TW202413734A - 具有柱型團塊結構之經表面處理之銅箔、包含其之包銅層壓體、及包含其之印刷配線板 - Google Patents

Abstract

所揭示者係一種經表面處理之銅箔，其對一樹脂基材具有優異的黏著強度，且適合應用為一高頻箔，經表面處理之該銅箔包括藉由一生箔之表面處理所形成之經表面處理之一表面，其中經表面處理之該銅箔包括複數個團塊結構，其等形成於經表面處理之該表面上，該等團塊結構各包括：一柱部，其自經表面處理之該銅箔的該表面延伸；及一分支部，其自該柱部的一側表面或一端部分延伸，且其中經表面處理之該表面具有1.0 um或更小之一表面粗糙度(Rz)。

Description

具有柱型團塊結構之經表面處理之銅箔、包含其之包銅層壓體、及包含其之印刷配線板

相關申請案之交互參照

本申請案主張2022年8月30日於韓國智慧財產局所申請之韓國專利申請案第10-2022-0109056號之優先權，該申請案所揭示之全部內容以引用方式併入本文中。

本揭露係關於一種經表面處理之銅箔，且更具體而言，係關於一種經表面處理之銅箔，其對一樹脂基材具有優異的黏著強度，且適合應用為一高頻箔；關於一種包括該銅箔之包銅層壓體；及關於一種包括該銅箔之印刷配線板。

隨著電/電子裝置之小型化及重量減少的加速，形成在基材上的印刷電路已變得更複雜、更高度整合、及更小型化，使得用於印刷電路板中的銅箔需要具有各種性質。

用於使用在製造可撓性板的板、用於高密度安裝的多層板、高頻電路板、及用於電/電子裝置的類似者（在下文中，此等板係統稱為「電路板(circuit board)」或「印刷配線板(printed wiring board)」）的複合材料係由導體（銅箔）及支撐導體的絕緣基材（包括膜）所組成，且絕緣基材確保導體之間的絕緣且具有足夠強度以支撐組件。

習知上，為了增強對絕緣基材之黏著強度，藉由放大表面處理時流動之電流，及增加表面處理時沉積之粒狀銅的量，來增加10點平均粗糙度Rz。然而，此方法適合作為用於增強黏著強度的方法，但不適合考量到高頻特徵之電路板，此係因為用於增強黏著強度信號之銅箔表面之過度處理增加高頻信號傳輸的干擾因素，其對傳輸造成不利影響。

近年來，在5G高頻環境中，資料傳輸速度已增加100倍或更多。就在5G環境中用於高頻及高速傳輸的印刷配線板而言，採用低損耗、超細、高密度液晶聚合物(liquid crystal polymer, LCP)之印刷電路板的市場正飛速成長。LCP具有與銅類似的熱膨脹係數(coefficient of thermal expansion, CTE)；具有極佳的耐衝擊強度，不會因外部衝擊或振動而斷裂；且就抗吸濕性而言，相較於聚醯亞胺(polyimide, PI)在高頻環境中具有極佳的抗吸濕之性質。然而，習知LCP類似於低介電損耗樹脂或其他熱固性樹脂，具有諸如黏著性及抗熱性不佳，以及不利於對銅箔的黏著性及加工性之問題。

先前技術文件

專利文件

（專利文件1）(1) KR 2016-75865 A

本揭露旨在解決上述問題，且本揭露之一態樣係提供一種新穎之經表面結構化、經表面處理之銅箔，其對印刷配線板具有高黏著強度；提供一種包括該銅箔之銅箔之包銅層壓體；及提供一種包括該銅箔之印刷配線板。

本揭露之另一態樣係提供一種經表面處理之銅箔，其具有適用於高頻信號傳輸的一表面粗糙度；提供一種包括該銅箔之包銅層壓體；及提供一種包括該銅箔之印刷配線板。

本揭露之又一態樣係提供一種經表面處理之銅箔，其對採用液晶聚合物(LCP)的一印刷配線板具有高黏著強度；提供一種包括該銅箔之包銅層壓體；及提供一種包括該銅箔之印刷配線板。

根據本揭露之一態樣，所提供者係一種經表面處理之銅箔，其包括藉由一生箔(raw foil)之表面處理所形成之經表面處理之一表面，其中經表面處理之該銅箔包括複數個團塊結構，其等形成於經表面處理之該表面上，該等團塊結構各包括：一柱部，其自經表面處理之該銅箔的該表面延伸；及一分支部，其自該柱部的一側表面或一端部分延伸，且其中經表面處理之該表面具有1.0 um或更小之一表面粗糙度(Rz)。

