TWI569695B - Production method of surface-treated rolled copper foil, laminated board, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board - Google Patents

Production method of surface-treated rolled copper foil, laminated board, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board Download PDF

Info

Publication number
TWI569695B
TWI569695B TW103132045A TW103132045A TWI569695B TW I569695 B TWI569695 B TW I569695B TW 103132045 A TW103132045 A TW 103132045A TW 103132045 A TW103132045 A TW 103132045A TW I569695 B TWI569695 B TW I569695B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
copper foil
printed wiring
treated
wiring board
rolled copper
Prior art date
Application number
TW103132045A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201519710A (zh
Inventor
Atsushi Miki
Hideta Arai
Kohsuke Arai
Kaichiro Nakamuro
Kazutaka AOSHIMA
Kazuki Kanmuri
Original Assignee
Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jx Nippon Mining & Metals Corp filed Critical Jx Nippon Mining & Metals Corp
Publication of TW201519710A publication Critical patent/TW201519710A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI569695B publication Critical patent/TWI569695B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
    • B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Description

表面處理壓延銅箔、積層板、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法
本發明涉及一種表面處理壓延銅箔、積層板、印刷配線板、電子機器及印刷配線板之製造方法。
作為FPC(可撓性印刷基板)，係使用將銅箔與樹脂層進行積層而成之銅箔複合體，對於該銅箔，要求形成電路時之蝕刻性、及考慮到使用FPC時之彎曲性。
且說，FPC通常於銅箔發生再結晶之狀態下使用。若對銅箔進行壓延加工，則結晶旋轉而形成壓延集合組織，所謂純銅之壓延集合組織係被稱為銅方位(copper orientation)之{112}<111>成為主方位。並且，若於壓延後對壓延銅箔進行退火、或者於直至加工成最終製品之步驟、即直至成為FPC之步驟中對壓延銅箔施加熱，則會發生再結晶。以下，將該成為壓延銅箔後之再結晶組織簡稱為「再結晶組織」，將受熱前之壓延組織簡稱為「壓延組織」。再者，再結晶組織受到壓延組織較大地影響，藉由控制壓延組織，亦可控制再結晶組織。
根據此種情況，業界提出有於壓延銅箔之再結晶後使{001}<100>之立 方方位(cube orientation)成長而使彎曲性提高之技術(例如專利文獻1、2)。
又，隨著智慧型手機或平板PC等小型電子機器之高功能化，信號傳輸速度向高速化方向發展，對於FPC而言阻抗匹配(impedance matching)亦成為重要之要素。作為針對信號容量增加之阻抗匹配之方案，成為FPC之基底之樹脂絕緣層(例如聚醯亞胺)向厚層化方向發展。又，根據配線之高密度化要求，FPC之多層化進一步發展。另一方面，對於FPC，會實施向液晶基材之接合或IC晶片之搭載等加工，但此時之位置對準係經由定位圖案而進行，該定位圖案係透過於對銅箔與樹脂絕緣層之積層板中之銅箔進行蝕刻後所殘留之樹脂絕緣層進行視認，因此樹脂絕緣層之視認性變得重要。
作為此種技術，例如專利文獻3中揭示有關於覆銅積層板之發明，該覆銅積層板係將聚醯亞胺膜與低粗糙度銅箔進行積層而成，且蝕刻銅箔後之膜於波長600nm之透光率為40%以上，霧度(HAZE)為30%以下，接著強度為500N/m以上。
又，專利文獻4中揭示有關於COF用可撓性印刷配線板之發明，該COF用可撓性印刷配線板係具有積層有由電解銅箔形成之導體層之絕緣層，於對該導體層進行蝕刻而形成電路時之蝕刻區域中絕緣層之透光性為50%以上之薄膜覆晶(COF)用可撓性印刷配線板，其特徵在於：上述電解銅箔於接著於絕緣層上之接著面具備由鎳-鋅合金形成之防銹處理層，且該接著面之表面粗糙度(Rz)為0.05~1.5μm，並且入射角60°之鏡面光澤度為250以上。
又，專利文獻5中揭示有關於印刷電路用銅箔之處理方法之 發明，該處理方法係印刷電路用銅箔之處理方法，其特徵在於：於銅箔之表面進行利用銅-鈷-鎳合金鍍敷所進行之粗化處理後，形成鈷-鎳合金鍍層，進而形成鋅-鎳合金鍍層。
[專利文獻1]日本專利第3856616號公報
[專利文獻2]日本專利第4716520號公報
[專利文獻3]日本特開2004-98659號公報
[專利文獻4]WO2003/096776
[專利文獻5]日本專利第2849059號公報
然而，於如專利文獻1、2般使銅箔之立方方位成長之情形時，有如下問題：若銅箔之立方方位成長程度過大，則蝕刻性會降低。認為其原因在於：即便立方體集合組織成長，亦並非單晶，而成為於立方方位之大結晶粒中存在其他方位之小結晶粒之混粒狀態，對於各方位之結晶粒而言蝕刻速度發生變化。尤其是，電路之L/S(線寬/線距)寬度變得越窄(細間距)，蝕刻性越成問題。又，若立方方位過於成長，則有銅箔變得過於柔軟，而操作性差之情形。
再者，為了調整立方方位之成長度，有於最終壓延中於再結晶後控制壓延組織之方法，但有立方方位未成長，或者過於成長而無法充分調整立方方位之成長度之問題。
又，專利文獻3中，藉由黑化處理或鍍敷處理後之有機處理劑對接著性進行改良處理而獲得之低粗糙度銅箔於對覆銅積層板要求彎曲 性之用途中，有因疲勞而斷線之情形，且有樹脂透視性差之情形。
又，於專利文獻4中未進行粗化處理，於COF用可撓性印刷配線板以外之用途中，銅箔與樹脂之密接強度低而不足。
並且，於專利文獻5所記載之處理方法中，雖然可對銅箔進行利用Cu-Co-Ni之微細處理，但對於使該銅箔與樹脂接著並藉由蝕刻去除該銅箔後之樹脂而言，無法實現優異之透明性。
因此，本發明之課題在於鑒於上述各種問題，而提供一種蝕刻性與彎曲性均優異，與樹脂良好地接著，且藉由蝕刻去除銅箔後之樹脂之透明性優異的表面處理壓延銅箔。
本發明者等人發現，於壓延組織中之壓延面，{110}面之存在比例較{112}面之存在比例越多，銅箔之壓延集合組織越會成長，而於再結晶退火時立方方位越成長。藉此，為了適當調整使彎曲性提高但使蝕刻性降低之立方方位之成長度，而控制在銅箔之壓延面上{112}面與{110}面之成長比例，從而成功地使壓延銅箔之蝕刻性與彎曲性均提高。並且，著眼於觀察地點-亮度曲線中所繪製之標記端部附近之亮度曲線之斜率，發現對該亮度曲線進行控制會於不受基板樹脂膜之種類或基板樹脂膜之厚度之影響的情況下，對將銅箔蝕刻去除後之樹脂透明性產生影響，上述觀察地點-亮度曲線係藉由如下方式獲得，即，針對將藉由表面處理而將表面之色差控制在特定範圍之壓延銅箔自該處理面側貼合並將該銅箔去除之聚醯亞胺基板，將附標記之印刷物置於該聚醯亞胺基板之下，利用CCD相機，隔著聚醯亞胺基板對該印刷物進行拍攝，並自所得之該標記部分之圖像而獲得。
基於以上見解而完成之本發明於一側面係一種表面處理壓 延銅箔，其於：一銅箔表面及/或兩銅箔表面為表面處理面S，且對於上述表面處理面S之一面或兩面、或者並非上述表面處理面S之表面，將自{112}面算出之X射線繞射強度設為I{112}，將自{110}面算出之X射線繞射強度設為I{110}時，滿足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0，且為將表面處理壓延銅箔、與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺從上述表面處理壓延銅箔之上述表面處理面S側進行積層而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab成為50以上之表面處理壓延銅箔，並且將上述表面處理壓延銅箔自表面處理面S側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，藉由蝕刻將上述兩面之壓延銅箔去除，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下，利用CCD相機，隔著上述聚醯亞胺基板對上述印刷物進行拍攝時，於針對藉由上述拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之上述線狀標記延伸之方向垂直之方向，測定每個觀察地點之亮度而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自上述標記之端部至未繪製上述標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點中最接近上述線狀標記之交點之位置之值設為t1，將表示在以Bt為基準從亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點中最接近上述線狀標記之交點之位置之值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv成為3.0以上， Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
本發明之表面處理壓延銅箔於一實施方式中，上述一銅箔表面為表面處理面S，且另一銅箔表面經表面處理。
本發明之表面處理壓延銅箔於另一實施方式中，上述壓延銅箔係由99.9質量%以上之銅形成。
本發明之表面處理壓延銅箔於又一實施方式中，含有合計10~300質量ppm之選自Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr及Au之群中之1種或2種以上，且剩餘部分由Cu及不可避免之雜質組成。
本發明之表面處理壓延銅箔於又一實施方式中，上述壓延銅箔含有2~50質量ppm之氧。
本發明之表面處理壓延銅箔於又一實施方式中，於200℃加熱30分鐘後，於至少一表面滿足I{112}/I{100}≦1.0。
本發明之表面處理壓延銅箔於又一實施方式中，於350℃加熱1秒鐘後，將上述壓延銅箔之壓延面之{200}面之X射線繞射強度設為I{200}，將純銅粉末試樣之{200}面之X射線繞射強度設為I0{200}時，滿足5.0≦I{200}/I0{200}≦27.0。
本發明之表面處理壓延銅箔於又一實施方式中，厚度為4~100μm。
本發明之表面處理壓延銅箔於又一實施方式中，上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
