TWI605735B - Copper foil excellent in adhesion to resin, method for producing the same, and printed wiring board or battery negative electrode using the same - Google Patents

Copper foil excellent in adhesion to resin, method for producing the same, and printed wiring board or battery negative electrode using the same Download PDF

Info

Publication number
TWI605735B
TWI605735B TW101134889A TW101134889A TWI605735B TW I605735 B TWI605735 B TW I605735B TW 101134889 A TW101134889 A TW 101134889A TW 101134889 A TW101134889 A TW 101134889A TW I605735 B TWI605735 B TW I605735B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
copper foil
roughened
electrolytic
layer
electrolytic copper
Prior art date
Application number
TW101134889A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201330719A (zh
Inventor
Michiya Kohiki
Terumasa Moriyama
Original Assignee
Jx Nippon Mining & Metals Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jx Nippon Mining & Metals Corp filed Critical Jx Nippon Mining & Metals Corp
Publication of TW201330719A publication Critical patent/TW201330719A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI605735B publication Critical patent/TWI605735B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/06—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12—Semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/50—Electroplating: Baths therefor from solutions of platinum group metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00—Electroforming
    • C25D1/04—Wires; Strips; Foils
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/70—Carriers or collectors characterised by shape or form
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/382—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal
    • H05K3/384—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the metal by plating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M10/00—Secondary cells; Manufacture thereof
    • H01M10/05—Accumulators with non-aqueous electrolyte
    • H01M10/052—Li-accumulators
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M2004/026—Electrodes composed of, or comprising, active material characterised by the polarity
    • H01M2004/027—Negative electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03—Conductive materials
    • H05K2201/0332—Structure of the conductor
    • H05K2201/0335—Layered conductors or foils
    • H05K2201/0355—Metal foils
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10—Energy storage using batteries

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)

Description

與樹脂之密合性優異之銅箔及其製造方法以及使用有該電解銅箔之印刷配線板或電池用負極材
本發明係關於一種與樹脂之接著性優異之電解銅箔及其製造方法以及使用有該電解銅箔之印刷配線板或電池用負極材，本發明提供一種尤其是於與「通常與銅箔之密合力低於通用環氧樹脂系基材(FR-4等)」之半導體封裝用基材或液晶聚合物基材組合使用時，可獲得更強之剝離強度的電解銅箔及其製造方法以及使用有該電解銅箔之印刷配線板或電池用負極材。該電解銅箔可用作印刷配線板或電池(LiB等)用負極材所使用之電解銅箔。
作為先前技術，針對印刷配線板進行說明，該印刷配線板通常藉由如下所述之步驟製作。首先，將銅箔於高溫高壓下積層接著於合成樹脂等基材。其次，為了於基板上形成目標導電性電路，藉由耐蝕刻性樹脂等材料於銅箔上印刷與電路同等之電路。
並且，藉由蝕刻處理而去除露出之銅箔之不需要部分。於蝕刻後，去除由殘留之銅(電路部分)上之樹脂(耐蝕刻性樹脂)等材料所構成之印刷部，於基板上形成導電性電路。於所形成之導電性電路，最後焊接特定之元件，形成電子裝置用之各種印刷電路板。最後，與抗蝕劑或增層樹脂基板接合。
對於成為與樹脂之接著面之銅箔的粗化面，主要要求與樹脂基材之剝離強度充分，並且於高溫加熱、濕式處理、 焊接、化學品處理等之後亦可充分地保持其剝離強度。
作為提高電解銅箔與樹脂基材之間之剝離強度之方法，通常具有代表性的是：於增大表面輪廓(凹凸、粗糙度)之生銅箔上附著大量粗化粒子之方法。然而，若於印刷配線板中，尤其是於必需形成微細之電路圖案之半導體封裝基板使用此種輪廓(凹凸、粗糙度)較大之銅箔，則會於電路蝕刻時殘留不需要之銅粒子，產生電路圖案間之絕緣不良等問題。
因此，作為以半導體封裝基板為首之微細電路用途之銅箔，使用有於降低輪廓之生銅箔上實施有在確保與基材之密合性之方面最低限之粗化處理的所謂低輪廓銅箔。此種低輪廓銅箔與樹脂之密合性(剝離強度)有由於其低輪廓(凹凸、粗糙度)之影響而低於通常之印刷配線板用銅箔之傾向。
又，通常半導體封裝基板用樹脂基材或液晶聚合物基材與銅箔之密合性低於FR-4等通用環氧樹脂系基材，故而有如與上述銅箔之低輪廓化相輔相成，使銅箔與樹脂基材之間之剝離強度進一步降低的傾向。
因此，作為此種微細配線用途之銅箔，要求兼具與樹脂基材之接著面之低輪廓化、及與樹脂基材之較高之密合性(剝離強度)。
進而，於電腦或行動通訊等電子機器中，隨著通信之高速化、大容量化，電氣訊號之高頻化正不斷進展，業界要求可與此對應之印刷配線板及銅箔。若電氣訊號之頻率 成為1GHz以上，則電流僅於導體之表面流通之集膚效應之影響變明顯，無法無視電流傳輸路徑因表面之凹凸而變化從而使阻抗增大的影響。就此方面而言，亦期望銅箔之表面粗糙度較小。於因高頻電氣訊號之傳輸損耗較少之優點而於近年來逐漸擴大使用之液晶聚合物基材，由於尤其是與銅箔之密合性變低，因此同樣必需兼具銅箔之低輪廓化與密合性(剝離強度)。
通常，印刷配線板用銅箔之表面處理方法係於生壓延銅箔或電解銅箔上，首先為了提高銅箔與樹脂之接著力(剝離強度)，通常進行對銅箔表面賦予由銅及氧化銅構成之微粒子之粗化處理。其次，為了防止粗化處理粒子之脫落，提高其密合性，利用硫酸銅鍍浴進行被覆鍍敷。
進而，為了使該銅箔具有耐熱性、耐候性，自其上形成黃銅或鋅等耐熱處理層(障壁層)。
並且，為了防止搬運中或保管中之表面氧化等，於其上藉由實施浸漬或電解鉻酸鹽處理或電解鉻/鋅處理等防銹處理而製成製品。
