TWI503062B - Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board, printed wiring board, electronic equipment and manufacturing printed wiring board method - Google Patents

Surface treatment of copper foil and the use of its laminated board, printed wiring board, electronic equipment and manufacturing printed wiring board method Download PDF

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Kaichiro Nakamuro
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Description

表面處理銅箔及使用其之積層板、印刷配線板、電子機器及製造印刷配線板之方法
本發明係關於一種表面處理銅箔及使用其之積層板、印刷配線板、電子機器及製造印刷配線板之方法，尤其係關於一種適合要求將銅箔蝕刻後之殘留部分之樹脂透明性之領域的表面處理銅箔及使用其之積層板、印刷配線板、電子機器及製造印刷配線板之方法。
於智慧型手機或平板PC等之小型電子機器中，就配線之容易性或輕量性而言，採用可撓性印刷配線板(以下稱為FPC)。近年來，隨著該等電子機器之高功能化，信號傳輸速度之高速化不斷發展，於FPC中，阻抗匹配亦成為重要因素。作為對應於信號電容增加的阻抗匹配之對策，FPC之作為基底之樹脂絕緣層(例如聚醯亞胺)之厚層化不斷發展。另一方面，FPC雖得以實施對液晶基材之接合或IC晶片之搭載等加工，但此時之對位係經由透過在將銅箔與樹脂絕緣層之積層板中之銅箔蝕刻後殘留的樹脂絕緣層所視認到的定位圖案而進行，因此，樹脂絕緣層之視認性變得重要。
又，作為銅箔與樹脂絕緣層之積層板的覆銅積層板亦可使用對表面實施粗化鍍敷後之壓延銅箔而製造。該壓延銅箔通常係使用精銅(氧含量為100~500重量ppm)或無氧銅(氧含量為10重量ppm以下)作為素 材，將該等之鑄錠熱壓延後，重複進行冷壓延與退火，直至成為特定厚度而製造。
作為此種技術，例如專利文獻1中揭示有如下發明：一種覆銅積層板，其係積層聚醯亞胺膜與低粗糙度銅箔而成，銅箔蝕刻後之膜於波長600nm下之透光率為40%以上，霧度(HAZE)為30%以下，接著強度為500N/m以上。
又，專利文獻2中揭示有如下發明：一種COF用可撓性印刷配線板，其具有積層利用電解銅箔獲得之導體層而成之絕緣層，對該導體層進行蝕刻而形成電路時之蝕刻區域中的絕緣層之透光性為50%以上，該覆晶薄膜(COF)用可撓性印刷配線板之特徵在於：上述電解銅箔在接著於絕緣層之接著面，具備利用鎳-鋅合金之防銹處理層，該接著面之表面粗糙度(Rz)為0.05~1.5μm，且入射角60°下之鏡面光澤度為250以上。
又，專利文獻3中揭示有如下發明：一種印刷電路用銅箔之處理方法，於銅箔之表面，利用銅-鈷一鎳合金鍍敷進行粗化處理後，形成鈷-鎳合金鍍敷層，進而形成鋅-鎳合金鍍敷層。
[專利文獻1]日本特開2004-98659號公報
[專利文獻2]WO2003/096776
[專利文獻3]日本專利第2849059號公報
於專利文獻1中，利用黑化處理或鍍敷處理後之有機處理劑對接著性進行改良處理所得之低粗糙度銅箔於對覆銅積層板要求彎曲性之用途中，有時會因疲勞而斷線，且有樹脂透視性劣化之情形。
又，於專利文獻2中，未進行粗化處理，而於除了COF用可撓性印刷 配線板以外之用途中，銅箔與樹脂之密合強度較低而不足。
進而，於專利文獻3所記載之處理方法中，雖可利用Cu-Co-Ni對銅箔進行微細處理，但使該銅箔與樹脂接著且利用蝕刻除去該銅箔後之樹脂無法實現優異之透明性。
本發明提供一種與樹脂良好地接著、且利用蝕刻除去銅箔後之樹脂之透明性優異的表面處理銅箔及使用其之積層板。
本發明人等經過反覆潛心研究，結果發現對於貼合且除去銅箔後之聚醯亞胺基板，將標註有標記之印刷物放置於其下方，著眼於在根據利用CCD相機隔著聚醯亞胺基板拍攝該印刷物所得之該標記部分之圖像而獲得的觀察地點-亮度曲線中描繪之標記端部附近之亮度曲線之斜率，控制該亮度曲線之斜率會對將銅箔蝕刻除去後之樹脂透明性造成影響。
將以上見解作為基礎而完成之本發明於一態樣中，係一種表面處理銅箔，其於至少一表面，藉由粗化處理而形成有粗化粒子，將上述銅箔自粗化處理表面側貼合於厚度為50μm之聚醯亞胺(為貼合於銅箔前之聚醯亞胺的下述△B(PI)為20以上33以下之聚醯亞胺)基板的兩面後，利用蝕刻除去上述兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板下，利用CCD相機隔著上述聚醯亞胺基板拍攝上述印刷物時，於對藉由上述攝影而得之圖像，沿與所觀察到之上述線狀標記延伸的方向垂直之方向測定每一觀察地點之亮度而製作之觀察地點-亮度曲線中，自上述標記之端部至未描繪上述標記的部分所產生之亮度曲線的最高平均值Bt與最低平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)為20以上，由△B/△B(PI)構成之比率為0.7以上，以Bt為基準時，0.4△B~0.6△B之深度範圍內的上述亮度曲線之斜率(角度)k1成為65°以上87°以下。
本發明於另一態樣中，係一種積層板，積層本發明之表面處 理銅箔與樹脂基板而構成。
本發明於再另一態樣中，係一種印刷配線板，使用有本發明之表面處理銅箔。
本發明於再另一態樣中，係一種電子機器，使用有本發明之印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種製造印刷配線板之方法，將2個以上之本發明的印刷配線板連接，製造連接有2個以上之印刷配線板的印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的方法，其包含下述步驟：將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接。