本發明之表面處理壓延銅箔於又一實施方式中，上述表面處 理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
本發明之表面處理壓延銅箔於又一實施方式中，上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq為0.08μm以上。
本發明於又一側面係一種積層板，其係將本發明之表面處理壓延銅箔與樹脂基板進行積層而製造。
本發明於又一側面係一種印刷配線板，其使用有本發明之表面處理壓延銅箔。
本發明於又一側面係一種電子機器，其使用有本發明之印刷配線板。
本發明於又一側面係一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其係將2個以上本發明之印刷配線板進行連接。
本發明於又一側面係一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其包括：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或不屬於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接的步驟。
本發明於又一側面係一種電子機器，其使用有1個以上印刷配線板，該印刷配線板連接有至少1個本發明之印刷配線板。
本發明於又一側面係一種印刷配線板之製造方法，其至少包括：將藉由本發明之方法而製作之印刷配線板與零件進行連接的步驟。
本發明於又一側面係一種連接有2個以上印刷配線板之印 刷配線板之製造方法，其至少包括如下步驟：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或不屬於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接而製造印刷配線板A之步驟；及將上述印刷配線板A與零件進行連接之步驟。
本發明於又一側面係一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其係將選自由本發明之印刷配線板、藉由本發明之方法而製作之印刷配線板、及不屬於本發明之印刷配線板或不屬於藉由本發明之方法而製作之印刷配線板中之任一個的印刷配線板所組成之群中之一種以上之印刷配線板、與藉由本發明之方法所製造之印刷配線板進行連接。
根據本發明，可提供一種蝕刻性與彎曲性均優異，與樹脂良好地接著，且藉由蝕刻而去除銅箔後之樹脂之透明性優異的表面處理壓延銅箔。
圖1係示意性地表示用以在銅箔之壓延面增加{112}面之最終再結晶退火中對銅箔所施加之張力與銅箔中之添加元素之量之關係的圖。
圖2係分別表示實施例5、比較例1之蝕刻面之光學顯微鏡圖像的圖。
圖3係表示基準圖像與蝕刻性評價之對應的圖。
圖4係定義將標記寬度設為約0.3mm時之Bt及Bb的示意圖。
圖5係定義將標記寬度設為約1.3mm時之Bt及Bb的示意圖。
圖6係定義t1及t2及Sv之示意圖。
圖7係表示亮度曲線之斜率評價時之攝影裝置之構成及亮度曲線之斜率之測定方法的示意圖。
圖8係實施例所使用之夾雜物之外觀照片。
圖9係實施例所使用之夾雜物之外觀照片。
圖10係實施例所使用之夾雜物之外觀照片。
<壓延銅箔之組成>
關於本發明之表面處理壓延銅箔，較佳為該壓延銅箔係由99.9質量%以上之銅所形成。作為此種組成，可列舉：JIS-H3510(C1011)或JIS-H3100(C1020)所規定之無氧銅、或JIS-H3100(C1100)所規定之精銅。又，較佳為將表面處理壓延銅箔之含氧量設為2~50質量ppm。於表面處理壓延銅箔中之含氧量較少而為2~50質量ppm之情形時，壓延銅箔中幾乎不存在氧化亞銅。因此，於將壓延銅箔彎曲時，幾乎無由氧化亞銅產生之應變之蓄積，因此不易產生龜裂，而彎曲性提高。再者，銅所含有之氧之含量之上限並無特別限定，通常為500質量ppm以下，進而通常為320質量ppm以下。
進而，表面處理壓延銅箔亦可為如下構成，即含有合計10~300質量ppm之選自Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr及Au之群中之1種或2種以上， 且剩餘部分由Cu及不可避免之雜質組成。若添加該等Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr、Au之元素，則有於壓延銅箔之表面(以下，亦稱為「壓延面」；再者，於經表面處理之情形時係指表面處理後之表面){110}面增多之傾向，因此變得容易調整下述之I{110}/I{112}之值。若上述元素之合計量小於10質量ppm，則有於壓延面使{110}面成長之效果小之情形，若超過300質量ppm，則有如下情況：導電率降低並且再結晶溫度上升，而於最終壓延後之退火中變得難以一邊抑制銅箔之表面氧化一邊再結晶。
<厚度>
銅箔之厚度較佳為4~100μm，較佳為4~70μm，進而較佳為5~70μm。若厚度小於4μm，則有銅箔之操作性差之情形，若厚度超過100μm，則有銅箔之彎曲性差之情形。
<壓延銅箔表面之{112}面及{110}面>
將根據{200}、{220}、{111}面之X射線繞射強度所算出之銅箔壓延面中之各面之存在強度定義為算出X射線繞射強度。並且，本發明之表面處理壓延銅箔於將自{112}面算出之X射線繞射強度設為I{112}，將自{110}面算出之X射線繞射強度設為I{110}時，於表面處理面S之一面或兩面、或者並非表面處理面S之表面上，滿足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0。更佳範圍為4.0≦I{110}/I{112}≦5.6。
於壓延組織中之壓延面，{110}面之存在比例較{112}面之存在比例越多，銅箔之壓延集合組織越成長，而於再結晶退火時立方方位越成長。藉此，可適當調整使彎曲性提高但使蝕刻性降低之立方方位之成長度，而控制銅箔之壓延面上之{112}面與{110}面之成長比例，而使壓延銅箔之蝕刻性 與彎曲性均提高。即，若I{110}/I{112}小於2.5，則壓延銅箔之彎曲性變差，若I{110}/I{112}超過6.0，則壓延銅箔之蝕刻性變差。
又，關於本發明之表面處理銅箔，亦可一銅箔表面為表面處理面S，且對另一銅箔表面實施表面處理。
X射線繞射由於其波長較長，因此雖然能夠測定銅箔之{200}、{220}、{111}面之繞射強度，但無法獲得{422}面(即{112}面)之繞射波峰。因此，根據藉由正極圖測定法而獲得之{200}、{220}、{111}之X射線繞射結果，利用結晶方位之幾何學關係而求出{110}面及{112}面之算出X射線繞射強度。{110}面之繞射強度雖然亦可設為與{220}面之繞射強度相等而直接測定，但於本發明中應用自{200}、{220}、{111}面之繞射強度算出之算出X射線繞射強度。
具體而言，藉由如下方式而獲得{110}面及{112}面之算出X射線繞射強度之值。
首先，進行銅箔之{200}、{220}、{111}面之正極圖測定。正極圖測定法係於供設置試樣之測角儀上安裝雙軸(α、β)之旋轉機構，一邊改變該等之角度一邊測定X射線繞射之方法。而且，可根據X射線繞射正極圖測定結果(銅箔之{200}、{220}、{111}面之正極圖)，利用幾何學關係，藉由計算求出{110}面及{112}面之集合度。該計算可使用市售之軟體(例如StandardODF(Norm Engineering股份有限公司製造)，轉換為反極圖表示而進行。
關於{110}面及{112}面之集合度，首先進行{200}、{220}、{111}面之正極圖測定，其次同樣地進行純銅粉末標準試樣之{200}、{220}、{111}面之 正極圖測定。然後，分別利用純銅粉末標準試樣之{200}、{220}、{111}面之集合度而將{200}、{220}、{111}面之集合度標準化。然後，根據如此經過標準化之{200}、{220}、{111}面之正極圖，藉由上述軟體轉換為反極圖，並計算{110}面及{112}面之集合度(算出X射線繞射強度)。
本發明之壓延銅箔通常係於熱軋及平面切削後，重複進行冷軋與退火多次(通常為2次左右)，繼而進行最終再結晶退火後，進行最終冷軋而製造。此處，所謂「最終再結晶退火」，係指最終冷軋前之退火中最後之退火。又，為了與上述之「再結晶組織」(成為壓延銅箔後之再結晶組織)加以區別，而將最終再結晶退火後之再結晶組織稱為「中間再結晶組織」。首先，作為簡單地調整中間再結晶組織之方法，可列舉改變退火溫度之方法。然而，於僅提高最終再結晶退火溫度之情形時，無規方位之再結晶粒會成長，若再結晶粒成為混粒(結晶粒徑之大小之分佈範圍變廣)，則會導致最終壓延後之條紋等表面缺陷，故而欠佳，因此難以適當地控制I{110}/I{112}之值。
另一方面，若於最終再結晶退火中增大對銅箔所施加之張力，則該張力成為驅動力，可使中間再結晶組織中之結晶粒徑變大，而使{112}面大量存在於壓延面。但是，若張力變得過大，則最終壓延後之壓延面{110}面減少，因此以I{110}/I{112}之值成為上述範圍內之方式調整張力之範圍即可。又，由於張力之值亦根據最終再結晶退火溫度、及上述之添加元素之量而變化，故而根據該等而調整張力之值即可。再者，所謂張力，係向進行最終再結晶退火之環境中搬入銅條時最終再結晶退火環境之入側與出側之各輥間之張力。張力之適宜值(絕對值)係根據退火溫度與銅條之成分而變 化，因此較佳為對用張力除以退火溫度下之材料之保證應力而獲得之無因次值進行管理。再者，先前基於防止搬送輥之劣化等目的，連續退火爐中之張力之值通常被設定為0.1~0.15之範圍。
圖1係表示用以於銅箔之壓延面上增加{112}面之在最終再結晶退火中調整對銅箔所施加之張力的一例。如上所述，若增大張力，則於壓延面上{112}面會增多，但若添加元素(上述之Ag等)之量增加，則於壓延面上{110}面增多，因此若不施加更高之張力，則於壓延面上{112}面之比例不會增高。因此，圖1之被2條線包圍之區域成為較佳範圍。
較佳為將壓延銅箔於200℃加熱30分鐘後，於至少一表面滿足I{112}/I{100}≦1.0。於200℃進行30分鐘之加熱係模擬藉由所謂澆鑄法而製造FPC時之銅箔之加熱條件。而且，若為於該加熱中銅箔完全再結晶而不殘留未再結晶區域之狀態，則成為I{112}/I{100}≦1.0。於I{112}/I{100}>1.0之情形時，有殘留未再結晶區域，而FPC之彎曲性變差之情形。
較佳為將壓延銅箔於350℃加熱1秒鐘後，將壓延銅箔之壓延面之{200}面之X射線繞射強度設為I{200}，將純銅粉末試樣之{200}面之X射線繞射強度設為I0{200}時，滿足5.0≦I{200}/I0{200}≦27.0。若再結晶後{001}<100>方位(立方方位)成長，則可獲得良好之彎曲性，因此I{200}/I0{200}越高越好。若5.0>I{200}/I0{200}，則有彎曲性降低之情形。尤其是，更佳為13.0≦I{200}/I0{200}≦27.0。再者，於與其他特性之平衡方面，於工業上難以實現I{200}/I0{200}>27.0，因此將上限設為27.0。
<表面處理壓延銅箔>
本發明中所使用之銅箔對於藉由積層於樹脂基板上而製作積層板並藉 由蝕刻而形成電路從而使用之銅箔有用。
通常，對於銅箔之與樹脂基板進行接著之面、即表面處理側之表面，為了提高積層後之銅箔之剝離強度，亦可實施對脫脂後之銅箔表面進行瘤狀電沈積之粗化處理。於本發明中，該粗化處理可藉由銅-鈷-鎳合金鍍敷或銅-鎳-磷合金鍍敷等合金鍍敷而進行。又，於本發明中，粗化處理較佳為可藉由銅合金鍍敷而進行。作為銅合金鍍浴，例如較佳為使用含有銅與1種以上之銅以外之元素之鍍浴，更佳為含有銅與選自由鈷、鎳、砷、鎢、鉻、鋅、磷、錳及鉬所組成之群中之任一種以上之鍍浴。而且，於本發明中，該粗化處理係用以形成表面處理面S之表面處理之一例，且將該粗化處理之電流密度設為高於先前粗化處理，而縮短粗化處理時間。有時進行通常之鍍銅等作為粗化前之預處理，有時為了防止電沈積物之脫落，亦進行通常之鍍銅等作為粗化後之最終加工處理。
本發明中所使用之銅箔亦可於進行粗化處理後，或者省略粗化處理，而於表面設置耐熱鍍層或防銹鍍層。
