JP2018141229A - ラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔及び回路基板部品の製造方法 - Google Patents

ラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔及び回路基板部品の製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔及び回路基板部品の製造方法を提供する。【解決手段】ラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法は、電解方法によって所定の表面を有する銅箔層を形成する工程と、表層にラグビーボール様突起を有する電解銅箔を形成するように銅箔層の所定の表面に粗化処理層を形成する工程とを含む。粗化処理層は、複数のラグビーボール状銅粒子を含み、各2つの隣接するラグビーボール状銅粒子の間に漏斗状様の収容空間を形成する。粗化処理層を形成するステップは、第1回目のめっき粗化処理を実行する工程と、第1回目のめっき硬化処理を実行する工程とを更に含む。第1回目のめっき粗化処理において使用する第1のめっき液中には、3〜40g/Lの銅、100〜120g/Lの硫酸、20ppm以下の酸化ヒ素及び5〜20ppmのタングステン酸イオンが含まれる。【選択図】図2

Description

本発明は、電解銅箔及び回路基板部品の製造方法に関し、特に、表層に複数のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法、及び、表層に複数のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔を使用する回路基板部品の製造方法に関する。
プリント基板に適用される従来の銅箔は、めっきによって陰極ドラムに原箔が形成された上で、後続の処理プロセスを経て最終的な製品として形成される。後続の処理には、原箔の粗面に粗化処理を実行することで、原箔の粗面に複数の球状銅粒子を形成することによって、銅箔と回路基板との間の接着強度を向上させる。即ち、後続の処理には、銅箔の剥離強度を向上させる工程が含まれる。
しかしながら、近年、電子製品は高周波化、高速化の傾向があり、高周波信号伝送時に、銅箔表面の形状が伝送損失に大きく影響する。表面粗さの大きい銅箔では、信号の伝播距離が長くなり、信号の減衰や遅延の問題が生じる。言い換えれば、銅箔の表面が平滑であるほど信号の伝送時の損失は小さくなる。従って、銅箔表面の平滑性は非常に重要な役割を果たすことになる。
図1は、従来の技術における銅箔の局部断面図である。図1に示すように、従来技術において、銅箔F1の表面に形成される複数の銅粒子F10は略球状であり、且つ大部分の球状の銅粒子F10は水平方向の最大寸法が垂直方向の最大寸法より大きい。そのため、高周波伝送に対する需要を満たすように銅箔の粗さを低くすることはできるものの、銅箔を高周波基板と接着させた場合に、銅箔の高周波基板との接着強度が不十分となる。
銅箔表面の粗さを低減することによって高周波信号の伝送損失を低減しようとすると、銅箔と回路基板との圧着の剥離強度が低下する。従って、如何にして銅箔の剥離強度を向上させると同時に銅箔表面の平滑性を維持できるようにするかが、現在、本分野における重要な課題となっている。
特許第5116943号
本発明が解決しようとする技術課題は、従来技術における欠点を解消し得る、ラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔及び回路基板部品の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するために、本発明に係るラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法は、以下の工程を含む。電解方法によって、所定の表面を有する銅箔層を形成する。次いで、表層にラグビーボール様突起を有する電解銅箔を形成するように、銅箔層の所定の表面に粗化処理層を形成する。粗化処理層は、複数のラグビーボール状様の銅粒子を含み、且つ各2つの隣接するラグビーボール状様の銅粒子の間に漏斗状様の収容空間を形成する。粗化処理層を形成するステップは、第1回目のめっき粗化処理を実行する工程と、第1回目のめっき硬化処理を実行する工程とを更に含む。第1回目のめっき粗化処理に使用する第1のめっき液には、3〜40g/Lの銅、100〜120g/Lの硫酸、20ppm以下の酸化ヒ素及び5〜20ppmのタングステン酸イオンが含まれる。
