TWI460069B - Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board, printed wiring board and copper clad laminate - Google Patents

Description

表面處理銅箔及使用其之積層板、印刷配線板以及覆銅積層板

本發明係關於一種表面處理銅箔及使用其之積層板、印刷配線板以及覆銅積層板。

於智慧型手機或平板PC等小型電子機器中，就配線之容易度或輕量性而言，採用有撓性印刷配線板(以下，FPC(flexible printed circuit))。近年來，隨著該等電子機器之高功能化，訊號傳輸速度向高速化方向發展，對於FPC而言阻抗匹配亦成為重要之要素。作為針對訊號容量增加之阻抗匹配之對策，成為FPC之基底之樹脂絕緣層(例如，聚醯亞胺)向厚層化方向發展。又，根據配線之高密度化要求，FPC之多層化更進一步進展。另一方面，對於FPC會實施向液晶基材之接合或IC晶片之搭載等加工，但此時之位置對準係經由透過於對銅箔與樹脂絕緣層之積層板中銅箔進行蝕刻後殘留之樹脂絕緣層所視認的定位圖案而進行，因此樹脂絕緣層之視認性變得重要。

又，作為銅箔與樹脂絕緣層之積層板之覆銅積層板亦可使用表面實施有粗化鍍敷之壓延銅箔而製造。該壓延銅箔通常係使用精銅(含氧量100~500重量ppm)或無氧銅(含氧量10重量ppm以下)作為素材，對該等之錠進行熱軋後，反覆進行冷軋與退火至特定厚度而製造。

作為上述技術，例如專利文獻1中揭示有一種關於覆銅積層 板之發明，其係積層聚醯亞胺膜與低粗糙度銅箔而成，且蝕刻銅箔後之膜於波長600nm下之透光率為40%以上，霧度(HAZE)為30%以下，接著強度為500N/m以上。

又，專利文獻2中揭示有一種關於COF用撓性印刷配線板之發明，其係具有積層有由電解銅箔形成之導體層的絕緣層，於對該導體層進行蝕刻而形成電路時之蝕刻區域中絕緣層之透光性為50%以上的薄膜覆晶(COF，chip on film)用撓性印刷配線板，其特徵在於：上述電解銅箔於接著於絕緣層之接著面具備由鎳-鋅合金形成之防銹處理層，且該接著面之表面粗糙度(Rz)為0.05~1.5μm，並且入射角60°下之鏡面光澤度為250以上。

又，專利文獻3中揭示有一種關於印刷電路用銅箔之處理方法之發明，其係印刷電路用銅箔之處理方法，其特徵在於：於銅箔之表面進行利用鍍銅-鈷-鎳合金之粗化處理後，形成鍍鈷-鎳合金層，進而形成鍍鋅-鎳合金層。

[專利文獻1]日本特開2004-98659號公報

[專利文獻2]WO2003/096776

[專利文獻3]日本專利第2849059號公報

專利文獻1中，藉由黑化處理或電鍍處理後之有機處理劑對接著性進行改良處理而獲得之低粗糙度銅箔於對覆銅積層板要求可撓性之用途中，有因疲勞而斷線之情況，且有樹脂透視性較差之情形。

又，於專利文獻2中未進行粗化處理，於COF用撓性印刷配線板以外之用途中，銅箔與樹脂之密合強度較低而不足。

進而，於專利文獻3所記載之處理方法中，雖然可對銅箔進行利用Cu-Co-Ni之微細處理，但隔著樹脂觀察該銅箔時無法實現優異之視認性。

本發明提供一種與樹脂良好地接著，且隔著樹脂進行觀察時實現優異之視認性的表面處理銅箔及使用其之積層板、印刷配線板以及覆銅積層板。

本發明人等反覆進行努力研究，結果著眼於自針對藉由表面處理而將表面色差控制在特定範圍之銅箔，利用CCD攝影機(charge-coupled device camera)，隔著自該處理面側積層之聚醯亞胺基板進行拍攝所得之該銅箔的圖像獲得之觀察地點-亮度曲線圖中所繪製之銅箔端部附近之亮度曲線之斜率，發現對該亮度曲線之斜率進行控制並不受基板樹脂膜之種類或基板樹脂膜之厚度影響，樹脂透明性變良好。

基於上述見解而完成之本發明於一側面係一種表面處理銅箔，其係於積層表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，且於利用CCD攝影機，隔著自經過表面處理之表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。

本發明於另一側面係一種表面處理銅箔，係於積層表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，且利用CCD攝影機，隔著自經過表面處理之表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝獲得之圖 像，沿著與所觀察之上述銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，將自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述銅箔交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內表示最接近上述銅箔交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。

於本發明之表面處理銅箔之另一實施形態中，於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內表示最接近上述銅箔之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。

於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，於積層上述表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為53以上。

於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式所定義之Sv為3.5以上。

於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式所定義之Sv為3.9以上。

於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述亮度曲線中之(1)式所定義之Sv為5.0以上。

於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述表面之TD之平均粗糙度Rz為0.20~0.64μm，且上述銅箔表面之三維表面積A與二維表面積B之比A/B為1.0~1.7。

於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述表面之TD之平均粗糙度Rz為0.26~0.62μm。

於本發明之表面處理銅箔之又一實施形態中，上述A/B為1.0~1.6。

本發明於又一側面係一種積層板，係積層本發明之表面處理銅箔與樹脂基板而構成。

本發明於又一側面係一種印刷配線板，其使用本發明之表面處理銅箔。

本發明於又一側面係一種電子機器，其使用至少1個本發明之印刷配線板。

本發明於又一側面係一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路，且隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，於自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。