作為形成表面處理面S之粗化處理之銅-鈷-鎳合金鍍敷可藉由如下方式實施，即藉由電解鍍敷而形成如附著量為15~40mg/dm2之銅-100~3000μg/dm2之鈷-100~1500μg/dm2之鎳的三元系合金層。若Co附著量小於100μg/dm2，則有耐熱性變差，蝕刻性變差之情形。若Co附著量超過3000μg/dm2，則於必須考慮磁性影響之情形時欠佳，且有產生蝕刻斑，又，耐酸性及耐化學品性變差之情形。若Ni附著量小於100μg/dm2，則有耐熱性變差之情形。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm2，則有蝕刻殘留物增多之情形。Co附著量較佳為1000~2500μg/dm2，鎳附著量較 佳為500~1200μg/dm2。此處，所謂蝕刻斑係指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留之情形，而且，所謂蝕刻殘留物係指於利用氯化銨進行鹼性蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留之情形。
用以形成此種三元系銅-鈷-鎳合金鍍層之鍍浴及鍍敷條件如下：
‧鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
‧pH值：1~4
‧溫度：30~50℃
‧電流密度Dk：30~45A/dm2
‧鍍敷時間：0.2~1.5秒
再者，本發明所使用之除膠渣處理、電解、表面處理或鍍敷等所使用之處理液之剩餘部分只要並無特別明確記載，則為水。
為了形成表面處理面S，亦可省略粗化處理而於表面設置耐熱鍍層或防銹鍍層，作為此種處理，可使用利用如下鍍浴所進行之鍍敷處理，即下述條件之Ni-W合金等Ni合金鍍浴，更佳為包含Ni與選自由Zn、W、P、Co、Mo、In、Sn及Cu所組成之群中之一種以上元素之合金鍍浴，進而較佳為由Ni與選自由Zn、W、P、Co、Mo、In、Sn及Cu所組成之群中之一種以上元素所組成之合金鍍浴。即，表面處理面S於省略粗化處理之情形時，亦可具有Ni合金鍍層，較佳為具有包含Ni與選自由Zn、W、P、Co、Mo、In、Sn及Cu所組成之群中之一種以上元素之合金鍍層，進而較佳為具有由Ni與選自由Zn、W、P、Co、Mo、In、Sn及Cu所組成之群中之一種以上元素所組成之合金鍍層。再者，關於省略粗化處理而於表面設 置耐熱鍍層或防銹鍍層之處理，需降低電流密度，且延長鍍敷時間。
‧鍍浴組成：Ni 10~30g/L、W 5~50mg/L
‧pH值：3~5
‧浴溫：40~50℃
‧電流密度Dk：0.5~3A/dm2
‧鍍敷時間：10~30秒
又，可使用利用Ni鍍浴所進行之鍍敷處理。再者，關於省略粗化處理而於表面設置耐熱鍍層或防銹鍍層之處理，需降低電流密度，且延長鍍敷時間。
‧鍍浴組成：Ni 10~40g/L
‧pH值：1~4
‧浴溫：35~50℃
‧電流密度Dk：0.2~3A/dm2
‧鍍敷時間：5~20秒
又，粗化處理後，可於粗化面上形成附著量為200~3000μg/dm2之鈷-100~700μg/dm2之鎳之鈷-鎳合金鍍層。該處理於廣義上可視為一種防銹處理。該鈷-鎳合金鍍層需以實質上不使銅箔與基板之接著強度降低之程度進行。若鈷附著量小於200μg/dm2，則有耐熱剝離強度降低，耐氧化性及耐化學品性變差之情形。又，作為另一原因，若鈷量少，則處理表面泛紅，故而欠佳。若鈷附著量超過3000μg/dm2，則於必須考慮磁性影響之情形時欠佳，且有產生蝕刻斑之情形，又，有耐酸性及耐化學品性變差之情形。鈷附著量較佳為500~2500μg/dm2。另一方面，若鎳附著量 小於100μg/dm2，則有耐熱剝離強度降低，而耐氧化性及耐化學品性變差之情形。若鎳超過1300μg/dm2，則鹼性蝕刻性變差。鎳附著量較佳為200~1200μg/dm2。
又，鈷-鎳合金鍍敷之條件如下：
‧鍍浴組成：Co 1~20g/L、Ni 1~20g/L
‧pH值：1.5~3.5
‧溫度：30~80℃
‧電流密度Dk：1.0~20.0A/dm2
‧鍍敷時間：0.5~4秒
根據本發明，於鈷-鎳合金鍍層上進而形成附著量為30~250μg/dm2之鋅鍍層。若鋅附著量小於30μg/dm2，則有耐熱劣化率改善效果消失之情形。另一方面，若鋅附著量超過250μg/dm2，則有耐鹽酸劣化率極度變差之情形。鋅附著量較佳為30~240μg/dm2，更佳為80~220μg/dm2。
上述鍍鋅之條件如下：
‧鍍浴組成：Zn 100~300g/L
‧pH值：3~4
‧溫度：50~60℃
‧電流密度Dk：0.1~0.5A/dm2
‧鍍敷時間：1~3秒
再者，亦可形成鋅-鎳合金鍍層等鋅合金鍍層而代替鋅鍍層，亦可於最表面藉由鉻酸鹽處理或矽烷偶合劑之塗佈等而形成防銹層。
通常，於對銅箔表面實施粗化處理之情形時，先前技術為於 硫酸銅水溶液中之燒焦鍍敷(burning plating)，但可藉由鍍浴中含有銅以外之金屬之銅-鈷-鎳合金鍍敷或銅-鎳-磷合金鍍敷等合金鍍敷，而進行將該銅箔與貼合於銅箔前之△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺進行積層而構成之覆銅積層板中之隔著聚醯亞胺之表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab成為50以上之表面處理。
[表面色差△E＊ab]
對於本發明之表面處理壓延銅箔，於將其自表面處理壓延銅箔之表面處理面S側積層於貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺而構成之覆銅積層板中，隔著上述聚醯亞胺之表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab控制為50以上。藉由此種構成，與背面之對比度變得鮮明，隔著聚醯亞胺基板對該銅箔進行觀察時之視認性提高。其結果為，於將該銅箔用於形成電路之情形等時，經由透過該聚醯亞胺基板所視認之定位圖案而進行之IC晶片搭載時之位置對準等變得容易。若該色差△E＊ab小於50，則產生與背面之對比度變得不鮮明之可能性。該色差△E＊ab更佳為53以上、55以上，更佳為60以上。色差△E＊ab之上限無需特別限定，例如為90以下、88以下、或者87以下、或者85以下、或者75以下、或者70以下。
此處，色差△E＊ab係利用色差計進行測定，且係加上黑/白/紅/綠/黃/藍，並使用基於JIS Z8730之L＊a＊b表色系統而進行表示之綜合指標，設為△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍，並以下述式表示：
為了提高視認性之效果，而控制用以形成表面處理面S之表 面處理前之銅箔之處理側表面之利用接觸式粗糙度計所測得之TD(與壓延方向垂直之方向(銅箔之寬度方向))之粗糙度(十點平均粗糙度Rz)及光澤度。具體而言，表面處理前之銅箔之處理側表面之利用接觸式粗糙度計所測得之TD之表面粗糙度(十點平均粗糙度Rz)為0.20~0.55μm、較佳為0.20~0.42μm。作為此種銅箔，係藉由調整壓延油之油膜當量並進行壓延(高光澤壓延)、調整壓延輥之表面粗糙度(算術平均粗糙度Ra(JIS B0601 1994)並進行壓延、或者藉由化學蝕刻之類的化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而製作。藉由如上述般將處理前之銅箔之處理側表面之利用接觸式粗糙度計所測得之TD之表面粗糙度(十點平均粗糙度Rz)與光澤度設為上述範圍，而可容易地控制處理後之銅箔之表面處理面S側之表面粗糙度(十點平均粗糙度Rz)及表面積。
又，關於用以形成表面處理面S之表面處理前之銅箔，其TD之60度光澤度為300~910%，較佳為500~810%，更佳為500~710%。若表面處理前之銅箔之TD之60度光澤度小於300%，則與上述光澤度為300%以上之情形相比，有上述樹脂之透明性變得不良之虞，若超過910%，則有產生變得難以製造之問題之虞。
再者，高光澤壓延可藉由將下述式所規定之油膜當量設為13000~24000以下而進行。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(過板速度[mpm]+輥圓邊速度[mpm])}/{(輥之咬角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2])}
壓延油黏度[cSt]係40℃之動態黏度。
為了將油膜當量設為13000~24000，使用如下之公知方法即可，即， 使用低黏度之壓延油，或者減緩過板速度等。
壓延輥之表面粗糙度例如以算術平均粗糙度Ra(JIS B0601 1994)計，可設為0.01~0.25μm。於壓延輥之算術平均粗糙度Ra之值較大之情形時，有用以形成表面處理面S之表面處理前之銅箔之表面之TD之粗糙度(Rz)增大，而表面處理前之銅箔之表面之TD之60度光澤度降低的傾向。又，於壓延輥之算術平均粗糙度Ra之值較小之情形時，有表面處理前之銅箔之表面之TD之粗糙度(Rz)減小，而表面處理前之銅箔之表面之TD之60度光澤度增高的傾向。
化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等蝕刻液，將濃度設為低於通常條件，並耗費長時間而進行。
[亮度曲線]
關於本發明之表面處理壓延銅箔，將該表面處理銅箔自表面處理面S側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，藉由蝕刻將兩面之銅箔去除，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板之下，利用CCD相機，隔著上述聚醯亞胺基板對印刷物進行拍攝時，於針對藉由拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之線狀標記延伸之方向垂直之方向上對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自標記之端部至未繪製標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，並且於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點中最接近上述線狀標記之交點之位置之值設為t1，將表示在以Bt為基準從亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點中最接近上述線狀標記之交點之位置之值設為t2時，上述(1)式所 定義之Sv為3.0以上。
此處，針對「亮度曲線之頂部平均值Bt」、「亮度曲線之底部平均值Bb」、及下述之「t1」、「t2」、「Sv」，使用圖進行說明。
圖4(a)及圖4(b)表示對將標記寬度設為約0.3mm之情形時之Bt及Bb加以定義之示意圖。於將標記寬度設為約0.3mm之情形時，有如圖4(a)所示般成為V型之亮度曲線之情形、與如圖4(b)所示般成為具有底部之亮度曲線之情形。「亮度曲線之頂部平均值Bt」於任一情況下均表示自與標記之兩側之端部位置相距50μm之位置起以30μm為間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值。另一方面，「亮度曲線之底部平均值Bb」於亮度曲線如圖4(a)所示般成為V型之情形時，表示該V字谷之尖端部處之亮度之最低值，在圖4(b)之具有底部之情形時，表示約0.3mm之中心部之值。
再者，標記之寬度亦可設為1.3mm、0.2mm、0.16mm、0.1mm左右。並且，「亮度曲線之頂部平均值Bt」亦可設為自與標記之兩側之端部位置相距100μm之位置、300μm之位置、或者500μm之位置起，分別以30μm為間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值。圖5(a)：「亮度曲線為V型之情形」、及圖5(b)：「亮度曲線存在底部之情形」表示分別對將標記之寬度設為約1.3mm之情形之Bt及Bb加以定義之示意圖。於圖5(a)及圖5(b)中，將自與標記之兩側之端部位置相距500μm之位置，分別以30μm為間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值設為「亮度曲線之頂部平均值Bt」。