其中，尤其是粗化粒子層於賦予銅箔(電解)與樹脂基材之接著力(剝離強度)之方面扮演最重要之作用。於印刷配線板用銅箔之與樹脂之接著面，通常形成耐熱-防銹處理層。作為形成耐熱處理層之金屬或合金之例，形成有Zn、Cu-Ni、Cu-Co及Cu-Zn等被覆層之大量的銅箔正實用化(例如，參照專利文獻3)。
於該等中，形成由Cu-Zn(黃銅)構成之耐熱處理層 之銅箔具有如下等優異之特性：在積層於由環氧樹脂等所構成之印刷電路板之情形時無樹脂層之染色，又，高溫加熱後之剝離強度之劣化少，故而於工業上廣泛使用。
對形成由該黃銅構成之耐熱處理層之方法於專利文獻4及專利文獻5中詳細敍述。
進而，於工業上廣泛使用在上述耐熱處理層上進行鉻酸鹽處理後，使矽烷偶合劑吸附於鉻酸鹽處理後之表面而提高與樹脂基材之密合性的方法。作為上述粗化處理之方法，可列舉若干公知技術。例如，專利文獻8中揭示有於銅箔之被接著面具有由含有鉻或鎢之一種或兩種之大量之突起狀電鍍物構成之粗化處理層的印刷電路用銅箔。該層之目的在於提高接著強度、耐熱性，抑制落粉。
進而，專利文獻9中揭示有如下印刷電路用銅箔，其於銅箔之被接著面具有由含有鉻或鎢之一種或兩種之第1群金屬、及選自由鎳、鐵、鈷、鋅所組成之第2群金屬之大量突起狀電鍍物所構成之粗化處理層。該層之目的在於提高接著強度、耐熱性，抑制落粉，提出有上述專利文獻8之改良技術。
又，專利文獻10中提出有如下粗化處理銅箔，其於銅箔之被接著面設置有由銅、鎢、鉬中之1種以上之金屬，及選自鎳、鈷、鐵、鋅中之1種以上之金屬所構成的複合金屬層，進而於該層上設置有粗化處理層。
另一方面，專利文獻11中提出有如下技術：為了於銅箔之表面形成粗化處理時，即便使用於銅箔表面具有凹凸 之銅箔，亦可不使銅粒子集中於凸部而亦附著於凹部，均勻地形成圓塊狀之銅粒子，提高接著強度，於蝕刻時不易產生銅殘留之現象，使蝕刻性變得良好，而使用「於以硫酸銅及硫酸為主成分之酸性銅鍍浴中添加有選自鐵、鎳、鈷、鉬、鎢、鈦、鋁中之金屬，及聚乙二醇」的鍍浴而形成粗化處理。
又，專利文獻12中提出有使用添加有明膠來代替上述聚乙二醇之鍍浴而形成粗化處理之技術。如此，亦對添加於以硫酸銅及硫酸為主成分之酸性銅鍍浴的添加劑進行研究，但其效果有極限，而期待進一步之改良。
專利文獻1：日本特開平8-236930號公報
專利文獻2：日本專利第3459964號公報
專利文獻3：日本特公昭51-35711號公報
專利文獻4：日本特公昭54-6701號公報
專利文獻5：日本專利第3306404號公報
專利文獻6：日本特願2002-170827號公報
專利文獻7：日本特開平3-122298號公報
專利文獻8：日本專利第2717911號公報
專利文獻9：日本專利第2920083號公報
專利文獻10：日本特開2001-226795號公報
專利文獻11：日本特開2005-353919號公報
專利文獻12：日本特開2005-353920號公報
本發明之課題在於提供一種可提高電解銅箔與樹脂基 材之接著強度，增大剝離強度之電解銅箔及其製造方法以及使用有該電解銅箔之印刷配線板或電池用負極材，即，藉由於電解銅箔之粗面(M面)形成本發明之粗化粒子，從而可大幅度提高銅箔本身與樹脂基材之接著強度，不使電解銅箔之各特性劣化而改善銅箔上之粗化處理層，提高銅箔與樹脂基材之接著強度。本發明之課題在於提供一種尤其是與「通常與銅箔之密合力低於通用環氧樹脂系基材(FR-4等)」之半導體封裝用基材或液晶聚合物基材組合使用時，可獲得更強之剝離強度的電解銅箔及其製造方法。本發明之課題在於提供一種尤其是可用作電路之微細化及高頻化進展之半導體封裝基板用銅箔或液晶聚合物基板用銅箔或電池(LiB等)用負極材所使用之電解銅箔的電解銅箔。
為了解決上述課題，本發明人進行了潛心研究，結果提供以下1)~12)之電解銅箔及其製造方法以及使用有電解銅箔之印刷配線板或電池用負極材。
1)一種電解銅箔，於其粗化面(M面)形成有粗化粒子，其特徵在於：該粗化粒子之平均尺寸為0.1~1.0μm。
2)如上述1)之電解銅箔，其中，粗化粒子數之平均為1~2個/μm2。
3)如上述1)或2)之電解銅箔，其粗化面(M面)之表面粗糙度Rz為3.0μm以下，Ra未達0.6μm，Rt未達4.0μm。
4)如上述1)至3)中任一項之電解銅箔，其與BT基 材之常態剝離強度為1.0kN/m以上。再者，BT基材為雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂，且為代表性之半導體封裝基板用基材。以下，BT基材表示相同含義。
5)如上述1)至4)中任一項之電解銅箔，其與BT基材之焊接後的剝離強度為0.98kN/m以上。
6)如上述1)至5)中任一項之電解銅箔，其中，於上述粗化粒子層上具有被覆鍍銅層。
7)如上述1)至6)中任一項之電解銅箔，其中，於上述粗化粒子層上或上述被覆鍍敷處理層上具備含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱-防銹層。
8)如上述7)之電解銅箔，其中，於上述耐熱-防銹層上具有鉻酸鹽皮膜層。
9)如上述8)之電解銅箔，其中，於上述該鉻酸鹽皮膜層上具有矽烷偶合劑層。
10)一種印刷配線板或電池用負極材，其使用有上述1)至9)中任一項之電解銅箔。
11)一種電解銅箔之製造方法，於電解銅箔之粗化面(M面)使用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴而形成粗化粒子，其特徵在於：將電解浴中之銅濃度設為10~20g/L而進行電解，製造上述1)至9)中任一項之電解銅箔。
12)如上述11)之電解銅箔之製造方法，其使用含有鎢離子之由硫酸、硫酸銅構成之電解浴形成銅之粗化粒子。
於該由硫酸、硫酸銅構成之電解浴中不含砷離子。
如上所述，本發明之電解銅箔具有如下較大之效果： 可不提高銅箔之表面粗糙度而提高銅箔與樹脂基材之接著強度，增大剝離強度，並可提供一種銅箔及其製造方法。即，藉由於電解銅箔之粗面(M面)形成本發明之粗化粒子，從而可大幅度提高銅箔本身與樹脂基材之接著強度，不使電解銅箔之各特性劣化而改善銅箔上之粗化處理層，提高銅箔與樹脂基材之接著強度。提供一種尤其是於與「通常與銅箔之密合力低於通用環氧樹脂系基材(FR-4等)」之半導體封裝用基材或液晶聚合物基材組合使用時，可獲得更強之剝離強度的電解銅箔及其製造方法。可有效地作為電路之微細化及高頻化進展之半導體封裝基板用銅箔或液晶聚合物基板用銅箔或電池(LiB等)用負極材所使用之電解銅箔。
繼而，為了容易地理解本發明，具體且詳細地對本發明進行說明。本發明中所使用之銅箔係電解銅箔。隨著半導體電路之高積體化，於印刷電路配線板等中亦要求微細電路，於銅箔形成用以提高與樹脂層之密合力(剝離強度)之粗化處理層。
為了形成微細電路，較為重要的是粗化處理層之粗糙度，較理想的是低粗糙度且表現出高剝離強度之銅箔。於以提高錨固效應所產生之剝離強度為目的之粗化處理層，形成粗化粒子層。本發明提供一種電解銅箔，其藉由與先前之粒子尺寸相比縮小至約1/4以下，使粒子數多約5~20倍左右地形成，而為低粗糙度且表現出高強度。
於電解銅箔之製造步驟中，接觸於鼓面之面成為光澤面(S面)，其相反側之面成為粗化面(M面)。本發明係於電解銅箔之粗化面(M面)形成有粗化粒子之電解銅箔，且該粗化粒子之平均尺寸為0.1~1.0μm。
本案發明之明顯之特徵為該粗化粒子之平均尺寸為先前之粗化粒子之尺寸之約1/4以下。若粗化粒子之平均尺寸於0.1~1.0μm之範圍內，則可有效地提高剝離強度。又，此時所形成之粗化粒子數之平均為1~2個/μm2，微細粒子具有密集之形態。其結果，可提高由錨固效應所產生之剝離強度。
另一方面，上述電解銅箔之粗化面(M面)之表面粗糙度亦重要，於本案發明之情形時，可將Rz設為3.0μm以下，將Ra設為未達0.6μm，將Rt設為未達4.0μm。就先前技術看來，該等為較小之值。即，於先前技術中，認為粗化面(M面)之表面粗糙度越粗糙，越可提高剝離強度。然而，本案發明之電解銅箔之粗化面(M面)本身為低粗糙度，且如上所述，特徵在於微細粒子密集之形態，藉此可提高剝離強度。
根據上述情況，本案發明之電解銅箔與BT基材之常態剝離強度為1.0kN/m以上，且與BT基材之焊接後之剝離強度可達到0.98kN/m以上。
再者，上述粗化粒子之尺寸以及個數係於由銅及氧化銅構成之微粒子進而形成被覆鍍銅層，甚至是形成含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素之耐熱-防銹 層，並於該耐熱-防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層及於該鉻酸鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層後者。本發明可製造一種使用具有上述特徵之電解銅箔而提高銅箔與樹脂之密合性(剝離強度)的印刷配線板或電池用負極材。
本案發明之特徵在於：使用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴，將該電解浴中之銅濃度設為10~20g/L，於上述電解銅箔之粗化面(M面)形成由微細且大量之粒子構成之粗化粒子層。先前之粗化粒子形成係將銅濃度設為20~40g/L而進行處理，故而粗化粒子形成時之極限電流密度成為相對較高之值。然而，相對於此，本發明藉由如上所述，將電解浴中之銅濃度降低為10~20g/L而降低極限電流密度並抑制為較低，從而增加相同電流密度下之粗化粒子形成效率，結果可製造1粒子尺寸變得微細，增加銅每單位面積且使大量粒形成子之數量增加的電解銅箔。