本發明於再另一態樣中，係一種電子機器，其使用有1個以上連接有至少1個本發明之印刷配線板的印刷配線板。
本發明於再另一態樣中，係一種製造印刷配線板之方法，其至少包含將本發明之印刷配線板與零件連接的步驟。
本發明於再另一態樣中，係一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的方法，其至少包含下述步驟：將至少1個本發明之印刷配線板與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接；及將本發明之印刷配線板或本發明之連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板與零件連接。
根據本發明，可提供一種與樹脂良好地接著、且利用蝕刻除去銅箔後之樹脂之透明性優異的表面處理銅箔及使用其之積層板。
a、c‧‧‧像素
b、d‧‧‧灰階
Bb‧‧‧亮度曲線之最低平均值
Bt‧‧‧亮度曲線之最高平均值
△B‧‧‧最高平均值與最低平均值之差
L‧‧‧標記
T‧‧‧測定部位
S‧‧‧平台
P‧‧‧聚醯亞胺基板
K‧‧‧CCD相機
E‧‧‧照明用電源
圖1係定義Bt及Bb之示意圖。
圖2係定義k1及k2之示意圖。
圖3係表示亮度曲線之斜率評價時的攝影裝置之構成及亮度曲線斜率之測定方法之示意圖。
圖4a係Rz評價時之(a)比較例1之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4b係Rz評價時之(b)比較例2之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4c係Rz評價時之(c)比較例3之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4d係Rz評價時之(d)比較例4之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4e係Rz評價時之(e)實施例1之銅箔表面的SEM觀察照片。
圖4f係Rz評價時之(f)實施例2之銅箔表面的SEM觀察照片。
[表面處理銅箔之形態及製造方法]
於本發明中使用之銅箔係有效用作藉由與樹脂基板接著以製作積層體、且利用蝕刻進行除去而被使用之銅箔。
於本發明中使用之銅箔可為電解銅箔或壓延銅箔中之任一者。通常，對銅箔之與樹脂基板接著之面、即粗化面，以使積層後之銅箔之剝離強度提昇為目的，而實施於脫脂後之銅箔之表面進行圓塊狀之電鍍的粗化處理。電解銅箔於製造時便具有凹凸，藉由粗化處理增強電解銅箔之凸部，從而使凹凸進一步變大。於本發明中，該粗化處理可藉由銅-鈷-鎳合金鍍敷或銅-鎳-磷合金鍍敷等而進行。作為粗化前之預處理，有時進行通常之銅鍍敷等，作為粗化後之精加工處理，為了防止電鍍物之脫落，有時亦進行通常之銅鍍敷等。壓延銅箔與電解銅箔中，有時處理之內容亦略微不同。於本發明中，亦包含此種預處理及精加工處理在內，且視需要而包 含與銅箔粗化相關之周知之處理在內，均總稱為粗化處理。
再者，本案發明之壓延銅箔亦包括含有Ag、Sn、In、Ti、Zn、Zr、Fe、P、Ni、Si、Te、Cr、Nb、V、B等元素中之一種以上的銅合金箔。若上述元素之濃度變高(例如合計為10質量%以上)，則有導電率下降之情形。壓延銅箔之導電率較佳為50%IACS以上，更佳為60%IACS以上，進而較佳為80%IACS以上。
作為粗化處理之銅-鈷-鎳合金鍍敷可藉由電鍍，以形成如附著量為15~40mg/dm2 之銅-100~3000μg/dm2 之鈷-100~1500μg/dm2 之鎳般之3元系合金層的方式實施。若Co附著量未達100μg/dm2 ，則有耐熱性劣化、蝕刻性變差之情況。若Co附著量超過3000μg/dm2 ，則於不得不考慮磁性之影響之情形時不佳，且有產生蝕刻斑痕且耐酸性及耐化學藥品性劣化之情況。若Ni附著量未達100μg/dm2 ，則有耐熱性變差之情況。另一方面，若Ni附著量超過1500μg/dm2 ，則有蝕刻殘留變多之情況。較佳之Co附著量為1000~2500μg/dm2 ，較佳之鎳附著量為500~1200μg/dm2 。此處，所謂蝕刻斑痕係指於利用氯化銅進行蝕刻之情形時，Co未溶解而殘留之情況，而且，所謂蝕刻殘留係指於利用氯化銨進行鹼蝕刻之情形時，Ni未溶解而殘留之情況。
用以形成此種3元系銅-鈷-鎳合金鍍敷之一般之浴及鍍敷條件之一例如下所述：鍍浴組成：Cu 10~20g/L、Co 1~10g/L、Ni 1~10g/L
pH值：1~4
溫度：30~50℃
電流密度Dk ：20~30A/dm2
鍍敷時間：1~5秒
再者，本發明之一實施形態之表面處理銅箔係於與先前相比使鍍敷時 間縮短、且使電流密度升高之條件下進行粗化處理。藉由於與先前相比使鍍敷時間縮短、且使電流密度升高之條件下進行粗化處理，而將較先前更微細之粗化粒子形成於銅箔表面。
於粗化處理後，可於粗化面上形成附著量為200~3000μg/dm2 之鈷-100~700μg/dm2 之鎳的鈷-鎳合金鍍敷層。該處理於廣義上可視為一種防銹處理。該鈷-鎳合金鍍敷層必需進行至實質上不使銅箔與基板之接著強度下降之程度。若鈷附著量未達200μg/dm2 ，則有耐熱剝離強度下降、耐氧化性及耐化學藥品性劣化之情況。又，另一原因係若鈷量較少，則處理表面有變紅之傾向，故而不佳。若鈷附著量超過3000μg/dm2 ，則於不得不考慮磁性之影響之情形時不佳，且有產生蝕刻斑痕之情形，又，有耐酸性及耐化學藥品性劣化之情況。較佳之鈷附著量為500~2500μg/dm2 。另一方面，若鎳附著量未達100μg/dm2 ，則有耐熱剝離強度下降、耐氧化性及耐化學藥品性劣化之情況。若鎳超過1300μg/dm2 ，則鹼蝕刻性變差。較佳之鎳附著量為200~1200μg/dm2 。
又，鈷-鎳合金鍍敷之條件之一例如下所述：鍍浴組成：Co 1~20g/L、Ni 1~20g/L
pH值：1.5~3.5
溫度：30~80℃
電流密度Dk ：1.0~20.0A/dm2
鍍敷時間：0.5~4秒
根據本發明，而於鈷-鎳合金鍍敷上進而形成附著量為30~250μg/dm2 之鋅鍍敷層。若鋅附著量未達30μg/dm2 ，則有耐熱劣化率改善效果消失之情況。另一方面，若鋅附著量超過250μg/dm2 ，則有耐鹽酸劣化率變得極差之情況。較佳為鋅附著量為30~240μg/dm2 ，更佳為80~220μg/dm2 。
