JP2008013847A - 表面処理電解銅箔及びその製造方法、並びに回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】電解銅箔のドラムに接した面と反対側の面であるM面に表面処理を施し、該M面のRz:1.0μm以下、Ra:0.2μm以下とした表面処理電解銅箔である。
本発明銅箔は、銅濃度が50〜80g/l、硫酸濃度が30〜70g/l、液温が35〜45℃、塩素濃度が0.01〜30ppm、有機硫黄系化合物・低分子量膠・高分子多糖類の添加濃度が合計で0.1〜100ppm、TOCが400ppm以下である硫酸銅浴を用い、電流密度が20〜50A/dm2の条件で電解銅めっきを行って銅箔を製造し、該銅箔のM面に表面処理を施し、該M面のRz:1.0μm以下、Ra:0.2μm以下とした表面処理電解銅箔の製造方法で製造する。
【選択図】なし
Description
また、品質的にはドラム表面のスジはRzが小さいといえども銅箔表面に転写されることからエッチング時などに障害をきたすことがある。
また、前記銅箔のM面側にフィルムを貼り付け、銅箔をエッチング除去した時、エッチング除去した部分のフィルムのヘーズ値が30以下であることが好ましい。
更に、前記表面処理を施したM面にNi、Zn、Cr、Co、Mo、Pの単体、またはそれらの合金、または水和物が少なくとも1種類以上が付着されていることが好ましい。
また、本発明の銅箔製造方法によれば、M面の粗さが平滑で、ドラムを長時間使用することができ、したがって、生産性が向上し、品質が長く維持される製造方法を提供でき、コストが抑えられ電解銅箔を提供することができる。
また、箔厚が70μmより厚い場合は、COF用又はFPC用銅箔の仕様から外れるため好ましくないが、これらの用途以外で要求があれば上記厚さに関係なく厚い銅箔を採用することは可能である。
Rzを1.0μm以下とするのはフィルムの視認性を重視するためで、Rzが1.0μm以上では表面が粗くフィルムの視認性が十分でなくなるためである。また、Raを0.2μm以下とするのは銅箔表面のうねりを小さく抑えるためであり、たとえRzが1.0μm以下であってもRaが0.2μm以上ではうねりが影響してフィルムの視認性に影響がでるためである。Rz:1.0μm以下であり且つRa:0.20μm以下であればフィルムに貼り付けエッチングした時、エッチングした部分のフィルムのヘーズ値を30以下とすることができる。なお、より好ましくはRz:0.8μm以下であり且つRa:0.
15μm以下である。
一般に、ほとんど不純物等が含まれない電解銅箔では熱履歴がかかった時、歪を背負っている方が軟化しやすい。このため、通常引張強さが高い銅箔の方が軟化しやすい傾向を示す。熱軟化が激しいと表面処理銅箔をフィルムと張り合わせるときの熱で伸び・シワ等の不具合が発生しやすくなるため、ある程度の引張強さを維持した銅箔の方が好ましい。このためには、常態にて引張強さが高くない銅箔の方がプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線板には向いている。このようなことから、引張強さは400N/mm2以下とすることが好ましい。
また、伸びが低過ぎると箔切れが発生したりラインでの扱いが困難になったりするため常態で3%以上の伸びを持つ銅箔が好ましい。
このように、M面を表面処理した銅箔の引張強さと伸びを、常態にて引張強さが400N/mm2以下で、伸びが3%以上と規定するのは、かかる銅箔がプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線板に適しているからである。
Ni 10〜100g/l
H3BO3 1〜50g/l
PO2 1〜10g/l
浴温 10〜70℃
電流密度 1〜50A/dm2
処理時間 1秒〜2分
pH 2.0〜4.0
Ni 10〜100g/l
Mo 1〜30g/l
クエン酸3ナトリウム2水和物 30〜200g/l
浴温 10〜70℃
電流密度 1〜50A/dm2
処理時間 1秒〜2分
pH 1.0〜4.0
Mo 1〜20g/l
Co 1〜10g/l
クエン酸3ナトリウム2水和物 30〜200g/l
浴温 10〜70℃
電流密度 1〜50A/dm2
処理時間 1秒〜2分
Zn 1〜30g/l
NaOH 10〜300g/l
浴温 5〜60℃
電流密度 0.1〜10A/dm2
処理時間 1秒〜2分
Cr 0.5〜40g/l
浴温 20〜70℃
電流密度 0.1〜10A/dm2
処理時間 1秒〜2分
pH 3.0以下
これらの処理を施した表面処理銅箔にフィルムを貼り付けプリント配線板、多層プリント配線板、チップオンフィルム用配線板、フレキシブル配線板となる。
上記表面処理銅箔は平滑性等が保たれれば、結晶粒の形状は柱状でも粒状でも問題はないが、屈曲性、エッチング性などを考えると上記表面処理銅箔は粒状晶であることが望ましい。
<製箔1、実施例1〜16>
