式定義之Sv為3.5以上。
本發明之覆銅積層板於又一實施形態中，係以絕緣樹脂基板與自一個表面側積層於上述絕緣基板而成之表面處理銅箔來構成者，銅箔之另一個表面經表面處理，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述表面處理銅箔形成為線狀表面處理銅箔後，隔著自一個表面側積層而得的上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察 到之上述線狀之表面處理銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀之表面處理銅箔之端部至無上述線狀之表面處理銅箔之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，以(1)式定義之Sv為3.5以上。
上述本發明之覆銅積層板之銅箔可使用本發明之表面處理銅箔。
若使用此種覆銅積層板製造印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。因此，可認為於將一個印刷配線板與另一個印刷配線板連接時，連接不良減少，良率提高。
又，上述本發明之印刷配線板或覆銅積層板，亦可對銅電路或銅箔之與樹脂基板接著的面之相反側的表面(另一個表面)進行表面處理。於使印刷配線板或覆銅積層板通過輥對輥之製造線時，有產生下述問題之虞：製造線中之搬運輥和與印刷配線板或覆銅積層板之樹脂基板側相反側之表面間會黏貼(變得不滑)。若產生此種問題，則於銅電路或銅箔的另一個表面產生皺褶或條紋。相對於此，本發明之印刷配線板或覆銅積層板藉由另一個表面經表面處理，增加銅電路或銅箔與保護膜間之接觸面積，而可良好地抑制黏貼(變得不滑)於製造線中之搬運輥。此外，由於其他表面與乾膜、覆蓋絞紋之密合性變得良好，因此印刷配線板或覆銅積 層板之耐候性提高。
[實施例]
<關於實驗例A1-1~A1-30、實驗例B1-1~B1-18>
作為實驗例A1-1~A1-30及實驗例B1-1~B1-18，準備表2及表3中記載之各種銅箔，以表1中記載之條件對一個表面進行作為粗化處理之鍍敷處理。
於進行上述粗化鍍敷處理後，實驗例A1-1~A1-10、A1-12~A1-27、實驗例B1-3、B1-4、B1-6、B1-9~B1-14係進行下一用以形成耐熱層及防銹層之鍍敷處理。將耐熱層1之形成條件表示如下。
液組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：10~20As/dm2
再者，鍍敷時間設為0.5~2.0秒。
於施加有上述耐熱層1之銅箔上形成耐熱層2。將耐熱層2之形成條件表示如下。
液組成：鎳2~30g/L、鋅2~30g/L
pH：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：1~2As/dm2
再者，實驗例B1-5、B1-7、B1-8係未進行粗化鍍敷處理，而於準備之銅箔直接形成耐熱層3。將耐熱層3之形成條件表示如下。
液組成：鎳25g/L、鋅2g/L
pH：2.5
液溫：40℃
電流密度：6A/dm2
庫侖量：4.8As/dm2
鍍敷時間：0.8秒
又，實驗例B1-15係未進行粗化鍍敷處理，而於準備之銅箔，直接形成耐熱層4。將耐熱層4之形成條件表示如下。
液組成：鎳0.3g/L、鋅2.5g/L、焦磷酸浴
液溫：40℃
電流密度：5A/dm2
庫侖量：22.5As/dm2
鍍敷時間：4.5秒
又，實驗例B1-B16進行與上述A1-2相同的表面處理，實驗例B1-B17進行與上述A1-10相同的表面處理，實驗例B1-B18進行與上述A1-11相同的表面處理。
於施加有上述耐熱層1及2或耐熱層3或耐熱層4之銅箔上，進而形成防銹層。將防銹層之形成條件表示如下。
液組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0~2A/dm2(用於浸漬鉻酸鹽處理)
庫侖量：0~2As/dm2(用於浸漬鉻酸鹽處理)
於施加有上述耐熱層1、2及防銹層之銅箔上，進而形成耐候性層。將形成條件表示如下。
利用作為具有胺基之矽烷偶合劑之N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實驗例A1-17、A1-24~A1-27)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷(實驗例A1-1~A1-16)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷(實驗例A1-18、A1-28、A1-29、A1-30)、3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實驗例A1-19)、3-胺基丙基三乙氧基矽烷(實驗例A1-20、A1-21)、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺(實驗例22)、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實驗例A1-23)進行塗佈、乾燥，而形成耐候性層。亦可組合2種以上該等矽烷偶合劑而使用。同樣，實驗例B1-1~B1-14係利用N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷進行塗佈、乾燥，而形成耐候性層。
再者，壓延銅箔係以如下方式製造。製造表2及表3所示之組成之銅錠，進行熱軋後，於300~800℃之連續退火線反覆進行退火與冷軋，而獲得1~2mm厚之壓延板。於300~800℃之連續退火線使該壓延板退火並再結晶，進行最終冷軋直至表2之厚度，而獲得銅箔。表2及表3之「種類」欄之「精銅」表示以JIS H3100 C1100為標準之精銅，「無氧銅」表示以JIS H3100 C1020為標準之無氧銅。又，「精銅+Ag：100ppm」係表示於精銅中添加100質量ppm之Ag。