若電解浴中之銅濃度未達10g/L，則粒子成長變得緩慢，生產速度降低，故而欠佳。又，若電解浴中之銅濃度超過20g/L，則如先前般，成長粒子變得過大，無法達成本案發明之目的，故而較佳設為上述之銅濃度。
如此，藉由實現縮小每1粒子之尺寸且大量形成，而雖為低粗糙度，但亦可增加與樹脂層之鍵結之粗化粒子表面積，可獲得高剝離強度。再者，本案說明書中說明之粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像所觀察到之粒子數，根據圖像區域換算個數。又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子。剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定。表面粗糙度係以觸針式利用依據JIS-B-0601之方法測定。
形成上述銅之粗化粒子之電解浴中，較佳為使用含有鎢離子之由硫酸、硫酸銅構成之電解浴而形成銅之粗化粒子。再者，較理想的是該由硫酸、硫酸銅構成之電解浴中不含砷離子。
形成本發明之典型之粗化粒子之處理條件如下所述。
(溶液組成)
Cu：10~20g/L
H2SO4：10~200g/L
十二烷基硫酸鈉：0.1~100mg/l
(電鍍條件)
溫度：25~60℃
(電流條件)
電流密度：25~100A/dm2(為浴之極限電流密度以上)
除了上述溶液組成1以外，可添加以下成分。再者，不添加砷(As)。
(選擇溶液組成2)
W(添加鎢酸鹽)：0.1~100mg/l
進而，可於上述粗化處理層上利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴進行被覆鍍敷。進而可形成含有選自鋅、鎳、鈷、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱-防銹層，可於該耐熱-防銹層上形成鉻酸鹽皮膜層，並且可於該鉻酸 鹽皮膜層上形成矽烷偶合劑層。
作為與本發明組合之被覆鍍敷處理、耐熱-防銹處理、鉻酸鹽處理、及矽烷偶合劑，可使用先前之耐熱-防銹層。
作為被覆鍍敷處理，並無特別限制，可使用公知之處理。以下，表示具體例。
(溶液組成)
Cu：20~100g/L
H2SO4：50~150g/L
(液溫)
25~60℃
(電流條件)
電流密度：1~50A/dm2(為浴之極限電流密度以下)
鍍敷時間：1~20秒
作為耐熱-防銹層，並無特別限制，可使用公知之處理。例如，對印刷配線板用銅箔可使用先前所使用之黃銅被覆層。
以下表示具體例。
(溶液組成)
NaOH：40~200g/L
NaCN：70~250g/L
CuCN：50~200g/L
Zn(CN)2：2~100g/L
As2O3：0.01~1g/L
(液溫)
40~90℃
(電流條件)
電流密度：1~50A/dm2
鍍敷時間：1~20秒
上述鉻酸鹽皮膜層可使用電解鉻酸鹽皮膜層或浸漬鉻酸鹽皮膜層。該鉻酸鹽皮膜層之Cr量較理想為25~150μg/dm2。若Cr量未達25μg/dm2，則無防銹層效果。又，若Cr量超過150μg/dm2，則效果飽和，故而會浪費。因此，較佳為將Cr量設為25~150μg/dm2。
以下，記載用以形成上述鉻酸鹽皮膜層之條件之例。然而，如上所述，無需限定於該條件，可使用任一已公知之鉻酸鹽處理。該防銹處理係對耐酸性產生影響之因素之一，藉由鉻酸鹽處理，耐酸性進一步提高。
(a)浸漬鉻酸鹽處理
K2Cr2O7：1~5g/L、pH值：2.5~5.5、溫度：25~60℃、時間：0.5~8秒
(c)電解鉻、鋅處理
K2Cr2O7(Na2Cr2O7或CrO3)：2~10g/L、ZnOH或ZnSO4．7H2O：0.05~10g/L、pH值：2.5~5.5、浴溫：20~80℃、電流密度：0.05~5A/dm2、時間：0.1~10秒
作為本發明之印刷配線板用銅箔所使用之矽烷偶合劑，可使用一般之銅箔所使用之任意之矽烷偶合劑，並無特別限制。作為矽烷偶合劑處理之具體例，示出以下之條 件。
對銅箔粗化面噴霧0.2%環氧矽烷水溶液後加以乾燥。
矽烷偶合劑之選擇為任意，但可謂較理想的是考慮到銅箔與積層之樹脂基材之親和性之選擇。
[實施例]
繼而，對實施例及比較例進行說明。再者，本實施例係表示較佳之一例者，本發明並不限定於該等實施例。因此，包含於本發明之技術思想之變形、其他實施例或態樣全部包含於本發明中。再者，為了與本發明對比，揭示有比較例。
(實施例1)
使用厚度12μm之IPC Grade 3之電解銅箔，對該銅箔之粗面進行形成粗化粒子之處理。
示出形成粗化粒子之處理(鍍敷)電解液之浴組成及電解處理條件。
(溶液組成)
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
W添加量：3mg/L(利用鎢酸鈉二水合物添加，以下相同)
癸基硫酸鈉添加量：4mg/L
(液溫)38℃
(電流條件)
電流密度：54A/dm2
繼而，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴對上述粗化處理面進行被覆鍍敷。以下，表示被覆鍍敷之處理條件。
(被覆鍍敷液組成)
Cu：45g/L
H2SO4：100g/L
(液溫)45℃
(電流條件)
電流密度：29A/dm2(未達浴之極限電流密度)
進而，於上述被覆鍍敷處理上形成耐熱-防銹層，於該耐熱-防銹層上進行電解鉻酸鹽處理，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
於上述條件下進行形成粗化粒子之處理，結果粗化粒子數成為1.38個/μm2，粒子尺寸平均成為0.53μm。再者，如上所述，表面粗糙度係以觸針式利用依據JIS-B-0601之方法測定，粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子數，根據圖像區域換算個數之結果。
又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子之結果。再者，該粒子尺寸係以粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、及以任意2點觀察到之平面上之粒子尺寸的平均值。
將於實施例1之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(左起1000倍、3000倍、6000倍、10000倍)示於圖1。如圖1所示，可知1粒子尺 寸變得微細，銅單位面積之粒子形成數增加。
針對如此製作之銅箔，關於以下項目進行測定。剝離強度之測定時係使用BT基材(雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造之GHPL-830MBT)進行積層接著。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。
若與BT基材積層時之銅箔之剝離強度為0.98kN/m以上，則可謂作為半導體封裝基板用途之銅箔具有足夠之接著強度。
(剝離強度測定)
於特定之條件下將銅箔與上述2種基材熱壓接而製成覆銅積層板，並藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之電路之後，剝離銅箔，測定90度剝離強度。
如上所述，剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定之結果。
其結果，剝離強度大幅提高，BT樹脂積層時之剝離(peel)強度達到1.12kN/m，焊接後之剝離強度達到1.12kN/m。又，表面粗糙度成為Ra：0.57μm、Rt：3.70μm、Rz：3.00μm。
將實施例1中測定之粗化粒子數(個/μm2)、粒子尺寸(平均μm)、表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)、及剝離強度(BT基材剝離強度(kN/m)：常態與焊接後之剝離強度)示於表1。
(實施例2)
使用厚度12μm之IPC Grade 3之電解銅箔，對該銅箔之粗面進行形成粗化粒子之處理。
示出形成粗化粒子之處理(鍍敷)電解液之浴組成與電解處理條件。
(溶液組成)
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
W添加量：3mg/L(利用鎢酸鈉二水合物添加，以下相同)
癸基硫酸鈉添加量：4mg/L
(液溫)38℃
(電流條件)
電流密度：54A/dm2
繼而，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴對上述粗化處理面進行被覆鍍敷。以下，表示被覆鍍敷之處理條件。
(被覆鍍敷液組成)
Cu：45g/L
H2SO4：100g/L
(液溫)45℃
(電流條件)
電流密度：31A/dm2(未達浴之極限電流密度)
進而，於上述被覆鍍敷處理上形成耐熱-防銹層，於 該耐熱-防銹層上進行電解鉻酸鹽處理，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