表2に示す組成の硫酸銅めっき液(以後電解液という)を活性炭フィルターに通して清浄処理した。本実施例において使用した添加剤は有機硫黄系化合物は3-メルカプト-1-プロパンスルホン酸ナトリウム(MPS)、低分子量膠はPBF(株式会社ニッピ製)、高分子多糖類はヒドロキシエチルセルロース(HEC)である。これらの添加剤を表3に示す濃度となるように清浄処理した電解液に添加して実施例1〜16の製箔用電解液を調整した。このようにして調製した電解液を用い、アノードには貴金属酸化物被膜チタン電極、陰極にはチタン製回転ドラムを用いて、表3に示す電解条件の下に電解製箔によって銅箔を製造した。
表2に示す組成の電解液を活性炭フィルターに通して清浄処理した。次いで、この電解液に表3に示す添加剤をそれぞれの濃度となるように添加して比較例1〜18の製箔用電解液を調整した。このようにして調製した電解液を用い、実施例と同様に、アノードには貴金属酸化物被膜チタン電極、陰極にはチタン製回転ドラムを用いて、表3に示す電解条件の下に電解製箔によって銅箔を製造した。
前記実施例1〜16で製箔した未処理電解銅箔に表面処理を行った。アノードに不溶性電極を用いNi、Zn、Crの順に各めっき浴の槽が並んだラインに銅箔を通してめっきを行った。Ni、Zn、Crめっき後にアミノ系シランを塗布し表面処理銅箔を製造した。めっき条件及びシラン塗布量を表4、表5に示す。
前記比較例1〜18で製箔した未処理電解銅箔に表面処理を行った。実施例と同様、アノードに不溶性電極を用いNi、Zn、Crの順に各めっき浴の槽が並んだラインに銅箔を通してめっきを行った。Ni、Zn、Crめっき後にアミノ系シランを塗布し表面処理銅箔を製造した。めっき条件及びシラン塗布量を表4、表5に示す。
各実施例及び各比較例で製造した表面処理銅箔の表面粗さRz、Raを接触式表面粗計を用いて測定した。表面粗さRz、RaとはJIS B 0601−1994「表面粗さの定義と表示」に規定されものであり、Rzは「十点平均粗さ」、Raは「算術平均粗さ」である。基準長さは0.8mmで行った。結果を表6に示す。
ヘーズ値とはJIS K 7105−1981「プラスチックの光学的特性試験方法」に規定され、透明性の評価指標である。値が小さいほど透明性が高い。実施例、比較例で製造した前記表面処理銅箔のM面にフィルムを貼り付けた後に貼り付けた銅箔をエッチング除去し、エッチング除去したフィルム面をヘーズメーターを用いて測定した。測定結果を表6に併記した。
各実施例及び各比較例で製造した前記表面処理銅箔の常態及び窒素雰囲気中300℃で1時間加熱処理後の引張強さ、伸び特性を引張試験機を用いて測定した。結果を表7に示す。
各実施例及び各比較例で製造した未処理銅箔について50μm×50μmの範囲を、顕微鏡で拡大観察し、大きさが平均直径2μm以上の銅の突起物の数を目視にて計数した。計数は銅箔表面をランダムに20点とり行った。結果を表8に示す。
各実施例及び各比較例で製造した未処理銅箔についてエッチング特性の評価を行った。評価方法はM面にL/S(Line and Space)=10μm/10μm、L/S=30μm/30μm、L/S=50μm/50μmにてマスキングしたサンプルに塩化銅溶液にて一定時間のエッチングを行い回路パターンの直線性を評価した。結果を表9に示す。
また、本発明の銅箔製造方法によれば、M面の粗さが平滑で、ドラムを長時間使用することができ、したがって、生産性が向上し、品質が長く維持される製造方法を提供でき、コストが抑えられ電解銅箔を提供することができる。
Claims (9)
- 電解銅箔のドラムに接した面と反対側の面であるM面に表面処理を施し、該M面のRz:1.0μm以下、Ra:0.2μm以下とした表面処理電解銅箔。
- 表面処理を施したM面において、面積が50μm×50μmの範囲に存在する平均直径2μm以上の大きさの銅の突起物が3個以下である請求項1に記載の表面処理電解銅箔。
- 表面処理を施した銅箔のM面側にフィルムを貼り付け、該貼り付けた銅箔をエッチング処理して削除した時のフィルムのヘーズ値が30以下であることを特徴とする請求項1に記載の表面処理電解銅箔。
- 銅箔は粒状結晶である請求項1に記載の表面処理電解銅箔。
- 引張強さが400N/mm2以下であり且つ伸びが3%以上である請求項1に記載の表面処理電解銅箔。
- 表面処理を施したM面にNi、Zn、Cr、Co、Mo、Pの単体、またはそれらの合金、または水和物が少なくとも1種類以上付着されていることを特徴とする請求項1に記載の表面処理電解銅箔。
- 銅濃度が50〜80g/l、硫酸濃度が30〜70g/l、液温が35〜45℃、塩素濃度が0.01〜30ppm、有機硫黄系化合物・低分子量膠・高分子多糖類の添加濃度が合計で0.1〜100ppm、TOCが400ppm以下である硫酸銅浴を用い、電流密度が20〜50A/dm2の条件で電解銅めっきを行って銅箔を製造し、該銅箔のM面に表面処理を施し、該M面のRz:1.0μm以下、Ra:0.2μm以下とした表面処理電解銅箔の製造方法。
- 請求項1に記載の表面処理銅箔のM面にフィルムを貼り付けてなる回路基板。
- 請求項7に記載の表面処理銅箔の製造方法により製造した表面処理銅箔のM面にフィルムを貼り付けてなる回路基板。
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