本發明於又一側面係一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅箔，且隔著上述絕緣樹脂板之上述銅箔表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於藉由蝕刻將上述覆銅積層板之上述銅箔製成線狀之銅箔後，利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂 基板進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。

本發明於又一側面係一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路，且隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，且於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述銅電路之交點位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。

本發明於又一側面係一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅箔，且隔著上述絕緣樹脂板之上述銅箔表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於藉由蝕刻將上述覆銅積層板之上述銅箔製成線狀之銅箔後，利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅 箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，且於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述線狀銅箔交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。

本發明於又一側面係一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，係將2個以上本發明之印刷配線板連接而製造。

本發明於又一側面係一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的製造方法，其包含如下步驟：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板加以連接。

本發明於又一側面係一種電子機器，其使用1個以上連接至少1個本發明之印刷配線板而成的印刷配線板。

本發明於又一側面係一種表面處理銅箔，其用於本發明之印刷配線板。

本發明於又一側面係一種表面處理銅箔，其用於本發明之覆銅積層板。

根據本發明，可提供一種與樹脂良好地接著，且隔著樹脂進行觀察時實現優異之視認性的表面處理銅箔及使用其之積層板、印刷配線板以及覆銅積層板。

圖1係定義Bt及Bb之示意圖。

圖2係定義t1及t2及Sv之示意圖。

圖3係亮度曲線之斜率評價時表示攝影裝置之構成及亮度曲線之斜率之測定方法的示意圖。

圖4a係Rz評價時比較例1之銅箔表面之SEM觀察照片。

圖4b係Rz評價時實施例1之銅箔表面之SEM觀察照片。

圖5係實施例所使用之夾雜物之外觀照片。

圖6係實施例所使用之夾雜物之外觀照片。

[表面處理銅箔之形態及製造方法]

於本發明中使用之銅箔適合於用以積層於樹脂基板而製作積層體，並利用蝕刻形成電路之銅箔等。

於本發明中使用之銅箔亦可為電解銅箔或壓延銅箔中之任一種。通常以提高積層後之銅箔之剝離強度為目的，亦可對銅箔之與樹脂基板接著之面，即表面處理側之表面，實施對脫脂後之銅箔表面進行疙瘩狀之電鍍之粗化處理。電解銅箔於製造時具有凹凸，但藉由粗化處理，可使電解銅箔之凸部增大而使凹凸進一步變大。於本發明中，該粗化處理可藉由鍍銅-鈷-鎳合金或鍍銅-鎳-磷合金等鍍合金，較佳為鍍銅合金而進行。有時進行通常之鍍銅等作為粗化前之預處理，有時亦為了防止電鍍物之脫落而進行通常之鍍銅等作為粗化後之最終加工處理。

於本發明中使用之銅箔亦可於進行粗化處理後，或省略粗化處理，將耐熱電鍍層或防銹電鍍層設置於表面。可使用利用下述條件之鍍Ni-W浴之電鍍處理作為省略粗化處理，而將耐熱電鍍層或防銹電鍍層設置於表面之 處理。

鍍浴組成：Ni：20~30g/L、W：15~40mg/L

pH值：3.0~4.0

溫度：35~45℃

電流密度D_k ：1.7~2.3A/dm²

電鍍時間：18~25秒

再者，於本發明中使用之銅箔之厚度無需特別限定，例如為1μm以上、2μm以上、3μm以上、5μm以上，且例如為3000μm以下、1500μm以下、800μm以下、300μm以下、150μm以下、100μm以下、70μm以下、50μm以下、40μm以下。

再者，於本申請案發明之壓延銅箔亦包含含有1種以上之Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B、Co等元素之銅合金箔。若上述元素之濃度變高(例如合計為10質量%以上)，則有導電率降低之情形。壓延銅箔之導電率較佳為50%IACS以上，更佳為60%IACS以上，進而較佳為80%IACS以上。又，壓延銅箔亦包含使用精銅(JIS H3100 C1100)或無氧銅(JIS H3100 C1020)製造之銅箔。

又，將用於本申請案發明之電解銅箔之製造條件示於以下。

<電解液組成>

銅：90~110g/L

硫酸：90~110g/L

氯：50~100ppm

調平劑1(雙(三磺丙基)二硫化物)：10~30ppm

調平劑2(胺化合物)：10~30ppm

就上述之胺化合物而言，可使用以下之化學式之胺化合物。

(上述化學式中，R₁ 及R₂ 為選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群中者)。

<製造條件>

電流密度：70~100A/dm²

電解液溫度：50~60℃

電解液線速：3~5m/sec

電解時間：0.5~10分鐘

作為粗化處理之鍍銅-鈷-鎳合金可以藉由電解電鍍，形成如附著量為15~40mg/dm² 之銅-100~3000μg/dm² 之鈷-100~1500μg/dm² 之鎳的三元合金層之方式實施。若Co附著量未達100μg/dm² ，則有耐熱性變差，蝕刻性變差之情況。若Co附著量超過3000μg/dm² ，則有必需考慮磁性影響時欠佳，且蝕刻斑產生，又，耐酸性及耐化學品性變差之情況。若Ni附著量未達100μg/dm² ，則有耐熱性變差之情況。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm² ，則有蝕刻殘留物變多之情況。Co附著量較佳為1000~2500μg/dm² ，鎳附著量較佳為500~1200μg/dm² 。此處，所謂蝕刻斑意指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留之情況，又，所謂蝕刻殘留物意指於利用氯化銨進行鹼性蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留之情況。