上述鋅鍍敷之條件之一例如下所述：鍍浴組成：Zn 100~300g/L
pH值：3~4
溫度：50~60℃
電流密度Dk ：0.1~0.5A/dm2
鍍敷時間：1~3秒
再者，亦可形成鋅-鎳合金鍍敷等鋅合金鍍敷層代替鋅鍍敷層，進而，亦可於最表面，藉由鉻酸鹽處理或矽烷偶合劑之塗佈等形成防銹層。
[表面粗糙度Rz]
本發明之表面處理銅箔係藉由粗化處理而於銅箔表面形成有粗化粒子，且較佳為粗化處理表面之TD的平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm。根據此種構成，剝離強度變高，與樹脂良好地接著，且利用蝕刻除去銅箔後之樹脂透明性變高。其結果，經由透過該樹脂視認到之定位圖案進行之IC晶片搭載時之對位等變得更容易。若TD之平均粗糙度Rz未達0.20μm，則產生用以製作超平滑表面之製造成本之擔憂。另一方面，若TD之平均粗糙度Rz超過0.80μm，則有利用蝕刻除去銅箔後之樹脂表面之凹凸變大之虞，其結果，有生成樹脂之透明性變得不良之問題之虞。粗化處理表面之TD的平均粗糙度Rz更佳為0.30~0.70μm，再更佳為0.35~0.60μm，進而更佳為0.35~0.55μm，進而更佳為0.35~0.50μm。
再者，於將本發明之表面處理銅箔用於需要減小Rz之用途之情形時，本發明之表面處理銅箔之粗化處理表面的TD之平均粗糙度Rz較佳為0.20~0.70μm，更佳為0.25~0.60μm，再更佳為0.30~0.60μm，進而更佳為0.30~0.55μm，進而更佳為0.30~0.50μm。
[光澤度]
表面處理銅箔之粗化面之壓延方向(MD)的入射角60度之光澤度會對上述樹脂之透明性造成較大影響。即，粗化面之光澤度愈大之銅箔，上述樹脂之透明性愈良好。因此，本發明之表面處理銅箔之粗化面的光澤度較佳為76~350%，較佳為80~350%，更佳為90~300%，再更佳為90~250%，進而更佳為100~250%。
此處，為使本發明之視認性效果進一步提昇，亦可控制表面處理前之銅箔處理側表面的TD之粗糙度(Rz)及光澤度。具體而言，表面處理前之銅箔的TD之表面粗糙度(Rz)較佳為0.30~0.80μm，更佳為0.30~0.50μm，壓延方向(MD)之入射角60度的光澤度較佳為350~800%，更佳為500~800%，若與先前之粗化處理相比進一步使電流密度升高、縮短粗化處理時間，則進行表面處理後之表面處理銅箔之壓延方向(MD)的入射角60度之光澤度成為90~350%。此種銅箔可藉由調整壓延油之油膜當量地進行壓延(高光澤壓延)、或者如化學蝕刻般之化學研磨或磷酸溶液中之電解研磨而製作。如此，可藉由使處理前之銅箔之TD的表面粗糙度(Rz)及光澤度為上述範圍，而易於控制處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)及表面積。
再者，於欲使表面處理後之銅箔之表面粗糙度(Rz)更小(例如Rz=0.20μm)之情形時，使表面處理前之銅箔之處理側表面的TD之粗糙度(Rz)為0.18~0.80μm，較佳為0.25~0.50μm，壓延方向(MD)之入射角60度之光澤度為350~800%，較佳為500~800%，且與先前之粗化處理相比進一步使電流密度升高，並縮短粗化處理時間。
又，粗化處理前之銅箔的MD之60度光澤度較佳為500~800%，更佳為501~800%，進而更佳為510~750%。若粗化處理前之銅箔的MD之60度光澤度未達500%，則與500%以上之情形相比，有上述樹脂之透明性變得不良之虞，若超過800%，則有產生不易製造之問題之虞。
再者，高光澤壓延可藉由使由下式規定之油膜當量為13000以上24000以下而進行。再者，於欲使表面處理後之銅箔的表面粗糙度(Rz)更小(例如Rz=0.20μm)之情形時，藉由使由下式規定之油膜當量為12000以上24000以下，而進行高光澤壓延。
油膜當量={(壓延油黏度[cSt])×(通板速度[mpm]+輥周邊速度[mpm])}/{(輥之齧入角[rad])×(材料之降伏應力[kg/mm2 ])}
壓延油黏度[cSt]於40℃時之動黏度。
為使油膜當量為12000以上24000以下，採用使用低黏度之壓延油、或使通板速度變慢等周知之方法即可。
化學研磨係利用硫酸-過氧化氫-水系或氨-過氧化氫-水系等蝕刻液，使其濃度較通常低地花費長時間來進行。
粗化處理表面之MD的60度光澤度與TD的60度光澤度之比C(C=(MD之60度光澤度)/(TD之60度光澤度))較佳為0.80~1.40。若粗化處理表面之MD的60度光澤度與TD的60度光澤度之比C未達0.80，則與為0.80以上之情形相比，有樹脂之透明性下降之虞。又，若該比C超過1.40，則與1.40以下之情形相比，有樹脂之透明性下降之虞。該比C更佳為0.90~1.35，進而更佳為1.00~1.30。
[亮度曲線之斜率]
本發明之表面處理銅箔係自粗化處理表面側貼合於厚度為50μm之聚醯亞胺(貼合於銅箔前之聚醯亞胺的下述△B(PI)為20以上33以下之聚醯亞胺)基板之兩面後，利用蝕刻除去兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之上述聚醯亞胺基板下，利用CCD相機隔著上述聚醯亞胺基板拍攝印刷物時，於對藉由攝影而得之圖像，沿與所觀察到之線狀標記延伸之方向垂直的方向測定每一觀察地點之亮度而製作之觀察地點-亮度曲線中，自標記之端部至未描繪標記之部分所產生之亮度曲線的最高平 均值Bt與最低平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)為20以上，由△B/△B(PI)構成之比率為0.7以上，以Bt為基準時，0.4△B~0.6△B之深度範圍內的亮度曲線之斜率k1為65°以上87°以下。
此處，利用圖對「亮度曲線之最高平均值Bt」、「亮度曲線之最低平均值Bb」、「亮度曲線之斜率k1」、及下述「亮度曲線之斜率k2」進行說明。