經表面處理之該表面之該表面粗糙度(Rz)較佳地係0.7 um或更小。

該等團塊結構之寬度(w)較佳地係400 nm或更小，且該等團塊結構之高度(h)對寬度(w)之比(h/w)較佳地超過1。額外地，該等團塊結構之高度(h)對寬度(w)之比(h/w)可係1.2或更大。

該等團塊結構之寬度(w)可係130至350 nm；該等團塊結構之高度(h)可係300至550 nm；且該等團塊結構之間的距離(d)可係200 nm或更大。較佳地，該等團塊結構之間的距離(d)可係250至600 nm。

該等團塊結構之密度可係2至20/µm ²。

經表面處理之該銅箔之經表面處理之該表面的光澤度可小於10。

根據本揭露之另一態樣，所提供者係一種包銅層壓體，其包括層壓於一樹脂基材上的上述經表面處理之該銅箔。該樹脂基材可包括一LCP樹脂。

根據本揭露，所提供者可係新穎之經表面結構化、經表面處理之銅箔，其對印刷電路板具有高黏著強度。此外，根據本揭露，所提供者可係經表面處理之銅箔，其具有適合於高頻信號傳輸的表面粗糙度，且其對採用液晶聚合物(LCP)的印刷電路板具有高黏著強度。

本文中所示之例示性實施例及圖式中所述的特徵僅係用於說明最佳例示性實施例的一者，但不意欲表示本揭露的技術概念，且因此本揭露可涵蓋可在申請本申請案時可取代例示性實施例的各種等效例及修改例。在下文中，將參考隨附圖式更詳細描述本揭露的例示性實施例。

在本文中，除非另有說明，否則表示尺寸之因數值（諸如結構之寬度、高度、及長度、或結構之特徵之測量值）指示平均值。

本揭露之經表面處理之銅箔包括生箔及在生箔之至少一個表面上的經表面處理之層。在本揭露中，經表面處理之層可包括粗化層及抗氧化層，且可進一步包括鉻酸鹽層或額外層。

在下文中，將詳細描述本揭露之生箔、粗化層、及抗氧化層。 A. 生箔

在本揭露中，可將已知的銅箔作為生銅箔使用，但不受此限。根據實施例，未處理的銅箔可係電鍍銅箔或軋製銅箔。

在本揭露中，生箔的厚度不受特別限制，但在經表面處理之銅箔係用於印刷配線板時，則生箔的厚度可係例如6至35 µm，且較佳地係6至18 µm。

在本揭露中，就電鍍箔而言，生箔之沉積側的表面粗糙度Rz可係0.7 µm，更佳地係0.65 µm或更小、0.6 µm或更小、0.5 µm或更小、或者0.45 µm或更小。在本揭露中，生箔具有拉伸強度，較佳地係40 kgf/mm ²至70 kgf/mm ²。

在本揭露中，生箔的機械性質較佳地在與用於模製包銅層壓體或印刷配線板之一預製體結合的期間的熱壓製之前及之後維持均勻。在本揭露中，生箔在壓製之前及之後具有晶粒的極小變化。 B. 粗化層

在本揭露中，粗化層可形成在生箔的一個表面或兩個表面上。本揭露之經表面處理之層可藉由對生箔進行電鍍而形成。

可使用pH 1至8（例如6至7）的水溶液作為電解質，其含有10至90 g/L之銅鹽、30至150 g/L之硫酸、0.1至0.5 g/L之鈷、0.2至2 g/L之鎢、及0.2至2 g/L之鈦。銅鹽之實例可包括硫酸銅(CuSO ₄)、硝酸銅(Cu(NO ₃) ₂)、氯化銅(CuCl ₂)、及醋酸銅(Cu(CH ₃COO) ₂)。

電鍍可例如藉由使用不溶性電極作為陰極，及未處理的生箔作為陽極，將生箔浸沒於電解質中的同時，在25℃至45℃之溶液溫度及16至20 A/dm ²之電流密度達例如5至15秒來進行，但不限於此。 C. 抗氧化層

額外地，在本揭露中，可於經表面處理之層上形成抗氧化層。抗氧化層可含有鎳(Ni)及磷(P)。除了鎳及磷以外，抗氧化層可進一步含有鋅(Zn)、鈷(Co)、鈦(Ti)、錫(Sn)、及類似者。