圖6表示對t1及t2及Sv加以定義之示意圖。「t1(像素×0.1)」表示亮 度曲線與Bt之交點中最接近上述線狀標記之交點。「t2(像素×0.1)」表示於以Bt為基準從亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點中最接近上述線狀標記之交點。此時，關於將t1及t2連接之線所示之亮度曲線之斜率，係由y軸方向0.1△B、x軸方向(t1-t2)所計算之Sv(灰階/像素×0.1)所定義。再者，橫軸之1像素相當於長度10μm。又，Sv係測定標記之兩側並採用較小值。進而，於亮度曲線之形狀不穩定，且上述「亮度曲線與Bt之交點」存在多個之情形時，採用最接近標記之交點。
於CCD相機所拍攝之上述圖像中，未附標記之部分成為較高之亮度，但一到達標記端部，亮度便降低。若聚醯亞胺基板之視認性良好，則明確觀察到此種亮度之降低狀態。另一方面，若聚醯亞胺基板之視認性不良，則亮度於標記端部附近並非瞬間自「高」迅速降低至「低」，而為降低之狀態變得平緩，從而亮度之降低狀態變得不明確。
本發明係基於此種見解，而控制於觀察地點-亮度曲線中所繪製之標記端部附近之亮度曲線之斜率，該觀察地點-亮度曲線係自將附標記之印刷物置於將本發明之表面處理銅箔貼合並去除之聚醯亞胺基板之下，利用CCD相機，隔著聚醯亞胺基板進行拍攝所得之上述標記部分之圖像而獲得。更詳細而言，將亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點中最接近上述線狀標記之交點之位置之值設為t1，將表示在以Bt為基準從亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點中最接近上述線狀標記之交點之位置之值設為t2時，上述(1)式所 定義之Sv成為3.0以上。根據此種構成，利用CCD相機且隔著聚醯亞胺之標記識別力提高，不受基板樹脂之種類或厚度之影響。因此，可製作視認性優異之聚醯亞胺基板，而於電子基板製造步驟等中對聚醯亞胺基板進行特定處理之情形時利用標記時之定位精度提高，藉此可獲得良率提高等效果。Sv較佳為3.5以上，較佳為4.0以上。Sv之上限無需特別限定，例如為15以下、10以下。根據此種構成，標記與並非標記之部分之交界變得更明確，定位精度提高，由標記圖像辨識產生之誤差減小，而可更準確地進行位置對準。
因此，認為於將本發明之實施方式之銅箔用於印刷配線板之情形時，於將一個印刷配線板與另一個印刷配線板連接時，連接不良減少，良率提高。
藉由控制粒子形成時等表面處理時之電流密度與鍍敷時間，從而表面處理後之銅箔之表面處理面S之粒子形態或形成密度、表面之凹凸狀態等表面狀態固定，而可控制上述Sv、表面粗糙度Rz、隔著聚醯亞胺之表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab、及光澤度。
關於本發明之表面處理銅箔，上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz較佳為0.35μm以上。進而，本發明之表面處理銅箔之並非表面處理表面S之銅箔表面更佳為經表面處理。藉由此種構成，可更良好地抑制如下問題：由於使銅箔與保護膜之間的接觸面積進一步增大，故而保護膜會貼附於與樹脂基板之積層步驟時之銅箔上。本發明之表面處理銅箔之上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔 表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz更佳為0.40μm以上，進而更佳為0.50μm以上，進而更佳為0.60μm以上，進而更佳為0.80μm以上。再者，本發明之表面處理銅箔之上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz之上限無需特別限定，典型而言為4.0μm以下，更典型而言為3.0μm以下，更典型而言為2.5μm以下，更典型而言為2.0μm以下。
關於本發明之表面處理銅箔，上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra較佳為0.05μm以上。進而，本發明之表面處理銅箔之並非表面處理表面S之銅箔表面更佳為經表面處理。藉由此種構成，可更良好地抑制如下問題：由於使銅箔與保護膜之間之接觸面積進一步增大，故而保護膜會貼附於與樹脂基板之積層步驟時之銅箔上。本發明之表面處理銅箔之上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra更佳為0.08μm以上，進而更佳為0.10μm以上，進而更佳為0.20μm以上，進而更佳為0.30μm以上。再者，本發明之表面處理銅箔之上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra之上限無需特別限定，典型而言為0.80μm以下，更典型而言為0.65μm以下，更典型而言為0.50μm以下，更典型而言為0.40μm以下。
關於本發明之表面處理銅箔，上述表面處理面S及/或並非 上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq較佳為0.08μm以上。進而，本發明之表面處理銅箔之並非表面處理表面S之銅箔表面更佳為經表面處理。藉由此種構成，可更良好地抑制如下問題：由於使銅箔與保護膜之間之接觸面積進一步增大，故而保護膜會貼附在與樹脂基板之積層步驟時之銅箔上。本發明之表面處理銅箔之上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq更佳為0.10μm以上，進而更佳為0.15μm以上，進而更佳為0.20μm以上，進而更佳為0.30μm以上。再者，本發明之表面處理銅箔之上述表面處理面S及/或並非上述表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq之上限無需特別限定，典型而言為0.80μm以下，更典型而言為0.60μm以下，更典型而言為0.50μm以下，更典型而言為0.40μm以下。
上述並非表面處理面S之銅箔表面亦可實施藉由鍍敷(正常鍍敷，並非粗化鍍敷之鍍敷)而設置耐熱層或防銹層之處理作為表面處理。又，上述並非表面處理面S之銅箔表面亦可實施粗化處理作為表面處理。
關於粗化處理，例如可使用含有硫酸銅與硫酸水溶液之鍍敷液而進行粗化處理，又，亦可使用由硫酸銅與硫酸水溶液所組成之鍍敷液而進行粗化處理。亦可為銅-鈷-鎳合金鍍敷或銅-鎳-磷合金鍍敷、鎳-鋅合金鍍敷等合金鍍敷。又，較佳為可藉由銅合金鍍敷而進行。作為銅合金鍍浴，例如較佳為使用含有銅與1種以上之銅以外之元素之鍍浴，更佳為含有銅與選自由鈷、鎳、砷、鎢、鉻、鋅、磷、錳及鉬所組成之群中之任一種以上的鍍 浴。
又，亦可對並非表面處理面S之銅箔表面使用上述粗化處理以外之粗化處理，於並非粗化處理之情形時，亦可使用上述鍍敷處理以外之表面處理。
又，上述並非表面處理面S之銅箔表面亦可實施用以於表面形成凹凸之表面處理。
作為用以於表面形成凹凸之表面處理，亦可進行藉由電解研磨所進行之表面處理。例如於由硫酸銅與硫酸水溶液所組成之溶液中，對上述並非表面處理面S之銅箔表面進行電解研磨，藉此可於並非表面處理面S之銅箔表面形成凹凸。通常電解研磨係以平滑化為目的，但對於本發明之並非表面處理面S之銅箔表面之表面處理而言，係藉由電解研磨而形成凹凸，因此想法與通常相反。藉由電解研磨而形成凹凸之方法亦可藉由公知技術而進行。作為用以形成上述凹凸之電解研磨之公知技術之例，可列舉：日本特開2005-240132、日本特開2010-059547、日本特開2010-047842所記載之方法。作為藉由電解研磨形成凹凸之處理之具體條件，例如可列舉：
‧處理溶液：Cu：5~40g/L、H2SO4：50~150g/L、溫度：30~70℃
‧電解研磨電流：10~50A/dm2
‧電解研磨時間：5~20秒
等，更具體而言，例如可列舉：
‧處理溶液：Cu：20g/L、H2SO4：100g/L、溫度：50℃
‧電解研磨電流：15A/dm2
‧電解研磨時間：15秒
等。
作為用以於並非表面處理面S之銅箔表面形成凹凸之表面處理，例如亦可藉由對並非表面處理面S之銅箔表面進行機械研磨而形成凹凸。機械研磨亦可藉由公知技術而進行。
再者，於本發明之表面處理銅箔中之並非表面處理面S之銅箔表面之表面處理後，亦可設置耐熱層或防銹層或耐候性層。耐熱層或防銹層及耐候性層可藉由上述記載或實驗例記載之方法而形成，亦可藉由公知技術方法而形成。
可將本發明之表面處理壓延銅箔自表面處理面S側貼合於樹脂基板上而製造積層板。樹脂基板只要為具有可應用於印刷配線板等之特性的樹脂基板，則不受特別限制，例如對於剛性PWB用途，可使用紙基材酚樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等，對於FPC用用途，可使用聚酯膜或聚醯亞胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、鐵氟龍(註冊商標)膜等。
關於貼合之方法，於為剛性PWB用途之情形時，準備使樹脂含浸於玻璃布等基材中並使樹脂硬化至半硬化狀態而成之預浸體。可藉由將銅箔自被覆層之相反側之面重疊於預浸體上並進行加熱加壓而進行。於為FPC之情形時，經由接著劑，或不使用接著劑於高溫高壓下將聚醯亞胺膜等基材積層接著於銅箔，或者將聚醯亞胺前驅物進行塗佈、乾燥、硬化等，藉此可製造積層板。
聚醯亞胺基材樹脂之厚度並無特別限制，一般可列舉25μm或50μm。
本發明之積層板可用於各種印刷配線板(PWB)，並無特別限制，例如就導體圖案之層數之觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料之種類之觀點而言，可應用於剛性PWB、可撓性PWB(FPC)、剛性-彈性PWB。
(積層板及使用其之印刷配線板之定位方法)
對本發明之表面處理壓延銅箔與樹脂基板之積層板之定位方法進行說明。首先，準備表面處理壓延銅箔與樹脂基板之積層板。作為本發明之表面處理壓延銅箔與樹脂基板之積層板之具體例，可列舉：於由本體基板與附屬之電路基板、與用以將該等電連接之於聚醯亞胺等樹脂之至少一表面形成有銅配線之可撓性印刷基板構成的電子機器中，準確地對可撓性印刷基板進行定位，並壓接於該本體基板及附屬之電路基板之配線端部而製作之積層板。即，若為該情況，則積層板成為藉由壓接而使可撓性印刷基板及本體基板之配線端部進行貼合而成之積層板、或藉由壓接而使可撓性印刷基板及電路基板之配線端部進行貼合而成之積層板。積層板具有由該銅配線之一部分或其他材料形成之標記。關於標記之位置，只要為利用CCD相機等拍攝手段隔著構成該積層板之樹脂可進行拍攝之位置，則無特別限定。
於如此準備之積層板中，若利用拍攝手段，隔著樹脂對上述標記進行拍攝，則可良好地檢測出上述標記之位置。然後，如此檢測出上述標記之位置，可基於上述被檢測出之標記之位置，良好地進行表面處理壓延銅箔與樹脂基板之積層板之定位。又，於使用印刷配線板作為積層板之情形時，亦同樣地藉由此種定位方法，拍攝手段可良好地檢測出標記之 位置，而可更準確地進行印刷配線板之定位。