本発明に係る回路基板部品の製造方法は、以下の工程を含む。先ず、上述したラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法によって形成されたラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔を提供する。次いで、上述したラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔を樹脂基板に向かい合わせに圧着することで、回路基板部品を形成する。ラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔は、粗化処理層が樹脂基板に面している。
本発明の効果は、上述したラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法によって、電解銅箔の粗化処理層が複数のラグビーボール状銅粒子又はラグビーボール状様の銅粒子を有するようにすることができる点にある。即ち、ラグビーボール状銅粒子又はラグビーボール状様の銅粒子の幅は、従来技術における球状銅粒子の幅よりも小さい。従って、表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔と樹脂基板とを接着した場合に、従来技術における球状銅粒子を有する電解銅箔に比べ、表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔は樹脂基板との間により大きい接触面積を有しているため、より高い剥離強度を有することができる。
従来技術における電解銅箔の局部断面図である。 本発明の実施例に係る表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法のフローチャートである。 図2の表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法を実行するためのシステムを示す図である。 本発明の実施例に係る表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の局部断面図である。 図4の表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔における領域Vを示す局部拡大図である。 本発明の実施例に係る表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の走査型電子顕微鏡(SEM)による写真である。 比較例の電解銅箔の走査型電子顕微鏡(SEM)による写真である。 本発明の実施例に係る表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の集束イオンビーム(FIB)写真である。 本発明の実施例に係る回路基板部品を示す断面図である。 図9の回路基板部品における領域Xを示す局部拡大図である。 本発明の他の実施例に係る回路基板部品を示す断面図である。
本発明の特徴及び技術内容を更に理解することができるように、以下、図面を用いながら本発明を詳しく説明する。但し、図面は参考のため及び説明の便宜上、提示するものにすぎず、本発明を制限するものではない。
以下、特定の実施例によって、本発明に係る表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔及び回路基板部品の製造方法の実施形態を説明する。本発明の実施例に係るラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法によって、低粗度及び高剥離強度を有する電解銅箔を得ることができる。また、当該製造方法によって製造された表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔と樹脂基板とが互いに接着することで形成される回路基板部品は、高周波信号の伝送に適用されることができる。
図2及び図3を用いて説明する。図2は、本発明の実施例に係る表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法のフローチャートである。図3は、図2の表層にラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法を実行するための機器を示す図である。
先ず、図2に示すように、ステップS100において、電解方法によって銅箔層を形成する。当該銅箔層は所定の表面を有する。
図3に示すように、電解方法によって銅箔層を形成するステップは製箔装置1を提供する工程を含む。製箔装置1は、少なくとも電解槽10、陽極板11、陰極ドラム12及びローラ13を含む。
更に、電解槽10は、電解液L0を入れるのに用いられる。陽極板11は、電解槽10内に設けられると共に、電源供給装置E1の正極出力端に電気的に接続される。陽極板11は、イリジウム元素又はその酸化物がチタン板にコーティングされることで形成される。陰極ドラム12は、電解槽10に対応して設けられると共に、陽極板11の上方に位置する。また、陰極ドラム12は、電源供給装置E1の負極出力端に電気的に接続される。本実施例において、陰極ドラム12は、チタン製のローラである。
