TWI704048B - 表面處理銅箔及使用其製成的覆銅積層板 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種表面處理銅箔等，其確保與絕緣基板充分的密接性且兼具高度的回焊耐熱性與傳輸特性。本發明之表面處理銅箔是在銅箔基體(110)上設置表面粗化層(120)而成者，其特徵在於：該表面粗化層(120)是藉由粗化粒子而形成有凹凸表面者，於與該銅箔基體面正交之剖面，沿前述表面粗化層(120)的凹凸表面而測定的沿面長度(Da)相對於沿前述銅箔基體面而測定的沿面長度(Db)之比(Da/Db)處於1.05至4.00倍的範圍，且前述凹凸表面上的凹凸的平均高低差H處於0.2至1.3 µm的範圍，進一步，於前述表面粗化層(120)上直接地或間隔中間層地具有以0.0003至0.0300 mg/dm2 的矽烷附著量而形成之矽烷耦合劑層。

Description

表面處理銅箔及使用其製成的覆銅積層板
本發明關於一種表面處理銅箔及使用其製成的覆銅積層板，該表面處理銅箔可確保與絕緣基板充分的密接性且兼具高度的回焊耐熱性與傳輸特性。
近年來，伴隨著電腦和資訊通訊設備的高性能化及高機能化以及網路化的發展，存在訊號日益高頻化以對大容量的資訊進行高速傳輸處理的傾向。此種資訊通訊設備使用了覆銅積層板。覆銅積層板是藉由對絕緣基板（樹脂基板）與銅箔進行加熱並加壓來製作。一般而言，絕緣基板，其構成支援高頻的覆銅積層板，必需使用介電特性優異的樹脂，然而相對介電常數和介電損耗正切低的樹脂存在以下傾向：有助於與銅箔黏著之極性高的官能基少而使與銅箔黏著的特性下降。
又，對作為支援高頻的覆銅積層板所使用的導電層之銅箔，人們期望盡可能減小其表面粗糙度。要求此種銅箔的低輪廓(low profile)化的原因在於，伴隨著高頻化，電流會集中流動於銅箔的表面部分，從而存在銅箔的表面粗糙度越大傳輸損耗越大之傾向。 為了改善構成覆銅積層板的銅箔對絕緣基板之密接性，一般於銅箔基體上形成具有微細的凹凸表面（以下簡稱為凹凸表面）之表面粗化層，該凹凸表面是利用粗化粒子的電沈積來形成，從而藉由物理效應（錨固效應）來提高密接力。若增大凹凸表面的高低差（表面粗糙度）則密接力會提高，但傳輸損耗會由於前述原因而增加。儘管如此，於現狀中仍優先使銅箔基體上形成的表面粗化層的表面為凹凸表面以確保密接力，並容許因形成凹凸表面而導致的一定程度的傳輸損耗的加劇。然而，最近正在進行支援頻率為20 GHz以上的下一代高頻電路基板的開發，從而期望該基板相較於先前能更進一步降低傳輸損耗。
一般而言，為了降低傳輸損耗，較佳為使用例如減小表面粗化層的表面凹凸的高低差（表面粗糙度）後的表面處理銅箔、或未進行表面粗化處理之未粗化平滑銅箔。又，為了確保此種表面粗糙度小的銅箔的密接性，較佳為於銅箔與絕緣基板之間形成矽烷耦合劑層，該耦合劑層形成化學鍵結。
於使用前述銅箔來製造高頻電路基板時，除上述密接性和傳輸特性以外，最近已需要進一步考慮回焊耐熱性。此處，所謂「回焊耐熱性」是在製造高頻電路基板時所進行之焊料回焊步驟中的耐熱性。所謂焊料回焊步驟是在使糊狀焊料附著於電路基板的配線與電子零件的接點的狀態下，藉由回焊爐進行加熱而塗敷焊料之方法。近年來，就減輕環境負荷之觀點而言，用於電路基板的電接合部之焊料正在向無鉛(Pb)化發展。與先前的焊料相比，無鉛焊料的熔點較高，且於應用於焊料回焊步驟的情形時，電路基板會暴露於例如260℃左右的高溫，因此與使用先前的焊料的情形相比，必需具備高度的回焊耐熱性。因此，尤其是針對用於此種用途之銅箔，使其確保與絕緣基板充分的密接性且兼具高度的回焊耐熱性與傳輸特性已成為新課題。
本申請人於例如專利文獻1中提出了一種方法，其使用氫氧化鉀溶液於熱塑性樹脂膜表面形成微細的凹凸，之後依序進行無電鍍銅與電鍍銅而形成具有微細的凹凸之銅層，該微細的凹凸起因於熱塑性樹脂膜的表面形狀，藉此來製作作為傳輸特性與密接性優異的電路基板也就是覆蓋有金屬之積層體。然而，本申請人之後進一步反復研究專利文獻1中記載之發明，結果得知：有時無法充分地獲得回焊耐熱性，因而有待改善。
又，本申請人亦於專利文獻2中提出了一種表面處理銅箔，其於電解銅箔的至少一面具有由粗化粒子所形成的突起物的高度為1至5 µm之粗化處理面。專利文獻2中記載之表面處理銅箔，其突起物的高度較高，而且並未打算改善回焊耐熱性，矽烷耦合層是根據需要而形成，所以雖然對液晶聚合物膜具有優異的密接性，但由於是藉由使粗化粒子附著而使表面粗糙度增加，因此會有傳輸損耗會增大之傾向，從而應用於近年來支援20 GHz以上的高頻的絕緣基板時有所不足，而且有時亦無法充分獲得回焊耐熱性，因而有待改善。
而且，於專利文獻3中揭示了一種覆銅積層板用表面處理銅箔，其藉由採用銅-鈷-鎳合金鍍覆之粗化處理來形成粗化粒子。於此種銅箔應用於高頻用電路基板的情形時，銅箔與樹脂的接觸面積增加，故能確保良好之密接性，但是銅箔的表面積變得過大，因此預見傳輸特性會變差，此外絲毫未考慮回焊耐熱性。
於專利文獻4中揭示了一種銅箔，其藉由銅的粗化處理來提高傳輸特性、密接性及耐熱性。於使用此種銅箔的情形時能期待傳輸特性的提高，但於回焊試驗中的260℃左右的加熱條件下，於銅箔與絕緣基板（樹脂基板）之間會發生脫層剝離，從而無法發揮出令人滿意的特性。 於專利文獻5中，針對帶有極薄底料樹脂層之表面處理銅箔，為了提高樹脂與銅箔的密接性而實施矽烷處理，從而實現常態下的密接性的改善。然而，於實施此種矽烷處理的情形時，一般會存在矽烷的均勻處理不充分的傾向而對耐熱回焊性產生不良影響。