用以形成上述三元系鍍銅-鈷-鎳合金之鍍浴及電鍍條件係如下所述：鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L

pH值：1~4

溫度：30~50℃

電流密度D_k ：20~30A/dm²

電鍍時間：1~5秒

又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-磷合金之條件示於以下。

鍍浴組成：Cu 10~50g/L、Ni 3~20g/L、P 1~10g/L

pH值：1~4

溫度：30~40℃

電流密度D_k ；20~50A/dm²

電鍍時間：0.5~3秒

又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-鈷-鎢合金之條件示於以下。

鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Co 5~20g/L、W 1~10g/L

pH值：1~5

溫度：30~50℃

電流密度D_k ：20~50A/dm²

電鍍時間：0.5~5秒

又，將本發明之作為粗化處理之鍍銅-鎳-鉬-磷合金之條件示於以下。

鍍浴組成：Cu 5~20g/L、Ni 5~20g/L、Mo 1~10g/L、P 1~10g/L

pH值：1~5

溫度：20~50℃

電流密度D_k ：20~50A/dm²

電鍍時間：0.5~5秒

粗化處理後，可於粗化面上形成附著量為200~3000μg/dm² 之鈷-100~700μg/dm² 之鎳之鍍鈷-鎳合金層。該處理在廣義上可看作一種防銹處理。該鍍鈷-鎳合金層必需進行至不使銅箔與基板之接著強度實質性降低之程度。若鈷附著量未達200μg/dm² ，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。又，作為另一原因，若鈷量較少，則處理表面發紅，故而欠佳。若鈷附著量超過3000μg/dm² ，則必需考慮磁性影響時欠佳，且有蝕刻斑產生之情形，又，有耐酸性及耐化學品性變差之情況。鈷附著量較佳為500~2500μg/dm² 。另一方面，若鎳附著量未達100μg/dm² ，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情況。若鎳超過1300μg/dm² ，則鹼性蝕刻性變差。鎳附著量較佳為200~1200μg/dm² 。

又，鍍鈷-鎳合金之條件係如下所述：鍍浴組成：Co 1~20g/L、Ni 1~20g/L

pH值：1.5~3.5

溫度：30~80℃

電流密度D_k ：1.0~20.0A/dm²

電鍍時間：0.5~4秒

依據本發明，於鍍鈷-鎳合金後進而形成附著量為30~250μg/dm² 之鍍鋅層。若鋅附著量未達30μg/dm² ，則有耐熱劣化率改善效果消失之情況。另一方面，若鋅附著量超過250μg/dm² ，則有耐鹽酸劣化率極端變差之情況。鋅附著量較佳為30~240μg/dm² ，更佳為80~220μg/dm² 。

上述鍍鋅之條件係如下所述： 鍍浴組成：Zn 100~300g/L

pH值：3~4

溫度：50~60℃

電流密度D_k ：0.1~0.5A/dm²

電鍍時間：1~3秒

再者，亦可形成鍍鋅-鎳合金等鍍鋅合金層代替鍍鋅層，進而亦可於最表面藉由鉻酸鹽處理或矽烷偶合劑之塗佈等形成防銹層。

通常，於對銅箔表面實施粗化處理之情形時，硫酸銅水溶液中之燒鍍為先前技術，但藉由於鍍浴中含有銅以外之金屬之鍍銅-鈷-鎳合金或鍍銅-鎳-磷合金等鍍合金，可進行於積層該銅箔、與貼合於銅箔前之△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab成為50以上之表面處理。

[表面色差△E＊ab]

本發明之表面處理銅箔係將於積層於貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab控制在50以上。藉由上述構成，與背面之對比度變鮮明，而隔著聚醯亞胺基板對該銅箔進行觀察時之視認性變高。其結果，於將該銅箔用於電路形成之情形等中，經由透過該聚醯亞胺基板所視認之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變容易。若該色差△E＊ab未達50，則有與背面之對比度變得不鮮明之可能性。該色差△E＊ab更佳為53以上、55以上，更佳為60以上。色差△E＊ab之上限無需特別限定，例如為90以下、88以下、或87以下、或85以下、或75以下、或70以下。

此處，色差△E＊ab係利用色差計進行測定，且係加上黑/白/紅/緑/黃/藍，並使用基於JIS Z8730之L＊a＊b表色系統進行表示之綜合指標，設為 △L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍，以下述式表示；

[銅箔表面之平均粗糙度Rz]

本發明之表面處理銅箔可為未經粗化處理銅箔，亦可為形成有粗化粒子之粗化處理銅箔，粗化處理表面之TD(Transverse Direction)之平均粗糙度Rz較佳為0.20~0.64μm。藉由上述構成，剝離強度變高，與樹脂良好地接著，且利用蝕刻去除銅箔後樹脂之透明性變高。其結果，經由透過該樹脂所視認之定位圖案進行之IC晶片搭載時之位置對準等變容易。若TD之平均粗糙度Rz未達0.20μm，則有銅箔表面之粗化處理不充分之虞，而有產生無法與樹脂充分接著之問題之虞。另一方面，若TD之平均粗糙度Rz超過0.64μm，則有利用蝕刻去除銅箔後樹脂表面之凹凸變大之虞，其結果有樹脂之透明性變不良之問題產生之虞。處理表面之TD之平均粗糙度Rz更佳為0.26~0.62μm，進而更佳為0.40~0.55μm。

為了達成視認性之效果，而控制表面處理前之銅箔之處理側表面之TD的粗糙度(Rz)及光澤度。具體而言，將表面處理前銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)設為0.20~0.55μm，較佳為設為0.20~0.42μm。作為此種銅箔，係藉由調整壓延油之油膜當量進行壓延(高光澤壓延)而製作、或者藉由如化學蝕刻之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而進行製作。如上述般，將處理前銅箔之TD之表面粗糙度(Rz)與光澤度設為上述範圍，藉此可容易地控制處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)及表面積。