圖1表示定義Bt及Bb之示意圖。圖1之「標記L」表示於利用上述CCD相機進行攝影所得之圖像中觀察到之印刷物之線狀標記L(寬度約1.3mm)。以與該標記L重合之方式描繪之曲線表示於上述觀察地點一亮度曲線中自標記L之端部至未描繪標記L之部分所產生之亮度曲線。如圖1所示，「亮度曲線之最高平均值Bt」表示自與標記L之兩側之端部位置相隔100μm之位置，以30μm之間隔對5個部位(兩側合計十個部位)進行測定時之亮度之平均值。「亮度曲線之最低平均值Bb」表示從自標記L之端部位置向內側進入100μm之位置，以100μm之間隔對11個部位進行測定時之亮度之平均值。
圖2表示定義k1及k2之示意圖。「亮度曲線之斜率(角度)k1」表示以Bt為基準時0.4△B~0.6△B[△B為亮度曲線之最高平均值Bt與最低平均值Bb之差(△B=Bt-Bb)]之深度範圍內之亮度曲線的斜率(角度)(k1(°)=tan-1 (b(灰階)/a(像素)))。再者，橫軸之1像素相當於長10μm。而且，於將亮度曲線之曲線中的1像素與1灰階之長度的比率設為3.5：5(亮度曲線之曲線中之1像素的長度：亮度曲線之曲線中之1灰階的長度=3.5：5)時之亮度曲線的曲線中，算出k1(°)之值。又，k1係對標記之兩側進行測定，而採用斜率(角度)較小之值。「亮度曲線之斜率(角度)k2」表示自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準時0.1△B之深度範圍內之亮度曲線的斜率(角度)(k2(°)=tan-1 (d(灰階)/c(像素)))。再者，橫軸之1像素相當於長10μm。而且，於將亮度曲線之曲線中之1像素與1 灰階之長度之比率設為3.5：5(亮度曲線之曲線中之1像素的長度：亮度曲線之曲線中之1灰階的長度=3.5：5)之亮度曲線的曲線中，算出k1(°)之值。又，k2係對標記之兩側進行測定，而採用斜率(角度)較小之值。進而，於亮度曲線之形狀不穩定而存在多個上述「亮度曲線與Bt之交點」之情形時，採用最靠近標記之交點。
△B(PI)表示貼合於銅箔前之聚醯亞胺的亮度曲線之最高平均值Bt與最低平均值Bb之差。
於由CCD相機拍攝到之上述圖像中，於未標註標記之部分成為較高之亮度，剛到達標記端部，亮度便下降。若聚醯亞胺基板之視認性良好，則明確地觀察到此種亮度之下降狀態。另一方面，若聚醯亞胺基板之視認性不良，則亮度於標記端部附近並非突然自「高」向「低」突然下降，而是下降之狀態緩慢，從而亮度之下降狀態變得不明確。
本發明係基於上述見解，控制於如下觀察地點-亮度曲線中描繪之標記端部附近的亮度曲線之斜率：其係對貼合並除去本發明之表面處理銅箔而成之聚醯亞胺基板，將標註有標記之印刷物置於其下，根據利用CCD相機隔著聚醯亞胺基板拍攝到之上述標記部分之圖像而獲得者。更詳細而言，以使亮度曲線之最高平均值Bt與最低平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)為20以上，由△B/△B(PI)構成之比率為0.7以上，以Bt為基準時0.4△B~0.6△B之深度範圍內之亮度曲線的斜率(角度)k1成為65°以上87°以下之方式進行控制。根據此種構成，利用CCD相機拍攝到之隔著聚醯亞胺之標記的識別力提昇。因此，可製作視認性優異之聚醯亞胺基板，於電子基板製造步驟等，對聚醯亞胺基板進行特定處理之情形時的利用標記之定位精度提昇，藉此，可獲得良率提昇等效果。△B較佳為28以上，k1較佳為75°以上87°以下。△B之上限並無特別地進行限定之必要，例如為100以下、或60以下、或50以下、或40以下。又，k1之上限較佳為87° 以下，進而較佳為85°以下，進而更佳為83°以下。若k1超過87°，則有剝離強度減小之情形。△B/△B(PI)之上限並無特別地進行規定之必要，例如為1.70以下、或1.50以下、或1.40以下。
又，於根據藉由攝影所得之圖像製作之觀察地點-亮度曲線中，較佳為自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準時0.1△B之深度範圍內的亮度曲線之斜率k2成為30°以上。根據此種構成，標記與非標記之部分之邊界變得更明確，定位精度提昇，利用標記圖像識別之誤差減少，而可更正確地進行對位。k2更佳為40°以上。k2之上限並無特別地進行限定之必要，例如為87°以下、或82°以下、或77°以下、或72°以下。
[粒子之表面積]
粗化粒子之表面積A與自銅箔表面側俯視粗化粒子時獲得之面積B之比A/B會對上述樹脂之透明性造成較大影響。即，若表面粗糙度Rz相同，則比A/B愈小之銅箔，上述樹脂之透明性愈良好。因此，本發明之表面處理銅箔之該比A/B較佳為1.90~2.40，更佳為2.00~2.20。
可藉由控制粒子形成時之電流密度及鍍敷時間，而決定粒子之形態或形成密度，從而控制上述表面粗糙度Rz、光澤度及粒子之面積比A/B。
如上所述，可將粗化粒子之表面積A與自銅箔表面側俯視粗化粒子時獲得之面積B的比A/B控制為1.90~2.40，而使表面之凹凸增大，且將粗化處理表面之TD之平均粗糙度Rz控制為0.30~0.80μm，而使表面無極粗糙之部分，另一方面，可使粗化處理表面之光澤度提高為80~350%。可藉由進行此種控制，而於本發明之表面處理銅箔中，減小粗化處理表面之粗化粒子之粒徑。該粗化粒子之粒徑雖會對蝕刻除去銅箔後之樹脂透明性造成影響，但進行此種控制意味著於適當之範圍內減小粗化粒子之粒徑，因此，蝕刻除去銅箔後之樹脂透明性變得更良好，並且剝離強度 亦變得更良好。
[蝕刻因子]
於利用銅箔形成電路時之蝕刻因子的值較大之情形時，於蝕刻時產生之電路的底部之拖尾變小，故而可使電路間之空間變窄。因此，蝕刻因子之值較大之情況適於利用精細圖案之電路形成，故而較佳。本發明之表面處理銅箔係例如蝕刻因子之值較佳為1.8以上，較佳為2.0以上，較佳為2.2以上，較佳為2.3以上，更佳為2.4以上。
再者，於印刷配線板或覆銅積層板中，可藉由使樹脂熔解且將其除去，而對銅電路或銅箔表面測定上述粒子之面積比(A/B)、光澤度、表面粗糙度Rz。
[傳輸損失]
於傳輸損失較小之情形時，於高頻下進行信號傳輸時之信號之衰減得到抑制，因此，可於在高頻下進行信號之傳輸之電路中，進行穩定之信號之傳輸。因此，傳輸損失之值較小之情況適合用於在高頻下進行信號傳輸之電路用途，故而較佳。於將表面處理銅箔與市售之液晶聚合物樹脂(可樂麗(Kuraray)(股)製造之Vecstar CTZ-50μm)貼合後，利用蝕刻以特性阻抗成為50Ω之方式形成微帶線路，利用HP公司製造之網路分析儀HP8720C測定透過係數而求出頻率20GHz下之傳輸損失之情形時，頻率20GHz下之傳輸損失較佳為未達5.0dB/10cm，更佳為未達4.1dB/10cm，進而更佳為未達3.7dB/10cm。