於上述條件下進行形成粗化粒子之處理，結果粗化粒子數成為1.29個/μm2，粒子尺寸平均成為0.56μm。再者，如上所述，表面粗糙度係以觸針式利用依據JIS-B-0601之方法測定，粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子數，根據圖像區域換算個數之結果。
又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子的結果。再者，該粒子尺寸係以粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、與以任意2點觀察到之平面上之粒子尺寸的平均值。
將於實施例2之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)示於圖2。如圖2所示，可知1粒子尺寸變得微細，銅每單位面積之粒子形成數增加。
針對如此製作之銅箔，關於以下項目進行測定。剝離強度之測定時係使用BT基材(雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造之GHPL-830MBT)進行積層接著。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。
若與BT基材積層時之銅箔之剝離強度為0.98kN/m以上，則可謂作為半導體封裝基板用途之銅箔具有足夠之接著強度。
(剝離強度測定)
將銅箔與上述2種基材於特定之條件下熱壓接而製成覆銅積層板，並藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之電路之後，剝離銅箔，測定90度剝離強度。
如上所述，剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定之結果。
其結果，剝離強度大幅提高，BT樹脂積層時之剝離(peel)強度達到1.01kN/m，焊接後之剝離強度達到0.98kN/m，成為良好之結果。又，表面粗糙度成為Ra：0.43μm、Rt：2.97μm、Rz：2.60μm。
將實施例2中測定之粗化粒子數(個/μm2)、粒子尺寸(平均μm)、表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)、及剝離強度(BT基材剝離強度(kN/m)：常態與焊接後之剝離強度)同樣地示於表1。
(實施例3)
使用厚度12μm之IPC Grade 3之電解銅箔，對該銅箔之粗面進行形成粗化粒子之處理。
示出形成粗化粒子之處理(鍍敷)電解液之浴組成與電解處理條件。
(溶液組成)
Cu：20g/L
H2SO4：100g/L
W添加量：3mg/L(利用鎢酸鈉二水合物添加，以下相同)
癸基硫酸鈉添加量：4mg/L
(液溫)38℃
(電流條件)
電流密度：54A/dm2
繼而，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴對上述粗化處理面進行被覆鍍敷。以下，表示被覆鍍敷之處理條件。
(被覆鍍敷液組成)
Cu：45g/L
H2SO4：100g/L
(液溫)45℃
(電流條件)
電流密度：33A/dm2(未達浴之極限電流密度)
進而，於上述被覆鍍敷處理上形成耐熱-防銹層，於該耐熱-防銹層上進行電解鉻酸鹽處理，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
於上述條件下進行形成粗化粒子之處理，結果粗化粒子數成為1.47個/μm2，粒子尺寸平均成為0.67μm。再者，如上所述，表面粗糙度係以觸針式利用依據JIS-B-0601之方法測定，粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子數，根據圖像區域換算個數之結果。
又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子之結果。再者，該粒子尺寸係以粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、與以任意2點觀察到 之平面上之粒子尺寸的平均值。
將實施例3之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)示於圖3。如圖3所示，可知1粒子尺寸變得微細，銅單位面積之粒子形成數增加。
針對如此製作之銅箔，關於以下項目進行測定。剝離強度之測定時係使用BT基材(雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造GHPL-830MBT)進行積層接著。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。
若與BT基材積層時之銅箔之剝離強度為0.98kN/m以上，則可謂作為半導體封裝基板用途之銅箔具有足夠之接著強度。
(剝離強度測定)
將銅箔與上述2種基材於特定之條件下熱壓接而製成覆銅積層板，並藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之電路之後，剝離銅箔，測定90度剝離強度。
如上所述，剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定之結果。
其結果，剝離強度大幅提高，BT樹脂積層時之剝離(peel)強度達到1.24kN/m，焊接後之剝離強度達到1.21kN/m，成為良好之結果。又，表面粗糙度成為Ra：0.43μm、Rt：3.13μm、Rz：2.70μm。
將實施例3中測定之粗化粒子數(個/μm2)、粒子尺寸(平均μm)、表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)及剝離強度(BT基材剝離強度(kN/m)：常態與焊接後之剝離強度)同樣地示於表1。
(實施例4)
使用厚度12μm之IPC Grade 3之電解銅箔，對該銅箔之粗面進行形成粗化粒子之處理。
示出形成粗化粒子之處理(鍍敷)電解液之浴組成與電解處理條件。
(溶液組成)
Cu：10g/L
H2SO4：100g/L
W添加量：3mg/L(利用鎢酸鈉二水合物添加，以下相同)
癸基硫酸鈉添加量：4mg/L
(液溫)38℃
(電流條件)
電流密度：48A/dm2
繼而，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴對上述粗化處理面進行被覆鍍敷。以下，表示被覆鍍敷之處理條件。
(被覆鍍敷液組成)
Cu：45g/L
H2SO4：100g/L
(液溫)45℃
(電流條件)
電流密度：29A/dm2(未達浴之極限電流密度)
進而，於上述被覆鍍敷處理上形成耐熱-防銹層，於該耐熱-防銹層上進行電解鉻酸鹽處理，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
於上述條件下進行形成粗化粒子之處理，結果粗化粒子數成為1.54個/μm2，粒子尺寸平均成為0.49μm。再者，如上所述，表面粗糙度係以觸針式利用依據JIS-B-0601之方法測定，粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子數，根據圖像區域換算個數之結果。
又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子之結果。再者，該粒子尺寸係以粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、與以任意2點觀察到之平面上之粒子尺寸的平均值。
將於實施例4之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)示於圖4。如圖4所示，可知1粒子尺寸變得微細，銅單位面積之粒子形成數增加。
針對如此製作之銅箔，關於以下項目進行測定。剝離強度之測定時係使用BT基材(雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造之GHPL-830MBT)進行積層接著。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。
若與BT基材積層時之銅箔之剝離強度為0.98kN/m以上，則可謂作為半導體封裝基板用途之銅箔具有足夠之接著強度。
(剝離強度測定)
將銅箔與上述2種基材於特定之條件下熱壓接而製成覆銅積層板，並藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之電路之後，剝離銅箔，測定90度剝離強度。
如上所述，剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定之結果。
其結果，剝離強度大幅提高，BT樹脂積層時之剝離(peel)強度達到1.04kN/m，焊接後之剝離強度達到1.03kN/m，成為良好之結果。又，表面粗糙度成為Ra：0.43μm、Rt：3.13μm、Rz：2.57μm。
將實施例4中測定之粗化粒子數(個/μm2)、粒子尺寸(平均μm)、表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)、及剝離強度(BT基材剝離強度(kN/m)：常態與焊接後之剝離強度)同樣地示於表1。
(實施例5)
使用厚度12μm之IPC Grade 3之電解銅箔，對該銅箔之粗面進行形成粗化粒子之處理。
示出形成粗化粒子之處理(鍍敷)電解液之浴組成與電解處理條件。
(溶液組成)
Cu：15g/L
H2SO4：100g/L
W添加量：3mg/L(利用鎢酸鈉二水合物添加，以下相同)
癸基硫酸鈉添加量：4mg/L
(液溫)38℃
(電流條件)
電流密度：45A/dm2
繼而，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴對上述粗化處理面進行被覆鍍敷。以下，表示被覆鍍敷之處理條件。
(被覆鍍敷液組成)
Cu：45g/L
H2SO4：100g/L
(液溫)45℃
(電流條件)
電流密度：21A/dm2(未達浴之極限電流密度)
進而，於上述被覆鍍敷處理上形成耐熱-防銹層，於該耐熱-防銹層上進行電解鉻酸鹽處理，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
於上述條件下進行形成粗化粒子之處理，結果粗化粒子數成為1.40個/μm2，粒子尺寸平均成為0.61μm。再者，如上所述，表面粗糙度係以觸針式利用依據JIS-B-0601之方法測定，粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像觀 察到之粒子數，根據圖像區域換算個數之結果。
又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子之結果。再者，該粒子尺寸係以粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、與以任意2點觀察到之平面上之粒子尺寸的平均值。
將於實施例5之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)示於圖5。如圖5所示，可知1粒子尺寸變得微細，銅單位面積之粒子形成數增加。
針對如此製作之銅箔，關於以下項目進行測定。剝離強度之測定時係使用BT基材(雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造之GHPL-830MBT)進行積層接著。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。
若與BT基材積層時之銅箔之剝離強度為0.98kN/m以上，則可謂作為半導體封裝基板用途之銅箔具有足夠之接著強度。
(剝離強度測定)
將銅箔與上述2種基材於特定之條件下熱壓接而製成覆銅積層板，並藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之電路之後，剝離銅箔，測定90度剝離強度。
如上所述，剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定之結果。
其結果，剝離強度大幅提高，BT樹脂積層時之剝離(peel)強度達到1.10kN/m，焊接後之剝離強度達到1.10kN/m，成為良好之結果。又，表面粗糙度成為Ra：0.50μm、Rt：3.20μm、Rz：2.67μm。
將實施例5中測定之粗化粒子數(個/μm2)、粒子尺寸(平均μm)、表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)及剝離強度(BT基材剝離強度(kN/m)：常態與焊接後之剝離強度)同樣地示於表1。
(比較例1)
使用厚度12μm之IPC Grade 3之電解銅箔，對該銅箔之粗面進行形成粗化粒子之處理。
示出形成粗化粒子之處理(鍍敷)電解液之浴組成與電解處理條件。
(溶液組成)
Cu：35g/L
H2SO4：97.5g/L
As添加量：1.6mg/L
(液溫)38℃
(電流條件)
電流密度：70A/dm2
繼而，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴對上述粗化處理面進行被覆鍍敷。以下，表示被覆鍍敷之處理條件。
(被覆鍍敷液組成)
Cu：45g/L
H2SO4：97.5g/L
(液溫)45℃
(電流條件)
電流密度：41A/dm2(未達浴之極限電流密度)
進而，於上述被覆鍍敷處理上形成耐熱-防銹層，於該耐熱-防銹層上進行電解鉻酸鹽處理，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
於上述條件下進行形成粗化粒子之處理，結果與實施例相比，粗化粒子數減少為0.30個/μm2，粒子尺寸平均增大為2.55μm。再者，如上所述，表面粗糙度係以觸針式利用依據JIS-B-0601之方法測定，粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子數，根據圖像區域換算個數之結果。
又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子之結果。再者，該粒子尺寸係以粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、與以任意2點觀察到之平面上之粒子尺寸的平均值。
將於比較例1之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)示於圖6。如圖6所示，可知1粒子尺寸粗大化，銅單位面積之粒子形成數減少。
針對如此製作之銅箔，關於以下項目進行測定。剝離強度之測定時係使用BT基材(雙順丁烯二醯亞胺-三樹 脂，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造之GHPL-830MBT)進行積層接著。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。
若與BT基材積層時之銅箔之剝離強度為0.98kN/m以上，則可謂作為半導體封裝基板用途之銅箔具有足夠之接著強度。
(剝離強度測定)
將銅箔與上述2種基材於特定之條件下熱壓接而製成覆銅積層板，並藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之電路之後，剝離銅箔，測定90度剝離強度。
如上所述，剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定之結果。
其結果，剝離強度大幅降低，BT樹脂積層時之剝離(peel)強度成為0.80kN/m，焊接後之剝離強度成為0.80kN/m，與實施例相比成為不良。又，表面粗糙度係Ra：0.67μm、Rt：4.60μm、Rz：4.07μm，均增大。
將比較例1中測定之粗化粒子數(個/μm2)、粒子尺寸(平均μm)、表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)、及剝離強度(BT基材剝離強度(kN/m)：常態與焊接後之剝離強度)同樣地示於表1。
(比較例2)
使用厚度12μm之IPC Grade 3之電解銅箔，對該銅箔之粗面進行形成粗化粒子之處理。
示出形成粗化粒子之處理(鍍敷)電解液之浴組成與電解處理條件。
(溶液組成)
Cu：25g/L
H2SO4：97.5g/L
As添加量：1.6mg/L
(液溫)38℃
(電流條件)
電流密度：70A/dm2
繼而，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴對上述粗化處理面進行被覆鍍敷。以下，表示被覆鍍敷之處理條件。
(被覆鍍敷液組成)
Cu：45g/L
H2SO4：97.5g/L
(液溫)45℃
(電流條件)
電流密度：41A/dm2(未達浴之極限電流密度)
進而，於上述被覆鍍敷處理上形成耐熱-防銹層，於該耐熱-防銹層上進行電解鉻酸鹽處理，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
於上述條件下進行形成粗化粒子之處理，結果與實施例相比，粗化粒子數減少為0.63個/μm2，粒子尺寸平均增大為1.16μm。再者，如上所述，表面粗糙度係以觸針式 利用依據JIS-B-0601之方法測定，粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子數，根據圖像區域換算個數之結果。
又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子之結果。再者，該粒子尺寸係以粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、與以任意2點觀察到之平面上之粒子尺寸的平均值。
將於比較例2之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)示於圖7。如圖7所示，可知使1粒子尺寸粗大化，銅單位面積之粒子形成數減少。
針對如此製作之銅箔，關於以下項目進行測定。剝離強度之測定時係使用BT基材(雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造之GHPL-830MBT)進行積層接著。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。
若與BT基材積層時之銅箔之剝離強度為0.98kN/m以上，則可謂作為半導體封裝基板用途之銅箔具有足夠之接著強度。
(剝離強度測定)
將銅箔與上述2種基材於特定之條件下熱壓接而製成覆銅積層板，並藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之電路之後，剝離銅箔，測定90度剝離強度。
如上所述，剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical 製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定之結果。
其結果，剝離強度大幅降低，BT樹脂積層時之剝離(peel)強度成為0.85kN/m，焊接後之剝離強度成為0.85kN/m，與實施例相比成為不良。又，表面粗糙度係Ra：0.73μm、Rt：4.73μm、Rz：4.40μm，均增大。
將比較例2中測定之粗化粒子數(個/μm2)、粒子尺寸(平均μm)、表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)、及剝離強度(BT基材剝離強度(kN/m)：常態與焊接後之剝離強度)同樣地示於表1。
(比較例3)
使用厚度12μm之IPC Grade 3之電解銅箔，對該銅箔之粗面進行形成粗化粒子之處理。
示出形成粗化粒子之處理(鍍敷)電解液之浴組成與電解處理條件。
(溶液組成)
Cu：25g/L
H2SO4：97.5g/L
As添加量：1.6mg/L
(液溫)38℃
(電流條件)
電流密度：44A/dm2
繼而，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴對上述粗化處理面進行被 覆鍍敷。以下，表示被覆鍍敷之處理條件。
(被覆鍍敷液組成)
Cu：45g/L
H2SO4：97.5g/L
(液溫)45℃
(電流條件)
電流密度：36A/dm2(未達浴之極限電流密度)
進而，於上述被覆鍍敷處理上形成耐熱-防銹層，於該耐熱-防銹層上進行電解鉻酸鹽處理，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
於上述條件下進行形成粗化粒子之處理，結果與實施例相比，粗化粒子數減少為0.12個/μm2，粒子尺寸平均增大為1.99μm。再者，如上所述，表面粗糙度係以觸針式利用依據JIS-B-0601之方法測定，粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子數，根據圖像區域換算個數之結果。
又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子之結果。再者，該粒子尺寸係以粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、與以任意2點觀察到之平面上之粒子尺寸的平均值。
將於比較例3之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)示於圖8。如圖8所示，可知1粒子尺寸粗大化，銅單位面積之粒子形成數減少。
針對如此製作之銅箔，關於以下項目進行測定。剝離強度之測定時係使用BT基材(雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造之GHPL-830MBT)進行積層接著。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。
若與BT基材積層時之銅箔之剝離強度為0.98kN/m以上，則可謂作為半導體封裝基板用途之銅箔具有足夠之接著強度。
(剝離強度測定)
將銅箔與上述2種基材於特定之條件下熱壓接而製成覆銅積層板，並藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之電路之後，剝離銅箔，測定90度剝離強度。
如上所述，剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定之結果。
其結果，剝離強度大幅降低，BT樹脂積層時之剝離(peel)強度成為0.82kN/m，焊接後之剝離強度成為0.79kN/m，與實施例相比成為不良。又，表面粗糙度係Ra：0.60μm、Rt：4.17μm、Rz：3.70μm，均增大。
將比較例3中測定之粗化粒子數(個/μm2)、粒子尺寸(平均μm)、表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)、及剝離強度(BT基材剝離強度(kN/m)：常態與焊接後之剝離強度)同樣地示於表1。
(比較例4)
使用厚度12μm之IPC Grade 3之電解銅箔，對該銅箔之粗面進行形成粗化粒子之處理。
示出形成粗化粒子之處理(鍍敷)電解液之浴組成與電解處理條件。
(溶液組成)
Cu：25g/L
H2SO4：97.5g/L
As添加量：1.6mg/L
(液溫)38℃
(電流條件)
電流密度：52A/dm2
繼而，為了防止粗化粒子之脫落及提高剝離強度，利用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴對上述粗化處理面進行被覆鍍敷。以下，表示被覆鍍敷之處理條件。
(被覆鍍敷液組成)
Cu：45g/L
H2SO4：97.5g/L
(液溫)45℃
(電流條件)
電流密度：36A/dm2(未達浴之極限電流密度)
進而，於上述被覆鍍敷處理上形成耐熱-防銹層，於該耐熱-防銹層上進行電解鉻酸鹽處理，於該鉻酸鹽皮膜層上實施矽烷處理(藉由塗佈)。
於上述條件下進行形成粗化粒子之處理，結果與實施 例相比，粗化粒子數減少為0.18個/μm2，粒子尺寸平均增大為1.46μm。再者，如上所述，表面粗糙度係以觸針式利用依據JIS-B-0601之方法測定，粗化粒子數係測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子數，根據圖像區域換算個數之結果。
又，粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之粒子之結果。再者，該粒子尺寸係以粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、與以任意2點觀察到之平面上之粒子尺寸的平均值。
將於比較例4之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)示於圖9。如圖9所示，可知1粒子尺寸粗大化，銅單位面積之粒子形成數減少。
針對如此製作之銅箔，關於以下項目進行測定。剝離強度之測定時係使用BT基材(雙順丁烯二醯亞胺-三樹脂，Mitsubishi Gas Chemical股份有限公司製造之GHPL-830MBT)進行積層接著。BT基材係代表性之半導體封裝基板用基材。
若與BT基材積層時之銅箔之剝離強度為0.98kN/m以上，則可謂作為半導體封裝基板用途之銅箔具有足夠之接著強度。
(剝離強度測定)
將銅箔與上述2種基材於特定之條件下熱壓接而製成覆銅積層板，並藉由濕式蝕刻製作寬度10mm之電路之後， 剝離銅箔，測定90度剝離強度。
如上所述，剝離強度係使用Mitsubishi Gas Chemical製造之基材GHPL-830，利用依據JIS-C-6481之方法測定之結果。
其結果，剝離強度大幅降低，BT樹脂積層時之剝離(peel)強度成為0.99kN/m，焊接後之剝離強度成為0.94kN/m，與實施例相比成為不良。又，表面粗糙度係Ra：0.63μm、Rt：4.83μm、Rz：4.13μm，均增大。
將比較例4中測定之粗化粒子數(個/μm2)、粒子尺寸(平均μm)、表面粗糙度(Ra、Rt、Rz)、及剝離強度(BT基材剝離強度(kN/m)：常態與焊接後之剝離強度)同樣地示於表1。
[產業上之可利用性]
藉由於電解銅箔之粗面(M面)形成本發明之粗化粒子，而具有可大幅提高銅箔本身與樹脂基材之接著強度之較大之效果。即，提供如下電解銅箔及其製造方法，上述電解銅箔可不使電解銅箔之各特性劣化而改善銅箔上之粗化處理層，提高銅箔與樹脂基材之接著強度，尤其是於與「通常與銅箔之密合力低於通用環氧樹脂系基材(FR-4等)」之半導體封裝用基材或液晶聚合物基材組合使用時，可獲得更強之剝離強度。上述電解銅箔可用作電路之微細化及高頻化進展之半導體封裝基板用銅箔或液晶聚合物基板用銅箔或電池(LiB等)用負極材所使用之電解銅箔。
圖1係於實施例1之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)。
圖2係於實施例2之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)。
圖3係於實施例3之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)。
圖4係於實施例4之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)。
圖5係於實施例5之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)。
圖6係於比較例1之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)。
圖7係於比較例2之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)。
圖8係於比較例3之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)。