抗氧化層之沉積量可係例如30至300 mg/m ²，或作為另一實例，係50至120 mg/m ²，但不限於此。

在本揭露中，形成抗氧化之方法不受特別限制。說明性地，抗氧化可藉由在含有3至10 g/L之鎳鹽及15至40 g/L之磷酸(H ₃PO ₄)的水溶液中，在25℃之溶液溫度、pH 2至4、及1 A/dm ²之電流密度進行電鍍達1至3秒，接著在含有3至10 g/L之鋅及具有pH 1至3的水溶液中，在1 A/dm ²之電流密度進行電鍍達2至4秒而形成。

具體而言，鎳鹽之實例可包括硫酸鎳(NiSO ₄)、硝酸鎳(Ni(NO ₃) ₂)、氯化鎳(NiCl ₂)、醋酸鎳(C ₄H ₆NiO ₄)、及類似者，但不限於此。

抗氧化層上可額外形成鉻酸鹽層。鉻酸鹽層可藉由在具有3至7 g/L之鉻酸酐濃度的水溶液中，在室溫下、pH 5.0、及0.5 A/dm ²之電流密度進行處理達4秒而形成。

矽烷偶合劑層可藉由在室溫下及pH 3至5，浸沒於具有1至10 g/L之矽烷偶合劑濃度的水溶液中達2至4秒而在具有抗氧化層的銅箔上形成。

藉由上述方法進行表面處理的本揭露之經表面處理之銅箔包括團塊結構，其等具有在垂直於銅箔之表面的方向上延伸的柱形。

圖1係根據本揭露之實施例之銅箔表面上之團塊結構的示意圖。

本揭露之團塊結構具有在實質上垂直於銅箔之表面的方向上延伸的針狀柱形（相對於銅箔表面形成60至90度之角度）。然而，本揭露之團塊結構之特徵在於，其包括自支柱結構之側表面或端部分的分支結構。

具體而言，參照圖1，本揭露之各團塊結構100可包括：柱部100A，其在實質上垂直於銅箔表面S的方向上延伸且形成本體；及分支部100B，其自柱部的側表面或上表面分支。在本揭露中，構成團塊結構之柱部及分支部可係分開的團塊或顆粒，或柱部及分支部各自可係複數個團塊或顆粒之總成或聚集體，但不限於此，且替代地，整個團塊結構可包含一個團塊或顆粒。

在本揭露中，團塊結構具有針狀或柱型結構，其之代表結構之高度(h)對寬度(w)之比的長寬比超過1。團塊結構之長寬比(h/w)可較佳地係1.2或更大、1.4或更大、1.5或更大、或1.6或更大，且長寬比較佳地係2.5或更小、2.4或更小、2.3或更小、2.2或更小、2.1或更小、或者2.0或更小。

在本揭露中，團塊結構之寬度(w)可係400 nm或更小，較佳地係130至350 nm。團塊結構之高度(h)可係600 nm或更小，較佳地係300至550 nm。

具體而言，團塊結構之寬度(w)係定義為在團塊結構的任意位置之平行於銅箔表面之方向所切割之截面上測量的寬度值當中的最大值，而團塊結構之高度(h)係定義為在團塊結構的任意位置之垂直於銅箔表面之方向所切割之截面上測量的高度值當中的最大值。將理解到，構成團塊結構之柱部及分支部的大小（寬度或高度）可使用與上述團塊結構之寬度或高度相同的方式測量。

在本揭露中，團塊結構係離散地分布於銅箔表面上。團塊結構之分布模式不具有特定規則，但團塊結構之間的距離d可係200 nm或更大，較佳地在250至600 nm之範圍內。

本揭露之經表面處理之銅箔中的離散程度可表示為每單位面積之團塊結構的數目。說明性地，團塊結構之密度可係2至20/µm ²、3至15/µm ²、5至15/µm ²、或5至10/µm ²。不同於此，本揭露之團塊結構的離散程度可表示為團塊結構之距離d及寬度w之比。例如，距離d可較佳地具有大於本揭露之團塊結構中之寬度w的值。說明性地，團塊結構之距離d對寬度w之比可係1.5或更大、1.6或更大、1.7或更大、1.8或更大、4.0或更小、3.5或更小、3.0或更小、2.5或更小、或者2.0或更小。

如所示者，在本揭露之團塊結構中，分支部之寬度及長度一般小於柱部之寬度及高度。然而，在本揭露中，分支部意指具有至少一預定值之寬度或高度的結構，例如至少50 nm、60 nm、70 nm、80 nm、90 nm、或100 nm。