可將本發明之表面處理銅箔自粗化處理面側貼合於樹脂基板而製造積層體。樹脂基板只要具有可應用於印刷配線板等之特性，便不特別受限制，例如可將紙基材酚性樹脂、紙基材環氧樹脂、合成纖維布基材環氧樹脂、玻璃布-紙複合基材環氧樹脂、玻璃布-玻璃不織布複合基材環氧樹脂及玻璃布基材環氧樹脂等用於剛性PWB用，將聚酯膜或聚醯亞 胺膜、液晶聚合物(LCP)膜、氟樹脂等用於FPC用。再者，於使用液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜之情形時，與使用聚醯亞胺膜之情形相比，有該膜與表面處理銅箔之剝離強度變小之傾向。由此，於使用液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜之情形時，可藉由在蝕刻該表面處理銅箔而形成銅電路後，利用覆蓋層覆蓋該銅電路，而使該膜與該銅電路不易剝離，從而防止因剝離強度之下降所導致之該膜與該銅電路之剝離。
再者，介電特性較佳之樹脂(介電損耗正切較小(例如介電損耗正切為0.008以下)、及/或相對介電常數較小(例如於信號頻率為25GHz之情形時為3以下)之樹脂)或者低介電樹脂(相對介電常數較小(例如於信號頻率為25GHz之情形時為3以下)之樹脂)之介電損失較小。因此，使用有該介電特性較佳之樹脂或低介電樹脂或低介電損失樹脂及本案發明之表面處理銅箔的覆銅積層板、印刷配線板、印刷電路板適於高頻電路(於高頻下進行信號傳輸之電路)用途。此處，所謂低介電損失樹脂係指與先前一般用於覆銅積層板中之聚醯亞胺相比介電損失較小之樹脂。又，本案發明之表面處理銅箔由於表面粗糙度Rz較小，光澤度較高，故而表面平滑，適於高頻電路用途。作為介電特性較佳之樹脂或低介電樹脂或低介電損失樹脂，例如可列舉液晶聚合物(LCP)膜或氟樹脂膜。
再者，本發明之表面處理銅箔可較佳地用於所有用途。例如可用於印刷配線板或印刷電路板、高頻電路用之印刷配線板或印刷電路板、半導體封裝基板、二次電池或電容器之電極等。
貼合之方法係於剛性PWB用之情形時，準備使玻璃布等基材含浸樹脂且使樹脂硬化至半硬化狀態之預成形體。可藉由使銅箔自被覆層之相反側之面重合於預成形體且進行加熱加壓而進行。於FPC之情形時，可藉由經由接著劑或不使用接著劑地於高溫高壓下將銅箔積層接著於聚醯亞胺膜等基材，或者對聚醯亞胺前驅物進行塗佈、乾燥、硬化等而製 造積層板。
本發明之積層體可用於各種印刷配線板(PWB)，且無特別限制，例如就導體圖案之層數之觀點而言，可應用於單面PWB、兩面PWB、多層PWB(3層以上)，就絕緣基板材料之種類之觀點而言，可應用於剛性PWB、可撓性PWB(FPC)、剛性-可撓性PWB。
[積層板及使用其之印刷配線板之定位方法]
對進行本發明之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板的定位方法進行說明。首先，準備表面處理銅箔與樹脂基板之積層板。作為本發明之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之具體例，可列舉如下積層板：其係於由本體基板、附屬之電路基板、及用以將該等電性連接之於聚醯亞胺等樹脂基板的至少一表面形成有銅配線之可撓性印刷基板構成的電子機器中，將可撓性印刷基板正確地定位且壓接至該本體基板及附屬之電路基板之配線端部而製作。即，若為該情形，則積層板成為藉由壓接而將可撓性印刷基板與本體基板之配線端部貼合所得之積層體、或藉由壓接而將可撓性印刷基板與電路基板之配線端部貼合所得之積層板。積層板具有由該銅配線之一部分或其他材料形成之標記。標記之位置只要為可由CCD相機等攝影手段隔著構成該積層板之樹脂拍攝到之位置，便無特別限定。此處，所謂標記係指用以檢測積層板或印刷配線板等之位置、或進行定位、或進行對位之記號(記號)。
於以此方式準備之積層板中，若利用攝影手段隔著樹脂拍攝上述標記，則可良好地檢測上述標記之位置。而且，由此檢測上述標記之位置，而可基於上述檢測到之標記之位置，良好地進行表面處理銅箔與樹脂基板之積層板之定位。又，於使用印刷配線板作為積層板之情形時亦同樣地，藉由此種定位方法，攝影手段可良好地檢測標記之位置，從而可更正確地進行印刷配線板之定位。
因此，可認為於連接一印刷配線板與另一印刷配線板時，連接不良減少，良率提昇。再者，作為連接一印刷配線板與另一印刷配線板之方法，可使用焊接或經由異向性導電膜(Anisotropic Conductive Film，ACF)之連接、經由異向性導電膏(Anisotropic Conductive Paste，ACP)之連接或經由具有導電性之接著劑之連接等周知之連接方法。再者，於本發明中，「印刷配線板」亦包含安裝有零件之印刷配線板、印刷電路板及印刷基板。又，可連接2個以上本發明之印刷配線板，而製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板，又，可將至少1個本發明印刷配線板、與另一本發明印刷配線板或並不相當於本發明印刷配線板的印刷配線板連接。又，亦可連接2個以上使用有本發明之表面處理銅箔之印刷配線板，而製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板。又，連接2個以上印刷配線板所得之印刷配線板的製造亦可包含將至少1個使用有本發明之表面處理銅箔的印刷配線板、與另一本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接之步驟。而且，亦可使用該等印刷配線板製造電子機器。