因此，認為於將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接時，連接不良減少，良率提高。此外，作為將一個印刷配線板與另一個印刷配線板進行連接之方法，可使用經由焊接或各向異性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)之連接、經由各向異性導電膏(Anisotropic Conductive Paste，ACP)之連接、或經由具有導電性之接著劑之連接等公知連接方法。再者，於本發明中，「印刷配線板」亦包括安裝有零件之印刷配線板及印刷電路板及印刷基板。又，可將2個以上本發明之印刷配線板連接，而製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板，又，亦可將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或不屬於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接，而可使用此種印刷配線板而製造電子機器。又，本發明之印刷配線板之製造方法亦可至少包括將藉由本發明之方法所製作之印刷配線板與零件進行連接之步驟。又，本發明之印刷配線板之製造方法亦可至少包括將本發明之印刷配線板至少1個、與另一個本發明之印刷配線板或不屬於本發明之印刷配線板之印刷配線板進行連接，而製造印刷配線板A之步驟、及將上述印刷配線板A與零件連接之步驟。又，本發明之印刷配線板之製造方法亦可為如下方法，即將選自由本發明之印刷配線板、藉由本發明之方法而製作之印刷配線板、及不屬於本發明之印刷配線板或不屬於藉由本發明之方法而製作之印刷配線板中之任一個的印刷配線板所組成之群中之一種以上之印刷配線板、與藉由本發明之方法所製造之印刷配線板進行連接，而製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板。再者，於本發明中，「銅電路」亦包括銅配線。
再者，本發明之實施方式之定位方法亦可包括使積層板(包括銅箔與樹脂基板之積層板或印刷配線板)移動之步驟。於移動步驟中，例如可利用帶式輸送機或鏈式輸送機等輸送機使積層板移動，亦可利用具備臂機構之移動裝置使積層板移動，亦可利用藉由使用氣體使積層板懸浮而使之移動之移動裝置或移動手段使積層板移動，亦可利用使大致圓筒形等之物體旋轉而使積層板移動之移動裝置或移動手段(包括輥或軸承等)、以油壓為動力源之移動裝置或移動手段、以空氣壓為動力源之移動裝置或移動手段、以馬達為動力源之移動裝置或移動手段、支架移動型線性導軌台、支架移動型空氣導軌台、堆疊型線性導軌台、線性馬達驅動台等具有載置台之移動裝置或移動手段等使積層板移動。又，亦可進行利用公知移動手段所進行之移動步驟。
再者，本發明之實施方式之定位方法亦可用於表面安裝機或貼片機(chip mounter)。
又，於本發明中，所定位之表面處理壓延銅箔與樹脂基板之積層板亦可為具有樹脂板及設置在上述樹脂板上之電路之印刷配線板。又，於該情況下，上述標記亦可為上述電路。
於本發明中，所謂「定位」包括「檢測標記或物體之位置」。又，於本發明中，所謂「位置對準」包括「於檢測到標記或物之位置後，基於上述檢測到之位置，使該標記或物向特定位置移動」。
再者，於印刷配線板中，可將印刷配線板上之電路作為標記而代替印刷物之標記，利用CCD相機，隔著樹脂對該電路進行拍攝而測定Sv值。又，關於覆銅積層板，可藉由蝕刻而將銅製成線狀後，將該製成線狀之銅 作為標記而代替印刷物之標記，利用CCD相機，隔著樹脂對該製成線狀之銅進行拍攝而測定Sv值。
[實施例]
<壓延銅箔之製造>
以添加有表1所示之組成之元素之精銅或無氧銅為原料，而鑄造厚度100mm之銅錠，於800℃以上進行熱軋直至厚度10mm，並將表面之氧化皮去除。其後，重複進行冷軋與退火而獲得厚度為0.5mm之壓延捲板。於該最後之冷軋後，使該銅條於700℃且於表1所示之張力下穿過連續退火爐而進行最終再結晶退火。再者，張力之值係除以該試樣在再結晶退火溫度下之保證應力而進行標準化({張力(N/mm2)/再結晶退火溫度下之保證應力(N/mm2)})。又，再結晶退火中之銅條之加熱時間設為100~200秒。最後，於最終冷軋中最終加工為表1所記載之厚度。將於最終冷軋中之壓延加工度設為86~99%。
再者，於表1中記載有表面處理前之銅箔製作步驟之要點。「高光澤壓延」係指以記載之油膜當量之值進行最終之冷軋(最終之再結晶退火後之冷軋)。作為實施例及比較例，準備各銅箔，以表2所記載之條件(鍍浴1或2)對一表面進行鍍敷處理作為粗化處理。又，亦以表2所記載之條件(鍍浴3)準備不進行粗化處理之銅箔。
再者，表1之組成欄之「Ag 190ppm+OFC」係指向JIS-H3510(C1011)(實施例10)或JIS-H3100(C1020)(實施例10以外)之無氧銅(OFC)添加有190質量ppm之Ag之情形。又，「Ag 190ppm+TPC」係指向JIS-H3100(C1100)之精銅(TPC)添加有190質量ppm之Ag之情形。其他添加量之 情形亦相同。
再者，關於實施例1~5、9、19~21、25及26中所獲得之表面處理銅箔，亦製造對另一表面進行有表3所記載之表面處理的表面處理銅箔。此處，表3之「實施例No.-數字」係指對實施例中所獲得之表面處理銅箔之另一表面進行有表3所記載之表面處理。例如於表3中，「實施例1-1」係對實施例1之另一表面進行有表3所記載之表面處理的表面處理銅箔，「實施例2-1」係對實施例2之另一表面進行有表3所記載之表面處理的表面處理銅箔。
<結晶方位>
針對最終冷軋後之銅箔之表面(壓延面)，使用X射線繞射裝置(RINT-2500：理學電機製造)，分別進行{200}、{220}、{111}面之正極圖測定(X射線反射平均強度)。根據所獲得之測定結果，使用StandardODF(Norm Engineering股份有限公司製造)而轉換為反極圖，並計算出{110}面及{112}面之算出X射線繞射強度。
關於X射線繞射之測定條件，設為入射X射線源：Cu；加速電壓：30kV；管電流：100mA；發散狹縫(divergence slit)：0.5度；散射狹縫(scattering slit)：4mm；光接收狹縫(receiving slit)：4mm；長度限制發散狹縫(Divergence slit length limit)：1.2mm。又，使用在相同條件下對各面進行X射線繞射之純銅粉末之值(X射線反射平均強度)，將{200}、{220}、{111}面之集合度進行標準化後，轉換為反極圖。純銅粉末係使用微粉末銅(325目(mesh))。
<結晶粒徑>
依據JIS-H0501之切斷法，針對壓延面，測定剛進行過最終再結晶退火 後(最終冷軋前)之銅箔之結晶粒徑。
<I{200}/I0{200}>
將最終冷軋後之銅箔分別於200℃進行0.5小時退火後，及於350℃進行1秒退火後，對其表面測定{200}面之X射線繞射強度(積分強度)。然後，使用在相同條件下進行X射線繞射之純銅粉末之值(I0{200}：X射線反射平均強度(積分強度)、即純銅粉末之{200}面之X射線繞射強度(積分強度))而進行標準化。
關於X射線繞射之測定條件，設為入射X射線源：Cu；加速電壓：25kV；管電流：20mA；發散狹縫：1度；散射狹縫：1度；接收狹縫：0.3mm；長度限制發散狹縫：10mm；單色光接收狹縫0.8mm。純銅粉末係使用微粉末銅(325目)。
<彎曲性>
首先，於厚度為12.5μm之熱硬化性聚醯亞胺膜上塗佈熱塑性聚醯亞胺接著劑並使之乾燥。其次，於該膜之兩面分別積層最終冷軋後之銅箔後，進行熱壓接而製作兩面CCL(Copper Clad Laminate)。關於該兩面CCL，藉由蝕刻而於兩面之銅箔形成線寬/線距之寬度分別為100μm/100μm之電路圖案後，被覆厚度25μm之覆蓋膜而加工為FPC。
針對該FPC，進行滑動彎曲試驗而評價彎曲性。具體而言，使用滑動試驗機(應用技研產業股份有限公司製造，TK-107型)，滑動半徑r(mm)於實施例9中設為r=4mm，於其他實施例及比較例中設為r=0.72mm，於任一情況下均以滑動速度120次/分鐘使FPC彎曲。
將與試驗前相比，銅箔之電路之電阻增加10%時之彎曲次數小於15萬 次評價為×，將上述彎曲次數為10萬次~小於15萬次之銅箔評價為△，將上述彎曲次數為15萬次~30萬次之銅箔評價為○，將上述彎曲次數超過30萬次之銅箔評價為◎。只要彎曲性為◎~△，則可謂彎曲性良好。
<蝕刻性>
將上述之兩面CCL浸漬於經攪拌之液溫30℃之蝕刻液(ADEKA公司製造之製品名：TEC CL-8之20質量%溶液)中1分鐘而進行蝕刻，利用光學顯微鏡對蝕刻面進行拍攝。
上述圖像中，暗部表示蝕刻均勻之區域，因此蝕刻性係將所拍攝之圖像與基準圖像進行比較而評價。圖3中表示基準圖像與蝕刻性之評價之對應。暗部之面積率越高，蝕刻性越良好，◎為蝕刻性最良好。只要蝕刻性為◎~△，則可謂蝕刻性良好。
<隔著聚醯亞胺之色差△E＊ab>
對將表面處理壓延銅箔與貼合於銅箔前之△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺膜(Kaneka製造，厚度25μm或50μm)進行積層而構成之覆銅積層板中隔著聚醯亞胺膜之表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab進行測定。色差△E＊ab之測定係使用HunterLab公司製造之色差計MiniScan XE Plus，並依據JIS Z8730而進行。再者，於上述色差計中，將白色板之測定值設為△E＊ab=0，將在以黑色袋子包裹之暗處進行測定時之測定值設為△E＊ab=90，而對色差進行校正。△E＊ab係使用L＊a＊b表色系統，設為△L：白黑、△a：紅綠、△b：黃藍，並基於下述式進行測定。此處，色差△E＊ab係將白色定義為0，將黑色定義為90，
再者，銅電路表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab例如可使用日本電色工業股份有限公司製造之微小面分光色差計(型號：VSS400等)或Suga Test Instruments股份有限公司製造之微小面分光測色計(型號：SC-50μ等)等公知測定裝置進行測定。
<亮度曲線>
將經表面處理之銅箔貼合於聚醯亞胺膜(Kaneka製造，PIXEO(聚醯亞胺型：FRS)，附帶覆銅積層板用接著層之聚醯亞胺膜，厚度50μm，PMDA(均苯四甲酸酐)系之聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺基二苯醚)系之聚醯亞胺膜))之兩面，藉由蝕刻(三氯化鐵水溶液)去除銅箔而製作樣品膜。其次，將印刷有線狀之黑色標記之印刷物鋪設於樣品膜之下，利用CCD相機(8192像素之線陣CCD相機)，隔著樣品膜對印刷物進行拍攝，於針對藉由拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之線狀標記延伸之方向垂直之方向，對每個觀察地點之亮度進行測定而製作之觀察地點-亮度曲線中，根據自標記之端部至未繪製標記之部分所產生之亮度曲線測定△B及t1、t2、Sv。將表示此時使用之攝影裝置之構成及亮度曲線之測定方法的示意圖示於圖7。再者，Sv係測定標記之兩側，並採用較小之值。
又，△B及t1、t2、Sv係如圖7所示般利用下述攝影裝置進行測定。再者，橫軸之1像素相當於長度10μm。並且，作為求出亮度曲線之斜率Sv之另一方法，亦可於將亮度曲線之圖中之1像素與1灰階之長度之比率設為3.5：6(亮度曲線之圖中之1像素之長度：亮度曲線之圖中之1灰階之長度=3.5(mm)：6(mm))之亮度曲線之圖中算出t1、t2、Sv之值。
再者，亮度曲線之測定所使用之聚醯亞胺膜只要貼合於銅箔前之△B (PI)之值為50以上且65以下，則可使用任何聚醯亞胺膜。
上述「印刷有線狀之黑色標記之印刷物」係使用在光澤度43.0±2之白色光澤紙上載有JIS P8208(1998)(圖1夾雜物計測圖表之複印件)及JIS P8145(2011)(附件JA(規定)目視法異物比較圖圖JA.1-目視法異物比較圖之複印件)均採用之在圖8所示之透明膜上印刷有各種線等之夾雜物(impurities)(朝陽會股份有限公司製造品名：「夾雜物測定圖表-整幅紙」品號：JQA160-20151-1(獨立行政法人國立印刷局製造))之印刷物。
上述光澤紙之光澤度係使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計Handy gloss meter PG-1，以入射角60度進行測定。
攝影裝置具備：CCD相機、放置下方放置有附標記之紙(載有夾雜物之白色之光澤紙)之聚醯亞胺基板的台(白色)、對聚醯亞胺基板之拍攝部照射光之照明用電源、將下方設置有附拍攝對象之標記之紙的評價用聚醯亞胺基板於台上進行搬送之搬送機(未圖示)。將該攝影裝置之主要規格示於以下：