圖9係於比較例4之12μm厚之電解銅箔之M面形成有粗化粒子之表面的SEM觀察照片(10000倍)。

Claims (16)

  1. 一種電解銅箔，於其粗化面(M面)形成有粗化粒子，其特徵在於：該粗化粒子之以該粗化面之任意2點觀察到之垂直剖面上之粒子尺寸、與以任意2點觀察到之平面上之粒子尺寸的平均值即平均尺寸為0.49~1.0μm，該粒子尺寸係利用線段法測量以SEM1萬倍圖像觀察到之該粗化粒子者，粗化粒子數之平均為1~2個/μm2。
  2. 如申請專利範圍第1項之電解銅箔，其粗化面(M面)之表面粗糙度Rz為3.0μm以下、Ra未達0.6μm、Rt未達4.0μm。
  3. 如申請專利範圍第1項之電解銅箔，其電解銅箔之粗化面(M面)之表面粗糙度Rz為3.0μm以下。
  4. 如申請專利範圍第1項之電解銅箔，其粗化面(M面)之表面粗糙度Ra未達0.6μm、Rt未達4.0μm。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電解銅箔，其與BT基材之常態剝離強度為1.0kN/m以上。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電解銅箔，其與BT基材之焊接後的剝離強度為0.98kN/m以上。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電解銅箔，其具有利用該粗化粒子所形成之粗化粒子層，於該粗化粒子層上具有被覆鍍銅層。
  8. 如申請專利範圍第7項之電解銅箔，其中，於該粗化粒子層上或該被覆鍍敷處理層上具備含有選自鋅、鎳、銅、 磷中之至少一種以上之元素的耐熱-防銹層。
  9. 如申請專利範圍第8項之電解銅箔，其中，於該耐熱-防銹層上具有鉻酸鹽皮膜層。
  10. 如申請專利範圍第9項之電解銅箔，其中，於該鉻酸鹽皮膜層上具有矽烷偶合劑層。
  11. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之電解銅箔，其具有利用該粗化粒子所形成之粗化粒子層，於該粗化粒子層上或該被覆鍍敷處理層上具備含有選自鋅、鎳、銅、磷中之至少一種以上之元素的耐熱-防銹層。
  12. 如申請專利範圍第11項之電解銅箔，其中，於該耐熱-防銹層上具有鉻酸鹽皮膜層。
  13. 如申請專利範圍第12項之電解銅箔，其中，於該鉻酸鹽皮膜層上具有矽烷偶合劑層。
  14. 一種印刷配線板或電池用負極材，其使用有申請專利範圍第1至13項中任一項之電解銅箔。
  15. 一種電解銅箔之製造方法，於電解銅箔之粗化面(M面)使用由硫酸、硫酸銅構成之電解浴而形成粗化粒子，其特徵在於：將電解浴中之銅濃度設為10~20g/L而進行電解，製造申請專利範圍第1至13項中任一項之電解銅箔。
  16. 如申請專利範圍第15項之電解銅箔之製造方法，其使用含有鎢離子之由硫酸、硫酸銅構成之電解浴形成銅之粗化粒子。
TW101134889A 2011-09-30 2012-09-24 Copper foil excellent in adhesion to resin, method for producing the same, and printed wiring board or battery negative electrode using the same TWI605735B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011216623 2011-09-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201330719A TW201330719A (zh) 2013-07-16
TWI605735B true TWI605735B (zh) 2017-11-11

Family

ID=47995304

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101134889A TWI605735B (zh) 2011-09-30 2012-09-24 Copper foil excellent in adhesion to resin, method for producing the same, and printed wiring board or battery negative electrode using the same

Country Status (6)

Country Link
JP (1) JP6029590B2 (zh)
KR (3) KR20160119875A (zh)
CN (1) CN103857833B (zh)
MY (1) MY175198A (zh)
TW (1) TWI605735B (zh)
WO (1) WO2013047272A1 (zh)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI515342B (zh) * 2013-09-05 2016-01-01 三井金屬鑛業股份有限公司 表面處理銅箔、使用該表面處理銅箔所得之貼銅積層板以及印刷配線板
TWI616122B (zh) * 2014-05-28 2018-02-21 Jx Nippon Mining & Metals Corp 表面處理銅箔、附載體銅箔、積層體、印刷配線板、電子機器、表面處理銅箔的製造方法及印刷配線板的製造方法
JP6323261B2 (ja) * 2014-08-29 2018-05-16 住友金属鉱山株式会社 フレキシブル銅配線板の製造方法、及び、それに用いる支持フィルム付フレキシブル銅張積層板
CN106574389B (zh) * 2014-09-05 2018-09-21 古河电气工业株式会社 铜箔、覆铜层压板以及基板
KR101852671B1 (ko) * 2015-01-21 2018-06-04 제이엑스금속주식회사 캐리어 부착 동박, 적층체, 프린트 배선판, 및, 프린트 배선판의 제조 방법
CN107429417B (zh) * 2015-03-31 2019-11-22 三井金属矿业株式会社 粗糙化处理铜箔、带载体铜箔、覆铜层叠板及印刷电路板
JP6083619B2 (ja) * 2015-07-29 2017-02-22 福田金属箔粉工業株式会社 低誘電性樹脂基材用処理銅箔及び該処理銅箔を用いた銅張積層板並びにプリント配線板
JPWO2017051897A1 (ja) * 2015-09-24 2018-08-30 Ｊｘ金属株式会社 金属箔、離型層付き金属箔、積層体、プリント配線板、半導体パッケージ、電子機器及びプリント配線板の製造方法
KR20170038969A (ko) * 2015-09-30 2017-04-10 일진머티리얼즈 주식회사 표면처리동박 및 그의 제조방법
WO2018066113A1 (ja) * 2016-10-06 2018-04-12 三井金属鉱業株式会社 多層配線板の製造方法
JP7492807B2 (ja) * 2016-12-06 2024-05-30 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、キャリア付銅箔、積層体、プリント配線板の製造方法及び電子機器の製造方法
JP7193915B2 (ja) * 2017-02-03 2022-12-21 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔並びにこれを用いた集電体、電極及び電池
KR102353143B1 (ko) * 2017-07-24 2022-01-18 후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤 표면 처리 동박, 그리고 이것을 이용한 동 클래드 적층판 및 프린트 배선판
JP7127861B2 (ja) * 2017-11-10 2022-08-30 ナミックス株式会社 複合銅箔
JP7056167B2 (ja) * 2018-01-23 2022-04-19 株式会社豊田自動織機 蓄電モジュール、及び、蓄電モジュールの製造方法
TWI679314B (zh) 2018-06-07 2019-12-11 國立中興大學 以單一電鍍槽製備銅箔生箔同時形成粗化毛面的方法及該銅箔生箔
WO2020246467A1 (ja) * 2019-06-07 2020-12-10 古河電気工業株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板、及びプリント配線板
TWM593711U (zh) * 2019-06-12 2020-04-11 金居開發股份有限公司 進階反轉電解銅箔及其銅箔基板
US11332839B2 (en) 2019-06-19 2022-05-17 Co-Tech Development Corp. Advanced electrodeposited copper foil and copper clad laminate using the same
TWI776168B (zh) * 2019-06-19 2022-09-01 金居開發股份有限公司 進階反轉電解銅箔及應用其的銅箔基板