又，表面處理前之銅箔之TD之60度光澤度設為300~910%，更佳為500~810%，進而更佳為500~710%。若表面處理前銅箔之TD之60度光澤度未達300%，則有與上述光澤度為300%以上之情形相比，上述樹脂之透明性變不良之虞，若超過910%，則有難以進行製造之問題產生之虞。

再者，高光澤壓延可藉由將下式所規定之油膜當量設為13000~24000以下進行。

油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通過速度[mpm]+輥周速度[mpm])}/{(輥之咬角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm² ])}

壓延油黏度[cSt]係於40℃下之動黏度。

為了將油膜當量設為13000~24000，只要使用如下公知之方法即可，即使用低黏度之壓延油，或使穿過速度變慢等。

化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等蝕刻液，使濃度低於通常之濃度，耗費長時間進行。

[亮度曲線]

關於本發明之表面處理銅箔，於自經過表面處理之表面側積層貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺後，利用CCD攝影機，隔著聚醯亞胺對銅箔進行拍攝時，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，自銅箔之端部至無銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。

又，於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近銅箔交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv較佳為為3.0以上。

Sv=(△B×0.1)/(t1-t2)(1)

此處，針對「亮度曲線之頂部平均值Bt」、「亮度曲線之底部平均值Bb」、及下述之「t1」、「t2」、「Sv」，使用圖進行說明。

於圖1(a)及圖1(b)中表示對銅箔之寬度設為約0.3mm之情形之 Bt及Bb進行定義的示意圖。將銅箔之寬度設為約0.3mm之情形時，有如圖1(a)所示般成為V型之亮度曲線之情形、與如圖1(b)所示般成為具有底部之亮度曲線之情形。「亮度曲線之頂部平均值Bt」於任一種情形時均表示自距離銅箔之兩側之端部位置50μm之位置以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值。另一方面，「亮度曲線之底部平均值Bb」於亮度曲線如圖1(a)所示般成為V型之情形時，表示該V字之谷之尖端部中亮度的最低值，於圖1(b)之具有底部之情形時，表示約0.3mm之中心部之值。再者，標記之寬度亦可設為0.2mm、0.16mm、0.1mm左右。進而，「亮度曲線之頂部平均值Bt」亦可設為自距離標記之兩側之端部位置100μm之位置、300μm之位置、或500μm之位置，分別以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值。

於圖2中表示定義t1及t2及Sv之示意圖。「t1(像素×0.1)」表示亮度曲線與Bt之交點內最接近上述銅箔之交點。「t2(像素×0.1)」表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅箔之交點。此時，關於將t1及t2連接之線所示之亮度曲線之斜率，以利用y軸方向0.1△B、x軸方向(t1-t2)進行計算之Sv(灰階/像素×0.1)進行定義。再者，橫軸之1像素相當於10μm長度。又，Sv係測定銅箔之兩側，採用較小值。進而，於亮度曲線之形狀不穩定，且上述「亮度曲線與Bt之交點」存在複數個之情形時，採用最接近銅箔之交點。

於CCD攝影機所拍攝之上述圖像中，於無銅箔之部分中成為較高亮度，但一到達銅箔端部，亮度就降低。若隔著聚醯亞胺基板進行觀察時之視認性良好，則明確觀察到此種亮度之降低狀態。另一方面，若隔著聚醯亞胺基板進行觀察時之視認性不良，則亮度於銅箔端部附近並非一下子自「高」向「低」急速降低，而是降低之狀態變平緩，從而亮度之降低狀態變 得不明確。

本發明基於上述見解，而將本發明之表面處理銅箔於自經過表面處理之表面側積層貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺後，利用CCD攝影機，隔著聚醯亞胺對銅箔進行拍攝時，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，自銅箔之端部至無銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)控制在40以上。或者，本發明之表面處理銅箔將上述Sv值控制在3.0以上。

根據上述構成，利用CCD攝影機之隔著聚醯亞胺之銅箔之識別力提高，並不受基板樹脂之種類或厚度之影響。因此，可獲得隔著聚醯亞胺基板進行觀察時之良好之視認性，而於電子基板製造步驟等中對聚醯亞胺基板進行特定處理之情形時利用銅箔之標記等之定位精度提高，藉此，可獲得良率提高等效果。

於本發明中，Sv較佳為3.5以上，更佳為3.9以上，更佳為4.5以上，更佳為5.0以上，更佳為5.5以上。Sv之上限無需特別限定，例如為15以下、10以下。根據上述構成，銅箔與並非銅箔之部分之交界變得更為明確，定位精度提高，利用銅箔圖像辨識之誤差變少，而可更準確地進行位置對準。

再者，若將表面處理銅箔積層於聚醯亞胺之兩表面後，利用蝕刻將兩表面之銅箔去除並僅將一表面之銅箔成形為電路狀，隔著聚醯亞胺對該電路狀之銅箔進行觀察而獲得之視認性良好，則此種表面處理銅箔於積層於聚醯亞胺後，隔著聚醯亞胺進行觀察而獲得之視認性變良好。

[表面積比]

銅箔之表面處理側之表面之三維表面積A與二維表面積B之比A/B對 上述樹脂之透明性造成較大影響。即，若表面粗糙度Rz相同，則越是比A/B較小之銅箔，上述樹脂之透明性變得越良好。因此，本發明之表面處理銅箔之該比A/B較佳為1.0~1.7，更佳為1.0~1.6。此處，表面處理側之表面之粗化粒子之三維表面積A與二次元表面積B之比A/B例如於對該表面進行有粗化處理之情形時，亦可稱為粗化粒子之表面積A、與自銅箔表面側俯視銅箔時獲得之面積B的比A/B。