於專利文獻6中揭示了一種電磁波遮蔽用銅箔，其於銅箔的一面設置由微細粗化粒子構成之黑色或褐色處理層。作為形成微細粗化粒子之實施例，例如藉由添加有檸檬酸三鈉這類的螯合劑之鍍覆浴來實施電解。於將本實施例的銅箔用於高頻基板的情形時，雖然密接性等優異，但由於表面的微細凹凸的影響而使傳輸損耗降低，進而導致所需特性不充分。
於專利文獻7中揭示了一種銅箔，其是藉由向銅箔的至少一面施加銅的微細粗化粒子處理層而成。於實施例中，藉由向粗化鍍覆浴添加作為螯合劑之二伸乙基三胺五乙酸五鈉而使粗化粒子變得微細。然而，於將本實施例的銅箔用於高頻基板的情形時，會由於表面的微細凹凸的影響而使傳輸損耗降低，進而導致所需特性不充分。
[先前技術文獻] (專利文獻) 專利文獻1：日本專利特開2013-158935號公報 專利文獻2：日本專利第4833556號公報 專利文獻3：日本專利特開2013-147688號公報 專利文獻4：國際公開2011/090175號小冊子 專利文獻5：國際公開2006/134868號小冊子 專利文獻6：日本專利特開2006-278881號公報 專利文獻7：日本專利特開2007-332418號公報
[發明所欲解決之問題] 本發明應對為了高速傳輸處理大容量資訊而高頻化之資訊通訊設備的高性能化及高機能化，其目的在於提供一種表面處理銅箔及使用其製成的覆銅積層板，該表面處理銅箔可確保與絕緣基板充分的密接性且兼具高度的回焊耐熱性與傳輸特性，該絕緣基板的相對介電常數和介電損耗正切低，從而介電特性優異。
[解決問題之技術手段] 本發明人反復努力研究，結果發現：於與銅箔基體面正交之剖面，沿前述表面粗化層的凹凸表面而測定的沿面長度Da相對於沿前述銅箔基體面而測定的沿面長度Db之比Da/Db（以下亦稱為「線長比」），對回焊耐熱性影響很大。又，本發明人亦發現：於利用粗化粒子的電沈積而於銅箔基體上形成具有凹凸表面之表面粗化層的表面粗化處理時，藉由控制凹凸表面中的凹凸的平均高低差H與直接地或間隔中間層地形成於表面粗化層上之矽烷耦合劑層的矽烷附著量，能夠獲得一種於回焊耐熱性、密接性及傳輸特性方面均顯示出優異的特性的銅箔，從而完成本發明。
即，本發明之主旨構成如下。 (1)一種表面處理銅箔，其是在銅箔基體上設置表面粗化層而成者，其特徵在於：該表面粗化層是藉由粗化粒子而形成有凹凸表面者，於與該銅箔基體面正交之剖面，沿前述表面粗化層的凹凸表面而測定的沿面長度(Da)相對於沿前述銅箔基體面而測定的沿面長度(Db)之比(Da/Db)處於1.05至4.00的範圍，前述凹凸表面中的凹凸的平均高低差(H)處於0.2至1.3 µm的範圍，進一步，於前述表面粗化層上直接地或間隔中間層地具有以0.0003至0.0300 mg/dm2 的矽烷附著量而形成之矽烷耦合劑層。
(2) 如上述表面處理銅箔，其中，前述凹凸表面具有頸縮形狀。 (3) 如上述表面處理銅箔，其中，前述沿面長度之比(Da/Db)處於1.05至3.20的範圍，前述凹凸的平均高低差(H)處於0.2至0.8 µm的範圍，並且當將銅箔與絕緣基板積層時，於前述銅箔基體上的垂直於前述銅箔的製造方向的方向也就是寬度方向的2.54 µm的線上，前述表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量為2個以下。再者，所謂銅箔的製造方向，於電解銅箔的情形時是指輥的長度方向，而於壓延銅箔的情形時是指壓延方向(輥軋方向)。
(4) 如上述表面處理銅箔，其中，前述沿面長度之比(Da/Db)處於1.05至1.60的範圍，前述凹凸的平均高低差(H)處於0.2至0.3 µm的範圍，且於前述銅箔基體的寬度方向的2.54 µm的線上，前述表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量為1個以下。 (5) 如上述表面處理銅箔，其中，前述矽烷耦合劑層的矽烷附著量為0.0005至0.0120 mg/dm2 。
(6) 如上述表面處理銅箔，其中，前述中間層是由選自含有Ni之基底層、含有Zn之耐熱處理層及含有Cr之防銹處理層中的至少1層構成。 (7) 如上述表面處理銅箔，其中，前述矽烷耦合劑層是由選自環氧系矽烷、胺基系矽烷、乙烯基系矽烷、甲基丙烯酸系矽烷、丙烯酸系矽烷、苯乙烯基系矽烷、醯脲系矽烷、巰基系矽烷、硫化物系矽烷及異氰酸酯基系矽烷中的至少1種構成。 (8) 一種覆銅積層板，其使用上述表面處理銅箔製造而成，且於該表面處理銅箔的表面粗化層側的面具有絕緣基板。
(9) 一種覆銅積層板，其是在表面處理銅箔的表面粗化層側具有絕緣基板者，該表面處理銅箔是在銅箔基體上設置前述表面粗化層而成，該覆銅積層板的特徵在於：於與該銅箔基體面正交之剖面，沿前述表面粗化層與前述絕緣基板的界面而測定的界面長度(Da')相對於沿前述銅箔基體面而測定的沿面長度(Db)之比(Da'/Db)處於1.05至4.00的範圍，前述界面中的凹凸的平均高低差(H')處於0.2至1.3 µm的範圍，進一步，於前述表面粗化層與前述絕緣基板之間，直接地或間隔中間層地具有0.0003至0.0300 mg/dm2 的矽烷附著量之矽烷耦合劑層。 (10) 如上述覆銅積層板，其中，於前述銅箔基體的寬度方向的2.54 µm的線上，表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量為2個以下。
(發明效果) 藉由本發明，能提供一種表面處理銅箔，其可確保與絕緣基板充分的密接性且兼具高度的回焊耐熱性與傳輸特性，該絕緣基板因相對介電常數和介電損耗正切低而介電特性優異，從而能應對高速傳輸處理大容量資訊之高頻化資訊通訊設備的高性能化和高機能化。又，本發明能提供一種使用該表面處理銅箔製成的覆銅積層板。