本揭露之經表面處理之銅箔在附接至樹脂基材時展現高黏著強度。此係假設由於包含柱部及分支部之團塊結構所產生的錨定效應。

額外地，本揭露之經表面處理之銅箔在展現對樹脂基材之高黏著強度的同時，具有非常低的10點平均粗糙度(Rz)值。儘管團塊結構具有高的長寬比，但本揭露之經表面處理之銅箔可具有1.0 µm或更小、0.9 µm或更小、0.8 µm或更小、0.7 µm或更小、或0.6 µm或更小、或0.5 µm或更小的10點平均粗糙度值。本揭露之經表面處理之銅箔的10點平均粗糙度Rz可係0.2 µm或更大、或者0.3 µm或更大。用語「10點平均粗糙度(10-point mean roughness) Rz」係指JIS B 0601-1994「表面粗糙度之定義及指引(definition and indication of surface roughness)」中之5.1十點平均粗糙度之定義中所規定的10點平均粗糙度Rz。

因此，本揭露之經表面處理之銅箔可施加至考量高頻特徵的電路板，且甚至對LCP聚合物可顯示高黏著性特徵。

在本揭露中，經表面處理之銅箔可附接至低介電質樹脂、聚醯亞胺、烴、聚四氟乙烯膜、或LCP樹脂以製造包銅層壓體。本揭露之經表面處理之銅箔相對於低介電質樹脂、聚醯亞胺、烴、聚四氟乙烯膜、或LCP可具有0.7 kgf/cm或更大的黏著強度。黏著強度可係根據JIS C6481標準測量的黏著強度。

層壓在樹脂基材上之上述經表面處理之銅箔可用作包銅層壓體，且此包銅層壓體可用於製造印刷配線板。

以下，將參考實例詳細描述本揭露。然而，此等實例係以例示方式顯示，且不應解釋為以任何方式限制本揭露。 ＜實例1＞

為了藉由電鍍製備銅箔，準備能夠以20 L/min循環之2-L體積的電解系統。具體而言，銅電解質之溫度係恆定維持在45℃。使用厚度10 mm且大小10 cm × 10 cm的尺寸穩定電極(dimensionally stable electrode, DSE)電極板作為陰極，並使用具有與陰極相同大小及厚度的鈦電極板作為陽極。

使用具有0.43 µm之粗糙度(Rz)及12 µm之厚度的織品（產品名稱：I2S，來自ILJIN Materials）作為生箔。

粗化層係使用pH 6至7、含有30 g/L之銅鹽（硫酸銅）、90 g/L之硫酸、0.3 g/L之鈷、0.8 g/L之鎢、及0.6 g/L之鈦之水溶液作為電解質的同時，藉由在45℃之溶液溫度及16至20 A/dm ²之電流密度進行電鍍達6秒而形成。

接著，抗氧化層係藉由在含有5 g/L之鎳鹽及20 g/L磷酸(H ₃PO ₄)的水溶液中，在25℃之溶液溫度、pH 2至4、及1 A/dm ²之電流密度進行電鍍達1至3秒，並且在含有5 g/L之鋅及具有pH 1至3的水溶液中，在1 A/dm ²之電流密度進行電鍍達2至4秒而形成。

接著，鉻酸鹽層係在具有5 g/L之鉻酸酐濃度的水溶液中，在室溫下、pH 5.0及0.5 A/dm ²之電流密度之條件下、及4秒之處理時間而形成。

將具有鉻酸鹽層的銅箔浸沒於1至10 g/L之矽烷偶合劑的溶液中達3秒，且接著使用100℃之溫度的熱空氣進行乾燥，從而製備經表面處理之銅箔。 ＜實例2＞

除使用具有0.61 µm之粗糙度(Rz)的織品（產品名稱：I2S，購自ILJIN Materials）作為生箔外，粗化層、抗氧化層、鉻酸鹽層、及矽烷偶合劑層係藉由與實例1相同的方法來形成。 ＜比較例1＞

類似於實例1，使用具有0.43 µm之粗糙度(Rz)及12 µm之厚度的織品（產品名稱：I2S）作為生箔。粗化層係在使用pH 3.5至5.5、含有50 g/L之硫酸銅、及100 g/L之硫酸之水溶液的同時，藉由在45℃之溶液溫度及7至12 A/dm ²之電流密度進行電鍍達8秒而形成。