‧攝影裝置：Nireco股份有限公司製造之片材檢測裝置Mujiken
‧CCD相機：8192像素(160MHz)、1024灰階數(10bit)
‧照明用電源：高頻照明電源(電源組件×2)
‧照明：螢光燈(30W，型號：FPL27EX-D，雙管螢光燈)
Sv測定用之線係使用0.7mm2之圖8之對夾雜物所繪製之箭頭所示之線。該線之寬度為0.3mm。又，線陣CCD相機視野設為圖8之虛線之佈局。
於利用線陣CCD相機所進行之拍攝中，利用滿刻度256灰階確認訊號，於未放置測定對象之聚醯亞胺膜(聚醯亞胺基板)之狀態下，以印刷物之 不存在黑色標記之部位(將上述透明膜置於上述白色之光澤紙上，利用CCD相機，自透明膜側對印刷於夾雜物之標記外之部位進行測定之情形)之波峰灰階訊號收斂於230±5之方式調整鏡頭光圈(lens aperture)。相機掃描時間(相機之快門打開之時間，擷取光之時間)固定為250μs，且以收斂於上述灰階以內之方式調整鏡頭光圈。
再者，關於圖7所示之亮度，0係指「黑」，亮度255係指「白」，將自「黑」至「白」之灰色之程度(白黑之濃淡、灰度)分割成256灰階而表示。
<視認性(樹脂透明性)>
將銅箔貼合於聚醯亞胺膜(Kaneka製造，PIXEO(聚醯亞胺型：FRS)，附帶覆銅積層板用接著層之聚醯亞胺膜，厚度50μm，PMDA(均苯四甲酸酐)系之聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺基二苯醚)系之聚醯亞胺膜))之兩面，藉由蝕刻(三氯化鐵水溶液)去除銅箔而製作樣品膜。於所獲得之樹脂層之一面貼附印刷物(直徑6cm之黑色圓)，自相反面隔著樹脂層判定印刷物之視認性。將印刷物之黑色圓之輪廓於圓周之90%以上之長度上清晰者評價為「◎」，將黑色圓之輪廓於圓周之80%以上且小於90%之長度上清晰者評價為「○」(以上為合格)，將黑色圓之輪廓於圓周之0~小於80%之長度上清晰者及輪廓變形者評價為「×」(不合格)。
<良率>
將銅箔貼合於聚醯亞胺膜(Kaneka製造，PIXEO(聚醯亞胺型：FRS)，附帶覆銅積層板用接著層之聚醯亞胺膜，厚度50μm，PMDA(均苯四甲酸酐)系之聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺基二苯醚)系之聚醯亞胺膜))之兩面，對銅箔進行蝕刻(三氯化鐵水溶液)而製作L/S為30μm/30μm 之電路寬度之FPC。其後，嘗試利用CCD相機，隔著聚醯亞胺對20μm×20μm見方之標記進行檢測。將10次中有9次以上可檢測到之情形設為「◎」，將10次中有7~8次可檢測到之情形設為「○」，將10次中有6次可檢測到之情形設為「△」，將10次中有5次以下可檢測到之情形設為「×」。
<剝離強度(接著強度)>
依據IPC-TM-650，利用拉伸試驗機Autograph 100對常態剝離強度進行測定，將上述常態剝離強度為0.7N/mm以上之銅箔設為可用於積層基板用途之銅箔。再者，關於剝離強度之測定，係將銅箔厚度設為18μm而進行測定。針對厚度小於18μm之銅箔，進行鍍銅而使銅箔厚度成為18μm。又，於厚度大於18μm之情形時，進行蝕刻而使銅箔厚度成為18μm。再者，本剝離強度之測定係使用將Kaneka製造之厚度50μm之聚醯亞胺膜(PIXEO(聚醯亞胺型FRS)：附帶覆銅積層板用接著層之聚醯亞胺膜，PMDA(均苯四甲酸酐)系之聚醯亞胺膜(PMDA-ODA(4,4'-二胺基二苯醚)系之聚醯亞胺膜))與本申請之實施例及比較例之表面處理壓延銅箔之表面處理面貼合而成之樣品。又，於測定時，藉由利用雙面膠帶將聚醯亞胺膜貼附於硬質基材(不鏽鋼板或合成樹脂板(只要於剝離強度測定中不變形即可))上而進行固定。
再者，對於印刷配線板或覆銅積層板，藉由將樹脂溶解並將其去除，而可對銅電路或銅箔表面測定上述之評價項目。
<另一表面(並非表面處理表面S之銅箔表面)之表面處理後之表面粗糙度之測定>
針對各實施例、比較例之另一表面，較佳為使用非接觸式之方法對表 面之粗糙度進行測定。具體而言，根據利用雷射顯微鏡所測得之粗糙度之值，對各實施例、比較例之表面處理後之另一表面之狀態進行評價。其原因在於可更詳細地對表面狀態進行評價。
‧表面粗糙度(Rz)之測定：
針對各實施例、比較例之表面處理銅箔之另一表面(對另一表面進行有表面處理之情形時，為表面處理後之另一表面)，利用奧林巴斯(Olympus)公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS4000，並依據JIS B0601 1994而測定表面粗糙度(十點平均粗糙度)Rz。使用物鏡50倍，觀察銅箔表面，於評價長度258μm、截止值為零之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或者針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)之測定，並求出各自之值。再者，利用雷射顯微鏡所進行之表面粗糙度Rz測定之環境溫度設為23~25℃。於任意10處測定Rz，將10處Rz之平均值設為表面粗糙度(十點平均粗糙度)Rz之值。又，測定所使用之雷射顯微鏡之雷射之波長設為405nm。再者，針對表面處理面S亦進行同樣之測定。
‧表面之均方根高度Rq之測定：
針對各實施例、比較例之表面處理銅箔之另一表面(對另一表面進行有表面處理之情形時，為表面處理後之另一表面)，利用奧林巴斯(Olympus)公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS4000，並依據JIS B0601 2001而對銅箔表面之均方根高度Rq進行測定。使用物鏡50倍，觀察銅箔表面，在評價長度258μm、截止值為零之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或者針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之 電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)之測定，並求出各自之值。再者，利用雷射顯微鏡所進行之表面之均方根高度Rq測定之環境溫度設為23~25℃。於任意10處測定Rq，將10處Rq之平均值設為均方根高度Rq之值。又，測定所使用之雷射顯微鏡之雷射之波長設為405nm。再者，針對表面處理面S亦進行同樣之測定。
‧表面之算術平均粗糙度Ra之測定：
針對各實施例、比較例之表面處理銅箔之另一表面(對另一表面進行有表面處理之情形時，為表面處理後之另一表面)，利用奧林巴斯(Olympus)公司製造之雷射顯微鏡LEXT OLS4000，並依據JIS B0601-1994而對表面粗糙度Ra進行測定。使用物鏡50倍，觀察銅箔表面，在評價長度258μm、截止值為零之條件下，針對壓延銅箔，進行與壓延方向垂直之方向(TD)之測定，或者針對電解銅箔，進行與電解銅箔之製造裝置中之電解銅箔之前進方向垂直之方向(TD)之測定，並求出各自之值。再者，利用雷射顯微鏡所進行之表面之算術平均粗糙度Ra測定之環境溫度設為23~25℃。於任意10處測定Ra，將10處Ra之平均值設為算術平均粗糙度Ra之值。又，測定所使用之雷射顯微鏡之雷射之波長設為405nm。再者，針對表面處理面S亦進行同樣之測定。
<由積層加工引起之銅箔皺褶等之評價>
於分別將實施例、比較例之表面處理銅箔自一表面(表面處理表面S)側積層於厚度25μm之聚醯亞胺樹脂之兩表面，進而向各表面處理銅箔之另一表面(與表面處理表面S相反側之表面)側積層厚度125μm之保護膜(聚醯亞胺製)之狀態下，即設為保護膜/表面處理銅箔/聚醯亞胺樹脂/ 表面處理銅箔/保護膜之5層之狀態下，使用積層輥，一邊自兩保護膜之外側施加熱與壓力一邊進行貼合加工(積層加工)，而於聚醯亞胺樹脂之兩面貼合表面處理銅箔。繼而，將兩表面之保護膜剝離後，肉眼觀察表面處理銅箔之另一表面，確認有無皺褶或條紋，將完全未產生皺褶或條紋時評價為◎，將銅箔長度每5m僅觀察到1處皺褶或條紋時評價為○，將銅箔每5m觀察到2處以上之褶皺或條紋時評價為×。
將所獲得之結果示於表1~3。
由表1~3闡明，於滿足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0之各實施例之情形時，成為壓延銅箔之蝕刻性與彎曲性均優異之壓延銅箔。
再者，得知若將厚度及最終再結晶退火條件相同之實施例1、2進行比較，則Ag之添加量較多之實施例1之(110)方位增多，I{110}/I{112}之值亦增高。又，在13.0>I{200}/I0{200}之實施例20~23之情形時，與其他實施例相比，彎曲性略微降低，但實用上無問題。
另一方面，於為與銅箔之組成相同之實施例6相比降低了最終再結晶退火時之張力之比較例1、4之情形時，(112)方位減少，I{110}/I{112}之值超過6.0，而蝕刻性變差。
於為與銅箔之組成相同之實施例5相比提高了最終再結晶退火時之張 力之比較例2之情形時，及於為與銅箔之組成相同之實施例7相比提高了最終再結晶退火時之張力之比較例3之情形時，(110)方位均減少，I{110}/I{112}之值變得小於2.5，而彎曲性變差。
於為製造方法相同之實施例1、6之情形時，銅箔之氧濃度較低之實施例1於彎曲性方面優異。
再者，圖2(a)、(b)分別為實施例5、比較例1之蝕刻面之光學顯微鏡圖像。得知於為蝕刻性優異之實施例5之情形時，暗部之比例較高。
又，關於實施例1~26，隔著聚醯亞胺之色差△E＊ab均為50以上，且Sv均為3.0以上，而視認性良好。
關於比較例1~4，隔著聚醯亞胺之色差△E＊ab小於50，或者Sv小於3.0，而視認性不良。
又，於上述實施例1~26中，將標記之寬度自0.3mm變更為0.16mm(自接近夾雜物之片體之面積0.5mm2之0.5之記載起第3個標記(圖9之箭頭所指之標記))而進行相同之Sv之測定，但Sv均成為與將標記之寬度設為0.3mm之情形相同之值。
又，於上述實施例1~26中，將標記之寬度自0.3mm變更為1.3mm(自接近夾雜物之片體之面積3.0mm2之3.0之記載起第6個標記(圖10之箭頭所指之標記))而進行相同之Sv之測定，但Sv均成為與將標記之寬度設為0.3mm之情形相同之值。
進而，於上述實施例1~26中，關於「亮度曲線之頂部平均值Bt」，變更為將與標記之兩側之端部位置相距50μm之位置設為相距100μm之位置、相距300μm之位置、相距500μm之位置，自上述位置分別以30μm 間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值，進行相同之Sv之測定，但Sv均成為與將自與標記之兩側之端部位置相距50μm之位置起以30μm間隔測定5處(兩側合計10處)時之亮度之平均值設為「亮度曲線之頂部平均值Bt」之情形之Sv值相同之值。
再者，使用與上述各實施例、比較例相同之銅箔，於相同條件下對銅箔之兩面進行表面處理而製造表面處理銅箔，並進行評價，結果為兩面均獲得與上述各實施例、比較例相同之評價結果。
於對銅箔之兩面進行粗化處理等表面處理之情形時，可同時對兩面進行表面處理，亦可對一面與另一面分開進行表面處理。再者，於同時對兩面進行表面處理之情形時，可使用在銅箔之兩面側設置有陽極之表面處理裝置(鍍敷裝置)而進行表面處理。再者，於本實施例中，同時對兩面進行表面處理。
又，實施例1~26之經表面處理之銅箔表面(表面處理表面S)之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz均為0.35μm以上。又，實施例1~26之經表面處理之銅箔表面(表面處理表面S)之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra均為0.05μm以上。又，實施例1~26之經表面處理之銅箔表面(表面處理表面S)之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq均為0.08μm以上。