藉由控制粒子形成時等表面處理時之電流密度與電鍍時間，從而粒子之形態或形成密度、表面之凹凸狀態等表面狀態固定，而可控制上述表面粗糙度Rz、光澤度及銅箔表面之表面積比A/B。

可將本發明之表面處理銅箔自表面處理面側貼合於絕緣樹脂基板而製造積層體。絕緣樹脂基板只要為具有可應用於印刷配線板等之特性者，則不受特別限制，例如於剛性PWB用中可使用紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，於FPC用中可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、鐵氟龍(註冊商標)膜等。

於剛性PWB用之情形時，貼合之方法可藉由準備預浸體，將銅箔自被覆層之相反側之面重疊於預浸體並進行加熱加壓而進行，上述預浸體係使樹脂含浸於玻璃布等基材中，使樹脂硬化至半硬化狀態而成者。於FPC之情形時，經由接著劑、或不使用接著劑於高溫高壓下將聚醯亞胺膜等基材積層接著於銅箔、或者將聚醯亞胺前驅物進行塗佈、乾燥、硬化等，藉此可製造積層板。

聚醯亞胺基材樹脂之厚度並不受特別限制，通常可列舉：25μm或50μm。

本發明之積層體可用於各種印刷配線板(PWB)，並無特別限 制，例如就導體圖案之層數之觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料之種類之觀點而言，可應用於剛性PWB、撓性PWB(FPC)、剛性-彈性PWB。本發明之電子機器可使用上述印刷配線板進行製作。

又，本發明之印刷配線板係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，且隔著絕緣樹脂基板之銅電路表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著絕緣樹脂基板對銅電路進行拍攝時，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，於自銅電路之端部至沒有銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)成為40以上。若使用此種印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。

又，本發明之印刷配線板係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，且隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，且於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，表示亮度曲線與0.1△B之交點中最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv成為3.0以上。若使用此種印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。

Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)

又，本發明之覆銅積層板係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅箔者，且隔著絕緣樹脂板之銅箔表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於藉由蝕刻製成線狀之銅箔後，利用CCD攝影機，隔著絕緣樹脂基板對覆銅積層板之上述銅箔進行拍攝時，於針對藉由拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，自線狀銅箔之端部至沒有線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)成為40以上。若使用此種覆銅積層板製造印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。

又，本發明之覆銅積層板係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅箔者，且隔著上述絕緣樹脂板之上述銅箔表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於藉由蝕刻製成線狀之銅箔後，利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述覆銅積層板之上述銅箔進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，且於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述線狀銅箔交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv成為3.0以上。若使用此種覆銅積層板製造印刷配線板，則可更準確地進行印刷配線板之定位。

Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)

(積層體及使用其之印刷配線板之定位方法)

對本發明之金屬與樹脂之積層體之定位方法進行說明。首先，準備金屬與樹脂之積層體。作為金屬與樹脂之積層體，只要為將金屬貼合於樹脂而構成者，則其形態並無特別限定。作為本發明之金屬與樹脂之積層體之具體例，可列舉：於由本體基板與附屬之電路基板、與用以將該等電性連接之於聚醯亞胺等樹脂之至少一表面形成有銅等金屬配線之撓性印刷基板構成之電子機器中，準確地將撓性印刷基板進行定位，並壓接於該本體基板及附屬之電路基板之配線端部而製作之積層體。即，若為該情形，則積層體成為藉由壓接而將撓性印刷基板及本體基板之配線端部貼合之積層體、或藉由壓接而將撓性印刷基板及電路基板之配線端部貼合之積層體。積層體具有由該金屬配線之一部分或其他材料形成之標記。關於標記之位置，只要為利用CCD攝影機等拍攝手段隔著構成該積層體之樹脂可進行拍攝之位置，則無特別限定。

於以上述方式準備之積層體中，利用拍攝手段，隔著樹脂對上述標記進行拍攝，針對藉由上述拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之上述標記延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作觀察地點-亮度曲線圖，使用自上述標記之端部至無上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)檢測上述標記之位置，並基於上述被檢測出之標記之位置進行金屬與樹脂之積層體之定位。

又，此時，亦可僅使用上述Sv值而檢測上述標記之位置，並基於上述被檢測出之標記之位置進行金屬與樹脂之積層體之定位，亦可使用上述△B值與Sv值兩者而檢測上述標記之位置，並基於上述被檢測出之標記之位置進行金屬與樹脂之積層體之定位。

根據上述定位方法，標記與並非標記之部分之交界變得更為明確，定位精度提高，利用標記圖像辨識之誤差變少，而可進行更準確地位置對準。例如於△B值、Sv值、或者△B值及Sv值為特定值以上之情形時，檢測 位置之裝置可進行標記存在於該位置之判定。具體而言，例如於僅以△B值進行判定之情形時，△B為40以上時，檢測位置之裝置可進行標記存在於該位置之判定，於僅以Sv值進行判定之情形時，於Sv為3.0以上時，檢測位置之裝置可進行標記存在於該位置之判定，或者於以△B值與Sv值進行判定之情形時，於△B為40以上且Sv為3.0以上時，檢測位置之裝置可進行標記存在於該位置之判定。若使用上述定位方法，則可更準確地進行印刷配線板之定位。

因此，可認為於將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接時，連接不良減少，良率提高。此時，銅箔亦可為經表面處理者。再者，作為將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接之方法，可使用經由焊接或異向性導電膜(Anisotropic Conductive Film、ACF)之連接、經由異向性導電漿料(Anisotropic Conductive Paste，ACP)之連接、或經由具有導電性之接著劑之連接等公知之連接方法。再者，於本發明中，「印刷配線板」亦包含安裝有零件之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。又，可連接2個以上本發明之印刷配線板，而製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板，又，可將本發明之印刷配線板至少1個、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板之印刷配線板加以連接，亦可使用上述印刷配線板製造電子機器。再者，於本發明中，「銅電路」亦包括銅配線。

再者，本發明之實施形態之定位方法亦可包含使積層體(包括銅與樹脂之積層體或印刷配線板)移動之步驟。於移動步驟中，例如可藉由帶式輸送機或鏈式輸送機等輸送機使積層體移動，亦可藉由具備臂機構之移動裝置使積層體移動，亦可利用藉由使用氣體使積層體懸浮而使之體移動之移動裝置或移動手段使積層體移動、亦可藉由使大致圓筒形等者旋轉而使積層體移動之移動裝置或移動手段(包括輥或軸承等)、以油壓為動力源之移動裝置或移動手段、以空氣壓為動力源之移動裝置或移動手 段、以馬達為動力源之移動裝置或移動手段、支架移動型線性導軌台、支架移動型空氣導軌台、堆疊型線性導軌台、線性馬達駆動台等具有台之移動裝置或移動手段等使積層體移動。又，亦可進行利用公知之移動手段之移動步驟。

再者，本發明之實施形態之定位方法亦可用於表面安裝機或晶片貼片機。

又，於本發明中，所定位之上述金屬與樹脂之積層體亦可為具有樹脂板及設置於上述樹脂板上之電路的印刷配線板。又，於該情形時，上述標記亦可為上述電路。

於本發明中，所謂「定位」包括「檢測標記或物之位置」。又，於本發明中，所謂「位置對準」包括「於檢測標記或物之位置後，基於上述檢測出之位置，使該標記或物向特定位置移動」。

[實施例]

作為實施例1~9及比較例1~4，準備各銅箔，並利用表2及表3所記載之條件，對一表面進行電鍍處理作為粗化處理。

壓延銅箔係以下述方式進行製造。製造特定之銅錠，進行熱軋後，反覆進行300~800℃之連續退火線之退火與冷軋，而獲得1~2mm厚之壓延板。將該壓延板於300~800℃之連續退火線中進行退火，使其再結晶，進行最終冷軋直至表1之厚度，而獲得銅箔。表1之「精銅」係表示以JIS H3100 C1100為標準之精銅。表1之「無氧銅」係表示以JIS H3100 C1020為標準之無氧銅。表1所記載之添加元素之「ppm」表示質量ppm。又，例如表1金屬箔(表面處理前)之種類欄之「精銅+Ag 180ppm」意指於精銅中添加有180質量ppm之Ag。

電解銅箔係利用下述條件進行製造。

‧電解液組成(銅：100g/L、硫酸：100g/L、氯：50ppm、調平劑1(雙 (三磺丙基)二硫化物)：10~30ppm、調平劑2(胺化合物)：10~30ppm)

‧電解液溫度：50~60℃

‧電流密度：70~100A/dm²

‧電解時間：1分鐘

‧電解液線速：4m/sec

再者，就胺化合物而言，使用以下之胺化合物。

(上述化學式中，R₁ 及R₂ 為選自由羥烷基、醚基、芳基、芳香族取代烷基、不飽和烴基、烷基所組成之群者)。

於表1記載有表面處理前之銅箔製作步驟之要點。「高光澤壓延」意指以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。

針對以上述方式製作之實施例及比較例之各樣品，如下述般進行各種評價。

(1)表面粗糙度(Rz)之測定；

針對各實施例、比較例之表面處理後之銅箔，使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計Surfcorder SE-3C，依據JIS B0601-1994，針對表面處理面，測定十點平均粗糙度。針對壓延銅箔，將測定位置變更為與壓 延方向垂直之方向(TD)，或針對電解銅箔，將測定位置變更為與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直的方向(TD)，於測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、截止值0.25mm、輸送速度0.1mm/sec之條件下分別進行10次測定，而求出10次測定之值。

再者，針對表面處理前之銅箔，亦預先以相同之方式求出表面粗糙度(Rz)。

(2)隔著聚醯亞胺之色差△E＊ab之測定；

對積層表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺膜(Kaneka製造厚度25μm或50μm)而構成之覆銅積層板中隔著聚醯亞胺膜之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab進行測定。色差△E＊ab之測定係使用HunterLab公司製造之色差計MiniScan XE Plus，依據JIS Z8730進行。再者，於上述之色差計中，將白色板之測定值設為△E＊ab=0，將於以黑色袋覆蓋之暗處進行測定時之測定值設為△E＊ab=90，而對色差進行校正。△E＊ab係使用L＊a＊b表色系統，設為△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍，並基於下述式進行測定。此處，色差△E＊ab係以0定義白色，以90定義黑色；

再者，銅電路表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab例如可使用日本電色工業股份有限公司製造之微小面分光色差計(型式：VSS400等)或Suga Test Instruments股份有限公司製造之微小面分光測色計(型式：SC-50μ等)等公知之測定裝置進行測定。

(3)銅箔表面之面積比(A/B)；

銅箔表面之表面積係使用利用雷射顯微鏡之測定法。針對各實施例、比較例之表面處理後之銅箔之表面處理面，使用Olympus公司製造之雷射 顯微鏡OLS4000，測定處理表面之相當於倍率20倍下之647μm×646μm之面積B(於實際資料中為417,953μm² )中之三維表面積A，並藉由設為三維表面積A÷二次元表面積B=面積比(A/B)之方法進行設定。再者，利用雷射顯微鏡之三維表面積A之測定環境溫度係設為23~25℃。

(4)光澤度；

使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter-PG-1，針對壓延銅箔，以垂直於壓延方向(壓延時銅箔之前進方向，即寬度方向)之方向(TD)之入射角60度對表面處理前之表面進行測定。又，針對電解銅箔，以垂直於電解處理時之銅箔搬運方向之方向(即寬度方向)(TD)之入射角60度對表面處理前之表面(無光澤面)進行測定。