電解銅箔係使用JX日鑛日石金屬公司製造之電解銅箔HLP箔。於進行電解研磨或化學研磨之情形時，記載電解研磨或化學研磨後之板厚。
再者，表2及表3中記載有表面處理前之銅箔製作步驟之要點。「高光澤壓延」係表示以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。「通常壓延」係表示以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。「化學研磨」、「電解研磨」係表示於以下條件下進行。
「化學研磨」中，使用H2SO4為1~3質量%，H2O2為0.05~0.15質量%，剩餘部分為水之蝕刻液，將研磨時間設為1小時。
「電解研磨」係於磷酸67%+硫酸10%+水23%之條件下，以電壓10V/cm2、表2中記載之時間(若進行10秒之電解研磨，則研磨量成為1~2μm)進行。
<關於實驗例A2-1~A2-7、B2-1~B2-2、A3-1~A3-9、B3-1~B3-5、A4-1~A4-8、B4-1~B4-5>
實驗例係準備表6、8、10中記載之各銅箔，於表7、9、11中記載之條件下，對一個表面進行作為表面處理之鍍敷處理。又，亦準備未進行粗化處理者。表之「表面處理」之「粗化處理」欄之「無」表示表面處理並非粗化處理，「有」表示表面處理為粗化處理。
再者，壓延銅箔(表之「種類」欄之「精銅」表示壓延銅箔)係以如下方式製造。製造既定之銅錠，進行熱軋後，於300~800℃之連續退火線反覆進行退火與冷軋，而獲得1~2mm厚之壓延板。於300~800℃之連續退火線使該壓延板退火並再結晶，最終進行冷軋直至表1之厚度， 而獲得銅箔。表之「精銅」係表示以JIS H3100 C1100為標準之精銅。
再者，表中記載有一個表面中之表面處理前之銅箔製作步驟之要點。「高光澤壓延」係表示以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。再者，實驗例A3-1、A3-2、A4-1、A4-2亦製造銅箔之厚度為6μm、12μm、35μm之銅箔，並進行評價。其結果，成為與銅箔之厚度為18μm之情形相同之結果。
又，於既定之實驗例中，於銅箔之另一個表面進行表12~15所記載之表面處理。
針對如上述般製作之實驗例之各樣品以下述方式進行各種評價。
●表面粗糙度(Rz)之測定：
各實驗例之表面處理後之銅箔係使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計Surfcorder SE-3C，依據JIS B0601-1994，對一個表面測定十點平均粗糙度。於測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、截斷值0.25mm、輸送速度0.1mm/秒之條件下，於壓延方向或與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之行進方向垂直之方向(TD)上變更測定位置測定10次，求出10次測定之值。
再者，表面處理前之銅箔亦以相同之方式求出表面粗糙度(Rz)。
再者，於對銅箔表面進行了粗化處理後或者未進行粗化處理而為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理的情形時，對進行過該耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理後的表面處理銅箔之表面進行上述測定。
又，針對各實驗例之表面處理後之另一個表面，較佳為使用非接觸式之方法測定表面之粗糙度。具體而言，以利用雷射顯微鏡而測得之粗糙度之值評價各實驗例之表面處理後之另一個表面之狀態。其原因在於：可更詳細地評價表面之狀態。
針對表面處理銅箔之另一個表面，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，依據JIS B0601 1994而測定表面粗糙度(十點平均粗糙度)Rz。使用物鏡50倍，觀察銅箔表面，於評價長度258μm、截斷值為零之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或者針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)之測定，並求出各自之值。另外，利用雷射顯微鏡之表面粗糙度Rz之測定環境溫度設為23~25℃。於任意10處測定Rz，將10處Rz之平均值設為表面粗糙度(十點平均粗糙度)Rz之值。另外，測定時所使用之雷射顯微鏡之雷射光之波長係設為405nm。
●表面均方根高度Rq之測定：
各實驗例之表面處理後之銅箔之一個表面係利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，測定銅箔表面均方根高度Rq。於銅箔表面之倍率1000倍觀察時，於評價長度647μm、截斷值為零之條件下，對於壓延銅箔，利用與壓延方向垂直之方向(TD)之測定而求出值，或者對於電解銅箔，利用與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之行進方向垂直之方向(TD)之測定而求出值。再者，利用雷射顯微鏡獲得之表面均方根高度Rq之測定環境溫度設為23~25℃。
進一步，針對表面處理銅箔之另一個表面，利用Olympus公司製造之 雷射顯微鏡OLS4000，依據JIS B0601 2001而測定銅箔表面之均方根高度Rq。使用物鏡50倍，觀察銅箔表面，於評價長度258μm、截斷值為零之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或者針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)之測定，並求出各自之值。另外，利用雷射顯微鏡之表面之均方根高度Rq之測定環境溫度設為23~25℃。於任意10處測定Rq，將10處Rq之平均值設為均方根高度Rq之值。另外，測定時所使用之雷射顯微鏡之雷射之波長係設為405nm。
