JP2016141823A - 表面処理銅箔及び積層板 - Google Patents

Abstract

【課題】積層板を形成した際の表面処理銅箔と樹脂基材との密着性が維持されるとともに、表面処理銅箔の電気特性が確保される技術を提供する。
【解決手段】粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の最大径の平均値をＭとし、粗化銅めっき層が樹脂基材に対向するように表面処理銅箔を樹脂基材に貼り合わせた後、樹脂基材から表面処理銅箔を除去したとき、めっき粒子が樹脂基材に押し当てられることで形成される凹部の樹脂基材の表面と同一面における径の平均値をＢとした場合、Ｂ／Ｍが０．７以下である。
【選択図】図１

Description

本発明は、表面処理銅箔及び積層板に関する。

従来、デジタルカメラや携帯電話等の電子機器の配線板として、フレキシブル配線基板（ＦＰＣ）等が用いられている。ＦＰＣは、例えば、銅箔と、樹脂基材と、を備える積層板で形成されている。積層板には、所定箇所の銅箔がエッチング等により樹脂基材上から除去されることで、銅配線（回路パターン）が形成されている。積層板には、銅箔と樹脂基材との密着性（以下、単に「密着性」とも言う。）が高く、銅配線が樹脂基材から剥がれにくいことが要求されている。そこで、銅箔として、例えば銅箔基材のいずれかの主面上にめっき粒子を有する粗化銅めっき層を設けることで、アンカー効果を得て密着性を向上させた表面処理銅箔を用いることが提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。

特開２００４−２３８６４７号公報 特開２００６−１５５８９９号公報 特開２０１０−２１８９０５号公報

しかしながら、上述の密着性を高めるために、めっき粒子の粒子径を大きくし、表面処理銅箔の表面を粗くすると、表面処理銅箔の電気特性が低下してしまうことがある。

本発明は、上記課題を解決し、積層板を形成した際の表面処理銅箔と樹脂基材との密着性が維持されるとともに、表面処理銅箔の電気特性が確保される技術を提供することを目的とする。

本発明の一態様によれば、
銅箔基材と、
前記銅箔基材の少なくともいずれかの主面上に設けられた粗化銅めっき層と、を備える表面処理銅箔であって、
粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の最大径の平均値をＭとし、
前記粗化銅めっき層の側が樹脂基材に対向するように前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせた後、前記樹脂基材から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記めっき粒子が前記樹脂基材に押し当てられることで形成される凹部の前記樹脂基材の表面と同一面における径の平均値をＢとした場合、
Ｂ／Ｍが０．７以下である表面処理銅箔が提供される。

本発明の他の態様によれば、
銅箔基材、及び前記銅箔基材の少なくともいずれかの主面上に設けられた粗化銅めっき層、を備える表面処理銅箔と、
前記粗化銅めっき層に対向するように前記表面処理銅箔と貼り合わせられた樹脂基材と、を備え、
前記粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の最大径の平均値をＭとし、
前記粗化銅めっき層が前記樹脂基材に対向するように前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせた後、前記樹脂基材から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記めっき粒子が前記樹脂基材に押し当てられることで形成される凹部の前記樹脂基材の表面と同一面における径の平均値をＢとした場合、
Ｂ／Ｍが０．７以下である積層板が提供される。

本発明によれば、積層板を形成した際の表面処理銅箔と樹脂基材との密着性を維持できるとともに、表面処理銅箔の電気特性を確保できる。

本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔を備える積層板の概略断面図である。 本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔の縦断面概略図である。 本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔を貼り合わせた後に表面処理銅箔を除去した樹脂基材の縦断面概略図である。 本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔の粗化面のＳＥＭ像の一例である。 本発明の一実施形態にかかる表面処理銅箔を貼り合わせた後、表面処理銅箔を除去した樹脂基材の銅箔除去箇所のＳＥＭ像の一例である。 （ａ）（ｂ）はそれぞれ、本発明の一実施例にかかる表面処理銅箔の粗化面のＳＥＭ像である。 （ａ）（ｂ）はそれぞれ、本発明の一実施例にかかる表面処理銅箔を貼り合わせて除去した後の銅箔除去箇所の樹脂基材のＳＥＭ像である。 本発明の一実施例にかかる表面処理銅箔を用いた積層体に電気信号を印加した場合における電気信号の周波数と伝送損失との関係を示すグラフ図である。

（発明者等が得た知見）
まず、本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者等が得た知見について説明する。近年、パソコンやモバイル機器等の電子機器では、通信の高速化、大容量化に伴い、配線板に設けられた銅配線に流される電気信号の高周波化が進んでいる。例えば、現在規格化されているＳ−ＡＴＡIIIでは、通信速度が６Ｇｂｐｓ（基本周波数は３ＧＨｚ）にもなる。このため、パルス波をフーリエ級数で表したときの高調波として３倍程度を考慮するならば、配線板に形成された銅配線には、例えば９ＧＨｚ程度の高周波の電気信号を流すことができることが要求されている。

しかしながら、銅配線に流される電気信号が高周波になるほど、銅配線の電気特性が低下してしまうことがある。例えば銅配線に１ＧＨｚ以上の電気信号が流されると、導体損失や誘電損失が大きくなってしまうことがある。このうち、誘電損失は主に樹脂基材に起因するが、導体損失は主に銅配線を形成する表面処理銅箔に起因する。

つまり、銅配線を流れる電気信号（電流）の周波数が高くなるほど、表皮効果により、電気信号は銅配線のより表面部分を流れるようになる。具体的には、銅配線が形成される表面処理銅箔の最表面を流れる電気信号の電流密度を１としたとき、電気信号の周波数が高くなるほど、電流密度が１／ｅになる深さ（表皮深さ）が浅くなる。例えば、電気信号の周波数が１００ＭＨｚの場合、表皮深さは６．６μｍになり、電気信号の周波数が１ＧＨｚの場合、表皮深さは２．１μｍになり、電気信号の周波数が１０ＧＨｚの場合、表皮深さは０．６６μｍになる。このように、銅配線を流れる電気信号の周波数が高くなるほど、銅配線において電気信号が流れる有効断面積が減少する。従って、抵抗（表皮抵抗）が増加し、導体損失が大きくなることがある。

また、表面処理銅箔の表面が粗い箇所は、表面が平坦な箇所に比べて抵抗が高くなる。このため、積層板における表面処理銅箔と樹脂基材との密着性を向上させるために、表面処理銅箔の表面を粗くすると、表面処理銅箔において抵抗の高い箇所がより多くなることがある。従って、銅配線において電気信号が流れる有効断面積がより減少し、導体損失がより大きくなることがある。つまり、所望の密着性を維持しつつ、所望の電気特性を確保できないことがある。このような課題は、本発明者等の鋭意研究によりはじめて明らかになった新規な課題である。本発明は、この新規課題の認識に基づきなされたものである。

＜本発明の一実施形態＞
（１）表面処理銅箔及び積層板の構成
本発明の一実施形態にかかる積層板及び表面処理銅箔の構成について、主に図１〜図３を参照しながら説明する。

（積層板）
図１に示すように、本実施形態にかかる積層板（ＣＣＬ：Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）１０は、少なくともいずれかの主面上に粗化銅めっき層３が形成された表面処理銅箔１と、粗化銅めっき層３に対向するように設けられた樹脂基材１１と、を備えている。例えば、積層板１０は、粗化銅めっき層３が対向するように表面処理銅箔１を樹脂基材１１のいずれかの主面上に貼り合わせることで形成されている。樹脂基材１１として、例えばポリイミド（ＰＩ）樹脂フィルムや、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）等のポリエステルフィルムや、液晶ポリマ（ＬＣＰ）等が用いられる。

（表面処理銅箔）
上述の積層板１０に用いられる表面処理銅箔１は、銅箔基材２を備えている。銅箔基材２としては、例えば圧延銅箔や電解銅箔を用いることができる。銅箔基材２として、電解銅箔よりも耐屈曲性に優れ、繰り返して折り曲げても破断しにくい圧延銅箔が用いられることがより好ましい。

銅箔基材２は、例えば無酸素銅（ＯＦＣ：Ｏｘｙｇｅｎ−Ｆｒｅｅ Ｃｏｐｐｅｒ）やタフピッチ銅（ＴＰＣ：Ｔｏｕｇｈ−Ｐｉｔｃｈ Ｃｏｐｐｅｒ）の純銅から形成されている。無酸素銅とは、ＪＩＳ Ｃ１０２０やＪＩＳ Ｈ３１００等に規定する純度が９９．９６％以上の銅材である。無酸素銅には、例えば数ｐｐｍ程度の酸素が含有されていてもよい。タフピッチ銅とは、例えばＪＩＳ Ｃ１１００やＪＩＳ Ｈ３１００等に規定する純度が９９．９％以上の銅材である。タフピッチ銅には、例えば１００ｐｐｍ〜６００ｐｐｍ程度の酸素が含有されていてもよい。銅箔基材２は、無酸素銅やタフピッチ銅に、微量のスズ（Ｓｎ）や銀（Ａｇ）等の所定の添加材が添加された希薄銅合金から形成されていてもよい。これにより、銅箔基材２の耐熱性等を向上させることができる。

銅箔基材２のいずれかの主面上には、粗化銅めっき層３が設けられている。粗化銅めっき層３は、粗化抜けが発生していない状態にあることが好ましい。例えば、粗化銅めっき層３を上面から見た際、銅箔基材２が露出しないように、粗化銅めっき層３が形成されていることが好ましい。

粗化銅めっき層３は、複数層で形成されていることが好ましい。例えば、粗化銅めっき層３は、第１の粗化銅めっき層３ｆと第２の粗化銅めっき層３ｓとを有していることが好ましい。

図２に示すように、粗化銅めっき層３には、複数のめっき粒子（粗化粒）３ａが含まれている。めっき粒子３ａは、例えば銅（Ｃｕ）（つまりＣｕ単体）で形成されている。つまり、めっき粒子３ａは例えばＣｕからなるめっき液を用いて形成されている。なお、めっき粒子３ａは、例えば、Ｃｕと、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）等の金属元素と、を含むめっき液を用いて形成されていてもよい。

めっき粒子３ａの平均最大粒子径Ｍは、例えば０．８μｍ以上１．５μｍ以下であることが好ましい。例えば図２では、最大径Ｍ_１，Ｍ_２，Ｍ_３であるめっき粒子３ａが形成された様子を示している。この場合、めっき粒子３ａの平均最大粒子径Ｍは、それぞれのめっき粒子３ａの最大径Ｍ_１，Ｍ_２，Ｍ_３の平均値となる。

平均最大粒子径Ｍが０．８μｍ未満であると、めっき粒子３ａの粒子径が小さくなるため、積層板１０において樹脂基材１１に接触する表面処理銅箔１の表面積（以下、「接触表面積」とも言う。）が小さくなり、所望の密着性を維持できないことがある。例えば、表面処理銅箔１を樹脂基材１１に貼り合わせた後に表面処理銅箔１を樹脂基材１１から引き剥がす際のピール強度（以下、「ピール強度」とも言う。）を０．６Ｎ／ｍｍ以上にできないことがある。また、後述のＢ／Ｍが０．７以下にならないことがある。

平均最大粒子径Ｍを０．８μｍ以上にすることで、積層板１０において樹脂基材１１に接触する表面処理銅箔１の表面積を充分に大きくできる。つまり、積層板１０において、所望の接触表面積を確保できる。その結果、所望の密着性を維持しつつ、所望の電気特性を確保できる。

平均最大粒子径Ｍが１．５μｍを超えると、めっき粒子３ａの大きさが大きくなるため、積層板１０において樹脂基材１１に接触する表面処理銅箔１の表面積をより大きくできる。その結果、所望の密着性を維持することができる。しかしながら、所望の電気特性を確保することができないことがある。平均最大粒子径Ｍの値を１．５μｍ以下にすることで、所望の密着性を維持しつつ、所望の電気特性を確保することができる。例えば、Ｂ／Ｍを０．７以下にすることで、ピール強度を０．６Ｎ／ｍｍ以上に維持しつつ、２０ＧＨｚでの伝送損失を８ｄＢ／１００ｍｍ未満にすることができる。

図３に示すように、粗化銅めっき層３が樹脂基材１１に対向するように表面処理銅箔１を樹脂基材１１に貼り合わせた後、樹脂基材１１から表面処理銅箔１を除去したとき、めっき粒子３ａが樹脂基材１１に押し当てられることで、樹脂基材１１には複数の凹部１１ａが形成される。つまり、めっき粒子３ａの形状が樹脂基材１１に転写されることで、複数の凹部１１ａが樹脂基材１１に形成される。

例えば図３では、底面径がＢ_１，Ｂ_２，Ｂ_３である凹部１１ａが形成された様子を示している。なお、底面径とは、凹部１１ａの樹脂基材１１の表面と同一面における径を言う。凹部１１ａの底面径Ｂ_１，Ｂ_２，Ｂ_３は、例えばめっき粒子３ａの底面径に相当する。この場合、凹部１１ａの平均底面径Ｂは、それぞれの凹部１１ａの底面径Ｂ_１，Ｂ_２，Ｂ_３の平均値となる。

表面処理銅箔１は、平均最大粒子径Ｍ及び平均底面径Ｂを用いて算出したＢ／Ｍが例えば０．７以下になるように形成されていることが好ましい。例えば、粗化銅めっき層３を設けることで表面粗さが粗くなった表面処理銅箔１の面（粗化面）におけるＢ／Ｍが０．７以下であることが好ましい。

Ｂ／Ｍの値が小さくなるほど、めっき粒子３ａの最大径が底面の径に対して大きくなる。従って、例えば粒子径が同一であるめっき粒子３ａでは、Ｂ／Ｍの値が小さくなるほど（つまり凹部１１ａの底面径が小さくなるほど）、積層板１０において樹脂基材１１に接触する表面処理銅箔１の表面積が大きくなる。また、例えば樹脂基材１１に接触する表面処理銅箔１の表面積が同一であるめっき粒子３ａでは、Ｂ／Ｍの値が小さくなるほど、めっき粒子３ａの粒子径が小さくなる。なお、Ｂ／Ｍの最大値は１．０である。