再者，於本發明中，「銅電路」亦包含銅配線。進而，亦可將本發明之印刷配線板與零件連接而製造印刷配線板。又，亦可藉由將至少1個本發明之印刷配線板、與另一個本發明之印刷配線板或並不相當於本發明之印刷配線板的印刷配線板連接，進而，將本發明之連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板與零件連接，而製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板。此處，作為「零件」，可列舉連接器或LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)、用於LCD中之玻璃基板等電子零件、IC(Integrated Circuit，積體電路)、LSI(Large scale integrated circuit，大型積體電路)、VLSI(Very Large scale integrated circuit，非常大型積體電路)、ULSI(Ultra-Large Scale Integration，超大型積體電路)等包含半導體積體電路之電子零件(例如IC晶片、LSI晶片、VLSI晶片、ULSI晶片)、將保護罩等固定於用以遮蔽電子 電路之零件及印刷配線板所需之零件等。
再者，本發明之實施形態之定位方法亦可包含使積層板(包含銅箔與樹脂基板之積層板或印刷配線板)移動之步驟。於移動步驟中，例如既可藉由帶式輸送機或鏈式輸送機等輸送機使積層板移動，亦可藉由具備臂機構之移動裝置使其移動，亦可使用藉由利用氣體使積層板浮動而使其移動之移動裝置或移動手段來使其移動，亦可藉由使大致圓筒形等者旋轉而使積層板移動之移動裝置或移動手段(包含輥或軸承等)、以油壓為動力源之移動裝置或移動手段、以空氣壓為動力源之移動裝置或移動手段、以馬達為動力源之移動裝置或移動手段、台架移動型線性引導平台、台架移動型空氣引導平台、堆疊型線性引導平台、線性馬達驅動平台等具有平台之移動裝置或移動手段等，來使其移動。又，亦可進行利用周知之移動手段之移動步驟。於上述使積層板移動之步驟中，可使積層板移動而進行對位。而且，可認為藉由進行對位，而於將一印刷配線板與另一印刷配線板或零件連接時，連接不良減少，良率提昇。
再者，本發明之實施形態之定位方法亦可用於表面安裝機或貼片機(chip mounter)。
又，於本發明中得到定位之表面處理銅箔與樹脂基板之積層板亦可為具有樹脂板及設置於上述樹脂板上之電路的印刷配線板。又，於該情形時，上述標記亦可為上述電路。
於本發明中，「定位」包含「檢測標記或物之位置」。又，於本發明中，「對位」包含「檢測標記或物之位置後，基於上述檢測到之位置，使該標記或物移動至特定位置」。
[實施例]
作為實施例1~24及比較例1~13，準備各種銅箔，於一表面，以表1~8所記載之條件進行鍍敷處理作為粗化處理。
於進行上述粗化鍍敷處理後，對實施例1~13、15~20、22~24、比較例2、4、7~10進行以下用以形成耐熱層及防銹層之鍍敷處理。將耐熱層1之形成條件示於以下。
液體組成：鎳5~20g/L、鈷1~8g/L
pH值：2~3
液溫：40~60℃
電流密度：5~20A/dm2
庫侖量：10~20As/dm2
於施有上述耐熱層1之銅箔上，形成耐熱層2。關於比較例3、5、6，未進行粗化鍍敷處理，而將該耐熱層2直接形成於所準備之銅箔。將耐熱層2之形成條件示於以下。
液體組成：鎳2~30g/L、鋅2~30g/L
pH值：3~4
液溫：30~50℃
電流密度：1~2A/dm2
庫侖量：1~2As/dm2
於施有上述耐熱層1及2之銅箔上，進而形成防銹層。將防銹層之形成條件示於以下。
液體組成：重鉻酸鉀1~10g/L、鋅0~5g/L
pH值：3~4
液溫：50~60℃
電流密度：0~2A/dm2 (用以進行浸漬鉻酸鹽處理)
庫侖量：0~2As/dm2 (用以進行浸漬鉻酸鹽處理)
於施有上述耐熱層1、2及防銹層之銅箔上，進而形成耐候性層。將形成條件示於以下。
利用作為具有胺基之矽烷偶合劑之N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實施例17)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基三乙氧基矽烷(實施例1~13、15、16、24)、N-2-(胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷(實施例18)、3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實施例19)、3-胺基丙基三乙氧基矽烷(實施例20)、3-三乙氧基矽烷基-N-(1,3-二甲基-亞丁基)丙基胺(實施例22)、N-苯基-3-胺基丙基三甲氧基矽烷(實施例23)，進行塗佈、乾燥，而形成耐候性層。亦可組合使用該等矽烷偶合劑中之2種以上。
再者，壓延銅箔係以如下方式製造。製造表9所示組成之銅錠，且進行熱壓延後，重複進行300~800℃之連續退火線之退火與冷壓延，而獲得1~2mm厚之壓延板。將該壓延板於300~800℃之連續退火線下退火且使其再結晶，最後冷壓延至表9之厚度，而獲得銅箔。表9之「種類」之欄之「精銅」表示JIS H3100 C1100所規定之規格之精銅，「無氧銅」表示JIS H3100 C1020所規定之規格之無氧銅。又，「精銅+Ag：100ppm」係指於精銅添加100質量ppm之Ag。
電解銅箔係使用JX日鑛日石金屬公司製造之電解銅箔HLP箔。於進行電解研磨或化學研磨之情形時，記載電解研磨或化學研磨後之板厚。
再者，表9中記載有表面處理前之銅箔製作步驟之要點。「高光澤壓延」係指以記載之油膜當量值進行最後冷壓延(最後之再結晶退火後之冷壓延)。「通常壓延」係指以記載之油膜當量值進行最後冷壓延(最後之再結晶退火後之冷壓延)。「化學研磨」、「電解研磨」係指於以下條件下進行。
「化學研磨」係使用H2 SO4 為1~3質量%、H2 O2 為0.05~0.15質量%、剩餘部分為水之蝕刻液，且將研磨時間設為1小時。
「電解研磨」係於磷酸67%+硫酸10%+水23%之條件下，於電壓10V/cm2 、表9所記載之時間(若進行10秒鐘之電解研磨，則研磨量成為1~ 2μm)下進行。
對以如上所述之方式製作之實施例及比較例之各樣品，以如下方式進行各種評價。
(1)表面粗糙度(Rz)之測定；使用小阪研究所股份有限公司製造之接觸粗糙度計Surfcorder SE-3C，依據JIS B0601-1994，對粗化面測定十點平均粗糙度。於測定基準長度0.8mm、評價長度4mm、臨界值0.25mm、輸送速度0.1mm/秒之條件下，與壓延方向垂直地(沿TD、於電解銅箔之情形時垂直於通箔方向地)改變測定位置，進行10次測定，求出10次測定中之值。
再者，對表面處理前之銅箔亦以相同方式求出表面粗糙度(Rz)。
(2)粒子之面積比(A/B)；粗化粒子之表面積係使用利用雷射顯微鏡之測定法。藉由如下方法進行設定，即，使用基恩斯(KEYENCE)股份有限公司製造之雷射顯微鏡VK8500，測定粗化處理面之倍率2000倍下之相當於100×100μm面積B(實際數據為9982.52μm2 )中之三維表面積A，且設為三維表面積A÷二維表面積B=面積比(A/B)。
(3)光澤度；使用依據JIS Z8741之日本電色工業股份有限公司製造之光澤度計便攜式光澤計PG-1，於壓延方向(MD，於電解銅箔之情形時為通箔方向)及與壓延方向垂直之方向(TD，於電解銅箔之情形時為與通箔方向垂直之方向)之各者之入射角60度下，對粗化面進行測定。
再者，對表面處理前之銅箔亦以相同之方式求出光澤度。
(4)亮度曲線之斜率；將銅箔貼合於具有層壓用熱硬化性接著劑之聚醯亞胺膜(厚度50μm、宇部興產製造之Upilex)之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)除去銅箔，而 製作樣品膜。繼而，將印刷有線狀之黑色標記之印刷物鋪設於樣品膜下，利用CCD相機K隔著樣品膜拍攝印刷物，於對藉由攝影而得之圖像，沿與所觀察到之線狀標記L延伸之方向垂直的方向測定每一觀察地點之亮度而製作之觀察地點-亮度曲線中，測定自標記之端部L至未描繪標記L之部分所產生之亮度曲線的斜率(角度)。將表示此時使用之攝影裝置之構成及亮度曲線之斜率之測定方法之示意圖示於圖3。又，△B及斜率k1、k2係以圖2所示之方式測定。再者，橫軸之1像素相當於長10μm。而且，於將亮度曲線之曲線中之1像素與1灰階之長度的比率設為3.5：5(亮度曲線之曲線中之1像素的長度：亮度曲線之曲線中之1灰階的長度=3.5(mm)：5(mm))之亮度曲線的曲線中，算出k1、k2(°)之值。
攝影裝置具備CCD相機K、放置已於下方放置有標註有標記L之紙之聚醯亞胺基板P的平台S(白色)、對聚醯亞胺基板P之攝影部照射光之照明用電源E、將於下方放置有標註有作為攝影對象之標記L之紙的評價用聚醯亞胺基板P搬送至平台S上的搬送機(未圖示)。將該攝影裝置之主要規格示於以下：
．攝影裝置：nireco股份有限公司製造之片檢查裝置Mujiken
．CCD相機K：8192像素(160MHz)、1024灰階數位(10位元)
．照明用電源E：高頻點燈電源(電源單元×2)
．照明：螢光燈(30W)
亮度曲線之斜率(角度)係表示與標記端部附近對應之部分的亮度之上升率(或下降率)之指標，且於圖3中，由亮度上升(或下降)之特定之曲線部分的「tan-1 (亮度之上升量或下降量(y)/觀察距離(x))」表示。
再者，關於圖3所示之亮度，0意味著「黑」，亮度255意味著「白」，將自「黑」至「白」之灰色程度(白黑之濃淡、灰度)分割為256灰階進行表示。
(5)視認性(樹脂透明性)；將銅箔貼合於具有層壓用熱硬化性接著劑之聚醯亞胺膜(厚度50μm、宇部興產製造之Upilex)之兩面，利用蝕刻(氯化鐵水溶液)除去銅箔，而製作樣品膜。將印刷物(直徑6cm之黑色之圓)貼附於所獲得之樹脂層之一面，自相反面隔著樹脂層判定印刷物之視認性。將印刷物之黑色之圓之輪廓於圓周之90%以上之長度內清晰者評價為「◎」，將黑色之圓之輪廓於圓周之80%以上且未達90%之長度內清晰者評價為「○」(以上合格)，將黑色之圓之輪廓於圓周之0~未達80%之長度內清晰者及輪廓變形者評價為「×」(不合格)。
(6)剝離強度(接著強度)；依據IPC-TM-650，利用拉伸試驗機自動立體測圖儀100測定常態剝離強度，設為可將上述常態剝離強度為0.7N/mm以上者用於積層基板用途。
(7)焊料耐熱評價；將銅箔貼合於具有層壓用熱硬化性接著劑之聚醯亞胺膜(厚度50μm、宇部興產製造之Upilex)之兩面。對所獲得之兩面積層板，製作依據JIS C6471之附體試片。將所製作之附體試片於85℃、85%RH之高溫高濕下暴露48小時後，使其浮於300℃之焊料槽，而評價焊料耐熱特性。焊料耐熱試驗後，於銅箔粗化處理面與聚醯亞胺樹脂接著面之界面，將於附體試片中之銅箔面積之5%以上之面積內，因膨脹而導致界面變色者評價為×(不合格)，將面積未達5%之膨脹變色之情形評價為○，將完全未產生膨脹變色者為評價◎。
(8)良率；將銅箔貼合於具有層壓用熱硬化性接著劑之聚醯亞胺膜(厚度50μm、宇部興產製造之Upilex)之兩面，對銅箔進行蝕刻(氯化鐵水溶液)，而製 作L/S為30μm/30μm之電路寬度的FPC。其後，嘗試利用CCD相機隔著聚醯亞胺檢測20μm×20μm見方之標記。於在10次中可檢測到9次以上之情形時設為「◎」，於可檢測到7~8次之情形時設為「○」，於可檢測到6次之情形時設為「△」，於可檢測到5次以下之情形時設為「×」。
(9)利用蝕刻之電路形狀(精細圖案特性)；將銅箔貼合於具有層壓用熱硬化性接著劑之聚醯亞胺膜(厚度50μm、宇部興產製造之Upilex)之兩面。為了進行精細圖案電路形成，必需使銅箔厚度相同，此處，以12μm銅箔厚度為基準。即，於厚度厚於12μm之情形時，藉由電解研磨將厚度減少至12μm厚。另一方面，於厚度薄於12μm之情形時，藉由銅鍍敷處理將厚度增加至12μm厚。對於所獲得之兩面積層板之一面側，藉由感光性抗蝕劑塗佈及曝光步驟而將精細圖案電路印刷至積層板之銅箔光澤面側，對銅箔之無用部分於下述條件下進行蝕刻處理，而形成如成為L/S=20/20μm般之精細圖案電路。此處，電路寬度係使電路剖面之最低寬度為20μm。
(蝕刻條件)
裝置：噴霧式小型蝕刻裝置
噴壓：0.2MPa
蝕刻液：氯化鐵水溶液(比重40波美)
液溫度：50℃
於形成精細圖案電路後，於45℃之NaOH水溶液中浸漬1分鐘，而剝離感光性抗蝕劑膜。
(10)蝕刻因子(Ef)之算出；對以如上方式獲得之精細圖案電路樣品，利用日立高新技術公司製造之掃描型電子顯微鏡照片S4700，於2000倍之倍率下自電路上部進行觀察，測定電路上部之最高寬度(Wa)及電路底部之最低寬度(Wb)。銅箔厚度 (T)設為12μm。蝕刻因子(Ef)係藉由下式算出。
蝕刻因子(Ef)=(2×T)/(Wb-wa)