以下，一面參照圖式一面對依據本發明之表面處理銅箔的實施方式進行說明。圖1(a)顯示於銅箔的表面形成表面粗化層時的剖面構造，該銅箔構成依據本發明的代表性的表面處理銅箔。 本發明的表面處理銅箔，主要是由銅箔110、表面粗化層120及矽烷耦合劑層（未圖示）所構成。即，於本發明中，將於銅箔110上形成表面粗化層120作為表面處理並進一步形成矽烷耦合劑層（未圖示）作為表面處理而成者，稱為表面處理銅箔。
銅箔110可根據用途等適當地從電解銅箔、電解銅合金箔、壓延銅箔或壓延銅合金箔中選擇一種。 表面粗化層120是藉由在銅箔基體110上實施表面粗化處理而予以設置，表面形成有大致粒狀的微細凹凸。於該表面粗化處理中，藉由以超過極限電流密度之電流密度，一邊產生氫氣一邊進行銅的電沈積而成為所謂的燒焦鍍層的狀態，從而形成粒狀的電沈積物並形成微米級的微細凹凸表面。於本發明中，將此種微細的凹凸表面簡稱為凹凸表面。又，本發明中的粗化粒子是指該粒狀的電沈積物。
而且，本發明中，於與銅箔基體面正交之剖面，使沿前述表面粗化層120的凹凸表面而測定的沿面長度Da相對於沿前述銅箔基體面而測定的沿面長度Db之（線長）比Da/Db處於1.05至4.00的範圍。線長比Da/Db可處於1.05至3.20的範圍，且線長比Da/Db亦可處於1.05至1.60的範圍。
若線長比Da/Db低於1.05，則回焊耐熱性會降低而無法獲得令人滿意的性能。若線長比Da/Db超過4.00，則表面的凹凸會過度地增加，所以會由於集膚效應使傳輸損耗變大而導致傳輸特性變差，因此使線長比Da/Db處於1.05至4.00的範圍。線長比Da/Db的測定方法將於下文進行說明。
本發明人努力調查線長比Da/Db會影響回焊耐熱性的原因，結果獲得如下的新見解。首先，對回焊耐熱試驗的試片的製作方法進行說明。將於雙面使銅箔積層而成之絕緣基板（基材）作為芯層。利用氯化銅(II)溶液等對芯層進行蝕刻而使所有銅箔被溶解去除。接著，於芯層經蝕刻後殘留的絕緣基板（基材）的雙面，使由絕緣材料構成之預浸料層與銅箔積層而製作回焊試片。對該回焊試片的剖面進行觀察，結果確認：於芯層的絕緣基板（基材）與預浸料層接觸的界面，複製(replica)有構成芯層之銅箔的表面形狀。並且確認：於回焊耐熱試驗中，因為樣品（試片）暴露於260℃左右的高溫下，所以絕緣基板（基材）中的低分子量的成分會揮發，揮發的氣體積存於絕緣基板與預浸料層之間的密接性較弱的區域而成為層間剝離的原因。因此，一般認為：若線長比Da/Db低於1.05，則藉由蝕刻而被複製的區域會變少，結果絕緣基板（基材）與預浸料層接觸的區域會減少，由此產生兩層間的密接性較低的區域，從而於加熱時自基材揮發的氣體會積存於層間的該區域而導致剝離變得容易發生。
本發明中，經過努力研究，結果發現：藉由將線長比Da/Db及凹凸的平均高低差H控制在適當的範圍，能獲得具有頸縮形狀之粗化形狀，從而與公知例中利用表面積來進行控制之銅箔相比，耐熱性顯著地提高。即，若於本案的凹凸的平均高低差H的範圍內以不會使傳輸特性降低的程度來增加Da/Db，則粗化層的輪廓長度會變長，結果能獲得具有大量頸縮形狀之粗化形狀。藉由使頸縮形狀增多，雖然粗化微細，但表現出強錨固效應，從而銅箔與絕緣基板（樹脂基板）的密接性增強、耐熱性提高。因此於本案之申請專利範圍內，藉由控制Da/Db與平均高低差H而於維持高度的傳輸特性的狀態下，使耐熱性與公知例相比有顯著提高。
作為使粗化形狀定量之參數，如專利文獻4(WO2011-090175)所示，已知有利用雷射顯微鏡測得的表面積比。然而作為問題點，例如如圖1所示，於存在(a)有頸縮形狀11的粗化與(b)無頸縮形狀的粗化的情形下，則理論上於利用雷射顯微鏡測定表面積時，因為是自銅箔的垂直方向投射雷射光而測定高度，所以難以測定圖1(a)和圖1(b)之有無頸縮形狀的差異。即，雖然能測定雷射光所直接照射的表面的形狀，但如頸縮部分，自垂直方向投射雷射光時會變成影子，從而未直接被雷射光照射的部分將不可能測定出形狀。
因此，如專利文獻4的實施方式所示，利用雷射顯微鏡來測定表面積比時，無法將頸縮形狀之有無反映於測定值中，所以藉由雷射顯微鏡所測得的表面積比來控制銅箔的表面形狀對於本案而言不適合。此外專利文獻4所示的縱橫比僅表示粗化粒子的「高度」與「寬度」之比，完全沒有考慮頸縮形狀。
再者，若使絕緣基板密接於具有由上述實施方式而獲得的表面粗化層之銅箔的表面粗化層側而形成覆銅積層板，則存在沿表面粗化層與絕緣基板的界面而測定的界面長度(Da')，會由於與絕緣基板的加壓密接而稍微縮小的傾向。因此，於絕緣基板密接後亦需要使上述線長比維持在上述範圍，並且，於絕緣基板密接後的與該銅箔基體面正交之剖面上，藉由使沿前述表面粗化層與前述絕緣基板的界面而測定的界面長度(Da')相對於沿前述銅箔基體面而測定的沿面長度(Db)之比(Da'/Db)處於1.05至4.00的範圍，能獲得與上述(Da/Db)的情形同樣的效果。
因此，於本發明中，使銅箔的凹凸表面中的凹凸的平均高低差（相當於粗化粒子的平均高度）H處於0.2至1.3 µm的範圍。若凹凸表面中的凹凸的平均高低差H低於0.2 µm，則錨固效應弱，因而無法獲得銅箔與絕緣基板充分的密接性。又，若凹凸表面中的凹凸的平均高低差H超過1.3 µm，則表面凹凸會變得過大，從而傳輸損耗會由於集膚效應而變大。再者，凹凸表面中的凹凸的平均高低差H可處於0.2至0.8 µm的範圍，且凹凸表面的凹凸的平均高低差H亦可處於0.2至0.3 µm的範圍。