●表面之偏斜度Rsk之測定：
各實驗例之表面處理後之銅箔之表面處理面係利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，測定銅箔之一個表面之偏斜度Rsk。Rsk係根據JIS B0601 2001。於銅箔表面之倍率1000倍觀察時，於評價長度647μm、截斷值為零之條件下，對於壓延銅箔，利用與壓延方向垂直之方向(TD)之測定而求出值，或者對於電解銅箔，利用與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之行進方向垂直之方向(TD)之測定而求出值。再者，利用雷射顯微鏡獲得之表面之偏斜度Rsk之測定環境溫度設為23~25℃。
●表面之算術平均粗糙度Ra之測定：
針對各實驗例之表面處理後之銅箔之另一個表面，依據JIS B0601-1994，利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，對表面粗糙度Ra進行測定。使用物鏡50倍，觀察銅箔表面，於評價長度258μm、截斷值為零之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或者針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂 直之方向(TD)之測定，並求出各自之值。另外，利用雷射顯微鏡之表面之算術平均粗糙度Ra之測定環境溫度設為23~25℃。於任意10處測定Ra，將10處Ra之平均值設為算術平均粗糙度Ra之值。另外，測定時所使用之雷射顯微鏡之雷射之波長係設為405nm。
●銅箔表面之表面積G與凸部體積E的比E/G之測定：
各實驗例之表面處理後之銅箔之一個表面係利用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，測定俯視時所得之表面積G與凸部體積E，算出比E/G。根據評價面積647μm×646μm、截斷值為零之條件求出值。再者，利用雷射顯微鏡進行俯視時所得之表面積G與凸部體積E之測定環境溫度設為23~25℃。
●面積比(D/C)：
關於各實驗例之表面處理後之銅箔之一個表面，銅箔表面之表面積係使用利用雷射顯微鏡之測定法。各實驗例之表面處理後之銅箔係使用Olympus公司製造之雷射顯微鏡OLS4000，對處理表面之倍率20倍中之相當於647μm×646μm面積(俯視時所得之表面積)C(實際資料為417,953μm2)之三維表面積D進行測定，藉由三維表面積D÷二維表面積C=面積比(D/C)之方法進行計算。再者，利用雷射顯微鏡獲得之三維表面積B之測定環境溫度設為23~25℃。
●粒子之面積比(A/B)：
粗化粒子之表面積係使用利用雷射顯微鏡之測定法。使用其恩斯股份有限公司製造之雷射顯微鏡VK8500，測定一個表面之粗化處理面之倍率2000倍中之相當於100×100μm面積B(實際數據為9982.52μm2)之三維表 面積A，藉由三維表面積A÷二維表面積B=面積比(A/B)之方法進行設定。再者，未進行粗化處理之銅箔表面亦藉由該測定算出三維表面積A÷二維表面積B=面積比(A/B)。
又，於對銅箔表面進行了粗化處理後或者未進行粗化處理而為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而對一個表面進行表面處理的情形時，對進行過該耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理後的表面處理銅箔之表面進行上述測定。
●光澤度：
使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy Gloss Meter PG-1，於壓延方向(MD、電解銅箔之情形時為通箔方向)及與壓延方向成直角之方向(TD、電解銅箔之情形時為與通箔方向成直角之方向)之各入射角60度，對一個表面處理面(表面處理為粗化處理之情形時為粗化面)進行測定。再者，於對銅箔之一個表面進行了粗化處理後或者未進行粗化處理而為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理的情形時，對進行過該耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理後的表面處理銅箔之表面進行上述測定。再者，表面處理前之銅箔亦以相同之方式求出光澤度。
●亮度曲線之斜率
將表面處理銅箔自一個表面即表面處理表面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，利用蝕刻(三氯化鐵水溶液)去除銅箔而製作樣品膜。
此處，關於上述聚醯亞胺膜，實驗例A1-1~A1-30、實驗例B1-1~B1-14係使用 (1)鐘化製造之厚度25μm或50μm之聚醯亞胺膜[PIXEO(聚醯亞胺型式：FRS)、附有覆銅積層板用接著層之聚醯亞胺膜、PMDA(均苯四甲酸二酐)系之聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺二苯醚)系之聚醯亞胺膜)]，或(2)東麗杜邦製造之厚度50μm之聚醯亞胺膜[Kapton(註冊商標)、PMDA(均苯四甲酸二酐)系之聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺二苯醚)系之聚醯亞胺膜)]。
又，關於實驗例A2-1~A2-7、B2-1~B2-2、A3-1~A3-9、B3-1~B3-5、A4-1~A4-8、B4-1~B4-5，係使用(3)鐘化製造之厚度50μm之聚醯亞胺膜[雙層覆銅積層板用PIXEO(PIXEO(聚醯亞胺型式：FRS)、附有覆銅積層板用接著層之聚醯亞胺膜、PMDA(均苯四甲酸二酐)系之聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺二苯醚)系之聚醯亞胺膜)]。
再者，於後述之「識別性(樹脂透明性)」、「剝離強度(接著強度)」、「焊料耐熱評價」、及「良率」之評價中，貼合與各實驗例相關之表面處理銅箔之表面的聚醯亞胺膜和於該「亮度曲線之斜率」之評價中所使用的聚醯亞胺膜相同。
再者，於對銅箔之一個表面進行了粗化處理後或者未進行粗化處理而為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理的情形時，將進行過該耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理後的表面處理銅箔自進行過該表面處理之一個表面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，利用蝕刻(三氯化鐵水溶液)去除表面處理銅箔而製作樣品膜。
繼而，將印刷有線狀之黑色標記之印刷物鋪設於樣品膜之下，隔著樣品膜利用CCD攝影機(8192畫素之線陣CCD攝影機)對印刷物進行攝影，對由攝影獲得之圖像，沿與觀察到之線狀標記延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，測定自標記之端部至未描繪標記之部分產生之亮度曲線之斜率(角度)。將表示此時使用之攝影裝置之構成及亮度曲線之斜率之測定方法的模式圖示於圖3。
又，△B及t1、t2、Sv係如圖2所示般利用下述攝影裝置進行測定。再者，橫軸之1像素相當於10μm長度。
上述「印刷有線狀之黑色標記之印刷物」係使用於光澤度43.0±2之白色光澤紙上載有JIS P8208(1998)(圖1包含物計測圖表之複製)及JIS P8145(2011)(附件JA(規定)目視法異物比較圖 圖JA.1-目視法異物比較圖之複製)均採用之於圖6所示之透明膜印刷有各種線等之包含物(夾雜物)(朝陽會股份有限公司製造 品名：「包含物測定圖表-全片幅紙」編號：JQA160-20151-1(獨立行政法人國立印刷局所製造))者。
上述光澤紙之光澤度係使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter-PG-1，以入射角60度進行測定。
攝影裝置具備CCD攝影機、設置下方置有附有標記之紙(載有夾雜物之白色的光澤紙)之聚醯亞胺基板的平台(白色)、對聚醯亞胺基板之攝影部照射光之照明用電源、將下方置有附有攝影對象之標記之紙之評價用聚醯亞胺基板搬送至平台上的搬送機(未圖示)。將該攝影裝置之主要規格表示如下：
●攝影裝置：尼利可股份有限公司製造之片材檢測裝置Mujiken
●線陣CCD攝影機：8192像素(160MHz)、1024灰階數位(10比特(bit))
●照明用電源：高頻照明電源(電源單元×2)
●照明：螢光燈(30W，型號：FPL27EX-D，雙螢光燈)
上述測定用之線係使用面積3.0mm2之圖6之夾雜物所繪製之箭頭所示之線(寬度為0.3mm)。又，線陣CCD攝影機視野係設為圖6之虛線之配置。
於利用線陣CCD攝影機之拍攝中，利用滿刻度256灰階確認訊號，於測定對象未隔著聚醯亞胺膜(聚醯亞胺基板)之狀態下，以印刷物之黑色標記不存在之部位(將上述透明膜置於上述白色之光澤紙上，利用CCD攝影機，自透明膜側對印刷於夾雜物之標記外之部位進行測定之情形)的波峰灰階訊號收於230±5之方式調整透鏡鎖光圈。攝影機掃描時間(攝影機之快門打開之時間，攝入光之時間)係固定為250μ秒，且以收於上述灰階以內之方式調整透鏡鎖光圈。
再者，關於圖3所示之亮度，0表示「黑」，亮度255表示「白」，將「黑」與「白」之間之灰色程度(白黑之濃淡、灰度)分割為256個灰階而顯示。
●識別性(樹脂透明性)：
將表面處理銅箔自一個表面即表面處理表面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，利用蝕刻(三氯化鐵水溶液)去除銅箔，而製成樣品膜。再者，於對銅箔之一個表面進行了粗化處理後或者未進行粗化處理而為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理的情形時，將進行過該耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理後的表面處理銅箔自該一個表面側貼合於 聚醯亞胺膜之兩面，利用蝕刻(三氯化鐵水溶液)去除表面處理銅箔，而製成樣品膜。於獲得之樹脂層之一面貼附印刷物(直徑6cm之黑色圓)，自相反面隔著樹脂層對印刷物之識別性進行判定。將印刷物之黑色圓之輪廓於圓周之90%以上之長度上清晰者評價為「◎」，將黑色圓之輪廓於圓周之80%以上且未達90%之長度上清晰者評價為「○」(以上為合格)，將黑色圓之輪廓於圓周之0以上且未達80%之長度上清晰者及輪廓不清者評價為「×」(不合格)。
●剝離強度(接著強度)：
依據IPC-TM-650，利用拉伸試驗機自動立體測圖儀100測定常態剝離強度，將上述常態剝離強度為0.7N/mm以上者作為可用於積層基板用途者。再者，本剝離強度之測定中，使用將聚醯亞胺膜與本發明之實驗例之表面處理銅箔之一個表面即表面處理面貼合而成之樣品。又，於進行測定時，藉由利用兩面膠帶將聚醯亞胺膜貼附於硬質基材(不鏽鋼板或合成樹脂之板(於剝離強度測定中未變形即可))，或者藉由利用瞬間接著劑進行貼附而固定。又，表中之剝離強度之值之單位為N/mm。
●焊料耐熱評價：