(11)傳輸損失之測定；將18μm厚之各樣品與市售之液晶聚合物樹脂(可樂麗(股)製造之Vecstar CTZ-50μm)貼合後，利用蝕刻以特性阻抗成為50Ω之方式形成微帶線路，利用HP公司製造之網路分析儀HP8720C測定透過係數，而求出頻率20GHz及頻率40GHz下之傳輸損失。頻率20GHz下之傳輸損失之評價係將未達3.7dB/10cm設為◎，將3.7dB/10cm以上且未達4.1dB/10cm設為○，將4.1dB/10cm以上且未達5.0dB/10cm設為△，將5.0dB/10cm以上設為×。
將上述各試驗之條件及評價示於表1~12。
(評價結果)
實施例1~24之任一者均係視認性、剝離強度、焊料耐熱評價及良率良好。
比較例1~2、4、7~11、13由於△B、△B/△B(PI)及k1之1個以上之值脫離本案發明之範圍，故而視認性不良。
比較例3、5、6、12雖視認性優異，但k1之值超過87°，故而基板密合性不良。又，比較例1~13係焊料耐熱評價不良。
圖4分別表示上述Rz評價時之(a)比較例1、(b)比較例2、(c)比較例3、(d)比較例4、(e)實施例1、(f)實施例2之銅箔表面之SEM觀察照片。
Bb‧‧‧亮度曲線之最低平均值
Bt‧‧‧亮度曲線之最高平均值

Claims (22)

  1. 一種表面處理銅箔，其於至少一表面，藉由粗化處理而形成有粗化粒子，將該銅箔自粗化處理表面側貼合於厚度為50μm之聚醯亞胺(為貼合於銅箔前之聚醯亞胺的下述△B(PI)為20以上33以下之聚醯亞胺)基板的兩面後，利用蝕刻除去該兩面之銅箔，將印刷有線狀標記之印刷物鋪設於露出之該聚醯亞胺基板下，利用CCD相機隔著該聚醯亞胺基板拍攝該印刷物時，於對藉由該攝影而得之圖像，沿與所觀察到之該線狀標記延伸的方向垂直之方向測定每一觀察地點之亮度而製作之觀察地點-亮度曲線中，自該標記之端部至未描繪該標記的部分所產生之亮度曲線的最高平均值Bt與最低平均值Bb之差△B(△B=Bt-Bb)為20以上，由△B/△B(PI)構成之比率為0.7以上，以Bt為基準時，0.4△B~0.6△B之深度範圍內的該亮度曲線之斜率(角度)k1成為65°以上87°以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，於根據藉由該攝影而得之圖像製作的觀察地點-亮度曲線中，自亮度曲線與Bt之交點至以Bt為基準時0.1△B之深度範圍內的該亮度曲線之斜率(角度)k2為30°以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，於根據藉由該攝影而得之圖像製作的觀察地點-亮度曲線中，△B成為28以上。
  4. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，該亮度曲線之斜率(角度)k1成為75°以上87°以下。
  5. 如申請專利範圍第2項之表面處理銅箔，其中，該亮度曲線之斜率(角度)k2成為40°以上。
  6. 如申請專利範圍第1項之表面處理銅箔，其中，該粗化處理表面之 TD的平均粗糙度Rz為0.20~0.80μm，粗化處理表面之MD的60度光澤度為76~350%，該粗化粒子之表面積A、與自該銅箔表面側俯視該粗化粒子時所得之面積B的比A/B為1.90~2.40。
  7. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，該MD之60度光澤度為90~250%。
  8. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，該TD之平均粗糙度Rz為0.30~0.60μm。
  9. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，該A/B為2.00~2.20。
  10. 如申請專利範圍第6項之表面處理銅箔，其中，粗化處理表面之MD的60度光澤度與TD的60度光澤度之比C(C=(MD的60度光澤度)/(TD的60度光澤度))為0.80~1.40。
  11. 如申請專利範圍第10項之表面處理銅箔，其中，粗化處理表面之MD的60度光澤度與TD的60度光澤度之比C(C=(MD的60度光澤度)/(TD的60度光澤度))為0.90~1.35。
  12. 一種積層板，積層申請專利範圍第1至11項中任一項之表面處理銅箔與樹脂基板而構成。
  13. 一種印刷配線板，使用有申請專利範圍第1至11項中任一項之表面處理銅箔。
  14. 一種電子機器，使用有申請專利範圍第13項之印刷配線板。
  15. 一種製造印刷配線板之方法，將2個以上之申請專利範圍第13項之印刷配線板連接，製造連接有2個以上之印刷配線板的印刷配線板。
  16. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的方法，其包含下述步驟：將至少1個申請專利範圍第13項之印刷配線板、與另一個申請 專利範圍第13項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第13項之印刷配線板的印刷配線板連接。
  17. 一種電子機器，其使用有1個以上連接有2個以上申請專利範圍第15項之印刷配線板的印刷配線板。
  18. 一種電子機器，其使用有1個以上連接有2個以上申請專利範圍第16項之印刷配線板的印刷配線板。
  19. 一種電子機器，其使用有1個以上連接有至少1個申請專利範圍第15項之印刷配線板的印刷配線板。
  20. 一種電子機器，其使用有1個以上連接有至少1個申請專利範圍第16項之印刷配線板的印刷配線板。
  21. 一種製造印刷配線板之方法，其至少包含將申請專利範圍第13項之印刷配線板與零件連接的步驟。
  22. 一種製造連接有2個以上印刷配線板之印刷配線板的方法，其至少包含下述步驟：將至少1個申請專利範圍第13項之印刷配線板與另一個申請專利範圍第13項之印刷配線板或並不相當於申請專利範圍第13項之印刷配線板的印刷配線板連接；及將申請專利範圍第13項之印刷配線板或申請專利範圍第16項之連接有2個以上印刷配線板的印刷配線板與零件連接。
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