Ｂ／Ｍが０．７を超えると、めっき粒子３ａの最大径と底面の径とがほぼ同程度になる。その結果、めっき粒子３ａの粒子径（例えば平均最大粒子径Ｍ）を小さくすると、積層板１０において所定の接触表面積を確保できないことがある。従って、所望の電気特性を確保することはできるが、所望の密着性を維持できないことがある。例えば、２０ＧＨｚでの伝送損失を８ｄＢ／１００ｍｍ未満にできるが、ピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ未満になることがある。

Ｂ／Ｍを０．７以下にすることで、めっき粒子３ａの粒子径を小さくしても、積層板１０において所定の接触表面積を確保できる。その結果、所望の密着性を維持しつつ、所望の電気特性を確保することができる。例えば、ピール強度を０．６Ｎ／ｍｍ以上に維持しつつ、２０ＧＨｚでの伝送損失を８ｄＢ／１００ｍｍ未満にすることができる。

しかしながら、Ｂ／Ｍが０．６未満であると、めっき粒子３ａが銅箔基材２上から脱落しやすくなる。従って、Ｂ／Ｍは０．６以上であることが好ましい。これにより、めっき粒子３ａが銅箔基材２上から脱落し、粗化抜けが発生することを抑制できる。また、めっき粒子３ａの銅箔基材２からの脱落を抑制することで、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせる際に、脱落しためっき粒子３ａが搬送ロール等に付着することを抑制することができる。これにより、めっき粒子３ａが付着した搬送ロール間を表面処理銅箔１が通過することで、に回路をパターニングする際に、断線などの原因になることがある凹み（デンツ（ｄｅｎｔ））が、表面処理銅箔１に形成されることを抑制することができる。その結果、積層板１０を用いて形成されるＦＰＣ等の製品の信頼性を向上させることができる。

ここで、平均最大粒子径Ｍの算出方法について説明する。例えば、ＳＥＭ法により、２００個以上１０００個未満のめっき粒子３ａが観察できる倍率で、粗化銅めっき層３の主面に対して法線方向における上方から粗化銅めっき層３（例えば第２の粗化銅めっき層３ｓ）の上面（主面）を観察（撮影）する。これにより、例えば図４に示すような表面処理銅箔１の粗化面（例えば第２の粗化銅めっき層３ｓの上面）のＳＥＭ像を得る。なお、２００個未満のめっき粒子３ａが観察できる倍率で観察すると、粗化銅めっき層３の観察位置によって平均最大粒子径Ｍの値が大きく異なってしまうことがある。また、１０００個以上のめっき粒子３ａが観察できる倍率で観察すると、観察するめっき粒子３ａのそれぞれの大きさが小さいため、計測誤差の原因になることがある。

そして、得られたＳＥＭ像中で観察されるめっき粒子３ａのうち、密着性及び電気特性により大きな影響を及ぼす最大径の大きなめっき粒子３ａを抽出する。例えば、最大径の大きい方から順に２０個のめっき粒子３ａを抽出する。なお、粗化銅めっき層３の上方から撮影したＳＥＭ像では、通常、ＳＥＭ像に写る各めっき粒子３ａのそれぞれの長径が最大径に一致する。そして、抽出しためっき粒子３ａの最大径の平均値を算出し、この平均値を平均最大粒子径Ｍとする。

次に、平均底面径Ｂの算出方法について説明する。例えば、ＳＥＭ法により、２００個以上１０００個未満の凹部１１ａが観察できる倍率で、銅箔除去後の樹脂基材１１の主面に対して法線方向における上方から、銅箔除去後の樹脂基材１１における銅箔除去箇所を観察する。この際、例えば上述の平均最大粒子径Ｍを算出する際に粗化銅めっき層３を観察したときと同じ倍率で観察することがより好ましい。これにより、例えば図５に示すような銅箔除去箇所の樹脂基材１１のＳＥＭ像を得る。

そして、得られたＳＥＭ像中で観察される凹部１１ａのうち、密着性及び電気特性により大きな影響を及ぼす底面径の大きな凹部１１ａを抽出する。例えば、底面径の大きい方から順に２０個の凹部１１ａを抽出する。そして、抽出した凹部１１ａの底面径の平均値を算出し、この平均値を平均底面径Ｂとする。

また、めっき粒子３ａが銅箔基材２から脱落することを抑制するため、粗化銅めっき層３の少なくとも上面を覆うめっき粒子脱落抑制層４が設けられていることが好ましい。

粗化銅めっき層３が複数層で構成されている場合、めっき粒子脱落抑制層４は、各粗化銅めっき層３の上面に設けられていることが好ましい。例えば、粗化銅めっき層３は、第１の粗化銅めっき層３ｆと第２の粗化銅めっき層３ｓとを有している場合、第１の粗化銅めっき層３ｆの上面には、第１のめっき粒子脱落抑制層４ｆが設けられ、第２の粗化銅めっき層３ｓの上面には、第２のめっき粒子脱落抑制層４ｓが設けられていることが好ましい。

めっき粒子脱落抑制層４は、例えば銅めっき層で形成されていることが好ましい。なお、めっき粒子脱落抑制層４の厚さは薄いため、上述の平均最大粒子径Ｍや平均底面径Ｂの算出において、めっき粒子脱落抑制層４の厚さは無視できる。

例えば、めっき粒子脱落抑制層４の厚さは０．０１μｍ以上０．３μｍ以下であることが好ましい。なお、めっき粒子脱落抑制層４の厚さは、粗化銅めっき層３の上面、つまりめっき粒子３ａの上面に均一に形成されると仮定して、めっきの電気量から計算した値である。

めっき粒子脱落抑制層４の厚さが０．０１μｍ未満であると、めっき粒子脱落抑制層４の厚さが薄いため、めっき粒子３ａの脱落を抑制できないことがある。めっき粒子脱落抑制層４の厚さを０．０１μｍ以上にすることで、めっき粒子３ａの脱落を抑制することができる。

しかしながら、めっき粒子脱落抑制層４の厚さが０．３μｍを超えると、めっき粒子３ａが大きくなることがある。例えば、粗化銅めっき層３の上面に位置するめっき粒子３ａの粒子径が大きくなることがある。これにより、表面処理銅箔１の粗化面の表面粗さが大きくなり、高周波伝送損失の増大の懸念が大きくなることがある。めっき粒子脱落抑制層４の厚さを０．３μｍ以下にすることで、表面処理銅箔１の粗化面の表面粗さを所望の密着性を維持できるように大きくすることができる。従って、所望の密着性を維持しつつ、所望の電気特性を確保できる。例えばピール強度を０．６Ｎ／ｍｍ以上に維持しつつ、２０ＧＨｚでの伝送損失を８ｄＢ／１００ｍｍ未満にできる。