再者，若使絕緣基板密接於具有由上述實施方式而獲得的表面粗化層之銅箔的表面粗化層側而形成覆銅積層板，則存在表面粗化層的凹凸差H會由於與絕緣基板的加壓密接而稍微減小的傾向。因此，於絕緣基板密接後亦需要使凹凸的平均高度維持在上述範圍，並且藉由在絕緣基板密接後之與該銅箔基體面正交之剖面，使凹凸表面中的凹凸的平均高低差（相當於粗化粒子的平均高度）H'處於0.2至1.3 µm的範圍，能獲得與上述H的情形同樣的效果。
本發明人針對於適當的凹凸平均高低差(H)的範圍中控制Da/Db之方法進行調查後，發現：於文獻6及文獻7的粗化方法中，因為螯合劑的濃度高，所以於銅箔表面形成大量微細的粗化粒子會使Da/Db過度增加，結果導致傳輸損耗加劇。本發明人努力研究該問題的對策，結果得知：藉由使螯合劑的濃度相較於先前為低濃度，粒子將變成適當的大小，可以將Da/Db控制在最適合的範圍，在保持高度密接性與耐熱性之同時降低傳輸損耗。具體而言，可使添加至鍍覆浴中的螯合劑的濃度處於0.1至5 g/L的範圍。
作為反應之機制，推測藉由使螯合劑為低濃度來使電解時的過電壓相較於高濃度條件有所降低，從而使成核頻率降低，因此能適當地抑制微細化效果而形成適當大小的粗化粒子。又，一般認為：於螯合劑為低濃度的情形時，因為鍍覆浴中的螯合物分子的數量少，所以處於螯合物大部分已配位之金屬離子(Cu等）與螯合物未配位之金屬離子於鍍覆浴中混在一起的狀態，由於螯合物配位狀態的差異使析出模式不同的粒子同時形成，由此成為具有頸縮形狀之複雜粒子形狀，從而於適當的Da/Db的範圍也能兼具高度的耐熱性與密接性。又，使螯合劑為低濃度時，則粗化粒子的高度方向上的成長會被適當地抑制，從而使凹凸的平均高低差H處於適當的範圍。根據上述的螯合物大部分已配位之金屬離子(Cu等）與螯合物未配位之金屬離子於鍍覆浴中混在一起的狀態下的析出模式，析出的配向為無規(隨機性)，因此高度方向上的成長得以抑制。
又，本發明人發現：作為適當控制Da/Db之方法，向表面粗化處理浴添加兩種螯合劑之方法亦有效果。據推測：藉由添加兩種螯合劑，螯合物的配位狀態不同之金屬同時被電解，形狀不同的粒子同時析出，由此粗化粒子形狀變得複雜，從而容易表現出錨固效果。 作為其他對Da/Db進行適當管理之方法，利用先前由於粉末掉落等不良狀況而未使用之70至90 A/dm2 的電流密度來形成粗化粒子亦有效果。但若處理時間長則粒子會沿垂直方向過度成長而變得容易掉落粉末，因此必需使處理時間短。若為高電流密度，則陰極上的氫氣生成量會增加。據推測：氫氣自陰極脫離而進入液中之前為無法鍍覆的斑點，因此粗化的析出時點會變得不連續，結果可獲得凹凸數量適當的表面形狀。
於本發明中，進一步於表面粗化層120上直接地或間隔中間層地具有以0.0003至0.0300 mg/dm2 的矽烷附著量而形成之矽烷耦合劑層。若構成矽烷耦合劑層之矽烷耦合劑的矽烷附著量低於0.0003 mg/dm2 ，則回焊耐熱性會降低。又，若上述附著量超過0.0300 mg/dm2 ，則矽烷耦合劑層會變得過厚，反而會使密接強度降低。再者，構成矽烷耦合劑層之矽烷耦合劑的矽烷附著量亦可為0.0005至0.0120 mg/dm2 。
再者，作為矽烷耦合劑層的形成方法，例如可列舉以下方法：於表面粗化層120的凹凸表面上直接地或間隔中間層而間接地塗布矽烷耦合劑溶液，之後經風乾或加熱乾燥而形成。關於塗布而成之耦合劑層的乾燥，只要水分蒸發就能充分發揮本發明的效果，但從促進矽烷耦合劑與銅箔的反應的觀點出發，較佳為於50至180℃的溫度下進行加熱乾燥。
較佳為矽烷耦合劑層含有環氧系矽烷、胺基系矽烷、乙烯基系矽烷、甲基丙烯酸系矽烷、丙烯酸系矽烷、苯乙烯基系矽烷、醯脲系矽烷、巰基系矽烷、硫化物系矽烷及異氰酸酯基系矽烷中的任一種以上。 較佳為本發明的凹凸表面具有大量頸縮形狀。雖然具有大量頸縮形狀會造成粗化微細，但能表現出強錨固效果而使銅箔與絕緣基板的密接性增強、耐熱性提高。要形成具有大量頸縮形狀的凹凸表面，如上所述，藉由使凹凸的平均高低差H處於0.2至1.3 µm的範圍內並將Da/Db控制在1.4至4.0的範圍內，能使粗化層的輪廓長度變長，結果獲得具有大量頸縮形狀之粗化形狀。
又，於本發明中，較佳為於使銅箔與絕緣基板積層時，前述表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量，於基板的寬度（例如2.54 µm）上為2個以下。本案中，於調查影響回焊耐熱性的因素的過程中發現：除上述線長比Da/Db及平均高低差H以外，回焊試片中的銅箔的表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量亦有很大影響。此處，所謂本案中的氣泡，是指於表面粗化層與絕緣基板的界面中，未填充絕緣基板之區域，其大小以長徑計為1.0 µm以下。若銅箔的表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量多，則於回焊試驗中的加熱時，自上述絕緣基板中揮發的氣體會集中於氣泡部而使氣泡內的氣體壓力變高，導致層間剝離變得容易發生。
因此，本發明人努力調查減少表面粗化層與基板的界面的氣泡數量之方法，結果得知：適當控制矽烷耦合劑的處理條件是有效方法。具體而言，是首先向矽烷耦合劑水溶液添加醇之方法。作為醇，可列舉甲醇、乙醇、異丙醇、正丙醇等。藉由添加醇，溶液中的矽烷分子的分散性變好，於銅箔的表面粗化層可均勻地處理矽烷耦合劑，因此對於樹脂的浸潤性得以提高。而且據推測：於高溫下壓合基板與銅箔時，熔融樹脂會充分浸潤表面粗化層而使填充性變得良好，從而使表面粗化層與基板的界面的氣泡數量減少。又，使從利用矽烷水溶液處理銅箔之後至利用暖風進行乾燥為止的時間延長亦具有效果。據推測：使從利用矽烷水溶液進行處理之後直至利用暖風進行乾燥為止的時間延長，可使矽烷分子於銅箔的表面粗化層表面有規則地進行配向而提高對於樹脂的浸潤性，結果使表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量減少。例如，於專利文獻4所介紹之矽烷處理的情形時，未考慮樹脂對表面粗化層的浸潤性，從而導致表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量容易增加。
銅箔的表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量，於基板的寬度方向的2.54 µm的線上，只要為2個以下即可。氣泡的數量於該線上亦可為1個以下或0個。若銅箔的表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量，於該線上為3個以上，則存在於回焊試驗時自絕緣基板中產生的氣體會集中於氣泡部而導致層間剝離容易發生，且回焊耐熱性（銅箔與預浸料層之間）降低的傾向。
作為其他的實施方式，亦可於表面粗化層120與矽烷耦合劑層之間進一步具有選自含有Ni之基底層、含有Zn之耐熱處理層及含有Cr之防銹處理層中的至少1層中間層。 若存在例如銅箔基體110或表面粗化層120中的銅(Cu)擴散至絕緣基板側而產生銅危害並使密接性降低的情況，則較佳為於表面粗化層120與矽烷耦合劑層之間形成含有鎳(Ni)之基底層。含Ni之基底層含有鎳(Ni)、鎳(Ni)-磷(P)、鎳(Ni)-(Zn)中的至少1種以上。其中，就能抑制電路配線形成時中的銅箔蝕刻時的鎳殘留的觀點而言，較佳為鎳-磷。
較佳為於需要進一步提高耐熱性的情形時，形成含有鋅(Zn)之耐熱處理層。較佳為耐熱處理層是由例如鋅或含有鋅之合金，即選自鋅(Zn)-錫(Sn)、鋅(Zn)-鎳(Ni)、鋅(Zn)-鈷(Co)、鋅(Zn)-銅(Cu)、鋅(Zn)-鉻(Cr)及鋅(Zn)-釩(V)中的至少1種以上之含鋅合金所形成。其中，就抑制電路配線形成時的蝕刻時的底切(undercut)的觀點而言，尤佳為鋅-釩。再者，此處所言之「耐熱性」是指使絕緣基板積層於表面處理銅箔上並進行加熱而使樹脂硬化後，表面處理銅箔與絕緣基板之間的密接強度不容易降低的性質，是不同於回焊耐熱性的特性。
亦可於需要進一步提高耐腐蝕性的情形時形成含有Cr之防銹處理層。作為防銹處理層，例如可列舉藉由鍍鉻而成之鉻層及藉由鉻酸鹽處理而形成之鉻酸鹽層。 上述三層即基底層、耐熱處理層及防銹處理層都要形成時，可於表面粗化層上以該順序形成，亦可根據作為用途或目的之特性而僅形成上述三層中的任一層或任兩層。
又，較佳為本發明的表面處理銅箔用於覆銅積層板之製造。覆銅積層板於表面處理銅箔的表面粗化層側的面具有絕緣基板。 用於覆銅積層板之絕緣基板，可使用選自熱硬化性聚苯醚樹脂、含有聚苯乙烯系聚合物之熱硬化性聚苯醚樹脂、含有氰尿酸三烯丙酯之聚合物或共聚物之樹脂組合物、經甲基丙烯酸或丙烯酸改質之環氧樹脂組合物、酚類加成丁二烯聚合物、苯二甲酸二烯丙酯樹脂、二乙烯苯樹脂、多官能性甲基丙烯醯基樹脂、不飽和聚酯樹脂、聚丁二烯樹脂、苯乙烯-丁二烯、苯乙烯-丁二烯與苯乙烯-丁二烯之交聯聚合物等之絕緣樹脂。 於製造覆銅積層板的情形時，只要是藉由加熱壓合具有矽烷耦合劑層之表面處理銅箔與絕緣基板並使兩者密接來製造即可。再者，於絕緣基板上塗布矽烷耦合劑，並藉由加熱壓合使絕緣基板與於最表面具有防銹處理層之銅箔密接而製作之覆銅積層板亦具有與本發明同等的效果。
〔表面處理銅箔的製作〕 (1)表面粗化層的形成步驟 藉由粗化粒子的電沈積而於銅箔上形成具有凹凸表面之表面粗化層。 較佳為：除控制線長比Da/Db以外，進一步(i)適當地控制粗化粒子的大小、及(ii)使形狀不同之粗化粒子容易同時析出。 就(i)的觀點而言，例如可採用減小電解時的過電壓以減小成核頻率之方法，作為其具體例，可列舉使螯合劑為低濃度的方法。或者亦可採用使進行粗化處理時的電流密度高達70至90 A/dm2 而縮短處理時間之方法。
此處，添加至表面粗化處理的鍍覆浴中的螯合劑的濃度，處於0.1至5 g/L會較為適當。作為螯合劑，可列舉DL-蘋果酸、EDTA鈉溶液、葡萄糖酸鈉、二伸乙基三胺五乙酸五鈉(DTPA)等螯合劑等。 又，就(ii)的觀點而言，例如可採用使螯合物的配位狀態不同之金屬同時被電解之方法，作為其具體例，可列舉向表面粗化處理浴添加兩種螯合劑之方法。作為例子，有DL-蘋果酸與DTPA之組合。
又，為了於銅箔基體的寬度方向的2.54 µm的線上，使表面粗化層與絕緣基板的界面中的氣泡數量為2個以下，可採用提高表面粗化層對絕緣基板表面浸潤性等方法。因此，存在例如(i)以使矽烷耦合劑層均勻地形成於表面粗化層的方式來進行矽烷耦合處理，(ii)以使矽烷耦合劑層中的矽烷分子有規則地配向的方式來進行矽烷耦合處理等方法。作為(i)的具體例，可列舉向矽烷耦合劑水溶液添加醇之方法，作為(ii)的具體例，可列舉使從利用矽烷水溶液處理粗化處理銅箔之後至利用暖風進行乾燥之前的時間延長之方法等。
(2)基底層的形成步驟 根據需要而於表面粗化層上形成含有Ni之基底層。 (3)耐熱處理層的形成步驟 根據需要而於表面粗化層上或基底層上形成含有Zn之耐熱處理層。 (4)防銹處理層的形成步驟 根據需要而將形成有上述層之銅箔浸於pH值低於3.5的含有Cr化合物之水溶液，並以0.3 A/dm2 以上的電流密度進行鍍鉻處理，藉此於表面粗化層上、基底層上或耐熱處理層上形成防銹處理層。 (5)矽烷耦合劑層的形成步驟 於表面粗化層上、基底層上、耐熱處理層上或防銹處理層上形成矽烷耦合劑層。
〔覆銅積層板的製造〕 本實施方式的覆銅積層板，藉由如下的步驟來製造。 (1)表面處理銅箔的製作 遵照上述(1)至(5)來製作表面處理銅箔。 (2)覆銅積層板之製造（積層）步驟 將以上述方式製作的表面處理銅箔與絕緣基板重疊在一起，使構成表面處理銅箔之矽烷耦合劑層的表面與絕緣基板的貼合面相對，之後進行加熱及加壓處理而使兩者密接，由此來製造覆銅積層板。 另外，需要說明的是，上述內容僅顯示了本發明的實施方式的實例，可於不脫離本發明主旨的範圍內進行各種變更。 [實施例]
（實施例1） 於下述條件下，將表面處理銅箔製作成厚度為18 µm的未粗化（表面粗糙度Rz約為0.8 µm）的銅箔基體。 (1)表面粗化層的形成 針對銅箔基體表面的表面粗化處理，以如下順序進行而形成表面粗化層：於表1的條件下進行表面粗化鍍覆處理1，接著進行以下所示的表面粗化鍍覆處理2。
[表1]
Figure 106103192-A0304-0001
（表面粗化鍍覆處理2） 硫酸銅：以銅濃度計13至72 g/L 硫酸濃度：26至133 g/L 液溫：18至67℃ 電流密度：3至67 A/dm2 處理時間：1秒至1分鐘55秒
(2)含有Ni之基底層的形成 於銅箔基體的表面形成表面粗化層後，於表面粗化層上，以下述的鍍鎳條件來進行電鍍，藉此形成基底層(Ni的附著量為0.06 mg/dm2 ）。 ＜鍍鎳條件＞ 硫酸鎳：以鎳金屬計5.0 g/L 過硫酸銨40.0 g/L 硼酸28.5 g/L 電流密度1.5 A/dm2 pH值3.8 溫度28.5℃ 時間1秒至2分鐘
(3)含有Zn之耐熱處理層的形成 形成基底層後，於該基底層上，以下述的鍍鋅條件來進行電鍍，藉此形成耐熱處理層(Zn的附著量：0.05 mg/dm2 ）。 ＜鍍鋅條件＞ 硫酸鋅七水合物1至30 g/L 氫氧化鈉10至300 g/L 電流密度0.1至10 A/dm2 溫度5至60℃ 時間1秒至2分鐘
(4)含有Cr之防銹處理層的形成 形成耐熱處理層後，於該耐熱處理層上，以下述的鍍鉻處理條件來進行處理，藉此形成防銹處理層(Cr的附著量：0.02 mg/dm2 ）。 ＜鍍鉻條件＞ （鍍鉻浴） 鉻酸酐CrO3 2.5 g/L pH值2.5 電流密度0.5 A/dm2 溫度15至45℃ 時間1秒至2分鐘
(5)矽烷耦合劑層的形成 形成防銹處理層後，於該防銹處理層上，以表2所示的條件，向矽烷耦合劑水溶液添加甲醇或乙醇，並塗布已調整為規定的pH值的處理液。其後，保持規定的時間，之後利用暖風進行乾燥，藉此形成表3所示的矽烷附著量之矽烷耦合劑層。另外，表3中的斜體的的數值，表示本發明的適當範圍外之數值。
[表2]
Figure 106103192-A0304-0002
[表3]
Figure 106103192-A0304-0003
（實施例2至實施例18） 表面粗化鍍覆處理1是根據表1的內容來進行，矽烷耦合劑處理是根據表2的內容來進行，除此以外與實施例1同樣地實施處理。 （比較例1至比較例7及比較例9至比較例14） 表面粗化鍍覆處理1是根據表1的內容來進行，矽烷耦合劑處理是根據表2的內容來進行，除此以外與實施例1同樣地實施處理。
(比較例8) 使用輥狀液晶聚合物膜（由Kuraray股份有限公司製造的Vecster（註冊商標）CT-Z），以10分鐘的處理時間浸於氫氧化鉀溶液（液溫80℃）中來進行蝕刻並進行表面粗化處理。接著，藉由下述的無電鍍銅浴而使無電鍍銅層形成於經表面粗化處理的熱塑性樹脂膜上。
＜無電鍍銅浴＞ 硫酸銅‧五水合物（以銅成分計）19 g/L HEEDTA（螯合劑）50 g/L 亞膦酸鈉（還原劑）30 g/L 氯化鈉20 g/L 磷酸氫二鈉15 g/L 其後，以鍍銅層整體的厚度為20 µm之方式形成電鍍銅層，該鍍銅層包含利用硫酸銅浴而形成於熱塑性樹脂膜上之無電鍍銅層。另外，比較例8是在滿足專利文獻1所記載的發明範圍的條件下製作而成者。
(試片的特性評價) 針對各試片進行各種測定及評價，其結果如表3所示。 (1)線長比Da/Db及凹凸表面中的凹凸的平均高低差H的測定 於與圖3中的雙箭頭所示的銅箔基體面（面方向P）正交之剖面，將沿前述表面粗化層的凹凸表面120而測定的沿面長度Da相對於沿前述銅箔基體110的面而測定的沿面長度Db之比Da/Db作為線長比。若該剖面中的表面粗化層的凹凸表面，形成具有更多或更大的凹凸的形狀，則線長比會變大。
藉由離子研磨裝置（日立製作所製造：IM4000(型號)）對各試片進行處理，並使用掃描型電子顯微鏡(SEM：日立製作所製造：SU8020(型號)）觀察經處理的各試片的剖面，然後根據以下所示的順序來測定上述線長比Da/Db。根據以10000倍的倍率放大（本案的圖像內視野的實際寬度為12.7 µm）的觀察圖像來計算。使用圖像分析軟體Winroof（三谷商事）來分析SEM的觀察圖像，藉此測定如圖3中的粗線所示的表面粗化層的凹凸表面上的沿面長度Da。亦可使用其他圖像分析軟體而以相同的方式進行測定。關於SEM的倍率，較佳為使SEM圖像的寬度處於5至15 µm的範圍。於本案中，於10處視野分別測定Dan/Dbn(n=1至10)，並將其平均值作為Da/Db。
接著，以如下的方式來測定凹凸表面的平均高低差。首先，將觀察倍率放大至200倍（本案的圖像內視野的實際寬度為63.5 µm），於任意位置，在誤差±1°的範圍內使凹凸表面的延伸方向與畫面的水平方向一致。接著，將觀察倍率放大至10,000倍（本案的圖像內視野的實際寬度為12.7 µm），將第1凹部的底部位置設為A點，該第1凹部的底部位置是任意位置在SEM圖像內所顯示出來的形成凹凸表面的凹凸中的最低點位置。然後，於除第1凹部及與該第1凹部鄰接之凹部以外的剩餘凹部中，將底部位置為最低點位置之第2凹部的底部位置設為B點。然後，將連結A點與B點而成之直線設為基線BL1（圖4(a)）。其後，在放大至50,000倍（本案的圖像內視野的實際寬度為2.54 µm）的SEM圖像中，畫出與基線BL1平行之基線BL2，其通過第3凹部的底部位置，該第3凹部的底部位置是在任意位置形成凹凸表面的凹凸中的最低點位置，將自基線BL2至沿垂直方向離得最遠的凸部的頂點的距離設為高低差H並進行測定（圖4(b)）。於本實施例中，於5處視野分別測定高低差並將其平均值作為平均高低差H。
(2)表面粗化層與絕緣基材的界面的氣泡數量 如圖5所示，表面粗化層43與絕緣基板42的界面的氣泡數量是按照以下所示的順序進行測定。首先，使用壓合機於絕緣基板製造廠家所推薦的標準壓合條件下壓合絕緣基板42（預浸料層）與銅箔43而製作積層體（於本案中，使用松下股份有限公司的MEGTRON6：R-5670作為絕緣基板42，並以如下壓合條件進行積層：壓合溫度為200℃、壓合壓力為35 kgf/cm2 ，壓合時間為160分鐘）。接著，使用前述離子研磨裝置對前述積層體進行處理，並利用前述掃描型電子顯微鏡將經處理的積層體的剖面放大至50000倍（本案的圖像內視野的實際寬度為2.54 µm），並觀察積層體的表面粗化層43與絕緣基板42的界面。如圖5所示，於10處分別測定存在於寬度為2.54 µm的線上哦表面粗化層43與絕緣基板42的界面的氣泡41的數量，並將10處的氣泡的數量的平均值作為表面粗化層43與絕緣基板42的界面的氣泡數量Vi。所謂本案中的氣泡，是指於表面粗化層與絕緣基板的界面中，未填充絕緣基板之區域，其大小以長徑計為1.0 µm以下。
(3)矽烷附著量的測定 利用螢光X射線分析裝置（股份有限公司RIGAKU製造的ZSXPrimus，分析直徑：Φ35 mm）進行分析。 (4)絕緣基板密接後的線長比Da'/Db及凹凸表面中的凹凸的平均高低差H'的測定 於使各銅箔與絕緣基板黏著後，線長比Da'/Db和凹凸表面中的凹凸的平均高低差H'，以與上述Da/Db和H的測定相同的方式來進行。
(5)傳輸特性（高頻下的傳輸損耗的測定） 於使各銅箔與絕緣基板黏著後，製作傳輸特性測定用樣品而對高頻帶中的傳輸損耗進行測定。使用市售的聚苯醚系絕緣基板（松下股份有限公司製造的MEGTRON 6）作為絕緣基板。傳輸損耗測定用基板採用帶狀線構造，導體長度為400 mm，導體厚度為18 µm，並且導體寬度調整為0.14 mm，整體的厚度調整為0.31 mm，特性阻抗調整為50 Ω。關於評價，使用向量網路分析儀E8363B(KEYSIGHT TECHNOLOGIES公司製造）來測定10 GHz和40 GHz時的傳輸損耗。將於導體長度為400 mm時所測定的傳輸損耗換算成導體長度為1000 mm時的值，並將該值作為傳輸損耗的測定結果，單位為dB/m。具體而言，將導體長度為400 mm時所測定的傳輸損耗的值乘以2.5後所得到的值作為傳輸損耗的測定值。結果如表3所示，關於傳輸特性，於10 GHz時將傳輸損耗低於19.5 dB/m的情況視為合格，且於40 GHz時將傳輸損耗低於66.0 dB/m的情況視為合格。
(6)密接強度 測定表面處理銅箔與絕緣基板的密接強度。使用市售之聚苯醚基板作為絕緣基板。絕緣（樹脂）基板的硬化條件設為210℃、1小時。使用萬能材料試驗機(TENSILON，股份有限公司A&D製造）使銅箔與絕緣基板黏著，之後將試片蝕刻加工成10 mm寬度的電路配線，並藉由雙面膠帶將絕緣側固定於不銹鋼板，然後使電路配線沿90度方向以50 mm/分鐘的速度進行剝離，從而求出密接強度。關於初始密接性，將剝離強度為0.4 kN/m以上的情況視為合格，將剝離強度低於0.4 kN/m的情況視為不合格。
(7)回焊耐熱性（銅箔與預浸料層之間） 首先，對回焊耐熱試驗（銅箔與預浸料層之間）的試片的製作方法進行說明。於雙面使銅箔積層而製作回焊試片（銅箔與預浸料層之間）。於本案中，回焊試片（銅箔與預浸料層之間）的尺寸為100 mm×100 mm。接著，將製成的試片通入至回焊爐中，並以頂溫度為260℃且時間為10秒鐘的加熱條件經歷10次。於上述條件下加熱之後，產生膨脹者用顯微鏡觀察膨脹區域的剖面，從而確認銅箔與預浸料層之間是否存在層間剝離。將銅箔與預浸料層之間未發生層間剝離者判定為「○（合格）」，將銅箔與預浸料層之間有1處發生層間剝離者判定為「Δ（合格）」，將銅箔與預浸料層之間有2處以上發生層間剝離者判定為「×（不合格）」。另外，回焊試驗的内容依據JIS C 60068-2-58。
(8)回焊耐熱性（芯層與預浸料層之間） 下面對回焊耐熱試驗（芯層與預浸料層之間）的試片的製作方法進行說明。將於雙面積層有銅箔之絕緣基板作為芯層。利用氯化銅(II)溶液等對芯層進行蝕刻而使所有銅箔被溶解。藉由於經蝕刻的芯層的雙面積層作為絕緣基板之預浸料層與銅箔來製作回焊試片。於本案中，回焊試片（芯層與預浸料層之間）的尺寸為100 mm×100 mm。
接著，將製成的試片通入至回焊爐中，並以頂溫度為260℃且時間為10秒鐘的加熱條件經歷10次。於上述條件下加熱之後，將芯層與預浸料層之間未發生層間剝離者判定為「○（合格）」，將芯層與預浸料層之間有1處發生層間剝離者判定為「Δ（合格）」，將芯層與預浸料層之間有2處以上發生層間剝離者判定為「×（不合格）」。另外，回焊試驗的内容依據JIS C 60068-2-58。
由表3可明確得知，實施例1至實施例18在與絕緣基板的密接性、傳輸特性及回焊耐熱性的所有性能方面均為合格等級。另一方面，關於比較例1，其線長比Da/Db和Da'/Db小，凹凸表面中的凹凸的平均高低差H和H'亦低，所以密接強度低，回焊耐熱性亦差。關於比較例2，其線長比Da/Db和Da'/Db大，凹凸表面中的凹凸的平均高低差H和H'亦高，所以傳輸損耗大，傳輸特性差。關於比較例3，其線長比Da/Db和Da/Db'小，矽烷附著量亦少，所以回焊耐熱性差。關於比較例4，其線長比Da/Db和Da'/Db小，凹凸表面中的凹凸的平均高低差H及H'低，矽烷附著量多，所以密接強度低。關於比較例5至比較例7，其線長比Da/Db和Da/Db'大，平均高低差H和H'大，此外表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量多，所以回焊耐熱性差。關於比較例8，其線長比Da/Db和Da'/Db小，凹凸表面中的凹凸的平均高低差H低，所以密接強度低。關於比較例9至比較例14，其線長比Da/Db和Da'/Db大，尤其是比較例9至比較例11中，凹凸表面中的凹凸的平均高低差H和H'亦高，所以傳輸損耗大，傳輸特性差。
[產業上之可利用性] 藉由本發明，能提供一種表面處理銅箔及使用該表面處理銅箔製成的覆銅積層板，該表面處理銅箔可確保與絕緣基板充分的密接性且兼具高度的回焊耐熱性與傳輸特性，該絕緣基板因相對介電常數和介電損耗正切低而介電特性優異，從而能應對高速傳輸處理大容量資訊之高頻化資訊通訊設備的高性能化及高機能化。
11‧‧‧頸縮形狀110‧‧‧銅箔基體120‧‧‧表面粗化層Da‧‧‧沿表面粗化層的凹凸表面而測定的沿面長度Db‧‧‧沿前述銅箔基體面而測定的沿面長度P‧‧‧基板的寬度41‧‧‧氣泡42‧‧‧絕緣基板43‧‧‧表面粗化層
圖1(a)是顯示本發明的具有頸縮形狀之表面粗化層的狀態的剖面圖；所謂頸縮形狀，是指如圖1的形狀，即與粗化粒子的最大寬度相比，粗化粒子的根部的寬度變窄，從而於粗化粒子的根部具有凹處。 圖1(b)是顯示先前的表面粗化層的狀態的剖面圖。 圖2是示意性地顯示構成凹凸表面的凹凸的平均高低差H的剖面圖，該凹凸表面構成表面粗化層。 圖3是示意性地顯示圖1所示的表面粗化層的凹凸表面上的沿面長度Da的剖面圖。 圖4(a)是顯示用以測定構成凹凸表面的凹凸的平均高低差H之基線BL1的剖面圖，該凹凸表面構成表面粗化層。 圖4(b)是同樣地顯示基線BL2的剖面圖。 圖5是示意性地顯示存在於表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡的剖面圖。
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Da‧‧‧沿表面粗化層的凹凸表面而測定的沿面長度
Db‧‧‧沿前述銅箔基體面而測定的沿面長度
P‧‧‧基板的寬度

Claims (7)

  1. 一種表面處理銅箔，其是在銅箔基體上設置表面粗化層而成者，其特徵在於：前述表面粗化層具有複數個粗化粒子，前述表面粗化層的表面構成為凹凸表面，於與前述銅箔基體面正交之剖面，沿前述表面粗化層的凹凸表面而測定的沿面長度(Da)相對於沿前述銅箔基體面而測定的沿面長度(Db)之比(Da/Db)處於1.05至4.00的範圍，前述凹凸表面中的凹凸的平均高低差(H)處於0.2至1.3μm的範圍，進一步，於前述表面粗化層上直接地或間隔中間層地具有以0.0003至0.0300mg/dm2的矽烷附著量而形成之矽烷耦合劑層；並且，前述凹凸表面具有頸縮形狀。
  2. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，前述沿面長度之比(Da/Db)處於1.05至3.20倍的範圍，前述凹凸的平均高低差(H)處於0.2至0.8μm的範圍，並且當將銅箔與絕緣基板積層時，於前述銅箔基體上的任意選擇的寬度方向的直線上，每2.54μm的長度中前述表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量為2個以下，該任意選擇的寬度方向為與前述銅箔的製造方向垂直的方向。
  3. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，前述沿面長度之比(Da/Db)處於1.05至160倍的範圍， 前述凹凸的平均高低差(H)處於0.2至0.3μm的範圍，並且當將銅箔與絕緣基板積層時，於前述銅箔基體上的任意選擇的寬度方向的直線上，每2.54μm的長度中前述表面粗化層與絕緣基板的界面的氣泡數量為1個以下，該任意選擇的寬度方向為與前述銅箔的製造方向垂直的方向。
  4. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，前述矽烷耦合劑層的矽烷附著量為0.0005至0.0120mg/dm2。
  5. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，前述中間層是由選自含有Ni之基底層、含有Zn之耐熱處理層及含有Cr之防銹處理層中的至少1層構成。
  6. 如請求項1所述之表面處理銅箔，其中，前述矽烷耦合劑層是由選自環氧系矽烷、胺基系矽烷、乙烯基系矽烷、甲基丙烯酸系矽烷、丙烯酸系矽烷、苯乙烯基系矽烷、醯脲系矽烷、巰基系矽烷、硫化物系矽烷及異氰酸酯基系矽烷中的至少1種構成。
  7. 一種覆銅積層板，其於請求項1至6中任一項所述之表面處理銅箔的表面粗化層側的面上具有絕緣基板。
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