Claims (23)

  1. 一種表面處理壓延銅箔，其於：一銅箔表面及/或兩銅箔表面為表面處理面S，對於該表面處理面S之一面或兩面、或者並非該表面處理面S之表面，將自{112}面算出之X射線繞射強度設為I{112}，將自{110}面算出之X射線繞射強度設為I{110}時，滿足2.5≦I{110}/I{112}≦6.0，且為將該表面處理壓延銅箔、與貼合於銅箔前之下述△B(PI)為50以上且65以下之聚醯亞胺自該表面處理壓延銅箔之該表面處理面S側進行積層而構成之覆銅積層板中隔著該聚醯亞胺之表面之基於JIS Z8730之色差△E＊ab成為50以上之表面處理壓延銅箔，並且將該表面處理壓延銅箔自表面處理面S側貼合於聚醯亞胺樹脂基板之兩面後，藉由蝕刻將該兩面之壓延銅箔去除，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之該聚醯亞胺基板之下，利用CCD相機，隔著該聚醯亞胺基板對該印刷物進行拍攝時，於針對藉由該拍攝而獲得之圖像，沿著與所觀察之該線狀標記延伸之方向垂直之方向，測定每個觀察地點之亮度而製作之觀察地點-亮度曲線中，將自該標記之端部至未繪製該標記之部分所產生之亮度曲線之頂部平均值Bt與底部平均值Bb之差設為△B(△B=Bt-Bb)，於觀察地點-亮度曲線中，將表示亮度曲線與Bt之交點中最接近該線狀標記之交點之位置之值設為t1，將表示於以Bt為基準自亮度曲線與Bt之交點至0.1△B之深度範圍內，亮度曲線與0.1△B之交點中最接近該線狀標 記之交點之位置之值設為t2時，下述(1)式所定義之Sv成為3.0以上，Sv=(△B×0.1)/(t1-t2) (1)。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其中，該一銅箔表面為表面處理面S，且另一銅箔表面經表面處理。
  3. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其中，該壓延銅箔係由99.9質量%以上之銅形成。
  4. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其含有合計10~300質量ppm之選自Ag、Sn、Mg、In、B、Ti、Zr及Au之群中之1種或2種以上，且剩餘部分由Cu及不可避免之雜質組成。
  5. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其中，該壓延銅箔含有2~50質量ppm之氧。
  6. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其於200℃加熱30分鐘後，於至少一表面滿足I{112}/I{100}≦1.0。
  7. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其於350℃加熱1秒鐘後，將該壓延銅箔之壓延面之{200}面之X射線繞射強度設為I{200}，將純銅粉末試樣之{200}面之X射線繞射強度設為I0{200}時，滿足5.0≦I{200}/I0{200}≦27.0。
  8. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其厚度為4~100μm。
  9. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其中，該表面處理面S及/或並非該表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  10. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其中，該表面處理面S 及/或並非該表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  11. 如申請專利範圍第1項之表面處理壓延銅箔，其中，該表面處理面S及/或並非該表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq為0.08μm以上。
  12. 如申請專利範圍第2項之表面處理壓延銅箔，其中，該表面處理面S及/或並非該表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之十點平均粗糙度Rz為0.35μm以上。
  13. 如申請專利範圍第2項之表面處理壓延銅箔，其中，該表面處理面S及/或並非該表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之算術平均粗糙度Ra為0.05μm以上。
  14. 如申請專利範圍第2項之表面處理壓延銅箔，其中，該表面處理面S及/或並非該表面處理面S之銅箔表面之利用雷射波長為405nm之雷射顯微鏡所測得之TD之均方根高度Rq為0.08μm以上。
  15. 一種積層板，其係將申請專利範圍第1至14項中任一項之表面處理壓延銅箔與樹脂基板進行積層而製造。
  16. 一種印刷配線板，其使用申請專利範圍第1至14項中任一項之表面處理壓延銅箔。
  17. 一種電子機器，其使用有申請專利範圍第16項之印刷配線板。
  18. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其係將2個以上申請專利範圍第16項之印刷配線板進行連接。
  19. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其至少包 括：將至少1個申請專利範圍第16項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第16項之印刷配線板或不屬於申請專利範圍第16項之印刷配線板之印刷配線板進行連接的步驟。
  20. 一種電子機器，其使用有1個以上藉由申請專利範圍第18或19項之方法所製造之印刷配線板。
  21. 一種印刷配線板之製造方法，其至少包括：將申請專利範圍第16項之印刷配線板或藉由申請專利範圍第18或19項之方法所製造之印刷配線板、與零件進行連接的步驟。
  22. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其至少包括如下步驟：將至少1個申請專利範圍第16項之印刷配線板、與另一個申請專利範圍第16項之印刷配線板或不屬於申請專利範圍第16項之印刷配線板之印刷配線板進行連接而製造印刷配線板A之步驟；及將該印刷配線板A與零件進行連接之步驟。
  23. 一種連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板之製造方法，其係將選自由申請專利範圍第16項之印刷配線板、藉由申請專利範圍第18或19或21項之方法所製造之印刷配線板、及不屬於申請專利範圍第16項之印刷配線板或不屬於藉由申請專利範圍第18或19或21項之方法所製造之印刷配線板中之任一個的印刷配線板 所組成之群中之一種以上之印刷配線板、與藉由申請專利範圍第21項之方法所製造之印刷配線板進行連接。
TW103132045A 2013-10-04 2014-09-17 Production method of surface-treated rolled copper foil, laminated board, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board TWI569695B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013209664 2013-10-04