(5)亮度曲線之斜率

將製作之銅箔以表面處理面側朝向聚醯亞胺膜之方式積層於聚醯亞胺膜(Kaneka製造厚度25μm或50μm)之兩面。然後，藉由蝕刻，將一面之銅箔全部去除。又，對另一面之銅箔進行蝕刻而製成寬度0.3mm之線狀。其後，於製成寬度0.3mm線狀之銅箔之背面敷上白紙，利用CCD攝影機(8192像素之線陣CCD攝影機)，隔著該聚醯亞胺膜進行拍攝，於針對藉由拍攝獲得之圖像，沿著與所觀察之銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，根據自標記之端部至無標記之部分產生之亮度曲線，對△B及t1、t2、Sv進行測定。將表示此時使用之攝影裝置之構成及亮度曲線之測定方法的示意圖示於圖3。再者，亮度曲線之斜率之評價所使用之厚度25μm或50μm之聚醯亞胺係使用貼合於銅箔前之聚醯亞胺之△B(PI)為50以上且65以下者。再者，於測定貼合於該銅箔前之聚醯亞胺之△B(PI)時，使用於白紙上印刷有寬度0.3mm線狀之黑色記號者(印刷有線狀之黑色標記之印刷物)代替 寬度0.3mm線狀的銅箔，而進行△B(PI)之測定。

又，△B及t1、t2、Sv係利用下述攝影裝置進行測定。再者，橫軸之1像素相當於10μm長度。

又，就鋪設於上述「製成寬度0.3mm線狀之銅箔之背面」之「白紙」而言，使用光澤度43.0±2之白色之光澤紙。

上述「印刷有線狀之黑色標記之印刷物」係使用於光澤度43.0±2之白色光澤紙上載有JIS P8208(1998)(圖1包含物計測圖表之複製)及JIS P8145(2011)(附件JA(規定)目視法異物比較圖圖JA.1-目視法異物比較圖之複製)均採用之於圖5所示之透明膜印刷有各種線等之包含物(夾雜物)(朝陽會股份有限公司製造 品名：「包含物測定圖表-全片幅紙」編號：JQA160-20151-1(獨立行政法人國立印刷局所製造))者。

上述光澤紙之光澤度係使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter-PG-1，以入射角60度進行測定。

攝影裝置具備：CCD攝影機、隔著積層有樣品之銅箔之聚醯亞胺基板之白紙(積層有銅箔之聚醯亞胺基板係將與具有線狀銅箔之面相反側之面朝向CCD攝影機而進行設置)、對聚醯亞胺基板之拍攝部照射光之照明用電源、將拍攝對象之銅箔及聚醯亞胺基板於台上進行搬送之搬送機(未圖示)。將該攝影裝置之主要規格示於以下：

‧攝影裝置：Nireco股份有限公司製造之片材檢測裝置Mujiken

‧線陣CCD攝影機：8192像素(160MHz)、1024灰階數位(10bit)

‧照明用電源：高頻照明電源(電源組件×2)

‧照明：螢光燈(30W，型號：FPL27EX-D，雙螢光燈)

△B(PI)測定用之線係使用0.7mm² 之圖5之夾雜物所繪製之箭頭所示之線。該線之寬度為0.3mm。又，線陣CCD攝影機視野係設為圖5之虛線之配置。

於利用線陣CCD攝影機之拍攝中，利用滿刻度256灰階確認訊號，於測定對象未隔著聚醯亞胺膜(聚醯亞胺基板)之狀態下，以印刷物之黑色標記不存在之部位(將上述透明膜置於上述白色之光澤紙上，利用CCD攝影機，自透明膜側對印刷於夾雜物之標記外之部位進行測定之情形)的波峰灰階訊號收於230±5之方式調整透鏡鎖光圈。攝影機掃描時間(攝影機之快門打開之時間，攝入光之時間)係固定為250μ秒，且以收於上述灰階以內之方式調整透鏡鎖光圈。

再者，關於圖3所示之亮度，0意指「黑」，亮度255意指「白」，將自「黑」至「白」之灰色之程度(白黑之濃淡、灰度)分割成256灰階進行表示。

(6)視認性(樹脂透明性)；

將銅箔貼合於聚醯亞胺膜(Kaneka製造 厚度25μm或50μm)之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)去除銅箔而製作樣品膜。於獲得之樹脂層之一面貼附印刷物(直徑6cm之黑色圓)，自相反面隔著樹脂層判定印刷物之視認性。將印刷物之黑色圓之輪廓於圓周的90%以上之長度中清楚者評價為「◎」，將黑色圓之輪廓於圓周之80%以上且未達90%之長度中清楚者評價為「○」(以上合格)，將黑色圓之輪廓於圓周之未達0~80%之長度中清楚者及輪廓崩潰者評價為「×」(不合格)。

(7)剝離強度(接著強度)；

依據PC-TM-650，利用拉伸試驗機Autograph 100對常態剝離強度進行測定，將上述常態剝離強度為0.7N/mm以上者設為可用於積層基板用途者。再者，剝離強度之測定係將銅箔厚度設為18μm而進行測定。針對厚度未達18μm之銅箔，進行鍍銅而使銅箔厚度為18μm。又，於厚度厚於18μm之情形時，進行蝕刻而使銅箔厚度為18μm。

(8)良率

將銅箔貼合於聚醯亞胺膜(Kaneka製造厚度25μm或50μm)之兩面，對銅箔進行蝕刻(氯化鐵水溶液)，而製作L/S為30μm/30μm電路寬度之FPC。其後，嘗試利用CCD攝影機，隔著聚醯亞胺檢測20μm×20μm見方之標記。將10次中9次以上可檢測出之情形設為「◎」，將7~8次可檢測出之情形設為「○」，將6次可檢測出之情形設為「△」，將5次以下可檢測出之情形設為「×」。

