JP2015124426A - 表面処理銅箔及び積層板 - Google Patents

Abstract

【課題】積層板を形成した際の表面処理銅箔と樹脂基材との密着性を維持できるとともに、積層板から表面処理銅箔が除去された後の樹脂基材の透明性を確保できる技術を提供する。【解決手段】銅箔基材と、銅箔基材のいずれかの主面上に設けられる表面処理層と、を備え、表面処理層の銅箔基材と接する側とは反対側の面上に、樹脂基材を貼り合わせた場合の表面処理層と樹脂基材との間のピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上であり、樹脂基材を貼り合わせ、銅箔基材及び表面処理層を除去した後の樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下である。【選択図】図１

Description

本発明は、表面処理銅箔及びこの表面処理銅箔を用いて形成した積層板に関する。

従来より、例えば携帯電話等の電子機器の配線板として、フレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）が用いられる。ＦＰＣは、例えば、銅箔と、銅箔の少なくともいずれかの主面上に設けられる例えばポリイミドフィルム等の樹脂基材（樹脂フィルム）と、を備える積層板により形成されている。具体的には、ＦＰＣは、銅箔と樹脂基材とを貼り合わせて積層板を形成した後、例えばフォトリソグラフィー法を用いて銅箔をエッチング等により除去することで回路パターン（銅配線）を形成して構成されている。

ＦＰＣに用いられる積層板には、例えば銅箔と樹脂基材との密着性が高いことが要求されている。このため、銅箔として、例えば、銅箔基材の表面に粗化処理等が施されることで、粗化銅めっき層等の表面処理層が形成された表面処理銅箔が用いられている（例えば特許文献１〜３参照）。これにより、表面処理銅箔の表面に凹凸形状が形成されるため、アンカー効果により表面処理銅箔と樹脂基材との密着性を高めることができる。

粗化銅めっき層は、銅（銅合金）で形成される粗化粒により構成されている。表面処理銅箔の表面粗さ（表面粗度）は、粗化銅めっき層の粗化粒の粒子径を制御することで調整できる。例えば、粗化銅めっき層を形成する粗化粒の粒子径が大きくなると、表面処理銅箔の表面粗さが大きくなる。表面処理銅箔の表面粗さが大きくなると、粗化銅めっき層（表面処理層）の表面積が大きくなる。このため、アンカー効果が大きくなり、その結果、表面処理銅箔と樹脂基材との密着性を高めることができる。

特開２００４−２３８６４７号公報 特開２００６−１５５８９９号公報 特開２０１０−２１８９０５号公報

表面処理銅箔の表面粗さが大きいほど、積層板を形成した際、表面処理銅箔と樹脂基材との密着性が高くなる。しかしながら、表面処理銅箔の表面粗さが大きすぎると、樹脂基材の透明性が低下してしまう。つまり、表面処理銅箔上に樹脂基材が貼り合わされた際、樹脂基材には、表面処理銅箔の表面に形成された凹凸形状が転写されてしまう。樹脂基材に転写される凹凸形状が大きくなると、凹凸形状が転写された樹脂基材の表面の表面粗さが大きくなる。樹脂基材の表面粗さが大きくなると、光が乱反射されてしまうため、樹脂基材の透明性が低下してしまう（樹脂基材がくすんでしまう）。ＦＰＣを実装する際、表面処理銅箔が除去された箇所の樹脂基材越しにＦＰＣの実装位置の位置決めが行われる。このとき、樹脂基材の透明性が低いと、ＦＰＣの実装位置の位置決めができない、若しくは実装位置の位置決めに時間がかかり、実装作業効率が低下してしまうことがあった。

本発明は、上記課題を解決し、積層板を形成した際の表面処理銅箔と樹脂基材との密着性が維持されるとともに、積層板から表面処理銅箔が除去された後の樹脂基材の透明性が確保される技術を提供することを目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様によれば、銅箔基材と、前記銅箔基材のいずれかの主面上に設けられる表面処理層と、を備え、前記表面処理層上に樹脂基材を積層して貼り合わせた場合の前記表面処理層と前記樹脂基材との間のピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上であり、前記表面処理層上に前記樹脂基材を積層して貼り合わせ、前記銅箔基材及び前記表面処理層を除去した後の前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下である表面処理銅箔が提供される。

本発明の第２の態様によれば、前記表面処理層は、少なくとも粗化銅めっき層を有し、前記樹脂基材の貼り合わせ予定面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が０．０４７５μｍ以上０．３６μｍ以下であり、十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３３２５μｍ以上１．２５μｍ以下であるように形成されている第１の態様の表面処理銅箔が提供される。

本発明の第３の態様によれば、前記銅箔基材は、前記表面処理層が設けられる面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が０．０５μｍ以上０．３μｍ以下であり、十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３５μｍ以上１．０μｍ以下であるように形成されている第１又は第２の態様の表面処理銅箔が提供される。

本発明の第４の態様によれば、前記表面処理層は、前記銅箔基材と前記粗化銅めっき層との間に設けられる下地めっき層を備える第１ないし第３の態様のいずれかの表面処理銅箔が提供される。

本発明の第５の態様によれば、前記粗化銅めっき層は、厚さが０．０５μｍ以上０．２μｍ以下となるように形成されている第１ないし第４の態様のいずれかの表面処理銅箔が提供される。

本発明の第６の態様によれば、第１ないし第５の態様のいずれかの表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔が有する前記表面処理層上に設けられる樹脂基材と、を備える積層板が提供される。

本発明によれば、積層板を形成した際の表面処理銅箔と樹脂基材との密着性を維持できるとともに、積層板から表面処理銅箔が除去された後の樹脂基材の透明性を確保できる。

本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔を備える積層板の概略断面図である。 本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔の製造工程を示すフロー図である。 （ａ）は本発明の一実施例にかかる認識最大距離の測定方法を示す概略図であり、（ｂ）は（ａ）に示す方法で用いたマークの概略図である。 本発明の一実施例にかかるＨＡＺＥ値と視認性との関係を示すグラフ図である。 本発明の一実施例にかかるピール強度の測定方法を示す概略図である。

（発明者等が得た知見）
まず、本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者等が得た知見について説明する。例えばフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）等の配線板には、表面処理銅箔と樹脂基材とを備える積層板が用いられている。表面処理銅箔は、銅箔基材と、銅箔基材のいずれかの主
面上に設けられる表面処理層と、を備えている。この表面処理銅箔の表面処理層上に、樹脂基材が貼り合わされて積層板が形成されている。上述したように、表面処理銅箔（表面処理層）の表面、つまり積層板を形成する際に樹脂基材が積層される表面処理層の面の表面粗さが大きい場合、積層板を形成した際に表面処理銅箔と樹脂基材との密着性（以下では単に「密着性」とも言う。）は向上するものの、樹脂基材の透明性（以下では、単に「透明性」とも言う。）が低下してしまう。そこで、表面処理銅箔の表面の表面粗さを所定の粗さに調整することで、密着性を維持しつつ、透明性の低下を抑制することが考えられる。表面処理銅箔の表面粗さを示す指標として、主に、算術平均粗さ（Ｒａ）、十点平均粗さ（Ｒｚ）、二乗平均粗さ（Ｒｑ）等がある。これらの表面粗さの指標の中でも、表面処理銅箔の表面のＲｚを制御することで、密着性を維持しながらも、透明性の低下をある程度抑制できる。しかしながら、表面処理銅箔のＲｚのみを制御するだけでは、所望とする透明性が得られない場合があった。つまり、表面処理銅箔のＲｚのみを指標として制御するだけでは、透明性の低下を抑制できない場合があった。本発明は、発明者が見出した上記知見に基づくものである。

（１）表面処理銅箔の構成
まず、本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔の構成について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態にかかる表面処理銅箔１を備える積層板１０の概略断面図である。

（銅箔基材）
図１に示すように、本実施形態にかかる表面処理銅箔１は、銅箔基材２を備えている。銅箔基材２としては、例えば圧延銅箔や電解銅箔を用いることができる。圧延銅箔は、例えば無酸素銅（ＯＦＣ）材、タフピッチ銅（ＴＰＣ）材、その他の銅合金材等により形成されている。銅箔基材２は、主表面、例えば後述する表面処理層３が設けられる面（以下ではＡ面ともいう。）の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が０．０５μｍ以上０．３μｍ以下、好ましくは０．０５μｍ以上０．２７μｍ以下であり、十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３５μｍ以上１．０μｍ以下、好ましくは０．３５μｍ以上０．７μｍ以下であるように形成されているとよい。銅箔基材２は、厚さが例えば５μｍ以上１８μｍ以下となるように形成されている。銅箔基材２の厚さとは、銅箔基材２の平均厚さである。また、通常、銅箔基材２の各主表面（表裏面）の表面粗さは同程度である。従って、本実施形態では、銅箔基材２のＡ面と反対側の面（以下ではＢ面ともいう。）のＲｑ及びＲｚをそれぞれ測定し、この値を銅箔基材２のＡ面のＲｑ及びＲｚとした。

（表面処理層）
銅箔基材２のいずれかの主面（Ａ面）上には、表面処理層３が設けられている。表面処理層３は、後述の積層板１０を形成する際の樹脂基材１１の貼り合わせ予定面（つまり銅箔基材２と接する側とは反対側の面）のＲｑが０．０４７５μｍ以上０．３６μｍ以下であり、Ｒｚが０．３３２５μｍ以上１．２５μｍ以下であるように形成されているとよい。以下では、表面処理層３の樹脂基材１１の貼り合わせ予定面を、表面処理層３のＭ面又は表面処理銅箔１のＭ面ともいう。表面処理層３は、例えば下地めっき層４と、粗化銅めっき層５と、防錆処理層６と、を備えて構成されている。

＜下地めっき層＞
銅箔基材２のＡ面上には、表面処理層３としての下地めっき層４が設けられている。下地めっき層４は、例えば表面が平滑な平滑銅めっき層により形成されている。下地めっき層４は、厚さが０．１μｍ以上０．４μｍ以下となるように形成されているとよい。下地めっき層４の厚さが薄くなるほど、表面処理層３のＭ面のＲｑが高くなる。下地めっき層４の厚さとは、下地めっき層４の平均厚さである。

＜粗化銅めっき層＞
下地めっき層４上（つまり下地めっき層４の銅箔基材２側とは反対側の面上）には、表面処理層３としての粗化銅めっき層５が設けられている。粗化銅めっき層５は、銅（銅合金）により形成される粗化銅めっき粒子（粗化粒）で構成されている。粗化銅めっき層５は、厚さが０．０５μｍ以上０．４μｍ以下となるように形成されているとよい。粗化銅めっき層５の厚さとは、粗化銅めっき層５の平均厚さである。

＜防錆処理層＞
粗化銅めっき層５上（つまり粗化銅めっき層５の銅箔基材２側とは反対側の面上）には、表面処理層３としての防錆処理層６が設けられている。防錆処理層６は、厚さが６ｎｍ以上３５ｎｍ以下となるように形成されているとよい。防錆処理層６の厚さとは、防錆処理層６の平均厚さである。防錆処理層６は、例えば、銅箔基材２の側から順に、厚さが４ｎｍ以上２０ｎｍ以下であるニッケル（Ｎｉ）めっき層（又はＮｉ及びコバルト（Ｃｏ）の合金めっき層）と、厚さが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下である亜鉛（Ｚｎ）めっき層（又はＺｎ合金めっき層）と、厚さが１ｎｍ以上５ｎｍ以下であるクロメート処理層（３価クロム化成処理層）と、を備えているとよい。防錆処理層６上には、化成処理皮膜として、シランカップリング層が設けられていてもよい。

（裏面処理層）
銅箔基材２の他の主面、つまり銅箔基材２のＢ面上には、裏面処理層としての防錆処理層７が設けられている。防錆処理層７は、例えば、銅箔基材２の側から順に、Ｎｉめっき層（又はＮｉ及びＣｏの合金めっき層）と、Ｚｎめっき層（又はＺｎ合金めっき層）と、クロメート処理層と、を備えているとよい。防錆処理層７の厚さ（防錆処理層７を構成する各層の厚さ）は限定されるものではない。防錆処理層７の厚さは、表面処理銅箔１を用いて例えばフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）が製造される際、ＦＰＣの製造過程における熱量に耐え得る厚さであればよい。例えば、防錆処理層７の厚さは、表面処理層３としての防錆処理層６の厚さよりも薄くなるように形成されているとよい。

（２）表面処理銅箔の製造方法
次に、本実施形態にかかる表面処理銅箔１の製造方法の一実施形態について、図２を用いて説明する。図２は、本実施形態にかかる表面処理銅箔１の製造工程を示すフロー図である。

（銅箔基材形成工程（Ｓ１０））
まず、銅箔基材２としての例えば圧延銅箔や電解銅箔を形成する。銅箔基材２のＡ面のＲｑが０．０５μｍ以上０．３μｍ以下、Ｒｚが０．３５μｍ以上１．０μｍ以下となるように、銅箔基材２を形成するとよい。具体的には、銅箔基材２として圧延銅箔を用いる場合、圧延時に使用する圧延油の量、圧延油の粘度、圧延温度を調整することで、銅箔基材２の主面（Ａ面）のＲｑを制御できる。例えば、圧延油の量を多くするほど、また圧延油の粘度を高くするほど、また圧延温度を低くするほど、銅箔基材２の主面（Ａ面）のＲｑを高くできる。また、圧延速度を調整することで、銅箔基材２の主面（Ａ面）のＲｚを制御できる。例えば、圧延速度を高くすることで、銅箔基材２の主面（Ａ面）のＲｚを高くできる。

（銅箔基材清浄工程（Ｓ２０））
銅箔基材形成工程（Ｓ１０）が終了した後、銅箔基材２の表面を清浄する処理を行う。例えば、銅箔基材２の表面に電解脱脂処理と酸洗処理とを行う。まず、銅箔基材形成工程（Ｓ１０）が終了した後、電解脱脂処理を行い、銅箔基材２の表面を清浄化する。電解脱脂処理として、例えば、水酸化ナトリウム等のアルカリ溶液を用いた陰極電解脱脂処理を行う。電解脱脂処理が終了した後、銅箔基材２の表面に酸洗処理を行い、銅箔基材２の表
面に残存するアルカリを中和したり、銅酸化膜を除去する。酸洗処理は、例えば硫酸やクエン酸等の酸性水溶液に銅箔基材２を浸漬して行う。酸洗処理は、例えば銅エッチング液に銅箔基材２を浸漬して行ってもよい。

（表面処理層形成工程（Ｓ３０））
銅箔基材清浄工程（Ｓ２０）が終了した後、銅箔基材２のいずれかの主面上に、表面処理層３を形成する。例えば、銅箔基材２上に、表面処理層３として、下地めっき層４と、粗化銅めっき層５と、防錆処理層６とを形成する。

＜下地めっき層形成工程（Ｓ３１）＞
銅箔基材形成工程（Ｓ２０）が終了したら、銅箔基材２のいずれかの主面上（つまり銅箔基材２のＡ面となる面上）に、下地めっき層４を形成する。下地めっき層４として、例えば平滑銅めっき層を形成する。具体的には、下地めっき層４を形成するめっき液（以下では下地めっき液ともいう）中で電解めっき処理を行うことで、下地めっき層４を形成する。例えば、硫酸銅および硫酸を主成分とする酸性銅めっき液中で、限界電流密度より小さい電流密度で電解めっき処理を行うことで、下地めっき層４を形成する。このとき、めっき電流密度は、めっき条件における限界電流密度よりも小さいとよい。その一方、めっき電流密度を高くするほど、生産性を向上させることができる。従って、めっき電流密度は、限界電流密度よりも小さい範囲内で、できるだけ高くするとよい。なお、めっき電流密度を限界電流密度以上とすると、下地めっき層４の表面（銅箔基材２と接する側とは反対側の面）の凹凸が大きくなってしまう可能性が高くなってしまう。

下地めっき層形成工程（Ｓ３１）では、下地めっき液の液組成、液温、めっき電流密度、めっき時間等の下地めっき層４を形成するめっき処理条件は、特に限定されるものではない。めっき処理条件は、例えば下記の表１に示す範囲に設定できる。このとき、陽極としてＣｕ板を用い、めっき処理を施す対象である銅箔基材２自体を陰極とするとよい。

下地めっき液には、有機系の添加剤を必要に応じて添加してもよい。添加剤としては、例えば、ＳＰＳ（粉末試薬）を３〜３０ｍｇ／Ｌと、ポリプロピレングリコール（液体試薬）を１〜１０ｍｌ／Ｌと、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトを０．１〜２ｇ／Ｌと、を混合したものを用いることができる。この他、添加剤として、例えば、奥野製薬工業株式会社製のトップルチナＬＳ（登録商標）、メルテックス株式会社製のカパーグリームＣＬＸ（登録商標）、株式会社ＪＣＵ製のＣＵ−ＢＲＩＴＥＴＨ−ＲIII（登録商標）、上村工業株式会社のスルカップＥＵＣ（登録商標）等の、プリント配線
板の製造工程で用いられている各種の銅めっき用添加剤等を用いてもよい。なお、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトの添加量を調整することで、表面処理層３のＭ面のＲｑを制御できる。具体的には、下地めっき液中のジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトの濃度を低くするほど、表面処理層３のＭ面のＲｑを高くできる。

＜粗化銅めっき層形成工程（Ｓ３２）＞
下地めっき層形成工程（Ｓ３１）が終了したら、下地めっき層４上に粗化銅めっき層５を形成する。具体的には、粗化銅めっき層５を形成するめっき液（以下では粗化銅めっき液ともいう）中で電解めっき処理を行うことで、粗化銅めっき層５を形成する。例えば、硫酸銅や硫酸を主成分とする酸性銅めっき液中で、限界電流密度以上の電流密度で電解めっき処理を行うことで、粗化銅めっき層５を形成する。つまり、下地めっき層４上に、樹脂状の銅めっき層を形成した後、樹脂状の銅めっき層をコブ状の銅めっき層に変化させて（つまり粗化銅めっき粒子（粗化粒）を形成して）、粗化銅めっき層５を形成する。このようなめっき処理では、電流密度を調整したり、めっき処理の回数を調整することで、粗化粒の粒子径を調整できる。これにより、表面処理銅箔１の表面粗さ、特に表面処理層３のＭ面のＲｚを調整できる。つまり、電流密度を高くしたり、めっき処理を行う回数を増やすと、粗化粒の粒子径を大きくできる。粗化粒の粒子径が大きくなると、表面処理銅箔１の表面粗さが大きくなる。

粗化銅めっき層形成工程（Ｓ３２）では、粗化銅めっき液の液組成、液温、めっき電流密度、めっき時間等の粗化銅めっき層５を形成するめっき処理条件は、特に限定されるものではない。めっき処理条件は、例えば下記の表２に設定できる。このとき、陽極としてＣｕ板を用い、めっき処理を施す対象である銅箔基材２自体を陰極とするとよい。

粗化粒の過剰な成長を抑制（デンドライドを防止）するため、粗化銅めっき液には、銅以外に、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、クロム（Ｃｒ）の金属イオンを少なくとも一種類添加するとよい。

＜防錆処理層形成工程（Ｓ３３）＞
粗化銅めっき層形成工程（Ｓ３２）が終了したら、粗化銅めっき層５上に所定厚さ（例えば６ｎｍ以上３５ｎｍ以下）の防錆処理層６を形成する。例えば、防錆処理層６として、粗化銅めっき層５の側から順に、所定厚さ（例えば４ｎｍ以上２０ｎｍ以下）のＮｉめっき層（又はＮｉ合金めっき層）と、所定厚さ（例えば１ｎｍ以上１０ｎｍ以下）のＺｎめっき層（又はＺｎ合金めっき層）と、所定厚さ（例えば１ｎｍ以上５ｎｍ以下）の３価クロム化成処理層と、を形成する。３価クロム化成処理層は、例えば３価クロムタイプの反応型クロメート液を用いて形成する。また、防錆処理層６を形成した後、防錆処理層６上に所定厚さの化成処理皮膜としてのシランカップリング処理層を形成してもよい。

（裏面処理層形成工程（Ｓ４０））
表面処理層形成工程（Ｓ３０）が終了したら、銅箔基材２の他の主面、つまり銅箔基材２のＢ面上に、裏面処理層としての防錆処理層７を形成する。例えば、防錆処理層７として、銅箔基材２の側から順に、Ｎｉめっき層（又はＮｉ及びＣｏの合金めっき層）と、Ｚｎめっき層（又はＺｎ合金めっき層）と、クロメート処理層と、を形成する。これにより、本実施形態に係る表面処理銅箔１が製造されて、その製造工程を終了する。

（３）積層板の構成
続いて、上述した表面処理銅箔１を用いて形成される積層板１０について説明する。図１に示すように、積層板１０は、表面処理銅箔１と、樹脂基材（樹脂フィルム）１１と、を備えている。つまり、積層板１０は、表面処理銅箔１が備える表面処理層３の銅箔基材２と接する側とは反対側の面（表面処理銅箔１のＭ面）上に、樹脂基材１１が積層されて貼り合わされて形成されている。樹脂基材１１として、例えばポリイミド（ＰＩ）フィルムや、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等のポリエステルフィルム、液晶ポリマ（ＬＣＰ）等が用いられる。また、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせる方法としては、例えば、接着剤を介して貼り合わせを行う方法がある。また、接着剤を使用せずに、高温高圧下で表面処理銅箔１のＭ面上に樹脂基材１１を積層して接着することで、貼り合わせを行ってもよい。あるいは、表面処理銅箔１のＭ面上に、ポリイミド前駆体を塗布した後、ポリイミド前駆体を乾燥させて硬化させて樹脂基材１１を形成することで、表面処理銅箔１と樹脂基材１１との貼り合わせを行ってもよい。

（４）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。

（ａ）本実施形態によれば、積層板１０を形成した際の表面処理銅箔１と樹脂基材１１との密着性（以下では、単に密着性ともいう。）を維持できるとともに、積層板１０から表面処理銅箔１が除去された後の樹脂基材１１の透明性の低下を抑制できる。具体的には、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせて形成した積層板１０において、表面処理銅箔１と樹脂基材１１との間のピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上となるように形成されている。また、積層板１０からエッチング等により表面処理銅箔１を除去した後の樹脂基材１１のＨＡＺＥ値が８０％以下となるように形成されている。表面処理銅箔１と樹脂基材１１との間のピール強度は０．７Ｎ／ｍｍ以上１．４１Ｎ／ｍｍ以下であるとよりよく、これにより、ＨＡＺＥ値を８０％以下により容易にできる。なお、ＨＡＺＥ値とは、樹脂基材１１の透明性の指標となる数値である。具体的には、樹脂基材１１に可視光を照射したときの全透過光量に対する拡散透過光量の割合（濁度、曇度）のことである。ＨＡＺＥ値の値が低くなるほど、樹脂基材１１の透明性が高くなることを示している。

樹脂基材１１の透明性の低下が抑制されることで、例えば、積層板１０を用いて形成したフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を実装する際、ＦＰＣの実装位置の位置決めを容易に行うことができる。つまり、ＦＰＣを実装する際、表面処理銅箔１が除去された箇所の樹脂基材１１越しにマーキング等を見て位置決めを行う。このとき、樹脂基材１１の透明性が良好であると、つまり樹脂基材１１の透明性の低下が抑制されていると、樹脂基材１１越しであってもマーキング等が見えやすくなる。従って、ＦＰＣの実装位置の位置決めを容易に行うことができ、実装作業効率の低下を抑制できる。

（ｂ）本実施形態によれば、表面処理層３は、少なくとも粗化銅めっき層５を有し、Ｍ面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が０．０４７５μｍ以上０．３６μｍ以下であり、十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３３２５μｍ以上１．２５μｍ以下であるように形成されている。これにより、上記（ａ）の効果がより得られやすくなる。つまり、表面処理層３のＭ面のＲｑ及びＲｚをそれぞれ所定範囲内とすることで、密着性を維持しつつ、樹脂基材１１の透明性の低下をより抑制できる。表面処理層３のＭ面のＲｑが０．０４７５μｍ未満、あるいはＲｚが０．３３２５μｍ未満である場合、アンカー効果が低下するため、積層板１０が形成された際の密着性が低下してしまう。また、表面処理層３のＭ面のＲｑが０．３６μｍを超える、あるいはＲｚが１．２５μｍを超える場合、樹脂基材１１の透明性が低下してしまう。

（ｃ）本実施形態によれば、銅箔基材２は、Ａ面のＲｑが０．０５μｍ以上０．３μｍ以
下であり、Ｒｚが０．３５μｍ以上１．０μｍ以下であるように形成されている。これにより、表面処理層３のＭ面のＲｑ及びＲｚを上記（ｂ）の範囲内に、より容易に制御できる。従って、上記（ａ）の効果がより得られやすくなる。つまり、銅箔基材２のＡ面のＲｑ及びＲｚをそれぞれ所定範囲内とすることで、密着性をより維持しつつ、樹脂基材１１の透明性の低下をより抑制できる。また、銅箔基材２の搬送性（通搬性）を向上させることができる。つまり、表面処理銅箔１や積層板１０を製造する製造工程において銅箔基材２を搬送する際、銅箔基材２の搬送中に、銅箔基材にシワが入ったり、銅箔基材２が破断することを抑制できる。従って、表面処理銅箔１や積層板１０の製造工程が中断されることを抑制できる。その結果、表面処理銅箔１や積層板１０の生産性を向上させることができる。

銅箔基材２のＡ面のＲｑが０．０５μｍ未満であると、所定の密着性及び樹脂基材１１の透明性は得られるが、搬送性が著しく低下してしまう。つまり、銅箔基材２のＡ面のＲｑが０．０５μｍ未満であると、銅箔基材２のＡ面のＲｚを所定の範囲内としても、搬送性が著しく低下してしまう。銅箔基材２のＡ面のＲｑが０．３μｍを超えると、Ｒｚが所定の範囲内であっても、樹脂基材１１の透明性が極端に低下する、つまりＨＡＺＥ値が８０％を超えてしまう。

（ｄ）本実施形態によれば、表面処理層３は、下地めっき層４を備えている。つまり、銅箔基材２と粗化銅めっき層５との間には、下地めっき層４が設けられている。これにより、粗化銅めっき層５を形成する粗化粒の粒子径（大きさ）を均一にできる。つまり、粗化粒の均一性は、銅箔基材２のＡ面の表面状態に左右される。下地めっき層４が設けられると、銅箔基材２のＡ面上に存在する深さが０．１〜１μｍ程度の微細な凹部（オイルピット）を埋めることができる。従って、より平坦な面上に粗化銅めっき層５を形成できるため、粗化粒の均一性を向上させることができる。その結果、表面処理層３のＭ面のＲｑ及びＲｚをほぼ決定づけることとなる粗化銅めっき層５の粗化粒の粒子径をより精度よく制御できる。つまり、表面処理層３のＭ面のＲｑ及びＲｚを上記（ｂ）の範囲内に、より容易に制御できる。その結果、上記（ａ）の効果がより容易に得られやすくなる。

（ｅ）本実施形態では、下地めっき層４は、厚さが０．１μｍ以上０．４μｍ以下となるように形成されている。これにより、表面処理層３のＭ面のＲｑ及びＲｚを上記（ｂ）の範囲内に、より容易に制御できる。その結果、上記（ａ）の効果がより得られやすくなる。下地めっき層４の厚さが０．１μｍ未満であると、粗化銅めっき層５を形成する粗化粒の均一性が低下してしまう。つまり、粗化粒の粒子径が不均一になる。従って、表面処理層３のＭ面のＲｑ及びＲｚを所定の範囲にできず、樹脂基材１１の透明性が低下してしまうことがある。つまり、樹脂基材１１のＨＡＺＥ値を８０％以下にできない場合がある。また、下地めっき層４の厚さが０．４μｍを超えると、めっき時間が長くなってしまい、生産性が低下してしまう。また、下地めっき層４の厚さが厚くなると、表面処理層３の厚さが厚くなるため、表面処理銅箔１の屈曲性が低下してしまう。

（ｆ）本実施形態では、下地めっき層４を形成する際、必要に応じて下地めっき液中に有機系の添加剤を添加している。これにより、粗化粒の成長速度を均一にできる。従って、粗化銅めっき層５を形成する粗化粒の粒子径（大きさ）をより均一にできる。また、銅箔基材２のＡ面の表面に存在するオイルピットをより効率的に埋めることができる。これにより、粗化粒が局所的に成長することを抑制できる。

（ｇ）本実施形態では、粗化銅めっき層５は、厚さが０．０５μｍ以上０．４μｍ以下となるように形成されている。これにより、表面処理層３のＭ面のＲｑ及びＲｚを上記（ｂ）の範囲内に、より容易に制御できる。その結果、上記（ａ）の効果がより得られやすくなる。粗化銅めっき層５の厚さが０．０５μｍ未満であると、表面処理層３のＭ面のＲｑ
及びＲｚ等の表面粗さが小さくなるため、アンカー効果が低下してしまう。その結果、積層板１０を形成した際の表面処理銅箔１と樹脂基材１１との密着性が低下してしまう。粗化銅めっき層５の厚さが０．４μｍを超えると、Ｒｑ及びＲｚ等の表面粗さが大きくなりすぎるため、樹脂基材１１の透過性が低下してしまう。また、粗化銅めっき層５の厚さが厚くなると、表面処理層３の厚さが厚くなるため、表面処理銅箔１の屈曲性が低下してしまう。

（ｈ）本実施形態では、防錆処理層６は、厚さが６ｎｍ以上３５ｎｍ以下となるように形成されている。防錆処理層６の厚さが６ｎｍ未満であると、防錆処理層６が設けられることによる耐薬品性効果や耐熱性効果が得られにくくなる。防錆処理層６の厚さが３５ｎｍを超えると、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせて形成した積層板１０に、例えばフォトリソグラフィー法を用いてエッチング等により表面処理銅箔１を除去して回路パターン（銅配線）を形成する際のエッチング等を行いにくくなる。その結果、エッチング等により除去しなければならない表面処理銅箔１を除去しきれず、樹脂基材１１に表面処理銅箔１が残る可能性が高くなってしまう。つまり、いわゆる「根残り」が発生する可能性が高くなってしまう。

（ｉ）本実施形態では、防錆処理層６は、Ｎｉめっき層（又はＮｉ及びＣｏの合金めっき層）と、Ｚｎめっき層（又はＺｎ合金めっき層）と、クロメート処理層と、を備えて形成されている。これにより、表面処理銅箔１の種々の性能をより向上させることができる。具体的には、例えばＮｉめっき層（又はＮｉ及びＣｏの合金めっき層）が設けられることで、粗化銅めっき層５から表面処理銅箔１のＭ面へ銅が拡散することを抑制できる。また、Ｚｎめっき層（又はＺｎ合金めっき層）が設けられることで、表面処理銅箔１の耐熱性を向上させることができる。また、クロメート処理層が設けられることで、表面処理銅箔１の耐薬品性を向上させることができる。

（ｊ）本実施形態では、化成処理皮膜としてのシランカップリング処理層が防錆処理層６上に設けられている。これにより、積層板１０を形成した際、表面処理銅箔１と樹脂基材１１との密着性をより向上させることができる。

（ｋ）本実施形態では、裏面処理層としての防錆処理層７の厚さを、表面処理層３としての防錆処理層６の厚さよりも薄くなるように形成している。これにより、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせて形成した積層板１０にエッチング等により表面処理銅箔１を除去して回路パターンを形成する際、エッチング等の量（除去量）を低減でき、生産性を向上させることができる。つまり、回路パターンを形成する際、表面処理銅箔１の表面処理層３とは反対側の面、つまり裏面処理層側からエッチングが行われるが、裏面処理層としての防錆処理層７の厚さが薄いと、表面処理銅箔１をエッチングする量を低減できる。

（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

上述の実施形態では、銅箔基材２を、Ａ面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が０．０５μｍ以上０．３μｍ以下であり、十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３５μｍ以上１．０μｍ以下であるように形成したが、これに限定されない。つまり、銅箔基材２のＡ面上に設けられる表面処理層３のＭ面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）及び十点平均粗さ（Ｒｚ）が所定範囲内であれば、銅箔基材２のＡ面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）及び十点平均粗さ（Ｒｚ）は、上記の範囲内でなくてもよい。

上述の実施形態では、表面処理層３が下地めっき層４と、粗化銅めっき層５と、防錆処理層６と、を備える場合について説明したがこれに限定されない。つまり、表面処理層３は、少なくとも粗化銅めっき層５を備えていればよい。

上述の実施形態では、防錆処理層６が、例えば、銅箔基材２の側から順に、Ｎｉめっき層（又はＮｉ及びＣｏの合金めっき層）と、Ｚｎめっき層（又はＺｎ合金めっき層）と、クロメート処理層（３価クロム化成処理層）と、を備える場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、Ｎｉめっき層又はＮｉ及びＣｏの合金めっき層を設けなくてもよい。この場合は、Ｚｎめっき層（又はＺｎ合金めっき層）の厚さを３ｎｍ以上２０ｎｍ以下とし、クロメート処理層の厚さを３ｎｍ以上１５ｎｍ以下とするとよい。同様に、裏面処理層としての防錆処理層７についても、Ｎｉめっき層又はＮｉ及びＣｏの合金めっき層を設けなくてもよい。

上述の実施形態では、防錆処理層形成工程（Ｓ３３）が終了した後に、裏面処理層形成工程（Ｓ４０）を行う場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、防錆処理層形成工程（Ｓ３３）と裏面処理層形成工程（Ｓ４０）とを同時に行ってもよい。つまり、Ｎｉめっき浴槽内に２つの電極を取付け、一方の電極で防錆処理層６としてのＮｉめっき層、他方の電極で裏面処理層である防錆処理層７としてのＮｉめっき層を同時に設けてもよい。同様に、防錆処理層６としてのＺｎめっき層、クロメート処理層と、裏面処理層である防錆処理層７としてのＺｎめっき層、クロメート処理層と、を同時に形成してもよい。防錆処理層形成工程（Ｓ３３）と裏面処理層形成工程（Ｓ４０）とを同時に行う場合であって、防錆処理層６上にシランカップリング層を設ける場合、シランカップリング層は以下のような方法で設けるとよい。つまり、例えば、表面処理銅箔１のＭ面（防錆処理層６）がシランカップリング溶液と対向するように、表面処理銅箔１を配置する。そして、表面張力によって表面が盛り上がったシランカップリング溶液の液面に表面処理銅箔１のＭ面のみが接するように、表面処理銅箔１を走行させて、シランカップリング層を形成するとよい。

上述の実施形態では、電解脱脂処理と酸洗処理とを行う銅箔基材清浄工程（Ｓ２０）を行ったがこれに限定されるものではない。例えば、銅箔基材清浄工程（Ｓ２０）では、電解脱脂処理又は酸洗処理のいずれかを行ってもよい。また、銅箔基材清浄工程（Ｓ２０）を行わなくてもよい。

次に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

（樹脂基材の視認性評価）
樹脂基材のＨＡＺＥ値と視認性との関係を評価する試験を行った。

＜試料の作製＞
まず、種々のＨＡＺＥ値を有する樹脂基材を作製した。具体的には、図１に示す構成を有し、表面処理層のＭ面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）及び十点平均粗さ（Ｒｚ）を種々に変更した各種の表面処理銅箔を作製した。続いて、表面処理銅箔のＭ面上に樹脂基材を積層し、表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせて積層板を作製した。樹脂基材として、厚さが２５μｍである２層ラミ用ポリイミドフィルム（株式会社カネカ製）を用いた。また、表面処理銅箔と樹脂基材との貼り合わせは、真空プレス機により、４ＭＰａ、３００℃、３０分の条件下で行った。積層板を作製した後、塩化第二鉄を用いてスプレーエッチングして表面処理銅箔を除去した。これにより、それぞれ異なるＨＡＺＥ値を有する各種の樹脂基材を作製した。これらを各種試料とした。

＜視認性の評価方法＞
得られた各種試料について、ＨＡＺＥ値の測定を行った。各種試料のＨＡＺＥ値の測定は、株式会社東洋精機製作所のhaze-gard plusを用いて行った。また、得られた各種試料について、認識最大距離Ｌの測定を行った。具体的には、図３（ａ）に示すように、黒色で「＋」マーク２０を描いた白い紙２１を用意する。図３（ｂ）に示すように、「＋」マーク２０は、縦線及び横線の長さｘはそれぞれ１０ｍｍとし、縦線及び横線の線幅ｗはそれぞれ０．３ｍｍとした。そして、図３（ａ）に示すように、白い紙２１の上方から、各種試料（各樹脂基材）２２を介して、つまり各種試料２２越しに「＋」マーク２０の交点部を目視で確認できる最大距離Ｌを測定した。この最大距離を認識最大距離Ｌとする。そして、認識最大距離Ｌが８ｍｍ以上である試料を「◎」、認識最大距離Ｌが６ｍｍ以上である試料を「○」、認識最大距離Ｌが４ｍｍ以上である試料を「△」として評価した。認識最大距離Ｌの測定結果及び評価結果を表３及び図４に示す。図４は、表３に示す測定結果のグラフ図である。

＜視認性の評価結果＞
表３及び図４から、各試料２２である樹脂基材のＨＡＺＥ値が高くなるほど、認識最大距離Ｌが短くなることを確認した。また、表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせて形成した積層板を用いて形成したＦＰＣを実装する際、実装作業効率を考慮すると、認識最大距離Ｌが４ｍｍ以上であることが好ましい。ＨＡＺＥ値が８０％以下である試料は、認識最大距離Ｌが４ｍｍ以上となることを確認した。つまり、ＨＡＺＥ値が８０％以下である試料は、透明性が良好であることを確認した。

（透明性及び密着性の評価）
試料１〜１８１を作製し、樹脂基材の透明性、及び表面処理銅箔と樹脂基材との密着性についての評価を行った。

＜試料の作製＞
［試料１］
試料１では、まず、銅箔基材として、タフピッチ銅（ＴＰＣ）材により形成し、圧延油の量、圧延油の粘度、圧延温度、圧延速度を調整して、Ａ面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が０．０５μｍであり、Ａ面の十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３５μｍであり、厚さが１７μｍである圧延銅箔を形成した。

続いて、銅箔基材の表面を清浄化するために、銅箔基材に電解脱脂処理と酸洗処理とを行った。まず、水酸化ナトリウムを３０ｇ／Ｌと、炭酸ナトリウムを４０ｇ／Ｌとを含む水溶液を用いて電解脱脂処理を行った。このとき、液温を４０℃とし、電流密度を１５Ａ／ｄｍ^２とし、処理時間を１５秒間とした。電解脱脂処理が終了した後、銅箔基材を水洗した。その後、硫酸を１５０ｇ／Ｌ含み、液温が２５℃である水溶液中に、銅箔基材を１０秒間浸漬して酸洗処理を行った。

次に、銅箔基材のいずれかの主面（つまりＡ面）上に、表面処理層として、下地めっき層と、粗化銅めっき層と、防錆処理層と、を形成した。

まず、銅箔基材の清浄が終了した後、銅箔基材を水洗した。その後、硫酸銅五水和物を１００ｇ／Ｌと、硫酸を６０ｇ／Ｌとを含み、液温を３５℃に調整した水溶液（下地めっき液）をめっき浴として用い、下地めっき層として、厚さが０．１μｍである銅（Ｃｕ）めっき層を銅箔基材のＡ面上に形成した。このとき、めっき電流密度を８Ａ／ｄｍ^２とし、めっき時間を４秒間とした。また、下地めっき液には、有機系の添加剤を添加した。具体的には、有機硫黄化合物としてＳＰＳ（粉末試薬）を４０ｍｇ／Ｌと、ポリプロピレングリコール（液体試薬）を４ｍｌ／Ｌと、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトを０．３ｇ／Ｌと、塩酸を０．１５ｍｌ／Ｌと、を下地めっき液に添加した。

下地めっき層を形成した後、下地めっき層を形成した銅箔基材を水洗した。その後、硫酸銅五水和物を５０ｇ／Ｌと、硫酸を８０ｇ／Ｌと、硫酸鉄七水和物を５０ｇ／Ｌとを含み、液温を３０℃に調整した水溶液（粗化銅めっき液）をめっき浴として用い、厚さが０．０５μｍである粗化銅めっき層を下地めっき層上に形成した。このとき、めっき電流密度を６０Ａ／ｄｍ^２とし、めっき時間を０．５秒間とした。

粗化銅めっき層を形成した後、粗化銅めっき層を形成した銅箔基材を水洗した。その後、厚さが２８ｎｍである防錆処理層を粗化銅めっき層上に形成した。具体的には、粗化銅めっき層の側から順に、厚さが２０ｎｍであるＮｉめっき層と、厚さが４ｎｍであるＺｎめっき層と、厚さが４ｎｍである３価クロム化成処理層と、を形成した。具体的には、硫酸ニッケル六水和物を３００ｇ／Ｌと、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌと、硼酸を４０ｇ／Ｌとを含み、液温を５０℃に調整した水溶液をめっき浴として用い、厚さが２５ｎｍであるＮｉめっき層を粗化銅めっき層上に形成した。このとき、電流密度を２．５Ａ／ｄｍ^２とし、めっき時間を５秒間とした。Ｎｉめっき層を形成した後、Ｎｉめっき層を形成した銅箔基材を水洗した。その後、硫酸亜鉛七水和物を９０ｇ／Ｌと、硫酸ナトリウムを７０ｇ／Ｌとを含み、液温を３０℃に調整した水溶液をめっき浴として用い、厚さが７ｎｍであるＺｎめっき層をＮｉめっき層上に形成した。このとき、電流密度を１．８Ａ／ｄｍ^２とし、めっき時間を４秒間とした。Ｚｎめっき層を形成した後、Ｚｎめっき層を形成した銅箔基材を水洗した。その後、３価クロム化成処理を行って、厚さが４ｎｍである３価クロム化成処理層としてのクロメート皮膜（クロメート処理層）をＺｎめっき層上に形成した。

３価クロム化成処理層を形成した後、３価クロム化成処理層を形成した銅箔基材を水洗した。その後、所定厚さのシランカップリング処理層を３価クロム化成処理層上に形成した。具体的には、３−アミノプロピルトリメトキシシランの濃度が５％であり、液温が２５℃であるシランカップリング液中に、３価クロム化成処理層を形成した銅箔基材を５秒間浸漬した後、直ちに２００℃の温度で乾燥し、シランカップリング処理層を形成した。

表面処理層を形成した後、銅箔基材の他の主面、つまり銅箔基材のＢ面上に裏面処理層を形成した。具体的には、銅箔基材のＢ面上に、裏面処理層として、Ｎｉめっき層とＺｎめっき層と３価クロム化成処理層とを形成した。なお、Ｎｉめっき層、Ｚｎめっき層、３
価クロム化成処理層の形成方法は、上述の表面処理層が備える防錆処理層としてのＮｉめっき層、Ｚｎめっき層、３価クロム化成処理層と同様である。以上のようにして作製した表面処理銅箔は、表面処理層（表面処理銅箔）のＭ面のＲｑが０．０４７５μｍであり、Ｒｚが０．３３２５μｍであった。これを試料１とした。

［試料２〜１８１］
試料２〜１８１では、銅箔基材のＡ面のＲｑ及びＲｚと、表面処理銅箔（表面処理層）のＭ面のＲｑ及びＲｚとをそれぞれ、下記の表４〜表７に示す通りとした。銅箔基材のＡ面のＲｑの制御は、圧延時に使用する圧延油の量、圧延油の粘度、圧延温度を調整することで行った。圧延油の量を多くするほど、また圧延油の粘度が高いほど、また圧延温度が低いほど、銅箔基材のＡ面のＲｑは高くなる。銅箔基材のＡ面のＲｚの制御は、圧延速度を調整することで行った。圧延速度を高くするほど、銅箔基材のＡ面のＲｚは高くなる。表面処理銅箔のＭ面のＲｑの制御は、下地めっき層の厚さと、下地めっき層を形成する際に下地めっき液中に添加する有機系の添加剤の添加量と、を調整することで行った。下地めっき層の厚さを薄くするほど、表面処理銅箔のＭ面のＲｑは高くなる。また、下地めっき液中のジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイトの濃度が低くなるほど、表面処理銅箔のＭ面のＲｑは高くなる。表面処理銅箔のＭ面のＲｚの制御は、粗化銅めっき層を形成する際のめっき電流密度とめっき時間とを調整することで行った。粗化銅めっき層を形成する際のめっき電流密度が高くなるほど、また、めっき時間が長くなるほど、表面処理銅箔のＭ面のＲｚは高くなる。その他は、試料１と同様にして表面処理銅箔を作製した。これらをそれぞれ、試料２〜１８１とした。

＜透明性及び密着性の評価方法＞
試料１〜１８１のそれぞれについて、樹脂基材の透明性と、表面処理銅箔と樹脂基材との密着性と、搬送性との評価を行った。

樹脂基材の透明性は、試料１〜１８１の各試料の樹脂基材のＨＡＺＥ値を測定することで評価した。具体的には、まず、各試料を用いて、両面版ＦＣＣＬ（Flexible Copper Clad Laminate）をそれぞれ作製した。つまり、樹脂基材として厚さが２５μｍであるラミ
用ポリイミドフィルム（株式会社カネカ製）を用い、樹脂基材の両面（両方の主面）上にそれぞれ、各試料である表面処理銅箔を積層した。このとき、各試料である表面処理銅箔のＭ面が樹脂基材と接するように各試料を積層した。その後、真空プレス機を用いて、４ＭＰａ、３００℃、３０分の条件下で各試料である表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせて、両面版ＦＣＣＬを作製した。そして、塩化第二鉄を用いてスプレーエッチングし、各試料を用いて作製した両面版ＦＣＣＬから全ての表面処理銅箔を除去した。各試料である表面処理銅箔が除去された樹脂基材について、株式会社東洋精機製作所のhaze-gard plusを用いてＨＡＺＥ値の測定を行った。

表面処理銅箔と樹脂基材との密着性は、表面処理銅箔を樹脂基材から剥離する際のピール強度を測定することで評価した。ピール強度の測定は、図５に示すように行った。まず、試料１〜１８１の各試料である表面処理銅箔のＭ面上に、樹脂基材として、厚さが２５μｍであるラミ用ポリイミドフィルム（株式会社カネカ製）を積層した。その後、真空プレス機を用いて、４ＭＰａ、３００℃、３０分の条件下で表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせて、積層板（フレキシブル銅張積層板）をそれぞれ作製した。続いて、積層板Ｓの表面処理銅箔（各試料）３１の裏面処理層（表面処理銅箔３１の樹脂基材３２と接する側とは反対側の面）上に、リード幅が１ｍｍであるマスキングテープを貼った。そして、塩化第二鉄を用いてスプレーエッチングし、表面処理銅箔３１の所定箇所を除去した。つまり、図５に示すような所定の銅箔パターンを樹脂基材３２上に形成した。続いて、表面処理銅箔３１を樹脂基材３２から引き剥がした際の強度を測定した。具体的には、図５に示すように、まず、樹脂基材３２が下側となるように各積層板Ｓをセットした。そして、
引張速度を５０ｍｍ／ｍｉｎとし、引き剥がされた表面処理銅箔３１ｕと樹脂基材３２との為す角が９０°となるように、表面処理銅箔３１を上方に向かって樹脂基材３２から引き剥がした。表面処理銅箔３１を樹脂基材３２から３０ｍｍ引き剥がした際の平均強度を算出し、これをピール強度とした。

また、試料１〜１８１の表面処理銅箔の搬送性についての評価を行った。つまり、各表面処理銅箔を作製する際に、銅箔基材に例えばシワが入ったり、破断することがないかを評価した。銅箔基材を搬送中、つまり表面処理銅箔を作製中に、銅箔基材にシワが入らず、破断しなかったものを「○」とし、銅箔基材を搬送中に銅箔基材にシワが入ったり、破断したものを「×」とし、搬送性の評価を行った。

＜透明性及び密着性の評価結果＞
試料１〜１８１のそれぞれについて、樹脂基材の透明性、表面処理銅箔と樹脂基材との密着性、及び搬送性の評価結果を表４〜表７にそれぞれ示す。

表４〜表７から、試料１〜８１はいずれも、樹脂基材の透明性、表面処理銅箔と樹脂基材との密着性、搬送性の評価が良好であることを確認した。つまり、試料１〜８１はいずれも、樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下であり、目標値を達成できていることを確認した。また、試料１〜８１はいずれも、ピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上１．４１Ｎ／ｍｍ
以下であり、目標値を達成できていることを確認した。また、試料１〜８１はいずれも、銅箔基材を搬送中に、銅箔基材にシワが入ったり、銅箔基材が破断して、積層板（表面処理銅箔）の製造が中断されることがないことを確認した。

試料８２〜１８１から、表面処理銅箔のＭ面のＲｑ又はＲｚの少なくともいずれかの値が所定の範囲より低い値である場合、密着性が低下する傾向にあることが確認できる。また、表面処理銅箔のＭ面のＲｑ又はＲｚの少なくともいずれかの値が所定の範囲を超える値である場合、樹脂基材の透明性が低下する傾向にあることが確認できる。

また、試料８２〜１３１はいずれも、樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下と低く、透明性が良好であることを確認した。しかしながら、銅箔基材のＡ面のＲｑが低すぎる（０．０５μｍ未満である）と、銅箔基材のＡ面のＲｚを所定の範囲内に調整しても、銅箔基材の搬送性が低下することを確認した。その結果、生産性が低下することを確認した。具体的には、銅箔基材のＡ面のＲｑと、銅箔基材のＡ面と反対側の面のＲｑとは、ほぼ同程度である。つまり、銅箔基材のＡ面のＲｑが低いということは、銅箔基材のＡ面と反対側の面のＲｑも低いことになる。従って、銅箔基材のＡ面のＲｑが低すぎると、銅箔基材のＡ面と反対側の面のＲｑも低くなり平滑となる。このため、銅箔基材を搬送する搬送ライン上で銅箔基材が滑りやすくなり、銅箔基材にシワ等が入ってしまい、搬送性が低下してしまうことを確認した。

また、試料１３２〜１８１はいずれも、ピール強度が１．５０Ｎ／ｍｍであり、密着性を維持することはできるが、樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％を超えることを確認した。つまり、銅箔基材のＡ面のＲｑが０．３μｍを超える（例えば０．３５μｍである）と、銅箔基材のＡ面のＲｚを所定の範囲内に調整しても、樹脂基材の透明性が低下することを確認した。これは、銅箔基材のＡ面のＲｑの値は、銅箔基材のＡ面に存在する凹部の深さが深くなるほど大きくなる。このため、銅箔基材のＡ面のＲｑの値が大きすぎると、表面処理銅箔のＭ面の表面粗さが大きくなる。その結果、表面処理銅箔と接する樹脂基材の表面に転写される凹凸形状が大きくなり、光を乱反射させるため、透明性が低下してしまう。

なお、Ａ面のＲｑが０．０５μｍ未満であって、Ｒｚが極端に大きな銅箔基材は、製造することができない。例えば、Ａ面のＲｑが０．０３μｍである場合、Ｒｚが０．７μｍを超える銅箔基材を製造することはできない。つまり、Ｒｑが０．０５μｍ未満であって、Ｒｚが極端に大きな銅箔基材とは、銅箔基材の表面（Ａ面）の広域の平均では凹部の深さが浅い（凹凸が小さい）にもかかわらず、Ａ面中の任意の１０点の平均では凹部の深さが極端に深い（凹凸が極端に大きな）銅箔基材を意味する。一般的に、このような銅箔基材を製造することは難しい。仮に、このような銅箔基材を製造できた場合であっても、品質が非常に悪いものとなる。また、このような銅箔基材に、粗化銅めっき処理等のめっき処理を行って表面処理層を形成した場合、粗化めっき処理によって形成される粗化粒の粒子径が局所的に大きくなったり、小さくなってしまう場合がある。つまり、表面処理銅箔のＭ面のＲｑ及びＲｚを一定の範囲内にできなくなる。

また、Ａ面のＲｑが０．３μｍを超え、かつ、Ｒｚが極端に小さな銅箔基材は、製造することができない。例えば、Ａ面のＲｑが０．３５μｍである場合、Ｒｚが０．７μｍ未満となる銅箔基材を製造することはできない。つまり、Ｒｑが０．３μｍを超え、かつ、Ｒｚが極端に小さな銅箔基材とは、銅箔基材の表面（Ａ面）の広域の平均では凹凸が大きい（凹部の深さが深い）にもかかわらず、Ａ面中の任意の１０点の平均では凹部の深さが極端に浅い（凹凸のが小さく平滑である）銅箔基材を意味する。一般的に、このような銅箔基材を製造することは難しい。仮に、このような銅箔基材を製造できた場合であっても、品質が非常に悪いものとなり、表面処理層のＭ面のＲｑ及びＲｚを一定の範囲内にできなくなる。

１ 表面処理銅箔
２ 銅箔基材
３ 表面処理層
１１ 樹脂基材

上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様によれば、
銅箔基材と、
前記銅箔基材のいずれかの主面上に設けられ、粗化銅めっき層を有する表面処理層と、を備え、
前記表面処理層は、樹脂基材の貼り合わせ予定面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が０．０４７５μｍ以上０．３６μｍ以下であり、十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３３２５μｍ以上１．２５μｍ以下であるように形成されており、
前記銅箔基材は、前記表面処理層が設けられる面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が十点平均粗さ（Ｒｚ）よりも小さく、前記Ｒｑが０．０５μｍ以上０．３μｍ以下であり、前記Ｒｚが０．３５μｍ以上１．０μｍ以下であるように形成されており、
前記表面処理層上に、厚さが２５μｍである２層ラミ用ポリイミドフィルムからなる樹脂基材を積層して、４ＭＰａ、３００℃、３０分の貼り合わせ条件で貼り合わせた場合の前記表面処理層と前記樹脂基材との間のピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上であり、
前記表面処理層上に前記樹脂基材を積層して、前記貼り合わせ条件で貼り合わせ、塩化第二鉄を用いたスプレーエッチングにより前記銅箔基材及び前記表面処理層を除去した後の前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下である表面処理銅箔が提供される。

本発明の第２の態様によれば、前記表面処理層は、前記銅箔基材と前記粗化銅めっき層との間に下地めっき層を備え、前記下地めっき層の厚さが０．１μｍ以上０．４μｍ以下である第１の態様の表面処理銅箔が提供される。

本発明の第３の態様によれば、前記粗化銅めっき層は、厚さが０．０５μｍ以上０．２μｍ以下となるように形成されている第１又は第２の態様の表面処理銅箔が提供される。

本発明の第４の態様によれば、第１ないし第３の態様のいずれかの表面処理銅箔と、前記表面処理銅箔が有する前記表面処理層上に設けられる樹脂基材と、を備える積層板が提供される。

Claims (6)

1. 銅箔基材と、
   前記銅箔基材のいずれかの主面上に設けられる表面処理層と、を備え、
   前記表面処理層上に樹脂基材を積層して貼り合わせた場合の前記表面処理層と前記樹脂基材との間のピール強度が０．７Ｎ／ｍｍ以上であり、
   前記表面処理層上に前記樹脂基材を積層して貼り合わせ、前記銅箔基材及び前記表面処理層を除去した後の前記樹脂基材のＨＡＺＥ値が８０％以下である
   表面処理銅箔。
2. 前記表面処理層は、少なくとも粗化銅めっき層を有し、前記樹脂基材の貼り合わせ予定面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が０．０４７５μｍ以上０．３６μｍ以下であり、十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３３２５μｍ以上１．２５μｍ以下であるように形成されている
   請求項１に記載の表面処理銅箔。
3. 前記銅箔基材は、前記表面処理層が設けられる面の二乗平均粗さ（Ｒｑ）が０．０５μｍ以上０．３μｍ以下であり、十点平均粗さ（Ｒｚ）が０．３５μｍ以上１．０μｍ以下であるように形成されている
   請求項１又は２に記載の表面処理銅箔。
4. 前記表面処理層は、前記銅箔基材と前記粗化銅めっき層との間に下地めっき層を備える請求項１ないし３のいずれかに記載の表面処理銅箔。
5. 前記粗化銅めっき層は、厚さが０．０５μｍ以上０．２μｍ以下となるように形成されている
   請求項１ないし４のいずれかに記載の表面処理銅箔。
6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の表面処理銅箔と、
   前記表面処理銅箔が備える前記表面処理層上に設けられる樹脂基材と、を備える積層板。

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