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201519710A TW201519710A (zh) 2015-05-16
TWI569695B true TWI569695B (zh) 2017-02-01

Family

ID=53031719

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW103132045A TWI569695B (zh) 2013-10-04 2014-09-17 Production method of surface-treated rolled copper foil, laminated board, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6393126B2 (zh)
KR (2) KR20150040235A (zh)
CN (1) CN104582244B (zh)
TW (1) TWI569695B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI677131B (zh) * 2017-03-31 2019-11-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 鋰離子電池集電體用壓延銅箔及鋰離子電池

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI592294B (zh) * 2015-06-22 2017-07-21 Univ Chung Yuan Christian Metal foil and its composite heat sink
JP6006445B1 (ja) * 2015-07-27 2016-10-12 Ｊｘ金属株式会社 キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
US20170208680A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper Foil, Copper-Clad Laminate Board, Method For Producing Printed Wiring Board, Method For Producing Electronic Apparauts, Method For Producing Transmission Channel, And Method For Producing Antenna
US10448507B2 (en) 2016-01-15 2019-10-15 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper foil, copper-clad laminate board, method for producing printed wiring board, method for producing electronic apparatus, method for producing transmission channel, and method for producing antenna
JP6612168B2 (ja) * 2016-03-30 2019-11-27 Ｊｘ金属株式会社 銅箔、銅張積層板、並びにフレキシブルプリント基板及び電子機器
JP7492808B2 (ja) 2017-03-31 2024-05-30 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP7356209B2 (ja) * 2017-03-31 2023-10-04 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、樹脂層付き表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP6944963B2 (ja) * 2019-03-05 2021-10-06 Ｊｘ金属株式会社 フレキシブルプリント基板用圧延銅箔、フレキシブル銅張積層板およびフレキシブルプリント回路基板
CN117926360A (zh) * 2024-03-21 2024-04-26 宝鸡西工钛合金制品有限公司 一种钛合金表面电镀方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101168829A (zh) * 2006-10-26 2008-04-30 日立电线株式会社 轧制铜箔及其制造方法
TW201021634A (en) * 2008-06-30 2010-06-01 Nippon Steel Chemical Co Flexible circuit board and method for producing same and bend structure of flexible circuit board
TW201146101A (en) * 2009-12-25 2011-12-16 Nippon Steel Chemical Co Flexible circuit board and structure of bend section of flexible circuit board

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4354955B2 (ja) * 2004-02-17 2009-10-28 日鉱金属株式会社 黒化処理面又は層を有する銅箔
US8142905B2 (en) * 2008-06-17 2012-03-27 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Copper foil for printed circuit board and copper clad laminate for printed circuit board
JP5115527B2 (ja) * 2009-08-20 2013-01-09 日立電線株式会社 プリント配線板用銅箔およびその製造方法
MY172093A (en) * 2009-12-24 2019-11-13 Jx Nippon Mining & Metals Corp Surface-treated copper foil
TWI433627B (zh) * 2010-03-08 2014-04-01 Denso Corp A method for manufacturing a multilayer circuit board in which a conductive material is inserted through a through hole, a conductive material filling device for a through hole, and a method of using the same
KR101540508B1 (ko) * 2012-02-28 2015-07-29 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 압연 구리박
JP5269247B1 (ja) * 2012-10-12 2013-08-21 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 金属材料の表面状態の評価装置、金属材料の表面状態の評価プログラム及びそれが記録されたコンピュータ読み取り可能な記録媒体、並びに、金属材料の表面状態の評価方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101168829A (zh) * 2006-10-26 2008-04-30 日立电线株式会社 轧制铜箔及其制造方法
TW201021634A (en) * 2008-06-30 2010-06-01 Nippon Steel Chemical Co Flexible circuit board and method for producing same and bend structure of flexible circuit board
TW201146101A (en) * 2009-12-25 2011-12-16 Nippon Steel Chemical Co Flexible circuit board and structure of bend section of flexible circuit board

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI677131B (zh) * 2017-03-31 2019-11-11 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 鋰離子電池集電體用壓延銅箔及鋰離子電池

Also Published As

Publication number Publication date
JP6393126B2 (ja) 2018-09-19
KR20160037148A (ko) 2016-04-05
CN104582244B (zh) 2017-11-10
JP2015092013A (ja) 2015-05-14
TW201519710A (zh) 2015-05-16
CN104582244A (zh) 2015-04-29
KR20150040235A (ko) 2015-04-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI569695B (zh) Production method of surface-treated rolled copper foil, laminated board, printed wiring board, electronic machine and printed wiring board
TWI460069B (zh) Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board, printed wiring board and copper clad laminate
TWI477389B (zh) Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board
TWI460070B (zh) Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board
TWI570250B (zh) A copper foil, a copper clad laminate using the same, a printed wiring board, an electronic device, a circuit connecting member, and a circuit connecting member
WO2015087941A1 (ja) 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法
JP5855244B2 (ja) 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板を製造する方法
KR20150040231A (ko) 압연 동박, 그것을 사용한 구리 피복 적층판, 프린트 배선판, 전자 기기, 회로 접속 부재의 제조 방법 및 회로 접속 부재
JP5362899B1 (ja) 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板
JP5432357B1 (ja) 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、銅張積層板、プリント配線板並びに電子機器
JP2014065974A (ja) 表面処理銅箔及びそれを用いた積層板、銅張積層板、プリント配線板並びに電子機器
JP5819571B1 (ja) 表面処理銅箔、銅張積層板、プリント配線板、電子機器及びプリント配線板の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees