TWI647096B - 表面處理銅箔及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明關於表面處理銅箔及其製造方法。製造表面處理銅箔的方法包括：第一步驟──製備電解銅箔；第二步驟──酸洗電解銅箔表面；第三步驟──將經酸洗的電解銅箔在包括Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4、Na中至少一者的鍍浴中粗糙化而形成瘤(nodule)；以及第四步驟──在形成的瘤上形成鍍層。
根據本發明，藉由Mo、Co、W、Mn和其類似者的金屬離子來使電解銅箔粗糙化，而有可能改善銅箔的附著強度。

Description

表面處理銅箔及其製造方法
本發明關於表面處理銅箔及其製造方法，更特別而言，關於使銅箔進行表面處理而具有低粗糙度和高附著強度的表面處理銅箔及其製造方法。
近年來，隨著電氣/電子設備加速小型化和減少重量，板上所形成的印刷電路已經是精細、高集成和小型化；結果，用於印刷電路板的銅箔已需要多樣的物理性質。
用於這些電氣/電子設備的用來製造可撓性基板之基板用複合物、用於高密度安裝(high-density mounting)的多層基板、高頻電路板和其類似者(下文這些基板共同稱為電路板或印刷電路板)是由導體(銅箔)和支撐導體的絕緣基板(包括膜)所組成。絕緣基板確保導體之間的絕緣，並且具有足以支撐構件的強度。
進一步而言，隨著轉移到電路板之訊號的速度有所增加，建構電路板之絕緣材料的特徵阻抗、訊號轉移速度或其類似者是重要的，因此須要改善例如介電常數、介電損失和其類似的特徵。以提供有滿足這些條件之絕緣材料的基板材料來說，經常使用酚樹脂材料；以鍍覆的貫通孔來說，則經常使用環氧樹脂材料。進一步而言，近來隨著訊號的高速傳輸， 已經需要具有低介電常數和低介電損失的絕緣材料，因而已經發展其材料。進一步而言，以用於需要熱阻性之電路板的絕緣材料來說，已經使用了抗熱性的環氧樹脂、聚亞醯胺和其類似者。附帶而言，已經發展出具有良好尺度穩定性的材料、具有低彎曲或扭曲的材料、低熱收縮的材料和其類似者。
然而，在基於環氧樹脂、聚亞醯胺、液晶聚合物、聚醚醚酮系樹脂當中，特別知道液晶聚合物是對銅箔有低附著強度(抗拉強度)的樹脂。一般而言，這些樹脂和銅箔之間的抗拉強度對銅箔的表面粗糙度Rz有大的影響(在此，表面粗糙度Rz意謂在JISB 0601-1994的「表面粗糙度的定義和指示」之「5.1十點平均粗糙度定義」所定義的Rz)。就銅箔的表面粗糙度而言，可以包括表面處理銅箔的表面粗糙度Rz以及藉由粗糙化銅箔表面而形成之表面粗糙化銅箔的Rz。
於相關的技術中，針對具有低附著強度的樹脂，為了增進附著強度，進行了增進表面粗糙度Rz的方法，其係提高粗糙化時的電流，以及提高粗糙化時粒狀銅的附著量。然而，雖然該方法適合作為增進附著強度的方法，但卻不適合用於考量高頻特徵下的印刷電路板。為了增進附著強度，當銅箔的表面被過度處理時，存在一個對高頻訊號傳輸的阻礙有所增加而對訊號傳輸有不良的效應的問題。
本發明針對提供表面處理銅箔及其製造方法，其藉由Mo、Co、W、Mn和其類似者的金屬離子來使電解銅箔粗糙化，而能夠改善銅箔 的附著強度。
本發明也針對提供表面處理銅箔及其製造方法，其藉由Mo、Co、W、Mn和其類似者的金屬離子來使電解銅箔粗糙化，而具有良好的高頻特徵。
本發明的一方面提供表面處理銅箔，其中表面處理銅箔的表面粗糙度是2.5到3.0微米，附接在銅箔一表面上之瘤(nodule)的高度是1.0到3.0微米，瘤之間的距離是0.1到0.7微米，並且在25微米之觀察區間裡的瘤數目是1到60。
表面處理銅箔的表面粗糙度可以是2.5到2.8微米。
表面處理銅箔於低介電常數(Dk)用預浸體(PPG,prepreg)可具有0.7公斤力(kgf)或更大的附著強度。
表面處理銅箔於低Dk用PPG可具有1.0kgf或更大的附著強度。
用於形成瘤的粗糙化可以在由每公升1到10公克的Mo、每公升1到10公克的Co、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu、及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中進行。
用於形成瘤的粗糙化可以在由每公升1到10公克的Mo、每公升0.1到0.5公克的Mn、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu、及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中進行。
用於形成瘤的粗糙化可以在由每公升1到10公克的Mo和每公升1到10公克的Na所組成的鍍浴中進行。
用於避免瘤脫離的覆蓋鍍層可以形成在粗糙化表面的瘤顆粒上。
本發明的另一方面提供製造表面處理銅箔的方法，其包括：第一步驟──製備電解銅箔；第二步驟──酸洗電解銅箔表面；第三步驟──將經酸洗的電解銅箔在包括Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4、Na中至少一者的鍍浴中粗糙化而形成瘤；以及第四步驟──在形成的瘤上形成鍍層。
電解銅箔的粗糙化可以在由每公升1到10公克的Mo、每公升1到10公克的Co、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu、及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中進行。
電解銅箔的粗糙化可以在由每公升1到10公克的Mo、每公升0.1到0.5公克的Mn、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu、及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中進行。
電解銅箔的粗糙化可以在由每公升1到10公克的Mo和每公升1到10公克的Na所組成的鍍浴中進行。
本發明的又一方面提供製造表面處理銅箔的方法，其包括：藉由酸洗電解銅箔表面，以及在包括Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4、Na中至少一者的鍍浴中粗糙化經酸洗的電解銅箔以形成瘤而進行電解銅箔的表面處理；其中表面處理銅箔的表面粗糙度是2.5到2.8微米，附接在銅箔一表面上之瘤的高度是1.0到3.0微米，瘤之間的距離是0.1到0.7微米，並且在25微米之觀察區間裡的瘤數目是1到60。
方法可以進一步包括在瘤上形成覆蓋鍍層以避免瘤脫離。
根據本發明，藉由Mo、Co、W、Mn和其類似者的金屬離子來使電解銅箔粗糙化，而有可能改善銅箔的附著強度。
進一步而言，藉由Mo、Co、W、Mn和其類似者的金屬離子來使電解銅箔粗糙化，而有可能獲得具有良好高頻特徵的表面處理銅箔。
S100‧‧‧第一步驟
S200‧‧‧第二步驟
S300‧‧‧第三步驟
S400‧‧‧第四步驟
圖1是流程圖，其示範根據本發明的範例性具體態樣之製造表面處理銅箔的方法。
圖2是掃描式電子顯微鏡(SEM)照片，其示範當電解銅箔在包括Mo、Co、W、Cu及H2SO4的鍍浴中粗糙化時所形成的瘤。
圖3是SEM照片，其示範根據本發明之表面處理銅箔的截面。
圖4是示意圖，其示範根據本發明而形成在表面處理銅箔之電解銅箔表面上的瘤外觀。
下文將參照隨附圖式來詳細描述本發明的範例性具體態樣和使熟於此技藝者能容易體會本發明所需的其他事項。然而，由於本發明可以在所附請求項描述的範圍裡以多樣不同的形式來實施，故不管是否明示，以下所要描述的範例性具體態樣僅為例示性的。
於描述本範例性具體態樣，以下的敘述可以省略對已知之相關功能或組態的詳細解釋，以避免不必要的模糊了本發明的主題。再者，應注意相同的元件將以相同的參考數字和符號來標示，雖然它們顯示在不 同的圖中。於圖式，每一層的厚度或尺寸可以有所放大或異於每一層的真實厚度或尺寸。
其次，將更詳細描述根據本發明之範例性具體態樣的表面處理銅箔和製造條件。
[表面處理銅箔]
根據本發明之範例性具體態樣的表面處理銅箔包括粗糙化的表面，其具有附接到銅箔之至少一表面的瘤，而表面處理銅箔的表面粗糙度是2.5到3.0微米，附接在銅箔一表面上之瘤的高度是1.0到3.0微米，瘤之間的距離是0.1到0.7微米，並且在25微米之觀察區間裡的瘤數目是1到60。表面粗糙度更佳而言是2.5到2.8微米。
在此同時，表面處理銅箔對於低Dk的PPG具有0.7kgf或更大的附著強度，並且更佳而言為1.0kgf或更大的附著強度。
本發明所述的瘤高度意謂銅箔表面和瘤頂點之間的距離，並且形成在被粗糙化的電解銅箔表面上之瘤的高度可以在1.0微米到3.0微米的範圍裡。瘤形成在電解銅箔上；並且當瘤的高度小於1.0微米時，並不偏好的是附著於樹脂之瘤的高度有所降低，並且附著強度不是優異的。當瘤的高度大於3.0微米時，並不偏好的是電解銅箔之表面的表面粗糙度偏差有所增加，因此可能無法維持穩定的附著強度，並且高頻特徵有所劣化。
進一步而言，偏好的是瘤之間的距離是在0.1微米到0.7微米的範圍裡。當瘤之間的距離小於0.1微米時，並不偏好的是瘤之間的距離有所降低，因此對於樹脂的附著部分是不足的，並且附著強度有所劣化。當瘤之間的距離大於0.7微米時，並不偏好的是電解銅箔和瘤之間的結合力 有所降低，因此瘤可能輕易從銅箔的表面脫離，並且附著強度有所降低。
進一步而言，偏好的是在25微米之觀察區間裡所存在的瘤數目是10到60。當在25微米之觀察區間裡的瘤數目小於10時，並不偏好的是存在了電解銅箔之附著強度降低的問題。當瘤數目大於60時，並不偏好的是瘤之間的距離有所降低，因此對於樹脂的附著部分是不足的，並且附著強度有所劣化。
[製造表面處理銅箔的方法]
圖1是流程圖，其示範根據本發明的範例性具體態樣之製造表面處理銅箔的方法。
根據範例性具體態樣之製造表面處理銅箔的方法包括：第一步驟──製備電解銅箔(S100)；第二步驟──酸洗電解銅箔的表面(S200)；第三步驟──將經酸洗的電解銅箔在包括Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4及Na中至少一者的鍍浴中粗糙化而形成瘤(S300)；以及第四步驟──在形成的瘤上形成覆蓋鍍層(S400)。
於第一步驟(S100)，製備12微米的電解銅箔。於製備電解銅箔的第一步驟(S100)，為了製造電解銅箔，使用具有3公升容量的電解槽系統，其能夠以每分鐘20公升來循環。用於製造銅箔的銅電解液可以具有每公升250到400公克的CuSO4‧5H2O、每公升80到150公克的H2SO4的組成，並且可以添加氯離子和添加物。
進一步而言，用於製造銅箔之銅電解液的溫度均勻地維持在45℃。用於製造銅箔的陰極則使用尺度穩定的電極(dimensionally stable electrode，DSE)板，其具有5毫米的厚度和10×10平方公分的尺寸。陽極也 使用鈦板，其像陰極也具有5毫米的厚度和10×10平方公分的尺寸。進一步而言，為了便於Cu2+離子的移動，鍍覆是以每平方公寸35安培的電流密度來進行，並且製造出厚度12微米的電解銅箔。
其次，於第二步驟(S200)，酸洗電解銅箔表面。第二步驟(S200)酸洗電解銅箔表面之過程是藉由移除銅箔表面的雜質以清潔銅箔的步驟。於本發明，偏好透過酸洗來清潔銅箔。酸洗電解銅箔表面之方法沒有特別限制，只要是本領域所知的方法即可，但是以非限制性範例來說，可以選擇性地使用除脂和拋光。除脂是要移除存在於銅箔的殘餘物，並且可以應用鹼性除脂、酸性除脂或電解除脂。
之後，於第三步驟(S300)，經酸洗清潔的電解銅箔在包括Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4及Na中至少一者的鍍浴中粗糙化以形成瘤。當粗糙化電解銅箔時，鍍浴中所包括的金屬離子是在包括Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4及Na中的至少一金屬離子之鍍浴中以每平方公寸20安培的電流密度被粗糙化4秒。瘤形成在第三步驟(S300)所粗糙化之電解銅箔的表面上。當瘤經由粗糙化而形成在電解銅箔的表面上時，電解銅箔的表面積有所增加；結果，瘤的附著強度有所增加。根據本發明的表面處理銅箔適合低Dk和高頻的印刷電路板，並且特別而言對於低Dk的PPG具有高附著強度。根據本發明，被粗糙化之電解銅箔的表面粗糙度範圍為2.5到3.0微米，並且對於低Dk的PPG具有0.7kgf或更大的附著強度。
更佳而言，根據本發明所粗糙化之電解銅箔的表面粗糙度範圍可以為2.5到2.8微米，並且對於低Dk的PPG更佳而言具有1.0kgf或更大的附著強度。
用於形成瘤的粗糙化是在包括選自Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4及Na中之至少一金屬離子的鍍浴中進行。用於形成瘤的粗糙化可以在由每公升1到10公克的Mo、每公升1到10公克的Co、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中進行。供參考，圖2示範當電解銅箔在由每公升1到10公克的Mo、每公升1到10公克的Co、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中粗糙化時所形成之瘤的SEM照片。
進一步而言，用於形成瘤的粗糙化可以在由每公升1到10公克的Mo、每公升0.1到0.5公克的Mn、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中進行。
進一步而言，用於形成瘤的粗糙化可以在由每公升1到10公克的Mo和每公升1到10公克的Na所組成的鍍浴中進行。
在此同時，偏好的是形成在第三步驟(S300)所粗糙化的電解銅箔表面上之瘤的高度是在1.0微米到3.0微米的範圍裡。本發明所述的瘤高度意謂銅箔表面和瘤頂點之間的距離。
當瘤的高度小於1.0微米時，並不偏好的是附著於樹脂之瘤的高度有所降低，並且附著強度不是優異的。當瘤的高度大於3.0微米時，並不偏好的是電解銅箔之表面的表面粗糙度偏差有所增加，因此可能無法維持穩定的附著強度，並且高頻特徵有所劣化。
進一步而言，偏好的是瘤之間的距離是在0.1微米到0.7微 米的範圍裡。當瘤之間的距離小於0.1微米時，並不偏好的是瘤之間的距離有所降低，因此對於樹脂的附著部分不足，並且附著強度有所劣化。當瘤之間的距離大於0.7微米時，並不偏好的是電解銅箔和瘤之間的結合力有所降低，因此瘤可能輕易從銅箔的表面脫離，並且附著強度有所降低。
進一步而言，偏好的是在25微米之觀察區間裡的瘤數目是在10到60。當25微米之觀察區間裡的瘤數目小於10時，並不偏好的是則有電解銅箔的附著強度降低之問題。當瘤數目大於60時，並不偏好的是瘤之間的距離有所降低，因此對於樹脂的附著部分不足，並且附著強度有所劣化。
其次，於第四步驟(S400)，在經由第三步驟(S300)所形成的瘤上以每平方公寸15安培的電流密度進行鍍覆3秒而形成覆蓋鍍層。於第四步驟(S400)，在瘤上形成覆蓋鍍層是要改善粉掉落、熱阻性、導電率。偏好的是瘤上所形成的覆蓋鍍層是要形成選自由Ni、Ni合金、Zn、Zn合金及Ag組成的群中至少一金屬的金屬鍍層。然而，在瘤上形成鍍層的方法未必限於此，並且可以選擇性的使用，只要是本領域所知的方法即可。
供參考，圖3是SEM照片，其示範根據本發明之表面處理銅箔的截面。如上所述，可以看到在進行到第四步驟(S400)之形成鍍層的表面處理銅箔中如圖3所示形成了瘤。
進一步而言，圖4是示意圖解，其示範形成在根據本發明的表面處理銅箔之電解銅箔表面上的瘤外觀。參見圖4，可以看到瘤形成在電解銅箔的毛面(matte side)上。
下文將透過實施例來更詳細描述本發明。
如下進行測試，其測量根據範例性具體態樣之表面處理銅箔的附著強度和表面粗糙度Rz。
於根據本發明之製造表面處理銅箔的方法，酸洗電解銅箔表面和鍍覆瘤的粗糙化表面是在本領域所知的一般使用條件下進行。進一步而言，在下面要描述的實施例和比較實施例測量了根據本發明之表面處理銅箔的附著強度和表面粗糙度Rz，並且改變根據本發明之製造表面處理銅箔的方法之粗糙化鍍浴中的金屬離子組成來比較。
[實施例]
本發明實施例和比較實施例的測試條件如下。
實施例1
首先，實施例1是如下實施例：當電解銅箔在每公升2公克的Mo、每公升2公克的Co、每公升0.3公克的W、每公升90公克的Cu及每公升130公克的H2SO4之鍍覆溶液的條件下粗糙化時，藉由設定每平方公寸20安培的電流密度和4秒的處理時間而使瘤形成在電解銅箔的表面上，然後測量電解銅箔的附著強度和表面粗糙度Rz。
實施例2
實施例2是如下實施例：當電解銅箔在每公升3公克的Mo、每公升0.4公克的Mn、每公升0.2公克的W、每公升90公克的Cu及每公升130公克的H2SO4之鍍覆溶液的條件下粗糙化時，藉由設定每平方公寸20安培的電流密度和4秒的處理時間而使瘤形成在電解銅箔的表面上，然後測量電解銅箔的附著強度和表面粗糙度Rz。
實施例3
實施例3是如下實施例：當電解銅箔在每公升5公克的Mo和每公升0.4公克的Na之鍍覆溶液的條件下粗糙化時，藉由設定每平方公寸20安培的電流密度和4秒的處理時間而使瘤形成在電解銅箔的表面上，然後測量電解銅箔的附著強度和表面粗糙度Rz。
比較實施例1
比較實施例1是如下實施例：當電解銅箔在每公升2公克的Mo、每公升0.3公克的W、每公升90公克的Cu及每公升130公克的H2SO4之鍍覆溶液的條件下粗糙化時，藉由設定每平方公寸20安培的電流密度和4秒的處理時間而使瘤形成在電解銅箔的表面上，然後測量電解銅箔的附著強度和表面粗糙度Rz。
比較實施例2
比較實施例2是如下實施例：當電解銅箔在每公升2公克的Co、每公升0.3公克的W、每公升90公克的Cu及每公升130公克的H2SO4之鍍覆溶液的條件下粗糙化時，藉由設定每平方公寸20安培的電流密度和4秒的處理時間而使瘤形成在電解銅箔的表面上，然後測量電解銅箔的附著強度和表面粗糙度Rz。
以下表1是表格，其示範測量電解銅箔的附著強度(kgf)和表面粗糙度(Rz)，其係在實施例1和2、比較實施例1和比較實施例2的條件下做表面處理。表面粗糙度Rz根據JISB 0601-1994標準來測量。表面粗糙度Rz意謂隨著數值降低，則不平整度比較小。附著強度的測量是將製備的試片附接於尺寸為10×100毫米之無鹵素的低Dk預浸體，製備試片以供測量附著強度，其是在210℃下進行熱壓過程30分鐘，並且設定製備的測量 試片在萬用測試機(U.T.M.)儀器中的速度為每分鐘50毫米。
參見表1，在實施例1的情形，其中藉由組成Mo、Co、W、Cu及H2SO4的粗糙化鍍覆溶液來製造表面處理銅箔，電解銅箔在粗糙化之後的表面粗糙度Rz和附著強度分別測量為2.6微米和1.08kgf，因此顯示表面粗糙度Rz和附著強度是最優異的。這意謂像是實施例1，當以包括Mo、Co、W、Cu及H2SO4的鍍覆溶液來使電解銅箔粗糙化而形成瘤時，可以製造出具有低粗糙度和改善附著強度的表面處理銅箔。
另一方面，在比較實施例1的情形，其中藉由組成Mo、W、Cu及H2SO4而沒有Co的粗糙化鍍覆溶液以製造表面處理銅箔，電解銅箔在粗糙化之後的表面粗糙度Rz和附著強度分別測量為3.12微米和0.9kgf，因此顯示附著強度是良好的，但是表面粗糙度Rz不好。
進一步而言，在比較實施例2的情形，其中藉由組成Co、W、Cu及H2SO4而沒有Mo的粗糙化鍍覆溶液以製造表面處理銅箔，電解銅箔在粗糙化之後的表面粗糙度Rz和附著強度分別測量為4.0微米和1.09kgf，因此顯示附著強度是良好的，但是表面粗糙度Rz不好。
在實施例2的情形，其中藉由組成Mo、Mn、W、Cu及H2SO4的粗糙化鍍覆溶液以製造表面處理銅箔，電解銅箔在粗糙化之後的表面粗糙度Rz和附著強度分別測量為2.91微米和0.89kgf，因此顯示表面粗糙度Rz和附著強度都是良好的。這意謂像是實施例2，當以包括Mo、Mn、W、Cu及H2SO4的鍍覆溶液來使電解銅箔粗糙化而形成瘤時，可以製造出具有低粗糙度和改善附著強度的表面處理銅箔。
在實施例3的情形，其中藉由組成Mo和Na的粗糙化鍍覆溶液以製造表面處理銅箔，電解銅箔在粗糙化之後的表面粗糙度Rz和附著強度分別測量為2.52微米和0.71kgf，因此顯示表面粗糙度Rz和附著強度都是良好的。這意謂像是實施例3，當以包括Mo和Na的鍍覆溶液來使電解銅箔粗糙化而形成瘤時，可以製造出具有低粗糙度和改善附著強度的表面處理銅箔。
雖然已經根據範例性具體態樣而詳述本發明的技術精神，但是已經在此為了例示而描述範例性具體態樣，其並不限制本發明。進一步而言，熟於此技藝者可以體會本發明可以做出多樣的修改而不偏離本發明的範圍。
本發明的權利範圍是由下面要描述的申請專利範圍來決定；因此，權利範圍不受限於說明書主體的揭示，並且包括在申請專利範圍之等同範圍裡的修飾和改變都將包括在本發明的範圍裡。

Claims (11)

  1. 一種表面處理銅箔，其包括附接到銅箔至少一表面之瘤的粗糙化表面，其中：該表面處理銅箔的表面粗糙度是2.5到3.0微米，附接在該銅箔一表面上之該瘤的高度是1.0到3.0微米，該瘤之間的距離是0.1到0.7微米，並且在25微米之觀察區間裡的該瘤的數目是1到60，該表面處理銅箔於低介電常數(Dk)用預浸體(PPG)具有0.7kgf或更大的附著強度。
  2. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中該表面粗糙度是2.5到2.8微米。
  3. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中該表面處理銅箔於低Dk用PPG具有1.0kgf或更大的附著強度。
  4. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中用於形成該瘤的粗糙化是在由每公升1到10公克的Mo、每公升1到10公克的Co、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中進行。
  5. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中用於形成該瘤的粗糙化是在由每公升1到10公克的Mo、每公升0.1到0.5公克的Mn、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中進行。
  6. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中用於形成該瘤的粗糙化是在由每公升1到10公克的Mo和每公升1到10公克的Na所組成的鍍 浴中進行。
  7. 如申請專利範圍第1項的表面處理銅箔，其中將覆蓋鍍層形成在該粗糙化表面的瘤顆粒上。
  8. 一種製造表面處理銅箔的方法，其包括：第一步驟--製備電解銅箔；第二步驟--酸洗該電解銅箔的表面；第三步驟--將經酸洗的電解銅箔在包括Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4及Na中至少一者的鍍浴中粗糙化而形成瘤；以及第四步驟--在該形成的瘤上形成鍍層，其中該電解銅箔的該粗糙化是在由每公升1到10公克的Mo、每公升0.1到0.5公克的Mn、每公升0.1到0.5公克的W、每公升10到20公克的Cu及每公升100到200公克的H2SO4所組成的鍍浴中進行。
  9. 一種製造表面處理銅箔的方法，其包括：第一步驟--製備電解銅箔；第二步驟--酸洗該電解銅箔的表面；第三步驟--將經酸洗的電解銅箔在包括Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4及Na中至少一者的鍍浴中粗糙化而形成瘤；以及第四步驟--在該形成的瘤上形成鍍層，其中該電解銅箔的該粗糙化是在由每公升1到10公克的Mo和每公升1到10公克的Na所組成的鍍浴中進行。
  10. 一種製造表面處理銅箔的方法，其包括酸洗電解銅箔的表面，以及將經酸洗的電解銅箔在包括Mo、Co、W、Mn、Cu、H2SO4及Na中至少一 者的鍍浴中粗糙化以形成瘤，而進行該電解銅箔的表面處理，其中該表面處理銅箔的表面粗糙度是2.5到2.8微米，附接在該銅箔一表面上之該瘤的高度是1.0到3.0微米，該瘤之間的距離是0.1到0.7微米，並且在25微米之觀察區間裡的該瘤的數目是1到60，該表面處理銅箔於低介電常數(Dk)用預浸體(PPG)具有0.7kgf或更大的附著強度。
  11. 如申請專利範圍第10項的方法，其進一步包括：在該瘤上形成覆蓋鍍層。
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