（２）表面処理銅箔及び積層板の製造方法
次に、本実施形態にかかる表面処理銅箔１及び積層板１０の製造方法について説明する。

［表面処理銅箔形成工程］
まず、本実施形態にかかる表面処理銅箔１を形成する。

（銅箔基材形成工程）
銅箔基材２として、例えば圧延銅箔や電解銅箔を形成する。例えば、銅箔基材２としての圧延銅箔を形成する場合、まず、無酸素銅やタフピッチ銅からなる純銅の鋳塊や、無酸素銅やタフピッチ銅を母相とし、母相中に所定量のＳｎやＡｇ等の添加剤を添加した希薄銅合金の鋳塊を鋳造する。そして、鋳造した鋳塊に対し、所定の熱間圧延処理、所定の冷間圧延処理、所定の焼鈍処理等を行い、所定厚さ（例えば５μｍ以上３５μｍ以下）の圧延銅箔を形成する。

（粗化銅めっき層形成工程）
銅箔基材形成工程が終了したら、例えばロール・ツー・ロール（ｒｏｌｌ ｔｏ ｒｏｌｌ）形式の連続めっき処理により、銅箔基材２の少なくともいずれかの主面上に所定厚さ（例えば０．２μｍ以上１．１μｍ以下）の粗化銅めっき層３を形成する。

めっき処理として、例えば粗化銅めっき層３を形成するめっき液（粗化銅めっき液）中で、めっき条件における限界電流密度以上の電流密度（いわゆる「やけめっき」になるような電流密度）で電気めっき処理（粗化処理）を行うとよい。粗化銅めっき液として、例えば硫酸銅および硫酸を主成分とする酸性銅めっき浴を用いることができる。また、粗化銅めっき液中に、所定量（例えば５０ｇ／Ｌ）の硫酸鉄七水和物を添加してもよい。

粗化銅めっき層３を形成する際のめっき条件を調整することで、表面処理銅箔１のＢ／Ｍを調整できる。具体的には、粗化処理のめっき時間や電流密度を調整することで、表面処理銅箔１のＢ／Ｍを調整できる。

なお、粗化銅めっき層形成工程では、陽極としてＣｕ板を用い、粗化処理を施す対象である銅箔基材２自体を陰極とすることが好ましい。

（めっき粒子脱落抑制層形成工程）
粗化銅めっき層形成工程が終了した後、所定厚さ（例えば０．０１μｍ以上０．３μｍ以下）のめっき粒子脱落抑制層４を粗化銅めっき層３上に形成する。例えば、Ｃｕを主成分とするめっき浴中で電気めっき処理を行うことで、粗化銅めっき層３の少なくとも上面を覆うめっき粒子脱落抑制層４としての銅めっき層を形成する。

（繰り返し工程）
上述の粗化銅めっき層形成工程と、めっき粒子脱落抑制層形成工程と、を交互に複数回ずつ行うことが好ましい。例えば、粗化銅めっき層形成工程と、めっき粒子脱落抑制層形成工程と、をそれぞれ２回ずつ交互に行うことが好ましい。

例えば、粗化銅めっき層形成工程と、めっき粒子脱落抑制層形成工程と、を２回ずつ行う場合、１回目の粗化銅めっき層形成工程では、めっき処理の電流密度を例えば２５Ａ／ｄｍ^２以上４１Ａ／ｄｍ^２以下にし、めっき時間を例えば２．５秒以上３．５秒以下にすることが好ましい。また、１回目のめっき粒子脱落抑制層形成工程では、めっき処理の電流密度を例えば１Ａ／ｄｍ^２以上２５Ａ／ｄｍ^２以下にし、めっき時間を例えば２．５秒以上８．０秒以下にすることが好ましい。また、２回目の粗化銅めっき層形成工程では、めっき処理の電流密度を例えば２５Ａ／ｄｍ^２以上４１Ａ／ｄｍ^２以下にし、めっき時間を例えば２．５秒以上３．５秒以下にすることが好ましい。また、２回目のめっき粒子脱落抑制層形成工程では、めっき処理の電流密度を例えば１Ａ／ｄｍ^２以上２５Ａ／ｄｍ^２以下にし、めっき時間を例えば２．５秒以上８．０秒以下にすることが好ましい。これにより、Ｂ／Ｍが０．７以下である表面処理銅箔１が形成される。

（検査工程）
繰り返し工程が終了し、銅箔基材２と、粗化銅めっき層３と、めっき粒子脱落抑制層４と、を備える表面処理銅箔１を形成したら、例えばＳＥＭ法により粗化銅めっき層３に含まれるめっき粒子３ａの平均最大粒子径Ｍを算出する。また、表面処理銅箔１の粗化銅めっき層３が設けられた側の面が樹脂基材１１に対向するように、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせた後、樹脂基材１１から表面処理銅箔１を除去し、凹部１１ａの平均底面径Ｂを算出する。そして、表面処理銅箔１のＢ／Ｍを算出し、Ｂ／Ｍが例えば０．７以下であるか否かを検査する。

［積層板形成工程］
上述の検査工程で算出した表面処理銅箔１のＢ／Ｍが例えば０．７以下であった場合、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせて積層板１０を形成する。具体的には、粗化銅めっき層３が樹脂基材１１に対向するように表面処理銅箔１を樹脂基材１１上に配置し、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせる。表面処理銅箔１と樹脂基材１１との貼り合わせは、例えば、真空プレス機を用い、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを所定温度（例えば１５０℃以上３５０℃以下）に加熱しつつ、表面処理銅箔１と樹脂基材１１とに所定圧力（例えば２０ＭＰａ以下）を所定時間（例えば１分以上１２０分以下）加えて行うことができる。

（３）本実施形態にかかる効果
本実施形態によれば、以下に示す１つまたは複数の効果を奏する。

（ａ）平均底面径Ｂ／平均最大粒子径Ｍで算出される値を所定値以下にすることで、めっき粒子３ａの粒子径を小さくしても（つまり、めっき粒子３ａの粒子径を大きくすることなく）、積層板１０において表面処理銅箔１が樹脂基材１１と接触する表面積を所定値以上にできる。その結果、所望の密着性を維持することができる。また、めっき粒子３ａの粒子径を小さくすることで、表面処理銅箔１の所望の電気特性を確保することができる。つまり、所望の密着性を維持しつつ、所望の電気特性を確保することができる。

（ｂ）具体的には、Ｂ／Ｍを０．７以下にすることで、例えば、ピール強度を０．６Ｎ／ｍｍ以上に維持しつつ、２０ＧＨｚでの伝送損失を８ｄＢ／１００ｍｍ未満にできる。

ピール強度を０．６Ｎ／ｍｍ以上にすることで、例えば表面処理銅箔１を用いた積層板１０で形成したＦＰＣにおいて、表面処理銅箔１の所定箇所をエッチング等により除去することで形成した銅配線が、樹脂基材１１から剥がれることを抑制できる。従って、ＦＰＣの信頼性の低下を抑制できる。また、高い密着性を有することで、より微細な銅配線を形成できる。その結果、ＦＰＣへの電子部品の実装密度を高くすることができる。従って、ＦＰＣを用いた電子機器等をより小型にすることができる。

また、２０ＧＨｚでの伝送損失を８ｄＢ／１００ｍｍ未満にすることで、表面処理銅箔１に高周波領域の電気信号が流された場合であっても、電気信号の伝送損失を低減できる。これにより、例えば表面処理銅箔１を用いた積層板１０で形成したＦＰＣを、大容量であって高速通信ができることが要求される電子機器（例えばパソコンやモバイル機器）の配線板に好適に用いることができる。特に、本実施形態にかかる表面処理銅箔１は、Ｓ−ＡＴＡIIIの規格に適応する配線板に用いる場合に有効である。

（ｃ）平均最大粒子径Ｍを０．８μｍ以上１．５μｍ以下にすることで、Ｂ／Ｍを０．７以下により確実にすることができるとともに、所望の密着性を維持しつつ、所望の電気特性をより確実に得ることができる。従って、上記（ａ）（ｂ）の効果をより得ることができる。

（ｄ）粗化銅めっき層３上にめっき粒子脱落抑制層４を設けることで、粗化銅めっき層３に含まれるめっき粒子３ａが銅箔基材２から脱落することを抑制できる。特に、めっき粒子３ａの粒子径が大きい場合（例えば平均最大粒子径Ｍが０．６μｍ以上である場合）に有効である。

（ｅ）粗化銅めっき層３を形成するめっき処理を複数回行う（つまり粗化銅めっき層形成工程を複数回行う）ことで、Ｂ／Ｍを０．７以下により確実にすることができる。従って、上記（ａ）（ｂ）の効果をより確実に得ることができる。

（ｆ）本実施形態にかかる表面処理銅箔１を用いて形成した積層板１０は、大容量であって高速通信ができることが要求される電子部品（例えばパソコンやモバイル機器）の配線板（ＦＰＣ）に用いられる場合に有効である。特に、樹脂基材１１と表面処理銅箔１（銅配線）との密着性が高く、また電気特性が高い（高周波領域の電気信号を流した場合であっても伝送損失が少ない）ため、Ｓ−ＡＴＡIIIの規格に適応する配線板に用いる場合に有効である。

（本発明の他の実施形態）
以上、本発明の一実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。

上述の実施形態では、表面処理銅箔１が、銅箔基材２と、粗化銅めっき層３と、を備える場合について説明したが、これに限定されない。例えば、表面処理銅箔１の耐薬品性や耐熱性等を向上させるため、粗化銅めっき層３（めっき粒子脱落抑制層４が設けられている場合は、めっき粒子脱落抑制層４）の上面には、防錆層が設けられていてもよい。また、防錆層は、粗化銅めっき層３が設けられた側とは反対側の銅箔基材２の主面上にも設けられているとより好ましい。防錆層の厚さは例えば１ｎｍ以上４０ｎｍ以下であることが好ましい。

防錆層として、例えば、銅箔基材２の側から順に、厚さが１ｎｍ以上２０ｎｍ以下である亜鉛（Ｚｎ）めっき層と、厚さが１ｎｍ以上２０ｎｍ以下であるクロメート処理層（３価のクロム化成処理層）と、厚さが非常に薄い（極薄の）シランカップリング層と、が設けられていることが好ましい。

防錆層の厚さは非常に薄いため、平均最大粒子径Ｍや平均底面径Ｂを算出する際に、防錆層の厚さは無視できる。つまり、防錆層の上からＳＥＭ法により粗化銅めっき層３を観察し、平均最大粒子径Ｍを算出することができる。また、平均底面径Ｂを算出する際、粗化銅めっき層３上に設けられた防錆層が樹脂基材１１に対向するように表面処理銅箔１を樹脂基材１１に貼り合わせた後、樹脂基材１１から表面処理銅箔１を除去した樹脂基材１１を用いて、平均底面径Ｂを算出することができる。

上述の実施形態では、めっき粒子脱落抑制層４が設けられている場合について説明したが、これに限定されない。つまり、めっき粒子脱落抑制層４は設けられていなくてもよい。

上述の実施形態では、粗化銅めっき層形成工程と、めっき粒子脱落抑制層形成工程と、を複数回（例えば２回）ずつ交互に行う場合について説明したが、これに限定されない。例えば、粗化銅めっき層形成工程を複数回（例えば２回）連続して行った後、めっき粒子脱落抑制層形成工程を１回行ってもよい。これにより、Ｂ／Ｍを０．７以下にすることができる。

また、例えば、銅箔基材２と粗化銅めっき層３との間には、粗化銅めっき層３の下地層として機能する下地めっき層が設けられていてもよい。下地めっき層は、例えば銅めっき層で形成されていることが好ましい。これにより、銅箔基材２として例えば圧延銅箔が用いられる場合、圧延銅箔の表面に形成された圧延ロールの跡やオイルピット等の凹凸を埋めることができ、より平坦な面上に粗化銅めっき層３を形成することができる。その結果、めっき粒子３ａの粗化抜けの発生をより抑制できる。

上述の実施形態では、銅箔基材２として圧延銅箔を用いる場合を例に説明したが、これに限定されない。銅箔基材２として例えば電解銅箔を用いてもよい。この場合であっても、粗化銅めっき層３を形成するめっき処理の時間を圧延銅箔を用いた場合の例えば２０倍程度にすることで、銅箔基材２（電解銅箔）上に粗化銅めっき層３を形成することができる。

上述の実施形態では、樹脂基材１１のいずれかの主面上に表面処理銅箔１が設けられている場合について説明したが、これに限定されない。つまり、樹脂基材１１の両主面上にそれぞれ表面処理銅箔１が設けられていてもよい。この場合、樹脂基材１１を挟んで表面処理銅箔１がそれぞれ対向するように、表面処理銅箔１が設けられていることが好ましい。

上述の実施形態では、表面処理銅箔１と樹脂基材１１との貼り合わせを、真空プレス機を用いて行ったが、これに限定されない。例えば、接着剤を用いて表面処理銅箔１と樹脂基材１１とを貼り合わせて積層板１０を形成してもよい。

また、例えば、粗化銅めっき層形成工程やめっき粒子脱落抑制層形成工程の前に、必要に応じて銅箔基材２や粗化銅めっき層３の表面を清浄する清浄処理を行ってもよい。清浄処理として、例えば電解脱脂処理と酸洗処理とを行うとよい。

上述の実施形態では、表面処理銅箔１を用いて構成された積層板１０からＦＰＣが形成される場合について説明したが、これに限定されない。本実施形態にかかる表面処理銅箔１は、プラズマディスプレイ用電磁波シールド、ＩＣカードのアンテナ等にも用いることができる。

次に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

＜試料の作製＞
（試料１）
まず、銅箔基材として、無酸素銅（ＯＦＣ）で形成され、厚さが１２μｍであり、表面粗さ（Ｒｚ）が０．５μｍである圧延銅箔（無酸素銅箔）を準備した。

この銅箔基材に電解脱脂処理と酸洗処理とを行い、銅箔基材の表面を清浄した。具体的には、まず、水酸化ナトリウムを３０ｇ／Ｌと、炭酸ナトリウムを４０ｇ／Ｌと、を含む水溶液を用いて電解脱脂処理を行った。このとき、液温を４０℃にし、電流密度を１５Ａ／ｄｍ^２にし、処理時間（めっき時間）を１５秒間にした。電解脱脂処理が終了した後、銅箔基材を水洗した。その後、硫酸を１５０ｇ／Ｌ含み、液温が２５℃である水溶液中に、銅箔基材を１０秒間浸漬して酸洗処理を行った。酸洗処理が終了した後、銅箔基材を水洗した。

次に、銅箔基材のいずれかの主面上に、粗化銅めっき層の下地層として機能し、厚さが０．６μｍである銅めっき層（下地めっき層）を形成した。具体的には、まず、銅めっき液として、硫酸銅五水和物を１００ｇ／Ｌと、硫酸を６０ｇ／Ｌと、を含む水溶液を作製した。また、この銅めっき液中に、添加剤として、有機硫黄化合物（ＳＰＳ）（粉末試薬）、ポリプロピレングリコール（液体試薬）、ジアリルジアルキルアンモニウムアルキルサルフェイト、塩酸を、それぞれ、４０ｍｇ／Ｌ、４ｍｌ／Ｌ、０．３ｇ／Ｌ、０．１５ｍｌ／Ｌになるように配合し、下地めっき層を形成するめっき液（下地銅めっき液）を作製した。そして、下地銅めっき液の液温を３５℃にし、電流密度を６Ａ／ｄｍ^２にし、めっき時間を６．０秒間にして、銅箔基材のいずれかの主面に対して電気めっき処理を行い、所定厚さの下地めっき層を形成した。

下地めっき層を形成した後に銅箔基材を水洗した。その後、粗化銅めっき層を形成するめっき処理（粗化処理）と、めっき粒子脱落抑制層を形成するめっき処理と、をそれぞれ２回ずつ交互に繰り返し、粗化銅めっき層と、めっき粒子脱落抑制層と、を形成した。

具体的には、まず、硫酸銅五水和物を５０ｇ／Ｌと、硫酸を８０ｇ／Ｌと、硫酸鉄七水和物を５０ｇ／Ｌと、を含む水溶液である粗化銅めっき液を用い、電気めっき処理により１回目の粗化処理を行った。このとき、粗化銅めっき液の液温を３０℃にし、電流密度を３３Ａ／ｄｍ^２にし、めっき時間を３．０秒間にした。これにより、下地めっき層上に、厚さが０．４μｍである第１の粗化銅めっき層を形成した。なお、第１の粗化銅めっき層の厚さは、第１の粗化銅めっき層を均一な厚さに均したと仮定した場合の厚さである。

第１の粗化銅めっき層を形成した後に銅箔基材を水洗した。その後、硫酸銅五水和物を１００ｇ／Ｌと、硫酸を６０ｇ／Ｌと、を含む銅めっき液を用い、電気めっき処理により、１回目のめっき粒子脱落抑制層を形成するめっき処理を行った。このとき、銅めっき液の液温を３５℃にし、電流密度を２Ａ／ｄｍ^２にし、めっき時間を６．０秒間にした。これにより、第１の粗化銅めっき層上に第１のめっき粒子脱落抑制層を形成した。

第１のめっき粒子脱落抑制層を形成した後に銅箔基材を水洗した。その後、１回目の粗化処理と同一の粗化銅めっき液を用い、電気めっき処理により２回目の粗化処理を行った。このとき、粗化銅めっき液の液温を３０℃にし、電流密度を２６Ａ／ｄｍ^２にし、めっき時間を３．０秒間にした。これにより、第１のめっき粒子脱落抑制層上に、厚さが０．３μｍである第２の粗化銅めっき層を形成した。なお、第２の粗化銅めっき層の厚さは、第２の粗化銅めっき層を均一な厚さに均したと仮定した場合の厚さである。

第２の粗化銅めっき層を形成した後に銅箔基材を水洗した。その後、１回目のめっき粒子脱落抑制層を形成するめっき処理と同一の銅めっき液を用い、電気めっき処理により、２回目のめっき粒子脱落抑制層を形成するめっき処理を行った。このとき、銅めっき液の液温を３５℃にし、電流密度を１１Ａ／ｄｍ^２にし、めっき時間を３．０秒間にした。これにより、第２の粗化銅めっき層上に、第２のめっき粒子脱落抑制層を形成した。

そして、第２のめっき粒子脱落抑制層上に防錆層を形成した。具体的には、防錆層として、銅箔基材の側から順に、厚さが７ｎｍであるＺｎめっき層と、厚さが４ｎｍであるクロメート皮膜と、極薄い厚さのシランカップリング処理層と、を形成した。

まず、第２のめっき粒子脱落抑制層を形成した後、銅箔基材を水洗した。そして、硫酸亜鉛七水和物を９０ｇ／Ｌと、硫酸ナトリウムを７０ｇ／Ｌと、を含む水溶液（Ｚｎめっき液）を用い、Ｚｎめっき層を形成した。このとき、Ｚｎめっき液の液温を３０℃にし、電流密度を１．８Ａ／ｄｍ^２にし、めっき時間を４秒間にした。Ｚｎめっき層を形成した後、銅箔基材を水洗した。続いて、３価クロム化成処理を行い、クロメート皮膜を形成した。クロメート皮膜を形成した後、銅箔基材を水洗した。そして、３−アミノプロピルトリメトキシシランの濃度が５％であり、液温が２５℃であるシランカップリング液中に、クロメート皮膜を形成した銅箔基材を５秒間浸漬した後、直ちに２００℃の温度で乾燥することで、シランカップリング処理層を形成した。

また、銅箔基材の粗化銅めっき層が設けられた側とは反対側の主面に、防錆層（裏面防錆層）として、銅箔基材の側から順に、ニッケル（Ｎｉ）めっき層と、Ｚｎめっき層と、クロメート処理層と、を形成した。なお、Ｚｎめっき層、クロメート処理層の形成方法は、粗化銅めっき層上に設けた防錆層としてのＺｎめっき層、クロメート処理層と同様である。Ｎｉめっき層は、硫酸ニッケル六水和物を３００ｇ／Ｌと、塩化ニッケルを４５ｇ／Ｌと、硼酸を４０ｇ／Ｌと、を含む水溶液（Ｎｉめっき液）を用い、Ｎｉめっき液の液温を５０℃にし、電流密度を３．６Ａ／ｄｍ^２にし、めっき時間を２．９秒間にして形成した。これにより、表面処理銅箔を作製し、これを試料１とした。

（試料２〜８）
試料２〜８ではそれぞれ、下地めっき層を形成する際のめっき時間及び電流密度と、第１及び第２の粗化銅めっき層を形成する際のめっき時間及び電流密度と、第１及び第２のめっき粒子脱落抑制層を形成する際のめっき時間及び電流密度と、をそれぞれ下記の表１に示す通りに変更した。なお、試料７〜８では、第１の粗化銅めっき層及び第１のめっき粒子脱落抑制層を形成する際の電流密度を０Ａ／ｄｍ^２にした。これは、１回目の粗化処理及びめっき粒子脱落抑制層を形成するめっき処理を行っておらず、第１の粗化銅めっき層及び第１のめっき粒子脱落抑制層を形成していないことを意味している。この他は、試料１と同様にして表面処理銅箔を作製した。これらをそれぞれ、試料２〜８とする。

＜積層板の作製＞
試料１〜８の各表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせて、積層板として両面ＦＣＣＬ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｃｏｐｐｅｒ Ｃｌａｄ Ｌａｍｉｎａｔｅ）をそれぞれ作製した。

具体的には、試料１〜８の各表面処理銅箔をそれぞれ所定の大きさ（縦２８０ｍｍ×横２８０ｍｍ）に裁断して切り出した。そして、裁断した各試料の表面処理銅箔（つまり、樹脂基材に貼り合わせる前の各試料）についてそれぞれ、めっき粒子の平均最大粒子径Ｍの測定を行った。具体的には、ＳＥＭ法により、観察倍率を１万倍にし、粗化銅めっき層の主面に対して法線方向における上方から粗化銅めっき層の上面を観察してＳＥＭ像を得た。例えば、図６（ａ）に試料３の表面処理銅箔の粗化銅めっき層を観察したＳＥＭ像の一例を示し、図６（ｂ）に試料８の表面処理銅箔の粗化銅めっき層を観察したＳＥＭ像の一例を示す。そして、ＳＥＭ像中で観察されるめっき粒子のうち、最大径の大きい方から順に２０個のめっき粒子を抽出した。そして、抽出しためっき粒子の最大径の平均値を算出し、この平均値を平均最大粒子径Ｍとした。算出結果を上記の表１に示す。

続いて、試料１〜８の各試料から切り出した表面処理銅箔を用いて、積層板としての両面ＦＣＣＬをそれぞれ作製した。具体的には、同一の試料から切り出した２つの表面処理銅箔を樹脂基材を挟んでそれぞれ対向させるとともに、２つの表面処理銅箔の粗化銅めっき層がそれぞれ樹脂基材に対向するように、樹脂基材の両面上に表面処理銅箔を配置し、表面処理銅箔と樹脂基材との積層体を形成した。そして、真空プレス機を用い、２６０℃の条件下で１５分間、積層体を加熱した後、３００℃の条件下で、プレス圧を４ＭＰａにして１０分間、積層体に圧力をかけて、表面処理銅箔と樹脂基材とを貼り合わせて、両面ＣＣＬを作製した。なお、樹脂基材として、厚さが５０μｍであるＬＣＰフィルム（株式会社クラレ製のベクスタ−ＣＴ−Ｚ（登録商標））を用いた。

＜平均底面径Ｂ／平均最大粒子径Ｍの算出＞
まず、試料１〜８の各試料からそれぞれ切り出した表面処理銅箔を用いて形成した積層板に対して、５０℃の条件下で塩化第二鉄を用いたエッチングを行い、積層板から表面処理銅箔を全て除去した。つまり、樹脂基材の両面（両主面）の全面を露出させた状態にした。そして、ＳＥＭ法により、観察倍率を１万倍にし、樹脂基材の主面に対して法線方向における上方から樹脂基材の上面を観察してＳＥＭ像を得た。例えば、図７（ａ）に試料３の表面処理銅箔を貼り合わせて除去した後の樹脂基材の銅箔除去箇所のＳＥＭ像の一例を示し、図７（ｂ）に試料８の表面処理銅箔を貼り合わせて除去した後の樹脂基材の銅箔除去箇所のＳＥＭ像の一例を示す。そして、得られたＳＥＭ像中で観察される凹部（粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の形状が転写されることで形成される凹部）のうち、樹脂基材の主面（測定面）と同一面における径（凹部の底面径）の大きい方から順に２０個の凹部を抽出した。そして、抽出した凹部の底面径の平均値を算出し、この平均値を平均底面径Ｂとした。算出結果を、上記の表１に示す。

そして、算出した平均最大粒子径Ｍと、平均底面径Ｂと、を用い、各試料についてそれぞれＢ／Ｍを算出した。算出結果をそれぞれ、上記の表１に示す。

＜電気特性の評価＞
試料１〜８の各表面処理銅箔を用いて形成した積層体についてそれぞれ、表面処理銅箔の電気特性の評価として電気信号の伝送損失の測定を行った。

具体的には、まず、試料１〜８の各表面処理銅箔を用いて形成した各積層板のそれぞれに、所定形状（所定の大きさ）の貫通孔を設ける。そして、スルーホールめっきを行い、銅箔基材の両主面上に設けられた表面処理銅箔を接続する。そしてエッチングにより、積層板のいずれかの主面上の表面処理銅箔の所定箇所を除去し、回路長が１００ｍｍであり、線幅が９５μｍであるマイクロストリップラインの銅配線（回路、パターン）を形成した。この際、マイクロストリップラインの線幅は、特性インピーダンスが５０±５Ωになるように決定した。そして、積層体における接地面（銅配線を形成した面とは反対側の面）の全面には、表面保護層としてのポリイミドのカバーレイフィルムを設けた。また、積層体における回路面（銅配線を形成した面）には、端子部分を除いて、表面保護層としてのポリイミドのカバーレイフィルムを設けた。なお、端子部分には、無電解Ｎｉめっき処理を行い、厚さが２．５μｍであるＮｉめっき層を設けた後、金（Ａｕ）フラッシュめっき処理を行い、厚さが０．１μｍ以下であるＡｕめっき層を設けた。

そして、アジレント・テクノロジー株式会社製のネットワークアナライザ（型番：Ｎ５２３０Ａ）を用い、各積層体の電気信号の伝送損失を測定した。具体的には、ネットワークアナライザから各積層体の銅配線（回路）に所定の周波数の電気信号を印加し、プローブの接点での出力信号を測定した。そして、測定した出力信号から、所定の周波数の電気信号の伝送損失を算出した。なお、ネットワークアナライザには、予め所定のキャリブレーションを実施している。２０ＧＨｚの電気信号を印加したときの伝送損失の測定結果をそれぞれ、上記の表１に示す。また、試料１、試料２、試料５及び試料６の各周波数での伝送損失の測定結果を図８にグラフ図で示す。図８は、各試料の周波数と伝送損失との関係を示すグラフ図である。なお、図８では、伝送損失（損失した電気信号の量）をマイナス（−）で表記する。

＜密着性の評価＞
試料１〜８の各表面処理銅箔を用いて作製した積層板についてそれぞれ、表面処理銅箔と樹脂基材との密着性の評価として、表面処理銅箔を樹脂基材から剥離する際のピール強度の測定を行った。

ピール強度の測定は、以下のように行った。まず、試料１〜８の各表面処理銅箔を用いて作製した積層板のそれぞれの一方の主面（表面処理銅箔の樹脂基材と接する側とは反対側の面）上に、幅が１ｍｍのマスキングテープを貼った。また、各積層板の他方の主面の全面にマスキングテープを貼った。そして、マスキングテープを貼った各積層板に対し、塩化第二鉄を用いてスプレーエッチングを行い、積層板から表面処理銅箔の所定箇所（マスキングテープが貼られていない箇所）を除去した。その後、マスキングテープを除去した。続いて、表面処理銅箔を樹脂基材から引き剥がした際の強度を測定した。具体的には、エッチングされて１ｍｍ幅となった表面処理銅箔を、樹脂基材から９０°の角度で（引き剥がされた表面処理銅箔と樹脂基材との為す角が９０°となるように）、表面処理銅箔を樹脂基材から引っ張ったときの剥離荷重を測定し、これをピール強度とした。このように測定したピール強度の値が大きいほど、密着性が高いといえる。ピール強度の測定結果をそれぞれ、上記の表１に示す。

＜評価結果＞
試料１〜４から、Ｂ／Ｍが０．７以下であると、所望の密着性を維持しつつ、所望の電気特性を確保できることを確認した。具体的には、ピール強度を０．６Ｎ／ｍｍに維持しつつ、２０ＧＨｚでの伝送損失を８ｄＢ／１００ｍｍ未満にできることを確認した。その結果、銅配線が樹脂基材から剥離しにくく、配線板（ＦＰＣ）の信頼性を高めることができるとともに、パソコンやモバイル機器等の大容量かつ高速通信が要求される電子機器の配線板に好適に用いることができることを確認した。

試料１〜４と試料５〜６との比較から、めっき粒子の平均最大粒子径Ｍが０．８μｍ以上１．５μｍ以下であると、所望の密着性を維持しつつ、所望の電気特性をより確実に確保できることを確認した。つまり、試料５〜６から、Ｂ／Ｍが０．７以下であっても、めっき粒子の平均最大粒子径Ｍが１．５μｍを超えると、表面処理銅箔の粗化面の粗さが粗いため、所望の電気特性を確保できないことがあることを確認した。例えば、２０ＧＨｚでの伝送損失が８ｄＢ／１００ｍｍ以上になることがあることを確認した。

試料１〜４と試料７〜８との比較から、Ｂ／Ｍが０．７を超えると、所望の密着性を維持しつつ、表面処理銅箔の所望の電気特性を確保することができない場合があることを確認した。つまり、試料７〜８から、Ｂ／Ｍが０．７を超えると、表面処理銅箔と樹脂基材との接触面積が小さくなり、その結果、ピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ未満になることがあることを確認した。

また、試料１〜４と試料７〜８との比較から、粗化処理を複数回行うことで、Ｂ／Ｍを０．７以下により確実にすることができることを確認した。つまり、粗化処理を２回行うことで、Ｂ／Ｍが０．７以下になるようなめっき粒子をより確実に成長させることができることを確認した。これに対し、試料７〜８から、粗化処理を１回しか行わない場合、Ｂ／Ｍが０．７以下になるようなめっき粒子を成長させることができないことがあることを確認した。

＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。

［付記１］
本発明の一態様によれば、
銅箔基材と、
前記銅箔基材の少なくともいずれかの主面上に設けられた粗化銅めっき層と、を備える表面処理銅箔であって、
粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の最大径の平均値をＭとし、
前記粗化銅めっき層の側が樹脂基材に対向するように前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせた後、前記樹脂基材から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記めっき粒子が前記樹脂基材に押し当てられることで形成される凹部の前記樹脂基材の表面と同一面における径の平均値をＢとした場合、
Ｂ／Ｍが０．７以下である表面処理銅箔が提供される。

［付記２］
付記１の表面処理銅箔であって、好ましくは、
前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせた後に前記表面処理銅箔を前記樹脂基材から引き剥がした際のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上であり、２０ＧＨｚでの伝送損失が８ｄＢ／１００ｍｍ未満である。

［付記３］
付記１又は２の表面処理銅箔であって、好ましくは、
前記Ｍの値が０．８μｍ以上１．５μｍ以下である。

［付記４］
本発明の他の態様によれば、
銅箔基材、及び前記銅箔基材の少なくともいずれかの主面上に設けられた粗化銅めっき層、を備える表面処理銅箔と、
前記粗化銅めっき層に対向するように前記表面処理銅箔と貼り合わせられた樹脂基材と、を備え、
前記粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の最大径の平均値をＭとし、
前記粗化銅めっき層が前記樹脂基材に対向するように前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせた後、前記樹脂基材から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記めっき粒子が前記樹脂基材に押し当てられることで形成される凹部の前記樹脂基材の表面と同一面における径の平均値をＢとした場合、
Ｂ／Ｍが０．７以下である積層板が提供される。

［付記５］
本発明のさらに他の態様によれば、
銅箔基材のいずれかの主面上に粗化銅めっき層を形成して表面処理銅箔を形成する工程と、
前記粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の最大径の平均値Ｍを測定する工程と、
前記粗化銅めっき層が樹脂基材に接するように前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせた後、前記樹脂基材から前記表面処理銅箔を除去し、前記めっき粒子が前記樹脂基材に押し当てられることで形成される凹部の前記樹脂基材の表面と同一面における径の平均値Ｂを測定する工程と、
Ｂ／Ｍが０．７以下であるか否かを検査する工程と、を有する表面処理銅箔の製造方法が提供される。

［付記６］
付記５の表面処理銅箔の製造方法であって、好ましくは、
前記表面処理銅箔を形成する工程では、前記粗化銅めっき層を形成するめっき処理を複数回行う。

［付記７］
本発明のさらに他の態様によれば、
銅箔基材のいずれかの主面上に粗化銅めっき層を形成して表面処理銅箔を形成する工程と、
前記粗化銅めっき層が樹脂基材に接するように前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせる工程と、
前記粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の最大径の平均値Ｍを測定する工程と、
前記樹脂基材から前記表面処理銅箔を除去し、前記めっき粒子が前記樹脂基材に押し当てられることで形成される凹部の前記樹脂基材の表面と同一面における径の平均値Ｂを測定する工程と、
Ｂ／Ｍが０．７以下であるか否かを検査する工程と、を有する積層板の製造方法が提供される。

１ 表面処理銅箔
２ 銅箔基材
３ 粗化銅めっき層
３ａ めっき粒子
１０ 積層板
１１ 樹脂基材
１１ａ 凹部

Claims (4)

1. 銅箔基材と、
   前記銅箔基材の少なくともいずれかの主面上に設けられた粗化銅めっき層と、を備える表面処理銅箔であって、
   粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の最大径の平均値をＭとし、
   前記粗化銅めっき層の側が樹脂基材に対向するように前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせた後、前記樹脂基材から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記めっき粒子が前記樹脂基材に押し当てられることで形成される凹部の前記樹脂基材の表面と同一面における径の平均値をＢとした場合、
   Ｂ／Ｍが０．７以下である
   表面処理銅箔。
2. 前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせた後に前記表面処理銅箔を前記樹脂基材から引き剥がした際のピール強度が０．６Ｎ／ｍｍ以上であり、２０ＧＨｚでの伝送損失が８ｄＢ／１００ｍｍ未満である
   請求項１に記載の表面処理銅箔。
3. 前記Ｍの値が０．８μｍ以上１．５μｍ以下である
   請求項１又は２に記載の表面処理銅箔。
4. 銅箔基材、及び前記銅箔基材の少なくともいずれかの主面上に設けられた粗化銅めっき層、を備える表面処理銅箔と、
   前記粗化銅めっき層に対向するように前記表面処理銅箔と貼り合わせられた樹脂基材と、を備え、
   前記粗化銅めっき層に含まれるめっき粒子の最大径の平均値をＭとし、
   前記粗化銅めっき層が前記樹脂基材に対向するように前記表面処理銅箔を前記樹脂基材に貼り合わせた後、前記樹脂基材から前記表面処理銅箔を除去したとき、前記めっき粒子が前記樹脂基材に押し当てられることで形成される凹部の前記樹脂基材の表面と同一面における径の平均値をＢとした場合、
   Ｂ／Ｍが０．７以下である
   積層板。