將表面處理銅箔自一個表面即表面處理表面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面。獲得之兩面積層板係依據JIS C6471製成附體試片。將製成之附體試片於85℃、85%RH之高溫高濕下暴露48小時後，浮於300℃之焊料槽中，對焊料耐熱特性進行評價。焊料耐熱試驗後，於銅箔粗化處理面與聚醯亞胺樹脂接著面之界面中，將附體試片中之銅箔面積之5%以上之面積因膨脹而使界面變色者評價為×(不合格)，將膨脹變色面積未達5%者評價為○，將 完全未產生膨脹變色者評價為◎。再者，於對銅箔表面進行過粗化處理後或者未進行粗化處理而為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理的情形時，對進行過該耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理後的表面處理銅箔之一個表面進行上述測定。
再者，關於各實驗例，使用： (4)層疊用附熱硬化性接著劑的聚醯亞胺膜[厚度50μm、宇部興產製造之Upilex)(Upilex(註冊商標)-VT、BPDA(聯苯四羧酸二酐)系(BPDA-PDA(對苯二胺)系)之聚醯亞胺樹脂基板)]
作為貼合於表面處理銅箔之聚醯亞胺膜而進行上述焊料耐熱評價之結果，和使用上述之(1)及(3)之聚醯亞胺膜(鐘化製造之厚度25μm或50μm)、或(2)之聚醯亞胺膜(東麗杜邦製造之厚度50μm)之任一者的聚醯亞胺膜而進行上述焊料耐熱評價之情形為相同結果。
●良率
將表面處理銅箔自一個表面即表面處理表面側貼合於聚醯亞胺膜之兩面，對銅箔進行蝕刻(三氯化鐵水溶液)，製成L/S為30μm/30μm之電路寬度之FPC。其後，嘗試隔著聚醯亞胺利用CCD攝影機檢測20μm×20μm見方之標記。將10次中可檢測到9次以上之情形設為「◎」，將可檢測到7~8次之情形設為「○」，將可檢測到6次之情形設為「△」，將可檢測到5次以下之情形設為「×」。再者，於對銅箔之一個表面進行了粗化處理後或者未進行粗化處理而為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理的情形時，對進行過該耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理後的表面處理銅箔之一個表面進行上述測定。
利用蝕刻獲得之電路形狀(精細圖案特性)
將表面處理銅箔自一個表面即表面處理表面側貼合於層疊用附熱硬化性接著劑之聚醯亞胺膜(厚度50μm，宇部興產製造之Upilex)(Upilex(註冊商標)-VT、BPDA(聯苯四羧酸二酐)系(BPDA-PDA(對苯二胺)系)之聚醯亞胺樹脂基板))之兩面。為了對精細圖案電路形成性進行評價，必須使銅箔厚度相同，此處以12μm銅箔厚度為基準。即，於厚度厚於12μm之情形時，藉由電解研磨減厚至12μm厚度為止。另一方面，於厚度薄於12μm之情形時，藉由鍍銅處理增厚至12μm厚度為止。獲得之兩面積層板之單面側係於積層板之銅箔光澤面側藉由感光性阻劑塗佈及曝光步驟而印刷精細圖案電路，利用下述條件對銅箔之不要部分進行蝕刻處理，形成如L/S=20/20μm之精細圖案電路。此處，電路寬度係使電路剖面之底部寬度成為20μm。
(蝕刻條件)
裝置：噴霧式小型蝕刻裝置
噴霧壓力：0.2MPa
蝕刻液：三氯化鐵水溶液(比重40波美)
液溫度：50℃
於形成精細圖案電路後，浸漬於45℃之NaOH水溶液1分鐘而將感光性阻劑膜剝離。
●蝕刻因數(Ef)之算出
使用日立全球先端科技公司製造之掃描型電子顯微鏡照片S4700，以2000倍之倍率自電路上部起對上述所得之精細圖案電路樣品進行觀察，測 定電路上部之頂部寬度(Wa)與電路底部之底部寬度(Wb)。銅箔厚度(T)設為12μm。蝕刻因數(Ef)係利用下述式算出。
蝕刻因數(Ef)=(2×T)/(Wb-Wa)
再者，於對銅箔表面進行過粗化處理後或者未進行粗化處理而為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理的情形時，對進行過該耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理後的表面處理銅箔之表面進行上述測定。
●傳輸損耗之測定
各樣品係將表面處理銅箔之一個表面貼合於市售之液晶聚合物樹脂(Kuraray股份有限公司製造之Vecstar CTZ-50μm，與6-羥基-2-萘甲酸與對羥苯甲酸之共縮合物即液晶聚合物樹脂)後，以利用蝕刻使特性阻抗成為50Ω之方式形成微帶線路，使用HP公司製造之網路分析儀HP8720C測定透射係數，求出頻率20GHz及頻率40GHz下之傳輸損耗。再者，為了儘可能使評價條件一致，而於將表面處理銅箔與液晶聚合物樹脂貼合後，將銅箔厚度設為18μm。即，於銅箔之厚度厚於18μm之情形時，藉由電解研磨減厚至18μm厚度。另一方面，於厚度薄於18μm之情形時，藉由鍍銅處理增厚至18μm厚度。作為於頻率20GHz之傳輸損耗之評價，將未達3.7dB/10cm設為◎，將3.7dB/10cm以上且未達4.1dB/10cm設為○，將4.1dB/10cm以上且未達5.0dB/10cm設為△，將5.0dB/10cm以上設為×。
再者，印刷配線板或覆銅積層板可藉由將樹脂熔融並去除，而對銅電路或銅箔表面進行上述各測定。
又，於對銅箔之一個表面進行了粗化處理後或者未進行粗化處理而為了設置耐熱層、防銹層、耐候性層等而進行表面處理的情形時，對進行過該耐熱層、防銹層、耐候性層等之表面處理後的表面處理銅箔之一個表面進行上述測定。
因層疊加工所致之銅箔皺褶等之評價：
於分別將實驗例之表面處理銅箔自一個表面側積層於厚度25μm之聚醯亞胺樹脂之兩表面，進而向各表面處理銅箔之另一個表面側積層125μm之保護膜(聚醯亞胺製)之狀態下，即設為保護膜/表面處理銅箔/聚醯亞胺樹脂/表面處理銅箔/保護膜之5層之狀態下，使用層疊輥，自兩保護膜之外側施加熱與壓力並且進行貼合加工(層疊加工)，而於聚醯亞胺樹脂之兩面貼合表面處理銅箔。其次，將兩表面之保護膜剝離後，目視觀察表面處理銅箔之另一個表面，確認有無皺褶或條紋，將皺褶或條紋完全未產生時評價為◎，將銅箔長度每5m僅觀察到1處皺褶或條紋時評價為○，將銅箔每5m觀察到2處以上之褶皺或條紋時評價為×。