また、本実施例において、製箔装置1は、電解槽10の流体と連通する給液配管14を更に含む。上述した電解液L0は、給液配管14を経て電解槽10内に注入され、陽極板11を完全に浸漬させると共に、陰極ドラム12の一部が電解液L0中に浸漬される。
次いで、図3に示すように、電源供給装置E1が陽極板11及び陰極ドラム12に対して直流を出力して、電解液L0に電流を印加することで、電解液L0における銅イオンを陰極ドラム12の表面に析出し、銅箔層30を形成する。
また、電解液L0を電解して銅箔層30を形成する際には、電解液L0を電解槽10内に継続して供給する。具体的には、電解槽10内の電解液L0の銅イオン濃度を維持するように、電解液L0を給液配管14経由で電解槽10内に流入させることができる。図3に示すように、陰極ドラム12の表面に形成される銅箔層30は、陰極ドラム12の表面から剥離されると共に、ローラ13を通ることで、後続のプロセスが行われる。
更に言えば、銅箔層30は、粗面30a及び当該粗面30aと対向する平滑面30bを有する。電解プロセスにおいて、平滑面30bは、銅箔層30における陰極ドラム12と接触する表面であるため、平滑面30bの粗さは比較的一定している。粗面30aは、電解液L0に接触する表面である。銅箔層30の粗面30a又は平滑面30bは、通常複数の粒状突起を有する。1つの実施例において、銅箔層30の粗面30aの十点平均粗さは2μm以下であり、例えば0.9μm〜1.9μmである。
次いで、図2に示すように、ステップS200において、粗化処理層を銅箔層の所定の表面に形成することで、表層にラグビーボール状様突起を有する電解銅箔を形成する。粗化処理層は、複数のラグビーボール状様の銅粒子を含み、且つ各2つの隣接するラグビーボール状様の銅粒子の間には、漏斗状様の収容空間を形成する。
更に、粗化処理層を形成するステップS200は、少なくとも1回のめっき粗化処理を実行する工程及び少なくとも1回のめっき硬化処理を実行する工程を更に含む。本実施例において、銅箔層が2回のめっき粗化処理及び2回のめっき硬化処理を経ることで、銅箔層における所定の表面に粗化処理層が形成される。所定の表面とは、粗面又は平滑面のうちの少なくとも1つであってよい。
詳述すると、図2に示すように、1つの実施例において、ステップS100の後、第1回目のめっき粗化処理(ステップS201)、第1回目のめっき硬化処理(ステップS203)、第2回目のめっき粗化処理(ステップS202)及び第2回目のめっき硬化処理(ステップS204)を順次実行する。
他の実施例において、ステップS100の後、第1回目のめっき粗化処理(ステップS201)、第2回目のめっき粗化処理(ステップS202)、第1回目のめっき硬化処理(ステップS203)及び第2回目のめっき硬化処理(ステップS204)を順次実行する。
更に言えば、めっき粗化処理及びめっき硬化処理の回数が多いほど、電解銅箔と樹脂基板との接着強度を高めることができるが、同時に電解銅箔の表面粗さが増加し、高周波信号の伝送への適用に不利となる。従って、実際の製造プロセスの必要性に応じて、めっき粗化処理及びめっき硬化処理の回数を増減し、順序を調整することができる。
図3を参照しながら、第1回目のめっき粗化処理、第1回目のめっき硬化処理、第2回目のめっき粗化処理及び第2回目のめっき硬化処理を順次実行することを例に説明する。
図3に示すように、ステップS201〜S204を実行するのに用いられる表面処理装置2は、生産ライン上に配置される複数の伝送ユニット20、少なくとも1つの粗化ユニット21(図3においては2つ示す)、少なくとも1つの硬化ユニット22(図3においては2つ示す)及び複数の洗浄槽23を含む。粗化ユニット21、硬化ユニット22及び洗浄槽23の数は、必要に応じて決めることができる。複数の伝送ユニット20は、所定のプロセスフローに基づいて銅箔層30を粗化ユニット21、洗浄槽23及び硬化ユニット22に伝送して各処理を行えるようにする。
粗化ユニット21は、第1のめっき液L1を入れるための粗化槽210と、粗化槽210内に設けられた1組の粗化陽極板211とを含む。図3に示すように、第1回目のめっき粗化処理を実行する際に、銅箔層30を、第1のめっき液L1がすでに入れられた粗化槽210内に投入する。本実施例において使用される第1のめっき液L1は、3〜40g/Lの銅、100〜120g/Lの硫酸、20ppm以下の酸化ヒ素(As)及び5〜20ppmのタングステン酸イオン(WO 2−)を含む。
第1回目のめっき粗化処理を実行した際、粗化陽極板211及び銅箔層30にそれぞれ正電圧及び負電圧を印加することで、第1のめっき液L1内の銅イオンを還元させて、銅箔層30の粗面30aに複数のコブ状銅粒子を形成する。
本実施例において使用される第1のめっき液L1は、特殊な組成を有しており、コブ状銅粒子の結晶成長方向を制限することができる。また、酸化ヒ素の濃度及びタングステン酸イオンの濃度は20ppm以下である。酸化ヒ素の濃度が高過ぎると、寸法が大きい球状銅粒子が形成される可能性があり、ラグビーボール状様又はラグビーボール状の銅粒子を形成するのが難しくなる。
更に言えば、第1回目のめっき粗化処理を実行した際、第1のめっき液L1中の銅濃度が低い(40g/Lより低い)ため、銅原子は偏った結晶方向(即ち縦方向)に沿って積層するしかなくなる。言い換えれば、コブ状銅粒子は銅箔層30の粗面30aに略垂直である方向に偏って成長し、銅箔層30の粗面30aに略平行である方向に偏って、コブ状銅粒子が成長することは容易ではないと言える。従って、コブ状銅粒子の水平方向の成長の程度には限度があるため、コブ状銅粒子が銅箔層10の粗面10b又は平滑面10aに対して直立するラグビーボール状を有するようにすることができる。
従って、第1回目のめっき粗化処理を経た後、銅箔層30の粗面30a上に形成された大部分のコブ状銅粒子の水平方向の寸法は、縦方向の寸法より小さく、各2つの隣接するコブ状銅粒子の間の間隔も広くなる。
また、1つの実施例において、第1回目のめっき粗化処理を実行した際、粗化陽極板211に通した電流密度は40〜80A/dmであり、ラグビーボール様の形状を有するコブ状銅粒子を形成することができる。また、第1回目のめっき粗化処理を実行した際、第1のめっき液の温度をおおむね摂氏20〜40度に維持する。
第1回目のめっき粗化処理が完了した後、第1回目のめっき硬化処理を実行することで、コブ状銅粒子を被覆する銅保護層を形成することによって、コブ状銅粒子を銅箔層30の粗面30a又は平滑面30bに緊密に固定し、「粉落ち」現象を防止する。
図3に示すように、第1回目のめっき硬化処理は、硬化ユニット22によって実行する。硬化ユニット22は、第2のめっき液L2を入れるための硬化槽220と、硬化槽220に設けられた1組の硬化陽極板221とを含む。
本実施例において、粗化槽210において第1回目のめっき粗化処理を行った銅箔層30を、先ず伝送ユニット20によって洗浄槽23に伝送して洗浄した後、第1回目のめっき硬化処理を実行するため硬化槽220に伝送する。
第1回目のめっき硬化処理を実行した際、硬化陽極板221及び銅箔層30にそれぞれ正電圧及び負電圧を印加することで、第2のめっき液L2内の銅イオンを還元させて、銅箔層30にコブ状銅粒子を被覆する銅保護層を形成する。
第1回目のめっき硬化処理を実行する際に使用する第2のめっき液L2は、50〜70g/Lの銅、70〜100g/Lの硫酸、及び30ppmより低い酸化ヒ素を含有し、且つ第2のめっき液L2の温度をおおむね摂氏50〜70度に維持する。
第1回目のめっき粗化処理において形成されるコブ状銅粒子の高さは、高くはない。仮に、第1回目のめっき硬化処理の際に、厚い銅保護層を形成した場合、粉落ち現象が発生する確率を低減すると共に、電解銅箔表面の粗さを低減することはできるが、電解銅箔が樹脂基板と接着される表面積が減少して、剥離強度が低下する可能性がある。従って、第1回目のめっき硬化処理を実行する際は、薄く且つ被覆効果が好ましい銅保護層を形成するように、電流密度を特に調整しなければならない。これにより、粉落ちを防止しつつ、電解銅箔が樹脂基板と接着される表面積が減少しないようにすることができる。1つの実施例において、第1回目のめっき硬化処理を実行する場合、電流密度は15〜40A/dmである。
1つの実施例において、第1回目のめっき粗化処理及び第1回目のめっき硬化処理を実行した後、表層にラグビーボール状突起又はラグビーボール状様突起を有する電解銅箔を形成することができる。粗化処理層の詳細な構造については、後述する。
次いで、第1回目のめっき硬化処理が済んだ銅箔層30を、伝送ユニット20によって、硬化槽220から先ず洗浄槽23に伝送して洗浄した後、第2回目のめっき粗化処理を行うために次の粗化槽210に伝送する。
本実施例において、第2回目のめっき粗化処理のパラメータは、第1回目のめっき粗化処理の第1のめっき液L1の組成と略同じである。但し、第2回目のめっき粗化処理において使用する電流密度は50〜90A/dmであり、第1回目のめっき粗化処理の際の電流密度よりも高い。これにより、もともと銅箔層30の粗面30a上に形成済みの複数のコブ状銅粒子を引き続き成長させることができる。また、第2回目のめっき粗化処理の際には第1回目のめっき粗化処理と同じ第1のめっき液L1を使用することから、コブ状銅粒子の成長方向は依然として銅箔層30の粗面30aに略垂直である方向に制限される。そのため、最終的な電解銅箔と樹脂基板との接着面積を更に増加させることができる。
その後、第2回目のめっき粗化処理が済んだ銅箔層30を、伝送ユニット20によって、粗化槽210から他の洗浄槽23に伝送して洗浄した後、第2回目のめっき硬化処理を行うために他の硬化槽220に伝送する。第2回目のめっき硬化処理における第2のめっき液L2の組成は、第1回目のめっき硬化処理の第2のめっき液L2の組成と同じであってよい。また、第2回目のめっき硬化処理を実行する電流密度も、第1回目のめっき硬化処理の際の電流密度と同様、およそ15〜40A/dmであってよい。第2回目のめっき硬化処理を実行することによって、粉落ちが生じないように、銅保護層を更に提供することができる。
図4及び図5を用いて説明する。図4は、本発明の実施例に係る電解銅箔の局部断面図である。図5は、図4の電解銅箔における領域Vを示す局部拡大図である。
上述した電解銅箔の製造方法によって製造された電解銅箔3は、表層にラグビーボール状突起を有しており、樹脂基板と接着される面積が増加されている。詳述すると、本発明の実施例に係る電解銅箔3は、銅箔層30及び銅箔層30上に位置する粗化処理層31を含む。
粗化処理層31は、銅箔層30の粗面30a及び平滑面30bのうちの少なくとも1つに位置する。図4の実施例において、粗化処理層31は、銅箔層30の粗面30a上に位置する。1つの実施例において、電解銅箔3の総厚みTは、6〜400μmであり、必要に応じて決めることができる。
図5に示すように、本実施例において、粗化処理層31は、複数のラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310を含み、且つ各ラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310は、粗面30a又は平滑面30bに平行ではない長軸方向に沿って延在される。
また、各ラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310は、長軸の最大直径D1及び短軸の最大直径D2を有する。1つの実施例において、長軸の最大直径D1は、1.6μm〜2.5μmであり、前記短軸の最大直径D2は、1.1μm〜2.0μmである。また、各2つの隣接する銅粒子310の間には漏斗状様の収容空間S1を形成する。
図1及び図5を比較すると分かるように、従来技術における球状銅粒子の短軸方向の寸法は、長軸方向の寸法より大きく、且つ密集して分布している。それに比べると、本発明に係る電解銅箔3の複数のラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310は、短軸方向(即ち銅箔層30の粗面30a又は平滑面30bに平行な方向)の直径が、長軸方向の直径よりも小さい。好ましい実施例において、ラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310の短軸の最大直径D2と長軸の最大直径D1との比は0.3〜0.8である。
本実施例において、ラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310の長軸の最大直径D1は、従来の球状銅粒子の垂直方向の寸法と略同じである。従って、本実施例における電解銅箔3の表面粗さは、銅粒子の形状が変わることによって大幅に増加することはない。1つの実施例において、粗化処理層31の厚みtは、およそ1.2〜4μmであり、粗化処理層31の十点平均表面粗さ(R)は、およそ1〜4μmである。これにより、本実施例の電解銅箔3は、依然として高周波基板と組み合わせて、高周波信号を伝送するのに適用することができる。
また、本実施例の電解銅箔3において、各2つの隣接するラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310の間の間隔P1も広い。言い換えれば、本実施例のラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310も低い密度を有する。1つの実施例において、各2つの隣接するラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310の間の間隔P1は、0.5〜1.8μmであり、これらラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310の分布密度は、1平方マイクロメートルあたり0.5〜1.7個である。
図6及び図7を用いて説明する。図6は、本発明の実施例に係る電解銅箔を撮影した走査型電子顕微鏡(SEM)写真であり、図7は、比較例の電解銅箔を撮影した走査型電子顕微鏡写真である。比較例の電解銅箔を製作する際、めっき粗化処理を実行する時のパラメータは本発明の実施例と略同じである。但し、めっき粗化処理を実行する時に使用しためっき液組成中には40g/Lよりも高い濃度の銅を含有する。
図6及び図7の写真を比較すると分かるように、本発明の実施例における電解銅箔の銅粒子は小さく、且つ形状が細長い。それに対し、図7の比較例の電解銅箔の銅粒子は形状が球状であり、大きく且つ密集している。
図8は、集束イオンビーム及び電子ビーム顕微鏡システムによって撮影された本発明の実施例に係る電解銅箔の集束イオンビーム(FIB)の写真である。図8は、本実施例の電解銅箔の局部横断面(cross section)を示す。
図6及び図8の写真から証明できるように、本発明の実施例の電解銅箔に表面処理を行うと、複数のラグビーボール状銅粒子が形成されるのであって、球状銅粒子が形成されるのではない。また、集束イオンビーム及び電子ビーム顕微鏡システムによって本実施例の電解銅箔を分析すると、電解銅箔の銅結晶の粒は寸法が1.2〜4.0μmである。
次いで、図2に示すように、本実施例において、ステップS300において、表面処理を実行する。当該表面処理は、耐熱処理、抗酸化処理、シランカップリング剤処理の内の少なくとも1つであってよい。
表面処理が耐熱処理の場合、電解方法によって粗化処理層に亜鉛合金耐熱層を形成すると共に、電解銅箔の耐熱性を高める。1つの実施例において、耐熱処理を実行する際に使用した電解液の組成は1〜4g/Lの亜鉛及び0.3〜2.0g/Lのニッケルを含み、且つ耐熱処理を実行する際に使用した電流密度は0.4〜2.5A/dmである。
表面処理が抗酸化処理の場合、電解方法によって粗化処理層に酸化防止層を形成することで、電解銅箔の抗酸化性を高める。抗酸化処理を実行する際に使用した電解液の組成は1〜4g/Lの酸化クロム及び5〜20g/Lの水酸化ナトリウムを含み、且つ抗酸化処理を実行する際に使用した電流密度は0.3〜3.0A/dmである。
表面処理がシランカップリング処理の場合、粗化処理層にシランカップリング剤処理層を形成する。シランカップリング処理を実行する際には0.3〜1.5重量%のシランカップリング剤を使用する。
図9及び図10を用いて説明する。図9は、本実施例の回路基板部品を示す断面図である。図10は、図9の回路基板部品における領域Xを示す局部拡大図である。本実施例の電解銅箔は、例えばリジッドプリント回路基板(PCB)、フレキシブルプリント回路基板(FPC)及びその類似物等の異なる回路基板部品に適用されることができる。
図9の実施例において、回路基板部品M1は、樹脂基板4及び上述した電解銅箔3を向かい合わせに圧着することで形成され、且つ電解銅箔3の粗化処理層31が樹脂基板4に面している。
樹脂基板4は、エポキシ樹脂基板、ポリフェニレンオキシド樹脂基板(PPO)又はフッ素系樹脂基板、又は、ポリイミド、エチレンテレフタレート、ポリカーボネート、液晶ポリマー若しくはポリテトラフルオロエチレン等の材料から成る基板等の高周波基板であってもよい。
図9及び図10の実施例において、樹脂基板4は、プリプレグ基板又は液晶ポリマー基板である。図10から分かるように、本実施例のラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310の間の間隔が広いため、電解銅箔3と樹脂基板4とを圧着した場合、樹脂基板4は、ラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310の大部分の表面に被覆されると共に接触し、漏斗状様の収容空間S1内の奥深く進入することができる。これにより、電解銅箔3と樹脂基板4との間の接着強度を増強することができる。
図11は、本発明の他の実施例の回路基板部品を示す断面図である。本実施例においては、樹脂基板4と回路層41とを粘接着剤5によって結合させると共に、粘接着剤5の一部を漏斗状様の収容空間内に充填する。
本実施例の電解銅箔3と樹脂基板4とを圧着した後、測定を行った結果、剥離強度はいずれも4lb/inより大きかった。具体的には、実験例において、樹脂基板4はガラス繊維板(FR4)であり、ガラス繊維板(FR4)を本実施例の電解銅箔と圧着させ、積層板試験片を形成した。次いで、剥離強度引張試験機を用いて測定した。試験結果によれば、電解銅箔の剥離強度は少なくとも7lb/inより大きかった。
また、本実施例の回路基板部品の製造方法は、電解銅箔3を樹脂基板4に圧着した後、エッチングによって電解銅箔3をパターニングすることで、回路層を形成する工程を更に含んでもよい。
このように、本発明の効果は、本実施例の電解銅箔の製造方法を用いることで、めっき粗化処理における第1のめっき液L1の組成を調整することによって、銅の濃度を低減すると共に酸化ヒ素及びタングステン酸イオンの含有量を20ppm以下にすることができるため、銅粒子の結晶方向及び成長方向を制限することができ、ラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310を形成することができる点にある。
従来技術における球状銅粒子F10に比べ、ラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310は、横方向(水平方向)の寸法が小さく、電解銅箔3と樹脂基板4との間の接着面積を増加させることができる。また、隣接する2つのラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310の間に広い距離が設けられるため、樹脂基板4と電解銅箔3とを接着した場合、樹脂基板4は、銅粒子全体の表面を被覆することができると共に、2つのラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310の間の空間の奥深く進入することができ、電解銅箔3と樹脂基板4又は粘接着剤5との間の粘着度が増加する。
また、本実施例の電解銅箔3のラグビーボール状又はラグビーボール状様の銅粒子310は、垂直方向の寸法が従来技術における球状銅粒子F10の垂直方向の寸法より大きくないため、電解銅箔3の表面粗さは従来の銅箔の表面粗さに比べ更に低い。しかしながら、本実施例の電解銅箔3の剥離強度は、表面粗さの低減によって大幅に低下しておらず、実際に適用する需要を満たしている。
また、下表1は、本発明の実施例及び比較例の表面粗さ(Roughness)、剥離強度(Peel Strength)及び剥離強度と表面粗さとの比(P/R ratio)を示す。表面粗さは十点平均粗さ(Rz)である。本発明の実施例はラグビーボール状銅粒子を有する電解銅箔であり、比較例は球状銅粒子を有する電解銅箔である。
表1から分かるように、本発明の実施例に係る電解銅箔の表面粗さは、比較例(寸法が大きい球状銅粒子を有する)の表面粗さに比べて更に低い。従って、本発明の実施例に係る電解銅箔は高周波伝送に適用された場合、更に信号損失を低減することができる。
また、剥離強度と表面粗さとの比が大きいほど、銅箔の剥離強度に対する表面粗さの影響は小さくなり、剥離強度の特性は優れる。表1から分かるように、比較例に比べ、本発明の実施例に係る電解銅箔の剥離強度と表面粗さとの比は大きい。従って、本発明の実施例に係る電解銅箔の剥離強度は、表面粗さが低いことによって過剰な損失は生じない。
以上の記載内容は本発明の好ましい実施例を述べたものに過ぎず、本発明の特許請求の範囲を制限するものではない。従って、本明細書及び図面の内容を運用することで為された等価の技術的変更は、いずれも本発明の特許請求の範囲に含まれる。
F1 従来の銅箔
F10 球状銅粒子
1 製箔装置
10 電解槽
11 陽極板
12 陰極ドラム
13 ローラ
L0 電解液
14 給液配管
E1 電源供給装置
2 表面処理装置
20 伝送ユニット
21 粗化ユニット
L1 第1のめっき液
210 粗化槽
211 粗化陽極板
22 硬化ユニット
L2 第2のめっき液
220 硬化槽
221 硬化陽極板
23 洗浄槽
3 電解銅箔
T 総厚み
30 銅箔層
30a 粗面
30b 平滑面
31 粗化処理層
310 銅粒子
D1 長軸の最大直径
D2 短軸の最大直径
S1 漏斗状様の収容空間
t 粗化処理層厚み
P1 間隔
M1、M1’ 回路基板部品
4 樹脂基板
5 粘接着剤
S100、S200〜204、S300 プロセスステップ

Claims (15)

  1. 電解方法によって、所定の表面を有する銅箔層を形成する工程と、
    前記銅箔層の前記所定の表面に複数のラグビーボール状様の銅粒子を含むと共に各2つの隣接する前記ラグビーボール状様の銅粒子の間に漏斗状様の収容空間が形成される粗化処理層を形成することで、表層にラグビーボール状様突起を有する電解銅箔を形成する工程と
    を含み、
    前記粗化処理層を形成するステップは、第1回目のめっき粗化処理を実行する工程と第1回目のめっき硬化処理を実行する工程とを更に含み、
    前記第1回目のめっき粗化処理に使用する第1のめっき液には、3〜40g/Lの銅、100〜120g/Lの硫酸、20ppm以下の酸化ヒ素及び5〜20ppmのタングステン酸イオンが含まれる
    ことを特徴とするラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  2. 前記第1回目のめっき粗化処理を実行する際に使用する電流密度は40〜80A/dmであり、
    前記所定の表面は粗面又は平滑面である
    ことを特徴とする請求項1に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  3. 前記粗化処理層を形成するステップは、第2回目のめっき粗化処理を実行する工程と第2回目のめっき硬化処理を実行する工程とを更に含み、
    前記第2回目のめっき粗化処理において前記第1のめっき液を使用し、
    前記第2回目のめっき粗化処理を実行する際に使用する電流密度は50〜90A/dmであり、
    前記第2回目のめっき硬化処理のパラメータは前記第1回目のめっき硬化処理のパラメータと同じである