再者，於印刷配線板或覆銅積層板中，可藉由使樹脂溶解並去除，而針對銅電路或銅箔表面測定上述之(1)表面粗糙度(Rz)、(3)銅箔表面之面積比(A/B)。

將上述各試驗之條件及評價示於表1~3。

(評價結果)

關於實施例1~9，均隔著聚醯亞胺之色差△E＊ab為50以上，且△B為40以上，而視認性良好。

比較例1~4之隔著聚醯亞胺之色差△E＊ab未達50，或△B未達40，視認性不良。

於圖4中分別表示上述Rz評價時之(a)比較例1、(b)實施例1之銅箔表面之SEM觀察照片。

又，於上述實施例1~9中，將作為製成寬度0.3mm線狀之銅箔之標記以及夾雜物之標記之寬度自0.3mm變更為0.16mm(自夾雜物之片之面積0.5mm² 的接近0.5之記載開始第3個標記(圖6之箭頭所指之標記))，進行相同之△B(PI)、Sv值及△B值之測定，但均△B(PI)、Sv值及△B值成為與將標記之寬度設為0.3mm之情形相同之值。

進而，於上述實施例1~9中，關於「亮度曲線之頂部平均值Bt」，係變更為將距離標記之兩側之端部位置50μm之位置設為距離100μm之位置、距離300μm之位置、距離500μm之位置，自上述位置分別以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度的平均值，進行相同之△B(PI)、Sv值及△B值之測定，但△B(PI)、Sv值及△B值均成為與將自距離標記之兩側之端部位置50μm的位置以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值設為「亮度曲線之頂部平均值Bt」的情形之△B(PI)、 Sv值及△B值相同。

Claims (23)

1. 一種表面處理銅箔，係於積層表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，且於利用CCD攝影機，隔著自經過表面處理之表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
2. 一種表面處理銅箔，係於積層表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，且於利用CCD攝影機，隔著自經過表面處理之表面側積層之上述聚醯亞胺對上述銅箔進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅箔延伸之方向垂直之方向，測定每個觀察地點之亮度而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，將自上述銅箔之端部至無上述銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述銅箔交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B的深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內表示最接近上述銅箔交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv成為3.0以上， Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
3. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述銅箔交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，亮度曲線與0.1△B之交點內表示最接近上述銅箔交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
4. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中於積層上述表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為53以上。
5. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中於積層上述表面處理銅箔、與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中隔著上述聚醯亞胺之表面的基於JIS Z8730之色差△E＊ab為53以上。
6. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中上述亮度曲線中(1)式所定義之Sv為3.5以上。
7. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中上述亮度曲線中(1)式所定義之Sv為3.9以上。
8. 如申請專利範圍第7項之表面處理銅箔，其中上述亮度曲線中(1)式所定義之Sv為5.0以上。
9. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中上述表面之TD之平均粗糙度Rz為0.20~0.64μm，且上述銅箔表面之三維表面積A與二維表面積B之比A/B為1.0~1.7。
10. 如申請專利範圍第9項之表面處理銅箔，其中上述表面之TD之平 均粗糙度Rz為0.26~0.62μm。
11. 如申請專利範圍第9項之表面處理銅箔，其中上述A/B為1.0~1.6。
12. 一種積層板，係積層申請專利範圍第1至11項中任一項之表面處理銅箔與樹脂基板而構成。
13. 一種印刷配線板，其使用申請專利範圍第1至11項中任一項之表面處理銅箔。
14. 一種電子機器，其使用至少1個申請專利範圍第13項之印刷配線板。
15. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路，且隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
16. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅箔，且隔著上述絕緣樹脂板之上述銅箔表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於藉由蝕刻將上述覆銅積層板之上述銅箔製成線狀之銅箔後，利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀銅箔延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點- 亮度曲線圖中，自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差△B(△B=Bt-Bb)為40以上。
17. 一種印刷配線板，係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅電路者，且隔著上述絕緣樹脂基板之上述銅電路表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板對上述銅電路進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述銅電路延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，將自上述銅電路之端部至無上述銅電路之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，且於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述銅電路交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述銅電路之交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
18. 一種覆銅積層板，係具有絕緣樹脂基板、與設置於絕緣樹脂基板上之銅箔者，且隔著上述絕緣樹脂板之上述銅箔表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab為50以上，於藉由蝕刻將上述覆銅積層板之上述銅箔製成線狀之銅箔後，利用CCD攝影機，隔著上述絕緣樹脂基板進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀銅箔延 伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線圖中，將自上述線狀銅箔之端部至無上述線狀銅箔之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb的差設為△B(△B=Bt-Bb)，且於上述觀察地點-亮度曲線圖中，將亮度曲線與Bt之交點內表示最接近上述線狀銅箔交點之位置的值設為t1，將以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍中，表示亮度曲線與0.1△B之交點內最接近上述線狀銅箔交點之位置的值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
19. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的方法，係將2個以上申請專利範圍第15或17項之印刷配線板連接而製造。
20. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的方法，其至少包含如下步驟：將至少1個申請專利範圍第15或17項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第15或17項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第15或17項之印刷配線板之印刷配線板加以連接之步驟。
21. 一種電子機器，其使用1個以上連接至少1個申請專利範圍第15或17項之印刷配線板而成的印刷配線板。
22. 一種表面處理銅箔，其用於申請專利範圍第15或17項之印刷配線板。
23. 一種表面處理銅箔，其用於申請專利範圍第16或18項之覆銅積層板。