將上述各試驗之條件及評價示於表1~15
Sv滿足本案發明之範圍之實驗例中，識別性良好，良率亦良好。
又，於在另一個表面形成有表面處理之實驗例中，因兩面層疊處理而於銅箔之該另一個表面產生之皺褶或條紋得以良好地抑制。
圖4分別表示上述Rz評價時之(a)實驗例B3-1、(b)實驗例A3-1、(c)實驗例A3-2、(d)實驗例A3-3、(e)實驗例A3-4、(f)實驗例A3-5、(g)實驗例A3-6、(h)實驗例A3-7、(i)實驗例A3-8、(j)實驗例A3-9、(k)實驗例B3-2、(l)實驗例B3-3之銅箔表面的SEM觀察照片。
又，於上述實驗例中，將標記之寬度自0.3mm變更為0.16mm(自接近夾雜物之片之面積0.5mm2之0.5之記載開始第3個標記(圖7之箭頭所指之標記))，進行相同之△B及t1、t2、Sv值之測定，但△B及t1、t2、Sv值均成為與將標記之寬度設為0.3mm之情形相同之值。
進而，於上述實驗例中，關於「亮度曲線之頂部平均值Bt」，係變更為將距離標記之兩側之端部位置50μm之位置設為距離100μm之位置、距離300μm之位置、距離500μm之位置，自上述位置分別以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值，進行相同之△B及t1、t2、Sv值之測定，但△B及t1、t2、Sv值均成為與將自距離標記之兩側之端部位置50μm的位置以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值設為「亮度曲線之頂部平均值Bt」的情形之△B及t1、t2、Sv值相同之值。
再者，使用與上述實驗例相同之銅箔，對一個表面進行表面處理，從而製造表面處理銅箔並進行評價，與於相同條件下對銅箔之兩面進行表面處理，從而製造表面處理銅箔並進行評價，其結果，兩面均獲得與上述各實驗例之一個表面相同之評價結果。另外，於對銅箔進行電解研磨或化學研磨之情形時，對兩面進行電解研磨或化學研磨後進行表面處理。另外，關於實驗例A1-27、實驗例B1-12、實驗例A2-4，針對銅箔之光澤面(製造電解銅箔時與轉筒接觸側之面)進行電解研磨及/或化學研磨，藉此使其TD之粗糙度Rz及光澤度與析出面相同後進行既定之表面處理或形成中間層等。
於對銅箔之兩面進行粗化處理等之表面處理的情形，可對兩面同時進行表面處理，亦可分別對一個面與另一個面進行表面處理。再者，於對兩面同時進行表面處理之情形時，亦可使用於銅箔之兩面側設置有陽極表面處理裝置(鍍敷裝置)而進行表面處理。此外，於本實驗例中，同時對兩面進行表面處理。
另外，各實驗例之經粗化處理之銅箔表面之利用雷射光波長 為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz均為0.35μm以上。另外，各實驗例之經粗化處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra均為0.05μm以上。另外，各實驗例之經粗化處理之銅箔表面之利用雷射光波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq均為0.08μm以上。

Claims (52)

  1. 一種表面處理銅箔，係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，將上述銅箔自一個表面側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下，隔著上述聚醯亞胺基板利用CCD攝影機對上述印刷物進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀標記延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述標記之端部至未描繪上述標記之部分產生的亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理 的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  4. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  5. 一種表面處理銅箔，係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，將上述銅箔自一個表面側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下，隔著上述聚醯亞胺基板利用CCD攝影機對上述印刷物進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀標記延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述標記之端部至未描繪上述標記之部分產生的亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  6. 如申請專利範圍第5項之表面處理銅箔，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  7. 一種表面處理銅箔，係一個表面及另一個表面分別經表面處理而成者，將上述銅箔自一個表面側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，利用蝕刻去除上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下，隔著上述聚醯亞胺基板利用CCD攝影機對上述印刷物進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀標記延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述標記之端部至未描繪上述標記之部分產生的亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀標記之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  9. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅箔，其中，自上述標記之端部至無上述標記之部分產生的亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
  10. 如申請專利範圍第9項之表面處理銅箔，其中，於根據由上述攝影獲得之圖像製成的觀察地點-亮度圖表中，△B為50以上。
  11. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為3.9以上。
  12. 如申請專利範圍第11項之表面處理銅箔，其中，上述亮度曲線中之(1)式定義之Sv為5.0以上。
  13. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之表面處理為粗化處理，上述粗化處理表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm，粗化處理表面之MD的60度光澤度為76~350%，上述粗化粒子之表面積A與自上述銅箔之一個表面側俯視上述粗化粒子時所得之面積B的比A/B為1.90~2.40。
  14. 如申請專利範圍第13項之表面處理銅箔，其中，上述MD之60度光澤度為90~250%。
  15. 如申請專利範圍第13項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.30~0.60μm。
  16. 如申請專利範圍第13項之表面處理銅箔，其中，上述A/B為2.00~2.20。
  17. 如申請專利範圍第13項之表面處理銅箔，其中，粗化處理表面之MD 之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F(F=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.80~1.40。
  18. 如申請專利範圍第17項之表面處理銅箔，其中，粗化處理表面之MD之60度光澤度與TD之60度光澤度的比F(F=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))為0.90~1.35。
  19. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之均方根高度Rq為0.14~0.63μm。
  20. 如申請專利範圍第19項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之均方根高度Rq為0.25~0.60μm。
  21. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之基於JIS B0601-2001之偏斜度Rsk為-0.35~0.53。
  22. 如申請專利範圍第21項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之偏斜度Rsk為-0.30~0.39。
  23. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅箔，其中，俯視上述一個表面時所得之表面積G與上述一個表面之凸部體積E的比E/G為2.11~23.91。
  24. 如申請專利範圍第23項之表面處理銅箔，其中，上述比E/G為2.95~21.42。
  25. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之以接觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.20~0.64μm。
  26. 如申請專利範圍第25項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之以接 觸式粗糙度計測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.40~0.62μm。
  27. 如申請專利範圍第1至7項中任一項之表面處理銅箔，其中，上述一個表面之三維表面積D與上述二維表面積(俯視表面時所得之表面積)C的比D/C為1.0~1.7。
  28. 如申請專利範圍第27項之表面處理銅箔，其中，上述D/C為1.0~1.6。
  29. 一種積層板，其係將申請專利範圍第1至28項中任一項之表面處理銅箔與樹脂基板積層而製得。
  30. 一種印刷配線板，其使用有申請專利範圍第1至28項中任一項之表面處理銅箔。
  31. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第30項之印刷配線板。
  32. 一種製造印刷配線板之方法，其係將2個以上申請專利範圍第30項之印刷配線板連接，製造連接有2個以上之印刷配線板的印刷配線板。
  33. 一種製造連接有2個以上之印刷配線板的印刷配線板之方法，其至少包含下述步驟：將至少1個申請專利範圍第30項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第30項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第30項的印刷配線板之印刷配線板連接。