CN112469194B (zh) * 2020-11-27 2022-08-05 广东嘉元科技股份有限公司 一种高密互联电路板用低轮廓电解铜箔
WO2022153580A1 (ja) * 2021-01-15 2022-07-21 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
WO2023281759A1 (ja) * 2021-07-09 2023-01-12 Ｊｘ金属株式会社 表面処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
CN115044947B (zh) * 2022-06-17 2023-09-29 山东金宝电子有限公司 一种提高铜箔与树脂附着力的表面处理方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5135711A (en) 1974-09-24 1976-03-26 Komatsu Shoichi Taisui hatsuyuseiojusurukami narabini sonoseizoho
JPS581853B2 (ja) 1977-06-17 1983-01-13 松下電器産業株式会社 選局装置
JP2739507B2 (ja) 1989-10-06 1998-04-15 日鉱グールド・フォイル株式会社 銅箔の電解処理方法
JP2717911B2 (ja) 1992-11-19 1998-02-25 日鉱グールド・フォイル株式会社 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JP3476264B2 (ja) * 1993-12-24 2003-12-10 三井金属鉱業株式会社 プリント回路内層用銅箔およびその製造方法
US5482784A (en) * 1993-12-24 1996-01-09 Mitsui Mining And Smelting Co., Ltd. Printed circuit inner-layer copper foil and process for producing the same
TW317575B (zh) 1994-01-21 1997-10-11 Olin Corp
JP2920083B2 (ja) 1995-02-23 1999-07-19 日鉱グールド・フォイル株式会社 印刷回路用銅箔及びその製造方法
JP3949871B2 (ja) 1999-12-10 2007-07-25 日本電解株式会社 粗化処理銅箔及びその製造方法
JP3306404B2 (ja) 2000-01-28 2002-07-24 三井金属鉱業株式会社 表面処理銅箔の製造方法及びその製造方法で得られた表面処理銅箔を用いた銅張積層板
JP4475836B2 (ja) 2000-09-25 2010-06-09 イビデン株式会社 半導体素子の製造方法
JP4273309B2 (ja) * 2003-05-14 2009-06-03 福田金属箔粉工業株式会社 低粗面電解銅箔及びその製造方法
JP2005353920A (ja) 2004-06-11 2005-12-22 Hitachi Cable Ltd プリント配線板用銅箔の表面粗化処理方法
JP2005353919A (ja) 2004-06-11 2005-12-22 Hitachi Cable Ltd プリント配線板用銅箔の表面粗化処理方法
JP2006210689A (ja) * 2005-01-28 2006-08-10 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 高周波プリント配線板用銅箔及びその製造方法
JP4709575B2 (ja) * 2005-04-15 2011-06-22 福田金属箔粉工業株式会社 銅箔の粗面化処理方法及び粗面化処理液
TWI434965B (zh) * 2008-05-28 2014-04-21 Mitsui Mining & Smelting Co A roughening method for copper foil, and a copper foil for a printed wiring board which is obtained by the roughening method
KR102104161B1 (ko) * 2009-03-27 2020-04-23 제이엑스금속주식회사 프린트 배선판용 동박 및 그 제조 방법
JP5242710B2 (ja) * 2010-01-22 2013-07-24 古河電気工業株式会社 粗化処理銅箔、銅張積層板及びプリント配線板
JP2011179053A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Hitachi Cable Ltd 粗化箔及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2013047272A1 (ja) 2013-04-04
JP6029590B2 (ja) 2016-11-24
JPWO2013047272A1 (ja) 2015-03-26
MY175198A (en) 2020-06-15
KR20160119875A (ko) 2016-10-14
CN103857833B (zh) 2018-09-07
KR20180026584A (ko) 2018-03-12
TW201330719A (zh) 2013-07-16
KR102059280B1 (ko) 2019-12-24
KR20140054435A (ko) 2014-05-08
CN103857833A (zh) 2014-06-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI605735B (zh) Copper foil excellent in adhesion to resin, method for producing the same, and printed wiring board or battery negative electrode using the same
TWI479958B (zh) Copper foil for printed wiring board and manufacturing method thereof
TWI525222B (zh) Printed wiring board copper foil, manufacturing method thereof, resin substrate for printed wiring board, and printed wiring board
JP5204908B1 (ja) キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板
TWI704048B (zh) 表面處理銅箔及使用其製成的覆銅積層板
TWI735651B (zh) 銅箔以及具有該銅箔的覆銅層積板
TWI577256B (zh) 表面處理銅箔、附載體銅箔、基材、樹脂基材、印刷配線板、覆銅積層板及印刷配線板之製造方法
CN1989793A (zh) 表面处理铜箔及采用该表面处理铜箔制造的挠性镀铜膜层压板以及薄膜状载体带
TW201504038A (zh) 附載體銅箔、覆銅積層板、印刷配線板、電子機器及附載體銅箔之製造方法
JP5505828B2 (ja) 複合金属箔及びその製造方法
KR102655111B1 (ko) 표면처리 전해동박, 이의 제조방법, 및 이의 용도
JPWO2012039285A1 (ja) プリント配線板用銅箔の製造方法及びプリント配線板用銅箔
KR100755377B1 (ko) 표면처리 동박의 제조방법
JP5457594B2 (ja) プリント配線板用樹脂、プリント配線板、半導体パッケージ基板及びプリント配線板の製造方法
KR20010102562A (ko) 표면처리 동박과 그 표면처리 동박의 제조방법 및 그표면처리 동박을 사용한 동 클래드 적층판
JP7247015B2 (ja) 電解銅箔、該電解銅箔を用いた表面処理銅箔、並びに該表面処理銅箔を用いた銅張積層板及びプリント配線板
KR20000029215A (ko) 신규한 복합박, 그 제조방법, 및 동접합 적층판
JP5399582B2 (ja) キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板
JP4330979B2 (ja) 表面処理電解銅箔
JP2927968B2 (ja) 高密度多層プリント回路内層用銅箔および該銅箔を内層回路用に用いた高密度多層プリント回路基板
JP3806677B2 (ja) プリント配線板用銅箔
JP5285180B1 (ja) キャリア付銅箔、キャリア付銅箔の製造方法、プリント配線板用キャリア付銅箔及びプリント配線板
TWI461576B (zh) 以超低稜線銅箔為載體之極薄銅箔及其製造方法
JP2010201805A (ja) 複合金属箔及びその製造方法並びにプリント配線板