    ことを特徴とする請求項2に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  4. 前記粗化処理層を形成するステップでは、前記第1回目のめっき粗化処理、前記第1回目のめっき硬化処理、前記第2回目のめっき粗化処理及び前記第2回目のめっき硬化処理を順次実行することを特徴とする請求項3に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  5. 前記粗化処理層を形成するステップでは、前記第1回目のめっき粗化処理、前記第2回目のめっき粗化処理、前記第1回目のめっき硬化処理及び前記第2回目のめっき硬化処理を順次実行することを特徴とする請求項3に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  6. 前記第1回目のめっき硬化処理を実行する際に使用する第2のめっき液には、50〜70g/Lの銅、70〜100g/Lの硫酸及び30ppmより低い酸化ヒ素が含まれ、
    前記第1回目のめっき硬化処理を実行する際に使用する電流密度は15〜40A/dmである、
    ことを特徴とする請求項1に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  7. 前記粗化処理層に亜鉛合金耐熱層を形成するように、耐熱処理を実行する工程を更に含み、
    前記耐熱処理を実行する際に使用する電解液の組成には、1〜4g/Lの亜鉛及び0.3〜2.0g/Lのニッケルが含まれ、
    前記耐熱処理を実行する際に使用する電流密度は0.4〜2.5A/dmである
    ことを特徴とする請求項1に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  8. 前記粗化処理層に酸化防止層を形成するように、抗酸化処理を実行する工程を更に含み、
    前記抗酸化処理を実行する際に使用する電解液の組成には、1〜4g/Lの酸化クロム及び5〜20g/Lの水酸化ナトリウムが含まれ、
    前記抗酸化処理を実行する際に使用する電流密度は0.3〜3.0A/dmである
    ことを特徴とする請求項1に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  9. 前記粗化処理層にシランカップリング剤処理層を形成するように、シランカップリング処理を実行する工程を更に含み、
    前記シランカップリング処理を実行する際に0.3〜1.5重量%のシランカップリング剤を使用する
    ことを特徴とする請求項1に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  10. 複数の前記ラグビーボール状様の銅粒子は、長軸の最大直径及び短軸の最大直径を有し、
    前記長軸の最大直径は1.6μm〜2.5μmであり、前記短軸の最大直径は1.1μm〜2.0μmであり、
    前記短軸の最大直径と前記長軸の最大直径との間の比は0.3〜0.8である
    ことを特徴とする請求項1に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  11. 複数の前記ラグビーボール状様の銅粒子の分布密度は1平方マイクロメートルあたり0.5〜1.7個であり、
    各2つの隣接する前記ラグビーボール状様の銅粒子の間の間隔は0.5〜1.8μmである
    ことを特徴とする請求項1に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法。
  12. 請求項1〜請求項11のいずれか1項に記載のラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔の製造方法によって形成された前記ラグビーボール状様銅粒子を有する電解銅箔を提供する工程と、
    前記電解銅箔における粗化処理層が樹脂基板に面するように、前記ラグビーボール状様銅粒子を有する前記電解銅箔を前記樹脂基板に向かい合わせに圧着することで、回路基板部品を形成する工程と
    を含むことを特徴とする回路基板部品の製造方法。
  13. 前記ラグビーボール状様銅粒子を有する前記電解銅箔の剥離強度は、少なくとも4lb/inより大きいことを特徴とする請求項12に記載の回路基板部品の製造方法。
  14. 前記ラグビーボール状様銅粒子を有する前記電解銅箔と前記樹脂基板とを粘接着剤によって結合し、
    前記粘接着剤の一部を前記粗化処理層における漏斗状様の収容空間内に充填する
    ことを特徴とする請求項12に記載の回路基板部品の製造方法。
  15. 前記樹脂基板は、プリプレグ基板又は液晶ポリマー基板であり、
    前記ラグビーボール状様銅粒子を有する前記電解銅箔を前記樹脂基板に圧着した際に、前記樹脂基板の一部を前記粗化処理層における漏斗状様の収容空間内に充填する
    ことを特徴とする請求項12に記載の回路基板部品の製造方法。
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