  34. 一種電子機器，其使用有1個以上連接有至少1個申請專利範圍第32或33項之方法所製得之印刷配線板的印刷配線板。
  35. 一種製造印刷配線板之方法，其至少包含將申請專利範圍第30項之印刷配線板與零件連接的步驟。
  36. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的方法，其至少包含下述步驟： 將至少1個申請專利範圍第30項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第30項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第30項之印刷配線板的印刷配線板連接；及將申請專利範圍第30項之印刷配線板或以申請專利範圍第33項之方法製得之連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板與零件連接。
  37. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的 雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  38. 如申請專利範圍第37項之印刷配線板，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  39. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  40. 如申請專利範圍第37至39項中任一項之印刷配線板，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  41. 如申請專利範圍第40項之印刷配線板，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  42. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅電路者，上述銅電路具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機對上述銅電路進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述銅電路延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅電路表面之利用雷射光波長為405nm的 雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  43. 如申請專利範圍第37至39、42項中任一項之印刷配線板，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  44. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  45. 如申請專利範圍第44項之覆銅積層板，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  46. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  47. 如申請專利範圍第44至46項中任一項之覆銅積層板，其中，上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  48. 如申請專利範圍第47項之覆銅積層板，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  49. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板與設置於上述絕緣樹脂基板上之銅箔者，上述銅箔具有上述絕緣樹脂基板側之一個表面與經表面處理之另一個表面，藉由蝕刻使上述覆銅積層板之上述銅箔形成為線狀銅箔後，隔著上述絕緣樹脂基板利用CCD攝影機進行攝影時，對由上述攝影獲得之圖像，沿與觀察到之上述線狀銅箔延伸方向垂直之方向測定各觀察地點之亮度而製成觀察地點-亮度圖表，於該圖表中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分產生的亮度曲線之頂部平均值設為Bt，將底部平均值設為Bb，且求出頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度圖表中，將表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t1，將自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準之0.1△B深度範圍內表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀表面處理銅箔之交點之位置的值設為t2，此時，下述(1)式定義之Sv為3.5以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1) 上述另一經表面處理的銅箔表面之利用雷射光波長為405nm的雷射顯微鏡所測得之TD的均方根高度Rq為0.08μm以上。
  50. 如申請專利範圍第44至46、49項中任一項之覆銅積層板，其中，上述另一個表面之表面處理係粗化處理。
  51. 一種印刷配線板，係使用申請專利範圍第44至50項中任一項之覆銅積層板而製得。
  52. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第37至43、51項中任一項之印刷配線板。
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