接著，抗氧化層、鉻酸鹽層、及矽烷偶合劑層係在與實例1相同的條件下形成。 ＜比較例2＞

類似於實例1，使用具有0.43 µm之粗糙度(Rz)及12 µm之厚度的織品（產品名稱：I2S）作為生箔。主要粗化層係在使用pH 6至7、含有50 g/L之硫酸銅、及100 g/L之硫酸之水溶液的同時，藉由在45℃之溶液溫度及6至11 A/dm ²之電流密度進行電鍍達4秒而形成。接著，次要粗化層係在使用pH 1至3、含有250 g/L之硫酸銅、及100 g/L之硫酸之水溶液的同時，藉由在45℃之溶液溫度及10至14 A/dm ²之電流密度進行電鍍達4秒兩次而形成。

接著，抗氧化層、鉻酸鹽層、及矽烷偶合劑層係在與實例1相同的條件下形成。 ＜性質評估＞

針對性質，測量在實例及比較例中所製備之經表面處理之銅箔樣本的各者。性質評估項目及測量方法如下。 a. 10點平均粗糙度R _z（單位：µm）

表面處理之後的銅箔的10點平均粗糙度R _z係根據JIS B0601標準使用表面粗糙度計測量。 b.團塊顆粒大小、團塊距離、及團塊密度

使用掃描式電子顯微鏡拍攝表面處理之後的銅箔之表面的SEM影像，並測量100 µm × 100 µm之面積內100個團塊結構的顆粒直徑，且獲得其平均值。類似地，在SEM影像上100 µm × 100 µm之面積內的任何團塊之間的距離係以100個點測量。

在銅箔之表面的SEM影像上1 µm Х 1 µm之面積內計數團塊結構的數目來獲得團塊之密度(#/µm ²)。 c.黏著強度（單位：kgf/cm）

樣本係藉由製備具有50 µm厚度之LCP樹脂（製造商：COPOLYMEN®），並於LCP樹脂上分別壓製具有10 mm之寬度的實例1及2與比較例1及2之經表面處理之銅箔樣本來製備。壓製之條件係350℃之溫度、-1.8 Mpa之壓力、及5分鐘。經製備之測試樣本係根據JIS C 6471 8.1，藉由90°剝離法測量黏著強度。 d.光澤度(Gs 60°)

在表面處理後之銅箔之表面係根據JIS Z 8741標準測量的光澤度。 e.色差測量

準備比色計（製造商：KONICA MINOLTA），並在銅箔之表面處理後，藉由反射鏡面分量排除(specular component excluded, SCE)法測量銅箔之表面的L*、a*、及b*值。

圖2至圖4係分別在實例1、比較例1、及比較例2中所製備經表面處理之銅箔之表面的電子顯微鏡影像。各圖式中之區塊(a)及(b)顯示具有不同放大率之影像。

如圖2所示，在實例1中所製備經表面處理之銅箔包括在相對於銅箔之表面60度至90度之角度延伸的針狀柱形團塊結構，如圖1所述。大部分團塊結構包括自柱部之側表面或端部分分支的複數個分支部。此等結構顯著不同於圖3及圖4中所示之團塊結構。

在實例1之樣本的不同位置測量電子顯微鏡影像上團塊結構的寬度及高度與團塊結構之間的距離，且各輪測量的平均值顯示於下表1中。 ［表1］

組(division)	寬度(w)	高度(h)	距離(d)
1	293	492	260
2	250	383	498
3	254	332	478
4	250	410	411
5	285	529	372
6	313	377	311
7	282	381	283
8	196	465	519
9	305	503	328
10	199	392	452
11	211	344	350
12	138	317	484
13	238	282	325
14	184	390	502
15	278	410	567

經測量之團塊寬度具有138 nm之最小值及313 nm之最大值；經測量之團塊高度具有282 nm之最小值及529 nm之最大值；且經測量之團塊距離具有260 nm之最小值及567 nm之最大值。各測量位置之團塊密度係3至12/µm ²。

下表2顯示性質評估結果之概述。 ［表2］

組	粗糙度 (Rz)	光澤度 (GS60)	團塊顆粒大小 (nm)	黏著強度 (kgf/cm)	L*	a*	b*
實例1	0.49	7.6	＜300	1.1	60.48	27.33	18.64
實例2	0.7	7.2	＜300	1.2	64.14	26.72	16.47
比較例1	0.61	3.0	＜100	0.6	27.80	5.39	7.99
比較例2	1.4	1.2	＞2500	0.5	65.14	20.86	15.64

參照表2，儘管表面粗糙度低，實例1及實例2之樣本的仍顯示出高黏著強度。

圖5A及圖5B係在實例1及比較例2中所製備經表面處理之銅箔附接至LCP樹脂上，並接著藉由完全蝕刻移除銅箔後，LCP樹脂之表面的影像。

參照圖5A，根據本揭露之實例之團塊結構具有高長寬比及分支結構，且因此，在銅箔與LCP樹脂之間形成具有複雜形狀的黏著表面，導致其等之間的強結合。

圖6係顯示實例1中所製備經表面處理之銅箔之黏著強度測量之前及之後的樣本XPS分析結果的圖表。在圖表中，「LCP」及「Cu」指示LCP樹脂與經表面處理之銅箔附接前的XPS分析資料，且「P/S: 1.1」表示在實例1中所製備經表面處理之銅箔樣本進行黏著強度測量後的銅箔之表面的XPS分析資料。

參照圖6，在測量黏著強度後，銅箔之表面的O _1s峰(P/S: 1.1)與LPS之O _1s峰相似。此等結果證實，在測量黏著強度時，LCP中伴隨跨粒破裂(transgranular fracture)，而樹脂跨粒破裂機制指示在包銅層壓體之經表面處理之銅箔與樹脂之間的界面形成高黏著強度。

雖然已詳細描述本揭露之較佳實施例，但應瞭解到，在未脫離本揭露範圍之情況下，本揭露所屬技術領域中具有通常知識者可能對所述實施例進行各種修改。因此，本揭露之權利範圍不應由所述實施例限定，但應由以下所述之申請專利範圍及其等效例限定。

100:團塊結構 100A:柱部 100B:分支部 d:距離 h:高度 S:銅箔表面 w:寬度

［圖1］係根據本揭露之實施例之銅箔表面上之團塊結構的示意圖。 ［圖2］至［圖4］係分別在本揭露之實例1、比較例1、及比較例2中所製備經表面處理之銅箔之表面的掃描式電子顯微鏡影像。 ［圖5A］及［圖5B］係在本揭露之實例及比較例中所製備經表面處理之銅箔附接至LCP樹脂，並接著藉由完全蝕刻移除銅箔後，LCP樹脂之表面的影像。 ［圖6］係顯示本揭露之實例中所製備經表面處理之銅箔之黏著強度測量之前及之後的樣本XPS分析結果的圖表。

100:團塊結構

100A:柱部

100B:分支部

d:距離

h:高度

S:銅箔表面

w:寬度

Claims (12)

1. 一種經表面處理之銅箔，其包含藉由一生箔之表面處理所形成之經表面處理之一表面， 其中經表面處理之該銅箔包含複數個團塊結構，其等形成於經表面處理之該表面上，該等團塊結構各包含：一柱部，其自經表面處理之該銅箔的該表面延伸；及一分支部，其自該柱部的一側表面或一端部分延伸，且 其中經表面處理之該表面具有1.0 um或更小之一表面粗糙度(Rz)。
2. 如請求項1之經表面處理之銅箔，其中經表面處理之該表面的該表面粗糙度(Rz)係0.7 um或更小。
3. 如請求項1之經表面處理之銅箔，其中該等團塊結構之寬度(w)係400 nm或更小，且該等團塊結構之高度(h)對寬度(w)之比(h/w)超過1。
4. 如請求項3之經表面處理之銅箔，其中該等團塊結構之高度(h)對寬度(w)之比(h/w)係1.2或更大。
5. 如請求項3之經表面處理之銅箔，其中該等團塊結構之寬度(w)係130至350 nm。
6. 如請求項3之經表面處理之銅箔，其中該等團塊結構之高度(h)係300至550 nm。
7. 如請求項3之經表面處理之銅箔，其中該等團塊結構之間的距離(d)係200 nm或更大。
8. 如請求項7之經表面處理之銅箔，其中該等團塊結構之間的距離(d)係250至600 nm。
9. 如請求項1之經表面處理之銅箔，其中該等團塊結構之密度係2至20/µm ²。
10. 如請求項1之經表面處理之銅箔，其中經表面處理之該銅箔之經表面處理之該表面的光澤度小於10。
11. 一種包銅層壓體，其包含層壓在一樹脂基材上之如請求項1至10中任一項之經表面處理之銅箔。
12. 如請求項11之包銅層壓體，其中該樹脂基材包括一LCP樹脂。

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